Curs EP CS

1.
1.2.1
DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.
STRUCTUR.
n fig.1.13 este prezentat o seciune longitudinal prin structura unei diode de putere,
grosimile straturilor fiind cele tipice.Stratul p+, numit stratul anodului, este nalt impurificat,
1019/cm3, iar stratul n+, numit stratul catodului, tot cu 1019/cm3. Stratul n-, cu o impurificare
Fig.1.13 Seciune printr-o

diod de putere.
Fig.1.14 Simbolul diodei.
redus,1014/cm3 , are rolul discutat n capitolul anterior, grosimea d fiind variabil, n funcie de
tensiunea invers necesar. Simbolul diodei, acelai cu al diodei de semnal, este prezentat in
fig.1.14, cei doi electrozi, anod i catod, fiind simbolizai prin literele A, respectiv K.
1.2.2
CARACTERISTICA STATIC.
Caracteristica static reprezint dependena dintre curentul care trece prin diod n
funcie de tensiunea la bornele acesteia. Caracteristica are dou ramuri: n cadranul unu pentru
polarizare direct i n cadranul trei pentru polarizare invers (fig.1.15).Pentru polarizarea direct,
ca urmare a prezenei stratului n-, caracteristica static se aproximeaz printr-o dreapt pentru
tensiuni vF > VTo, VTo fiind numit tensiune de prag. Ea reprezint tensiunea peste valoarea creia
se amorseaz conducia prin diod. Pentru majoritatea diodelor de
putere 0,7 VTo 1V, sensibil mai mare ca la o jonciune pn
obinuit. Poriunea pentru tensiuni v VTo nu intereseaz d.p.d.v.
al aplicaiilor. Un punct de funcionare oarecare F este
caracterizat prin perechea IF i VF interesnd n aplicaii din dou
considerente. Primul se refer la cderea de tensiune pe diod,
care, pentru variaii ale curentului n limite admisibile, poate
cpta valori maxime de 1,4 1,6 V, indicnd faptul c
modificarea cderii de tensiune VF este relativ redus, iar
Fig.1.15 Caracteristica static.
rezistena diodei n sens direct redus ca valoare , de ordinul m.
Cel de al doilea aspect se refer la pierderea de putere n diod
PF = vF iF
(1.9)
care va determina regimul termic al jonciunii. Ecuaia indic faptul c regimul termic este
determinat esenial de curentul iF prin dioda, ntruct vF se modific relativ puin.
10
ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Ramura caracteristicii statice pentru polarizare invers este caracterizat prin dou mrimi. Pentru
vF < VBR , curentul invers prin diod are o valoare constant, IRM ,
Fig.1.16 Caractersitica
static ideal.
fiind determinat de curentul invers de saturaie. Valoarea acestui

curent depinde de mrimea diodei, avnd valori de la zeci de A
pn la zeci de mA, IRM fiind cu att mai mare cu ct curentul
nominal al diodei este mai mare. Corespunztor valorii IRM,
rezistena n sens invers, ROFF , are valori de ordinul zecilor de M.
Atingerea tensiunii VBR, tensiune de prbuire invers, conduce la
deteriorarea ireversibil a diodei.Rezult c la polarizarea invers
puterea disipat pe diod este nesemnificativ, n timp ce
inegalitatea vF < VBR este esenial pentru integritatea diodei. La
nivelul caracteristicii ideale,diod fr pierderi, fig.1.16, dioda se

comport ca un ntreruptor ideal, pentru v > 0 fiind nchis, iar
pentru v < 0 fiind deschis. In aplicaiile din electronica de putere, unde curenii i tensiunile sunt
de ordinul sutelor sau miilor de amperi i voli, caracteristica ideal aproximeaz destul de bine
caracteristica real.
1.2.3
CARACTERISTICI DINAMICE.
Comutaia cuprinde dou regimuri: trecerea din stare blocat n stare de conducie i
invers. Variaiile curentului iF i tensiunii vF n funcie de timp pentru aceste regimuri reprezint
caracteristicile dinamice ale diodei. Caracteristicile de comutaie intereseaz din urmtoarele
motive:
mrimea timpului de intrare n conducie, notat prin tON, i a
timpului de ieire din conducie (blocare), tOFF;
apariia supratensiunilor sau supracurenilor ;
pierderile de putere n diod generate de aceste regimuri.
n fig.1.17 este prezentat circuitul n care este inclus dioda, iar
n fig.1.18 caracteristicile de comutaie corespunztoare.Se consider c
la momentul t=0 dioda este polarizat invers cu o tensiune VR, care se
Fig.1.17 Circuit pentru
regsete integral n bariera de potenial, adic pe stratul n-. La t > 0
analiza
regimurilor
tensiunea -VR este modificat sub form de treapt la +V. n primul
dinamice.
interval, t1, sarcina spaial, stocat n stratul n- ca urmare a tensiunii
inverse VR , este recombinat prin creterea curentului iF n sens direct. Cnd aceast sarcin
este anihilat, jonciunea capt polarizare direct i ncepe injecia de purttori de sarcin n
stratul de srcire. n acest interval gradientul de curent diF/dt este, n general, determinat de
proprietile sarcinii, respectiv de inductivitatea acesteia, fiind mult mai mic dect cel maxim
admis de diod.n intervalul
t2 sarcina spaial din stratul n- crete, ca urmare a injeciei de purttori, la valoarea de regim
staionar . Valoarea tipic a timpuluide intrare n conducie,
tON = t1 + t2
(1.10)
este de ordinul microsecundelor. Pierderile de putere pe diod n intervalul tON sunt relativ mari
ca urmare a valorilor apreciabile ale curentului IF i tensiunii VF . Datorit valorii reduse a lui tON
energia disipat n diod este ns redus. Dac dioda funcioneaz la frecvene de comutaie mici
energia disipat pe tON este nesemnificativ n raport cu cea de regim staionar i se neglijeaz n
calculul regimului termic. Pentru funcionarea la frecvene mari cele dou energii devin
comparabile i ca urmare se iau n consideraie ambele componente. Comutaia din starea de
ELECTRONIC DE PUTERE
11
conducie n starea de blocare ncepe cu intervalul t3 prin modificarea tensiunii de alimentare de la
Fig.1.18 Caracteristicile dinamice ale diodei.
+V la VR . n intervalul t3 , ca urmare a inversrii tensiunii curentul se micoreaz cu un gradient

diR/dt determinat de proprietile sarcinii i sursei, la fel ca pe intervalul t1. Tensiunea pe diod
rmne la valoarea VFON ca urmare a sarcinii stocate n straturile diodei n starea de conduc
ie.Pentru obinerea strii de blocare, prin refacerea barierei de potenial, este necesar ca sarcina
spaial din jonciune, care a constituit suportul curentului n sens direct, s se recombine i
anihileze. Acest lucru se realizeaz n intervalul t4 prin inversarea sensului curentului prin
jonciune. La sfritul intervalului t4 procesul de recombinare diminueaz ca urmare a faptului,
cea mai mare parte a sarcinii spaiale din straturi fiind recombinat. Ca urmare curentul invers se
micoreaz tinznd spre cel invers de saturaie IRM . La sfritul intervalului t5 se poate considera
c bariera de potenial i capacitatea de blocare pentru tensiuni inverse au fost realizate. Intervalul
de timp
trr = t4 + t5
(1.11)
se numete timp de restabilire invers, fiind o mrime cu importan deosebit n electronica de

putere.Dup valoarea timpului de restabilire invers, trr, diodele de putere se mpart n dou
categorii:
diode standard sau de reea, pentru care trr 10 sec;
diode rapide sau de comutaie, pentru care trr este cuprins ntre 0,2 1sec.
Timpul total al blocrii conduciei are valoarea
t OFF = t 3 + t 5 + t f
(1.12)
i este sensibil mai mare dect trr, depinznd de t3 , deci de proprietile circuitului. La sfritul
intervalului t4 are loc o modificare spectaculoas a gradientului de curent diR/dt, corespunztor
punctului A din fig.1.18. Aceast modificare, prin fenomenul de autoinducie din inductivitile
circuitului, produce creterea brusc a tensiunii inverse la valoarea VRM. Mrimea acesteia precum
i gradientul de cretere pot afecta integritatea diodei. Dac VRM > VBR , dioda se strpunge n sens
invers. Gradientul dvR/dt poate produce efecte secundare n capacitile parazite din jonciune prin
apariia unor cureni necontrolai. Meninerea tensiunii VRM la valori mai mici dect VBR se asigur
fie prin proiectare, fie prin prevederea unor circuite speciale de protecie, care reduc att VRM ct
i gradientul dVR/dt. Puterea disipat n diod are valori mai mari n intervalul tf, ca urmare a
12
valorilor relativ mari ale curentului invers i tensiunii. Luarea n consideraie a pierderilor de
putere are aceleai aspecte ca n cazul intrrii n conducie.
1.2.4
PARAMETRI DE CATALOG PENTRU DIODE.
Lund ca referin notaiile din fig.1.17 se definesc urmtorii parametri:

a) Curentul instantaneu iF cu o variaie oarecare, depinznd de sursa de alimentare i sarcin.
b) Curentul mediu pe o perioad definit prin
I FAV =
1 T
i F (t )dt
T 0
(1.13)
Astfel pentru variaia curentului din fig.1.19, caracteristic unei alimentri sinusoidale,
I FAV =
1
T
T /2
2 I sin tdt =
2I
(1.14)
c) Valoarea efectiv a curentului definit prin

1
T
I FRMS =
i F2 (t )dt
(1.15)
Pentru exemplul din fig.1.19 valoarea efectiv este

I FRMS =
1
T
T /2
2 I sin t dt =
I
2
(1.16)
Curentul direct mediu maxim, numit i nominal, IFAVM, reprezint valoarea medie maxim
permis pentru o diod corespunztor unui curent direct, de form
sinusoidal sau dreptunghiular, cu o durat de conducie de
jumtate de perioad i care determin o nclzire a diodei
admisibil.
e) Valoarea de vrf maxim admisibil a curentului direct IFSM
este constituit de valoarea de vrf a unei semialternane
sinusoidale cu durata de 10 msec. IFSM este indicat n cataloage
Fig.1.19 Calculul curenilor.
pentru temperatura maxim a jonciunii cnd are valoarea
minim.
f) Integrala de curent I2t reprezint valoarea maxim a energiei care poate fi suportat de diod,
corespunztor curentului IFSM, pe o durat t1 = 10 msec.
g) Curentul invers maxim IRRM, definit n fig1.18.
h) Tensiunea direct maxim VFM este tensiunea pe diod n sens direct pentru un anumit curent
direct i temperatur
i) Tensiunea invers de vrf repetitiv VRRM, reprezentnd cea mai mare tensiune invers ce se
poate aplica n mod repetat, periodic, fr a pereclita integritatea diodei.
j)Temperatura de funcionare a jonciunii j , reprezentnd gama de temperaturi n care diod este
apt de funcionare.Exist o limit maxim, jM , cuprins, n funcie de firma care produce dioda,
ntre 125C i 150C.
k) Rezistenele termice de transfer ale cldurii dinspre jonciune spre exterior. Se definesc trei
rezistene termice:
rezistena termic jonciune-capsul, Rthjc, msurabil n C/W ;
rezistena termic capsul-radiator, RthCR;
ELECTRONIC DE PUTERE
1.2.5
13
rezistena termic suplimentar jonciune-capsul, R, care depinde de forma

curentului, sinusoidal sau dreptunghiular, i durata a acestuia pe o perioad.
REGIMUL TERMIC AL DIODELOR.
Pentru orice diod se indic ca dat nominal temperatura maxim admisibil a

jonciunii, jM. Pstrarea integritii diodei n orice regim de funcionare implic nedepirea
acestei temperaturi.Temperatura de la un moment dat a unei diode este determinat de mai muli
factori. Pe de o parte de sursa care produce nclzirea, reprezentat de pierderile de putere ca
urmare a trecerii curentului n sens direct sau invers. O parte din cldura produs se
nmagazineaz n structura diodei, capsul i radiator, iar alt parte se transmite spre mediul
exterior. Transmitarea cldurii spre mediu se face prin cele trei modaliti: conducie, convecie i
radiaie. n cele mai multe din aplicaiile industriale, cu rcire cu aer, convecia este predominat.
Se consider cazul cel mai frecvent cnd dioda este montat pe un radiator, iar rcirea se face prin
convecia natural sau forat a aerului. Pierderile de putere n jonciune, Pj, se furnizeaz de
fabricani n funcie de valoarea medie a curentului n sens direct, forma, sinusoidal sau
dreptunghiular, i durata a impulsului de curent. O astfel de evaluare este prezentat n
fig.1.20, pentru un regim n impuls dreptunghiular cu
durata . Curentul IFAV la care poate funciona dioda este
limitat superior prin linia ntrerupt cu RMS, care
reprezint valoarea efectiv maxim admis de diod. O
diagram asemntoare este data n cataloage pentru
impulsuri sinusoidale. n regim staionar diferitele pri
ale ansamblului diod-radiator ajung n regim
permanent, adic la temperaturi constante, ntreaga
cldur produs n jonciune evacundu-se spre mediul
exterior.
Fig.1.20
Pierderile de
Prin analogie cu circuitele electrice, se
putere
n
diod.
realizeaz o schem echivalent termic, fig.1.21, unde:
rezistenele termice sunt echivalente rezistenelor
electrice;
puterea disipat prin generator de curent electric;
temperaturile prin tensiuni i poteniale electrice.
Fig.1.21 Schema echivalent pentru regimul termic

permanent.
n fig. 1.21 j, C, R i A sunt temperaturile jonciunii, capsulei, radiatorului i mediului

ambiant, iar RthRA rezistena termic radiator-aer.
Determinarea temperaturii jonciunii j pentru o funcionare dat se face dup
j = A + PJ Rth ,
(1.17)
= RthJC + RthCR + RthRA + R
(1.18)
unde
th
14
n cazul lucrului n frecvene nalte, peste 1kHz pierderile de putere provocate de comutaiile ONOFF i OFF-ON nu se mai pot neglija i se introduc n calcul.
1.2.6
ALEGEREA DIODELOR.
Alegerea diodelor utilizate ntr-un convertor se face din dou puncte de vedere, n curent
i tensiune.n curent alegerea const n adoptarea unei diode cu un curent nominal
I FAVM k S I FAV ,
(1.19)
unde IFAV este curentul mediu prin diod , valoarea lui depinznd de tipul i schema convertorului,
iar kS coeficient de suprasarcin admisibil.n tensiune alegerea const n stabilirea tensiunii
inverse repetitive maxime, VRRM, dup
VRRM (1,5....2,5)VRW ,
(1.20)
unde VRW este tensiunea invers de vrf maxim ce poate apare pe diod n mod repetat.
Multiplicarea tensiunii VRW cu 1,5 . . . 2,5 are n vedere supratensiunea de comutaie ce apare n
procesul de blocare i eficiena circuitului de protecie la supratensiuni interne. Astfel dac se
prevede un circuit de protecie la supratensiuni se iau valorile mici, iar n cazul absenei acestui
circuit, situaie mai des ntlnit n practic, valorile mari. Att pentru IFAVM ct i pentru VRRM
valorile sunt standardizate. Dac pentru IFAVM valorile nominale sunt diferite n funcie de firma
productoare, pentru VRRM se fabric diode cu tensiuni n trepte de 100V. Dup alegerea diodei se
face verificarea termic n regim staionar avndu-se n vedere funcionarea la o temperatur de
regim a jonciunii ct mai aproape de jM. Verificarea termic are n vedere fie calcularea
temperaturii jM pentru un radiator ales, fie alegerea radiatorului pentru a se asigura funcionarea
ct mai aproape de jM
1.3
TIRISTORUL.
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu o mare capacitate n curent i

tensiune i posibilitatea de comand a intrrii n conducie. Uneori acest tiristor este denumit SCR
redresor semiconductor cu control (semiconductor controlled rectifier).
1.3.1
STRUCTUR.
Tiristorul este construit ntr-o structur cu patru straturi i trei electrozi (fig.1.22). Stratul
Fig.1.22 Structura unui tiristor.

+
anodului este de tipul p cu o impurificare de 1019 /cm3. Stratul catodului este de tipul n+ cu o
impurificare asemntoare.Stratul porii, p2, are o impurificare medie de 1017
/cm3. Al patrulea strat permanent este n- , cu o impurificare de 1013 1014/
cm3 , avnd acelai rol cu stratul similar de la diode. Suplimentar este
prevzut stratul p, care mpreun cu p+ formeaz stratul anodului i care
confer proprietile tiristorului.n ceea ce privete seciunea transversal a
unui tiristor, acesta este de obicei circular, cu diametre pn la 10 cm i
Fig.1.23 Simbolul
tiristoarelor
ridic probleme deosebite privimihai33nd realizarea ansamblului poartcatod astfel nct amorsarea conduciei s se fac simultan n toat seciunea.
1.3.2.
POLARIZARE.
Considernd poarta izolat, polarizarea tiristorului se poate face direct, + pe A i pe K,

sau invers, polaritile fiind evident inversate. n primul caz jonciunea J2, de tip n-p, fig.1.22,
este polarizat invers i valoarea tensiunii posibil de aplicat depinde de grosimea stratului n-, la
fel ca la diode.n cazul al doilea, jonctiunile J3 i J1 sunt polarizate invers. Jonciunea J3, de tip n+
p, va asigura o barier redus, n timp ce J1 , de tip n-p, va asigura o tensiune de aceeai mrime
ca in cazul polarizrii directe.Rezult c tiristorul poate suporta tensiuni inverse i directe de
aceeai mrime, fiind realizate uniti pentru tensiuni de ordinul miilor de voli.
1.3.3.
Se consider tiristorul alimentat de la sursa U i avnd o rezisten de sarcin R

(fig.1.24). Caracteristica static, fig.1.25, este dependena dintre curentul prin tiristor, iT, i
tensiunea anod-catod, uT. Pentru polarizare direct i n absena curentului de poart, iG = 0,
caracteristica static este furnizat de curba 1. Se constat trei lucruri:
16
ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Fig.1.24 Schema de alimentare.
o cretere a curentului direct, nesemnificativ ca valoare, odat cu creterea tensiunii anodcatod;

intrarea n conducie fr comand, iG=0, dac tensiunea anod-catod depete valoarea
tensiunii UBD, numit de prbuire n sens direct, ca fiind tensiunea maxim admis de tiristor
la polarizarea direct;
cu ct tensiunea anod-catod este mai mic, curentul de poart necesar pentru intrarea n
conducie este mai mare, iG3 > iG2 > iG1=0
Intrarea n conducie controlat prin iG 0 se realizeaz printr-un proces de
autoamorsare, punctul de funcionare deplasndu-se rapid de pe ramura 2 pe ramura 3, pentru
funcionare n conducie, ntr-un punct stabil F. Pe aceast caracteristic sunt dou valori de
curent care prezint interes:
IL , curent de amorsare, ca fiind valoarea de curent iT peste care are loc procesul de
autoamorsare;
IH , curent de meninere, ca valoare minim a curentului iT pentru care, tiristorul amorsat fiind,
rmne n conducie chiar n absena curentului de poart.
Caracteristica static pentru polarizare invers este situat n cadranul 4 fiind caracterizat prin
dou mrimi:
IRM curentul invers de saturaie, generat de purttorii minoritari, cu aceeai semnificaie i
mrime ca la diode;
VBR, tensiunea de prbuire n sens invers, ca fiind valoarea de tensiune la care are loc
amorsarea unei conducii de avarie n sens invers, fr limitarea curentului, semnificaia fiind
aceeai ca la diode.
Caracteristica static pentru starea de conducie, curba 3, este liniar, din aceleai considerente ca
la diode, cu diferena c tensiunea anod-catod VON este mai mare ca la diode putnd lua valori
ntre 1,1 . . . 2,1 V.
1.3.4.
AMORSAREA CONDUCIEI.
Tristorul poate fi echivalat prin dou tranzistoare T1 i T2 conectate ca n fig.1.26. T1,

tranzistor pnp, este format din straturile p+ n- p, iar T2 , npn, de straturile n- p n+. Se consider
circuitul anod-catod alimentat de la sursa EA , iar cel de poart de la sursa EG cu polaritile din
fig.3.7.
Circuitul baz-emitor al lui T2 este polarizat direct,
iB2 = iG
(1.21)
ELECTRONICA DE PUTERE
17
Tranzistorul T2 este polarizat pentru conducie i electronii din emitorul su se vor regsi
n colector sub forma curentului de colector iC 2 , susinut de sursa EA.
Dar
i B1 = iC2
(1.22)
i deci i tranzistorul T1 este polarizat pentru intrarea n conducie,

aprnd curentul de colector iC1 , pe seama golurilor injectate din
emitor n colectorul acestuia. Consecina este creterea curentului de
baz al tranzistorului T2 la valoarea
iB' 2 = iG + iC1
(1.23)
care produce o nou cretere a lui iC 2 , respectiv iB1 i i B2 . Astfel
Fig.1.26 Schema
apare, ca urmare a reaciei pozitive declanate, o cretere rapid a
echivalent a tiristorului.
curentului prin dispozitiv, procesul numindu-se amorsare a
conduciei, punctul de funcionare trecnd pe caracteristica 3,
fig.1.25, ntr-un timp de ordinul microsecundelor. Tranzistoarele T1 i T2 fiind n zona activ se
pot scrie relaiile:
iC1 = 1 iE1 + I CO1

iC 2 = 2 iE 2 + I CO2
(1.24)
unde ICO1 i ICO2 sunt curenii de colector ai celor dou tranzistoare, pentru baze nepolarizate i
avnd valori nesemnificative, iar 1 , 2 de forma
1+
(1.25)
unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului,

iC
iB
(1.26)
iT = iE1
(1.27)
i K = i E 2 = iT + iG .
(1.28)
=
Din fig.1.25 se poate scrie c
i
Prelucrnd relaiile anterioare rezult

iT =
2 iG + I CO1 + I CO 2
1 (1 + 2 )
(1.29)
Relaia (1.28) indic modul de realizare al structurii tiristorului astfel nct s se realizeze
amorsarea conduciei. Astfel n stare blocat, trebuie ca
1 + 2 << 1
(1.30)
astfel c iT s aib valori reduse. Condiia (1.29) se poate realiza cu uurin pe tranzistoarele T1 i
T2 , acestea fiind n stare blocat.Pentru starea de conducie trebuie ca
18
1 + 2 1 ,
(1.31)
astfel nct iT s creasc foarte mult, atingnd valoarea de regim staionar.Creterea

coeficientului 1 este generat de transformarea stratului de srcire n- ntr-un strat de tip n pe
msur ce tensiunea anod-catod crete. Acest lucru determin ca grosimea bazei tranzistorului T1,
format din stratul n- transformat n n, s se reduc substanial, producnd creterea lui 1. Pe de
alt parte, tot ca urmare a creterii tensiunii anod-catod, are loc o extensie a stratului n- n stratul
porii p, reducnd de asemenea grosimea acestuia, adic a bazei tranzistorului T2, deci o cretere a
lui 2. Conectarea celor dou tranzistoare astfel nct s aib loc reacia pozitiv descris mai sus,
face ca ntre anod i catod s se nchid un curent suficient de mare care s menin cele dou
tranzistoare n saturaie, chiar dup anularea curentului de poart. Desfurarea procesului de
amorsare conduce la concluziile:amorsarea conduciei necesit injectarea unui curent IG>0 n
jonciunea poart-catod; dup amorsarea conduciei, curentul de poart se poate anula, permind
o comand de tip impuls; ntreruperea conduciei prin tiristor se poate realiza numai prin
micorarea curentului IT sub valoarea curentului de meninere IH.
1.3.5.
Caracteristicile dinamice se refer la procesele de intrare i ieire din conducie avnd ca

obiect: timpii de comutare, supratensiuni sau supracureni i pierderile de putere. Se consider
tiristorul nglobat n schema din fig.1.27, unde u(t) este o tensiune sinusoidal, iar sarcina R+L
Fig.1.27 Cicuit pentru analiza

regimului dinamic.
Fig.1.28 Procesul de intrare n

conducie.
este caracterizat printr-o bobin de valoare foarte mare nct practic se constituie ntr-un
generator de curent constant I0. Variaia principalilor parametri din circuit este prezentat n
fig.1.28, considernd c aplicarea curentului de poart IG la t = 0, coincide cu valoarea maxim a
tensiunii u(t). n primul interval de timp, td timp de ntrziere, tiristorul rmne n stare blocat
ca urmare a faptului c injecia de purttori de sarcin n exces datorat lui IG, rmne la nivelul
stratului p2, n vecintatea metalizrii porii, i ncepe s creasc suma 1+2. Cnd 1+2 1
ncepe injecia de electroni din n+ n p2 i de goluri din p+ n n-, n zona central a tiristorului
aprnd un exces de purttori care va permite amorsarea curentului iT. Curentul iT crete, cu un
gradient determinat de sarcina din anodul tiristorului, n timpul tri. In acelai timp, ca urmare a
densitii mari de purttori de sarcin din zona central conductivitatea acestei zone crete mult i
tensiunea anod-catod scade repede.La sfritul intervalului tri, purttorii de sarcin din zona
central continu s se rspndeasc spre zonele laterale ale seciunii tiristorului, tensiunea anodcatod descrescnd pe intervalul tfv mult mai lent, la sfritul cruia densitatea de purttori de
19
sarcin se uniformizeaz n ntreaga seciune, tensiunea anod-catod atingnd valoarea de regim

staionar VON. Timpul de intrare n conducie este dat de
tON = td + tri + t fv
(1.32)
i are valori de pn la 10 sec pentru tiristoarele lente, de reea, i de 1-2 sec pentru
tiristoarele rapide. Pierderile de putere la intrarea n conducie sunt relativ mari pe intervalul tri +
tfv , cnd att curentul ct i tensiunea au valori relativ mari. Dac frecvena de comutaie este
redus, cazul tiristoarelor lente, energia dezvoltat n tiristor este nesemnificativ n raport cu cea
din stare de conducie i se neglijeaz n calculul termic.Pentru tiristoarele rapide, energia
cumulat nu mai poate fi neglijat i se ia n consideraie n acelai mod ca la diode.
Procesul de ieire din conducie decurge n
mod asemntor ca la diode, fiind provocat de
inversarea polaritii tensiunii de alimentare. Un
proces standard de ieire din conducie este
prezentat n fig.1.29. Intervalele t, ts i tf au aceeai
semnificaie de la diode. Apare suplimentar
intervalul de timp tq necesar tiristorului pentru a
cpta capacitatea de blocare la aplicarea unor
tensiuni anod-catod pozitive.
Dac naintea epuizrii intervalului tq se
aplic o tensiune pozitiv cu un gradient relativ
mare tiristorul reintr n conducie n sens direct,
fr a fi comandat pe poart. Pentru tiristoarele
lente, tq = 300 sec,n timp ce pentru cele rapide are
valori mult mai mici, n jur de 10sec. Timpul de
blocare al conduciei dat de
tOFF = t + ts + t f + tq
Fig.1.29 Procesul de ieire din conducie.
(1.33)
este practic determinat de tq, limitnd frecvena de lucru a dispozitivului. Se mai remarc de
asemenea supratensiunea invers de comutaie VRM , avnd acelai mecanism de generare ca la
diode, dar i gradientul de aplicare al acesteia la nceputul intervalului tf. Pierderile de putere din
tiristor n procesul de blocare sunt determinate de intervalul tf , cnd att tensiunea ct i curentul
invers sunt relativ nsemnate ca valoare. Pentru tiristoarele utilizate la frecvene joase aceste
pierderi sunt nesemnificative n bilanul total. Luarea lor n considerare se face n aceleai situaii
ca la diode.
1.3.6
CIRCUITE DE COMAND PE POART.
Circuitele de comand pe poart trebuie s asigure urmtoarele condiii, fig.1.30:

un curent de poart IG > 0, avnd o valoare suficient de mare pentru a asigura intrarea ferm n
conducie a tiristorului, indiferent de temperatura acestuia;
valoarea curentului de poart s nu conduc la nclziri excesive ale jonciunii G-K;
s fixeze precis momentul intrrii n conducie, n special pentru tiristoarele conectate n serie
sau paralel;
s asigure separarea galvanic ntre circuitul de generare a comenzii i circuitul de tensiune
mare A-K;
20
Fig.1.30 Comanda pe poart.
Fig.1.31 Caracteristica de poart.
suplimentar, pentru convertoarele de reea, sincronizarea comenzii cu tensiunea anod-catod

(semialternana pozitiv).
Jonciunea poart-catod este un semiconductor p-n. Caracteristica de comnd, VG = f(IG),
va fi asemntoare cu caracteristica tensiune-curent a unei diode de semnal, prezentat n fig.1.31.
Datorit dispersiei de fabricaie, pentru aceiai serie de tiristoare, se garanteaz poziionarea
caracteristicii VG = f(IG) ntre dou limite 1 i 2. Pentru calcule se ia de obicei n consideraie
caracteristica medie 3. Exist dou categorii de limitri. Limitarea inferioar se refer la
amorsarea cert, fiind determinat de temperatura la care se afl dispozitivul n momentul
generrii comenzii. Astfel, la stnga regimurilor determinate de limitrile a, b i c, amorsarea este
incert. Cele trei caracteristici a, b, c, sunt determinate de temperatura dispozitivului, de exemplu
n ordine, 125C, 25C i -40C. Limitrile superioare au n vedere nedepirea regimului termic
admisibil al jonciunii, n sensul c n stnga caracteristicii A comanda se poate face n c.c., iar n
dreapta n regim de impuls cu durate determinate, de exemplu : A 10msec, B 1msec, C 100sec, D - 10sec, .a.m.d. Punctul de funcionare, F, se stabilete n funcie de condiiile de
mai sus la intersecia dintre caracteristica medie 3 i dreapta de sarcin, DS, care se traseaz prin
cele dou puncte cunoscute: IG = 0 i VG = EG; IGK = EG/RG i VG = 0. n funcie de tipul de
aplicaie se utilizeaz frecvent trei tipuri de comenzi : impuls tare, impuls moale i tren de
impulsuri (fig.1.32).Impulsul tare, fig.1.32a, este utilizat n special pentru cazul tiristoarelor
conectate n serie sau paralel avnd ca scop creterea preciziei de intrare n conducie.
Fig.1.32 Tipuri de impulsuri.
Impulsul de tip moale, fig.1.32b, este utilizat n cazurile obinuite, adic tiristoare independente i
solicitri dinamice reduse. Al treilea tip de comand, tren de impulsuri, fig.1.32c, se utilizeaz n
special n convertoarele c.c. c.a. unde conducia efectiv poate s nu coincid cu durata de
comand . Pentru convertoarele de reea circuitul de comand pe poart trebuie s asigure
generarea impulsului ntr-o anumit concordan cu faza tensiunii anod-catod, semialternana
pozitiv, cnd tiristorul poate efectiv intra n conducie. O schem tipic pentru o astfel de
utilizare este prezentat in fig.1.33, utiliznd circuitul integrat specializat AA145. La intrarea I1
se aplic o tensiune sinusoidal Usin, numit de sincronizare, separat galvanic i de valoare
21
redus (fig.1.34).Pe baza acestei tensiuni se genereaz o tensiune n dinte de fierstru v(t).
Aceast tensiune este comparat cu tensiunea de comand UC, continu i variabil n limitele
0 U C v
(1.34)
U C = v (t ) ,
(1.35)
La egalitatea celor dou tensiuni,
se genereaz, la cele dou ieiri E1 i E2, dou impulsuri pozitive cu durata reglabil i poziionate
la . Prin varierea tensiunii Uc n limitele menionate mai sus, faza de apariie a impulsului E1
se deplaseaz n domeniul [0,], adic in intervalul n care tiristorul, avnd tensiunea A-K
pozitiv, poate intra n conducie. Impulsurile sunt amplificate prin montajul Darlington format
din tranzistoarele T1 i T2 fiind aplicat primarului transformatorului de impuls m. Acest
transformator are un dublu rol: separare galvanic i adaptarea curentului la cerinele circuitului
G-K. n circuit mai sunt prevzute o serie de elemente cu funciunile:
poarta sau, format din diodele n1 i n2, care permite amplificarea i trimiterea pe poart a
unui al doilea impus generat cu o alt faz;
Fig.1.33 Schema de comand pe poart pentru convertoare de reea.
rezistena de sarcin Rs folosit att pentru realizarea circuitului de descrcare a energiei

transformatorului, mpreun cu n4 i n5, precum i
pentru adaptarea curentului de poart pentru cazul cnd
acelai transformator de impuls este utilizat pentru mai
multe tipodimensiuni de tiristoare;
dioda n6 pentru selectarea impulsului pozitiv generat de
transformator;
rezistena R, de ordinul ohmilor, cu scop de a evita
efectele nedorite ale ntreruperii circuitului de poart
asupra transformatorului de impuls;
capacitate C cu efect de filtrare a perturbailor
exterioare culese de conexiunile ntre transformatorul
de impuls i circuitul G-K.
Un alt mod de a realiza separarea galvanic este
Fig.1.34 Diagrama de
prezentat n fig.1.35 prin utilizarea optocuploarelor,
semnale.
formatorul de impulsuri FI putnd fi de tipul prezentat mai
sus sau de alt construcie. Prin intermediul optocuplorului
T1 semnalul este transmis tranzistorului T2, care mpreun cu fototranzistorul din T1 formeaz un
montaj Darlington.Schema are avantajul utilizrii unui numr redus de componente, ns necesit
22
dou surse separate, una pentru formatorul de impulsuri FI i a doua, +Ec , pentru circuitul de
Fig.1.35 Separare galvanic prin optocuplor.
amplificare, n contact galvanic cu circuitul G-K.

