UNIVERSITATEA POLITEHNIC BUCURETI

FACULTATEA Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei

Catedra Tehnologie Electronic i Fiabilitate (TEF)

NTREBRI I RSPUNSURI PENTRU COLOCVIU LA LABORATORUL DE

MATERIALE ELECTRONICE
Laboratorul nr.1 Materiale dielectrice
1. Definii permitivitatea complex relativ?
Indiferent de mecanismul de polarizare, n domeniul liniar, interaciunea unui dielectric izotrop
cu cmpul electric este caracterizat de permitivitatea complex relativ:
r

unde

D
r jr
0 E

(1)

D este inducia electric

E este intensitatea cmpului electric:

1
109 F / m, permitivitatea vidului.
36

2. Schema echivalent a unui condensator cu material dielectric ntre armturi

Dac un material dielectric cu permitivitatea complex relativ r, se introduce ntre armturile
unui condensator avnd n vid capacitatea Co, n aproximaia c liniile de cmp se nchid n
ntregime prin material (efectele de margine sunt neglijabile), admitana la bornele
condensatorului astfel format are expresia:

Y j r C 0 j r jr C 0 rC 0 jr C 0

(2)

Deci, condensatorul cu materialul dielectric ntre armturi este echivalent cu un condensator fr

pierderi, Ce = r Co, avnd i o rezisten de pierderi n paralel cu condensatorul, de valoare
1
Re
rC 0
Schema echivalent i diagrama fazorial sunt date n Figura 1.

Figura 1. Schema echivalent i diagrama fazorial pentru

un condensator cu dielectric ntre armturi
Din schema echivalent se observ c partea real a permitivitaii complexe relative
caracterizeaz dielectricul din punct de vedere al proprietilor sale de a se polariza (indiferent de
mecanismul de polarizare) i are ca efect creterea de 'r ori a capacitaii condensatorului la
aceleai dimensiuni geometrice, capacitatea condensatorului obinut fiind :
Ce = ' rCo

(3)

Partea imaginar a permitivitaii complexe relative ''r, caracterizeaz dielectricul din punct de
vedere al pierderilor de energie n material, pierderi modelate prin rezistena
1
Re
(4)
rC 0
n diagrama fazorial din Figura 1, unghiul este unghiul dintre tensiunea U aplicat
condensatorului i curentul I care l strbate. Complementarul unghiului de fazaj se numete
unghi de pierderi i se noteaz cu .
Se definete tangenta unghiului de pierderi a materialului dielectric, ca fiind raportul:
P
U IR
I
C

1
tg a
R
r 0 r
(5)
Pr
U IC
I C C e R e r C 0 r
unde: Pa: puterea activ la bornele condensatorului
Pr: puterea reactiv la bornele condensatorului
Inversul tangentei unghiului de pierderi se numete factor de calitate al materialului dielectric i
se noteaz cu

1
CR r
tg
r

(6)

Permitivitatea complex relativ poate fi pus i sub forma:

r r 1 j r r 1 j tg
r

(7)

n acest caz, partea imaginar ne d o informaie complet asupra pierderilor totale (pierderi prin
polarizare, pierderi prin conducie electric, pierderi prin ionizare) n dielectric. Din punct de
vedere al utilizatorului de componente, pentru materialul dielectric aceti doi parametri 'r i tg
sunt eseniali.

3. Cum se determin partea real i partea imaginar a permitivitii complexe realative cu

Analizorul RF de impedan/ material, model E4991A?
Partea real a permitivitii complexe relative se msoar i se calculeaz de analizor cu ajutorul
relaiei:
C
gC
'r e e
(8)
C 0 0S
unde: Ss este suprafaa electrodului superior, cu diametrul de 10mm;
Si - suprafaa electrodului inferior, cu diametrul de 7mm.
g - grosimea materialului dielectric;
Analizorul determina partea imaginar a permitivitii complexe relative cu
relatia:
''r

1
g

R e C 0 0SR e

9)
5. De ce i cum se execut calibrarea Analizorul RF de impedan/ material,
model E4991A?
Calibrarea se realizeaz n planul suprafeelor de contact ale dispozitivului de fixare pentru test
16453A. Calibrarea este obligatorie i se execut n scopul nlturrii erorilor introduse de
elementele de circuit din schema echivalent a capului de msur, Figura 9.

Figura 9 Schema echivalent a dispozitivului de fixare 16453A

Calibrarea se execut astfel:
1. n meniul Stimulus se tasteaz Cal/Comp....
2. n csua Fixture Type se confirm tipul dispozitivului de fixare pentru test 16453.
3. Se apas butonul Cal Menu.
4. n csua Cal Type se selecteaz punctele de msur cerute de datele de
calibrare.

5. Se realizeaz scurtcircuit prin punerea n contact a electrozilor superior i inferior din

dispozitivul de fixare pentru test 16453A.
6. Se apas butonul Meas Short, se asteapta aproximativ 10 secunde. Finalizarea calibrarii
este semnalizata de aparitia bifei, in stnga csuei de calibrare Meas Short .
Observaie: Pe durata calibrrii apare mesajul Wait-Measuring Call Standard la stnga
barei de calibrare.
7. Pentru calibrarea n gol se trage n sus butonul de partea superioar a dispozitivului 16453A,
pentru deprtarea electrozilor. In aceasta pozitie, se apas butonul Meas Open i se asteapta
aproximativ 10 sec pana la aparitia bifei.
8. Pentru calibrarea n scurtcircuit electrozii dispozitivului de fixare sunt in contact, (electrodul
superior este eliberat). Se apas butonul Meas Short i se realizeaza calibrarea n gol care se
finalizeaza la aparitia bifei la stnga Meas Short;
9. Cu brara ESD conectata la mana si folosind penseta se introduce proba de material etalon n
dispozitivul de fixare. Se activeaza butonul Meas Load i se msoar proba de material etalon,
care se finalizeaza la apariia bifei n stnga Meas Load.
10. Se apas butonul Done i analizorul calculeaz datele de calibrare i le salveaz n
memoria intern. Dupa finalizarea pasului 6 analizorul este pregatit pentru introducerea grosimii
MUT (Material Under Test)
6. n urma msurtorilor de material efectuate, care este ordinul de mrime al: prii reale
a permitivitii complexe relative 'r, prii imaginare a permitivitii complexe relative 'r
i a tangentei unghiului de pierderi tg ?
partea real a permitivitii complexe relative 'r ordinul unitilor
partea imaginar a permitivitii complexe relative r ordinul zeci sute de uniti
tangenta unghiului de pierderi tg ordinul zeci sute de uniti
7. Cum se modific valorile permitivitii complexe relative funcie de frecven, pentru
materialele msurate i care material dielectric l recomandai s fie folosit la frecvene
ridicate
( 1GHz)?
Teflonul cu polarizare prin deplasare are:
partea real a permitivitii complexe relative 'r constant funcie de frecven,
partea imaginar a permitivitii complexe relative r redus funcie de frecven,
tangenta unghiului de pierderi tg redus funcie de freven (cele mai mici pierderi dintre
materialele msurate).
8. Cum apreciai c se comport steclotextolitul n funcie de frecven i ce recomandai
celor care vor s-l foloseasc?
Steclotextolitul are polarizare de orientare are:

