S.D.

Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale

3 TRANZISTORUL BIPOLAR

William Shockley – fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956

împreună cu J. Bardeen úi W.H Brattain. Au pus la punct tehnologia
tranzistorului.

3.1 Structura úi caracteristicile statice

Tranzistorul bipolar este o structură de trei zone semiconductoare extrinseci
(pnp sau npn) realizată într-un cristal semiconductor. Ea este prezentată
schematic în fig.3.1a úi ceva mai aproape de structura reală în fig.3.1b.
Fiecare zonă are un contact ohmic cu câte un terminal exterior. Cele trei
terminale se numesc emitor – E, bază – B úi colector – C. Denumirile
sugerează funcĠia pe care o îndeplineúte fiecare dintre cele trei zone:
emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colectează
sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcină care ajunge la
colector. După acelaúi criteriu, cele două joncĠiuni se numesc emitoare,
respectiv colectoare.
B
baza

p p
E p n p C
emitor colector

n
(n) (p) (n)
jonctiune jonctiune
emitoare colectoare
a b
Fig.3.1
O astfel de structură se numeúte bipolară deoarece la conducĠia
electrică participă sarcini electrice de ambele polarităĠi, goluri úi electroni,
cu contribuĠii diferite la curent în funcĠie de tipul de tranzistor. În funcĠie de
ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile
lor sunt prezentate în fig.3.2.
E C

B B

C E
pnp npn

Fig.3.2

45
3 Tranzistorul bipolar

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are două

particularităĠi:
x emitorul este mult mai puternic dopat decât baza
x lărgimea fizică a bazei este mult mai mică decât lungimea de
difuzie a purtătorilor majoritari din emitor (aprox. 10Pm)
Pentru a exista conducĠie electrică între emitor úi colector, joncĠiunea
emitoare trebuie polarizată în sens direct iar joncĠiunea colectoare în sens
invers. Un circuit de polarizare a joncĠiunilor unui tranzistor de tip pnp este
prezentat în fig.3.3a. În practică polarizarea joncĠiunilor se face cu o singură
sursă de alimentare.
C
IC

RC p
ICBo DIE
IC
EC p B
IB n n
IB
p
EE
IE p
RE

IE
E
a b
Fig.3.3
În fig.3.3b se poate observa modul în care purtătorii de sarcină din
semiconductor contribuie la formarea curenĠilor exteriori măsurabili:
curentul de emitor - IE, curentul de colector – IC úi curentul de bază – IB.
Trebuie să subliniem încă odată faptul că la curentul prin tranzistor participă
purtători de ambele polarităĠi, în timp ce la curenĠii exteriori participă
exclusiv electronii de conducĠie din metal.
Golurile, care sunt purtătorii majoritari în emitor, sunt accelerate în
câmpul de polarizare directă a joncĠiunii emitoare úi, în marea lor majoritate,
vor traversa baza úi vor fi preluate de câmpul electric de polarizare inversă a
joncĠiunii colectoare. FracĠiunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notată cu D. D se numeúte factor de
curent úi valorile lui sunt foarte apropiate de 1: D # 0,97  0,99 . Datorită
slabei dopări a bazei úi a lărgimii ei foarte mici, doar o mică parte din
46
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
golurile care pleacă din emitor se vor recombina cu electronii din bază.
Curentul DIE împreună cu curentul de purtători minoritari, ICBo, care
traversează joncĠiunea colectoare polarizată invers, vor forma curentul de
colector, IC. Astfel, pot fi scrise următoarele relaĠii între curenĠii măsurabili:
IE IC  I B (3.1)

IC DI E  I CBo (3.2)
Înlocuind expresia curentului de emitor (3.1) în relaĠia (3.2) úi
exprimând curentul de colector, se obĠine:
D I
IC I B  CBo (3.3)
1D 1D
Coeficientul de multiplicare a curentului de bază se notează cu E úi
se numeúte factor de amplificare statică (sau factor de amplificare a
curentului continuu) úi este supraunitar:
D
E (3.4)
1D
Astfel, dependenĠa curentului de colector de curentul de bază poate
fi exprimată sub forma:
IC EI B  1  E I CBo (3.5)
RelaĠia (3.5) indică dependenĠa intensităĠii curentului de colector de
intensitatea curentului de bază. De aici se poate vedea că tranzistorul
bipolar este un element activ comandat în curent. Deoarece curentul de
purtători minoritari ICBo este foarte mic (sub 1PA), în practică se poate folosi
cu bună aproximaĠie relaĠia I C # EI B .
EcuaĠiile (3.1), (3.2) úi (3.4) descriu funcĠionarea tranzistorului în
curent continuu (regimul static) úi, împreună cu legile lui Kirchhoff, permit
calcularea valorilor rezistenĠelor din circuitul exterior de polarizare, precum
úi a punctului static de funcĠionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo,
UCEo úi ICo.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dacă unul dintre
terminalele sale va face parte atât din circuitul de intrare cât úi din cel de
ieúire. De regulă, terminalul respectiv este conectat la borna de potenĠial nul
(masa circuitului). Astfel, există trei conexiuni posibile ale tranzistorului
într-un circuit:
x conexiunea emitor comun – fig.3.4a

