Testul 1

1. Corpuri solide cristaline si corpuri solide amorfe

Pentru a descrie cum sint lansati atomii in corpuri solide ne imaginam ca atomii au forma unei
sfere regulate. Plasarea unui atom fata de altul poate fi diferita in fiecare corp solid. In fiecare
corp solid atomii sint plasati intr-un mod anumit. In corpurile solide care prezinta interes,
plasarea atomilor corespunde plasarii periodice a unui desen in 3 directii. Asa corpuri solide se
numesc cristale. Structura aceasta se numeste structura cristalina. Ordinea in care sint aranjati
atomii in corpuri solide adeseaori aduce la simetria interna- formei cristalului externe:
Ex: NaCl (sare- forma cub)
Daca proprietatile cristalului sint aceleasi in 3 directii de masurare cristalul se numeste
izotrop(forma cub). In caz contrar cristalul este anizotrop(hexagon-graft). Unele
materiale(metale) au structuri cristaline foarte simple, iar altele complicate(mat. organice)
constau din 100-150 de atomi. Sint materiale in care sint niste domenii diferite in care se
pastreaza ordinea la distanta mica, asa materiale se numesc materiale cu ordinea apropiata spe
deosebire de cristale unde exista ordinea extinsa. Aceste materiale se numesk mezomorfe sau
precristaline: Ex: Apa structurata, sticla, cristal, fibra optica, etc.
Starea structurala amorfa este caracterizata printr-o dezorientare completa a atomilor in spatiu,
asa matriale se numesc amorfe sau lichide inghetate. In electronica se utiizeaza materiale
cristaline si amorfe (Ex: diode pe baza Si cristalin si pe baza structurii amorfe). Starea
structurala cristalina reprezinta cel mai inalt grad de omogenitate spatiala si starea aceasta are
nivel energetic intern cel mai jos. Ex: sistem care consta din 2 atomi la atingerea carora apare o
legatura: 7 atomi -> 12 legaturi. In fiecare corp solid sint prezente 2 forte : 1)de respingere; 2)de
atractie. Unica forma de miscare a atomilor in cristal este oscilatia linga pozitia de echilibru.
Daca cristalul este ideal energia interna este minimala.

2. Vibratii acustice si optice
Unda acustica un lant monoatomic cu o anumita constanta a retelei, oscileaza in aceesi faza
Semilungime (a)



Lungime 2L
Unda optica lant care consta din 2 tipuri de atomi si scileaza in antifaza. Interactiunea luminii cu
cristalul. O- unda optica
A- Unda acustica
LO Longitudinala optica
LA longitudinala acustica
TO transversala optica
TA transversala acustica

Fiecare unda este o portie de energie si impuls.Oscilatia normala poate fi reprezentata ca un oscilator
normal, care are masa medie masa atomilor, si oscileaza ci frecventa oscilatiei normale. Energia
oscilatorului normal este cuantificata. E
OH
= (n +1/2)h n= 0,1,2. E
fon
= h (-frecventa MIN) .
FONON o portie minimala de oscilatie a atomilor in cristal
FOTON o portie MIN de lumina
Diferenta: - atomii vecini osc. In aceeasi faza cind lungimea de unda e mare(frecventele sint joase)
- Cind oscilatiile au loc diferit
- Cind cristalul consta din atomi dif. cu mase dif.
- Retelele osc. una fata de alta, are loc excitarea selectiva
E

3. Functia de dispersie a electronilor liberi curva de dispersie
Disperesia este o dependeta a energiei de numarul de unda E(k).
Electronii liberi sint electroni asupra carora nu actioneaza nici o forta si
au masa constanta, ei se pot misca in orice dorectie cu orice viteza.
Conform ipotezii lui Ebroel, electronii liberi cu masa m
0
(de repaus), k
care semisca cu viteza v si are impulsul p, I se poate asocia o unda cu = h/p si = E/h.
- Unde h const. lui Plank
Este prezenta dualitatea: cind electronul este particula, si cind electronul este unda . Din = h/p , obtinem
p = h/ = (2 ) / = k => k = 2/, unde k- nr. de unda.
p = k (k vector de unda) | k | = 2/ ; h = 2
Energia electronilor liberi: E = E
c
= p
2
/2m
0
= (h
2
k
2
)/2m
0

