Capitolul 3.

Modele SPICE ale tranzistoarelor bipolare

3.1. Descrierea unui tranzistor bipolar n SPICE

Tranzistoarele bipolare reprezint dispozitive de referin pentru domeniul Circuitelor Integrate
Analogice. Acest capitol face mai nti o scurt descriere n limbajul SPICE a unui tranzistor bipolar,
dup care abordeaz modelele adoptate pentru acest gen de dispozitive. Modelul Ebers-Moll a fost
punctul de plecare n modelarea tranzistorului bipolar.

Forma general de declarare a unui tranzistor bipolar ntr-o linie de program SPICE este:
Qnume colector baza emitor <ns> MODEL_nume <area> <OFF> <IC=V BE0 , VCE0 >
.MODEL MODEL_nume npn/pnp(IS=1E-15 BF=100 )
Dac linia de program ncepe cu litera Q, programul presupune c urmeaz descrierea unui
tranzistor bipolar. Fr spaiu urmeaz numele format din maxim 7 caractere. Nodurile colector, baz,
emitor, exact n aceast ordine, se denumesc cu cifrele (numele) alese, cnd s-au notat toate nodurile
circuitului. Opional se poate specifica i numele nodului substrat prin <ns>, implicit substratul fiind
conectat la mas.
MODEL_nume este numele modelului care specific ntre paranteze parametrii pentru acest tranzistor.
Apoi trebuie precizat tipul tranzistorului bipolar: npn sau pnp. Factorul de scal <area>, implicit egal cu
1, este egal cu numrul de tranzistoare identice, conectate n paralel.
Cuvntul cheie <OFF>, dac apare, iniializeaz tranzistorul n regim de blocare; n caz contrar
tranzistorul este iniializat n Regim Activ Normal, fiind polarizat la VBE = +0.6V, VBC = -1V.
Cuvntul cheie <IC> definete tensiunile V BE0 i VCE0 la t=0 pentru analiza n domeniu timp a
circuitului (cnd n declaraia .TRAN este prezent i opiunea UIC).

Un exemplu pentru definirea tranzistorului 2N2222:

Q1 2 1 0 2N2222
.MODEL 2N2222 npn(IS=1E-16 BF=210 VAF=100)

3.2. Modelarea regimului static

3.2.1. Modelul Ebers-Moll fundamental
Modelul de baz, de la care a pornit modelarea tranzistorului bipolar n SPICE, level 1,2,6 a
fost modelul Ebers-Moll. Chiar dac modele mai performante (cum ar fi modelul Gummel Poon), au fost
dezvoltate ulterior, totui i acestea au avut punctul de plecare tot n modelul Ebers-Moll. Ne vom referi
n continuare la modelarea unui tranzistor bipolar de tip npn integrat.
Modelul Ebers-Moll fundamental pentru regimul de curent continuu al tranzistorului bipolar stabilete
dependena curenilor IC, IE , IB prin tranzistor, n funcie de tensiunile aplicate pe cele 2 jonciuni, V BE ,
VBC. Modelul Ebers-Moll fundamental se bazeaz pe urmtoarele ipoteze:
1) Curenii de colector i emitor reprezint o superpoziie ntre curentul propriu al unei jonciuni i o
fraciune din curentul jonciunii vecine;
2) Curentul propriu al unei jonciuni este de natura curentului de difuzie. Se neglijeaz curenii de
generare-recombinare din regiunile de sarcin spaial. Conform teoriei jonciunii pn el are expresia:
qV jonct
I jonct I 0 exp 1
(3.1)
kT
3) O alt ipotez o constituie relaia de reciprocitate, care provine din modelele fizice (semnificaia
parametrilor implicai va fi indicat n abordarea Modelului Ebers-Moll):
I ES F I CS R (3.2)

Figura. 3.1. Structura tranzistorului npn analizat.

Se va generaliza regimul de polarizare pentru un tranzistor npn. Prin convenie se va presupune c

toi curenii intr n tranzistor (fig.3.1). Dup calculele numerice, curenilor de valori negative li se
atribuie sensuri contrare - ca sensuri reale.

Modelarea Ebers-Moll
n baza ipotezelor 1-3 se pot exprima curenii IC, IE astfel:
qV
I C F I E I C0 exp BC 1 (3.3)
kT
qV
I E R I C I E 0 exp BE 1 (3.4)
kT
unde F, R reprezint fraciunile din curentul vecin care ajunge la jonciunea colectorului, respectiv
emitorului, iar IC0, IE0 sunt curenii reziduali ai jonciunilor colectorului, respectiv emitorului.
Rezolvnd sistemul de mai sus n raport cu necunoscutele I C, IE rezult:
qV qV
I C F I ES exp BE 1 I CS exp BC 1 (3.5)
kT kT
qV qV
I E I ES exp BE 1 R I CS exp BC 1 (3.6)
kT kT
Ecuaiile (3.5) - (3.6) poart numele de Modelul Ebers-Moll fundamental, varianta de injecie.

Parametrii modelului Ebers-Moll n varianta de injecie

Acest model are 4 parametri: F, R, ICS, IES, doi adimensionali - F, R subunitari, dar forate
aproape de unitate, doi se msoar n Amperi - ICS, IES de ordinul micro-pico-amperilor. S-au notat:
I E0 I C0
I ES ; I CS (3.7)
1 F R 1 F R
IES reprezint curentul propriu n polarizare invers a jonciunii emitor-baz cu jonciunea colector-baz
scurtcircuitat (VBE <0, VBC=0).
ICS reprezint curentul propriu n polarizare invers a jonciunii colector-baz cu jonciunea emitor-baz
scurtcircuitat (VBE =0, VBC<0).
Definiiile de mai sus dau i metoda experimental de extracie a acestor parametri de model.
Pentru a se extrage experimental parametrii F, R, IES, ICS din relaiile (3.3) (3.6), se utilizeaz tocmai
aceste relaii. n (3.5) dac facem V BE =0 (adic se scurtcircuiteaz Baza la Emitor) dispare termenul cu
exponenial din VBE i dac mai facem V BC<0 (polarizm invers jonciunea BC) exponeniala de V BC este
mult mai mic dect 1 i se neglijeaz fa de 1; se obine IC=ICS, adic ceea ce se msoar prin terminalul
de colector este tocmai valoarea lui ICS.
ntre cei 4 parametri de model, F, R, ICS, IES exist o relaie de dependen liniar, ce rezult din
modelarea fizic, [1], i care este ipoteza de reciprocitate. Se va nota cu I S curentul de saturaie din
aceast relaie: I ES F I CS R IS .
Semnificaia factorilor de transfer direct i invers n curent continuu, n conexiunea Baz Comun
este urmtoarea:
I I
F C ; R E (3.8)
I E V 0 I C V 0
BC BE
Semnificaia factorilor de amplificare direct i invers n curent continuu, F, respectiv R, n
conexiunea Emitor Comun este urmtoarea:
I I
F C ; R E (3.9)
I B V 0 I B V 0
BC BE
Relaiile de legtur dintre F- F i R- R fiind:
F R
F ; R (3.10)
1 F 1 R
IC
In unele referine se accept ca relaii de definiie pentru F i expresii ca: F sau ca:
IB VBC 0

