CUPRINS

I. Introducere II. Clasificarea tranzistoarelor A. Tranzistorul bipolar a) Clasificare. Simbol. Notaii b) Principiul de funcionare B. Tranzistoare cu efect de cmp 1. Tranzistoare J-FET a) Clasificare. Simbol. Notaii b) Principiul de funcionare 2. Tranzistoare MOS-FET a) Clasificare. Simbol. Notaii b) Principiul de funcionare 3. Alte tranzistoare cu efect de cmp C. Tranzistorul unijonciune III. Polarizarea tranzistoarelor A. Polarizarea tranzistoarelor bipolare B. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp 1.Polarizarea tranzistoarelor J-FET 2.Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET IV. Aplicaii ale tranzistoarelor A. Amplificatoare 1. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare 2. Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET 3. Etaj de amplificare cu tranzistor MOS-FET B. Regimul de comutaie al tranzistoarelor 1. Comutarea tranzistoarelor bipolare 2. Comutarea tranzistoarelor cu efect de cmp C. Circuite logice 1. Circuite logice cu tranzistoare bipolare 2. Circuite logice cu tranzistoare MOS (CMOS)

I Introducere

Materialele se pot clasifica din punct de vedere al rezistivitii n trei grupe: conductoare, izolatoare i semiconductoare. Materialele conductoare se caracterizeaz printr-o rezistivitate foarte mic, devenind superconductoare la temperaturi sczute de 0 K n cazul metalelor i aproximativ 0OC n cazul materialelor ceramice. Conducia n aceste metale este asigurat de electroni. Materialele izolatoare sunt caracterizate prin rezistiviti mari, la 0 K rezistivitile crescnd i mai mult. Spre deosebire de materialele mai sus menionate, materialele semiconductoare au rezistiviti medii raportat la cele dou tipuri de materiale. Proprieti semiconductoare au n special elementele tetravalente cum sunt germaniu i siliciu caracterizate prin valori medii ale energiei de extracie a electronilor de valen. La semiconductoare conducia este determinat de dou feluri de purttori de sarcin mobili: electronii negativi i golurile pozitive. Rezistivitatea acestora poate fi sczut prin diverse metode avnd ca rezultat creterea conductivitii lor. Una din metode este prin doparea semiconductoarelor prin impuriti pentavalente sau trivalente. n semiconductoarele intrinseci concentraia electronilor de conducie este egal cu cea a golurilor: nn=np. n cazul impurificrii semiconductoarelor intrinseci cu impuriti pentavalente sau donoare (arseniu, fosfor, stibiu) concentraia electronilor devine mult mai mare dect cea a golurilor nn>np. n acest caz se obin semiconductoare de tip n n care purttorii de sarcin majoritari sunt electronii. Dac semiconductoarele sunt dopate cu impuriti trivalente sau acceptoare (indiu, galiu, bor) concentraia electronilor devine mult mai mic dect concentraia golurilor nn<<np i se obin semiconductoare de tip p n care purttorii de sarcin majoritari sunt golurile. Prin doparea unui semiconductor pur pe o poriune cu impuriti donoare, iar pe urmtoarea poriune cu impuriti acceptoare se formeaz o regiune de tranziie ntre cele dou regiuni numit jonciune p-n. Materialele semiconductoare dopate sunt utilizate la fabricarea diodelor, tranzistoarelor, tiristoarelor. Aceste dispozitive nlocuind cu succes tuburile electronice cu vid sau gaz inert n marea majoritate a aplicaiilor.

II Clasificarea tranzistoarelor

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare cu trei electrozi. Aceti electrozi fac legtura cu trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferit ale aceluiai cristal semiconductor. Folosirea tranzistoarelor n locul tuburilor catodice prezint urmtoarele avantaje: - timpul de funcionare este mai ndelungat; - randamentul de funcionare este mai mare; - dimensiuni mici i greutate mic; - necesit tensiuni de alimentare mai mici. Exist de asemenea i anumite dezavantaje cum este influena temperaturii asupra caracteristicilor funcionale. Tranzistoarele pot fi folosite pentru construcia amplificatoare de semnal electric (curent, tensiune, putere), modulatoarelor i demodulatoarelor de semnal, pentru realizarea transformrilor de energie, producerea oscilaiilor, circuite de redresare, determinarea concentraiilor de substane chimice n gaze sau lichide, pentru construirea circuitelor logice. Tehnologiile de baz pentru construcia tranzistoarelor sunt tehnologia bipolar i cea bazat pe efectul de cmp. Din punct de vedere al tipului constructiv se deosebesc tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp i tranzistoare unijonciune.

A. Tranzistorul bipolar
La tranzistorul bipolar conducia este asigurat de electroni de conducie care au sarcini negative i de goluri care au sarcini pozitive, deci de dou tipuri de sarcin cu semne opuse. Tranzistorul bipolar i-a gsit numeroase aplicaii nu numai n circuitele de amplificare ci i n circuite logice, demodulatoare, modulatoare, oscilatoare, stabilizatoare de tensiune etc. De asemenea intr n componena circuitelor integrate aceste putnd avea de la cteva tranzistoare la zeci de mii de tranzistoare. a) Clasificare. Simbol. Notaii Tranzistoarele bipolare sunt alctuite dintr-un semiconductor cu trei straturi de conducie diferit care determin existena a dou jonciuni p-n. Din punct de vedere constructiv tranzistoarele bipolare sunt clasificate n tranzistoare de tip pnp formate din dou straturi de tip p

ntre care se afl un strat de tip n i tranzistoare de tip npn formate din dou straturi de tip n ntre care se afl un strat de tip p. n figura 1 sunt prezentate cele dou tipuri de tranzistoare bipolare npn (figura a) i pnp (figura b):

n care E reprezint emitorul, C reprezint colectorul, iar B reprezint baza; acestea sunt bornele tranzistorului bipolar. Cele trei borne sunt legate intern fiecare la una din cele trei regiuni semiconductoare ale tranzistorului. Dup cum se poate observa din figura 1 cele dou jonciuni p-n sunt: jonciunea emitor baz numit i jonciune de emitor i jonciunea baz colector numit jonciune de colector. Simbolizarea tranzistoarelor bipolare este prezentat n figura 2:

Fiecare tranzistor bipolar este caracterizat prin trei cureni i trei tensiuni care sunt prezentate n figura 3:

Curenii respect prima lege a lui Kirchhoff: IE = IB + IC Iar tensiunile reprezint diferena de potenial ntre puncte: UEB = UE - UB

UCB = UC - UB UCE = UC - UE Pentru obinerea tranzistoarelor bipolare de tip npn pe un substrat epitaxial de tip n care reprezint colectorul, se fac succesiv dou difuzii ca n figura 4. Prima difuzie, de tip p, reprezint baza, iar a doua difuzie de tip n reprezint emitorul.

