Dispozitive I Circuite Electronice Basi PDF

UNIVERSITATEA DIN PETROŞANI
DEPARTAMENT AUTOMATICĂ, CALCULATOARE INGINERIE ELECTRICĂ ŞI

ENERGETICĂ
Circuite electronice liniare –A

Dispozitive electronice și electronică analogică –C
Electronică analogică și digitală –E
Electronică –I
Conf.dr.ing. NICOLAE PĂTRĂŞCOIU
Universitatea din Petrosani

BIBLIOGRAFIE
1. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol I.

Editura Universitatea Petrosani, 1997
2. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol II.

3. Poanta Aron, Patrascoiu Nicolae Circuite si echipamente electronice in industrie.

Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1997
4. Pop Emil, Poanta Aron Electronică industrială. Indrumător de laborator.

5. Popescu Viorel, Lascu Dan Electronica industriala.

Universitatea Politehnica Timisoara, 1996
6. Anghel Sorin Dan Circuite electronice analogice si digitale

Universitatea Babes Bolyai, Cluj-Napoca, 2006
7. Patrascoiu Nicolae Dispozitive și circuite electronice

Curs pe suport electronic. Universitatea din Petroșani, 2017
https://upet.academia.edu/Patrascoiu/Books

SCURT ISTORIC
Definiţie.
• vechime 120 ani

• începutul în 1895 când s-a realizat prima transmisie la distanţă a undelor electromagnetice fără fir;
• se dezvoltă rapid prin construirea de dispozitive electronice
• 1904 – dioda cu vid – descoperită de Fleming
• 1906 – trioda, primul amplificator – descoperită de Lee de Forest, urmează pentoda, tetroda
• 1924 – dioda cu cristal descoperită de Losev
• bazele dispozitivelor construite în baza fenomenului de mişcare a electronilor în cristale sunt puse
odată cu prezentarea modelului energetic al electronului în cristale în 1930 – Strult
• 1947 – efectul de tranzistor – descoperit de Schokley
• 1948 – tranzistorul – descoperit de Barden şi Brattain
• 1950-1960 – se înlocuiesc tuburile cu dispozitive semiconductoare
• după 1960 – cablaj imprimat
• 1964 – Texas Instruments – prima serie de circuite integrate
• 1974 – microprocesoare – Intel – 8 biţi
România
• 1905 – telegrafia fără fir
• 1924 – primul emițător radio
• 1954 – televiziunea

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit
Def. Dispozitivul electronic
Def. Circuitul electronic


de tensiune
surse
de curent
Elementele de circuit:
pasivi
receptori activi
1.1 Surse ideali
Sursa de tensiune Sursa de curent

I0
Simbol 
U0 Simbol 
U
U
U 0
I0 I
I
Fig.1.2. Caracteristica statică a
Fig.1.1. Caracteristica statică a sursei de curent
sursei de tensiune
dU 1
dU Ri   
Ri  0 dI dI
dI dU
Ex. sursa de tensiune
V1 R1
9V 1MΩ
Key = A

1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumită

energie la intrare, de valoare wi şi o transferă către ieşire la
wi Receptor
we
valoarea we.
În funcţie de raportul între cele două energii, de intrare şi ieşire receptorii se clasifică astfel:
wi > we – receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii
wi – we > 0 este datorată pierderilor pe aceste elemente
wi < we – receptor activ, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii we – wi > 0 este preluată de
la o sursă de alimentare, un astfel de receptor nu poate funcţiona fără aport energetic de la o sursă
wi = we – receptor ideal, întâlnit numai în modelarea dispozitivelor şi circuitelor electronice

1.2.1. Rezistorul
Simbol
R
Rezistor variabil
Rezistor fix Rezistor semivariabil
(potenţiometru)
Rezistorul → element pasiv de circuit 1k = 103 ,
mărimea fizică rezistenţă electrică R : [R]SI=  (ohm) 1M = 103 k = 106 ,
1G = 103 M = 106 k = 109 
10k 10 kΩ
în clar 150 150 Ω
Marcarea valorii 4k7 4,7 kΩ 1 – prima cifră semnificativă;
rezistenţei electrice 2 – a doua cifră semnificativă;
pe corpul rezistorului 3 – a treia cifră semnificativă;
prin codul culorilor
m – multiplicator;
poate lipsi t – toleranţa;
RN R
Valoarea marcată pe corpul rezistorului = valoarea nominală RN R  RN T %  100
RN
Pd  R  I 2 Pd = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W
divizor de tensiune
aplicaţii fundamentale
I R U
I
limitarea curentului R1  R2
U U U R2
I ; U  R  I U  R 2  I  U
R R1  R2

Ex. limitarea curentului

Ex. divizarea tensiunii

1.2.1. Rezistorul, forme de prezentare

1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix electrolitic variabil semivariabil (trimer)
1mF = 10-3 F,
Condensatorul → element pasiv de circuit 1μF = 10-3 mF = 10-6 F,
mărimea fizică capacitatea electrică C : [C]SI= F (farad) 1nF = 10-3 μF = 10-6 mF = 10-9 F
20 μF 1pF = 10-3 nF = 10-6 μF = 10-9 mF = 10-12 F
în clar 50 V
Marcarea valorii - +
e
capacitătii electrice
d
pe corpul condensatorului c
prin codul culorilor
b
a
Pentru identificarea aplicațiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relațiile de definire a capacității
electrice în raport cu sarcina Q
Q 1 
C  U  Q  t
U C  1 dQ d (C  U ) dU dU
t   U   idt i  C ; i C
dQ C0 dt dt dt dt
i  dQ idt;  Q idt 
dt 0
 Exemplu 1
În curent alternativ condensatorul de 1 1
capacitate C este caracterizat prin reactanța XC   Exemplu 2
capacitivă XC  C 2   f C
Ex. încărcare condensator
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
_ _
S1 + +
R1
10.0kΩ
V1 Key = C S2
C1
2µF
Key = I
10V
Key = A

Ex. condensator în curent alternativ


1.2.3. Bobina
L L L LV
Simbol
fixe cu miez variabilă
Bobina → element pasiv de circuit

mărimea fizică inductanța electrică L : [L]SI= F (henry)
Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de definire a capacităţii
electrice în raport cu sarcina Q
 
L    Li  t
i 1
  i   u  dt
d d ( L  i ) di  L0
u   L  ; u  dt  L  di 
dt dt dt
d d ( L  i ) di di
u  L ; uL
dt dt dt dt
În curent alternativ bobina de

inductanță L este caracterizat prin XL   L  2    f  L
reactanța capacitivă XL


1.2.4. Transformatorul
miez
înfăşurare magnetic Considerând puterea P1 din primar, P2 puterea din secundar şi
primară înfăşurare randamentul  al transformatorului, care este o mărime
secundară adimensională şi subunitară ( ≈ 0,8) şi având în vedere relaţia de
i1 definire a puterii electrice se poate scrie
u1 u2 P2    P1
Rs u 2  R s  i2
u2  i 2    u1  i1 dar
deci: R S  i 22    u1  i1
2
2 i  1
Prin împărţire cu i1 rezultă R S   2     u1 
 i1  i1
n1 u1 i 2
Având în vedere raportul de transformare   k
n2 u2 i1 1 2
1 R S  k 2    r1 deci r1   k  RS
şi introducând mărimea u1   r1 
i1
Exemplu

