UNIVERSITAEA DIN PITESTI

FACULTATEA DE STIINTE, ED. FIZICĂ ȘI INFORMATICĂ

MASTER: MATERIALE SI TEHNOLOGII NUCLEARE

Prof. univ.dr. Ion IORGA – SIMAN

MATERIALE SI
COMPONENTE

OPTOELECTRONICE
Note de curs
uz intern

PITESTI 2020
 PARTEA a I-a

1.1. STICLA OPTICĂ

1.1.1.Sticlele și tipuri de sticle

Sunt solide amorfe, necristaline, adesea transparente, care au aplicații practice,
tehnologice și decorative diverse (sticlă de geam, sticlărie de
masă, optoelectronică etc.). Cel mai cunoscut tip de sticlă (precum și cel mai vechi)
este „sticla de siliciu”, având la bază dioxidul de siliciu, constituentul primar
al nisipului. Dintre multele tipuri de sticlă existente, sticla de geam este cea mai
cunoscută. Acesta este fabricată din circa 75% dioxid de siliciu (SiO 2), oxid de
sodiu (Na2O) obținut in situ prin descompunerea carbonatului de
sodiu (Na2CO3), oxid de calciu (CaO), precum și alți câțiva aditivi minori.

Sticlele sunt materiale amorfe (necristalizate), cu rezistență mecanică și duritate

mare, cu coeficient de dilatare mic. La temperaturi mai înalte se comportă ca
lichidele subrăcite cu vâscozitate mare. Nu au punct de topire definit. Prin încălzire
se înmoaie treptat, până la lichefiere, ceea ce permite prelucrarea sticlei prin suflare,
presare, turnare, laminare.

Sticlele se obțin, în general, prin topirea în cuptoare speciale a unui amestec format
din nisip de cuarț, piatră de var, carbonat de sodiu (sau de potasiu) și materiale
auxiliare. Proprietățile fizice ale sticlelor sunt determinate de compoziția lor.

Sticla obișnuită (sticla de sodiu sau potasiu) 

Sticla de sodiu are compoziția aproximativă 6SiO2·CaO·Na2O. Se întrebuințează la

fabricarea geamurilor și a ambalajelor de sticlă. Sticla de potasiu are compoziția
6SiO2·CaO·K2O și este rezistentă la variații de temperatură. Se folosește la
fabricarea vaselor de laborator.

Cristalul (sticla de plumbCristalul (sticlă de plumb) este o sticlă în care sodiul și

calciul s-au înlocuit cu potasiu și plumb (6SiO2·PbO·K2O) și se caracterizează prin
proprietăți de refracție bune și densitate mare. Flintul și ștrasul conțin un procent de
plumb mai mare decât cristalul. Flintul se folosește pentru prisme și lentile optice.

Sticla Jena, Pyrex sau DuranPrin adăugarea unor cantități mici de oxid de
aluminiu (Al2O3) sau trioxid de bor (B2O3) se obțin sticle rezistente la variații bruște
de temperatură care se folosesc la fabricarea vaselor de laborator. Au o rezistență
chimică mare și un coeficient de dilatare mic.

Sticlă calcogenică este o sticlă, ce conține unul sau mai mulți calcogeni

(sulfură, seleniu, sau telur), dar nu și oxigen. Aceste sticle sunt
materiale solide cu legătură covalentă. Poloniul este deasemenea un material
calcogen, dar, din cauza radioactivității , nu este folosit. Materialele calcogenice se
comportă foarte diferit de oxizi. În particular, din cauza benzilor interzise reduse
(unde nu există electroni de conducție), propietățile electrice și optice ale sticlelor
calcogenice și ale oxizilor sunt diferite. Sticlele calcogenice clasice (de genul celor
bazate pe sulf, ex: As-S, sau Ge-S) sunt formatori buni de sticle pentru un spectru
larg de concentrații. Compuși halcogenici de tipul AgInSbTe sau GeSbTe sunt
folosiți în discuri optice rescriptibile, sau în dispozitive de memorie cu fază variabilă.
Acestea sunt sticle fragile, ele pot fi atât în fază amorfă, cât și cristalină. Schimbarea
proprietăților optice și electrice face posibilă stocarea informației.

Sticlele coloratese obțin dacă se adaugă în topitură unii oxizi metalici (de
Fe,Co,Cr,Cu etc.), care formează silicații colorați. În industria sticlei se utilizează
drept coloranți un număr foarte mare de substanțe care se încadrează de obicei în trei
categorii: coloranții ionici, coloranții moleculari și coloranții coloidali.

Coloranții ionici sunt, în general, oxizii metalici. De exemplu, sticla roșie conține și
oxid de cupru, sticla galbenă sulfat de cadmiu, sticla albastră oxid de cobalt, sticla
verde oxid de crom, sticla violetă oxid de mangan. Trioxidul de uraniu dă o culoare
galben-verde însoțită de o frumoasă fluorescență verde.

Coloranții moleculari sunt reprezentați de seleniu care dă o culoare roz, de sulf care
dă o culoare galbenă sau galbenă-cafenie și mai ales de sulfurile și seleniurile
diferitelor elemente. Foarte utilizat este amestecul CdS + CdSe care dă o culoare
roșie-rubinie a cărei nuanță depinde de raportul dintre cei doi componenți.

Coloranții coloidali sunt, de fapt, metalele care, prin tratamente termice adecvate,
sunt dispersate sub formă de soluție coloidală imprimând sticlei culori ce depind de
dimensiunile particulelor coloidale. Astfel, aurul fin dispersat în sticlă dă o culoare
roșie-rubinie foarte frumoasă. Argintul dă nuanțe de la galben la cafeniu.

Sticlele colorate se topesc în creuzete cu capacități de ordinul sutelor de litri sau în

cuptoare mici în care temperatura, și mai ales caracterul mediului, se pot controla
riguros.

Sticlele colorate se utilizează, în afara obiectelor de menaj, în numeroase domenii

importante.

Marii consumatori de sticlă colorată sunt transporturile aeriene, navele, terestre.

Semnalizările luminoase în transporturi au o deosebită importanță; culorile utilizate
de obicei fiind roșul, verdele, albastrul și galbenul. Sticlele colorate se utilizează și
drept filtre pentru anumite radiații. Pentru protejarea ochilor sudorilor sau a celor ce
privesc în cuptoare incandescente se utilizează așa-numitele sticle de cobalt dar și
alte sticle care pot reține radicali calorici sau ultraviolete. Filtrele colorate intra în
componența unor aparate optice sau de analiză, utilizate în laboratoare de fizică,
chimie sau tehnică fotografică.

1.1.2. Sticla optică aspecte generale

Calitatea diferitelor piese optice ( oglinzi, lentile, prisme, fibra optică etc ) este
influențată în primul rând de alegerea corectă a materialului optic din care se
confecționează și în al doilea rând de modul de prelucrare al acestuia(procesul
tehnologic specific industriei optice). Materialele folosite trebuie să prezinte
proprietăți termice, mecanice, electrice, optice , care să corespundă scopului pentru
care au fost realizate piesele optice. Din acest motiv, unele materiale optice pot fi
folosite numai în domeniul vizibil al spectrului, altele numai pentru domeniul
infraroșu, altele pentru domeniul ultraviolet. În continare prezentăm o descriere
generală a proprietăților sticlei optice. Sticla optică este materialul cel mai des folosit
pentru construcția pieselor optice, datorită ușurinței cu care se prelucrează și a
proprietăților sale optice și mecanice care corespund într-un înalt grad ,scopurilor
pentru care se construiesc piesele optice, iar aceste proprietăți în plus sunt și stabile
în condiții obișnuite de lucru.

Există și un inconvenient și anume faptul că sticla nu este fabricată astfel încât să fie
optic omogenă. Încă se fac studii pentru a se ob ține sticlă optică al cărui indice de
refracție să fie uniform în întregul volum.

Sticla este definită ca o substanță anorganică, amorfă, produsă prin încălzirea și apoi
răcirea ei fără să cristalizeze. Formula sa chimică este:

SiO2
iar structura sa moleculară este tetraedică. Atomul de siliciu este înconjurat de patru
atomi de oxigen dispuși în vârfurile unui tetraedru.

Prin topirea bioxidului de siliciu, cu cantități determinate de alți oxizi structura sticlei
prin răcire este diferită în funcție de adaosurile folosite.

Adaosul folosit Formula chimica Tipul de sticlă

Oxid boric
B 2O 3 Sticlă borosulfurică cu bune proprietăți termice

Oxid fosforic
P 2O 5 Sticlă fosforică

Oxid de plumb
PbO Adăugat în proporție de 10% se obține sticla flint, cu
proprietăți dispersive ridicate.

Oxid de bariu
BaO Sticla crown de bariu cu indice de refracție relativ
ridicat.
Oxid de bariu
BaO Sticla fint de bariu

Oxid de plumb
PbO

Observații : Sticla din oxid de siliciu pur nu numai că are un punct de topire foarte
ridicat , dar rămâne vâscoasă până la temperatura la care se descompune.

Sticla optică se clasifică în funcție de fenomenele de reflexie și de dispersie.

Refracția sticlei optice este caracterizată de indicele de refracție. În funcție de
structura atomică a substanței , fenomenul de refracție se explică astfel:într-o primă
aproximație considerăm că unda electromagnetică trece prin mediu fără a fi
perturbată și numai o mică parte din energia undei este preluată de către atomi care
vor produce vibrații cu frecvența egală cu frecvența undei. Electronii care vibrează
radiază energie sub formă de undă electromagnetică similară cu cea a undei
incidente, dar având faza în urma fazei incidente. Aceste unde ( pe care le
considerăm secundare) interferă cu unda incidentă obținându-se o undă cu faza
rezultantă întârzâiată, dar și cu viteza de fază micșorată.

Valoarea indicelui de refracție al unei substanțe este determinată de valoarea

vibrațiilor pe care le fac electronii atomici , care la rândul lor , depind de

polarizabilitatea ɑ a electronilor atomici, care la rândul ei depinde de momentul

electric dipolar p și de câmpul electric E.

ɑ=P/E

Conform formulei lui Lorentz indicele de refracție este:

n2=1+3C/ (1-C)

unde: c=

N=6,023 .1026 molec/kmol, = densitatea masică, M= masa moleculară.

Dacă se ține cont că amplitudinea oscilației , depinde de frecvența undei atunci se
obține dependența lungimii de undă de frecvența undei.

n= f(λ) sau n=f(ν)

Dispersia sticlei optice este caracterizată în mod obișnuit de:

 Valorile indicilor de refracție corespunzători anumitor lungimi de undă

convenabil aleși ( aceste lungimi de undă sunt date în tabele de tipul:)

- tabel de valori ale diferențelor a doi indici de refracție (dispersiile

parțiale), corespunzători unei anumite perechi de linii.

- tabel al valorilor rapoartelor dispersiilor parțiale

 valorile Abbe (dispersia reciprocă relativă) V, care împreună cu indicele

de refracție, servește pentru specificarea în cataloage a sticlei optice.

Mărimea V se definește prin relația:

V=(nd-1)/(nf-1)

Acesta poate lua valori cuprine între 20 (valoare corespunzătoare sticlei optice cu
indicele de refracție cel mai mare, deci cu dispersia cea mai mare) și aproximativ 80
( corespunzătoare indicelui se refracție cel mai mic și deci, cu dispersia cea mai
mică).

La început s-a folosit două tipuri de sticlă și anume:

- sticlă optică crown cu V>50

- sticlă optică flint cu V< 50

observație: Pentru clasificarea sticlei optice HERZBERG, recomandă patru mărimi

fizice( parametrii), în domeniul lungimilor de undă λmin=365nm și λmax=1014nm,
după cum urmează.
 nF-1=μp

nF-nc=δ

(nF-nmin)/(nF-nc)=pmin

(nF-nmax)/(nF-nc)=pmax

Diferitele tipuri de sticlă optică definite în funcție de mărimile caracteristice

introduse mai sus sunt prezentate în tabele sau cataloage.

La consultarea cataloagelor , pentru a alege tipul de sticlă dorit trebuie să avem grijă
dacă se folosește linia( d )sau linia (D) a sodiului pentru a defini refracția sticlei.

Observație: Trebuie făcute două remarci:

- prima se referă la faptul că indicele de refracție al unui tip de sticlă

optică se specifică până la a cincea cifră semnificativă. Această
semnificație trebuie considerată cu multă atenție deoarece precizia
de măsură a diferitelor aparate optice poate să nu corespundă celei
de-a cincea cifră semnificativă.

- A doua remarcă se referă la faptul că sorturile de sticlă se livrează și

sub un anume număr.

- Exemplu

- Sticlă flint de bariu ușor

Nr= 574520 - nD=1,574

- V=52,0

1.1.3. Proprietățile optice ale sticlei optice

Caracteristicile mediilor optice se raportează la fenomenele de refracție, transmisie,
dispersie, reflexie și absorbție a luminii.

            a) Refracția unui sort de sticlă optică este definită prin indicele de refracție,
n, al sticlei, în raport cu aerul. Întrucât indicele de refracție este variabil cu lungimea
de unda λ a radiației luminoase, în cataloagele firmelor producatoare de sticlă optică
se precizează valoarea acestuia pentru diferite lungimi de undă. În cataloagele
recente, acești indici sunt specificați pentru lungimile de undă ale mai multor linii
spectrale ale unor elemente chimice   (23 sunt mai frecvent folosite) și pentru 12
lungimi de undă generate de cei mai utilizați laseri. Cataloagele pe suport electronic,
permit determinarea indicelui de refracție pentru orice lungime de unda prin
indicarea, la fiecare sort de sticlă, a polinomului de interpolare pentru funcția indice
de refractie, având ca variabilă independenă lungimea de undaλ.

            Indicele de refracție ne corespunzător lungimii de undă λe=546.07nm, din

spectrul mercurului este cunoscut ca indice de refractie de referința
(principal), întrucât această linie spectrală se află cel mai aproape de radiația care are
λ = 555 nm, pentru care ochiul uman prezintă sensibilitatea maxima. Linia de
referință a fost impusă în Europa de cel mai mare și prestigios producator de sticlă
optică, firma Schott. In Statele Unite se lucreazăși cu linia d ca referință spectrală.

            Prima determinare analitica a dependentei indicelui de refractie de lungimea

de unda a fost realizata de Sellmeier (si independent de Maxwell) si avea in vedere
influenta absorbtiei electronice si a vibratiilor din nodurile retelei cristaline. Diverse
aproximari sau completari aduse formulei initiale au condus la imbogatirea literaturii
cu mai multe expresii de polinoame de interpolare, dupa cum urmeaza:

Cauchy

Hartmann
 Conrady

Kettler-Drude

Sellmeier

Herzberger

Old Schott

                                          

            Catalogul Schott nou utilizeaza ecuatia Sellmeier si precizeaza valorile

numerice ale coeficientilor a…g pentru toate sorturile de sticla din catalog. Relatia
utilizata de firma Schott pentru datele prezentate in cataloagele mai vechi introducea
o eroare de ordinul 3.10-6 in vizibil si 5.10-6 in UV si IR. Expresia putea fi corectata
prin introducerea unui termen  in λ4 pentru UV si in λ-10 pentru IR.  Introducerea in
fabricatie a sorturilor de sticla noi, cu transmitanta ridicata pe domenii spectrale largi,
care se extind mult in afara vizibilulului a impus reconsiderarea alegerii polinomului
de interpolare in scopul rigurozitatii determinarii indicelui de refractie si pentru
utilizarea corecta, la parametrii potentiali ai materialului optoc respectiv.  Binoamele
de la numitorii din polinoamele de interpolare evidentiaza prin constantele specifice
liniile de absorbtie caracteristice fiecarui sort de sticla. Formularea Cauchy si Old
Schott plaseaza benzile de absorbtie la lungimi de unda nule, neglijandu-le de
fapt.  Formula Herzberger aproximeaza corect pana la aproximativ 1λ m si in
ultimele sale lucrari a inlocuit linia 0.035 cu 0.026.Aparitia sticlelor minerale
performante, cu acoperire spectrala larga a pus una dintre interpolarile Sellmeier

            b) Dispersia luminii reprezinta fenomenul de dependenta a indicelui de

refractie al sticlei optice de lungimea de unda a radiatiei luminoase si matematic se
exprima prin raportul dn/dλ.   Reprezentarea grafica a dependentei n=n(λ)
defineste curba de dispersie a mediului optic respectiv. In figura este prezentata,
spre exemplificare, curba de dispersie pentru sticla TF5 in domeniul vizibil.

            Dispersia materialelor optice in domeniul vizibil este monoton descrescatoare

(dispersie normala) dar neliniara de la albastru spre rosu si nu poate fi caracterizata
printr-un singur parametru. In afara vizibilului dispersia este anormala, curba
prezentand extreme locale, corespunzatoare absorbtiei unor linii sau benzi
spectrale.Caracterul neliniar al dispersiei face imposibila descrierea proprietatilor
dispersive ale materialului printr-n singur parametru numeric.

Fig.1. Curba de dispersie a sticlei TF5

            Se definește urmatorul set de parametri dispersivi:

dispersia principala
(medie)
dispersii partiale:

- refringenta optica:

 - coeficientii de
dispersie Abbe:

- dispersia partiala
relativa:

-  Dispersiile partiale
relative g,F si C,s

-     dispersia nh-nc
 specifica:
- puterea dispersiva

      

            c) Transmitanta sticlei optice are o valoare mare in domeniul (450… 1000)

nm. Pentru lungimi de unda mai mici de 450 nm , sorturile cu indici de refractie mari
prezinta valori superioare ale coeficientului de absorbtie.Φ

            Pentru a putea caracteriza transmitanta, firmele mentioneaza in cataloage

valori ale coeficientilor radiometrici spectrali, determinati pentru probe de sticla
prelucrate sub forma de lame plan-paralele, avand grosimi precizate in cataloage.

            Atenuarea fluxului luminos incident, Φi, se datoreaza pierderilor la trecerea

prin mediul optic. Acestea sunt de doua categorii: prin reflexie la suprafetele de
separatie a materialului optic dens cu aerul si prin absorbtie in masa materialului
Astfel, considerand o piesa de forma unei lamele plan paralele, pe care este incident
fluxul Φi, in interiorul piesei, efectiv, patrunde fluxul  Φin < Φi, datorita  reflexiei  pe
prima fata. Pe a doua fata ajunge fluxul Φex < Φin, diminuarea fiind cauzata de
absorbtia pe parcursul d. Din fata a doua a piesei emerge Φt < Φex, pierderea fiind
determinata de reflexia pe suprafata 2 a lamei.

Fig.2. Pierderi de lumina prin mediile optice dense

            Intre valorile fluxurilor energetice sau luminoase de la incidenta pe prima fata
pana la emergenta din a doua suprafata, se pot scrie relatii care definesc coeficientii
radiometrici (sau fotometrici).

In forma cea mai cuprinzatoare, care are in vedere si determinarea spectrala a

reflexiei, absorbtiei si transmisiei, acestia au urmatoarele expresii:

- coeficientul spectral de transmisie externa:

- coeficientul spectral de reflexie:

- coeficientul spectral de absorbtie:

-coeficientul spectral de transmisie interna:

- coeficientul spectral de absorbtie interna:

- unde (Φe,λ)t este fluxul radiant transmis de proba, iar Φe,λ  reprezinta

fluxul radiant incident;
- unde Φe,λ r este fluxul radiant reflectat de proba
- unde (Φe,λ a este fluxul radiant absorbit de proba           
- unde (Φe,λ ex este fluxul radiant incident pe a doua fata a lamelei,
- unde Φe,λin reprezinta fluxul radiant care intra in proba dupa
pierderea prin reflexie pe prima fata a acesteia 

            Cu aceste consideratii privind pierderile prin absorbtie in masa materialului

piesei optice si prin reflexii pe cele doua fete, fluxul transmis va fi :
             ,                                                                  

sau:     

             ,                                                            

unde ρ este reflectanta unei suprafete.

            Pentru sticla optica fara protectie antireflex, ρ=0,04 si ɑi=0,002 si rezulta un

factor de transmisie externa curent τext=0,92, la grosimea de 1mm, in lumina alba.

1.1.4.Proprietati termice ale sticlei optice

            Temperatura are o influenta hotaratoare asupra caracteristicilor optice ale

sticlei, fiind un factor determinant al tehnologiei de fabricatie si al stabilitatii
constantelor optice in exploatare.

            Domeniul de temperaturi la care se formeaza sticla este cuprins, pentru

majoritatea sorturilor, intre 400oC si 600oC.

            Viteza de racire de la 600oC la temperatura camerei trebuie aleasa adecvat

pentru a se asigura o tranzitie lenta de la faza lichida la faza solida. Viteza lenta de
racire asigura valori scazute ale tensiunilor interne (pentru evitarea pericolului
spargerii sticlei sau al manifestarii fenomenului de birefringenta) si o fixare a
moleculelor intr-o retea densa (conditie a obtinerii unui indice de refractie ridicat).

            Indicele de refractie variaza cu temperatura atat datorita dilatarii sau

contractiei termice, cat si deplasarii limitei de absorbtie din domeniul UV al
spectrului catre domeniul VIS. Pentru sticlele crown este mai semnificativa
contactia/dialtatia care determina cresterea/scaderea indicelui de refractie decat
deplasarea limitei de absorbtie, care se afla in UV indepartat. La sticlele flint este mai
importanta in special cresterea temperaturii, datorita faptului ca au limita de absorbtie
aproape de domeniul VIS.
             Datorita deplasarii benzii de absorbtie spre lungimi de unda mai mari
majoritatea sortuirlor de sticla prezinta in timp coloratii diferite (la inceput galben,
apoi portocaliu si, in final rosu).

            Din punct de vedere termic, sticlele optice se caracterizeaza prin urmatorii

parametri:

           - temperatura de curgere – temperatura la care sticla devine un fluid vascos

          - temperatura de formare – temperatura la care tensiunile interne din sticla se

elimina in cca. 15 minute

          - temperatura de tragere – temperatura la care sticla poate fi deformata

            - temperatura de patrundere – temperatura la care sticla patrunde in porii

unei placi pe care este asezata

            - temperatura de lucru – temperatura de prelucrare a pieselor optice.

            Se defineste coeficientul de dilatare termica liniara ca alungirea unitatii de

lungime a unui esantion de sticla incalzit cu 1oC. Coeficientul de dilatare termica este
dependent de temperatura. Din acest motiv cataloagele dau valori medii ale
coeficientului de dilatare pentru doua domenii de temperatura (de la – 60oC la 20oC si
de la 20oC la 120oC).

            Pentru a stabili o valoare aproximativa a coeficientului de dilatare in

intervalul de temperaturi [20oC…400oC] se poate utiliza expresia de interpolare:

             ,

unde ɑ20/20 este coeficientul de dilatare termica la 20oC (data de catalog)

            m – coeficient de temperatura (data de catalog)

            t – temperatura limita a intervalului pentru care se calculeaza coeficientul de
dilatare.

            Valoarea ɑ20/t se incadreaza intre limitele (33…136).10-7 oC-1 ,dar pentru

majoritatea sorturilor se grupeaza in intervalul (50…90).10-7 oC-1 (valorile mai
ridicate corespund sorturilor cu continut mai bogat in metale alcaline). Aceasta
marime prezinta interes deosebit atunci cand un aparat lucreaza la variatii mari de
temperatura, precum si in cazul lipirii componentelor optice. Pentru lipire se admite o

variatie a coeficientilor de dilatare Δɑ=7.10-7 oC-1.

            Conductivitatea termica λt reprezinta capacitatea sticlei de a conduce caldura

si se defineste prin cantitatea de caldura (exprimata in kcal sau J) care traverseaza o
suprafata de 1mp pe unitatea de timp (ora sau secunda), la un gradient de temperatura
care initiaza transferul termic egal cu 1o/m.

            Conductivitatea termica depinde de temperatura. Cataloagele contin valori de

referinta ale parametrului pentru patru temperaturi: - 50oC, 0oC,20oC, 50oC.

            La temperatura standard, conductivitatea termica este de

ordinul λ20=(0.5348…1.1045)J/msoC, majoritatea valorilor fiind grupate in intervalul
(0.58…0.93) J/msoC.

            Caldura specifica a sticlelor optice este cvasiconstanta pentru majoritatea

sorturilor si are valoarea c=920 J/kgK.

1.1.5. Proprietati mecanice ale sticlei optice

            Cunoasterea proprietatilor mecanice ale sticlei este importanta atat in procesul

de prelucrare cat si pentru montarea componentelor optice.

            Masa specifica, ρ, este indicata in cataloage pentru conditii standard si are

valori in intervalul (2.27…6.97) g/cmc. Acest parametru depinde nu numai de
compozitia chimica ci si de temperatura de formare a semifabricatului.
            Modulul de elasticitate, E, caracterizeaza proprietatile elastice ale sticlei.
Relatia de dependenta intre modulul de elasticiate longitudinal, E, modulul de
elasticitate transversal, G si coeficientul Poisson este de forma:

             .

            Pentru majoritatea sticlelor optice E are valori in intervalul (5.4…

8.34).104 N/mm2.

            Se defineste duritatea la slefuire, HS si duritatea la zgariere masurata in

unitati Martens (32.5…80.5).

            Coeficientul tensiunii optice reprezinta un factor de proportionalitate intre

tensiunile pe directiile diferite determinate de birefringenta si diferenta indicilor de
refractie pe aceste directii:

             ,

Δn este diferenta indicilor de refractie pe doua directii 1 si 2

            δ - diferenta de drum optic, in nm, care apare la trecerea luminii polarizate
printr-un esantion tensionat

            B – coeficientul optic al tensiunii materialului

            σ1, 2 – tensiunile normale corespunzatoare directiilor 1 si 2

            s – grosimea esantionului.

            Coeficientul optic al tensiunii este indicat in cataloage pentru lungimea de

unda de 550nm in conditii standard. B are valori uzuale in domeniul (0.58…3.90)
(nm/cm)/(daN/cm2).
            Unele sorturi de sticla, cum ar fi STF3 si STF11 au valori B negative ( -1.35,
respectiv – 2.30).

            Coeficientul B are valoarea unitara atunci cand o tensiune de

1daN/cm2 determina o birefringenta de 1nm/cm.

            Vascozitatea este definita ca raport dintre tensiunea de forfecare din sticla in

stare fluida si gradientul de viteza normal pe directia de curgere a acesteia.
Vascozitatea sticlelor optice, masurata in Poise, este de 107.6 la temperatura de
inmuiere, de 1013 la temperatura de formare si de 1014.5 la temperatura de deformare.

1.1.6. Aprecierea calitatii sticlei optice

            Alegerea adecvata a sortului de sticla optica si a calitatii acesteia in acord cu

cerintele functionale impuse fiecarei componente optice reprezinta o preocupare de

baza a proiectantilor de aparate optice.

