Lab Cia 3

Cuprins
Introducere
Lucrarea I. Simularea funcionrii
elementare cu amplificatoare operaionale
circuitelor
1.1. Introducere teoretic

1.1.1. Amplificator inversor
1.1.2. Configuraie inversoare cu amplificare mrit
1.1.3. Amplificator sumator inversor
1.1.4. Amplificator de diferen
1.1.5. Amplificator de instrumentaie
1.1.6. Amplificator cu reacie pozitiv controlat
1.1.7. Redresor bialternan 1
1.1.9. Comparator cu histerezis
1.2. Simularea circuitelor cu amplificatoare operaionale
1.3. Intrebri
Lucrarea a II-a. Evaluarea prin

parametrilor amplificatoarelor operaionale
simulare

2.1.1. Tensiunea de decalaj (offset) de intrare, VIO
2.1.2. Curenul de polarizare, I B
2.1.3. Curentul de offset (decalaj) de intrare, I IO
2.1.4. Amplificarea n bucl deschis, a
2.1.5. Rezistena de intrare, Ri
2.1.6. Rezistena de ieire, Ro
2.1.7. Curentul maxim de ieire, I O max
2.1.8. Tensiunea maxim de ieire, VO max
2.1.9. Slew-rate-ul, SR
2.2. Simularea circuitelor cu amplificatoare operaionale
pentru determinarea parametrilor acestora
2.2.1. Tensiunea de offset (decalaj) de intrare
2.2.2. Curenii de intrare I B , I B i curentul de
decalaj de intrare, I IO
2.2.3. Amplificarea n bucl deschis
2.2.4. Rezistena de ieire
2.2.5. Tensiunea maxim de ieire
2.2.6. Curentul maxim de ieire
2.2.7. Viteza maxim de variaie a semnalului de
ieire (slew-rate)
2.2.8. Rspunsul n frecven al unui amplificator
inversor
2.3. Intrebri
Simularea
Lucrarea a III-a.
amplificatoarelor difereniale
funcionrii

3.1.1. Amplificatorul diferenial bipolar elementar
3.1.1.1. Funcionarea pe mod diferenial
3.1.1.2. Funcionarea pe mod comun
3.1.1.3. Domeniul maxim al tensiunii de
mod comun de intrare
cu degenerare n emitor
ii
3.1.3. Amplificatorul diferenial CMOS elementar

cu degenerare n surs
3.1.5. Structur paralel de amplificator diferenial
pentru creterea domeniului maxim al tensiunii de
3.1.6. Amplificator diferenial bipolar cu
sarcin activ
3.1.7.
Amplificator
diferenial
cu
suma
VGS constant
3.1.8. Amplificator diferenial format din dou etaje
3.1.9. Amplificator diferenial cu reacie negativ
i AO
3.2. Simularea amplificatoarelor difereniale bipolare
i CMOS
cu degenerare n emitor
cu degenerare n surs
3.2.5. Structur paralel de amplificator diferenial
pentru creterea domeniului maxim al tensiunii de
3.2.6. Amplificator diferenial bipolar cu
sarcin activ
3.2.7.
Amplificator
diferenial
cu
suma
VGS constant
iii

3.2.10. Amplificator diferenial cu reacie
negativ i AO
3.3. Intrebri
Lucrarea a IV-a. Simularea funcionrii surselor

de curent
4.1.1. Surse de curent elementare
4.1.1.1. Oglinda de curent bipolar
4.1.1.2. Oglinda de curent CMOS
4.1.1.3. Sursa de curent bipolar cu
rezistene n emitor
4.1.1.4. Sursa de curent CMOS cu
rezistene n surs
4.1.1.5. Sursa de curent Widlar bipolar
4.1.1.6. Sursa de curent utiliznd V BE ca
referin
4.1.1.7. Surs de curent cu diod Zener
4.1.2. Surse de curent cu rezisten de ieire mare
4.1.3. Surse de curent cu autopolarizare
4.1.3.1. Sursa de curent cu autopolarizare
utiliznd V BE ca referin
4.1.3.2. Sursa de curent mbuntit cu
autopolarizare utiliznd V BE ca referin
4.1.3.3. Surs de curent cu autopolarizare
cu diod Zener
cu dependen negativ de temperatur
4.1.3.5. Surs de curent PTAT cu
autopolarizare
4.1.4. Surse de curent cu dependen redus de
temperatur
4.1.4.1. Dependena de temperatur a
tensiunii baz-emitor
i dependen redus de temperatur
4.2. Simularea surselor de curent bipolare i CMOS
iv

4.2.1.3. Oglinda de curent bipolar cu
rezistene n emitor
4.2.1.4. Oglinda de curent CMOS cu
rezistene n surs
4.2.2. Surse de curent cascod
4.2.2.1. Oglind de curent cascod CMOS
4.2.3.2. Sursa de curent mbuntit cu
autopolarizare utiliznd V BE ca referin
4.2.3.3. Surs de curent cu diod Zener cu
autopolarizare
i dependen negativ de temperatur
4.2.4. Surse de curent cu dependen redus
de temperatur
4.2.4.1. Surs de curent PTAT cu
autopolarizare
4.3. Intrebri
Lucrarea a V-a. Simularea funcionrii referinelor

de tensiune
5.1.1. Dependena de temperatur i de tensiunea de
alimentare a referinelor de tensiune
5.1.1.1. Obinerea unei tensiuni CTAT
5.1.1.2. Obinerea unei tensiuni PTAT
Circuite cu corecia de ordin I a caracteristicii de
temperatur -referina de tensiune bandgap
5.1.1.3. Referin de tensiune bandgap
elementar
utiliznd un AO - varianta I
utiliznd un AO - varianta a II-a
5.1.1.6. Referin de tensiune bandgap cu

tensiune de ieire ajustabil utiliznd
un AO
5.1.1.7. Referin de tensiune cu
diod Zener
funcionare n curent
5.1.2. Circuit de stabilizare termic pentru referine
de tensiune
5.2. Simularea referinelor de tensiune bipolare i CMOS
5.2.1. Dependena de temperatur a referinelor
de tensiune
Circuite fr compensarea caracteristicii
de temperatur
Circuite cu corecia de ordin I a caracteristicii
de temperatur
elementar
tensiune de ieire ajustabil utiliznd
un AO
diod Zener
funcionare n curent
5.2.2. Dependena de tensiunea de alimentare a
referinelor de tensiune
Circuite fr compensarea caracteristicii
de temperatur
Circuite cu corecia de ordin I a caracteristicii
de temperatur
elementar
vi

diod Zener
5.2.3. Circuit de stabilizare termic
5.3. Intrebri
Lucrarea a VI-a. Studiul experimental al circuitelor

elementare cu amplificatoare operaionale
6.1. Amplificatorul inversor
6.2. Amplificatorul neinversor
6.3. Repetorul de tensiune
6.4. Sumatorul inversor
6.5. Sumatorul neinversor
6.6. Circuitul de scdere
6.7. Comparatorul n bucl deschis
6.8. Comparatorul cu histerezis
Lucrarea a
parametrilor
i
operaionale
VII-a. Studiul
caracteristicilor
experimental al
amplificatoarelor
7.1. Tensiunea de intrare de decalaj (offset), VIO

7.2. Rezistena de ieire, RO
7.3. Tensiunea maxim de ieire, VOmax
7.4. Viteza maxim de variaie a semnalului de ieire
(SR slew-rate)
7.5. Rspunsul n frecven al circuitelor
Anexa. Descrierea programului Pspice Student

A.1. Introducere
A.2. Utilizarea programului Pspice Student
A.2.1. Desenarea circuitului
A.2.1.1. Inserarea unei componente noi
A.2.1.2. Interconectarea componentelor
A.2.1.3. Elemente de circuit
vii
A6.2.2. Tipuri de analize

A.2.2.1. Elemente obligatorii
A.2.2.2. Analiza tranzitorie
(Transient Analysis)
A.2.2.3. Analiza DC
A.2.2.4. Analiza DC Nested Sweep
A.2.2.5. Analiza AC Sweep
A.2.3. Simularea circuitului i vizualizarea
rezultatelor
viii
Introducere
Indrumarul de laborator aferent disciplinei Circuite integrate

analogice i propune analiza i simularea funcionrii circuitelor analogice
fundamentale de tipul amplificatoarelor difereniale, surselor de curent,
referinelor de tensiune sau amplificatoarelor operaionale. Lucrarea conine o
ampl descriere teoretic a funcionrii circuitelor analizate, prima sa parte
concentrndu-se asupra simulrii funcionrii circuitelor integrate analogice, n
timp ce partea a doua trateaz validarea prin msurtori experimentale a
funcionrii unor aplicaii liniare i neliniare cu amplificatoare operaionale,
precum i studiul celor mai importani parametri ai acestora.
Prima lucrare este destinat simulrii funcionrii aplicaiilor cu
amplificatoare operaionale, analizndu-se modul de operare al circuitelor
liniare i neliniare elementare i de complexitate medie de tip amplificator
sumator, circuite de diferen sau de instrumentaie, redresor sau comparator
cu histerezis.
Evidenierea diferenelor dintre amplificatorul operaional ideal i cel
real este realizat prin studiul parametrilor principali ai acestora, msura n
care modelul idealizat aproximeaz situaia concret existent n practic fiind
corelat cu aceti parametri. Lucrarea a doua include multiple simulri, avnd
ca obiectiv determinarea principalilor parametri ai amplificatoarelor
operaionale.
Parte integrant a unei multitudini de circuite analogice,
amplificatorul diferenial este studiat pe larg n lucrarea a treia. Este analizat
prin simulare funcionarea pe mod diferenial i mod comun a etajelor
difereniale elementare, bipolar i CMOS, evideniindu-se diferenele existente
ntre cele dou variante tehnologice, concretizate ntr-o serie de avantaje i
dezavantaje. Sunt studiate circuite mai complexe, prezentnd avantajul unor
parametri superiori: liniaritate, valoare mare a amplificrii de mod diferenial
sau domeniu extins de mod comun al tensiunii de intrare.
Considernd ca punct de plecare sursele de curent elementare bipolare
sau CMOS, sunt analizate n lucrarea a patra, att din punct de vedere teoretic,
1
ct i prin multiple simulri, o serie de circuite cu performane superioare,

principalele obiective urmrite fiind creterea rezistenei de ieire n contextul
pstrrii unei excursii maxime a tensiunii la bornele sursei, mbuntirea
rejeciei tensiunii de alimentare sau reducerea dependenei de temperatur a
curentului de ieire.
Funcionarea referinelor de tensiune bipolare i CMOS elementare
este analizat prin simulare n lucrarea a cincea, destinat acestei clase de
circuite. Dependena de temperatur i rejecia tensiunii de alimentare sunt
analizate prin simulare, considerndu-se dou clase fundamentale: circuite fr
corecia caracteristicii de temperatur i circuite cu corecia de ordin I a
caracteristicii de temperatur.
Lucrarea a asea analizeaz funcionarea unor aplicaii elementare cu
amplificatoare operaionale. Studiul acestor circuite este realizat prin utilizarea
unor machete experimentale ce permit compararea rezultatelor obinute n
urma msurtorilor cu cele deduse prin analiz teoretic.
Studiul
experimental
al
parametrilor
i
caracteristicilor
amplificatoarelor operaionale reprezint obiectivul celei de-a aptea lucrri.
Msurtorile vor avea ca suport tehnic aceeai platform experimental
utilizat pentru lucrarea anterioar.
In anex este realizat o scurt prezentare a programului PSpice
Student, utilizat pentru simulrile realizate n primele cinci lucrri.
Lucrarea I
Simularea funcionrii circuitelor
elementare cu amplificatoare
operaionale

Amplificatorul operaional ideal este un amplificator de tensiune cu
intrare diferenial i ieire simpl, avnd urmtoarele valori ale parametrilor
specifici:
Cureni de polarizare a intrrilor nuli
Amplificare n bucl deschis infinit
Impedan de ieire nul
Impedan de intrare infinit
Band de frecven infinit
Parametrii amplificatoarelor operaionale reale aproximeaz n cele
mai multe situaii la joas frecven aceste valori idealizate. In majoritatea
aplicaiilor, amplificatorul operaional este folosit n configuraie cu reacie
negativ. Pentru valori suficient de mari ale amplificrii n bucl deschis,
performanele n bucl nchis vor fi determinate n principal de elementele
reelei de reacie.
In ipoteza simplificatoare a utilizrii unui AO ideal, amplificarea
circuitului inversor prezentat n Figura 1.1. este:
V
R
A O 2
V1
R1
(1.1)
+
-
V2
R1
V1
R2
Vo
+
-
V3
Figura 1.1: Amplificator inversor

Obinerea unei amplificri mari ( 1000 ) n contextul utilizrii unui
singur amplificator operaional i al unui raport rezonabil de rezistene ( 100 )
implic utilizarea unei configuraii inversoare modificate, coninnd o reea de
reacie n T (Figura 1.2).
V2
i2
R1
+
R2
i2
R3
i3
R4
V1
Vo
V3
+
-
Figura 1.2: Configuraie inversoare cu amplificare mrit
Expresia amplificrii n bucl nchis este:
Vo Vo i3 i2
V1 i3 i2 V1
(1.2)
R2 R3 R2 R4 R3 R4
R1 R4
(1.3)
A
Se obine:

Insumarea ponderat a dou semnale se poate realiza utiliznd
circuitul din Figura 1.3. Aplicnd teorema superpoziiei, tensiunea de ieire a
acestuia va avea expresia:
R
R
Vo V1 3 V2 3
R
1
R2
V3
R2
+
-
(1.4)
R3
R1
-
V2
Vo
V1
V4
+
-
Figura 1.3: Amplificator sumator

Diferena ponderat a dou semnale impune aplicarea acestora pe cele
dou intrri ale unui AO (Figura 1.4). Expresia tensiunii de ieire este:
R
R4
Vo V2 2 V1
R3 R4
R1
R
1 2
R1
(1.5)
Cazul particular R1 R3 i R2 R4 implic amplificri egale ale

celor dou tensiuni de intrare:
R
Vo 2 V1 V2
R1
V3
R1
+
-
(1.6)
R2
R3
V2
V1
Vo
R4
V4
+
-
Figura 1.4: Amplificator de diferen

Obinerea unei amplificri ridicate a tensiunii difereniale de intrare n
contextul unor valori rezonabile ale rezistenelor din circuit este posibil prin
utilizarea unui circuit diferenial avnd dou etaje. Amplificarea total va fi
egal cu produsul amplificrilor individuale.
Circuitul amplificatorului de instrumentaie este prezentat n
Figura 1.5.
V1
AO1
+
V4
R5
+
R4
R1
V3
R2
Vo1
R3
Vo2
R3
AO3
R1
Vo
R6
R4
AO2
-
+
-
V2
V5
Figura 1.5: Amplificator de instrumentaie

Aplicnd teorema superpoziiei pentru AO1 i AO2, se obin
expresiile potenialelor Vo1 i Vo2 :
R
R
Vo1 V1 1 1 V2 1
R2
R2
(1.7)
R
R
Vo 2 V2 1 1 V1 1
R2
R2
(1.8)
Amplificatorul AO3, mpreun cu rezistenele R3 i R4 constituie

configuraia particular a amplificatorului de diferen din Figura 1.4, deci:
R
Vo 4 Vo2 Vo1
R3
(1.9)
Din cele trei relaii anterioare se poate obine expresia amplificrii

circuitului din Figura 1.5:
A
Vo
V
R
o 1 2 1
V2 V1 V3
R2
R4
R3
(1.10)

Creterea ctigului unui amplificator cu un singur etaj se poate
realiza prin introducerea unei reacii pozitive controlate. Aplicnd torema
superpoziiei pentru AO1 din Figura 1.6, se obine:
R
R R4
R R3
V A V1 2 V2 1 2
Vo 1 2
R
R
R
R
R1 R3 R4
1
1 3
4
V4
V1
R7
+
-
R1
V3
V6
R2
AO1
(1.11)
+
R5
Vo
R3
R8
AO2
R4
V2
R6
V5
+
-
V7
+
-
Figura 1.6: Amplificator cu reacie pozitiv controlat

Deoarece AO2 funcioneaz n configuraie de repetor, rezistenele
R5 i R6 formeaz un divizor ideal de tensiune, deci:
Vo V A
R6
R5 R6
(1.12)
Eliminnd V A din relaiile (1.11) i (1.12) se obine:
R5
Vo 1
R6
R2
R1
R4
R3
1 2
R1
R
V2
V1 2
R
R1
1 3
R
4
(1.13)
Condiia ca structura din Figura 1.6 s amplifice diferena V2 V1

este ca amplificrile celor dou poteniale din membrul drept al relaiei (1.13)
s fie egale, echivalent cu:
R3 R1
R4 R2
(1.14)
ceea ce implic o amplificare avnd expresia:
Vo
R R
6 2
V2 V1 R5 R1
(1.15)

Circuitul redresorului bialternan 1 este prezentat n Figura 1.7.
V1
+
-
V3
R1 = R
R4 = R/2
+
-
R5 = R
D1
B
R2 = R
-
AO1
D2
R3 = R
-
+
+
V5
V2
+
-
V4
AO2
Vo
+
-
Figura 1.7: Redresor bialternan 1

Aplicnd o tensiune sinusoidal pe intrarea circuitului, exist dou
cazuri distincte pentru care trebuie analizat starea diodelor D1 i D2 .
V5 0 ; D1 deschis, D2 blocat
VB 0
(1.16)
Vo
R5
V5 V5
R3
(1.17)
V5 0 ; D1 blocat, D2 deschis
VA
Vo
R1
V5
R2
(1.18)
R5
R
V A 5 V5 V5
R4
R3
(1.19)
Funcia global realizat de circuitul din Figura 1.6 este, deci:

Vo V5
(1.20)

Circuitul redresorului bialternan 2 este prezentat n Figura 1.8.
V1
R2 = R B
+
-
V3
R1 = R
AO1
-
V5
V2
+
-
R4 = 2R
D1
D2
R3 = R
AO2
Vo
+
-
V4
+
-
Figura 1.8: Redresor bialternan 2
V5 0 ; D1 deschis, D2 blocat
R
V A 1 1 V5 2V5
R2
10
(1.21)

R
R
Vo 1 4 V5 4 V A V5
R3
R3
(1.22)
V5 0 ; D1 blocat, D2 deschis
VB V5
R4
Vo 1
R
1 R3
(1.23)
R4
V5
V B V5
R
1 R3
(1.24)
rezultnd o funcie global similar:

Vo V5
(1.25)

Comutrile parazite ale ieirii unui comparator analogic n condiiile
unui zgomot suprapus peste semnalul util de intrare pot fi eliminate prin
realizarea unui histerezis implementat concret prin introducerea reaciei
pozitive R1 R2 . Circuitul comutatorului cu histerezis este prezentat n
Figura 1.9.
V1
R1
+
-
V3
R2
C
+
Vo
V4
V2
+
-
Figura 1.9: Comutator cu histerezis
11
Considernd VOM , respectiv VOM limitele extreme ale tensiunii de

ieire a comutatorului C , caracteristica cu histerezis a acestuia va avea forma
din Figura 1.13.
Vo
VOH = VOM
V4
VPL
VP
VPH
VOL = -VOM
Figura 1.10: Caracteristica cu histerezis a comutatorului

Cele dou praguri de comutare VPL , respectiv VPH au expresiile:
VPL V3
R2
R1
VOH
R1 R2
R1 R2
(1.26)
VPH V3
R2
R1
VOH
R1 R2
R1 R2
(1.27)
deci o lime a ferestrei de histerezis egal cu:
VP VPH VPL 2VOH
R1
R1 R2
(1.28)
i o abscis central a acesteia exprimat prin:
VP
VPL VPH
R2
V3
2
R1 R2
(1.29)
Efectul unui zgomot suprapus peste semnalul de intrare, avnd

amplitudinea mai mic dect VP nu va produce comutri parazite ale ieirii
comparatorului (ca n cazul comparatorului clasic, fr histerezis).
12
1.2. Simularea
operaionale
de 9V .
circuitelor
cu
amplificatoare
Tensiunea de alimentare pentru toate circuitele urmtoare este

