Semiconducto

ri
Iankovszky Cristina

Cuprins:

Benzile de energie. Conductori,

semiconductori, izolatori
Semiconductori intrinseci
Semiconductori extrinseci
Probleme
Jonciunea pn. Dioda semiconduc toare
Caracteristicile diodei semiconductoare
Trasarea experimental a caracteristicilor
diodei semiconductoare
Redresarea curentului alternativ
Probleme

Nivele

energetice

Benzile de energie.
Conductori, semiconductori,
izolatori Banda de energie
Banda de conductie
Eg Banda
interzisa
Banda de valenta

(nucleu)
(Click pe fiecare termen daca dorii sa aflai
mai mult..)

Prin nivel
energetic
Banda
de
n
atomul
liber,
provenit
de o
la valen
nivelul
ntelegem
stare
este
separat
de
banda
deasupra
nivelului
de
energetic
discret
al
energetic
posibil
de
conducie
printr-un
valen,
atomului
pese
caregsesc
se afl
ntr-unsistem
cuantic
interval
energetic,
nivele
electronii
de energetice
valen
se
atom,
molecul,
denumit
band
care,dei
sunt
libere,
numete
band
de
nucleu, cristal,
etc.)
interzis,
n
care
nu
eleFiecare
pot fi ocupatenivel
cu
valen.
exist
nivelenenergetice
electroni
urma
energetic
discret
al
Gradul
de
ocupare
pentru
electroni.
excit
rii
atomului.
n
atomului,
cu
electroni
aelectroni
nivelelor
Ocuparea
cucaracterizat
a
cristal
nivelul
liber
al
prin
perechea
de
energetice
valen
nivelelor
dindebanda
de
atomului
se
numere
cuantice
(n,l),
depinde
de
natura
conducie
poate
ncepe
transform
ntr-o
n
cristal
se
transform
chimic
atomilor,
de
numai
n amomentul
cnd
band
de
sbnivele
ntr-o
band
structura
cristalin
sau
electronii
din banda
de
libere
care
poart
energetic.
de
ali factori;
ea poateo
valen
primesc
denumirea
de
band
Noiunea
de
benzi
fi
ocupat
parial
sau
energie
cel
puin
egal
de
conducie.
energetice
(nivele
complet
de electroni.
n
cu
lrgimea
benzii
energetice)
reflect
mod
normal electronii
interzise.
numai n
starea
aflai
banda
de
energetic
a
valen
au cea mai

n funcie de gradul de ocupare cu electroni a

benzilor de energie, corpurile solide pot fi mprite
n: conductoare, semiconductoare, izolatoare.

Banda de conductie

Eg > 3
eV
Eg < 3
eV
Banda de
valenta

Conductoare
Izolatoare
Semiconduct
Conductoarele
Izolatoarele
sunt
(metalele)
oare solide
Corpurile
a cror

substane
au deasupra
care
benzii
nueste
de
band
de valen
valen
permit
complet
trecerea
ocupat
complet
ocupat
cu
cu
curentului
electroni
electric.
o banda
band de
de
electroni,
iar
Orict
conducie
energie
parial
ar primi
ocupat
conducie
complet
liber
electronii
cu din
electroni.
banda
de
este separat
de banda
valen
nuprintr-o
ar putea
de
valen
band
faceinterzis
saltul nngust
banda de
de
conducie
deci
nu avem
lrgime E
g < 3 eV , sunt
sarcini
electrice libere
semiconductoare.
Electrical
care s participe
laCurrent.swf
formarea curentului
electric.

Semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a cror
conductivitate electric = 1/ = 104....108
1/m este cuprins ntre cea a metalelor
i cea a izolatoarelor, fiind influenat de
temperatur ( la temperaturi joase sunt
izolatoare i la temperaturi nalte sunt
conductoare.
Semiconductoare intrinseci (
pure)
Semiconductoare
Semiconductoar
e extrinseci ( cu
impuriti

de tip n
de tip p

Conducia electric a
semiconductorilor
La temperaturi joase un semiconductor
este un isolator cu rezisten electric
foarte mic.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Atomii aflai n
nodurile reelei
cristaline
oscileaz n
jurul poziiei de
echilibru. La o
anumit
temperatur
vor avea o
energie
cinetic finit,
existnd
posibilitatea ca
electronii
periferici s
prseasc
atomii
devenind liberi.

Benzi de energie (eV)

Aducerea unui electron n starea de conducie nseamn

trecerea lui din banda de valen (BV) n banda de conducie
(BC).
Prin plecarea electronului din BV n BC, n urma lui apare un
nivel energetic liber numit gol. Apariia unui gol este
echivalent cu apariia unei sarcini electrice pozitive.