47
3 Tranzistorul bipolar
x conexiunea bază comună – fig.3.4b
x conexiunea colector comun – fig.3.4c

a b c
Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieúire úi de transfer
diferiĠi. Dintre ele, cea mai folosită este conexiunea emitor comun úi de
aceea în continuare ne vom axa în principal asupra ei, analizând-o atât în
regim static cât úi în regim dinamic.
IC

IB UCE
U BE

Fig.3.5
Mărimile de intrare úi cele de ieúire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate în Fig.3.5. Modificarea valorii oricăreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorită acestui lucru nu mai putem vorbi despre
o singură caracteristică volt-amperică, cum a fost în cazul diodei, ci de
familii de caracteristici statice de intrare, ieúire úi de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mărimile de control, cu ajutorul
cărora le modificăm pe celelalte, sunt curentul de bază, IB, úi tensiunea
dintre colector úi emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre bază úi emitor, UBE, úi curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
Într-o reprezentare calitativă, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt arătate în fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt următoarele:
x U BE f I B  U , caracteristica de intrare
CE const .

48
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
x IC f U CE  I , caracteristica de ieúire
B const .

x IC f I B  U , caracteristica de transfer în curent

CE const .

x U BE f U CE  I , caracteristica de transfer invers în

B const .
tensiune
IC

IB

ICBo IB = 0
IB UCE

UCE IB

UBE

Fig.3.6
O altă caracteristică importantă a tranzistorului bipolar este
caracteristica de transfer în tensiune, pe baza căreia se definesc úi
regimurile posibile de funcĠionare ale lui. În fig.3.7a este prezentată o
schemă posibilă pentru trasarea acestei caracteristici iar în fig.3.7b este
arătat aspectul ei.
EC = +5V
UCE [V]
Rc
1 k: blocat
5
zona
IC activa
Rb
UCE = Uies
Uin 10 k:
saturat
0 - +5V UBE UCEsat 0,1 - 0,2V

0 0,65 U BE [V]

a b
Fig.3.7

49
3 Tranzistorul bipolar
DiscuĠia asupra comportării tranzistorului se poate face dacă
considerăm comportamentul celor două joncĠiuni asemănător
comportamentului unor diode. Vom numi în continuare joncĠiunea emitoare
drept dioda emitor, DE, iar joncĠiunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici decât tensiunea de deschidere a diodei
emitor, între emitor úi colector nu poate circula nici un curent, căderea de
tensiune pe rezistenĠa Rc este nulă úi UCE = Ec. În acest interval de tensiuni
de intrare tranzistorul este blocat, între colector úi emitor el acĠionând ca un
întrerupător deschis. Odată cu creúterea tensiunii de intrare, dioda emitor se
va deschide úi va permite “curgerea” electronilor între emitor úi colector
peste dioda colector polarizată invers. Tensiunea UCE va începe să scadă
foarte rapid, deoarece creúte căderea de tensiune pe Rc, în condiĠiile în care
tensiunea de alimentare, Ec, este păstrată constantă (Ec = IcRc + UCE).
Curentul de colector va creúte úi tensiunea UCE se va micúora până când se
ajunge în regimul de saturaĠie (cantitatea de sarcină disponibilă nu este
nelimitată) în care ambele diode, emitor úi colector, sunt în stare de
conducĠie. Acest regim de lucru se numeúte saturat. În regimul saturat
tensiunea între colector úi emitor este foarte mică, U CE # 0,1  0,2V . Ea se
numeúte tensiune colector-emitor de saturaĠie, UCEsat. Zona de tranziĠie
dintre regimurile blocat úi saturat se numeúte zona activă. În zona activă
curentul de colector úi tensiunea de ieúire pot fi controlate de către tensiunea
de intrare úi implicit de către curentul de bază.
Putem sintetiza regimurile de funcĠionare ale tranzistorului
bipolar în felul următor:
x regimul blocat DE úi DC - blocate,
IC = 0, UCE = Ec
x regimul în zona activă DE – conducĠie, DC – blocată,
I C z 0, U CE 5 o 0,2V
x regimul saturat: DE úi DC – conducĠie,
I C z 0, U CE 0,1  0,2V U CEsat
Regimul de funcĠionare în zona activă este folosit atunci când
tranzistorul se află într-o schemă de prelucrare a semnalelor, de amplificare
sau generatoare de oscilaĠii armonice. Atunci când tranzistorul trece foarte
rapid prin zona activă, lucrând între starea de blocare úi cea de saturaĠie úi
invers, se spune despre el că lucrează în regim de comutaĠie (în circuitele
digitale, de exemplu).

