Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Cap2 TEC 2019 PDF
Cap2 TEC 2019 PDF
Cuprins Cap.2:
1
2. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP
2
a) b)
a)
b)
Fig.2.1.2. TEC-J cu canal n
a) structură; b) dimensiunile canalului
3
Electrodul grilă G este conectat la zona p , care împreună cu substratul p
delimitează canalul n. Electrodul G asociat substratului p este de obicei conectat
cu grila, dar substratul p poate fi folosit şi ca electrod independent, în acest caz
obţinându-se tetroda cu efect de câmp.
Joncţiunea pn poartă-canal este polarizată invers, iar grosimea regiunii de
sarcină spaţială asociată acestei joncţiuni face ca secţiunea conductivă a
canalului (regiunea neutră n) să fie mai mică decât distanţa dintre cele două
joncţiuni. Dimensiunea canalului este controlabilă electric prin diferenţa de
potenţial aplicată joncţiunii pn poartă-canal.
Zona p fiind mai puternic dopată decât zona n, regiunea de sarcină spaţială va
pătrunde mai adânc în regiunea n decât în zona p . La cealaltă joncţiune pn
(substrat-canal), substratul p este slab dopat, deci regiunea de sarcină spaţială va
pătrunde puternic în regiunea p (substrat), dar acest lucru nu contează pentru
funcţionarea dispozitivului, pentru că secţiunea care trebuie controlată este cea a
canalului n. Controlul canalului se face practic prin joncţiunea grilă p şi
canalul n.
Curentul care apare în circuitul drenă-sursă în prezenţa unei tensiuni v DS se
datorează practic numai deplasării purtătorilor majoritari (electroni) prin canal,
ceea ce justifică denumirea TEC-J de tranzistor unipolar.
5
In zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul
2
v DS ,din relaţia (2.1.1) se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
6
Zona de saturaţie: În această zonă TEC-J funcţionează la tensiuni mai
mari decât pragul de saturaţie v DS sat vGS VP şi mai mici decât
tensiunea de străpungere. Curentul de drenă i D rămâne practic constant la
creşterea tensiunii v DS peste pragul de saturaţie v DS sat .
Saturaţia corespunde momentului în care canalul este strangulat lângă drenă
(fig.2.1.6). Această strangulare apare atunci când tensiunea între grilă şi
extremitatea de lângă drenă atinge tensiunea de prag V P .
7
electronii spre drenă. Intuitiv, în acest moment canalul conductiv este separat de
drenă prin regiunea de sarcină spaţială şi variaţia potenţialului drenei nu mai
influenţează curentul de drenă. Trecerea fluxului de electroni peste regiunea de
sarcină spaţială se datorează faptului că lungimea de difuzie a electronilor
este mult mai mare decât .
Dacă v DS creşte şi mai mult, regiunea de trecere de lângă drenă se mai îngroaşă
puţin, dar curentul de drenă rămâne practic acelaşi. În zona de saturaţie
v DS vGS VP .
Caracteristicile i D i D v DS pentru diferite valori ale lui VGS sunt prezentate
în fig.2.1.7.
8
Zona de străpungere: La tensiuni v DS mari apare o creştere abruptă a lui
i D datorită străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
de lângă drenă al joncţiunii poartă–canal. Străpungerea este similară cu
cea de la joncţiunea pn polarizată invers.
Străpungerea se face lângă drenă pentru că valoarea maximă a tensiunii v DG
este lângă aceasta. Utilizând notaţiile din fig. 2.1.6, din teorema Kirchhoff
pentru tensiuni, se obţine:
v DG v DS vGS , unde vGS 0 (2.1.6)
În catalog se dă tensiunea drenă-grilă cu sursa în gol maximă VDG0 . La
străpungere vDG VGD0 şi din relaţia (2.1.6) se obţine tensiunea drenă-sursă la
străpungere:
VDS VDG vGS . (2.1.7)
str 0
Relaţia (2.1.7) explică de ce scade VDSstr pe măsură ce i D scade, anume pentru
că din V DG0 0 se scade vGS negativ, cu atât mai mare în valoare absolută cu
cât curentul de drenă este mai mic.
9
Expresia matematică a caracteristicii de transfer este dată de relaţia
(2.1.5), aceeaşi cu cea de la zona de saturaţie, iar reprezentarea grafică a acesteia
este dată în fig.2.1.8.
b)
a)
c)
11
Din relaţia (2.1.5) se determină I D A şi din relaţia (2.1.9) se determină VDS A .