Cristal de siliciu
( germaniu )

Si

Si

Si

Si

Si

Si

BC
Eg
BV

Benzi de energie (eV)

Fe

Fe
BC
Eg
BV

Dac semiconductorului i se
aplic o diferen de potenial,
electronii din banda de
valen vor ncepe s se
deplaseze n sens invers
cmpului electric; golurile vor
fi ocupate tocmai de acei
electroni care se apropie de
ele, lsnd n urma lor noi
goluri.
Electronii se vor deplasa de la
n-
semiconductoare
sunt
la + iar golurile
n posibile
sens
dou tipuri de
conducie
electric:
invers.
- conducia electronic,
determinat de deplasarea
electronilor n banda de conducie;
- conducie de goluri, determinat
de deplasarea golurilor n banda de
valen.

gener
are

n
cazul
semiconductorilor
intrinseci, datorit agitaiei termice
electronii pot trece din banda de
valen n banda de conducie BC,
procesul numindu-se excitare termic
intrinsec
(
generare
termic
intrinsec ). n urma acestui proces
apar electroni i goluri n numr egal.
Pe de alt parte are loc i procesul
invers
generrii
i
anume
recombinarea electronilor cu golurile,
respectiv trecerea electronilor din
banda de conducie BC n banda de
valen BV.
Prin urmare, n regim de echilibru
termodinamic
la
o
anumit
temperatur T, numrul actelor de
generare este egal cu numrul
undeactelor
ni concentraia
de recombinare, iar n semiconductor
intrinsec
se va stabili o concentraie staionar

BC
recombin
are

Benzi de energie (eV)

Semiconductori intriseci

Eg
BV

Semiconductor de tip n
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip n se
introduc ntr-un semiconductor pur impuriti donoare
( donori ) adic, atomi cu valena V precum fosfor (P)
sau arseniu (As).

Si

Si

Si
As

As
Si

Si

Si

Ed energia de ionizare
Nd concentraia donorilor

- atomi donori

BC

- ioni ai atomilor donori

n - concentraia total a
electronilor liberi din BC
p - concentraia golurilor n
BV

Donorii dau nivele energetice mai apropiate

de banda de conducie, electronii putnd fi uor
transportai de pe un astfel de nivel pe banda de
conducie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor n
banda de conducie poart numele de excitare
(generare) termic extrinsec a electronilor.
Poate avea loc i procesul invers de trecere a
electronilor din banda cde conducie pe nivelul
donor, proces denumit recombinarea electronilor
pe nivelul donor.

Ed

Eg
BV

n = p+
Nd

Semiconductor de tip p
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip p se
introduc ntr-un semiconductor pur impuriti
acceptoare ( acceptori) adic, atomi cu valena III
precum bor (B) sau galiu (Ga) .

Si

Si

Si
B

B
Si

Si

Si

Ea energia de ionizare a
acceptorilor
Na concentraia acceptorilor
- atomi acceptori

BC

- ioni ai atomilor
acceptori
p - concentraia total a
Ea
golurilor din BV
n - concentraia electronilor
n BC
Procese
care
au
loc
n
semiconductorii de tip p
la temperaturi coborte predomin
schimbul de goluri dintre BV i nivelul
energetic Ea al acceptorilor, avnd loc
acte de generare i recombinare a
golurilor;
la temperaturi mai nalte are loc i
generarea intrinsec.

Eg
BV

p = n+
Na

Jonciunea p-n
p

E
Jonciunea p-n reprezint zona de trecere
( contact) care se formeaz ntr-un cristal
semiconductor, la care o parte conine impuriti
acceptoare ( tip n) iar cealalt impuriti donoare
(tip p). Ea are o lrgime l = 10-4.10-5 cm.

Dioda semiconductoare
Jonciunea pn are caliti
redresoare. Astfel aplicnd o
tensiune continu cu :
- polaritate direct (polul plus
la regiunea p i polul minus la
regiunea n), prin jonciune
trece un curent electric a crui
intensitate crete cu creterea
tensiunii aplicate, deoarece
rezistena electric este mic
(Rj = 10 );
- polaritate invers, practic nu
trece curent deoarece are loc
o lrgire a stratului de baraj
care capt o rezisten
electric foarte mare (Rj =
4