1.3.7.
ALEGEREA TIRISTOARELOR.
Alegerea tiristoarelor utilizate ntr-un convertor urmeaz aceeai metodologie de la

diode. La alegerea n curent se procedeaz identic, n timp ce la alegerea n tensiune, ca urmare a
sensibilitii deosebite a tiristorului la supratensiuni
VRRM = (2 . . . 2,5)VRW .
(1.36)
De asemenea trebuiesc avute n vedere gradientele de curent i tensiune maxim admise,

pentru ca n cazul nencadrrii n limitele admisibile s se prevad circuite de protecie adecvate.
Verificarea corectei alegeri se face prin calculul regimului termic al jonciunii dup metodologia
de la diode, fiind valabile toate consideraiile prezentate. Singura diferen const n introducerea
n puterea total disipat a puterii disipate n circuitul de comand, calculabil cu relaia
PG = U G I G
ti
,
T
(1.37)
unde t este durata impulsului, iar T perioada de generare a acestuia.

1.3.8
PARAMETRI DE CATALOG AI TIRISTOARELOR.
Parametrii de catalog ai diodelor se regsesc aproape n totalitate la tiristoare cu o

diferena de notaie constnd n nlocuirea literei F cu T, adic, de exemplu , curentul mediu prin
tiristor, se noteaz cu ITAV. Apar n plus o serie de parametri specifici, prezentai mai sus, cum ar
fi:
pentru circuitul de poart VG, IG ;
tensiunea de prbuire n sens direct VBD;
curenii de amorsare i de meninere, IL i IH;
di dv
gradienii de curent i tensiune admisibili T , V ;
dt dt
sarcina stocat QS .
Se fabric n mod curent tiristoare pentru tensiuni i cureni de ordinul miilor de voli i
amperi.
1.4
CIRCUITE DE PROTECIE PENTRU DIODE I TIRISTOARE.
n regimurile dinamice de intrare i ieire din conducie, diodele i tiristoarele, ca urmare

a sarcinilor preponderent inductive, pot fi supuse la supratensiuni ce pericliteaz integritatea
acestora. De asemenea pot s apar supracureni sau pierderi de putere nsemnate, care afecteaz
regimul termic al jonciunilor.Pentru tiristoare, un stres suplimentar este produs de gradientele de
curent i tensiune, care de asemenea pot produce fie comutri necomandate, fie deteriorarea
jonciunilor.n scopul utilizrii ct mai aproape de parametri nominali precum i pentru a evita
deteriorrile accidentale, diodele i tiristoarele sunt prevzute cu circuite de protecie numite,
dup terminologia anglo-saxon snubere.
1.4.1
CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRACURENI.
O prim protecie se refer la curenii de suprasarcin previzibil sau neprevizibil.

Protecia se realizeaz clasic cu relee termice sau relee electromagnetice cu temporizare, n
funcie de mrimea suprasarcinii i durata ei, astfel nct s nu se depeasc temperatura
admisibil a jonciunii. Protecia la cureni de scurtcircuit este strns legat de capacitatea
Fig.1.36 Curentul ITSM.
Fig.1.37 Plasarea siguranei

fuzibile ultrarapide.
semiconductorului de a suporta, o durat determinat, curentul de vrf IFSM (ITSM), fig.1.36.

Intervalul redus, 10msec, n care dioda sau tiristorul poate suporta curentul ITSM nu poate fi
realizat utiliznd soluia cu ntreruptoare sau sigurane fuzibile obinuite, care ntrerup circuitul
defect n timpi mult mai mari.
Soluia utilizat, aproape n exclusivitate, se bazeaz pe siguranele fuzibile ultrarapide,
nseriate cu tiristorul sau dioda protejat, fig.1.37. O siguran fuzibil, prin construcia ei,
ntrerupe un circuit ntr-un timp
t = t1 + t2 ,
(1.38)
mai mic dect semiperioada T/2 = 10 msec a tensiunii

sinusoidale de alimentare, n cazul unui convertor de reea.
Funcionarea fuzibilului presupune dou intervale de timp
diferite. Presupunnd c scurtcircuitul are loc la t = 0, fig.4.3,
curentul de scurtcircuit IK crete practic liniar producnd
nclzirea fuzibilului pn la atingerea punctului de
fuzibilitate. Intervalul de timp al acestei etape, notat cu t1, se
numete timp de prearc. La sfritul acestui interval fuzibilul
se ntrerupe fizic, dar curentul continu s se nchid prin arcul
electric dintre extremitile acestuia.
Fig.1.38 Variaia curentului i

tensiunii.
24
Arcul electric este nsoit de apariia tensiunii de arc, UARC , care este mai mare dect
tensiunea de alimentare u(t). Ca urmare a acestui fapt curentul de scurtcircuit ncepe s scad i se
anuleaz dup intervalul t2, numit timp de arc. n cazul utilizrii diodelor i tiristoarelor n
convertoare de reea protecia la cureni de scurtcircuit se poate realiza i cu ntreruptoare de
curent ultrarapide, care au timpi maximi de lucru n jur de 10 msec.
1.4.2
CIRCUITE DE REDUCERE A GRADIENTULUI DE CURENT.
Gradientul de cretere sau descretere a curentului printr-un semiconductor este, n

general, determinat de sarcin.Att pentru diode ct mai ales pentru tiristoare exist o limit a
valorii maxime a gradientului din motivele expuse anterior. Se consider circuitul din fig.1.39
alimentat de la o surs de c.c., U. Considernd LS = 0, variaia curentului prin circuit la intrarea n
conducie a tiristorului T este furnizat de ecuaia diferenial
di (t )
+ Ri (t ) = U ,
dt
(1.39)
a crei soluie este
Fig.1.39 Circuit pentru limitarea gradientului de curent.
i (t ) =
U
1 e t / ) ,
(
R
(1.40)
unde constanta de timp a circuitului
L
R
(1.41)
Gradientul de curent di(t)/dt are valoarea maxim la t = 0, fiind dat de relaia

di (t )
U
et /
=
dt t = 0 R
=
t =0
U U
=
R L
(1.42)
Formele de variaie a curentului i gradientul de curent sunt prezentate n fig.1.40,

curbele 1 i 1. Micorarea gradientului de curent se poate atinge numai prin mrirea
inductivitii din circuit, respectiv prin introducerea inductiviti suplimentare LS. In acest caz,
procednd ca mai sus, rezult un gradient de curent
di '(t )
U
U
=
< ,
dt
L + LS L
(1.43)
noile variaii fiind reprezentate prin curbele 2 i 2 ,fig.1.40.

Introducerea bobinei suplimentare LS are ns unele inconveniente:
avnd i o rezisten proprie aceasta conduce la diminuarea randamentului conversiei, prin
pierderile de putere pe care le produce;
25
prezena ei n circuit conduce la micorarea

tensiunii disponibile pe sarcina R+L;
la variaii ale curentului i(t) produce supratensiuni
de forma
uL (t ) = LS
di (t*)
,
dt
(1.44)
care solicit suplimentar semiconductorul.

Pentru limitarea acestor suprasarcini se prevede
circuitul de descrcare a energiei acumulate format din
dioda nS i rezistorul RS. n general sarcinile acestor
convertoare sunt de tipul R+L i limiteaz gradientul de curent la valori sub cele admisibile.
Totui se impune, pentru fiecare aplicaie, verificarea valorii gradientului maxim i prevederea,
dac este cazul, a circuitului de protecie.
Fig.1.40 Variaia curentului i
gradientului.
1.4.3.
CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRATENSIUNI INTERNE.
Supratensiunile interne sunt produse n procesul de comutaie din starea de conducie n

starea blocat, fiind materializate prin tensiunea VRM, fig.1.42. Pentru tiristoare este important i
gradientul de tensiune dv(t)/dt, aplicat n sens direct sau invers, care produce de asemenea efecte
Fig.1.42 Reducerea supratensiunii

de comutaie.
Fig.1.41 Circuit de protecie la

supratensiuni interne.
nedorite, mai ales n capacitile parazite ale jonciunilor.Ca urmare a variaiei gradientului de
curent di(t)/dt la momentul t0, fig.1.42, supratensiunea produs de inductivitatea L are o valoare
apreciabil, VRM, i un gradient nsemnat, ambele fiind inadmisibile pentru diod sau
tiristor.Reducerea tensiunii VRM ct i a gradientului se realizeaz prin plasarea n paralel cu
semiconductorul a unui circuit serie R C , fig.1.41. Anterior momentului t0, ca urmare a faptului
c
uT (t ) = VON ,
(1.45)
condensatorul C este practic nencrcat. n momentul t0 , ca urmare a creterii tensiunii uT(t) ,

ncepe ncrcarea condensatorului C prin circuitul serie R,L,C, ncarcare descris de ecuaia
L
unde
diR (t )
+ R iR (t ) + uC (t ) = U ,
dt
(1.46)
26
uC (t ) =
1
iR (t )dt
C
(1.47)
Ecuaia (1.45) poate fi analizat din punct de vedere al variaiei curentului iR(t) i a tensiunii
uT(t).Pentru primul caz, utiliznd (1.46), ecuaia (1.45) devine prin derivare
d 2iR (t )
di (t ) 1
+ R R + iR (t ) = 0
L
dt
dt
C
(1.48)
iR (0) = I RRM .
(1.49)
cu condiia iniial nenul
Variaia curentului iR(t) depinde de polinomul caracteristic al ecuaiei (1.47), care este de forma
p2 +
R
1
= 0,
p+
L
LC
(1.50)
R
R2
1
.
2
2L
4 L LC
(1.51)
cu soluii de forma
p1,2 =
Cea mai convenabil form de variaie este de tipul aperiodic, dac

R2
1
0 ,
2
4 L LC
(1.52)
care conduce la
R2
L
,
C
(1.53)
oferind o relaie pentru calculul rezistenei circuitului de protecie.Pe de alt parte sarcina stocat
n straturile tiristorului sau diodei, Qs , care provoac curentul IRRM i supratensiunea VRM ,
trebuie, pentru a evita o valoare mare a tensiunii de autoinducie a bobinei, s fie preluat de
capacitatea C la un nivel de tensiune admisibil, de exemplu
U M = ( 0, 25...0,5 ) VRRM .
(1.54)
Preluarea sarcinii Qs la nivelul de tensiune UM conduce la determinarea valorii capacitii dup

C=
QS
.
UM
(1.55)
Variaia tensiunii la bobinele tiristorului va fi dat de ecuaia

uT (t ) = U L
diR (t )
,
dt
(1.56)
ceea ce nseamn c polinomul caracteristic al acestei ecuaii este cel dat de relaia (1.49) ,iar
forma de variaie a tensiunii de asemenea aperiodic, curba 1 din fig.1.42.Se constat c odat cu
reducerea valorii maxime a supratensiunii la nivelul
U M < VRM
(1.57)
27
se produce i o diminuare considerabil a gradientului de tensiune.La reaplicarea tensiunii de

alimentare cu polaritate pozitiv, n vederea unei noi intrri n conducie a tiristorului, tensiunea
uT(t) va crete exponenial cu constanta de timp
= RC .
(1.58)
Creterea cu ntrziere a tensiunii poate provoca ratarea intrrii n conducie a tiristorului.

Pentru a se evita acest lucru, uneori, se prevede dioda n n paralel cu rezistorul R, care asigur
ncrcarea condensatorului C cu polaritatea invers fa de cea din fig.1.42 practic instantaneu. La
intrarea n conducie a tiristorului capacitatea C se va descrca prin rezistorul R, dioda n fiind
blocat. n acest fel se limiteaz curentul de descrcare al capacitii, care suprapunndu-se peste
curentul de sarcin, poate conduce la creterea exagerat a gradientului di(t)/dt, precum i la o
suprasolicitare termic.Circuitele de protecie la supratensiuni de comutaie se prevd ntotdeauna
pentru tiristoare i numai uneori pentru diode, condiionat de VRRM diodei utilizate i
supratensiunile produse n circuit.
1.4.4.
CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRATENSIUNI EXTERNE.
Supratensiunile externe sunt provocate de sursa de alimentare a convertorului, care poate

fi un transformator, sau direct reeaua.n cmpul magnetic al transformatoarelor sau
inductivitilor de reea se inmagazineaz o energie proporional cu tensiunea, respectiv curentul
de mers n gol, i0. Orice variaie a tensiunii, produs fie ca urmare a variaiei tensiunii reelei sau
a deconectrii de la reea, conduce la apariia unei variaii a energiei , care se transfer la intrarea
convertorului, rmas conectat la surs, prin apariia unei supratensiuni.La fel ca n cazul
supratensiunilor interne, poate fi depit VRRM semiconductorului cu efectele cunoscute, sau, n
cazul tiristoarelor, poate produce intrarea n conducie necontrolat.Metodele de protecie utilizate
sunt, la fel ca n cazul anterior, circuite R-C plasate ca n fig.1.43, pentru cazul unui convertor
trifazat.Exist dou variante de protecie:
Fig.1.43 Circuite de protecie pentru supratensiuni externe.
28
n c.a., cnd circuitele R-C sunt plasate ntre fazele transformatorului de alimentare m,
fig.1.43a;
n c.c., cnd circuitul R-C este conectat la secundarul transformatorului printr-un redresor cu
diode n punte trifazat U, fig.1.43b.
Capacitatea C a circuitelor de protecie se dimensioneaz pentru preluarea a 30 50%
din energia transformatorului, care conduce la o reducere convenabil a supratensiunii. n aceste
condiii capacitatea se determin, pentru protecia din fig.1.43a, cu relaia
C=
i0 ST
2
VRRM
6 US
107 [ F ]
(1.59)
unde:
ST puterea aparent a transformatorului n kVA,
io curentul de mers n gol procentual ,calculabil din curentul nominal IN i cel de mers n
gol I0 , dup
i0 [ 0 0 ] =
I0
100 ;
IN
(1.60)
- pulsaia tensiunii de alimentare;

VRRM tensiunea invers a semiconductorului utilizat,
6 U S - tensiunea maxim ntre fazele secundarului.
Capacitatea C preia supratensiunea tot printr-un circuit serie R, L, C, ca n cazul
supratensiunilor de comutaie, L fiind inductivitatea din circuit, generat de suma celor dou
inductiviti de dispersie din transformator, adic
L = 2L .
(1.61)
Ca urmare, pentru realizarea unei variaii aperiodice trebuiete ndeplinit condiia de forma
(1.51) ,care permite determinarea rezistenei R.Pentru cazul circuitului de protecie din fig.1.43b,
lund n considerare i efectul punii redresoare, capacitatea se calculeaz cu
C=
1,5
3
ST i0
V 2
RRM
6 US
107 [ F ] ,
(1.62)
iar rezistena ca n cazul anterior .

Schemele mai moderne prevd nlocuirea circuitelor RC cu varistoare sau diode cu
avalan controlat.La fel ca n cazul supratensiunilor de comutaie, circuitele de protecie la
supratensiuni externe se prevd ntotdeauna la convertoarele cu tiristoare i doar uneori la cele cu
diode.
1.5
TIRISTORUL GTO.
Tiristorul obinuit, ca urmare a proprietilor sale de a suporta tensiuni i cureni mari,

este comutatorul static aproape ideal pentru convertoarele de mare putere, inconvenientul esenial
constnd n imposibilitatea de a comanda pe poart blocarea conduciei.
1.5.1
STRUCTUR.
Structur tipic pentru un tiristor GTO este prezentat n fig.1.44, iar simbolizarea n
fig.1.45. Diferenele principalele constructive ntre tiristorul GTO i tiristorul obinuit constau n:
structura catod-poart, straturile n2+ i p, este realizat nalt ntreesut n scopul asigurrii unui
Fig.1.44 Structura unui tiristor GTO .
Fig.1.45 Simbolizarea unui GTO.
ct mai bun acces, prin intermediul porii, n seciunea transversal a catodului;

catodul este realizat sub forma unor degete, cu contact direct la metalizarea catodului, degete
care sunt conectate direct la radiator;
n structura p+ a anodului sunt intercalate poriunile de dimensiune redus n1+, care fac contact
direct ntre metalizarea anodului i stratul n-. Impurificarea straturilor este cea tipic.
1.5.2.
POLARIZARE.
Considernd poarta izolat, n cazul polarizrii directe se aplic polaritatea pozitiv pe

anod i cea negativ pe catod. Din cele trei jonciuni ale tiristorului GTO, fig.1.44, este polarizat
invers nu mai jonciunea J2. Ca urmare a doprii reduse a stratului n-, bariera de potenial este
determinat de grosimea acestui strat, capacitatea de a susine tensiuni n sens direct fiind
asemntoare cu a unui tiristor obinuit. n cazul aplicrii polaritii minus pe anod sunt polarizate
invers jonciunile J1 i J3. Ca urmare a structurii stratului anodului cu incluziunile n1+ , jonciunea
J1 nu realizeaz nici o barier de potenial, n timp ce jonciunea J3 poate suporta cel mult 20
30V. Ca urmare tiristorul GTO nu poate funciona dect cu polarizare direct, deci alimentat
numai n c.c.
1.5.3.
Caracteristica static, curent-tensiune, pentru polarizare direct este identic cu cea a

tiristorului obinuit, fig.1.25. n ceea ce privete ramura din cadranul 3, pentru polarizare invers,
30
acesta nu exist ca urmare a celor prezentate mai sus. Intrarea n conducie se desfoar prin
autoamorsarea conduciei ntr-un mod asemntor cu tiristorul obinuit.
1.5.4.
IEIREA DIN CONDUCIE
Avnd o structur asemntoare cu tiristorul obinuit, tiristorul GTO se poate echivala cu

schema format din dou tranzistoare npn i pnp, fig.1.46.Se consider tiristorul GTO n
conducie, dup schema echivalent din fig.1.46. Pentru ieirea din conducie se polarizeaz
Fig.1.46 Ieirea din conducie a tiristorului GTO.
invers jonciunea G-K prin sursa EG, respectiv prin extragerea din stratul de poart al curentului iG
< 0.Curentul din baza tranzistorului T2 va avea valoarea
iB2 = iC1 iG
(1.63)
Pentru ca tranzistorul T2 s nceap a se bloca trebuie ca
iB 2 <
iC 2
(1.64)
unde 2 este factorul de amplificare n curent a acestui tranzistor. Dar pe de alt parte
iB2 = iC1 = 1 iA
(1.65)
ntruct iA este curentul de emitor al tranzistorului T1 .Curentul de colector al tranzistorului T2,

din aceleai considerente, are valoarea
Fig.1.47 Tiristor GTO cu o sarcin R+L.
Fig.1.48 Intrarea n conducie.
iC 2 = iB1 = (1 1 )i A .
31
(1.66)
tiind c
2 =
2
1 2
(1.67)
i introducnd relaiile de mai sus n condiia (1.63) se obine
1 iA iG <
1 1
2
1 2
(1.68)
de unde prin manipulri simple se determin condiia pe care trebuie s o ndeplineasc curentul
de poart negativ, iG, pentru a se produce ieirea din conducie, sub forma
iG >
iA
2
1 + 2 1
iA
OFF
(1.69)
unde prin OFF s-a notat factorul de amplificare n curent poart-anod. Din (1.68), pentru a obine
un curent de poart ct mai mic necesar ntreruperii conduciei, rezult dou condiii:
1 ct mai mic;
2 ct mai mare.
Aceste dou condiii se realizeaz prin structura constructiv a tiristorului GTO. Astfel pentru a se
realiza un 1 ct de mic, se micoreaz durata de via a purttorilor de sarcin din baza lui T1,
lucru realizat prin incluziunile n1+ , care ofer o cale de recombinare a purttorilor direct n anodul
tiristorului. Pe de alt parte posibilitatea de recombinare a purttorilor direct n anod, face ca acest
proces s fie foarte activ, conducnd la reducerea substanial a timpului de blocare a conduciei.
Realizarea unui 2 ct mai mare se realizeaz printr-o baz, stratul p, ct mai ngust a
tranzistorului T2 i o dopare nalt a emitorului acestuia, stratul n2+.
1.5.5
Se consider tiristorul GTO nglobat n schema din fig.1.47, adic avnd o sarcin cu
puternic caracter inductiv, care poate fi asimilat cu un generator de curent. Dioda n are rol de
descrcare a energiei bobinei. Procesul de intrare n
conducie, iniiat prin iG > 0, decurge asemntor cu
procesul similar de la tiristorul obinuit, fig.1.48.
Dup trecerea timpului de ntrziere td, curentul
iA(t) ncepe s creasc cu un gradient de curent
determinat de sarcina R+L. Simultan ncepe s se
micoreze i tensiunea anod-catod, atingnd
valoarea de regim staionar, VON , de aceeai
mrime ca la tiristorul obinuit. Timpul de intrare n
conducie are valoarea
tON = td + tri
Fig.1.49 Ieirea din conducie
(1.70)
avnd valori de ordinul sec. Pierderile de putere n

tiristor pe durata procesului de intrare n conducie
sunt relativ mari, mai ales pe intervalul tri, dar, ca
32
urmare a duratei reduse a acestuia, nclzirea jonciunilor este neimportant, chiar la frecvene
mari. n sfrit, ultima problem este generat de conducerea curentului de poart, fig.1.48. n
primul rnd curentul de poart iG este sensibil mai mare dect la tiristorul obinuit, ca urmare a
amplificrii mai mici a tranzistorului pnp, T1. n al doilea rnd, pentru a se evita ieirea din
conducie necontrolat ca urmare a variaiei curentului de sarcin iA i a scderii lui sub curentul
de meninere IH, care de asemenea este mai mare ca la tiristorul obinuit, pe toat durata
intervalului preconizat de conducie se pstreaz un curent de poarta de palier
I GF < I GM
(1.71)
Ieirea din conducie este activat prin inversarea curentului de poart iG, la o valoare mai mare
dect cea dat de relaia (1.68). Un proces tipic de ieire din conducie este prezentat n fig.1.49.
n primul interval de timp, timpul de stocare ts, ca urmare a densitii mari a purttorilor de
sarcin, starea tiristorului GTO nu se modific, iA i uT(t) pstrnd valorile anterioare. Prin
intermediul curentului de poart iG < 0 se extrage o sarcin stocat important din tiristor, astfel
nct la nceputul lui tfi, curentul iA(t) ncepe s scad cu un gradient impus de sarcin, iar uT(t) s
creasc. La sfritul lui tfi apare un vrf de tensiune, curba 1, generat de modificarea gradientului
de curent diA(t)/dt. De asemenea curentul de poart iG ncepe s scad ca urmare a micorrii
semnificative a densitii de purttori din straturi. Cei doi cureni iA(t) i iG(t) continu s scad
lent pn la anulare, pe msura recombinrii purttorilor de sarcin, genernd asa numitul efect de
coad, cu durata tC.. Dup tri, ca urmare a diminurii considerabile a purttorilor de sarcin,
tensiunea uT(t) creste repede, gradientul de cretere fiind mare. Durata timpului de ieire din
conducie este
t OFF = t S + t fi + t rv + t C
(1.72)
i are valori de ordinul sec , sensibil mai mic ca la tiristorul obinuit, ceea ce face ca tiristorul
GTO s poat fi utilizat la frecvene de ordinul kHz.
Problema principal la ieirea din conducie este
generat de gradientul de tensiune duT(t)/dt aplicat n
sens direct, curba 1 din fig.1.49. Gradientul de tensiune
fiind mare poate produce, la fel ca la tiristorul obinuit,
reamorsarea necontrolat a conduciei, favorizat de
polarizare direct. Evitarea acestui fenomen se
realizeaz prin circuitul de protecie RS, CS, nS, din
fig.1.50. n stare de conducie a tiristorului,
condensatorul CS este ncrcat la tensiunea VON. La
nceputul lui tfi, cnd uT(t) ncepe s creasc, se
deschide dioda nS i condensatorul ncepe s se ncarce,
ieirea din conducie
variaia tensiunii la bornele condensatorului fiind de
forma
u C (t ) =
1
CS
( t ) dt .
(1.73)
Considernd c sarcina R+L reprezint practic un generator de curent constant,

I 0 = iA + iC = cst.,
(1.74)
33
variaia celor trei cureni fiind prezentat n fig.1.51.Aadar, considernd

o scdere liniar a curentului prin tiristor, curentul de ncrcare al
condensatorului se poate scrie sub forma
iC (t ) =
I0
t,
t fi
(1.75)
iar tensiunea la bornele acestuia prin

1
u C (t ) =
CS
I0
I0 t2
0 t fi t dt = C t fi 2
t
(1.76)
Fig.1.51 Variaia
Aceast form de variaie ntrzie mult creterea tensiunii uT(t), curba 2
curenilor
din fig.1.49, reducnd considerabil gradientul de tensiune duT(t)/dt.
Reducndu-se valoarea tensiunii uT(t) pe intervalul tfi, se reduc i
pierderile de putere n tiristor, regimul termic mbuntindu-se considerabil. La sfritul lui tfi, ca
urmare a anulrii curentului iA(t), pentru scurt timp se deschide dioda de regim liber n, aprnd n
sarcin curentul in(t), fig.1.51, i de asemenea curentul de ncrcare a capacitii ncepe s se
micoreze pn la atingerea valorii
u C (t ) = V d
(1.77)
Circuitul de protecie astfel realizat se prevede obligatoriu pentru toate convertoarele cu tiristoare
GTO. La o nou intrare n conducie, condensatorul CS se va descrca prin tiristor, valoarea
maxim a curentului de descrcare fiind limitat prin rezistorul RS, dioda nS fiind blocat.
1.5.6
Comanda pe poart a tiristorului GTO trebuie s ndeplineasc, suplimentar fa de

tiristorul obinuit, nc dou condiii:
realizarea curentului de poart de palier, IGF , fig.1.48;
realizarea curentului de poart negativ, iG <0.
n fig.1.52 este prezentat o schem de principiu ,care st la baza realizrii majoritii schemelor
de comand pe poart, evitnd prezena unei a doua surse pentru realizarea curentului iG< 0.
Separarea galvanic se face prin optocuplorul T3, ntre tensiunea de comand UC produs de
generatorul G i amplificatorul de tip Darlington realizat cu fototranzistorul T3 i tranzistorul
T2.Pentru tensiune de comand UC = 0,
tranzistorul T1 se gsete n conducie, fiind
polarizat pozitiv n baz prin divizorul
format din R1 i tranzistorul T2 , aflat n stare
de blocare. Curentul de poart iG > 0 se
nchide de la sursa +EC prin T1,
condensatorul C i jonciunea poart-catod.
Condensatorul C se ncarc cu polaritatea din
desen la o tensiune stabilit de dioda Zenner
n, mai mic dect EC. Dup ncrcarea
condensatorului, curentul iG se micoreaz la
valoarea de palier IGF nchizndu-se prin n,
n regim de stabilizare. Pentru blocarea
conduciei, tensiunea de comand, UC, care
Fig.1.52 Circuit de comand pe poart.
este un semnal de tip logic, trece n starea 1,
34
producnd intrarea n conducie a tranzistorului T2. Se creeaz o cale de descrcare a

condensatorului C prin T2 i jonciunea poart-catod, furniznd curentul negativ de poart , iG< 0.
1.5.7
ALTE CONSIDERAII.
Tiristorul GTO se dimensioneaz asemntor cu tiristorul obinuit mai puin tensiunea

invers VRRM, care nu exist. Calculul temperaturii jonciunii, j, urmeaz aceeai metodologie i
evident trebuie s se ncadreze n limitele admisibile. O problem deosebit este protecia la
supracurenii provocai de scurtcircuite. Avnd n vedere capacitatea de blocare prin comand pe
poart, o prim rezolvare a problemei const n msurarea
curentului i comanda inhibrii conduciei, cnd acesta
depete o valoare prescris. Aceast soluie este posibil pn
la anumite valori de vrf ale curentului de lucru, numit curent
controlabil, pn la care curentul negativ de poart poate anula
curentul anod-catod. Peste aceast valoare curentul negativ de
poart nu mai poate dezamorsa conducia i protecia nu mai
este eficient. In aceste cazuri se apeleaz, la fel ca la tiristorul
obinuit, la sigurane fuzibile ultrarapide, cu funcionarea n c.c.
Totui ntreruperea siguranei ultrarapide, ntr-un timp relativ
mare, 5 8 msec, poate produce deteriorarea tiristorului GTO,
vrful de curent necontrolabil fiind n general suportat un timp
Fig.1.53 Protecia la
supracurent cu tiristor auxiliar.
relativ mai mic. Pentru a se evita acest lucru n paralel cu
circuitul de sarcin, format din R+L i tiristorul GTO-T, se
plaseaz un tiristor obinuit TA, cu capacitate mare n curent, fig.1.53. La apariia curentului de
defect se comand intrarea n conducie a tiristorului auxiliar TA, care preia n mare parte curentul
tiristorului GTO, fcnd posibil arderea siguranei ultrarapide f, cu evitarea deteriorrii
tiristorului GTO.
1.6
TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE.
Tranzistorul bipolar de putere deriv din tranzistorul obinuit de semnal, prin mrirea
capacitii n curent i tensiune. El este abreviat prin iniialele BJT, provenind de la denumirea
anglo-saxon bipolar jonction transistor. Se realizeaz tranzistoare de tipul npn i rar
tranzistoare pnp.
1.6.1
STRUCTUR. POLARIZARE.
Structura vertical a unui tranzistor bipolar de putere npn este prezentat n fig.1.54, iar
n fig.1.55 simbolizarea tranzistoarelor npn, respectiv pnp. Un tranzistor bipolar de tip npn este
format din:
n1+ - stratul colectorului, cu dopare la nivelul 1019/cm3;
n- - stratul srac, cu dopare la nivelul 1014/cm3;
p - stratul bazei, cu dopare de 1016/cm3;
n2+ - stratul emitorului, dopat la nivelul 1019/cm3.
Tranzistorul de tip pnp are aceleai patru straturi, tipurile de semiconductoare fiind
inversat. La fel ca la celelalte semiconductoare polarizarea se analizeaz n cazul bazei izolate. n
cazul polarizrii directe, plus pe colector minus pe emitor, este polarizat invers jonciunea J1,
care fiind o structur de tipul n- p, va determina o barier de potenial proporional cu grosimea
stratului n- .Astfel tensiunea direct suportat de un tranzistor poate atinge valori de pn la
2500V, ntreaga tensiune fiind reinut n structura colector-baz. n cazul polarizrii inverse,
jonciunea J2 preia ntreaga tensiune i, ca urmare o structurii de tip n2+ p, tensiunea maxim
invers este redus, nivelele tipice fiind ntre 5 20V. Aadar tranzistorul bipolar poate suporta
numai tensiuni directe, putnd fi utilizat numai cu alimentare n c.c.
1.6.2
Caracteristica static este dependena curentului de colector iC de tensiunea colectoremitor VCE pentru diveri cureni de baz,fig.1.56 i 1.57.
n convertoarele statice tranzistoarele bipolare sunt utilizate n montajul cu emitor
comun, fig.1.56, i n regim de comutaie.
Funcionarea tranzistorului bipolar de putere este identic cu cea a tranzistorului de
semnal mic, cu unele diferene produse de prezena stratului n -. O prim influen const n
micorarea substanial a factorului de amplificare n curent,
iC
iB
(1.78)
care are valori maxime cuprinse ntre 5 10.

