Electronica

de putere

-Iasi 2008-

1
 Cuprins

INTRODUCERE................................................................................................................................... 4
CAPITOLUL I
NOTIUNI INTRODUCTIVE ASUPRA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE
PUTERE SI A CONVERTOARELOR STATICE

1.1. Notiuni introductive asupra dipozitivelor semiconductoare de putere.......................................... 6

1.2. Clasificarea dispozitivelor semiconductoare de putere ................................................................... 9
1.3. Pierderi in dispozitive semiconductoare de putere.......................................................................... 12
1.4. Definirea si structura convertoarelor electronice de putere.......................................................... 14
1.5. Clasificarea convertoarelor electronice de putere........................................................................... 16

CAPITOLUL II
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

2.1. Tipuri de diode de putere.................................................................................................................. 22

2.1.1 Dioda de putere.................................................................................................................... 25
2.1.2 Dioda Schottky..................................................................................................................... 25
2.1.3 Dioda FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode)................................................................ 25
2.2. Tiristorul................................................................................................................................. 27
2.2.1. Clasificarea tiristoarelor.............................................................................................. 27
2.2.2. Structura si caracteristica statica tensiune-curent.................................................... 30
2.2.3. Constructia tiristorului............................................................................................................. 32
2.2.4. Caracteristicile dinamice.............................................................................................. 33
2.2.4.1. Amorsarea tiristorului............................................................................................... 34
2.2.4.2. Protectia tiristoarelor legate in paralel.................................................................... 38
2.3. Triacul........................................................................................................................................... 40
2.4. Tiristorul cu blocare pe poarta GTO (Gate Turn-Off)................................................ 43
2.4.1 Comanda tiristoarelor GTO.......................................................................................... 44
2.5 Tranzistorul bipolar de putere..................................................................................................... 45
2.5.1. Structura tranzistorului................................................................................................ 46
2.5.2. Caracteristicile tranzistoarelor..................................................................................... 46
2.6 .Tranzistorul MOSFET de putere................................................................................................ 47
2.6.1 Structura. Polarizare...................................................................................................... 48
2.6.2 Caracteristica statica...................................................................................................... 49
2.6.3 Caracteristici dinamice.................................................................................................. 51
2.6.3.1. Intrarea in conductie.................................................................................................. 51
2.6.3.2. Iesirea din conductie................................................................................................... 53

2
2.7. Tranzistorul bipolar cu poarta izolata –IGBT................................,.......................................... 54
2.7.1 Functionare.Caracteristica statica................................................................................ 56
2.7.2 Autoamorsarea ............................................................................................................... 57
2.7.3 Caracteristici dinamice. Circuite de comanda pe poarta ........................................... 59
2.7.4 Circuite de protectie....................................................................................................... 60
2.8 Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor MCT) ............................................................... 61

CAPITOLUL III
COMUTATIA STATICA
3.1.Principiul deconectarii sincronizate ................................................................................ 63
3.2.Principiul comutatiei hibride............................................................................................ 65
3.3.Principiul comutatiei statice............................................................................................. 67
3.4.Circuite de stingere.............................................................................................................. 69
3.5.Contactoare statice de curent continuu......................................................................... 71
3.6.Contactoare statice de curent alternativ......................................................................... 74
3.7.Intreruptoare statice............................................................................................................ 77

CAPITOLUL IV
VARIATOARE DE CURENT ALTERNATIV

4.1Variatoare de curent alternativ.Consideratii teoretice............................................................... 81

4.1.1 Generalitati...................................................................................................................... 81
4.1.2 Variatoare de c.a. monofazate....................................................................................... 82
4.1.3 Caracteristici externe de comanda in curent si in putere.......................................... 87
4.1.4 Variatoare de c.a. trifazate............................................................................................ 88
4.1.5 Alte montaje de variatoare de c.a. monofazate si trifazate......................................... 94
4.2 Aplicatia practica a variatorului de curent alternativ trifazat.Descrierea schemei................ 99

3
 INTRODUCERE

Ca urmare a uriaselor progrese facute in ultima perioada in descoperirea de noi dispozitive

electronice, pe de o parte, iar pe de alta parte, datorita metodelor si tehnicilor aparute in sistemele de
conversie a energiei electrice, electronica de putere este un domeniu care a cunoscut o mare si rapida
dezvoltare.
Dispozitivele semiconductoare de putere (diode, tranzistori, tiristoare, etc.) asociate cu dispozitivele
auxiliare (blocuri de comanda, radiatoare de disipatie, circuite RC de protectie) permit realizarea
convertoarelor statice.
Convertoarele statice sunt echipamente statice complexe care sunt utilizate pentru comutatia,
comanda, reglarea, si conversia energiei electrice. Convertoarele statice de putere sunt amplasate intre
sursa de energie si consumator (receptor), avand rolul de a modifica parametrii energiei furnizate
(tensiune, curent, frecventa, numar de faze) in functie de cerintele consumatorului. De asemenea se
intalnesc convertoare statice conectate intre doua surse cu frecvente diferite, pentru a face posibila
functionarea acestora. In electronica de putere, convertoarele statice asigura transmisia unor puteri
importante (de la cateva 100 W ajungand pana la 1000MW) incat pentru ca pierderile pe acestea sa fie
cat mai mici este necesar ca dispozitivele semiconductoare de putere, din constructia lor, sa
functioneze in comutatie.
Dispozitivele semiconductoare utilizate in electronica de putere sunt bazate pe structuri cu trei
sau mai multe jonctiuni care au cunoscut o larga dezvlotare pe plan mondial. In prezent exista o gama
variata de asemenea dispozitive (tiristoare, triacuri, diacuri etc.) gama lor fiind intr-o continua
dezvoltare. Avand in vedere caracteristicile comune acestor dispozitive, caracteristici bazate pe
propietatile structurii de trei jonctiuni, tip pnpn, ele sunt incadrate intr-o categorie speciala de
dispozitive semiconductoare denumita dispozitive cu mai mult de doua jonctiuni sau dipozitive
multijonctiune.
Lucrarea are ca scop prezentarea functionarii, caracteristicilor, parametrilor si aplicatiilor
diferitelor dispozitive semiconductoare de putere precum si conversia energiei electrice utilizand
convertoare statice.
Capitolul 1 contine notiuni de teorie a dipozitivelor semiconductoare de putere si a
convertoarelor statice.
In Capitolul 2 se doreste prezentarea celor mai utilizate dispozitive electronice in electronica
de putere actuala. Va fi analizata structura semiconductoare a acestora, schema echivalenta a
dispozitivelor complexe, caracteristicile statice, caracteristicile dinamice, zona de functionare sigura
etc. Aceste principale dispozitive sunt : dioda de putere, tiristorul, triacul, tiristorul GTO, tranzistorul
bipolar de putere, tranzistorul bipolar cu grila izolata IGBT, tranzistorul MOS de putere, tiristorul
controlat MOS MCT.

4
 Capitolul 3 prezinta comutaţia statica in mod amanuntit, principalele moduri de comutaţie
oprindu-se apoi numai la comutaţia statica.
Capitolul 4 se ocupa cu exemplificarea pe un model practic a unei scheme de contactor static.

CAPITOLUL I

5
 NOTIUNI INTRODUCTIVE ASUPRA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE
PUTERE SI A CONVERTOARELOR STATICE

1.1. Notiuni introductive asupra dipozitivelor semiconductoare de putere

O categorie importanta de dispozitive semiconductoare larg folosite in electrotehnica,

automatica si electronica industriala o constituie dispozitivele multijonctiune, care au la baza structura
pnpn, propusa de William Bradford Shockley in anul 1950. Modelul echivalent al dispozitivului pnpn,
a fost elaborat de Ebers si este bazat pe utilizare a doua tranzistoare complementare. Primele
dispozitive pnpn din siliciu au fost elaborate sub conducerea si indrumarea lui J.L.Moll de o grupa de
colaboratori ai firmei Bell Telefon Laboratory. Principiul de actiune si modul de realizare al acestor
dispozitive au fost descrise in literatura de specialitate in anul 1956. Primele diode pnpn au fost
introduse in productia de serie de firma americana Shockley Transistor Products in anul 1957 urmand
ca in anul 1959 sa apara pe piata mondiala tiristoarele sub denumirea de "Silicon Controlled Rectifier"
(SCR), aceste dispozitive cunoscand ulterior o perfectionare si dezvoltare foarte rapida.
Cele mai utilizate dispozitive electronice folosite in electronica de putere sunt dioda de putere,
tiristorul, triacul, tiristorul GTO, tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul bipolar cu grila izolata
IGBT, tranzistorul MOS de putere, tiristorul controlat MOS MCT. In domeniul puterilor mici se
prefera utilizarea tranzistoarelor MOS, in domeniul puterilor medii, tranzistoarele IGBT iar in
domeniul puterilor mari tiristorul GTO. Performantele lor depind de gama curentilor si tensiunilor la
care lucreaza, puterea disipata in conductie si comutatie si de frecventa maxima de comutatie.
Utilizarea lor in proiectarea si exploatarea circuitelor electronice de putere se face in functie de
gabarit, greutate, volum si, nu in ultimul rand, pretul de cost.
Dezvoltarea continua si accentuata a semiconductoarelor de putere, din ultima jumatate a
deceniului trecut, se reflecta prin realizarea unor dispozitive de putere (tranzistoare individuale si
module) caracterizate prin putere disipata redusa, circuite de comanda simple, circuite de protectie
integrate, interfata directa cu componente microelectronice, putere comutata de ordinul MW,
minizarea gabaritului si a greutatii.
Dinamica evolutiei domeniilor de utilizare, in ultimul deceniu, a dispozitivelor
semiconductoare de putere este prezentata in fig.1. Din aceasta analiza rezulta urmatoarele aspecte
importante:
 tranzistoarele bipolare de putere sunt folosite din ce in ce mai putin;
 IGBT devine cel mai utilizat dispozitiv semiconductor in domeniul puterilor medii;
 in domeniul puterilor mici tranzistorul MOS ramane singurul concurent al tranzistoarelor
bipolare cu grila izolata IGBT datorita vitezei lor de comutatie mai mari.
Optimizarea procesului tehnologic de realizare al tranzistoarele bipolare cu grila izolata IGBT
(optimizarea pe orizontala a structurii celulare a tranzistoarelor elementar, pe verticala a siliciului si
controlul timpului de viata al purtatorilor de sarcina) conduce la imbunatatirea semnificativa a
comportarii in conductie, prin scaderea tensiunii colector -emitor-saturatie, si comutatie, prin
reducerea cozii de curent care apare la blocarea tranzistorului.

6
 P[kW] 1999 P[kW] 2006
Tiristor
Tiristor
4
10 GTO 104 GTO
Bipolar
103 103 IGBT
IGBT
102 102
MOS MOS
101 f[khz]
101 f[khz]

10- 10-
1
- 10 0
10 1
102 104 105 1 100 101 102 103 104 105 106
10
1

Fig. 1 Evolutia domeniilor de utilizare a semiconductoarelor de putere

Performantele superioare, randamentul mai bun si costul general al sistemului de actionare mai
redus determina ca, in cele mai multe aplicatii de putere cu frecventa de comanda mai mica de 150khz,
tranzistoarele IGBT sa inlocuiasca tranzistoarele MOS.
Performantele tranzistoarele cu grila izolata IGBT mai pot fi imbunatatite in viitor. In prezent,
caracteristicile acestui dispozitiv din generatia a treia si a patra (NPT-IGBT=Non-Punch-Through
IGBT), fabricat de o structura “trench” a grilei, au atins valori limita de 6.5kV pentru tensiunea de
strapungere directa, curenti de colector de 3500A si frecvente de lucru, pentru dispozitivele construite
special, de zeci de kHz sau chiar sute de kHz.
Se urmareste utilizarea lor si in aplicatiile de putere mare si foarte mare, cum ar fi aplicatiile de
tractiune pentru vehicule, metrouri, trenuri, trenuri de mare viteza, unde sa inlocuiasca treptat
tiristoarele cu blocare pe grila GTO.
In prezent sunt disponibile pe piata semiconductoarelor de putere numeroase tipuri de
dispozitive sau module. In plus, pentru fiecare tip in parte sunt diversi fabricanti sau ofertanti care pot
deruta si mai mult un potential utilizator. Pentru a fi capabil sa aleaga din aceasta multitudine de
variante, proiectantul trebuie sa posede o baza solida teoretica si practica in domeniu.
In tabelul 1.2. sunt prezentate, comparativ, cele mai utilizate dispozitive semiconductoare de
putere.
Realizarea practica a unui sistem electronic de putere presupune alaturarea semiconductoarelor
de putere din structura de forta a sistemului a unor circuite de comanda, precum si a unor scheme
electronice analogice sau numerice de mica putere care sa indeplineasca functii de separare galvanica,
functii de masurare a anumitor variabile din sistem (tensiuni, curenti, temperaturi etc) si functii de
protectie, in cazul in care unele din aceste variabile depasesc valori admisibile.
La mijocul anilor 90 a inceput sa se dezvolte un concept numit “Smart Power” care integreaza
in acelasi modul structura de forta si microelectronica capabila sa asigure controlul elementelor de
comutatie, sa monitorizeze variabilele importante, la nivelul modulului, sa dialogheze cu structurile
ierarhice superioare prin canale separate galvanic si semnale compatibile TTL/CMOS, sa ia decizii de
7
autoblocare a dispozitivelor de putere in situatii de avarie, sa memoreze aceste situatii si sa
semnalizeze aparitia acestora in exteriorul modulului.
Potrivit acestui concept au fost fabricate dispozitive sau module de putere inteligente (Smart
Power Devices) intr-o multitudine de structuri, adaptate la diferite aplicatii.

Pierderi Pierderi Frecvente

Valori maxime
Tipul in in de lucru Putere de
dispozitivelor conductie comutatie maxime Tensiune Curent comanda

Tiristor mici mari 1kHz 6kV 3500A mica

GTO mici mari 1kHz 6.5kV 4500A medie

Tranzistor
mici mari 5kHz 2kV 800A mare
bipolar(BJT)
Tranzistor
mari mici 200kHz 1.2kV 100A mica
MOSFET
IGBT medii medii 20kHz 6.5kV 2500A mica

Tabelul 1.2.
Aceste dispozitive moderne, vin cu avantaje nete fata de dispozitivele clasice cum ar fi:
 compactizarea si diminuarea gabaritului sistemului electronic de putere;
 imunitatea sporita la perturbatii;
 protectie la supratemperaturi si supracurenti;
 reducerea inductantelor parazite si a emisiilor electromagnetice;
 reducerea pierderilor in timpul functionarii;
 asamblarea usoara si reducerea costului sistemului electronic de putere.
O solutie de viitor in cresterea performantelor dispozitivele semiconductoare de putere este
utilizarea unor materiale semiconductoare mai stabile la temperaturi inalte in comparatie cu siliciu.
Aceasta ar putea fi carbura de siliciu (SiC) si intr-o perspectiva mai indepartata, diamantul.
Dispozitivele semiconductoare de putere pe baza de carbura de siliciu au fost deja realizate.
Sunt depasite testele de laborator si primele dispozitive au fost lansate pe piata. Testele arata avantaje
deosebite, in special in ceea ce priveste temperatura inalta (app. 200C) la care poate lucra fara sa isi
piarda calitatile. In consecinta, densitatile de curent si gabaritul unui asemenea dispozitiv, la un acelasi
curent, diminuandu-se fata de un dispozitiv realizat cu siliciu.
Ca si germaniu sau siliciu, carbonul este un element tetravalent. Structura cristalina a
carbonului sub forma diamantului se aseamana cu structura cristalina a celor doua elemente
semiconductoare clasice. Pentru a fi considerat un material semiconductor acceptabil in realizarea unor
comutatoare electronice controlabile structura diamantului trebuie sa fie perfecta.

8
 Nici cele mai pure diamante naturale nu pot fi utilizate in asemenea aplicatii. Diamantele
artificiale obisnuite, obtinute prin sedimentarea vaporilor de carbon, nu se ridica nici ele la calitatile
unui material semiconductor utilizabil. Doar realizarea unor conditii speciale in timpul sedimentarii
pot fi fabricate diamante a caror structura cristalina permite o mobilitate a sarcinii pozitive mult mai
mare decat mobilitatea sarcinii pozitive mult mai mare decat mobilitatea electronilor din structura
cristalina a carburii de siliciu.
Rezulta un material semiconductor cu o conductivitate mult mai mare decat a materialelor
semiconductoare utilizate in prezent, deci pierderi in conductie mult mai reduse. In plus, diamantul are
avantaje net superioare datorita campurilor electrice mai puternice, latimea de banda mai mare si
rezistenta la temperaturi foarte ridicate.
Se pot obtine astfel comutatoare statice de dimensiuni obisnuite care sa vehiculeze curenti de
ordinul zecilor de kA, sa blocheze tensiuni de zeci de kV fara a recurge la o conectare a mai multor
asemenea dispozitive in paralel, respectiv serie. Va fi comutatorul electronic aproape perfect.

1.2. Clasificarea dispozitivelor semiconductoare de putere

In functie de modalitatea in care pot fi controlate (criteriul controlabilitatii) dispozitivele

semiconductoare de putere pot fi incadrate in trei categorii:
1)Dispozitive necontrolabile - categorie formata din diodele putere care nu prezinta decat doua
terminale de forta, fara terminal de comanda. Starea de conductie sau de blocare este dictata de felul in
care sunt polarizate in circuit.
2)Dispozitive cu amorsare controlata - categorie in care sunt incluse tiristoarele si triacele.
Tiristorul a fost primul dispozitiv semiconductor de putere cu trei teminale (anod, catod si grila). Pentru a
intra in conductie un tiristor trebuie polarizat direct si comandat intre grila si catod cu un impuls scurt de
curent. O data amorsata conductia, curentul de grila poate sa dispara deoarece dipozitivul ramane “agatat”
in aceasta stare pana cand sunt intrunite conditiile de blocare, respectiv de polarizare inversa si o anulare a
curentului prin acesta. Nu poate fi indusa starea de blocare prin comanda si din acest motiv se poate
afirma ca tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere pe jumatate controlat. O structura
asemanatoare cu tiristorul, dar care sa posede si facilitati de blocare prin comandate tiristorul cu blocare
pe poarta tip GTO (Gate Turn-Off Thyristor) care este un dispozitiv din clasa celor mai complet
controlabile. Triacul poate fi echivalat cu o structura formata din doua tiristoare conecta in antiparalel.
3)Dispozitive semiconductoare de putere controlabile - sunt elemente de comutatie care pot fi
aduse in conductie si blocare prin comanda. Cu anumite exceptii (GTO si MCT) semnalul de deschidere
trebuie aplicat continuu pe terminalul de comanda pentru a mentine starea de conductie a a acestora daca
sunt polarizate direct. Blocarea se produce direct de la sine atunci cand semnalul de comanda este
indepartat sau va scadea sub o anumita valoare de prag. In general se prefera blocarea lor cu semnale
inverse de comanda pentru a avea siguranta ca nu se vor deschide accidental, situatie care poate conduce
la aparitia unor scurtcircuite in convertoare.
In functie de natura semnalului de comanda la randul lor dispozitivele controlabile pot fi separate
in doua grupe distincte:

9
 a) Dispozitive comandate in curent-care pot fi:
 Tranzistoare bipolare de putere (bipolar Junction Transistors-BJT)- sunt dispozitive relativ
lente pe durata tranzactiilor (pierderi mari in comutatie), dar au avantajul obtinerii unor stari
de conductie profunde (pierderi mici in conductie).
 Tranzistoarele cu blocare pe poarta (GTO) - sunt dispozitive utilizate in aplicatii de mare
putere. Pentru comanda acestor dispozitive sunt utilizate impulsuri de curent, un dispozitiv de
amplitudine mica pentru deschidere (la fel ca la tiristor) si un impuls negativ de amplitudine
mare pentru blocare.
b) Dispozitive comandate in tensiune - mai sunt numite si dispozitive semiconductoare de putere
cu grila MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sau cu grila izolata. Avand in vedere calitatile incontestabile
ale acestora (putere mica de comanda, frecventa mare de lucru etc.) cercetarile din domeniul
semiconductoarelor de putere si eforturile tehnologice de fabricatie s-au indreptat cu precadere spre
dezvoltarea lor. In continuare sunt prezentate cele mai utilizate dispozitive cu grila MOS care au avut
rolul si au rolul cel mai important in evolutia electronicii de putere:
 Tranzistoare MOSFET de putere (MOS Field Effect Transistors) - sunt dispozitive rapide
(pierderi mici in conductie) si din acest motiv sunt utilizate in convertoare cu frecvente mari
(zeci pana la sute de KHz). Dezavantajul lor consta in cresterea rapida a valorii rezistentei de
conductie RDS(on) (parametru de catalog) odata cu cresterea tensiunii de lucru maxime pentru
care au fost fabricate, ceea ce va conduce la pierderi importante pe durata conductiei. Din
acest motiv nu sunt utilizate in convertoare de puteri mari.
 Tranzistoare bipolare cu grila izolata IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzistor–IGBT) - este
un tranzistor hibrid, o combinatie intre tranzistorul bipolar de putere de la care a luat calitatea
conductiei unor curent mari fara pierderi importante si tranzistorul de tip MOSFET de la care
a luat viteza relativ mare de comutatie. A rezultat un tranzistor care poate fi utilizat in
convertoare de comutatie fortata de frecvente de lucru ridicate (KHz ÷ zeci de KHz) pana la
puteri de ordinul zecilor de megawati.
 Tiristorul controlat MOS (MOS controlled Thyristor-MCT) - este o structura semiconductoare
multipla obtinuta prin conectarea in antiparalel a mii de celule identice. Fiecare celula
implementeaza o combinatie dintre un tiristor si doua tranzistoare MOSFET complementare,
astfel incat sa rezulte un element de comutatie controlabil. Starea de conductie poate fi indusa
cu ajutorul unui impuls negativ fata de anod, iar starea de blocare cu ajutorul unui puls pozitiv.

Un alt criteriu de clasificare al dispozitvelor semiconductoare de putere ar putea fi considerat

numarul de caracteristici de blocare si de conductie realizate de dispozitiv. Acestea, definite in mod
ideal, sunt ilustrate in sistemul de axe iT-uT din figura1.3. Pot fi evidentiate urmatoarele caracteristici si
totodata stari ale dispozitivelor semiconductoare de putere:
 caracteristica de blocare directa - este obtinuta atunci cand dispozitivul blocheaza tensiuni
directe(pozitive). Nici un curent nu circula prin elementul de comutatie in aceasta stare;

10
  caracteristica de conductie directa - este obtinuta atunci cand dispozitivul se afla in conductie
totala preluand un curent pozitiv determinat de o tensiune de polarizare directa. Caderea de
tensiune pe elementul de comutatie aflat in starea de conductie, in mod ideal, este zero.
 caracteristica de blocare inversa - este obtinuta atunci cand dispozitivul blocheaza tensiuni
inverse (negative). Nici un curent nu circula prin dispozitiv in aceasta stare;
 caracteristica de conductie inversa - este obtinuta atunci cand dispozitivul poate sa conduca si
curenti inversi, negativi. Aceasta caracteristica este specifica elementelor de comutatie
bidirectionale.

