Ministerul Educației și Cercetării al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Republicii Moldova

Facultatea Electronică și Telecomunicații

RAPORT
DISPOZITIVE ȘI CIRCUITE ELECTRONICE

“ Tema: Studiul diodelor semiconductoare şi a schemelor în baza lor. ”

A elaborat st. grupei RST-201 Namolovan A.

A verificat profesorul Grițco R.

Chișinău 2022
 Lucrarea de laborator nr. 1
Varianta 10.

Tema: Studiul diodelor semiconductoare şi a schemelor în baza lor.

Scopul lucrării: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor volt-
amperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de bază a diodelor
şi schemelor cu utilizarea lor. Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor
volt-amper (CVA) al diodei stabilizatoare (Zener) , ridicarea parametrilor de bază a diodelor
Zener şi a schemelor cu utilizarea lor.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune
curent continuu, rezistoare, diodă semiconductoare.

Mersul lucrării:

Lansaţi programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

 Partea 1
Experienţa 1. Măsurarea tensiunii şi calcularea curentului care circula
prin diodă la polarizare directă şi indirectă.

Construiţi figura 1

Figura 1. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsurăm tensiunea la polarizare directă Udir, şi calculăm conform relaţiei 1.1 curentul la
polarizare directă.
(1.1)
calculul
Tensiunea la polarizare directă este Udir= 0.771 V curentul este Idir=0.0881 A
Construiţi figura 2
 Figura 2. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsurăm tensiunea la polarizare indirectă Uind, şi calculăm conform relaţiei 1.2 curentul la
polarizare indirectă.
(1.2)
calculul
Tensiunea la polarizare indirectă este Uind= 14V curentul este Iind= 0 A

Experienţa 2. Măsurarea curentului care circula prin diodă la polarizare

directă şi indirectă.

Construiţi figura 3

Figura 3. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare directă Idir= 0,08948 A sau 88,19 mA
Construiţi figura 4

Figura 4. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare indirectă Iind= 0.0000
 Experienţa 3. Măsurarea rezistenţei statice a diodei la polarizare directă
şi indirectă.

Construiţi figura 5

Figura 5. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare directă Rst dir= 77.10 MOhmi

Construiţi figura 6

Figura 6. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare indirectă Rst ind =∞

Experienţa 4. Măsurarea tensiunii şi curentului la polarizare directă şi

indirectă pentru trasarea CVA a diodei .
 Construiţi figura 7

Figura 7. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.1 prezentat mai jos şi tot în el
întroducem datele măsurate experimental.

Tabelul 1.1 Datele măsurate pentru ramura directă a CVA

E,V Udir , mV Idir , mA
0 0 0
0,5 499.6 0.002944
1 674.9 2.153
1,5 698.3 5.309
2 710.6 8.539
2,5 718.9 11.79
3 725.3 15.06
3,5 730.3 18.34
4 734.6 21.63
4,5 738.3 24.91
5 741.5 28.20

Construiţi figura 8

Figura 8. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

 Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.2 prezentat mai jos şi tot în el
întroducem datele măsurate experimental.

Tabelul 1.2 Datele măsurate pentru ramura indirectă a CVA

E,V Uind , V Iind , mA
0 0 0
5 4.999 0.004999
10 10 0.01
15 15 0.015
20 20 0.02
25 25 0.025
30 30 0.03
35 34.99 0.0349
40 39.99 0.0399

Conform datelor obţinute experimental construim CVA a diodei analizate ţinînd cont de
faptul că ramura directă a CVA este în cadranul I a sistemului de coordonate , iar ramura
indirectă în cadranul III.

Experienţa 5.Obţinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.

Construiţi figura 9
 Figura 9. Instalaţia experimentală de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Salvaţi în lucrare caracteristica obţinută pe ecranul osciloscopului şi masuraţi tensiunea
de curbură Ucurb=146.54mV
 Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Partea 2
Experienţa 1. Măsurarea tensiunii şi calcularea curentului prin diodă.
Construiţi figura 1
 Figura 1. Polarizarea diodei.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuraţi valoarea tensiunii Ustab a diodei la valorile date ale F.E.M. a sursei
prezentate în tabelul 1.
Tabelul 1. Valorile FEM
E,V Ustab Istab
0 0 0
4 4V 0
8 5.1960V 0.018693
12 5.3827V 0.0441153
16 5.5594V 0.069373
20 5.7326V 0.095116
24 5.9039V 0.12064
28 6.0740V 0.146173
32 6.2434V 0.171710667
36 6.4123V 0.1972513
40 6.5807V 0.2227953
Calculaţi curentul Istab pentru fiecare valoare a tensiunii Ustab după relaţia 1.1
şi întroduceţi datele obţinute în tabelul 1.

Istab= (1.1)
 Conform datelor obţinute construiţi CVA a stabilitronului . După CVA
determinaţi tensiunea de stabilizare.
Calculaţi puterea Pstab disipată pe stabilitron la tensiunea E=20 V , după
relaţia 1.2.
Pstab= Ustab* Istab (1.2)
E=20V
Pstab= Ustab* Istab=5.7326V *0.095116=0.545261982W
 Experienţa 2.Obţinerea caracteristicii de sarcină a stabilizatorului
parametric.
Construiţi figura 2

Figura 2.Cuplarea unei rezistenţe paralel stabilitronului.