Ex. rezistență reflectată


2. ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR
Banda de conducţie Banda de conducţie Banda de conducţie
Electron
Banda de valenţă Banda de valenţă Banda de valenţă
CONDUCTOR SEMCONDUCTOR IZOLATOR
Electron
liber Gol

    Edx
x E x 
D1 :   1  0 de unde E  E 0   1
lp E0  lp 
 
x E x 
D2 :  1  0 de unde E  E 0   1
ln E0  ln 
 E  0, x  l n
  
E  E 0  x  1,  l n  x  0
 l 
 p 

 E  E  x  1, 0  x  l
0 
  ln 
p
 E  0, x  l p

φ
φ
   C1  1 x
 E x 2
E
  0  E0  x  0 x 2  E0  x φ2 x
 lp 2 2l p φ 0= φ 2 - φ 1
 2 -φ1
   E 0 x  E  x   E 0 x 2  E  x
 ln 2
0
2l n
0
   C2  2

p E E n
p n
ES ES
+ -- +
U U
φ φ
x x
φ0 φ0-Uφ0
φ0+U
U
U

3. DIODE
3.1. Dioda semiconductoare A C A A
C C
Definire p n
Structură Structură Simbol
Redresoare:de putere mică, medie, mare
Diodele pot fi Detecţie I
U
Speciale:Zener, Varicap, Tunel, Pin, Gunn I
D I
caracteristica
statică ≡  U  polarizare polarizare
U  
caracteristica volt R I  I i  e U  1
T inversă directă experimental
– ampermetrică E   teoretică ă
  UST U
II
I
caracteristica 1 1 dI
statică liniarizată  R d  tg sau 
R d tgU

 dU
dioda
U AdI I 1 Rd
U
0 ideală C
+ -
U  Iie UT
U 0  0,2  0,3V pentru Ge 0 dU UT

U 0  0,6  0,7V pentru Si U U
dI I UT
U I  Iie UT
deci  si deci R d 
Rd  T dU U T I
I
Ex. funcționare diode

Ex. caracteristica statică diode
1
D1
V1 1N4148
1V

3. DIODE
3.2. Dioda Zener A C A C A C
p n
Caracteristica statică Structură Simbol

I Stabilizator parametric
Polarizare inversă Polarizare directă
 R Is
Uzmax Uzmin U
Izmin= 2…10 mA I Iz
A
Unestab
RS
Rs
B
I
Izmax
 Unestab  R  I  Ustab
Ustab
U nestab z
R  Rs Ustab
max I  Iz  Is  Iz 
U nestab Rs
min
U nestab B
A PSF
 U 
Iz Unestab  R  Iz  stab   Ustab
I z min U stab Iz max  Rs 
R R 
Unestab  R  Iz    1  Ustab
 Rs min R  Rs  Rs 
U 
 stab R  R  U nestab   I z max
s R  RS Rs R  Rs
 Ustab   Unestab  Iz
Rs R  Rs R  Rs R  Rs
 U stab   U max
nestab   I z min
 R  Rs R  Rs
Ex. stabilizator parametric

Ex. stabilizator parametric grafic

3. DIODE

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI
4.1. Structură şi funcţionare
j1 j2 j1 j2
p n p n p n
E C E C
B B
+ - + - - + - +
UEB UBC UBE UCB
 
U CB
x x
0 0
U BE U BE
U BC
C C
B B
E E

4.2. Ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar
p n p IE 1     IB  ICB 0 / : 1   
IE 1 1
IC' IE   IB   ICB 0
E C 1 1
IE ICB0 IC
IE  IC  IB    1  IB  ICB 0 
IB
B

IB
  
Ecuaţiile simplificate
UEB UBC
IE  IC
cazul ideal
IE  IC  IB  IE  IC  IB
IC  IC'  ICB 0 IE    IE  ICB 0  IB 
IC'
  1 IC'    IE
IC    IE  ICB 0  IC    IB
IE I    1  I
  0.9  0.999 E B
     
IC   IB   ICB 0  ICB 0   IB   1    ICB 0
1 1 1  
 1  IC    IB    1  ICB 0


1 

4.3. Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar
dI i dU i I E  IC  I B
C 0  0, i  1  3
UCB dt dt U CE  U CB  U BE
IC
B IB
UC
E
IE C IE IC E
UBE E IC IE
B IB B IB
UCE UEB UCB UCE
UBE UBE
E C
Conex. emitor – comun EC Conex. bază – comună BC Conex. colector – comun CC
caracteristica de intrare caracteristica de intrare caracteristica de intrare

I B  f U BE  U ce cons tan t I E  f U EB  UCB cons tan t I B  f U BC  U CE  cons tan t
caracteristica de ieşire caracteristica de ieşire caracteristica de ieşire
I C  f U CE  I B cons tan t I C  f U CB  I E cons tan t I E  f U EC  I B cons tan t

4.3. Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar
Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire

Ex. caracteristici statice

Ex. instrumente virtuale pentru regimul static

dI i dU i
4.4 Regimul dinamic de funcţionare al tranzistorului  0, 0
dt dt
D1 D2
E IE C  UUBE 
I E  I i  e T  1
 
UBE B
 
2 3 U BE
U BE  U BE   U BE
 


I E  Ii 
U T  U T
2 3 UT
    1  U BE  1   U BE  1  U BE 
U BE
e UT
 1     UT       
1! 2! 3! U T 2  U T  6  UT 
U BE
U BE U BE
e UT
 1  1  U BE  U T U1
UT UT h11 U 2 0
h22
I1 h11I1 h12U2 I2
cuadripol U
I2 U1  h11 I1  h12U 2 h12  1 I1 0 
 U2
I1  I 2  h21 I1  h22U 2 I 
U2 U1 h21  I2 U 2 0 U2
1 h21I1
U1 I2
h22  I 0
U2 1
E C

rE   IB
rB
Universitatea din Petrosani B

4.5. Limitări în funcţionarea tranzistorului
Principalele mărimi asupra valorilor cărora se impun limitări sunt: tensiunea colectorul – emitor, UCE; curentul
de colector IC; puterea dezvoltată pe tranzistor PD.
I. Depăşirea valorii maxime admise a IC  M    IE  ICB 0 
M
tensiunii UCE → multiplicarea prin 1 UCE  UCE max

avalanşă a purtătorilor de sarcină M 1
n
II. A doua limitare se impune asupra  U  UCE
1   CE 
curentului de colector prin realizarea  UCEstr  UCEstr
condiţiei IC  IC max
+ EC
III. A treia limitare se impune puterii Pd  Pd max Pd max
dezvoltate în tranzistor
IC 
UCE  IC  Pd max UCE RC
IC
dreapta de sarcina T
IC UCE  UCE max
EC
UCE
RC
ICmax IC  IC max
hiperbola de disipatie
PSF 1 1
UCE EC  RC  IC  UCE  IC   EC   UCE
RC RC
U CE max EC

