Universitatea Politehnica din Bucureti

Facultatea de Electronic Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei

DISPOZITIVE ELECTRONICE
NDRUMAR DE LABORATOR

Bucureti-2009

LUCRAREA I-Diode Semiconductoare

CUPRINS
CAP. I01: PREZENTAREA SEMICONDUCTORILOR
CAP. I02: JONCIUNEA P-N
CAP. I03: CARACTERISTICILE DIODELOR
CAP. I04: DIODA ZENER; STABILIZATOR DE TENSIUNE CU DIOD ZENER
CAP. I05: REDRESOARE MONO I DUBL ALTERNAN
CAP. I06: FILTRE N CIRCUITE DE REDRESARE
CAP. I07: DUBLOARELE DE TENSIUNE

INSTRUCIUNI DE UTILIZARE

Pentru utilizarea modulului MCM3-EV citii i meninei la ndemn acest manual.

La dezambalarea modulului sau la nceperea lucrrii punei toate accesoriile n ordine pentru a nu le
pierde i verificai integritatea acestuia. Facei un control vizual pentru a v asigura ca nu sunt
stricciuni vizibile.

nainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V, verificai c puterea estimat

corespunde cu puterea sursei de alimentare.

nainte de alimentarea modulului verificai dac cablurile de alimentare sunt corect conectate la
sursa de alimentare.

Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv pentru
educaie i trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat.

Orice alt utilizare nu este corect i astfel periculoas. Utilizarea improprie, proast sau neraional
a modulului poate conduce la stricciuni iremediabile.

CAPITOLUL I01:
PREZENTAREA SEMICONDUCTORILOR
I01.1 OBIECTIVE

Structura cristalin a semiconductorilor

Conducia n semiconductori

I01.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, Unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul poate lucra n mod independent. La utilizarea unitii de management extern cele 4
comutatoarele trebuie s fie pe poziia nchis iar cele 8 comutatoare trebuie s fie pe poziia
deschis.
Modulul MCM3/EV
Multimetru
Osciloscop

I01.3 ASPECTE TEORETICE

3.1 Semiconductoare solide cristaline
Un semiconductor este un solid cu structur cristalin tridimensional regulat. Acesta este obinut prin
repetarea unei celule sau a unui cristal elementar. Atomii celulelor sunt conectai prin legturi covalente.
Configuraia este stabil i atomii schimb continuu electronii de pe orbitele lor externe, respectiv electronii
de valen. Elementele din tabelul periodic sunt grupate n funcie de numrul atomilor de valen, conform
poriunii prezentate n tabelul I01.1.
Tabelul I01.1
III
B
Al
Ga

IV
C
Si
Ge

V
P
As

Siliciul (Si) i germaniul (Ge) sunt semiconductoare simple. Galiu-Arsen (GaAs) este semiconductor
compus situat n grupa III-IV.
Figura I01.1-(a) prezint atomii de siliciu care nu interacioneaz i au 4 electroni de valen figurai cu
liniile ce ies din atom. Cnd atomii de siliciu vin n proximitate electronii de valen interacioneaz
formnd o structur cristalin de form tetraedal n care fiecare atom are 4 vecini ca n fig. I01.1-(b).
Electronii de valen sunt mprii ntre atomi formnd legturile covalente, reprezentate bidimensional n
fig. I01.1-(c).

Fig. I01.1 Atomii de siliciu n celula cristalin.

Conductivitatea semiconductorilor depinde de temperatur. Astfel la creterea temperaturii unele legturi
covalente se rup i ca urmare un anumit numr de electroni devin liberi s se mite sub aciunea cmpului
electric.
Semiconductorii tind s se comporte ca izolatorii la temperatur mic i ca nite conductori la temperatur
nalt. La temperatura camerei conductivitatea lor este situat ntre cea a izolatorilor i cea a conductorilor,
de unde vine i denumirea lor.
3.2 Indicii Miller
Toate planele celulei i direciile celulei sunt modelate printr-o descriere matematic cunoscut ca Indicele
Miller. Acesta permite specificarea, investigarea i discutarea planurilor i direciilor specifice ale unui
cristal. n sistemul de celul cubic, direcia [hkl] definete un vector direcie normal la suprafaa unui plan
sau faet specific.
Cristalul este o structur periodic astfel c exist familii echivalente de direcii i plane. Notaiile permit
distincia ntre o anumit direcie sau plan i a familiile acestora:
Parantezele drepte [ ] identific o anumit direcie (de exemplu, [1,0, -1])
Semnele < > identific o familie de direcii echivalente (adic <110>)
Parantezele rotunde ( ) identific un anumit plan (de exemplu, (113))
Acoladele { }identific o familie de plane echivalente (de exemplu, (311))
O bar deasupra indicelui, este echivalent cu semnul minus.

(a)

(b)
Fig. I01.2 Indicii Miller.

(c)

n fig. I01.2-(a) sunt prezentate direciile de tip <100>, respective direciile echivalente: [100], [010], [001].
n fig. I01.2-(b) sunt prezentate direciile de tip <110>, respective direciile echivalente: [110], [011], [101];
[-1-10], [0-1-1], [-10-1]; [-110], [0-11], [-101]; [1-10], [01-1], [10-1].
n fig. I01.2-(c) sunt prezentate direciile de tip <110>, respective direciile echivalente: [111], [-111], [111], [11-1].
Siliciul i Germaniul au structur de diamant prezentat tridimensional n dou reprezentri simetrice n fig.
I01.3.

Fig. I01.3 Celula elementar de tip diamant.

Familia de planuri echivalente ale structurii de diamant este prezentat tridimensional n fig. I01.4.

Planele {100}

Planele {110}
Planele {111}
Fig. I01.4 Familiile de plane echivalente ale structurii de diamant.

3.3 Mecanismul de conducie

n absena forelor electrice aplicate la un semiconductor micarea total a electronilor datorit agitaiei
termice este zero, deoarece nu sunt direcii preferate de micare. n acest caz electronii se mic n jurul
unei poziii stabile i nu creeaz un curent electric, care necesit un flux general al sarcinii electrice.
n cazul n care o diferen de potenial este aplicat pe material, electronii slab legai pot prsi atomul i
muta spre terminalul pozitiv. n cazul n care un electron e separat de atom, i este liber, produce un deficit
de sarcin negativ, care se numete "gol". Un gol constituie un purttor de sarcin pozitiv, comparabil cu
un electron liber. Ambii purttori contribuie la conducia electric n semiconductori.
Mecanismul de conducere poate fi descris, considernd c un gol poate fi uor completat de un electron de
valen de la un atom din apropiere. Cnd se produce aceasta, electronul care umple golul las un alt deficit
n spatele, adic un alt gol. Deplasarea golului, n direcie opus cu cea a electronilor, poate fi reprezentat
ca micarea sarcini pozitive.
Curentul electric prin semiconductor este astfel egal cu suma golurilor pozitive i a electronilor negativi
care se mic printr-o seciune pe secund. Acest proces este reprezentat n fig. I01.5.

Fig. I01.5 Deplasarea sarcinii pozitive.

3.4 Semiconductori dopai
Deoarece conductivitatea semiconductorilor puri este foarte mic la temperatura camerei, pentru creterea
acesteia este necesar introducerea unor impuriti n cristal. Impuritile sunt n general de dou feluri.
Impuriti de atomi din grupa V a tabelului periodic al elementelor, precum fosforul P, arseniul As sau
stibiul Sb, care au 5 electroni de valen i pot astfel crea n reea un electron liber, fapt pentru care sunt
denumite donori. Semiconductorii dopai cu aceste tipuri de impuriti sunt de tip N (negativ). Excesul de
electroni este exemplificat n fig. I01.6.

Fig. I01.6 Semiconductor impurificat cu atomi donori.

Impuriti de atomi din grupa III a tabelului periodic, precum borul B, galiul Ga sau aluminiul Al, care aduc
n reea atomi care pot capta un electron liber i sunt denumite acceptori. Semiconductorii dopai cu aceste
tipuri de impuriti sunt de tip P (pozitiv). Excesul de goluri este exemplificat n fig. I01.7.

Fig. I01.7 Semiconductor impurificat cu atomi acceptori.

