Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Materiale Pentru Electronica Si Electrotehnica
Materiale Pentru Electronica Si Electrotehnica
1.
INTRODUCERE ..................................................................................................................... 4
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
2.
3.
4.
INTRODUCERE ................................................................................................................. 27
REELE CRISTALINE ........................................................................................................ 28
PUNCTE, DIRECII I PLANE N REEA ............................................................................. 30
REEAUA RECIPROC (INVERS) .................................................................................... 31
REELE BRAVAIS ............................................................................................................ 34
STRUCTURI CRISTALINE REALE ....................................................................................... 35
5.
DIFUZIA ................................................................................................................................ 66
5.1.
CONSIDERAII GENERALE ............................................................................................... 66
5.1.1. Mecanisme de difuzie ................................................................................................ 66
5.1.2. Densitatea fluxului de difuzie .................................................................................... 67
5.2.
TIPURI DE DIFUZIE .......................................................................................................... 67
5.2.1. Difuzia staionar...................................................................................................... 67
5.2.2. Difuzia nestaionar; a doua lege a lui Fick ............................................................. 67
5.2.3. Factori care influeneaz difuzia .............................................................................. 68
6.
6.2.
6.3.
6.4.
6.5.
7.
7.1.
7.2.
7.3.
7.4.
8.
DEFINIII ........................................................................................................................ 84
LEGEA FAZELOR (GIBBS) ................................................................................................ 84
TRANSFORMRI DE FAZ ................................................................................................ 85
DIAGRAME DE FAZ; LEGEA PRGHIEI............................................................................ 86
METALE ................................................................................................................................ 92
8.1.
8.2.
8.3.
8.4.
8.5.
8.6.
8.7.
9.
10.
10.1.
10.2.
10.3.
11.
11.1.
11.2.
11.3.
11.4.
12.
12.1.
BENZI ENERGETICE N SOLIDE; TIPURI DE SOLIDE .......................................................... 136
12.2.
CONCENTRAIA DE PURTTORI N METALE ................................................................... 139
12.3.
CONDUCIA ELECTRIC LA METALE ............................................................................. 142
12.4.
CONCENTRAIA DE PURTTORI N SEMICONDUCTORI ................................................... 144
12.4.1.
Semiconductori intrinseci ................................................................................... 144
12.4.2.
Semiconductori extrinseci .................................................................................. 147
12.5.
CONDUCIA ELECTRIC LA SEMICONDUCTORI.............................................................. 151
12.6.
CURENI DE DIFUZIE N SEMICONDUCTORI.................................................................... 152
12.7.
MATERIALE DIELECTRICE ............................................................................................. 155
12.7.1.
Noiuni generale ................................................................................................. 155
12.7.2.
Piroelectricitatea ................................................................................................ 157
12.7.3.
Piezoelectricitatea .............................................................................................. 158
12.7.4.
Feroelectricitatea ............................................................................................... 159
12.7.5.
Electrei .............................................................................................................. 160
12.8.
PROPRIETI ELECTRICE ALE MATERIALELOR .............................................................. 161
12.8.1.
Proprieti electrice ale dielectricilor ................................................................ 161
12.8.2.
12.8.3.
13.
13.1.
13.2.
13.3.
13.4.
13.5.
13.6.
13.7.
14.
14.1.
MATERIALE COMPOZITE ............................................................................................... 203
14.1.1.
Materiale compozite ranforsate cu particule ..................................................... 203
14.1.2.
Materiale compozite ranforsate cu fibre ............................................................ 204
14.1.3.
Materiale compozite structurale ......................................................................... 205
14.2.
CRISTALE LICHIDE ........................................................................................................ 205
14.2.1.
Natura chimic a cristalelor lichide ................................................................... 207
14.2.2.
Aplicaii industriale ale cristalelor lichide ......................................................... 209
14.3.
MATERIALE SUPRACONDUCTOARE ............................................................................... 212
14.3.1.
Noiuni generale ................................................................................................. 212
14.3.2.
Ecuaia London .................................................................................................. 214
14.3.3.
Aplicaii ale supraconductibilitii ..................................................................... 217
BIBLIOGRAFIE ........................................................................................................................... 222
1.
Introducere
1.1.
1.2.
fibre de
carbon
materiale
compozite
oel
lemn, bronz fier
piatr
1800
1900
2000
1.3.
Aa cum s-a artat mai sus, sunt cinci principale categorii de materiale, unele
dintre acestea putnd fi mprite n subcategorii. ntr-o oarecare msur, aceste
clase se suprapun, n sensul c unele materiale ar putea face parte din mai mult de o
singur categorie.
I. METALE
Metalele sunt materiale solide constituite din elemente electropozitive
(grupele I, II i III, metalele tranziionale, elementele din partea de jos a grupelor
IV, V, pmnturile rare i actinidele), singure sau n combinaie, n proporii
continuu variabile. Astfel, se deosebesc:
elemente metalice pure (de exemplu, Fe)
aliaje i superaliaje (Cu + Sn = bronz, Cu + Zn = alam, Fe + C = oel,
Pb+Sn = cositor, nitinol)
unii compui intermetalici (de exemplu Ni3Al); alii, ca MoSi2, se
aseamn n multe privine cu materialele ceramice
Trsturi caracteristice: au atomii aranjai ntr-o structur regulat periodic
(cristal), sunt relativ dure, au densitate mare, sunt maleabile sau ductile (au o
plasticitate ridicat), sunt rezistente la rupere, sunt exceleni conductori de
electricitate i cldur, sunt opace la lumina vizibil, au aspect lucios.
Aplicaii: cabluri electrice, structuri n construcii: cldiri, poduri etc., automobile,
avioane, trenuri, maini unelte, materiale cu memoria formei, magnei, catalizatori.
Limitele performanelor sunt determinate de oxidare, coroziune (aciunea acizilor i
bazelor), temperatura de topire, scderea rezistenei la creterea temperaturii i, ca
urmare, temperaturile tipice de utilizare sunt cele sub 1000C.
II. MATERIALE CERAMICE
Materialele ceramice sunt elemente anorganice, nemetalice, sau compui ai
elementelor electropozitive cu oxigenul (oxizi: Al2O3, ZrO2), carbonul (carburi:
SiC, WC), azotul (nitruri: Si3N4, BN), halogenii (halogenuri: LiF, KBr), sulful
(sulfuri: FeS2). Se deosebesc:
materiale ceramice de structur (folosite n structuri de rezisten n
construcii)
materiale refractare (rezistente la coroziune, izolatori)
7
1.4.
Proprietile materialelor
10
P=
Vp
Vt
Porozitatea prezint importan n special n cazul materialelor electroizolante,
care pot prezenta pori deschii, semi-nchii sau nchii; cele care conin
primele dou tipuri de pori nu sunt utilizate n medii umede dect impregnate;
cele mai reprezentative materiale poroase sunt produsele pe baz de celuloz
(la care porozitatea poate ajunge la 50%).
permeabilitatea fa de aer, Pa se caracterizeaz prin volumul de aer Va care
strbate, ntr-un interval de timp t, o suprafa de arie A a unei probe de
material de grosime h, datorit diferenei dintre presiunile p1 i p2 ale aerului pe
cele dou fee ale probei de ncercat:
Va h
Pa
A(p1 p 2 ) t
permeabilitatea la umiditate, Pu caracterizeaz capacitatea unui corp de a se
opune trecerii vaporilor de ap prin el i prezint o importan deosebit n
alegerea materialelor pentru protecia mpotriva umiditii (lacuri de acoperire,
mantale pentru cabluri etc.); se determin cu relaia:
mh
Pu
A(p1 p 2 ) t
unde m reprezint masa vaporilor de ap, iar p1, p2, A, h i t au aceeai
semnificaie ca n relaia anterioar.
umiditatea, U reprezint cantitatea de ap aflat ntr-un material i se exprim
n procente fa de cantitatea maxim de ap pe care o poate conine materialul;
aceast caracteristic este legat de porozitatea corpului, de umiditatea i
temperatura mediului nconjurtor, precum i de intervalul de timp n care
corpul se afl n mediul considerat; dup un anumit timp corpul ajunge la o
umiditate de echilibru Ue, a crei valoare depinde de natura i temperatura
mediului ambiant; n cazul materialelor polare (sticl, mic etc.), la care
interaciunea dintre moleculele de ap i material este mai puternic dect cea
dintre moleculele de ap, adic unghiul dintre suprafaa materialului i planul
tangent la suprafaa picturii de ap este foarte mic, se formeaz o ptur de
ap la suprafaa materialului; dac > 90, ptura de ap se formeaz foarte
greu; practic, aceste materiale nu se ud (parafina, ceara etc.); pentru corpurile
fibroase se stabilete o umiditate convenional: aceasta reprezint valoarea
umiditii de echilibru a materialului aflat n aer, n condiii normale de
presiune, temperatur i umiditate (p = 105 N/m2, t = 20C, Ur,aer = 65%).
umiditatea relativ a aerului reprezint raportul dintre presiunea vaporilor de
ap aflai efectiv n aerul din atmosfer i presiunea vaporilor necesari pentru a
satura atmosfera.
higroscopicitatea, H reprezint valoarea umiditii de echilibru a unui corp i
se determin cu relaia:
11
H=
12
2.
2.1.
substrat
1
2
2
3
3
3
4
4
s ( = 0)
s ( = 0)
p ( = 1)
s ( = 0)
p ( = 1)
d ( = 2)
s ( = 0)
p ( = 1)
4
4
d ( = 2)
f ( = 3)
Tabel 2.2
numr
numr de electroni
de stri
n substrat
n strat
1
2
2
1
2
8
3
6
1
2
3
6
18
5
10
1
2
3
6
32
5
10
7
14
Figura 2.1 Tipul orbitalilor exteriori pentru diferitele elemente din tabelul periodic
2.2.
U r
F
(2. 1)
r r
Pentru a avea graficul din figura 2.2, trebuie ca:
16
la r < r0,
Figura 2.2 Variaia energiei poteniale de interaciune dintre doi atomi, n funcie de
distana dintre ei
mA mn
r0 =
(2. 5)
nB
n unele cazuri, este mai convenabil s se lucreze cu o expresie a lui U de
forma:
B
(2. 6)
rn
Valoarea U0 a energiei poteniale din graficul din figura 2.2 este o msur a
lucrului mecanic ce trebuie efectuat (energia cheltuit) pentru a deplasa un atom
aflat la distana r0 fa de altul, la o distan infinit fa de acesta (pentru un atom
U = A e
17
2.3.
Legtura ionic
Dup cum este cunoscut, atomii oricrui element au tendina de a-i forma
configuraia electronic a unui gaz inert, prin captarea sau cedarea de electroni. De
exemplu, metalele alcaline au un electron de valen, pe care l pot ceda relativ
uor, energia de ionizare fiind mic; n schimb, halogenii au pe ultimul strat
electronic apte electroni, lipsindu-le unul pentru a avea o configuraie electronic
complet, de octet. Aceste elemente prezint o afinitate electronic, caracterizat
de energia eliberat la captarea electronului care le asigur formarea octetului
complet. Transferul unui electron de la un tip de atom la altul i transform pe
amndoi n ioni (unul pozitiv, cellalt negativ) cu structuri electronice complete,
acesta fiind aspectul esenial al legturii ionice. Structura unei reele cristaline cu
legtur ionic este format din alternarea ionilor pozitivi cu cei negativi. ntre
acetia se exercit interaciuni coulombiene, fora atractiv avnd expresia
Ve
,
4 0 r 2
unde V este valena ionului pozitiv. Energia de interaciune electrostatic are
expresia (2.4), r fiind distana dintre ioni. La o distan interatomic de ordinul a
1010 m, corespunde o energie de atracie electrostatic de ordinul a 1019 J (civa
eV). Pentru un calcul mai exact, trebuie inut ns seama nu numai de interaciunea
ionilor cei mai apropiai ci i de cea dintre ionii aflai la distane mai mari, care
18
r
r
0
nsumarea fcndu-se pentru toate nodurile reelei. Calculul acestei expresii a fost
fcut de ctre Madelung i Ewald (1918), care au ajuns la relaia:
2
Ve
U =
(2. 7)
n
40
unde este constanta reelei iar este constanta Madelung, ce depinde de tipul
reelei (pentru reeaua clorurii de sodiu ea are valoarea 1,75, pentru altele fiind
cuprins ntre 1,6 i 1,8). Constantele i n se determin din condiiile:
dU
d2U
0 ;
d
d 2
Prima din aceste relaii este condiia de echilibru iar cea de-a doua exprim
fora necesar pentru a comprima cristalul cu o anumit valoare, for ce se
determin experimental. Rezultatele teoriei lui Madelung pot fi verificate
experimental. O modalitate pentru a face acest lucru este cea propus de Born i
Haber, n 1919 i prezentat n continuare.
