Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1

aei.geniu.ro

Seminar 1

S1 CIRCUITE ELEMENTARE DE PRELUCRARE

A IMPULSURILOR

S1.1 Impulsul electric

Formă de undă care caracterizează variaţia rapidă a unei mărimi fizice (tensiune, curent,
sarcină) pe o anumită porţiune a axei timpului. Dacă acestea se repetă spunem că avem de a
face cu o serie de impulsuri. Deci, impulsurile electrice sunt:
- singulare atunci când forma de undă elementară apare o singură dată
- periodice atunci când forma de undă rezultantă este formată dintr-o succesiune de
impulsuri elementare identice

Exemple de impulsuri ideale:

Impulsul Dirac:  t 
, t  0
 t   
 0, t  0
t L t   1

Impulsul treaptă unitate:  t 

0, t  0
 t   
1 1, t  0
L t  
t 1
s

Impulsul fereastră:
f t  0, t  0, t  T
f t   
 1,0  t  0
f t    t    t  T 
1
T
 
t
L f t  
1
1  e  sT
T s

Majoritatea impulsurilor sunt caracterizate de treceri bruşte (aproape instantanee) între

două nivele de tensiune. Dacă variaţiile se fac între 0 si un nivel pozitiv (sau negativ) de
tensiune spunem că impulsurile sunt unipolare. Dacă impulsurile sunt caracterizate de treceri
între două nivele de tensiune de polaritate diferită, spunem că impulsurile sunt bipolare.

-1-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

Parametrii electrici care caracterizează o formă de undă dreptunghiulară ideală (impuls

fereastră) periodică:
xt 
 amplitudinea impulsurilor, E
 durata impulsului elementar, T E
 perioada impulsurilor, T0 t
 frecvenţa impulsurilor, f  1 To
T0
 factorul de umplere,   T T0
T
 valoarea medie a tensiunii, X m  E   E
To
În general pentru o serie de impulsuri periodice, valoarea medie a tensiunii este dată de:

xt dt
1
T0 T0
Xm 

Se consideră forma de undă: xt 

E1 = 5V

Avem: amplitudinea impulsurilor t

 pozitivă E1 = 5V E2 = -1V
t1=1ms t2=3ms t3=4ms

 negativă E2 = - 1V

variaţia semnalului: E = E1 - E2 = 6V 
  T0  3ms
durata impulsurilor pozitive: T01 = t2 - t1 = 2ms 

durata impulsurilor negative: T02 = t3 - t2 = 1ms

valoarea medie a tensiunii

Xm 
1
E1T01  E2T02   1 10  1  3V
T0 3

Parametrii efectivi care caracterizează impulsul real:

xt   T – durata impulsului

E
0,9E t f – durata frontului crescător

0,5E t f – durata frontului descrescător

T  – supracreşterea
0,1E t
 t f
t f

-2-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

Circuitele de prelucrare
 liniare
- de trecere
- de derivare
- de integrare
 neliniare
- limitatoare
- de axare
- de formare

Circuitele cu un singur element reactiv, sau în care predomină un singur element reactiv
sunt circuite de ordinul unu, caracterizate de o funcţie de transfer cu un singur pol, sau de o
ecuaţie diferenţială de ordinul unu.

xt  yt  Y s 
ht  H s  
X s 
X s  Y s 
(excitaţie) H t  (răspuns) (funcţie de transfer)

dyt 
  yt   xt , t  0
dt

Dacă xt    t  semnal treaptă, atunci răspunsul unui circuit liniar de ordinul 1 este de
forma:
yt   lim yt   limsY s  (teorema valorii iniţiale)
t 0 s 
t 0

y – valoarea finală a răspunsului, valoarea de regim staţionar

y   lim yt   limsY s  (teorema valorii finale)

t  s 0

 – constanta de timp a circuitului

Mărimile electrice se determină prin analiza circuitului ţinând cont de caracteristicile
electrice ale componentelor:
a) capacităţile nu admit salturi de tensiune la borne

b) curentul prin inductanţe trebuie să-şi menţină continuitatea

c) sarcina nu se acumulează instantaneu

-3-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

Înainte de aplicarea impulsului V1 V2

U  V2  V1
V U
După aplicarea impulsului

U   V2  V1  U V1  V2  V2  V

În concluzie, dacă pe una din bornele unui condensator aplicăm o variaţie V de

tensiune ( V1  V1  V ) atunci această variaţie este transmisă instantaneu pe cealaltă bornă
( V2  V2  V ). Cu alte cuvinte, deoarece sarcina nu se acumulează instantaneu între bornele
condensatorului, în momentul aplicării impulsului, tensiunea la borne rămâne rămâne constantă.
Pentru scrierea comodă a legilor de variaţie în timp a diverselor mărimi electrice,
originea timpului va fi deplasată după necesităţi, de regulă la momente de timp în care au loc
salturile de tensiune.

Aplicaţie:

Se consideră un circuit RC serie (R = 1K, C = 100 F). Se cere:

a) să se calculeze răspunsul circuitului la un impuls de tensiune treaptă de valoare E = 10V;
b) să se calculeze durata impulsului obţinut la o valoare dată a tensiunii
v0 t   V0 max   1 , (Cazuri particulare  = 0,1;  = 0,01;  = 0,5);
c) se cere forma de undă a răspunsului la un impuls fereastră de durată T şi amplitudine
E=10V; (cazuri particulare T   , T   , T   )

S1.2 Circuitul RC de derivare

H s  
R
C Funcţia de transfer:
1
R
sC
u i t  R u 0 t  Semnalul de la intrare: ui t   E   t 

U i s  
E
s
Constanta circuitului:  = RC = 100ms
E
Răspusul la ieşire: U 0 s   H s U i s  
1  s
Variaţia în timp a răspunsului la ieşire:

u0  L1 U 0 s   E  exp  t  , t0

Acelaşi răspuns obţinem dacă scriem:

-4-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

u0 t   u0    u0 (0)  u0  exp  t  

u 0 0  limsU 0 s   E (teorema valorii iniţiale)

s 

u0    limsU 0 s   0 (teorema valorii finale)

s0

În mod practic putem ocoli calculul funcţiei de transfer şi să determinăm valorile iniţiale
şi finale ţinând cont de următoarele aspecte:
Înainte de aplicarea impulsului treaptă schema
se găsea în regim staţionar. Regimul staţionar este ui  0 u0  0
echivalent cu regimul de c.c. şi, deci, condensatoarele
se pot elimina din schemă.
Prin aplicarea unui impuls treaptă unitate la intrare,
pe una din bornele condensatorului aplicăm variaţia V = E – 0 = E. Această variaţie este
transmisă instantaneu la ieşire, avem deci:
u0(0) = E

