TME – Curs2

Proiectare pentru compatibilitate

termică
Conţinutul cursului

 Considerente generale
 Fenomene fizice în transferul căldurii
 Sisteme de răcire
 Modelarea sistemelor de răcire în regim
staţionar

2
Considerente generale
 Structurile semiconductoare surse de căldură
TA
 Rolul sistemelor de răcire Q
TC
 Echilibrul termic TJ P
 Ambalare termică

P U  I P TJ U sau I 

3
Exemplu –infleța temperaturii asupra
caracteristicilor unui tranzistor bipolar

4
Fenomene fizice în transferul
căldurii
 Conducţie
 Convecţie

 Radiaţie

 Transformări de fază

5
Fenomenul de conducţie termică
Q

T2
T
Q  k  Ac  ( 2-1)
T1 > T2
x
Q
Ac
x
Q [W] Q  x

 T  T1  T2  ( 2-2)
 k [W/moC] k  Ac
 Ac [m2]
 x [m]
 T=T2-T1 [oC]
6
Conductivitatea termică
10000

Diamant

1000
W/m C
o

Cupru pur
Conductibilitatea termicã,

Oxid de beriliu

Aluminiu
100
Siliciu
Pastă de lipit, Sn60Pb40

Oxid de aluminiu
Oţel inoxidabil

10
-20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
o 7
Temperatura, C
Exemplu – fenomen conducţie
termică

T1 T2 Q dx Ac k Material

51.143 50 4 0.01 0.0001 350 Cupru

164.29 50 4 0.01 0.000001 350 Cupru

50.333 50 4 0.001 0.0001 120 Siliciu

83.333 50 4 0.001 0.000001 120 Siliciu

51.333 50 4 0.001 0.0001 30 Oxid de aluminiu

63.333 50 4 0.0001 0.000001 30 Oxid de aluminiu

8
 Fenomenul de convecţie
T2
Q

Q  hc  As  T  hc  As  (T1  T2 ) ( 2-3)

T1 > T2

Q
As fluid în mişcare T  T1  T2  ( 2-4)
hc As
 Q [W]
 hc [W/m2oC]
 As [m2]
 T=T1-T2 [oC] 9
Coeficientul de transfer prin
convecţie
Convecţie naturală Formă şi poziţie Semnificaţie L Claminar Cturbulent

Suprafaţă verticală înălţime

 T 
n 0,55 0,13

hc  2,541  C    ( 2-5) Cilindru vertical înălţime 0,55 0,13

 L  Cilindru orizontal diametru 0,53 0,11

Suprafaţă orizontală (răcită pe faţa 2AB/(A+B) 0,54 0,14

n  0,25 pentru 103  Ra  109 (curgere neturbulentă)
superioară), dimensiuni A x B
n  0.33 pentru Ra  109 (curgere turbulentă )
Suprafaţă orizontală (răcită pe faţa 2AB/(A+B) 0,26 0,08
inferioară), dimensiuni A x B

Convecţie forţată Sferă raza 0,63 0,15

Elemente mici sau fire diametru 1,45 0,33

v
hc = 0,77636  ( 2-6) Componente montate pe suprafaţa diametru sau
înălţime
0,96 0,22
L plachetei

Componente suspendate pe diametru sau 1,39 0,32

suprafaţa plachetei înălţime
10
Fenomenul de radiaţie
T1 > T2

Q      F1, 2  A  (T14  T24 ) ( 2-7)

 
unde electromagnetice
fotoni în mişcare
Q      F1, 2  T13  T12  T2  T1  T22  T23  A  (T1  T2 )  ( 2-8)
 hr  A  (T1  T2 )
T2
T1  T2
hr      F1, 2  4  T 3 unde T  ( 2-9)
2
 Q [W]
 01 Q
  = 5,6710-8 W/m2K4 T  T1  T2  ( 2-10)
hr A
 0 F1,2 1
 A [m2]
11
 T1, T2 [oC]
 Emisivitatea suprafeţelor, 
Suprafaţă Emisivitate,  Suprafaţă Emisivitate, 

