Material e Electro Teh Nice New

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.
net/publication/274719511
Materiale pentru electronică şi electrotehnică
Book · January 2006

DOI: 10.13140/RG.2.1.4944.0169/1
CITATION READS
1 9,824
1 author:
Constantin Stanescu
University of Pitesti
42 PUBLICATIONS 28 CITATIONS
SEE PROFILE
Some of the authors of this publication are also working on these related projects:
SciFUN: Making Learning Science FUN View project
Science as a Tool for Life: Conceptual Change [CONS-CIENCE] View project
All content following this page was uploaded by Constantin Stanescu on 15 July 2016.
The user has requested enhancement of the downloaded file.

Cuprins
1. INTRODUCERE ..................................................................................................................... 4
1.1. SCURTĂ PERSPECTIVĂ ISTORICĂ ....................................................................................... 4
1.2. RELAŢIA DINTRE STRUCTURĂ, PROPRIETĂŢI, PRELUCRARE............................................... 5
1.3. PRINCIPALELE CATEGORII DE MATERIALE ......................................................................... 7
1.4. PROPRIETĂŢILE MATERIALELOR ....................................................................................... 9
2. STRUCTURA ATOMICĂ ŞI MOLECULARĂ A SUBSTANŢELOR ............................ 13
2.1. STRUCTURA ATOMILOR .................................................................................................. 13
2.2. FORŢE ŞI ENERGII DE LEGĂTURĂ ..................................................................................... 16
2.3. LEGĂTURA IONICĂ .......................................................................................................... 18
2.4. LEGĂTURA COVALENTĂ.................................................................................................. 21
2.5. LEGĂTURA METALICĂ..................................................................................................... 23
2.6. LEGĂTURA VAN DER WAALS.......................................................................................... 25
3. STRUCTURA CRISTALINĂ .............................................................................................. 27
3.1. INTRODUCERE ................................................................................................................. 27
3.2. REŢELE CRISTALINE ........................................................................................................ 28
3.3. PUNCTE, DIRECŢII ŞI PLANE ÎN REŢEA ............................................................................. 30
3.4. REŢEAUA RECIPROCĂ (INVERSĂ) .................................................................................... 31
3.5. REŢELE BRAVAIS ............................................................................................................ 34
3.6. STRUCTURI CRISTALINE REALE ....................................................................................... 35
4. DEFECTE ŞI VIBRAŢII ÎN SOLIDE ................................................................................ 46
4.1. TIPURI DE DEFECTE ......................................................................................................... 46
4.2. DEFECTE PUNCTIFORME .................................................................................................. 46
4.3. DEFECTE LINIARE; DISLOCAŢII........................................................................................ 50
4.3.1. Exemple de dislocaţii ................................................................................................ 52
4.3.2. Multiplicarea dislocaţiilor ........................................................................................ 55
4.4. DEFECTE PLANARE (BIDIMENSIONALE) ........................................................................... 56
4.5. DEFECTE DE VOLUM ....................................................................................................... 57
4.6. VIBRAŢIILE REŢELEI CRISTALINE .................................................................................... 57
4.6.1. Vibraţiile reţelei monoatomice unidimensionale ...................................................... 57
4.6.2. Vibraţiile reţelei unidimensionale biatomice ........................................................... 60
4.6.3. Vibraţiile reţelei tridimensionale ............................................................................. 62
4.6.4. Cuantificarea vibraţiilor reţelei; fononi .................................................................... 63
5. DIFUZIA ................................................................................................................................ 66
5.1. CONSIDERAŢII GENERALE ............................................................................................... 66
5.1.1. Mecanisme de difuzie ................................................................................................ 66
5.1.2. Densitatea fluxului de difuzie .................................................................................... 67
5.2. TIPURI DE DIFUZIE .......................................................................................................... 67
5.2.1. Difuzia staţionară...................................................................................................... 67
5.2.2. Difuzia nestaţionară; a doua lege a lui Fick ............................................................. 67
5.2.3. Factori care influenţează difuzia .............................................................................. 68
6. PROPRIETĂŢI MECANICE ALE MATERIALELOR ................................................... 69
6.1. DEFORMAREA MATERIALELOR ....................................................................................... 69
Constantin Stănescu – Materiale pentru electronică şi electrotehnică
6.2. MECANISME DE DEFORMARE PLASTICĂ .......................................................................... 74

6.3. RUPEREA MATERIALELOR ............................................................................................... 79
6.4. FLUAJUL MATERIALELOR ................................................................................................ 81
6.5. PROPRIETĂŢI MECANICE ALE MATERIALELOR ELECTRONICE ŞI ELECTROTEHNICE .......... 82
7. DIAGRAME DE FAZĂ ........................................................................................................ 84
7.1. DEFINIŢII ........................................................................................................................ 84
7.2. LEGEA FAZELOR (GIBBS) ................................................................................................ 84
7.3. TRANSFORMĂRI DE FAZĂ ................................................................................................ 85
7.4. DIAGRAME DE FAZĂ; LEGEA PÂRGHIEI............................................................................ 86
8. METALE ................................................................................................................................ 92
8.1. CONSIDERAŢII GENERALE ............................................................................................... 92
8.2. ALIAJE ............................................................................................................................ 94
8.3. PRELUCRAREA METALELOR ............................................................................................ 96
8.4. CONDUCTIVITATEA TERMICĂ ŞI ELECTRICĂ A METALELOR............................................. 98
8.5. COROZIUNEA METALELOR .............................................................................................. 99
8.6. MINEREURI METALICE .................................................................................................. 101
8.7. TRANSFORMĂRI DE FAZĂ ÎN METALE ............................................................................ 102
9. MATERIALE CERAMICE ............................................................................................... 103
9.1. CONSIDERAŢII GENERALE ............................................................................................. 103
9.2. FORMAREA ŞI PROCESAREA MATERIALELOR CERAMICE................................................ 106
9.3. APLICAŢII ALE MATERIALELOR CERAMICE .................................................................... 107
10. POLIMERI...................................................................................................................... 110
10.1. NOŢIUNI GENERALE ...................................................................................................... 110
10.2. POLIMERIZAREA ........................................................................................................... 118
10.3. CARACTERISTICILE ŞI PROCESAREA POLIMERILOR ........................................................ 119
11. FENOMENE TERMICE ÎN SOLIDE .......................................................................... 125
11.1. CĂLDURA SPECIFICĂ A SOLIDELOR ............................................................................... 125
11.2. DILATAREA TERMICĂ A SOLIDELOR .............................................................................. 129
11.3. CONDUCTIBILITATEA TERMICĂ A SOLIDELOR ............................................................... 130
11.4. PROPRIETĂŢI TERMICE ALE MATERIALELOR ELECTROTEHNICE ..................................... 134
12. PROPRIETĂŢI ELECTRICE ALE MATERIALELOR ........................................... 136
12.1. BENZI ENERGETICE ÎN SOLIDE; TIPURI DE SOLIDE .......................................................... 136
12.2. CONCENTRAŢIA DE PURTĂTORI ÎN METALE ................................................................... 139
12.3. CONDUCŢIA ELECTRICĂ LA METALE ............................................................................. 142
12.4. CONCENTRAŢIA DE PURTĂTORI ÎN SEMICONDUCTORI ................................................... 144
12.4.1. Semiconductori intrinseci ................................................................................... 144
12.4.2. Semiconductori extrinseci .................................................................................. 147
12.5. CONDUCŢIA ELECTRICĂ LA SEMICONDUCTORI.............................................................. 151
12.6. CURENŢI DE DIFUZIE ÎN SEMICONDUCTORI.................................................................... 152
12.7. MATERIALE DIELECTRICE ............................................................................................. 155
12.7.1. Noţiuni generale ................................................................................................. 155
12.7.2. Piroelectricitatea ................................................................................................ 157
12.7.3. Piezoelectricitatea .............................................................................................. 158
12.7.4. Feroelectricitatea ............................................................................................... 159
12.7.5. Electreţi .............................................................................................................. 160
12.8. PROPRIETĂŢI ELECTRICE ALE MATERIALELOR .............................................................. 161
12.8.1. Proprietăţi electrice ale dielectricilor ................................................................ 161
2
12.8.2. Tipuri de materiale dielectrice; aplicaţii ............................................................ 167

12.8.3. Materiale conductoare; aplicaţii ........................................................................ 176
13. PROPRIETĂŢI MAGNETICE ALE MATERIALELOR ......................................... 179
13.1. NOŢIUNI GENERALE ...................................................................................................... 179
13.2. DIAMAGNETISMUL ........................................................................................................ 180
13.3. PARAMAGNETISMUL ..................................................................................................... 182
13.4. FEROMAGNETISMUL ..................................................................................................... 187
13.5. ANTIFEROMAGNETISMUL ŞI FERIMAGNETISMUL ........................................................... 193
13.6. PROPRIETĂŢI MAGNETICE ALE MATERIALELOR ELECTRONICE ŞI ELECTROTEHNICE ...... 195
13.7. SUBSTANŢE ŞI MATERIALE MAGNETICE ........................................................................ 196
14. ALTE MATERIALE ...................................................................................................... 203
14.1. MATERIALE COMPOZITE ............................................................................................... 203
14.1.1. Materiale compozite ranforsate cu particule ..................................................... 203
14.1.2. Materiale compozite ranforsate cu fibre ............................................................ 204
14.1.3. Materiale compozite structurale ......................................................................... 205
14.2. CRISTALE LICHIDE ........................................................................................................ 205
14.2.1. Natura chimică a cristalelor lichide ................................................................... 207
14.2.2. Aplicaţii industriale ale cristalelor lichide ......................................................... 209
14.3. MATERIALE SUPRACONDUCTOARE ............................................................................... 212
14.3.1. Noţiuni generale ................................................................................................. 212
14.3.2. Ecuaţia London .................................................................................................. 214
14.3.3. Aplicaţii ale supraconductibilităţii ..................................................................... 217
BIBLIOGRAFIE ........................................................................................................................... 222
3
1. Introducere
Cunoaşterea proprietăţilor materialelor electronice şi electrotehnice
reprezintă o necesitate fundamentală pentru utilizarea corectă a acestora, deoarece
introducerea într-un dispozitiv a unui material cu proprietăţi necorespunzătoare
poate avea consecinţe nedorite atât asupra duratei de viaţă a dispozitivului însuşi,
cât şi asupra instalaţiilor electrice aferente.
Domeniile de utilizare a materialelor electronice şi electrotehnice sunt
foarte numeroase, iar solicitările la care acestea sunt supuse foarte diferite (atât ca
natură cât şi ca intensitate). Ca atare, nu se poate face o împărţire strictă a
proprietăţilor materialelor în „principale” şi „secundare”, impunându-se o
cunoaştere completă a tuturor proprietăţilor materialelor.
1.1. Scurtă perspectivă istorică
Începuturile ştiinţei materialelor datează din vremurile când oamenii au început
să confecţioneze unelte din piatră. Epoca pietrei a început aproximativ acum două
milioane de ani. Iniţial s-au folosit materiale naturale: piatră, lemn, argilă, piele etc.
Epoca pietrei a luat sfârşit acum aproximativ 5000 de ani, odată cu începutul
Epocii Bronzului în Orientul Îndepărtat. Bronzul este un aliaj de cupru + maxim
25% staniu + alte elemente. El poate fi modelat prin batere cu ciocanul sau turnat
într-o varietate de forme, poate fi durificat prin aliere şi se corodează foarte lent
după ce la suprafaţă se formează un strat subţire de oxid.
Epoca Fierului a început acum aproximativ 3000 ani şi continuă şi în prezent.
Utilizarea fierului şi apoi a oţelului, un material mai rezistent şi mai ieftin, a
modificat drastic viaţa de zi cu zi a oamenilor. Fierul a fost descoperit (probabil
întâmplător) de hitiţi, un popor care trăia în zona Turciei actuale, în jurul anului
1400 î.Hr. Ei au păstrat secretul fabricării fierului aproape 200 de ani.
Pe parcursul Epocii Fierului au fost introduse numeroase noi tipuri de materiale
(materiale ceramice, semiconductori, polimeri, materiale compozite). Astfel, a
început epoca materialelor avansate, în special din secolul al XIX-lea.
Dezvoltarea ştiinţei materialelor este marcată de câteva etape importante. Prima
dintre acestea este descoperirea microstructurii materialelor, odată cu dezvoltarea
tehnicii de decapare a stratului superficial al metalelor de către Henry Sorby
(Anglia, 1864). Acesta, examinând suprafeţele decapate cu un microscop optic (în
lumină reflectată), a observat că materialul apărea a fi constituit din mici granule
cristaline, diferitele granule având o strălucire diferită în lumina reflectată, ceea ce
evidenţiază că metalele sunt alcătuite din numeroase mici cristale orientate în
diferite direcţii şi grupate împreună. Imediat au început cercetări în scopul găsirii
modalităţilor de a altera microstructura (mărimea şi forma granulelor) prin diferite
tratamente termice şi tehnici de prelucrare şi pentru a determina modul în care
proprietăţile metalelor depind de microstructură.
A urmat descoperirea difracţiei radiaţiilor X pe cristale, observată în 1914. În
1915, Bragg a dezvoltat teoria difracţiei radiaţiilor X pe cristale, ceea ce a permis
determinarea modului de aranjare a atomilor în cristale (structura cristalină)
4
Difracţia este o metodă intens utilizată în prezent pentru a determina structura

atomică a materialelor folosind raze X, fascicule de electroni, de neutroni, sau de
alte microparticule.
În acelaşi timp, a avut loc dezvoltarea microscopiei electronice, care permite
măriri ale imaginilor de 100.000 ÷ 10.000.000 de ori (faţă de microscopia optică,
ce permite măriri de numai 500 ÷ 1000 de ori), prin utilizarea unui fascicul de
electroni în loc de un fascicul de lumină.
Microscopul electronic permite determinarea modului în care prelucrarea
influenţează structura materialelor la diferite scări dimensionale, fiind astfel un
instrument foarte eficient în investigarea relaţiilor dintre prelucrarea, structura şi
proprietăţile materialelor.
În prezent, realizările tehnologice datorate noilor materiale sunt foarte
numeroase şi se regăsesc în diferite dispozitive magnetice, fibre optice, materiale
cu memoria formei, superaliaje metalice, supraconductori, materiale compozite,
biomateriale, semiconductori etc.
Importanţa ştiinţei şi ingineriei materialelor derivă din faptul că o mare
parte din ceea ce se poate face în prezent este limitat tehnologic de materialele
disponibile, iar progresele tehnologice viitoare depind de dezvoltarea unor
materiale noi sau perfecţionate.
1.2. Relaţia dintre structură, proprietăţi, prelucrare
Înţelegerea relaţiei dintre structura, proprietăţile, prelucrarea şi performanţele
materialelor este o problemă esenţială a ingineriei moderne.
rezistenţă/densitate (106 Pam3/kg)
fibre de
2 carbon
materiale
1 compozite
oţel
lemn, bronz fier
piatră
0
1800 1900 2000
O înţelegere mai bună a relaţiei structură-compoziţie-proprietăţi a dus la un

remarcabil progres în privinţa proprietăţilor materialelor. De exemplu, s-a realizat
un progres evident în raportul rezistenţă-densitate a materialelor, ceea ce a avut ca
5
rezultat o largă varietate de noi produse, aşa cum se poate vedea din graficul de mai
sus.
Ştiinţa materialelor investighează relaţia dintre prelucrarea, structura,
proprietăţile şi performanţa materialelor.
Structura materialelor poate fi analizată la diferite niveluri dimensionale:

 nivelul subatomic – structura electronică a atomilor individuali este cea
care defineşte interacţiunea dintre atomi (interacţiunea interatomică).
 nivelul atomic – aranjarea atomilor în materiale poate fi diferită, rezultând
proprietăţi diferite (aceeaşi atomi pot avea diferite proprietăţi, de exemplu
cele două forme – stări alotropice – ale carbonului: grafit şi diamant)
 structura microscopică – aranjarea micilor granule (cristalite) de material,
care pot fi identificate prin microscopie.
 structura macroscopică – cuprinde elemente structurale care pot fi văzute
cu ochiul liber.
Prelucrarea materialelor constă în supunerea acestora la căldură (tratament
termic), forţe mecanice etc. pentru a le afecta microstructura şi, în acest fel,
proprietăţile.
Proprietăţile exprimă modul în care materialul răspunde mediului şi
acţiunilor externe. Astfel, deosebim:
 proprietăţi mecanice, care descriu răspunsul la forţe mecanice, rezistenţă
etc.
 proprietăţi electrice şi magnetice, care descriu răspunsul la câmpuri
electrice şi magnetice, conductivitate etc.
 proprietăţi termice sunt legate de transmiterea căldurii şi capacitatea
calorică.
 proprietăţi optice, care descriu absorbţia, transmisia şi dispersia luminii.
 stabilitatea chimică în contact cu mediul descrie rezistenţa la coroziune.
Materialele se pot clasifica după modul în care atomii sunt legaţi unul cu altul:
 metale: electronii de valenţă nu aparţin unor atomi anume şi sunt dispersaţi
într-o „ mare electronică” ce „leagă” ionii împreună. Sunt rigide, ductile,
conduc curentul electric şi căldura, sunt lucioase dacă sunt şlefuite.
 semiconductori: legătura este covalentă (electronii sunt puşi în comun între
atomi). Proprietăţile electrice depind puternic de proporţia impurităţilor.
Exemple: Si, Ge, GaAs.
6
 materiale ceramice: atomii se comportă ca ioni pozitivi sau negativi şi sunt

legaţi prin forţe electrostatice. Aceste materiale sunt de obicei combinaţii de
metale sau semiconductori cu oxigen, azot sau carbon (oxizi, nitruri, şi
carburi). Sunt dure, friabile (casante), izolatori electrici. Exemple: sticla,
porţelanul.
 polimeri: atomii (de obicei C şi H) sunt legaţi prin forţe covalente şi forţe
Van der Waals. Se descompun la temperaturi moderate (100 – 400 C) şi
sunt uşoare. Exemple: materiale plastice, cauciuc.
 Materiale compozite
Materialele prezintă structuri cristaline diferite, rezultând astfel proprietăţi
diferite.
1.3. Principalele categorii de materiale
Aşa cum s-a arătat mai sus, sunt cinci principale categorii de materiale, unele
dintre acestea putând fi împărţite în subcategorii. Într-o oarecare măsură, aceste
clase se suprapun, în sensul că unele materiale ar putea face parte din mai mult de o
singură categorie.
I. METALE
Metalele sunt materiale solide constituite din elemente electropozitive
(grupele I, II şi III, metalele tranziţionale, elementele din partea de jos a grupelor
IV, V, pământurile rare şi actinidele), singure sau în combinaţie, în proporţii
continuu variabile. Astfel, se deosebesc:
 elemente metalice pure (de exemplu, Fe)
 aliaje şi superaliaje (Cu + Sn = bronz, Cu + Zn = alamă, Fe + C = oţel,
Pb+Sn = cositor, nitinol)
 unii compuşi intermetalici (de exemplu Ni3Al); alţii, ca MoSi2, se
aseamănă în multe privinţe cu materialele ceramice
Trăsături caracteristice: au atomii aranjaţi într-o structură regulată periodică
(cristal), sunt relativ dure, au densitate mare, sunt maleabile sau ductile (au o
plasticitate ridicată), sunt rezistente la rupere, sunt excelenţi conductori de
electricitate şi căldură, sunt opace la lumina vizibilă, au aspect lucios.
Aplicaţii: cabluri electrice, structuri în construcţii: clădiri, poduri etc., automobile,
avioane, trenuri, maşini unelte, materiale cu memoria formei, magneţi, catalizatori.
Limitele performanţelor sunt determinate de oxidare, coroziune (acţiunea acizilor şi
bazelor), temperatura de topire, scăderea rezistenţei la creşterea temperaturii şi, ca
urmare, temperaturile tipice de utilizare sunt cele sub 1000C.
II. MATERIALE CERAMICE
Materialele ceramice sunt elemente anorganice, nemetalice, sau compuşi ai
elementelor electropozitive cu oxigenul (oxizi: Al2O3, ZrO2), carbonul (carburi:
SiC, WC), azotul (nitruri: Si3N4, BN), halogenii (halogenuri: LiF, KBr), sulful
(sulfuri: FeS2). Se deosebesc:
 materiale ceramice de structură (folosite în structuri de rezistenţă în
construcţii)
 materiale refractare (rezistente la coroziune, izolatori)
7
 porţelan
 sticlă
 materiale ceramice electrice (condensatoare, izolatoare, traductoare etc.)
 materiale ceramice combinate chimic (de exemplu, ciment sau beton)
Trăsături caracteristice: majoritatea au o aranjare regulată a atomilor (excepţie
face sticla), sunt compuse dintr-un amestec de atomi metalici şi nemetalici, au o
densitate mai mică decât a majorităţii metalelor, sunt mai dure decât metalele, dar
au o rezistenţă redusă la rupere (sfărâmare), ceea ce le face casante, au ductilitate
sau maleabilitate reduse, deci plasticitate scăzută, au un punct de topire ridicat, sunt
izolatori electrici şi termici, monocristalele sunt transparente.
Aplicaţii: izolatoare electrice şi termice, materiale abrazive, materiale de acoperire
de protecţie, fibre optice (sticlă), materiale rezistente la coroziune, materiale
biocompatibile.
Exemple:
 Oxizi simpli (SiO2, Al2O3, Fe 2O3, MgO etc.)
 Oxizi metalici micşti (SrTiO3, MgAl2O4, YBa2Cu3O7-x etc.)
 Azoturi (Si3N4, SnN, AlN, GaN, BN)
 Carburi (SiC, WC, TiC)
Materialele ceramice sunt rezistente la coroziune, chiar la temperaturi mari.
Domeniul de temperaturi de utilizare este de obicei între 500 ÷ 2000C. Principala
limitare este dată de ruperea casantă.
III. POLIMERI
Polimerii sunt formaţi din molecule mari, rezultate prin legarea unor molecule mai
mici (meri) de atomi de carbon, oxigen, hidrogen, azot, sulf, sau fluor.
 Materiale plastice
 Cristale lichide
 Adezivi
Trăsături caracteristice: sunt compuşi în primul rând din C şi H (hidrocarburi), au
o temperatură de topire şi o densitate scăzute, unii sunt cristalini, dar mulţi nu sunt,
majoritatea sunt slabi conductori de electricitate şi căldură, mulţi dintre ei au o
plasticitate ridicată, câţiva având totuşi o bună elasticitate, unii sunt transparenţi,
alţii sunt opaci.
Aplicaţii: adezivi şi cleiuri, ambalaje, materiale plastice injectabile, îmbrăcăminte
şi materiale textile (vinil, poliesteri, nylon), materiale impermeabile, produse
biodegradabile, biomateriale (intefeţe organic/anorganic), cristale lichide, materiale
cu aderenţă redusă (teflon), uleiuri şi lubrifianţi sintetici, garnituri şi inele de
etanşare (cauciuc), săpunuri şi agenţi tensioactivi.
Polimerii sunt rezistenţi la coroziunea produsă de acizi şi baze, dar uneori
nu sunt rezistenţi faţă de acţiunea unor solvenţi organici. Limitarea performanţelor
este în primul rând datorată slabei rezistenţe la temperaturi ridicate, fie prin
topire/muiere, fie prin combustie, oxidare, sau descompunere. Temperatura
maximă de utilizare este de obicei până la 300C.
IV. SEMICONDUCTORI
 Elemente din grupa a IV-a (siliciu, germaniu)
8
 Compuşi III-V (de exemplu GaAs, InP)

 Compuşi II-VI (de exemplu ZnSe, CdTe)
Trăsături caracteristice: au o aranjare regulată a atomilor (structură cristalină), o
puritate chimică mare, au o conductivitate electrică variabilă, sunt opaci la lumină
vizibilă, au un aspect lucios, unii au o bună plasticitate, dar alţii sunt destul de
friabili, unii prezintă un răspuns electric la lumină.
Aplicaţii: dispozitive electronice şi optoelectronice semiconductoare (tranzistoare,
diode, circuite integrate etc.), laseri cu corp solid, panouri de afişare, celule solare,
detectori de radiaţii, dispozitive microelectromecanice (MEMS). Oxidarea şi
topirea limitează utilizarea acestor materiale la temperaturi ridicate.
V. MATERIALE COMPOZITE
 Materiale compozite cu macroparticule (particule incluse într-un alt
material)
 Materiale compozite laminate
 Materiale compozite ranforsate cu fibre (de exemplu fibra de sticlă)
Trăsături caracteristice: sunt compuse din două sau mai multe materiale diferite
(de exemplu, metal-material ceramic, polimer-polimer etc.), proprietăţile lor
depinzând de cantitatea şi distribuţia fiecărui tip de material.
Aplicaţii: materiale aerospaţiale, echipament sportiv, materiale pentru izolaţie
termică, materiale de construcţie, materiale „inteligente” (smart materials) (de
detecţie şi răspuns).
Exemple: fibre optice, scuturi termice, vopsele (particule ceramice în latex),
armături.
1.4. Proprietăţile materialelor
O altă posibilitate de structurare a ştiinţei materialelor, în afara celei făcute
pe baza categoriilor de materiale este cea care se poate face pe baza proprietăţilor
acestora.
De altfel, această abordare este firească, având în vedere faptul că unul
dintre scopurile ştiinţei materialelor este acela de a selecta materialele cu
proprietăţile dorite pentru o aplicaţie dată.
Ca şi în cazul categoriilor de materiale, şi în cazul proprietăţilor acestora
este o oarecare suprapunere a diferitelor categorii de proprietăţi, astfel că acestea
nu sunt întotdeauna clar definite.
Principalele proprietăţi ale materialelor se pot clasifica astfel:
I. PROPRIETĂŢI GENERALE
II. PROPRIETĂŢI MECANICE
 Elasticitate şi rigiditate
 Plasticitate
 Rezistenţă
 Friabilitate sau duritate
 Oboseală
III. PROPRIETĂŢI ELECTRICE
 Polarizabilitate
9
 Permeabilitate electrică
 Proprietăţi feroelectrice
 Proprietăţi piezoelectrice
 Proprietăţi piroelectrice
 Conductibilitate şi rezistivitate electrică
IV. PROPRIETĂŢI MAGNETICE
 Proprietăţi paramagnetice
 Proprietăţi diamagnetice
 Proprietăţi feromagnetice
V. PROPRIETĂŢI OPTICE
 Indice de refracţie
 Absorbanţă, reflectanţă şi transmitanţă
 Birefringenţă
VI. PROPRIETĂŢI PRIVIND COROZIUNEA
Deoarece materialele electrotehnice se utilizează fie grupate în diferite
scheme de izolaţie, fie în contact direct cu mediul înconjurător, cunoaşterea
compatibilităţii fiecărui material faţă de corpurile cu care acesta vine în contact
prezintă o importanţă deosebită. Pentru aceasta, se definesc anumite proprietăţi
generale şi mărimile fizice corespunzătoare:
 Sensibilitatea la coroziune a unui material depinde de natura şi gradul său de
puritate, de natura şi concentraţia impurităţilor pe care le conţine, precum şi de
caracteristicile agenţilor activi conţinuţi în mediile cu care materialul vine în
contact (coroziunea reprezintă acţiunea distructivă, chimică sau electrochimică,
pe care o serie de agenţi chimici - oxigenul, apa, acizii etc. - o exercită asupra
corpurilor).
 solubilitatea unui material se exprimă prin cantitatea de substanţă care trece în
soluţie în unitatea de timp de pe unitatea de suprafaţă a materialului, sau prin
concentraţia soluţiei saturate a materialului dizolvat într-un solvent dat; o
substanţă este mai solubilă într-un solvent de aceeaşi natură chimică şi care
conţine în moleculele sale grupări de atomi asemănătoare cu ale substanţei
date; astfel, hidrocarburile saturate solide nepolare sau slab polare (parafina
etc.) se dizolvă uşor în hidrocarburi lichide (benzen etc.), substanţele polare se
dizolvă uşor în lichide polare etc.; solubilitatea scade cu scăderea temperaturii
şi cu creşterea gradului de polimerizare a substanţei de dizolvat.
 rezistenţa la solvenţi reprezintă capacitatea unui material de a-şi păstra
proprietăţile atunci când vine în contact cu un solvent lichid sau cu vaporii săi.
 indicele de aciditate, Ia caracterizează dielectricii lichizi şi reprezintă
cantitatea de hidroxid de potasiu (KOH), măsurată în mg, necesară pentru
neutralizarea acizilor organici existenţi într-un gram din materialul considerat;
pentru uleiul de transformator, indicele de aciditate are valori cuprinse între
0,03 şi 0,05 mg KOH/g.
 porozitatea, P a unui corp se defineşte ca fiind raportul dintre volumul porilor
Vp şi volumul total Vt al corpului:
10
Vp
P=
Vt
Porozitatea prezintă importanţă în special în cazul materialelor electroizolante,
care pot prezenta pori deschişi, semi-închişi sau închişi; cele care conţin
primele două tipuri de pori nu sunt utilizate în medii umede decât impregnate;
cele mai reprezentative materiale poroase sunt produsele pe bază de celuloză
(la care porozitatea poate ajunge la 50%).
 permeabilitatea faţă de aer, Pa se caracterizează prin volumul de aer Va care
străbate, într-un interval de timp t, o suprafaţă de arie A a unei probe de
material de grosime h, datorită diferenţei dintre presiunile p1 şi p2 ale aerului pe
cele două feţe ale probei de încercat:
Va h
Pa 
A(p1  p 2 )  t
 permeabilitatea la umiditate, Pu caracterizează capacitatea unui corp de a se
opune trecerii vaporilor de apă prin el şi prezintă o importanţă deosebită în
alegerea materialelor pentru protecţia împotriva umidităţii (lacuri de acoperire,
mantale pentru cabluri etc.); se determină cu relaţia:
mh
Pu 
A(p1  p 2 )  t
unde m reprezintă masa vaporilor de apă, iar p1, p2, A, h şi ∆t au aceeaşi
semnificaţie ca în relaţia anterioară.
 umiditatea, U reprezintă cantitatea de apă aflată într-un material şi se exprimă
în procente faţă de cantitatea maximă de apă pe care o poate conţine materialul;
această caracteristică este legată de porozitatea corpului, de umiditatea şi
temperatura mediului înconjurător, precum şi de intervalul de timp în care
corpul se află în mediul considerat; după un anumit timp corpul ajunge la o
umiditate de echilibru Ue, a cărei valoare depinde de natura şi temperatura
mediului ambiant; în cazul materialelor polare (sticlă, mică etc.), la care
interacţiunea dintre moleculele de apă şi material este mai puternică decât cea
dintre moleculele de apă, adică unghiul θ dintre suprafaţa materialului şi planul
tangent la suprafaţa picăturii de apă este foarte mic, se formează o pătură de
apă la suprafaţa materialului; dacă  > 90, pătura de apă se formează foarte
greu; practic, aceste materiale nu se udă (parafina, ceara etc.); pentru corpurile
fibroase se stabileşte o umiditate convenţională: aceasta reprezintă valoarea
umidităţii de echilibru a materialului aflat în aer, în condiţii normale de
presiune, temperatură şi umiditate (p = 105 N/m2, t = 20ºC, Ur,aer = 65%).
 umiditatea relativă a aerului reprezintă raportul dintre presiunea vaporilor de
apă aflaţi efectiv în aerul din atmosferă şi presiunea vaporilor necesari pentru a
satura atmosfera.
 higroscopicitatea, H reprezintă valoarea umidităţii de echilibru a unui corp şi
se determină cu relaţia:
11
G  G
H=
G
în care G reprezintă greutatea corpului în stare uscată, iar G’ greutatea corpului
ţinut timp de 24 ore în aer la temperatură şi umiditate normale (t = 20ºC, Ur =
100%); deoarece pătrunderea umidităţii provoacă modificări ale proprietăţilor
electrice ale corpurilor, higroscopicitatea se poate determina şi prin măsurarea
variaţiei permitivităţii sau conductivităţii electrice a acestora.
 absorbţia de apă, Aa caracterizează capacitatea corpurilor de a absorbi şi
reţine apa şi se determină cu relaţia
G   G
Aa =
G
unde G reprezintă greutatea corpului în stare uscată, iar G” greutatea corpului
ţinut un anumit interval de timp, în apă.
12
2. Structura atomică şi moleculară a substanţelor

2.1. Structura atomilor
Atomii reprezintă elementul structural fundamental al substanţei.
Aşa după cum este cunoscut, atomii substanţelor sunt formaţi dintr-un
nucleu şi unul sau mai mulţi electroni care gravitează în jurul acestuia. La rândul
său, nucleul este alcătuit din Z protoni şi A – Z neutroni.
Electronii şi protonii au sarcini electrice negativă, respectiv pozitivă, de
aceeaşi mărime, e = 1,610–19 C. Neutronii sunt neutri din punct de vedere electric.
Protonii şi neutronii au aproximativ aceeaşi masă, mp = 1,6710–27 kg. Masa
electronilor este mult mai mică, me = 9,1110–31 kg, ea putând fi neglijată în
calcularea masei atomice. Astfel, practic, masa atomică este egală cu suma maselor
protonilor şi neutronilor.
Numărul protonilor, Z, numit număr atomic, determină natura chimică a
elementului, reprezentând în acelaşi timp şi numărul de ordine al acestuia în tabelul
periodic al elementelor. Numărul de neutroni, A – Z defineşte numărul izotopic.
Protonii şi neutronii, fiind componentele nucleului, se numesc nucleoni. Numărul
de nucleoni din nucleul unui atom, A, se numeşte număr de masă.
Unitatea atomică de masă (uam) este o unitate tolerată a Sistemului
Internaţional de Mărimi şi Unităţi de Măsură, utilizată pentru exprimarea masei
atomice. 1 uam este definit ca a 12 parte a masei atomice a celui mai comun izotop
al atomului de carbon, 12C, care are 6 protoni (Z = 6) şi şase neutroni (N = 6).
mp  mn = 1,6610–27 kg = 1 uam
Masa atomică a izotopului 12C este 12 uam. Masa atomică a unui element
este egală cu media ponderată a maselor atomice a izotopilor naturali ai
elementului respectiv. Masa atomică a carbonului este 12,011 uam. Adesea, masa
atomică este exprimată ca masă molară. Un mol este cantitatea de substanţă care
sunt o masă exprimată în grame egală cu masa atomică exprimată în uam a
atomilor substanţei respective (un mol de carbon are o masă de 12 grame). În
definiţia anterioară, pentru substanţele compuse, în locul masei atomice se
foloseşte masa moleculară, obţinută ca sumă a maselor atomilor din compoziţia
unei molecule.
Numărul de atomi (sau molecule) dintr-un mol este constant, indiferent de
substanţă şi este numit Numărul lui Avogadro, NA = 6,0231023 molecule/mol.
NA = 1 gram/1 uam.
Foarte puţine proprietăţi ale materialului sunt influenţate semnificativ de
nucleul atomic. Excepţiile sunt densitatea, masa atomică, şi alte câteva. Aproape
toate proprietăţile materialelor sunt profund influenţate de electronii din jurul
nucleului. În particular, proprietăţile materialelor depind de distribuţia spaţială a
electronilor în jurul nucleului, de energia (cinetică şi potenţială) a electronilor şi de
dificultatea sau uşurinţa cu care electronii pot fi adăugaţi sau eliminaţi dintr-un
atom, proces numit ionizare. De aceea, în general se neglijează influenţa nucleului
atomic şi atenţia este concentrată asupra electronilor atomului.
13
Electronii formează un nor în jurul nucleului, de rază 0,05 – 2 nm. Cel mai
simplu mod de a reprezenta structura unui atom este acele în care îl putem asemui
cu sistemul plantar. Analogia nu este însă corectă. Electronii nu se mişcă pe orbite
circulare, ci pe orbite difuze (fuzzy). De fapt, nu se poate spune cum se mişcă ei,
dar se poate spune care este probabilitatea de a găsi un electron la o anumită
distanţă faţă de nucleu.
Comportarea electronilor poate fi descrisă corect doar în teoria cuantică.
Principalele rezultate ale acestei teorii pot fi exprimate în următoarele afirmaţii:
electronii, ca de altfel toate microparticulele, se comportă uneori ca particule (au un
impuls, suferă ciocniri cu alte particule etc.), dar alteori se comportă ca unde (nu
există doar într-o locaţie dată, ci au o anumită împrăştiere spaţială, pot interfera
unul cu altul, pot forma unde staţionare, iar energia şi impulsul lor depind de
lungimea de undă).
Când orbitează în jurul nucleului atomic, electronii sunt cel mai bine descrişi de
unda asociată, cu o anumită amplitudine şi o anumită lungime de undă. Modul de
propagare a acestei unde, lungimea de undă şi amplitudinea se pot afla prin
rezolvarea ecuaţiei Schrodinger (ecuaţia de mişcare în teoria cuantică). Pentru un
electron care orbitează în jurul nucleului atomic, doar anumite lungimi de undă,
energii şi amplitudini satisfac ecuaţia Schrodinger. Soluţiile ecuaţiei Schrodinger
pot fi clasificate în funcţie de patru numere, numite numerele cuantice ale
electronului:
 Numărul cuantic principal, n cuantifică energia electronului. Valori mai mari
ale lui n înseamnă valori mai mari ale energiei. Valoarea lui n arată, de
asemenea cât de departe de nucleu este electronul. n determină stratul electronic
(n = 1 este primul strat etc.). Valorile permise ale lui n sunt 1, 2, 3, ...
 Numărul cuantic orbital, ℓ, cuantifică momentul cinetic, L  r  p , al
electronului pe orbita sa şi determină substratul (orbitalul electronic) într-un
strat dat. Valorile permise ale lui ℓ sunt 0, 1, …, (n – 1). În practică, fiecărei
valori a lui ℓ, adică fiecărui substrat electronic, îi este atribuită o literă, aşa cum
se poate vedea din tabelul următor:
Tabel 2.1
ℓ Substrat
0 s
1 p
2 d
3 f
 Numărul cuantic magnetic, m, cuantifică proiecţia momentului magnetic al

electronului pe o direcţie dată. Valorile permise ale lui m sunt 0,  l,  2, …,
ℓ (2ℓ + 1 valori distincte).
 Numărul cuantic de spin, ms, cuantifică proiecţia momentului magnetic de
spin al electronului pe o direcţie dată. Valorile permise ale lui ms sunt:  ½.
14
Principiul de excluziune al lui Pauli afirmă că, într-un atom, doar un singur
electron poate avea un set de patru numere cuantice dat. Tabelul 2.2 prezintă
numărul stărilor electronice disponibile în diferite straturi şi substraturi electronice.
Electronii ocupă nivelurile cuantice în ordinea crescătoare a energiei (doar n şi
ℓ determină o diferenţă semnificativă). Electronii care ocupă stratul exterior –
electroni de valenţă – sunt răspunzători pentru comportarea chimică şi legăturile
chimice pe care atomul le realizează. Ordinea, în funcţie de energie, a substraturilor
este: 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4s, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, …
Exemplu: Fe, Z = 26: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d6 4s2
Tabel 2.2
n substrat număr număr de electroni
de stări în substrat în strat
1 s (ℓ = 0) 1 2 2
2 s (ℓ = 0) 1 2
2 p (ℓ = 1) 3 6 8
3 s (ℓ = 0) 1 2
3 p (ℓ = 1) 3 6
3 d (ℓ = 2) 5 10 18
4 s (ℓ = 0) 1 2
4 p (ℓ = 1) 3 6
32
4 d (ℓ = 2) 5 10
4 f (ℓ = 3) 7 14
Întotdeauna, pe stratul ultim ocupat cu electroni (stratul de valenţă) aceştia

se găsesc în substraturi de tip s sau p şi, ca urmare, numărul acestora poate fi de
maxim 8. În funcţie de câţi electroni se găsesc pe ultimul strat, comportarea
chimică a elementului respectiv este diferită. Această comportare este periodică,
ceea ce se poate vedea din modul de aranjare a elementelor în tabelul periodic.
Elementele din aceeaşi grupă (coloană) au proprietăţi similare. Numărul
grupei indică numărul de electroni disponibili pentru legătura chimică (electronii
de valenţă). Astfel, dacă acest număr este 0, este vorba de gaze inerte (He, Ne,
Ar...), care au toate substraturile complete şi sunt chimic inactive. Metalele alcaline
(Li, Na, K…), din grupa I, au un singur electron pe stratul de valenţă, ocupând un
substrat de tip s, electron pe care îl pot pierde foarte uşor, fiind deci chimic foarte
active. Halogenii (F, Br, Cl...), din grupa a VII-a, au 7 electroni pe stratul exterior,
lipsindu-le deci unul singur pentru ca acest strat să fie complet, motiv pentru care
prezintă o puternică disponibilitate de a accepta un electron, fiind astfel, de
asemenea, chimic foarte active.
Ca o concluzie generală, se pot afirma următoarele: atomii elementelor din
aceeaşi coloană (grupă) au acelaşi număr de electroni de valenţă; electronii de
15
valenţă sunt aceia care interacţionează cu exteriorul, motiv pentru care elementele
din aceeaşi grupă au proprietăţi foarte asemănătoare.
Schema tabelului periodic de mai jos prezintă orbitalii exteriori pentru
fiecare regiune a acestui tabel.
Este de subliniat faptul că majoritatea elementelor nemetalice au un orbital
exterior de tip p, în timp ce majoritatea metalelor au un orbital exterior fie s, fie d,
fie f. (orbitalii f nu sunt prezentaţi aici, dar ei se găsesc în seriile lantanidelor şi
actinidelor).
Electronegativitatea este măsura tendinţei atomilor de a accepta electroni.
Substraturile cu un electron au o electronegativitate scăzută, în timp ce substraturile
cu un singur electron lipsă au o electronegativitate ridicată. Electronegativitatea
creşte de la stânga la dreapta. Metalele sunt mai puţin electronegative – sunt
electropozitive –, deoarece atomii lor pot ceda unul, doi, sau trei electroni de
valenţă pentru a deveni ioni încărcaţi electric pozitiv.
Figura 2.1 – Tipul orbitalilor exteriori pentru diferitele elemente din tabelul periodic
2.2. Forţe şi energii de legătură

Structura ordonată a solidelor cristaline este datorată unor interacţiuni ale
particulelor constituente ale reţelei; forţele de interacţiune trebuie să fie forţe de
atracţie dar, în acelaşi timp trebuie să existe şi forţe de respingere, fapt ce permite
ca, prin echilibrul acestora, particulele să se găsească în reţea la o distanţă de
echilibru, r0, specifică sistemului.
Este necesar ca la o distanţă mai mică decât r0 forţele să fie repulsive iar la
o distanţă mai mare - atractive, astfel încât energia potenţială a sistemului format
(pentru simplificare) din două particule se poate reprezenta grafic ca în figura 2.2.
  