Analiza de semnal mic
a. Se consider circuitul din Figura 1.1. Tensiunea de intrare are o
variaie sinusoidal, amplitudinea de 5mV i frecvena 1kHz , R1 100 ,
R2 10k . Amplificatorul operaional se alege de tipul A741. Se realizeaz
o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms i se vizualizeaz tensiunea
de ieire, determinndu-se amplificarea circuitului;
b. Se repet analiza de la punctul anterior, modificnd R1 la valoarea
1k , i se noteaz noua amplificare obinut.
Analiza de semnal mare
c. In condiiile de la punctul a. se realizez o analiz DC de variabil
tensiunea de intrare (considerat acum surs de tensiune de tip VSRC de
100mV ), cu un domeniu de variaie cuprins ntre 100mV i 100mV . Din
analiza caracteristicii de transfer obinute prin simulare se determin
amplificarea circuitului, precum i excursia maxim de tensiune la ieirea
amplificatorului operaional;
d. Se repet punctul anterior pentru R1 1k i R2 10k ;
e. Se compar rezultatele obinute anterior cu cele deduse n analiza
teoretic.
a. Se realizez circuitul din Figura 1.2 pentru R1 R4 1k ,
R2 10k , R3 100k , un amplificator operaional de tipul A741 i o
tensiune de intrare de amplitudine 1mV i o frecven 100Hz . Se alege o
analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 50ms , se vizualizeaz forma
semnalului de ieire, determinndu-se amplificarea circuitului i se compar cu
amplificarea teoretic;
b. Se pune n eviden efectul important al tensiunii de decalaj de
intrare asupra funcionrii circuitului, ca o consecin a amplificrii foarte mari
n tensiune.
13

a. Pentru circuitul din Figura 1.3 se consider
R1 1k ,
R2 R3 10k , AO de tip A741, V1 tensiune sinusoidal de amplitudine
100mV i frecven 1kHz i V2 tensiune continu de 1V . Se realizeaz o
analiz tranzitorie pentru 0 t 5ms i se vizualizeaz tensiunea de ieire,
mpreun cu tensiunile de intrare, V1 i V 2 , evideniindu-se funcia de
nsumare a circuitului.
b. Se repet analiza anterioar, vizualizndu-se doar tensiunea de
ieire. Se consider suplimentar o analiz parametric de variabil tensiunea
V2 , pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 1V i 1V , cu un
pas de 1V i se observ modificarea valorii de curent continuu a tensiunii de
ieire.
Se consider circuitul de diferen din Figura 1.4, cu
R1 R2 R3 R4 1k . V1 este o tensiune sinusoidal de amplitudine
1V i frecven 1kHz , iar V 2 este o surs de tensiune PWL avnd
urmtoarea descriere:
T1
0
V1
-1V
T5
1,001ms
T2
0,5ms
V5
-1V
T9
2,001ms
V9
-1V
V2
-1V
T6
1,5ms
T3
0,501ms
V6
-1V
T10
2,5ms
T7
1,501ms
V3
1V
V7
1V
T4
1ms
T8
2ms
V4
1V
V8
1V
V10
-1V
Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 2,5ms i

se vizualizeaz tensiunea de ieire, evideniindu-se funcia de scdere.
a. Pentru circuitul amplificator din Figura 1.5 se cunosc R1 5k ,
R2 R3 1k , R4 100k , AO1, AO2 i AO3 de tipul A741, iar V 3

tensiune sinusoidal avnd amplitudinea de 1mV i frecvena de 1kHz .Se
realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms i se vizualizeaz
tensiunea de ieire, comparndu-se amplificarea obinut cu cea estimat
teoretic.
b. Se nlocuiete tensiunea de intrare V 3 descris la punctul anterior
cu o surs de tensiune VAC cu amplitudine de 1mV i se realizeaz o analiz
14
AC pentru un domeniu de frecvene cuprins ntre 10Hz i 1MHz . Pe baza

caracteristicii modul-frecven simulate se determin frecvena limit
superioar a ntregului circuit.
a. Se consider amplificatorul din Figura 1.6 pentru care
R1 R3 R5 R7 R8 1k ,
R6 100k .
R2 R4 10k ,
Tensiunea de intrare V 3 are o variaie sinusoidal, amplitudinea de 1mV i
frecvena 100Hz . Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul
0 t 50ms i se vizualizeaz tensiunea de ieire, comparndu-se
amplificarea obinut cu cea estimat teoretic.
Observaie: Alegerea unei valori reduse a frecvenei tensiunii de
intrare se justific prin banda redus a amplificatorului consecin a unei
amplificri mari n tensiune.
b. Se repet analiza anterioar pentru a amplitudine variabil a
tensiunii de intrare i se determin tensiunea maxim sinusoidal care poate fi
reprodus nedistorsionat la ieirea amplificatorului operaional.
a. Se realizeaz circuitul din Figura 1.7 alegndu-se
R1 R2 R3 R5 1k , R4 500 , AO1 i AO2 de tip A741, D1 i
D2 de tip D1N 4148 i o tensiune de intrare sinusoidal de amplitudine

500mV i frecven 1kHz. Se consider o analiz tranzitorie pentru intervalul
0 t 5ms i se vizualizeaz tensiunea de ieire;
b. Se inverseaz sensurile celor dou diode i se vizualizeaz din nou
tensiunea de ieire;
c. Se repet analiza de la punctul a. pentru o frecven a semnalului de
intrare de 10kHz i un domeniu corespunztor al analizei tranzitorii.
d. Se determin caracteristica de transfer a circuitului prin realizarea
unei analize DC de variabil tensiunea de intrare V5 , avnd o descriere de tip
VSRC cu amplitudine de 1V i un domeniu de variaie cuprins ntre
1V i 1V ;
Se repet analizele de la punctul 1.2.2.1. pentru redresorul
bialternan din Figura 1.8, considerndu-se R1 R2 R3 1k i
R4 2k .
15

a. Se realizeaz circuitul din Figura 1.9, cu R1 0,001 , R2 1k ,
V3 2V i AO1 de tip A741. Se aplic pe intrarea comutatorului fr
histerezis ( R1 0 ) un semnal triunghiular V4 de tip PWL avnd descrierea
urmtoare:
T1
0
V1
0
V4
4V
T5
4m
T2
1m
V2
4V
T3
2m
V3
0
T4
3m
V5
0
T6
5m
V6
4V
T7
6m
V7
0
Se vizualizeaz evoluia n timp a tensiunii de ieire i modul de

comutare al acesteia. Se determin pragurile de comutare VPL i V PH ,
precum i tensiunile la ieirea comutatorului n cele doua stri posibile,
VOL 8,6V i VOH 8 ,6V .
b. Se repet analiza de la punctul a. pentru circuitul cu histerezis,
nlocuindu-se valoarea foarte mic a rezistenei R1 cu valoarea de 40 . Se
remarc existena unor praguri diferite de comutare n cele dou sensuri,
praguri ce definesc fereastra de histerezis i se compar valorile msurate cu
valorile rezultate din relaiile (1.29) i (1.30).
c. Utiliznd un sumator de tip SUM existent n biblioteca
programului Pspice Student se nsumeaz cu semnalul triunghiular de la
punctul a. un zgomot (modelat printr-un semnal sinusoidal de amplitudine
400mV i frecven 10kHz . Se reia analiza tranzitorie, observndu-se apariia
comutrilor parazite la ieirea amplificatorului operaional.
d. Se repet simularea de la punctul c. introducnd un histerezis n
caracteristica comutatorului prin modificarea rezistenei R1 la valoarea 40 .
Se remarc dispariia comutrilor parazite cauzate de zgomotul suprapus peste
tensiunea de intrare.
1.3. Intrebri
1.
2.
3.
Care este rolul configuraiei inversoare cu amplificare mrit din

Figura 1.2?
Ce avantaje prezint sumatorul din Figura 1.3. fa de sumatorul
realizat doar cu elemente pasive?
Ce rol are reacia pozitiv controlat a circuitului din Figura 1.6?
16
4.
5.
6.
7.
Ce efect are asupra tensiunii de ieire inversarea diodelor din

circuitele redresoare bialternan (Figurile 1.7 i 1.8)?
Ce avantaj major prezint redresoarele cu amplificatoare operaionale
fa de circuitele simple, utiliznd doar diode i rezistene?
Ce rol are histerezisul circuitului din Figura 1.9?
Ce relaie trebuie s existe ntre amplitudinea zgomotului suprapus
peste semnalul util i limea ferestrei de histerezis pentru a se
elimina complet comutrile parazite ale tensiunii de ieire a
comparatorului din Figura 1.9?
17
Lucrarea a II-a
Evaluarea prin simulare a
parametrilor amplificatoarelor
operaionale

Principalii parametri care caracterizeaz funcionarea unui
amplificator operaional, ale cror valori evalueaz cantitativ abaterile acestuia
de la idealitate, vor fi prezentai pe scurt n continuare.
2.1.1. Tensiunea de decalaj (offset) de intrare, VIO

Reprezint tensiunea care trebuie aplicat ntre intrrile unui
amplificator operaional pentru obinerea unei tensiuni continue nule la ieire.
Valorile tipice pentru un etaj bipolar sunt cuprinse n gama (1 5)mV , iar
pentru un etaj realizat n tehnologie CMOS - pn la 20mV
2.1.2. Curenul de polarizare, IB
Reprezint media aritmetic a curenilor de intrare n amplificatorul
operaional:
I I B
IB B
2
(2.1)
I B i I B fiind curenii de polarizare ai intrrilor neinversoare, respectiv
inversoare. Pentru circuitele realizate n tehnologie bipolar, I B depinde de

punctul static de funcionare al tranzistoarelor de intrare i de factorul de
18
amplificare n curent al acestora. Valoarea curentului de polarizare este

puternic influenat de tehnologia de realizare a amplificatorului operaional
(pentru AO bipolare, I B provine din curenii de baz ai tranzistoarelor etajului
diferenial de intrare, deci are valori uzuale de zeci-sute de nA , n timp ce AO
realizate n tehnologie CMOS au cureni de intrare extrem de redui, cuprini
n gama 1 10 pA , practic neglijabili n majoritatea aplicaiilor uzuale).
2.1.3. Curentul de offset (decalaj) de intrare, I IO
Se definete ca diferena curenilor de polarizare a celor dou intrri,
fiind o msur a asimetriei etajului diferenial de intrare:
I IO I B I B
(2.2)
Valorile tipice ale curentului de decalaj de intrare sunt de (5 10)%

din valoarea curentului de polarizare.
Observaie: Influena generatoarelor de eroare de la intrarea
amplificatorului operaional se poate reprezenta folosind circuitul simplu din
Figura 2.1. Tensiunea de decalaj se reprezint printr-un generator echivalent de
eroare VIO (care poate fi plasat n serie cu oricare dintre bornele de intrare),
iar I B i I B reprezint curenii de intrare n AO.
V1
R1
+
-
R2
VIO
-
IB
AO
-
vo
Rcomp.
+
IB
V2
+
-
Figura 2.1: Efectul tensiunii de decalaj de intrare i a curenilor de polarizare la

un AO
19
2.1.4. Amplificarea n bucl deschis, a

Se definete ca raportul dintre tensiunea de ieire i tensiunea aplicat
ntre intrrile amplificatorului operaional. Reprezentarea simplificat a
dependenei de frecven pentru amplificarea n bucl deschis a unui AO real
utilizeaz doi parametri: a 0 , reprezentnd amplificarea n band, msurat n
curent continuu sau la frecvene foarte joase i f 0 , avnd semnificaia polului
dominant de joas frecven al amplificrii n bucl deschis.
a( jf )
a0
f
1 j
f0
(2.3)
Valorile uzuale pentru a 0 i f 0 sunt 105 106 , respectiv 1 10Hz .

2.1.5. Rezistena de intrare, Ri
Corelat cu valorile curenilor de polarizare a intrrilor
amplificatorului operaional, rezistena de intrare depinde de configuraia
etajului de intrare, nivelul curenilor de funcionare a acestuia i, n special, de
tehnologia de realizare a AO. Amplificatoarele bipolare prezint valori tipice
ale Ri de ordinul 500k 5M , n timp ce pentru AO CMOS rezistena de
intrare poate ajunge la 1012 .
2.1.6. Rezistena de ieire, Ro
Valoarea rezistenei de ieire depinde de configuraia etajului de ieire
al amplificatorului operaional i de alegerea circuitului de limitare a curentului
utilizat la ieire. Pentru amplificatoarele de uz general, are valoarea n gama
(20 200) .
2.1.7. Curentul maxim de ieire, IOmax
Reprezint valoarea maxim a curentului care poate fi debitat n
sarcin de amplificatorul operaional, fiind de multe ori limitat superior la o
anumit valoare prestabilit pentru a se preveni ambalarea termic a circuitului.
Valorile tipice ale AO clasice sunt de ordinul zecilor de mA .
2.1.8. Tensiunea maxim de ieire, VOmax
Se definete ca valoarea maxim a tensiunii reproductibile
nedistorsionat la ieirea amplificatorului operaional, fiind legat de structura
etajelor final i prefinal, cu valori uzuale mai mici cu (0,5 2)V dect
tensiunea de alimentare.
20
Pentru circuitele proiectate s funcioneze la tensiune redus este

necesar o valorificare ct mai eficient a tensiunii de alimentare, concretizat
n necesitatea obinerii unei excursii maxime a tensiunii la ieire.
2.1.9. Slew-rate-ul, SR
Reprezint viteza maxim de variaie a semnalului de ieire pentru un
semnal treapt aplicat la intrare (Figura 2.2). Unitatea uzual de msur este
V / s , SR avnd valori cuprinse ntre sub 1V / s pentru amplificatoarele
operaionale de uz general i peste 30V / s pentru AO de vitez mare.
VO
VOmax
VO
t
VOmin
Figura 2.2: Principiul de msur al SR

Pentru determinarea slew-rate-ului, circuitului i se aplic la intrare un
semnal dreptunghiular de frecven mare i amplitudine suficient de mare
pentru ca ieirea s i ating valorile maxime n ambele sensuri. SR se
definete ca fiind panta tranziiei tensiunii de ieire ntre valorile extreme:
SR
VO
t
(2.4)
2.2. Simularea circuitelor cu amplificatoare

operaionale pentru determinarea parametrilor acestora
Tensiunea de alimentare pentru toate circuitele urmtoare este
de 9V .
21
2.2.1. Tensiunea de offset (decalaj) de intrare

Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.3, amplificatorul
operaional fiind de tipul A741.
+
-
V1
R1
R2
AO
vo
+
-
V2
Figura 2.3: Circuitul de msur pentru tensiunea de offset (decalaj) de intrare

Tensiunea de ieire are expresia:
R
VO V IO 1 2
R1
(2.5)
Pentru valorile R1 100 i R2 10k , tensiunea de offset de

intrare poate fi determinat utiliznd expresia aproximativ:
V IO
VO
100
(2.6)
S-a impus circuitului o amplificare mare ( 100 ) datorit valorii reduse

a V IO .
Se realizeaz o analiz DC de variabil temperatura, pentru
0 t 100 o C , cu un pas de 1o C . Se determin valoarea tensiunii de offset
de intrare la temperatura ambiant, precum i coeficientul de variaie cu
temperatura al acesteia, definit astfel:
22
TCVIO
dVIO V IO
dT
t
(2.7)
2.2.2. Curenii de intrare I B , I B i curentul de decalaj de

intrare, I IO
Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.4; amplificatorul
operaional este de tipul A741 , iar R1 R2 10M .
V1
+
K2
R2
AO
vo
K1
R1
V2
+
-
Figura 2.4: Circuit pentru msura curenilor de intrare

i a curentul de decalaj de intrare
Prin scurtcircuitarea cte unei rezistene se pot determina, alternativ,
valorile celor doi cureni de intrare n amplificatorul operaional. Curentul de
decalaj de intrare se determin meninnd cele dou comutatoare deschise.
Valorile rezistenelor R1 i R2 s-au ales foarte mari datorit valorilor reduse
ale curenilor msurai.
a. Determinarea I B ( K 1 deschis, K 2 nchis)
Se realizeaz o analiz DC de variabil temperatura, pentru
0 t 100 o C , cu un pas de 1o C . Se determin curentuluil I B la
temperatura ambiant, precum i coeficientul de variaie cu temperatura al
acestuia.
V
I B O
R1
23
(2.8)
b. Determinarea I B
K 1 nchis, K 2 deschis
I B
VO
R2
(2.9)
VO
R1,2
(2.10)
c. Determinarea I IO
K 1 , K 2 deschise
I IO
2.2.3. Amplificarea n bucl deschis

Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.5.
V1
R1
+
-
R2
vR
V3
R3
vD
AO
vo
R4
V2
+
-
Figura 2.5. Circuit de msur pentru amplificarea n bucl deschis

Prezena polului la joas frecven n caracteristica de frecven a
amplificrii n bucl deschis impune msurarea acesteia la foarte joas
24
frecven sau n curent continuu. In acest situaie, pentru o msurtoare n

bucl deschis apar probleme delicate de msur, datorit valorilor mari ale
amplificrii, zgomotului i tensiunii de decalaj de intrare. Se prefer o
msurare n bucl nchis, utiliznd un amplificator echivalent, care cuprinde
amplificatorul real, ns are un ctig n bucl deschis mult mai mic. Acest
amplificator echivalent este folosit apoi ntr-o configuraie inversoare cu
amplificare unitar.
Dac se cunosc mrimile V R i VO (practic egal cu V 3 ) i
R1 R2 R3 100k , R4 1k , amplificarea n
amplificatorului operaional se poate determina astfel:
V
V
VD
1
; a O 100 O
V R 100
VD
VR
bucl
deschis
(2.11)
a. Se aplic la intrare un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 5V i

frecvena 1Hz .
Se realizeaz o analiz tranzitorie pe intervalul 0 5s i se determin
amplitudinea semnalului V R , apoi se calculeaz amplificarea n bucl deschis
a AO utiliznd relaia (2.11) i VO 5V .
b. Se crete frecvena semnalului de intrare pentru a pune n eviden
polul dominant de civa Hz al amplificatorului, prin variaia lui V R (deci,
implicit, a ctigului a ). Acest pol este situat la frecvena la care a a sczut
cu cu 3dB fa de valoarea sa de curent continuu a 0 , echivalent cu o cretere
a tensiunii V R de 1,41 ori fa de valoarea sa de curent continuu.
Se realizez o analiz de tip AC liniar ntre 0,01Hz i 10Hz ,
evideniindu-se polul dominant al lui a . Pentru acest punct, sursa de intrare
sinusoidal se nlocuiete cu o surs VAC avnd amplitudinea de 5V .
2.2.4. Rezistena de ieire
Rezistena de ieire n bucl deschis a unui amplificator operaional
se poate determina msurnd mai nti rezistena de ieire n bucl nchis,
utiliznd configuraia inversoare tipic din Figura 2.6.
25
+
-
V1
R1
V3
R2
AO
vo
K
Rcomp.
+
-
V2
RL
`
Figura 2.6: Circuitul de msur pentru rezistena de ieire
Notnd cu VO tensiunea de ieire msurat n gol i cu VO ' tensiunea
de ieire pe sarcina R L , rezistena de ieire n bucl nchis RO ' se poate
calcula cu formula:
V VO '
RO ' R L O
VO '
(2.12)
Relaia de legtur ntre rezistena de ieire n bucl deschis ( RO ) i

cea n bucl nchis ( RO' ) este:
RO '
RO
1 a( j ) f ( f )
(2.13)
Factorul de reacie f ( j) pentru circuitul inversor din Figura 2.6, la

joas frecven are expresia:
f ( j ) f 0
R1
R1 R2
(2.14)
Se consider c amplificarea n bucl deschis pentru A741 are

urmtoarea caracteristic aproximativ modul-frecven.
26
/a/ (dB)
100
f(Hz)
10
1k
1M
Figura 2.7: Caracteristica modul-frecven a amplificrii

n bucl deschis pentru A741
a. Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms ,
considerndu-se R1 Rcomp 1k , R2 10k , RL 39 i o surs de
intrare sinusoidal cu amplitudinea de 20mV i frecvena 1kHz . Se determin
VO i VO ' i se calculeaz RO ' cu relaia (2.12). Se determin valoarea
rezistenei n bucl deschis RO utiliznd relaia (2.13) i caracteristica din
Figura 2.7.
b. Se repet punctul anterior pentru dou frecvene diferite ale
tensiunii de intrare, 10kHz i 100kHz , modificnd corespunztor i intervalul
de timp al analizei tranzitorii.
2.2.5. Tensiunea maxim de ieire
Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.8, cu AO de tipul
A741, R1 1k , R2 10k , Rcomp 1k .
Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms i se
aplic la intrare un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 2V i frecvena
1kHz. Se determin amplitudinea maxim a tensiunii de ieire sinusoidale
nedistorsionate.
27
V1
R1
V3
+
-
R2
AO
vo
Rcomp.
V2
+
-
Figura 2.8: Circuit de msur pentru tensiunea maxim de ieire

2.2.6. Curentul maxim de ieire
Circuitul de msur i analiza sunt cele de la punctul anterior, singura
modificare fiind reprezentat de introducerea unei rezistene de sarcin de
valoare redus, care s permit intrarea n funciune a proteciei la supracurent
ataate ieirii amplificatorului operaional. Se determin amplitudinea tensiunii
de ieire pentru R L1 100 i R L2 10 i se calculeaz curentul maxim
debitat de ieirea AO, comparndu-se cele dou rezultate obinute.
2.2.7. Viteza maxim de variaie a semnalului de ieire (slew-rate)
Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.8, considerndu-se o
tensiune de intrare dreptunghiular de frecven 1kHz i de amplitudine
suficient de mare ( 1V ) pentru ca ieirea s i ating valorile maxime n
ambele sensuri (Figura 2.2). Se determin slew-rate-ul ca panta caracteristicii
VO (t ) (relaia (2.4)).
Sugestie: se poate utiliza sursa de tensiune PWL de la
paragraful 1.2.4.
2.2.8. Rspunsul n frecven al unui amplificator inversor
Circuitul de msur este prezentat n Figura 2.9, cu AO de tipul
A741, R1 R2 1k , Rcomp 500 .
a. Se consider sursa de intrare V 3 de tip AC de amplitudine 50mV
i se realizeaz o analiz AC pentru un interval de frecvene 10Hz 10MHz .
Se vizualizeaz caracteristica modul-frecven a amplificatorului inversor din
Figura 2.9, determinndu-se frecvena limit superioar a configuraiei.
28
b. Se repet punctul a. pentru R1 1k i R2 10k

(corespunznd unei amplificri n tensiune a circuitului egale cu 10 ),
respectiv R1 1k i R2 100k ( A 100 ).
c. Utiliznd datele obinute anterior, se verific relaia A f s ct.
V1
R1
V3
+
-
R2
AO
vo
Rcomp.
V2
+
-
Figura 2.9: Amplificator inversor pentru determinarea

rspunsului n frecven
2.3. Intrebri
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Care sunt parametrii importani ai amplificatoarelor operaionale?

