Tranzistorul MOS

1. Prezentare general Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), un exemplu fiind prezentat n Figura ! "ele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DREN, GRIL, respectiv SURS!

Figura ! Tranzistorul MOS!

#n func$ie de structur, exist dou categorii principale de tranzistoare MOS% a anal in!us u anal ini"ial

#n plus, n func$ie de structura canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de & tipuri 'i anume% cu canal de tip N cu canal de tip P (iferen$ele de func$ionare ntre tranzistoarele MOS cu canal indus, respectiv cu canal ini$ial sunt minore, din acest motiv, n continuare se vor prezenta numai tranzistoarele MOS cu canal indus, fiind remarcate numai diferen$ele ntre cele & clase de tranzistoare! #n circuitele electronice, tranzistoarele MOS sunt simbolizate ca n Figura &!

Figura &! Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS!

#. Mrimile ele tri e ale tranzistorului $i%olar )a nivelul tranzistorului MOS apar * mrimi electrice% curent + curentul care este generat ntre (,-./ 'i S0,S/% o iD + curentul de dren 1 tensiuni + tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor% o &GS + tensiunea gril2surs o &GD + tensiunea gril2dren o &DS + tensiunea dren2surs Sensul curentului de dren este de la dren 'i surs! ,eferin$ele tensiunilor depind de tipul canalului tranzistorului MOS! 3stfel, sensul curentului, respectiv referin$ele tensiunilor sunt prezentate n Figura 1! #n aceast figur s2a reprezentat 'i curentul din grila tranzistorului notat iG! Trebuie re$inut ns c valoarea acestui curent este ntotdeauna nul!

Figura 1! Mrimile electrice ale tranzistoarelor MOS! "urentul i 456 intotdeauna!

'. (un "ionarea tranzistorului MOS. ,ela$iile dintre mrimile electrice ale tranzistorului MOS depind de regimul de func$ionare al acestuia! Tranzistorul MOS poate func$iona n 1 moduri distincte, numite regiuni de func$ionare, stabilite de rela$ia dintre tensiunile tranzistorului! ,egiunile de func$ionare ale tranzistorului MOS sunt% REGIUNE) DE *LO+)RE, o condi$ia de func$ionare% &GS 7 -T. (canal .) unde -T. reprezint un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de prag8 valoarea acestei tensiuni este% pozitiv pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip ., negativ pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip 98 negativ pentru tranzistorul MOS cu canal ini$ial de tip ., pozitiv pentru un tranzistor MOS cu canal ini$ial de tip 98 o n aceast regiune, func$ionarea tranzistorului MOS este descris de ecua$ia de func$ionare%
iD = 0

:!;

o n aceast regiune, comportamentul tranzistorului MOS poate fi exploatat pentru prelucrarea sau generarea semnalelor digitale! REGIUNE) LINI)R%

o condi$ia de func$ionare% &GS < -T. 'i &DS 7 &GS / -T. o n aceast regiune, func$ionarea tranzistorului MOS este descris de ecua$ia de func$ionare%
v i D = 2 k vGS VTH DS 2 v DS

:!=

unde 0 este un parametru al tranzistorului care se msoar n

mA V2

(miliamperi mpr$it la vol$i la ptrat)!

o n aceast regiune, tranzistorul MOS se comport ca o rezisten$ a crei valoare poate fi controlat de o tensiune + tensiunea gril2surs! REGIUNE) DE S)TUR)1IE% o condi$ia de func$ionare% &GS < -T. 'i &DS < &GS / -T. o n aceast regiune, func$ionarea tranzistorului MOS este descris de ecua$ia de func$ionare%
i D = k ( vGS VTH ) 2

:!>

o n aceast regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru prelucrarea analogic a semnalelor, fiind singura regiune de func$ionare n care tranzistorul .OS poate )MPLI(I+) LINI)R semnale8

Funcionare i utilizri
TEC-MOS sunt foarte mult utilizate n realizarea circuitelor integrate n

special n circuite digitale . Ele sunt utilizate att ca dispozitive active ct i ca rezistene sau capacit i . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un nivel mare de comple!itate la preuri de cost reduse. Creterea gradului de integrare prin micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacit ilor parazite i la creterea vitezei de lucru. O aplicaie important a tranzistorului TEC - MOS este inversorul CMOS . tranzistoare cu "cesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizeaz

simetrie complementar . "vanta#ul principal al familiei CMOS este consumul

de putere foarte mic. $nversorul CMOS poate fi utilizat i ca amlificator de semnal mic. %ot fi folosite i n comutaie& un circuit CMOS important fiind comutatorul 'ilateral pentru semnale analogice&

Defecte
(n dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa sutelor care pot distruge tranzistorul . )in aceast contact * mna operatorului& ciocanul de lipit+ . %entru a evita distrugerea componentelor MOS pinii acestora vor fi scurtcircuitai printr-un fir conductor pn introducerea n circuit toate intr rile neutilizate vor fi conectate la mas & la E S sau la E) utilizatorul va evita folosirea n m'r c minte a unor materiale care favorizeaz acumularea de sarcini electrice este indicat folosirea unei 'r ri metalice prin care mna operatorului s fie conectat la potenialul de referin Tre'uie precizat c unele dispozitive MOS sunt prev zute cu circuite de protecie ncapsulate. dup cauz de apariia unor tensiuni la utilizarea TEC-MOS

accidentale pe poart . Sarcini e!trem de mici pot determina tensiuni de ordinul tre'uie luate precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau