Universitatea "Politehnica" din Bucureti

Facultatea de Inginerie Mecanic si Mecatronic

Departamentul de Mecatronic si Mecanic de Precizie

(FOTO)LITOGRAFIA

Prof. Dr. Ing. Georgeta Ionacu

Curs MNT
 Litografia este procesul de transfer al configuraiilor
geometrice de pe o masc intr-un un strat subire (~1m
grosime) de material sensibil la radiaii (numit rezist) care
acoper suprafaa unei plachete.
Litografia este una dintre cele mai importante etape de
lucru, att n microelectronic ct i n micromecanic,
indiferent dac este vorba de prelucrarea Si, de corodare cu
ioni reactivi sau de procedeul LIGA. Ea prezint marele
avantaj al structurarii la dimensiuni de ordinul micrometrilor
sau submicrometrilor, cu ajutorul fasciculelor de lumin
(radiatia UV) sau de particule (electroni, ioni, raze X). Alt
avantaj deosebit de important este preul de cost sczut
pentru producia de mas.

Curs MNT
Este necesar ca toate procesele litografice s fie realizate ntr-
un mediu foarte curat. Se folosesc aa numitele camere albe.
Necesitatea lor a aprut datorit faptului c particulele de praf
din aer se pot aseza pe plachetele i pe mtile litografice,
cauznd defecte. ntr-o camer alb trebuie s fie foarte bine
controlat numarul total de particule de praf pe unitatea de
volum, mpreun cu temperatura i umiditatea.
O camer alb de clas 100 este aceea care are un numar
maxim de 100 de particule de praf / picior cub (3500 m) cu
diametrul > 0,5 m si maxim 10 particule / picior cub cu
diametrul > 1,5 m . Pentru majoritatea etapelor de fabricaie a
circuitelor integrate este suficient o camer alb de clas
100, n timp ce pentru etapa litografic este necesar una de
clasa 10.
Curs MNT

acoperirea plachetelor
cu un strat uniform de rezist
/etalare sau depunere rezist
(a);

expunere la acel tip de
radiaie la care este sensibil
rezistul (b);

developare ntr-o soluie
(developant) care dizolv fie
zonele expuse (rezist pozitiv),
fie pe cele neexpuse (rezist
negativ) (c)

Procesul tehnologic litografic

Curs MNT
Procedee de modificare a zonei de sub rezist (substratul):
oxidare (a), eroziune chimic umed (b) eroziune chimic
uscat (c), depuneri galvanice sau de alt tip (depunere
straturi subtiri, implantare ionica)

Curs MNT
 Reprezentarea procesului
de transfer al configuratiilor
prin litografie si gravare
proces substractiv (a) si
prin litografie si metoda
lift-off proces aditiv (b)
- o bun aderen la diferite
substraturi ; - o bun rezisten
la corodare, fa de substantele
de atac folosite pentru
materialul straturilor;
- o nlturare uoar dup
realizarea corodrii; - o bun
stabilitate n timp; - o bun
reproductibilitate de la plachet
la plachet i de la un lot de
rezist la altul.
Curs MNT
 Etapele principale ale unui proces de
litografie (a) si diferite variante de expunere (b)
Curs MNT
 Caracteristici de
expunere (grosimea
stratului de fotorezist in
functie de energia de
expunere) (a) si
profile obtinute dupa
developare (b), in cazul
fotorezistilor pozitivi si
negativi

Curs MNT
Fotorezitii pozitivi au trei componente: una fotosensibil, o
rin de baz (novolac) i un solvent organic ce controleaz
vscozitatea fotorezistului.
naintea expunerii, componenta fotosensibil este insolubil n
soluia de developare.
Dup expunere, componenta fotosensibil absoarbe radiaia
n zonele expuse, i schimb structura chimic i devine
solubil n soluia de developare. Prin developare sunt
ndepartate zonele expuse.
Developarea fotorezitilor pozitivi se realizeaz n soluii
apoase alcaline (NaOH sau KOH). Procesul de developare
const ntr-o dizolvare simpl a fotorezistului expus, care nu
afecteaz regiunile neexpuse.

