CAPITOLUL 3

______________________________________________________________________117

DISPOZITIVE PIEZOELECTRICE FUNCŢIONALE

3.1 Traductoare piezoelectrice

Efectul piezoelectric este utilizat în traductoare pentru
transformarea energiei electrice în energie elastică sau invers.
Din familia traductoarelor electro-elastice fac parte:
traductoare industriale de putere (pentru sudură cu ultrasunete,
pentru curăţire ultrasonică, traductoare pentru tratamente medicale,
traductoare pentru mesele holografice);
traductoare pentru generare de câmp elastic (antene de emisie
pentru locatoare submarine, traductoare de intrare pentru linii de întârziere,
traductoare pentru ecografie, difuzoare, etc.).
Traductoarele elasto-electrice se clasifică în:
traductoare pentru măsurarea electrică a deplasărilor, vitezelor şi
acceleraţiilor;
traductoare pentru recepţionare de câmp elastic (microfoane cu
cristal, traductoare de ieşire pentru linii de întârziere, etc.);
traductoare pentru generarea de tensiuni necesare aprinderii
gazelor.
O parte dintre traductoarele citate lucrează la rezonanţă (de
exemplu: traductoarele industriale de putere, traductoarele de intrare şi ieşire
pentru liniile de întârziere), o altă parte necesită din contra lucrul la
frecvenţe depărtate de cea de rezonanţă (de exemplu pentru instrumente
muzicale sau microfoanele cu cristal).

3.1.1 Schemele echivalente ale traductoarelor

electro-elastice şi elasto-electrice
Fie un traductor piezoelectric de formă paralelipipedică, cu extre-
 CAPITOLUL 3
118______________________________________________________________________
mitatea stângă blocată, utilizat pentru transformarea energiei electrice în
energie elastică (Fig. 3-1).
I f Dacă în traductor se propagă unde
U
v
elastice longitudinale, schema echivalentă
obţinută prin particularizarea (v10)
Fig. 3-1. Traductor electro-elastic
cu undă longitudinală schemelor echivalente din Fig. 1-9 sau 1-42
este prezentată în Fig. 3-1 în care au fost figurate suplimentar generatorul de
alimentare de curent constant cu impedanţa internă Z s şi curent de
scurtcircuit I 0 precum şi impedanţa de sarcină Z a a mediului asupra
căruia acţionează traductorul. Mărimile caracteristice din schema

echivalentă Z oe , Z om ,  , n  au expresii particulare în funcţie de natura

cristalului piezo-electric utilizat şi de orientarea traductorului faţă de axele

cristaline din material. Impedanţa mediului Z a depinde de suprafaţa
frontală S a traductorului şi de impedanţa specifică Z sp a mediului
Z a  Z sp S

Pentru un mediu infinit, omogen, izotrop şi fără pierderi impedanţa

specifică are expresia
Z sp   0c

unde 0 este densitatea mediului, iar c este viteza de propagare a undelor

elastice în mediul
I0 I
1:n v respectiv.

  Zm Din schema echiva-

U f lentă prezentată în Fig. 3-2
Zs Z oe Za rezultă următoarele relaţii
de legătură între mărimile
Z om 
Zm   Z omth
sh  2
Fig. 3-2. Schema echivalentă a traductorului din
Fig. 3-1.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________119
de intrare în traductor (de natură electrică) şi mărimile de ieşire (de natură
elastică):
1
I  U  nv
Z oe
F  nU  Z m v
(3.1)
1
I0  I  U
Zs
F  Z a v

Din sistemul (3.1) rezultă

1 1 n2 
I0     U (3.2)
 Z s Z oe Z m  Z a 
I
Admitanţa de intrare a traductorului Y  U are expresia

1 n2
Y  ,
Z oe Z m  Z a
1
expresie compusă din doi termeni dintre care primul Y 0  reprezintă
Z oe

admitanţa elastică de intrare pentru traductorul blocat la ambele extremităţi

în care nu există unde elastice, iar cel de al doilea termen (denumit

n2
admitanţă cinetică) Y k  reprezintă contribuţia în admitanţa de
Zm  Za

intrare a propagării undelor elastice prin traductor şi prin mediul asupra

căruia acesta acţionează.
În Fig. 3-3 sunt reprezentate, parametru fiind frecvenţa, relaţiile
între părţile reale şi imaginare ale admitanţei traductorului blocat
Y 0  G0  jB0 , admitanţei cinetice Y k  G k  j B k şi admitanţei de intrare

Y  G  jB .
 CAPITOLUL 3
120______________________________________________________________________
B0 Bk B
 
 
=0
 Gk 
   
=0 =0
G0 G
a b c
Fig. 3-3. Reprezentările grafice ale relaţiilor între părţile reale şi imaginare,
parametrii frecvenţa, pentru: a-admitanţa traductorului blocat; b-admitanţa cinetică;
c-admitanţa de intrare.

Admitanţa traductorului blocat este admitanţa unui grup paralel C0,

R0, ambele elemente fiind dependente de frecvenţă. În apropierea
rezonanţei, din paragraful 2.1 rezultă că Z m este echivalent unui circuit
serie Rm, Lm, Cm (Fig. 3-4 în care pentru medii neideale Z a  Ra  jX a ). În
general n, Ra şi Xa depind foarte puţin de frecvenţă astfel încât admitanţa
cinetică va fi admitanţa unui circuit rezonant serie (Fig. 3-3b).
Prin însumarea celor două rezultate, Fig. 3-3c oferă o imagine
globală asupra valorilor părţilor reală şi imaginară a admitanţei de intrare în
traductor, atât în apropierea rezonanţei cât şi la frecvenţe depărtate de
aceasta.
Cunoscând caracteristicile mediului asupra căruia traductorul
acţionează, (Ra, Xa) semnalul elastic necesar  F,v şi domeniul
frecvenţelor de lucru, sistemul de relaţii (3.1) permite determinarea, pentru
un traductor dat, a admitanţei la intrare Y şi a semnalului electric necesar la
intrare ( I 0 şi U ).
O caracteristică globală a performanţelor traductorului este
randamentul său electro-elastic definit ca raportul dintre puterea activă
elastică la ieşire şi puterea activă electrică la intrare
2
P R v
 a  a 2 (3.3)
Pe GU
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________121
Înlocuind viteza punctelor materiale la ieşire în funcţie de tensiunea

I0 I
1:n Rm Lm v
Cm
  Ra
U R0 f
Zs C0 jXa

Fig. 3-4. Schema echivalentă a traductorului din Fig. 3-1 în apropierea

frecvenţei de rezonanţă.
la intrare, din sistemul (3.1), expresia randamentului electro-elastic devine
2
R n
 a (3.4)
G Zm  Za

n2
Întrucât Yk  , iar la rezonanţă în toate cazurile în care
Zm  Za

dimensiunea suprafeţei traductorului care emite nu este prea mică

comparativ cu lungimea de undă elastică Z m  Z a  Rm  Ra rezultă
Ra Yk

Rm  Ra G

La rezonanţă, în mediul de lucru, partea reală a admitanţei de

intrare G0 este proporţională cu  Rm  Ra  iar la rezonanţă în vid (sau

1

într-un mediu cu densitate mult mai mică decât cea de lucru) partea reală a
 este proporţională cu Rm1 . Rezultă
admitanţei de intrare G00

Yk  G 
 1  0  (3.5)
G  G00 
Expresia (3.5) a randamentului electo-elastic este importantă prin
faptul că permite determinarea acestuia numai prin măsurări efectuate la
intrarea electrică a traductorului la frecvenţa de lucru şi la frecvenţa în jurul
rezonanţei.
 CAPITOLUL 3
122______________________________________________________________________
O tratare formal identică este posibilă pentru traductoarele elasto-
electrice. Fie un traductor de formă paralelipipedică cu extremitatea dreaptă
P I
blocată, utilizat pentru transformarea U
v
energiei elastice în energie electrică
(Fig. 3-5). Fig. 3-5. Traductor elasto-electric
cu undă longitudinală.
Dacă în traductor se propagă unde
elastice longitudinale schema echivalentă obţinută prin particularizarea
v 2  0  schemelor echivalente din Fig. 2-3 sau 2-7 este prezentată în Fig.