50
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
Regimurile de funcĠionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate
úi pe graficul reprezentând familia de caracteristici IC = IC(UCE), aúa cum se
poate observa în fig.3.8.
IC UCE = Pmax
IC

SATURATIE
P > Pmax
IB

ZONA ACTIVA

IB = 0
BLOCARE

0 UCE
Fig.3.8
Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se află úi puterea
maximă pe care el o poate disipa fără a atinge temperaturi la care s-ar
distruge. Produsul ICUCE nu poate depăúi această valoare care este diferită în
funcĠie de tipul de tranzistor. Zona în care puterea disipată pe tranzistor ar fi
mai mare decât puterea maximă admisă este úi ea vizualizată pe
reprezentarea grafică din fig.3.8.

3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar

3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune în bază
Pentru a funcĠiona în zona activă úi a fi folosit într-o schemă de amplificare
de exemplu, joncĠiunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate în curent
continuu astfel încât joncĠiunea emitoare să fie polarizată direct iar
joncĠiunea colectoare să fie polarizată invers. Polarizarea se face de la o
singură sursă de alimentare, existând mai multe scheme folosite în acest
scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare în curent continuu
este cea cu divizor de tensiune în baza tranzistorului, schemă prezentată în
fig.3.9.
Practic, problema se pune în felul următor: cunoaútem tipul de
tranzistor folosit úi dorim polarizarea joncĠiunilor sale astfel încât el să
lucreze într-un anumit punct static de funcĠionare. Evident, se cunoaúte úi
tensiunea de alimentare folosită. Pentru calcularea valorilor rezistenĠelor din
circuitul de polarizare se folosesc pe de o parte ecuaĠiile de legătură dintre
curenĠii care intră úi ies din tranzistor, în care se poate neglija influenĠa
curentului ICBo mult mai mic decât ceilalĠi curenĠi:

51
3 Tranzistorul bipolar

+EC

R1` Rc

I1 IC
IB
UCE
I2 IE
UBE

R2 RE

Fig.3.9

I C # EI B (3.6)
IE IC  I B (3.7)
IC # I E (3.8)
úi pe de altă parte, ecuaĠiile pe care le scriem pe baza aplicării legilor lui
Kirchhoff în circuitul de polarizare:
Ec I C RC  U CE  I E RE (3.9)
Ec I 1 R1  I 2 R2 (3.10)
I1 I2  IB (3.11)
I 2 R2 U BE  I E R E (3.12)
Desigur, pare destul de complicată rezolvarea unui sistem de úapte
ecuaĠii în care s-ar putea să avem mai mult decât úapte necunoscute. Practic
însă lucrurile se pot simplifica dacă útim cam în ce domenii de valori trebuie
să se încadreze valorile rezistenĠelor din circuitul de polarizare. Iată care
sunt acestea:
x R1, zeci – sute de k:
x R2, k: –zeci de k:
x Rc < 10k:

52
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
1 Ec
x RE # , sute de : - k:
10 I C
Valorile rezistenĠelor R1 úi R2 sunt mai mari decât ale celorlalte
pentru a consuma cât mai puĠin curent de la sursa de alimentare, dar totodată
ele trebuie să asigure polarizarea bazei astfel încât joncĠiunea emitor să fie
în stare de conducĠie (uzual 0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenĠei RE trebuie să fie cât mai mică posibil pentru a
consuma cât mai puĠin. Teoretic ea poate să lipsească úi emitorul să fie
conectat direct la masă. Practic însă ea este necesară pentru stabilizarea
termică a punctului static de funcĠionare. Vom vedea acest lucru peste
câteva paragrafe.
Valoarea rezistenĠei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezintă úi
sarcina tranzistorului atunci când acesta lucrează ca element activ în
circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maximă este
limitată de condiĠia de conducĠie a tranzistorului. Pentru o valoare prea
mare, căderea de tensiune pe ea poate fi atât de mare la un curent de colector
mic încât să nu permită trecerea tranzistorului în stare de conducĠie.
De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaĠii al
circuitului de polarizare vom fi nevoiĠi ca valoarea uneia dintre rezistenĠe să
o alegem pe baza observaĠiilor de mai sus.
Să aplicăm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenĠelor dintr-un
circuit de polarizare în curent continuu a tranzistorului bipolar pe un
exemplu concret. Presupunem că avem un tranzistor cu E = 100, pe care
dorim să-l polarizăm în curent continuu astfel încât el să lucreze în zona
activă având IC = 2mA, UCE = 5V úi UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare
este EC = 10V.
Neglijând curentul rezidual prin joncĠiunea bază-colector, din
ecuaĠia (3.6) putem calcula curentul de bază:
I C 2 ˜ 10 3
IB 2 ˜ 10  5 A 20µA
E 100
Cunoscând curentul de bază, din ecuaĠia (3.7) calculăm curentul de emitor:

IE IC  I B (2 ˜ 10 3  0,02 ˜ 10 3 )A 2,02mA
RezistenĠa de emitor o putem calcula din relaĠia recomandată anterior:
1 Ec 1 10
RE # 495:
10 I C 10 2,02 ˜ 10 3

53
3 Tranzistorul bipolar
Din ecuaĠia (3.9) calculăm valoarea rezistenĠei din colectorul tranzistorului:
EC  U CE  I E R E 10  5  2,02 ˜ 10 3 495
RC 2000: 2 k:
IC 2 ˜ 10  3
PotenĠialul bazei faĠă de masă, VB = I2R2, putem să-l calculăm din ecuaĠia
(3.12):

VB U BE  I E R E 0,65  2,02 ˜ 10 3 ˜ 495 1,65V

Alegând pentru rezistenĠa R2 valoarea:
R2 = 10k:
se poate calcula valoarea curentului I2:
VB 1,65
I2 A 0,165mA
R2 10 ˜ 10 3
În sfârúit, din ecuaĠiile (3.10) úi (3.11) poate fi calculată valoarea rezistenĠei
R1:
E C  I 2 R2 EC  V B 10  1,65
R1 0,0457 ˜ 10 6 : 45,7k:
I2  I B 6
I1 (165  20) ˜ 10
Având în vedere valorile standardizate ale rezistenĠelor de uz general, vom
alege următoarele valori pentru cele patru rezistenĠe de polarizare ale
tranzistorului: RC = 2k:, RE = 500:, R1 = 47k: úi R2 = 10k:.

EcuaĠia (3.9) poate fi rescrisă în modul următor:

U CE Ec
IC   (3.13)
Rc  RE Rc  RE
în care mărimile variabile sunt IC úi UCE, celelalte fiind constante. Ea
reprezintă ecuaĠia dreptei de sarcină în curent continuu úi va determina
poziĠia punctului static de funcĠionare, aúa după cum se poate vedea în
fig.3.10. Din ea se poate observa că dacă tensiunea de alimentare úi valorile
rezistenĠelor de polarizare sunt constante, poziĠia punctului static de
funcĠionare poate fi schimbată modificând mărimea curentului de bază.
Aúadar, punctul static de funcĠionare al tranzistorului se mai poate defini ca
fiind intersecĠia dintre dreapta de sarcină în curent continuu úi
caracteristica de ieúire corespunzătoare unui curent de bază prestabilit.

54
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
IC dreapta de alte puncte statice de
sarcina in c.c. functionare posibile
Ec
Rc +RE

punct static de functionare

Ico IBo (dat)

UCE
0 UCEo Ec

Fig.3.10
3.2.2 Stabilizarea termică a punctului static de funcĠionare
Conductibilitatea electrică a materialelor semiconductoare este puternic
dependentă de temperatura mediului în care acestea lucrează. O variaĠie de
temperatură determină o variaĠie relativă mult mai mare a densităĠii de
purtători minoritari decât variaĠia relativă a densităĠii de purtători majoritari.
De aceea, în cazul tranzistorului bipolar, o creútere a temperaturii va
determina o creútere relativă semnificativă a curentului rezidual (curent de
purtători minoritari) prin joncĠiunea bază colector, ICBo. Conform relaĠiei
(3.2) aceasta va determina creúterea curentului de colector care, la rândul ei
va determina o creútere suplimentară a temperaturii joncĠiunii, după care
fenomenul se repetă ca o reacĠie în lanĠ, rezultând fenomenul de ambalare
termică. Procesul poate fi sintetizat în următoarea diagramă:
T ICBo IC T ICBo ......
Sigur că dacă temperatura ambiantă se va micúora fenomenul
încetează. Aceste variaĠii de temperatură vor determina úi instabilitatea
punctului static de funcĠionare, care este definit úi de curentul de colector,
I C.
Pentru stabilizarea termică a punctului static de funcĠionare prezenĠa
rezistenĠelor RE úi R2 în circuitul de polarizare a tranzistorului este
obligatorie. Rolul lor în acest proces poate fi observat pe baza schemei
simplificate prezentate în fig.3.11.
PrezenĠa divizorului de tensiune în baza tranzistorului asigură un
potenĠial relativ constant al bazei acestuia în raport cu masa, rezistenĠele
fiind mult mai puĠin sensibile la variaĠiile de temperatură decât
semiconductorii. Neglijând contribuĠia curentului de bază, vom avea IC = IE.
Aceasta însemnă că o creútere a curentului de colector, datorată creúterii
temperaturii, va determina o creútere asemănătoare a curentului de emitor úi
implicit o creútere a căderii de tensiune pe rezistenĠa RE. Deoarece
potenĠialul bazei faĠă de masă este constant, tensiunea pe joncĠiunea emitor
55
3 Tranzistorul bipolar
va trebui să scadă. Scăderea lui UBE va determina scăderea curentului de
emitor, deci úi a celui de colector úi fenomenul se atenuează. Procesul poate
fi sintetizat în următoarea diagramă:
T ICBo IC IERE UBE IC