            Calitatea sticlei optice este apreciata pe baza unor parametri standardizati ale
caror valori definesc categorii sau clase de calitate. Aceasta este controlata prin
urmatorii parametri:

            - abaterea admisa la indicele de refractie de referinta, ne (sau nd) si dispersia

medie, Δ(nF’-nC’) (sau Δ(nF-nC)). Proiectantul prescrie categoria sau direct valoarea
parametrilor, conform tabelului 1. Variatiile mari ale caracteristicilor optice ale
sticlei conduc la cresterea aberatiilor geometrice, respectiv cromatice si diminueaza
calitatea imaginii.

                                                                                                            Tabelul 1

Categoria 0 1 2 3 4
Δnd ±3.10-4 ±5.10-4 ±7.10-4 ±10.10-4 ±20.10-4
Δ(nF-nC) ±3.10-5 ±5.10-5 ±7.10-5 ±10.10-5 ±20.10-5
        
 omogenitatea (definita pe cinci categorii, conform tabelului.2).
Omogenitatea optica se apreciaza prin raportul φ/φo, dintre unghiul teoretic
 de separare al aparatului de control si unghiul limita de separare prin
semifabricatul de sticla.

Tabelul 2

Categoria 1 2 3 4 5
Raportul maxim φ/φo 1 1 1.1 1.2 1.5
-           birefringenta (apreciata prin sase categorii, asa cum rezulta din tabelul
3). Se masoara ca diferenta de drum intre raza ordinara si extraordinara pe 1
cm de parcurs prin sticla.

                                                                                                           Tabelul 4.3

Categoria 1 1a 2 3 4 5
Diferenta maxima
2 6 6 10 20 50
de drum [nm/cm]
      
  - absorbtia (apreciata prin sapte categorii, conform tabelului 4), prin

coeficientul de absorbtie ɑ.

                                                                                                              Tabelul 4

Categori 000 00 0 1 2 3 4
a
ɑ [%] 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.5 3.0

-          striurile (sau incluziunile filiforme), care au diametrul de ordinul

zecimilor de milimetru si se incadreaza in doua clase dupa cum examinarea
semifabricatului se face dupa doua directii perpendiculare (clasa A) sau
dupa o singura directie (clasa B).
-          bulele (impatite in 11 categorii si sase clase, detaliate in tabelele 5 si 6).

                                                                                                             Tabelul .5
 Clasa 1 1a 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Diametrul
celei mai mari nu se 0.
buledin 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
admit 7
semifabricat
[mm]

                                                                                                            Tabelul 4.6

Clasa A B C D E F
Nr. mediu de bule cu
diametrul mai mare de 10 30 100 300 1000 3000
0.03mm intr-un kg de sticla

            Defectele de material se admit la valorile prevazute in categoriile medii

pentru componente care nu se afla intr-un plan imagine. Pentru piese aflate intr-un
plan imagine (reticule, scari gradate) prezenta bulelor si a striurilor nu este permisa.

1.1.7. Materii prime pentru sticla optică

         Baza dezvoltarii industriei sticlei o constituie materiile prime, care reprezinta o

gama relativ larga, incepand cu nisipul, soda, calcarul , dolomita si terminand ci
oxizii coloranti si alte materii prime folosite ca adaos.

   Materiile prime pot intra in compozitia sticlei in intregime, cum este cazul nisipului
si a altor oxizi sau partial, cum este cazul carbonatilor, sulfatilor, azotatilor, care in
procesul de topire se descompun ramanand in sticla numai oxizii respectivi.

         Proportiile in care materiile prime intra in amestec sunt bine determinate si

calculate in functie de compozitia oxidica dorita sau necesara pentru sticla. De
asemenea  adaosul unor componenti noi la materiile prime, chiar in cantitati foarte
mici, schimba compozitia si mai ales proprietatile sticlei.

         Materiile prime se pot clasifica in functie de rolul detinut in procesul de topire

ca materii prime de baza si materii prime ajutatoare.
         Materiile prime de baza contin oxizii principali si contribuie cu o pondere mare
la formarea sticlei de o anumita compozitie si cu propritati fundamentale bine
determinate. Din aceasta clasa fac parte:

Vitrifiantii, prin care se inteleg materiile prime care prin structura, ponderea si
compozitia lor chimica se transforma prin topire in materiale vitroase. Acestia
sunt: SiO2, B2O3, P2O5, si mai rar Al2O3, Ge2O3, V2O5, As2O3.

 Fondantii, care au rolul de a cobori temperatura de formare a sticlei si din care

fac parte Na2O, K2O introdusi ca soda, sulfat de sodiu si respectiv carbonat de
potasiu.

Stabilizantii, sunt materiile prime care prin aportul lor in oxizi stabilizeaza
sticlele, dandu-le o rezistenta chimica, fizica si mecanica mai mare. Dintre
acestia fac parte CaO, MgO, Al2O3 introdusi prin calcar, dolomita, feldspat.

Materiile prime ajutatoare se introduc in sticla, in general, in cantitati mici si

foarte mici, dar influenteaza in mod sensibil procesul de topire si mai ales
proprietatile sticlei. Din aceasta grupa fac parte acceleratorii de topire, afanatii,
colorantii si decolorantii, opacizantii, oxidantii si reducatorii.

Materiile prime se mai pot calsifica dupa provenienta in:

  Materii prime naturale, ce se gasesc in natura in forma in care pot fi utilizate

direct in procesul de fabricatie sau in urma unor prelucrari. De ex.: nisipul, calcarul,
dolomita, feldspatul, alabastrul etc.

Materii prime artificiale, care se obtin in cadrul unor ramuri de productie

specializat, prin tehnologii complexe, plecandu-se de la alte materii prime. Din
aceasta grupa fac parte: Na2CO3, K2CO3, BaCO3, Na2SO4 etc.

Vitrifiantii sunt materiile prime care prin topire, urmata de solidificare, se

transforma intr-o masa vitroasa. Principalii vitrifianti in sticle sunt: SiO2, B2O3, P2O5.

- Bioxidul de siliciu
 Bioxidul de siliciu, componenetul principal al sticlelor industriale este foarte
raspandit in natura, intrand in componenta celor mai diferite roci si minerale. In stare
pura se gaseste cel mai adesea sub forma de cuart si anume: cristal de stanca, cuartit
si nisip cuartos. In ordinea enumerarii scade puritatea si creste marimea zacamintelor.
Din aceasta cauza, cristalul de stanca este o materie prima scumpa, folosindu-se
numai pentru sorturi cu totul speciale de sticla, cum este sticla transparenta de
cuart.Bioxidul de siliciu prezinta mai multe stari polimorfe, transformarile polimorfe
au loc dupa cum urmeaza:

-cuart 575  α-cuart870   α-tridimit 1470  α-cristobalit 1713  

lichid

Cea mai utilizata materie prima prin care se introduce bioxidul de siliciu in
sticla este nisipul cuartos. Calitatea nisipului cuartos este caracterizata in principal
prin 2 parametrii: compozitia sa chimica si compozitia granulometrica.Din punct de
vedere chimic, nisipul folosit pentru fabricarea sticlei trebuie sa fie omogen, cu un
continut de peste 97%SiO2 si impuritati cat mai putine.

Un component principal al fractiuni usoare este curtul ,care poate  atinge si

99%.Nisipurile cu peste 98% SiO sunt considerate de calitate superioara.

In nisip pot sa existe si cantitati variabile de substante organice: resturi de

vegetale, acizi humici,etc care in general nu dauneaza asupra calitatii sticlei, dar in
cantitate prea ridicata pot creea, la topire, un mediu reducator in anumite cazuri.

Pentru fabricarea sticlei prezinta interes la fel de mare si granulometria nisipului

cuartos fiind importanta atat dimensiunea particulelor cat si compozitia
granulometrica, adica proportia in nisip a granulelor de diferite dimensiuni. In ce
priveste dimensiunea granulelor de nisip nu este valabila regula generala conform
careia un component cu cat este mai fin cu atat este mai potrivit pentru accelerarea
reactia acestuia cu alti componenti Topiturile din sticla sunt formate din tetraedrii de
(SiO4) in care ionul de Si4+ este inconjurat de 4 ioni de O2-. Datorita proprietatilor pe
care le au teraedrii de (SiO4) de a se lega intre ei prin ioni de oxigen prin varfuri si
datorita legaturilor Si – O – Si  foarte puternice, chiar la temperaturi inalte, topiturile
de sticla sunt foarte vascoase. Astfel, in cazul in care se introduce in cuptor un
amestec preparat cu nisip fin (sub 0.05 mm) reactiile intre acesta si soda vor fii foarte
rapide la suprafata gramezilor de amestec si se va forma un strat de sticla care va
ingreuna degajarea gazelor formate ulterior in interiorul acestor gramezi si a cantitatii
mari de aer introdus cu nisipul fin. Toate acestea vor duce in cele din urma la
scaderea vitezei de obtinere a sticlei.

In afara de marimea granulelor, pentru industria sticlei are importanta si forma

acestora. Forma granulelor determina suprafata lor exterioara si din acest punct de
vedere sunt considerate mai bune nisipurile cu granule de forme neregulate,
cuartoase, care avand o suprafata de contact mai mare asigura o viteza mai mare a
reactiilor de formare a sticlei.

Fondantii Principalii fondanti utilizati in industria sticlei sunt Na2O si K2O. in

masura mult mai redusa si numai pentru sticle cu proprietati speciale se
intrebuinteaza Li2O. Acesti oxizi ai metalelor alcaline joaca un rol important in
elaborarea sticlei deoarece formeaza impreuna cu oxizii vitrifianti eutectice cu
temperaturi de topire coborate, care inlesnesc reactiile si accelereaza inglobarea
generala a SiO2 si a celorlalti oxizi acizi.

- Oxidul de potasiu

Pentru introducerea K2O in sticla se foloseste carbonatul de potasiu, sulfatul de

potasiu sau mai rar alti compusi. Carbonatul de potasiu este un produs al industriei
chimice anorganice obtinut prin procedeul Solvay. In industria sticlei se foloseste
numai carbonat de potasiu mai rar azotatul de potasiu pentru sticle cu proprietati
optice deosebite. Potasiul este mai putin raspandit in natura si de aceea

Formatorii si modificatori Trioxidul de aluminiu are un caracter intermediar

(amfoter), in unele sticle mai bazice , avand NC=4 si deci rol de formator. In sticle
acide NC=6 si functioneaza ca modificator. Drept materie prima se poate folosi Al O

 fabricat industrial ,de puritate corespunzatoare, dar avand un cost ridicat.

        Al O  in stare pura se topeste la 2050 C.Intra in compozitia sticlelor in

proportie 2-3%dar in unele sticle poate depasi 12%.

Materii prime auxiliare In categoria materiilor prime auxiliare sunt cuprinse un

numar mare de substante ce se introduc in sticla in cantitati mici sau foarte mici si
care nu sunt necesare pentru definitivarea structurii sticlei. Prezenta acestor
substante influenteaza in special modul cum decurg diferite faze ale procesului de
topire sau confera sticlei anumite propritati particulare.

AfinantiiAu rolul de a inlesni limpezirea sticlei topite, prin degajarea unei cantitati
de gaze ce mareste dimensiunile bulelor existente in sticla si accelereaza astfel
ridicarea lor spre suprafata .Un efect asemanator se obtine prin reducerea vascozitatii

si tensiunii superficiale a sticlei topite . O utilizare larga o are amestecul se As O  si

NaNO , dar se folosesc adesea si sulfatul de sodiu, sulfatul de calciu, etc.

Acceleratorii de topireAcceleratorii se folosesc pentru a intensifica procesele de

topire ce au loc la elaborarea sticlei. Aceasta actiune se datoreste urmatoarelor cauze:

-     Formarea unor eutectice usor fuzibile cu unii din componentii amestecului

care la temperatura de topire intensifica dizolvarea silicei in masa de topitura.
In aceste conditii interactiunea componentilor este mult marita iar timpi de
topire sunt redusi.

-    Micsorarea vascozitatii si a tensiunii superficiale ceea ce contribuie la usurarea

afanarii si a omogenizarii sticlei topite. In acest fel se realizeaza intr-un timp
mai redus conditiile necesare pentru prelucrarea sticlei.

Prin utilizarea acceleratorilor se realizeaza indici de topire mai buni, creste

randamentul cuptoarelor iar consumul de combustibil se reduce.
 Se mentioneaza ca si B O  in proportie de 0.5-1.5%,introdus in locul SiO2

 are efect accelerator,putand mari productia cuptorului cu 15-20%.

Coloranti sunt substante ce se introduc in amestecul de materii prime pentru a da

sticlei o anumita culoare sau nuanta de culoare. Prezenta acestor compusi determina
o absorbtie selectiva pentru anumite domenii ale spectrului, fapt ce explica aparitia
culorii in sticla.

Decolorantiau rolul de a elimina culoarea imprimata sticlei de cantitatile mici de

oxizi de fier, prezenti intotdeauna in amestecul de materii prime . Acest rezultat se
poate obtine pe 2 cai:

     Oxidarea oxidului feros la oxid feric, care are o actiune coloranta mai slaba. Aceasta
este asa denumita decolorare chimica. Drept decoloranti chimici se utilizeaza diferite
substante care, in sticla, la temperaturi inalte au o actiune oxidanta cum ar fi : sulfatul
de sodiu si amestecul de oxid de arsen si azotat de sodiu.

 Prin compensarea culorii imprimate de oxizii de fier cu culorile complementare date de

alte substante, adica prin decolorare fizica drept decoloranti fizici se utilizeaza
substante ce imprima sticlei portocalii , rosii sau violete care reprezinta culorile
complementare ale nuantelor galbene, verzi, albastre imprimate de oxizii de fier in
functie de compozitia sticlei si conditiile topirii.

Opacizantiisunt acei componenti care introdusi in sticla produc, in conditii de

temperatura si de compozitie bine determinate, numeroase cristale submicroscopice
raspandite uniform in masa de sticla si care pot reduce transparenta partial sau total.
In acest scop se utilizeaza compusii cu fluor si cu fosfor care avand o mare viteza de
nucleatie se separa in sticla sub forma de microcristale de culoare alba ,dand un
aspect laptos.

Oxidantii Se introduc in amestecul de materii prime ,atunci cand este necesara

crearea unui  mediu oxidant  in sticla topita. Dupa cum s-a aratat mai
 sus ,substantele utilizate ca afananti si decoloranti au in general o actiune
oxidanta.

ReducatoriiServesc la crearea in masa de sticla topita a unui mediu reducator,

necesar de exemplu la utilizarea sulfatului de sodiu ca inlocuitor partial al
carbonatului de sodiu sau la obtinerea sticlei termoabsorbante, cand Fe2O3 trebuie
redus la FeO. In acest scop se utilizeaza carbunele, unele substante organice si unele
metale sub forma de pulbere acestea, evident, mai putin pe scara industriala.

Materii prime complexe.Numeroase materii prime contin doi sau mai multi oxizi
utili. Drept materii prime complexe se folosesc feldspatul, dolomita, caolinul,
boraxul, roci naturale, roci vulcanice, precum si unele produse secundare si deseuri
industriale cum ar fi cioburile de sticla.

Cioburile de sticlaconstituie un component important in amestecul de materii

prime, in care intra in proportie de 15 – 30% fata de total sarja incarcata in cuptor.
Folosirea lor este justificata atat de utilizarea deseurilor cat si pentru avantajele
tehnologice pe care acestea le reprezinta. Cioburile necesita caldura numai pentru
inmuiere nu si pentru reactiile de formare, astfel ca, ajungand mai repede in stare
fluida, favorizeaza procesul de topire, reducandu-se si consumul de combustibil.

Se pot utiliza atat cioburile rezultate din procesul tehnologic propriu cat si cele
colectate de la consumatori. Inainte de utilizare cioburile trebuie sortate, curatite de
impuritatile solide si uneori spalate.Folosirea cioburilor in proportii mai mari decat
cantitatile optime stabilite pentru  fiecare sticla are urmari negative asupra calitatii
masei de sticla topita,

1.1.8 Metoda exacta de calcul a conținutului de materiale

       Sa se determine amestecul de materii prime pentru o sticla cu urmatoarea

compozitei oxidica:

Cuarț SiO2 53.30%,

Acid boric H2BO3 16.20%,
Alumina calcinată Al2O 8.8%,
Oxid de arsen As2O3 0,2%
Carbonat de potasiu K2O 16,30%
fluoruri F 5,30%

Observatie: unele se găsesc în natură sub formă de minereu cu procente diferite ,

altele sub formă pură 100%, în tabelul de mai jos sunt date procentele:

Mat. SIO2 B2O3 Al2O3 As2O3 K2O F Pierderi

prima calcinare

Cuart 99% - 0,8% - - - 0,2%

H2BO3 - 56,4 - - - - 43,5
Alumin - - 100 - - - -
a
As2O3 - - - 100 - - -
K2CO3 - - 55,5% - 44,4
fluoruri - - - - - 100%

Se scrie sistemul de ecuatii pentru fiecare component al sticlei:

x =53,39 rezultă x=53,83kg cuarț

y = 16,20 rezultă y= 28,72 kg H2BO3

x +z = 8,8 rezultă z=8,37 kg alumină

t =0,2 rezulta t=0,2 kg As2O3

v =16,30 rezultă v= 29,36 kg K2CO3

w =5,3 rezultă w=5,3 kg floruri

Total:    x+y+z+t+v+w=125.78(amestec de materiale)

Aplicație:

TEMA a 2-a pentru lucru

 a =42.79% (cuart)

  b=22.83%(acid boric)

  c=6.65%(alumina)

  d=0.15% (As O )

  e=23.34%(carbonat de potasiu)

  f=4.2%    (floruri)

Pentru industria sticlei, in functie de natura si de cantitatea lor, materiile prime

pot fi livrate in vrac (nisipul, calcarul, dolomita) sau in ambalaje (soda, feldspatul,
colorantii).

In cazul fabricari sticlei optice fiind nevoie de cantitatii mici de material transportul
materilor se face in ambalaje.

Calculul bilantului de materiale

Productivitatea =57.08kg/h, materiale amestec

Depozitare
57.08kg/h

P1=0,577 kg/h
 Ambalare
57.657kg/h

1.Ambalare
O=57.08kg/h material iesit                                                    
                N=O+0.001N=57.657kg/h material intrat 
                P1=1%=0.577kg/h pierderi la ambalare   

Ambalare
57.657kg/h

P2=1.173kg/h

Sortarea   
58.83kg/h

2.Sortarea    
        N=57.657kg/h material iesit 
        M=N+0.05M=58.83kg/h material intrat
        P2=2%=0.05M=0.02.58.83=1.173kg/h pierderi la sortare

Sortarea   
58.83kg/h  

P3=0.59 kg/h

Finisare
59.42 kg/h  

  3.Finisare        
        M=58.83 Kg/h material iesit
      L=M+0.01L=59.42 kg/h material intrat
       P3=1%=0.01∙59.42=0.59 kg/h pierderi la finisare

Finisare
59.42 kg/h  
 P4=0.6 kg/h

Decalotare  
60.02 kg/h

    4. Decalotare   
        L=59.42 kg/h material iesit
         K=L+0.01K=60.02 kg/h material intrat
         P4=1%=0.01∙60.02=0.6 kg/h pierderi la decalotare
 5 Recoacere.
          K=60.02kg/h material iesit
          J=K+0.02J=61.245 kg/h material intrat
           P5=2%=0.02∙61.245=1.225kg/h pierderi la recoacere

Decalotare  
60.02 kg/h

P5= 1.225kg/h

Recoacere
61.245 kg/h

  6. Fasonare         
          J=61.245 kg/h material iesit
          I=J+0.5I=64.468 kg/h material intrat la fasonare
          P6=5%=0.5∙64.568=3.223 kg/h pierderi la fasonare

Recoacere
61.245 kg/h

P6=3.223 kg/h

Fasonare 
64.468 kg/h

   7. Calculul ciobului

        X=P1+P2+P3+P4+P5+P6=0.577+1.173+0.59+0.6+1.225+3.223

Cioburi
7.388 kg/h

 8. Topire
          I=64.468 kg/h material iesit
          I= O+P7+PC
          O=I+P7+PC=86.698 kg/h material intrat
        *  Pierderi la calcinare:
125.78 Kg amestec ………..100%
25.78 Kg amestec………….PC
 PC=20.476%
*P7=1.734Kg/h
*PTOPIRE=p7+PC =1.734+20.496 Kg/h

Fasonare 
64,468 kg/h

P8=22,130kg/h

Topire
86.698 kg/h

     9.Amestecarea  
         O=86.698 kg/h material iesit
          W=O+0.1W=87.574 kg/h
P8=0.876Kg/h
Topire
86.698 kg/h

P8=0.876Kg/h

Amestecarea
87.574 kg/h

Amestec.dozare=W-cioburi=87.574-7.388=80.186 kg/h

     

Cuarț SiO2 42,79% 34,312kg/h

Acid boric H2BO3 22,83% 18,306 kg/h
Alumina calcinată Al2O 6,65% 5.330 kg/h
Oxid de arsen As2O3 0,15% 0,120 kg/h
Carbonat de potasiu K2O 23,34% 18,715 kg/h
fluoruri F 4,2% 3,369 kg/h
cioburi - - 7,388kg/h
Amestec - 100% 80,186 kg/h
Nisip (cuarț)
a.      Dozare
                        H =34.312 kg /h material iesit
                        G =H +0.01G =34.4844 kg/h material intrat
                        P9=0.5%=0.1724 kg/h pierderi la dozare
b.     Insilozare
          G =34.4844 kg/h material iesit
          F  =34.833 kg/h   material intrat   
P19=0.01.34.833=0.3486   pierderi la insilozare     
c.      Deferizare
          F  =34.833 kg/h  material iesit
          E  = F +0.001E =35.1849 kg/h material intrat
          P20=1%=0.3519 kg/h  pierderi la deferizare
d.     Cernere
                     E =35.1849 kg/h material iesit
                     D  = E1=35.1849 kg/h material intrat
                  
e.      Uscare
            D  =35.1849 kg/h material iesit
            C  = D +0.005C  =35.3617 kg/h material intrat
             P27=0.1768 kg/h pierderi la uscare
f.      Depozitare
                      C   =35.3617 kg/h material iesit
                       B   =C  +0.005B  =35.5394 kg/h cantitatea de nisip necasarǎ
                       P21 =0.1777 kg/h  pierderi la depozitare
 Carbonat de potasiu (K CO )
a.    Dozare
         H5=18.715 kg/h material iesit
            G5=H5+0.005 G5=18.809 kg/h material intrat
           P10=0.5%=0.094 kg/h pierderi la dozare
b.       Depozitare
                     G5=0.373 kg/h material iesit
                     B5= G5+0.005B5=18.904 kg/h cantiatea necesara
                     P25=0.5% =0.094kg/h pierderi la depozitare
   H BO
a.          Dozare
                   H =18.306 kg /h ( H BO ) material iesit
                  G =H +0.005 G =18.398 kg/h material intrat
                   P =0.5%=0.0921 kg/h pierderi la dozare
b.          Depozitare
           G =18.809 kg/h material iesit
           B = G ++0.005B = 18.904 cantitatea necesara

 P =0.092 kg/h pierderi la depozitare

Alumina
a.            Dozare 
H2 =5.3 kg /h  material iesit
                     G2=H2+0.005 G2=5.3266 kg/h material intrat
                      P12=0.5%=0.0268 kg/h pierderi la dozare
b.           Depozitare
G2=5.3266 kg/h material  iesit
            B2= G2+0.005B2= 5.3534 kg/h  cantitatea necesara
            P22 =0.5%=0.0266 kg/h pierderi la depozitare
CaF
a.              Dozare
H6=3.369 kg /h  (CaF ) material iesit
                      G6=H6+0.005 G6=3.3859 kg/h material intrat
                      P13=0.5%=0.0169 kg/h pierderi la dozare
b.             Depozitare
G6=3.3859 kg/h material iesit
             B6= G6+0.005B6=3.386 kg/h cantiatea necesara
             P26=0.5%=0.017 kg/h pierderi la depozitare
As O
a.         Dozare        
                          H4=0.120 kg /h (As O  ) material iesit
                          G4=H4+0.005 G4=0.1206 kg/h material intrat
                           P14=0.5%=0.0006 kg/h pierderi la dozare
b.          Depozitare
            G4 =0.1206 kg/h material iesit  

                             B4= G4+0.005B4=0.1212 kg/h cantitatea necasara

                             P24=0.00002 kg/h pierderi la depozitare

Ciob
a.          Dozare
                         H=7.388 kg /h  (ciob) material iesit
                         G=H+0.005 G=7.425 kg/h material intrat
                         P15=0.5%=0.037 kg/h pierderi la dozare
b.          Insilozare
             F=7.5 kg material intrat
             G=7.425 kg material iesit
             P16=1%=0.075
c.          Concasare
F=7.5 kg/h material iesit
           D = E+0.01 D=7.576 kg/h material intrat
           P17=1%=0.076 kg/h pierderi la concasare
d.          Depozitare
           D=7.756 kg/h materil iesit
           B= D+0.005B=7.614 kg/h cantitaea necasara
           P18=0.038 kg/h pierderi la depozitare

                

Nr.crt Operatia Intrat Iesit Pierderi

% Kg/h
kg/h kg/h
Cuart
1 Depozitare 35.5394 35.3617 0.5 0.1777

2 Uscare 35.3617 35.1849 0.5 0.1768

3 Cernere 35.1849 35.1849 0 0

4 Deferizare 35.1849 34.833 1 0.3519

5 Insiloazare 34.833 34.4844 1 0.3486

6 Dozare 34.4844 34.312 0.5 0.1724

 K CO
1 Depozitare 18.904 18.809 0.5 0.095

    2 Dozare 18.809 18.715 0.5 0.094

H BO
   1 Depozitare 18.490 18.398 0.5 0.092

   2 Dozare 18.398 18.306 0.5 0.092

Alumina
1 5.3534 5.3266 0.5 0.0266

   2 Dozare 5.3266 5.3 0.5 0.0268

CaF
1 Depozitare 3.386 3.3859 0.5 0.017

   2 Dozare 3.3859 3.369 0.5 0.0169

Ciob

1 Depozitare 7.614 7.756 0.5 0.038

2 Concasare 7.576 7.5 1 0.076

3 Insilozare 7.5 7.425 1 0.075
4 Dozare 7.425 7.388 0.5 0.037

As2O3

1 Depozitare 0.1212 0.1206 0.5 0.0006

2 Dozare 0.1206 0.120 0.5 0.0006

1.2. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

 Materialele semiconductoare se caracterizează prin conductibilităţi electrice
cuprinse între limitele: 10-8 și 105 [S/m] la temperatura mediului ambiant. Materialele
semiconductoare elementare sunt: carbon, siliciu, germaniu, staniu, bor, fosfor, arsen,
stibiu, sulf, seleniu, telur şi iod, iar cele compuse sunt de ordinul sutelor, cele mai
frecvent utilizate fiind: galiu-arsen, solide de indiu – arsen. Din punct de vedere al
legăturilor interatomice (vezi anexa 3.3), semiconductorii se pot clasifica în: -
semiconductori cu legătura covalentă, direcţională, realizată prin asocierea a doi
electroni cu spini antiparaleli proveniţi de la 2 atomi învecinaţi, cum sunt: Si, Ge, Sn,
S, Se şi Te; - semiconductori cu legătura hibridă, cum sunt: soluţiile solide ale
indiului cu arsen şi GaAs. Cu cât gradul de ionicitate – subunitar – este mai ridicat,
cu atât legătura are un caracter ionic mai pronunţată, iar materialul are o comportare
dielectrică, mai pronunţată.

