Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Tranzistorul Cu Efect de Camp
Tranzistorul Cu Efect de Camp
5.1 Clasificare
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru c
n interiorul lui conducia electric este asigurat de un canal
semiconductor cu un singur tip de purttori de sarcin: fie electronii, fie
golurile. Se numesc cu efect de cmp deoarece intensitatea curentului
ntre dou terminale este controlat de potenialul cmpului electric generat
de un al treilea terminal. De aceea tranzistorul cu efect de cmp este un
element activ comandat n tensiune. Exist mai multe tipuri de tranzistori
cu efect de cmp. n fig.5.1 este prezentat o clasificare a acestora.
TEC
TECJ
Canal-p
TECMOS
cu canal
initial
Canal-n
Canal-p
cu canal
indus
Canal-n
Canal-p
Canal-n
Fig.5.1
Tranzistorii cu efect de cmp sunt de dou tipuri: tranzistori cu
efect de cmp cu jonciune (TECJ) i tranzistori cu efect de cmp
metal-oxid-semiconductor (TECMOS). Uneori TECMOS-ul mai este
denumit tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat. Fiecare dintre cele
dou categorii poate fi cu canal de tip n sau de tip p, cele dou tipuri fiind
complementare att ca structur intern ct i ca funcionare.
S
sursa
D
drena
+
Fig.5.2
n fig.5.3a este artat funcionarea tranzistorului cu polarizarea
drenei dar fr polarizarea porii. n vecintatea jonciunii exist o regiune
srcit de purttori de sarcin ca urmare a difuziei electronilor i golurilor.
Deoarece zona p+ este puternic dopat, regiunea srcit se extinde mai mult
n zona n. ntre dren i surs va exista un canal prin care purttorii
majoritari (electronii) vor putea circula sub influena diferenei de potenial
dintre dren i surs, dnd natere curentului de dren, ID. Datorit faptului
c polarizarea invers a jonciunii este mai mare n regiunea din apropierea
drenei dect n regiunea din apropierea sursei, canalul se ngusteaz uor
nspre dren.
EG
regiune saracita
ID
ID
G
S
regiune saracita
ED
ED
RS
a
RS
b
Fig.5.3
Modul normal de funcionare a unui TECJ este cu poarta polarizat
invers fa de surs i dren (n cazul unui TECJ-n, ea este polarizat
negativ, fig.5.3b). Regiunea srcit de purttori de sarcin se extinde n
dimensiuni odat cu creterea polarizrii inverse a jonciunii pn.
Conductibilitatea electric a poriunii din regiunea de tip n care este srcit
84
UGS3 = 0
IDSS
UDS = const.
UGS2
UDS
ID
UT
tensiuni UDSsat
UGS
UGS3
UGS1
UGS2
UGS1
UGS
0
ID
UDSS = -UT
UDS
b
Fig.5.4
Explicaia acestei treceri n regim de saturaie a tranzistorului poate
fi dat observnd ngustarea canalului n fig.5.3b. Pentru o valoare dat a
tensiunii UGS volumul ocupat de regiunea srcit este aproape independent
de tensiunea UDS, dar forma ei nu. Cu ct cderea de tensiune ntre dren i
surs crete, cmpul electric n direcia longitudinal crete (VG - VS < VG VD), cauznd deformarea regiunii srcite. Datorit acestei deformri, la o
anumit valoare a tensiunii UDS, numit tensiune dren-surs de saturaie,
UDSsat, canalul conductor se va ngusta att de mult nspre dren nct
intensitatea curentului de dren va fi limitat la valoarea de saturaie.
Aceasta corespunde poriunii plate, aproape orizontale, a caracteristicii
ID=ID(UDS). La tensiuni de polarizare a canalului mai mari, poate avea loc
strpungerea lui datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin.
85
(5.1)
unde IDSS este curentul de dren de saturaie pentru UGS = 0 i UDSsat = UDSS
= -UT.
Dup cum am vzut, aducerea tranzistorului n regim de saturaie se
poate face n dou moduri: meninnd constant potenialul porii i crescnd
potenialul drenei fa de surs sau meninnd constant potenialul drenei i
crescnd negativarea porii fa de surs. ntr-o situaie oarecare, pentru ca
tranzistorul s ajung n regim de saturaie, efectul cumulat al celor dou
diferene de potenial trebuie s fie echivalent cu efectul tensiunii de
blocare. Astfel, se poate scrie relaia:
U DSsat = U GS U T
(5.2)
U DS =const.
(5.3)
U DS
rd =
I D
U GS = const.
(5.4)
86
UDS = const.
D
D
UT
G
S
UGS
TECJ - n
TECJ - p
Fig.5.5
Fig.5.6
87
R1`
I
+ED
+ED
Rd
Rd
ID
ID
IG = 0
UDS
UGS
R2
IG = 0, VG = 0
IS
Rs
UGS
UDS
IS
Rg
Fig.5.7
Rs
Fig.5.8
(5.5)
E D = I D Rd + U DS + I S Rs
(5.6)
ID = IS
(5.7)
IR2 = U GS + I S Rs
(5.8)
(5.9)
i expresia curentului de dren (5.1), care descrie caracteristica voltamperic din circuitul de poart.