Exemplu: Pentru schema din fig. 2.1.10.a), se consideră RD 1K ,
RS 0 ,5 K , E D = 15V, I DSS 16 mA şi VP 4V . Să se determine VGS A ,
I D A şi V DS A din PSF.
12
a)
b)
Rezolvare:
a) Ţinând cont că: I G 0 ; I S I D I G rezultă I S I D .
VGS A şi I D A sunt soluţia sistemului format din linia de polarizare
(ecuaţia lui Kirkhoff pe circuitul de intrare) şi ecuaţia TEC-J în zona de
saturaţie:
VGS RS I D V R 2 0
2
VGS (2.1.13)
I D I DSS 1
V P
13
R2 20
unde: V R 2 ED 15 3V .
R1 R2 100
14
2.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată
TEC-MOS cu canal n
cu canal indus cu canal iniţial
a)
TEC-MOS cu canal p
cu canal indus cu canal iniţial
b)
Fig. 2.2.1. Simbolurile TEC-MOS
a) cu canal n; b) cu canal p
15
Ca şi la TEC-J, terminalele (electrozii) au următoarele denumiri: D -
drenă, S - sursă şi G-grilă (poartă). Sensul săgeţii este întotdeauna de la p la n
(ca la diodă). Canalul cu linie întreruptă este de tip indus, iar cel cu linie
continuă este de tip iniţial.
Cele două tipuri de TEC-MOS cu canal n şi cu canal p sunt echivalente
dacă se schimbă semnele tensiunilor aplicate între terminale. Tehnologic, TEC-
MOS cu canal indus de tip n este mai dificil de realizat decât cel cu canal p, dar
TEC-MOS cu canal indus de tip n amplifică mult mai bine la frecvenţe înalte
faţă de cel cu canal p.
16
bioxid de siliciu şi stratul de semiconductor dintre drenă şi sursă formează o
structură de condensator.
Prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă în raport cu substratul p, câmpul
electric din stratul de bioxid de siliciu orientat către semiconductor va atrage în
apropierea suprafeţei de separaţie electronii de conducţie şi va îndepărta
golurile. Astfel, între sursă şi drenă se acumulează un strat superficial de
electroni de conducţie numit strat de inversiune de tip n, care reprezintă canalul
conductor ce poate conduce un curent electric. Tensiunea la care începe să
circule curent între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag şi se notează V P .
Pentru TEC-MOS cu canal n indus, tensiunea de prag V P este pozitivă şi are o
valoare tipică în jur de 2V.
Structura TEC-MOS cu canal n iniţial este asemănătoare cu cea a TEC-
MOS cu canal n indus, cu deosebirea că între drenă şi sursă există canal chiar şi
la vGS VGS =0. Canalul conductor iniţial se obţine prin implantarea de ioni
pozitivi imobili în stratul de bioxid de siliciu de sub grilă. Aceşti ioni pozitivi
atrag spre suprafaţa semiconductorului electroni de conducţie şi formează un
canal conductor iniţial între sursă şi drenă.
Pentru vGS >0 curentul de drenă i D creşte peste curentul I DSS
corespunzător lui vGS VGS 0 şi se spune că tranzistorul funcţionează cu
îmbogăţire. Pentru vGS <0 curentul de drenă i D scade sub curentul I DSS şi se
spune că tranzistorul funcţionează cu sărăcire.
Crescând valoarea absolută a tensiunii vGS <0, canalul se îngustează până
dispare. Tensiunea la care canalul conductor dispare se numeşte tensiune de
prag, se notează V P şi este negativă.
Obs: TEC-MOS cu canal n indus prezentat anterior funcţionează numai
cu îmbogăţire.
Structura TEC-MOS cu canal p
La tranzistorul TEC-MOS cu canal p structura este similară cu cea de la
TEC-MOS cu canal n cu deosebirea că substratul este un semiconductor slab
impurificat de tip n, iar sursa şi drena sunt de tip p , adică dopate puternic cu
impurităţi acceptoare.
17
Caracteristicile statice de ieşire i D i D ( v DS ) , cu vGS VGS ct . ca
parametru se pot împărţi în trei zone, anume zona liniară, zona neliniară şi zona
de saturaţie.
18
Fig.2.2.4. Caracteristicile i D i D ( v DS ) pentru tensiuni v DS mici
19
suprafaţa semiconductorului şi astfel îngustând canalul spre drenă. Această
îngustare a canalului limitează creşterea curentului i D , rezultând o caracteristică
puternic neliniară.