1.2.2. Procedee de obţinere şi purificare a materialelor

semiconductoare
Pentru obţinerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizează procedee
de creştere din topitură în incinte închise. Incintele închise sunt utilizate pentru
creşterea monocristalelor de dimensiuni mari, evitându-se astfel impurificarea
accidentală. Incintele deschise sunt utilizate pentru obţinerea monocristalelor de
dimensiuni relativ reduse, transportul de substanţă efectuându-se prin intermediul
unui gaz. În fig.1 este reprezentată o instalaţie de creştere a monocristalelor din
topitură în atmosferă reducătoare de hidrogen, după metoda Csochralsky. Procesul
este iniţiat cu ajutorul unui germene monocristalin, care se coboară în topitură, se
topeşte parţial şi se extrage apoi treptat din topitură cu viteze cuprinse între
1-2mm/min. Procedeul se bazează pe existenţa unui gradient de temperatură şi pe
migrarea moleculelor din starea lichidă către cristal, datorită răcirii, entropia fiind
mai ridicată în cristal. Semiconductorul topit cristalizează pe germene şi repetă
structura acestuia, obţinându-se în final o bară monocristalină ce are structura
cristalină identică cu structura germenului. Metoda de creştere epitaxială a
materialelor semiconductoare presupune existenţa unui substrat suport monocristalin,
tăiat după un plan cristalografic prestabilit. Transportul de substanţă are loc din faza
gazoasă, lichidă, sau solidă – prin evaporare. Gradul de puritate şi de uniformitate a
stratului depus epitaxial, este mai ridicat decât al suportului. Prin această metoda pot
fi crescute şi straturi cu compoziţie chimică diferită de cea a substratului, cu condiţia
ca structuira stratului depus să aibă o constantă a reţelei care să difere cu cel mult 1%
faţă de constanta reţelei substratului suport – pentru ca să nu inducă anizotropie prin
tensiune, perpendiculară pe suprafaţa de creştere a monocristalului. Pentru obţinerea
unui grad ridicat de puritate a materialelor semiconductoare, sau concentraţii de
impurităţi cuprinse sub limitele 1010 ÷ 1012 cm-3, se utilizează metode fizice care se
bazează pe redistribuţia impurităţilor la suprafaţa de separaţie între faza lichidă şi
solidă.

1.2.3. Clasificarea si parametrii principali

ai materialelor semiconductoare
Tipuri de materiale semiconductoare
Substantele cu proprietati semiconductoare pot fi simple (sau substante elementare)
si substante compuse.

Materiale semiconductoare simple

Acestea sunt reprezentate de substante elementare care sunt in numar de 12
plasate in coloanele III-VII ale tabelului Mendeleev, asa cum se observa in
tabelul 6.1.

Tabeul 6.1 Substante elementare cu proprietati semiconductoare

III IV V VI VII
n=3 5 6
B C
10.8 12.0
n=4 14 15 16
Si P S
 28.1 31.0 32.1
n=5 32 33 34
Ge As Se
72.6 74.9 79.0
n=6 50 51 52 53
Sn Sb Te I
118. 121.8 127.6 126.9
7

Aceste materiale au legaturi preferential covalente ceea ce confera cristalului

rigiditate si duritate. Inaintand in tabel spre grupa aVII-a avem legaturi tot mai slabe.
De remarcat ca in aceasta categorie de materiale s-a impus siliciul, dar istoric vorbind
germaniul a fost utilizat in mai mare masura inaintea lui.

Materiale semiconductoare compuse

Ele se mai numesc si compusi semiconductori sau aliaje semiconductoare. Numarul

acestora este in continua crestere datorita diferitelor aplicatii pe care le au. Ele se
impart in mai multe categorii:
- compusi semiconductori binari, sunt realizati cu elemente din diferite coloane
ale tabelului Mendeleev, dar cel mai des intalnite sunt AIII-BV si AII-BVI.
- compusi binari din grupele III-V- printre cei mai important sunt:
- GaAs care are o structura cristalina cubica, a carui banda interzisa este de
ordinul Wi ≈1.35-1.4 eV.
Sensibilitatea optoelectrica are lungimea de unda λi≈0.92μm sau lungimea de
unda la emisie λemisie≈ 0.83-0.91μm.
Defectele intrinseci au o natura complicata si introduc urmatoarele nivele , in
functie de elementul dopant: 0.14 eV sub Wc la dopare cu Sn, 0.17 eV deasupra
Wv la dopare cu Zn sau 0.02 eV sub Wc si un nivel neidentificat la dopare cu Si.
- InSb care are ca si GaAs o retea cubica cu fete centrate.
 - compusi binari din grupele II-IV - cei mai importanti sunt: CdS, ZnSe. Vom
aminti cateva lucruri legate de structura lor. Sulful interstitial are un rol
deosebit. Structura are o retea hexagonala si/sau cubica cu fete centrate.
Tabelul 6.2 Compusi semiconductori

Tip Substanta Reteaua Tip Substanta Reteaua

I-V Na3Sb Hexagonal IV-VI SnS, SnSe ortorombic
Cs3Sb,Li2Bi c.f.c PbS,PbSc, PbTe c.f.c.
LiAs monoclinic SnO2 cuart
I- βAg2S, V-VI As2Se3 amorf
VI βAg2Se, c.v.c As2Te3
βAg2Te ortorombic Sb2S3, Sb2,Se3 ortorombic
αAg2Te cubic Bi2Se3, Sb2Te3 rombic
Cu2O hexagonal Bi2Te3
Cu2S c.f.c
Cu2Se hexagonal
Cu2Te
I- AgBr I-IV- CuSi2P3 cuart
VII VI CuGe2P3
II- Mg2Si, Mg2Ge c.f.c I-III- AgInTe2
IV Mg2Sn c.f.c VI
II- Zn3P2, Zn3As2 cuart I-V- AgSbTe2,AgBiSe cubic
V Mg3P2, Mg3As2 c.v.c VI TlAsS2,Cu3AsS4
Mg3Sb2 hexagonal Cu3AsS3,CuAsS2
Cd3P2, Cd3As2
ZnSb, CdSb
CdAs ortorombic
II- ZnO, CdS, II-IV- CdSnAs2,ZnSbAs2 cuart
VI CdSe Hexagonal V CdGeAs2
ZnS, ZnSe, si/sau c.f.c ZnSnAs2
ZnTe,CdTe, MgGeP2
 Hg
Se, HgTe
II- CdFe c.f.c II-II- CdxHg1-xTe
VII VI
III- GaP, InP, c.f.c II-III- CdIn2Te4 cubic
V GaAs VI HgIn2Te4
InAs, AlSb, c.f.c
GaSb
InSb
III- InTe, TlSe Cuart III-V- In4SbTe2
VI GaSe Hexagonal VI
Ga2Te3, In2Te3
In2Se3 c.f.c
Tl2S rombic
IV- βSiC c.f.c IV- PbSiSe2
SiGe c.f.c IV-VI PbxSn1-xTe
IV
I-IV- CuPbAsS3
V-VI

c.f.c=cubic cu fete centrate

c.v.c= cubic cu volum centrat
- compusi ternari: se folosesc tot mai mult in diferite aplicatii. Daca se considera de
exemplu Hg1-xCdxTe cu x ≈ 0.2 sau Pb1-xSnxTe cu x ≈ 0.2 se observa proprietati optice
deosebite, ceea ce indreptateste utilizarea lor ca materiale fotosensibile.
Exista si compusi cuaternari si in tab.6.2 sunt prezentati cativa
.- compusi semiconductori oxidici se folosesc la realizareaamestecurilor pentru
termistoare. Dintre acestia amintim: TiO2, ZnO2, Cu2O, VO2, NiO etc.
1.2.4 Caracteristicile materialelor semiconductoare si determinarea lor

Este foarte clar ca din punct de vedere al destinatiei prezentului curs ne

intereseaza aspectele si comportamentul din punct devedere electric al
materialelor semiconductoare. Totusi din punct de vedere al tehnologiei de
obtinere a materialelor si din punct de vedere al procesului de fabricare al
dispozitivelor electronice care folosesc asemenea materiale intereseaza si alte
proprietati care vor fi analizate in continuare.
Proprietatile semiconductoarelor sunt descrise de anumiti parametrii ce vor fi
analizati in continuare..

Proprietati electrice

Sunt determinate de insasi microstructura materialului. Acestea sunt:

1. Latimea benzii interzise, ∆Wi, reprezinta distanta energetica intre nivelul
superior al benzii de valenta si nivelul inferior al benzii de conductie. De multe ori
vom folosi si notatia WG sau EG de la prescurtarile din limba engleza ale acestor
denumiri. Prin variatia temperaturii avem excitare termica a electronilor in mod
diferit. Astfel la cresterea temperaturii, prin excitare termica, electronii din BV
trec in BC. Odata cu aceste fenomene are loc si o variatie (micsorare) a latimii
benzii interzise. Se va defini deci un coeficient de temperatura al latimii benzii
interzise d∆Wi/dt care este negativ la siliciu si germaniu.
2. Conecntratia intrinseca, ni, reprezinta concentratia de electroni sau de
goluri la un semiconductor intrinsec (ni=n=p) sau radacina patrata a produsului

dintre concentratia de electroni si goluri la un semiconductor oarecare (ni= √ np ).

Aceasta este puternic dependenta de temperatura
3. Concentratia dislocatiilor adica concentratia de impuritati donoare, ND, la
semiconductorul de tip n sau concentratia de impuritati acceptoare, NA, la
semiconductorul de tip p. In practica se pot realiza masuratori ale densitatii
dislocatiilor: o metoda este de corodare prin care un anumit agent coroziv ataca
mai rapid locul deinteractie al liniilor de dislocatie cu suprafata cristalului. Apar
astfel cavitati care prin masurare vor da informatii asupra densitatii dislocatorilor.
4. Energia de activare a impuritatilor. Este vorba de nivelele energetice
introduse de impuritatile donoare in semiconductorul tip n, WD si nivelele
energetice introduse de impuritatile acceptoare in semiconductorul tip p, WA.
aceste nivele enrgetice mai poarta denumirea de energii de activare a impuritatilor
donoare , respectiv acceptoare. Cat priveste energia de activare a impuritatilor
putem spune ca ea reprezinta una dintre proprietatile electrice legate de ionizarea
la impact.
In cele ce urmeaza vom prezenta cateva proprietati de transport ale
materialelor semiconductoare.
5. Mobilitatea purtatorilor de sarcina, mobilitatea electronilor μn si
Mobilitatea golurilor μp, mobilitatea este raportul intre viteza de deplasare a
purtatorilor de sarcina datorata accelerarii cu un camp electric. Se masoara in
cm2/V∙s.
In practica se foloseste mobilitatea Hall μH=RHσ cu aceeasi unitate de masura.
Mobilitatea este puternic influentata de temperatura si de aceea se definesc
coeficientii de variatie cu temperatura dμ/dT (absolut)n[cm2/V∙s∙0C] sau dμ/μ dT
(relativ) [% / 0C].
Durata de viata a purtatorilor minoritari este intervalul de timp in care
concentratia purtatorilor excedentari (obtinuti printr-un proces de injectie0 scade
datorita proceselor de recombinare (legata de viteza de recombinare) pana la o
limita care corespunde atingerii regimului stationar (cand viteza de generare a
purtatorilor minoritari este egala cu viteza de recombinare). Se noteaza cu τn si τp
si se folosesc in definirea vitezelor de recombinare. In practica se mai noteaza cu
τon si τop si pentru acesta din urma putem spune mai simplu ca reprezinta timpul de
viata necesar pentru capturarea golurilor ca purtatori minoritari.
Pentru masurarea acestui parametru vom considera mobilitatea purtatorilor si
constanta de difuzie constante; vom considera un tip de injectie al unui exces de
purtatori. Functie de acesta injectie vom avea doua metode importante de masura.
 a. Metoda relaxarii fotoconductibilitatii realizeaza injectia de purtatori in
exces cu ajutorul unui impuls luminos. Sub influenta acestui impuls luminos se
genereaza purtatori de sarcina in exces. Prin recombinare acest exces scade
exponential. Aceste aspecte microstructurale se rasfrang la nivel macrostructural
in proprietatea de conductivitate a semiconductorului care initial (injectie) va
creste si apoi va scadea pe masura recombinarii purtatorilor excedentari. Se
constata o variatie de tensiune corespunzatoare:
∆U = ∆U0∙e-1/τ
masurată cu osciloscopul și din care se poate deduce τ.
b. Metoda modulatiei conductibilitatii-utilizeaza fenomenul modulatiei
conductibilitatii probei semiconductoare la introducerea unor purtatori minoritari
printr-un contact contact punctiform metal-semiconductor, cu ajutorul unui impuls
de curent electric (se poate si printr-o jonctiune). Important este ca perioada de
aplicare a impulsurilor sa fie mult mai mare decat durata de viata a purtatorilor
minoritari (in exces) pentru a da timp procesului de recombinare. In practica s-a
constat ca este suficient:
T≈(2-3)τ
Injectia, prin contactpunctiform sau jonctiune, purtatorilor minoritari duce la
cresterea conductibilitatii. Pe masura recombinarilor acesta va scadea ducand la
cresterea exponentiala a unei tensiuni masurabile. Curba exponentiala este si aici
cea care ne da informatii despre durata de viata a purtatorilor minoritari (in
exces).
7. Conductibilitatea electrica, este proprietatea caracterizata de parametrul σ
numit conductivitate electrica; este tot un parametru care exprima proprietati de
transport. Conductivitatea este inversul rezistivitatii electrice ρ. In cazul de fata
se impun doua determinari experimentale mai importante:
a. Determinarea tipului de conductivitate electrica prin care vom vedea daca
semiconductorul este de tip n sau p. In acest caz se utilizeaza in mod special doua
metode:
 - dupa semnul tensiunii termoelectromotoare; se considera o proba in forma de
placheta pe care se plaseaza doua sonde ca in figura 3 Una dintre sonde este
incalzita inductiv sau rezistiv cu 40o-50oC mai mult decat temperatura ambianta

μV
2-sonde
G

3-circuit de
incalzire

1-proba
semicondu
ctoare

Fig. 3. Schema pentru determinarea tipului de

conductivitate prin semnul tensiunii
termoelectromotoare

Intre cele doua puncte marcate de sonde se creeaza un termocuplu si deci apare
o tensiune termoelectromotoare deoarece purtatorii de sarcina din proba au o
energie cinetica mai mare in portiunea electrodului cald si atunci acesti purtatori
se vor deplasa spre electrodul mai rece.
Pentru semiconductorul de tip n (purtatori-electroni) electrodul cald va capata
potential pozitiv, iar pentru semiconductorul tip p (purtatori-goluri) electrodul
rece va capata potential pozitiv astfel ca in functie de tipul semiconductorului
rezulta o anumita polaritate intre electrozi.
- dupa forma caracteristicii curent-tensiune a unui contact punctiform; se
considera u n contact pe o proba ca in figura 4. Practic se formeaza o dioda cu
contact punctiform si se utilizeaza caracteristica statica a acesteia.
 2-sonda
Deflexie verticala

1-proba

Deflexie orizontala
R

g. 4. Montaj experimental pentru determinarea tipului de conductivitate dupa aliura curbei current-tensiune

În funcţie de tipul semiconductorului se va vedea zona polarizării directe sau

zona polarizării inverse.
b. Măsurarea rezistivităţii unui material semiconductor se face prin două
metode de notorietate:
- metoda celor două sonde; presupune plasarea a două sonde pe o probă (figura
5) prin care circulă un curent constant I. Ştiind distanţa la care se plasează sondele
(d) şi având

Fig 5 Metoda celor două sonde;

îndeplinite anumite condiţii se va măsura tensiunea între cele două puncte ale
sondelor pe material. Secţiunea folosită în relaţia de calcul este cea a probei pe
direcţia pe care se deplasează curentul I.
- metoda celor patru sonde; presupune plasarea plasarea coliniar a patru sonde
ca în figura 6. Această metodă nu necesită cunoaşterea secţiunii trensversale a probei
putând fi utilizate probe de orice formă care au o faţă sau o porţiune plană. Pe
suprafaţa plană a probei de plasează cele patru sonde aciculare colineare, formând
patru contacte punctiforme, aşezate la o anumită distanţă unele faţă de altele. Aceste
distanţe pot fi egale ca în figura 6 sau pot fi diferite caz foarte întâlnit în practică.
Prin sondele marginale 1 şi 4 numite sonde de curent se trece un curent electric
continuu de la o sursă stabilizată (E).

Fig 6 Metoda celor patru sonde;

Curentul reglat va fi relativ mic. Între sondele 2 şi 3 numite sonde de măsură
se măsoară diferenţa de potenţial cu ajutorul unui voltmetru de curent continuu. Se
găseşte o valoare a rezistivităţii funcţie de curentul injectat, de tensiunea măsurată şi
de distanţele dintre sonde.
În cazul celor două metode expuse mai sus se impune să specificăm faptul că
trebuiesc îndeplinite câteva condiţii legate de: contactele sondelor, presiunea lor,
valorile curenţilor injectaţi, planeitatea probelor şi dimensiunea probelor.
8. Coeficienţii de difuzie, care reprezintă raportul dintre fluxul particulelor şi
gradientul concentraţiei, luate în valori absolute. Aceşti coeficienţi sunt de fapt nişte
constante de material nedepinzând de mărimile precizate ci de raportul acestora. Atât
constanta de difuzie a electronilor Dn cât şi a golurilor Dp sunt dependente de
temperatură şi de mobilitate Odată cu noţiunea de constantă de difuzie putem
introduce şi noţiunea de lungime de difuzie Unităţile de măsură pentru ele sunt cm2/s.
De precizat că aceste constante sunt proprietăţi de transport.
9. Din punct de vedere al comportamentului în câmp electric sunt importanţi
doi parametrii: câmpul de străpungere şi constanta dielectrică εr care sunt de luat
în seamă atunci când materialul semiconductor este prezent în structuri asemănătoare
cu cele de condensator.
10. Masa efectivă a particulelor; se ştie că masa unui electron liber este m0 şi
ea ar fi putut fi considerată la proprietăţile atomice. În cristal, în prezenţa unui câmp
electric, experimental se determină o altă masă a electronului care în mod uzual se
numeşte masă efectivă, m*/m0 care poate fi prin apropierea valorii de 1 sau mai
departe de aceasta. De remarcat faptul că m* este invers invers proporţional cu
curbura unei benzi electronice având în vedere punctele de minim (vale). Se discută
atât de maa efectivă a electronilor cât şi cea a golurilor.
11. Parametrii de recombinare; a fost deja definit coeficientul de
recombinare electron-gol sau cum am denumit-o viteza de recombinare sau rata de
recombinare. În practică se mai utilizează şi coeficienţii de recombinare Auger, Cn şi
Cp pentru electroni şi goluri ca valori nete. De asemenea mai sunt definiţi şi
coeficienţii pentru recombinarea de suprafaţă. La proprietăţile optice vom vorbi şi
despre coeficientul de recombinare radiativă.
12. Constanta Hall; reprezintă o constantă de proporţionalitate în scrierea
relaţiei tensiunii care apare pe o direcţie atunci când pe o a doua direcţie circulă prin
material un curent iar pe o a treia direcţie (toate perpendiculare) se află un câmp,
magnetic (efectul Hall). Expresiile acestor relaţii vor fi discutate la prezentarea
efectului Hall. Constanta Hall, RH, se măsoară în cm3/C şi este dependentăde
concentraţia de purtători în material şi de temperatura materialului. Trebuie să
specificăm că în funcţie de constanta Hall se defineşte şi mobilitatea Hall µH=RH/σ a
purtătorilor.
13. Alte câteva constante de material vor fi definite odată cu prezenarea unor
efecte în materialele semiconductoare. Ele definesc, de altfel, proprietăţi de material
de legături: termoelectrice, coeficientul Seebeck, magnetoelectric, magnetorezistenţa,
etc.

2.3 Proprietăţi optice

1. Indicele de refracţie, n, definit de viteza luminii prin două medii diferite
(fig
sin α c
= vid =n
sin β c mediu
unde c reprezintă viteza luminii.

Fig 7Refracţia luminii la trecerea într-un mediu mai dens

2. Indicele de refracţie în infraroşu se referă la acelaşi lucru ca mai sus cu

observaţia că se lucrează cu unde electromagnetice din domeniul infraroşului.
3. Constanta de amortizare (constanta de absorbţie, indice de atenuare); toate
aceste denumiri sunt echivalente. Pentru studiu se porneşte de la ecuaţia de propagare
a undei planpolarizate de-a lungul unei axe y şi având direcţia x:
2 2
∂ E ∂ E σ ∂E
c 2⋅ 2 2x =ε⋅ 2 2x + ⋅ x
∂ z ∂ t ε 0 ∂t

unde ε este constanta dielectrică şi σ este conductivitatea.

Soluţia acestei ecuaţii este:

[
E x=E 0 exp iω(1−
zn
c
)
]
unde E0 este valoarea maximă a câmpului electric şi ω=2πν este frecvenţa unghiulară.
Diferenţiind relaţia (5.5) ţinând seama de timp şi de y obţinem:
 ¿
σ σ
n2 =ε− i=ε− i
ε0 ω 2 πε 0 ν
care poate fi scris ca:
¿
n =n1 −in 2

sau
¿
n =n−ik
¿
unde n este notat aici ca indice de refracţie complex care are partea reală n cu
semnificaţia de mai sus iar partea imaginară k numită coeficient de absorbţie sau
constanta de atenuare sau indice de atenuare.
Se mai constată că se pot scrie câteva relaţii:
E=n2 −k 2
σ =4 πε 0 nk ν
¿
n2 =n2 −k 2
E=E 1−E 2
¿
E1 =n2 −k 2
σ
E2 =2 nk=
2 πE0 υ

2
1
2 √
E 2= ( E 2 +(
σ
2 πE 0 υ
1
√
)2 + E)= ( E 2 + E 2 + E1 )
2 1 2

1
1
2 √
E 2 = ( E2 +(
σ
2 πE 0 υ
1
√
)2 −E )= ( E 2 + E 2−E 1 )
2 1 2

Revenind la expresia câmpului (2.5) având în vedere acum indicele de refracţie

complex obţinem:

[
E x=E 0 exp iω(1−
z(n−ik )
c
) ]
care poate fi rescrisexponenţial într-un material.

E x=E 0 exp −
[ ωk
c ] [ zn
z ⋅exp iω(t− )
c ]

amplitudine amortizată unda neamortizată

Graficul acestei funcţii se poate vedea în figura 9, amplitudinea descrescând
 Fig 8 Modulaţia undei de lumină în material

Descreşterea este în mod special mai puternică în metale şi mai puţin intensă în
materiale dielectrice cum ar fi sticla. În semiconductoare este la fel ca la metale.
4. Adâncimea de pătrundere şi absorbanţa; având în vedere că un câmp E
este greu de măsurat şi că intensotatea este mult mai uşor de măsurat în cazul
amortizat putem scrie:
2 ωk
I =E2 =I 0 exp(− z)
c
unde se poate defini W – adâncimea de pătrundere caracteristică ca fiind distanţa
(după z) la care intensitatea luminii care pătrunde în material descreşte cu I/e:
I I −1
= =e
IU c
ceea ce înseamnă
c c λ
z=W = = =
2 ωk 4 πυ k 4 πk
Valoarea inversă a lui W numită adesea atenuare sau absorbanţă va fi:
4 πk 2 πε 2 σ 2 ωk
α= = = =
λ λn nc ε 0 c

se măsoară în cm-1.
Să facem o remarcă în sensul deosebirii dintre constanta de amortizare (sau
constanta de absorbţie sau indice de atenuare) şi această constantă de atenuare α,
Prima este o constantă a materialului iar cea de-a doua este, după cum se observă din
relaţia dependentă de prima dar şi de lungimea de undă a radiaţiei folosite.
5. Reflectivitatea R şi transmitanţa T; considerând că asupra unui material
este plasată o undă incidentă de intensitate I0 atunci vom constata:
 -IR – intensitatea undei care se va reflecta (acveasta va reprezenta foarte mult
în unele cazuri, aproape 99%);
-IT – intensitatea undei transmise mai departe; aceasta va fi mare la unele
materiale (sticla) dar destul de mică la semiconductoare.
Se vor defini doi parametrii:
-R – reflectivitatea:
R=IR/I0
-T – transmisivitatea (transmitanţa):
T=IT/I0
Pentru o undă perpendiculară la izolatoare s-a constatat că:
(n−1)2
R=
(n+1)2
unde se vede că R depinde de indicele de refracţie. Ţinând cont de mărimile
complexe putem scrie:
¿
n−1 2
R=| ¿ |
n+1
sau în forma ecuaţiei Berr:
2 2
(n−ik−1)(n+ik−1) ( n−1 ) +k
R= =
(n−ik +1)(n+ik+1 ) (n+1 )2 +k 2
Acestă relaţie ne arată dependenţa reflexivităţii de constante legate de refracţie şi de
atenuare ale materialelor.
Aceeaşi relaţie o putem scrie şi funcție de constantele dielectrice ale materialului:

√ ε 12 +ε 22 + I − √2( √ ε 12+ε 22 )+ ε i
R=
√ ε1 2+ ε22 + I + √ 2( √ ε 12 +ε2 2 )+ ε i
sau funcţie de conductivitatea materialului:

R=1−4
√ υ
πε
σ0 0

numită şi relaţie Hagen-Rubens, care arată stări de bună reflectare la materiale cu

bună conductivitate electrică. Importantă este realizarea unei bune modulări a
reflectivităţii prin modularea conductivităţii uni material. Aplicaţiile sunt mai mult în
zona materialelor conductoare. În realitate dependenţa de frecvenţă este mai
complicată astfel încât există frecvenţe (în domeniul UV la metale) care facca
reflectivitatea să scadă foarte mult. Toate aceste proprietăţi expuse sunt legate de
cuantica vibraţiilor reţelei (fotoni).
6. Coeficientul de recombinare radiativă reprezintă viteza de recombinare
electron-gol, recombinare în urma căreia rezultă o radiaţie luminoasă.

