DISPOZITIVE MICRO-OPTOELECTRONICE

TEMA 3
CONDUCTIVITATEA ]N SEMICONDUCTORI

DR.H., ARTUR BUZDUGAN

CONDUCTIVITATEA SC

 Modelul electronilor liberi nu poate fi aplicat SC și DE

deoarece ei nu dispun de nr de electroni liberi suficienți
pentru a conduce conform modelului electronilor liberi.
Aceasta este diferența mecanismelor de conducție în SC
și Me normale
• Similar atomului singular în care electronii pot trece de pe un
nivel energetic pe altul liber, electronii în corpuri solide de
asemenea pot trece în incinta benzii de valență, dacă în ea sunt
nivele libere, cât și să treacă dintro bandă de valență în alta.
Densitatea nivelelor în banda de valență este extrem de înaltă ,
astfel pentru trecerea electronului de pe un nivel pe altul (în
incinta benzii de valență) este necesară o energie foarte mică
(10-8 – 10-4 eV). Astfel de energie poate fi captată lejer din
oscilațiile termice ale atomilor, accelerația electronilor, câmpuri
electrice slabe, cuantelor de lumină, etc.
• Trecerea electronilor din banda de valență în banda de
conducție necesită o energie egală cel puțin cu lățimea benzii
GENERAREA PERECHILOR PURTĂTORILOR DE
SARCINĂ ELECTRON-GOL
Conducția cu Electroni și Goluri

Un semiconductor pur (intrinsec) din Si cristalin la T=300K 
are suficientă energie termică pentru unii electroni de valență 
să sară peste banda interzisă din BV în BC, astfel acești 
electroni devin liberi ­  ‘electroni de conducție’

Ei lasă în urma sa în BV un loc vacant numit gol.

Recombinarea are loc când electronul din BC pierde o parte 
din energie și cade înapoi în BV în locul postului vacant 

5
 Curentul de electroni - goluri
ÎN BC : La aplicarea unei tensiuni la SC 
intrinsec, electronii termogenerați liberi în 
BC sunt atrași de polul pozitiv (polarizarea 
directă).

 Acest tip de mișcare a electronilor este un tip 
de curent din SC și se numește electronic

In BV: Golurile sunt generate grație electronilor deveniți liberi. Electronii în BV 
sunt legați de atomi șu nu sunt liberi să se deplaseze din cauza insuficienței energiei. 
Dar ei pot să se deplaseze spre locul ce mai aproape vacant (spre gol) cu o energie 
necesară mult mai mică. Astfel ei lasă în urma sa un alt gol. 
Efectiv (imaginar) astfel golurile nou generate sunt mișcate din loc în loc dând naștere la 
așa numitul curent de goluri în SC.

6
Curentul electroni - goluri

7
 Calcularea energiei de legătură
Pe baza rezultatelor modelului Boh, putem calcula ușor energia aproximativă necesară
pentru a excita cel de-al cincilea electron al unui atom donator în BC (energia de
legare a donatorului) :

* 4
mq
E 2 2
n
2K h
Unde m n* mn*  0.12m0

- masas efectivă ( m0 = 9.11x10-31 kg – masa de repaos), constanta Planck

K  4 0 r
unde εr constanta dielectrică relativă a SC 0 = 8.85x10-12 F/m permitivitatea vidului
 Mișcarea sarcinilor I
Este descrisă prin 2 concepte:
• Conductivitatea: s
(sau rezistivitatea: r  1/s)
• Mobilitatea: m
Câmp extern Zero Electronii sunt
Haotic împrăștiați de
Thermică impurități,
defecte, etc.

What happens when you apply a force?