3-6 în care au fost figurate suplimentar generatorul de alimentare de forţă cu

impedanţa elastică Za şi
v 1:n I
forţa elastomotoare F0
Za Zm   precum şi impedanţa de
F U
Z oe Zs sarcină Zs de la ieşirea
F0 electrică.

Z om  Mărimile
Zm   Z om th
Fig. 3-6. sha traductorului
Schema echivalentă 2 din caracteristice din schema
Fig. 3-5.
echivalentă Z oe , Z om ,  , n 

au expresii particulare în funcţie de natura cristalului piezoelectric utilizat şi

de orientarea traductorului faţă de axele cristaline din material.
Din schema echivalentă din Fig. 3-6 rezultă următoarele relaţii de
legătură între mărimile de intrare în traductor (de natură elastică) şi
mărimile de ieşire (de natură electrică):
F  nU  Z m v
1
I U  nv
Z oe (3.6)
F0  F  Zav
U  Z s I
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________123
Din sistemul (3.6), analog formal sistemul (3.1), rezultă
v Rm Lm Cm
I
n:1
Ra

Rs
jXa   R0
F C0 U
jXs
F0
Fig. 3-7. Schema echivalentă a traductorului din Fig. 3-5 în apropierea frecvenţei
de rezonanţă.

 
 
n2
F0  Za  Zm  v (3.7)
 1 1 
  
 Z s Z oe 

În apropierea rezonanţei, din paragraful 2.1 rezultă că Z m este

echivalent unui circuit serie Rm, Lm, Cm (Fig. 3-7 în care Z s  Rs  jX s ).
Cunoscând impedanţa de sarcină (Rs, Xs) semnalul electric necesar
 U , I  şi domeniul frecvenţelor de lucru, sistemul de relaţii (3.6) permite
determinarea pentru un traductor dat a semnalului elastic necesar la intrare (
F şi v ).
Expresia randamentului elasto-electric este formal analogă relaţiei
(3.3).
De menţionat că pentru alte tipuri de unde elastice utilizate în
traductoare (transversale, pe contur, în grosime) tratarea este analoagă celei
prezentate mai înainte pentru undele longitudinale.

3.1.2 Traductoare de ultraînaltă frecvenţă

Traductoarele rezonante de ultraînaltă frecvenţă (gigaherţi ... sute
de gigaherţi) sunt necesare liniilor de întârziere în acest spectru de frecvenţă,
dispozitivelor elasto-optice sau sunt folosite pentru generarea de fluxuri
 CAPITOLUL 3
124______________________________________________________________________
elastice în experienţele pentru investigarea fizică a corpului solid. În
Fig. 3-8 este prezentată spre exemplificare o linie de întârziere a semnalelor
electrice, constând dintr-un traductor piezoelectric de intrare T 1 care
transformă semnalul electric în semnal elastic, mediul de propagare a undei
T1 mediul de propagare T2 elastice care realizează în
a undei elastice
fapt întârzierea semnalului
2 şi traductorul piezoelectric
1
de ieşire T2 care converteşte
semnalul elastic în semnal
Fig. 3-8. Linie de întârziere piezoelectrică.
electric.
La frecvenţe în banda citată, cele două traductoare necesită la
rezonanţă dimensiuni foarte mici (spre exemplu un traductor de CdS
rezonând pe 75 GHz are o grosime de 300 Å). În acest scop se folosesc
pentru cele două traductoare pelicule subţiri piezoelectrice cu ajutorul cărora
se pot obţine frecvenţe de rezonanţă până la 1000 GHz.
Peliculele piezo-electrice se realizează fie prin evaporare în vid (CdS
hexagonal, CdSe hexagonal, ZnO hexagonal) fie prin pulverizare catodică în
atmosferă oxidantă (ZnO hexagonal). Principalele constante dielectrice ale
acestor pelicule sunt prezentate în tabelul 3-1.
Tabelul 3-1
Proprietăţi de material ale peliculelor subţiri piezoelectrice.
CdS CdSe ZnO
Clasa de Clasa de Clasa de
simetrie 6 mm simetrie 6 mm simetrie 6 mm
11T r   22
T
r
9,35 9,70 19,26
 33 r
T
10,30 10,60 11,00
 C N
d 31 10 12
-5,2 -3,9 -5,2
d 33 10 C N 
12
10,3 7,8 10,6
d15 10 C N 
12
-14,0 -10,5 -13,9
e31 C m  2
-0,24 -0,16 -0,61
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________125
CdS CdSe ZnO
Clasa de Clasa de Clasa de
simetrie 6 mm simetrie 6 mm simetrie 6 mm

e33 C m 2  0,44 0,35 1,14
e15 C m2  -0,21 -0,14 -0,59
k31 0,119 0,084 0,189
k33 0,262 0,194 0,408
k15 0,188 0,130 0,316
kt 0,154 0,124 0,282
c11E 1010 N m 2  9,07 7,40 21,0
E
c33 
1010 N m 2  9,38 8,36 21,1
E
c44 1010 N m 2  1,50 1,32 4,25
E
c66 
1010 N m 2  1,63 1,44 4,43

Tehnicile de realizare ale peliculelor trebuie să asigure o structură

stoechiometrică, cu mare rezistivitate electrică şi o orientare
corespunzătoare a peliculei faţă de substrat astfel încât, prin aplicarea
corespunzătoare a câmpului electric, să se obţină tipul dorit de undă elastică.
De exemplu dacă pentru pelicula de CdS (simetrie hexagonală) axa 0z este
perpendiculară pe substrat şi câmpul electric se aplică în lungul peliculei
(Fig. 3-9) rezultă unde longitudinale care se propagă în lungul axei 0z.

 z undă elastică  undă elastică

E longitudinală E transversală
z
 peliculă  peliculă
piezoelectrică piezoelectrică
2 substrat 2 substrat
a b
Fig. 3-9. Excitarea undelor elastice longitudinale (a) şi transversale (b) în
pelicule de CdS.

Dacă axa 0z este paralelă cu substratul pentru aceeaşi direcţie a

câmpului (Fig. 3-9b) se excită unde transversale cu deplasarea punctelor
materiale paralel cu axa 0z. De menţionat că orientarea peliculei în timpul
depunerii este funcţie atât de natura substratului cât şi de unghiul de
depunere.
 CAPITOLUL 3
126______________________________________________________________________
Traductorul piezoelectric trebuie să prezinte un randament electro-
elastic cât mai ridicat ceea ce implică utilizarea unei pelicule piezoelectrice
cu coeficient de cuplaj piezoelectric mare şi pierderi proprii mici (astfel se
asigură în acelaşi timp şi o impedanţă de intrare mai mare). Din acest punct
de vedere, după cum rezultă şi din tabelul 3-1, este favorizat oxidul de zinc
cu coeficienţi de cuplaj piezoelectric până la 40,8%.
În ceea ce priveşte puterea maximă la care poate lucra un traductor
pelicular aceasta este limitată îndeosebi de tensiunea de străpungere a
peliculei. Este posibilă o creştere substanţială a puterii lucrând în sistem