Funcţionarea tranzistorului în zona liniară şi neliniară se numeşte funcţionare în
regim nesaturat. O expresie analitică ce aproximează zona neliniară este dată de
relaţia :
i D k n 2vGS VP v DS v DS 2 , pentru v DS vGS VP ,
(2.2.2)
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi
2
termenul v DS se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
20
Fig.2.2.6. Distribuţia câmpului electric pentru zona de saturaţie
21
Obs: Tranzistoarele TEC-MOS funcţionează şi cu tensiune v DS negativă, adică
în cadranul III.
Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-MOS cu canal n iniţial:
Se determină cu relaţiile :
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
I
i D DSS 2vGS V P v DS v DS 2 pentru v DS vGS VP , (2.2.4)
V p2
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
2
v
iD I DSS 1 GS
Vp pentru v DS vGS VP . (2.2.5)
Aceasta relatie se obtine inlocuind vDS cu (vGS-vP) in relatia (2.2.4).
Reprezentarea grafică a caracteristicii de ieşire i D i D ( v DS ) , având
vGS VGS ct . ca parametru este arătată în fig.2.2.8.
22
Fig. 2.2.9. Caracteristica de transfer i D i D ( vGS ) , având ca parametru v DS
23
2.3. Expresiile analitice generale ale caracteristicilor TEC
24
2.4. Polarizarea TEC-MOS
a) b)
Fig.2.4.1. Polarizarea TEC-MOS
a) cu canal n indus; b) cu canal n iniţial
25
Aplicatii:
Aplicatia 1. Să se găsească PSF pentru circuitul de polarizare a TEC-
MOS cu canal n indus, din fig. 2.4.1a) şi să se verifice că tranzistorul
funcţionează în regim saturat.
Se dau: E D 15 V ; RD 3 k ; R1 150 k ; R2 50 k ;
kn 1,5 mA / V 2 şi VP 2 ,25 V .
Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii format din ecuaţia
dreptei de sarcină, ecuaţia dispozitivului în regim saturat şi ecuaţia liniei de
polarizare:
I D kn VGS VP 2 (2.4.2)
R2
VGS ED (2.4.3)
R1 R2
ED RD I D VDS (2.4.4)
Din relaţia (2.4.3) se obţine VGS :
50
VGS 15 3,75 V
150 50
Curentul de drenă se obţine din relaţia (2.4.2):
I D 1,5 10 3 3,75 2,252 3,375 mA
Din relaţia (2.4.4) se obţine tensiunea VDS :
VDS ED RD I D 15 3 103 3,375 103 4,875V
Pentru: VDS 4 ,875V ; VGS 3 ,75 V şi VP 2 ,25 V condiţia de
funcţionare în regim saturat: VDS VGS VP este satisfacută.
Aplicatia 2. În circuitul din fig. 2.4.1b) este utilizat un tranzistor MOS cu canal n
2
iniţial, care are kn 1 mA / V şi VP 4 V . Pentru E D 15 V ;
RD 1,5 k ; RS 1 k ; R1 130 k şi R2 20 k , să se determine
PSF şi să se verifice că tranzistorul funcţionează în regim saturat.
Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii:
ED RD RS I D VDS (2.4.5)
26
I D k n VGS VP 2 (2.4.6)
R2
VGS RS I D ED 0 (2.4.7)
R1 R2
VGS 10 3 10 3 VGS 4 2
20
15 0
130 20
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS 9VGS 14 0
cu soluţiile: VGS 2V şi VGS 7 V
Soluţia VGS 7 V nu convine pentru că este mai mică decât tensiunea de
prag VP .
I D şi V DS se calculează din relaţiile (2.4.6) şi respectiv (2.4.5), astfel:
I D 10 3 2 4 2 4 mA
VDS E D RD RS I D 15 1,5 1 10 3 4 10 3 5V
Pentru: V DS 5 V ; VGS 2V şi VP 4 V condiţia de funcţionare în
regim saturat: VDS VGS VP este satisfăcută.
27
Aplicatia 3. Să se determine PSF pentru un TEC–MOS cu canal n indus,
polarizat cu două surse de alimentare, ca în fig.2.4.2 şi să se verifice că acesta
funcţionează în zona de saturaţie.
Fig. 2.4.2.
Se dau:
ED ES 15V ; RD RS 1 k ; kn 1mA / V 2 ; VP 3V .
