Dispozitive Electronice Discrete 2017

Dispozitive electronice discrete G.O.
Cuprins
Tema 1. S1. Rezistoare .......................................................................................................................3
Tema 1. S2.Condensatoare ................................................................................................................7
Tema 1. S3. Bobine ...........................................................................................................................11
Tema 1. S4. Aplicații ........................................................................................................................15
Lucrare de laborator 1 ................................................................................................................20
Lucrare de laborator 2 ...............................................................................................................21
Lucrare de laborator 3. ...............................................................................................................22
Tema 2. S1. Tuburi electronice .......................................................................................................23
Dioda cu Vid ..............................................................................................................................24
Tema 2. S2. Trioda ...........................................................................................................................27
Tema 2. S3. Tetroda și pentoda .......................................................................................................34
Tetroda .......................................................................................................................................34
Pentoda .......................................................................................................................................39
Tema 3. S1. Noţiuni de fizica semiconductoarelor ........................................................................45
Tabelul periodic al elementelor ..................................................................................................49
Tema 3. S2. Joncțiunea PN ..............................................................................................................50
Tema 3. S3. Dioda semiconductoare ...............................................................................................54
Dioda redresoare ........................................................................................................................55
Dioda stabilizatoare ....................................................................................................................57
Dioda varicap (varactor).............................................................................................................58
Dioda de comutaţie.....................................................................................................................59
Dioda cu contact punctiform ......................................................................................................60
Dioda luminiscentă (LED) .........................................................................................................62
Tema 3. S4. Tranzistorul Bipolar ...................................................................................................70
Tema 3. S5. Tranzistorul cu efect de câmp (unipolar) ..................................................................80
Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune (TEC-J); ........................................................81
Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TEC-MOS); .....................................................83
Tema 3. S6. Dispozitive semiconductoare multijonctiune ............................................................88
Tiristorul .....................................................................................................................................88
Diacul .........................................................................................................................................91
Triacul ........................................................................................................................................93
Tema 3. S7. Cablaje de circuite imprimate ....................................................................................96
Anexe ...............................................................................................................................................101
Bibliografie ......................................................................................................................................110
2
Tema 1. S1. Rezistoare

1.Rezistorul este o componentă pasivă din circuitele electrice şi electronice a cărei principală
proprietate este rezistenţa electrică ( proprietatea de a se opune trecerii curentului
electric).Rezistoarele sunt de forme şi dimensiuni variate.
2.Clasificarea rezistoarelor după mai multe criterii:

a. În funcţie de tipul constructiv: - fixe
- variabile – potenţiometre
- semireglabile
b. În funcţie de intensitatea curenţilor care le străbat:
pentru curenţi slabi: - liniare: -peliculare
- bobinate
- de volum
- neliniare - termistoare
- varistoare
- fotorezistenţe
- pentru curenţi tari (rezistoare folosite în industria energetică şi electrotehnică):
- rezistoare cu elementul rezistiv obţinut prin:
- turnare din fontă (grile din fontă);
- ştanţare din tablă (tablă silicoasă);
- spiralizate din benzi metalice (aliaj special, cu număr
variabil de
c. După modul de marcare: - în clar
- în codul culorilor
3. Simbolurile Rezistoarele
Tabelul 1.
Rezistor, semn general.
Rezistor cu rezistenţă variabilă.
Rezistor cu contact mobil.
Rezistor cu contact mobil, cu poziţie de întrerupere.
Potenţiometru cu contact mobil.
Rezistor cu două prize fixe.

Şunt.
Element de încălzire.
Rezistor cu rezistenţă neliniară, dependentă de
temperatură.
Rezistor cu rezistenţă neliniară, dependentă de tensiune
(varistor).
3
Rezistor, semn tolerat.
Rezistor, semn nestandardizat.
Potenţiometru cu contact mobil, semn tolerat.
Potenţiometru cu ajustare predeterminată.
Varistor, semn tolerat.
Rezistor cu rezistenţă neliniară, dependentă de

temperatură, semn tolerat.
4. Principalii parametrii ce caracterizează un rezistor sunt :

a) Rezistenţa nominală (Rn) , [R]S.I. = 1Ω (ohm), multiplii săi: 103 Ω = 1KΩ, 106 Ω = 1MΩ,
109 Ω = 1GΩ. este valoarea în ohmi , pentru care a fost construit rezistorul, măsurată la 200 C;
b) Toleranta (t) , exprimată în procente, reprezintă abaterea maximă admisibilă a valorii reale
a rezistenţei, faţă de valoarea nominală Rn;
c) Tensiunea nominală (Un); [Un]S.I. = 1V (Volt), exprimată în volţi, reprezintă tensiunea
electrică maximă ce se poate aplica rezistorului în regim de funcţionare îndelungată, fără a-i
modifica caracteristicile.
d) Puterea de disipaţie nominală “Pn”: [Pn]S.I. = 1W (Watt); ―Pn‖ reprezintă puterea electrică
maximă ce se poate aplica rezistorului în regim de funcţionare îndelungată fără a-i modifica
parametri. Puterile uzuale standardizate ale rezistorului sunt: 0,05; 0.10; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 4; 6;
12; 16; 25; 40; 50; 100W.
e) Precizia rezistoarelor. În funcţie de performanţe rezistoarele se împart în clase de precizie.
Denumirea clasei de precizie: 0,5; 2,5; 7; 15, este dată, de obicei, de coeficientul de variaţie la
îmbătrânire după 5000 de ore de funcţionare la sarcină nominală.
În funcţie de precizia lor, rezistoarele se împart în trei categorii:
- rezistoare etalon;
- rezistoare de precizie;
- rezistoare de uz curent.
Intervalul temperaturilor de lucru:
Reprezintă intervalul de temperatură în limitele căruia se asigură funcţionarea de lungă
durată a rezistorului. Influenţa temperaturii asupra rezistenţei rezistorului este pusă în evidenţă de
coeficientul termic al rezistenţei, definit astfel:
1 R  1 
R  
R T   K 
5. Marcare rezistoarelor. Indiferent de modalitatea de marcare, pe orice tip de rezistor se trece
obligatoriu:
 Rezistenţa nominală, Rn ( Ω)
 Toleranţa valorii nominale ( %)
4
Marcarea poate fi realizată prin:
a. Codul în clar sau codul de litere şi cifre
Codul cuprinde trei sau patru caractere, în funcţie de numărul cifrelor semnificative ce
trebuie marcate pe rezistoare.
Literele codului înlocuiesc virgula zecimală.
Exemplu: R = 4K5 = 4,5 KΩ = 4500 Ω
La marcarea rezistoarelor se folosesc literele R, K, M, G, T, pentru a reprezenta coeficienţii
de multiplicare. Semnificaţia acestor coeficienţi, este dată în tabelul 2.
Tabelul 2
Litera R K M G T
Coeficient de
1 103 106 109 1012
multiplicare
Exemplu: R = 75M = 75∙106 Ω
Iar pentru marcarea toleranţelor, corespondenţa din tabelul 3.
Tabelul 3
Litera B C D F G J K M N
Toleranţa % ±0,1 ±0,25 ±0,5 ±1 ±2 ±5 ±10 ±20 ±30
Exemplu: R = 25 GJ = 25∙109 Ω ±5%
b. Codul de culori. Acest cod cuprinde benzi, inele colorate, pe corpul rezistorului, având
următoarea semnificaţie:
- primele trei inele indică primele trei cifre - primele două inele indică primele două cifre
semnificative semnificative
- Inelul 4 – indică coeficientul de multiplicare - Inelul 3 – indică coeficientul de multiplicare
- Inelul 5 – toleranţa; - Inelul 4 – toleranţa;
Fig. 1. marcarea cu cinci benzi colorate Fig. 2. marcarea cu patru benzi colorate
Codul culorilor pentru rezistoare:

Tabelul.4
Coeficientul de
Culoare Inel 1 Inel 2 Inel 3 Inel4 Toleranţa
multiplicare
Argintiu 10-2 ±10%
Auriu 10-1 ±5%
Negru 0 0 0 1
Maro 1 1 1 1 10 ±1%
Roşu 2 2 2 2 102 ±2%
Portocaliu 3 3 3 3 103
Galben 4 4 4 4 104
Verde 5 5 5 5 105
Albastru 6 6 6 6 106
Violet 7 7 7 7 107
Gri 8 8 8 8 108
Alb 9 9 9 9 109
Nici o culoare ±20%
5
- pentru toleranţa de 20%, există doar trei, respective patru inele colorate pe rezistor;
- citirea se face începând cu banda cea mai apropiată de unul dintre terminale;
Caracteristici
1. Rezistoarele sunt elemente de circuit cu două borne (dipoli), care respectă legea lui Ohm.
2. Pentru regimul de curent continuu, tensiunea la bornele rezistorului este direct proporţională cu
intensitatea curentului prin acel rezistor: U= f(I), U = RI
Caracteristică statică care defineşte caracterul de element liniar al rezistorului.
3. Pentru regimul de curent alternativ, curentul la un moment, depinde numai de tensiunea la
momentul respectiv: u(t)=Ri(t)
Ceea ce înseamnă că rezistorul este un element de circuit fără memorie.
4. Rezistenţa R, fiind o constantă pozitivă, tensiunea şi curentul au în orice moment acelaşi semn. În
consecinţă, rezistorul este un consumator de energie.
6
Tema 1. S2.Condensatoare
1. Condensatorul reprezintă o componentă pasivă de circuit, caracterizată prin proprietatea, numită
capacitate, de-a înmagazina o cantitate de electricitate, când i se aplică o tensiune la borne. Este
format din două suprafeţe metalice numite armături, separate printr-un material izolator, numit
dielectric.
Capacitatea ―C‖ este dată de relaţia:

S S
C     0  r  ,   0   r , (1)
d d
Unde:
ε0 = permitivitatea dielectrică absolută a vidului;
εr = permitivitatea relativă a dielectricului;
ε = permitivitatea absolută a dielectricului condensatorului;
S = suprafaţa armăturilor plane;
d = distanţa dintre armături.
Dacă unui condensator i se aplică o tensiune continuă ―U‖, acesta se va încărca cu o sarcină
―Q‖. În figura 1 este prezentat simbolul:
Se defineşte capacitatea condensatorului ca fiind raportul:
Q Q
C  (2)
U V1  V2
Unde:
C – capacitatea condensatorului [F]
Q – cantitatea de electricitate [C]
U – Tensiunea electrică [V]
V1, V2 – potenţialul celor două armături [V]
[C]S.I. = 1 F (Farad)
Submultiplii faradului sunt:
1 mF (milifarad) = 10-3 F
1 µF (microfarad)= 10-6 F
1 nF (nanofarad) = 10-9F
1pF (picofard) = 10-12 F
2.Condensatoarele se pot clasifica după următoarele criterii:

a. După tipul constructiv: - fixe
- semireglabile denumite şi semivariabile, ajustabile sau trimere)
- variabile
7
b. După natura dielectricului
- gazos (aer, vid, gaze electronegative)
- lichid (ulei mineral, de transformator)
- solid - anorganic: sticlă, ceramică, mică;
- organic: hârtie, lacuri, peliculă;
- pelicule sintetice nepolare: polistirenul, teflonul, polipropilena;
- pelicule sintetice polare: policarbonat, răşină poliamidică;
c. După domeniul frecvenţelor de lucru: - pentru curent continuu ( f=0)
- pentru frecvenţe joase: 30 – 20kHz
- pentru frecvenţe înalte: 0,1 – 100 MHz
- pentru regim de impulsuri: f > 108 Hz
d. După tensiunea nominală: - de joasă tensiune – sub 100 V
- de înaltă tensiune – peste 100 V
e. După material : - în carcasă de material plastic
- în carcasă metalică
- ceramice
3. Simbolizarea condensatoarelor
Tabelul 1.
Condensator (în general)
Condensator de trecere
Condensator electrolitic
Condensator variabil
Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer
Condensator (în general), simbol tolerat
Condensator electrolitic, simbol tolerat
Condensator electrolitic, simbol nestandardizat
Condensator variabil, simbol tolerat
Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer, simbol tolerat
Condensator de trecere, simbol tolerat
Condensator de trecere, simbol nestandardizat
8
4. Marcarea condensatoarelor:
a. în clar, cunoscându-se în acest caz: - valoarea nominală şi unitatea de măsură
- tensiunea nominală
- coeficientul de temperatură
- polaritatea ( dacă este cazul)
b. în codul culorilor: notarea se face începând cu extremitatea mai apropiată de terminalele
condensatorului plachetă, sau de la inelul, banda mai groasă pentru condensatorul tubular.
Tabelul 2. Codul culorilor pentru marcarea condensatoarelor

Primele Factor de Tensiunea
Coeficient de Toleranţe [%]
Culoarea temperatură
cifre multiplicare nominală
semnific Cond. Cond. Cond. Cond.
[ppm/ºC] C<10pF C>10pF
ative ceramice cu hârtie tantal stiroflex
Negru 0 0 1 1 ±2 ±20 10 630
Maro -33 1 10 10 ±0,1 ±1 1,6 -
Roşu -75 2 102 102 ±0,25 ±2 4 160
Portocaliu -150 3 103 103 - ±2,5 40 -
Galben -220 4 104 104 - ±100 6,3 63
Verde -330 5 105 - ±0,5 ±5 16 250
Albastru -470 6 - - - - - 25
Violet -750 7 - - - - - -
Gri -2200 8 10-2 - - -20; +30 25 -
Alb +120 9 10-1 - ±1 ±10 2,5 -
Auriu +100 - - 10-1 - - - -
Argintiu - - - - - - - -
 Semnificaţia liniilor de pe condensatoare este următoarea:

1. Coeficient de variaţie cu temperatura;
2. Prima cifră semnificativă;
3. A doua cifră semnificativă;
4. Factor de multiplicare;
5. Toleranţa.
Fig.1.
 pentru condensatoarele electrolitice cu tantal
1 = prima cifră semnificativă;

2 = a doua cifră semnificativă;
3 = factor de multiplicare;
4 = tensiunea nominală.
9
5.Principalii parametrii electrici ai condensatoarelor sunt:
a) Capacitatea nominală – Cn [F] - valoarea pentru care a fost construit condensatorul.
b) Tensiunea nominală – Un [V]– este tensiunea continuă maximă, sau tensiunea alternativă
eficace maximă ce poate fi aplicată la bornele condensatorului timp îndelungat la temperatura
maximă de funcţionare; Tensiunile nominale sunt: 6, 12, 16, 25, 63, 70, 100, 125, 250, 350, 450,
500, 650, 1000 V.
c) Tensiunea de străpungere – Ustr [V]– reprezintă valoarea tensiunii la care dielectricul îşi
pierde proprietăţile izolante;
d) Toleranţa, “t”, [%] - Reprezintă abaterea maximă a valorii reale a capacităţii faţă de
valoarea ei nominală.
e) Rezistenţa de izolaţie, Riz [Ω] - reprezintă raportul dintre tensiunea continuă aplicată unui
condensator şi curentul care-l străbate la un minut după aplicarea tensiunii. În funcţie de natura
dielectricului, ―Riz‖ poate varia între 100 MΩ şi 100 GΩ.
f) Reactanţa capacitivă – XC- mărime caracteristică condensatorului în curent alternativ, de
natura unei rezistenţe, măsurate în ohmi
Xc = 1
Caracteristici C
1. În curent continuu, condensatorul constituie un element de blocare a curentului, el
prezentând o rezistenţă infinită. Aplicând o tensiune continuă la bornele condensatorului, datorită
proprietăţilor de izolant ale dielectricului, prin circuit nu apare curent.
2. Dacă unui condensator ideal i se aplică la borne o tensiune alternativă, în circuit apare un
curent alternativ defazat cu 900 în faţa tensiunii.
10
Tema 1. S3. Bobine
1. Bobina (inductorul) este o componentă pasivă de circuit care reprezintă un conductor electric
astfel înfăşurat încât să formeze una sau mai multe spire.
[L]S.I. = 1H (Henry), (1)
unde ―L‖ este inductivitatea/inductanţa bobinei şi reprezintă principalul parametru caracteristic al
acesteia.
2.Bobinele pot fi clasificate după mai multe criterii:

a) După domeniul de utilizare: - pentru curenţi slabi
- pentru curenţi tari
- de inducţie
b) După construcţie: - fără carcasă
- cu carcasă
c) După formă: - cilindrice
- paralelipipedice
- toroidale
d) După frecvenţa de utilizare: - de joasă frecvenţă
- de înaltă frecvenţă ( radiofrecvenţă)
- de audiofrecvenţă
3. Simbol bobinei
4. Principalii parametrii electrici ale bobinelor sunt:

a)Inductanța bobinei – L - reprezintă mărimea specifică a unei bobine.
Se poate explica prin două moduri:
 Proprietatea acesteia de a se opune oricărei variaţii a curentului electric ce-o străbate. (Φ=Li)
Φ- fluxul magnetic
 Proprietatea bobinei este de a înmagazina energie într-un câmp magnetic (Wm= 1/2LI2)
Wm- energia câmpului magnetic.
Fiind o mărime care caracterizează producerea fluxului de inducţie electromagnetică într-un
circuit, se poate exprima ca raportul dintre variaţia fluxului magnetic Φ şi variaţia intensităţii

curentului electric ce l-a provocat: L = (2)
I
b) Rezistenţa bobinei “R”: este importantă în special la bobinele folosite în curent continuu şi în
domeniul curenţilor slabi de înaltă frecvenţă. Este o mărime care se poate evidenţia dacă bobina este
alimentată cu tensiune continuă.
U
R= (3)
I
c). Tensiunea nominală, “Un”, [V]:
Este tensiunea continuă maximă sau tensiunea alterativă maximă care poate fi aplicată
continuu la terminalele bobinei.
11
Valorile tensiunilor nominale nu sunt normalizate. Uzual, sunt următoarele valori: 6, 12, 24,
63, 70, 100, 125, 250, 400 V.
d) Coeficient termic al inductanţei, “αL”,
Inductanţa unei bobine depinde de temperatură, astfel:
L1 = L۰[1 + αL(t – t0)], (4)
unde: ―αL‖ = coeficient termic care indică variația relativă a inductanţei la schimbarea temperaturii
cu 10C(t – t0= 10C)
e) Frecvenţa de lucru (Hz)
f) Reactanţa inductivă - XL - se manifestă numai în curent alternativ, are semnificaţia de
rezistenţă, se măsoară în ohmi.
XL= ωL (5)
g) Impedanța Z a bobinei la alimentarea acesteia in curent alternativ și se poate calcula cu relația
Z=U/I
5. Elementele componente ale unei bobine sunt (în cazul general): carcasa, înfăşurarea, miezul
şi ecranul.
Carcasa: constituie suportul pe care se înfăşoară conductorul bobinei. Ea are, în general, o
formă tubulară şi este realizată din materiale uşor de prelucrat, dar cu proprietăţi izolatoare
deosebite şi rezistenţă mecanică satisfăcătoare.
Cele mai utilizate materiale pentru carcase sunt: cartonul electroizolant; pertinaxul;
textolitul; materiale termorigide (bechelita); materiale termoplastice (polistiren, policlorvinil
polietilenă, teflon); materiale ceramice.
Înfăşurarea (bobinajul): constituie elementul principal şi indispensabil al oricărei bobine.
Se caracterizează prin: numărul de spire, pas, numărul de straturi, numărul de secţiuni. Cel mai
frecvent se utilizează conductoare din cupru, având secţiune circulară şi diametre normalizate.
Miezul: intră în componenţa majorităţii bobinelor, întrucât permite obţinerea unor
inductivităţi de valori mai mari şi reglabile (în limite relativ, restrânse). Se utilizează miezuri
magnetice – din materiale magnetodielectrice sau din ferite – sau miezuri nemagnetice – din alamă
sau cupru.
Ecranul: este facultativ şi se utilizează pentru a înlătura potenţialele cuplaje parazite –
electrice sau magnetice.
6. Tipuri constructive de bobine

a. Bobină cilindrică monostrat: (figura 1).
Cu acest tip de bobine se obţin valorile L < 300 µH. Prezintă inductivităţi şi capacităţi
parazite reduse.
12
b. Bobină cilindrică multistrat (pe carcasă cu flanşe), fără miez magnetic: (figura 2).
Pentru a nu apare pericolul de străpungere a izolaţiei (la tensiuni mari), se introduce între
straturi folii izolatoare (din material plastic, hârtie de condensator).
c. Bobină cilindrică monostrat, cu miez din ferită: (figura 3).

Se obţin inductivităţi mari; bara de ferită concentrează, aproape integral, liniile câmpului
magnetic. Acest tip de bobină este utilizată în domeniul frecvenţelor foaret înalte (FFI)
Inductanţa (―L‖) se poate regla prin introducerea sau scoaterea miezului de ferită.
L = k۰µr۰L0, (6)
Unde:
L0 – inductivitatea bobinei monostrat, fără miez;
µr – permeabilitatea magnetică, relativă a miezului;
k – constantă (depinde de dimensiunile bobinei şi ale miezului, precum şi de poziţia relativă a
acestora.
Miezurile se realizează din materiale feromagnetice moi (ca tole sau benzi din aliaje Fe-Si,
Fe-Ni, sau ferite).
d. Bobinaj cilindric pe carcasă fără flanşe: (figura 4).