Deschidere (blocare)
Caracteristica de directa comandata
conductie directa

Caracteristica de
blocare inversa

Caracteristica de
blocare directa

Deschidere (blocare) Caracteristica de

Inversa comandata conductie inversa

Fig. 1.3
Majoritatea dispozitivelor semiconductoare utilizate in electronica de putere nu pot obtine toate
caracteristicile enumerate mai sus. Astfel, dispozitivele semiconductoare necontrolabile lucreaza doar pe
doua caracteristici din figura 1.3, una de conductie si una de blocare. Dispozitivele controlabile incluse in
celulele de comutatie prezinta cel putin trei caracteristici: caracterisitici de blocare directa si inversa
precum si caracteristica de conductie directa.
Dispozitivul semiconductor functionand in regim de comutatie poate fi (el indeplineste practic
rolul unui intrerupator mecanic):
-inchis sau in conductie, cand asigura trecerea unui curent important, care da nasterea unei caderi de
tensiune pe el, care trebuie sa fie cat mai mica pentru ca pierderile sa fie neglijabile in raport cu puterea
tranzitata;
-deschis sau blocat, situatie in care curentul care-l strabate trebuie sa fie cat mai mic, in ciuda tensinunii
de la bornele acestuia, astfel incat puterea consumata sa fie minima.
In acest fel se asigura un randament ridicat al convertoarelor, randamentul fiind principalul
criteriu de dimensionare al acestora.
Urmarindu-se obtinerea unor performante deosebite cu privire la un anumit parametru de
catalog, cum ar fi de exemplu, minimizarea caderii de tensine pe dispozitivul aflat in conductie, au fost
concepute numeroase dispozitive cu grila MOS cum ar fi:
a)dispozitivele cu grila MOS derivate din structura tiristorului:
 MCT (MOS Controlled Thyristor)
 EST (Emitter Switched Thyristor)
 BRT (Base Resistence Thyristor)

11
  IGCT(Insulated Gate Controlled Thyristor)
 DGMOS ( Dual Gate MOS Thyristor)
 DGMCT (Dual Gate Mos -Controlled Thyristor)
b)dispozitive cu grila MOS derivate din structura tranzistoarelor:
 IEGT (Injection Enhaced Gate Transistor)
 CSTBT (Dual Stored Trench-gate Bipolar Transistor)

1.3. Pierderi in dispozitive semiconductoare de putere

Un aspect foarte important legat de funtionarea dispozitivelor semiconductoare de putere se refera

la pierderi.Pierderile sunt o fractiune din energia electrica vehiculata prin dispozitiv care este retinuta de
aceasta prin transformarea ei in caldura. Avand in vedere gabaritul relativ mic al dipozitivului (constanta
termica redusa), acesta isi poate creste rapid temperatura, distrugandu-se termic. Cantitativ, aceste pierderi
pot fi exprimate prin energia retinuta de comutatorul electronic pe durata unei secunde, valoare ce
corespunde, defapt, puterii medii transformate in caldura.
Pe durata blocarii unor tensiuni directe sau inverse, dispozitivele reale se comporta asemeni unui
comutator ideal, deoarece curentii de scapari sunt neglijabili, de ordinul microamperilor. Puterea
vehiculata prin dipozitiv in starea de blocare poate fi apreciata ca fiind zero si, in consecinta, nu apar
pierderi pe durata intervalului de blocare. In schimb, odata declansata starea de conductie apare un curent
important, de multe ori in prezenta unei caderi de tensiune uT diferita de zero. Aceasta va determina
absorbtia unei puteri electrice instantanee de catre dispozitiv data de relatia:
pT (t)=uT (t) iT (t)
Puterea instantanee care determina pierderile in dispozitiv apare, atat pe durata tranzitiilor
dispozitivului, cat si pe durata starii asezate de conductie. Pierderile aferente regimului stabilizat de
conductie poarta denumirea de pierderi in conductie.
Pot fi evidentiate doua situatii in care dispozitivele semiconductoare de putere comuta. In prima
situatie se produce o comutare in sarcina (switch mode), atunci cand pe dispozitivul aflat in tranzitie vom
regasi o cadere de tensiune importanta concomitent cu un curent descrescator (la blocare) sau un curent
crescator (la intrarea in conductie). Din acest motiv, puterea instantanee la nivelul dispozitivului este
diferita de zero si apar asa numitele pierderi in comutatie.Exista si pozibilitatea unor comutati usoare, fara
pierderi (soft switching), a dispozitivelor semiconductoare obtinuta in convertoarele rezonante.
In continuare vom lua in considerare comutatia in sarcina, deoarece este cea mai utilizata in
practica isi este cea mai sugestiva din punct de vedere al pierderilor. Pentru a pune in evidenta factorii
care influienteaza pierderile, se vor determina relatiile de calcul pornind de la formele de unda liniarizate
ale curentului (iT) si tensiunii (uT) pe durata ciclului de functionare care include, pornind de la starea de
blocare, intrarea in conductie, intervalul de conductie efectiva urmat de iesirea din conductie (figura 1.4.).
Trebuie precizat ca pe durata comutatiilor formele de unda ale tensiunii de pe dispozitiv, respectiv
ale curentului prin acesta, evolueaza in sensuri diferite, fie simultan, fie in foarte multe cazuri separat
(exemplu:in celulele de comutatie cu diodele de recuperare din comutatia fortata). In cazul evolutiei

12
separate totdeauna regimul dinamic al curentului prin dispozitivul semiconductor de putere se desfasoara
atunci cand tensiunea este ridicata pe acesta.
La intrarea in conductie, intai va creste curentul de la valoarea zero la valoarea de regim ID dupa
care tensiunea va scadea la valoarea de saturatie Uon iar la blocare, intai va creste tensiunea de la valoarea
Uon la valoarea sursei Ud dupa care urmeaza scaderea curentului la zero. Pentru o apreciere generala a
pierderilor la nivelul unui element de comutatie in timpul functionarii se va lua in consideratie acest din
urma caz deoarece este acoperitor pentru orice situatie.
Td(on)-timp de intarziere la deschidere ; tri-timp de crestere a curentului ; tfv -timp de cadere a
tensiunii; tc(on) = tfi+ tfv -timp de comutatie; td(off) -timp de intarziere la blocare; trv-timp de crestere a
tensiunii; tfi-timp de cadere a curentului; tc(off) = trv+ tfi –timp de comutatie la blocare; ton –timp de
conductie; toff –timp de blocare, Tc = ton+ toff –perioada de comutatie; fc= 1/Tc - frecventa de comutatie.
In diagrama evolutiei puterii instantanee pT(t) pot fi puse in evidenta urmatoarele energii
consumate (energie = putere X timp arie) de catre dispozitiv intr-un ciclu de functionare
Energia de comutatie la deschidere :
Ec(on) = ½ Ud Id tc(on) (arie Ec(on));
Energia de comutatie la blocare:
Ec(off) = ½ Ud Id tc(off) (arie Ec(off));
Energia de conductie:
Eon =Uon Id ton (arie dreptunghi Eon);
(lungime dreptunghi  ton deoarece ton >> tc(on));
Energia totala de comutatie consumata intr-un ciclu de functionare cuprinde, atat energia
consumata pe durata deschiderii, cat si energia consumata pe durata blocarii:
Ec =Ec(on)+ Ec(on)= ½ Ud Id (tc(on) + tc(off)) (1.2)
Conform celor prezentate anterior, pierderile in comutatie reprezinta puterea medie pierduta la
nivelul dispozitivului pe duratele comutatiilor sau, altfel spus energia totala de comutatie consumata pe
durata unei secunde. Stiind ca intr-o secunda au loc fc perechi de tranzitie deschidere-blocare, se pot
calcula pierderile in comutatie.
PC=1/2 UD ID fc (tc(on) +tc(off) ) (1.3)
Din relatia (1.4) rezulta ca pierderile in comutatie cresc proportional cu frecventa de comutatie si
cu marimea timpilor de comutatie. Astfel, pentru a obtine o frecventa de lucru inalta a convertorului,in
scopul diminuarii masei si gabaritului acestuia, trebuiesc alese dispozitive rapide (fast, ultra fast) cu timpi
de comutatie foarte mici (tranzistoare de tip MOSFET).
Pierderile in comutatie sunt date de puterea medie preluata de semiconductor pe intervalul in care
acesta este ferm in conductie [1.1]:
Pon= fc Eon = fc Uon Id ton = Uon Id ton /Tc = Uon Id DRC (1.4)
unde DRC = ton /Tc este denumita durata relativa de conductie.
Se observa ca pierderile in conductie sunt proportionale cu valoarea caderii de tensiune de pe dispozitivul
aflat in starea conductie ferma Uon, cu valoarea curentului preluat de acesta Id si cu marimea intervalului
de conductie relativ la durata ciclului de functionare DRC.

13
 Comanda
dispozitiv
Tc=1/fc
Conductie (on)

t
0 Blocare (off)
ton
toff
Ud
td(off)
UT , IT
td(on) Id

Uon
t
0 tri tfi trv tfv

pT =UT IT

Ud Id

Eon Uon ID
Ec(on)
Ec(off t
)
0 tc(on) ~ ton tc(off)

Fig.1.4. Formele de unda idealizate si pierderile de pe durata unui ciclu de functionare a unui
dispozitiv semiconductor de putere controlabil

Pentru ca un dispozitiv semiconductor de putere sa poata prelua un curent cat mai mare fara a
depasi o anumita valoare a pierderilor de conductie trebuie sa fie caracterizat de o cadere de tensiune in
starea de conductie cat mai mica (exemplu tranzistorul bipolar de putere).
Pierderile totale la nivelul dispozitivului in timpul functionarii sunt date de suma pierderilor in
comutatie si a pierderilor in conductie:
Ptot = Pc + Pon
Aceste pierderi sunt limitate de capacitatea de cedare a caldurii a ansamblului pastila
semiconductoare-radiator si de temperatura maxima la care poate lucra dispozitivul fara a se distruge
termic.

1.4. Definirea si structura convertoarelor electronice de putere

Convertoarele electronice de putere numite si convertoare statice sunt module de baza ale
sistemelor electronice de putere care pot vehicula puteri electrice de la ordinul zecilor de wati pana la
ordinul zecilor de megawati.
Definitie : Un convertor electronic de putere este un echipament care se interpune intre sursa de
energie electrica si unul sau mai multi receptori cu rol de a controla cantitativ fluxul energetic si de a
14
realiza in acelasi timp o conversie statica prin care se pot modifica anumite caracteristici sau parametri ai
energiei cum ar fi: marimea si forma de unda a tensiunii, natura curentului, numarul de faze, frecventa etc.
in scopul adaptarii acestora la cerintele sarcinii.
Procesul de conversie statica a energiei electrice este obtinut printr-o remodelare a undelor tensiunii.
Astfel, din tensiunea aplicata la intrarea convertorului cu amplitudinea Ui, frecventa fi, si numarul
de faze mi se obtine la iesirea convertorului o tensiune cu o alta forma avand amplitudinea Ue, frecventa
fe si un numar de faze me. Constructia noilor forme de unda este obtinuta cu ajutorul unor elemente de
comutatie electronice , a unor intrerupatoare statice, care pot intrerupe sau pot realiza continuitatea unei
ramuri de circuit. Aceste comutatoare electronice mai sunt numite si ventile electrice sau dispozitive
semiconductoare de putere.
Prin unele convertoare sensul de circulatie al energiei electrice poate fi schimbat. In acest fel este
inversat rolul intrarii cu cel ai iesirii, convertorul numindu-se reversibil sau bidirectional. Notiunea de
reversibilitate are si conotatia schimbarii polaritatii tensiunii de la iesirea convertorului, iar notiunea de
bidirectionalitate se refera si la posibilitatea schimbarii sensului sau fazei curentului prin convertor. Daca
ne raportam la sistemul de axe tensiune-curent corespunzator partii de c.c. a unui convertor, se poate
afirma ca acesta functioneaza intr-un singur cadran al planului electric daca permite circulatia puterii
numai intr-un singur sens sau ca functioneaza in doua, respectiv patru
cadrane daca permite inversarea sensului de circulatie al puterii electrice.
Un convertor static cuprinde in general doua parti (fig. 1.5.):
 parte de forta - cu o anumita structura realizata cu dispozitive semiconductoare de putere,
dar si cu alte elemente de circuit cum ar fi condensatoare si inductante cu rol de filtrare sau
protectie;
 un bloc de comanda si control - cu rol de a furniza semnale de comnda pentru
dispozitivele semiconductoare de putere, regla sau controla anumite variabile din sistem si
nu in ultimul rand de a implementa functii de protectie asociate partii de forta.
SURSA

Convertor electronic de putere Ui fi, mi

BLOC DE STRUCTURA
COMANDA SI DE FORTA
CONTROL

Ue ,fe, me
RECEPTOR

Fig. 1.5. Schema bloc functionala a unui convertor electronic de putere

In electronica de putere notiunea de comutatie poate avea un sens mai larg decat simpla trecere
din starea blocat in starea de conductie si viceversa a dispozitivelor semiconductoare.

15
 Sensul extins al comutatiei are semnificatia trecerii curentului electric de pe o ramura de circuit pe
o alta ramura ca efect al schimbarii starii de conductie ale dispozitivelor semiconductoare de putere de pe
cele doua ramuri. Din punct de vedere pot fi evidentiate doua tehnici de comutatie utilizate in electronica
de putere:
 Comutatia naturala - la care trecerea curentului de pe o ramura pe o alta ramura de circuit
se face natural (de la sine) dupa deschiderea unui dispozitiv aflat pe ramura care urmeaza sa preia
curentul sub “presiunea” unei tensiuni de comutatie. Este comutatia utilizata in structurile de forta
realizate exclusiv cu dispozitive semiconductoare de putere fara capacitate de blocare (diode,
tiristoare, triace). Aceste dispozitive nu pot intrerupe singure curentul pe o ramura de circuit odata
aduse in conductie. Pentru a comuta curentul se recurge la o tehnica de deviere prin crearea unei
diferente de potential de catre tensiunea de comutatie care sa ajute la diminuarea curentului de pe
ramura care a circulat si la cresterea valorii acestuia pe noul traseu. O comutare ciclica a
curentului intre doua sau mai multe ramuri de circuit poate avea loc daca tensiunea sau tensiunile
de comutatie sunt alternative. Din acest motiv comutatia naturala poate avea loc in structurile de
forta conectate la tensiuni alternative.
 Comutatia fortata - la care trecerea curentului de pe o ramura pe alta de circuit se face
fortat prin blocarea dispozitivului de pe ramura initiala. Intr-un circuit prevazut cu inductante
circulatia curentului nu poate fi intrerupta brusc prin acesta. Astfel in momentul opririi fortate a
curentului intr-o bucla de circuit inductanta cauta o ramura de descarcare pentru a intretine
circulatia curentului pana ce se descarca toata energia acumulata in campul sau electromagnetic.
Aceste proces de comutatie fortata se desfasoara intre o ramura care contine un dispozitiv
semiconductor avand o capacitate de blocare (ex. Dispozitiv de tip tranzistor) si o ramura ce
contine o dioda de descarcare sau de recuperare. Tensiunea de alimentare a structurilor de forta
care functioneaza in comutatie fortata poate fi si continua.
Partea de comanda si control a convertoarelor statice poate include circuite microelectronice
pentru comanda dispozitivelor semiconductoare de putere si microstructuri numerice care permit un
control al procesului de conversie statica, precum si comunicarea cu alte echipamente de control ierarhic
superioare. La randul lor circuitele de comanda, pe langa functia de baza de a furniza semnale de
comanda adecvate fiecarui tip de dispozitiv, pot avea si alte functii cum ar fi: de separare galvanica, de
comunicatie cu structura de control a convertorului, de protectie la diferite perturbatii care pot apare in
aria pe care o gestioneaza etc.

1.5 Clasificarea convertoarelor electronice de putere

Sunt mai multe criterii de clasificare a convertoarelor electronice de putere.Acestea pot fi:
 Regimul de comutatie
 Tipul conversiei energiei si functiile lor externe
 Tipul comutatiei folosite in structura de forta
 Existenta sau nu a separarii galvanice intre intrare si iesire
 Natura sarcinii si tipul de filtru utilizat la iesire

16
  Rolul convertorului si posibilitatea reglarii iesirii
 Numarul de cadrane in care functioneaza.
Se împart în două tipuri ;
 contactoare statice de curent alternativ
 contactoare statice de curent continuu.
Multe din aceste criterii nu pot realiza o clasificare exacta a convertoarelor deoarece vor fi gasite
exceptii care afecteaza precizia clasificarii. De exemplu, daca se ia in discutie tipul conversiei, redresorul
comandat cu tiristoare, poate fi incadrat, atat in categoria redresoarelor, cat si in categoria invertoarelor, in
funtie de valoarea unghiului de comanda.
Din punct de vedere al regimului de comutatie convertoarele statice pot fi grupate in:
 convertoare fara comutatie;
 convertoare in comutatie naturala sau in comutatie externa;
 convertoare in comutatie fortata sau in comutatie proprie (interna).
Dupa functiile lor externe (parametrii electrici de la intrare la iesire) din punct de vedere al
conversiei energiei convertoarele statice pot fi grupate in:
 Variatorul de tensiune alternativa (convertorul alternativ alternativ) - converteste un sistem
c.a. intr-un alt sistem de c.a. avand aceasi frecventa cu primul, fluxul de energie fiind orientat
de la sistemul de c.a. de intrare spre sistemul de c.a. de iesire.
 Convertorul direct de frecventa sau cicloconvertorul (convertor alternativ-alternativ)
converteste un sistem c.a. de tensiune, frecvente si numar de faze date intr-un alt sistem de c.a.
de tensiune, frecventa si numar de faze cerute, fluxul de energie fiind orientat de la sistemul de
c.a. de intrare spre sistemul de c.a. transformat.
 Redresorul (convertor alternativ-continuu) - converteste un sistem de curent alternativ intr-un
sistem de curent continuu, fluxul de energie avand sensul de la sistemul altenativ la cel
continuu.
 Invertorul autonom (convertor continuu-alternativ) - transforma un sistem de curent continuu
intr-un sistem de curent alternativ, fluxul de energie va trece de la partea de curent continuu la
cea de curent alternativ.
 Variatorul de tensiune continua sau Chopper-ul(convertor continuu-continuu) - realizeaza
conversia unui sistem de curent continuu de tensiune si polaritate data intr-un sistem de curent
continuu de alta tensiune si polaritate ceruta. Fluxul de energie trece de la sistemul de c.c. de
intrare spre sitemul de c.c. de iesire.
 Convertor indirect de frecventa (convertor alternativ-alternativ) - transforma un sitem de c.c.
intr-un alt sistem de c.a. folosind un circuit intermediar in c.c. Convertorul este realizat dintr-
un redresor pe partea de intrare si un invertor autonom pe partea de iesire.
 Convertor indirect de tensiune continua (convertor continuu-continuu) - transforma un sistem
de c.c. intr-un alt sitem de c.c. folosind un circuit intermediar de c.a. Convertorul prezinta o
clasificare a celor mai importante convertoare in functie de modul de comutatie si de
conversie de energie.

17
 Convertor de frecventa cu circuit intermediar in c.c.

~==
Cicloconvertor
~
~
~ ~ ~
Variator de tensiune
Invertor
alternativa Redresor
autonom

~ ~ ~
= ~ =
Variator de tensiune
continua (chopper)

= =
= Convertor de tensiune continua cu
=
circuit intermediar in c.a.

= ~
~ =
Fig. 1.6 Principalele posibilitati de conversie a energiei electrice cu ajutorul convertoarelor statice
In figura 1.6 sunt prezentate principalele posibilitati de conversie a energiei cu ajutorul
convertoarelor statice de putere, iar in figura 1.7 este prezentata o clasificare a celor mai importante
convertoare in functie de modul de comutatie si de conversie a energiei.
Convertoarele statice sunt utilizate, cu precadere, in: sistemele de producere, transport si
distributie a energiei electrice (interconexiunea elastica a doua sisteme electrice de frecvente diferite,
transportul energiei electrice la doua sisteme electrice de frecvente diferite, transportul energiei electice la
tensiune inalta continua, compensatoare statice de putere etc.); actionari electrice industriale (comanda
masinilor electrice de c.c., asincrone si sincrone);masini unelte (comenzi numerice si secventiale);
tractiunea electrica (alimentarea motoarelor de tractiune; reglajul pornirii, vitezei, franarii etc.); procese
chimice (electroliza, galvanizare) si metalurgice (alimentarea cuptoarelor electrice) etc.
Sfera larga de utilizare a convertoarelor statice se explica prin aceea ca ele permit realizarea
aplicatiilor electrice cu parametri tehnico-economici superiori (fiabilitate ridicata, randament mare,
caracteristici de reglare bune, gabarit redus, functionare silentioasa si exploatare simpla etc.), aplicatiilor
folosite anterior. In prezent, peste 60% din energia electrica produsa in centralele electrice este tranzitata
de convertoarele statice, valoare care va creste in urmatorii ani.
O clasificare a convertoarelor poate fi obtinuta daca se ia in considerare modalitatea de comutatie
a dispozitivelor din structura de forta. Conform acestui criteriu pot si puse in evidenta urmatoarele clasa
de convertoare:
a)Convertoare cu comutatie naturala - care utilizeaza, in mod obisnuit semiconductoare de putere

18
 ce nu pot fi blocate prin comanda: tiristoare (convertoare comandata) sau diode (convertoare
necomandate). Modalitatea lor de blocare se bazeaza pe principiul comutatiei naturale a curentului care
poate fi implementat practic daca una din cele doua parti ale convertorului, intrarea sau iesirea, este
conectata la o sursa de tensiune alternativa. Posibilitatile de conversie ale acestor convertoare pot fi:
alternativ-continuu, continuu-alternativ si alternativ-alternativ.
In marea majoritate a cazurilor partea de c.a este chiar reteaua de alimentare cu energie electrica.
Convertoarele conectate la aceste linii de distributie poarta denumirea si de convertoare de linie sau
convertoare cu comutatie de la retea.
Frecventa de lucru a tiristoarelor si diodelor din structura convertoarelor cu comutatie naturala
este joasa (fixata de frecventa tensiunii alternative). Din acest motiv, pentru a obtine o filtrare eficienta a
tensinilor sau a curentilor trebuie utilizate filtre importante care vor mari masa, gabaritul si pretul acestor
convertoare.
CONVERTOARE
STATICE

Fara comutatie In comutatie naturala In comutatie fortata

Contactor Redresor Contactor

de c.a. de c.c.

Contactor Invertor Variator

de c.a. de c.c.

Invertor
Convertor de curent

Convertor de curent
bidirectional

Convertor direct de
frecventa

Convertor de frecventa Convertor de frecventa

cu circuit intermediar cu circuit intermediar

Fig. 1.7. Clasificarea convertoarelor statice dupa modul de comutatie si conversie

b)Convertoare cu comutatie fortata - in structura carora sunt utilizate dispozitive semiconductoare
controlabile care pot fi aduse in conductie si blocate prin comanda. Acestea realizeaza o comutatie fortata
a curentului comutand de fiecare data in sarcina, permitand sau intrerupand circulatia unui curent diferit
de zero printr-o ramura de circuit. Se poate vorbi de o comutatie in sarcina a dispozitivelor. Frecventa de

19
lucru a acestor elemente de comutatie este, de regula, mult mai mare decat frecventa liniei. Este o
trasatura foarte importantta deoarece determina o reducere considerabila a gabaritului si masei
convertoarelor cu comutatie fortata in comparatie cu cele care lucreaza in comutatie naturala. In ciuda
freventei de lucru inalte, la iesirea convertorului se obtin tensiuni continue sau alternative avand o
frecventa comparabila cu frecventa retelei.
c)Convertoare rezonante - in structura carora dispozitivele lucreaza cu asa numita comutatie
usoara, fara pierderi, in scopul obtinerii unei frecvente de lucru foarte mari (sute kHz÷MHz). Comutatia
usoara poate fi realizata cu ajutorul unor circuite rezonante atunci cand, fie tensiunea pe dispozitiv, fie
curentul prin aceasta se anuleaza, fie ambele variabile devin zero. Astfel, pierderile pe dispozitive in
timpul comutatiei tind spre zero. Au fost concepute numeroase tipuri de convertoare rezonante care pot
realiza fie conversie continuu-continuu, fie conversie continuu-alternativ a energiei electrice.
Convertoarele electronice de putere se mai pot clasifica functie de cerintele receptorului sau ale
sarcinii electrice legate la iesire, acestea putand fi de urmatoarele feluri:
 Convertoare cu sau fara separare galvanica - asigura sau nu izolarea electrica a iesirii
convertorului de intrarea acestuia. Separarea galvanica se impune in anumite aplicatii pentru a
proteja sarcina convertorului, de a opri propagarea perturbatiilor in ambele directii sau din
considerente de protectia muncii. Elementele de separare galvanica utilizate sunt
transformatoarele de retea sau transformatoarele de inalta frecventa care permit, totodata si o
adaptare a nivelului tensiunii intre cele doua parti. Daca transformatorul face parte integranta din
structura de forta a convertorului se poate vorbi de un convertor cu separare galvanica.
 Convertoare cu filtre de curent sau filtre de tensiune - cu ajutorul carora se imbunatateste
calitatea conversiei. Deoarece conversia statica a energiei electrice se face prin remodelarea
formelor de unda ale tensiunilor, in foarte multe aplicatii sarcina impune, fie o filtrare a tensiunii,
fie o filtrare a tensiunii, fie o filtrare a curentului. Sunt utilizate aproape in exclusivitate filtrele
pasive, capacitive sau capacitiv-inductive pentru filtrarea tensiunii si inductantei pentru filtrarea
curentului. Filtrele sunt atasate, de obicei la iesirea convertoarelor sau, in cateva situatii, fac parte
integranta din structura de forta a acestora. Este foarte important de cunoscut tipul filtrului utilizat
deoarece acesta impune comportamentul sau functionarea convertorului.
 Convertoare comandate sau necomandate - aceasta impartire evidentiaza posibilitatea
controlului parametrilor energiei electrice de la iesirea convertoarelor statice. In cazul
convertoarelor realizate cu dispozitive fara terminal de comanda (diode) variabilele de iesire
(tensiune, curent, putere) depind exclusiv de variabilele de la intrare si de la marimea sarcinii.
Utilizand dispozitive cu terminal de comanda, variabilele de iesire pot fi controlate in sensul
reglarii sau stabilizarii lor. Din acest punct de vedere, pot fi puse in evidenta doua categorii de
convertoare comandate :
- Convertoare stabilizatoare – la valoarea tensiunii de iesire este mentinuta constanta cu o
anumita precizie;
- Convertoare cu iesire reglabila – la care variabilele de iesire, in special tensiunea, pot fi
regalte intre doua limite date.

20
 Convertoare unidirectionale sau bidirectionale – se refera la capacitatea convertoarelor de
a vehicula energia electrica in unul sau doua sensuri. Daca iesirea convertorului este de c.c. in
sistemul de axe tensiune –curent, convertoarele unidirectionale functioneaza intr-un singur cadran,
iar cele bidirectionale (reversibile) in 2 sau 4 cadrane.

21
 CAPITOLUL II

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

In capitolul 2 se doreste prezentarea celor mai utilizate dispozitive electronice folosite in

electronica de putere actuala. Va fi analizata structura semiconductoare a acestora, schema echivalenta
a dispozitivelor complexe, caracteristicile statice, caracteristicile dinamice, zona de functionare sigura,
etc.
Principalele dispozitive semiconductoare de putere intalnite in schemele electrice ale
echipamentelor electronice de putere sunt: dioda, tiristorul, triacul, tiristorul cu blocare pe poarta
(GTO), tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul cu grila izolata (IGBT), tiristorul controlat MOS
(MCT).