După aplicarea impulsului, în regim staţionar, intrarea este la u i  E , iar ieşirea este
u 0    0 , condensatorul este încărcat şi nu mai acumulează sarcină:

E u 0  

Înlocuind se obţine u 0 t   E exp  t   . Forma de undă este:

u i t 

E u 0 t   E
rezultă :
t
1
t   ln

u 0 t    0,5  t 0,5   ln 2  0,7
E   0,1  t 0,1   ln10  2,3
0,9E   0,01  t 0, 01  2 ln10  4,6
0,1E t
 2

-5-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

c)

Cazul T =  Cazul T <<  Cazul T >> 

u i t  u i t  u i t 

E E E
T T T
t t t
t0 t1 t0 t1 t0 t1

u 0 t   2 u 0 t  u 0 t 

E E
u 0 T 
t t t
E

La momentul t = t 0 = 0, ui = E
u0  E 
  u 0 t   E exp t  
u0  0 

C Pentru t  T  u 0 T   E exp  T  
E u0
T    u 0 T  
E

R e
 T    u 0 t   E
 T    u 0 t   0

La momentul t = t 1 = T, ui = 0
u 0 0  u 0 T   V  u 0 T   E
u 0    0
Vom avea:

u0
1 e
 T   u0 t   E exp t  
R e
C
 T   u0 t   0
 T   u0 t    E exp  t  

-6-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

S1.3 Circuitul RC de integrare

u i t 
u i t  R u 0 t 
E
C
T
t
t0  0 t1  T

u 0 t 
Înainte de aplicarea impulsului t < t0
E
0.9E
0,5E
t
ui  0 R u0  0
0,7  2,3

deci UC = U0 = 0

La aplicarea impulsului tensiunea pe condensator rămâne constantă şi deci u 0 0   0 .

Valoarea finală a răspunsului rezultă tot pe schema corespunzătoare regimului staţionar (fără
condesator), dar cu ui = E:

ui  E R u 0    E

Rezultă u 0 t   E 1  exp  t  
În mod asemănător ca la circuitul de derivare obţinem t 0,9  2,3

-7-
Electronica digitala Eugenie Posdărăscu - CED SEM 1
aei.geniu.ro

Cazul T =  Cazul T <<  Cazul T >> 

u i t  u i t  u i t 

E E E
T T T
t t t
t0  0 t1  T t0  0 t1  T t0 t1

u 0 t  u 0 t  u 0 t 
E E
u 0 T 
0,5E 0,5E
t t t
0,7 
c)

-8-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

Seminar 2

S2 CIRCUITE DE LIMITARE CU DIODE

S2.1 Comutatoare electronice

Comutator electronic = dispozitiv electronic care permite închiderea sau deschiderea

unui circuit, a unei cai de curent.
Prezintă deci două stări :
- închis (on)
- permite conducţia curentului
- rezistenţă serie scăzută (nulă)
- tensiune reziduală nulă
- deschis (off)
- nu permite trecerea curentului
- conductanţa de pierderi nulă
- curent rezidual nul
Trecerea dintr-o stare în alta trebuie să se facă instantaneu.

Dioda semiconductoare

Cel mai simplu dispozitiv electronic ce poate fi folosit ca un comutator

electronic.

Anod   qU D  
i D  I 0 exp   1
  kT  
UD

iD
Catod

Caracteristica reala:

UD

-1-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

Modele de reprezentare ale diodei

iD iD iD
rd  0
rd  0

UD UD
UD
Model ideal Model idealizat Model real
u D  0, rd  0, r f   u D  0, rd  0, r f   uD  0

Modelul real al diodei Anod

rd = zeci de 
r f =ordinul M rf rd
U d =0,75..0,85V, tipic 0,8V (tensiune de rd
rd Ud
deschidere)
D' ' rd
D’, D’’ – diode ideale D' D'
D'

Catod
Problema 1

Se considera circuitul de limitare cu diode de mai jos:

R D
Ui U
U0
E

E  5V , R  10 K
u i (t )  10 sin t V 

Se cer:
1) Sa se reprezinte grafic caracteristica de transfer pentru cazul:
a) D ideala
b) D idealizata
c) D reala
2) Sa se calculeze caracteristica de intrare ii vi 
3) Sa se reprezinte forma de unda in timp a tensiunii de iesire si a curentului de
intrare pentru cazul unei diode ideale.
-2-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

Rezolvare:

1a) Dioda ideala

A
A U<0
U D  0 U>0

 rd  0
 C C
 rf  0
Dioda conduce Dioda blocata

Pentru UI > E dioda se deschide in conductie (va fi fir):

Circuitul devine:
R
U0  E
E

Pentru Ui < E dioda e blocata:

U0

R
Ui  E U0  Ui
E
E Ui
E

1b) Dioda idealizata

Cand dioda este deschisa ( U > UD ) A

UD
Cand dioda este blocata ( U < UD) - intrerupere. C

Rezulta ui > E + UD dioda se deschide

R
Ui  E U D UD U0  E UD
E U0  E UD

Pentru ui < E + UD dioda e blocata:

U0

R
Ui U0  Ui EU D
E U0  E UD Ui

EU D
EU D
-3-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

1c) Dioda reala

Tinand cont de modelul diodei reale avem:
- daca ui < E, dioda D’’ e deschisa, D’ blocata:

R R rf
Ui rf U0 u0  E ui  ui
R  rf R  rf
E U0  E UD

- daca ui > E + UD, dioda D’ e deschisa, D’’ blocata:

R
Ui rd U0 u0 
R
E  U D   rd ui  E  U D
R  rd R  rd
E Ud U0  E UD

- daca E  ui  E + UD, atunci D’ si D’’ blocate

U0

R
Ui rd U0  Ui EU D
E U0  E UD Ui

EU D
EU D

2) Caracteristica de intrare ii u i 
Dioda ideala Dioda idealizata

0 , ui  E 0 , ui  E  U D
 
ii u i    1 ii u i    1
 R u i  E  , ui  E  R u i  E  U D , u i  E  U D

Dioda reala

 ui  E
R  r , ui  E
 f

ii u i   0 , E  ui  E  U D E
u  E  U Ui
 i D
, ui  E  U D
 R  rd EU D
ii
EU D

-4-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

3) Forma de unda
In reprezentare formei de unda s-a tinut cont de caracteristica de transfer u0(ui)
pentru dioda ideala.
U i ,U 0
U max U max sin t t
t
E

t
U 0 (t )

Probleme propuse

b)
a)
U0
Ui D RR U0  E UD R D
Ui U0
E E U0  E UD

d)
c)
U0
R U0
Ui D RR U 0  E U
Ui D D D
U0  E UD
E E1 E2

-5-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

Problema 2

Fie circuitul de limitare cu diode din figura de mai jos:

C

Ui Uo
R D

Se cere să se calculeze forma de undă u0(t) de la iesire, atunci când la intrare este
aplicat un impuls fereastra ui(t)=E*fT(t). Dioda D se considera ideala.