Rezolvare:
Pentru circuitul din fig. 2.4.2 aproximând I D I S , se poate scrie:
I D kn VGS VP 2 (2.4.8)
ED ES ( RD RS )I D VDS (2.4.9)
ES RS I D VGS (2.4.10)
Se înlocuieşte I D din relaţia (2.4.8) în relaţia (2.4.10) şi se obţine:
E S VGS
k n VGS VP 2 (2.4.11)
RS
Pentru: ES 15V ; RS 1 k ; k n 1mA / V ; VP 3V , se
2
obţine:
28
15 VGS
10 3 VGS 32
10 3
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS 5VGS 6 0
cu soluţiile: VGS 6V şi VGS 1V
Ţinând cont că VGS 0 şi VGS VP , avem: VGS 6V .
Din ecuaţia (2.4.11) avem:
E VGS 15 6
ID S 9 mA
RS 3
10
Din relaţia (2.4.9) rezultă:
VDS ED ES ( RD RS )I D
VDS 15 15 ( 1 1 )10 3 9 10 3 12V
S-a obţinut următorul PSF: VGS 6V ; VDS 12V ; I D 9mA.
Se verifică condiţia ca tranzistorul să funcţioneze în zona de saturaţie:
VDS VGS VP
Pentru VDS 12V , VGS 6V şi V P 3V , condiţia este satisfăcută.
29
Aplicatia 4. Fie circuitele din fig. 2.4.3 a) şi b), unde tranzistoarele MOS cu
canal n indus funcţionează în zona de saturaţie. Se consideră tranzistoarele
2
identice şi au VP 2V şi k n 1,5mA / V .
a) b)
Fig. 2.4.3
Rezolvare:
Pentru ambele circuite curentul de drenă în zona de saturaţie este dat de
relaţia (2.3.2), scrisă pentru valorile continue ale mărimilor în PSF.
I D k n VGS VP 2 pentru VDS VGS VP (2.4.12)
Dar: VGS 0; VGS VP ; deci, VGS VP 0
Din relaţia (2.4.12) se obţine succesiv:
ID
VGS VP
kn
ID
VGS VP (2.4.13)
kn
Rezolvare:
32
Pentru ca relaţiile de calcul atât pentru TEC cu canal n cât şi pentru TEC
cu canal p să aibă aceeaşi formă, la cele cu canal p se înlocuieşte VGS cu
V SG şi VDS cu V SD . În aceste condiţii, pentru TEC cu canal p, tensiunea de
prag V P are aceeaşi polaritate cu cea de la TEC cu canal n .
Rezultatele sunt prezentate în tabelul care urmează:
33
2.5.2. TEC-rezistenta variabila controlata in tensiune
Pentru ca tranzistorul în conducţie să funcţioneze ca rezistenţă variabilă
controlată în tensiune, trebuie să funcţioneze în zona liniară şi neliniară, cu
condiţia ca aceasta din urmă să poată fi liniarizată, adică să se poată neglija
2
termenul v DS din expresia analitică pentru regim nesaturat.
Pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat),pentru toate tipurile de TEC
avem:
i D k n 2vGS VP v DS v DS 2 , pentru v DS vGS VP
,(2.5.1)
2
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v DS
se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
i D 2k n vGS VP v DS (2.5.2)
Sau expresia rezistentei controlata in tensiune:
v DS 1
(2.5.3)
iD 2k n vGS V P
Se pot realiza circuite care să funcţioneze ca o rezistenţă variabilă
comandată în tensiune atât în zona liniară cât şi în întreaga zonă neliniară a
caracteristicilor statice de ieşire. Un astfel de circuit este cel din fig. 2.5.2
Să se arate că acest circuit din fig. se comportă ca o rezistenţă comandată în
tensiune de vG . Să se afle valoarea acestei rezistenţe şi să se determine
domeniul de variaţie al lui v DS , pentru vG având următoarele valori: 4,1; 4,5;
2
6; 8; 12 şi 14V. Se dă: k n 1 mA / V şi VP 2V .
34
Fig. 2.5.2.
Rezolvare:
Aplicând principiul superpoziţiei, se poate scrie expresia tensiunii vGS :
v v DS
vGS G (2.5.4)
2
Introducând relaţia (2.5.4) în relaţia (2.5.1) avem:
v v DS 2
i D k n 2 G VP v DS v DS (2.5.5)
2
După efectuarea calculelor, expresia (2.5.5) devine:
i D k n vG 2VP v DS ,
din care rezultă expresia rezistenţei comandate în tensiune de vG :
v 1
R DS (2.5.6)
iD k n ( vG 2VP )
În continuare se determină domeniul de variaţie pentru tensiunea v DS , punând
condiţiile ca tranzistorul să conducă şi să nu intre în zona de saturaţie:
vGS VP şi v DS vGS VP (2.5.7)
Înlocuind vGS dată de relaţia (2.5.4) în relaţiile (2.5.7), se obţine:
2VP vG vDS vG 2VP (2.5.8)
relaţie care stabileşte limitele domeniului de variaţie pentru tensiunea v DS .