2.1. Tipuri de diode de putere

Rolul diodelor poate fi diferit in functie de tipul structurii in care sunt integrate. Pornind de la
aceasta necesitate s-au conceput si fabricat diferite tipuri de diode avand performante specifice,
apropiate cerintelor locului de utilizare. Astfel, pot fi intalnite urmatoarele tipuri de diode in
electronica de putere:
 dioda redresoare – sunt diode relativ lente utilizate la frecvente joase ale retelelor de
alimentare. Performantele de functionare sunt date de tensiunile mari la care pot lucra si de
caderea de tensiune mica in starea de conductie. Aceasta din urma calitate determina pierderi
mici in conductie, de unde rezulta posibilitatea preluarii unor curenti foarte mari. In prezent
sunt realizate diode redresoare avand curenti nominali de pana la 3500A si tensiuni de peste
6kV. Aria de aplicatii cuprinde redresoarele necomandate si redresoarele semicomandate
conectate la reteaua de distributie a energiei electrice.
 Dioda de comutatie – sunt diode rapide destinate a lucra in convertoare cu comutatie fortata.
Rolul acestora este de a deschide cai de descarcare pentru energiile acumulate in inductante
comutate. Din acest motiv mai sunt numite si diode cu descarcare sau roata libera. Pentru a
evita supratensiunile de comutatie, rapiditatea acestor diode trebuie sa fie mult mai mare sau
cel putin egala cu a dispozitivului controlabil insotit. De obicei, firmele producatoare
integreaza sub forma de modul tranzistoare de putere impreuna cu diodele de descarcare
adecvate. In modulele „brat de punte”, punte „h” sau punti trifazate, fiecare tranzistor este
insotit din fabricatie de cate o dioda de comutatie in antiparalel. Si aceste diode pot fi realizate
in prezent pentru tensiuni de ordinul kV si curenti de ordinul kA.
 dioda shottky –sunt diode realizate pe baza jonctiunilo r metal-semiconductor caracterizate
printr-o cadere de tensiune mai mica in starea de conductie (app. 0.3V). Sunt preferate in
aplicatiile in care se lucreaza cu tensiuni joase pentru a evita o diminuare semnificativa a
acestora la iesirea convertoarelor. Tensiunile inverse maxime obtinute din procesul de
fabricatie pentru diodele Shottky sunt cuprinse in gama 75 ÷100V.

22
  dioda FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode) – au viteze mari de comutatie si caracteristica lina
de revenire pentru a minimiza pierderile la comutatie. Produsele lucreaza in gama 200-1200V
si 15-100A.

2.1.1 Dioda de putere

Structura diodei are o jonctiune pn a carei comportare este bine cunoscuta in literatura de
specialitate (fig. 2). Cand anodul este pozitiv fata de catod, prin dioda trece un curent de sarcina
apreciabil. Cand catodul este pozitiv, jonctiunea pn este blocata si permite trecerea unui curent invers
foarte mic, de ordinul a cativa mA (In).

K SiO2 Anod Metal (Al)

K

p+(1017/cm3) 10µm
n
Grosime dependenta
n- Regiune de drift de tensiunea inversa
p 1014/cm3 maxima
n+ Substrat catod
A 1017/cm3
250µm
A + -
Catod Metal (Al)

Fig 2. Structura si simbolul diodei

Caracteristica statica curent-tensiune prezentata in figura 2.1 este compusa din doua ramuri:
ramura 1 corespunde conductiei diodei polarizata direct, iar ramura 2 blocarii diodei polarizata invers.
Tensiunea nominala de blocare UR0 este tensiunea inversa de durata admisibila la blocare la
forma sinusoidala a tensiunii de alimentare. Curentul nominal IAF. este valoarea medie a curentului
admisibil de durata, in conductie directa pe dioda apare o cadere de tensiune, care la diodele cu Si poate
fi de 1...1,5 V.
Caracteristicile de conductie si blocare depind de temperatura jonctiunii. Temperatura maxima
admisibila la blocarea diodei este de 150.....200 °C. Diodele de putere cu Si pot avea tensiunea de
blocare de ordinul kV, iar curentul de durata poate sa ajunga pana la 1000 A.

23
 I
Caderea de
tensiune
directa

VBR Curent rezidual (IR) UAK

0.6V

Strapungerea la
Polarizare inversa

Fig. 2.1 Caracteristica statica curent - tensiune

Comutatia diodei.
Procesul de comutatie a diodei este caracterizat de o etapa de trecere si una de blocare. La
conectare, procesul de comutatie este destul de scurt pana cand apare curentul de conductie datorita
injectarii purtatorilor de sarcina prin jonctiune din zona puternic dopata. La deconectarea unei diode
curentul nu devine zero, la trecerea prin zero se duce mai departe in sens negativ (fig. 2.2), pana cand
zona de baza a purtatorilor de sarcina este eliberata si tensiunea de blocare poate fi preluata de aceasta
zona.
Aceasta este denumita capacitatea de blocare a diodei. Dupa trecerea timpului de acumulare
(ta), curentul invers scade cu o panta mare si dioda preia tensiunea de blocare. Timpul de revenire al
diodei s-a notat cu trr iar tensiunea maxima inversa, care apare pe dioda, cu Ur max.

I U

tRR
ta
t t

QRR UR
IRRM/4 URmax

IRRM

Fig. 2.2 Variatia in timp a curentului si tensiunii anodice in regim de blocare a diodei

In figura 2.2 suprafata hasurata reprezinta cantitatea de sarcina Qrr care trebuie eliminata din
jonctiune pentru ca dioda sa-si recastige proprietatea de blocare. Qrr creste odata cu cresterea
curentului care se comuta si cu panta de scadere a curentului (dia/dt).

24
2.1.2 Dioda Schottky

Dioda Schottky, al carei simbol este prezentat in fig.2.3, are o jonctiune de tip metal (aur,
argint, platina) – semiconductor (Si-n), acesta din urma fiind slab dopat.

Fig.2.3 Structura si simbolul diodei Schottky

Atunci cand metalul este la un potential pozitiv fata de semiconductor dioda intra in stare de
conductie la o tensiune de aproximativ 0,35V (mai mica decat in cazul unei diode obisnuite).
Electronii din semiconductor, traversand jonctiunea, ajung in metal unde nu se vor deosebi cu nimic de
electronii de conductie ai acestuia.
In metal, ei nu mai sunt purtatori minoritari asa cum ar fi intr-un semiconductor de tip p. Astfel
ei isi pierd “personalitatea” si, la schimbarea polaritatii, este indiferent care electroni se intorc in
semiconductor, cei ai semiconductorului sau cei ai metalului. De aceea viteza de comutatie din starea
de conductie in starea de blocare este cel putin cu un ordin de marime mai mare decat cea a unei diode
obisnuite. Timpul de comutatie al unei diode Schottky este de aproximativ 50ps. Deoarece nu exista
purtatori minoritari, curentul invers prin dioda este nul.
Fiecare dispozitiv semiconductor trebuie sa aiba conexiuni metalice cu elementele de circuit
exterioare lui. Conexiunea semiconductor – metal trebuie sa fie ohmica si nu redresoare. Pentru
aceasta, ele se realizeaza prin interpunerea intre semiconductor si metal a unui strat semiconductor cu
gradient de densitate de dopaj. Densitatea este foarte mare (ca a metalului) in zona contactului cu
metalul si scade treptat spre semiconductor.
Diodele Schottky pot lucra la frecvente mari numai daca elementele lor parazite sunt foarte
mici.

2.1.3 Dioda FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode)

Structura acestui tip de dioda are la baza un substrat n+ puternic dopat. Peste acesta, prin
crestere epitaxiala, se realizeaza un stra n- slab dopat jonctiunea pn se formeaza prin difuzia unei
regiuni p puternic dopate.

25
 Fig. 2.4 Structura si simbolul diodei FRED

Pentru operarea la frecvente inalte se reduce timpul de recombinare a purtatorilor minoritari

prin iradiere (cu electroni, protoni sau particule alpha) sau dopate cu metale grele (aur platina).
Efectele secundare ale acestor procese conduc la:
 Cresterea caderii de tensiune in conductie;
 Caracteristica de recuperare „hard”.
Diodele cu aur sunt cele mai performante, fiind caracterizate de :
 Recuperare soft intre -40C ÷ +150C;
 Lipsa tendintei „snap-off” chiar diF/dt foarte mare (>800A/µs);
 IR mai ridicat (singurul dezavantaj), dar in majoritatea aplicatiilor pierderile datorate acestuia
sunt mici comparativ cu cele datorate recuperarii inverse si lui IF.
In figura 2.5 este prezentat timpul de recuperare invers pentru cele mai performante tipuri de
diode. Diodele se pot utiliza la frecvente mici de comutare, in timp de diodele dopate cu aur si cele
Schottky pot opera la frecvente inalte.

IF
0 0.2 0.4 0.8 1 1.2 1.4
.. 1 TRR
3
IR
2
4

Fig 2.5. Forma curentului Irr si durata procesului de comutatie inversa trr
1-diode schottky si diode epitaxiale ultrarapide; 2- diode dopate cu aur; 3- diode cu recuperare „hard”;
4- diode cu recuperare standard.
Aplicatiile tipice ale diodelor FRED sunt:
 diode de nul in convertoare si circuite de comanda a motoarelor
 diode utilizate in circuite snubber (e esential ca Vff sa fie cat mai mica; cele mai
performante diode pentru aceasta aplicatie sunt cele epitaxiale ce asigura o tensiune de

26
 varf VFF de doua ori mai mica decat cea oferita, in aceleasi conditii, de diodele dopate
cu aur);
 diode conectate in antiparalel cu dispozitive care comuta la frecvente ridicare;
 diode redresoare utilizate in sursele de alimentare in comutatie si in sursele de
alimentare neintreruptibile.

2.2. Tiristorul

Tiristorul obisnuit este un dispozitiv semiconductor de putere cu o mare capacitate in curent si

tensiune, care face ca utilizarea lui in convertoare sa aiba inca o raspandire foarte mare.
Grila Catod
(G) (K)

p+ P2 p+ 10µm
J1 30-100µm A IA K
n-
J2
P1 50-1000µm
J3
p+ 30-50µm G

Anod VAK

Fig. 2.6 Structura si simbolul tiristorului

Uneori acest tiristor este denumit si SCR – redresor semiconductor cu control (semiconductor
controlled rectifier). Caracteristica principala a acestui dispozitiv consta in faptul ca poate fi comandat
pe poarta pentru intrarea in conductie, fara a avea posibilitatea de a bloca conductia printr-o comanda
asemanatoare.
Simbolul tiristorului este asemanator cu simbolul diodelor, pe langa terminalele de forta anod
(A) si catod (K) apare terminalul grilei notat cu “G” fig.2.6

2.2.1. Clasificarea tiristoarelor

Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu terminal de comanda numit grila sau
poarta. Denumirea de tiristor isi are originea in similitudinea functionarii cu a unei triode cu gaz:
tiratron transistor. Dupa realizarea sa practica in anul 1956 si pana in anii ´80 ai secolului XX tiristorul
a fost liderul incontestabil al dispozitivelor semiconductoare de putere cu electrod de comanda.
Structura de baza utilizata in electronica de putere este structura pnpn produsa, de Shok1ey
polarizata direct, prezinta o caracteristica tensiune-curent proprie elementelor de comutatie, cu doua
stari stabile: blocare si conductie.
In stare blocata, structura pnpn poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volti, iar in
conductie suporta curenti de sute de amperi, cu caderi de tensiune redusa pe borne. Prin adaugarea
unor straturi suplimentare structurii pnpn, s-au obtinut dispozitive cu conductibilitate bilaterala.Aceste

27
dispozitive, cu mai mult de doua jonctiuni, care poseda caracteristicile principale ale structurii pnpn,
sunt numite in literatura americana tiristoare , iar in tara noastra dispozitive multijonctiune.
Functionarea tiristorului implica existenta unui circuit de comnda pe grila care sa furnizeze
semnale corespunzatoare de amorsare. Deoarece conditiile mentinerii unei polaritati directe tiristorul
ramane „agatat” in starea de conductie chiar daca semnalul de comanda dispare este indicata o
comanda in impulsuri cu anumite amplitudini si durate.
In functie de cerinte, sunt disponibile pe piata mai multe tipuri de tiristoare dupa cum urmeaza:
 Tiristoare controlate in faza - utilizate in structurile electronice conectate la retele de c.a.
unde vor lucra la frecventa joasa a linii. Sunt dispozitive de tensiuni si curenti mari.
 Tiristoare cu timpi mici de blocare - utilizate in structurile ce functioneaza in comutatie
fortata. Sunt dispozitive mai rapide decat cele redresoare avand tinmpi de blocare de ordinul
zecilor de µs.
 Tiristoare activate optic - utilizate la tensiuni inalte. Pot fi comandate prin fibra optica care
dirijeaza fluxul luminos de o anumita lungime de unda in zona mediana a struturii
semiconductoare. Aici fluxul luminos genereaza perechi goluri electroni care amorseaza
tiristorul.
Realizări constructive ale tirstorului convenţional:
 Tiristoarele se realizează în următoarele tipuri principale :
 (1)- Tiristoare pentru aplicaţii la frecvenţa reţelei (50Hz sau 60Hz)
 (2)- Tiristoare pentru invertoare
 (3)-Tiristoare cu blocare asistata de poarta (ASCR)
 (4)-Tiristoare asimetrice
 (5)-Tiristoare cu conducţie inversă (RCT)
 (6)-Tiristoare cu comandă optică (optotiristoare)
 (7)-Tiristoare cu blocare pe poartă (GTO)
În continuare sunt comentate principalele caracteristici, utilizand următoarele notaţii pentru
mărimile :
 IT - curentul anod-catod, cînd tiristorul este în conducţie;
 VT - căderea de tensiune VAK, cînd tiristorul este în conducţie;
 VGT - tensiunea apilcată între grilă şi catod VGK;
 IGT - curentul absorbit de grilă cînd tiristorul este în conducţie;
 VDRM = VB0 – tensiunea maximă în sens direct (VAK > 0) care nu
determină amorsarea fără comandă pe grilă;
 VRRM - tensiunea inversă (VAK < 0) maximă – de strărungere ;
 PD - puterea maxim disipată;
 dVAKdt - viteza maximă de creştere a tensiunii anodice;
 dITdt - viteza maximă de creştere a curentului anodic;
 tc - timpul de comutare în conducţie (din blocare);
 tq - timpul de blocare (comutare din conducţie în blocare).

28
 1) Tiristoarele pentru aplicaţii la frecvenţa reţelei sunt utilizate în circuite la care blocarea se
efectuează prin comutaţie naturala, adică blocarea dispozitivului are loc la trecerea prin zero a
curentului anodic.
 Au o viteză redusă de comutaţie (tc =15s ; tq =300 s) ceea ce face ca să aibă o
cădere mică de tensiune în conducţie VT2,3 V.
 Curentul în sens direct este IT= 5,…,3000 A.
 Tensiunea pe poartă pentru amorsare VGT3V la curenţi IGT 1A.
 Tensiunea inversă maximă VDRM=VRRM4kV.
 dVAKdt=50,...,1000 Vs ; dITdt < 50 As ;
2)Tiristoarele pentru invertoare sunt utilizate în circuite alimentate cu tensiune continuă,
motiv pentru care se construiesc cu timpi de blocare mici din domeniul tq=5,...,50s.
 IT  1500 A ;VRRM  1200 V ; VDRM=VBO 2500 V
3)- 4)Tiristoarele asimetrice şi tiristoarele cu blocare asistată pe poartă au posibilitatea de a
bloca numai tensiunea aplicată la polarizarea directă VDRM=VBO2 kV , pentru curenţi IT400A.
 La polarizarea inversa (VAK0 ) tensiunile de blocare au valori foarte mici.
 Asistarea pe poartă constă în aplicarea unui impuls negativ pe poarta IGT1 A (VGT= -
4,...,- 8 V) în momentul cand tiristorul trece din conducţie în blocare.
5)Tiristorul cu conducţie inversă are la polarizarea directă caracteristica statică a tiristorului iar
la polarizarea inversă are caracteristica statică a unei diode în conducţie. Lucrează la frecvenţe de
comutare mari 20kHz.
6) Tiristorul cu comandă optică (Optotiristorul) poate fi amorsat prin iluminare pentru lungimi
de undă din domeniul =0.85,...,1m. Rolul grilei este jucat de fibra optică prin care se transportă
lumina. Puterea optică pentru comanda tiristorului este  0.2 mW.Alte caracteristici:
 IT1500A ; VDRM=VRRM 4kV;
 dVdt=1500,..,2000 Vs ,; didt = 250 As.
7)Tiristorul cu blocare pe poarta (GTO) amorsează prin semnal pozitiv aplicat pe poartă şi se
blochează cu semnal negativ pe poartă (chiar daca VAK  0). Necesită putere de comandă mult mai
mare decat cea necesară pentru un tiristor.
 Spre exemplu pentru IT=500 A (VT=1.9 V) este necesar un curent IGT=250 mA la
VGK=6 V, comutarea efectuandu-se în tc =12 s.
 Valori maxime IT=2000 A ; VRRM = 16 V;VDRM=4500 V; VT=2V; IGT=0.8 A; tq =
30s; tc =12s .
Principalele directii de cercetare ale tiristoarelor sunt:
 tensiuni de blocare cat mai inalte;
 curent direct cat mai mare;
 panta admisibila di/dt cat mai mare;
 panta admisibila du/dt cat mai mare;
 timp de blocare cat mai scurt;
29
  putere de comanda cat mai redusa;
 frecvente de lucru cat mai inalte.

2.2.2. Structura si caracteristica statica tensiune-curent

Structura unui tiristor se compune din patru straturi semiconductoare in serie pnpn, formand
astfel trei jonctiuni, cum este aratat schematic in figura 2.7.a. Cele doua straturi din mijloc (N2 si P3)
sunt mai slab dopate decat straturile marginale (P1 si N4).
Tiristorul in executie normala are trei electrozi: anodul A asezat pe stratul p marginal (P1),
catodul K asezat pe stratul n marginal (N4) si electrodul de comanda sau grila G (se mai utilizeaza si
denumirea de poarta) care este in contact cu stratul p dinspre catod (P3).
In figura se arata polarizarea directa, a tiristorului, adica anodul este cuplat la polul pozitiv, iar
catodul la polul negativ al sursei de alimentare de tensiune U. Jonctiunile pn pot fi inlocuite cu o
schema echivalenta compusa din trei diode in serie ca in figura 2.7. b .
J21 J23 J43
A K
P1 N2 P3 N2

G k

RS US
k Ug

a) b)
Fig. 2.7 a) structura semiconductoare cristalina a tiristorului
b) schema echivalenta realizata cu diode legate in serie

Tiristorul in domeniul curentilor mari anodici se comporta ca o dioda direct polarizata. Acestui
domeniu ii corespunde zona 1 din caracteristica statica din figura 2.8. Caderea de tensiune pe tiristorul
in conductie este de obicei in jur de 1 ÷ 2 V.
Zonele 1 si 2 sunt legate intre ele printr-o portiune notata cu 5, careia ii corespunde o rezistenta
diferentiala negativa tinand seama de faptul ca peste o anumita valoare a curentului anodic numitorul
scade mai rapid fata de cresterea lui IA Din acest motiv, atat curentul ID, cat si tensiunea ce cade pe
jonctiunea J23 scade brusc, cu toate ca IA, creste. Pe aceasta portiune functionarea tiristorului este
instabila. Zona de blocare directa, caracterizata de un curent redus ID, este deci delimitata superior de
tensiunea de basculare a tiristorului UBD.
Aceasta tensiune se reduce cu cresterea curentului de comanda pe grila Ig . Din acest punct
incepe portiunea caracteristicii cu panta negativa. Nu este recomandata amorsarea tiristorului la UBDmax,
la tensiunea de auto-amorsare, adica la Ig = 0, deoarece apare pericolul de distrugere a structurii
semiconductorului.

30
 A
I I
Cadere de tensiune
I
UAK starea amorsat I Conductia
G directa
Curent de Curent rezidual
UAK
mentinere direct ID
K
IH
UAK IL
IH UAK
Curent rezidual Tensiunea de
invers IR basculare VBO
VBO
Blocare la
Strapungerea la polarizare Micsorarea tensinuii de
polarizare inversa inversa intoarcere prin cresterea
curentului de poarta IG

a) b)

Fig. 2.8 Caracteristica statica a tiristorului pentru

a) curentul IG=0; b) curentul IG>0

Cand se aplica o tensiune negativa pe tiristor, adica anodul este mai negativ decat catodul, cele
doua jonctiuni marginale vor fi polarizate invers si astfel tiristorul prezinta o rezistenta foarte mare
pentru curent. O partea mai mare a tensiunii inverse este de obicei preluata de jonctiunea marginala
dinspre anod, adica de J21. Aceasta portiune este notata cu 3 in figura 2.8 si este caracterizata de un
curent invers IK redus. Acest curent invers creste o data cu cresterea curentului de comanda IG, pozitiv si
poate produce pierderi nedorite pe tiristor. La o tensiune inversa data UBR, apare strapungerea
tiristorului si tiristorul intra in conductie in sens-invers (zona 4). Si in acest caz apare pericolul de
distrugere a structurii semiconductoare; UBR se mai numeste si tensiunea de basculare in sens invers.
Se mai defineste curentul de mentinere Ih, adica limita inferioara a zonei de conductie in sens
direct. In este curentul minim care trebuie sa circule prin tiristor pentru ca acesta, odata amorsat, sa
ramana in conductie. In cataloage se da doar portiunea caracteristicii statice curent-tensiune care
corespunde conductiei directe a tiristorului. Aceste caracteristici au o dispersie pentru acelasi tip de
tiristor si sunt dependente de temperatura jonctiunii. De obicei in cataloage se mai definesc
urmatoarele tensiuni :
 UDRM — tensiunea de varf repetitiva in stare blocata, in conductie directa, care este
valoarea instantanee maxima a tensiunii in stare de blocare, excluzand toate tensiunile
tranzitorii nerepetitive;
 UDWM — tensiunea de varf de lucru - in stare de blocare, in conductie directa, care este
valoarea instantanee maxima a tensiunii in stare de blocare, excluzand toate tensiunile
tranzitorii repetitive si nerepetitive
 UDSM — tensiunea de varf nerepetitiva in stare de blocare (de suprasarcina accidentala)
in conductie directa, care este valoarea instantanee maxima a unei tensiuni directe
tranzitorii nerepetitive in stare de blocare ;

31
 U

UDRM UDSM
UDWM
t
URWM
URSM URRM

Fig. 2.9 Reprezentarea schematica a diverselor

tensiuni in functie de timp
 URRM — tensiunea inversa de varf repetitiva, care este valoarea instantanee maxima a
tensiunii inverse incluzand toate tensiunile tranzitorii repetitive, excluzand insa toate
tensiunile tranzitorii nerepetitive;
 URSM — tensiunea inversa de varf nerepetitiva (de suprasarcina accidentala), care este
valoarea instantanee maxima a unei tensiuni inverse tranzitorii nerepetitive ;
 URWM — tensiunea inversa de virf de lucru, care este valoarea instantanee; maxima a
tensiunii inverse excluzand toate tensiunile tranzitorii repetitive si nerepetitive.
In figura 2.9 s-au reprezentat toate tensiunile definite mai sus.

2.2.3. Constructia tiristorului

Constructiv tiristorul este compus din carcasa si structura semiconductoare. Carcasa protejeaza
structura din punct de vedere mecanic si de influenta mediului inconjurator. Totodata preia si conduce
caldura degajata in urma pierderilor electrice din structura spre corpul sau agentul de racire.
In figura 2.10 se prezinta doua variante constructive ale tiristoarelor. In figura 2.10 a. tiristorul
este cu racire unilaterala cu o singura baza, iar in figura 2.10.b cu racire in doua directii.
Tiristorul cu o singura baza are carcasa compusa din placa de baza 1, corpul ceramic 11 si
capsula 2. Structura semiconductoare de tiristor 4 este fixata pe placa de baza de arcurile de strangere
7 prin intermediul contactului metalizat 12.
Partea anodica a structurii semiconductoare este in contact direct cu placa de baza care
formeaza de fapt anodul tiristorului, iar partea catodica a structurii este legata de catodul dispozitivului
3 prin intermediul contactului metalizat.
Dispozitivul este fixat pe corpul de racire 13 cu inelul de strangere 9 si suruburile 10. Legatura
secundara catodica 5 si legatura de comanda 6 vor fi conectate la generatorul de impulsuri. Constructia
din figura 2.10. b. este realizata din straturi de inele.
Corpul tiristorului este de forma unei pastile, unde contactele superioare 2 si inferioare 7 sunt
izolate printr-un inel de ceramica 3. Presiunea de contact se realizeaza prin pretensionarea cu ajutorul
corpurilor de racire 11, inferioare si superioare, in doua directii.
Elementele principale ale unui tiristor sunt:

32
a - tiristor in constructie unilaterala: 1- placa de baza; 2 - capsula; 3 - conductor catod; 4 -structura
tiristorului; 5 - legatura secundara catodica 6 - legatura de comanda; 7 – arcuri pentru strangerea
legaturi/ de comanda; 8 - inel ceramic; 9- inel de stringere; 10 - surub;11 - corp ceramic; 12 - contact
metalizat; 13 - corp de racire; b - tiristor in constructie de pastila; 7 - legatura anodica; 2-legatura
catodica; 3 - corp ceramic; 4 – structura tiristorului; 5 - legatura de comanda ; 6 - arc pentru strangerea
legaturii de comanda; 7 -legatura secundara catodica; 5 - contact metalizat; 9- saiba de izolare; 10-
suport ceramic; 11 - corp de racire.
Dreapta de sarcina ce trebuie sa cada in afara domeniului hasurat, sub limita puterii de disipatie
si sub limitele UGmin IGmin ; in figura s-a reprezentat punctul de functionare A, pentru o caracteristica
oarecare din domeniul de dispersie si pentru o dreapta de sarcina.

a) b)
Fig. 2.10. Tiristorul.Elementele principale

2.2.4. Caracteristicile dinamice

Caracteristicile dinamice ale tiristoarelor depind in mare masura de parametrii circuitului de

sarcina si de comanda, de viteza de variatie a curentului si tensiunii si de temperatura jonctiunilor.
Regimurile tranzitorii prezinta solicitari periculoase care pot duce la distrugerea structurii tiristorului si
prin urmare nu pot fi neglijate.
Caracteristicile dinamice definesc performantele de comutatie ale tiristorului si au o mare
importanta in stabilirea limitelor de functionare in regimul tranzitoriu al sarcinii.