Exemplul cel mai cunoscut al legturii ionice este cel al clorurii de sodiu
(NaCl). Dac o astfel de structur primete (pentru fiecare pereche de ioni de Cl i
Na) energia U, necesar desfacerii perechii n ioni, are loc procesul:
U
Na + Cl
Na+ + Cl
Cednd sistemului i energia E, corespunztoare afinitii electronice a Cl,
acesta pierde electronul n plus:
E
Cl
Cl + e
Acest electron este captat de Na+, cedndu-se, astfel, energia de ionizare i
rezultnd Na gazos:
I
Na+ + e
Na
Na gazos sublimeaz, trecnd n stare solid i cednd cldura de sublimare,
S:
S
Na gazos
Na solid
Cl atomic gazos formeaz molecule de Cl2 gazos, cednd energia de
disociere, D:
1
D
Cl
Cl2
2
Dac Cl2 reacioneaz cu Na metalic solid, rezult NaCl, cedndu-se
cldura Q:
1
Na + Cl2 Q NaCl
2
Scriind relaia care exprim conservarea energiei n acest proces ciclic,
obinem:
19
2.4.
Legtura covalent
Un alt tip de interacie care asigur legturi chimice este cea n care
geometria norilor electronici ai atomilor este suficient de distorsionat astfel nct
electronii sunt continuu mprii ntre atomii vecini, formnd nveliuri complete
pentru acetia. O astfel de legtur este deci asociat cu existena unei perechi de
electroni comuni atomilor care interacioneaz. Punerea n comun a electronilor de
ctre atomi nseamn c este imposibil de precizat crui atom aflat n interaciune i
aparine electronul pus n comun.
21
2.5.
Legtura metalic
23
2.6.
Toate legturile discutate anterior sunt legate, ntr-un fel sau altul, de
transferul unui electron al unui atom ctre vecinii si, lucru posibil atunci cnd
energia necesar acestui proces nu este prea mare. Dac electronii aparin ns unor
straturi complete, energia lor de legtur cu nucleul este foarte mare i ei nu pot
prsi atomul. Aa este cazul gazelor inerte care, dup cum ar rezulta din
considerentele de mai sus, nu pot forma structuri solide cristaline. Totui i n acest
caz se pot obine astfel de structuri, ca urmare a altor interaciuni care pot asigura
stabilitatea acestora. Este vorba de interaciunile de tip molecular sau Van der
Waals care sunt mult mai slabe dect cele discutate anterior. Ele sunt datorate unei
deplasri relative a electronilor dintr-un atom sau o molecul fa de sarcina
pozitiv, central a nucleului; altfel spus, norul electronic nu are o simetrie sferic,
astfel nct ansamblul sarcin pozitiv a nucleului - sarcin negativ a electronilor,
dei neutru din punct de vedere electric, ca urmare a distribuiei asimetrice,
formeaz un dipol. Atomul sau molecula se caracterizeaz printr-un moment
electric dipolar variabil, ca urmare a modificrii formei norului electronic. ntre
doi astfel de dipoli oscilani apare o for atractiv care constituie interaciunea Van
der Waals, cea care asigur mecanismul solidificrii substanelor cu structura
complet a nveliului electronic.
n general, n atomi, centrul sarcinii pozitive (nucleul) coincide cu centrul
sarcinii negative (electronii nconjurtori). Astfel de sisteme posed o simetrie
sferic fa de centrul lor i sunt neutre din punct de vedere electric. Norul
electronic nu este ns un obiect staionar. El pulseaz i se deformeaz n intervale
de timp scurte. Dac norul electronic se deformeaz ntr-un astfel de mod nct
sarcina negativ este plasat asimetric, atunci centrul pozitiv i cel al sarcinii
negative nu mai coincid. Rezult un dipol temporar (figura 2.6).
Figura 2.7 Molecula de ap dipolar i apariia legturii Van der Eaals ntre astfel de
molecule
Pentru c legtura Van der Waals este foarte slab, astfel de solide formate
pe baza acestei legturi au puncte de topire sczute (tabelul 2.5) i o duritate mic.
Tabelul 2.5 prezint energia de legtur i temperatura de topire pentru cteva
materiale, cu diferite tipuri de legturi.
Tabel 2.5 Energia de legtur i temperatura de topire pentru materiale cu diferite
tipuri de legturi
Tip de
Energie de legtur
Temperatur de
legtur
Substan
kJ/mol
eV/atom (ion,
topire (C)
molecul)
Ionic
NaCl
640
3,3
801
MgO
1000
5,2
2800
Covalent
Si
450
4,7
1410
C (diamant)
713
7,4
3550
Metalic
Hg
68
0,7
39
Al
324
3,4
660
Fe
406
4,2
1538
W
849
8,8
3410
Van der
Ar
7,7
0,08
189
Waals
Cl2
31
0,32
101
26
3.
3.1.
Structura cristalin
Introducere
27
3.2.
Reele cristaline
(3. 1)
R n n1 a 1 n 2 a 2 n 3 a 3
unde n1, n2, n3 sunt numere ntregi iar vectorii ai (i = 1, 2, 3) sunt vectorii de baz
(fundamentali) ai reelei (figura 3.3).
28
3.3.
30
3.4.
(3. 5)
Ur U r T
(3. 6)
Ur U b e 2 i b r U b1 U b2 U b3 e 2 i b1x b2 yb3z
b
b a 1 a 2 a 2 a 3 a 3 a 1
Din condiiile (3.8), rezult:
b a1 a1 a 2 a 3 g1 ;
b a 2 a 2 a 3 a1 g 2 ;
(3. 9)
b a 3 a 3 a1 a 2 g 3
a2 a3
a 3 a1
a1 a 2
b g1
g2
g3
g1 b1 g 2 b 2 g 3 b 3 (3. 10)
V
V
V
Din aceast ultim relaie, se poate constata i c:
0 dac i k
a i bk
(3. 11)
1 dac i k
b 3 este perpendicular pe a 1 i pe a 2 .
Vectorii b1 , b 2 , b 3 , astfel construii, se numesc vectorii de baz ai reelei
reciproce, reeaua obinut cu acetia fiind reeaua reciproc (invers).
32
sin 23 sin 31
Analog,
cos 31 cos 12 cos 23
cos 12 cos 23 cos 31
cos 23
; cos 31
(3. 13)
sin 31 sin 12
sin 12 sin 23
1
b hk
(3. 14)
d hk
Dac n reeaua reciproc se construiete o celul primitiv de tip WignerSeitz, aceasta se numete zon Brillouin. Construcia se face n acelai mod,
descris anterior: alegem un nod arbitrar drept origine, de la acesta ducem segmente
de dreapt pn la nodurile vecine de ordinul I, ducem planele mediatoare la aceste
segmente, intersecia lor formnd prima zon Brillouin. Fcnd aceeai construcie
dar folosind vecinii de ordinul II (III, ... etc.), obinem a doua (a treia, ... etc.) zon
Brillouin. Se poate arta c volumele zonelor Brillouin de diferite ordine sunt
egale. n figura 3.6 se poate vedea construcia zonelor Brillouin ntr-o reea plan
33
ptratic. n locul vectorului b , definit prin relaia (3.10), n teoria corpului solid
se prefer lucrul cu vectorul:
(3. 15)
g 2b
Reele Bravais
3.5.
triclinic
lungimi
axe,
unghiuri
a1a2a3
simpl
REELE BRAVAIS
cu baze
cu volum
centrate
centrat
cu fee
centrate
=
rombic
(ortorombic)
a1a2a3
=
= =
tetragonal
a1=a2a3
=
= =
romboedric a1=a2=a3
(trigonal) =
=
MEDII
hexagonal
SUPERI- cubic
OARE
a1=a2a3
=
=
a1=a2=a3
=
= =
TETRAGONAL
ORTOROMBIC
TRIGONAL
MONOCLINIC
TRICLINIC
Figura 3.7 Transformarea reelelor Bravais dintr-una n alta
3.6.
35
36
37
Aranjarea atomilor se poate vedea foarte bine n figura 3.12.b, iar figura
3.12.c prezint celula elementar, unde se constat c aceast structur se poate
obine dintr-o structur hexagonal simpl, prin introducerea unui plan intermediar
situat simetric ntre planele bazelor, coninnd (pentru o celul elementar) trei
atomi aflai pe verticala dus din centrul de greutate al unui numr de trei
triunghiuri din cele ase n care se mparte hexagonul baz, luate prin alternan.
Celula elementar are doi parametri de reea, a i h. Raportul ideal este h/a = 1,633.
Structura HC este una dintre cele mai comune structuri ale cristalelor
metalice i n aceast structur cristalizeaz elemente ca: H, He, Be, Mg, Sc, Ti,
Co, Zn, Zr, Cd, Tl, precum i compui: ZnO, ZnSe, ZnTe, SiC, CdS, CdSe. Gradul
de mpachetare al acestei structuri este de 74%.
Dac planele de forma celui din figura 3.10 se suprapun astfel nct peste un
plan cu atomii n poziia 1 se suprapune un plan cu atomii n poziia 2 iar peste
acesta un plan cu atomii n poziia 3 i aa mai departe (adic o succesiune de plan
123123..., figura 3.13.a), se obine o structur cubic cu fee centrate (CFC)
(figura 3.13.b,c). Aceasta are un grad de mpachetare de 0,74 (74 %). Planele cu
aranjament compact, de tipul celui din figura 3.10 sunt planele diagonale ale
38
Structura cubic cu fee centrate este tipic unor metale cum sunt Cu, Ag,
Au, Al, Ni, Pd, Pt, Sr, Ca, Pb. De asemenea, aceeai structur se ntlnete si la
substane compuse, ca: NaCl, KCl, KBr, LiH, PbS, MgO, MnO, AgBr. Aceste
structuri, de tipul clorurii de sodiu, pot fi considerate ca fiind alctuite din dou
reele CFC (de exemplu, la NaCl, de Na+ i respectiv Cl), ntreptrunse.
Sferele rigide se ating una cu alta de-a lungul diagonalei feelor, de unde
4R
rezult c lungimea muchiei cubului (constanta reelei) este a =
. Numrul
2
vecinilor de ordinul I este egal cu 12 i numrul atomilor din celula elementar este
n = 4.
O alt clas este cea a structurii de tip diamant, structur care se poate
obine tot prin suprapunerea a dou reele CFC, deplasate una fa de alta pe
direcia [1 1 1] cu un sfert din lungimea diagonalei cubului. O imagine mult mai
sugestiv este cea care prezint aceast structur pentru care fiecare atom se afl n
39
Celelalte sisteme sunt i ele mai rar ntlnite. Astfel, n sistemul tetragonal
cristalizeaz zirconiul i oxidul de titan, n sistemul ortorombic sulful i sulfatul de
bariu, n sistemul monoclinic gipsul i pehblenda iar n sistemul romboedric
calcitul i rubinul.
Aliajele (amestecuri de dou sau mai multe metale) n general au structuri
cristaline de tip CFC, CVC, sau HC, atomii fiind aezai ordonat sau dezordonat:
Structura clorurii de sodiu (NaCl) (figura 3.16) este o structur de tip CFC, la
care raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Na+ i Cl), r/R este ntre 0,414
i 0,732, ionul de Cl fiind situat [[0 0 0]], iar ionul de Na+ la [[0 1/2 0]].
Exemple: halogenuri alcaline: LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI,
KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, halogenuri metalice: AgF, AgCl,
40
AgBr, oxizi metalici: MgO, CaO, SrO, BaO, VO, MnO, FeO, CoO, NiO, sulfuri
metalice: MgS, CaS, SrS, BaS, MnS, PbS, hidruri metalice: LiH, NaH, KH, RbH,
CsH, hidroxizi metalici: KOH, sruri de amoniu: NH4I.
Structura clorurii de cesiu (CsCl) (figura 3.17) este o structur de tip CVC, la
care raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Cs+ i Cl), r/R este ntre 0,732 i
1,0, ionul de Cl fiind situat la [[0 0 0]], iar ionul de Cs+ la [[1/2 1/2 1/2]].
Exemple: CsCl, CsBr, CsI, NH 4Cl, NH4Br
43
45
4.
4.1.
4.2.