Curs MNT
Fotorezitii negativi sunt polimeri (organici) combinai cu o
component fotosensibil (fotoinitiator).
Dup expunere, componenta fotosensibil absoarbe energia
optic i o convertete n energie chimic pentru iniializarea
unei reacii n lan. Aceast reacie determin legarea
transversal a moleculelor de polimer. Polimerii cu legturi
transversale au o greutate molecular mai mare i devin
insolubili n soluia de developare. Prin developare sunt
ndeprtate zonele neexpuse.
Pentru developare se folosesc solveni aromatici (benzen,
toluen sau xilen). n timpul developrii solvenii ptrund n
zonele expuse, umflnd stratul de fotorezist.

Curs MNT
 Fotorezitii negativi au energia de prag (sensibilitatea) mult mai mic. De
aceea, pentru un sistem optic litografic, cu o putere de expunere dat
(mW/cm), sunt necesari timpi mult mai mici de expunere dac se utilizeaz
fotoreziti negativi obinndu-se astfel o eficien mare de expunere.
Totui, fotorezitii negativi se umfl dup developare, rezultnd o rezoluie
sczut. Fotorezitii pozitivi nu se umfl, astfel nct se pot obine rezoluii mai
bune. Dar ei necesit energii de expunere mult mai mari i, n consecin, timpi
de expunere mai mari, rezultnd o eficien mai sczut.
De asemenea, fotorezitii pozitivi sunt mai pretenioi dect cei negativi, n
ceea ce privete aderena la substrat. Tot un dezavantaj este i acela c
ferestrele developate n fotorezistul pozitiv au tendina de mrire a
dimensiunilor n comparaie cu cele de pe masc, iar corodarea lateral
ulterioar amplific aceast diferen. n cazul fotorezitilor negativi, ferestrele
tind s fie mai mici ceea ce compenseaz atacul lateral. Totui, se pot obine
performane foarte bune i n cazul fotorezitilor pozitivi, dac se aleg corect
parametrii procesului fotolitografic.