multistrat în care traductoarele cu grosime 

2 sunt separate prin pelicule

dielectrice de oxid de siliciu cu grosime de asemenea  . Aplicând

2
semnalul de comandă întregii structuri rezultă o creştere a puterii
traductorului proporţională cu pătratul numărului de straturi piezoelectrice.
Structura multistrat micşorează de asemenea şi capacitatea de intrare,
parametru foarte important la frecvenţe atât de înalte.
De regulă peliculele subţiri piezoelectrice nu pot oferi fluxuri
acustice intense necesare spre exemplu dispozitivelor elasto-optice. În acest
scop se folosesc tehnici de lipire ultrasonoră a traductorului pe substrat şi
apoi micşorarea sa la grosimea dorită prin corodare în jet de ioni. Un
asemenea traductor funcţionând în banda de 1 GHz se obţine din LiNbO 3
(tăietură Y rotită 36) cu grosimea iniţială de 1,3 mm.
Suprafeţele traductorului şi substratului (cuarţ secţiune X sau Y)
sunt optic polisate şi pe ele se depun pelicule metalice de nichel-crom
(grosimea 40 nm) şi aur (grosimea 110 nm). Ansamblul se lipeşte ultrasonic
(la temperatura de 300 C şi presiunea 12106 Pa o undă elastică
longitudinală cu frecvenţa 15 kHz şi puterea 3W se propagă circa 1,5 h prin
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________127
îmbinare). Creşterea temperaturii este posibilă deoarece coeficienţii de
dilatare termică ai cuarţului şi ai niobatului de litiu sunt compatibili dacă
axa 0x a niobatului de litiu este paralelă cu axele 0x sau 0y ale cuarţului.
Grosimea peliculelor metalice care vor constitui unul dintre electrozi (în
succesiunea NiCr-Au-NiCr) este de ordinul 0,3 m, mult mai mică decât
jumătate din lungimea de undă elastică în LiNbO3 la 1 GHz.
De la grosimea de 1,3 mm traductorul de LiNbO 3 este şlefuit şi
polisat optic până la grosimea de 10 m. În continuare grosimea acestuia
este micşorată prin corodare ionică într-o atmosferă 80% argon, 20% oxigen
cu o viteză de corodare de cel mult 0,5 m/h pentru a împiedica distrugerea
termică a ansamblului. După obţinerea grosimi dorite se depune în vid al
doilea electrod din aur, cu diametrul astfel ales încât la frecvenţa de lucru să
se asigure adaptarea cu sursa cu rezistenţa internă 50.
Cu acest traductor se obţine la frecvenţa de 1 GHz o atenuare de
conversie sub 5 dB, iar la 1,4 GHz sub 7 dB. Banda frecvenţelor de lucru
este suficient de largă (la 1,5 dB circa 15% din frecvenţa centrală) datorită
îndeosebi adaptării dintre traductor şi substrat.

3.1.3 Traductorul de putere

Schemele echivalente recomandate în paragraful 3.1.1 pentru
proiectarea traductoarelor electro-elastice şi elasto-electrice sunt obţinute pe
baza ecuaţiilor liniarizate de legătură între mărimile de natură elastică şi
mărimile de natură electrică (ecuaţiile de forma 1.31). Aceste ecuaţii
liniarizate, obţinute prin dezvoltări în serie cu reţinerea termenilor de
ordinul I, descriu funcţionarea traductoarelor numai la semnale mici. Pentru
traductoarele de putere la semnale mari ar trebui să se ţină seama de termeni
de ordin superior (de forma T , E ,TE 
2 2
etc.) ceea ce ar fi foarte
complicat atât din punct de vedere formal cât şi din punct de vedere al
 CAPITOLUL 3
128______________________________________________________________________
schemelor echivalente. Din acest motiv se preferă şi în cazul traductoarelor
de putere utilizarea aceloraşi scheme echivalente deduse pe baza relaţiilor
liniarizate, cu observaţia că toţi parametrii de material care intervin sunt
funcţie de valoarea semnalelor electrice şi mecanice aplicate traductorului.
CRESTERE IN %

 33IT tg 
30 30
20 20
10 10
E(kV/cm) E(kV/cm)
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
Piezoceramică fără „îmbătrânire”
Piezoceramică cu „îmbătrânire”
Fig. 3-10. Dependenţa permitivităţii reale şi a tangentei unghiului de pierderi de
valoarea eficace a câmpului electric aplicat pentru materialul piezoceramic PZT-4.

Neliniaritatea se extinde asupra tuturor parametrilor de material

(permitivităţi, coeficienţi de elasticitate, coeficienţi piezoelectrici) şi
priveşte atât semnalul continuu (punctul de funcţionare) al traductorului cât
şi semnalul alternativ aplicat. Spre exemplificare, în Fig. 3-10 este
prezentată dependenţa permitivităţii reale şi a tangentei unghiului de
pierderi de valoarea eficace a câmpului electric aplicat pentru materialul
piezoelectric PZT-4. tratamentul de „îmbătrânire artificială” micşorează, aşa
după cum rezultă din Fig. 3-10, efectele de neliniaritate.
Rezultatul cumulat al neliniarităţii parametrilor de material se
manifestă în neliniaritatea caracteristicii de conversie a traductorului
(semnal electric-semnal elastic sau invers) şi chiar în forma curbei de
rezonanţă a traductorului care, la semnale mari, capătă histerezis.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________129

3.1.4 Microfoane piezoelectrice

Microfoanele piezoelectrice transformă pe baza efectului
piezoelectric direct variaţiile de presiune ale aerului în semnal electric. Un
microfon piezoelectric are configuraţia din Fig. 3-11, fiind constituit din
următoarele elemente:
structura piezoceramică, realizată din două discuri subţiri din
PZT, conectate electric în paralel;
montura laterală, realizată din bandă subţire de bronz fixează rigid
circumferinţa discurilor piezoceramice, montura fiind sudată pe carcasă;
diafragma realizată dintr-o folie metalică elastică are rolul de a
recepţiona presiunea exterioară acţionând asupra structurii piezoceramice;
diafragma are o formă conică, având marginile ondulate;
pistonul din vârful diafragmei se sprijină pe structura
piezoelectrică, fiind de obicei lipit de aceasta cu răşină epoxidică;
placa metalică conică se află în spatele diafragmei, fiind în
imediata apropiere a acesteia şi are un anumit număr de găuri;
tubul capilar permite egalizarea presiunii statice a regiunii din
spatele structurii ceramice cu presiunea exterioară necesară funcţionării
corecte a diafragmei;
terminalul de ieşire permite extragerea semnalului electric,
celălalt terminal fiind legat de carcasă cu rol de masă pentru dispozitiv.
Pe baza structurii din Fig. 3-11 poate fi reprezentat principiul de
funcţionare al unui microfon piezoelectric: presiunea exterioară acţionând
asupra întregii arii a diafragmei este concentrată asupra unui punct al
structurii piezoelectrice prin intermediul pistonului foarte rigid, astfel încât
determină o deformare elastică a structurii proporţională cu presiunea.
 CAPITOLUL 3
130______________________________________________________________________
diafragmă

placă metalică conică

structură piezoceramică
piston
tub capilar

montură laterală

terminal de ieşire
Fig. 3-11. Structura microfonului piezoelectric.

Considerând că presiunea exterioară variază sinusoidal şi cu

amplitudine constantă T , rezultă o deformare relativă de amplitudine

constantă S a punctelor materiale ale structurii de la interfaţa cu pistonul şi

deci o viteză de vibraţie v dependentă de frecvenţa unghiulară  conform

formulei următoare:
v  j  s   (3.8)
unde  este grosimea structurii piezoelectrice, iar s coeficientul de
complianţă corespunzător.
Sursa elastică de comandă a traductorului piezoelectric generează

un curent I g a cărui valoare este determinată de relaţia următoare:

I g  nv  j ns  j Q (3.9)
Rezultă astfel că microfonul piezoelectric este un generator de
sarcină, sarcina electrică generată fiind proporţională cu presiunea la care
microfonul este supus:
Q  ns  Sq  T (3.10)

unde Sq se numeşte sensibilitatea de sarcină a microfonului piezoelectric.

Pentru detecţia acestui semnal, microfonul este conectat la un am-
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________131
plificator printr-un cablu, rezultând circuitul din Fig. 3-12, unde Cc şi Rc

sunt capacitatea şi rezistenţa paralele ale cablului, iar Ca şi Ra

caracterizează impedanţa de intrare a amplificatorului.

I  j Q C0S Re Cc
Rc Ca
Ra

Microfon Cablu Amplificator

Fig. 3-12. Schema echivalentă completă a microfonului piezoelectric.