33
2.2.4.1. Amorsarea tiristorului

Amorsarea (aprinderea) are loc atunci cand la o tensiune de polarizare directa intre anod si
catod dispozitivul ajunge din stare blocata in stare de conductie. Amorsarea poate avea loc in trei
moduri:
 aplicand un curent de comanda pe grila;
 depasind tensiunea de autoamorsare U(BD)max,
 la o panta mare de crestere a tensiunii de polarizare directa a tiristorului.
Prima corespunde amorsarii normale a tiristorului, iar ultimele doua de obicei se evita, fiind
periculoase pentru structura tiristorului.
Depasirea tensiunii de autoamorsare Ubmax produce o crestere pronuntata a curentului de blocare
directa ID si conduce la amorsarea tiristorului. Acest mod de amorsare este periculos deoarece
tensiunea mare aplicata pe tiristor determina un camp electric puternic care poate produce
strapungerea si distrugerea structurii semiconductoare. Prin urmare nu este recomandabila amorsarea
tiristorului in lipsa curentului de comanda prin cresterea tensiunii peste UBD
De asemenea, nu este recomandabila nici amorsarea tiristorului in urma cresterii rapide a
tensiunii de polarizare directe aplicata pe tiristor, adica la duA/dt mare, deoarece produce supraincalziri
locale, datorita curentului capacitiv proportional cu du/dt si capacitatea jonctiunii J23:
du
ic  C (2.1)
dt
De obicei este limitata panta cresterii tensiunii la o valoare admisibila la care in mod sigur nu
este amorsat tiristorul. Tensiunea are o limita inferioara sub care tiristorul nu este amorsat, indiferent
cat de mare este du A / dt , deoarece amorsarea necesita o anumita cantitate de purtatori de sarcina
asigurata de tensiunea UA. Daca aceasta cantitate de sarcina electrica nu exista in structura, nu poate
avea loc amorsarea. La tiristoarele fabricate cu tehnologia obisnuita, ordinul de marime pentru panta
tensiunii este de 20... 100 V/s, insa cu tehnologii speciale (tiristoare cu catod stratificat) se poate
ajunge la valori de sute, dar chiar si pina la 1000 /μs.
Panta admisibila a cresterii tensiunii scade cu cresterea tensiunii directe aplicate pe tiristor, si
cu cresterea temperaturii jonctiunii θj. Daca tensiunea la amorsare nu creste de la zero, ci de la o
valoare negativa sau pozitiva, situatia este mai favorabila. In cazul unei tensiuni initiale pozitive,
capacitatea jonctiunii J23, polarizata invers este mai redusa fata de cazul cand tensiunea initial ar fi
zero. Conform relatiei (2.2) pentru un curent ic dat corespunde o panta mai mare du A / dt .
In cazul unei tensiuni initiale negative, jonctiunile J21 si J43 sunt, polarizate invers, situatie care
intarzie amorsarea tiristorului, in timp ce tensiunea Ua trece in domeniul pozitiv si in urma intarzierii
aprinderii poate avea loc polarizarea inversa a jonctiunii J23, care reduce capacitatea C producand
acelasi efect ca si in cazul precedent.
Panta cresterii tensiunii du A / dt , poate fi marita prin aplicarea unei polarizari inverse pe poarta
tiristorului, adica in circuitul de comanda exista un curent Ig<0. Este evident ca tensiunea inversa

34
aplicata pe poarta tiristorului nu poate sa depaseasca valoarea maxima admisibila. La tiristoare mici se
poate conecta in paralel cu circuitul de comanda un grup R-C.
Este de mentionat ca panta cresterii tensiunii inverse in sensul blocarii tiristorului nu prezinta
nici un pericol pentru tiristor, daca tensiunea nu depaseste valoarea maxima inversa admisibila UBRmax.
Panta cresterii tensiunii in sens direct dua/dt, poate fi definita pentru o variatie exponentiala sau
liniara de tensiune conform figurii 2.11, a si b, unde s-a notat cu UAmax, valoarea maxima a tensiunii de
testare, UDRM - tensiunea maxima repetitiva de blocare in sens direct, iar cu ‫ זּ‬constanta de timp
corespunzatoare variatiei exponentialei.
Conform figurii 2.11.a se poate scrie:
dua 0.632
 U DRM (2.2)
dt 

a) b)
Fig.2.11 Definitia pantei maxime de crestere a tensiunii directe pt. o variatie exponentiala ideala (a) si
liniara a tensiunii (b);
Iar figurii 2.11.b
dua 0.8
 U DRM (2.3)
dt t1  t2
Amorsarea normala a tiristorului are loc atunci cand dispozitivului polarizat direct i se aplica
un impuls pozitiv de comanda, astfel tiristorul ajunge in stare de conductie. Densitatea de curent -
datorita constructiei specifice a stratului P3 si electrodului de comanda G - nu este uniforma pe
suprafata catodului. In apropierea electrodului de comanda densitatea purtatorilor de sarcina, deci si a
curentului, este mult mai mare. La inceputul, amorsarii curentul total al tiristorului circula printr-o
sectiune redusa in semiconductor. Datorita diferentei densitatii purtatorilor de sarcina, acestia vor
difuza in restul structurii; astfel sectiunea de conductie se va largi aproximativ cu o viteza de 0.1
mm/μs.
Variatia in timp a curentului si tensiunii anodice este reprezentata in fig.2.12.Timpul de
amorsare are trei etape principale.
35
 a) Timpul de intarziere a amorsarii, notat cu ti, este durata de timp considerata de la inceputul
impulsului de comanda pana cand jonctiunile J21 si J43, polarizate direct, incep sa injecteze purtatori
de sarcina in jonctiunea j23, iar tensiunea anodica incepe sa scada brusc. Din acest moment se poate
considera ca injectarea purtatorilor de sarcina incepe, sa fie limitata de rezistenta externa a circuitului
tiristorului.
Curentul incepe sa creasca brusc, (in cazul circuitelor accentuat inductive amorsarea tiristorului
poate fi urmarita doar dupa variatia tensiunii anodice). Timpul de intarziere are ordinul de marime
intre 1 . 3 0 0 μs si depinde de mai multe marimi: scade cu cresterea amplitudinii impulsului de
comanda si cu cresterea tensiunii directe pe tiristor aplicata inainte de aprindere; de asemenea scade cu
cresterea temperaturii jonctiunii. Timpul ti, mai depinde de panta de crestere a impulsului de comanda:
cu cit aceasta panta este mai mare cu atat ti este mai redus.
b)Timpul de comutare propriu-zisa a tiristorului notat cu tc .este durata de timp in care sectiunea
redusa a jonctiunii J23 care conduce se polarizeaza direct, in acest interval de timp tensiunea pe tiristor
scade brusc. Timpul de comutare se reduce cu marirea amplitudinii si pantei de crestere a impulsului
de comanda, si cu cresterea temperaturii jonctiunii, dar in primul rand este determinat de caracterul
circuitului exterior de sarcina. Daca sarcina este formata dintr-un circuit R - L serie (adica duA/dt mic),
tensiunea UA va scadea brusc si tiristorul comuta rapid
(tc=l μs ). Cand circuitul exterior este R - C serie (adica duA / dt mare), are loc o scadere brusca a lui ua
apoi cu cresterea densitatii de curent se deccelereaza foarte mult variatia tensiunii.

Fig. 2.12 Variatia in timp a curentului si a tensiunii anodice la amorsarea tiristorului

Datorita aparitiei bruste a unui curent si a unei tensiuni mari la duA/dt ridicat, valoarea
instantanee a pierderilor la amorsare poate sa atinga cativa kW. Deoarece aceasta pierdere apare intr-
un volum foarte mic in structura determinata de sectiunea redusa de conductie in tiristor apare o
supraincalzire locala care poate provoca distrugerea dispozitivului.

36
 Astfel pentru a limita pierderile la amorsare se prescrie evaluarea maxima admisibila a pantei
de crestere a curentului. Valorile uzuale pentru (duA/dt)max sunt in jur de 20...200 A/μs. Sunt admise si
valori mai mari daca valoarea curentului anodic care se va stabili prin tiristor este mai redusa decat
valoarea nominala. In urma aplicarii unor tehnologii speciale au fost construite tiristoare cu (duA/dt)max
foarte mare de ordinul a 1000 A/μs (tiristoare cu camp transversal).
Limitarea pantei curentului se face cu ajutorul bobinelor de soc in circuitul anodic, care intarzie
cresterea curentului pana ce dispozitivul va conduce pe o sectiune mai mare.
Si in cazul dimensionarii protectiei circuitului paralel R-C trebuie luata in considerare valoarea
lui (duA/dt), deoarece in timpul amorsarii tiristorului condensatorul incarcat inainte de amorsare se
descarca tot prin tiristor si mareste panta de crestere a curentului.
Daca la amorsare apar supraincalziri locale, distributia neuniforma a temperaturii si curentului
poate persista si cand conduce toata sectiunea structurii.
Daca frecventa de lucru a tiristorului nu este prea mare, aceasta distributie poate sa se
uniformizeze, insa la frecvente ridicate se poate intampla ca neuniformitatea distributiilor mai sus
amintite sa existe si la deconectarea completa a dispozitivului. Deoarece blocarea tiristorului este
influentata in primul rand de temperatura de jonctiune, in acest caz trebuie luata in considerare
repartitia neuniforma a temperaturii.
c) Timpul de stabilire a amorsarii, notat cu ts, este durata de timp in care tiristorul odata aprins,
ajunge sa conduca pe toata suprafata transversala a structurii. Acest timp de stabilire depinde in primul
rand de diametrul catodului, respectiv de distanta maxima dintre electrodul de comanda si catod.
De obicei etapele amorsarii se definesc procentual din variatia tensiunii anodice, conform
figurii 2.12, adica ii corespunde la o scadere de 10%, iar tc la o scadere de 90% din valoarea initiala a
tensiunii directe anodice pe tiristor.
Variatia curentului anodic nu este atat de caracteristica procesului de amorsare deoarece este
foarte puternic influentata de caracterul circuitului de sarcina.
Durata impulsului de comanda trebuie sa depaseasca timpul de amorsare ta  ti  tc a
tiristorului. Deoarece timpul de amorsare depinde de amplitudinea impulsului de comanda, in multe
cazuri se da dependenta amplitudinii minime a impulsului de lungimea acestuia, pentru care deja se
asigura aprinderea tiristorului.
In figura 2.13 s-a reprezentat variatia timpului de intarziere (ti ) si de aprindere (ta) a
tiristorului in functie de amplitudinea curentului de comanda IG.

37
 Fig 2.13 Variatia timpului de intarziere si de aprindere in functie de amplitudinea curentului de
comanda pe grila la tiristorul tip TC-25

2.2.4.2. Protectia tiristoarelor legate in paralel

In cazul legarii in paralel a tiristoarelor trebuie asigurata repartitia uniforma a curentului prin
ele. In cazul functionarii la frecventa retelei (50 Hz) este de ajuns daca se asigura distributia uniforma
in stare de conductie a tiristoarelor.
La frecvente medii sau in cazul cand numarul tiristoarelor legate in paralel este mare, trebuie
impiedicata cresterea prea accentuata a pierderilor tiristorului care intra cel mai rapid in conductie.
In regimul de conductie distributia uniforma poate fi realizata prin selectarea tiristoarelor astfel
incat sa se reduca campul de toleranta al lor sau prin montarea unor rezistente in serie cu fiecare
tiristor. Pentru dimensionarea acestor rezistente este indicata liniarizarea caracteristicii statice de
conductie. Este necesara cunoasterea caracteristicilor care delimiteaza campul de toleranta la
temperatura maxima admisibila, adica caracteristica l i m i t a superioara (LS) si inferioara (LJ).
conform figurii 2.14.a.
Se traseaza hiperbola puterii disipate Pt pentru conditiile de racire date, care intersectand curba
LS, determina curentul IAmax la care poate functiona un tiristor in conditiile date, fara a lua in
considerare montajul in paralel. Se traseaza tangenta la hiperbola in punctul (I1 > U1) de intersectie
acesteia cu caracteristica LI. Panta acestei tangente este:
U  U1
Rs 0  0
I1
si da o valoare de prima aproximatie pentru rezistenta in serie. Apoi se alege o valoare rotunjita pentru
RS cu toleranta ±∆RS , in jurul valorii R. Din punctul (U1 I1) se duce o dreapta cu panta (Rs -∆RS),
care determina pe abscisa tensiunea U0. Din acest punct se duce o dreapta cu panta (Rs +∆RS) care
intersecteaza caracteristica LS in punctul (U2,I2). Astfel se determina numarul tiristoarelor (sau
diodelor) in paralel, cu formula :
U
n  A0  Lk
di / dt
38
 Aceasta relatie tine seama de cazul cel mai defavorabil, adica atunci cand pe un brat sunt legate
in serie un tiristor si o rezistenta, amandoua la l i m i t a inferioara a campului de toleranta.
Puterea rezistentei se calculeaza cu valorile diferentei (Rs-∆R), si cu I1, valoarea efectiva a
curentului.
In cazul amorsarii tiristoarelor, panta curentului total depaseste valoarea admisibila a pantei
curentului pentru un tiristor. Legand in serie cu fiecare tiristor o bobina, se limiteaza panta curentului
sub valoarea admisibila.
Valoarea minima a inductivitatii a unei astfel de bobine este :
U A0
LS min   Lk
(di / dt )adm
unde UA0 este valuorea tensiunii pe tiristor imediat inainte de amorsare .
Constructiv aceste inductante sunt fara miez magnetic ,adica cu aer.

Fig. 2.14. Constructia grafica a rezistentelor necesare la legarea in paralel a tiristoarelor pentru
egalizarea curentilor (a) si scheme de inbunatatire a distributiei curentului (b) si( c).

Pentru imbunatatirea distributiei curentului este recomandata utilizarea tiristoarelor cu timp de

intarziere mic si comanda prin impulsuri cu panta mare de crestere. Distributia cea mai uniforma a
curentului intre doua tiristoare legate in paralel se obtine intr-un montaj cu o bobina cu punct median
ca in figura 2.14. b.
Daca unul din tiristoare se amorseaza mai devreme, inductivitatea L impiedica cresterea prea
brusca a curentului. Pe langa aceasta in partea bobinei care apartine celui l al t tiristor se va induce o
tensiune cu un astfel de sens , incit va mari tensiunea anodica a t i r i s t o r u l u i si deci va a j u t a
amorsarea l u i . Bobina cu punct median realizeaza distributia uniforma a curentului si in r e g i m
s t a b i l i z at de functionare asemanator se petrec fenomenele si in cazul schemei din figura
2.14. c.

2.3. Triacul

39
 Triacul este un dispozitiv semiconductor bidirectional, care poate sa conduca in ambele
directii, daca i se aplica impuls de comanda pozitiv sau negativ. Se utilizeaza in schemele
convertoarelor cu intrare si iesire in curent alternativ (intreruptoare si variatoare de curent alternativ),
inlocuind tir i st oar el e in antiparalel. Au fost construite triacuri cu un curent pana la 40A si 600V
pentru 50—60 H z si triacuri pentru frecvente medii de 400 Hz. La curenti mai mari se folosesc insa
doua tiristoare in antiparalel.
Structura triacului este aratata in figura 2 . 1 5 . a. Este compus din straturi pn alternative, si
anume dintr-o structura P1N2P2N3 in paralel cu una N1P1N2P2. Dispozitivul are doi electrozi principali
E1 si E2 si un electrod de comanda (grila) G. In figura s-a aratat si simbolul utilizat pentru triac.
Considerand electrodul de referinta Et in figura 2.15.b s-a reprezentat caracteristica statica
(curent-tensiune) a unui triac. Triacul poate functiona in cadranul 1 cand E1 este pozitiv si in cadranul
3 cand E2 este pozitiv, fata de electrodul celalalt Caracteristica prezinta simetrie fata de origine. Are
doua portiuni de conductie 1 si 4, si doua portiuni de blocare 2 si 3.
Tensiunea de basculare, a triacului depinde de impulsul de comanda si are valoarea maxima
(UBD)MAX pentru Ig=0. Triacul ramane in conductie pana ce curentul prin el scade sub valoarea de
mentinere IH (respectiv - I H ) .

Fig. 2.15. Triacul structura si simbolul; b) caracteristica statica curent tensiune

Fig.2.16 a) terminalul T2 este pozitiv şi poarta G pozitivă;

b) terminalul T2 este negativ şi poarta G negativă.
In ceea ce priveste caracteristicile triacului acestea sunt asemanatoare cu cele ale tiristoarelor
cu deosebirea ca aici nu se lucreaza cu valori medii, ci cu valori eficace ale curentului (fig. 2.17.a).

40
 β
0 Ig
[mA]
P β

180 200
50 120 150
100
40 90 -Ug Ug
60 5 4 3 2 1
30
30
20 [V]
1 2 3 4 5
[V]
10
0
A
0 10 20 30 [mA]
-Ig
a) b)
Fig. 2.17 a) Pierderile in triac; b) caracteristica de comanda
E x i s t a patru moduri de comanda conform tabelului 1.3.
Sensibilitatea triacului este mare la modurile de comanda 1 si 3. Sensibilitatea este putin mai
mica in cazul 2, iar cazul 4 nu este recomandat, triacul avand o sensibilitate redusa (fig. 2.17. b).
Ni Polaritatea electrodului Impulsul de comanda Cadranul de functionare
crt. E1 fata de E2 pe Grila a triacului
1 pozitiv pozitiv cadran I
2 pozitiv negativ cadran II
3 negativ negativ cadran III
4 negativ pozitiv cadran III
Tabelul 1.3
Cand E1 este pozitiv, straturile active sunt P1N2P2N3, iar cand E1 este negativ, atunci N1P1N2P2
sunt active. Functionarea triacului difera de aceea a doua tiristoare in antiparalel in primul rand in ceea
ce priveste comutatia. Tiristorul are la dispozitie o jumatate de perioada pentru stingere, insa triacul
trebuie sa se stinga intr-un interval de timp foarte scurt, cand curentul trece prin zero.
In cazul sarcinilor rezistive nu se pun probleme, deoarece curentul fiind in faza cu tensiunea,
timpul ramas la dispozitia triacului pentru revenire este cuprins intre momentul scaderii curentului sub
valoarea de mentinere IH si momentul in care tensiunea inversa depaseste valoarea necesara pentru
intrare in conductie in sens invers.
La sarcini inductive, comutatia triacului devine mai dificila (figura. 2.18). Datorita defazajului
φ al curentului prin triac IT. fata de tensiunea de alimentare in punctul de comutatie ajunge in zona
tensiunilor mari pe triac, ceea ce duce la aparitia unor pante du/dt insemnate si a unor supratensiuni.
Pentru a limita aceste supratensiuni se utilizeaza circuitul RC serie legat in paralel cu triacul, ca in
cazul de protectie se calculeaza cu r el ati i le :
Sn 60 (2.7)
C  10 [ F ]
U2N f

R  2 L / C [] (2.8)

41
 Fig. 2.18 Comutatia triacului la sarcini inductive
Unde :
Sn - puterea aparenta a transformatorului de alimentare:
U2N - tensiunea nominala in secundar [V];
f - frecventa tensiunii de alimentare
L - inductivitatea sarcinii
Nu se recomanda folosirea triacurilor legate direct la reteaua de 220V.
In figura 2.19s-a reprezentat variatia tensiunii si curentului prin triac la comutatia acestuia din
conductie in stare blocata. Curentul de grila virtual care incearca sa ajute comutatia triacului, pe langa
aceasta curentul invers are o componenta Ig care se datoreaza capacitatii jonctiunii.

Fig. 2.19 Variatia in timp a tensiunii si a curentului pentru un triac la blocare

2.4. Tiristorul cu blocare pe poarta GTO (Gate Turn-Off)

42
 Tiristoarele GTO cu comanda de revenire pe poarta reunesc avantajele tiristoarelor standard cu
cele ale tranzistoarelor de comutatie pentru inalta tensiune. Aceasta le confera versatilitate, un
domeniu larg de utilizare, de la regulatoarele de turatie, la convertoarele care au comutatie proprie.
Ca si tiristoarele conventionale, tiristoarele GTO sunt realizate cu patru straturi
semiconductoare intr-o structura pnpn, si se amorseaza prin aplicarea unei tensiuni pozitive intre
electrodul de comanda si catod. Spre deosebire de tiristoarele standard, tiristoarele cu comanda de
revenire pe poarta pot fi blocate prin aplicarea unei tensiuni negative pe grila. Structura unui tiristor
GTO este prezentata in figura 2.20 .
Spre deosebire de tiristoarele uzuale, la care factorii de amplificare βp si βn ai celor doua
tranzistoare din schema echivalenta sunt egali, la tiristorul GTO se asigura pentru tranzistorul pnpn din
schema echivalenta, printr-o tehnologie adecvata, un factor de amplificare βn foarte mare. Acest lucru
este realizabil prin executarea straturilor p2 si n2 foarte subtiri si puternic impurificate. Consecinta
acestei tehnologii speciale este aceea ca dispozitivul poate fi st i ns pr i n impulsuri negative pe poarta.
Problemele care apar la fabricarea tiristorului cu comanda de revenire pe poarta au l i m i t a t
curentii si tensiunile de lucru ale tiristoarelor GTO si-au mentinut pretul lor la valori ridicate.
Tiristoarele cu comanda de revenire pe poarta sunt concurate de tranzistoarele de putere si de
tranzistoarele de putere compuse.

Fig. 2.20 a) Simbolul tiristorului GTO si b) modelul cu 2 tranzistoare

Functionarea dispozitivului:
Aplicarea unei tensiuni pozitive UGK >O,6 V tranzistorului T1 determina intrarea sa in
conductie. Curentul sau de colector deschide tranzistorul T2.Intrarea in conductie a tranzistorului T2
determina o si mai puternica pozitivare a bazei tranzistorului T1, ambele tranzistoare T1 - T2 basculand
rapid in saturatie prin reactie pozitiva.
Aceasta stare se mentine si dupa anularea tensiunii de comanda si corespunde starii de
conductie a tiristorului.Tiristorul GTO este realizat astfel incat o anumita tensiune negativa aplicata
intre grila si catod sa provoace blocarea dispozitivului.

2.4.1 Comanda tiristoarelor GTO

43
 O valoare tipica a timpilor de comutatie pentru tiristoarele cu comanda de revenire pe poarta
este 0,5 μs. Valorile timpilor de comutatie directa, respectiv inversa, sunt apropiate. Astfel de valori
sunt asigurate cu circuite de comanda rapide. Principiul de comanda este prezentat in figura 2.21.
La comutatie directa, in grila tiristorului GTO se injecteaza un impuls de curent cu o anumita
durata si amplitudine (exemplu 300 mA pentru tiristorul BTW58/1000). Aceste valori determina
intrarea in conductie a intregii structuri semiconductoare din primele momente, si amorsarea sigura a
oricarui exemplar.
Durata impulsului de amorsare este impusa de sarcina. Pentru curenti de sarcina sub 2A se
recomanda amorsarea tiristorului GTO cu impulsuri de curent de durata mare. Aceasta reduce caderea
de tensiune directa si puterea disipata in conductie de tiristor.

Fig. 2. 21 Principiul de comanda al tiristorului

Prin polarizarea jonctiunii grila-catod cu o tensiune de -5...-10 V. are loc blocarea tiristorului
GTO. Pentru citeva zecimi de μs, circuitul grilei preia 20 ... 100% din curentul de sarcina. Aceasta
inseamna anularea curentului de catod, inainte ca tensiunea anod-calod sa fie atins valoarea de la
blocare. Ca urmare, circuitul de protectie la du/dt se simplifica iar puterea di si pata la blocare este
redusa. In continuare, este descris un circuit de comanda, la care blocarea tiristorului GTO este
realizata prin descarcarea unui condensator incarcat pe durata conductiei. In figura 2.22 este prezentata
o schema de comanda relativ simpla. Cand baza tranzistorului T2 este la nivel JOS („ON"), T1 intra in
conductie si pompeaza prin C1 curentul de amorsare in grila tiristorului.
Are loc si incarcarea condensatorului C pana la tensiunea Zener a diodei =10 V.
La aplicarea unui nivel SUS (OFF), bazei tranzistorului T2, acesta se deschide.T1 se blocheaza,
iar C1, se descarca prin D1 si T2 pe jonctiunea G-K a tiristorului G'I'O. Este extras astfel un curent
important din grila tiristorului si acesta se blocheaza.

44
 Fig. 2.22. Circuitul de atac pentru un tiristor GTO

Cu circuitul prezentat este posibila comutatia sigura a unor curenti de sarcina de ordinul a 10A.
La curenti de sarcina mai mici se recomanda o tensiune Zener sub 10 V pentru dioda D2 Curentul de
amorsare depinde de tensiunea de alimentare, dezavantajul major al acestei scheme.

2.5 Tranzistorul bipolar de putere

Tranzistoarele functionand in regim de comutatie, pot fi folosite ca ventile ale convertoarelor

de putere. Deja la inceputul anilor ´60 au fost dezvoltate tranzistoare pe baza de siliciu. Acestea sunt
tranzistoare care la temperatura de 25 grade a mediului inconjurator au o pierdere de 1W.
Tranzistoarele de putere se pot grupa in: tranzistoare de putere de frecventa joasa (FJ), tranzistoare de
putere de frecventa inalta (FI). Granita intre aceste grupe este la 320MHz, unde parametrii nu mai sunt
dependenti de tehnologie ci mai mult de geometrie.
La tranzistoarele JF parametrii depind in primul rand de modul tehnologic de realizare
caracteristic firmei. La tranzistoarele de inalta frecventa geometria cristalina are o influenta mare
asupra parametrilor.
La fel se pot construi tranzistoare pentru inalta tensiune sau curenti mari. Tranzistoarele pentru
curent foarte mare conecteaza curenti pina la 500A la tensiunea maxima de blocare de 100V pina la
150V. Tranzistoarele de inalta tensiune au tensiunea de blocare de cca. 1000V la un curent de 20A
pana la 30A. Astfel se pot realiza convertoare cu tranzistoare de putere de ordinul kW-tilor.
Puterea poate fi crescuta prin conectarea in paralel si serie a tranzistoarelor de putere, in afara
de aceasta se prezinta module de putere in care mai multe tranzistoare de putere sunt cuplate in
paralel.Un modul construit astfel poate atinge in colector peste 1000A.
Din 1971 a aparut asa-numitul tranzistor de putere Darlington, care este construit monolitic din
doua tranzistoare independente (de cele mai multe ori in acelasi ch i p) . O astfel de combinatie
simplifica aplicarea lui ca amplificator final intr-o schema. Astfel, se pot obtine amplificari de peste
1000 la curenti de ordinul 10 A.