partea real a permitivitii complexe relative 'r este mai mare dect a teflonului funcie de
frecven,
partea imaginar a permitivitii complexe relative r crete funcie de frecven,
tangenta unghiului de pierderi tg crete funcie de frecven.
Se recomand utilizarea steclotextolitului la frecvene reduse.
9. Determinai valoarea prii reale a permitivitii complexe relative 'r a unei probe de
mic cu grosimea de 0,1mm cu ajutorul unei probe de teflon cu grosime de 0,8mm i
'r = 2,1 i 're= 2,23 ?
Se calculeaz folosind formula pentru re :
g g2
're 1
g1 g 2

r1 r 2
n acest caz permitivitatea complex relativ 'r pentru mic este de 6,6.

(10)

10. Msurai permitivitatea complex relativ 'r a unei probe de mic cu grosimea de
0,1mm, tiind c Analizorul msoar probe cu grosimi mai mari dect 0,3mm ?
Cu ajutorul relaiei 10
Lucrarea nr.2 Materiale feroelectrice
1. Definii materialele feroelectrice?
Materialele cu polarizare spontan sunt materiale care se caracterizeaz prin existena unui
moment electric nenul al unitii de volum n absena unui cmp electric exterior. Celula
elementar a unui asemenea material prezint moment dipolar spontan printr-unul din
urmtoarele mecanisme:
- polarizarea de deplasare a electronilor atomici;
- polarizarea de deplasare a ionilor celulei elementare.
Vectorul polarizaie spontan
se caracterizeaz prin simetria limit de tip m care
conine urmtoarele elemente de simetrie:
- o ax de rotaie de ordinul care conine dreapta suport a vectorului
- o infinitate de plane de oglindire care conin aceast dreapt.
Pentru ca ntr-un material s existe polarizaie spontan este necesar ca simetria
structural a materialului s constituie, conform principiului lui Neumann, un subgrup al clasei
de simetrie limit m; din cele 32 de clase de simetrie cristalin existente n natur, numai 10
ndeplinesc aceast condiie i anume: 1, 2, 3, 4, 6, m, mm, 3m, 4mm, 6mm.

2. Definii temperatura Curie ( TC) i cum sunt clasificate materialele feroelectrice funcie
de aceast temperatur?
Starea feroelectric reprezint o stare de ordine a materiei, rezultat spontan din tendina ctre
stabilitate care corespunde unui minim al energiei libere totale a materialului. Din acest motiv
temperatura influeneaz starea de polarizaie spontan prin efectul perturbator. n consecin
exist o temperatur limit, numit temperatur Curie TC, la care agitaia termic distruge starea
de ordine dielectric, materialul pierznd polarizarea sa spontan.
Dup modul n care are loc tranziia de faz la temperatura Curie TC materialele
feroelectrice se mpart n dou categorii:
- materiale cu tranziie de faz de ordinul I caracterizate prin anularea cu salt a
polarizaiei spontane la TC (Figura 1a);
- materiale cu tranziie de faz de ordinul II caracterizate prin scderea monoton i
continu a polarizaiei spontane la TC (Figura 1b).
Structura materialelor feroelectrice poate fi monocristalin sau policristalin. Indiferent
de structura cristalin se constat c n aceste materiale ordinea dielectric spontan se
caracterizeaz prin formarea de domenii dielectrice n interiorul crora momentele electrice ale
celulelor elementare sunt orientate n aceeai direcie i sens, dar diferite domenii pot avea
orientri diferite. Drept rezultat polarizaia macroscopic prezentat de material este n general
mai mic dect valoarea corespunztoare orientrii homoparalel a tuturor momentelor dipolare
elementare, putnd fi i nul.

Figura 1. Materiale feroelectrice de spea I i II.

3. Caracterizai materialele feroelectrice ce prezint macroscopic polarizare remanent
nenul ?
Principalele caracteristici ale materialelor feroelectrice sunt dependena de tip histerezis a
induciei electrice de intensitatea cmpului electric aplicat i dependena permitivitii complexe
relative de intensitatea cmpului electric, de frecven i temperatur.

Materialele feroelectrice care prezint la nivel macroscopic polarizaie remanent nenul

se caracterizeaz prin efect piezoelectric direct i invers, care const n interaciunea dintre
mrimile electrice (intensitatea cmpului electric

i inducia electric

) i mrimile mecanice

(tensiunea mecanic i deformaia mecanic relativ ). n domeniul liniar, de semnal mic, n

regim armonic (cnd mrimile cauz mecanice i electrice variaz sinusoidal n timp) efectul
piezoelectric poate fi descris cantitativ prin urmtorul sistem de ecuaii:
[D]=0[T][E]+[d][T]
(1)
[S]=[dt][E]+[sE][T]
unde
[E] este reprezentarea n complex simplificat a vectorului cmp electric;
[T] - reprezentarea n complex simplificat a tensorului tensiune mecanic;
[D] - reprezentarea n complex simplificat a vectorului inducie electric;
[S] - reprezentarea n complex simplificat a tensorului deformaie elastic.
4. Prin ce sunt caracterizate proprietile electrice ale materialelor feroelectrice?
Proprietile electrice ale materialelor anizotrope sunt caracterizate de coeficientul tensorial de
permitivitate dielectric absolut care este un tensor de ordinul doi n spaiul tridimensional,
avnd 9 componente:

11 12
21 22
31 32

13
23

(5)

33

Primul indice reprezint direcia cmpului electric, iar al doilea indic direcia induciei
electrice.
n general coeficienii ij sunt mrimi complexe, deoarece inducia electric Di produs de
cmpul electric Ej este defazat fa de acesta datorit pierderilor de energie de natur dielectric:
ij = 'ij - j''ij

(6)

Factorul de calitate electric Qe care caracterizeaz acest tip de pierderi este definit cu
ajutorul urmtoarei formule:
Qe

' ij

(7)

' ' ij

n sfrit, coeficientul piezoelectric care caracterizeaz proprietile piezoelectrice ale

materialelor anizotrope conine 18 elemente i are urmtoarea configuraie matriceal:

d 11
d d 21
d 31

d 12
d 22

d 13
d 23

d 14
d 24

d 15
d 25

d 32

d 33

d 34

d 35

d 16
d 26
d 36

(8)

Un parametru important care caracterizeaz sintetic materialele din punct de vedere

piezoelectric este coeficientul de cuplaj piezoelectric K. Ptratul su reprezint fraciunea din
energia electric, respectiv mecanic de excitare care se transform n energie mecanic,
respectiv electric, fiind nmagazinat n traductorul piezoelectric.
Lucrarea de fa i propune determinarea parametrilor de material caracteristici
ceramicelor piezoelectrice de tip PZT care conin titanai i zirconai de plumb n diferite
concentraii i se obin prin sinterizare. Din punct de vedere al proprietilor electroelastice,
ceramicele de tip PZT prezint o simetrie de tip m, determinat de existena unei axe polare pe
direcia x3, fiind caracterizate de urmtoarele configuraii ale matricilor de material:

'11
' 0
0

0
0

' 33

0
'11
0

0
d 0
d 31

d 15

0
d 31

0
d 33

d 15
0

0
0

s'11
s'
12

s'12
s'11

s'13
s'13

0
0

0
0

0
0

s'
S' 013

s'13
0
0

s' 33
0
0

0
s' 44
0

0
0
s' 44

0
0
0

0
0

(9)

2 s'11 s'12

5. Ce este un rezonator piezoelectric i schema sa echivalent?

Rezonatorul piezoelectric este un dispozitiv electronic care funcioneaz la frecvena electric
corespunztoare regimului de und staionar. El este construit dintr-o structur de form i
dimensiuni oarecare, confecionat din material piezoelectric i dou armturi metalice pe care
aplicnd o tensiune electric de frecven dorit se induce n structur un cmp electric
corespunztor de comand care va genera oscilaii i unde elastice. Modul fundamental de
vibraie la rezonan este caracterizat de frecvena fs dat de urmtoarea relaie:
v
v
fs f f
(20)
2l
Indiferent de forma constructiv i tipul de material piezoelectric, schema electric
echivalent, general valabil, a unui rezonator piezoelectric n regiunea rezonanei fundamentale
este prezentat n Figura 7.

Figura 7. Schema echivalent a unui rezonator piezoelectric.

Elementele din schema echivalent au urmtoarele semnificaii:

C S0 este capacitatea electric prezentat de rezonator dac se mpiedic, printr-o metod

oarecare (de exemplu ncastrare), oscilaia elastic;

R0 este rezistena echivalent a pierderilor de putere activ de natur dielectric;
reactana L-C modeleaz electric rezonana elastic; inductana L este determinat de masa
rezonatorului, iar C de coeficientul de elasticitate;
R este o rezisten care atenueaz oscilaia electric a circuitului serie L-C, fiind determinat
de pierderile de putere activ de natur elastic, datorate vscozitii interne a
materialului piezoelectric.
Circuitul serie R-L-C este activ numai n apropierea rezonanei elastice, n orice alt
domeniu de frecven el fiind pasiv, prezentnd o impedan mult mai mare dect circuitul
derivaie C S0 -R0: pentru frecvene mult mai mici dect f s impedana mare este determinat de C,
iar pentru frecvene superioare lui fs impedana mare este determinat de L. Dependena
admitanei de intrare a unui rezonator piezoelectric de frecvena electric este caracterizat de un
grup de ase frecvene cu urmtoarele semnificaii:
fs - frecvena de rezonan serie a circuitului L-C;
fp - frecvena de rezonan derivaie a circuitului (L-C)- C S0 ;
fm - frecvena la care modulul admitanei este maxim;
fn - frecvena la care modulul admitanei este minim;
fr i fa - frecvenele la care susceptana este nul.
n cazul rezonatoarelor piezoelectrice cu pierderi de natur dielectric i elastic
neglijabile cele trei perechi de frecvene coincid:
fm = f n = f s
fr = f a = f p
La rezonatoarele piezoelectrice realizate din materiale ceramice piezoelectrice cu
coeficient de cuplaj piezoelectric mare i cu factori de calitate electrici i elastici de valori medii,
dei aceste frecvene sunt foarte apropiate, nu mai pot fi neglijate pierderile elastice care separ
frecvenele fs i fp de fn i fm astfel:

f p fs

fn fm
4
1 2
Qm

(21)

unde Qm este factorul de calitate elastic.

Diferena ntre aceste dou frecvene este mai mic de 1% dac este ndeplinit condiia
urmtoare:
Q 2m f p f s
fs

100

(22)

Caracteristica de frecven a modulului admitanei de intrare a unui rezonator

piezoelectric ceramic este prezentat n Figura 8.

Figura 8. Caracteristica de frecven a modulului admitanei de intrare a

unui rezonator piezoelectric ceramic
6. Determinarea dependenei de frecven a permivitii complexe relative
Se folosete o plachet de PZT cu grosimea b = 3 mm care se introduce ntr-un dispozitiv de
prob cu aria armturilor A = 80 mm 2. Acest dispozitiv de prob se monteaz la portul 1 al
Analizorului de Reele E5061A (Figura 3).
Pentru aceasta se execut urmtoarele operaii pregtitoare asupra analizorului de spectru
E5061A n conformitate cu precizrile fcute privind funcionarea acestuia n capitolul 4.1 :
a) Se stabilete domeniului de frecven 300kHz 40MHz astfel:
Se selecteaz cu ajutorul mousului din meniul Stimulus comanda Start i se introduce, fie
de la tastatura valoarea 300k urmat de ENTER, fie prin actionare butoanelor de tip Up/
Down din fereastra de dialog. Dup aceasta se selecteaz comanda Stop i procednd n mod
similar, se introduce valoarea de 40MHz.
b) Programarea markerilor se execut astfel:
Se selecteaz din meniul Marker, pe rnd, cte un marker i se stabilete frecvena acestuia
similar cu punctul anterior. Dup ce s-au programat markerii care sunt afisai se apas comanda
More Marker i se continu programarea lor. Frecvenele sunt cele din Tabelul 1.
c)

Afiarea rspunsului necesit urmtoarele comenzi dup ce s-a selectat meniul

Response:

Comanda Avg la care se stabilete valoarea de 100Hz (aceasta reprezint banda

filtrului de mediere a masurtorii dar in acelai timp determin i viteza de variaie
a frecvenei);