IC
F .
IB VCE 0
Deoarece n cataloage nu se gsesc msurtori (cu totul neobinuite de altfel), de cureni de colector
msurai la VBC=0,se folosesc curbele din RAN, unde V BE >0 i VBC<0, care se msoar la toate
tranzistoarele. Eroarea este mic cnd se extrage F de pe curbe la VBC<0 n loc de VBC=0, ntruct
termenul de eroare este mic deoarece I C0 este curentul rezidual al jonciunii colectorului, cu valori de
ordinul 1A1nA, iar F=0,99.
Cealalt definiie la VCE =0 este iari legat de situaii experimentale des ntlnite.
Dac se exprim parametrii IES, ICS n funcie de curentul de saturaie IS conform relaiei de
reciprocitate, iar parametrii F, R n funcie de parametrii F, R conform relaiei (3.10), curenii de
colector i de emitor capt expresiile:
qV qV I qV
I C IS exp BE exp BC S exp BC 1 (3.11)
kT kT R kT
qV qV I S qV
I E I S exp BE exp BC exp BE 1 (3.12)
kT kT F kT
Se fac urmtoarele notaii:
qV
ICC IS exp BE 1 (3.13)
kT
qV
I EC IS exp BC 1 (3.14)
kT
 qV qV
I CT IS exp BE exp BC (3.15)
kT kT
Cu aceste notaii, curenii prin tranzistor se exprim astfel:
I
I C I CT EC (3.16)
R
I
I E I CT CC (3.17)
F
I I
I B CC EC (3.18)
F R
Semnificaia acestor cureni este: I CC reprezint componenta curentului de emitor care trece n
colector cnd VBC=0 (curentul Colectat de Colector), IEC reprezint componenta curentului de colector
care trece n emitor cnd V BE =0 (curentul Colectat de Emitor), ICT reprezint curentul de transport prin
tranzistor componenta cea mai important de curent.
Sistemul de ecuaii (3.15) - (3.18) poart numele de modelul Ebers-Moll fundamental, varianta de
transport, cu un singur generator de curent (sau model n , dup forma circuitului asemntoare literei
greceti ). Sistemului de mai sus i se poate asocia circuitul echivalent din fig.3.2. Expresia (3.15)
sugereaz asocierea unui generator de curent, curentului I CT. De asemenea dependenele exponeniale
curent-tensiune (3.13), (3.14), sugereaz cele dou diode echivalente din figura 3.2.

Parametrii modelului Ebers-Moll n varianta de transport n

Parametrii de model pentru varianta n : IS, F, R , sunt independeni. Valori tipice pentru
tranzistoarele uzuale sunt n gama: IS=1nA1fA, F = 802000, R = 2100.

Figura. 3.2. Modelul Ebers-Moll fundamental, varianta n .

S-a redus numrul de parametri de model de la 4 la 3. n plus cei 3 parametri sunt independeni.
Diversele modele fundamentale Ebers-Moll difer doar formal din punct de vedere matematic. Esenial
este dependena exponenial a curenilor prin tranzistor de tensiunile aplicate pe terminale.

Aplicaie numeric. Fie un tranzistor bipolar de tip npn, avnd IS=10pA, F =100, R =80,
polarizat n RAN (Regimul Activ Normal mai este denumit n unele referine i Regim Activ Direct) la
VBE = +0.4V, VBC = -10V. S se calculeze curenii IC, IB.
Se calculeaz mai nti valorile exponenialelor:
qV qV
exp BE e 0,4 / 0,025 8,8 106 ; exp BC e 10 / 0,025 2 10174
kT kT
Se poate constata cu uurin c exponenialele de argument pozitiv sunt mult mai mari dect 1, iar cele
de argument negativ sunt neglijabile n raport cu 1. Adoptnd modelul Ebers-Moll fundamental, varianta
n , putem scrie cu aceste simplificri:
qV I
I C IS exp BE S 1 IS 8,8 106
kT R
I qV I
I B S exp BE S IS 8,8 104 IS 10 2 IS 8,8 104
F kT R
Reinem c n Regim Activ Normal se poate scrie simplificat:
qV I qV
I C IS exp BE i I B S exp BE (3.19)
kT F kT
Din (3.19) rezult o relaie fundamental, frecvent folosita in calcule rapide pentru circuite cu tranzistore
bipolare, care lucreaza numai n RAN, care leag curenii I C i IB doar n regimul activ normal:
IC F I B .

ln IC,B

ln IC
ln
IB

lnF

VBE / kT/q

ln IS

ln(IS/ Fparametrilor
Figura.3.3. Extragerea ) modelului fundamental, n condiii de VB C =0.

Extracia parametrilor de model fundamental.

n acest scop se reprezint caracteristica de intrare i de transfer la scar semi-logaritmic. n figura 3.3 au
fost reprezentate cele dou caracteristici. Pentru aceasta s-a apelat la modelul Ebers-Moll fundamental -
relaiile (3.16) - (3.18). Cu linie ngroat au fost reprezentate caracteristicile experimentale. Pentru
determinarea parametrilor de model IS, F, se vor face msurtori la V BC=0. Curentul de saturaie, "ln IS",
se afl la intersecia extrapolrii dreptei ln I C din zona curenilor medii cu axa vertical. Deoarece F =
IC/IB ln F = ln IC - ln IB, rezult c "lnF" reprezint distana dintre graficele ln IC i ln IB. Parametrii
de model IS, R se extrag ntr-o manier similar, de pe curbele ln IE , ln IB funcie de VBC, la VBE =0, adic
msurtori cu baza scurtcircuitat la emitor.

3.2.2. Efectul rezistenelor serie

 Modelarea rezistenelor serie
Ca i n cazul jonciunilor pn, regiunile neutre din zona emitorului, bazei i colectorului au fiecare
cte o rezisten electric, notate: r E , rB, rC. Prin procedee tehnologice se caut minimizarea lor (de
exemplu utilizarea puului colector i stratului ngropat de tip n++ pentru minimizarea rezistenei de
colector). Dei baza este foarte subire, totui rezistena r B este cea mai mare. Ea nu poate fi minimizat
datorit arhitecturii speciale de tranzistor bipolar integrat, fig.3.4. Purttorii de sarcin ce determin
curentul de baz trebuie s parcurg un traseu ocolit: prin semiconductorul p, lateral emitorului i apoi n
sus pn la contactul metalic al bazei (vezi linia punctat din fig. 3.4); n plus baza nu este puternic
dopat.
Rezistena serie a emitorului are valoarea cea mai mic, dar nu poate fi neglijat
deoarece este strbtut de un curent mare (I E ). Aceste rezistene sunt incluse n modelul tranzistorului
bipolar, aa cum se observ n fig. 3.5.

Curentul
de baz
E B C
2m ++ ++
n n
3,5 p P.C. ZI
12 mZI
n-epi p
m p
n+
++
n (S.)
Curentul
p-substrat principal
prin tranzistor

Figura.3.4. Structura tranzistorului npn bipolar integrat.