Defecte punctiforme
Cel mai simplu defect care poate aprea este lipsa unui atom din locul
corespunztor n reea, defect numit vacan. Acest defect se produce prin ruperea
legturilor cristaline dintre un atom i restul reelei, acesta migrnd ntr-o alt
poziie, unde, la rndul su, reprezint tot un defect punctiform, numit atom
interstiial. De regul, deci, defectele punctiforme apar ca perechi vacan-atom
interstiial. Atomul interstiial se poate plasa undeva, oriunde, n interstiiul dintre
dou plane reticulare ale reelei (ceea ce produce o dilatare a acesteia), caz n care
perechea vacan-atom interstiial se numete defect Frenkel*, sau poate migra la
suprafaa cristalului, caz n care perechea respectiv se numete defect Schottky.
i n regiunea unde se formeaz o vacan are loc deformarea reelei dar n sensul
comprimrii ei. n plus, prezena vacanelor ofer o posibilitate destul de uoar a
atomilor de a difuza dintr-o parte a cristalului (cu concentraie mic de vacane) n
alta (cu concentraie mai mare de vacane) datorit faptului c, atunci cnd un atom
se deplaseaz ntr-o vacan lsnd propriul loc gol, nu produce rupturi prea mari n
reea, procesul necesitnd foarte mic energie. Odat cu difuzia atomilor ntr-un
sens, are loc i difuzia vacanelor n sens invers. n cristalele ionice, prezena
vacanelor n reea echivaleaz i cu o sarcin electric efectiv de semn opus celei
a ionului lips, fapt ce duce la creterea energiei electrostatice; de asemenea, pentru
Defectele Frenkel sunt foarte rar ntlnite la metale, care au o structur foarte compact.
46
47
4.3.
50
2. Forjarea*
Dislocaiile sunt nconjurate de cmpuri de fore elastice. Cmpurile de
fore ale diferitelor dislocaii interacioneaz puternic i blocheaz dislocaiile ntro configuraie metastabil. Fora ce trebuie aplicat din exterior pentru a produce
deformarea trebuie s fie suficient pentru a face s treac dislocaiile de-a lungul
cmpurilor de for ale altor dislocaii care i se opun. Dislocaiile acumulate n
timpul forjrii la rece cresc deci duritatea materialului. Dac se reduce densitatea
dislocaiilor, acestea nu se mai blocheaz unele pe altele i se deplaseaz uor.
Dac toate dislocaiile ar fi eliminate, cristalul ar deveni foarte rezistent.
3. Efecte de impuriti
Atomii de impuriti difuzeaz spre dislocaii. Atomii de dimensiuni mai
mari dect constanta reelei sunt atrai spre regiunea dilatat din jurul dislocaiei.
Atomii de dimensiuni mai mici sunt atrai spre regiunea comprimat. S-a
interpretat limita rezistenei fierului drept momentul cnd dislocaiile se separ de
atomii de impuriti care le nconjoar. Cnd dislocaia s-a ndeprtat de impuritate,
*
51
4.3.1.
Exemple de dislocaii
B
C
A
A C A
B
B
C
A
A
B
C
a
b
B
C
54
4.3.2.
Multiplicarea dislocaiilor
55
4.4.
56
4.5.
4.6.
Defecte de volum
Astfel de defecte se pot prezenta sub form de:
pori pot afecta puternic proprietile mecanice, optice, termice
fisuri pot afecta puternic proprietile mecanice
incluziuni strine pot afecta puternic proprietile mecanice, optice,
electrice
4.6.1.
g a
2 sin
g =
(4.8)
M
2
Orice vibraii posibile sunt date de valorile posibile ale lui g n domeniul:
<g
(4.9)
a
a
care reprezint, de fapt, prima zon Brillouin.
g ~
ag
(4.10)
M
ceea ce arat c g este proporional cu numrul de und, conform binecunoscutei
proprieti a unei unde elastice obinuite, ce se propag ntr-un mediu continuu. La
valori mari ale lui g, viteza de propagare a undei nu este ns constant, ceea ce
semnific faptul c are loc un proces de dispersie.
*
58
vf =
; vg =
dg
g
i, innd cont de relaia (4.8), obinem:
ga
ga
sin
sin
ga
ga
2 v
2
cos
v s cos
vf =
; vg = a
(4.11)
s
ga
ga
M
2
2
M
2
2
<f<
(4.15)
2
2
Relaia de mai sus arat c numrul modurilor de vibraie este egal cu cel al
gradelor de libertate.
4.6.2.
60
M1 u1 = 2u1 + 2cos(ga)u2
M2 u 2 = 2u1 + 2cos(ga)u1
creia, pentru rezolvare, i asociem ecuaia determinantului:
2 M12
2 cosga
=0
2 cosga 2 M 2 2
Pulsaia rezult din rezolvarea acestei ecuaii i are expresia:
(4.16)
(4.17)
1
1
1
1 4 sin 2 ga
(4.18)
M1M 2
M1 M 2
M1 M 2
Reprezentate grafic n funcie de g, cele dou soluii arat ca n figura 4.15.
Ca i n cazul lanului monoatomic, soluia tinde spre proporionalitate cu g
atunci cnd ga << 1. Acest mod de vibraie este numit mod acustic, fiind analog cu
o und de lungime de und mare, reeaua comportndu-se ca un mediu elastic
continuu (distana interatomic este mult mai mic dect lungimea de und), viteza
de propagare a undei fiind egal cu viteza sunetului.
2
2
1; 2
(4.19)
M1 M 2
Aceast ramur, numit mod optic, este separat net de modul acustic dar,
cnd g /2a, ea tinde s se apropie de ramura corespunztoare modului
acustic.
Se poate arta c, la g = 0, cele dou subreele, cu atomi uori, respectiv
grei, se mic fiecare n opoziie de faz, altfel spus, molecula biatomic a fiecrei
celule vibreaz independent de vecinii si. Dac, aa cum este cazul cristalelor
ionice, cei doi atomi ai celulei au sarcini electrice opuse, rezult o oscilaie a
momentului electric dipolar, acesta fiind, deci, optic activ.
61
4.6.3.
(4.20)
ur ~ e i kr t
Vecinul su va oscila conform ecuaiei:
(4.21)
ur a ~ exp i kr a t exp ik a ur
Pentru lungimi de und mai mari, deci k mic, practic toi atomii oscileaz
n faz, solidul comportndu-se ca un mediu elastic continuu (domeniul acustic),
structura sa fiind prea fin pentru a fi semnificativ n dinamica undelor lungi. Este
62
4.6.4.
63
(4.23)
k k g
care nu este altceva dect legea de conservare a impulsului n procesul interaciei
radiaiei incidente (foton, electron, neutron etc.) cu fononul care este absorbit
(figura 4.17.a); cazul din figura 4.17.b prezint schematic procesul invers, cnd
este creat un fonon.
Faptul c fononii se supun statisticii Bose-Einstein este exprimat deja n relaia 4.22, ntruct
probabilitatea de ocupare a unei stri de energie de ctre un bozon este dat de expresia:
{exp(/kBT) 1}1
Se poate utiliza i expresia h/ dar este de preferat s lucrm cu expresia dat n text, n funcie de
constanta Planck redus i de numrul de und; acelai lucru este valabil i pentru energie, pentru
care este de preferat s utilizm nu relaia hci, mai degrab
64
65
5.
5.1.
Difuzia
Consideraii generale
5.1.1.
Mecanisme de difuzie
sinterizare proces prin care o substan sub form de pulbere devine dens i dur (de obicei,
prin presare)
*
66
5.1.2.
5.2.
5.2.1.
Tipuri de difuzie
Difuzia staionar
5.2.2.
D
(5. 5)
t
x
x
x 2
Acesta este cazul cnd densitatea fluxului de difuzie depinde de timp, ceea
ce nseamn c un tip de atomi se acumuleaz ntr-o regiune, sau aceasta este
67
kT
kT
Dependena de temperatur a coeficientului de difuzie urmeaz legea
Arrhenius.
5.2.3.
6.
6.1.
Deformarea materialelor
(6. 1)
A0
69
(6. 2)
0
(6. 3)
A0
unde F este tensiunea aplicat paralel la feele superioar i inferioar, fiecare de
arie A0 (figura 6.1.c).
Deformarea de forfecare este dat de relaia:
= tg
(6. 4)
unde este unghiul de deformare (figura 6.1.c).
n cazul torsiunii (figura 6.1.d), deformarea este o funcie de cuplul de
torsiune aplicat, T, deformarea de torsiune fiind determinat de unghiul de torsiune,
.
Deformarea elastic este reversibil: cnd tensiunea de deformare este
nlturat, materialul revine la dimensiunea avut nainte de solicitare. De obicei,
alungirea relativ este mic n acest caz, excepie fcnd materialele plastice.
Deformarea plastic este ireversibil: cnd tensiunea de deformare este
nlturat, materialul nu mai revine la dimensiunea avut nainte de solicitare.
n testele de elasticitate, dac deformarea este elastic, relaia efort unitaralungire relativ este numit legea lui Hooke:
= E
(6. 5)
unde E este modulul lui Young sau modulul de elasticitate, avnd aceeai unitate
de msur ca (N/m2 sau Pa).
Cu ct E are o valoare mai mare, cu att materialul este mai rigid (se
deformeaz mai greu).
La unele materiale (polimeri, beton), deformarea elastic nu este liniar (nu
respect legea lui Hooke), dar este reversibil. n acest caz, modulul de elasticitate
nu este constant, ci depinde de tensiunea aplicat.
Materialele supuse tensiunilor de deformare i modific i dimensiunile
transversale; astfel, cele supuse ntinderii se subiaz transversal pe direcia de
ntindere, iar cele supuse comprimrii se ngroa transversal pe direcia de
comprimare. Raportul dintre alungirile relative lateral i axial este numit raport
Poisson, . i el este adimensional, iar semnul arat c alungirea relativ lateral
70
71
Metal
(aliaj)
Aluminiu
Cupru
Alam
(70%Cu30%Zn)
Fier
Nichel
Oel
Titan
Molibden
300
68
130
138
180
450
565
262
480
380
520
655
45
40
25
25
35
ln
(6. 11)
1 , rezult c t = ln(1 + ).
Cum
0
a = knn(1 n)(1 n)
(6. 13)
6.2.
Dac partea superioar (figura 6.4) a unui cristal alunec pe o distan egal
cu o distan interplanar, atunci doar o mic parte din legturi se rup la un moment
dat i acest lucru necesit doar o mic for. Propagarea unei dislocaii de-a lungul
planului determin alunecarea prii superioare a cristalului fa de partea
inferioar, dar pentru aceasta nu este necesar ruperea simultan a tuturor
74
75
cristalite pentru care coscos este mare pot avea limitri n deformare datorit
cristalitelor alturate, care nu pot s se deformeze la fel de uor. Dislocaiile nu pot
traversa cu uurin suprafaa de separare dintre cristalite, datorit modificrii n
direcie a planului de alunecare i dezordinii la marginea acestor cristalite. Drept
urmare, materialele policristaline sunt mai rezistente dect monocristalele (excepie
fac monocristalele perfecte, fr defecte - whiskers).
Abilitatea unui material de a se deforma depinde de abilitatea dislocaiilor
de a se mica. Limitnd micarea dislocaiilor, putem face materialul mai rezistent.
Mecanismele de durificare (rigidizare) a materialelor sunt:
reducerea mrimii cristalitelor
Cu ct cristalitele sunt mai mici, cu att este mai mare aria suprafeei de
separare dintre acestea, care mpiedic micarea dislocaiilor. Reducerea
dimensiunilor cristalitelor mbuntete de obicei i rezistena materialului. De
regul, limita de curgere variaz cu dimensiunea cristalitelor, d, conform relaiei
Hall-Petch:
k
(6. 17)
c 0 c
d
unde 0 este rezistena intern care se opune micrii i multiplicrii dislocaiilor,
kc o constant de material i d diametrul mediu al cristalitelor.
Diametrul mediu al cristalitelor poate fi controlat prin viteza de solidificare,
prin deformare plastic, sau printr-un tratament termic corespunztor.
alierea n soluii solide
Aliajele sunt de obicei mai rezistente dect materialul pur al solventului.
Impuritile interstiiale sau substituionale dintr-o soluie determin deformarea
reelei. Ca rezultat, aceste impuriti interacioneaz cu cmpurile de deformare ale
dislocaiilor i mpiedic micarea dislocaiilor.
Impuritile tind s difuzeze i s se grupeze n jurul nucleului dislocaiei,
pentru a gsi poziii ct mai potrivite dimensiunilor lor. Aceasta reduce energia de
deformare total i ancoreaz dislocaia.
ecruisarea
Metalele ductile devin mai rezistente cnd sunt deformate plastic la
temperaturi suficient de sczute fa de punctul de topire. Prin deformarea plastic
la rece, rezistena la rupere, limita de curgere i duritatea cresc, iar deformarea
scade, altfel spus, prin deformare plastic la rece materialele se ntresc, devin mai
rezistente, mai dure, mai puin plastice. Acest fenomen este cunoscut sub numele
de durificare prin deformare, sau ecruisare.