Periodicitatea potentiala determina nu doar caracteristica de benzi al spectrului energetic, ci poate
modifica relatia de dispersie, care pentru electronii liberi este o parabola. Electronii se misca in cimp
periodic.
4. Functia densitatii de stari
g(E) functia densitatii de stari g(E) ~ - o parabola g
n
(E)
variatia densitatii starilor in functie de E
g
p
(E) ~
Eg
E < E
F
, T = 0K, E
-
= 0, F
n
= 1

f
n
= E > E
F
, T = 0K, + , F
n

E = E
F
, T > 0K, F
n
= 1/2

Ev Ec E
Consculzie:
1)Nivelul Fermi este asa nivel care separa nivelele ocupate de nivelele libere. Nivelele aflte mai
jos decit nivelul Fermi, sunt ocupate de electroni la T = 0K cu probabilitatea egala cu 1. Toate
nivele aflate mai sus de nivelul Fermi, la T =0K sunt liberi.
2)Probabilitatea ocuparii nivelului Fermi cu electroni la orice T difera de 0, = .
3)La cresterea T, f
n
(E)- functia de distributie se distrama si prezinta functia lina, ceea ce
inseamna ca mai sunt nivele neocupatesub nivelul fermin, si ocupate deasupra niv. F. Cu
cresterea T

o parte din electroni trec sus, ceea ce duce la aparitia golurilor jos.
4)In semic. intrinsec niv. F se afla la mijl. Intre E
c
si E
v
, ceea ce inseamna ca probabilitatea
aparitiei in BC si a golurilor in BV sunt egale la orice T.
5)In semic. donor niv.F in 1jum.(sus de Eg), mai sus de Eg/2. Nivelul Fermi se afla mai sus cu
cit concentratia donorilor este mai inalta.
5. Dependeta pozitiei nivelului Fermi de concentratia atomilor de
impuritati in semiconductorii de tip n si p.
Concentratia=> nr toatal de electroni in unitate de volum. Pozitia niv. Fermi arata
concentratia care purtatori predomina .
- Pentru semiconductor donor( n>>p~0) nivelul Fermi se afla in prima jumatate de Eg, in
apropiere de Ec cu atit mai aproape cu cit concentratia donorilor este mai inalta,
predomina electroni.
1)N
d
< N
c
dopare slaba, putini donori; 2) N
d
> N
c
- dopare puternica, are concentratie
mare; dupa care este egalare si predomina N
c
- Pentru semiconductor acceptor(p>>n~0)nivelul Fermi se afla in a doua jumatate de Eg,in
apropiere de Ev. Cu atit mai aproape cu cit concentratia acceptorilor este mai inalta,
predomina goluri: (1)2)TOT ASA, numai ca invers)
- Semiconductori care contin simultan si acceptori si donori:
N
d
- conc.

donorilor; N
a
- conc. acceptorilor
N
d
- N
a
- predomina donori; N
a
- N
d
predomina acceptori
Relatia dintre n si p depinde de pozitia nivelului Fermi. Graf. Dep. Niv.Fermi de variatia
concentratiei impuritatilor:

Donor Acceptor
n p Ec
maj. electr. maj. gol

Eg/2

Ev


N
d
(N
a
=0) N
d
= N
a
N
a
(N
d
=0)

6. Ecuatia de neutralitate
Un semiconductor de tip n are nivelul Fermi situat deasupra mijlocului benzii interzise, iar un
semiconductor de tip p are nivelul Fermi situat sub mijlocul benzii interzise.
Pentru a stabili concentratiile de purtatori in functie de concentratiile de atomi donori (N
D
) si
de atomi acceptori (N
A
) se pleaca de la doua relatii fundamentale. Prima relatie : p
0
n
0
=n
i
2

se numeste ecuatia sau conditia de echilibru (termic), si este valabila numai la echilibru
termic. Cea de-a doua relatie : p
0
-n
0
=N
A
-N
D

reprezinta ecuatia sau conditia de neutralitate. Pentru un semiconductor de tip n rezolvarea
sistemului de ecuatii duce la n
0
N
D
si p
0.
Ecuatia de neutralitate electric.Expresiile care permit calcularea concentraiilor n i p ale
lectronilor i golurilor presupun cunoaterea poziiei nivelului Fermi. Dar, nivelulFermi nsi
depinde de temperatur i de concentraia de purttori. Poziia lui se poatemodifica substanial
cnd sunt introduse impuriti responsabile pentru strile localizate(nivelele din banda interzis).
Acest lucru este normal deoarece nivelul Fermi determin distribuia electronilor pe strii prin
introducerea impuritilor se creaz stri localizate n banda interzis, care pot fi ocupate att cu
electroni ct i cu goluri. Prin crearea nivelelor discrete n banda interzis are loc o redistribuire a
electronilor n stri ceea ce estereprezentat prin variaia poziiei nivelului Fermi. Ecuaia din are
se deduce energiacorespunztoare nivelului Fermi F W poart numele de ecuaia de neutralitate
electric .Se noteaz cu Nd i Na concentraiile de impuriti donoare i respectiv acceptoare.
Carezultat al ionizrii termice se creaz n semiconductor un numr de electroni i goluri.Purt
torii de sarcin liberi se creaz ca rezultat al ionizrii att a atomilor de impuritate ct i a tomilor
cristalului. Sarcina total a tuturor particulelor ncrcate electric trebuie s fie zero, deoarece
cristalul nu este ncrcat electric. Condiia de neutralitate electricse aplic att ntregului cristal
ct i unitii de volum de cristal.