Comanda Format la care se selecteaz subcomanda Smith i R+JX;

Comanda Scale la care se selecteaz subcomanda Auto.

d) Se noteaz n tabel datele citite n dreptul fiecrui marker i se efectueaz calculele pentru
, i tg

10

Pe baza datelor obinute pentru impedana normalizat cu ajutorul diagramei Smith analizorul va
afia pe ecran valorile condensatorului plan C S0 i a rezistorului R0.
Se determin permitivitatea relativ real ', permitivitatea relativ imaginar '' i tangenta
unghiului de pierderi tg cu relaiile:
1
C S0 b
C S0 b
tg

;

;
(14)
Qe
al 0
al 0 Q e
unde 0 este permitivitatea electric absolut a vidului:0=8,85610-12 F/m.
7. Determinarea dependenei funciei de temperatur a permitivitii relative
Se determin variaia cu temperatura a capacitii C S0 i a conductanei G0 = 1/R0 cu ajutorul
montajului din Figura 5.
6

R
4
3

~ 220V/50Hz

~130V/50Hz

Figura 5. Montajul folosit pentru determinarea dependenei de

temperatur a permitivitii.
Cuptorul (1) este nclzit cu o rezisten (3) aflat n pereii cuptorului. Rezistena de
nclzire este alimentat de la reea prin intermediul unui autotransformator (4). Temperatura din
interiorul cuptorului se determin cu ajutorul termometru (5). Cuptorul gliseaz pe in astfel
nct s poat fi introdus proba (2) care este fixat cu ajutorul a dou tije de ceramic refractar
care apas elastic asupra probei. Prin aceste tije trec dou fire de conexiune, fiecare fiind n
contact cu cte o armtur a probei. Cele dou fire sunt conectate la o punte RLC ( 6) care
msoar elementele C S0 i G0 ale probei.
Se determin variaia lui C S0 i G0 n intervalul de temperaturi 20300C.
Se calculeaz parametrii de material cu urmtoarele relaii:
'

bC S0
;
al 0

tg

G0
0 C S0

' '
'

(15)

unde 0 este frecvena unghiular a semnalului de lucru al punii: 0=104 rad/s.

Temperatura Curie corespunde maximului curbei '(T), reprezentnd temperatura la care
dispare ordinea dielectric n material.
Conform teoriei fenomenologice a feroelectricitii pentru materialele feroelectrice cu
tranziie de faz de ordinul II dependena permitivitii relative reale de temperatur este de tipul:

11

'

1
4 0 A 0 TC T

pentru T<TC

(16)

'

1
2 0 A 0 T TC

pentru T>TC

(17)

unde A0 este o constant fenomenologic.

Conform acestei teorii graficul
ale lui

1
f (T ) arat ca n Figura 6, pantele celor dou drepte
'

1
pentru T<TC i T>TC avnd raportul:
'

tg 2
2
tg1

Figura 6. Dependena

1
f (T ) pentru materiale feroelectrice.
'

5.3 Determinarea parametrilor unui rezonator piezoelectric

a) Se execut montajul din Figura 19

12

(18)

Figura 19 Montajul pentru determinarea caracteristicii de frecven.

unde: RZ - rezonator piezoelectric;
FC 1, FC 2, FC3 sunt filtre ceramice realizate in moduri diferite
b) Se vor determina frecvenele fn i fm pentru un rezonator piezoelectric cu cuar, conform
diagramei din Figura 8.
Pentru aceasta, similar cu cap. 5.1 se stabilesc la analizorul de reele, urmtorii parametrii:

Frecvena de start 4,98MHz;

Frecvena de stop 5,2MHz;

Formatul pe LogMag;

Scala pe Auto

Avg pe 10Hz

Se mut trapurile de pe placa de msur, astfel nct s fie n circuit rezonatorul cu cuar i
cu ajutorul unui marker se stabilete i se noteaz ntr-un tabel(Tabelul 3) frecvena maximului
curbei (fn) i a minimului curbei (fm) i de asemeni se noteaz 3 puncte naintea lui f n , 2 puncte
ntre fn i fm i 3 puncte superioare lui fm , pe baza crora se va trasa un grafic.
Se schimba apoi valoarea pentru Avg i se face o comparaie ntre curbe.Valorile pentru Avg
sunt: 30Hz, 100Hz, 1Khz.
c) Opional Se mut trapurile pe unul dintre filtrele ceramice i se ncearc determinarea benzii
de trecere i a neunifirmitii n band i se ncearc s se rspund la ntrebarea Cte elemente
rezonatoare compun filtrul?.

13

Lucrarea 3. Proprietile conductoare ale materialelor

1. Definii conducia electric?
Conducia electric ntr-un material const n apariia unui flux dirijat de purttori mobili de
sarcin la aplicarea unui cmp electric E . Aceast curgere ordonat a purttorilor de sarcin
electric este un curent electric, iar materialul n care are loc acest fenomen fizic se afl ntr-o
stare electrocinetic. Caracterizarea local a acestei stri poate fi fcut cu ajutorul vectorului J ,
numit densitatea curentului electric.
Proprietile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ n domeniul
liniar de coeficientul de rezistivitate electric de volum sau de mrimea invers,
conductivitatea electric de volum 1 . Aceste mrimi sunt definite de forma local a legii de
conducie electric:

BC

=
respectiv
= (1)
Conform teoriei cuantice conductivitatea electric a unui material are expresia:
mn 1

(2)
n q 2m
unde n este concentraia purttorilor mobili de sarcina din material la echilibru termodinamic, iar
qn i mn sunt sarcina, respectiv masa unui purttor mobil de sarcin.
Coeficientul se numete constanta de timp de relaxare, fiind determinat de interacia
BC
BC de sarcin cu diferite cvasiparticule
dinamic a purttorilor
(impuritile neutre ionizate, fononii
reelei cristaline) ntlnite de-a lungul traiectoriei lor dirijate sub aciunea cmpului electric.
BI

2. Definii temperatura Debye

BV
a)

n cazul metalelor purttorii

BV
mobili de sarcin BV
sunt electronii de conducie a cror concentraie
este practic constant, dependena rezistivitii electrice de temperatur fiind determinat numai
de constanta de relaxare.
b)
c)
La temperaturi foarte sczute este predominant mecanismul de interacie cu impuritile
i defectele existente n material, astfel nct metalul prezint o rezistivitate independent de
temperatur numit rezistivitate rezidual 0.
La temperaturi sczute (T<<TD - temperatura Debye) este predominant interacia cu
fononii acustici rezultnd o proporionalitate a rezistivitii cu T 5, iar la temperaturi ridicate
(T>>TD) acelai mecanism conduce la o proporionalitate a rezistivitii cu T.
n cazul materialelor semiconductoare purttorii mobili de sarcin sunt electronii de
conducie i golurile, astfel nct:

m
n

ne 2

mp 1
1

n
pe 2 p

unde este coeficientul de mobilitate:

n

iar q p q n e

e
n
mn

1
e ( n n p p )