n planul caracteristicilor statice se disting mai multe zone:
Dreapta 1, pentru tensiunea Vcesus, ca reprezentnd tensiunea maxim admis n sens direct de
tranzistor pentru comanda iB > 0 , sau iB = 0 cu circuitul de baz deschis. In aceast zon,
datorit tensiunii colector-emitor mari, apare fenomenul numit prima strpungere sau
prbuire, fenomen care, ca urmare a accelerrii purttorilor, produce creterea densitii
purttorilor minoritari i a curentului prin tranzistor. Dac se iau msuri de eliminare a cauzei
36
ELECTRONICA DEPUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
fenomenul este reversibil i tranzistorul nu se deterioreaz. n caz contrar, datorit puterii mari
disipate n jonciunea colector-baz, tranzistorul se distruge. n cazul curentului de baz nul,
Fig.1.54 Structur.
Fig.1.55 Simbolizare.
cu circuit nchis la emitor prin rezistena nul, tensiunea colector-emitor admis crete la
valoarea VCEO>VCESUS. Dac baza este polarizat negativ, iB < 0, tensiunea direct admis
crete la
VCEX > VCEO, proprietate folosit n procesul de ieire din conducie al
tranzistorului.
Regiunea activ este caracterizat printr-o independen a curentului iC fa de tensiunea vCE,
curenii de colector obinui fiind cu att mai mari cu ct curentul de baz este mai mare, iB1 <
iB2 < iB3 < iB4 < iB5.
Aceast zon este folosit n general n regim de amplificare, iar n electronica de putere doar
Fig.1.56 Schema cu emitor comun.
Fig.1.57 Cracteristica static.
n perioadele de intrare, respectiv ieire din conducie. n aceast zon, la cureni mari, dac
tensiunea vCE capt de asemenea valori mari, apare fenomenul celei de a doua strpungeri,
curba 2, fenomen care conduce la deteriorarea ireversibil a tranzistorului. Fenomenul apare ca
urmare a faptului c, dei creterea tensiunii vCE nu produce o cretere semnificativ a
curentului iC, se produce o cretere a pierderilor de putere n tranzistor i deci o supranclzire.
Aceast nclzire nu este ns uniform repartizat n seciunea transversal a tranzistorului i
produce deteriorarea ireversibil a semiconductorului.
Zona de cvasisaturaie situat ntre dreptele 3 i 4. Ea este proprie tranzistoarelor de putere i
se datoreaz prezenei stratului suplimentar n-. Astfel n aceast zon, straturile tranzistorului,
-
37
inclusiv stratul n , sunt invadate de purttori de sarcin, conductivitatea electric a acestora

fiind practic constant.
Zona de saturaie adnc, dreapta 4 Ca urmare a densitii mari a purttorilor, conductivitatea
straturilor crete, ceea ce provoac o scdere n continuare a tensiunii vCE, care evident atrage
micorarea curentului de colector. Saturaia adnc este avantajoas ntruct pierderea de
putere n tranzistor
pT = vCE
iC
(1.79)
este sensibil mai mic ca n zona de cvasisaturaie. Ca urmare ns a densitii mari a sarcinii
spaiale, recombinarea acesteia n vederea ntreruperii conduciei va dura mult, limitnd
frecvena de lucru a tranzistorului. Din motivele enunate mai sus punctul de funcionare se
alege n zona de cvasisaturaie. Cderea de tensiune colector-emitor n conducie, specific
cvasisaturaiei, este sensibil mai mare lund valori ntre 0,91,6V.
n sfrit prezint interes variaia caracteristicii statice cu temperatura jonciunilor. Astfel
n fig.1.58 sunt prezentate caracteristici iC = f(vCE) pentru temperatura j = 25, linie continu, i
cu linie ntrerupt pentru j = 125C, indicnd posibilitatea unui fenomen de ambalare termic a
conduciei prin tranzistor.
O alt caracteristic important este cea de transfer, reprezentnd dependena ic = f(vBE) ,
Fig.1.58 Dependena cu temperatura a

caracteristicii
ic = f(vCE).
Fig.1.59 Caracteristica de transfer.
fig.1.59, de asemenea pentru dou temperaturi. Se poate constata c n zona 1, la aceeai tensiune
vBE, care de altfel este practic constant n funcionarea tranzistorului, curentul de colector crete
cu temperatura, fiind n fapt o zon instabil d.p.d.v. termic. n schimb n zona 2 fenomenul este
invers, aprnd o reacie negativ cu creterea temperaturii, ceea ce produce o funcionare stabil
d.p.d.v. termic.
1.6.3
Caracteristicile dinamice se refer la procesele de intrare i ieire din conducie. Se

consider tranzistorul nglobat n circuitul din fig.1.56. Un proces tipic de intrare n conducie este
prezentat n fig.1.60.Intrarea n conducie este cauzat de aplicarea unui curent de baz iB > 0,
care se aplic cu un anumit gradient, datorat configuraiei circuitelor de comand.
Tensiunea baz-emitor pornete de la VBEOFF < 0, caracteristic barierei de potenial din
jonciunea baz-emitor. Aceast tensiune se modific treptat la valoarea VBEON > 0 ntr-un timp
finit, necesar pentru anihilarea sarcinilor difuzate n bariera de potenial, timp notat prin td i
numit timp de ntrziere.
38
Dup polarizarea n sens direct a jonciunii baz-emitor prin VBEON > 0, ncepe transferul de
electroni din emitor n colector i curentul de colector iC ncepe s creasc cu un gradient diC/dt
determinat de proprietile sarcinii. Timpul de cretere al
curentului este notat cu tri. La sfritul acestui interval se
produc dou fenomene:
ca urmare a modificrii gradientului de curent, pentru
timp scurt se deschide dioda de regim liber n, provocnd
o cdere rapid a tensiunii vCE, care continu s scad ca
urmare a faptului c tranzistorul se afl n regiunea
activ, interval de timp notat prin tfv1;
la sfritul descrcrii energiei bobinei, urmeaz blocarea
diodei prin curentul invers IRRM, care este preluat de
tranzistor.
Pe intervalul urmtor, tfv2, tensiunea colector emitor scade
mai lent, ca urmare a faptului c tranzistorul a intrat n zona
intrarea n conducie.
de cvasisaturaie, unde factorul de amplificare se
micoreaz. Timpul de intrare n conducie
tON = td + tri + tfv1 + tfv2 ,
(1.80)
fiind de ordinul secundelor, permind tranzistorului funcionarea la frecvene de pn la zeci de

kHz. Singurul supracurent care apare este IRRM , care nu modific esenial ncrcarea
tranzistorului, astfel nct se neglijeaz.
Problema principal a intrrii n conducie este generat de pierderile de putere pe
intervalele tri i tfv1 cnd, att iC, ct i VCE au valori apreciabile, putnd conduce la depirea
regimului termic admisibil al tranzistorului. Depirea acestui inconvenient se poate realiza n
dou moduri. O prim cale const n calculul pierderilor de putere din intervalul tri + tfv1 i
introducerea lor n bilanul termic.A doua cale const n prevederea unui circuit de protecie la
intrarea n conducie, fig.1.61., format din inductivitatea LS i circuitul de descrcare nS , RS.
Energia disipat n tranzistor pe intervalul tri este dat de relaia
tri
WON = VCE iC dt .
0
(1.81)
39
Pe circuitul din fig.1.61 se poate scrie

'
= V d (L + L S )
VCE
di c
.
dt
(1.82)
Deci micorarea tensiunii VCE la valoarea VCE ca urmare a introducerii bobinei suplimentare LS
va reduce corespunztor pierderile de putere n tranzistor. Soluia este eficient d.p.d.v. a scopului
propus ns are unele dezavantaje:
conduce la creterea pierderilor de putere i a cderii de tensiune din circuit, nrutind
randamentul conversiei;
nrutete dinamica curentului
iC(t),
bobina
LS
micornd
gradientul diC/dt.
Circuitul se utilizeaz cu precdere
pentru tranzistoarele de curent mare i
cu frecven de comutaie ridicat.
Ieirea din conducie se poate comanda
prin anularea curentului de baz. Pentru
a se obine performane mai bune,
aproape ntotdeauna se utilizeaz curent
de baz iB < 0. n fig.1.62 este prezentat
un proces tipic de ieire din conducie
pentru un circuit de forma celui
prezentat n fig.1.56.Curentul de baz iB
trece de la valoarea pozitiv IBON spre
valoarea negativ IBOFF cu un gradient
generat de configuraia circuitului de
Fig.1.62 Ieirea din conducie.
comand.
Prima
mrime
care
reacioneaz este tensiunea baz-emitor,
vBE, care ncepe s scad pe msur ce sarcina stocat n baz ncepe s se recombine. n acest
interval, numit timp de stocare td, stare de conducie a tranzistorului nu se modific, astfel nct iC
i vCE rmn la valorile din starea anterioar. Pe intervalul trv1 , ca urmare a reducerii sarcinii
stocate din baz, tranzistorul iese din saturaie i tensiunea vCE ncepe s creasc. Pe intervalul trv2
tranzistorul intr n regiunea activ, tensiunea vCE crescnd mai repede. La sfritul lui trv2 , vCE
atingnd valoarea tensiunii de alimentare Vd, produce scderea rapid a curentului de colector, cu
un gradient fixat de sarcina R+L. Timpul de ieire din conducie este dat de relaia
tOFF = td + trv1 + trv 2 + t fi
(1.83)
avnd acelai ordin de mrime ca tON.

Problemele deosebite care apar sunt determinate de pierderile
mari de putere pe intervalele trv2 i tfi, care au aceleai efecte
ca la intrarea n conducie, problema tratndu-se utiliznd tot
cele dou ci. Circuitul de protecie, numit pentru ieirea din
conducie, este prezentat n fig.1.63. Funcionarea lui este
asemntoare cu a circuitului analog de la tiristorul GTO,
di
fig.1.49 i 1.50. Supratensiunea L C , produs la nceputul
dt
Fig.1.63 Circuit de protecie la ieirea
intervalului
t
apare
ca
urmare
a
sarcinii inductive i a
fi
din conducie.
modificrii brutale a gradientului curentului de colector.
Supratensiunea este deosebit de periculoas ntruct se suprapune peste vCE = Vd , la un curent de
40
colector iC apropiat de I0, cea de a doua strpungere fiind

foarte probabil. Evitarea defectului se realizeaz prin
circuitul de protecie la supratensiuni din fig.1.64.Indiferent
de starea tranzistorului, condensatorul Cov se ncarc prin
Rov la tensiunea
VCOV = Vd
(1.84)
Cnd tranzistorul este n conducie dioda nov este blocat

ntruct
VCOV > v CE

supratensiuni.
Fig.1.65 Reducerea
supratensiunii.
1.6.4.
(1.85)
La sfritul intervalului trv2, cnd tensiunea vCE are tendina

de a depi tensiunea de alimentare Vd , ca urmare a supratensiunii
di
L c , dioda nov se deschide i condensatorul se ncarc peste
dt
valoarea Vd. ncrcarea condensatorului Cov se face prin circuitul
sarcinii R+L i dioda nov, adic printr-un circuit serie R, L, C, care
se poate dimensiona astfel nct forma tensiunii de ncrcare s fie
de tip periodic amortizat sau aperiodic, dup modelul de la
tiristoare i diode, micornd att mrimea supratensiunii ct i
gradientul acesteia. Modificarea supratensiunii cu un circuit corect
proiectat este prezentat n fig.1.65. Circuitul de protecie se
utilizeaz frecvent n cazul sarcinilor de tip inductiv.
COMANDA PE BAZ. ANTISATURAIA.
Comanda n circuitul de baz trebuie s ndeplineasc condiiile:

s asigure cureni de baz pozitivi i negativi, pentru realizarea regimurilor dinamice;
separarea galvanic ntre circuitul de comand i cel de tensiune mare, colector-emitor;
evitarea saturrii adnci.
Datorit factorului de amplificare n curent,, mic, curentul de baz
iB =
Fig.1.66 Circuit tipic pentru comanda bazei.
iC
(1.86)
capt valori apreciabile la tranzistoarele de

curent mare, ceea ce face ca sistemul de
comand s conin un amplificator de curent
mare. Un circuit principial de comand al
bazei
este
prezentat
n
fig.1.66a.
Separarea galvanic se face de
obicei prin optocuplor la nivelul blocului de
comand. Tensiunea de ieire UC are forma
din graficul 1.66b. Pentru tensiune de
comand UC > 0 tranzistorul T1 intr n
conducie asigurnd curentul de baz pozitiv,
n timp ce pentru UC < 0 se deschide T2,
41
permind extragerea sarcinii stocate n baz prin iB < 0. n fig.1.66a grupul Rb, LB se prevede
pentru ca scderea curentului iB s fie sincron cu variaia lui iC n scopul evitrii aa numitului
fenomen de coad. n prezent sunt realizate circuite integrate specializate pentru comanda pe baz
n care sunt incluse i alte funciuni. Efectele negative ale funcionrii n saturaie au fost
prezentate anterior. Mecanismul intrrii n saturaie adnc este determinat fie de variaia
curentului de baz, fie a curentului de colector. Astfel n fig.1.67 se consider punctul de
funcionare A n zona de cvasisaturaie, la un curent de baz iB1. Considerndu-se curentul de
colector constant, la valoarea iCA, modificarea curentului de baz la valoarea iB2 > iB1 conduce la
transferarea punctului de funcionare din A n B i la intrarea n saturaie adnc. Aceast situaie
este ns puin probabil ca urmare a modului de realizare a schemei de comand. Situaia
prezentat n fig.1.68 este ns foarte probabil ntruct curentul de sarcin se poate modifica n
limite largi. Se consider de asemenea o funcionare n cvasisaturaie, n punctul A. Dac curentul
de colector se modific la valoarea
iCB < iCA ,
(1.87)
iar curentul de baz iB1 se pstreaz constant, punctul de funcionare se deplaseaz n B, n

saturaie adnc. Soluia evitrii saturaiei, n acest caz, const n micorarea curentului de baz la
valoarea iB2 < iB1 , respectiv aducerea punctului de funcionare n B. Saturaia adnc este
caracterizat i prin scderea accentuat a tensiunii vCE, aceasta putnd scdea sub nivelul
tensiunii baz-emitor vBE, producnd polarizarea direct a jonciunii baz-colector cu o serie de
efecte nedorite. Evitarea intrrii n saturaie adnc se bazeaz pe controlul tensiunii vCE astfel
nct n permanen
v CE v BE .
(1.88)
Circuitul antisaturaie, fig.1.69, este realizat cu dioda antisaturaie DAS i diodele D1 i D2 din
baza tranzistorului. Considernd circuitul baz-emitor alimentat la tensiunea VB se pot scrie
relaiile
V B = V D1 + V BE
Fig.1.67 Saturaie provocat

de curentul de baz.
(1.89)
Fig.1.68 Saturaie provocat

de curentul de colector.
VB = VD AS + VCE .
(1.90)
VD1 + VBE = VD AS + VCE .
(1.91)
Din relaiile (1.87) i (1.88) rezult
ntruct diodele DAS i D1 sunt de acelai tip
VCE = VBE
(1.92)
42
adic realizarea condiiei de pstrare a tranzistorului n

cvasisaturaie. Din punct de vedere al funcionrii acestui circuit,
la orice tendin de scdere a tensiunii VCE sub nivelul tensiunii
VBE, dioda DAS se deschide, iar curentul de baz iB se divide n
dou componente, iB prin circuitul de colector i iB prin circuitul
baz-emitor. n acest fel se produce micorarea curentului efectiv
de baz la valoarea
Fig.1.69 Circuit
antisaturaie.
iB" < iB ,
(1.93)
readucnd punctul de funcionare n cvasisaturaie.

1.6.5
FUNCIONAREA TRANZISTORULUI.
Parametrii nominali ai tranzistoarelor bipolare, n cea mai mare parte, au fost prezentai
prin caracteristicile statice i dinamice. Suplimentar, la fel ca la celelalte dispozitive
semiconductoare prezentate anterior, mai sunt specificate:
rezistenele termice Rthjc, RthCR i eventual RthRA;
curentul nominal IC, reprezentnd curentul continuu suportat de tranzistor un timp ndelungat,
fr depirea regimului termic admisibil;
curentul maxim ICM, reprezentnd curentul maxim admis de tranzistor n regim de impuls;
arii de funcionare sigur.
Problemele principale privind funcionarea n conducie constau n:
stabilirea punctului de funcionare;
calculul regimului termic;
protecia la cureni de scurtcircuit.
Alegerea punctului de funcionare const n determinarea perechii VCEON, IC i, n funcie
de aceasta, perechea VBE, iB corespunztoare, fig.1.70.Alegerea se face n planul caracteristicilor
statice n funcie de dreapta de sarcin 1, care se traseaz prin perechile de puncte la mersul n
gol, iC = 0 i V0 = Vd, respectiv n scurtcircuit, VCE = 0 i IC = Vd /R. Intersecia cu una din
caracteristicile statice, a crui punct de funcionare F, corespunde necesitilor de curent de
colector iCF solicitate de sarcin i regimului de funcionare n cvasisaturaie, furnizeaz curentul
de baz necesar iBF . Din caracteristica iB = f(vBE) se determina tensiunea baz-emitor necesar
Fig.1.70 Alegerea punctului de

funcionare.
Fig.1.71 Aria de operare sigur.
dimensionrii circuitului de comand. Mai trebuiesc ndeplinite dou condiii. Prima se refer la
efectuarea alegerii de mai sus n condiii de temperatur a jonciunii prestabilite, de obicei la
niveluri apropiate de temperatura maxim a jM.A doua condiie se refer la ncadrarea punctului
43
de funcionare n interiorul ariei de operare sigur, SOA (safety operating area).Aria de operare
sigur, SOA, fig.1.71, delimiteaz o suprafa n interiorul creia este garantat funcionarea
tranzistorului fr deteriorri de orice natur. Aria de operare sigur pentru funcionare n c.c. are
limitele:
curba 1, pentru tensiuni vCE mici, limitare la curentul maxim IC;
curba 2, pentru tensiuni vCE mai mari, limitare la putere disipat n tranzistor
pT = iC vCE ;
(1.94)
curba 3, limitare mai accentuat, pentru evitarea celei de a doua strpungeri;

curba 4, limitare la tensiuni vCE mai mici dect VCESUS .
Pentru funcionarea intermitent, n regim de impuls, aria de operare sigur se extinde pentru
valori mai mari ale curentului. Astfel curentul n regim de impuls poate atinge o valoare mai
mare, ICM, iar limitrile de putere sunt cu att mai sus cu ct durata impulsului este mai mic. De
exemplu notaiile din desen sunt pentru: a=10msec; b=1msec; c=100sec.
1.6.6
PROTECIA LA SUPRASARCIN.
Un tranzistor poate suporta, n anumite condiii, un curent de vrf
iC >> I CM ,
(1.95)
t 10...20 sec ,
(1.96)
ns pentru un interval de timp limitat
Acest lucru face imposibil protecia cu sigurane fuzibile ultrarapide al cror timp de
lucru este mult mai mare. Protecia la suprasarcini utilizeaz proprietatea tranzistorului de a se
bloca ntr-un timp tOFF de ordinul sec. Pentru a se realiza protecia sunt necesare: sesizarea
curentului de suprasarcin i elaborarea comenzii de inhibare a conduciei. O schem de protecie
simplificat, bazat pe supravegherea tensiunii vCE, este prezentat n fig.1.72. Astfel la creterea
curentului, ca urmare a unui defect pe sarcin, se petrec dou
evenimente:
punctul de funcionare, fig.1.68, se deplaseaz din A spre
valori mai mari de curent, dar pe aceeai caracteristic
ntruct iB nu se modific, tranzistorul trecnd din
cvasisaturaie n regiunea activ, curentul fiind, pentru
nceput, limitat chiar de caracteristica iC = f(vCE);
n al doilea rnd crete tensiunea vCE, ca urmare a trecerii
funcionrii n regiunea activ, cretere care este folosit
pentru activarea proteciei.
n stare normal tensiunea n punctul P, fig.1.72, va polariza
Fig. 1.72. Protecia la
direct dioda Dp, tensiunea vCE fiind mai mic. La creterea
suprasarcin.
tensiunii vCE, ca urmare a suprasarcinii, tensiunea n punctul P
crete. Aceast tensiune se aplic ca o intrare n blocul de
comand, unde se compar o mrime prestabilit, corespunztoare curentului IC de defect maxim
admis. n urma comparaiei blocul de comand genereaz semnalul de nhibare a conduciei, de
obicei cu o temporizare prestabilit, care s evite lucrul proteciei la variaii ale curentului de
colector iC, cauzate de regimurile tranzitorii.
44
1.6.7.
REGIMUL TERMIC.
Regimul termic al tranzistorului se calculeaz, n cazurile staionar i dinamic, dup

aceeai metodologie de la diode sau tiristoare. Singurele diferene constau n aprecierea
pierderilor de putere n jonciuni n funcie de tipul de regim de funcionare i prezena sau
absena circuitelor de protecie la intrarea sau ieirea din conducie. Finalizarea calculului se face
fie prin determinarea temperaturii jonciunii j i ncadrarea ei n
j jM ,
(1.97)
fie prin calculul radiatorului care s conduc la ndeplinirea condiiei (1.74).

1.6.8.
MONTAJE DARLINGTON
Tranzistoarele bipolare, ca urmare a factorului de amplificare n curent mic, necesit

cureni apreciabili pentru comand. O soluie des practicat n prezent este montajul de tip
Darlington, fig.1.73, constituit din dou tranzistoare T1 i T2. Principalul avantaj const n
creterea factorului de amplificare n curent dup relaia
= 1 + 2 + 1 2 ,
(1.98)
unde 1 i 2 sunt factorii de amplificare n curent pentru cele dou tranzistoare. Considernd
1 = 2 = 10 ,
(1.99)
rezult un = 120, care n fapt nseamn micorarea de 12 ori a curentului de baz necesar, fa
de cazul utilizrii unui singur tranzistor de capacitate similar cu T2.Montajul introduce i unele
neplceri, mai ales la ieirea din conducie. Tranzistorul T1 lucreaz de obicei saturat iar T2 n
cvasisaturaie. La ieirea din conducie, curentul de baz aferent tranzistorului T1 poate inversa de
sens, extragerea sarcinilor stocate din baza acestuia avnd loc ca la un tranzistor obinuit.
Fig.1.73 Montaj Darlington.
Fig.1.74 Darlington monolitic.
Tranzistorul T2 ncepe s se blocheze abia dup ieirea din conducie a lui T1, iar curentul lui de
baz nu poate inversa de sens, ceea ce face ca timpul lui de stocare s fie mult mai mare.
Rmnnd n conducie numai T2, acesta va prelua ntregul curent de sarcin, suprancrcndu-se
.Evitarea acestui inconvenient se atinge prin introducerea diodei de de stocare DDS , fig.1.73 ,
care, dup evacuarea sarcinii stocate din T1, permite o situaie similar i pentru tranzistorul T2
permind un curent negativ de baz pe T1. n prezent se realizeaz aa numitele Darlington
monolitice care au nglobate n aceeai capsul toate elementele unei corecte funcionri. Pentru
exemplificare, n fig.1.74, este prezentat un astfel de tranzistor, avnd trei etaje. n capsul sunt
incluse rezistoarele R de echilibrare i diodele de stocare DDS, capsula avnd numai cei trei
45
electrozi consacrai, C,B,E. n prezent tranzistoarele de mare putere sunt realizate numai n
montaje de tip Darlington monolitic. Per ansamblu un montaj de acest fel este luat n consideraie
ca un tranzistor simplu, comportarea lui fiind n fapt cea a unui tranzistor bipolar obinuit, mai
puin curentul de baz, care este sensibil mai mic.
1.7
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE.
Din multitudinea tranzistoarelor utiliznd tehnologia MOS (metal-oxid-semiconductor) i

efectul de cmp (FET), n electronica de putere se utilizeaz cele cu canal indus. Fa de
semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET cu canal indus se
caracterizeaz prin dou diferene eseniale:
crearea canalului de conducie prin cmp electric, deci printr-o comand n tensiune de putere
redus;
asigurarea conduciei n canal prin purttori de tip minoritar.
Exemplificarea acestor diferene este prezentat prin structura simplificat din fig.1.75. Structura
este format din corpul p, cu o dopare de 1017/cm3, n care se realizeaz dou incluziuni n1+ i n2+,
nalt dopate, 1019/cm3, numite dren (D) i surs (S).Al treilea electrod, poarta G, este conectat la
corpul p printr-un strat izolant de oxid de
siliciu (SiO2). Dac se polarizeaz pozitiv
SiO2
poarta G n raport cu sursa S, n corpul p
se creeaz un cmp electric pozitiv, care
va atrage n zona porii purttori
minoritari din p, electronii. Densitatea de
purttori atrai va depinde evident de
intensitatea cmpului electric creat.
Sarcina realizat n acest mod formeaz
aa numitul canal n indus. Dac, n
Fig.1.75 Principiu de realizare a unui MOSFET cu canal
continuare, se polarizeaz pozitiv drenul
indus n.
D n raport cu sursa S, electronii din
+
+
stratul n2 vor fi mpini din stratul n2 i atrai de stratul n1+, formnd un curent electric, care se
nchide prin canalul realizat n corp. Densitatea electronilor din canalul indus, fiind controlat de
intensitatea cmpului electric produs de poart, determin conductivitatea canalului, deci
intensitatea curentului electric care se nchide, n sens tehnic, de la dren la surs. Avnd n vedere
cele prezentate mai sus rezult deosebirile funcionale:
cdere mai mare de tensiune dren-surs, ca urmare a densitii reduse a purttorilor de sarcin
din canal;
un timp de ieire din conducie, tOFF , redus;
comanda pe poart n tensiune.
1.7.1
STRUCTUR. POLARIZARE
O structur real a unui MOSFET de putere cu canal indus n este prezentat n fig. 1.76.
Fa de structura de principiu din fig.1.75, apar unele diferene:
prezena stratului srac, n-, cu o dopare de 1014 1015/cm3;
realizarea ntreesut a ansamblului corp-surs, respectiv poart-surs, n scopul asigurrii
unei ct mai bune ptrunderi a cmpului electric n corp;
realizarea de structuri de felul celei din fig.1.76, cu seciune transversal redus i conectarea,
n acelai cip i pentru cureni mari, a mai multor asemenea structuri n paralel, prin
intermediul metalizrilor.
Structura de tip cu canal indus p, care se realizeaz mai rar, are aceeai construcie,
fiind inversate doar tipurile straturilor, structura ntre dren i surs fiind p1+ p-, n, p2+ .
47
Structura complicat a tranzistorului

MOSFET de putere introduce o serie de efecte
parazite. Cele mai notabile sunt capacitile
parazite din jonciuni, fig.1.76 :
capacitatea dren-surs, CDS;
capacitatea poart-surs, CGS;
capacitatea poart-dren CGD .
De asemenea ansamblu n- p n2+
formeaz un tranzistor bipolar pnp parazit, iar pno diod parazit, care au influene n regimurile
de funcionare ale tranzistorului. n fig.1.77 sunt
prezentate simbolurile uzuale pentru tranzistor cu
canal n i cu canal p.
Fig.1.76 Structura unui MOSFET cu canal n indus.
Polarizarea direct a tranzistorului
nseamn, pentru tranzistorul cu canal n,
polaritatea plus pe dren. Jonciunea polarizat
invers este J1, n- p, tensiunea depinznd de grosimea stratului n-. Se realizeaz n mod obinuit
tranzistoare cu tensiuni pn la 1000V. Polarizarea invers, minus pe dren, va fi susinut de
jonciunea J2 , n2+ p, fiind de ordinul a 10 20V. Concluzia const n aceea c tranzistorul
MOSFET poate lucra numai cu alimentare n c.c. i polarizare direct. Tranzistoarele cu canal p
au o funcionare identic, polarizrile fiind de sens opus n raport cu cele de la tranzistorul cu
canal n.
1.7.2
Se consider tranzistorul cu canal n indus din fig. 1.78. Caracteristicile statice, fig.1.79,
se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer, fig. 1.80.La nivelul caracteristicii de transfer
se constat c pentru
VGS < VGSP
Fig.1.78 Schema de
funcionare.
Fig.1.79 Caracteristica
static.
(1.100)
de transfer.
unde VGSP se numete tensiune de prag, curentul de dren, iD , este nul. Peste aceast valoare iD este
practic proporional cu tensiunea poart-surs. n fig.1.80 caracteristica real este prezentat cu
linie ntrerupt (2), iar cea idealizat cu linie plin (1). Tensiunea VGSP este de ordinul volilor.
Familia de caracteristici statice este concretizat prin mai multe zone:
48
Dreapta VBDDS, limitnd tensiunea maxim admis n sens direct. Depirea acestei tensiuni
produce creterea curentului iD i distrugerea, prin multiplicarea n avalan a purttorilor de
sarcin, a jonciunii dren-corp. Fenomenul este asemntor primei strpungeri de la
tranzistorul bipolar.
Zona activ, caracterizat prin cureni de dren constani i tensiuni dren-surs variabile.
Curentul de dren este puternic dependent de tensiunea poart-surs. n fig.1.79 tensiunile
poart-surs sunt n raportul
VGS 4 > VGS 3 > VGS 2 > VGS 1 > VGSP
(1.101)
De asemenea n aceast zon sunt valabile relaiile pentru tensiunea dren-surs

vDS > vGS VGSP ,
(1.102)
iD = k [VGS VGSP ] ,
(1.103)
iar pentru curentul de dren

2
unde k este o constant a tranzistorului.