Pentru datele numerice din enunţ, utilizând relaţiile (2.5.6) şi (2.5.8) şi
notând vDS min 2VP vG şi v DS max vG 2VP , se obţin rezultatele
din tabelul care urmează:
35
2.5.3. Stabilizator de curent
Acesta se bazeaza pe faptul ca in regim saturat curentul de drena este
aproximativ constant la variatia tensiunii drena-sursa.
Pentru stabilizatorul de curent din fig. 2.5.3 să se găsească valoarea rezistenţei
R funcţie de curentul de drenă I D şi parametrii tranzistorului VP şi I DSS .
Caz particular: I D I DSS / 2
Rezolvare:
Circuitul din fig. 2.5.3 este un stabilizator de curent, adică curentul de drenă
rămâne constant la variaţia tensiunii drenă–sursă când TEC–J funcţionează în
regiunea de saturaţie.
În regiunea de saturaţie:
2
VGS
I D I DSS 1 (2.5.9)
V P
Ţinând cont că, I S I D , pe circuitul de intrare se poate scrie:
VGS RI D (2.5.10)
Înlocuind VGS dat de relaţia (2.5.10) în relaţia lui I D (2.5.9) se obţine
succesiv:
36
2
RI
I D I DSS 1 D
VP
(2.5.11)
Pentru calculul lui I D se porneşte de la relaţia (2.5.11), care devine succesiv:
ID RI D
1
I DSS VP
Dar, RI D VP ; ţinând cont că V P 0 , rezultă RI D VP ; sau
RI
RI D VP 0 ; adică: 1 D 0
VP
Deci:
ID RI D
1
I DSS VP
Sau:
ID
RI D VP 1
I DSS
Adică:
VP ID
R 1
ID I DSS
I
Pentru I D DSS se obţine:
2
2V P 1
R 1
I DSS 2
37
2.5.4. Inversorul MOS
a)
b)
Fig. 2.5.5. Circuitul inversor MOS
a) schema electrică; b) caracteristica de transfer
38
Se consideră circuitul realizat cu tranzistoare TEC–MOS cu canal n indus din
fig. 2.5.5a).
Se dau: ED 15V ; VP1 VP2 2V ; k n1 / k n2 100.
Să se determine tensiunea de ieşire v0 pentru următoarele valori ale
tensiunii de intrare: a) Vi 1V ; b) Vi 2 ,5 V ; c) Vi 5 V .
Rezolvare
a) Cu notaţiile din fig.2.5.5.a), pentru tranzistorul T2 se poate scrie:
vGS2 v DS2 , adică v DS 2 vGS 2 VP2 ; VP2 0 unde VP2 este tensiunea de
prag pentru T2 . Din această relaţie rezultă că T2 funcţionează în saturaţie,
oricare ar fi starea în care se află T1 .
Pentru vi Vi 1V şi V P1 2 V , rezultă: vi VP1 , tranzistorul T1
este blocat. Curentul prin T1 şi T2 este nul şi tensiunea v0 este v0 ED VP2
( v0 ED vGS 2 , iar vGS 2 VP2 pentru că prin T2 curentul este zero). Deci,
v0 V0 13V .
b) Pentru vi Vi 2,5V şi V P1 2 V , rezultă: vi VP şi dacă
1
v0 vi VP1 2 ,5 2 0 ,5V , tranzistorul T1 lucrează în zona de saturaţie
şi ţinând cont că prin T1 şi T2 circulă acelaşi curent, se poate scrie:
k n1 vi VP1 2 k n2 vGS 2 VP2 2 .
Dar: vGS 2 v DS 2 E D v0 şi notând k n1 k n2 , se obţine:
v0 vi VP1 E D VP2 (2.5.12)
Pentru 100; vi Vi 2,5V ; ED 15V ; VP1 VP2 2V se
obţine v0 V0 8 V . Pentru această valoare, condiţia ca tranzistorul T1 să
funcţioneze în regim saturat este satisfăcută.
39
k n1
k n2
2 vi VP1 v0 v02 E D v0 VP2 2 (2.5.13)
40
2.5.5. Porti logice bazate pe inversorul MOS
Pornind de la inversorul MOS se poate genera o intreaga familie de
circuite logice. In figura 2.5.8 este aratat modul de realizare pentru poarta SI-NU
(NAND), respectiv poarta SAU-NU (NOR).