4 Proprietăţi termice

1. Capacitatea calorică specifică, c, care reprezintă cantitatea de căldură

necesară pentru ca 1kg dintr-un material să se “încălzească” cu 1°C,
2. Capacitatea calorică molară, CV=crM
3. Conductivitatea termică, K, este o proprietate de transport care
cuantizează transferul energiei termice de la locul cald la locul rece. Acest parametru
este important din punct de vedere al transmisiei căldurii de la joncţiunile unde apar
surse calorice deosebite. Utilitatea este în modul de calcul la proiectarea tehnologică.
Proprietatea este o consecinţă a vibraţiilor reţelei cristaline pe care le vom trata la
subcapitolul următor unde dealtfel vom prezenata şi constata numită temperatura
Debye. Trebuie să menţionăm aici ca o observaţie că la metale există o relaţie de
interdependenţă între conductivitatea termică K şi conductivitatea electrică σ.
Aceasta este cunoscută sub numele de relaţia Wiedemann şi Franz.
2 2
K π KB
=L=
σT 3e
2

4. Temperatura de topireeste dată în tabele pentru fiecare semiconductor

5. Coeficientul de dilatare liniară, α.este dat în tabele

2.5 Proprietăţi mecanice, elastice şi de vibraţii

1. Densitatea materialului, adică masa unităţii de volum;

2. Duritatea, care poate fi exprimată în unităţi de diferite scări ale durităţii;
3. Planul de clivaj, exprimat în coordonate;
 4. Alungirea sau rezistenţa la întindere şi compresiune; există aici şi
coeficientul de alungire liniară;
5. Constantele elastice; deoarece aici este vorba de materiale anizotrope nu
putem vorbi de o constantă elastică ci de constante pe direcţii referenţiale;
6. Viteza undei acustice este importantă atunci când materialele sunt utilizate
la realizarea unor dispozitive speciale cu undă elastică
7. Frecvenţa fonică şi energia fotonului optic; cuanta de vibraţie a reţelei
cristaline a fost denumită conform modelului Einstein foton. Se poate vorbi şi de
undele fotonice deoarece ele se transmit în reţea de la o particulă la altaconsiderându-
se legate între ele cu o legătură elastică. Modelul Einstein porneşte de la postulatul
cuantizării energiei oscilaoarelor de-a lungul unei direcţii într-un singur mod.
Interacţiunea unui atom din cristal cu oricare altul va determina existenţa mai multor
moduri de vibraţie (nu numai unul ca la modelul Einstein) astfel că deplasarea totală
a unui atom dat din cristal în timpul unei oscilaţii va fi ca sumă a tuturor modurilor
vibraţionale. Acesta este modelul Debye. Energia total a vibraţiilor este:
E=∫ E OSC D(ω)dω
unde EOSC – energia unui oscilator dat;
D(ω) – densitatea modurilor date.
Relaţia (2.31) se mai poate scrie ca:
ωD
3V hω3
E= 2 3 ∫ dω
2 π V S 0 exp( hω )−1
kB T

integrala facându-se de la ω=0 până la frecvenţa de tăiere numită frecvenţă

Debye corespunzând ωD care este determinată de postularea că numărul total de
moduri trebuie să fie egal cu numărul de grade de libertate.
Corespunzător acestei frecvenţe există o temperatură nmită
temperatura Debye:
h⋅ω D
T D=
ka
astfel încât sub această temperatură avem o anumită variaţie de temperatură şi
peste ea o altă variaţie cu temperatura a celor mai mulţi dintre parametrii expuşi
mai sus. Legat de modelele prezentate mai sus putem spune că frecvenţa
fotonică şi energia fotonului optic sunt constante de material.

2.6. Funcțiile materialelor semiconductoare

1. Funcția de conducție comandată de tensiune

Aceasta se bazează pe fenomenul de perturbare a disatribuției purtătorilor de
sarcină sub influența unui câmp electric intern sau aplicat din exterior.
Aplicarea unei tensiuni electrice U, respectiv a unui câmp electric de
intensitateE=-grdU, unui semiconductor omogen determină înclinarea nivelelor
și benzilor energetice. Într-un semiconductor de tip n, sub influența câmpului
electric E,electronii de conducție sunt accelerați, deplasîndu-se de-a lungul
liniilor de câmp. În urma interacțiunilor cu rețeaua cristalină, electronii pierd
parțial sau total energia lor cinetică, pe care o cedează fotonilor rețelei. Datorită
prezenței prezenței câmpului electric, electronii dobândesc din nou energie, iar
în final rezultă omișcare dirijată a electronilor, care reprezintă contribuția lor la
curentul electric prin semiconductor. Printr-un proces similar, se desfășoară
conducția realizată de goluri, care sunt purtătorii minoritari, sensul deplasării
fiind sensul câmpului electric aplicat și opus sensului de deplasare al
electronilor.
Viteza medie ordonată a electronilor, este viteza de drift și are expresia ca și în
cazul materialelor semiconductoare:

unde =1350 cm2/Vs, este mobilitatra electronilor pentru siliciu

În mod analog viteza de drift a golurilor este :

unde 480 cm2/Vs, este mobilitatra golurilor pentru siliciu

În cazul în care materialul semiconductor conține o concentrație neuniformă de
purtători de sarcină pe o direcție oarecare rezultă prin injecție spațială de
purtători , proces numit dopare, apare un camp electric interior sau imprimat,
care determină un process de difuzie a purtătorilor de sarcină, densitățile
corespunzătoare curenților de electroni sau goluri având expresiile:

unde Dn și Dp sunt coeficienții de difuzie ai purtătorilor de sarcină.

Pentru a îndeplini funcția de conducție electrică comandată în tensiune, se
impune ca valorile conductivității electrice să fie controlabile și reproductibile
ndin punct de vedere tehnologic, iar permitivitatea reală să fie redusă pentru
micșorarea capacităților parazite. Astfel de materiale sunt : Si, GaAs, Ge, GaN

2. Funcția de conversie opto-electronică

Radiațiile electromagnetice incidente pe suprafața unui material semiconductor, generează

purtători de sarcină , care se vor deplasa dirijat sub acțiunea unui câmp electric exterior. În
aplicațiile uzuale, prezintă interes radiațiile din spectrul infraroșu, vizibil și ultraviolet.Radiaţia
electromagnetică este parţial reflectată şi parţial absorbită de materialul
semiconductor,parteaabsorbitădeterminândionizareaatomilorreţelei şi
creareadepurtătoridesarcinăliberi (efectfotoelectricintern).Pentruenergii
marialeradiaţiilor, electroniisuntextrașidinmaterialşiemiși înexterior(efect
fotoelectricextern).
Absorbţia proprie reprezintă interacţiunea dintre un foton cu energie
Ef = hν,
şiunelectrondevalenţăcaretreceînbandadeconducţie,escaladând
banda interzisă de lăţime ΔEg, atunci când: Ef > Eg , creându-se astfel un gol. Absorbţia
proprie apare la semiconductorii intrinseci,iar lungimea
de undă limită, care reprezintălungimeamaximă şi corespunde frecvenţeiminime, are
expresia

şicarepentrusiliciu,arevaloarea λi =1,1μm,îndomeniuluiinfraroşu.

Pentru lungimi de undă superioare: λ > λi, semiconductorul este

transparent,iarpentru λ < λi,semiconductorulesteopac,absorbind
radiaţiileîndomeniulvizibilsauultraviolet.Absorbţia datorată
impurităţilorare loc în semiconductori extrinseci şi rezultă din
interacţiunea dintre un foton şi un atom de impuritate, care este
ionizat pe baza energiei fotonului. Astfel sunt generaţi purtători de
sarcină de un singur tip, atomii ionizaţi reprezentând sarcini electrice
imobile. Pragul de absorbţie limită ΔEa,d este mult mai redus decât
lasemiconductorii intrinseci,iarlungimeadeundălimită, sau lungimeadeundămaximă,
estemult mai mare decât la semiconductorii
intrinseci, deci în domeniul infraroşu îndepărtat,avândexpresia:

Semiconductorii extrinseci au sensibilitate crescută la radiaţii,

pentru că pragul lor de absorbţie este mult mai redus în
comparaţie cu ceal semiconductorilorintrinseci,darprezintă
dezavantajulfuncţionăriilatemperaturi joase, apropiate de temperatura absolută,
deoarece la temperatura ambiantă
impurităţilesuntionizateprinabsorbţiedeenergietermicăşinumaireacţionează lailuminări
(înspectrulvizibil),sauiradieri(înspectrulinfraroşu).

(a) (b)
fig.Absorbţiaproprie(a)şidatoratăimpurităţilor(b)aunuifoton.
 Generarea purtătorilor de sarcină prin efect fotoelectric intern
este contracaratădeunprocesderecombinare,carearecaefectmicşorareanumărului
purtătorilor de sarcină, cu o viteză de recombinare Vr,
proporţională cu concentraţia de purtători în exces n,pentru electroni şi Δp pentru
goluri, în prezenţailuminării.
Expresiilevitezelorderecombinarealeelectronilorşigolurilorsunt:

Conductivitatea totală a materialului σt, are o componentă σ

corespunzătoareabsenţeiiluminăriişiocomponentădefotoconductivitate
Δσ:
Conductivitatea totală a materialului σt, are o componentă σ
corespunzătoareabsenţeiiluminăriişiocomponentădefotoconductivitate
Δσ:
unde:

e nnpp ,
Pentru îndeplinirea funcției de conversie optoelectronică este necesar ca materialul
semiconductorsăprezinte:
- sensibilitate ridicată faţă de radiaţia electromagnetică, constantă într-un
domeniulargdelungimideundă,saudimpotrivăsăprezinteunmaximpentu
oanumitălungimedeundă;
- valori mari ale timpilor de viaţă ai purtătorilor în exces, pentru
evitareaprocesuluiderecombinare;
- mobilităţiridicateσn,σ p,pentruasigurareaunorvitezemariderăspuns

- conductivităţi reduse în absenţa iluminării, pentru asigurarea unui

raportsemanl/zgomotridicat.
 3.Funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare

Radiaţia nucleară este formată fie din electroni (radiaţia β), fie
din particule nucleare grele, cu masă mult mai mare decât masa electronului,
cu sau fără sarcină electrică, aşa cum sunt protonii, neutronii,deutronii,tritonii.,sau
radiaţia electromagnetică cu energie ridicată,cum este radiaţia X sau γ
Particulele nucleare încărcate electric, generează perechi electron – gol,
spre deosebire de neutroni, sau radiaţia β, care produc într-o primă
etapă, particuleîncărcateelectricşicareulteriorgenereazăperechi
electron–gol. Procesuldestopareelectronică,esteun
procesdeinteracţiuneneeleastică, care apare la viteze mari ale particulelor
incidente şi în care
energia particulei determină excitarea, sau emisia electronilor. Stoparea
nucleară reprezintă o interacţiune în care particula incidentă imprimă
atomilor reţelei cristaline o mişcaredetranslaţie.
Puterea de stopare PS, reprezintă pierderea de energie a particulei pe
unitatea de lungime a traiectoriei parcurse în materialul semiconductor,iar
parcursulmediulo,reprezintălungimeamedieatraiectorieiparcursede
particulă pânălaoprire
Înfig10.sunt reprezentate dependenţeleputerilor destopareşi parcursul
deenergiealparticulelorincide nte Pentruîndeplinirea funcţiei de detecţie a
radiaţiilor nucleare, este necesar ca materialele semiconductoare să prezinte sensibilitate
ridicată la radiaţiile nuclearemobilităţi ridicate ale purtătorilor de sarcină,pentru asigurareaunor
viteze derăspuns ridicate, rigiditatea dielectrică ridicată şi conductivitatea electrică scăzută,
întrucât dispozitivele de detecţie a radiaţiilor nucleare fucnţioneazălatensiuniridicate.
PS[MeV/mm lo PS[MeV/mm
] [ ]
m
m
]
10 10 10
Ge

Si
Ee Ee Ep

0,01 0,1 1 0,01 0,1 1 10 0,01 100

(a) (b) (c)

fig 10 .DependenţeleputeriidestoparedeenergiaelectronilorEe (a)
sauprotonilorEp (c)şialeparcursuluimediualelectronilor (b).

4.Funcţia deconversieelectro-optică

Materialele semiconductoare electro-luminescente funcţionează

pe baza proprietăţii de emisie a radiaţiei luminoase atunci când
materialului i se aplică un camp electric,sau
esteparcursdecurentelectric.
Procesulcaredeterminăemisiaoptică, estereplicaprocesului prin
carese absoarbe radiaţia electromagnetică.Sub influenţa câmpuluisau
curentului
electric,electroniIocupăniveleenergeticeşirevinpeniveleinferioareprintr-
un proces de recombinare. Mecanismele de recombinare radiativă a
purtătorilor de sarcină în exces, sunt realizate prin excitaţie intrinsecă,
care constă în ionizarea prin ciocnire a impurităţilor în prezenţa unui
câmp electric intens (E10MV/m)
prin excitaţie datorată injecţiei de curent electric, sau prin
multiplicare în avalanşă, prin excitaţie optică, sau prin efect tunell.
După durata proceselor de recombinare, emisia optică se numeşte
fluorescente ,(pentru durate cuprinse între:10-510-8s) sau

fosforescenţă (pentru duratecuprinseîntre:1104 s).

Mecanismele de recombinare sunt de mai multe tipuri(fig11.a).
Recombinarea
directă are loc atunci când electronul trece din banda deconducţie în
banda de
valenţă, cu eliberare deenergie radiativă(cuemisia unui foton),sau
neradiativă
când energia electronului este cedată reţelei cristaline, (care absoarbe
un fonon).
Recombinarea indirectă are loc prin intermediul unor nivele
energetice plasate în banda interzisă,în procesul de recombinare
fiindimplicaţi şifononii
carecaracterizează stărilevibraţionalealereţeleicristaline.Recombinarea
indirectă, prin care electronul de conducţie ocupă într-o primă etapă un
nivel
local, iar ulterior trece în banda de valenţă, are un caracter
predominant
neradiativ.Recombinarea prin alipire este caracteristica
semiconductorilor
extrinseci de tip„p“(pentru care, impurităţile sunt ionizate la
temperatura ambiantă)şi
constăîncaptareaunuielectrondeconducţiedecătreunionacceptor.Procesel
e de recombinare radiativă pot avea un caracter spontan,
corespunzătoruneistărideechilibrutermicsaustimulat,corespunzătoruneist
ări de dezechilibru
provocat. Recombinarea spontană generează fotoni cu direcţii, frecvenţe
şi faze aleatoare, emisia fiind incoerentă, iar recombinarea stimulată
genereazăfotonicuaceeaşifrecvenţăşiaceeaşidirecţie,emisiafiindcoerentă.
La emisia stimulată, se generează un foton care are aceeaşi
frecvenţă,
direcţiedepropagareşifazăcaşifotonulstimulator(fig.11d).AtuncIcândmai
mulţielectroni seaflăînstareadeexcitaţie E2,decâtînstareafundamentală
E1, iar tranziţia este determinată prin intermediul unui foton,
sistemul
prezintă inversiedepopulaţie.Înprezenţaunuicâmpderadiaţiecu: h=E2
–Eemisia stimulată va depăşi absorbţia fotonilor şi mai mulţi fotoni cu
energie hvor depăşi sistemul, în comparaţie cu numărul de fotoni care
intră în sistem. Acest processenumeşteamplificarecuantică.
Pentru ca materialul semiconductor să constituie o sursă
optică, este necesar ca emisia radiativă prin recombinare stimulată să
fie mai pronunţată decât absorbţia luminoasă, ceea ce se poate
realiza printr-o inversiune de populaţie(fig.11b).
Inversiuneade populaţie constă în ocuparea cu electroni a
nivelelor inferioare ale benzii de conducţie până la pseudonivelul Fermi
EFn şi eliberarea
nivelelorsuperioarealebenziidevalenţăpânălapseudonivelulFermi EFp
Astfel toate nivelele sau stările energetice implicate în
tranziţiileemisive nu mai sunt disponibile pentru tranziţiile de
absorbţie, energia implicată în procesul de absorbţie fiind
superioară energiei furnizate în procesul de emisie.
Pseudonivelele Fermi EFn şi EFp înlocuiesc nivelele Fermi EF, în
condiţiile de dezechilibrualcristalului.
fig.4.7.Mecanismederecombinaredirectă,indirectăşiprinalipire,pentruunmaterializotropşiconfiguraţiasup
rafeţelorechienergeticeînfuncţiedenumăruldestărin(E),
(saunumăruldeundăk),pentruunsemiconductorcareprezintăinversiedepopulaţie (b).
Tranziţiespontană(c)şistimulatăprinintermediulunuifotonaelectronului,cuemisiestimulatăafotonilor,cares
untînfazăşiauaceeaşifrecvenţă (d).
Joncţiune„pn”nepolarizată–laechilibru(e)şipolarizatădirect–laneechilibru
Sursele semiconductoare de fotoni coerenţi, pot fi obţinuţi prin mai
multeprocedee:prin“pompaj”opticcuosursăoptică,prinradiaţie“λ”de
electronisau prin intermediul unei joncţiuni “pn” puternic dopate,parcursă de un curent. În
general, prin dopări puternice se crează semiconductori de tip “ p”şi “n” degeneraţi,
cvasi-nivelele Fermi fiind plasate în exteriorul limitelor Ec, Ev ale benzii interzise
(fig.11.b). La echilibrucvasi-nivelele Fermi sunt aliniate (fig..e). La polarizare directă a
joncţiunii “pn”,
cvasi-nivelele Fermi se distanţează–înraportdirect,cuvaloarea
tensiuniidirecteaplicate(fig.11 f).
Sub influenţa tensiunii de polarizare directă, golurile se vor
deplasa în regiunea “n”iar electronii în regiunea “p”. Astfel, electronii şi
golurile vorfi spaţial coincidente şi are loc recombinarea radiativă a lor pe distanţa “d”.
Întrucât electronii suntmultmai mobili decât golurile,
adâncimea“d”aregiunii
active,esteînprincipaldeterminatădemobilitateaelectronilorşiestedeacelaşi ordin demărime
cu lungimea de undă a modulului electromagnetic care este amplificat(vezidiodaLASER).
Densitateacurentuluiprinjoncţiune,pentrucare apareinversiade
populaţieşiemisiastimulatăaradiaţiei,estedeordinulzecilorde mii

de amperi pe cm2 pentru joncţiuni simple şi deordinul sutelor de amperi pecm2

pentruheterojoncţiuniduble.

5.Funcţiadeconversietermo–electrică

Din expresiile conductivităţii materialului semiconductor, rezultă posibilitatea

interacţiunii dintre câmpul termic şi câmpul electric din interiorul materialuluiîntrucât atât
numărul de purtători de sarcină cât şi timpul lor de relaxare,
depind de temperatură. Prin urmare, temperatura poate
influenţasauchiargeneracurentulelectricprinsemiconductor.
Temperaturainfluenţeazăstructuradebenzienergetice,modificândvalorile benzilor EC, EV,
EF, şi lăţimea benzii interzise: Eg. Cu creşterea temperaturii, lăţimea benzii interzise:Eg
4kT, se măreşte, dar mobilitatea şi numărul purtătorilor de sarcină creşte în măsură mult
mai mare, iar conductivitatea materialuluisemiconductorsemăreşte. Înfig
12..a,suntprezentatedependinţeledetemperaturăaleconcentraţiilor de purtători în semiconductori
intrinseci. Numărul purtătorilor de sarcină intrinseci creşte exponenţial cu temperatura,deci
influenţa temperaturii asupra curentuluiprinmaterialulsemiconductoresteconsiderabilă.
Pentru temperaturi relativ scăzute (T T1), procesul de generare a
purtătorilor de sarcină este extrinsec, iar conductivitatea materialului
semiconductor:n,semodificăexponenţialcutemperatura(fig.12.b).Pentru temperaturimedii(T1
TT2),procesuldegenerareextrinsecînceteazădatorită
epuizăriiatomilordonori,deciconcentraţiadeelectronideconducţie nrămâne constantă, crescând
doar mobilitatea n a electronilor, dar se măreşte agitaţia termică, care are efect preponderent şi
conduce la scăderea
conductivităţii n. Pentru temperaturi ridicate (TT2), mecanismul intrinsec de generare a
purtătorilor de sarcină devine predominant, iar conductivitatea = i creşte
exponenţialcutemperatura

-3
nj[cm ] n



n i
18
10
17 Ge i 
10
Si

11
G
10 a 1
A /
s 1/ T1 T2
T
3
0
0
(a) (b)
fig.12.Dependenţeledetemperaturăaleconcentraţiilordepurtători desarcină
însemiconductoriintrinseci(a)
şialeconductivităţii semiconductorilorextrinsecidetip“n” (b).

Ungradientdetemperaturăpoategenerauncurentelectricîntr-unmaterial semiconductor
 prin difuzia purtătorilor de sarcină situaţi în regiunea cu temperatură ridicată şi
concentraţie mare de purtători, spre regiunea cu
temperaturăscăzutăşiconcentraţiaredusădepurtători.
Dacă circuitul rămâne deschis, ia naştere un câmp electric Es, care se va opune tendinţei
de deplasare a purtătorilor spre regiunea mai rece, a
cărui expresieeste:
E ssgradT
unde:s =n10mV/K,esteoconstantădematerial,numitătensiunediferenţială.
Pentru îndeplinirea funcţiei de conversie termo - electrică, se impune ca
materialele semiconductoare să prezinte: coeficient de variaţie cu temperatura

timp de relaxare redus, pentru viteze de răspuns ridicate

conductivitate redusă, pentru asigurarea sensibilităţilor ridicate; stabilitate

termică şi tensiune diferenţială ridicată. Astfelde materiale sunt oxizii de Cu,
Co,Cr,Ni,MnprecumşiSnSb,PbSb,InSb,GaAs.

6.Funcţiadeconversiemagneto–electrică

Presupunemunmaterialsemiconductorparcursdeuncurentelectric,plasat
într-uncâmpmagnetictransversalprezentatînfig.Subinfluenţacâmpuluielectric
E,aplicatsemiconductorului,oparticulă încărcatăcusarcinăpozitivă,sevadeplasade-
alungulliniilorcâmpuluielectric înabsenţaunuicâmpmagneticexterior(fig13.
Înprezenţacâmpuluimagneticexterior Hcuorientaretransversalăfaţăde
câmpulEforţa Lorentz care acţionează asupra particulei, are şi ocomponentă
transversalăpedirecţiademişcare,iartraiectoriaparticuleisecurbeazăînsensul
forţeiLorentz,acăreiexpresieeste:
FqEq(vxB),
undeqestesarcinapozitivăaparticulei

Forţa Lorentz care acţionează asupra purtătorilor de sarcină negativă, are aceeaşi
direcţie dar sens opus, sensul de mişcare şi de curbare a traiectoriilor electronilor fiind de
asemenea opus. Astfel, pe suprafaţa S1, se vor
acumula sarcinielectricepozitive,iarpesuprafaţa S2,sarcinielectricenegative,rezultând
uncâmpHallEH acăruiexpresieeste:
 EH RHJxH,
unde: RH este constanta Hall şi depinde - pentru materiale semiconductoare cuanizotropie, de
intensitatea câmpului magnetic aplicat, iar J este densitatea de curentprinsemiconductor.
Efectul Hall constă în deformarea liniilor de câmp electric şi de curent în prezenţa
câmpului magnetic transversal și apariţia câmpului Hall EH orientat
perpendicularpeplanuldeterminatdevectorii Eşi H.

.
S2
H H
_ E B
E
JH V F J V
+
E q + +
q
+

S1
 (a) (b) (c)
fig.13.EfectulHallînmaterialesemiconductoare(a)şiforţacareacţionează
asuprapurtătorilormobilidesarcinăelectricăpozitivăînprezenţa
câmpuluielectric(b)şimagnetic(c).

Efectul magnetorezistiv constă în modificarea rezistivităţii materialului

semiconductor în prezenţa unui câmp magnetic aplicat normal pe direcţia de
mişcareapurtătorilordesarcină.
Datorită forţei Lorentz, proiecţia parcursului liber mijlociu al purtătorilor pe direcţia
câmpului electric aplicat se micşorează prin curbarea
traiectoriilor purtătorilor de sarcină (fig.13), rezultatul global fiind mărirea rezistivităţi
materialului. În câmpuri magnetice intense apare un proces de saturaţie şi
rezistivitatea materialului nu se va mări pentru o măriresuplimentară a
intensităţiicâmpuluimagnetic.
Pentruîndeplinireafuncţieideconversiemagneto-electrică,estenecesar
ca materialele semiconductoare să posede valori ridicate ale constantei Hall şi ale
densităţiidecurent,iarcâmpulHallsănufieinfluenţatde
factoriexterni,cumar fitemperatura.Astfeldematerialesunt:InSb,InAs.