Similar se obin i tranzistoarele pnp, substratul fiind de tip p, difuzia bazei de tip n i difuzia emitorului de tip p. Din punct de vedere al frecvenei maxime la care pot lucra tranzistoarele bipolare pot fi clasificate astfel: - tranzistoare bipolare de joas frecven pn la 100 MHz - tranzistoare bipolare de nalt frecven peste 100 MHz pn la frecvene de ordinul gigaherilor. O alt clasificare poate fi realizat n funcie de puterea maxim disipat de tranzistor: - tranzistoare bipolare de mic putere, pn la 750 mW; - tranzistoare bipolare de putere medie, ntre 3 i 15 W - tranzistoare bipolare de mare putere, peste 15 W. De asemenea, poate fi realizat o clasificare a acestora natura semiconductorului din care sunt confecionate: - tranzistoare bipolare cu germaniu; - tranzistoare bipolare cu siliciu. b) Principiul de funcionare Amplificarea este principalul rol al tranzistorului bipolar aceasta fiind obinut datorit efectului de tranzistor. Efectul de tranzistor reprezint trecerea unui curent foarte mare prin jonciunea colectorului polarizat invers datorit cu jonciunea emitorului polarizat direct. Una dintre condiiile care trebuie ndeplinite pentru realizarea efectului de tranzistor este urmtoarea: lrgimea bazei trebuie s mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin.. O alt condiie este doparea mai puternic a emitorului n raport cu baza. Pentru a ndeplini aceste condiii tranzistoarele bipolare se construiesc cu o grosime a bazei de aproximativ 1micrometru i slab dopat cu impuriti. Pentru tranzistorul npn din figura 5 polarizat n montaj cu emitor comun, datorit cmpului electric creat de sursa UB, electronii din emitor difuzeaz n baz. Datorit impurificrii slabe a bazei i a grosimii reduse au loc puine procese de recombinare a electronilor. Cea mai mare parte a acestor electroni difuzeaz prin stratul bazei spre jonciunea

colectorului unde diferena de potenial favorizeaz trecerea electronilor n colector. Sursa UB furnizeaz baze goluri care compenseaz procesele de recombinare ale electronilor care au loc n baz. Deci prin baz trece un curent de goluri .iar prin emitor i colector un curent de electroni.

n cazul n care jonciunea emitor-baz (EB) este polarizat direct i jonciunea colector-baz (CB) este polarizat invers regimul de funcionare se numete activ normal. Atunci cnd att jonciunea emitorului ct i cea a colectorului sunt polarizate invers, tranzistorul este blocat deoarece curenii sunt mici ambele jonciuni fiind blocate. n cazul polarizrii directe a ambelor jonciuni, regimul de funcionare se numete saturat, n care tensiunile sunt mici. O ultim variant este polarizarea invers a jonciunii emitorului i polarizarea direct a jonciunii colectorului regimul numindu-se, n acest caz, activ invers.

B. Tranzistoare cu efect de cmp

Tranzistoarele cu efect de cmp se noteaz cu FET corespunztor iniialelor cuvintelor din limba englez Field Effect Transistor sau cu TEC (tranzistor cu efect de cmp). n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp conducia se face cu ajutorul unui canal. Tranzistoarele cu efect de cmp au trei terminale (borne sau electrozi): dren D, surs S i poart G. ntre dren i surs circul curentul de dren ID prin intermediul canalului, conducia fiind asigurat doar de transportul purttorilor majoritari de sarcin. Din aceast cauz tranzistoarele cu efect de cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare. Prin aplicarea unei tensiuni ntre poart i surs se obine un cmp electric transversal care determin conductivitatea canalului. Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi cu canal p sau cu canal n. Dup modul de aplicare al cmpului de comand tranzistoarele FET pot fi: - J FET tranzistoare FET cu jonciune - IG FET tranzistoare FET cu poart izolat. Cel mai rspndit dintre tranzistoarele IG-FET este tranzistorul MOS-FET cu structur de tipul metal oxid semiconductor.

tranzistoarele cu efect de cmp sunt utilizate n special n circuite care necesit o impedan mare de intrare, circuite de control a rezistenei prin aplicarea unei tensiuni, n construcia circuitelor integrate de tipul memoriilor i microprocesoarelor datorit ariei mici de construcie.

1. Tranzistorul J-FET a) Clasificare. Simbol. Notaii Dup tipul canalului, tranzistoarele J-FET pot fi clasificate astfel: tranzistor J-FET cu canal n i tranzistor J-FET cu canal p. Aceste tranzistoare conin dou jonciuni p-n. n figura 6 este prezentat structura unui tranzistor J-FET cu canal n:

Canalul de tip n este mai puin dopat n raport cu substratul, care este de tip p. La extremitile canalului de tip p se afl dou zone mai puternic dopate cu impuriti donoare (n+) dect canalul. La jumtatea distanei dintre capetele canalului se realizeaz o zon puternic dopat cu impuriti acceptoare (p+). Sursa S i drena D se conecteaz la cele dou zone n +, iar poarta G la zona p+ i la substratul SS .Regiunile de trecere dintre zonele n + i canal vor ptrunde mai puternic n canal dect n zonele p+, acestea fiind impurificate mai puternic. La tranzistorul J-FET cu canal p substratul va fi de tip n, sursa i drena se conecteaz la regiuni de tip p+ i poarta sau grila la regiunea de tip n+ i substrat. Pentru tranzistorul J-FET se folosesc simbolurile din figura 7:

Sgeata indic ntotdeauna sensul de la p la n. n figura 8 sunt reprezentate tensiunile i curenii caracteristici tranzistoarelor J-FET:

Unde iD reprezint curentul de dren, iS curentul de surs, iG curentul de poart, UDS tensiunea dintre surs i dren iar UGS tensiunea dintre poart i surs. Deoarece curentul iG este foarte mic, putnd fi considerat egal cu zero, conform primei legi a lui Kirchhoff, curentul de dren va fi considerat egal cu cel de surs: iD=iS. Avantajele tranzistoarelor J-FET raportat la tranzistoarele bipolare sunt: zgomotul electronic mai redus, datorit lipsei purttorilor minoritari caracteristicile tranzistoarelor J-FET sunt influenate de temperatur n mai mic msur. Dezavantajele tranzistoarelor J-FET l reprezint faptul c realizeaz amplificarea intensitii spre deosebire de tranzistorul bipolar, iar amplificarea n tensiune este foarte mic. b) Principiul de funcionare ntre dren i surs se aplic o diferen de potenial care determin apariia unui cmp electric ce are ca rezultat deplasarea electronilor de la surs spre dren cu formarea curentului de dren ID. Prin polarizarea invers dintre poart i surs se croaz o regiune de sarcin spaial srcit n purttori de tip p care limiteaz lrgimea canalului de trecere dintre dren i surs. Cu ct diferena de potenial dintre poart i surs este mai mare, cu att limea canalului de trecere este mai mic i rezistena canalului mai mare, deci i curentul de dren mai mic. Jonciunile pn din structura tranzistorului (poart-strat epitaxial i strat epitaxial-substrat) sunt polarizate invers astfel nct curentul purttorilor minoritari este practic nul. Substratul este legat intern la poart pentru a asigura polarizarea invers i deci blocarea jonciunii substrat-strat epitaxial. Dac substratul nu este legat intern la poart se ofer posibilitatea unor diverse variante de polarizare

2. Tranzistorul MOS-FET a) Clasificare. Simbol. Notaii Tranzistoarele MOS-FET se clasific n tranzistoare MOS-FET cu canal de tip p i tranzistoare MOS-FET cu canal de tip n. O alt clasificare, tot n funcie de tipul canalului este urmtoarea: tranzistoare cu canal iniial i tranzistoare cu canal indus. Conducia curentului se realizeaz prin intermediul canalului. Tranzistoarele MOS-FET au trei terminale: dren D, surs S i poart G. Structura unui tranzistor MOS-FEt cu canal n este prezentat n figura 9:

n substratul realizat din material semiconductor dopat cu impuriti acceptoare (p) se practic dou zone dopate puternic cu impuriti donoare (n+) prin difuzie zone care se conecteaz la bornele surs S i dren D prin intermediul unui contact metalic. Izolatorul este constituit din dioxid de siliciu care este realizat pe suprafaa substratului de tip p avnd rolul de a separa semiconductorul de poarta G care const dintr-o plac metalic depus pe suprafaa izolatorului.

n cazul tranzistoarelor MOS-FET cu canal p substratul va fi de tip n, iar cele dou zone obinute prin difuzie vor fi de tip n+. Canalul poate fi obinut n dou moduri: fie prin realizarea unui canal iniial ntre zonele dren i surs i de acelai tip cu acestea, fie prin crearea canalului doar n momentul polarizrii sub influena cmpului electrostatic, fiind numit canal indus. Simbolizarea tranzistoarelor MOS-FET este prezentat n figura 10. Tensiunile i curenii care caracterizeaz tranzistoarele MOS-FET sunt prezentai n figura 11:

Notaiile folosite coincid cu cele de la tranzistorul J-FET. La fel ca i n cazul tranzistoarelor J-FET, iG este aproximativ egal cu zero. b) Principiul de funcionare Tranzistorului MOS-FET cu canal indus de tip n i substrat p i se aplic o tensiune dren surs UDS pozitiv i dei jonciunea surssubstrat este polarizat direct, curentul de dren este zero datorit blocrii jonciunii substrat-dren care este polarizat invers. La aplicarea unei tensiuni pozitive ntre poart i surs UGS datorit efectului de condensator dintre terminalul poart polarizat pozitiv i stratul semiconductor n acesta din urm este indus o zon cu sarcini negative. Dac tensiunea UGS este mai mare dect o valoare prag, ntre dren i surs va apare un canal indus de tip n care determin apariia unui curent ntre surs i dren. Valoarea prag ia valori ntre 2 i 6 voli i depinde de construcia tranzistorului. Pentru a asigura circulaie electronilor prin canal, stratul de metal al porii se ntinde parial i peste difuziile de tip n ale sursei i drenei. Pentru un tranzistor cu canal iniial n ntre surs i dren exist un canal de tip n. La aplicarea unei diferene de potenial negative ntre poart i surs (UGS<0), pe substrat, datorit negativrii depunerii metalice, se induce o zon de sarcin pozitiv care pentru o anumit tensiune duce la ngustarea canalului de tip n, deci la mrirea rezistenei i reducerea curentului de dren. Se spune c tranzistorul funcioneaz prin golire. Dac ntre poart i surs se aplic o diferen de potenial pozitiv (UGS>0) se induce n substrat o zon de tip n care determin lrgirea canalului i scderea rezistenei sale, deci o creterea curentului de dren. n acest caz, tranzistorul funcioneaz prim mbogire.

3. Alte tranzistoare cu efect de cmp Din aceast categorie a tranzistoarelor cu efect de cmp fac parte i tranzistoarele IS-MOS, tranzistorul D-MOS, tranzistorul FET vertical. a) Tranzistorul ionosenzitiv (IS-MOS) Acest tranzistor este cunoscut i ca tranzistor IS-FET i st la baza construiri unor senzori foarte mici. Conform structurii din figura 12 n substratul p se obin dou zone n prid difuzie la care se conecteaz drena D i sursa S. n locul plcii metalice care constituie poarta se afl un strat ionosenzitiv cu rol izolator. Acesta poate fi dioxid de siliciu cu alte texturi, sticle speciale, Ta2O5, SO3N4.

Cu excepia stratului ionosenzitiv toate celelalte poriuni sunt acoperite cu material plastic izolator. Stratul ionosenzitiv are rol de senzor, cu ajutorul acestui tip de tranzistor efectundu-se msurtori n diverse medii lichide sau gazoase. b)Tranzistorul D-MOS Structura tranzistorului D-MOS cu canal p este prezentat n figura 13:

Substratul este slab impurificat n. n substrat se realizeaz dou zone de difuzie i anume o zon n+ puternic dopat la care se conecteaz drena i o zon cu dou difuzii consecutive, o dopare cu impuriti acceptoare p, urmat de o zon dopat puternic cu impuriti donoare n+. Zona n+ se conecteaz la sursa S, iar zona p ce corespunde canalului p n aceast zon se conecteaz la poarta G. De aici vine denumirea de dubl difuzie a tranzistorului D-MOS. ntre canal i zona sursei exist o regiune

de drift. Prin aceast structur se elimin dezavantajul tranzistoarelor MOS-FET, la care nu erau admise erori n ceea ce privete distana ntre difuzii, deoarece n cazul n care difuziile se atingeau canalul devenea inexistent. ntre poart i canal se depune un strat izolator de dioxid de siliciu. Avantajul acestor tranzistoare este creterea frecvenei de lucru datorit inexistenei capacitii caracteristice a porii. c) Tranzistoarele FET verticale Tranzistoarele FET verticale fa de tranzistoarele MOS i D-MOS prezint avantajul c permit funcionarea la intensiti mari ale curentului electric. n continuare sunt prezentate: tranzistorul V-MOS, SIP-MOS i IGBT ultimele dou fiind produse de firma Siemens. Tranzistorul V-MOS Dup cum se poate observa n figura 14la substratul puternic dopat n+ se conecteaz drena prin intermediul unei plcue metalice. n stratul epitaxial care este mai slab dopat, prin dubl difuzie se creeaz o zon p i apoi o zon n+, n aceast zon conectndu-se sursa. Stratul de oxid de siliciu este de asemenea prezent.