41
2.5.6. Inversorul CMOS
Inversorul CMOS conţine două tranzistoare MOS, unul cu canal n şi
celălalt cu canal p, realizate pe acelaşi suport semiconductor, aşa cum se vede în
fig. 2.5.9a). Această construcţie se numeşte simetrie complementară MOS şi este
denumită prescurtat CMOS.
a)
b)
Fig. 2.5.9. Inversorul CMOS
a) structură; b) schema electrică
Cele două tranzistoare sunt conectate ca inversor, adică cele două drene şi
cele două grile sunt conectate între ele, aşa cum se vede în fig.2.5.9.b). În
42
tehnica CMOS se utilizează şi alte conexiuni, în funcţie de aplicaţie. Ambele
tranzistoare sunt cu canal indus şi sunt proiectate astfel încât constanta k să fie
aceeaşi pentru amândouă ( k n k p ).
Exemplu: Fie circuitul din fig. 2.5.9b) realizat cu două tranzistoare MOS cu
canal indus complementare ( T1 cu canal n şi T2 cu canal p ), care au
V P1 V P 2 şi k n k p .
Pentru ES 10 V , să se găsească valoarea tensiunii de intrare, care trebuie
aplicată circuitului pentru ca ambele tranzistoare să fie în regim saturat.
Rezolvare:
Având în vedere că tranzistoarele T1 şi T2 sunt în regim saturat şi sunt
parcurse de acelaşi curent de drenă, se poate scrie:
k n vGS1 VP1 2 k p vSG2 VP2 2 (2.5.14)
Ţinând cont că k n k p şi că tensiunile vGS 1 , respectiv vSG2 sunt
mai mari decât tensiunile de prag V P1 , respectiv VP 2 (tranzistoarele
funcţionează în regim saturat), relaţia (2.5.14) devine:
vGS1 VP1 vSG2 VP2
Cum: V P1 V P 2 rezultă vGS 1 v SG 2
Deci vi ES / 2 10 / 2 5V
Caracteristica intrare-ieşire a inversorului CMOS este arătată în fig.2.5.10, unde
V P1 VP
şi 2 sunt tensiunile de prag ale tranzistoarelor T1 respectiv T2 , iar E S
k k p VP VP
este tensiunea de alimentare. Se consideră n şi 1 2.
44
Poarta SAU-NU are tranzistoarele nMOS legate in paralel, fiind folosit
cate unul pentru fiecare intrare a portii, iar tranzistoarele pMOS legate in serie.
La poarta SI-NU conexiunile sunt inversate, tranzistoarele nMOS sunt
legate in serie, cate unul pentru fiecare intrare a portii, iar cele pMOS sunt
conectate in paralel.
Modul de functionare:
Poarta SAU-NU: Daca cel putin unul dintre tranzistoarele nMOS au
aplicat semnal logic 1(unu), atunci acel tranzistor conduce si la iesire se obtine
semnal logic 0(zero). Daca la toate intrarile se aplica semnal logic 0(zero),
atunci toate tranzistoarele nMOS se blocheaza si la iesire se obtine semnal logic
1(unu).
Poarta SI-NU: Daca la toate tranzistoarele nMOS li se aplica semnal
logic 1(unu), atunci toate conduc si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Este
suficient ca cel putin unuia sa i se aplice semnal logic 0(zero), tranzistorul
respectiv se blocheaza si la iesire se obtine semnal logic 1(unu).
In general aceste porti sunt folosite ca porti logice, fiind baza seriilor de
circuite logice larg utilizate in prezent.
45
Substratul TEC-MOS canal n se conecteaza la cel mai negativ potential
(in figura masa), iar cel al tranzistorului cu canal p la cel mai pozitiv
potential(+VDD).
Daca se aplica CL=0, ambele tranzistoare sunt blocate si se realizeaza o
rezistenta ROFF foarte mare (109ohmi).
Daca se aplica CL=1, ambele tranzistoare conduc si se realizeaza o
rezistenta RON foarte mica (102ohmi).
Folosind doua tranzistoare complementare poarta de transmisie CMOS
este bidirectionala, putand conduce current in ambele sensuri, adica intrarea si
iesirea sunt interschimbabile, functionand ca un contact comutator.
Poarta de transmisie CMOS poate transmite atat semnale logice cat si
analogice pozitive. Pentru semnale analogice bipolare, exista porti de transmisie
care au substratul p conectat la potential mai negativ decat amplitudinea
alternantei negative a semnalului bipolar.