Motivul pentru care are loc acest fenomen este creterea densitii
dislocaiilor prin deformare plastic. n acest fel, distana medie dintre dislocaii
scade i dislocaiile ncep s-i blocheze micarea una alteia.
Aa cum am amintit, limita de curgere i duritatea cresc ca a rezultat al
ecruisrii, dar ductilitatea scade (materialul devine mai casant, friabil).
Deformarea plastic crete densitatea dislocaiilor (la materiale mono i
policristaline) i modific distribuia dimensiunilor cristalitelor (la materialele
policristaline). Aceasta corespunde nmagazinrii unei energii de deformare n
77
6.3.
Ruperea materialelor
79
80
6.4.
Fluajul materialelor
81
6.5.
Proprieti mecanice
electrotehnice
ale
materialelor
electronice
82
Facem precizarea c forma corect este viscos, viscozitate i nu vscos, vscozitate, cum, din
pcate se ntlnete destul de des n unele lucrri.
*
83
7.
7.1.
Diagrame de faz
Definiii
7.2.
84
11 12
1f
12 22
f2
1n n2 fn
Prin notaie, indicele din dreapta-sus indic faza, iar cel din dreapta-jos
indic componentul.
Fiecare din potenialele ij este o funcie de presiune, temperatur i n 1
concentraii ale componenilor din faza dat (deoarece suma concentraiilor este
egal cu 1), deci n total n + 1 variabile independente.
Condiiile de echilibru formeaz un sistem de (f 1)n ecuaii, avnd un
numr de necunoscute egal cu 2 + f(n 1). Pentru ca acest sistem s fie
determinat, trebuie ca numrul ecuaiilor s fie cel mult egal cu numrul
necunoscutelor, adic:
n(f 1) 2 + f(n 1)
de unde rezult:
fn+2
(7. 1)
ceea ce se poate exprima astfel:
ntr-un sistem de n componeni independeni, se pot gsi simultan n
echilibru cel mult n + 2 faze.
Aceasta reprezint legea fazelor, formulat de J. W. Gibbs*.
Dac numrul fazelor, f este mai mic dect n + 2, un numr V = n + 2 r de
variabile n ecuaiile de echilibru pot avea valori arbitrare, V reprezentnd numrul
gradelor de libertate termodinamice ale sistemului (variana sistemului). Relaia:
V=n+2f
(7. 2)
reprezint o alt form de scriere a legii fazelor.
De exemplu, s considerm un sistem cu un singur component: n = 1. Dac
f = 1, atunci V = 2, deci presiunea i temperatura se pot modifica arbitrar; dac f =
2, atunci V = 1, deci presiunea i temperatura nu sunt independente, ci ntre ele
exist o relaie; dac f = 3, atunci V = 0, starea sistemului fiind complet
determinat prin valori unice ale lui p i T (punctul triplu).
7.3.
Transformri de faz
85
7.4.
86
temperatur
Punct de topire al
materialului A pur
Punct de topire al
materialului B pur
Lichid
+ lichid
+ lichid
Punct eutectic
Linie eutectic
%A
compoziie
%B
87
temperatur
Lichid
+ lichid
%A
compoziie
%B
Figura 7.3 Determinarea compoziiei pe diagrama de faz a unui aliaj binar; legea
prghiei
89
X X
m m
m m
91
8.
8.1.
Metale
Consideraii generale
92
8.2.
Aliaje
8.3.
Prelucrarea metalelor
n industrie, metalul topit este rcit i formeaz metalul solid. Apoi, acesta
este prelucrat mecanic pentru a se obine un produs particular. Modul n care se
desfoar aceste etape este foarte important, deoarece cldura i deformarea
plastic pot afecta puternic proprietile mecanice ale metalului.
Este de mult cunoscut faptul c proprietile unor metale pot fi modificate
prin tratament termic. Cristalitele n metale tind s creasc mai mari, pe msur ce
96
97
8.4.
8.5.
Coroziunea metalelor
99
100
8.6.
Minereuri metalice
8.7.
QA
Qm
r A e kT A e RT
(8.2)
unde QA este energia de activare pe atom, iar Qm este energia de activare pe mol.
102
9.
9.1.
Materiale ceramice
Consideraii generale
103
105
9.2.
106
9.3.
109
10. Polimeri
10.1. Noiuni generale
Polimerii sunt substane coninnd un mare numr de uniti structurale,
legate prin acelai tip de legtur. Aceste substane formeaz deseori o structur n
lan. Cu alte cuvinte, polimerii sunt constituii din molecule mari, alctuite din (cel
puin cinci) uniti chimice (meri) repetate, unite mpreun, ca mrgelele nirate
pe un fir. Polimerii conin de obicei mai mult dect cinci monomeri i unii pot
conine sute sau mii de monomeri n fiecare lan.
110
111
112
Alcool metilic
Eteri
R O R
Dimetileter
Acizi
Acid acetic
Aldehide
Formaldehid
Hidrocarburi
aromatice
Fenol
Masa molecular final (lungimea lanului) este controlat prin ratele
relative de iniiere, propagare i terminare a polimerizrii. Formarea
macromoleculelor n timpul polimerizrii determin distribuia lungimilor
lanurilor i a maselor moleculare.
113
Se definesc:
a) Masa molecular medie numeric, M n , se exprim prin raportul dintre masa
total a probei i numrul de macromolecule pe care aceasta le conine:
M n n1M1 n 2 M 2 ...
Ni Mi
N1
N2
M1
M 2 ... i
n i Mi
Ni
Ni
Ni i
i
(10.1)
unde Mi este masa molecular a unei macromolecule din specia i i Ni este numrul
de macromolecule din specia i.
Mrimea
Ni
(10.2)
ni
Ni
i
este fracia numeric a speciei i, produsul niMi este masa speciei i, iar
n M
i
(10.4)
mult, meninnd unghiul de 109,5 ntre legturi, lanurile polimerice se pot roti n
jurul legturilor CC simple (legturile duble i triple fiind foarte rigide) (figura
10.9.b).
115
116
117
10.2. Polimerizarea
Polimerizarea este procesul de sintez a polimerilor, pornind de la materia
prim (de exemplu, petrol sau crbune) i poate avea loc n dou moduri.
1. Adiia (reacie n lan) are loc cnd unitile monomer sunt ataate una cte
una.
Acest tip de polimerizare este un proces n trei etape, implicnd dou
entiti chimice. Prima, numit monomer, poate fi considerat ca o verig n lanul
polimeric. Iniial, exist ca simple uniti. n aproape toate cazurile, monomerii au
cel puin o dubl legtur carbon-carbon. Cellalt reactant chimic este un
catalizator. n polimerizarea prin adiie, catalizatorul poate fi un radical liber
adugat n concentraii relativ mici. Un radical liber este un compus chimic care
conine un electron liber ce formeaz o legtur covalent cu un electron al unei
alte molecule.
Prima etap n polimerizarea prin adiie, iniierea, are loc cnd radicalul
liber catalizator reacioneaz cu un monomer cu o dubl legtur carbon-carbon,
ncepnd formarea lanului polimeric. Dubla legtur se rupe, monomerul se leag
la radicalul liber i electronul liber este transferat la cellalt atom de carbon n
aceast reacie.
Etapa urmtoare, propagarea, este o operaie repetitiv, n care este format
fizic lanul polimeric. Dubla legtur a monomerilor succesivi este desfcut cnd
monomerul reacioneaz cu lanul reactiv polimeric. Electronul liber este deplasat
succesiv n lan la atomul de carbon final. Aceast reacie este capabil s decurg
continuu, deoarece energia n sistemul chimic scade pe msur ce lanul crete.
Din punct de vedere termodinamic, suma energiilor polimerului este mai mic
dect suma energiilor monomerilor individuali. Altfel spus, legturile simple n
lanul polimeric sunt mult mai stabile dect dublele legturi ale monomerilor.
118
119
120
121
122
123
124
w Dw
dw
U = w f w D w dw w
(11.5)
0
0
kT
e 1
Considerm c numrul de celule ale reelei este N i fiecare celul conine
un singur atom. n modelul lui Einstein se presupune c fiecare atom vibreaz
independent de vecinii si, ca un oscilator armonic simplu, spectrul energetic
125
w w
3Nw
dw w 0 0
U= w
(11.7)
0
e kT 1
e kT 1
de unde:
TE
1 U
eT
T
3N A k E
c=
(11.8)
2
T
T TE
e T 1
T E
c = 3NAk E e T
(11.10)
T
Aceasta este, practic, o dependen exponenial, care, experimental, nu este
observat.
n figura 11.1 este reprezentat dependena cldurii specifice de temperatur
n modelul Einstein (linia punctat), comparat cu dependena obinut
experimental (linia continu).
T
126
unui fonon, g , este cuantificat, valorile sale posibile fiind cuprinse n interiorul
primei zone Brillouin. Aproximnd aceast zon cu o sfer de raz gD, reprezentnd
valoarea maxim a numrului de und (gD se numete numr de und Debye iar
sfera de raz gD sfera Debye) i considernd c viteza de propagare a undelor n
cristal este unic, c, astfel nct g = cg, numrul valorilor lui g (care este egal cu
numrul gradelor de libertate, egal, la rndul lui cu triplul numrului de celule
elementare, N) poate fi exprimat ca raportul dintre volumul sferei Debye i
8 3
volumul unei singure stri, care este
(volumul unei celule elementare n
V
4 3
g D
spaiul reciproc), adic 3N = 3 3 . De aici, se poate scrie:
8
V
1
6 2 3
gD = 3
(11.11)
unde V/N este volumul celulei elementare.
Volumul ocupat de o stare n spaiul vectorului de und este egal cu raportul
4 3
g D
dintre volumul sferei Debye i numrul de stri din aceast sfer, adic 3
.
3N
ntr-un interval cuprins ntre i d, ceea ce corespunde unui interval
(g, g + dg) pentru g, se afl un numr de stri egal cu raportul dintre volumul din
spaiul vectorului de und corespunztor acestui interval i volumul ocupat de o
singur stare:
2
3N
2
D()d = 4
dg = 3N 3 d
(11.12)
4 3
D
g D
3
unde D = cgD este pulsaia Debye.
Se poate scrie atunci (nlocuind n relaia (11.5):
D
2
U = 9N
(11.13)
3 d
D
0
e kT 1
Cu aceast formul, se obine:
127
kT 2
3
D
e
T D x 4e x
kT
dx
c = 9Nk
(11.14)
d = 9Nk
2
TD 0 e x 12
0
3
kT
e 1 D
n care x =
i
kT
D
TD =
(11.15)
k
TD reprezint temperatura Debye, caracteristic solidului respectiv. Relaia
(11.14) este cunoscut sub numele de formula Debye pentru cldura specific a
solidelor.
Dac temperatura este mare (T >> TD), integrala din formula (11.14) devine
2
1 TD
i cldura specific devine egal cu cea dat de formula Dulong3 T
T
Petit. La temperaturi joase (T 0 ; D ), integrala tinde spre un factor
T
4
4
constant,
i putem scrie:
15
egal cu
T
12 4
c=
Nk
(11.16)
5
TD
cunoscut sub numele de legea T3 a cldurii specifice, valabil la temperaturi
joase.
Pentru un kmol, relaia (11.16) poate fi scris:
3
T
c = 1,94110 J/kmolK
(11.17)
TD
Relaia (11.16) este, aa cum am precizat, valabil la temperaturi joase;
T
experiena arat c ea este corect sub temperaturi n jurul valorii D . Aceast
10
formul se verific pentru majoritatea elementelor, ct i pentru unele substane
compuse (de exemplu, srurile halogenilor); pentru corpuri cu o structur mai
complex ea nu mai este valabil ntruct spectrul vibraiilor acestora este mult mai
complex. n mod special, formula Debye nu se poate aplica pentru cristalele cu o
anizotropie pronunat.
Temperatura Debye este o mrime caracteristic fiecrui cristal, ea aprnd
i n legtur cu alte proprieti ale sale, nu numai n legtur cu cldura specific.