La regiunea corodat n v care este acoperit cu dioxid de siliciu se conecteaz poarta G. Canalul este de tip p, deci apare doar n momentul polarizrii pozitive a porii fa de surs. n ultimul timp, la realizarea acestui tip de tranzistoare difuzia a fort nlocuit prin implementare ionic n ? metalice de aluminiu cu siliciu policristalin depus epitaxial. Tranzistorul SIP-MOS La acest tranzistor, substratul n+ este puternic dopat, drena fiind conectat prin intermediul unei plci metalice la acest substrat. Stratul epitaxial este slab dopat. n acest strat printr-o dubl implantare ionic se obin regiunile p i n+. Sursa S este conectat prin intermediul unei plci metalice de aluminiu. Stratul izolator este realizat din dioxid de siliciu n interiorul creia este realizat poarta din siliciu policristalin. n cazul polarizrii inverse, tranzistorul SIP-MOS se comport ca o dioda care prezint avantaj n cea ce privete regimul de circulaie. Un alt avantaj al acestor tranzistoare este funcionarea la tensiuni i cureni foarte mari.

Tranzistorul IGBT Denumirea acestor tranzistoare rezult datorit combinrii caracteristicilor avantajoase ale tranzistoarelor bipolare cu cele ale tranzistoarelor IG-FET ( Insulated Gate Bipolar Transistor). Prin combinarea celor dou tipuri de tranzistoare se obine un tranzistor cu vitez de comutaie mare, putere mare, rezisten dren-surs mic, impedan de intrare mare. Tranzistorul IGBT are trei terminale: emitorul E, colectorul C i poarta G. Conform figurii 16 substratul de tip p este acoperit de stratul epitaxial n- mai slab dopat. n acest strat prin implementare ionic se obin dou regiuni p n care se realizeaz cte dou regiuni n+, puternic impurificate. i n la acest tranzistor stratul izolator este de dioxid de siliciu n care se realizeaz poarte G din siliciu policristalin. Emitorul i colectorul se conecteaz prin intermediul unor plci metalice.

C. Tranzistoare unijonciune TUJ

Denumirea de tranzistor unijonciune rezult din existena unei singure jonciuni p-n. Acest tranzistor nu are rol de amplificare, fiind o

variant a tranzistorului bipolar cu rol de comutator. Aceste circuite se ntrebuineaz mai ales n circuitele de relaxare. Tranzistoarele unijonciune sunt alctuite dintr-o bar de siliciu dopat cu impuriti donoare (n) cu excepia unei poriuni situate aproximativ la jumtatea distanei dintre capetele barei care este impurificat cu impuriti acceptoare rezultnd astfel o zon de tip p+. Spre capetele barei se formeaz dou regiuni n+ obinute prin dopare mai puternic a acestor zone cu impuriti donoare.(fig 17)

Tranzistorul unijonciune are trei terminale: baza 1 B1, baza 2 B2 conectate la zonele n+ i emitorul conectat la structura p+. Ca i celelalte tipuri de tranzistoare conectarea terminalelor se face prin intermediul unor plci metalice. Simbolul de circuit al tranzistorului unijonciune sunt prezentate n figura 18:

La aplicarea unei diferene de potenial pozitive ntre emitor i baza B1 , dac ntre bazele B1 i B2 nu exist diferen de potenial tranzistorul unijonciune se comport ca o diod nseriat cu o rezisten de valoare mare. Rezistena se datoreaz rezistenelor dintre emitor i baza B1 (RB1) i dintre emitor i baza B2 (RB2). La aplicarea unei diferene de potenial pozitive ntre bazele B1 i B2 n substratul semiconductorului apare un cmp electric care determin n zona emitorului din substrat datorit rezistenelor RB1i RB2 un potenial cu valoarea VE. Dac tensiunea aplicat pe jonciunea EB1 este mai mare dect valoarea potenialului VE atunci tranzistorul este deschis. Dac tensiunea UEB1 este mai mic dect VE atunci jonciunea este polarizat invers i tranzistorul este blocat. Tranzistorul unijonciune programabil avnd construcia similar unui tiristor, are avantajul c poate regla valoarea potenialului VE prin intermediul a dou rezistoare externe montate mpreun la poart. Terminalele acestui tranzistor sunt: anodul A, catodul C i poarta G i are structura schematic prezentat n figura 19:

III. Polarizarea tranzistoarelor

a. Polarizarea tranzistoarel or bipolare

Deoarece tranzistorul bipolar funcioneaz n general la fel ca un cuadripol (figura 20 ) i sunt necesare dou borne de intrare i dou de ieire, iar tranzistorul bipolar are doar trei terminale (emitor, colector i baz), este necesar ca unul dintre terminalele tranzistorului bipolar s fie comun circuitului de intrare i ieire.

n consecin, tranzistorul bipolar poate avea trei conexiuni: emitor comun EC, colector comun CC i baz comun BC prezentate n figura:

Folosirea conexiuni emitor comun se face n cazul unei amplificri mari de putere, curent sau tensiune, conexiunea colector comun se folosete cnd este necesar o impedan mare de intrare i o impedan de ieire mic, iar conexiunea baz comun se folosete pentru frecvene mari ale semnalului. Punctul static de funcionare este un punct de coordonate I UE, ( adic curent continuu, tensiune continu) n care tranzistorul funcioneaz optim.

n practic se folosete o singur surs de polarizare, obinerea efectului dorit realizndu-se cu ajutorul rezistoarelor. n figura este prezentat schema de polarizare a unui tranzistor bipolar de tip npn n montaj cu emitor comun: Rezistorul RC asigur polarizarea colectorului, iar rezistorul RB polarizarea bazei i deci valoarea curentului de colector. Schema are dezavantajul c variaiile de temperatur influeneaz negativ stabilitatea valorii rezistorului RB i tensiunile UBE i UCE.

