Optoelectronica

DOROGAN Andrei

JONCIUNEA p n
Jonciunea p n este contactul ideal dintre dou semiconductoare de tip n i
p.
Datorit gradientului de concentraie al purttorilor de sarcin majoritari, va avea
loc difuzia lor prin hotarul metalic al jonciunii.
Electroneutralitatea n regiunea hotarului dintre semiconductoarele p i n se
va fi afectat, i, deci, va avea loc redistribuirea purttorilor de sarcin liberi.

n semiconductorul de tip p apar atomi ai impuritilor fr electroni, adic ioni

ncrcai pozitiv. n semiconductorul de tip n vor aprea electroni, adic atomii sunt
ionizai negativ.
n urma acestui fapt, apare un strat local de sarcin spaial W a sarcinilor ne
compensate, ceea ce duce la apariia cmpului electric intern.

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Apariia cmpului electric intern oprete difuzia purttorilor de sarcin majoritari

i, la un moment dat, se stabilete o balan dinamic.

unde - intensitatea cmpului electric, b - diferena barierei de potenial. ntre

semiconductorii tip n i tip p se produce o diferen de potenial b .

unde p - lucrul de ieire din regiunea p (afinitatea electronilor), n - lucrul

termodinamic de ieire din semiconductor.
Jonciunea p n este regiunea de trecere dintre semiconductoarele de tip n i tip
p unde se localizeaz stratul de sarcin spaial, respectiv, cmpul electric intern.

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

q b p n E g q p q n E g q n q p .

Pentru impuritile total ionizate obinem:

q b E g kT ln

Nv
N
kT ln c
Na
Nd

Grosimea stratului de sarcin spaial W se determin dup relaiile:

W n p ,
n

pp

unde n - concentraia invers proporional a purttorilor de sarcin majoritari.

p
n
Rezult:
W

2 0 N d N a
b .
qN d N a

Capacitatea unei uniti de suprafa se numete capacitatea de barier a jonciunii

p n i este determinat de relaia:
C

0
q o N d N a

.
W
2 b N d N a

I I S exp qU kT 1 ;
qDn n p qD p p n
I s I Sn I Sp

n
p
np n

I S q

pn p

Curentul de scurgere I S se micoreaz odat cu creterea concentraiei

purttorilor de sarcin majoritari nn i p p , adic odat cu creterea nivelului de dopare
a regiunilor n i p i cu creterea timpului de via al purttorilor de sarcin minoritari
n i p crete i curentul I S .
Caracteristica volt-amperic (CVA) are forma:

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

I I Sn I Sp exp qU kT 1 .

n cazul cnd regiunea p este mai puternic dopat ca regiunea n, atunci

i, prin jonciunea p n curge primordial curentul creat de goluri.

I Sp I Sn ,