Cum F  U şi cum F acţionează pe direcţia lui r , putem scrie:
 
U r
F   (2. 1)
r r
Pentru a avea graficul din figura 2.2, trebuie ca:
16
U U
la r < r0, < 0, iar la r > r0, >0
r r
Pentru r = r0,
U
=0 (2. 2)
r
Aceasta reprezintă condiţia de echilibru, din care se poate obţine valoarea
lui r0. În plus, pentru ca echilibrul să fie stabil (energie potenţială minimă la
distanţa de echilibru), trebuie ca:
2U
>0 (2. 3)
r 2 r r
0
Figura 2.2 – Variaţia energiei potenţiale de interacţiune dintre doi atomi, în funcţie de
distanţa dintre ei
Din numeroase studii experimentale şi teoretice, a rezultat că U este dat de

o expresie de forma:
A B
U= m  n , m>n (2. 4)
r r
Din această relaţie se obţine:
1
 mA  mn
r0 =   (2. 5)
 nB 
În unele cazuri, este mai convenabil să se lucreze cu o expresie a lui U de
forma:
r
 B
U = A e 
 (2. 6)
rn
Valoarea U0 a energiei potenţiale din graficul din figura 2.2 este o măsură a
lucrului mecanic ce trebuie efectuat (energia cheltuită) pentru a deplasa un atom
aflat la distanţa r0 faţă de altul, la o distanţă infinită faţă de acesta (pentru un atom
17
aflat în cristal, ea reprezintă energia necesară scoaterii acestui atom în afara reţelei).
Ea este numită energie de disociere sau energie de coeziune şi poate fi
determinată experimental prin măsurători calorimetrice.
Natura forţelor de legătură este electrică, la care se adaugă efecte cuantice,
datorate relaţiilor de nedeterminare ale lui Heisenberg şi principiului de excluziune
al lui Pauli. Respingerea dintre atomi, când aceştia se află foarte aproape unul de
altul, este legată de Principiul lui Pauli: când norii electronici ce înconjoară atomii
încep să se suprapună, energia sistemului creşte brusc. Originea regiunii atractive,
ce domină la distanţe mari, depinde de tipul particular de legătură. Tipurile
principale de legături cristaline sunt: legătura ionică, legătura covalentă şi legătura
metalică (legături intramoleculare) şi legătura Van der Waals (legătură
intermoleculară).
În concluzie, se pot evidenţia următoarele idei:
 legăturile chimice între atomi se realizează când electronii de valenţă ai
atomilor interacţionează, astfel încât energia sistemului format de atomii care
realizează legătura este mai scăzută decât cea când atomii sunt separaţi.
 această condiţie se realizează când fiecare atom poate obţine opt electroni pe
stratul de valenţă (un octet), care reprezintă configuraţia de gaz inert.
 sunt trei moduri prin care atomii pot obţine configuraţia stabilă, de octet:
- cedarea sau acceptarea de electroni de valenţă (legătură ionică)
- punerea în comun a electronilor de valenţă cu atomii vecini (legătura
covalentă)
- punerea în comun a electronilor de valenţă cu toţi atomii (legătura metalică)
2.3. Legătura ionică
După cum este cunoscut, atomii oricărui element au tendinţa de a-şi forma
configuraţia electronică a unui gaz inert, prin captarea sau cedarea de electroni. De
exemplu, metalele alcaline au un electron de valenţă, pe care îl pot ceda relativ
uşor, energia de ionizare fiind mică; în schimb, halogenii au pe ultimul strat
electronic şapte electroni, lipsindu-le unul pentru a avea o configuraţie electronică
completă, de octet. Aceste elemente prezintă o afinitate electronică, caracterizată
de energia eliberată la captarea electronului care le asigură formarea octetului
complet. Transferul unui electron de la un tip de atom la altul îi transformă pe
amândoi în ioni (unul pozitiv, celălalt negativ) cu structuri electronice complete,
acesta fiind aspectul esenţial al legăturii ionice. Structura unei reţele cristaline cu
legătură ionică este formată din alternarea ionilor pozitivi cu cei negativi. Între
 Ve 
2
aceştia se exercită interacţiuni coulombiene, forţa atractivă având expresia ,

4 0 r 2
unde V este valenţa ionului pozitiv. Energia de interacţiune electrostatică are
expresia (2.4), r fiind distanţa dintre ioni. La o distanţă interatomică de ordinul a
10–10 m, corespunde o energie de atracţie electrostatică de ordinul a 10–19 J (câţiva
eV). Pentru un calcul mai exact, trebuie ţinut însă seama nu numai de interacţiunea
ionilor cei mai apropiaţi ci şi de cea dintre ionii aflaţi la distanţe mai mari, care
18
include şi forţe de respingere (între ionii de acelaşi semn). Expresia energiei totale
de interacţiune ionică poate fi scrisă sub forma:
 Ve 2 B 
U =    n
 4  0 r r 
însumarea făcându-se pentru toate nodurile reţelei. Calculul acestei expresii a fost
făcut de către Madelung şi Ewald (1918), care au ajuns la relaţia:
Ve  
2
U =  n (2. 7)
40  
unde  este constanta reţelei iar  este constanta Madelung, ce depinde de tipul
reţelei (pentru reţeaua clorurii de sodiu ea are valoarea 1,75, pentru altele fiind
cuprinsă între 1,6 şi 1,8). Constantele  şi n se determină din condiţiile:
dU d2U
0 ; 
d d 2
Prima din aceste relaţii este condiţia de echilibru iar cea de-a doua exprimă
forţa necesară pentru a comprima cristalul cu o anumită valoare, forţă ce se
determină experimental. Rezultatele teoriei lui Madelung pot fi verificate
experimental. O modalitate pentru a face acest lucru este cea propusă de Born şi
Haber, în 1919 şi prezentată în continuare.
Exemplul cel mai cunoscut al legăturii ionice este cel al clorurii de sodiu
(NaCl). Dacă o astfel de structură primeşte (pentru fiecare pereche de ioni de Cl şi
Na) energia U, necesară desfacerii perechii în ioni, are loc procesul:
Na + Cl  U
Na+ + Cl –
Cedând sistemului şi energia E, corespunzătoare afinităţii electronice a Cl,
acesta pierde electronul în plus:
Cl – E
Cl + e –
Acest electron este captat de Na+, cedându-se, astfel, energia de ionizare şi
rezultând Na gazos:
I
Na+ + e –  Na
Na gazos sublimează, trecând în stare solidă şi cedând căldura de sublimare,
S:
S
Na gazos  Na solid
Cl atomic gazos formează molecule de Cl2 gazos, cedând energia de
disociere, D:
1
Cl  D
Cl2
2
Dacă Cl2 reacţionează cu Na metalic solid, rezultă NaCl, cedându-se
căldura Q:
1
Na + Cl2 Q  NaCl
2
Scriind relaţia care exprimă conservarea energiei în acest proces ciclic,
obţinem:
19
U+E–I–S–D–Q=0
Din această relaţie, se poate determina E, toate celelalte mărimi putând fi
determinate experimental. Comparând valoarea obţinută cu cea determinată teoretic
conform modelului lui Madelung, rezultă o bună concordanţă între cele două
valori, deci o confirmare a acestui model.
Formarea legăturii ionice se petrece în două etape:
 ionizarea reciprocă a doi atomi are loc prin transfer de electroni (conform
electronegativităţii elementelor respective) şi formarea unui ion negativ (anion)
şi a unui ion pozitiv (cation)
 ionii sunt atraşi printr-o interacţiune coulombiană (electrostatică)
Legătura ionică este ne-direcţională (ionii pot fi atraşi unul de altul în orice
direcţie) şi foarte puternică.
De exemplu, în clorura de sodiu, NaCl, Na are 11 electroni, cu unul mai
mult decât necesar pentru un strat exterior complet: 1s2, 2s2, 2p6, 3s1. Cedând un
electron, se ionizează pozitiv. Cl are 17 electroni, cu unul mai puţin decât este
necesar pentru un strat exterior complet: 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Primind electronul
cedat de Na, se ionizează negativ. Între cei doi ioni se exercită o forţă de atracţie,
care asigură legătura ionică (figura 2.3). Transferul de electroni reduce energia
sistemului atomic, care este energetic favorabil acestui transfer.
Figura 2.3 – Realizarea legăturii ionice la NaCl
O imagine care să sugereze mai clar modul în care se realizează structura

este prezentată în figura 2.4.
Dacă în aceeaşi zonă sunt atomi electronegativi şi atomi electropozitivi, ei
pot căpăta configuraţii electronice stabile prin transferul electronilor de valenţă:
atomii electropozitivi cedează electroni şi atomii electronegativi îi acceptă.
Tendinţa pentru transferul de sarcină între atomi creşte odată cu creşterea diferenţei
de electronegativitate (EN) dintre atomii diferiţi. După ce transferul de sarcină a
avut loc, ambii atomi sunt ionizaţi (au o sarcină electrică netă). Atomii
electronegativi devin încărcaţi negativ (anioni), în timp ce atomii electropozitivi
devin încărcaţi pozitiv (cationi). Sarcinile de semn contrar ale cationilor şi
anionilor interacţionează prin forţe de atracţie, care realizează legătura ionică.
Tăria legăturii ionice este determinată de lucrul mecanic necesar la
formarea sa. Acesta este compus din trei părţi: energia totală necesară transferului
de sarcină, lucrul mecanic efectuat de forţele de atracţie dintre cation şi anion şi
lucrul mecanic efectuat împotriva forţei repulsive de distanţă scurtă dintre cation şi
anion.
Energia totală pentru transferul de sarcină este dată de relaţia:
20
Wts = Ui + A (2. 8)
unde Ui reprezintă lucrul mecanic pentru a scoate electronul din învelişul electronic
al atomului electropozitiv, numit potenţial de ionizare, iar A reprezintă lucrul
mecanic pentru a aduce electronul în învelişul electronic al atomului electronegativ,
numit afinitate electronică.
Figura 2.4 – Structura reţelei ionice a NaCl
Potenţialul de ionizare pentru electronii din stratul de valenţă, la diferite

elemente este prezentat în tabelul 2.3.
Tabel 2.3 – Potenţialul de ionizare al electronilor din stratul de valenţă, pentru

diferite elemente
Element Li Na Mg Al Si P S Cl Ar K Rb Cs Fr
Ui (eV) 5,4 5,1 7,6 6,0 8,2 10,5 10,4 13,0 15,8 4,3 4,2 3,9 3,8
Tabelul 2.4 prezintă valorile afinităţii electronice pentru câteva elemente:
Tabel 2.4 – Afinitatea electronică a câtorva elemente

Element F Cl Br I O S
A (eV) – 3,6 – 3,7 – 3,5 – 3,1 – 1,5 – 2,1
2.4. Legătura covalentă
Un alt tip de interacţie care asigură legături chimice este cea în care
geometria norilor electronici ai atomilor este suficient de distorsionată astfel încât
electronii sunt continuu împărţiţi între atomii vecini, formând învelişuri complete
pentru aceştia. O astfel de legătură este deci asociată cu existenţa unei perechi de
electroni comuni atomilor care interacţionează. Punerea în comun a electronilor de
către atomi înseamnă că este imposibil de precizat cărui atom aflat în interacţiune îi
aparţine electronul pus în comun.
21
O teorie a legăturii covalente care să rezolve toate problemele apărute şi

care să aibă un caracter general este greu de pus la punct. O posibilitate (nu
completă şi nici singura) este metoda orbitalilor moleculari, pe care o vom
prezenta calitativ în continuare, aplicată, pentru simplificare şi înţelegere mai
uşoară, moleculei de hidrogen.
Să considerăm unul din electronii celor doi atomi de H din moleculă.
Densitatea de sarcină electrică a orbitalului molecular corespunzător acestui
electron poate fi exprimată ca fiind proporţională cu pătratul unei combinaţii liniare
a celor două funcţii de undă ale electronului în cazul în care el ar aparţine numai
unui atom, A, sau celuilalt, B
S ~ A + B ; S* ~ A – B (2. 9)
Forma funcţiilor de undă S şi S* şi a densităţilor de sarcină electrică
corespunzătoare, sunt date în figura 2.5. În cazul funcţiei s, se observă o
redistribuire a sarcinii electrice în regiunea dintre atomii A şi B, ceea ce duce la
ecranarea sarcinii electrice a celor două nuclee. Acest lucru se întâmplă dacă
distanţa dintre cei doi atomi este mai mare decât o anumită valoare pentru care
energia sistemului este minimă; sub această valoare, ecranarea nu se mai produce şi
nucleele se resping. O astfel de funcţie de undă, s, este un aşa-numit orbital de
legătură.
Figura 2.5 – Forma funcţiilor de undă S şi S* şi a densităţilor de sarcină electrică

corespunzătoare, pentru un electron aparţinând unuia dintre atomii care interacţionează
Pentru funcţia de undă s*, nu se produce ecranarea sarcinilor nucleelor,

care se resping, indiferent de poziţia lor, starea descrisă de această funcţie fiind
instabilă, fără existenţa unei legături. Funcţia de undă s* este un orbital
antilegătură. Considerând acum ambii electroni, aceştia trebuie să se afle într-o
stare descrisă de funcţia:
22
(1, 2) = S(1) + S(2) (2. 10)

care, din considerente cuantice, trebuie să fie caracterizată de spinul total nul.
Evident, în această discuţie simplificată, s-a neglijat termenul care trebuie să
apară în (1,2) datorită interacţiunii celor doi electroni, care, oricum, trebuie să fie
minim, deci aceştia să se afle la distanţa maximă. Energia stării descrise de (1,2)
este de forma din figura 2.2, ceea ce poate explica apariţia legăturii covalente.
Legătura covalentă este o legătură direcţională, ea realizându-se pe direcţia
suprapunerii celei mai mari a orbitalilor.
Trăsăturile principale ale legăturii covalente sunt:
 are loc între atomi electronegativi, neexistând atomi electropozitivi disponibili
pentru a ceda electroni.
 legătura se realizează prin punerea în comun a electronilor de valenţă, astfel
încât, în jurul fiecărui atom, se formează efectiv un octet.
 punerea în comun a electronilor se realizează prin suprapunerea orbitalilor
electronilor (în cele mai multe cazuri, de tip p)
 orientarea atomilor într-o moleculă covalentă reflectă forma orbitalilor
 unghiuri de orientare specifice legăturii sunt caracteristice legăturii covalente
 suprapunerea straturilor electronice de sub stratul de valenţă determină o forţă
de respingere, datorată principiului de excluziune al lui Pauli (electronii au
fiecare un set unic de numere cuantice); drept urmare, forţele de atracţie nu pot
determina apropierea atomilor la o distanţă oricât de mică, acestora opunându-
li-se forţe de respingere datorate acestui fapt.
Exemple de substanţe formate pe baza legăturii covalente sunt:
 solide cristaline ale elementelor din grupa a IV-a: C, Si, Ge etc.
 legături C – C şi C – H în molecule de hidrocarburi
 compuşi solizi, de tipul: SiC, Si3N4 etc.
 molecule de gaze: H2, N2, O2, Cl2, F2, CO2, H2O, HCl etc.
2.5. Legătura metalică
Într-un metal, electronii de pe stratul exterior al atomilor pot părăsi aceşti
atomi destul de uşor, numai că nu există alţi atomi, ca la legătura ionică, cu
afinitate electronică şi care să atragă aceşti electroni. Când astfel de atomi sunt
aduşi împreună, într-o structură metalică, norii electronici ai atomilor vecini se
suprapun, astfel încât este uşor pentru un electron să migreze de la un atom la altul.
Acest fapt fiind valabil pentru toţi electronii de valenţă ai tuturor atomilor,
înseamnă că nu mai există electroni de valenţă aparţinând unui atom anume. Aceşti
electroni „migratori” sunt electronii de conducţie ai metalului, care-i asigură
acestuia cele mai importante proprietăţi electrice. Structura metalică poate fi
considerată ca fiind alcătuită dintr-o reţea fixă de ioni pozitivi, scufundată într-un
„gaz” alcătuit de electronii de conducţie*.
*
termenul de „gaz electronic” este cât se poate de potrivit, întrucât electronii de conducţie se
comportă ca moleculele unui gaz
23
Întrucât un astfel de sistem reprezintă o punere în comun de electroni de

către toţi atomii reţelei, el poate fi studiat cu aceeaşi metodă utilizată pentru
legătura covalentă.
Caracteristic structurii metalice este faptul că fiecare atom tinde să se
înconjoare cu maximum de vecini posibil, astfel încât să se realizeze o umplere
compactă a volumului disponibil. Trei sferturi din metale cristalizează în sistemele
cubic (cu volum centrat sau cu feţe centrate) şi hexagonal compact (la care fracţia
de împachetare are valoarea maximă), distanţa interatomică fiind minimă.
Metalele au o foarte mare importanţă practică şi, de aceea, ele au fost
studiate foarte intens (cercetări arheologice au arătat că ameliorarea calităţilor
metalelor prin aliere sau tratamente termice şi mecanice era cunoscută încă de
acum două mii de ani).
Dacă un metal sau alt element este adăugat unui metal există patru
posibilităţi:
 insolubilitatea celor două specii; plumbul şi fierul sau bismutul şi cuprul nu au
nici o afinitate unul pentru altul, fiind deci insolubile unul în celălalt. În acest
caz, amestecul este numai mecanic, neafectând structurile celor două specii de
atomi. Aliajele obţinute în acest fel nu au modificate proprietăţile intrinseci dar,
uneori, apar efecte noi. Astfel, Fe aliat cu o carbură posedă o rezistenţă la uzură
cu mult mai mare decât cea a Fe pur. De fapt, aceste amestecuri sunt false
aliaje, prin comparaţie cu cele prezentate în continuare.
 solubilitate cu formarea unui ansamblu interstiţial; într-o reţea mai puţin
compactă există posibilitatea ca alţi atomi să umple locul gol, existent între
atomii metalului. Cel mai adesea, hidrogenul, borul, azotul sau carbonul sunt
substanţe susceptibile de a juca acest rol, pentru a da naştere la soluţii
interstiţiale.
 solubilitate cu formarea unui ansamblu substituţional. Unele aliaje sunt
caracterizate de faptul că atomii elementului adăugat metalului substituie atomii
acestuia în nodurile reţelei. Este cazul aliajelor cupru - nichel. Substituţia se
poate realiza aleatoriu sau sistematic, ceea ce are drept efect crearea unei
suprastructuri în care atomii unuia din metale ocupă locuri bine precizate iar cei
ai celuilalt locurile rămase libere în reţea. De exemplu, în aliajul cupru - zinc în
proporţie egală (ca număr de atomi), atomii de Cu ocupă colţurile celulelor
elementare iar atomii de Zn centrele acestora. Acest tip de solubilitate poate fi
provocat prin încălzirea unei soluţii substituţionale aleatorii la temperaturi mari
şi răcirea lentă a acesteia, când, sub 400 C, suprastructura se realizează prin
orientarea atomilor spre poziţiile privilegiate.
 formarea unui compus; are loc o reacţie chimică între cele două elemente
chimice.
Trăsăturile principale ale legăturii covalente sunt:
 are loc în materiale compuse din atomi electropozitivi (metale), care au tendinţa
de a ceda electroni; cum însă nu sunt disponibili atomi electronegativi, care să-i
accepte, electronii de valenţă sunt delocalizaţi, formând un nor electronic, adică
sunt puşi în comun de către toţi atomii din material şi sunt liberi să participe la
24
conducţia electrică în material, ceea ce asigură acestor materiale proprietăţi

unice: conductivitate electrică şi termică foarte bune, aspect lucios etc.
 interacţiunile de atracţie apar ca urmare a forţelor de atracţie coulombiană
dintre nucleele ionilor şi norul electronic.
 apropierea exagerată a ionilor este împiedicată de forţele de respingere datorate
suprapunerii orbitalilor electronici (când acţionează principiul de excluziune al
lui Pauli); ca şi la celelalte tipuri de legături, această interacţiune repulsivă este
de distanţă scurtă.
2.6. Legătura Van der Waals
Toate legăturile discutate anterior sunt legate, într-un fel sau altul, de
transferul unui electron al unui atom către vecinii săi, lucru posibil atunci când
energia necesară acestui proces nu este prea mare. Dacă electronii aparţin însă unor
straturi complete, energia lor de legătură cu nucleul este foarte mare şi ei nu pot
părăsi atomul. Aşa este cazul gazelor inerte care, după cum ar rezulta din
considerentele de mai sus, nu pot forma structuri solide cristaline. Totuşi şi în acest
caz se pot obţine astfel de structuri, ca urmare a altor interacţiuni care pot asigura
stabilitatea acestora. Este vorba de interacţiunile de tip molecular sau Van der
Waals care sunt mult mai slabe decât cele discutate anterior. Ele sunt datorate unei
deplasări relative a electronilor dintr-un atom sau o moleculă faţă de sarcina
pozitivă, centrală a nucleului; altfel spus, norul electronic nu are o simetrie sferică,
astfel încât ansamblul sarcină pozitivă a nucleului - sarcină negativă a electronilor,
deşi neutru din punct de vedere electric, ca urmare a distribuţiei asimetrice,
formează un dipol. Atomul sau molecula se caracterizează printr-un moment
electric dipolar variabil, ca urmare a modificării formei norului electronic. Între
doi astfel de dipoli oscilanţi apare o forţă atractivă care constituie interacţiunea Van
der Waals, cea care asigură mecanismul solidificării substanţelor cu structura
completă a învelişului electronic.
În general, în atomi, centrul sarcinii pozitive (nucleul) coincide cu centrul
sarcinii negative (electronii înconjurători). Astfel de sisteme posedă o simetrie
sferică faţă de centrul lor şi sunt neutre din punct de vedere electric. Norul
electronic nu este însă un obiect staţionar. El pulsează şi se deformează în intervale
de timp scurte. Dacă norul electronic se deformează într-un astfel de mod încât
sarcina negativă este plasată asimetric, atunci centrul pozitiv şi cel al sarcinii
negative nu mai coincid. Rezultă un dipol temporar (figura 2.6).
Figura 2.6 – Formarea dipolului temporar
Dipolul reprezintă o distribuţie de sarcină asimetrică, în care cei doi poli

(sau centre de sarcină) sunt separaţi. Dipolul este neutru din punct de vedere
electric pe ansamblu, dar distribuţia sarcinilor electrice pozitive şi negative diferă.
25
Doi dipoli interacţionează electric (polii de acelaşi semn se resping, cei de

semn contrar se atrag), determinând o legătură slabă, dar stabilă, numită legătură
Van der Waals.
Există şi dipoli permanenţi, cum este cazul moleculei de apă (figura 2.7), la
care distribuţia de sarcină este asimetrică datorită orientării legăturii covalente
dintre atomii de hidrogen şi cel de oxigen. În cazul acestora, legătura Van der
Waals este mai puternică decât în cazul dipolilor temporari.
Figura 2.7 – Molecula de apă dipolară şi apariţia legăturii Van der Eaals între astfel de
molecule
Pentru că legătura Van der Waals este foarte slabă, astfel de solide formate
pe baza acestei legături au puncte de topire scăzute (tabelul 2.5) şi o duritate mică.
Tabelul 2.5 prezintă energia de legătură şi temperatura de topire pentru câteva
materiale, cu diferite tipuri de legături.
Tabel 2.5 – Energia de legătură şi temperatura de topire pentru materiale cu diferite

tipuri de legături
Tip de Energie de legătură Temperatură de
legătură Substanţă kJ/mol eV/atom (ion, topire (C)
moleculă)
Ionică NaCl 640 3,3 801
MgO 1000 5,2 2800
Covalentă Si 450 4,7 1410
C (diamant) 713 7,4 3550
Metalică Hg 68 0,7 – 39
Al 324 3,4 660
Fe 406 4,2 1538
W 849 8,8 3410
Van der Ar 7,7 0,08 – 189
Waals Cl2 31 0,32 – 101
26
3. Structura cristalină
3.1. Introducere
A devenit deja, de mult, un fapt banal, acela de a clasifica substanţele din
punct de vedere al stării de agregare în trei (eventual patru) categorii: solide,
lichide, gaze (şi plasmă). Această clasificare, făcută în ordinea crescătoare a
energiei interne, este însă de multe ori ambiguă, atât timp cât nu există un criteriu
clar, care să delimiteze o categorie, de alta. Altfel spus, doar valoarea energiei
interne nu este suficientă pentru a putea spune dacă un corp face parte dintr-o
anumită categorie.
Tipuri de solide
Starea solidă cristalină se caracterizează la nivel microscopic printr-o
aranjare periodică tridimensională, de reţea spaţială, a particulelor constituente,
prezentând o simetrie internă extinsă la scară macroscopică, acest fapt
manifestându-se prin anizotropia proprietăţilor fizice. Cele două componente
fundamentale ale solidului cristalin sunt reţeaua cristalină şi electronii prezenţi
în reţea.
Într-un monocristal (figura 3.1.a), atomii sunt aranjaţi într-o structură
periodică unică pe întreaga întindere a materialului, în timp ce un policristal
(figura 3.1.b) se compune din mai multe mici monocristale (numite cristalite sau
granule), fiecare dintre acestea având o orientare a reţelei cristaline diferită de a
celorlalte.
Figura 3.1 – a) - structură monocristalină; b) structură policristalină
Cristalitele au de obicei dimensiuni de 100 nm ÷ 100 m. Policristalele cu

cristalite mai mici de 10 nm diametru sunt numite nanocristale.
27
Figura 3.2 – Structura cristalină şi amorfă a SiO2
Starea solidă amorfă se caracterizează prin lipsa unei aranjări atomice

sistematice; în solidele amorfe nu există ordine pe distanţe mari, ceea ce nu
înseamnă neapărat o structură haotică, în multe cazuri existând anumite forme de
ordine pe distanţă scurtă.
Uneori, aceeaşi substanţă chimică poate fi întâlnită atât în stare cristalină,
cât şi în stare amorfă, aşa cum este cazul carbonului (diamant – cristalin, grafit –
amorf), sau al SiO2 (figura 3.2), ca şi a multor metale.
3.2. Reţele cristaline
Structura periodică a corpurilor cristaline poate fi descrisă cu ajutorul
noţiunii matematice de reţea, definită ca o mulţime infinită de puncte, numite
noduri ale reţelei, a căror poziţie este determinată de relaţia:
   
R n  n1  a 1  n 2  a 2  n 3  a 3 (3. 1)
unde n1, n2, n3 sunt numere întregi iar vectorii ai (i = 1, 2, 3) sunt vectorii de bază
(fundamentali) ai reţelei (figura 3.3).
Figura 3.3 – Vectorii de bază ai reţelei cristaline
Originea sistemului de coordonate este într-unul oarecare din nodurile

reţelei, axele de coordonate fiind necoplanare.
28
Dreapta care trece printr-un şir de noduri se numeşte dreaptă nodală; două
drepte nodale care se intersectează, determină un plan nodal.
Figura 3.4 – Celula elementară
Dreptele nodale formează familii de drepte paralele şi echidistante; planele

nodale se grupează şi ele în familii de plan paralele şi echidistante. Alegând un nod
al reţelei drept origine şi trei drepte nodale necoplanare care trec prin origine, se
poate construi un sistem de coordonate în raport cu care descriem poziţia celorlalte
noduri ale reţelei prin intermediul relaţiei (3.1), mărimile vectorilor fundamentali
fiind distanţele măsurate pe fiecare axă, de la origine până la primul nod. După
   
cum se poate constata, orice translaţie de forma: T  m 1  a 1  m 2  a 2  m 3  a 3 lasă
structura neschimbată, ceea ce înseamnă că structura reţelei este o structură
periodică.
Din intersecţia planelor nodale cu axele de coordonate, se formează o serie
de paralelipipede, numite celule elementare, pe care le putem caracteriza prin
vectorii a i (i = 1, 2, 3), care definesc axele cristalografice ale celulei şi prin
unghiurile ij (i, j = 1, 2, 3), formate de vectorii de bază, luaţi câte doi (figura 3.4).
Volumul celulei elementare este dat de relaţia:
  
V  a 1  a 2  a 3  (3. 2)
Cum vectorii de bază nu se pot alege în mod univoc, rezultă că putem găsi
diferite celule elementare, în funcţie de alegerea acestor vectori. Celulele care
conţin un singur nod se numesc celule primitive (simple). Pentru determinarea
numărului de noduri dintr-o celulă, se foloseşte relaţia:
C F
N=I+  (3. 3)
8 2
unde I este numărul nodurilor interioare ale celulei, F - numărul nodurilor plasate
pe feţele celulei şi C - numărul nodurilor aflate în colţurile acesteia.
Se observă că o celulă primitivă nu poate avea noduri interioare şi că ea are
volumul minim posibil. Prin translaţii discrete ale celulei elementare, putem
construi întreaga reţea.
29
O celulă primitivă de un tip special este celula Wigner-Seitz, care se

construieşte astfel: se duc planele mediane la liniile care unesc un nod oarecare cu
toate nodurile vecine de ordinul I*; din intersecţia acestor plane, rezultă un volum
minim, având în centru un nod şi care este celula primitivă Wigner-Seitz. În acest
caz, se poate vedea că, datorită modului diferit de construcţie, celula primitivă
conţine un nod interior, în schimb ea nu are noduri în colţuri.
3.3. Puncte, direcţii şi plane în reţea
Să considerăm figura 3.4, în care, în plus, vom alege ca unitate de măsură
pe fiecare axă, modulul vectorilor de bază (aceştia reprezentând, deci, versorii
sistemului de coordonate). Poziţia unui punct în acest sistem de coordonate va fi
indicată printr-o expresie de forma [[m1 m2 m3 ]], unde m1, m2, m3 sunt numere
reprezentând distanţa de la origine până la punctul respectiv, pe direcţia
coordonatei x, y, respectiv z. De exemplu, poziţiile punctelor O, A, B, C, D, E, F,
G vor fi exprimate astfel: [[0 0 0]], [[1 0 0]], [[0 1 0]], [[0 0 1]], [[1 1 0]], [[0 1 1]],
[[1 0 1]], [[1 1 1]]; punctul central al celulei va avea poziţia [[1/2 1/2 1/2]].
Pentru caracterizarea unei direcţii, pornim de la faptul că ea este unic
determinată de două puncte conţinute pe dreapta ce dă direcţia respectivă. Vom
numi direcţie cristalină, direcţia determinată de două noduri ale reţelei (adică
direcţia unei drepte nodale). Vectorul de poziţie al nodului de pe o direcţie
cristalină cel mai apropiat faţă de un altul de pe aceeaşi direcţie, ales drept origine,
   
se exprimă, după cum s-a văzut, printr-o relaţie de forma: R  h  a1  k  a 2    a 3
Tripleta [ h, k, ℓ], formată din numere ce nu admit un divizor comun,
exprimă direcţia respectivă.
Astfel, în figura 3.4, direcţiile date de dreptele ce trec prin punctele (OA),
(OB), (OC), se exprimă astfel: [1 0 0], [0 1 0], respectiv [0 0 1]. Dacă unul din
numere este negativ, el se notează sub forma: h , k sau  . De exemplu, 1 0 0 ,
reprezintă direcţia OA, cu sensul de la A la O. Rezultă că, prin acest mod de
exprimare, direcţiei respective i se precizează şi sensul.
Dreptele (OA), (BD), (CF), (EG), respectiv (OB), (CE), (FG), (AD),
precum şi (OC), (BE), (DG), (AF), au, fiecare grupă, aceeaşi direcţie, deci o familie
de drepte nodale au aceeaşi direcţie. Pentru a indica o familie de drepte nodale,
aceasta se notează h k ℓ
În sfârşit, ca un ultim exemplu, direcţiile diagonalelor (OG), (CD), (EA),
(BF) sunt, în ordine: [1 1 1], 1 1 1 , 1 1 1  şi 1 1 1 .
Pentru definirea planelor cristalografice (reticulare), se foloseşte o notaţie
de forma (h k ℓ), unde h, k şi ℓ reprezintă aşa-numiţii indici Miller, determinaţi în
mod univoc, astfel: se exprimă coordonatele intersecţiilor celor trei axe cu planul
respectiv (să le notăm cu a, b, c); se iau valorile inverse ale acestora, 1/a, 1/b, 1/c,
*
Toate nodurile situate la distanţa minimă faţă de un anumit nod se numesc vecini de ordinul I ai
acestuia; nodurile situate la egală distanţă dar mai mare decât distanţa minimă reprezintă vecinii de
ordinul II şi aşa mai departe; distanţele respective poartă denumirea de raza sferei de coordinaţie de
ordinul I, II etc.
30
valori care se reduc la cele mai mici trei numere întregi aflate în acelaşi raport -
aceştia sunt indicii Miller.
De exemplu, să considerăm planul din figura 3.5, ale cărui intersecţii cu
axele de coordonate sunt punctele A, B, C, de coordonate (6 0 0), (0 2 0) şi
respectiv (0 0 3). Deci, a = 6, b = 2 şi c = 3. Inversele acestora sunt 1/6, 1/2, 1/3 sau
2/12, 6/12, 4/12, cu numărătorii 2, 6, 4. Divizând cu 2, obţinem (1 3 2), care este
setul de indici Miller care dau orientarea planului considerat.
Figura 3.5 – Determinarea indicilor Miller
Aceştia definesc, de fapt, o familie de plan paralele şi echidistante, pe care o

vom nota sub forma {h k ℓ}, distanţa dintre două astfel de plan alăturate numindu-
se distanţă interplanară, dhkℓ. Se poate observa că, dacă familia de plane este
paralelă cu una din axele de coordonate, indicele Miller corespunzător este nul.
O familie de plane date de h k  reprezintă planele paralele cu cele ale
familiei {h k ℓ} dar dispuse de cealaltă parte a originii. Dacă se consideră planele
{nh nk nℓ}, acestea sunt paralele cu planele {h k ℓ} fiind însă de n ori mai dese,
adică:
d h k ℓ = nd nh nk nℓ (3. 4)
Deci, familia de plane {h k ℓ} este o subfamilie (o submulţime) a familiei
de plane {nh nk nℓ}. În final, folosind tot figura 3.4, să dăm câteva exemple de
exprimare a unor plane cristalografice cu ajutorul indicilor Miller: planul
determinat de punctele ADGF: (1 0 0); planul determinat de punctele OCGD:
1 1 0 ; planul determinat de punctele OAGE: 0 1 1  ; planul determinat de
punctele BCG: 1 1 1 .
Să mai precizăm că un punct de coordonate x, y, z se află în planul cu
indicii Miller h, k, ℓ, dacă şi numai dacă hx + ky + ℓz = 1 (valabil pentru toate
sistemele cristaline).
3.4. Reţeaua reciprocă (inversă)
Cum s-a subliniat şi anterior, principala proprietate a reţelei cristaline este
periodicitatea, proprietate pe care o vom regăsi şi la mărimile fizice care o
31
caracterizează, cum sunt: intensitatea câmpului electromagnetic în reţeaua formată

de atomi, densitatea de sarcină electrică a electronilor atomilor, probabilitatea ca un
atom să se găsească într-o anumită poziţie etc. Acest lucru poate fi scris astfel:
  

Ur   U r  T  (3. 5)
unde U este mărimea fizică considerată şi T o translaţie de forma menţionată
anterior.

Dezvoltând în serie Fourier funcţia Ur  , obţinem:

Ur    U b  e 2 i b r   U b1  U b2  U b3  e 2 i b1x b2 yb3z  (3. 6)
b b
 1
Vectorul b se determină din condiţia de periodicitate (3.5). Din această

relaţie rezultă că: e 2 i b T , deci:
       
b  T  m1  b  a1  m 2  b  a 2  m3  b  a 3 (3. 7)
unde m1, m2, m3 sunt numere întregi, arbitrare. Rezultă, mai departe:
     
b  a 1  g1 ; b  a 2  g 2 ; b  a 3  g 3 (3. 8)
unde g1, g2, g3 sunt, de asemenea, numere întregi, arbitrare.

Cu relaţiile (3.8), am definit vectorul b , pentru aflarea lui, procedându-se
astfel: scriem acest vector ca fiind de forma:
      
b    a 1  a 2     a 2  a 3     a 3  a 1  
Din condiţiile (3.8), rezultă:
b  a1   a1   a 2  a 3    g1 ;
b  a 2   a 2   a 3  a1    g 2 ;      (3. 9)
b  a 3   a 3   a1  a 2    g 3
Dar, pe de altă parte, din (3.3) se obţine:
V  a1   a 2  a 3   a 2   a 3  a1   a 3   a1  a 2 
g g g
de unde rezultă:  = 3 ,  = 1 ,  = 2 , deci:
V V V
         
a2  a3 a 3  a1 a1  a 2
b  g1   g2   g3   g1  b1  g 2  b 2  g 3  b 3 (3. 10)
V V V
Din această ultimă relaţie, se poate constata şi că:
  0 dacă i  k
a i  bk   (3. 11)
1 dacă i  k
     
adică b1 este perpendicular pe a 2 şi pe a 3 , b 2 este perpendicular pe a 1 şi pe a 3 şi
  
b 3 este perpendicular pe a 1 şi pe a 2 .
  
Vectorii b1 , b 2 , b 3 , astfel construiţi, se numesc vectorii de bază ai reţelei
reciproce, reţeaua obţinută cu aceştia fiind reţeaua reciprocă (inversă).
32
Se poate arăta că volumul celulei elementare a reţelei reciproce este legat de

cel al celulei elementare al reţelei directe prin relaţia:
 
   1
 = b1  b 2  b 3  (3. 12)
V
Din expresiile care exprimă vectorii reţelei reciproce, se pot exprima şi
unghiurile dintre aceşti vectori în funcţie de unghiurile dintre vectorii de bază ai
reţelei directe:
b b
cos 12  1 2  2 3
 a  a    a 3  a1  
b1  b 2 a 2  a 3  a 3  a1

 a 3  a 2    a 3  a1    a 3  a 3    a 2  a1   cos  23  cos 31  cos 12
a1  a 2  a 32  sin  23  sin  31 sin  23  sin  31
Analog,
cos  31  cos 12  cos  23 cos 12  cos  23  cos  31
cos 23  ; cos 31  (3. 13)
sin  31 sin 12 sin 12 sin  23
   
Se poate, de asemenea, demonstra că vectorul b hk  h  b 1  k  b 2    b 3
este perpendicular pe planele familiei {h k ℓ} şi că:
 1
b hk        (3. 14)
d hk
Figura 3.6 – Zone Brillouin într-o reţea pătratică
Dacă în reţeaua reciprocă se construieşte o celulă primitivă de tip Wigner-

Seitz, aceasta se numeşte zonă Brillouin. Construcţia se face în acelaşi mod,
descris anterior: alegem un nod arbitrar drept origine, de la acesta ducem segmente
de dreaptă până la nodurile vecine de ordinul I, ducem planele mediatoare la aceste
segmente, intersecţia lor formând prima zonă Brillouin. Făcând aceeaşi construcţie
dar folosind vecinii de ordinul II (III, ... etc.), obţinem a doua (a treia, ... etc.) zonă
Brillouin. Se poate arăta că volumele zonelor Brillouin de diferite ordine sunt
egale. În figura 3.6 se poate vedea construcţia zonelor Brillouin într-o reţea plană
33

pătratică. În locul vectorului b , definit prin relaţia (3.10), în teoria corpului solid
se preferă lucrul cu vectorul:
 
g  2b  (3. 15)
3.5. Reţele Bravais

O observaţie generală se poate face în legătură cu cristalele reale: acestea
sunt anizotrope, adică proprietăţile lor sunt diferite, în funcţie de direcţia după care
se face observarea; întotdeauna putem găsi un punct, o dreaptă, un plan de simetrie
sau o combinaţie a acestor elemente.
Tabel 3.1 – Singonii

lungimi REŢELE BRAVAIS
singonii axe, simplă cu baze cu volum cu feţe
unghiuri centrate centrat centrate
a1a2a3

triclinic 
INFERI - monoclinic a1a2a3

OARE 
= 
rombic a1a2a3
(orto- =
rombic) = = 
tetragonal a1=a2a3
=
= = 
romboedric a1=a2=a3
(trigonal) =
= 
MEDII
hexagonal a1=a2a3
=
= 

a1=a2=a3
SUPERI- cubic =
OARE = = 
Dacă se grupează tipurile de reţele cristaline după simetriile pe care le au, se

obţin şapte grupe, ce corespund celor şapte sisteme cristalografice (singonii). Din
celulele elementare corespunzătoare acestora, se pot forma, adăugând noduri în
34
centrul celulei sau în centrul feţelor acesteia şi alte tipuri de reţele, astfel încât, aşa
cum a arătat în studiul său din anul 1848 A. Bravais, numărul de structuri de celule
elementare este de 14. Aceste tipuri distincte de structuri se numesc, în mod curent,
reţele Bravais. Cele şapte sisteme cristalografice şi cele 14 tipuri de reţele Bravais
sunt prezentate în tabelul 3.1. După cum se poate constata din analiza acestui tabel,
tipurile de reţele Bravais sunt prezentate în ordinea crescătoare a simetriei, fiecare
dintre sisteme conţinând toate elementele de simetrie ale precedentului.
De asemenea, se poate constata că, pentru fiecare din cele şapte sisteme,
există câte un tip de reţea cu celulă primitivă (P), pentru unele dintre acestea
existând şi alte tipuri de reţea, cu celulă neprimitivă: cu baze centrate (C), cu volum
centrat (I) sau cu feţe centrate (F). Prin deformarea pe anumite direcţii, reţelele
Bravais se pot genera una din alta, conform schemei din figura 3.7.
CUBIC
HEXAGONAL TETRAGONAL
ORTOROMBIC TRIGONAL
MONOCLINIC
TRICLINIC
Figura 3.7 – Transformarea reţelelor Bravais dintr-una în alta

3.6. Structuri cristaline reale
În discuţiile de până acum, am vorbit de reţele cristaline ideale, fără să ne
intereseze care sunt particulele constituente, cum sunt acestea legate unele de
altele, care sunt limitele reţelei etc.
Dintre cele 14 reţele Bravais, cea care aret simetria cea mai mare este
structura cubică simplă (CS) (figura 3.8). De altfel, ea este şi cel mai comod de
studiat (este şi uşor de desenat) dar realitatea este departe de a fi atât de simplă;
multe din proprietăţile solidelor pot fi explicate tocmai prin detaliile structurii
cristaline, care diferă de la un solid la altul.
Se cunoaşte doar un singur element, poloniul, care cristalizează în forma
cubică simplă şi aceasta doar pe un interval limitat de temperatură. De fapt, în
majoritatea cazurilor, atomii nu se aranjează într-o structură cubică simplă întrucât
aceasta este o structură foarte „rarefiată”, prezentând spaţii largi goale (evident, la
scara dimensiunilor atomice). Natura însă face economie de spaţiu, în astfel de
structuri existând tendinţa generală a atomilor de a se aranja cât mai aproape unii
de alţii.
35
În analiza structurii cristaline este comod să se considere atomii ca fiind

sfere rigide cu raze bine-definite. În acest model de sfere rigide, cea mai scurtă
distanţă dintre doi atomi de acelaşi tip este egală cu diametrul sferei.
Figura 3.8 – Structura cubică simplă
Pentru a caracteriza eficienţa cu care este folosit spaţiul disponibil într-o

anumită structură, se defineşte gradul (fracţia) de împachetare (raportul de
umplere), ca fiind raportul dintre volumul atomilor (consideraţi sfere rigide aflate
în contact) din celula elementară şi volumul acesteia. La structura cubică simplă,
gradul de împachetare este de 0,52 (52 %.).
Metalele sunt de obicei materiale (poli)cristaline, deşi este posibilă şi
formarea metalelor amorfe prin răcire rapidă. Cum legătura atomică în metale este
nedirecţională, nu există o restricţie asupra numărului sau poziţiilor vecinilor de
ordinul I ai atomilor, ceea ce determină un număr mare de vecini de ordinul I şi o
împachetare atomică densă. Raza sferei atomice, R este, tipic, 0,1 ÷ 0,2 nm.
Majoritatea tipurilor de celule elementare sunt: cubică cu volum centrat (CVC),
cubică cu feţe centrate (CFC) şi hexagonal compactă (HC).
Se poate observa (considerând că atomii sunt sfere rigide şi că ei se
aranjează astfel încât se ating), că spaţiul gol în structura cubică simplă este cel din
mijlocul cubului reprezentând celula elementară. Dacă acest spaţiu se umple
(evident, parţial) cu un alt atom, se obţine structura cubică cu volum centrat
(CVC). Într-o astfel de reţea, celula elementară conţine doi atomi, fiecare dintre ei
având opt vecini de ordinul I, care sunt de natură diferită faţă de natura atomului
considerat, dacă structura conţine atomi de specii diferite (figura 3.9).
Această structură poate fi considerată ca fiind obţinută din suprapunerea a
două subreţele cu structură cubică simplă, deplasate una faţă de alta pe direcţia
diagonalei cubului [1 1 1] cu distanţa egală cu jumătate din lungimea acestei
diagonale (figura 3.8).
Structura cubică cu volum centrat este întâlnită la numeroase metale, dintre
care cele mai cunoscute sunt -Fe, Cr, Mo, W, metalele alcaline (Li, K, Na, Rb,
Cs) ca şi la compuşi cum sunt CsCl, CsBr, TlBr, NH4Cl. De altfel, această structură
mai este cunoscută şi sub denumirea de structura clorurii de cesiu.
36
Figura 3.9 – Structura cubică cu volum centrat
Sferele rigide se ating (sunt tangente) de-a lungul diagonalei cubului, de

4R
unde rezultă că lungimea muchiei cubului (constanta reţelei) este a = . Fracţia
3
de împachetare este de 0,68 (68 %), numărul vecinilor de ordinul I este 8, iar
numărul atomilor din celula elementară este n = 2.
Dacă se consideră o structură plană, aranjarea optimă a atomilor este cea din
figura 3.10. Spaţiile dintre atomi (notaţi cu 1) sunt notate cu 2 şi respectiv 3.
Figura 3.10 – Structură hexagonală plană
Dacă vrem să obţinem o structură spaţială prin suprapunerea mai multor

plan atomice de felul celui din figura 3.10, se poate face acest lucru prin
suprapunerea acestora în aşa fel încât atomii planelor de deasupra să se afle exact în
poziţiile atomilor notaţi cu 1. În acest caz, se obţine structura hexagonală simplă
(H), o structură destul de rar întâlnită (La, Am, Nd, grafit, cuarţ, smarald) datorită
aceluiaşi motiv: risipa de spaţiu (figura 3.11).
Dacă însă planul de deasupra celui considerat este format din atomi plasaţi
în poziţiile 2, după care urmează iar un plan cu atomi în poziţiile 1 şi aşa mai
departe, adică o succesiune de plane 121212... (figura 3.12.a), atunci structura
obţinută este aşa numita structură hexagonal-compactă (HC).
37
Figura 3.11 – Structură hexagonală simplă
Aranjarea atomilor se poate vedea foarte bine în figura 3.12.b, iar figura
3.12.c prezintă celula elementară, unde se constată că această structură se poate
obţine dintr-o structură hexagonală simplă, prin introducerea unui plan intermediar
situat simetric între planele bazelor, conţinând (pentru o celulă elementară) trei
atomi aflaţi pe verticala dusă din centrul de greutate al unui număr de trei
triunghiuri din cele şase în care se împarte hexagonul bază, luate prin alternanţă.
Celula elementară are doi parametri de reţea, a şi h. Raportul ideal este h/a = 1,633.
Figura 3.12 – Structură hexagonal-compactă
Structura HC este una dintre cele mai comune structuri ale cristalelor
metalice şi în această structură cristalizează elemente ca: H, He, Be, Mg, Sc, Ti,
Co, Zn, Zr, Cd, Tl, precum şi compuşi: ZnO, ZnSe, ZnTe, SiC, CdS, CdSe. Gradul
de împachetare al acestei structuri este de 74%.
Dacă planele de forma celui din figura 3.10 se suprapun astfel încât peste un
plan cu atomii în poziţia 1 se suprapune un plan cu atomii în poziţia 2 iar peste
acesta un plan cu atomii în poziţia 3 şi aşa mai departe (adică o succesiune de plan
123123..., figura 3.13.a), se obţine o structură cubică cu feţe centrate (CFC)
(figura 3.13.b,c). Aceasta are un grad de împachetare de 0,74 (74 %). Planele cu
aranjament compact, de tipul celui din figura 3.10 sunt planele diagonale ale
38
cuburilor reprezentând celulele elementare ale acestei structuri, aşa cum se poate
vedea şi în figura 3.14.
Figura 3.13 – Structură cubică cu feţe centrate
Structura cubică cu feţe centrate este tipică unor metale cum sunt Cu, Ag,
Au, Al, Ni, Pd, Pt, Sr, Ca, Pb. De asemenea, aceeaşi structură se întâlneşte si la
substanţe compuse, ca: NaCl, KCl, KBr, LiH, PbS, MgO, MnO, AgBr. Aceste
structuri, de tipul clorurii de sodiu, pot fi considerate ca fiind alcătuite din două
reţele CFC (de exemplu, la NaCl, de Na+ şi respectiv Cl–), întrepătrunse.
Figura 3.14 – Planele cu aranjament hexagonal-compact, din structura cubică cu feţe

centrate
Sferele rigide se ating una cu alta de-a lungul diagonalei feţelor, de unde
4R
rezultă că lungimea muchiei cubului (constanta reţelei) este a = . Numărul
2
vecinilor de ordinul I este egal cu 12 şi numărul atomilor din celula elementară este
n = 4.
O altă clasă este cea a structurii de tip diamant, structură care se poate
obţine tot prin suprapunerea a două reţele CFC, deplasate una faţă de alta pe
direcţia [1 1 1] cu un sfert din lungimea diagonalei cubului. O imagine mult mai
sugestivă este cea care prezintă această structură pentru care fiecare atom se află în
39
centrul unui tetraedru regulat, în vârfurile acestuia aflându-se vecinii săi de ordinul
I (figura 3.15).
Elemente care cristalizează în această structură sunt C, Si, Ge, -Sn iar
compuşii sunt de tipul AIIBVI, ca: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe,
de tipul AIIIBV, ca: InSb, InAs, InP, GaAs, GaSb, GaP sau de tipul AIBVII, ca:
CuBr, AgI.
Figura 3.15 – Structura diamantului
Celelalte sisteme sunt şi ele mai rar întâlnite. Astfel, în sistemul tetragonal
cristalizează zirconiul şi oxidul de titan, în sistemul ortorombic sulful şi sulfatul de
bariu, în sistemul monoclinic gipsul şi pehblenda iar în sistemul romboedric
calcitul şi rubinul.
Aliajele (amestecuri de două sau mai multe metale) în general au structuri
cristaline de tip CFC, CVC, sau HC, atomii fiind aşezaţi ordonat sau dezordonat:
 Structura clorurii de sodiu (NaCl) (figura 3.16) este o structură de tip CFC, la
care raportul razelor celor două tipuri de ioni (Na+ şi Cl–), r/R este între 0,414
şi 0,732, ionul de Cl– fiind situat [[0 0 0]], iar ionul de Na+ la [[0 1/2 0]].
Figura 3.16 – Structura clorurii de sodiu
Exemple: halogenuri alcaline: LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI,
KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, halogenuri metalice: AgF, AgCl,
40
AgBr, oxizi metalici: MgO, CaO, SrO, BaO, VO, MnO, FeO, CoO, NiO, sulfuri
metalice: MgS, CaS, SrS, BaS, MnS, PbS, hidruri metalice: LiH, NaH, KH, RbH,
CsH, hidroxizi metalici: KOH, săruri de amoniu: NH4I.
 Structura clorurii de cesiu (CsCl) (figura 3.17) este o structură de tip CVC, la
care raportul razelor celor două tipuri de ioni (Cs+ şi Cl–), r/R este între 0,732 şi
1,0, ionul de Cl– fiind situat la [[0 0 0]], iar ionul de Cs+ la [[1/2 1/2 1/2]].
Exemple: CsCl, CsBr, CsI, NH 4Cl, NH4Br
Figura 3.17 – Structura clorurii de cesiu
 Structura perovskitului (figura 3.18), numită aşa după mineralul CaTiO3, numit
perovskit, are ionul de Ca2+ la [[0 0 0]], ionul O2– la [[1/2 0 1/2]], [[0 1/2 1/2]]
şi [[1/2 1/2 0]], iar ionul de Ti4+ la [[1/2 1/2 1/2]]. Exemple: CaTiO3, SrTiO3,
BaTiO3, KNbO3, PbZrO3
Figura 3.18 – Structura perovskitului
Trebuie precizat faptul că multe substanţe nu cristalizează exact în forma

unor reţele simple, aşa cum au fost descrise cele de mai sus, dar se apropie foarte
mult de acestea. Există substanţe care, de exemplu, cristalizează aproape cubic, la
care însă, fie laturile cubului, fie unghiurile sale sunt doar aproximativ egale,
respectiv drepte. De asemenea, unele materiale îşi schimbă sistemul de cristalizare
41
atunci când sunt încălzite peste o anumită temperatură. Este cunoscută starea
alotropă a staniului (-Sn, staniul cenuşiu), cu structură de tip diamant, care este
posibilă numai la temperaturi sub – 40 C. La fel, fierul îşi schimbă structura din
CVC în CFC la temperaturi peste 910C, iar nichelul din CFC în HC, aşa cum
structura sodiului, sub temperaturi în jurul a 30 K, devine o structură complexă
mixtă. Zirconiul prezintă faza  hexagonal-compactă, iar la 865C suferă o
transformare polimorfă în fază , cu structură CVC, acelaşi fenomen întâlnindu-se
şi la hafniu, la care temperatura de tranziţie este însă de 1760C.
O imagine sugestivă privind sistemul de cristalizare pentru diferite
substanţe este dată în figura 3.19.
Figura 3.19 – Tabelul periodic al structurilor cristaline
Faptul că, pentru o substanţă dată, aspectul exterior al cristalului poate

varia, dar elementele sale de simetrie rămân întotdeauna constante a fost observat
încă din 1669 de către danezul Steno, fapt reluat apoi şi dezvoltat în secolul XVIII
de către francezul Romé de l'Isle. Astfel s-a născut cristalografia, ştiinţă naturală
care se ocupă cu studiul formelor cristaline ale substanţelor.
De obicei, în natură, aşa cum s-a mai arătat, cristalele se asociază în
momentul formării lor, alcătuind formaţiuni policristaline (cristalite), alcătuite din
numeroase monocristale orientate diferit.
Există, de asemenea, un alt fenomen, numit clivaj, care permite
cristalografilor să recunoască şi să clasifice cristalele, acesta fiind un fenomen de
ruptură a unui cristal sub acţiunea unor factori mecanici, urmărind o direcţie
privilegiată. Mica, de exemplu, clivează paralel cu suprafaţa sa, astfel încât ea
poate fi considerată ca fiind constituită dintr-un teanc de foi. Acelaşi fenomen este
observat şi la grafit.
Clivajul este o reflectare a forţelor electrice care acţionează între atomi,
având drept rezultat ruperea cristalului de-a lungul planelor atomice care sunt
paralele cu feţele cristalului.
42
Evident că, în afara acestor observaţii, privind structura cristalină a

substanţelor, cristalografia mai dispune şi de date cu privire la culoarea cristalelor,
densitatea lor, duritatea etc. Duritatea unui cristal se determină cu ajutorul scării lui
Mohs, în care mineralele sunt clasificate de la 1 la 10, astfel încât fiecare categorie
zgârie pe cele care o preced şi este zgâriată de cele care o succed.
Duritatea unui mineral este reprezentată de rezistenţa sa la zgâriere. Aceasta
este legată de structura cristalului în sensul că, cu cât atomii sunt mai strâns legaţi,
cu atât este mai mare rezistenţa suprafeţei la zgâriere. În 1812, Friedrich Mohs a
conceput o scară a durităţii care este foarte utilă în identificarea mineralelor. Talcul
are, pe această scară, duritatea 1, în timp ce diamantul are duritatea maximă, 10.
Intervalele între numere nu sunt totuşi egale: diferenţa între corindon, la 9 şi
diamant la 10 este mai mare decât întregul domeniu de la 1 la 9.
Scara Mohs a durităţii minerale este următoarea:
1. Talc
2. Gips
3. Calcit
4. Fluorină
5. Apatit
6. Feldspat
7. Cuarţ
8. Topaz
9. Corindon
10. Diamant
Unele materiale pot exista în mai mult decât o structură cristalină, acest fapt
numindu-se polimorfism, iar în cazul particular când materialul este un element
solid, alotropie. Structurile cristaline depind de temperatura şi presiunea mediului
ambiant.
În afara exemplelor amintite anterior, un exemplu de alotropie este
carbonul, care poate exista ca diamant (figura 3.15), grafit (figura 3.20) şi carbon
amorf.
Figura 3.20 – Structura grafitului
43
Grafitul monocristalin are o structură stratificată, de tip ABAB … Legătura

covalentă puternică sp2 leagă atomii de carbon în fiecare strat la unghiuri de 120.
Straturile sunt asamblate împreună de legături Van der Waals relativ slabe.
Această structură face grafitul foarte anizotropic, astfel încât este un bun
lubrifiant, ca urmare a alunecării uşoare a straturilor unul faţă de altul. Din acelaşi
motiv, grafitul este utilizat pentru fabricarea minelor de creioane. Mai mult, grafitul
este un conductor electric şi termic foarte bun în interiorul straturilor, dar un
izolator în direcţia perpendiculară pe straturi. Conductivitatea electrică a grafitului
este foarte importantă în utilizarea acestuia pentru electrozi electrochimici. Grafitul
este chimic inert; totuşi, datorită anizotropiei sale, poate suferi o reacţie (cunoscută
sub numele de intercalare), în care o specie străină, numită intercalat, este inserată
între straturile de carbon.
Carbonul dezordonat, amorf (numit carbon turbostratic), are de asemenea o
structură stratificată, dar, spre deosebire de grafit, nu are o ordine de stratificare, de
tipul ABAB … şi straturile sunt curbate. Prin încălzire, carbonul amorf devine mai
ordonat, deoarece forma ordonată (grafitul) are cea mai scăzută energie.
Grafitizarea este procesul de ordonare care conduce la grafit. Fibrele de carbon
convenţionale sunt în general din carbon amorf, astfel că straturile de carbon sunt
orientate de-a lungul axei fibrei. Grafitul flexibil este format prin comprimarea
unui grup de fulgi intercalaţi de grafit, menţinuţi împreună prin solidizare
mecanică, deoarece nu există un liant. Grafitul flexibil se găseşte de obicei în formă
de folii, care sunt elastice pe direcţia perpendiculară pe planul foliilor. Această
elasticitate permite utilizarea grafitului flexibil la confecţionarea garniturilor de
etanşare.
Diamantul prezintă o reţea covalentă şi este utilizat ca substanţă abrazivă,
sau conductor termic. Conductivitatea sa termică este cea mai mare dintre toate
materialele; totuşi, el este un izolator electric.
În ultimul timp s-au descoperit şi alte structuri cristaline ale carbonului, mai
complexe şi mai vaste, numite fulerene. Acestea sunt molecule (C60) cu legături
covalente înăuntrul fiecărei dintre ele. Moleculele adiacente sunt legate prin forţe
Van der Waals; totuşi, fulerenele nu sunt polimeri. Cele mai cunoscute astfel de
structuri, cu numeroase aplicaţii prezente sau doar întrevăzute, sunt nanotuburile de
carbon, care sunt derivaţi ai fulerenelor (fulerene cu atomi de carbon suplimentari
la „ecuatorul” moleculei).
Un alt exemplu este cel al fierului, care are o structură de tip CVC de la
temperatura camerei la 912C, o structură CFC între 912C şi 1394C şi din nou
CVC de la 1394C până la temperatura de topire.
Gheaţa este un alt exemplu de substanţă alotropică. Structura normală a
gheţii la presiune atmosferică este hexagonală, dar se cunosc cel puţin şase
polimorfisme, depinzând de presiune.
Dioxidul de siliciu (cunoscut şi sub numele de silice, cremene, cuarţ), pur
cristalin, SiO2, are şase forme polimorfe:
-  şi  cuarţ (romboedric), până la 870C
-  şi  cristobalit (cubic), de la 870C la 1470C
44
-  şi  tridimit (hexagonal), peste 1470C

Dacă SiO2 este răcit rapid de la starea lichidă, se formează sticlă amorfă.
Diferite direcţii într-un cristal au aranjamente diferite ale atomilor. De
exemplu, atomii de-a lungul muchiei unei celule elementare de tip CFC sunt mai
distanţaţi decât cei de-a lungul diagonalei unei feţe. Aceasta determină o
anizotropie în proprietăţile cristalelor; de exemplu, deformarea depinde de direcţia
în care este aplicată forţa deformatoare. În unele materiale policristaline, orientările
cristalitelor sunt aleatoare, astfel încât proprietăţile macroscopice ale materialului
sunt izotrope. Alte materiale policristaline au cristalitele cu orientări preferenţiale
(au o textură), astfel că proprietăţile sunt dominate de acelea relevante pentru
orientarea texturii şi materialul prezintă proprietăţi anizotrope.
Datele obţinute de cristalografie în privinţa proprietăţilor cristalelor provin
din studii la scară macroscopică şi, de aceea, ele sunt insuficiente pentru a lămuri
toate aspectele acestor proprietăţi. Este necesar, deci şi un studiu la scară
microscopică, pentru a aduce date noi, în completarea celor prezentate în acest
capitol. Acest lucru înseamnă însă un salt calitativ deosebit, salt care a fost posibil
odată cu dezvoltarea rapidă a ştiinţei, începând cu primele decenii ale secolului al
XX-lea.
45
4. Defecte şi vibraţii în solide

4.1. Tipuri de defecte
În discuţiile de până acum, s-a considerat că structura reţelei cristaline este
una în care atomii ocupă poziţiile corecte într-un mod foarte precis; în realitate,
există atomi care nu respectă acest aranjament ordonat, astfel încât reţeaua are
unele defecte structurale. Multe din proprietăţile substanţelor cristaline sunt
determinate tocmai de prezenţa defectelor în reţea, motiv pentru care cunoaşterea
modului în care apar şi se manifestă aceste defecte este de o importanţă deosebită.
Aceste defecte pot apărea la formarea cristalului, dar şi după aceea, datorită
faptului că mai multe defecte duc la creşterea dezordinii în cristal şi, deci, a
entropiei acestuia; ca urmare, există tendinţa de a se forma mai multe defecte odată
cu creşterea temperaturii.
Defectele pot fi clasificate în patru categorii, în funcţie de dimensiune:
 Defecte punctiforme, sau zerodimensionale: atomi lipsă, sau plasaţi în
locuri anormale în reţea (vacanţe, atomi interstiţiali, impurităţi)
 Defecte liniare, sau unidimensionale: grupări de atomi în poziţii anormale
(de exemplu, dislocaţii marginale şi elicoidale)
 Defecte planare, sau bidimensionale: interfeţe dintre regiuni omogene ale
materialului (suprafaţa de separare dintre cristalite, suprafeţe exterioare)
 Defecte de volum, sau tridimensionale: defecte extinse (pori, fisuri)
4.2. Defecte punctiforme
Cel mai simplu defect care poate apărea este lipsa unui atom din locul
corespunzător în reţea, defect numit vacanţă. Acest defect se produce prin ruperea
legăturilor cristaline dintre un atom şi restul reţelei, acesta migrând într-o altă
poziţie, unde, la rândul său, reprezintă tot un defect punctiform, numit atom
interstiţial. De regulă, deci, defectele punctiforme apar ca perechi vacanţă-atom
interstiţial. Atomul interstiţial se poate plasa undeva, oriunde, în interstiţiul dintre
două plane reticulare ale reţelei (ceea ce produce o dilatare a acesteia), caz în care
perechea vacanţă-atom interstiţial se numeşte defect Frenkel*, sau poate migra la
suprafaţa cristalului, caz în care perechea respectivă se numeşte defect Schottky.
Şi în regiunea unde se formează o vacanţă are loc deformarea reţelei dar în sensul
comprimării ei. În plus, prezenţa vacanţelor oferă o posibilitate destul de uşoară a
atomilor de a difuza dintr-o parte a cristalului (cu concentraţie mică de vacanţe) în
alta (cu concentraţie mai mare de vacanţe) datorită faptului că, atunci când un atom
se deplasează într-o vacanţă lăsând propriul loc gol, nu produce rupturi prea mari în
reţea, procesul necesitând foarte mică energie. Odată cu difuzia atomilor într-un
sens, are loc şi difuzia vacanţelor în sens invers. În cristalele ionice, prezenţa
vacanţelor în reţea echivalează şi cu o sarcină electrică efectivă de semn opus celei
a ionului lipsă, fapt ce duce la creşterea energiei electrostatice; de asemenea, pentru
*
Defectele Frenkel sunt foarte rar întâlnite la metale, care au o structură foarte compactă.
46
menţinerea neutralităţii, apare şi tendinţa de formare de perechi vacanţă-ion

interstiţial.
Difuzia atomilor datorată vacanţelor se poate produce şi în cazul când
concentraţia acestora este constantă în toată masa cristalului dar se aplică din
exterior un câmp electric, situaţie ce duce şi la modificarea proprietăţilor de
conducţie electrică. Dacă energia de formare a unei perechi vacanţă-atom
interstiţial este EV (~ 1 eV pentru defecte Schottky şi ~ 4 ÷ 5 eV pentru defecte
Frenkel), se poate demonstra uşor că, la temperatura T, concentraţia unor astfel de
defecte este dată de relaţia:
 E 
n = N exp   V  (4. 1)
 kT 
unde k este constanta Boltzmann şi N este concentraţia atomilor din reţea.
După cum se vede din relaţia (4.1), concentraţia vacanţelor creşte sau scade
o dată cu creşterea, respectiv scăderea temperaturii.
De exemplu, folosind relaţia (4.1), se obţine că, la temperatura camerei, în
cupru este o vacanţă pentru 1015 atomi din reţea, în timp ce la temperatură ridicată,
chiar sub punctul de topire, este o vacanţă pentru 10.000 atomi.
Relaţia (4.1) dă o estimare a numărului minim de vacanţe, deoarece un mare
număr de vacanţe suplimentare (de neechilibru) pot fi introduse în procesul de
creştere sau ca rezultat al tratamentelor ulterioare (deformare plastică, călire etc.)
Numărul de vacanţe existente la o anumită temperatură poate fi „îngheţat”
prin răcirea bruscă a cristalului, lucru ce îi conferă, în anumite cazuri proprietăţi
deosebite (aşa cum se întâmplă, de exemplu, la călirea oţelurilor). Defectele de tip
Frenkel sunt (datorită energiei de formare mai mari) în concentraţie mult mai mică,
numărul acestora putând însă creşte în timpul deformărilor mecanice.
Atomii interstiţiali determină distorsiuni în reţeaua înconjurătoare, ceea ce
face ca energia de formare a unui astfel de defect să fie de aproximativ 3 ori mai
mare decât cea de formare a vacanţelor (Ei  3EV). Din această cauză, concentraţia
de echilibru a atomilor interstiţiali este foarte mică (mai puţin de un atom
interstiţial pe cm3 la temperatura camerei).
Figura 4.1 – Tipuri de defecte punctiforme
47
Un alt tip de defect punctiform constă în prezenţa în reţea a unor atomi de

alt tip decât cei ai reţelei respective, numiţi impurităţi. Acestea pot fi impurităţi
interstiţiale, când atomii de impuritate sunt plasaţi între planele reţelei sau
impurităţi substituţionale, când atomii de impuritate substituie chiar în nodurile
reţelei atomi ai acesteia (figura 4.1). În afara efectelor care apar şi în cazul atomilor
interstiţiali, prezenţa impurităţilor determină şi alte efecte, specifice. De exemplu,
cel mai important este cel datorat diferenţei de valenţă dintre atomii de impuritate
şi cei ai reţelei, când, ca urmare a acestui fapt, se produce o rearanjare locală a
atomilor, pentru a menţine neutralitatea electrică. Procesul, numit compensare de
sarcină, se produce în cristalele ionice şi determină creşterea concentraţiei de
vacanţe şi, în consecinţă a conductivităţii electrice. Tot aici, să amintim procedeul
de impurificare (şi creare, în acest fel, a impurităţilor substituţionale) a
semiconductorilor, cu producerea conducţiei extrinseci la aceştia.
În fapt, impurităţile sunt atomi care sunt diferiţi de cei ai reţelei-gazdă.
Toate solidele reale sunt impure (chiar şi metalele foarte pure conţin atomi de
impurităţi). Impurificarea poate fi intenţionată sau neintenţionată. Un exemplu din
prima categorie este carbonul care, adăugat în mici cantităţi în reţeaua fierului,
determină formarea oţelului. Borul adăugat la siliciu modifică proprietăţile electrice
ale acestuia.
Aliajele reprezintă amestecuri deliberate de metale. Un caz particular este
cel al soluţiilor solide, care sunt obţinute pe baza unei „gazde” (solvent sau
matrice), care dizolvă componentul minor (solvit). Proprietatea de a se dizolva este
numită solubilitate.
Într-un aliaj, elementul sau compusul prezent în mai mare cantitate este
solventul, iar elementul sau compusul prezent în mai mică cantitate este solvitul.
Soluţia solidă este omogenă, îşi menţine structura cristalină şi conţine
impurităţi (substituţionale sau interstiţiale) dispersate aleatoriu.
Soluţiile solide substituţionale conţin impurităţi substituţionale (figura 4.2).
Figura 4.2 – Soluţie solidă substituţională
Pentru o solubilitate ridicată, este necesar ca atomii de impuritate să aibă

dimensiuni comparabile cu cele ale atomilor gazdă (razele atomice alesolvitului şi
48
solventului nu trebuie să difere cu mai mult de 15%), structurile cristaline ale

solvitului şi solventului trebuie să fie aceleaşi, iar electronegativităţile solvitului şi
solventului comparabile. Aceste condiţii sunt cunoscute sub numele de regulile
Hume-Rothery.
În general, dacă solvitul are o valenţă mai mare decât a solventului, el are o
solubilitate mai mare.
Soluţiile solide interstiţiale conţin impurităţi interstiţiale, cu dimensiuni
suficient de mici pentru ca acestea să se „potrivească” în spaţiile libere ale reţelei.
Pentru structurile CFC, CVC şi HC, spaţiile libere (sau interstiţiile) dintre
atomii gazdă sunt relativ mici, ceea ce impune ca razaatomică a solvitului să fie
semnificativ mai mică decât cea a solventului. În mod normal, concentraţia maximă
a solvitului este de cel mult 10%.
Compoziţia unei soluţii (aliaj) poate fi exprimată în două moduri:
 concentraţie masică, utilă când se prepară soluţia: reprezintă masa unui
component raportată la masa totală a soluţiei (aliajului); pentru un sistem cu
două componente, X şi Y, concentraţia masică elementului X este dată de
relaţia:
mX
cX = 100 % (4. 2)
mX  mY
unde mX şi mY sunt masele componentului X, respectiv Y.
 concentraţie atomică, utilă pentru înţelegerea structurii materialului la nivel
atomic: numărul moli (atomi) dintr-un component, raportat la numărul total de
moli (atomi) din aliaj; pentru un sistem cu două componente, X şi Y,
concentraţia atomică a elementului X este dată de relaţia:
nX
cX  100 % (4. 3)
nX  nY
unde nX şi nY reprezintă numărul de moli (atomi) din componentul X, respectiv Y.
Se poate trece de la un tip de concentraţie la altul, astfel:
 de la concentraţia masică la cea atomică:
cX A Y cY A X
cX  ; cY 
cX A Y  cY A X cX A Y  cY A X
 de la concentraţia atomică la cea masică:
cX A X cY A Y
cX  ; cY 
cX A X  cY A Y cX A X  cY A Y
În sfârşit, ultimul tip de defecte punctiforme pe care îl vom aminti aici este
cel numit centru de culoare. Dacă unele cristale sunt supuse acţiunii radiaţiilor X,
, neutronice etc., acestea îşi schimbă culoarea (de exemplu, sub acţiunea unui
flux de neutroni, cuarţul se colorează în maro iar diamantul capătă o culoare
albastră când este supus acţiunii unui flux de electroni). Efectul se produce ca
urmare a acţiunii radiaţiilor asupra reţelei, prin care în aceasta sunt produse diferite
defecte punctiforme ce duc la acumularea în zonă a unor purtători de sarcină
electrică (electroni, goluri), ale căror niveluri energetice discrete determină
49
procesul de absorbţie selectivă a luminii. Prin încălzirea cristalului, culoarea sa

devine cea iniţială deci defectele apărute prin iradiere sunt reversibile. Un centru de
culoare foarte studiat este aşa-numitul centru F, obţinut prin încălzirea unei
halogenuri alcaline în vapori ai metalului alcalin respectiv, urmată de răcirea
bruscă. Ca urmare a încălzirii, vaporii alcalini difuzează în cristal; cum ionii
alcalini sunt în exces, fiecare din aceştia va fi dublat de o vacanţă de ion de
halogen. Pentru respectarea neutralităţii electrice, electronul de valenţă al atomului
metalului alcalin va fi captat de vacanţa pereche, ca şi când acolo s-ar fi aflat un
atom de halogen. Defectul constă, deci, în lipsa unor ioni de halogen în reţea,
aceştia fiind înlocuiţi de câte un electron (în acelaşi mod, pot fi produşi centri F
care constau în lipsa unor ioni pozitivi, înlocuiţi de goluri). În anumite cazuri, se
pot produce mici grupări de 2-3 astfel de centri F (clusteri), cu proprietăţi optice
deosebite.
4.3. Defecte liniare; dislocaţii
O alunecare relativă parţială a planelor reticulare dense pe o distanţă
atomică produce o dislocaţie. De exemplu, în cazul ideal, deformarea unui cristal
are loc prin alunecarea planurilor atomice unele peste altele. Se produce astfel o
alunecare unitate, pe un plan de alunecare, dacă fiecare atom de-o parte a planului
a luat locul ocupat de cel mai apropiat vecin în direcţia de alunecare. Astfel,
alunecarea unitară lasă atomii în corespondenţă de-o parte şi de alta a planului de
alunecare şi nu perturbă perfecţiunea cristalului. În majoritatea cristalelor,
alunecarea nu este însă uniformă pe toată suprafaţa planului de alunecare.
În figura 4.3, alunecarea unitară nu se produce decât pe o porţiune a
planului de alunecare; restul planului nu a alunecat. Linia AD este limita din
interiorul cristalului a zonei care a alunecat. În jurul direcţiei AD, atomii nu mai au
aranjamentul normal. Zona cu un diametru de ordinul a 10 nm în jurul lui AD este
o dislocaţie. De aici derivă şi definiţia dislocaţiei: o dislocaţie reprezintă un defect
liniar (unidimensional) al reţelei cristaline, care limitează în aceasta o regiune care
a alunecat.
Trebuie remarcat faptul că, dacă dislocaţia s-ar deplasa pe planul de
alunecare de la o extremitate la alta a cristalului, acesta s-ar deforma, ceea ce arată
legătura dintre dislocaţii şi deformarea plastică.
Pentru a preciza importanţa dislocaţiilor în deformarea plastică, este
suficient să dăm câteva exemple.
1. Slaba rezistenţă la forfecare a cristalelor
O dislocaţie este o configuraţie care se poate deplasa într-o reţea. Mişcarea
sa, ca aceea a unei vacanţe, furnizează o schemă comodă pentru descrierea
deplasărilor unui mare număr de atomi; fiecare atom se deplasează cu o singură
distanţă interatomică în timp ce dislocaţia parcurge un număr mare de astfel de
distanţe. Mişcarea unei dislocaţii de-a lungul cristalului produce o deformare
macroscopică în care cristalul cedează constrângerilor aplicate. Forţa necesară
pentru a deplasa o dislocaţie este de mai multe ordine de mărime inferioară celei
50
necesare pentru forfecarea simultană a unui întreg plan de atomi faţă de un altul
într-un cristal perfect.
Figura 4.3 – Alunecarea planelor reticulare într-o reţea
2. Forjarea*
Dislocaţiile sunt înconjurate de câmpuri de forţe elastice. Câmpurile de
forţe ale diferitelor dislocaţii interacţionează puternic şi blochează dislocaţiile într-
o configuraţie metastabilă. Forţa ce trebuie aplicată din exterior pentru a produce
deformarea trebuie să fie suficientă pentru a face să treacă dislocaţiile de-a lungul
câmpurilor de forţă ale altor dislocaţii care i se opun. Dislocaţiile acumulate în
timpul forjării la rece cresc deci duritatea materialului. Dacă se reduce densitatea
dislocaţiilor, acestea nu se mai blochează unele pe altele şi se deplasează uşor.
Dacă toate dislocaţiile ar fi eliminate, cristalul ar deveni foarte rezistent.
Figura 4.4 – Curba efort-deformare
3. Efecte de impurităţi
Atomii de impurităţi difuzează spre dislocaţii. Atomii de dimensiuni mai
mari decât constanta reţelei sunt atraşi spre regiunea dilatată din jurul dislocaţiei.
Atomii de dimensiuni mai mici sunt atraşi spre regiunea comprimată. S-a
interpretat limita rezistenţei fierului drept momentul când dislocaţiile se separă de
atomii de impurităţi care le înconjoară. Când dislocaţia s-a îndepărtat de impuritate,
*
Forjare = batere la rece, utilizată în metalurgie pentru modificarea proprietăţilor metalelor.
51
ea continuă să se deplaseze sub acţiunea unei forţe, de unde variaţia pantei curbei
efort-deformare (figura 4.4)
4. Recoacerea
O ridicare a temperaturii permite dislocaţiilor să se deplaseze mai uşor şi să
formeze configuraţii mai stabile (de energie mai scăzută). Dacă două dislocaţii se
atrag, ele pot să se reunească şi să se anihileze sau să formeze o dislocaţie unică
(figura 4.5).
Figura 4.5 – Combinarea dislocaţiilor
În toate cazurile, are loc scăderea numărului de dislocaţii şi eliberarea de

energie. Recoacerea şlefuieşte cristalul, eliminând dislocaţiile.
5. Poligonizarea
Dacă se curbează un cristal, se introduc dislocaţii care se repartizează mai
mult sau mai puţin uniform pe plan de alunecare paralele (figura 4.6.a).
În cursul poligonizării, dislocaţiile diverselor plan se aliniază unele peste
altele, căci regiunile comprimate ale unei dislocaţii atrag regiunile dilatate ale altei
dislocaţii vecine. Ele formează astfel o joncţiune de dezorientare uşoară. Energia pe
dislocaţie este astfel mai scăzută şi cristalul este mai stabil. Se obţin de o parte şi de
alta a joncţiunii două cristale de dezorientare uşoară reciprocă (figura 4.6.b).
4.3.1. Exemple de dislocaţii

Orice dislocaţie poate fi explicată printr-o alunecare. După direcţia şi
mărimea vectorului de alunecare, se deosebesc următoarele tipuri de dislocaţii:
1. Dislocaţia marginală (Taylor şi Orowan) (figura 4.3). Vectorul de alunecare
este perpendicular pe linia de dislocaţie. Apare un plan reticular incomplet în
cristal, a cărui limită este linia de dislocaţie.
2. Dislocaţia elicoidală (Burgers). Vectorul de alunecare este paralel cu linia de
dislocaţie. Cristalul poate fi considerat ca un plan atomic unic, dispus elicoidal
în jurul liniei de dislocaţie.
3. Dislocaţia mixtă
Când un cristal suferă o deformare plastică, aceasta se produce prin
alunecarea unui plan reticular (specific materialului respectiv) faţă de altul, pe o
direcţie de asemenea bine definită, în funcţie de natura materialului. Linia care
separă partea din cristal care a alunecat de cea care nu a alunecat se numeşte
dislocaţie. Dacă direcţia de alunecare este perpendiculară pe dislocaţie, avem de-a
52
face cu o dislocaţie marginală (Taylor) iar dacă cele două direcţii sunt paralele,
dislocaţia este o dislocaţie elicoidală sau spirală (Burgers). Când direcţia de
alunecare este una oarecare, s-a produs o dislocaţie mixtă.
Figura 4.6 – Poligonizarea
În figura 4.6 sunt prezentate cele două tipuri de dislocaţii. La dislocaţia

marginală, alterarea structurii reţelei este mare în imediata vecinătate a acesteia dar
la distanţe de câteva ori distanţa interplanară deja structura reţelei este aproape cea
regulată. Totuşi, descriind o curbă închisă în planul xOy în jurul originii (figura

4.7), şi adunând pe această curbă vectorii deplasare, u j , ai fiecărui atom de pe
curbă faţă de poziţia iniţială în reţeaua ideală, vectorul rezultant este nenul, având
mărimea egală cu distanţa interplanară şi fiind orientat pe direcţia Ox.
Dislocaţia elicoidală are loc prin „tăierea” reţelei de-a lungul unui semiplan
şi alunecarea celor două părţi rezultate faţă de poziţia iniţială pe o distanţă egală cu
jumătate din distanţa interplanară. Şi în acest caz se constată acelaşi lucru în
legătură cu vectorul deplasare calculat pe o curbă închisă în jurul liniei de
dislocaţie, astfel încât se poate scrie:
u
 du i   x ki dx k  bi (4. 4)
Cu alte cuvinte, când se descrie o curbă arbitrară închisă, , în jurul unei

 
linii de dislocaţie, vectorul deplasare elastică, u , suferă o variaţie finită, b , egală
53
cu unul din vectorii de bază ai reţelei (cel perpendicular, pentru dislocaţia

marginală, respectiv paralel, pentru dislocaţia elicoidală, cu direcţia liniei de

dislocaţie). Vectorul b este constant de-a lungul liniei de dislocaţie şi se numeşte
vectorul Burgers.
Figura 4.7 – Tipuri de dislocaţii
Este evident că linia de dislocaţie nu se poate întrerupe în interiorul

cristalului, cele două capete ale acesteia ieşind la suprafaţă sau unindu-se şi
rezultând o curbă închisă. Dislocaţiile pot fi puse în evidenţă prin diverse tehnici,
dintre care cele mai importante sunt microscopia electronică, microscopia
autoionică, difracţia de raze X, atacul chimic al suprafeţei cristalului etc.
4. Dislocaţii imperfecte
B
A A C C
B a
A C A C A
B B b c
C
A A B B
C
Figura 4.8 – Dislocaţii imperfecte
Dacă într-o structură CFC se produce un defect de împachetare, astfel că în

locul succesiunii ABCABC apare, de exemplu, o succesiune ABCBCABC, se
poate considera că defectul a apărut pornind de la o alunecare AB. Vectorul BC
este mai scurt decât vectorul BB , care dă o dislocaţie marginală (figura 4.8).
Limita unui defect de împachetare în interiorul cristalului este o dislocaţie
imperfectă (Shockley).
54
4.3.2. Multiplicarea dislocaţiilor

Numărul dislocaţiilor într-un cristal de sinteză este în jur de 108 ÷
10 /m , adică distanţa medie între două dislocaţii este de 10 ÷ 100 m.
9 2
Dislocaţiile se deplasează pe astfel de distanţe foarte uşor. Într-un cristal puternic

forjat, se poate atinge o densitate de 1014 dislocaţii/m2, adică o distanţă de 100 nm
între două dislocaţii vecine. Cum regiunea perturbată de o dislocaţie are un
diametru în jurul a 10 nm, se poate concepe cu uşurinţă că mişcarea dislocaţiilor
este dificilă într-un cristal forjat. Dar dislocaţiile se pot multiplica şi prin alte
procese, cum este, de exemplu, cel al mecanismului Frank şi Reed. Fie o linie de
dislocaţie ancorată între două puncte (ancorajul se constată de exemplu în prezenţa
impurităţilor sau a câmpurilor de constrângere ale altor dislocaţii). Dacă se exercită
o slabă constrângere de forfecare, dislocaţia se deformează. Curbura creşte şi, din
aproape în aproape, apare o dezvoltare de forma din figura 4.9.
În punctul de întâlnire, bucla se închide, în timp ce dislocaţia ancorată
reproduce acelaşi proces. Formarea unor astfel de bucle de dislocaţie se poate
observa cu uşurinţă la microscopul electronic.
Figura 4.9 – Multiplicarea dislocaţiilor prin mecanismul Frank şi Reed
Cunoaşterea dislocaţiilor este încă destul de recentă şi, deci, destul de

incompletă pentru a răspunde la toate problemele pe care acestea le pun. Totuşi, ele
se pot observa, număra, se poate studia mişcarea lor la microscopul electronic şi
pot fi chiar, într-o oarecare măsură, controlate.
Ideea de a obţine monocristale fără dislocaţii părea altădată utopică. În
prezent, acest lucru este posibil. Proprietăţile mecanice ale acestor monocristale
sunt proprietăţile teoretice ale unui cristal perfect. Totuşi, ele nu pot fi obţinute
decât sub formă particulară: trichite* (whiskers).
*
Trichite = grup de minerale filiforme
55
Trichitele sunt fibre monocristaline perfecte, de 1 m diametru şi lungime

variabilă (în general, câţiva milimetri sau chiar câţiva metri în cazul carbonului).
Plecând de la aceste fibre, se pot trefila fire sau pânze foarte rezistente (20000
kg/mm2, adică de 100 de ori mai rezistente decât cele mai bune oţeluri cu siliciu).
Se pot prepara, de asemenea, materiale compozite asamblând un mare
număr de trichite care acţionează asupra rezistenţei structurii precum tijele de fier
în betonul armat. Problema este aceea de a stabili o legătură între trichite şi
matrice. Rezultate interesante au fost obţinute în particular cu trichite de alumină
inserate în aluminiu, în scopul obţinerii compatibilităţii chimice.
4.4. Defecte planare (bidimensionale)
Atomii de la suprafaţă au legături atomice nesatisfăcute şi energii mai mari
decât atomii din interior, ceea ce dă naştere unei energii de suprafaţă (superficiale),
 Ca urmare, aria suprafeţelor tinde să se minimizeze (de exemplu, o picătură de
lichid, care, în absenţa altor constrângeri, ia formă sferică), iar suprafeţele solide se
pot „reconstrui”, pentru a satisface legăturile atomice la suprafaţă.
Materialele policristaline sunt alcătuite din numeroase mici cristale
(cristalite). Acestea au diferite orientări cristalografice, existând astfel „nepotriviri”
atomice în regiunile unde se întâlnesc cristalitele. Aceste regiuni sunt numite
suprafeţe de separare dintre cristalite.
Suprafeţele şi interfeţele sunt reactive şi impurităţile tind să se separe aici.
Cum interfeţelor le este asociată o energie, cristalitele tind să crească în
dimensiuni, pe seama celor de dimensiuni mai mici, pentru a minimiza energia.
Aceasta are loc prin difuzie, care este accelerată la temperaturi mari.
Figura 4.10 – Suprafeţe de separare pereche
În funcţie de nealinierea planelor atomice ale cristalitelor alăturate, se pot

deosebi cristalite cu suprafeţe de separare cu unghiuri de nealiniere mici sau mari.
56
Suprafeţele de separare de unghi mic sunt zone de dislocaţii marginale

aliniate. Acest tip de suprafaţă de graniţă a cristalitei este numită graniţă înclinată.
Regiunea de separare dintre două cristalite constând în zone de dislocaţii
elicoidale se numeşte graniţă răsucită.
Suprafeţe de separare pereche, de joasă energie, cu poziţii atomic în oglindă
de-a lungul graniţei pot fi produse prin deformarea materialelor (figura 4.10).
Aceasta dă naştere la memoria formei, pe care o prezintă anumite metale, ce pot
reveni la forma originală, dacă sunt încălzite la o temperatură ridicată. Aliajele cu
memoria formei au suprafeţe de separare pereche între cristalite şi când se
deformează, aceste se desperechează. La temperatură ridicată, aliajul revine la
configuraţia pereche originală şi reface forma originală.
4.5. Defecte de volum
Astfel de defecte se pot prezenta sub formă de:
 pori – pot afecta puternic proprietăţile mecanice, optice, termice
 fisuri – pot afecta puternic proprietăţile mecanice
 incluziuni străine – pot afecta puternic proprietăţile mecanice, optice,
electrice
4.6. Vibraţiile reţelei cristaline
În discuţiile de până acum, am descris reţeaua cristalină ca pe un ansamblu
de particule aranjate ordonat, fără a ne interesa de agitaţia termică, caracteristică
oricărui ansamblu de particule. Problema ce urmează să o abordăm este aceea a
studiului acestei mişcări pe care o efectuează nodurile reţelei cristaline. De
asemenea, ne interesează să cunoaştem şi problemele legate de energia de agitaţie
termică, având în vedere variaţia acesteia cu temperatura şi influenţa ei asupra
multor fenomene, cum sunt cele legate de conducţia electrică, cea termică etc.
Agitaţia termică a solidelor cristaline constă în mici oscilaţii ale particulelor
constituente în jurul poziţiilor de echilibru care sunt nodurile reţelei cristaline.
4.6.1. Vibraţiile reţelei monoatomice unidimensionale

Deplasările atomilor faţă de poziţia lor de echilibru sunt mult mai mici faţă
de distanţa dintre ei, la aceste deplasări opunându-se forţe electrostatice apărute ca
urmare a deformării învelişurilor electronice ale atomilor datorită tocmai acestor
deplasări. Într-o primă aproximaţie, aceste forţe de revenire pot fi considerate
proporţionale cu deplasarea (elastice).
Să considerăm o reţea unidimensională cu un atom de masă M pe celulă,
fiecare atom interacţionând numai cu vecinii săi cei mai apropiaţi (figura 4.11).
Constanta reţelei este a, constanta elastică  iar deplasările atomilor faţă de poziţia
de echilibru sunt un.
Ecuaţia de mişcare a atomului cu numărul de ordine n este:

M u n = (un+1 – un) + (un – un–1) (4.5)
sau:

M u n = – (2un – un+1 – un–1) (4.5’)
57
Căutăm soluţii de forma*:

un = Ugeigna (4.6)
Atunci, relaţia (4.5) devine:

M U g = – (2 – eiga – e– iga)Ug = – 2(1 – cos ga)Ug (4.7)
Aceasta reprezintă ecuaţia unui oscilator armonic simplu, cu pulsaţia:
 g a
g =  2  sin (4.8)
M 2
Orice vibraţii posibile sunt date de valorile posibile ale lui g în domeniul:
 
– <g (4.9)
a a
care reprezintă, de fapt, prima zonă Brillouin.
Figura 4.11 – Reţea unidimensională monoatomică
Orice valoare a lui g în afara acestui interval are ca rezultat un mod de

vibraţie care repetă cu exactitate aceeaşi mişcare ca cea a unuia din modurile de
vibraţie din intervalul dat. Reprezentată grafic, relaţia (4.8) arată ca în figura 4.12.
Ecuaţia (4.8) are N soluţii diferite, corespunzător celor N valori ale lui g în zona
Brillouin, aceasta corespunzând celor N grade de libertate ale reţelei iniţiale, cu N
atomi; g joacă rolul numărului de undă, putând fi reprezentat în spaţiul reciproc
(aşa cum s-a văzut la difracţia în reţele cristaline, vectorul reţelei reciproce are
dimensiunea unui vector de undă). Deci, cei N atomi ai reţelei pot vibra în N
moduri diferite, vibraţii ce se propagă în reţea sub forma unei unde având numărul
de undă g.
Pentru valori mici ale lui g (ga << 1) obţinem pentru pulsaţie valoarea:

g ~ ag (4.10)
M
ceea ce arată că g este proporţional cu numărul de undă, conform binecunoscutei
proprietăţi a unei unde elastice obişnuite, ce se propagă într-un mediu continuu. La
valori mari ale lui g, viteza de propagare a undei nu este însă constantă, ceea ce
semnifică faptul că are loc un proces de dispersie.
*
ceea ce înseamnă că g este modulul vectorului reţelei reciproce
58
Figura 4.12 – Reprezentarea grafică a relaţiei de dispersie 4.8
Pentru a înţelege mai bine acest fapt, să calculăm viteza de propagare a

undei în reţea, conform formulelor:
 d
vf = ; vg =
g dg
şi, ţinând cont de relaţia (4.8), obţinem:
ga ga
sin sin
 2 v  2  ga ga
vf =  s ; vg = a   cos  v s  cos (4.11)
M ga ga M 2 2
2 2
Figura 4.13 – Reprezentarea grafică a vitezei de fază şi a celei de grup în funcţie de

numărul de undă
Reprezentarea grafică a vitezei de fază şi a celei de grup în funcţie de

numărul de undă este dată în figura 4.13. Se vede că, pentru g mici ( mari), vg 
vf, neavând loc dispersie, ceea ce nu se întâmplă la g mari ( mici). Având în
vedere faptul că la gmax = /a corespunde un min = 2a, rezultă că undele cu lungimi
de undă mai mici decât această valoare minimă nu se pot propaga în reţea. Ţinând
59
cont şi de faptul că această lungime de undă minimă este dublul distanţei

interatomice, putem interpreta acest lucru astfel: undele datorate vibraţiilor termice
ale reţelei au o semnificaţie fizică numai în poziţiile atomice; ceea ce se întâmplă
cu acestea în alte locuri ale reţelei prezintă doar un interes matematic, neavând nici
o legătură cu comportarea sistemului.
Faptul că numărul soluţiilor ecuaţiei (4.8) (numărul modurilor de vibraţie)
este egal cu N (mai general, egal cu numărul gradelor de libertate), rezultă şi din
raţionamentul următor: se consideră lanţul unidimensional de atomi, de lungime L
= Na, aflat la echilibru termic; undele ce se propagă trebuie să fie staţionare ceea
ce implică:
un = un+N (4.12)
Relaţia de mai sus este forma simplificată (pentru cazul reţelei
unidimensionale monoatomice) a condiţiei de ciclicitate Born-von Karman.
Pentru a înţelege de ce se impune această condiţie, să presupunem că lanţul
de N atomi este împreunat la capete, formând o buclă. În acest caz, este evident că
ecuaţia de mişcare a atomului cu numărul de ordine n trebuie să fie aceeaşi cu cea a
atomului cu numărul de ordine n + N, cei doi atomi fiind, de fapt unul şi acelaşi.
Din relaţia (4.12), rezultă:
eigna = eiga(n+N) (4.13)
adică:
eigNa = 1 (4.13’)
ceea ce impune:
2f
g= ,fZ (4.14)
aN
Ţinând cont şi de (4.9), rezultă:
N N
– <f< (4.15)
2 2
Relaţia de mai sus arată că numărul modurilor de vibraţie este egal cu cel al
gradelor de libertate.
4.6.2. Vibraţiile reţelei unidimensionale biatomice

Să considerăm acum un lanţ liniar cu atomi echidistanţi dar de două specii,
dispuşi în mod alternativ, între care se exercită forţe elastice cu aceeaşi constantă,
, ca şi în cazul precedent (figura 4.14).
Figura 4.14 – Reţea unidimensională biatomică
60
Ecuaţia (4.7) are, în acest caz, analogul:


M1 u1 = – 2u1 + 2cos(ga)u2

M2 u 2 = 2u1 + 2cos(ga)u1 (4.16)
căreia, pentru rezolvare, îi asociem ecuaţia determinantului:
2  M12  2  cosga 
=0 (4.17)
 2  cosga  2  M 2 2
Pulsaţia rezultă din rezolvarea acestei ecuaţii şi are expresia:
1  4  sin 2 ga 
2
 1 1   1
  
2
1; 2          (4.18)
 M1 M 2   M1 M 2  M1M 2
Reprezentate grafic în funcţie de g, cele două soluţii arată ca în figura 4.15.
Ca şi în cazul lanţului monoatomic, soluţia – tinde spre proporţionalitate cu g
atunci când ga << 1. Acest mod de vibraţie este numit mod acustic, fiind analog cu
o undă de lungime de undă mare, reţeaua comportându-se ca un mediu elastic
continuu (distanţa interatomică este mult mai mică decât lungimea de undă), viteza
de propagare a undei fiind egală cu viteza sunetului.
Figura 4.15 – Reprezentarea grafică a relaţiei de dispersie 4.18
Ramura optică, +, are o valoare constantă, independentă de g, în

apropierea valorii g = 0.
 1 1 
  2   (4.19)
 M1 M 2 
Această ramură, numită mod optic, este separată net de modul acustic dar,
când g /2a, ea tinde să se apropie de ramura corespunzătoare modului
acustic.
Se poate arăta că, la g = 0, cele două subreţele, cu atomi uşori, respectiv
grei, se mişcă fiecare în opoziţie de fază, altfel spus, molecula biatomică a fiecărei
celule vibrează independent de vecinii săi. Dacă, aşa cum este cazul cristalelor
ionice, cei doi atomi ai celulei au sarcini electrice opuse, rezultă o oscilaţie a
momentului electric dipolar, acesta fiind, deci, optic activ.
61
Figura 4.16 – Altă reprezentare grafică a relaţiei de dispersie
Revenind la figura 4.15, se poate vedea că, dacă se consideră M1 = M2 (cei

doi atomi sunt identici), cele două ramuri, optică şi acustică, se întâlnesc la g =
/2a (figura 4.16.a). Comparând figura 4.16.a cu figura 4.12, s-ar părea că
numărul modurilor de vibraţie s-a dublat. În realitate, prin dublarea dimensiunii
celulei elementare la valoarea 2a, dimensiunea zonelor Brillouin s-a înjumătăţit;
putem desfăşura figura 5.6.a sub forma din figura 4.16.b, obţinând, în acest fel,
chiar figura 4.12, în care se observă că „întâlnirea” ramurii acustice cu cea optică se
produce fără discontinuitate. Revenind la situaţia când atomii sunt diferiţi, rezultă
că valorile g = /2a reprezintă, în acest caz, zone de salt, de discontinuitate,
pulsaţia nemaifiind continuă la aceste valori, aşa cum se poate vedea în figura
4.16.c, care nu este altceva, decât desfăşurarea figurii 4.15.
4.6.3. Vibraţiile reţelei tridimensionale

Discuţiile din paragraful precedent se pot relua şi în cazul tridimensional
dar, în cele ce urmează, vom face doar o analiză generală, calitativă, fără a intra în
amănunte de calcul. Principial, acesta se face la fel, doar că, fiecare dimensiune
introducând o nouă componentă a vectorului deplasare, vom avea de rezolvat o
ecuaţie de gradul III în 2. 
Un atom plasat în nodul de poziţie r în reţea va oscila conform ecuaţiei:
ur  ~ e i kr t 
 
(4.20)
Vecinul său va oscila conform ecuaţiei:
   
      
ur  a  ~ exp i kr  a   t  exp ik  a  ur  (4.21)

Pentru lungimi de undă mai mari, deci k mic, practic toţi atomii oscilează
în fază, solidul comportându-se ca un mediu elastic continuu (domeniul acustic),
structura sa fiind prea fină pentru a fi semnificativă în dinamica undelor lungi. Este
62
cunoscut că, într-un astfel de mediu, se pot propaga trei tipuri diferite de unde
acustice, cu viteze diferite, diferenţa esenţială dintre aceste trei tipuri constând în
natura polarizării lor. Dacă mediul este izotrop, un mod este polarizat longitudinal
(oscilaţiile au loc pe direcţia de propagare a undei) şi celelalte două sunt polarizate
transversal (oscilaţiile au loc perpendicular pe direcţia de propagare). Viteza de
propagare a modului longitudinal este mai mare decât a modurilor transversale,
care sunt egale. În cazul cristalului anizotrop, lucrurile se complică clasificarea
formală în moduri longitudinale şi transversale este oarecum înşelătoare, vectorul
de polarizare netrebuind să fie strict paralel sau perpendicular pe direcţia de
propagare a undei.
Dacă lungimea de undă este de ordinul constantei reţelei, atomii vecini
oscilează în opoziţie de fază, frecvenţa atinge valoarea sa maximă şi unda de vine o
undă staţionară.
Numărul modurilor de vibraţie trebuie să fie întotdeauna egal cu numărul
gradelor de libertate, pentru o reţea tridimensională cu N atomi existând 3N moduri
cu vectori de undă în poliedrul zonei Brillouin.
Aşa cum am mai arătat, în cristalele ionice, modurile de vibraţie de
frecvenţă înaltă sunt asociate cu momente electrice dipolare de vibraţie, ionii
pozitivi şi negativi mişcându-se în opoziţie de fază. Ca urmare a interacţiunii
puternice dintre aceşti dipoli cu radiaţia luminoasă, aceste moduri au căpătat
denumirea de moduri optice, denumire păstrată chiar şi în cazul cristalelor
neionice.
4.6.4. Cuantificarea vibraţiilor reţelei; fononi

Discuţiile anterioare s-au purtat în limitele teoriei clasice; aplicând
rezultatele mecanicii cuantice referitoare la oscilatorul armonic, pentru care energia
 1
unui mod de vibraţie este cuantificată după formula  n    h , cu n = 0, 1, 2,...,
 2
energia vibraţiilor reţelei va fi dată de relaţia:
h
E = E0 +  (4.22)
 h 
exp   1
 k BT 
Prin analogie cu optica, unde radiaţia electromagnetică poate fi descrisă prin
numărul de fotoni, adică prin numărul de cuante de energie, vibraţiile reţelei pot fi
descrise prin intermediul cuantelor de energie hg, cărora le asociem o particulă
fictivă, numită fonon. Pentru a înţelege mai bine acest concept, să privim într-un
mod puţin diferit analiza pe care am făcut-o asupra vibraţiilor reţelei cristaline. Am
considerat că aceste vibraţii sunt efectuate de oscilatori individuali dar, desigur,
sistemul în ansamblul său este cel care oscilează şi generează aceste unde în reţea,
motiv pentru care putem considera reţeaua cristalină drept un sistem capabil să
oscileze la diferite frecvenţe. Acest sistem se supune legilor mecanicii cuantice,
energia lui fiind descrisă de relaţia (4.22) iar variaţia ei nu se poate face decât cu
63
valori discrete, multipli întregi ai cuantei hg, cărora le asociem (pentru

comoditate) o particulă fictivă, numită, după cum spuneam, fonon. Dacă
temperatura creşte, creşte şi energia de vibraţie a reţelei, ceea ce, în termeni
cuantici se traduce în creşterea numărului de fononi în sistem.
Fononii sunt particule „indiscernabile”, fiind asociate reţelei în totalitatea
sa, motiv pentru care se supun statisticii Bose-Einstein, având spin nul *.
Evident. fiecărui mod de vibraţie îi corespunde un fonon, astfel încât,
conform terminologiei deja adoptate, există fononi acustici şi fononi optici.
Caracterizarea completă a fononului implică şi precizarea impulsului său, care este
ћg = (h/2).g†; cum g este un vector în reţeaua reciprocă, ћg nu este, propriu-zis, un
impuls, în sensul obişnuit, motiv pentru care îl numim cuasiimpuls.
Făcând o paranteză, referitor la procesul difracţiei radiaţiilor (X, ,
neutronice etc.) pe reţele cristaline, acest proces privit din punctul de vedere al
fononilor este un proces prin care radiaţia incidentă interacţionează cu reţeaua

pentru a distruge sau a crea un fonon cu vectorul de undă g şi energia ћg.
Condiţia de maxim de difracţie se poate scrie, prin multiplicare cu ћ:
  
k  k  g (4.23)
care nu este altceva decât legea de conservare a impulsului în procesul interacţiei
radiaţiei incidente (foton, electron, neutron etc.) cu fononul care este absorbit
(figura 4.17.a); cazul din figura 4.17.b prezintă schematic procesul invers, când
este creat un fonon.
Figura 4.17 – Absorbţia (a) şi crearea (b) unui fonon
Astfel de situaţii justifică utilizarea conceptului de fonon, ca o excitaţie

cuantificată cu proprietăţi ca cele ale unei particule, prin analogie cu fotonul.
În general, însă, pot avea loc şi procese în care sunt implicaţi fononi fără
respectarea relaţiei (4.23) deoarece, aşa cum am văzut, cuasiimpulsul este o mărime
de forma ћg, oricare alte valori multipli ai acesteia fiind, fizic echivalente.
*
Faptul că fononii se supun statisticii Bose-Einstein este exprimat deja în relaţia 4.22, întrucât
probabilitatea de ocupare a unei stări de energie  de către un bozon este dată de expresia:
{exp(/kBT) – 1}–1
†
Se poate utiliza şi expresia h/ dar este de preferat să lucrăm cu expresia dată în text, în funcţie de
constanta Planck redusă şi de numărul de undă; acelaşi lucru este valabil şi pentru energie, pentru
care este de preferat să utilizăm nu relaţia hci, mai degrabă 
64
Procesele care respectă relaţia (4.23) se numesc procese normale sau procese N
oricare altele numindu-se procese Umklapp sau procese U.
În interpretarea cuantică, propagării libere a undelor în aproximaţia
oscilaţiilor armonice îi corespunde deplasarea liberă a fononilor, fără nici o
interacţie, adică fără ciocniri reciproce. Ţinând cont şi de termenii pătratici în
raport cu deplasările atomilor, în energia potenţială a particulelor, apar procese de
ciocniri inelastice între fononi, care duc la stabilirea echilibrului termic în gazul de
fononi (adică stabilirea unei agitaţii termice de echilibru în reţea).
65
5. Difuzia
5.1. Consideraţii generale
Difuzia reprezintă transportul de material într-o substanţă, prin intermediul
mişcării atomice. Multe reacţii şi procese importante în materiale se produc prin
intermediul mişcării atomilor în solid (transport), care are loc prin difuzie:
durificarea oţelului, oxidarea metalelor, impurificarea semiconductorilor, formarea
compuşilor solizi din componenţi individuali, sinterizarea*. Materialele neomogene
pot deveni omogene prin difuzie. Pentru ca să aibă loc o difuzie activă, temperatura
trebuie să fie suficient de ridicată pentru a depăşi barierele energetice la mişcarea
atomică. Tipurile de difuziune cunoscute sunt:
 Interdifuzia (sau difuzia de impurităţi) are loc ca răspuns la existenţa unui
gradient de concentraţie.
 Autodifuzia este difuzia într-un component mono-material, când toţi atomii
care îşi modifică poziţiile sunt de acelaşi tip.
5.1.1. Mecanisme de difuzie

Difuzia atomilor poate avea loc prin mişcarea vacanţelor (difuzie de
vacanţe), sau a impurităţilor (difuzie de impurităţi).
 Difuzia de vacanţe
Pentru a sări de la un nod de reţea la altul, atomii au nevoie de energie
pentru a rupe legăturile cu vecinii şi a determina distorsiunile necesare reţelei în
timpul saltului. Această energie provine de la vibraţiile termice ale atomilor (E ~
kT). Curentul material (atomic) este opus ca sens celui de vacanţe.
 Difuzia interstiţială
Difuzia interstiţială este în general mai rapidă decât difuzia de vacanţe,
deoarece legătura atomilor interstiţiali cu atomii înconjurători este în mod normal
mai slabă şi, în plus, există mult mai multe situri interstiţiale decât vacanţe, pentru
ca atomii să facă salturi în aceste poziţii. Acest tip de difuzie necesită atomi de
impuritate de dimensiuni mici (de exemplu C, H, O), pentru ca ei să aibă loc în
interstiţiile gazdei.
Trebuie făcută diferenţa dintre difuzie şi difuzia netă. Într-un material
omogen, atomii difuzează, dar această mişcare este greu de detectat, deoarece
atomii se mişcă aleator şi mereu va exista un număr egal de atomi care se mişcă
într-un sens şi respectiv în sens opus. În materialele neomogene, efectul difuziei
este uşor de observat, prin modificarea concentraţiei în timp. În acest caz, avem de-
a face cu o difuzie netă. Aceasta are loc deoarece, deşi toţi atomii se mişcă aleator,
sunt mai mulţi atomi care se mişcă în regiunile unde concentraţia lor este mai mare.
*
sinterizare – proces prin care o substanţă sub formă de pulbere devine densă şi dură (de obicei,
prin presare)
66
5.1.2. Densitatea fluxului de difuzie

Densitatea fluxului atomilor difuzanţi, J este utilizată pentru măsura cât de
rapidă este difuzia şi este definită în două moduri:
- fie ca număr al atomilor care difuzează perpendicular prin unitatea de arie a
suprafeţei transversale şi în unitatea de timp (atomi/m2s)
1 dn
J (5. 1)
A dt
unde n este numărul atomilor care difuzează prin suprafaţa transversală de arie A,
în timpul t.
- fie ca flux masic - masa atomilor care difuzează perpendicular prin unitatea de
arie a suprafeţei transversale şi în unitatea de timp (kg/m2s).
1 dM
J (5. 2)
A dt
unde M este masa atomilor care difuzează prin suprafaţa transversală de arie A, în
intervalul de timp t.
5.2. Tipuri de difuzie
5.2.1. Difuzia staţionară
La difuzia staţionară, densitatea fluxului de difuzie nu variază în timp. În
acest caz, se aplică prima lege a lui Fick:
dC  x 
J  D (5. 3)
dx
unde D este coeficientul de difuzie, o constantă ce depinde de material.
Această relaţie este valabilă când gradientul de concentraţie este orientat pe
direcţia Ox. În cazul general, relaţia se scrie:
 C C C 
J  D C   D  i j k (5. 4)
 x y z 
Gradientul concentraţiei este deseori numit forţă motrice a difuziei (dar nu
este o forţă în sensul mecanicii). Semnul minus în relaţiile (5.3) şi (5.4) semnifică
faptul că difuzia are loc în sens invers gradientului concentraţiei, adică spre zona de
concentraţie mai mică.
5.2.2. Difuzia nestaţionară; a doua lege a lui Fick

În majoritatea situaţiilor reale, concentraţia şi gradientul concentraţiei se
modifică în timp. Variaţia concentraţiei este dată în acest caz de o ecuaţie
diferenţială, care reprezintă a doua lege a lui Fick:
C  x, t    C  x, t    2C  x, t 
  D   D (5. 5)
t x  x  x 2
Acesta este cazul când densitatea fluxului de difuzie depinde de timp, ceea
ce înseamnă că un tip de atomi se acumulează într-o regiune, sau aceasta este
67
sărăcită în astfel de atomi (ceea ce face ca aceştia să se acumuleze în altă regiune).

Soluţia ecuaţiei (5.5) este concentraţia ca funcţie de timp şi poziţie, C(x,t).
Pentru ca un atom să „sară” într-o vacanţă, el are nevoie de suficientă
energie (termică), valoarea minimă a acestei energii, Em, fiind numită energie de
activare pentru difuzia vacanţelor.
Energia termică medie a unui atom (kT = 0,026 eV, la temperatura camerei)
este de obicei mult mai mică decât energia de activare (Em ~ 1 eV/atom) şi este
necesară o fluctuaţie mare a energiei pentru atingerea valorii de activare.
Probabilitatea unei astfel de fluctuaţii, sau frecvenţa salturilor, Rs, depinde
exponenţial de temperatură şi poate fi descrisă de ecuaţia lui Arrhenius:
 E 
R s  R 0  exp   m  (5. 6)
 kT 
unde R0 este o constantă proporţională cu frecvenţa vibraţiilor atomice, .
Pentru mecanismul difuziei de vacanţe, probabilitatea pentru orice atom din
solid de a se mişca este produsul dintre probabilitatea de a găsi o vacanţă într-un
nod de reţea adiacent, P şi probabilitatea fluctuaţiei termice necesare pentru
depăşirea barierei de energie pentru mişcarea vacanţei.
 E 
P  C exp   V  (5. 7)
 kT 
Atunci, coeficientul de difuzie poate fi estimat ca:
 E   E 
D  CR 0 a 2 exp   m  exp   V  
 kT   kT 
(5. 8)
 Em  EV   Ed 
 D0 exp    D0 exp  
 kT   kT 

Dependenţa de temperatură a coeficientului de difuzie urmează legea
Arrhenius.
5.2.3. Factori care influenţează difuzia

 Temperatura. Viteza de difuzie creşte foarte rapid cu creşterea temperaturii.
Aşa cum s-a arătat anterior, există o barieră a difuziei, creată de atomii din jur,
care trebuie să se deplaseze, pentru a face loc atomului difuzant. Astfel,
vibraţiile atomice determinate de agitaţia termică uşurează difuzia.
 Mecanismul de difuzie. Atomii interstiţiali sunt de obicei mai rapizi decât
vacanţele.
 Speciile de atomi difuzanţi şi ai reţelei gazdă. D0, Ed este diferit pentru
fiecare pereche solvit-solvent. În plus, atomii mai mici difuzează mult mai uşor
decât cei mari.
 Microstructura. Difuzia este mai rapidă în materialele policristaline decât în
cele monocristaline, datorită difuziei accelerate de-a lungul suprafeţelor de
separare dintre cristalite şi miezului dislocaţiilor. Difuzia are loc mult mai uşor
de-a lungul suprafeţelor şi golurilor în material, deoarece este necesar ca mai
puţini atomi să se mişte pentru a face loc atomului difuzant.
68
6. Proprietăţi mecanice ale materialelor

6.1. Deformarea materialelor
Pentru a înţelege şi descrie modul cum se deformează (se alungesc, se
comprimă, se răsucesc), sau se rup materialele, în funcţie de sarcina aplicată, timp,
temperatură şi alte condiţii, este nevoie mai întâi să se definească noţiunile standard
pentru proprietăţile mecanice ale materialelor.
În figura 6.1 sunt reprezentate cele patru tipuri de deformări: alungirea,
comprimarea, forfecarea şi torsionarea.
Figura 6.1 – Tipuri de deformări: a) – alungire; b) – comprimare; c) – forfecare; d) -

torsiune
Pentru a compara probe de diferite mărimi şi modul în care acestea se

deformează, sarcina este calculată pe unitatea de arie. Se defineşte efortul unitar,
, astfel:
F
 (6. 1)
A0
69
unde F este sarcina (forţa, tensiunea) aplicată perpendicular pe secţiunea

transversală şi A0 este aria secţiunii transversale (perpendiculară pe forţă) înainte
de aplicarea forţei (figura 6.1.a, 6.1.b).
Se defineşte alungirea relativă, , astfel:

 (6. 2)
0
unde ℓ este modificarea în lungime, iar ℓ0 este lungimea iniţială.

Aceste definiţii permit compararea rezultatelor deformărilor pentru probe de
diferite arii ale secţiunii transversale, A0 şi de diferite lungimi iniţiale, ℓ0.
Efortul unitar şi alungirea relativă sunt pozitive pentru sarcini de alungire şi
negative pentru sarcini de comprimare.
În cazul deformărilor de tip forfecare sau torsiune, definirea efortului unitar
şi a alungirii relative se fac astfel:
F
 (6. 3)
A0
unde F este tensiunea aplicată paralel la feţele superioară şi inferioară, fiecare de
arie A0 (figura 6.1.c).
Deformarea de forfecare este dată de relaţia:
 = tg  (6. 4)
unde  este unghiul de deformare (figura 6.1.c).
În cazul torsiunii (figura 6.1.d), deformarea este o funcţie de cuplul de
torsiune aplicat, T, deformarea de torsiune fiind determinată de unghiul de torsiune,
.
Deformarea elastică este reversibilă: când tensiunea de deformare este
înlăturată, materialul revine la dimensiunea avută înainte de solicitare. De obicei,
alungirea relativă este mică în acest caz, excepţie făcând materialele plastice.
Deformarea plastică este ireversibilă: când tensiunea de deformare este
înlăturată, materialul nu mai revine la dimensiunea avută înainte de solicitare.
În testele de elasticitate, dacă deformarea este elastică, relaţia efort unitar-
alungire relativă este numită legea lui Hooke:
 = E (6. 5)
unde E este modulul lui Young sau modulul de elasticitate, având aceeaşi unitate
de măsură ca σ (N/m2 sau Pa).
Cu cât E are o valoare mai mare, cu atât materialul este mai rigid (se
deformează mai greu).
La unele materiale (polimeri, beton), deformarea elastică nu este liniară (nu
respectă legea lui Hooke), dar este reversibilă. În acest caz, modulul de elasticitate
nu este constant, ci depinde de tensiunea aplicată.
Materialele supuse tensiunilor de deformare îşi modifică şi dimensiunile
transversale; astfel, cele supuse întinderii se subţiază transversal pe direcţia de
întindere, iar cele supuse comprimării se îngroaşă transversal pe direcţia de
comprimare. Raportul dintre alungirile relative laterală şi axială este numit raport
Poisson, . Şi el este adimensional, iar semnul arată că alungirea relativă laterală
70
este în sens opus faţă de alungirea relativă longitudinală. Valoarea teoretică a lui 
pentru materiale izotrope este 0,25, valoarea maximă 0,50, valorile tipice fiind în
domeniul 0,24 ÷ 0,30.
Relaţia dintre efortul unitar de forfecare şi deformarea relativă este:
 = G (6. 6)
unde γ = tgθ = ∆y/z0 (figura 6.1.c), iar G este modulul de forfecare.
Pentru un material izotrop:
E = 2G(1 + ) (6. 7)
La deformarea plastică, efortul unitar şi alungirea relativă nu sunt
proporţionale, deformarea nu este reversibilă, ea având loc prin ruperea şi
rearanjarea legăturilor atomice (în materialele cristaline, în principal prin mişcarea
dislocaţiilor).
Considerând o bară cilindrică, de lungime iniţială ℓ0 şi rie a secţiunii
transversale iniţiale A0, aplicând o forţă de întindere crescătoare, se poate trasa
graficul dependenţei efortului unitar de alungirea relativă, rezultând o curbă ca cea
din figura 6.2.
Figura 6.2 – Curba efort unitar-alungire relativă
Se defineşte limita de curgere, c, ca fiind efortul unitar care determină o

alungire relativă permanentă de 0,002. Limita de curgere este o măsură a rezistenţei
la deformare plastică. Valoarea lui c se determină ducând o paralelă la porţiunea
liniară a curbei efort unitar-alungire relativă (figura 6.2), pornind de la o valoare a
acesteia de 0,002 (0,2%). Ordonata punctului de intersecţie a curbei efort unitar-
alungire relativă cu paralela trasată dă valoarea c.
71
În acelaşi mod se defineşte tensiunea de încercare, i, doar că se foloseşte

valoarea de 0,001 (0,1%) pentru alungirea relativă.
Punctul de curgere, P (figura 6.2), este punctul începând cu care alungirea
relativă nu mai este proporţională cu efortul unitar (limita de proporţionalitate).
Punctul de curgere reprezintă punctul de trecere din domeniul elastic în cel plastic.
Rezistenţa de rupere la alungire (tracţiune, întindere), a se defineşte ca
fiind valoarea maximă a efortului unitar. Dacă această valoare este menţinută un
timp suficient de lung, proba sfârşeşte prin a se rupe.
Punctul de rupere, R este punctul în care proba se rupe sub acţiunea forţei
deformatoare, lui fiindu-i caracteristică valoarea de rupere a efortului unitar, r.
Pentru aplicaţiile structurale, limita de curgere este de obicei o proprietate
mai importantă decât rezistenţa de rupere, deoarece, odată limita de curgere
depăşită, structura se deformează dincolo de limita acceptabilă.
Ductilitatea este o măsură a deformării la rupere şi este definită prin:
 elongaţia relativă la rupere:
  0
D%   r  100 (6. 8)
 0 
 variaţia relativă a ariei la rupere:
 A  Ar 
D%   0  100 (6. 9)
 A0 
Tabelul 6.1 prezintă câteva proprietăţi mecanice ale unor metale.
Tabel 6.1 – Proprietăţi mecanice ale metalelor

Metal Limită de Rezistenţă la rupere Ductilitate, D%
(aliaj) curgere (kPa) (kPa)
Aluminiu 35 90 40
Cupru 69 200 45
Alamă
(70%Cu- 75 300 68
30%Zn)
Fier 130 262 45
Nichel 138 480 40
Oţel 180 380 25
Titan 450 520 25
Molibden 565 655 35
Limita de curgere şi rezistenţa la rupere variază în primul rând în funcţie de

tratamentul termic şi mecanic, nivelul de impurităţi etc., această variabilitate fiind
legată de comportarea dislocaţiilor în material, dar modulul de elasticitate este
relativ insensibil la aceste efecte. Limita de curgere, rezistenţa la rupere şi modulul
de elasticitate scad cu creşterea temperaturii, în timp ce ductilitatea creşte cu
temperatura.
72
Dacă un material este deformat plastic, după care tensiunea de deformare

este anulată, materialul rămâne cu o deformare permanentă. Dacă tensiunea este
aplicată din nou, materialul răspunde elastic din nou, până la un nou punct de
curgere, care este plasat mai sus decât punctul iniţial (figura 6.3).
Figura 6.3 – Regenerarea deformării elastice
Valoarea deformării elastice care apare până la atingerea noului punct de

curgere este numită valoare de regenerare a deformării elastice.
Duritatea este abilitatea unui material de a absorbi energie până la rupere,
ea fiind egală cu aria totală de sub curba alungire relativă-efort unitar, până la
rupere. Duritatea este o măsură a rezistenţei materialului la o deformare plastică
localizată (de exemplu, zgâriere).
Atât rezistenţa de rupere la întindere, cât şi duritatea pot fi privite ca
reprezentând gradul de rezistenţă la deformarea plastică.
Duritatea este proporţională cu rezistenţa de rupere la întindere, dar
constanta de proporţionalitate este diferită pentru materiale diferite.
Curba efort unitar-alungire relativă din figura 6.2 (curba nominală) nu este
curba efort unitar-alungire relativă reală, deoarece ea se bazează pe dimensiunile
iniţiale ale probei supuse deformării. Aşa cum se vede în figura 6.2, curba
nominală prezintă un maxim, deoarece materialul devine instabil şi „se gâtuie”
înainte de rupere. Curba reală nu prezintă un maxim, ci este permanent crescătoare,
până la rupere. Pentru a obţine această curbă, efortul unitar nominal, definit de
relaţia (6.1) se înlocuieşte cu efortul unitar real, definit astfel:
F
t  (6. 10)
Ai
unde Ai este aria secţiunii transversale (perpendiculară pe forţă) instantanee.
De asemenea, se defineşte alungirea relativă reală, r, astfel:
73
d  
t   ln   (6. 11)
 0 
Cum  1    , rezultă că t = ln(1 + ).

