SENZORI ªI TRADUCT OARE ELECTRICE

În realitate, în relaþia (2) mai apare un factor de corecþie ce þine seama de geometria
pastilei semiconductoare.
3

Fig. 3.31. Schema explicativã pentru efectul Hall

Trebuie menþionat faptul cã parametrul KH
depinde în sens invers de temperaturã, existând
posibilitatea de compensare a erorii, dacã alimentarea
se face la U = constant ºi nu la I = constant.
Sensibilitatea acestor traductoare poate fi definitã
în funcþie de inducþie:
ΔU K .I
S = ΔBH = Hg
sau în funcþie de deplasarea magnetului ce produce
inducþia B:
ΔU K .I.ΔB
S = ΔxH = gH.Δx
Sensibilitatea de poziþie depinde de circuitul
magnetic, care poate realiza variaþii de 0,1–1 T/mm,
ceea ce corespunde la 0,2–15 V/mm.
Traductoarele de proximitate bazate pe efectul
Hall se realizeazã, de obicei, cu caracteristicã de
histerezis.
La realizarea traductoarelor de proximitate, se
folosesc traductoarele optice, datoritã sensibilitãþii
pe care o prezintã. Existã douã variante
constructive:
- traductoare de proximitate cu barierã, pentru
care emiþãtorul de luminã ºi, respectiv, receptorul,
se aflã de o parte ºi de alta a „barierei‘‘;
- traductoare de tip „reflector‘‘, la care atât
emiþãtorul, cât ºi receptorul se aflã de aceeaºi parte
a obiectului detectat.
Ca surse de luminã, la traductoarele optice se
folosesc becuri sau LED-uri în vizibil sau în
infraroºu, iar ca fotodetectoare, se utilizeazã
fotorezistoare, fototranzistoare, fotodiode, fiind
urmate de blocuri de prelucrare corespunzãtoare.

• Fotodiodele

Sunt indicate pentru mãsurãri de iluminare. detectarea unor niveluri joase de radiaþii. Ele sunt
În absenþa radiaþiei luminoase, existã un curent sensibile în domeniile vizibil ºi infraroºu apropiat.
mic, invers, numit curent de întuneric. Dacã Simbolul ºi polarizarea unei fotodiode sunt
suprafaþa fotosensibilã a joncþiunii este iluminatã, în prezentate în figura 3.32.
joncþiune se genereazã perechi de purtãtori de
sarcinã (electron-gol), care duc la creºterea
curentului în sens invers. Cele mai folosite diode
sunt cele din siliciu. Stratul de siliciu p este suficient
de subþire pentru a permite radiaþiei luminoase sã
ajungã la joncþiune. În domeniul infraroºu, se
utilizeazã fotodiodele din germaniu (Ge) ºi arsenurã
de indiu (InAs).
Fotodiodele cu regiunile p ºi n puternic dopate se
numesc diode PIN. Avantajele fotodiodelor PIN sunt
urmãtoarele: rapiditate, rãspuns spectral larg, zgomot Fig. 3.32. Simbolul ºi polarizarea unei fotodiode
redus. Curentul de întuneric foarte mic permite

55