Aluminiu puternic anodizat 0,8 Oţel lustruit 0,17

Aluminiu slab anodizat 0,76 Teflon 0,85
Film de aluminiu evaporat 0,03 Argint lustruit 0,01
Folie de aluminiu 0,07 Cauciuc 0,9
Aluminiu oxidat 0,11 Sticlă 0,9
Aluminiu lustruit 0,04 Vopsea metalizată 0,65
Oxid de aluminiu 0,33 Lac negru 0,96
Carbon grafit 0,88 Vopsea roşie 0,96
Cupru lustruit 0,04 Vopsea galbenă 0,95
Cupru oxidat negru 0,16 Vopsea epoxidică neagră 0,87
Cupru oxidat chimic 0,13 Vopsea siliconică neagră 0,9
Fier galvanizat 0,23-0,28 Vopsea acrilică albă 0,9
Fier lustruit 0,06 Vopsea epoxidică albă 0,85
Oxid de fier 0,96 Vopsea albă cu oxid de zinc 0,95 12
Factorul de transfer F1,2

Geometria suprafeţelor Factorul de transfer F1,2

Suprafeţe plane paralele F1,2 
1
1 A  1 
 1   1 
 1 A2   2 

Suprafeţe sferice concentrice. A2 F1,2 

1
1 A  1 
înconjură A1  1 
 1 A2   2
 1 


Suprafeţe cilindrice concentrice. A2 F1,2 

1
1
1
 1
înconjură A1 1 2

Suprafaţa A1 este înconjurată de o 1

suprafaţă A2 foarte mare
Cazul general, pentru două suprafeţe 1 x 2
oarecare
13
Complexitatea fenomenelor de
răcire
 Combinarea efectului Factorul de
fenomenelor de răcire Altitudine
[m]
reducere a
transferului
de căldură
 Efectul altitudinii în
diminuarea 0 1
transferului de căldură 1.000 0,95
1.500 0,90
2.000 0,86
3.000 0,80
3.500 0,75
14
Exemplu - efectul altitudinii

T1 T2 Q hc A d Altitudine

35.00 25 2 2000 0.0001 1 0

35.53 25 2 2000 0.0001 0.95 1000

36.11 25 2 2000 0.0001 0.9 1500

36.63 25 2 2000 0.0001 0.86 2000

37.50 25 2 2000 0.0001 0.8 3000

38.33 25 2 2000 0.0001 0.75 3500

15
Fenomene fizice în cazul utilizării
lichidelor de răcire
 În cazul fazei lichide – transport de masă
 În cazul fazei gazoase – convecţie

 Transformări de fază:
 Vaporizare – endotermă
 Condensare – exotermă

 Proprietăţile lichidelor utilizate în procesul de

răcire 16
Sisteme de răcire

Răcire unilaterală Răcire bilaterală

TA TA
Capsulă Sistem de Sistem de
dispozitiv răcire răcire

TR TR TR
TC Q Q/2 TC Q/2

TJ
TJ

Capsulă
dispozitiv

17
Răcirea cu radiator
 Suprafaţa
 Eficienţa Q = h  A   T [W] (2-11)

 Aripioare tanh( m  Lc ) 2hc

a  unde m  (2-12)
m  Lc k

 1   a  (2-13)
Aa
tot  1
Atot

18
 Răcirea cu tub termic
Zone de
condensare TA

Aripioară Material
de răcire poros
vapori ascendenţi

Peretele
tubului
Zone de
vaporizare

TC Q Capsulă
Semiconductor dispozitiv
TJ
19
Modelarea sistemelor de răcire în
regim staţionar
Rezistenţe termice
1
 RthRA – caracterizează Rth RA = [C/W] (2-14)
global transferul termic hA
între radiator şi ambiant
 În regim termic staţionar
T
puterea disipată este egală Pd = Q  ( 2-15)
cu căldura evacuată Rth RA