Valoarea sursei FEM o instalam 20V . Schimbaţi valorile rezistenţii
conectate paralel RL conform datelor prezentate în tabelul 1.2 şi tot în el introduceţi
datele tensiunii obţinute în urma măsurărilor efectuate.
Tabelul 1.2. Datele experimentale.
RL,Ω Ustab IR IL Istab
75 5.2669V 0.0982067 0.0702253 0.0279747
150 5.4940V 0.0967067 0.0366267 0.06008
300 5.6114V 0.095924 0.0187047 0.0772193
450 5.6513V 0.095658 0.0125584 0.0830996
600 5.6715V 0.0955233 0.0094525 0.0860708
750 5.6836V 0.0954427 0.00757813 0.08786457
900 5.6917V 0.0953887 0.00632411 0.08906459
1000 5.6958V 0.0953613 0.0056958 0.0896655
s.c. 5.7326V
 Calculaţi curentul IR prin rezistorul R, conectat serie cu sursa, curentul prin
rezistenţa RL şi curentul stabilitronului Istab pentru fiecare valoare a rezistenţii R L
din tabel şi întroduceţi datele obţinute în tabelul 1.2.

Experienţa 3.Obţinerea CVA a stabilitronului pe ecranul osciloscopului.

Construiţi figura 3

Figura 3.Schema de obţinere a CVA pe ecranul oscilografului.

Tensiunea de stabilizare , determinată din CVA obţinută cu ajutorul
oscilografului Ustab= 5.3157V
 Figura 4. CVA a diodei pe ecranul oscilografului .

Concluzii:
In urma efectuarii lucrarii de laborator am facut cunostinta cu cu metodele de ridicare a
caracteristicilor volt-amperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea
parametrilor de bază a diodelor şi schemelor cu utilizarea lor, am mai facut cunostinta si cu
metodele de ridicare a caracteristicilor volt-amper (CVA) al diodei stabilizatoare (Zener) ,
ridicarea parametrilor de bază a diodelor Zener şi a schemelor cu utilizarea lor.
Am studiat si fenomenele polarizarii directe a jonctiunii p-n si a polarizarii indirecte a
jocntiunii p-n, unde:
La polarizarea directa a jonctiuni p-n:
-are loc trecerea curentului electric;
-tensiunea de polarizare trebuie sa fie mai mare ca decit potentialul barierei;
- regiunea de sarcina spatiala se ingusteaza ;

La polarizarea indirecta a jonctiunii p-n:

-trecerea curentului este stopata;
-tensiunea de polarizare trebuie sa fie mai mica decit tensiunea de strapungere;
-purtatorii minoritare formeaza un mic curent invers;
-purtatorii majoritari se deplaseaza in sensul indepartarii de jonctiunea p-n, intr-un scurt
interval de regim tranzitoriu.
-regiunea de sarcina spatiala creste in inaltinme;
Datorita caracteristici osciloscopului am determinat tensiunea de curba.
Concluzii :

Întrebări de control.

1. Daţi noţiunea de semiconductor?

2. De explicat procesul electroconductibilităţii golurilor şi electronilor?
3. Daţi definiţia timpului de viaţă a purtătorilor de sarcină?
4. Ce reprezintă juncţiunea p-n?
5. Cîte modificaţii de joncţiuni p-n cunoaşteţi?
6. Daţi definiţia proceselor de injecţie şi extracţie ale purtătorilor de de sarcină?
7. Explicaţi procedura de polarizare directă a joncţiunii p-n?
8. Explicaţi procedura de polarizare indirectă a joncţiunii p-n?
9. Scrieţi ecuaţia statică a caracteristicii volt-amperice pentru dioda ideală?
10. Cum sa luăm în considerare procesele generare-recombinare în volumul sarcinii spaţiale?
11. Cum depinde curentul indirect al juncţiunii p-n de temperatură? Explicaţi această
dependenţă.
12. Explicaţi diferenţa dintre CVA ideală şi cea reală pentru diodele semiconductoare?
13. Cîte mecanisme de spargere(străpungere) a juncţiunii p-n cunoaşteţi? Explicaţi sensul
fizic al spargerii electrice şi termice.
14. Cum alegem punctul de funcţionare al diodei semiconductoare în circuitele electronice?
15. Trasarea dreptei de sarcină pentru dioda semiconductoare.

Datele iniţiale pentru efectuarea lucrării de laborator conform variantelor

Partea 1
Var R,Ώ E,V Tipul Diodei
1 75 8 D1N4003GP
2 125 16 D1N4001GP
3 100 10 D1N4004GP
4 150 14 D1N4002GP
5 175 12 D1N4005GP
6 100 10 D1N4007GP
7 125 8 D1N4006GP
8 75 16 D1N4001GP
9 175 12 D1N4004GP
10 150 14 D1N4002GP
11 75 16 D1N4006GP
12 125 10 D1N4007GP
13 150 12 D1N4003GP
14 175 8 D1N4005GP
15 100 14 D1N4001GP
16 125 16 D1N4003GP
17 75 10 D1N4002GP
Partea 2
Var R,Ώ Tipul Diodei
1 150 1N4733
2 200 1N4733
3 250 1N4733
4 300 1N4733
5 350 1N4733
6 400 1N4733
7 200 1N4733
8 300 1N4733
9 250 1N4733
10 150 1N4733
11 350 1N4733
12 200 1N4733
13 400 1N4733
14 350 1N4733
15 250 1N4733
16 300 1N4733
17 150 1N4733