Caracteristicile diodei
semicoductoare
U
Ub
Ub-U

Cnd dioda este polarizat

invers,
cmpul
extern
aplicat
avnd acelai sens cu cmpul de
baraj,
micarea
purttorilor
majoritari este mpiedicat. n
acest caz, curentul ce strbate
dioda, format numai din purttori
minoritari, este extrem de slab
( de ordinul mA la dioda cu Si i de
ordinul A la cea cu Ge), aa nct
l putem considera practic nul.
Spunem c la polarizarea invers
dioda nu conduce curentul electric.

la
echilibru
Tensiun
e
directa

Prin aplicarea cmpului

exterior n sens direct are
loc o micorare a duferenei
de
potenial
(barierei)
dintre cele dou regiuni,
deoarece cmpul extern are
sens invers cmpului de
baraj, ceea ce nlesnete
micarea
purttorilor
majoritari. n felul acesta, la
polarizare
U direct curentul
electric trece prin diod.
Tensiune
inversa
U +U
b

Ub

la
echilibru

Schema i
simbolul
diodei

Dioda
funcioneaz ca
o supap ce
permite
trecerea
curentului
electric ntr-un
singur sens
(cnd este

Caracteristica real a unei diode

cu jonciune.
n
figur
se
reprezint
caracteristica I = f(U) a unei
diode. Ea pune n eviden
urmtoarele:
a) Intensitatea curentului n
sens direct, dup ce se
depete
tensionea
de
deschidere
UD,
crete
b) n sens contrar, pentru U < 0, intensitatea
curentului
care
trece
exponenial
i
rezistena
prin diod este foarte mic, cu multe
ordine
de mrime
mai mic
diodei
devine
foarte mic.
dect n sens direct. n majoritatea aplicaiilor practice se
consider egal cu zero. Dac tensiunea crete peste o anumit
valoare critic numit tensiune de strpungere dioda
(jonciunea) se strpunge i intensitatea curentului ncepe s
creasc brusc. Fenomenul de strpungere este unul negativ. n
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/d
practic
se urmrete crearea de jonciuni care s reziste la
iode.html
tensiuni
inverse ct mai mari, mii de voli.

Caracteristica static liniarizat

aproximeaz destul de bine, pentru
cureni lent variabili, caracteristica
real a diodei.
Definim rezistena dinamic a
diodei prin relaia:

Rdm

i
i

u
i

pentru
poriunea
nclinat,
corespunztoare
conduciei
diodei. Acest raport reprezint
tangenta unghiului de nclinare
fa de vertical a poriunii
rectilinii nclinate Rdm = tg .

u
0

UD

O diod ideal ar funciona

ca un ntreruptor care este
nchis pentru tensiuni u < 0
(polarizare invers) i
deschis pentru tensiuni
pozitive u > 0 (polarizare
direct). Ea ar prezenta la
polarizare invers o
rezisten infinit, iar n
conducie direct, o
rezisten nul.

u
0

Rdm

UD

(a)
i

dm

Caracteristica liniarizat ar
Dideala
corespunde modelului electric
echivalnd cu o diod ideal
nseriat cu o rezisten,
reprezentnd
rezistena
dinamic a diodei i cu un
generator ideal de tensiune
i
electromotoare
egal
cu
tensiunea de deschidere UD a
diodei reale. (a)
Din compunerea celor trei
caracteristici individuale (b)
rezult
caracteristica D.i
d
liniarizat (c).
0 U
D
Reinem
c
U
i
R
sunt
D
dm
0
,
u

D
modelului. Modelul
parametrii
(b)
i u U D
este descris
,
matematic
u

U
de
D
R
dm

funcia:

u
0

UD

(c)

Trasarea experimental a
caracteristicilor diodei
semiconductoare
Materiale necesare:
diod

semiconductoare;
resistor (cel puin 10 )
surs : 0 12 V c.c.
conductori de legtur;
voltmetru, ampermetru;
reostat.

http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS
/weteis/diode1.htm

Redresarea curentului alternativ

Transformatorul din
Filtrul are rolul de
circuitul
redresor
Prin
redresarea
curentului
alternativea reduce
se
nelege
(netezi)
Redresorul
separ componenta
transformarea
curentului alternativ de joas frecven
n curent
pulsaiile
propriu-zis
de
curent
alternativ
pulsator, utiliznd un dispozitiv numit redresor.
tensiunii
este un
de cea de curent
Pentru redresarea curentului
alternativ se poate
folosiFiltrele
dioda
redresate.
element
continuu
i
n mod obinuit un redresor cu dispozitiv semiconductor
cu jonciune.
se realizeaz de
neliniar (sau
determin
de obicei
este
compus
din:
elementul
redresor
( obicei
dioda
cu
mai multe)
valoarea
tensiunii
semiconductoare ),sursa de curent alternativ elemente
(reea dede
care permite
continue cu
pentru
o
alimentare
energie
electric sau transformator)
un
circuit i
reactive:
Spre
trecerea
valoare
dat
a
Rete filtru de netezire..
condensatoare,
sarci
curentului
tensiunii
de
reaea.
a
bobine, uneori na
i
ntr-un singur
Transforma
Filtru
de
~
rezistoare.
sens.
tor
netezire
Redresor