0
Considerând că nu există o variaţie de volum al probei supuse deformării,
A F
putem scrie: Aiℓ = A0ℓ0  A i  0 0   t  , de unde:
A0 0
F
t  1    (6. 12)
A0
Pentru majoritatea metalelor,  t  k   nt unde k este coeficientul de
rezistenţă şi n este exponentul de ecruisare, ambele mărimi fiind constante de
material. Instabilitatea şi „gâtuirea” unui material ductil supus deformării încep să
aibă loc atunci când t = n şi, în acest punct se obţine maximul curbei nominale,
ordonata acestui punct fiind a (figura 6.2), cu valoarea:
 a = knn(1 – n)(1 – n) (6. 13)
6.2. Mecanisme de deformare plastică
Modul în care materialele se deformează plastic, variaţia în foarte largi
limite a proprietăţilor de deformare plastică prin forjare, fără modificarea
compoziţiei chimice şi numeroase alte aspecte referitoare la deformarea plastică a
materialelor pot fi lămurite pe baza ideii propuse în 1934 de Taylor, Orowan şi
Poliani, conform căreia deformarea plastică este datorată mişcării unui mare număr
de dislocaţii. Acestea permit deformarea cu un efort unitar mult mai mic decât într-
un cristal perfect.
Figura 6.4 – Propagarea dislocaţiilor marginale (a) şi elicoidale (b)
Dacă partea superioară (figura 6.4) a unui cristal alunecă pe o distanţă egală
cu o distanţă interplanară, atunci doar o mică parte din legături se rup la un moment
dat şi acest lucru necesită doar o mică forţă. Propagarea unei dislocaţii de-a lungul
planului determină alunecarea părţii superioare a cristalului faţă de partea
inferioară, dar pentru aceasta nu este necesară ruperea simultană a tuturor
74
legăturilor de-a lungul planului de alunecare (fapt care ar necesita o forţă foarte
mare). Planul de alunecare este planul cristalografic al mişcării dislocaţiei.
Pentru dislocaţiile marginale, direcţia de mişcare (propagare) a dislocaţiei
este paralelă cu direcţia forţei deformatoare, pe când la dislocaţiile elicoidale, cele
două direcţii sunt perpendiculare. În cazul dislocaţiilor mixte, direcţia de propagare
a dislocaţiei este una între direcţia paralelă şi cea perpendiculară pe direcţia forţei
deformatoare.
Dislocaţiile marginale introduc deformări de comprimare, alungire şi
forfecare ale reţelei, pe când dislocaţiile elicoidale introduc numai deformări de
forfecare.
Câmpurile de deformare în jurul dislocaţiilor determină interacţiunea
acestora (exercitarea de forţe una asupra celeilalte). Când ele sunt în acelaşi plan,
se resping dacă au acelaşi semn (acelaşi sens al vectorului Burgers) şi se
atrag/anihilează dacă au semne opuse.
Numărul dislocaţiilor într-un material este exprimat prin densitatea
dislocaţiilor, reprezentând lungimea totală a dislocaţiilor în unitatea de volum sau
numărul dislocaţiilor ce intersectează o suprafaţă de arie egală cu unitatea.
Densitatea dislocaţiilor poate varia de la 109 m–2 în metalele cristalizate lent, la 1016
m–2 în metalele deformate puternic.
Majoritatea materialelor cristaline, în special metale, prezintă dislocaţii
chiar în forma în care sunt obţinute, în principal ca rezultat al tensiunilor
(mecanice, termice) asociate procesului de formare. Numărul dislocaţiilor creşte
spectaculos în timpul deformării plastice.
În monocristale există anumite plane preferate în care se mişcă dislocaţiile
(plane de alunecare). În planul de alunecare există anumite direcţii cristalografice
preferate pentru mişcarea dislocaţiilor (direcţii de alunecare). Planele şi direcţiile
de alunecare constituie sisteme de alunecare.
Capacitatea de deformare plastică a unui material este cu atât mai mare, cu
cât numărul sistemelor de alunecare (dat de produsul dintre numărul planelor de
alunecare şi numărul direcţiilor de alunecare) este mai mare.
Planele şi direcţiile de alunecare sunt acelea cu densitatea de împachetare
(densitatea de atomi) cea mai mare. Cum distanţa între atomi este mai mică decât
media, distanţa perpendiculară pe plan este mai mare decât media. Fiind relativ mai
distanţate, aceste plane pot aluneca mai uşor unul faţă de altul.
Cristalele cu structură CVC au 48 de sisteme de alunecare, cele cu structură
CFC 12 sisteme de alunecare, iar cele cu structură HC numai 3, ceea ce face ca
materialele cristaline cu structură CVC şi CFC să fie mai ductile decât cristalele cu
structură HC. Trebuie subliniat faptul că, deşi cristalele CVC au un număr de
sisteme de alunecare mai mare decât al cristalelor CFC, acestea din urmă au o
capacitate de deformare mai mare, deoarece planele şi direcţiile lor de alunecare au
densităţi atomice mai mari.
Dislocaţiile se mişcă în anumite direcţii, pe anumite plane, ca răspuns la
tensiunile de forfecare aplicate de-a lungul acestor plane şi direcţii.
75
Se defineşte componenta de forfecare a efortului unitar, R, (care produce

deformarea plastică), ce rezultă de la aplicarea unui efort unitar de alungire simplu,
σ (figura 6.5):
R = coscos (6. 14)



Figura 6.5 – Deformarea prin alunecare

Când această componentă, R devine suficient de mare, cristalul începe să
„curgă” (dislocaţiile încep să se mişte de-a lungul majorităţii sistemelor de
alunecare orientate favorabil). Începutul curgerii corespunde limitei de curgere, c.
Efortul unitar de forfecare minim necesar iniţierii alunecării se numeşte efort unitar
de forfecare critic, RC:
RC = C(coscos)max (6. 15)
De aici, se poate exprima limita de curgere:
RC
c  (6. 16)
 cos  cos  MAX
Valoarea maximă a expresiei (coscos) se obţine pentru:
=  = 45  coscos= 0,5  c = 2RC
Alunecarea va avea loc mai întâi în sisteme de alunecare orientate
aproximativ la aceste unghiuri ( =  = 45) faţă de tensiunea aplicată.
În cazul policristalelor, orientările cristalitelor faţă de direcţia tensiunii
aplicate sunt aleatoare. Mişcarea dislocaţiilor are loc de-a lungul sistemelor de
alunecare cu orientare favorabilă (care au efort unitar de forfecare cel mai mare). O
deformare plastică mai mare corespunde alungirea cristalitelor de-a lungul direcţiei
tensiunii aplicate.
Direcţiile de alunecare variază de la cristal la cristal. Unele cristalite sunt
orientate nefavorabil faţă de tensiunea aplicată (cosφcosλ mic). Chiar şi acele
76
cristalite pentru care cosφcosλ este mare pot avea limitări în deformare datorită
cristalitelor alăturate, care nu pot să se deformeze la fel de uşor. Dislocaţiile nu pot
traversa cu uşurinţă suprafaţa de separare dintre cristalite, datorită modificării în
direcţie a planului de alunecare şi dezordinii la marginea acestor cristalite. Drept
urmare, materialele policristaline sunt mai rezistente decât monocristalele (excepţie
fac monocristalele perfecte, fără defecte - whiskers).
Abilitatea unui material de a se deforma depinde de abilitatea dislocaţiilor
de a se mişca. Limitând mişcarea dislocaţiilor, putem face materialul mai rezistent.
Mecanismele de durificare (rigidizare) a materialelor sunt:
 reducerea mărimii cristalitelor
Cu cât cristalitele sunt mai mici, cu atât este mai mare aria suprafeţei de
separare dintre acestea, care împiedică mişcarea dislocaţiilor. Reducerea
dimensiunilor cristalitelor îmbunătăţeşte de obicei şi rezistenţa materialului. De
regulă, limita de curgere variază cu dimensiunea cristalitelor, d, conform relaţiei
Hall-Petch:
k
c  0  c (6. 17)
d
unde 0 este rezistenţa internă care se opune mişcării şi multiplicării dislocaţiilor,
kc o constantă de material şi d diametrul mediu al cristalitelor.
Diametrul mediu al cristalitelor poate fi controlat prin viteza de solidificare,
prin deformare plastică, sau printr-un tratament termic corespunzător.
 alierea în soluţii solide
Aliajele sunt de obicei mai rezistente decât materialul pur al solventului.
Impurităţile interstiţiale sau substituţionale dintr-o soluţie determină deformarea
reţelei. Ca rezultat, aceste impurităţi interacţionează cu câmpurile de deformare ale
dislocaţiilor şi împiedică mişcarea dislocaţiilor.
Impurităţile tind să difuzeze şi să se grupeze în jurul nucleului dislocaţiei,
pentru a găsi poziţii cât mai potrivite dimensiunilor lor. Aceasta reduce energia de
deformare totală şi „ancorează” dislocaţia.
 ecruisarea
Metalele ductile devin mai rezistente când sunt deformate plastic la
temperaturi suficient de scăzute faţă de punctul de topire. Prin deformarea plastică
la rece, rezistenţa la rupere, limita de curgere şi duritatea cresc, iar deformarea
scade, altfel spus, prin deformare plastică la rece materialele se întăresc, devin mai
rezistente, mai dure, mai puţin plastice. Acest fenomen este cunoscut sub numele
de durificare prin deformare, sau ecruisare.
Motivul pentru care are loc acest fenomen este creşterea densităţii
dislocaţiilor prin deformare plastică. În acest fel, distanţa medie dintre dislocaţii
scade şi dislocaţiile încep să-şi blocheze mişcarea una alteia.
Aşa cum am amintit, limita de curgere şi duritatea cresc ca a rezultat al
ecruisării, dar ductilitatea scade (materialul devine mai casant, friabil).
Deformarea plastică creşte densitatea dislocaţiilor (la materiale mono şi
policristaline) şi modifică distribuţia dimensiunilor cristalitelor (la materialele
policristaline). Aceasta corespunde înmagazinării unei energii de deformare în
77
sistem (câmpuri de tensiuni în jurul dislocaţiilor şi distorsiuni ale cristalitelor).

Când tensiunea externă este înlăturată, majoritatea dislocaţiilor, distorsiunile
cristalitelor şi energia de deformare asociată se păstrează. Revenirea la starea
dinainte de prelucrarea la rece poate fi obţinută printr-un tratament termic şi
implică următoarele procese:
 Restaurarea (restabilirea) constă din două etape:
- destinderea – prin încălzire la temperaturi sub 30% din temperatura de topire,
are loc difuzia defectelor punctiforme, scurgerea lor spre marginile
cristalitelor sau spre dislocaţii, anihilarea unor defecte punctiforme şi a unor
dislocaţii, deci scăderea densităţii acestora, formarea unor configuraţii de
dislocaţii de energie scăzută şi eliberarea energiei interne de deformare;
- poligonizarea (fenomen descris anterior).
 Recristalizarea
Chiar după restaurare, cristalitele pot fi deformate. Aceste cristalite
deformate prin tratament la rece al materialului pot fi înlocuite, prin încălzire, de
cristalite nedeformate, cu densitate mică a dislocaţiilor; aceasta are loc prin
recristalizarea primară, care se produce prin nucleaţie (germinaţie) şi creştere
de noi cristalite. Suportul recristalizării este diferenţa dintre energia internă a
materialului deformat şi cea a materialului nedeformat. Recristalizarea este mai
lentă în aliaje, comparativ cu metalele pure; de asemenea, este mai puţin intensă
când tratamentul la rece a fost mai intens; sub o „deformare critică”, recristalizarea
nu se mai produce.
Se defineşte temperatura de recristalizare, ca fiind temperatura la care
proces este complet într-o oră. Valoarea tipică pentru diferite materiale este între o
treime şi jumătate din temperatura de topire, ajungând, în unele aliaje, chiar până la
două treimi din aceasta.
 Creşterea cristalitelor
Dacă materialul policristalin deformat este menţinut la temperatura de
recoacere după recristalizarea completă, atunci, în continuare are loc procesul de
creştere a cristalitelor, pe seama reducerii ariei suprafeţelor de separare dintre
acestea. Creşterea cristalitelor pe parcursul recoacerii are loc în toate materialele
policristaline, chiar dacă acestea nu au fost mai întâi deformate sau recristalizate
anterior. Procesul de creştere a cristalitelor este de fapt un proces prin care noile
cristalite nedeformate, formate prin recristalizarea primară, cresc pe seama celor
mici, deformate. El are loc uniform, neîntrerupt; acest proces se numeşte
recristalizare cumulativă, sau recristalizare de coalescenţă.
În anumite cazuri, după recristalizarea primară, se poate produce o creştere
întreruptă a cristalitelor, o creştere anormală a unora dintre cristalite în detrimentul
altora; acest proces este adesea numit recristalizare secundară, cristalitele
crescute anormal putând fi considerate centri de nucleaţie.
Dimensiunea cristalitelor obţinute după recristalizare depinde de temperatură
şi de gradul de deformare prin prelucrarea la rece; gradul de deformare la care se
obţine dimensiunea maximă a cristalitelor se numeşte grad critic de deformare
(ecruisare), cu valori, de regulă, între 3% şi 10%.
78
6.3. Ruperea materialelor

Ruperea reprezintă fenomenul de separare a unui material în bucăţi, ca
urmare a supunerii acestuia la un efort (tensiune), la temperaturi sub punctul de
topire. El presupune două etape: formarea fisurii şi propagarea acesteia. În funcţie
de capacitatea materialului de a se deforma plastic înainte de rupere, se pot defini
două moduri de rupere - ductilă sau casantă (fragilă).
 Ruperea ductilă (figura 6.6, punctul R’) , suferită de majoritatea metalelor (la
temperaturi nu foarte mici), presupune:
- deformarea plastică extensivă înainte de fisurare şi absorbţie de energie
- fisura este „stabilă”, adică rezistă în timp, dacă tensiunea aplicată nu creşte
 Ruperea fragilă (figura 6.6, punctul R), suferită de materialele ceramice,
gheaţă, metale la temperaturi scăzute, presupune:
- deformare plastică relativ mică şi absorbţie de energie redusă
- fisura este „instabilă”, adică se propagă rapid, fără creşterea tensiunii
aplicate.
Ruperea ductilă este preferată în majoritatea aplicaţiilor.
În cazul ruperii ductile (mediată de dislocaţii), materialul supus unei
tensiuni trece prin mai multe etape. Mai întâi, sub acţiunea unei forţe de întindere,
materialul „se gâtuie”, acest fapt constând în micşorarea diametrului transversal al
probei supuse acţiunii; apoi, în zona gâtuiturii are loc formarea unor cavităţi,
coalescenţa (fuzionarea) cavităţilor duce la formarea unei fisuri, aceasta se propagă,
având ca rezultat final ruperea materialului.
O clasificare mai precisă este următoarea:
- rupere foarte ductilă (figura 6.6.a), suferită de metalele moi (Pb, Au) la
temperatura camerei, alte metale, polimeri, sticle la temperatură ridicată;
- rupere moderat ductilă (figura 6.6.b), tipică pentru metalele ductile;
- rupere fragilă (figura 6.6.c), tipică pentru metale la temperaturi scăzute,
materiale ceramice.
Dacă ruperea ductilă este mediată de deplasarea dislocaţiilor, ruperea fragilă
este datorată mobilităţii limitate a dislocaţiilor.
La ruperea fragilă nu se produce nici o deformare plastică apreciabilă, iar
fisura se propagă foarte rapid, aproape perpendicular pe direcţia tensiunii aplicate,
deseori propagarea având loc prin clivaj – ruperea legăturilor atomice de-a lungul
unui anumit plan cristalografic (plan de clivaj).
79
Figura 6.6 – Ruperea materialului
O altă posibilitate de rupere este cea prin forfecare, ce se realizează sub

acţiunea componentelor tangenţiale ale tensiunilor, spre deosebire de ruperea prin
clivaj, care se realizează sub acţiunea componentelor normale ale tensiunii. De
obicei, ruperile prin forfecare sunt ruperi ductile.
La materialele policristaline, ruperile prezintă de cele mai multe ori un
aspect mixt.
Din punct de vedere al aspectului suprafeţelor de rupere, la ruperea prin
forfecare (ductilă), acestea au un aspect fibros, pe când la ruperea prin clivaj
(fragilă), ele au un aspect cristalin strălucitor.
Caracterul ductil sau fragil a ruperii este determinat de trei categorii de
factori:
- factori de lucru (tensiunea, viteza de solicitare, geometria corpului supus
ruperii etc.)
- factori de structură (natura, structura, compoziţia materialului)
- factori ambientali (temperatura ambiantă, factori corozivi, radiaţii etc.)
Temperatura este cel mai important factor, de regulă la temperaturi ridicate
ruperea fiind ductilă şi la temperaturi coborâte ruperea fiind fragilă. Trecerea nu are
loc însă brusc, la o temperatură dată, ci treptat, pe un domeniu de temperaturi.
Alierea creşte de obicei temperatura de tranziţie ductil-fragil. Metalele cu
structură CFC rămân ductile până la temperaturi foarte scăzute. Pentru materialele
ceramice, acest tip de tranziţie are loc la temperaturi mult mai ridicate decât pentru
metale.
La materialele policristaline se pot constata două tipuri de rupere:
- rupere transgranulară: fisurile de rupere trec prin cristalite; suprafaţa de rupere
are o textură faţetată datorită orientării diferite a planului de clivaj în diferite
cristalite.
80
- rupere intergranulară: propagarea fisurilor de rupere are loc de-a lungul

suprafeţei de separare dintre cristalite (aceste suprafeţe de separare sunt slăbite
sau fragilizate de segregarea impurităţilor etc.)
Rezistenţa la rupere a unui solid fragil (friabil, casant, sfărâmicios) este
determinată de forţele coezive între atomi. Se poate estima că rezistenţa coezivă
teoretică a unui material friabil este ~ E/10, dar rezistenţa la rupere experimentală
este în mod normal ~ E/100 ÷ E/10000.
Această rezistenţă la rupere mult mai scăzută este explicată prin efectul
concentrării tensiunilor la fisurile microscopice. Tensiunea aplicată este amplificată
la extremităţile microfisurilor, porilor, zgârieturilor superficiale etc. care sunt
numite amplificatori de tensiuni. Mărimea acestei amplificări depinde de
orientarea, geometria şi dimensiunile microfisurilor.
O importanţă practică deosebită o are ruperea la oboseală, care se produce
sub acţiunea unor solicitări alternative (tensiuni fluctuante sau ciclice). În acest caz,
ruperea poate avea loc la sarcini considerabil mai mici decât limita de curgere a
materialului sub acţiunea unei sarcini statice.
Ruperea la oboseală este de tip fragil (deformare plastică relativ mică),
chiar şi la materialele ductile normale. Tensiunile ce cauzează oboseala pot fi
axiale (întindere sau comprimare), de încovoiere sau de torsiune.
Limita de oboseală (limita de anduranţă) se constată pentru unele
materiale (unele aliaje de Fe şi Ti), ea reprezentând amplitudinea maximă a
efortului unitar sub care materialul nu cedează niciodată, indiferent de cât de mare
este numărul de cicluri.
Se definesc următoarele mărimi:
- rezistenţa la oboseală: efortul unitar la care ruperea are loc după un număr
specificat de cicluri (de exemplu 107)
- timpul de viaţă la oboseală: numărul de cicluri până la rupere la un nivel
specificat al efortului unitar.
Ruperea la oboseală se produce în trei etape distincte: iniţierea fisurii în
zonele de concentrare a tensiunii (în apropierea amplificatorilor de tensiuni),
propagarea crescătoare a fisurii, ruperea catastrofală finală.
Numărul total de cicluri până la rupere este suma ciclurilor din prima şi a
doua etapă: Nf = Ni + Np, unde Nf este numărul total de cicluri până la rupere, Ni
numărul de cicluri pentru iniţierea fisurii şi Np numărul de cicluri pentru
propagarea fisurii.
Factorii care afectează timpul de viaţă la oboseală sunt mărimea efortului
unitar (medie, amplitudine), calitatea suprafeţei (zgârieturi, muchii).
6.4. Fluajul materialelor
Fluajul este o deformare dependentă de timp şi permanentă a materialelor
când acestea sunt supuse unei sarcini constante la o temperatură ridicată (peste 0,4
din temperatura de topire). Această deformare lentă şi continuă este puternic
dependentă de temperatură şi se produce ca urmare a depăşirii de către dislocaţii a
81
obstacolelor ce se opun alunecării, sub acţiunea combinată a tensiunilor mecanice

şi a fluctuaţiilor termice.
Se defineşte rezistenţa la fluaj (limita tehnică de fluaj), ca fiind efortul
unitar constant maxim care, acţionând la o temperatură dată, un anumit timp,
produce o deformare remanentă de o anumită valoare şi rezistenţa de rupere la
fluaj, ca fiind efortul unitar constant maxim care, acţionând la o temperatură dată,
produce ruperea după un anumit timp.
Etapele fluajului sunt:
1. deformarea instantanee, în principal elastică;
2. fluajul primar/tranzient; variaţia alungirii relative în funcţie de timp, d/dt este
negativă;
3. fluajul secundar/staţionar; d/dt = 0;
4. fluajul terţiar; d/dt > 0; are loc formarea unor fisuri interne, pori, gâtuituri etc.
5. ruperea
Temperatura şi tensiunile mecanice sunt factori care influenţează fluajul. La
creşterea efortului unitar sau a temperaturii, alungirea relativă instantanee creşte,
viteza fluajului staţionar creşte şi timpul până la rupere scade.
Pentru fluajul care are loc în diferite materiale şi în diferite condiţii de
tensiuni mecanice şi temperatură sunt răspunzătoare diferite mecanisme:
 difuzia de vacanţe asistată de tensiuni mecanice
 difuzia pe suprafeţele de separare dintre cristalite
 alunecarea suprafeţelor de separare dintre cristalite
 mişcarea dislocaţiilor
Fluajul este în general minimizat în materiale cu temperatură de topire mare,
modul de elasticitate mare, sau dimensiuni mari ale cristalitelor.
6.5. Proprietăţi mecanice ale materialelor electronice şi
electrotehnice
Materialele electronice şi electrotehnice sunt caracterizate de anumite
proprietăţi, care trebuie cunoscute în vederea utilizării corespunzătoare a acestor
materiale. În continuare sunt prezentate principalele mărimi ce măsoară
proprietăţile mecanice de care trebuie să se ţină seama în proiectare şi alegerea
materialelor.
 modulul de elasticitate ia valori între 2 ÷ 200 GN/m2.
 rezistenţa la rupere prin tracţiune σrt (σrt = Fr/A), unde Fr este solicitarea
de tracţiune care provoacă ruperea materialului, iar A este aria secţiunii
transversale a probei.
 alungirea specifică la rupere εr = (ℓr – ℓ0)/ℓ0, unde ℓr reprezintă lungimea
finală la rupere a probei, iar ℓ0 lungimea iniţială a acesteia; pentru materiale
conductoare, σrt are valori între 70 ÷ 500 MN/m2 şi εr are valori între 2 ÷ 60%;
pentru materiale izolatoare, σrt are valori între 7 ÷ 330 MN/m2 şi εr are valori
între 0,5 ÷ 500%.
82
Pentru materialele foarte rigide şi cu deformări foarte mici (materiale

ceramice, răşini sintetice etc.) nu se folosesc aceste mărimi, preferându-se mărimile
corespunzătoare eforturilor de încovoiere.
 rezistenţa la despicare se determină pentru materialele fibroase sau stratificate
ce conţin fibre paralele şi reprezintă valoarea maximă a forţei necesare
despicării straturilor unei probe paralelipipedice din materialul de încercat, la
introducerea în probă a unui cuţit, paralel cu straturile materialului.
 rezistenţa la sfâşiere se determină în cazul ţesăturilor şi reprezintă forţa
necesară producerii sau continuării sfâşierii acestora, fără a utiliza un element
de tăiere.
 duritatea caracterizează capacitatea straturilor superficiale ale materialului de
a rezista la eforturi de compresiune transmise prin corpuri de dimensiuni mici
(din oţel sau diamant); se defineşte convenţional, în funcţie de metoda utilizată
pentru măsurarea ei; duritatea Brinell are valori între 150 ÷ 1200 MN/m2
pentru materiale conductoare şi între 80 ÷ 500 MN/m2 pentru materiale
izolatoare.
 rezilienţa, σr caracterizează comportarea materialelor la acţiunea solicitărilor
prin şoc şi se defineşte ca raport dintre lucrul mecanic necesar ruperii printr-o
singură lovire a unei probe şi aria secţiunii transversale iniţiale a porţiunii
rupte.
 viscozitatea* dinamică, η caracterizează starea de fluiditate a unui lichid şi se
poate determina cu relaţia:
 pr 4 t
  (6. 18)
8 V
unde V reprezintă cantitatea de lichid ce trece în intervalul de timp ∆t sub
acţiunea presiunii p, printr-un vas capilar de lungime ℓ şi rază r.
 viscozitatea cinematică, ν reprezintă raportul dintre viscozitatea dinamică η şi
densitatea ρ a lichidului (ν = η/ρ).
*
Facem precizarea că forma corectă este viscos, viscozitate şi nu vâscos, vâscozitate, cum, din
păcate se întâlneşte destul de des în unele lucrări.
83
7. Diagrame de fază
7.1. Definiţii
Pentru discuţiile următoare, este necesară definirea anumitor noţiuni:
Component - specie chimic recognoscibilă (Fe şi C în oţel, H2O şi NaCl în
apa sărată). Un aliaj binar conţine doi componenţi, un aliaj ternar – trei etc.
Fază – a porţiune dintr-un sistem, care are caracteristici fizice şi chimice
uniforme. Două faze distincte dintr-un sistem au caracteristici fizice sau chimice
distincte (de exemplu apa şi gheaţa) şi sunt separate una de alta de suprafeţe de
separare de fază bine definite. O fază poate conţine unul sau mai mult componenţi.
Un sistem monofază este numit omogen, sistemele cu două sau mai multe
faze sunt amestecuri sau sisteme eterogene.
Limita de solubilitate a unui component într-o fază este cantitatea maximă
din acel component, care poate fi dizolvată în acea fază (de exemplu, alcoolul are o
solubilitate nelimitată în apă, zahărul are o solubilitate limitată în apă, iar uleiul
este insolubil). Aceleaşi concepte se aplică la faze solide: Cu şi Ni sunt solubili
reciproc în orice cantitate (solubilitate solidă nelimitată), pe când C are o
solubilitate limitată în Fe.
Proprietăţile unui aliaj depind nu numai de proporţiile fazelor, ci şi de
structura acestora la nivel microscopic. Astfel, microstructura este specificată de
numărul de faze, proporţiile acestora şi aranjarea lor în spaţiu.
Un sistem este într-o stare de echilibru, dacă la temperatură, presiune şi
compoziţie constante, sistemul este stabil şi nu se modifică în timp.
Echilibrul este o stare la care se poate ajunge după un timp suficient de
lung. Timpul de obţinere a echilibrului poate fi foarte lung (cinetica poate fi lentă),
astfel că o stare intermediară din trecerea spre echilibru poate apărea stabilă.
Aceasta este numită stare metastabilă.
În termodinamică, echilibrul este descris ca starea unui sistem care corespunde
minimului funcţiei termodinamice numite energie liberă. Termodinamica afirmă
că:
 în condiţii de temperatură, presiune şi compoziţie constante, sensul oricărei
modificări spontane este spre o energie liberă mai scăzută;
 starea de echilibru termodinamic stabil este cea de energie liberă minimă;
 un sistem aflat într-o stare metastabilă se găseşte într-un minim local de energie
liberă, care nu este unul global.
7.2. Legea fazelor (Gibbs)
Să considerăm un sistem compus din substanţe diferite (componenţi),
prezentându-se sub forma mai multor faze în contact, în număr de f. Dacă n este
numărul componenţilor sistemului, fiecare fază este caracterizată de presiunea şi
temperatura sa şi n potenţiale chimice. Condiţia de echilibru al sistemului impune
egalitatea presiunilor, temperaturilor şi a tuturor potenţialelor chimice:
84
11  12   1f

12   22    f2
1n   n2    fn
Prin notaţie, indicele din dreapta-sus indică faza, iar cel din dreapta-jos
indică componentul.
Fiecare din potenţialele  ij este o funcţie de presiune, temperatură şi n – 1
concentraţii ale componenţilor din faza dată (deoarece suma concentraţiilor este
egală cu 1), deci în total n + 1 variabile independente.
Condiţiile de echilibru formează un sistem de (f – 1)n ecuaţii, având un
număr de necunoscute egal cu 2 + f(n – 1). Pentru ca acest sistem să fie
determinat, trebuie ca numărul ecuaţiilor să fie cel mult egal cu numărul
necunoscutelor, adică:
n(f – 1)  2 + f(n – 1)
de unde rezultă:
fn+2 (7. 1)
ceea ce se poate exprima astfel:
Într-un sistem de n componenţi independenţi, se pot găsi simultan în
echilibru cel mult n + 2 faze.
Aceasta reprezintă legea fazelor, formulată de J. W. Gibbs*.
Dacă numărul fazelor, f este mai mic decât n + 2, un număr V = n + 2 – r de
variabile în ecuaţiile de echilibru pot avea valori arbitrare, V reprezentând numărul
gradelor de libertate termodinamice ale sistemului (varianţa sistemului). Relaţia:
V=n+2–f (7. 2)
reprezintă o altă formă de scriere a legii fazelor.
De exemplu, să considerăm un sistem cu un singur component: n = 1. Dacă
f = 1, atunci V = 2, deci presiunea şi temperatura se pot modifica arbitrar; dacă f =
2, atunci V = 1, deci presiunea şi temperatura nu sunt independente, ci între ele
există o relaţie; dacă f = 3, atunci V = 0, starea sistemului fiind complet
determinată prin valori unice ale lui p şi T (punctul triplu).
7.3. Transformări de fază
Modificarea parametrilor intensivi ai sistemului, care sunt parametri ce nu
depind de numărul particulelor sistemului (de cantitatea de substanţă), cum sunt
presiunea, temperatura, poate duce la schimbarea fazei (transformare de fază).
Astfel de transformări de fază sunt: topirea, vaporizarea, sublimarea şi
procesele inverse ale acestora, trecerea dintr-o formă cristalină în alta, din starea de
conductor în cea de supraconductor, din starea de fluid în cea de suprafluid, din
starea de feromagnetic în cea de paramagnetic etc.
*
Josiah Willard Gibbs, 1839 – 1903, chimist şi fizician american, unul din fondatorii
termodinamicii chimice, cu contribuţii în energetica proceselor chimice şi a echilibrelor termice
85
Din această simplă enumerare, se constată că faza iniţială şi cea finală într-o
transformare pot aparţine aceleiaşi stări de agregare. Numeroase corpuri pot exista,
de exemplu, sub diferite forme de cristalizare (polimorfism – la substanţe compuse,
alotropie – la substanţe simple). Unele dintre aceste transformări sunt caracterizate
de faptul că trecerea de la o fază la alta este însoţită de o discontinuitate a entropiei
şi, deci, aceste transformări sunt caracterizate de o căldură latentă de transformare.
Astfel de transformări în care volumul V şi entropia S sunt discontinue se numesc
transformări de fază de speţa întâi.
Există însă şi o a doua categorie de transformări, care se produc fără căldură
latentă: se constată experimental că, sub o temperatură Tc (temperatură critică),
există un parametru extensiv, adică un parametru care depinde de numărul
particulelor sistemului (volum, masă, suprafaţă, concentraţie, energie internă etc.),
diferit de zero, peste această temperatură el fiind nul.
Aceste transformări, numite transformări de fază de speţa a II-a, sunt
caracterizate de faptul că volumul V şi entropia S sunt continue, dar apar
discontinuităţi în căldura specifică, compresibilitatea şi coeficientul de dilatare
termică.
Din categoria transformărilor de speţa I fac parte tranziţiile dintr-o stare de
agregare în alta şi dintr-o formă cristalină în alta, iar din categoria celor de speţa a
II-a fac parte tranziţiile conductor–supraconductor, fluid–suprafluid, tranziţiile de
fază magnetice.
7.4. Diagrame de fază; legea pârghiei
O diagramă de fază este o reprezentare grafică de combinaţii de
temperatură, presiune, compoziţie, sau alte variabile, pentru care există la echilibru
faze specifice.
O diagramă de fază arată ce faze există la echilibru şi ce transformări de
fază sunt de aşteptat când se modifică parametrii sistemului (T, p, compoziţie).
O diagramă de fază binară prezintă fazele formate în diferite amestecuri de
două elemente pe un domeniu de temperaturi. În continuare se va considera că
presiunea în sistem se menţine constantă (de obicei, o atmosferă).
Compoziţia variază de la 100% pentru elementul A la stânga diagramei,
prin toate valorile posibile ale amestecului, la 100% pentru elementul B, la dreapta
diagramei. Compoziţia unui aliaj este dată în forma: A – x%B. De exemplu, Fe –
30%Ni este un aliaj cu 70% Fe şi 30% Ni.
Concentraţia masică este deseori utilizată pentru a specifica proporţia
elementelor aliate, dar poate fi utilizată şi concentraţia atomică. În continuare, se va
utiliza concentraţia masică.
Aliajele tind să se solidifice mai degrabă pe un domeniu de temperatură,
decât la o temperatură specifică, aşa cum se întâmplă cu elementele pure.
La fiecare capăt al diagramei de fază, doar un element este prezent (100% A
sau 100% B) şi, de aceea, există un punct de topire specific.
Figura 7.1 prezintă aspectul tipic al unei diagrame de fază pentru un aliaj
binar.
86
Uneori există un amestec al elementelor constituente care produce

solidificarea la o temperatură unică, aşa cum se întâmplă cu un element pur. Acesta
este numit punct eutectic („eutectos” înseamnă în limba greacă „uşor de topit” şi,
într-adevăr, aliajul de compoziţie eutectică are temperatura de topire cea mai
scăzută). Punctul eutectic poate fi găsit experimental prin reprezentarea grafică a
ratelor de răcire pe un domeniu al compoziţiei aliajului. Diagramele de fază pentru
unele aliaje binare foarte simple nu au puncte eutectice.
Prin răcirea aliajelor de la starea lichidă şi reprezentarea grafică a ratelor lor
de răcire, poate fi determinată şi reprezentată pe diagrama de fază temperatura la
care ele încep să se solidifice. Dacă se efectuează suficiente experimente, pe un
domeniu de compoziţii, poate fi reprezentată grafic pe diagrama de fază o curbă de
început al solidificării. Această curbă va întâlni cele trei puncte de solidificare şi
este numită linia liquidus.
Punct de topire al
materialului A pur
temperatură
Punct de topire al
materialului B pur
Lichid
 + lichid  + lichid
 
Punct eutectic Linie eutectică
 + 
%A compoziţie %B
Figura 7.1 – Diagrama de fază a unui aliaj binar
În acelaşi mod în care sarea se dizolvă în apă şi formează o soluţie lichidă,

este posibil pentru un element să se dizolve în altul, ambele rămânând în stare
solidă. Aceasta este numită solubilitate solidă şi este posibilă de obicei până la
câteva procente masice, care reprezintă limita de solubilitate, dependentă de
temperatură.
Extinderea regiunii de solubilitate solidă poate fi reprezentată pe diagrama
de fază. O soluţie solidă a elementului B în elementul A este numită , iar o soluţie
solidă a elementului A în elementul B este numită .
87
Este de notat că unele aliaje dintre anumite elemente au solubilitate solidă

nulă; un bun exemplu este cel al aliajelor Al-Si, unde aluminiul are solubilitate
solidă zero în siliciu.
Dacă o compoziţie a aliajului nu se plasează în interiorul micii regiuni de
soluţie solidă de la fiecare capăt al diagramei de fază, aliajul devine complet solid
la temperatura eutectică, aspect reprezentat prin linia eutectică, pe diagrama de
fază.
La compoziţii ale aliajului şi temperaturi între începutul solidificării şi
punctul la care acesta devine complet solid (temperatura eutectică), există un
amestec păstos de stare  sau , ca ghemotoace solide, cu un amestec lichid de
elemente A şi B. Aceste regiuni parţial solide sunt marcate, de asemenea, pe
diagrama de fază ( + lichid,  + lichid).
Regiunea sub linia eutectică şi exteriorul regiunii soluţiei solide este un
amestec solid de  şi .
Diagramele de fază binare foarte simple nu au un punct eutectic. Amestecul
lichid se răceşte printr-o regiune de solidificare (domeniu de temperatură) şi devine
o soluţie solidă constituită din două elemente. Aceste diagrame de fază simple apar
în mod normal doar când sunt aliate două elemente foarte similare, sau ca parte a
unei diagrame de fază mult mai complexe. Aspectul unei astfel de diagrame este
redat în figura 7.2.
temperatură
Lichid
 + lichid

%A compoziţie %B
Figura 7.2 – Diagrama de fază a unui aliaj binar fără punct eutectic
Un exemplu de astfel de sisteme este cel al sistemelor binare izomorfe, care

sunt sisteme formate din doi componenţi cu solubilitate solidă completă (atât în
faza lichidă, cât şi în cea solidă).
Trei regiuni de faze distincte pot fi identificate pe diagrama de fază: lichid,
solid + lichid (+ lichid) şi solid (). Curba de echilibru lichid –  + lichid este
linia liquidus, iar curba de echilibru + lichid – solid este linia solidus. 
88
Un foarte cunoscut caz de sistem izomorf este cel format de Cu şi Ni. În

acest caz, solubilitatea completă are loc deoarece Cu şi Ni au aceeaşi structură
cristalină (CFC), raze atomice similare, aceeaşi electronegativitate şi valenţă.