(3)

e
p
mp

(4)

14

Concentraia purttorilor mobili de sarcin provenii, la temperaturi coborte, n special

din mecanismul extrinsec de ionizare a impuritilor, iar la temperaturi ridicate din mecanismul
intrinsec de rupere a legturilor covalente, crete exponenial cu creterea temperaturii.
Mobilitatea acestor purttori scade n general la creterea temperaturii dup o lege practic
liniar.
n cazul aciunii unui flux electromagnetic apare o concentraie suplimentar de purttori
mobili de sarcin rezultat n urma interaciei electronilor de valen cu fotonii. Totodat se
modific i mobilitatea efectiv care caracterizeaz deplasarea dirijat a purttorilor sub aciunea
cmpului electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric intern.
3. Dependena de temperatur a proprietilor conductoare ale materialelor
Cu ajutorul unui multimetru digital se va msura rezistena unei probe semiconductoare
intrinseci de Ge (se msoar rezistena ntre firul verde-galben introdus la borna rosie a
multimetrului i firul neagru introdus la borna albastra a multimetrului) i rezistena unei probe
metalice de Ni (se msoar rezistena intre firul rou introdus la borna rosie a multimetrului i
firul neagru introdus la borna albastra a multimetrului). Probele sunt introduse ntr-o etuv a
crei temperatur variaz suficient de lent pentru ca un set de dou msurtori consecutive s se
fac n aproximativ aceleai condiii termice. Rezultatele msurtorii se trec n tabel.
NOTA Pentru cuplarea si masurarea rezistentei cu multimetrul digital se procedeaza in
felul urmator:
cuplarea tensiuni de alimentare 220V/ 50Hz se realizeaza cu ajutorul comutatorului
de cuplare a tensiuni de pe panoul din spate al instrumentului se pune pe pozitia
ON. In acest pozitie va rmane pe durata masuratorilor un timp mai ndelungat
iar cuplarea aparatului se face cu butonul Standby de pe panoul frontal;

butonul LOCAL se cupleaza pentru lucrul cu multimetrul local;

butonul ZERO este pentru calibrarea multimetrului si cand se apasa, cablurile de
masura se scurtcircuiteaza intre ele;
masurarea rezistentei probelor se face apasand pe butonul . Pe display va
apare inscris, fie "4w" (patru fire) sau "2w" (doua fire) apasand inca odata pe
butonul . De asemenea, se vor ilumina bornele de msura pentru dou fire cele
din dreapta, iar pentru patru fire toate bornele. Bornele rosii sunt pentru (+) i cele
albastre pentru (-). La msurarea probelor se folosesc doua fire ;
butonul HOLD este pentru blocarea rezultatului pe display;
masurarea se face in regim automat cu butonul AUTO aprins.
Avnd dimensiunile probelor (pentru proba de Ge l = 10 mm i seciunea S = 10 10

mm, iar pentru Ni l = 90 mm i seciunea S = 0,7 0,14 mm, din formula R

l
se determin
S

, iar = 1 / .
Se traseaz graficele rezistivitii i conductivitii ca funcie de temperatur pentru cele
dou probe.

15

Se calculeaz coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru cele dou probe

(abaterile se iau n jurul valorii de 600C).

1
T

(5)

tiind c dependena conductivitii de temperatur este dat de relaia

se

traseaz

graficul

3
1
ln ln T f
2
T

din

care,

CT

folosind

Eg

2 e 2 KT

relaia

ln T 2

Eg
0,397 eV se determin banda interzis pentru Ge.
1

T

4. Efectul radiaiei electromagnetice asupra proprietilor de conducie.

Se utilizeaz montajul experimental prezentat n Figura 1. Acest montaj este alctuit din
fotorezistena FR care este nseriat cu o rezisten R de valoare 1 K. Rezistena este folosit
pentru a putea msura curentul ce trece prin fotorezisten la o anumita valoare a tensiunii de
alimentare (se msoar cderea de tensiune pe rezisten i se mparte la valoarea rezistenei).

Figura 1 Schema de msur pentru determinarea

caracteristicilor fotorezistenei.
a. Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru fotorezisten la ntuneric.
Se conecteaz grupul FR-R la o surs de tensiune continu reglabil. Se variaz tensiunea
de alimentare n intervalul 1V-15V i se msoar tensiunea cu multimetrul digital pe
fotorezisten. Rezultatele se trec n tabel.
U [V]
1
3
5
7
9
11
13
15
UFR [V]

I FR

U U FR
R

[mA]

Se traseaz pe acelai caracteristica UFR(IFR). Se determin rezistena la ntuneric a

fotorezistenei ca fiind panta acestui grafic.
b. Determinarea dependenei dintre rezistena fotorezistorului i fluxul luminos incident.

16

Pentru a determina aceast dependen se alimenteaz LED-ul la o tensiune de 10 V. Se

