Conductia extrinseca a

semiconductorilor
*Semiconductori de tip n.
Se obtin prin dopare cu atomi
care au numarul de electroni
de valenta mai mare decat
numarul de electroni de
valenta ai atomului de baza.
Presupunem ca intr-un cristal
de Si se introduce ca dopant o
impuritate pentavalenta de P
care are cinci electroni de
valenta. Se vor realiza
legaturi covalente intre patru
electroni de valenta ai
fosforului cu patru electroni
ai atomilor vecini de siliciu.
Al cincilea electron de
valenta se situeaza pe un
nivel de energie mai ridicata
decat ceilalti patru, devenind
astfel cvasiliber.
Din punct de vedere energetic
dopajul siliciului cu atomi
pentavalenti conduce la
aparitia in banda interzisa
Fermi a nivelurilor aditionale
numite niveluri donoare (nd).
Fiecare nivel donor
reprezinta nivelul de energie
pe care se afla al 5-lea
electron al donorului care nu
participa la realizarea de
legaturi covalente cu atomii
de baza vecini. Pierderea
celui de al 5-lea electron al
donorului de catre atomul de
P este echivalenta cu o
tranzitie a unui electron situat
pe un nivel donor in banda de
conductie.
Conductivitatea extrinseca o
putem calcula astfel:
N en q n2Tn
en
, unde:
mn*
N en -concentratia de
electroni
q 0 -sarcina electrica
m -masa
Iar dependenta conductivitatii
de temperatura este
urmatoarea:

en cen e

wn
2 kT