Zona ohmic, caracterizat prin tensiuni dren-surs mici, unde exist relaia
vDS < vGS VGSP .
(1.104)
n aceast zon curentul de dren este dat de

2
iD = k vDS
.
(1.105)
Separaia dintre cele dou zone, dreapta 1, este caracterizat prin
vDS = vGS VGSP .
(1.106)
Din punct de vedere al electronicii de putere, unde tranzistorul este utilizat n regim de
comutaie, starea de blocare se obine prin
vGS = 0 ,
(1.107)
iar cea de conducie prin puncte de funcionare unde vDS este minim, iar iD maxim. Acest
compromis se poate obine pe curba 1, de separaie ntre cele dou zone, activ i ohmic.
Tensiunile vDS, realizabile n condiiile de mai sus, sunt sensibil mai mari ca la tranzistorul
bipolar, lund valori ntre 1,5 3V. Zona ohmic nu trebuie confundat cu zona de saturaie de
la tranzistorul bipolar, fenomenul saturaiei neexistnd la tranzistorul MOSFET.
1.7.3
Pentru analiza caracteristicilor dinamice se consider tranzistorul introdus n schema din

fig.1.81, unde sarcina, de tip R+L, este asimilat unui generator de curent constant. Alimentarea
circuitului de poart se face prin aa numitul driver de poart, DG. n figur s-au figurat
capacitile parazite CGD i CGS, care joac un rol important n realizarea comutaiei tranzistorului.
Se presupune c driverul de poart DG poate furniza un semnal treapt, EG, fig.1.82.
Acest semnal nu este identic cu tensiunea vGS ca urmare a prezenei condensatoarelor parazite CGD
i CGS , care ncep un proces de ncrcare. n acest fel, dei s-a aplicat la intrare un semnal treapt,
tensiunea vGS are o cretere exponenial cu o constant de timp determinat de rezistena RG din
circuitul de poart i cele dou condensatoare parazite. Primul interval din procesul de intrare n
conducie, fig.1.82, se numete timp de ntrziere, td , fiind generat de faptul c
49
vGS < VGSP ,
(1.108)
iD = 0
(1.109)
vDS = Vd .
(1.110)
interval n care
i
Dup td, tensiunea poart-surs devine mai mare ca VGSP i curentul de dren ncepe s
creasc cu un gradient did/dt determinat de sarcina R, L. Intervalul de timp n care curentul crete
la valoarea de regim staionar I0 se numete timp de cretere a curentului tri. Pe intervalul
t fv1 ncepe scderea tensiunii-dren surs, ca urmare a faptului c tranzistorul se gsete n zona
activ.
Micorarea tensiunii vDS este mai
accentuat ca urmare a deschiderii, pentru timp
scurt la sfritul intervalului tri, a diodei de
regim liber n. Mai mult, urmeaz blocarea
conduciei acestei diode, evideniat prin
curentul IRRM, care se suprapune peste curentul
de dren.
Pe urmtorul interval, t fv 2 , tensiunea
dren-surs scade mai lent ca urmare a trecerii
tranzistorului n zona ohmic, n final
atingndu-se valoarea de regim staionar VDSON.
Pe intervalele t fv1 + t fv 2 , practic ncrcarea
Fig. 1.81 Circuit pentru analiza regimurilor

dinamice.
condensatoarelor nceteaz ca urmare a

modificrii capacitii CGD ,variabil in raport
de tensiunea VDS .La sfritul intervalului t fv 2 rencepe ncrcarea condensatoarelor parazite, pn
la atingerea strii finale.
Timpul de intrare n conducie este dat de
t ON = t d + t ri + t fv1 + t fv2
(1.111)
avnd valori de ordinul zecilor de nanosecunde,

cel mult sute de nanosecunde, permind
funcionarea acestuia la frecvene de ordinul
sutelor de kHz.
n privina pierderilor de putere acestea
sunt importante pe intervalul de comutaie
propriu-zis,
tC = tri + t fv1 + t fv 2 ,
(1.112)
ca urmare a frecvenei mari de lucru, i provoac

un regim termic important. Ca urmare n cadrul
regimului termic al tranzistorului acestea se iau n
calcul, furnizorii oferind energia de pierderi
pentru o comutaie, EJC , puterea calculndu-se cu
PC = EJC f ,
(1.113)
50
unde f este frecvena de comutaie.

1.7.4
IEIREA DIN CONDUCIE.

Pentru a se obine blocarea conduciei trebuie ca tensiunea poart-surs s fie
vGS < VGSP ,
(1.114)
vGS = 0 ,
(1.115)
o valoarea normal fiind
care se poate realiza prin descrcarea condensatoarelor parazite CGD i CGS . Procesul de ieire
Fig.1.83 Ieirea din conducie.
din conducie este unul invers celui de intrare n conducie fiind prezentat n fig.1.83.
Timpul de ieire din conducie tOFF este de acelai ordin de mrime ca ton. Supratensiuni
pot apare, ca urmare a sarcinii inductive, la modificarea gradientului de curent la nceputul
intervalului tfi, n acelai mod ca la BJT.
1.7.5
Circuitele de comand pe poart trebuie s realizeze urmtoarele condiii:

asigurarea unei tensiuni vGS > VGSP pentru intrarea n conducie;
anularea tensiunii vGS pentru ieirea din conducie;
separarea galvanic ntre circuitul de comand i cel de putere.
n fig.1.84 este prezentat un circuit tipic de comand pe poart. Comanda este produs de
generatorul G, care furnizeaz la ieire un semnal logic. Prin optocuplorul T3 se realizeaz
separarea galvanic. La semnal logic 1 n colectorul lui T3, tranzistorul MOSFET T1 este n
conducie, asigurnd prin RG comanda de intrare n conducie a lui TP. Prin inversorul U tiristorul
T2 este blocat, avnd pe poart semnal nul. La inversarea comenzii, T1 se va bloca, iar T2 intr n
conducie asigurnd descrcarea condensatoarelor parazite. Uneori, pentru micorarea lui tOFF, se
practic polarizarea negativ a tranzistorului T2, pentru a mri curentul de descrcare. La fel ca la
tranzistoarele bipolare se fabric drivere integrate de poart care cuprind i funcii suplimentare ca
protecii la supracureni, supratemperatur .a.
51
Fig.1.84 Comanda pe poart.
1.7.6
FUNCIONAREA N CONDUCIE.
Dimensionarea tranzistoarelor MOSFET se face n tensiune i curent, n acelai mod ca

la celelalte dispozitive semiconductoare de putere. Curentul nominal al tranzistorului iD se alege
n funcie de curentul solicitat de convertor , regimul de funcionare, continuu sau intermitent, i
temperatura de funcionare estimat. La fel ca la tranzistorul bipolar, esenial este ncadrarea
punctului de funcionare n aria de operare sigur, SOA, fig.1.85. Aceast arie conine trei limitri:
la tensiunea maxim n sens direct, VBDDS;
la curent maxim, n c.c., iD, iar n regim de impuls, IDM
;
la putere maxim disipat n tranzistor, curbele
nclinate.
Pentru alegerea curentului nominal se utilizeaz
caracteristicile statice, n general pentru temperatura
maxim de utilizare, urmrind ncadrarea lor n SOA.
Esenial este ns calculul regimului termic dup acelai
model ca la diode sau tiristoare, lundu-se n calcul att
puterea disipat n regim staionar ct i n comutaie,
componente furnizate de productori. n general pierderile Fig.1.85 Aria de operare sigur.
n conducie se calculeaz cu
pJ = VDSON I d ,
(1.116)
unde VDSON se determin din caracteristica static pe care funcioneaz tranzistorul. Avnd n
vedere c VDSON este mai mare dect la tranzistoare bipolare, pierderile de putere sunt sensibil
mai mari i cresc cu creterea temperaturii jonciunilor. De asemenea pierderile n comutaie sunt
dependente de rezistena de poart RG, productorii indicnd rezistene standard de utilizat.
1.7.7
CIRCUITE DE PROTECIE.
Pentru tranzistoare MOSFET sunt necesare mai multe circuite de protecie. O prim
protecie se refer la circuitul poart-surs. Supratensiunile poart-surs pot produce strpungerea
stratului de oxid de siliciu. n general tensiunile maxime poart-surs admise sunt pn la 25
30V. Supratensiunile pot proveni din circuitul de comand pe poart, sursa EC, acestea putnd fi
uor controlate, utiliznd o surs stabilizat. Supratensiunile mai pot proveni din circuitul drensurs, n special la comutri. n unele scheme de comand, aceste supratensiuni se anihileaz prin
prevederea n paralel cu tranzistoarele T1 i T2, fig.1.85, a unor diode antiparalel. La apariia pe
poart a unor supratensiuni mai mari ca EC, indiferent de polaritate, una din aceste diode se
52
deschide i limiteaz mrimea supratensiunii la valori admise. Dificulti produc i subtensiunile

din circuitul poart-surs. Micorarea accidental a tensiunii poart-surs produce micorarea
conductivitii canalului, iar ca urmare a tendinei curentului iD de a rmne constant, cresc
sensibil pierderile de putere, nrutind regimul termic. Protecia se realizeaz prin circuite
specializate de supraveghere a mrimii acestei tensiuni, incluse n driverul de poart. Protecia la
supratensiuni dren-surs se realizeaz cu circuite RC asemntoare cu cele de la tiristoare, sau
circuite R,C i diode ca la tranzistoarele bipolare, calculul fcndu-se similar, fig.1.86.Rezistena
R a circuitului are n vedere limitarea curentului de descrcare a condensatorului. In fig.1.86a
descrcarea condensatorului C se face prin tranzistor, astfel nct limitarea curentului este strict
necesar. Pentru circuitul din fig.1.86b, prezena diodei n mpiedic descrcarea condensatorului
prin tranzistor.
Protecia la supracureni folosete proprietatea tranzistorului de a se bloca, ntr-un timp
scurt, prin comanda pe poart.
Se utilizeaz n principal dou soluii. Prima soluie are n vedere msurarea curentului
Fig.1.86 Circuite de protecie

la supratensiuni.
Fig.1.87 MOSFET cu senzor

de curent.
de dren, printr-un senzor adecvat, compararea acesteia cu o referin i elaborarea comenzii de

blocare a conduciei. A doua soluie, de dat mai recent, se bazeaz pe tranzistoarele MOSFET
cu senzor de curent inclus, fig.1.87.Cteva din celule constitutive ale MOSFET-ului sunt
conectate la doi electrozi speciali, suplimentari fa de cei clasici, K-electrod Kelvin i CS-surs
de curent. Tensiunea culeas la ieire furnizeaz informaii n timp real despre valoarea
supracurentului. Mai departe semnalul este prelucrat la fel ca n cazul anterior. Acest ultim tip de
protecie are cteva caracteristici foarte avantajoase:
exclude senzorul de curent exterior i constantele de timp aferente;
asigur o protecie distribuit i individual, pentru fiecare tranzistor al convertorului.
1.7.8
TRANZISTOARE IN PARALEL.
ntruct tranzistoarele MOSFET se fabric pentru cureni relativ mici, 100 200A, n
cazul convertoarelor de putere mare este necesar conectarea acestora n paralel, dup schema din
fig.8.16.Problema principal const n egalizarea curenilor dup
iD1 = iD2 =
I0
.
2
(1.117)
ntre caracteristicile de transfer ale celor dou tranzistoare pot s apar diferene care s
conduc la o ncrcare inegal, ca n fig.1.89. Tranzistorul T1, mai ncrcat ,se va nclzi mai mult
dect T2. Caracteristica de transfer, cu creterea temperaturii se modific n poziia 1, conducnd
la un curent
Fig.1.88 Tranzistoare n paralel.
53
Fig.1.89 ncrcarea tranzistoarelor n

paralel.
i D' 1 < i D1 ,
(1.118)
realizndu-se n fapt o reacie negativ avnd ca sens echilibrarea curenilor. Ca urmare nu se iau
msuri speciale de echilibrare. Datorit vitezei mari de comutaie pot s apar oscilaii de curent,
ca urmare a unor oscilaii ntre comenzile celor dou tranzistoare. Evitarea acestor oscilaii se
realizeaz prin decuplarea comenzii pe poart prin rezistene separate, RG, ca n fig.1.88.
1.7.9
ALTE CONSIDERAII.
Aa cum s-a menionat mai sus tranzistorul MOSFET, ca urmare a structurii conine un
tranzistor bipolar i o diod parazite.
Tranzistorul bipolar parazit, de tip npn, este format de straturile n- p n2+, baza tranzistorului fiind
format din corpul p, iar emitorul din sursa n2+ . Factorul de amplificare n curent, , a acestui
tranzistor este suficient de mare ca urmare a configuraiei corpului. Intrarea n conducie a acestui
tranzistor, produce urmtoarele efecte:
micorarea substanial a tensiunii VBDDS, ca urmare a creterii densitii de purttori de
sarcin din stratul n- ;
la tensiuni mari poart-dren, tranzistorul parazit fiind n conducie, poate intra n saturaie,
prelund curentul dren-surs, blocarea lui nefiind posibil ntruct corpul p nu este accesibil
pentru evacuarea sarcinii stocate.
Dioda parazit este format din straturile p n-n+, avnd deci
catodul comun cu drenul. Funcional ea se comport ca o diod
antiparalel cu tranzistorul ,putnd intra n conducie atunci cnd
sarcina, ca urmare a structurii convertorului, inverseaz sensul
curentului. n felul acesta se pierde capacitatea de blocare a
MOSFET-ului, conducnd la distrugerea tranzistorului. Anularea
efectelor produse de tranzistorul bipolar parazit se realizeaz
constructiv prin meninerea bazei acestuia la potenialul sursei.
Concret acest lucru se realizeaz, fig. 1.76, prin extinderea metalizrii
Fig.1.90 Anularea
sursei n zona corpului p. Anularea efectelor diodei parazite, efecte ce
efectului diodei parazite.
pot apare n unele scheme de convertoare, de exemplu n punte, se
realizeaz prin plasarea diodelor n1, respectiv n, fig. 1.90. Plasarea
numai a diodei n1 asigur o cale de nchidere a curentului de sens invers, fiind n fapt o diod de
regim liber. Soluia radical const n plasarea diodei n, care nu va permite amorsarea, n nici o
situaie, a diodei parazite.
1.8
TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART IZOLAT (IGBT).
Tranzistoarele bipolare i MOSFET au, fiecare n parte, o serie de performane foarte

avantajoase pentru aplicaii, dar i unele dezavantaje care limiteaz dimensiunea aplicaiei.
Astfel tranzistorul bipolar n raport are avantajele:
capacitate mai mare n curent i tensiune;
cdere mic de tensiune in conducie, VCEON.
Pe de alt parte dezavantajele mai importante sunt:
timpi relativ mari de comutaie;
curent i putere de comand mare;
prezena saturaiei;
pericolul de distrugere prin cea de a doua strpungere.
Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele:
timpi mici de comutaie;
comand n tensiune;
inexistena saturaiei i a celei de a doua strpungeri ;
capacitate relativ mic n tensiune i curent.
mbinarea avantajelor celor dou tipuri de tiristoare s-a regsit ntr-un nou dispozitiv
semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu poart izolat IGBT.
1.8.1
STRUCTUR. POLARIZARE
O structur vertical printr-un IGBT cu canal n este prezentat n fig.1.91, iar n fig.1.92
simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
stratul colectorului de tip p+, nalt dopat, 1019/cm3;
stratul de srcire de tip n-, slab dopat, 1014/cm3;
corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
stratul emitorului n2+, nalt dopat, 1019/cm3.
Suplimentar la unele tranzistoare se mai gsete i stratul tampon n1+, nalt dopat
1019/cm3 .
Dac tranzistorul nu are stratul tampon se numete IGBT simetric, n caz contrar
Fig.1.91 Structur.
Fig.1.92 Simbolul IGBT-ului cu

canal n.
n2+
55
asimetric. Emitorul tranzistorului se conecteaz la stratul

prin intermediul metalizrii 1, din
aluminiu. Metalizarea porii G este separat de corpul p prin stratul de oxid de siliciu, 2.
Pentru analiza polarizrii se consider poarta izolat. Polarizarea direct const n
aplicarea polaritii plus pe colectorul C al tranzistorului. Este polarizat invers doar jonciunea
J2, bariera de potenial extinzndu-se n toat grosimea stratului n-, IGBT-ul putnd susine
tensiuni de pn la 1500 2500V. n cazul polarizrii inverse, minusul pe colector, exist
diferene ntre tranzistorul simetric i asimetric. Astfel pentru tranzistorul asimetric, fig.1.91, sunt
polarizate invers jonciunile J1 i J3. Fiind jonciuni de tip n+ p, respectiv n+p+, barierele de
potenial sunt reduse, iar capacitatea n tensiune invers de ordinul zecilor de voli. n cazul
tranzistorului simetric, lipsind stratul n1+, jonciunea J1 este format din straturile n- p+, bariera de
potenial fiind de acelai ordin de mrime ca la polarizarea direct. Aadar tranzistorul simetric
poate funciona alimentat att n c.c. ct i n c.a., n timp ce tranzistorul asimetric poate funciona
alimentat numai alimentat cu tensiune continu i polarizare direct. Se realizeaz foarte rar
IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind asemntoare, tipul straturilor i polarizarea inversate.
1.8.2
FUNCIONARE. CARACTERISTICA STATIC.
Stare de conducie a unui IGBT se realizeaz dac este polarizat ca n fig.1.93.

Productori de IGBT-uri furnizeaz mai multe tipuri de scheme echivalente funcionale, care
permit descrierea conduciei n tranzistor. O astfel de schem echivalent simplificat este
prezentat n fig.1.94, unde IGBT-ul este nlocuit printr-un tranzistor MOSFET cu canal n i un
tranzistor bipolar pnp. Rezistorul Rn-1 materializeaz rezistena stratului n-. Tranzistorul MOSFET
reprezint partea de comand a IGBT-ului care este similar cu cea a tranzistorului MOSFET, n
sensul c n corpul p se creeaz, prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest canal electronii
injectai din surs, polarizat negativ, se regsesc n dren, iar prin stratul n- n baza tranzistorului
pnp, comandnd intrarea rapid n conducie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin
blocarea conduciei MOSFET-ului. n felul acesta se realizeaz comanda n tensiune, deci de
putere mic, i timpi de comutaie redui.
Se evit de asemenea fenomenul saturaiei, comanda pe poart IGBT-ului fiind n cmp
electric. Pe de alt parte prezena ntre colector i emitor a tranzistorului pnp asigur o cdere de
tensiune VCEON comparabil cu cea de la tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice, ic=f(VCE),
au forma din fig.1.95 i se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer ic = f(VGE) din
fig.1.96. n familia de caracteristici statice se definesc zonele:
Fig.1.93 Schema de funcionare.
Fig.1.94 Schema echivalent.
dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori mai mari dect
VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai caracteristici ca la tranzistoarele
bipolare;
zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
56
zona ohmic;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.
Fig.1.96Caracteristica de transfer.
Stabilirea punctului de funcionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, n sensul

ndeplinirii condiiilor:
s asigure la curent maxim, tensiune VCEON minim, punctul de funcionare plasndu-se pe
curba de separaie ntre zonele activ i ohmic;
punctul de funcionare s se gseasc n interiorul ariei de funcionare sigur, SOA, de form
asemntoare cu cea de la MOSFET.
Tensiunea VCEON, care caracterizeaz IGBT-ul, are valori ntre 1,9 2,9V. Calculul
regimului termic urmeaz aceeai metodologie de la tranzistorului MOSFET.
1.8.3
AUTOAMORSAREA.
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identic cu a unui tiristor obinuit. Din
acest motiv IGBT-ul este suspect de apariia fenomenului de autoamorsare, dup modelul de la
tiristorul obinuit. n mod normal curentul de colector se nchide ntre stratul de colector p+ i
stratul de emitor n+ , traversnd corpul p. Acest curent este desenat cu linie continu n fig.1.97.
Pentru a se evita efectele nedorite ce apar la MOSFET, metalizarea emitorului acoper parial
corpul tranzistorului. Astfel poate s apar aa numitul curent lateral, iL, desenat cu linie
ntrerupt, direct ntre colector i emitor, fr traversarea stratului n2+. Se pune astfel n eviden
Fig.1.97 Autoamorsarea.
Fig.1.98 Schema echivalent

complet.
-
57
tranzistorul, T2 , de tip npn, format din straturile n pn2 , care completeaz schema echivalent
simplificat din fig.1.94, dup schema din fig.1.98. Acest tranzistor are ntre baz i emitor
rezistorul Rc, care corespunde rezistenei corpului p. nchiderea curentului lateral, iL, prin corp
produce cderea de tensiune uL, cu polaritatea plus pe baz, proporional cu acest curent. Cnd
curentul de colector este relativ mare curentul lateral iL capt valori apreciabile. Tensiunea uL din
baza tranzistorului T2 devine suficient de mare nct tranzistoarele T1 i T2, a cror schem este
identic cu a tiristorului obinuit, intr n procesul de autoamorsare. Efectele autoamorsrii
conduc la:
intrarea n saturaie a celor dou tranzistoare T1 i T2 nsoit de o cretere accentuat a
curentului de colector i distrugerea IGBT-ului;
imposibilitatea blocrii conduciei prin comand pe poart, aceasta fiind dezactivat prin
apariia autoamorsrii;
blocarea conduciei se mai poate realiza numai prin anularea
curentului de colector, ca la tiristorul obinuit.
Evitarea acestui fenomen se realizeaz n dou moduri.
Pentru structuri de tipul celei din fig.1.97 trebuie meninut curentul
de colector
i c I CM
(1.119)
unde ICM este curentul maxim de colector admis de IGBT pentru care
nu apare fenomenul autoamorsrii.
A doua variant const n modificarea constructiv
prezentat n fig.1.99. Evitarea autoamorsrii const n micorarea
tensiunii uL prin reducerea rezistenei corpului RC, n zona de
nchidere a curentului lateral. n acest sens corpul se realizeaz din
Fig.1.99 Structura pentru
dou regiuni, p cu doparea de 1017/cm3 i p+ cu dopare 1019/cm3.
evitarea autoamorsrii.
Pericolul apariiei acestui fenomen este sporit n procesul de blocare,
cnd ,ca urmare a curentului relativ mare i a tensiunii colectoremitor n cretere, tensiunea uL scap de sub control ,IGBT-ul rmnnd n conducie, dei
comanda pe poart este activat.
1.8.4
CARACTERISTICI DINAMICE. CIRCUITE DE COMANDA PE POART.
Intrare i ieire din conducie a IGBT-ului, avnd n vedere structura de comand, este
identic cu a MOSFET-ului, n sens c efectul capacitilor parazite poart-emitor, CGE, i poartcolector, CGC, intervin n procesul de comutaie n acelai mod ca i capacitile CGD i CGS.
Diferenele care apar constau n:
timpi mai mari de intrare n conducie, tON, i ieire din conducie tOFF, valorile fiind de
ordinul sutelor de nanosecunde;
la nceputul ieirii din conducie, naintea
nceperii scderii curentului de colector,
apare un vrf destul de nsemnat al acestui
curent, cauzat de nceperea recombinrii
golurilor din stratul de colector;
la tranzistorul asimetric prezena stratului
tampon n1+, asigur o recombinare direct a
golurilor din stratul de colector, reducnd
supracurentul i micornd substanial
Fig.1.100 Circuit de comand pe poart.
timpul de blocare tOFF;
58
ca urmare a impedanei mari de intrare a circuitului de poart pot s apar oscilaii ale
comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe semnalul de comand, iar conexiunile
circuitului de comand se realizeaz cu lungime ct mai mic.
Un circuit tipic de comand pe poart, fig.1.100, este aproape identic cu cel de la
MOSFET. Diferenele constau n:
prezena filtrului RC pentru prentmpinarea oscilaiilor comenzii;
polarizarea negativ la ieirea din conducie cu scopul de a reduce vrful de curent de la
nceputul blocrii.
Nivelul polarizrii negative este de maxim 5V, nivel la care reducerea vrfului de curent
este substanial. Peste aceast valoare vrful de curent nu se mai micoreaz. Se menioneaz c
acest vrf de curent este suportat fr probleme de IGBT, reducerea lui fiind, cel mai adesea,
solicitat de sarcin.
Similitudinea comenzii IGBT-urilor i MOSFET-urilor merge pn la identitate, n sensul
c se realizeaz drivere de poart integrate cu utilizare pentru ambele tipuri de tranzistoare.
1.8.5
CIRCUITE DE PROTECIE.
Proteciile necesare pentru un IGBT sunt aceleai de la MOSFET i se realizeaz n

acelai mod. In privina proteciei la supracurent, se menioneaz utilizarea numai a primei
metode, ca urmare a faptului c nu se realizeaz IGBT-uri cu senzor de curent nglobat. O alt
diferen const n sensibilitatea IGBT-ului la gradient de tensiune dVCE/dt la ieirea din
conducie. Astfel dac gradientul este prea mare poate s apar
fenomenul de autoamorsare. Productorii indic o arie de
operare sigur la polarizarea invers a porii, RBSOA, fig 1.101,
care limiteaz valorile curentului de colector iC, n funcie de
gradientul dvCE/dt, pentru vGE < 0.
Oricum gradientul dvCE/dt admis este mult mai mare
fa de celelalte semiconductoare de putere. Micorarea
gradientului dvCE/dt se realizeaz, la fel ca la toate dispozitivele
Fig.1.101 Aria de operare
semiconductoare de putere, prin circuite RC n paralel colectorsigur RBSOA.
emitor, dup modelul de la MOSFET. Avnd n vedere
capacitatea mare n curent a IGBT-urilor, uneori se utilizeaz doar o capacitate n paralel cu
circuitul colector-emitor.
1.9
1.9.1
ALTE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.
DIODA CU AVALAN CONTROLAT.
Dioda obinuit este sensibil la supratensiuni inverse, deteriorndu-se dac tensiunea

invers este mai mare dect VBR Dioda cu avalan controlat, cu structura din fig.1.102, este
realizat printr-o tehnologie care i asigur o uniformitate geometric i chimic. Tensiunea
invers este reinut de straturile n- p-, slab dopate. La solicitrile n sens invers dioda cu avalan
Fig.1.102 Structura i simbolul.

diodei cu avalan controlat.
Fig.1.103. Caracteristica invers.
controlat permite o putere de acelai nivel ca n sens direct, curentul fiind uniform distribuit n
seciunea transversal. Caracteristica n sens invers, inclusiv dependena acesteia la temperatur
este prezentat n fig.1.103.Dioda poate suporta supratensiuni inverse nerepetitive, limitnd
valoarea supratensiunii, conform caracteristicilor din fig.1.103.Aceste diode sunt utilizate fie
pentru redresare obinuit, fie n circuitele de protecie la supratensiuni. In acest ultim caz dioda
se alege dup
VR = VRRM 100
(1.120)
unde VRRM este tensiunea invers repetitiv maxim a dispozitivului protejat, iar VR tensiunea
invers de avalan a diodei de protecie.
1.9.2
DIODA CU DUBL AVALAN CONTROLAT.
Structura i cele dou simboluri ale acestei diode sunt prezentate n fig.1.104. Practic
aceast diod poate fi considerat ca fiind format din dou diode cu avalan controlat montate
n opoziie. Structura concret a acestei diode este format din stratul n, cu rezisten mare i cele
dou straturi marginale p, de rezisten sczut. Caracteristica static, fig.1.105, este simetric n
cele dou cadrane de funcionare, pentru polarizare direct i invers. Este utilizat, din aceleai
motive ca dioda cu avalan controlat, n circuitele de protecie la supratensiuni ale
dispozitivelor semiconductoare de putere.
1.9.3
TRIACUL.
Structura triacului, fig.1.106, indic faptul c acesta este practic compus din dou
tiristoare conectate antiparalel. Un tiristor, cu anodul la electrodul E1, este format din straturile p1
n2 p2 n3, iar al doilea, cu anodul la electrodul E2, din straturile p2 n2 p1 n1. Poarta G este plasat pe
60
Fig.1.104 Structura i simbolul

diodei cu dubl avalan.
stratul special nG. Caracteristica static, fig.1.107, este simetric, pentru polarizarea direct i
invers, indicnd proprietatea triacului de a conduce n ambele direcii, n funcie de polaritatea
aplicat la electrozii E1 i E2. Astfel pentru funcionarea n cadranul 1, se polarizeaz cu plus pe
E1, iar pentru cadranul 3, cu plus pe E2.
Forma caracteristicilor statice, asemntoare cu a tiristorului obinuit, indic prezena
fenomenului de autoamorsare i de automeninere n conducie, IL fiind curentul de amorsare, IH
Fig.1.106 Structura i simbolul triacului.
Fig.1.107 Caracteristica static
curentul de meninere, iar VBD i VBR sunt tensiunile de prbuire n sens direct i invers.
Caracteristicile de comand sunt de aceeai form ca la tiristorul obinuit, fiind ns, ca i cele
statice, simetrice, permind intrarea n conducie att pentru cureni de poart pozitivi, ct i
negativi. Funcionarea triacului este asemntoare cu a tiristorului obinuit, triacul fiind mult mai
sensibil la gradiente de tensiune dvT/dt i avnd frecvena de lucru pentru amorsri alternative n
ambele sensuri, destul de redus, ca urmare a timpului necesar pentru recombinarea purttorilor.
Triacul este utilizat pentru puteri mici, n special n reelele de c.a., pentru controlul tensiunii,
respectiv puterii.
1.9.4
TIRISTORUL ASIMETRIC.
Cunoscut n literatura de specialitate sub abrevierea ASCR (Asymmetrical Silicon

Controlled Rectifier), acest tiristor are structura i simbolul din fig.1.108.
Diferenele constructive fa de tiristorul obinuit constau n:
prezena stratului suplimentar n1+;
lungimea stratului n- mult redus`.
61
Funcionarea n cadranul 1, fig.1.109, este identic cu a tiristorului obinuit. n schimb n cadranul

-
3, ca urmare a micorrii lungimii stratului n , tensiunea VBR este mult redus. De asemenea, din
motivul de mai sus i ca urmare a prezenei stratului n1+, se reduce lungimea de difuzie a
purttorilor de sarcin reducnd timpul de blocare a tensiunilor pozitive, tq, de dou pn la trei
ori, permind tiristorului s funcioneze la frecvene mari, de pn la 30 kHz. Acest lucru
conduce i la micorarea cderii de tensiune VTON , i corespunztor a pierderilor de putere n
conducie. Se utilizeaz la puteri medii i cu alimentare n c.c.
1.9.5
TIRISTORUL CU CONDUCIE INVERS.
Acest tiristor, abreviat prin RCT (Reverse Conducting Thyristor), se compune dintr-un
tiristor obinuit i o diod antiparalel. Structura acestuia i simbolul sunt prezentate n fig.1.110.
Tiristorul, cu electrozi clasici anod i catod, este format de straturile p+ n+ n- p n2+ .
Dioda antiparalel, avnd anodul la catodul tiristorului, este format din straturile p n- n1+.
Caracteristica static, fig.1.111, confirm cele prezentate mai sus, i anume conducia n ambele
sensuri, n sens direct cu amorsare comandat, iar n sens invers exact ca o diod obinuit. Are o
utilizare destul de rar i n aplicaii speciale.
62
1.9.6
TIRISTORUL CONTROLAT PRIN CMP.
Abreviat prin iniialele FCT (Field Controlled Thyristor), acest dispozitiv are structura
i simbolul din fig. 1.112.Straturile acestui tiristor sunt cele clasice de la tiristorul obinuit, stratul
p2+ fiind ns puternic dopat. Ca urmare a structurii poart-catod, nglobat n stratul n-, acest
tiristor se comand n tensiune,
U GK < 0 .
(1.121)
Purttorii minoritari din stratul porii sunt mpini, prin stratul n-, spre stratul catodului.
n acest fel se creeaz o sarcin negativ, care moduleaz conductivitatea stratului n-, asemntor
canalului de la tranzistoarele MOSFET. Prin aceast conductivitate controlat se nchide curentul
anod-catod, iT , care va depinde, conform cu caracteristica static din fig.1.13, att de tensiunea
anod-catod, vT , ct i de tensiunea UGK. Caracteristicile 1, 2 i 3 au raportul tensiunilor poartcatod n relaia
U GK 1 < U GK 2 < U GK 3 ,
(1.122)
iar caracteristica 0 este pentru UGK = 0. Acest tiristor nu rmne n conducie prin autoamorsare,
comanda trebuind s fie permanent. Blocarea conduciei se poate realiza prin extragerea, cu
Fig.1.113 Caractersitica static.
ajutorul porii, a sarcinilor din stratul n-, dup un model asemntor ca la tiristorul GTO, adic
prin introducerea unui curent pozitiv n poart. n general tON i tOFF sunt relativ mari ca urmare a
timpului necesar modulrii conductivitii stratului n-. Suplimentar cei doi timpi sunt n relaia
tOFF > tON .
(1.123)
Se utilizeaz n aplicaii de putere mic, aceste tiristoare fabricndu-se la tensiuni de sute de voli
i cureni de zeci de amperi.
1.9.7
TIRISTORUL MCT.
Simbolizarea MCT provine de la tiristor cu control MOS (MOS Controlled Thyristor).