4.6. Polarizarea şi stabilizarea termică a tranzistorului
4.6.1. Definire
Polarizare
Stabilizare termică: aprecierea stabilizării termice se face prin coeficient de stabilizare termică S  dIC
dICB 0
Se consideră relaţia de definire a curentului I    I    1  I care prin derivare în raport cu
C B CB 0
de colector conform ecuaţiilor de funcţionare temperatura T
dIC dI dI dIC
   B    1  CB 0 /:
dT dT dT dT
dI dI dI  1  1
1    B    1  CB 0 1   B  S
dIB
dIC dI dIC S 1  
C
1 dIC
S
Se observă că pentru îndeplinirea condiţiei la limită de stabilitate dIB dIB  dIC
 1
termică absolută adică S = 1 este necesară îndeplinirea condiţiei dIC
Prin schema de polarizare trebuie să se asigure şi stabilizarea termică a poziţiei punctului static de
funcţionare. Din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice există următoarele scheme de polarizare:
•polarizarea independentă;
•polarizarea cu reacţie din colector;
•polarizarea cu reacţie din emitor;
•polarizarea automată sau cu divizor rezistiv în bază.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice presupune calculul mărimilor
electrice ce definesc poziţia punctului static de funcţionare adică valorile UCE0, IC0, IB0 şi coeficientul de
stabilizare termică al schemei S
4.6.2. Polarizarea independentă
Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor al tranzistorului
+ EC EC  UBE
RC EC  RB  IB  UBE IB  IB 0 
RB RB
IB IC Valoarea curentului IB nu este determinată de variaţia curentului IC deci
T
UC dIB  1
0  S    1  1
dIC dI
UBE E 1   B
dIC
Cunoscând IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se
poate determina valoarea curentului de colector, IC, în punctul static de funcţionare, IC0
IC  IC 0    IB 0    1  ICB 0    IB 0
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă

EC  RC  IC  UCE
UCE  UCE 0  EC  RC  IC 0
Exemplu

Ex. polarizare independentă

4.6.3. Polarizarea cu reacţie din colector
+ EC  RC  I  RB  IB  UBE EC  RC  IC  IB   RB  IB  UBE 
RC EC
I  IC  IB  RC  RB   IB  RC  IC  UBE
RB I
1 RC dIB RC
IB IC IB   EC  UBE    IC 
T RC  RB RC  RB dIC RC  RB
UC
 1  1
UBE E S 
dIB RC
1   1  
dIC RC  RB
1 RC  RC  EC  UBE
IC    IB IB   EC  UBE      IB IB  1     
RC  RB RC  RB R  R RC  RB
 C B
EC  UBE
IB  I B 0  IC  IC 0    IB 0    1  ICB 0    IB 0
RC    1  RB
EC  RC  I  UCE  RC  IC  IB   UCE
UCE  UCE 0  EC  RC  IC 0  IB 0 
Exemplu

Ex. polarizare cu reacție din colector

4.6.4. Polarizarea cu reacţie din emitor
+ EC EC  RB  IB  UBE  RE  IE EC  RB  IB  UBE  RE  IB  IC  
RB IE  IB  IC  RB  RE   IB  UBE  RE  IC
IC
IB T 1 RE dIB RE
IB   EC  UBE    IC 
UCE RB  RE RB  RE dIC RB  RE
UBE IE
 1  1
RE S 
dIB RC
1   1  
dIC RC  RB
1 RB  RE  EC  UBE
IC    IB IB   EC  UBE      IB IB  1     
RB  RE RB  RE R  R RB  RE
 B E 
EC  UBE
IB  IB 0  IC  IC 0    IB 0    1  ICB 0    IB 0
RE    1  RB
EC  UCE  RE  IE  UCE  RE  IC  IB 
UCE  UCE 0  EC  RE  IC 0  IB 0 
Exemplu

Ex. polarizare cu reacție din emitor

4.6.4. Polarizarea automată
Se aplică teoremele I Kirchhoff pe nodul din circuitul bază – emitor al tranzistorului
+ EC I1  I 2  IB
RC
şi ochiurile de reţea din circuitul bază – emitor al tranzistorului
R1
IC EC  R1I1  R2I2
I1 IB
T
UCE 0  RE I E  U BE  R 2I 2 R 2  I 2  RE  I B  IC   U BE I 2 
RE
 I B 
RE
 IC 
1
 UBE
R2 R2 R2
I2
UBE IE RE  R2 R 1
R2 I1   IB  E  IC   UBE
EB RE R2 R2 R2
R1 R R
EC  RE  IB  RE  IC  UBE   RE  R2   IB  1  RE  IC  1  UBE
R2 R2 R2
 R  R2  R  R2 R  R2
EC   RE  1  R1   IB  RE  1  IC  1  UBE
R R R R2  R R 
 2  2 2  EC   RE  1 2   IB  RE  IC  UBE
R2 R1  R2 R1  R2 
x 0 
R1  R2
R2
 EC  UBE
R1  R2 RE dIB RE  1  1
IB   I  S 
R1  R2 R1  R2 C dIC R R dIB RE
RE  RE  RE  1 2 1   1  
R1  R2 R1  R2 R1  R2 dIC R R
RE  1 2
R1  R2

4.6.4. Polarizarea automată (continuare)
R2
 EC  UBE
R1  R2 RE R2
IB   I  EC  UBE
R1  R2 R1  R2 C R1  R2 RE
RE  RE  IB   I
R1  R2 R1  R2 R1  R2 R1  R2 B
RE  RE 
R1  R2 R1  R2
IC    IB 
R2
EC  UBE
R1  R2
IC  IC 0    IB 0    1  ICB 0    IB 0 IB  IB 0 
R1  R2
   1  RE
R1  R2
+ EC
RC Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă
R1
EC  RC  IC  UCE  RE  IE  RC  IC  UCE  RE  IC  IB 
T IC
UCE UCE  UCE 0  EC  RC  RE   IC 0  RE  IB 0
IE
R2
RE
Exemplu

Ex. polarizare cu divizor rezistiv in baza
RB1  RB2
RB  RB1  RB2   33, 3 k
RB1  RB2
RB2
EB   VCC  5 V
RB1  RB2
EB  RB  IB  UBE  RE  IE
IE
EB  RB   0, 7  RE  IE
 1
EB  0, 7
IE   1, 29 mA
RB
 RE
 1
IE
IB   12,8 A
 1
IC    IB  1, 28 mA
UCE  VCC  IC  RC  RE  IE  4, 73 V
4.6.5. Metode neliniare de polarizare şi stabilizare
Metodele neliniare de polarizare şi stabilizare utilizează elemente neliniare a căror caracteristică este
dependentă de temperatură, cele mai utilizate astfel de elemente fiind dioda şi termistorul
Utilizarea diodelor Rezistenţa R din schema de polarizare automată → o diodă D
2
• polarizată invers
IC + EC • joncţiunea acesteia să fie de acelaşi tip cu cea a tranzistorului
RC • cele două dispozitive se montează astfel încât să fie la aceiaşi temperatură
R1 Aplicând teorema I Kirchhoff şi teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor şi
T ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului
I1 IB EC  R1  I1  UBE  RE  IE
UCE
Ii UBE I1  IB  Ii
IE  IC  IB
ED D RE IC    IB    1  ICB 0
Eliminând între aceste ecuaţii curenţii I1, IB şi IE se obţine
IE
 1  1
EC   R1  RE   IC   R1  RE   ICB 0  R1  Ii  UBE
 