E rE E Tranzistor C rC C
intrinsec
IE
B
VB ' E ' IC
VB ' C '
IB rB
VB E
B
VBC
Figura. 3.5. Completarea modelului Ebers -Moll fundamental cu efectul rezistenelor serie.

Tranzistorul bipolar ideal fr rezistene serie, sau intrinsec se supune modelului Ebers-Moll fundamental
i se afl ntre nodurile E',
VBEB', C'. Separat, se adaug spre fiecare terminal extern, rezistenele serie.
Tranzistorul bipolar cu rezistene serie este descris de ecuaiile Ebers-Moll fundamentale scrise cu
tensiunile VB'E', VB'C' n loc de VBE , VBC, plus ecuaiile Kirchhoff pe cele dou bucle:
VBE VB' E' rBI B rE I E (3.20)
VBC VB'C' rBI B rC IC (3.21)
Sistemul de ecuaii (3.16), (3.17), (3.18), (3.20), (3.21) prin substituii furnizeaz ecuaii transcendente,
care duc la creterea timpului de simulare n programul SPICE.
 Parametrii de model, introdui suplimentar de acest efect sunt nc 3: r E , rB, rC. Ei au valori tipice
de ordinul: rB=100, rC=10, rE =1, sau aproximativ se afl n acest raport. Problema extraciei
rezistenelor serie nu este una uoar. PARTS-ul pentru SPICE 1 i 2 nu tie s extrag dect rezistena
serie de colector, ca la o jonciune pn, presupunnd celelalte dou rezistene serie egale cu zero, [2].
Motivaia este dat de anii n care s-au dezvoltat aceste nivele de SPICE, n care predominau
tranzistoarele bipolare discrete, cu rezisten mare de colector. Dac se ncearc extracia rezistenelor
serie ca la jonciunea pn, adic de pe curbele ln I C VBE i ln IB VBE la VBC=0, la tranzistor avem
urmtoarele inconveniente:
(1) Nu se poate separa pe rnd efectul unei rezistene, ci mereu apar combinaii liniare ntre cele 3
rezistene (de exemplu: fie rBIB-rE IE , fie rBIB-rCIC),
(2) La nivel mare de curent, unde se manifest acest efect al rezistenelor serie efect ce duce la
aplecarea graficelor ln IC VBE i ln IB VBE n zona tensiunilor VBE mari, se manifest i efectul de
nivel mare de injecie, ce va fi abordat ulterior i care apleac de asemenea graficul ln I C VBE . Aceast
aplecare a graficelor trebuie neleas ca o tendin de limitare a creterii exponeniale a curenilor cu
tensiunea VBE, datorat tocmai rezistenelor serie. Din imposibilitatea separrii efectelor rezult c trebuie
descrise alte metode de extragere a rezistenelor serie.

Extragerea rezistenei serie a bazei

Se realizeaz circuitul electronic experimental din figura 3.6, n care jonciunea BE este
polarizat direct cu o surs de curent constant I, iar jonciunea BC este polarizat invers cu o surs de
tensiune continu E, reglabil, care poate duce tranzistorul din RAN pn n strpungere.

Figura.3.6. Circuitul experimental pentru extracia rezistenei serie a bazei.

Se cunoate valoarea constant a lui I i diversele valori luate de tensiunea extern E. Se

monitorizeaz IC, IB i VBE n funcie de E=VCB, fig.3.6.
Furnizm n continuare justificarea graficelor din fig. 3.7. Conform relaiei (3.2) a modelului
Ebers-Moll, pentru curentul IC avem:
qV
I C F I E I C0 exp B'C' 1 (3.22)
kT
Cum VBC<<0 VB C <0 IC FI+IC0 =ct ct timp tranzistorul se afl n regim activ normal,
descris de modelul Ebers-Moll. Tensiunea invers E, adic V CB, cresctoare, duce la strpungerea
jonciunii baz-colector pentru E>VBR. Deci va aprea o component suplimentar de curent de
strpungere, care va determina creterea lui IC, fig.3.7.a.
Pentru curentul IB putem scrie: IB = -IE - IC = I-IC; deci att timp ct IC=ct (n regim activ normal modelat
cu modelul E-M) i IB = ct. Apoi, n regim de strpungere, IC va crete foarte mult (multiplicarea n
avalan poate duce la IC ), ceea ce va determina scderea lui I B chiar la valori negative, deoarece
IE =-I=ct prin intermediul sursei de curent constant. Reinem i notm valoarea lui E la care se obine I B =0
cu EZ, fig.3.7.b.
Pentru analiza tensiunii VBE pornim de la relaia (3.20):
VBE VB'E' rB I B rE I E =VB E + rE I + rBIB ct +rBIB este constant n regimul activ normal (msurm
i notm cu VBE0 aceast valoare) i scade cnd IB ncepe s scad n regimul de strpungere. Msurm i
notm valoarea lui VBE la care IB =0 cu VBEZ, fig.3.7.c.

Acum se poate scrie:

La E=0 VBE0 = VB E 0 + rE I + rBIB0 (3.23)
La E=EZ VBEZ = VB E Z + rE I + rB0 (3.24)

Figura.3.7. Dependena mrimilor IC , IB i VB E n funcie de E=VCB .

Scznd membru cu membru cele dou relaii de mai sus, rezult rezistena serie a bazei:
V VBEZ
rB BE 0 (3.25)
I B0
Emitorul nu preia curentul de strpungere al jonciunii Baz-Colector. Aplicnd pentru IE = -I = ct. relaia
(3.13), avem:
qV qV I qV
I E I S exp B'E ' exp B'C' S exp B'E ' 1
kT kT F kT
qV I qV
I S exp B'E ' 0 S exp B'E ' ct. (3.26)
kT F kT
Observm c IE = -I=ct. impune un VB E =ct. conform relaiei de mai sus.