 Dacă fluxul este produs de curentul electric ce străbate circuitul considerat, inductivitatea se
numeşte proprie, dacă fluxul este produs de un alt circuit, inductivitatea se numeşte mutuală.
 Bobinele fără miez, sau cu miez din material neferomagnetic au inductanţe scăzute, iar
bobinele cu miez din material feromagnetic, au inductanţe mari.
13
7. Caracteristici ale bobinei

1.În curent alternativ, datorită fenomenului de autoinducţie, la aplicarea unei tensiuni la bornele
unei bobine ideale, curentul prin bobină prezintă o întârziere, ceea ce face ca tensiunea să fie
defazată cu 900 în faţa curentului.
2.În curent alternativ, bobina prezintă o rezistenţă mult mai mare decât în curent continuu.
3. O bobină este cu atât mai bună cu cât puterea de pierderi ( P) este mai mică în comparaţie cu cea
reactivă ( Pr), raportul acestora determinând factorul de calitate al bobinei ( QL)
Pr L
QL = = (7)
P R
4. Bobina este un acumulator de energie magnetică ( W L), energie care datorită dependenţei de
curentul electric , este de tip cinetic.
1
WL = LI2 (8)
2
5. Curentul ce străbate o bobină şi respectiv tensiunea la bornele sale, depind de reactanţa acesteia
adică de frecvenţă, ceea ce impune limitarea curentului şi tensiunii, pentru ca bobina să nu se
distrugă.
6. În domeniul frecvenţelor joase, solicitarea bobinei se datorează în principal curentului, care dă
naştere la forţe electrodinamice între spire. În acest domeniu tensiunea la borne creşte aproape liniar
cu frecvenţa . În concluzie, curentul nu trebuie să depăşească o valoare maximă admisibilă Imax.
7. Pentru frecvenţe înalte trebuie limitată tensiunea la o valoare maximă Umax, pentru a evita
străpungerea izolaţiei dintre spire, izolaţie în care pierderile dielectrice sunt importante.
14
Tema 1. S4. Aplicații

4.1. Norme de tehnica securităţii muncii în laboratoarele de specialitate pentru lucrul
cu echipamentele electrice.
Echipamentele electrice trebuie să fie astfel proiectate, fabricate, montate, întreţinute şi

exploatate încât să fie asigurată protecţia împotriva pericolelor generate de energia electrică,
precum şi pericolele datorate influenţelor externe.
Pentru asigurarea protecţiei împotriva pericolelor generate de echipamentele electrice
trebuie prevăzute măsuri tehnice pentru ca:
 persoanele să fie protejate faţă de pericolul de vătămare care poate fi generat la atingerea directă
sau indirectă a părţilor aflate sub tensiune;
 să nu se producă temperaturi, arcuri electrice sau radiaţii care să pericliteze viaţa sau sănătatea
oamenilor;
 construcţia echipamentelor tehnice să fie adecvată mediului pentru ca să nu se producă incendii
şi explozii;
 persoanele şi bunurile să fie protejate împotriva pericolelor generate în mod natural de
echipamentul electric;
 izolaţia echipamentelor electrice să fie corespunzătoare pentru condiţiile prevăzute.
Pentru asigurarea protecţiei împotriva pericolelor datorate influentelor externe,
echipamentele electrice trebuie:
 să satisfacă cerinţele referitoare la solicitările mecanice astfel încât să nu fie periclitate
persoanele;
 să nu fie influenţate de condiţiile de mediu;
 să nu pericliteze persoanele în condiţii previzibile de suprasarcină.
Pentru protecţia împotriva electrocutării prin atingere directă se aplică măsuri tehnice şi
organizatorice, care le completează pe cele tehnice în realizarea protecţiei necesare. Aceste măsuri
tehnice sunt următoarele:
 acoperirea cu materiale electroizolante ale părţilor active (izolarea de protecţie) ale instalaţiilor
şi echipamentelor electrice;
 închideri în carcase sau acoperiri cu învelişuri exterioare;
 îngrădiri;
 protecţia prin amplasare în locuri inaccesibile prin asigurarea unor distanţe minime de
securitate;
 scoaterea de sub tensiune a instalaţiei sau echipamentului electric la care urmează a se efectua
lucrări şi verificarea lipsei de tensiune;
 utilizarea de dispozitive speciale pentru legări la pământ şi în scurtcircuit;
 folosirea mijloacelor de protecţie electroizolante;
 alimentarea la tensiuni foarte joase (reduse) de protecţie;
 egalizarea potenţialului şi izolarea faţă de pământ a platformei de lucru.
Măsurile organizatorice care pot fi aplicate împotriva electrocutării sunt următoarele:
 executarea intervenţiilor la instalaţiile electrice (depanări, reparări, racordări etc.) trebuie să se
facă numai de personal calificat, autorizat şi instruit pentru lucru respectiv;
 delimitarea materială a locului de muncă (îngrădire);
 eşalonarea operaţiilor de intervenţie la instalaţiile electrice;
15
 elaborarea unor instrucţiuni de lucru pentru fiecare intervenţie la instalaţiile electrice;
 organizarea şi executarea verificărilor periodice ale masurilor tehnice de protecţiei împotriva
atingerilor directe.
Pentru evitarea electrocutării prin atingere indirectă trebuie să se aplice două măsuri de
protecţie:
 o măsură de protecţie principală care să asigure protecţia în orice condiţii;
 o măsură suplimentară, care să asigure protecţia în cazul deteriorării protecţiei principale.
Aceste două măsuri de protecţie trebuie să fie astfel alese încât să nu se anuleze una pe
cealaltă. Pentru evitarea accidentelor prin electrocutare, prin atingere indirectă, se iau următoarele
măsuri de protecţie:
 folosirea tensiunilor foarte joase de securitate;
 legarea la pământ;
 legarea la nulul de protecţie;
 izolarea suplimentară de protecţie, aplicată utilajului în procesul de fabricaţie;
 izolarea amplasamentului;
 separarea de protecţie;
 folosirea mijloacelor de protecţie electroizolante.
 deconectarea automată în cazul apariţiei unei tensiuni sau a unui curent de defect periculoase.
Pentru instalaţiile şi echipamentele electrice de înaltă tensiune, sistemul de protecţie
împotriva electrocutării prin atingere indirectă se realizează prin aplicarea uneia sau, cumulativ, a
mai multor măsuri de protecţie, dintre care însă legarea la pământ de protecţie este întotdeauna
obligatorie.
4.2. Norme de tehnica securităţii muncii în parcul de aeronave, ateliere şcoală şi sălile
de specialitate
În unităţile de aviaţie se vor respecta normele de securitate şi protecţie a muncii prevăzute de

normele şi ordinele în vigoare, în instrucţiunile de exploatare specifice fiecărui tip de tehnică.
Pregătirea tehnică a personalului logistic de aviaţie reprezintă ansamblul de măsuri şi
activităţi care se planifică, organizează şi execută pentru însuşirea cunoştinţelor privind
caracteristicile tehnico-tactice, construcţia, funcţionarea, utilizarea, şi repararea tehnicii.
Pregătirea tehnică a personalului logistic de aviaţie are ca scop formarea personalului de
specialitate şi ridicarea continuă a nivelului cunoştinţelor teoretice şi perfecţionarea deprinderilor
practice ale personalului logistic de aviaţie, în vederea exploatării corecte a tehnicii de aviaţie.
Pregătirea tehnică a personalului logistic de aviaţie trebuie să fie intensivă şi practic-
aplicativă în vederea realizării activităţii de mentenanţă a tehnicii de aviaţie în deplină securitate şi
cu consumuri reduse de resurse.
Pentru executarea operaţiunilor de mentenanţă se admite numai personalul care cunoaşte
particularităţile constructive, funcţionarea, regulile de mentenanţă a acestuia şi care şi-a însuşit
deprinderile practice necesare.
Admiterea se face prin examen şi se consemnează în ordinul de zi pe unitate, în următoarele
situaţii:
 pentru personalul absolvent al unei instituţii militare de învăţământ, repartizat în unitatea
respectivă;
 la prezentarea în unitate, cu ocazia numirii într-o nouă funcţie;
 la întreruperi în activitatea de exploatare a tehnicii de aviaţie, mai mari de trei luni;
16
 la producerea unor defecţiuni, incidente sau accidente de zbor, cauzate de pregătirea
necorespunzătoare pentru zbor a aeronavelor;
 când se manifestă nesiguranţă sau imperfecţiuni în executarea lucrărilor de exploatare şi asistenţa
tehnică, sau în îndeplinirea îndatoririlor de serviciu.
Personalul logistic de aviaţie, care la examen obţine un punctaj mai mic de 70% din
punctajul maxim este reexaminat în termen de cel mult 30 zile.
Dacă la reexaminare nu obţine un punctaj de cel puţin 70%, personalul logistic de aviaţie
este oprit de la exploatarea tehnicii, pentru o perioadă care variază între 1-3 luni, nebeneficiind, în
această perioadă, de drepturile legale ce decurg din calitatea de personal care exploatează tehnica de
aviaţie.
Dreptul de a opri personalul logistic de aviaţie de la exploatare, îl are Şeful Serviciului
Logistic, la propunerea comandanţilor/şefilor acestora, când se constată:
a. cunoaşterea superficială, sau nerespectarea regulilor de exploatare, întreţinere sau reparare a
tehnicii de aviaţie;
b. superficialitate în executarea controlului şi pregătirii tehnicii de aviaţie pentru zbor;
c. lipsa preocupării pentru creşterea nivelului de cunoştinţe şi pentru dezvoltarea deprinderilor
practice în executarea operaţiunilor de mentenanţă a tehnicii de aviaţie;
d. executarea unor operaţiuni de mentenanţă nesigure care constituie premise pentru producerea
unor incidente sau accidente de aviaţie;
e. când se produc avarii ale tehnicii, cauzate de nerespectarea tehnologiilor de executare a
controlului şi lucrărilor regulamentare, sau pregătirii superficiale;
Pentru a asigura exploatarea corectă a motoarelor şi agregatelor acestora, este obligatorie
respectarea următoarelor reguli:
 în timpul funcţionării motoarelor la sol şi în zbor se respectă restricţiile precizate în
instrucţiunile de exploatare;
 pentru alimentare sunt prevăzuţi numai carburanţi lubrifianţi prevăzuţi în instrucţiunile de
exploatare, pentru tipurile de motoare respective;
 în timpul staţionării aeronavelor, cu motoarele oprite, la motoarele cu turbină cu gaze, prizele de
aer şi ajutajele reactive se protejează cu capace, iar la motoarele cu piston se închid
voleţii/jaluzelele, montându-se capace de protecţie sau bucşe;
Pentru a împiedica pătrunderea unor corpuri străine în motoarele cu reacţie, este interzisă
încercarea lor la sol, sau rulajul când, în faţa prizelor de aer, respectiv pe calea de rulaj, există
pietre, bucăţi de gheaţă sau alte obiecte străine.
În timpul asistenţei tehnice executată la motoare şi la agregatele acestora, se controlează:
 starea suporţilor de fixare a motoarelor;
 siguranţa şi integritatea sigiliilor;
 starea dispozitivelor de admisie, a conductelor de aer, a dispozitivelor de protecţie, a filtrelor de
aer, a conductelor şi mecanismelor de comandă.
Se interzice:
 exploatarea motoarelor în cazul când nu sau precizat şi remediat cauzele anormale ale acestora;
 pornirea motoarelor cu piston, fără rotirea în prealabil a arborilor cotiţi şi fără evacuarea uleiului
din cilindrii inferiori şi canalizaţiile de admisie, conform precizărilor instrucţiunilor de exploatare;
 pornirea motoarelor când pe filtre se constată prezenţa particulelor metalice, fiind necesară
investigarea cauzelor care le-au produs;
 exploatarea motoarelor cu piston şi motoarelor turbopropulsoare cu elicea deformată, sau având
porţiuni dislocate din pale;
17
 exploatarea motoarelor cu turbină cu gaze care prezintă lovituri, deformaţii sau fisuri pe palele
compresorului / turbinei, neadmise de instrucţiunile de exploatare specifice;
 exploatarea motoarelor care au suferit un incendiu ce a fost localizat şi stins;
 exploatarea motoarelor în urma descărcării buteliilor anti incendiu pe suprafaţa, sau în interiorul
lor;
 aşezarea direct pe pământ a motoarelor demontate de pe aeronave;
 uleiul din instalaţiile motoarelor la care sau descoperit particule metalice se colectează în vase
separate, pe care se aplică inscripţia „ulei cu şpan".
La înlocuirea agregatelor sau componentelor instalaţiilor, se respectă următoarele reguli:
 la demontare, se iau măsuri necesare prevenirii pătrunderii impurităţilor mecanice a apei şi a
altor obiecte străine în interiorul conductelor, racordurilor, orificiilor şi cavităţilor agregatelor;
 demontarea conductelor, flanşelor şi racordurilor de la agregate se face în ordinea prevăzuta de
instrucţiunile de exploatare;
 toate conductele demontate de pe motor sau aeronavă se protejează cu capace, în mod
obligatoriu;
 buşoanele/capacele sunt confecţionate din cauciuc, durit, mase plastice sau duraluminiu;
 se interzice protejarea conductelor sau agregatelor cu materiale improvizate; înainte de
montarea agregatelor, se controlează existenţa buşoanelor/capacelor şi sigiliilor pe orificiile
acestora;
 agregatele care se montează, sunt în prealabil destocate, conform instrucţiunilor de exploatare şi
a indicaţiilor din atestatele acestora;
 înainte de montarea agregatelor, se verifică datele înscrise în atestate şi se controlează starea lor;
 la montarea agregatelor, garniturile şi elementele de etanşare de la îmbinări se înlocuiesc cu
altele noi;
 nu este admisă folosirea garniturilor şi siguranţelor care au mai fost întrebuinţate;
 după înlocuirea unor agregate sau după reglarea acestora, se controlează capacitatea de
funcţionare prin pornirea şi încercarea motorului, folosindu-se bancurile şi pupitrele de control,
conform tehnologiilor de exploatare;
 la montarea şi demontarea agregatelor se folosesc scule şi dispozitive adecvate, prevăzute în
tehnologia de exploatare tehnică;
 în cazul când un agregat este demontat pentru prima dată, se studiază în prealabil îmbinarea
planurilor de separaţie a pieselor de fixare, conductelor, colierelor, racordurilor, precum şi codul de
siguranţare a acestora, astfel ca la montarea lui să nu se producă erori;
 demontarea şi montarea agregatelor se execută numai de personalul logistic de aviaţie autorizat;
 la înlocuirea motoarelor, se interzice montarea conductelor şi racordurilor fără spălarea şi trierea
lor prealabilă;
 la montarea agregatelor se execută toate măsurătorile, reglajele şi probele funcţionale impuse de
documentaţia tehnică specifică.
18
4.3. Reguli specifice de protecţia muncii în atelierul de lucrări practice de absolvire
1. Activităţile practice desfăşurate cu elevii se vor executa numai sub conducerea şefului de
atelier.
2. Utilizarea echipamentelor electrice, a aparaturii de măsură şi control, instrumentelor şi
sculelor este posibilă numai în condiţiile în care se respectă prescripţiile prevăzute în documentaţia
tehnică de exploatare a acestora.
3. Numărul de persoane care va fi stabilit pentru lucrul în atelier va fi corelat cu dificultatea
lucrărilor ce trebuie executate, numărul locurilor de muncă şi eventualele pericole ce pot surveni.
4. Punerea sub tensiune a unor aparate, dispozitive, lucrări se va face cu atenţionarea
personalului care ar putea veni în contact direct sau indirect cu circuitele electrice ce se pun sub
tensiune.
5. Este interzisă alimentarea echipamentelor electrice prin utilizarea improvizaţiilor (cabluri,
prize, ştechere).
6. Pentru verificarea şi reglarea sub tensiune se vor utiliza aparate şi dispozitive verificate şi
atestate metrologic.
7. Prizele de alimentare prevăzute pe bancurile de lucru vor fi asigurate prin legare la
pământ.
În caz de electrocutare:
• se decuplează alimentarea imediat.
• se îndepărtează victima de părţile aflate sub tensiune.
• până la sosirea medicului, victimei i se va da să inhaleze hidroxid de amoniu, i se asigură
aer proaspăt şi se stropeşte cu apă.
• dacă nu respiră şi nu are puls, se execută respiraţie artificială.
19
Lucrare de laborator 1
Identificarea tipurilor de rezistoare
Competenţa : Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Obiectivul/obiective vizate:
Să recunoască tipurile de rezistoare după simbol, aspect fizic şi marcaj
50 min
Tipul activităţii: Învăţare prin categorisire
Sugestii :
- activitatea se poate face individual, sau pe grupe mici de elevi ( 2- 3 elevi)
Conţinutul: Rezistoare
Obiectivul: La sfârşitul acestei activităţi vei fi capabil să identifici rezistoarele după simbol,
valoarea rezistenţei nominale şi a toleranţei.
Enunţ:
Completează spaţiile libere din tabelul de mai jos:
1a.Valoarea 1.b.Codul
1.c.Codul culorilor 2.a.Simbol 2.bTip de rezistor
rezistenţei în clar
MRVAGr termistor
2K5M
potenţiometru cu
0,25Ω ± 1%
contact mobil
RAIAu
Rezistor cu
25MJ
rezistenţă variabilă
Alte sugestii şi recomandări :

- se va utiliza codul culorilor, marcarea toleranţelor ( tabelul 4.), din fişa de documentare Tema1
S1.
Evaluare: - pentru fiecare valoare de rezistenţă corect trecută, câte 2puncte
- pentru fiecare simbol, tip de rezistor corect marcat, câte 1punct
20
Identificarea condensatoarelor
Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Să recunoască tipurile de condensatoare după simbol, aspect fizic şi marcaj
50 min
Tipul activităţii: Învăţare prin categorisire
Sugestii :
- activitatea se poate face individual, sau pe grupe mici de elevi ( 2- 3 elevi)
Conţinut: Condensatoare
Obiectiv: La sfârşitul acestei activităţi vei fi capabil să identifici condensatoarele după simbol şi
marcaj
Enunţ :
Completaţi spaţiile libere din tabelul de mai jos:
1a.Condensatoare 1b. 2b.
1c. 2a.
marcate în codul Valoarea Tip de
Toleranţă Simbol
culorilor capacităţii condensator
Condensator,
semn general
Condensator
variabil
Alte sugestii şi recomandări :

- se va utiliza codul culorilor (tabelul 2) şi noţiunile legate de marcarea condensatoarelor, din fişa
de documentare de la tema 1.S2
Evaluare: - pentru fiecare valoare de capacitate şi toleranţă corect trecută câte 2puncte
- pentru fiecare simbol, tip de condensator corect marcat câte 1punct
21
Lucrare de laborator 3.
Identificarea bobinele şi aplicaţiile lor
Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Să identifice parametrii şi comportarea bobinelor
50 min
Tipul activităţii: Problematizarea
Sugestii :
- activitatea se poate face individual
Conţinut: Bobinele şi aplicaţiile lor
Obiectiv: La sfârşitul acestei activităţi vei putea opera corect cu parametrii bobinelor
Enunţ : Completaţi spaţiile libere din tabelul de mai jos:
1. Bobine 2. Tip de Bobina 1. Bobine 2. Tip de bobina
Enunţ : Completaţi spațiile libere cu parametrii bobinelor

a. 24V _____________________
b. R-972Ω _____________________
c. N-6750 _____________________
d. Φ0,063Cu ____________________
e. F=0 _____________________
f. I-300mA _____________________
g. 300mH _____________________
22
Tema 2. S1. Tuburi electronice

1. Tuburile electronice sunt dispozitive electronice a căror funcţionare se bazează pe
întrebuinţarea fluxului de sarcini electrice în vid sau în mediu cu gaz rarefiat ( sau în plasmă ).
2. Clasificarea tuburilor electronice

a. După destinaţie
 redresoare ( curent alternativ în curent continuu)
 amplificatoare ( în receptoare )
 oscilatoare şi modulatoare
 de frecvenţă foarte înaltă ( speciale )
b. După numărul electrozilor
 cu doi electrozi ( diodele )
 cu trei electrozi ( trioda )
 cu patru electrozi ( tetroda )
 cu cinci electrozi ( pentoda )
 cu mai mulţi electrozi ( hexoda, heptoda, octoda )
 multiple - care conţin într-un balon două sau trei tuburi ( dublă diodă, dublă triodă,
dublă diodă-triodă )
OBS. Fiecare parte a tubului îndeplineşte funcţii independente
c. După tipul catodului
- cu încălzire care poate fi directă sau indirectă
d. După construcţia balonului
- pot fi cu balon de sticlă sau metalic
Fenomenul emisiei electronice constă în expulzarea de electroni de pe suprafaţa unui corp

solid ( metal ), atunci când sunt îndeplinite anumite condiţii favorabile.
După natura energiei transmise din afară, se deosebesc mai multe tipuri de emisie electronică:
 Emisie termoelectronică - Se obţine prin încălzirea metalului ( catodului ) cu ajutorul unui
circuit electric de încălzire ( circuit de filament ).
 Emisia fotoelectronică - Se produce sub acţiunea unui flux de lumină sau altă formă de
energie radiantă, asupra metalului ( catodului ). Emisia se produce dacă energia depăşeşte un anumit
prag.
 Emisia secundară - Se produce când o suprafaţă ( de metal ) este lovită de particule primare, având
energii cinetice suficiente pentru a produce eliberarea de electroni secundari.
 Emisia prin câmp electric puternic - constă în extragerea de electroni de pe suprafaţa
metalului (catodului) de către un câmp electric foarte puternic, creat din exterior (capabil să învingă
forţele de atracţie ale nucleelor învecinate).
23
Dioda cu Vid
1. Dioda cu vid este un dispozitiv (element) neliniar cu doi electrozi: anodul şi catodul, introduşi
într-un balon vidat.
2. Simbol diodei cu vid
Figura 1
3. Funcţionare:
Între cele două plăci va apărea un câmp electric E a cărui intensitate depinde de diferenţa de
potenţial aplicată plăcilor. Dacă se schimbă polaritatea plăcilor atunci E este un câmp frânat şi
electronii vor sta tot la placa K, ca urmare nu vom avea deplasare de electroni.
A. Funcţionarea diodei la polarizare directă

Filamentul se alimentează la o tensiune fixă alternativă (Uf ≈6,3V). El încălzește catodul, ca
urmare emite electroni care se grupează în jurul lui formând un nor de electroni. Între Ași K se
aplică tensiunea Ea cu polaritatea din figură. Între A şi K se formează câmpul E al anodului cu
sensul din figură 3(E = constant ).
Forţele câmpului electric al A acţionează asupra electronilor din norul electronic. O parte
din aceşti electroni se vor deplasa spre A formând un flux electronic, care închide circuitul sursei
anodice Ea . Ca urmare în circuit apare un curent electric numit CURENT ANODIC (Ia).
Sensul lui Ia se consideră, convenţional, de la A la K, cu toate că electronii se deplasează de
la K la A.
Figura 3. Ef = tensiunea de încălzire a filamentului; Ea = tensiunea anodică

Circuitul prin care circulă curentul Ia se numeşte circuit anodic.
B. Funcţionarea diodei cu vid la polarizare inversă.

Dacă dioda se polarizează ca în figură 4 ( A- , K+ ) atunci câmpul electric se va îndrepta de
la K la A.
În acest caz, forţa care acţionează asupra electronilor din norul de electroni se va îndrepta
spre K. în aceste condiţii fluxul de electroni nu se formează în tub, iar Ia = 0 ( circuitul anodic este
întrerupt ). Se spune că dioda este BLOCATĂ.
24
Figura 4
Concluzie: Dioda este un dispozitiv neliniar şi conduce într-un singur sens ( de la anod la
catod ).
4. Caracteristicile statice ale diodei
Caracteristica statică este curba care exprimă dependenţa dintre două mărimi când cea de-a
treia se consideră constantă.
Ia = f( Ua ), Uf (6,3Vc.a.) este constant
Caracteristica statică (caracteristica statică anodică) se obţine experimental cu ajutorul
schemei: (figura 6)
Figura 6 Figura 7.
Pe porţiunea AB Ia variază exponenţial datorită timpului de încălzire al catodului.
Pe BC creşterea este parabolică.
Pe CD Ua > Uas şi Ia rămâne aproape constant.
Figura 8 caracteristica statică reală Figura 9.

