S.D.

Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

83
5 TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP


5.1 Clasificare
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un tranzistor unipolar pentru c
n interiorul lui conducia electric este asigurat de un canal
semiconductor cu un singur tip de purttori de sarcin: fie electronii, fie
golurile. Se numesc cu efect de cmp deoarece intensitatea curentului
ntre dou terminale este controlat de potenialul cmpului electric generat
de un al treilea terminal. De aceea tranzistorul cu efect de cmp este un
element activ comandat n tensiune. Exist mai multe tipuri de tranzistori
cu efect de cmp. n fig.5.1 este prezentat o clasificare a acestora.
Fig.5.1
Tranzistorii cu efect de cmp sunt de dou tipuri: tranzistori cu
efect de cmp cu jonciune (TECJ) i tranzistori cu efect de cmp
metal-oxid-semiconductor (TECMOS). Uneori TECMOS-ul mai este
denumit tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat. Fiecare dintre cele
dou categorii poate fi cu canal de tip n sau de tip p, cele dou tipuri fiind
complementare att ca structur intern ct i ca funcionare.

5.2 Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ)
5.2.1 Structur, funcionare, caracteristici statice
Structura intern unui TECJ cu canal n este prezentat schematic n fig.5.2.
Pe fiecare fa a unei plcue semiconductoare de tip n se realizeaz cte o
zon puternic dopat de tip p
+
. Pe cele dou zone i pe capetele plcuei
TEC
TECMOS
cu canal
indus
cu canal
initial
Canal-p Canal-p Canal-n Canal-n
TECJ
Canal-p Canal-n
5 Tranzistorul cu efect de cmp
84
semiconductoare se realizeaz patru contacte electrice. Cele dou zone de
tip p
+
sunt conectate electric ntre ele formnd grila sau poarta
tranzistorului (G). Terminalele din capetele plcuei semiconductoare se
numesc surs (S) i respectiv dren (D).
S
D
G
n p
+
sursa
drena
poarta
(grila)

Fig.5.2
n fig.5.3a este artat funcionarea tranzistorului cu polarizarea
drenei dar fr polarizarea porii. n vecintatea jonciunii exist o regiune
srcit de purttori de sarcin ca urmare a difuziei electronilor i golurilor.
Deoarece zona p
+
este puternic dopat, regiunea srcit se extinde mai mult
n zona n. ntre dren i surs va exista un canal prin care purttorii
majoritari (electronii) vor putea circula sub influena diferenei de potenial
dintre dren i surs, dnd natere curentului de dren, I
D
. Datorit faptului
c polarizarea invers a jonciunii este mai mare n regiunea din apropierea
drenei dect n regiunea din apropierea sursei, canalul se ngusteaz uor
nspre dren.
Fig.5.3
Modul normal de funcionare a unui TECJ este cu poarta polarizat
invers fa de surs i dren (n cazul unui TECJ-n, ea este polarizat
negativ, fig.5.3b). Regiunea srcit de purttori de sarcin se extinde n
dimensiuni odat cu creterea polarizrii inverse a jonciunii pn.
Conductibilitatea electric a poriunii din regiunea de tip n care este srcit
S
I
D
I
D
D
E
D
E
D
E
G
R
S
R
S
G
G
regiune saracita
regiune saracita
S
D
a b
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
85
de purttori de sarcin este foarte mic. Pentru o diferen de potenial fix
ntre dren i surs, cu ct este mai mare polarizarea invers poart-surs cu
att regiunea srcit este mai mare, canalul este mai ngust i curentul de
dren este mai mic. Dependena curentului de dren de tensiunea dintre
poart i surs este prezentat n fig.5.4a. Ea este i caracteristica de transfer
a tranzistorului, mrimea de intrare fiind tensiunea U
GS
, iar cea de ieire
fiind curentul care circul prin canal, I
D
.
Intensitatea curentului care circul prin canal poate fi controlat i de
diferena de potenial dintre dren i surs. O familie de caracteristici
I
D
=I
D
(U
DS
) este prezentat n fig.5.4b. Privind o singur caracteristic,
pentru o valoare dat a tensiunii U
GS
,