n figura 23 este prezentat o alt schem de polarizare a unui tranzistor npn cu emitor comun:

n acest caz polarizarea bazei este asigurat de un divizor de tensiune alctuit din rezistoarele RB1 i RB2, compensndu-se astfel efectul variaiei temperaturii asupra polarizrii. O alt variant de polarizare a unui tranzistor npn cu emitor comun n care s-a introdus un termistor este prezentat n figura 24: Micorarea tendinei de cretere a curentului de colector se datoreaz prezenei termistorului care i micoreaz rezistena la creterea temperaturii.

ii. Polarizar ea tranzisto arelor cu efect de cmp

1.Polarizarea tranzistoarelor J-FET La polarizarea tranzistoarelor J-FET, principalul obiectiv este asigurarea tensiunii dintre surs si poart UGS. In schema din figura 25, polarizarea este realizat prin intermediul unui rezistor RG cu valori de ordinul megaohmilor. Tensiunea necesar polarizrii este dat de cderea de tensiune de pe rezistorul Rs determinat de curentul de surs iS. Rezistorul RG nu poate avea valori mai mari, de ordinul sutelor de megaohmi, pentru c curentul de poart iG, chiar dac este foarte mic, de ordinul nanoamperilor ar determina o cdere de tensiune de aproximativ 1V. Schema de polarizare este influenat mult de temperatur.

O polarizare mai corect se poate realiza cu circuitul din figura 26, inde polarizarea este asigurat printr-un divizor de rezistoare.

2. Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET Pentru tranzistoarele MOS-FET cu canal indus realizarea polarizrii dintr-o singur surs de alimentare este simpl, deoarece tensiunea surs-dren i poart surs au aceeai polaritate. O astfel de schem este dat n figura 27:

La tranzistoarele cu canal iniial este necesar ca tensiunea UGS dintre poart i surs s poat fi att pozitiv, ct i negativ, n funcie de modul de funcionare al tranzistorului prin golire sau mbogire. Pentru rezolvarea alimentrii de la o singur surs, tensiunea U GS este preluat din curentul de tranzistor iS care determin o cdere de tensiune pe rezistorul RS, cdere de tensiune care este aplicata porii printr-un rezistor R2.

V. Aplicaii ale tranzistoarelor

A. Amplificatoare

A amplifica un semnal nseamn a mri valorile instantanee ale tensiunii sau intensitii fr a modifica variaia n timp a acestor mrimi, folosind energia unor surse de alimentare. Un amplificator este caracterizat de urmtorii parametrii: -distorsiunea formei de und a semnalelor; n realitate la amplificatoare forma de und a semnalului de ieire este puin modificat fa de cea a semnalului de intrare. Cu ct cele dou forme de und sunt mai asemntoare, cu att amplificatorul este mai performant. -mrimea amplificrii; se determin prin raportul dintre tensiunea semnalului de intrare i cea a semnalului de ieire sau ntre intensitatea semnalului de intrare i intensitatea semnalului de ieire. -stabilitatea funcionrii amplificatorului se refer la funcionarea optim a amplificatorului care sub aciunea unor factori externi sau interni poate autooscila. Pentru evitarea autooscilaiei, schemele sunt prevzute cu bucla de reacie. -zgomotul intern al amplificatorului, datorat funcionrii componentelor electronice care au zgomot propriu. Un zgomot intern prea mare mpiedic amplificarea semnalelor mici. -sensibilitatea amplificatoarelor la zgomote exterioare se refer la influena factorilor externi asupra funcionrii amplificatorului. Se folosesc diverse scheme care limiteaz aceast influen. Clasificarea amplificatoarelor se poate face in funcie de mai multe criterii: Dup frecvena semnalelor, amplificatoarele pot fi: de curent continuu i de curent alternativ. Amplificatoarele de curent continuu pot amplifica tensiuni i curenti cu variaie aleatorie. Amplificatoarele de curent alternativ se clasifica dup domeniul frecvenelor semnalelor n: -amplificatoare de audiofrecven; -amplificatoare de videofrecven; -amplificatoare de radiofrecven. Dup mrimea semnalului de intrare, amplificatoarele pot fi: -amplificatoare de semnal mic; -amplificatoare pentru semnale mari; -amplificatoare de putere. Constructiv, amplificatoarele pot fi clasificate astfel: -amplificatoare cu un singur etaj de amplificare; -amplificatoare cu dou etaje de amplificare;

-amplificatoare cu mai multe etaje de amplificare. Un etaj de amplificare este format din unul sau dou tranzistoare.

1. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare Etajele cu tranzistoare bipolare sunt foarte diferite ntre ele prin modul de conectare i numrul tranzistoarelor. Sunt cele mai rspndite etaje de amplificare realizate cu componente discrete. a. Etaje cu tranzistoare n conexiune emitor comun Schema etajului de tip emitor comun este prezentat n figura 29. Rezistoarele RB1, RB2,RC i RE i condensatorul CE au rolul de a asigura polarizarea tranzistoarelor i stabilitatea punctului static de funcionare in funcie de tensiunea de alimentare.

Condensatoarele CG si CL au rolul de a bloca componenta continua. Ele trebuie sa aib o capacitate suficient de mare astfel nct sa se comporte ca un scurtcircuit la frecventa cea mai mica a semnalului de intrare. Un astfel de amplificator asigura o amplificare mare att in curent, cat si in tensiune. Performantele etajului depind foarte mult de funcionarea tranzistorului si de aceea trebuie asigurata stabilitatea punctului static de funcionare. Sursa de alimentare trebuie sa fie stabilizata. b. Etaje cu sarcina distribuita Etajul de amplificare este similar cu cel cu emitor comun, doar ca rezistenta din emitor nu mai este decuplata cu ajutorul condensatorului CE. Schema etajului este data in figura 30. In acest circuit amplificarea in tensiune este independenta de parametrii tranzistorului, dar in schimb scade mrimea amplificrii dac rezistorul RC este inclus in etaj. Dac RC nu face parte din etaj, amplificarea este de transadmitan.

c. Etaje cu tranzistoare in conexiune colector comun (repetor pe emitor) Polarizarea tranzistoarelor se face cu rezistoarele RB1, RB2 i RE. Condensatorul are acelai rol ca i n cazul etajului cu emitor comun. Rezistena de intrare a etajului este limitat de rezistena divizorului din baz, iar rezistena de ieire e foarte mare din care cauz etajul este considerat un amplificator ideal de tensiune. Amplificarea n curent depinde de valoarea rezistenelor din divizorul de polarizare al bazei i de rezistena de sarcin a amplificatorului, fiind mult supraunitar. Amplificarea acestui etaj poate fi mrit dac se polarizeaz baza cu un singur rezistor dar atunci crete instabilitatea punctului de funcionare.

c) Etaje cu tranzistoare n conexiunea baz comun Polarizarea tranzistorului este realizat de RB1 i RB2 pentru baz i de RE i RC pentru emitor i respectiv colector. Rezistena de intrare la acest etaj este mic, de ordinul zecilor de ohmi. n schimb rezistena de ieire este foarte mare putnd atinge valori de ordinul megaohmilor. Din aceast etajul cu baz comun este considerat un amplificator ideal de intensitate, chiar dac amplificarea n curent a etajului este mai mic dect unu. Amplificarea n tensiune este similar cu cea a etajului n conexiunea cu emitor comun.