Punctul static de funcţionare (P.S.F.), un punct de pe caracteristica statică a tubului,
caracterizat de anumite mărimi. Ex: M0 ( Ia0, Ua0, Uf0 ).
25
5. Parametrii diodei cu vid - sunt acele mărimi care caracterizează comportarea diodelor cu vid în
circuitele electronice. În general parametrii sunt legaţi de forma caracteristicii statice şi se determină
pentru fiecare punct static de funcţionare.
a. Rezistenţa internă ( Ri ) reprezintă raportul dintre variația tensiuni anodice şi variaţia curentului
anodic. Ri = ΔUa /ΔI
Ri depinde de poziţia P.S.F. de pe caracteristica statică. Triunghiul M1AM2 trebuie ales astfel încât
ipotenuza M1 M2 să fie aproximată cu o dreaptă.
tg  = ΔIa / ΔUa = 1 / R  Ri = 1 / tg; Ri = (1 / tg ) x K
K = raportul dintre scările grafice ale tensiunii în V/mm şi curentului în A/mm.
b. Rezistenţa în curent continuu este dată de relaţia:
R0 = Ua0 / Ia0 - şi se defineşte în P.S.F. care este M0
c. Panta tubului (S) reprezintă panta caracteristicii statice ( C.S. ) în punctul considerat.
S = ΔIa/ ΔUa sau S = tg [ mA/V ]; Rezultă că S = 1 / Ri sau S x Ri = 1
d. Puterea disipată pe anod (Pda). În timpul conducţiei electronii bombardează anodul
determinând încălzirea lui. Puterea primită de anod se poate calcula presupunând că toţi electronii
care formează curentul Ia cedează anodului întreaga lor energie cinetică sub formă de căldură.
Pda = Ia x Ua [ W ]; Ec = ½ x (m x v2) = e x Ua
Pda = n x Ec = Ia x Ua ( n = nr. de electroni, Ec – energia cinetică)
O parte din puterea disipată este radiată în exterior, iar cealaltă parte contribuie la încălzirea
anodului.
Pentru a nu se distruge anodul, Pda trebuie menţinut în permanenţă sub valoarea maxim
admisibilă ( indicată în cataloage ).
La polarizarea directă: Ri – [ unităţi k - zeci k]
La polarizarea inversă: Ri   ( mare – foarte mare ) Dacă Ua creşte foarte mult dioda se
străpunge ( această tensiune se mai numeşte Uiuv max ) care se poate aplica fără a se străpunge dioda.
6. Tipuri de diode
5C3C Diodă redresoare dublă
5C4C Diodă redresoare dublă
AZ1 Diodă redresoare dublă
AZ4 Diodă redresoare dublă
EZ80 Diodă redresoare dublă
EZ81 Diodă redresoare dublă
6C4P Diodă detectoare simplă
6D3D Diodă detectoare simplă
6D6D Diodă detectoare simplă
2X2 Diodă redresoare pentru înaltă tensiune
2C2C Diodă redresoare pentru înaltă tensiune
6CA0P Diodă detectoare simplă.
Utilizări :
Redresoare, detectoare( în circuite discriminatoare ), limitatoare etc.
26
Tema 2. S2. Trioda

I. TRIODA ÎN REGIM STATIC
Trioda: este un tub electronic la care între anod şi catod s-a introdus un al treilea electrod realizat
sub forma unei reţele numit grilă
Construcţie
Aceşti electrozi pot fi dispuşi într-o construcţie plană sau cilindrică de diferite secţiuni.
Indiferent de construcţie, întotdeauna grila se afla intre catod şi anod şi mai aproape de catod.
Fig. 1. Construcția și simbolul triodei

CIRCUITELE TRIODEI
Punctul comun între cele două circuite este catodul care reprezintă potenţialul de referinţă
(masa - stabilită convenţional).
Figura 2. Circuitele triodei
FUNCŢIONAREA TRIODEI ÎN REGIM STATIC

Rolul şi importanţa grilei
Introducerea grilei s-a făcut în scopul comandării de emisie, respectiv al curentului anodic.
Potenţialul grilei Ug poate fi faţă de potenţialul catodului Uk astfel:
a)Ug >Uk
b)Ug =Uk (=0)
c)Ug <Uk (situaţia cea mai des întâlnită)
Grila fiind mult mai aproape de catod decât de anod, potenţialul ei poate comanda mult mai
bine curenţii prin tub.
La potenţialele mici ale grilei putem înregistra variații mari ale curenților prin tub.
Ug→(unităţi÷zeci)V
Ua →(zeci÷sute)V
Considerăm următoarele situaţii :
27
Uf =Unom=ct.(≠0)
1. Ug =0
Ua =100V=ct.(≠0)
În această situaţie foarte multe linii de câmp (Ē) reuşesc

să treacă printre spirele grilei, să ajungă pe sarcina spaţială să
extragă electroni şi să dea naştere unui curent anodic Ia
Uf = Unom = constant ( ≠ 0)
2. Ug > 0
Ua = 100 V = constant (≠ 0)
Ē = capacitatea anodului
Ēgk = capacitatea dintre grilă şi catod
Ig ≠ 0 –apare curentul de grilă
În această situaţie marea majoritate a liniilor de câmp
ocolesc spirele grilei, ajung pe sarcina spaţială, extrag
electroni, iar Ia va fi mai mare decât în cazul anterior.
Uf = Unom = ct. ( ≠ 0)
3. Ug < 0
Ua = 100 V = ct (≠ 0).
Marea majoritate a liniilor de câmp se opresc pe
spirele negative ale grilei şi un număr redus de linii de câmp
reuşesc să ajungă la sarcina spaţială să extragă electroni. Deci
Ia va fi mic.
Presupunem : Ua =100 V, Ug = -5V→ Ia ≠0.
Dacă mărim Ug în valoare absolută atunci Ia ≠ 0. Se spune că avem fenomenul de tăiere a
curentului anodic.
Valoarea lui Ug pentru care Ia = 0 se numeşte tensiune de grilă de tăiere Ug t .
Ex: Ug t = -7V→ Ia = 0 (şi Ua =100 V)
Dacă Ua ↑ =200 V şi Ug t = -7V → Ia ≠ 0 atunci pentru U’gt = - 9 V→ Ia = 0 ş.a.m.d.
OBS: Situaţia cea mai frecventă este Ug < 0. Această situaţie conferă triodei proprietăţi
de amplificare în putere.
CONCLUZIE: Funcţionarea triodei se bazează pe proprietatea acesteia că Ia poate varia în
funcţie de potenţialul grilei. Deci într-o triodă, de regulă potenţialul anodului se păstrează ridicat
faţă de potenţialul catodului şi se modifică în limite mici potenţialul grilei pentru a obţine o variaţie
în limite largi ale curentului anodic Ia . (Ia = 0, tubul nu conduce ; Ia > 0, tubul conduce ).
Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice
Figura 3. Schema electrică
28
CARACTERISTICILE TRIODEI ÎN REGIM STATIC sunt curbele care reprezintă puncte de
funcţionare statice (p.s.f.), aflate în momentul când tubul nu îndeplineşte nici o funcţiune.
1.Caracteristica statică de ieşire (amplificatoare) 3. Caracteristica statică de intrare (comutație)
Ia=f(Ua) │ Ug =ct. Ig=f(Ug) │ Ua=ct.
2.Caracteristica statică de transfer (oscilator) 4.Caracteristica statică de reacţie
Ia=f(Ug) │ Ua=ct. Ig=f(Ua) │Ug= ct.
1.Caracteristica statică de ieşire 2.Caracteristica statică de transfer (de grilă)
Ia=f(Ua) │ Ug =ct. Ia=f(Ua) │ Ug =ct.

Mai multe curbe formează o familie de curbe (C.S.)
Concluzie : Pentru a tăia curentul anodic (Ia=0) atunci când între anod şi catod se aplică tensiuni Ua
din ce în ce mai mari, sunt necesare tensiuni de grilă Ug din ce în ce mai mari (în valoare absolută) .
OBS : Pentru Ug = 0 , Ia≠0 este cu atât mai mare cu cât este mai mare Ua .
3.Caracteristica statică de intrare 4. Caracteristica statică de reacţie
Ig=f(Ug) │ Ua=ct. Ig=f(Ua) │ Ug=ct.
PARAMETRII STATICI AI TRIODEI

1.Factorul de amplificare(μ)
μ =Δ Ua / Δ Ug │ Ia= ct. (1) (μ –adimensional ) .
Determinare grafică :
Ex: Δ Ug= Ug2 - Ug1 = 2V μ= (Ua2 – Ua1 ) / (Ug2 - Ug1) = (250-200)/(-4-(-2)) = -25
29
Δ Ua = Ua2 – Ua1 = 150 -100 =50 Semnul (-) arată că cele două variaţii sunt de sens invers
μ =50/2 = 25 Valori : μ ≤ 20 – triodă de amplificare mică
μ = (30÷60) – triodă de amplificare medie.
60 ≤ μ ≤ 100 – triodă cu amplificare mare.
2. Panta (S) reprezintă :

S = Δ Ia / Δ Ug │ Ua= ct. (2)
Unitatea de măsură este : mA / V
Determinare grafică : S = Δ Ia / Δ Ug =(8-4) /(-2-(-4)) = 4/2 = 2 mA /V.

OBS :1) din punct de vedere fizic se arată cât de sensibile sunt variaţiile lui Ia faţă de variaţiile
foarte mici ale tensiunii Ug
2) cu cât panta S este mai mare , Ia va fi mai mare pentru aceeaşi variaţie dată tensiunii de
grilă .
3. Rezistenţa internă (Ri )
Ri = Δ Ua / Δ Ia │ Ug = ct. (3) RiMo= Δ Ua / Δ Ia
Unitatea de măsură este : V/mA →KΩ( Ω - S.I.) Ug = -3V = (Ua2 – Ua1) / (Ia2 – Ia1) = (200 -
100)V / (8-4 )mA = 25KΩ
Exemple : trioda amplificatoare de tensiune – Ri = ( 2÷5) KΩ .

trioda amplificatoare de tensiuni medii - Ri = (5÷50 )KΩ.
trioda amplificatoare de putere - Ri ≤ 2KΩ .
Din relaţiile (1),(2),(3) vom obţine relaţia (4) .
μ = S x Ri – ecuaţia internă a triodei
Δ Ua / Δ Ug = (Δ Ia / Δ Ug ) x (Δ Ua / Δ Ia)
30
TIPURI DE CONEXIUNI ALE TRIODEI ÎN MONTAJELE ELECTRICE
Sunt posibile trei moduri de conectare a triodei în circuitele electronice:
1. catod comun ( KC )
2. grilă comună ( GC )
3. anod comun ( AC )
Figura 4. catod comun (KC)

Figura 5. grilă comună (GC)
Figura 6. anod comun ( AC Figura 7.
Capacităţile parazite dintre electrozii triodei

La utilizarea tuburilor în scheme, în multe cazuri trebuie ţinut seama de capacităţile dintre
electrozi ( din interiorul tubului ). (figura 7)
Valorile acestor capacităţi depind de dimensiunile, formele şi distanţa dintre electrozi
( construcţia generală a tubului ) precum şi de frecvenţa de lucru [ a lui eg(t)]. Capacităţi parazite se
formează şi între picioruşele tubului şi ...?
Cp = ( unităţi – zeci ) pF
Capacităţile parazite apar numai din punct de vedere funcţional la frecvenţe de lucru ale
tubului din ce în ce mai mari.
II. REGIMUL DINAMIC AL TRIODEI

FUNCŢIONAREA TRIODEI ÎN REGIM DINAMIC
Spre deosebire de regimul static, cel dinamic presupune mişcare şi aceasta în orice fenomen
(din domeniul natural, social sau al gândirii ).
În cazul triodei, regim dinamic înseamnă mişcarea (deplasarea ) P.S.F. în planul
caracteristicilor statice, ca efect al unei acţiuni exterioare şi anume : aplicare unui semnal
(sinusoidal ) în circuitul de intrare ( de grilă ) al triodei eg (t).
Schema electrică de principiu :
31
Figura 8. Eg = sursă de negativare a grilei; Ra= rezistenţă de sarcină
Datorită aplicării unui semnal pe grilă eg (t) = ug(t) = Ug x sin (ωt + φt), se modifică tensiunea Ua şi
curentul Ia .
URa = Ra x Ia
Ea = Ua + (Ra x Ia) – ecuaţia unei drepte .
Ua < Ea → Ua= Ea - Ra x Ia - teorema a doua a lui Kirchoff
Ra se conectează în circuitul anodic pentru a extrage variaţiile mărimilor Ua, Ia,
OBS : ia, ua, ug = valori instantanee
Ia, Ua, Ug = valori ale amplitudinii componentei alternative
În montaje practice se alege Ra =(3÷4 ) Ri - Ri = (unităţi ÷zeci)KΩ.
Ea = Ua + Ra x Ia - se mai numeşte ecuaţia dreptei de sarcină.
Ia = 0 → Ea = Ua
Ua= 0 → Ia = Ea / Ra
În plan grafic avem:
Figura 9
În regim static
M0=(Ua0, Ia0, Ug0) = (240 V, 2 mA, -6 V)
M0 – P.S.F.
32
Uma= 60 V ; Umg = 4 V
Trioda are rol de amplificare :
A= Uma/ Umg= 60/4= 15
Pd0= Ua0 x Ia0 = 240 V x 2 mA =480 x 10-3 W= 0,48 W
Pd0 – puterea disipata pe anod ( în P.S.F.)
tg α = Ea/( Ea/Ra) = Ra → tg α = Ra
α=90o → tg 90o = sin 90o/cos 90o = ∞ → tg 90o = ∞ = Ra→ ia = Ea/∞ → 0 , deci ia = 0 → tubul nu
mai funcţionează
Dreapta de sarcină trebuie să fie sub hiperbola de dispariţie (dacă nu se modifică Ra).
OBS. Când Ra este pur activă caracteristica dinamică este o dreaptă (M1, M2 )
Definiţie: Caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor instantanee ale
curentului anodic ia , în regim dinamic, de pe dreapta de sarcină trasată în planul caracteristicilor
statice ale tubului pe timpul unei perioade a semnalului ( sinus) aplicat pe grila de comandă.
OBS. Dacă Ra este complexă (impedanţa) caracteristica dinamică devine elipsă sau cerc.
Grila de comandă se poate negativa:
1. Cu sursă proprie Eg ( cazul anterior )
2. Automat (Rk, Ck dispuse în catod ) – cazul următor
Ugk = Ug1 – Uk1 ; dacă Ug1 → 0 
Ugk = - Uk1 = - ia * Rk
Ea = Ra * ia + Ua + Rk * ia
Rg are rolul de a evita şuntarea sursei de semnal eg(t)
Figura 20
Rg are valori mari de ordinul unităţilor de MΩ (pentru a nu altera impedanţa de intrare a tubului).
În practică se folosesc ambele tipuri de negativare.
Avantajul negativării automate : stabilitatea mai bună a P.S.F. la variaţii ale surselor de
alimentare.
În multe situaţii trebuie lucrat cu grila pozitivă sau Ug = 0V şi atunci nu trebuie (nu poate fi)
folosită negativarea automată.
III. TIPURI . UTILIZĂRI . DEZAVANTAJE

6J4, 6J5
6C2Π, 6C3 Π, 6C2C,6C3Б
UTILIZĂRI: amplificatoare, oscilatoare, detectoare, generatoare de
impulsuri, relee electronice, etc.
DEZAVANTAJE:
1. μ este mic ( 100 ), deoarece grila nu ecranează suficient catodul de
influenţa anodului.
2. Trioda prezintă Cga ( parazită ) mare. Apare cuplaj între ieşire şi intrare şi
mai ales la frecvenţe înalte.
33
Tema 2. S3. Tetroda și pentoda

Tetroda
Tetroda este un dispozitiv neliniar ( tub electronic cu vid ) ce are patru electrozi: K, G1, G2, A
Figura 1. Simbol tetrodă Tetrode A441N
Necesitatea introducerii grilei 2 ( grila ecran ) : Cag→ unităţi – zeci de pF (5- 10 pF)
Datorită reactanţei XCag (Cag) o parte din semnalul de ieşire se transferă la intrare şi rezultă
fenomenul de reacţie negativă (se micşorează semnalul la ieşire)Uieş – în antifază cu Uintr
Dezavantajele triodei se remediază introducând în tub un al patrulea electrod ( G2 )
suplimentar.
Figura 2.
 g2 micşorează Cechiv între a şi g1 Cechiv g1a = ( 0,1 – 0,01 ) pF
Creşte factorul de amplificare: 50 ≤ μ ≤ 1500 ( la triodă μ ≤ 150)
CARACTERISTICI STATICE. FUNCŢIONARE.

În principiu se folosesc, pentru explicarea funcţionării tetrodei, caracteristicile statice de
transfer şi de ieşire.
1.Caracteristici statice de ieşire
ia = f ( Ua ) Ug1 = Ug2 = Ue = constant
Figura 3 Figura 4. O familie de caracteristici:
34
Funcţionare
Figura 5. Cazul a: g2 (e) se leagă la catod (K)
În acest caz câmpul electric constant al anodului se termină pe spirele grilei ecran ( g2 ) fără
a ajunge la catod şi ca urmare nu apare fluxul de electroni, iar tubul rămâne blocat ( Ia = 0 )
Figura 6. Cazul b: Pentru a crea un flux electronic ( în tetrodă ), pe g 2 se aplică o tensiune pozitivă.
Ug2 = ( 0,4 – 0,8 )
Câmpul electric al grilei g2 (Eg2) este accelerator pentru electroni şi creează în tub un flux de
electroni. De la catod (K) până la grila G2, electronii se deplasează sub acţiunea acestui câmp, iar pe
porţiunea grila G2- anod (A), sub acţiunea câmpului electric al anodului (E)
Nu există un câmp electric variabil între anod şi grila G1.
Efectul dinatron
Analizăm caracteristica de ieşire (statică) pe porţiunea 0A. Când Ua = 0, ia=0  ic = ie
Nu avem linii de câmp anodice care să extragă electroni din sarcina spaţială formată între
ecran şi anod.
Figura 7.
Pe măsură ce Ua creşte rezultă că şi ia creşte, deoarece liniile de câmp anodice extrag din ce
în ce mai mulţi electroni din sarcina spaţială. Această sarcină spaţială rămâne mai aproape de ecran
decât de anod.
35
OBS. Faţă de caracteristica diodei, pe porţiunea iniţială apare o deosebire: Ia = 0 (inţial) la
tetrodă, deoarece ecranul reţine electronii rapizi.
Ic = Ia + Ig2 = constant (Ic – valoarea curentului prin tetrodă) Dacă Ia creşte, Ig2 scade.
Când tensiunea pe anod atinge valori de 10-15 V, acesta va avea emisie secundară. Ecranul
alimentat la un potenţial de +80 V, mult mai mare decât Ua, va atrage electronii proveniţi din emisia
secundară a anodului, rezultând că ie va creşte iar ia va scădea.
În momentul când Ua = +60 V, anodul va colecta mult mai mulţi electroni din propria sa
emisie secundară decât ecranul (anodul va colecta electroni şi din emisia secundară a g2). Cauza
acestui lucru este faptul că suprafaţa anodului este mult mai mare decât cea a ecranului. Deci ia
creşte şi tinde asimptotic către ic, iar ie scade tinzând către zero.
Zona AB se numeşte ― de efect DINATRON ― ( Ua creşte  ia scade şi ie creşte)
OBS. Pe porţiunea AB tetroda prezintă o rezistenţă internă negativă deoarece odată cu
creşterea Ua  scăderea ia (Ri = ΔUa / ΔIa < 0)
Pe această porţiune se foloseşte ca oscilator ( la baza funcţionării oscilatorului stă Ri < 0 a
tubului ).
Pe porţiunea CD se poate folosi ca amplificator.
CONCLUZIE:
Datorită efectului dinatron, nu se poate utiliza întreaga caracteristică de ieşire a tetrodei.
Figura 8.
2.Caracteristica statică de transfer.
ia = f ( Ug1) ; Ua = constant , Ue = constant
Ue2 > Ue1; Ua3 > Ua2 > Ua1
Figura 9.Schema de ridicare a caracteristicilor statice ale tetrodei :
36
PARAMETRII STATICI AI TETRODEI
Figura 10
Parametri tetrodei:
a. parametrii diferenţiali când circuitul de ieşire este anodic
Ria = ΔUa / ΔIa ; Ug = constant, Ue = constant
Sa = ΔIa / ΔUg1 ;Ua = constant, Ue = constant
μa = Δ Ua / ΔUg1 ; Ia = constant, Ue = constant
μa = Ria • Sa
b. parametrii diferenţiali când circuitul de ieşire este circuitul de ecran

Rie = Δ Ue / Δie ; Ua = constant, Ug1 = constant
Se = Δie / ΔUg1 ; Ua = constant, Ue = constant
μe = ΔUe / ΔUg1 ; ie = constant, Ua = constant
c. parametrii de curent continuu ( în P.S.F.)

Ria = Ua0 / Ia0
Rie = Ue0 / Ie0
Ri = ( zeci – sute ) kΩ, este mai mare decât la triodă deoarece între anod şi catod avem două
grile.
OBS. Toţi aceşti parametri pot fi definiţi şi determinaţi pe caracteristicile statice ale tetrodei
în planul ( ia, Ua ) şi ( ia, Ug ) ca la triodă.
TETRODA CU FASCICUL DIRIJAT

Tetrode cu fascicul dirijat. Sunt dispozitivele electrice care realizează funcţionarea fără
efect dinatron și au o construcţie specială.
Fizic s-a dovedit că trecerea electronilor secundar de la anod la grila 2 (ecran) încetează, iar
fectul dinatron dispare dacă:
a) distanţa anod-grila 2 este de 8-10 ori mai mare decât distanţa dintre grila 2-catod
b) mărim densitatea de sarcină în spaţiul ecran-anod
Figura 11
37
Concentrarea fluxului de electroni la tetrodă
Aşa cum se vede şi din figură, electronii din emisia secundară de la anod, întâlnind în spaţiul
anod-grila 2 ( ecran ), electronii din jetul provenit de la catod, sunt respinşi şi sunt slab atraşi de
ecran.
Ca urmare a acţiunii, între electroni se formează o sarcină spaţială în zona anod-grila 2. Deci
se formează un câmp de frânare în calea electronilor de emisie secundară, ceea ce face ca aceştia să
nu mai ajungă la grila 2 pentru a provoca creşterea ie şi scăderea ia.
OBS. Sarcina spaţială formată între grila 2 şi anod, joacă rolul supresorului de la
pentodă
Fig. 12 Simbol: Figura 13.
Performanţe:
1) Se micşorează foarte mult raportul ie / ia ( 1/15 – 1/20)
2) Ue = Ua
3) Ue > Ua ( uneori )
4) Cotul caracteristicii statice la tetroda cu fascicul dirijat este mult împins spre stânga şi mai sus
decât la pentoda de putere.
5) Admite curenţi anodici foarte mari ( 200 mA ) – la etajele de formare a impulsurilor scurte, de
mare curent
6) Au pante foarte bune aproximativ egale cu 10 mA / V ( utilizat în amplificatoarele de putere)
7) Admite Cag mică ( 0,07 pF ) ceea ce permite folosirea la frecvenţe foarte înalte
8) Se utilizează mai mult ca amplificatoare de putere în joasă frecvenţă datorită ecranării slabe.
Tipuri de tetrode cu fascicul electronic dirijat: 6Π1Π, 6Π6C, 6Π3, 6Π6, 6Π8, EL84
38
Pentoda
Pentoda - este un tub electronic cu vid (DNL) cu cinci electrozi plus filamentul (încălzire
indirectă)
Figura1. simbol
Rolul şi necesitatea introducerii supresorului

Necesitatea înlăturării zonei de efect dinatron din caracteristica statică a tetrodei a dus la
introducerea unui nou electrod numit supresor ( g3 ) şi deci la apariţia pentodei.
Supresorul se alimentează ( polarizează ) la tensiuni foarte mici. El poate avea potenţialul
catodului ( sau al masei ).
Supresorul ( grila de frânare ) este situat între ecran şi anod având rolul de a frâna electronii
din emisia secundară a anodului, prin următorul mecanism:
Figura 2: regim de funcţionare a pentodei şi distribuţia câmpurilor
Supresorul fiind polarizat negativ în raport cu catodul ( sau la acelaşi potenţial ) nu va

permite electronilor din emisia secundară anodică să ajungă la ecran şi să determine creşterea
curentului de ecran ie.
Electronii din emisia secundară se întorc înapoi la anod. Acest lucru este posibil datorită
faptului că aceşti electroni au viteze foarte mici.
Cuplajul între ieşire (anod) şi intrare (grila 1) se micşorează foarte mult deoarece vom avea
trei capacităţi legate în serie.
Deci pentoda este foarte bună la frecvenţe foarte înalte, dar în schimb creşte zgomotul
La pentode μ → 6000
CARACTERISTICILE STATICE ALE PENTODEI

1) Caracteristici de transfer
ia = f(Ug1); ie = f(Ug1)
Ue = Us = Ua = constant
Caracteristicile statice de transfer ale tetrodei şi pentodei sunt identice.
39
2) Caracteristici de ieşire
ia = f(Ua); ie = f(Ua)
Ue = Us = Ug1 = constant
Figura 3
OBS. Caracteristica de ieşire nu mai prezintă zona de efect dinatron.