Tensiunea electrică U s de la intrarea amplificatorului are valoarea:

I j Q
Us   (3.11)
Gt  jCt Gt  jCt
unde:
Ct  C0S  Cc  Ca
1
1 1 1 
Gt     
 R e R c Ra 
Deci dacă G  C , adică pentru frecvenţe mari de lucru sau

capacitate electrică mare a microfonului sau rezistenţă de sarcină  Ra  de

valoare foarte mare, tensiunea U s este independentă de frecvenţă:

Q Sq
Us   T (3.12)
Ct Ct
Acest mod de funcţionare este prezentat în general, în cazul
microfoanelor piezoelectrice asigurându-se astfel proporţionalitatea dintre
tensiunea electrică detectată şi presiunea care acţionează asupra
 CAPITOLUL 3
132______________________________________________________________________
microfonului. Această comportare este limitată inferior de frecvenţa de

tăiere f1 la care tensiunea de ieşire U s se micşorează cu 3 dB, definită

astfel:
Gt
f1 
2 Ct
Fig. 3-13 prezintă dependenţa de frecvenţă a tensiunii de ieşire
relative.

Us
1
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
 fCt 
0,1 Ct  
f1  Gt 
Gt
0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1 2
Fig. 3-13. Dependenţa de frecvenţă a tensiunii electrice furnizată de un microfon
piezoelectric la frecvenţe joase de lucru.

Utilizarea microfoanelor piezoelectrice la frecvenţe mari este

limitată de frecvenţa de rezonanţă elastică caracteristică structurii

piezoelectrice în apropierea căreia U S depinde puternic de frecvenţă; se

defineşte astfel, frecvenţa f 2 sub care U S variază cu maxim 3 dB. Rezultă,

în acest mod, o caracteristică de frecvenţă a microfonului supus unei
presiuni de amplitudine constantă de tipul celei din Fig. 3-14.
Microfonul se utilizează în domeniul de frecvenţă f1  f 2 , fiind
justificată astfel eliminarea circuitului serie RLC, care descrie rezonanţa
elastică în schema echivalentă din Fig. 3-13; pentru mărirea domeniului de
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________133
frecvenţă este de dorit f1 să aibă o valoare mai mică, iar f 2 o valoare mai
mare.

U1

f1 f
f2
Fig. 3-14. Caracteristica de frecvenţă a microfonului piezoelectric.

Pentru a obţine o valoare foarte mică pentru f1 sunt necesare

următoarele măsuri constructive şi tehnologice:
 capacitatea Ct  C0 trebuie să aibă o valoare mare, ceea ce se
S

realizează prin conectarea electrică în paralel a acelor două discuri

S
piezoelectrice; uzual C0 având valori de ordinul nF; de fapt trebuie realizat
un compromis cu valoarea sensibilităţii de tensiune a microfonului

 U Sq 
 Su    care este invers proporţională cu Ct , uzual obţinându-se
 T Ct 

valori de ordinul unităţilor de mV Pa ;

 rezistenţa Re a structurii piezoelectrice să fie mare, uzual fiind

de ordinul G dacă se utilizează PZT-4 ca material;
 rezistenţa de intrare a amplificatorului Ra de acelaşi ordin de

mărime cu Re .
La frecvenţe joase răspunsul microfonului mai este afectat şi de
constanta de timp a sistemului de egalizare a presiunii: diametrul tubului
 CAPITOLUL 3
134______________________________________________________________________
capilar fiind de ordinul fracţiunilor de mm, rezultă valori pentru f1 de
ordinul unităţilor de Hz ; această valoare poate fi totuşi micşorată cu
aproximativ un ordin de mărime introducând un fir metalic subţire în tubul

capilar. Deoarece f1 este determinată de acest al doilea mecanism,

rezistenţa de intrare a amplificatorului poate scădea la valori de zeci de

M .
Mărimea valorii frecvenţei f 2 se realizează prin amortizarea

rezonanţei elastice a diafragmei şi structurii piezoelectrice cu ajutorul plăcii

metalice conice din spatele diafragmei; aerul dintre diafragmă şi placa cu
găuri se opune creşterii amplitudinii vibraţiei, producând atenuarea

necesară. Valorile uzuale pentru f 2 sunt de ordinul KHz.

Domeniul dinamic de funcţionare a microfonului piezoelectric este
limitat inferior de nivelul de zgomot al amplificatorului, iar limita
superioară este determinată de distorsiunile sistemului de măsură global;
acest domeniu are valori de ordinul 102 dB pentru distorsiuni armonice de
maxim 4%.
Caracteristica de directivitate a unui microfon piezoelectric depinde

de frecvenţa de lucru. Pentru frecvenţe mai mici decât o valoare critică f c ,

diametrul diafragmei este mult mai mic decât lungimea de undă a undei
elastice, astfel încât întreaga diafragmă vibrează în fază, determinând un
răspuns independent de unghiul de incidenţă cu unda elastică. Peste această

valoare  f c  1KHz  difracţiile şi reflexiile undelor elastice pe diafragmă

determină creşterea presiunii şi deci a răspunsului microfonului cu o valoare

 V  dependentă de frecvenţă şi de unghiul de incidenţă , faţă de valoarea

la frecvenţe joase, conform Fig. 3-15.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________135
Temperatura şi umiditatea mediului ambiant influenţează
performanţele microfonului piezoelectric. În domeniul de temperatură
10C  50C variaţia răspunsului este maxim 1 dB pe structura
piezoceramică sau între diafragmă şi placa metalică, iar umiditatea poate
determina un fenomen de condensare pe structura piezoceramică sau între
diafragmă şi placa metalică.
V
a=0
V0
10 30
 dB 

5 60

0 90

120

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 f  KHz 
Fig. 3-15. Caracteristica de directivitate a microfonului piezoelectric.

Presiunea ambiantă influenţează sensibilitatea microfonului

piezoelectric care variază cu valori de fracţiuni de dB pentru variaţii ale
presiunii de ordinul 0  50% . Pentru variaţii mai mari apar variaţii mari ale
răspunsului la frecvenţe mari datorită modificării eficienţei atenuării
rezonanţei elastice, conform Fig. 3-16.
US
50 mm Hg
(dB)
150 mm Hg
250 mm Hg
450 mm Hg
750 mm Hg

10 100 1000 10000 f (Hz)

 CAPITOLUL 3
136______________________________________________________________________

Fig. 3-16. Influenţa presiunii ambiante asupra caracteristicii de frecvenţă a unui microfon
piezoelectric.
Sintetizând aceste performanţe ale microfonului piezoelectric, se
poate constata că acesta prezintă următoarele avantaje asupra microfonului
convenţional cu carbon:
 curent de alimentare redus;
 sensibilitate independentă de sursa de curent;
 calitatea superioară a transmisiei determinată de banda
superioară a frecvenţelor de lucru;
 distorsiuni şi nivel scăzut de zgomot;
 durată de viaţă mai mare;
 imunitate mai mare la umiditate;
 domeniu dinamic mai mare.
Pe de altă parte, comparativ cu microfoanele cu condensator,
microfoanele piezoelectrice au capacitate electrică mai mare, deci necesită
rezistenţă mai mică a amplificatorului la frecvenţa de lucru, nu necesită
tensiune de prepolarizare şi este mult mai puţin afectat de condensarea apei
pe spatele diafragmei decât microfonul cu condensator.

3.1.5 Accelerometre piezoelectrice

Accelerometrele piezoelectrice sunt nişte traductoare elasto-
electrice, care generează un semnal electric atunci când sunt supuse unor
vibraţii şi şocuri elastice, semnalul electric fiind proporţional cu
amplitudinea acceleraţiei, vitezei şi respectiv, deplasării elastice ale corpului
pe care sunt montate.
Construcţia de bază a unui accelerometru piezoelectric este
prezentată schematic în Fig. 3-17, în care elementul activ este realizat prin
două discuri piezoelectrice, cu polarizaţii opuse, fixate pe suportul de bază
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________137
al carcasei; o masă metalică supusă acţiunii unui arc elicoidal fixat la un
capăt şi parţial comprimat prepolarizează elastic discurile piezoelectrice;
întregul ansamblu este montat într-o carcasă metalică.
carcasă
arc
masă adiţională

discuri piezoelectrice

terminali de ieşire

baza
piuliţa de fixare
Fig. 3-17. Structura accelerometrului piezoelectric.