Modificrile constructive au n vedere numai partea de comand i constau n ataarea la structura
obinuit a unui tranzistor MOSFET n scopul realizrii unor comenzi de mic putere, n tensiune,
ct i pentru realizarea comenzii de blocare a conduciei. ntruct structurile straturilor acestui
tiristor sunt foarte complicate, se vor prezenta completrile numai la nivelul schemelor
echivalente.
Prima structur, mai simpl, fig.1.114, conine numai un tranzistor MOSFET, cu canal de
tip p.
Fig.1.114 MCT cu
poart de blocare.
Fig.1.115 MCT cu
dou pori.
63
Fig.1.116 Simbolizarea
MCT.
Structura conine cele dou tranzistoare din schema echivalent clasic a tiristorului obinuit.
Amorsarea conduciei se face prin curentul pozitiv de poart, iG, ca la tiristorul obinuit. Blocarea
conduciei se realizeaz prin intrarea n conducie a MOSFET-ului T3, prin comand n tensiune
negativ. Conducia n acest tranzistor se nchide de la surs la dren, nsemnnd extragerea
purttorilor de sarcin din baza tranzistorului T2, blocarea acestuia i n final blocarea conduciei
anod-catod.
A doua variant, fig.1.115, utilizeaz un al doilea MOSFET, T4, cu canal n, pentru a
realiza o comand n tensiune la intrarea n conducie. Intrarea n conducie se realizeaz prin
U GK > 0 ,
(1.124)
prin care tranzistorul T4 intr n conducie, polariznd baza tranzistorului T1 negativ, prin sarcinile
injectate din sursa acestuia, comun cu catodul polarizat negativ. n felul acesta tranzistorul T1
intr n conducie i furnizeaz curentul de baz necesar tranzistorului T2 pentru a intra n
conducie i a asigura amorsarea tiristorului.
Timpii tipici de intrare, respectiv ieire din conducie, au valoarea
tON = tOFF = 1 sec
(1.125)
Constructiv aceste tiristoare se realizeaz n dou variante, pentru montajul cu catod

comun, N-MCT, i pentru montajul cu anod comun, P-MCT, fig.1.116. Simbolizarea diferenei
ntre aceste tipuri de tiristoare este obligatorie, ntruct comanda pe poart se aplic n raport cu
electrodul comun.
1.10
CONVERTOARE STATICE.
Majoritatea sistemelor de conversie electromecanic moderne sunt reglabile avnd

parametrii de ieire, vitez, cuplu sau poziie, variabili. Realizarea acestor sisteme de conversie
presupune alimentarea mainii electrice de la surse cu tensiune, curent i frecven variabile, surse
cunoscute sub numele de convertoare statice. Tipurile mai vechi sau mai noi de dispozitive
semiconductoare de putere, precum i limitele n cretere ale tensiunilor i curenilor de lucru au
permis realizarea unei game deosebit de diversificate de convertoare att n ceea ce privete tipul
de conversie, c.a.-c.c., c.c.-c.c., c.c.-c.a. i c.a.-c.a., ct i puterile, tensiunile i frecvenele de
lucru.
1.11
CONVERTOARE C.A.-C.C. NECOMANDATE.
Aceste tipuri de convertoare sunt realizate cu diode avnd, n general, ca scop conversia
energiei de c.a. a reelei n energie de c.c.. n sistemele de conversie electromecanic destinaia lor
este alimentarea circuitelor intermediare de tensiune sau curent aferente convertoarelor c.c.-c.c. i
invertoarelor.
1.11.1
CONVERTOARE CU DIODE FA DE NUL.
O schem generalizat pentru un astfel de convertor, p-fazat, este prezentat n fig.

1.117. Caracteristica principal a acestui convertor const n alimentarea de la o surs sinusoidal
avnd p faze i nchiderea conduciei fa de nulul O, accesibil, al sursei. Se consider sistemul de
tensiuni p-fazat simetric de forma
u1 (t ) = 2U cos t
2
)
p
u2 (t ) = 2U cos( t
uk (t ) = 2U cos[ t ( k 1)
(1.126)
2
]
p
2
]
p
Lund n considerare funcionarea ideal a convertorului, adic comutaia ideal a diodelor i
curentul id(t) prin sarcina R+L nentrerupt, o diod oarecare nk intr n conducie dac tensiunea
din anod, uk(t), este mai mare, n valoare pozitiv, dect
uk-1(t) repectiv uk+1(t). Dac se ia n considerare dioda n1, fig. 1.118, domeniul ei de conducie
u p (t ) = 2U cos[ t ( p 1)
rezult din compararea tensiunilor up(t) i u1(t) care sunt egale la

[
. Aadar n domeniul
, + ] tensiunea u1(t) este cea mai pozitiv, iar dioda n1 intr n conducie. Tensiunea de la
p p
ieirea convertorului, pe acest interval, este
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.117 Convertor cu diode fa de nul.
Fig.1.118 Comportarea diodei n1.
vd (t ) = u1 (t ) ,
(1.127)
fiind evident pulsatorie, deci diferit de o tensiune continu n accepiune riguroas.
Considernd o sarcin cu L R curentul id(t) prin sarcin poate fi asimilat cu un curent
continuu constant, adic
id (t ) = I d = const.
(1.128)
Avnd n vedere c procesul de redresare este periodic, repetndu-se pentru fiecare interval
2 / p , valoarea medie a tensiunii redresate se calculeaz cu relaia
sin
1
p
(1.129)
2U cos t.d ( t ) = 2U
.
p
p p
p
Indicele p reprezint n acelai timp i numrul de pulsuri, de forma celui din intervalul
Vd =
1
T
u1 (t )dt =
, + ] , care apar n tensiunea de ieire vd(t) pe o perioad T a tensiunilor de alimentare. Din

p p
acest motiv convertorul din fig. 1.117 se mai numete cu p pulsuri fa de nul. Convertoarele
de acest tip nu sunt prea utilizate din cauza unor dezavantaje importante, dintre care se
menioneaz:
prin fazele sursei trece curent doar un interval redus, 2/ p, ceea ce conduce la
slaba utilizare a sursei;
dac sursa este un transformator, puterea aparent a acestuia este mult mai mare dect
puterea continu la ieirea convertorului.
Convertoarele de acest tip cele mai utilizate sunt:
cu dou pulsuri, care necesit un transformator avnd secundar cu priz median;
cu trei pulsuri, care poate fi conectat i direct la reele cu nul de lucru accesibil;
cu ase pulsuri, care necesit un transformator trifazat cu secundar dublu, n conexiune
Yy12, respectiv Yy6.
Principalele caracteristici ale acestor convertoare sunt prezentate n tabelul 2.1, unde S este
puterea aparent a sursei, iar Pd0 este puterea debitat pe sarcina R+L.
Tabelul 1.1
p
2
3
6
Vd
0,9U
1,17U
1,35U
S/Pd0
1,34
1,35
1,55
REDRESOARE
Tensiunea de ieire vd(t), pulsatorie, conine componenta de c.c., Vd, i o sum de armonici
superioare. Armonicile superioare ce apar sunt multiplu al numrului de pulsuri p, amplitudinea
armonicilor reducndu-se relativ repede cu creterea rangului acestora.
1.11.2 CONVERTOARE CU DIODE N PUNTE.
Acest tip de convertor provine din dou convertoare fa de nul, P i N, fig. 1.119,
nseriate prin sarcina R+L i sursa de alimentare. n condiiile utilizate anterior convertorul P
furnizeaz la ieire o tensiune vdP (t ) identic cu cea din fig. 1.118 i de valoare medie
sin
VdP = 2U
(1.130)
vd(t)
Convertorul N, avnd diodele cu

anodul comun, funcioneaz asemntor cu
convertorul P, cu diferena c o diod va
intra n conducie atunci cnd tensiunea de
alimentare este cea mai negativ. Tensiunea
medie redresat a acestui convertor este
evident de aceeai mrime cu cea a
convertorului P. Ca urmare, avnd n
vedere i conexiunea de tip serie, valoarea
medie a tensiunii redresate va fi
sin
Vd = 2Vdp = 2 2U
(1.131)
p
Acesta este de altfel avantajul esenial al
convertoarelor n punte i anume realizarea la ieire a unei tensiuni duble n raport cu aceeai
tensiune invers repetitiv pe diode, cum se ntmpl la convertoarele fa de nul. Mai sunt i alte
avantaje. Astfel pentru convertorul cu dou pulsuri n punte, fig. 1.120, este necesar o singur
tensiune de alimentare de
u (t ) = 2U sin t
(1.132)
N
P
Forma tensiunilor redresate vd (t ) i vd (t ) , tensiunea vd i curentul redresat id , sunt prezentate n
fig. 1.121. Un dezavantaj al convertorului, prezentat la nivelul curentului id(t), const n
participarea la conducie a cte dou diode, n serie, 1+2 i 3+4, ceea ce conduce la dublarea
cderii de tensiune i a pierderilor de putere n convertor. n acelai timp conducia prezentat mai
sus produce un curent alternativ prin transformator, astfel c acesta este bine utilizat. Alt avantaj
se refer la numrul de pulsuri ale tensiunii de ieire vd(t). Dac la convertorul monofazat n punte
numrul de pulsuri rmne acelai ca la convertorul faa de nul, la convertoarele trifazate n punte,
fig. 1.122, numrul de pulsuri se dubleaz de la 3 la 6. Considernd sistemul de alimentare de
forma
Fig.1.119 Convertor cu diode n punte.
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.120 Convertor monofazat n

punte.,
Fig.1.121 Conducia n convertorul

monofazat n punte.
u1 (t ) = 2U sin t
2
)
(1.133)
3
4
u3 (t ) = 2U sin( t )
3
n fig.1.123a este prezentat forma tensiunii redresate de convertorul P, iar n 1.123b de
convertorul N. Forma de und a tensiunii vd(t) se poate obine din nsumarea grafic a tensiunilor
vPd (t) i vNd(t) , operaie n general dificil. Se constat din fig. 1.123 c pe intervale de /3
conduce cte o diod din P i una din v N, fiecare diod conducnd n total 2/3. Astfel pentru
u2 (t ) = 2U sin( t
Fig.1.122 Convertor trifazat n

punte.
Fig.1.123 Formele de und pentru convertorul

trifazat n punte.
REDRESOARE

intervalul , , cnd conduc n1 i n6, tensiunea de ieire poate fi calculat din fig.1.124 cu
6 2
vd 1 (t ) = u1 (t ) u2 (t ) .
(1.134)
Pe intervalele urmtoare, procednd n acelai mod, se calculeaz
vd 2 (t ) = u1 (t ) u3 (t )
vd 3 (t ) = u2 (t ) u3 (t )
vd 4 (t ) = u2 (t ) u1 (t ) .
(1.135)
vd 5 (t ) = u3 (t ) u1 (t )
vd 6 (t ) = u3 (t ) u2 (t )
Aadar pe intervale de /3 tensiunea de
ieire vd(t) evolueaz dup tensiunile de
linie ale sursei, a cror faz iniial se
determin cu uurin din diagrama
fazorial din fig. 1.124. Transpunnd n
fig.1.123c tensiunile calculate prin (1.109)
i (1.110) rezult forma de und a tensiunii
vd(t) care conine 6 pulsuri pe perioad.
Corespunztor numrului de pulsuri ale
tensiunii vd(t) i coninutul de armonici al
acesteia se modific n sensul apariiei
armonicilor multiplu al numrului de
pulsuri, p=6. La fel ca la convertorul cu
dou pulsuri n punte se mbuntete
substanial i utilizarea sursei.
n tabelul 1.2 se prezint principalele
Fig.1.124 Diagrama fazorial a tensiunilor de linie.
caracteristici ale convertoarelor n punte,
notaiile fiind aceleai din tabelul 1.1.
Tabelul 1.2.
p
Vd
S/Pd0
2
0,9U
1,11
6
2,34U
1,05
Mai rar, i numai n aplicaii speciale i pentru puteri mari, se utilizeaz convertoare cu 12 pulsuri
utiliznd alimentare hexafazat, sau trifazat cu conectarea punilor trifazate n serie sau paralel i
alimentarea prin transformatoare care produc n secundare sisteme trifazate defazate cu /6 .
1.11.3
COMUTAIA CONVERTOARELOR.
n cele prezentate mai sus convertoarele, indiferent de schema utilizat, i menin

tensiunea medie de ieire, Vd, constant. Cderea de tensiune pe diodele
convertorului este practic constant n raport cu valoarea curentului de sarcin. n realitate ns n
convertor mai are loc o pierdere de tensiune datorit fenomenului comutaiei, care apare la
trecerea conduciei de pe o diod pe alta. Acest fenomen este cauzat de timpul necesar pentru
blocarea conduciei unei diode, notat mai departe cu tOFF. Se consider convertorul din fig.1.117,
curentul id(t)= Id= ct, i dioda n1 n conducie. n momentul n care u2(t) devine mai pozitiv dect
CONVERTOARE STATICE
u1(t), dioda n2 i ncepe conducia, n timp ce dioda n1 continu s conduc. Ambele diode fiind
n conducie sursele u1(t) i u2(t) sunt scurtcircuitate, aprnd curentul de scurtcircuit bifazat ik(t).
Curenii prin cele dou diode pot fi scrii cu uurin sub forma
i1 (t ) = I d ik (t )
.
(1.136)
i2 (t ) = ik (t )
Ecuaiile (1.136) indic care este mecanismul comutaiei:
curentul ik(t) micoreaz curentul prin dioda n1, pn la anularea acestuia, cnd dioda trece
n stare de blocare;
acelai curent ik(t) contribuie la amorsarea conduciei prin dioda n2;
comutaia diodei n1 este posibil ca urmare a intrrii n conducie a diodei n2 i a apariiei
tensiunii u2(t) n catodul diodei n1, motiv pentru care aceste convertoare se numesc cu
comutaie de la surs (reea).
Pe de alt parte
i1 (t ) + i2 (t ) = I d
(1.137)
ceea ce indic faptul c procesul comutaiei nu afecteaz practic curentul debitat. Nu acelai lucru
se ntmpl cu tensiunea vd(t). Astfel dac se scrie teorema a doua Kirchhoff prin sarcin i
sursele l i 2 se obine
di (t )
vd (t ) + L 1 = u1 (t )
dt
(1.138)
di2 (t )
vd (t ) + L
= u2 (t )
dt
nlocuind n (1.113) valorile curenilor din (1.111 ) rezult
d [ I d ik (t )]
vd (t ) + L
= u1 (t )
dt
(1.139)
dik (t )
vd (t ) + L
= u2 (t )
dt
Efectund derivrile i nsumnd cele dou ecuaii se obine
1
vd (t ) = [u1 (t ) + u2 (t )] .
(1.140)
2
Aadar evoluia tensiunii redresate n perioada de comutaie nu are loc dup tensiunea
Fig.1.125 Comutaia convertorului cu p

pulsuri fa de nul.
Fig.1.126 Caracteristica extern a unui

convertor cu diode.
u2(t) ci dup o alt valoare, evident mai mic, fig.1.125. Astfel apare o cdere de tensiune
suplimentar proporional cu suprafaa haurat din figur. Pentru determinarea acestei cderi de
tensiune este necesar calcularea unghiului , numit unghi de comutaie sau de suprapunere a
REDRESOARE
conduciei. n primul rnd este necesar expresia curentul de scurtcircuit ik(t) care se determin
din fig.1.117 pe baza relaiei
di (t )
di (t )
(1.141)
L 2 L 1 = u1 ( t ) u2 ( t )
dt
dt
Utiliznd n (1.141) valoarea curenilor din (1.136) se obine
di (t )
(1.142)
2 L k = u1 ( t ) u2 ( t )
dt
unde L este inductivitatea de dispersie pe o faz a sursei. n ecuaia (1.141) s-au neglijat
rezistenele interne ale surselor, care n mod real sunt mult mai mici dect reactanele L. Din
(1.142) prin integrare se obine expresia curentului de scurtcircuit sub forma
2U l
ik (t ) =
(1 cos t ) ,
(1.143)
2 L
unde Ul este valoarea efectiv a tensiunii de linie. Aadar curentul i2(t) evolueaz dup forma lui
ik(t) care are o variaie sinusoidal, iar i1(t) dup Id- ik(t), fig.1.125.
Condiia de determinare a unghiului
i2 ( + ) = ik ( + ) = I d
p
p
(1.144)
conduce la:
2 L I d
,
(1.145)
2U l
adic unghiul de comutaie pentru un convertor dat depinde prin L de tensiunea de scurtcircuit a
sursei, iar prin Id de curentul debitat de convertor. Cum sursa are tensiunea de scurtcircuit
constant, unghiul este determinat numai de curentul debitat. Pentru a se evita comutaia
multipl, caracterizat prin rmnerea n conducie simultan a mai mult de dou diode, la
proiectare se dimensioneaz astfel convertorul nct pentru curentul maxim debitat
1 cos =
<
.
(1.146)
p
Cderea de tensiune datorat comutaiei, numit adesea cdere de tensiune reactiv, se poate
calcula din fig.1.125 cu relaia
1
u (t ) + u2 (t )
V =
[u2 (t ) 1
]d ( t ).
(1.147)
2
2
p p
Utiliznd relaia (1.145), n vederea eliminrii unghiului de comutaie , se obine
p L
V =
Id .
(1.148)
2
Relaia (1.148), prin V< O, indic faptul c are loc o cdere de tensiune, iar prin termenul
p L
= R ,
(1.149)
2
care este constant pentru un convertor dat, faptul c relaia (1.148) se poate scrie sub forma
V = R .I d ,
(1.150)
adic valoarea cderii de tensiune reactiv este proporional cu valoarea curentului debitat.
Astfel caracteristica extern real a convertorului pentru conducie nentrerupt are forma
cztoare din fig.1.126. Pentru convertoarele n punte, ntruct comutaia se repet la intervale de
/p, alternativ n convertorul P i n convertorul N, cderea de tensiune reactiv este dubl fa de
cea din relaia (1.150).
CONVERTOARE STATICE
n afar de cderea de tensiune reactiv comutaia mai are dou efecte. Pe de o parte durata de
2
2
conducie a diodelor crete de la
la
+ , nrutind regimul termic al acestora. Pe de alt
p
p
parte scurtcircuitele periodice din surs cu durat produc o deformare important a sistemului de
tensiuni de alimentare, convertorul fiind un generator de tensiuni deformante. Deformrile apar n
puncte fixe, k
, dar au durat variabil , ceea ce face ca aprecierea gradului de deformare s fie

p
destul de dificil.
1.11.4
INFLUENA SARCINII ASUPRA FUNCIONRII CONVERTORULUI.
Dac convertorul este destinat alimentrii unui circuit intermediar de curent, atunci
schema lui echivalent este cea din fig.1.127, unde inductivitatea LF se introduce n mod special
pentru reducerea ondulaiilor curentului id(t), iar R+L reprezint sarcina. Bobina LF are rolul de a
nmagazina energie electric, n general n intervalele de cretere a tensiunii vd(t), i de a o
furniza, la solicitrile sarcinii, respectiv la descreterea tensiunii vd(t). Problema principal a
acestei scheme const n dimensionarea
inductivitii LF, astfel nct ondulaiile curentului
id(t) s fie n interiorul unei limite admise, tinznd
spre ideal, cnd id(t) = Id= ct. Se consider un
convertor cu p
pulsuri n una din variantele n punte sau fa de
nul. Ecuaia de echilibru electric, conform fig.1.126
, are expresia
Fig.1.127 Schema echivalent pentru
did (t )
alimentarea
unui circuit intermediar de curent.
.
(1.151)
vd (t ) = Rid (t ) + ( L + LF )
dt
n fig.1.128 este prezentat variaia tensiunii vd(t) i a curentului id(t) pe intervalul de conducie al
unei diode. n primul rnd se constat c frecvena pulsaiilor curentului id(t) este de p ori mai
Fig.1.128 Ondulaia curentului pentru

o sarcin R+L.
Fig.1.129 Simplificarea calculului

pentru Id.
mare ca a sursei.
Pe de alt parte cderea de tensiune pe rezistena de sarcin
vR (t ) = R.id (t )
are aceeai variaie ca i curentul id(t). n intervalul [ t1 , t2 ]
di (t )
ul (t ) = ( L + LF ) d
dt
(1.152)
(1.153)
REDRESOARE
calculabil din relaia (1.151) conform cu

ul (t ) = vd (t ) vR (t )
(1.154)
este pozitiv, suprafaa A1 fiind proporional cu energia nmagazinat n inductivitile LF + L. n
intervalul [ t2 , t3 ]
uL (t ) < 0
(1.155)
ceea ce nseamn c inductivitile cedeaz energie, proporional cu suprafaa A2. Neglijnd
pierderile, din motive de conservare a energiei, cele dou suprafee sunt egale, adic
t2
t2
di (t )
(1.156)
t [vd (t ) vR (t )]d ( t ) = t [L + LF ] dtd d ( t ) = ( L + LF )I d ,
1
1
unde prin Id s-a notat ondulaia curentului id(t) , fig.1.128. Din ecuaia (1.156), impunnd
ondulaia Id admis, se poate calcula LF ns necesitatea utilizrii expresiilor analitice pentru
vd(t) i vR(t), fac practic imposibil aceast ntreprindere. Dac se neglijeaz comutaia tensiunea
redresat variaz dup
vd (t ) = 2U sin t ,
(1.157)
iar dac ondulaiile curentului sunt mici, ceea ce de
fapt se urmrete,
vd (t ) = Vd = RI d .
(1.158)
n aceste ipoteze desenul din fig. 1.127 se modific ca
n fig. 1.129. Aria A1 , necesar n ecuaia (1.156), se
Fig.1.130 Schem echivalent pentru
calculeaz dup
circuit intrermediar de tensiune.
A1 = 2 [u1 (t ) Vd ]d ( t ).
(1.159)
Din fig. 1.128 se scrie

Vd = 2 sin
(1.160)
Cu aceast observaie aria A1 se calculeaz la valoarea
A1 = 2 2U (sin t sin )d ( t ) =
(1.161)
= 2U [2 cos ( 2 ) sin ].
Din (1.156) i (1.161), n funcie de ondulaia Id
admis pentru curentul de sarcin, rezult
2U [2 cos ( 2 ) sin ]
LF + L =
(1.162)
I d
i deci posibilitatea de a calcula inductivitatea de
filtrare necesar LF. n general curentul absorbit de la
surs are forma determinat de id(t). Rezult aadar c
se va absorbi de la surs un curent nesinusoidal,
Fig.1.131 Formele de und
fundamentala fiind n faz cu tensiunea sursei. Apare
pentru tensiuni i cureni.
deci un regim deformant, convertorul fiind un
generator de curent deformant. De asemenea, ca urmare a coninutului de armonici superioare,
factorul de putere total al convertorului este subunitar.
n cazul alimentrii circuitelor intermediare de tensiune, scopul fiind reducerea
ondulaiilor tensiunii de ieire vd(t), schema echivalent are forma din fig. 1.130, unde prin R se
materializeaz sarcina convertorului, iar prin CF capacitatea de filtrare. Se consider
c)
10
CONVERTOARE STATICE
condensatorul CF ncrcat la o tensiune Uc, cu polaritatea din fig. 1.130, iar convertorul cu p
pulsuri pe perioad fie n schema n punte, fie n schema fa de nul. Neglijnd comutaia, forma
de und a tensiunii redresate vd(t) este prezentat n fig. 1.131 a. Fie prima tensiune a sursei
u1 (t ) = 2U sin t .
(1.163)
Se ncepe analiza fenomenelor ce au loc de la
(1.164)
t .
n condiiile de mai sus
u1 (t ) > U c
(1.165)
i
id (t ) = iC (t ) + iR (t ),
(1.166)
unde
d
(1.167)
id (t ) = CF [u1 (t ) U C ] = CF 2U cos t ,
dt
iar
2U
iR (t ) =
(1.168)
sin t.
R
Notnd
CF R = tan
(1.169)
dup manipulri simple, rezult
1 ( CF R) 2
sin( t + ).
(1.170)
id (t ) = 2U
R
Ca urmare a faptului c iC (t ) 0 , condensatorul CF ncepe s se ncarce peste valoarea tensiunii
UC . ncrcarea are loc pe intervalul , att timp ct
u1 (t ) > uC (t ),
(1.171)
unde prin uC(t) s-a notat tensiunea curent la bornele capacitii CF. Unghiul , la care iC (t ) = 0 ,
se poate calcula din condiia
id ( ) = 0 ,
(1.172)
care conduce la
+ = 0 ,
(1.173)
respectiv
= = arctg ( CF R) >
(1.174)
.
2
Tensiunea la bornele sarcinii R evolueaz n acest interval dup vd(t), deci dup u1(t). Dup
condensatorul CF ncepe s se descarce pe rezistena de sarcin R. Dac la t = tensiunea
condensatorului a ajuns la valoarea UC, curentul prin R are form
U C t
(1.175)
iR (t ) = iC (t ) =
e ,
R
unde constanta de timp a circuitului de descrcare are valoarea
= RCF .
(1.176)
Tensiunea la bornele sarcinii i deci la ieirea redresorului are forma
vd (t ) = RiR (t ) = U C e .
Descrcarea are loc pn se atinge din nou condiia (1.171), de data aceasta sub forma
u2 (t ) > U C
(1.177)
(1.178)
11
REDRESOARE
considernd c valoarea UC presupus iniial se atinge i la ncheierea procesului de descrcare a

capacitii CF. Formele de und ale curenilor id(t), iC(t) i iR(t), n conformitate cu relaia de
calcul stabilit mai sus, sunt precizate n fig. 1.130 b, c, d. Se impun cteva observaii. n primul
rnd tensiunea medie redresat, ca urmare a ncrcrii condensatorului CF crete peste valoarea Vd
fiind o funcie de unghiul . Dependena noii tensiuni medii redresate V'd n funcie de este
prezentat n fig. 1.132. Valoarea maxim a tensiunii medii redresate
Vd' = kVd
(1.179)
unde k se atinge pentru CF , cnd datorit energiei teoretic
infinite nmagazinate n condensatorul CF, vd(t) este continu, fr
ondulaii, la nivelul valorii de vrf a tensiunilor sinusoidale de
alimentare. Factorul k se calculeaz cu uurin n funcie de schema
convertorului. Astfel pentru convertorul cu 2 pulsuri n punte k = 2 ,
iar pentru cel cu 6 pulsuri n punte k=1,046. n al doilea rnd o diod
conduce un interval
2
Fig.1.132 Variaia
<
(1.180)
tensiunii medii redresate.
p
avnd deci un regim termic mai uor. Pe de alt parte diodele se sting
natural, ca urmare a anulrii curentului id(t), comutaia nemaiavnd loc. n al treilea rnd curentul
id(t), care determin curentul absorbit de la sursa de alimentare, este ntrerupt, nesinusoidal i nici
mcar fundamentala nu este n faz cu tensiunea sursei. Se produce deci o nrutire a factorului
de putere, un regim puternic deformant, convertorul fiind un generator de cureni deformani. n
sfrit tensiunea invers repetitiv pe diode se obine prin nsumarea tensiunii sursei cu tensiunea
UC a capacitii CF, avnd la limit, n cazul =
, valoare dubl fa de cazul sarcinii de tip

2
R+L. Ondulaiile tensiunii de ieire vd(t), depind, pentru o sarcin dat R, de valoarea capacitii
CF. Dimensionarea capacitii CF este o problem mai complicat, ntruct, pentru a ameliora
forma curentului absorbit, se utilizeaz filtre mai complicate, de tipul , sau rezonante prin
includerea i de inductiviti alturi de condensatoare
1.12
CONVERTOARE C.A.-C.C. COMPLET COMANDATE.
Aceste convertoare sunt realizate cu tiristoare obinuite i au ca destinaie alimentarea

sistemelor de conversie reglabile cu maini de c.c. de puteri medii i mari, precum i pentru
alimentarea nfurrilor de excitaie ale mainilor de c.c. i sincrone.
1.12.1
CONVERTOARE C.A.-C.C. UNIDIRECIONALE.
Un convertor comandat unidirecional cu p pulsuri fa de nul se obine din schema din

fig. 1.117, nlocuind diodele cu tiristoare, fig. 1.132. Tiristoarele, avnd posibilitatea de comand
pe poart a momentului intrrii n conducie, condiionat de existena unei tensiuni anod-catod
pozitive, vor avea un interval limitat n care este posibil amorsarea conduciei, interval numit
domeniu de comand. Dac se consider sistemul de tensiuni de alimentare (1.126), tiristorul t1
poate fi comandat ncepnd cu punctul A, fig.1.133, din acelai motiv pentru care n acest punct
intr n conducie dioda n, (fig. 1.117). Acest punct, numit unghi de aprindere natural, se gsete
cu /p naintea trecerii prin maximul pozitiv al tensiunii din anodul tiristorului, unde p este
numrul de pulsuri, avnd aceeai semnificaie ca la convertoarele cu diode. Tiristorul care s-ar fi
putut afla n conducie naintea lui t1 este tp. Tensiunea anod-catod pe tiristorul t1 este de forma
12
CONVERTOARE STATICE
1
AK
= u1 (t ) u p (t ) .
(1.181)
Din fig. 1.133 se constat c u1AK > 0 pe domeniul