ID
U
= I DSS 1 GS
UT
(5.1)
solutia falsa
dre
ap t
ad
e sa
rcin
a
solutia cu
sens fizic
PUNCT STATIC
DE FUNCTIONARE
UGS
Fig.5.9
Vom exemplifica cele afirmate mai sus pe un exemplu practic.
ntr-un circuit de polarizare cu poarta conectat la mas am ales
pentru rezistenele Rg i Rs valorile: Rg = 1M i Rs = 250. Tranzistorul
are ca parametri caracteristici IDSS = 9mA i UT = -3V, iar tensiunea de
alimentare este ED = 16V. Se cere s se calculeze valoarea maxim a
rezistenei Rd astfel nct tranzistorul s lucreze n regim de saturaie.
Pentru simplitate vom lucra cu valori numerice, exprimnd rezistenele n
k, tensiunile n V i curenii n mA.
nlocuind valoarea numeric a rezistenei Rs n ecuaia (5.9) i
introducnd expresia tensiunii UGS astfel obinut n ecuaia (5.1), obinem o
ecuaie de gradul doi cu necunoscuta ID:
2
ID
40 I D + 144 = 0
89
G - grila (poarta)
METAL
S - sursa
D - drena
OXID (SiO2)
G
S
D
+
n
p
substrat
canal initial n
B - baza
a
Fig.5.10
90
G
S
TECMOS
cu canal inital n
S
TECMOS
cu canal inital p
Fig.5.11
91
G - grila (poarta)
METAL
S - sursa
D - drena
OXID (SiO2)
n+
G
S
n+
n+
p
substrat
n+
p
B - baza
a
Fig.5.12
Ca i n cazul TECMOS cu canal iniial, terminalul substratului
(baza) se conecteaz la terminalul sursei, astfel nct sursa i substratul vor
avea acelai potenial. Atunci cnd poarta nu este polarizat, ntre surs i
dren nu apare nici un curent (n realitate apare un curent rezidual extrem de
mic, de ordinul zecilor de A). La aplicarea pe poart a unui potenial
pozitiv fa de surs, golurile majoritare din substrat sunt respinse nspre
zona median a acestuia i ntre surs i dren se formeaz un canal cu
purttori minoritari de tip n (fig.5.12b). Pentru tensiuni mici de pozitivare a
porii, canalul este tot izolator i curentul de dren va fi nul indiferent de
potenialul ei fa de surs. Pentru o tensiune de pozitivare mai mare dect
tensiunea de blocare (UT) canalul se va mbogi cu purttori minoritari
(electroni), el constituind o cale de curent ntre surs i dren.
Caracteristicile de transfer i de ieire ale TECMOS cu canal indus n sunt
prezentate n fig.5.13
UDS = const.
UGS
UT
UGS
0
a
Fig.5.13
92
UDS
b
UDS = const.
B
G
UT
UGS
G
S
TECMOS
cu canal indus n
S
TECMOS
cu canal indus p
Fig.5.14
Fig.5.15
n fig.5.15 sunt prezentate simbolurile pentru tranzitorii MOS cu
canal indus.
UDSo
id
uds
UGSo
Fig.5.16
Curentul variabil de dren va depinde att de de
poart i surs, ct i de tensiunea dintre dren i surs:
tensiunea
dintre
93
(5.10)
id
i
u gs + d u ds
u gs
u ds
(5.11)
id
u gs
i
1
= d
rd u ds
(5.12)
uds =0
(5.13)
u gs =0
1
- conductana canalului (rd este rezistena canalului)
rd
Prin combinarea relaiilor (5.12) i (5.13) se obine un alt parametru:
= g m rd =
uds
u gs
(5.14)
id =const .
1
u ds
rd
(5.15)
1011
gmugs
ugs
rgs
uds
rd
Fig.5.17
Practic, la intrare tranzistorul se comport ca o rezisten infinit
(reprezentat punctat). Din punct de vedere al ieirii, el se comport ca o
surs real de curent cu rezistena intern rd. innd seama de relaia dintre
parametrii tranzistorului (expresia (5.14)), relaia (5.15) poate fi rescris sub
forma:
u gs = rd id u ds
(5.16)
ugs
id
1011
rgs
ugs
uds
Fig.5.18
Se poate observa c de data aceasta, din punct de vedere al ieirii,
tranzistorul se comport ca o surs real de tensiune cu rezistena intern rd.
Trecerea de la reprezentarea ca surs de curent la reprezentarea ca surs de
tensiune se putea realiza i redesennd schema din fig.5.17 dup
transformarea sursei de curent n sursa sa echivalent de tensiune. Care
dintre cele dou reprezentri ale tranzistorului cu efect de cmp, surs de
curent sau surs de tensiune, este folosit n realizarea schemelor
echivalente ale unor circuite mai complicate, depinde de situaia concret a
cazului studiat. Libertatea de alegere ne aparine.
95