Extragerea rezistenelor serie de colector i emitor

Aceste dou rezistene serie se extrag de pe caracteristicile de ieire I C-VCE la IB = ct., fcnd msurtori
foarte rafinate n regimul de saturaie al tranzistorului, n jurul punctului n care curentul I C i schimb
semnul.
n regimul de saturaie ambele jonciuni sunt direct polarizate i emit muli electroni, dar n
sensuri contrare. De aceea este posibil ca la un moment dat injecia dinspre colector s o egaleze pe aceea
dinspre emitor, moment n care V CE =VCEx iar IC=0. Dac se insist cu scderea lui V CE , echivalent cu
creterea lui VBC, componenta injectat dinspre colector poate depi componenta injectat dinspre
emitor, cu obinerea unui curent IC<0. Rezult urmtoarea relaie:
VCE = VC E + rCIC - rE IE
(3.27)
Pentru curentul de colector vom folosi expresia furnizat de modelul fundamental scris pe
nodurile tranzistorului intrinsec; innd cont c suntem n saturaie cu V B E >0 i VB C >0, se neglijeaz
1 n raport cu exponenialele de argument pozitiv i se obine:
qV qV I qV
I C I S exp B'E ' exp B'C' S exp B'C' (3.28)
kT kT R kT
Atunci cnd curentul IC devine 0, tensiunea pe terminalele externe este V CEx, iar pe terminalele
tranzistorului intrinsec este V C E x. Fcnd IC=0 n relaia (3.28), se simplific IS i se mpart ambii membri
prin exp(qVB C /kT). n argumentul exponenialei va aprea V B E -VB C=VCE, care n cazul n care IC=0 se
noteaz cu VC E x. Rezult expresia lui VC E x:
kT 1
VC'E 'x ln1 (3.29)
q R
Se observ c expresia lui V C E x este independent de tensiunea extern V CE , este pozitiv i
foarte mic (de ordinul a 3...10mV). Acum se va scrie relaia (3.27) pentru I C=0 i se va ine cont c IE = -
IB-IC :
VCEx = VC E x + rE IB
(3.30)
Practic relaia (3.30) este un model al dependenei dintre tensiunea V CEx i curentul IB, cu
parametrii de model VC E x extras deja cu relaia (3.29) i parametrul r E ce reprezint panta dreptei. Aadar
se vor ridica mai multe caracteristici de ieire I C-VCE la IB1, 2, 3,.. .. . n = ct., i pentru fiecare caracteristic se
va citi experimental tensiunea V CEx 1, 2, 3, . . . .n de fiecare dat cnd IC=0. Se plaseaz aceste puncte pe un
sistem de axe carteziene. Se traseaz dreapta de regresie printre aceste puncte. Panta acestei drepte
furnizeaz parametrul rE .
Se rescrie relaia (3.27) nlocuind curentul I E cu IE = -IB-IC :
VCE = VC E + (rE +rC)IC + rE IB (3.31)
unde IB=ct. pentru o curba dat. Se deriveaz relaia anterioar n raport cu I C n punctul VCEx, unde IC=0.
Cum VC E x este constant conform relaiei (3.29), rezult:
dVCE dVC'E '
(rE rC ) 0 (3.32)
dI C Vcex
dI C Vcex

0
Aadar panta curbei IC VCE n punctul VCEx se calculeaz ca tg , apoi se calculeaz i rezistena serie
de colector, rC, lund n considerare valoarea anterioara a lui r E , din relaia:
1
tg (3.33)
rE rC
Se obin valori foarte exacte pentru rE i rC cu aceste metode. Pentru rafinarea extraciei lui r C se
pot ridica multe curbe IC-VCE la IB1, 2, 3,.. .. . n = ct., i pentru fiecare caracteristic se calculeaz diversele
valori pentru rC 1, 2, 3, . . . n cu (3.33). n final se ia o valoare medie ntre aceste valori individuale r Ci .

3.2.3. Efectul Early

 Modelarea efectului Early
Un alt efect ce trebuie adugat la modelul fundamental este efectul modulrii grosimii regiunii
neutre a bazei. Grosimea metalurgic a bazei este notat cu WB n figura 3.8. Ea este dat de adncimile
de difuzie a bazei i emitorului. De exemplu, n figura 3.4 se constat c WB=3,5m-2m=1,5m. Din
momentul polarizrii tranzistorului, cele dou regiuni de sarcin spaial - RSS dinspre emitor i dinspre
colector consum din regiunea neutr a bazei. Din fig. 3.8. se constat c grosimea regiunii neutre a bazei,
W, depinde de tensiunile VBE i VBC prin intermediul extensiilor regiunilor de sarcin spaial, lpE i lpC:
W WB l pE (VBE ) l pC (VBC ) (3.34)

Dependena grosimii regiunii neutre a bazei W de tensiunea VBC cnd tensiunea VBE este
constant, se numete efect Early i dependena de tensiunea VBE se numete efect Late. SPICE 1 i 2 nu
iau n considerare dect efectul Early.
Conform figurii 3.8 avem: W WB l pE (VBE ) l pC (VBC ) . Am putea folosi pentru dependena
lpC VBC formulele de calcul de la Dispozitive Electronice, dac jonciunea ar avea un profil abrupt al
concentraiilor de impuriti. n practic aceast aproximaie nu este valabil, deoarece baza se obine prin
procedee tehnologice de difuzie i redistribuire termic a impuritilor, n urma crora rezult un profil
oarecare de impuriti.

Figura.3.8. Dependena grosimii regiunii neutre a bazei de tensiunile aplicate pe terminale.

n consecin funcia W(VBC) este necunoscut. Ea poate fi liniarizat prin dezvoltare n serie
Taylor n jurul unui punct din vecintatea lui V BC=0:
W
W(VBC ) W(0) VBC ... (3.35)
VBC VBC 0
Dup prelucrri, avem succesiv:

W(VBC ) W(0) 1
1

W V = W(0)1 VBC (3.36)
W(0) VBC V 0 BC VA
BC
unde s-a notat prin definiie parametrul de model tensiune Early VA cu:
1
1 W
VA (3.37)
W(0) V
BC V 0
BC
Dintre parametrii modelului Ebers-Moll fundamental, au de suferit parametrii I S i F de pe urma
efectului Early, [1]:
W(0) V
IS (VBC ) IS (0) IS (0)1 BC (3.38)
W(VBC ) VA
W(0) V
F (VBC ) F (0) F (0)1 BC (3.39)
W(VBC ) VA
 1
unde s-a folosit aproximaia: 1 x , cnd x<<1, care provine tot dintr-o dezvoltare n serie Taylor.
1 x
Prin IS (0) se nelege IS msurat la VBC=0.
n cazul caracteristicii de ieire, se exprim curentul de colector n funcie de tensiunea V CE din
modelul Ebers-Moll varianta de injecie, scriind
VBC=VBE -VCE :
qV q(VBE VCE )
I C F I ES exp BE I CS exp 1 (3.40)
kT kT
Polariznd tranzistorul cu VBE >0, primul termen al relaiei (3.40), este o constant pozitiv.
Cnd VCE >VBE tranzistorul se afl n RAN i al doilea termen al relaiei (3.40) este aproximativ
egal cu curentul ICS; aadar n modelul fundamental avem o dependen aproximativ constant a
curentului de colector cu tensiunea V CE . Relaia simplificat a curentului de colector n RAN este
qV
I C I S exp BE , unde IS=FIES i IS variaz cu VCE din (3.38).
kT

Parametrii de model suplimentari fa de modelul Ebers-Moll fundamental

Unicul parametru de model introdus de efectul Early este V A i are valori de ordinul 10V ....
100V pentru tranzistoarele bipolare uzuale. Programele SPICE 3 sau de nivel mai nalt modeleaz efectul
Early prin parametrul VAF tensiune Early direct (vechiul V A ) i efectul Late prin parametrul V AR
tensiune Early invers.