Rezolvare:

Pentru t<t0, evident, u0=0, starea

este caracteristica unui regim stationar
(circuit de c.c.).
La momentul t0 = 0 are loc un salt
de tensiune de valoare E. Aceasta
variatie este transmisă instantaneu pe
cealaltă bornă a condensatorului la
iesire. Deoarece potentialul catodului
diodei (tensiunea U0) este pozitiv, dioda
se va bloca si circuitul se comporta ca și
cum dioda nu ar exista (R || rf  R).

La momentul t0 = 0:

u0(0)=E
u0()=0 => u0(t) = E·exp(-t/) si V = u0(T) = E·exp(-T/)
1=R·C

La momentul t1=T
t1(-) E V

t1(+) 0 V-E
u0(0 = -UD , 2  0

La momentul t1 la intrare se primeste un impuls negativ, care se transmite

instantaneu la iesire. Catodul diodei se negativează puternic și dioda D se
-6-
Circuite de limitare cu diode Eugenie Posdărăscu - CED SEM 2
aei.geniu.ro

deschide. Rezistenta rd  0 fiind foarte mica, atunci rd||R  1 si circuitul apare la

iesire cu rezistenta rd, constanta de timp 2  rd·C.
In concluzie apare o limitare a tensiunii la valoarea -UD, cu o descarcare
rapida (instantanee practic) la u0()=0

Probleme propuse:

R
E
a) b)
Ui Uo
R
D C D
C
Ui
Uo

C C
c) d)
Ui Uo Ui Uo
D
R D R
E

C
e)

Ui Uo
D
R
E

-7-
Comutarea TB Eugenie Posdărăscu - CED SEM 3
aei.geniu.ro

Seminar 3

S3 Comutarea tranzistorului bipolar

Comutator electronic = dispozitiv electronic care permite închiderea sau deschiderea

unui circuit, a unei cai de curent.
Prezintă deci două stări :
- închis (on)
- permite conducţia curentului
- rezistenţă serie scăzută (nulă)
- tensiune reziduală nulă
- deschis (off)
- nu permite trecerea curentului
- conductanţa de pierderi nulă
- curent rezidual nul
Trecerea dintr-o stare în alta trebuie să se facă instantaneu.

Tranzistorul bipolar

Regimurile tranzistorului bipolar

UBE0 – tensiunea de deschidere a jonctiunii BE

UBEsat – tensiunea de saturare a jonctiunii BE
UCEsat – tensiunea de saturatie a tranzistorului
ICsat – curentul de colector de saturatie
IBSi – curentul de baza corespunzator saturației
incipiente

n - gradul de saturatie:

-1 -
Comutarea TB Eugenie Posdărăscu - CED SEM 3
aei.geniu.ro

Regimul activ invers Blocare Regimul activ normal Saturatie

RAI BLOC RAN SAT
VB < VE + UBE0 UBE0  UBE <UBEsat UBE = UBEsat
(UBE < UBE0) UBE = VB - VE IB  IBSi
IB = 0, IC = 0 0  IB <IBSi IC = ICsat
tranzistorul nu exista 0  IC < ICsat UCE = UCEsat
in circuit.
IC = 0IB n0
UCE dat de circuit
UCE > UCEsat

Din punct de vedere al comutatiei un tranzistor se afla in conductie atunci

cand se afla in RAN sau in saturatie. In functie de impulsurile aplicate in baza,
intre colector si emitor, tranzistorul indeplineste functia de comutator.
Comutarea este facuta de obicei intre zonele de blocare si cele de saturatie. RAN
este un regim intermediar.

In blocare: In RAN: In SAT

VC
IB rx0 VC IB rx VC

B VB UBE 0IB VB UBEsat UCEsat

VB
VE VE VE VE
VE

1
I Csat

kT  i I B  0
U CEsat  ln U CEsat  0
q I
1  Csat
I B 0

-2 -
Comutarea TB Eugenie Posdărăscu - CED SEM 3
aei.geniu.ro

Problema 3

Considerand timpii de comutatie ai tranzistorului neglijabili in raport cu

constantele de timp ale circuitului, se cere sa se calculeze formele de unda din
colectorul tranzistorului la aplicarea unui impuls negativ treapta unitate de
valoare E.

VCC
RB = 50k; VCC = 10V;
RC = 1k; E = 15V; C = 1nF
RB RC 0 = 100; UBE = 0.7V (comun)
u0 UCE  0

ui C B

uI Indiferent cat era valoarea

V1 tensiunii de la intrare, initial, se
considera un regim stationar, prin
condesator nu circula sarcina. Rezistenta
E RB alimenteaza baza tranzistorului cu un
t0 curent de baza
t VCC  U BE
V2 IB  0
RB
B
ceea ce face ca tranzistorul sa fie in conductie.
vB
Se verifica:
VCC  U CEsat
UBE I B  I BSI 
 0 RC
t deci T este saturat si U0 = UCEsat  0

v0

VCC

t0 t1 t

-3 -
Comutarea TB Eugenie Posdărăscu - CED SEM 3
aei.geniu.ro

Prin aplicarea impulsului negativ de valoare E pe una din bornele condensatorului,

variatia este transmisa instantaneu in baza tranzistorului pe care o negativeaza (in raport cu
emitorul). Tranzistorul se blocheaza si circuitul devine:

Vcc Vcc
Din figura alaturata rezulta ca atunci
cand tranzistorul este blocat, tensiunea
RB
C
Uo la iesire U0 = VCC
Ui VB Vc

VE

Din momentul t 0 al blocarii, circuitul din baza este un circuit RC, capacitatea C se
incarca prin intermediul rezistentei RB cu sarcina de la sursa VCC, astfel ca potentialul bazei
va avea o evolutie de forma:

VB(t) = vB()+[vB(0)- vB()]·exp(-t/B)

unde:  = RBC ; vB(0) = UBE – E = V ; vB() = VCC
Deci:
VB(t) =VCC+(UBE – E – VCC)·exp(-t/B)
Aceasta reprezinta o lege exponentiala crescatoare de la valoarea initiala
UBE – E la valoare finala VCC. In momentul in care in baza se atinge valoarea de deschidere a
tranzistorului, acesta intra in conductie, iar jonctiunea BE limiteaza cresterea mai departe la
valoarea lui UBE.
VB(T) = UBE

Rezulta:

VCC  E  U BE  E 
T   B ln   B ln1  
VCC  U BE  VCC 
In acest moment ( t 1 = t0 + T ) in condensator nu mai intra sarcina si rezistenta RB
alimenteaza baza tranzistorului cu acelasi curent specific regimului stationar al circuitului
pentru care T devine iarasi saturat (v0 = UCEsat ).
In concluzie, prin aplicarea unui singur impuls negativ treapta la intrare, iesirea a dat
un impuls fereastra de inaltime VOH = VCC (VOL = UCEsat ) si de durata controlata T=T(B,E).
Aplicatii: alarme la masini.