[AB], corespunznd unui interval msurnd
radiani, care constituie domeniul de comand a
fiecrui tiristor al convertorului. Unghiul de
comand al intrrii n conducie se noteaz de obicei
cu , iar = 0 se poziioneaz n punctul A.
Aproape ntotdeauna comanda celor p tiristoare se
face simetric, adic la acelai unghi . n fig. 1.134
se prezint forma de und pentru tensiunea de ieire
Fig.1.132 Convertor comamdat
vd(t) n cazul conduciei nentrerupte prin sarcin,
unidirecional fa de nul.
id (t ) 0 i un unghi de comand oarecare .
Impulsurile de comand sunt desenate n partea superioar a figurii, numerotndu-se dup
tiristorul comandat. Tensiunea medie redresat se calculeaz conform cu
Fig.1.133 Domeniul de comand.
Fig.1.134 Tensiunea redresat
sin
1
p
(1.182)
2U cos t.d ( t ) = 2U
cos = Vd cos ,
2
+
p p
p
unde Vd este tensiunea medie redresat pentru convertorul similar cu diode i care se obine pentru
unghiul de comand natural =0. Dependena este prezentat n fig. 1.135. Caracteristica, numit
de comand, conine dou zone distincte:
Vd =
Prima zon, 0
A doua zon,
, , pentru care Vd > 0, , iar puterea

2
debitat de convertor este
Pd = Vd .I d 0
(1.183)
delimiteaz funcionare n regim de redresor cnd puterea electric
circul dinspre convertor spre sarcin.
convertorului
, pentru care Vd 0, iar puterea

Fig.1.135 Caracteristica de
Pd < 0 ,
(1.184)
comand.
delimiteaz regimul de ondulor, cnd, dac sarcina poate genera
putere electric, aceasta circul dinspre sarcin spre convertor, avnd loc o transformarea a puterii
de c.c. n putere de c.a., ca urmare a alimentrii convertorului de la o surs de c.a. n cazul
13
REDRESOARE
convertoarelor cu tiristoare avnd schema n punte, asemntor convertorului cu diode din fig.
1.119, comanda i conducia pentru cele dou convertoare componente P i N decurg dup
modelul convertorului fa de nul, tensiunea Vd fiind dubl ca valoare fa de cea din relaia
(1.182). Avnd n esen aceleai avantaje i dezavantaje ca i convertoarele similare cu diode,
cele mai utilizate convertoare cu tiristoare sunt cele n punte cu 2 i 6 pulsuri. La puteri mari i
foarte mari se realizeaz i convertoare cu 12 pulsuri dup scheme similare cu ale convertoarelor
cu diode.
1.12.2
COMANDA CONVERTOARELOR C.A.-C.C.
Comanda convertoarelor cu tiristoare trebuie s asigure urmtoarele deziderate:

elaborarea comenzii n interiorul domeniului de comand, cu posibilitatea de reglare
continu a fazei de apariie a impulsurilor;
faza de generare a impulsurilor s fie precis, cu cerine suplimentare n cazul cnd n
schema convertorului sunt utilizate tiristoare n paralel sau serie;
impulsurile de comand s aib o putere suficient pentru a asigura amorsarea
sigur, indiferent de temperatura la care se gsete tiristorul;
limea impulsului s fie suficient de mare pentru a permite creterea curentului prin
tiristor la valori superioare curentului de meninere;
s se asigure separarea galvanic ntre circuitul de comand, de generare a impulsurilor, i
circuitul poart-catod al tiristoarelor.
n fig. 1.136 este prezentat o schem
bloc de principiu a circuitului de
comand de tip analogic aferent unui
tiristor dintr-un convertor cu p pulsuri
fa de nul. Scheme de comand de acest
fel mai sunt nc utilizate n aplicaii, n
Fig.1.136 Schema bloc pentru comanda n faz.
paralel dezvoltndu-se scheme numerice
de comand, care ca urmare a
performanelor superioare s-au impus n detrimentul celor analogice. Pentru nelegerea
principiului i implicaiilor comenzii n faz, principiu care st i la baza comenzilor numerice, se
prezint n continuare soluionarea problemei la nivelul analogic. Sincronizarea fazei de generare
a impulsurilor cu faza tensiunii anod-catod pe tiristor se realizeaz prin aa-numita tensiune de
sincronizare, uSI(t), fig.1.137a. Aceast tensiune trebuie s aib o anumit faz iniial care trebuie
s corespund domeniului de comand al tiristorului respectiv.
Astfel pentru convertorul din fig. 1.132, avnd n vedere domeniul
de comand din fig. 1.133, tensiunea de sincronizare trebuie s
Fig.1.137 Semnalele din

circuitul de comand.
fie defazat n urma tensiunii u1(t) cu [ ] . n blocul GTLV se

2 p
realizeaz tensiunea liniar variabil ULV, fig. 1.137b. n blocul
comparator C are loc comparaia acestei tensiuni cu cea de
comand Uc. La egalitatea celor dou tensiuni generatorul de
impulsuri GI produce un impuls de tensiune Ui de durat t.
Modificnd tensiunea de comand ntre limitele
0 U C U CM
(1.185)
rezult o modificare a fazei de generare a impulsului n domeniul
0 ,
(1.186)
adic acoperirea ntregului domeniu de comand.
14
CONVERTOARE STATICE
Schema din fig. 1.136 mai conine un amplificator n putere al impulsului, Al, i izolarea
galvanic IG, care se realizeaz concret prin transformatoare de impuls sau optocuploare. n cazul
convertoarelor n punte circuitele de comand trebuie s asigure cerina suplimentar a comenzii
simultane a tiristoarelor din convertorul P i N care preiau conducia la un moment dat. Astfel,
pentru convertorul cu 2 pulsuri n punte, cu schema din fig. 1.120, din formele de und ale
tensiunilor vdP (t ) i vdN (t ) , n cazul particular =0, se constat c circuitul decomand trebuie s
asigure, n cazul comenzii simetrice, generarea simultan a impulsurilor pe perechile de tiristoare
l i 2, respectiv 3 i 4. Ca urmare, circuitul de comand are a configuraie simpl, trebuind s se
genereze doar dou impulsuri, pe tiristoarele l i 3, impulsurile pentru tiristoarele 2 i 4 rezultnd
prin multiplicare i separare galvanic. Pentru convertorul cu 6 pulsuri n punte, cu schema din
fig. 1.122, lucrurile sunt mai complicate. Formele de und pentru vdP (t ) i i vdN (t ) , reprezentate
pentru =0, indic necesitatea elaborrii a ase impulsuri de comand, n punctele A, B, C pentru
convertorul P i n punctele D, E, F pentru convertorul N, fig.1.123. Rezult un sistem de ase
impulsuri simetric decalate ntre ele cu /p . Dar apariia impulsului pe tiristorul l n punctul A nu
permite amorsarea conduciei n convertor, ntruct nu primete comand nici un tiristor din
convertorul N. Acest lucru este valabil pentru toate tiristoarele convertorului. Evitarea acestui
inconvenient se realizeaz relativ simplu prin generarea, pe fiecare tiristor, a unui impuls
suplimentar, decalat n urm cu /3, respectiv /p , n punctele A, B, C, D, E i F, fig.1.123.
Elaborarea propriu zis a acestor impulsuri suplimentare se realizeaz prin multiplicarea
impulsurilor principale i distribuirea lor pe tiristoare conform celor rezultate din fig.1.123.
1.12.3
COMUTAIA CONVERTOARELOR CU TIRISTOARE.
Comutaia convertoarelor cu tiristoare se desfoar ca la convertoarele cu diode, avnd

aceleai implicaii. Dac pentru convertoarele cu diode, fig.1.125, comutaia ncepe la /p,
comanda fiind natural la =0, pentru un convertor cu tiristoare, comandat la 0 , comutaia va
ncepe la
+ i va dura un interval . Evoluia curentului de scurtcircuit ik(t), ecuaia (1.143),
se modific n sensul c integrarea ncepe de la
+ ,conducnd la expresia
2U l
[cos cos( + t )] .
2 L
Unghiul de comutaie se calculeaz din condiia (1.145) modificat astfel
ik (t ) =
i2 ( + + ) = ik ( + + ) = I d ,
p
p
ceea ce conduce la
cos cos( + ) =
2 L I d
(1.187)
(1.188)
.
(1.189)
2U l
Fa de ecuaia (1.145) n (1.189) apare o dependen suplimentar a unghiului de comutaie cu
faza de comand . Astfel din (1.189) rezult unghiuri de comutaie mici pentru valori ale lui n
jurul lui /2 i creterea, relativ mare, a acestora pentru valori ale lui spre 0 i radiani. Cderea
de tensiune reactiv se calculeaz dup o relaie asemntoare cu (1.147), modificndu-se limitele
de integrare corespunztor zonei n care are loc comutaia, rezultnd
15
REDRESOARE
+ +
p 2U l
1
u (t ) + u2 (t )
(1.190)
V =
[u2 (t ) 1
]d ( t ) =
[cos cos( + )]
2
2
4
+
p p
nlocuind n (1.190) ecuaia (1.189) se obine expresia cderii de tensiune reactiva sub form
identic cu (1.148) adic
p L
V =
Id ,
(1.191)
2
ceea ce indic independena cderii de tensiune reactiv de unghiul de comand . Rezult deci c
V se poate scrie dup ecuaia (1.150) avnd aceleai proprieti. innd cont i de valorile
extreme ale unghiului de comand i de valoarea maxim a curentului Id, la proiectarea
convertorului se limiteaz la valori cuprinse ntre 10-15 grade.
1.12.4
FUNCIONAREA CONVERTOARELOR N REGIM DE REDRESOR I

ONDULOR. CARACTERISTICA STATIC.
Destinaia principal a convertoarelor cu tiristoare const n alimentarea sistemelor de

conversie electromecanic cu motoare de c.c., constituind o surs de tipul R+L+E, unde E este
tensiunea contra electromotoare a mainii, fig. 1.138.
Fig.1.138 Schema echivalent pentru

alimentarea unui circuit de curent.
Fig.1.139 Redresor comandat

cu sarcin R.
Prezentarea anterioar a presupus un curent de ieire id (t ) 0 , ondulat, dar care nu se anuleaz pe

intervalul de conducie a unui tiristor. ntreruperea curentului id(t) are efecte importante n
funcionarea convertorului. n fig.1.138 se consider un convertor cu 2 pulsuri n punte avnd
sarcin rezistiv i fiind comandat la un unghi oarecare n regim de redresor. Conducia prin
convertor se ntrerupe la , ntruct tensiunea u1(t) devine negativ i tiristorul se autoblocheaz.
Curentul debitat de convertor
v (t )
id (t ) = d
(1.192)
R
Fig. 1.140 Caracteristica de comand.
Fig.1.141 Conducia pe sarcin R+L.
16
CONVERTOARE STATICE
are evident aceeai form de variaie cu vd(t). Tensiunea medie redresat are valoarea
1
1 + cos
Vd = 2U sin t.d ( t ) = Vd
(1.193)
2
Comparnd (1.193) cu (1.182) se constat o cretere a lui Vd i modificarea caracteristicii de

comand, dup curba l din fig. 1.140. Pentru sarcini ce conin pe lng rezisten i o
inductivitate, procesul de conducie este esenial influenat de energia vehiculat de aceasta.
Astfel n fig. 1.141 se exemplific efectul inductivitii asupra conduciei pentru un convertor cu 2
pulsuri n punte, comandat la unghiul n redresor. Tensiunea
vd (t ) = uR (t ) + uL (t ),
(1.194)
unde
uR (t ) = R.id (t ),
(1.195)
iar
di (t )
uL (t ) = L d .
(1.196)
dt
Forma de variaie a curentului id(t) este puternic influenat de prezena bobinei. n intervalul ct
uL(t)>0 inductivitatea nmagazineaz energie proporional cu aria A1. Aceast energie este
cedat n momentul cnd
uL (t ) = u (t ) uR (t ) < 0
(1.197)
i este proporional cu aria A2. Neglijnd pierderile, cele dou arii sunt egale, determinndu-se
astfel prelungirea conduciei de la la +. Trebuie menionat, c pe acest interval, dei u1(t)<0,
tensiunea anod-catod pe tiristorul aflat n conducie continu s rmn pozitiv, ca urmare a
apariiei n circuit a tensiunii de autoinducie a bobinei, generat de descrcarea energiei acesteia.
Valoarea medie a tensiunii redresate este dat de
+
1
cos + cos
(1.198)
2U sin t.d ( t ) = Vd
Vd =

2
i este de asemenea mai mare dect n cazul conduciei nentrerupte. Intervalul de prelungire a
conduciei depinde evident de energia acumulat de bobin,
deci att de valoarea inductivitii ct i de valoarea curentului
ntre id(t). Pentru avnd valori n domeniul[ , ] se obin

2
caracteristici intermediare curba 1 i caracteristica de comand
pentru curent nentrerupt, figurate cu linie ntrerupt n fig.
1.140. n cazul cnd sarcina este de tipul R+L+E, fig.1.138,
probabilitatea de ntrerupere a curentului id(t) crete substanial,
fapt prezentat n fig.1.142, pentru acelai convertor.
Probabilitatea de ntrerupere crete ca urmare a faptului c
t.e.m. E este de sens opus tensiunii redresate vd(t) , ceea ce se
Fig.1.142 Conducia n cazul
transpune n fig.1.142, prin deplasarea abscisei la nivelul E.
sarcinii R+L+E.
Neglijnd cderea de tensiune pe rezistena sarcinii energia
acumulat de bobina L este proporional cu aria A1 delimitat de u1(t) i E. Prelungirea
conduciei este asigurat de energia cedat de bobina circuitului, energie proporional cu aria A2.
Cum aria A1 se micoreaz sensibil, egalitatea celor dou indic micorarea unghiului de
prelungire a conduciei, micorare cu att mai accentuat cu ct E este mai mare. Din fig.1.141 i
1.142 se mai constat c probabilitatea de ntrerupere a curentului crete de asemenea cu ct
unghiul de comand este mai apropiat de /2. Una din consecinele ntreruperii conduciei a fost
deja prezentat i const n creterea tensiunii medii redresate la acelai unghi de comand,
inconvenient major n cazul alimentrii motoarelor de c.c. Al doilea inconvenient este sesizabil
17
REDRESOARE
din fig. 1.140 pentru

(1.199)
2
i const n faptul c, pentru acelai , funcionarea poate fi n redresor sau ondulor n funcie de
gradul de ntrerupere al curentului. ntruct funcionarea n regim de ondulor are i alte
particulariti se analizeaz n continuare o astfel de funcionare, de asemenea, pentru convertorul
cu dou pulsuri n punte. Pentru realizarea regimului de ondulor trebuie realizate mai multe
condiii. Prima condiie se refer la unghiul de comand a care trebuie s fie n domeniul
(1.200)
Cea de a doua condiie rezult din fig.1.143. ntruct curentul id(t) nu poate inversa de sens prin
tiristoare, iar puterea circul dinspre sarcin spre sursa de alimentare, polaritatea t.e.m. E trebuie
inversat fa de regimul de redresor. n sfrit, intrarea n conducie a tiristoarelor se realizeaz
dac
E > vd (t ) ,
(1.201)
relaie care se transfer, la nivelul tensiunii medii, n
E > Vd .
(1.202)
Fig.1.143 Convertor cu dou pulsuri n

regim de ondulor.
Fig.1.144 Funcionarea n regim de

ondulor la = 3 / 4 .
O funcionare n regim de curent nentrerupt la = 3 / 4 este prezentat n fig.1.144.

Suplimentar, n fig.1 144c este prezentat forma de und pentru tensiunea anod-catod, u1AK (t ) , pe
tiristorul 1. Se tie c pentru blocarea unui tiristor obinuit, lent, este necesar un timp
tb 300 s
(1.203)
ceea ce corespunde unui unghi
b 5, 40 .
(1.204)
Pentru cazul prezentat n fig.1.144c, intervalul n care, fr a lua n considerare unghiul de
comutaie , u1AK (t ) < 0 , este de /4, deci suficient pentru blocarea certa a tiristorului. Dac ns
unghiul crete la , tensiunea u1AK (t ) devine pozitiv i blocarea tiristorului nu mai este posibil.
Acesta rmne n conducie, n regim de redresor la , cnd tensiunea vd(t) este pozitiv. Schema
18
CONVERTOARE STATICE
echivalent a convertorului n aceast situaie este prezentat n fig.1.145. Ca urmare a nsumrii

polaritii celor dou surse din circuit curentul id(t) capt valori apreciabile, mai mari dect
curentul de scurtcircuit. Evenimentul, care este unul de avarie, se numete curent bascularea
ondulorului n redresor. Evitarea apariiei acestei avarii se realizeaz prin limitarea comenzii
maxime n ondulor dup
max b ,
(1.205)
Fig.1.145 Bascularea
ondulorului n redresor.
extern.
unde , unghiul de comutaie, se limiteaz la 15-20. Avnd n vedere valoarea lui i b

(1.206)
max 145 1550 .
Pentru tiristoare rapide unde
tb 1, 2 10 s
(1.207)
unghiul max se limiteaz la valori mai mari. Pentru corelarea valorilor tensiunilor medii n
ondulor cu cea n redresor, se limiteaz i unghiul de comand minim la
min 15 250 .
(1.208)
Caracteristicile externe ale convertoarelor reprezint dependena
Vd = f ( I d )
(1.209)
pentru diverse unghiuri de comand . Caracteristicile ideale, neglijnd comutaia i considernd
conducia nentrerupt, sunt prezentate cu linie ntrerupt n fig.1.146. n cazul lurii n calcul a
comutaiei, tensiunea medie redresat se modific dup
Vd' = Vd R I d ,
(1.210)
ceea ce provoac o scdere a tensiunii n funcionare ca redresor i o cretere a tensiunii n
invertor, proporional cu valoarea curentului mediu redresat Id. Pentru curenii Id mici, favorabili
ntreruperii conduciei, tensiunile medii redresate cresc ca valoare, iar caracteristicile externe
devenind neliniare. Zona de curent ntrerupt, pentru o sarcin dat, este delimitat n fig.1.146 cu
linie ntrerupt. Din familia de caracteristici din fig.1.146 se exclud evident cele pentru min
i max . Dezavantajele ntreruperii conduciei, evideniate mai sus, provoac destul de multe
neplceri n aplicaiile concrete. Evitarea acestora se realizeaz prin nscrierea cu sarcina a unei
inductiviti speciale LF, numit inductivitate de filtrare. Calcului ei se face din dou
considerente:
evitarea ntreruperii conduciei la curent minim prin convertor, de obicei curentul de mers
n gol al sarcinii;
limitarea ondulailor curentului id(t) n limite admise de sarcin, element important cnd
sarcina este o main de c.c.
19
REDRESOARE
n general acest mod de soluionare a ntreruperii conduciei d rezultate satisfctoare, chiar dac
contribuie la diminuarea randamentului conversiei i la nrutirea dinamicii de cretere a
curentului n ansamblul convertor-sarcin.
1.12.5
CONVERTOARE BIDIRECIONALE.
Un convertor unidirecional alimentnd o sarcin de c.c. asigur dou funcionri

distincte pentru sistemul de conversie:
funcionarea ca motor ntr-un sens de rotaie;
frnarea recuperativ, pn la oprire, pentru acelai sens de rotaie.
Funcionarea ca motor a mainii electrice este anulat la comanda de reducere a vitezei de rotaie.
Ca urmare a comenzii se diminueaz tensiunea medie redresat Vd, la valori mai mici dect t.e.m.
E, ceea ce blocheaz conducia prin
convertor. Frnarea sistemului de conversie
decurge liber, pe seama cuplului static
rezistent, reintrarea n conducie a
convertorului avnd loc cnd Vd>E.
Frnarea recuperativ, pentru ndeplinirea
condiiilor de funcionare a convertorului n
regim de ondulor, presupune, n primul rnd,
Fig.1.147 Schema de principiu a unui convertor
inversarea polaritii t.e.m. E, care se poate
bidirecional.
realiza numai prin comutare cu contactoare
n circuitul convertor-main. n al doilea rnd, comanda trebuie deplasat n ondulor la valoarea
max pentru a evita intrarea n conducie a convertorului la valori mari de curent. Realizarea
acestor condiii presupune introducerea unor scheme logice suplimentare, precum i apariia unui
interval de timp n care maina este nealimentat, deci avnd cuplul nul, care poate s nu fie
acceptabil pentru sistemul de conversie. Realizarea inversrii sensului de rotaie presupune
inversarea polaritii tensiunii vd(t), care, n cazul utilizrii unui convertor unidirecional, necesit
o comutare prin contactoare, soluie neagreat ca urmare a unor dezavantaje uor de neles.
Varianta cu comutare n circuitul inductor, avantajoas ca urmare a curentului de excitaie mai
mic, introduce, ca urmare a constantei de timp mari a nfurrii de excitaie, timpi mori, de
cuplu nul, mult mai mari ca n cazul comutrii retorice. Ambele metode se utilizeaz foarte rar i
numai n cazul sistemelor de conversie cu reversri ale sensului de rotaie i frnri de frecven
redus. Sistemele de conversie moderne folosesc convertoare bidirecionale, de 4 cadrane, care se
realizeaz, prin cuplarea n opoziie a dou convertoare unidirecionale identice i alimentate de la
surse identice, dup schema din fig.1.147.
Convertorul l se comand la unghiul
1 = ,
(1.211)
iar convertorul 2 la
2 = .
(1.212)
n acest fel
Vd 1 = Vd cos
(1.213)
Vd 2 = Vd cos( ),
cele dou tensiuni fiind n permanen egale n modul, nepermind nchiderea unui curent
continuu ntre cele dou convertoare, fig.1.148. Preluarea conduciei de un convertor sau altul
depinde de unghiul de comand i starea sarcinii. Astfel pentru funcionarea n cadranul 1 se
presupune, fig.1.149,
20
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.148 Caracteristica de comand.
0 1
Fig.1.149 Funcionarea n cadranul 1.
(1.214)
Vd 1 > E .
(1.215)
t.e.m. a sarcinii cu polaritatea din figur, iar

Avnd n vedere cele de mai sus rezult

2
(1.216)
Vd 2 < E ,
ceea ce nseamn c acest convertor, dei comandat n ondulor nu poate prelua conducia, fiind
blocat datorit nendeplinirii condiiei de funcionare (1.178). Pe de alt parte convertorul 1 are
ndeplinite condiiile de intrare n conducie i preia curentul n regim de redresor. Se consider
pentru aceast funcionare Vd > 0, I d > 0. Funcionarea n cadranul 2, fig.1.150, se obine prin
creterea unghiului de comand la valoarea ' > , dar pstrnd aceleai regimuri de funcionare
pentru cele dou convertoare. Astfel
Vd 1 < E
(1.217)
Vd 2 < E ,
ceea ce nseamn ca primul convertor, dei
comandat n redresor, nu poate prelua conducia, n
timp ce convertorul 2 preia curentul n regim de
ondulor, realiznd o frnare cu recuperare a
mainii de c.c.. Avnd n vedere c funcioneaz
convertorul 2, tensiunea Vd > 0 , n timp ce I d < 0.
Conducnd treptat 1 spre /2 se obine oprirea
motorului. Continund deplasarea unghiului de
comand astfel nct
2
respectiv
1 ,
(1.218)
21
REDRESOARE
0 2
,
(1.219)
2
convertorul 2 trece n regim de redresor, alimentnd motorul cu polaritate invers, ceea ce
produce inversarea sensului de rotaie i implicit schimbarea polaritii t.e.m. E, fig.1.151.
Evident
Vd 2 = Vd 1 > E .
(1.220)
Din (1.220) i fig. 1.151 rezult c funcionarea convertorului 1 n ondulor nu este
Curentul I d < 0 i Vd < 0 caracterizeaz funcionarea n cadranul 3. Funcionarea n
4,fig.1.152, se obine modificnd n continuare unghiurile de comand astfel nct,
aceleai regimuri de funcionare pentru cele dou convertoare,
Vd 1 = Vd 2 < E ,
posibil.
cadranul
pstrnd
(1.221)
ceea ce conduce la blocarea convertorului 2 i la preluarea conduciei, n ondulor, de convertorul

1. Corespunztor vom avea I d > 0 i Vd < 0 , deci funcionare n cadranul 4. Modificarea n
continuare a unghiurilor de comand permite trecerea funcionrii n cadranul 1.
Tensiuni
i
cureni
de
circulaie.
Tensiunile
produse
de
cele
convertoare, vd 1 (t ) i vd 2 (t ) nu au amplitudinile egale n timp, fiind variabile. Diferena dintre ele
d natere la cureni, care se nchid ntre cele dou convertoare, variabili n timp i numii cureni
de circulaie. Mecanismul apariiei acestor este exemplificat pentru convertorul bidirecional cu 2
pulsuri in punte, n conexiune antiparalel, fig.1.153. Se consider cele dou convertoare
antiparalel l i 2 comandate la
1 = 2 =
.
(1.222)
2
Formele de und pentru vd 1 (t ) i vd 2 (t ) sunt prezentate n fig. 1.155 a i b. Considernd
comandate tiristoarele l i 2, respectiv 1 i 2', se constat c exist dou contururi independente
prin care se pot nchide curenii ic' i respectiv ic'' . Rezistenele din cele dou contururi sunt
practic neglijabile. Considernd inductivitatea de dispersie L a sursei mult mai mic dect Lk,
ceea ce corespunde realitii, atunci se pot scrie ecuaii de determinare a celor doi cureni conform
cu
di ' (t )
u (t ) = 2 L c ,
(1.223)
dt
respectiv
di '' (t )
u (t ) = 2 L c .
(1.224)
dt
22
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.153 Convertor bidirecional n conexiune antiparalel.
Din (1.200) i (1.201) rezult c valorile curenilor ic' i ic'' sunt practic limitate doar de
inductivitile L, tensiunea u(t) a sursei regsindu-se pe perechile de bobine L,
formnd aa-numitele tensiuni de circulaie uc' , respectiv uc'' . Formele de und ale acestor tensiuni,
precum i a curenilor de circulaie O sunt prezentate n fig.1.155 c i d. ntruct forma
tensiunilor de circulaie depinde de valoarea unghiurilor
de comand, att forma ct i valoarea celor doi cureni
de circulaie depind de comanda convertoarelor. Pentru
convertorul din fig.1.153 aceast dependen este
prezentat n fig.1.154. Ca urmare dimensionarea
bobinelor Lk, avnd ca rol limitarea valorilor curenilor
de circulaie, trebuie efectuat la =
. Prezena
curenilor de circulaie conduce pe de o parte la

ncrcarea suplimentar a tiristoarelor convertoarelor, iar
pe de alt parte la diminuarea randamentului conversiei,
ca urmare a pierderilor de putere suplimentare n
tiristoare i bobinele Lk. Prevederea a cte dou bobine Lk
pe fiecare contur de circulaie este determinat de
funcionarea n sarcin. Astfel, dac convertorul l preia i
curentul de sarcin Id, prima bobin preia suma celor doi
cureni, n timp ce a doua preia numai curentul de
circulaie ic. Pentru a evita prevederea unor inductiviti
supradimensionate, se accept saturarea primei bobine i
deci reducerea substanial a inductivitii acesteia,
limitarea curentului de circulaie fcndu-se numai de cea
de a doua bobin, nesaturat i avnd inductivitatea
nominal. Prezena curenilor de circulaie i bobinelor Lk
este exploatat i n sens favorabil. Printr-o dimensionare
atent a bobinelor Lk i impunerea valorii curenilor de
circulaie, astfel nct s fie nentrerupi, se asigur un
Fig.1.154 Dependena curenilor de

circulaie de unghiul de comand.
Fig.1.155 Forme de und pentru

tensiuni i cureni de circulaie.
23
REDRESOARE
regim de conducie nentrerupt pentru cele dou convertoare, independent de curentul de sarcin
id(t). Diminuarea efectelor curenilor de circulaie i realizarea unor convertoare economice au
condus la realizarea unor scheme mai performante. O astfel de variant, numit n cruce, este
exemplificat n fig.1.156 pentru un convertor bidirecional cu 2 pulsuri n punte. Caracteristica
principal a acestui convertor const n existena unui singur contur de curent de circulaie, ceea
ce necesit numai dou bobine Lk, n schimb sursa de alimentare trebuie s fie un transformator
cu dou secundare identice, alimentarea celor dou convertoare trebuind s se fac de la dou
surse identice, dar separate galvanic.
Varianta modern a convertoarelor bidirecionale este cea fr cureni de circulaie.
Fig.1.156 Convertor bidirecional n cruce.
Fig.1.157 Convertor bidirecional fr cureni de circulaie.
O astfel de schem provine din cea din fig.1.153 prin eliminarea bobinelor de limitarea a
curenilor de circulaie LK, fig.1.157. Anularea curenilor de circulaie se realizeaz prin comanda
convertoarelor. Sistemul de comand este prevzut cu un dispozitiv logic care, n funcie de
comand i starea sarcinii, autorizeaz generarea impulsurilor numai pe un convertor . Trecerea
conduciei de pe un convertor pe altul se face cu o pauz de comand, interval n care nici un
convertor nu este comandat. Aceast pauz este de ordinul milisecundelor, are ca scop stingerea
proceselor electromagnetice din convertoare i practic nu influeneaz regimul de funcionare al
sarcinii. Scheme asemntoare cu cele din fig.1.153,1.156 i 1.157 se realizeaz i pentru
convertoare cu 3 pulsuri sau 6 pulsuri n punte. Singura diferen const n variaia curenilor de
circulaie n funcie de comanda .
1.10
Majoritatea sistemelor de conversie electromecanic moderne sunt reglabile avnd

parametrii de ieire, vitez, cuplu sau poziie, variabili. Realizarea acestor sisteme de conversie
presupune alimentarea mainii electrice de la surse cu tensiune, curent i frecven variabile, surse
cunoscute sub numele de convertoare statice. Tipurile mai vechi sau mai noi de dispozitive
semiconductoare de putere, precum i limitele n cretere ale tensiunilor i curenilor de lucru au
permis realizarea unei game deosebit de diversificate de convertoare att n ceea ce privete tipul
de conversie, c.a.-c.c., c.c.-c.c., c.c.-c.a. i c.a.-c.a., ct i puterile, tensiunile i frecvenele de
lucru.
1.13.
CONVERTOARE C.C.-C.C.
Convertoarele c.c. - c.c. bidirecionale, de 4 cadrane, ca urmare a unor performane

superioare, nlocuiesc convertoarele c.a. - c.c. comandate la puteri mici i medii. Performanele
deosebite a acestor convertoare constau n:
schem mai simpl i deci costuri mai reduse ale echipamentelor;
funcionarea numai n conducie nentrerupt;
frecven de comutaie ridicat, cu avantaje n spectrul de armonici al tensiunii i
curentului de ieire.
1.13.1 CONVERTOARE C.C. C.C. CU MODULAIE N LAIME BIPOLAR.
Schema unui convertor c.c. - c.c. bidirecional este prezentat n fig.1.162, comutatoarele
statice utilizate fiind IGBT. Convertorul poate fi realizat i cu tranzistoare bipolare sau MOSFET,
precum i cu tiristoare GTO. Realizarea acestor convertoare cu tiristoare obinuite, variant
Fig.1.162 Convertor c.c.-c.c. bidirecional.
constructiv mai veche, este practic abandonat n prezent ca urmare a dificultii realizrii
stingerii forate a conduciei. Se consider convertorul alimentat de la un circuit intermediar de
tensiune continu Vd constant, asigurat printr-un condensator de filtrare CF de valoare mare. La
bornele de ieire 1-2 este conectat o sarcin de tipul R+L sau R+L+E. Comanda convertorului
este de tipul cu modulaie n lime, PWM, varianta cea mai utilizat n aplicaii. O schem bloc
de comand tipic are structura din fig.1.164. Elementele schemei tipice de comand sunt
G- generator de tensiune triunghiular;
C - comparator;
GI - generator de impulsuri cu durat variabil;
CG - circuit de comand pe poart
IG - izolare galvanic.
65
Generatorul de impulsuri GI
furnizeaz dou tensiuni de ieire U E
i U E n sistem logic. Circuitele de
comand pe poart CG sunt specifice
tipului de dispozitiv semiconductor
de putere utilizat cuprinznd de obicei
i anumite tipuri de protecie
Fig.1.163 Schem principial de comand.
(supracurent, supratemperatur, etc.).
Izolarea galvanic se realizeaz de obicei prin optocuploare. Relativ recent s-au conceput circuite
integrate specializate pentru comanda pe poart a unui bra sau al ntregului convertor, prelund
cea mai mare parte a funciilor schemei din fig.1.163, izolarea galvanic realizndu-se la nivelul
tensiunilor U E , respectiv U E . Principiul de funcionare al convertorului este prezentat n
diagramele din fig.1.164. Logica de comand a comutatoarelor statice rezult din comparaia
tensiunii de comand UC, variabil n limitele
U CM U C +U CM ,
(1.234)
i tensiunea triunghiular v(t), avnd perioada T, respectiv frecvena
1
(1.235)
f = ,
T
i valoarea maxim
Vl = U CM
(1.236)
Astfel, dac
U C v (t )
(1.237)
sunt comandate pentru intrarea n
conducie CS1+ i CS2 , n timp ce
CS1 i CS2+ sunt necomandate, deci

blocate.
ntruct CS1+ este n
conducie, tensiunea
u1N (t ) = Vd
(1.238)
iar
u2 N (t ) = 0 .
(1.239)
Pentru cazul cnd
U C < v (t )
(1.240)
comanda comutatoarelor statice se
inverseaz, CS1+ i CS2 sunt
Fig. 1.164 Funcionarea convertorului c.c.-c.c. bipolar.
Tensiunea la ieirea convertorului este dat de

u (t ) = u1N (t ) u2 N (t )
deschise, iar C S 1 i CS2+ sunt

nchise. Evident tensiunea
u1N (t ) = 0
. (1.241)
u2 N (t ) = Vd
(1.242)
66
i are o variaie de tip dreptunghiular ntre limitele Vd , +Vd motiv pentru care modulaia
se numete bipolar. Valoarea medie a tensiunii de ieire U se calculeaz dup relaia (1.219)
calculnd valorile medii pentru tensiunile u1N i u2 N . n acest scop se stabilete dependena
tensiunii v (t ) n funcie de timp. Astfel, pentru intervalul
T
0t ,
(1.243)
4
se obine
t
v (t ) = Vl
.
(1.244)
T /4
Punnd condiia egalitii tensiunii de comand Uc cu v (t ) se poate determina punctul
A, fig.1.164, respectiv intervalul
U .T
t1 = c .
(1.245)
4Vl
Durata de conducie dintr-o perioad T a comutatoarelor statice CS1+ i CS2 , care

furnizeaz tensiunea u1N (t ) , este
T T Uc
=
.
(1.246)
1+
2 2 Vl
Se definete durata relativ de conducie a acestor dou comutatoare statice prin
T
1 U
D1 = C = 1 + c .
(1.247)
2 2 Vl
TC = 2t1 +
Valoarea medie corespunztoare tensiunii u1N (t ) se calculeaz conform cu