Fiind proporional cu frecvena maxim a vibraiilor reelei, ea semnific
temperatura la care sunt excitate toate modurile de vibraie. Cnd aceast frecven
maxim este mare, forele de legtur din reeaua cristalin sunt puternice, ceea ce
nseamn c acele cristale cu TD mare au structura foarte stabil (de exemplu,
6
128
TD (K)
348
645
2230
360
1000
310
230
174
2m 2
N(w) =
2V
V = V0 + u sj, j u sj, u sj'', ' j
(11.18)
j'
u
j,s ,
j
,
s
,
s
,
s
,
s
'
,
'
0
Pentru studiul dilatrii termice ns, nici acest al treilea termen nu este
suficient ci este necesar luarea n considerare i a termenilor de ordin superior termeni anarmonici.
S considerm al patrulea termen:
3V
j
j'
j''
(3)
V =
(11.19)
j
j'
j''
s,
s ', '
s '', ''
u u
u
j,s ,
s,
s ', '
s '', '' 0
q T
(11.22)
130
Acestea pot avea loc cu respectarea relaiei k k g , caz n care
procesul respectiv se numete proces normal. Aceste procese nu influeneaz n
nici un fel conductivitatea termic. Cele care o influeneaz sunt procesele
Umklapp, n care nu se respect relaia respectiv, datorit faptului c k nu este
un impuls n sensul strict, ntruct, pentru valori n afara primei zone Brillouin, ale
vectorului de und, acestea repet stri din prima zon; astfel, un vector care difer
de altul cu g (vectorul reelei reciproce) corespunde unei stri fizice echivalente cu
cea corespunztoare primului. De exemplu, dac doi fononi cu vectorii de und
k 1 , k 2 interacioneaz, poate rezulta un fonon cu vectorul de und k 3 dar, este
posibil s rezulte i un fonon cu vectorul de und k 3 g , care va avea sensul invers
(aproximativ) cu primul (acest lucru rezultnd din conservarea impulsului). Acest
fapt nseamn i o inversare a sensului vitezei fononului ceea ce echivaleaz cu
apariia unei rezistene la transportul cldurii n reea. Procesele Umklapp se
produc cu o probabilitate ce crete exponenial cu temperatura la temperaturi mici
i proporional cu aceasta la temperaturi mari. Acelai lucru este valabil, n
consecin i pentru rezistivitatea termic (inversul conductivitii termice) datorat
proceselor Umklapp.
n multe lucrri, aceast mrime este numit densitate de cldur, densitate a fluxului de cldur
sau, chiar flux de cldur; am considerat c termenul de densitate de curent termic, i datorit
analogiei cu termenul densitate de curent electric (inclusiv ca mod de definire), este mai sugestiv i,
oricum, mai corect din punct de vedere semantic.
*
131
Figura 11.2 Variaia conductivitii termice pentru o prob pur (linia punctat) i pentru
o prob cu impuriti i alte defecte (linia continu)
2 k
(11.24)
LT
3 e
cunoscut sub numele de legea Wiedemann-Franz (L este constanta Lorenz).
2
e =
133
(11.26)
R st
E c
134
135
Aa cum energia electronilor ntr-un atom izolat poate avea numai valori
discrete bine determinate, restul valorilor fiind interzise, tot aa, ntr-un ansamblu
de atomi cum este cel al unui solid, energia electronilor poate avea numai valori din
cadrul acestor benzi energetice permise, restul valorilor aflndu-se n benzi
energetice interzise, care separ ntre ele benzile energetice permise.
Trebuie precizat c structura de benzi este caracteristic fiecrui cristal n
parte, n diferite cazuri particulare unele benzi interzise putnd lipsi sau benzile
permise se pot suprapune parial.
Rezult, deci, c structura energiei electronilor n solide este o structur de
benzi, care se formeaz, n principiu, la fel, indiferent de tipul solidului, deosebirea
fiind doar cantitativ. Fiecare band provine dintr-un nivel discret al atomului
izolat, benzile de energie permis fiind desprite de zone (benzi) interzise.
136
Banda interzis
Banda de valen
EF
BC
Stri ocupate
EF
Stri ocupate
139
Electronii liberi din metal sunt distribuii pe diverse niveluri energetice din
banda de conducie conform relaiei:
dn = f(w)N(w)dw
(12.27)
unde dn este concentraia de electroni (numrul de electroni din unitatea de volum)
cu energii cuprinse n intervalul energetic dw, f(w) este probabilitatea ca starea
cuantic de energie w s fie ocupat de un electron, iar N(w) este densitatea de
stri energetice din banda de conducie (numrul de stri energetice din unitatea
de volum i pe unitatea de energie).
S considerm un metal de form cubic, de latur a, n interiorul cruia
potenialul este considerat constant*, bariera de potenial la marginea acestuia fiind
suficient de nalt pentru ca nici un electron s nu poat prsi cristalul. n acest
caz, funcia de und asociat electronului (funcia Bloch) este nul n exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dac unda asociat este staionar, avnd un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, s fie un multiplu ntreg al semilungimii de und a undei
h
asociate electronilor liberi din cristal, adic a = f i, cum p = , rezult:
2
n realitate el are forma din figura 12.5, dar pentru electronii liberi din metal aproximaia fcut
este suficient de bun.
*
140
h
(12.28)
2a
p2
f 2h2
w=
(12.29)
2m 8ma 2
Pentru cele trei direcii, relaia 12.28 devine:
px = fxh/2a, py = fyh/2a, pz = fzh/2a.
Electronii liberi din metal sunt caracterizai deci de patru numere cuantice:
fx, fy, fz i s (numrul cuantic de spin). ntr-o reprezentare n spaiul impulsurilor,
innd cont de principiul de excluziune al lui Pauli i de cele dou valori posibile
ale lui s, densitatea electronilor n acest spaiu este 2(2a/h)3, deci numrul
electronilor cu impulsul cuprins n intervalul (p, p + dp) este:
p=f
1 2a
8a 3
2 4p 2 dp 3 p 2 dp .
8 h
h
3
N(w)dw =
h3
h3
w dw
3
42 m 2
Dac se noteaz C =
= 6,821027 eV 2 m 3 , rezult:
3
h
N(w) = C w
(12.30)
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dat de relaia:
1
f(w) =
(12.31)
w EF
1 e kT
unde EF este energia Fermi, T temperatura absolut a cristalului i k constanta
Boltzmann.
Se vede c, la T = 0 K, pentru w > EF, f(w) = 0 i pentru w < EF, f(w) = 1,
ceea ce semnific faptul c, la 0 K, toate strile energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate iar cele de deasupra sunt, toate, libere.
La T > 0 K, cnd w = EF, f(w) = 1/2, ceea ce d posibilitatea unei alte
interpretri a nivelului Fermi (nivelul energetic a crei probabilitate de ocupare este
50 %). n figura 12.6 este reprezentat grafic expresia f(w)N(w) la diferite
temperaturi.
Numrul total de electroni din unitatea de volum (concentraia de electroni)
este:
1
3
EF
2
n = Cw 2 dw C E F 2
(12.32)
0
3
Se constat c, la metale, concentraia electronilor de conducie este practic
constant, nedepinznd de temperatur. Rezult c, ntruct mobilitatea electronilor
este invers proporional cu temperatura, conductivitatea metalelor este i ea invers
141
T=0K
T1 > 0 K
C w
T2 > T1
C w
2
w
EF
Figura 12.6 Dependena expresiei f(w)N(w) de temperatur
Pentru a scoate un electron din metal, dup cum s-a vzut anterior, este
necesar ca energia acestuia s fie cel puin egal cu nlimea barierei de potenial
de la marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este ns cel mult egal cu
energia Fermi. Ca atare, pentru extracia unui electron este nevoie, n medie, de o
energie egal cu diferena dintre nivelul barierei de potenial de la marginea
cristalului i energia Fermi, valoarea respectiv fiind o caracteristic a fiecrui
metal, numit energie de extracie*. Aceast energie poate fi primit de unii din
electronii de conducie ai metalului pe diferite ci. De exemplu, prin nclzirea
metalului, cum se poate vedea din figura 12.6, unii din electroni pot avea energii
mai mari dect EF i pot depi astfel bariera de potenial, ieind din metal. Din
calcule rezult c, prin emisia electronilor din metal ca urmare a nclzirii acestuia
la temperatura T (fenomen numit emisie termoelectronic), se formeaz un curent
termoelectronic a crui densitate este dat de:
Wext
kT
j = AT e
(12.33)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscut i sub numele de
legea Richardson-Dushman.
2
142
dQ
E
(12.34)
j
dS dt E
et
v max at C C E
mn
Viteza medie a acestei micri este dat de relaia:
v max
et
vm
C E,
2
2m n
din care se vede c vm (care este viteza de drift) este constant, deci micarea este
uniform.
et
v n C E n E
2m n
(12.35)
dQ E
en dS d E
j
env n en n E
(12.36)
dS dt E
dS dt E
nlocuind:
1
enn = =
(12.37)
(12.38)
j E
relaie ce reprezint forma local a legii lui Ohm.
Acest model clasic d rezultate n concordan cu datele experimentale la
temperaturi obinuite. La temperaturi sczute ns, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesar o tratare cuantic.
Semiconductori intrinseci
Dup cum s-a vzut anterior, la semiconductori, banda de valen este (la 0
K) complet ocupat i separat de banda de conducie (liber la 0 K) printr-o band
interzis cu o lrgime de maxim 3 eV. n tabelul 12.1 este dat valoarea lrgimii
benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La temperaturi sczute,
semiconductorii se comport deci ca un izolator, nedispunnd de purttori de
sarcin electric liberi, care s formeze un curent electric sub aciunea unui cmp
electric exterior.
Tabel 12.1 Lrgimea benzii interzise a unor semiconductori
Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si
1,1
CdS
2,4
Se
0,8
PbS
0,41
Ge
0,67
PbSe
0,23
Te
0,34
PbTe
0,6
Sn
0,1
GaP
2,24
InSb
0,32
GaAs
1,35
InAs
0,39
SiC
2,8
InP
1,25
HgSe
0,6
InSb
0,18
Al2O3
2,5
AlSb
1,5
Cu2O
1,5
CdSe
1,8
ZnO
3,2
144
Np(w) =
EF w
WC
WC
n = Nn w f w dw Cn
n=
3
2
2m n kT 2 e
3
h
E F WC
kT
NC e
w WC e
w EF
kT
dw
E F WC
kT
(12.39)
Wkn
BC
Wc
BI
Wv
+
Wkg
BV
WV
ceea ce deriv din faptul c o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilitilor de ocupare a acelei stri de un electron,
w EF
kT
respectiv de un gol este egal cu unitatea. Evident, cum f(w) << 1, f(w) e
.
Atunci,
WV EF
WV E F
3
2
p = 3 2m p kT 2 e kT N V e kT
(12.40)
h
ntruct la un semiconductor extrinsec, n = p = ni,
3
mn 2 e
E F WC
kT
EF =
mp 2 e
WV E F
kT
, de unde rezult:
mp
Eg 3
mp
WV WC 3
kT ln
WV
kT ln
2
4
mn
2 4
mn
(12.41)
146
12.4.2.
Eg
2 kT
(12.42)
Semiconductori extrinseci
147
nD = ND e
unde ND este concentraia de atomi donori.
(12.43)
BC
Wc
+
WD
WA
Wv
+
Nivel
donor
Nivel
acceptor
BV
Pe de alt parte, n paragraful anterior s-a dedus relaia 12.16, care exprim
concentraia de electroni din banda de conducie i care este valabil indiferent de
E F WC
kT
WC WD
2 kT
De fapt, nu exist o temperatur exact la care putem spune c toi donorii sunt complet ionizai,
sau la care generarea intrinsec devine evident, deci T E i Ti nu sunt n realitate valori exacte ci,
mai degrab, domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod ns s le considerm
drept valori exacte.
*
149
II
III
T
TE
Ti
150
WC WD
p = 2 N V N A e 2 kT
(12.45)
unde NA este concentraia de impuriti acceptoare.
Un grafic asemntor celui din figura 12.10 se poate trasa i pentru
concentraia de goluri dintr-un semiconductor extrinsec de tip p.
n tabelele 12.2 i 12.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu i
siliciu dopai cu diferite impuriti.
Tabel 12.2 Valoarea energiei de activare la semiconductori dopai cu impuriti
donoare
Impuritate donoare Sb P As
WC WD
semiconductor Si
43 45 53
3
Ge
10 12 13
(10 eV)
Tabel 12.3 Valoarea energiei de activare la semiconductori dopai cu impuriti
acceptoare
Impuritate acceptoare B
Al Ga In
WA WV semiconductor Si
44 68 72 155
Ge
10,4 10,2 10,8 11,2
(103eV)
jn = enn E = n E ; jp = enp E = p E
(12.47)
Sensul celor doi cureni, determinai de cele dou tipuri de purttori, este
acelai cu sensul cmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:
j jn jp = e(nn + pp) E = (n + p) E = E
(12.48)
Mrimea
= e(nn + pp)
(12.49)
151
jn = eDn nr
(12.50)
unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, o constant ce depinde de
material.