poziioneaz fotorezistorul la distana aproximativ r1=1cm de LED (dispozitivul se fixeaz cu
uruburi pe tija de glisare) i se msoar tensiunea, cu multimetrul digital pe fotorezisten
pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului FR-R. Se repet msurtorile pentru alte
dou poziii ale fotorezistorului aflate la distanele r2 10 cm i r3=10 cm. Prin modificarea
distanei fotorezisten-surs de lumin, fluxul incident pe FR va varia dup o lege 1/r 2, astfel
(r1 ) 100( r3 ) i (r2 ) 10(r3 ) , ( r3 ) fiind luat ca referin.
Lucrarea 4. Materiale optoelectronice
1. Definii Optoelectronica n contextul lucrrii de laborator
In contextul acestei lucrari prin optoelectronica intelegem numai dispozitivele optoelectronice
bazate pe semiconductoare, unde procesele de recombinare emit lumina. Aceste process de
radiatie este numit emisie spontana a luminii, pentru ca are loc statistic fara alte ingrediente
inafara electronilor si golurilor.
Inca nu vom studia aici procesul opus absorbtia luminii, fenomen important in functionarea
fotodiodelor sau a celulelor solare. Deasemenea transmisia luminii prin ghidurile de unda nu este
considerata aici.
Am vazut ca siliciul este un material indirect si ca energia emisa nu produce fotoni in
cantitate apreciabila si ca urmare, nu este folosit in aplicatii pentru optoelectronica. Aceasta este
partial adevarat, pentru ca asa cum vom vedea, exista semiconductoare indirecte care emit
suficienta lumina pentru a fi folosite in aplicatii practice in optoelectronica. Dar, inca o data, in
general se folosesc materiale directe de la care se asteapta ca recombinarea sa aiba ca rezultat
emisia luminii. Aceasta conduce la unele intrebari cu caracter general care se refera la
proprietatile de material. Se examineaza numai cateva dintre cele fundamentale.
2. Schema electric pentru determinarea caracteristicilor electrice ale diodelor
luminiscente i a fototranzistoarelor, precum i seminificaia fiecrei componente din
circuit
-GI este un generator de impulsuri TTL care asigura impulsurile de comanda necesare
generatorului de trepte GT si care va fi utilizat in urmatoarele domenii:
-20 200 s pentru vizualizari
-0,2 2 s pentru masuratori de tensiune
In ambele cazuri reglajul fin se realizeaza cu ajutorul butonului de reglaj a perioadei de
pe panoul aparatului.
-GT este un generator de trepte de tensiune care furnizeaza 16 trepte la iesirea a, 8
trepte la iesirea b si o tensiune constanta de cca 15V la iesirea +15V. Pentru a realiza protectia
componentelor supuse masuratorilor in serie cu iesirile a,b sunt inseriate rezistente de limitare a
curentului de 1K de care trebuie tinut cont in anumite cazuri.
-VE este un voltmetru electronic cu autoscalare.
-O este un oscilos cop cu doua canale si cu posibilitatea de a lucra si in regim X-Y.

17

-ME este montajul cu ajutorul caruia se vor face masuratorile si contine un LED rosu
(LR), un LED verde (LV), doua LED-uri de infrarosu (L1,L2)care au caracteristici identice si
doua fototranzistoare (F1,F2) deasemeni identice.
Notatiile folosite sunt cele care se gasesc inscriptionate pe aparate iar semnele au
urmatoarea semnificatie:
fir cu conector de tip banana de 4mm sau cu pin de 1mm
borna de 4mm
borna de 1mm
Modul general de lucru este urmatorul:
-

se realizeaza conectarile prevazute la fiecare punct in parte intre ME,GT,O

se relizeaza vizualizarile caracteristicilor specificate la fiecare punct

se realizeaza masuratorile de tensiune conectand VE in punctele specificate.

3. Msurarea parametrilor de semnal cu ajutorul Osciloscopului analogic

Pentru determinarea caracteristicilor electrice ale diodelor luminiscente i a fototranzistoarelor,
se msoar semnalul concomitent pe canalul X i Y . n acest fel cu ajutorul figurilor Lissajoux

18

se determin caracteristica ID = f(UD) pentru diode luminiscente i IC= f(UC) pentru

fototranzistoare.

Lucrarea 5. Materiale feromagnetice

1. Comportarea materialelor feromagnetice n camp magnetic
Cteva metale (Fe, Ni, Co) sau aliajele lor sunt materiale reprezentative pentru clasa materialelor
feromagnetice. Acestea se caracterizeaz (la temperaturi inferioare temperaturii Curie) prin
domenii (Weiss) magnetizate spontan la saturaie, dar orientate dezordonat n absena unui cmp
magnetic exterior. Plasarea acestor materiale n cmp magnetic are ca rezultat orientarea
momentelor dipolare ale domeniilor n direcia cmpului exterior. n medii magnetice se pot scrie
relaiile:
rot = ,

div =0,

iar aspectul liniilor de cmp ale vectorilor

=0
i

pentru un cilindru feromagnetic plasat n cmpul

(1)

(din material) sunt exemplificate n Figura 1

(definit n absena materialului).

Figura 1. Aspectul liniilor de cmp pentru un cilindru feromagnetic.

Caracteristicile cele mai importante ale materialelor feromagnetice sunt curbele de
magnetizare B = f(H) obinute prin aplicarea unui cmp progresiv cresctor unui material iniial
demagnetizat.
2. Caracteristica B = f(H) i = f(H) pentru semnal mare
n Figura 2 sunt prezentate calitativ pentru un aliaj moale din punct de vedere magnetic pe baz
de fier dependenele tipice ale permeabilitii statice (cmpul aplicat este crescut lent) i inducia
n material.
n cazul cmpurilor alternative se disting n general dou regimuri tipice de funcionare:
regimul de semnal mic cu amplitudine redus a cmpului alternativ H~ aplicat, suprapus
sau nu, peste un cmp continuu H=;
regimul de semnal mare n care valoarea cmpului este suficient pentru ca materialul s
descrie un ciclu de histerezis.

19

Figura 2. Dependenele (H) i B(H) pentru un aliaj moale

din punct de vedere magnetic
n Figura 3 sunt prezentate aceste regimuri posibile, definindu-se permeabilitile uzuale:
iniial (I), reversibil (II) i de amplitudine (III).

Figura 3. Permeabilitile uzuale pentru materialele feromagnetice

Datorit pierderilor de energie prin cureni indui (Foucault), histerezis, magnetizare,
permeabilitatea magnetic a materialului se definete (n complex simplificat) ca fiind:
j

B
B j m

e
0 H 0H

(2)

unde B i H sunt fazorii induciei i cmpului alternativ aplicat, iar m este unghiul de pierderi.

20

Din relaia (2) rezult c are n general semnificaia definit n Figura 3, iar

1
tg m

definete factorul de calitate Qm al materialului.

Q m
3. Caracrerizarea materialelor feromagnetice la semnal mare
Pentru a caracteriza regimul de semnal mare se va vizualiza pe ecranul osciloscopului
ciclul dinamic de histerezis pentru un miez utiliznd tehnica figurilor Lissajous.
Principial, se va utiliza schema din Figura 5.

Figura 5. Schema principial pentru vizualizarea ciclului de histerezis.