 Mișcarea
purtătorilor de sarcină

Ordonată Haotică
(curent electric) (termică)

Difuzia Drif
10
 Mișcarea sarcinilor II
 
Aplicăm o forță externă: F  qE  qEx xˆ
Electronii se acelerează:

-n0qEx=dpx/dt {din F=ma=d(mv)/dt}

Electronii se decelerează de asemenea.
• Approximated ca o forță de amortizare vâscoasă
(much like wind on your hand when driving)
dpx = -px dt/t {dt = timpul de la ultima colizie, t = timpul de viață.}
resultat: deceration = dpx/dt = -px/t
 Mișcarea sarcinilor III
Accelerație=Decelerație în stare de echilibru.
• dpx/dt(accel) + dpx/dt(decel) = 0
• -n0qEx - px/t = 0.
 Matematic: !
ili t y
• px/n0 = -qtEx = <px> Mob
qt
• dar
 vx   *
Ex   mn Ex
• <px> = mn*<vx> Astfel: mn
qt qt
mn  *
, mp  *
mn mp
 Curenții
“Densitatea curentului” (J) – cantitatea de sarcini ce trec
prin o unitate de suprafață în unitate de timp.
Jx = (-q)(n0)<vx> în C/(s m2) sau A/m2

= +(qn0mn)Ex pentru e- singular în mișcare.

= sn Ex (definește conductivitatea electronică e- )
În caz de prezenă a ambilor tipuri de purtători de sarcină:
   E
J  q(no mn  po m p ) E  sE  r
 Curentul, Rezistența
Cum calculăm valoarea:
• curentului (I)? Integrăm J.
I  J dydz

E
y  0 to w
z  0 to t
x
t L
• Rezistența L(R)? V
r ( x ) dx rL
R  w( x ) t ( x )  wt
 s1 wt
L w

• r, w, t – constante dea lungul axei x.

 Mobilitatea sarcinilor …
Deși este simplu, folosim:
t Timpul liber de viață”
mn = qt/mn* mn* - “masa efectivă.”
(depinde de material)
 t depinde de:
• # centrelor de disipare (împrăștiere) pe impurități, defecte, etc…
Dopare mai mare => mobilitate mai mică
Mai multe defecte (cristal neideal => mobilitate mai mică.
• Temperatura rețelei cristaline (vibrații)
Creșterea T => creșterea vibrațiilor rețelei > disipare crescută => Timp
de viață micșorat t și => m
Mobilitate m scăzută .
Creșterea dopării
 Mobilitatea II
Mobilitatea este de asemenea funcție de câmpul electric aplicat
(Ex) la valori mai mari ale lui. (This leads to an effect called
“velocity saturation.”)
<vx> m Constantă (câmpuri joase). Notați constanta m => linear plot.
Vsat
10 cm/s
7

La ~107 cm/s, purtătorii de sarcină KE devine aceiași

Ca și valoarea kBT.
ns
106 cm/s
tro

s Astfel: energia adăugată tinde să încălzească rețeaua

c

le
ele

ho

cristalină mai repede decât crește viteză purtătorilor

105 cm/s de sarcină le permite să fie în afara rețelei date.
Viteza devine o constantă, grație saturației
Ex (V/cm)
102 103 104 105 106
DEPENDENȚA MOBILITĂȚII PURTĂTORILOR DE
SARCINĂ

Împrăștierea pe fononi Împrăștierea pe impurități ionizate

 Ce face Ex cu diagrama benzilor energetice?

Curentul de drift depinde de Ex.

Câmpul electric extern deformează benzile energetice (le
îndoaie sau le deformează): EC, EV și Ei. We can show
this.
• Notați: Eelectron
Eelectron = Total E
 = PE + KE e-
EC
Cât de mare este PE vs. KE??? Eg
EV
h+
 Benzile energetice în câmpuri electrice
EC este limita inferioară pentru energia potențială PE (energia
necesară pentru a rupe un electron dintr-o stare de legare
Oriunde mai sus de EC este energia cinetică KE , atunci.
PE trebuie să aibă totdeauna referință! Arbitrar alegem
(EREF = Constant) Eelectron

Atunci PE = EC-EREF e-
KE
De asemenea cunoaștem, că EC = PE
Eg
PE=-qV EV = PE
PE
KE
h+
EREF
 Benzile energetice în câmpuri electrice II
Câmpul electric și tensiunea aplicată sunt legate prin
relația: E = -ÑV (sau în 1-D E=-dV/dx)
• Astfel: PE = EC-EREF = -qV sau V = -(EC-EREF)/q
• Ex = -dV/dx = -d/dx{-(EC-EREF)/q} sau
 1 1 dEC
Ex = +(1/q) dEC/dx E  q ÑEC or E x  q dx
 1 dEV
E  q ÑEV or E x  q dx
1

 1 dEi
E  q ÑEi or E x  q dx
1
 Benzile electrice în câmpuri electrice III
Câmpul electric indică totdeauna o
creșterea în BC EC.
Eelectron

Ex
EC
Ei
Eg EV

EREF
 Dar ce se întâmplă cu nivelul Fermi?
 Altă definire a nivelului Fermi
Nivelul Fermi este măsura energiei minime a sau “energia
potențială electro-chimică” a particulelor în SC.
ASTFEL:

Energia Fermi este o constantă în SC în

echilibru și nu are gradient (înclinare) sau
discontinuitate.