Dar, cum np = ni2, nseamn c, paralel cu gradientul de electroni, exist i
un gradient de goluri, ce determin, la rndul su, un curent de difuzie de
densitate*:
jp = eDp pr
(12.51)
Ca urmare a difuziei, n regiunile prsite de electroni, respectiv goluri,
rmn sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este srcit n sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Aceast distribuie de sarcin electric determin apariia unui cmp
electric intern n cristal, E int , care determin, la rndul su, apariia unui curent
electric de drift, att pentru electroni ct i pentru goluri. Conform relaiei 12.21.
acetia au expresiile:
aa cum sunt scrise cele dou relaii, 1.24 i 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui gradn (care
are, la rndul su, sensul de la zona de concentraie de electroni mai mic spre cea de concentraie
mai mare) deci i jn i jp au sens pozitiv; gradp are sens negativ.
sensul cmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a rmas un surplus
de sarcin electric pozitiv imobil) spre cea n care au difuzat acetia; cum difuzia are loc din
zona de concentraie mai mare spre cea de concentraie mai mic, sensul cmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentraiei de electroni (care este de la zona de concentraie mai
mic spre cea de concentraie mai mare) deci, conform conveniei, negativ.
*
152
Se observ c cei doi cureni de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curenilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, ntruct efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentraie i curentul de difuzie). Echilibrul se stabilete cnd cei doi cureni, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali n modul, deci cnd curentul total este nul.
Densitile totale de curent de electroni i respectiv de goluri sunt date de relaiile:
(12.52)
J n jn jnd e D n n n n E int
J p jp jpd e D p p p p E int
(12.53)
WF WC
kT
NC e
. Dac ns exist i un cmp electric (cmpul electric intern, n cazul de
fa), la energia WC trebuie adugat un termen suplimentar, eU, care provine din
faptul c energia minim a electronilor de conducie este mai mare ca urmare a
accelerrii lor n diferena de potenial, U, creat de cmpul electric respectiv.
Concentraia electronilor de conducie este, n acest caz:
WF WC eU
eU
n = NC e kT = n0 e kT
(12.55)
dU
Cum Eint =
, se poate scrie:
dx
eU
dn
en
e dU
n 0 e kT
E int
(12.56)
dx
kT
kT dx
nlocuind relaia 12.56 n 12.54, rezult:
kT
Dn =
n
(12.57)
e
Printr-un calcul analog, se obine i:
kT
Dp =
p
(12.58)
e
Aa cum s-a artat anterior, la echilibru termic, concentraia purttorilor n
orice punct din semiconductor este constant n timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabilete ntre cele dou procese inverse: generarea termic i
recombinarea purttorilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind numrul de purttori generai, respectiv recombinai n unitatea de volum i n
unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R = G.
153
t
p
t
n
pn(t) = pn0 + p0 e
(12.59)
unde pn(t) este concentraia purttorilor de neechilibru la momentul t dup
ncetarea cauzei care a produs dezechilibrul iarp0 este concentraia iniial a
purttorilor n exces.
ntr-un mod asemntor, se poate scrie i o relaie care s exprime
concentraia purttorilor de neechilibru ntr-un semiconductor de tip p:
np(t) = np0 + n0 e
(12.60)
S considerm acum o poriune paralelipipedic, de arie transversal A i
lungime dx (figura 12.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purttori minoritari, de densitate j.
Dac n acest volum se produce generarea de noi purttori, cu viteza de
generare G = p0/p, ntr-o regiune infinit mic n interiorul volumului respectiv vom
avea o concentraie p, de purttori minoritari, provenii, pe de o parte din generare,
pe de alt parte prin transport de ctre curentul j, concentraie mai mare dect p0 i
dependent de poziie. Recombinarea purttorilor are loc cu viteza R = p/p i este
154
Dp
p
2
t
p
x
x
Relaia de mai sus reprezint ecuaia de transport Boltzmann.
p n
2 pn pn pn0
Dac E = 0 i
= 0, relaia de mai sus devine:
, cu soluia:
t
x 2
Dpp
x
Lp
(12.62)
unde
Lp = D p p
(12.63)
Noiuni generale
(12.64)
pe q
unde este vectorul de modul , orientat pe direcia ce unete cele dou sarcini,
cu sensul de la sarcina negativ spre cea pozitiv.
n general, momentele electrice dintr-un dielectric sunt orientate haotic, ca
urmare a agitaiei termice dar, ntr-un cmp electric exterior ele tind s se orienteze
de-a lungul acestuia, sub aciunea momentului de rotaie, M p E , ce tinde s
roteasc dipolii astfel ca acetia s se alinieze pe direcia cmpului electric exterior.
Ca urmare a acestui fapt, n dielectric apare o redistribuire a sarcinii electrice i,
dei pe ansamblu el este neutru din punct de vedere electric, la suprafaa lui apar
sarcini electrice necompensate, numite sarcini de polarizare, care creeaz n
E 0 , astfel nct cmpul electric total este dat de suma vectorial a celor dou:
E E0 Ep .
Se definete vectorul polarizare a dielectricului ca fiind momentul electric
dipolar al unitii de volum:
1
P p ei
(12.65)
V i
Experimental se constat c, pentru o gam larg de dielectrici (medii
liniare), este valabil relaia:
(12.66)
P e 0 E
unde e este susceptibilitatea dielectric a substanei.
Comportarea dielectricului poate fi descris prin intermediul vectorului
(12.67)
D 0 E P 0 1 e E 0 r E
unde r este permitivitatea electric relativ a dielectricului. Aceast relaie este
valabil numai pentru medii izotrope, n cazul anizotropiei, evident, permitivitatea
se definete ca un tensor.
Valoarea permitivitii electrice relative a diferitelor materiale izolatoare
utilizate n practic este prezentat n tabelul 12.4.
Starea de polarizare a unui dielectric poate fi:
A. polarizare temporar, dac aceasta depinde de cmpuri electrice exterioare
Polarizarea temporar poate fi, la rndul ei, de dou feluri:
de deplasare
Polarizarea de deplasare poate fi:
- polarizare de deplasare electronic, dat de deplasarea limitat i elastic,
sub aciunea cmpurilor electrice exterioare, a nveliurilor electronice ale
atomilor
156
12.7.2.
~1
13
3 15
~ 10
~ 102 103
Piroelectricitatea
M1 u = (u v) + eEc
(12.69)
M2 v = 2(v u) eEc
(12.69)
unde u i v sunt deplasrile din poziia de echilibru ale ionilor pozitivi, respectiv
negativi, considerate identice la ioni de acelai semn apropiai.
Din relaiile de mai sus, se obine:
e
u v = 2 M 2 EC
(12.70)
0
M1 M 2
2
i 0 =
.
M1 M 2
M
Atunci, polarizarea este:
Ne 2
Ps = eN(u v) = 2 M 2 EC
(12.71)
0
unde N este numrul celulelor elementare din unitatea de volum (egal cu
concentraia ionilor pozitivi sau negativi).
Evident, deplasarea relativ a ionilor pozitivi i negativi este dependent de
temperatur, de unde rezult c i polarizarea spontan, dat de relaia (12.71) este
dependent de temperatur. Acesta este efectul piroelectric, care const n variaia
polarizrii spontane n funcie de temperatur. Pentru caracterizarea acestui efect,
se definete coeficientul piroelectric, dat de relaia:
dP
C= s
(12.72)
dT
Dac un cristal piroelectric este supus unei variaii de temperatur, ca
urmare a variaiei polarizrii spontane, apare un curent piroelectric, prin
msurarea cruia se pot obine informaii cu privire la proprietile dielectrice ale
cristalului.
Cele mai cunoscute substane piroelectrice sunt turmalina, cuaritul, sulfatul
de litiu.
unde M =
12.7.3.
Piezoelectricitatea
158
12.7.4.
Feroelectricitatea
Dei, n multe lucrri, efectul piezoelectric invers este numit i efect electrostrictiv, trebuie
subliniat c aceast denumire este greit, ea desemnnd un alt fenomen, mai general, prezent la
toate materialele i constnd n modificarea dimensiunilor la introducerea n cmp electric. Aceast
variaie a dimensiunilor este proporional cu ptratul intensitii cmpului electric (i nu cu puterea
I a cmpului electric, cum se ntmpl la efectul piezoelectric invers) i este foarte mic.
159
12.7.5.
Electrei
160
12.8.2.
168
Densitate
(kg/m3)
Temperatur
de topire
(C)
Rezistivitate
de volum
(m)
Permitivitate
relativ, r
Parafin
890 920
55
1012 1015
2,3
Cerezin
Ulei
de
ricin
hidrogenat
Bitum
900 950
980
50 60
80 90
1011
1011 1013
2,2
10 30
1000
1100
170 200
1012
2,4 3,3
Factor
de
pierderi
tg
104
103
103
0,1
Rigiditate
dielectric
Estr
[MV/m]
10 25
nepolar
10 15
25 40
nepolar
polar
103
102
10 40
polar
Natura
moleculei
170
173
175
12.8.3.
Cele mai des utilizate metale n industria electrotehnic sunt: Cu, Al, Fe,
Ag, Hg, Mo, Ni, Pt, W etc. Conductorii electrici se confecioneaz aproape
ntotdeauna din Cu sau Al i numai n cazuri speciale din Au, Ag, sau alte
materiale.
Tabel 12.7 Proprieti electrice ale unor metale utilizate n electrotehnic
Parametru
(109 m)
coeficient de variaie a
rezistivitii cu
temperatura (103 K1)
Ttopire (C)
Cu
17
Al
26
Ag
16
Au
23
Metal
Fe
87
Ni
87
Pt
108
W
70
Hg
960
3,9
4,2
3,6
3,8
5,5
1083
660
960
1063
1530
1452
1773
3380
38,9
178
(13.1)
p m ISn
unde I este intensitatea curentului determinat de deplasarea particulei (dac acesta
q
parcurge traiectoria circular n perioada T, I =
= q = 2q), S este aria
T
(13.2)
M pm
V i
Cnd o astfel de substan este introdus ntr-un cmp magnetic extern de
B
H
M
(13.3)
0
sau:
B 0 H M
(13.4)
M mH
(13.5)
unde m este susceptibilitatea magnetic, o mrime caracteristic materialului
(dac acesta este anizotrop, ea se definete ca un tensor).
179
B
1 m H sau B 0 r H , rezult:
Scriind
0
r = 1 + m
(13.6)
relaie care definete permeabilitatea magnetic relativ a materialului.
Proprietile magnetice ale substanelor pot fi analizate prin intermediul
susceptibilitii magnetice sau al permeabilitii magnetice relative. Astfel, ntr-o
prim clasificare, substanele se mpart n:
diamagnetice, pentru care r < 1 (m < 0); aceste substane sunt formate din
atomi care nu posed un moment magnetic propriu permanent; magnetizarea
este n sens invers cmpului magnetic exterior i nu depinde de temperatur.
paramagnetice, pentru care r > 1 (m > 0); atomii acestor substane posed un
moment magnetic permanent; magnetizarea are loc n sensul cmpului
magnetic exterior i este puternic dependent de temperatur.
n ambele cazuri, diferena permeabilitii magnetice relative fa de unitate
(a susceptibilitii magnetice fa de zero) este foarte mic, proprietile acestor
substane manifestndu-se foarte slab.
13.2. Diamagnetismul
Diamagnetismul este caracteristic tuturor atomilor i ionilor dar, cu excepia
unor situaii speciale (cum este supraconductivitatea), nu influeneaz proprietile
solidelor. El este datorat induciei electromagnetice care se produce la scar
atomic (inducerea unor cureni elementari n nveliul electronic al atomilor,
cureni care, prin cmpul magnetic pe care l creeaz, se opun cmpului magnetic
exterior).
180
Ze 2 B
I = Ze L
(13.8)
2
4m
cruia i corespunde un moment magnetic:
Ze 2 B 2
pm = IS = I2 =
(13.9)
4m
n care 2 este aria proieciei orbitei electronului pe un plan perpendicular pe
direcia cmpului magnetic exterior, 2 fiind media ptratului razei acestei
proiecii (figura 13.1).