Care este cauza unei amplificri mari n circuitul de msur al
tensiunii de decalaj (Figura 2.3)?
De ce este necesar o valoare mare a rezistenei din circuitul de
msur a curenilor de intrare n amplificatorul operaional (Figura
2.4)?
Explicai relaiile (2.8) (2.10).
In ce condiii se msoar viteza de cretere a semnalului de ieire
pentru un amplificator operaional?
Ce relaie exist ntre amplificarea unui circuit i frecvena sa limit
superioar?
29
Lucrarea a III-a
Simularea funcionrii
amplificatoarelor difereniale

Amplificatorul diferenial reprezint un etaj fundamental n
proiectarea circuitelor integrate VLSI, utilizat ntr-o serie larg de aplicaii de
tipul circuitelor integrate analogice i mixte: amplificatoare operaionale,
comparatoare i referine de tensiune, amplificatoare video, modulatoare i
demodulatoare sau convertoare A/D i D/A. Principala caracteristic a acestor
circuite este reprezentat de capacitatea amplificrii semnalelor difereniale.
Liniaritatea amplificatorului diferenial elementar este redus ca o
consecin a caracteristicilor fundamental neliniare ale tranzistoarelor bipolar
i MOS, existnd posibilitatea obinerii unei liniariti aproximative doar
pentru un domeniu relativ restrns al tensiunii de intrare.
O caracteristic important a amplificatoarelor difereniale este
reprezentat de domeniul de mod comun al tensiunii de intrare pentru care
circuitul funcioneaz corect (tranzistoarele bipolare sunt n regim activ normal
i tranzistoarele MOS funcioneaz uzual n saturaie). In special pentru
aplicaiile de joas tensiune, factorul de utilizare a tensiunii de alimentare este
foarte important, justificndu-se proiectarea amplificatoarelor difereniale
pentru o funcionare de tip rail-to-rail (tensiunea de intrare poate evolua ntre
valorile minim i maxim ale tensiunii de alimentare).
Se consider circuitul din Figura 3.1 cu R1 R2 i R4 R5 .
30
R2
R1
V1
Vo
T1
+
-
T2
R4
V2
R3
I1
R5
Figura 3.1: Amplificator diferenial bipolar - funcionarea pe mod diferenial

Amplificarea de mod diferenial se determin utiliznd semicircuitul
de mod diferenial:
Add g m1 R1 // ro1
I 1 R1
2Vth
(3.1)

Excitarea pe mod comun a etajului diferenial este prezentat n
Figura 3.2. Se consider R1 R2 .
R2
R1
V1
Vo
T1
+
-
T2
V2
R3
I1
Figura 3.2: Amplificator diferenial bipolar - funcionarea pe mod comun
31
Din analiza semicircuitului de mod comun al circuitului se determin

expresia amplificrii Acc :
Acc
r 1
R1
R
1
( 1)2 R3 2 R3
(3.2)
3.1.1.3. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare

Pentru determinarea intervalului posibil de variaie al tensiunii de
intrare de mod comun corespunztor funcionrii tranzistoarelor circuitului n
regim activ normal, este necesar implementarea concret a sursei de curent
I 1 (de exemplu printr-o oglind de curent - Figura 3.3). Se consider R1 R2
i R4 R5 .
R1
R2
V1
Vo
T1
T2
+
-
R3
R4
I1
V2
V3
T3
T4
R5
Figura 3.3: Amplificator diferenial bipolar elementar

cu implementarea sursei de curent
Tensiunea de mod comun maxim admisibil la intrarea
amplificatorului diferenial este limitat de saturarea tranzistorului T1 , avnd
expresia:
I R
V IC
V1 1 1 VCEsat1 V BE1
2
32
(3.3)
iar cea minim de saturarea lui T3 :
VIC
VCEsat3 VBE1
(3.4)
3.1.2. Amplificatorul diferenial bipolar elementar cu degenerare

n emitor
Se consider circuitul din Figura 3.4 cu R1 R2 , R3 R4 ,
R5 R6 i R7 R1 , R3 . Se determin (pe baza semicircuitelor)
amplificrile de mod diferenial i de mod comun ale amplificatorului
diferenial din Figura 3.4.
Add
Acc
r 1
R1
( 1) R3
R1
r 1 ( 1)(R3 2 R7 )
R1
(3.5)
R2
Vo
T1
R3
R1
2 R7
V1
(3.6)
+
-
T2
R4
R5
V2
I1
R7
R6
Figura 3.4: Amplificator diferenial bipolar elementar cu degenerare n emitor
33

Se consider circuitul din Figura 3.5 cu R1 R2 i R4 R5 .
R2
R1
V1
Vo
T1
+
-
T2
R4
V2
R3
I1
R5
Figura 3.5: Amplificator diferenial CMOS - funcionarea pe mod diferenial

Amplificarea Add se poate determina utiliznd semicircuitul de mod
diferenial al etajului din Figura 3.4. Se obine:
Add g m R1 // rds1 K 1 / 2 I 11 / 2 R1
(3.7)

Excitarea pe mod comun a etajului diferenial este prezentat n
Figura 3.6, considerndu-se o sarcin echilibrat a amplificatorului
diferenial, R1 R2 i R3 R1 .
Din analiza semicircuitului de mod comun al circuitului se determin
expresia amplificrii Acc :
Acc
g m R1
R
1
1 g m 2 R3 2 R 3
34
(3.8)
R1
R2
V1
Vo
+
-
T2
T1
V2
R3
I1
Figura 3.6: Amplificator diferenial CMOS - funcionarea pe mod comun

Pentru determinarea intervalului posibil de variaie al tensiunii de
intrare de mod comun, este necesar implementarea concret a sursei de curent
I 1 (de exemplu printr-o oglind de curent - Figura 3.7 - cu R1 R2 i
R4 R5 ).
Tensiunea de mod comun maxim admisibil la intrarea
amplificatorului diferenial este limitat de intrarea n regiunea liniar a
tranzistorului T1 :
I R
I
V IC
V1 1 1 V DSsat1 VT 1
2
K
(3.9)
iar cea minim de intrarea n regiunea liniar a tranzistorului T3 :
V IC
V DSsat3 VT
35
I1
K
(3.10)
R1
R2
V1
Vo
T1
+
-
T2
R3
R4
I1
V3
T4
T3
V2
R5
Figura 3.7: Amplificator diferenial CMOS elementar

cu implementarea sursei de curent
3.1.4. Amplificatorul diferenial CMOS elementar cu degenerare
n surs
Se consider circuitul din Figura 3.8 cu R1 R2 , R3 R4 ,

R5 R6 i R7 R1, R3 .
R2
R1
V1
Vo
T1
R3
+
-
T2
R4
R5
V2
I1
R7
R6
Figura 3.8: Amplificator diferenial CMOS elementar cu degenerare n surs
36
Considernd o funcionare la semnal mic, se determin (pe baza

semicircuitelor) amplificrile de mod diferenial i de mod comun ale
amplificatorului diferenial din Figura 3.8.
g m R1
1 g m R3
(3.11)
g m R1
R
1
1 g m ( R3 2 R7 )
2 R7
(3.12)
Add
Acc
3.1.5. Structur paralel de amplificator diferenial pentru

creterea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare
Se consider circuitul din Figura 3.9, realizat prin conectarea n
paralel a dou etaje difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare
NMOS, cellalt cu tranzistoare PMOS ( R1 R2 R3 R4 i R6 R7 ).
Rolul acestei conexiuni este extinderea domeniului de mod comun al tensiunii
de intrare, necesar n special pentru aplicaii de joas tensiune.
Blocurile DIFF 1 i DIFF 2 furnizez tensiunile de ieire
difereniale ale celor dou amplificatoare complementare (NMOS, respectiv
PMOS). Insumarea celor dou tensiuni de ieire (realizat cu blocul SUM )
este echivalent cu obinerea unei transconductane totale a amplificatorului
diferenial din Figura 3.9 egal cu suma celor dou transconductane
individuale:
g mt g mn g m p
(3.13)
Similar analizei de la punctul 3.1.3.3., se obin domeniile maxime de

variaie ale tensiunilor de mod comun de intrare pentru cele dou
amplificatoare difereniale complementare, exprimate prin:
I R
I
V ICn
V1 1 1 V DSsat1 VT 1
2
K
V ICn
V DSsat3 VT
37
I1
K
(3.14)
(3.15)
I1
K
V ICp
V1 V DSsat8 VT
(3.16)
I R
I
V ICp
1 1 V DSsat6 VT 1
2
K
(3.17)
DIFF 1
R1
R2
T5
V1
T1
R6
R5
I1
I1
T4
T3
V2
V3
T2
R7
T8
I1
R3
R4
+
+
Vo
T7
DIFF 2
SUM
A
T6
R8
Figura 3.9: Structur paralel de amplificator diferenial pentru creterea

domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare
Domeniile de mod comun de intrare ale celor dou amplificatoare
difereniale sunt aproximativ complementare, existnd, ns, un interval al
tensiunii de intrare (corespunznd unor valori medii ale acesteia) pentru care
cele dou domenii se suprapun. Domeniul de mod comun de intrare pentru
circuitul paralel va fi egal cu reuniunea celor dou domenii individuale, putnd
fi extins chiar peste intervalul 0;V1 . Presupunnd g mn g m p g m i
38
considerndu-se limitele V ICn

suficient de mare, respectiv V ICp
suficient de
mic pentru a fi atinse, dependena transconductanei totale g mt a circuitului

de tensiunea de mod comun de intrare este prezentat n tabelul urmtor:
Domeniu VIC
AD NMOS
AD PMOS
AD paralel
mic
0
gm
gm
mediu
gm
gm
2 gm
mare
gm
0
gm
Pentru completarea tabelului anterior s-a considerat ipoteza

simplificatoare a unor transconductane constante ale celor dou etaje.
Existena unei regiuni (a tensiunii de mod comun de intrare de valoare
medie) pentru care ambele amplificatoare difereniale sunt active are ca efect
dublarea transconductanei totale a circuitului n acest domeniu.
3.1.6. Amplificator diferenial bipolar cu sarcin activ
Se consider amplificatorul diferenial cu sarcin activ din
Figura 3.10, avnd avantajul principal al obinerii unei amplificri de mod
diferenial integrale n contextul unei ieiri simple. Se consider R3 R4 i
X C R1 la frecvena de lucru.
Datorit excitaiei difereniale a etajului, expresiile curenilor de
colector pentru tranzistoarele T1 i T 2 sunt:
iC1, 2 g m
Deoarece iC4 iC3 iC1
V2
2
(3.18)
i impedana condensatorului C
la
frecvena de lucru este mult mai mic dect rezistena de sarcin

( R1 // ro2 // ro4 ) , amplificarea de mod diferenial a circuitului va fi:
Add
Vo
g m ( R1 // ro2 // ro4 )
V2
39
(3.19)
T3
T4
T2
T1
+
-
V1
R1
Vo
R3
V2
V3
I1
R2
R4
Figura 3.10: Amplificator diferenial cu sarcin activ

Pentru o funcionare n gol a amplificatorului diferenial ( R1 ),
se obine:
r
Add gol g m o 20V A
2
(3.20)
3.1.7. Amplificator diferenial cu suma VGS constant

Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.11 cu R1 R2 ,
R3 R4 , R5 R6 i V2 V3 .
R2
R1
V1
Vo
T2
T1
V2
R5
+
-
+ -
V3
-
V4
R3
R4
R6
Figura 3.11: Amplificator diferenial cu suma VGS constant

40
Expresia tensiunii de intrare V 4 poate fi scris n dou moduri:

V4 V2 vGS2 vGS1 V2
rezultnd
vGS1 vGS2 2V4
vGS1 vGS2 2V2 .
(3.21)
Considernd
funcionare n saturaie a tranzistoarelor schemei, tensiunea diferenial de

ieire este:
Vo (i D2 i D1 ) R1
KR 1
v GS2 v GS1 v GS1 v GS2 2VT
2
(3.22)
deci:
V
Add o 2 KR 1 V2 VT
V4
(3.23)
Intr-o analiz de ordin I circuitul este aproximativ liniar, mici

distorsiuni fiind introduse de efectul de substrat (dependena tensiunii de prag
de tensiunea substrat-surs). Minimizarea acestor erori este posibil prin
implementarea celor dou surse de tensiune V 2 i V 3 din Figura 3.11 ca
tensiuni gril-surs ale unor tranzistoare n saturaie, curentul I 0 fiind curentul
de polarizare al celor dou tranzistoare introduse suplimentar (Figura 3.12).
Sursele de tensiune V 2 i V 3 din Figura 3.11 sunt reprezentate de
tensiunile gril-surs ale tranzistoarelor T3 i T4 , polarizate la un curent
constant I 0 .
V2 V3 VT
2I0
K
(3.24)
Tranzistoarele T1 i T 2 reprezint etajul diferenial de baz, celelalte

tranzistoare realiznd nchiderea curenilor I 0 I d1 , respectiv I 0 I d 2 spre
sursa pozitiv de alimentare. Amplificarea de mod diferenial a circuitului are
expresia:
Add 2 KR1
41
2I0
Gm R1
K
(3.25)
Gm reprezentnd transconductana echivalent a circuitului.
I2 = I0
I1 = I0
V1
R1
R2
Vo
T1
T2
T3
T4
R3
V2
R4
V3
Figura 3.12: Amplificator diferenial cu suma VGS

constant, independent de VT
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.13 cu R1 R2 ,
R3 R4 , R7 R8 , R5 , R6 R1 , R3 . Amplificarea de mod diferenial a
ntregului circuit are expresia:
Add Add1 Add2 g m1 ( R1 // r 3 // ro1 )g m3 ( R3 // ro3 )
Add
I1I 2
4Vth2
( R1 // r 3 // ro1 )( R3 // ro3 )
(3.26)
(3.27)
Considernd o tensiune de intrare de mod comun, se obine:
Acc
R1 R3
1
4 R5 R6
42
(3.28)
R1
R2
R3
R4
V1
Vo
T1
T3
T2
+
-
T4
R7
V2
I1
R5
R6
I2
R8
Figura 3.13: Amplificator diferenial format din dou etaje

- funcionare pe mod diferenial
Circuitul amplificatorului diferenial cu reacie negativ este prezentat
n Figura 3.14, considerndu-se R1 R2 , R4 R5 i R6 R7 . Sursa de
curent T3 T4 D1 polarizeaz tranzistoarele etajului diferenial la cureni de
colector egali:
V V BE
(3.29)
I C1 I C2 Z
R4
R1
R2
V1
Vo
T2
T1
R7
V2
V3
R6
R3
T4
T3
R4
R5
D1
R8
Figura 3.14: Amplificator diferenial cu reacie negativ

- funcionare pe mod diferenial
43
+
-
Pentru o excitare diferenial a circuitului (Figura 3.14), mijlocul

rezistenei R3 este punct virtual de mas, deci semicircuitul de mod diferenial
se va reduce la un etaj simplu de tip sarcin distribuit a crui amplificare va
avea expresia:
R1
1 ( 1 )R3 / 2
Add r
(3.30)
Amplificarea de mod comun a circuitului este:

Acc
R1
Ro3
(3.31)
unde Ro3 reprezint rezistena dinamic din colectorul tranzistorului T3 :
R4
Ro3 ro3 1
r 3 R4 rz
(3.32)
rz fiind rezistena dinamic a diodei Zener.

3.1.10. Amplificator diferenial cu reacie negativ i AO
Se consider amplificatorul diferenial cu AO din Figura 3.15, avnd
R1 R2 , R4 R5 , R6 R7 i I 1 I 2 .
R4
R2
R1
Vo
T2
T1
R3
R6
V1
AO1
R5
V3
V2
I1
I2
R7
Figura 3.15: Amplificator diferenial cu reacie negativ i AO

44
+
-
Utiliznd problema anterioar i considernd potenialele pe cele

dou intrri ale amplificatorului diferenial V2 / 2 , respectiv V2 / 2 , se obin
expresiile celor doi cureni de colector:
iC1, 2
r 1
(V2 / 2)
V
2
( 1) R3 / 2
R3
(3.33)
Amplificatorul operaional fiind considerat ideal, condiia de egalitate

ntre cele dou poteniale de intrare se poate scrie:
iC2 ( R1 // R5 ) iC1 ( R1 // R5 ) v o
R1
R1 R5
(3.34)
Pentru calculul potenialului pe borna inversoare s-a folosit

superpoziia, considernd ca mrimi de intrare curentul iC1 i tensiunea de
ieire V o . Din cele dou relaii anterioare se obine:
V
2 R5
Add o
V2
R3
(3.35)
3.2. Simularea amplificatoarelor difereniale bipolare

i CMOS
Se consider circuitul din Figura 3.1, cu R1 R2 R4 R5 1k ,
R3 100k , T1 i T2 de tipul Q2 N 2222 , I 1 surs de curent constant de

1mA i V1 surs de curent continuu de 9V .
Funcionarea la semnal mare
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de intrare V 2
( VSRC , amplitudine 0,2V ) pentru un interval de variaie a acesteia cuprins
ntre 0,2V i 0,2V. Se vizualizeaz tensiunea de ieire a amplificatorului
diferenial (ntre cele dou colectoare).
Se va completa tabelul urmtor i se va determina eroarea de
liniaritate pentru fiecare interval, comparndu-se valorile amplificrii
45
difereniale
determinate
experimental
cu
valoarea
teoretic
Add teor 40( I 1 / 2) R1 20 .