U1 N
1
=
T
TC
1N
(t )dt =
TC
Vd = D1.Vd .
T
(1.248)
n acelai mod se definete durata de conducie relativ pentru C S 1 i CS2+ prin

T TC
D2 =
= 1 D1 ,
(1.249)
T
iar valoarea medie corespunztoare tensiunii u2 N (t ) se calculeaz cu
T T
1 C
u2 N (t )dt = D2 .Vd .
T 0
Valoarea medie a tensiunii de ieire a convertorului se calculeaz cu relaia
U
U = U1N U 2 N = Vd (2 D1 1) = Vd C .
Vl
U2N =
(1.250)
(1.251)
Expresia tensiunii medii U, avnd n vedere (1.251) i faptul c Vl este constant, arat
c prin modificarea tensiunii de comand n limitele (2.134) se obine variaia continu i liniar a
acesteia n limitele
Vd U +Vd ,
(1.252)
adic un convertor bidirecional cu caracteristica de comand din fig.1.165. Caracterul
bidirecional este asigurat i la nivelul curentului de ieire i(t), un
sens fiind asigurat de CS1+ i CS2 , iar cellalt sens de C S 1 i
CS2+ . Conducia n convertor este ns mai complicat depinznd

att de starea comutatoarelor statice, ct i a sarcinii. Considernd
Fig. 1.165 Caracteristica de

comand.
67
o sarcin de tip R+L+E, la aplicarea primului impuls pozitiv al tensiunii u(t), fig.1.164, curentul
crete prin circuit dup o variaie exponenial. Avnd n vedere frecvena mare a tensiunii de
modulaie triunghiular, de ordinul kHz sau zecilor de kHz, timpul t1 este mult mai mic dect
constanta de timp a circuitului
L
= ,
(1.253)
R
astfel c exponeniala se gsete pe poriunea de nceput i poate fi aproximat printr-o
dreapt. Presupunnd valoarea iniial a curentului I0, acesta crete la valoarea IM, bobina din
circuit acumulnd energie. Evident, avnd n vedere comutatoarele comandate i faptul c
i (t ) > 0 , conducia se nchide prin CS1+ i CS2 . n intervalul imediat urmtor, tensiunea u(t)<0 i
sunt comandate C S 1 i CS2+ , curentul i(t) ncepe s se micoreze, fiind ntreinut de energia
acumulat anterior de inductivitatea L, rmnnd pozitiv, nchiderea conduciei nu este posibil
prin comutatoarele comandate C S 1 i CS2+ . ntruct descrcarea bobinei trebuie s se produc,
tensiunea de autoinducie a acesteia deschid diodele antiparalel D1 i D2+ , energia circulnd de
la sarcin spre sursa de alimentare Vd. La anularea curentului pot intra efectiv n conducie
comutatoarele statice comandate, curentul inversnd de sens. Creterea curentului n acest interval
produce din nou acumularea de energie n bobin. n intervalul urmtor i (t ) < 0 , deci nu se poate
nchide prin comutatoarele comandate CS1+ i CS2 , astfel c se produce deschiderea diodelor
D1+ i D2 prin care are loc descrcarea energiei bobinei. n continuare conducia este preluat de
CS1+ i CS2 ca urmare a faptului c i (t ) > 0 . Valoarea medie a curentului se calculeaz cu

T
1
i (t )dt ,
(1.254)
T 0
efectund integrala pe fiecare poriune separat de variaie. Prezentarea de mai sus scoate n
eviden faptul c indiferent de valoarea medie a curentului i(t) i de comutatoarele statice
comandate, conducia se nchide fie prin acestea, fie prin diodele antiparalel, n funcie de variaia
impus curentului de ctre sarcin. Aadar, la acest tip de convertor conducia este ntotdeauna
nentrerupt, avnd loc i recuperarea energiei acumulate de bobin. Spectrul de frecvene
coninut de u(t) este determinat de frecvena tensiunii modulatoare, armonicile fiind multiplu al
acestei frecvene. Avnd n vedere valoarea mare, de ordinul kHz sau zecilor de kHz a acestei
frecvene, armonicile apar n poziii nalte influennd mai puin sarcina. Un alt avantaj al
frecvenei mari de lucru sunt ondulaiile reduse ale curentului i(t), ncadrabile n limitele admise
de motoarele de c.c., de obicei fr prevederea de inductiviti suplimentare.
I=
1.13.2
CONVERTOARE C.C. C.C. CU MODULAIE N LAIME UNIPOLAR.
Realizarea unui convertor c.c.-c.c. cu modulaie n lime unipolar nu necesit

modificri n schema din fig.1.162, ci numai n strategia de comand. n primul rnd sunt dou
tensiuni de comand UC1 i UC2, fig.1.166, care ndeplinesc n permanen condiia
U C1 = U C 2 .
(1.255)
68
n al doilea rnd, logica de comand

presupune comanda braului l, CS1+ i C S 1 ,
prin comparaia dintre UC1 i v (t ) , iar a
braului 2, CS2+ i CS2 , din comparaia

dintre UC2 i v (t ) . Astfel dac
U C1 > v (t )
(1.256)
CS1+ este comandat, iar CS1 deschis. La
inversarea condiiei (1.233) se inverseaz i
starea celor dou comutatoare . In acelai
mod este comandat braul 2, adic, dac
U C 2 > v (t )
(1.257)
atunci CS2+ este comandat iar CS2 deschis,

starea comutatoarelor statice inversndu-se
odat cu inegalitatea (1.234). n fig. 1.166
rezult, ca urmare a logicii de comand de
Fig.1.166 Funcionarea convertorului c.c.-c.c. bipolar.
mai sus, formele de und ale tensiunilor
u1N (t ) i u2 N (t ) , precum i tensiunea de
ieire u(t), calculat cu relaia (1.248). Tensiunea de ieire u(t) este format de asemenea din
pulsuri dreptunghiulare cu variaie ns ntre 0 i +Vd , adic o variaie unipolar. Valoarea medie
a tensiunii de ieire, U, se calculeaz dup o relaie asemntoare cu (1.228) conducnd la aceeai
expresie, respectiv la caracteristica de comand din fig.1.165. Dei la prima vedere rezultatele
obinute nu se deosebesc mult de cele de la convertorul bipolar, convertorul cu modulaie
unipolar are cteva avantaje. Astfel, prezena n tensiunea de ieire numai a pulsurilor unipolare
conduce la micorarea ondulaiilor curentului de ieire, i(t), iar conducia n convertor este mai
complex. Astfel, considernd valoarea iniial a curentului i(t) ca fiind I0, n primul interval din
fig. 1.166 , i (t ) > 0 , ca urmare a faptului c u (t ) > 0 , conducia se nchide prin CS1+ i CS2
comandate. n intervalul urmtor u (t ) = 0 i curentul ncepe s se micoreze fiind ntreinut de
energia acumulat n bobina sarcinii. Curentul nu se poate nchide ns prin comutatoarele statice
comandate CS1 i CS2 , ci prin CS2 i D1 , energia bobinei disipndu-se pe sarcin i n

interiorul convertorului. n intervalul urmtor, dac sarcina este de tipul R+L+E, curentul i(t)
devine negativ, iar conducia se nchide prin CS1 comandat i dioda D2 , energia bobinei
disipndu-se tot pe sarcin i n interiorul convertorului. La comutarea comenzii de pe CS1 pe
CS1+ acest circuit se ntrerupe, iar curentul fiind negativ se va nchide prin D1+ i D2 , recupernd
energia bobinei prin transmiterea ei spre sursa de alimentare. n continuare conducia decurge
alternativ prin comutatoarele statice i/sau diodele antiparalel n funcie de starea comenzii i
sensul curentului de sarcin. Valoarea medie a curentului se calculeaz dup relaia (1.231).
Rezult aadar c i pentru acest convertor este asigurat regimul de curent nentrerupt.
Suplimentar, din analiza formelor de und din fig.1.166, se constat c frecvena tensiunii i
curentului de ieire este dubl fa de cazul convertorului bipolar i fa de frecvena tensiunii de
modulaie v (t ) . Acest lucru conduce la dou avantaje:
frecvena dubl de comutaie la nivelul tensiunii u(t), fa de frecvena de comutaie real
a comutatoarelor statice, ceea ce evident diminueaz pierderile de putere din dispozitivele
semiconductoare de putere datorate comutaiei;
69
armonicile de tensiune i curent apar la multiplu ntreg al dublului frecvenei tensiunii

modulatoare
1.13.3
CONVERTOARE C.C. C.C. N REGIM DE FRNARE.
Ambele convertoare permit regimul de frnare cu recuperare al mainii de c.c.

alimentate, care se realizeaz prin comand adecvat a comutatoarelor statice. Problema care
apare are n vedere destinaia energiei recuperate. De obicei circuitul intermediar este alimentat de
la un redresor necomandat, cu diode, care nu permite transferul energiei spre reeaua de curent
alternativ. n acest caz injectarea energiei recuperate n circuitul intermediar are ca loc de
Fig.1.167 Convertor c.c.-c.c. cu circuit de disipare a energiei de frnare.
acumulare capacitatea de filtrare CF. Avnd n vedere c energia acumulat de acest condensator
se calculeaz cu
1
WCF = CFVd2
(1.258)
2
efectul va fi creterea tensiunii Vd la valori care pot fi duntoare att pentru condensator, ct i
pentru dispozitivele semiconductoare de putere. La puteri mici, unde energia recuperat nu are
valori nsemnate, se introduce n circuitul intermediar o rezisten de frnare RF, avnd ca
destinaie disiparea energici suplimentare, fig.1.167. n fapt acest circuit este un convertor c.c.c.c. de un cadran realizat cu comutatorul static CSF. Comanda
Vd + Vd
vd (t )
acestuia se realizeaz printr-un regulator de tensiune, care
Vd
menine tensiunea din circuitul intermediar n limitele
Vd Vd . Comanda CSF este prezentat n fig.1.168. Cnd
Vd Vd
t
tensiunea real la bornele condensatorului depete valoarea
maxim din Vd + Vd comutatorul static CSF trece n starea
CSF
on
ON, iar la atingerea limitei Vd Vd trece n starea OFF.
n cazul puterilor medii i mari aceast soluie nu este
t
economic, apelndu-se la alimentarea circuitului intermediar
de la un convertor comandat bidirecional cu tiristoare sau de
Fig.1.168 Comanda CSF.
la un redresor PWM.
1.13.4
TIMPUL MORT AL CONVERTOARELOR C.C. C.C.
Strategia de comand a celor dou tipuri de convertoare descrise mai sus realizeaz o
comand n antifaz a comutatoarelor statice de pe un bra, de exemplu CS + i CS , fig.1.167.
ntruct un dispozitiv semiconductor de putere nu comut din starea de conducie n starea blocat
instantaneu ci ntr-un timp finit tOFF . n acest interval, primind comand i cellalt comutator
static de pe braul n discuie, se creeaz un circuit prin care sursa Vd este scurtcircuitat. Evident,
regimul de avarie care apare nu este fericit nici pentru sursa de alimentare i nici pentru
70
dispozitivele semiconductoare de putere. Eliminarea acestui inconvenient se realizeaz prin

introducerea aa-numitului timp mort, td , ntre comanda de stingere a unui comutator static i cea
de intrare n conducie pentru cellalt comutator static de pe bra. Evident timpul mort trebuie s
ndeplineasc condiia
td > tOFF .
(1.259)
Se consider braul l din convertorul din fig.1.167, tensiunea i curentul de ieire avnd
sensurile din desen, iar modulaia bipolar. n fig.1.169 suprafeele haurate indic comanda
pentru intrare n conducie a lui CS1+ respectiv CS1 , iar td1, respectiv td2, timpul mort ntre aceste
comenzi. n intervalul t1, ct CS1+ este comandat, tensiunea
u1N (t ) = Vd .
(1.260)
n intervalul t2, cnd CS este nchis, curentul i(t) fiind pozitiv conducia se va nchide
prin D1 i D2+ , astfel c
u1N (t ) = 0 .
(1.261)
Acelai lucru se ntmpl ns i pe intervalul td1, fiind n conducie n continuare
aceleai diode. Pe intervalul td2, curentul fiind pozitiv, iar CS1+ neprimind nc comand tensiunea
u1N (t ) = 0
(1.262)
conducia fiind n continuare prin aceleai diode. Tensiunea furnizat de bra capt valoarea
u1N (t ) = Vd
(1.263)
abia la nceputul intervalului t3 cnd CS1+ intr n conducie. Aadar, fa de forma de
und a tensiunii u1N (t ) din fig.1.164, introducerea timpului mort produce o micorare a tensiunii
cu spaiul aferent intervalului td2, reducere care se calculeaz cu
t
u1N (t ) = d Vd
(1.264)
T
unde feste perioada tensiunii modulatoare, iar
td = td 1 = td 2 .
(1.265)
Fig.1.169 Efectul timpului mort pentru i(t)> 0.
Fig.1.170 Efectul timpului mort pentru i(t)<0.
Efectul timpului mort pentru cazul i(t)<0 i acelai bra al convertorului este prezentat n
fig.1.170. Pe intervalul t1, dei CS1+ este comandat, ntruct i(t)<0, conducia se nchide prin D1+
i D2 , iar tensiunea
u1N (t ) = Vd .
(1.266)
Pe intervalul t2 , ca urmare a intrrii n conducie a lui CS tensiunea

u1N (t ) = 0 .
(1.267)
71
Pe intervalul td2, ca urmare a blocrii conduciei comutatorului statice CS , conducia

revine prin diodele D1+ i D2 , tensiunea avnd valoarea
u1N (t ) = Vd .
(1.268)
Intervalul t3, identic d.p.d.v. al conduciei cu t1 , este caracterizat prin valoarea tensiunii
u1N(t) sub forma relaiei (1.243). Fa de forma de und din fig.1.164 apare intervalul td2 cu
creterea de tensiune dat de
t
u1N (t ) = d Vd .
(1.269)
T
La nivelul tensiunii de ieire a convertorului se obine o cretere sau o micorare a
tensiunii de ieire n funcie de sensul curentului i(t). Astfel dac i(t) este pozitiv, fig.1.169, pentru
braul i(t) este de asemenea pozitiv i apare o micorare a tensiunii dup relaia (1.264), iar pentru
braul 2, curentul fiind negativ, apare o cretere a tensiunii egal cu cea din relaia (1.269). Pe
ansamblul convertorului va avea loc o micorare a tensiunii
2t
U = U1N U 2 N = d Vd .
(1.270)
T
n cazul i(t)<0, fcnd acelai raionament, rezult o cretere a tensiunii de ieire cu
2t
U = U1N U 2 N = d Vd .
(1.271)
T
Caracteristica de comand a convertorului, lund n
considerare efectele timpului mort, se modific ca n
fig.1.171. Efectele timpului mort n cazul modulaiei
unipolare sunt identice, deci conduc la aceleai rezultate.
Anularea efectelor timpului mort se poate realiza prin
modificarea comenzii UC n sensul creterii acesteia pentru
i(t)> 0 i micorarea pentru i(t)<0, astfel nct s se
compenseze variaiile de tensiune U . Modificarea
comenzii U se face cu valori fixe ntruct variaia de
Fig.1.171 Caracteristica de comand
tensiune, relaiile (1.247) i (1.248), nu depind de mrimea
innd cont de timpul mort.
curentului, ci numai de valoarea timpului mort, care este
constant pentru un convertor dat. ntruct variaiile de tensiune sunt relativ mici, cel mult de
ordinul 1..2%, iar compensarea prin modificarea tensiunii de comand este relativ dificil de
realizat, cel mai adesea se utilizeaz convertoarele c.c. - c.c. fr compensarea timpului mort.
1.13.5
FUNCIA DE TRANSFER A CONVERTOARELOR C.C. C.C.
Modelul matematic al convertoarelor c.c. - c.c. se realizeaz n aceleai condiii ca la

convertoarele c.a. c.c. comandate. Neglijnd efectele timpului mort i lund n consideraie c
prin proiectare limitele Vd nu se ating n funcionarea normal, funcia de transfer a
convertorului rezult din (1.228) sub forma
U ( s ) Vd
YC ( s ) =
=
=k,
(1.272)
U C ( s ) Vl
adic convertorul este un amplificator de putere liniar. ntruct la aceste convertoare nu
apare necesitatea sincronizrii ntre faza de comand i tensiunea colector - emitor (drena - surs),
comanda devine efectiv chiar n momentul generrii ei. Ca urmare ntre intrare i ieire nu exist
ntrzieri, convertorul fiind neinerial.
1.10
Majoritatea sistemelor de conversie electromecanic moderne sunt reglabile avnd parametrii de

ieire, vitez, cuplu sau poziie, variabili. Realizarea acestor sisteme de conversie presupune
alimentarea mainii electrice de la surse cu tensiune, curent i frecven variabile, surse cunoscute
sub numele de convertoare statice. Tipurile mai vechi sau mai noi de dispozitive semiconductoare
de putere, precum i limitele n cretere ale tensiunilor i curenilor de lucru au permis realizarea
unei game deosebit de diversificate de convertoare att n ceea ce privete tipul de conversie, c.a.c.c., c.c.-c.c., c.c.-c.a. i c.a.-c.a., ct i puterile, tensiunile i frecvenele de lucru.
1.14
CONVERTOARE C.C. C.A. INVERTOARE.
Convertoarele c.c. - c.a., numite curent invertoare, s-au dezvoltat n ultimul deceniu ca
urmare a progreselor din tehnica dispozitivelor semiconductoare de putere i a performanelor
superioare oferite de mainile de c.a. n raport cu cele de c.c. Pentru sistemele de conversie
electromecanic, ca unul din domeniile de utilizare a acestor convertoare, se folosesc invertoare
trifazate de tensiune sau de curent cu o mare varietate de tipuri de scheme si comand
(modulaie). Se remarc faptul c tehnicile de comand permit funcionarea acestor convertoare
att n regimul propriu-zis de invertor, conversie c.c. - c.a., ct i n regim de redresor, conversie
c.a.-c.c. Varietatea deosebit a schemelor i tehnicilor de modulaie ale invertoarelor utilizate n
prezent nu poate fi cuprins n cadrul i obiectivul acestui manual. Ca urmare se vor prezenta
tipuri fundamentale de invertoare i tehnici de modulaie, cu scopul stabilirii proprietilor
principale, reglarea tensiunii i frecvenei i coninutul de armonici, i pentru a se putea aprecia
influena acestora n conducerea unui sistem de conversie electromecanic.
1.14.1
INVERTOARE
MONOFAZATE
CU
DREPTUNGHIULAR
MODULAIE
UND
Schema unui astfel de invertor, de tip punte i cu ieire n tensiune, este prezentat n
fig.1.172, fiind identic cu cea a unui convertor c.c.-c.c. de 4 cadrane. Se consider alimentarea
invertorului de la o surs de tensiune continu avnd Vd= cst. Considernd c se dorete obinerea
unei tensiuni de ieire u0(t), de frecven fc, se definete perioada de comand
1
Tc = .
(1.273)
fc
Fig.1.172 Invertor monofazat de tensiune n punte.
Comanda comutatoarelor statice ale invertorului se face dup logica:

- pe prima jumtate de perioad Tc, T1+ , T2 nchise, T1 , T2+ deschise;
+
1
65
+
2
- pe a doua jumtate de perioad Tc, T , T deschise, T , T nchise.

Comanda i forma de und a tensiunii u0(t) sunt prezentate n fig.1.173, din care rezult
c u0(t) este o tensiune alternativ, dar cu o variaie dreptunghiular. Semnalul obinut se poate
descompune n serie de armonici, fundamental fiind de forma
l 10 sin 2 f ,
u1 (t ) = U
(1.274)
0
unde
l 10 = 4 V = 1, 273V .
U
d
d
(1.275)
Avnd n vedere forma lui u0(t) armonicile superioare care apar sunt de rang impar, iar
amplitudinea armonicii de rang h este dat de
l 10
h
U
l
.
(1.276)
U0 =
h
Concluziile care rezult din aceast sumar
descriere sunt:
- tensiunea de ieire a invertorului este constant,
modificarea acesteia nsemnnd utilizarea unei surse Vd
variabile;
- frecvena se poate regla n limite largi prin
modificarea perioadei de comand;
- coninutul de armonici este important iar prima
armonic, de ordinul 3, este semnificativ ca valoare,
fiind o treime din fundamental. Forma curentului i0(t) va
depinde de sarcina de la ieirea convertorului, coninutul
de armonici al acestuia putnd fi diferit doar ca
amplitudine faa de cel al tensiunii u0(t). Sarcina fiind de
obicei de tip R+L, apare un defazaj ntre curent i tensiune
ceea ce face necesar prevederea diodelor antiparalel n
scopul asigurrii conduciei nentrerupte prin sarcina.
Fig.1.173 Forme de und pentru
Conducia prin comutatoarele statice sau prin diodele
invertorul n und dreptunghiular.
antiparalel se desfoar ca la convertorul c.c. - c.c. de 4
cadrane.
1.14.2
INVERTOARE
TRIFAZATE
CU
DREPTUNGHIULAR.
MODULAIE
UND
Un astfel de invertor s-ar putea realiza prin conectarea trifazat, de obicei n stea, a trei
invertoare monofazate de tipul celui din fig.1.172. Varianta utilizat n practic, mult mai
Fig.1.174 Invertor trifazat de tensiune.
66
economic, este prezentat n fig.1.174. Invertorul se consider alimentat de la o tensiune

continu Vd =cst., iar sarcina, trifazat simetric, de tipul R+L, conectat n stea, cu nulul O
izolat. Comanda convertorului se realizeaz pe fiecare bra, n antifaz, ca la convertorul
monofazat. Comand pe cele trei brae, A, B si C sunt decalate cu 2 / 3 , aa cum este prezentat
n fig.1.175. Tensiunile u AN , uBN i uCN rezult cu uurin analiznd starea comutatoarelor
statice de pe fiecare bra.
Tensiunile de linie la ieirea convertorului se calculeaz cu
u AB = u AN u BN
uBC = u BN uCN
(1.277)
uCA = uCN u AN
i au o forma fig.1.175, de tip bipolar, cu variaie ntre +Vd i Vd. Tensiunea pe faza A a
receptorului, u AO , se poate calcula conform modelului urmtor. Tensiunile pe cele trei faze
rezult din
u AO = u AN uON
uBO = uBN uON
(1.278)
uCO = uCN uON

nsumnd relaiile (1.256) rezult
u + uBN + uCN
,
uON = AN
3
(1.279)
u AN + uBN + uCN
u AO = u AN
3
ntruct datorit conexiunii trifazate exist relaia
u AO + u BO + uCO = 0
(1.280)
Aplicnd relaia (1.279) pentru fiecare interval Tc/6
rezult o variaie n trepte a tensiunii u AO de forma celei
prezentate n fig.1.175. Armonicile de ordinul l ale tensiunilor
1
formeaz un sistem trifazat simetric de
de linie u1AB , u1BC , uCA
tensiuni de succesiune direct, avnd faza iniial / 6 .
Valoarea maxim a tensiunii de linie se calculeaz cu
l 1AB = 3 4 V ,
U
(1.281)
d
2
iar valoarea efectiv dup
l 1AB
U
1
U AB =
= 0, 78Vd
(1.282)
2
Coninutul de armonici superioare al tensiunilor
furnizate de braele invertorului este acelai de la invertorul
monofazat, adic ntregul spectru de armonici impare. Ca
urmare a conexiunii trifazate, n spectrul de armonici al
tensiunilor de linie dispar armonicile multiplu de trei,
reducnd sensibil deformarea acestora n sensul apariiei, n
afara fundamentalei, doar a armonicilor 5, 7, 11, 13 .a.m.d.
Armonicile fundamentale ale tensiunilor de faz formeaz de
asemenea un sistem trifazat simetric de succesiune direct,
defazat fa de sistemul de tensiuni de linie cu / 6 n urm,
Fig.1.175 Formele de und

pentru invertorul trifazat.
67
adic caracteristic unui sistem trifazat standard. Se poate arta c similitudinea exist i la nivelul
valorilor tensiunilor. Astfel valoarea maxim a tensiunii n faz este
l 1AB 2
1
U
l
U AO =
= Vd ,
(1.283)
3
respectiv valoarea efectiv
2
U 1AO =
Vd .
(1.284)
Coninutul de armonici al tensiunilor de faz conine ns ntreg spectrul armonicilor

impare. Rezult c proprietile acestui tip invertor nu sunt prea favorabile n sensul c:
nu se poate regla tensiunea de ieire;
coninutul de armonici este bogat i aflat n apropierea fundamentalei.
Astfel de scheme de invertoare se realizeaz cu tiristoare lente cu stingere forat i n
general la puteri mari. Pentru reglarea tensiunii se apeleaz la alimentarea circuitului intermediar
printr-un convertor c.a-c.c. comandat.
1.14.3
INVERTOARE MONOFAZATE DE TENSIUNE CU MODULAIE N LIME

A PULSURILOR (PWM).
Se consider un invertor monofazat n punte alimentat de la o surs de c.c. de tensiune