se poate observa c la valori mici ale
tensiunii U
DS
tranzistorul se comport ca o rezisten ohmic, dependena
I
D
=I
D
(U
DS
) fiind liniar. La tensiuni U
DS
mai mari se constat o limitare a
curentului de dren, el rmnnd aproape constant pe o plaj larg a
tensiunii U
DS
.
U = 0
GS3
I
DSS
U =-U
DSsat T
I
D
U
GS
U = const.
DS
I
D U
DS
U
GS2
U
GS1
U
GS3
U
GS2
U
GS1
0
U
GS
0
U
DS
U
T
a b
U = -U
DSS T
tensiuni U
DSsat

Fig.5.4
Explicaia acestei treceri n regim de saturaie a tranzistorului poate
fi dat observnd ngustarea canalului n fig.5.3b. Pentru o valoare dat a
tensiunii U
GS
volumul ocupat de regiunea srcit este aproape independent
de tensiunea U
DS
, dar forma ei nu. Cu ct cderea de tensiune ntre dren i
surs crete, cmpul electric n direcia longitudinal crete (V
G
- V
S
< V
G
-
V
D
), cauznd deformarea regiunii srcite. Datorit acestei deformri, la o
anumit valoare a tensiunii U
DS
, numit tensiune dren-surs de saturaie,
U
DSsat
, canalul conductor se va ngusta att de mult nspre dren nct
intensitatea curentului de dren va fi limitat la valoarea de saturaie.
Aceasta corespunde poriunii plate, aproape orizontale, a caracteristicii
I
D
=I
D
(U
DS
). La tensiuni de polarizare a canalului mai mari, poate avea loc
strpungerea lui datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin.
5 Tranzistorul cu efect de cmp
86
Ca urmare, rezistena semiconductorului scade brusc iar curentul de dren
nu mai poate fi limitat dect de rezistena din circuitul exterior de polarizare.
Forma canalului, i implicit intensitatea curentului prin el, pot fi
controlate i cu ajutorul tensiunii U
GS
. Crescnd tensiunea de negativare U
GS

a porii, curentul de dren descrete i, pentru o valoare suficient de mare a
acesteia, se produce ntreruperea canalului i blocarea tranzistorului.
Aceast tensiune se numete tensiune de blocare sau de tiere i am notat-
o cu U
T
. Caracteristica I
D
= I
D
(U
GS
) este prezentat n fig.5.4a. Fcnd
legtura dintre o mrime de intrare i una de ieire, ea reprezint i
caracteristica de transfer a tranzistorului, avnd expresia analitic:
2
1

=
T
GS
DSS D
U
U
I I
(5.1)
unde I
DSS
este curentul de dren de saturaie pentru U
GS
= 0 i U
DSsat
= U
DSS

= -U
T
.
Dup cum am vzut, aducerea tranzistorului n regim de saturaie se
poate face n dou moduri: meninnd constant potenialul porii i crescnd
potenialul drenei fa de surs sau meninnd constant potenialul drenei i
crescnd negativarea porii fa de surs. ntr-o situaie oarecare, pentru ca
tranzistorul s ajung n regim de saturaie, efectul cumulat al celor dou
diferene de potenial trebuie s fie echivalent cu efectul tensiunii de
blocare. Astfel, se poate scrie relaia:
T GS DSsat
U U U = (5.2)
Pe lng tensiunea de blocare se mai definesc ali doi parametri ai
tranzistorului cu efect de cmp, parametri necesari n proiectarea circuitelor
electronice (amplificatoare, oscilatoare etc.): panta de semnal mic
(transconductana) i rezistena de ieire (sau rezistena de dren) n
vecintatea punctului static de funcionare, definite de relaiile:
const. U
GS
D
m
DS
U
I
g
=