Figura 7.3 – Determinarea compoziţiei pe diagrama de fază a unui aliaj binar; legea
pârghiei

Diagrama de fază poate fi utilizată, pentru o temperatură şi compoziţie date,
pentru a determina fazele care sunt prezente, compoziţiile acestor faze, precum şi
fracţiile relative ale fazelor.
Compoziţia procentuală a fazelor într-o regiune bifază se determină astfel:
- se fixează pe diagramă punctul P(C0, T), corespunzător temperaturii şi
concentraţiei aliajului (figura 7.3);
- în regiunea bifază, se trasează linia transversală (izoterma), prin punctul P;
- punctelor de intersecţie a acestei linii cu liniile de separare a fazelor, le
corespund abscisele care reprezintă fracţiile celor două faze (solidă şi lichidă).
Legea pârghiei este o analogie mecanică cu balanţa. Linia transversală, AB,
în regiunea bifază este analoagă unei pârghii sprijinită pe un suport (punctul P).
Condiţia de echilibru al pârghiei este: mS = mR.
Notăm C – C0 = S şi C0 – C = R.
Definim fracţiile masice
m m m m
X    , X   ,
m   m m m   m m
reprezentând fracţia din amestec aflată în faza  (solid), respectiv  (lichid).
Evident,
89
m   m
X   X  1
m   m
De asemenea, condiţia de echilibru al pârghiei se rescrie, sub forma: XS =
XR. Din aceste ultime două relaţii, rezultă:
C  C C  C0
X  0 ; X  
C  C C  C
Dacă se produce o răcire lentă, la echilibru, solidificarea din faza solid +
lichid are loc gradual, prin răcirea de la linia liquidus. Compoziţia solidului şi
lichidului se modifică gradual în timpul răcirii (aşa cum se poate determina prin
metoda liniei transversale), formându-se nuclee de fază solidă, care cresc şi
„consumă” tot lichidul până la linia solidus.
Dacă se produce o răcire rapidă, de neechilibru, modificările
compoziţionale necesită difuzia în fazele solidă şi lichidă. Difuzia în starea solidă
este foarte lentă, motiv pentru care noile straturi se solidifică peste cristalitele
existente şi metoda liniei transversale nu mai este valabilă. Aceasta rămâne totuşi
valabilă pentru faza lichidă, unde difuzia este rapidă. Prin încălzire, suprafaţa de
separare dintre cristalite se topeşte prima, ceea ce conduce la ruperi mecanice
premature.
Pe baza celor discutate până acum, se pot defini în continuare şi alte noţiuni.
Linia solvus separă o soluţie solidă de un amestec de soluţii solide. Linia
solvus reprezintă limita de solubilitate.
Punctul eutectic sau invariant este punctul în care lichidul şi două faze
solide coexistă în echilibru la compoziţia eutectică, CE şi temperatura eutectică, TE.
Izoterma eutectică este linia solidus orizontală la TE.
Reacţia eutectică reprezintă tranziţia între lichid şi amestecul a două faze
solide, + la concentraţia eutectică, CE. Punctul de topire al aliajului eutectic
este mai scăzut decât cele ale componenţilor.
Majoritatea sistemelor de două faze pot fi în echilibru în interiorul unui
câmp de faze. Trei faze (L, , ) pot fi în echilibru doar în câteva puncte de pe
izoterma eutectică. Regiunile monofază sunt separate de regiuni bifază.
Compoziţiile şi cantităţile relative ale fazelor sunt determinate de la aceeaşi linie
transversală şi cu legea pârghiei, ca pentru aliajele izomorfe.
Sistemele eutectice care au două faze solide (şi care există doar la
extremităţile diagramei de fază sunt numite soluţii solide terminale. Unele sisteme
de aliaje binare au faze intermediare de soluţii solide. În diagrama de fază, aceste
faze sunt separate de compoziţiile extreme (0% şi 100%).
Reacţia eutectoidă este similară cu reacţia eutectică, dar are loc de la o
fază solidă la două noi faze solide. În punctul eutectoid, sunt în echilibru trei faze
solide. Prin răcire, o fază solidă se transformă în două alte faze solide.
O reacţie peritectică este cea în care o fază solidă şi o fază lichidă
formează împreună o a doua fază solidă la o anumită temperatură şi
compoziţie.Astfel de reacţii sunt în general lente. 
90
O transformare congruentă este o transformare care nu implică nici o

modificare în compoziţie (de exemplu, transformarea alotropică -Fe  -Fe sau
tranziţiile de topire în solide pure). Într-o transformare incongruentă, cel puţin o
fază îşi modifică compoziţia (de exemplu, reacţiile eutectice, eutectoide,
peritectice).
91
8. Metale
Nici o altă categorie de materiale nu a contribuit mai mult la dezvoltarea
omenirii de-a lungul istoriei sale, decât cea a metalelor (excepţie făcând, poate,
polimerii sintetici, dar numai în secolul al XX-lea).
Metalele pure sunt elemente, ele reprezentând mai mult de 80 (75%) din cele
aproximativ 110 elemente chimice cunoscute, incluzând binecunoscutele metale
staniu, cupru, argint, fier, aluminiu, sodiu, mercur, uraniu etc., dar şi unele mai
puţin cunoscute, cum sunt molibden, tungsten, iridiu, ceriu, praseodim etc., în fapt,
majoritatea tabelului periodic, cu excepţia colţului şi părţii drepte. În plus, faţă de
elementele pure, sunt şi multe aliaje metalice – amestecuri de metale (şi unele
nemetale) cu proprietăţi metalice, cum sunt alama, bronzul, oţelul, cupronichelul,
cositorul, ferocromul, magnaliul etc.
Aurul a fost primul metal exploatat de oameni şi a fost întotdeauna
considerat foarte valoros, pentru uşurinţa cu care poate fi prelucrat şi pentru
strălucirea sa, care se păstrează în orice condiţii. De aceea, a fost utilizat încă din
vremuri străvechi (~ secolul al VII-lea î.Hr.) pentru baterea monedelor. Alchimiştii
Evului Mediu erau obsedaţi să găsească „piatra filozofală” sau „elixirul”, care ar
putea să transforme orice metal în aur şi argint. Pare ridicol, acum, acest lucru, dar,
prin eforturile lor, ei ai pus piatra de temelie a chimiei şi fizicii moderne.
Lunga asociere istorică a aurului cu omenirea este datorată faptului că acesta
este foarte puţin reactiv şi se găseşte în natură ca metal necombinat, sau nativ
(aurul este mult mai stabil ca element decât în compuşi).
Argintul, de asemenea, se găseşte în natură necombinat şi a fost şi el utilizat
de mii de ani.
Cuprul se găseşte doar ocazional ca element pur, mai des el este combinat cu
alte elemente în minereuri de cupru: pirite - CuFeS2, cuprite - Cu2O, malachite -
Cu2(OH)2(CO3) etc. Totuşi, cuprul este destul de nereactiv şi este foarte uşor extras
din minereuri, ceea ce a făcut ca acest metal să fie exploatat încă din timpuri
străvechi. Lipsa de reactivitate, sau natura nobilă a cuprului, argintului şi aurului a
avut ca rezultat larga răspândire şi utilizare în sistemul monetar, de mii de ani,
motiv pentru care ele sunt numite colectiv metale monetare. Abia în secolul al XX-
lea valoarea intrinsecă a acestor metale în monetărie a depăşit valoarea monedelor
confecţionate din ele şi au început să fie folosite substitute mai ieftine, cum sunt
aliajele de cupronichel şi aluminiu.
Aurul are şi o altă proprietate remarcabilă - este cel mai maleabil metal
cunoscut. Aurul poate fi laminat în foi cu grosimi de nu mai mult decât 1000 atomi;
1 cm3 poate fi laminat într-o suprafaţă de 3-4 m3. Foiţa de aur este foarte mult
utilizată în decorare.
Aurul este, de asemenea, cel mai ductil dintre metale şi poate fi întins sau
extrudat în fire foarte fine, fără rupere.
92
În schimb, plumbul şi staniul sunt printre cele mai puţin ductile dintre
metale. Ordinea ductilităţii unor metale dintre cele mai cunoscute este:
aur  argint  platină  fier  cupru  paladiu  aluminiu  zinc  staniu
 plumb
Metalele sunt elemente opace, lucioase, care sunt bune conducătoare de
căldură şi electricitate. Majoritatea metalelor sunt maleabile şi ductile şi sunt, în
general, mai dense decât alte elemente. Ele reprezintă aproximativ 24% din masa
planetei şi sunt utilizate foarte mult, datorită proprietăţilor lor: rezistenţă mecanică,
ductilitate, punct de topire ridicat, conductivitate termică şi electrică şi duritate.
Aceste proprietăţi oferă şi indicii cu privire la structura metalelor.
Rezistenţa mecanică a metalelor sugerează că atomii acestor materiale sunt ţinuţi
împreună prin legături puternice. Aceste legături trebuie însă să permită atomilor să
se mişte, pentru ca metalele să poată fi ductile şi maleabile. Astfel de legături ar
putea fi formate între atomi metalici, care au electronegativităţi reduse şi nu atrag
puternic propriii electroni de valenţă, fapt ce permite majorităţii electronilor din
stratul exterior să fie „folosiţi” în comun de către toţi atomii înconjurători,
rezultând ioni pozitivi (cationi) scufundaţi într-o „mare” de electroni (uneori numiţi
nor electronic).
Deoarece electronii de valenţă sunt puşi în comun de către toţi atomii, ei nu
sunt consideraţi ca fiind asociaţi cu un anumit atom. Această situaţie este foarte
diferită de cea a legăturii ionice sau covalente, unde electronii sunt asociaţi cu unul
sau doi atomi. Legătura metalică este de aceea puternică şi uniformă. Cum
electronii interacţionează cu mai mulţi atomi, ei au o mobilitate considerabilă, ceea
ce conferă metalelor o bună conductivitate termică şi electrică.
Structura cristalină are o fracţie de împachetare mare, fiind posibile mai
multe aranjamente: hexagonal-compact (HC), cubic cu feţe centrate (CFC), cubic
cu volum centrat (CVC). Tabelul 8.1 prezintă structura cristalină pentru diferite
elemente metalice la temperatura camerei .
Tabel 8.1 - Structura cristalină pentru unele metale (la temperatura camerei)
Metal Structură Metal Structură
Aluminiu CFC Nichel CFC
Cadmiu HC Niobiu BCC
Crom CVC Platină CFC
Cobalt HC Argint CFC
Cupru CFC Titan HC
Aur CFC Vanadiu CVC
Fier CVC Zinc HC
Plumb CFC Zirconiu HC
Magneziu HC
Structura celulei elementare determină unele proprietăţi ale metalelor. De

exemplu, structurile de tip CFC sunt mult mai ductile decât cele de tip CVC, sau
HC.
93
Pe măsură ce atomii metalului topit încep să se grupeze împreună pentru a

forma o reţea cristalină, grupuri de astfel de atomi formează mici cristale, care
cresc în mărime odată cu adăugarea de noi atomi. Solidul rezultat nu este un
monocristal, ci el este format din multe mici cristale, numite cristalite, sau granule.
Aceste granule cresc până când vin în contact cu cristalele adiacente, aflate, de
asemenea, în creştere. Interfaţa formată între ele este numită graniţă dintre
cristalite. Cristalitele sunt uneori suficient de mari pentru a fi vizibile la un
microscop optic obişnuit, sau chiar cu ochiul liber. Lamelele care se văd pe
suprafaţa metalelor proaspăt galvanizate sunt cristalite.
Defectele cristalelor metalice, ca şi existenţa cristalitelor şi a graniţelor
dintre acestea, determină multe din proprietăţile mecanice ale metalelor. Când
asupra unui cristal metalic este aplicată o forţă deformatoare, sunt generate
dislocaţii, care se deplasează, permiţând metalului să se deformeze şi asigurându-i
acestuia proprietăţile de maleabilitate şi ductilitate.
Nu toate metalele adoptă una din structurile CVC, CFC, sau HC. Astfel,
cobaltul alternează între CVC şi HC, iar staniul adoptă două structuri, sau stări
alotrope, în funcţie de temperatură. La temperatura camerei, staniul metalic alb este
stabil, dar prin menţinere prelungită sub 13C, el se transformă în staniu cenuşiu,
un foarte casant semi-metal, format cu o structură covalentă gigant, ca a
diamantului.
8.2. Aliaje
Prezenţa altor elemente în metal poate de asemenea schimba proprietăţile
acestuia, uneori în mod drastic. Aranjarea şi tipul de legătură în metale permite
adiţia altor elemente în structură şi formarea unor amestecuri de metale, numite
aliaje. Chiar dacă elementele adăugate sunt nemetale, aliajele pot păstra
proprietăţile metalice.
Aliajele pot fi privite ca o soluţie solidă a unui metal în altul. Bronzul este
un aliaj de cupru şi staniu, de importanţă particulară. Ca şi cuprul, este rezistent la
coroziune, dar este mult mai dur şi poate fi utilizat în tehnică (este util în special în
fabricarea elicelor de vapoare, unde rezistenţa sa la coroziune este foarte
importantă, dar un beneficiu adiţional este şi faptul că cuprul fiind toxic pentru
moluşte şi scoici, creşterea acestora este inhibată.
Deşi nici cuprul şi nici staniul nu sunt metale dure în stare pură, bronzul
este mult mai dur decât fiecare component. Acest lucru se explică astfel: atomii
sunt aranjaţi într-o structură compactă, în straturi şi aceste straturi se depun unul
peste altul; când cuprul este comprimat, îndoit, sau bătut, straturile de atomi pot
aluneca cu uşurinţă unul peste altul, din care cauză cuprul este maleabil şi ductil.
Adăugarea unui procent de aproximativ 15% de atomi de staniu, care sunt mai
mari, duce la ruperea straturilor de atomi de cupru (le face mai rugoase) şi previne
alunecarea straturilor unul peste altul. De asemenea, apare şi un surplus de legătură
chimică între cupru şi staniu, care face rezistenţa mecanică mai mare.
Un alt efect important al alierii cuprului cu staniul este acela că bronzul are
un punct de topire mai scăzut decât cel al cuprului pur (1084C) şi mai ridicat decât
94
cel al staniului pur (232C). Valoarea punctului de topire depinde de proporţia

componentelor în aliaj, aşa cum se poate vedea în tabelul 8.2.
Tabel 8.2 - Dependenţa temperaturii de topire a aliajului Cu-Sn de compoziţia

acestuia
masă % Cu masă % Sn Temperatura de topire (C)
100 0 1084
90 10 1005
80 20 890
70 30 755
60 40 724
50 50 680
40 60 630
30 70 580
20 80 530
10 90 440
0 100 232
Aliajele de cupru au fost produse încă din timpuri străvechi. Bronzul a fost
primul aliaj de acest tip obţinut. Este uşor de produs, prin simpla adăugare a
staniului la cuprul topit. Uneltele şi armele făcute din acest aliaj erau mai rezistente
decât cele din cupru pur.
Adăugarea zincului la cupru produce un alt aliaj, alama. Deşi alama este
mai mult dificil de obţinut decât bronzul, şi ea este cunoscută din cele mai vechi
timpuri. Compoziţia tipică a unor aliaje este dată în tabelul 8.3.
Tabel 8.3 - Compoziţia unor aliaje

Aliaj Compoziţie
alamă cupru, zinc
bronz cupru, zinc, staniu
aliaj alb staniu, cupru, bismut, antimoniu
cositor plumb, staniu
alnico aluminiu, nichel, cobalt, fier
fontă fier, carbon, mangan, siliciu
oţel fier, carbon (plus mici cantităţi de elemente aliate)
Oţel inoxidabil fier, crom, nichel
Aliajele sunt amestecuri şi compoziţia lor procentuală poate varia, lucru

util, deoarece proprietăţile lor pot fi modificate prin modificarea compoziţiei.
Câteva aliaje mai cunoscute sunt prezentate în continuare.
Cositorul este un aliaj cu punct de topire scăzut (aproximativ 180C),
format în principal din staniu (50%) şi plumb (49,5%), la care se mai poate adăuga
antimoniu (0,5%), utilizat la lipirea suprafeţelor de metal. Nu se pot lipi orice fel de
95
metale. Astfel, este practic imposibilă cositorirea metalelor cum este aluminiul,
care au o suprafaţă de oxid foarte rezistentă.
Aliajul alb este compus din staniu (80%) şi plumb (20%) şi este utilizat
pentru ornamente şi obiecte decorative, deoarece el poate fi sculptat, gravat cu
mâna sau la strung.
Nicromul este compus din nichel (60%), fier (20%) şi crom (20%) şi poate
fi încălzit la roşu şi răcit în mod repetat fără oxidare, sfărâmare sau deformare,
motiv pentru care este utilizat în elemente de încălzire.
Constantanul conţine cupru (60%) şi nichel (40%) şi are o rezistivitate care
practic nu se modifică cu temperatura.
Iconelul conţine nichel (76%), crom (15%), fier (8%) şi mangan (1%) şi
este foarte inert şi utilizat pe scară largă în confecţionarea ustensilelor pentru
prelucrarea hranei.
Invarul conţine fier (64%), nichel (35%) şi carbon + mangan (1%) şi are un
foarte scăzut coeficient de dilatare termică.
Multe metale se pot dizolva în mercurul lichid, rezultând un aliaj solid,
cunoscut sub numele de amalgam. De exemplu, amalgamul cu argint şi staniu este
un cunoscut material dentar, folosit pentru plombe dentare. Mercurul nu formează
amalgam cu fierul şi, de aceea, acesta poate fi folosit pentru confecţionarea
recipientelor de păstrare a mercurului.
Fierul şi oţelul
Fierul pur este extrem de moale şi este foarte rar utilizat. Oţelurile sunt
aliaje ale fierului cu carbonul, al cărui procentaj în compoziţie poate varia.
Cantitatea de carbon afectează proprietăţile oţelului şi adecvarea sa pentru anumite
utilizări. Oţelurile nu conţin de obicei mai mult de 1% carbon. Oţelul pentru
construcţii conţine aproximativ 0,1 ÷ 0,2% carbon, ceea ce îl face mai ductil şi mai
puţin apt de rupere la solicitări (în timpul cutremurelor). Oţelul utilizat pentru
unelte are aproximativ 0,5 ÷ 1 % carbon, ceea ce îl face mai dur şi mai rezistent la
uzură. Fonta are între 2,5 şi 4% carbon şi îşi găseşte utilitatea în aplicaţii de cost
redus, unde friabilitatea sa nu este o problemă. Creşterea cantităţii de carbon duce
la creşterea durităţii metalului.
Proprietăţile oţelului pot fi ajustate pentru utilizări speciale prin adiţia altor
metale la aliaj. Titanul, vanadiul, molibdenul şi manganul se numără printre
metalele ce pot fi adăugate la aceste oţeluri speciale. Oţelul inoxidabil conţine
minim 12% crom, care împiedică oxidarea prin formarea unui strat protector de
oxid la suprafaţa aliajului.
8.3. Prelucrarea metalelor
În industrie, metalul topit este răcit şi formează metalul solid. Apoi, acesta
este prelucrat mecanic pentru a se obţine un produs particular. Modul în care se
desfăşoară aceste etape este foarte important, deoarece căldura şi deformarea
plastică pot afecta puternic proprietăţile mecanice ale metalului.
Este de mult cunoscut faptul că proprietăţile unor metale pot fi modificate
prin tratament termic. Cristalitele în metale tind să crească mai mari, pe măsură ce
96
metalul este încălzit. O cristalită poate creşte prin migrarea atomilor de la o altă
cristalită, care ar putea în final să dispară. Dislocaţiile nu pot trece cu uşurinţă peste
limitele cristalitelor, astfel că mărimea cristalitelor determină cât de uşor se pot
mişca dislocaţiile. Cum este deci de aşteptat, metalele cu cristalite mici sunt mai
rezistente, dar mai puţin ductile.
Sunt mai multe moduri în care metalele pot fi tratate termic. Recoacerea
este un proces de plastifiere în care metalele sunt încălzite şi apoi răcite lent.
Încălzirea lentă a unui metal dur şi răcirea lentă a sa dă naştere unui metal care
rămâne dur, dar este şi mai puţin casant.
Etapele recoacerii sunt:
 Încălzirea la temperatura necesară
 Păstrarea (recoacerea) la temperatură constantă
 Răcirea
Timpul de recoacere la temperatură ridicată este suficient de lung pentru a
permite ca transformarea dorită să aibă loc.
Răcirea are loc lent, pentru a evita deformarea sau fisurarea datorită
gradienţilor termici şi tensiunilor termoelastice din piesa metalică.
Recoacerea are ca scop:
 Descărcarea stresului intern
 Creşterea ductilităţii, durităţii
 Producerea unei anumite microstructuri
Ca urmare, întâlnim:
 Recoacerea de prelucrare, utilizată pentru inversarea efectelor ecruisării (prin
restabilire şi recristalizare) şi creştea ductilităţii. Încălzirea este de obicei
limitată pentru a evita creşterea excesivă a cristalitelor şi oxidarea.
 Recoacerea de descărcare a stresului, utilizată la eliminarea/minimizarea
stresului datorat deformării plastice în timpul prelucrării, răcirii neuniforme, sau
transformărilor de fază între faze cu densităţi diferite.
Temperaturile de recoacere sunt relativ scăzute, astfel încât efectele utile ale
prelucrării la rece să nu fie eliminate.
Majoritatea oţelurilor pot fi călite prin încălzire, urmată de o răcire rapidă.
Acest proces a fost utilizat încă din timpuri vechi în prelucrarea oţelului.
Prelucrarea la rece
Deoarece deformarea plastică rezultă din mişcarea dislocaţiilor, metalele
pot fi durificate prin prevenirea acestei mişcări. Când un metal este îndoit sau
prelucrat, sunt generate dislocaţii şi acestea se mişcă. Pe măsură ce numărul
dislocaţiilor în cristal creşte, ele vor fi blocate şi nu vor mai fi capabile să se
deplaseze, ceea ce durifică metalul, făcându-l mai greu de deformat. Acest proces
este cunoscut sub numele de prelucrare la rece.
Încălzirea elimină efectele prelucrării la rece. Când metalele astfel
prelucrate sunt încălzite, are loc o recristalizare. Noi cristalite se formează şi cresc
pentru a consuma porţiunile prelucrate la rece. Ele au mai puţine dislocaţii şi astfel
proprietăţile iniţiale sunt restabilite.
97
8.4. Conductivitatea termică şi electrică a metalelor

Metalele prezintă o foarte bună conductivitate termică şi electrică. Înalta
conductivitate termică face metalele să dea senzaţia de „rece” la atingere deoarece
ele conduc căldura rapid, şi o absorb de la corpurile cu care intră în contact.
Metalele se încălzesc şi se răcesc foarte repede - suprafaţa metalului
pierde/absoarbe căldură spre/dinspre mediul înconjurător, aceasta fiind condusă
intern de la/spre interiorul metalului. Totuşi, o suprafaţă lucioasă reflectă o mare
parte din radiaţia infraroşie (căldura) incidentă şi suprafeţele metalice lucioase sunt
utilizate pentru a împiedica transferul de căldură prin radiaţie termică (de exemplu,
suprafaţa argintată a sticlei de termos – vas Dewar, sacii de plastic argintat pentru
păstrarea alimentelor congelate, foliile utilizate pentru protecţia contra hipotermiei,
folia de aluminiu de bucătărie etc.) O suprafaţă metalică mată se încălzeşte rapid şi
radiază căldură mult mai eficient decât o suprafaţă metalică lucioasă.
Tabelul 8.3 prezintă valoarea conductivităţii termice pentru unele dintre
cele mai cunoscute metale, în comparaţie cu alte materiale:
Tabel 8.3 - Conductivitatea termică a unor metale

Material Conductivitate termică (J/msK)
Argint 416
Cupru 386
Aur 302
Aluminiu 201
Fier 46
Mercur 7
Cărămidă 0,63
Apă 0,55
Lemn 0,13
Seria conductivităţii termice pentru unele metale mai cunoscute este:

argint  cupru  aur  aluminiu  magneziu  zinc  crom  fier  staniu
 plumb
iar pentru conductivitatea electrică:
argint  cupru  aur  aluminiu  magneziu  zinc  fier  staniu  crom
 plumb
Se poate observa uşor similaritatea celor două serii, ceea ce se explică prin
faptul că ambele proprietăţi sunt legate de structura metalelor. Când atomii absorb
energie termică, ei vibrează (temperatura este o măsură a energiei de agitaţie
termică) şi această vibraţie se transferă de la un atom la următorul. În metale,
deoarece atomii sunt deseori împachetaţi compact (cu 12 sau 14 vecini de ordinul I)
vibraţia sau efectul de încălzire este transportat rapid în corpul metalului de la un
atom la altul. În materialele cu legături covalente sau ionice, atomii nu sunt atât de
apropiaţi (densităţi mai mici) şi energia termică este transferată mai greu de la un
atom la altul, ea fiind utilizată în vibraţia legăturii covalente. În plus, aceste
98
materiale nu dispun nici de electroni liberi, care asigură şi ei o parte din transportul
energiei termice.
8.5. Coroziunea metalelor
O altă trăsătură caracteristică a tuturor metalelor este luciul metalic. Luciul
suprafeţei unui metal este esenţial în utilizarea acestuia în decorare şi ornamentare.
Majoritatea metalelor au un luciu caracteristic argintiu, dar cuprul şi aurul au un
luciu unic, roz şi respectiv galben. Cu excepţia aurului şi platinei majoritatea
metalelor devin mai mult sau mai puţin mate în timp. Mătuirea poate fi un aspect
estetic - patina pe bronzul antic, verdele cuprului de pe acoperişurile unor clădiri
etc. Uneori însă mătuirea este sinonimă cu coroziunea, adică rugina fierului şi
oţelului nu este doar neplăcută, dar şi dăunătoare şi posibil periculoasă. De
asemenea, tenta neagră pe argint, în principal sulfură de argint, care strică luciul
strălucitor al argintăriei, rezultă din reacţia:
2Ag + H2S + 4O2  Ag2S (negru) + H2O
Stratul de oxizi de la suprafaţa majorităţii metalelor rezultă din reacţia
metalului cu oxigenul din aer. În cazul aluminiului, un metal foarte reactiv, stratul
de oxid de la suprafaţă este foarte rezistent şi face aluminiul practic inert la reacţii.
4Al + 3O2  2Al2O3
Când fierul rugineşte, oxidul de fier hidrogenat care se formează se extinde
şi jupoaie constant suprafaţa metalului, expunând mai mult fierul la umezeala
atmosferică şi aer.
4Fe + 3O2 + xH2O  2Fe2O3.xH2O(rugină)
Gradul şi rapiditatea cu care un metal se mătuieşte, sau îşi pierde luciul sunt
legate în mod evident de reactivitate. Mai jos sunt prezentate elementele în ordinea
descrescătoare a luciului metalului după o anumită expunere la aer:
aur  argint  crom  staniu  cupru  zinc  magneziu  aluminiu 
plumb  fier
Aurul şi argintul, aşa cum s-a arătat, sunt nereactive şi foarte lucioase.
Plumbul, deşi nereactiv, nu este niciodată foarte lucios, chir când este lustruit.
Unele metale foarte reactive, de exemplu sodiul şi potasiul se mătuiesc aproape
instantaneu la expunerea la aer, dar suprafaţa nemătuită poate fi văzută pentru un
foarte scurt timp, când o bucată de metal este tăiată cu un cuţit.
Luciul metalelor este legat intim de structura electronică a acestora. Fiecare
electron poate absorbi o anumită cuantă de radiaţie pentru a deveni excitat şi cuanta
de radiaţie absorbită depinde de nivelul energetic al electronului. Electronii liberi
deseori absorb cuante de lumină vizibilă. În metale, electronii de pe stratul exterior
sunt electroni liberi şi energia lor depinde de distanţa lor faţă de nucleu; cum sunt
nenumăraţi electroni liberi, la practic orice distanţă posibilă, energia pe care ei o
pot absorbi este la orice frecvenţă a luminii vizibile care cade pe suprafaţa metalică,
astfel că:
 metalele sunt complet opace
99
Totuşi, un electron excitat re-emite o cuantă de radiaţie identică cu cea

absorbită pentru a se dezexcita şi astfel cea mai mare parte a radiaţiei incidente pe o
suprafaţă metalică este re-emisă, astfel că:
 metalele sunt puternic reflectătoare, sau lucioase
Coroziunea metalelor poate reprezenta o problemă majoră, în special pentru
aplicaţii structurale pe termen lung: poduri, vapoare, maşini etc. De cele mai multe
ori, coroziunea este electrochimică (galvanică). Pentru a avea loc coroziunea, este
nevoie de prezenţa unui anod (o regiune mai uşor oxidată) şi un catod (o regiune
mai greu oxidată). Acestea pot fi diferite tipuri de metale, sau regiuni diferite ale
aceluiaşi metal. De asemenea trebuie să fie prezent şi un tip oarecare de electrolit,
care să permită transportul electronilor. Coroziunea implică eliberarea de electroni
la anod, datorită potenţialului de oxidare ridicat al atomilor din anod. Pe măsură ce
electronii sunt eliberaţi, se formează cationi metalici şi metalul se dezintegrează.
Simultan, catodul, care are un potenţial reducător mai mare, acceptă electroni, fie
prin formarea de ioni negativi, fie prin neutralizarea ionilor pozitivi.
Un metal cum este zincul reacţionează cu hidrogenul şi joacă rolul atât de
anod, cât şi de catod. Ecuaţia acestei reacţii este:
2Zn + 2H+  2Zn2+ + H2
Hidrogenul se degajă la catod, pe când anodul este distrus.
Imperfecţiunile suprafeţei, prezenţa impurităţilor, orientarea cristalitelor,
tensiunile locale şi variaţii în mediul înconjurător sunt unii dintre factorii ce explică
de ce o singură bucată de metal poate juca rolul ambilor electrozi.
Deşi oxidarea la anod şi reducerea la catod sunt procese simultane,
coroziunea are loc de obicei la anod. Catodul nu este distrus aproape niciodată. Pe
această bază, încă din prima jumătate a secolului al XIX-lea, s-a pus la punct o
metodă de protecţie a corpului navelor contra coroziunii, prin utilizarea unor bucăţi
de zinc, ce sunt periodic înlocuite. Zincul este mult mai activ decât oţelul şi
serveşte drept anod, fiind deci corodat; oţelul joacă rolul catodului. Acest tip de
protecţie anticorozivă este numit protecţie catodică. În mod asemănător,
conductele de oţel sunt protejate cu un mult mai activ metal, magneziul.
Coroziunea este o problemă majoră, care trebuie rezolvată pentru a putea
utiliza efectiv metalele. Fierul se combină cu oxigenul în aer, formând oxid de fier
(rugină), în final distrugând utilitatea metalului. Din fericire, alte metale, cum sunt
aluminiul şi cromul, formează o acoperire de oxid protector care împiedică
oxidarea (coroziunea) ulterioară. În mod asemănător, cuprul se combină cu sulful
şi oxigenul, dând aspectul cunoscut, verde.
Înţelegerea chimiei metalelor duce la dezvoltarea metodelor de reducere şi
prevenire a coroziunii. Atomii de crom sunt aproximativ de aceeaşi mărime ca
atomii de fier şi îi pot substitui pe aceştia în cristalele de fier. Cromul formează un
strat de oxid care permite oţelului inoxidabil să reziste la coroziune. Metalele pot fi
vopsite, sau pot fi acoperite cu alte metale; oţelul galvanizat (acoperit cu zinc) este
un exemplu. Când aceste două metale sunt utilizate împreună, zincul mult mai activ
se corodează, „sacrificându-se” pentru a „salva” oţelul.
100
Modurile de protejare a unui metal reactiv împotriva coroziunii sau a

ruginirii sunt diverse şi cunoscute. Iată câteva dintre cele mai utilizate:
 vopsirea sau lăcuirea – metoda cea mai ieftină, dar şi cea mai puţin eficientă în
timp.
 alierea – metodă ceva mai costisitoare, dar mult mai eficientă, în anumite
cazuri.
 placarea electrolitică – metodă mult mai costisitoare; cel mai cunoscut este
nichelul placat cu argint, acesta constituind o alternativă mai ieftină la argintul
pur; ceva mai puţin folosită în ultimul timp, mai ales în industria automobilelor,
este cromarea suprafeţelor metalice.
 galvanizarea – este o metodă realizată astfel: un obiect de fier curăţat chimic
este pentru scurt timp scufundat în zinc topit (temperatura de topire 420C) şi
este astfel acoperit cu un strat subţire de zinc. Suprafaţa de zinc se oxidează
treptat, astfel că suprafaţa fierului este dublu protejată, prin straturile de zinc şi
oxid de zinc. Chiar dacă se produce zgârierea până la suprafaţa fierului, nu se
produce ruginirea, deoarece are loc un efect electrochimic, datorat faptului că,
din cele două metale în contact, zincul este oxidat preferenţial.
 protecţia electrochimică – este metoda bazată pe fenomenul descris mai sus.
De exemplu, picioarele de oţel ale platformelor marine petroliere sunt protejate
contra coroziunii cu un bloc de magneziu, ataşat cu un cablu conductor la
piciorul de oţel.
8.6. Minereuri metalice
Aurul, argintul şi cuprul au fost primele metale utilizate, deoarece ele se
găsesc în stare liberă sau elementară. Majoritatea metalelor se găsesc însă în natură
combinate cu alte elemente, cum sunt oxigenul şi sulful. În tabelul 8.3 sunt
prezentate astfel de combinaţii, numite minereuri.
Tabel 8.3 – Diferite tipuri de minereuri

Minereu Formulă chimică Minereu Formulă chimică
Hematit(ă) Fe2O3 Rutil TiO2
Magnetit Fe3O4 Zircon ZrSiO4
Pirită FeS2 Casiterit SnO2
Calcozină Cu2S Bauxită Al2O3
Cinabru HgS Galenă PbS
Aceste minereuri sunt compuşi ionici în care metalele există ca ioni

pozitivi. De exemplu, starea de oxidare a fierului în hematit este +3; starea de
oxidare a cuprului în calcozină este +1. Extragerea metalelor din minereurile lor
este o reacţie de oxidare-reducere (redox). În stare elementară, metalele constau din
atomi, nu din ioni. Cum atomii sunt neutri din punct de vedere electric, ionii de
metal câştigă electroni în reacţie; ei sunt reduşi.
Reacţia generală de reducere a cuprului din calcozină este:
101
Cu2S + O2 + Energie  2 Cu + SO2

Aceasta este reacţia generală. Procesul complet nu este aşa de simplu.
Reducerea metalelor din minereuri implică o serie de procese chimice şi mecanice.
Acestea sunt de obicei endoenergetice, consumând mari cantităţi de căldură şi/sau
energie electrică. Extragerea metalelor din minereuri poate produce, de asemenea,
poluanţi cum este dioxidul de sulf. De aceea, ori de câte ori este posibil, reciclarea
şi reprelucrarea metalelor este binevenită.
Relativa dificultate a extragerii metalelor din minereuri arată că aceasta este
starea lor preferată. Odată extrase din minereu, în stare elementară, majoritatea
metalelor prezintă o considerabilă tendinţă de a reacţiona cu oxigenul şi sulful şi
revin astfel în starea naturală, prin coroziune.
8.7. Transformări de fază în metale
Transformările de fază (modificarea microstructurii) pot fi împărţite în trei
categorii:
 transformări de fază dependente de difuzie, fără modificări în compoziţia
fazelor sau a numărului de faze prezente (de exemplu: topirea, solidificarea
metalului pur, transformări alotropice, recristalizare etc.)
 transformări de fază dependente de difuzie, cu modificări în compoziţia fazelor
şi/sau a numărului de faze (de exemplu, transformări eutectoide)
 transformări de fază fără difuzie, care produc o fază metastabilă prin mici
deplasări cooperative ale tuturor atomilor în structură (de exemplu,
transformarea martensitică)
Transformările de fază nu au loc instantaneu. De exemplu, transformările de
fază dependente de difuzie pot fi mai degrabă lente şi structura finală deseori
depinde de viteza de răcire/încălzire. Ca atare, este necesară analiza dependenţei de
timp sau a cineticii transformărilor de fază.
Cinetica transformărilor de fază
Majoritatea transformărilor de fază implică modificări în compoziţie, ceea
ce înseamnă că este necesară redistribuirea atomilor prin intermediul difuziei.
Procesul transformării de fază implică:
 nucleaţia noii faze – formarea unor mici particule stabile (nuclee) ale noii
faze. Nucleele sunt deseori formate la suprafaţa de separare dintre cristalite
şi alte defecte.
 creşterea noii faze, pe seama fazei iniţiale.
Viteza transformării poate fi definită ca fiind inversul timpului pentru care
transformarea a parcurs jumătate din proces:
1
r (8.1)
t 12
r creşte cu temperatura conform ecuaţiei Arrhenius, caracteristică pentru
procesele activate termic:
QA Qm
 
r  A  e kT  A  e RT (8.2)
unde QA este energia de activare pe atom, iar Qm este energia de activare pe mol.
102
9. Materiale ceramice
Cuvântul „ceramic” provine din cuvântul grec keramikos, care înseamnă
„olar”, sau „ceramică”. La rândul său, keramos vine din sanscrita veche, cu sensul
de „a arde”. Vechii greci au utilizat termenul cu sensul de „material ars”, sau
„pământ ars”, când se refereau la produse obţinute prin acţiunea focului asupra
argilei. Cuvântul keramikos arată, deci, că proprietăţile dezirabile ale materialelor
ceramice sunt în mod normal obţinute printr-un tratament termic la temperatură
ridicată (ardere).
Categoriile de materiale ceramice sunt prezentate în tabelul de mai jos.
Tabel 9.1 – Categorii de materiale ceramice

Categorie Exemple
Materiale ceramice clasice
Produse structurale cărămizi, conducte de canalizare, ţiglă de acoperiş, ţiglă
din argilă din argilă pentru pardoseli şi pereţi, căptuşeli de cuptoare
şi coşuri
Faianţă şi porţelan veselă, plăci pentru pardoseli şi pereţi, piese sanitare,
porţelan electric, ceramică decorativă
Sticle plăci de sticlă (geamuri), recipiente de sticlă, sticlă presată
şi suflată (veselă), fibre de sticlă (izolare termică şi
fonică), sticle avansate/speciale (fibre optice)
Materiale abrazive naturale (granat, diamant etc.) şi sintetice (carbură de
siliciu, diamant, alumină etc.), utilizate pentru şlefuire,
tăiere, polizare, lepuire, sau sablare
Cimenturi Utilizate la producerea betonului în construcţii
Materiale ceramice avansate
Structurale materiale de acoperire, materiale bioceramice, unelte de
tăiere componente de motoare
Electrice condensatoare, izolatoare, substraturi, capsule de circuit
integrat, piezoelectrici, magneţi şi supraconductori
Straturi de protecţie Componente de motoare, unelte de aşchiere, părţi de
acoperire industrială
Ceramice chimice filtre, membrane, catalizatori, şi suporturi de catalizatori
şi de mediu
De obicei, materialele ceramice sunt compuşi între metale şi nemetale,

întotdeauna având în compoziţie mai mult decât un element (de exemplu, Al2O3,
CaO, SiC, SiO2, SiN4)
În materialele ceramice, legăturile structurale sunt total ionice sau parţial
ionice, atunci când apare o combinaţie de legătură ionică şi covalentă.
103
În general, materialele ceramice sunt dure şi casante, bune izolatoare

electrice şi termice. Pot fi optic opace, semi-transparente, sau transparente.
Materialele ceramice clasice (tradiţionale) sunt în principal argila (cărămizi,
ţigle, porţelan. faianţă) şi sticla. Materialele ceramice noi (tehnice) sunt materiale
moderne, folosite în domeniul electronicii, tehnicii de calcul, industriei
aerospaţiale etc.
Legătura atomică în materialele ceramice este de obicei, aşa cum s-a
amintit, mixtă: ionică şi covalentă. Gradul caracterului ionic depinde de diferenţa
de electronegativitate între cationi (+) şi anioni (–).
Structura cristalină este definită de:
 mărimea sarcinii electrice a fiecărui ion; raportul sarcinilor determină
formula chimică.
 mărimile relative ale cationilor şi anionilor; cationii tind spre un număr
maxim posibil de vecini anioni de ordinul I (şi reciproc).
Structurile cristaline ceramice stabile sunt cele în care anionii din jurul unui
cation sunt toţi în contact cu acel cation. Pentru un anumit număr de coordinaţie,
există un raport al razelor cation-anion, rC/rA, critic, sau minim, la care acest
contact poate fi menţinut.
Tabel 9.2 – Gradul caracterului ionic în diferite materiale ceramice

Material Procentul caracterului ionic
CaF2 89
MgO 73
NaCl 67
Al2O3 63
SiO2 51
Si3N4 30
ZnS 18
SiC 12
Structuri cristaline în materiale ceramice