PROBLEMĂ OPȚIONALĂ:
Comutatorului bidirecţional CMOS din fig. P 3.13, realizat cu două TEC-
MOS cu canal indus, unul de tip n şi celălalt de tip p, conectate în paralel, i se
aplică la intrare semnal sinusoidal cu amplitudinea maximă de 5V (
vi max 5 V vi min 5 V
; ).
Fig. P 3.13
46
Să se traseze graficul semnalului de comandă ştiind că pe sarcina R 1 k se
5
3 , 3
obţine semnalul sinusoidal din intervalul din fiecare perioadă, iar
rezistenţa dispozitivului este RTEC 100 .
k n k p k 1 mA / V 2 VP1 VP 2 2 V
Se dau: şi .
Rezolvare
k k p k VP1 VP 2 VP
Pentru n şi rezistenţa comutatorului CMOS este
dată de relaţia:
1
RTEC
4 k VN VP (3.13.1)
Din relaţia (3.13.1) se obţine:
1 1
VN VP 2 4 ,5 V
4 k RTEC 3
4 10 100 (3.13.2)
Din condiţia ca fiecare dintre tranzistoare să funcţioneze în regim nesaturat se
obţine pentru semnalul de comandă N :
V
— pentru tranzistorul cu canal n:
VN vi max VP 5 2 7 V
(3.13.3)
— pentru tranzistorul cu canal p:
VN vi min VP 5 2 7 V
(3.13.4)
Din condiţia ca fiecare tranzistor să fie blocat, se obţine pentru ( - VF ):
— pentru tranzistorul cu canal n:
VF vi min VP 5 2 3V
(3.13.5)
— pentru tranzistorul cu canal p:
VF vi max VP 5 2 3V
(3.13.6)
V
Pentru N se alege valoarea maximă obţinută din relaţiile (3.13.2); (3.13.3);
(3.13.4), iar pentru ( - VF ) valoarea minimă obţinută din relaţiile (3.13.5) şi
(3.13.6).
Înlocuind TEC în conducţie cu RTEC avem:
47
R 1000
v0 vi 0 ,9 vi
RTEC R 100 1000
v0 max 0 ,9 5 4 ,5 V
v0 min 0 ,9 5 4 ,5 V
Graficul semnalului de comandă, împreună cu semnalele de intrare şi de ieşire
v
sunt prezentate în fig. P 3.13 a). Semnalul de comandă com a fost desenat
v
pentru TEC cu canal n, pentru TEC cu canal p aceasta este (– com ).
Fig. P.3.13 a)
48
2.6. Etaje de amplificare cu TEC
id g mv gs g d vds , (2.6.2)
unde: g m este panta tranzistorului la frecvenţe joase şi medii, g d este
transconductanţa, iar rd 1 / g d este rezistenţa diferenţială a canalului.
Relaţia (2.6.2) conduce la circuitul echivalent la frecvenţe joase şi medii
din fig.2.6.1, unde notaţiile au fost făcute atât în timp cât şi în frecvenţă.
Notaţiile în frecvenţă sunt cele cu litere mari şi subliniate.
49
Fig. 2.6.1.Circuitul echivalent de semnal mic
51
variaţie a curentului de drenă de 10 A corespunde o variaţie a tensiunii v DS
de 1V.
Rezolvare:
Pentru oricare dintre tranzistoarele cu efect de câmp, caracteristica de
transfer în zona de saturaţie nu depinde practic de tensiunea drenă–sursă. De
aceea, în enunţ nu se specifică VDS cons tan t . De fapt, tensiunea VDS are
valoarea din PSF.
Panta g m se calculează cu relaţia:
iD
gm
vGS V ct .
DS
Rezolvare:
Pentru TEC–MOS cu canal n indus
iD kn vGS VP 2
52
iD
gm v DS ct 2k n ( vGS VP )
vGS
Aproximând vGS VGS , valoarea tensiunii continue din PSF, avem:
g m 2kn ( VGS VP ) (2.6.6)
2
Pentru k n 1,5 mA / V , VGS 4V şi V P 2V , rezultă:
g m 2 1,5 10 3 ( 4 2 ) 6
mA
V
Pentru TEC–J şi TEC–MOS cu canal n iniţial calculul se poate face în
două moduri:
— primul utilizând relaţia (2.6.6):
g m 2 1,5 10 3 ( 2 4 ) 6
mA
V
— al doilea, pornind de la ecuaţia dispozitivului în regiunea de saturaţie dată de
relaţia :
2
vGS
i D I DSS 1 , unde I DSS k nVP2
VP
i D 2I V
gm v DSct DSS (1 GS )
v GS VP VP
unde s-a aproximat vGS VGS (tensiunea în PSF).