 EC  UBE  R1  R1
IC    ICB 0    Ii ICB 0    Ii  0
  1 R1  RE   1 R1  RE   1 R1  RE
Din această relaţie se va obţine curentul invers al diodei necesar compensării

  1 R1  RE  1  1 
Ii    ICB 0  1    1    ICB 0
 RE     RE  Exemplu
Ex. efect temperatură

4.6.5. Metode neliniare de polarizare şi stabilizare
Utilizarea termistorului
Schema reprezintă o variantă modificată a schemei de polarizare automată în care
divizorul rezistiv este format din rezistenţa R1 şi termistorul RT iar în cazul
IC + EC considerat este eliminată rezistenţa R
E
RC
Aplicând teorema II Kirchhoff şi teorema I Kirchhoff pe circuitul bază – emitor
R1
EC  R1  I1  UBE 
  EC  R1  IB  IT   UBE
I1 IB T I1  IB  IT  E  1 1 
IB  C      UBE
IT U UBE R1  RT R1 
BE R 
T T I  U BE IT 
o RT
t
RT RE
termistor Creşterea temperaturii determină creşterea curentului de colector şi scăderea

rezistenţei RT ceea ce va determina conform relaţiei scăderea curentului IB. La rândul
său scăderea curentului IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale
tranzistorului scăderea deci compensare creşterii curentului IC. Această schemă
realizează o compensare mai pronunţată a variaţiei tensiunii UBE cu temperatura

Analiza unui amplificator elementar cu un tranzistor
+ EC Prin analiza acestui circuit se urmăreşte determinarea următoarelor :
RC • rezistenţă de intrare Ri, rB
C B C
R1 C • rezistenţă de ieşire Ro,
• amplificare în curent AI, rE
CB
• amplificare în tensiune AU. β IB
T R2 R1 R
C
R
R2 CE y E E
B
u
rB  rE RIB  RC  
RE
Ri  RB  E  RB
R1  R2
RB  R1 R2  Ri  rB  rE
R1  R2
+EC RIB  RC  rE
R1 RC
CB β IB CC rB  rE  RB
rB
Ri  rB    1  rE
I E    1  I B
T - model
R2
rE rE    1  rE
cu
parametrii
CE naturali Ro  RC  E  RC RIB  rE rB  RB   RO  RC
RE
RIB  rE rB  RB   RC 
AI  ? AU  ?
Universitatea din Petrosani Exemplu
Ex. amplificator elementar cu tranzistor

4.9. Regimul de comutaţie al tranzistorului bipolar Tranzistorul este blocat când ambele
IC joncţiuni sunt polarizate invers, curentul
+ de colector al tranzistorului fiind
RC EC
EC
curentul invers al joncţiunii colectorului
RC
B IC  ICB 0
IC ICS B1
IB RB Din ecuaţiile de funcţionare ale
T I B  0 tranzistorului
UCE
u A1 IC    IB    1  ICB 0
A IB  0
IC  ICB 0
UCES
u EC UCE
Starea de conducţie a tranzistorului E1
corespunde funcţionării acestuia în zona de
saturaţie sau la limita dintre zona activă t
normală şi zona de saturaţie, punctul B E2
UCE  UCES  0,2  0,5V  EC td
EC  UCES EC IB1
ICS  
RC RC t
I EC IB2 tcd tci
IBS  CS 
   RC IC tr ts tc
Oricât de mult ar creşte curentul de bază ICmax
peste valoarea IBS curentul de colector 0,9ICmax ti
rămâne la valoarea ICS
IC    IB 0,1ICmax t
Exemplu
Universitatea din Petrosani t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6
Ex. tranzistor in regim de comutatie

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
5.1. Structură şi funcţionare
După modul de realizare tranzistorul cu efect de câmp poate fi:
• tranzistor cu efect de câmp cu grilă joncţiune – JFET,
• tranzistor cu efect de câmp cu grilă izolată prin oxid metalic – MOSFET,
• tranzistor cu efect de câmp cu straturi subţiri – TFET
Faţă de tranzistorul bipolar, un tranzistor cu efect de câmp are câteva avantaje printre care:
• admite tensiuni mai mari la terminale,
• stabilitate bună faţă de variaţii de temperatură
• datorită timpului de tranziţie mai mic poate lucra la frecvenţe mai mari,
• are mare imunitate la zgomote electrice,
• are o construcţie mai simplă.
Simboluri
UDS Canal indus
UGS D
D
drenă grilă sursă G G
oxid de
siliciu S S
j1 n ID n j1 SiO2 Canal iniţial
D
D
p G G
canal
S S
canal p canal n

dID
5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de câmp MOSFET ID  ct sau 0
dt
Ca şi în cazul tranzistorului bipolar şi pentru tranzistorul cu efect de câmp regimul static este definit de două
familii de caracteristici: regiune
regiune de regiune de
nesaturată saturaţie străpungere
ID UGS3
1. caracteristici de ieşire sau
caracteristici de drenă, UGS2
I  f U 
D DS U GS  ct
UGS1
UDS
Zona corespunzătoare regiunii de saturaţie corespunde unui curent de drenă constant pentru UDS având valori mari. Funcţionarea
tranzistorului în această zonă are loc dacă tensiunea de drenă UDS depăşeşte valoarea tensiunii de drenă de saturaţie UDSS
UDS  UDSS 
IDS  K  UGS  U p 
Valoarea constantă a curentului de drenă în această zonă este dată de relaţia: 2
ID UDS2
UDS3 UDS1
2. caracteristici de transfer
sau caracteristici de grilă I D  f U GS U DS
 ct
UGS

5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de câmp MOSFET
Pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de câmp MOSFET sunt utilizate două principii
+ED
R1 RD ID
CD dreapta de
R2 sarcină
ID UGS 0   ED UGS0
CG R1  R2 ED UDS A
ID   ID0
UDS ED  RD  ID  UDS RD RD
UGS UDS
R ED
UDS0
2
+ED
R1
Pentru MOSFET cu canal iniţial la care tensiunea de grila UGS CD
poate avea atât valori pozitive cât şi negative se utilizează ID
schema de polarizare CG
UDS
Având în vedere căderea de tensiune pe rezistenţa RS şi faptul că
ID  IS R UGS CS
R2 RS
deoarece UGS 0   ED  RS  ID
IG  0 R1  R2 2
Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET să realizeze şi stabilizarea termică deoarece la
acest tip de tranzistor există o dependenţă slabă a caracteristicilor faţă de variaţiile de temperatură