Ambele tipuri de semiconductori dopai sunt neutre electric, atomi adugai contribuie la purttorii liberi dar
sunt atomi neutri electric.
3.5 Purttori de sarcin majoritari i minoritari
n cazul unui semiconductor dopat la care se aplic un cmp extern, curentul prin acesta este datorat
purttorilor liberi datorai agitaiei termice i purttorilor liberi datorai impuritilor. n primul caz
purttorii sunt furnizai de ctre atomii cristalului i se numesc purttori minoritari de sarcin. n al doilea
caz purttorii sunt furnizai de ctre atomii de impuriti i se numesc purttori majoritari de sarcin.

I01.4 NTREBRI I EXERCIII

4.1 ntrebri
MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B01

I1. Conducia unui semiconductor pur este datorat:

a)
b)
c)
d)
e)

electronilor
golurilor
ionilor pozitivi ai regiunilor N i electronilor
electronilor i golurilor
ionilor pozitivi ai regiunilor P i golurilor

I2. Un semiconductor pur este un bun conductor cnd temperatura este:

a)
b)
c)
d)
e)

foarte mare
foarte joas
zero absolut
n gama 0-25K
nu este afectat de temperatur

I3. Un semiconductor de tip P este obinut prin adugarea impuritilor:

a)
b)
c)
d)
e)

din grupa V a tabelului periodic al elementelor

din grupa III a tabelului periodic al elementelor
numai stibiu
numai galiu
bor in proporie de 25% i arseniu 75%

I4. Un semiconductor de tip N este obinut prin adugarea impuritilor:

a)
b)
c)
d)
e)

din grupa III a tabelului periodic al elementelor

numai fosfor
numai bor
aluminiu i stibiu cte 50%
din grupa V a tabelului periodic al elementelor

I5. Un semiconductor dopat are o conductivitate mai mare ca a unui semiconductor pur?:
a)
b)
c)
d)
e)

nu
da, dar numai la temperatura de 0K
da, dar numai dac este dopat cu impuriti de tip N
da
nici una din cele de mai sus nu sunt corecte

4.2 Exerciii
E1. Tiprii macheta desfurat a monocristalului de Si din fig. I01.8, decupai macheta urmrind
contururile exterioare i asamblai macheta prin lipire cu adeziv.
E2. Identificai principalele plane i direcii cristalografice.

Fig. I01.8 Macheta desfurat a unui monocristal de Si.

CAPITOLUL I02:
JONCIUNEA P-N
I02.1 OBIECTIVE

nelegerea funcionrii jonciunii PN

I02.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, Unitate de comand i control SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul poate lucra n mod independent. La utilizarea unitii de management extern cele 4
comutatoarele trebuie s fie pe poziia nchis iar cele 8 comutatoare trebuie s fie pe poziia
deschis.
Modulul MCM3/EV

I02.3 ASPECTE TEORETICE

3.1 Curenii de difuzie, cmp i barier
Se consider dou regiuni de semiconductor dopate, una de tip P i alta de tip N, alturate formnd o
jonciune la interfaa lor, aa cum este prezentat n fig. I02.1-a.
Datorit prezenei atomilor acceptori avnd concentraia NA n regiunea P i a atomilor donori de
concentraie ND n regiunea N, fig. I02.1-b, exist o diferen de concentraie n regiunea jonciunii. Aceasta
produce o migrare sau difuzie a electronilor liberi din zona N ctre zona P i o deplasare similar pentru
goluri n direcia opus, fig. I02.1-a.
Golurile care au traversat jonciunea se combin cu electronii zonei N i similar electronii care au traversat
jonciunea se combin cu golurile din zona P. Deoarece electronii negativi i golurile pozitive se anuleaz
reciproc n zona din vecintatea jonciunii nu sunt purttori liberi de sarcin. Acest fapt creeaz o zon
izolatoare sau srcit de sarcin in jurul jonciunii, fapt ce se evideniaz n reprezentarea liniara a
concentraiei de purttori, fig. I02.1-c.
La echilibru datorit migraiei sarcinii exist o sarcin negativ n zona P i o sarcin pozitiv n zona N
cum este prezentat n fig. I02.1-a i evideniat n reprezentarea logaritmic a concentraiilor de purttori din
fig. I02.1-b.
Aceste zone de sarcini produc un cmp electric E0 dea lungul jonciunii i o barier de potenial sau
diferen intern de potenial B0 care se opune i oprete procesul de migrare al purttorilor liberi, ca n
fig. I02.1-a, respectiv fig. I02.1-g. Distribuia densitii de volum a sarcinii electrice este prezentat n fig.
I02.1-e, iar distribuia cmpului electric E0 i a potenialului U0 sunt prezentate n fig. I02.1-f, respectiv fig.
I02.1-g.

Fig. I02.1 Jonciunea PN.

Tensiunea produs cu polaritatea indicat n fig. I02.1-g se opune migrrii golurilor de la P la N i a
electronilor de la N la P, n timp ce ajut trecerea golurilor de la N la P i a electronilor de la P la N.
Sarcinile electrice ale purttorilor minoritari generai termic, pot traversa liber jonciunea, crend un curent
electric denumit curent de purttori minoritari sau curent de cmp.
n circuit deschis curenii de difuziune i cei de cmp sunt n echilibru perfect astfel nct curentul total prin
jonciune este zero.
3.2 Polarizarea direct a jonciunii PN
Zona P a unei jonciuni PN este denumit anod i este notat cu A, iar zona N catod i este notat cu C, fig.
I02.1-a. Dac jonciunea este polarizat direct, prin aplicarea unei tensiuni externe cu minusul pe catod i
plusul pe anod, tensiunea de barier sau diferena intern de potenial este redus, la fel ca i dimensiunea
zonei de sarcin spaial. Prin creterea tensiunii externe aplicate la un moment dat aceasta anuleaz
diferena intern de potenial i apare conducia prin dispozitiv. Din punctul de vedere al caracteristicilor IV
diferena intern de potenial corespunztoare cmpului electric intern E0 se numete tensiunea de
deschidere a diodei sau tensiune de prag VP, fig. I02.2.
Deschiderea diodei permite electronilor din zona N s se deplaseze ctre plusul tensiunii externe aplicate
(bateriei) i a golurilor din zona P ctre minus, rezultnd un curent prin jonciune pe direcia PN a crui
valoare crete la creterea tensiunii externe aplicate pe jonciune, fig. I02.2.
3.3 Polarizarea invers a jonciunii PN
La inversarea polaritii tensiunii externe aplicat jonciunii, tensiunea de barier sau diferena intern de
potenial crete corelat cu extinderea zonei de sarcin spaial de la jonciune ctre terminale. Astfel
sarcinile pozitive din zona P i electronii din zona N sunt respini de ctre jonciune i curentul de difuzie
este blocat, fig. I02.1-a.
Curentul prin jonciune rmne duar curentul dat de purttorii minoritari de sarcin i este foarte mic.
Acesta are direcia de la NP i este denumit curent invers sau curent rezidual. Este in general independent
de tensiunea aplicat i valorile maxime nu depesc civa micoamperi pentru germaniu i nanoamperi
pentru siliciu, fig. I02.2.

3.4 Efectul de avalan i efectul Zener

Cnd tensiunea invers de polarizare a jonciunii atinge valori foarte mari, apare o cretere rapid a
curentului, tensiunea invers pe jonciune rmnnd aproximativ constant.
Aceast comportare este datorat efectului de avalan, efectului Zener sau a ambelor efecte.
n efectul de avalan, electronii capt viteze mari datorit tensiunii aplicate. Astfel atomii din cristal lovii
de electronii cu vitez mare sunt ionizai i electroni suplimentari sunt eliberai. Aceste sarcini sub aciunea
cmpului pot ioniza ali atomi pornindu-se o reacie in lan care conduce la creterea rapid a curentului.

n efectul Zener, la numite valori ale tensiunii, cmpul electric este puternic rupnd anumite legturi
covalente, producnd o mare cretere a purttorilor minoritari i astfel a curentului invers.
Caracteristica tipic a jonciunii PN reprezint dependena curentului prin diod ID n funcie de tensiunea
aplicat pe diod VD, fig. I02.2 ( VS reprezint tensiunea de strpungere a jonciunii n polarizare invers ) ,
iar caracteristica unei diode Zener n fig. I02.3 ( VZ reprezint tensiunea de strpungere prin efect Zener ).