Pentru
k n 1,5 mA / V 2 şi VP 4 V ; I DSS k nVP2 1,5 10 3 16 24 mA
3
rezultă g m0 2 I DSS / VP 2 24 10 / 4 12 mA / V
Înlocuind în relaţia (2.6.7), ţinând cont că VGS 2V în PSF, se obţine:
2 mA
g m 12( 1 ) 6
4 V
Caracteristici de frecvenţă
Pentru o funcţie de transfer caracteristicile de frecvenţă sunt: modulul
A dB şi faza funcţie de frecvenţă la scară logaritmică. Un zerou al
funcţiei de transfer creşte panta caracteristicii de frecvenţă cu 20dB / dec (
6dB/oct), iar un pol scade panta cu 20dB / dec (-6dB/oct).
La egal cu valoarea zeroului caracteristica asimptotică porneşte din
zero, iar în caracteristica reală valoarea este ( 3dB ). La egal cu valoarea
53
polului caracteristica asimptotică porneşte din zero, iar în caracteristica reală
valoarea este ( 3dB ).
Pentru un zerou dublu panta este de ( 40dB / dec ), iar pentru un pol
dublu panta este ( 40dB / dec ). Deci, pentru un zero/pol multiplu panta
zeroului/polului simplu se îmulţeşte cu ordinul de multiplicitate.
Obs: Pe axa frecvenţelor, pulsaţia (frecvenţa) se ia în modul.
54
Fig. 2.6.3. Caracteristica de frecventa tipica
55
Aplicatia 3: Se consideră etajul de amplificare sursă comună cu TEC-J cu canal
n din fig.2.6.4. Tranzistorul are tensiunea de prag VP 3V , curentul
I DSS 9 mA şi rezistenţa rd 200 k .
Rezolvare:
Calculul amplificarii de tensiune
Pentru frecvenţe medii schema electrică echivalentă de curent alternativ
este arătată în fig. 2.6.5, iar circuitul electric echivalent de semnal mic în fig.
2.6.6.
56
Fig. 2.6.5. Circuitul echivalent de c.a.
Calculul pantei g m :
Circuitul echivalent de c.c. este prezentat in figura 2.6.7.
59
Aplicatia 4: Fie etajul de amplificare SC cu TEC-MOS din fig. 2.6.8.
Rezolvare:
a) Circuitul echivalent de curent continuu este cel din fig. 2.6.8, din care
lipseşte generatorul de semnal V g şi rezistenţa sa internă rg pentru că sunt
separate în curent continuu de condensatorul CG .
Cu notaţiile din fig. 2.6.8, unde în PSF se adaugă mărimilor indicele A, se
poate scrie:
R2 50
VGS A ED 12 4V
R1 R2 150
I DA k n VGS A VP 2 1 4 22 4mA
Dreapta de sarcină:
RL I D VDS E D
VDS A E D RL I DA 12 2 10 3 4 10 3 4V .
60
P.S.F. VDS A ; I DA ;VGS A 4V ;4mA;4V .
Se verifică dacă tranzistorul funcţionează în saturaţie:
VDS VGS A VP 4 2 2V VDS A 4V .
b) Circuitul echivalent de curent alternativ este cel din fig.2.6.8, în care
condensatorul CG şi sursa E D sunt scurtciruite. Pe acest circuit, rezistenţele R1
şi R2 sunt în paralel şi au rezistenţa echivalentă :
R R 50 100
R R1 || R2 1 2 33k .
R1 R2 150
Pe circuitul echivalent de semnal mic prezentat în fig.2.6.9 , se poate
scrie:
R
Vi V g . Cum R rg , rezultă Vi V g .
R rg
Panta tranzistorului este dată de relaţia:
g m 2k n VGS A V P 2 1 4 2
mA
V
4
mA
V
Ţinând cont că în saturaţie curentul de drenă este aproximativ constant:
rd RL şi rd se negjijează. În aceste condiţii, amplificarea în tensiune este:
Av g m RL 4 10 3 2 10 3 8 .
61
i D ( t ) I DA id ( t )
id g m V g
i D I DA g m V g 4 0 ,4 sint mA
Se constată că amplitudinea semnalelor alternative sunt mici faţă de
componentele continue din P.S.F.
62