5.4.

DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

Funcţionarea anormală a unui circuit cu tranzistoare bipolare, se datorează unui defect
intern al unui tranzistor, sau defectării unui rezistor din circuitele de polarizare a
tranzistoarelor. La tranzistor, un defect intern apare în cazul întreruperii unei joncţiuni sau
străpungerii unei joncţiuni a tranzistorului (rezistenţa electrică a joncţiunii scade foarte
mult). În cazul rezistoarelor pot apare întreruperi ale acestora. În majoritatea cazurilor
aceste defecte aduc tranzistorul în regimul de blocare sau de saturaţie. Pentru depanarea
defectului se măsoară tensiunile şi curenţii din circuit şi în funcţie de valorile acestora se
poate localiza defectul respectiv.
5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI
Cea mai rapidă metodă de a afla dacă joncţiunile unui tranzistor sunt întrerupte sau
străpunse este măsurarea rezistenţelor joncţiunilor cu un multitester digital. Pentru
aceasta vom considera structura tranzistorului bipolar ca un ansamblu de două diode
conectate ca în figura 5.4.1

E B C E B C
NPN PNP
Figura 5.4.1 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

O joncţiune (BE sau BC) este întreruptă dacă multitesterul în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mare (sau infinită).
O joncţiune (BE sau BC) este străpunsă dacă multitesterul în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă mică.
O joncţiune (BE sau BC) este scurtcircuitată dacă multitesterul în ambele sensuri de
măsurare indică rezistenţă foarte mică.
T1 T1
C C Joncţiunea bază-emitor întreruptă.
B B BB
OHMETRU
Ohmetru OHMETRU
Ohmetru În ambele sensuri de măsurare
E
E E
E

+ +
+ +
G G multitesterul digital indică valoarea 1
VAΩ
- -
VAΩ
- -

Figura 5.4.2 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(joncţiune întreruptă)

T1 T1
C C

BB Joncţiunea bază-emitor scurtcircuitată.

BB
OHMETRU
Ohmetru OHMETRU
Ohmetru
E În ambele sensuri de măsurare
E
E E

+ +
+ +
G G
multitesterul digital indică valoarea 0
VAΩ
- -
VAΩ
- -

Figura 5.4.3 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(joncţiune scurtcircuitată)

Altă metodă de verificare a stării joncţiunilor unui tranzistor este măsurarea valorilor
tensiunilor din baza şi colectorul unui tranzistor în circuit.
VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Pentru montajul din figura 5.4.4 la

Q1 Uce funcţionarea în condiţii normale:

Tensiunea în bază UB = 3,52 V
+
Ub 4.938 V
-
+
3.527 V
BC546BP Tensiunea în colector UC = 4,93 V
-
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

Figura 5.4.4 Tranzistor polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale tensiunilor

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a întrerup joncţiunea BE,
Emitorul sau Baza, tranzistorul se
Q1 Uce blochează, iar tensiunile sunt:
+
Ub -
9.999 V
Tensiunea în bază UB = 3,58 V
+
BC546BP
-
3.588 V Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

Figura 5.4.5 Circuit cu tranzistor bipolar defect (întreruperea joncţiunii BE)

VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Dacă s-a întrerup joncţiunea BC,

sau Colectorul, tranzistorul se
Q1 Uce
+ blochează, iar tensiunile sunt:
Ub 9.999 V
-
Tensiunea în bază UB = 1,09 V
+
BC546BP
1.091 V
- Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

Figura 5.4.6 Circuit cu tranzistor bipolar defect (întreruperea joncţiunii BC)

 VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea

BE, tranzistorul se blochează, iar
Q1 Uce
+
tensiunile sunt:
Ub 9.999 V
- Tensiunea în bază UB = 0,48 V
+
BC546BP
0.484 V Tensiunea în colector UC = 9,99 V
-

Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ

Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea

Q1 Uce
+ BC, tranzistorul se comportă ca o
Ub 3.991 V
- diodă polarizată direct prin care
+
BC546BP
-
3.991 V
circulă curent, iar tensiunile sunt:
Rb2 Re Tensiunea în bază UB = 3,99 V
5.6kΩ 560Ω
Tensiunea în colector UC = 3,99 V

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Dacă s-a scurtcircuitat joncţiunea
CE, tranzistorul se comportă ca un

Q1 Uce conductor prin care circulă curent,

iar tensiunile sunt:
+

Ub 3.590 V
-
+
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,58 V
3.588 V
-
Tensiunea în colector UC = 3,59 V
Rb2 Re
5.6kΩ 560Ω

Figura 5.4.7 Circuite cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea joncţiunilor)

5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE
VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Pentru montajul din figura 5.4.8, la
funcţionarea în condiţii normale,