=
(5.3)
const. U
D
DS
d
GS
I
U
r
=

=
(5.4)
n care U
DS
, U
GS
i I
D
se calculeaz conform fig.5.4.
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
87
Din modul de funcionare intern a unui TECJ i din aspectul
familiei de caracteristici statice I
D
= I
D
(U
DS
) putem observa existena a trei
regiuni de lucru posibile:
regiunea liniar din vecintatea originii n care rezistena
canalului este constant. De regul, acest lucru se petrece la
tensiuni dren-surs mai mici de 0,5V.
regiunea de saturaie n care curentul de dren crete foarte
puin la valori U
DS
>U
DSsat
.
regiunea de strpungere n care are loc multiplicarea n
avalan a purttorilor de sarcin, creterea curentului de dren
fiind limitat doar de rezistena din circuitul de polarizare.
Precizri importante:
Deoarece jonciunea este polarizat invers curentul de poart este
foarte mic ( nA I
G
) i rezistena de intrare a tranzistorului este
foarte mare (
15 11
10 10
gs
r ).
n regim de funcionare normal jonciunea este polarizat invers.
Tranzistorul poate lucra i cu jonciunea polarizat direct dar nu
la tensiuni U
GS
> 0,5V. Dac nu se respect aceast condiie
tranzistorul se va distruge.
Tranzistorul cu jonciune cu canal de tip p (TECJ - p) are structura
complementar unui TECJ n, conducia electric prin canal find asigurat
de goluri. Aceasta implic polarizarea negativ a drenei fa de surs i
polarizarea pozitiv a grilei fa de surs. n consecin, familia de
caracteristici I
D
= I
D
(-U
DS
) este identic cu a unui TECJ n iar graficul
dependenei I
D
= I
D
(U
GS
) este reprezentat n oglind fa de cazul unui
TECJ n (fig.5.5). Simbolurile folosite n schemele electronice pentru
TECJ sunt prezentate n fig.5.6.
Fig.5.5 Fig.5.6

I
DSS
U = const.
DS
0
U
GS
U
T
S
D
G
S
D
G
TECJ - n TECJ - p
5 Tranzistorul cu efect de cmp
88

5.2.2 Polarizarea n curent continuu
Polarizarea n curent continuu pentru stabilirea punctului static de
funcionare a unui TECJ se poate face n dou moduri:
cu divizor de tensiune n baz
cu poarta conectat la mas prin intermediul unei rezistene
O schem de polarizare cu divizor de tensiune n baz este
prezentat n fig.5.7.







Fig.5.7 Fig.5.8
Neglijnd contribuia curentului de poart, ecuaiile utile pentru
calcularea valorilor rezistenelor sunt urmtoarele:
( )
2 1
R R I E
D
+ = (5.5)
s S DS d D D
R I U R I E + + = (5.6)
S D
I I = (5.7)
s S GS
R I U IR + =
2
(5.8)
Practic, valorile rezistenelor R
1
i R
2
sunt de ordinul M, iar cele
ale rezistenelor R
d
i R
s
de ordinul k.
Schema de polarizare n curent continuu cu poarta conectat la mas
este cea din fig.5.8. Datorit intensitii neglijabile a curentului de poart,
potenialul acesteia este egal cu cel al masei, la care este conectat printr-o
rezisten foarte mare (M). Astfel, la ecuaiile (5.6) i (5.7) pe care le-am
mai scris cteva rnduri mai sus, se mai adaug ecuaia
+E
D
U
GS
U
DS
R
d
I
D
R
g
I
S
I
G G
= 0, V = 0
R
s
+E
D
U
GS
U
DS
R
1`
R
d
I
D
R
2
I
S
I
G
= 0
I
I
R
s
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
89
s D GS
R I U = (5.9)
i expresia curentului de dren (5.1), care descrie caracteristica volt-
amperic din circuitul de poart.
2
1