Familie de caracteristici
Figura 4
OBS. Porţiunea AB se caracterizează printr-un μ foarte mare şi Ri foarte mare în comparaţie

cu porţiunea OA.
Porţiunea AB este de „sarcină spaţială‖ . Deci tubul lucrează în regim de sarcină spaţială.
Figura 5.
Nu avem saturaţie, fiind vorba despre o pseudosaturaţie. P.S.F. se alege pe porţiunea AB.
Pentoda se alimentează în ordinea:

1) se aplică Uf
2) se aplică Ug1
3) se aplică Ua
4) se aplică Ue
40
Figura 6. Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice la pentodă
PARAMETRII PENTODEI
Spre deosebire de triodă şi tetrodă, pentoda poate funcţiona în anumite scheme cu dublă
comandă. Poate primi semnal alternativ atât pe grila g1 (comandă) cât şi pe grila supresoare (g3).
OBS. Dubla comandă se foloseşte la procesul de modulaţie, la amestecătoare.
La pentodă vom întâlni două tipuri de parametri:

Tipul a. Când circuitul de intrare pentru semnal este g1
a1) circuitul de ieşire este circuitul anodic:
Ria = ΔUa /Δia ; Ug1 = Ue = Us = constant
Sa = Δia / ΔUg1; Ua = Ue = Us= constant
μa = ΔUa / ΔUg1; Ue= Us= constant, ia= constant
μa = Ria • Sa
a2) circuitul de ieşire este circuitul de ecran ( ecranul nu trebuie să fie decuplat )
Rie = ΔUe / Δie; Ug1 = Us = Ua = constant
Se = Δie / ΔUg1; Ua= Us = Ue= constant
μe = ΔUe / ΔUg1; Ua= Us = constant ie = constant
μe = Rie • Se
Figura 7
Tipul b. Când circuitul de intrare pentru semnal este supresorul.

b1) circuitul de ieşire este cel anodic
μ = Ris • Ss
OBS. Toţi aceşti parametri pot fi calculaţi analog cu calculul de la triodă (ţinând cont de
relaţia de definiţie)
41
Ordine de mărime:
OA  Ri = (unităţi – zeci ) kΩ
AB  Ri = ( sute ) kΩ
OA  μ = unităţi – zeci
AB  μ = sute – 6000
Se  maxim 25 mA / V
TIPURI ŞI UTILIZĂRI
1) Pentode amplificatoare de putere. Destinate amplificatoarelor de semnale mari.
După puterea de disipaţie se împart în:

a) Pentode de mare putere – pentru emisie cu puteri mai mari de zeci de waţi (ia / ie = 6)
b) Pentode de putere medie ( Pd = 10 – 15 W)
Particularităţi:
μ = 150 – 600
S = 1 – 7 mA / V  pantă mică
S= 7 – 10 mA / V  pantă medie
2) Pentode amplificatoare de tensiune de înaltă frecvenţă cu pantă fixă.

- ecran cu spirele dese
- Cag1 = 0,002 – 0,4 pF
- μ = 2500 – 6000
- Ri = 0,8 – 2,5 MΩ
- panta : a) mică, Sa < 4 mA / V
b) medie, Sa = 4 – 10 mA / V
c) foarte mare, Sa > 10 mA / V
Valoarea maximă Sa este 25 mA / V
3) Pentode amplificatoare de tensiune cu pantă variabilă (glisantă). Constructiv pentru a se realiza
o pantă variabilă, grila de comandă a pentodei cu pantă variabilă are următoarea formă:
Figura 8 Figura 9
1.Pentru Ug negative mari, electronii din sarcina spaţială catodică ajung către anod numai
printre spirele rare ale grilei de comandă.
2. Pentru valori negative mici ale Ug, electronii din sarcina spaţială catodică pot trece şi prin
spirele dese.
Cumulând cele două efecte prezentate mai sus, va rezulta pentoda cu pantă variabilă.
42
TUBURI MULTIGRILĂ ŞI MULTIPLE
A) Tuburi multigrilă
1) Pentoda: A, K, G1, G2, G3 ( pe G1 şi G3 se
aplică semnale)
2) Hexoda amestecătoare
Simbol:
Prezintă A, K, G1, G2, G3, G4 ( G1 şi G3 sunt grile de comandă, iar G2 – G4 reprezintă grila ecran)
G4 prezintă efect dinatron
3) Heptoda ( pentagrilă )
Heptodele sunt de două tipuri:
amestecătoare şi convertoare.
Prin prezenţa celei de-a cincea
grile ( G5 ) se înlătură efectul dinatron.
Simbolul heptodei amestecătoare:
B) Tuburi multiple
Pentru micşorarea dimensiunilor, pentru simplificarea montajului şi pentru economia la
alimentarea aparatelor moderne în recepţie şi amplificare, se fabrică tuburi combinate la care, în
acelaşi balon, sunt două şi uneori trei tuburi având electrozi separaţi ( bornele filamentelor sunt
comune ). Catozii, la tuburile cu încălzire indirectă, se fac fie separaţi, fie comuni.
Exemple:
Figura 12. dublă triodă Figura 13. dublă triodă
43
3) dublă diodă – triodă : combinaţie a unei duble-diode
folosită pentru detecţie şi a unei triode care amplifică ( de
obicei oscilaţiile de joasă frecvenţă )
Tipuri :6Г7, 6Г1, 6Г2
4) pentoda cu una sau două diode

- diodele se folosesc de obicei pentru detecţie;
- pentoda se foloseşte pentru amplificarea în joasă
frecvenţă şi mai rar pentru amplificarea în frecvenţă
înaltă
Tipuri: 6Б8C, 1Б1Π
5) trioda-hexoda
- este folosită pentru schimbare de frecvenţă
- trioda funcţionează ca oscilator local
44
Tema 3. S1. Noţiuni de fizica semiconductoarelor

Generalități:
În funcţie de rezistivitatea electrică, materialele electrotehnice pot fi încadrate în trei categorii:
• Materiale izolatoare - rezistivitatea electrică
• Materiale semiconductoare - rezistivitatea electrică
•Materiale conductoare - rezistivitatea electrică

Cristalele din care se realizează dispozitive electronice sunt corpuri solide cu o structură ordonată,
cu distanţe regulate între atomi, la care nivelele de energie se constituie în ―benzi‖ ce se prezintă ca
zone aproape continue de nivele energetice.
Figura 1. nivele energetice.

Diagrama de benzi conține benzile de energie formate din nivelele de energie cele mai înalte pe care
electronii atomilor le pot ocupa: ultima bandă de stări energetice ocupate de electronii legați de
atomi, se numește banda de valentă. Electronii având aceste energii nu se pot mișca in cristal.
Electronii cu energii mai mari decât cele din banda de valență, devin liberi, se pot mișca dând
naștere unui curent electric; aceste stări se găsesc în banda de conducție a cristalului.
Cele doua benzi de stări permise, sunt separate de un interval de energii nepermise pentru electroni,
numit banda interzisă. Aceasta este o caracteristică de material, care reflectă abilitatea acestuia de
a genera un curent electric; lărgimea benzii interzise exprima energia necesara unui electron din
banda de valenta pentru a deveni liber.
Materialele semiconductoare din punct de vedere al conducerii curentului electric au

proprietăţi intermediare între conductoare şi izolatoare.
Cele mai răspândite materiale semiconductoare sunt germaniul, siliciul, carbonul, dintre care
Siliciul este cel mai larg utilizat.
Materialele semiconductoare sunt alcătuite din atomi care prezintă patru electroni de valenţă
caracteristici.
a. Atom de siliciu b. Atom de germaniu

Figura 2. Diagramele atomilor de siliciu şi germaniu
45
Electronii de valenţă ai atomului de siliciu (figura 2.a) se află pe stratul trei iar cei ai
germaniului (figura 2.b) se află pe stratul patru. Deoarece electronii de valenţă ai germaniului se
află mai departe de nucleu, posedă energii mai mari decât cei ai siliciului care se află mai aproape
de nucleu, deci le este necesar un surplus energetic mai mic pentru a se desprinde din atom. Această
caracteristică face ca germaniul să devină instabil la temperaturi mari.
 Avantajele semiconductoarelor:
- au dimensiuni mici, putând fi miniaturizate;
- au o mare rezistenţă mecanică (suportă acceleraţii de a=(9÷10)·g);
- au un randament (sporit) mai bun ca la tuburi (nu mai avem Uf);
- inerţie mică la punerea în funcţiune;
- tensiunea de alimentare a dispozitivelor semiconductoare sunt mici (3÷15) V.
 Dezavantajele semiconductoarelor:
- din cauza temperaturii se impune stabilizarea tensiunii (la tuburi nu era necesar);
- sunt sensibile la radiaţii radioactive;
- în gama f.f.i. (>3000 MHz) tuburile speciale nu pot fi înlocuite de către semiconductoare;
- în unele instalaţii radiotehnice de mare putere, tuburile funcţionează alături de
semiconductoare.
Structura semiconductoarelor pure (intrinseci)
Pentru a forma o structură solidă, atomii unui semiconductor se combină prin legături
covalente dintre electronii de valenţă, formând o structură cristalină. Prin legăturile covalente
fiecare din cei patru electroni de valenţă a unui atom de siliciu se pun în comun cu câte un electron
de valenţă a unui atom de siliciu învecinat (figura 1.2). Cristalul astfel format se numeşte intrinsec
deoarece nu conţine impurităţi.
a. Porţiune dintr-un cristal pur de SI b. Diagramă de legături

Figura 3. Legăturile covalente la siliciu
O energie termică mică este capabilă să determine trecerea

electronilor din banda de valență (BV) în banda de conducție
(B.C.) Pătrunzând în B.C., electronul se ―rupe‖, eliberându-se din
reţea şi lasă în B.V. o legătură nesatisfăcută şi corespunzător, un
nivel energetic neocupat numit ―gol‖.
Acest nivel poate fi reocupat fie de un electron din B.C., ca
urmare a pierderii unei părţi din energie, fie de un electron din
aceeaşi B.V. şi, în acest caz, golul îşi continuă existenţa pe o altă
legătură covalentă.
Fenomenul de generare are loc atunci când un electron
trece din B.V. în B.C., astfel se generează o pereche ―electron-gol‖
pe unul din nivelele B.V.
46
Prin recombinare se înţelege fenomenul invers, de trecere a unui electron din B.C. în B.V.
(pe unul din nivelele unde există un gol).
Dacă unui semiconductor intrinsec i se aplică un câmp electric exterior, prin conectarea la o
sursă de tensiune, electronii liberi sunt supuşi unei mişcări ordonate spre electrodul pozitiv.
Această mişcare a electronilor dă naştere unui curent electric de sens opus, care iniţial creşte
proporţional cu mărimea câmpului electric, până la o valoare limită, pe care creşterea în continuare
a câmpului electric nu o mai poate influenţa (vezi figura 4).
Figura 4.
Structura semiconductoarelor impure (extrinseci)
Reţeaua cristalină a unui semiconductor poate prezenta modificări naturale şi artificiale (prin
adăugarea unor elemente care pe B.V. au un număr de electroni diferit de 4. Impurificarea
semiconductoarelor se poate face controlat. ―Si‖ şi ―Ge‖ sunt elemente tetravalente, ocupând
locurile ―14‖ şi respectiv, ―32‖ din coloana a patra a tabelului periodic al elementelor (Mendeleev).
Impurificarea (doparea) are ca rezultat modificarea proprietăţilor semiconductoarelor.
Materialele dopante sunt din coloanele vecine (a 3-a şi a 5-a) a tabelului periodic al elementelor.
Semiconductoarele dopate se numesc şi ―extrinseci‖ şi prezintă cel mai mare interes pentru
realizarea dispozitivelor semiconductoare (diodă, tranzistor, circuite integrate). Din punctul de
vedere al naturii materialului dopant, există semiconductoare extrinseci de tipul: ―n‖ şi ―p‖.
Semiconductoare de tip N şi de tip P

Datorita numărului limitat de electroni liberi din banda de conducţie şi de goluri din banda
de valenţa, materialele semiconductoare în stare intrinseca nu conduc curentul electric. Pentru a
putea fi utilizate în diverse aplicaţii acestea trebuie prelucrate în scopul măriri conductivităţii
electrice, prin introducerea controlată a unor impurităţi în materialul intrinsec care duce la creşterea
numărului de purtători de curent. Acest procedeu se numeşte dopare.
într-un cristal semiconductor electronii liberi reprezintă sarcinile negative (N) iar golurile reprezintă
sarcinile pozitive (P).
a. Semiconductoare de tip P
Aceste semiconductoare au un număr mare de goluri. Deoarece majoritatea purtătorilor de
curent este constituită din goluri (sarcini pozitive) acestea poartă denumirea de semiconductoare
de tip P.
Pentru a obţine un semiconductor de tip P (figura 5), un cristal de siliciu pur se dopează cu
atomi de impurificare trivalenți (cu trei electroni de valenţă) - Aluminiu (Al), Bor (B), Galiu
(Ga), Indiu (In).
47
Figura 5. Semiconductor de siliciu de tip P impurificat cu galiu
Atomul de galiu are trei electroni de valenţă Toţi cei trei electroni de valenţă participă la
legăturile covalente cu electronii de valenţa ai atomilor de siliciu. Deoarece un atom de siliciu are
patru electroni de valenţă la fiecare atom de galiu din cristalul de siliciu apare câte un gol.
La semiconductorul de tip P, golurile sunt purtători majoritari iar electronii sunt purtători
minoritari.
b. Semiconductoare de tip N
Aceste semiconductoare au un număr mare de electroni. Deoarece majoritatea purtătorilor
de curent este constituita din electroni (sarcini negative) acestea poartă denumirea de
semiconductoare de tip N.
Pentru a obţine un semiconductor de tip N (figura 6), un cristal de siliciu pur se dopează cu
atomi de impurificare pentavalenți (cu cinci electroni de valenţă) Arseniu (As), Fosfor (P),
Bismut (Bi), Stibiu (Sb).
Figura 6. Semiconductor de siliciu de tip N impurificat cu fosfor
Atomul de fosfor are cinci electroni de valenţă. Patru dintre cei cinci electroni de valenţă
participă la legăturile covalente cu electronii de valenţă ai atomilor de siliciu, iar al cincilea rămâne
liber (deoarece un atom de siliciu are patru electroni de valenţă).
La fiecare atom de fosfor din cristalul de siliciu apare câte un electron liber.
La semiconductorul de tip N, electronii sunt purtători majoritari iar golurile sunt
purtători minoritari.
Notă: Electronii liberi sunt electronii care la o anumită temperatură a cristalului semiconductor pur trec din banda
de valență în banda de conducție.
Golurile sunt locuri libere din banda de valență lăsate de electronii liberi.
48
Tabelul periodic al elementelor
49
Dispozitive electronice discrete O.G.
Tema 3. S2. Joncțiunea PN
Realizarea joncţiunii pn
Dacă dopăm o jumătate dintr-un cristal de siliciu cu impurităţi trivalente, iar cealaltă
jumătate cu impurităţi pentavalente se obţin două regiuni vecine cu tip diferit de impurificare, o
regiune de tip p şi o regiune de tip n. Joncţiunea PN reprezintă zona de contact dintre două regiuni
vecine, una de tip P şi una de tip N, create într-un monocristal pur (1a).
Figura 1 Structura semiconductorului în care s-a creat o joncţiune PN
La formarea joncţiunii PN electronii din regiunea N tind să ocupe golurile din regiunea P şi
difuzează prin joncţiune. Deoarece prin plecarea electronilor rămâne un surplus de sarcini electrice
pozitive în vecinătatea joncţiunii spre regiunea N se creează un spaţiu încărcat cu sarcini pozitive
(ioni pentavalenţi) (figura 1 b). în acelaşi timp golurile din regiunea P se combină cu electronii care
au străpuns joncţiune. Prin sosirea electronilor apare un surplus de sarcini electrice negative iar în
vecinătatea joncţiunii spre regiunea P se creează un spaţiu încărcat cu sarcini negative (ioni
trivalenţi) (figura 1.b).
Cele două zone cu sarcini pozitive şi negative formează regiunea de barieră Aceste procese
se desfăşoară până când sarcina negativă totală din regiunea de barieră împiedică alţi electroni să
mai difuzeze prin această regiune (apare fenomenul respingere a sarcinilor electrice de acelaşi
potenţial), în regiunea de barieră între sarcinile pozitive şi negative apare un câmp de forţe numit
câmp electric intern. Diferenţa de potenţial al câmpului electric intern se numeşte potențial de
barieră (Vp - tensiune de prag) şi se exprimă în volţi. Câmpul electric intern din regiunea de barieră
se comportă ca o barieră în calea electronilor care tind să traverseze regiunea.
Valoarea tensiunii de prag depinde de materialul din care este construit cristalul de
semiconductor.
 în cazul siliciului tensiunea de prag este de aproximativ 0,6 - 1,2 V;
 în cazul germaniului tensiunea de prag este de aproximativ 0,2 - 0,6 V.
Pentru ca electronii să poată străbate regiunea de barieră, trebuie să li se furnizeze energie
din exterior, care se face prin polarizarea joncţiunii PN.
Polarizarea directă a joncţiunii PN
Prin polarizare se înţelege aplicarea unei tensiunii continue la capetele celor două regiuni.
La polarizarea directă borna plus (+) a sursei de alimentare se conectează la regiunea P a joncţiunii
PN iar borna minus (-) a sursei se conectează la regiunea N a joncţiunii PN.
50
Figura 2. Polarizarea directă a joncţiunii PN
Atât timp cât valoarea tensiunii sursei de alimentare E este mai mică decât tensiunea
câmpului electric intern Eint prin joncţiune nu circulă curent (joncţiunea este blocată) Când
tensiunea de polarizare depăşeşte valoarea tensiunii de prag a joncţiunii se creează un câmp electric
extern Eext care străbate joncţiunea de la P la N şi care este contrar câmpului electric intern al
joncţiunii. Astfel joncţiunea PN este parcursă de un curent direct ID dinspre regiunea P spre
regiunea N, curent care creşte exponenţial cu tensiunea aplicată joncţiunii.
Polarizarea inversă a joncţiunii PN
La polarizarea inversă borna plus (+) a sursei de alimentare se conectează la regiunea N a joncţiunii
PN iar borna minus (-) a sursei se conectează la regiunea P a joncţiunii PN. Joncţiunea se
conectează în serie cu un rezistor R care limitează valoarea curentului prin circuit pentru a nu
deteriora joncţiunea.
Figura 3. Polarizarea inversă a joncțiunii PN
La polarizarea inversă a joncţiunii PN borna pozitivă a sursei de alimentare atrage electronii

din regiunea N spre capătul din dreapta a regiunii iar în regiunea de barieră spre regiunea N apar
ioni pozitivi suplimentari. în acelaşi timp borna negativă a sursei de alimentare generează electroni
liberi care se deplasează prin regiunea P spre regiunea de blocare unde creează un surplus de ioni
negativi, în acest mod creşte lăţimea zonei de blocare iar purtătorii majoritari scad semnificativ
până când potenţialul regiunii de blocare ajunge la valoarea tensiunii sursei de alimentare E. Din
acest moment curentul prin joncţiune dispare aproape complet, cu excepţia unui curent invers foarte
mic.
În concluzie, polarizarea inversă a joncţiunii PN determină apariţia unui câmp electric extern
Eext mai mare şi de acelaşi sens cu câmpul electric intern Eint, care se îndreaptă de la zona N spre
zona P, care împiedică deplasarea purtătorilor de sarcină majoritari dar favorizează deplasarea
purtătorilor de sarcină minoritari. Aceşti purtători de sarcină prin deplasarea lor formează curentul
invers care este foarte mic şi este independent de valoarea tensiunii de alimentare. Valoarea
curentului invers depinde numai de temperatura joncţiunii.
51
Caracteristica statică de funcționare
Figura 4. Caracteristica statică a joncțiunii PN
Caracteristica statica a joncţiunii PN este reprezentarea grafică a relaţiei tensiune - curent ce

caracterizează această joncţiune. În figura 4 este reprezentat graficul complet al caracteristicii
statice în ambele situaţii de polarizare.
ZONA I - corespunde polarizării directe când joncţiunea PN permite trecerea curentului electric
prin ea. Joncţiunea se deschide şi permite trecerea curentului electric când tensiunea pe joncţiune
depăşeşte tensiunea de prag (Up). În această zonă de funcţionare joncţiunea are următoarele
caracteristici:
 Tensiunea la bornele joncţiunii este aproximativ constantă în jurul valorii tensiunii de prag
şi nu creşte odată cu tensiunea de alimentare;
 Curentul prin joncţiune are valoare mare şi este dependent de valoarea rezistorului conectat
în serie cu joncţiunea;
 Rezistenţa electrică a joncţiunii este foarte mică
ZONA II - corespunde polarizării inverse când joncţiunea PN nu permite trecerea curentului

electric prin ea. Joncţiunea este blocată iar curentul care circulă prin joncţiune este foarte mic şi
depinde doar de temperatura joncţiunii şi natura semiconductorului. Acest curent numit şi curent
invers este de ordinul nanoamperilor (10-9A) pentru Si şi de ordinul microamperilor (10-6A) pentru
Ge. În această zonă de funcţionare joncţiunea are următoarele caracteristici:
 Tensiunea la bornele joncţiunii este aproximativ egală cu valoarea tensiunii de alimentare
creşte odată cu aceasta;
 Curentul prin joncţiune are valoare foarte mică şi nu depinde de valoarea tensiunii de
alimentare atât timp cât acesta nu depăşeşte valoare tensiunii de străpungere a semiconductorului;
 Rezistenţa electrică a joncţiunii este foarte mare.
Zona IV atunci când joncţiunea este polarizată direct dacă se depăşeşte valoare curentului direct
maxim (IDmax) joncţiunea se supraîncălzeşte şi se distruge. Pentru a preveni această situaţie se
calculează corect rezistenţa şi puterea electrică a rezistorului care se conectează în serie cu
52
joncţiunea. Această valoare se calculează în funcţie de valoarea tensiunii de alimentare şi a
curentului maxim admis prin joncţiune;
Zona III atunci când joncţiunea este polarizată invers dacă se depăşeşte valoare tensiunii de
străpungere (UST) curentul prin joncţiune creşte foarte mult fapt care duce la supraîncălzirea şi
distrugerea joncţiunii. Pentru a preveni această situaţie se urmăreşte ca valoarea tensiunii de
alimentare să nu depăşească valoarea tensiunii de străpungere pentru care a fost proiectată
joncţiunea, în situaţia în care joncţiunea este polarizată invers.
Notă: Pentru siliciu, curentul invers se dublează la fiecare 60 C