181
13.3. Paramagnetismul
n paragraful precedent am vzut c fiecrei micri a unui electron n jurul
nucleului i corespunde un moment magnetic orbital, a crui precesie d natere
diamagnetismului. Se poate pune ntrebarea: de ce nu am luat n discuie
contribuia acestor momente la susceptibilitatea magnetic ci numai a celor asociate
micrii de precesie? Pentru a rspunde la aceast ntrebare, trebuie s inem seama
de modul n care momentele magnetice i de spin ale electronilor dintr-un atom
interacioneaz i se combin.
Vom face o scurt trecere n revist a problemelor legate de aceste aspecte
ale structurii electronice, la un nivel minim analizei pe care ne-o propunem.
Dup cum s-a artat anterior, electronii din pturile electronice ale atomilor
sunt caracterizai de patru numere cuantice: numrul cuantic principal, n, numrul
cuantic orbital, , numrul cuantic magnetic, m i numrul cuantic de spin, s.
ntr-un atom, electronii vor ocupa stri n ordinea cresctoare a energiei i
respectnd principiul de excluziune al lui Pauli (ntr-un atom, nu pot exista doi
electroni cu aceleai valori ale celor patru numere cuantice).
Dac, pentru un n i un dai, toate strile n atom sunt ocupate cu electroni,
momentul magnetic de spin total este nul, deoarece exist electroni cu spin + n
numr egal cu electronii cu spin 1/2 . De asemenea, momentul magnetic orbital
total este nul, deoarece fiecrui electron ntr-o stare + m, i corespunde un electron
ntr-o stare m. Astfel de sisteme de electroni formeaz o aa-numit ptur
complet. Singurii electroni care pot contribui la momentul magnetic total al
atomului sunt cei de pe pturile incomplete.
Alinierea spinilor electronilor n atom i ntre atomi vecini este determinat
de interacia dintre acetia, numit interacie de schimb i care face ca, ntr-o
ptur incomplet, energia s fie minim cnd electronii se aliniaz cu spinii
paraleli (evident, cu respectarea principiului de excluziune al lui Pauli), ceea ce
face ca momentul magnetic de spin al unui astfel de ansamblu de electroni dint-o
ptur incomplet s fie diferit de zero.
182
caz, se compun i si ji , dup care J ji .
i
Acest al doilea tip de cuplaj fiind mai rar ntlnit, nu l vom discuta,
referindu-ne numai la cuplajul LS.
Completarea pturilor cu electroni se face respectnd anumite reguli care
rezult din consideraii cuantice pe care nu le vom aminti aici, limitndu-ne la
precizarea acestor reguli, cunoscute sub numele de regulile lui Hund:
- ntr-un strat electronic (n i dai), electronii se aranjeaz astfel nct un numr
ct mai mare dintre ei s aib spinii paraleli.
183
aranjai astfel:
Atunci, S = s = 2 i L = m. Cum pe straturile de tip d numrul maxim de
electroni este 10, n acest caz stratul este umplut mai mult de jumtate i deci starea
fundamental este dat de J = L + S = 4.
Momentul magnetic total al atomului poate fi calculat dup relaia:
mJ = gB JJ 1
(13.12)
unde B este magnetonul Bohr-Procopiu.
eh
B =
(13.13)
4m e
i g este factorul giromagnetic (factorul de despicare Land), a crui expresie
este:
3 SS 1 LL 1
g=
(13.14)
2
2JJ 1
184
Wm
N g Bie
M=
g BiB
kT
(13.17)
g BiB
kT
Ng B izi 1
M=
izi 1
Ng B zJ J 12J 1
32J 1
adic:
M=
Ng 2 2B BJ J 1
(13.18)
3kT
M
Cum m = 0 , rezult:
B
2 2
Ng B J J 1 C
m = 0
(13.19)
3kT
T
Aceasta este legea Curie, descoperit de P. Curie n 1896. C se numete
constanta Curie. La aceast lege, se poate ajunge i pe cale clasic i este n bun
concordan cu rezultatele experimentale, inclusiv n ceea ce privete valoarea
constantei Curie. Trebuie s subliniem ns c pentru grupa de tranziie a fierului,
constanta Curie nu este cea din relaia (13.18), datorit faptului c aceste materiale
au momentul magnetic orbital al atomilor nul, caz n care, n formula respectiv
185
B=0
n+
n+
1
M = B(n n+) = B [f0() f0(+)]N()d =
2
0
186
f 0
N d 2B B N F
= 2B B
(13.21)
0
Aceast relaie ne arat existena paramagnetismului electronilor liberi.
Factorul apare n calculul de mai sus datorit faptului c distribuia a fost
divizat n dou subdistribuii.
Susceptibilitatea paramagnetic a electronilor liberi va avea valoarea:
e2k F
m =
(13.22)
4 2 m e
Se poate observa c un ansamblu de electroni liberi are o susceptibilitate
pozitiv, deci se comport paramagnetic, ntruct susceptibilitatea diamagnetic
Landau este mai mic dect susceptibilitatea paramagnetic Pauli i:
e2k F
= m + L =
>0
(13.23)
6 2 m e
13.4. Feromagnetismul
Experimental, se constat existena unor substane la care magnetizarea este
diferit de zero, chiar atunci cnd cmpul exterior este nul. Dac se reprezint
grafic variaia magnetizrii n funcie de temperatur, din datele experimentale se
obine o variaie de felul celei din figura 13.3, n care se vede c, la temperaturi
peste TC, numit temperatura Curie, magnetizarea spontan dispare i materialul
se comport ca un paramagnet.
Aceste substane sunt substanele feromagnetice, comportarea lor fiind
datorat unei ordonri spontane a momentelor magnetice ale atomilor, ordonare
datorat, la rndul ei, interaciunii dintre aceste momente magnetice (interaciune
pe care am neglijat-o cnd am discutat despre paramagnetism). Dependena de
temperatur apare i ea fireasc, att timp ct agitaia termic se constituie ntr-un
factor de dezordine cu att mai puternic, cu ct temperatura este mai mare.
M
M0
T
TC
Figura 13.3 Variaia magnetizrii n funcie de temperatur
B N p m M
(13.24)
unde este o constant dependent de material.
Cum peste temperatura Curie substana devine paramagnetic, n acest caz
i putem aplica legea Curie cu corecia de a aduga cmpului magnetic exterior
B
cmpul Weiss, deci Btot B BW . Din relaia (13.4) avem M m
; nlocuind
0
C B M
CB
C
B cu B tot i m =
, rezult: M =
M=
, de unde se
T
T 0 C
0
T
0C
obine m =
, adic:
0 T C
C
m =
(13.25)
T TC
unde
C
TC =
(13.26)
0
Relaia (13.25) este legea Curie-Weiss iar valoarea dat de relaia (13.26)
pentru temperatura Curie este n bun concordan cu cea obinut experimental.
Tabel 13.2 - Valori ale temperaturii Curie ale unor materiale feromagnetice
Material Fe
Co
Ni
TC [K]
1043
1404 631
Dup cum rezult din legea Curie-Weiss, n timp ce cmpul molecular tinde
s alinieze momentele magnetice ale atomilor din substan, agitaia termic tinde
s distrug aceast ordonare, ceea ce se ntmpl cnd ea este destul de puternic,
adic peste o temperatur TC, care separ faza ordonat, feromagnetic (la T < TC)
de faza dezordonat, paramagnetic (la T > TC).
Ceea ce nu explic teoria lui Weiss este natura acestui cmp molecular, care
este cauza comportrii feromagnetice a unor substane, dintre care cele mai
cunoscute sunt fierul, cobaltul, nichelul i unele din aliajele acestora.
Problema care se pune este aceea de a explica tendina spinilor electronilor
de a se alinia paralel unii cu ceilali. Pentru aceasta, trebuie gsit interacia care
face ca aceast aliniere s fie avantajoas din punctul de vedere al energiei totale
minime a sistemului, care asigur stabilitatea acestuia. Mecanica cuantic arat c
188
unde Isch este aa-numita integral de schimb iar S1 i S 2 sunt momentele cinetice
de spin ale electronilor care interacioneaz.
Situaia de mai sus nu asigur ns automat alinierea paralel a spinilor,
ntruct scderea energiei de interaciune coulombian este nsoit de creterea, n
mai mare msur, n majoritatea cazurilor, a energiei cinetice. Numai n anumite
cazuri energia total se reduce la orientarea paralel, fa de cea de la orientarea
antiparalel. Acest lucru se ntmpl cnd integrala de schimb este pozitiv.
Dac electronii aparin aceluiai atom, energia este minim cnd spinii lor
sunt paraleli (aa cum stabilete i una din regulile lui Hund), I > 0, dar dac
electronii aparin unor atomi diferii, energia minim este, n majoritatea cazurilor,
cea n care spinii sunt antiparaleli (J < 0). Numai la substanele feromagnetice
energia de interacie este minim cnd spinii sunt paraleli, n acest fel putndu-se
explica feromagnetismul. Mrimea integralei de schimb depinde de gradul de
suprapunere a funciilor de und electronice ceea ce determin dificulti destul de
mari n calculul propriu-zis al integralei de schimb, n ale crui detalii nu vom
intra.
ntr-un sistem de spini ordonai, ca cel din substanele feromagnetice,
perturbaiile dinamice se pot propaga din aproape n aproape, prin intermediul
acestei interaciuni de schimb, sub forma undelor de spin. Acestea constau n
precesia spinilor n jurul direciei unui cmp magnetic extern. Analog cu fononii, se
asociaz acestor unde o particul fictiv, numit magnon, cu mas de repaus nul
i cu spin ntreg (este deci un boson).
n practic se constat c, totui, cu excepia magneilor naturali,
magnetizarea spontan sub temperatura Curie nu este prezent la majoritatea
feromagneilor, acetia trebuind s fie magnetizai prin plasarea ntr-un cmp
magnetic extern pentru a avea o magnetizare proprie, care poate fi distrus sub
aciunea unor factori mecanici (ocuri), sau termici.
Aceast comportare a fost explicat de ctre Weiss pe baza existenei
domeniilor de magnetizare spontan, care sunt regiuni macroscopice, prezentnd
o magnetizare spontan, avnd orientarea diferit, de la un domeniu la altul.
Formarea lor este datorat faptului c energia unui astfel de sistem, mprit n mai
multe domenii, este mai mic dect dac sistemul ar prezenta un singur domeniu.
189
Numrul de domenii este limitat i de alte dou cauze. Prima este existena
la un cristal a unei direcii de magnetizare uoar, care este o direcie n cristal
de-a lungul creia este mai uor ca materialul s fie magnetizat. Pentru Fe, aceasta
este direcia [1 0 0], pentru Ni [1 1 1], iar pentru cobalt [0 0 1]. Asta nseamn c,
190
191
Evident, cele trei etape nu sunt clar delimitate, existnd domenii unde unele
din cele trei procese descrise se suprapun. Saturaia se obine cnd toate momentele
magnetice elementare ale feromagnetului s-au aliniat dea lungul direciei cmpului
exterior i orice cretere a acestuia nu mai produce nici o schimbare n material.
Curba rezultat, reprezentnd creterea magnetizrii (sau a lui B) n funcie de
creterea intensitii cmpului magnetic exterior se numete curba de magnetizare
iniial.
Dac acum intensitatea cmpului exterior ncepe s scad pn la zero, se
observ c magnetizarea scade dup o alt curb dect cea de magnetizare iniial,
astfel nct, cnd H devine nul, magnetizarea are nc o valoare pozitiv, M r,
numit magnetizare remanent. Pentru a reduce magnetizarea la zero, trebuie
aplicat un cmp de orientare invers dect cea iniial, avnd intensitatea egal cu o
valoare HC, numit cmp coercitiv.
Crescnd n continuare intensitatea cu valori negative peste cea a cmpului
coercitiv, are loc magnetizarea substanei pn la saturaie, n sens invers
magnetizrii iniiale, i aa mai departe. La un ciclu complet de variaie a
intensitii cmpului magnetic exterior de la zero la Hmax, apoi din nou la zero i
pn la Hmax i din nou la zero i apoi la Hmax, se obine ciclul variaiei
magnetizrii, numit ciclul de histerezis magnetic.
Energia disipat pe un ciclu este dat de relaia:
192
Wh = B dH H dH
(13.28)
(13.29)
B M
semnul negativ aprnd datorit valorii negative a integralei de schimb.
193
194
ale
materialelor
electronice
r, rev =
(13.32)
0 H 0 H 0 dH
Transformarea reversibil prezint o importan deosebit n cazul
magnetizrii corpurilor n cmpuri alternative.
Dup cum i pstreaz sau nu ntr-o msur suficient starea de
magnetizare (la anularea cmpului magnetizant) materialele magnetice se mpart
n:
195
196
a)
b)
c)
d)
Aa cum s-a precizat mai sus, n afara strii diamagnetice, care este
neinfluenat de temperatur, celelalte stri prezint o puternic dependen de
temperatur. Astfel, susceptibilitatea magnetic a paramagneticilor depinde de
temperatur conform legii Curie (relaia 13.19).