Uc valorile tensiunilor la terminalele

Q1
+
4.938 V tranzistorului bipolar sunt:
Ub -
+
BC546BP Tensiunea în bază UB = 3,52 V
3.527 V

Tensiunea în colector UC = 4,93 V

-

Ue
Rb2 Re +
2.844 V Tensiunea în emitor UE = 2,84 V
5.6kΩ 560Ω -

Figura 5.4.8 Tranzistor polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale tensiunilor

DEFECT 1. REZISTORUL Rb1 ÎNTRERUPT

VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Acest defect duce la dispariţia
tensiunilor din baza şi emitorul
Uc tranzistorului, iar tranzistorul se
Q1

Ub
+
9.999 V BLOCHEAZĂ
-
+
2.542n V
BC546BP Tensiunea în bază UB ≅ 0 V
-
Ue Tensiunea în emitor UE ≅ 0 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω -
6.310n V
Tensiunea în colector UC = 9,99 V

DEFECT 2. REZISTORUL Rb2 ÎNTRERUPT

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Acest defect duce la creşterea tensiunii
şi curentului din bază, iar tranzistorul
Q1 Uc intră în SATURAŢIE
+
Ub -
3.799 V
Tensiunea în bază UB = 4,49 V
+
BC546BP
-
4.495 V
Tensiunea în emitor UE = 3,79 V
Ue
Rb2 Re +
Tensiunea în colector UC = 3,78 V
5.6kΩ 560Ω 3.780 V
-
DEFECT 3. REZISTORUL RE ÎNTRERUPT
VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Acest defect duce la dispariţia
curenţilor prin tranzistor, iar tranzistorul

Q1 Uc se BLOCHEAZĂ
Tensiunea în bază UB = 3,58 V
+
Ub 9.999 V
-
+
BC546BP Tensiunea în emitor UE = 3,16 V
3.588 V
-
Ue Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω 3.161 V
-

DEFECT 4. REZISTORUL RC ÎNTRERUPT

VCC
10V
Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ Acest defect duce la dispariţia
curentului prin colector. Valorile
tensiunilor din colector şi emitor ne
Q1 Uc
+ determină să presupunem că
Ub 0.386 V

tranzistorul este saturat dar în realitate

-
+
BC546BP
1.091 V
- tranzistorul nu conduce.
Ue
Rb2 Re + Tensiunea în bază UB = 1,09 V
5.6kΩ 560Ω 0.390 V
-
Tensiunea în emitor UE = 390 mV
Tensiunea în colector UC = 386 mV

DEFECT 5. REZISTORUL Rb1 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1 Rc Tensiunea bază-emitor este egală cu
10kΩ 1kΩ
tensiunea de alimentare a tranzistorului
fapt care determină deteriorarea
Q1 Uc acestei joncţiuni.
+
Ub 9.198 V Tranzistorul se BLOCHEAZĂ.
-
+
10.000 V
BC546BP Tensiunea în bază UB = 10 V
-
Ue Tensiunea în emitor UE = 9,1 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω 9.190 V Tensiunea în colector UC = 9,1 V
-
DEFECT 6. REZISTORUL Rb2 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1 Rc Acest defect duce la dispariţia
10kΩ 1kΩ
curentului şi tensiunii în baza
tranzistorului, iar tranzistorul se
Uc
Q1 BLOCHEAZĂ
+
Ub -
9.999 V
Tensiunea în bază UB = 0 V
+
BC546BP
-
0.000 V Tensiunea în emitor UE ≅ 0 V
Ue
Tensiunea în colector UC = 9,99 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω 6.310n V
-

DEFECT 7. REZISTORUL RC SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1 Rc Acest defect duce la creşterea tensiunii
10kΩ 1kΩ
pe joncţiunea colector-emitor a
tranzistorului.
Q1 Uc Funcţionarea tranzistorului nu este
+
10.000 V stabilă (PSF-ul se deplasează spre
Ub -

+ BC546BP zona de blocare)

3.531 V
-
Ue Tensiunea în bază UB = 3,53 V
Rb2 Re +
5.6kΩ 560Ω -
2.849 V
Tensiunea în emitor UE = 2,84 V
Tensiunea în colector UC = 10 V

DEFECT 8. REZISTORUL RE SCURTCIRCUITAT

VCC
10V

Rb1 Rc
10kΩ 1kΩ
Acest defect duce la funcţionarea
tranzistorului în zona de SATURAŢIE.
Q1 Uc
+
0.025 V
Tensiunea în bază UB = 0,7 V
Ub -

+ BC546BP Tensiunea în emitor UE = 0 V

0.730 V
-
Ue Tensiunea în colector UC = 25 mV
Rb2 Re +

5.6kΩ 560Ω 0.000 V

-