=
T
GS
DSS D
U
U
I I
(5.1)
Ecuaia (5.9) reprezint dreapta de sarcin pentru circuitul de intrare.
Dac ea se nlocuiete n ecuaia (5.1) se obine o ecuaie de gradul doi, cu
necunoscuta I
D
. Dintre cele dou soluii ale ei, va fi reinut doar cea care
are sens din punct de vedere fizic, adic cea care reprezint intersecia dintre
dreapta de sarcin i ramura real a parabolei descrise de ecuaia (5.1), aa
cum este artat n fig.5.9.
Fig.5.9
Vom exemplifica cele afirmate mai sus pe un exemplu practic.
ntr-un circuit de polarizare cu poarta conectat la mas am ales
pentru rezistenele R
g
i R
s
valorile: R
g
= 1M i R
s
= 250. Tranzistorul
are ca parametri caracteristici I
DSS
= 9mA i U
T
= -3V, iar tensiunea de
alimentare este E
D
= 16V. Se cere s se calculeze valoarea maxim a
rezistenei R
d
astfel nct tranzistorul s lucreze n regim de saturaie.
Pentru simplitate vom lucra cu valori numerice, exprimnd rezistenele n
k, tensiunile n V i curenii n mA.
nlocuind valoarea numeric a rezistenei R
s
n ecuaia (5.9) i
introducnd expresia tensiunii U
GS
astfel obinut n ecuaia (5.1), obinem o
ecuaie de gradul doi cu necunoscuta I
D
:
0 144 40
2
= +
D D
I I
0
U
GS
solutia cu
sens fizic
solutia falsa
d
r
e
a
p
t
a
d
e
s
a
r
c
i
n
a
PUNCT STATIC
DE FUNCTIONARE
5 Tranzistorul cu efect de cmp
90
Rezolvarea acestei ecuaii conduce la soluiile I
D1
= 36mA i I
D2
=
4mA, care reprezint cele dou puncte de intersecie ale dreptei de sarcin
cu graficul matematic al caracteristicii volt-amperice a circuitului de poart.
Dup cum se poate constata din fig.5.9, soluia cu sens fizic este cea de a
doua, deci I
D
= 4mA. Introducnd aceast valoare n ecuaia (5.9) se obine
pentru tensiunea de poart:
V 1 25 , 0 4 = =
GS
U
Din ecuaia (5.2) se obine pentru tensiunea de saturaie dintre dren
i surs valoarea:
U
DSsat
= -1- (-3) = 2V
Aceasta nseamn c, pentru ca tranzistorul s lucreze n regim de
saturaie, trebuie ca U
DS
> U
DSsat
= 2V. Tensiunea U
DS
poate fi exprimat
din ecuaiile (5.6) i (5.7) n funcie de rezistena R
d
, punnd condiia
precedent:
15 4R
d
>2
de unde rezult imediat:
R
d
< 3,25 k
Cu alte cuvinte, pentru orice valoare a rezistenei din drena
tranzistorului cuprins n intervalul 0 3,25k, tranzistorul va lucra n
regim de saturaie.