20
Rezistenţe termice

 RthJC – caracterizează global transferul termic între

joncţiune şi capsulă
Dacă Rth JC  15C/W  dispozitiv de putere (2-16)

 RthCR – caracterizează global transferul termic între

capsulă şi radiator

Tipul de contact între dispozitiv şi Valoare minimă RthCR

radiator
Răşină siliconică 0,5 oC/W
Foiţă de plumb 0,51 oC/W
Foiţă de mică 11,5 oC/W

21
Circuitul termic echivalent pentru
sistemul de răcire
T V
 Legea lui Ohm termică (2-17) Pd =  I=
Rth R
 Corespondenţe între mărimi electrice şi termice
Rth  R; T  V; Pd  I; (2-18)

 Circuite termice
dispozitiv electronic dispozitiv electronic montat pe radiator

TJ RthJC TC TJ RthJC TC RthCR T

R

Pd RthCA Pd Rth'CA RthRA

TA TA
Circuite termice echivalente 22
Calculul RthRA
dispozitiv electronic montat pe radiator

TJ RthJC TC RthCR T
R

Pd RthRA=?

TA

Pd  ( RthJC  RthCR  RthRA )  TJ  TA (2-19)

T J -T A
RthRA =  Rth JC  RthCR (2-20)
Pd

23
Calculul RthRA
Pd1
TA TJ1 RthJC1 TC1 RthCR1

RthRA=?
Pd2 TR
TA TJ2 RthJC2 TC2 RthCR2 TA

24
Exemplu – determinarea temperaturii
maxime acceptate pentru mediul ambiant
 Un dispozitiv de putere ce
disipă puterea de 5 W se
găseşte montat pe un
radiator RthRA=1 oC/W.
Prinderea dispozitivului pe
radiator s-a făcut obţinându-
se RthCR=1,5 oC/W. Pentru
dispozitiv se cunosc următorii
parametri: RthJC=12 oC/W şi
TJmax=120 oC. Care este
temperatura maximă a Pd  ( RthJC  RthCR  RthRA )  TJ  TA
mediului ambiant la care
poate funcţiona teoretic
dispozitivul?
25
Exemplu – determinarea rezistenţei termice
pentru un radiator cu un dispozitiv de putere

 Un dispozitiv de putere ce disipă dispozitiv electronic montat pe radiator

RthJC RthCR T
puterea de 10 W se va monta pe TJ TC R
un radiator, fixarea lui pe acesta
facându-se cu RthCR=1 oC/W. Pd RthRA=?
Pentru dispozitiv se cunosc
următorii parametrii: RthJC=4 oC/W TA
şi TJmax=120 oC. Temperatura
maximă a mediului în care va
funcţiona dispozitivul este de T J -T A
TAmax=50 oC. Ce rezistenţă
RthRA =  Rth JC  RthCR
Pd
termică trebuie să aibă radiatorul?

26
Exemplu – determinarea rezistenţei termice pentru un
radiator cu două dispozitive de putere

 Pe un radiator se găsesc două

tranzistoare. Primul disipă puterea P1=5W,
iar al doilea puterea P2=20W. Sistemul de
răcire trebuie să funcţioneze până la o
temperatură a mediului ambiant de 50oC. Pd1
Montarea tranzistoarelor pe radiator se TA TJ1 RthJC1 TC1 RthCR1
face asigurând o rezistenţă termică RthRA=?
capsulă - radiator mai mică de 1,5 oC/W. Pd2 TR
Pentru tranzistoare se cunosc următorii TA TJ2 RthJC2 TC2 RthCR2 TA
parametri: Tj1=150oC, RthJC1=3,13 oC/W,
Tj2=200oC, RthJC2=1,17 oC/W.
 Ce rezistenţă termică trebuie să aibă
radiatorul pentru ca nici una din
temperaturile joncţiunilor să nu
depăşească 90% din valoarea maximă
admisă

27