IC

VB = const.
U BE IE

R2 RE

Fig.3.11
De fapt, prezenĠa rezistenĠei RE în circuitul de polarizare determină
o reacĠie negativă în curent continuu. Ce este reacĠia în general úi reacĠia
negativă în particular vom vedea ceva mai târziu.
3.2.3 Polarizarea prin curentul de bază
Polarizarea joncĠiunilor tranzistorului se poate realiza úi fără divizor de
tensiune în bază, folosindu-ne de existenĠa curentului de bază. O astfel de
schemă de polarizare este prezentată în fig.3.12
+EC

R1` Rc

IC
IB
UCE

UBE IE

RE

Fig.3.12
Din sistemul de ecuaĠii (3.6) – (3.12), ecuaĠiile (3.10) úi (3.12) vor fi
înlocuite cu ecuaĠia:
Ec I B R1  U BE  I E RE (3.14)

56
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
Deoarece curentul de bază este foarte mic (PA sau zeci de PA),
valoarea rezistenĠei R1 trebuie sa fie de câteva sute de k: sau chiar 1 M:,
pentru a avea pe ea o cădere de tensiune care să asigure un potenĠial pe bază
capabil să deschidă joncĠiunea bază-emitor. Avantajul acestei modalităĠi de
polarizare este acela că, în absenĠa rezistenĠei R2, impedanĠa de intrare este
mai mare (în regim de variaĠii rezistenĠele R1 úi R2 apar conectate în paralel
la masă – ne vom convinge de acest adevăr ceva mai târziu). Dezavantajul
este o stabilitate mai mică la variaĠiile de temperatură datorită absenĠei
rezistenĠei R2.

3.2.4 ImportanĠa curentului de bază

În ecuaĠiile (3.9) – (3.12), scrise pentru schema de polarizare din fig.3.9, am
neglijat curentul de bază, IB, în raport cu cel de colector úi cel de emitor. În
multe situaĠii practice erorile provocate de această aproximaĠie sunt
neglijabile. Dacă însă tranzistorul se află în conducĠie puternică, intensitatea
curentului de bază ajunge la câteva zeci de PA úi influenĠa sa asupra
punctului static de funcĠionare nu mai poate fi neglijată. Această afirmaĠie
poate demonstrată pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de
tensiune în bază prezentată în fig.3.13.
+EC = 12V

Rc
R1` 39k:
2,4k:

IB

I
VB

RE
R2 10k: :

Fig.3.13
Dacă IB = 0, atunci potenĠialul faĠă de masă al bazei este:
R2
VB Ec 2,45V
R1  R2
Dacă IB = 5 PA, atunci potenĠialul faĠă de masă se va micúora cu:
'V B I B R1 0,195V
57
3 Tranzistorul bipolar
o valoare care în primă aproximaĠie poate fi neglijată.
Dacă IB = 50 PA, atunci potenĠialul faĠă de masă se va micúora cu:
'V B I B R1 1,95V
o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijată.
Rămâne deci la latitudinea proiectantului când poate neglija
influenĠa curentului de bază asupra punctului static de funcĠionare úi când
nu.

3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Am văzut că tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5
pentru conexiunea emitor comun). În multe aplicaĠii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplică un semnal variabil în timp (în particular el poate fi úi
un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja în curent continuu
într-un punct de funcĠionare static. Astfel, peste potenĠialele statice (fixe) se
vor suprapune úi potenĠialele datorate câmpului variabil determinat de
semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la două regimuri de
funcĠionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior úi regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problemă complexă. Ea poate fi
însă simplificată dacă facem următoarele presupuneri:
x pe toată durată aplicării semnalului variabil la intrare, punctul
de funcĠionare nu părăseúte porĠiunea de caracteristică de
transfer corespunzătoare zonei active de funcĠionare (fig.3.7b).
x pe această porĠiune caracteristica de transfer este liniară.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta în continuare este unul liniar.
În fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn în conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.
ICo 'ic