5.3. Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de câmp MOSFET
Regimul dinamic este caracterizat de variaţii pronunţate în raport cu timpul precum şi
ID  f (UDS ,UGS )
cu tensiunile drenă – sursă UDS respectiv grilă – sursă UGS ale curentului de drenă ID
f f
Prin derivare rezulta dID   dU DS   dUGS
UDS UGS
f I D dID  g m  dUGS  gd  dUDS
gm   U DS  cons tan t
Se introduc U GS U GS gm ≡ panta tranzistorului (transconductanţa)
notaţiile 1 f I D gd ≡ conductanţa de drenă
gd    U GS  cons tan t
rd U DS U DS rd ≡ rezistenţa dinamică
Dacă se consideră regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adică punctul static de funcţionare îşi
schimbă poziţia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) într-un alt punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj)
tensiunile pe terminale având variaţiile
UGS  UGSj  UGSi şi aceste puncte statice fiind pe caracteristica liniară 1
 Id  g m  UGS   UDS
UDS  UDSj  UDSi (gm şi gd constante) se poate integra relaţia rezultând rd
IG ID D
G
Această relaţie permite construirea

circuitului echivalent al MOSFET – ului UGS=Ug UDS=Ud
rd
pentru semnal mic şi joasă frecvenţă
gmUg
Exemplu
Universitatea din Petrosani S S

Ex. amplificator cu MOSFET

6. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE
6.1. Structură, funcţionare, caracteristici E B2 rB  rB1  rB 2
B2
rB2 rB1 r
B2   B1 η = 0,5 ... 0,8
n T1 rB1  rB 2 rB
l2 E IB
E rB2 2 Dacă UB2B1 > 0 joncţiune p – n este:
p UB2B1 T2 rB1
l1 IE IB • polarizată invers dacă UEB1 < ΔU
rB1 B11 • polarizată direct dacă UEB1 > ΔU
UEB1 B1
B1
rB1 IE
U   UB 2B1    UB 2B1 UEB1  U  U0  UP
rB
Caracteristica statică a TUJ este UB2B1=
0
IE  f UEB1  U ct
U1B2B1< U2B2B1<
B 2 B1
U3B2B1
IV
Ip UEB1
UV UP1 UP2 UP3

6. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE
6.2. Aplicaţie TUJ. Oscilatorul de relaxare
EB
IE
R RB2
IV V deapta de sarcină I IB2

EB UB2B1
M
R IE IB1
Ip P UEB1
UEB
UV UP EB1
UC RB y
C
R 1
I I
+
UC + UC=UEB1
EB C C UC RB1 UP
-
-
încărcare descărcare UV t
UC URB1 tînc tdesc
EB UC
T
y
t t
tînc1 tdesc
tînc2 t
tînc3
Ex. tranzistorul unijoncțiune (UJT)

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCŢIUNE
7.1. Diacul
A1 p A2 A1 A2
n
Definire, structură şi simbol p
n
p
structură simbol
Utilizat pentru a produce pulsuri de curent necesare la amorsarea unor dispozitive de comutaţie, cum sunt
tiristoarele si triacele
IA +E
A
IH R
- UB0 IB0 UA1A2 A1 A2 C
UREZ UB0 C
IB0 30 … 40 V
IH

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCŢIUNE
J1 J2 J3
7.2. Tiristorul A C C
A
Definire, structură şi simbol p+ n p n-
G
G
prin circuitul anodic
U AC  0
Amorsare I E1  I A Stingere
prin circuitul grilei I A  I0
UAC Pe baza schemei echivalente I B1  I C 2
A C IA I E 2  I A  IG
IG I C1  1  I E1  I CB 01  1  I A  I CB 01
UA G U RG
Pe baza ecuaţiilor I C 2   2  I E 2  I CB 02   2  I A  I G   I CB 02
tranzistorului bipolar
I E1  I C1  I B1  I C1 I C 2
E B C I A  1  I A  I CB 01   2  I A  I G   I CB 02
A G
p n p
T2   I  I CB 01  I CB 02  2  I G  I CB 0
IA  2 G 
T1
n p n
C 1  1   2  1  1   2 
C B E IA
IE1=IA
T1 IC1 IG I A  f U AC  IG ct.
IB2=IC1+IG UG
IB1=IC2 IG1 > IG2 > IG3
I0
UA T2 IG = 0
R
UAC
IE2=IA+IG
UAC0 Exemplu
Ex. funcționare tiristor

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE
8.1.Termistorul
Definire. Simbol
to
În funcţie de sensul de variaţie al rezistenţei cu temperatura termistoarele pot fi: R
• cu coeficient pozitiv de temperatură (PTC) 1 1  RN
B   
• cu coeficient negativ de temperatură (NTC)
R  RN  e 
T TN 
U I
t
I
to A
E
U
Exemplu

Ex. funcționare termistor

8.2. Varistorul
Simbolul varistorului
U
R I
U
I  k U  U

8.3. Generatorul Hall
d
I BI
UH U H  k H 
d
E
B

Ex. funcționare generator Hall

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE
Funcţionarea se bazează pe relaţia dintre proprietăţile unei joncţiuni p – n şi un flux (vizibil sau în infraroşu)
Dispozitive fotoreceptoare Dispozitive fotoemiţătoare
8.4. Fotorezistenţa
R I[mA] 1  2  3
Φ
R0 Φ1 Φ2
Φ3
R Φ U[V]

8.5. Fotodioda
Φ1 Φ
Φ I 2
Φ3 I  f U  ct
A C
p n I C A U
j
E U R celulă
A C solară
fotodiodă

8.6. Fototranzistorul
IC Φ3 IC  f UCE ct
C
Φ Φ2
Φ
E C
p n p Φ1
jE
E UCE
B
I≈
=0Imax
Optocuplorul I
LED FT
Vout ≈ 0
Vcc
Exemplu
Ex. funcționare dispozitive optoelectronice

8.7. Dioda LED (Light Emitting Diode)
Φ Datorită consumului redus de energie, faptului că lumina generată este rece acest
Simbol A C dispozitiv este utilizat în special ca element de semnalizare
f Φ Considerând curentul nominal

b ILED R A
g C I LED  15 mA U  R  I LED  U LED
şi tensiunea nominală
e c U ULE
U LED = 1,2...2,2V
d
PZ D U  U LED
R
I LED
anod comun
catod comun
7 x LED
7 x LED
a b c d e f g h a b c d e f g h
Exemplu

Ex. display 7 segmente

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.1. Definiţii. Clasificări. Performanţe
tensiune tensiune tensiune

tensiune alternativă continuă continuă
alternativă cu Redresor pulsatorie Filtru Circuit
Transformator filtrată
(TR) amplitudine (R) (F) stabilizare
modificată
Necomandate – realizate cu diode

În funcţie de tipul dispozitivelor electronice utilizate
Comandate – realizate cu tiristoare
Monofazate
În funcţie de numărul de faze redresate Polifazate - cele mai utilizate sunt cele trifazate
Monoalternanţă
Redresoarele monofazate Cu priză mediană
Dublă alternanţă
În punte
T
P 1
Randamentul conversiei   u Pa    u  i  d t 
Pa T 0
Performanţele
forma de undă a tensiunii redresate 1
T
sunt apreciate U dm    u t   d t 
prin valoarea medie a tensiunii redresate T 0
T
Calitatea tensiunii redresate 1
valoarea efectivă a tensiunii redresate U 
de   u 2 t   d t 
T 0
U de
factorul de formă F
U dm
9.2. Redresoare monoalternanţă
Ia
 Ud
TR
 U max
Ud

