1.

Prezentaţi succint caracteristicile tehnologiei montării pe suprafaţă (SMT)

şi comentaţi pe puncte etapele tehnologice pentru un modul SMT (tip I,II sau
III).
Rasp: O caracteristică definitorie pentru SMT este montarea componentelor
electronice pe suprafaţa circuitului imprimat, fără a pătrunde prin găurile
metalizate ca în tehnologia THT. În acest caz, zona lipiturii asigură pe lângă
contactul electric şi robusteţea mecanică a asamblării, având un rol decisiv în
fiabilitatea produsului electronic.
Densitate mai mare a package-ului: o placă de circuit SMT ocupă uzual numai
30 - 70% din aria unei plăci în tehnologia cu inserţie. Acest lucru a fost realizat
prin componente cu dimensiuni mai mici, montarea componentelor pe ambele feţe
ale plăcii, lipsa găurilor pentru inserţia componentelor care ocupă spaţiu inutil.
Costuri materiale mai reduse. Componentele SMD au potenţial de ieftinire
deoarece utilizează cantităţi mai mici de materiale.
Pentru tipul I se utilizează numai procesul de lipire reflow. Tipul I de
subansamblu conţine numai componente cu montare pe suprafaţă, mai este numit
“SMT pur”. Poate exista în varianta echipată pe o faţă sau pe ambele.

Succesiunea operaţiilor în cazul modulelor ce utilizează numai componente SMD

pe ambele feţe (Tipul I SMT)

2. Prezentaţi procesul de lipire în val (Etape, descriere, imagini, avantaje).

Rasp: Etape lipire in val: Aplicare adeziv, plasare componente SMD,
tartare adeziv-termin,UV, lipire in val.
Adezivii utilizaţi au rol de susţinere a componentelor la inversarea plăcii şi
imersarea în val. Nu toate componentele SMD pot fi lipite în val, de ex. cele "fine
pitch" sau anumiţi conectori.
 Lipirea la val este un proces de lipire pe scară largă (productivitate ridicată),
care permite asamblarea prin lipire a componentelor electronice pe plăcile cu
cablaj imprimat. Numele este dat de valul de aliaj de lipit în stare lichidă (figură)
peste care este trecută placa plantată în scopul lipirii terminalelor componentelor
electronice la traseele metalice neprotejate, procesul de lipire fiind realizat pe
partea inferioară a plăcii (bottom side). Lipirea în val este o metoda de lipire
automatizată foarte răspândită, în care atât căldura cât şi materialul lipiturii
(aliajul) sunt furnizate de valul de aliaj. Placa de circuit imprimat este deplasata
prin sistemul de lipire de către o bandă transportoare cu o viteză de circa 1,3-1,5
m/min, pentru a obţine profilul termic adecvat.
Procesul permite lipirea atât a componentelor electronice plantate pe partea
superioară a plăcii cu terminalele trecute prin găuri în placă (through-hole printed
circuit assemblies) , cât şi a componentelor asamblate prin lipire pe suprafaţă
(surface mounted devices). În acest caz, componentele vor fi lipite pe partea
inferioară a plăcii şi pentru a fi menţinute în timpul procesului, în special la
trecerea prin val, necesită, în prealabil, lipirea lor pe partea inferioară a plăcii cu
adeziv epoxidic. Procesul de lipire la val presupune utilizarea unor maşini
specializate care au o structură principial comună, conformă cerinţelor impuse de
necesitatea asigurării parametrilor procesului de lipire.
Prin introducerea unui sistem de transport al plăcii plantate între zona de
plantare a componentelor (manual şi / sau automat), maşina de lipit în val şi zona
de control a plăcii asamblate, se realizează o linie tehnologică de lipire la val (wave
soldering line).
3. Explicaţi depunerile chimice şi galvanice în procesul de realizare a
circuitelor imprimate şi rolul lor la realizarea circuitelor dublă faţă şi simplă
faţă.
Rasp:
Depunerea chimică a Cu:
Imersarea într-o baie reducătoare ce conţine ioni Cu2+ , de exemplu
soluţie de CuSO4 dizolvat în apă. Formaldehida, HCHO, este cel mai întâlnit
compus reducător. În această baie , ionul Cu2+ este redus la Cu care acoperă
întreaga suprafaţă , inclusive găurile, inclusiv suprafeţele izolatoare electric. În
acelaşi timp, formaldehida este oxidată în acid acetic. Grosimea depusă este de cca.
3 μm. Scopul depunerii este de a crea o suprafaţă conductoare, pentru etapele
următoare.
Depunerea electrochimică (electrolitică) a Cu: ( SAU GALVANICA)
Imersarea într-un electrolit care conţine ioni Cu2+ , cum ar fi CuSO4
dizolvat în H2SO4. Laminatul (placatul) este electrodul negativ (catod), iar
electrodul pozitiv (anod) este reprezentat de o placă metalică. În celula electrolitică
au loc următoarele procese
La anod cuprul este dizolvat:
Cu -> Cu2+ + 2e-.
La catod are loc următoarea reacţie :
Cu2+ + 2e- -> Cu,
Ca urmare, cuprul metalic este depus pe laminat . Este necesar un strat de
Cu depus de aproximativ 25 – 30 μm grosime, pentru a obţine o bună acoperire în
zona găurilor de trecere.

4 Acoperirea de protecţie a conductorului de cupru la PCB (Conductor

Finishes).Descriere, utilitate, avantaje comparative.
Rasp: În mod uzual cuprul este acoperit cu Sn, Sn-Pb, Au,
Ag, Pd (cu grosimi mici ~ μm)
• HASL (Hot Air Solder Leveling) – solderabilitate excellentă, probleme de
planeitate şi pentru “fine pitch”;
• OSP (Organic Solder Protection) – solderabilitate bună, fără probleme de
planeitate, protecţie pe durată limitată, se poate aplica pe toate substraturile;
• Ag-electroless (Ag chimic, depunere fără curent)- solderabilitate bună, nu
sunt probleme de planeitate;
• Ni şi Ni cu Sn şi-sau Au – solderabilitate bună, rezistenţă la uzură; (ex:
ENIG- Electroless Nickel Imerssion Gold)

5. Prezentaţi fluxul operaţiilor în procesul de realizare a circuitelor imprimate

simplu strat cu imagine negativă.

Rasp: Fabricarea pe baza imaginii negative

1. taiere
2. gaurire, frezare
3. periere
4. pregatire suprafata
5. transferul imaginii negative
6. depunerea galvanica a unui metal/ aliaj rezistent la gravare(Ag, Au, Zn-Pb, Sn-
Pb)
7. indepartarea cernelei de protective/ spalare
8. corodare
9. Decontaminare
10. depunere Solder-mask, silk-mask
La fabricarea pe baza imaginii negative rolul de mascare la corodare revine
unui strat metalic (depunere) şi nu fotorezistului.

6. Prezentaţi fluxul operaţiilor în procesul de realizare a circuitelor imprimate

simplu strat cu imagine pozitivă.

Rasp:
Fabricarea pe baza imaginii pozitive
1. Tăiere
2. Găurire, frezare
3. Periere
4. Pregătire suprafaţă
5. Transferul imaginii positive (serigrafie, foto, offset)
6. Corodare (Etching)
7. Decontaminare (etching + decontamination agents )
8. Îndepărtarea cernelei de protecţie, spălare
9. Depunere Solder-mask, silkmask

7. Metode de testare a solderabilităţii.

Rasp: Cele mai folosite metode de testare a solderabilității sunt, după cum
urmează:
- testarea ponderii de udare (wetting balance test),
- test de formare a punţilor de aliaj (bridging test),
- test de împrăştiere (spreading test).
Aceste metode sunt utilizate pentru compararea şi optimizarea diferitelor
aliaje fluxuri, finisări ale suprafeţelor PCB, parametri tehnologici ai lipirii
etc. Rezultatele testelor efectuate prin diferitele metode, de cele mai multe ori,
nu se pot compara direct.
Solderabiltatea componentelor şi a substraturilor înseamnă caracteristica de
umectare (udare) a suprafeţei de către aliajul de lipit topit. Poate fi caracterizată
de unghiul de contact (udare) ca în figura de mai jos:

Deoarece o măsurare directă a unghiului de contact este dificilă, există diferite

metode de testare pentru determinarea solderabilității.
Testul ponderii de udare : În principiu, procedura de testare este următoarea.
Terminalul sau suprafaţa de testat, este fluxat cu un flux standard de tip RMA şi
uscat puţin timp. Specimenul de test este apoi suspendat de un sistem de cântărire
sau senzor sensibil, şi cufundat într-o suprafaţă fără oxizi dintr-un aliaj de lipit
topit. Cufundarea se face de regulă prin ridicarea băii de lipire termostatată către
specimenul suspendat la o viteză controlată. Senzorul măsoară forţa verticală care
acţionează asupra probei.

8. Tensiunea superficială şi umectarea în procesul de lipire. Compuşii

intermetalici.

Rasp: Calitatea lipiturii depinde de procesele fizico-chimice care au loc la

contactul dintre aliajul de lipit şi metalul de bază. Deoarece aliajul de lipit, în
topitură, este un lichid, acesta va “uda” pad-ul, respectiv terminalul componentei.
Pe stratul superficial al aliajului de lipit acţionează tensiuni superficiale.
Coeficienţii de tensiune superficială γAliaj-Aer, γCu-Aer şi γ Cu-Aliaj, determină
unghiul de udare θ.
Dimensiunile lipiturii depind în mare măsură de valoarea unghiului de udare (θ),
care la rândul său depinde de coeficienţii de tensiune superficială, conform relaţiei:

- γCu-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre

suprafaţa pe care se face lipitura (pad-ul din Cu) şi gaz (aer);
- γ Cu-Aliaj este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
suprafaţa pe care se face lipitura şi aliajul de lipit;
- γ Aliaj-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
aliajul de lipit şi gaz;
- θ se numeşte unghi de udare şi este unghiul care apare între aliajul de lipit şi pad,
iar cosθ este coeficientul de udare. Tensiunile superficiale care apar la contactul
dintre aliajul de lipit şi metalul de bază (pad sau terminal) sunt destul de mari,
determinând apariţia fenomenului de capilaritate. Fenomenul de capilaritate este
foarte important la lipirea componentelor electronice. Datorită capilarităţii, aliajul
topit pătrunde şi umple spaţiile înguste dintre piesele ce trebuie lipite, asigurând o
lipitură de calitate.
Compusi intermetalici: Calitatea unei lipituri este determinată nu numai de
modul de umectare a suprafeţei ci şi de grosimea stratului de difuzie. Acest strat
este pus în legătură cu abilitatea sistemului metalurgic de a forma compuşi
intermetalici. Grosimea stratului compuşilor intermetalici depinde de temperatura
şi timpul de formare a lipiturii. În mod ideal, pentru Sn-Pb, o lipitură trebuie
realizată la aproximativ 220 °C timp de două secunde. Reacţia de difuzie dintre
cupru şi staniu va produce în aceste condiţii o grosime optimă a stratului
compuşilor intermetalici Cu3Sn şi Cu6Sn5 de 0,5 μm.
O grosime insuficientă a stratului de compuşi intermetalici face ca aspectul
lipiturii să fie cel cunoscut al unor lipituri reci sau al unor lipituri care au fost
realizate la o temperatură insuficientă. Acest lucru duce în mod sigur la rupere prin
forfecare la interfaţa respectivă. Pe de altă parte, un strat intermetalic prea gros, cu
un aspect al lipiturii care a fost supraîncălzită sau ţinută prea mult la temperatura
de lipire, poate duce la reducerea dramatică a rezistenţei la rupere a acesteia, după
cum se vede în figură.

9. Clasificare PCB, avantajele utilizării PCB.

Rasp:
Avantajele utilizării PCB
1. Se pot realiza producţii mari la preţuri unitare reduse.
2. Se reduce dimensiunea şi greutatea aparatului electronic.
3. Se pot utiliza metode de asamblare automatizate pentru plantare şi
interconectare (lipire).
4. Se asigură un înalt nivel de repetabilitate şi uniformitate a caracteristicilor
electrice a subansamblului electronic de la placă la placă.
5. De asemenea, nu se modifică caracteristicile electrice şi elementele parazite în
cadrul unei plăci, modificare care ar fi fost posibilă, de exemplu, prin operaţiile
de asamblare utilizate la tehnica „punct la punct”.
6. Prin poziţionarea componentelor în locuri bine stabilite pe placă se uşurează
intervenţiile de mentenanţă şi service a aparatului electronic.
7. Se reduce timpul de inspecţie, poziţiile fixe ale componentelor şi traseele
conductoare imprimate reducând posibilitatea de apariţie a defectelor.
8. Se reduc posibilele defecte de tipul unor conectări greşite, inclusiv scurtcircuite
sau conexiuni lipsă, dacă asamblarea componentelor a fost realizată corect.

Clasificare:
1. După numărul de straturi: - single layer
a. double layer
 b. multi-layer
2. După tipul substratului: - substrat rigid
a. substrat flexibil
b. substrat rigid–flex
3. După criteriul “layers/via” :
a. cu găuri ne-metalizate
b. cu găuri metalizate (PTH)
c. cu via speciale
d. cu conexiuni obţinute prin tehnologii additive
4. După criteriul “Tehnologii de fabricaţie” :
- tehnologie substractivă
- tehnologie aditivă
- tehnologie semi- aditivă
5. După criteriul “Punct de vedere funcţional” :
- structuri de interconectare pure
- conţin componente PCB, R, L, C, elemente de microunde,
linii cu constante distribuite
- parte a dispozitivelor de comutaţie
- parte a maşinilor electrice

10. Materiale pentru PCB (conceptul de miez, laminat, folie, Tg), miezuri
speciale PCB, ţesătură.

Rasp: Materiale pentru PCB: miez,folie metaliza, material pentru contact

intre folia metalica si substrat.
Miez: un substrat dielectric.
1. Proprietăţi electrice: rezistivitate, permitivitate relativă, factor de pierderi
(tangenta δ- unghiul de pierderi), rigiditate dielectrică => bune şi stabile în
timp;
2. Rezistenţă la temperatura de lucru şi la temperature de lipire (200 – 260 °C);
3. Absorbţie minimă a umidităţii;
4. Stabilitate dimensională şi comportare bună la solicitări mecanice;
5. Stabilitate chimică şi la factori de mediu;
6. Ne- inflamabile (flame resistant/retardant- FR);
7. Prelucrare mecanică convenabilă;(frezare, găurire, poansonare – ştanţare)
8. Preţ redus;
Tan δ: Factorul de pierderi creşte cu temperatura şi cuumiditatea şi scade uşor cu
frecvenţa
Tipuri de miez:
a) Miez stratificat (întăritor + răşină) – substraturi de hârtie, fibre textile
sau fibre de sticlă impregnate cu răşină şi tratate termic la mare presiune;
Ex.: hârtie + răşină fenolică = FR2
fibre de sticlă + răşină epoxidică = FR4
b) Miez organic termoplastic
- folie de poliamidă (foarte bună dar scumpă);
- folie de poliimidă;
- folie de poliester (PET);
- folie de polietilenă;
- folie de polipropilenă;
c) Miez ceramic:
– bazat pe diferiţi oxizi (Al2O3 – cel mai utilizat);
– mai ales în tehnologia aditivă
d) Miezuri speciale;
PCB laminat Semifabricatul uzual de la care se pleacă la fabricaţia PCB
este numit, generic, laminat. Este un material compozit ce conţine mai multe
straturi laminate de material întăritor (reinforcement) şi liant (binder)
Ex. de liant:
răşină fenolică – produse de larg consum sau cu preţ mic
răşină epoxidică – produse profesionale
poliimidă şi altele – produse de înaltă performanţă sau cu cerinţe deosebite
Ex. de materiale de întărire:
hârtie
fibre de sticlă ţesute
fibre de cuarţ, de aramid (Kevlar), de carbon
Tg Tg, temperatura de tranziţie a sticlei , reprezintă graniţa dintre starea
sticloasă, caracterizată prin duritate , tărie , şi CTEmic şi starea non-vitroasă (~
gel), cu o dilatare excesivă a materialului, CTE mare, duritate mică. De cele mai
multe ori un material cu Tg mare are o comportare mai bună la temperaturi
mari. Pot exista şi excepţii, de ex. materialul 2, deşi are Tg mult mai mică decât 1
şi 3, datorită alungirii mai mici peste Tg are un comportament mai bun decât
materialul 3 şi chiar decât 1 la temperaturi foarte mari.
 Miezuri speciale: bazat pe sticla si aluminiu

Ţesătura din fibre de sticlă

Există o mare varietate de ţesături în funcţie de compoziţia sticlei, diametrul
firelor, tipul fasciculului (fibrelor), forma şi modul de ţesere, etc.

11. Circuite imprimate cu găuri metalizate, avantaje, etape caracteristice în

tehnologie care diferenţiază procesul de cel simplu strat, fără găuri
metalizate.
Rasp: De ce găuri metalizate?
1. Asigură contact electric între straturi;
2. Lipire de înaltă calitate a componentelor electronice;
3. Fixare mai bună a terminalelor;
4. Funcţionare cu performanţe superioare a
5. ansamblului PCB, pe baza numărului mai mare de staturi (plane de masă,
decuplări);
Flux tehnologic circuite imprimate dublu strat cu gauri metalizate: laminat
dublu strat,gaurire,depunere chimica Cu, aplicare fotorezist, developare fotorezist,
depunere galvanica Cu, depunere galvanica strat rezistent la corodare, indepartare
fotorezist, corodarw Cu, indepartare strat protector corodare, imprimare masca
lipire, acoperire protectie finala.

12. Lipirea prin procedeul reflow cu IR, cuptoare, profiluri de temperatură,

explicaţii.
Rasp: trei tipuri de procese IR:
Clasa I: sisteme cu radiaţie IR dominantă.
Clasa II: sisteme cu convecţie sau IR dominantă (selectabile).
Clasa III: sisteme cu convecţie dominantă.
În toate aceste sisteme, există oricum surse de radiaţie şi de convecţie, dar
ele diferă ca pondere de la un sistem la altul. De obicei, cuptoarele au o bandă
transportoare, care mişcă placa de-a lungul unor zone cu temperatură controlată.
Numărul acestor zone poate fi între 2 şi 20, fiecare dintre ele fiind încălzită cu
lămpi IR sau panouri ceramice, iar controlul se face cu termocupluri interne.
Cuptoare cu banda rulanta: montajul trece prin zone de încălzire separate
• temperaturile zonelor de încălzire pot fi controlate separat
• profilul termic este controlat de temperaturile zonelor de încălzire şi de viteza
benzii
• ΔT poate fi mic!
Profilul termic depinde de pasta utilizată, atmosfera în care are loc
procesul, masa termică şi tehnologia de realizare a plăcii plantate ce urmează să fie
lipită. Pentru reglarea precisă a profilului termic funcţie de variabilele prezentate,
în mod specific produsului ce urmează să fie lansat în producţie, se utilizează un
dispozitiv specializat (profiler) de achiziţie a temperaturilor măsurate cu
termocupluri amplasate în diferite zone pe placă. Dispozitivul urmează placa pe
traseul din cuptor şi transmite radio datele privind temperaturile măsurate către o
interfaţă specializată conectată la un calculator în scopul afişării şi înregistrării
rezultatelor. Metoda este iterativă şi plecând de la un profil propus, prin câteva
iteraţii, în cursul cărora se ridică profilul termic real al plăcii şi se inspectează
calitatea lipiturilor optic şi cu radiaţii X, se stabileşte profilul termic optim pentru
producţia de serie.

13. Lipirea prin procedeul reflow prin VPS, cuptoare, profiluri de

temperatură, explicaţii.
Rasp: Lipirea în fază de vapori ( Vapor Phase Soldering) sau lipirea în
condensare, cum a fost iniţial numită este o metodă de lipire ce este utilizată din ce
în ce mai des mai ales la lipirea aliajelor lead-free.
Se bazează pe următorul principiu pentru încălzirea şi topirea pastei de lipit:
Atunci când un corp rece este plasat în regiunea cu vaporii saturaţi ai unui fluid
ce fierbe, vaporii condensează instantaneu pe suprafaţa sa şi cedează căldura
latentă de condensare a lor. Acest transfer continuă până când corpul atinge
aceeaşi temperatură cu cea a vaporilor. Există multe fluide stabile şi inerte din
punct de vedere chimic cu temperaturi de fierbere care se pot utiliza la aplicaţiile
de lipire din electronică. Lipirea VPS a început să fie din nou în atenţie înainte de
lead free, pentru lipirea componentelor BGA. La acestea era necesară o încălzire
atât din partea superioară cât şi din cea inferioară şi era necesar să se atingă
maximul temperaturii în acelaşi timp, lucru mai dificil de obţinut la cuptoarele cu
IR şi convecţie. La procedeul VPS, acest lucru se obţine în mod natural.
 Temperaturile de lucru pot fi alese dintr-o gamă largă de produse (200,
215, 225, 230, 235, 240°C), se pot lipi şi plăci dublă faţă, există şi varianta de
lipire „in-line”. PCB-ul este încălzit de energia termica emisă la schimbarea de
fază a lichidului de transfer a căldurii prin condensarea pe placă. Lichidul utilizat
este ales având in vedere ca punctul său de fierbere să corespundă aliajului de lipit
care trebuie retopit.

14. Adezivi conductori, procedee de aplicare, avantaje, dezavantaje.

Rasp: Adezivi conductor ECA – Electrically Conductive Adhesives
Utilizaţi la realizarea interconectărilor, ca posibili înlocuitori ai aliajelor de
lipit de tipul Sn-Pb
•Posibil de utilizat numai în tehnologia montării pe suprafaţă
•Sunt ecologici, nu conţin plumb
•Adezivii conductori oferă varianta unui proces de montare a componentelor
electronice la o temperatură relativ scăzută Produc solicitări mecanice mai reduse
asupra componentelor
•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o rezoluţie mai mare decât
în cazul aliajul de lipit
Tipuri de adezivi conductori: izotropici, anizotropici, electric
conductor intr-o singura directie.
Avantaje si Dezavantaje:
• Procesul de realizare a lipiturii prin adeziv conductor necesită mai puţine operaţii
ca în cazul utilizării aliajului de lipit
• Element important: procesul de aplicare a adezivului
• Pastilele de lipire (padurile) circuitelor imprimate trebuie reproiectate, faţă de
cele utilizate pentru aliajul de lipit clasic
• Temperatura de procesare este suficient de scăzută
producând o solicitări reduse componentelor electronice
• Se pot utiliza circuite imprimate flexibile
• Corespund standardelor de protecţie a mediului (lead free)
Dezavantaje:
•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o rezoluţie mai mare - nu
se mai realizează autoalinierea componentelor
•Rezistivitate volumică mult mai mare ca a aliajului de lipit
•Domeniul temperaturilor de lucru este mai îngust
• Aplicabilitate limitată în electronica de putere
•Sunt încă în proces de dezvoltare, nu sunt un produs matur
•Sunt scumpi, datorită metalelor nobile incluse
•Stocarea adezivilor epoxidici izotropici monocomponentă necesită răcirea la –40
°C, deci implică costuri suplimentare
15. Obţinerea plachetei de siliciu, procesarea plachetei de siliciu, difuzie,
implantare ionică.

Rasp: Procesarea plachetei de Si: Procesarea plachetei de siliciu

presupune o serie complexă de operaţii. Aceste operaţii implică oxidarea siliciului,
creştere de straturi subţiri diverse, inclusive metalizări, dopare. Pentru definirea
formelor se utilizează procedeul litografic.
Pentru creşterea de straturi subţiri se utilizează metode CVD (Chemical
Vapor Deposition) care au loc în cuptoare (reactoare) la temperaturi înalte.
Epitaxia este o creştere a unui strat pe un substrat cu reţea cristalină identică. O
metodă mai complexă este MBE –Molecular Beam Epitaxy.
Realizarea zonelor semiconductoare de tip „p” şi „n” se realizează prin
procedeele de difuzie din stare gazoasă (impurificare la suprafaţă) sau prin
implantare ionică (impurificare în adâncime).

2. REALIZAREA DOPĂRII-DIFUZIA ŞI IMPLANTAREA IONICĂ

Difuzia sau doparea este procesul prin care atomii de impuritate sunt aduşi
în interiorul unui monocristal de Si pentru a-l converti într-un semiconductor de tip
n sau de tip p. Elemente dopante din grupa a V-a: P (fosfor), As (Arseniu) şi Sb
(Stibiu, antimoniu) numite şi impurităţi donoare vor putea produce material
semiconductor de tip n.
Elemente din grupa a III-a, ca B (Bor), numite şi impurităţi acceptoare vor
produce semiconductori de tip p. Parametrii procesului depind de tipul
impurităţilor, concentraţia lor, timpul de difuzie şi temperatură.
Prin difuzie se realizează concentraţii ale atomilor de impuritate ce scad de la
suprafaţă spre interiorul plachetei. Prin implantare ionică, dacă atomii au viteze
mari, este posibil să se realizeze concentraţii mai mari în interiorul plachetei.