Nivelul Fermi este real un punct de reper E REF!

Difuzia I

t=0

t1
Let’s look more in depth
t2 at this section of the
curve.
t3

tequilibrium
 Difuzia II

n(x)
nb0 Observăm o mișcare de la regiuni cu
nb1 concentrații înalte spre cele joase

nb2

(0) (1) (2)

Linia cu înclinarea:
nb 2  nb1
Jumătate din
l
 dn
dx
e- merg la dreapta x0
Jumătate – la stânga.
x-axa
x0  l x0 x0  l
 Difuzia III
 Nr Net de electroni ce traversează x0 este:
• Nr ce merg în dreapta: 0.5*nb1*ℓ*A
• Minus nr ce merg în stânga: 0.5*nb2*ℓ*A
• Cantitatea Net este = 0.5*ℓ*A*(nb1-nb2)
• (notați ℓ*A=volumul segmentului.)
 Flux
= # particulelor ce traversează în unitate de timp o unitate de suprafață.
Simbol : f

f = 0.5*ℓ*A*(nb1-nb2) (t = timpul liber)

t*A
sau f = 0.5*ℓ (nb1-nb2)
t
 Difuzia IV
 Folosind faptul, că înclinarea (dn/dx) = -(nb1-nb2)/ℓ ne dă:
f = - 0.5*ℓ2 dn or f = -Dn*dn/dx (electroni)
t dx
or f = -Dp*dp/dx (goluri)

 Acum: Când sarcinile se mișcă – obținem curent electric. Astfel, densitatea

curentului este direct proporțională cu fluxul particulelor. Ecuațiile sunt:
• (electroni) (goluri)

J p   qf p
J n   qfn
dp
  qDn dn (1  D)   qD p dx (1  D)
dx
  qDnÑn (3  D)   qD pÑp (3  D)
 Difuzia V
Să vedem unexemplu:
n(x) dn/dx = 0 aici

J(x)

Electronii difuzează în afara

Centrului – spre margini
 Curentul total
Acum cunoaștem că curentul total este format din 2
curente:
• DRIFT – la aplicarea oricărui câmp electric
• DIFFUSION – la orice gradient de concentrații (dp/dx, dn/dx) și
mișcare termică.
 
J n  qnmn E  qDnÑn
Drift Diffusion J total  J p  J n
 
J p  qpm p E  qD pÑp
 Răspuns la o întrebare mai veche
 Cum putem să avem curent egal cu + V -

zero la existența unui câmp electric

aplicat? Semiconductor
Ex
Eelectron
Difuzia poate balansa Ex EC
Driftul! Ei
Exemplu: EF
r r
J p  qpm p E  qD p Ñp  0 EV

sau
r D p 1 dp Looks Looks
E m p p dx N-type P-type
 Ecuația Einstein
Cunoaștem deja, că: p=niexp((Ei-EF)/kBT)
Punem aceasta în ecuația noastră pentru câmpuri electrice, și
notând că dEF/dx = 0 … obținem
 Ecuația Einstein
Dp k BT Dn k BT
mp
 q
and mn
 q

Estefoarte utilă!
 Dacă cunăaștem m, obținem și valoarea lui D.
 O verificare
Care
Admitem,
vor fică
fluxurile
avem: și curenții?

x Goluri Mecanism Electroni

Ex
Difuzia
Flux (f)
Densitatea curentului (J)
n(x) Drift
Flux (f)
Densitatea curentului (J)
p(x)

31
 Recombinarea – Generarea I
Generarea (G): cum sunt
produși sau creați e- și h+ .
Recombinarea (R): cum e- și h+
sunt distruse/anihilate sau
înlăturate Ee
G R
La echuilibru r = g și EC