-4 -
CED – seminarul 4
Circuite logice cu elemente discrete

Familii de circuite logice:

DL – logică cu diode
DCTL – logică cu transiztoare cuplate
Ii Io direct
RTL – logică rezistenţă – tranzistor
Circuit
uo DTL – logică diodă – tranzistor
Logic
TTL – logică tranzistor – tranzistor
ECL – logică cu cuplaj pe emitor
MOS – logică cu tranzistor MOS

Caracteristici statice de funcţionare şi parametrii statici specifici:

- caracteristica de transfer uo =uo(ui):

uo VIL, VIH – nivele de tensiune acceptate la

intrare
VOH -1  VOL, VOH – nivele de tensiune oferite la
Vo = Vi iesire
 MZL, MZH – margini de zgomot
(acestea se pot defini ca fiind nivelul maxim
al perturbaţiilor sub formă de tensiuni
-1 admise pe intrarea circuitului logic fără
modificarea stării logice la ieşirea lui
VOL MZL = VILmin – VOLmax
ui MZH = VOHmin – VIHmax
VIL VPL VIH
 VPL – valoarea de prag logic (valoarea
tensiunii de la intrare pentru care se consideră că se face trecerea dintr-o stare în
alta.

Caracteristica ideala de tip Caracteristica ideala de tip

inversor neinversor
uo uo
VOH =Vcc VOH =Vcc
MZL MZH MZL MZH

VOL=0 VOL
ui ui
VIL=0 VPL VIH =Vcc VIL=0 VPL VIH =Vcc
VOL=0 VOL=0
Pentru determinarea caracteristicii de transfer pentru un circuit de tip ŞI,
respectiv SAU, se pun toate intrarile la “1” logic, respectiv la “0” logic, cu exceptia
unei intrari care variază de la 0 la Vcc , urmarindu-se variaţia tensiunii la ieşire.

- caracteristica de intrare ii = ii(ui):

 IIL , IIH curenţii de intrare în cele două stări logice
- caracteristica de iesire io = io(uo):
 IOL , IOH curenţii pe care circuitul este capabil sa-i dea în sarcină (sau să-i
absoarbă din sarcină) în cele două stări logice.

Din caracteristicile de intrare şi de ieşire, în corelaţie şi cu marginile de zgomot

statice acceptate în cele două stări, se deduce capacitatea de încărcare statică maximă
a circuitului, Nmax (fan-out):
Nmax = min{N0max, N1max}
I
N O max  OL max = numarul maxim de porţi logice identice ce pot fi conectate la
I IL max
ieşirea unei porţi astfel ca starea sa (0 logic) sa nu fie afectată
I
N i max  OH max = numărul maxim de porţi logice identice ce pot fi conectate la
I IH max
ieşirea unei porţi astfel ca starea sa (1 logic) sa nu fie afectată

Comportarea in regim dinamic

tp 
1
t pLH  t pHL  timp mediu de propagare
2
 tpLH, tpHL – timpi de propagare (întârzieri pe poartă): intervalul de timp dintre
trecerea intrării prin valoarea V PL la comutarea directă, respectiv inversă, şi
momentul în care răspunsul la ieşire trece prin aceeaşi valoare
 tfLH, tfHL – duratele fronturilor impulsurilor (timpii de creştere şi respectiv de
descreştere) şi sunt definite ca fiind intervalele de timp necesare tensiunii la ieşire
să evolueze intre 0,1 şi 0,9 (respectiv 0,9 şi 0,1) din valoarea totala a excursiei de
tensiune V = VOH – VOL.
 marginea de zgomot în impulsuri: este dată de amplitudinea minimă a unui impuls
ezg de durată precizată tzg , care poate provoca schimbarea stării logice a circuitului
la ieşire.

Caracteristica de alimentare si putere disipata

Parametrii:
 VCC, VEE sau VDD – tensiunea de alimentare
 ICCL, ICCH (IDDL, IDDH) – curenţii absorbiţi de la sursa de alimentare în cele două
stări logice
 PCCL, PCCH (respectiv PDDL, PDDH) – puterile absorbite în cele două stări logice
 Pmed – puterea medie disipată sau absorbită

Pmed  PCCL  PCCH   VCC I CCL  I CCH 

1 1
2 2
 M  Pmed  t p – factor de merit – caracterizează global o structură dată de circuit
 Exemple de circuite logice
DL - OR Vcc
Vcc 2 RTL – NOR
1 ui1 u0
m Rm Rc
DL – AND
uim uim
T
uim
u0 ui1
ui1 -VEE Ri Rb
Vcc -Vbb
m
3 DCTL – NAND Vcc
m
DCTL – NOR Rc
T1 Tm u0
ui1 Rm u0
uim Rm Tm
R1 uim

4 DTL - NAND Vcc

ui1 T1
R RC
Dm D’ D’’ u0 Ri
uim T

RB
ui1
Di -VBB
Problema 1
Fie circuitul RTL cu M = 3 intrări Ri = R1 = R2 = R3 =20K, 0 = 100
UBE0 = UBE = UBEsat = 0,7V
UCEsat 0
Se cere: Vcc=20V
a) caracteristica de transfer u0(ui) pentru N = R3
0 si N = 5 ui3 Rc=2K
b) MZL, MZH R2 u0
c) Caracteristica de intrare ii (ui) ui2 T
d) Nmax
e) Formele de undă la ieşire pentru N = 0 ui1
când la intrare este aplicat un impuls R1
RB
fereastră ui(t) = Vg fT(t), cu Vg = 20 V, de
10K
durată suficient de mare (regimul
tranzitoriu al porţii)