16. Comentaţi procedeele de realizare a monocristalelor semiconductoare.

17. Ajustarea structurilor rezistive în TSG.

Rasp: Unul din avantajele majore ale tehnologiilor peliculare, atât

tehnologia straturilor subţiri cât şi tehnologia straturilor groase este posibilitatea de
ajustare a componentelor pasive şi în special a rezistoarelor.
Ajustarea poate fi realizată punctual sau se poate realiza o ajustare funcţională prin
care se doreşte obţinerea unei anumite funcţii de circuit acţionând asupra unui
număr redus de componente.
Stabilitatea rezistoarelor ajustate este mai mică ca a celor neajustate. În plus
ajustarea are un efect negativ şi asupra coeficientului de temperatură şi a factorului
de zgomot, deci trebuie realizată numai dacă nu există altă alternativă.
Ajustarea rezistoarelor se poate realiza pe baza următoarelor principii :
- modificarea dimensiunilor plane
- modificarea rezistivităţii materialului
- modificarea grosimii stratului
Operaţia de ajustare este necesară în vederea aducerii valorii rezistenţei la
valoarea dorită. În urma procesului de fabricaţie, care este privit ca un proces ce
depinde de multe variabile aleatoare, valoarea dorită a rezistenţei se obţine cu o
anumită eroare, eroare care trebuie luată în calcul la proiectare.
Principalele metode de ajustare sunt: ajustarea cu laser, ajustarea prin
sablare, aplicabile atât rezistoarelor în TSS cât şi în TSG. Alte procedee cu
aplicabilitate mai restrânsă sunt: ajustarea prin electroeroziune, ajustare prin
aplicarea de impulsuri de tensiune, gravarea cu un ac de wolfram sau diamant.

18. Prezentaţi tipurile de paste utilizate în TSG şi exemple de aplicaţii.

(proprietăţi, depunere, tratament, structuri).

Rasp: 1. Paste conductoare

Pastele conductoare sunt utilizate la realizarea interconexiunilor, a padurilor
de conectare a terminalelor şi de ataşare a dispozitivelor discrete (wire bonding), a
rezistoarelor de valori scăzute, a armăturilor condensatoarelor.
Principalele paste sunt pastele pe bază de paladiu-argint, paladiu-aur,
aurplatină. Se mai utilizează paste pe bază de platină, cupru, nichel. Un tip de pastă
conductoare specială este cea de tip polimeric în care compuşi de argint şi
carbon sunt dispersaţi într-un polimer termoplastic cu adaos de solvent.

2. Paste resistive
Alegerea unei anumite paste rezistive trebuie făcută în corelaţie cu pasta
conductoare. Pastele utilizate la realizarea straturilor rezistive se împart în
organometalice şi cermeturi.
Pastele organometalice se bazează pe compoziţii în care atomul metalic este
ataşat unui atom de oxigen (sau sulf) legat de un atom de carbon. Când are loc
descompunerea termică se depune pe substrat un strat rezistiv.
Compoziţiile pe bază de metale nobile realizează straturi metalice în timp ce
alte metale realizează straturi de oxizi metalici. Temperaturile relativ scăzute la
care are loc descompunerea termică (250 ÷ 500 °C) permit utilizarea ca substrat a
sticlei.
 Compoziţiile de tip cermet constau din particule conductoare (metalice)
înglobate într-o fază sticloasă, izolatoare. Principalele sisteme de paste tip cermet
sunt cele pe bază de:
- oxid de paladiu/argint ( PdO/Ag )
- oxid de ruteniu ( RuO2 )
- platină/ oxid de iridiu ( Pt/ IrO2 )
În categoria pastelor rezistive se încadrează şi pastele care conduc la
realizarea de termistoare.

3. Paste dielectrice
Domeniile de utilizare a pastelor dielectrice pot fi împărţite în:
- paste pentru glazuri de protecţie
- paste izolatoare pentru suprapuneri de trasee conductoare (crossover)
- paste pentru condensatoare
Glazurile de protecţie trebuie să aibă permitivitate dielectrică redusă. Ele
acţionează ca strat de pasivare protejând straturile rezistive împotriva distrugerii
prin contact cu corpuri străine şi limitează acţiunea agenţilor de mediu ca:
umiditate, atmosferă reducătoare ş.a. Pentru a permite ajustarea cu laser grosimea
glazurii de protecţie nu trebuie să depăşească 15 μm.

4. Paste de lipit
Utilizarea pastelor de lipit se impune în realizarea circuitelor integrate
hibride atunci când se utilizează ataşarea componentelor discrete.
Lipirea propriu-zisă are loc după ataşarea componentelor, printr-un procedeu de tip
reflow. Deoarece ca paste conductoare se utilizează pe scară largă pastele cu
conţinut de argint, pentru a împiedica difuzia atomilor de Ag în aliajul de lipit este
necesară modificarea compoziţiei aliajului Sn-Pb prin adăugarea de Ag (~ 2 %).
Pentru ataşarea componentelor la traseele pe bază de aur sunt utlizate aliaje
de lipit speciale cu conţinut de indiu.

19. Descrieţi procesul fotolitografic cu exemplificare la dispozitivele

semiconductoare.
Rasp: Procedeul fotolitografic se utilizează în TSS, la fabricaţia circuitelor
imprimate, a circuitelor integrate şi în alte domenii ale electronicii pentru
definirea cu precizie a formelor. Definirea formelor prin fotolitografie se bazează
pe aplicarea neselectivă peste structură a unui strat de fotorezist, strat în care
urmează a se genera formele dorite prin expunerea selectivă la acţiunea unei
radiaţii (în general în spectrul vizibil sau UV).
Relieful creat în stratul de fotorezist urmează a se transfera stratului printr-o
acţiune de corodare în care fotorezistul are rol de mascare (protecţie) a
domeniilor ce nu trebuiesc îndepărtate. Etapele sunt: etalare/ uscare fotorezist,
expunere, developare/ spalare, corodare, indepartare fotorezist.
Exemplificare semiconductoare: Tehnologia modernă a dispozitivelor
semiconductoare pe bază de siliciu este aşa numita tehnologie planară. Structuri
integrate in siliciu: rezistoare ( difuzate,in stratul epitaxial, ciupite, straturi suntiri).
 TEHNOLOGIA MONTĂRII PE SUPRAFAŢĂ (SMT)
• Tehnologia montării pe suprafaţă ( SMT=Surface Mount Technology) s-a
impus în ultimii ani ca principală metodă de fabricaţie a modulelor electronice.
• Tehnologia montării pe suprafaţă a permis realizarea de module electronice mai
performante, mai fiabile cu o greutate, cu un volum şi un cost mai scăzut decât
tehnologia anterioară, ce utilizează componente cu terminale pentru inserţie
(THT=Through Hole Technology).
• Componentele electronice utilizate au primit denumiri corespunzătoare acestor
tehnologii. Întâlnim astfel componente pentru montarea pe suprafaţă (Surface
Mounted Devices) şi componente cu terminale pentru inserţie (componente
THT).
• O caracteristică definitorie pentru SMT este montarea componentelor electronice
pe suprafaţa circuitului imprimat, fără a pătrunde prin găurile metalizate ca în
tehnologia THT. În acest caz, zona lipiturii asigură pe lângă contactul electric şi
robusteţea mecanică a asamblării, având un rol decisiv în fiabilitatea produsului
electronic.

1
wAvantaje tehnologiei SMT

w- Densitate mai mare a package-ului: o placă de circuit SMT ocupă uzual numai 30 -
70% din aria unei plăci în tehnologia cu inserţie. Acest lucru a fost realizat prin
componente cu dimensiuni mai mici, montarea componentelor pe ambele feţe ale plăcii,
lipsa găurilor pentru inserţia componentelor care ocupă spaţiu inutil.
w- Producţie automatizată şi cu costuri reduse.: Componentele SMD se pretează la
montarea automată, evitând câteva din operaţiile din procesul de montare a
componentelor THT, de ex, tăierea şi îndoirea terminalelor.
w- Caracteristici electrice superioare: Acest fapt este determinat de dimensiunile mai
reduse ale componentelor, de plasarea lor mai aproape de substrat, având ca urmare
elemente parazite ale liniilor de interconectare (rezistenţe, capacităţi şi inductanţe) cu
valori mai reduse. De asemenea timpii de întârziere şi cuplajele parazite sunt mai
reduse. Rezultă astfel şi o compatibilitate electromagnetică îmbunătăţită, prin reducerea
atât a emisiilor cât şi a captări radiaţiei electromagnetice.
w- Fiabilitate superioară: pentru unele categorii de componente a fost eliminată o
interfaţă dintre materiale şi conexiuni, posibile cauze de defecte. Reducerea numărului
găurilor metalizate care pot cauza defecte conduce de asemenea la o îmbunătăţire a
fiabilităţii.
w- Costuri materiale mai reduse. Componentele SMD au potenţial de ieftinire deoarece
utilizează cantităţi mai mici de materiale. (Există şi excepţii pentru unele componente).
2
 Dezavantajele SMT

ƒCoeficienţii de dilatare termică ai substratului şi ai componentelor diferă de

cele mai multe ori semnificativ şi conduc la solicitări mecanice importante ale
lipiturii.
ƒCantitatea necesară de aliaj de lipit trebuie adusă la locul lipiturii printr-un
proces suplimentar, de ex. serigrafie. (nu e valabil dacă lipirea se face în val)
ƒGeometria lipiturii nu este “închisă” adică nu cuprinde complet terminalul
componentei ca la THT.
ƒSe impun condiţii mai stricte pentru solderabilitatea componentelor şi
circuitelor integrate în comparaţie cu THT, deoarece la lipirea “reflow” nu este
disponibil un volum nelimitat de aliaj de lipit şi efectul mecanic de “spălare”
lipseşte.

3
În figură se prezintă un condensator ceramic montat în varianta SMD şi THT.
Se observă modul de conectare la circuitul imprimat în cele două cazuri şi
faptul că varianta THT are două lipituri suplimentare, cele ale terminalelor,
sursă de reducere a fiabilităţii.

4
Geometria lipiturii THT

5
 Ideea montării pe suprafaţă nu este nouă. Primele componente SMD au fost
utilizate la circuitele hibride în anii 1960. Metodele de proiectare şi
echipamentele tehnologice ale tehnologie montării pe suprafaţă actuale sunt
însă diferite de cele de atunci. Tehnologia actuală implică noi procese
tehnologice alături de o infrastructură corespunzătoare care să le susţină.

În stadiul actual de dezvoltare nu toate componentele sunt disponibile în

varianta SMD şi de aceea procesul tehnologic trebuie să permită şi utilizarea
componentelor cu montare prin inserţie.

Există trei mari categorii de module SMT numite Tipul I, Tipul II şi Tipul III.
Ordinea operaţiilor şi procesarea este diferită pentru fiecare tip şi fiecare
variantă necesită echipament diferit.

Pentru tipul I se utilizează numai procesul de lipire reflow, iar pentru tipul III
numai lipirea în val. La tipul II se utilizează ambele procedee.

6
Tipul III de subansamblu SMT conţine
numai componente discrete cu
montare pe suprafaţă (cum ar fi
rezistoare, condensatoare şi
tranzistoare) lipite pe partea
inferioară a circuitului imprimat.
Tipul I de subansamblu conţine numai
componente cu montare pe
suprafaţă, mai este numit “SMT pur”.
Poate exista în varianta echipată pe o
faţă sau pe ambele.
Tipul II de modul reprezintă o
combinaţie între tipurile I şi II. De
regulă, nu conţine nici o componentă
SMD activă pe partea inferioară, dar
poate conţine componente discrete
lipite pe această parte.

7
Complexitatea modulelor
electronice SMT este
crescută prin utilizarea
alături de componentele
SMD “clasice” cu “pitch”-ul
de 50 mils a componentelor
“fine pitch” (0,5 mm) cu
număr mare de terminale
sau “ultra fine pitch” (sub 0,5
mm) de tipul QFP (Quad
Flat Pack), BGA (Ball Grid
Array) sau a componentelor
discrete “chip” 0603, 0402,
0201 etc.
Subansamblurile din
această categorie se vor
numi Tip IC, Tip IIC şi Tip
IIIC, respectiv, după cum se
observă în figură.

8
Succesiunea operaţiilor în cazul modulelor cu componente THT şi
componente SMD ataşate pe faţa inferioară (Tipul III SMT)

9
Succesiunea operaţiilor în cazul modulelor ce utilizează numai
componente SMD pe ambele feţe (Tipul I SMT)

10
Succesiunea operaţiilor în cazul modulelor cu componente THT şi SMD combinate
pe faţa superioară şi componente SMD pe faţa inferioară (Tipul II SMT)

11
DETALII PROCES ASAMBLARE / LIPIRE (1)
Lipirea prin retopire - Reflow

12
 DETALII PROCES ASAMBLARE / LIPIRE (2)
Lipirea în val a componentelor SMD

Adezivii utilizaţi au rol de susţinere a componentelor la inversarea plăcii şi

imersarea în val. Nu toate componentele SMD pot fi lipite în val, de ex.
13
cele "fine pitch" sau anumiţi conectori.
DETALII PROCES
ASAMBLARE / LIPIRE (3)

Lipirea simultană în val a componentelor

SMD şi THT

14
 DETALII PROCES
ASAMBLARE / LIPIRE (4)

Lipirea simultană în val a componentelor SMD

şi THT şi lipirea reflow a componentelor SMD
pe partea superioară.

15
Exemplu de linie de asamblare SMT.

16
 LIPIREA COMPONENTELOR PE CABLAJUL IMPRIMAT
Lipirea este procedeul de îmbinare la cald a pieselor metalice, în care se
foloseşte un aliaj de lipit, diferit de metalele de bază sau o pastă de lipit.
Lipiturile pot fi: lipituri moi, când temperatura de topire a aliajului sau pastei
de lipit este mult inferioară faţă de a metalelor de bază, sau lipituri tari, când
aliajul de lipit are temperatura de topire comparabilă cu a metalelor de bază.

În fabricaţia componentelor şi dispozitivelor electronice se folosesc atât

lipituri moi cât şi lipituri tari, în schimb, la interconectarea componentelor,
pentru realizarea circuitelor, subansamblelor şi aparatelor electronice,
îmbinările prin lipituri moi deţin cea mai mare pondere.

Aliaje tipice:
• aliaj fără plumb, ex: SAC:
95,5Sn 3,8Ag 0,7Cu, punct topire: 217 ºC
• aliaj staniu-plumb eutectic:
63% Sn 37% Pb, punct topire:183ºC

17
 PROCEDEE DE LIPIRE A COMPONENTELOR

Lipirea manuală

Reglarea temperaturii la sistemul Weller Magnastat se bazează pe o pastilă din

material feromagnetic care la depăşirea temperaturii Curie eliberează tija unui
comutator. Pentru a alege altă temperatură este necesară schimbarea vârfului.

18
 Staţia de lipire

Un instrument profesional îl constituie staţia de lipire cu temperatură reglabilă,

care pe lângă ciocanul de lipit mai conţine un dispozitiv de control şi reglare a
temperaturii vârfului. Vârful ciocanului este acoperit in porţiunea activă (zona de
lucru) cu o peliculă cu grosime micronică de fier pur pe care aliajul adera foarte
bine (vârf cu durata de viaţă lungă, long life tip). Această peliculă constituie o
barieră care împiedică dizolvarea cuprului in aliaj.
19
 ETAPELE LIPIRI MANUALE

Fig. 1 Etapele
lipiri manuale

Încălzirea: Se pune capătul de lipire al vârfului ciocanului (încălzit la temperatura

de lipire) în locul lipirii, în contact cât mai bun cu piesele ce se lipesc, astfel încât
contactul cu piesa mai mare să se facă pe o suprafaţă mai mare (fig.1.a). Vârful
trebuie să fie acoperit cu o mică cantitate de aliaj topit, preferabil şi puţin flux, pentru
contact termic bun; eventual se preia pe vârf o mică cantitate de aliaj.
Adăugarea aliajului: Se aşteaptă ca piesele să se încălzească, apoi se aduce
aliajul tubular în contact cu piesa de lipit mai mare, evitând contactul cu vârful
ciocanului - astfel se asigură topirea fluxului şi curăţarea suprafeţelor înaintea topirii
şi întinderii aliajului - fig.1.b. După topirea unei cantităţi potrivite de aliaj, se menţine
contactul, eventual se deplasează vârful în contact cu piesele, până la întinderea
aliajului, acoperirea suprafeţelor şi umplerea interstiţiilor - fig.1.c.
Solidificarea: Imediat după acoperire, se îndepărtează ciocanul, rapid dar nu brusc
şi se aşteaptă răcirea şi solidificarea aliajului - fig.1d; în acest timp piesele trebuie
20
să fie imobile.
 Lipirea cu ciocanul de lipit – letcon (soldering iron)
Tehnicile de lipire sunt clasificate după următoarele aspecte:
- Tehnica transferului de căldură
- Metoda de alimentare cu aliaj

La ciocanul de lipit căldura este transferată de la un obiect solid

fierbinte, vârful letconului, iar aliajul este furnizat de un fir conţinând flux
sau uneori pastă de lipit

Lipirea prin procedeul “Hot bar”

sau impuls termic

21
Pentru realizarea lipirii, care implică difuzia
reciprocă a metalului de bază şi a aliajului,
este necesar contactul nemijlocit dintre cele
două materiale şi pentru aceasta este
necesară îndepărtarea tuturor impurităţilor, de
pe suprafaţa metalului de bază şi a aliajului;

Suprafeţele trebuie de asemenea protejate să nu se impurifice în timpul încălzirii,

când aliajul este topit.
Aceste funcţii, de curăţare, protecţie şi de îmbunătăţire a umectării, revin
substanţelor numite fluxuri sau fondanţi pentru lipire; în absenţa acestora lipirea
nu se poate realiza corespunzător. Fluxurile trebuie să îndeplinească o serie de
cerinţe, printre care:
• să aibă temperatură de topire (Ttf) inferioară temperaturii de topire a aliajului
(tta), dar să nu „ardă” complet la temperatura de lipire (Tl);
• la fie lichide şi cu fluiditate suficientă la tt, să se întindă uşor şi să pătrundă în
interstiţii;
• să dizolve complet şi la timp (înainte de topirea aliajului) toate impurităţile,
acţiune care trebuie să dureze cât timp se efectuează lipirea;
22
 Firul de lipit (solder wire)

Fluxuri: favorizează împrăştierea aliajului pe suprafeţe şi umezirea lor. Tipuri:

• fluxuri pe bază de răşina de brad (colofoniu): solubilă in alcool, necorozivă,
având tendinţa de oxidare, greu de curăţat (îndepărtat), este cea mai utilizată;
• RMA (Rosin Mildly Activated) răşina slab activată (tratata cu acid), sau
echivalentul său sintetic
• Flux fără-curăţare (no clean): transparent, placa nu necesită curăţare
• Compuşi organici solubili in apă

23
LIPIREA ÎN VAL

Lipirea în val- schemă

24
ALTE PROCEDEE DE LIPIRE A COMPONENTELOR

25
 ELEMENTE DE BAZĂ ALE PROCESULUI DE LIPIRE
Tensiunea superficială şi umectarea
Calitatea lipiturii depinde de procesele fizico-chimice care au loc la contactul
dintre aliajul de lipit şi metalul de bază. Deoarece aliajul de lipit, în topitură,
este un lichid, acesta va “uda” pad-ul, respectiv terminalul componentei.
Pe stratul superficial al aliajului de lipit acţionează tensiuni superficiale. Coeficienţii
de tensiune superficială γAliaj-Aer, γCu-Aer şi γ Cu-Aliaj, determină unghiul de udare θ.
Dimensiunile lipiturii depind în mare măsură de valoarea unghiului de udare (θ),
care la rândul său depinde de coeficienţii de tensiune superficială, conform relaţiei:

γ Cu − Aer = γ Cu − Aliaj + γ aliaj− Aer ⋅ cos θ

γAliaj-Aer Aliaj de lipit

Substrat (Cu)
γCu-Aer θ γCu-Aliaj

26
- γCu-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
suprafaţa pe care se face lipitura (pad-ul din Cu) şi gaz (aer);
- γ Cu-Aliaj este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre
suprafaţa pe care se face lipitura şi aliajul de lipit;
- γ Aliaj-Aer este coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre aliajul
de lipit şi gaz;
- θ se numeşte unghi de udare şi este unghiul care apare între aliajul de lipit şi
pad, iar cosθ este coeficientul de udare.
Tensiunile superficiale care apar la contactul dintre aliajul de lipit şi metalul de bază
(pad sau terminal) sunt destul de mari, determinând apariţia fenomenului de
capilaritate. Fenomenul de capilaritate este foarte important la lipirea componentelor
electronice. Datorită capilarităţii, aliajul topit pătrunde şi umple spaţiile înguste dintre
piesele ce trebuie lipite, asigurând o lipitură de calitate.

Ecuaţia anterioară arată că împrăştierea unui lichid pe o suprafaţă solidă atinge

o stare de echilibru atunci când unghiul de contact atinge o valoare θ pentru
care cele două componente ale forţelor ce acţionează în sensuri opuse γSF şi
(γLS + γLF × cos θ) sunt egale.

27
Pentru lipirea componentelor în electronică dorim, o formă a lipiturii (solder fillet
în eng.) caracterizată de o anumită formă de menisc.
Pentru aceasta este necesar să utilizăm un material cu o caracteristică de
umectare caracterizată de un unghi θ mic.

O valoare mică a unghiului θ se obţine prin alegerea corespunzătoare a

materialelor cu diferite tensiuni superficiale. Astfel putem alege:
(1) flux cu tensiune superficială redusă,
(2) substrat cu tensiune superficială mare, (sau energie de suprafaţă mare),
(3) aliaj de lipit cu tensiune superficială redusă care să permită formarea unui
unghi de contact θ mic.

Cele trei afirmaţii pot fi dovedite pe baza relaţiei dintre tensiunile superficiale,
realizând o comparaţie din punct de vedere matematic.
Situaţiile 2 şi 3 pot fi însă uşor reţinute şi pe baza unor comparaţii intuitive.
Situaţia a doua poate fi înţeleasă prin comparaţia dintre umectarea picăturilor de
apă pe teflon (energie de suprafaţă redusă) şi relativa bună umectare pe metal
(energie de suprafaţă mare).
A treia situaţie se poate înţelege prin comparaţia dintre buna umectare a alcoolului
(tensiune de suprafaţă redusă) şi slaba umectare a mercurului (tensiune de
suprafaţă mare) pe o lamelă de sticlă.
28
 Unghiul de udare θ, respectiv coeficientul de udare cosθ reprezintă o primă
apreciere a calităţii lipiturii

O udare bună este posibilă numai dacă coeficientul de tensiune superficială dat
de contactul dintre pad-ul din Cu şi gaz (γCu-Aer) este mai mare decât
coeficientul de tensiune superficială dat de contactul dintre suprafaţa pe care se
face lipitura şi aliajul de lipit (γCu-Aliaj) 29
Contactarea electronică (lipitura)

Funcţiuni:
- electrică
- mecanică
- termică

30
wForma lipiturii pentru diferite configuraţii de capsule (package) şi terminale
w(a) terminal aripă de pescăruş (Gullwing); (b) terminal J (J-lead);(c) terminal
31
capăt (Butt-lead); (d) Metalizare (Leadless metallization); (e) Bile (Ball-lead)
 Modelul şi proiectarea unei lipituri

Două lipituri cu parametrii de proiectare standard:

Terminal fir (cilindric) lipit pe un pad Terminal aripă de pescăruş lipit pe un pad

32
 Acceptabilitatea modulelor electronice IPC610
Side Termination,
End Joint Width

Situaţie de dorit
Acceptabil - Clasă 3 Lăţimea la capăt (C) minimum
75% din lăţimea (W) a terminaţiei componentei
sau 75% din cea a padului (P), oricare e mai mică.

Defecte (mai puţin de 75% din W)

Acceptabil - Clase 1,2

Lăţimea la capăt (C) minimum 50% din
lăţimea (W) a terminaţiei componentei
sau 50% din cea a padului (P), oricare e mai
mică. 33
 Acceptabilitatea modulelor electronice IPC610
Minimum
Fillet height

Situaţie de dorit Acceptabil - Clasă 3 Înălţimea meniscului

(F) este grosimea aliajului (G) plus 25% din
Acceptabil - Clase 1,2 înălţimea terminaţiei (H), sau plus 0,5 mm
Umectarea (wetting) este evidentă pe [0.02 in], oricare e mai mică.
suprafeţele laterale ale componentei.
Defect - Clasă 3
Înălţimea minimă a meniscului (F) este mai
mică decât grosimea aliajului (G) plus 25% (H)
sau plus 0,5 mm [0.02 in], oricare e mai mică.

Defecte - Clase 1,2 Meniscul (fillet) nu are,

evident, înălţime pe faţa componentei

34
 Compuşii intermetalici
Calitatea unei lipituri este determinată nu numai de modul de umectare a suprafeţei ci
şi de grosimea stratului de difuzie. Acest strat este pus în legătură cu abilitatea
sistemului metalurgic de a forma compuşi intermetalici.