Fig. I02.2 Caracteristica I-V a jonciunii PN.

Fig. I02.3 Caracteristica I-V a diodei Zener.

I02.4 NTREBRI
MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B02

I1. Pentru a polariza direct o jonciune PN trebuie:

a)
b)
c)
d)
e)

aplicat o tensiune pozitiv pe regiunea P i pus la mas regiunea N

aplicat o tensiune negativ pe regiunea N i pus la mas regiunea P
aplicat o tensiune pozitiv pe regiunea N i negativ pe regiunea P
aplicat o tensiune negativ pe regiunea P i negativ pe regiunea N
nici una din cele de mai sus

I2. Pentru a polariza invers o jonciune PN trebuie:

a)
b)
c)
d)

aplicat o tensiune pozitiv ntre regiunea P i regiunea N

aplicat o tensiune pozitiv pe regiunea P i pus la mas regiunea N
aplicat o tensiune pozitiv pe regiunea N i negativ pe regiunea P
aplicat o tensiune negativ pe regiunea N i pus la mas regiunea P

e) nici una din cele de mai sus

I3. Care este cel mai evident efect n polarizarea direct a jonciunii PN ?:
a)
b)
c)
d)
e)

curentul este nul

crete exponenial
efectul Zener
efectul de avalan
nici una din cele de mai sus

I4. Care este cel mai evident efect n polarizarea invers a jonciunii PN ?:
a)
b)
c)
d)
e)

curentul este nul

curentul crete exponenial
jonciunea ncepe s conduc considerabil dup tensiunea de prag de aproximativ 0,6V
curentul este mic la tensiuni mici i medii apoi crete brusc la tensiune aproape constant
nici una din cele de mai sus

CAPITOLUL I03
CARACTERISTICILE DIODELOR
I03.1 OBIECTIVE

Msurarea rezistenei n direct i invers a unei diode

Msurarea caracteristicii curent-tensiune I-V
Desenarea graficului caracteristicii curent-tensiune

I03.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, Unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul poate lucra n mod independent. La utilizarea unitii de management extern cele 4
comutatoarele trebuie s fie pe poziia nchis iar cele 8 comutatoare trebuie s fie pe poziia
deschis.
Modulul MCM3
Multimetru
Osciloscop cu sond

I03.3 ASPECTE TEORETICE

O diod este un dispozitiv semiconductor constnd dintr-o jonciune PN.

Fig. I03.1 Caracteristica I-V a jonciunii PN.

Mrimile mai importante prezentate n fig. I03.1 sunt:
Tensiunea de strpungere VS, la care apare efectul de avalan. La aceast tensiune apare o cretere
rapid a curentului care nu este limitat de ctre dispozitiv i poate conduce la distrugerea diodei.
Tensiunea de prag VP la care dioda ncepe s conduc puin. La polarizri peste aceast valoare curentul
crete rapid conform cu ecuaia urmtoare:
qV
I D = I 0 e nK T 1 ,

unde:
I0 este curentul n polarizare invers
q este sarcina elementar a electronului 1,6310-19 C
V este tensiunea anod-catod
n este factorul de exponenialitate i depinde de tipul de semiconductor
K este constanta Boltzmann 1,3810-23 J/K
T este temperatura semiconductorului n grade Kelvin

Din aceast relaie se observ dependena curentului prin diod de tensiunea de alimentare i de
temperatur. Aceasta este valabil pentru toi semiconductorii i din aceste considerente proprietile
electronice ale acestora sunt msurate la o temperatur fix.
Un alt parametru important al unei diode semiconductoare este rezistena diferenial rd. Aceasta este
definit ca raportul dintre o mic variaie a tensiunii i variaia corespunztoare a curentului, n jurul
punctului static de funcionare.

Anod

Catod

Fig. I03.2 Simbolul i terminalele jonciunii PN.

O diod conduce numai cnd este polarizat direct i foarte puin la polarizarea invers. Dac o diod este
alimentat n alternativ atunci ea va determina trecerea curentului numai o semialternan n timp ce
semialternana negativ este blocat. Un circuit simplu de redresare cu o diod este prezentat n fig. I03.3.
D1
1

VOFF = 0
VAMPL = 10V
FREQ = 50

Vs

10V

R1

0V

VR

1k

-10V
0s

20ms

40ms

V(D1:1)

Time

a)
D1
1

VOFF = 0
VAMPL = 10V
FREQ = 50

10V
V

Vs

R1
1k

VR

0V
-10V
0s

20ms

40ms

V(D1:2)
Time

b)
Fig. I03.3 Formele de und pentru redresarea monoalternan:
a) tensiunea furnizat de generator ; b) tensiunea redresat
Curentul trece prin circuit pe jumtatea unei perioade i produce o semialternan pozitiv pe sarcin.
Valoarea medie a tensiunii redresate este:
Vm=VM/=0,314VM
Valoarea rms (root means square) a tensiunii este:
Vrms=VM/2

I03.4 DESFURAREA LUCRRII

MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B03

4.1 Msurarea rezistenei directe i inverse a unei diode

Comutai multimetrul pe poziia OHM pentru msurarea rezistenelor
Msurai rezistena direct fig. I03.4-a i invers fig. I03.4-b a diodei realizate pe siliciu D1 i respectiv pe
germaniu D2 notnd valorile msurate n tabelul I03.1.

Fig. I03.4 Msurarea rezistenei directe (stnga) i inverse (dreapta) a diodei.

Tabelul I03.1.
Si
Direct

Ge
Invers

Direct

Invers

4.2 Regimul static (CC) a curentului diodei n funcie de tensiunea aplicat

Polarizare direct CC
Se pornete de la modulul din stnga-sus al plcii MCM3, fig. I03.5 i se realizeaz circuitul din fig. I03.6
n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din stnga-sus al montajului:
o Se monteaz untul J7
o Se conecteaz voltmetrul de CC (V) cu + la 4 i la 3
Se conecteaz dioda D1 prin montarea unturilor J8 i J9
Se alimenteaz n CC la +Vcc prin montarea untului J5 i la Vcc prin montarea rezistenei RJ2=150k (
care este accesoriu- nu se afla pe placa ) pe poziia untului J2 sau a untului J2, conform rezistenei
serie precizate n tabelul I03.2
Se msoar tensiunea de alimentare VCC cu ajutorul osciloscopului
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I03.5 Modulul din stnga-sus al plcii MCM3.

Fig. I03.6 Circuitul de msur pentru dioda D1.

Cretei ncet tensiunea de alimentare la valorile orientative din tabelul I03.2, msurai i completai in tabel
pentru dioda de siliciu D1: tensiunea de alimentare din tabel VCC, tensiunea pe dioda VD i calculai curentul
prin diod ID:
ID =

[+ V cc ( V cc )] V D
R serie

Tabelul I03.2.
Dioda

D1-Si

D2-Ge

unturi

Rezistena
serie

D1:
J8, J9

R1=2k2
RJ2=160k

Alimentare:
RJ2 sau J2,
J5

R1=2k2

D2:
J10, J11

R1=2k2
RJ2=160k

Alimentare:
J2, J5
R1=2k2

Tensiune
alimentare
+Vcc-(-Vcc)
(V)
4
8
12
16
1,5
2
3
12
24
4
8
12
16
1,5
2
3
12
24

Tensiunea
pe diod
VD
(V)

Scoatei unturile J8 i J9 i punei unturile J10 i J11, nlocuind astfel D1 cu D2.