Accelerometrul piezoelectric are următorul principiu de

funcţionare: când accelerometrul este supus unei acceleraţii, masa se va
deplasa relativ faţă de bază, determinată de elasticitatea arcului, rezultând
astfel o forţă elastică asupra discurilor piezoelectrice, deci datorită efectului
piezoelectric direct pe terminalul de ieşire apare o sarcină electrică
proporţională cu această deplasare.
Considerând că acceleraţia are, în timp, o variaţie sinusoidală de
frecvenţă f şi amplitudine a , structura piezoelectrică are aria secţiunii

transversale A şi grosimea  , coeficientul de elasticitate c33 şi coeficientul

piezoelectric d33 , masa adiţională m are un coeficient de vâscozitate  şi o

constantă de elasticitate k, sarcina electrică are amplitudinea Q , dată de

următoarea expresie:
ad33 Ac33
Q 1
 2 2 2 2
  f    f   (3.13)
 1       2   4 f 0
2 2

   f 0    f0  

 CAPITOLUL 3
138______________________________________________________________________
În această formulă  este un coeficient de atenuare determinat de
vâscozitatea masei adiţionale, iar f 0 este frecvenţa de rezonanţă elastică

determinată în principal de această masă,  şi f 0 având următoarele

expresii:

 1
2  mk  2

1
(3.14)
1 k 2
f0   
2 m
În cazul supunerii accelerometrelor la şocuri elastice răspunsul
electric poate fi determinat prin analiză Fourier analizând caracteristica de
frecvenţă a pulsului elastic şi electric de răspuns. Rezultă, deci, că răspunsul

electric la şocuri elastice depinde de frecvenţa de rezonanţă elastică f 0 şi de

coeficientul de atenuare  , după cum se poate constata şi din Fig. 3-18,
care prezintă caracteristica răspunsului pentru un puls de acceleraţie
rectangular de durată T pentru   0; 0, 4; 0, 7;1 şi diferite valori ale

frecvenţei f 0 .

q q
2 q0 2 q0 2
-a=0 -a=0 -a=0
1,5 0,4 0,4 0,4
1 0,7 1 0,7 1 0,7
1
0,5
0 0 0
-0,5
-1 -1 -1
t t t
0 0,5T T 1,5T 0 0,5T T 1,5T 0 0,5T T 1,5T
f0  3
f0  1 T f0  5
T T
Fig. 3-18. Răspunsul accelerometrului piezoelectric la şocuri elastice în funcţie de frecvenţa
de repetiţie.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________139
În afară de tipul de compresie constructiv prezentat in Fig. 3-17,
accelerometrele pot fi realizate şi în alte forme constructive. Accelerometrul
din Fig. 3-19a se caracterizează prin faptul că masa adiţională este
cilindrică, fiind lipită de structura piezoelectrică, tot de formă cilindrică şi
lipită la rândul ei de un suport central; când acceleratorul este supus
acceleraţiei, masa adiţională produce forţe şi deformaţii tangenţiale în
structura piezoelectrică, determinând unde elastice de contur. Acest tip

constructiv se caracterizează printr-o valoare mare a lui f 0 şi sensibilitate

mai mică la agenţii externi perturbatori.
Tipul constructiv din Fig. 3-19b conţine o structură piezoelectrică
flexibilă în care apar unde elastice transversale de încovoiere datorită masei

adiţionale lipită la capătul structurii. Având o sensibilitate mare şi f 0 mică

acest tip de accelerator se utilizează în aplicaţii medicale la frecvenţe joase
sau acceleraţii constante.

a b
Fig. 3-19. Tipuri constructive de accelerometre.

Ca şi în cazul microfoanelor piezoelectrice, pentru detecţia sarcinii

electrice de răspuns a acceleratorului se utilizează un preamplificator printr-
un cablu de conectare ale cărui caracteristici electrice şi montere pe
accelerometru pot influenţa negativ transferul de sarcină.
 CAPITOLUL 3
140______________________________________________________________________
Accelerometrul poate fi considerat un generator de sarcină având
S
schema echivalentă din Fig. 3-20, unde C0 este capacitatea traductorului,

iar Cc capacitatea cablului folosit.

C0S  Cc

I  j Q C0S  Cc ~ U
Q
C0S  Cc

a b
Fig. 3-20. Scheme echivalente ale accelaratoarelor piezoelectrice.

Parametrii principali ai unui accelerator sunt sensibilitatea de

sarcină Sq şi sensibilitatea de tensiune Su , care au valori uzuale de

1100 pC/g şi respectiv 1100 mV/g; unde g reprezintă acceleraţia

gravitaţională. Răspunsul de joasă frecvenţă este determinat de constanta de

timp Rt Ct , formată din impedanţa de ieşire a acceleratorului şi impedanţa de

intrare a amplificatorului, în cazul preamplificatorului de tensiune; iar în
cazul preamplificatorului de sarcină numai de frecvenţa de tăiere a acestuia.
Răspunsul de înaltă frecvenţă este limitat de frecvenţa de rezonanţă

elastică f 0 , invers proporţională cu valoarea masei adiţionale.

Domeniul de frecvenţă rezultat are valori uzuale de 120000 Hz,
existând însă şi accelerometre miniatură, care funcţionează până la 100 kHz.
Domeniul dinamic de funcţionare, definind domeniul în care
semnalul electric rămâne proporţional cu acceleraţia la care este supus, are
valori de ordinul 103g pentru regim continuu de funcţionare şi de 10 4g în
cazul şocurilor elastice nerepetitive. Parametrii funcţionali pot varia în
funcţie de condiţiile mediului exterior, care acţionează în primul rând asupra
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________141
structurii piezoelectrice; acestea sunt realizate uzual, din cuarţ, sare
Rochelle şi ceramică feroelectrică de tip PZT.
Temperatura mediului ambiant determină modificarea sensibilităţii,
capacităţii şi rezistenţei unui accelerometru cu valori de ordinul procentelor
într-un domeniu de temperatură (-100ºC200ºC). Când temperatura de lucru
se află în apropierea temperaturii Curie rezultă depolarizarea parţială sau
totală a materialului piezoelectric şi scăderea puternică a sensibilităţii; în
acest caz este necesară răcirea forţată a acceleratorului. Variaţiile bruşte de
temperatură determină un semnal de zgomot la ieşire prin intermediul
efectului piroelectric în cazul materialelor feroelectrice şi datorită apariţiei
unor tensiuni elastice neuniforme. Presiunea atmosferică şi oscilaţiile
acesteia determină, de asemenea, un semnal de zgomot care poate fi
micşorat printr-o soluţie constructivă care să izoleze mecanic structura
piezoelectrică de exterior.
Efectul negativ al condensării, determinat de umiditatea
atmosferică, poate fi eliminat complet prin sigilarea cu o răşină
impermeabilă a conectorului de ieşire, caz în care accelerometrul poate fi
utilizat şi în medii lichide.
Pe de altă parte, pentru ca determinările să fie corecte este necesar
ca accelerometrul să fie foarte uşor, astfel încât să nu modifice condiţiile de
vibraţie elastică existente înainte de montarea acestuia. Prin ataşarea unui
accelerometru de masă ma unui corp de masă mc, acceleraţia efectivă

măsurată de accelerometru este mai mică decât acceleraţia corpului a c în

lipsa accelerometrului:
mc
ae  ac (3.15)
mc  ma
Totodată, sarcina suplimentară ma modifică frecvenţa de rezonanţă
elastică a corpului conform formulei următoare:
 CAPITOLUL 3
142______________________________________________________________________
1
 mc  2
fe  fc   (3.16)
 mc  ma 
unde f c şi f a sunt frecvenţele de rezonanţă înainte şi după ataşarea accele-