Grosimea stratului compuşilor intermetalici depinde de temperatura şi timpul de

formare a lipiturii. În mod ideal, pentru Sn-Pb, o lipitură trebuie realizată la aproximativ
220 °C timp de două secunde.
Reacţia de difuzie dintre cupru şi staniu va produce în aceste condiţii o grosime
optimă a stratului compuşilor intermetalici Cu3Sn şi Cu6Sn5 de 0,535μm.
 O grosime insuficientă a stratului de compuşi intermetalici face ca aspectul lipiturii să
fie cel cunoscut al unor lipituri reci sau al unor lipituri care au fost realizate la o
temperatură insuficientă. Acest lucru duce în mod sigur la rupere prin forfecare la
interfaţa respectivă.
Pe de altă parte, un strat intermetalic prea gros, cu un aspect al lipiturii care a fost
supraîncălzită sau ţinută prea mult la temperatura de lipire, poate duce la reducerea
dramatică a rezistenţei la rupere a acesteia, după cum se vede în figură.

OBS. În prezent sunt eliminate aliajele de lipit ce conţin Pb. Prezentarea lor se va
face ulterior, prin evidenţierea diferenţelor faţă de lipirea cu aliaj
36 Sn-Pb.
Diagrama de fază pentru compuşi binari este utilizată la alegerea aliajului de lipit.
Se preferă un aliaj eutectic, cu punct de topire bine precizat.
37
 Metode de testare a solderabilităţii

Cele mai folosite metode de testare a solderabilității sunt, după cum

urmează:
- testarea ponderii de udare (wetting balance test),
- test de formare a punţilor de aliaj (bridging test),
- test de împrăştiere (spreading test).

Aceste metode sunt utilizate pentru compararea şi optimizarea diferitelor

aliaje fluxuri, finisări ale suprafeţelor PCB, parametri tehnologici ai lipirii
etc.
Rezultatele testelor efectuate prin diferitele metode, de cele mai multe ori,
nu se pot compara direct.

38
 Unghiul de contact – măsură a umectării

Solderabiltatea componentelor şi a substraturilor înseamnă caracteristica de

umectare (udare) a suprafeţei de către aliajul de lipit topit. Poate fi caracterizată
de unghiul de contact (udare) ca în figura de mai jos:

Deoarece o măsurare directă a unghiului de contact este dificilă, există

diferite metode de testare pentru determinarea solderabilității.

Lipsă udare λ < 30° udare bună Udare ideală

39
 Testarea ponderii de udare
(Wetting balance test)
Paşi şi diagrama rezultată pentru testul ponderii de udare

a) Mostră înainte de scufundare;

b) Imediat după scufundare, tensiunea de
suprafaţă acţionează împotriva
scufundării;
c) Tensiunea de suprafaţă este 0, numai
flotabilitatea (buoyancy) afectează
Corecție forţă mostra;
Arhimede (buoyancy) d) După udare, tensiunea de suprafaţă
acţionează împotriva scoaterii;
e) Ridicarea mostrei;
f) Mostra ridicată. 40
Metoda de testare a ponderii de udare este o metodă cantitativă pentru
determinarea solderabilităţii (capacitatea de a realiza lipituri). Această metodă
măsoară timpul necesar pentru ca aliajul de lipit să umezească terminalele
componentei sau pastila de lipire (pad). Două atribute importante ale curbei de
pondere a umectării sunt timpul până la 2/3 din forţa maximă (t2/3) şi forţa
maximă (Fmax).
În testul de măsurare a ponderii de udare convenţional, componentele cu
terminale pentru inserție, după fluxare, sunt scufundate într-o baie de aliaj de
lipit topit şi se măsoară timpul necesar pentru umectarea terminalelor. Se
măsoară de asemenea evoluția în timp a forței de umectare, rezultând o
curbă de pondere a umectării.

Pentru eșantioane cu zone umectabile mici, cum ar fi rezistoarele sau

condensatoarele chip, paduri, etc. se utilizează în locul recipientului cu aliaj o
picătură (bilă) din aliajul de lipit. Eșantioanele sunt testate la o adâncime de
imersie zero. Această metodă a demonstrat până acum că poate oferi
rezultate reproductibile.
În acest test sunt implicate mai multe elemente cum ar fi materialul pe care se
face lipirea (eșantionul), finishing-ul, acoperirea eșantionului, aliajul de lipit,
fluxul, temperatura, etc.
41
 Testul ponderii de udare

0,1 μN
Performanţa testului de
pondere a udării

ms

Udare lentă Udare rapidă Udare neregulată De-udare

Lipsă Udare slabă Udare bună Udare întârziată

udare

42
În principiu, procedura de testare este următoarea. Terminalul sau suprafaţa de testat,
este fluxat cu un flux standard de tip RMA şi uscat puţin timp. Specimenul de test este
apoi suspendat de un sistem de cântărire sau senzor sensibil, şi cufundat într-o
suprafaţă fără oxizi dintr-un aliaj de lipit topit. Cufundarea se face de regulă prin
ridicarea băii de lipire termostatată către specimenul suspendat la o viteză controlată.
Senzorul măsoară forţa verticală care acţionează asupra probei. Un sistem de tip
microprocesor realizează o reprezentare grafică şi o interpretare a rezultatului, vezi
figura.

43
Graficul forţei este cunoscut sub numele de caracteristică de umectare, vezi
figura.

De obicei se neglijează greutatea

proprie a probei , precum şi efectul de
flotabilitate în topitură.

Partea din stânga a curbei, zona negativă care corespunde unei forţe îndreptate în
sus este datorată efectului negativ al meniscului, care durează până specimenul
este suficient de cald pentru ca fluxul să îşi înceapă activitatea şi să fie udat de
aliaj. Curba apoi începe să urce cu o pantă care depinde de eficienţa cu care fluxul
curăţă suprafaţa epruvetei, sau altfel spus de viteza cu care meniscului urcă în sus
pe probă. Meniscul se opreşte din urcare la un moment dat şi curba de umectare
se aplatizează, atunci când unghiul final de umectare este atins, sau foarte
apropiat. Forţa înregistrată în acest moment, raportată la unitatea de lungime a
meniscului, se numeşte forţa de umectare .
44
Ceea ce se măsoară de fapt în această metodă este pur şi simplu greutatea
meniscului de lipire, care a urcat în sus pe specimenul sub influenţa tensiunii
superficiale dintre aliajul de lipit şi specimen , minus flotabilitatea părţii imersate
a specimenului.
Dacă are loc fenomenul de „de-wetting”, meniscul va începe să coboare după un
timp, şi curba de umectare începe să scadă după ce aceasta a atins maximul
(palierul).

Palierul curbei nu este singurul criteriu important pentru aprecierea

solderabilităţii. Trebuie să se ţină seama de:

•rata de creştere a curbei de umectare după începerea procesului de umectare,

•de forma caracteristicii,
•de valoarea sa maximă
•de timpul necesar pentru a ajunge la aceasta.

45
 Testul creare de punţi

Cupoane de test de punte după Solderabilitate scăzută

aplicarea pastei de lipit şi retopire

Cupon de test înainte de retopire

Solderabilitate excelentă

Direcţia numărării punctelor

46
 Testul de punte

Comparaţie între diferite finisaje ale suprafeţei

OSP Sn

După 5 cicluri de retopire După 5 cicluri de retopire

Ag HASL

După 5 cicluri de retopire După 5 cicluri de retopire

47
 Testul de împrăştiere

Măsurarea optică ajutată de calculator a

suprafeţei punctelor de aliaj de lipit
Tiparul de test şi puncte de
pastă de lipit aplicată

48
 TEHNOLOGIA DE LIPIRE ÎN VAL (WAVE SOLDER)

Lipirea la val este un proces de lipire pe scară largă (productivitate ridicată), care
permite asamblarea prin lipire a componentelor electronice pe plăcile cu cablaj
imprimat
Numele este dat de valul de aliaj de lipit în stare lichidă (figură) peste care
este trecută placa plantată în scopul lipirii terminalelor componentelor
electronice la traseele metalice neprotejate, procesul de lipire fiind realizat pe
partea inferioară a plăcii (bottom side).

49
 LIPIREA IN VAL
Lipirea în val este o metoda de lipire automatizată foarte răspândită, în care atât
căldura cât şi materialul lipiturii (aliajul) sunt furnizate de valul de aliaj. Placa de
circuit imprimat este deplasata prin sistemul de lipire de către o bandă transportoare
cu o viteză de circa 1,3-1,5 m/min, pentru a obţine profilul termic adecvat.

Profilul de temperatură la lipirea în val

50
Lipirea în val a unui ansamblu cu componente pentru montare
prin inserţie (THT)

51
wProcesul permite lipirea atât a componentelor electronice plantate pe partea
superioară a plăcii cu terminalele trecute prin găuri în placă (through-hole printed
circuit assemblies) , cât şi a componentelor asamblate prin lipire pe suprafaţă
(surface mounted devices). În acest caz, componentele vor fi lipite pe partea
inferioară a plăcii şi pentru a fi menţinute în timpul procesului, în special la
trecerea prin val, necesită, în prealabil, lipirea lor pe partea inferioară a plăcii cu
adeziv epoxidic.

Procesul de lipire la val presupune utilizarea unor maşini specializate care au o

structură principial comună, conformă cerinţelor impuse de necesitatea asigurării
parametrilor procesului de lipire.
Prin introducerea unui sistem de transport al plăcii plantate între zona de plantare a
componentelor (manual şi / sau automat), maşina de lipit în val şi zona de control a
plăcii asamblate, se realizează o linie tehnologică de lipire la val (wave soldering
line).

52
Plăcile plantate pot fi vehiculate prin sistemul de transport cu benzi transportoare
prin prindere directă cu agrafe sau indirectă prin utilizarea unor cadre
specializate.
În cazul prinderii directe plăcile vor fi prevăzute cu bare de protecţie la
pătrunderea în val.

Protecţie la intrare în val

Placa plantată pe cadru

53
 Structura cadrului de lipire
Cadru la trecerea prin val

La lipirea plăcilor plantate cu

componente SMD s-au obţinut rezultate
calitativ superioare dacă plăcile au fost
introduse cu un unghi de 45º faţă de
perpendiculara pe val. În acest scop se
utilizează un cadru multifuncţional, care
permite rotaţia plăcii în plan orizontal
Cadru multifuncţional

54
Maşinile de lipire la val au o structură serială pe zone specializate pentru aplicarea
fluxului, preîncălzire, valul de lipire, răcire şi în unele cazuri pentru curăţare, funcţie de
tipul de flux utilizat.
Maşinile de lipire la val diferă prin structuri particulare pe fiecare zonă şi prin soluţia
tehnică aleasă pentru zonele specializate cu posibilităţi de reglare a variabilelor
corespunzătoare zonei.
Astfel, pot diferi soluţiile tehnice de aplicare a fluxului, numărul zonelor de preîncălzire
(de exemplu: 3 TALOS, 9 SEHO) şi soluţia tehnică utilizată pentru încălzire, tipul de val,
numărul zonelor de răcire. 55
Fluxul este o substanţă care facilitează lipirea prin curăţarea chimică a suprafeţelor
metalice ce intervin în lipitura compusă din răşini şi substanţe chimice dizolvate în
solvenţi aromatici sau apă. Inert la temperatura camerei, devine activ la
temperatura ridicată necesară lipirii, îndepărtând oxizii existenţi, prevenind oxidarea
în timpul procesului şi îmbunătăţind umectarea suprafeţelor de către aliajul de lipit
în stare lichidă.

Aplicarea fluxului se face prin două metode : pulverizare sau spumare.

Pulverizarea se poate face prin utilizarea unei duze ce baleiază zona de sub placa
plantată sau prin utilizarea mai multor duze fixe cu alimentare comună.
În cazul spumării, placa plantată va fi trecută cu partea inferioară printr-o cascadă
de spumă preluată printr-un horn metalic amplasat deasupra unui cilindru prevăzut
cu multe găuri fine, imersat în fluxul aflat într-un vas specializat. Trecerea aerului
comprimat prin cilindrul numit şi “piatră” provoacă spumarea şi obţinerea “cascadei”
prin urcarea pe horn.
Indiferent de metoda de aplicare este foarte important controlul precis al cantităţii
de flux depusă pe partea inferioară a plăcii plantate. O cantitate redusă de flux va
genera defecte de lipire, în timp ce prea mult flux afectează aspectul lipiturilor şi
fiabilitatea lor pe termen lung. În general, se utilizează un jet de aer comprimat
pentru îndepărtarea fluxului excedentar.
56
Principiul de funcţionare al aplicatorului de flux cu spumă (foam fluxer) este simplu
iar dispozitivul este fiabil deoarece nu conţine piese in mişcare. Funcţionarea
corectă şi eficientă a acestuia depinde însă de parametri legaţi atât de soluţia
constructivă cât şi de materialul fluxului (abilitatea de a forma spumă, stabilitatea
acesteia, etc.).

57
Spray pe bază de aer comprimat Spray pe bază de tambur rotativ

Aplicarea fluxului pe bază de spray a fost apreciată în special pentru componentele

SMD deoarece picăturile de flux pot pătrunde în spaţiile înguste dintre componentele
plasate foarte aproape una de cealaltă.

Abilitatea fluxului de a forma spumă este de asemenea nerelevantă la acest procedeu.

Cel mai important avantaj este faptul că livrează către placă flux necontaminat, care
nu a mai fost procesat prin rezervor.
58
Preîncălzirea este necesară pentru îndepărtarea solvenţilor din fluxul depus,
activarea fluxului şi prevenirea şocului termic ce apare la trecerea prin val a plăcii
plantate.
Preîncălzirea se face treptat cu o pantă determinată de creşterea temperaturii.
Uzual placa ajunge la 80-100 °C cu o pantă de 2 °C/s.
Preîncălzirea de la valoarea temperaturii de cameră se face prin convecţie, utilizând
jeturi de aer cald. Pentru preîncălzirea premergătoare trecerii prin val şi asigurarea
temperaturii de preîncălzire necesară în zonele dens populate cu componente sau
cu masa termică mare, se utilizează încălzitoare cu radiaţie infraroşie.

59
Pentru lipire placa plantată este trecută sub un unghi determinat prin valul de aliaj în
stare lichidă, care va determina activarea fluxului şi va depune aliaj pentru
realizarea lipirii terminalelor componentelor.
Sunt utilizate o varietate mare de configuraţii pentru un val sau două valuri,
turbulente sau laminare. Două valuri cu geometrii diferite sunt utilizate pentru lipirea
plăcilor care au componente SMD pe partea inferioară şi cu terminale pe partea
superioară Pentru creşterea calităţii lipiturilor se realizează procesul de lipire în
atmosferă inertă, uzual prin utilizarea azotului.

60
La lipirea în val corpul componentelor acţionează ca o „umbră” atât pentru ele cât şi
pentru cele vecine. Maşinile de lipit mai vechi cu un singur val nu ofereau lipituri de
calitate.
Pentru a remedia acest dezavantaj se utilizează două valuri. Primul este un val
turbulent care ajunge şi udă toate zonele plăcii, umple găurile metalizate. Acesta
poate crea punţi de aliaj. Un al doilea val numit "valul lambda" este mai puţin agitat şi
înlătură excesul de aliaj de lipit.

61
 Lipirea selectivă în mini-val (mini-fântână)

“Selectivă” semnifică faptul că lipirea are loc local. Lipirea selectivă este utilizată
pentru a lipi câteva componente prin inserţie cu masă termică mare
sau care sunt sensibile la temperaturi
ridicate (precum conectori, socluri,
bobine, transformatoare, comutatoare
relee, condensatoare electrolitice,
senzori, actuatoare, etc.) pe plăci deja
asamblate cu componente montate pe
suprafaţă.
curăţare
La lipirea in minival pompa împinge aliajul
topit printr-un vârf (duză - nozzle), astfel
încât un mic val sferic de aliaj este format
deasupra sa. Aliajul în stare lichidă e
protejat de oxidare de un jet de azot
ieşind din cilindrul înconjurător.
Cablajul imprimat este fix, în timp ce
capul de lipire este poziţionat şi deplasat
corespunzător.

62
 Linia de asamblare cu lipire în val

Plantare componente Lipire în val

Maşina de lipire în val

Bare de aliaj de lipit

Val dublu turbulent/laminar

63 63
TEHNOLOGIA MONTĂRII PE SUPRAFAŢĂ (SMT)
LIPIREA COMPONENTELOR –PROCEDEUL REFLOW

Lipirea reflow este procedeul de lipire a componentelor electronice ce implică

topirea unei paste depuse pe substratul de interconectare.

Pentru aplicarea pastei se poate utiliza tehnologia serigrafică cu şablon (stencil)

sau alte procedee de depunere ce vor fi prezentate (dispensare, jet).
După depunerea pastei de lipit pe cablajul imprimat şi plasarea componentelor pe
picăturile de pastă depuse, urmează faza de realizare propriu-zisă a
interconexiunilor, şi anume, topirea şi solidificarea acestei paste după un anume
profil de temperatură.
1
 Există mai multe metode de a topi pasta. În principiu, aceste metode pot fi
clasificate după numărul de conexiuni ce se realizează simultan: individuale (la nivel
de componentă) şi globale (la nivel de modul).
Topirea la nivel de modul se poate face:
ƒîn cuptoare cu convecţie forţată şi/sau infraroşu.
ƒ în mediu de vapori saturaţi (VPS)

Topirea individuală se foloseşte de regulă la depanare şi în cazul seriilor

mici de produse iar de obicei metodele individuale sunt combinate. Acestea pot fi:
ƒ topire cu laser,
ƒ cu dispozitive manuale (staţii de lipit cu vârf de conducţie sau jet de aer cald),
ƒhot bar,
ƒultrasunete, etc.

2
 Lipirea prin retopire utilizând paste de lipit
In general, lipirea prin retopire este utilizată pentru montarea pe suprafaţă. Pasta
de lipit este aplicata în cantitatea necesară pe padurile pentru lipire prin
imprimare prin sită (silkscreen) sau prin ecran (stencil) sau prin dispensare.
După amplasarea componentelor pasta de lipit este (re)topită şi, după
solidificare, se formează lipitura.
Aliajul de lipit este retopit într-un
cuptor cu mai multe zone cu încălzire
prin radiaţie infraroşie, convecţie sau
combinat, sau prin lipire în fază de
vapori.
Pastele de lipit conţin pulbere (bile) de
aliaj de lipit susţinute de flux.
Compoziţia bilelor de aliaj:
• 95,5Sn3,8Ag0,7Cu (aliaj SAC fără
plumb, TT=217ºC), sau
Proprietăţile fluxurilor bazate pe răşini:
• 62Sn36Pb2Ag, ori
• conţinutul de solid circa 75%;
• 63Sn37Pb
• fără compuşi organici volatili (VOC);
Conţinutul de oxizi ≤ 80 ppm
• activatori: acizi organici fără halogeni.

3
 Lipirea prin retopire în cuptor cu bandă transportoare
Lipirea prin retopire are loc, în general, într-un cuptor tip convecţie şi/sau infraroşu
cu bandă transportoare, încălzit cu aer fierbinte sau în prezenţa unui gaz inert,
azot. Sunt necesare încălziri şi răciri rapide pentru a preveni formarea unor straturi
intermetalice prea groase.

4
 Lipirea în infraroşu şi convecţie
Retopirea în infraroşu s-a schimbat considerabil de la concepţia sa, la începutul
anilor 80. Atunci, acest procedeu nu era prea popular pentru că producea arsuri sau
decolorări ale plăcilor de circuit. Asociaţia producătorilor de echipamente de montare
pe suprafaţă (SMEMA), a definit trei tipuri de procese IR:
ƒClasa I: sisteme cu radiaţie IR dominantă.
ƒClasa II: sisteme cu convecţie sau IR dominantă (selectabile).
ƒClasa III: sisteme cu convecţie dominantă.
În toate aceste sisteme, există oricum surse de radiaţie şi de convecţie, dar ele diferă
ca pondere de la un sistem la altul.
De obicei, cuptoarele au o bandă transportoare, care mişcă placa de-a lungul unor
zone cu temperatură controlată. Numărul acestor zone poate fi între 2 şi 20, fiecare
dintre ele fiind încălzită cu lămpi IR sau panouri ceramice, iar controlul se face cu
termocupluri interne.

Principiul de funcţionare al
unui sistem convecţie sau
IR dominant
5
 Cuptoare cu bandă rulantă (Conveyor Belt Ovens)
Principiul de funcţionare al cuptoarelor cu bandă rulantă:
• montajul trece prin zone de încălzire separate
• temperaturile zonelor de încălzire pot fi controlate separat
• profilul termic este controlat de temperaturile zonelor de încălzire şi de viteza benzii
• ΔT poate fi mic!

6
 Exemple de cuptoare reflow

Sistem “reflow soldering” cu IR şi

convecţie, cu 4 zone de temperatură,
disponibil în UPB-CETTI

Cuptor performant de tip reflow cu bandă şi încălzire prin convecţie cu 12

7
zone de încălzire.
 Exemple de cuptoare reflow (2)
Pentru prototipuri sau serii mici, există şi cuptoare statice, la care variaţia temperaturii în
timp se face nu prin mişcarea plăcii ci prin modificarea temperaturii interne a cuptorului,
(cuptoare de procesare tip lot -Batch reflow ovens). Acestea folosesc de obicei încălzire
cu IR, dar pot avea şi o încălzire prin convecţie ca sprijin cu ajutorul unor ventilatoare
care amestecă aerul cald din cuptor. Cuptoarele “batch” au dimensiuni mici, sunt de tip
”off-line”, au capacitate mică. Sunt potrivite pentru serii mici şi montaje simple.

Cuptoare “reflow
soldering” de tip
“batch”

O variantă hibridă este cuptorul cu două zone existent în CETTI.

La acest cuptor profilul de temperatură se
obţine atât prin deplasarea plăcii de circuit
imprimat cât şi prin variaţia puterii de
încălzire, atunci când placa staţionează.
Sistem “reflow soldering” cu convecţie
şi IR cu două zone de temperatură,
8
disponibil în UPB-CETTI.
În principiu, sunt necesare următoarele faze ale procesului de retopire (de multe ori
acestea sunt asimilate cu zonele de temperatură din cuptor):
ƒFaza de preîncălzire, unde sunt evaporate substanţele volatile din pasta de lipit.
ƒFaza de egalizare, unde sunt aduse toate subansamblele la aceeaşi temperatură.
ƒFaza de lipire, unde se face o încălzire mai puternică, pe un timp controlat. Aici se
realizează topirea propriu-zisă.
ƒFaza de răcire, care de obicei este plasată în afara cuptorului şi se face prin
convecţie forţată cu aer din exteriorul cuptorului.

wProfilul termic depinde de pasta utilizată, atmosfera în care are loc procesul, masa
termică şi tehnologia de realizare a plăcii plantate ce urmează să fie lipită. Pentru
reglarea precisă a profilului termic funcţie de variabilele prezentate, în mod specific
produsului ce urmează să fie lansat în producţie, se utilizează un dispozitiv
specializat (profiler) de achiziţie a temperaturilor măsurate cu termocupluri
amplasate în diferite zone pe placă. Dispozitivul urmează placa pe traseul din cuptor
şi transmite radio datele privind temperaturile măsurate către o interfaţă specializată
conectată la un calculator în scopul afişării şi înregistrării rezultatelor. Metoda este
iterativă şi plecând de la un profil propus, prin câteva iteraţii, în cursul cărora se
ridică profilul termic real al plăcii şi se inspectează calitatea lipiturilor optic şi cu
radiaţii X, se stabileşte profilul termic optim pentru producţia de serie.
9
 Profil termic
standard (Sn-Pb)

Profil termic real

(măsurat)

10
 LIPIREA ÎN FAZĂ DE VAPORI

Lipirea în fază de vapori ( Vapor Phase Soldering) sau lipirea în condensare,

cum a fost iniţial numită este o metodă de lipire ce este utilizată din ce în ce mai
des mai ales la lipirea aliajelor lead-free.
Se bazează pe următorul principiu pentru încălzirea şi topirea pastei de lipit:
Atunci când un corp rece este plasat în regiunea cu vaporii saturaţi ai unui fluid
ce fierbe, vaporii condensează instantaneu pe suprafaţa sa şi cedează căldura
latentă de condensare a lor. Acest transfer continuă până când corpul atinge
aceeaşi temperatură cu cea a vaporilor.
Există multe fluide stabile şi inerte din punct de vedere chimic cu temperaturi de
fierbere care se pot utiliza la aplicaţiile de lipire din electronică.
Lipirea VPS a început să fie din nou în atenţie înainte de lead free, pentru lipirea
componentelor BGA. La acestea era necesară o încălzire atât din partea
superioară cât şi din cea inferioară şi era necesar să se atingă maximul
temperaturii în acelaşi timp, lucru mai dificil de obţinut la cuptoarele cu IR şi
convecţie. La procedeul VPS, acest lucru se obţine în mod natural.

11
Schema de principiu a unui echipament VPS este prezentată mai jos

Lichidele utilizate pot avea temperaturi de fierbere de 200-240 °C şi pot fi utilizate

atât pentru Sn-Pb cât şi pentru lead-free. Denumirea generică este “Galden”, după
denumirea comercială a celui mai cunoscut producător.