'ib IBo
UCEo 'uce
'ube UBEo

Fig.3.14
Presupunem că el a fost polarizat în curent continuu într-un punct
static de funcĠionare aflat în zona activă, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo,
UCEo úi ICo. Presupunem de asemenea că la intrarea cuadrupolului apare la
un moment dat o variaĠie a tensiunii dintre baza úi emitorul tranzistorului,
58
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
'ube, datorată semnalului aplicat. Sensul săgeĠii ne indică faptul ca la
momentul considerat potenĠialul variabil al bazei este mai mare decât cel al
emitorului. Creúterea de potenĠial se adaugă potenĠialului static al bazei,
ceea ce determină o creútere a curentului de bază cu valoarea 'ib. Creúterea
curentului de bază va determina creúterea curentului de colector cu valoarea
'ic úi variaĠia corespunzătoare, 'uce, a tensiunii colector-emitor.
Vom considera, ca úi în cazul definirii parametrilor statici, drept
variabile independente curentul de bază úi tensiunea colector-emitor, astfel
încât vom avea funcĠiile:
u be u be ib , u ce  (3.15)
ic ic ib , u ce  (3.16)
DiferenĠiind cele două funcĠii obĠinem:
wu be wu
'u be 'ib  be 'u ce (3.17)
wib wu ce
wic wi
'ic 'ib  c 'u ce (3.18)
wib wu ce
Pe baza ecuaĠiilor (3.17) úi (3.18) se definesc parametrii h, sau
parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
wu be
h11 (3.19)
wib 'uce 0

wu be
h12 (3.20)
wu ce 'ib 0

wic
h21 (3.21)
wib 'uce 0

wic
h22 (3.22)
wu ce 'ib 0

Folosind aceúti parametrii, ecuaĠiile (3.17) úi (3.18) devin:

'u be h11'ib  h12 'u ce (3.23)
'ic h21'ib  h22 'u ce (3.24)
59
3 Tranzistorul bipolar
EcuaĠia (3.23) are semnificaĠia unei sume algebrice de tensiuni iar
ecuaĠia (3.24) a unei sume algebrice de curenĠi. Cele două ecuaĠii reprezintă
aplicarea legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieúirea cuadrupolului
– tranzistor. Pornind de la ele poate fi construită schema electrică
echivalentă din fig.3.15.
'ib h11 'ic

'ube h12'uce h21'ib h-122 'uce

Fig.3.15
Analizând acestă schemă úi cunoscând relaĠiile de definiĠie (3.19) –
(3.22) a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaĠiile fizice ale acestora.
Le menĠionăm în continuare, împreună cu ordinele lor de mărime:
h11 – impedanĠa de intrare cu ieúirea în scurtcircuit, sute : - k:
h12 – factorul de transfer invers în tensiune cu intrarea în gol, 10-3 –
10-4
h21 – factorul de amplificare dinamic în curent cu ieúirea în scurt, 101
– 102
1
h22 – admitanĠa de ieúire cu intrarea în gol, h22 | 105 :
Pentru a nu rămâne cu impresia că tot ce am văzut până acum este
doar o teorie frumoasă, trebuie să menĠionăm faptul că parametrii h sunt
mărimi caracteristice fiecărui tip de tranzistor úi că ei sunt precizaĠi în
cataloage de către firmele producătoare. Cunoscând valorile lor concrete,
pentru analizarea regimului dinamic al unui circuit care conĠine un tranzistor
noi îl putem înlocui cu schema din fig.3.15 rezultând o schemă echivalentă a
întregului circuit. Această schemă va conĠine doar elemente de circuit
simple (surse de curent úi tensiune, rezistenĠe, condensatori, bobine) a căror
comportare o cunoaútem úi putem face analiza teoretică a comportării
circuitului.

3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari

3.4.1 Tiristorul (SCR – Silicon Controlled Rectifier)
Tiristorul este un dispozitiv multijoncĠiune cu structura prezentată schematic
în fig.3.16a. Simbolul folosit în scheme este prezentat în fig.3.16b. Structura
60
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
internă a tiristorului ne sugerează prezenĠa a două structuri
complementare de tip tranzistor, suprapuse astfel încât joncĠiunile
colectoare să fie comune. El are trei terminale numite anod, catod úi poartă.
Poarta este elementul de control al funcĠionării tiristorului. Ea poate fi
polarizată sau nu.
jonctiuni
emitoare