Pentru Germaniu, curentul invers se dublează la fiecare 100C
Rezumatul lecției
Joncţiunea PN este o structură fizică obţinută prin doparea unui monocristal semiconductor
pur cu impurităţi trivalente şi pentavalente. Joncţiunea PN reprezintă zona de contact dintre două
regiuni vecine, una de tip P şi una de tip N
Joncţiunea PN are trei regiuni: două regiuni neutre de tip p şi de tip n între care se află o
regiune de trecere numită şi regiune de blocare sau regiune golită.
Prin polarizarea joncțiunii se înţelege alimentarea cu tensiune a joncţiunii prin conectarea
celor două regiuni neutre P şi N la bornele unei surse de tensiune continuă.
La polarizarea directă regiunea P se conectează la borna pozitivă a sursei iar regiunea N se
conectează la borna negativă a sursei de alimentare La polarizarea inversă regiunea P se conectează
la borna negativă a sursei iar regiunea N se conectează la borna pozitivă a sursei de alimentare.
Tensiunea de prag (potențialul de barieră) reprezintă tensiunea minimă la care joncţiunea permite la
polarizarea directă trecerea curentului electric. La cristalul de siliciu tensiunea de prag este 0,6 - 1,2
V iar la cristalul de germaniu tensiunea de prag este 0,2 - 0,6 V.
La polarizarea directă a joncţiunii PN regiunea golită se îngustează iar la polarizarea inversă
regiunea golită se lărgeşte.
Când se polarizează o joncţiune se conectează în circuitul electric în serie cu un rezistor care
are rolul de a limita curentul electric prin joncţiune. La polarizarea directă rezistenţa electrică a
joncţiunii este foarte mică şi în momentul în care tensiunea pe joncţiune depăşeşte tensiunea de prag
prin joncţiune circulă un curent mare (numit şi curent direct) dinspre zona P spre zona N
La polarizarea inversă rezistenţa electrică a joncţiunii este foarte mare iar prin joncţiune
circulă un curent foarte mic (numit şi curent invers) dinspre zona N spre zona P.
Pentru a preveni deteriorarea joncţiunii PN se ţine cont de valoarea maximă a curentului direct
si valoarea tensiunii inverse maxime ( tensiune de străpungere).
53
Tema 3. S3. Dioda semiconductoare
Dioda – este un dispozitiv electronic care prezintă conducție electrică unilaterală, adică
permite trecerea curentului într-un singur sens.
Cele două regiuni ale diodei se numesc electrozi.
Fig. Simbolul grafic al diodei

Materialele utilizate pentru construcţia joncţiunii PN sunt metale semiconductoare
(Germaniu şi Siliciu)
a) după natura materialului semiconductor folosit sunt:
 diode cu siliciu
 diode cu germaniu
b) după tehnologia de fabricaţie pot exista în principiu diode:
 cu contact punctiform
 aliate
 difuzate
 epitaxiale
c) după putere, diodele se pot clasifica în diode:
 de putere mică, pentru curenţi medii redresaţi mai mici de 3A
 de putere medie, pentru curenți cuprinşi între 3A şi 30A
 de putere, pentru curenți cuprinşi între 30A şi 200A
 de mare putere, pentru curenți peste 200A
d ) după utilizare se diferenţiază următoarele tipuri de diode :
 redresoare ( prescurtat DR), utilizate pentru conversia de energie din curent alternativ în
curent continuu
 de comutaţie (DC), care realizează trecerea rapidă de la starea de conducţie la cea de blocare
 de semnal (DS), utilizate în circuite de extragere a informaţiilor conţinute într-un semnal
electric , care variază în timp, ca de exemplu de detecţie şi amestec.
 stabilizatoare de tensiune sau diode Zener (DZ), care asigură între terminalele lor o tensiune
constantă , într-o gamă de curenţi specificată.
 varicap (DV), denumite şi diode cu capacitate variabilă, la care capacitatea variază cu
tensiunea aplicată.
 traductoare, care cuprind: fotodiode (F), diode electroluminiscente (LED)
 speciale , incluzând diode tunel , Schottkey, Gunn.
54
Dioda redresoare
Noțiuni generale:
Diodele redresoare utilizează proprietatea joncțiunii PN, care permite trecerea unui curent
electric semnificativ numai atunci când sunt polarizate direct. Se folosesc pentru redresarea
(transformarea) tensiunii alternative în tensiune continuă.
Simbolul convențional
Caracteristica Statica a diodei
Parametri specifici ai diodei se referă la următoarele mărimi:

Parametrii caracteristici Semnificaţia parametrilor
Tensiunea directă de vârf (VFM) Reprezintă amplitudinea maximă a unei tensiuni sinusoidale
aplicate în sens direct, în absenţa polarizării cu tensiune continuă.
Curentul direct de vârf repetitiv (IFRM) Este valoarea instantanee cea mai mare a unui curent direct în
regim permanent, incluzând toţi curenţii tranzitorii respectivi, în
absenţa polarizării continue.
Puterea disipată (Pdmax=VFM*IFRM) Reprezintă valoarea maximă a puterii disipate, care nu trebuie
depășită
Temperatura maximă a joncţiunii Tj max = 175° C pentru diodele cu Ge
Tj max. Tj max = 85° C pentru diodele cu Si
Tensiunea continuă directă (VF) Reprezintă tensiunea la bornele diodei în conducţie directă,
VF este mai mare decât tensiunea de prag. pentru un anumit curent precizat IF
Tensiunea inversă de vârf repetitivă (VRRM) Reprezintă tensiunea inversă maximă repetitivă a vârfurilor
scurte de tensiune care apar periodic.
Curentul direct continuu (IF) Este curentul continuu admis în regim permanent, care trece prin
diodă, în absenţa oricărei componente alternative.
Curentul mediu redresat (I0) Este valoarea medie permisă a curentului direct calculat pe o
perioadă completă, pentru o redresare mono-alternantă.
Curentul direct nerepetitiv de suprasarcină Este valoarea de vârf a unui impuls de curent direct, de formă
accidentală (lFSM) dată, ce trece accidental prin diodă într-un interval de timp scurt.
Tensiunea de străpungere (VBR) Reprezintă valoarea minimă a tensiunii la care are loc distrugerea
componentei.
55
Funcționarea diodei redresoare
 Dioda redresoare polarizată direct ( cu plusul pe anod şi minusul pe catod, UF > 0 ) intră
în conducţie pentru valori ale tensiunii de polarizare mai mari decât tensiunea de prag ( 0,2 -0,4V
pentru diode cu Ge si 0,4 –0,7V pentru diodele cu Si ) .Peste această valoare curentul creşte foarte
rapid cu tensiunea. În polarizare directă dioda prezintă o rezistenţă foarte mică (fracţiuni sau unităţi
de ohm)
 La polarizare inversă ( cu plusul pe catod şi minusul pe anod , U F< 0 ) dioda permite

trecerea unui curent rezidual foarte mic . Deoarece valoarea intensităţii curentului rezidual este
foarte mică, putem considera cu o bună aproximare că la polarizarea inversă a diodei redresoare,
între anod şi catod nu circulă curent electric.
Gruparea diodelor:
În anumite situaţii, se impune utilizarea diodelor redresoare în circuite parcurse de curenţi
mai mari decât curentul suportat de diode.
În aceste cazuri, se pot utiliza diode montate în paralel, care să aibă aceeaşi tensiune directă
de vârf (UFM), ar diferenţele dintre căderile de tensiune în polarizare directă nu trebuie să fie mai
mari de 0,05 V. Pentru egalizarea căderilor de tensiune directă şi a intensităţilor curenţilor ce străbat
diodele, se montează rezistoare în serie având valori de ordinul ohmilor.
Montarea diodelor în paralel

Dacă tensiunea din circuit este mai mare decât tensiunea inversă de vârf repetitivă a unei
diode, se utilizează montarea acestora în serie. Pentru egalizarea tensiunilor inverse, la bornele
fiecărei diode se conectează, în paralel cu acestea, rezistoare cu rezistenţa de ordinul sutelor de kΩ
56
Montarea diodelor în serie
Notă: Dioda redresoare funcţionează numai la frecvenţe joase, de obicei 50 Hz.
Dioda stabilizatoare
Diodele stabilizatoare sunt construite din joncțiuni pn, puternic dopate, care funcționează cu
polarizare inversa în zona de străpungere (reversibilă) sau de avalanșă. Pentru o anumită valoare,
tensiunea la bornele diodei rămâne aproximativ constantă, în timp ce curentul prin diodă poate să ia
valori într-un domeniu relativ mare
Simbolizare
Caracteristica de funcționare
Parametrii caracteristici Semnificaţia parametrilor caracteristici

Tensiunea nominală de stabilizare Este tensiunea aplicată în sens invers la bornele diodei, care
(VZn) rămâne aproximativ constantă atunci când curentul ia valori
într-un domeniu definit.
Curentul de stabilizare minim (IZm) Este limita inferioară a curentului de stabilizare, sub care
dioda nu-şi mai îndeplineşte funcţia de stabilizare.
Curentul de stabilizare maxim Este limita superioară a curentului de stabilizare, peste care
(I ZM ) funcţionarea diodei nu mai este garantată.
Puterea maximă disipată (Pdmax) Este valoarea limită superioară a puterii care poate fi disipată
Pdmax = V Zn •IZM de diodă în regim permanent, la temperatura de 25 °C.
Coeficientul de stabilizare cu Este procentul cu care variază tensiunea de stabilizare | la o
temperatura al tensiunii (auZ) variaţie de 1 °C la temperaturii diodei.
Rezistenţa diferenţială în regiunea deEste valoarea AU/AI într-un punct specificat pe caracteristica
stabilizare (rz) de stabilizare.
Tipuri de conexiuni:
Pentru obținerea unor tensiuni mai mari, se conectează în serie mai multe diode Zener.
Diode stabilizatoare conectate în serie
57
Polarizarea diodelor stabilizatoare
Diodele stabilizatoare funcţionează cu polarizare inversa în zona de străpungere controlată,
unde tensiunea la borne rămâne aproximativ constantă.
Prin urmare, pentru ca o diodă stabilizatoare să îndeplinească funcţia de stabilizare, trebuie
îndeplinite simultan următoarele condiţii:
- să fie polarizată invers;
- valoarea tensiunii inverse să fie mai mare decât VZm, astfel încât dioda să fie parcursă de
curentul minim de stabilizare IZM;
- valoarea tensiunii inverse să fie mai mică decât VZM, pentru a nu apărea fenomenul de
străpungere necontrolată.
Montajul de bază folosit pentru polarizarea diodelor este cel din figura de mai jos. Rolul
rezistenţei R este de a limita curentul la valori mai mici decât IZM.
Polarizarea diodei Zener
Polarizate direct, diodele stabilizatoare se comportă ca diodele redresoare.

Defectele diodelor stabilizatoare:
- scurtcircuitarea diodei;
- străpungerea diodei.
Dioda varicap (varactor)
Prin diodă varactor se înţelege acea diodă semiconductoare a cărei joncţiune se comportă
ca un condensator, a cărui capacitate poate fi controlată cu ajutorul tensiunii de polarizare inversă.
Simboluri convenționale pentru diode varicap
Standardizate Nestandardizate
Polarizarea diodei varicap
Parametrii specifici Semnificaţia parametrilor

Tensiunea inversă de vârf (V R ) Tensiunea inversă maximă repetitivă.
Curentul continuu invers (lR) Valoarea curentului prin diodă la o valoare a tensiunii inverse
specificată în fila de catalog.
Capacitatea maximă (Cmax) Valoarea capacităţii, la tensiunea de semnal minimă (de obicei, 3 V).
Capacitatea minimă (Cm) Capacitatea diodei, la tensiunea maximă de semnal (de obicei, 25 V).
Diodele varicap funcţionează în regim de polarizare inversă. Aceste componente se

comportă ca şi condensatoarele variabile pentru ca factorul de pierderi să fie cât mai mic, este
necesar ca rezistenţa internă să fie cât mai mare. Această condiţie este îndeplinită numai la
polarizări inverse.
58
Tensiunea UD poate să ia valori în domeniul (0, VR), unde VR este tensiunea de străpungere.
Dependenţa grafică dintre tensiunea la bornele diodei şi capacitatea acesteia este prezentată în
figura:
Utilizări:
a). la multiplicatorul de frecvenţă;
b). la schimbătoarele de frecvenţă;
c). amplificatoare parametrice;
d). la variaţia comandată a frecvenţei de rezonanţă a circuitelor oscilante, înlocuind
condensatorul variabil printr-o diodă varicap.
Nota: Varicap vine de la Variable Capacitor (condensator variabil). Atunci când sunt polarizate invers, capacitatea
electrică a diodelor variază odată cu tensiunea. Asta înseamnă că, în polarizare inversă, diodele pot fi folosite ca şi
condensatoare variabile controlate nu de vreun buton mecanic ci de o tensiune electrică (ce poate veni de exemplu de la
un microprocesor). Diodele varicap sunt optimizate acestui scop. Este vorba de valori mici, însă iscusit folosite pot de
exemplu să înlocuiască funcţia condensatorului variabil cu care acum 20 de ani căutam frecvenţa postului radio dorit.
Dioda de comutaţie
În circuitele de impulsuri joncţiunea ―p-n‖ se utilizează în regim de comutaţie
(întrerupătoare comandate). Schema de principiu este prezentată în figura 12.
―K‖ → 1 → P.D.
―K‖ → 2 → P.I.
―R‖ are valoare mare, pentru protecția joncţiunii.
a). Regimul de comutaţie directă (“K” trece din poziţia 2 → 1):

Observaţie: la P.I., regiunea de trecere are grosime mare (sarcina spaţială are valoare mare);
la P.D., regiunea de trecere are grosime mică (sarcina spaţială are valoare mică).
Trecerea de la P.I. la P.D. implică ―extragerea‖ unei părţi din sarcina spaţială a regiunii de
trecere. Extragerea acestei sarcini necesită un timp ―δ‖ şi poate fi comparat cu descărcarea
capacităţii barierei. În acest regim apare o acumulare de purtători minoritari de sarcină în regiunile
―p‖ şi ―n‖. Această acumulare necesită un anumit timp (fig. 13).
Fig. 13
b). Regimul de comutaţie inversă (“K” trece din poziţia 1 → 2):
În regimul de comutaţie directă, în regiunile ―p‖ şi ―n‖ s-au stocat un număr de purtători de
sarcini electrice. Traversând joncţiunea, aceştia devin purtători minoritari şi adăugându-se celor
deja existenţi, creează un surplus de purtători minoritari, care nu pot fi asimilaţi prin procesul de
recombinare.
Trecând brusc de la polarizarea directă la polarizarea inversă, prin diodă trebuie să circule
curent invers; mărimea curentului invers, depinde, după cum se ştie, de concentraţia purtătorilor
minoritari din cele două cristale (extracţie de minoritari); şi cum în momentul comutaţiei această
59
concentraţie este mare (datorită injecţiei de purtători minoritari din timpul polarizării directe),
rezultă imediat după comutaţie un curent invers mare ―imax‖ şi o rezistenţă inversă mică.
În decursul timpului (t > t0), în cele două cristale concentraţia minoritarilor în exces scade
treptat datorită recombinărilor acestora, cât şi datorită faptului că minoritarii trec prin joncţiune
formând curentul invers al acesteia, de aceea la un moment t1 > t0, concentraţia de minoritari din
cele două cristale scăzând, ajunge la valoarea normală, corespunzătoare procentului de dotare cu
impurităţi (existent înainte de polarizarea directă), iar curentul şi rezistenţa inverse se stabilesc la
valorile de regim (curent mic şi rezistenţă mare).
Timpul de comutaţie inversă (tC.I.) este mai mare (≈5·10-5 s) decât timpul de comutaţie
directă (tC.D.≈10-7÷10-5 s).
Fig. 14
Diodele de impulsuri trebuie să treacă mai repede din starea de blocare în starea de saturaţie
şi invers. ―tC.I.‖ limitează funcţionarea diodelor de comutaţie, depinzând de timpul de viaţă al
minoritarilor.
Dioda cu contact punctiform

Sunt dispozitive semiconductoare obţinute prin asocierea unei plăcuţe de semiconductor cu un vârf
metalic ascuţit (Wolfram sau Molibden) ce apasă pe acesta.
Structura dispozitivului este prezentată în figura următoare:
Plăcuţa de semiconductor poate fi de ―Ge‖ sau ―Si‖, de tip ―n‖, cu o suprafaţă de 1÷2 mm2, bine
şlefuită pentru a se micşora suprafaţa de contact dintre vârful de Wolfram şi aceasta. Contactul
trebuie să reziste la şocuri şi vibraţii.
Dioda este supusă unor impulsuri de
curent ce pot avea intensitatea până la 1 A şi
durata ti=(10-2÷10-3) secunde. Impulsul de
formare încălzeşte puternic locul contactului
şi face ca o zonă restrânsă de semiconductor
impurificat ―n‖ din zona de contact să fie
sărăcită de purtători de sarcină, ceea ce
echivalează cu schimbarea tipului de
conductivitate. Se formează astfel, o zonă
(microjoncţiune) cu o suprafaţă foarte redusă
(10-4 mm2) şi o grosime mică (10-6 mm), de o
formă aproximativ semisferică, şi deci o
capacitate de joncţiune < 1 pF. Suprafaţa
mică a microjoncţiunii face ca aceste diode să suporte curenţi mici (câteva zeci de mA), în condiţii
normale de exploatare (vezi fig. 11).
60
Aceste diode sunt utilizate în domeniul frecvenţelor foarte înalte, ca detectoare, ca

schimbătoare de frecvenţă sau multiplicatoare de frecvenţă, fiind denumite uneori şi diode de
semnal.
61
Dioda luminiscentă (LED)
LED (Light Emitting Diode) - este o diodă care are proprietatea de a emite lumină atunci când este
polarizată direct.
Simbolul unui Led
Structura constructivă a unui led

LED-ul este construit dintr-o structură semiconductoare pn cu suprafaţă foarte mică (figura
1.a) care emite lumină.
Figura 1.Structura constructivă a unui LED
Această structură se realizează din aliaje semiconductoare speciale. La construcţia structurii

semiconductoare nu se utilizează siliciu sau germaniu deoarece se încălzesc şi nu emit bine lumină.
Această structură care mai poartă denumirea de diodă este amplasată într-o cupă
reflectoare (figura 1.b) şi este conectată la terminalele diodei ( ANOD şi CATOD). Toate aceste
elemente sunt încapsulate. Aceste capsule se realizează din răşini sintetice de diverse culori şi sub
diverse forme.
Culoarea radiaţiei luminoase depinde de aliajul utilizat la realizarea structurii

semiconductoare:
 roşu, infraroşu - AlGaAs (Aluminiu - Galiu - Arsen);
 verde - AlGaP (Aluminiu - Galiu - Fosfor);
 roşu-orange, orange, galben, verde - AlGaInP (Aluminiu-Galiu-Indiu-Fosfor);
 roşu, roşu-orange, orange, galben - GaAsP (Galiu - Arsen - Fosfor);
 roşu, galben, verde - GaP (Galiu - Fosfor);
 verde, verde-smarald, albastru - GaN (nitrură de galiu);
 ultraviolet apropiat, albastru-verzui, albastru - InGaN (nitrură indiu-galiu);
 albastru - ZnSe (zinc-seleniu);
 Utraviolet - Diamant (C) (Carbon);
 de la ultraviolet apropiat pana la ultraviolet Îndepărtat-AIN, Al GaN (nitruri Al, Ga).
Funcţionarea LED-ului - între semiconductorul de tip N şi semiconductorul de tip P al diodei

LED-ului se formează o joncţiune PN. La frontiere joncţiunii electronii difuzează din partea N în
62
partea P şi se recombină cu golurile de aici, iar golurile difuzează din parte P în partea N şi se
recombină cu electronii de aici. În consecinţă se formează o regiune sărăcită de purtători, în
care nu există nici electroni liberi şi nici goluri libere, ce formează o barieră care nu mai permite
recombinarea electronilor din partea N cu golurile din partea P.
Prin polarizarea directă a joncţiuni PN, bariera creată de regiunea sărăcită de purtători este
străpunsă, electronii din partea N sunt atraşi către terminalul pozitiv al sursei de alimentare iar
golurile din partea P sunt atrase către terminalul negativ al sursei de alimentare. Atât electronii cât
şi golurile ajung în regiunea sărăcită de purtători unde se recombină şi eliberează energie sub formă
de căldură şi lumină. La LED-uri, prin construcţia acestora, majoritatea combinărilor electron-gol
eliberează fotoni sub formă de lumină în spectrul vizibil. Acest proces se numeşte
electroluminescenţă.
Intensitatea radiaţiilor luminoase produse de LED sunt direct proporţionale cu intensitatea
curentului direct prin joncţiunea PN a LED-ului.
Un LED emite lumină într-un anumit domeniu de lungimi de undă (în funcţie de aliajul
utilizat la construcţia diodei LED-ului). Lungimea de undă (λ) este exprimată în nanometri (nm) şi
încadrează lumina în spectrul vizibil sau invizibil:
λ = 460 nm- lumină albastră (400nm - 540 nm)
λ = 540 nm-lumină verde (460 nm - 620 nm)
λ = 590 nm - lumină galbenă (520 nm - 680 nm)
λ = 660 nm - lumină roşie ( 580 nm - 740 nm)
λ = 940 nm - radiaţie invizibilă (infraroşu) (740 nm - 20.000 nm)
Figura 2. Spectrul radiațiilor electromagnetice