7. Funcția de conversie mecano-electrică

Interacțiunea mecano- electrică se manifestă fie sub forma unei dependențe aenergiei
electronilor din banda de conducţie,de gradul de distorsionare a reţelei cristaline, fie
subforma unui efect piezoelectric asemănătorceluiîntâlnitlamaterialeledielectrice. Primul
tip de interacţiune care apare la deformări ale reţelei cristaline de tip armonic şi la frecvenţe
ridicate (f>199GHz)
generează un potenţial de deformaţieUd deforma:
Ud =σd S
unde:σ desteconstantadematerial,iarSreprezintădeformareaelastică.
Interacţiunea prin efect piezoelectric există atât în regim staţionar cât şi
variabil,iarcâmpulelectricprodusdeodeformaţieSdepindedefrecvenţă.
Pentruîndeplinireafuncţieideconversiemecano–electricăestenecesar
ca materialelesemiconductoaresăprezinterezistivităţi,mobilităţialepurtătorilorşi
 coeficienţi piezoelectzrici ridicaţi, iar constantele de atenuare ale undelor elastice
de volum şi de suprafaţă să fie reduse.
Astfel de materiale sunt: CdS, CdSe,ZnO,GaA

2.3.Materiale plastice

O dată cu dezvoltarea tehnologiei de prelucrare a materialelor plastice , a crescut

ponderea folosirii lor ca materiale optice. Avantajele folosirii lor sunt:
 turnarea precisă poate înlocui procesul de polizare și procesul de
lustruire. În acest fel dispozitivele montate pot fi confecționate împreună cu
componenta optică;
  se poate obține o dispersie relativ ridicată, chiar în cazul
materialelor cu indici mici de refracție. Multe materiale plastice au proprietăți
superioare sticlei silice în domeniile ultraviolet și infraroșua le spectrului.
 Materialele plastice au proprietăți mecanice superioare sticlei:
densitatea specifică a materialelor plastice este, în general jumătate din valoarea
densității sticlei.
Există și o serie de dezavantaje,precum ca:
 O precizie mai mică în procesul de prelucrare; uniformitatea
indicelui de refracție nu este mai bună de 1/1000 sau 1/10000.
 Sunt mai puțin rezistente la zgârieturi, deformări, etc.
Variațiile de temperatură au o influență mult mai mare decât în cazul
sticlei optice, atât în ceea ce privește dilatația ( 10-4/ 0C) cât și în ce privește
variația indicelui de refracție ( aproximativ 1,5 .10-4/0C ).
 Materialele plastice cu indicele de refracție mai mare de 1,6 nu par
potrivite pentru a fi folosite în optică.
Observație:
Literatura de specialitate cuprinde tabele cu diferitele proprietăți optice ale
materialelor plastice care pot fi folosite în optică, incluzându-se chiar
transmitanța optică a acestora. Pentru scopuri care implică o precizie mai mică ,
materialele plastice pot fi folosite pentru construcția ferestrelor, lentilelor,
filtrelor, polarizoarelor și lamelor sfert de undă, jumătate de undă,etc. În aceste
situații prețul de cost al componentelor optice sau al instrumentelot optice este
mult mai scăzut decât în cazul în care s-ar folosi sticla optică specială sau
materialele ctistaline.
 PARTEA A II-a

COMPONENTE OPTOELECTRONICE

2.1.CELULA SOLARĂ

2.1.1. Istoric

Deja și în Grecia antică se știa că energia luminii se poate utiliza, astfel se

pare că la asediul Siracuzei în anul 212 înaintea erei noastre grecii au concentrat
lumina solară cu oglinzi și au îndreptat-o către flota asediatoare a romanilor,
incendiind-o. Tot grecii au fost și cei care au utilizat energia luminoasă în scop
pașnic aprinzând cu ea flacăra olimpică. În 1839 Alexandre Edmond Becquerel
a descoperit că o baterie expusă la soare produce mai mult curent electric decât
una neexpusă. Pentru acest experiment a măsurat diferența de potențial dintre
doi electrozi de platină situați unul pe fața luminată și celălalt pe fața umbrită a
recipientului și scufundați într-o baie de soluție chimică acidă . Când a expus
această construcție la soare a observat trecerea unui curent printre electrozi. Așa
a descoperit efectul fotoelectric pe care însă nu îl putea explica încă. Mărirea
conductivității seleniului a fost demonstrată în 1873. Zece ani mai târziu a fost
confecționat prima celulă fotoelectrică “clasică”. După încă zece ani în 1893 a
fost confecționat prima celulă solară care producea electricitate. În 1904
fizicianul german Philipp Lenard a descoperit că lumina incidentă pe anumite
suprafețe metalice eliberează electroni din suprafața acestuia și astfel a oferit
prima explicație referitoare la efectul fotoelectric. Totuși el nu știa încă de ce și
la care metale se produce acest efect. Cu toate acesta pentru această descoperire
el a obținut premiul Nobel pentru fizică în anul 1918. Rezolvarea problemei a
venit de la Albert Einstein în 1905 când cu ajutorul teoriei cuantice a explicat
dualitate luminii ea fiind prezentă în același timp și ca particulă și ca undă. Până
atunci se credea că lumina este doar energie cu diferite lungimi de undă.
Einstein în experimentele sale a constatat că lumina în unele situații se comportă
ca o particulă, și că energia fiecărei particule sau foton depinde doar de
lungimea de undă. El a descris lumina ca o serie de gloanțe ce ating suprafața
materialului. Dacă aceste gloanțe au suficientă energie, un electron liber din
metalul atins de foton se va elibera din structura acestuia. Totodată a constatat că
energia cinetică maximă a electronului este independentă de intensitatea luminii
și depinde doar de energia fotonului care l-a eliberat. Această energie depinde
totodată numai de lungimea de undă respectiv frecvența luminii. Pentru lucrările
sale privind fenomenul fotovoltaic, a obținut premiul Nobel pentru fizică în anul
1921. Descoperirea în anul 1949 a joncțiunii p-n de către William B. Shockley,
Walther H. Brattain și John Bardeen a fost încă un pas mare în direcția celulelor.
După această descoperire fabricării celulei solare în forma cunoscută astăzi nu îi
mai sta nimic în cale.

Fig 10. Harta producerii celulelor

Fabricarea primei celule solare în 1954 în laboratoarele firmei americane

Bell se datorează totuși unei întâmplări fericite. Angajații firmei sub conducerea
lui Morton Price au observat cînd cercetau un redresor cu siliciu, că acesta
producea mai mult curent cînd era expus la soare. Ca urmare firma Bell prin
contribuția domnilor Chapin, Fuller și Pearson a dezvoltat în 1953 primele
celule solare din siliciu impurificate cu arsen dar care aveau un randament de
doar 4 % care a fost mărit la 6 % prin schimbarea impurificării. În 1958 au fost
testate celule solare pentru prima dată pe sateliul Vanguard I dotat cu un panou
solar având 108 celule solare pe bază de siliciu. Rezultetele obținute au fost
peste așteptări – până în ziua de azi sondele spațiale până dincolo de marte sunt
alimentate cu curent produs de celulele solare, iar în anul 2011 se va lansa sonda
spațială Juno care va fi prima sondă spațială spre Jupiter alimentată cu curent
produs de celule solare. S-au atins în spațiu randamente de până la 10,5  %.
Aceste rezultate nu se puteau realiza pe pămînt și datorită condițiilor diferite din
spațiu unde nu se regăsește ritmul zi-noapte și lumina naturală nu este absorbită
parțial de atmosferă și nori, totodată radiațiile cosmice conduc la o îmbătrânire
mai rapidă a celulelor solare decât pe pământ. De aceea industria și cercetarea
încearcă obținerea unor randamente tot mai mari în paralel cu prelungirea
duratei de viață. Randamentul teoretic pentru celule solare pe bază de siliciu se
consideră a fi de 29 % pentru condițiile de iradiație pe spectrul din zona de
mijloc. Mandelkorn și Lamneck au mărit durata de viață a celulelor solare în
1972 printr-o reflectare a purtătorilor de sarcină minoritari după ce au introdus
un strat numit black surfaces field (BSF) în stratul impurificat “p”. În 1973
Lindmayer și Ellison au confecționat așa numita celulă mov ce avea un
randament de 14 %. Prin reducerea reflexiei în 1975 s-a mărit randamentul la
16 %. Aceste celule s-au numit celule CNR (Comsat Non Reflection; Comsat =
Telefonsatelit ) și au fost concepute pentru sateliți Criza de la începutul anilor
70 a condus la creșterea prețurilor produselor petroliere având ca rezultat
creștere prețului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetările în domeniul
celulelor solare. În 1980 s-a început organizarea de concursuri de automobile
acționate cu energie electrică obținută de la module solare. În 1981 un avion
acționat de energie solară a traversat Canalul Mânecii. Între timp Green precum
și specialiștii de la Universitatea Stanford și cei de la Telefunken au dezvoltat
cellule solare cu un randament în jur de 20 %.

2.1.2.Clasificarea celulelor

O celulă solară este alcătuită din două sau mai multe straturi de

material semiconductor, cel mai întâlnit fiind siliciul. Aceste straturi au o
grosime cuprinsă între 0,001 și 0,2 mm și sunt dopate cu anumite elemente
chimice pentru a forma joncțiuni „p” și „n”. Această structură e similară cu a
unei diode. Când stratul de siliciu este expus la lumină se va produce o
„agitație” a electronilor din material și va fi generat un curent electric.
Celulele, numite și celule fotovoltaice, au de obicei o suprafață foarte mică și
curentul generat de o singură celulă este mic dar combinații serie, paralel ale
acestor celule pot produce curenți suficient de mari pentru a putea fi utilizați în
practică. Pentru aceasta, celulele sunt încapsulate în panouri care le oferă
rezistență mecanică și la intemperii

Celule fotovoltaice policristaline, Panou solar

modul solar

Fig 11. Celule fotovoltaice policristaline și panouri solare

Celulele solare pot fi clasificate după mai multe criterii:

după grosimea stratului materialului - celule cu strat gros și

- celule cu strat subțire.

felul materialului - materiale semiconductoare

combinațiile CdTe, GaAs sau
CuInSe,
- siliciu

structură de bază - materiale

 cristaline(mono-/policristaline
- amorfe.

În fabricarea celulelor fotovaltaice pe lângă materiale semiconductoare, mai

nou, există posibiltatea utilizării și a materialelor organice sau a pigmenților
organici.
În funcție de materialele folosite avem următoarea clasificare:

o Strat gros
 Celule monocristaline (c-Si) randament mare, în producția
în serie se pot atinge până la peste
20 % randament energetic, tehnică de fabricație pusă la
punct; totuși procesul de fabricație este energofag, ceea ce
1. Celule pe bază are o influență negativă asupra periodei de recuperare (timp
de siliciu în care echivalentul energiei consumate în procesul de
fabricare devine egal cantitatea de energia generată).
 Celule policristaline (mc-Si) la producția în serie s-a atins
deja un randament energetic de peste la 16 %, cosum
relativ mic de energie în procesul de fabricație, și până
acum cu cel mai bun raport preț – performanță.
o Strat subțire
 Celule cu siliciu amorf (a-Si) cel mai mare segment de
piață la celule cu strat subțire; randament energetic al
modulelor de la 5 la 7 %; nu există strangulări în
aprovizionare chiar și la o producție de ordinul TeraWatt
 Celule pe bază de siliciu cristalin, ex. microcristale (µc-Si)
în combinație cu siliciul amorf randament mare; tehnologia
aceeași ca la siliciul amorf
2.Semiconductoare Celule cu GaAs
pe bază de randament mare, foarte stabil la schimbările de temperatură,
elemente din grupa la încălzire o pierdere de putere mai mică decât la celulele
III-V cristaline pe bază de siliciu, robust vizavi
de radiația ultravioletă, tehnologie scumpă, se utilizează de
obicei în industria spațială (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
3.Semiconductoar Celule cu CdTe
e pe bază de utilizează o tehnologie foarte avantajoasă CBD(depunere de
elemente din grupa staturi subțiri pe suprafețe mari în mediu cu pH,
II-VI temperatură și concentrație de reagent controlate) ; în
laborator s-a atins un randament de 16 %, dar modulele
 fabricate până acum au atins un randament sub 10 %, nu se
cunoaște fiabilitatea. Din motive de protecția mediului este
improbabilă utilizarea pe scară largă
4. Celule CIS, CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs în
CIGS stație pilot la firma Würth Solar în Marbach am Neckar,
respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell în Berlin,
iar CIGS pentru Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs în
stație pilot în Uppsala/Suedia. Producătorii de mai sus
promit trecerea la producția în masă în anul 2007.
5.Celule solare pe Tehnologia bazată pe chimia organică furnizează compuși
bază de compuși care pot permite fabricarea de celule solare mai ieftine.
organici Prezintă, totuși, un impediment faptul că aceste celule au un
randament redus și o durată de viață redusă (max. 5000h).
Încă (ianuarie 2007) nu există celule solare pe bază de
compuși organici pe piață.

6.Celule pe bază 2. Numite și celule Grätzel utilizează pigmenți naturali pentru

de pigmenți transformarea luminii în energie electrică; o procedură ce se
bazează pe efectul de fotosinteză. De obicei sunt de culoare
mov.
7. Celule cu 3. De exemplu soluția: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte
electrolit ușor de fabrict dar puterea și siguranța în utilizare sunt
semiconductor limitate.
4.
8.Celule pe bază Deocamdată se află doar în fază de cercetare.
de polimeri
5.

2.1.3.Construcția unei celule

Pe lângă materia primă o importanță mare prezintă tehnologia utilizată. Se

deosebesc diferite structuri și aranjamente în care se depun electrozii de
acoperire transparenți a căror rezistență nu este deloc neglijabilă.
Alte tehnici vizează mărirea eficienței asigurând absorbția unui spectru
de frecvență cât mai larg prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite
caracteristici de absorbție. Se încearcă selectarea materialelor în așa fel încât
spectrul luminii naturale să fie absorbit la maximum.

Actualmente celulele solare pe bază de materiale semiconductoare cele mai des

comercializate sunt cel pe bază de siliciu.

Celulele solare pe bază de materiale semiconductoare utilizate pentru

producerea de energie electrică sunt legate în module. Pe un modul se află mai
multe rânduri de celule solare conectate în serie între ele pe fața și pe reversul
modulului permițând, datorită tensiunii însumate, utilizarea unor conductori cu
secțiune mai mică decât la legarea în paralel. Pentru protejarea unei celule solare
împotriva efectului de avalanșă în joncțiune, datorată potențialului mai mare
(apărută de exemplu la umbrirea parțială a modulului), trebuie incorporate
paralel cu celulele solare diode de protecție(bypass).

Sistemele de panouri solare sunt înzestrate uneori cu mecanisme de orientare,

panoul fiind în permanență direcționat pentru a exploata la maximum energia
solară incidentă.

Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din

lumina solară este de 85 %. Acesta se calculează din temperatura suprafeței
soarelui(5800 °K), temperatura maximă de absorbție(<2500 °K, tempertura de
topire a materialelor greu fuzibile) și temperatura mediului
înconjurător(300 °K).
Dacă se utilizează doar o porțiune din spectrul luminii solare, valoarea teoretică
se reduce în funcție de lungimea de undă, până la 5-35 %. Neutilizarea
spectrului complet este una din dezavantajele celulelor solare față de centralele
solare termice.
Absorbția radiației solare de către siliciu (mono- și Absorbția radiației solare de către Antimonatul de
respectiv policristalin) Galiu

Fig 12.Exemple de absorbții

2.1.4.Principiul de funcționare

Principiul de funcționare a celulei solare cu semiconductori este

următorul: fotoni incidentali eliberează electroni și goluri, care se vor separa în
câmpul electric al zonei de sarcină spațială a joncțiunii p-n semiconductoare în
principiu sunt construite ca niște fotodiode cu suprafață mare care însă nu se
utilizează ca detectoare de radiații ci ca sursă de curent. Interesant la acest tip de
semiconductoare este că prin absorbție de energie (căldură sau lumină)
eliberează purtători de sarcină (electroni și goluri). Este nevoie de un câmp
electrostatic intern pentru ca din acești purtători să se creeze un curent electric
dirijându-i în direcții diferite. Acest câmp electric intern apare în dreptul unei
joncțiuni p-n. Pentru că intensitatea fluxului luminos scade exponențial cu
adâncimea, această joncțiune este necesar să fie cât mai aproape de suprafața
materialului și să se pătrundă cât mai adânc. Această joncțiune se creează prin
impurificarea controlată. Pentru a realiza profilul dorit, în mod normal se
impurifică „n” un strat subțire de suprafață și „p” stratul gros de dedesubt în
urma căruia apare joncțiunea. Sub acțiunea fotonilor apar cupluri electron-gol în
joncțiune, din care electronii vor fi accelerați spre interior, iar golurile spre
suprafață. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor recombina în joncțiune
rezultând o disipare de căldură, restul curentului putând fi utilizat de un
consumator, încărcat într-un acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat
în rețeaua publică. Tensiunea electromotare maximă la bornele unei celule
solare (de exemplu la cele mai utilizate, celulele de siliciu cristaline) este de 0,5
V.

Structura unei celule solare simple cu impurificare

Princ. de funcționare a celulei solare cu
semiconductori: pin - positive intrinsic negative.
Fig 13

Structura celulelor solare se realizează în așa mod încât să absoarbă cât

mai multă lumină și să apară cât mai multe sarcini in joncțiune. Pentru aceasta
electrodul de suprafață trebuie să fie transparentă, contactele la acest strat să fie
pe cât posibil de subțiri, pe suprafață se va aplica un strat antireflectorizant
pentru a micșora gradul de reflexie a luminii incidente. Acestui strat
antireflectorizant i se atribuie culoare negru-albăstruie a celulelor solare care
fără aceasta ar avea o culoare gri-argintie.

La celulele solare moderne se obține din nitrat de siliciu prin procedeul PE-
CVD(pe o suprafață încălzită se depun în urma unei reacții chimice componente
extrase dintr-o fază gazoasă) un stratul antireflectorizant de cca 70 nm grosime
(sfert de lungime de undă la un coeficient de refracție de 2,0). Se mai utilizează
straturi reflectorizante din SiO2 și TiO2 ce se depun prin procedeul AP-CVD.

Grosimea stratului influențează culoarea celulei (culoarea de interferență).

Grosimea stratului trebuie să fie cât se pote de uniformă, deoarece abateri de
câțiva nanometri măresc gradul de reflexie. Celulele își datorează culoarea
albastră realizării unei grosimi ce corespunde lungimii de undă a culorii roșii,
culorea cea mai bine absorbită de siliciu. În principiu însă în acest mod se pot
realiza celule roșii, galbene, sau verzi la cerințe arhitectonice deosebite, dar vor
avea un randament mai slab. În cazul nitratului de siliciu și a bioxidului de
siliciu stratul antireflectorizant mai are și un rol de a reduce viteza de
recombinare superficială.

Celule solare pe bază de siliciu

Materialul cel mai utilizat pentru fabricarea de celule solare pe bază de

semiconductori este Siliciul. Dacă la început pentru producerea celulelor solare
se utilizau deșeuri rezultate din alte procese tehnologice pe bază de
semiconductori, astăzi se apelează la materiale special în acest scop fabricate.
Pentru industria semiconductorilor siliciul este materialul aproape ideal. Este
ieftin, se poate produce întru-un singur cristal la un înalt grad de puritate, și se
poate impurifica(dota) în semiconductor de tip “n” sau “p”. Prin simpla oxidare
se pot crea straturi izolatoare subțiri. Totuși lărgimea zonei interzise fac siliciul
mai puțin potrivit pentru exploatarea directă a efectului fotoelectric. Celule
solare pe bază pe siliciu cristalin necesită o grosime de strat de cel puțin 100 µm
sau mai mult pentru a pute absorbi lumina solară eficient. La celulele cu strat
subțire de tip semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar siliciu cu
structura cristalină puternic perturbată (vezi mai jos), sunt suficiente 10 µm.
Celulă solară multicristalină Placă (wafer) multicristalină

Fig 14

În funcție de starea cristalină se deosebesc următoarele tipuri de siliciu:

 Monocristaline Celulele rezultă din așa numitele Wafer (plăci de siliciu

dintr-un cristal). Aceste cristale reprezintă materia de bază pentru industria
de semiconductori și sunt destul de scumpe.
 Policristaline Celulele sunt din plăci care conțin zone cu cristale cu orientări
diferite. Acestea pot fi fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt
mai ieftine și ca atare cele mai răspândite în producția de dispozitive
fotovoltaice. Deseori ele se numesc și celule solare policristaline.
 Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subțire de siliciu amorf (fără
cristalizare) și din această cauză se numesc celule cu strat subțire. Se pot
produce de exemplu prin procedeul de condensare de vapori de siliciu și sunt
foarte ieftine, dar au un randament scăzut în spectru de lumină solară, totuși
au avantaje la lumină slabă. De aceea se utilizează în calculatoare de buzunar
și ceasuri.
 Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subțire cu structură
microcristalină. Au un randament mai bun decât celulele amorfe și nu au un
 strat atât de gros ca cele policristaline. Se utilizează parțial la fabricarea
de panouri fotovoltaice, dar nu sunt atât de răspândite.
 Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o
combinație de straturi policristaline și amorfe. Straturile sunt din materiale
diferite și astfel acordate pe domenii diferite de lungimi de undă a luminii.
Prin utilizarea unui spectru mai larg din lumina solară, aceste celule au un
randament mai mare decât celulele solare simple. Se utilizează parțial la
fabricarea de panouri solare dar sunt relativ scumpe. O ieftinire apreciabilă
se va obține prin utilizarea în combinație cu sisteme de lentile, așa numitele
sisteme de concentrare.

2.1.5 Fabricația având la bază blocuri sau bare de siliciu

Materia primă siliciu este al doilea element chimic din compoziția scoarței
terestre în privința cantitatății. Se regăsește în compuși chimici cu alte elemente
formând silicate sau cuarț. Siliciul brut numit și siliciu metalurgic se obține din
quarț prin topire în furnal.Reducera siliciului se petrece cu ajutorul carbonului la
o temperatura de cca 1700 °C, rezultând la fiecare tonă de siliciu metalurgic de
puritate de cca 98-99 % în jur de 1,5 T de CO2. Prin acest procedeu în 2002 s-au
produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la fabricare a
oțelului și în industria chimică și numai o mică parte în microelectronică și la
fabricarea de celule fotovoltaice. Din siliciul brut printr-un proces de fabricație
în trepte bazat pe triclorsilan se obține siliciul policristalin de cea mai mare
puritate.
Până în prezent (2006) în producție se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe
un procedeu de tip CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat și
optimizat pentru ramura de microelectronică. În microelectronică cerințele de
calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de celule fotovoltaice. Pentru
fabricarea de celule solare este foarte importantă puritatea plăcii de siliciu în
toată masa ei pentru a asigura o cât mai mare durată de viață pentru purtătorii de
sarcină, pe când în microelectronică cerința de foarte înaltă puritate se rezumă în
principiu la stratul superior până la o adâncime de 20-30 µm. Deoarece între
timp consumul de siliciu de înaltă puritate pentru fabricarea de celule
fotovoltaice a întrecut pe cel pentru microelectronică, actualmente se fac
cercetări intense pentru elaborarea de procedee de fabricare speciale mai ieftine
optimizate pentru celule solare.

Cu toate că procesul de producție a siliciului pur este foarte energofag, energia

consumată la fabricareaa celulelor solare, în funcție de tehnologia utilizată, se
poate recupera în 1,5 până la 7 ani. Dacă se ia în considerare că durata de viață
a panourilor solare este de peste 20 ani bilanțul energetic rezultat este pozitiv.

Siliciul pur în continuare poate fi prelucrat în mai multe feluri. Pentru celule
policristaline amintim procedeele de turnare Bridgman și EVG, pe când pentru
cele monocristaline procedeul Czochralski. În fiecare din acestea în procesul
fabricare a blocurilor sau barelor se face simultan și impurificare cu Bor.

Procedeul de turnarese utilizează la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul

pur se topește într-un cuptor cu inducție după care se toarnă într-un recipient de
formă pătrată în care se supune la un proces de răcire cât mai lent posibil în
cursul căruia vor apare cristale cât mai mari posibil. Recipientul are
dimensiunile 50 pe 50 cm, masa solidificată având înălțimea de 30 cm. Blocul
astfel solidificat se taie în mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un
alt mod reprezintă turnare continuă, procedeu prin care materialul este turnat
direct pe support la dimensiunile cerute. Avantajul constă în eliminare
pierderilor rezultate din tăiere.

Procedeul Bridgman, numit după Percy Williams Bridgman este aplicat

tot în procesul de fabricare a siliciului policristalin. Siliciul pur se topește tot
într-un cuptor cu inducție dar procesul de răcire în urma căruia în masa topită se
formează mari zone ocupate de câte un cristal are loc chiar în cuptor. Materialul
se supune unei încălziri progresive pornind de la bază astfel încât în momentul
topirii stratului superior, la bază deja se produce întărirea materialului.
Dimensiunile blocurilor obținute sunt mai mari (60 pe 60 cm –70 pe 70 cm) cu
înălțimea de 20–25 cm, și se procedează la tăierea lor în blocuri mai mici având
lungimea de 20–25 cm.

Procedeul Czochralskieste utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline.

Înainte de tăierea plăcilor necesare celulelor, barele cilindrice rezultate se
ajustaează astfel încât să prezinte o secțiune pătrată.

Procedeul de topire zonalăse mai numește și procedeu Float-Zone și se aplică

tot la producerea monocristalelor de siliciu sub formă de bară. Puritatea
materialului obținut fiind superioară celei necesitate în confecționarea celulelor
solare, și costurile fiind mari, prodedeul este rar utilizat. Singura firmă ce
utilizează acest procedeul este SunPower din Statele Unite.

Fabricare de waferi (discuri/plăci subțiri de siliciu Din barele de cristal vor

fi secționate plăcuțe(wafer) cu un fierăstrău special constând dintr-o sârmă
lungă pe care s-au aplicat particule de diamant și care este înfășurată pe cilindri
ce se rotesc. Un bloc este complet secționat în plăcuțe de cca 0,18…0,28 mm la
o singură trecere. Praful rezultat în urma debitării este inutilizabil și reprezintă
până la 50 % din material.

Pentru obținerea de plăcuțe de siliciu la început se utiliza materia primă

excedentară rezultată din fabricarea de circuite integrate, care nu corespundea
calitativ dar era potrivită pentru fabricarea celulelor solare. Datorită cererii mult
crescute a producției de |panouri solare, această sursă are o importanță
nesemnificativă.
Celulele monocristaline prezintă o suprafață omogenă, pe când la celulele
policristaline se pot deosebi zone distincte cu cristale având orientări diferite,
ceea ce creează o imagine asemănătoare florilor de gheață.

În stadiul de plăcuță(wafer) fața și reversul plăcuței nu se deosebesc.

Prelucrarea plăcilor de siliciuPlăcile debitate vor fi trecute prim mai multe băi
de spălare chimică pentru a înlătura defectele de debitare și a pregăti o suprafață
potrivită captării luminii. Pentru aceasta s-au elaborat diferite procedee utilizate
de fabricanți.

În mod normal în această fază plăcile sunt deja impurificate cu bor. Aceasta
înseamnă că se găsește deja un surplus de goluri care pot capta electroni deci
avem o impurificare tip “p”. Pe parcursul procesului de fabricare a celulei solare
pentru crearea unei joncțiuni “p-n” este necesar să impurificăm suprafața ei cu
impurități de tip “n” ceea ce se poate realiza într-un cuptor într-o atmosferă de
fosfor. Atomii de fosfor pătrund în suprafață și vor crea o zonă de cca 1 µm cu
un surplus de electroni.

Pasul următor va consta în adăugarea unui electrod transparent din SiNx sau

TiO2 .Urmează imprimarea zonelor de conact și a structurii necesare pentru
colectarea curentului generat. Fața celulei este prevăzută de cele mai multe ori
cu două benzi pe care ulterior se vor fixa legăturile dintre mai multe celule. În
afară de aceasta se va aplica o grilă conductoare foarte subțire , care pe de o
parte deranjează foarte puțin intrarea luminii, pe de altă parte micșorează
rezistența electrică a electrodei. Reversul plăcii de regulă este complet acoperit
cu un material bun conductor de electricitate.

