PROBLEMA

Un tranzistor MOS cu canal n avwnd sursa [i substratul legate la

masq are urmqtoarele date constructive [i de material:
o

- grosimea oxidului de poartq: x ox 800 A

- lungimea canalului: L 10m
- lq]imea canalului: Z 200m
- tensiunea de benzi netede: VFB 2V
- mobilitatea electronilor: n 1000 cm

V s

- permitivitatea electricq a vidului: 0 8.856 10 14

- perimitivitatea relativq a siliciului : r Si 11,7
- perimitivitatea relativq a oxidului: rox 3,9
- sarcina electronului: q 1,6 10 19 C

F
cm

kT

- tensiunea termicq: Vth q 25mV

- concentra]ia intrinsecq a siliciului: n i 1,5 1015 cm 3
Sq se calculeze valoarea tensiunii de prag pentru acest tranzistor
pentru urmqtoarele concentra]ii de impuritq]i \n substrat:

N A 1 1014 cm 3 , N A 2 1015 cm 3 , N A 3 1016 cm 3 , N A 4 1017 cm 3

REZOLVARE
Expresia generalq a tensiunii de prag este:
VT VFB VS 2 F k 2 F VS

unde F reprezintq poten]ialul Fermi al substratului: F Vth ln

k este factorul de substrat [i are expresia k

NA
ni

2 0 rSi qN A
C ox

C ox reprezintq capacitatea specificq a oxidului de poartq Cox 0 rox
x ox

Deoarece VS este poten]ialul sursei [i are valoare nulq conform

datelor problemei, expresia tensiunii de prag devine:
VT VFB 2 F k 2 F

Din calcule numerice rezultq:

Cazul 1: N A 1 1014 cm 3
F

kT N A
1014
4
ln
0,025 ln

ln 10 0,23V
10
q
ni
40
10

2 0 rSi qN A1

0 rox
x ox

2 8,856 10 14 11,7 1,6 10 19 N A1

8,856 10 14 3,9

1,33 10 8 N A1 0,133V 2

8 10 6

VT1 VFB 2 F k 2 F 2 2 0,23 0,133 2 0,23 1,45V

Cazul 2: N A 2 1015 cm 3
F Vth ln

NA
1015
5
0,025 ln

ln 10 0,288V
10
ni
40
10
1

2 0 rSi qN A 2
1,33 10 8 N A 2 0,4V 2
0 rox
x ox

VT 2 VFB 2 F k 2 F 2 2 0,288 0,4 2 0,288 1,12V

Cazul 3: N A 3 1016 cm 3
F Vth ln

NA
1016
6
0,025 ln

ln 10 0,345V
10
ni
40
10
1

2 0 rSi qN A 3
1,33 10 8 N A 3 1,33V 2
0 rox
x ox

VT 3 VFB 2 F k 2 F 2 0,69 1,33 0,69 0,2V

Cazul 4: N A 4 1017 cm 3
F Vth ln

NA
1017
7
0,025 ln

ln 10 0,4V
ni
1010 40
1

2 0 rSi qN A4
1,33 10 8 N A 4 4,2V 2
0 rox
x ox

VT 4 VFB 2 F k 2 F 2 0,8 4,2 0,8 2,56V

Din rezolvarea numericq a celor patru cazuri propuse se poate
observa varia]ia tensiunii de prag a unui tranzistor MOS cu varia]ia
concentra]iei de impuritq]i din substrat. ^n ultimul caz analizat se
observq valoarea pozitivq a tensiunii de prag, deci tranzistorul MOS este
un tranzistor cu canal n indus, \n timp ce \n primele 3 cazuri tranzistorul
MOS este cu canal n ini]ial deoarece tensiunea de prag este negativq.