D U de
U AC u Rs U dm
t Ud


 t
u  2U sin(  t )  b) c)
2
 n2 
Rezistenţa internă a circuitului de redresare Ri  R T  Rd unde RT  r2  r1   
 n1 
u 2  U  sin t  u S  RS  i 
RS
 2  U  sin t 
i  tensiunea pe RS
Ri  RS Ri  RS Ri  RS
2 2

1 1 2  RS  U 2 U 1 2 U
U dm  0 u  d  t  
RS
0 Ri  RS  2  sin  t   d  t     cos 
RS
  
2 2 2  Ri  RS  Ri  RS  1 
S
Ri
0
RS
2 U U dm 2 U U U
Deoarece Ri << RS U dm   0,45  U I dm    0,45   dm
 R i  R S   R i  R S  Ri  RS RS
2 
1 1  cos2t  Deoarece Ri << RS
2
1 RS RS

2  U2      
 dt  
2
U de   sin t  d t   U 
2
0
R i  R S 2
R i  R S  2
0 U
U de   0,707  U
RS 1 1

1 1

RS U 1 U 2
 U    t     sin 2t      
Ri  RS   2 Ri
0 2 2  Ri  RS 2
0 1 2
Rs
9.2. Redresoare monoalternanţă (parametrii) U de U  
F     1,57
Factorul de formă F şi respectiv coeficientul de ondulaţie γ U dm 2 2 U 2
  F 2  1  1,57 2  1  1,21
Pentru determinarea randamentului este necesară calcularea puterii utile Pu şi a puterii absorbite Pa
2 1 2 U 2
Pu  U dm  I dm  RS  I dm  RS  
Ri  RS 2  2 
Pu 4
 2
RS 4
 2
1
2 
Pa  Ri  RS  Ri  1
1 1 2 U 2 U2
0 u  i  d t   2 0 Ri  RS  sin t  d t   2  Ri  RS 
Pa  2 RS
2
Se observă că dacă Ri << RS se poate neglija raportul celor două rezistenţe şi se obţine un randament η ≈ 45 %
iar în cazul în care nu se poate neglija rezistenţa internă a redresorului Ri în raport cu rezistenţa de sarcină RS,
adică rezistenţa de sarcină are o valoare mică se obţine un randament η < 40 %, deci un randament mic al
conversiei.
Pentru alegerea diodei redresoare se ţine seama de valoarea maximă (de vârf) a tensiunii inverse aplicate
diodei şi egală cu valoarea de vârf a tensiunii din secundarul transformatorului U max  2  U precum şi de
valoarea curentului mediu prin diodă Idm. Aceste două valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
U RWM  2  U max
I 0  I dm
Exemplu

Ex. redresor monoalternanță

9.2. Redresoare dublă alternanţă
TR 1 D1
 TR
D1
 Ud
Ud
D2
u Umax
~ 0
Ud ~ Ude
Udm
u Rs Rs
D2 D4
2
Ud t
  2
 n2 
Rezistenţa internă a circuitului de redresare Ri  RT 2  Rd unde RT  r2  r1   
 n1 
u 2  U  sin t  u S  RS  i 
RS
 2  U  sin t 
i  tensiunea pe RS
Ri  RS Ri  RS Ri  RS
  
1 1 2  RS  U 2  2 U 1 2  2 U
U dm   u S  d t     2  sin t   d t   
RS RS
 cos    
0  0 Ri  RS   Ri  RS  0
Ri  RS  Ri
1 
RS
2  2 U U 2  2 U U
Deoarece Ri << RS U dm   0,9  U I dm  dm   0,9 
 RS   RS RS
 
1 RS 2 2  RS 1 1  cos2t  Deoarece Ri << RS
     d t  
 0 
2 2
U de  2  U   sin  t  d  t   U 
Ri  RS 2 Ri  RS  0
2
 
U de  U
2  RS 1 1 1 1 2  RS U 1
 U     t     sin 2t      U
Ri  RS   2 0 2 2 0
 Ri  RS 2 Ri 1
Rs
9.2. Redresoare dublă alternanţă (parametrii)
U de  
F U    1,11
Factorul de formă F şi respectiv coeficientul de ondulaţie γ U dm 2  2 U 2  2
  F 2  1  1,112  1  0,48
Pentru determinarea randamentului este necesară calcularea puterii utile Pu şi a puterii absorbite Pa
2 1 8 U 2
Pu  U dm  I dm  RS  I dm  RS  
Ri  RS  2
2 Pu  1 8  U 2  Ri  RS 8 1
  RS     
2  Pa  Ri  RS 2  2  U 2  Ri  1
1 1 2 U 2 U2
 u  i  d t      
 0 Ri  RS
2
Pa   sin  t  d  t  RS
 0
Ri  RS
Se observă că dacă Ri << RS se poate neglija raportul celor două rezistenţe şi se obţine un randament η ≈ 81 %
iar în cazul în care nu se poate neglija rezistenţa internă a redresorului Ri în raport cu rezistenţa de sarcină RS,
adică rezistenţa de sarcină are o valoare mică se obţine un randament η < 80 %, deci un randament mult mai
bun decât al conversiei monoalternanţă.
Pentru alegerea diodei redresoare se ţine seama de valoarea maximă (de vârf) a tensiunii inverse aplicate
diodei şi egală cu valoarea de vârf a tensiunii din secundarul transformatorului U max  2  U precum şi de
valoarea curentului mediu prin diodă Idm. Aceste două valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
Pentru redresorul cu priză mediană Pentru redresorul în punte Exemplu 1
U RWM  2  U max U RWM  U max Exemplu 2
I 0  I dm I 0  I dm

Ex. redresor cu priză mediană

Ex. redresor în punte

9.3. Redresoare comandate cu tiristoare U
Th
Ud
TR
~ u, f Ud  f ( ), f  0
~ DCG Rs Ud  
t

Pulsuri pt. amorsare

2  
1 2 U 2 U m 2 U 2 U 2 U
 2 U  sin t   d t   sin t   d t    cost    1  cos  
2 
U dm    cos  
2  2 
2 2 2
 max 2 U
2 U 2U U dm  U dm  0 
U dm  0  1  1   
2  U min  U 0
 dm dm  
1 1  cos2t 
 
1 1 
2 
1 1 1
          
 
U de  2  U2
  2
sin  t  d t  U   d  t  U     t    sin 2 t 
2 2   2  2 2 
1  1  1  sin 2
U       sin 2  sin 2   U   
2  2  2 2 4
 max U
U de  U de  0 
 2
U min  U
 de de    0
Exemplu

Ex. redresor comandat cu tiristor
0
1
2

10. CIRCUITE PENTRU FILTRAREA TENSIUNII REDRESATE
10.1.Filtrul cu condensator
Ri iS Ud  R i US
 dU C dU S
R iC iC  C  dt  C  dt
i Ud UC Ud i  iC  iS 
iS  U S
c
C
i  RS
dU S R  RS
R C   U S  U d
 dU S U S  dU S R R  RS dt RS
U d  R   C     U S  R  C   US US : 0
 dt RS  dt RS RS R  RS dU S RS
C  US  U d
R  RS dt R  RS
 R  RS
 R  R  C  T  cons tan ta de timp a filtrului
 S dU S
Se introduc următoarele notaţii  T  U S  k U d
 RS  k  coeficientul de transfer dt
 R  RS
US
U d ,U S
t