45
2.5.1. Structura tranzistorului

Dupa cum se vede si in figura 2.23, sunt posibile doua tipuri complementare: tranzistoare PNP,
respectiv tranzistoare NPN, la care emitorul si colectorul sunt dopate cu purtatori de sarcini negative.

Fig. 2.23 Tipuri principale de tiristoare a) PNP b) NPN

Polaritatile tensiunilor de colector si de baza la ambele tipuri sunt in sens invers, astfel ca
diodele echivalente Dbe sunt polarizate in sensul de conductie, iar cele Dbc in sensul invers
conductiei.
Tranzistorul se reprezinta, din punctul de vedere al curentului de colector, ca o sursa de curent
constant a carei marime depinde numai de curentul de baza, (rezistenta interna foarte mare).

2.5.2. Caracteristicile tranzistoarelor

In figura 2.24. sunt prezentate caracteristicile tranzistorului. Rezistenta interna a tranzistorului

U CE
poate fi scrisa cu relatia: Ri 
I C
In zona blocata, la o tensiune colector-emitor Ucs exista numai un curent mic de colector I C in
zona de saturatie, care se obtine prin marirea curentului de baza I B va curge un curent mare de
colector I C chiar la o tensiune mica colector-emitor U CE . In regim de comutatie intre punctele de
conectare 7 si 2 timpul trebuie sa fie cit mai mic. Drumul pe caracteristica, intre cele doua puncte de
lucru, depinde de impedanta de sarcina, in figura 2.24 este reprezentata o caracteristica de sarcina
rezistiva Rs .
Curba de sarcina U s  RS IC  f ( I B ) intersecteaza caracteristicile in punctele 7 si 2.
Schemele mai importante de comutatie sunt date in figura 2.24 : schema cu emitor comun (b) si
schema cu colector comun (c). Prima schema realizeaza amplificarea de tensiune VU  U / UC si
de curent VT  U BF / I B Amplificarea de putere este corespunzatoare acestora. Amplificarea de
curent rezulta la fel din caracteristica IC  f ( I B ) Rezistenta de intrare are formula:

46
 U BF
RS 
U B
Din caracteristica U BE  f ( I B ) rezulta ca aceasta rezistenta este mai mica decat RI . Schemele
cu colector comun prezinta o rezistenta de intrare mai mare. Amplificarea in tensiune este mai mica
decit 1, de aceea aceasta schema se utilizeaza in primul rind ca amplificator adaptor de putere, sau ca
amplificator final de iesire.

Fig. 2.24 Caracteristica statica a tranzistoarelor (a); schema de baza (b).

2.6 .Tranzistorul MOSFET de putere

Din multitudinea tranzistoarelor utilizand tehnologia MOS (metal-oxid-semiconductor) si

efectul de camp (FET), in electronica de putere se utilizeaza cu precadere cele cu canal indus. Fata de
semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET cu canal indus se caracterizeaza
prin doua diferente esentiale:
 crearea canalului de conductie prin camp electric, deci printr-o
comanda de putere redusa;
 asigurarea conductiei in canal prin purtatori de tip minoritar.
Exemplificarea acestor diferente este prezentata prin structura simplificata din fig.2.25.
Structura este formata din corpul p, cu o dopare de 1017/cm3, in care se realizeaza doua incluziuni n1+
si n2 +, inalt dopate, 10 19/cm3 , numite dren (D) si sursa (E).
Al treilea electrod, poarta G, este conectat la corpul p printr-un strat izolant de oxid de siliciu
(Si O2). Daca se polarizeaza pozitiv poarta G in raport cu sursa S, in corpul p se creaza un camp
electric pozitiv, care va atrage in zona portii purtatori minoritari din p, electronii. Densitatea de
purtatori atrasi va depinde evident de intensitatea campului electric creat. Sarcina realizata in acest
mod formeaza asa numitul canal ”n” indus. Daca, in continuare, se polarizeaza pozitiv drenul D in

47
raport cu sursa S, electronii din stratul n2 + vor fi impinsi din stratul n2 + si atrasi de stratul n1+ ,
formand un curent electric, care se inchide prin canalul realizat in corp.
G
S D SiO2

n1+ n1+

Fig.2.25 Principiu de realizare a unui MOSFET cu canal indus.

Densitatea electronilor din canalul indus, fiind controlata de intensitatea campului electric
produs de poarta, determina conductivitatea canalului, si deci intensitatea curentului electric care se
inchide, in sens tehnic, de la drena la sursa.
Avand in vedere cele prezentate mai sus rezulta deosebirile functionale:
 cadere mai mare de tensiune dren-sursa, ca urmare a densitatii reduse
a purtatorilor de sarcina din canal;
 un timp de iesire din conductie, tOFF , redus, din aceleasi motive;
 comanda pe poarta in tensiune.

2.6.1 Structura. Polarizare

O structura reala a unui tranzistor MOSFET de putere cu canalul indus n este prezentata in
fig.2.26.
Fata de structura de principiu din fig.2.25, apar unele diferente:
 prezenta stratului sarac, n- , cu o dopare de 1014 – 1015/cm3;
 realizarea intertesuta a ansamblului corp-sursa, respectiv poarta-sursa, in scopul asigurarii unei
cat mai bune patrunderi a campului electric in corp;
 realizarea de structuri de felul celei din fig.2.26, cu sectiune transversala redusa si conectarea,
in acelasi cip, pentru curenti mari, a mai multor asemenea structuri in paralel, prin intermediul
metalizarii.

Fig.2.26. Structura unui MOSFET cu canal n-indus.

48
 Structura de tip cu canal indus ”p”, care se realizeaza mai rar, are aceeasi constructie, fiind
inversate doar tipurile straturilor, structura intre dren si sursa fiind p1 + p- , n, p2+ .
Structura complicata a tranzistorului MOSFET de putere introduce o serie de efecte parazite.
Cele mai notabile sunt capacitatile parazite ale jonctiunilor, fig.2.26;
 capacitatea dren-sursa, CDS;
 capacitatea poarta-sursa, CGS;
 capacitatea poarta-dren CGD .
De asemenea ansamblu n- p n2 + formeaza un tranzistor bipolar pnp parazit, iar pn- o dioda
parazita, care au influente in regimurile de functionare ale tranzistorului.
In fig. 2.27sunt prezentate simbolizarile uzuale pentru tranzistor cu canal n, fig.2.27a, si cu
canal p, fig. 2.27b.

a) b)
Fig. 2.27 Simbolizarea MOSFET-ului.

Polarizarea directa a tranzistorului, cu poarta izolata, inseamna, pentru tranzistorul cu canal n,

polaritatea plus pe dren. Jonctiunea polarizata invers este J1, n- p, tensiunea depinzand de grosimea
stratului n-. Se realizeaza in mod obisnuit tranzistoare cu tensiuni pana la 1000V.
Polarizarea inversa, polaritatea minus pe dren, va fi sustinuta de jonctiunea J2, n2 + p, fiind de
ordinul a 10 … 20V. Concluzia consta in aceea ca tranzistorul MOSFET poate lucra numai cu
alimentare in c.c. si anume polarizat pozitiv.
Tranzistoarele cu canal p au o functionare identica, polarizarile fiind de sens opus in raport cu
cele de la tranzistorul cu canal n.

2.6.2 Caracteristica statica

Se considera un tranzistor cu canal n inclus in circuitul din fig.2.28. Caracteristicile statice,

fig.2.29, se analizeaza impreuna cu caracteristica de transfer, fig.2.30.
La nivelul caracteristicii de transfer se constata ca pentru : V GS <V GSP (2.1)

Fig. 2.28 Schema de functionare.

49
 Fig. 2.29 Caracteristici statice. Fig. 2.30 Caracteristica de transfer.

unde VGSP se numeste tensiune de prag, curentul de dren, iD , este nul. Peste aceasta valoare iD este
practic proportional cu tensiunea poarta-sursa.
In fig.2.29 caracteristica reala este prezentata cu linie intrerupta (2), iar cea idealizata cu linie
plina (1).
Familia de caracteristici statice este concretizata prin mai multe zone:
 Dreapta VBDDS, limitand tensiunea maxima admisa in sens direct. Depasirea acestei
tensiuni produce cresterea curentului iD si distrugerea, prin multiplicarea in avalansa a
purtatorilor de sarcina, a jonctiunii dren-corp. Fenomenul este asemanator primei
strapungeri de la tranzistorul bipolar.
 Zona activa, caracterizata prin curenti de dren constanti si tensiuni dren-sursa variabile.
Curentul de dren este puternic dependent de tensiunea poarta-sursa .
In fig. 2.29 tensiunile poarta-sursa sunt in raportul
V GS4 > V GS3 > V GS2 >V GS1 > V GSP (2.2)
De asemenea in aceasta zona sunt valabile relatiile pentru tensiunea dren-sursa,
v DS > v GS –V GSP (2.3)
si pentru curentul de dren
i D = k[ V GS –V GSP ] (2.4)
unde k este o constanta a tranzistorului.
 Zona ohmica, caracterizata prin tensiuni dren-sursa mici, unde exista relatia
v DS < v GS –V GSP (2.5)
in aceasta zona curentul de dren este dat de
i D = k v DS 2 (2.6)
Separatia dintre cele doua zone, dreapta 1, este caracterizata prin
v DS = v GS –V GSP (2.7)
Din punct de vedere al electronicii de putere, unde tranzistorul este utilizat in regim de
comutatie, starea de blocare se obtine prin
v GS = 0 (2.8)
iar cea de conductie prin puncte de functionare unde v DS este minim, iar iD maxim.
Acest compromis se poate obtine pe curba 1, de separatie intre cele doua zone, activa

50
 si ohmica. Tensiunile vDS, realizabile in conditiile de mai sus, sunt sensibil mai mari ca
la tranzistorul bipolar, luand valori intre 1,5 … 3V.
Zona ohmica nu trebuie confundata cu zona de saturatie de la tranzistorul bipolar, fenomenul
saturatiei neexistand la tranzistorul MOSFET.

2.6.3. Caracteristici dinamice

Pentru analiza caracteristicilor dinamice se considera tranzistorul introdus in schema din fig.
2.31, unde sarcina, de tip R+L, este asimilata unui generator de curent constant. Alimentarea
circuitului de poarta se face prin asa numitul driver de poarta, DG. in fig. fig. 2.31 s-au figurat si
capacitatile parazite CGD si CGS, care joaca un rol important in realizarea comutatiei tranzistorului.

Fig. 2.31 Intrarea in conductie.

2.6.3.1. Intrarea in conductie

Se presupune ca driverul de poarta DG poate furniza un semnal treapta, EG, fig. 2.32. Acest
semnal nu este identic cu tensiunea vGS ca urmare a prezentei condensatoarelor parazite CGD si CGS ,
care incep un proces de incarcare. in acest fel, desi s-a aplicat la intrare un semnal
treapta, tensiunea v GS are o crestere exponentiala cu o constanta de timp
t1 =R G (C GD +C GS) (2.9)
unde RG este rezistenta din circuitul de poarta, iar curentul de incarcare al condensatoarelor parazite
se inchide dupa circuitele din fig.2.33 a, practic cele doua condensatoare fiind conectate in paralel.
Tensiunea dren sursa avand valoarea
v DS =V d (2.10)
capacitatea parazita CGD, care este variabila in functie de vDS, fig.2.34, are valoarea CGD1 .
Primul interval din procesul de intrare in conductie, fig. 2.32, se numeste timp de intarziere, td , fiind
generat de faptul ca
v GS < V GSP (2.11)
interval in care : iD = 0 (2.12)
si v DS =V d (2.13)
51
 Dupa td, tensiunea poarta-sursa devine mai mare ca V GSP si curentul de dren incepe sa creasca
cu un gradient did/dt determinat de sarcina R, L. Intervalul de timp in care curentul creste a valoarea de
regim stationar I0 se numeste timp de crestere a curentului tri. in aceasta perioada curentul de incarcare
a condensatoarelor parazite incepe sa se inchida si prin tranzistor, circuitul dren-sursa. Pe intervalul tfv1
incepe scaderea tensiuii-dren sursa, ca urmare a faptului ca tranzistorul se gaseste in zona activa.

Fig. 2.32 Circuit pentru analiza regimurilor dinamice.

a) b)
Fig.2.33 Inchiderea curentului de incarcare a condensatoarelor parazite.

Fig. 2.34 Variatia capacitatii CGD.

52
 Micsorarea tensiunii vDS este mai accentuata ca urmare a deschiderii, pentru timp scurt la
sfarsitul intervalului tri, a diodei de regim liber n. Mai mult, urmeaza blocarea conductiei acestei
diode, evidentiata prin curentul IRRM, care se suprapune peste curentul de dren, fig. 2.32.
Pe urmatorul interval, t fv2 , tensiunea dren-sursa scade mai lent ca urmare a trecerii
tranzistorului in zona ohmica, in final atingandu-se valoarea de regim stationar VDSON.
Pe intervalele tfv1 +t fv2 , practic incarcarea condensatoarelor inceteaza ca urmare a modificarii
capacitatii CGD dupa fig.2.34. La sfarsitul intervalului t fv2 , reincepe incarcarea condensatorului parazit
poarta-dren, prin circuitul din fig. 2.33 si dupa constanta de timp
t2=(R G+R DSON )C GD (2.14)
unde RDSON este rezistenta dren-sursa pentru starea in conductie a tranzistorului. Timpul de intrare in
conductie este:
t ON = t d + t ri + t fv1 + t fv2 (2.15)
Ca urmare a proprietatilor tranzistorului, tOFF este de ordinul zecilor de nanosecunde, cel mult
sute de nanosecunde, permitand functionarea acestuia la frecvente de ordinul sutelor de kHz.
Supracurentul produs de IRRM este neesential pentru tranzistor, astfel ca nu se iau masuri speciale de
protectie. In privinta pierderilor de putere acestea sunt importante pe intervalul de comutatie propriu-
zis,
t C = t ri + t fv1+ t fv2, (2.16)
si ca urmare a frecventei mari de lucru, provoaca un regim termic important. Ca urmare in cadrul
regimului termic al tranzistorului acestea se iau in calcul, furnizorii oferind energia de pierderi pentru
o comutatie, EJC , puterea de comutatie calculandu-se cu
P C = E JC × f (2.17)
unde f este frecventa de comutatie.

2.6.3.2. Iesirea din conductie

Pentru a se obtine blocarea conductiei trebuie ca tensiunea poarta-sursa sa fie

v GS < V GSP (2.18)
Evident ca valoarea normala este
v GS = 0 (2.19)
care se poate realiza prin descarcarea condensatoarelor parazite CGD si CGS .
Considerandu-se aceste condensatoare incarcate la valoarea anterioara, +EG , descarcarea are
loc dupa graficul din fig.2.34. Procesul de iesire din conductie este unul invers celui de intrare in
conductie.
Presupunand ca la t = 0, tensiunea E G = 0, (2.20) timpul de iesire din conductie

t OFF = t d + t fv1 + t fv2 + t fi (2.21)

este generat de timpul de descarcare al condensatoarelor, proces care decurge invers ca la intrarea in
conductie.

53
 Fig. 2.34

Timpul de intarziere td este cauzat de necesitatea micsorarii tensiunii vGS astfel incat
tranzistorul sa inceapa sa iasa din zona ohmica, urmand timpii de crestere a tensiunii t rv1 in zona
ohmica si trv2 in zona activa.
Timpul de iesire din conductie tOFF, relatia (2.21), este de acelasi ordin cu tON, iar problema
pierderilor de putere identica ca la intrarea in conductie. Supratensiuni pot apare ca urmare a sarcinii
inductive la modificarea gradientului de curent la inceputul intervalului tfi, in acelasi mod ca la
tranzistorul bipolar.

2.7. Tranzistorul bipolar cu poarta izolata - IGBT

Tranzistoarele bipolare si MOSFET au, fiecare in parte, o serie de performante foarte

avantajoase pentru aplicatii, dar si unele dezavantaje care limiteaza dimensiunea aplicatiei.
Astfel tranzistorul bipolar in raport cu cel MOSFET are avantajele:
 capacitate mai mare in curent si tensiune;
 cadere mica de tensiune in conductie, VCEON.
Pe de alta parte dezavantajele mai importante sunt:
 timpi relativ mari de comutatie;
 curent si putere de comanda mare;
 prezenta saturatiei;
 pericolul de distrugere prin cea de a doua strapungere.
Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele:
 timpi mici de comutatie;
 comanda de putere mica, in tensiune;
 inexistenta saturatiei si a celei de a doua strapungeri.

54
 In schimb capacitatea de preluare a tensiunilor si curentilor este relativ mica. O imbinare a
avantajelor celor doua tipuri de tiristoare s-a regasit intr-un nou dispozitiv semiconductor de putere
numit tranzistor bipolar cu poarta izolata – IGBT.
E

1 C
G
2
J3 n+ n+
p G
J2
J1
n1+
p+

C
E

a) b)

Fig. 2.35 Structura IGBT-ului Fig. 2.36 Simbolul IGBT-ului cu canal n.

O structura verticala printr-un IGBT cu canal n este prezentata in fig. 2.35, iar in fig. 2.36
simbolizarea acestuia.
Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
 stratul colectorului de tip p+, inalt dopat, 1019/cm3;
 stratul de saracire de tip n-, slab dopat, 1014/cm3;
 corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
 stratul emitorului n2+ , inalt dopat, 1019/cm3.
Suplimentar la unele tranzistoare se mai gaseste si stratul tampon n1+, inalt dopat 1019/cm3 .
Daca tranzistorul nu are stratul tampon se numeste IGBT simetric, in caz contrar asimetric.
Influenta prezentei acestui strat va fi rezentata interior. Emitorul tranzistorului se conecteaza la stratul
n2+ prin intermediul metalizarii 1, din aluminiu. Metalizarea portii G este separata de corpul p prin
stratul de oxid de siliciu, 2. Pentru analiza polarizarii se considera poarta izolata.
Polarizarea directa consta in aplicarea polaritatii plus pe colectorul C al tranzistorului. Este
polarizata invers doar jonctiunea J2, bariera de potential extinzandu-se in toata grosimea stratului n-,
IGBT-ul putand sustine tensiuni de pana la 1500 … 2500V. In cazul polarizarii inverse, minusul pe
colector, exista diferente intre tranzistorul simetric si asimetric. Astfel pentru tranzistorul asimetric,
fig. 2.35, sunt polarizate invers jonctiunile J1 si J3. Fiind Fig. 2.35 Structura. Fig. 2.36 Simbolul
IGBT-ului cu canal n.
Jonctiuni de tip n+ p, respectiv n+ p+, barierele de potential sunt reduse, iar capacitatea in
tensiune inversa de ordinul zecilor de volti. In cazul tranzistorului simetric, lipsind stratul n1+,
jonctiunea J1 este formata din straturile n- p+ , bariera de potential fiind de acelasi ordin de marime ca
la polarizarea directa.

55
 Asadar tranzistorul simetric poate functiona alimentat atat in c.c. cat si c.a., in timp ce
tranzistorul asimetric poate functiona alimentat numai cu tensiune continua. Se realizeaza foarte rar si
IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind asemanatoare, iar tipul straturilor inversat.

2.7.1 Functionare.Caracteristica statica

Stare de functionare a unui IGBT se realizeaza daca este polarizat ca in fig.

2.37. Producatori de IGBT-uri furnizeaza mai multe tipuri de scheme echivalente
functionale, care permit descrierea functionarii acestui tranzistor. O astfel de schema echivalenta
simplificata este prezentata in fig. 2.38, unde IGBT-ul este inlocuit printr-un tranzistor MOSFET cu
canal n si un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul Rn -1 materializeaza rezistenta stratului n-.Tranzistorul
MOSFET materializeaza partea de comanda a IGBT-ului care este similara cu cea a tranzistorului
MOSFET, in sensul ca in corpul p se creeaza, prin camp electric, canalul de tip n.
Prin acest canal electronii injectati din sursa, polarizata negativ, se regasesc in dren, iar prin
stratul n- in baza tranzistorului pnp, comandand intrarea rapida in conductie a acestuia. Blocarea
tranzistorului pnp se face prin blocarea conductiei MOSFET-ului. In felul acesta se realizeaza
comanda in tensiune, deci de putere mica, si timpi de comutatie mici.
Pe de alta parte prezenta intre colector si emitor a tranzistorului pnp asigura o cadere de
tensiune VCEON comparabila cu cea de la tranzistoarele bipolare. Se evita de asemenea fenomenul
saturatiei, comanda pe poarta fiind in camp electric.
Pozitia tranzistorului pnp, T1, in structura IGBT-ului este prezentata in fig. 2.41.
Caracteristicile statice, ic = f (VCE), au forma din fig. 2.39 si se analizeaza impreuna cu caracteristica
de transfer ic = f(VGE) din fig. 2.40.
In ceea ce priveste familia de caracteristici statice se definesc zonele:
 dreapta VCESUS, , care limiteaza tensiunea maxima admisa in sens direct, la valori mai
mari decat VCESUS aparand fenomenul primei strapungeri, cu aceleasi caracteristici ca la
tranzistoarele bipolare;
 zona activa, cu aceleasi proprietati ca la MOSFET;
 zona ohmica;
 pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prabusire in sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleasi proprietati ca la tranzistorul MOSFET.
Stabilirea punctului de functionare se face in acelasi mod ca la tranzistorul MOSFET, in sensul
indeplinirii conditiilor:
 sa asigure la curent maxim, tensiune VCEON minima, punctul de functionare plasandu-se
pe curba de separatie intre zonele activa si ohmica;
 punctul de functionare sa se gaseasca in interiorul ariei de functionare sigura, SOA, de
forma asemanatoare cu cea de la MOSFET. Tensiunea VCEON, care caracterizeaza
IGBT-ul, are valori intre 0,9 … , 2,2V.Alegerea si calculul regimului termic urmeaza
aceeasi metodologie de la tranzistorului MOSFET.

56
 Fig. 2.37 Schema de functionare Fig. 2.38 Schema echivalenta simplificata.

Ic VGE4
v VGE3 Ic
VGE2 v
VBR VGE1
VCE

VCE

VCEP

Fig. 2.39 Caracteristica statica Fig. 2.40 Caracteristica de transfer.

2.7.2 Autoamorsarea

Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identica cu cea a unui tiristor obisnuit. Din acest
motiv IGBT-ul este suspect de aparitia fenomenului de
autoamorsare, dupa modelul de la tiristorul obisnuit.
In mod normal curentul de colector se inchide intre stratul de colector p+ si stratul de emitor
n+ , traversand corpul p. Acest curent este desenat cu linie continua in fig. 2.41. Pentru a se evita
efectele nedorite ce apar la MOSFET, metalizarea emitorului acopera partial si corpul tranzistorului.
Astfel poate sa apara asa numitul curent lateral, iL, desenat cu linie intrerupta, direct intre colector si
emitor, fara traversarea stratului n2 + . Se pune astfel in evidenta un alt tranzistor, T2 , de tip npn,
format din straturile n-pn2 + , care completeaza schema echivalenta simplificata din fig. 2.38 , dupa
schema din fig. 2. 42. Acest tranzistor are intre baza si emitor rezistorul Rc , care corespunde
rezistentei corpului p.

57
 G G
E

SiO2
n+ n+

p+

n-

n+
p+

a)
Fig. 2.41 Autoamorsarea. Fig. 2.42 Schema echivalenta completa.

Inchiderea curentului lateral, iL, prin corp produce caderea de tensiune uL, fig. 2. 42, cu
polaritatea plus pe baza, proportionala cu acest curent. Cand curentul de colector este relativ mare si
curentul lateral iLcapata valori apreciabile.
Tensiunea uL din baza tranzistorului T2 devine suficient de mare incat tranzistoarele T1 si T2 a
caror schema este identica cu cea de la tiristorul obisnuit, sa intre in procesul de autoamorsare.
Efectele autoamorsarii conduc la:
 intrarea in saturatie a celor doua tranzistoare T1 si T2 insotita de o crestere accentuata a
curentului de colector si distrugerea IGBT-ului;
 imposibilitatea blocarii conductiei prin comanda pe poarta, aceasta fiind dezactivata
prin aparitia autoamorsarii;
 blocarea conductiei se poate realiza numai prin anularea curentului de colector prin
aceleasi mijloace ca la tiristorul obisnuit.
Evitarea acestui fenomen se realizeaza in doua moduri. Pentru structuri de tipul celei din fig.
2.41 trebuie mentinut curentul de colector I c ≤ I CM (2.21)
unde ICM este curentul maxim de colector admis de IGBT pentru care nu apare fenomenul
autoamorsarii.
A doua varianta, care evita limitarea de mai sus, consta in modificarea constructiva prezentata
in fig.2.43.
Evitarea autoamorsarii consta in micsorarea tensiunii uL prin reducerea rezistentei corpului
RC, in zona de inchidere a curentului lateral. in acest sens corpul se realizeaza din doua regiuni, p cu
doparea de 1017/cm3 si p+ cu dopare 1019/cm3.
Regiunea p+ , avand evident o conductivitate mai mare, va conduce la o tensiune uL redusa si
se va evita intrarea in conductie a tranzistorului T2 si apariatia fenomenului de autoamorsare.