Materialele ceramice pot avea diferite structuri, cum sunt:
 structura clorurii de sodiu: rC = rNa = 0,102 nm, rA = rCl = 0,181 nm 
rC/rA = 0,56. NaCl, MgO, LiF, FeO au această structură cristalină
 structura clorurii de cesiu: rC = rCl = 0,170 nm, rA = rCl = 0,181 nm 
rC/rA = 0,94.
 structura de fluorită (CaF2): rC = rCa = 0,100 nm, rA = rF = 0,133 nm
rC/rA = 0,75.
 structura de blendă, tipică pentru compuşi unde legătura covalentă este
dominantă. ZnS, ZnTe, SiC au această structură cristalină
Materiale ceramice de tip silicat
O categorie importantă de materiale ceramice este cea de tip silicat. Aceste
materiale sunt compuse în principal din siliciu şi oxigen, cele două elemente fiind
104
cele mai abundente în scoarţa Pământului (roci, sol, argile, nisip). Structura de bază
este tetraedrul SiO44–, cu legătura Si-O în mare măsură covalentă. Diferite structuri
de silicaţi au moduri de aranjare a structurilor SiO44– diferite. Dioxidul de siliciu
(SiO2), numit şi silice, cremene, cuarţ are o structură în care fiecare atom de oxigen
este împărţit de tetraedrele alăturate; el poate fi cristalin (de exemplu, cuarţul) sau
amorf, cum este sticla (silice topită sau vitroasă, sticloasă).
Majoritatea sticlelor comune sunt produse prin adăugarea altor oxizi (de
exemplu, CaO, Na2O, figura 9.1) ai căror cationi sunt încorporaţi în reţea. Cationii
rup reţeaua tetraedrică şi aceste sticle se topesc la o temperatură mai scăzută decât
SiO2 pur amorf. Un punct de topire mai scăzut face prelucrarea sticlelor mai
uşoară. Alţi oxizi (TiO2, Al2O3) sunt substituenţi pentru siliciu şi devin parte a
reţelei.
Sticlele anorganice sunt materiale termoplaste obţinute din oxizi de siliciu,
bor sau fosfor, la care se adaugă (pentru obţinerea unor proprietăţi speciale) oxizi
de calciu, aluminiu, plumb, sodiu, potasiu etc. Structural, ele sunt construite din
cristalite – cu o structură cristalină perfectă – despărţite de regiuni amorfe.
Proprietăţi mecanice ale materialelor ceramice
 materialele ceramice sunt casante
 rezistenţa la rupere a materialelor ceramice poate fi mult crescută prin crearea
unor tensiuni compresive la suprafaţă
 rezistenţa la comprimare este tipic de zeci de ori mai mare decât rezistenţa la
întindere, ceea ce face din materialele ceramice bune materiale de structură sub
comprimare (de exemplu, cărămizi de construcţii).
Figura 9.1 – Silice cu adaos de Na2O
105
Din punct de vedere al cristalinităţii, materialele ceramice se împart în:

 materiale ceramice cristaline;
 materiale ceramice amorfe, la care nu există o structură cristalină regulată,
ceea ce face ca să nu existe dislocaţii; astfel de materiale se deformează prin
curgere viscoasă, adică prin ruperea şi reformarea legăturilor atomice,
permiţând ionilor (atomilor) să se rostogolească unul peste altul (ca într-un
lichid); viscozitatea este măsura rezistenţei la deformare (la curgere) a unui
material necristalin (amorf sau fluid); fluidele cu viscozitate ridicată au o
rezistenţă mare la curgere; fluidele cu viscozitate scăzută curg cu uşurinţă
(viscozitatea apei la temperatura camerei este ~ 10–3 P, iar a sticlei obişnuite
la temperatura camerei >> 1016 P); solidificarea este graduală, trecând
printr-o etapă viscoasă (viscozitatea creşte cu scăderea temperaturii), fără o
temperatură de topire exactă; volumul specific nu are o tranziţie bruscă la o
temperatură dată, ci mai curând prezintă o modificare treptată
9.2. Formarea şi procesarea materialelor ceramice
Materialele ceramice au temperaturi de topire relativ ridicate şi sunt
casante; ca urmare, turnarea şi procesarea bazată pe deformarea plastică (de
exemplu forjarea), care se aplică la metale nu se pot aplica pentru materialele
ceramice.
Unele materiale ceramice sunt formate prin comprimarea unor pulberi,
implicând uscarea şi arderea etc. Cimenturile sunt formate dintr-o pastă fluidă care
se întăreşte ca rezultat al unor reacţii chimice. Sticlele (silicaţii amorfi) sunt
produse prin topirea completă a ingredientelor brute.
Materialele ceramice naturale sunt produse de obicei prin arderea argilelor
prelucrate şi a altor materiale naturale brute pentru a forma un produs rigid.
Produsele ceramice care utilizează roci şi minerale naturale ca materie primă
trebuie supuse unor prelucrări speciale pentru a controla puritatea, mărimea,
distribuţia şi eterogenitatea particulelor. Aceste atribute joacă un mare rol în
proprietăţile finale ale ceramicii finite.
Pulberile preparate chimic sunt utilizate de asemenea ca materiale primare
pentru unele produse ceramice. Aceste materiale sintetice pot fi controlate pentru
producerea de pulberi cu compoziţii chimice şi dimensiuni ale particulelor precise.
Următoarea etapă este formarea particulelor ceramice într-o formă dorită.
Aceasta este realizată prin adiţia de apă şi/sau aditivi ca lianţi, urmată de un proces
de formare: extrudare, presare, tragere în benzi şi turnare prin injecţie. După ce
particulele sunt formate, aceste materiale ceramice sunt supuse unui tratament
termic pentru a obţine un produs finit rigid. Unele produse ceramice, ca
izolatoarele electrice, vesela şi ţigla, pot suferi în continuare un proces de
smălţuire (emailare), iar altele, cum sunt ceramicele pentru aplicaţii avansate, o
etapă de prelucrare şi/sau polizare, pentru a satisface criterii inginereşti specifice.
Prelucrarea produselor de sticlă este diferită faţă de alte ceramice. În
producţia de sticlă, materia primă (silice, var, sodă calcinată) este topită într-un
106
cuptor, apoi formată în forma dorită când încă este în stare de topitură. Apoi, ea
este răcită rapid, „îngheţând” sticla în forma produsului finit. Sticla tipică suferă şi
etape suplimentare de prelucrare: tăiere, gravare, acoperire, şlefuire, decorare, sau
tratament termic (călire).
Tratamentul termic al sticlelor
Recoacerea la temperaturi ridicate este utilizată pentru eliminarea
tensiunilor termice care rezultă datorită neomogenităţii temperaturii în timpul
răcirii.
Călirea este procesul de încălzire a sticlei peste temperatura de tranziţie (de
topire) a sticlei, dar sub punctul de plastifiere, urmată de răcirea bruscă într-un jet
de aer, sau într-o baie de ulei.
Se definesc:
 Punctul de topire: temperatura la care viscozitatea este 100 P; sub această
temperatură, sticla este lichidă.
 Punctul de prelucrare: temperatura la care viscozitatea este 104 P, când sticla
este uşor de deformat
 Punctul de plastifiere (înmuiere): temperatura la care viscozitatea este 4107
P, adică temperatura maximă la care o piesă de sticlă îşi menţine forma pentru
un timp lung.
 Punctul de recoacere: temperatura la care viscozitatea este 1013 P.
 Punctul de deformare: temperatura la care viscozitatea este 31014 P; peste
această viscozitate, ruperea are loc înainte de deformarea plastică.
9.3. Aplicaţii ale materialelor ceramice
 transparenţa la lumină a multor materiale ceramice le face pe acestea utile
pentru aplicaţiioptice (geamuri, aparate optice etc.)
 sunt buni izolatori termici
 sunt buni izolatori electrici, utilizaţi ca suport pentru conductori în aplicaţii
electrice şi electronice
 au inerţie chimică bună, ceea ce le face utile înaplicaţii în medii reactive.
 sticlele de tip silicat amorf (SiO2), conţinând alţi oxizi (CaO, NaO2, K2O,
Al2O3) se folosesc pentru containere, geamuri, lentile, fibre de sticlă etc.
Încă din vechi timpuri, tehnologia şi aplicaţiile materialelor ceramice
(inclusiv sticla) s-au dezvoltat permanent.
Producţia modernă a fierului, oţelului şi metalelor neferoase nu ar fi
posibilă fără utilizarea unor materiale refractare sofisticate, care sunt utilizate la
cuptoare de temperatură ridicată. Materialele ceramice refractare sunt necesare şi în
alte industrii, cum sunt industria chimică, petrochimică, energetică etc. Industria
construcţiilor depinde şi ea de utilizarea materialelor ceramice, care include
cărămida, cimentul, ţigla şi sticla.
Industria electronică şi electrotehnică nu ar exista fără materiale ceramice.
Acestea pot fi excelente izolatoare, semiconductoare, supraconductoare, şi magneţi.
De asemenea, fibrele optice au asigurat un progres tehnologic uriaş în aria
telecomunicaţiilor.
107
Sticlele cu conţinut de CaO şi Na2O, având o rezistivitate de suprafaţă mare,

se utilizează pentru fabricarea izolatorilor de înaltă tensiune, cele cu conţinut de
Al2O3 şi B2O3 se utilizează pentru fabricarea lămpilor cu vapori de mercur şi cu
vapori de sodiu, iar cele cu conţinut de Al2O3, CaO şi B2O3 se utilizează pentru
fabricarea fibrelor de sticlă, a ţesăturilor etc.
Materialele ceramice joacă un rol important în protecţia mediului
înconjurător, ajutând la scăderea poluării, captarea materialelor toxice şi
încapsularea deşeurilor nucleare.
Materialele ceramice avansate, sau materialele ceramice tehnice sunt
materiale care prezintă proprietăţi mecanice, termice, electrice, optice sau
magnetice superioare, rezistenţă sporită la coroziune. Ele cuprind mai multe
categorii:
 materiale ceramice de structură, utilizate în componente industriale cu
rezistenţă mare la uzură, materiale bioceramice, scule aşchietoare,
componente de motoare etc.
 materiale ceramice electrice şi electronice, utilizate în condensatoare,
izolatoare, substraturi, capsule de circuite integrate, materiale
piezoelectrice, magneţi şi supraconductori
 materiale ceramice de acoperire
 materiale ceramice pentru prelucrare chimică şi protecţia mediului
înconjurător, utilizate în filtre, membrane, catalizatori, şi suporturi de
catalizatori.
Începutul erei materialelor ceramice avansate este plasat acum aproximativ
50 ani, odată cu extinderea utilizării pulberilor preparate chimic, în prezent
domeniul fiind foarte larg şi în permanentă dezvoltare, prin înlocuirea în
numeroase aplicaţii a multor materiale tradiţionale, dar şi prin oferirea de noi
soluţii în alte aplicaţii.
Pulberile ceramice sunt un ingredient necesar pentru majoritatea
materialelor ceramice avansate. Acestea includ oxizi, nitruri, carburi şi boruri.
Un alt domeniu de interes este cel al aşa-numitelor materiale ceramice
„inteligente”. Acestea asigură funcţiile necesare vieţii, cum sunt detecţia,
acţionarea, controlul şi prelucrarea informaţiei. Astfel de exemple de sisteme
inteligente includ: sisteme medicale de tratament al diabetului cu senzori de zahăr
în sânge şi pompe de insulină; sisteme de purificare a apei care detectează şi
filtrează substanţele toxice şi poluanţii; ferestre electrocrome, care controlează
fluxul de căldură şi lumină, ca răspuns la modificările de climă şi activitatea
umană.
Supraconductorii ceramici la temperatură ridicată sunt acum dezvoltaţi
pentru aplicaţii comerciale şi pare sigură intrarea lor pe piaţă în următorii câţiva
ani. Cablurile electrice făcute din aceste materiale transportă energia electrică cu
pierderi foarte mici, practic nule. De asemenea, pot fi utilizate pentru producerea
unor bobine extrem de eficiente, electromagneţi, conductori, şi componente de
maşini şi putere. Aceste materiale ar putea duce la creşterea spectaculoasă a vitezei
de prelucrare a informaţiei în sistemele de calcul, la scăderea drastică a pierderilor
108
în controlerele motoarelor, la creşterea eficienţei scanerelor de rezonanţă magnetică

nucleară (RMN) şi a altor dispozitive de examinare nedistructivă şi la realizarea
transportului foarte eficient, cu levitaţie magnetică.
Un alt câmp de dezvoltare pentru materialele ceramice avansate este cel al
medicinei. Deja se folosesc biomateriale ceramice pentru repararea şi înlocuirea
unor părţi din scheletul uman, sau a valvelor inimii şi în stomatologie.
109
10. Polimeri
10.1. Noţiuni generale
Polimerii sunt substanţe conţinând un mare număr de unităţi structurale,
legate prin acelaşi tip de legătură. Aceste substanţe formează deseori o structură în
lanţ. Cu alte cuvinte, polimerii sunt constituiţi din molecule mari, alcătuite din (cel
puţin cinci) unităţi chimice (meri) repetate, unite împreună, ca mărgelele înşirate
pe un fir. Polimerii conţin de obicei mai mult decât cinci monomeri şi unii pot
conţine sute sau mii de monomeri în fiecare lanţ.
Figura 10.1 – Structuri de molecule de hidrocarburi
Polimerii pot fi naturali, ca celuloza sau ADN-ul, sau sintetici, ca nailonul

sau polietilena. Majoritatea polimerilor sunt organici şi formaţi din molecule de
hidrocarburi. Fiecare atom de carbon are patru electroni care participă în legăturile
covalente, iar fiecare atom de hidrogen are un electron de legătură. Exemple de
molecule de hidrocarburi cu legături saturate (toate legăturile sunt simple) se pot
vedea în figura 10.1.
Figura 10.2 – Molecule de hidrocarburi cu legături nesaturate
110
Între atomii de carbon pot exista legături duble şi triple (împărţirea a două
sau trei perechi de electroni). Aceste legături sunt numite legături nesaturate.
Moleculele cu legături nesaturate sunt mult mai reactive. Exemple de astfel de
molecule sunt etilena şi acetilena (figura 10.2).
Moleculele care conţin aceiaşi atomi, dar în aranjare diferită se numesc
izomeri. Un exemplu este cel al butanului şi izobutanului (figura 10.3).
Figura 10.3 – Exemplu de izomeri
Sunt posibile două tipuri de izomerism: stereoizomerismul şi izomerismul

geometric.
În cazul stereoizomerismului, atomii sunt legaţi împreună în aceeaşi ordine,
dar pot avea aranjare spaţială diferită. Se deosebesc mai multe situaţii:
 configuraţia izotactică: toate grupările radical sunt de aceeaşi parte a lanţului.
Figura 10.4 – Stereoizomerism în configuraţie izotactică
 configuraţia sindiotactică: grupările radical alternează de o parte şi de alta a

lanţului.
Figura 10.5 – Stereoizomerism în configuraţie sindiotactică
111
 configuraţia atactică: grupările radical se plasează aleator de-a lungul lanţului.
Figura 10.6 – Stereoizomerism în configuraţie atactică
În cazul izomerismului geometric, dacă doi atomi de carbon sunt legaţi

printr-o dublă legătură în lanţ, atomul de H şi radicalul R legaţi la aceşti doi atomi
pot fi situaţi de aceeaşi parte a lanţului (structură cis – figura 10.7.a), sau de părţi
opuse ale lanţului (structură trans – figura 10.7.b).
Figura 10.7 – Izomerism geometric: a) structură cis; b) structură trans
Multe alte grupări organice poate fi implicate în moleculele polimerice. În

tabelul 10.1, R reprezintă un radical, adică un grup organic de atomi care rămâne ca
o unitate şi îşi menţine identitatea în timpul reacţiilor chimice (de exemplu CH 3,
C2H5, C6H5).
Moleculele polimerice sunt molecule foarte mari. Majoritatea polimerilor
constau din lanţuri lungi şi flexibile cu un şirag de atomi de carbon drept coloană
vertebrală. Legăturile laterale ale atomilor de carbon sunt cu atomi de hidrogen sau
radicali. Dublele legături sunt posibile atât în lanţ, cât şi ca legături laterale.
Unitatea care se repetă într-un lanţ polimeric („celulă elementară”) este un mer. Un
singur mer este numit monomer.
Când toţi merii sunt aceeaşi, molecula este numită homopolimer, iar dacă
sunt prezenţi cel puţin doi meri, molecula este un copolimer. Merii care au două
legături active pentru a se conecta cu alţi meri se numesc meri bifuncţionali, iar cei
cu trei legături sunt meri trifuncţionali. Aceştia din urmă formează structuri
moleculare tridimensionale (figura 10.8).
112
Tabel 10.1 – Molecule polimerice cu radicali organici

Categorie Structură Compus caracteristic
Alcooli R – OH
Alcool metilic
Eteri R – O – R’
Dimetileter
Acizi
Acid acetic
Aldehide
Formaldehidă
Hidrocarburi
aromatice
Fenol
Masa moleculară finală (lungimea lanţului) este controlată prin ratele

relative de iniţiere, propagare şi terminare a polimerizării. Formarea
macromoleculelor în timpul polimerizării determină distribuţia lungimilor
lanţurilor şi a maselor moleculare.
Figura 10.8 – Meri bifuncţionali şi trifuncţionali
113
Se definesc:
a) Masa moleculară medie numerică, M n , se exprimă prin raportul dintre masa
totală a probei şi numărul de macromolecule pe care aceasta le conţine:
N1 N2  Ni Mi
M n  n1M1  n 2 M 2  ...   M1   M 2  ...  i   n i Mi (10.1)
 Ni
i
 Ni
i i
 Ni i
unde Mi este masa moleculară a unei macromolecule din specia i şi Ni este numărul
de macromolecule din specia i.
Mărimea
Ni
ni  (10.2)
 Ni
i
este fracţia numerică a speciei i, produsul niMi este masa speciei i, iar n M
i
i i
este masa totală a polimerului.

Din modul de definire a masei moleculare medii numerice reiese că valorile
sale sunt sensibil afectate de prezenţa unui număr redus de macromolecule cu masă
mică.
b) Masa moleculară medie gravimetrică (ponderală), M g ,se exprimă
recurgând la fracţiile gravimetrice:
Ni Mi
wi  (10.3)
 Ni Mi
i
care conduc la următoarea expresie:
i Ni Mi 2
Mg    w i Mi (10.4)
 Ni Mi ii
Observând că, în expresia M g dimensiunile moleculare apar la pătrat,

rezultă că, în acest caz, spre deosebire de mediile numerice, tocmai
macromoleculele de masă moleculară mare joacă un rol preponderent.
Un mod alternativ de exprimare a mărimii medii a lanţurilor polimere este
gradul de polimerizare, care reprezintă numărul mediu de unităţi mer într-un lanţ:
Mn Mm
nn  ; nm  (10.5)
m m
unde m este masa moleculară a merului.
Temperatura de topire/plastifiere creşte cu creşterea masei moleculare (până
la ~ 100 kg/mol). La temperatura camerei, polimerii cu lanţuri scurte (masa molară
~ 0,1 kg/mol) sunt lichizi sau gazoşi, cei cu lanţuri medii (~ 1 kg/mol) sunt solizi
parafinoşi, iar cei cu lanţuri lungi (~10 – 103 kg/mol) sunt solizi.
Unghiul dintre atomii de carbon cu legătură simplă este de 109,5, atomii de
carbon formând o structură în zigzag în molecula polimerică (figura 10.9.a). Mai
114
mult, menţinând unghiul de 109,5 între legături, lanţurile polimerice se pot roti în
jurul legăturilor C–C simple (legăturile duble şi triple fiind foarte rigide) (figura
10.9.b).
Figura 10.9 – Aranjarea lanţurilor polimerice
Astfel de bucle aleatoare, răsuceli şi încreţituri duc la o structură încreţită,

în care lanţurile moleculare se pot curba, încolăci şi răsuci, iar cele învecinate se
pot împleti unele cu altele.
Caracteristicile fizice ale materialelor polimere depind nu doar de masa
moleculară şi formă, dar şi de structura moleculară.
Se cunosc diferite tipuri de lanţuri polimerice:
1. polimeri liniari (figura 10.10.a); între lanţuri se stabilesc legături Van der
Waals. Exemple: polietilenă, nailon;
Figura 10.10 – Tipuri de lanţuri polimerice
115
2. polimeri ramificaţi (figura 10.10.b); eficienţa împachetării lanţurilor este mai

mică în comparaţie cu cea a polimerilor liniari şi, ca urmare au o densitate mai
scăzută;
3. polimeri reticulaţi (figura 10.10.c); lanţurile sunt conectate prin legături
covalente. Deseori se obţin prin adăugare de atomi sau molecule care formează
legături covalente între lanţuri.
4. polimeri în reţea (figura 10.11): reţele alcătuite din meri trifuncţionali;
exemple: răşini epoxidice, fenol.
Figura 10.11 – Reţea polimerică
Polimerii cu cel puţin două tipuri diferite de meri se numesc copolimeri şi

pot diferi în modul de aranjare a merilor. Diversele posibilităţi sunt prezentate în
figura 10.12.
Figura 10.12 – Structuri de copolimeri
116
Aranjarea atomică în cristalele polimerice este mult mai complexă decât în

metale sau materiale ceramice (celulele elementare sunt mari şi complexe). Mai
mult, structurile polimerice sunt deseori parţial cristaline (semicristaline), cu
regiuni cristaline dispersate în materialul amorf.
Segmentele de molecule polimere pot exista în două structuri fizice
distincte. Ele se pot găsi atât în formă cristalină, cât şi amorfă. Polimerii cristalini
sunt posibili doar dacă există o structură chimică regulată (de exemplu, la
homopolimeri, sau copolimeri cu aranjament alternant) şi lanţurile posedă o foarte
bună aranjare ordonată a segmentelor lor. Cristalinitatea în polimeri este favorizată
în lanţurile polimerice simetrice, totuşi, ea nu atinge niciodată 100%. Aceşti
polimeri semicristalini posedă mai degrabă o comportare tipică de topire,
păstrându-şi starea solidă până la atingerea punctului de topire, la Tt.
Polimerii amorfi nu prezintă ordine. Segmentele moleculare în polimerii
amorfi, sau domeniile amorfe ale polimerilor semicristalini sunt aranjate aleator şi
încâlcit. Polimerii amorfi nu au o Tt definită, datorită caracterului aleatoriu al lor.
La temperaturi joase, sub temperatura de tranziţie vitroasă (Tv), segmentele sunt
imobile şi proba este deseori casantă. Pe măsură ce temperatura creşte şi se apropie
de Tv, segmentele moleculare pot începe să se mişte. Peste Tv, mobilitatea este
suficientă (dacă nu sunt prezente cristale), astfel ca polimerul să poată curge ca un
lichid foarte viscos. Viscozitatea scade cu creşterea temperaturii şi scăderea masei
moleculare. Este posibil, de asemenea, un răspuns elastic, dacă încâlcirea nu
permite alinierea când este aplicată o forţă. Un astfel de material este atunci descris
ca un polimer visco-elastic. Într-un polimer semicristalin, curgerea moleculară este
împiedicată prin porţiuni ale moleculelor în cristale până când temperatura este
peste Tt. În acest punct, se formează un material visco-elastic.
Figura 10.13 – Structura unui polimer semicristalin
Cu cât cristalinitatea este mai pronunţată, cu atât densitatea este mai mare,
ca şi rezistenţa mecanică şi rezistenţa la dizolvare şi plastifiere prin încălzire.
Polimerii cristalini sunt mai denşi decât polimerii amorfi; gradul de
cristalinitate poate fi definit şi determinat din măsurarea densităţii:
    a 
GC(%)  c 100 (10.6)
  c  a 
117
unde c este densitatea polimerului complet cristalin, a este densitatea polimerului

complet amorf şi  este densitatea polimerului parţial cristalin, al cărui grad de
cristalinitate se defineşte.
Gradul de cristalinitate este determinat de:
 viteza de răcire în timpul solidificării; lanţurile au nevoie de timp pentru a se
mişca şi alinia în structura cristalină;
 complexitatea merilor; cristalizarea are loc mai greu în structuri complexe;
polimerii simpli, cum este polietilena, cristalizează relativ uşor;
 configuraţia lanţurilor; polimerii liniari cristalizează relativ uşor, ramurile
inhibând cristalizarea; polimerii reticulaţi pot fi atât cristalini, cât şi amorfi, iar
polimerii în reţea sunt aproape complet amorfi;
 izomerism; polimerii izotactici şi sindiotactici cristalizează relativ uşor,
regularitatea geometrică permiţând lanţurilor să se cupleze împreună;
configuraţia atactică face dificilă cristalizarea;
 copolimerism; cristalizarea este mai uşoară dacă aranjarea merilor este mai
regulată; aranjarea alternantă şi cea în blocuri permit cristalizarea mult mai
uşor în comparaţie aranjarea aleatoare şi de grefă.
10.2. Polimerizarea
Polimerizarea este procesul de sinteză a polimerilor, pornind de la materia
primă (de exemplu, petrol sau cărbune) şi poate avea loc în două moduri.
1. Adiţia (reacţie în lanţ) are loc când unităţile monomer sunt ataşate una câte
una.
Acest tip de polimerizare este un proces în trei etape, implicând două
entităţi chimice. Prima, numită monomer, poate fi considerată ca o verigă în lanţul
polimeric. Iniţial, există ca simple unităţi. În aproape toate cazurile, monomerii au
cel puţin o dublă legătură carbon-carbon. Celălalt reactant chimic este un
catalizator. În polimerizarea prin adiţie, catalizatorul poate fi un radical liber
adăugat în concentraţii relativ mici. Un radical liber este un compus chimic care
conţine un electron liber ce formează o legătură covalentă cu un electron al unei
alte molecule.
Prima etapă în polimerizarea prin adiţie, iniţierea, are loc când radicalul
liber catalizator reacţionează cu un monomer cu o dublă legătură carbon-carbon,
începând formarea lanţului polimeric. Dubla legătură se rupe, monomerul se leagă
la radicalul liber şi electronul liber este transferat la celălalt atom de carbon în
această reacţie.
Etapa următoare, propagarea, este o operaţie repetitivă, în care este format
fizic lanţul polimeric. Dubla legătură a monomerilor succesivi este desfăcută când
monomerul reacţionează cu lanţul reactiv polimeric. Electronul liber este deplasat
succesiv în lanţ la atomul de carbon final. Această reacţie este capabilă să decurgă
continuu, deoarece energia în sistemul chimic scade pe măsură ce lanţul creşte.
Din punct de vedere termodinamic, suma energiilor polimerului este mai mică
decât suma energiilor monomerilor individuali. Altfel spus, legăturile simple în
lanţul polimeric sunt mult mai stabile decât dublele legături ale monomerilor.
118
Etapa a treia, terminarea, are loc când un radical liber la stânga întâlneşte
capătul unui lanţ în formare. Acest radical liber termină lanţul, legându-se cu
ultimul component CH2 al lanţului polimeric. Această reacţie produce un lanţ
polimeric complet. Terminarea poate avea loc, de asemenea, când două lanţuri
neterminate se leagă împreună.
2. Condensarea (reacţie în trepte), are loc prin reacţii chimice intermoleculare
în trepte, care produc unităţi mer; de obicei, apare şi o mică cantitate de
produs secundar, care este eliminat; condensarea este semnificativ mai
lentă decât adiţia şi deseori formează molecule trifuncţionale, care pot
genera polimeri reticulaţi şi în reţea.
Reacţia de polimerizare în trepte este un tip comun de polimerizare, această
metodă producând tipic polimeri de masă moleculară mai mică decât reacţia în lanţ
şi necesită temperaturi mai mari pentru a avea loc. Spre deosebire de polimerizarea
prin adiţie, reacţia în trepte implică două tipuri diferite de monomeri di-funcţionali
sau grupări de final, care reacţionează unul cu altul, formând un lanţ. Polimerizarea
prin condensare produce, de asemenea, o mică cantitate de produs secundar
molecular (apă, HCl etc.).
10.3. Caracteristicile şi procesarea polimerilor
După comportarea la acţiunea forţelor deformatoare, polimerii sunt de trei
tipuri: casanţi, plastici şi elastici (elastomeri).
Modulul de elasticitate pentru polimeri este de ordinul 10 MPa ÷ 4 GPa
(faţă de metale, la care acesta este de ordinul 50 ÷ 400 GPa). Rezistenţa la rupere
este de 10 ÷100 MPa (faţă de metale, 100 MPa ÷ 10 GPa). Alungirea poate fi până
la 1000 % în anumite cazuri (< 100% pentru metale).
Proprietăţile mecanice ale polimerilor se modifică drastic cu temperatura,
mergând de la comportarea casantă, ca a sticlei, la temperaturi mici, până la
comportarea de tip cauciuc, la temperaturi mari. Creşterea temperaturii duce la
scăderea modulului de elasticitate şi a rezistenţei la rupere şi la creşterea
ductilităţii.
Mecanismul de bază al deformării elastice a polimerilor semicristalini este
alungirea (alinierea) lanţului molecular în direcţia forţei aplicate. Modulul de
elasticitate este determinat de proprietăţile elastice ale regiunilor amorfe şi
cristaline şi de microstructură.
Deformarea plastică a polimerilor semicristalini este determinată de
interacţiunea dintre regiunile cristaline şi amorfe şi este parţial reversibilă. Etapele
deformării plastice sunt:
1. alungirea lanţurilor amorfe
2. înclinarea cristalitelor lamelare pe direcţia axei de tracţiune
3. separarea segmentelor de blocuri cristaline
4. întinderea cristalitelor şi regiunilor amorfe pe direcţia axei de tracţiune
Factori care influenţează proprietăţile mecanice ale polimerilor
 temperatura şi viteza de deformare;
119
 încâlcirea lanţurilor, legătura intermoleculară puternică (determină creşterea

rezistenţei);
 laminarea, analoagă ecruisării metalelor; lanţurile moleculare devin puternic
orientate, ceea ce face caproprietăţile materialului laminat să fie anizotrope
(perpendicular pe direcţia alinierii lanţurilor rezistenţa este redusă);
 tratamentul termic (duce la modificări în mărimea şi ordinea cristalitelor);
pentru materialul nelaminat, creşterea temperaturii de recoacere duce la
creşterea modulului de elasticitate, creşterea rezistenţei la deformare şi
reducerea ductilităţii; pentru materialul laminat, modificările au loc în sens
invers (datorită recristalizării şi pierderii orientării lanţurilor)
 gradul de cristalinitate
 masa moleculară; rezistenţa la rupere creşte cu creşterea acesteia, ca efect al
încâlcirii lanţurilor
 legăturile secundare; cu cât acestea sunt mai tari, cu atât materialul este mai
dur şi mai casant
Cristalizarea este procesul de formare a unor nuclee cristaline (nucleaţie),
urmat de creşterea acestora, alinierea lanţurilor şi ordonarea acestora. Nucleaţia
devine mai lentă la temperaturi mai ridicate.
Tranziţia vitroasă este procesul prin care polimerul devine un solid rigid
(viscozitatea creşte) prin răcire, dar reţine structura moleculară dezordonată,
caracteristică lichidelor. Ea are loc la o anumită temperatură, Tv, temperatura de
tranziţie vitroasă, cu valori între 0,5 şi 0,8 din temperatura de topire, Tt (figura
10.14).
Figura 10.14 – Tranziţia vitroasă
120
Comportarea la topire a polimerilor semicristalini este intermediară între

cea a materialelor cristaline şi cea a materialelor amorfe pure.
Temperatura de topire creşte cu viteza de încălzire, grosimea lamelelor şi
depinde de istoria materialului, în special de temperatura de cristalizare. Topirea
implică ruperea legăturilor dintre lanţuri, de aceea temperaturile de tranziţie
vitroasă şi de topire depind de:
 rigiditatea lanţurilor (lanţurile rigide au temperaturi de topire mai mari)
 mărimea/masa moleculelor (creşterea masei moleculare duce la creşterea
temperaturii de topire)
 mărimea şi forma grupărilor laterale, a ramurilor, reticularea, defectele etc.
Polimerii termoplastici (termoplaste) se înmoaie reversibil când sunt
încălziţi (se întăresc la răcire). La temperaturi ridicate, legăturile dintre lanţuri se
slăbesc, permiţând deformarea la eforturi mici. Majoritatea termoplastelor sunt
polimeri liniari şi cu unele structuri ramificate.
Termoplastele sunt în general polimeri care conţin carbon, sintetizaţi prin
polimerizare de adiţie sau condensare. Acest proces formează legături covalente
puternice în interiorul lanţurilor şi legături secundare, mai slabe, de tip Van der
Waals, între lanţuri. De obicei, aceste legături secundare pot fi cu uşurinţă rupte
prin intermediul energiei termice, ceea ce face ca termoplastele să se topească la
temperatură ridicată.
Polimerii termorigizi se întăresc permanent când sunt încălziţi. Reticulele
covalente (~ 10 ÷ 50 % din meri) se formează în timpul încălzirii. Reticularea
împiedică îndoirea şi rotaţiile. Polimerii termorigizi sunt mai duri, mult mai stabili
dimensional şi mult mai casanţi decât termoplastele. Exemple de polimeri
termorigizi sunt cauciucul vulcanizat şi răşinile epoxidice.
Polimerii termorigizi au aceleaşi legături Van der Waals ca şi termoplastele,
dar au şi legături mai tari între lanţuri. Într-un astfel de material, legături chimice
covalente puternice ţin împreună lanţuri diferite. Lanţurile pot fi legate direct unul
de altul sau pot fi legate prin intermediul altor molecule. Această legătură reticulată
între lanţuri permite materialului să nu se înmoaie la încălzire. Astfel, polimerii
termorigizi trebuie să fie prelucraţi într-o nouă formă dacă sunt reutilizaţi sau pot
servi ca pulberi de umplere în materiale compozite. Deşi sunt dificil de reformat,
aceste materiale au multe avantaje distincte în aplicaţiile inginereşti:
 stabilitate termică ridicată şi proprietăţi izolatoare
 rigiditate foarte bună şi stabilitate dimensională
 rezistenţă la fluaj şi deformare sub acţiunea unor forţe deformatoare
 densitate mică.
Câteva aplicaţii comune pentru polimerii termorigizi includ: răşini
epoxidice (cleiuri), părţi pentru automobile, adezivi pentru placaj şi plăci
aglomerate şi matrice pentru compozite.
Elastomeri
Elastomerii pot fi deformaţi la valori foarte mari ale alungirii relative, după
care revin elastic la lungimea iniţială, această comportare fiind observată pentru
121
prima dată la cauciucul natural. Pentru a fi elastomeri, polimerii trebuie să

întrunească mai multe criterii:
 rezistenţă la cristalizare (elastomerii sunt amorfi)
 rotaţii relativ libere ale lanţurilor (elastomerii nedeformaţi au o structură
spiralată/răsucită, care se desfăşoară în timpul deformării)
 un anumit grad de reticulare (obţinută prin vulcanizare), care creşte
rezistenţa la deformare plastică
 temperatura peste temperatura de tranziţie vitroasă (sub Tv, elastomerii
devin casanţi)
Reticularea este una din condiţiile necesare comportării elastomerice şi ea
poate fi obţinută prin vulcanizare, o reacţie chimică ireversibilă, de obicei la
temperaturi înalte şi implicând adiţia compuşilor cu sulf. Atomii de sulf se leagă cu
atomii de C cu dublă legătură din lanţurile principale şi formează punţi de reticule.
Cauciucul nevulcanizat se plastifiază la temperaturi ridicate şi devine rigid
la temperaturi scăzute. Cercetările pentru depăşirea acestor neajunsuri s-au finalizat
cu descoperirea întâmplătoare (Charles Goodyear, 1839) a procedeului de
vulcanizare, prin încălzirea cauciucului acoperit cu sulf, când astfel cauciucul
devine compact şi stabil la încălzire şi răcire.
Deoarece sunt reticulate, materialele elastomerice sunt polimeri termorigizi.
Ruperea polimerilor
Rezistenţa la rupere a polimerilor este scăzută, comparativ cu cea a
metalelor şi a materialelor ceramice. Ruperea fragilă are loc în polimerii
termorigizi. Aceasta este iniţiată la concentratorii de tensiuni (zgârieturi, crestături
etc.). În polimerii termoplastici sunt posibile atât ruperea ductilă, cât şi cea fragilă.
Ruperea fragilă este favorizată de temperaturi mai scăzute, de rate de alungire
relativă mai mari şi de prezenţa unor concentratori de tensiuni.
Prelucrarea polimerilor
Sunt cinci procese de bază pentru obţinerea unor produse sau părţi de
produse din polimeri. Acestea sunt: turnarea (modelarea) prin injecţie, modelarea
prin comprimare, modelarea prin transfer, modelarea prin suflare, şi extrudarea.
Modelarea prin comprimare şi cea prin transfer sunt utilizate în principal pentru
polimerii termorigizi. Turnarea prin injecţie, extrudarea şi modelarea prin suflare
sunt utilizate în principal pentru termoplaste.
Turnarea prin injecţie este un proces foarte obişnuit pentru formarea
materialelor plastice. În principiu, un material plastic este încălzit peste
temperatura de tranziţie vitroasă (suficient pentru ca acesta să curgă) şi apoi el este
forţat sub presiune înaltă să umple volumul unei matriţe. Plasticul topit este
comprimat de obicei în matriţă prin intermediul unui piston sau un melc (şnec).
Materialul plastic este apoi răcit şi scos din matriţă în forma sa finală. Avantajul
principal al turnării prin injecţie este viteza. Alte avantaje sunt deşeurile reduse
rezultate la prelucrare şi automatizarea uşoară.
Modelarea prin comprimare a fost prima metodă de formare a materialelor
plastice. Ea implică patru etape:
122
- materialul în stare de pulbere sau preformate aglomerate este plasat în

jumătatea inferioară a unei matriţe încălzite
- se aplică şi jumătatea superioară a matriţei, după care este aplicată presiunea
- materialul se plastifiază (înmoaie) sub acţiunea căldurii şi presiunii şi curge
până la umplerea matriţei; excesul este eliminat
- matriţa este deschisă şi piesa este scoasă
Pentru termoplaste, matriţa este răcită înainte de a fi scoasă, pentru ca piesa
să nu-şi modifice forma. Polimerii termorigizi pot fi extraşi din matriţă când sunt
calzi şi după ce maturarea este completă. Acest proces este lent.
Modelarea prin transfer este o variantă a modelării prin comprimare. Ea este
utilizată în principal pentru modelarea plasticelor termorigide şi are loc în
următoarele etape:
- un material parţial polimerizat este plasat într-o incintă încălzită
- un piston forţează curgerea materialului în matriţă
- materialul curge prin canalele de turnare
- temperatura şi presiunea din matriţă sunt mai ridicate decât în incinta
încălzită, ceea ce induce reticularea.
- materialul plastic se întăreşte, este rigidizat, matriţa este deschisă şi piesa
scoasă.
Acest tip de modelare implică costuri mari şi o cantitate semnificativă de
material rămâne în canalele de turnare, dar în acest fel pot fi produse cu precizie
piese complexe.
Modelarea prin suflare este folosită pentru producerea recipientelor,
accesoriilor corpurilor de iluminat, tuburilor, rezervoarelor de combustibil pentru
automobile şi a bidoanelor. Procesul are loc în următoarele etape:
- este extrudat un tub din plastic înmuiat
- tubul este închis la un capăt şi umflat pentru a umple o matriţă
- piesa este scoasă din matriţă
Acest proces este rapid şi relativ ieftin.
Extrudarea este un proces similar turnării prin injecţie, prin care se pot
obţine părţi de secţiune transversală constantă, cum sunt ţevile şi barele. Polimerul
topit intră într-o matriţă pentru a produce o formă finală. Procesul implică patru
etape:
- granule de polimer sunt amestecate cu colorant şi aditivi
- materialul este încălzit la o plasticitate corespunzătoare
- materialul este injectat într-o matriţă
- materialul este răcit.
Un extruder este alcătuit dintr-o pâlnie de alimentare (cu polimer şi aditivi),
un cilindru cu un şurub de alimentare continuă, un element de încălzire şi un suport
pentru matriţă. Un adaptor la capătul unui extruder, suflând aer printr-un orificiu în
polimerul fierbinte extrudat printr-o matriţă inel produce saci şi pelicule subţiri din
material plastic.
123
Reciclarea materialelor plastice

Materialele plastice constituie între 14 şi 22 % din volumul deşeurilor solide
produse de societatea modernă. Este evident atunci faptul că este necesară
reciclarea acestor materiale, mai ales că degradarea naturală este foarte lentă.
Totuşi, un handicap major în reutilizarea materialelor plastice este acela că
reprelucrarea adaugă o istorie termică, degradează proprietăţile şi face dificilă
utilizarea repetată pentru aceeaşi aplicaţie. Alt motiv pentru evitarea aruncării
materialelor plastice este conservarea energiei.
124
11. Fenomene termice în solide

11.1. Căldura specifică a solidelor
Aşa cum este cunoscut din termodinamică, căldura specifică a unui solid
este căldura specifică la volum constant, definită ca:
1 U
c=  (11.1)
 T
unde U este energia internă a sistemului şi numărul de moli ai acestuia.
Considerând că sistemul se supune statisticii Maxwell-Boltzmann, pentru
w
care funcţia de distribuţie este de forma f = e kT (w este energia unei particule
constituente a sistemului) şi că este alcătuit din N atomi care oscilează independent
cu o pulsaţie constantă, se arată că energia internă a unui astfel de sistem este egală
cu 3NkT, de unde:
c = 3NAk = 3R (11.2)
unde R este constanta gazelor perfecte şi NA numărul lui Avogadro.
Aceasta este legea Dulong-Petit care arată independenţa de temperatură a
căldurii specifice a unui solid.
Verificările experimentale arată că legea Dulong-Petit este valabilă la
temperaturi obişnuite, dar când acestea scad astfel încât w ~ kT, ea nu mai este
valabilă. La temperaturi tinzând spre zero absolut, căldura specifică a unui solid
depinde de temperatură după o lege de forma (dedusă experimental):
c(T) = 1T3 + 2T (11.3)
în care 1>>2.
În cazul dielectricilor 2 = 0, ceea ce determină constatarea că al doilea
termen este datorat electronilor de conducţie.
Cel care a încercat pentru prima dată să dea o explicaţie acestui fapt a fost
A. Einstein (1907). El a pornit de la faptul că energia termică ce duce la creşterea
temperaturii unui solid excită vibraţiile reţelei (adică fononii), căldura specifică
putând fi calculată astfel ca fiind cea a unui gaz de fononi conţinuţi în solid (şi care
se supun, evident, statisticii Bose-Einstein), pentru care probabilitatea de ocupare a
unei stări energetice (funcţia de distribuţie) este:
1
f(w) = w (11.4)
e 1
kT
La echilibru termic, energia unui sistem care se supune statisticii Bose-