V2
-100
-90mV
-90
-80mV
80
90mV
90
100mV
Vo
Add exp. =
= Vo /10mV
r = (Add exp.
Add teor.)/Add teor.
b. Pentru aceeai analiz de la punctul a., se vizualizeaz simultan cei

doi cureni de colector, completndu-se tabelul urmtor:
V2
IC1
IC2
IC1 + IC2
-100mV
-90mV
90mV
c. Se repet analiza de la punctul a.

tabelului), considerndu-se suplimentar o analiz
curentul I 1 (1mA, 2mA, 3mA, 4mA, 5mA).
d. Se repet analiza de la punctul b.
100mV
(exceptnd completarea
parametric de variabil
Funcionarea la semnal mic

e. Se modific descrierea sursei de tensiune de intrare n surs
sinusoidal de amplitudine 1mV i frecven 1kHz i se consider o analiz
tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms . Se vizualizeaz tensiunea de ieire i
se determin pe baza acesteia amplificarea de mod diferenial.
Caracteristica modul-frecven
f. Pentru stabilirea benzii de frecven a amplificatorului diferenial se
realizeaz o analiz AC pentru intervalul 10Hz - 1GHz (variaie decadic),
considernd pentru V 2 o surs de tip VAC cu amplitudinea de 1mV . Se
vizualizeaz dependena de frecven a modulului amplificrii de mod
diferenial i se determin valoarea frecvenei limit superioar a acesteia.
g. Se repet analiza de la punctul f. modificnd R1 R2 10k .
46

Se consider circuitul din Figura 3.2,
cu R1 R2 1k ,
R3 100k , T1 i T2 de tipul Q2 N 2222 , I 1 surs de curent constant de
( VSRC , amplitudine 1V ) pentru un interval de variaie a acesteia cuprins ntre
0 i 5V . Se vizualizeaz tensiunea de ieire de mod comun (n unul din cele
dou colectoare) i se determin amplificarea de mod comun a amplificatorului
diferenial, comparndu-se cu valoarea determinat teoretic, Acc R1 / 2 R3 .
b. Se repet analiza de la punctul a., modificndu-se valoarea
rezistenei R3 la 1M i se determin noua valoare a amplificrii de mod
comun a etajului diferenial;
c. Se completeaz analiza de la punctul a. cu o analiz parametric,
considernd ca parametru tensiuea Early VAf a tranzistorului bipolar.
Domeniul de variaie al tensiunii V 2 se stabilete cuprins ntre 1V i 3V . Se
alege o variaie a tensiunii Early cuprins ntre 50V i 100V , cu un pas de
10V i se determin cele ase valori noi ale amplificrii de mod comun a
circuitului. Circuitul utilizat doar pentru acest punct este prezentat n Figura
3.16 ( R3 10k ).
R1
R2
V1
vo
T2
T1
V2
T3
+
-
R3
T4
Figura 3.16: Amplificator diferenial bipolar pentru analiza parametric a Acc
47

d. Se alege R3 1M i se modific descrierea sursei de tensiune de
intrare n surs sinusoidal de amplitudine 5V i frecven 1kHz ,
considerndu-se o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms . Se
vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin pe baza acesteia amplificarea
de mod comun.
e. Se repet analiza de la punctul d. pentru o frecven a semnalului
de intrare de 100kHz i un interval corespunztor de simulare, notndu-se
noua valoare a amplificrii de mod comun.
f. Pentru verificarea comportamentului n frecven al amplificrii de
mod comun se realizeaz o analiz AC decadic pentru intervalul 10Hz 1MHz , considernd pentru V 2 o surs de tip VAC cu amplitudinea de 5V i
se vizualizeaz dependena de frecven a modulului amplificrii de mod
comun.
R3 8,4k , T1 T4 de tipul Q2 N 2222 , V1 , V 2 i V 3 surse de curent

continuu de 9V , 1mV i, respectiv, 1V
a. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2
pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0,2V i 0,2V ,
considernd ca parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaie cuprins ntre
0,5V i 1V , cu un pas de 0,1V ). Se determin limita minim a tensiunii de
mod comun de intrare ca fiind cea mai mic valoare a tensiunii V 3 pentru care
circuitul amplific normal.
b. Se repet analiza anterioar, dar se consider un domeniu de
variaie parametric a tensiunii V 3 cuprins ntre 8V i 9V , cu un pas de 0,2V
i se determin limita maxim a tensiunii de mod comun de intrare.
3.2.2. Amplificatorul diferenial bipolar elementar cu degenerare
n emitor
Funcionarea pe mod diferenial
R3 R4 200 , R7 100k , T1 i T2 de tipul Q2 N 2222 , I 1 surs de

curent constant de 1mA i V1 surs de curent continuu de 9V .
48

diferenial (ntre cele dou colectoare).
difereniale
determinate
experimental
cu
valoarea
teoretic
Add teor R1 /[r 1 ( 1) R3 ] 3,98 (pentru
255,9 - valoare
implicit din modelul tranzistorului NPN).

V2
-300
-280mV
-280
-260mV
260
280mV
280
300mV
Vo
Add exp. =
= Vo /20mV
r = (Add exp.

doi cureni de colector, completndu-se tabelul urmtor:
V2
IC1
IC2
IC1 + IC2
-300mV
-280mV
280mV
300mV
c. Se repet analiza de la punctul a. (exceptnd completarea

tabelului), considerndu-se suplimentar o analiz parametric de variabil
curentul I1 (2mA, 3mA, 4mA, 5mA).
Se remarc reducerea dependenei amplificrii circuitului de valoarea
curentului de polarizare a acestuia, I 1 (a se vedea expresia teoretic a
amplificrii de la punctul a.). Pentru valori mari ale rezistenei R3 se poate
considera r 1 ( 1) R3 , deci Add teor R1 / R3 (practic, independent
de I 1 ) .
d. Se repet analiza de la punctul b. (exceptnd completarea
curentul I 1 (2mA, 3mA, 4mA, 5mA).
49

R3 1M , T1 i T2 de tipul IRF150 , I 1 surs de curent constant de 1mA
i V1 surs de curent continuu de 9V .
ntre -0,1V i 0,1V . Se vizualizeaz tensiunea de ieire a amplificatorului
diferenial (ntre cele dou drene).
difereniale
determinate
experimental
cu
valoarea
teoretic
Add teor KI 1 R1 50 .
V2
Vo
02mV
24mV
1618mV
1820mV
Add exp. =
= Vo /2mV
r = (Add exp.

doi cureni de dren, completndu-se tabelul urmtor:
50
V2
ID1
ID2
ID1 + ID2
-20mV
-18mV
18mV
c. Se repet analiza de la punctul a.

d. Se repet analiza de la punctul b.
20mV

Se consider circuitul din Figura 3.6, cu
R1 R2 1k ,
R3 100k , T1 i T2 de tipul IRF150 , I 1 surs de curent constant de
( VRSC , amplitudine 1V ) pentru un interval de variaie a acesteia cuprins ntre
0 i 5V . Se vizualizeaz tensiunea de ieire de mod comun (n una din cele
dou drene) i se determin amplificarea de mod comun a amplificatorului
diferenial, comparndu-se cu valoarea determinat teoretic, Acc R1 / 2 R3 .
51
b. Se repet analiza de la punctul a., modificndu-se valoarea

rezistenei R3 la 1M i se determin noua valoare a amplificrii de mod
comun a etajului diferenial;
c. Se completeaz analiza de la punctul a. cu o analiz parametric
(intervalul de variaie al tensiunii V 2 fiind modificat la 3 5V ), considernd
ca parametru rezistena dren-surs a tranzistorului MOS. Se alege o variaie a
rezistenei Rds cuprins ntre 200k i 400k , cu un pas de 50k i se
determin cele cinci valori noi ale amplificrii de mod comun a circuitului.
Circuitul utilizat doar pentru acest punct este prezentat n Figura 3.17
( R3 3k ).
R2
R1
V1
vo
T1
+
-
T2
R3
V2
T4
T3
Figura 3.17: Amplificator diferenial CMOS pentru analiza parametric a Acc

d. Revenind la circuitul din Figura 3.6, se modific descrierea sursei
de tensiune de intrare n surs sinusoidal de amplitudine 5V i frecven
1kHz i se consider o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms . Se
vizualizeaz tensiunea de ieire (n drena unui tranzistor) i se determin pe
baza acesteia amplificarea de mod comun.
e. Pentru verificarea comportamentului n frecven al amplificrii de
mod comun se realizeaz o analiz AC pentru intervalul 10Hz - 1MHz ,
considernd pentru V 2 o surs de tip VAC cu amplitudinea de 5V i se
vizualizeaz dependena de frecven a modulului amplificrii de mod comun.
52

R3 3k , T1 T4 de tipul IRF150 avnd efectuat n model modificarea

tensiunii de prag la 0,8V , V1 , V 2 i V 3 surse de curent continuu de 3V ,
1mV i, respectiv, 1,5V
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea V 2 pentru un
domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0,2V i 0,2V , considernd ca
parametru tensiunea V 3 (domeniu de variaie cuprins ntre 2,9V i 3,3V , cu
un pas de 0,1V ). Se determin limita maxim a tensiunii de mod comun de
intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V 2 pentru care circuitul
amplific normal.
b. Se repet analiza anterioar, dar se consider un domeniu de
variaie parametric a tensiunii V 3 cuprins ntre 0 ,7V i 1,1V , cu un pas de
0 ,1V i se determin limita minim a tensiunii de mod comun de intrare.
3.2.4. Amplificatorul diferenial CMOS elementar cu degenerare
n surs
Funcionarea pe mod diferenial
R3 R4 200 , R7 100k , T1 i T2 de tipul IRF150 , I 1 surs de

curent constant de 1mA i V1 surs de curent continuu de 9V .
diferenial (ntre cele dou drene). Se va completa tabelul urmtor i se va
determina eroarea de liniaritate pentru fiecare interval, comparndu-se valorile
amplificrii difereniale determinate experimental cu valoarea teoretic
Add teor g m R1 /(1 g m R3 ) 4,5 .

V2
-200
-180mV
-180
-160mV
Vo
Add exp. =
= Vo /5mV
r = (Add exp.
53
160
180mV
180
200mV

doi cureni de dren, completndu-se tabelul urmtor:
V2
ID1
ID2
ID1 + ID2
-200mV
-180mV
180mV
200mV
c. Se repet analiza de la punctul a. (exceptnd completarea

Se remarc reducerea dependenei amplificrii circuitului de curentul
de polarizare a acestuia, I 1 .
d. Se repet analiza de la punctul b. (exceptnd completarea
3.2.5. Structur paralel de amplificator diferenial pentru
creterea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare
Se consider circuitul din Figura 3.9, realizat prin conectarea n
paralel a dou etaje difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare
NMOS, cellalt cu tranzistoare PMOS. Rolul acestei conexiuni este extinderea
domeniului de mod comun al tensiunii de intrare, necesar n special pentru
aplicaii de joas tensiune.
54
Elementele circuitului sunt: R1 R2 R3 R4 R6 R7 1k ,

R5 4k , R8 1M , T1 T4 de tipul IRF150 , avnd modificat
tensiunea de prag la 0,8V , T5 T8 de tipul IRF9140 , avnd modificat
tensiunea de prag la 0,8V i factorul de aspect la 0,3 / 2m , respectiv
1,9 / 2m , V1 , V 2 i V 3 surse de tensiune continu de valori 3V , 1mV ,
respectiv 1,5V .
a. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2
3,1V i 3,9V , cu un pas de 0,1V ). Se vizualizeaz tensiunea diferenial de
ieire a amplificatorului NMOS i se determin limita maxim a tensiunii de
mod comun de intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V3 pentru care
b. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2
0 ,7V i 1,1V , cu un pas de 0,1V ). Se vizualizeaz tensiunea diferenial de
ieire a amplificatorului NMOS i se determin limita minim a tensiunii de
mod comun de intrare ca fiind cea mai mic valoare a tensiunii V3 pentru care
c. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2
1,9V i 2,3V , cu un pas de 0,1V ). Se vizualizeaz tensiunea diferenial de
ieire a amplificatorului PMOS i se determin limita maxim a tensiunii de
mod comun de intrare ca fiind cea mai mare valoare a tensiunii V3 pentru care
d. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2
0 ,6V i, 0 ,2V cu un pas de 0,1V ). Se vizualizeaz tensiunea diferenial
de ieire a amplificatorului PMOS i se determin limita minim a tensiunii
de mod comun de intrare ca fiind cea mai mic valoare a tensiunii V3 pentru
care circuitul amplific normal.
55
e. Se realizeaz o analiz DC parametric de variabil tensiunea V 2

0 ,5V i 3,5V , cu un pas de 0 ,1V ). Se vizualizeaz tensiunea de ieire din
punctul A a amplificatorului diferenial realizat prin cuplarea n paralel a celor
dou amplificatoare complementare i se determin domeniul maxim de mod
comun al tensiunii de intrare. Pentru ce valori ale tensiunii de mod comun de
intrare apar modificri majore ale caracteristicilor totale?
3.2.6. Amplificator diferenial bipolar cu sarcin activ
Se consider amplificatorul diferenial cu sarcin activ din Figura
3.10, alegndu-se R1 10k , R2 100k , R3 R4 1k , C 1F ,
T1 T4 de tipul Q2 N 2222 , V1 9V , V3 2V i I 1 1mA .
a. Pentru o surs de tensiune intrare V 2 de tip sinusoidal cu
amplitudinea de 1mV i frecvena de 1kHz se realizeaz o analiz tranzitorie
pentru un interval 0 t 5ms . Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se
determin amplificarea de mod diferenial.
b. Se modific amplitudinea tensiunii sinusoidale de intrare V 2 la
0,1mV i frecvena la 100Hz , tensiunile Early ale celor 4 tranzistoare la
200V i rezistena de ieire la 100M . Se determin valoarea amplificrii de
mod diferenial n gol i se compar cu valoarea teoretic
Add gol g m ro / 2 20V A 4000 .
c. Se realizeaz o analiz AC decadic pentru o frecven cuprins
ntre 10Hz i 1MHz , determinndu-se frecvena limit superioar a
circuitului (pentru fiecare dintre cele dou circuite anterioare - punctele
a. i b.).
3.2.7. Amplificator diferenial cu suma VGS constant
Se consider implementarea din Figura 3.12 a unui amplificator
diferenial, alegndu-se valorile R1 R2 2k R3 R4 1k , toate
tranzistoarele de tipul IRF150 , V1 9V , V2 100mV , V3 5V i
I 1 I 2 I 0 1mA .
a. Pentru determinarea amplificrii de mod diferenial a circuitului se
realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de intrare V 2 , pentru un
domeniu de variaie a acesteia cuprins ntre 100mV i 100mV , cu un pas de
56
0,1mV . Se vizualizeaz tensiunea diferenial de ieire (ntre drenele

tranzistoarelor T1 i T 2 ) i se noteaz valoarea amplificrii de mod diferenial
a circuitului, precum i domeniul maxim de liniaritate al tensiunii difereniale
de intrare.
b. Pentru stabilirea domeniului maxim al tensiunii de mod comun de
intrare se utilizeaz circuitul din Figura 3.12 i se realizeaz o analiz DC de
variabil tensiunea de mod diferenial de intrare V 2 (domeniu de variaie:
100mV 100mV ), completat cu o analiz parametric de variabil

tensiunea de mod comun de intrare V 3 , pentru un domeniu de variaie a
acesteia cuprins ntre 2,7V i 3V cu un pas de 0,1V . Se vizualizeaz
tensiunea diferenial de ieire i se determin valoarea minim a tensiunii de
mod comun de intrare pentru care circuitul funcioneaz corect.
Deoarece sursele de curent I 1 i I 2 nu sunt implementate complet,
valoarea maxim a tensiunii de mod comun de intrare pentru care circuitul
funcioneaz normal nu se poate determina.
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.13, caracterizat
prin R1 R2 R3 R4 5k , R5 R6 100k , R7 R8 1k ,
T1 T4 de tipul Q2 N 2222 , I 1 I 2 1mA , V1 9V i V 2 o tensiune
sinusoidal de amplitudine egal cu 0,02mV i frecven 100Hz .
determin amplificarea de mod diferenial a circuitului.
Circuitul amplificatorului diferenial este prezentat n Figura 3.14.
Elementele schemei au urmtoarele valori R1 R2 R4 R5 10k ,
R3 R6 R7 R8 1k , V1 15V , V 2 tensiune sinusoidal cu

amplitudinea de 1mV i frecvena de 1kHz i V3 9V . Tranzistoarele
T1 T4 sunt de tipul Q2 N 2222 , iar dioda D1 - D1N750 .
a. Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 5ms i
se vizualizeaz tensiunea de ieire diferenial, determinndu-se valoarea
amplificrii de mod diferenial a circuitului.
b. Pentru determinarea amplificrii de mod comun a amplificatorului
diferenial se realizeaz o analiz DC de variabili tensiunea V 3 , pentru un
domeniu de variaia al acesteia cuprins ntre 8V i 11V (limitat de domeniul
57
maxim de mod comun al tensiunii de intrare) i se determin valoarea

amplificrii de mod comun a circuitului. Se poate utiliza circuitul cu excitaie
diferenial din Figura 3.14 i pentru analiza comportamentului pe modul
comun deoarece amplitudinea tensiunii difereniale V 2 este mult mai mic
dect valoarea tensiunii continue V 3 , erorile fiind, deci, neglijabile.
3.2.10. Amplificator diferenial cu reacie negativ i AO
Se consider amplificatorul diferenial cu AO din Figura 3.15, avnd
R1 R2 R6 R7 1k , R3 10k , R4 R5 100k , T1 , T2 de tipul
Q2 N 2222 , AO1 de tipul A741, I 1 I 2 1mA , V1 V3 15V i V 2 surs
de tensiune sinusoidal cu amplitudinea de 1mV i frecvena de 1kHz .
vizualizeaz tensiunea de ieire V o , determinndu-se valoarea amplificrii de
mod diferenial a circuitului.
3.3. Intrebri
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Cum se explic comportamentul neliniar al amplificatoarelor

difereniale bipolare i CMOS?
Ce mecanisme limiteaz domeniul maxim de mod comun al tensiunii
de intrare a umui amplificator diferenial?
Ce tip de aplicaii care utilizeaz amplificatoare difereniale solicit
un domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare?
Care este efectul introducerii rezistenelor n emitoarele/sursele
tranzistoarelor amplificatorului diferenial classic?
Enunai cteva metode de cretere a impedanei de intrare n
amplificatorul diferenial bipolar, menionnd avantajele i limitrile
acestora.
Ce dezavantaj major prezint metoda conectrii n paralel a dou
amplificatoare difereniale complementare n vederea creterii
domeniului maxim al tensiunii de mod comun de intrare? Ce soluii
exist pentru eliminarea acestui inconvenient?
Ce relaie exist ntre amplificarea i rspunsul n frecven al unui
amplificator diferenial?
Cum este afectat liniaritatea amplificatorului diferenial din
Figura 3.11 prin considerarea suplimentar a efectului de substrat?
Ce rol are implementarea particular din Figura 3.12 a surselor de
tensiune V 2 i V 3 din Figura 3.11?
10. Care este valoarea minim a sursei V 3 din Figura 3.14 pentru ca
amplificatorul diferenial s funcioneze corect?
58
Lucrarea a IV-a
Simularea funcionrii surselor
de curent

O surs ideal de curent constant este un element de circuit avnd
curentul de ieire independent de tensiunea de alimentare, temperatur i
rezistena de sarcin. Reprezentarea simbolic a unei surse de curent reale
conine un generator ideal de curent conectat n paralel cu o rezisten de
valoare finit (rezistena de ieire a sursei de curent).
Parametrii principali ai surselor de curent

Pentru o surs de curent se definesc urmtoarele mrimi:
Curentul de ieire reprezint valoarea curentului generat care, pentru
sursa ideal de curent, trebuie s fie independent de tensiunea de
alimentare, temperatur i rezistena de sarcin;
Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
alimentare se definete ca variaia relativ a curentului de ieire raportat
la
variaia
relativ
a
tensiunii
de
alimentare,
V
O
S I CC ( dIO / IO ) /( dVCC / VCC ) ;
Rezistena de ieire reprezint raportul dintre variaia tensiunii de ieire a

sursei de curent i variaia curentului de ieire al acesteia, pentru tensiune
de alimentare i temperatur constante. Creterea rezistenei de ieire este
posibil prin utilizarea configuraiilor cascod, cu dezavantajul creterii
tensiunii minime de ieire a sursei de curent;
Coeficientul de variaie cu temperatura reprezint raportul dintre variaia
curentului de ieire al sursei de curent i variaia temperaturii pentru
rezisten de sarcin i tensiune de alimentare constante;
59
Tensiunea minim de ieire este tensiunea minim la ieirea sursei de

curent pentru care aceasta funcioneaz normal, fiind uzual limitat de
intrarea n saturaie a tranzistoarelor bipolare sau de trecerea n regiunea
liniar a caracteristicii a tranzistoarelor MOS.