Redresor monoalternan

Redresorul monoalternan este cel mai simplu redresor. Blocul

redresor
coine un singur element redresor, o diod.
Randamentul sczut este unul dintre dezavantajele acestui
redresor. Un al
doilea dezavantaj este ncrcarea nesimetric a reelei, puterea
fiind absorbit doar n
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternan
este ns destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu i cel mai ieftin.

Redresarea ambelor alternane

Redresor dubl alternan cu
punct median
n cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar i el
trebuie s aib
un secundar cu dou nfurri nseriate, care au acelai numr de
spire, cu un punct
median ntre ele, astfel ca s furnizeze blocului redresor compus
din dou diode dou
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit i ca dou
redresoare monoalternan
legate la aceeai sarcin, n cazul acesta rezistena RS.

n prima semiperioad cele

dou diode sunt polarizate
astfel:
D1
direct,
plusul
tensiunii transformatorului la
anod, iar D2 invers. Schema
echivalent este aceea din
figura (b) (D1 scurtcircuit, D2
ntrerupt) i tensiunea pe
sarcin este egal cu u2, adic o
semialternan pozitiv.

n a doua semiperioad cele

dou diode sunt polarizate astfel:
D1
invers,
minusul
tensiunii
transformatorului la anod, iar D2
direct. Schema echivalent este
aceea din figura (c) (D1 ntrerupt,
D2 scurtcircuit) i tensiunea pe
sarcin este egal cu minus u2
(negativ n acest semiinterval),
adic din nou o semialternan
pozitiv.
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO
Se
obine
n
acest
fel
o
/Red_transfo.html
redresare dubl alternan.

Redresor dubl alternan n punte

Redresorul dubl alternan n
punte are schema, forma tensiunilor
i schemele
echivalente n semiperioadele
distincte de funcionare prezentate
n figur. n cazul
acestui tip de redresor
transformatorul
poate
Se obine n
acestlipsi.
fel o
redresare dubl alternan la fel
ca n cazul anterior.
Avantajul schemei, valoarea
medie dubl fa de redresarea
monoalternan i
deci o eficacitate dubl a
redresrii dar i faptul c este
nevoie de o singur surs de
alimentare.

Blocul redresor este format din 4 diode legate n punte (formnd

un patrulater)
ntr-o anumit succesiune a terminalelor. La una din diagonalele
punii se conecteaz
sursa de tensiune alternativ, sau secundarul transformatorului
dac acesta exist, iar la
a doua diagonal se conecteaz sarcina, R n cazul acesta.

n prima semiperioad sunt

polarizate direct diodele D2 si
D3 i sunt polarizate
invers diodele D1 i D4.
Schema echivalenta este
aceea din figur i tensiunea
pe sarcin este egal cu u2,
adic o semialternan
pozitiv.

n a doua semiperioad sunt

polarizate invers diodele D2
i D3 sunt
polarizate direct diodele D1
i D4. Schema echivalent
este aceea din figur i
tensiunea pe sarcin este
egal cu minus u2 (negativ
n acest semiinterval), adic
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
din nou o semialternan
pozitiv.

Bibliografie

Manual pentru clasa a XI-a; N. Gherbanovschi,

M.Prodan,St. Levai; Ed. Didactica si Pedagogic; Bucuresti
1990
Fizica Manual clasa aXII-a; O. Rusu,L. Dinica, C-tin
Traistaru, M. Nistor; Ed. Corint; Bucuresti 2007
http://mritsec.blogspot.com/2009/01/electronic-deviceanimations.html
http://www.ibiblio.org/kuphaldt/socratic/output/animatio
n_bridge_rectifier_nonideal_fast.gif
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarb
eit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm
http://wwwg.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.ht

Redresarea cu pynte
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCu
rrent.dcr
Redresarea cu 2 diode
http://www.sciences.univnantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
LED
http://www.micro.magnet.fsu.edu/primer/java/leds/basicoperati
on/
Caracteristica diodei
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplo
marbeit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm
Dioda semiconductoare
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcirc
uits/diode.html