Deoarece rata/tempul generării hv hv

EV
este dictat de temperatură vom
scrie că: r = gthermal x
 Recombinarea – Generarea II
Recombinarea va depinde
de
• # electronilor: no
• # golurilor: po
(dacă nu sunt e- sau h+, nu va fi
Cu creșterea T
recombinarea!)
• gthermal crește
Din reacția chimică
• e- + h+ → Nimic (anihilare) astfel
• ni va crește de
cunoaștem,că
asemenea!
• r = αrnopo = αrni2 = gthermal
Coeficientul ratei de recombinare
 Recombinarea

Cu emisie Fără emisie

Oje-
Fononică
recombinare

Cu surplus W (egal cu ΔW) se transmite:

Fotonilor
Rețelei cristaline Electronilor și golurilor

Este condus de emisia cuantei de Este posibilă la ciocnirea a

lumină și posibilă, când În rezultat rețeua cristalină se trei purtători de sarcină:
electronii și golurile până la încălzește (fonon-cuanta a electronului și golului ce
recombinare au aceiași valoare a oscilațiilor termice a rețelei recombină cu un electron sau
impulsului dar cu semn opus cristaline gol la care se transmite
energia (probabilitatea mică)
 Recombinarea – Generarea III
Varietatea mecanismelor de recombinare:
Ee Directă, Bandă Bandă Auger
G R
EC Ee

hv hv G R
EV EC
x
Ee EV
Indirectă via R-G centre
G R x
EC
R-G Centre – nivele energetice

EV
x
 GaAs are tranziții
directe bandă bandă Eg – banda interzisă

Recombinarea directă
electron-gol are loc.
Electronii cad din minimul
BC în BV cu eliberarea
fotonului

GaAs band structure produced by J. R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976)
using an empirical Pseudo-potential method see also: Cohen and Bergstrasser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
 GaAs band structure produced by W. R. Frensley, Professor of EE @ UTD
using an empirical Pseudo-potential method see also: Cohen and Bergstrasser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
 Si are tranziții indirecte
Eg – Banda interzisă
bandă - bandă

Numai recombinarea
indirectă poate avea loc a
electronilor cu golurile.

Electronii cad din minimul

BC pe centre R-G din
interiorul benzii interzise ,
ulterior din aceste R-G
centre cad mai departe în
BV. Nu se eliberează
fotoni în acest caz

Silicon band structure produced by J. R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976)
using an empirical Pseudo-potential method see also: Cohen and Bergstrasser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
 Silicon band structure produced by W. R. Frensley, Professor of EE @ UTD
using an empirical Pseudo-potential method see also: Cohen and Bergstrasser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
 Nivelul Fermi
Electronii în solide se conformă statisticii Admiteri pentru aplicarea
Fermi - Dirac acestei statistici:
1 (4.6)
1. Indistructibilitatea
f (E) 
1  exp ( E  E F ) / kT  electronului,
2. Natura ondulatorie a
Unde constanta Boltzmann - k=8.62ּ10-5 eV/K=1.38 10-23 J/K. electronului
3. Principiul de interzicere Pauli

Funcția f(E) distribuția Fermi-Dirac ne arată probabilitatea că o stare energetică disponibilă la E va fi

ocupată de un electron la temperatura absolută T.
Valoarea cantitativă EF se numește nivel Fermi level, și este o valoare cantitativă importantă în analiza
comportamentului solidelor și în special a SC. Pentru energii E = EF probabilitatea de ocupare a stărilor de
energie este
1 1
f ( E F )  1  exp ( E F  E F ) / kT  
1
  (4.7)
11 2
Aceasta este probabilitatea electronilor de a ocupa nivelul Fermi level.
 Funcția de distribuție Fermi – Dirac
La T=0K f(E) este rectanghiulară
denominatorul exponentei fiind
1/(1+0)=1 când (E<Ef), exp. negativă
1/(1+)-0 când (E>Ef), exp. pozitivă

La 0 К orice stare energetică disponibilă până la EF este

completată cu electroni, iar orice stare energetică mai sus de
EF este liberă de electroni.
La T˃ 0 K, există o probabilitate f(E) pentru stările energetice
mai sus de nivelul Fermi să fie ocupate cu electroni și această
probabilitatea este egală cu probabilitatea [1 - f(E)] că stările
mai jos de nivelul Fermi EF să fie liberi de electroni.
Funcția Fermi este simetrică față de EF la orice temperatură.