rometrului dacă ma  0,1mc , ae  ac şi f e  f c

Dar sensibilitatea accelerometrului este direct proporţională cu

masa adiţională care acţionează asupra structurii piezoelectrice, deci invers
proporţională cu frecvenţa maximă de lucru. Accelerometrele uzuale au o
masă totală de 1-100 g. Un rol important în obţinerea unor determinări
precise mai ales la frecvenţe mari de lucru, îl are mediul în care traductorul
piezoelectric este montat pe substrat. Este necesar ca accelerometrul să fie
montat mai rigid, în caz contrar micşorându-se frecvenţa de rezonanţă.
Fig. 3-21 prezintă câteva moduri de fixare a accelerometrelor pe
substrat.
Montura din Fig. 3-21a, constă în înşurubarea accelerometrului
într-un ştift metalic, filetat, realizat special în substrat; dacă suprafaţa nu
este bine şlefuită, aceasta trebuie unsă cu un strat foarte subţire de vaselină
siliconică înainte de înşurubare, ceea ce măreşte rigiditatea monturii.
Această montură este cea mai avantajoasă din punct de vedere al frecvenţei
maxime de lucru, cu condiţia să nu se înşurubeze puternic accelerometrul,
altfel se deformează baza acestuia.
Montura din Fig. 3-21b permite izolarea electrică a
accelerometrului de substrat şi constă în folosirea unui ştift izolator şi o
şaibă mică.
Montura din Fig. 3-21c se utilizează pentru măsurarea acceleraţiilor
de maxim 200g cu accelerometre cu masă mică pe substrate neprelucrabile
şi magnetice. Această montură necesită un magnet permanent ataşabil
suprafeţei pe care se înşurubează accelerometrul care este astfel şi izolat
electric de substrat.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________143
Montura din Fig. 3-21d utilizează o ceară (de exemplu ceară de
albine) pentru fixarea accelerometrului; datorită elasticităţii foarte scăzute a
acestui liant se obţine o caracteristică de frecvenţă foarte bună.

Magnet

a b c d
Fig. 3-21. Tehnici de montare a accelerometrelor.
Cuplarea accelerometrului la un preamplificator este realizată de un
cablu electric a cărui capacitate şi rezistenţă electrică influenţează valoarea
tensiunii electrice furnizată preamplificatorului; uzual capacitatea cablului
are valori de aproximativ 100 pF/m. În plus, pot apare variaţii de capacitate
distribuită şi sarcină locală datorită tensionării cablului în timpul lucrului,
determinând nivelul de zgomot al accelerometrului. În scopul micşorării
acestui zgomot cablul trebuie lipit (cu răşină epoxidică, ceară, etc) pe
substrat ori de câte ori este posibil acest lucru, împiedicând deplasarea sa
faţă de substrat şi tensionarea conectorului accelerometrului.
Preamplificator

Masă adiţională

Carcasă

Discuri
piezoelectrice

Conectori

Fig. 3-22. Structura unui accelerometru piezoelectric.

Uneori, în scopul eliminării zgomotului şi pierderilor în cablurile

de conectare lungi se introduce în interiorul traductorului piezoelectric un
 CAPITOLUL 3
144______________________________________________________________________
preamplificator cu câştig unitar care transformă impedanţa traductorului
într-o impedanţă de ieşire mică. Totodată, preamplificatorul încorporează un
filtru activ "trece jos" care elimină influenţa rezonanţei accelerometrului şi a
zgomotului de frecvenţă înaltă asupra tensiunii de ieşire. Fig. 3-22 prezintă
o secţiune printr-un astfel de accelerometru.
Acest tip de accelerometru are o sensibilitate foarte mare, putând
măsura nivele de 10-5 g şi o sensibilitate mică la agenţi termici, acustici,
magnetici, etc.

3.2 Circuite selective cu rezonatoare piezoelectrice

O aplicaţie importantă a rezonatoarelor piezoelectrice constă în
realizarea unor circuite care să prezinte o caracteristică de transfer dorită
într-un anumit domeniu de frecvenţă cu o utilizare foarte largă în cele mai
variate instalaţii de telecomunicaţii, de telecomandă şi telemăsură,
electronică industrială, automatizări, etc. Realizarea unor asemenea circuite
selective utilizând componente pasive clasice (bobine şi condensatoare) la
frecvenţe din ce în ce mai ridicate întâmpină dificultăţi din cauza pierderilor
energetice ale acestor componente, pierderi care devin cu atât mai
importante cu cât frecvenţa este mai mare.
Practica arată că realizarea filtrelor de bandă se face fără dificultăţi
mari dacă bobinele şi condensatoarele au factori de calitate care satisfac
condiţia aproximativă:
f0
Q   15  20 
Bt

unde f 0 este frecvenţa centrală, iar Bt lăţimea benzii de trecere.

Se constată, deci, că pentru obţinerea unor benzi de ordinul
kiloherţilor, la frecvenţe centrale de ordinul sutelor de kHz, sunt necesari
factori de calitate minimi ai componentelor utilizate de ordinul 1000, ceea
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________145
ce, în mod uzual, nu poate fi realizat. În acest domeniu de frecvenţă se
impune astfel folosirea rezonatoarelor piezoelectrice care permit obţinerea
unor factori de calitate foarte buni (până la 106).
Pentru realizarea circuitelor selective cu o caracteristică foarte
îngustă se utilizează rezonatoare de cuarţ, în timp ce pentru realizarea
circuitelor selective de uz comun se utilizează rezonatoarele piezoceramice
care au un factor de calitate care le situează între componentele pasive
clasice şi rezonatoarele piezoelectrice de cuarţ.
Un rezonator piezoelectric ceramic sau de
L cuarţ are o aceeaşi schemă echivalentă conform
C Fig. 3-23 indiferent de configuraţia sa geometrică,
Re S
C 0 R C0S variază între zeci de pF şi nF, Re este de ordinul

zecilor şi sutelor de k, L variază între 0,1 şi 100 H,

Fig. 3-23. Schema
echivalentă a unui
C între 0 ,1  100 pF, iar R este de ordinul 1  1000
rezonator piezoelectric.
. Variaţia componentei reactive X in a impedanţei

de intrare Z in şi respectiv susceptanţei de intrare Bin pentru un rezonator

piezoelectric (Fig. 3-24a şi 3-24b) relevă o frecvenţă de rezonanţă serie f s .

1 1
fs   L C  2 (3.17)
2
şi o frecvenţă de rezonanţă derivaţie f p
1
1  L  C  C0S  2
fp    (3.18)
2  C0S  C 

Caracteristica X in  f  , respectiv Bin  f  a unui rezonator

piezoelectric poate fi modificată prin conectarea unei bobine sau a unui
condensator în serie sau în derivaţie cu rezonatorul piezoelectric. În acest
sens conectarea unei componente reactive în serie lasă nemodificată
 CAPITOLUL 3
146______________________________________________________________________
frecvenţa de rezonanţă derivaţie şi modifică frecvenţa de rezonanţă serie
astfel:
 inductanţa lărgeşte intervalul dintre cele două rezonanţe, micşo-
rând frecvenţa de rezonanţă serie;
 capacitatea îngustează intervalul dintre cele două rezonanţe,
mărind frecvenţa de rezonanţă serie.
Fig. 3-24. Dependenţa de frecvenţă a reactanţei (a) şi susceptanţei (b) unui rezonator
piezoelectric.