Repetai msurtorile pentru dioda cu germaniu D2 i completai datele n tabel.
Polarizare invers CC
Se realizeaz circuitul de msur n urmtoarele etape:

Curentul
prin diod
ID
(mA)

Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj

Se configureaz circuitul de msur pe modulul din stnga-sus al montajului:
o Se monteaz untul J7
o Se conecteaz voltmetrul de CC (V) cu + la 3 i la 4
Se conecteaz dioda D1 prin montarea unturilor J8 i J9
Se alimenteaz n CC la -Vcc prin montarea untului J6 i la +Vcc prin montarea rezistenei RJ1=160k
pe poziia untului J1, conform rezistenei serie din tabelul I03.3
Se msoar tensiunea de alimentare VCC cu osciloscopul
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund din dreapta montajului
Cretei ncet tensiunea de alimentare la valorile orientative din tabelul I03.3, msurai i completai in tabel
pentru dioda de siliciu D1: tensiunea de alimentare VCC corespunztoare valorilor din tabel , tensiunea pe
dioda VD i calculai curentul prin diod ID.
ID =

[+ V cc ( V cc )] V D
R serie

Tabelul I03.3.
Dioda

D1-Si

D2Ge

unturi
D1:
J8, J9
Alimentare:
RJ1, J6
D2:
J10, J11
Alimentare:
RJ1, J6

Rezistena
serie
R1=2k2
RJ1=150k

Tensiune
alimentare
+Vcc-(-Vcc)
(V)
5
12

Tensiunea
pe diod
VD
(V)

Curentul
prin diod
ID
(A)

24
5

R1=2k2
RJ1=150k

12
24

Scoatei unturile J8 i J9 i punei unturile J10 i J11.

Repetai msurtorile pentru dioda cu germaniu D2 i completai datele n tabel.
4.3 Trasarea caracteristicilor de CC tensiune-curent ale diodelor
Cu rezultatele obinute n acest capitol desenai curbele tensiune-curent pentru ambele diode cu germaniu i
cu siliciu folosind fig. I03.7.
Curbele obinute pot fi desenate cu linie ntrerupt compuse din o poriune orizontal paralel cu axa
tensiunilor i una vertical paralel cu axa curenilor.
Tensiunea de prag este considerat zona n care poriunea dreapt are o curbur i reprezint tensiunea la
care dioda ncepe s conduc rezonabil de bine.

Fig. I03.7 Sistemul de axe pentru caracteristica diodelor.

4.5 Regimul dinamic (de CA) al diodelor

Se realizeaz circuitul din fig. I03.9 n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din stnga-sus al montajului:
o Se monteaz untul J7
o Se conecteaz voltmetrul de CC (V) cu + la 4 i la 3
o RV1 se regleaz la valoarea maxim (dreapta)
Se conecteaz dioda D1 prin montarea unturilor J8 i J9
Se alimenteaz n CC la +Vcc prin montarea untului J5 i la Vcc prin montarea untului J2
Se alimenteaz n CA prin conectarea n locul lui J13 a generatorului de semnal sinusoidal cu frecvena
de 1KHz n serie cu un condensator de 2F
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I03.9 Circuitul de msur a regimului dinamic al diodelor.

Se regleaz tensiunea de alimentare CC la valorile din tabelul I03.4, se msoar tensiunea CC pe diod VD
i se completeaz n tabel.
Se pornete generatorul de semnal sinusoidal i se regleaz frecvena la 1KHz iar amplitudinea semnalului
de CA pe diod Vd la 10mV, se msoar tensiunea CA livrat de generator Vg i se completeaz n tabel.
Rezistena intern se calculeaz cu relaia:
Ri = RV 1

Vd
V g V d

Tabelul I03.4.
Dioda

unt

D1
-Si
D2
-Ge

J8,
J9
J10,
J11

R serie
CC
(k)

R
serie
CA
(k)

R1=
2k2

RV1
=1k

R1=
2k2

RV1
=1k

Tens. CC
alimentare
+Vcc-(-Vcc)
(V)

Tens. CC
pe diod
VD
(V)

3
7
11
3
7
11

Tens. CA
pe diod
Vd
(mV)

Tens.
CA gen.
Vg
(V)

Ri
()

10
10
10
10
10
10

I03.5 NTREBRI
I1. Care este diferena ntre diodele cu siliciu i cele cu germaniu?
a) rezistenele direct i invers ale diodelor sunt zero
b) rezistena n direct a diodei cu siliciu este mic dar mai mare ca la dioda cu germaniu. Ambele
rezistene inverse sunt mari
c) rezistene le n direct sunt foarte mari iar cele inverse sunt foarte mici

d) rezistena n direct a diodei D2 este foarte mare iar cea invers este mic; dioda D1 are comportare
invers
e) nici una din cele de mai sus
I2. Cum se comport dioda la variaia tensiunii de alimentare?
a) n polarizare direct curentul este zero, n polarizare invers curentul este constant la 100mA
b) n polarizare direct curentul este foarte mic n timp ce tensiunea atinge valoarea caracteristic a
diodei, apoi crete exponenial. n polarizare invers curentul este extrem de mic i este dificil de
msurat
c) curentul este tot timpul zero n polarizare direct i invers
d) n polarizare direct curentul este constant la 120mA, n polarizare invers este zero
e) nici una din cele de mai sus nu descrie comportarea diodei
I3. Care este tensiunea de prag pentru diodele D1 i D2?
a)
b)
c)
d)
e)

0V pentru D1 i D2
5V pentru D2 i 7V pentru D1
0,2-0,3V pentru D2 i 0,5-0,7V pentru D1
0,5-0,7V pentru D2 i 0,2-0,3V pentru D1
3V pentru D2 i 0V pentru D1

I4. Care este diferena ntre semnalele afiate la fig. I03.3?

a)
b)
c)
d)

tensiunea de intrare are amplitudinea dubl fa de amplitudinea pe sarcin

tensiunea de intrare are frecvena dubl fa de tensiunea pe sarcin
tensiunea de intrare este defazat cu 60 comparativ cu tensiunea pe sarcin
cele dou semnale sunt n faz, dar semnalul pe sarcin nu are semialternana negativ i semnalul
de intrare are amplitudinea puin mai mare
e) nici una din cele de mai sus
Montai SIS1
SIS2

Setai comutatorul S23 pe poziia nchis

Apsai INS

I5 Ce se poate observa referitor la citirea instrumentelor?

a)
b)
c)
d)
e)
f)

rezistena de sarcin a crescut

o diod n plus a fost introdus n serie
circuitul a devenit deschis
tensiunea de alimentare s-a dublat
rezistena de sarcin r a fost redus
un condensator a fost conectat n serie cu sarcina

Montai SIS1
I6 Care este simbolul diodei?
a)
b)
c)

Setai comutatorul S23 pe poziia deschis

d)
I7 Caracteristica tensiune-curent a diodei depinde de temperatur i de tipul semiconductorului?
a)
b)
c)
d)

nu, aceasta depinde numai de temperatur

nu, aceasta depinde numai de tipul semiconductorului
da
nu, aceasta nu depinde de nici una

CAPITOLUL I04
STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU DIODE ZENER

I04.1 OBIECTIVE

Obinerea curbei caracteristicii tensiune-curent a diodei Zener

Utilizarea diodei Zener n serie cu o rezisten ca stabilizator de tensiune i observarea stabilitii
tensiunii n funcie de variaiile tensiunii de intrare
Verificarea comportrii circuitului n funcie de sarcin

I04.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul MCM3/EV
Multimetru
Osciloscop cu sond

I04.3 ASPECTE TEORETICE

Dioda Zener este proiectat pentru utilizarea n polarizare invers, n regiunea de strpungere i are
simbolul din fig. I07.1.

Fig. I04.1 Simbolul i caracteristica curent-tensiune a diodei Zener.

n polarizare direct dioda Zener funcioneaz ca o diod normal. n polarizare invers dioda Zener
funcioneaz tot ca o diod normal pn la tensiunea de strpungere care este uzual denumit tensiune
Zener VZ. La acest punct curentul invers crete rapid, n timp ce tensiunea pe diod rmne constant.
Termenul de strpungere nu este foarte potrivit pentru acest tip de diod deoarece este proiectat (iniial de
Zener) s lucreze continuu n aceast regiune, fr nici o defectare a diodei.
3.1 Rezistena diferenial
La diodele Zener reale n regiunea de strpungere tensiunea nu este chiar constant ci crete uor cu
creterea curentului.
Panta este aproape vertical, are unitatea de msur invers rezistenei i se numete rezistena diferenial
rZ.
Dioda Zener poate fi reprezentat la polarizarea normal ca o baterie cu tensiunea VZ n serie cu rezistena
rZ, fig. I07.2, de ordinul a ctorva ohmi.