Rezolvare:
a) Pentru determinarea caracteristicii de transfer pentru circuitul NICI se pun două
intrări la “0” logic şi se variază lent intrarea liberă între 0 şi VCC.
 Vcc Tensiunea de “0” logic cu
care se comandă intrarea este
Rc U CEsat  0 .
u0
R1 VB Când ui = 0, tranzistorul T
ui T este blocat, potenţialul în bază VB =
0.
R’B
RB  R2 || R3 || RB  5K
Scriind metoda potenţialelor
uo
la noduri în baza tranzistorului
VOH =Vcc avem:
MZL MZH ui U  1 M
 M  1 CEsat  VB   
R1 Ri  B Ri 
R
0
ui RB
V1 V2 de unde: VB  ui
VOL=0
VIH =Vcc R1  RB
 R   R 
sau: u i   M  1 VB  1  1 VB
 RB   RB 
În această situaţie ieşirea uo = VOH = VCC. Ieşirea rămâne la această valoare cât
timp tranzistorul este blocat. Pentru ui = V1 în bază se atinge tensiunea de deschidere a
tranzistorului VB = UBE0. Se determină:
V1 = 5UBE = 3,5V
VOH = VCC este determinată evident pentru N = 0. În cazul în care poarta
noastră comandă alte 5 porţi identice (N = 5), atunci ieşirea arată:
Vcc Porţi comandate  1 N V U
VOH N     CC  N BE
Ri  RC Ri  RC Ri
Rc UBE de unde:
Ri NRC
VOH(N) VOH N   VCC  U BE
Ri  NRC Ri  NRC
UBE
Ri
VOH 5  VCC  U BE  13,5V  VOH 0
2 1
3 3
Pentru u i  0, V1  tranzistorul fiind blocat, curentul în baza lui e 0. Când
u i  V1 tranzistorul se deschide în RAN. Curentul din baza lui este:
u i  U BE U BE
I B  I1  I   
R1 RB
M 1 
I B u i  
1
u i    U BE
R1  Ri RB 
Când ui = V2 tranzistorul intră în saturaţie şi IB(V2) = IBSI(N)
Pentru N = 0
I Csat 
1
VCC  U CEsat   VCC  I BSI 0  VCC
RC RC  0 RC
Pentru N = 5 porţile comandate pot avea tranzistoarele blocate sau saturate.
Vom considera cazul în care tranzistoarele comandate sunt blocate.
 VCC  U CEsat   N U CEsat
I Csat N  
1
RC Ri  RB

Curentul de saturaţie incipientă din bază: I BSI  N   I Csat  N  şi este datorat

1
0
diferenţei V  V2  V1  Ri I BS , de unde
V2 = V1 + RiIBS

b) MZL = VILmin – VOLmax = V1 – VOL = V1 ii

MZH = VOHmin - VIHmax = VOH – V2 = VCC – V2

 R  R , pentru ui  0, V1 
ui
c) I i ui    1 B
ui  U BE
 , pentru ui  V1 , VCC  ui
 R1
V1 VIH
c) Numărul maxim de circuite comandate (identice) se determină astfel:
În starea “0” tranzistorul de comandă trebuie să rămână saturat, deci: IB > IBSI
V  U BE U BE U  U CEsat
I B min  OH   M  1 BE ,
R1 RB Ri
caz defavorabil, cu toate cele (M – 1) intrări la “0” logic.
I BS Im ax 
1
I Csat max 
1
VCC  U CEsat   N 0 U BE  U CEsat 
0  0 RC  0 Ri
Valoarea VOH a fost calculată tot pentru N0, adică
Ri N 0 RC
VOH  VCC  U BE
Ri  N 0 RC Ri  N 0 RC
Înlocuind în inegalitatea de mai sus rezultă N0.
În starea logică “1”:
Vcc Curentul distribuit fiecărei căi va fi
1 VCC  U BE
Rc Ii  
Ii N1 R
RC  i
N1
N1Ii Porţile comandate trebuiesc să poată fi saturate:

U  U CEsat 1 VCC  U CEsat

 M  1 BE
U BE
I Bi  I i  , I BSI 
RB Ri 0 RC
Din condiţia I B  I BSI  N 1 . Se alege N max  min N 0 , N1 
e)
ui La momentul t0 are loc comutarea
Vg
directă. Tranzistorul era blocat iar poarta se
găsea în “1” logic la ieşire. Comutarea
T directă presupune două fenomene:
t
t0 t’0 - Întârzierea la deblocarea tranzistorului,
de durată t1 (neglijabil):
v 0   vB  
t1   1 ln B
u0 U BE  vB  
Vg
unde vB 0  0 , vB   Vg ,
~ Ri
 1  C be RB ||
t M
După deblocare se intră în RAN.
t1 t2 t3 t4

- Întârzierea datorată parcurgerii RAN

ic t    0 I B1 1  exp  t  n 
Cp - capacitatea parazită
VCC
 n    RC C p
u 0 t   VCC  RC iC t  RC
Durata t2 rezultă din condiţia saturării
tranzistorului, deci: u 0 t 
u 0 t 2   U CEsat  0 0IB
 0 I B1 RC Cp
t 2   n ln
 0 I B1 RC  VCC
Şi acest timp este neglijabil dacă pe ieşirea porţii nu se găseşte o capacitate de sarcină
CS semnificativă.
La comutarea inversă (momentul t 0 ) tranzistorul este găsit în SAT. Pentru a-l
comuta din SAT în BL mai întâi se elimină sarcina stocată suplimentar în tranzistorul
saturat (întârzierea t3), după care se blochează, capacităţile aflate în sarcină se încarcă
la valoarea VOH.
I  I B1
Timpul de stocare t 3  t S   S ln B 2 , unde
I B 2  I BS
V g  U BE U  U CEsat U BE V g  U BE U BE
I B1   M  1 BE   
R1 Ri RB R1 RB

I B2 
U BE
 M  1 U BE  U CEsat 
U BE

U BE
R1 Ri RB R
R B || i
M
1 VCC  U CEsat VCC
I BS   
0 RC  0 RC
 Timpul de creştere t4:

VCC
u 0 0  0 

u 0    VCC  u 0 t   VCC 1  exp  t  
RC

  RC C p 
u0

u 0 t 4   0,9VCC  t 4  2,3
Cp

Rezultă:
 timpul de comutare directă t cd  t1  t 2  t 2
 timpul de comutare inversă t ci  t S  t 4  t 4
CED – seminarul 5
Circuite logice cu elemente discrete

Familii de circuite logice:

DL – logică cu diode
DCTL – logică cu transiztoare cuplate
Ii Io direct
RTL – logică rezistenţă – tranzistor
Circuit
uo DTL – logică diodă – tranzistor
Logic
TTL – logică tranzistor – tranzistor
ECL – logică cu cuplaj pe emitor
MOS – logică cu tranzistor MOS

Caracteristici statice de funcţionare şi parametrii statici specifici:

- caracteristica de transfer uo =uo(ui):

uo VIL, VIH – nivele de tensiune acceptate la

intrare
VOH -1  VOL, VOH – nivele de tensiune oferite la
Vo = Vi iesire
 MZL, MZH – margini de zgomot
(acestea se pot defini ca fiind nivelul maxim
al perturbaţiilor sub formă de tensiuni
-1 admise pe intrarea circuitului logic fără
modificarea stării logice la ieşirea lui
VOL MZL = VILmin – VOLmax
ui MZH = VOHmin – VIHmax
VIL VPL VIH
 VPL – valoarea de prag logic (valoarea
tensiunii de la intrare pentru care se consideră că se face trecerea dintr-o stare în
alta.

