Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Jonctiunea PN PDF
Jonctiunea PN PDF
Relatii utile:
JONCTIUNEA PN
Jonctiunea abrupta:
kT N A N D
ln
q
n i2
2 O r
q
1
1
( B,O v D )
+
N
N
A
D
l = ln + lp
N A lp = N D ln
qN D l n
O r
qV
qV
I D = I O,d exp D 1 + I O,gr exp D 1
2kT
kT
D p p nO D n n pO
+
- componenta de difuzie a curentului: I O, d = A J q
L
L n
p
n
I O,gr = A J q i l
- componenta de generare-recombinare:
2 O
- caracteristica statica:
Lp = Dpp
Ln = Dnn
nkT
q ID
- capacitatea de difuzie: C d = O
2Ri
A
- capacitatea de bariera: C b = O r J
l
- rezistenta interna:
Ri =
O = p = n
M=
1
V
1 R
VBR
Probleme rezolvate
B,O =
kT N A N D
ln
q n i2
3.2. Pentru o jonctiune pn liniar gradata (ND NA)(x) = a.x (a este gradientul
concentratiei nete de impuritati). Cu aproximatia golirii complete sa se calculeze
distributiile campului electric E(x) si potentialului (x) la echilibru termic. Daca
jonctiunea este realizata din siliciu si a = 1021 cm-3, sa se calculeze la T = 300 K
inaltimea barierei interne de potential si largimea regiunii de sarcina spatiala.
Rezolvarea se face in ipotezele simplificatoare utilizate la analiza jonctiunii pn
abrupte: model unidimensional, ipoteza golirii complete, ipoteza ionizarii complete a
impuritatilor, etc.
Cu aproximatia de golire, distributia sarcinii spatiale de volum are o dependenta
liniara de x:
q (N D N A )( x ) = q a x l p x l n
v =
0
in rest
d E v
=
dx
La x = ln si x = lp campul electric este nul. Dupa integrare, rezulta ln = lp = lO/2 (lO este
largimea regiunii de sarcina spatiala) si:
2
qa 2 l O
E(x ) =
x
2
2
Potentialul electric se obtine prin integrarea campului electric (cu semn schimbat).
Se pun conditiile: (-lp) = 0 si (ln) = BO.
2
qa
( x) =
4 x 3 3lO2 x lO3
24
BO
q a l3O
=
12
l
n n (l n , + ) = a O
2
n i2
n p ( l p, ) =
l
a O
2
Rezulta:
BO
kT n n (l n , + ) kT a 2 lO2 2 kT a lO
=
=
ln
ln
ln
=
q n p (l p, ) q 4 n i2
q
2
n
i
q a l 3O 2 kT a l O
ln
=
2n
12
q
i
In conditiile din problema ni = 1.45 1010 cm-3, r = 11.7 si kT/q = 0.026 V. Rezulta
rezolvand ecuatia (de exemplu prin metoda incercarilor repetate sau formand un sir de iterare
corespunzator teoremei de punct fix) valoarea lO = 0.378 m. Diferenta interna de potential
rezulta BO = 0.696 V.
3.3. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1017 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 0.5 s.
a) Sa se calculeze concentratiile de purtatori in ipoteza ionizarii complete.
Trebuie remarcat ca intr-o jonctiune pn exista doua zone distincte, cu dopaje de
impuritati diferite, deci trebuiesc calculate patru concentratii de purtatori. In zona n
concentratiile sunt:
- purtatori majoritari: n n ,O N D = 10
15
- purtatori minoritari: p n ,O
cm -3
n i2
=
= 2.1 105 cm -3
ND
17
cm -3
n i2
= 2.2 10 3 cm -3
- purtatori minoritari: n p,O =
NA
b) Sa se calculeza inaltimea barierei interne de potential.
kT N A N D
ln
= 0.699 V
B,O =
q n i2
c) Sa se calculeze largimea regiunii de sarcina spatiala pentru echilibru termic si
pentru polarizarea jonctiunii la VF = 0.5 V si VR = 10 V.