Soluţia ecuaţiei diferenţiale U S (t )  k  e T
 U d (t ) Ud
1  t
T 
 
Pentru o bună filtrare constanta de timp 1  R  RS 1
trebuie să fie mai mare decât pulsaţia T   C  Exemplu
2f  R  RS 2f
tensiunii redresat, astfel că se obţine
succesiv R  Rs 1 
C  
R  Rs 2f 
Ex. filtrarea tensiunii redresate

11. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
Re dresor Filtru S UZ iS
D U BE  U Z  U S
Ui i1
C Stabilizator U s RS U BE
IB U BE  U Z  U SC  U
IZ US RS
ui U BE  U  U Z  U SC
U S  f U i , iS , T  UZ
U
I E  I i  BE
U S U S U S UT
dU S   dU i   diS   dT
U i iS T U S   U BE   I E  iS   U S  RS  iS  
1
U S   U i  Ri  iS  ST  T U S   U BE  I E  iS   US  RS  i S 
S
T1 r
U S
i S  IE1 iS
RS U BE 2 R4
R5 R2 T2
I1 I B1
1 R
U S   U i  i  U S IC3
S RS US
ui IB3
T3
U i  R    U BE 3 R5
 K  S  1  i  U BE 3  U R  U Z
U S  RS  UR
uS
UZ
US α
U S   U BE   I E  iS   U S  RS  iS  
tgα = Ri
U S   U BE  I E  iS   US  RS  i S 
iS
11. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
Stabilizatoare integrate de tensiune
Construite pe baza unei scheme cu reglaj de tip serie și care nu diferă de schema cu componente discrete.
cu tensiune de ieșire fixă cu tensiune de ieșire variabilă
Nu permit modificarea valorii tensiunii de putere mică de putere mare

la ieșire, aceasta fiind prestabilită
Permit accesul utilizatorului la Puteri de 10....100W în capsule
intrările şi ieşirile blocurilor cu trei terminale. Avantaje
funcţionale şi permit utilizarea lor • protecţie integrată
în mai multe variante • necesită cel mult 3
Capsule cu mai mult de trei componente externe
terminale, furnizează un curent • furnizează curenţi de ordinul
de sarcină mic (zeci de mA) amperilor.
Ex. LM7805 (pt. tensiuni pozitive), Ex: LM723 Ex. LM317 (pt. tensiuni
LM7905 (pt. tensiuni negative pozitive), LM337 (pt. tensiuni
negative
Exemplu
Exemplu Exemplu

Ex. stabilizator de tensiune fixă

Ex. stabilizator de tensiune reglabilă

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
12.1. Definire. Clasificări. Parametrii
Def. Amplificatoarele se clasifică în raport cu diferite criterii, astfel:
ii 1. în raport cu mărimea semnalelor de la intrare:
Rg iS
ui uS RS  amplificatoare de semnal mic;
e  amplificatoare de semnal mare (de putere);
2. în raport cu frecvenţa semnalului de la intrare:

 amplificatoare de curent continuu (c.c.)
 amplificatoare de joasă frecvenţă (JF) f < 100 kH.
 amplificatoare de înaltă, foarte înaltă (FIF) şi ultra înaltă frecvenţă (UIF) f =10 ... 15 GkH.
3. în raport cu lăţimea de bandă a semnalului aplicat prin limitele frecvenţă inferioară fi şi
frecvenţă superioară fs:
 amplificatoare de bandă îngustă
 amplificatoare de bandă largă
4. În funcţie de poziţia punctului static de funcţionare (P.S.F.) pe dreapta de sarcină pot fi

următoarele clase de amplificare:
 clasa A:;
 clasa B:
 clasa C:

12.1. Definire. Clasificări. Parametrii
Ec IC
Rc IC IC
B
t
A
t
B' UCE
Evaluarea performanţelor unui amplificator:

parametrii de intrare: ui, Zi,
parametrii de ieşire:ue, ie, Pe
parametrii de transfer: AU, AI, AP. GdB   20  lg A
A
A0
A0
2
B
f
fi f0 fS

12.2. Amplificatoare de semnal mic
 Ec
 Ec U 1  h11  I 1  h12  U 2
 U 2   RS  I 2
 I 2R hR
21  I 1  h 22  U 2
C2
RC1 R3 R3 C2
R1
CC1 C C
CB1 I 2  h21  IC1 2 h22
C 2 U  h  I  h  R  I
2 21 1 22 S 2 I2 h21
T1 T2 T2 AI  
I 2  (1  h22  Rs )  h21  I1 I1 1  h22  RS
I2
I1 U2
1  h22  RS 1  h22  RS U 2
G R2 Re1 R 4 RR4Ie12Re 2 h  I2  
h21

RS
21 C
e2 Ce 2
U1 Ce1 RS
h11  (1  h22  RS ) U 2  h  h h R 
U1     h12  U 2  U 2   h12  11 11 22 S  
h21 RS  h21  RS 
h12  h21  RS  h11  h11  h22  RS
 U 2
h21  RS
 h11  (h12  h21  h11  h22 )  RS

U1  U 2
h21  RS
Pentru h  0
U  h21  RS 
AU  2   U2  h21  RS h21  Rs   Rs
U1 h11  (h12  h21  h11  h22 )  RS   AU   AU   
 U1 h11  h  RS h11 h11
h12  h21  h11  h22  h 
h11  h  Rs' RC  RS h11  Rg' RG  RB

Zi  unde Rs'  Rc Rs  Ze  unde RG'  RG RB 
1  h22  Rs' RC  RS h22  Rg'  h RG  RB

Ex. amplificator de semnal mic

12.3. Amplificatoare de putere
12.3.1. Amplificatoare de putere de clasa A
Dif
IC y
Ec R1
Rc Cb
A
C
u Re
R2
UCE Ce
EC EC
2
TE Dif
 RS y
AU   R1
h11 Cb
C
1 2 Rc u Re
Rc   k  RS k  
R2
 Rs Ce
Exemplu
Ex. amplificator clasa A

12.3.2. Amplificatoare de putere în clasa B
Amplificator in clasa B
Amplificator clasa B de tip push-pull utilizează 2 tranzistori de același tip către care sunt trimise semnale
identice dar in antifază obținute fie cu circuit defazor cu tranzistor fie cu transformator defazor
Circuit defazor Transformator defazor

Ex. amplificator clasa B

Ex. circuite defazoare

12.4. Amplificatoare cu reacţie
Comparator
  u  ur
Amplificator

y  A
u y

A
ur   y y A
Ur Atenuator AU  
   u    y; u 1   A
y  A  (u  y); y  (1    A)  A  u
A  A  e jA
A
j y u
  e 1  A
A  e j A A  e j A A  e j A
AU     1    A  e j  
1  A  e
j  A   1    A  cos   j  sin   
A  Ec
AU 
1  2    A  cos    A 2 R1 R C1 R3
RC 2
CC2
y A C C1
dacă semnalul de intrare u
şi semnalul de reacţie ur
   2  k  1   AU  
u 1   A T1 T2
sunt în antifază cos  1 dA y

dA U  u R e1 R 4 Re
1    A 2
R2
2 C e2
C e1
dacă semnalul de intrare u
  2  k   y A
şi semnalul de reacţie ur AU  
sunt în fază cos   1 u 1  A
R5 C R6