12
Consideraţii privind VPS

În prezent s-au eliminat multe din dezavantajele iniţiale:- nu mai sunt probleme de
mediu cu fluidele utilizate, temperaturile de lucru pot fi alese dintr-o gamă largă de
produse (200, 215, 225, 230, 235, 240°C), se pot lipi şi plăci dublă faţă, există şi
varianta de lipire „in-line”.
Realizarea lipirii într-o atmosferă controlată şi faptul că gazele şi fluxul sunt extrase
treptat din joncţiune, pe măsură ce aliajul de lipit se topeşte reduc probabilitatea de
apariţie a incluziunilor gazoase în lipitură. Rezultă astfel o lipitură mai robustă.
Realizarea lipiturii în incintă are şi un dezavantaj: Randamentul de producţie este
redus deoarece presiunea (vidul) dorit ≤ 50mbar trebuie realizat treptat (există limite
impuse de aşa zisul fenomen de degazare a componentelor electronice şi a plăcii de
circuit imprimat).
Realizarea unei umectări bune datorită atmosferei inerte.
Riscul de apariţie a fenomenului “tombstoning” este mult redus.
Transferul termic este independent de forma, culoarea, masa sau distribuţia masei
componentelor şi a plăcii.
Aplicarea unei supratemperaturi este practic imposibilă.

13
 Lipirea in fază de vapori – un sistem integrat
cu o singură zonă cu vapori
PCB-ul este încălzit de energia termica emisă la schimbarea de fază a lichidului de
transfer a căldurii prin condensarea pe placă. Lichidul utilizat este ales având in vedere
ca punctul său de fierbere să corespundă aliajului de lipit care trebuie retopit.

14
 Contactarea în stare de vapori-sinteză

♦ Control excelent al temperaturii (nu Cuptor existent la UPB-CETTI

(firma IBL)
există supraîncălzire)
♦ Incălzirea simultană, continuă şi
teoretic uniformă a suprafeţelor
indiferent de formă, culoare şi masa
termică a ansamblului PCB – pastă –
componente
♦ Cel mai bun transfer termic
♦ Lipirea in atmosferă fără oxigen
15
Comparaţie între profilele de lipire prin diverse procedee

16
17
Defecte specifice tehnologiei de lipire prin retopire

Bile de aliaj (Solder ball)

Pot apărea lângă pad (Solder balling) datorită excesului de pastă, între
pad-uri (Mid chip balling) sau împrăştiate (Sputtering) datorită oxidării
particulelor din pastă sau datorită explodării solventului din pastă.

Mid chip balling Bile împrăştiate

18
 Deplasarea componentelor şi efectul Manhattan
Un defect tipic pentru procesul de retopire este mişcarea componentelor în plan
orizontal sau vertical sub diverse unghiuri, ajungându-se în unele cazuri chiar la
ridicarea la verticală a cipurilor, aşa zisul efect Manhattan sau “tombstoning”(piatră
funerară). Cauza fizică a apariţiei acestui defect este trecerea la starea lichidă, şi deci
formarea tensiunii superficiale în momente diferite a celor două picături de pastă ce
conectează un cip la cablaj.

Efectul Manhattan

Cauze:
F1+F2<F3

19
 Pastele de lipit

Pasta de lipit este mijlocul cel mai utilizat de a depune aliajul de lipit pe
pastilele componentelor în vederea operaţiei de reflow.
Este astăzi unanim recunoscut că pasta de lipit este elementul esenţial în
realizarea lipiturilor de calitate.

Elementele esenţiale ale pastei de lipit sunt aliajul metalic şi fluxul (decapantul)
Aliajele de lipit sunt de tipul celor utilizate la lipirea în val, însă trebuie realizate
mici sfere, bile cu diametru controlat. Există 6 categorii de paste, după dimensiuni:

Categorie Nici o Mai puţin de Minim 80% 10% maxim

particulă 1% mai mari între mai mici decât
mai mare ca ca
Tip 1 160 μ 150 μ 150–75 μ 20 μ
Tip 2 80 μ 75 μ 75–45 μ 20 μ
Tip 3 50 μ 45 μ 45–25 μ 20 μ
Tip 4 40 μ 38 μ 38–20 μ 20 μ
Tip 5 30 μ 25 μ 25–15 μ 15 μ
Tip 6 20 μ 15 μ 15–5 μ 5μ

Pastele cu numere mari, deci cu diametre mai mici sunt utilizate

în aplicaţii de tip dispensare şi/sau “fine-pitch”.
20
 Clasificarea pastelor de lipit
După modul de curăţare:
♦ paste de lipit fără curăţare (No-clean)
♦ paste de lipit care necesită curăţare
♦ spălare cu apă
♦ spălare cu solvenţi
După caracteristicile fizice ale particulelor de aliaj de lipit:
Dimensiune Mai puţin de
Mai puţin de
Cate- a maximă <1% mai Minim >90% Maxim <10%
<0.005% mai
gorie (nu mai mari ca între mai mici ca
mari ca
mare ca)
1 180µm 150µm 150-75µm 20µm
2 90µm 75µm 75-45µm 20µm
3 53µm 45µm 45-25µm 20µm
4 45µm 38µm 38-20µm 20µm
5 30µm 32µm 25µm 25-15µm 15µm
6 20µm 25µm 15µm 15-5µm 5µm
7 15µm 11µm 11-2µm
8 11µm 10µm 8 - 2µm
In conformitate cu Standardul ANSI/J-STD-005 si Specificatiile IPC-SF-819
21
22
Fluxul (Decapantul)
Fluxul este un al doilea constituent esenţial al unei paste de lipit. Funcţiile lui sunt în
esenţă aceleaşi ca şi la decapanţii folosiţi la lipirea în val.
Îndepărtarea oxizilor
O funcţie importantă a decapantului este să menţină curat substratul. Decapantul trebuie
să înlăture prin procedee chimice oxidul care este prezent pe substrat, respectiv pe pad-
uri, suprafaţa de lipire sau terminalele componentelor.
Reducerea tensiunii superficiale
Decapantul aduce pe un nivel scăzut tensiunea superficială a aliajului de lipit aflat în
stare fluidă temporară şi facilitează prin aceasta umectarea şi formarea unei legături prin
lipire.
Evitarea altor oxidări
Prin încălzirea locului de lipire poate avea loc o nouă oxidare.
Alţi constituenţi
Solvenţi, activatori, ş.a. au rol de a realiza funcţii suplimentare: viscozitate, thixotropie,
etc.

23
¾ Componenta metalică: particule de aliaj de lipit, formă, dimensiuni,
conţinut de oxigen

24
 Aliaje de lipire fără plumb

Temperaturi joase Temperaturi medii Temperaturi mari Temperaturi foarte mari

(<180ºC) (180-200ºC) (200-230ºC) (>230ºC)
Temperatura Temperatura Temperatura Temperatura
Compozitie de topire Compozitie de topire Compoziţie de topire Compoziţie de topire

Sn- 58Bi 138 Sn- 9Zn 198.5 Sn- 3.5Ag 221 Sn- 5Sb 232-240
Sn- 8Zn-
Sn- 52In 118 3Bi 189-199 Sn- 2Ag 221-226 Sn- 80Au 280
Sn- 20Bi- Sn- 25Ag-
Sn- 50In 118-125 10In 143-193 Sn- 0.7Cu 227 10Sb 233
Sn- 3.5Ag-
80 3Bi 206-213
70 67 Utilizarea aliajelor de Sn- 7.5Bi-
60
lipire pe plan mondial 2Ag 207-212
50
Sn- 3Ag-
40
0.5Cu 217
30
20
Sn- 3.8Ag-
13
10
6
0.7Cu 217
10 3 1
0 Sn- 2Ag-
SAC SnAg SnAgBi SnAgCuBi SnZnBi SnCu 0.8Cu-
0.5Sb 216-222

25
 ADEZIVI UTILIZAŢI ÎN TEHNOLOGIA MONTĂRII PE
SUPRAFAŢĂ

Adezivii neconductori
SMA-Surface Mount
Adhesives

Adezivi conductori
ECA – Electrically
Conductive Adhesives

26
 Adezivi neconductori pentru montarea pe
suprafaţă - SMA

Cerinţe ale adezivilor

•consistenţă suficient de mare în stare netratată (“wet strength” sau
“green strength”) + viscozitate suficient de mare
•tărie şi aderenţă bune pentru a susţine componentele în timpul
procesului de lipire în val + rezistenţă la şocul termic + flexibilitate
•trebuie să permită viteze mari de aplicare şi realizarea de puncte mici
•tratament rapid
• trebuie să aibă o culoare care să contrasteze cu culoarea substratului
•nu trebuie să influenţeze fiabilitatea modulului electronic
•adezivii trebuie să permită efectuarea operaţiilor de repair & rework
•durată mare de stocare (shelf life)
•trebuie să fie netoxici, fără miros, nepoluanţi şi neinflamabili

27
 Tipuri de adezivi

•Monocomponentă – uşor de utilizat, dar cu durată de

stocare limitată (shelf life)

•Din două componente – stocare îndelungată, dar după

amestec durată de stocare foarte redusă (pot life)

•Tratament termic de întărire – adezivi epoxidici

Temperatură de 100°- 160°C timp de 2-10 minute

•Tratament de întărire UV (+ căldură) – adezivi acrilici.

Lumină U.V. cu λ≈ 0,3 µm timp de câteva secunde

28
 Aplicarea adezivilor în funcţie de metoda
de tratament

Aplicarea adezivilor
epoxidici

Aplicarea adezivilor
acrilici

29
 Adezivi conductori pentru montarea pe suprafaţă - ECA

•Utilizaţi la realizarea interconectărilor, ca posibili înlocuitori

ai aliajelor de lipit de tipul Sn-Pb
•Posibil de utilizat numai în tehnologia montării pe suprafaţă
•Sunt ecologici, nu conţin plumb
•Adezivii conductori oferă varianta unui proces de montare a
componentelor electronice la o temperatură relativ scăzută
Produc solicitări mecanice mai reduse asupra componentelor
•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o
rezoluţie mai mare decât în cazul aliajul de lipit

30
 Tipuri de adezivi conductori
Aşchii din material
conductor

Adezivi conductori izotropici Pad conductor - componentă

(ICA)
Liant
Pad conductor- substrat polimeric

Bile Terminal
Masă conductoare componentă
Adezivi conductori anizotropici polimerică Pad pe
substrat
(ACA, ACF), electric conductori într-
o singură direcţie (notată cu Z)
Substrat

31
Procesul de realizare a interconectării cu adezivi conductori

TRATAMENT DE
APLICAREA ADEZIVULUI PLASAREA SOLIDIFICARE
-DISPENSARE COMPONENTELOR
(CĂLDURĂ)
-SERIGRAFIE

Etapele de realizare a unei interconectări cu

adeziv conductor izotropic

Realizarea unei
interconectări cu folie
de adeziv conductor
anizotropic (ACF)

32
 Metode de depunere a adezivilor

•pini de transfer
•serigrafie
•procedeul timp /presiune
•cu pompă melc (Auger, şurub Arhimede)
•dispensare cu jet

33
 Metoda de depunere cu pini de transfer

pin pentru transferul

adezivului “baie” cu adeziv

•Este cea mai rapidă metodă de aplicare

•Adezivul trebuie să aibă o viscozitate redusă la temperatura băii
•La schimbarea circuitului trebuie refăcut dispozitivul de depunere
•Expunerea la atmosferă deschisă duce la absorbţia de umiditate
•Dificil de utilizat pentru componente SMD mai mici ca 1206
•Utilizată în mai puţin de 10% din totalul aplicaţiilor cu adeziv SMA

34
 Depunerea adezivilor prin serigrafie

Cu sită Cu şablon
• Imprimarea cu profile abrupte depinde de • Profile şi contururi foarte abrupte
orientarea ţesăturii şi unghiul acesteia
• Suprafaţă neregulată a imprimării • Suprafaţă plată
• Imprimarea unor structuri interioare (tip • Imprimarea unor structuri interioare (tip inel)
inel) este posibilă este imposibilă
• Imprimarea unor straturi mai groase de • Imprimarea unor straturi subţiri sub 30 μm
150 μm este problematică este dificilă
• Durată de viaţă redusă • Durată de viaţă foarte mare
• Preţ scăzut • Preţ foarte mare 35
 Dispensarea prin metoda timp /presiune

Seringă

Presiune

Ac de dispensare
Adeziv

0
Timp

•Este cea mai utilizată metodă

•Metodă simplă, ieftină şi flexibilă
•Calitatea punctului dispensat depinde puternic de
viscozitatea adezivului
•Dificil de aplicat pentru depuneri cu volum foarte mare de
pastă şi pentru componente “fine pitch”

36
 Dispensarea prin metoda pompei elicoidale –
(în engleză sistem tip Auger)

•Poate fi utilizată cu o gamă variată

de adezivi
•Este mai puţin sensibilă la
schimbările de viscozitate ale
adezivului
•Necesită control 3D al mişcării
•Asigură o precizie a cantităţii
dispensate şi o reproductibilitate mai
bună decât metoda timp-presiune
•Echipament mult mai scump
•Necesită întreţinere şi curăţare
periodică

37
 Metoda de dispensare cu jet

•metodă nouă de aplicare a

adezivilor
•nu necesită contact cu placa
de circuit imprimat
•necesită control doar în două
dimensiuni
•viteză cu 10-50% mai mare
faţă de pompa sistem Auger
•poate depune o singură
mărime de punct,
corespunzătoare reglajelor

38
Probleme care pot apărea în aplicarea adezivului

•Întinderea adezivului
•“Sateliţii”
•Fenomenul “Popcorning”

39
Realizări experimentale în domeniul interconectărilor
cu adezivi conductori

Modul experimental

Structură de test pentru

măsurarea rezistenţei lipiturilor

40
 Consideraţii privind utilizarea adezivilor conductori

Consideraţii generale

• Procesul de realizare a lipiturii prin adeziv conductor necesită

mai puţine operaţii ca în cazul utilizării aliajului de lipit
• Element important: procesul de aplicare a adezivului
• Pastilele de lipire (padurile) circuitelor imprimate trebuie
reproiectate, faţă de cele utilizate pentru aliajul de lipit clasic
• Temperatura de procesare este suficient de scăzută
producând o solicitări reduse componentelor electronice
• Se pot utiliza circuite imprimate flexibile
• Corespund standardelor de protecţie a mediului (lead free)

41
 Consideraţii privind utilizarea adezivilor conductori

Dezavantaje în utilizarea adezivilor conductori:

•Asamblarea componentelor necesită o precizie şi o rezoluţie

mai mare - nu se mai realizează autoalinierea componentelor
•Rezistivitate volumică mult mai mare ca a aliajului de lipit
•Domeniul temperaturilor de lucru este mai îngust
• Aplicabilitate limitată în electronica de putere
•Sunt încă în proces de dezvoltare, nu sunt un produs matur
•Sunt scumpi, datorită metalelor nobile incluse
•Stocarea adezivilor epoxidici izotropici monocomponentă
necesită răcirea la –40 °C, deci implică costuri suplimentare

42
 Asamblarea componentelor - maşini pick and place

Asamblarea componentelor este realizată de regulă în mod automat.

Echipamentele utilizate se numesc generic maşini “pick and place”.
Asamblarea componentelor începe cu transportul plăcii spre maşină pe un sistem
conveyor şi fixarea pe poziţia de lucru. Apoi o cameră CCD se deplasează pe
deasupra plăcii pentru a identifica marcajele utilizate pentru alinierea optică,
numite generic “fiducials”, vezi figura.

O placă trebuie să aibă 2 sau 3 marcaje fiducials la distanţe corespunzătoare, pentru

o aliniere cât mai bună.
După această etapă o duză cu vid trece la preluarea componentei (pick) din
dispozitivul de alimentare (feeder). 43
Deoarece poziţia de preluare nu este foarte precisă, este necesară centrarea
componentei, care este de fapt alinierea componentei cu centrul duzei de plasare.
Centrarea poate fi mecanică sau optică.
La centrarea mecanică are loc o deplasare efectivă a componentei în poziţia
corectă cu ajutorul unor dispozitive mecanice (fălci).
La centrarea optică componenta nu este efectiv deplasată din duză, dar se
calculează abaterea faţă de poziţia corectă, urmând să se corecteze coordonatele
de plasare ale componentei.
Centrarea optică se poate face cu laser pentru componente cu contur simplu sau
cu abateri permise la plasare mai mari, de obicei acest dispozitiv este plasat pe
capul de plasare şi permite calculul abaterii din mers “on the fly”. Este metoda prin
care se înlocuieşte centrarea mecanică.
Pentru componente “fine pitch” se utilizează aşa numitul “vision system”. Practic
sistemul este compus dintr-o cameră CCD specială care permite recunoaşterea
componentei şi compararea imaginii cu o imagine din bibliotecă, apoi se
calculează abaterea de prindere în duză. De obicei camera este plasată mult în
afara zonei de plasare, aşa că operaţia este mai lentă, pe lângă timpul de
recunoaştere se mai adaugă timpul pentru deplasarea dus-întors a capului de
plasare.

44
45
Sisteme “Vision”

46
 Mecanisme de acționare – ”walking beam”
Echipamente ”walking-beam”. Acest tip de echipament este proiectat pentru
medii de producţie cu un volum extrem de mare. Plăcile sunt de obicei montate
pe nişte palete înaintea asamblării. Paleta este apoi trecută rând pe rând printr-
o serie de staţii de lucru.

Pentru a schimba produsul

paletele trebuie să fie
ajustate, ”feeders” trebuie
repoziţionaţi şi terminaţiile
şi capetele de plasare
(heads) reutilate. Din
aceste cauze acest tip de
echipament este preferat în
cazul în care un număr
limitat de produse sunt
produse nonstop.

47
 Mecanisme de acţionare – ”gantry style”
Echipamentele de tip Gantry- ganteră folosesc un cap de plasare montat pe o bară (beam),
permiţând accesul capului de plasare la toate poziţiile unde se află feeder-ele ca şi la plăci. Atât
component feeders cât şi plăcile rămân nemişcate în timp ce capul de tip ”pick-up” montat pe
gantry se duce la feeder, procesează vizual părţile după care le duce la locul potrivit pe placă.

Pentru a mări viteza echipamentele de tip gantry acestea pot avea mai multe duze pe un singur
cap de plasare şi pot folosi mai mult de o ganteră pe echipament. În timp ce un cap colectează
componentele, celălalt le plasează şi vice versa.

Sistem de plasare “fine pitch” tip ganteră X-Y

48
 Echipamente ”collect and place”
Echipamentele ”collect and place” adună mai multe componente din feeder
după care le plasează la locul lor, pe placa imprimată. Eficienţa acestor
echipamente este de până la 80.000 de componente pe oră. Precizia lor este
destul de mică (30-40 µm), fiind deci potrivite pentru plasarea componentelor
SMD mici, care nu necesită o precizie mare. Se mai numesc “chip shooter”.

49
Sistem de plasare “chip shooter” cu cap revolver

50
Erori care pot apărea la plasarea componentelor pe placă

- Componenta cade din duză

- Plasare eronată şi offset rotaţional al componentei
plasate
- Polaritate greşită (componenta rotită cu 180 grade)

51
 Centrarea componentelor după lipirea reflow

Componenta cu o plasare imperfectă este centrată de forţele de tensiune

superficială după umectare rezultând în final o lipire corespunzătoare

După plasarea componentelor După lipirea reflow

52
folie
Livrarea
componentelor SMD
SMD în role “blisters” şi
tuburi “sticks”.

Livrarea
componentelor SMD
în tăvi (trays). 53
Fabrica de producţie electronică

54
55
56
57
 Linia de asamblare cu lipire prin retopire
Depunere pastă: Plantare componente: “Pick Lipire prin
Printare and place” retopire
Testare

Inspecţie optică
Printare Plantare Finală

Essemtec – Expert (include inspecţie Cuptor SMT Rework

optică şi facilităţi plantare BGA

58
 Tehnologia de asamblare
cu montare pe suprafaţă, SMT

1.Depunerea pastei de lipire

2.Plantarea componentelor electronice
3.Procesul de lipire prin retopire
4.Inspecţii (optică, cu raze X)
5.Depanelarea
6.Curăţarea
7.Testarea
8.Repararea/reprocesarea modulelor
electronice

59
4. Inspecţia optică

60
Analiza cu raze X

61
 5. Depanelarea
-prin tăiere (V-cut)
-prin rutare (contour routing)

62
Tăiere (V – Cut)

IPC-7351A

63
 6. Curăţarea
Surse ale contaminării

• Fibre epoxy şi de sticlă ale PCB

• Fibre de la îmbrăcăminte
• Pasta de lipire (reziduuri de flux)
• Păr şi piele umană
• Resturi de la împachetare
Tehnologii de curăţare

• Proces de spălare in baie cu jet sub imersie sau

ultrasonic
• Proces de spălare prin pulverizare in aer (spray-in-air)

64
 Principalele grupuri de produse de curăţare

♦ Bazate pe apă
♦ Bazate pe solvenţi, fără apă

♦ Bazate pe agenţi tensio-activi

Maşina de curăţare prin contact

www.teknek.com

65
 7. Testarea modulelor electronice

Testarea funcţională constă în aplicarea unor semnale pe intrările

circuitul imprimat asamblat, alimentat cu energie, si măsurarea
semnalelor la ieşiri. Rezultatul măsurătorilor de la ieşiri se compară cu
valorile aşteptate. Scopul testului funcţional este verificarea
funcţionalităţii întregii plăci şi este cea mai bună metodă de depistare
a componentelor asamblate cu valori greşite, a erorilor funcţionale şi a
ieşirii din parametri.

Testarea "in-circuit" (In-Circuit Test – ICT) este caracterizată prin

aplicarea unor stimuli şi măsurarea semnalelor în nodurile circuitului
de cablaj imprimat. Testarea "in circuit" poate fi asimilată cu o
verificare funcţională a fiecărei componente de pe cablaj, cu
raţionamentul că funcţionarea globală a plăcii poate fi probată de
faptul că fiecare componentă funcţioneaza şi este corect amplasată.

66
 Echipamentele de testare in-circuit

Analizoare ale defectelor de fabricatie:

fabricatie testere in-
circuit foarte simplificate care utilizează măsurătorile
analogice pentru a verifica procesul de fabricaţie. Iniţial
folosite pentru circuite simple, ele sunt o alternativa
ieftină care poate acoperi un număr mare de defecte
posibile pentru componentele analogice simple şi
interconectări de circuite. Nu sunt recomandate pentru
testarea funcţionalităţii componentelor digitale, a APT-8400CE,
circuitelor analogice complexe sau pentru semnale Takaya, Flying
mixte.
probe tester
Testoare combinationale,
combinationale combină capabilitatea
testerului in-circuit cu cea a unui sistem de test
funcţional pentru a realiza o acoperire a posibilelor
defecte într-un grad foarte mare şi o mare acurateţe în
diagnosticarea cauzelor. Sunt efectuate teste
funcţionale analogice, digitale şi mixte, ceea ce acoperă
marea parte a componentelor de pe un cablaj.
67
 Introducere în tehnologia
circuitelor imprimate -PCB

Clasificarea structurilor PCB

Materiale pentru PCB - proprietăţi şi
influenţe
Aspecte ale etajării straturilor
Tehnologii de fabricaţie
Interfaţa proiectant-producător

1
 Introducere în PCB
Clasificarea structurilor PCB
PCB sau PWB?
„ PCB - Printed Circuit „ PWB - Printed Wiring
Board Board
“Printed Circuit, for better
or worse, has entered PWB este termenul
the world’s language as preferat astăzi de unii
the most used name of specialişti în industria
the process” of on- electronică.
board interconnections”.
Clyde F. Coombs, JR

2
“Biblia” în domeniu: Printed Circuits Handbook
editor Clyde F. Coombs, JR.

„ Ediţia 1 în 1967 - 16 capitole/11 autori

„ Ediţia a 5-a în 2001 - 61 capitole/41 autori
„ Ediţia a 6-a în 2008 – 67 capitole/44 autori
„ Ediţia a 7-a în 2016 – 71 capitole/39 autori

3
Circuite imprimate
„ Plăcile de circuit imprimat PCB (Printed Circuit Boards) sau PWB (Printed
Wired Boards) reprezintă principalul suport şi element de interconectare al
componentelor electronice, în această etapă de dezvoltare tehnologică.
„Plăcile de circuit imprimat sunt de obicei părţi ale unui echipament electronic
mai complex sau părţi ale unui aparat.
„Din perspectiva packagingului electronic plăcile de circuit imprimat se
situează pe nivelul ierarhic 2, nivelul 3 este reprezentat de plăcile de bază iar
pe nivelul 4 se află aparatul (sistemul) electronic.
„La începuturile producţiei de aparate electronice, în epoca tuburilor
electronice, şi chiar după apariţia tranzistoarelor, tehnologia de realizare a
echipamentelor electronice presupunea interconectarea componentelor cu
fire de legătură prin metoda „punct la punct”.
„Fiecare componentă era montată individual pe un suport mecanic izolator,
iar firele de legătură erau lipite sau sudate între terminalele sau soclurile
componentelor.
„Ca urmare, produsele erau voluminoase şi aveau o construcţie incomodă
pentru eventuale reparaţii.