Caracteristica ideala de tip Caracteristica ideala de tip

inversor neinversor
uo uo
VOH =Vcc VOH =Vcc
MZL MZH MZL MZH

VOL=0 VOL
ui ui
VIL=0 VPL VIH =Vcc VIL=0 VPL VIH =Vcc
VOL=0 VOL=0
Pentru determinarea caracteristicii de transfer pentru un circuit de tip ŞI,
respectiv SAU, se pun toate intrarile la “1” logic, respectiv la “0” logic, cu exceptia
unei intrari care variază de la 0 la Vcc , urmarindu-se variaţia tensiunii la ieşire.

- caracteristica de intrare ii = ii(ui):

 IIL , IIH curenţii de intrare în cele două stări logice
- caracteristica de iesire io = io(uo):
 IOL , IOH curenţii pe care circuitul este capabil sa-i dea în sarcină (sau să-i
absoarbă din sarcină) în cele două stări logice.

Din caracteristicile de intrare şi de ieşire, în corelaţie şi cu marginile de zgomot

statice acceptate în cele două stări, se deduce capacitatea de încărcare statică maximă
a circuitului, Nmax (fan-out):
Nmax = min{N0max, N1max}
I
N O max  OL max = numarul maxim de porţi logice identice ce pot fi conectate la
I IL max
ieşirea unei porţi astfel ca starea sa (0 logic) sa nu fie afectată
I
N i max  OH max = numărul maxim de porţi logice identice ce pot fi conectate la
I IH max
ieşirea unei porţi astfel ca starea sa (1 logic) sa nu fie afectată

Comportarea in regim dinamic

tp 
1
t pLH  t pHL  timp mediu de propagare
2
 tpLH, tpHL – timpi de propagare (întârzieri pe poartă): intervalul de timp dintre
trecerea intrării prin valoarea V PL la comutarea directă, respectiv inversă, şi
momentul în care răspunsul la ieşire trece prin aceeaşi valoare
 tfLH, tfHL – duratele fronturilor impulsurilor (timpii de creştere şi respectiv de
descreştere) şi sunt definite ca fiind intervalele de timp necesare tensiunii la ieşire
să evolueze intre 0,1 şi 0,9 (respectiv 0,9 şi 0,1) din valoarea totala a excursiei de
tensiune V = VOH – VOL.
 marginea de zgomot în impulsuri: este dată de amplitudinea minimă a unui impuls
ezg de durată precizată tzg , care poate provoca schimbarea stării logice a circuitului
la ieşire.

Caracteristica de alimentare si putere disipata

Parametrii:
 VCC, VEE sau VDD – tensiunea de alimentare
 ICCL, ICCH (IDDL, IDDH) – curenţii absorbiţi de la sursa de alimentare în cele două
stări logice
 PCCL, PCCH (respectiv PDDL, PDDH) – puterile absorbite în cele două stări logice
 Pmed – puterea medie disipată sau absorbită

Pmed  PCCL  PCCH   VCC I CCL  I CCH 

1 1
2 2
 M  Pmed  t p – factor de merit – caracterizează global o structură dată de circuit
 Exemple de circuite logice

Problema 2

Fie circuitul DTL din figură, pentru care:

 0 = 100, UBE0 = 0,5V, UD = UBEsat = 0,7V, UCEsat  0, rCsat = 10, RC = 1K, R1 = 4K,
R2 = 10K, VCC = 10V.

Se cere:
a) caracteristica de transfer VCC
u 0 u i  şi parametrii acesteia R1 RC
b) caracteristica de intrare ii u i 
şi gradul de saturaţie nT al ui Di D D B u0
T
tranzistorului
c) capacitatea maximă de A
încărcare Nmax R2
d) puterea medie disipată
e) regimul tranzitoriu pentru o
capacitate de sarcină CS =
100nF.

Rezolvare:

a)
u0 Poarta DTL este o poartă logică de tip ŞI-
NU (NAND), în concluzie pentru a trasa
VOH caracteristica de transfer conectăm toate
MZH intrările la “1” logic cu excepţia unei
MZL singure intrări pe care aplicăm o variaţie
0 u i lentă între 0 şi VCC. Diodele Di care vor fi
conectate la “1” logic vor fi blocate.
V1 V2 VPL V3 ViH Când ui = 0, dioda Di este deschisă prin
Caracteristica de transfer
calea de curent asigurată de la VCC prin
R1. Tensiunea în punctul A va fi
vA 0  U D  0,7V , tensiune insuficientă pentru a deschide diodele D’ şi D’’
(înseriate). Acestea vor fi deschise pe calea de curent Vcc – R1 – A – masă în momentul
în care v A u i   2U D  u i  V1  V A  U D  U D  0,7V . În domeniul u i  0, V1 
tranzistorul este blocat şi tensiunea la ieşire este vOH  VCC  10V . Tranzistorul se
deschide (în RAN) în momentul în care în bază avem potenţialul
v B u i  = UBE0 = 0,5V
adică pentru o tensiune la intrare ui = V2 = -UDi + UD’ + UD’’ + UBE0 adică
V2 = UD + UBE0 = 1,2V
În momentul în care la intrare avem ui = V3 = UD + UBEsat, tranzistorul se
găseşte în zona de saturaţie cu condiţia ca I B  I BS . Deci V3 = 1,4V.
La ieşire pentru u i  V3 vom avea u O  VOL  U CEsat  0 . Valoarea lui VOL este
dependentă de gradul de încarcare N.
 Dacă scriem MPN (metoda potenţialelor la noduri)

VCC

VCC R1
Di VOL N   U CEsat  rCsat I Csat N  
RC
NIi
diode  U CEsat  rCsat I Csat 0  NI i 
Ii blocate
V0L
rCsat

ECEsat

 1 1 N V U V U D
V0 L      CC  CEsat  N CC
 RC rCsat R1  RC rCsat R1
V
Pentru N = 0 se poate aproxima V0 L  rCsat  CC
RC
Imunitatea la zgomot:
MZL = V2 – 0 = V2
MZH = VCC – V3

VCC  V A u i  VCC  U Di  u i
b) Pentru ui  0, V1  avem I i u i    sau
R1 R1
V  U Di
I i1 u i     I R1 u i  .
1
u i  CC
R1 R1
VCC  V A u i  VB u i 
Pentru u i  V1 ,V2  avem I i u i   I R1  I R 2   sau
R1 R2
V  U Di V u   2U D u i  U D
I R1 u i    u i  CC şi I R 2 u i   A i
1
 deci
R1 R1 R2 R2
V  U Di U D
I i 2 u i   
1
u i  CC  (se schimbă panta).
R1 || R2 R1 R2
ii u i 
V U D ui
I IL  I i1 0   CC
IiH V1 V2 V3 ViH
R1
V  2U D
I1  I i1 V1   I i 2 V1   CC
R1
I 2  I i 2 V2 
I2
Pentru u i  V1 ,V3  curentul scade şi
Caracteristica
de intrare
I1
mai mult, pâna la 0. Pentru ui  V3 începe şi
blocarea diodei de la intrare, o dată cu IiL
saturarea tranzistorului.