Etaje de amplificare compuse cu tranzistoare bipolare. Pentru mbuntirea performanelor etajelor de amplificare se folosesc uneori etaje formate din dou tranzistoare cu polarizare inseparabil. a) Etaje compuse colector comun-emitor comun i colector comun-colector comun. Tranzistoarele sunt conectate ntre ele ca n figura 33:

Circuitul astfel format are o rezisten de intrare de ordinul sutelor de kiloohmi i o rezisten de ieire de ordinul zecilor de kiloohmi. Mrimea amplificrii depinde de valoarea factorului de amplificare al celui de al doilea tranzistor, primul tranzistor avnd doar rolul de a mri impedana de intrare. Primul tranzistor asigur totui o amplificare n curent, iar al doilea tranzistor amplific n curent i tensiune. Avnd n vedere proprietile montajului colector comun, acest etaj are o impedan de intrare foarte mare i o impedan de ieire foarte mic. Ambele tranzistoare amplific n curent, astfel nct aceast amplificare este foarte mare. Circuitul este un amplificator ideal de tensiune. Un caz particular al combinaiei colector comun-colector comun este conexiunea Darington prezentat n figura 34: Rezistena R joac rolul unui generator de curent i a fost introdus datorit intensitilor de colector diferite ale celor dou tranzistoare.

c) Etaj compus emitor comun-baz comun (cascod) Schema de conectare este prezentat n figura 35:

Un astfel de montaj are o rezisten de intrare moderat i rezisten de ieire neobinuit de mare. Combinaia emitor comun- baz comun este un amplificator de curent cu proprieti similare unui etaj emitor comun. Tensiunea de ieire poate atinge valori mult mai mari dect n conexiunea emitor comun. n figura 36 sunt prezentate dou variante de polarizare a etajului cascod n care se consider c toate condensatoarele funcioneaz ca un scurtcircuit la frecvena semnalului de intrare. n varianta a polarizarea bazelor celor dou tranzistoare se realizeaz cu rezistoarele RB1, RB2, RB3. RC asigur polarizarea colectorului celui de al doilea tranzistor, iar RE i CE polarizarea emitorului. n varianta b, baza primului tranzistor este polarizat de rezistoarele RB1 i RB2 iar baza celui de-al doilea tranzistor de rezistenele RB3 i RB4.

d) Etaj compus colector comun-baz comun (cu cuplaj de emitor) Schema de principiu a acestui etaj este prezentat n figura 37:

Acest etaj are proprieti asemntoare cu ale montajului cascod, ns are avantajul c necesit tensiuni de alimentare mai mici datorit conectrii n paralel a celor dou tranzistoare. Polarizarea tranzistoarelor ntr-un etaj cu cuplaj pe emitor se realizeaz ca n figura 38.

Aceast schem este folosit la amplificatoare, circuite de limitare a semnalului, circuite basculante, circuite logice i oscilatoare. 2. Etaje de amplificare cu tranzistoare cu efect de cmp a) Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET Tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune amplific doar n tensiune, amplificare care este foarte mic. Avantajul lor const n rezistena de intrare mare pe electrodul poart, zgomotul redus i dependena mic de temperatur. La fel ca la tranzistorul bipolar unul din terminalele tranzistorului trebuie s fie comun att intrrii ct i ieirii semnalului. Etaj de amplificare cu tranzistoare n conexiunea surs comun Schema amplificatorului este dat n figura 39. Amplificarea n tensiune este mai mic dect n cazul unui etaj cu tranzistor bipolar n conexiunea emitor comun cu care se aseamn dac curentul de lucru este acelai. Rezistoarele R1, R2, RD i RS asigur

polarizarea tranzistorului. Impedana de intrare este egal cu valoarea rezistenei echivalente a rezistenelor R1 i R2 legate n paralel, iar impedana de ieire este egal cu RD. La frecvene mai mari ale semnalului de intrare amplificarea circuitului scade. Condensatorul CS are rolul de a scurtcircuita la mas componentele d3e semnal ale curentului de surs. Condensatorul C2 are rolul de a nu permite componentei continue a curentului de dren s ajung pe rezistena de sarcin

. Etaj de amplificare cu tranzistoare n conexiunea dren comun (repetor pe surs) Acest etaj este similar celui cu tranzistoare bipolare n conexiunea colector comun.

Rezistorul RS asigur polarizarea sursei i ofer curentul necesar polarizrii porii prin divizorul rezistiv format de R1 i R2. Condensatoarele C1 i C2 sunt condensatoare de cuplaj care au rolul de a bloca componenta continu a semnalului. Amplificarea n tensiune este sensibil mai mic dect a circuitului repetor pe emitor cu tranzistoare bipolare. Etaj de amplificare cu tranzistoare n conexiunea gril comun Schema electric a acestui etaj este prezentat n figura 41. Condensatorul C3 are rolul de a diminua semnalele perturbatoare ce pot ajunge pe poart de la sursele de alimentare. Amplificarea depinde de performanele tranzistorului i de valoarea rezistorului RD.

Etaj cascod cu tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune Primul tranzistor al etajului T1 are rolul de generator de curent pentru polarizarea tranzistorului T2. Condensatorul C3 care conecteaz grila tranzistorului la mas are rolul de a reduce semnalele perturbatoare la fel ca n cazul etajului cu poart comun. Toate condensatoarele se consider n scurcircuit la frecvena minim a semnalului de intrare.