5.3 TECMOS cu canal iniial
Fig.5.10

p
G - grila (poarta)
S - sursa
substrat
D - drena
n
+
p
G
S
D
a
b
E
G
METAL
OXID (SiO )
2
canal initial n
canal ingustat
B - baza
B
n
+
n
+
n
+
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
91
Structura schematic a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este
prezentat n fig.5.10a. Se poate observa c poarta este izolat de structura
pn printr-un strat izolator de SiO
2
. Din fabricaie, ntre surs i dren (zone
de tip n puternic dopate) exist un canal conductor tot de tip n, astfel nct,
chiar i atunci cnd poarta nu este polarizat, la stabilirea unei diferene de
potenial ntre dren i surs, prin canal va trece un curent nenul.
Seciunea transversal a canalului poate fi modificat prin aplicarea
unui potenial pe poart. De regul, terminalul conectat la substrat (care se
numete baz) se conecteaz la terminalul sursei, astfel nct sursa i
substratul vor avea acelai potenial. Dac diferena de potenial dintre
poart i surs este negativ, atunci canalul se ngusteaz (electronii din el
sunt alungai n substrat) i rezistena lui crete. Se spune despre tranzistor
c lucreaz n regim de srcire (fig.5.10b). Dac diferena de potenial
dintre poart i surs este pozitiv, atunci canalul se lrgete (electroni din
substrat sunt atrai n canal) i rezistena lui scade. Se spune despre
tranzistor c lucreaz n regim de mbogire.
Caracteristicile volt-amperic de transfer i de ieire pentru un
TECMOS cu canal iniial de tip n au aceeai alur ca i cele ale unui TECJ-
n (fig.5.4), explicaia formei lor fiind analog cu cea pentru TECJ-n.
Structura intern a unui TECMOS cu canal iniial de tip p este
complementar structurii unui TECMOS cu canal iniial de tip n iar
caracteristicile volt-amperice sunt asemntoare celor ale unui TECJ-p.
n fig.5.11 sunt prezentate simbolurile pentru tranzitorii MOS cu
canal iniial.
Fig.5.11
5.4 TECMOS cu canal indus
Tranzitorii MOS cu canal indus au o structur asemntoare cu tranzistorii
MOS cu canal iniial, cu deosebirea c ntre surs i dren nu exist canalul
conductor din fabricaie. n fig.5.12a este prezentat structura unui
TECMOS cu canal indus de tip n.

S
D
G
TECMOS
cu canal inital n
S
D
G
TECMOS
cu canal inital p
B B
5 Tranzistorul cu efect de cmp
92

Fig.5.12
Ca i n cazul TECMOS cu canal iniial, terminalul substratului
(baza) se conecteaz la terminalul sursei, astfel nct sursa i substratul vor
avea acelai potenial. Atunci cnd poarta nu este polarizat, ntre surs i
dren nu apare nici un curent (n realitate apare un curent rezidual extrem de
mic, de ordinul zecilor de A). La aplicarea pe poart a unui potenial
pozitiv fa de surs, golurile majoritare din substrat sunt respinse nspre
zona median a acestuia i ntre surs i dren se formeaz un canal cu
purttori minoritari de tip n (fig.5.12b). Pentru tensiuni mici de pozitivare a
porii, canalul este tot izolator i curentul de dren va fi nul indiferent de
potenialul ei fa de surs. Pentru o tensiune de pozitivare mai mare dect
tensiunea de blocare (U
T
) canalul se va mbogi cu purttori minoritari
(electroni), el constituind o cale de curent ntre surs i dren.
Caracteristicile de transfer i de ieire ale TECMOS cu canal indus n sunt
prezentate n fig.5.13
U = const.
DS
U
GS
0
U
GS
0
U
DS
U
T
a b

Fig.5.13
n
+
p
G - grila (poarta)
S - sursa
substrat
D - drena
p
G
S
D
a b
canal indus n
E
G
n
+
METAL
OXID (SiO )
2
n
+
n
+
B - baza B
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
93
Structura intern a unui TECMOS cu canal indus de tip p este
complementar celei a unui TECMOS cu canal indus de tip n. n consecin,
drena trebuie polarizat negativ fa de surs, iar poarta trebuie polarizat
negativ fa de surs. Generarea canalului de tip p va ncepe la o diferen
de potenial negativ dintre poart i surs i mai mare (n modul) dect
tensiunea de blocare a tranzistorului. Astfel, caracteristica de transfer va
avea aspectul celei prezentate n fig.5.14.
U = const.
DS
0
U
GS
U
T
S
D
G
TECMOS
cu canal indus n
S
D
G
TECMOS
cu canal indus p
B B

Fig.5.14 Fig.5.15
n fig.5.15 sunt prezentate simbolurile pentru tranzitorii MOS cu
canal indus.