58
 G G
E

SiO2
n+ n+
p
p-

IL n-

n1+
p+

Fig. 2.43 Structura pentru evitarea autoamorsarii.

Pericolul aparitiei acestui fenomen este sporit in procesul de blocare a conductiei, cand ca
urmare a curentului relativ mare si a tensiunii colector-emitor in crestere, tensiunea uL scapa de sub
control si IGBT-ul ramane in conductie, desi comanda pe poarta este activata pentru iesirea din
conductie.

2.7.3 Caracteristici dinamice. Circuite de comanda pe poarta

Intrare si iesire din conductie a IGBT-ului, avand in vedere structura de comanda, este identica
cu a MOSFET-ului, in sens ca efectul capacitatilor parazite poarta-emitor, CGE, si poarta-colector, CGC,
intervin in procesul de comutatie in acelasi mod ca si capacitatile CGD si CGS.
Diferentele care apar constau in:
 timpi mai mari de intrare in conductie, tON, si iesire din conductie
tOFF, valorile fiind de ordinul sutelor de nanosecunde;
 la inceputul iesirii din conductie, inaintea inceperii scaderii curentului de colector,
apare un varf destul de insemnat al acestui curent, cauzat de inceperea recombinarii
golurilor din stratul de colector;
 la tranzistorul asimetric prezenta stratului tampon n1 + , asigura o recombinare directa a
golurilor din stratul de colector, reducand supracurentul si micsorand substantial timpul
de blocare tOFF;
 ca urmare a impedantei mari de intrare a circuitului de poarta pot sa apara oscilatii ale
comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe semnalul de comanda, iar conexiunile
circuitului de comanda se realizeaza cu lungime cat mai mica. Un circuit tipic de
comanda pe poarta, fig.2.44, este aproape identic cu cel de la MOSFET.
Diferentele constau in:
 prezenta filtrului RC pentru preintampinarea oscilatiilor comenzii;
 polarizarea negativa la iesirea din conductie cu scopul de a reduce varful de curent de la
inceputul blocarii. Nivelul polarizarii negative este de maxim 5V nivel la care
reducerea varfului de curent este substantiala. Peste aceasta valoare varful de curent nu

59
 se mai micsoreaza. Se mentioneaza ca acest varf de curent este suportat fara probleme
de IGBT, reducerea lui fiind, cel mai adesea, solicitata de sarcina .
Simulitudinea comenzii IGBT-urilor si MOSFET-urilor merge pana la identitate, in sensul ca
se realizeaza drivere de poarta integrate cu utilizare pentru ambele tipuri de tranzistoare.

Fig.2.44 Circuit de comanda pe poarta.

2.7.4 Circuite de protectie

Protectiile necesare pentru un IGBT sunt aceleasi de la MOSFET si se realizeaza in acelasi

mod. In privinta protectiei la supracurent, se mentioneaza utilizarea numai a primei metode, ca urmare
a faptului ca nu se realizeaza IGBT-uri cu senzor de curent inglobat.
O alta diferenta consta in sensibilitatea IGBT-ului la gradient de tensiune dVCE/dt in procesul
de iesire din conductie. Astfel daca gradientul este prea mare poate sa apara fenomenul de
autoamorsare. Producatorii indica o arie de operare sigura la polarizare a portii inversa, RBSOA,
fig.2.45, care limiteaza valorile curentului de colector iC, in functie de gradientul dvCE/dt, pentru vGE <
0.
Oricum gradientul dvCE/dtadmis este mult mai mare fata de celelalte dispozitive
semiconductoare de putere. Micsorarea gradientului dvCE/dt se realizeaza, la fel ca la toate
dispozitivele semiconductoare de putere, prin circuite RC in paralel colector-emitor, dupa modelul de
la MOSFET. Avand in vedere capacitatea mare in curent a IGBT-urilor, uneori se utilizeaza doar o
capacitate in paralel cu circuitul colector-emitor.

60
 IC
ICM
1000V/µs
2000V/µs
3000V/µs
VCE
0 VCESUS

Fig.2.45Aria de operare sigura RBSOA.

2.8 Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor MCT)

Simbolizarea MCT provine de la tiristor cu control MOS (MOS Controlled Thyristor).Este o

structură formată din doi tranzistori care modelează un tiristor, la care se adaugă un tranzistor MOS
care să realizeze blocarea structurii.
Schema de principiu a dispozitivului este prezentată în figura 2.46. Tranzitorii bipolari
complementari Q1, Q2 modelează tiristorul. Dacă se aplică un impuls pozitiv pe G1 faţă de K, tiristorul
intră în conducţie. Tranzistorul MOS Q3 este blocat, tensiunea VDS fiind mică şi anume egală cu VG1K.
Pentru a bloca structura se impune a aduce în conducţie tranzistorul Q3, ceea ce se realizează
prin aplicarea unui impuls pe G2 (faţă de K). Tranzistorul Q2 se blochează şi astfel se anulează curentul
anodic.
În figura 2.47 este prezentată a) o realizare fizică a MCT şi b) schema structurală.
Tranzistorul NPN este în paralel cu un canal de tipul N (on FET) având rolul de a iniţia procesul
regenerativ de intrare în conducţie a structurii. Tranzistorul PNP este în paralel cu un canal de tipul P
(off FET) având rolul de a iniţia procesul regenerativ de blocare a structurii.

Fig. 2.46

61
 Fig.2.47

Un impuls de tensiune pozitiv aplicat pe grilă determină acumularea de purtători de sarcină – electroni
- în canalul de tipul N (care devine conductor). Se realizează astfel o legătură conductoare între K – N+
- P(canalul) – N-. Apare o joncţiune polarizată direct între A şi K, ceea ce înseamnă că dispozitivul a
basculat în conducţie (se închide un curent între anod şi catod).
Un impuls negativ aplicat pe grilă VGK acţionează asupra canalului de tipul P determinând ieşirea
din conducţie a dispozitivului.
Procesul de intrare în conducţie şi de blocare fiind regenerativ nu este necesar să fie menţinută
tensiunea de comandă pe grilă.

62
 CAPITOLUL III

COMUTATIA STATICA

Tehnicile clasice de comutatie se bazeaza pe deplasarea unor piese mobile de contact intre
care se manifesta „ca un rau necesar" , arcul electric de intrerupere, ce trebuie stins pentru a valida
deconectarea circuitului respectiv, in aceste conditii evolutia a insemnat, pe de o parte,
perfectionarea continua a constructiei camerelor de stingere si a contactelor, atat ca forma geometrica
cat si ca material si, pe de alta parte, alegerea convenabila a mediului de stingere a arcului electric,
intr-o buna concordanta cu parametrii cinematici ce caracterizeaza miscarea contactelor mobile.
Cerintele impuse in functionarea incintelor specializate din componenta aparatelor electrice de
comutatie, in care are loc arderea si stingerea arcului electric si deci intreruperea propriu-zisa a
circuitului, numite camere de stingere, ce anunta preocuparile majore in cercetarea din acest domeniu,
sunt:
 durata minima de ardere a arcului electric;
 energie minima disipata de coloana de arc in camera de stingere;
 consum minim de materiale active la o intrerupere reusita;
 efecte secundare de intrerupere (acustice, luminoase) cat mai reduse;
 pret de cost si cheltuieli de exploatare cat mai mici.
In ultimul timp dupa identificarea actiunii distrugatoare a arcului electric asupra
elementelor componente ale camerelor de stingere si a contactelor, datorata in principal
temperaturilor ridicate proprii plasmei, problema comutatiei a rost abordata si dual, urmarindu-
se realizarea deconectarii circuitelor fara amorsarea arcului electric. Solutiile la care s-a ajuns
contureaza doua directii principale ale acestor preocupari si anume:
 asigurarea comutatiei fara arc electric pentru aparate electrice traditionale cu
contacte, prin completarea acestora cu accesorii convenabile, ajungandu-se in final la
constructii ce realizeaza comutatia sincronizata respectiv comutatia hibrida;
 asigurarea comutatiei statice, fara contacte, prin modificarea comandata a unei
impedante (rezistente) intre o valoare maxima, corespunzatoare circuitului deschis si o valoare
minima, corespunzatoare circuitului inchis. Remarcam ca realizariie ce reflecta comutatia
statica a circuitelor apeleaza obisnuit fie la modificarea rezistentei unor jonctiuni
semiconductoare fie la modificarea reactantei inductive a unor bobine comandate.

3.1.Principiul deconectarii sincronizate

Schema de principiu a unui aparat electric cu comutatie sincronizata este data de Fig. 3.2. si
cuprinde aparatul electric clasic cu contacte AE, cu dispozitivul sau de actionare DA, la care se adauga
un ansamblu de sincronizare AS. Ansamblul de sincronizare sesizeaza trecerile naturale prin zero ale
curentului ce parcurge circuitul si furnizeaza un impuls de comanda deconectarii.

63
 Fig. 3.1 Principiul deconectarii sincronizate

Conditia esentiala pentru realizarea practica a deconectarii sincronizate a circuitului respectiv

este ca suma timpilor proprii de intarziere corespunzatori ansamblului de sincronizare tas si respectiv
dispozitivului de actionare tDA, sa reprezinte un multiplu intreg de semiperioade in raport cu frecventa
tensiunii sursei de alimentare.

Fig. 3.2 Schema de principiu a unui aparat cu comutatie sincronizata

T
tDA  tDS  k (3.1)
2
unde T este perioada iar k - numar natural, de dorit cat mai mic (eventual egal cu 1 pentru
intreruperi sincronizate la prima trecere prin zero a curentului din circuit).
Pentru a putea satisface conditia (3.1) este necesar pe de o parte ca valorile tDAsa aiba o
imprastiere cat mai mica, ceea ce presupune utilizarea unor aparate electrice cu dispozitive de
actionare performante, dar si realizarea, pe de alta parte, a unei ajustari a valorilor timpului tAS de pana
la o semiperioada (0,01s).
Buna functionare a unor asemenea aparate cu comutatie sincronizata presupune desigur viteze
mari de separare a contactelor acestora dar si treceri naturale prin zero ale curentului ce se succed la
intervale de timp egale cu o semiperioada, deci regim permanent sinusoidal pentru circuitele
respective si nu regimuri tranzitorii de conectare sau de efect, pe durata carora trecerile succesive prin
zero ale curentului nu se mai realizeaza dupa exact o semiperioada.
Trebuie subliniat faptul ca desi teoretic deconectarea sincronizata s-ar putea realiza si in raport
cu trecerile naturale prin zero ale tensiunii, realizarile practice, se refera doar la solutii ce asigura
sincronizarea dupa valorile curentului, in plus, necesitatea identificarii momentelor de trecere naturala
prin zero ale curentului impune utilizarea a trei module monofazate identice, independente in cazul
comutatiei sincronizate a circuitelor trifazate.
Este important sa semnalam de asemenea comutatia sincrona, cu faza de conectare controlata
riguros, utilizata in statiile de incercari de mare putere, care permite obtinerea curentilor intensi
echivalenti curentilor de scurtcircuit din exploatare.

64
 3.2. Principiul comutatiei hibride

Comutatia hibrida este tot o reflectare a preocuparilor de a realiza comutatia fara arc electric a
circuitelor de curent alternativ, care consta in suntarea contactelor principale ale aparatului electric
AE, (Figura 3.3) cu ajutorul a doua tiristoare antiparalel convenabil comandate. Practic se
urmareste ca la deconectarea circuitului, in momentul deschiderii contactului K al aparatului
electric, conductia sa fie preluata de unul dintre cele doua tiristoare, in concordanta cu polaritatea
momentana a tensiunii sursei de alimentare. Deoarece tensiunea anod-catod pentru un semiconductor
in conductie este de ordinul voltului, insuficienta deci pentru amorsarea arcului electric, se poate
obtine deconectarea fara arc electric a consumatorului indicat prin impedanta Z S . Evolutia in timp a
curentului la deconectarea hibrida a unui circuit cu ajutorul unui aparat de comutatie avand structura
celui prezentat in figura 3.3 este indicata in figura 3.4 si evidentiaza, corespunzator momentului t0 de
deschidere a contactului principal al aparatului K, preluarea conductiei prin tiristorul T2 , dupa care
intervine deconectarea propriu-zisa a consumatorului, reprezentat prin impedanta ZS .

Fig. 3.3 Schema de principiu pentru comutatia hibrida in curent alternativ

Fig. 3.4 Principiul comutatiei hibride

Principalul avantaj al comutatiei hibride este acela ca poate adapta pentru aparate electrice de
constructie obisnuita, neimpunandu-se de exemplu restrictii cu privire la imprastierea valorilor
timpului de deschidere a contactelor, ca in cazul comutatiei sincronizate. In plus semiconductoarele
comandate de tip tiristor sau triac preiau conductia la deconectare pentru o durata de cel mult o
semiperioada, fiind posibila utilizarea lor judicioasa si chiar renuntarea la radiatoarele aferente. Se
cumuleaza deci avantajele certe ale contactelor electrice la functionarea normala, de durata, cu
avantajele oferite de elementele semiconductoare comandate in regimul tranzitoriu de deconectare.

65
Aprecierea avantajelor comutatiei hibride se poate realiza mai deplin examinand curbele prezentate in
Fig. 3.5, ce sugereaza comutatia cu arc electric si fara arc electric (hibrida) intr-un circuit ce
functioneaza la curent constant, intre curbele care descriu evolutia in timp a tensiunii la bornele arcului
electric de comutatie ua, respectiv evolutia in timp a tensiunii la bornele tiristorului de suntare UT , se
evidentiaza suprafata (ua –UT), ce anunta diminuarea considerabila a energiei disipate in camera de
stingere in procesul de comutatie, care in curent alternativ devine doar de (6 ... 15% ) din energia
arcului electric .
Preocuparile legate de realizarea unor echipamente cu comutatie hibrida evidentiaza
urmatoarele chestiuni importante:
 separarea galvanica a consumatorului in situatia deconectat,ce apeleaza eventual la un
pol separator exterior pentru fiecare modul monofazat;
 definirea unor criterii pentru realizarea cat mai eficienta a comenzii
semiconductoarelor de preluare a conductiei, de tip tiristor sau triac;
 protectia semiconductoarelor de suntare impotriva supratensiunilor de comutatie si a
efectelor curentilor de defect;
 optiunea pentru asigurarea comutatiei hibride doar la deconectare sau pentru ambele
manevre ce pot interveni in circuitul respectiv (conectare-deconectare),prima varianta fiind
adesea preferata.
Trebuie mentionat faptul ca avantajele certe ale comutatiei hibride au impus acceptarea
acesteia si pentru deconectarea circuitelor de curent continuu. Pentru asemenea aplicatii, prin
descarcarea oscilanta a unui condensator incarcat, se asigura modularea curentului rezultat ce parcurge
contactele principale ale aparatului, cu cateva anulari ale acestuia, dupa care functionarea decurge
conform cu cele prezentate anterior cu privire la comutatia hibrida de curent alternativ. Schema de
principiu ce ilustreaza posibila utilizare a comutatiei hibride pentru circuitele de curent continuu este
data in Fig. 3.6; prin corelare mecanica se asigura inchiderea contactului auxiliar CA, asociata cu
deschiderea contactului principal CP, ceea ce permite descarcarea oscilanta a condensatorului Cu si
ulterior preluarea conductiei prin tiristoarele T1 si T2.

Fig.3.5 Comutatia dinamica si hibrida

66
 Fig. 3.6 Principiu comutatiei hibride in curent continuu

3.3. Principiul comutatiei statice

Comutatia statica, numita si comutatie fara contacte, propune modificarea intre limite, de dorit
cat mai largi, a valorilor curentului din circuit, asociind valoarea minima a acestuia cu situatia de
circuit deconectat, respectiv valoarea sa maxima cu situatia de circuit conectat. Acest deziderat se
realizeaza cu ajutorul unei impedante comandate Z*, ce asigura modificarea valorilor curentului ce
parcurge consumatorul indicat prin impedanta ZS, (Figura 3.7) in legatura cu aceasta se poate defini
gradul de comutatie Y ca raport intre valorile maxima si minima ale impedantei Z*:

Z max
Y  (3.2)
Ymax

Fig. 3.7 Principiul comutatiei statice

Subliniem faptul ca aceasta comutatie statica poate decurge in mod continuu, asa cum se vede
in Fig.3 8.a sau asemeni unei comutatii de tipul TOT-NIMIC (DA-NU), ilustrata in Fig 3.8b.
Prima situatie este proprie mai ales unor bucle de reglaj automat, in timp ce a doua se refera ia
comutatia propriu-zisa a circuitelor.
Trebuie remarcat ca pentru a realiza comutatia statica de tipul TOT -NIMIC este necesar ca
impedanta Z* sa prezinte portiuni cu panta negativa in raport cu marimea de comanda Xc printr-o
caracteristica voltamper in N si S.

67
 Fig.3.8 Tipuri de comutatie statica a) continua b) prin salt

O alta solutie pentru obtinerea comutatiei statice de tip TOT - NIMIC o reprezinta
amplificatoarele cu reactie pozitiva suficient de intensa, a caror caracteristica intrare-iesire dobandeste
in asemenea conditii portiuni cu panta negativa.
Rezulta deci ca pentru a realiza comutatia statica a circuitelor se poate apela la una dintre
solutiile de mai jos:
 utilizarea unor elemente de circuit cu impedanta comandabila in raport cu un anumit
parametru, care prezinta portiuni cu panta negativa ale caracteristicii lor voltamper, dintre
care remarcam mai ales elementele semiconductoare comandate de putere;
 utilizarea unor circuite in care au loc fenomene neliniare, care permit obtinerea unor
discontinuitati (cu evolutii prin salt) in dependenta impedantei echivalente in raport cu o
marime de intrare (de comanda), solutie ilustrata de amplificatoarele cu reactie pozitiva
(electronice, magnetice sau chiar hidraulice) ca si fenomenul de ferorezistenta.
Optiunea specialistului pentru una sau alta dintre solutiile posibile pentru a realiza
comutatia statica a circuitelor va tine desigur seama atat de particularitatile de functionare proprii
fiecarei variante cat si de restrictiile corespunzatoare diferitelor tipuri de consumatori. Practic
definirea unor indicatori sintetici care sa permita compararea multiplelor solutii ce permit realizarea
comutatiei statice a circuitelor si aprecierea oportunitatii optiunii pentru o anumita rezolvare,
reprezinta o preocupare deplin justificata a cercetatorilor in acest domeniu. Informatii partiale cu
privire la comutatia statica a circuitelor ofera indicatori de tipul:
 factorul de multiplicare in curent Kf , evaluat ca raport intre valorile maxima si
I max
minima ale curentului din circuit: K I 
I min
 factorul de multiplicare a puterii Kp, obtinut ca raport intre valoarea maxima a
puterii comandate in circuitul consumatorului, PSmax si puterea consumata in circuitul de
PS max
comanda, PCmin: K P 
PC min

68
 La acestia se pot adauga indicatori tehnico-economici, care raporteaza de obicei performantele
sau costurile la unitatea de volum a ansamblului ca si informatii cu privire la timpul de actionare, fara
a permite totusi compararea concludenta a unor variante consrtructive distincte.

3.4. Circuite de stingere

a) Stingerea prin circuit de sarcina rezonant (metoda comutatie fortata clasa A)

Metoda poate fi aplicata numai in cazul sarcinilor cu inductanta si capacitate. La amorsarea
tiristomiui T, figura 3.9, condensatorul C se incarca, curentul anodic avand forma unei semisinusoide.
Tiristorul se blocheaza atunci cand, datorita procesului oscilant initiat in circuitul L-C, curentul anodic
tinde sa-si schimbe sensul. Rezulta deci ca intervalul de conductie al tiristorului corespunde cu o
semiperioada a oscilatiilor ce iau nastere in circuitul rezonant al sarcinii.

Fig. 3.9

b) Stingerea cu circuit rezonant auxiliar (clasa B)

Aceasta metoda foloseste un circuit L-C auxiliar conectat in paralel cu tiristorul ce trebuie
blocat (figura 3.10).
Inainte de deschiderea tiristorului condensatorul se incarca de la sursa de alimentare cu
polaritatea indicata in momentul amorsarii tiristorului, condensatorul se descarca prin bobina si tiristor
intr-un regim oscilant, astfel ca prin tiristor se inchide un curent care isi schimba polaritatea dupa o
jumatate de perioada a oscilatiilor libere. Tiristorul T se va bloca atunci cand acest curent negativ (in
valoare absoluta) devine mai mare decat curentul de sarcina.

Fig.3.10

69
 c) Stingerea la condensator si tiristor auxiliar (clasa C)
Sarcina Rs este conectata la sursa de alimentare E cu ajutorul tiristorului principal T1, figura
3.11. Cand T1 conduce, condensatorul de stingere C se incarca prin rezistenta R la tensiunea E cu
polaritatea din figura. Pentru stingerea lui T1se comanda tiristorul auxiliar T2. In acest caz
condensatorul C este conectat in paralel pe tiristorul principal T1 si polarizeaza invers determinand
blocarea sa. Dupa iesirea din conductie a lui T 1 , condensatorul se incarca la tensiunea E cu polaritatea
inversa celei din figura, dupa care T2 iese din conductie prin scaderea naturala a curentului sau anodic
sub curentul de mentinere. Procesul se repeta la o noua comanda de deschidere aplicata tiristorului
principal.

Fig. 3.11
d) Stingerea cu circuit LC' si tiristor auxiliar ( clasa D)
T1 este tiristorul principal iar T2 este tiristorul auxiliar (de putere relativ mica) folosit impreuna
cu un circuit oscilant L-C pentru a asigura blocarea tiristorul principal. Tiristorul T2 este cuplat in serie
cu o rezistenta R1 care trebuie sa limiteze curentul sau anodic la aproximativ din curentul de sarcina.
El trebuie amorsat inaintea tiristorului T1 pentru a permite condensatorului C, sa se incarce cu
polaritatea indicata. La terminarea procesului de incarcare T2 se blocheaza datorita scaderii curentului
sau anodic sub valoarea curentului de mentinere.
Dupa amorsarea tiristorului T1 prin el va circula atat curentul de sarcina cat si curentul de
descarcare rezonanta a condensatorului C pe circuitul T1, L,D, In urma acestui proces condensatorul se
va incarca cu polaritate opusa, tensiunea la bornele lui mentinandu-se constanta, deoarece dioda D se
blocheaza. Pentru a bloca tiristorul principal T1 se comanda T2 care va conecta condensatorul C in
paralel cu T1, determinand blocarea acestuia.

e) Stingerea cu sursa de impulsuri exterioara ( clasa B)

In schema din fig. 3.12, transformatorul de impulsuri Tr este astfel dimensionat incat sa
functioneze cu o cadere mica de tensiune fara sa se satureze, in urma amorsarii tiristorutui T, curentul
circula prin sarcina si prin transformatorul de impulsuri.
Pentru blocarea lui T1, pe catodul sau se aplica un impuls pozitiv de la un generator exterior.
Impulsul de blocare asigura inversarea tensiunii pe tiristor, determinand blocarea sa.
70
 Capacitatea C, incarcata la o tensiune de l...l,5V (coresponzatoare tensiunii pe secundarul
transformatorului si pe tiristorul in conductie) poate fi considerata ca un scurtcircuit pe durata
impulsului de blocare protejand astfel sursa E.

Fig.3.9

3.5. Contactoare statice de curent continuu

Comutatia statica s-a impus pentru utilizari industriale curente, atat ca efect al progreselor
realizate in domeniul semiconductoarelor (mereu mai performante, mai ieftine si cu posibilitati
comode de comanda), cat si datorita calitatilor deosebite ale unor asemenea ansambluri la functionarea
in regim dinamic. Realizarile actuale prefera folosirea semiconductoarelor comandate de tip tiristor
sau triac insa exista numeroase solutii care au utilizat tranzistoare de putere de exemplu. Schema de
principiu a unui contactor static de curent continuu este prezentata in Fig. 3.9. Contactorul contine
tiristoru T1 care, la o comanda convenabila asigurata de tensiunea UC1, continua sau sub forma de
impuls, trece in stare de conductie si asigurata alimentarea consumatorului Rs Ls . In timpul procesului
tranzitoriu de conectare se realizeaza si incarcarea condensatorului C pe traseul T1-C-R. Pentru a
r e a l i z a deconectarea contactorului se comanda trecerea in conductie a tiristorului T2; se asigura astfel
activarea circuitului de stingere, ce intervine prin descarcarea condensatorului C cu un curent direct
pentru T1 se asigura astfel activarea circuitului de stingere, ce intervine prin descarcarea
condensatorului C cu un curent direct pentru T2, respectiv cu un curent invers pentru T1, pe traseul C-
T1-T2 Daca valoarea rezultanta a curentului prin T1, ca diferenta dintre curentul nominal ce parcurge
consumatorul (Rs Ls) si curentul de descarcare al condensatorului C, este sub l i m i t a minima de
conductie, se obtine stingerea acestui t i r i s t o r si deci intreruperea circuitului.