Extracia parametrilor de model

Util este zona de caracteristic din regim activ normal, cu o uoar cretere a curentului I C cu
tensiunea VCE . Extracia parametrului VA se face de pe curbele IC-VCE , la VBE =const. pentru a elimina
efectul Late. Cnd tranzistorul lucreaz n RAN cu V BE >0 i VBC<0, se neglijeaz exponenialele de
argument negativ. Insernd n modelul Ebers-Moll fundamental (3.16, 3.19) efectul Early (3.26) i relaia
VBC=VBE -VCE , se obine:

Figura. 3.9. Caracteristica de ieire a unui tranzistor npn;

extragerea tensiunii Early, VA de pe caracteristici IC -VCE fiecare la VB E i =ct.

qV qV V V
I C IS (VBC ) exp BE IS (0) exp BE 1 BE CE (3.41)
kT kT VA VA
 Iat cum se extrage tensiunea Early: V A reprezint lungimea segmentului delimitat de intersecia
extrapolrii regiunii liniare a caracteristicii I C-VCE cu axa orizontal i de tensiunea V BE la care s-a fcut
msurtoarea, fig. 3.9. Admitana de ieire n punctul A, notat cu parametri h n cataloage, este:
I C
h oE (3.42)
VCE VCE VBE
Cum i sunt unghiuri corespondente egale, rezult:
I C V V I C V V
h oE tg tg' CE BE
VA CE BE
(3.43)
VA h oE
Subprogramul PARTS al SPICE-ului prefer s extrag tensiunea Early prin intermediul
conductanei sau mai bine zis admitanei de ieire, hoE , conform relaiei (3.43).
Efectul Early nu modific circuitul echivalent al tranzistorului, ci impune o dependen liniar de
tensiunea VBC a parametrilor IS i F.
Extragerea parametrului de model V AR al efectului Late, se face din msurtori similare I C-VCE la
VBC=ct.>0 i VCE <0 pentru a evita efectul Early i a intra n Regim Activ Invers, fig.3.10.

Figura. 3.10. Extragerea tensiunii Early invers, VAR .

Considerarea efectelor Early i Late n SPICE 3, afecteaz curentul de colector astfel:

V V I
I C I CT 1 BC BE CE (3.44)
VAF VAR R
Ecranul 2 al Parts-ului estimeaz tensiunea Early direct (VAF) utiliznd caracteristicile de ieire
IC-VCE . Modularea regiunii cvasineutre a bazei datorit tensiunii V BC este luat n considerare i n
modelul Gummel-Poon.

3.2.4. Efectul curenilor de generare-recombinare

Modelarea curenilor de generare-recombinare
Curenii de generare-recombinare reprezint acea component de curent dat de generarea sau
recombinarea perechilor electron-gol n regiunile de sarcin spaial ale celor dou jonciuni.
n cazul unei jonciuni pn, curentul de generare-recombinare era dat de relaia:
qV jonct
I gr jonct I 0gr exp 1
(3.45)
2kT
 Chiar i la diode cu jonciuni pn nu se verific 2-ul din argumentul exponenialei. Aceasta din
mai multe motive practice: jonciunile se realizeaz prin difuzie, deci au o poriune care atinge suprafaa;
suprafaa nsi este o discontinuitate a mediului cu repercursiuni asupra curentului de pe lng suprafa.
Efectul poate fi luat n considerare prin completarea modelului Ebers-Moll fundamental cu dou diode
corespunztoare suplimentului de curent de baz, ca n fig. 3.11. Curenii de generare recombinare prin
cele dou diode se modeleaz n cadrul modelului Ebers-Moll astfel:
qVBE
I grE C 2 I S exp 1 (3.46)
n EL kT
qVBC
I grC C 4 I S exp 1
(3.47)
n CL kT

E IE ICT
IC C

ICC/F IEC/R Igr C

Igr E

IB

Figura. 3.11. Completarea modelului Ebers -Moll fundamental cu dou diode corespunztoare efectului
curenilor de generare-recombinare.

Parametri de model suplimentari fa de modelul fundamental

Se poate constata c acest efect introduce nc 4 parametri de model: C2 , C4 , nEL , nCL toi
adimensionali. Acestea sunt notaiile pentru modelul Ebers-Moll. Dac notaiile C2 , C4 nu au nici o
legtur cu efectul n sine, ci au rmas sub aceast form din motive istorice, n schimb coeficienii de
emisie n prin indicii E, respectiv C semnalizeaz jonciunea pe care o modeleaz, iar indicele L
de la Low sugereaz c aceti cureni de generare-recombinare se manifest la tensiuni mici.
n SPICE s-a renunat la notaiile C2 , C4 n favoarea notaiilor mai sugestive: IES=C2 IS i ICS=C4 IS,
denumii cureni de saturaie ai jonciunilor emitorului, respectiv colectorului. n continuare rmnem la
notaiile C2, 4 .

Extragerea parametrilor de model

n acest scop se reprezint caracteristicile de intrare i de transfer la scar semi-logaritmic pe
acelai sistem de axe. n figura 3.12 au fost reprezentate cele dou caracteristici.
Cu linie ngroat au fost reprezentate caracteristicile experimentale.
Pentru determinarea parametrilor C2 i nEL se vor face msurtori lnIC, lnIB n funcie de VBE >0 de
valori medii i mici, la VBC=0. Astfel, curentul IC nu este afectat la tensiuni mici de efectul curenilor de
generare-recombinare, el scriindu-se cu teorema lui Kirchhoff I n nodul Colectorului pe fig. 3.11:
qV qV
I C I S exp BE 1 IS exp BE (3.48)
kT kT
 Deoarece la extracia parametrilor modelului fundamental se efectuau tot msurtori lnI C, lnIB n
funcie de VBE >0, la VBC=0, rezult c parametrii de model extrai de pe fig. 3.3, curentul de saturaie, I S
i F extrai din zona tensiunilor medii VBE >0, sunt aceeai i dup considerarea efectului de generare-
recombinare; n plus, fiind msurai n condiii de V BC=0, ei erau exact IS(0) i F(0), parametrii necesari
i efectului Early (ecuaiile 3.38, 3.39).
Fcnd VBC = 0, efectul curenilor de generare-recombinare se face simit doar asupra curentului
IB, conform teoremei Kirchhoff I n nodul bazei:
qV qVBE
I B I S exp BE 1 C 2 I S exp 1 (3.49)
kT n EL kT
n virtutea unor prelucrri numerice, relaia (3.49) poate fi scris pentru curentul de baz astfel:
qVBE
IS exp kT la VBE mari

IB (3.50)
C 2 IS exp qVBE la VBE mici

n kT
EL
Mai nti s dm justificarea numeric a aproximaiei (3.50). S presupunem c C 2 =104 i nEL =2.
Pentru VBE = 6kT/q=0,15V I B e 6 104 e 3 403 104 20 104 20
Pentru VBE = 12kT/q=0,3V I B e12 104 e 6 162000 104 406 104 406
I B e 24 104 e12 2,6 1010 104 1,62 105
Pentru VBE = 24kT/q=0,6V
2,6 1010
Parametrii C2 i nEL se extrag de pe curba ln IB din zona tensiunilor mici: ln(C2 IS) la intersecia
extrapolrii liniare a dreptei lnIB la tensiuni mici cu axa vertical i din panta aceleiai drepte rezult
1/nEL . Analog se extrag parametrii C4 i nCL de pe curbele lnIE, lnIB n funcie de VBC>0 de valori medii i
mici, la VBE =0.