Amplificarea acestui etaj este egal cu cea a etajului cu surs comun format dintr-un singur tranzistor J-FET. Avantajele acestui etaj fa de cel cu surs comun se datoreaz afectului Miller redus la frecvene mari ale semnalului de intrare i valoarea foarte mare, de ordinul a sute de megaohmi, a rezistenei de ieire. n comparaie cu etajul cascod cu tranzistoare bipolare amplificarea acestui etaj este mai mic iar rezistena de intrare i de ieire sunt mult mai mari. Amplitudinea semnalului pe sarcin este foarte mare fiind limitat doar pentru a nu strpunge tranzistorul ntre dren i poart. c) Etaje de amplificare cu tranzistoare MOS-FET Schema unui astfel de etaj cu tranzistoare MOS-FETeste dat n figura 43: Rezistoarele din circuit au rolul de a asigura alimentarea n curent continuu a tranzistorului. Condensatoarele de cuplaj C1 i C2 se consider scurtcircuitate la frecvena semnalului de intrare, avnd rolul de a bloca componenta continu a semnalelor.

B. Regimul de comutare al tanzistoarelor

Prin comutare se nelege trecerea tranzistorului succesiv din stare se blocare n stare de conducie puternic i invers. Trecerea din stare blocat n stare de conducie se numete comutare direct. Trecerea din stare de conducie n stare blocat se numete comutare invers. Proprietile de comutare ale tranzistoarelor sunt folosite la formarea, generarea i prelucrarea impulsurilor electrice. 1. Comutarea tranzistorului bipolar La comutarea tranzistorului bipolar au loc procese de acumulare sau extracie de purttori de sarcin minoritari n regiunile neutre. n regiunile de trecere au loc procese de acumulare/extracie de purttori de sarcin majoritari.

Un circuit simplu de comutare este dat n figura 44. n baza tranzistorului se aplic un semnal de comutare dreptunghiular a crei variaie n timp este prezentat n figura 45. Potenialul VR menine tranzistorul n regim de blocare iar potenialul VF asigur comutarea tranzistorului n regim de conducie. Timpul n care se face comutarea depinde de durata de descrcare a capacitilor de barier, durata difuziei purttorilor minoritari prin baz i timpul necesar creterii i descreterii curentului de colector. Pentru reducerea timpului de comutare se folosesc tranzistoare bipolare de

comutaie care au anumite caracteristici constructive. Pentru reducerea timpilor de via ai purttorilor minoritari tranzistoarele bipolare pentru comutare sunt dopate cu aur. Capacitile de barier se reduc printr-o arie ct mai mic la colector i printr-o rezistivitate mare n regiunea colectorului.

Reducerea timpilor de comutare se poate face i prin modificarea semnalului de comand ca n figura 46. Comutarea direct are loc n acest caz pn la saturaie incipient pstrnd i avantajele comutrii n saturaie: disiparea unei puteri mici pe tranzistor i un semnal de ieire cu amplitudine mare.

O alt metod de reducere a timpilor de comutaie este folosirea montajului din figura 47 n care condensatorul C are rolul de a micora timpul de comutare.

Pentru a evita saturarea tranzistorului se poate folosi unul din circuitele din figura 48. Intrarea n saturaie este prevenit de deschiderea diodei ceea ce reduce curentul de baz.

2. Comutarea tranzistoarelor cu efect de cmp Proprietile tranzistoarelor cu efect de cmp fac ca acesta s se comporte n regim de comutare foarte diferit de tranzistoarele bipolare. Tranzistoarele cu efect de cmp au rezisten de ieire foarte mare att n stare blocat (108 ohmi) ct i n stare de conducie n regim de saturaie (104 105 pentru J-FET i 103 104 pentru MOS-FET). n regiunea liniar de conducie rezistena de ieire variaz ntre 1 i 1000 ohmi depinznd de tensiunea aplicat pe poart. n regim de comutaie tranzistoarele cu efect de cmp se folosesc n aceast regiune liniar. Rezistena de ieire este de asemenea mare (108 109 ohmi pentru J-FET i 1012 1014 ohmi pentru MOS-FET). Lipsa purttorilor minoritari la tranzistoarele cu efect de cmp face ca acetia s nu fie afectai de fenomene de acumulare de sarcin rezultnd timpi de comutare mai mici dect la tranzistoarele bipolare. Procesele fizice care au loc la comutare sunt asemntoare pentru tranzistoarele J-FET i MOS-FET.

Un exemplu de circuit cu tranzistor J-FET este dat n figura 49. Pe poarta tranzistorului se aplic un semnal de comutare dreptunghiular ca n figura 50. Nivelul VGG menine tranzistorul blocat, comutarea direct fcndu-se ctre VG=0. Ct timp tranzistorul este blocat canalul de conducie este trangula pe toat lungimea sa. Jonciunea poart canal se comport ca un condensator cu capacitatea CG i un rezistor cu rezistena RG legate n serie ca n figura 51.

La comutarea direct procesul de comutare are loc ntr-un timp ce depinde de timpul de descrcare al capacitii CG care face ca tensiunea la bornele sale s nu varieze instantaneu.

Curentul de dren fiind format din puttori majoritari apare instantaneu sub aciunea tensiunii de comand, timpul de tranziie al purttorilor de sarcin prin canal fiind neglijabil. Astfel timpi dec comutare sunt maxim de ordinul zecilor de nanosecunde, mult mai mici dect la tranzistoarele bipolare. La comutare invers condensatorul CG se ncarc i deci blocarea tranzistorului se face n timp finit. Timpul de comutare al tranzistorului fiind foarte mic la tranzistoarele cu efect de cmp trebuie s inem seama i de elementele parazite ale montajului. De fapt, aceste elemente sunt cele care determin comportarea tranzistoarelor cu efect de cmp n regim de comutaie.

C. Circuite logice
Circuitele logice sunt dispozitive care realizeaz transmisia, memorarea i prelucrarea informaiei. Informaia este n acest caz un semnal electric dreptunghiular. Aceste semnale dreptunghiulare numite impulsuri. Sunt prezentate n figura 52. Impulsurile din figura s i b se numesc impulsuri pozitive deoarece sunt situate deasupra nivelului de referin iar cele din figura c i d impulsuri negative fiind situate sub nivelul de referin. Tensiunile sunt folosite pentru a reprezenta dou niveluri logice. Tensiunile mai mari reprezint 1 logic (HIGH sau adevrat) iar tensiunile mai mici reprezint 0 logic ( nivelul inferior LOW sau fals). Fiecare nivel logic ntr-un circuit este reprezentat de un domeniu de valori ale tensiuni i nu de o valoare fix. Acest domeniu depinde de tipul constructiv al circuitului.