Prezint avantajul simplitii, avnd, ns, performane modeste:
rezisten de ieire redus, sensibilitate ridicat a curentului de ieire fa de
variaiile tensiunii de alimentare i dependen puternic de temperatur a
curentului de ieire.
R1
V1
IO
+
-
+
T1
V2
T2
Figura 4.1: Oglinda de curent bipolar

a. Curentul de ieire
IO
V1 VBE1
R1
(4.1)
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de

alimentare
V
O
SI 1 1
(4.2)
c. Rezistena de ieire
RO ro2
60
VA2
IO
(4.3)
d. Dependena de temperatur a curentului de ieire

IO
V1 V BE1
(4.4)
R1 (T )
e. Tensiunea minim de ieire

VOmin VCEsat2
(4.5)
R1
V1
IO
+
-
+
-
V2
T2
T1
Figura 4.2: Oglinda de curent CMOS

IO
V1 VGS1
V1 VGS1
(4.6)
R1
KR1
VGS1 VT 2
2
(4.7)
Se rezolv ecuaia de gradul doi, avnd ca necunoscut tensiunea

VGS1 i se alege soluia VGS1 VT .

alimentare
V
O
SI 1 1
61
(4.8)
1
RO rds2
I O
(4.9)

I O (T )
V1 VGS1 (T )
(4.10)
R1 (T )

VOmin VDSsat2 VGS2 VT
(4.11)
4.1.1.3. Sursa de curent bipolar cu rezistene n emitor
R1
V1
IO
+
-
+
T1
V2
T2
R3
R4
Figura 4.3: Sursa de curent bipolar cu rezistene n emitor

IO
R3 V1 V BE1
R4 R1 R3
62
(4.12)

alimentare
V
O
SI 1 1
(4.13)
R4
RO ro2 1
r 2 R3 // R1 R4
(4.14)

I O (T )
R3 V1 V BE1 (T )
R4 R1 (T ) R3 (T )
(4.15)

VOmin VCEsat2 IO R4
(4.16)
4.1.1.4. Sursa de curent CMOS cu rezistene n surs
R1
V1
IO
+
-
+
-
V2
T2
T1
R3
R4
Figura 4.4: Sursa de curent CMOS cu rezistene n surs
63
IO
R3 V1 VGS1
R4 R1 R3
(4.17)
tensiunea VGS1 fiind soluia mai mare dect VT a ecuaiei urmtoare:

V1 VGS1 R1 R3
K
VGS1 VT 2
2
(4.18)

alimentare
V
O
SI 1 1
(4.19)
RO rds2 1 gm2 R4
(4.20)

I O (T )
R3 V1 VGS1 (T )
R4 R1 (T ) R3 (T )
(4.21)

VOmin VDSsat2 IO R4
64
(4.22)
4.1.1.5. Sursa de curent Widlar bipolar
IO
R1
V1
+
-
+
-
V2
T2
T1
R2
Figura 4.5: Sursa de curent Widlar bipolar

IO
Vth V1 V BE1
ln
R2
R1 I O
(4.23)
Ecuaia se rezolv prin metoda iterativ.

alimentare
V
O
SI 1
1
I R
1 O 2
Vth
(4.24)
R2
RO ro2 1
R
2
2 1 / g m1
65
(4.25)

Se obine prin derivarea n raport cu T a ecuaiei implicite urmtoare
i separarea termenului dI O / dT :
kT V1 V BE (T )
qR2 (T ) R1 (T ) I O (T )
I O (T )
(4.26)

VOmin VCEsat2 IO R2
(4.27)
4.1.1.6. Sursa de curent utiliznd V BE ca referin
IO
R1
V1
+
-
T2
+
-
V2
T1
R2
Figura 4.6: Sursa de curent utiliznd V BE ca referin

IO
V BE1
R2
Vth V1 V BE1 V BE2

ln
R2
R1 I S
(4.28)

alimentare
V
O
SI 1
Vth
0 ,04
V BE
66
(4.29)
c. Dependena de temperatur a curentului de ieire
IO (T )
VBE1 (T )
(4.30)
R2 (T )
d. Tensiunea minim de ieire

VOmin VCEsat2 VBE1
(4.31)
R1
T1
V1
+
-
D1
R2
IO
D2
T2
D3
V2
+
-
T3
Figura 4.7: Surs de curent cu diod Zener

V
IO Z
R2
(4.32)

alimentare
V
SI 1
O
67
rz V1
R1 VZ 0
(4.33)
RO ro3
(4.34)
V (T )
I O (T ) Z
R2 (T )
(4.35)

VOmin VCEsat3
(4.36)
4.1.2. Surse de curent cu rezisten de ieire mare

Pentru creterea rezistenei de ieire a surselor de curent elementare
se utilizeaz variantele cascod ale acestora, metoda prezentnd dezavantajul
creterii tensiunii minime de ieire pentru care circuitul funcioneaz corect.
Exist posibilitatea proiectrii acestor surse pentru o excursie maxim a
tensiunii de ieire (esenial n aplicaiile de joas tensiune), n contextul
pstrrii unei valori ridicate a rezistenei de ieire prin polarizarea
tranzistorului inferior al conexiunii cascod la limita de saturaie.
Oglind de curent cascod CMOS
R1
IO
V1
+
-
T3
T1
T4
+
-
V2
T2
Figura 4.8: Surs de curent cascod bipolar
68
V1 R1 I O 2VGS 4
KR1
VGS 4 VT 2 2VGS 4
2
(4.37)
Se rezolv ecuaia de gradul al doilea, avnd ca necunoscut

tensiunea VGS 4 , reinndu-se soluia care asigur o polarizare n saturaie a
tranzistoarelor MOS, VGS4 VT .
alimentare
V
O
(4.38)
2
RO g m1 rds
1
(4.39)
SI1 1
d. Tensiunea minim de ieire

VOmin 2VGS1 VT
(4.40)

Sursele de curent clasice cu autopolarizare deriv din corespondentele
lor elementare, reducerea dependenei curentului de ieire de tensiunea de
alimentare presupunnd utilizarea unei surse de curent realizate cu tranzistoare
complementare celor constitutive sursei de curent elementare. Limitrile sunt
date de efectul Early pentru tranzistoarele bipolare i de efectul de modulare a
lungimii canalului pentru tranzistoarele MOS. Realizarea unei variante
mbuntite pentru sursa de curent cu autopolarizare necesit utilizarea unei
surse de curent complementare de tip cascod.
69
4.1.3.1. Sursa de curent cu autopolarizare utiliznd

ca referin
T1
V BE
T2
IO
T4
+
-
V1
T3
R1
Figura 4.9: Sursa de curent cu autopolarizare utiliznd V BE ca referin

IO
VBE3
(4.41)
R1

alimentare
I
V
I O th ln O
R1 I S
V
O
SI 1
Vth
V BE
V
1 1
VA
1
V
1 A
V1
(4.42)
(4.43)

I O (T )
V BE3 (T )
70
R1 (T )
(4.44)
4.1.3.2. Sursa de curent mbuntit cu autopolarizare utiliznd

V BE ca referin
VBE3
IO
T5
T6
T1
T2
(4.45)
R1
+
-
V1
IO
T4
T3
R1
Figura 4.10: Sursa de curent mbuntit cu autopolarizare

alimentare
I V A VBE
V
5
I O th ln O 5
R1 I S V A6 VBE5
(4.46)
V V V A VA dVBE5
S VI 1 th 1 5 2 6
O
VBE
dT
VA
(4.47)

I O (T )
V BE3 (T )
71
R1 (T )
(4.48)
4.1.3.3. Surs de curent cu autopolarizare cu diod Zener
T4
R1
D7
T5
I
T1
V1
+
-
D4
D1
D5
D2
D6
D3
R2
IO
V2
+
-
T3
T2
Figura 4.11: Surs de curent cu autopolarizare cu diod Zener

V
IO Z
R2
(4.49)

alimentare
IO
1
R2
V1 VZ0
VZ0 rZ I O 1
VA
r V
V
SI 1 Z 1
O
R2 V A
(4.50)
(4.51)
RO ro3
72
(4.52)
V (T )
I O (T ) Z
R2 (T )
(4.53)

VOmin VCEsat3
(4.54)
Diodele D4 D7 i rezistena R1 formeaz circuitul de pornire al

sursei de curent, necesar pentru ieirea din starea iniial, caracterizat prin
IO 0 .
4.1.3.4. Sursa de curent cu autopolarizare cu dependen negativ
de temperatur
T4
T6
T5
IO
I
T2
IO
+
-
R2
T3
T1
V1
R1
Figura 4.12: Sursa de curent cu autopolarizare

cu dependen negativ de temperatur
IO
V BE1
R1
(4.55)
S-au presupus toate tranzistoarele MOS identice (NMOS, respectiv

PMOS).
73

alimentare
IO
Vth I O
1 V1
ln
R1 I S
V
O
SI 1
(4.56)
Vth
1
VBE 1 1
V1
(4.57)

IO ( T )
VBE1 ( T )
(4.58)
R1( T )
4.1.3.5. Surs de curent PTAT cu autopolarizare
T4
T5
T2
n(W/L)
T6
W/L
n(W/L)
V1
+
-
T3
A
W/L
R1
R2
IO
T1
T7
Figura 4.13: Surs de curent PTAT cu autopolarizare

Considernd tranzistoarele T1 i T7 identice, rezult:
74
IO
VBE1 VBE7
V
th ln n
R1
R1
(4.59)

alimentare
1 V1 V BE1 VGS2
V
I O th ln n
R1
1 VGS5
V
SI 1
O
V1
lnn
(4.60)
(4.61)

IO( T ) ct .T
(4.62)
4.1.4. Surse de curent cu dependen redus de temperatur

Majoritatea surselor de curent descrise anterior prezint o dependen
important de temperatur, aproximativ liniar (pozitiv sau negativ).
Insumarea a dou tensiuni cu dependene de temperatur complementare,
astfel ponderate nct s se compenseze reciproc permite obinerea unui curent
de ieire cu un coeficient termic de valoare mult mai redus. O serie de circuite
cu dependen redus de temperatur vor fi studiate n capitolul destinat
referinelor de tensiune, principiul de baz al surselor de curent fiind similar.
4.1.4.1. Dependena de temperatur a tensiunii baz-emitor
Realizarea unor surse de curent cu dependen redus de temperatur
de tip bandgap se bazeaz pe compensarea dependenei negative de
temperatur a tensiunii baz-emitor printr-o tensiune de tip PTAT
(Proportional To Absolute Temperature). Problema fundamental pentru
studiul comportamentului termic al acestei clase de circuite este, deci, analiza
dependenei de temperatur a VBE .
Jonciunea baz-emitor a unui tranzistor bipolar polarizat direct
reprezint sursa de tensiune uzual pentru obinerea unui coeficient de
temperatur negativ. Pentru un tranzistor bipolar se cunoate dependena
logaritmic a tensiunii baz-emitor de curentul de colector:
75
VBE( T ) Vth( T ) ln
IC ( T )
IS ( T )
(4.63)
unde Vth kT / q este tensiunea termic, avnd valoarea de 25,9mV pentru

temperatura T0 298K , T este temperatura absolut, K este constanta lui
Bolzman, q este sarcina electronului, iar I S este curentul de saturaie al
tranzistorului, cu o dependen puternic de temperatur:
E
I S CT exp G0
Vth
(4.64)
Mrimea
E G0 reprezint energia benzii interzise a siliciului,

extrapolat la temperatura zero absolut ( 0K ), avnd valoarea EG0 1,205V ,
iar este un parametru constant care caracterizeaz dependena de
temperatur a mobilitii siliciului. Intr-o analiz de ordin I, energia benzii
interzise se va presupune constant fa de variaia temperaturii. Inlocuind
(4.64) n (4.63) se obine:
V BE (T )
kT I C (T )
ln
E G0
q
CT
(4.65)
Particulariznd expresia anterioar a dependenei de temperatur a

tensiunii baz-emitor pentru T T0 , rezult:
V BE (T0 )
kT0
I (T )
ln C 0 EG0
q
CT0
(4.66)
Pentru eliminarea constantei C din expresia (4.65) i exprimarea

VBE (T ) n funcie de V BE (T0 ) se nmulete (4.66) cu T / T0 i se scade din
(4.65), obinndu-se:
V BE (T )
kT I C (T )
kT T0 T
T
ln
ln
V BE (T0 ) E G0 1

q I C (T0 )
q T T0
T
0
(4.67)
Dependena de temperatur a tensiunii baz-emitor are o form relativ

complex, fiind funcie de tipul de polarizare a tranzistorului bipolar ( I C (T ) ).
76
Considernd o dependen de temperatur uzual
a curentului de
colector, I C ( T ) ct .T , fiind un parametru constant fa de variaiile

temperaturii, se obine:
V BE (T ) E G0
V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
T0
q T0
(4.68)
Primul termen al relaiei (4.68) este constant fa de variaia

temperaturii, al doilea termen prezint o scdere liniar cu temperatura care va
fi compensat prin nsumarea cu VBE( T ) a termenului de tip PTAT . Ultimul
termen, avnd o dependen logaritmic de T , va constitui principala cauz a
dependenei de temperatur pentru curentul de ieire al sursei de curent dup
corecia de ordin I a caracteristicii.
4.1.4.2. Surs de curent cu autopolarizare i dependen redus de
temperatur
Circuitul sursei de curent este prezentat n Figura 4.14.
a. Curentul de ieire i dependena de temperatur a acestuia
Deoarece:
VGS2 VT
2I 2
n C ox n(W / L)
VT
2I 3
n C ox (W / L)
VGS3
(4.69)
considernd tranzistoarele T1 i T7 identice, tensiunea la bornele rezistenei

R 2 va avea o expresie de tip PTAT :
V BE1 V BE7
R2
Vth lnn
(4.70)
R1
R1
Condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur al
tensiunii bandgap VA VPTAT VBE8 ( T ) (cea mai important component a
V R2 R2
V PTAT
dependenei de temperatur a curentului de ieire) este, deci:
V BE (T0 ) EG0 R2 k
ln n 0
T0
R1 q
77
(4.71)
T4
n(W/L)
T5
T6
W/L
W/L
IO
T2
n(W/L)
T3
W/L
R1
V2
+
-
V1
+
-
R2
V3
T1
T9
T7
T8
R3
Figura 4.14: Surs de curent cu autopolarizare

rezultnd expresia tensiunii de referin V A :
V A (T ) E G0 ( )
kT T
ln
q T0
(4.72)
Tranzistorul T8 fiind polarizat la un curent de tip PTAT , constanta

va avea valoarea 1 . Curentul de ieire al sursei din Figura 4.14 va avea,
deci, urmtoarea dependen de temperatur:
I O (T )
1
kT T
ln
E G 0 (1 )
R3
q T0
(4.73)
Observaie:
Nerespectarea prin proiectare a condiiei (4.71) de anulare a
termenului liniar dependent de temperatur al tensiunii baz-emitor conduce la
obinerea unei dependene puternice de temperatur a curentului de ieire al
circuitului. Acest dependen va fi aproximativ liniar, pozitiv sau negativ
dup cum egalitatea (4.71) devine inegalitate n unul din sensurile posibile.
78
4.2. Simularea surselor de curent bipolare i CMOS

Se consider oglinda de curent realizat n tehnologie bipolar din
Figura 4.1. Rezistena R1 are valoarea 10k , tranzistoarele T1 i T 2 sunt de
tipul Q2 N 2222 , V1 i V 2 sunt surse de tensiune continu de 9V .
Rezistena de ieire i tensiunea minim de ieire
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de ieire V 2 ,
pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 9V , cu un pas de
0 ,1V . Se vizualizeaz dependena curentului de ieire I O de tensiunea V 2 ,
determinndu-se tensiunea minim de ieire a oglinzii de curent.
Panta caracteristicii pentru V2 V2 min furnizeaz informaii asupra
rezistenei de ieire a sursei de curent. Se va determina valoarea RO ,
comparndu-se cu valoarea determinat teoretic, corelat cu tensiunea Early
din modelul asociat implicit tranzistorului utilizat.
b. Pentru a se evidenia dependena rezistenei de ieire de tensiunea
Early se completeaz analiza DC anterioar cu o analiz parametric de
variabil tensiunea Early VAf a tranzistorului bipolar; se consider o variaie a
acesteia cuprins ntre 50V i 100V , cu un pas de 10V i se determin cele
6 valori ale rezistenei de ieire, corelndu-se cu valorile teoretice
corespunztoare.
Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaia tensiunii de
alimentare i tensiunea minim de alimentare
c. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de alimentare
V1 , pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 9V , cu un pas
de 0 ,1V . Se vizualizeaz dependena curentului de ieire I O de tensiunea V1 ,
determinndu-se tensiunea minim de alimentare.
Se determin conform definiiei sensibilitatea curentului de ieire fa
de variaia tensiunii de alimentare analizndu-se panta caracteristicii
anterioare.
79

Se consider oglinda de curent realizat n tehnologie bipolar din
Figura 4.2. Rezistena R1 are valoarea 10k , tranzistoarele T1 i T 2 sunt de
tipul IRF150 , V1 i V 2 sunt surse de tensiune continu de 9V .
determinndu-se tensiunea minim de ieire a oglinzii de curent.
Panta caracteristicii pentru V2 V2 min furnizeaz informaii asupra
rezistenei de ieire a sursei de curent. Se va determina valoarea Ro ,
comparndu-se cu valoarea determinat teoretic, corelat cu rezistena drensurs din modelul asociat implicit tranzistorului utilizat.
b. Pentru a se evidenia dependena rezistenei de ieire de rezistena
dren-surs se completeaz analiza DC anterioar cu o analiz parametric de
variabil Rds a tranzistorului MOS; se consider o variaie a acesteia cuprins
ntre 50k i 100k , cu un pas de 10k i se determin cele 6 valori ale
rezistenei de ieire, corelndu-se cu valorile teoretice corespunztoare.
anterioare.
4.2.1.3. Oglinda de curent bipolar cu rezistene n emitor
Se consider sursa de curent bipolar din Figura 4.3, avnd
suplimentar R3 R4 1k .
Se repet analizele de la paragraful 4.2.1.1. i se determin creterea
rezistenei de ieire a sursei de curent din Figura 4.3 fa de oglinda
elementar, dependen mai redus a rezistenei de ieire de tensiunea Early,
precum i creterea tensiunii minime de ieire.
80
4.2.1.4. Oglinda de curent CMOS cu rezistene n surs

Se consider sursa de curent CMOS din Figura 4.4, avnd
suplimentar R3 R4 1k .
Se repet analizele de la paragraful 4.2.1.2. i se determin creterea
rezistenei de ieire a sursei de curent din Figura 4.4 fa de oglinda
elementar, dependen mai redus a rezistenei de ieire de Rds , precum i
creterea tensiunii minime de ieire.
Se consider sursa de curent din Figura 4.7, cu tranzistoarele T1 T3
de tipul Q2 N 2222 , diodele D1 de tipul D1N750 , D2 i D3 de tipul
D1N 4148 , R1 R2 1k , V1 V2 15V .