5.5 Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de cmp
Pentru analiza comportrii tranzistorului cu efect de cmp n regim de
variaii (semnal mic) considerm spre exemplificare un TECJ-n, conexiune
surs comun. Metoda poate fi extins i asupra celorlalte tipuri de TEC. Ca
i tranzistorul bipolar, tranzistorul cu efect de cmp poate fi privit ca un
cuadrupol. Dac la intrare se aplic un semnal variabil cu amplitudine mic,
peste regimul static de funcionare definit de valorile U
GSo
, U
DSo
i I
Do
se
suprapune regimul dinamic (fig.5.16).
Fig.5.16
Curentul variabil de dren va depinde att de de tensiunea dintre
poart i surs, ct i de tensiunea dintre dren i surs:
U
DSo
U
GSo
I
Do
I = 0
Go
u
gs
u
ds
i
d
i = 0
g
5 Tranzistorul cu efect de cmp
94
( )
ds gs d d
u u i i , = (5.10)
Variaia lui poate fi scris sub forma:
ds
ds
d
gs
gs
d
d
u
u
i
u
u
i
i

= (5.11)
Pe baza acestei ecuaii se definesc parametrii de semnal mic ai
tranzistorului cu efect de cmp.
0 =

=
ds
u
gs
d
m
u
i
g (5.12)
0
1
=

=
gs
u
ds
d
d
u
i
r
(5.13)
Interpretarea grafic a acestora poate fi observat n reprezentrile
grafice din fig.5.4. Ei au urmtoarele semnificaii fizice:
g
m
- panta de semnal mic

d
r
1
- conductana canalului (r
d
este rezistena canalului)
Prin combinarea relaiilor (5.12) i (5.13) se obine un alt parametru:
. const i
gs
ds
d m
d
u
u
r g
=

= = (5.14)
El este factorul de amplificare n tensiune n regim dinamic al
tranzistorului, definit ca raportul dintre variaia tensiunii dintre dren i
surs i variaia tensiunii dintre poart i surs care determin o aceeai
variaie a curentului de dren.
Ecuaia (5.11) poate fi transcris folosind parametrii tranzistorului:
ds
d
gs m d
u
r
u g i + =
1
(5.15)
n care primul termen din membrul drept reprezint o surs de curent. Pe
baza ei poate fi construit schema echivalent la variaii a tranzistorului,
schem artat n fig.5.17.
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
95

Fig.5.17
Practic, la intrare tranzistorul se comport ca o rezisten infinit
(reprezentat punctat). Din punct de vedere al ieirii, el se comport ca o
surs real de curent cu rezistena intern r
d
. innd seama de relaia dintre
parametrii tranzistorului (expresia (5.14)), relaia (5.15) poate fi rescris sub
forma:
ds d d gs
u i r u = (5.16)
Schema echivalent care satisface aceast ecuaie este prezentat n
fig.(5.18).
Fig.5.18
Se poate observa c de data aceasta, din punct de vedere al ieirii,
tranzistorul se comport ca o surs real de tensiune cu rezistena intern r
d
.
Trecerea de la reprezentarea ca surs de curent la reprezentarea ca surs de
tensiune se putea realiza i redesennd schema din fig.5.17 dup
transformarea sursei de curent n sursa sa echivalent de tensiune. Care
dintre cele dou reprezentri ale tranzistorului cu efect de cmp, surs de
curent sau surs de tensiune, este folosit n realizarea schemelor
echivalente ale unor circuite mai complicate, depinde de situaia concret a
cazului studiat. Libertatea de alegere ne aparine.
u
gs
r
d
r
gs
i
d
u
ds
u
gs
r 10
gs
11

u
ds
i
d
r
d
g u
m gs

r 10
gs
11

u
gs
r
gs