4
Echipament electronic vechi (cca. anul 1960)

Circuit imprimat Fără circuit imprimat

5
Televizor LCD

6
Avantajele utilizării PCB
„ Se pot realiza producţii mari la preţuri unitare reduse.
„ Se reduce dimensiunea şi greutatea aparatului electronic.
„Se pot utiliza metode de asamblare automatizate pentru plantare şi
interconectare (lipire).
„Se asigură un înalt nivel de repetabilitate şi uniformitate a
caracteristicilor electrice a subansamblului electronic de la placă la placă.
De asemenea, nu se modifică caracteristicile electrice şi elementele
parazite în cadrul unei plăci, modificare care ar fi fost posibilă, de
exemplu, prin operaţiile de asamblare utilizate la tehnica „punct la punct”.
„Prin poziţionarea componentelor în locuri bine stabilite pe placă se
uşurează intervenţiile de mentenanţă şi service a aparatului electronic.
„ Se reduce timpul de inspecţie, poziţiile fixe ale componentelor şi
traseele conductoare imprimate reducând posibilitatea de apariţie a
defectelor.
„Se reduc posibilele defecte de tipul unor conectări greşite, inclusiv scurt-
circuite sau conexiuni lipsă, dacă asamblarea componentelor a fost
realizată corect.

7
 Clasificare

„ După numărul de straturi: - single layer

- double layer
- multi-layer
„ După tipul substratului: - substrat rigid
- substrat flexibil
- substrat rigid–flex
„ După criteriul “layers/via” :
- cu găuri ne-metalizate
- cu găuri metalizate (PTH)
- cu via speciale
- cu conexiuni obţinute prin tehnologii
aditive
8
„ După criteriul “Tehnologii de fabricaţie” :
- tehnologie substractivă
- tehnologie aditivă
- tehnologie semi- aditivă
„ După criteriul “Punct de vedere funcţional” :
- structuri de interconectare pure
- conţin componente PCB, R, L, C, elemente de
microunde, linii cu constante distribuite
- parte a dispozitivelor de comutaţie
- parte a maşinilor electrice

9
 Tipuri de PCB

Circuit flexibil

Circuit rigid

Circuit rigid-flex

10
Tipuri de PCB
Circuit cu un strat
(simplu strat, simplă faţă )

Circuit cu două straturi şi

găuri metalizate

Circuit cu patru straturi

(două planuri de masă)

11
Tipuri de PCB

a)

b)

c)

d)

e)

Tipuri de circuite imprimate a) cu un strat, b) cu două straturi, c) multistrat

(straturi multiple), d) cu substrat metalic, e) cu strat intern metalic.

12
 Materiale pentru PCB

2 3

1 - miez
2 – folie metalică
3 – material pentru contact între folia metalică şi substrat

13
 Miez (Core) – un substrat dielectric
Cerinţe generale:
„ Proprietăţi electrice: rezistivitate, permitivitate
relativă, factor de pierderi (tangenta δ), rigiditate
dielectrică => bune şi stabile în timp;
„ Rezistenţă la temperatura de lucru şi la temperatura
de lipire (200 – 260 °C);
„ Absorbţie minimă a umidităţii;
„ Stabilitate dimensională şi comportare bună la
solicitări mecanice;
„ Stabilitate chimică şi la factori de mediu;
„ Ne- inflamabile (flame resistant/retardant- FR);
„ Prelucrare mecanică convenabilă;(frezare, găurire,
poansonare – ştanţare)
„ Preţ redus;

14
Factorul de pierderi - tanδ
δ - unghiul de pierderi
θ - unghiul de fază
I – curentul
Ir- componenta rezistivă a lui I
Ic- componenta capacitivă a lui I
Ir 1
tan δ = =
I C ωCe Re

Factorul de pierderi creşte cu temperatura şi cu

umiditatea şi scade uşor cu frecvenţa
Datele de catalog trebuie să fie atent examinate, în
funcţie de condiţiile de măsură.

Material Factor de pierderi

Laminate pe bază de hârtie şi răşină fenolică 0,02–0,08
Laminate pe bază de fibre de sticlă şi răşină epoxidică 0,01–0,03
Laminate pe bază de fibre de sticlă şi teflon (PTFE) 0,0008–0,005

15
 Tipuri de miez:
a) Miez stratificat (întăritor + răşină) – substraturi de
hârtie, fibre textile sau fibre de sticlă impregnate cu
răşină şi tratate termic la mare presiune;
Ex.: hârtie + răşină fenolică = FR2
fibre de sticlă + răşină epoxidică = FR4
b) Miez organic termoplastic
- folie de poliamidă (foarte bună dar scumpă);
- folie de poliimidă;
- folie de poliester (PET);
- folie de polietilenă;
- folie de polipropilenă;
c) Miez ceramic:
– bazat pe diferiţi oxizi (Al2O3 – cel mai utilizat);
– mai ales în tehnologia aditivă
d) Miezuri speciale;

16
 Laminate PCB
Semifabricatul uzual de la care se pleacă la fabricaţia PCB este numit,
generic, laminat.
Este un material compozit ce conţine mai multe straturi laminate de
material întăritor (reinforcement) şi liant (binder)
Ex. de liant:
răşină fenolică – produse de larg consum sau cu preţ mic
răşină epoxidică – produse profesionale
poliimidă şi altele – produse de înaltă performanţă sau cu cerinţe
deosebite
Ex. de materiale de întărire:
hârtie
fibre de sticlă ţesute
fibre de cuarţ, de aramid (Kevlar), de carbon

17
 CTE şi Tg

„ CTE (ppm/°C), „ Tg, temperatura de

coeficientul de dilatare tranziţie a sticlei ,
liniară (expansiune)- reprezintă graniţa dintre
Coefficient of Thermal starea sticloasă,
Expansion, reprezintă
caracterizată prin duritate ,
modificarea dimensiunilor
unui corp material în tărie , şi CTE mic şi starea
direcţiile OX,OY, OZ şi non-vitroasă (~ gel), cu o
poate fi diferit pe cele trei dilatare excesivă a
direcţii. materialului, CTE mare,
duritate mică.

18
 Tg şi coef. de dilatare
wAlungire
w w

wTg
w wTemperatură

19
 Tg şi coef. de dilatare

w
Alungire
3

Temperatură

De cele mai multe ori un material cu Tg mare are o comportare mai bună la temperaturi
mari. Pot exista şi excepţii, de ex. materialul 2, deşi are Tg mult mai mică decât 1 şi 3,
datorită alungirii mai mici peste Tg are un comportament mai bun decât20materialul 3 şi
chiar decât 1 la temperaturi foarte mari.
Materiale pentru semifabricatele laminate utilizate la circuitele imprimate, conform
NEMA -National Electrical Manufacturers Association, USA, - Asociaţia
producătorilor din domeniul electric din SUA

Clasificare Sistem Întăritor Descriere

NEMA răşină
XXXPC Fenolică Hârtie Hârtie şi răşină fenolică, poansonabilă la
temperaturi joase
FR-2 Fenolică Hârtie Hârtie şi răşină fenolică, poansonabilă la cald,
rezistentă la foc
FR-3 Epoxidică Hârtie Hârtie şi răşină epoxidică, poansonabilă la
rece, rezistenţă de izolaţie mare, rezistentă la
foc
CEM-1 Epoxidică Hârtie –sticlă Miez de hârtie şi răşină epoxidică şi fibră de
sticlă la suprafaţă laminatului, rezistentă la foc
CEM-3 Epoxidică Fibră de Miez de fibră de sticlă neţesută şi răşină
sticlă epoxidică şi fibră de sticlă ţesută la suprafaţă,
rezistentă la foc
FR-6 Poliester Fibră de Fibră de sticlă neţesută şi poliester, rezistentă
sticlă la foc
FR-4 Epoxidică Fibră de Fibră de sticlă ţesută şi răşină epoxidică,
sticlă (ţesută rezistentă la foc 21
R einforcem ent R esin ID R eference Tg R ange

C ellulose Paper Phenoic, Flam e FR -1 N /A

R esistant
C ellulose Paper Modified FR -2 N /A
Phenolic,
Flam e R esistant
C ellulose Paper Modified E poxy, FR -3 N /A
Flam e R esistant
W oven E-G lass Modified E poxy, C E M-1 N /A
S urface/ Flam e R esistant
C ellulose Paper
C ore
W oven E-G lass Polyester, Flam e C E M-2 N /A
Face Sheets/ R esistant
E-G lass Felt
C ore
W oven E-G lass E poxy, Flam e C E M-3 N /A
Face/ R esistant
N on W oven
G lass C ore

22
R einforcem ent R esin ID R eference Tg R ange

W oven E-G lass E poxy, Flam e G -10, 100 0 C m in

Fabric R esistant MILS-S-13949/03
– G F/G FN /G FK
W oven E-G lass Epoxy,H ot G -11 G B 110 0 C m in
Fabric Strength
R etention,
N on-Flam e
R esistant
W oven E-G lass E poxy/ Flam e FR -4, MIL-S- 150 0 C -200 0 C
R esistant 13949/04 –
G F/G FG
W oven E-G lass Majority Epoxy FR -4, MIL-S- 175 0 C -220 0 C
Modified or 13949/04 –
U nm odified, G F/G FT
Flam e R esistant
W oven S-2 C yanate Ester MIL-S-13949/27 230 0 C m in
G lass
W oven E-G lass C yanate Ester MIL-S-13949/29 230 0 C m in
– GC

23
 “Miezuri speciale” PCB

Exemplu de “miez special” , bazat pe sticlă şi aluminiu

Traseu de semnal Substrat de sticlă

Strat de răşină Plan de masă

Traseu de semnal

Strat de răşină

Substrat solid din aluminiu

24
Structură PCB
bazată pe sticlă

Structură PCB bazată

pe aluminiu

25
 FR4: “cel mai bun” proprietăţi
εr/1MHz εr/1GHz CTE Dielectric Tg
(ppm/°C) Strength (°C)
(V/mm)

FR4 4.5 ... 5.3 4.0 ... 5.0 15 ... 25 9450 90...220

26
 Ţesătura din fibre de sticlă

Există o mare varietate de ţesături în funcţie de compoziţia sticlei, diametrul

firelor, tipul fasciculului (fibrelor), forma şi modul de ţesere, etc. În figuri sunt
prezentate cele mai întâlnite tipuri de ţesături.

2116
1080

7628
27
Schema unei instalaţii pentru realizarea laminatului pe bază
de fibre ţesute

28
 2. Folie metalică

• Cupru (Cu) de înaltă puritate – mai bună de 99%;

• Grosimea foliei de Cu pentru tehnologia
substractivă: 9µm, 17µm (0.5 oz.), 35µm (1 oz.), 70
µm (2 oz.) şi 105 µm.

• Foarte rar sunt utilizate alte materiale metalice

sau aliaje ale acestora:
Ag, Al, Sn, Au, Ag – Pd

29
Foliile de cupru pot fi realizate prin două metode: roluire mecanică
(vălţuire ) şi prin depunere
wDepunerea poate fi: Depunere electrochimică,
wDepunere chimică (electroless),
wDepunere în fază de vapori,
wpulverizare catodică (sputtering).

Prima metodă de depunere este cea mai utilizată pentru realizarea foliei
de cupru utilizate la fabricaţia laminatelor PCB.

Foliile obţinute prin laminare (roluire) sunt foarte flexibile şi se utilizează

în prezent în special pentru circuite flexibile

30
 Instalaţie pentru
realizarea foliei de
cupru prin depunere
electrochimică

Instalaţie pentru realizarea foliei

de cupru prin roluire

31
 Acoperirea de protecţie a conductorului
(Conductor Finishes)
În mod uzual cuprul este acoperit cu Sn, Sn-Pb, Au,
Ag, Pd (cu grosimi mici ~ µm)
„ HASL (Hot Air Solder Leveling) – solderabilitate excellentă,
probleme de planeitate şi pentru “fine pitch”;
„ OSP (Organic Solder Protection) – solderabilitate bună, fără
probleme de planeitate, protecţie pe durată limitată, se
poate aplica pe toate substraturile;
„ Ag-electroless (Ag chimic, depunere fără curent)-
solderabilitate bună, nu sunt probleme de planeitate;
„ Ni şi Ni cu Sn şi-sau Au – solderabilitate bună, rezistenţă la
uzură; (ex: ENIG- Electroless Nickel Imerssion Gold)

32
 3. Materiale de contact între folia
metalică şi substrat

PCB laminate vs. PCB clad laminate

„ PCB laminate:
base system for manufacturing of PCB in
which the metallic (usually Cu) foil is bonded to
the substrate using an adhesive.
„ PCB clad laminate:
base system for manufacturing of PCB in
which the metallic (usually Cu) foil is bonded to
the substrate without an adhesive.

33
 Adezivi pentru laminatele PCB
adezivi pe bază de material:
„ poliester - modificat; temperatură medie spre mare,
procesabil ca rolă;
„ acrilic – temperatură ridicată, termorigid;
„ fenolic - temperatură ridicată , flexibilitate medie;
„ epoxidic - temperatură ridicată, flexibilitate mărită;
„ poliimidic - temperatură foarte ridicată, CTE mic;
„ fluoropolimeric – constantă dielectrică redusă;

Exemplu: partea foliei metalice care va fi în contact cu

miezul este mai întâi oxidată. Legătura este asigurată de
adezivi şi se realizează prin presare şi tratament termic.

34
STRUCTURA DE LAYERE

PCB real

„ Layere metalice
(interconexiuni)
„ Layere dielectrice (izolare)
layere: miez şi pre-preg (pre-
impregnated fabric)

35
Example: 6L-PCB

36
 Stratificarea tipică a ML-PCB

„ 4L-PCB: S-G-P-S, S-P-G-S, P-S-S-G, G-S-S-P;

„ 6L-PCB: G-S-G-P-S-G, S-P-S-S-G-S, S-G-S-S-P-S;

„ 8L-PCB: G-S-S-G-P-S-S-G, S-G-S-P-S-G-S;

37
Fig. 4.14 Secţiune printr-un circuit imprimat multistrat cu 8 straturi ce conţine vias-uri între
straturile interne - găuri îngropate (burried vias).
Fig. 4.15 Secţiune printr-un circuit imprimat multistrat cu 6 straturi ce conţine vias-uri între
straturile externe şi unul intern - găuri oarbe (blind vias) şi între straturile interne38
- găuri
îngropate.
Din figuri se observă contactul straturilor interne de cupru la gaura metalizată

39
40
 Tehnologii de fabricaţie

Tehnologii de fabricaţie:
1. substractive;
2. aditive;
3. semi-aditive.

41
Tehnologia substractivă Tehnologia aditivă

42
 Tehnologia substractivă
Tehnologia substractivă este cel mai mult utilizată
pentru fabricaţia PCB standard pe substrat rigid.
Este bazată pe gravare , corodare (“etching”) şi pe
noţiunea de gaură metalizată “plated through hole”.

Plated Through Hole (PTH) - the foundation

for all electronic packaging and on-board
interconnection of components.

43
PCB 1 Strat (SL-PCB, single-layer PCB) fără via, non-
plated through holes (non-PTH)

Două metode principale:

Fabricarea pe baza imaginii pozitive
1. Tăiere
2. Găurire, frezare
3. Periere
4. Pregătire suprafaţă
5. Transferul imaginii pozitive
(serigrafie, foto, offset)
Fabricarea pe baza imaginii
negative
1. Cutting
2. Drilling, milling
3. Brushing
4. Surface preparation
5. Transfer of negative image
(silk-screen, offset, photo)

44
6. Corodare (Etching) 6. Galvanic deposition of an
7. Decontaminare (etching + etching resistant metal/alloy (Ag,
decontamination agents ) Au, Zn-Pb, Sn-Pb)
8. Îndepărtarea cernelei de 7. Removal of the protection ink,
protecţie, spălare rinsing
9. Depunere Solder-mask, silk- 8. Etching
mask 9. Decontamination
10. Solder-mask, silk-mask
deposition

OBS. La fabricarea pe baza imaginii negative rolul de mascare la corodare

revine unui strat metalic (depunere) şi nu fotorezistului.

45
 Exemplu: Operaţii practice la fabricarea 1L-PCB
1. Film preparation
2. Drill file preparation
3. Cutting
4. Drilling
5. Optional milling into board area
6. Control
7. Circuit image transfer (based
on ink or photo-resist)
8. Control
9. Etching
10. Stripping ink or photo-resist
11. Control
12. Solder–mask (ink/photo)
13. Control
14. Selective gold plating &
testing of Au deposition
15. Thermal Sn-Pb deposition
16. Silk–mask (ink/photo)
17. Control
18. Cutting boards to final
dimensions
19. Final control
20. Numbering, packing
46
 Tehnologia plăcilor de circuit imprimat simplă faţă
Material de bază: placă acoperită cu folie de cupru
Cupru

Mască pozitivă Mască negativă

(fotorezist, screen printing) (fotorezist, screen printing)
Fotorezist

Mască pozitivă metalică (Sn, Sn/Pb…)

Corodare

Îndepărtare mască

Subcorodare- Efectul de
Corodare
(Undercutting) “ciupercă”

[Îndepărtare mască metal („orange effect”)]

47
 Tehnologia plăcilor de circuit imprimat simplă faţă
Soldermask

traseu pad

Pentru a îmbunătăţi solderabilitatea :

• hot air leveling (acoperire cu eutectic Sn/Pb )
• electroless Ni + Au
• electroless Sn
• electroless Ag
• depuneri de pelicule organice (OSP)

48
2L-PCB (DL-PCB, double-layer PCB) cu găuri metalizate
(PTHs)

De ce găuri metalizate?
„ Asigură contact electric între straturi;
„ Lipire de înaltă calitate a componentelor
electronice;
„ Fixare mai bună a terminalelor;
„ Funcţionare cu performanţe superioare a
ansamblului PCB, pe baza numărului mai mare de
staturi (plane de masă, decuplări);

49
 Fluxul de operaţii la fabricaţia 2L-PCB
„ Tăierea laminatelor PCB 2L;
„ Găurire şi curăţarea găurilor;
„ Acoperire globală a suprafeţelor şi găurilor cu
catalizator;
„ Depunerea chimică cupru;
„ Transferul imaginii circuitului pe baza filmelor de
fabricaţie (cerneală serigrafică, procedeu foto);
„ Depunere electro-chimică cupru pentru mărirea
grosimii cuprului (depus chimic);
„ Depunere electro-chimică a stratului de protecţie (Sn-
Pb, Zn-Pb, etc.);
„ Îndepărtarea cernelii sau a foto-rezistului;
„ Corodare;
„ Îndepărtarea stratului de protecţie;
„ Găurire (găuri ne-metalizate) şi frezare arii (decupaje);
„ Aplicare mască de lipire (solder-mask), mască de
inscripţionare (silk-mask);
50
General manufacturing flow of a 2L-PCB (engl.)
„ Basic cutting 2L PCB laminate;
„ Drilling and cleaning the holes;
„ Covering the surface (and the holes) with catalist;
„ Chemical copper deposition;
„ Circuit image transfer based on prepared
manufacturing films (ink, photo);
„ Electro-chemical copper deposition for increasing of
copper thickness;
„ Electro-chemical deposition of etching protection layer
(Sn-Pb, Zn-Pb, etc.);
„ Stripping ink, photo-resist;
„ Etching;
„ Stripping protection layer;
„ Drilling holes and milling cut areas;
„ Applying solder-mask, silk-mask;
51
Laminat dublu strat wDepunere galvanică
strat rezistent la corodare
(Sn-Pb, Sn, Ag, Au)
Găurire

wÎndepărtare fotorezist
Activare; Depunere
chimică Cu
wCorodare Cu

Aplicare fotorezist
wÎndepărtare strat
protector corodare

Developare fotorezist Imprimare mască lipire

(solder mask)
wAcoperire protecţie
finală (Sn, OSP, Au-Ni)
Depunere galvanică Cu
(îngroşare)

Flux tehnologic circuite imprimate dublu strat cu găuri metalizate

52
 Detalii despre operaţiile tehnologice

„ Găurire
„ Curăţarea suprafeţelor şi debavurarea găurilor ("deburring"), şi o uşoară
corodare pentru a asigura aderenţa în etapele următoare
„ Activarea pentru depunerea chimică.
„ Imersarea într-o soluţie ce conţine ioni Sn2+ , pentru a creşte
sensibilitatea suprafeţei, ionii fiind adsorbiţi pe suprafaţă. Activarea
are loc într-o soluţie acidă de clorură de paladiu, care este
transformată în Pd metalic. Reacţia este :
Sn2+ + Pd2+ -> Sn4+ + Pd.
În procesul ulterior de depunere chimică, Pd va cataliza depunerea
cuprului.

53
Depunerea chimică a Cu:
„ Imersarea într-o baie reducătoare ce conţine ioni Cu2+ , de exemplu
soluţie de CuSO4 dizolvat în apă.
„ Formaldehida, HCHO, este cel mai întâlnit compus reducător. În această
baie , ionul Cu2+ este redus la Cu care acoperă întreaga suprafaţă , inclusiv
găurile, inclusiv suprafeţele izolatoare electric. În acelaşi timp, formaldehida
este oxidată în acid acetic.
„ Grosimea depusă este de cca. 3 µm. Scopul depunerii este de a crea o
suprafaţă conductoare, pentru etapele următoare.
Depunerea electrochimică (electrolitică) a Cu:
„ imersarea într-un electrolit care conţine ioni Cu2+ , cum ar fi CuSO4
dizolvat în H2SO4. Laminatul (placatul) este electrodul negativ (catod), iar
electrodul pozitiv (anod) este reprezentat de o placă metalică. În celula
electrolitică au loc următoarele procese
_
„ La anod cuprul este dizolvat:
„ Cu -> Cu2+ + 2e-.
+
„ La catod are loc următoarea reacţie : Cu2+
„ Cu2+ + 2e- -> Cu,
„ ca urmare, cuprul metalic este depus pe laminat . Este necesar un strat de
Cu depus de aproximativ 25 – 30 µm grosime, pentru a obţine o bună
acoperire în zona găurilor de trecere.

54
 ML-PCB (multi-layer PCB)
ML-PCB nu este o structură masivă bazată pe un laminat
multistrat, ci un SANDWICH compus din diferite
“ingrediente”: folii de cupru, pre-preg (B-stage), laminate
single-layer şi double-layer (C-stage)

Prepreg (pre-impregnated fabric): “O folie care poate fi

ţesută, fire paralele, sau hârtie impregnată cu răşină şi
stocată pentru a fi folosită. Răşina este parţial tratată la
nivelul B stage şi livrată producătorului, care îi dă forma
finală şi termină tratamentul cu căldură şi presiune”.
ML-PCB: după presare şi tratare termică a sandwich-ului =>
ansamblu rigid

55
 wsources: Dyconex, Polar Instruments

Problemă la ML-PCBs: alinierea layere-lor => pentru

performanţe ridicate este necesară o aliniere cuasi-perfectă.

56
Pentru realizarea circuitelor multistrat sunt două opţiuni.

Strat “Top”
Miez
Strat intern 1
Prepreg
Plan de masă
Miez
Plan de alimentare
Prepreg
Strat intern 2
Miez
Strat “Bottom”

Folie Cu-Strat “Top”

Prepreg
Strat intern 1
Miez
Plan de masă
Prepreg
Plan de alimentare
Miez
Strat intern 2
Prepreg
Folie Cu-Strat “Bottom”

57
Variante PCB ML

58
Materialul numit prepreg (pre-impregnated fabric – engleză) are o
structură asemănătoare miezului, adică este format din ţesătură din fibră
de sticlă înglobată în răşină epoxidică, dar răşina epoxidică este parţial
tratată termic.
Acest material este utilizat la realizarea circuitelor imprimate multistrat,
fiind intercalat între straturile componente ale circuitului imprimat, fiind
tratat termic complet atunci când se realizează circuitul final. În operaţia
finală structura stratificată este simultan supusă unor temperaturi ridicate şi
unor presiuni foarte mari, într-o presă specială, stratul de prepreg având
un rol de agent de mulare, înglobând eventualele trasee prezente pe feţele
puse în contact.

Răşina utilizată în cazul miezului se mai numeşte de tip „C” (în engleză
C-stage, adică aflată în starea „C”), adică o răşină complet tratată termic şi
polimerizată. Răşina utilizată la prepreg este numită de tip „B” (B-stage-
engl.)

59
Schema unei instalaţii pentru realizarea prepreg-ului

60
 Tehnologia aditivă
Utilizează un substrat neplacat ca bază a structurii
viitoare. Pe acest substrat se depun diferite straturi
conductoare, dielectrice (izolatoare) sau de alt tip
care vor constitui structura PCB.
Avantaje:
„ Traseele şi găurile metalizate sunt generate simultan;
„ Nu există sub-corodare;
„ Nu este necesară decontaminarea;
„ Economie de cupru şi agenţi de corodare;
Dezavantaje:
„ Costuri mari de fabricaţie;
„ Echipament şi tehnologie scumpe;
„ Pot apărea probleme de aderenţă a conductoarelor
imprimate la substrat.