Din punct de vedere constructiv circuitele logice pot fi realizate cu tranzistoare bipolare sau n tehnologie metal-oxid-semiconductor (CMOS). 1. Circuite logice cu tranzistoare bipolare Circuitele logice cu tranzistoare bipolare pot fi realizate cu componente discrete sau n tehnologie integrat. Pentru o tensiune de alimentare de 5 V folosit la aceste circuite tensiunea dei8ntrare pentru nivelul 0 logic poarte lua valori ntre -0,5 V i 0,75 V, iar pentru nivelul 1 logic ntre 2 V i 5,5 V(fig. 53). La ieire circuitele logice cu tranzistoare bipolare asigur tensiuni ntre 0 V i 0,5 V pentru nivelul 0 logic i ntre 2,5 V i 5 V pentru nivelul 1 logic.

Circuitul din figura 54 numit inversor realizeaz funcia logic NU (NOT). Tabela de adevr pentru aceast funcie este prezentat n figura 54 c. Dac tensiunea de intrare este 0 V tranzistorul este blocat i la ieire se obine o tensiune aproximativ egal cu tensiunea de alimentare, corespunztor nivelului HIGH. Dac tensiunea de alimentare este mai mare de 2 V (nivel 1 logic) tranzistorul comut n regim de saturaie i tensiunea de ieire este aproximativ 0V (nivel LOW). Simbolul de circuit al inversorului este prezentat n figura 54 b.

n figura 55 a este prezentat un circuit care realizeaz funcia logic I-NU (NAND) a crei tabel de adevr este dat n figura 56 b. Dac la

cel puin una din cele dou intrri tensiunea este O V atunci n nodul de circuit P potenialul are o valoare de 0,6 voli meninnd blocate dioda D 3 i tranzistorul. Fiind blocat tranzistorul tensiunea de ieire este aproximativ egal cu tensiunea de alimentare de 5 V (HIGH). Dac la ambele intrri semnalul este 1 logic tranzistorul se deschide intr n saturaie i tensiunea de ieire coboar la 0 V (LOW). Simbolul de circuit este prezentat n figura 56 a.

Circuitele logice n tehnologie integrat au la baz poarta logic TTL (Logic Tranzistor Tranzistor ) care realizeaz funcia I-NU (NAND).

Tranzistorul multiemitor T1 realizeaz funcia celor trei diode din circuitul I-NU cu componente discrete. Avantajul acestei variante este evacuarea rapid prin curent de colector a sarcinii acumulate n baza lui T2 la tranziia din HIGH n LOW la intrare. Tranzistorul lucreaz n regiunea activ invers. Diodele D2 i D3 protejeaz jonciunile baz emitor prin limitarea satului negativ n tensiune. Tranzistorul T2 lucreaz n regim de comutaie n funcie de potenialul bazei asigurat de tranzistorul T1. Tranzistoarele T3i T4 formeaz etajul de ieire n contratimp. Poarta se mai numete poart elementar deoarece este cel mai simplu circuit TTL care realizeaz o funcie logic ntre dou intrri. Folosind combinaii de pori elementare se pot obine i alte operaii logice. Prin unirea intrrilor A i B se obine funcia logic NU realizat de inversor.

Pentru realizarea funciei logice i ntre dou intrri porile elementare se leag ca n figura 59 a. Tabelul de adevr al funciei logice I (AND) este prezentat n figura 59 b.

Pentru realizarea funciei logice SAU (OR), care are tabelul de adevr prezentat n figura 60b, sunt necesare trei pori elementare conectate ca n figura 60 a.

Funcia SAU-NU este realizat cu patru pori elementare. Modul de conectare si tabelul de adevr sunt prezentate n figura 61

. Cu un circuit SAU-EXCLUSIV i un circuit I se realizeaz un circuit semisumator folosit la adunarea a dou numere binare.

2.Circuite logice cu tranzistoare MOS-FET Circuitele logice integrate reprezint principale aplicaie a tranzistoarelor MOS-FET, aceste circuite logice fiind folosite pa scar larg sau foarte larg. Unul din avantajele folosirii tranzistoarelor MOSFET impedana mare de intrare i de ieire cea ce determin un consum mic de energie. Practic tranzistorul nu consum energie dect n timpul comutrii ntre nivelele logice. Fa de circuitele TTL au avantajul c nu limiteaz valoarea tensiunea de alimentare la 5 V, ci permit un domeniu de tensiuni de alimentare ntre 3 i 30 V. Suprafaa mic pe care se poate construi un tranzistor MOS-FET n tehnologie integrat este un alt avantaj ce permite construirea circuitelor cu numr mare de tranzistoare. Domeniile tensiunilor pentru nivelele logice 0 i 1 sunt prezentate n figura 63. Pentru a putea fi comparate cu domeniile de tensiuni ale circuitelor TTL s-a ales aceeai tensiune de alimentare.

Circuitul esenial n realizarea circuitelor logice este inversorul CMOS (Complementary Symetry MOS) prezentat n figura XX. Inversorul CMOS este format din dou tranzistoare MOS-FET cu canale induse, unul de tip p i cellalt de tip n, conectate n serie. Dac tensiunea de intrare este mai mic dect tensiunea prag a tranzistorului cu canal n (nivel 0 logic) atunci acesta este blocat iar cel cu canal p este n deschis. Rezistena surs-dren a tranzistorului fiind mic tensiunea de ieire este egal cu tensiunea de alimentare (nivel 1 logic). Dac tensiunea de intrare este mai mare dect diferena dintre tensiunea de alimentare i tensiunea prag a tranzistorului cu canal p (nivel 1 logic) atunci este blocat tranzistorul cu canal p i conduce tranzistorul cu canal n. Tensiunea de ieire n acest caz este nul (nivel 0 logic) deoarece rezistena surs-dren a tranzistorului cu canal indus n este foarte mic.

Dup cum se poate observa inversorul CMOS realizeaz funcia logic NU a crui tabel de adevr a fost prezentat n figura 54 c. Un alt circuit CMOS important este comutatorul bilateral analogic. Acesta este format din patru tranzistoare MOS-FET. Dou tranzistoare, unul cu canal indus n i cellalt cu canal indus p sunt montate n paralel. Celelalte dou tranzistoare formeaz un inversor CMOS (figura 65).

Substratele celor dou tranzistoare sunt legate la cel mai cobort potenial din schem pentru tranzistorul cu canal n i la cel mai ridicat potenial din schem pentru tranzistorul cu canal p. Inversorul are rolul de a asigura blocarea tranzistoarelor concomitent atunci cnd semnalul

de control este la nivelul 0 logic i funcionarea ambelor tranzistoare pentru semnalul de control 1 logic. Circuitele logice CMOS sunt foarte variate avnd multe aplicaii mai ales n tehnica de calcul, calculatoare personale etc. Aceste exemple nu epuizeaz toate tipurile de circuite logice construite cu tranzistoare MOS-FET sau bipolare.