7. Conductivitatea semiconductorilor
Fenomenul conductiei il putem intilni in cazul dependentei E(k). Modelul aceastei dependente il
putem analiza utilizind zinele Brillouin. Intervalul valorilor lui k, in care functia E(k), iar la
granite apar discontinuitati, se numeste zona Brillouin:
Schema redusa a depndentei spre prima zona a E(k) E

Zone impare: centru- minim
Granite maxim IV
Zone pare: centru -maxim
Granite - minim
E(k)MAX- in conductive participa goluri
E(k)MIN-in conductive participa electroni
III
Cu cresterea energiei : Cresc zonele permise
Scad zonele interzise II
Creste curbura(amplitudinea)
I
-/a /a k
n regim stationar conductivitatea are forma

unde: m
n
si m
p
, sunt masele electronului respectiv golului. Conducti vit atea tot al a a
mat eri al ului s
t
, are o componenta s corespunzatoare absent ei i luminarii si o
component a de fotoconducti vit ate Ds:
, unde:
Temperatura influenteaza st ruct ura de benzi energeti ce, modificnd valoril e
benzil or E
C
, E
V
, E
F
, si l atimea benzii int erzise: DE
g
. Cu cresterea temperaturii,
latimea benzii int erzise: D E
g
@4kT, se marest e, dar mobil itat ea si numarul
purt at oril or de sarcina creste n masura mul t mai mare, i ar conduct ivit at ea
mat eri al ului semiconductor se mareste.
8. Efectul Hall in metale
Efect Hall aparitia fortei electromotoare transversal, la trecerea curentului la actiunea cimpului
magnetic si electric.
In cazul metalelor participa doar electronii, golurile lipsesc. Pentru ca in metale sint doar
electroni majoritari si minoritari nu exista.
(p = 0, A = 1) R
H
=

< 0
La descrierea acestei relatii, consideram ca toti purtatorii de sarcina au aceesi viteza.Aceasta
afirmatie este corecta pentru metale, insa incorecta pentru semiconductori, daca viteza
purtatorilor de sarcina are repartitia dupa legea lui Maxwell.






9. Dependenta coeficientului de absorbtie de energia fotonilor.

2
Dependenta coef. De absorbtie la energia fotonilor in limita de absorbtie

semiconductori cu tranzitii directe: La tranzitia electronului determinate de Eg
din MaxBV in MinBC energia cuantei absorbite este egala cu dif.
energiei electronului in aceste stari

h = Ec Ev.
La interactiunea electronului cu radiatia electromagnetic sint posibile
numai astfel de tranzitii pentru care vectorul de unda este conservat.
Tranzitiile cu conservarea vectorului de unda se numesc directe. Eg h
Coeficientul de absorbtie pentru tranzitiile directe se exprima prin relatia:
(h) = A(h - Eg)
1/2
unde A=const.
Aceasta relatie este justa intr-un interval limitat de variatii (h - Eg). Pentru E < Eg absorbtia
luminii nu are loc.
Dependenta coef. De absorbtie la energia fotonilor in
1/2
semiconductori cu tranzitii indirecte:


In cazul cind slabesc regulile de selectie, sint premise tranzitiile indirect.
Legea conservarii cvasiimpulsului, pentru tranzitiile indirect, este
satisfacuta datorita interactiunii cu fononul. 1
Tranzitiile indirect au loc la emisia, sau absorbtia fononilor.
In acest caz dependent coef. De absorbtie in functie de enrgie este: 2
(h) = B(h - Eg E
ph
)
2

Sect.1(emisia fononului) Sect.2(absorbtia fononului) h
Limita absorbtiei fundamentale poate sa se deplaseze sub actiunea T,
cimpului exterior sau doparii puternice. Eg-E
ph
Eg Eg+E
ph


10. Fotodetectori selective si integrali
Fotodetectori selective sint dispositive prezente in voltmetru selective care cu ajutorul caruia
putem alege lungimea de unde necesara , utilizinduse aici si reteaua de difractie asupra careia
cade o cantitate de lumina. f
Fotodetectorii selective si integrali se utilizeaza in diapazon
foarte scurt, fiecare lungime de unda necesare are fotodetector
caracteristic.
fototdetector integral






Fotodetectori selectiv