SUBIECTE EXAMEN M.C.E.

1) Jonctiunea PN
a) Jonctiunea PN la echilibru, deducerea expresiei barierei de potential (topic 2 pag. 1, 2
+ topic 3 pag.3)
b) Jonctiunea PN la echilibru – variatia marimilor electrice (E, U) – (topic 3 pag. 3-5)
c) Abateri de la modelul ideal: generare-recombinare, nivel ridicat de injectie, caderea de
tensiune pe regiunile neutre, strapungerea jonctiunii (topic 2 pag.4 + topic 5 pag. 1-4)
d) Modelul de semnal mic al diodei (topic 4 pag.5,6)

2) Tranzistorul bipolar
a) Modelul static Ebers-Moll – deducere, circuite echivalente (topic 6 pag. 3-6)
b) Efecte de ordinul II: rezistente parazite de emitor, baza si colector, efectul Early –
descriere, relatii (topic 8 pag.1-4)
c) Modelul static Gummel-Poon: variatia parametrului Beta cu curentul, expresiile
curentului de baza, definirea curentului de saturatie, solutia pentru sarcina normalizata qb
(topic 7)

3) Tranzistorul cu efect de camp de tip jonctiune (TECJ) (topic 9)

a) Modelul static – deducerea caracteristicii curent-tensiune (expresia curentului de
drena) in ipoteza graduala, inclusiv in saturatie (topic 9 pag.1-6)
b) Limitarile teoriei ideale – modularea lungimii canalului, efectul rezistentei serie (topic
9 pag.7-9)

4) Tranzistorul MOSFET
a) Proprietati electrice ale structurii MOS: potentiale de contact, efectul sarcinilor
parazite (topic 11 pag.3-6)
b) Echilibrul de sarcina si potential, regimuri de functionare a structurii MOS (topic 11
pag.6-8)
c) Regimul de inversiune: descriere calitativa, relatii (topic 11 pag.8-11)
d) Capacitatea incrementala a structurii MOS – deducerea expresiei (topic 12 pag.1,2)

La nici unul din dispozitive (dioda, BJT, JFET, MOSFET) NU se cer ecuatiile
implementarii in SPICE!