La cureni mici se pot intersecta graficele ln I B cu ln IC cu lnF=0 deci F=1, apoi la tensiuni i mai mici F
devine subunitar, ce-i drept un fapt cu totul neplcut din punct de vedere al proprietilor de amplificare
ale tranzistorului.

ln IC,B VBE / kT/q

ln IC

ln (IS/)
lnF

ln C2 IS ln IB

panta =1/nEL
ln IS

ln(IS/F)
 Figura. 3.12. Extragerea parametrilor de model de pe curbele ln IC,B VB E la VB C = 0.
La ecranul III al Parts se completeaz cutia Device curve utiliznd graficul h21E -IC pentru tranzistorul
dorit. Se estimeaz parametrii modelului Gummel-Poon IKF i NK pentru nivele mari de injecie la
jonciunea Baz-Emitor, parametrul cunoscut din modelul Ebers-Moll fundamental ca fiind FM=BF,
apoi parametrii ISE i NE corespunztori curenilor de generare-recombinare.
La ecranul IV Parts, se estimeaz ali parametri pentru modelul Ebers-Moll fundamental RM = BR, apoi
parametrii ISC, nCL , corespunztori curentului de generare-recombinare de la jonciunea Baz-Colector.

3.2.5. Efectul de nivel mare de injecie

Modelarea efectului nivelelor mari de injecie
Din punct de vedere experimental, la tensiuni V BE mari, se constat o atenuare a creterii
curentului de colector. El nu va mai fi proporional cu exp(qV BE /kT), ci cu exp(qVBE /2kT). Modelul
Ebers-Moll nu ia n consideraie dect efectul de nivele mari de injecie la nivelul jonciunii BE, deoarece
n cele mai multe aplicaii tranzistorul lucreaz n RAN, doar cu prima jonciune direct polarizat. Acest
efect este luat n considerare n modelul Gummel-Poon, inclusiv n programele SPICE 3 i la nivelul
jonciunii BC, deoarece se poate ntmpla ca tranzistorul s lucreze n RAI sau saturaie, cazuri n care
VBC>0, cu posibilitatea inducerii i aici a nivelelor mari de injecie.
S cutm explicaia mai nti n modelele fizice. Studii experimentale pe jonciuni pn au artat
c curentul de difuzie are o dependen de tipul:

qVJ
I S exp la VJ mici si medii
I dif kT (3.51)
qV
I S ' exp J la VJ mari
2kT

Figura. 3.13. Injecia de purttori la nivelul jonciunii pn.

n toate cazurile trebuie ndeplinite 2 relaii:

qV
- Aproximaia de cuasi-echilibru: p n n n n i2 exp J (3.52)
kT
- Conservarea sarcinii: dup injecie excesul de goluri atrage un exces egal de purttori majoritari
(electroni n zona n), astfel nct sarcina lor global s fie nul, ca nainte de polarizarea jonciunii. Spre
exemplu n zona n:
pn =nn la x=ln (3.53)
La nivele mici de injecie, pentru V J mic sau medie, concentraiile de purttori minoritari
injectai n jonciunea vecin este nc mult mai mic dect doparea zonei n, fig.3.13:
pn ln
n n ln
ND (3.54)

Fie spre exemplu doparea zonei n, N D =1016 cm-3 . Cnd nivelele de injecie sunt mici, golurile injectate la
coordonata x=ln se afl n concentraie superioar valorii de echilibru, pn0 =ni 2 /ND =104 cm-3 , dar mai mic
(de cel puin de zece ori) dect doparea N D .
Pentru o jonciune pn se obine urmtoarea soluie pentru concentraia de goluri difuzate din zona
n:
x
p n ( x ) p n 0 C 2 exp (3.55)
Lp

n condiii de nivele mici de injecie, aproximaia de cuazi-echilibru furnizeaz condiia la limit:
qV
p n (l n ) p n 0 exp J , ce atrage constanta de integrare:
kT
qV
p n 0 exp J p n 0
C2 kT

exp l n L p (3.56)

n condiii de nivel mare de injecie, concentraia purttorilor minoritari injectai o egaleaz, sau
chiar o depete pe cea a purttorilor majoritari la coordonata x=ln . S presupunem c o depete de 10
ori, adic p n ln 1017 cm3 . Excesul de goluri este 1017 -104 , practic 1017 . Conform legii conservrii
sarcinii, acest exces atrage un exces al purttorilor majoritari egal cu:
nn ln
n n n 0 1017 1016 1017 cm3 . Iat c la nivele mari de injecie trebuie ca: p n, ln
nn ln
concentraia majoritarilor nu mai este egal cu doparea ci cu excesul de minoritari. Aceast condiie
qV
nlocuit n aproximaia de cuasi-echilibru d: p n ln n i exp J , ceea ce atrage constanta de
2kT
qV
n i exp J p n 0
2kT
integrare: C 2
exp l n L p (3.57)

Curentul de difuzie de goluri, este conform ecuaiilor de transport:

p
I dif (l n ) qA jD p n (3.58)
x x ln
nlocuind C2 din (3.56), (3.57) n concentraia (3.55) rezult din (3.58) curentul:
D p p n 0 qVJ
I dif qA j exp 1 pentru nivel mic de injecie (3.59)
Lp kT
D p n i qVJ n i
I dif qA j exp pentru nivel mare de injecie (3.60)
L p 2kT N D
Iat justificarea relaiei (3.51).
Efectul nivelelor mari de injecie nu modific circuitul echivalent al
tranzistorului, ci introduce un parametru suplimentar , cu ajutorul cruia se
modeleaz curentul de saturaie:
I S V 0
IS (VBE ) BE
(3.61)
qVBE
1 exp
2kT
Modelul anterior a fost ales pe criterii empirice, jonglnd cu valoarea parametrului , astfel nct
curentul IC s respecte modelele fizice (3.51). n Regim Activ Normal, cnd curentul de colector se va
putea modela cu relaia simplificat (3.19), vom avea:
qV
I S (0) exp BE
La tensiuni VBE mici: I C kT I (0) exp qVBE
S (3.62)
qVBE kT
1 exp
2kT
neglijab

qV
deoarece lui i se dau valori mici, de ordinul 10-6 , care ine produsul exp BE la valori mult mai
kT
mici dect 1, astfel nct la numitor rmne 1+0,0000 = 1.
qV
I S (0) exp BE
La valori VBE mari: I C kT I S (0) exp qVBE
(3.63)
qVBE 2kT
1 exp
neglijab 2kT
qV
spre exemplu la VBE =0,8V rezult exp BE =10-6 8,8106 =8,8 >>1 i n acest caz se neglijeaz 1 n
kT
raport cu exponeniala de la numitor.

Parametrii de model introdui suplimentar

Efectul nivelelor mari de injecie introduce 1 parametru de model: , adimensional, cu valori
tipice de 10-5 10-7 .