Fig. I07.2 Schema echivalent de CC a diodei Zener.

3.2 Stabilizarea tensiunii
Circuitul de baz utilizat pentru stabilizarea tensiunii este prezentat n fig. I07.3. Zenerul este polarizat
invers in zona de strpungere de tensiunea vi prin rezistena R. Pentru un Zener ideal tensiunea Vo pe
sarcina RL nu variaz i este egal cu tensiunea Zener VZ.

Fig. I04.3 Circuitul stabilizator de baz cu diod Zener.

Principalele aspecte ale funcionrii stabilizatorului sunt:
dac curentul de sarcin IL crete, curentul IZ prin Zener scade
dac IL scade, curentul IZ prin Zener crete
dac tensiunea de intrare Vi crete, IZ prin Zener crete
dac tensiunea de intrare Vi descrete, IZ prin Zener descrete
3.3 Stabilitatea tensiunii la schimbarea sarcinii
Considernd ideal dioda Zener din fig. I04.4, tensiunea pe sarcin Vo este constant i astfel curentul
furnizat este constant i egal cu:
I = (Vi-Vo)/R

Fig. I04.4 Circuitul stabilizator cu schema echivalent de CC a diodei Zener.

O schimbare a curentului de sarcin IL cauzeaz o schimbare egal dar opus a curentului prin Zener IZ
(curentul de alimentare fiind constant ntr-o prim aproximaie):
IL = - IZ
Pentru un Zener real, modificarea curentului produce o mic schimbare a tensiunii de ieire datorit
efectului lui rZ.
Vo = rZIZ = - rZIL
3.4 Stabilitatea tensiunii la schimbarea tensiunii de intrare
Considernd n fig. I07.4 un Zener ideal la variaia tensiunii de intrare, tensiunea de ieire Vo este
constant i astfel i curentul IL prin sarcin.

n realitate o variaie a tensiunii de intrare Vi produce o schimbare a curentului de alimentare I, astfel i a

lui IZ:
I = - Vi/R = IZ
iar modificarea tensiunii de ieire este:
Vo = rZIZ = rZVi/R = rZ/RVi

I04.4 DESFURAREA LUCRRII

MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B08

La msurarea tensiunilor cu multimetrul, trebuie scurtcircuitate punctele n care se conecta

ampermetrul pentru a asigura continuitatea circuitului i verificat ca multimetrul s fie comutat pe
funcia de voltmetru.
Utilizarea multimetrului pe funcia de ampermetru pentru msurarea tensiunilor poate conduce la
deteriorarea multimetrului i a componentelor circuitului in care se face msurtoarea.
4.1 Msurarea curentului Zener n funcie de tensiunea de alimentare

Fig. I04.5 Modulul din stnga-sus al plcii MCM3.

Fig. I04.6 Circuitul pentru determinarea caracteristici I-V a diodei Zener.

Se pornete de la modulul din stnga-sus al plcii MCM3, fig. I04.5 i se realizeaz circuitul din fig. I07.6
n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din stnga-sus al montajului:
o Se monteaz untul J7
o Se conecteaz voltmetrul de CC (V) cu + la 4 i la 3
Se conecteaz dioda Z1 prin montarea untului J12
Se alimenteaz n CC la +Vcc prin montarea untului J1 i la Vcc prin montarea untului J6
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului
Se regleaz tensiunea de alimentare la valorile indicate n tabelul I07.1 i se msoar tensiunea pe diod VZ,
iar curentul prin diod IZ se calculeaz astfel:
Tensiunea de a lim entare V Z
(+ Vcc (-Vcc)) V Z
=
R serie
R1

IZ =

Tabelul I04.1
Dioda

unturi

Rserie CC
(K)

Z1

J1, J6
J12

R1=2k2

Tens. Alimentare
+Vcc (-Vcc)
(V)
5
6
7
8
10
15
24

VZ
(V)

IZ
(mA)

I1. Care este valoarea tensiunii Zener ?

a)
b)
c)
d)
e)
f)

10V
3,5V
1V
0,7V
6,2V
8,7V

Montai SIS1

Setai comutatorul S2 pe deschis

4.3 Tensiunea stabilizat cu sarcin variabil

Se pornete de la modulul din stnga-sus al plcii MCM3, i se realizeaz circuitul din fig. I04.8 astfel:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din stnga-sus al montajului:
o Se conecteaz voltmetrul de CC (V) pentru msurarea tensiunii VZ

Se conecteaz rezistena RV1 prin montarea untului J13

Se alimenteaz n CC la +Vcc prin montarea untului J1 i la Vcc prin montarea untului J6
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I04.8 Circuitul pentru analiza stabilizatorului cu diod Zener.

Se regleaz tensiunea de alimentare la aproximativ 30V i se msoar cu voltmetrul de cc. Se regleaz RV1
i se observ c atunci cnd dioda conduce tensiunea de alimentare este aproximativ VZ = 6,2V
Se regleaz RV1 i se observ modificarea tensiunii pe diod. Se msoar RV1 cu ohmetrul n momentul
cnd se observ c tensiunea pe diod ncepe s scad sub VZ . Se calculeaz IZmin i ILmax.
I3. Cum se modific curenii prin diod i sarcin ?
a)
b)
c)
d)
e)

curentul prin sarcin este invers proporional cu curentul prin diod (cu dioda n conducie)
ambii cureni cresc
ambii cureni scad
se anuleaz
curentul prin sarcin este direct proporional cu curentul prin diod (cu dioda n conducie)

Reducei RV1 pn tensiunea pe diod este mai mic ca tensiunea Zener

Calculai curentul prin diod. Se poate vedea c dioda nu conduce (IZ = 0), iar tensiunea nu se
stabilizeaz
Reglai RV1 la rezistena maxim, apoi reducei tensiunea de alimentare pn se atinge limita de
stabilizare

I4. Care este limita de stabilizare n acest caz ?

a)
b)
c)
d)
e)
f)

30V
3,5V
10V
20,5V
5V
7,5V

I04.5 NTREBRI
I5. Ce este tensiunea Zener ?

a)
b)
c)
d)
e)

este tensiunea maxim de CC a diodei

este tensiunea ntre catod i anod n polarizare invers
este tensiunea de prag n polarizare direct
este tensiunea invers care n anumite condiii rmne constant pe diod
este o tensiune fix pentru toate tipurile de diode

I6. Considernd circuitul din fig. I07.3, cu VZ=7,5V, R=5,6K, Rl=12K i o diod ideal. Care este
tensiunea de intrare minim care asigur pe sarcin o tensiune egal cu tensiunea Zener ?
a)
b)
c)
d)
e)
f)

23,57V
7,5V
11V
3,5V
13,6V
32V

I7. Care este valoarea minim a lui R care asigur conducia diodei Zener, dac RL=27K, Vi=32V,
VZ=16V ?
)
)
)
)
)
)

27K
54K
13,5K
6,5K
30,6K
1K

CAPITOLUL I05
REDRESOARE MONO I DUBL ALTERNAN
I05.1 OBIECTIVE

Analiza redresorului mono i dubl alternan

Analiza redresorului Graetz (punte)

I05.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul MCM3/EV
Multimetru
Osciloscop cu sond

I05.3 REDRESORUL MONOALTERNAN

Fig. I05.1 Modulul din mijloc-sus al plcii MCM3.

Se pornete de la modulul din mijloc-sus al plcii MCM3, fig. I05.1 i se realizeaz circuitul din fig. I05.2
n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din mijloc-sus al montajului:
o Se monteaz untul J28 (se conecteaz ampermetru de CA (A) ntre bornele 7 i 8)
Se conecteaz dioda D3 prin montarea untului J14 iar n locul bobinei L1 se monteaz untul J24
Se conecteaz R4 n serie cu RV2 prin montarea unturilor J31 i J27
Se alimenteaz n CA la 24V~ prin montarea untului J20
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I05.2 Circuitul de caracterizare a redresorului monoalternan.

Reglai RV2 pentru a obine curentul minim n circuit. Conectai osciloscopul pentru a vizualiza tensiunea
de la intrare i tensiunea pe sarcin (R4 n serie cu RV2). Comparai cele dou forme de und i determinai
cnd conduce dioda.