Deoarece NA >> ND (cazul jonctiunii abrupte asimetrice) largimea regiunii de sarcina
spatiala este data de:
l=
2 O r 1
2 O r 1
1
(B, O v D )
(B,O v D )
+
q ND
q NA ND
Rezulta:
l = lO = 9.52 10-5 cm = 0.952 m
- vD = 0 V
- vD = VF = 0.5 V
l = 5.078 10-5 cm = 0.508 m
l =3.723 10-4 cm = 3.723 m
- vD = VR = 10 V
Largimea regiunii golite este cu atat mai mare cu cat tensiunea inversa aplicata pe
jonctiune este mai mare.
EM =
qN A l p
O r
Din relatiile:
l = ln + lp
qN D l n
O r
N A lp = N D ln
ln =
NA
ll
NA + ND
si
EM
q ND l
Or
VB = BO
Numeric:
2
2
O r E cr
O r E cr
+
2q ND
2q ND
VB = 292 V.
D p p nO D n n pO qVD
qV
exp
+
J D = J O,d exp D 1 = q
1
L
L
k
T
kT
p
n
Dp 1
D 1 qVD
+ n
1
J D = qn i2
exp
L p N D L n N A kT
In expresia de mai sus singurele marimi necunoscute sunt lungimile de difuzie ale
purtatorilor minoritari. Ele se calculeaza cu:
J D q n i2
Dp 1
Lp N D
qVD
exp
1 = J O,d
k
T
qVD
exp
k
T
Valoarea densitatii curentului de difuzie la saturatie este: JO,d = 1.5 10-10 A/cm2.
Rezulta deci: - vD = VF = 0.5 V
JD = 8.44 10-2 A/cm2.
- vD = VR = -10 V
JD = - JO,d = -1.5 10-10 A/cm2.
n
qV
J D,gr = J O,gr exp D 1 = q i
2 O
2kT
qV
l exp D 1
2kT
I D,gen = q
ni
l( VD )
2 O
gi =
1 d ID
=
ri d VD
=
VD = VR
d I D,gen
d VD
=q
VD = VR
Deci:
g i == I D,gen
1 d l( VD )
l( VD ) d VD V
= I D,gen
D = VR
n i d l( VD )
2 O d VD V
D = VR
d ln (l( VD ) )
d VD
V
l( VD )
2 O r 1
( B,O VD )
q ND
d ln (l( VD ) )
d VD
V
D = VR
1
2( B,O + VR )
D = VR
ri =
2( BO + VR )
A J J D,gen
d 2 p 'n
d x2
p 'n
L2p
=0
qV
p 'n (l n ) = p n ,O exp D 1 conditia Schockley
kT
p 'n ( Wn ,O ) = 0
la contactul metalic nu sunt purtatori in exces.
Distributia purtatorilor minoritari in exces este:
qV
p 'n ( x ) = p n ,O exp D 1
kT
Wn ,O x
sinh
Lp
Wn ,O l n
sinh
Lp
qV Wn ,O x
J p,d = q n i2
Dp 1
Wn N D
qVD
exp kT 1
O r A J
l
Cb =
R =
W
AJ
Trebuiesc calculate rezistivitatile celor doua zone neutre. La nivel mic de injectie,
rezulta:
p
n
1
q p p,O p
1
q n n ,O n
=
=
1
q N A p
1
q N D n
= 0.156 .cm
= 6.25 .cm
Pentru calculul mobilitatilor purtatorilor au fost utilizate relatiile lui Einstein si a fost
neglijata dependenta acestora de concentratia de impuritati. Pentru cele doua regiuni neutre
rezulta urmatoarele valori ale rezistentelor serie care, la nivel mic de injectie, nu depind de
tensiunea de polarizare a jonctiunii:
- zona p:
Rp = 0.156 ;
- zona n:
Rp = 15.62 .
Rezistenta serie a structurii rezulta: RS = 15.78 .