61
 Some frequently used methods (for laminate boards):
Chemical copper deposition
• Deposition of additive
material;
• Drilling, brushing;
• Catalyst deposition;
• Circuit image transfer (based
on ink or photo);
• Chemical copper deposition;
• Stripping ink or photo-resist;
• Drilling non-PTHs;
• Applying of solder-mask, silk-
mask;
Chemical and electro-chemical
copper deposition
• Deposition of additive mat.;
• Drilling, brushing;
• Catalyst deposition;
• Chemical copper deposition;
• Circuit image transfer (based
on ink or photo);
• Electro-chemical copper
deposition;
• Stripping ink or photo-resist;
• Etching the chemically
deposed copper;
• Drilling non-PTHs;
• Applying of solder-, silk-mask;
62
 Tehnologia Semi-aditivă

“Full-additive technology is very different from

the traditional subtractive process in physical
performance and manufacturing costs, both
manufacturers and customers hesitate to adopt
the technology, even though the technology
provides very fine traces. The concepts of semi-
additive process have been developed to fill the
gaps of these technologies”.

63
Tehnologia Semi-aditivă

wTehnologia Semi-aditivă se utilizează la fabricarea PCB pentru a

îmbunătăţi rezoluţia traseelor. Materialul de bază este un laminat placat
cu un strat foarte subţire de cupru, 5μm sau mai subţire, care este
temporar acoperit de folii de 70μm de Al sau Cu cu rol de protecţie.
Aceste folii de protecţie au rol de substrat la realizarea stratului subţire de
cupru prin depunere electrochimică şi ca suport pentru laminare. Foliile
pot fi uşor dezlipite înainte de alte operaţii. După găurire urmează procese
aditive, depuneri selective electrochimice şi/sau fără curent, în ferestrele
unui fotorezist cu grosime mare, rezultând rezoluţii bune şi muchii
perpendiculare. După îndepărtarea stratului de fotorezist, urmează un
proces substractiv. O corodare diferenţială se aplică pentru a îndepărta
stratul subţire de Cu, în timp ce grosimea zonelor depuse electrochimic
scade foarte puţin. Deoarece eroarea ce apare la corodare este
proporţională cu grosimea stratului, prin acest procedeu se obţin rezoluţii
finale mai bune faţă de procedeul substractiv.

64
Tehnologia semi-aditivă
Un mod posibil pentru
producerea substratului

65
Efectul de subcorodare (undercut)

Se iau măsuri de compensare la nivelul artwork-ului

Grosime Cu Compensare Toleranţa

(μm) Artwork (μm) finală (μm)

18 16 +10/-10
35 18 +13/-13

70 20 +25/-25

66
 Fluxul general de operaţii la tehnologia semi-aditivă

1. Depunerea unui strat subţire de conductor (Cu) numit şi

-seed layer pe ambele feţe ale substratului dielectric;
2. Găurire;
Remarcă: Utilizarea tehnologiilor de găurire cu laser sau a altora moderne
pot duce la obţinerea de găuri cu diametrul mai mic de 100 microni;
3. Formarea unui model cu fotorezist de tip negativ prin
metode clasice de transfer a imaginii;
4. Depunere electrochimică de cupru;
5. Îndepărtarea fotorezistului;
6. Corodarea layerelor de tip seed (şi Cu electrochimic);
7., … Etape similare cu cele de la tehnologia clasică
pentru acoperirile finale (finishing);

67
 Substractive Semi-Additive Full-Additive

Current min. 30 microns 20 microns 5 microns

pitch
Possibilities Close to the limit Some more rooms More rooms
for finer
traces
No. of layers > 10 layers > 8 layers > 6 layers

Physical Good Needs improvement Needs improvement

properties for common use for common use

Conditioning Easy Takes time Takes time

Equipment Very possible Needs some new Needs many new

availability equipment equipment

wsource:

68
 Substractive Semi-Additive Full-Additive

Design rules Established Needs new ideas Needs new ideas

Experience Long Middle Small

Customers Familiar Middle Not familiar

Manufacturi Low Middle High

ng cost
Investment Relatively low Middle High

Total cost Relatively low Middle High

wsource:

69
Camera foto în care se lucrează cu fotorezist

cupru

fotorezist

70
Filme care
stau la baza
expunerii
fotorezistului

71
 TEHNOLOGIA STRATURILOR GROASE (TSG).
„ Tehnologia straturilor groase (TSG) prezintă unele caracteristici avantajoase
în utilizare dintre care amintim:
„ performanţa
„ - dimensiuni reduse, comportare bună la frecvenţe mari datorită
elementelor parazite de valori scăzute
„ - puteri disipate mari
„ - rigiditate dielectrică ridicată
„ - posibilitatea de ajustare a componentelor în limite strânse
„ flexibilitatea
„ - o schemă electrică poate fi transpusă direct într-un circuit integrat hibrid
„ - modificarea circuitului se realizează uşor
„ - trecerea de la prototip la producţia de serie se face rapid
„ fiabilitatea
„ - fiabilitate crescută datorită reducerii numărului de conexiuni (prin lipire)
„ - conductivitatea termică ridicată a substratului previne acumulările locale
de căldură şi crearea de puncte fierbinţi pe suprafaţa rezistoarelor
„ avantajele economice
„ - investiţii iniţiale relativ scăzute
„ - costurile de dezvoltare şi producţie sunt reduse
„ - poate asigura rentabilitate chiar la producţii mici
1
Etapele de realizare a unei structuri cu straturi groase
2
Procesul de realizare a unui circuit integrat hibrid cu straturi groase, este descris
în figura anterioară. În cazul unui circuit complex este necesar a se repeta
operaţia de imprimare pentru a depune paste dielectrice şi a se adăuga operaţia
de ataşare a componentelor discrete de valori mari şi a celor semiconductoare .

În continuare se vor descrie etapele mai importante ale procesului, cu un accent

pus pe obţinerea stratului gros prin imprimare.

3
 wRealizarea sitelor şi a măştilor (şabloanelor)

Sitele, respectiv măştile sunt produsul final rezultat prin procesarea

fotografică a layout-ului circuitului. În varianta clasică, layout-ul era realizat
la scară mărită( până la 10:1 ).
Rolul sitelor este de a permite depunerea selectivă a pastelor pe
substratul dorit.
Pe lângă depunerea pastei în zone bine precizate ale substratului măştile
controlează totodată şi grosimea straturilor depuse. Prin site în cele ce
urmează se va înţelege o ţesătură de material (metal sau plastic) având o
acoperire cu emulsie (gelatină), care descrie formele ce se vor depune, în
timp ce prin termenul de mască ne vom referi la o construcţie realizată din
folie metalică.

4
 wConstrucţia şi parametrii sitelor serigrafice

ƒSitele serigrafice sunt structuri ţesute având fire subţiri care se realizează de
obicei din Nylon, Poliester sau oţel inoxidabil. Sitele din material plastic sunt mai
ieftine, mai elastice dar permit o poziţionare mai puţin precisă ca cele de metal.
ƒ Sitele metalice au o bună rezistenţă la frecare, sunt mai puţin elastice şi permit o
poziţionare mai precisă pe substrat.
ƒNumărul de imprimări la sitele metalice este de cel puţin două ori mai mare ca la
sitele din material plastic.
ƒSitele din materiale plastice nu sunt recomandate pentru depunerea glazurilor de
protecţie ce conţin particule abrazive, dar dau rezultate bune la depunerea pastelor
de lipit care necesită depuneri de straturi foarte groase.

5
 wComparaţie între sitele metalice şi cele din materiale plastice
Caracteristica sitei Oţel inox Nylon Observaţii

Rezistenţa la întindere foarte bună bună Rezistenţa nylonului

scade când este umed
Rezistenţă la acţiunea foarte bună bună Cerinţă importantă
solvenţilor
Stabilitate foarte bună bună Oţelul inox este
recomandabil pentru
rezoluţii ridicate
Sensibilitate la încălzire scăzută ridicată Oţelul inox este
recomandabil pentru
rezoluţii ridicate
Absorbţie de umiditate nu <4%

Rezistenţa la uzură (prin foarte bună bună

frecare)

Uzura asupra racletei ridicată scăzută

Aderenţa emulsiei bună foarte bună

Cost Mediu→ ridicat mic

6
În funcţie de tipul de pastă sunt utilizate ţesături cu 80 ÷ 400
ochiuri pe inch (cifra "mesh") :

- pentru trasee conductoare: 325 ÷ 400 mesh

- pentru paste rezistive: 165 ÷ 200 mesh
- pentru paste dielectrice: 250 mesh
- pentru paste de lipit: 80 mesh

7
Ţesătura trebuie tensionată şi fixată pe un cadru de susţinere cu cleme de prindere
sau se poate lipi. Tensionarea corectă a sitei este foarte importantă pentru o
imprimare de calitate. Tensiunea trebuie astfel aleasă ca în timpul procesului de
imprimare sita să rămână în domeniul de elasticitate ( 1 ÷ 2 % ).
Dacă tensiunea este prea mare racleta se uzează prematur iar dacă tensiunea este
prea mică nu are loc ridicarea rapidă a sitei în urma racletei rezultând deformări ale
imaginii imprimate. Tensiunea de întindere recomandată Ps pentru site de oţel inox
este dată de ecuaţia:

a 2π
Ps = n f PG
4
cu a - diametrul firului în mm
n - numărul de fire pe centimetru ( mesh/2,54 )
f - coeficient de siguranţă = 0,5 ≈alungirea relativă recomandată după
tensionare ( % )
PG- tensiunea sitei la limita de curgere ( 500 N/mm2 )

Ecuaţia anterioară permite trasarea de grafice din care se pot alege

corespunzător tensionările necesare în funcţie de sită ( mesh şi diametrul firului ).
8
Figura prezintă schematic ţesătura unei site serigrafice. Lăţimea
deschiderii W (mm) este definită ca distanţa dintre două fire :
25,4
W= − a (mm) cu m - cifra mesh şi a -
m
diametrul firului în mm.

Deschiderea suprafeţei O
exprimată în procente se
calculează cu relaţia

W2
O = 100 ⋅ (%)
(W + a)2

Se observă că cifra mesh, lăţimea deschiderii ochiului şi suprafaţa deschisă sunt

parametri interdependenţi. Grosimea ţesăturii d este de circa 2 ÷ 2,5 ori mai mare
ca diametrul firului a. Cu cât cifra mesh este mai mare cu atât trebuie ca firul să fie
mai subţire pentru a asigura o deschidere suficientă. Totodată cu creşterea cifrei
mesh, păstrând suprafaţa deschisă la aceeaşi valoare, se reduce corespunzător şi
grosimea ţesăturii având ca efect reducerea grosimii stratului depus.
9
Trebuie ţinut cont că pasta depusă suferă un tratament termic de uscare şi ardere
având ca efect reducerea dimensiunilor stratului depus final numit aici "ars" faţă de de
stratul iniţial "ud".
T
Se poate defini un factor de contracţie, S = wunde Tw şi Tf reprezintă grosimile
Tf
straturilor ud respectiv ars.
Presupunând că factorul de contracţie S este constant pentru un anumit tip de
depunere, grosimea finală a stratului (ars) este determinată direct de grosimea
stratului ud. Aprecierea grosimii stratului ud se face pe baza presupunerii că pasta
ocupă un anumit volum determinat de suprafaţa liberă a sitei şi apoi este transferată
integral pe substrat.
Pentru sita din figura anterioară grosimea stratului "ud" se estimează cu relaţia:

T w = d ⋅ O (mm)

cu d - grosimea ţesături şi O - deschiderea suprafeţei

10
 O relaţie mai precisă dedusă pe baza figurii de mai jos este :

⎛ m Dπ ⎞
⎜
Tw = D 2 − ⎟ w(mm)
⎝ 2 ⋅ 25,4 ⋅ α ⎠

cu: - D diametrul firului în mm

- m cifra "mesh"
- α= arctg (m×D/25,4)

În caz că sita prezintă o grosime suplimentară a gelatinei b, peste grosimea ţesăturii,

grosimea stratului "ud" depus se calculează cu relaţia : T = Tw + b.

11
 GENERAREA IMAGINII PE SITĂ

wMajoritatea şabloanelor ataşate sitelor serigrafice

utilizate în obţinerea straturilor groase sunt obţinute
cu ajutorul unor emulsii lichide sau de tip film care
sunt procesate printr-un proces fotolitografic. Există
trei tipuri de şabloane, tipuri care diferenţiază şi
tehnicile de realizare a lor. Astfel există şabloane
(a) directe Procedeu direct
(b) indirecte
(c) direct/indirecte
Diferenţele între cele trei tipuri sunt date de modul
de aplicare pe sită. La procedeul indirect formele Procedeu indirect
sunt definite în emulsie înainte de ataşarea pe sită
în timp ce la procedeul direct definirea formelor are
loc după ce sita a fost acoperită.
Procedeu direct-indirect

12
La şablonul direct are loc umplerea ochiurilor sitei cu un gel pe bază de polimeri
fotosensibili. După uscare are loc expunerea emulsiei, de obicei în domeniul
ultraviolet, iar imaginea circuitului dorit se află pe filme fotografice obţinute, fie cu
ajutorul unui fotoploter, fie prin reducere după planul (artwork) original realizat la
scară mărită. Emulsia din regiunile expuse la lumină suferă un proces de
polimerizare şi se fixează în ochiurile sitei în timp ce regiunile neexpuse pot fi
îndepărtate prin spălare.
La metoda indirectă este utilizată o folie subţire (film) din material plastic la care
este ataşat un strat fotosensibil. După realizarea imaginii dorite prin expunere şi
spălare, se presează sita peste stratul fotosensibil, urmând în final dezlipirea
stratului de material plastic, strat ce a avut rol de suport.
La procedeul direct/indirect se aşează o folie cu material fotosensibil sub sită,
similar ca la procedeul indirect, apoi are loc o aplicare a unei emulsii viscoase
fotosensibile pe partea superioară a sitei, ca la procesul direct. Emulsia acţionează
ca un adeziv, permiţând o bună înglobare a sitei. După uscare are loc dezlipirea
foliei suport, urmând expunerea prin partea inferioară a sitei, urmată de spălarea
materialul fotosensibil neexpus.

13
 Principalele caracteristici ale sitelor realizate prin procedeul direct (prin
comparaţie cu celelalte două tipuri de site) sunt:
- rezoluţie limitată ( pot să apară efecte de tip "dinte de fierăstrău"
deoarece există numai suprafeţe întregi ale unui ochi, fie acoperite, fie libere )
- durata de utilizare este cea mai ridicată
- cost mediu, economice la serii mari
Printre caracteristicile sitelor realizate prin procedeul indirect amintim:
- oferă cea mai bună rezoluţie
- cost redus, recomandate la prototipuri şi serii mici
- durata de utilizare cea mai mică

Performanţele sitelor realizate prin procedeul direct/indirect se situează între

cele obţinute prin procedeul direct şi cele prin procedeul indirect. Sunt cele mai
utilizate deoarece permit controlul uşor al grosimii straturilor depuse prin
parametrul b - grosimea stratului fotosensibil al filmului.

14
 wMăşti pentru imprimare (Stencil)

Alături de site, la depunerea straturilor groase sunt utilizate şi măşti metalice de

depunere. Măştile sunt folii metalice cu grosimi între 20 ¸ 200 mm, având practicate
deschideri ce permit depunerea selectivă a pastelor.
O enumerare a principalelor tipuri de măşti este prezentată în continuare:
măşti - directe - măşti gravate
- măşti electroformate
- indirecte - cu şablonul lipit
- cu şablonul depus

Termenul "indirect" se aplică măştilor de metal realizate dintr-o ţesătură metalică pe

care se aplică şablonul. Termenul "direct" se referă la măşti la care structura de
ochiuri şi şablonul sunt realizate într-o singură operaţie.

15
Măştile gravate sunt realizate prin gravarea (corodarea) de orificii într-o foiţă de
metal. Se poate ca pe o parte a foiţei să se graveze o cavitate iar pe cealaltă o
structură de ochiuri, deşi există măşti fără aceste ochiuri. Structura unei măşti
gravate este prezentată în figura de mai jos:

Se observă contururile tip "vârf de cuţit" specifice corodării laterale.

Materialul preferat în realizarea acestui tip de mască este molibdenul,
datorită durităţii mari şi a structurii granulare fine care permite obţinerea
de contururi netede.

16
În figura următoare este prezentată structura unei măşti electroformate utilizând o
structură tipică de tip Ni- Be-Cu- Ni. Alte materiale posibil de utilizat sunt cuprul,
bronzul, alama. Realizarea măştii este similară cu masca gravată, cu deosebirea
că fotorezistul este utilizat pentru a masca zonele care nu trebuiesc acoperite
electrochimic cu Ni. La rândul său nichelul acţionează ca un fotorezist pentru
corodarea materialului din zona centrală.

Măştile indirecte cu şablonul lipit sunt realizate prin lipirea pe o textură de oţel
inoxidabil a unui şablon metalic obţinut printr-un proces similar cu cel de la realizarea
măştilor directe.
Măştile indirecte cu şablonul depus utilizează o ţesătură metalică de oţel inoxidabil
pe care se depune un strat de metal, de obicei Ni depus pe cale electrochimică.
Principalul avantaj al acestui tip de mască este aderenţa excelentă a şablonului la
sită şi posibilitatea de realizare a configuraţiilor de tip insule izolate.

17
Caracteristicile principale ale utilizării măştilor metalice sunt
- precizie şi rezoluţie deosebită ( trasee de 20 μm )
- durată de utilizare foarte mare
- realizare relativ dificilă, cost ridicat, recomandate pentru
producţia de serie mare
- necesită precauţii în utilizare, sunt fragile

18
 Procedeul de imprimare prin serigrafie

Caracteristic tehnologiei straturilor groase este obţinerea straturilor prin procedeul

de imprimare numit serigrafie.
Serigrafia este procesul de imprimare prin care o pastă (rezistivă, conductoare,
dielectrică) este presată cu ajutorul unei raclete şi obligată să treacă prin ochiurile
neacoperite ale unei site (sau prin deschiderile unui şablon) pentru a obţine pe un
substrat imaginea dorită, imagine ce apare ca un complement al imaginii de pe
sită.

Există două tehnici majore de imprimare prin serigrafie:

ƒImprimarea fără contact (Off-Contact Printing)
ƒImprimarea cu contact (Contact printing)

19
Imprimarea fără contact este numită aşa deoarece în procesul
imprimării există un spaţiu între sită şi substrat

20
Prin deplasarea racletei, al cărei contact cu sita se face după o linie (cant), are loc
presarea pastei în ochiurile sitei.
În urma racletei se observă că a avut loc desprinderea pastei de sită şi depunerea ei
pe substrat, ca urmare a forţelor de aderenţă dar şi a gravitaţiei. În mod ideal toată
pasta acumulată în ochiurile sitei trebuie să se desprindă de sită.
În realitate pasta udă materialul sitei şi transferul nu poate fi complet. În plus natura
ţesută a sitei poate cauza imobilizarea pastei. Dacă distanţa sită - substrat se
măreşte, unghiul dintre sită şi substrat în momentul contactului creşte schimbând
condiţiile de depunere. Variaţii în grosimea substratului sau curbura substratului au
efecte similare. Pentru a minimiza acest efect aria sitei trebuie să fie mare faţă de
aria de imprimare.
Datorită desprinderii (snapback) instantanee a sitei de substrat, în urma racletei,
pasta nu are timp să îşi revină la viscozitatea iniţială mare şi pericolul "agăţării" sitei
de substrat este minimizat.

21
Metoda de imprimare cu contact este caracterizată de existenţa unui
contact între sită şi substrat pe toată durata cursei de imprimare.

22
În acest procedeu toate cavităţile sau ariile care se doresc a fi imprimate sunt
umplute cu pastă şi apoi sita (sau substratul) se îndepărtează.
Există două metode de îndepărtare între sită şi substrat utilizate în mod curent.
Prima metodă are ca rezultat o mişcare de dezlipire şi este realizată prin
ridicarea unei laturi a cadrului sitei. Această îndepărtare simulează efectul
frontului de undă de la imprimarea fără contact. A doua metodă este
îndepărtarea verticală, care se realizează prin depărtarea sitei de substrat,
menţinând paralelismul între suprafeţele lor.
Viteza de îndepărtare trebuie foarte bine controlată pentru a obţine rezultate
bune. Variaţii în grosimea şi curbura substratului pot influenţa de asemenea
calitatea acestui tip de imprimare.
Această metodă de imprimare are două mari avantaje:
- elimină necesitatea de a utiliza site de dimensiuni mari. De asemenea
distorsionarea formelor datorită alungirii sitei este inexistentă.
- procesul poate fi controlat mai uşor, parametrii care intervin ne mai fiind
interdependenţi.

23
Din cele prezentate anterior se pot enumera parametrii care
influenţează calitatea imprimării prin serigrafie:
- proprietăţile pastelor utilizate
- planeitatea şi uniformitatea grosimii substratului
- tipul sitei sau şablonului, volumul ochiurilor, desimea
firelor (cifra "mesh")
- tensiunea de întindere a sitei
- distanţa sită-substrat
- parametrii racletei: duritate, unghiul de atac, presiunea
de apăsare, viteza de deplasare

24
În prezent imprimarea este realizată pe maşini de imprimat automate sau
semiautomate. În funcţie de calitatea şi reglajul corect al maşinii depinde
calitatea depunerii. Principalele cerinţe care trebuiesc îndeplinite de o
maşină de imprimare se referă la:
- stabilitatea cadrului de prindere a sitei
- ajustarea fină a cadrului în direcţiile x-y-z
- asigurarea paralelismului între racletă, sită şi substrat
- posibilităţi de schimbare rapidă a sitei
poziţionarea precisă şi reproductibilă a substratului
- posibilitatea ajustării distanţei sită-substrat
- posibilităţi de reglaj pentru înălţimea şi presiunea de apăsare a
racletei
- viteză de deplasare a racletei constantă, reglabilă în domeniul (3
÷ 30 cm/s), atât pentru cursa directă cât şi pentru cea inversă

25
 Distanţa sită - substrat (la imprimarea fără contact)

Acest parametru a fost descris atunci când au fost prezentate metodele de

imprimare.
În mod uzual se prevede o distanţă de 0,4÷0,7 mm. Atunci când sunt utilizate
paste mai vâscoase distanţa poate ajunge la 1,5 mm. La alegerea
parametrului se are în vedere ca această distanţă:
- să fie cât mai mică pentru a nu întinde sita şi a realiza forme precise
- să fie suficient de mare ca sita să se ridice şi să permită depunerea pastei
fără a se lipi de substrat

Din figură se observă că o distanţă sită-substrat -a- prea mare sau o distanţă
racletă - cadru de prindere -b- prea mică pot duce la suprasolicitarea sitei.

26
 wParametrii racletei

wRacleta trebuie realizată dintr-un material rezistent la frecare şi rezistent la solvenţii

utilizaţi la prepararea pastelor. Materiale utilizate de obicei sunt Poliuretan, Neopren,
Viton. Formele cele mai utilizate pentru raclete sunt prezentate în figura de mai jos

Racleta pătrată (a) prezintă următoarele avantaje: consum mic de material pentru
realizarea ei şi se pot utiliza toate cele patru muchii. Dezavantajul acestei forme de
racletă este că are o elasticitate foarte redusă.
Racleta de formă dreptunghiulară (b) are avantajul celei mai bune elasticităţi şi
dezavantajul consumului mare de material şi al dificultăţii de a modifica forţa de
apăsare a racletei fără a modifica geometria în zona contactului cu sita.
Racleta (c) în formă de "acoperiş" este mai elastică decât cea pătrată dar are
dezavantajul unei singure muchii utilizabile.
27
Unghiul de contact al racletei, care de obicei este între 45 şi 60 grade, determină
împreună cu viteza racletei presiunea dinamică exercitată asupra pastei. La un unghi
ales corect ochiurile sitei sunt complet umplute. Dacă unghiul este prea mare
transferul pastei în ochiurile sitei durează prea mult şi ochiurile nu sunt umplute
complet cu pastă rezultând o grosime mică a stratului depus. Dacă unghiul este prea
mic presiunea dinamică exercitată asupra pastei este prea mare şi are loc murdărirea
cu pastă la marginile structurilor.

Duritatea racletei trebuie să fie între 50 ÷ 60 Shore A. Cu o racletă având duritatea

mică se pot reduce influenţele substratelor curbate şi ale defectelor de sită. Muchia
racletei este însă deformată puternic rezultând unghiuri de contact nedefinite şi o
slabă reproductibilitate a straturilor. Cu o racletă dură se pot obţine grosimi
reproductibile, rezultând însă, în cazul substraturilor curbate acoperiri incomplete cu
pastă.

28
Un alt parametru important al procesului de imprimare este forţa de apăsare a
racletei. Presiunea exercitată de racletă asupra sitei este determinantă pentru durata
de utilizare a sitei. Forţa de apăsare trebuie aleasă suficient de mare pentru a
învinge tensiunea sitei şi a putea deplasa pasta.
O suprapresiune nu are de obicei un efect vizibil asupra rezultatului imprimării însă
duce la o uzură puternică a racletei, o deformare a muchiilor, un unghi de contact
nedefinit şi o reducere a duratei de utilizare a sitei.
La o presiune prea scăzută, sita nu intră în contact corespunzător cu substratul,
rezultând o imagine incompletă.