După procesare, celulele vor fi clasificate după proprietățile lor optice și

electrice, mai apoi sortate și asamblate în panouri solare.
În dorința de a se evita detașarea plăcilor din blocuri , se găsesc diferite alte
modalități ce permit fabricarea celulelor solare.

Procedeul EFG, prescurtarea de la Edge-defined Film-fed Growth. Prin acest

procedeu dintr-o cadă de grafit încălzită electric se trag în sus tuburi octogonale
de cca 6 până la 7 m cu o viteză de cca 1 mm/s. Lățimea unei fețe este de 10-
12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge cca 280 µm. Apoi tuburile vor fi tăiate de-
a lungul canturilor cu un laser NdYAG, după care fiecare fațetă pe baza unei
grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule cu diferite dimensiuni (de exemplu
12.5 pe 15 cm sau 12.5 pe 12.5 cm). În acest fel se obține o întrebuințare de
80 % a materialului disponibil. Celulele astfel realizate sunt deobicei
policristaline, care la vedere se deosebesc clar de cele debitate, printre altele
suprafața lor este mai ondulată. Acest procedeu se mai numește și procedeu
octagonal sau de extrudare.

Procedeul EFG este utilizat de firma Schott Solar în Germania și a fost dezvoltat
de firma ASE Solar din Statele Unite.
Procedeul String-Ribboneste un procedeu dezvoltat de firma Evergreen Solar
din Statele Unite care constă în tragerea cu ajutorul a două fire a unei pelicule
din siliciul topit. În cursul acestui proces rezultă mai puține deșeuri (șpan ce
trebuie înlăturat) ca la procedeele uzuale.
Procedeul cu transfer de stratla acest procedeu direct pe un substrat (corp
subțire solid, deobicei cu o orientare cristalină predefinită) se crește un
monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20 µm grosime. Ca material
purtător se pot utiliza substraturi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament
superficial. Placa(wafer) formată ca fi deprinsă de stratul purtător care în
continuare va putea fi reutilizată. Avantajele procedeului constau în consumul
de siliciu semnificativ redus datorită grosimii mici, și lipsa deșeurilor din
debitare (pas ce nu mai mai apre în acest procedeu). Randamentul atins este
mare și se situează în domeniul celulelor monocristaline.

Celule din siliciu „murdar“ Procesul de topire și impurificare zonală se

poate aplica și în cazul suprafețelor plate/straturi. Principiul constă în faptul că
impurificarea, prin tratamentul termic (multiplă retopire prin deplasare laterală
de exemplu cu ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate fi concentrată în
câteve locuri.

2.1.6. Alte tipuri de celule solare

Celule solare cu strat subțire

Celulele solare cu strat subțire se găsesc în diferite variante după substrat

și materialul condensat având o varietate a proprietăților fizice și a
randamentului pe măsură. Celulele solare cu strat subțire se deosebesc de
celulele tradiționale (celule solare cristaline bazate pe plăci de siliciu) înainte de
toate în tehnologia de fabricație și grosimea stratului materialului întrebuințat.
Proprietățile fizice ale siliciului amorf, care se deosebesc de cele ale siliciului
cristalin determină proprietățile celulelor solare. Anumite proprietăți nu sunt
încă pe deplin clarificate din punct de vedere teoretic.

Chiar și la celulele solare cristaline lumina este absorbită deja într-un strat
superficial (de o adâncime de cca 10 µm). Ar fi deci de preferat să se fabrice
celulele solare cu un strat foarte subțire. În comparație cu celulele din plăci de
siliciu cristalin celule cu strat subțire sunt de 100 de ori mai subțiri. Celulele cu
strat subțire se obțin de cele mai multe ori prin condensarea din fază gazoasă
direct pe un material purtător care poate fi sticlă, folie metalică, material sintetic,
sau alt material. Procesul costisitor de debitare a blocurilor de siliciu descris în
capitolul anterior poate fi deci eliminat. Cel mai întrebuințat material pentru
celulele cu strat foarte subțire este siliciul amorf (a-Si:H). Modulele cu celule de
acest tip au o durată de viață lungă. Testele confirmă un randament stabil pe o
perioadă de mai mult de 10 ani. Alte materiale ce se mai pot întrebuința sunt
siliciul microcristalin (µc-Si:H), arseniura de galiu (GaAs), teluriura
de cadmiu (CdTe) sau legături cupru-indiu-(galiu)-sulf-seleniu, așa numitele
celule CIS, respective celule CIGS unde în funcție de tip S poate însemna sulf
sau seleniu.
Modulele pe bază de celule cu strat subțire CIS au atins deja un randament de
11-12  % vezi  egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.

Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe

care parțial îl pot oferi și celulele cu strat subțire. Se pot atinge randamente în
jur de 20 % (de exemplu 19,2  % cu cellule CIS .

Totuși randamentul nu este singurul criteriu în alegere, de multe ori mai

importante sunt costurile la care se poate produce curent cu ajutorul panourilor
solare, iar acestea sunt determinate de procedeul de fabricație utilizat și de
prețul materiei prime.
Una din proprietățile avantajoase a celulelor cu strat subțire constă în fapul că
nu necesită un substrat rigid ca de exemplu sticlă sau aluminiu. La celulele
solare flexibile ce pot fi fixate pe rucsac sau cusute pe haină, se acceptă un
randament mai scăzut deoarece factorul greutate este mai important decât
transformarea optimă a luminii în energie electrică.

O altă proprietate avantajoasă a celulelor cu strat subțire, mai ales al celor din
siliciu amorf este că ele au un mod de fabricație mai simplu și pot avea o
suprafață efectivă mai mare. Din acest motiv ele au un segment de piață
semnificativ.

Utilajele de fabricație parțial sunt identice cu cele utilizate în fabricarea de

ecrane plate, și se pot obține straturi cu o suprafață de peste 5 m². Cu procedeul
de fabricație bazat pe siliciu amorf se pot produce și straturi subțiri din siliciu
cristalin, așa numitul siliciu microcristalin combinînd proprietățile siliciului
cristalin ca material pentru celule solare cu avantajele metodelor utilizate în
tehnica filmului subțire. Prin combinarea siliciului amorf și a celui
microcristalin au fost obținute măriri substanțiale de randament în ultimul timp.

Un procedeu de producere a celulelor cu strat subțire din siliciu este CSG

(Crystalline Silicon on Glass); prin acesta se depune un strat subțire de mai
puțin de 2 µm direct pe o suprafață de sticlă; după un tratament termic se obține
structura cristalină. Circuitele pentru curentul electric se aplică cu ajutorul
tehnicii laser și celei utilizate în imprimantele cu jet de cerneală. Pe baza acestei
tehnologii se construiește o fabrică în Germania, care ar trebui să producă
primele module în 2006.

Celule cu concentratorLa acest tip de celulă se economisește suprafață de

material semiconductor prin faptul că lumina este concentrată pe o suprafață mai
mică prin utilizarea lentilelor, acestea fiind mult mai ieftine decât materialul
semiconductor. În mare parte la acest tip de celule se utilizează semiconductori
pe bază de elemente din grupa III-V de multe ori aplicate în tandem sau pe trei
straturi. Din cauza utilizării lentilelor, panourile cu acest tip de celule trebuie
orientate incontinuu perpendicular pe direcția razelor solare.

Celule solare electrochimice pe bază de pigmențiAcest tip ce celule se mai

numesc și celule Grätzel. Spre deosebire de celulele prezentate pînă acum la
celule Grätzel curentul se obține prin absorbție de lumină cu ajutorul
unui pigment, utilizându-se oxidul de titan ca semiconductor. Ca pigmenți se
utilizează în principiu legături complexe al metalului rar ruteniu, dar în scop
demonstrativ se pot utiliza și pigmenți organici, de exemplu clorofila, sau
anthocian (din mure) (dar au o durată de viață foarte redusă). Modul de
funcționare al acestui tip de celule nu este încă pe deplin clarificat; este foarte
probabilă utilizarea comercială, dar tehnologia de producție nu este pusă la
punct.

Celule solare din compuși organici

Celule solare din compuși organici utilizează legături carbon-hidrogen care au

proprietăți semiconductoare. În acești semiconductori lumina excită
goluri/electroni din legăturile de valență, care însă au un spectru de lungime de
undă destul de restrâns. De aceea deseori se utilizează două materiale
semiconductoare cu nivele de energie puțin diferite pentru a împiedica dispariția
acestor purtători. Randamentul pe o suprafață de 1 cm² se cifrează la maximal
5 % (situația la nivel de ianuarie 2007).

Celule bazate pe fluorescență

Este vorba de celule solare, care mai întâi produc lumină de lungime de undă
mai mare prin fenomenul de fluorescență, ca mai apoi să o transforme la
marginile plăcii.
 2.1.7. Caracteristici tehnice

Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt dați pentru condiții standard (STC,
Standard Test Conditions).:

 Intensitate luminoasă de 1000 W/m2 în zona panoului,

 Temperatura celulei solare constant 25 °C,
 Spectrul luminii AM 1,5 global; DIN EN 61215, IEC 1215, DIN EN
60904, IEC 904.

AM 1,5 global indică slăbirea luminii solare la suprafața pământului în funcție

de latitudine datorită parcurgerii unei mase mai mari de aer proporțional cu
latitudinea (în acest caz se consideră latitudinea de 50°). Aceasta corespunde
condițiilor de vară din Europa centrală din nordul Italiei până în centrul Suediei.
În iarnă condițiile corespund unor valori de AM 4 până la AM 6. Prin absorbție
atmosferică și spectrul luminii ce cade pe panou se deplasează. Global indică
faptul că lumina este compusă atât din lumina difuză cât și din cea directă.

Este de remarcat că în realitate îndeosebi vara la prânz, temperatura celulelor

solare (în funcție de poziție, condiții de vânt etc.) poate atinge 30 până la 60 °C
ceea ce are ca urmare o scădere a randamentului. Din acest motiv se ia în calcul
un alt parametru, PNOCT care indică puterea la temperatura de funcționare
normală (normal operating cell temperature).
Prescurtări utilizate:

 SC: Short Circuit - scurtcircuit

 OC: Open Circuit - mers în gol
 MPP: Maximum Power Point - punctul de putere maximă
 PR: Performance Ratio Qualitätsfaktor Factor de performanță, indică
porțiunea în care panoul furnizează curentul la valori nominale.

Caracteristicile unei celule solare sunt:

 Tensiunea de mers în gol    

 Curentul de scurtcircuit 
 Tensiunea în punctul optim de funcționare 

 Curentul în punctual de putere mazimă 

 Puterea maximă estimată

 Factor de umplere 
 Coeficient de modificare a puterii cu temperatura celulei

 Randamentul celulei solare   la o suprafață iluminată A și intensitate

luminoasă 

Celulele solare deci pot ceda o putere de 160 W/ m². Incluse în module puterea
pe suprafață va fi mai scăzută pentru că între celule și marginea modulului este
o distanță.
Randamentul este raportul dintre puterea debitată de panou și putere conținută
în lumina incidentă totală. Semiconductoare cu zona interzisă stabilă utilizează
doar o parte a luminii solare. Randamentul teoretic maxim ce poate fi atins în
acest caz este de 33 %, pe când randamentul theoretic maxim la sistemele cu
mai multe benzi interzise care reacționează la toate lungimile de undă a luminii
solare este de 85 %.

Durată de
Material Randament(AM1,5) Costuri[4]
viață

Siliciu amorf 5-10 % < 20 J ani

Siliciu policristalin 10-15 % 25-30 ani 5 EUR/W

Siliciu monocristalin 15-20 % 25-30 ani 10 EUR/W

Arseniura de galiu
15-20 %
(monostrat)

Arseniura de galiu (doua

20 %
straturi)

Arseniura de galiu (trei 20-100

25 % (30% la AM0) >20 ani
straturi) EUR/W

Randamentul celulelor solare comerciale este de cca 20 %, iar modulele

construite cu acestea ating un randament de cca 17 %. Recordul pentru celulele
fabricate în condiții de laborator este de 24,7 % (University of New South
Wales, Australia), din care s-au confecționat panouri cu un randament de 22 %.
Prețul acestor module fabricate prin procedeul de topire zonală este de cca 200
Euro pe celulă la o suprafață a celulei de 21,6 cm2, corespunzând unui cost de 5-
10 Euro/W. Sistemele GaAs au costuri de 5 până la 10 ori mai mari.

Îmbătrânirea conduce la scăderea randamentului cu cca 10 % în 25 ani.

Fabricanții dau garanții pe cel puțin 80 % din puterea maximă în 20 ani.

În spațiu constanta solară este mai mare decât iluminarea globală pe pămînt,
totodată celulele solare îmbătrânesc mai repede. Panourile pentru sateliți ating
momentan (2005) un randament de 25 % la o durată de viață de 15 ani

2.1.8. Scheme de conectare

Semnul convențional pentru o celulă solară indică asemănător unei diode

sau fotodiode prin interediul unei săgeți sensul curentului pentru conectare.
Caracteristica unei cellule solare se deosebește totuși de cea a unei fotodiode
ideale. Pentru a modela aceste diferențe, există mai multe scheme echivalente.

Schemă de conectare și schemă echivalentă a Model de celululă solară cu o diodă

unei cellule solare

Fig 15

Schema extinsă ține cont de parametrii reali ai elementelor componente care

apar în procesul de fabricație. Prin aceasta se încearcă modelarea cît mai exactă
din punct de vedere electric a celulei solare.
Față de schema echivalentă simplificată la cea extinsă cu o diodă, schema se
întregește cu o rezistență legată în parallel și una legată în serie.

 Rezistanța în paralel Rp ia în considerare defectele de cristal, impurificări

neomogene și defecte de material prin care apar curenți de pierdere care
traversează joncțiunea p-n. La celule solare bine construite această rezistență
este relativ mare.
 Cu rezistența în serie Rs se iau în considerare efectele în urma cărora crește
rezistența totală a elementelor componente. Acestea sunt în principal
rezistența semiconductorului, rezistența contactelor și a legăturilor. La
celulele solare această rezistență trebuie să fie cât se poate de mică.

Formula pentru curentul total în acest model este o funcție recursivă și arată

astfel: 

Fig 16
Model cu două diode cu sursă cu limitare de tensiune la efectul de avalanșă la
tensiune inversă.
Față de cea anterioară aceastei scheme i se mai adaugă o diodă cu alți
parametri pentru a evidenția funcționarea în regim de tensiune inversă.
Formulele pentru această schemă conțin referiri la conductivitatea gb, tensiunea
de străpungere Ub și coeficientul exponențial de avalanșă .

2.1.9. Amortizarea energetică și eficiența energetică

 Amortizarea energetică este momentul în care energia consumată pentru
fabricarea celulei fotovoltaice este egalată de cea produsă în timpul exploatării.
Cel mai bine se prezintă din acest punct de vedere celulele cu strat subțire. Un
panou solar (fără cadru) cu astfel de celule se amortizează în 2-3 ani, Celulele
policristaline necesită până la amortizare cca 3-5 ani, pe când cele
monocristaline 4-6 ani. Deoarece un sistem cu panouri solare include și suporții
de montare, invertor etc. durata de amortizare energetică se mărește cu cca 1 an.

2.1.10. Protecția mediului

În fabricarea de celule solare se utilizează parțial și materiale dăunătoare

sănătății și mediului. Exemplu în acest sens prezintă celulele cu strat subțire
CdTe și arseniura de galiu și mult discutatele celule solare de tip CIS și CISG.
Producția în masă și utilizarea pe suprafețe extinse a acestora trebuie bine
cântărită. Dar și producția de celule cu siliciu tradiționale ascunde pericole
pentru mediu. Pentru persoane neavizate aceste riscuri ce sunt legate de procesul
de fabricație nu sunt vizibile. Aici intervine cerința de a promova selectiv
tehnologiile de fabricare a celulelor solare ce nu distrug mediul și care pe baza
progreselor tehnologice promit avantaje concurențiale.

TEMĂ PRACTICA
a). Celule pe bază de pigmenți, construcție, principii de funcționare.

b) . Celule cu electrolit semiconductor, construcție, functionare

2.2.Optocuplori

În electronică, un optoizolator, de asemenea numit și optocuplor,

fotocuplor, sau izolator optic, este o componentă care transferă un semnal
electric între două circuite izolate prin utilizarea luminii. Optoizolatoarele
împiedică tensiunile înalte să afecteze sistemul care primește semnalul.
Optoizolatoarele disponibile comercial, rezistă la tensiuni intrare/ieșire de până
la 10kV și la șocuri de tensiune cu viteze de până la 10kV/μs. Un tip comun de
optoizolator constă dintr-un LED și un fototranzistor în aceeași capsulă.
Optoizolatoarele sunt de obicei utilizate pentru transmiterea semnalelor digitale
(discrete, on/off), dar unele tehnici permit utilizarea lor pentru semnale
analogice (proporționale).

Diagrama schematică a unui optoizolator

arătând sursa de lumină (LED-ul) în stânga,
bariera dielectrică în centru, și senzorul
(fototranzistorul) în dreapta

Fig 17
2.2.1.Istoric

Ca funcție tehnologică, optoizolatoarele realizează o izolare galvanică

între două circuite (intrare și ieșire), fiind astfel o continuare a tehnologiei de
izolare inductivă, realizată cu ajutorul transformatoarelor electrice.
Fotorezistoarele bazate pe optoizolatoare au fost introduse în 1968. Ele sunt cele
mai lente, dar de asemenea cele mai liniar izolatoare și încă mai păstrează o nișă
de piață în industria audio și muzicală.
Comercializare tehnologiei LED în anii 1968-1970 a provocat un boom în
optoelectronică, și până la sfârșitul anilor '70 industria a dezvoltat principalele
tipuri de optoizolatoare. Majoritatea optoizolatoarele prezente pe piață utilizează
ca senzori fototranzistori bipolari pe bază de siliciu. Ele ating viteze de transfer a
datelor de viteză medii, suficiente pentru aplicații ca electroencefalograful, de
exemplu. Cele mai rapide optoizolatoare utilizează diodele PIN în modul
fotoconductiv.

2.2.2 Funcționare

Un optoizolator conține o sursă de lumină, aproape întotdeauna un LED, care

convertește semnalul electric de intrare în lumină, un canal optic închis (de
asemenea numit canal dielectric), și un fotosenzor, care detectează lumina părții
de intrare și care, fie generează energie electrică direct, sau modulează un curent
electric continuu care provine de la o sursă de alimentare externă. Senzorul optic
poate să fie un fotorezistor, o fotodiodă, un fototranzistor, un redresor de siliciu
controlat (SCR) sau un triac. Deoarece LED-ul poate simți lumina pe lângă
faptul că o emite, construcția simetrică, bidirecțională a optoizolatoarelor este
posibilă. Un optocuplor (de tip) releu conține o fotodiodă optoizolatoare care
conduce la un comutator de putere, de obicei o pereche complementară de
MOSFET-uri (tranzistori). Un comutator optic cu perforații conține o sursă de
lumină și un senzor, dar canalul său optic este deschis spre perforații, care
permit trecerea și modularea luminii de către obiecte externe ce pot obstrucționa
calea acesteia sau o pot reflecta spre senzorul optic.

Izolare electrică Echipamentul electronic și de semnal și puterea liniilor de

transmisie pot fi supuse unor supratensiuni induse de fulgere, de descărcari
electrostatice, transmisii de radio-frecvență, tranzițții de impulsuri (vârfuri)
și/sau perturbări ale alimentării. Loviturile de trăsnet pot induce suprasarcini de
până la 10 kV, adică de o mie de ori mai mult decât limitele tensiunii de lucru
ale componentelor electronice. Un circuit poate să fie expus unor tensiuni
ridicate, caz în care are nevoie de siguranță de funcționare, mijloace fiabile de
interfațare a componentelor sale de înaltă tensiune cu cele de joasă tensiune.
Funcția principală a unui optoizolator este de a bloca aceste tensiuni înalte și
tranzitii de tensiune, astfel încât un val într-o parte a sistemului nu va perturba
sau distruge alte părți. În trecut, aceasta functie a fost delegată
transformatoarelor de izolare, care folosesc cuplaj inductiv între intrare și
ieșire(izolare galvanică).

Transformatoarele și optoizolatoarele sunt singurele clase de dispozitive

electronice, care oferă protecție solida — acestea protejează atât echipamentul
cât și utilizatorul uman ce operează la acest echipament. Ele conțin o barieră
unică de izolare fizică, dar asigura protecția echivalentă cu dubla izolare. Un
optoizolator leagă intrarea si ieșire printr-un fascicul de lumină modulată de
curentul de intrare. Acesta transformă semnalul util în lumina, trimitându-l peste
canalul dielectric, captând lumina pe partea de ieșire și transformând-o înapoi în
semnal electric. Spre deosebire de transformatoare, care permit trecerea de
energie în ambele direcții cu pierderi foarte mici, optoizolatoarele sunt
unidirecționale și nu pot transmite putere.

2.2.3Tipuri de optoizolatori

Sursa de Rata de transfer

Tipul componentei Tipul senzorului Viteză
lumină curentă

Bec Foarte
incandescent mică

Optoizolator rezistiv
Neon Foto-rezistor(LDR) Mică <100%
(Vactrol)

Dioda
Mică
infraroșu

Dioda
Dioda optoizolatoare Fotodiodă cu siliciu Maximă 0.1% - 0.2%
infraroșu

Fototranzistor siliciu
Medie 2% - 120%
bipolar
Dioda
Tranzistor optoizolator
infraroșu
Fototranzistor
Medie 100% - 600%
Darlington
 Mică
Dioda
SCR optoizolat Redresor spre >100%
infraroșu
medie

Mică
Dioda
Triac optoizolat Triac spre Foarte mare
infraroșu
medie

Grup de fotodiode ce
Mică
Grup de diode comandă o pereche
Releu spre Practic nelimitată
infraroșu de MOSFET-uri sau
mare
un IGBT

Optoizolatorii tipici pot modula doar fluxul de energie deja prezent pe partea de
ieșire. Spre deosebire de transformatoare, optoizolatoarele pot trec semnale lente
sau de DC și nu necesită impedanțe asemanatoare dintre părțile de intrare și de
ieșire.

Optoizolatori rezistivi Cele mai timpuri optoizolatoare, original

comercializate ca celule de lumină , au apărut în anii 1960.

Fotorezistențele utilizate în optoizolatoare se bazează pe efectele bulk într-o film

uniform de semiconductoare; nu există joncțiuni p-n. Unic printre fotosenzori,
fotorezistențele sunt dispozitive nepolarizate potrivite pentru circuite de
AC(curent alternativ) sau DC(curent continuu). Rezistența lor scade invers
proportional cu intensitatea de intrare a luminii, practic de la infinit la un prag
rezidual, care poate fi mai mic de o sută de ohmi. Fotorezistențele au rezistat cu
ușurință tensiunilor de până la 400 v, proprietate ce le-a făcut ideale pentru
comandarea afișajelor fluorescente. Alte aplicații industriale au inclus
fotocopiatoare, automatizări industriale, aparate de măsurare profesională de
lumină și auto-expunere. Cele mai multe dintre aceste aplicații sunt acum
învechite, dar optoizolatoarele rezistive au păstrat o nișă în audio, în special la
amplificatoare pentru chitară.
Fotodioda, dioda optoizolatoare folosesc LED-uri ca surse de lumina si
fotodiodele cu siliciu ca senzori. Când fotodioda este inversă-polarizata cu o
sursa de tensiune externa, lumina pe care o primeste crește curentul invers care
curge prin dioda. Dioda în sine nu generează energie; modulează fluxul de
energie de la o sursă externă. Acest mod de operare este numit modul de
fotoconductie. Alternativ, în absența polarizarii externe dioda convertește
energia luminii în energie electrică prin perceperea la bornele sale o tensiune de
până la 0,7 V. Rata de incarcare este proporționala cu intensitatea de intrare a
luminii. Energia se colecteaza prin drenarea sarcinii printr-o cale de înaltă
impedanță externe; raportul de curent de transfer poate ajunge la 0,2%. Acest
mod de operare este numit modul fotovoltaic.
Fotodioda optoizolatoare poate fi folosita pentru interfațarea semnalelor
analogice, deși ne-liniaritate lor invariabil denaturează semnalul. O clasă
specială de optoizolatoare analogice idtroduse de Burr-Brown folosește două
fotodiode și un amplificator operațional pe partea de intrare pentru a compensa
ne-liniaritatea diodei. Una dintre cele două diode identice este legata în bucla de
feedback a amplificatorului, care menține curentul total de transfer de la un
nivel constant indiferent de ne-liniaritatea din a doua dioda.
Fototranzistori sunt în mod inerent mai lenți decât fotodiodele. Mai
vechi și mai lent, dar încă frecvent optoizolatorul 4N35, de exemplu, are timpul
de urcare și coborâre de 5 μs într-o sarcină de 100 Ohm și lățimea de bandă este
limitată la aproximativ 10 kilohertzi - suficiente pentru aplicații cum ar fi
electroencefalograma sau control PWM. Dispozitive cum ar fi PC-900 sau
6N138 recomandate în standardul din 1983 Musical Instrument Digital
Interface, permite viteze de tranfer digitale de zeci de kiloBauds. Fototranzistori
trebuie să fie corect polarizati și încărcati pentru a atinge viteza lor maximă, de
exemplu, 4N28 funcționează până la 50 kHz cu polarizare optimă și cu mai
puțin de 4 kHz fără ea.
Optoizolatoarele utilizând tranzistori cu efect de câmp (FET-uri) ca senzori sunt
rare, și precum vactrol-urile, pot fi utilizate ca potențiometre analogice
comandate la distanță cu condiția ca tensiunea la bornele terminalului de ieșire
FET să nu depășească câteva sute de mV. Opto-FET-urile pornesc fără
injectarea încărcării de comutare în circuitul de ieșire, care este în special
utilizat în eșantioane și circuite de menținere.
Optoizolatori bidirectionaliToți optoizolatorii descriși până acum sunt uni-
direcționali. Canalul optic funcționează întotdeauna într-o singură direcție, de la
fototranzistori, nu pot emite lumina. Dar LED-urile, precum toate diodele
semiconductoare, sunt capabile să detecteze lumina primită, lucru care face
posibilă construirea unui optoizolator bidirecțional plecând de la o pereche de
LED-uri. Cel mai simplu optoizolator bidirecțional este doar o pereche de LED-
uri puse față în față și ținute împreună cu tuburi contractoare la căldură. Dacă
este necesar, distanța dintre cele două LED-uri poate fi prelungită cu o inserție
de fibră de sticlă.LED-urile de spectru vizibil au eficiență de transfer relativ
slabă, prin urmare LED-uri de GaAs, GaAs:Si și AlGaAs:Si având spectrul
aproape infraroșu sunt alegerea preferată pentru dispozitivele bidirecționale.
Optoizolatorii bidirecționali construiți în jurul perechilor de LED-uri GaAs:Si
au rata curentului de transfer în jurul valorii de 0.06% în modurile fotovoltaic
sau fotoconductiv - mai puțin decât fotodiodele bazate pe izolatori, dar
suficiente pentru aplicații practice reale.
implementare a unui optocuplor: diferite tipuri de optocuploare

Fig 18

Alternative
Dezvoltatorii au recunoscut de mult timp că optocuploarele sunt bazate pe o
tehnologie învechită, și doar de curând au un cost eficient și astfel alternativele
ușor de utilizat au devenit disponibile. Aceste capsule avansate și pini
compatibile drop-in înlocuirea optocuploarelor oferă performanțe mai ridicate și
fiabilitate cu nici una din obligațiile tehnice ale optocuploarelor. Izolatoarele
digitale pot înlocui direct 6-pini și 8-pini ai optocuploarelor și sunt potrivite
pentru ambele optocuploare de adaptare și noi modele de sistem. Aceste
dispozitive care utilizează arhitectura de izolare bazată pe CMOS sunt de 10 ori
mai fiabile decât optocuploarele, permițând producătorilor să suporte o garanție
a prodului mai mare și să reducă costurile asociate cu reparația sau înlocuirea.
Optoizolatoarele pot fi prea încete și voluminose pentru aplicațiile digitale
moderne. Începând cu 1990, cercetătorii au examinat și perfectat alternative,
mai rapide și cu tehnologie de izolare mai compactă. Două din aceste tehnologii,
transformator bazat pe izolatoare și condensator cuplat, au ajuns pe piață în anii
2000. A treia alternativă, bazată pe o magnetorezistență uriașă, a fost prezentă
pe piață începând cu anii 2000 în cantități limitate. Începând cu anul 2010,
modelele de producție ale celor 3 tipuri permit viteze de transfer de 150 Mbit/s
și rezistență șocurilor de tensiune de până la 25 kV/μs, comparativ cu 10kV/ μs
pentru opto - izolatoare. Spre deosebire de opto – izolatoare, care sunt stive
discrete de LED-uri și senzori, noile dispozitive sunt circuite integrate
monolitice, și sunt ușor scalabile în magistrală izolatoară de date multi-bit.
- În anul 2000 Analog Devices au introdus izolatoarele magnetice integrate – cu
decuplare electrică de 100 Mbit/s, circuitele de izolare de 2.5 kV angajează
transformatoare cu miez de aer pe suprafața circuitelor integrate de siliciu. Ei au
prezentat un consum de energie mai mic și au fost de 4 ori mai rapide decât cele
mai rapide optoizolatore contemporane.
- În 2010, Analog a mărit viteza izolatoarelor magnetice la 150 Mbit/s și oferă
izolație de până la 5 kV. În conform cu Analog Devices, până în Decembrie
2011, compania dispune de mai mult „de 750 milioane (izolatore magnetice) de
canale desfășurate”.
În același an NEC și Renesas au anunțat transformatoare bazate pe dispozitive
CMOS cu rate de transfer de 250 Mbit/s.
 Condesatoarele de cuplare de mare viteză au fost introduse în anul 2000
de Silicon Laboratories și comercializate de către Texas Instruments. Aceste
dispozitive convertesc un flux de date de intrare într-un semnal de amplitudine
modulat UHF, trece printr-un strat de izolare cu dioxid de siliciu, și
demodulează semnalul primit.