Se repet analiza de la paragraful 4.2.1.1 a. i c., extinzndu-se
domeniile de variaie ale tensiunilor V1 i V 2 pn la 15V pentru a permite
funcionarea diodei D1 n zona de strpungere a caracteristicii.
4.2.2. Surse de curent cascod

4.2.2.1. Oglind de curent cascod CMOS
Se consider oglinda de curent cascod realizat n tehnologie CMOS
din Figura 4.8. Rezistena R1 are valoarea 1k , toate tranzistoarele sunt de
tipul IRF150 , V1 i V 2 sunt surse de tensiune continu de 9V .
determinndu-se tensiunea minim de ieire i valoarea rezistenei de ieire ale
sursei de curent cascod.
b. Pentru a se evidenia dependena rezistenei de ieire a oglinzii de
curent cascod de rezistena rds a tranzistoarelor MOS se completeaz analiza
DC anterioar cu o analiz parametric de variabil rezistena rds a

tranzistorului MOS; se consider o variaie a acesteia cuprins ntre 50k i
100k , cu un pas de 10k .
81

anterioare.

4.2.3.1. Sursa de curent cu autopolarizare utiliznd VBE ca referin
Se consider sursa de curent din Figura 4.9. Toate tranzistoarele npn
sunt de tipul Q2 N 2222 , cele pnp fiind de tipul Q2 N 2907 A , rezistena R1
are valoarea 1k , iar V1 este o tensiune continu de 9V .
a. Pentru determinarea sensibilitii curentului de ieire fa de
variaiile tensiunii de alimentare se realizeaz o analiz DC de variabil
tensiunea V1 , pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 9V ,
cu un pas de 0 ,1V . Se vizualizeaz dependena curentului I O de tensiunea V1
V
i se determin S I CC analizndu-se panta caracteristicii anterioare. Se

O
remarc creterea tensiunii minime de alimentare ca o consecin a
autopolarizrii.
b. Se completeaz analiza anterioar cu o analiz parametric de
variabil tensiunea Early a tranzistoarelor pnp , al crei domeniu de variaie se
alege cuprins ntre 30V i 100V , cu un pas de 10V . Se vizualizeaz
dependena curentului I O de tensiunea de alimentare, remarcndu-se
obinerea unei dependene reduse a curentului de ieire de tensiunea de
alimentare, chiar pentru valori reduse ale tensiunii V A .
4.2.3.2. Sursa de curent mbuntit cu autopolarizare utiliznd
V BE ca referin
Se consider sursa de curent din Figura 4.10. Toate tranzistoarele sunt
de tipul Q2 N 2222 , cele pnp fiind de tipul Q2 N 2907 A , rezistena R1 are
valoarea 1k , iar V1 este o tensiune continu de 9V .
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea V1 , pentru un
domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 9V , cu un pas de 0 ,1V . Se
82
vizualizeaz dependena curentului I O de tensiunea V1 i se determin S I CC

O
analizndu-se panta caracteristicii anterioare. Se remarc creterea
suplimentar a tensiunii minime de alimentare ca o consecin a
autopolarizrii, compensat ns de reducerea dependenei curentului de ieire
de tensiunea de alimentare.
variabil tensiunea Early a tranzistoarelor pnp , al crei domeniu de variaie se
alege cuprins ntre 30V i 100V , cu un pas de 10V . Se vizualizeaz
dependena curentului I O de tensiunea de alimentare.
4.2.3.3. Surs de curent cu diod Zener cu autopolarizare
Se consider sursa de curent din Figura 4.11, cu tranzistoarele
T1 T3 de tipul Q2 N 2222 , T4 T5 de tipul Q2 N 2907 A , diodele D1 i D4
de tipul D1N750 , D2 , D3 i D5 D7 - de tipul D1N 4148 , R1 10k
R2 1k , V1 V2 15V .
Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de alimentare V1 ,
pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 15V cu un pas de
0 ,1V . Pe baza caracteristicii obinute, se determin tensiunea minim de
alimentare i sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
alimentare.
4.2.3.4. Sursa de curent cu autopolarizare i dependen negativ de
temperatur
Se consider sursa de curent din Figura 4.12. T1 este de tipul
Q2 N 2907 A , T 2 i T3 - IRF150 , T4 T6 - IRF9140 , R1 R2 1k i

V1 15V .
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea V1 , pentru un
domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 15V , cu un pas de 0 ,1V . Se
V
vizualizeaz dependena curentului I O de tensiunea V1 i se determin S I 1

O
analizndu-se panta caracteristicii anterioare. Se remarc creterea tensiunii
minime de alimentare ca o consecin a autopolarizrii, compensat ns de
reducerea dependenei curentului de ieire de tensiunea de alimentare.
variabil rezistena dren-surs a tranzistoarelor PMOS al crei domeniu de
variaie se alege cuprins ntre 50k i 100k , cu un pas de 10k . Se
83
vizualizeaz dependena curentului I O de tensiunea de alimentare i se

determin cele 6 valori ale sensibilitii.
c. Se realizeaz o analiz DC de variabil temperatura pentru
intervalul 0 t 100 o C i se observ dependena liniar negativ de
temperatur a curentului de ieire, similar celei a tensiunii baz-emitor.
4.2.4. Surse de curent cu dependen redus de temperatur
4.2.4.1. Surs de curent PTAT cu autopolarizare
Se consider sursa de curent din Figura 4.13. T1 i T7 sunt de tipul
Q2 N 2907 A , T 2 i T3 - IRF150 , T4 T6 IRF9140 , n 10 ,

R1 R2 1k i V1 15V .
a. Se repet analiza de la paragraful 4.2.3.4., punctul c., remarcnduse dependena liniar cresctoare cu temperatura a curentului de ieire.
b. Se va vizualiza dependena de temperatur a diferenei V A V B
pentru dou cazuri:
T 2 i T4 avnd factori de aspect egali, de valoare n(W / L) ;
T 2 avnd factorul de aspect W / L , iar T4 - n(W / L) .
4.2.4.2. Surs de curent cu autopolarizare i dependen redus de
temperatur
Se consider sursa de curent din Figura 4.14. Tranzistoarele T1 , T7 i
T8 sunt de tipul Q2 N 2222 , T 2 , T3 i T9 - IRF150 , T4 T6 - IRF9140 ,

n 10 , R1 1k , R2 6 ,29k , V1 9V .
Datorit limitrii programului SPICE la o complexitate relativ
redus a circuitelor simulate, se va analiza doar partea din stnga a schemei din
Figura 4.14, exceptnd amplificatorul operaional, tranzistorul T9 i rezistena
R3 . Curentul de ieire al sursei de curent va depinde liniar de potenialul n
punctul A , I C9 V A / R3 , deci va avea aceeai dependen de temperatur
cu V A .
Se realizeaz o analiz DC de variabil temperatura, pentru un
domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 i 100 o C .
a. Se vizualizeaz curentul prin rezistena R 2 , remarcndu-se
dependena de tip PTAT a acestuia.
b. Se determin dependena de temperatur a tensiunii baz-emitor
pentru tranzistorul T8 (aproximativ liniar negativ dependent de temperatur).
84
c. Se vizualizeaz dependena de temperatur a tensiunii n punctul

A pentru valorile rezistenelor menionate mai sus.
d. Se modific rezistena R 2 la valoarea 5k i se determin noua
dependen de temperatur a tensiunii n punctul A .
e. Se repet punctul e. pentru R2 15k .
4.3. Intrebri
1.
2.
3.
4.
5.
Ce efect are introducerea celor dou rezistoare n emitoarele/sursee

tranzistoarelor oglinzilor de curent bipolare/CMOS?
Ce ordin de mrime au curenii obinui prin utilizarea surselor de
curent de tip Widlar?
V
Deducei expresia (4.24) a S V 1 pentru sursele de curent din

O
Figura 4.5.
Care este tensiunea minim de alimentare a circuitului din Figura 4.6?
V
Deducei expresia (4.29) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4.6.

O
V
Deducei expresia (4.33) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4.7.

O
7. Ce limitri majore prezint sursele de curent de tip cascod?
8. Ce avantaje importante au sursele de curent de tip cascod?
9. Indicai o metod de reducere a tensiunii minime de ieire pentru
sursele de curent cascod implementate n tehnologie CMOS.
10. Ce diferen exist ntre autopolarizarea simpl i autopolarizarea
cascod?
11. Ce dezavantaje prezint autopolarizarea cascod i n ce tip de aplicaii
nu pot fi utilizate sursele de curent cu acest tip de autopolarizare?
6.
12. Deducei expresia (4.43) a S V 1 pentru sursa de curent din Figura 4.9.
O
13. Explicai pe scurt funcionarea circuitului de pornire al sursei de
curent din Figura 4.11.
V
14. Deducei expresiiile (4.51) i (4.57) ale S V 1 pentru sursele de curent

O
din Figurile 4.11 i 4.12.
15. Ce semn va avea coeficientul de temperatur al tensiunii de referin a
circuitului din Figura 4.14 pentru R 2 de valoare redus? Dar pentru
R 2 de valoare mare?
85
Lucrarea a V-a
Simularea funcionrii referinelor
de tensiune

O referin de tensiune este un circuit care produce o tensiune cu
dependen redus de tensiune de alimentare, temperatur i curent de sarcin.
Scderea dependenei de tensiunea de alimentare se realizeaz prin
autopolarizarea sursei de tensiune elementare, metoda uzual fiind utilizarea
unei oglinzi de curent complementare nucleului referinei de tensiune.
Deoarece toate componentele electronice prezint o variaie a parametrilor cu
temperatura, tehnica de baz utilizat pentru reducerea dependenei de
temperatur este proiectarea circuitului astfel nct variaiile diferitelor
componente s se compenseze reciproc.
Parametrii fundamentali ai referinelor de tensiune

Coeficientul de variaie cu temperatura reprezint variaia tensiunii
de referin raportat la variaia temperaturii. Unitatea de msur:
ppm / o K ; poate fi mbuntit prin tehnici de corecie a caracteristicii
i prin circuite de stabilizare termic;

Sensibilitatea tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de
alimentare reprezint eroarea relativ datorat modificrii tensiunii
de alimentare a referinei de tensiune. Este o mrime adimensional i
se poate mbunti prin autopolarizarea simpl sau cascod a
circuitului;
Rezistena de ieire se definete ca raportul dintre variaia relativ a
tensiunii de ieire i variaia relativ a curentului de ieire. Unitatea
de msur: .
86
5.1.1. Dependena de temperatur i de tensiunea de alimentare a

referinelor de tensiune
In funcie de tipul caracteristicii de temperatur a referinelor de
tensiune se pot defini urmtoarele clase importante:
Referine de tensiune fr corecia caracteristicii de temperatur;
Referine de tensiune cu corecie de ordin I (liniare) a caracteristicii
de temperatur;
Referine de tensiune cu corecie de ordin superior a caracteristicii de
temperatur;
Considernd drept criteriu sensibilitatea tensiunii de referin fa de
variaiile tensiunii de alimentare, referinele de tensiune se pot clasifica astfel:
Referine de tensiune polarizate direct de la sursa de alimentare
Referine de tensiune cu autopolarizare simpl
Referine de tensiune cu autopolarizare cascod
Circuite fr compensarea caracteristicii de temperatur

Aceste circuite prezint un coeficient de temperatur de valoare
ridicat, de valoare negativ ( CTAT - Complementary To Absolute
Temperature) sau pozitiv ( PTAT - Proportional To Absolute Temperature).
CTAT

Variantele uzuale de implementare a unei referine de tensiune de tip
sunt:
Jonciunea baz-emitor polarizat direct - prezint o dependen
aproximativ liniar negativ de temperatur, liniaritatea fiind afectat
de prezena unui termen de eroare cu o dependen logaritmic de
temperatur (relaia (5.2));
Dioda Zener - prezint o dependen de temperatur pozitiv sau
negativ, n funcie de mecanismul care st la baz procesului de
stabilizare;
Extractorul de tensiune de prag tensiunea de prag a tranzistorului
MOS are o dependen de temperatur aproximativ liniar i negativ;
Tensiunea gril-surs a unui tranzistor MOS funcionnd n inversie
slab.
a. Jonciunea baz-emitor
Se consider circuitul din Figura 5.1.
87
R1
VO
V1
T1
Figura 5.1: Jonciunea baz-emitor

Expresia tensiunii de ieire
VO VBE1
(5.1)
Dependena de temperatur a tensiunii de ieire

Pentru o polarizare a tranzistorului bipolar la un curent de colector de
tip PTAT , se obine (a se vedea demonstraia din capitolul anterior, relaiile
(4.63)-(4.68)):
VO (T ) V BE1 (T ) E G0
V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
T0
q T0
(5.2)
Sensibilitatea tensiunii de ieire fa de variaiile tensiunii de

alimentare
V VBE
VO Vth ln 1
R1I S
(5.3)
Vth
4%
VBE
(5.4)
V
O
SV 1
88
b. Dioda Zener
R1
VO
V1
D1
+
-
Figura 5.2: Dioda Zener

VO VZ
(5.5)

VO VZ 0 a( T T0 ) , a 0
(5.6)

alimentare
V VZ 0
VO VZ 0 rZ 1
R1
r V
V
SV 1 Z 1
O
R1 VZ 0
89
(5.7)
(5.8)
c. Generator CTAT utiliznd un extractor VT - varianta I

I3
T1
K
1:1
I1
I2
T2
K
T4
4K
T6
K
V2
T5
4K
T3
K
V1
VO
T7
K
+
-
Figura 5.3: Generator CTAT utiliznd un extractor VT - varianta I

Neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului se obine
I 1 I 2 I 3 I , deci:
2I
VO 2VGS4 VGS3 2VT
4
K

VT

2I
K
VT
(5.9)

Tensiunea de prag a dispozitivelor MOS are o variaie cu temperatura
liniar i negativ:
VO VT VT 0 aT T0 , a 0
90
(5.10)
d. Generator CTAT utiliznd un extractor VT - varianta a II-a

I2
T1
K
1:1
I1
T3
T2
V1
T4
K
T7
4K
VO
T5
K
1:1
T6
K
T8
4K
Figura 5.4: Generator CTAT utiliznd un extractor VT - varianta a II-a

Similar circuitului anterior, se obine:
VO 2VGS7 VGS4 VT
(5.11)
VO VT VT 0 aT T0 , a 0
(5.12)

Metodele de obinere a unei tensiuni de tip PTAT sunt:
Utilizarea unei diode Zener cu coeficient de temperatur pozitiv;
Considerarea diferenei a dou tensiuni baz-emitor pentru
tranzistoare bipolare funcionnd la densiti de curent diferite;
Considerarea diferenei a dou tensiuni gril-surs pentru tranzistoare
MOS funcionnd n inversie slab;
Utilizarea unui bloc OVF (Offset Voltage Follower), prezentnd
avantajul nlocuirii necesitii unei mperecheri riguroase a dou
rezistene cu necesitatea realizrii unui factor de transfer de valoare
precis al unei oglinzi de curent CMOS.
91
a. Dioda Zener
Analiza teoretic este identic cu cea de la paragraful 5.1.1.1b,
singura diferen fiind valoarea pozitiv a constantei a .
b. Generator PTAT cu autopolarizare
T7
T6
T5
V1
T4
T3
VO
R2
R1
T1
T2
Figura 5.5: Generator PTAT cu autopolarizare

Pentru o funcionare n regim activ normal a tranzistoarelor bipolare
i n saturaie a tranzistoarelor MOS, considernd ( W / L )3 ( W / L )5 ,
( W / L )4 ( W / L )6 , rezult VGS3 VGS4 . T1 i T2 fiind identice, expresia
tensiunii de ieire este:
VO
( W / L )5
R2 VBE1 VBE2
R
2 Vth ln
R1
R1
R1
( W / L )6
(5.13)

VO ct .T
92
(5.14)

alimentare
Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului pentru
tranzistoarele T5 i T6 conduce la obinerea urmtoarei relaii mai exacte a
tensiunii de ieire:
VO
( W / L )5 1 V1 VGS3 VBE1
R2
Vth ln
( W / L )6
R1
1 VGS6
V
O
SV1
V1
( W / L )5
ln
( W / L )6
(5.15)
(5.16)
S-a neglijat efectul de modulare a lungimii canalului pentru

tranzistoarele T3 i T4 , deci s-a considerat valabil relaia VGS3 VGS4 .
e. Generator PTAT utiliznd un amplificator diferenial cu
dezechilibru controlat
Se consider circuitul din Figura 5.6, tranzistoarele T1 i T2 fiind
identice.
Potenialele celor dou intrri ale amplificatorului operaional fiind
egale, se obine:
R
R R5
Vth ln 2
VO 1 3
R4
R1
(5.17)

VO ct .T
93
(5.18)
V1
+
-
R2
R1
R3
VO
T1
T2
R4
V2
R5
I1
Figura 5.6: Generator PTAT utiliznd un amplificator

diferenial cu dezechilibru controlat
Circuite cu corecia de ordin I a caracteristicii de

temperatur referina de tensiune bandgap
5.1.1.3. Referin de tensiune bandgap elementar
Exist multiple implementri ale referinei de tensiune bandgap
elementare, o variant cu autopolarizare fiind prezentat n Figura 5.7.
T6
T8
T7
V1
+
-
T4
T5
VO
R2
R1
I
T1
T2
T3
Figura 5.7: Referin de tensiune bandgap elementar
94
Expresia tensiunii de ieire i dependena sa de temperatur

Principiul de baz al acestui circuit este compensarea dependenei
negative de temperatur a tensiunii V BE3
prin tensiunea de tip PTAT
existent la bornele rezistenei R 2 . Exist dou posibiliti de proiectare a

referinelor de tensiune de acest tip. Prima posibilitate utilizeaz tranzistoarele
T1 i T2 identice i oglinda de curent T6 T7 cu factor de transfer supraunitar,
( W / L )6 ( W / L )7 . Pentru ca potenialele punctelor A i B s fie egale, este
necesar ca VGS4 VGS5 . Considernd o funcionare n saturaie a
tranzistoarelor MOS, se obine urmtoarea condiie de proiectare:
( W / L )4 ( W / L )6
( W / L )5 ( W / L )7
(5.19)
A doua posibilitate const n impunerea unui factor de transfer unitar

oglinzii de curent T6 T7 . Curenii de dren ai tranzistoarelor T4 i T5 fiind
egali, condiia VA VB implic ( W / L )4 ( W / L )5 . Asimetria controlat este
realizat de tranzistoarele T1 i T2 , I S2 I S1 .
Este posibil, evident, i proiectarea unei versiuni cu asimetrie dubl,
datorat ambelor perechi de tranzistoare, util pentru obinerea unui coeficient
de temperatur al curentului PTAT de valoare ridicat. In tehnologia CMOS,
ns, obinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive parazite necesit
utilizarea unei suprafee de siliciu mult mai mari dect cea aferent unui
tranzistor MOS, preferndu-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie ct
mai redus.
In analiza teoretic de mai jos se va studia prima posibilitate de
proiectare, considerndu-se respectat relaia (5.19). Expresia tensiunii de
ieire a referinei de tensiune bandgap este:
VO ( T ) VBE3 ( T )
( W / L )6
R2
Vth ln
R1
( W / L )7
(5.20)
Considernd o dependen de temperatur a tensiunii baz-emitor

exprimat prin relaia:
95
V BE (T ) E G0
V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
T0
q T0
(5.21)
condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur din expresia

(5.20) este:
VBE ( T0 ) EG0
( W / L )6
R2
Vth0 ln
0
R1
( W / L )7
(5.22)
rezultnd o tensiune de ieire a referinei de tensiune bandgap cu corecie de

ordin I a caracteristicii exprimat prin:
VO (T ) E G0 ( )
kT T
ln
q T0
(5.23)
Deoarece tranzistorul T3 funcioneaz la un curent de colector de tip

PTAT , 1 , deci:
VO (T ) E G0 (1 )
kT T
ln
q T0
(5.24)
5.1.1.4. Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta I

Se consider circuitul din Figura 5.8, tranzistoarele T1 i T2 fiind
identice.
VO ( T ) VBE2 ( T )
R
R1
Vth ln 1
R3
R2
(5.25)
Considernd dependena de temperatur (5.2) a tensiunii baz-emitor

i impunnd condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur
din expresia acestuia (similar relaiei (5.22)), se obine aceeai dependen
logaritmic de temperatur a tensiunii de ieire, exprimat prin (5.24)
(deoarece tranzistoarele lucreaz la un curent de colector de tip PTAT ,
1 ).
96
V1
R1
R2
+
-
VO
R3
T1
T2
V2
Figura 5.8: Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta I
5.1.1.5. Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta

a II-a
Se consider circuitul din Figura 5.9, avnd tranzistoarele T1 i T2
identice.
R R5
VO ( T ) VBE3 ( T ) 1 3
R4
R
Vth ln 2
R1
(5.26)
Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a

referinei de tensiune ( 1 ) implic o tensiune de ieire exprimat prin
relaia (5.24).
97
V1
R2
R1
R3
VO
T1
T2
R4
V2
R5
I1
T3
Figura 5.9: Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta a II-a