Pentru a estima efectul acestei rezistente asupra functionarii jonctiunii trebuie
calculata caderea de tensiune pe rezistenta serie si comparata cu caderea de tensiune pe
regiunea de bariera. Utilizand calculele de la punctele f si g pentru VF = 0.5 V, rezulta un
curent prin dioda ID 0.844 mA, deci o cadere de tensiune pe rezistenta serie:
RS ID = 13.3 mV,
8
Valoarea obtinuta este neglijabila fata de caderea de tensiune pe jonctiune de 500 mV.
Consideram ca efectul rezistentei serie devine semnificativ daca caderea de tensiune pe ea
este de 10% din caderea de tensiune pe regiunea de bariera. Daca consideram ca prin structura
trece numai curent de difuzie (vezi punctul g), tensiunea dorita se obtine din rezolvarea
ecuatiei neliniare:
qV
R S I O,d exp F = 0.1 VF
kT
Cu IO,d = 3.75 10-12 A, rezulta VF = 0.536 V.
Probleme propuse
3.7. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 10-2 cm2 si
jonctiunea este polarizata la o tensiune inversa VR = 5 V. Sa se calculeze:
a) diferenta interna de potential; b) largimea regiunii de sarcina spatiala;
c) campul electric maxim; d) capacitatea totala a jonctiunii.
Indicatie. Deoarece 4 lp = ln rezulta NA = 4 ND. Pentru tensiuni de polarizare mai mici sau
egale cu zero, capacitatea jonctiunii este capacitate de bariera, care este invers proportionala
cu largimea regiunii de sarcina spatiala. Rezulta:
BO + 10
BO
3.9. O jonctiune pn abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, este uniform dopata
cu NA = 1018 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Aria jonctiunii este AJ = 6 10-4 cm2. In
paralel cu jonctiunea este plasata o inductanta de 2 nH. Sa se calculeze frecventa
de rezonanta la o tensiune de polarizare inversa de a) VR = 1 V; a) VR = 10 V.
Indicatie. Se calculeaza capacitatile de bariera si apoi frecventa de rezonanta a circuitului LC
paralel f rez =
1
.
2 L C b
qN D O r
si
2( BO + VR )
se calculeaza ND.
Indicatie. Din expresia capacitatii de bariera si cu relatia din care se calculeaza largimea
regiunii golite, rezulta direct gradientul de concentratie neta de impuritati.
3.12. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 25 cm2/s si Dp = 10 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor de
sarcina este O = p = n = 0.5 s. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
directa VF = 0.6 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului;
10
3.13. O jonctiune abrupta din siliciu, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 1016 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Sa se determine tensiunea maxima de
polarizare in direct a jonctiunii pana la care aproximatia de nivel mic de injectie
ramane valabila.
Indicatie. Conditia de nivel mic de injectie impune ca concentratia de purtatori minoritari sa
ramana mult mai mica decat cea a purtatorilor majoritari. Daca admitem o diferenta de cel
putin un ordin de marime, conditia pusa la marginea regiunii de sarcina spatiala dinspre zona
N 2D
kT
ln 0.1 2
mai putin dopata conduce la: VF =
q
ni
3.14. O jonctiune abrupta din GaAs, aflata la T = 300 K, are nivelele de dopaj
NA = 5 1015 cm-3 si ND = 1015 cm-3. Constantele de difuzie ale purtatorilor
minoritati sunt Dn = 150 cm2/s si Dp = 7.5 cm2/s. Timpul de viata al purtatorilor
de sarcina este O = p = n = 0.5 s. Jonctiunea este polarizata la o tensiune
inversa VR = 10 V. Sa se calculeze:
a) componenta de difuzie a curentului prin jonctiune;
b) componenta de generare-recombinare a curentului.
11
3.21. O jonctiune abrupta asimetrica p+n din siliciu, uniform dopata, este
proiectata pentru o tensiune minima de strapungere de VB = 15 V. Sa se
determine concentratia maxima de impuritati a zonei mai slab dopate. Se
considera campul electric critic egal cu 4 105 V/cm.
12