Materiale semiconductoare

Lucrarea Nr2. – Ridicarea experimentala a caracteristicilor statice ale

elementelor redresoare cu germaniu si cu siliciu

1.Notiuni introductive
In tehnica redresarii curentilor alternativi cu elemente redresoare uscate, materialele cele mai
utilizate sunt : peroxidul de cupru, seleniul si siliciul. Conductibilitatea acestor semiconductoare, dupa
natura elementelor chimice de impurificare, poate fi electronica sau lacunara(prin goluri). Cand pe
langa impurificarea dirijata, in procesul de fabricatie a semiconductorului mai apar si impuritati
nedorite, poate aparea o conductibilitate mixta.
Utilizarea redresoarelor cu semiconductoare presupune cunoasterea catorva date si
caracteristice ale elementului redresor, fig.2.1. , cum sunt:

+Ud-  Tensiunea directa (Ud), care este tensiunea, aplicata

redresorului cu polaritatea corespunzatoare
Id obtinerii curentului direct (Id) ca rezultat al efectului
Ii maxim de conductie.

-Ui +  Tensiunea inversa (Ui), care reprezinta tensiunea

Fig.2.1. Explicativa la aplicata redresorului cu o polaritate inversa decat
tensiunile si curentii cea pentru tensiunea directa. Sub actiunea tensiunii
(directe si inverse) ale inverse se obtine un efect minim de conductie si
unui redresor. curentul se numeste curent invers(Ii)

 Coeficientul de redresare (k) care reprezinta raportul intre

curentul direct (Id) si curentul invers(Ii) la valori date ale tensiunii.

Deoarece semiconductoare prezinta un coeficient de temperatura al rezistivitatii negativ,

conductivitatea lor creste cu temperatura. Din aceasta cauza temperatura de functionare /14.p.320/ se
limiteaza la 50-60 oC pentru redresoare cu peroxid de cupru, la 70-75 oC pentru cele cu seleniu si la
140oC pentru siliciu. La temperaturi mai mari, conductia in sens invers poate devenii atat de
pronuntata incat sa apara strapungerea redresorului la tensiuni inverse relativ mici.
Densitatile de curent in sens direct au valori maxime de /14.p.320/ :
 (0,1-0,15)*104 A/m2 pentru cuproxid
 (0,2-0,3)*104 A/m2 pentru seleniu
Diodele cu siliciu se executa /9/ pentru curent direct maxim de 8,25,50,100,
200 A si chiar mai mult.
Tensiunile maxime inverse sunt de ordinul a :
 2V pentru cuproxid;
 16 – 18 V pentru seleniu;
 400 – 600 V pentru siliciu.
Pentru a servi utilizarii in instalatiile electrice, cat si in calculele de proiectarea redresoarelor cu
semiconductoare este necesar sa se ridice experimental caracteristicile statice Id=f(Ud) , Ii=f(Ui) ,
Rd=f(Ud) , Ri=f(Ui) si K=f(U). In aceste caracteristici , rezistenta directa (R d) a redresorului se
determina pentru valori date ale tensiunilor Ud si Ui din caracteristicile Id=f(Ud) si Ii=f(Ui) prin
rapoartele Ud/Id si Ui/Ii.
In cadrul lucrarii se vor ridica, experimental, caracteristici statice pentru un redresor cu seleniu
si o dioda de siliciu de 8 A (vezi anexa II).
Diodele de siliciu sunt utilizate in circuite de curenti tari. Caracteristicile trebuie sa fie ridicate
in conditii cat mai apropiate de cele in care se afla dioda in functionare normala. De aceea pentru a
stabili performantele diodei se recomanda incercarea la tensiune condensatori ( obtinuta prin
redresarea unei singure alternante) sau la tensiune sinusoidala de frecventa redusa. Incercarea la
tensiune continua prezinta neajunsul ca produce incalziri excesive ale punctului de jonctiune al diodei,
ceea ce denatureaza rezultatele si poate duce uneori la distrugerea acestuia mai ales cand e conecta la
tensiunea inversa. Totusi in expluatarea redresoarelor cu diode de siliciu apare, adesea, necesitatea
verificarii acestora pentru depistarea celor defecte, ceea ce se poate realiza usor prin verificari
experimentale ridicand caracteristicile statice( la tensiune contiunua), rezultatele ce se obtin fiind
suficient de concludente.

2.Metoda de masurare

Pentru a se ridica caracteristicile amintite, se utilizeaza un montaj ca cel din fig.2.2.

Alimentarea redresorului supus incercarii se face de la o sursa de tensiune continua corespunzatoare
(sub aspectul tensiunii si curentului).
Notandu-se mai multe valori ale tensiunii si curentului, atat la alimentare directa cat si la
inversa, se pot ridica caracteristicile de la punctul 1.
3. Efectuarea masurarilor

Principial caracteristicile statice se ridica, experimental, la fel atat pentru redresoarele de

curenti slabi cat si pentru diodele de siliciu ( de putere). Apar deosebiri numai la alegerea rezistentelor
si aparatelor din schema de montaj.
Rezultatele se trec in tabel.
Id
Ri 1
2 Id
Rd
2 Fig.2.3. Caracteristicile statice
Ui Ud ale redresorului cu seleniu
1 Ii -K
3

Ii K

Cu rezultatele prelucrate in tabel se ridica caracteristicile din fig2.3. adica :

Curba 1 Id = f(Ud) si Ii = f(Ui);

Curba 2 Rd = f(Ud) si Ri = f(Ui);
Curba 3 K = f(U).

Aceste caracteristici se vor ridica pentru trei elemente redresoare. Interpretand datele obtinute
se va arata care dintre elemente prezinta caracteristici corespunzatoare si care elemente prezinta defect