Conectarea unei componente reactive în paralel lasă nemodificată

Xin Bin frecvenţa

de
rezonanţă
serie şi
0 fs fp f 0 fs fp f
modifică
frecvenţa
de
a) b) rezonanţă
derivaţie astfel:
 inductanţa lărgeşte intervalul dintre rezonanţe prin mărirea
frecvenţei de rezonanţă derivaţie;
 capacitatea îngustează intervalul dintre rezonanţe prin
micşorarea frecvenţei de rezonanţă derivaţie.
Totodată se constată că prin conectarea unei inductanţe în serie cu
rezonatorul piezoelectric apare o frecvenţă de rezonanţă serie suplimentară,
iar conectarea inductanţei în paralel cu aceasta determină apariţia unei
frecvenţe de rezonanţă suplimentară.
Importanţa modificărilor produse prin conectarea în serie sau
paralel a unor elemente reactive depinde de mărimea acestor elemente
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________147
raportată la valorile elementelor schemei echivalente ale rezonatorului
piezoelectric; ca regulă generală, aceste modificări trebuie să fie destul de
mici pentru a asigura rezonatorului rolul hotărâtor în obţinerea caracteristicii
dorite.
Caracteristicile de transfer obţinute cu circuite selective care conţin
rezonatoare piezoelectrice pot fi de tipul trece-jos, trece-sus, trece-bandă
(TB) şi opreşte-bandă (OB); primele două tipuri sunt mai rar utilizate, de
regulă rezonatoarele piezoelectrice fiind folosite la realizarea
caracteristicilor de tip TB şi OB.

3.2.1 Circuite selective în scară

Pentru determinarea principalelor caracteristici ale circuitelor
selective în scară, aceste circuite pot fi tratate ca nişte cuadripoli electrici

Ii Ie Ue
Ui
1
Ui Ue

0 fc1 fc2 f
a b
(Fig. 3-25a).
Fig. 3-25. Configuraţia (a) şi caracteristrica de transfer a unui filtru trece banda (b).

Cu ajutorul circuitelor selective cu rezonatoare piezoelectrice în

scară se poate obţine o caracteristică de frecvenţă de tip trece bandă,
caracteristică figurată pentru cazul ideal, în Fig. 3-25b, în care se consideră

că tensiunea la intrare se menţine constantă. Frecvenţele f c1 şi f c2 se

numesc frecvenţe de tăiere. Domeniul de frecvenţă în care tensiunea de

ieşirea U e este nulă se numeşte bandă de oprire (intervalul de frecvenţe

f  f c1 şi f  f c2 ), iar domeniul de frecvenţă în care U e  U i se numeşte

 CAPITOLUL 3
148______________________________________________________________________
bandă de trecere (intervalul dintre frecvenţele f c1 şi f c2 ). În afară de
caracteristica de frecvenţă circuitele trebuie să mai îndeplinească şi anumite
condiţii impuse impedanţei de intrare şi respectiv celei de ieşire.
Cele mai simple circuite selective hibride (formate şi din
rezonatoare piezoelectrice şi din componente pasive) sunt prezentate în
Fig. 3-26a, b (cele în ) şi respectiv Fig. 3-26c,d (cele în T).
De remarcat faptul că în circuitele selective de tip scară din
Fig. 3-26, în care apar două rezonatoare sau două condensatoare, acestea
sunt identice.

Rz C1
C2 C2 Rz Rz

a b

Rz Rz C1 C1

C2 Rz

c d
Fig. 3-26. Structuri de ciruite selective cu rezonatoare piezoelectrice.

Z1

Z1 Z1
Ui 2Z2 2Z2 Ue Ui 2 Z2 2 Ue

Fig. 3-27. Structura generală a filtrelor scară tip  şi T.

Pentru determinarea caracteristicii de transfer se pot utiliza

rezultatele oferite de teoria circuitelor electrice lineare referitoare la filtrele
simetrice şi realizarea din elemente pur reactive de tip  (Fig. 3-27a),
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________149
respectiv T (Fig. 3-27b) echivalente din punct de vedere al caracteristicii de
frecvenţă.
Conform acestei teorii considerând că circuitele lucrează adaptat,
adică pe impedanţa caracteristică, frecvenţele de tăiere f c1 şi f c2 sunt date
de ecuaţiile următoare:
Z1  0
(3.19)
Z1  4Z 2
Banda de trecere este definită de inecuaţia:
Z1
1  0 (3.20)
2Z 2
iar banda de oprire de domeniul de frecvenţă complementar
Z1 Z1
 1 , 0 (3.21)
4Z 2 4Z 2
În cazul circuitului din Fig. 3-26a, neglijând pierderile de putere

activă din Z1 şi Z 2 putem scrie:

2
 f 
1  
j fs  j
Z1     , Z2  (3.22)
  C0  C0  2C2
S 2
 f 
1  
 f p 

Rezultă expresiile:
f c1  f s
1
 2C S  f  2  2

 o  s  
 C2  2  C0S  C  
1
 C2  f p  
2
(3.23)
f c2  f s    fp  
 C2  2C0
S S
  2C0  1 
 C2 
 
Banda de trecere B caracterizată de U e  U i are valoarea
B  f c2  f c1  f p  f s (3.24)
 CAPITOLUL 3
150______________________________________________________________________
În banda de oprire există frecvenţe pentru care atenuarea este

infinită  U e  0  determinate de condiţiile

Z1   ; Z 2  0 (3.25)
În cazul de faţă apar trei astfel de frecvenţe caracteristice
f1  0 ; f 2  f p ; f3   (3.26)
De multe ori se utilizează rezolvarea grafică ce oferă o soluţie
calitativă rapidă pentru caracteristica de frecvenţă; pentru circuitul selectiv

din Fig. 3-26a rezolvarea grafică este prezentată în Fig. 3-28a unde adB este
atenuarea introdusă de circuit.
Fig. 3-28a. Caracteristica de atenuare a structurii din Fig. 3-26a.

Pentru circuitul selectiv din Fig. 3-26b, utilizând această metodă

grafică de rezolvare se obţine caracteristica de atenuare din Fig. 3-28b.

Z1 Z1
Z2

fs fp
0 f
Z2 Z1

adB

0 f1 f c1 f 2 f
fc2
După cum rezultă din Fig. 3-26a şi 3-28b banda de trecere a celor

două circuite este mai mică decât intervalul f p  fs caracteristic

rezonatoarelor piezoelectrice utilizate.
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________151
Fig. 3-28b. Caracteristica de atenuare a circuitului din Fig. 3-26b.
Z1
Z2 Z2

fs fp
0 f
Z1 Z2

0 f1 f2 f c1 f c2 f

Circuitul selectiv din Fig. 3-29a este confecţionat numai din

rezonatoare piezoelectrice; aplicând rezultatele teoriei circuitelor electrice
lineare se obţine pentru acest circuit caracteristica din Fig. 3-29b.
Z1 Z2
Z2 Z1

Rs Rz fs fp
0 f
fs=fp Z1
Z2
Rz

0 f f2 f c1 f c f3 f
1
b c2 f
Fig. 3-29. Structura şi caracteristica de atenuare a circuitului T cu rezonatoare
piezoelectrice.

Pentru funcţionarea corectă a circuitului selectiv din Fig. 3-29a este

necesar sa frecvenţa de rezonanţă serie a rezonatoarelor piezoelectrice
identice din braţul serie să coincidă cu frecvenţa de rezonanţă derivaţie a
 CAPITOLUL 3
152______________________________________________________________________
rezonatorului piezoelectric din braţul de rezonanţă derivaţie a rezonatorului
piezoelectric din braţul derivaţie, în acest caz frecvenţele caracteristice au
următoarele expresii:

f s2  f p12    f s12  f p2   f s2  f p2    f s12  f p2 

2

f c1,2  
2 1 
(3.27)
4  1     f f 
1
s
2 12
p  f s
12
f 2
p
2


2 1 

unde

4  C0S  C   f s 
2 2
 f
   p 
 C0S  C   f s   fp 
  (3.28)
f1  0; f 2  f s ; f 3  f p ; f 4  0

Se constată că banda de trecere este aproximativ dublă faţă de cazul

circuitelor selective hibride, fiind practic egală cu intervalul dintre
frecvenţele de rezonanţă serie şi derivaţie caracteristic rezonatoarelor
piezoelectrice identice.
Aceste circuite formate numai din rezonatoare piezoelectrice
prezintă o caracteristică de transfer mai bună, dar sunt mai greu de realizat
într-o producţie de masă.