I05.4 ASPECTE TEORETICE

Redresorul monoalternan descris anterior are dezavantajul utilizrii unei semialternane a semnalului
alternativ i astfel tensiunea de ieire medie sau rms este mic. Aceasta este un dezavantaj n special cnd
sarcina necesit mult putere.
Pentru a crete valoarea medie sau rms a tensiunii de ieire este necesar redresarea ntregului ciclu al
semnalului de intrare respectiv redresarea dubl alternan.
O prim variant utilizeaz dou diode, fig. I04.3 i necesit dou surse de tensiune egale i defazate cu 180
grade aplicate pe anozi. Tensiunea medie de ieire este:
Vm=2VM/=0,636VM
iar tensiunea de ieire rms este:
Vrms =VM/ 2 =0,707VM
O alt soluie pentru redresarea dubl alternan a sursei de semnal alternativ este redresorul Graetz sau
redresorul punte, fig. I04.4 i I04.5, care necesit 4 diode n loc de 2. Pe perioada semialternanei pozitive
diodele D1 i D3 conduc, iar pe perioada semialternanei negative diodele D3 i D4 conduc, astfel curentul
ce parcurge rezistena de sarcin are mereu acelai sens pe durata celor dou semialternane.

Fig. I05.3 Redresorul dubl alternan cu priz median.

Fig. I05.4 Redresorul dubl alternan cu punte Graetz.

Fig. I05.5 Redresorul dubl alternan cu punte Graetz redesenat.

I05.5 DESFURAREA LUCRRII

MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B04

n anumite circuite este necesare msurarea curenilor i a tensiunilor. Dac dispunem de un singur
multimetru acesta trebuie utilizat alternativ ca voltmetru i ampermetru.
La msurarea tensiunilor cu multimetrul, trebuie scurtcircuitate punctele n care se conecta
ampermetrul pentru a asigura continuitatea circuitului i verificat ca multimetrul s fie comutat pe
funcia de voltmetru.
Utilizarea multimetrului pe funcia de ampermetru pentru msurarea tensiunilor poate conduce la
deteriorarea multimetrului i a componentelor circuitului in care se face msurtoarea.
5.1 Analiza redresorului dubl alternan cu priz median
Se realizeaz circuitul din fig. I05.6 n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din mijloc-sus al montajului:
o Se conecteaz untul J28 (se conecteaz ampermetru de CA (A) ntre bornele 7 i 8)
Se conecteaz dioda D3 prin montarea untului J14, dioda D7 prin conectarea untului J18 i se
scurtcircuiteaz bobina L1 prin conectarea untului J24
Se conecteaz R4 n serie cu RV2 prin montarea unturilor J31 i J27
Se alimenteaz n CA la 24V~ prin montarea untului J20
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I05.6 Redresorul dubl alternan cu punte Graetz redesenat.

Se conecteaz masa osciloscopului la COM (anodul diodei D5) i proba la punctul de msur dintre
terminalul rezistenei R4 i untul J31, pentru vizualizarea formei de und pe sarcin i apoi se conecteaz
proba pe anodul diodei D3 i D7 pentru a vizualiza forma semnalului pe cele dou seciuni.
Se regleaz RV2 pentru a obine curentul maxim prin sarcin.
4.2 Analiza redresorului dubl alternan cu punte Graetz
Se realizeaz circuitul din fig. I05.7 n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din mijloc-sus al montajului:
o Se monteaz untul J28 (se conecteaz ampermetru de CA (A) ntre bornele 7 i 8)
Se conecteaz dioda D3 prin montarea untului J14, dioda D4 prin conectarea untului J15, dioda D5
prin conectarea untului J16, dioda D6 prin conectarea untului J17, i se scurtcircuiteaz bobina L1
prin conectarea untului J24
Se conecteaz R4 n serie cu RV2 prin montarea untului J31
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I05.7 Redresorul dubl alternan cu punte Graetz redesenat.

Se conecteaz masa osciloscopului la COM (anodul diodelor D4, D6), proba 1 la CH1 (catodul diodei D4)
i proba doi la CH2 (rezistena R4 n serie cu RV2) i se vizualizeaz formele de und.
Se regleaz RV2 pentru a obine curentul maxim prin sarcin.
Se msoar valoarea maxim a tensiunii pe dioda D4 respectiv tensiunea invers aplicat pe diod.
Verificai comportarea redresorului in situaiile urmtoare:
Deconectarea simultan a unturilor J14, J15, J16
Deconectarea simultan a unturilor J14, J16
Deconectarea unturilor J15, J16
Deconectarea unturilor J14, J17
La redresorul punte tensiunea pe sarcin este pulsatorie iar amplitudinea acesteia este egal cu amplitudinea
semnalului de intrare micorat cu tensiunea direct pe dou diode. Deoarece amplitudinea tensiunea de
intrare este mult mai mare ca tensiunea direct pe diod sesizarea diferenei amplitudinii semnalului pe
sarcin comparativ cu amplitudinea semnalului de intrare este dificil.

I05.6 NTREBRI
I1. Care sunt concluziile msurtorilor pe circuitul din fig. I05.6 ?

a) tensiunea n catodul diodei D3 este tot timpul zero, pe dioda D7 nu are semialternana pozitiv, pe
sarcin nu are semialternana negativ
b) tensiunea n catodul diodei D3 nu are semialternana pozitiv, pe dioda D7 nu are semialternana
pozitiv, astfel tensiunea pe sarcin este zero
c) tensiunea n catodul diodei D3 nu are semialternana pozitiv, pe dioda D7 este zero, iar tensiunea
pe sarcin nu are semialternana pozitiv
d) D3 i D7 redreseaz semialternane cu semn opus ale semnalului de intrare. Tensiunea pe sarcin
const numai din pulsuri pozitive
e) nici una din cele de mai sus
I2. Punei ampermetrul pe DC, deconectai untul J18 i msurai curentul
Conectai untul J18 la loc i msurai curentul din nou.
Comparai valorile curentului msurat!
a)
b)
c)
d)
e)

rezultatele sunt identice n ambele cazuri

curentul n primul caz este de trei ori mai mare
curentul n al doilea caz este dublu
curentul n primul caz este dublu
curentul este jumtate n al doilea caz

I3. Referitor la puntea Graetz din fig. I05.7 care fraze sunt adevrate ?
a) n funcionare diodele D3 i D6 conduc alternativ, n timp ce diodele D2 i D4 protejeaz sarcina de
supratensiuni
b) la orice moment, o pereche de diode din punte sunt n conducie
c) semnalul pe sarcin are o comportare pulsatorie, constituit dintr-o singur semialternan negativ a
semnalului de intrare, cnd diodele D3, D5, D6 ncep s conduc
d) cele 4 diode ale punii conduc simultan i tensiunea de ieire este perfect continu
e) nici una din acestea este adevrat
I4. Conectai unturile pentru a realiza circuitul din fig. I05.7 din nou.
Montai SIS1
SIS2
a)
b)
c)
d)
e)

Setai comutatorul S8 pe nchis

Apsai INS

un condensator de 1A a fost conectat n paralel cu sarcina

bobin de 1mH a fost conectat n paralel cu sarcina
dioda D3 a fost scurtcircuitat
circuitul a devenit deschis la D5
nici una din acestea este adevrat

Montai SIS1

Setai comutatorul S8 pe deschis

I5. Care este relaia dintre tensiunea de ieire RMS a redresorului dubl alternan i cea monoalternan
?
a)
b)
c)
d)
e)

ele sunt egale

rms este dubl
rms este jumtate
rms este de 2 ori mai mare
rms este de 1/ 2 ori mai mare

I6. Un redresor dubl alternan este alimentat la 24V rms. Care este media curentului printr-un rezistor
1k2 conectat la ieirea redresorului ?
a)
b)
c)
d)
e)

20 mA
10 mA
9 mA
18 mA
50 mA

I7. Care din urmtoarele configuraii sunt punte Graetz ?

a)

b)

c)

d)

I8. Care este tensiunea invers maxim pe o diod n puntea Graetz dac valoarea tensiunii de alimentare
este VIM ?
a) VIM
(1/2) VIM
b)
2 VIM
c)
2 VIM
d)
(1/ 2 ) VIM
e)

CAPITOLUL I06
FILTRE DE NETEZIRE
I06.1 OBIECTIVE

Observarea pe osciloscop tensiunii filtrate cu C, LC i CLC

Msurarea tensiunii de riplu vrf la vrf
Msurarea tensiunii medii redresate
Calculul tensiunii de riplu

I06.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul MCM3/EV
Multimetru
Osciloscop cu sond

I06.3 ASPECTE TEORETICE

Filtrele sunt utilizate pentru netezirea semnalului de la ieirea unui redresor de semnal alternativ. Variaia
sau componenta alternativ a semnalului redresat se numete uzual Riplu i se calculeaz astfel:
Riplu =

Valoarea RMS a tensiunii de riplu

%
Tensiunea medie pe sarcin

Astfel pentru semnalul nefiltrat factorul de riplu pentru redresorul monoalternan este:
121%); pentru redresor dubl alternan este:

( / 2 2 ) 1
2

( / 2)2 1 (adic

(adic 48%). Pentru reducerea riplului sunt

necesare filtre de netezire.