A C
p n p n A C
anod catod

G
jonctiune G
colectoare poarta
a b

Fig.3.16
Dacă anodul este polarizat pozitiv faĠă de catod iar poarta este
nepolarizată, joncĠiunile emitoare sunt polarizate direct iar joncĠiunea
colectoare este polarizată invers. Fiind polarizată invers, joncĠiunea
colectoare va prezenta o rezistenĠă mare trecerii purtătorilor de sarcină,
astfel încât pentru valori mici ale tensiunii dintre anod úi catod, UAC,
curentul prin structura semiconductoare va fi foarte mic. Pe măsură ce
creúte tensiunea de polarizare UAC, creúte úi tensiunea inversă pe joncĠiunea
colectoare úi, la o anumită valoare a acesteia, începe multiplicarea în
avalanúă a purtătorilor de sarcină. Aceasta are drept consecinĠe:
x scăderea rezistenĠei joncĠiunii colectoare
x creúterea bruscă a curentului între anod úi catod
Pentru ca această creútere să nu fie necontrolată úi să ducă la
distrugerea structurii, în circuitul de polarizare a tiristorului trebuie
conectată o rezistenĠă de limitare a curentului.
Tensiunea la care începe multiplicarea în avalanúă a purtătorilor de
sarcină se numeúte tensiune de străpungere, Ust. Caracteristica volt-
amperică a tiristorului fără polarizarea porĠii este prezentată în fig.3.17,
curba continuă. Dacă pe poartă se aplică un potenĠial pozitiv faĠă de catod
cu scopul generării unui curent de poartă, tiristorul începe să conducă la
tensiuni cu atât mai mici cu cât potenĠialul pozitiv al porĠii este mai mare.
Caracteristicile volta-mperice vor urma traseele punctate din fig.3.17.
Curentul de poartă este mult mai mic decât curentul dintre anod úi catod,
astfel încât cu un curent mic poate fi controlată apariĠia unui curent mare. Se
poate deci concluziona că tiristorul este un dispozitiv comandat în
curent.

61
3 Tranzistorul bipolar
IA
Ust - tensiune de strapungere

Ug2 > Ug1 Ug1 > Ugo

Ugo= 0

0 Ust2 Ust1 Usto UAC

Fig.3.17
Străpungerea spaĠiului dintre anod úi catod se mai numeúte
aprindere sau amorsare, prin similitudine cu ceea ce se întâmplă într-un
tub de descărcare cu gaz. După străpungere, potenĠialul porĠii nu mai are
nici un efect asupra curentului prin tiristor iar poarta îúi pierde rolul de
electrod de comandă. De aceea, pentru amorsare este suficient ca pe poartă
să se aplice impulsuri scurte de tensiune. “Stingerea” tiristorului se poate
face numai prin micúorarea tensiunii de polarizare UAC sau prin inversarea
polarităĠii ei.

Fig.3.18

62
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
Una dintre aplicaĠiile cele mai frecvente ale tiristorului este
redresarea comandată. În fig.3.18a este prezentată o schemă simplă pentru
această aplicaĠie. La intrarea circuitului se aplică o tensiune alternativă
periodică, u, a cărei amplitudine este mai mică decât tensiunea de
străpungere. Pe poartă se aplică impulsuri pozitive, uc, cu aceeaúi perioadă
ca úi a semnalului comandat. Dacă în momentele aplicării impulsurilor
există corelaĠia corespunzătoare între mărimea tensiunii comandate úi
amplitudinea impulsului de comandă, tiristorul se va deschide úi prin circuit
va începe să circule curentul i care urmăreúte forma tensiunii u (admitem
faptul ca nu avem elemente reactive care să producă defazaj). La schimbarea
polarităĠii tensiunii de intrare curentul se va “stinge”. Apoi, procesul se
repetă periodic. Formele de undă ale celor trei semnale sunt prezentate în
fig.3.18b. Curentul prin circuit va avea forma unui semnal redresat
monoalternaĠă cu un factor de umplere sub 50%. Mărimea factorului de
umplere poate fi modificată atât prin modificarea defazajului dintre
semnalul de comandă úi semnalul redresat cât úi a amplitudinii sale, astfel
încât în momentul aplicării unui impuls de aprindere să fie îndeplinită
condiĠia de amorsare.
O structură semiconductoare similară cu a tiristorului dar fără
electrodul de comandă (poartă) se numeúte dinistor sau diodă de comutaĠie
(Shockley). Dioda de comutaĠie intră în stare de conducĠie numai sub
acĠiunea semnalului aplicat între anod úi catod. Trecerea ei din stare de
blocare în stare de conducĠie úi invers se face foarte rapid.

3.4.2 Triacul
În multe aplicaĠii este nevoie de comanda bilaterală a unui semnal alternativ,
atât în alternanĠa pozitivă cât úi în alternanĠa negativă. Pentru aceasta este
nevoie de un dispozitiv asemănător tiristorului dar care să poată intra în
conducĠie în ambele sensuri. Acesta poate fi realizat din două structuri
antiparalele de tip tiristor. Un astfel de dispozitiv se numeúte triac.
I

poarta terminal 1

terminal 2

Fig.3.19

63
3 Tranzistorul bipolar

Simbolul unui triac úi caracteristica sa volt-amperică sunt prezentate

în fig.3.19. Datorită simetriei dispozitivului comanda se poate face cu orice
fel de polaritate a impulsurilor aplicate pe poartă. Curentul injectat în poartă
modifică caracteristica volt-amperică la fel ca la tiristor.
O structură de tip triac fără poartă se numeúte diac. Intrarea sa în
stare de conducĠie într-un sens sau altul este determinată doar de nivelul úi
polaritatea tensiunii aplicate între cele două terminale ale sale. Diacul poate
fi folosit la comanda “aprinderii” triacurilor. Una din schemele folosite în
acest scop este prezentată în fig.3.20.