Parametrii electrici ai LED-urilor:
a) Curentul direct (IF) - reprezintă curentul maxim suportat de LED la polarizare directă.
Valoarea maximă a acestui curent este de 50 mA pentru LED-urile ce emit în spectrul vizibil
respectiv 100 mA pentru LED-urile ce emit în infraroşu.
În majoritatea cazurilor se alege IF = 20 mA;
b) Tensiunea directă (VF) - reprezintă tensiunea ce trebuie aplicată la bornele LED-ului pentru
ca acesta să emită radiaţii luminoase. Valoarea acestei tensiuni variază între 1,6 V şi 4,5 V, în
funcţie de culoarea luminii emise;
c) Tensiunea inversă (VR) - reprezintă tensiunea maximă inversă care o poate suporta LED-ul
fără a se distruge (tipic 3V - 10V).
Tabelul 1.
TENSIUNE DIRECTA CURENT DIRECT
Culoare LED
TIPIC MAXIM TIPIC MAXIM
ROŞU 1,6 V 2V 10 mA 20 mA
VERDE 2.2 V 3V 10 mA 20 mA
63
GALBEN 2.2 V 3V 10 mA 20 mA
ALBASTRU 3.8 V 4.5 V 20 mA 20 mA
Caracteristica statică a LED-ului IF = f(UF)
Figura 3. Caracteristica statică de ieşire a LED-ului
64
Marcarea diodelor
Codificarea în cadrul sistemului european poate cuprinde:
• două litere - trei cifre - o literă - pentru componente de uz curent;
• trei litere - două cifre - o literă - pentru componente de uz profesional.
Semnificaţia acestor caractere este următoarea:
1. prima literă indică materialul din care este realizat dispozitivul, astfel: A-germaniu;
B - siliciu; C - arseniură de galiu (GaAs); R- material cu structură complexă.
2. a doua literă indică funcţia de bază a dispozitivului:
A - diodă de mică putere;
B - diodă varicap;
C - tranzistor de joasă frecvenţă, de mică putere;
D - tranzistor de joasă frecvenţă, de putere;
E-diodă tunel;
F - tranzistor de înaltă frecvenţă, de mică putere;
L - tranzistor de înaltă frecvenţă, de putere;
N - optocuplor;
R - tiristor de mică putere;
S - tranzistor de comutaţie, de mică putere;
T-tiristor de putere;
U - tranzistor de comutaţie, de putere;
Y - diodă redresoare de putere;
Z - diodă Zener.
3. cifrele indică numărul de serie;
4. ultima literă indică varianta constructivă.
Codificarea în cadrul sistemului american este de forma: cifră -N- număr de serie - sufix.
Cifra este egală cu (numărul terminalelor - 1), cu excepţia dispozitivelor optoelectronice,
codificare cu 4N sau 5N.
Marcarea se face printr-o succesiune de litere şi cifre imprimate pe capsula diodei . În

cazul diodelor de mică putere este marcat catodul printr-o bandă colorată , iar în cazul diodelor de
putere mare este marcat şi simbolul diodei orientat în mod corespunzător.
Marcare
Pe capsula diodei se marchează catodul printr-o bandă colorată şi codul diodei.
Unul dintre cele mai utilizate coduri pentru diodele Zener și varicap este prezentat în exemplul de
mai jos.
10DZ 6V8 BA157A

10 – Puterea disipată PD=10W B – materialul de bază
DZ – Tipul Diodei (Diodă Zener) A – Funcția de bază
6V8 – Tensiunea de stabilizare UZ=6,8V 157 – numărul de serie
A – indicații
Folosind fila de catalog prezentata in Anexe, sa se determine valorile parametrilor pentru

diodele al căror cod este specificat în tabelul 1.
65
Tabelul 1
66
1.Trasarea caracteristicii statice de funcționare pentru dioda redresoare

- Se realizează pe platforma de laborator, schema din figura de mai jos:
- Se alimentează circuitul la sursa de alimentare E, cu tensiune reglabilă. Se reglează succesiv

tensiunea sursei de alimentare pentru a obține valorile de curent din tabelul de mai jos și se notează
fiecare valoare de tensiune în tabelul 1.
Tabelul 1
UD(V) 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
ID(mA) 1,77μ 0,011m 0,078m 0,153m 0,683m 0,968m 3,993m 0,020A 0,040A
- Se trasează caracteristica statică de funcționare a diodei redresoare polarizată direct în planul

ID=f(UD), pe o coală de hârtie milimetrică, unind fiecare punct de coordonate (ID,UD)
67
2.Trasarea caracteristicii statice de funcționare pentru dioda stabilizatoare

- Se realizează pe platforma de laborator, schema din figura de mai jos:
U3
R1 + -
5.027m A
1kΩ
DC 1e-009Ohm
+ U2 D1
V1 4.972 V DC 10MOhm 5V
10 V + U1 -
10.000 V DC 10MOhm
-
- Se alimentează circuitul la sursa de alimentare E, cu tensiune reglabilă. Se reglează succesiv

tensiunea sursei de alimentare pentru a obține valorile de curent din tabelul de mai jos și se notează
fiecare valoare de tensiune în tabelul 2.
Tabelul 2
UA(V) 2 4 4,8 4,9 5 5,1 5,2 5,5 6 8
Uz (V)
Iz (mA)
- Pe baza datele din tabelul 2, formează o concluzie cu privire la valorile tensiunii Uz
- Se trasează caracteristica statică de funcționare a diodei stabilizatoare în planul Iz=f(Uz), pe o
coală de hârtie milimetrică, unind fiecare punct de coordonate (Iz,Uz)
68
Identificarea terminalelor unui led
1.Identificarea terminalelor unui LED se face vizual sau prin măsurare cu mulţi metrul.
a) identificarea vizuală (figura 1.a) ANODUL (+) este terminalul mai lung sau mai subţire. Dacă
capsula este rotundă şi prezintă o teşitură, în dreptul teşituri este CATODUL (-) LED-ului.
Figura 1. Identificarea terminalelor unui led
b. Identificarea terminalelor prin măsurare cu mulţi metrul se face astfel:
se fixează comutatorul muftimetrul pe poziția
se activează butonul iar pe display în stânga-sus trebuie să apară

se fixează tastele multimetrului la terminalele LED-ului în sensul în care acesta indică tensiune
(figura 1.b). În această situaţie, terminalul LED-ului pe care este tasta + a multimetrului va fi
ANODUL (+) LED-ului; dacă se schimbă polaritatea tastelor la terminalele LED-ului, multimetrul
indică 0V(.OL) (figura1.c).
2.Conectarea unui led în circuit

Un LED se conectează într-un arcuit electric, întotdeauna în serie cu un rezistor care
limitează valoare intensităţii curentului prin LED.
Calculul rezistenţei rezistorului R (conectat în serie cu LED-ul).
1. Din datele de catalog ale LED-ului rezultă: VF=1,7V; IF = 20mA
2. Alegem tensiunea de alimentare Ucc =15V și curentul prin LED
ILED=16mA
3. Trebuie să calculăm rezistența R=?
4.
5. Alegem R= 820Ω (valoare standard)
69
Tema 3. S4. Tranzistorul Bipolar
1.Tranzistorul bipolar - este un dispozitiv electronic realizat din material semiconductor,
format din trei regiuni (EMITOR, BAZĂ, COLECTOR) separate prin două joncţiuni pn. În funcţie
de tipul regiunilor, tranzistoarele bipolare se împart în două categorii: NPN și PNP.
Tranzistorul se numește bipolar, deoarece funcționarea sa se bazează pe participarea la
conducția curentului electric a două tipuri de purtători de sarcină electrică, de semn diferit:
electronii, respectiv golurile.
Două tranzistoare cu caracteristici identice, dar de tipuri diferite se numesc tranzistoare
complementare
Structura şi simbolul tranzistorului bipolar
Simbol Structura internă Analogie Polarizare
NPN
PNP
Săgeata din simbol corespunde joncțiunii pn emitor-bază. Vârful săgeții este îndreptat,
întotdeauna, de la zona p spre zona n. Ea arată și sensul pozitiv al curentului electric prin tranzistor
(de la + la -)
Emitorul are rolul de a injecta purtători în bază (analog catodului din tuburile electronice).
Colectorul captează electronii injectaţi (rolul anodului din tuburile electronice). Baza controlează,
comandă curenţii emitorului şi colectorului.
2.Mărimile electrice ale tranzistorului bipolar
La nivelul tranzistorului apar 6 mărimi electrice:
 3 curenţi – curenţii prin cele 3 terminale:
o iE – curentul de emitor
o iB – curentul de bază
o iC – curentul de colector
 3 tensiuni – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
o UBE – tensiunea bază-emitor
o UBC – tensiunea bază-colector
o UCE – tensiunea colector-emitor
70
3.Clasificarea tranzistoarelor:
1). După natura semiconductorului: cu ―Ge‖ sau cu ―Si‖;
2). După tipul conductivităţii: ―pnp‖ sau ―npn‖;
3). După puterea disipată (―Pd‖) pe colector: de mică putere (Pd ≤ 0,25W) sau de mare putere
(Pd > 0,25W);
4). După gama de frecvenţă de lucru:
– joasă frecvenţă ―JF‖ (f < 100 kHz) în circuite audio și de control al puterii.
– înaltă frecvenţă ―ÎF‖ (f > 100 kHz). În domeniul radio-TV, circuite de microunde, comutație.
4. Principiul de funcționare al tranzistoarelor bipolare:

În funcţionare normală, joncţiunea emitor-bază este polarizată direct, iar joncţiunea
colector-bază este polarizată invers.
 Joncţiunea emitor-bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent direct (curent de
difuzie) IE mare în raport cu curentul invers (rezidual) şi, într-o plajă largă de curenţi, UEB ≈ const,
cu valori tipice de 0,6-0,8 V (Si) sau de 0,2-0,3 V (Ge).
 Joncţiunea colector-bază, fiind polarizată invers, este caracterizată de un curent propriu,

invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor, pentru tranzistoarele de siliciu, şi de ordinul
microamperilor, pentru tranzistoarele de germaniu.
Fig.1. Polarizarea joncţiunilor în regim activ normal

Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncţiuni. Pentru aceasta,
trebuie satisfăcute două condiţii:
1. joncţiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică impurificarea emitorului să fie
mult mai puternică decât cea a bazei;
2. baza să fie foarte subţire, astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să ajungă
practic în totalitate în regiunea de trecere a colectorului. Pentru a înţelege mai uşor funcţionarea
tranzistorului, vom considera un tranzistor npn, în conexiunea bază comună
Fig.2.Reprezentarea curenţilor printr-un tranzistor npn funcţionând în regim activ normal
 Joncţiunea emitor - bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent determinat de
purtătorii de sarcină majoritari, în exemplul de mai sus, de electroni. Apare, astfel, un curent de
difuzie a electronilor din emitor în bază.
 Întrucât baza este foarte subţire, cea mai mare parte a purtătorilor de sarcină care formează
curentul de emitor reuşesc să o străbată şi să ajungă în colector, formând curentul de colector.
 Un număr mic de electroni proveniţi din emitor se recombină cu golurile majoritare din bază
şi formează curentul de recombinare ir.
 Este evident că valoarea curentului de colector este apropiată de cea a curentului de
emitor.
71
 Joncţiunea colectorului, polarizată invers, este străbătută şi de un curent propriu, de câmp,
format din purtătorii generaţi pe cale termică, ICB0. (curent invers de colector el depinde foarte
mult de temperatură)
 Tranzistorul transferă curentul dintr-un circuit cu rezistenţă de intrare mică, într-un circuit
cu rezistenţă de ieşire foarte mare. De aici şi denumirea de tranzistor (transfer rezistor = rezistenţă
de transfer).
5. Ecuațiile fundamentale ale tranzistorului

Prima ecuație fundamentală a tranzistorului:
iE=iC+iB
a doua ecuație fundamentală a tranzistorului în conexiune bază comună:
ICE=αiC+iCB0
α – se numește factor de amplificare în curent în conexiunea bază comună.
a doua ecuație fundamentală a tranzistorului în conexiune emitor comun:
ICE=βiB+iCE0
β - se numește factor de amplificare în curent în conexiunea emitor comun, este de ordinul zecilor
sau al sutelor. De asemenea, curentul rezidual este mult mai mare (ICE0>>ICB0 )devenind important
la tranzistoarele cu siliciu la temperaturi înalte, iar la cele cu germaniu, chiar și la temperatura
camerei.
6. Conexiunile tranzistorului bipolar
Conexiunea BC Conexiunea CC Conexiunea EC

IE IC
IC
IE
IB IB
Două mărimi de intrare: iE și uEB Două mărimi de intrare: iB și uBC Două mărimi de intrare: iB și uBE
Două mărimi de ieșire: iC și uCB Două mărimi de ieșire: iE și uEC Două mărimi de ieșire: iC și uCE
7. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezintă dependenţa dintre curenţii ce trec prin
terminalele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la aceste terminale.
Dacă pentru descrierea diodei în curent continuu era suficientă caracteristica curent-
tensiune, în cazul tranzistorului se folosesc trei tipuri de caracteristici:
 De intrare: Uint = f (Iint) unde Uieş = constant; reprezintă dependența dintre mărimile de
intrare;
 De transfer: Iieş = f (Iint) unde Uieş = constant; reprezintă dependența dintre mărimile de
ieșire și o mărime de intrare;
 De ieșire: Iieş = f (Uieş) unde Iint = constant; reprezintă dependența dintre mărimile de ieșire.
Notă Pentru fiecare dintre conexiunile tranzistorului corespund alte mărimi de intrare,
respectiv de ieşire, deci caracteristicile vor fi diferite pentru fiecare tip de conexiune. Astfel, pentru
un anumit tranzistor, va exista, de exemplu, caracteristica de intrare în conexiunea emitor comun
diferită de caracteristica de intrare în conexiunea colector comun.
În continuare, vom considera un tranzistor de tip npn, în conexiune emitor comun (figura 4.a).
Montajul pentru trasarea caracteristicilor este prezentat în figura 4.b.
72
IC
IB
E1 E2
Figura 4.a. Figura 4.b.
 Caracteristica de intrare constă în reprezentarea grafică a variaţiei curentului de intrare, în funcţie de

tensiunea de intrare, (figura 5).
Privit dinspre intrare, tranzistorul în conexiune emitor comun se prezintă ca o joncţiune pn
polarizată direct. Ca urmare, caracteristica de intrare este asemănătoare cu caracteristica
exponenţială a unei diode. Astfel, curentul IB devine semnificativ numai după ce tensiunea UBE
atinge valoarea tensiunii de prag de deschidere a joncţiunii BE. Odată atinsă această valoare,
curentul creşte rapid, în timp ce tensiunea UBE rămâne practic constantă.
Figura 5. Caracteristica de intrare
 Caracteristicile de transfer constau în reprezentarea grafică a variaţiei curentului de ieşire IC,

în funcţie de tensiunea de intrare, UBE (figura 6.a), sau în funcţie de curentul de intrare, IB (fig. 6.b).
Aspectul acestor caracteristici este justificat de cea de a doua ecuaţie fundamentală a
tranzistorului: IC=αIC+ICB0
Caracteristica de transfer iC=iC(uBE) pentru uCE= constant (figura 6.a) are aceeaşi alură ca şi
caracteristica de intrare, respectiv IC ereşte exponenţial cu tensiunea UBE
Caracteristica de transfer iC = iC(iB) pentru uCE = constant (figura 6.b) este aproximativ liniara.
Figura 6. Caracteristicile statice de transfer

 Caracteristici de ieşire
În figura 7 este prezentată familia caracteristicilor de ieşire ic= WJ, pentru diferite valori ale
curentului de intrare, lB.
Se observă că, după o creştere rapidă, curentul de colector se stabileşte la o valoare
aproximativ constantă.
73
Figura 7. Caracteristici statice de ieşire
În cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare și caracteristica de

ieșire, deoarece aceste caracteristici sunt mai importante. Pe caracteristica de ieșire se pot determina
regiunile de funcționare a tranzistorului și se poate trasa dreapta de sarcină.
Figura 5. Caracteristica de ieșire a tranzistorului bipolar în conexiune EC
Pe caracteristica de ieşire se disting trei regiuni:

- Regiunea de saturaţie - tranzistorul funcţionează în regim de saturaţie şi este caracterizat
prin curent de colector foarte mare şi tensiune colector-emitor foarte mică;
- Regiunea de blocare - tranzistorul funcţionează în regim de blocare şi este caracterizat prin
curent de colector foarte mic şi tensiune colector-emitor foarte mare;
- Regiune activă normală - tranzistorul funcţionează în regim activ normal şi este
caracterizat prin curent de colector mare şi tensiune colector-emitor mică; Pe graficul caracteristicii
de ieşire dacă se uneşte punctul de blocare (Vcc) cu punctul de saturaţie (Ic sat)) se obţine dreapta de
sarcină în curent continuu. De-a lungul dreptei de sarcină între cele două puncte se află regiunea
activă normală de funcționare a tranzistorului. La intersecţia unei caracteristici de ieşire cu dreapta
de sarcină se află punctul static de funcţionare (PSF).
8. Parametrii tranzistorului bipolar
 Tensiunile maxime între terminalele: VCB, VBE, VCE
 Curentul maxim de colector și bază ICM, IBM,
 Puterea disipată Ptot
 Temperatura maximă a joncțiunii TjM (1750C-2000C)
 Factorul de amplificare în curentul de bază în colector βCC - reprezintă raportul dintre
curentul continuu prin colector Ic și curentul continuu prin bază IB. βCC = Ic/ IB.
 În practică se recomandă încărcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile de catalog ale
acestor parametrii.
74
Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar în funcție de tipul capsulei
1. Tranzistoare de uz general în capsulă metalică – la majoritatea tranzistoarelor din această

categorie Emitorul este terminalul de lângă cheiță, Colectorul este în partea opusă iar Baza este în
mijloc. Terminalele sunt dispuse sub forma unui triunghi echilateral.
Fig.1 capsulele de metal pentru tranzistoare de uz general

2. Tranzistoare de uz general în capsulă din material plastic – tranzistoarele din această
categorie terminalele sunt dispuse ca în figura 2, dar sunt si familii de tranzistoare din această
categorie la care Emitorul ți colectorul sunt dispuse invers față de cum sunt prezentate în figura 2.
Primele două sunt identice ca formă (TO-92), dar au dimensiuni diferite, tranzistorul pnp (b)
fiind mai mare decât cel npn (a). Ultima capsulă, SOT-23 (c), este pentru un tranzistor folosit în
tehnologia SMD (dispozitive montate pe suprafaţă). Dimensiunile capsulelor din figură nu sunt cele
reale.
Fig.2. Capsule din material plastic pentru tranzistoare de uz general

3. Tranzistoare de putere – la tranzistoarele din această categorie Colectorul este conectat la partea
metalică a tranzistorului. La majoritatea tranzistoarelor din această categorie terminalele sunt
dispuse liniar iar colectorul este în mijloc. La tranzistoarele care au numai 2 terminale (vezi
2N3055). Colector este corpul metalic al tranzistorului.
Fig.3. a-capsulă metalica; b,c,d,e capsule ceramice cu radiatoare atașate,

f- tranzistor de putere montat pe suprafața SMD
Figura 4. Capsule pentru tranzistoare de RF

75
Identificarea terminalelor unui tranzistor bipolar prin măsurarea rezistenţei electrice a joncţiunilor.
OBIECTIVE:
Verificarea tranzistorului bipolar;
Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar cu multimetru digital.
RESURSE:
Multimetru digital;
Tranzistoare bipolare BC 546 şi BC 547.
DESFĂŞURAREA LUCRĂRII:
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului prin această
metodă se parcurg 3 etape:
în prima etapă se identifică baza tranzistorului:
Fig.1. Structura tranzistoarele bipolare cu diode
Din structura tranzistoarelor cu diode se observă că rezistenţele electrice între bază şi

celelalte două terminale ale tranzistorului trebuie să fie egale, într-un sens au valoare mică iar în
sens opus au valoare foarte mare. Prin cele două sensuri se înţelege modul de plasare a tastelor
multimetrului faţă de terminalele tranzistorului (într-un sens se plasează cu borna plus pe bază iar în
celălalt sens se plasează cu borna minus pe bază).
Se fixează comutatorul unui multimetru digital pe poziţia Ω (pentru măsurarea rezistenţei
electrice).
Se plasează o tastă a multimetrului pe unul din terminalele tranzistorului iar cu cealaltă tastă
se măsoară rezistenţele electrice faţă de celelalte două terminale. Dacă rezistenţele electrice sunt
aproximativ egale (într-un sens rezistenţe mici iar în celălalt sens rezistenţe foarte mari) tasta
multimetrului este plasată pe baza tranzistorului.
Fig.2.identificarea bazei tranzistorului
în a doua etapă se identifică tipul tranzistorului:

Se plasează o tastă a multimetrului pe bază şi cealaltă tastă pe unul din celelalte două
terminale ale tranzistorului în sensul în care multimetrul indică rezistenţă mică. Dacă pe BAZĂ este
tasta COM (MINUS) tranzistorul este de tip PNP Dacă pe BAZĂ este tasta PLUS tranzistorul este
de tip NPN
76
Deoarece BAZA este în mijloc, se pune în mijloc litera corespunzătoare polarităţii care este pe bază
(N pentru MINUS şi P pentru PLUS) iar pe margini literele corespunzătoare celeilalte polarităţi (doi
de P sau doi de N) şi astfel se obţine PNP sau NPN.
Fig. 3. Identificarea tipului de tranzistor (PNP sau NPN)

1. în a treia etapă se identifică Emitorul şi Colectorul:
Rezistenţa electrică dintre Bază şi Emitor este întotdeauna mai MARE decât rezistenţa
electrică dintre Bază şi Colector.
Se plasează o tastă a multimetrului pe bază iar cu cealaltă tastă se măsoară şi se notează
valoarea rezistenţelor faţă de celelalte două terminale. Terminalul faţă de care rezistenţa este mai
mare va fi Emitorul tranzistorului iar celălalt Colectorul tranzistorului.
Rezistenţa BAZĂ-EMITOR este mai

MARE decât rezistenţa BAZĂ-
COLECTOR.
La tranzistorul BC 547 de tip NPN:
RBE = 5,32 MΩ
RBC = 5,17MΩ
RBE > RBC
Fig.4. Identificarea EMITORULUI şi COLECTORULUI

a. Funcţionarea tranzistorului NPN. La acest tip de tranzistor purtătorii majoritari sunt electronii.
Figura 1. Prezentarea funcţionării tranzistorului NPN
Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopată cu electroni liberi. Regiunea de tip p a
bazei este foarte subţire şi slab dopată cu goluri. Prin polarizarea directă a joncţiunii BE electronii
din regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei. Aici un
procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din bază şi formează curentul de bază. Prin
polarizarea inversă a joncţiunii BC majoritatea electronilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt
atraşi către regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului, formându-se astfel
curentul de colector.
b. Funcţionarea tranzistorului PNP. La acest tip de tranzistor purtătorii majoritari sunt golurile.
77
Figura 2. Prezentarea funcţionării tranzistorului PNP

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopată cu goluri. Regiunea de tip n a bazei este
foarte subţire şi slab dopată cu electroni. Prin polarizarea directă a joncţiunii BE golurile din
regiunea emitorului difuzează cu uşurinţă prin joncţiunea BE către regiunea bazei. Aici un procent
foarte mic de goluri se combina cu electronii din bază şi formează curentul de bază. Prin polarizarea
inversă a joncţiunii BC majoritatea golurilor difuzează prin joncţiunea BC şi sunt atraşi către
regiunea colectorului de către tensiunea de alimentare a colectorului, formându-se astfel curentul de
colector.
78
Simulare cu ajutorul calculatorului
Caracteristica statică de ieşire a tranzistorului bipolar
OBIECTIVE:
- Trasarea caracteristicii statice de ieşire în funcţie de valorile măsurate în circuitul simulat;
- Analiza comportamentului tranzistorului bipolar pe baza caracteristicii statice de ieşire.
RESURSE:
- Calculator;
- Program de simulare scheme electronice.
DESFĂŞURAREA LUCRĂRII:
1. Se realizează cu simulatorul schema din figura 1.
DC 1e-009Ohm Q2 DC 1e-009Ohm
P1 R1 + - - + R2
A 0.019m 0.578m A
E1 A2
3.3kΩ 330Ω
9V 100kΩ A1 2N1711
11%
Key=A + + E2
0.744 V 0.109 V 0V
- -
V1 V2
DC 10MOhm DC 10MOhm
2. Se reglează sursa E1 la valoarea de 9 V, valoare care se menţine constantă;