IiL = 0.
Când tranzistorul este saturat, curentul din baza sa este:
VCC  V AH U BEsat
IB   unde VAH = 2UD + UBEsat şi VAL = V A 0 = UD. Se determină
R1 R2
IB = 1,975 + 0, 07 = 1,9 mA
Curentul de saturaţie incipientă:
1 VCC
I BSI   0,1 mA  I B  T saturat
 0 RC
Gradul de saturaţie:
I
nT  B  1  18
I BSI

c) Capacitatea maximă de încarcare: N max  min N 0 , N1 

În starea “0” la ieşire:

Cu cât N0 este mai mare creşte curentul de saturaţie, deci creşte IBSI al
tranzistorului de comandă. Condiţia care se impune este:
I B  I BSI  N 0  (tranzistorul de comandă să rămână sat.)
şi
V0 L  N   U D  U BE 0  V2 (porţile comandate să rămână blocate)

unde I BSI  N 0  
1
I Csat  N 0  
1
I Csat 0  NI i 
0 0

În starea “1” la ieşire:

Indiferent câte porţi comandăm cu “1” logic, diodele de la intrarea porţilor
comandate fiind blocate, VOH nu se modifică şi deci N1   (neglijăm curenţii
reziduali prin diode).
Rezultă Nmax = N0

d) Puterea medie disipată Pmed  VCC I CCL  I CCH 

1
2
ICCL – curentul absorbit de la sursa de alimentare când ieşirea este în “0” logic:
V  V AH VCC
 
I CCL  I R1  I RC VO VOL  CC
R1

RC
ICCH – curentul absorbit de la sursa de alimentare când ieşirea este în “1” logic:
V  V AL V UD
 
I CCH  I R1  I RC VO VOH  CC
R1
 0  CC
R1

f) Regimul tranzitoriu
Comutarea directă: ui :"0" "1"
Neglijând timpii de deblocare, atunci durata când ieşirea trece din BL în SAT
este dată de durata parcurgerii RAN.
 ui

VCC
T mare
VCC
t0 t 0 t
RC

u0 uO
0IB
CS VOH
0,9VCC
VOL t

t f tS t f
u 0 0  VOH  VCC 

u 0    VCC   0 I B RC   u 0 t   VCC   0 I B RC   0 I B RC exp  t  C 
 C  RC C S 

 
Condiţia de intrare în saturaţie u0 t f  UCEsat  0 , rezultă
 0 I B RC
t cd  t f   c ln
 0 I B RC  VCC

Comutarea inversă: ui :"1" "0"

I B 2  I B1
Timpul de stocare (poate fi neglijat): t S   S ln , IB1 = IB şi IBSI au
I B 2  I BSI
U
fost calculaţi. Diodele D’ şi D’’ se blochează şi deci I B 2  BEsat
R2
Timpul de creştere t f
Tranzistorul este blocat şi circuitul este:

VCC
u 0 0   U CEsat  0 

RC u 0    VOH  VCC   u 0 t   VCC 1  exp  t  C 
u0    C  RC C S 

CS

 
Condiţia uO t f  0,9VOH  t f  2,3 C
Rezultă t ci  t S  t  t f

f
Probleme propuse:

UD = UBE = 0,8V, UCEsat = 0,  0 = 100

VCC
10V
1 R1 RC
40K 1K
Di D1
T1 u0
D2
ui T2
R2
4K

VCC
2 10V
R1 RC1 RC2
4K 1K 1K
ui Di D
T1 u0
T2
R2
8K

VCC
10V
3 R1 RC
40K 1K
Di
T1 u0
ui D
T2
R2
1K

VCC
10V
4 R1 RC1 RC2
4K 1K 1K
Di
T1 u0
D
T2
R2
8K
 VCC
5 5V
R1 RC
4K 1K

u0
Di D1 D2 D3
T
ui R2
8K

VCC
R1 10V
1K
6 RC
R2 1K
Di 10K
ui
T1 u0
D
T2
R3
4K

VCC
5V
7 R2
R1 2K
4K D
T3
Di
T1
T2 u0
T4
R3
4K

VCC
5V
R1 RC
8 4K 1K
D
T2 u0
ui T1
T3
R2
8K R3
4K
CED - seminarul 6

Circuite funcţionale

Inversorul ideal Neinversorul ideal Neinversor cu

caracteristică cu
histerezis

uo uo uo
V0H

ui ui ui
VPL VPL VPL VPL

Pentru circuitele ideale, în fiecare "jumătate" avem o singură valoare (1 sau 0).

Problema 1

VDD

I1 R2=R1 I2
R1 1 2
vi vo
C2 3
C1=10C2

ui

VDD
T mare t
t0 t1

Impedanţa de intrare pe (ne)inversor e  , nu contează pentru RC ce sarcină are.

 t0
v1 0   0 
   t 
v1    VDD   v1 t   VDD  1  e 1 
 
 1  R1C1 
pentru v1 t 0   VPL  t 0   1 ln 2
 t1
C0 care era încărcată la VDD începe să se descarce prin R1
 v1 0  VDD   t
ui
  v t   V e 1
v1    0 
1 DD

VDD
V
T mare t v1 t1   VPL  DD  t1   1 ln 2
2
t0 t1 Acum cunoaştem v2, procedăm la fel:
v1  t 0 - Înainte de impuls eram la VDD în
1 2 şi în 3. Borna 2 cade, deci cade şi
borna 3, pentru ca erau la aceeaşi
VPL valoare si condensatorul nu admite
t
1 salturi de tensiune la borne.
t0 t1 
t 0 v3  0 
 t1
v2    t 
v3    VDD   v3 t   VDD 1  e  2 
1   
VDD  1  R2C2   1 
10 
t v3 t0   VPL  t0   2 ln 2
t 0 t1  t1
v3 V3  VDD , V2  0
v3 0  2VDD    t 
  v3 t   VDD 1  e 2 

VDD
v3    VDD   
VPL t
Ieşirea nu sesizează nici o valoare de prag
logic, e peste "1". Aici s-ar putea să
vo ardem circuitul. Pentru a evita acest lucru
facem limitare cu diode punând catodul la
t 0 VDD.
t
t0 t1