5.1.1.6. Referin de tensiune bandgap cu tensiune de ieire
ajustabil utiliznd un AO
Se consider circuitul din Figura 5.10, avnd tranzistoarele T1 i T2
identice.
V1
+
-
R1
R2
+
VO
R3
T1
R6
T2
V2
R4
A
R5
R7
Figura 5.10: Referin de tensiune bandgap cu tensiune

de ieire ajustabil utiliznd un AO
98

Neglijnd curenii de baz, se obine:
R
R
R
R
VO ( T ) 1 6 VBE2 ( T ) 5 1 1 Vth ln 1
R7
R4
R2
R2
(5.27)
Corecia de ordin I a caracteristicii ( 1 ) implic:
T
R
VO ( T ) 1 6 EG 0 1 Vth ln
R
7
T0
(5.28)
deci o tensiune de ieire ajustabil prin reglarea raportului de rezistene

R6 / R7 .
5.1.1.7. Referin de tensiune cu diod Zener
I1
V1
T1
T2
R1
D1
VO
R2
T3
Figura 5.11: Referin de tensiune cu diod Zener
99

VO ( T )
R2
R1 R2
VZ ( T ) VBE ( T ) 1 2
R2
(5.29)
Considernd o dependen liniar de temperatur a tensiunii de

stabilizare a diodei Zener, este posibil alegerea raportului R1 / R2 pentru
anularea termenului liniar dependent de temperatur al VBE( T ) .
Observaie: Pentru o diod Zener cu coeficient de temperatur
pozitiv, este necesar ca R1 2 R2 , n timp ce pentru diode Zener cu coeficient
de temperatur negativ, inegalitatea se inverseaz.
5.1.1.8. Referin de tensiune bandgap cu funcionare n curent
Se consider circuitul din Figura 5.12, cu R3 R4 .
Referindu-ne la posibilitile de proiectare enunate n paragraful
5.1.1.3, se alege pentru circuitul din
Figura 5.12 varianta a doua,
deci I S2 I S1 . In acest caz, neglijnd efectul de modulare a lungimii
canalului, expresia tensiunii de ieire a referinei de tensiune devine:
VO( T ) ( I1 I4 )R2
T5
(5.30)
T6
T7
V1
T3
T4
I4
A
R3
VO
B
R1
R4
R2
I1
T1
T2
Figura 5.12: Referin de tensiune bandgap cu funcionare n curent
100
IS
R
VO ( T ) 2 Vth ln 2
IS
R1
1
R2
VBE1 ( T )
R4
(5.31)
Condiia de corecie liniar a caracteristicii este similar celei deduse

pentru circuitele anterioare.
5.1.2. Circuit de stabilizare termic pentru referine de tensiune
Imbuntirea suplimentar a comportamentului termic al referinelor
de tensiune este posibil prin limitarea domeniului maxim de variaie a
temperaturii cipului. O implementare posibil a unui circuit de stabilizare
termic este prezentat n Figura 5.13.
T4 este tranzistorul de blocare termic care controleaz puterea
disipat pe capsul prin comanda etajului Darlington T1 T2 . Pentru o
temperatur a capsulei mai mic dect temperatura de echilibru, tranzistorul
T1 este n conducie puternic, curentul prin circuit fiind limitat doar de
circuitul realizat cu T3 i elementele aferente. Pentru temperaturi mici, cderea
de tensiune pe R4 nu este suficient pentru a deschide tranzistorul T4 . Pe
msur ce temperatura crete, T4 ncepe s conduc, T1 comut n blocare,
ceea ce produce o scdere a puterii disipate i, deci, a ratei de cretere a
temperaturii. Rezultatul acestei bucle de reacie va fi o caracteristic de
temperatur care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru.
T8
R5
T9
1k
D3
V1
T7
T6
T5
T2
T1
R3
R1
D1
D2
11,2k
2k
T3
T4
R2
R4
4,2
1k
Figura 5.13: Circuit de stabilizare termic pentru referine de tensiune
101
Circuitul de termostatare este format din T4 ,T6 ,T7 , R3 , R4 i dioda

Zener D1 . Valorile rezistenelor R3 i R4 sunt astfel alese nct s rezulte
pentru o temperatur a capsulei de 25 o C o tensiune la bornele rezistenei R4
de valoare:
V 2VBE
U R4 Z
R4 0 ,41V
R3 R4
(5.32)
insuficient pentru deschiderea tranzistorului T4 . O dat cu creterea

temperaturii, considernd c dioda Zener are un coeficient de temperatur
pozitiv ( 3mV / K ), iar tensiunea baz-emitor unul negativ ( 2,1mV / K ),
cderea de tensiune pe rezistena R4 va crete cu o rat:
1k
3mV / K 2 2,1mV / K 0,6 mV / K
1k 11,2k
Totodat, creterea temperaturii are ca efect
deschidere a tranzistorului T4 . Ca un rezultat al
considernd c tensiunea de deschidere a lui T4
temperatura de 298K , acesta va intra n conducie
temperatur fa de 298K de valoare:
600 410mV
0,6 2,1mV / K
70K
(5.33)
scderea tensiunii de
celor dou tendine,
este de 600mV la
pentru o variaie de
(5.34)
In consecin, temperatura de echilibru va fi:
Tech 298K T 368K
(5.35)
Diodele D2 , D3 i rezistena R5 formeaz circuitul de pornire,

deconectat dup intrarea diodei D1 n regim de stabilizare prin blocarea
diodei D3 .
102
5.2. Simularea referinelor de tensiune bipolare i

CMOS
5.2.1. Dependena de temperatur a referinelor de tensiune

Se consider circuitul din Figura 5.1, avnd R1 1k , V1 9V i T1
de tipul Q2N 2222 .
domeniu de variaie a acesteia cuprins ntre 0 o C i 100 o C . Se vizualizeaz
tensiunea de ieire i se determin valoarea coeficientului de temperatur al
acesteia.
b. Dioda Zener
Se consider circuitul din Figura 5.2 pentru care R1 1k ,
V1 15V i D1 de tipul D1N750.
acesteia.
Se consider circuitul din Figura 5.3 pentru care tranzistoarele
T1 T2 sunt de tipul IRF9140, T3 T7 - IRF150 , T4 i T5 au factorul de
aspect de 4 ori mai mare dect al celorlalte tranzistoare NMOS, V1 9V i
V2 3V .
acesteia.
Se consider circuitul din Figura 5.4 pentru care tranzistoarele T1 T3
sunt de tipul IRF9140, T4 T8 - IRF150 , T7 i T8 au factorul de aspect de 4
ori mai mare dect al celorlalte tranzistoare NMOS i V1 9V .
103

acesteia.
a. Generator PTAT cu autopolarizare
Se consider circuitul din Figura 5.5, avnd T1 i T2 de tipul
Q2N 2907 A , T3 T4 - IRF150 , T5 T7 - IRF9140, T5 avnd parametrul W de
10 ori mai mare dect al tranzistoarelor T6 i T7 , iar T3 avnd W de 10

ori mai mare dect al tranzistorului T4 , R1 R2 1k i V1 15V .
acesteia.
b. Generator PTAT utiliznd un amplificator diferenial cu
Se consider circuitul din Figura 5.6, cu T1 i T2 de tipul Q2N 2222 ,
amplificatorul operaional de tipul A741 , R1 R4 R5 1k R2 10k ,
R3 5k , I1 1mA i V1 V2 9V .
acesteia.
Circuite cu corecia de ordin I a

temperatur
caracteristicii de

Se consider circuitul din Figura 5.7, avnd T1 T3 de tipul
- IRF150 , T6 T8 - IRF9140 ,
Q2 N 2907 A , T4 i T5
(W / L) 6 10(W / L)7 10(W / L) 8 , (W / L) 4 10(W / L) 5 , R1 1k ,
R2 8,35k i V1 9V .
domeniu de variaie a acesteia cuprins ntre 0 o C i 100 o C .
a. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a tensiunii la bornele
rezistenei R2 i se determin coeficientul de temperatur al acesteia.
104
b. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunii VBE3 i se

determin coeficientul de temperatur al acesteia.
c. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin domeniile pentru
care coeficientul de temperatur are valori pozitive, respectiv negative. Ct
este temperatura de referin a circuitului?
d. Se modific succesiv valoarea rezistenei R 2 la 15k i,
respectiv, 5k i se determin noul comportament termic al referinei de
tensiune.
Se consider circuitul din Figura 5.8, avnd T1 i T 2 de tipul
Q2 N 2222 , R1 9,25k , R2 1k , R3 1k , amplificatorul operaional

de tipul A741 i V1 V2 9V .
a. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a curentului I .
b. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a tensiunii la bornele
c. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunii VBE2 i se
d. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin domeniile pentru
e. Se modific succesiv valoarea rezistenei R1 la 15k i,
tensiune.
5.2.1.5. Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta
a II-a
Se consider circuitul din Figura 5.9, cu T1 T3 de tipul Q2N 2222 ,
R3 9,1k , I1 1mA i V1 V2 9V .
a. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a tensiunii la bornele
105
b. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunii VBE3 i se

c. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin valoarea
coeficientului de temperatur.
d. Se modific succesiv valoarea rezistenei R3 la 15k i, respectiv,
5k i se determin noul comportament termic al referinei de tensiune.
5.2.1.6. Referin de tensiune bandgap cu tensiune de ieire
ajustabil utiliznd un AO
R1 8 ,65k ,
R2 ... R5 R7 1k ,
R6 3k ,
Q2 N 2222 ,
amplificatorul operaional de tipul A741 i V1 V2 15V .
a. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a curentului I .
b. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a tensiunii la bornele
c. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunii VBE2 i se
d. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i compar valoarea acesteia cu
cea obinut n urma analizei teoretice. Se determin domeniile pentru care
coeficientul de temperatur are valori pozitive, respectiv negative. Ct este
temperatura de referin a circuitului?
e. Se modific valoarea rezistenei R6 la valoarea de 4k . Se
determin noua valoare a tensiunii de referin i se compar cu valoarea
teoretic.
Q2 N 2222 , R1 1,43k , R2 1k , D1 de tipul D1N750 , I 1 1mA i
V1 9V .
a. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunii la bornele
diodei D1 i se determin coeficientul de temperatur al acesteia.
b. Se vizualizeaz dependena de tip CTAT a tensiunilor VBE1 , VBE2
i VBE3 i se determin coeficientul de temperatur al acestora.
106
c. Se vizualizeaz dependena de tip PTAT a tensiunii la bornele

rezistenelor R1 i R2 i se determin coeficientul de temperatur al acestora.
d. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin domeniile pentru
e. Se modific succesiv valoarea rezistenei R1 la 10k i,
tensiune.
5.2.1.8. Referin de tensiune bandgap cu funcionare n curent
Q2N 2907 A , T2 avnd curentul de saturaie de 4 ori mai mare dect T1 ,
T3 T4
IRF150 ,
T5 T7
IRF9140,
R1 620 ,
R2 1k ,
R3 R4 8k i V1 15V .
domeniu de variaie a acesteia cuprins ntre 0 o C i 100o C .
a. Se vizualizeaz dependenele de temperatur pentru curenii prin
rezistenele R1 i R4 ( PTAT , respectiv CTAT ) i se determin coeficienii de
variaie cu temperatura ai acestora.
b. Se vizualizeaz tensiunea de ieire i se determin valoarea
coeficientului de temperatur.
5.2.2. Dependena de tensiunea de alimentare a referinelor de
tensiune

Se consider circuitul din Figura 5.1, avnd R1 1k , V1 15V i T1
de tipul Q2N 2222 .
pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 si 15V i se
determin valorile tensiunii minime de alimentare i sensibilitii tensiunii de
ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare.
b. Dioda Zener
Se consider circuitul din Figura 5.2 pentru care R1 1k , V1 15V
i D1 de tipul D1N750.
107

sunt de tipul IRF9140, T4 T7 - IRF150 , T4 i T5 au factorii de aspect de 4
ori mai mari dect ai celorlalte tranzistoare NMOS, V1 15V i V2 3V .
sunt de tipul IRF9140, T4 T8 - IRF150 , T7 i T8 au factorii de aspect de 4
ori mai mari dect ai celorlalte tranzistoare NMOS i V1 15V .
a. Generator PTAT cu autopolarizare
Q2N 2907 A ,
T3 T4
T5 T7
IRF150 ,
IRF9140,
(W / L) 5 10(W / L) 6 10(W / L)7 , (W / L) 3 10(W / L) 4 , R1 R2 1k
i V1 15V .
vizualizeaz tensiunea de ieire.
108
b. Generator PTAT utiliznd un amplificator diferenial cu

Se consider circuitul din Figura 5.6, cu T1 i T2 de tipul Q2N 2222 ,
amplificatorul operaional de tipul A741 , R1 R4 R5 1k , R2 10k ,
R3 5k , I1 1mA i V1 V2 15V .
Circuite cu corecia de ordin I a

temperatur
caracteristicii de

- IRF150 , T6 T8
- IRF9140 ,
T4 i T5
(W / L) 4 10(W / L) 5 , (W / L) 6 10(W / L)7 10(W / L) 8 , R1 1k ,
R2 8,35k i V1 15V .
Q2N 2907 A ,

Q2N 2222 , R1 9,25k , R2 1k , R3 1k , amplificatorul operaional
de tipul A741 i V1 V2 15V .

109
5.2.2.5. Referin de tensiune bandgap utiliznd un AO varianta a

II-a
Se consider circuitul din Figura 5.9, cu T1 T3 de tipul Q2N 2222 ,
R3 9,1k , I1 1mA i V1 V2 15V .

Q2 N 2222 , R1 1,43k , R2 1k , D1 de tipul D1N750 , I1 1mA i
V1 15V .
a. Se realizeaz o analiz DC de variabil tensiunea de alimentare
V1 , pentru un domeniu de variaie al acesteia cuprins ntre 0 si 15V i se
b. Se nlocuiete sursa de curent ideal I1 cu o rezisten de 1k i
se repet analiza anterioar, punndu-se n eviden modificarea rejeciei
tensiunii de alimentare.
5.2.3. Circuit de stabilizare termic
Se consider circuitul din Figura 5.13, avnd tranzistoarele T1 T4 i
T7 de tipul Q2N 2222 , T5 , T6 , T8 i T9 - Q2 N 2907 A , D1 i D2 D1N958A , D3 - 1N4148, R1 2k , R2 4,2 , R3 11,2k , R4 1k ,
R5 1k i V1 9V .
curenii de colector ai tranzistoarelor T4 (tranzistorul de comand a declanrii
proteciei termice) i T1 (tranzistorul de comand a rezistenei de nclzire) i
se determin valoarea aproximativ a temperaturii de declanrii proteciei,
precum i puterea disipat n rezistena de nclzire pentru temperaturi reduse
( t 60 o C ).
110
5.3. Intrebri
1.
2.
3.
Ce posibilii practice de implementare a unei surse de tensiune

PTAT exist?
Ce posibilii practice de implementare a unei surse de tensiune
CTAT exist?
V
Deducei expresia (5.4) a S V 1 pentru circuitul din Figura 5.1.

O
V
Deducei expresia (5.8) a S V 1 pentru circuitul din Figura 5.2.

O
5. Care este valoarea minim a sursei de tensiune V 2 din Figura 5.3?
6. Ce relaie trebuie s existe ntre factorii de aspect ai tranzistoarelor
T3 T6 din Figura 5.5 pentru ca V A V B ?
7. Deducei expresia (5.17) a tensiunii de ieire a circuitului din Figura
5.6.
8. Care este principiul de baz al coreciei de ordin I a caracteristicii de
temperatur?
9. Care posibilitate de proiectare dintre cele dou enunate n paragraful
5.1.1.3. conduce la obinerea unui circuit cu arie minim?
10. Ce tip de dependen de temperatur are tensiunea de referin cu
corecie de ordin I a caracteristicii?
11. Ce posibilitate de reglare a valorii tensiunii de referin exist pentru
circuitelor din Figura 5.10 i Figura 5.12?
4.
111
Lucrarea a VI-a
Studiul experimental al circuitelor
elementare cu
amplificatoare
operaionale
6.1. Amplificatorul inversor

Se consider amplificatorul inversor din Figura 6.1.
R3
10k
R1
C1
100
C3
C2
R2
C4
O
U1
1k
R5
10k
I
C5
-V
R4
GEN
Figura 6.1: Amplificatorul inversor
112
6.1.1. Se realizeaz conexiunile C1 i C3. Se aplic la intrarea

circuitului (borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV i
frecvena de 1kHz.
Se vizualizeaz semnalul de ieire (borna O) i se compar cu
rezultatul teoretic.
6.1.2. Se repet punctul 6.1.1. pentru conexiunile C1 i C4.
6.2. Amplificatorul neinversor

Se consider amplificatorul neinversor din Figura 6.2.
R2
9k
R1=1k
C1
O
U1
C2
R4
10k
GEN
R3
-V
Figura 6.2: Amplificatorul neinversor

6.2.1. Se realizeaz conexiunea C1. Se aplic la intrarea circuitului
(borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV i frecvena de
5kHz.
rezultatul teoretic.
6.2.2. Se repet punctul 6.2.1. pentru un semnal triunghiular cu
amplitudinea de 0,2V.
6.3. Repetorul de tensiune

Se consider repetorul de tensiune din Figura 6.3.
113
R3
C4
C3
R1
C1
U1
C2
R4
R2
GEN
10k
10k
Figura 6.3: Repetorul de tensiune

Se realizeaz conexiunile C2 i C3. Se aplic la intrarea circuitului
(borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 100mV i frecvena de
1kHz.
semnalul de intrare i cu rezultatul teoretic.
Se vizualizeaz diferena celor dou semnale (CH1 CH2) utiliznd
butonul Math Menu existent pe panoul osciloscopului.
6.4. Sumatorul inversor

Se consider circuitul sumator inversor din Figura 6.4.
R5
C1
R1
4,99k
100k
C2
4,99k
C3
R2
U1
+
10k
R6
R3
20k
V1
V2
R4
R7
47k
10k
Figura 6.4: Sumatorul inversor
114

(borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V i frecvena de 1kHz.
Se vizualizeaz semnalul de ieire (borna O) setnd osciloscopul pe
poziia DC (canalul 2).
Se modific valoarea tensiunii V1 din poteniometrul existent n partea
din dreapta sus a plcii experimentale (possitive supply) i se observ
modificarea tensiunii de ieire a circuitului.
Se compar rezultatele msurate cu rezultatul teoretic.
6.4.2. Se repet msurtorile de la punctul 6.4.1. pentru conexiunile
C1 i C3.
Se compar amplitudinile tensiunilor de ieire i valorile
componentelor de curent continuu corespunztoare celor dou situaii de la
punctele 6.4.1 i 6.4.2.
6.5. Sumatorul neinversor

Se consider circuitul sumator neinversor din Figura 6.5.
R4
R1
C1
C3
R2
+
C4
V1
4k
10k
C2
U1
10k
R3
R5
1k
10k
V2
Figura 6.5: Sumatorul neinversor

Se realizeaz conexiunea C1. Se aplic la intrarea circuitului (borna
I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V i frecvena de 10kHz.
Se compar rezultatele msurate cu rezultatul teoretic. De ce apare
limitarea tensiunii de ieire?
115
6.6. Circuitul de scdere

Se consider circuitul de scdere din Figura 6.6.
R5
10k
R1=10k
C1
R2=10k
U1
C3
R3
V1
C2
R6
R4
10k
Figura 6.6: Circuitul de scdere

Se realizeaz conexiunea C1. Se aplic la intrarea circuitului (borna
I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 1V i frecvena de 1kHz.
Se compar rezultatele msurate cu rezultatul teoretic.
6.7. Comparatorul n bucl deschis
Se consider comparatorul n bucl deschis din Figura 6.7.
CR1
C4
C1
R1
VZ=5,1V
R3=4,7k
-
C2 1,5k
U1
+
R4
10k
V1
C3
V2
C1
R2
4,7k
Figura 6.7: Comparatorul n bucl deschis

116
R5

(borna I) un semnal triunghiular cu amplitudinea de 5V i frecvena de
1kHz.
Se regleaz tensiunea V1 (possitive supply) la valoarea minim. Se
vizualizeaz semnalul de ieire (borna O) i se determin pragurile de
comutare VP1 i VP2 (valorile tensiunii de intrare pentru care ieirea are o
tranziie low high sau high low), precum i valorile VOH i VOL.
6.7.2. Pstrnd conexiunile si tensiunea de intare de la punctul 6.7.1.,
se crete tensiunea V1 i se evalueaz noile valori VP1 i VP2. VOH i VOL se
modific? De ce?
6.8. Comparatorul cu histerezis

Se consider comparatorul cu histerezis din Figura 6.8.
R1
10k
U1
+
VO
O
R2
470k
VI GEN
R3
10k
Figura 6.8: Comparatorul cu histerezis

Se aplic la intrarea circuitului (borna I) un semnal triunghiular cu
amplitudinea de 2V i frecvena de 1kHz.
Se vizualizeaz semnalul la ieire (borna O), determinndu-se VP1,
VP2, VOH i VOL. Se compar valorile obinute cu rezultatele teoretice.
117
Lucrarea a VII-a
Studiul experimental al
parametrilor i caracteristicilor
amplificatoarelor operaionale
7.1. Tensiunea de intrare de decalaj (offset), VIO

Se realizeaz conexiunile C2 i C3 pentru circuitul din Fig. 6.1. Se
msoar cu multimetrul digital tensiunea continu la ieirea amplificatorului
operaional (borna O).
Se calculeaz tensiunea de intrare de decalaj VIO utilizndu-se relaia:
VIO
VO
R
1 3
R1
7.2. Rezistena de ieire, RO

Rezistena de ieire n bucl deschis RO a unui amplificator
operaional se poate determina msurnd mai nti rezistena de ieire n bucl
nchis RO ' , folosind o configuraie inversoare (Fig. 6.1), astfel:
RO'
RO
1 a j f j
factorul de reacie f j pentru circuitul inversor cu conexiunile C1 i C4

avnd expresia:
118
f j f O
R2
1
R2 R3 11
iar ctigul n bucl deschis a j pentru amplificatorul operaional utilizat

avnd urmtoarele valori (corespunztoare celor 3 frecvene la care se
realizeaz msurtorile):
f
a(j)
2kHz
1000
20kHz
100
200kHz
10
7.2.1. Se realizeaz conexiunile C1 i C4 pentru circuitul din Fig. 6.1.