3. Se reglează potenţiometrul P1 astfel încât curentul IB = 20 mA;
4. Se reglează sursa E2 şi dacă este cazul şi potenţiometrul P1 astfel încât să se stabilească valorile
UCE indicate în tabelul 1;
5. Se reglează potenţiometrul P1 astfel încât curentul IB = 40 PA;
6. Se reglează sursa S2 (şi dacă este cazul şi potenţiometrul P) astfel încât să se stabilească valorile
7. Se reglează potenţiometrul P1 astfel încât curentul IB = 60 PA;
8. Se reglează sursa S2 (şi dacă este cazul şi potenţiometrul P) astfel încât să se stabilească valorile
Tabelul 1
IB[mA] UCE[V] 0 0,1 0,3 0,5 1 3 5
20 Ic[mA] 0 0,045 0,578 1,098 1,569 1,878 2,188
40 Ic[mA] 0 0,041 0,611 1,181 2,595 4,132 4,815
60 Ic[mA] 0 0,039 0,618 1,200 2,653 5,922 6,901
9. Punctele de coordonate IC ți UCE se reprezintă în sistemul de axe de coordonate din figura 2.
10. Se unesc punctele reprezentate pentru fiecare valoare a curentului de bază IB obținându-se
caracteristicile statice de ieșire a tranzistorului bipolar IC=f(UCE)|IB=ct
79
Tema 3. S5. Tranzistorul cu efect de câmp (unipolar)
1.Tranzistorul cu efect de câmp (unipolar) –este un dispozitiv semiconductor care utilizează un
singur tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri) care circulă printr-un canal semiconductor.
Dacă la tranzistoarele bipolare controlul conductivităţii se realizează prin variaţia unui
curent între emitor şi bază, la tranzistoarele unipolare controlul conductivităţii se realizează prin
variaţia unei tensiuni aplicate unui electrod de comandă numit grila sau poartă (cu rol asemănător
bazei TB). Tranzistoarele unipolare poartă numele de tranzistoare cu efect de câmp TEC (cunoscut
şi sub numele FET - Field Effect Transistor).
Funcţionarea tranzistoarelor cu efect de câmp se bazează pe modificarea conductibilităţii
unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui câmp electric creat de
tensiunea aplicată electrodului de comandă (grilă sau poartă). Controlul curentului electric de către
un câmp electric se numeşte efect de câmp.
2. Clasificarea tranzistoarelor unipolare

a. După modul de realizare a canalului (în volum sau la suprafaţă), tranzistoarele cu efect de câmp
se împart în două categorii:
 tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune (TEC-J);
 tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TEC-MOS).
b. în funcţie de tipul de dopare al canalului, tranzistoarele TEC-J se împart în două categorii:
 TEC cu grilă joncţiune cu canal n;
 TEC cu grilă joncţiune cu canal p;
c. în funcţie de modul de realizare al canalului, tranzistoarele TEC-MOS se împart în două
categorii:
 TEC cu grilă izolată cu canal iniţial;
 TEC cu grilă izolată cu canal indus
3. Tranzistoarele cu efect de câmp au următoarele avantaje faţă de tranzistoarele bipolare :

 au o rezistenţă de intrare mare, comparabilă cu cea a tuburilor electronice(sute-mii de MΩ);
 au o tehnologie de fabricaţie mai simplă şi ocupă o arie de siliciu mai mică în structurile
integrate;
 dependenţa redusă faţă de temperatură a caracteristicilor (aici nu mai intervin purtătorii
minoritari);
 zgomot propriu redus la frecvenţe înalte;
 pot fi utilizate ca rezistenţe comandate în tensiune;
 gabarit redus
Dezavantajele acestor tipuri de tranzistoare sunt:
 nu amplifică în curent;
 amplificarea în tensiune este mai mică decât la T.B.
Tranzistorul cu efect de câmp este alcătuit din trei terminale (unele tipuri au 4 terminale) care
se numesc Drenă, Sursă, Grilă sau Poartă, (Substrat). Sursa şi Drena sunt conectate la capetele
canalului. Sursa furnizează purtătorii de sarcină iar drena colectează purtătorii de sarcină. Curentul
care circulă între sursă şi drenă se numeşte curent de drenă şi se notează cu ID. Grila controlează
curentul de drenă în funcţie de tensiunea care se aplică între grilă şi sursă UGS.
80
Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune (TEC-J);
1. Tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă(poartă) joncţiune funcţionează numai cu joncţiunea

grilă-sursă polarizată invers. TEC-J poate lucra şi cu joncţiunea grilă-sursă polarizată direct cu
condiţia ca tensiunea de polarizare să fie sub 0,5 V altfel TEC-J se distruge.
2. Simbolul şi structura tranzistorului TEC-J
TEC-J cu canal N
TEC-J cu canal P
3. Principiul de funcționare
Fig1.a. UGS < → ID > Fig1.b. UGS > → ID <
UGS este tensiunea de comandă cu care se polarizează invers joncţiunea pn grilă-sursă.

Polarizarea inversă a joncţiunii grilă-sursă cu tensiune negativă pe grilă, generează în jurul
joncţiunii pn o regiune golită care se extinde în semiconductorul mai slab dopat, în zona canalului,
mărindu-i rezistenţa prin îngustarea lui. Astfel, tranzistorul prezintă între grilă şi sursă o rezistenţă
de intrare foarte mare. Din acest considerent curentul de grilă este foarte mic (de ordinul zecilor de
nanoamperi) Lăţimea canalului, implicit rezistenţa lui, pot fi comandate prin modificarea tensiunii
grilă-sursă.
UDS este tensiunea dintre drenă şi sursă care furnizează curentul de drenă ID, care circulă
dinspre drenă spre sursă. Acest curent este comandat de tensiunea grilă-sursă.
Cu cât tensiunea grilă-sursă UGS este mai mare cu atât canalul se îngustează şi valoarea
curentului de drenă lD scade (fig.1.b).
81
4. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de câmp cu grilă joncţiune. Deoarece joncţiunea
grilă-sursă este polarizată invers, aceste tranzistoare nu au caracteristică de intrare.
În cele ce urmează se vor prezenta caracteristica de ieşire ID = f(UDS) şi caracteristica de
transfer ID = f(VGS) pentru tranzistorul BC264 care are următoarele date de catalog:
- tensiunea drenă-sursă UDS = 15V;
- tensiunea de blocare grilă-sursă VGS (blocare) = -5V; reprezintă valoarea tensiunii UGS pentru care
curentul ID≈0;
- Curentul de drenă IDSS=12mA
Fig.2. Graficele caracteristicilor de transfer şi ieşire unui TEC-J cu canal N
Pentru a trasa graficul caracteristicii de transfer trebuie determinate coordonatele ID în

funcţie de valorile -UGS. Pentru determinarea lor se utilizează formula:
Pe graficul de ieşire întâlnim VP care se numeşte tensiune de strangulare.

Aceasta reprezintă valoarea tensiunii drenă-sursă de la care curentul de drenă începe să fie
constant. VP este întotdeauna egală în modul cu VGS (blocare) şi de semn opus cu aceasta.
Pe graficul caracteristicii de ieşire se pot observa regiunile în care lucrează un TEC-J.
5. Mărimile electrice care caracterizează tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiuni sunt:

- UDS - tensiunea drenă-sursă: determină valoarea intensităţii curentului prin dispozitiv, până ce
acesta ajunge în saturaţie;
- UGS - tensiunea poartă-sursă: permite controlul valorii intensităţii curentului prin dispozitiv;
- ID - curentul de drenă: curentul prin dispozitiv;
- IG - curentul de poartă: este un curent invers este foarte mic (de ordinul nA); se poate considera
zero IG ≈0);
82
- Is - curentul de sursă: Is = ID (IG ≈0);
- Ri. - rezistenţa de intrare: foarte mare.
Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată (TEC-MOS);
1. Structura TEC-MOS diferă de structura TEC-J prin faptul că poarta (grila) tranzistorului este
izolată faţă de canal printr-un stat subţire de dioxid de siliciu (SiO2). Datorită izolaţiei realizată de
stratul de oxid, aceste tranzistoare au rezistenţa de intrare foarte mare (de ordinul 1015 Ω) şi curentul
de grilă extrem de mic (de ordinul 10-15 A).
În funcţie de modul de funcţionare sunt două categorii de TEC-MOS:

- TEC-MOS cu canal iniţial - la acest tip de tranzistoare canalul este întotdeauna prezent fiind
realizat prin mijloace tehnologice;
- TEC-MOS cu canal indus - la acest tip de tranzistoare canalul apare în condiţiile în care
tranzistorul este polarizat corespunzător.
2. Simbolul şi structura tranzistorului TEC-MOS
TEC-MOS
Structură TEC-MOS cu canal iniţial a. canal N b. canal P
Structură TEC-MOS cu canal indus a. canal N b. canal P
3. Principiul de funcţionare al dispozitivelor TEC-MOS

a. Funcţionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniţial N
Un TEC-MOS, în funcţie de modul de polarizare al grilei, poate lucra în regim de sărăcire
sau în regim de îmbogăţire. Dacă tensiunea aplicată pe grilă este negativă tranzistorul lucrează în
regim de sărăcire (fig. 3.a), iar dacă tensiunea aplicată pe grilă este pozitivă tranzistorul lucrează în
regim de îmbogăţire (fig. 3.b).
83
Fig. 3.a Fig. 3.b
b. Funcţionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal indus
La aceste tranzistoare canalul de conducţie nu este realizat constructiv (fig. 4.a). Canalul de
conducţie este indus dacă tranzistorul este polarizat corect cu o tensiune grilă-sursă mai mare decât
tensiunea de prag (fig. 4.b). TEC-MOS cu canal indus lucrează numai în regim de îmbogăţire.
Fig.4 Funcţionarea unui TEC-MOS cu canal indus N
Dacă pe grila tranzistorului se aplică o tensiune pozitivă mai mare decât tensiunea de prag,
aceasta generează pe suprafaţa substratului un strat subţire de sarcini negative în regiunea de
substrat din vecinătatea grilei. Astfel se induce un canal între drenă şi sursă a cărui conductivitate
creşte odată cu creşterea tensiunii grilă-sursă. Cu cât creşte tensiunea UGS cu atât creşte curentul ID
(fig. 4 b).
Un TEC-MOS obişnuit are canalul de conducţie îngust şi lung ceea ce duce la o rezistenţă
drenă-sursă mare. Acest lucru limitează utilizarea tranzistoarelor în circuite de curenţi mici. Pentru
utilizarea tranzistoarelor în circuite de putere trebuie modificate din construcţie dimensiunile şi
forma canalului. Prin lărgirea şi scurtarea canalului, rezistenţa lui scade, permiţând obţinerea unor
tensiuni şi curenţi mai mari.
4. Precauţii la manevrarea TEC-MOS
- Dispozitivele TEC-MOS se pot distruge foarte uşor datorită descărcărilor electrostatice. Pentru a
prevenii această situaţie trebuie luate următoarele măsuri de precauţie:
- dispozitivele TEC-MOS trebuie păstrate în ambalaj din material antistatic cu terminalele
scurtcircuitate cu staniol sau un conductor metalic subţire;
- scurtcircuitul dintre terminale se îndepărtează numai după ce tranzistorul a fost lipit;
- nu este permisă aplicarea unui semnal de intrare pe grila tranzistorului dacă circuitul în care este
acesta nu este alimentat un curent continuu.
84
- Identificarea terminalelor tranzistorului unipolar în funcție de tipul capsulei

- sa se determine valorile parametrilor tranzistoarelor unipolare
Elementele grafice ale simbolurilor au următoarele semnificaţii:

- săgeata este întotdeauna plasată pe grilă;
- săgeata este orientată întotdeauna de la P spre N;
- grila se plasează întotdeauna în dreptul sursei;
Figura 1. Dispunerea terminalelor la TEC-J
TEC-J cu canal N 1- Drenă UDS = 30V

Ptot = 300mW
2- Sursă Tj = 1500C
IDSS = 2-12mA
3- Grilă
f = 1kHz
RG = 1MΩ
TEC-MOS cu canal 1- Sursă UDS = 12V
inițial N Ptot = 300mW
2- Drenă Tj = 1500C
IDSS = 40 mA
3- Grilă 1
f = 1kHz
4- Grilă 2 IG1= ±10mA
IG2=±10mA
TEC-MOS cu canal 1- Drenă UDS = 60V
indus N Ptot = 350mW
2- Sursă Tj = -55-1500C
IDSS = 500 mA
3- Grilă
f = 1kHz
IDSS= 1mA
RDS = 6Ω
OBSERVAŢIE IMPORTANTA!
La unele tipuri de tranzistoare cu efect de câmp, terminalele pot fi dispuse altfel decât sunt
prezentate în figura de mai sus chiar dacă capsulele sunt identice. Pentru identificarea corectă a
terminalelor recomand utilizarea cataloagelor cu dispozitive TEC unde sunt prezentate dispunerea
terminalelor.
- TEC-J cu canal P sunt reprezentate inversat (cu sursa în sus) pentru ca sensul curentului de drenă
ID să fie reprezentat de sus în jos.
85
Polarizarea tranzistoarelor unipolare TEC-J și TEC-MOS
1. Polarizarea tranzistoarelor TEC-J
Prin polarizarea TEC-J se urmăreşte obţinerea unei tensiuni de comandă VGS şi a unui
curent de drenăI de valoare dorită, deci un PSF adecvat. În cele ce urmează se va trata numai
polarizarea TEC-J cu canal N, deoarece sunt cele mai utilizate în practică.
a. Polarizarea automată a unui tranzistor TEC-J cu canal N
La acest tip de polarizare joncţiunea grilă-sursă nu se
polarizează de la o sursă de tensiune separată, ea va fi
polarizată automat. Această polarizare se poate face cu
configuraţia din fig. 1
Grila se conectează la „masa‖ montajului printr-un
rezistor de valoare foarte mare pentru a izola faţă de „masă‖
semnalul de curent alternativ în circuitele de amplificare.
ID=2,573mA
UGS= UG-US=0-0,841=0,841V
PSF= (-0,84V; 2,57mA)
b. Polarizarea prin divizor de tensiune
La acest tip de polarizare joncţiunea grilă-sursă se polarizează

invers prin intermediul unui divizor rezistiv de tensiune.
Circuitul de polarizare este prezentat în fig.2.
ID=1,15mA
UGS= UG-US=1,91-3,09=1,18V
PSF= (-1,18V; 1,15mA)
2. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS.

a. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal iniţial N
Tranzistorul BF908WR are două grile deoarece are un canal inițial ți un canal indus.
UDS=UD-RD*ID
86
b. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal indus N
Date de catalog 2N7000:
UGS(prag) = 2 V
ID(cond)=75mA la VGS=4,5V
ID(cond)=500mA la VGS=10V
Valori obţinute cu simulatorul MULTISIM:

UGS = 3,13 V
ID = 64 mA
VDS = 14,37 V
87
Tema 3. S6. Dispozitive semiconductoare multijonctiune
Tiristorul
1.Tiristorul este un dispozitiv semiconductor cu trei joncţiuni, pentru comanda sau reglarea
tensiunilor sau curenţilor electrici, funcţionând ca o diodă controlată.
Tiristorul este format din patru regiuni semiconductoare de siliciu (―Si‖), de conductibilităţi
alternante P-N-P-N, care formează astfel, trei joncţiuni PN într-o suprafaţă de cristal de siliciu,
încapsulată ermetic într-o masă plastică şi protejată cu o carcasă metalică.
Structura tiristorului poate fi reprezentată printr-un circuit echivalent format din două
tranzistoare pnp şi npn conectate ca în figura 1. Tiristorul este prevăzut cu trei terminale anod (A)
conectat la prima regiune de tip P, catod (K) conectat la ultima regiune de tip N şi poartă sau grilă
(G) conectată la a doua joncțiune de tip P
2. Simbolul şi structura tiristorului
3.Principalii parametricii electrici ai tiristorului sunt:

• Tensiunea de străpungere în direct (VBR; VDRM)[V] - reprezintă valoarea tensiunii dintre
anodul şi catodul tiristorului, la polarizare directă, la care tiristorul se străpunge;
• Tensiunea inversă continuă (VR; VRM; VRRM) )[V] - reprezintă valoarea tensiunii dintre
anodul şi catodul tiristorului, la polarizare inversă, la care tiristorul se străpunge;
• Tensiunea de amorsare, de poartă (UGT) )[V] - reprezintă tensiunea pentru care tiristorul
comută din starea de blocare în starea de conducţie (amorsează) la o valoare relativ mică a tensiunii
anod - catod;
• Curentul direct de poartă de amorsare(IGT)[A] - reprezintă valoarea curentului din grila
tiristorului pentru care acesta amorsează dacă tensiunea anod-catod este pozitivă;
Obs: Toate tiristoarele la care terminalul de poartă (“P”) este conectat la regiunea “p” se
numesc “tiristoare p” şi reciproc. Spre deosebire de dioda cu siliciu obişnuită, tiristorul se
caracterizează prin aceea că prezintă rezistenţă mare chiar pe sens direct (A-K), până când nu este
deschis – adus în stare de conducţie.
Deschiderea se face în două moduri:
a). Fără aplicarea unui semnal pe poartă (caz în care tensiunea A-K trebuie mult mărită),
situaţie nerecomandată, deoarece se poate ajunge la distrugerea tiristorului prin străpungere,
fenomen apărut şi la creşterea puternică a temperaturii;
b). Aplicând un semnal (tensiune pozitivă cu amplitudine de câţiva volţi) pe poartă, anodul
fiind pozitivat în raport cu catodul.
88
4.Funcționarea tiristorului
Fig. 1. Funcţionarea tiristorului în circuit
Când curentul şi tensiunea la grila tiristorului este zero (fig. 1.a), tiristorul este blocat. Prin el
nu circulă curent şi se comportă ca un întrerupător deschis.
Dacă pe poartă se aplică un impuls pozitiv de tensiune (fig.1.b), curentul din grila tiristorului
deschide tranzistorul T2 iar prin colectorul tranzistorului T2 circulă curentul IB1 Acest curent
deschide tranzistorul T1 iar prin colectorul tranzistorului T1 circulă curentul IB2.
Curentul de colector al tranzistorului T1 suplimentează curentul de bază al tranzistorului T2
în aşa fel încât acest tranzistor să rămână în conducţie şi după dispariţia impulsului de amorsare din
grila tiristorului. Se formează o buclă în care tranzistorul T1 susţine funcţionarea tranzistorului T2,
iar tranzistorul T2 susţine funcţionarea tranzistorului T1 şi după dispariţia impulsului de amorsare
din grila tiristorului (fig. 1.c).
După amorsare, prin tiristor circulă curent şi se comportă ca un întrerupător închis. După ce
a fost amorsat tiristorul va comuta în starea de blocare numai dacă curentul anodic IA scade sub
valoarea curentului de menţinere IH.
Blocarea unui tiristor în conducţie se poate face în două moduri:
• conectarea în circuitul anodic a unui întreruptor şi deschiderea acestuia (întreruperea
curentului anodic);
• conectarea între anod şi catod, prin intermediul unui întrerupător, a unei surse de tensiune
care la închiderea întrerupătorului să polarizeze invers tiristorul (comutarea forţată).
1 = conducţie în sens direct (după aprinderea

tiristorului);
2 = blocare în sens direct (până la aprinderea
tiristorului);
3 = blocare în sensul polarizării inverse;
4 = conducţie în sens invers;
5 = comutare de la închis la deschis;
Fig. 2. Curba de funcţionare a tiristorului

89
Identificarea terminalelor tiristorului.
a. Cu multimetrul. Identific grila (G) - între grilă (G) şi catod (C) rezistenţa electrică indicată de
aparat într-un sens este mică şi în celălalt sens este mare. între grilă (G) şi anod (A) în ambele
sensuri rezistenţa electrică este foarte mare. La unele tiristoare care au o rezistenţă internă între grilă
şi catod, multimetrul va indica în ambele sensuri rezistenţă când este conectat între G şi A.
Conectez tastele aparatului în sensul în care între 2 terminale ale tiristorului rezistenţa
electrică este mică. În această situaţie terminalul pe care este tasta + a aparatului este grila G iar
terminalul pe care este tasta - a aparatului este catodul K.
b. După capsula tiristorului
Fig. 1. Identificarea terminalelor tiristorului în funcţie de tipul capsulei

C – Catod , A – Anod, G – Grilă sau Poartă
90
Simulare cu ajutorul calculatorului verificarea tiristorului în circuit
Obiective:
- Realizarea cu ajutorul simulatorului a unei scheme electronice de simulare a comportării
tiristorului în circuit;
- Analiza comportamentului tiristorului într-un circuit.
Resurse:
- Calculator;
- Program de simulare scheme electronice.
Desfăşurarea lucrării:
1. Se realizează cu simulatorul schema din fig.4 a;
Fig.4. Simularea verificării tiristorului în circuit