VDD
UD
D R2

v2 C2 3 vo
Problema 2

t1

R5 V I3
C2 100pF 1K 6 D
R1 R2
10K 1K I2 D
uo
5 T2
I1 1 =
3 4 R3 C3
T1
ui 10K R4 10nF
1
C1 2 10K 0
10nF V

ui Până la t0, V2 = UBE

În momentul t0, V1 scade cu V= VDD ,
VDD T1 se blochează, V2 scade la UBE - V. Revine
t din blocare doar când potenţialul bazei revine la
t0 UBE.
V1 VB 0  V   t
  VB t   VDD  V  VDD e 1

VB    VDD 
VDD  V
V2 VB t1   VBE  T   1 ln era în
VDD VDD  U BE
UBE conducţie pentru ca e polarizat în curent (în
bază injectăm un curent care este pozitiv, sigur
este în conducţie).
V  U BE 1 VDD
VDD iB1  DD   este saturat.
V3 R1  0 R2
Pentru V5:
Înainte de t0: V4 = VDD, V5 = UBE, T2 în
V  U BE U BE 1 VDD
V4 conducţie iB 2  DD   , T2
VDD R3 R4  0 R5
T saturat V6 = 0.
V5 t0 t1 În t0: în 4 avem o cădere cu VDD, deci 5 cade şi
el cu VDD.
C2 = capacitate de accelerare, blochează T2.
V6 0  0    t 
  V6 t   VDD 1  e 2  ,

V6    VDD   
V6
VPL  2  R5C3 , V6 t0   VPL , t0   2 ln 2
T2 rămâne blocat.
uo În t1: intră în conducţie, descărcare rapidă. T2
T' intră în saturaţie, nu imediat, din cauza lui C3.
V6 0  VDD
Neinversorul ideal

t1  ,
V6    VDD   0iB 2 R5
t 0 t1
 t
V6 t   VDD   0iB R5   0iB 2 R5e 2
,
V6 t1   VPL  t1   2 ln ... , T   T  t1  t 0
 CED Seminarul 7
Circuite basculante monostabile.

Problema 1

VCC = 10V
Ca RC2
RC1 RB 0 = 100
1K 10K 100pF 1K
UBE = 0V
UCEsat = 0V
C
R1 Acest circiut are doua stari:
10nF
10K
T1 T2 1. O stare stabila, in care T2 este in
saturatie si T1 blocat, care
R2 caracterizeaza regimul stationar (de
10K curent continuu). Condensatoarele au o
tensiune constanta la borne.

2. O stare cvasistabila, in care T1 este in saturatie si T2 este in blocat, stare temporara si

cu o durata de timp T bine determinata.

Trecerea de la starea stabila la cea cvasistabila se face prin aplicarea unui impuls
corespunzator de declansare intr-unul din punctele reactiei pozitive:
VB1 VC1 VB2 VC2 VB1
De exemplu
+ - - + +

Impuls crescator in baza lui T1

In starea stabila, tranzistorul T1 este mereu in

VCC conductie deoarece circuitul sau de alimentare si
V  U BE polar
1 VCC  U CE
Rb RC2 I B 2  CC  I B 2 SI   izare
RB 0 RC 2 este:
T2
IB2

 T2 saturat si UC2 = VOL2 = UCEsat = 0

1
 VCC

Circuitul de polarizare al lui T1 pentru starea

RC1 stabila este :
VC2

T1 R1
VC2 = 0 => VB1 = 0 => T1 blocat
VC1 = VOH1 = VCC
R2
Pentru a trece in starea cvasistabila trebuie sa
aplicam un impuls suficient de mare in baza lui
T1 care se satureaza, de unde rezulta ca
VB1 tensiunea in colector coboara la UCEsat =
0V

UBE
Ca VCC
VC1
RC2

UBE
VOH1
V R1 VC2

trev
VB2
V = VOH1 - VOL1 = VCC
V1 = UBE - V
UBE
tf+ este datorat capacitatii de accelerare Ca
V RC 2 R1
VOH 2  U BE  VCC
R1  RC 2 R1  RC 2

VC2
t f+ tf+ = 2,3Ca(RC2 || R1)

2
 VCC

RB
In starea cvasistabila, circuitul din baza lui T 2
UCEsat
arata in felul urmator:
VB2
C
VB2(0) = V1

VB2() = VCC =>

 = RBC

VC1 (0)  0   
t

  VC1 (t )  VCC 1  e 
VCC  rev

VC1 ()  VCC  

 
RC1
 rev  RC1  C
C VC1 (t rev )  0.9  VCC
VBE
t rev  2.3   rev
VC1(t)
1
f max 
T  t rev
=> VB2(t) = VCC+(V1-VCC)exp(-t/) si VB2(T) = UBE
2  VCC  U BE
T   ln
VCC  U BE
condensatorul C produce o intarziere.

La revenire, circuitul din colector este:

3
 I B2
T  1
2
I B 2 SI
I B1
T  1
1
I B1SI
RC1 RB Ca RC2
V  U 100pFU BE 1K
1K I B1  OH 2
10K BE

R1 R2
C
1
I B1SI  I C1satR1
10nF 0 10K
T1 VCC  U CEsat VCCT2 V1
I C1sat  
R2 R C1 RB
10K
VEE
Variante de circuite
basculante monostabile

VCC Problema 2

Formele de unda raman

R2 aceleasi ca la problema 1, doar
10K ca sunt deplasate in jos cu 10V.
T1 T2 Calculele se modifica si ele
R1 putin in sensul ca se scad 10V
C 10K de cate ori apare VCC

10nF

RC1 RB Ca RC2
1K 10K 100pF 1K

Problema 3

Formele de unda sunt aceleasi ca si la Problema 1, doar ca sunt oglindite pe verticala fata
de VCC/2.

X VCC-X

4
 R
RC1 Ca RC2
E=5V 100pF 1K De exemplu, a doua forma de unda
1K T
de la problma 1 va arata in felul
C
R1
10nF
10K IC
T1 T2
C
R2
10K UCEsat

urmator:

dVB 2
IC  C
dt
IC
VB 2 (t )  VB 2 (0)  t VB2
C
VB 2 (0)  V1
VCC
C  VCC
VB 2 (T )  U BE T 
IC
Problema 4

Formele de unda sunt aceleasi, calculele sunt

aceleasi, doar ca in starea cvasistabila, circuitul din baza arata asa:

Deci singura modificare este ca in locul exponentialei din graficul 3, apare o dreapta:

VC1

VCC Problema 5

5
 Formele de unda de la problema 4, s-au oglindit exact ca la problema 3.

VB1
Problema 6

VCC
UBE

R'C1 R"C1 RC2

Ca VC1

A VOH1
R1 T
V
T1 T2

R2 RB VA trev

V'
E = 5V
UD
VCC
R2
10K
T1 T2
VB1
R1
C 10K UBE

10nF V
T RC2
RC1 Ca
E=5V 100pF 1K
1K R

6
V '  VCC  VD
V1'  U BE  V '
V B 2 (0)  V1'
V B 2 ()  V BB