Vd=cst., fig.1.172. Modulaia n lime a pulsurilor, curent numit PWM, se realizeaz n dou
variante: bipolar i unipolar. Astfel, n cazul modulaiei sinusoidale bipolare, comanda
comutatoarelor statice rezult din comparaia tensiunii de comand
l c sin 2 f ,
uc (t ) = U
(1.285)
c
unde fc este frecvena tensiunii de ieire dorit, cu o tensiune modulatorie de tip
triunghiular, de amplitudine Vl i frecven f constante, asemntoare cu cea de la
convertoarele c.c. - c.c., fig.1.176. Logica de comand , rezultat din comparaia menionat mai
sus, decurge dup:
- pentru cazul cnd uc (t ) v (t )
T1+ , T2 - nchise, iar T1 , T2+ deschise;
- pentru cazul cnd uc (t ) < v (t )
funcionarea comutatoarelor statice se
inverseaz. Tensiunea de ieire u0 (t )
fig.2.60, este format din pulsuri
dreptunghiulare cu variaie bipolar, ntre
+ Vd i Vd. Evident numrul de pulsuri
depinde de frecvena f , iar limea lor
este variabil n funcie de variaia
tensiunii de comand uc(t). Tensiunea de
ieire u0 (t ) conine o fundamental u10 (t )
avnd frecvena egal cu a tensiunii de
comand i o sum de armonici
superioare. In fig.1.176, din motive de
Fig.1.176 Modulaia sinusoidal bipolar.
simplificare a desenului, s-a adoptat

f = 7 fc ,
(1.286)
68
n realitate ns f f c . Ca urmare pentru determinarea amplitudinii tensiunii de ieire se

poate adopta metoda de calcul de la convertoarele c.c. - c.c. de 4 cadrane, PWM bipolare,
considernd c pentru dou pulsuri triunghiulare alturate tensiunea de comand uc(t) nu se
modific semnificativ. Astfel se poate scrie
V
V l
u01 (t ) = d uc (t ) = d U
(1.287)
c sin 2 f c ,
Vl
Vl
rezultnd o tensiune sinusoidal avnd frecvena i faza iniial a tensiunii de comand. Aceast
relaie este corect pentru cazul cnd
l c Vl ,
U
(1.288)
numit domeniu de modulaie n amplitudine liniar. Se definete modulaia n amplitudine
prin
lc
U
mA =
.
(1.289)
Vl
n cazul modulaiei liniare, ecuaia (1.288), rezult
0 mA 1,
iar tensiunea de ieire
l 10 = m V
U
(1.290)
(1.291)
va fi cuprins n intervalul [0,Vd]. S-a obinut o prim caracteristic favorabil a acestui tip
de modulaie constnd n variaia tensiunii de ieire n limite largi prin simpla modificare a
amplitudinii tensiunii de comand. Pentru tensiuni de comand
l c > Vl
U
(1.292)
numai sunt intersectate toate tensiunile triunghiulare, astfel c relaia (1.287) nu mai este
l c pe ntreaga
valabil, modulaia devenind neliniar. La o anumit valoare a tensiunii U
semiperioad Tc/2, uc(t) nu intersecteaz nici o tensiune triunghiular i tensiunea de ieire este
format dintr-un singur puls dreptunghiular cu durat Tc/2, convertorul aflndu-se n cazul
modulaiei n und dreptunghiular, fig.1.177. Se definete modulaia n frecven prin
f
mF = .
(1.293)
fc
Coninutul de armonici superioare al tensiunii u0(t) este determinat de modulaia n
frecven adoptat pentru convertor. Astfel rangul h al armonicilor superioare este dat de
h = j.mF k ,
(1.294)
unde pentru j par, k este impar i invers. Spectrul de armonici este prezentat n fig.1.178.
Din (1.294) rezult c modulaia n frecven este bine s fie ct mai mare pentru ca prima
armonic superioar s fie ct mai departe de fundamental. Alegerea modulaiei n frecven mai
A d
Fig.1.177 Caracteristica de comand.
Fig.1.178 Spectrul de armonici.
69
depinde i de ali factori. Astfel o frecven f foarte mare conduce la o frecven de comutaie
de aceeai mrime pentru comutatoarele statice, ceea ce nseamn o solicitare termic important
a acestora. Pe de alt parte trebuie evitat apariia armonicilor importante n spectrul audio n
scopul micorrii polurii sonore. Acest deziderat se realizeaz diferit n funcie de strategia de
modulaie aleas. Prima, numit modulaie sincron, este caracterizat prin mF= cst. i tensiunile
de comand i modulatoare sincronizate, ca faz iniial, ca n fig.1.176 . Considernd motorul
alimentat la o frecven maxim de 100Hz, pentru ncadrarea primelor armonici n afara
spectrului audio se adopt
mF < 21,
(1.295)
astfel c prima armonic apare n jurul frecvenei de 2kHz, nesesizabil audio. A doua, numit
modulaie asincron, lucreaz cu tensiune modulatoare de frecven constant i modulaie n
frecventa mF variabil, cele dou tensiuni uc (t ) i v (t ) nemaifiind sincronizate. In acest caz se
adopta n general
mF > 21
(1.296)
astfel ca primele armonici superioare s apar peste frecvena maxim audio de 20kHz. Modulaia
asincron are dezavantaje la frecvene mici cnd coninutul de armonici crete n amplitudine i se
gsete n spectrul audio. n concluzie modulaia n lime are cteva avantaje importante:
- reglarea independent a tensiunii i frecvenei de ieire, preferndu-se modulaia n amplitudine
liniar;
- posibilitatea controlului coninutului de armonice prin modulaia n frecven adoptat;
- posibilitatea modificrii fazei iniiale a tensiunii de ieire prin faza iniial a tensiunii de
comand;
- realizarea tensiunii de ieire, asemntor ca la convertoarele c.c. - c.c., fr ntrziere n timp.
Performantele obinute prin modulaia bipolar se mbuntesc n cazul variantei
unipolare. Comutatoarele statice de pe cele dou brae l i 2 se comand independent prin
compararea tensiunii triunghiulare cu dou tensiuni de comand uc1 (t ) si uc 2 (t ) , fig.1.179, care
ndeplinesc condiia de antifaz
uc1 (t ) = uc 2 (t ) .
(1.297)
Logica de comand se stabilete ntr-un mod asemntor ca pentru modulaia bipolar. Astfel
pentru
uc1 (t ) v (t )
(1.298)
T1+ este nchis, iar T1 deschis. La inversarea inegalitii (1.298) se modific i starea
comutatoarelor statice. Pentru braul 2 dac
uc 2 (t ) v (t )
(1.299)
T2+ este nchis, respectiv T2 deschis, avnd loc de asemenea inversarea strii la inversarea
inegalitii (1.276). n fig.1.179 sunt prezentate formele de und rezultate pentru u1N (t ) i u2 N (t ) ,
precum i pentru
u0 (t ) = u1N (t ) u2 N (t ) .
(1.300)
Cea mai mare parte din concluziile stabilite la modulaia bipolar rmn valabile.
Proprietile noi constau n:
- variaia unipolar, ntre 0 i +Vd, pe o semiperioad a tensiunii de ieire, ceea ce va
conduce la o ondulaie a curentului i0(t) mult mai mic;
- frecvena de comutaie din convertor este dubl fa de frecvena tensiunii modulatoare,
ceea ce influeneaz favorabil ondulaiile curentului;
- mbuntirea apreciabil a spectrului de armonici.
70
Fig.1.179 Modulaia n lime unipolar.
Astfel tensiunile u1N (t ) i u2 N (t ) conin spectrul de armonici caracteristice modulaiei

bipolare. Ca urmare a relaiei de calcul a tensiunii u0, armonicile pare din cele dou tensiuni,
u2 N (t ) i u2 N (t ) care sunt n faz, se anuleaz. Dac se adopt o modulaie n frecven mF par,
atunci spectrul de armonici care apar este de forma 2mF 1, 3, .a.m.d.
Aceast realizare ndeprteaz mult primele armonici de fundamental, astfel c, dei
valoarea lor este nsemnat, influena asupra mainii se reduce considerabil.
1.14.4
INVERTOARE TRIFAZATE DE TENSIUNE CU MODULAIE N LIME A

PULSURILOR (PWM).
Schema unui astfel de invertor este identic cu cea din fig.1.174. Comanda celor trei brae
ale invertorului se face prin compararea tensiunii modulatoare de form triunghiular v (t ) cu
trei tensiuni de comand de forma , fig.1.180,
l c sin 2 f
u AC (t ) = U
c
l c sin(2 f 2 ) .
uBC (t ) = U
(1.301)
c
3
l c sin(2 f 4 )
uCC (t ) = U
c
3
Pe fiecare bra al invertorului logica de comand a comutatoarelor statice rezult dup
modelul de la invertorul monofazat de tensiune. Modul de determinare a tensiunilor furnizate de
cele trei brae, a tensiunilor de linie i a celor de faz este identic cu cel utilizat la acelai tip de
invertor cu modulaie n und dreptunghiular. Pentru exemplificare n fig.1.180, s-au determinat
grafic dou tensiuni de bra, u AN (t ) i uBN (t ) i tensiunea de linie u AB (t ) . O prim concluzie
71
Fig. 1.180 Invertor trifazat de tensiune cu modulaie n lime.
rezult din forma tensiunilor de linie care au o variaie unipolar. Dac se construiesc i celelalte
dou tensiuni de linie, uBC (t ) i uCA (t ) se constat c armonicile de ordinul l ale acestora formeaz
tot un sistem trifazat simetric cu acelai defazaj fa de nceputul comenzii ca la modulaia n
und dreptunghiular. Sistemul de tensiuni de faz se calculeaz cu relaii de forma (1.280),
rezultnd tot tensiuni sub form de trepte, ca n fig.1.175. Diferena esenial const n forma
tensiunilor obinute, care sunt compuse din pulsuri de lime variabil, determinat de valoarea
tensiunilor de comand. Modulaiile n frecven i amplitudine se definesc la fel ca la invertorul
monofazat i au aceleai proprieti. Calculul tensiunilor de linie i faz se face n ipotezele de la
invertorul PWM monofazat, cu observaia c fiecare bra al invertorului lucreaz separat ca
urmare a comenzii independente. In fig.1.181 este prezentat funcionarea braului A. Avnd n
vedere comanda tensiunea de ieire u AO' , considernd O ' ca un punct median al sursei Vd, are o
variaie bipolar n domeniul [+Vd / 2, Vd / 2] . Similar lucreaz i celelalte dou brae B i C. Ca
urmare relaia (1.265), n condiiile modulaiei liniare, capt forma
lc V
V
U
d
u1AO' (t ) =
sin 2 f c = mA d sin 2 f ,
(1.302)
2
Vl 2
unde valoarea efectiv a tensiunii de faz, la nivelul primei armonice, este dat de
V
U 1AO = mA d ,
(1.303)
2 2
iar a tensiunii de linie de
U 1AB = 3U 1AO = 0, 612mAVd .
(1.304)
n cazul supramodulaiei, mA > l, la limit se ajunge la modulaia n und dreptunghiular,
cnd valoarea efectiv a tensiunii de linie este dat de ecuaia (1.283). Coninutul de armonici al
tensiunii de faz u AO (t ) este cel caracteristic invertoarelor PWM monofazate. Avnd n vedere c
o tensiune de linie se calculeaz conform cu
72
u AB (t ) = u AO' (t ) uBO' (t )
(1.305)
i ca urmare a defazajului
de 2 / 3 dintre cele dou tensiuni,
armonicile multiplu de 3 au
aceeai faz i deci prin
operaiunile de scdere din ecuaia
(1.305) se anuleaz. Aadar
spectrul de armonici al tensiunilor
de linie este sensibil redus fa de
un invertor monofazat, depinznd
de modulaia n frecven mF dup
relaia (1.295). Dac se alege
modulaia n frecven multiplu de
trei spectrul de armonici este i
mai favorabil n sensul c dispar
Fig.1.181 Schema unui bra de invertor trifazat.
armonicile de tipul jmF , care
sunt cele mai importante ca amplitudine, rmnnd numai armonicile din benzile laterale de tipul
jmF 1, 2.... , care au amplitudini reduse.
1.14.5
ONDULAIILE TENSIUNII I CURENTULUI LA IEIREA INVERTOARE.
Aa cum s-a specificat anterior ondulaiile curentului de ieire al unui invertor sunt
sensibil diferite fa de cele ale tensiunii ca urmare a sarcinii. ntr-un sistem de conversie
electromecanic sarcina este de tipul R+L+e0(t), unde e0(t), este o t.e.m. sinusoidal produs de
motor, fig.1.181. De obicei rezistena nfurrii motorului, avnd valoarea mic, se neglijeaz n
raport cu reactana acesteia. Din fig.1.181 se poate scrie
di (t )
u AO (t ) = eAO (t ) + L A .
(1.306)
dt
Cum t.e.m. eAO (t ) produs de main este sinusoidal, ecuaia (1.306) se poate scrie la
nivelul armonicii fundamentale sub forma
di1A (t )
1
u AO (t ) = eAO (t ) + L
,
(1.307)
dt
sau sub forma fazorilor compleci
1
1
U AO = E AO + j LI AO .
(1.308)
Puterea electromagnetic dezvoltat de main este dat de
P = E AO I 1A ,
(1.309)
ceea ce indic faptul c numai armonica fundamental a curentului produce putere activ. Ca
urmare ondulaia tensiunii de ieire, compus din armonicile superioare, este dat de
uo (t ) = u AO (t ) u1AO (t )
(1.310)
i nu produce dect putere cu caracter reactiv (deformant). Utiliznd (1.308), (1.309) i (1.310)
rezult
di (t )
di1 (t )
(1.311)
uo (t ) = L A L A ,
dt
dt
adic tensiunea pe bobina L, conine ntreaga ondulaie din tensiunea de ieire inclusiv cderea de
tensiune datorat armonicii fundamentale. Notnd prin i0 (t ) ondulaia curentului de faz, adic
i0 (t ) = iA (t ) i (t )
1
A
73
(1.312)
aceasta se poate calcula din

t
1
u0 (t )dt + i0 (0) .
L 0
Alegnd convenabil momentul t = 0 astfel nct
i0 (0) = 0 ,
i0 (t ) =
(1.313)
(1.314)
atunci
t
1
i0 (t ) = u0 (t )dt.
L0
Ondulaia de tensiune se pot rescrie sub forma
l 0h sin(h t + )
u0 (t ) = U
c
h
(1.315)
(1.316)
h >1
unde h este rangul armonicii superioare. Cu aceast precizare armonica h, coninut n ondulaia
curentului, devine
l 0h
U
h
sin(h c t + h / 2) ,
(1.317)
i0 (t ) =
h c L
indicnd reducerea substanial a armonicelor de curent cu creterea rangului acestora, respectiv o
ondulaie mai redus a curentului n
raport
cu
tensiunea.
Pentru
exemplificare grafic, n fig.1.182 se
prezint
forma
ondulaiei
i0 (t )
corespunztor unui invertor monofazat
PWM, considernd un defazaj ntre
i01 (t ) i u10 (t ) ca urmare a sarcinii de tip
R+L. Datorit acesteia pulsurile cu
lime variabil ale tensiunii u0 (t )
provoac, dac sunt pozitive, o cretere
Fig.1.182 Forma ondulaiei de curent pentru un
exponenial a curentului, iar dac sunt
invertor monofazat.
negative o descretere de acelai fel.
Avnd n vedere constanta de timp a nfurrii
L
= ,
(1.318)
R
care este mult mai mare dect limea pulsurilor de tensiune, practic curentul are mici
variaii n jurul fundamentalei i01 (t ) fiind evident mult mai aproape de un semnal sinusoidal.
1.14.6
TIMPUL MORT AL INVERTOARELOR.
Timpul mort td ntre comanda de blocare a conduciei pentru comutatoarele statice

superioare i comanda de intrare n conducie a comutatoarelor statice inferioare de pe acelai bra
al invertorului i reciproc este necesar, din aceleai considerente ca la convertoarele c.c.-c.c. Mai
mult, efectele acestuia se calculeaz n acelai mod, concluziile fiind evident aceleai, adic apare
o cretere sau o scdere a tensiunii de linie, respectiv de faz, n funcie de semnul curentului
i0 (t ) . La nivelul fundamentalei curentului i tensiunii efectul timpului mort este prezentat n
fig.1.183. Variaia de tensiune u01 este independent de curentul de sarcin, fiind determinat de
74
mrimea timpului mort td. Compensarea acestui efect se

poate realiza prin modificarea amplitudinii comenzii
dup
l c U sin t ,
u (t ) = U
(1.319)
c
unde U c se determin n funcie de u01 . Realizarea

concret este ns mult mai dificil dect la
convertoarele c.c. - c.c. ca urmare a ondulaiilor
curentului i tensiunii, care fac dificil aprecierea
intervalului n care curentul este pozitiv sau negativ.
Dac
ns
sunt
ns
utilizate
dispozitive
semiconductoare de putere cu timpi de blocare mici,
cum ar fi IGBT-uri sau MOSFET-uri, efectul timpului
mort poate fi neglijat, variaia de tensiune u01 fiind
nesemnificativ ca valoare.
1.14.7
Fig.1.183 Efectele timpului mort asupra

fundamentalei.
ALTE TIPURI DE MODULAIE PENTRU INVERTOARE.
mbuntirea performanelor invertoarelor, ndeosebi n ceea ce privete coninutului de

armonici, a determinat realizarea unor variante modificate ale tipului de comand PWM. Una
dintre variantele de comand const n programarea eliminrii unor anumite armonici, care se
Fig. 1.184 PWM cu programarea eliminrii

armonicilor.
Fig.1.185 Programarea ondulaiilor

curentului.
realizeaz prin calculul unghiurilor 1,2 ,3 , fig.1.184, respectiv a limii pulsurilor de tensiune,
n funcie de rangul armonicilor care trebuie eliminate. Astfel pentru eliminarea armonicilor de
ordinul 5 i 7 trebuie calculate unghiurile 1,2 ,3 , fig.1.184, a cror valoare depinde de cea
dorit pentru fundamental, adic de valoarea modulaiei n amplitudine. Implementarea acestei
comenzi se poate realiza numai cu utilizarea unor circuite integrate specializate, cum ar fi HEF
4752 (Philips) sau de microcontrolere. Evident metoda se poate extinde pentru eliminarea unui
numr mai mare de armonici, caz n care i numrul de unghiuri de tip i , care trebuie calculate,
crete.
75
O alt variant de comand are n vedere programarea ondulaiilor curentului. Astfel,

fig.1.185, dac se dorete o anumit variaie i01 (t ) a fundamentalei curentului, se admite o variaie
a curentului real i0 (t ) , prin ondulaiile produse de comand, n limitele
i01 (t ) i0 i0 i01 (t ) + i0 .
(1.320)
La fiecare intersecie a valorii curentului real i0 (t ) cu cele dou anvelope poziionate
inferior i superior se comand nceputul, respectiv sfritul, pulsului pozitiv de tensiune unipolar.
Realizarea acestui tip de comand necesit achiziionarea curentului real i0 (t ) i compararea lui
cu valoarea impus i0* (t ) pentru fundamental ntr-un comparator avnd histerezisul i0 ,
fig.1.186.
Fig.1.186 Schem bloc de comand pentru programarea ondulaiilor

curentului.
n sfrit una din tehnicile cele mai noi de comand este cunoscut sub numele de
modulaie fazorial (vectorial). Acest mod de comand este strns legat de modelul cu
orientare dup cmp al mainilor trifazate de c.a.. Astfel pentru invertorul de tensiune din
*
fg.1.187 comutatoarele statice sunt comandate n aa fel nct fazorul tensiune impus u , pentru
maina de curent alternativ, s fie aproximat ct mai bine prin fazorul real
2
4
j
j
2
3
(1.321)
u = u A0 + u B 0 e + uC 0 e 3 ,
3
n condiiile existenei unor restricii de comand i anume:

- comutarea simultan a numai dou comutatoare statice;
- comutrile s aib loc n acelai bra;
- s existe n permanen, prin comutatoarele statice sau diodele antiparalel, un circuit de
nchidere a curentului.
*
Fazorul de tensiune impus u are o variaie continu, descriind un cerc cu diametrul
variabil, n timp ce fazorul tensiune de ieire a convertorului poate s ia 7 valori discrete,
n funcie de starea comutatoarelor statice, respectiv conduciei, i anume
j ( k 1)
2
3
u k = Vd e
(1.322)
3
cu k = l,..., 6, adic un sistem hexafazat de tensiuni la care se adaug, pentru k=0,
u 0 = 0 .Realizarea celor 7 fazori conduce la urmtoarea secven de comand
76
Fig.1.187 Invertor de tensiune.
u 0 4, 6, 2;
u1 1, 6, 2;
u 2 1,3, 2;
u 3 4,3, 2;
u 4 4,3,5;
(1.323)
u 5 4, 6,5;
u 6 1, 6,5;
u 0 1,3,5.
Din aceast secven se constat c fazorul u 0 se poate realiza n dou moduri, fie prin
comanda celor trei comutatoare statice "sus"; fie a celor trei "jos". Intre cei 6 fazori, posibil de
*
obinut se delimiteaz 6 sectoare, fig.1.188, n care fazorul tensiune impus u poate s se
gseasc la un moment dat. Pentru exemplificare n fig.1.189 acest fazor se gsete n sectorul l,
fiind, n coordonate polare, determinat prin
*
*
u = Ue j 0 .
(1.324)
Exist posibilitatea de aproximare a acestuia, indiferent de sectorul n care se gsete,
prin duratele de conectare ale comutatoarelor statice, respectiv ale nivelelor de tensiune adiacente
sectorului. Astfel pentru sectorul l, tensiunile care trebuie luate n calcul aproximrii sunt
u1 , u 2 i u 0 . Perioada de eantionare n care se face aproximarea se determin n funcie de
frecvena de comutaie a convertorului, fc, cu
1
Te =
.
(1.325)
2 fc
Media valorilor celor trei fazori u1 , u 2 , u 0 , ponderat cu duratele de aplicare t1 , t2 , t0
pentru acetia, trebuie s fie egal cu fazorul tensiune impus, adic s existe ecuaia
*
u1t1 + u 2t2 + u 0t0 = u Te ,
(1.326)
77
Fig.1.189 Aproximarea
fazorului impus.
Fig.1.188 Fazorul tensiune.
unde evident
t1 + t2 + t3 = Te .
Din triunghiul ABC se pot scrie relaiile
t
AC = 1 U 1
Te
(1.327)
(1.328)
t
CB = 2 U 2 ,
Te
sau
AC
CB
AB
U*
=
=
=
sin( / 3 * ) sin * sin / 3
3/2
Dar avnd n vedere valorile pentru fazorii u1 , u 2 , care sunt date de
2
U1 = U 2 = Vd
3
i ecuaia (1.329) rezult relaiile
2 t1
2U *
sin( / 3 * )
Vd =
3 Te
3
2 t2
2U *
sin * .
Vd =
3 Te
3
Din ecuaiile (1.327), (1.328) i (1.331) se pot calcula duratele de aplicare dup
3U *
t1 =
Te sin( / 3 * )
Vd
t2 =
3U *
Te sin *
Vd
(1.329)
(1.330)
(1.331)
(1.332)
t0 = Te t1 t2 .
Realizarea celor trei fazori este reprezentat n fig.1.190.
Primul interval t0/2 corespunde realizrii fazorului u 0 prin
conectarea comutatoarelor statice 2,4 i 6. Al doilea interval t1
corespunde realizrii fazorului u1 prin conectarea comutatoarelor
Fig.1.190 Calculul duratelor
de conectare.
statice 1,6 i 2, iar al treilea interval t2 corespunde realizrii
fazorului u 2 prin conectarea comutatoarelor statice 1,3, 2. In
ultimul interval t0/2 se realizeaz din nou fazorul u 0 , dar prin conectarea comutatoarelor statice l,
78
3 i 5. Astfel duratele de conectare reale pentru comutatoarele statice ale convertorului rezulta din
relaiile
1 = Te + t1 + t2
2 = Te t1 + t2
0 = Te t1 t2 .
(1.333)
Aceste durate de conectare se calculeaz pentru fiecare perioad de eantionare i fiecare

sector n care se gsete fazorul impus prin relaii asemntoare, n felul acesta se obine o bun
aproximare a fazorului impus, ceea ce constituie un avantaj evident d.p.d.v. al reglrii sistemului
de conversie. Exist i variante evoluate ale acestui sistem de comand care au n vedere
minimizarea numrului de comutaii astfel nct s se reduc pierderile de putere n comutaie.
Realizarea acestui tip de comand presupune utilizarea unui microcontroler integrat n sistemul de
reglare aferent celui de conversie electromecanic.
1.14.8
FUNCIONAREA INVERTOARELOR N REGIM DE REDRESOR
Se consider braul de invertor prezentat n fig.1.181. Dac convertorul alimenteaz un

motor asincron trifazat, atunci sarcina, pe lng caracterul R+L oferit de nfurarea de faz,
conine i t.e.m. eA0 (t ) , care se poate considera sinusoidal. Neglijnd rezistena R, care este mult
mai mic dect reactana L , i lund n consideraie numai fundamentele tensiunii i curentului
de faz, funcionarea n regim de invertor este prezentat, la nivelul fazorial, n fig.1.191.

invertor.

redresor.
Defazajul al curentului I A0 , fa de t.e.m. E A0 , caracterizeaz funcionarea mainii n regim de

motor, ceea ce presupune transferul de putere de la invertor spre main, caracteristic funcionrii
convertorului n regim de invertor propriu-zis. Componenta I AQ a curentului, n faz cu t.e.m.
E A0 , genereaz puterea electromagnetic a mainii, care are valoarea pozitiv. Pentru obinerea
regimului de redresor trebuie ca puterea electromagnetic s fie negativ, adic maina s
funcioneze n regim de generator. In acest caz, fig.1.192, componenta I AQ a curentului va fi n
opoziie de faz cu t.e.m. E A0 . Realizarea acestui defazaj se poate obine ntr-un singur mod i
anume prin generarea de ctre invertor a unei tensiuni de faz cu defazajul 2 1 . Rezult
aadar, avnd n vedere c faza tensiunii U A0 poate fi modificat prin faza iniial a tensiunii de
comand pe faza A, u AC (t ) , trecerea din regimul de invertor n cel de redresor se poate realiza
prin fazele iniiale ale celor trei tensiuni de comand, corelate cu fazele iniiale ale t.e.m. ale
mainii.
Dei la prima vedere ar rezulta o comand deosebit de complicat, utilizarea reglrii n
circuit nchis evit necesitatea cunoaterii fazei iniiale a t.e.m., trecerea dintr-un regim n altul
realizndu-se prin impunerea de curent necesar cuplului dezvoltat de main. Un al doilea lucru
care trebuie avut n vedere se refer la transmiterea energiei recuperate n circuitul intermediar.
Dac circuitul intermediar este alimentat printr-un convertor unidirecional atunci este necesar, la
79
fel ca la convertoarele c.c. - c.c., prevederea unui circuit de disipare a energiei recuperate de
forma celui din fig.1.193.
1.14.9
INVERTOARE DE TENSIUNE I CURENT.
O schem complet de invertor trifazat de tensiune utiliznd IGBT-uri este prezentat n

fig.1.193. Redresorul de alimentare a circuitului intermediar, la puteri mici i mijlocii, este de
obicei monofazat n punte. Filtrul din circuitul intermediar este de tensiune, capacitatea CF avnd
rolul de a menine tensiunea Vd constant. Bobina LF este prevzut n scopul ameliorrii formei
curentului absorbit de redresor i a factorului global de putere. n schema invertorului este
Fig.1.193 Schema unui invertor trifazat de tensiune.
prevzut i convertorul c.c. - c.c. de un cadran, format din TF i RF, pentru a disipa energia n
cazul funcionrii n regim de redresor ocazionat de frnarea mainii de c.a. alimentate. La puteri
mici i mijlocii se utilizeaz invertoare de curent, fig.1.194, ca urmare a costurilor mai mici dar i
a unor avantaje funcionale. Principalele diferene intre cele dou tipuri de invertoare constau in:
- circuitul intermediar este un circuit de curent, unde, prin intermediul bobinei de filtrare
LF , curentul Id este meninut practic constant;
- absena diodelor antiparalel, ca urmare a faptului c n acest caz comutatoarele statice
comut direct curentul, iar tensiunile de linie, respectiv faz, rezult ca urmare a trecerii acestuia
prin impedanele receptorului.
La puteri foarte mari se mai utilizeaz
scheme de invertoare cu tiristoare obinuite,
comutaia acestora fcndu-se prin scheme de
stingere forat autonom sau independent.
n sfrit n ultima perioad s-au dezvoltat
mult invertoarele de tipul rezonant avnd ca
scop principal reducerea puterii disipate n
Fig.1.194 Schema unui invertor de curent.
comutatoarele statice.
1.14.10 MODELUL MATEMATIC AL INVERTOARELOR.
Din punct de vedere al mrimilor de ieire, tensiune i frecven, invertoarele, indiferent

de tip, asigur comanda complet independent a acestora. Dac n privina frecvenei de ieire,
caracteristica de comand este de tipul liniar i neinerial, convertorul fiind practic un amplificator
liniar, n ceea ce privete tensiunea de ieire trebuie luate n consideraie urmtoarele lucruri:
- neliniaritatea pentru supramodulaie n amplitudine, mA > 1 ;
- efectele timpului mort care transform caracteristica de comand din fig.1.177 n cea din
fig.1.195.
80
n domeniul modulaiei n amplitudine liniare i neglijnd efectul timpului mort, funcia de

transfer a convertorului poate fi scris sub forma
U ( s)
=k,
(1.334)
YC ( s ) = 0
U C (s)
adic un amplificator liniar i neinerial. Dac n ceea ce
privete neglijarea efectului timpului mort, aa cum s-a
menionat mai sus, nu se comite o abatere prea mare de la
realitate, supramodulaia n amplitudine determin un puternic
caracter neliniar convertorului cu toate consecinele ce decurg
de aici pentru partea de control n circuit nchis. i acesta este
un motiv pentru care la cele mai multe tipuri de invertoare se
utilizeaz n exclusivitate numai modulaia liniar.
Fig.1.194 Caracteristica de
comand real.

Curs EP CS

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs EP CS

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

1.

DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.

Fig.1.13 Seciune printr-o

Fig.1.14 Simbolul diodei.

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

fiind determinat de curentul invers de saturaie. Valoarea acestui

nivelul caracteristicii ideale,diod fr pierderi, fig.1.16, dioda se

conducie n starea de blocare ncepe cu intervalul t3 prin modificarea tensiunii de alimentare de la

Fig.1.18 Caracteristicile dinamice ale diodei.

+V la VR . n intervalul t3 , ca urmare a inversrii tensiunii curentul se micoreaz cu un gradient

se numete timp de restabilire invers, fiind o mrime cu importan deosebit n electronica de

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

PARAMETRI DE CATALOG PENTRU DIODE.

Lund ca referin notaiile din fig.1.17 se definesc urmtorii parametri:

c) Valoarea efectiv a curentului definit prin

Pentru exemplul din fig.1.19 valoarea efectiv este

rezistena termic suplimentar jonciune-capsul, R, care depinde de forma

REGIMUL TERMIC AL DIODELOR.

Pentru orice diod se indic ca dat nominal temperatura maxim admisibil a

Fig.1.21 Schema echivalent pentru regimul termic

n fig. 1.21 j, C, R i A sunt temperaturile jonciunii, capsulei, radiatorului i mediului

= RthJC + RthCR + RthRA + R

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu o mare capacitate n curent i

Fig.1.22 Structura unui tiristor.

Considernd poarta izolat, polarizarea tiristorului se poate face direct, + pe A i pe K,

Se consider tiristorul alimentat de la sursa U i avnd o rezisten de sarcin R

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.24 Schema de alimentare.

Fig.1.25 Caracteristica static.

o cretere a curentului direct, nesemnificativ ca valoare, odat cu creterea tensiunii anodcatod;

Tristorul poate fi echivalat prin dou tranzistoare T1 i T2 conectate ca n fig.1.26. T1,

i deci i tranzistorul T1 este polarizat pentru intrarea n conducie,

care produce o nou cretere a lui iC 2 , respectiv iB1 i i B2 . Astfel

iC1 = 1 iE1 + I CO1

unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului,

Prelucrnd relaiile anterioare rezult

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

astfel nct iT s creasc foarte mult, atingnd valoarea de regim staionar.Creterea

Caracteristicile dinamice se refer la procesele de intrare i ieire din conducie avnd ca

Fig.1.27 Cicuit pentru analiza

Fig.1.28 Procesul de intrare n

sarcin se uniformizeaz n ntreaga seciune, tensiunea anod-catod atingnd valoarea de regim

Fig.1.29 Procesul de ieire din conducie.

CIRCUITE DE COMAND PE POART.

Circuitele de comand pe poart trebuie s asigure urmtoarele condiii, fig.1.30:

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.30 Comanda pe poart.

Fig.1.31 Caracteristica de poart.

suplimentar, pentru convertoarele de reea, sincronizarea comenzii cu tensiunea anod-catod

Fig.1.32 Tipuri de impulsuri.

La egalitatea celor dou tensiuni,

Fig.1.33 Schema de comand pe poart pentru convertoare de reea.

rezistena de sarcin Rs folosit att pentru realizarea circuitului de descrcare a energiei

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.35 Separare galvanic prin optocuplor.

amplificare, n contact galvanic cu circuitul G-K.

Alegerea tiristoarelor utilizate ntr-un convertor urmeaz aceeai metodologie de la

De asemenea trebuiesc avute n vedere gradientele de curent i tensiune maxim admise,

unde t este durata impulsului, iar T perioada de generare a acestuia.

PARAMETRI DE CATALOG AI TIRISTOARELOR.

Parametrii de catalog ai diodelor se regsesc aproape n totalitate la tiristoare cu o

CIRCUITE DE PROTECIE PENTRU DIODE I TIRISTOARE.