3.1 Filtre capacitive
Pot fi realizate prin conectarea unui condensator n paralel cu sarcina, fig. I05.1. Comportarea tensiunii i
curentului netezit este n fig. I05.2.

Fig. I06.1 Filtru capacitiv C.

Fig. I06.2 Tensiunea i curentul netezite cu filtru capacitiv C.

Condensatorul se ncarc n timp ce dioda conduce, pn atinge valoarea maxim a tensiunii redresate.
Cnd tensiunea de alimentare pe anod este mai mic ca tensiunea pe catod, (adic tensiunea maxim de pe
condensator) dioda este blocat. Condensatorul va alimenta curentul prin sarcin. Aceast descrcare a
curentului, fig. I05.2 este pe perioada (t2-t1). Dac condensatorul este mic sau rezistena de sarcin este
mic, condensatorul se va descrca foarte repede iar netezirea nu va fi foarte bun.
Cnd tensiunea de pe anod este mai mare ca tensiunea pe condensator, acesta se ncarc din nou n
intervalul (t3-t2). Dioda livreaz un puls de curent pentru a nlocui sarcina pierdut de condensator. Pe
perioada t3-t2 condensatorul trebuie s acumuleze cantitatea de sarcin pierdut in perioada t2-t1.
Curentul maxim prin diode este:
I M = V M ( f R C )
unde VM este tensiunea maxim pe sarcin iar f este frecvena semnalului alternativ.
Curentul mediu prin diode este:
Im = I0 / 2

cu I0 curentul mediu pe sarcin.

Tensiunea de ieire medie este:
V m = V M I M /(4 f C )

Rezistena de ieire care va determina cderea tensiunii pe sarcin este:

R0 = 1/(4fC)
Riplul este:
r = 1/(4 3 fRC)
Un riplu mic necesit rezisten mare, curent mic i capacitate mare. Filtrele capacitive sunt utilizate n
general n aplicaiile de mic putere.
3.2 Filtre inductive
Acestea sunt realizate prin nserierea cu sarcina a unei inductane, fig. I06.3.

Fig. I06.3 Filtru inductiv L.

Introducerea unui filtru inductiv dup un redresor dubl alternan reduce semnificativ curentul de riplu.
Efectele inductanei sunt prezentate n fig. I05.4.

Fig. I06.4 Efectul filtru inductiv L asupra curentului prin sarcin.

Inductana se opune variaiilor i pulsurilor de curent de la diod i produce un curent I care rmne n urma
tensiunii, conform reprezentrilor tensiunilor si curentului, fig. I05.5.

Fig. I06.5 Comportarea filtrului inductiv L.

3.3 Filtre LC
Aceste filtre se mai numesc i filtre n L i reprezint o metod obinuit de netezire a tensiunii redresate,
fig. I06.6.

Fig. I06.6 Filtru LC.

Inductana realizeaz o filtrare rapid a variaiilor de curent i astfel condensatorul reprezint al doilea etaj
de filtrare. Netezirea este mai bun cu ct reactana bobinei este mai mare comparativ cu circuitul paralel
RC i cu ct reactana condensatorului este mai mic comparativ cu sarcina R.

3.4 Filtre CLC i CRC

Aceste filtre se mai numesc i filtre n i aduc o mbuntire a filtrrii prin adugarea unui condensator
la intrare, fig. I05.7 care reprezint un etaj suplimentar de netezire la intrare. Tensiunea de ieire medie este
foarte apropiat de tensiunea maxim a alimentrii de putere.
Avantajele acestui filtru sunt: tensiune de ieire DC crescut; riplu mic.
Dezavantajul principal datorat filtrrii capacitive este curentul de vrf foarte mare prin diod.
Dac este necesar un curent mic prin sarcin inductana poate fi nlocuit cu o rezisten obinndu-se un
filtru n CRC.

Fig. I06.7 Filtru CLC.

3.5 Formule utile pentru redresorul dubl alternan
Condiii
Filtru
pentru o bun Tensiune DC
Impedana
filtrare
de ieire
C
VM Im/4fC
1/4fC
R>>1/C
L
LC

L>>R

2/ VM Ri I

L>>1/C
R>1/C

2/ VM Ri I

Ri bobin
Ri bobin

Riplu
1/(4 3 fRC)
RL/(3 2 L)
2 /(122LC)

I06.4 DESFURAREA LUCRRII

MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B05

4.1 Redresor monoalternan cu filtre C, LC i CLC

Se realizeaz circuitul din fig. I06.8 pe modulul din mijloc-sus astfel:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se configureaz circuitul de msur pe modulul din mijloc-sus al montajului:
o Se monteaz untul J28 (se conecteaz ampermetru de CA (A) ntre bornele 7 i 8)
Se conecteaz dioda D3 prin montarea untului J14, J24
Se conecteaz rezistena de sarcin R2 prin montarea untului J27, J29
Se alimenteaz la 24V prin montarea untului J20
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului

Fig. I06.8 Redresorul monoalternan pentru analiza filtrelor C.

Vizualizai cu osciloscopul semnalul alternativ de intrare pe canalul 1 iar pe canalul 2 tensiunea pe sarcina
R2.
Observai tensiunea pe sarcin i msurai curentul prin circuit.
Montai untul J23 pentru a introduce filtrul capacitiv C3.
Msurai curentul prin sarcin i observai forma i valoarea tensiunii vrf la vrf a riplului de pe sarcin.
Deconectai untul J29 i conectai untul J30, crescnd rezistena de sarcin de la 1 k la 10k.
I1. Ce efect se observ la creterea rezistenei de sarcin ?
a)
b)
c)
d)
e)

riplul tensiunii de ieire scade

riplul este neschimbat, dar amplitudinea semnalului de ieire crete
riplul i amplitudinea semnalului de ieire sunt constante
riplul semnalului de ieire crete, dar amplitudinea semnalului de ieire rmne constant
nici una din cele de mai sus

Refacei circuitul deconectnd J30 i reconectai J29.

Deconectai untul J23 i conectai J25, crescnd capacitatea de filtrare de la 100F la 470F.
Msurai curentul prin sarcin i observai forma i valoarea tensiunii vrf la vrf a riplului de pe sarcin.
I2. Ce efect se observ la creterea capacitii de filtrare de la 100F la 470F ?
a)
b)
c)
d)
e)

riplul scade
tensiunea de ieire maxim scade
semnalul riplu crete
nu se vd modificri semnificative
valoarea tensiunii minime crete

Montai SIS1
SIS2

Setai comutatorul S24 pe nchis

Apsai INS

I3. Ce modificri au fost efectuate n circuit ?

a)
b)
c)
d)
e)
f)

rezistena de sarcin a fost micorat

semnalul de intrare n filtru este mai mic
nu au fost introduse schimbri
capacitatea filtrului este mult mai mic
rezistena de sarcin a fost sczut
nici una din cele de mai sus

Montai SIS1

Setai comutatorul S24 pe deschis

Se realizeaz circuitul din fig. I05.9 pe modulul din mijloc-sus al plcii MCM3.