12.5. Amplificatoare de curent continuu
 EC u  R 1  I1  R 2  I 2
R 2  I 2  U BE  R E1  I E
IC
RC1
RC 2 E C  R C1  I C  y1
R3
R1 IB I1  I 2  I B
T1 T2 IE  IC  IB I B  I C
 IC    IB
I1 U BE
y
u R E1 y1 u  R1  I 2  R1  I B  R 2  I 2
R2 R4 RE 2
I2 IE 1
I2   u  R 1 I B 
R1  R 2
E C  R C11    I B  y1
R2
 u  R 1  I B   U BE    I B  R E R2
R1  R 2  u  U BE
R1  R 2
R2 E C    R C1   y1
 u  U BE R1  R 2
R1  R 2 RE
IB  R1  R 2
R R
RE  1 2 R2
R1  R 2  u  U BE
R1  R 2
y1  E C    R C1
R1  R 2
RE
R1  R 2
u
y1  E C    R C1 
R2 dy1 R C1
R1    R E  AU    
R1  R 2 du R2
R1    R E 
R1  R 2
12.5. Amplificatoare de curent continuu (continuare)
RC1  EC
RE  0  AU     GCC
R6
R1 R5
dy1 R C1
AU     R5
du R2
R1    R E  T3
R1  R 2
 R C1
AU 
R1 1 R1 către
 RE  T1 etajul
 R R C1
1
1 AU   următor
R2
RE u R2
R 2  R 1
  foarte mare
I C1  1  I B1  1  I B 
I E1  I B 2  1  1  I B1  1  1  I B 

I C 2   2  I B 2   2  1   2   I B     1   2  1   2
I C  I C1  I C 2 

I C    I B  1   2  1   2   I B 
Exemplu
Ex. configurație Darlington

12.6. Amplificatoare diferenţiale şi operaţionale
12.6.1. Amplificatoare diferenţiale Condiţii impuse schemei
 EC
RC1  RC 2  RC
RC 1 y RC 2
RB1  RB 2  RB
R B1 RB2
RE1  RE 2  RE
R1  R2   RB1  RB 2 
T1 T2
y1 y2 u2
u1
R1 R E1 RE 2 R2 1   2 cu valori foarte mari
RC1
RE
y1  AU 1  u1    u1
RE1
 EC RC 2
y2  AU 2  u 2    u2
RC1 R R R R RE 2
y  y1  y2    u1  C 2  u 2   C  u1  C  u 2   C  (u1  u 2 )
R E1 RE 2 RE RE RE
y  AU  u
V • tensiunea diferenţială de intrare: u d  u   u 
I
 • factor de amplificarea diferenţială: A d 
y
ud u  u
u
I
 • tensiunea de mod comun: u C 
u  u
y 2
u V yC
traseu comun • factor de amplificare al tensiunii de mod comun: A C 
uC
Ad
• rejecţia modului comun (CMR) exprimat în decibeli CMR  dB
AC

i2
12.6.2. Amplificatoare operaţionale, AO
Amplificatorul operaţional AO reprezintă, în esenţă, un Z1 Z2
amplificator diferenţial urmat de un etaj de amplificare ce 
realizează amplificarea semnalului diferenţial y astfel încât u i1 i 
AO
ieşirea unui AO este nesimetrică.  y
Parametrul Valori uzuale Valori ideale

Amplificarea diferenţială, Ad 105 – 106 → ∞
A   
Rezistenţa de intrare, Ri 106 Ω → ∞
  i 0
Rezistenţa de intrare, Re 102 – 103 Ω 0 Ri  0 
Curenţi de intrare, I+, I– 10-9 A 0
Rejecţia modului comun, CMR 60 – 100 dB → ∞
Tensiunea diferenţială de intrare, ud 10-5 V 0
 
 
i1  i2  i   0  i1  i2 
  u  u y Z2
u  Z1  i1  uiAO  Z1  i1   i1      y u
Z Z1 Z2 Z1
y  Z 2  i2  uiAO  Z 2  i2   1 
  y 
i2  
 Z 2 
Z 2 (s)
Y(s)   U(s)
Z1 (s)

12.6.2. Amplificatoare operaţionale, aplicaţii
Sumator
R
i
i
ui1 R1 i1
i2
 y
ui2 R2 AO
uin Rn i3 
Înmulţire cu o constantă (amplificator inversor)
R2
R1
u
 y
AO


Ex. sumator, multiplicator

12.6.2. Amplificatoare operaţionale, aplicaţii
Integrator
i2 C
R uC

u i1 i AO
 y
Amplificator neinversor
u
 i2  i1  i   i1  i2
y
 
AO
u  R1  i1  uiA0   u  R1  i1

i
y  R2  i2  R1  i1  y  R i  R i

i2 R2
 2 2 1 1
a
i1
b
R1
De unde prin înlocuiri se obţine
R2  R  y R
y  u  u  1  2   u AU   1 2
R1  R1  u R1

Ex. integrator, amplificator neinversor

Dispozitive I Circuite Electronice Basi PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive I Circuite Electronice Basi PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN PETROŞANI

DEPARTAMENT AUTOMATICĂ, CALCULATOARE INGINERIE ELECTRICĂ ŞI

Circuite electronice liniare –A

Conf.dr.ing. NICOLAE PĂTRĂŞCOIU

Universitatea din Petrosani

1. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol I.

2. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol II.

3. Poanta Aron, Patrascoiu Nicolae Circuite si echipamente electronice in industrie.

4. Pop Emil, Poanta Aron Electronică industrială. Indrumător de laborator.

5. Popescu Viorel, Lascu Dan Electronica industriala.

6. Anghel Sorin Dan Circuite electronice analogice si digitale

7. Patrascoiu Nicolae Dispozitive și circuite electronice

Universitatea din Petrosani

• vechime 120 ani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

1.1 Surse ideali

Sursa de tensiune Sursa de curent

Universitatea din Petrosani

Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumită

wi = we – receptor ideal, întâlnit numai în modelarea dispozitivelor şi circuitelor electronice

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Bobina → element pasiv de circuit

În curent alternativ bobina de

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Banda de conducţie Banda de conducţie Banda de conducţie

Banda de valenţă Banda de valenţă Banda de valenţă

CONDUCTOR SEMCONDUCTOR IZOLATOR

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

U 0  0,2  0,3V pentru Ge 0 dU UT

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Caracteristica statică Structură Simbol

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Conex. emitor – comun EC Conex. bază – comună BC Conex. colector – comun CC

caracteristica de intrare caracteristica de intrare caracteristica de intrare

Universitatea din Petrosani

Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani B

tensiunii UCE → multiplicarea prin 1 UCE  UCE max

Universitatea din Petrosani

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă

Universitatea din Petrosani