Curs MNT
 Principalii parametri care caracterizeaz un proces litografic
sunt: rezoluia, controlul dimensional, precizia de aliniere i
eficiena.
Rezoluia este o msur a dimensiunii minime ce poate fi
transmis cu fidelitate maxima, n mod reproductibil n rezist.
Rezoluia global a procesului litografic depinde de rezoluia
sistemului optic de aliniere i de rezolutia rezistului folosit.
n urma controlului dimensional rezult n ce msur
dimensiunile configuraiilor de pe masc sunt copiate/ transmise
identic n rezist. Forma geometriilor din rezist nu este identic cu
cea a geometriilor de pe masc, zonele developate avnd tendina
s se modifice prin supraexpunere (atacul lateral la expunere).
Controlul dimensional statistic este o operaie obligatorie n cadrul
procesului de litografie. Acesta se execut imediat dup
developare, iar plachetelor care nu se ncadreaz n limitele
impuse li se ndeprteaz stratul de rezist i sunt procesate din
nou.
Curs MNT
 Proiectarea microstructurilor complexe implic o serie
de etape, care se realizeaz cu ajutorul calculatorului.
Toate etapele de simulare i verificare implic
existena unor baze de date i a unor programe dedicate.
n final, se realizeaz trecerea de la schema simbolic la
planul mtii (layout-ul) i, din punct de vedere tehnologic,
se definesc configuraiile pe fiecare nivel de mascare.
ntre aceste configuraii exist legturi spaiale stricte.
Precizia de aliniere (superpoziie) se definete ca o
msur a alinierii precise a configuraiilor de mti
succesive. Alinierea se realizeaz fa de configuraiile
definite anterior pe plachet.
Eficiena reprezint numarul de plachete care poate fi
expus pe or, pentru un nivel de mascare dat.
Curs MNT
 FOTOLITOGRAFIA
Cea mai veche i, n acelai timp, cea mai rspndit dintre
tehnicile litografice este litografia optic sau fotolitografia. Ea
utilizeaz ca radiaie lumina ultraviolet (UV), cu lungimi de und
0,20,4m.
Dei se prea c litografia optic n-ar avea aplicaii n domeniul
dimensiunilor mici, datorit cercetrilor fcute, n special pentru
obinerea mtilor, s-a ajuns la dimensiuni sub 0,5m.
Procesul fotolitografic urmrete mai multe etape:
1.etalarea fotorezistului, cand n centrul substratului se aplic
aproximativ 1cm de rezist lichid; acesta se uniformizeaz prin
centrifugare, timp de aproximativ 30s, obtinndu-se o grosime a
stratului de: c
gR = 1/ 2
n
- c este concentraia componentei solide din rezist, este
vscozitatea fotorezistului, iar n este turaia (1000-10.000 rot/min pt.
o grosime de strat de 1...0.5 m).
Curs MNT
 2.uscare sau precoacere (n general la 801000C)
pentru a ndeprta solventul din stratul de fotorezist i a
mbunti aderena acestuia la substrat.
3.alinierea plachetei n raport cu masca ntr-un
echipament fotolitografic si expunerea fotorezistului la
lumin ultraviolet (UV);
4.developarea fotorezistului prin pulverizarea
developantului pe plachet. Apoi, placheta este cltit i
uscat.
5.se realizeaz un tratament de postcoacere, prin
nclzire pn la 1001800C pentru a crete aderena
rezistului la substrat.
Dup corodare (de exemplu) prin ferestrele obinute n
fotorezist, urmeaz ndepartarea acestuia. Aceasta se
poate realiza utiliznd un solvent sau pulverizarea n
plasm de oxigen. Curs MNT
FOTOMASTILE
Fotomtile sunt realizate din lame plan-paralele de sticl de
cuart cu grosimea de 1,53 mm, de form ptrat cu latura
de 4, 5 sau 6 inch. Pentru dimensiunile configuraiilor
geometrice de ordinul a 5 m sau mai mari, lamele de sticla
sunt acoperite cu o emulsie fotografic de grosime de 0,51
m. Pentru dimensiunile configuraiilor geometrice mai mici,
lamele de sticla sunt acoperite cu crom, oxid de crom sau oxid
de fier. Cromul, de exemplu, se depune prin evaporare in vid
sau pulverizare catodic, iar pentru a deveni complet opac,
este suficient s aib 0,1 m grosime. Configurarea lui se
realizeaz, n cazul microstructurilor cu densitate mic pe
unitatea de suprafa, prin corodare (eroziune chimica) umed
sau uscat, cu protecie foto.

Curs MNT
 O problem important la mti este densitatea de defecte. Defectele
mtii pot fi introduse n timpul realizrii acesteia sau n timpul proceselor
litografice.
Controlul mtilor se poate face cu programe costisitoare, cu optic de
nalt rezoluie i mese cu deplasri foarte precise. Dac pe masc este
realizat aceai structur care se repet, controlul se poate face
comparnd structurile dou cte dou. Dac se face compararea structurii
cu cea originala, generat de CAD, pot fi depistate erorile sistematice (care
se repet). De ex. pot fi detectate erori cu dimensiuni de 0,35 m, cu o
probabilitate de 95 %.
La mtile de crom pot fi definite dou tipuri de defecte: opace (cnd
cromul rmne sub form de pete, adncituri, punti ntre dou linii) i
transparente (cnd apar pori, exfolieri, ntreruperi ale filmului de crom).
Pentru corectarea defectelor opace, cromul este ndeprtat cu radiaie
laser sau cu fascicul de ioni. Corectarea defectelor transparente este mai
costisitoare. Ea const n acoperirea local printr-un procedeu de depunere
n stare gazoas i structurarea local cu un laser a crui energie este
riguros controlat.
Curs MNT