3.2.2 Circuite selective în punte

Circuitele selective în punte simetrice au configuraţiile uzuale din
Fig. 3-30 (cu impedanţe identice în braţele opuse ale punţii), oferind
caracteristici de transfer de tip opreşte-bandă şi trece bandă.
Caracteristica de transfer ideală a unui circuit selectiv simetric pur
reactiv de tip opreşte bandă este prezentată în Fig. 3-30e considerând că
amplitudinea tensiunii de la intrare se menţine constantă; banda de oprire

este cuprinsă între frecvenţele de tăiere f c1 şi f c2 , iar banda de trecere în

CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________153
afara acestor frecvenţe.

Z1 Rz

Z2 L2
Z2 L2 Rz
Z1

a b

Rz Rz

Rz
C2 C2
Rz Rz Rz

c d
Ue
Ui
1

0 fc1 f c2 f
e
Fig. 3-30. Circuite în punte cu rezonatoare piezoelectrice (a-d) şi caracteristica de atenuare
ideală a filtrului opreşte bandă, FOB.

Conform teoriei circuitelor lineare, pur reactive banda de trecere

(caracterizată de adB  0 ) pentru un circuit simetric în punte este regiunea în

care reactanţele impedanţelor Z1 şi Z2 au acelaşi semn. Frecvenţele de tăiere

Z1
se obţin acolo unde mărimea Z 2 îşi schimbă semnul prin anulare sau prin

trecere prin infinit adică frecvenţele de rezonanţă serie şi derivaţie ale

impedanţelor din braţele punţii; frecvenţele de atenuare infinită rezultă din
condiţia de echilibrare a punţii:
Z1  f    Z 2  f  
 CAPITOLUL 3
154______________________________________________________________________
Utilizând metoda de rezolvare grafică se obţine pentru circuitul
selectiv din Fig. 3-30b caracteristica de atenuare din Fig. 3-31a.
Deci caracteristica este de tip opreşte-bandă având frecvenţele
caracteristice
f c1  f s ; f c2  f p ; B  f p  f s
1
1
 2
4 2 L2C0S f p2  1   4 2 L2C0S f p2  1  16 2 L2C0S f s2  
2 2

   (3.29)
f1  
8 L2C0
2 S


Similar pentru circuitul selectiv în Fig. 3-30c se obţine
caracteristica de atenuare de tip trece-bandă din Fig. 3-31b sau 3-31c în
funcţie de valoarea capacităţii condensatorului C2. Într-adevăr din expresia
frecvenţei de atenuare infinită
1
 2 C0S 2  2

 fs  C  f p 
f1  2  (3.30)
 C0S 
 1 C 
 0 
rezultă că pentru C2  C0 , f are valoare finită şi mai mare decât fp, care
S

creşte pe măsură ce C2 se apropie de C0 ( f1   pentru C 2  C0 ); pentru

S S

2
 fp 
S
C2 C   f1 are o valoare finită, apropiindu-se de fs pentru C2 foarte
0
 fs 

2
 fp 
mare, sau apropiindu-se de f=0 pentru C2  C   ; pentru C2 cuprinsS
0
 fs 

2
S  fp  S
între C şi C   , f nu există.
0 0
 fs 
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________155
Pentru circuitul selectiv realizat numai cu rezonatoare
piezoelectrice din Fig. 3-30d, aplicând metoda de rezolvare grafică se obţine
caracteristica din Fig. 3-31d de tip trece bandă; pentru funcţionarea corectă a

circuitului (nedespicarea benzii de trecere) s-a considerat f p  f s .

Se constată că:
f c1  f s ; f c2  f p ; B  f p  f s  2  f p  f s 

Z1 Z1 Z1 Z1
Z2 Z2 Z2

fs
0 fs fp f 0 fp f
Z1
Z2 Z1
adB adB

0 fc1 f 0 fc1 f c2 f1 f

f f
a1 c2 b

Z1 Z1 Z1
Z2 Z1 Z2 Z2
c b
fs
fp fs fp
0 Z2 f 0 fp= fs f
Z1 Z1 Z2
adB adB

0 f1 fc1 f c2 f 0 f1 fc1 f c fc2 f 2 f

c d
Fig. 3-31. Caracteristicile de filtrare ale circuitelor din Fig. 3-30.
 CAPITOLUL 3
156______________________________________________________________________
S
De asemenea, pentru C0  C0 există două frecvenţe de atenuare
S

infinită, foarte apropiate de frecvenţele de atenuare infinită, foarte apropiate

C0S
de frecvenţele de tăiere; pentru  0 rezultă f1  f s ; f 2  f p .
C0S 
Se obţine astfel o caracteristică foarte apropiată de cea ideală cu

pereţi verticali. Pentru C0 mai mic şi apropiindu-se de C0 frecvenţele f1

S S

şi f 2 se depărtează de f c1 şi f c2 tinzând către f1  0 şi respectiv

f 2   ; pentru C S0  C0S  nu există f  .

3.2.3 Circuite selective complexe

În afară de circuitele selective simple prezentate anterior,
echipamentele electronice realizate la ora actuală utilizează circuite selective
complexe care prezintă nişte caracteristici de transfer mai bune compensând
deteriorările provocate de pierderile energetice din componentele
electronice utilizate (concretizate în rezistoare în schema echivalentă);
totodată, aceste circuite trebuie să asigure o anumită flexibilitate în ceea ce
priveşte adaptarea impedanţei generatorului de comandă şi respectiv a
impedanţei de sarcină.
Aceste circuite selective, în general nesimetrice, conţin 110
rezonatoare piezoelectrice; cu cât numărul de rezonatoare este mai mare, cu

atât rejecţia în banda de oprire este mai mare  U e  0  .

Pe de altă parte, circuitele realizate numai din rezonatoare
piezoelectrice sunt mai greu de construit, dar prezintă o serie de avantaje
comparativ cu circuitele selective hibride şi anume:
circuitele rezonante monolitice (rezonatori piezoelectrici) au toate
acelaşi coeficient de temperatură;
CAPITOLUL 3
______________________________________________________________________157
au un gabarit redus;
nu necesită acordare după asamblare;
oferă o stabilitate în timp superioară.
Un exemplu tipic de astfel de circuit selectiv îl constituie circuitul
de filtrare a frecvenţei intermediare în receptoarele cu modulaţii de

amplitudine  f 0  455kHz  .
Întreprinderile electronice producătoare de rezonatoare
piezoelectrice oferă consumatorilor nu numai dispozitivele electronice
propriu-zise ci şi scheme complete de circuite hibride care utilizând
rezonatorii respectivi prezintă performanţe care acoperă întreg domeniul de
interes practic.
Tabelul 3-2.a sintetizează valorile componentelor pasive care
compun circuitul selectiv de tip scară din Fig. 3-32a precum şi
performanţele corespunzătoare; rezonatoarele identice utilizate sunt de tip

TF-04-442 cu  f s  442kHz  şi f p  468kHz  ; B6dB reprezintă banda de

atenuare de 6 dB, S atenuarea minimă în bandă de oprire, Pb atenuarea în

banda de trecere, Ri impedanţa de intrare, iar Re impedanţa de ieşire ale
circuitului selectiv.
C1 C3 Rz

Ri Rz C2 C4 Re

Fig. 3-32 a. Circuitul selectiv complex.

Tabelul 3-2. a
B6 S(dB) Pb(dB) Ri() Re() C1(pF) C2(pF) C3(pF) C4(pF)
(kHz)
1,9 47,7 10,0 17,600 130 273 4750 3360 282
3,0 39,9 6,5 8,700 184 288 2360 1650 309
5,3 30,5 2,8 4,360 367 329 1070 815 368
 CAPITOLUL 3
158______________________________________________________________________
7,7 24,4 1,8 2,870 520 388 763 525 436
9,9 19,9 1,4 2.100 672 474 564 378 495

Tabelul 3-2b sintetizează valorile componentelor care împreună cu

rezonatoarele de tip TF-04-442 compun circuitul selectiv din Fig. 3-32b
(bobina L1 de la intrare se foloseşte pentru a oferi o impedanţă mică pe calea
de curent continuu pentru colectorul tranzistorului de comandă al
circuitului).