Fig. 3.14 Contactor static de current continuu

71
 De mentionat faptul ca stingerea tiristorului auxiliar T2 se realizeaza daca valorile rezistentei R
sunt suficient de mari. Aceasta are efecte nefavorabile asupra frecventei de conectare a contactorului a
carui functionare presupune condensatorul C incarcat, datorita cresterii valorilor constantei de timp R-
C. Preocuparile pentru realizarea contactoarclor statice de curent continuu au fost dominate de ideea
scaderii valorii capacitatii condensatorului C, care se reflecta hotarator atat in gabaritul cat si in pretul
de cost al ansamblului, in acest scop s-a preferat folosirea descarcarii rezonante a condensatorului,
adaugand in serie cu aceasta o inductanta convenabil calibrata. S-a urmarit de asemenea posibilitatea
micsorarii valorii curentului nominal al tiristorului auxiliar T2, prin controlarea riguroasa a timpului
sau de conductie, stiut fiind faptul ca tiristoarele suporta supracurenti mari pentru durate suficient
de mici, sub 10ms.
Protectia la supratensiuni a tiristoarelor schemei, ca si la amorsarea falsa pentru viteze prea
mari de crestere a tensiunii, se realizeaza cu ajutoml unor circuite R-C conectate in paralel. Protectia
impotriva amorsarii tiristoarelor datorita vitezelor mari de variatie a curentului din circuit se obtine
prin amplasarea in serie a unei inductante de valoare convenabila, daca inductanta LS a consumatorului
nu este suficient de mare. Pentru separarea galvanica a consumatorului fata de sursa de alimentare in
situatia deconectat se poate apela la un pol separator exterior, incalzirea excesiva a tiristorului T1
datorita pierderilor de putere in regim normal de functionare este evitata prin folosirea radiatoarelor.
Una dintre cele mai importante probleme legate de realizarea contactoarelor cu comutatie
statica este aceea a asigurarii semnalelor de comanda UC1 si UC2 .Acestea pot fi de tensiune continua
sau sub forma de impulsuri, a doua solutie fiind mai convenabila atat prin trecerea ferma in conductie
a tiristoarelor cat si datorita consumului mai redus de putere in circuitul de comanda. Cum de obicei
sursa de alimentare a circuitului asigura si semnalele necesare de comanda, apare necesitatea de a
realiza separarea galvanica dintre circuitul de forta si circuitul de comanda al contactorului static.
Acest lucru se obtine fie prin utilizarea unor transformatoare de separare la iesirea formatorului de
impulsuri, fie prin utilizarea comenzilor optice ce folosesc optocuploare, fibre optice etc. Atunci cand
pe langa infasurarile primara (N1) respectiv secundara (N2), transformatorul de separare are si o
infasurare de premagnetizare (Np), asa cum se observa in Fig. 3.15 este posibila in plus o prelucrare
logica a impulsurilor de comanda.

Fig. 3.15 Transformatorul cu premagnetizare

Solutiile actuale prefera comanda optica a tiristoarelor din schemele de contactoare statice,
realizata cu optocuploare cu sau fara fibre optice. Optocuplorul este un ansamblu dioda luminiscenta -
fototranzistor sau dioda luminiscenta – fototiristor, care converteste impulsuriie de comanda aplicate
pe dioda luminiscenta in semnale luminoase.
72
 Fig. 3.16 Optocuploare pentru comanda tiristoarelor

Acestea sunt capabile sa asigure trecerea in conductie a fototranzistorului respectiv a

tiristorului aferent, cu care este asamblat de obicei intr-o aceeasi capsula, figura 3.16.
In fig, 3.17 este prezentata o varianta de contactor static de curent nominal limitat de
fototranzistorul din schema, la valori de ordinul sute de miliamperi, care utilizeaza diode
semiconductoare in locul obisnuitelor tiristoare.

Fig. 3.17 Contactor static cu fototranzistor

Limitarea curentului prin fototiristor se obtine pe seama ansamblului rezistentelor RS si R2.

Circuitul R-C asigura protectia la supratensiuni.
Atunci cand se preconizeaza realizarea unui contactor static avand curentul nominal mai mare
decat acel al tiristoarelor se poate apela la conectarea in paralel a acestora. Daca tensiunea nominala a
unui tiristor este mai mica decat tensiunea nominala a contactorului static se accepta conectarea in
serie a mai multe tiristoare, cu masuri speciale de uniformizare a distributiei tensiunii pe elementele
serie, in ambele situatii trecerea simultana in conductie a tiristoarelor utilizate este esentiala pentru
buna comportare a ansamblului, in acest scop se impune transmiterea comenzii de trecere in conductie
a tiristoarelor schemei prin fibre optice, asa cum se poate urmari in Fig. 3.18. Rezistentele de mare
valoare plasate in paralel cu tiristoarele asigura tocmai uniformizarea distributiei tensiunii pe
elementele serie.
Se poate afirma deci in final ca pentru functionarea contactoarelor statice de curent continuu
este mai dificil de realizat deconectarea, care presupune utilizarea unui circuit specializat de stingere,
ceea ce practic dubleaza schema ansamblului. Abilitatea in asigurarea deconectarii contactorului
conduce la solutii mai ieftine si cu bune performante.

73
 Fig. 3.18 Comanda simultana a unui contactor

3.6.Contactoare statice de curent alternativ

Sunt echipamente care realizeaza conectarea si deconectarea unei sarcini la o sursa de curent
alternativ. Fata de cele de curent continuu, la cele de curent alternativ, deoarece curentul trece periodic
prin 0,nu sunt necesare circuite speciale de stingere. In figurile A),B),C),D),E) sunt date diverse
configuratii de realizare a contactoarelor de curent alternativ monofazat. Schema A) foloseste 2
tiristoare in montaj antiparalel si 2 dispozitive de comanda DC. Prezinta dezavantajul utilizarii a 2
dispozitive de comanda si a faptului ca la aparitia unor supratensiuni dinspre sursa sau sarcina daca
tiristorul amorseaza direct, nu amorseaza prin efect du/dt, celalalt tiristor se poate distruge.

74
 Scheme de contactoare statice de curent alternativ
In schema B) - un tiristor este inlocuit cu dioda D, rezultand un singur dispozitiv de comanda.
Dezavantajul este faptul ca puterea pe sarcina este (0,5-1 )*Pmax.
Schema C) - prin conectarea in serie a 2 grupuri formate fiecare dintr-un tiristor si o dioda in
antiparalel. Avantajul consta in faptul ca se utilizeaza un singur dispozitiv de comanda. D1, D2
protejeaza tiristorul la supratensiune.
Montajul D) este realizat cu ajutorul unei punti redresoare D1-D4 care are conectat pe diagonala
de curent continuu tiristorulul T.
Avantajul consta in faptul ca se utilizeaza un singur tiristor si un singur dispozitiv de comanda.
Dezavantajul : in conductie curentul circula prin 3 elemente semiconductoare (D1+T+D4)
(D2+T+D3) deci cresc pierderile in comutatie.
Montajul E) este echivalent cu A) deoarece triacul indeplineste functia a 2 tiristoare in montaj
antiparalel. Aceasta schema nu se poate utiliza pentru curenti de sarcina mari.
Scheme de principiu ale unor contactoare statice monofazate de curent alternativ sunt
prezentate in Figura 3.19. Se constata ca cele doua tiristoare antiparalele ale primei variante pot fi
inlocuite cu un triac, dar exista si posibilitatea de a folosi un singur tiristor in diagonala unei punti
redresoare cu diode.
Principala problema cu privire la functionarea unor ansambluri este repetarea semnalului de
comanda pe poarta tiristoarelor pentru fiecare semiperioada de conductie. Semnalul de comanda poate
fi desigur o tensiune continua insa solutia care s-a impus este comanda cu impulsuri, mai sigura si mai
economica. In plus aceasta permite si reglarea comoda a fazei impulsurilor de comanda, ceea ce
asigura atat comutatia cat si reglarea puterii transferate prin contactorul static catre consumator. Pentru
a simplifica schemele de comanda ale contacloarelor statice de curent alternativ se poate accepta
comanda doar pentru unul din cele doua tiristoare antiparalel, trecerea in conductie a celui de al doilea
realizandu-se prin subordonare.
Schemele de contactoare statice trifazate se realizeaza in mod obisnuit ca un ansamblu de trei
module monofazate, cu cate doua tiristoare antiparalel pe faza, figura 3.10 a, impedanta de sarcina Z,
putand fi conectata in stea sau in triunghi. Considerente legate de pretul de cost al unui asemenea
contactor static, dar si simplificarea circuitelor de comanda, au impus in ultimul timp folosirea unor
module tiristor-dioda antiparalel, livrate ca atare de firmele producatoare de elemente semiconductoare
de putere. Functionarea unui asemenea contactor static trifazat decurge similar, figura 3.19 b, insa
75
presupune comanda a doar trei tiristoare, eventual chiar cu impulsuri de faza reglabila. Pentru anumite
aplicatii s-au realizat si scheme speciale de contactoare statice trifazate ce utilizeaza doar trei tiristoare,
care prin trecerea in conductie asigura conectarea pe conductorul neutru a sistemului trifazat de
tensiuni.

a) b)
Fig.3.19 Scheme de contactoare statice

Problema separarii galvanice a circuitului de comanda fata de circuitul de forta la functionarea

contactoarelor statice de curent alternativ se rezolva folosind solutii similare cu cele anuntate mai sus
pentru contactoarele statice de curent continuu. In figura 3.20 se prezinta scheme de comanda pentru
contactoare statice trifazate care folosesc in acest scop optocuploare, ilustrandu-se in acelasi timp si
posibilitati de sincronizare a semnalelor de comanda cu reteaua trifazata de alimentare. Atunci cand
LED-urile celor trei optocuploare ar fi conectate in serie, pentru comanda simultana, impedanta de
sarcina se poate conecta in stea sau in triunghi, preferandu-se conectarea in stea a modulelor
semiconductoare monofazate de putere pentru diminuarea de 3 ori a tensiunii suportate de
tiristoarele (triacurile) din schema. Semnalele de sincronizare cu reteaua trifazata pot fi generate
conectand LED-urile celor trei optocuploare intre cele trei faze, in stea sau in triunghi, asa cum se
poate observa in figura 3.20 unde LED-urile sunt amplasate in diagonala unei punti cu diode pentru a
fi alimentate in ambele alternante. Cand tensiunea intre doua faze scade sub 10 V, LED-ul respectiv se
stinge, fototranzistorul se blocheaza, rezultand semnal logic 1la intrarea B a unuia dintre cele doua
CBM cuprinse in circuitul integrat. Iesirea P genereaza cate un impuls la fiecare anulare a tensiunii
UR-S identificand aceasta tensiune. Iesirea Z genereaza impulsuri la anularea oricareia d i n cele trei
tensiuni dintre fazele retelei, deci cu frecventa de 300 Hz.
Se poate regla temporizarea produsa de cele doua CBM astfel incat frontul descrescator al
impulsurilor sa coincida exact cu anularea tensiunilor.
Deoarece, cel putin doua LED - uri sunt aprinse intotdeauna, nu apar fenomene tranzitorii care
sa faca necesara folosirea unui filtru trece-jos.
Inertia de cateva microsecunde a fototranzitoarelor contribuie si ea la lipsa
fenomenelor tranzitorii si la sensibilitatea redusa a circuitului fata de perturbatii .

76
 Fig.3.20 Contactor static trifazat

3. 7. Intrerupatoare statice

O prima varianta de intrerupator static de curent continuu este prezentata in figura 3.21,
asigurand limitarea supratensiunilor de comutatie pe seama unei rezistente de suntare. Etapele de
functionare ale unui asemenea ansamblu sunt: trecerea in conductie a tiristoarelor T2 si T3 intr-o prima
secventa, cu blocarea tiristorului T1 si transferul curentului in circuitul paralel R-C astfel obtinut;
curentul din circuit va fi limitat de rezistenta R ca si de rezistenta circuitului exterior; o parte a energiei
inmagazinate in inductanta L va fi disipata pe rezistenta R; intr-o a doua secventa se trece in conductie
tinstorul T4, se blocheaza T3 si se realizeaza deconectarea circuitului; capacitatile C1 si C2 asemeni
rezistentei R definesc supratensiunile de comutatie, cresterea valorilor R de exemplu conducand la
cresterea valorilor UC1max si respectiv la scaderea tensiunii UC2max. Descarcarea condensatoarelor se
poate realiza pe sarcina prin trecerea in conductie a tiristoarelor T5 si T6. Principalul dezavantaj al
schemei prezentate se refera la necesitatea de a folosi doua baterii de condensatoare, cu efecte
nefavorabile asupra gabaritului dar si asupra pretului de cost.

Fig. 3.21 Interupator static de curent continuu

77
 O solutie care permite realizarea comutatiei statice de curent continuu cu functionalitatea de
intrerupator si folosind o singura baterie de condensatoare este prezentata in figura 3.22 a.

a) b)
Fig. 3.22 Intrerupator static de c.c. folosind o singura baterie de condensatoare
In regim normal de functionare, datorita trecerii curentului prin tiristorul T1 condensatorul se
incarca la tensiunea U a sursei, cu polaritatea indicata; incarcarea condensatorului se poate realiza de
la tensiunea sursei si prin aplicarea unor impulsuri periodice de comanda pe portile tiristoarelor T4 si
T5. Dioda D2 si bobina de reactanta L3 asigura timpul minim de incarcare a condensatorului, chiar
pentru valori mari ale rezistentei de sarcina. La aparitia unui scurtcircuit si cresterea curentului pana la
valoarea I0. Figura 3.22 b: in schema se comanda trecerea in conductie a tiristoarelor T2 si T3
asigurandu-se conectarea condensatorului la bornele tiristoruiui T1, blocarea acestuia si schimbarea
polaritatii tensiunii la bornele condensatorului, cu cresterea acesteia pana la valoarea U max1 ;
limitarea valorii supratensiunii Umax1 este asigurata prin trecerea in conductie a tiristorului T4, ce
realizeaza suntarea condensatorului cu rezistorul R1. Pentru descarcarea condensatorului la scaderea
valorilor curentului se foloseste dioda D1 . A doua etapa a comutatiei intervine prin trecerea in
conductie a tiristorului T5, dupa un interval de timp suficient pentru blocarea tiristoruiui T2 si scaderea
curentului pana la valoarea limitata de rezistenta exterioara a circuitului de sarcina si de R 1 . Deoarece
in momentul t2 polaritatea tensiunii condensatorului este inversa fata de cea initiala, se obtine blocarea
tiristorului T3 si trecerea curentului prin R1-T4-C-T5. Tensiunea la bornele condensatorului isi schimba
iar polaritatea, pana la al doilea maxim, U max 2 , pentru care intervine deci deconectarea deplina a
intrerupatorului.
De remarcat faptul ca polaritatea tensiuni, la bornele condensatorului la sfarsitul procesului de
comutatie este aceeasi cu cea initiala, ceea ce permite cresterea frecventei de conectare a
intrerupatorului. In cazul unor valori mici ale inductantei de sarcina, deci pentru UCmax < Umax1 nu se
produce trecerea in conductie a tiristoarelor T4 si T5. De asemenea este, esential sa se asigure trecerea
in conductie a tiristoruiui T1 imediat dupa blocarea lui T2, deoarece limitarea varfului U max 2 al
tensiunii la bornele condensatorului se realizeaza pe seama rezistorului R1. In acelasi scop se poate
introduce in circuitul tiristorului T5 un rezistor R2, a carui valoare maxima se alege prin conditia
78
blocarii sigure a tiristorului T3. Avantajele schemei legate de frecventa mare de conectare, de utilizarea
deplina si eficienta a condensatorului, limitarea eficienta a supratensiunilor de comutatie, sunt dublate
de dezavantaje cu privire la limitarea mai slaba a curentilor de scurtcircuit, datorita comutatiei de tip
derivatie, ca si cele referitoare la regimul termic, nefavorabil, din cauza disiparii energiei reactive pe
rezistorul R1, deci in incinta intrerupatorului. Nu e de neglijat nici complexitatea schemei.
Cresterea capacitatii de limitare a curentilor, de scurtcircuit se poate realiza, folosind o schema
cu comutatie fortata si transformator de separare a condensatorului. La conectarea tiristoarelor T2si T3,
t.e.m. ce apare in infasurarea N1 a transformatorului asigura un curent in circuitul rezistorului de
limitare r, astfel incat blocarea tiristorului T3 este asigurata tot cu comutatie paralela.
Dezavantajul schemei il reprezinta valorile mari ale capacitatii ca si consumul de materiale
feromagnetice. Scaderea capacitatii condensatorului, cu efecte favorabile si asupra pretului de cost ,
respectiv al gabaritului ansamblului, se obtine folosind solutia ilustrata in figura 3.23, care asigura o
repartitie convenabila a curentului la divizarea acestuia intre capacitatea C si rezistorul r, pe seama
t.e.m. ce apar in infasurarile unui transformator ce completeaza defapt o schema de forma celei din
figura 3.22a. Se micsoreaza astfel curentul prin condensator, ceea ce permite in consecinta diminuarea
valorii capacitatii acestuia in plus scad si supratensiunile de comutatie.

Fig. 3.23 Fig. 3.24

Scheme de limitare a curentului de scurcircuit
De altfel, compararea multitudinii de scheme de principiu ce permit realizarea intrerupatoarelor
statice de curent continuu, considerand ca indicatori fiabilitatea, respectiv dimensiunile de gabarit si
pretul de cost, indica drept solutie mai reusita varianta prezentata in Fig.3.22 a.
Informatiile din literatura, indica performantele a doua serii de intrerupatoare statice de curent
alternativ de joasa tensiune. Pentru seria IIP31, realizata cu tipodimensiuni pentru curenti nominali de
63...160 A si tensiune nominala de 380 V, asigura varianta trifazata ca un ansamblu de trei module
monofazate. Protectia pentru regimul de scurtcircuit se realizeaza cu efect de limitare, astfel incat
pentru tipodimensiune avand curentul nominal de 160A, curentul de soc este de 75kA, cu limitare la 4
kA.Schema de principiu a unui asemenea intrerupator static, pentru o alternanta, este data in Fig.3.25
si evidentiaza tiristorul principal T1, tiristorul pentru comutatia fortata T2, comandat cu ajutorul
tiristorului de mica putere T3 . Blocarea tiristorului principal este asigurata de condensatoull C2, in
timp ce ansamblul C2 si R realizeaza diminuarea supratensiunilor de comutatie. Intrerupatoarele
statice din seria VA81 se folosesc pentru tensiuni nominale de 380 V, 50 Hz, cu tipodimensiuni avand
curentii nominali de la 250 A la 1000 A. Remarcabila este frecventa de conectare de 7200 cicluri/ora,

79
dar si puterea semnalului de comanda de doar 0.05 W. Schema blocului de comutatie al unui asemenea
intrerupator este data in figura 3.26.
La functionarea unor asemenea aparate de comutatie se asigura o caracteristica de protectie
dependenta pentru domeniul curentilor de suprasarcina, cu deconectare instantanee la scurtcircuit in
timp de 10 ms, cu posibilitatea de RAR dupa 40ms de la deconectarea defectului, controlandu-se atat
succesiunea fazelor cat si nivelul tensiunii retelei care nu trebuie sa scada sub 0,7U nominal.

Figura 3.25 Intrerupator static tip IIP31

Figura 3.26 Intrerupator static VA81

Se semnaleaza de asemenea seria de intrerupatoare statice de curent continu tip VA 83, pentru
curenti nominali de la 80A la 650A, ce folosesc tiristoare cu timp de blocare de 100μs.
Progresele tehnologice in domeniul semiconductoarelor comandate de putere, asigura continua
ameliorare a performantelor unor asemenea aparate de comutatie, cu o mare diversitate de solutii
constructive.
Se impune deci identificarea unor indicatori tehnico-functionali care sa permita alegerea
corecta a situatiilor pentru care o anumita solutie este mai eficienta.

80
 CAPITOLUL IV
VARIATOARE DE CURENT ALTERNATIV

4.1Variatoare de curent alternativ.Consideratii teoretice

4.1.1 Generalitati

Variatorul de c.a (denumit si de tensiune alternativa), este un convertor static care functioneaza
fara comutatie. El este un convertor alternativ-alternativ care transforma un sistem de c.a monofazat
sau trifazat, cu frecventa fi si tensiunea de intrare Ui constanta (valoarea efectiva), intr-un alt sistem de
c.a. monofazat sau trifazat, avand aceeasi frecventa ca primul si tensiunea de iesire Us reglabila,
Fig.4.1.
Us

C
Ui

Ui Is Us

fi
~ ~ fi=fi Is

Fig.4.1 Variatorul de curent alternativ

Deoarece este necesara circulatia curentului in ambele sensuri, pentru realizarea variatoarelor
de c.a. se foloseste fie triacul, fie tiristoare in montaj antiparalel. Din punct de vedere al circuitului de
forta, aceste doua variante sunt identice, deosebirile fiind doar la circuitele de comanda, Fig.4.2.
Montajul cu tiristoare, Fig.4.2a, se utilizeaza numai in cazul puterilor mari, pentru care nu
exista triace. Montajul antiparalel necesita circuite de comanda separate galvanic intre ele. Din aceasta
cauza este necesara folosirea unui transformator Tr, care indeplineste acest rol. Diodele D1 si D2
blocheaza impulsurile negative pe poarta. Pentru puteri relativ mici se folosesc triace, Fig.4.2b,
controlate printr-un singur impuls de amorsare.
Comanda variatoarelor de c.a. pentru a regla valoarea efectiva a tensiunii de iesire, se poate
face dupa doua metode: reglajul de faza, respectiv controlul numarului perioadelor de conductie.
Prima metoda este cea mai utilizata deoarece presupune o schema de comanda simpla. Din punct de
vedere al tensiunii de iesire, variatoarele de c.a. pot fi monofazate sau trifazate.
Variatoarele de c.a. se utilizeaza pentru reglarea puterii in diferite instalatii de utilizare a
energiei electrice: iluminat, incalzire, alte aparate. De asemenea, variatoarele trifazate permit
alimentarea motoarelor sincrone cu o tensiune statorica reglabila, astfel incat se poate modifica, intr-o
anumita masura, viteza acestora. La puteri mari de 0,1 ... 50 MVA intalnim variatoare de c.a. trifazate
care asigura reglarea puterii reactive cu dispozitive statice, in retele electrice.

81
 Tr Tr

D2 D2

T
T1
I I

T2 R R

Us Is
Ui Us

~ Ui
L ~ L

a) b)
Fig.4.2 Variator de c.a. : a)montaj cu tiristoare antiparalel; b) montaj cu tiristoare

4.1.2 Variatoare de c.a. monofazate

Functionarea variatorului de c.a monofazat se studiaza cu ajutorul schemei din Fig.4.3, pentru
diverse naturi ale sarcinii (rezistiva, inductiva si rezistiv-inductiva). Dispozitivul de comanda,
(nefigurat) permite amorsarea tiristoarelor in mod alternativ cu un unghi de comanda α, in fiecare
semiperioada a tensiunii de alimentare. Prin unghi de comanda α al tiristorului se intelege unghiul din
momentul trecerii naturale prin zero a tensiunii si momentul amorsarii tiristorului.
 Variatorul monofazat de c.a. cu sarcina rezistiva
In cazul unei sarcini pur active, L=0, regimul de functionare al schemei este
reprezentat in Fig.4.3b.
Tensiunea de alimentare este sinusoidala:
u(t)=Um sin ωt, de amplitudine Um.
Comanda tiristoarelor se face prin reglaj de faza. Momentul amorsarii
tiristoarelor este dat de unghiul de comanda α, masurat, in acest caz, din
momentul trecerii prin zero a tensiunii de alimentare, u(t).
Tiristorul T1 poate conduce in timpul semiperioadelor pozitive, iar tiristorul T2 in timpul
semiperioadelor negative. Daca unul sau altul dintre tiristoare conduce, atunci tensiunea aplicata
sarcinii, us, este egala cu tensiunea nula si tensiunea pe tiristoare, uT, este egala cu u(t).
Dupa amorsarea unuia dintre tiristoare, curentul prin sarcina este da de relatia:
i(t)= sinωt, ωt [α,π] [π+α,2π]. (4.2)
Curentul astfel obtinut este unul sinusoidal, Fig.4.3b. Prin descompunerea in serie Fourier se
obtine oscilatia fundamentala, i1(t), defazata cu un unghi φ1 in raport cu tensiunea de alimentare. Se
constata deci, ca desi sarcina este pur activa, sursa de alimentare trebuie sa furnizeze o anumita putere
reactiva. Marimea unghiului φ1 depinde de valoarea unghiului de comanda α.