F-D funcția în dependență de T Probabilitatea existentă, că

Stările E mai sus EF sunt ocupate – f(EF+ E)
Stările E mai jos de EF sunt ocupate – [1- f(EF - E)]

Simetria distribuției stărilor energetice ocupate sau libere fașă de E F indică nivelul Fermi ca un punct reper natural în
calculul concentrației electronilor și golurilor în SC.
 Relații între f(E) și structura benzii
Probabilitatea
distribuției cozii
electronului f(E)

…și a golurilor
[1-f(E)]

În SC intrinsec nivelul Fermi EF trebuie să fie la mijlocul benzii interzise.

În n-SC funcția de distribuție f(E) va fi plasat mai sus de poziția în SC intrinsec Diferența dintre energii (Ec – EF) ne indică măsura concentrației n.
Pentru p-SC nivelul Fermi este plasat mai aproape de BV , astfel că coada funcției [1-f(E)] mai jos de Ev este mai largă (extinsă) ca coada funcției
f(E) mai sus de Ec. Valoarea (EF – Ev) indică cât de puternic este p-SC.
Funcția de distribuție are valori în spațiul de energii între Eν și Ec, dar nu sunt stări energetice disponibile și deci nici un electron nu le poate
Concentrațiile de Electroni și Goluri în Stare de Echilibru
Dacă cunoaștem densitățile stărilor în BV și BC, funcția de distribuți Fermi este utilă în calculul
concentrațiilor electronilor și golurilor în SC.
Concentrația electronilor în BC este 
n0   f ( E ) N ( E )dE
Ec
(4.8)

unde N(E)dE densitatea stărilor (cm-3) în intervalul de energii dE. Subscriptul 0 notat pentru simbolurile
concentrațiile de electroni și goluri (n0, p0) indică condițiile de echilibru a calcului.

Numărul de electroni per unitate de volum în intervalul de energii dE este product al densității stărilor și
probabilității de ocupare a lor f(E). Astfel, concentrația totală a electronilor este integralul pe întreaga
BC. Funcția N(E) poate fi calculată cunoscând mecanica cuantică și principiul de interdicție Pauli.
N(E) este proporțional cu E1/2, astfel densitatea stărilor în BC crește cu energia electronilor.
Pe de altă parte, funcția Fermi devine foarte mică pentru energii largi. Aceasta este datorită că
productul f(E)N(E) descrește rapid mai sus de Ec, și foarte puțini electroni ocupă stări energetice în
depărtare mai sus de coada BC.
Similar, probabilitatea găsirii stărilor libere (goluri) în BV [1 - f(E)] descrește rapid mai jos de Ev, și mai
multe goluri ocupă stări energetice în apropierea de vârful BV.
Diagrama benzilor, densitatea stărilor energetice, distribuția Fermi-Dirac,
concentrations purtătorilor de sarcină în echilibru termic

SC Intrinsec

n- SC

p-SC
 Concentrația de electroni în BC este pur și simplu densitatea efectivă a stărilor la Ec de
ori probabilitatea de ocupare la Ec:
n0  N c f ( E c ) (4-9)

În această expresie am presupus,că nivelul Fermi EF cu câteva kT mai jos de BC. Astfel,
termenul exponențial este mult mai mare ca unitatea și Fermi funcția f(Ec) se simplifică la
1
f ( Ec )   exp  ( Ec  EF ) / kT  (4-10)
1  exp ( Ec  EF ) / kT 