La fero i ferimagnetici, aranjamentul ordonat spontan dispare la o
temperatur caracteristic substanei, numit temperatur Curie, TC, substana
comportndu-se peste aceast temperatur ca un paramagnetic obinuit (figura
197
(B)
Co-Ni
Fe-Ni
Fe-Co
1,5
1
0,5
0
50
(%)
100
Figura 13.12 Variaia momentului magnetic atomic (exprimat tot n funcie de magnetonul Bohr)
i a temperaturii Curie n funcie de concentraia n Pt a aliajului Co-Pt
Br (T)
0,73
1,27
1,18
0,6
0,64
1
1,05
0,95
1
HC
(103A/m)
44,6
51,7
104,7
151,3
382,2
4
5,2
5,2
18,3
BHm
(10 TA/m)
1,3
4,4
8,8
2,6
7,3
0,16
0,24
0,24
0,8
-8
202
14.1.1.
Acestea sunt cele mai ieftine i cele mai utilizate, fiind de dou categorii, n
funcie de dimensiunea particulelor:
Materiale compozite ranforsate cu particule de dimensiuni mari, care
acioneaz prin limitarea micrilor matricei.
Proprietile acestor compozite sunt o combinaie a proprietilor
componentelor. Regula amestecurilor arat c limita superioar a modulului de
elasticitate al compozitului este dat, n funcie de modulele de elasticitate al
matricei, Em i respectiv al particulelor, Ep, de relaia:
Ec = EmVm + EpVp
(14. 1)
unde Vm i Vp sunt fraciile volumice ale celor dou faze.
203
14.1.2.
204
14.1.3.
Compozitele laminare sunt alctuite din folii, sau plci cu orientare diferit
a direciilor de rezisten mare, stratificate i lipite.
Plcile sandwich sunt alctuite din plci dure, rigide, legate de o structur
nucleu uoar, de exemplu de tip fagure.
14.2.1.
A B
bifenil
dihidrofenantren
208
14.2.2.
Aa cum s-a precizat anterior, sub aciunea unui cmp electric exterior,
moleculele cristalului lichid se orienteaz perpendicular sau paralel cu liniile de
cmp. S considerm montajul din figura 14.2, n care o celul ca cea descris mai
sus, umplut cu un lichid nematic cu orientare perpendicular pe liniile de cmp
electric, se gsete ntre un polarizor i un analizor cu axele optice paralele. Dac se
trimite un fascicul de lumin pe direcia axei sistemului, n lipsa unei tensiuni
209
U
C
P
Figura 14.2 Montaj pentru studiul orientrii prefereniale a moleculelor cristalului lichid
211
Noiuni generale
materiale
TC(K)
18,05
8
14
17
6,30
17,50
16,50
17,10
10,40
14,70
213
14.3.2.
Ecuaia London
1
j
A
(14. 7)
2
0 L
Aceasta este ecuaia London.
Dac se aplic de dou ori operatorul rotor relaiei (14.7) i se nmulete cu
1
2B 2 B
(14. 8)
L
Relaia (14.8) arat c, ntr-un supraconductor, nu poate exista un cmp
magnetic uniform, dect dac acesta este nul. Ea admite o soluie de forma:
z
L
B B0 e
(14. 9)
Meissner.
ne 2
j
A
m
(14. 12)
i:
m
(14. 13)
0 ne 2
Teoria London se dovedete n multe aspecte ale sale conform cu
rezultatele experimentale dar nu poate explica de ce, n starea fundamental,
impulsul electronilor este nul. De asemenea, valoarea adncimii de ptrundere este
prea mic, ceea ce duce la dificulti teoretice mari i, n plus, cauza producerii
fenomenului rmne neexplicat.
Aceste probleme pot fi lmurite doar n cadrul teoriei cuantice, unde se
arat c fenomenul provine din existena unei mici fore de atracie ntre oricare doi
electroni din reea avnd energiile de valori foarte apropiate. Dei este, deja, banal
s spunem c doi electroni se resping, avnd sarcini de acelai semn, totui, n
reea, lucrurile sunt un pic diferite. Astfel, un electron din reea atrage spre el ionii
pozitiv din jur i, ca urmare, n zona respectiv reeaua va fi cu puin mai dens n
ioni pozitivi dect n mod normal. Dac un alt electron ajunge n vecintate, el va fi
atras spre aceast regiune de densitate ionic mai mare, ca i cum ar fi atras de
ctre electronul ce a creat starea respectiv n zon.
2L
Modul cel mai simplu de a descrie i calcula aceast for de atracie este
215
trece n starea k g ; un alt electron, absoarbe acest fonon, trecnd din starea k n
starea k g . Calculele se fac n teoria perturbaiilor de ordinul II i se obine o
energie de interaciune ntre cei doi electroni, care se suprapune peste cea
coulombian. Pentru a avea o stare supraconductoare este necesar ca suma acestor
dou energii s fie negativ: A fost dezvoltat o ntreag teorie * a acestor
interaciuni (n care, evident, nu vom intra), perechile de electroni care
interacioneaz n felul descris mai sus i care duc la apariia strii
supraconductoare numindu-se perechi Cooper. n cadrul acestei teorii, se arat c
la supraconductori apare o stare fundamental separat de strile excitate printr-o
band interzis de lrgime 2, de ordinul a 103 eV. Acest fapt are consecine
importante, din care vom aminti aici doar pe aceea referitoare la transparena
supraconductorului la fluxuri de fotoni de energie mai mic dect lrgimea acestei
benzi interzise.
Aa cum spuneam mai nainte, adncimea de ptrundere calculat n teoria
London este foarte mic, ea nsemnnd o tranziie foarte brusc de la starea
conductoare la cea supraconductoare. Pentru c acest lucru duce la dificulti
teoretice foarte mari, un alt fizician, Pippard, a elaborat o alt teorie n cadrul creia
se consider c tranziia are loc pe o adncime mai mare, ~ 106 m, numit
lungime de coeren. Astfel, n teoria lui Pippard, formula (14.12) se scrie sub o
form mai general:
jg Mg A g
(14. 14)
aplicat, pentru care potenialul vector are forma din relaia 14.15, Mg tinde spre
zero.
A r A g e ig r
(14. 15)
Trecerea de la regimul London la regimul Pippard are loc cnd g este
destul de mare pentru a crea o excitare, adic atunci cnd depete valoarea gC,
pentru care:
vFgc ~
(14. 16)
1
Valoarea
este tocmai lungimea de coeren.
gc
Acest rezultat, stabilit fenomenologic de ctre Pippard i dezvoltat teoretic
Este vorba de teoria BCS, dezvoltat n 1957 de ctre Bardeen, Cooper i Schreiffer.
216
14.3.3.
217
219
221
Bibliografie
1. Alexandru H. V., tiina i tehnologia materialelor, Universitatea din
Bucureti, 1990
2. Askeland, D.R., The Science and Engineeing of Materials, 3rd Ed., PWS Pub.
Co., Boston 1994
3. Bair H. E., Glass Transition Measurements by DSC, in Assignment of Glass
Transition, STP 1249, Seyler R. J. (Ed.), ASTM, Philadelphia, PA, 1994
4. Bardell P.R., Magnetic Materials in the Electrical Industry, MacDonald & Co.,
London, 1960
5. Barrett C.R., Nix W. D., Tetelman A. S., The Principles of Engineering
Materials, Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ., 1973
6. Billmeyer, F, Textbook of Polymer Science, 2nd ed., John Wiley and Sons,
Inc., NY, 1971
7. Bond W.L., Crystal Tehnology, Wiley, New York, 1996
8. Borg R.J., Dienes, G.J., An Introduction to Solid State Diffusion, Academic
Press, San Diego, 1988
9. Boyd R.H., Philips P.J., The Science of Polymer Molecules, London:
Cambridge University Press, 1993
10. Brice J.C., Atomic Diffusion in Semiconductors, Plenum, London, 5th ed., 1991
11. Brice J.C., The Growth of Crystals from the Melt, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1993
12. Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1995
13. Brice J.C., Crystal Growth and Materials, North-Holland, Amsterdam 3rd ed.,
1997
14. Bursuc I.D., Sulitanu N.D, Solidul. Fenomene. Teorii. Aplicaii, Editura
tiintific, Bucureti, 1991
15. Callister W. D., Materials Science and Engineering: An Introduction, 6th
edition, John Wiley & Sons, Inc., 2003
16. Carter G.F., Paul, D.E., Material Science and Engineering, ASM International,
United States, 1991
17. Chandler, M., Ceramics in the Modern World, Double Day & Co. Inc., Garden
City, NY, 1967
18. Chirlean G., Chirlean D., Stnescu C., Fizica corpului solid. Note de curs,
Ed. Universitii din Piteti, 2005
19. Chung, D.D.L., Carbon Fiber Composites, Butterworth-Heinemann, Boston,
1994
20. Chung, D.D.L., Ed., Materials for Electronic Packaging, ButterworthHeinemann, Boston, 1995
21. Chung, D.D.L., Applied Materials Science, CRC Press, Boca Raton London
New York Washington, D.C., 2001
22. Ciobanu Gh., Constantinescu C., Fizica strii solide, Ed. Tehnic, Bucureti,
1982
222
23. Crane, F.A.A., Charles, J.A., Selection and Use of Engineering Materials,
Butterworths, London, 1984
24. Davdov A.S., Teoria corpului solid, Ed tiinific, Bucureti, 1980
25. De Renzo D.J. ed., Corrosion Resistant Materials Handbook, 4th Ed., Noyes
Data Corporation, Mill Road, Park Ridge, New Jersey, 1985
26. Dieter, G.E., Engineering Design: A Materials and Processing Approach,
McGraw-Hill, New York, 1983
27. Drgnescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
28. Elliot S.R., Physics of Amorphous Materials, Longman, London, New York,
1984
29. Irene E.A., Electronic Materials Science, John Wiley & Sons, Hoboken, New
Jersey, 2005
30. Fox M., Optical Properties of Solids, Oxford: Oxford University Press, 2001
31. Friedel J., Dislocations, Pergamon Press, 1964
32. Geru N, et al., Materiale metalice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1985
33. Ghez R., Diffusion Phenomena, Kluwer Academic, Dordrecht, 2001
34. Hall C., Polymer Materials: An Introduction for Technologists and Scientists,
Second edition, Macmillan Education, 1989
35. Harper, C.A., Ed., Handbook of Plastics and Elastomers, McGraw-Hill, New
York, 1975
36. Hlavac, J., Tehnology of Glass and Ceramics, Elsevier Scientific Press,
Oxford, 1983
37. Hove, J.E., Riley,W.C., Modern Ceramics, John Wiley i Sons, NY, 1965
38. Hull D., Introduction to Dislocations, Pergamon Press, New York, 1975
39. Ispas S., Materiale compozite, Ed. Tehnic, Bucureti, 1987
40. Jeludev I.S., Cristale Electrice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1973
41. John V.B., Engineering Materials, MacMillan Education Ltd., London, 1990
42. Kalpakjian S., Manufacturing Engineering and Tehnology, 3rd Ed., AddisonWesley Publishing Co., 1995
43. Kingery, W.D., Bowen, H.K., Uhlmann, D.R., Introduction to Ceramics, John
Wiley and Sons, NY, 1976
44. Kittel Ch., Introducere n fizica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
45. Louthan, McIntyre R. Jr., Metals: A History, ASM International, 1987
46. Mallick, P.K., Fiber Reinforced Composites: Materials, Manufacturing and
Design,Marcel Dekker, New York, 1993
47. Mazumdar, S.K., Composite manufacturing: materials, product, and process
engineering, CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington, D.C.,
2002
48. McKelvey J. P., Solid State Fizica for Engineering and Materials Science,
Krieger, 1993
49. Meyers M. A., Chawla K. K., Mechanical Behaviour of Materials, PrenticeHall, 1999
50. Millett E.J., et al. Crystal Growth, Pergamon, Oxford, 1987
223
http://www.soton.ac.uk/~pasr1/build.htm#page7
http://www.tms.org/Meetings/Specialty/Superalloys2000/SuperalloysHistory.html
http://www.uccs.edu/~tchriste/courses/PHYS549/549lectures/
http://www.umist.ac.uk/MatSci/research/intmic/schools/default.htm
http://www.umr.edu/~wlf/
http://www.virginia.edu/bohr/mse209/class.htm
http://www.webelements.com
http://www.wtec.org
226