Se aplic la intrarea circuitului (borna I) un semnal sinusoidal cu
amplitudinea de 100mV i frecvena de 2kHz.
Se msoar tensiunea la ieire amplificatorului operaional (borna
O) n doua situaii distincte:
cu rezistena de sarcin R5 10k tensiunea msurat se noteaz
cu VO
cu rezistena suplimentar de sarcin
RL 470 (circuitul
funcioneaz cu o sarcin echivalent RL' R5 // RL 450 tensiunea msurat se noteaz cu VO' )
Se calculeaz rezistena de ieire cu relaia:
VO
VO
1
1
VO '
VO '
RO ' RL '
RL '
V R '
V
RL
1 O L
1 O
VO ' R5
VO ' RL R5
7.2.2 Se repet msurtorile i analiza de la punctul 7.2.1. pentru alte

dou frecvene diferinte ale semnalului de intrare, 20kHz i 200kHz.
7.3. Tensiunea maxim de ieire, VOmax
aplic la intrarea circuitului (borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea
de 500mV i frecvena de 1kHz.
119
Se crete tensiunea de ieire pn cnd apare limitare n amplitudine,

determinndu-se VO max .
7.4. Viteza maxim de variaie a semnalului de ieire
(SR slew-rate)
aplica la intrare un semnal dreptunghiular cu factor de umplere , de frecven
mare (10kHz) i amplitudine suficient de mare (de exemplu, 5V ), pentru ca
tensiune de ieire s i ating valorile maxime n ambele sensuri.
Se determin SR ca fiind:
SR
VO
t
7.5. Rspunsul n frecven al circuitelor

7.5.1. Se realizeaz conexiunile C1 i C3 pentru circuitul din Fig. 6.1.
Se aplic la intrare (borna I) un semnal sinusoidal cu amplitudinea de
100mV i frecvena variabil n domeniul 10Hz - 1MHz.
Se msoar tensiunea de ieire (borna O) pentru frecvene diferite i
se completeaz urmtorul tabel:
f(Hz)
AO(V)
100
200
500
1k
2k
5k
10k
20k
50k
100k
200k
500k
1M
AO reprezint amplitudinea tensiunii de ieire.

Se ridic experimental caracteristica amplitudine-frecven (modulul
funciei de transfer A(j)).
Se reprezint grafic aceast caracteristic la scar logaritmic pe
ambele axe (amplitudinea n dB i frecvena prin decade).
Se determin frecvena limit superioar f S ca fiind valoarea
frecvenei pentru care modulul amplificrii scade cu 3dB (deci la 0,707) fa
de valoarea din band.
7.5.2. Se repet punctul 7.5.1. pentru circutul din Fig. 6.1 cu
conexiunile C1 i C4. Se verific pstrarea aproximativ constant a produsului
amplificare-band.
120
7.5.3. Se realizeaz o analiz similar punctului 7.5.1. pentru

amplificatorul neinversor din Fig. 6.2, realizat utiliznd conexiunea C1.
7.5.4. Se realizeaz o analiz similar punctului 7.5.1. pentru
repetorul de tensiune din Fig. 6.3 realizat utiliznd conexiunile C2 i C3. Care
este explicaia frecvenei f S de valoare ridicat obinut comparativ cu
circuitele din Fig. 6.1 i Fig. 6.2?
121
Anexa
Descrierea programului
Pspice Student
A.1. Introducere
Pspice Student este un program specializat pentru simularea
funcionrii circuitelor electronice. Elementele uzuale de circuit de tipul
dispozitivelor pasive (rezistene, condensatoare, surse de curent i de tensiune)
sau active (diode, tranzistoare bipolare i MOS, amplificatoare operaionale)
sunt disponibile n biblioteca de componente, avnd asociai un numr de
parametri (n cazul componentelor pasive) sau un model (pentru componentele
active).
Vor fi descrise n continuare realizarea unui circuit electronic,
componentele utilizate i parametrii acestora, analizele disponibile i modul de
vizualizare a rezultatelor grafice.
A.2. Utilizarea programului Pspice Student

Pentru instalarea programului Pspice Student se ruleaz fiierul
Setup .exe existent pe CD. La apariia ferestrei de dialog Select Schematic
Editors se selecteaz att Capture, ct i Schematics. Se respect

instruciunile pn la instalarea complet a programului.
Se deschide aplicaia Schematics disponibil dup instalare.
122
A.2.1. Desenarea circuitului

Varianta existent pentru instalare prezint limitri referitoare la
complexitatea circuitului i la numrul de componente disponibile n
bibliotecile programului. Orientativ, complexitatea circuitului nu poate depi
10 tranzistoare i 64 de noduri, existnd, ns, posibilitatea utilizrii unui
numr relativ mare de diode, surse de curent sau de tensiune i dispozitive
pasive.
A.2.1.1. Inserarea unei componente noi
123
Se selecteaz numele componentei dorite sau se scrie numele acesteia

la rubrica Part Name i se valideaz cu Place & Close.
124
A.2.1.2. Interconectarea componentelor
A.2.1.3. Elemente de circuit

Vor fi prezentate pe scurt doar dispozitivele pasive i active utilizate
n simulrile propuse n partea a doua a fiecrui capitol.
Modificarea parametrilor dispozitivelor pasive se realizeaz astfel:
125
Se selecteaz componenta respectiv

Se vizualizez lista parametrilor
Se modific n mod corespunztor parametrii dorii
126
Modificarea pametrilor de model ai dispozitivelor active se realizeaz

astfel:
Se selecteaz componenta respectiv

Se vizualizeaz parametrii de model
127
Se alege opiunea Edit Instance Model (Text).
Se modific n mod corespunztor parametrii dorii.
128
Dispozitive pasive
a. Rezistena
Simbol: R
Parametru utilizat: VALUE
b. Condensator
Simbol: C
Parametru utilizat: VALUE
Dispozitive active
a. Dioda
Simbol: D1N4148
b. Dioda Zener
Simbol 1: D1N750 - coeficient de temperatur negativ
Simbol 2: D1N958A - coeficient de temperatur pozitiv
Observaie: Deoarece dioda D1N958A nu este disponibil n

versiunea Pspice Student, este necesar crearea acesteia. Se procedeaz astfel:
Se insereaz o diod Zener de tip D1N750
Se nlocuiete tot modelul diodei D1N750 cu modelul diodei
D1N958A
.model D1N958A D(
Is=2.077f
Rs=2.467
Ikf=0
N=1
Xti=3
Eg=1.11
Cjo=104p
M=.5061
Vj=.75
Fc=.5
Isr=1.645n
Nr=2
Bv=7.5
Ibv=.90645
Nbv=.39227
Ibvl=.5849n
Nbvl=1.5122
129
Tbv1=533.33u)
*Motorola
pid=1N958A
case=DO-35
*89-9-18 gjg
*Vz = 7.5 @ 16.5mA, Zz = 12.5 @ 1mA, Zz = 5.3 @ 5mA, Zz = 2.3
@ 20mA
*$
c. Tranzistorul bipolar NPN
Simbol: Q2N 2222
Parametri utilizai: Vaf - tensiune Early i Is - curent de saturaie
d. Tranzistorul bipolar PNP

Simbol: Q2N 2907 A
Parametri utilizai: Vaf - tensiune Early i Is - curent de saturaie
e. Tranzistorul NMOS
Simbol: IRF150
Parametri utilizai: W / L - factor de aspect, Vt 0 - tensiune de prag i
Rds - rezisten dren-surs
f. Tranzistorul PMOS
Simbol: IRF9140
Parametri utilizai: W / L - factor de aspect, Vt 0 - tensiune de prag i
Rds - rezisten dren-surs
g. Amplificatorul operaional
Simbol: uA741
Surse de curent i de tensiune

a. Sursa de curent DC
Simbol: ISRC
Parametru utilizat: DC - valoarea curentului de ieire
b. Sursa de tensiune DC
Simbol: VSRC
Parametru utilizat: DC - valoarea tensiunii de ieire
c. Sursa de tensiune sinusoidal

Simbol: VSIN
130
Parametri utilizai: VOFF - tensiunea de offset (se consider egal cu

zero), VAMPL - amplitudinea tensiunii sinusoidale i FREQ frecvena tensiunii sinusoidale
d. Sursa de tensiune AC
Simbol: VAC
Parametru utilizat: ACMAG - se alege o valoare nenul pentru acest
parametru, domeniul su de variaie fiind stabilit n cadrul analizei
AC (a se vedea paragraful 6.2.2.5.)
e. Sursa de tensiune VPWL
Simbol: VPWL
Parametri utilizai: T1 , V1 , , T10 , V10 - fiecare pereche Tk Vk
definete un punct pe digrama amplitudine-timp. Se pot obine, de
exemplu, caracteristici de tip triunghiular sau aproximativ
dreptunghiular
A.2.2. Tipuri de analize

Studiul comportamentului circuitului este posibil prin solicitarea unui
numr relativ restrns de analize, limitat la necesitile legate strict de
exemplele prezentate.
A.2.2.1. Elemente obligatorii

Rularea eficient a unei analize impune existena ctorva elemente:
Un singur punct de mas al circuitului, GND ;
Cel puin un marker pentru indicarea mrimii solicitate pentru
vizualizare (tensiune, curent, tensiune diferenial)
131
A.2.2.2. Analiza tranzitorie (Transient Analysis)

Permite analiza temporal a comportamentului circuitului, existnd
posibilitatea vizualizrii evoluiei n timp a semnalului (tensiune, curent,
tensiune diferenial) n diferite puncte ale circuitului.
132
Parametri utilizai:
Print Step = 0;
Final Time; valoarea acestui parametru se alege n funcie de
frecvena minim a semnalelor din circuit, pentru a se putea vizualiza
cel puin cteva perioade.
133
Exemplu:
Se consider circuitul din figura de mai jos, V1 - V S I Ncu
amplitudinea de 10mV i frecvena 1kHz , V2 i V3 - VSRC cu amplitudinea
de 9V , R1 1k , R2 10k , iar amplificatorul operaional de tipul A741 .
Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru un interval de 5ms

(frecvena semnalului fiind de 1kHz , se vor putea vizualiza 5 perioade ale
acestuia). Semnalele de intrare i ieire vor avea urmtoarea form:
134
A.2.2.3. Analiza DC
Permite baleierea unui domeniu specificat al urmtoarelor variabile i
vizualizarea semnalului de ieire pentru acest domeniu de variaie:
Valoarea de curent continuu a unei surse de tensiune sau a unei surse
de curent;
Valoarea temperaturii;
Valoarea unui parametru de model sau global
135
Parametri utilizai:
Swept Var. Type - variabila al crei domeniu va fi baleiat; pentru
Voltage Source i Current Source trebuie definit doar numele
sursei de curent sau de tensiune la care se face referire; variabila
Temperature nu necesit definirea parametrilor, iar dac se alege
opiunea Model Parameter trebuie definite Model Type, Model
Name i Param Name;
Sweep Type - se poate seta tipul de variaie al mrimii considerate
(liniar, decadic, etc.). Este obligatorie definirea urmtorilor
parametri: Start Value, End Value i Increment /
Pts./Decade.
Exemplu:
Se consider circuitul de mai sus, sursa de tensiune de intrare V1 de
tip VSIN nlocuindu-se cu o surs VSRC de amplitudine 10mV . Se realizeaz
o analiz DC de variabil V1 , pentru un domeniu de variaie liniar a acesteia
cuprins ntre 10mV i 10mV , cu un pas de 0,1mV . Dependena tensiunii de
ieire de tensiunea de intrare va avea urmtoarea form:
A.2.2.4. Analiza DC Nested Sweep

Reprezint o completare a analizei DC Sweep pentru analiza
parametric a circuitului, parametrul putnd fi o surs de tensiune sau de
curent, temperatura sau un parametru de model. Parametri utilizai sunt identici
cu cei ai analizei DC Sweep.
136
Exemplu:
Se consider oglinda de curent din figura urmtoare.
Se consider tranzistoarele T1 i T2 de tipul Q2N 2222 , V1 i V2 de

tipul VSRC ( 9V ), R1 1k . Se dorete studiul caracteristicii de ieire a sursei
de curent, IC1 ( V2 ) , considerndu-se ca parametru tensiunea Early a
tranzistorului NPN . Se alege un domeniu de variaie al tensiunii de ieire V2
cuprins ntre 0 i 9V , cu un pas de 0 ,1V i un domeniu de variaie a tensiunii
Early VAf cuprins ntre 20V i 100V , cu un pas de 20V .
137
Se obin urmtoarele 5 caracteristici de ieire ale sursei de curent:
138
A.2.2.5. Analiza AC Sweep

Permite vizualizarea rspunsului n frecven al unui circuit pentru un
domeniu fixat de frecven.
Parametri utilizai:
139
AC Sweep Type - se poate alege o variaie a frecvenei de tip liniar,

decadic, etc.
Sweep Parameters - trebuie alocate valori urmtorilor parametri:
Total Pts. / Pts./Decade/etc., Start Freq. i End Freq, cu
semnificaii evidente
Exemplu:
Se consider circuitul inversor cu amplificator operaional din figura
de mai sus, singura modificare fa de paragraful 6.2.2.2. fiind nlocuirea sursei
de tensiune de intrare V1 de tip VSIN cu o surs de tensiune de tipul VAC ,
avnd ACMAG 10mV . Se realizeaz o analiz de tip AC pentru un domeniu
de variaie decadic a frecvenei cuprins ntre 10Hz i 1MHz , considerndu-se
100 de puncte pe decad.
Se obine urmtoarea dependen de frecven a tensiunii de ieire:
140
A.2.3. Simularea circuitului i vizualizarea rezultatelor

Dup parcurgerea etapelor anterioare (desenarea circuitului, stabilirea
tipului de analiz solicitat i poziionarea markerilor pentru indicarea
mrimilor de ieire) se lanseaz programul Pspice, rezultatul fiind vizualizarea
direct a mrimilor solicitate.
141
Poziionarea cursorului pe grafic:
142
Salvarea rezultatelor simulrii:
143

Lab Cia 3

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Lab Cia 3

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cuprins

1.1. Introducere teoretic

Lucrarea a II-a. Evaluarea prin

2.1. Introducere teoretic

3.1. Introducere teoretic

3.1.3. Amplificatorul diferenial CMOS elementar

3.2.9. Amplificator diferenial cu reacie negativ

Lucrarea a IV-a. Simularea funcionrii surselor

4.2.1.2. Oglinda de curent CMOS

Lucrarea a V-a. Simularea funcionrii referinelor

5.1.1.6. Referin de tensiune bandgap cu

5.2.2.4. Referin de tensiune bandgap

Lucrarea a VI-a. Studiul experimental al circuitelor

7.1. Tensiunea de intrare de decalaj (offset), VIO

Anexa. Descrierea programului Pspice Student

A6.2.2. Tipuri de analize

Indrumarul de laborator aferent disciplinei Circuite integrate

ct i prin multiple simulri, o serie de circuite cu performane superioare,

1.1. Introducere teoretic

Figura 1.1: Amplificator inversor

Figura 1.2: Configuraie inversoare cu amplificare mrit

Expresia amplificrii n bucl nchis este:

1.1.3. Amplificator sumator inversor

Figura 1.3: Amplificator sumator

Cazul particular R1 R3 i R2 R4 implic amplificri egale ale

Figura 1.4: Amplificator de diferen

Figura 1.5: Amplificator de instrumentaie

Amplificatorul AO3, mpreun cu rezistenele R3 i R4 constituie

Din cele trei relaii anterioare se poate obine expresia amplificrii

1.1.6. Amplificator cu reacie pozitiv controlat

Figura 1.6: Amplificator cu reacie pozitiv controlat

Eliminnd V A din relaiile (1.11) i (1.12) se obine:

Condiia ca structura din Figura 1.6 s amplifice diferena V2 V1

ceea ce implic o amplificare avnd expresia:

1.1.7. Redresor bialternan 1

Figura 1.7: Redresor bialternan 1

Funcia global realizat de circuitul din Figura 1.6 este, deci:

1.1.8. Redresor bialternan 2

Figura 1.8: Redresor bialternan 2

rezultnd o funcie global similar:

1.1.9. Comparator cu histerezis

Figura 1.9: Comutator cu histerezis

Considernd VOM , respectiv VOM limitele extreme ale tensiunii de

Figura 1.10: Caracteristica cu histerezis a comutatorului

deci o lime a ferestrei de histerezis egal cu:

VP VPH VPL 2VOH

i o abscis central a acesteia exprimat prin:

Efectul unui zgomot suprapus peste semnalul de intrare, avnd

Tensiunea de alimentare pentru toate circuitele urmtoare este

1.2.1. Amplificator inversor

1.2.3. Amplificator sumator inversor

Se realizeaz o analiz tranzitorie pentru intervalul 0 t 2,5ms i

R2 R3 1k , R4 100k , AO1, AO2 i AO3 de tipul A741, iar V 3

AC pentru un domeniu de frecvene cuprins ntre 10Hz i 1MHz . Pe baza

D2 de tip D1N 4148 i o tensiune de intrare sinusoidal de amplitudine

1.2.9. Comparator cu histerezis

Se vizualizeaz evoluia n timp a tensiunii de ieire i modul de

Care este rolul configuraiei inversoare cu amplificare mrit din

Ce efect are asupra tensiunii de ieire inversarea diodelor din

2.1. Introducere teoretic

2.1.1. Tensiunea de decalaj (offset) de intrare, VIO

I B i I B fiind curenii de polarizare ai intrrilor neinversoare, respectiv

inversoare. Pentru circuitele realizate n tehnologie bipolar, I B depinde de