Fig. I06.9 Redresorului monoalternan pentru analiza filtrelor LC i CLC.

Se scoate untul J23 pentru a configura un filtru LC, fig. I06.9, se msoar curentul mediu prin circuit i se
vizualizeaz forma i amplitudinea riplului pe sarcin.
Se conecteaz untul J23 pentru a configura un filtru CLC, fig. I06.9, se msoar curentul mediu prin circuit
i se vizualizeaz forma i amplitudinea riplului pe sarcin.
Adugarea condensatorului C3 furnizeaz filtrului LC o tensiune mai stabil cu o valoare medie apropiat
de valoarea maxim a tensiunii de alimentare. Comparnd tensiunile n diferite configuraii se observ c
tensiunea de ieire CC crete cu tensiunea CC de la ieirea filtrului i de asemenea cu scderea riplului.
4.2 Redresor dubl alternan cu filtre C, LC i CLC
Pe modulul din mijloc-sus al plcii MCM3, se realizeaz circuitul din fig. I06.10.
Deconectai unturile J21, J23 i msurai curentul continuu, riplul i tensiunea continu pe sarcin
n urmtoarele situaii:
Conectai untul J21 pentru realizarea unui filtru capacitiv, cu C1=10F
Conectai untul J23 pentru creterea capacitii filtrului (C1=10F paralel cu C2=100F)
Scoatei unturile J21, J23 i conectai J25, introducnd duar C5=470F
Scoatei untul J24 pentru a realiza un filtru LC, fig. I06.11
Conectai untul J23 pentru a realiza un filtru CLC

Fig. I06.10 Redresorul dubl alternan pentru analiza filtrelor C.

Fig. I06.11 Redresorul dubl alternan pentru analiza filtrelor LC i CLC.

I4. Care din circuitele analizate d curentul cel mai mare cu riplul cel mai mic ?
a)
b)
c)
d)
e)

circuitul cu C1
circuitul cu C1 paralel cu C2
circuitul cu C5
circuitul cu LC5
circuitul cu C3LC5

I06.5 NTREBRI
I5. O inductan n serie cu sarcina va:
a)
b)
c)
d)
e)

netezi tensiunea redresat

crete tensiunea de ieire
netezi tensiunea pe sarcin
crete riplul
nici una din cele de mai sus

I6. Un condensator n paralel cu sarcina va:

a)
b)
c)
d)
e)

netezi tensiunea pe sarcin

crete frecvena de ieire
scdea curentul prin sarcin
crete riplul
scurtcircuita sarcina

I7. Riplul unui filtru CLC depinde de:

a)
b)
c)
d)
e)

numai de frecvena semnalului alternativ

valoarea primului condensator
valoarea inductanei i a sarcinii
numai de capacitatea final
toate componentele filtrului i frecvena de intrare

CAPITOLUL I07
DUBLORUL DE TENSIUNE
I07.1 OBIECTIVE

Analiza funcionrii dublorului de tensiune la modificarea sarcinii i condensatorului

I07.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3

(opional).
Modulul MCM3/EV
Multimetru
Osciloscop cu sond diferenial

I07.3 ASPECTE TEORETICE

Dublorul de tensiune, fig. I07.1 produce o tensiune dubl fa de redresorul normal utiliznd aceeai surs
de alimentare de CA.

Fig. I07.1 Circuitul dublor de tensiune.

Referitor la fig. I07.2 pe perioada primului sfert de perioad (t0-t1) ale undei sinusoidale de intrare dioda d1
conduce iar condensatorul C1 se ncarc la maximum VM.
n sfertul al doilea (t1-t2) nici o diod nu conduce i tensiunea rmne aceiai dac nu avem sarcin.
La momentul t2, dioda D2 ncepe s conduc i curentul curge prin C2, care de asemenea se ncarc la
valoarea maxim VM.
La momentul t3, dioda D2 este blocat. Din acest moment nici o diod nu conduce i tensiunea pe
terminalul de ieire este egal cu suma celor dou tensiuni pe condensator, adic 2VM.
Cnd avem sarcin condensatorii se descarc puin n intervalele (t1-t2) i (t3-t4), crend un riplu care crete
cu curentul de sarcin (micorarea rezistenei de sarcin).

Fig. I07.2 Funcionarea circuitului dublor de tensiune.

I07.4 DESFURAREA LUCRRII

MCM-3
Montai SIS1
SIS2

Deconectai toate unturile

Setai toate comutatoarele pe deschis
Introducei cod lecie: B06

Se pornete de la modulul din mijloc-sus al plcii MCM3, fig. I07.3 i se realizeaz circuitul din fig. I07.4
n urmtoarele etape:
Se scot toate unturile i aparatele de pe montaj
Se conecteaz dioda D3 prin montarea untului J14, dioda D4 prin montarea untului J15,
condensatorul C3 prin montarea untului J23, condensatorul C4 prin montarea untului J26
Se conecteaz rezistena de sarcin R4 nseriat cu RV2, prin montarea untului J24, J28, J31
Se alimenteaz la 24V prin montarea untului J20
Se verific conectarea sursei de alimentare la mufa rotund (POWER) din dreapta montajului
Conectai osciloscopul conform fig. I07.4 i verificai valoarea tensiunii de aproximativ dublul valorii
maxime a tensiunii de alimentare de putere (24Vac).
Modificai rezistena de sarcin din RV2 i verificai creterea riplului la scderea rezistenei de sarcin.

Fig. I07.3 Modulul din mijloc-sus al plcii MCM3.

Fig. I07.4 Circuitul pentru analiza dublorului de tensiune.

I1. Ce se ntmpl dac valoarea condensatorilor scade ?
a)
b)
c)
d)
e)
f)

riplu scade
tensiunea crete
riplu crete i tensiunea scade
curentul prin sarcin se dubleaz
tensiunea pe sarcin este redus la jumtate
nici una din cele de mai sus

Deconectai unturile J23, J26 i conectai unturile J21, J22 pentru a nlocui C3 i C4 cu C1 i C2.
Modificai sarcina din RV2 i observai modificarea tensiunii de ieire. Rezultatul arat c riplul dublorului
de tensiune depinde de valorile condensatorilor.
Deconectai untul J31 i utiliznd canalul 2 al osciloscopului observai tensiunea pe dioda D4 observnd c
nu se produce nici o schimbare la eliminarea sarcinii.
Montai SIS1
SIS2

Setai comutatorul S23 pe nchis

Apsai INS

I2. Pentru analiza tensiunilor din circuit, ce modificri au fost efectuate ?

a)
b)
c)
d)
e)
f)

un condensator de 1000F a fost introdus ca sarcin

o rezisten de 1M a fost introdus ca sarcin
o rezisten de 1 a fost introdus ca sarcin
dioda D4 a fost inversat
C2 a fost scurtcircuitat
o rezisten de 1K a fost introdus ca sarcin

Montai SIS1

Setai comutatorul S23 pe deschis

I3. Ce se ntmpl cu tensiunea pe dioda D4 cnd rezistena de sarcin scade ?

a)
b)
c)
d)
e)

scade
rmne constant
crete n frecven
devine mare
devine zero

I07.5 NTREBRI
I4. La dublorul de tensiune riplul tensiunii depinde numai de valoarea condensatoarelor ?
a)
b)
c)
d)
e)

da
depinde i de valoarea sarcinii
nu, are tot timpul o valoare constant
depinde de tensiunea de prag a diodelor
depinde de valoarea maxim a tensiunii de alimentare

I5. Tensiunea invers maxim pe diode este egal cu:

a)
b)
c)
d)
e)

tensiunea maxim a sursei de alimentare

dublul valorii maxime a sursei de alimentare
valoarea medie a tensiunii sursei de alimentare
este permanent zero
este dublul tensiunii de riplu

I6. Care este tensiunea de ieire a dublorului cu 15Vrms alimentare ?

a)
b)
c)
d)
e)

42,4V
30V
21,2V
10,6V
15V

Fig. IXX. Schema electronic a plcii MCM3.

APENDIX A
DATA SHEETS

Dioda 1N4148
Dioda 1N4007
Dioda Zener BZX 6V2
Dioda AA113

Dioda 1N4007

Dida Zener BZX 6V2

Dioda AA113