Spectrele de tensiune parazită, care pot trece prin bariera capacitivă și perturba
operația, se situează mult sub frecvența de modulație și poate fi blocată efectiv.
Începând cu 2010, izolatoarele capacitive de cuplare oferă viteză de transfer de
150 Mbit/s și tensiune de izolație de 560 V.
 NVE Corporation pioneri memoriilor de acces aleator magnetorezistive ,
marchează un tip alternativ de izolator bazat pe efectul magnetorezitiv uriaș
(GMR). Fiecare celulă de izolare a acestor dispozitive este formată de către o
bobină plată care este microprelucrată deasupra a 4 valve îngropată într-o casetă
de silicon. Acești senzori conectați într-un circuite punte Wheatstone, generează
semnale binare de ieșire on/off. La timpul introducerii lor în 2002, NVE anunțau
viteze de 5 până la 10 ori mai mari decât cele mai rapide optoizolatoare; și în
Martie 2008 dispozitivele comerciale produse de NVE au fost clasificate pentru
viteze de până la 150 Mbit/s.

2.3. FIBRA OPTICĂ

2.3.1. Noțiuni generale și istoric

Fibra optică este o fibră de sticlă sau plastic care transportă lumină de-a lungul

său. Fibrele optice sunt folosite pe scară largă în domeniul telecomunicațiilor,
unde permit transmisii pe distanțe mai mari și la lărgimi de bandă mai mari
decât alte medii de comunicație. Fibrele sunt utilizate în locul cablurilor de
metal deoarece semnalul este transmis cu pierderi mai mici, și deoarece sunt
imune la interferențe electromagnetice. Fibrele optice sunt utilizate și pentru
iluminat și transportă imagine, permițând astfel vizualizarea în zone înguste.
Unele fibre optice proiectate special sunt utilizate în diverse alte aplicații,
inclusiv senzori și laseri.Lumina este dirijată prin miezul fibrei optice cu
ajutorul reflexiei interne totale. Aceasta face fibra să se comporte ca ghid de
undă. Fibrele care suportă mai multe căi de propagare sau moduri transversale se
numesc fibre multimodale (MMF), iar cele ce suportă un singur mod sunt fibre
monomodale (SMF). Fibrele multimodale au în general un diametru mai mare al
miezului și sunt utilizate în comunicații pe distanțe mai scurte și în aplicații în
care trebuie transferată multă putere. Fibrele monomodale se utilizează pentru
comunicații pe distanțe de peste 550 m. Conectarea fibrelor optice una de alta
este mai complexă decât cea a cablurilor electrice. Capetele fibrei trebuie să fie
atent tăiate, și apoi unite fie mecanic fie prin sudare cu arc electric. Se utilizează
conectori speciali pentru conexiuni ce pot fi înlăturate.
 cablu audio de fibră optică TOSLINK 
Fig 19 Fibre optice

Istoric

Tehnologia fibrelor optice, deși devenită omniprezentă doar în lumea modernă,

este una simplă și relativ veche. Ghidarea luminii prin reflexii repetate,
principiul care stă la baza fibrelor optice, a fost demonstrat pentru prima oară
de Daniel Colladon și Jacques Babinet la Paris la începutul anilor 1840. John
Tyndall a inclus o demonstrație a acesteia în cursurile sale publice de la Londra
un deceniu mai târziu.[1] Tyndall a scris și despre proprietatea de reflexie internă
totală într-o carte introductivă despre natura luminii, în 1870: „Când lumina
trece din aer în apă, raza refractată este întoarsă înspre perpendiculară... Când
raza trece din apă în aer, ea este întoarsă dinspre perpendiculară... Dacă unghiul
făcut de raza din apă cu perpendiculara la suprafață este mai mare de 48 de
grade, raza nu va mai ieși deloc din apă: ea va fi totalmente reflectată la
suprafață.... Unghiul ce marchează limita la care reflexia totală începe se
numește unghi limită al mediului. Pentru apă, acest unghi este de 48°27',
pentru sticlă flint, este de 38°41', iar pentru diamant, este de 23°42'.

Aplicațiile practice, cum ar fi iluminarea de aproape în stomatologie, au apărut

la începutul secolului al XX-lea. Transmisia imaginii prin tuburi a fost
demonstrată independent de Clarence Hansell și de pionierul televiziunii John
Logie Baird în anii 1920. Principiul a fost utilizat pentru examinări medicale
interne de Heinrich Lamm în deceniul imediat următor. În 1952,
fizicianul Narinder Singh Kapany a efectuat experimente ce au condus la
inventarea fibrei optice. Fibra optică modernă, în care fibra de sticlă este învelită
cu un strat transparent pentru a-i oferi un indice de refracție mai potrivit, a
apărut în același deceniu. Dezvoltarea s-a concentrat apoi pe transmiterea de
imagini prin snopuri de fibră. Primul gastroscop semiflexibil cu fibră optică a
fost patentat de Basil Hirschowitz, C. Wilbur Peters, și Lawrence E. Curtiss,
cercetători de la Universitatea Michigan, în 1956. În procesul de dezvoltare a
gastroscopului, Curtiss a produs primele fibre învelite în sticlă; fibrele optice
anterioare se bazau pe aer sau pe uleiuri și diverse tipuri de ceară ca material de
învelire cu indice de refracție mic.

Jun-ichi Nishizawa, un om de știință japonez de la Universitatea Tohoku, a fost

primul care a propus utilizarea fibrei optice în telecomunicații în
1963. Nishizawa a inventat alte tehnologii ce au contribuit la dezvoltarea
comunicațiilor prin fibră optică. Nishizawa a inventat fibra optică cu indice de
refracție gradat în 1964 pentru a servi drept canal de transmisie a luminii de la
laserii cu semiconductor pe distanțe lungi cu pierderi mici.În 1965, Charles K.
Kao și George A. Hockham de la compania britanică Standard Telephones and
Cables (STC) au fost primii care au promovat ideea că atenuarea în fibra optică
poate fi redusă sub pragul de 20 decibeli pe kilometru (dB/km), permițând
utilizarea fibrelor optice ca mediu practic de telecomunicații. Ei au arătat că
atenuarea din fibra optică disponibilă la acea vreme este cauzată de impurități
care pot fi înlăturate, și nu de fenomene fizice fundamentale, cum ar fi
împrăștierea. Această descoperire i-a adus lui Kao Premiul Nobel pentru
Fizică în 2009.
Nivelul crucial de atenuare de 20 dB/km a fost atins pentru prima oară în 1970,
de cercetătorii Robert D. Maurer, Donald Keck, Peter C. Schultz și Frank Zimar
de la fabricantul american de sticlă Corning Glass Works, denumit
astăzi Corning Incorporated. Ei au realizat o fibră cu atenuare de 17 dB/km
prin doparea sticlei de silicat cu titan. Câțiva ani mai târziu, ei au produs o fibră
cu doar 4 dB/km atenuare cu dioxid de germaniu ca dopant pentru miez.
Asemenea atenuări mici au deschis calea comunicațiilor prin fibră optică și
Internetului. În 1981, General Electric a produs longouri de cuarț ce putea fi tras
în fire de fibră optică de 40 km lungime.

Atenuarea din cablurile moderne de fibră optică este cu mult mai mică decât în
cablurile electrice de cupru, ducând la conexiuni de fibră optică cu distanțe între
repetoare de 70–150 km. Amplificatorul de fibră optică dopată cu erbiu, care a
redus costul sistemelor de comunicații prin fibră optică pe distanțe mari prin
reducerea și, în multe cazuri, eliminarea totală a necesității repetoarelor optic-
electric-optic, a fost dezvoltată de mai multe echipe conduse de David N.
Payne de la Universitatea Southampton, și de Emmanuel Desurvire de
la Laboratoarele Bell în 1986. Fibra optică mai robustă folosită astăzi se are atât
miezul cât și teaca din sticlă, suferind astfel mai puțin de pe urma trecerii
timpului. Ea a fost inventată de Gerhard Bernsee în 1973 la Schott AG în
Germania.

În 1991, studiile în domeniul cristalelor fotonice a dus la dezvoltarea fibrei

optice cu cristal fotonic care ghidează lumina prin difracție într-o structură
periodică, și nu prin reflexie internă totală. Prima fibră din cristal fotonic a
devenit disponibilă pe piață în 2000. Fibra din cristal fotonic poate fi proiectată
să transfere putere mai multă decât fibra convențională, iar proprietățile
dependente de lungimea de undă pot fi manipulate pentru a îmbunătăți
performanțele fibrei în anumite aplicații.
 2.3.2.Principiul de funcționare

O fibră optică este un ghid de undă dielectric cilindric ce transmite lumina de-a

lungul axei sale, prin procesul de reflexie internă totală. Fibra constă dintr-
un miez înconjurat de un strat de substanță (teacă). Pentru a păstra semnalul
optic în miez, indicele de refracție al miezului trebuie să fie mai mare decât cel
al tecii. Limita dintre miez și teacă poate fi fie abruptă, în fibra cu salt de indice,
fie gradat, în fibra cu indice gradat.

Indicele de refracție este o măsură a vitezei luminii printr-un material. Viteza

de deplasare a luminii în vid este de 300 de milioane de metri pe secundă.
Indicele de refracție al unui mediu se calculează împărțind viteza luminii în vid
la viteza luminii în mediul respectiv. Deci, prin definiție, indicele de refracție al
vidului este 1. Valoarea tipică pentru teaca unei fibre optice este 1.46. Valoarea
miezului este de regulă 1,48. Cu cât este mai mare indicele de refracție, cu atât
mai încet se propagă lumina prin mediu. Semnalul din fibra optică va călători,
astfel, cu o viteză de aproximativ 200 de milioane de metri pe secundă,
propagându-se astfel la 1000 de kilometri distanță în decurs de 5 milisecunde.
Astfel, un apel telefonic transportat pe fibră optică între Sydney și New York, pe
o distanță de 12000 kilometri va avea o întârziere minimă absolută de 60 de
milisecunde (o șaisprezecime de secundă) între momentul când un interlocutor
vorbește și celălalt aude (desigur, ruta urmată de apel nu va fi cea mai scurtă, și
în plus mai apar întârzieri din cauza comutației echipamentului de comunicație
și prin procesul de codificare și decodificare a vocii).

Reflexia internă totală Când lumina trece printr-un mediu dens și întâlnește o
limită de demarcație cu unghi abrupt (mai mare decât unghiul critic al
suprafeței), lumina va fi reflectată în întregime. Efectul este folosit în fibra
optică pentru a păstra lumina în miez. Lumina se deplasează prin fibră
reflectându-se de o parte și de alta a limitei cu teaca. Deoarece lumina trebuie să
lovească limita de demarcație la un unghi mai mare decât cel critic, doar lumina
care intră în fibră într-o anumită gamă de unghiuri poate traversa fibra fără a ieși
din ea. Această gamă de unghiuri se numește con de acceptanță al fibrei.
Dimensiunile conului de acceptanță depind de diferența de indice de refracție
între miez și teacă.

În termeni simpli, există un unghi maxim față de axa fibrei sub care lumina
poate intra în fibră astfel încât să se propage prin miez. Sinusul acestui unghi
maxim este deschiderea numerică a fibrei. Fibra cu deschidere numerică mare
necesită mai puțină precizie la tăiere și la lucru decât cea cu deschidere mică.
Fibra monomodală are deschidere numerică mică.

Fig 20 Fibra multimodală Propagarea luminii prin fibra optică

multimodală

Fibra optică cu diametru mare al miezului (mai mare de 10 micrometri)

poate fi analizată cu ajutorul opticii geometrice. Această fibră se numește fibră
multimod. Într-o fibră optică multimod cu salt de indice, razele de lumină sunt
conduse de-a lungul miezului fibrei prin reflexie internă totală. Razele ce ajung
la suprafața de contact miez-teacă cu unghi mare (relativ la normala la
suprafață), mai mare decât unghiul critic al acestei suprafețe, sunt complet
reflectate. Unghiul critic (unghiul minim pentru reflexia internă totală) este
determinat de diferența între indicele de refracție al miezului și cel al tecii.
Razele care ajung la suprafața de separare sub un unghi mic sunt refractate din
miez în teacă, și deci nu transmit lumina (și deci informația) de-a lungul fibrei.
Unghiul critic determină unghiul de acceptanță al fibrei, adesea dat ca apertură
numerică. O apertură numerică mare permite luminii să se propage de-a lungul
fibrei atât în raze apropiate de ax, cât și în raze la diferite unghiuri. Această
apertură numerică mare crește, însă, cantitatea de dispersie, întrucât razele la
unghiuri diferite au drumuri optice diferite și parcurg fibra în durate de timp
diferite. O apertură numerică mică ar fi, astfel, de dorit.

Fig 22Tipuri de fibră optică.

În fibra cu indice gradat, indicele de refracție al miezului scade treptat de la ax

la teacă. Aceasta face razele de lumină să se „îndoaie” ușor pe măsură ce se
apropie de teacă, în loc să se reflecte abrupt la suprafața de contact miez-teacă.
Drumurile curbate astfel reduc dispersia multicăi deoarece razele cu unghi mare
trec mai mult prin zonele periferice ale miezului, cu indice de refracție mic, și
nu prin centrul cu indice de refracție mare. Profilul indicelui de refracție este
ales pentru a minimiza diferența de viteză de propagare a diverselor raze din
fibră. Profilulideal este foarte apropiat de o relație parabolică între indicele de
refracție și distanța față de ax.

Fibra monomodală
 1.Miez: 8µm diametru
2.Teacă: 125µm diametru
3.Tampon: 250µm diametru
4.Înveliș: 400 µm diametru

Fig 23

Fibrele optice cu un diametru al miezului mai mic decât de zece

ori lungimea de undă a luminii propagate nu pot fi modelate cu ajutorul opticii
geometrice. Trebuie, în schimb, să se analizeze structura sa electromagnetică,
prin rezolvarea ecuațiilor lui Maxwell reduse la ecuația undei electromagnetice.
Analiza electromagnetică ar putea fi necesară și pentru a înțelege
comportamente ce au loc atunci când lumina coerentă se propagă printr-o fibră
multimodală. Ca ghid de undă optică, fibra suportă unul sau mai multe moduri
de traversare prin care lumina se poate propaga prin fibră. Fibra ce susține doar
un mod se numește fibră monomodală sau monomod. Comportamentul fibrei
multimodale poate fi și el modelat cu ajutorul ecuației undei electromagnetice,
ceea ce arată că o astfel de fibră suportă mai multe moduri de propagare.
Rezultatul modelării fibrelor multimodale cu optică electromagnetică se apropie
de predicțiile opticii geometrice, dacă fibra este suficient de mare și suportă un
număr mare de moduri.

Analiza ghidului de undă arată că energia luminii în fibră nu este complet

păstrată în miez. În schimb, mai ales la fibra monomodală, o fracțiune
semnificativă de energie se transferă tecii sub formă de unde evanescente.

Cel mai frecvent folosit tip de fibră monomodală are un diametru al miezului de
8–10 micrometri și este gândit pentru a fi utilizat la lungimi de undă vizibile
apropiate de infraroșu. Structura modului depinde de lungimea de undă a luminii
folosite, astfel că această fibră suportă de fapt un număr mic de moduri
adiționale la lungimi de undă vizibile. Fibra multimodală, prin comparație, este
produsă cu diametru al miezului de la 50 micrometri până la câteva sute de
micrometri. Frecvența normalizată V pentru această fibră ar trebui să fie mai
mică decât primul zero al funcției Bessel J0 (aproximativ 2,405)

2.3.3.Mecanisme de atenuare

Atenuarea în fibra optică, denumită și pierdere de transmisie, reprezintă

reducerea de intensitate a razei de lumină în raport cu distanța parcursă printr-un
mediu de transmisie. Coeficienții de atenuare utilizează în general ca unitate
dB/km din cauza calității relativ mari a transparenței mediilor optice moderne.
Mediul este de regulă o fibră din sticlă de silicat care păstrează raza de lumină
incidentă în interior. Atenuarea este un factor important de limitare a transmisiei
unui semnal pe distanțe mari. Astfel, s-au făcut numeroase cercetări atât pentru
limitarea atenuării, cât și pentru maximizarea amplificării semnalului optic.
Atenuarea este cauzată în primul rând de împrăștiere și absorbție.

Fig 24 Atenuarea luminii cu ZBLAN și

fibre din silicat

Împrăștierea luminii Propagarea luminii prin miezul unei fibre optice se

bazează pe reflexia internă totală a undei de lumină. Suprafețele neregulate,
chiar și la nivel molecular, pot reflecta razele de lumină în direcții aleatoare.
Aceasta se numește reflexie difuză sau împrăștiere, și este caracterizată de
regulă de o mare varietate de unghiuri de reflexie.

Împrăștierea luminii depinde de lungimea de undă a luminii împrăștiate. Astfel

apar limite ale scării de vizibilitate, în funcție de frecvența undei incidente și de
dimensiunea fizică a centrului de împrăștiere, care este de regulă o trăsătură
microstructurală specifică. Întrucât lumina vizibilă are o lungime de undă de
ordinul sutelor de nanometri și micronilor, centrele de împrăștiere vor avea
dimensiuni similare.

Astfel, atenuarea provine din împrăștierea incoerentă a luminii pe suprafețele de

contact interne. În materiale (poli)cristaline cum ar fi metalele sau ceramica, pe
lângă pori, majoritatea suprafețelor interne sunt de forma limitelor
intergranulare care separă regiuni mici de cristal. Dacă dimensiunea centrului de
împrăștiere se reduce sub dimensiunea lungimii de undă, împrăștierea nu mai
are o amploare semnificativă. Acest fenomen a dat naștere producției de
materiale ceramice transparente.

Fig 25 Reflexie speculară Reflexie difuză

Similar, împrăștierea luminii în fibră de sticlă este cauzată de neregularitățile la

nivel molecular ale structurii sticlei. Sticla este văzută de unii fizicieni ca un
simplu caz-limită de solid policristalin. În acest context, „domenii” ce prezintă
diverse grade de ordine pe scară redusă devin blocurile de construcție ale
metalelor și aliajelor, precum și sticlei și ceramicii. Există defecte
microstructurale distribuite printre și în cadrul acestor domenii, defecte ce
furnizează majoritatea punctelor ideale pentru apariția împrăștierii luminii.
Același fenomen se observă ca factor limitator al transparenței domurilor de
rachete cu infraroșii. La puteri optice mari, împrăștierea poate fi cauzată și de
procesele optice neliniare din fibră.

Absorbția razelor ultraviolete, vizibile și infraroșii Pe lângă împrăștierea

luminii, atenuarea poate apărea și din cauza absorbției selective a anumitor
lungimi de undă, într-o manieră similară cu cea răspunzătoare pentru apariția
culorilor obiectelor:

1) La nivel electronic, depinde dacă orbitalii electronilor sunt spațiați de așa

natură încât să poată absorbi o cuantă de lumină de o anumită lungime de undă
în spectrul ultraviolet sau vizibil. Aceasta dă naștere la proprietatea de culoare.

2) La nivel atomic sau molecular, depinde de frecvențele de vibrație moleculară

sau de legăturile chimice, de cât de apropiați sunt atomii între ei și moleculele
între ele și dacă atomii sau moleculele prezintă ordine pe scară mare. Acești
factori vor determina capacitatea materialului de a transmite lungimi de undă
mai mari (în spectrul infraroșu, radio și cel al microundelor).

Designul oricărui dispozitiv transparent impune alegerea materialelor pe baza

cunoașterii proprietăților și limitărilor lor. Caracteristicile de absorbție ale
structurilor cristaline observate în regiunile de joasă frecvență (infraroșu mediu
spre infraroșu îndepărtat) definesc limita de transparență la lungime mare de
undă a materialului. Aceste caracteristici sunt rezultatul cuplărilor interactive
dintre mișcarea vibrațiilor termice ale atomilor constituenți și moleculelor
structurii solidului și radiației luminoase incidente. Astfel, toate materialele sunt
limitate de regiuni de absorbție cauzate de vibrațiile moleculare și atomice din
infraroșul îndepărtat (λ>10 µm).
Fig 26 Modurile normale de vibrație într-un solid cristalin.

Astfel, absorbția multifoton are loc când doi sau mai mulți fotoni
interacționează simultan pentru a produce momente de dipol electric cu care
radiația incidentă se poate cupla. Acești dipoli pot absorbi energie din radiația
incidentă, ajungând la o cuplare maximă cu radiația atunci când frecvența este
egală cu modul fundamental de oscilație al dipolului molecular (ca în cazul
legăturii Si-O) din infraroșul îndepărtat, sau cu una dintre armonicele sale.

Absorbția selectivă de lumină infraroșie de către un anume material are loc

deoarece frecvența aleasă pentru razele de lumină este aceeași frecvență (sau un
multiplu întreg al frecvenței) la care vibrează particulele acelui material. Întrucât
atomi și molecule diferite au frecvențe naturale de vibrație diferite, toate vor
absorbi selectiv frecvențe diferite (sau porțiuni diferite de spectru) de lumină
infraroșie.

Reflexia și transmisia undelor de lumină au loc pentru că frecvențele undelor de

lumină nu sunt frecvențele naturale de rezonanță ale obiectelor. Când lumina
infraroșie la aceste frecvențe lovește un obiect, energia este fie reflectată, fie
transmisă.
 2.3.4.Telecomunicații prin fibră optică

Fibra optică poate fi utilizată ca mediu de telecomunicații

și rețele deoarece este flexibilă și poate fi strânsă în cabluri. Este deosebit de
avantajoasă pentru comunicații pe distanțe mari, deoarece lumina se propagă
prin fibră cu atenuare mică în comparație cu cablurile electrice. Aceasta permite
acoperirea de distanțe mari cu doar câteva repetoare. În plus, semnalele
luminoase propagate în fibră pe fiecare canal pot fi modulate la viteze de până la
111 gigabiți pe secundă.[13] Fiecare fibră poate transmite mai multe canale
independente, fiecare folosind o altă lungime de undă a luminii (multiplexare cu
diviziune a lungimii de undă). Rata de transfer netă (fără octeți de overhead)
este rata de transfer efectiv de date înmulțită cu numărul de canale (de regulă în
număr de până la 80 pentru sistemele cu multiplexare densă în lungimea de undă
la nivelul anului 2008). Recordul de transmisie prin fibră optică în laborator este
deținut de Laboratoarele Bell Labs din Villarceaux, Franța, cu multiplexarea a
155 canale, fiecare de câte 100 Gbps pe o fibră de 7000 km.

Pe distanțe scurte, cum ar fi rețeaua unei clădiri, fibra optică economisește

spațiu în conductele de cablu deoarece o singură fibră poate transporta mai
multe date decât un singur cablu electric. Fibra este imună și la interferențele
electrice; nu există cross-talk între semnalele de pe cabluri diferite și fibra optică
nu culege zgomote electromagnetice din mediu. Cablurile de fibră optică nu
conduc electricitate, aceasta fiind o bună soluție pentru protejarea
echipamentelor de comunicații aflate în medii de înaltă tensiune cum ar fi
centralele electrice, sau structurile metalice de comunicații vulnerabile la
trăznet. Ele pot fi utilizate și în medii în care sunt prezente gaze inflamabile, fără
pericol de explozie. Interceptarea comunicațiilor este mai dificilă prin
comparație cu conexiunile electrice, și există fibre cu miez dublu concentric
care fac interceptarea și mai dificilă.
Desi fibra optică se poate face din plastic transparent, sticlă, sau o combinație de
cele două, fibrele optice utilizate în telecomunicații pe distanțe mari sunt
întotdeauna din sticlă, din cauza atenuării optice mai mici. Atât fibrele
multimodale cât și cele monomodale sunt utilizate în telecomunicații, cea
multimodală fiind folosită pentru distanțe mici, de până la 550 m, iar cea
monomodală la legături pe distanțe mari. Din cauza toleranțelor mai mici
necesare pentru cuplarea luminii între fibrele monomodale (cu diametrul
miezului de aproximativ 10 micrometri), transmițătoarele, receptoarele,
amplificatoarele și alte componente monomodale sunt în general mai
costisitoare decât cele multimodale.