2. Se observă că tiristorul este blocat (lampa H nu luminează) deoarece întrerupătorul K2 fiind
deschis nu permite polarizarea grilei tiristorului;
3. Se simulează închiderea întrerupătorului K2 (fig.4.b) şi se observă că tiristorul intră în
conducţie (lampa H luminează). Curentul din grila tiristorului Ig creşte la 8,2 mA iar prin tiristor
circulă de la Anod la Catod un curent de 0,5 A;
4. Se simulează deschiderea întrerupătorului K2 (fig.4.c) şi se observă că tiristorul rămâne în
conducţie (lampa H luminează) cu toate că prin grila tiristorului nu mai circulă curent;
5. Dacă se simulează deschiderea întrerupătorului K1 tiristorul se blochează (lampa H nu mai
luminează).
Diacul
1.Diacul este format din cinci straturi succesive semiconductoare N-P-N-P-N, care după
amorsare poate conduce în ambele sensuri.
Diacul este prevăzut cu două terminale ANOD 1 (A1) conectat la prima regiune de tip N şi
ANOD 2 (A2) conectat la ultima regiune de tip N
Diacul este format din două tiristoare conectate în paralel în sensuri opuse (fig. 5). a.
Figura 5. Structura şi simbolul diacului
91
2. Funcţionarea diacului.
a. Când A1 este mai pozitiv decât A2 iar tensiunea dintre A1 şi A2 este mai mare decât
tensiunea de amorsare (întoarcere) VB0 - diacul amorsează şi conduce de la A1 spre A2 (în acest caz
conduc tranzistoarele T1 şi T2)
b. Când A2 este mai pozitiv decât A1 iar tensiunea dintre A2 şi A1 este mai mare decât
tensiunea de amorsare (întoarcere) VB0 - diacul amorsează şi conduce de la A2 spre A1 (în acest caz
conduc tranzistoarele T3 şi T4)
Diacul se blochează când curentul scade sub valoarea menţinere IH
3.Utilizarea diacului
Diacul (dioda de curent alternativ) - este utilizat în circuite de curent alternativ. Fiind un
dispozitiv de putere mică se utilizează pentru comanda tiristoarelor şi triacelor. Deoarece conduce
în ambele sensuri se utilizează în special pentru generarea impulsurilor de comandă ale triacelor.
92
Triacul
Triacul - este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu două tiristoare aşezate antiparalel în
acelaşi monocristal de siliciu. Este un tiristor simetric având conductivitate bilaterală, lăsând să
treacă curentul în două sensuri. Are doi anozi ―A1‖ şi ―A2‖ şi un electrod de comandă ―G‖. (fig.6).
Spre deosebire de tiristor, triacul poate conduce după amorsare în ambele sensuri, în funcţie
de modul de polarizare a terminalelor A1 şi A2.
2.Funcţionarea triacului.
a. Când A1 este mai pozitiv decât A2 iar pe poarta G se aplică un impuls pozitiv triacul
amorsează şi conduce de la A1 spre A2 (în acest caz conduc tranzistoarele T1 şi T2).
b. Când A2 este mai pozitiv decât A1 iar pe poarta G se aplică un impuls pozitiv triacul
amorsează şi conduce de la A2 spre A1 (în acest caz conduc tranzistoarele T4 şi T3).
3.Identificarea terminalelor triacului

a. Cu multimetrul se măsoară rezistenţa între A1 şi G. în ambele sensuri rezistenţa trebuie
să fie mică (câteva sute de ohmi). Între A2 şi celelalte 2 terminale rezistenţa electrică este foarte
mare.
b. După capsula tiristorului
Fig. Triace
93
Verificarea unui triac în circuit.
Obiective:
- Realizarea schemei de verificare a triacului cu simulatorul;
- Realizarea practică a circuitului de verificare a triacului;
- Analiza comportamentului triacului în circuit.
Resurse:
- Multimetre digitale;
- Pistoale de lipit, accesorii pentru lipit, conductoare;
- Plăcuţe de lucru;
- Rezistoare, potenţiometre;
- LED-uri;
- Triace.
Desfăşurarea lucrării:
1. Se realizează cu simulatorul schema electronică din figura 1;
Fig. 1 Circuit de verificare a triacului. Triacul conduce de la A1 la A2.
2. Se realizează practic, pe placa de lucru, montajul din fig.1;

Rolul elementelor schemei electronice:
- LED 3 şi LED 4 indică polaritatea grilei triacului:
o LED 3 indică + ;
o LED 4 indică - ;
- LED 1 şi LED 2 indică funcţionarea şi sensul de parcurgere a triacului:
o LED 1 sensul de parcurgere este de la A1 la A2:
o LED 2 sensul de parcurgere este de la A2 la A1);
- Diodele D1..D4 protejează led-urile la polarizare inversă;
- Potenţiometrul P se utilizează pentru blocarea triacului. Potenţiometrul P este la valoare minimă
(P = 0Ω);
- Ampermetru A se utilizează pentru vizualizarea curentului la care se blochează triacul;
3. Se fixează comutatorul K este pe poziţia +15 V şi se observă că luminează LED 1 şi LED 3 (led-
urile roşii). Grila G este pozitivă faţă de A2 şi triacul conduce de la A1 la A2 (fig. 1);
94
4. Se fixează comutatorul K este pe poziţia -15 V şi se observă că luminează LED 2 şi LED 4 (led-
urile verzi). Grila G este negativă faţă de A2 şi triacul conduce de la A2 la A1(fig. 2);
Fig. 2 Circuit de verificare a triacului. Triacul conduce de la A2 la A1.
5. Se roteşte potenţiometrul P spre maxim până ce triacul se blochează. Se observă valoarea

curentului la care triacul se blochează.
95
Tema 3. S7. Cablaje de circuite imprimate
1. Generalități
Utilizarea cablajelor (circuitelor) imprimate constituie actualmente soluţia constructivă cea
mai performantă şi mai răspândită de interconectare a componentelor în circuite
electrice/electronice din montaje, aparate şi echipamente electronice. Folosite pentru prima dată în
1945 (în aparatură militară), cablajele imprimate au înlocuit, treptat şi pretutindeni, vechile cablaje
„spaţiale‖, filare (convenţionale), introducând modificări importante în construcţia şi tehnologia
echipamentelor electronice atât profesionale cât şi de larg consum.
Principalele avantaje ale cablajelor imprimate sunt:

 realizează o mare densitate de montare a componentelor, permiţînd reducerea volumului şi
greutăţii (deci miniaturizarea) aparatelor electronice;
 asigură poziţionarea precisă şi fixă a componentelor şi a interconexiunilor acestora în
circuite - permiţând creşterea fiabilităţii în funcţionare şi reducerea/compensarea. cuplajelor
parazite dintre componente şi/sau circuite;
 asigură o rezistenţă superioară a echipamentelor electronice (din care fac parte) la solicitări
mecanice, termice şi climatice, îmbunătăţind totodată considerabil mentenabilitatea acestora;
 simplifică şi reduc durata operaţiilor de montaj, facilitând automatizarea acestora, reducând
posibilităţile de montare eronată şi asigurând un înalt grad de reproductibilitate;
 fac posibilă unificarea şi standardizarea constructivă a subansamblelor (blocurilor,
modulelor) funcţionale din structura aparatelor/echipamentelor electronice, permiţând
interconectarea simplă, rapidă, precisă şi fiabilă a acestora.
Există totuşi şi unele dezavantaje, minore, ale cablajelor imprimate:

 orice modificări ulterioare ale circuitelor (şi, uneori, chiar ale componentelor) sunt relativ
dificil de efectuat;
 majoritatea tipurilor de cablaje imprimate sunt sensibile la şoc termic - ceea ce impune unele
precauţii la lipirea terminalelor componentelor.
Clasificarea cablajelor imprimate:

 după numărul planelor în care sunt amplasate traseele conductoare precum şi după
caracteristicile mecanice ale suportului izolant:
a) cablajele cu o faţă („cablaje simplu strat‖ sau „cablaje monostrat‖) - sunt cele mai vechi şi
mai frecvent utilizate cablaje imprimate, fiind destinate - în special - aparaturii electronice de larg
consum. Au cel mai simplu proces tehnologic de fabricaţie şi cele mai reduse costuri de producţie,
dar nu permit obţinerea unor mari densităţi de montaj, motiv pentru care ponderea lor - pe
ansamblul producţiei de cablaje imprimate - este în scădere;
b) cablajele dublu faţă („cablaje dublu strat‖) - sunt actualmente cele mai utilizate în
construcţia aparatelor şi echipamentelor electronice profesionale întrucât asigură o densitate ridicată
de montaj, la un preţ de cost relativ scăzut. Procesul tehnologic de realizare este însă mai complex,
implicând - în unele cazuri şi metalizarea găurilor în care se implantează terminalele
componentelor.
c) cablajele multistrat — sunt destinate exclusiv echipamentelor electronice profesionale
întrucât asigură o densitate de montaj şi proprietăţi electrice superioare tuturor celorlalte tipuri
96
(permiţând interconectarea mai simplă a numeroase circuite integrate). Dar procesul lor tehnologic
de realizare este complex şi costisitor întrucât metalizarea găurilor este mult mai dificilă
d) cablajele cu suport flexibil — au tendinţa de-a înlocui, în ultimul timp, atât cablajele
imprimate rigide — prezentate mai sus — cât şi „formele de cablu‖ (compuse din diferite tipuri de
conductoare) care interconectează subansamblele echipamentelor electronice.
Cablajele imprimate flexibile au numeroase avantaje:

 sunt mai uşoare şi mai puţin voluminoase decât cele rigide (fiind destinate în principal
echipamentelor la care greutatea şi volumul sunt esenţiale — de ex. aparatele electronice
aerospaţiale, calculatoarele electronice etc;
 permit realizarea unor mari densităţi de montaj şi obţinerea unei fiabilităţi superioare în
exploatare, reducând mult — sau chiar eliminând — posibilitatea cuplajelor parazite între circuite;
 formează un sistem de interconectare tridimensională întrucât nu numai că pot fi — eventual
îndoite, răsucite şi deplasate, dar pot avea orice geometrie (spre diferenţă de cablajele rigide —
având, de regulă, formă dreptunghiulară).
Dar lipirea componentelor pe astfel de cablaje este, de obicei mai avantajoasă dacă se
efectuează manual (deci cu o productivitate relativ scăzută) şi nu automat.
Tehnologii de realizare a cablajelor imprimate

Prin tehnologie de realizare se înțelege realizarea cablajelor imprimate cu mijloace
industriale sau artizanale. Cablajul imprimat este un sistem de conductoare imprimate care asigură
toate conexiunile electrice dintre componente, ecranările și punerile la masă. Conductoarele
imprimate reprezintă o porţiune de strat metalizat pe un suport izolat, echivalent unei conexiuni
electrice obişnuite de montaj. Procesul de proiectare a cablajelor imprimate constă în plasarea
elementelor de circuit pe placă și în stabilirea traseelor în conformitate cu schema electrică și
principiile de proiectare.
Principiile de proiectare sunt o consecinţa de natură:
 electrică (tensiunea maximă între două trasee conductoare alăturate, intensitatea maximă a
curentului ce parcurge fiecare traseu conductor, frecvența maximă, minimizarea cuplajelor parazite
între elementele schemei),
 mecanică (solicitări mecanice în timpul funcţionarii),
 climatice (asigurarea unui regim termic corespunzător prin evacuarea căldurii produse în
timpul funcţionarii, umiditatea relativă, temperatura mediului ambiant),
 tehnologice (tehnologia de realizare, de echipare, de conectare).
Lățimea maximă a conductorului imprimat este dată de intensitatea maximă a curentului
electric ce parcurge traseul. Formula de calcul pentru lățimea maximă a traseului este:
Imin=Imax /jmax⋅g
Imax - intensitatea maximă a curentului;
jmax - densitatea de curent maximă;
g - grosimea traseului.
Proiectarea cablajelor imprimate se face respectând următoarele principii:

 principiul de cuadripol: constă în respectarea, conform schemei electrice a ordinii intrare-
ieşire, precum și a ordinii de asamblare pe placă a etajelor care procesează un semnal.
97
 principiul respectării căilor de semnal: traseele de semnal mic se poziționează departe de
traseele de semnal mare pentru a minimiza cuplarea parazită (inductivă sau capacitivă). Dacă spaţiul
nu permite depărtarea căilor de semnal se va folosi ecranarea.
 principiul decuplării intr-un punct de masă comun: decuplarea la masă a
condensatoarelor de cuplare în puncte cat mai apropiate.
Solicitările mecanice la care va fi supus subansamblu determina grosimea plăcii cablajului.
Structura constructivă a ansamblului este și o consecinţă a tipăririi unor elemente mecanice.
Dimensiunile geometrice și masa componentelor electronice, electrice și de altă natură amplasate pe
placă cu cablaje imprimate, precum și structura constructivă a ansamblului determină gabaritul
subansamblelor. Modul de interconectare a subansamblului în sistem influențează proiectarea
plăcilor cu cablaje imprimate.
Există mai multe posibilități de interconectare și anume: prin fixarea de conexiune, între
plăci, conectarea directă, conectarea indirectă.
Daca placa este asamblată vertical, elementele disipative sunt plasate la partea superioara
cu axele de simetrie mai mari dispuse vertical pentru optimizarea termică.
Daca placa este asamblată orizontal, elementele disipative sunt plasate pe distanţiere din
materiale termoizolante și termorigide, având poziţie opusă referitor la evacuarea căldurii (se
practică orificii pentru optimizarea ventilația naturală).
Funcţionarea subansamblelor electronice în condiţii de umiditate ridicata, impune
următoarele măsuri:
 distante mai mari între traseele conductoare imprimate;
 acoperirea traseelor cu vopsea termorigidă.
Documentaţia tehnica pentru execuţia unui cablaj imprimat trebuie sa cuprindă

următoarele desene:
 desenul de baza: - este executat de către proiectant după schema electrică: - reprezintă
imaginea fețelor echipate și prin transparență se obţine imaginea fețelor cu traseele;
 desenul de poziţionare al găurilor sau planul de găuri ce trebuiesc practicate în placa cu
cablajul imprimat și numere de ordine asociate găurilor, corespunzătoare echipării prin plantare;
 desenul de acoperire selectiva reprezintă imaginea (găurilor) fețelor lipite, acoperite cu
vopsea termorigida;
 desenul de cablaj: (de trasare) reprezintă la scară, imaginea traseelor conductoare
imprimate, văzute dinspre fața de lipire;
 desenul de inscripţionare sau poziţionare, reprezintă simbolizat, la scara, poziţia
componentelor care urmează să echipeze placa de cablaj imprimat, văzute dinspre placa de
echipare.
Etapele de stabilire a documentaţiei necesare la realizarea cablajelor imprimate sunt

următoarele:
1. Materiale necesare
Pentru a putea realiza plăcute de cablaj în diverse montaje, aveți nevoie de următoarele
echipamente și consumabile:
 Imprimanta laser, pentru imprimarea cablajului pe foaia lucioasă sau PnP
 Foarfecă
 Fier de calcat, pentru imprimarea cablajului de pe foaie pe plăcuță
98
 Mini-bormașină (pentru burghie de 0.9-1mm)
 Cablaj textolit
 Foaie A4 lucioasă (sau folie PnP), pentru imprimarea cablajului
 Clorură ferică, pentru corodarea plăcuței
 Diluant (sau acetonă), pentru curățarea tonerului de pe plăcuță
2. Întocmirea listei cu componentele utilizate la realizarea subansamblului;

 extragerea din cataloage a dimensiunilor componentelor;
 elaborarea desenului de bază a subansamblului;
 numerotarea pe schema electrică tipurile de capsule utilizate, numerele terminalelor,
adresele de conectori;
 realizarea după desenul de baza succesiv toate celelalte desene cerute de documentaţia
tehnică.
După stabilirea documentaţiei se trece la realizarea practică a cablajului imprimat.
3. Etapele realizării practice sunt:

 punctarea plăcii de cablaj, după desenul de bază realizat;
 găurirea plăcii;
 acoperirea foliei de cupru, în vederea obţinerii traseelor conductoare, cu cerneală serigrafică;
 se așteaptă uscarea cernelii;
 corodarea cu clorura ferica;
 curățarea cernelii cu diluant;
 cositorirea traseelor conductoare a cablajului imprimat;
 lipirea componentelor pe placa;
 verificarea lipiturilor.
Exemplu de proiectare în 4 pași

1. Proiectarea cablajului
Prima fază o reprezintă proiectarea cablajului ce îl doriți realizat, pornind eventual de la
schema electronică a montajului. Proiectarea o puteți face în orice program ce va ajută în realizarea
unui PCB (Printed Circuit Board). (ex Eagle, OrCad etc).
2. Imprimarea cablajului
Veți folosi metoda transfer de toner pentru a fixa ―imaginea‖ cablajului vostru pe laminatul
de cupru.
După ce ați realizat cablajul, sau l-ați descărcat, îl veți imprima pe o coală A4 lucioasă (ceva
mai groasa decât o coală A4 obișnuită de xerox), hârtie fotografică (atenție, nu toate tipurile de
hârtie foto merg; pe o folie Press- n-Peel rezultatele sunt cele mai bune, cu ajutorul unei imprimante
LASER (ATENTIE! imprimanta trebuie să fie LASER și să folosească toner, imprimantele
INKJET NU sunt bune).
Tăiați placa de textolit la dimensiunea dorită și curățați partea de cupru cu un glaspapir fin
ca să înlăturați orice urmă de murdărie sau grăsime. Pentru asta e foarte bine dacă puteți să o
curățați cu un tampon de vată îmbibată în diluant sau acetonă. După ce ați printat mai multe imagini
ale cablajului pe aceeași foaie, tăiați cu o foarfeca pe contur si aplicați ―folia PNP‖ pe partea cu
cupru a plăcii de textolit.
99
0
Călcați cu fierul încălzit la maxim (200-225 C) placa și hârtia până când tonerul aderă la
cupru. Aceasta parte este și cea mai delicată și s-ar putea să nu vă iasă din prima. Ca să vă iasă bine
trebuie sa apăsați destul de bine pe fierul de calcat, să aveți grijă ca hârtia să nu se miște de pe
placă, o data ce ați dat cu fierul peste ea (altfel va ies trasee duble sau mișcate) și să nu va ardeți
degetele :).
După ce ați călcat cablajul, nu dezlipiți imediat hârtia de placa de textolit, lăsați-o să se
răcească. Cea mai bună metodă este să puneți placa sub un jet de apa rece și să lăsați hârtia să se
înmoaie. Curățați hârtia și dacă totul a mers bine, ar trebui să aveți pe cupru traseele imprimate.
3. Corodarea plăcuței
Pentru început turnați clorură ferică într-un vas și apoi
introduceți placa la corodat în acel vas. Aveți grijă ca întreaga
suprafață a plăcii să fie scufundata în clorura ferică. Lăsați să se
corodeze aproximativ 20 de minute, dar verificați progresul din 5
în 5 minute. Corodarea se face mai repede dacă soluția de clorură
ferică este încălzită în prealabil. Aveți grijă cu clorura ferică
pentru ca pătează foarte tare, uneori iremediabil orice material
textil. NU INGERATI soluția - este toxică. Aveți grijă să nu vă
intre în ochi.
După ce s-a corodat, spălați plăcuta cu multă apă și
săpun apoi ștergeți-o și îndepărtați tonerul cu un tampon îmbibat
in diluant sau acetonă.
După folosire, stocați soluția de clorură ferică într-o sticlă de plastic

și etichetați-o. Soluția poate fi folosită de câteva zeci de ori înainte
să devină inutilizabilă. Dacă doriți s-o aruncați, diluați-o înainte în
10 părți apă și apoi aruncați-o la canalizare.
4. Finalizarea plăcuței
În ultima parte va trebui să dați găuri în placa voastră acolo unde aveți nevoie, cu o mini -
bormașină (sau o bormașină obișnuită dar cu mandrina mică). Pentru cele mai multe găuri puteți
folosi un burghiu de (0.5 – 1 mm), depinde de ce componente aveți pe cablajul vostru. După ce ați
dat toate găurile fixați și lipiți componentele la locurile lor. În ultima parte testați cu ajutorul
multimetrului continuitatea traseelor și funcționalitatea montajului.
100
Anexe
Fisă documentare componente pasive.
1. Rezistențe electrice
Rezistență peliculară Rețea de mai multe Potențiometru Potențiometru stereo

marcată în codul condensatoare
culorilor
Rezistenţă bobinată 5 Rezistenta cu sarcina Rezistență Rezistență

W mare 25W semireglabilă semireglabilă multitur
Termistor Varistor: oxid de metal; THT;

Temp. -20....1250C 150VAC; 200VDC; 240V;
P= 450mW Umax. 150V AC, 200V DC
U varistorului 240V
Imax. varistor 8/20µs 6.5kA
101
Anexa 1
102
Anexa 2.
103
Anexa 3
104
Anexa 4
105
Anexa 5
106
Anexa 6
107
Anexa 7.
108
Anexa 8
109
Bibliografie
1. Auxiliar Curricular –Autor- Rusu Constantin - Bistrita 2015

2. Bazele electronicii analogice clasa a X-a –Carmen Liliana, Dragoș Ionel Cosma - Editura
CD PRESS
3. https://ro.pinterest.com/
4. http://tehnium.org/wp/?p=4726
5. http://cs.curs.pub.ro/wiki/pm/prj2016
6. http://www.infoelectronica.ro/date_upload/lucrari_m/IEAC9N.pdf
110

Dispozitive Electronice Discrete 2017

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Electronice Discrete 2017

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive electronice discrete G.O.

Tema 1. S1. Rezistoare

2.Clasificarea rezistoarelor după mai multe criterii:

Rezistor cu rezistenţă variabilă.

Rezistor cu contact mobil.

Rezistor cu contact mobil, cu poziţie de întrerupere.

Potenţiometru cu contact mobil.

Rezistor cu două prize fixe.

Rezistor, semn tolerat.

Rezistor, semn nestandardizat.

Potenţiometru cu contact mobil, semn tolerat.

Potenţiometru cu ajustare predeterminată.

Varistor, semn tolerat.

Rezistor cu rezistenţă neliniară, dependentă de

4. Principalii parametrii ce caracterizează un rezistor sunt :

Codul culorilor pentru rezistoare:

Capacitatea ―C‖ este dată de relaţia:

Se defineşte capacitatea condensatorului ca fiind raportul:

2.Condensatoarele se pot clasifica după următoarele criterii:

Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer

Condensator (în general), simbol tolerat

Condensator electrolitic, simbol tolerat

Condensator electrolitic, simbol nestandardizat

Condensator variabil, simbol tolerat

Condensator semireglabil, semiajustabil, trimer, simbol tolerat

Condensator de trecere, simbol tolerat

Condensator de trecere, simbol nestandardizat

Tabelul 2. Codul culorilor pentru marcarea condensatoarelor

 Semnificaţia liniilor de pe condensatoare este următoarea:

1 = prima cifră semnificativă;

Tema 1. S3. Bobine

2.Bobinele pot fi clasificate după mai multe criterii:

4. Principalii parametrii electrici ale bobinelor sunt:

6. Tipuri constructive de bobine

c. Bobină cilindrică monostrat, cu miez din ferită: (figura 3).

d. Bobinaj cilindric pe carcasă fără flanşe: (figura 4).

7. Caracteristici ale bobinei

Tema 1. S4. Aplicații

Echipamentele electrice trebuie să fie astfel proiectate, fabricate, montate, întreţinute şi

În unităţile de aviaţie se vor respecta normele de securitate şi protecţie a muncii prevăzute de

Competenţa : Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Alte sugestii şi recomandări :

Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Alte sugestii şi recomandări :

Competenţa: Identifică circuitele cu componente electronice analogice

Enunţ : Completaţi spațiile libere cu parametrii bobinelor

Tema 2. S1. Tuburi electronice

2. Clasificarea tuburilor electronice

Fenomenul emisiei electronice constă în expulzarea de electroni de pe suprafaţa unui corp

2. Simbol diodei cu vid

A. Funcţionarea diodei la polarizare directă

Figura 3. Ef = tensiunea de încălzire a filamentului; Ea = tensiunea anodică

B. Funcţionarea diodei cu vid la polarizare inversă.

Figura 8 caracteristica statică reală Figura 9.

Tema 2. S2. Trioda

Fig. 1. Construcția și simbolul triodei

Figura 2. Circuitele triodei

FUNCŢIONAREA TRIODEI ÎN REGIM STATIC

În această situaţie foarte multe linii de câmp (Ē) reuşesc

Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice

Figura 3. Schema electrică

Ia=f(Ua) │ Ug =ct. Ia=f(Ua) │ Ug =ct.

Ig=f(Ug) │ Ua=ct. Ig=f(Ua) │ Ug=ct.

PARAMETRII STATICI AI TRIODEI