82
 uS
uS u

2π
π 3π ωt

T1 I
u uT

T1 2π T1 ωt
T2 I
π T2 3π T2

R
UT I
α
Ui Us I I1
~ L
2π T1 ωt
T1
π T2 3π T2
φ1 π+
α

Fig.5.3 de c.a monofazat: a) montajul cu tiristoare antiparalel; b) variatia tensiunilor si curentul in

cazul unei sarcini rezistive.
Daca impulsurile de amorsare pe poarta tiristoarelor se aplica pentru α =0, atunci se obtine
functionarea schemei in regim de contactor monofazat de c.a. si curentul de sarcina devine sinusoidal
si in faza cu tensiunea sursei de alimentare.
 Variatorul monofazat de c.a. cu sarcina inductiva
Evolutiile tensiunilor us, ur si a curentului i, in cazul unei sarcini pur
inductive, sunt prezentate in Fig.4.4. Tensiunea la bornele sarcinii este egala cu tensiunea de
alimentare in intervalele de conductie ale tiristoarelor, debutul intervalelor de conductie fiind dictate
de unghiul de comanda α.
uS
uS u

2π ωt

π 3π
α
β

uT
uT u

2π ωt

π 3π

i
i π/2
iT

T1 2π T1 ωt

π T2 3π
α
β
π+ α

Fig.4.4 Variatia tensiunilor si curentului in cazul unui variator monofazat de c.a. cu sarcina inductiva
83
 Dupa amorsarea unui tiristor, se poate considera ecuatia:
L =Um sin ωt (4.3)
Care admite solutia: i(t)= sin α (4.4)
Constanta de integrare I0 de determina impunand conditia ca in momentul amorsarii tiristorului
T1, la mogalde=alfa, curentul i(t) sa fie nul. Pentru constanta de integrare se obtine expresia:
I0= cos α (4.5)
Iar pentru curentul i(t):
i(t)= cos α- cos ωt)= (4.6)
Curentul i(t) se anuleaza la mogalde t =beta si tiristorul T1 se blocheaza. Unghiul de blocare
beta se obtine din relatia (4.6), considerand i=o si mogalde t =beta, caz in care se obtine:
β=2π-α (5.7)
Pe durata semiperioadei negative, tiristorul T2 este amorsat la ωt=π+α si se atinge la ωt=3π+α,
Fig.4.4.
Pentru ca variatorul sa poata functiona, este necesar ca β π-α (tiristorul T1 sa fie blocat in
momentul amorsarii tiristorului T2), ceea ce impune ca unghiul de comanda sa ia valori in domeniul
π/2 α π.
Curentul prin sarcina nu este sinusoidal, iar conponenta fundamentala i1, din spectrul de
armonici al curentului i(t), Fig. 4.4 este defazata cu π/2 in urma tensiunii de alimentare.
Pentru α=π/2 se obtine functionarea schemei in regim de contactor monofazat de c.a. si
curentul de sarcina deine sinusoidal.
 Variatorul monofazat de c.a. cu sarcina rezistiv-inductiva
Pentru cazul general al sarcinii rezistiv-inductive, evolutiile tensiunilor si a curentului sunt
prezentate in Fig.4.5. Dupa amorsarea unui tiristor, ecuatia diferentiala care descrie functionarea
circuitului este:
Ri+L =Umsin ωt (4.8)

si admite solutia: i(t)= sin (ωt-ψ)+I0 (4.9)

T= , ψ=arctg (4.10)
unde T reprezinta constanta de timp a circuitului, iar ψ – defazajul dintre curentul si tensiunea
de la bornele sarcinii, in regim permanent sinusoidal.
Valoarea initiala I0 se determina impunand conditia ca, pentru ωt=α , deci in momentul
amorsarii tiristorului T1, curentul sa fie nul:
i(t)= sin (ωt-ψ)+I0 =0 (4.11)

Se obtine: I0= sin (ωt-ψ) (4.12)

In final, expresia curentului pe domeniul de conductie al tiristorului T1, α ωt π, se poate
considera sub forma:

84
 i(t)= [sin(ωt-ψ)- sin(α-ψ) (4.13)
Pentru ωt=β , Fig.4.5, curentul se anuleaza deci se poate scrie:
sin(βt-ψ)- sin(α-ψ)- =0 (4.14)
Blocarea tiristorului Ti trebuie sa se produca inaintea aplicarii impulsului de comanda pe
poarta tiristorului T2 (deci inainte de ωt=π+α), astfel incat T2 sa poata fi amorsat. Pentru a satisface
aceasta conditie, care sa exprima prin β π+α, trebuie sa avem α ψ.
uS
uS u

um 2π ωt

π 3π
α
π
β

uT
uT u
ωt

π 2π 3π

i
i φ1
iT

T1 2π T1 ωt

π T2 3π
α
β
π+ α

Fig. 4.5 Variatia tensiunilor si curentului in cazul unui variator monofazat de c.a. cu sarcina R-L

In caz contrar, daca α ψ, din (5.14) rezulta ca sin (β- ψ)<0 sau (β- ψ) . In continuare se
poate scrie ca (β- ψ) + α - sau β , deci in contradictie fata de conditia stabilita anterior,
necesara pentru amorsarea tiristorului T2.
Curentul prin sarcina nu este sinusoidal, iar componenta fundamentala, i1, din spectrul de
armonici al curentului i(t), Fig.5.5, este defazata cu unghiul φ1 in urma tensiunii de alimentare.
Pentru a se obtine functionarea schemei in regim de contactor monofazat de c.a. este necesar ca
unghiul de comanda sa fie egal cu unghiul de defazaj,α= ψ. In acest caz componenta continua a
curentului este nula si curentul de sarcina devine sinusoidal.

4.1.3 Caracteristici externe de comanda in curent si in putere

Caracteristicile de comanda in curent ale unui variator de c.a. I(α), stabilesc dependenta dintre
valoarea efectiva a curentului de sarcina si unghiul de comanda α.
In cazul unei sarcini pur rezistive, valoarea efectiva a curentului de sarcina este:

85
I= = = (4.15)
Daca se raporteaza aceasta expresie la valoarea efectiva maxima, U/R, a curentului, pentru
valoarea efectiva exprimata in unitati relative se obtine:

I= (4.16)
In cazul unei sarcini pur inductive rezulta:
I= =

= (4.17)
Daca se raporteaza aceasta expresie la valoarea efectiva maxima U/ωL, atinsa pentru α=π/2,
pentru valoarea efectiva a curentului, exprimata in unitati relative, se obtine:

I*= (5.18)

1
.
0.8
. Sarcina L
0.6
. Sarcina L
0.4

.0.2 α
.

π/4 π/2 3π/4 π

Fig. 4.6 Caracteristici de comanda ale variatorului de c.a.

In Fig.4.6 sunt date caracteristicile externe de comanda ale variatorului de c.a. Unghiul de
comanda α, ia valori in domeniul [0,π] in cazul sarcinilor pur active, iar in cazul celor pur inductive
α [π/2,π].
π/2
i
u
ωt
2π
π 3π

T1
i1
α

Fig. 4.7 Aparitia puterii reactive a fundamentalei la variatoare de c.a.

Regimul de curent nesinusoidal introdus prin utilizarea unui variator de c.a. atrage necesitatea
ca sursa de alimentare sa asigure o anumita putere reactiva, chiar daca sarcina are un caracter pur
activ.
86
 In Fig.4.7 s-a reprezentat oscilatia fundamentala i1 a curentului printr-o sarcina pur rezistiva in
cazul unui unghi de comanda α . Fundamentala curentului poate fi descompusa intr-o componenta
activa i1p, in faza cu tensiunea de alimentare, si una reactiva i1Q defazata cu π/2 in urma acesteia.
Valorile efective ale celor doua componente sunt:
I1P =

I1Q = (4.19)
Defazajul dintre componenta fundamentala si tensiunea sursei este dat de relatia:
φ1 (4.20)
Puterea activa, furnizata de sursa de alimentare este:
P=U I1P (4.21)
Puterea reactiva a fundamentalei are expresia:
Q=U I1Q = (4.22)
In relatia puterii reactive s-a tinut seama de faptul ca puterea furnizata de sursa de alimentare
unei sarcini inductive este pozitiva.
Prin raportarea puterii active si reactive la valoarea maxima,.U2/R se obtin expresiile relative
ale acestor puteri:
P*= ; Q1*= (4.23)

P Q1
1
. 100
.
0.8 80
. P .
0.6 60
. Q1 φ1 .
0.4 40
.
.0.2 20 φ1
. .

π/4 π/2 3π/4 π α

Fig.4.8 Puterea activa, reactiva si defazajul fundamentalei pentru o sarcina pur rezistiva
Caracteristicile de comanda in putere P*(α) Q1*(α) si si defazajul fundamentalei fata de
tensiunea de alimentare, φ1(α), sunt reprezentate in Fig.4.8. Puterea activa furnizata sarcinii este
maxima pentru α=0 si se anuleaza pentru α=π Puterea reactiva, raportata la componenta fundamentala,
este nula pentru α=0, respectiv α=π si devine maxima la α=π/2. Valoarea maxima este de 1/π=0.318
din puterea maxima .

87
 4.1.4 Variatoare de c.a. trifazate

Schema variatorului de c.a. trifazat contine pe fiecare faza cate o pereche de tiristoare conectate
in montaj antiparalel, Fig.4.9a. Sarcina, de obicei, rezistiv-inductiva poate fi conectata in stea sau in
triunghi. Atunci cand sarcina este conectata in triunghi, functionarea variatorului trifazat este similara
cu cea corespunzatoare functionarii a trei variatoare de c.a. monofazate alimentate cu tensiunile de
linie.
In functie de valoarea unghiului de comanda α, se poate regla in mod continuu, puterea
absorbita de sarcina de la o valoare maxima pana la zero. Datorita sistemului trifazat de tensiuni al
sursei de alimentare, functionarea este mai complexa decat in cazul variatoarelor monofazate. Din
acest motiv se vor trata doar cele doua cazuri limit: sarcina pur rezistiva, respectiv pur inductiva.
Pentru o sarcina pur rezistiva, variatia in timp a marimilor referitoare la faza A a sarcinii sunt
reprezentate in Fig.4.10, unghiul de comanda fiind α=π/4. Au fost reprezentate mai intai pentru
claritate duratele de conductie ale tiristoarelor din contactoarele KA, KB, KC.
T1
R
Ia Rs Ls
T1 A
UA
UR
S
T2
UR S Ib Rs Ls
n
T2
US B
UB
T3
Un
T C Ic Rs Ls

UT T3

UC

a)

UTr UR UR UTr UR
S UR S

N≡n N
UT US
UT US
UN
UC n

US US

b)
T T
c)
Fig. 4.9 Variator de c.a. trifazat:a)schema electrica; b)diagrama fazoriala a tensiunilor cand
cele trei contactoare sunt in conductie; c)diagrama fazoriala cand contactorul KA este blocat.
88
 Dispozitivul de comanda pe poarta (neconfigurat), asigura impulsurile de amorsare ale
tiristoarelor in mod periodic, corespunzator unui sistem trifazat, cu un defazaj de 2π/3 intre faze. Daca
unghiul de comanda nu depaseste π/3, atunci pe o faza intervalul de conductie este de la α la π intr-un
sens, respectiv de la (π+α) la 2π in sens opus.
Daca cele trei contactoare sunt in conductie in acelasi timp, tensiunile de faza uA, uB si uC la
bornele sarcinii (considerata simetrica) sunt egale cu tensiunile de faza ale sursei de alimentare, u R, uS
si uT. Diagrama fazoriala pentru aceasta situatie este data in Fig.4.9b. In cazul in care doar doua
contactoare sunt in conductie, tensiunile de faza la bornele sarcinii, sunt egale cu jumatate din
tensiunea de linie a sursei trifazate, corespunzatoare contactoarelor care conduc. De exemplu, daca
sunt in conductie contactoarele kb si kc, tensiunile de faza la bornele sarcinii sunt, Fig.4.9c:
uA =0, uB = , uC = (4.24)
Prin multiplicarea tensiunilor de faza uA, uB si uC de la bornele sarcinii cu factorul 1/RS. se
obtin evolutiile curentilor de sarcina iA, iB iC.
Daca unghiul de comanda este intre limitele π/3<α<π/2 atunci intervalul de conductie al
tiristoarelor se prelungeste. De exemplu, in cazul fazei R, daca tiristorul T1 este amorsat la ωt=5π/12
acesta va conduce si dupa ωt=π respectiv pana in momentul conectarii fazei S la ωt=13π/12, deoarece
curentul se deschide intotdeauna prin doua faze.
Daca unghiul de comanda este mai mare de π/2 atunci curentul pe faza prezinta o intrerupere in
fiecare semiperioada, Fig.4.11. Astfel, impulsul de comanda a unui tiristor trebuie repetat dupa un
interval de timp, corespunzator unghiului electric ωt=π/3. Din Fig.4.11 se constata ca pentru unghiul
de comanda α 3 π/6, atat tensiunea cat si curentul fazelor sant nule, astfel domeniul de reglaj al
unghiului de comanda este 0<α<-5 π/6.
In Fig.4.12 sunt prezente formele de unda ale marimilor referitoare la faza A a sarcinii, in cazul
unei sarcini pur inductive, unghiul de comanda fiind α 7π/12. Curentul, in acest caz, nu poate evalua
brusc, datorita prezentei sarcinii inductive. Pentru sarcina pur inductiva, unghiul de comanda ia valori
in domeniul π/2<α
-5π/6.
In cazul unei sarcini rezistiv-inductive, unghiul de defazaj al sarcinii fiind ψ evolutia curentului
este situata intre cea corespunzatoare unei sarcini pur rezistive, respectiv pur inductive. Unghiul de
comanda, pentru sarcina rezistiv-inductiva, ia valori in domeniul ψ<α -5π/6
Functionarea schemei in regim de contactor trifazat de c.a. se obtine daca unghiul de comanda
π/2 este egal cu: 0, pentru sarcina pur rezistiva; π/2, pentru sarcina pur inductiva, ψ pentru sarcina
rezistiv-inductiva.
Ca si in cazul variatorului monofazat, caracteristicile externe de comanda in
curent stabilesc dependenta valorii efective a curentului de sarcina in functie de unghiul de comanda.
Valoarea efectiva a intensitatii curentului, exprimata in valori relative, este data de expresia:
I*= (4.25)
Unde I este valoarea efectiva a curentului de sarcina, iar Imax – limita superioara a acestei
valori efective, data de relatia:

89
 Imax (4.26)
U fiind valoarea efectiva a tensiunii de faza a sursei de alimentare.
Fig.4.13 prezinta caracteristicile externe de comanda I*(α) ale variatorului de c.a. trifazat,
avand drept parametru unghiul de defazaj ψ al sarcinii. Se evidentiaza faptul ca functia de contactor
trifazat poate fi indeplinita daca unghiul de comanda este egal cu unghiul de defazaj al sarcinii, α=ψ.
Se observa, de asemenea, ca valoarea limita superioara a unghiului de comanda este de 150, peste
care variatorul nu mai asigura conductia.
I*
1
. Ψ=0
0.8
. Ψ=π/3
0.6
. Ψ=π/2
0.4

.
0.2
.

π/6 π/3 π/2 2π/3 5π/6 π α

Fig.4.13 Caracteristicile de comanda ale variatorului de c.a. trifazat

90
 KA T1 T1 T1 T1

KB
T2 T2 T2 T2
1
KC
T3 T3 T3 T3
ωt

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UA
uA
uR
ωt

0.5us -0.5us

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UAB

uAB
-0.5us
uRS

ωt

-0.5UST
0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UKA

-1.5UR
UR

ωt
0

α
UKA

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

Fig.4.10 Formele de unda ale variatorului trifazat de c.a. pentru o sarcina pur rezistiva la
unghiul de comanda α=π/4

91
 T1 T1 T1 T1
KA
KB T2 T2 T2 T2
1
KC
T3 T3 T3 T3 ωt

0
0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UA

uA uR

ωt

0
-0.5uTR
0.5uRS
0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UAB

uAB
uRS -0.5UTR

ωt

-0.5UST

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UKA
1.5UR UKA UR

ωt

0
α
UST
5π/6
0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

Fig. 4.11 Formele de unda ale variatorului trifazat de c.a pentru o sarcina pur rezistiva la
unghiul de comanda α=7π/12

92
 KA T1 T1 T1 T1

KB
T2 T2 T2 T2
1
KC
ωt ωt
T3 T3 T3 T3

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UA

UR
UA

ωt
0

0.5URS -0.5 TR

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UAB

uAB -0.5U TR
uRS

ωt
0

-0.5UST

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

UKA -1.5UR
UKA
IA
UR

ωt
0

α IA

0 π/2 π 3π/2 2π 5π/2 3π 7π/2 4π

Fig. 4.12 Formele de unda ale variatorului trifazat de c.a pentru o sarcina pur inductiva la unghiul de
comanda α=7π/12

93
 4.1.5Alte montaje de variatoare de c.a. monofazate si trifazate

Pe langa montajele prezente in Fig.4.3a si 4.9a ale variatoarelor de c.a., se pot concepe si altele,
eventual cu mai putine dispozitive semiconductoare comandabile.
T1

uT
UT
uT
I u
R
Us ωt
~ Ui
0 π 2π 3π

a) b)
Fig. 4.14 Montaj cu un singur tiristor si sarcina rezistiva

Schema din figura 4.14 are un singur tiristor si poate fi utilizat in cazul unei sarcini rezistive.
Curentul prin sarcina exista doar pe durata semiperioadei pozitive a tensiunii de alimentare, pe durata
semiperioadei negative curentul fiind nul, Fig.4.14b.
T1

ID uT
UT
u uT
D I
R
Us ωt
~ U
L 0 π 2π 3π

a) b)
Fig. 4.15 Montaj cu un singur tiristor pentru o sarcina rezistiv-inductiva

In cazul unei sarcini rezistiv-inductive, durata de trecere a curentului prin sarcina poate fi
marita cu ajutorul unei diode de fuga D, Fig.4.15a. Curentul de sarcina i, dupa trecerea prin zero a
tensiunii, este preluat de dioda care se afla in paralel cu sarcina, curent care se amortizeaza exponential
cu o constanta de timp L/R.
Schema din Fig.4.16a este a unui variator de c.a. monofazat format dintr-o punte redresoare
monofazata si a unui tiristor. Tiristorul T este conectat pe diagonala de c.c. a puntii. In timpul
semiperioadelor pozitive ale tensiunii de alimentare u, diodele D1 si D3 sunt polarizate direct si
curentul se va inchide prin calea D1, T, D3, si sarcina. In semiperioadele negative ale tensiunii de
alimentare u, diodele D2 si D4 sunt polarizate direct si curentul se va inchide prin sarcina, D2, T si D4.

94
 D1 D2

T UT
I
uT
D3 uT
D4 I u

R ωt
Us 3π
~ Ui 0 π 2π
I

b)
a)
Fig. 4.16 Montaj format dintr-o punte si un tiristor

Privit dinspre sarcina, acest montaj functioneaza identic cu variatorul de c.a. monofazat realizat
cu o pereche de tiristoare in antiparalel, Fig.4.3a.
In Fig.4.17 sunt prezentate alte doua tipuri de variatoare de c.a. monofazate. Pentru montajul
din Fig.4.17a, in timpul semiperioadei pozitive a tensiunii de alimentare curentul i circula prin T1, D1
si sarcina, iar pe durata celei negative prin sarcina, T2 si D2. Acest montaj prezinta avantajul unei
comenzi mai simple, deoarece catozii celor doua tiristoare sunt legati la un punct comun.
T1 T2 i
1 tr 2
IS

D1 D2 T1
R R

UT T2

U
~ L ~ L

a) b)
Fig. 4.17 Montajul de variatoare de c.a monofazate

In cazul schemei din Fig.4.17b, cand tiristoarele T1 si T2 sant in conductie, solenatia secundara
a transformatorului Tr o compenseaza pe cea primara.
Astfel,intre bornele 1 si 2 regasim impedanta transformatoruluicusecundarul in
scurtcircuit, impedanta neglijabil de mica in raport cu cea a sarcinii, deci us=u. Cand tiristoarele T1 si
T2 sunt blocate, intre bornele 1 si 2 regasim impedanta transformatorului cu secundarul in gol
(impedanta de magnetizare). Sarcina este parcursa doar de curentul de magnetizare al
transformatorului, care este foarte mic si astfel us este aproximativ egala cu zero.
Montajul variatorului de c.a. trifazat din Fig.4.9a, in cazul cand sarcina trebuie conectata in
stea si cand aceasta prezinta 6 borne accesibile, poate fi realizat si ca cel din Fig.4.18 fara ca
functionarea variatorului, prezentata in Fig.4.4, sa fie modificata. Avantajul acestei scheme consta in
faptul ca toate tiristoarele sant legate la un punct comun. Acest fapt usureaza comanda, mai ales daca
in locul tiristoarelor sunt folosite trei triace.
95
 T1

R Ia Rs Ls

A T1

T2
UR
Ib Rs Ls
S N
T2
B

US
T3

C
T Ic Rs Ls

T3
UT

Fig.4.18 Variator de c.a. trifazat montat in aval de receptor

In situatia de mai sus (sarcina conectata in stea cu 6 borne accesibile), adesea este preferabil, sa
se utilizeze conectarea in triunghi a celor trei grupe de tiristoare, Fig.4.19. Functionarea acestui montaj
este aceeasi cu cea a montajelor din Fig.4.9a,4.18; asfel pentru o sarcina data, tensiunile la bornele
acesteia si curentii de faza au aceeasi evolutie si aceleasi valori.
Un avantaj al acestui montaj este ca apare o diminuare a curentului si deci a pierderilor prin
tiristoare. Totodata se simplifica conditiile impuse semnalelor de comanda ale tiristoarelor.
Dezavantajul acestei scheme este ca tensiunea inversa maxima ce trebuie suportata de tiristoare creste
de la 1.5Um la Um , unde Um este amplitudinea tensiunii sursei.
Una din cele mai utilizate scheme de montaj, atunci cand sarcina este conectata in triunghi, este
cea din Fig.4.20. Schema foloseste trei variatoare de c.a. monofazate identice. Functionarea si
performantele sunt cele ale variatoarelor monofazate, schema permitand inlaturarea armonicelor
impare de ordinul trei si multiplu de trei ai curentilor de linie iAL iBL iCL.

96
 T1

R Ia Rs Ls KA

A T1

T2
UR
KB
Ib Rs Ls
S
T2
B

US
T3

C
T Ic Rs Ls KC
T3
UT

Fig.4.19 Variator de c.a. trifazat avand tiristoarele montate in triunghi dupa sarcina
T1
KA
R Ia Rs Ls

IAL A T1

T2
UR
Ib Rs Ls KB
S
T2
IBL B

US
T3
KC
C Ic Rs Ls
T
T3
ICL
UT

Fig. 4.20 Schema in triunghi cu trei variatoare monofazate

97
 T1

R Ia Rs Ls

T1 A
KA

UR T2
S KB Ib Rs Ls
n
T2
B

US
T3

T C
KC Ic Rs Ls

T3
UT

Fig. 4.21 Variator de c.a trifazat realizat din tiristoare in antiparalel cu diode

Se pot concepe scheme de variatoare cu mai putine elemente semiconductoare comandate. O

astfel de schema este data in Fig.4.21; aceasta contine doar un tiristor conectat in antiparalel cu o
dioda, pe fiecare faza. In acest caz, doar semialternante pozitive ale tensiunilor de alimentare sunt
controlate. Diodele sant in conductie in decursul semialternantelor negative si reprezinta calea de
trecere a curentilor corespunzatori acestor semialternante.

98
4.2 Aplicatia practica a variatorului de curent alternativ trifazat.
Descrierea schemei

Acest variator de putere

trifazat poate controla atat sarcini
rezistive cat si sarcini inductive.
Dispozitivele semiconductoare de
putere sunt complet izolate iar
reglajul formelor de unda, de la
zero la incarcarea maxima, este
facut prin intermediul unui singur
potentiometru, interfata cu
calculatorul poate fi foarte usor de
realizat, presupunand ca toate
izolatiile sunt corect implementate.
Caracteristicile variatorului de
putere trifazic izolat optic sunt
prezentate in figura 4.22. Acesta
poate fi folosit pentru a comanda
un cuptor trifazic, un motor trifazic
etc.Puterea este controlata de la
zero la maxim de catre un singur
potentiometru care are rolul de a
furniza tensiunea de control Vcontrol.
Daca este nevoie, tensiunea de
control poate fi furnizata de la
calculator folosind un montaj
convertor de semnale digital-
analog.
In acest montaj, partea
circuitului de forta si a circuitul de
comanda sunt separate galvanic
prin intermediul optotriacelor –
model MOC3020.
Caracteristicile liniare de
transfer sunt realizate folosind prin
controlul numarului perioadelor de
conductie.
In figura 4.22 este prezentat
modul cum functioneaza una din
cele 3 sectiuni ale variatorului de
putere folosind reprezentarea
grafica a formelor de unda ale
tensiunii.
Fig.4.22 Formele de unda ale variatorului trifazat

99
 Formele de unda ale celorlalte doua sectiuni sunt asemanatoare diferenta fiind ca acestea sunt
defazate cu 120 respectiv 240.
Figura 4.22a) prezinta formele de unda ale tensiunilor tipice unei retele trifazate. Aceste
tensiuni de linie sunt coborate la o tensiune cu valoarea 6-0-6 c.a. folosind trei transformatoare de
mica putere. Forma de unda a tensiunii coborate in cazul fazei L1 este prezentat in figura 4.22 b) .
Aceasta tensiune este directionata prin intermediul a doua diode 1N4001 urmand a fi comparata cu o
tensiune mai mica VӨ pentru a genera unghiuri inaintate sau intarziate.Aceste unghiuri inaintate si
intarziate Өa ,Өd sunt necesare pentru a ne asigura ca exista o tensiune minima la bornele triacului
inainte ca acesta sa fie amorsat. Semnalul rezultat reprezinta unghiurile inaintate si intarziate pentru
faza L1 in urma compararii care poate fi analizat in figura 4.22c).
In continuare un comparator genereaza un semnal de referinta , VC2 necesar pentru izolarea
celor doua jumatati de ciclu ale formelor de unda, necesar pe intrarea SA a integratului multiplexor
HTC4053.
Doua semnale stabilizate, defazate cu 180, sunt generate folosind doua integratoare (cu
circuitul integrat LM339.), Fig.4.23. Amandoua semireglabilele de 2K ale fiecarui integrator, trebuie
ajustate pana se obtin semnalele ca in figura 4.22 e) si f).Semnalele sunt aplicate pe pinii Y1 si Y2 care
au functie de intrare iesire independenta.
Folosind semnalul de referinta VC2 si cele doua forme de unda, acestea sunt combinate pentru a
genera un semnal de referinta(Fig.4.22 g). la pinul 14(Z1) cu functia de intrare iesire comuna al
multiplexorului . Aceasta e necesara pentru a atinge caracteristica liniara de transfer a variatorului.
Tensiunea VControl impreuna cu semnalul de referinta (VS1) sunt comparate pentru a genera
unghiul de (aprindere) amorsare β ca in figura 4.22 h).
O functie logica SI a fost realizata folosind doua diode si un tranzistor produce unghiuri
inaintate si intarziate.
Aceste forme de unda rezultate,( ca in fig.4.22 i),sunt folosite pentru a comanda triacul
conectat la faza L1 . Cele trei sectiuni ale variatorului asigura ca toate cele trei triace sunt actionate la o
intarziere cu unghi β foarte precis.
In montaj am folosit triace de putere seria BT138, triace capabile sa sustina un curent de 12A,
daca e necesar se pot folosi dispozitive cu curenti mai mari.
Montajul poate fi folosit si in varianta monofazata ca in figura 4.24.

100
Fig. 4.23 Schema electrica a variatorului de putere trifazat

101
102