Pentru deflexia pe orizontal (intrarea X):
N i t
l
H t 1 1 ;
u x R 1 e H t
u x R 1i1 t ;
N1
le
de unde:
l
1
1
x t
R 1 e H t
H t
Ax
N1
kx

(9)

(10)

unde Ax
este amplificarea pe canalul X al osciloscopului, iar k x este factorul de scal
div
corespunztor aceluiai canal.
Pentru deflexia vertical:
u y N 2

uy

d
dB
N2Ae
dt
dt

1t
1 t u y
1
i

dt

dt
N 2 A e B t
2

C0
C0 R
RC

(11)
(12)

deoarece:
u y u y

Atunci:
y t

1
R )
C

1 1
1
N 2 A e B t
B t
A y RC
ky

(13)

(14)

unde Ay
este amplificarea pe canalul Y, iar k y este factorul de scal corespunztor
div
aceluiai canal.
Parametrii de scal pot fi calculai din (10) i (14):
21

kx

A x N1
R 1l e

A m
div

ky

A y RC T
N 2 A e div

(15)

4. Principiul de msur al materialelor feromagnetice la semnale mari

Cu ajutorul schemei din Figura 7 se vor vizualiza pe osciloscop curbele de histerezis dinamic
pentru un material feromagnetic (circuit magnetic nchis) Tr1 i pentru un material ferimagnetic
n dou variante: Tr2 ( circuit magnetic nchis) i Tr3 (circuit magnetic cu ntrefier). nfurrile
celor 3 transformatoare sunt identice ca geometrie i numr de spire (N = 1000 spire).

Figura 7. Montaj pentru vizualizarea caracteristicii de histerezis pentru diferite

miezuri magnetice i pentru determinarea dependenei = f(H).
Din relaiile (10) i (14) rezult c tensiunile n punctele de msur 1, 2 i 3 sunt
proporionale cu inductia cmpului magnetic n miez B, iar cderea de tensiune pe rezistena R 1
este proporional cu intensitatea cmpului magnetic H.
Se calculeaz constantele de scar kx i ky folosind relaiile (15) i urmtorii parametri ai
torului de substituie pentru miezurile considerate:
le = 190 mm

Ae= 190 mm2

(18)

Se calibreaz osciloscopul cu ajutorul generatorului intern de semnal dreptunghiular,

astfel nct amplificarea pe canalele X, respectiv Y s fie Ax = 1V/div i Ay = 0,1 V/div.
Se execut montajul din Figura 7 utiliznd ambele canale Y(1,2) ale osciloscopului pentru
a vizualiza simultan ciclurile de histerezis ale miezurilor de fier-siliciu Tr1 (tabl de siliciu 4%) i
ferit (fr ntrefier) Tr2 pentru a compara materialele. De asemenea, se vor vizualiza simultan
22

ciclurile corespunztoare miezului de ferit Tr2 (circuit magnetic nchis, fr ntrefier) i miezului
de ferit cu ntrefier Tr3 pentru a pune n eviden influena ntrefierului asupra proprietilor
magnetice de material.
Observaie: nainte ca generatorul s fie cuplat la reea nivelul acestuia va fi redus la minim
pentru ca apoi s fie crescut progresiv.
Se va lucra la frecvenele f1 = 50Hz if2 = 100Hz. Se vor lua, pe rnd, cmpuri a cror
amplitudine s fie (msurate vrf la vrf) de 2, 4, 6, 8 i 10 diviziuni pe orizontal, notndu-se
amplitudinile corespunztoare ale induciei B. Pentru Tr1 i Tr2 se va completa Tabelul 3. Se vor
utiliza constantele de scar kx i ky pentru conversia din diviziuni n uniti magnetice, astfel c:
H = kxnr.div/oriz.;

B = kynr.div/vert.

5. Stabilirea semnalului sinusoidal la generatorul Agilent 33220

5.1 Se cupleaz aparatul apsnd pe butonul de cuplat/ decuplat reea.
5.2 Dup cuplare, se consult instruciunile de punere n funciune apsnd pe butonul Help.
5.3 Cu ajutorul barei de meniu Selecia formelor de und se stabilete tipul de und.
Parametri formei de und, frecven, amplitudine vrf la vrf, forma impulsurilor, durat,
perioad, offset se stabilete cu ajutorul poteniometrului rotativ i a cursorului ( figura 4)

Figura 4
sau cu ajutorul tastaturii cu cifre, precum i cu butoanele Meniu operare soft care stabilesc
parametri i unitile de msur ( figura 5)

Figura 5
5.4 Pentru diverse forme de modulaie se folosete butonul de modulaie i bara de meniu
modulaie/ baleiat / impuls scurt. Parametri de modulaie se stabilesc conform punctului 5.2
5.5 Odat stabilit forma de und se apas butonul cuplat/ decuplat semnal ieire pentru
generarea acestuia.
5.6 Decuplarea aparatului. Se decupleaz generarea, apsnd pe butonul cuplat/ decuplat
semnal ieire apoi pe butonul cuplat/ decuplat reea.
6. Determinarea permiabilitii magnetice relative pentru miezul cu intrefier

23

 ef'

'
1 '

(1)

n care:
- este partea real a permiabilitii miezului magnetic, respectiv: 1, 2

B1, 2
0 H

unde reprezint grosimea ntrefierului, iar l este lungimea total a miezului ( circuitul
l
magnetic).

Lucrarea 6. Caracterizarea materialelor feromagnetice ( Fe-Si) la semnal mic

1. Schema echivalent i caracteristicile materialelor la semnal mic
Pentru a caracteriza un material feromagnetic la semn mic (B ~ < 1 mT) se utilizeaz 2 bobine cu
aceeai geometrie a bobinajului (preferabil toroidal pentru a neglija cu bun aproximaie cmpul
de dispersie), una avnd ca miez materialul feromagnetic de studiat, iar cealalt un miez
nemagnetic de aceleai dimensiuni.
n Figura 4 sunt prezentate schiele celor 2 bobine.

Figura 4. Cele dou bobine cu miez nemagnetic, respectiv

feromagnetic i schemele lor echivalente
Scriind impedanele celor dou bobine rezult:
Z0 = r0 + jL0;
Zm = r0 + jL = r0 + L0 = r0 + L0 + j L0 = r + j L0

(3)

rm
unde:
r0 este rezistena de pierderi prin efect Joule, proximitate, dielectrici, etc. n conductorul de
bobinaj;
r rezistena serie echivalent a bobinei cu miez r = r 0 + rm = r0 + L0, rm fiind rezistena
de pierderi datorat prezenei miezului magnetic;

24

L i L0 - inductana cu i fr miez a bobinei;

- permeabilitatea (iniial) complex a miezului;

- frecvena de msur.
2

Factorul de calitate al materialului Qm este:

Q 0 Q b

Q 0 Q b

Qm

(4)

unde Q0 i Qb sunt factorii de calitate ai bobinelor fr miez, respectiv cu miez:

Dac se msoar la o frecven dat

mrimile Lo, L, r0 i r permeabilitatea complex a

miezului poate fi calculat utiliznd relaia:

r r0
L
j
(6)
L0
L 0
Pentru caracterizarea miezurilor avnd geometrii diverse se utilizeaz torul de
substituie (imaginar) care este confecionat dintr-un material cu permeabilitatea efectiv e,
avnd lungimea le i aria Ae. Din condiia ca torul de substituie, cu acelai numr de spire ca i
nfurarea pe miezul considerat, s conduc la aceiai parametri magnetici rezult dimensiunile
i permeabilitatea efectiv, astfel:
START
C1
2
C1
e
;
C1
Ae
;
li
le
;
C2
C2

Setarea condiiilor de msurare

ale punii RLC E 4980A.