R Rs
diac

triac
C

Fig.3.20
Condensatorul C se poate încărca prin rezistenĠa R cu ambele
polarităĠi. Când tensiunea pe el atinge valoarea necesară realizării
străpungerii diacului, acesta va injecta curent în poarta triacului care va intra
la rândul său în stare de conducĠie.

3.4.3 Tranzistorul Schottky

+5V

1 k:

UBC= 0,5V
VC= 0,2V

10 k:
+5V
VB= 0,7V

Fig.3.21
La analiza regimurilor de funcĠionare ale tranzistorului bipolar (vezi úi
fig.3.7) am constatat că dacă el se află în stare de saturaĠie atunci
U BE # 0,7V iar U CE d 0,2V . Această situaĠie este prezentată în fig.3.21 în

64
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice úi digitale
care sunt notate potenĠialele faĠă de emitor ale bazei úi colectorului
tranzistorului. Se poate observa imediat că joncĠiunea bază-colector este
polarizată direct cu o tensiune cel puĠin egală cu 0,5V.
Să ne amintim că în starea de blocare a tranzistorului, joncĠiunea
bază-colector este polarizată invers. Când tranzistorul lucrează în regim de
comutaĠie el trebuie să treacă cât mai rapid posibil dintr-o stare în alta
(blocat – saturat – blocat - …). La trecerea tranzistorului din starea de
saturaĠie în starea de blocare, electronii din bază, unde sunt purtători
minoritari, trebuie readuúi în colector, unde sunt majoritari, iar golurile din
colector trebuie readuse în bază. Procesul de redistribuire a sarcinilor în
vecinătatea joncĠiunii nu se poate face instantaneu. Timpul necesar trecerii
dintr-o stare în alta se numeúte timp de comutaĠie úi este de dorit ca el să
fie cât mai mic posibil. Cu cât tensiunea de polarizare directă a joncĠiunii
bază-colector în regim de saturaĠie este mai mică, cu atât numărul de
purtători de sarcină care trebuie redistribuiĠi este mai mic úi timpul de
comutaĠie se va micúora. Micúorarea tensiunii de polarizare directă a
joncĠiunii bază-colector se poate face dacă între bază úi colector se
realizează o structură semiconductoare de tip diodă Schottky.
Un tranzistor cu o astfel de structură este tranzistorul Schottky
(fig.3.22). PrezenĠa diodei Schottky nu va permite creúterea tensiunii de
polarizare directă a joncĠiunii bază-colector în regim de saturaĠie peste
0,35V, astfel încât timpul de comutaĠie din starea de saturaĠie în starea de
blocare se va micúora considerabil iar viteza de comutaĠie va creúte.

Fig.3.22

3.4.4 Fototranzistorul
Principiul de funcĠionare a unui fototranzistor se bazează pe efectul
fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol într-un semiconductor
sub acĠiunea unei radiaĠiei electromagnetice cu lungimea de undă în
domeniul vizibil sau ultraviolet. Dacă semiconductorul este supus unei
diferenĠe de potenĠial, atunci el va fi parcurs de un curent a cărui intensitate

65
3 Tranzistorul bipolar
va depinde de mărimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi
mărită prin utilizarea proprietăĠii structurii de tranzistor de a amplifica
curentul.
Fototranzistorul (fig.3.23a) este un tranzistor cu regiunea joncĠiunii
emitor-bază expusă iluminării, astfel încât rolul diferenĠei de potenĠial dintre
bază úi emitor este jucat de fluxul luminos incident pe joncĠiunea emitoare.
Generarea de perechi electron-gol contribuie la micúorarea barierei de
potenĠial a joncĠiunii úi deschiderea ei mai mult sau mai puĠin, în funcĠie de
numărul de fotoni incidenĠi. Terminalul bazei poate lipsi sau, dacă există, el
permite un control suplimentar al curentului de colector.
+EC
IC dreapta de
sarcina

Rc Ec
Rc
hQ
IC )
UCE
) 
0 Ec UCE
a b
Fig.3.23
Caracteristicile de ieúire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele
ale unui tranzistor obiúnuit, cu deosebirea că, în locul parametrului IB apare
iluminarea sau fluxul luminos (fig.3.23b).

66