Deoarece kT la temperatura de cameră este numai 0.026 eV, aproximarea este bună.
Pentru aceste condiții concentrația electronilor în BC este:
n0  N c exp  ( Ec  E F ) / kT  (4-11)
Poate fi demonstrat, că densitatea efectivă a stărilor Nc
este: *
2mn kT 3 / 2 (4-12)
N c  2( 2
)
h
Valorile Nc pot fi tabulare ca funcție de T. După cum Eq. (4-11) indică, concentrația
electronilor crește cu deplasarea EF spre BC.
Prin argumente similare, concentrația golurilor în BV:
p 0  N v [1  f ( E v )] (4-13)
unde Nv este densitatea efectivă a stărilor în BV
 Probabilitatea de identificare a stărilor libere la Ev, este:
1
1  f ( Ev )  1   exp  ( E F  Ev ) / kT  (4-14)
1  exp ( Ev  E F ) / kT 
pentru EF mai mare ca Ev cu câteva kT.
p0  N v exp  ( E F  Ev ) / kT  (
Din această ecuație concentrația golurilor în BV este: 4-15)

2m *p kT
Densitatea efectivă a stărilor în BV redusă spre marginea benzii este: N v  2( 2
)3/ 2 (4-16)
h

Eq. (4-15) indică, că concentrația golurilor crește cu deplasarea EF mai aproape spre BV.
Concentrațiile elctronilor și a golurilor se reies din Eqs. (4-11) și (4-15) sunt veridice indiferent că SC
sunt intrinseci sau dopați are valid whether the material is intrinsic or doped, cu condiția menținerii
echilibrului termic.
Astfel, pentru SC intrinsec EF este în poziția unui nivel Ei în apropierea mijlocului benzii interzise, și
concentrațiile electronilor și golurilor:

ni  N c exp  ( Ec  Ei ) / kT  , pi  N v exp  ( Ei  Ev ) / kT  (4-17)

 Produsul n0 p0 în echilibru este constant pentru SC dat și la T dată, chiar dacă doparea variază:

n0 p 0  ( N c exp  ( E c  E F ) / kT  )( N v exp  ( E F  E v ) / kT  ) 
(4-
18a)

 N c N v exp  ( E c  E v ) / kT   N c N v exp  E g / kT 
ni p i  ( N c exp  ( E c  E i ) / kT  )( N v exp  ( E i  E v ) / kT  )  N c N v exp  E g / kT 
(4-18b)
În Eqns. (4-18a) și (4-18b) Eg = Ec – Ev. Concentrațiile intrinsece ale electronilor și golurilor
sunt egale (deoarece purtătorii sunt generați în perechi), ni = pi ; astfel concentrația intrinsecă este:

ni  N c N v exp( E g / 2kT ) (4-19)

Produsul constant din Eq. (4-18) poate fi scris ca

n 0 p0  ni2 (4-20)

Este o relație extrem de importantă, și o să o utilizăm

în calcule ulterioare.
Ex.:ni = 1.1 x 1010 cm-3 pentru Si la T=300K
 Comparând Eqs. (4-17) și (4-19), notăm, că nivelul intrinsec Ei este mijlocul benzii interzise
(Ec - Ei= Eg/2), dacă densitățile efective a stărilor Nc , Nv sunt egale.
Există o mică diferență în masele efective a electronilor și golurilor (e.g. Si – mn*=0.26m0,
mn*=0.39m0), astfel Nc și Nν vor fi puțin diferite ca valoare, ce reiese din Eqs. (4-12) și (4-16).
Altă modalitate convenientă de a scri Eqs. (4-11) și (4-15) este

n0  ni exp ( E F  Ei ) / kT  (4-21)

p0  ni exp ( Ei  EF ) / kT  (4-22)

Obținută prin aplicarea Eq. (4-17). Această formă de expresie ne indică direct că concentrațiile
electronilor este ni, când EF este un nivel intrinsec Ei, și, că n0 crește exponențial cu deplasarea
nivelului Fermi se îndepărtează de Ei spre BC.
Similar, concentrația p0 variază de la ni, spre valori mai mari cu deplasarea EF de la Ei spre BV.
Deoarece aceste ecuații dezvăluie direct caracteristicile calitative ale concentrației purtătorilor de
sarcină, ele sunt deosebit de convenabile pentru calcule ulterioare.
Deci, le ținem minte!
• Atomii elementelor din grupele I, II, VI şi VII dau în banda
interzisă a SC legături chimice covalente nivele energetice
mult mai depărtate de marginea inferioară a BC sau de
marginea superioară a BV.

