1.

Determinaţi dimensiunile geometrice şi construiţi topologia rezistorului CI cu tranzistore

bipolare, care trebuie să îndestuleze următorii parametri:
ΔR
=20 %
Ri = 10k; Pi = 6mW; R ; ΔT = 40C; αR = 0,510-3 1/C; ρs = 300/; Δl=
Δb=0,1m.

b calc ≥b tehn , b p , b ∆
k f =R i /¿ ρs = 33.3

( )
∆l kf
b ∆= +∆ b
kf ∆kf
∆kf ∆ R ∆ ρ −3
= − −α R ∆T =0.2−0.05−0.5 ∙10 ∙ 40=0.13
kf R ρ

(
kf
) ( )
−6
∆l 0.1 ∙ 10 1
b ∆= +∆b = + 0.1∙ 10−6 =0.8 μm
kf ∆kf 33.3 0.13

b p=
√ Pi
P0 ∙ k f
=19 μm
l calc =b p ∙ k f =632.7 μm

n=
√
kf
2
=4
L = n(a+b)= 4(3+19) = 88 μm
l−na
B= =155 μm
n

2. Difuzia fosforului are loc în Si, în care concentraţia golurilor este egală cu 1,5 1016 cm-3, în
timp de o oră. Adâncimea p-n joncţiunii xp-n = 1,1m. Pe parcursul procesului de difuzie,
concentraţia fosforului la suprafaţă se menţine constant la nivelul de 1,5 1020 cm-3.
Determinaţi temperatura procesului.

x p−n=2 √ Dt ∙ (√ ln
N0
N (x , t)
−0.3 )
x p−n −4
1.1 ∙10 ( cm)
2 √ Dt =
−5
= =4 ∙ 1 0

(√ )√
20
N0 1,5 10
ln −0.3 ln 16
−0.3
N ( x ,t ) 1,5 10
2 2

D=
( 4 ∙ 1 0−5 ) ( 4 ∙ 1 0−5 ) −14
2
= =2.7 ∙ 10
4t 4 ∙ 3600
Temperatura se alege din grafic cu ajutorul lui D

3. Pe suprafaţa plachetei de Si, dopate cu As (ND = 41010cm-3) au fost depuşi atomi de Bor cu
concentraţia Q = 2,51013cm-3. Placheta a fost introdusă în cuptor pe 2 ore la temperatura
1200C ( DB = 10-12cm-2 /s). Determinaţi adâncimea p-n joncţiunii.

x p−n=2 √ Dt ∙ ln
√ N0
N (x , t)
 Q 2.5∙ 1013
N 0= = =1.6 ∙10 17
√ πDt √ 3.14 ∙ 10 ∙ 7200
−12

√
17
1.6 ∙ 10
x p−n=2 √ 10−12 ∙ 7200∙ ln =6.6 μm
4 ∙ 101 0

4. La formarea regiunii bazei tranzistorului bipolar se utilizează difuzia în două etape a borului
în pelicula epitaxială de tipul „n” cu concentraţia donorilor (21015cm-3). Parametrii
procesului:
T1 = 1050C; t1 = 10 min; D1=210-14cm-2 /s
T2 = 1100C; t2 = 1,5 ore; D2=10-13cm-2 /s
Solubilitatea solidă a borului la etapa predifuziei este 1,2*1021 см-3. De determinaz adîncimea
joncţiunii p-n.

√
x p−n=2 √ D2 t 2 ∙ ln
Q
N02
N (x , t)
N 0 2=
√ π D2 t2

√ D1 t 1
√
−14
2∙ 10 ∙ 60
Q=2 N 01 =2∙ 1.2∙ 1021 =1.48 ∙1015
π 3.14
Q 1.48 ∙1015 1.48 ∙10 15
N 02 = = = =3.6 ∙ 1019
√ 2 2 √3.14 ∙ 10 ∙5400 4.1 ∙10
π D t −13 −5

√
19
3.6 ∙10
x p−n=2 √ 10−13 ∙ 5400 ∙ ln =1.45 μm
2 ∙10 15