Extragerea parametrului de model

Extracia parametrului de model se efectueaz tot de pe msurtorile ln I C n funcie de VBE >0, tot
la VBC=0, din zona tensiunilor mari. n acest fel nu sunt deranjai deloc vechii parametri ai modelului
fundamental, IS i F. Dac se prelungete dreapta ln I C din regiunea cu pant 1/2 pn intersecteaz axa
vertical, rezult valoarea "ln(IS/)" i se poate calcula , tiindu-l apriori pe IS, fig.3.12.
Dou efecte conduc la scderea factorului de amplificare, F, ca n fig. 3.14. n regiunea curenilor mici
de colector, F scade datorit efectului generrii-recombinrii n RSS. n regiunea curenilor mari de
colector, se instaleaz nivelele mari de injecie, iar F scade ca distan ntre ln IC i ln IB n fig. 3.12. n
regiunea de palier a lui F , a curenilor medii unde F ia valoarea maxim, este suficient modelarea
Ebers-Moll fundamental.

F Cureni Cureni Cureni

mici medii mari

IC
 Figura. 3.14. Dependena factorului de transfer, F, de curentul de colector IC la VB C =0.

3.3. Modelarea regimului dinamic al tranzistorului bipolar

3.3.1. Modelarea capacitilor de tranziie
Problema modelrii capacitilor de tranziie (sau de barier), a celor dou jonciuni, C TE (pentru
jonciunea Baz-Emitor) i CTC (pentru jonciunea Baz-Colector) se pune n aceeai manier ca i la
jonciunea pn. Din punct de vedere fizic ele modeleaz variaia sarcinii ionilor pozitivi i negativi din
regiunile de sarcin spaial. Dac se ine cont i de efectul rezistenelor serie, aceste capaciti se pot
exprima n funcie de cderile de tensiune pe jonciunile tranzistorului intrinsec, V B E , VB C , astfel:
C TE 0
C TE m
VB' E ' E
1
E

C TC0
(3.64)
C TC
VB' C' C
m

1
C
unde semnificaia parametrilor de model este urmtoarea: C TE0 , CTC0 reprezint valorile capacitii
jonciunilor nepolarizate; E, C, reprezint diferenele interne de potenial ale jonciunilor B-E, respectiv
B-C; mE , mC reprezint factori numerici ce modeleaz profilul distribuiei de impuriti a celor dou
jonciuni. Parametrii mE , mC sunt adimensionali i iau valori ntre 0 i 1. Pentru jonciunile cu profil
abrupt al concentraiei de impuriti iau valoarea 1/2, iar pentru jonciunile liniar gradate iau valoarea 1/3.
n programele de tip SPICE exist posibilitatea accidental ca variabilei VB E s i se atribuie
valoarea E, sau lui VB C valoarea C. n fig. 3.15 se reprezint pe sistemul de axe capacitatea de tranziie
n funcie de tensiunea pe jonciune, CT -V (unde V poate fi ori V B E ori VB C ): curba experimental a
capacitii, curba modelat cu relaia (3.64) i curba (3.65) ce reprezint o modelare de compromis n
SPICE. Se observ c pentru V</2 curba (3.64) se suprapune foarte bine peste modelul experimental.
Pentru V>/2 modelul (3.64) se abate mult de la experiment i tinde asimptotic la infinit. Motivul este
nerespectarea unor aproximaii admise in teorie, la tensiuni directe mari n vecintatea lui E i C. Ar
trebui rezolvat de la nceput ecuaia lui Poisson, fr a mai neglija concentraiile de electroni i goluri.
Din pcate rezultatele matematice sunt nite integrale ce se pot extrage doar numeric - extrem de
incomode. Atunci, n SPICE, s-a adoptat urmtorul model: pentru tensiuni V>/2 caracteristica C T-V s
fie reprezentat de tangenta la curba (3.64) n punctul V= /2, adic:

VB' E '
C TE 2 E C TE 0 2m E (1 m E )
m
pt. VB' E' FE E
E
(3.65)
C 2 m C C VB' C' pt. VB' C' FC C
TC0 2m C (1 m C )
TC
C

 Figura. 3.15. Modelele capacitii de tranziie pentru una dintre jonciunile tranzistorului bipolar.

Se observ introducerea a nc 2 parametri de model suplimentari, FE i FC reprezentnd

fraciunile din diferenele interne de potenial de la care se trece de la modelul (3.64) la modelul (3.65).
Aceti parametri adimensionali au valori deja setate la , ele putnd fi modificate n subprogramul
PARTS al SPICE-ului la alte valori subunitare, cnd se dorete o precizie sporit. Ceilali parametri de
model (CTE0 , CTC0 , E , C, mE , mC) se extrag prin metodele curbelor de regresie din msurtori n
polarizare invers a celor dou jonciuni, pentru a anula efectul capacitilor de difuzie.
Avantajele acestei modelri n SPICE sunt: simplitatea modelului, utilizarea unei funcii de
gradul I - modelul (3.65) - ce sporete viteza de calcul, ocolirea situaiilor de nedeterminare cnd C T.
Dezavantajul major este c modelul (3.65) este nc departe de modelul experimental. Chiar dac greim
fa de realitate cu 1-10pF la capacitatea de tranziie, de fapt greim la a treia sau la a patra zecimal la
capacitatea total a jonciunii. Aadar, modelul (3.65) nu este nici mcar un model de fitare, ci este mai
degrab un model de cruare, cu ajutorul cruia SPICE-ul manevreaz rapid o funcie simpl - cea
liniar, genernd erori moderate dar nu catastrofice n evaluarea lui C T, ceea ce nu este suprtor la
tensiuni pozitive mari.
Un alt aspect al modelrii capacitilor de tranziie pentru tranzistorul bipolar integrat npn l
reprezint caracterul distribuit al capacitii jonciunii Baz-Colector, CTC. Dup cum se tie rezistena
serie a bazei, rB, are o valoare mare tocmai pentru c ocolete pe dedesubt difuzia emitorului, fig. 3.4. De
aceea o modelare rafinat ar trebui s considere ansamblul C TC-rB ca o linie de propagare cu constante
distribuite.
Tot un mod simplificat de modelare desparte capacitatea C TC doar n 2 subcomponente (fig.3.16):
una de valoare rCTC legat ntre B i C i cealalt de valoare (1-r)CTC legat ntre B i C.

Figura. 3.16. Modelarea caracterului distribuit al capacitii CTC .

 Aceast perfecionare a modelului capacitii de tranziie se face cu preul introducerii unui nou
parametru de model r, cu valori cuprinse ntre 0 i 1. Acest parametru poate fi extras cu dificultate de
ctre un foarte fin tehnolog.
Ecranul V al Parts estimeaz parametrii de model CJC i MJC ai capacitii de tranziie pentru
jonciunea baz-colector, invers polarizat. Valoarea lui FC este setat la valoarea uzual pentru
tranzistoarele pe siliciu, ca 0.5. Valoarea parametrului VJC este dictat de tehnologie i n consecin
constant la o tehnologie dat.
Ecranul VI al Parts estimeaz parametrii CJE i MJE ai capacitii de tranziie pentru jonciunea
baz-emitor invers polarizat.