• În tabelul 5.1 sunt date nivelele energetice pentru câteva

impurităţi-dopante în Ge şi Si. Aceste elemente pot intra în
reţeaua cristalină ca atom donor (D) sau acceptor (A) şi pot fi
ionizate o singură dată sau dublu ionizate. Se pot realiza
astfel situaţii, când una şi aceeaşi impuritate formează atât
nivele acceptoare cât şi donoare, de exemplu Cu sau Au în Ge
(vezi Tabelul 5.1).
Impurități donoare în Si Ec(-) / Impurități acceptoare în Si Ec(-) / Ev(+), eV
Ev(+), eV

P -0,044 B +0,015

As -0,049 Al +0,057

Sb -0,039 Ga +0,065

Li -0,033 In +0,16

Ag +0,34 Cu +0,024

Au +0,35 Cu+ +0,37

Mn -0,53 Cu ++
+0,52
Ag -0,033

Au -0,54

Zn +0,31

Zn+ +0,55

Impurități donoare în Ge Impurități acceptoare în Ge Notă: semnul (-)

P -0,012 B +0,0104 denotă poziția
nivelului mai jos de
As -0,0127 Al +0,0102

Sb -0,0096 Ga +0,0108

fundul benzii de
Li -0,0093 In +0,0112

Au +0,05 Cu +0,04

Mn -0,37 Cu+

Cu++
+0,33

-0,026
conducție,
Ag

Ag +
+0,13

-0,29
iar semnul (+) – mai
Au

Au+
+0,16

-0,2
sus de banda de
Au

Zn
++
-0,04

+0,03
valență.
Zn+ +0,09

Cd +0,05

Cd +
+0,16
 COMPENSAREA IMPURITĂȚILOR ÎN SC EXTRINSECI
• Este evident, că cu cât este mai mare concentrația de donori Nd, cu atât este mai
mare concentrația de electroni, iar cu cât este mai mare concentrația de acceptori
Na , cu atât mai mare este concentrația de goluri în semiconductor.
• Dacă un semiconductor este dopat și cu donori și cu acceptori observăm procesul de
compensare reciprocă a impurităților (vezi ex. fig. 2.13).
• Compensarea poate fi diferită:
• deplină (Nd = Na). În acest caz comportamentul semiconductorului
• va fi similar semiconductorului intrinsec;
• parțială. Dacă Nd > Na, semiconductorul va fi ca un semiconductor
• de tip n. Dacă Nd < Na, semiconductorul va fi ca un semiconductor de
• tip p.
• Notă importantă:
• La concentrații foarte înalte a impurităților nivelul Fermi poate să se
deplaseze în afara benzii interzise în BC (în SC tip n) sau în BV (SC de tip p).
Astfel de semiconductori se numesc degenerați
 Conductivitatea SC intrinseci și extrinseci

s  nqm

n 0 p0  ni2

For Si mn = 0.135 m2/Vs, mp = 0.048 m2/Vs;

for Ge mn = 0.39 m2/Vs, mp = 0.19 m2/Vs.
 Conductivitatea SC Extrinsec
Densități tipice a sarcinilor în SC intrinsec și extrinsec
Si intrinsec la 300K, ni = 1.5 x 1016/m3
Extrinsec Si dopat cu As → n=1021atoms/m3:
Purtători majoritari n0 = 1021 e/m3 ; legea acțiunii maselor: ni2 = n0p0
Purtători minoritari: p0 = (1.5×1016)2/1021 = 2.25 x 1011 holes/m3
Conductivitatea:
Purtători majoritari:
sn = 1021x0.135x1.6x10-19 (e/m3 ) (m2 /Vs) (As C)
=0.216 ( cm)-1
Purtători minoritari:
sp = 2.25x10-11 x 0.048 x1.6x10-19 =
0.173x10-10 ( cm)-1
Conductivitatea totală stotal = sn + sp 
0.216 ( cm)-1
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Conductivitatea SC intrinsec și extrinsec vs Temperatura

Illustrative Problem: calculate s

of Si at room temperature (20 oC
→293 K) and at 150 oC →423 K).
 Rezumat
SC intrinsec

SC dopat / extrinsec n 0 p0  ni2

n-type p-type

n0  ni exp ( EF  Ei ) / kT  p0  ni exp ( Ei  EF ) / kT 