2.3.5. Senzori cu fibră optică

În unele aplicații, se folosesc senzori care sunt ei înșiși fibre optice. În alte
cazuri, fibra optică este utilizată pentru a conecta un senzor cu sistemul de
măsurare. În funcție de aplicație, fibra optică se poate folosi deoarece este mică,
sau pentru că în punctul îndepărtat de măsurare nu există energie electrică, sau
pentru că astfel se pot multiplexa mai mulți senzori pe lungimea unei singure
fibre prin folosirea de lungimi de undă diferite pe fiecare senzor, sau prin
detectarea întârzierii suferite de lumină la trecerea prin fiecare senzor.Fibra
optică se poate utiliza ca senzor de măsurare a
tensiunii, temperaturii, presiunii și a altor cantități prin modificarea fibrei astfel
încât cantitatea de măsurat să moduleze intensitatea,
 faza, polarizarea, lungimea de undă sau durata de trecere a luminii. Senzorii
care pot varia intensitatea luminii sunt cei mai simpli, deoarece sunt necesare
doar o sursă și un detector.

Senzorii extrinseci utilizează un cablu de fibră optică, în mod normal

multimodal, pentru a transmite lumină modulată fie de la un senzor de alt tip, fie
de la un senzor electronic conectat la un transmițător optic. Un beneficiu major
al senzorilor extrinseci este abilitatea lor de a ajunge în locuri altfel inaccesibile.
Un exemplu îl constituie măsurarea temperaturii din interiorul motoarelor cu

reacție ale avioanelor cu ajutorul unei fibre care transmite radiații într-un

pirometru aflat în afara motorului. Senzorii extrinseci pot fi utilizați în același
fel pentru a măsura temperatura internă a transformatoarelor electrice,
unde câmpurile electromagnetice prezente fac imposibile alte tehnici de
măsurare. Senzorii extrinseci măsoară și vibrații, rotații, deplasări, viteze,
accelerații, momente ale forțelor și tensiuni mecanice.

Alte utilizări

Fig 27Un frisbee iluminat cu fibră optică

Fibra optică este folosită și în iluminat, ca ghid de lumină în aplicații medicale

și nu numai, în care este nevoie de lumină puternică pe un punct ascuns. În
unele clădiri, fibra optică este utilizată pentru a direcționa lumina solară de pe
acoperiș spre alte părți ale clădirii. Iluminarea cu fibră optică este folosită și în
aplicații decorative, la indicatoare, lucrări de artă și în pomi de Crăciun
artificial. Magazinele Swarovski utilizează fibra optică pentru a ilumina
cristalele expuse din mai multe unghiuri cu o singură sursă de lumină.

Un grup coerent de fibre se utilizează, uneori împreună cu lentile, la un

dispozitiv lung și subțire de achiziționat imagini, numit endoscop, folosit pentru
a vedea obiecte printr-o gaură mică. Endoscoapele medicale sunt utilizate pentru
proceduri chirurgicale neinvazive (endoscopie). Endoscoapele industriale sunt
utilizate la inspectarea unor puncte la care se ajunge greu, cum ar fi interioarele
motoarelor cu reacție.
În spectroscopie, cablurile de fibră optică sunt utilizate pentru a transmite
lumina de la un spectrometru la o substanță ce nu poate fi pusă ea însăși în
spectrometru, pentru a i se analiza compoziția. Un specrometru analizează
substanțele trecând lumină prin ele și reflectând lumină din ele. Cu fibră optică,
un spectrometru poate fi folosit pentru a studia obiecte prea mari pentru a
încăpea în el, gaze sau reacții ce au loc în vase sub presiune.

O fibră optică dopată cu anumite elemente rare, cum ar fi erbiul se pot folosi ca
mediu de amplificare pentru un laser sau amplificator optic. Fibra optică dopată
cu elemente rare se poate folosi și pentru a amplifica semnale prin tăierea unei
scurte secțiuni de fibră dopată și introducerea ei într-o linie de fibră obișnuită.
Fibra dopată este pompată optic cu o a doua lungime de undă cuplată la linie.
Lumina de ambele lungimi de undă se transmite prin fibra dopată, care transferă
energie de la a doua lungime de undă la unda purtătoare de semnal. Procesul
care determină amplificarea este emisia stimulată.

Fibrele optice dopate cu un deplasator de lungime de undă folosesc la colectarea

luminii de la un scintilator în experimentele de fizică. Fibra optică poate oferi
alimentare cu energie (aproximativ un watt) unor dispozitive electronice aflate
într-un mediu electric dificil.

2.4.Laserele cuantice în cascadă 

Laserele cuantice în cascadă (engl. Quantum Cascade Lasers - QCLs)

sunt lasere realizate cu dispozitive semiconductoare, ele emițând doar în
anumite porțiuni ale spectrului electromagnetic, mai exact în infraroșu mediu și
în infraroșu apropiat. Existența acestui tip de lasere a fost demonstrată pentru
Bell de către prima dată la Laboratoarele Jerome Faist, Federico Capasso,
Deborah Sivco, Carlo Sirtori, Albert Hutchinson și Alfred Cho în anul 1994.

Spre deosebire de laserele tipice interbandă cu semiconductoare, care emit

radiații electromagnetice prin recombinarea perechilor electron-gol din banda
materialului, laserele cuantice în cascadă sunt unipolare, iar emisia laser se
realizează prin utilizarea tranzițiilor intersubbandă într-o stivă repetată de
heterostructuri semiconductoare cuantice multiple; această idee a fost propusă

pentru prima dată în lucrarea intitulată “Posibilitatea de amplificare a undelor

electromagnetice într-un semiconductor folosind superstructuri .

2.4.1. Tranzițiile intersubbandă versus tranzițiile interbandă

Într-un cristal semiconductor, electronii pot ocupa o poziție într-una din cele
două benzi continue de energie – banda de valență, care este puternic populată
cu electroni de energie scăzută și banda de conducție, care este slab populată cu
electroni de energie crescută. Cele două benzi energetice sunt separate printr-un
spațiu liber de energie în care electronii nu pot ocupa nicio stare disponibilă
permisă.

Fig 28 Tranzițiile interbandă în laserele convenționale cu semiconductoare

emit un singur foton

Diodele laser cu semiconductoare convenționale generează lumină prin emisia

unui singur foton, emisie ce are loc atunci când un electron de energie ridicată
din banda de conducție se recombină cu un gol din banda de valență. Drept
urmare, energia fotonului și lungimea de undă a emisiei diodelor laser este
determinată de spațiul interbandă specific materialului folosit.

Cu toate acestea, un laser cuantic în cascadă nu utilizează materiale

semiconductoare în regiunea sa optică activă. În schimb, cuprinde o serie
periodică de straturi subțiri din diferite materiale, formând astfel o
superstructură. Superstructura introduce un potențial electric reglabil pe întreaga
lungime a dispozitivului, ceea ce înseamnă că există de asemenea o probabilitate
diferită ca electronii să ocupe diferite poziții pe lungimea dispozitivului. Acest
lucru este cunoscut ca fiind o limitare cuantică multiplă unidimensională și
conduce la divizarea benzii de energii permise în mai mult subbenzi electronice
discrete. Prin proiectarea adecvată a grosimilor stratului, este posibilă realizarea
unei inversări de populație între două subbenzi din sistem, ea fiind necesară în
vederea realizării emisiei laser. Deoarece poziția nivelurilor de energie în sistem
este determinată în primul rând de grosimile stratului și nu de material, este
posibilă reglarea într-o gamă largă a lungimii de undă a emisiei laserelor
cuantice în cascadă în același material.

Fig 29
În structurile cuantice în cascadă, electronii sunt supuși unor tranziții
intersubbandă în urma cărora sunt emiși fotoni. Electronii se deplasează către
următoarea perioadă a structurii, iar procesul se repetă.

În diodele laser semiconductoare, electronii și golurile sunt anihilați după ce se

recombină de-a lungul spațiului dintre cele două benzi și nu mai pot juca niciun
rol viitor în generarea de fotoni. Totuși, într-un laser cuantic în cascadă unipolar,
de îndată ce un electron a fost supus unei tranziții intersubbandă și a emis un
foton într-o perioadă a superstructurii, se poate deplasa (tunela) către următoarea
perioadă a structurii, acolo unde un alt foton poate fi emis. Acest proces, în care
un singur electron cauzează emisia mai multor fotoni pe măsură ce traversează
structura unui QCL (Quantum Cascade Laser – Laser Cuantic în Cascadă), dă
naștere la denumirea de “în cascadă” din numele tipului de laser și face posibilă
o eficiență cuantică mult mai mare decât unitatea, ceea ce conduce la puteri de
ieșire mult mai mari decât în cazul diodelor laser semiconductoare.

2.4.2.Principii de funcționare

Ecuații specifice
Fig 30 Populațiile de subbandă sunt determinate de ratele de împrăștiere
intersubbandă și de curentul de injecție sau deextracție.

În mod uzual, laserele cuantice în cascadă sunt bazate pe un sistem cu trei

niveluri. Presupunând că formarea funcțiilor de undă este un proces rapid
comparativ cu împrăștierea între stări, se pot aplica soluțiile independente de
timp ale ecuației Schrödinger, iar sistemul poate fi modelat folosind ecuațiile
specifice. Fiecare subbandă conține un număr de electroni ni (unde i  reprezintă
index-ul subbenzii) ce se împrăștie între niveluri, având un timp de viață
de τif (reciproca ratei medii de împrăștiere subbandă Wif), unde  i și f  sunt
indicii subbenzii inițiale, respectiv finale. Presupunând că nu mai există și alte
subbenzi populate, ecuațiile specifice pentru laserele de nivel trei sunt date de:

În starea de echilibru, derivatele de timp sunt egale cu zero, iar Iint=Iaut.

Ca urmare, ecuația specifică generală pentru electronii din subbanda i a unui
sistem de nivel N va fi:

Plecând de la premisa că procesele de absorbție pot fi ignorate (de exemplu, 

valabilă la temperaturi scăzute), ecuația specifică de mijloc dă următorul

rezultat:

Prin urmare, în cazul în care   (adica  ),

atunci   și va apărea o inversie de populație. Raportul populației

este definit ca fiind:

Dacă se adună toate cele N ecuații specifice la starea de echilibru, tot ce este în

partea dreaptă (membrul drept) devine zero, ceea ce înseamnă că sistemul este
subdeterminat și nu se poate afla decât populația relativă a fiecărei subbenzi.
Dacă densitatea totală a purtătoarelor din sistem,  N2D, este de asemenea
cunoscută, atunci populația absolută a purtătoarelor din fiecare subbandă poate
fi determinată folosind următoarea expresie:

.
 Ca o aproximare, se poate presupune că toate purtătoarele din sistem sunt
furnizate de dopaj. Dacă dopantul are o ionizare neglijabilă, atunci N2D este
aproximativ egală cu densitatea de dopaj.

Fig 31

Funcțiile de undă ale unui electron se repetă în fiecare perioadă corespunzătoare

regiunii active a laserului cuantic în cascadă cu trei niveluri. Nivelul superior al
laserului este afișat în imagine ca fiind îngroșat.

2.4.3. Modele ale zonei active

Ratele de împrăștiere sunt adaptate în funcție de proiectarea adecvată a

grosimilor stratului din superstructură, ceea ce determină funcțiile de undă
(aferente unui electron) ale subbenzilor. Rata de împrăștiere dintre două
subbenzi depinde în mare masură de suprapunerea funcțiilor de undă și de
spațiul energetic dintre subbenzi. Figura din stânga paginii prezintă funcțiile de
undă dintr-o regiune activă cu 3 niveluri cuantice.

Pentru a micșora valoarea  W32, se reduce suprapunerea nivelelelor laser

superioare și inferioare. Acest lucru este adesea realizat prin proiectarea
grosimilor stratului astfel încât nivelul laser superior să fie în cea mai mare parte
localizat în partea stângă a regiunii active, iar funcția de undă a nivelului laser
inferior în părțile centrală și dreaptă ale regiunii active. Acest lucru este
cunoscut sub numele de tranziție diagonală. În schimb, o
tranziție verticală apareatunci când nivelul laser superior este preponderent
localizat în părțile centrală și dreaptă ale regiunii active. Astfel, se mărește
suprapunerea, precum și W32, ceea ce reduce inversia populației, dar crește
puterea tranziției radiative și implicit câștigul.

Pentru a crește valoarea W21, nivelul laser inferior și funcțiile de undă

corespunzătoare nivelului de masă sunt concepute astfel încât să aibă o
suprapunere bună, iar pentru a crește și mai mult W21, spațiul energetic dintre
subbenzi este conceput astfel încât să fie egal cu energia fononică longitudinală
optică (FO)]] (~36 meV în GaAs); acest ultim efect are loc pentru ca
împrăștierea electron-fononică LO rezonantă să poată depopula rapid nivelul
laser inferior.

Primul laser cuantic în cascadă a fost fabricat în sistem mateial

InGaAs/InAlAs potrivit din punct de vedere structural la un substrat de
InP. Acest sistem material special are un offset al benzii de conducție (mai
exact, adâncimea cuantică) de 520 meV. Aceste dispozitive bazate pe InP au
atins nivele foarte ridicate de performanță în intervalul spectral infraroșu mediu,
atingând emisii de unde active de mare putere.

În 1998, laserele cuantice în cascadă cu GaAs/AlGaAs au fost demonstrate de

Sirtori, demonstrând că noțiunea de cuantificare în cascadă nu se limitează la un
singur sistem material. Acest sistem material are o adâncime cuantică variabilă
ce depinde de cantitatea de aluminiu din bariere. Deși laserele cuantice în
cascadă bazate pe GaAs nu au ajuns la nivelele de performanță în infraroșu
mediu ale celor bazate pe InP, acestea s-au dovedit a avea un succes de excepție
în regiunea spectrală a frecvențelor de ordinul THz-ilor.

Limita lungimii scurte de undă a laserelor cuantice în cascadă este determinată

de adâncimea cuantică; recent, pentru a obține emisii de lungimi scurte de undă,
aceste tipuri de lasere au fost dezvoltate în sisteme de materiale cu sonde
cuantice foarte adânci. Sistemul material InGaAs/AlAsSb are sonde cuantice de
1.6 eV adâncime și a fost utilizat pentru a fabrica lasere cuantice în cascadă ce
emit lungimi de undă de 3 μm. QCL-urile bazate pe InAs/AlSb au sonde
cuantice de 2.1 eV adâncime, electroluminiscența lor având lungimi de undă de
până la 2.5 μm.

Laserele cuantice în cascadă pot permite totodată funcționarea laserului și în

materiale considerate în mod tradițional a avea proprietăți optice slabe.
Materialele cu spațiu de bandă indirect, de exemplu siliciul, au energii minime
ale electronilor și ale golurilor la diferite impulsuri. Pentru tranziții optice
interbandă, purtătoarele schimbă impulsul printr-un proces de împrăștiere lent,
intermediar, reducând drastic intensitatea emisiei optice. Pe de altă parte,
tranzițiile optice intersubbandă sunt independente de impulsul relativ al benzilor
de conducție și de valență; tocmai din acest motiv au fost făcute propuneri
teoretice pentru emițătoare cuantice în cascadă bazate pe Si/SiGe.

În prezent gama de lungimi de undă 2.75–250 µm, existând posibilitatea

extinderii până la 355 µm în cazul aplicării unui câmp magnetic.

2.4.4.Ghiduri de undă optice

Fig 32
Vedere din perspectivă a unei fațete cuantice în cascadă cu ghid de undă crestat.
Culoarea gri întunecat: substratul de InP, culoarea gri deschis: straturile cuantice
în cascadă, negrul: dielectricul, auriul: stratul de aur; o creastă are o lățime
aproximativă de 10 μm

Fig 33

Vedere din perspectivă a unei fațete cuantice în cascadă cu ghid de undă cu

heterostructură îngropată. Culoarea gri-verzuie: substratul de InP, culoarea gri
deschis: straturile cuantice în cascadă, negrul: dielectricul; heterostructura are o
lățime aproximativă de 10 μm

Primul pas în procesul de prelucrare a unui material cuantic în cascadă cu câștig,

pentru a face un dispozitiv util de emitere a luminii, este de a limita/bloca
mediul de câștig într-un ghid de undă optic. Acest lucru face posibilă
direcționarea luminii emise într-un fascicul colimat și permite construirea unui
rezonator laser în așa fel încât lumina să poată fi din nou cuplată în mediul de
câștig.

În uz comun sunt două tipuri de ghiduri de undă optice. Un ghid de undă crestat
este creat prin gravarea unor șanțuri paralele în materialul cuantic în cascadă cu
câștig (cu scopul de a crea o bandă izolată de material cuantic în cascadă),
șanțuri ce au o lățime de aproximativ 10 μm și o lungime de câțiva mm. De
obicei, în acele șanțuri se depozitează un material dielectric al cărui rol este
acela de a ghida curentul injectat în creastă, după care întreaga creastă este
acoperită cu aur pentru a asigura contact electric și pentru a ajuta la eliminarea
căldurii din creastă atunci când aceasta din urmă emite lumină. Lumina este
emisă prin deschizăturile ghidului de undă, având o suprafață activă de doar
câțiva micrometri în dimensiune.

Al doilea tip de ghid de undă este o heterostructură îngropată. Și în acest caz,

materialul cuantic în cascadă este gravat pentru a produce o creastă izolată. În
schimb însă, peste creastă “se cultivă” un nou material semiconductor.
Schimbarea indicelui de refracție dintre materialul cuantic în cascadă și
materialul semiconductor “supracrescut” este suficientă pentru a crea un ghid de
undă. Materialul dielectric este de asemenea depus peste materialul
“supracrescut”, în jurul crestei, pentru a ghida curentul injectat în mediul de
câștig cuantic în cascadă. Ghidurile de undă cu heterostructură îngropată sunt
eficiente în eliminarea căldurii din zona activă atunci când este produsă lumină.

2.4.5.Tipuri de lasere

Deși mediul de câștig cuantic în cascadă poate fi folosit într-o configurație

superluminescentă pentru a produce lumină incoerentă, el este cel mai frecvent
utilizat în combinație cu o cavitate optică pentru a forma un laser.

1. Lasere Fabry-Pérot

Acestea sunt cele mai simple lasere cuantice în cascadă. În primul rând, pentru a
forma mediul de câștig, se realizează un ghid de undă optic din material cuantic
în cascadă. Capetele dispozitivului semiconductor cristalin sunt apoi despicate
pentru a forma două oglinzi paralele la fiecare capăt al ghidului de undă,
realizând astfel un rezonator Fabry-Pérot. Reflexia reziduală pe fațetele
despicate din interfața semiconductor – aer este suficientă pentru a crea un
rezonator. Laserele cuantice în cascadă Fabry-Pérot sunt capabile să producă
puteri mari,[6] însă la curenți mari de funcționare, sunt de obicei multi-mod.
Lungimea de undă poate fi schimbată în principal prin modificarea temperaturii
dispozitivului cuantic în cascadă..

2. Lasere cu feedback distribuit

Un laser cuantic în cascadă cu feedback distribuit  este similar unui laser
Fabry-Pérot, cu excepția unui reflector Bragg distribuit, construit pe partea de
sus a ghidului de undă pentru a preveni emisia la o altă lungime de undă decât
cea dorită. Acest lucru obligă funcționarea laserului doar în mod single, chiar
și la curenți de operare mai ridicați. Astfel de lasere pot fi reglate în principal
prin schimbarea temperaturii, deși o variantă interesantă de reglare poate fi
obținută prin pulsarea unui laser DFB. În acest fel, lungimea de undă a
laserului este “ciripită” rapid pe parcursul unui puls, ceea ce permite scanarea
cu rapiditate a unei regiuni spectrale.
3. Lasere cu cavitate externă

Fig 34 Schema unui dispozitiv cuantic în cascadă aflat într-o cavitate externă, cu feedback-
ul optic selectiv de frecvență furnizat de rețeaua de difracție în configurație Littrow.

Într-un laser cuantic în cascadă cu cavitate externă, dispozitivul cuantic în

cascadă servește pe post de mediul de câștig pentru laser. Una sau ambele fațete
ale ghidului de undă are/au un strat anti-reflexie ce învinge acțiunea cavității
optice a fațetelor despicate. În exteriorul dispozitivului cuantic în cascadă,
câteva oglinzi sunt aranjate într-o anumită configurație pentru a crea cavitatea
optică. Dacă un element selectiv de frecvență este inclus în cavitatea externă,
este posibil să se reducă emisiile laser la o singură lungime de undă și chiar să se
regleze și radiația. De exemplu, grilajele de difracție au fost folosite pentru a
crea un laser reglabil ce poate acorda mai mult de 15% din lungimea sa de undă
centrală.

Observație

Structurile alternante ale celor două materiale semiconductoare care formează

heterostrucura cuantică pot fi “cultivate” pe un substrat folosind o varietate de
metode, cum ar fi epitaxia fasciculului molecular (MBE), epitaxia fazei
vaporilor metalorganici (MOVPE) sau depunerea chimică de vapori
metalorganici (MOCVD).

Laserele cuantice în cascada au fost comercializate pentru prima dată în anul

2004, and broadly-tunable external cavity quantum cascade lasers first
commercialized in 2006. Iar cele cu cavitate externa în 2006. Ieșirea optică de
mare putere, gama de reglaj și funcționarea la temperatura camerei fac ca
laserele cuantice în cascadă să fie utile pentru aplicații spectroscopice, precum
teledetecția gazelor și a poluanților din atmosferă și din mediul înconjurător,
precum și securitatea casnică. Acestea pot fi folosite și pentru controlul vitezei
de croazieră a vehiculelor în condiții de vizibilitate redusă, pentru radare de
evitare a coliziunii, pentru controlul proceselor industriale și în diagnosticarea
medicală, precum analizoarele de respirație. Laserele cuantice în cascadă sunt de
asemenea utilizate pentru a studia chimia plasmei.

Gama lor dinamică largă, sensibilitatea excelentă și funcționarea în condiții de

siguranță combinate cu fiabilitatea remarcabilă ar trebui să depășească foarte
ușor multe dintre obstacolele tehnologice care împiedică existența acestei
tehnologii pe piață. Atunci când este utilizată în sisteme multi-laser,
spectroscopia intrapulsatorie a laserelor cuantice în cascadă oferă o acoperire
spectrală largă, ce poate fi folosită pentru a identifica și cuantifica molecule
grele complexe, precum acelea din produsele chimice toxice ori explozive sau
din droguri

Emisia nedirijată a unor astfel de lasere în fereastra atmosferică de 3 – 5 μm ar

putea fi folosită ca o alternativă mai ieftină la fibrele optice folosite pentru
accesul la internet de mare viteză din zonele urbanizate.

CUPRINS

Patrea a I-a

I. Materiale optoelectronice

1.1. Sticla optică

1.1.1. Sticla și tipuri de sticle

1.1.2. Sticla optică aspecte generale

1.1.3 Proprietăți optice ale sticlei

1.1.4. Proprietăți termice ale sticlei

1.1.5. Proprietăți mecanice ale sticlei

1.1.6. Aprecierea calităților sticlei optice

1.1.7. Materii prime pentru sticla optică

1.1.8. Proiect: Metode de calcul al componentelor sticlei

1.2. Materiale semiconductoare

1.2.1. Noțiuni generale despre materialele semiconductoare

1.2.2. Procedee de obținere și purificare a materialelor semiconductoare

1.2.3. Parametrii principali ai materialelor semiconductoare

1.2.4. Caracteristicile materialelor semiconductoare și determinarea lor

 1.2.5. Proprietățile mecanice, elastice și vibrații ale materialelor
semiconductoare

1.2.6. Funcțiile materialelor semiconductoare

1.3. Materialele plastice

Patrea a II-a

II. Dispozitive optoelectronice

2.1. Celule solare

2.1.1. Istoric

2.1.2. Clasificarea celulelor solare

2.1.3. Construcția unei celule solare

2.1.4. Principiul de funcționare al celulei solare.

2.1.5. Fabricarea celulelor solare din siliciu

2.1.6. Tipuri de celule solare.

2.1.7. Caracteristicile tehnice ale unei celule solare

2.1.8. Sheme de conectare a celulelor solare.

2.1.9. Amortizarea și eficiența energetică

2.1 10 Protectia mediului

2.2. Optocuplori

2.2.1. Istoric

2.2.2. Funcționarea optocuplorilor

2.2.3. Tipuri de optocuplori

2.3. Fibra optică

2.3.1. Noțiuni generale și istoricul fibrei optice

2.3.2. Principiul de funcționare al fibrei optice

2.3.3. Mecanisme de atenuare

2.3.4. Telecomunicații prin fibră optică

2.3.5. Senzori cu fibră optică.

2.4. Lasere cuantice în cascadă

2.4.1. Tranzițiile intersubbandă versus tranzițiile interbandă

2.4.2. Principiul de funcționare al Laserelor cuantice în cascadă

2.4.3. Modele de zone active

2.4.4. Ghiduri de undă optice

2.4.5. Tipuri de Lasere cuantice în cascadă

Cuprins

BIBLIOGRAFIE

1.M.Popescu, A.Andrieș, V. Ciumaș, M. Iovu,S. Șutov, D. Țiuleanu, Fizica

sticlelor calcogenice., Editura științifică, București- Editura Știința, Chișinău,
1996,

2. P Balta– Tehnologia sticlei,Ed Didactica si Pdagogica, Bucuresti, 1984

3. L. Literat L. Gagea , F.Goga –Ceramica tehnică –Principii de calcul și
proiectare-vvEd Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca 2001

4. Flaviu  Emil Buturca – Chimia și tehnologia sticlei, Vol I, II, UBB, Cluj-

Napoca 1993
5. C. de Sabata, M. Borneas, B. Rothenstein, A. Munteanu, Bazele fizice ale
conversiei energiei solare, Editura Facla, 1982
6. Rudolf F. GrafModern dictionary of electronics. Newnes. ISBN 0-7506-
9866-7, 1999

7.Alexander JausNavigating the Regulatory Maze with Optocouplers. Power

Electronics Technology, May 2005, pp. 48–52.

8.Tom Markvart , Luis Castaner, Practical Handbook of Photovoltaics:

Fundamentals and Applications. Elsevier, New York, NY 2003