Viteza racletei determină, alături de unghiul de contact presiunea dinamică exercitată

asupra pastei. Creşterea vitezei de deplasare a racletei are ca efect o creştere a
grosimii stratului depus până la o valoare maximă. La viteze mai mari are loc o
scădere a grosimii stratului, scădere explicată de umplerea incompletă a ochiurilor
sitei şi de timpul de transfer prea scurt.
29
 Paste utilizate la depunerea straturilor groase

Pastele pentru straturi groase constau dintr-un amestec de granule fine (0,1÷10
m) de natură anorganică aflate în suspensie într-un material organic purtător.
Indiferent de tip, pastele au în compoziţie următorii constituenţi:
- solvenţi
- lianţi organici
- adaosuri pentru asigurarea caracteristicilor reologice
- pulberi de sticlă
la care se adaugă elemente specifice
- pulberi metalice la paste conductoare
- oxizi metalici la paste rezistive
- grăunţe de sticlă şi pulberi ceramice la paste dielectrice

Una din caracteristicile pastei, foarte importantă pentru procesul de imprimare

se referă la proprietăţile reologice ale acesteia. Proprietăţile de curgere sunt
determinate într-o primă etapă de viscozitatea η.

30
În procesul de imprimare se pot distinge următoarele faze :
- întinderea pastei pe sită
- presarea ( forfecarea ) pastei prin acţiunea racletei
- curgerea pastei prin ochiurile sitei
- desprinderea sitei şi crearea structurii imprimate pe substrat

Pentru o imprimare corectă pasta trebuie să prezinte următoarea comportare

reologică :
- sub acţiunea efortului produs de racletă viscozitatea trebuie să scadă
pentru ca pasta să pătrundă în ochiurile sitei
- la îndepărtarea efortului viscozitatea trebuie să crească treptat
ajungând la valoarea de repaus pentru ca structurile să rămână stabile. Fluidele
cu acest comportament sunt cele pseudoplastice şi cele thixotropice.

31
În figura (a) sunt prezentate caracteristicile S - rata de forfecare în funcţie
de -efortul de forfecare. Pentru un fluid newtonian η=τ/S. În figura (b)
este reprezentat comportamentul unui lichid thixotropic.

Pastele cu comportament thixotropic sunt favorabile depunerii straturilor

groase datorită micşorării viscozităţii la trecerea racletei şi creşterii lente a
viscozităţii după îndepărtarea forţei.

32
Un echipament pentru măsurarea viscozităţii este aparatul Brookfield,
prezentat schematic mai jos.

Acesta constă dintr-un disc, (sau altă piesă rotitoare), plasat într-un recipient în
care se află fluidul de măsurat.
Cei doi parametri necesari pentru a stabili viscozitatea sunt efortul de forfecare τ,
şi rata de forfecare S. Aceasta nu pot fi stabilită în mod optim deoarece viteza v
este diferită în funcţie de raza discului iar „grosimea” probei nu poate fi precis
determinată. Pentru lichidele newtoniene, pentru care viscozitatea este
independentă de rata de forfecare, viscozimetrul Brookfield oferă rezultate bune.
Pentru pastele TSG, care sunt fluide non-newtoniene valoarea măsurată este
relativă, fiind utilizată pentru comparaţii între paste. Valoarea viscozităţii depinde
de piesa rotativă, de viteză şi de timpul măsurării.
33
wUtilizarea pastelor thixotropice permite realizarea de structuri omogene, fără
influenţe din partea sitei (urme ale ochiurilor sitei). În figură este prezentat aspectul
pastei în momentul iniţial al desprinderii de sită.

Timpul după care se realizează o nivelare a pastei este exprimat de relaţia:

η λ4 ⎛ A0 ⎞
t=K log⎜ ⎟
S x 3 ⎝ At ⎠
unde K - este o constantă
A0, At - adâncimile denivelării la momentele t=0 respectiv t
λ - distanţa dintre două marcaje succesive ("lungimea de undă")
x - grosimea medie a depunerii

34
Pentru o suprafaţă netedă A trebuie să fie sub 1μm.
Se observă că timpul de nivelare depinde puternic de λ şi o reducere a sa se
obţine prin utilizarea sitelor cu cifră mesh mai mare.

În timpul procesului de uscare în cuptor viscozitatea poate să scadă ca urmare a

temperaturii mai ridicate, continuând procesul de nivelare. Pe măsură ce solventul
se evaporă viscozitatea depunerii creşte şi nivelarea se opreşte.

Pentru aprecierea proprietăţilor reologice ale pastelor se utilizează viscozimetre,

dar datorită comportamentului neliniar al pastelor, trebuiesc folosite metode statice
şi dinamice, rezultatele putând fi comparate numai dacă se măsoară cu aparate
având geometrii şi principii de măsură similare.

35
TIPURI DE PASTE
(1) Paste conductoare

Pastele conductoare sunt utilizate la realizarea interconexiunilor, a padurilor de

conectare a terminalelor şi de ataşare a dispozitivelor discrete (wire bonding), a
rezistoarelor de valori scăzute, a armăturilor condensatoarelor.
Principalele paste sunt pastele pe bază de paladiu-argint, paladiu-aur, aur-
platină. Se mai utilizează paste pe bază de platină, cupru, nichel. Un tip de pastă
conductoare specială este cea de tip polimeric în care compuşi de argint şi
carbon sunt dispersaţi într-un polimer termoplastic cu adaos de solvent.

36
 w(2) Paste rezistive

Alegerea unei anumite paste rezistive trebuie făcută în corelaţie cu pasta

conductoare. Pastele utilizate la realizarea straturilor rezistive se împart în
organometalice şi cermeturi.
Pastele organometalice se bazează pe compoziţii în care atomul metalic este
ataşat unui atom de oxigen (sau sulf) legat de un atom de carbon. Când are loc
descompunerea termică se depune pe substrat un strat rezistiv.
Compoziţiile pe bază de metale nobile realizează straturi metalice în timp ce alte
metale realizează straturi de oxizi metalici. Temperaturile relativ scăzute la care are
loc descompunerea termică (250 ÷ 500 °C) permit utilizarea ca substrat a sticlei.
Compoziţiile de tip cermet constau din particule conductoare (metalice) înglobate
într-o fază sticloasă, izolatoare. Principalele sisteme de paste tip cermet sunt cele
pe bază de:
- oxid de paladiu/argint ( PdO/Ag )
- oxid de ruteniu ( RuO2 )
- platină/ oxid de iridiu ( Pt/ IrO2 )

37
 Proprietăţile sistemelor de paste rezistive

Sistem Stabilitate Indice de zgomot Coef. de temperatură Factor de

de (dB) ( ppm/°C ) cost
paste ΔR/R (%)
100 Ω 10 kΩ 100 Ω 10 kΩ
PdO/Ag 1 -15 +5 +250 -250 1
RuO2 0,3 -30 -5 +100 -50 3
IrO2/Pt 0,1 -30 -10 ≤ ±25 ≤ ±50 8

Datorită prezenţei metalelor nobile în compoziţia pastelor rezistive ele au

un preţ relativ ridicat. Există încercări de a se utiliza şi alte elemente. Un
astfel de sistem nou este cel bazat pe BaPbO3, sistem cu performanţe
apropiate de sistemul pe bază de RuO2.
Cele mai noi tipuri de paste rezistive sunt cele la care arderea se realizează
în atmosferă de azot. Compoziţiile principale sunt pe bază de oxid de staniu
(SnO2) şi oxid de indiu (In2O3).

38
În categoria pastelor rezistive se încadrează şi pastele care conduc la realizarea de
termistoare.
Au fost realizate paste tip termistor NTC ce permit obţinerea de rezistenţe specifice
de la 100 Ω/† la 1 MΩ/† şi o constantă B a termistorului de la 100 K la peste 2500 K.

(3) Paste dielectrice

Domeniile de utilizare a pastelor dielectrice pot fi împărţite în:
- paste pentru glazuri de protecţie
- paste izolatoare pentru suprapuneri de trasee conductoare (crossover)
- paste pentru condensatoare
Glazurile de protecţie trebuie să aibă permitivitate dielectrică redusă. Ele acţionează
ca strat de pasivare protejând straturile rezistive împotriva distrugerii prin contact cu
corpuri străine şi limitează acţiunea agenţilor de mediu ca: umiditate, atmosferă
reducătoare ş.a. Pentru a permite ajustarea cu laser grosimea glazurii de protecţie
nu trebuie să depăşească 15 μm.

39
w(4) Paste de lipit

Utilizarea pastelor de lipit se impune în realizarea circuitelor integrate hibride atunci

când se utilizează ataşarea componentelor discrete.
Lipirea propriu-zisă are loc după ataşarea componentelor, printr-un procedeu de tip
reflow.
Deoarece ca paste conductoare se utilizează pe scară largă pastele cu conţinut de
argint, pentru a împiedica difuzia atomilor de Ag în aliajul de lipit este necesară
modificarea compoziţiei aliajului Sn-Pb prin adăugarea de Ag (~ 2 %).
Pentru ataşarea componentelor la traseele pe bază de aur sunt utlizate aliaje de lipit
speciale cu conţinut de indiu.

40
 Uscarea şi arderea pastelor

Indiferent de tipul pastei, exceptând pastele pe bază de compuşi organometalici,

după procesul de imprimare, timp de 5 ÷ 15 minute pastele trebuie să sufere un
proces de uscare la temperatura camerei, timp în care se realizează o nivelare a
suprafeţei stratului imprimat.
După aceea este necesar un proces suplimentar de uscare timp de 5 ÷ 15 min. la o
temperatură între 80 şi 150 °C. În timpul acestui ultim proces sunt îndepărtate lent
componentele volatile din structura pastelor. Dacă pastele ar fi supuse direct
tratamentului termic de ardere s-ar produce o evaporare rapidă a solvenţilor, lucru ce
ar putea cauza fisuri sau apariţia de bule în structura stratului depus.
Dintre variatele metode de uscare, uscarea cu ajutorul radiaţiilor infraroşii are
avantajul unei încălziri în profunzime care evită formarea unei cruste la suprafaţa
stratului, permiţând astfel evaporarea totală a solvenţilor.
După procesul de uscare rezultă structuri mecanic stabile dar care nu au încă
proprietăţile electrice dorite. Aceste proprietăţi se obţin în urma procesului de ardere
la temperaturi înalte.

41
Procesul de ardere este una din etapele cele mai importante în realizarea
straturilor groase. În timpul acestui proces au loc transformări structurale ale
straturilor depuse având ca rezultat obţinerea proprietăţilor electrice dorite, în
funcţie de tipul de pastă utilizat.
Echipamentul utilizat la tratamentul termic este compus de obicei dintr-un
cuptor cu bandă, cuptor ce are mai multe zone de încălzire. Substratele sunt
plasate pe banda transportoare şi trec prin diversele zone ale cuptorului care
au temperatura controlată cu mare precizie.
De mare importanţă pentru arderea corectă a stratului este realizarea unui
anumit profil de temperatură, profil specific fiecărei paste. Obţinerea unui
profil de temperatură dorit se realizează prin controlul vitezei benzii
transportoare şi a temperaturii diverselor zone. Cuptorul trebuie să permită de
asemenea realizarea unei atmosfere controlate ( aer sau azot ).

42
În prima fază, de încălzire, are loc arderea substanţelor organice ( lianţi, activatori).
Materialul evaporat trebuie îndepărtat din incinta cuptorului pentru a nu da reacţii
nedorite la temperaturi mari. Cu creşterea temperaturii are loc înmuierea grăunţilor
sticloşi din compoziţia pastei şi pătrunderea în porii substratului. La temperaturi peste
800 °C are loc sinterizarea constituenţilor pastei. Constanţa temperaturii ( ± 3 °C ) şi
timpul de menţinere al probei pe palier (în general 850 °C) sunt foarte importante,
abaterile, chiar mici, având ca rezultat variaţia performanţelor straturilor obţinute.

43
La temperaturi mari pot avea loc, în funcţie de tipul pastei, pe lângă alieri ai
compuşilor şi reacţii chimice de oxidare-reducere.
În final are loc trecerea substratului în zona de răcire unde compuşii sticloşi se
solidifică, asigurând o bună aderenţă de substrat. Şi aici, ca şi la încălzire, trebuie
respectată o anumită viteză de variaţie a temperaturii, în caz contrar, recristalizarea
bruscă a sticlei care a înglobat particulele metalice poate duce la apariţia de fisuri în
stratul depus.

Principalii parametrii care influenţează procesul de ardere sunt enumeraţi în

continuare:
- viteza benzii transportoare; gradul de încărcare cu probe
- temperatura platoului, timpul de staţionare la această temperatură
- tipul, cantitatea şi puritatea gazului utilizat

Relativ recent au fost utilizate şi procedee de ardere cu radiaţii infraroşii, dar cu

toate avantajele pe care la prezintă: durată mai mică a procesului, posibilitatea
schimbării rapide a profilului, consum energetic mai redus, nu au dat rezultate
mulţumitoare în arderea pastelor TSG.

44
 Componente pentru circuite hibride (TSG)
Rezistoare

Rezistenţa acestui rezistor este dată de relaţia: l ρ l

R=ρ = ⋅ = RS ⋅ N
A t b
unde ρ este rezistivitatea volumică a materialului, l - lungimea rezistorului, A= b×t -
aria secţiunii transversale, t - grosimea stratului rezistiv, b - lăţimea rezistorului
-Indiferent de natura peliculei, se presupune că grosimea acesteia este mult mai mică
comparativ cu celelalte dimensiuni geometrice ale rezistorului (t<<l, t<<b).
-Se presupune, de asemenea, această grosime t a peliculei ca fiind constantă.

Mărimea ρ/t notată cu Rs (sau R†) este numită rezistenţă (uneori rezistivitate)
superficială şi se exprimă în Ω/†.
45
Mărimea N=l/b poartă denumirea de raport de aspect al rezistorului pelicular
dreptunghiular şi este egal cu numărul N de pătrate de latură b din care este format
rezistorul.
Nu se recomandă un raport de aspect mai mare ca 10:1 sau mai mic ca 1:3. Raportul
de aspect cu valoare subunitară se mai numeşte şi raport invers de aspect.

Rezistor dreptunghiular

Din motive tehnologice, la realizarea unei structuri ce cuprinde mai multe rezistoare în
cazul TSS rezistenţa specifică este aceeaşi pentru toate rezistoarele şi este cuprinsă în
intervalul 50 ÷ 500 Ω/†. În cazul TSG se pot utiliza succesiv mai multe tipuri de paste
rezistive cu rezistenţe specifice Rs cuprinse între 10 Ω/† şi 100 k Ω/†.

46
 L'' L’ L"
L’ l

l' l'
l l
l
laj
l
L L

Rezistorul pălărie a) înainte de ajustare; (b) după ajustare (forma

idealizată)

Rezistor dreptunghiular şi
rezistor cu meandre

kf=raportul de aspect

47
 wRezistor real

La rezistoarele cu raport de aspect mult subunitar predomină zonele k şi r iar m

este mai puţin important. La rezistoarele lungi k este mai puţin important.
În concluzie, rezistenţa superficială depinde atât de valorile absolute L şi B cât şi de
raportul L/B. Pentru caracterizarea precisă a unei pelicule cu o anumită rezistenţă
superficială este necesar să se realizeze diverse structuri de test şi să se ridice
diagrame de corecţie ale rezistenţei superficiale.
48
Variaţia rezistenţei specifice în funcţie de raportul de aspect

49
 Condensatoare

wCondensator plan (paralel)

50
CONFIGURAŢII DE CONDENSATOARE
Contact la placa inf. Armătura superioară

CONDENSATOR PLAN
Dielectric

Substrat
Armătura inferioară

Armături superioare
CONDENSATOR
CU ARMĂTURĂ
FLOTANTĂ

Dielectric
Substrat
Armătură inferioară

51
Condensator interdigital

Condensator interdigital cu
electrod flotant

52
 wINDUCTOARE

INDUCTOR SPIRAL CIRCULAR INDUCTOR SPIRAL DREPTUNGHIULAR

53
 wAjustarea structurilor rezistive peliculare

Unul din avantajele majore ale tehnologiilor peliculare, atât tehnologia straturilor
subţiri cât şi tehnologia straturilor groase este posibilitatea de ajustare a
componentelor pasive şi în special a rezistoarelor.
Ajustarea poate fi realizată punctual sau se poate realiza o ajustare funcţională prin
care se doreşte obţinerea unei anumite funcţii de circuit acţionând asupra unui
număr redus de componente.
Stabilitatea rezistoarelor ajustate este mai mică ca a celor neajustate. În plus
ajustarea are un efect negativ şi asupra coeficientului de temperatură şi a factorului
de zgomot, deci trebuie realizată numai dacă nu există altă alternativă.

Ajustarea rezistoarelor se poate realiza pe baza următoarelor principii :

- modificarea dimensiunilor plane
- modificarea rezistivităţii materialului
- modificarea grosimii stratului

54
Cele mai utilizate metode de ajustare a rezistoarelor au ca rezultat mărirea valorii
rezistenţei fie prin înlăturarea materialului rezistiv (laser, sablare) fie prin tăierea unor
trasee conductoare care provoacă introducerea în circuit a altor rezistenţe
suplimentare.
Procedeele de ajustare cu micşorarea rezistenţei ( Down Trimming) sunt aplicate
numai în situaţii speciale.

Operaţia de ajustare este necesară în vederea aducerii valorii rezistenţei la

valoarea dorită. În urma procesului de fabricaţie, care este privit ca un proces ce
depinde de multe variabile aleatoare, valoarea dorită a rezistenţei se obţine cu o
anumită eroare, eroare care trebuie luată în calcul la proiectare.
Dacă nu avem date despre precizia procesului de fabricaţie trebuie să
considerăm în calcul o valoare de ±20%. Valoarea rezistenţei neajustate Rna
obţinute în cazul cel mai defavorabil trebuie să fie mai mică sau egală cu
valoarea rezistenţei dorite RN, la limita superioară a toleranţei cerute. Rezultă
astfel:
Rna = R N (1 - y / 100)(1+ x / 100)
cu Rna- valoarea rezistenţei neajustate, RN- valoarea nominală a rezistenţei, x -
toleranţa pozitivă a valorii nominale, y - abaterea maximă (pozitivă) a procesului
tehnologic.

55
Pentru un rezistor cu valoarea nominală 10 kΩ ± 2% şi y=20% rezultă valoarea
rezistenţei neajustate obţinute Rna=8,16 kΩ.
Valoarea obţinută poate să nu fie convenabilă deoarece presupune efort mare
de ajustare. De aceea este necesară cunoaşterea abaterilor procesului
tehnologic prin efectuarea de teste şi prelucrări statistice pentru a determina o
valoare y cât mai mică, dar care să asigure cu o probabilitate mare situarea
valorii rezistenţei neajustate în interiorul intervalului de ajustare - parametru
specific care trebuie cunoscut de proiectant (acceptabil 0,5RN ÷ RN ).

Principalele metode de ajustare sunt: ajustarea cu laser, ajustarea prin sablare,

aplicabile atât rezistoarelor în TSS cât şi în TSG, în timp ce ajustarea prin
anodizare este specifică rezistoarelor în TSS. Alte procedee cu aplicabilitate mai
restrânsă sunt: ajustarea prin electroeroziune, ajustare prin aplicarea de
impulsuri de tensiune, gravarea cu un ac de wolfram sau diamant.
În prezent marea majoritate a instalaţiilor de ajustare sunt comandate de
calculator care realizează, pe baza măsurării valorii rezistenţei, o predicţie a
valorii cu care trebuie deplasat substratul sau dispozitivul de ajustare pentru a
realiza ajustarea la valoarea dorită a rezistenţei.

56
Ajustarea cu laser
Datorită avantajelor pe care la prezintă, este cel mai utilizat procedeu de ajustare a
structurilor peliculare. Principalele avantaje ale ajustării cu laser sunt:
- precizie mare de ajustare ( 0,01 % )
- posibilităţi de automatizare a procesului de ajustare
- viteză de ajustare mare
- este un proces "curat"
- rezistoarele ajustate au o bună stabilitate pe termen lung
- permite refacerea glazurii de protecţie în zona tăieturii (datorită încălzirii glazura se
topeşte)
Principiul ajustării constă din îndepărtarea materialului rezistiv de pe substrat, prin
vaporizare, cu ajutorul unui fascicol laser bine focalizat. În prezent se utilizează laseri
YAG - Nd în regim de impulsuri, cu Q-switch, având lungimea de undă 1,06 μm.
Diametrul fascicolului laser variază între 12 ÷ 75 μm, în funcţie de tipul stratului.
Printre parametrii procesului de ajustare amintim: puterea laserului, frecvenţa de
repetiţie, viteza de tăiere.
Pentru a păstra încălzirea elementului ajustat la un nivel cât mai redus şi a avea o
tăietură cât mai netedă, puterea de vârf a laserului trebuie să fie cât mai mare şi
puterea medie cât mai mică posibil. Procesul de ajustare este influenţat indirect de
proprietăţile de absorbţie a radiaţiei de către substrat.

57
 Viteza maximă de ajustare vmax se calculează cu relaţia:

v max = W⋅ s⋅ f r
cu W - lăţimea tăieturii, s - factor de suprapunere geometrică a spoturilor
laser între două pulsuri succesive, fr - rata de repetiţie
Pentru o ajustare de precizie este necesar ca suprapunerea s să fie sub 50 %
rezultând pentru o lăţime a tăieturii W=50 μm şi pentru o frecvenţă de repetiţie
de 3 kHz o viteză maximă de ajustare de 75 mm/s.
Ajustarea valorii rezistenţei se poate obţine prin realizarea unei tăieturi sau prin
îndepărtarea materialului, în mod punctual, din diverse puncte ale suprafeţei
stratului.
Este posibil să se obţină o scădere a rezistenţei prin încălzirea locală cu
ajutorul laserului, încălzire ce are ca efect o modificare în structura stratului,
zonele încălzite devenind mai puternic conductoare.

58
Ajustarea prin sablare
La ajustarea straturilor groase procedeul ajustării prin sablare a fost larg utilizat.
Procedeul constă din aplicarea unui jet de aer ce conţine particule abrazive pe
suprafaţa stratului rezistiv. În urma acţiunii abrazive a jetului o parte a stratului
rezistiv este îndepărtat având loc modificarea rezistenţei electrice. O variantă a
procedeului este metoda spray în care jetul abraziv reduce în mod uniform
grosimea stratului, având ca efect modificarea rezistenţei specifice şi, implicit, a
rezistenţei.
Procedeul are următoarele caracteristici:
- este economic
- contaminează cu praf circuitul din care face parte componenta ajustată
- precizia şi stabilitatea rezistoarelor sunt mai mici ca la ajustarea cu laser (
lăţimea tăieturii mult mai mare ca în cazul laserului )
- viteză de ajustare mai mică
- în urma ajustării se distruge glazura de protecţie

59
Configuraţii de ajustare (a) tăietura "P", (b) tăietura "L", (c) tăietura “Γ ", (d)
tăietura "L" cu "Shadow", (e) tăietura "P" cu "Shadow", (f) "Scan-cut", (g)
tăietura în serpentină

60
O problemă care apare la ajustare este alegere optimă a locului în care se face
tăietura. Aici sunt două cerinţe contradictorii: obţinerea unei sensibilităţi ridicate şi a
unei precizii ridicate. Din acest motiv se utilizează tăieturile multiple.
Variaţia relativă a rezistenţei în funcţie de lungimea tăieturii pentru o tăietură P
continuată cu una tip L este prezentată în figura de mai jos

Punctul din care începe tăietura în direcţia x se află la circa 50% din valoarea
iniţială a rezistenţei, deoarece la o lungime mai mare în direcţia y precizia se
poate controla mai greu. Tăietura în direcţia x oferă o variaţie mai lentă şi permite
astfel o ajustare mai rapidă. Tăietura L oferă şi o stabilitate pe termen lung
superioară tăieturii P. Ca dezavantaj, nu se poate aplica pentru rezistoare cu
raport de aspect mic.
61
Sistemele moderne sunt prevăzute cu posibilitatea de a prevedea variaţia
rezistenţei, urmând o anumită tăietură. Calculul se poate realiza analitic, dar
este relativ dificil de implementat pe un sistem de măsură în timp real. Se
preferă împărţirea domeniului rezistiv într-o matrice de rezistenţe (12×12)
pentru un rezistor cu factor de aspect unitar. Efectul ajustării este întreruperea
anumitor rezistenţe, calculul realizându-se mai uşor decât prin metoda amintită
anterior:

62
 Ajustarea are efect asupra stabilităţii rezistoarelor. Ca regulă s-a constatat că
ajustarea reduce stabilitatea pe termen lung şi măreşte factorul de zgomot al
rezistoarelor. Comparaţia se face între două rezistoare cu aceeaşi valoare, unul
ajustat celălalt neajustat.
Ca regulă privind modificarea zgomotului, tăieturile cele mai zgomotoase sunt cele
care provoacă cea mai mare concentrare a liniilor de curent (serpentină, P)
Variaţia relativă a tensiunii medii de zgomot Uz în funcţie de variaţia relativă a
rezistenţei pentru un rezistor dreptunghiular ajustat cu tăietură P este:

Δ Uz ΔR
= (1,5 ÷ 2)
Uz R

Câteva din cauzele micşorării stabilităţii sunt prezentate în continuare:

(a) - prezenţa tăieturii
S-a constatat că, în special la rezistoarele de valori mari ajustate cu laser tăietura
trebuie să pătrundă în substrat pe o adâncime de cel puţin 5 μm pentru a asigura o
separare totală a zonelor. O apreciere a calităţii tăieturii se poate realiza măsurând
rezistenţa de izolaţie a două trasee secţionate. O îmbunătăţire a proprietăţilor tăieturii
se realizează prin tehnica Kerf Retracing care constă în trecerea unui al doilea fascicol
pe urma primei tăieturi, fascicolul având putere mai mică şi viteză mai mare.
63
(b) -efecte la marginea tăieturii
La ajustarea cu laser au loc modificări ale proprietăţilor stratului rezistiv de o
parte şi de alta a tăieturii, deoarece distribuţia energiei în fascicolul laser este,
în general, de tip Gauss. Modificările aduse materialului în zona de ajustare
conduc la micşorarea stabilităţii şi la creşterea factorului de zgomot.