3.3.2. Modelarea capacitii de difuzie

Capacitile de difuzie modeleaz variaia sarcinilor mobile n exces, asociate curentului de
difuzie ICT. n fapt, aceste sarcini n exces fa de echilibrul termic, sunt purttori injectai din jonciunea
vecin i n consecin au statut de purttori minoritari. Pentru modelarea capacitilor de difuzie a
emitorului i colectorului se pornete de la definiia capacitii:
Q Q
C DE DE ; C DC DC (3.66)
V ' ' V ' '
BE BC
unde n relaia de mai sus s-a lucrat cu tensiunile V B E i VB C , fapt ce arat c s-a inut cont i aici de
rezistenele serie. Sarcina Q DE este reprezentat de produsul dintre curentul ICC (ICC dat de relaia 3.13) i
timpul de tranzit direct F. Acest timp are urmtoarele subcomponente: E timpul n care sarcinile emise
de emitor parcurg regiunea neutr a zonei E, EB timpul de tranzit al purttorilor de sarcin prin regiunea
de sarcin spaial a jonciunii EB, B timpul de tranzit prin regiunea neutr a bazei, CB timpul de
tranzit prin regiunea de sarcin spaial a jonciunii CB.
Sarcina QDC este reprezentat de produsul dintre curentul I EC i timpul de tranzit invers, R, cu
urmtoarele subcomponente: C, CB, BR i EB avnd o semnificaie analoag a timpilor de parcurgere de
ctre sarcinile mobile, dar de data aceasta n sens invers, adic dinspre Colector spre Emitor. Aadar,
modelarea capacitilor de difuzie introduce nc doi parametri de model F i R:
I I
C DE F CC ; C DC R EC (3.67)
V ' ' V ' '
BE BC
Capacitile de difuzie CDE i CDC nu se pot msura experimental. Singurul mod n care ele ar
putea fi puse n eviden ar utiliza regimul de saturaie, cu ambele jonciuni polarizate direct, pentru a
evita capacitile de tranziie. Inconvenientul const n imposibilitatea de a localiza spaial, n mod
distinct, cele dou capaciti CDE i CDC, deoarece purttorii mobili n exces sunt distribuii de-a lungul
ntregii structuri.
Timpul de tranzit direct se extrage n funcie de frecvena de tiere (parametru de catalog) dup
urmtoarea relaie simplificat, [1]:
1
F (3.68)
2f T
 Fig. 3.17. Msurarea timpului de s tocare, tst, cnd tranzistorul comut din regim de saturaie n regim de
blocare.

Pentru timpul de tranzit invers se realizeaz msurtori n regim de comutaie, conform schemei
din fig.3.17. Scderea tensiunii V BE aduce tranzistorul din saturaie n blocare. Se msoar timpul de
stocare, tst , ca n figura 3.17.
Alturi de timpul de tranzit direct extras anterior, se calculeaz timpul de tranzit invers cu
urmtoarea relaie, [4]:
1 F R
R t st F F (3.69)
R R

ncepnd de la varianta SPICE2, se ine cont de variaia parametrului F cu tensiunea VBC. Este vorba de
manifestarea efectului Early asupra lui F, n mod expres asupra componentei B, [1]. Programele SPICE2
modeleaz dependena timpului F n funcie de tensiunea VBC astfel, [2]:
VBC
F T F 1 XT F exp

IS e qVBE / NFkT 1



2




IS e BE F 1 IT F
1.44 VTF
qV / N kT
(3.70)

Apoi capacitile de difuzie de emitor i de colector sunt modelate cu relaiile:

C DE

VBE
I

F S e qVBE / NFkT 1 (3.71)
qb
qI S qVBC / 2kT
C DC T R e (3.72)
2kT
unde qb este sarcina normalizat din modelul Gummel-Poon, ce modeleaz efectele Early, Late i nivelele
mari de injecie, [1]:
q

q b 1 1 1 4q 2
2
(3.73)
1
V V
q1 1 BC BE (3.74)
VAF VAR

q2
IS
IKF

e qVBE / NFkT 1 IS
IKR

e qVBC / NR kT 1 (3.75)
Parametrii de model introdui suplimentar sunt:
TF (notat cu TF n SPICE 2) este timpul de tranzit direct la tensiuni VBC mici;
NF (notat cu NK n SPICE 2) este coeficientul de emisie direct n zona de cot;
NR (apare doar n SPICE 3) este coeficientul de emisie invers n zona de cot; n SPICE2 se ia implicit
NR =2;
IKF / IKR este curentul de cot direct / invers;
XTF este coeficientul dependenei lui F de condiiile de polarizare;
VTF este tensiunea ce modeleaz dependena lui F de VBC;
ITF este curentul de la care se ia n considerare dependena lui F de VBC.

Ecranul VII al Parts estimeaz timpul de tranzit invers, care estimeaz ntrzierea din momentul n care
tranzistorul comut din saturaie n blocare. Parametrul TR acioneaz ca un factor de multiplicare, fr s
schimbe forma curbei afiate pe ecrane. Se foloseste timpul de stocare, t st la curentul de colector indicat n
catalog.

Ecranul VIII al Parts estimeaz parametrul TF. De asemenea valoarea parametrului TF controleaz timpii
de cretere i de cdere din regimurile de comutare, care reprezint un alt mod de msur a vitezei
tranzistorului. Ceilali parametri de model sunt setai la valori uzuale pentru tranzistoarele bipolare.

3.4. Circuitul echivalent complet al modelului Ebers-Moll

Recapitulnd paii efectuai n modelarea tranzistorului bipolar, putem constata c studiul
regimului static a pornit de la modelul Ebers Moll fundamental, dup care pe principiul superpoziiei, s-
au adugat o serie de efecte reale: efectul curenilor de generare-recombinare, efectul nivelului mare de
injecie, efectul Early, efectul rezistenelor serie. Modelarea dinamic a tranzistorului bipolar a abordat
capacitile asociate jonciunilor din tranzistorul bipolar integrat.
Pentru a ncheia ntr-o form unitar, n fig. 3.18, se prezint circuitul echivalent complet al
tranzistorului bipolar, reunind att elementele de regim static, ct i cele de regim dinamic.
Parametrii de model introdui n regimul static Ebers Moll:
- Modelul fundamental: IS, FM, RM.
- Efectul curenilor de generare-recombinare: C2 , nEL , C4 , nCL .
- Efectul nivelului mare de injecie: .
- Efectul Early: VA .
- Efectul rezistenelor serie: rE , rB, rC.
n total 12 parametri.
Parametrii de model introdui n regimul dinamic Ebers Moll:
- Efectul capacitilor de tranziie: CTE , E , mE , FE, CTC, C, mC, FC, r.
- Efectul capacitilor de difuzie: F, R.
- Efectul capacitii de substrat: CCS.
n total 12 parametri.
 Figura. 3.18. Circuitul echivalent complet Ebers Moll al tranzistorului bipolar.

n concluzie, modelul Ebers-Moll descrie funcionarea tranzistorului bipolar prin utilizarea a 24

de parametri de model.
Parcurgand cele 8 ecrane ale Parts-ului, se incheie extractia numerica a setului complet de
parametri de model pentru un tranzistor bipolar. Parts-ul genereaza un fisier cu extensia .mod (de la
model), precum 2N2222.mod.
Acest fisier este preluat de programul SPICE ori de cate ori are de simulat un tranzistor bipolar cu
codul respectiv.