C1

le
l
i
Ae
i Ai

C2

i
i
i
Parametri de
impedan
Tipurile de circuit serie/paralel
lNivelul
li
semnalului
e

A e2

(7)

A i2

unde i , li i Ai sunt parametrii permeabilitate magnetic, lungime i arie transversal a poriunii

omogene i a miezului
considerat.
Configuraie cu 4 terminale
Conectarea
dispozitivului de
Inductana nfurrii
cu N spire
se poate
estima pe baza parametrilor
Msurarea
contactelor
fixare la puntea
RLC. pe miezul dat
torului de substituie:
4 10 7 e N 2 A e mm 2 10 3
L H
(8)
l e mm

Funcia de corelaie

Setarea funciei de corecie.

2 Msurarea feritelor la semnal mic cu ajutorul punii RLC

Pornind de la schema echivalent a torului de substituie Figura 1 se stabilete modul de

msurare a Punii RLC

Compensarea elementelor parazite ale

DUTcu
la puntea
dispozitivul
Pentru executareaConectarea
msurtorilor
RLC de precizie
E 4980A
se procedeaz
aa cum
circuitului
de conectare
ale probelor
R, este
de fixare.
prezentat n schema logic din Figura .
L, C

Exemple caracteristice

Executarea msurtorilor.

25
STOP

Figura 18

2.1 Setarea condiiilor de msur

Pentru nceput se vor determina parametrii de impedan, circuitul echivalent de msur i
nivelul semnalului. Astfel, msurrea R, L, C are dou moduri de msur cu circuit echivalent
paralel i serie . n acest scop se apas tasta FUNC (Cp, Cs, Lp, sau Ls) din pagina MEAS
SETUP .
2.2 Msurarea inductanei i rezistenei serie
Schema echivalent, din figura 4, a torului de substituie arat c probele sunt formate din Ls i
Rs.n acest caz condiiile de msur sunt:
Funcia:Ls-Rs;
frecvena de lucru: 500Hz 20KHz;
Nivelul semnalului de test: 1 V;
Pentru setarea condiiilor de msur procedm n felul urmtor :
a) Pas 1. Cuplm puntea E4980A ON.
b) Pas 2. Setm condiiile de msur folosind cmpurile pagini soft MEAS SETUP
1. Pe FUNC se stabilete Ls i Rs,
26

2. Mutm pe FREQ folosind tastele numerice sau Incr sau Decr stabilim frecvenele de
lucru.
2. Punem pe LEVEL folosind tastele cursorului tensiunea de intrare de 1 V.
c) Pas 3. Conectm capul de msur la punte.
d) Pas 4. Facem coreciile OPEN/SHORT cerute.
e) Pas 5. Conectm torul de msurat la crocodilii puniiRLC
f) Pas 6 . Se apas tasta [MEAS DISPLAY] i msurtoarea se execut determinnd valorile Ls
i Rs.
3. Masurarea capacitii parazite a bobinei cu miez
a) Se determin capacitatea parazit a bobinei cu miez L m1 folosind Q-metrul. Pentru
aceasta se cupleaz Lm1 la bornele marcate cu Lx ale Q-metrului i se face acordul acestuia la 2
frecvene apropiate (f1 = 800 KHz i f2 = 1000 KHz), notndu-se valorile corespunztoare ale
capacitii condensatorului variabil intern al Q-metrului la acord (C v1 i Cv2). Valorile msurate se
trec n Tabelul 1.
Tabelul 1.
Bobina Lm1

f [KHz]
Cv [pF]

800

1000

Valoarea capacitii parazite a bobinei Lm1 se calculeaz cu relaia:

CP

f12 C v1 f 22 C v 2
f 22 f12

(11)

b) Se msoar bobina cu miez Lm1 msurnd inductana serie i rezistena serie cu puntea
RLC . Frecvena proprie de rezonan a bobinei Lm1 se calculeaz cu relaia:
f pr _ rez

1
2 L J C P

(12)

4. Msurarea permeabilitii reversibile

Principiul de msur este urmtorul: folosind o bobin cu miez nchis avnd 2
nfurri (primar i secundar) se determin valoarea inductanei uneia dintre nfurri (cea
primar) la diferite valori ale intensitii cmpului magnetic n miez. Valoarea acestuia din urm
se stabilete prin modificarea intensitii unui curent continuu aplicat nfurrii secundare a
bobinei.
a) Se utilizeaz o bobin cu miez de ferit toroidal cu D = 53 mm, d = 31 mm i h = 15 mm,
avnd 2 nfurri: cea primar cu Np = 35 spire i cea secundar cu N s = 20 spire. nfurarea
primar se noteaz cu Lm2 i reprezint inductana de msurat.

27

Figura 4. Montaj experimental pentru determinarea dependenei

rev = f(H) pentru un miez de ferit toroidal.
Cu aceast bobin se realizeaz circuitul din Figura 4. Cu ajutorul generatorului de
curent constant GCC, alimentat de la sursa stabilizat STS cu o tensiune de 15 V se injecteaz un
curent continuu n nfurarea secundar a bobinei. Valoarea intensitii acestui curent electric se
modific din poteniometrul P i se msoar cu un miliampermetru MA avnd captul de scal la
valoarea de Imax = 400 mA.
Observaie: Nu lsai generatorul de curent n gol dect n cazul n care l-ai deconectat de la
sursa de tensiune!
Se efectueaz msurtori asupra nfurrii primare Lm2 a bobinei toroidale folosind Z-metrul la
frecvena f = 50 KHz i pe scara de 1000 . Valorile modulului impedanei Zm2 msurate la
diferite valori ale intensitii curentului continuu injectat n secundar (care corespund cu diferite
valori ale intensitii cmpului magnetic n miez) se trec n tabel.
ntocmit
CS I dr.ing. Crciun Alexandru

28