(c) -efecte datorate înlăturării glazurii de protecţie

Glazura de protecţie realizează un strat protector la acţiunea umidităţii
împiedicând reacţiile de oxidare în stratul rezistiv. Experienţele au arătat că
rezistoarele glazurate, în special cele pe bază de oxid de ruteniu au o
stabilitate pe termen lung mărită. Ajustarea prin sablare înlătură în zona
tăieturii şi glazura de protecţie, deci conduce la o oarecare înrăutăţire a
stabilităţii. În cazul ajustării cu laser glazura de protecţie este topită şi acoperă
parţial stratul rezistiv în adâncime.

(d) -microcrăpături în stratul rezistiv

Aceste crăpături (microcracks) apar ca urmare a temperaturilor înalte, şi se
produc de regulă spre sfârşitul tăieturii. Efectul lor este de asemenea
reducerea stabilităţii. Prin tăietura Γ efectul crăpăturilor se poate reduce.

64
Există posibilitatea unei ajustări "discrete" a rezistoarelor întrerupând trasee
conductoare sau rezistive. Metoda este specifică rezistoarelor în straturi subţiri, dar
se aplică şi la cele cu straturi groase pentru rezistoare de înaltă tensiune sau de
valori foarte mari, şi la rezistoarele de valori foarte mici obţinute din material
conductor.
Câteva astfel de configuraţii sunt prezentate în figura de mai jos:

Ajustarea realizată în acest caz nu modifică semnificativ performanţele

rezistoarelor deoarece nu se acţionează asupra caracteristicilor elementului
rezistiv.
65
Rezistoare ajustate cu laser

tăietura laser

66
 Alte rezistoare ajustate cu laser

Se poate urmări în figura din stânga “L cut” , de asemenea şi în dreapta. În

figura din dreapta sunt două rezistoare tăiate care se doreau a fi ajustate cu
“P cut”, dar nu s-a obţinut valoarea dorită, ajustarea continuând până au
fost străpunse, circuitul fiind astfel un rebut.

67
Exemplu de imprimare suprapusă a traseelor peste
depunerea dielectrică (crossover)

trasee conductoare
Pd-Ag –nivel inferior

dielectric ( ε mic)

trasee conductoare
Pd-Ag superioare

depunere de Au
pentru conectare
prin wire bonding
metalizare în zona de
lipire a chip-ului

68
Circuite integrate (module) hibride

69
Utilizare componente THT+ SMD în circuite hibride

Tranzistor
circuit integrat SOT 23
Condensator MLCC

70
Variantă numai cu componente SMD

chip on
board

71
Variantă numai cu componente SMD

R
SO IC

chip
C

72
 PROCEDEUL FOTOLITOGRAFIC
• Procedeul fotolitografic se utilizează în TSS, la fabricaţia circuitelor
imprimate, a circuitelor integrate şi în alte domenii ale electronicii pentru
definirea cu precizie a formelor (layout-ului).

Definirea formelor prin fotolitografie se bazează pe aplicarea neselectivă peste

structură a unui strat de fotorezist, strat în care urmează a se genera formele
dorite prin expunerea selectivă la acţiunea unei radiaţii (în general în spectrul
vizibil sau UV).
Relieful creat în stratul de fotorezist urmează a se transfera stratului printr-o
acţiune de corodare în care fotorezistul are rol de mascare (protecţie) a
domeniilor ce nu trebuiesc îndepărtate.

1
wEtapele procesului fotolitografic

2
Se utilizează pentru litografie atât fotorezisist pozitiv cât şi negativ.

Diferenţa dintre fotorezistul pozitiv şi cel negativ

3
 Fotorezisturi de tip pozitiv şi negativ
Fotorezistul pozitiv neexpus are o solubilitate foarte redusă în agentul de developare şi
devine solubil prin expunere la lumină.
Fotorezistul negativ are o comportare inversă; fotorezistul negativ neexpus este solubil
în agentul de developare şi îşi pierde solubilitatea prin expunere la lumină.
Cel mai cunoscut fotorezist în perioada de început a industriei semiconductoarelor a
fost KTFR - Kodak’s thin-film resist. Acesta se baza pe procesul de cross-linking
fotoindus în moleculele de poliizopren ciclic cu greutate moleculară redusă.

Procesul de Cross-linking reduce solubilitatea materialului în solvenţi organici, de

exemplu xilen. După expunere, solventul este utilizat ca să developeze
fotorezistul şi îndepărtează materialul neexpus cu greutate moleculară mică
lăsând neatins materialul cu legături cross-link care are greutate moleculară mare.
Polimerizarea se poate produce şi la lumină naturală sau la căldură, de aceea
procesarea cu fotorezist negativ se face în camere cu filtre de lumină galbenă.
4
Polimerul de bază pentru fotorezistul pozitiv este fenol-formaldehida, numit şi răşină
novolac. Polimerul conţinut în materialul fotorezist iniţial este relativ insolubil.
După expunere la energia unei surse de lumină corespunzătoare, rezistul este
convertit într-o formă solubilă. Această reacţie se numeşte foto-solubilizare. Partea
din material care a fost fotosolubilizată poate fi îndepărtată de un solvent în procesul
de developare.

Comparaţie între fotorezistul pozitiv şi cel negativ

Caracteristici Fotorezist pozitiv Fotorezist negativ
Aderenţa la siliciu Bună Excelentă
Cost Scump Mai puţin scump
Agent de developare Pe bază de apă Solvent organic
(Aqueous)
Rezoluţia minimă mai bună de 0,5 μm 2 μm
Acoperirea plachetei Bună Scăzută
Rezistenţa la agenţi Bună Excelentă
chimici lichizi
De la începuturile anilor 1980 pentru circuite cu rezoluţie mare (VLSI) s-au folosit
numai fotorezisturi de tip pozitiv. Acolo unde rezoluţia nu este critică se pot folosi în
continuare şi fotorezisturi de tip negativ. 5
Măştile fotolitografice sunt realizate de obicei din plăci de sticlă cu emulsie
fotografică, dar există măşti realizate din depuneri de straturi metalice (Cr) pe
sticlă.
Rezoluţia şi precizia definirii elementelor de circuit depind în măsură esenţială
de realizarea corectă a măştilor.
Măştile sunt obţinute prin reducerea fotografică a layoutului iniţial, realizat la o
scară mărită. La realizarea circuitelor integrate se obişnuieşte ca imaginea la
scara 1:1 să se reproducă de mai multe ori pe aceeaşi placă fotografică pentru
a se obţine cât mai multe copii ale circuitului la o singură imprimare prin contact.
De mare importanţă în asigurarea unei bune definiţii pe mască este calitatea
sistemului optic utilizat la operaţia de fotoreducere. Sistemul optic, la care ne
vom referi pentru simplificare ca la o singură lentilă, trebuie să asigure o
rezoluţie bună, o imagine fără aberaţii cromatice sau de sfericitate, un contrast
suficient de mare, o regiune utilizabilă din spaţiul imagine cât mai mare.

6
Rezoluţia este limitată de fenomenul de difracţie a luminii. Datorită acestui
fenomen două puncte (sau două linii) aflate la distanţa L pot să se confunde pe
imaginea obţinută cu lentila respectivă. Distanţa minimă Lmin dintre două puncte,
respectiv două linii care apar încă distincte pe imagine este:

0,61λ 0,5λ
L min = Lmin =
AN AN

unde - λ este lungimea de undă a radiaţiei monocromatice utilizate

- AN este apertura numerică a lentilei egală cu raportul dintre diametrul
lentilei şi dublul distanţei focale
Se observă că o rezoluţie mai bună poate fi atinsă cu lungimi de undă mai
mici. Se utilizează în prezent litografie cu fascicul de electroni şi cu raze X.

7
Etalarea fotorezistului se poate realiza prin:
a) centrifugare (spin coating)
b) imersie
c) pulverizare
Prin centrifugare se obţin grosimi uniforme de 2 -5 μ m. La aplicarea prin
imersie se obţin grosimi mai mari de ordinul a 50 μm. Pentru o uniformitate a
stratului etalat trebuiesc controlate viscozitatea fotorezistului şi viteza de
rotaţie sau de extragere din imersie.
Înainte de etalare, fotorezistul trebuie filtrat prin site cu deschideri de ordinul
a ( 0,2 - 2) μ m pentru a elimina incluziunile nedorite care pot crea defecte la
corodare.
Uscarea fotorezistului se realizează timp de circa 10 minute la temperatura
de 80 - 120 °C.
Urmează developarea fototrezistului, curăţare, corodare strat subţire iar în
final fotorezistul trebuie îndepărtat.

8
 Corodarea este procesul care defineşte efectiv formele în stratul
depus şi are un efect hotărâtor asupra calităţii structurii obţinute. Corodarea
se realizează prin imersare într-o soluţie acidă sau bazică aleasă
corespunzător pentru a ataca stratul respectiv şi a nu reacţiona cu
fotorezistul sau cu alt strat subţire care nu trebuie atacat.
În urma corodării are întotdeuna loc un atac lateral (undercut), sub
stratul de fotorezist. Se defineşte factorul de corodare e: e=t/Δl, semnificaţia
mărimilor fiind prezentată în figura (a). În figura (b) este prezentat aspectul
profilulurilor de corodare ideal, normal şi corodat sever.

9
 PRIMUL CIRCUIT INTEGRAT
Jack Kilby, patent în 1959, Texas Instruments, Premiul Nobel pentru fizică, 2000.

- conceptul de integrare
formulat pentru prima dată
- realizare mai apropiată de
un circuit integrat hibrid
- cristale de Ge lipite pe sticlă,
conexiuni prin wire bonding
(nu au fost utilizate ulterior)

În prezent se recunoaşte meritul lui Robert Noyce,

ca şi co-inventator, patent în 1959, Fairchild.

Sursa: A. Saxena, Invention of integrated circuits, World Scientific, 2009

10
Patentul lui Robert Noyce

- circuit monolitic pe Si
- tehnologie planară
- interconexiuni cu Al
toate s-au impus ulterior

11
 TEHNOLOGIA DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE (TEHNOLOGIA SILICIULUI)

Tehnologia modernă a dispozitivelor semiconductoare pe bază de siliciu este aşa

numita tehnologie planară (uneori se utilizează denumirea planar-epitaxială)

12
Fluxul complet de realizare a unui circuit integrat este prezentat în figura de mai jos.
Procesarea plachetelor în FAB este etapa cea mai importantă, etapele ulterioare de
packaging electronic se pot realiza în alte unităţi.

13
Activităţile tehnologice de Packaging pentru circuitele integrate

14
Siliciul, pentru a putea fi utilizat la realizarea de dispozitive electronice trebuie realizat sub formă
de plachetă monocristalină. Se realizează la început un lingou cu diametrul apropiat de cel final al
plachetei. Cele mai cunoscute procedee de realizare a cristalelor de Si sunt procedeul Czochralski
şi procedeul cu zonă flotantă.
Procedeul de realizare pe baza tragerii din topitură cunoscut şi ca procedeul Czochralski utilizează
un germene monocristalin care se roteşte în sens invers faţă de creuzetul cu Si topit. Atomii din
topitură se vor adăuga în mod ordonat la germenele monocristalin care se ridică cu viteză foarte
mică din topitură.
Metoda zonei flotante se bazează pe deplasarea unei zone topite de-a lungul unui lingou existent,
la extremitatea căruia există un germene monocristalin. Metoda zonei flotante are şi avantajul că
realizează şi purificarea materialului, concentraţia de impurităţi în stare topită fiind mai mare, astfel
ele se acumulează în zona flotantă, care la sfârşitul procesului este adusă la un capăt al lingoului
şi se va elimina.

Plachetă
Plachetă de 12”
(30cm)
Transportul
plachetelor 15
Lingou
 Realizarea monocristalelor de Si

Metoda Czochralski Metoda zonei flotante

16
 Metoda Czochralski (CZ)
Cele mai multe cristale de siliciu sunt astăzi obţinute prin metoda CZ.
Echipamentul constă dintr-un creuzet de cuarţ (silica) încălzit de
bobinele cu curenţi (RF) sau prin încălzitoare electrice.

În creuzet se află materialul semiconductor policristalin şi o mică

cantitate de dopant.

Materialul dopant este ales pentru a obţine cristale semiconductoare de

tip N sau P.
La începutul procesului, siliciul policristalin şi dopantul sunt încălzite
până ajung în faza lichidă la circa 1415°C.

Apoi un germene cristalin este poziţionat astfel încât să atingă

suprafaţa materialului lichid, numit şi topitură (melt). Germenele este un
material monocristalin cu aceeaşi orientare cristalină ca cea care se
doreşte a se obţine în final.

Germenii pot fi produşi prin depunere chimică în fază de vapori (CVD),

dar de obicei sunt bucăţi din cristale crescute anterior.

17
Creşterea cristalului începe prin ridicarea lentă a germenului deasupra topiturii.
Tensiunea superficială face ca un strat subţire din topitură să adere la germene,
apoi să se răcească.
În timpul răcirii, atomii din materialul topit capătă orientarea din germene, orientare
care astfel se multiplică în întreg cristalul crescut.
Prin variaţia vitezei de tragere şi a altor parametri se controlează forma lingoului
care începe cu un capăt subţire şi are la capătul de jos o zonă netedă.
Un cristal cântăreşte câteva sute de kilograme iar timpul de creştere poate fi de
câteva zile.
18
 19
Metoda Czochralski (foto)
 Metoda zonei flotante

Un dezavantaj al metodei CZ este includerea în cristal a atomilor de oxigen din creuzet

Cristalele pentru care nu se acceptă niveluri mari de oxigen pot fi produse prin metoda
zonei flotante.
Această metodă presupune existenţa unui material policristalin şi a unui dopant care
au fost turnate anterior sub forma unei bare. Germenele este fixat prin topire la un
capăt al barei iar ansamblul este introdus în instalaţia de creştere a cristalului.
Transformarea materialului în monocristal începe atunci când bobinele RF încălzesc
zona aflată între germene şi bara de material
Bobinele sunt apoi deplasate de-a lungul axei, încălzind o mică porţiune din bară până
devine lichidă
În zona topită atomii se aliniază la orientarea germenului cristalin.
În final întreaga bară este transformată într-un monocristal cu orientarea identică cu a
germenelui.
Prin metoda zonei flotante se produc cristale mai pure, cu conţinut redus de oxigen, în
comparaţie cu metoda CZ. Un dezavantaj al metodei zonei flotante este numărul mai
mare de defecte de tip dizlocaţii şi diametrul maxim al lingoului mai mic fată de metoda
CZ.
Metoda se utilizează şi pentru purificarea cristalelor prin treceri repetate sus-jos

20
 21
Metoda zonei flotante (foto)
După realizarea lingoului se realizează prelucrarea acestuia prin polizare
circulară şi plană. Teşitura laterală realizată după direcţii cristaline precise
identifică tipul de plachetă de siliciu. Tăierea se realizează cu lame
diamantate de tip inelar.

22
Urmează un proces de polizare fină (lepuire), apoi sunt formate marginile iar în
final se face o şlefuire foarte fină de tip oglindă (luciu optic).

23
 Monocristalele de Si având o orientare cu
planele (100) la suprafaţă sunt numite
plachete (100). Dacă o diagonală a unei
feţe a celulei elementare este
perpendiculară pe suprafaţa plachetei
atunci aceasta este de tipul (110). Dacă o
diagonală a cubului celulei elementare
este perpendiculară pe suprafaţa plachetei
atunci aceasta este numită plachetă de
tipul (111).

Monocristalele de Si având o orientare cu

planele (100) la suprafaţă sunt numite
plachete (100). Dacă o diagonală a unei feţe
a celulei elementare este perpendiculară pe
suprafaţa plachetei atunci aceasta este de
tipul (110). Dacă o diagonală a cubului celulei
elementare este perpendiculară pe suprafaţa
plachetei atunci aceasta este numită plachetă
de tipul (111).
Teşiturile plachetei ajută la identificarea
acesteia, ca în figură. 24
 2. PROCESAREA PLACHETEI DE SILICIU

Procesarea plachetei de siliciu presupune o serie complexă de operaţii. Aceste

operaţii implică oxidarea siliciului, creştere de straturi subţiri diverse, inclusiv
metalizări, dopare. Pentru definirea formelor se utilizează procedeul litografic.

Pentru creşterea de straturi subţiri se utilizează metode CVD (Chemical Vapor

Deposition) care au loc în cuptoare (reactoare) la temperaturi înalte. Epitaxia este
o creştere a unui strat pe un substrat cu reţea cristalină identică. O metodă mai
complexă este MBE –Molecular Beam Epitaxy.

Realizarea zonelor semiconductoare de tip „p” şi „n” se realizează prin procedeele

de difuzie din stare gazoasă (impurificare la suprafaţă) sau prin implantare ionică
(impurificare în adâncime).

25
Marea răspândire a circuitelor integrate pe siliciu în deceniile trecute s-a datorat
utilizării stratului de dioxid de siliciu pe post de agent de mascare, de definire a
formelor. Acest strat se realizează relativ uşor prin oxidarea (selectivă) a
stratului de bază.

Etape principale ale procesului planar-epitaxial a) formarea stratului de oxid, b)

corodare selectivă a oxidului, c) +d) difuzia atomilor de impuritate în siliciu
26
 REALIZAREA DOPĂRII-DIFUZIA ŞI IMPLANTAREA IONICĂ

Difuzia sau doparea este procesul prin care atomii de impuritate sunt aduşi în interiorul
unui monocristal de Si pentru a-l converti într-un semiconductor de tip n sau de tip p.
Elemente dopante din grupa a V-a: P (fosfor), As (Arseniu) şi Sb (Stibiu, antimoniu)
numite şi impurităţi donoare vor putea produce material semiconductor de tip n.
Elemente din grupa a III-a, ca B (Bor), numite şi impurităţi acceptoare vor produce
semiconductori de tip p.
Parametrii procesului depind de tipul impurităţilor, concentraţia lor, timpul de difuzie şi
temperatură.
Prin difuzie se realizează concentraţii ale atomilor de impuritate ce scad de la suprafaţă
spre interiorul plachetei, fig. (a). Prin implantare ionică, dacă atomii au viteze mari, este
posibil să se realizeze concentraţii mai mari în interiorul plachetei, fig. (b).

27
 Legile difuziei

Fluxul de particule ce străbate o suprafaţă aflată la

distanţa x de suprafaţa semiconductorului este
proporţional cu gradientul concentraţiei de particule în
acea regiune, aceasta fiind prima lege a lui Fick:
∂C
F = −D ⋅
∂x
Parametrul D [cm /s] se numeşte difuzivitate şi depinde de tipul impurităţilor şi de
2

temperatură.
Pe de altă parte, modificarea în timp a concentraţiei în zona dx poate fi exprimată ca
diferenţă a fluxului de atomi care pătrund prin cele două suprafeţe:

∂C ⎛ ∂F ⎞ ∂C ( x) ∂F
dx = F ( x) − F ( x + dx ) ≅ F ( x) − F ( x) − ⎜ ⎟dx =−
∂t ⎝ ∂x ⎠ sau ∂t ∂x
Dacă se introduce F din prima relaţie în ultima rezultă
∂C ( x) ∂⎛ ∂C ( x) ⎞ ∂ 2 C ( x)
= − ⎜− D ⎟=D
∂t ∂x ⎝ ∂x ⎠ ∂x 2

aceasta fiind cunoscută ca cea de-a doua lege a lui Fick.

Ecuaţia permite calculul profilului de difuziune, cu impunerea condiţiilor
28 iniţiale.
 Ecuaţia difuziei se rezolvă pentru două cazuri particulare: difuzia din sursă
infinită şi din sursă finită

Difuzia din sursă infinită Difuzia din sursă finită (Cantitate de impurităţi
(Concentraţie constantă la suprafaţă) Cs=const. constantă pe unitatea de arie S=const.)

Condiţii Presupunem concentraţia de impurităţi în momentul Presupunem concentraţia de impurităţi în

iniţiale iniţial nulă C(x,0)=0 momentul iniţial nulă C(x,0)=0
Concentraţie nulă departe de suprafaţă C(∞,t)=0 Concentraţie nulă departe de suprafaţă C(∞,t)=0
∞
Concentraţie constantă la suprafaţă C(0,t)=Cs Cantitate constantă atomi
∫ C ( x, t ) = S
0

⎛ x ⎞ S ⎛ x2 ⎞
Soluţie
C ( x, t ) = CS erfc⎜⎜ ⎟
⎟ C ( x, t ) = exp⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ 2 Dt ⎠ πDt ⎝ 4 Dt ⎠

unde erfc este funcţia complementară a erorilor. Mărimea (Dt)1/2 se numeşte adâncime
de difuzie.
În cazul distribuţiei din sursă finită soluţia este de tip Gauss. Cele două ecuaţii se pot
reprezenta grafic, normat, pentru a evalua profilurile de difuzie.

29
Evoluţia în timp poate
fi urmărită după
parametrul Dt. De
exemplu în cazul (a) se
constată pătrunderea
spre dreapta a
graficului, adică
creşterea concentraţiei
de impurităţi. Acelaşi
lucru se constată şi în
situaţia (b), dar cu
scăderea concentraţiei
la suprafaţă, faţă de
cea din momentul
iniţial.

30
 În cazul implantării ionice se obţine tot o distribuţie gaussiană centrată pe distanţa
Rp, distanţa dorită ca ţintă.
Concentraţia de ioni la distanţa x de suprafaţă este:
S ⎡ ( x − R P )2 ⎤
n( x) = exp ⎢− ⎥
2π σ p ⎣ 2 σ 2
P ⎦
cu S doza de ioni pe unitatea de arie, iar σp un parametru de dispersie.

31
 Schemă instalaţie difuzie

Schemă instalaţie implantare ionică 32

Exemplu de layout circuit analogic 1 – tranzistor, 2- număr de identificare circuit,
3,4 - pastile pentru wire bonding, 5- linii de metalizare, 6 –linii de separare, 7-
componentă neconectată, 8- marcaje pentru alinierea măştii, 9 - rezistor
33
Circuitele integrate moderne utilizează
depuneri succesive pentru a putea
realiza interconectările complexe pe mai
multe nivele.

În general, componentele circuitului

sunt formate în primele operaţii
tehnologice şi sunt referite ca front end
of the line (FEOL).

Ulterior se realizează diferite straturi de

metalizări care interconectează
componentele circuitului cu suprafaţa
plachetei. Aceste operaţii sunt numite
back end of the line (BEOL).

34
 STRUCTURI INTEGRATE ÎN SILICIU
Rezistoare
- difuzate
- în stratul epitaxial
- rezistoare ciupite (pinched)
- straturi subţiri

Etapele de realizare
a unui rezistor difuzat

Forme posibile ale

rezistorului difuzat

35
Rezistor în stratul epitaxial

Rezistor “ciupit”

Rezistor cu straturi subţiri

36
 Tranzistoare bipolare

Structură discretă Structură integrată CMOS

Tranzistoare MOS 37
 ALTE PROCESE PENTRU SILICIU- Realizarea MEMS

MEMS-Micro Electro-Mechanical Systems sunt realizate de regulă în siliciu prin

operaţii similare celor pentru fabricaţia circuitelor integrate, numite în engleză
micromachining. Se pot realiza diverşi senzori dar şi actuatoare, micromotoare,
micropompe, roţi dinţate, etc.

38
O mare parte din structurile MEMS se realizează pe baza corodării anizotrope. S-a
constatat că anumiţi agenţi de corodare atacă selectiv siliciul, anumite direcţii fiind
atacate mai repede.

Corodare izotropă Corodare anizotropă

Într-o plachetă cu suprafeţe (100) se obţin prin corodare anizotropă piramide de tip V
sau U cu feţele fiind planele (111), fig. (a). Dacă se utilizează plachete cu feţele (110)
atunci se obţin pereţi drepţi paraleli cu planele (111), fig. (b).

(a) (b)

39