Einstein, este dată de:
 
w Dw
U =  w  f  w   D  w   dw   w  dw (11.5)
0 0
e 1
kT
Considerăm că numărul de celule ale reţelei este N şi fiecare celulă conţine

un singur atom. În modelul lui Einstein se presupune că fiecare atom vibrează
independent de vecinii săi, ca un oscilator armonic simplu, spectrul energetic
125
constând în niveluri discrete, distanţate cu valoarea w0 = ћE, unde E este pulsaţia

Einstein. În acest caz, densitatea de stări energetice este
D(w) = (w – w0) (11.6)
unde ww este funcţia Dirac, egală cu 1 pentru wwşi nulă pentru orice
alte valori ale lui w.
Atunci,

w w 3Nw
U=  w  dw  w 0 0 (11.7)
0
e kT  1 e kT  1
de unde:
TE
1 U
2
T  eT
c=   3N A k  E  (11.8)
 T  T   TE 
2
 e T  1
 
unde s-a notat:
w E
TE = 0  (11.9)
k k
mărime numită temperatura Einstein.
Se poate observa uşor că, la temperaturi înalte (T >> TE), relaţia (11.8) se
reduce la legea Dulong-Petit. La temperaturi scăzute (T << TE), se obţine:
2
T   E
T
c = 3NAk  E  e T (11.10)
T
Aceasta este, practic, o dependenţă exponenţială, care, experimental, nu este
observată.
În figura 11.1 este reprezentată dependenţa căldurii specifice de temperatură
în modelul Einstein (linia punctată), comparată cu dependenţa obţinută
experimental (linia continuă).
Figura 11.1 – Dependenţa căldurii specifice de temperatură
126
Neconcordanţa dintre cele două curbe provine din faptul că, aşa cum a
arătat Debye, spectrul frecvenţelor de vibraţie ale reţelei este diferit de cel presupus
în modelul Einstein. Energia unui oscilator este în acest caz w ћg, densitatea de
stări energetice, D(w) fiind şi ea dată de o altă expresie, pe care o vom deduce în
continuare.
După cum se arată în teoria vibraţiilor reţelei cristaline, vectorul de undă al

unui fonon, g , este cuantificat, valorile sale posibile fiind cuprinse în interiorul
primei zone Brillouin. Aproximând această zonă cu o sferă de rază gD, reprezentând
valoarea maximă a numărului de undă (gD se numeşte număr de undă Debye iar
sfera de rază gD sfera Debye) şi considerând că viteza de propagare a undelor în
cristal este unică, c, astfel încât g = cg, numărul valorilor lui g (care este egal cu
numărul gradelor de libertate, egal, la rândul lui cu triplul numărului de celule
elementare, N) poate fi exprimat ca raportul dintre volumul sferei Debye şi
8 3
volumul unei singure stări, care este (volumul unei celule elementare în
V
4 3
g D
spaţiul reciproc), adică 3N = 3 3 . De aici, se poate scrie:
8
V
1
 6 2  3
gD = 3   (11.11)
  
unde V/N este volumul celulei elementare.
Volumul ocupat de o stare în spaţiul vectorului de undă este egal cu raportul
4 3
g D
dintre volumul sferei Debye şi numărul de stări din această sferă, adică 3 .
3N
Într-un interval cuprins între şi d, ceea ce corespunde unui interval
(g, g + dg) pentru g, se află un număr de stări egal cu raportul dintre volumul din
spaţiul vectorului de undă corespunzător acestui interval şi volumul ocupat de o
singură stare:
3N 2
D()d = 4  2
dg = 3N 3 d (11.12)
4 3 D
g D
3
unde D = cgD este pulsaţia Debye.
Se poate scrie atunci (înlocuind în relaţia (11.5):
D
 2
U = 9N    3 d (11.13)

0
e kT  1 D
Cu această formulă, se obţine:
127

    kT 2
2
D   e  3 
 T  D x 4e x
c = 9Nk   kT 
 d = 9Nk      dx (11.14)
0 


2
 TD  0 e x  12
 e  1  D
kT 3
 

în care x = şi
kT
D
TD = (11.15)
k
TD reprezintă temperatura Debye, caracteristică solidului respectiv. Relaţia
(11.14) este cunoscută sub numele de formula Debye pentru căldura specifică a
solidelor.
Dacă temperatura este mare (T >> TD), integrala din formula (11.14) devine
3
1  TD 
egală cu   şi căldura specifică devine egală cu cea dată de formula Dulong-
3 T 
T
Petit. La temperaturi joase (T  0 ; D  ), integrala tinde spre un factor
T
4 4
constant, şi putem scrie:
15
3
12 4  T 
c= Nk   (11.16)
5  TD 
cunoscută sub numele de legea T3 a căldurii specifice, valabilă la temperaturi
joase.
Pentru un kmol, relaţia (11.16) poate fi scrisă:
3
 T 
c = 1,94110    J/kmolK
6
(11.17)
 TD 
Relaţia (11.16) este, aşa cum am precizat, valabilă la temperaturi joase;
T
experienţa arată că ea este corectă sub temperaturi în jurul valorii D . Această
10
formulă se verifică pentru majoritatea elementelor, cât şi pentru unele substanţe
compuse (de exemplu, sărurile halogenilor); pentru corpuri cu o structură mai
complexă ea nu mai este valabilă întrucât spectrul vibraţiilor acestora este mult mai
complex. În mod special, formula Debye nu se poate aplica pentru cristalele cu o
anizotropie pronunţată.
Temperatura Debye este o mărime caracteristică fiecărui cristal, ea apărând
şi în legătură cu alte proprietăţi ale sale, nu numai în legătură cu căldura specifică.
Fiind proporţională cu frecvenţa maximă a vibraţiilor reţelei, ea semnifică
temperatura la care sunt excitate toate modurile de vibraţie. Când această frecvenţă
maximă este mare, forţele de legătură din reţeaua cristalină sunt puternice, ceea ce
înseamnă că acele cristale cu TD mare au structura foarte stabilă (de exemplu,
128
diamantul, cu TD aproximativ 2000C) şi invers (de exemplu, plumbul, cu TD în

jurul a 100C). Majoritatea elementelor au temperatura Debye de ordinul a câteva
sute de K, aşa cum se poate vedea şi din tabelul de mai jos:
Tabel 11.1 – Temperatura Debye pentru câteva substanţe

SUBSTANŢA TD (K) SUBSTANŢA TD (K) SUBSTANŢA TD (K)
Na 158 V 380 Cu 348
K 91 Cr 630 Si 645
Be 1440 W 400 Diamant 2230
Ca 230 Fe 470 Ge 360
Ag 210 Co 445 Al2O3 1000
Au 165 Ir 420 NaCl 310
Pb 90 Ni 450 KCl 230
Al 426 Pt 240 KBr 174
La căldura specifică a conductorilor contribuie şi gazul de electroni. Pentru

calculul termenului corespunzător acestei contribuţii, se ţine seama că numai
electronii cu energii foarte apropiate de energia Fermi contribuie la conducţia
electrică şi, deci, numai aceştia vor contribui şi la conducţia termică.
Numărul total al acestora (pe unitatea de volum) poate fi calculat ca
produsul dintre densitatea de stări electronice (numărul stărilor electronice din
unitatea de volum şi pe unitatea de energie) şi energia kT, adică N(wFkT, unde
3
N(w) =
 2m  2 
w . Oricare din aceşti electroni poate interacţiona cu fononii şi,
2 2 3
ca urmare a acestei interacţii, îşi poate mări energia cu o valoare de ordinul kT,
astfel încât, la 0 K, creşterea totală a energiei acestor electroni este egală cu
produsul dintre numărul lor şi energia pe care o poate primi fiecare, adică
N(wk2T2. Căldura specifică electronică se calculează derivând această relaţie în
funcţie de temperatură, când se obţine o relaţie de forma c = a2T, adică al doilea
termen din relaţia (11.3). Calculând valoarea numerică la temperatura mediului
ambiant (300 K), rezultă o valoare de ordinul 200 J/kmolK, care este numai de
ordinul a 1% din căldura specifică a reţelei. Numai la temperaturi scăzute, termenul
datorat electronilor devine important.
11.2. Dilatarea termică a solidelor
În capitolul referitor la vibraţiile reţelei cristaline, s-au analizat aceste
vibraţii pornind de la presupunerea că interacţiunea dintre atomi este de tip elastic.
Dacă energia potenţială a sistemului format din atomi aflaţi în poziţia de
echilibru este V0, ca urmare a vibraţiilor reţelei au loc mici deplasări ale atomilor
faţă de această poziţie şi energia potenţială, ca funcţie de poziţie, poate fi
dezvoltată în serie Taylor în jurul poziţiei de echilibru, obţinându-se o relaţie de

forma (11.18), în care u sj ,  (j = x,y,z) sunt componentele deplasării u s , în jurul
129

poziţiei de echilibru a atomului s din celula elementară de poziţie  a reţelei.
Primul termen al relaţiei (11.18) este constant, al doilea se anulează, la echilibru,
doar al treilea are importanţă - termenul armonic.
 V    2V 
V = V0 +  u sj,  j    u sj, u sj'', '  j   (11.18)
 u    u   u  
j'
j,s ,   s ,   0 j',s ',  '
j,s ,    s ,  s ',  ' 0
Pentru studiul dilatării termice însă, nici acest al treilea termen nu este
suficient ci este necesară luarea în considerare şi a termenilor de ordin superior -
termeni anarmonici.
Să considerăm al patrulea termen:
  3V 
V = 
(3)
u j
  u j'
  u j''
 
s '',  '' 
  (11.19)
s,  s ',  '
   u   u  
 j j' j''
j,s ,   u s,  s ',  ' s '',  ''  0
j',s ',  ' 
j'',s '',  ''
La creşterea temperaturii, valoarea medie a lui u sj ,  creşte, termenii

anarmonici contribuind din ce în ce mai mult la energia cristalului, aceasta
nemaifiind în mod necesar minimă pentru vibraţiile în jurul configuraţiei de
echilibru (în care u sj ,  se anulează). În acest fel, întregul cristal se dilată până
găseşte un volum la care noile poziţii de echilibru ale atomilor asigură minimul
energiei sistemului.
Fără a intra în amănunte, precizăm că, ţinând cont de influenţa acestor
termeni anarmonici, în teorie se stabileşte relaţia ce exprimă coeficientul de dilatare
1  V 
termică, , în funcţie de coeficientul de compresibilitate izotermă,  =   şi
V  T 
de căldura specifică, c, relaţie cunoscută sub numele de formula Grüneisen:
c
 =  (11.20)
V
unde  este constanta Grüneisen, dată de relaţia:
 ln TD
= (11.21)
 ln V
Cum  este o constantă, a cărei valoare determinată experimental este de
aproximativ 2, rezultă din relaţia (11.20) că temperatura Debye este dependentă de
volumul cristalului.
11.3. Conductibilitatea termică a solidelor
Conductibilitatea termică (capacitatea de transport de căldură) a solidelor
este determinată de doi factori: purtătorii de sarcină electrică liberi din solid şi
reţeaua (prin intermediul fononilor), astfel încât se pot deosebi două laturi ale
fenomenului. Legea fenomenologică a transportului de căldură este cea cunoscută
din termodinamică:

q     T (11.22)
130

unde q este densitatea de curent termic*,  este coeficientul de conductibilitate
termică şi T temperatura.
Este evident că transportul căldurii dintr-o zonă mai caldă spre una mai rece
are loc ca urmare tocmai a existenţei acestui gradient de temperatură.
Din teoria clasică a gazelor, se ştie că:
1
 = cv (11.23)
3
unde este densitatea de particule care efectuează transportul, c căldura specifică,
v viteza medie a particulelor care realizează transportul căldurii, iar  drumul
liber mediu al acestora.
În cazul dielectricilor, conducţia termică este realizată practic numai de
fononi. Calculul cuantic al coeficientului de conductibilitate termică al gazului de
fononi este destul de complicat, lucrându-se în condiţii de anarmonicitate, când pot
avea loc ciocniri bi şi trifononice, unele dintre acestea, de tip U, opunându-se
procesului conducţiei termice prin introducerea unei rezistenţe termice a solidului.
La aceasta contribuie şi împrăştierea fononilor pe defectele reţelei.
Deci, conductivitatea termică a reţelei este influenţată de procesele de
împrăştiere pe care le suferă fononii şi care sunt de mai multe tipuri:
 ciocniri fonon-fonon
  
Acestea pot avea loc cu respectarea relaţiei k  k  g , caz în care
procesul respectiv se numeşte proces normal. Aceste procese nu influenţează în
nici un fel conductivitatea termică. Cele care o influenţează sunt procesele
Umklapp, în care nu se respectă relaţia respectivă, datorită faptului că k nu este
un impuls în sensul strict, întrucât, pentru valori în afara primei zone Brillouin, ale
vectorului de undă, acestea repetă stări din prima zonă; astfel, un vector care diferă
de altul cu g (vectorul reţelei reciproce) corespunde unei stări fizice echivalente cu
cea corespunzătoare primului. De exemplu, dacă doi fononi cu vectorii de undă
  
k 1 , k 2 interacţionează, poate rezulta un fonon cu vectorul de undă k 3 dar, este
 
posibil să rezulte şi un fonon cu vectorul de undă k 3  g , care va avea sensul invers
(aproximativ) cu primul (acest lucru rezultând din conservarea impulsului). Acest
fapt înseamnă şi o inversare a sensului vitezei fononului ceea ce echivalează cu
apariţia unei rezistenţe la transportul căldurii în reţea. Procesele Umklapp se
produc cu o probabilitate ce creşte exponenţial cu temperatura la temperaturi mici
şi proporţional cu aceasta la temperaturi mari. Acelaşi lucru este valabil, în
consecinţă şi pentru rezistivitatea termică (inversul conductivităţii termice) datorată
proceselor Umklapp.
*
în multe lucrări, această mărime este numită densitate de căldură, densitate a fluxului de căldură
sau, chiar flux de căldură; am considerat că termenul de densitate de curent termic, şi datorită
analogiei cu termenul densitate de curent electric (inclusiv ca mod de definire), este mai sugestiv şi,
oricum, mai corect din punct de vedere semantic.
131
 împrăştierea fononilor pe defecte punctiforme

La temperaturi mici, lungimea de undă dominantă a fononilor este mult mai
mare decât dimensiunea defectelor punctiforme, care este de ordinul de mărime al
dimensiunilor atomice, probabilitatea de împrăştiere pe defecte punctiforme fiind
proporţională cu –4, adică cu T4 (ca în legea Rayleigh, a dispersiei luminii), ceea ce
duce la un drum liber mediu al fononilor proporţional cu T–4. Această valoare
introdusă în relaţia (11.22), dă pentru conductivitatea termică o dependenţă
proporţională cu T–1 (ţinând cont că, la temperaturi mici, căldura specifică depinde
de T3). Un calcul mai precis dă o dependenţă a conductivităţii termice proporţională
cu T–3/2.
La temperaturi mari, împrăştierea fononilor pe defecte punctiforme nu mai
depinde de temperatură, termenul conductivităţii termice datorat acestui proces
rămânând constant.
 împrăştierea fononilor pe dislocaţii
Conductivitatea termică este influenţată de aceste procese printr-un termen
invers proporţional cu densitatea dislocaţiilor şi care variază proporţional cu T–3/2.
 împrăştierea fononilor pe zonele de separare dintre cristalitele unui
policristal
Conductivitatea termică (termenul datorat acestor procese) variază ca şi c
(adică proporţional cu T3 la temperaturi scăzute) şi este proporţională cu
dimensiunea minimă a cristalitelor.
Dacă se reprezintă grafic variaţia conductivităţii termice cu temperatura, se
obţine graficul din figura 11.2.
Figura 11.2 – Variaţia conductivităţii termice pentru o probă pură (linia punctată) şi pentru
o probă cu impurităţi şi alte defecte (linia continuă)
În figură este reprezentată cu linie punctată variaţia conductivităţii termice

pentru o probă pură. La temperaturi în apropiere de 0 K este importantă
132
împrăştierea fononilor pe zonele de separare dintre cristalite (regiunea

corespunzătoare pe grafic este notată cu  unde  ~ T3) iar la creşterea
TD
temperaturii procesele Umklapp (regiunea , unde  ~ e 2kT ). Cu linie continuă,
este reprezentată variaţia cu temperatura a conductivităţii termice a unei probe
având impurităţi, la care, la temperaturi în jurul lui 0 K, contează împrăştierea
fononilor pe zonele de separare dintre cristalite (regiunea notată cu ), iar la
temperaturi mai mari împrăştierea pe impurităţi (regiunea , unde  ~ T–3/2). În
ambele cazuri, la temperaturi mari (> TD) conductivitatea termică variază invers
proporţional cu temperatura.
În general, dielectricii sunt consideraţi şi izolatori termici sau slab
conductori termici. Uneori însă, ei pot deveni buni conductori termici, cum este
cazul, aşa cum se vede în figura 11.2, al probelor foarte pure, la temperaturi în jurul
T
valorii D , corespunzătoare vârfului graficului, când  poate avea valori de
20
ordinul 104 W/mK.
Un caz interesant este cel al diamantului, care având TD aproximativ 2000
K, prezintă o conductivitate termică la temperatura camerei de aproximativ 2000
W/mK, adică de aproximativ 5 ori mai mare decât a cuprului. Faptul că diamantul
este un foarte bun izolator electric dar şi un foarte bun conductor termic îi conferă
acestuia proprietăţi speciale care fac ca el să fie folosit în construcţia unor
dispozitive electronice speciale (în special ca suport radiator de căldură).
Aplicând cele discutate aici la materialele cu structură amorfă, cum sunt
sticla şi unele materiale plastice, tocmai această structură neregulată a acestora
implică procese intense de împrăştiere a fononilor, ceea ce face ca aceste materiale
să prezinte o conductivitate termică foarte scăzută, de ordinul a 10–1 W/mK.
În cazul conductorilor, în procesul conducţiei termice intervin şi electronii
liberi, care au o contribuţie importantă la acest proces. Conductivitatea termică a
acestora este legată de conductivitatea electrică printr-o relaţie care poate fi dedusă
e 2 n
astfel: conductivitatea electrică este dată de expresia:  = , unde e este sarcina
2mv
electronilor, n concentraţia acestora,  drumul lor liber mediu, m masa electronilor
1 1
şi v viteza medie. Pe de altă parte, e = cv = nkv, unde c este căldura
3 2
specifică electronică.
mv 2 3
Împărţind cele două relaţii de mai sus şi ţinând cont că  kT , rezultă
2 2
 e 3k 2
 2 T . Un calcul mai precis dă:
 e
2  k 
2
e =   LT (11.24)
3 e
cunoscută sub numele de legea Wiedemann-Franz (L este constanta Lorenz).
133
Conductivitatea termică totală este dată deci, în cazul conductorilor, de

suma dintre conductivitatea termică a reţelei şi cea a electronilor liberi.
11.4. Proprietăţi termice ale materialelor electrotehnice
 căldura specifică, c reprezintă (conform relaţiei 11.1) căldura schimbată de
unitatea de masă a materialului pentru a-i modifica temperatura cu o unitate.
 coeficientul de conductibilitate termică,  reprezintă căldura transferată în
unitatea de timp prin unitatea de arie (considerată perpendiculară pe direcţia
fluxului termic) la un gradient de temperatură egal cu unitatea; ia valori mici în
cazul materialelor izolatoare poroase (~ 10–2 W/mK), valori medii în cazul
materialelor poroase impregnate sau a celor neporoase (0,1 ÷ 1 W/mK) şi
valori mari în cazul metalelor (102 W/mK).
 coeficientul de dilatare termică liniară, α reprezintă variaţia relativă a
lungimii corpului, provocată de o creştere a temperaturii t cu o unitate
1 d
  (11.25)
0 dt
Coeficientul de dilatare termică liniară ia valori cuprinse între 510–4 şi

710–3 K–1 pentru materiale conductoare şi între 10–3 şi 0,2 K–1 pentru materiale
izolatoare.
 temperatura de inflamabilitate, Ti reprezintă valoarea temperaturii la care un
corp lichid produce o cantitate suficientă de vapori, astfel încât împreună cu
aerul din atmosferă să formeze un amestec combustibil ce se aprinde în contact
cu o flacără.
 temperatura de aprindere, Ta reprezintă valoarea temperaturii la care vaporii
de lichid se autoaprind, fără a utiliza o flacără; uleiul de transformator are Ti =
135 ÷ 125ºC şi Ta = 150ºC.
 temperatura de înmuiere, Tînm reprezintă valoarea temperaturii la care
fluiditatea materialului este suficient de mare pentru ca deformarea sa să se
producă sub acţiunea greutăţii proprii; ea caracterizează materialele amorfe,
fără punct de topire bine determinat (ceramică, sticle, bitumuri, mase plastice
etc.).
 stabilitatea la căldură a formei se caracterizează prin valoarea maximă a
temperaturii la care poate fi adus un material solicitat mecanic, fără ca
deformarea sa să depăşească o limită admisibilă.
 rezistenţa la şoc termic, Rst a unui material se apreciază prin numărul de
cicluri (încălzire-răcire) la care acesta rezista fără a se deforma, fisura, crăpa
sau sfărâma. Şocul termic reprezintă trecerea bruscă de la o temperatură înaltă
(1000ºC în cazul ceramicelor) la temperatura mediului ambiant. Teoretic,
rezistenţa la şoc termic se determină cu relaţia:
 
R st   (11.26)
E c
134
unde  reprezintă densitatea corpului, σ efortul unitar la tracţiune, α coeficientul de

dilatare termică liniară, E modulul de elasticitate,  coeficientul de conductivitate
termică şi c căldura specifică.
Stabilitatea termică caracterizează capacitatea materialelor de a rezista timp
îndelungat la o anumită temperatură fără ca proprietăţile lor (mecanice, electrice) să
scadă sub o valoare limită (după care materialele nu-şi mai pot îndeplini rolul în
instalaţia din care fac parte).
Îmbătrânirea termică reprezintă procesul de degradare şi înrăutăţire a
caracteristicilor electrice şi mecanice ale corpurilor sub acţiunea temperaturii.
Acest proces se intensifică dacă temperatura creşte, datorită activizării reacţiilor
chimice de descompunere a moleculelor corpurilor.
Tabelul 11.2 prezintă proprietăţile termice pentru unele materiale
electrotehnice mai des folosite.
Tabel 11.2 – Proprietăţi termice ale unor materiale electrotehnice

Material c (×10–3 J/kgK)  (W/mK) α (×106 K–1)
Apă 4,18 0,595
Ulei de transformator 1,67 0,15
Hârtie 1,5 0,1
Cauciuc vulcanizat 0,86 0,36
Ebonită 1,4 0,2 50
PVC 1,5 0,2 100
Polietilenă 2,3 0,3 150
Poliamide 1,7 0,2 100
Poliester 1,05 0,3 35
Azbest 0,84 0,15
Sticlă 0,7 0,8
Cuarţ 0,76 10 14
Porţelan 0.92 1,85 4,5
Cupru 0,385 394 17,7
Aluminiu pur 0,895 209 23,9
135
12. Proprietăţi electrice ale materialelor

12.1. Benzi energetice în solide; tipuri de solide
Considerând N atomi separaţi, fiecare cu o structură energetică discretă,
ansamblul format din cei N atomi va prezenta pentru fiecare nivel energetic discret
o stare N-degenerată. Când aceşti atomi sunt aduşi împreună, orbitalii se suprapun
şi fiecare stare N-degenerată se transformă într-o bandă energetică în care energia
variază practic continuu (pentru N mare, aşa cum este cazul solidelor). Se obţin,
astfel, benzi conţinând N stări, corespunzătoare fiecărui nivel energetic discret al
atomilor, astfel încât se poate vorbi despre banda 2s, banda 3p etc.,
corespunzătoare nivelurilor energetice respective. Despicarea nivelurilor energetice
discrete în N subniveluri şi formarea benzilor energetice în solide este reprezentată
în figura 12.1.
Figura 12.1 – Structura de benzi a energiei electronilor în solide
Aşa cum energia electronilor într-un atom izolat poate avea numai valori
discrete bine determinate, restul valorilor fiind interzise, tot aşa, într-un ansamblu
de atomi cum este cel al unui solid, energia electronilor poate avea numai valori din
cadrul acestor benzi energetice permise, restul valorilor aflându-se în benzi
energetice interzise, care separă între ele benzile energetice permise.
Trebuie precizat că structura de benzi este caracteristică fiecărui cristal în
parte, în diferite cazuri particulare unele benzi interzise putând lipsi sau benzile
permise se pot suprapune parţial.
Rezultă, deci, că structura energiei electronilor în solide este o structură de
benzi, care se formează, în principiu, la fel, indiferent de tipul solidului, deosebirea
fiind doar cantitativă. Fiecare bandă provine dintr-un nivel discret al atomului
izolat, benzile de energie permisă fiind despărţite de zone (benzi) interzise.
136
După modul de ocupare a acestor benzi energetice cu electroni, apare

deosebirea dintre diferitele solide, fiind posibilă şi clasificarea acestora.
Dacă în solid sunt N celule elementare, fiecare având s atomi, numărul
atomic al acestora fiind Z, numărul total de electroni din solid va fi atunci NsZ.
Numărul stărilor energetice (ţinând cont de dubla valoare a spinului electronic) este
NsZ
egal cu .
2
La T = 0 K, se deosebesc două situaţii:
 dacă electronii, în număr de NsZ, ocupă complet un anumit număr de benzi
(adică energia celui mai înalt nivel energetic ocupat coincide cu limita
superioară a ultimei benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separată de ea
printr-o bandă interzisă, va fi complet goală (figura 12.2).
Banda de conducţie
Wc
Eg Banda interzisă
Wv
Banda de valenţă
Figura 12.2 – Structura de benzi energetice la izolatori
Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau

cel puţin o parte din ei) să treacă în stări energetice superioare celor în care se
găsesc (ceea ce înseamnă ruperea lor din legăturile pe care le au cu atomii cărora le
aparţin şi trecerea lor în stare liberă în solid) sub acţiunea unui câmp electric
exterior. Procesul nu poate avea loc însă în cazul solidelor cu structura descrisă mai
sus sub acţiunea unui câmp electric obişnuit, electronilor fiindu-le necesară o
energie mare (cel puţin egală cu lărgimea benzii interzise, Eg) pentru a „sări” peste
banda interzisă şi a trece într-o stare neocupată, aflată în banda de deasupra, iniţial
goală (care se numeşte bandă de conducţie, deoarece în ea se pot afla aceşti
electroni, care pot participa la conducţia electrică). Ultima bandă complet ocupată
se numeşte bandă de valenţă, conţinând electronii de valenţă ai atomilor solidului.
Ca urmare a celor expuse, solidul este un dielectric (izolator), el neputând permite
trecerea unui curent electric decât în prezenţa unui câmp electric foarte intens (de
ordinul a 108 V/m), când se produce fenomenul de străpungere electrică.
 dacă electronii nu ocupă complet ultima bandă energetică, nivelul energetic cel
mai înalt ocupat aflându-se în interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte uşor,
137
chiar şi sub acţiunea unui câmp electric foarte slab, în stări energetice
superioare (aflate la valori infinit mici deasupra celor iniţiale) ceea ce asigură
trecerea lor în stare liberă în cristal şi posibilitatea de a forma un curent electric.
Structura energetică în acest caz este prezentată în figura 12.3 şi ea corespunde
solidelor numite conductori, la care, la T = 0 K, ultima bandă ocupată (parţial)
este banda de conducţie. Nivelul energetic maxim al stărilor ocupate cu
electroni (la 0 K) se numeşte nivel Fermi, iar energia corespunzătoare, energie
Fermi, EF.
BC EF
Stări ocupate
Figura 12.3 – Structura de benzi energetice la conductori
Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori, fie dielectrici (izolatori).

La T > 0 K, dielectricii cu o lărgime Eg a benzii interzise mică (< 3 eV), pot
prezenta o conducţie electrică, datorită fluctuaţiilor termice, care permit obţinerea
energiei necesare, de către unii electroni, pentru a trece în banda de conducţie.
La conducţia electrică a acestor solide participă şi golurile formate în banda
de valenţă prin trecerea unor electroni în stări energetice superioare, din banda de
conducţie. Astfel de solide sunt numite semiconductori.
După cum s-a văzut anterior, numărul de stări energetice dintr-o bandă
energetică este N. Pentru un cristal cu un singur atom pe celulă, numărul benzilor
NZ
ocupate (rezultat ca raport dintre numărul total de stări energetice ocupate, şi
2
Z
numărul de stări dintr-o bandă, N) este .
2
Dacă Z este impar, ultima bandă este incomplet ocupată (figura 12.3),
solidul respectiv fiind un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele
monovalente; alcaline (Li, Na, K, Rb, Cs) şi nobile (Cu, Ag, Au), care au o bandă
ocupată pe jumătate, ca şi cele trivalente (Al, Ga).
Dacă Z este par, ultima bandă este complet ocupată, solidul respectiv fiind
un dielectric. Elementele cu Z par nu sunt însă întotdeauna dielectrici Astfel,
datorită suprapunerii parţiale a benzii de valenţă cu cea de conducţie, elementele
bivalente sunt, toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre
acestea sunt însă slabi conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor
138
energetice. Tot datorită suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente

(As, Sb, Bi etc.) sunt metale, deşi, având doi atomi în celula elementară, ultima
bandă este complet ocupată. La aceste elemente se observă o conducţie mixtă (de
electroni şi de goluri), ele fiind semimetale. În aceste cazuri, nivelul Fermi este
plasat în zona de suprapunere a benzilor (figura 12.4).
EF
Stări ocupate
Figura 12.4 – Suprapunerea parţială a benzilor energetice la semimetale
Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai

interesant fiind cel al staniului, care, prezentând două faze solide, este
semiconductor într-una şi metal în cealaltă. De asemenea, carbonul, cu structura de
diamant, este un izolator pe când ca grafit este un (semi)conductor. Din aceeaşi
categorie, a elementelor tetravalente, Ge şi Si sunt semiconductori „standard” iar
Pb este metal. Cu excepţia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O ultimă problemă ce merită a fi amintită aici este cea a aşa-numitelor stări
locale, datorate unor defecte structurale ale reţelei, de tipul celor descrise anterior.
Aceste defecte determină apariţia, pe lângă benzile de energie permise, normale,
ale solidului şi a unor niveluri energetice discrete, plasate uneori în interiorul
benzilor permise, alteori în benzile interzise. Aceste niveluri energetice,
corespunzătoare stărilor locale, sunt foarte importante, întrucât electronii din aceste
stări pot fi excitaţi şi pot trece în stări din benzile permise, modificând concentraţia
purtătorilor de sarcină electrică liberi în solid şi, în acest fel, numeroase proprietăţi
ale acestuia. Legat de aplicaţiile practice, cel mai cunoscut exemplu este cel al
semiconductorilor cu impurităţi (extrinseci).
12.2. Concentraţia de purtători în metale
Considerând, pentru simplificare, o reţea unidimensională, energia
potenţială în reţea poate fi reprezentată conform figurii 12.5, în care n1, n2,...
reprezintă nodurile reţelei. Potenţialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea
zero.
Se observă că un electron cu energia W1 nu poate fi liber în cristal,
neputând părăsi groapa de potenţial în care se află. El poate trece doar la un atom
vecin, pe acelaşi nivel energetic, fiind astfel un electron „legat”, care nu poate
139
participa la conducţia electrică. În schimb, un electron cu energia W 2 se poate

deplasa liber în interiorul metalului, el fiind un electron de conducţie. Pentru a
putea părăsi metalul, unui electron nu îi este însă suficientă energia W 2, întrucât,
după cum se poate vedea în figură, el întâlneşte la marginea cristalului o barieră de
potenţial. Numai electronii cu valori pozitive ale energiei, cum este W3, pot părăsi
metalul devenind liberi în exteriorul acestuia, dar, în mod obişnuit, electronii
metalului nu au energii care să le permită acest lucru.
Figura 12.5 – Energia potenţială în reţeaua cristalină
Electronii liberi din metal sunt distribuiţi pe diverse niveluri energetice din
banda de conducţie conform relaţiei:
dn = f(w)N(w)dw (12.27)
unde dn este concentraţia de electroni (numărul de electroni din unitatea de volum)
cu energii cuprinse în intervalul energetic dw, f(w) este probabilitatea ca starea
cuantică de energie w să fie ocupată de un electron, iar N(w) este densitatea de
stări energetice din banda de conducţie (numărul de stări energetice din unitatea
de volum şi pe unitatea de energie).
Să considerăm un metal de formă cubică, de latură a, în interiorul căruia
potenţialul este considerat constant*, bariera de potenţial la marginea acestuia fiind
suficient de înaltă pentru ca nici un electron să nu poată părăsi cristalul. În acest
caz, funcţia de undă asociată electronului (funcţia Bloch) este nulă în exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dacă unda asociată este staţionară, având un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, să fie un multiplu întreg al semilungimii de undă a undei
 h
asociate electronilor liberi din cristal, adică a = f şi, cum p = , rezultă:
2 
*
în realitate el are forma din figura 12.5, dar pentru electronii liberi din metal aproximaţia făcută
este suficient de bună.
140
h
p=f (12.28)
2a
p2 f 2h2
w=  (12.29)
2m 8ma 2
Pentru cele trei direcţii, relaţia 12.28 devine:
px = fxh/2a, py = fyh/2a, pz = fzh/2a.
Electronii liberi din metal sunt caracterizaţi deci de patru numere cuantice:
fx, fy, fz şi s (numărul cuantic de spin). Într-o reprezentare în spaţiul impulsurilor,
ţinând cont de principiul de excluziune al lui Pauli şi de cele două valori posibile
ale lui s, densitatea electronilor în acest spaţiu este 2(2a/h)3, deci numărul
electronilor cu impulsul cuprins în intervalul (p, p + dp) este:
8a 3
3
1  2a 
 2   4p 2 dp  3 p 2 dp .
8  h  h
Cum p = 2 mw , pdp = mdw şi p2dp = 2m 3 w  dw , se poate scrie:
8p 2 dp 42m 2
3
N(w)dw =  w  dw
h3 h3
42 m  2
3
= 6,821027 eV  2 m 3 , rezultă:

3
Dacă se notează C = 3
h
N(w) = C w (12.30)
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel încât
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dată de relaţia:
1
f(w) = w  EF
(12.31)
1  e kT
unde EF este energia Fermi, T temperatura absolută a cristalului şi k constanta
Boltzmann.
Se vede că, la T = 0 K, pentru w > EF, f(w) = 0 şi pentru w < EF, f(w) = 1,
ceea ce semnifică faptul că, la 0 K, toate stările energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate iar cele de deasupra sunt, toate, libere.
La T > 0 K, când w = EF, f(w) = 1/2, ceea ce dă posibilitatea unei alte
interpretări a nivelului Fermi (nivelul energetic a cărei probabilitate de ocupare este
50 %). În figura 12.6 este reprezentată grafic expresia f(w)N(w) la diferite
temperaturi.
Numărul total de electroni din unitatea de volum (concentraţia de electroni)
este:
1 3
2
n =  Cw 2 dw  C  E F  2
EF
(12.32)
0 3
Se constată că, la metale, concentraţia electronilor de conducţie este practic
constantă, nedepinzând de temperatură. Rezultă că, întrucât mobilitatea electronilor
este invers proporţională cu temperatura, conductivitatea metalelor este şi ea invers
141
proporţională cu temperatura (rezistivitatea este direct proporţională cu

temperatura).
f(w)N(w)
T=0K
C w T1 > 0 K
T2 > T1
C w
2
w
EF
Figura 12.6 – Dependenţa expresiei f(w)N(w) de temperatură
Pentru a scoate un electron din metal, după cum s-a văzut anterior, este
necesar ca energia acestuia să fie cel puţin egală cu înălţimea barierei de potenţial
de la marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este însă cel mult egală cu
energia Fermi. Ca atare, pentru extracţia unui electron este nevoie, în medie, de o
energie egală cu diferenţa dintre nivelul barierei de potenţial de la marginea
cristalului şi energia Fermi, valoarea respectivă fiind o caracteristică a fiecărui
metal, numită energie de extracţie*. Această energie poate fi primită de unii din
electronii de conducţie ai metalului pe diferite căi. De exemplu, prin încălzirea
metalului, cum se poate vedea din figura 12.6, unii din electroni pot avea energii
mai mari decât EF şi pot depăşi astfel bariera de potenţial, ieşind din metal. Din
calcule rezultă că, prin emisia electronilor din metal ca urmare a încălzirii acestuia
la temperatura T (fenomen numit emisie termoelectronică), se formează un curent
termoelectronic a cărui densitate este dată de:
Wext

j = AT  e
2 kT
(12.33)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscută şi sub numele de
legea Richardson-Dushman.
12.3. Conducţia electrică la metale
Din cele văzute anterior, rezultă că, la temperaturi obişnuite, electronii de
valenţă ai metalelor se găsesc în banda de conducţie; acest lucru înseamnă că ei
sunt liberi să se mişte în interiorul cristalului, nemaiaparţinând unui atom anume şi
constituind astfel purtători de sarcină electrică liberi. Aceşti electroni se comportă
ca un gaz în care este „scufundată” reţeaua cristalină.
adesea, se foloseşte termenul de lucru mecanic de extracţie

*
142

Sub acţiunea unui câmp electric exterior de intensitate E , electronii de
conducţie capătă o mişcare ordonată, ce se constituie într-un curent electric de
densitate:

 dQ E
j   (12.34)
dS  dt E
unde dQ este sarcina electrică transportată în intervalul de timp dt prin suprafaţa
transversală de arie dS, pe direcţia câmpului electric.
Această mişcare dirijată se suprapune peste agitaţia termică a purtătorilor şi
are loc cu o viteză medie constantă, numită viteză de drift.
Să considerăm un electron de conducţie; asupra sa acţionează câmpul
   
electric exterior, de intensitate E , cu forţa F  eE , imprimându-i o acceleraţie a .
Ca urmare, viteza electronului creşte până când acesta ciocneşte plastic un ion al
reţelei, cedându-i întreaga energie, după care mişcarea se reia în acelaşi mod, cu o
viteză iniţială nulă. Presupunând că ciocnirile se succed la intervale de timp egale
(acest lucru însemnând că distanţa parcursă între două ciocniri consecutive este
egală cu drumul liber mediu), dependenţa de timp a vitezei electronului este de
forma din figura 12.7, în care tC este timpul dintre două ciocniri consecutive iar
vmax este dat de relaţia:
  et 
v max  at C   C E
mn
Viteza medie a acestei mişcări este dată de relaţia:

 v max et 
vm    C E,
2 2m n
din care se vede că vm (care este viteza de drift) este constantă, deci mişcarea este
uniformă.
Figura 12.7 – Dependenţa de timp a vitezei electronului în reţea
În realitate, ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp dar formula se

poate folosi considerând o valoare medie a acestor intervale de timp dintre două
ciocniri consecutive, tCm. Atunci, viteza de drift a electronilor de conducţie are
expresia:
143
 et  
v n   C E   n E (12.35)
2m n
Mărimea n reprezintă mobilitatea electronilor de conducţie, o constantă
specifică fiecărui material. Densitatea de curent va fi deci:
 
 dQ E en  dS  d E  
j   env n  en n E (12.36)
dS  dt E dS  dt E
Înlocuind:
1
enn =  = (12.37)

unde este conductivitatea electrică a metalului iar este rezistivitatea electrică
a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:
 
j  E (12.38)
relaţie ce reprezintă forma locală a legii lui Ohm.
Acest model clasic dă rezultate în concordanţă cu datele experimentale la
temperaturi obişnuite. La temperaturi scăzute însă, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesară o tratare cuantică.
12.4. Concentraţia de purtători în semiconductori
12.4.1. Semiconductori intrinseci
După cum s-a văzut anterior, la semiconductori, banda de valenţă este (la 0
K) complet ocupată şi separată de banda de conducţie (liberă la 0 K) printr-o bandă
interzisă cu o lărgime de maxim 3 eV. În tabelul 12.1 este dată valoarea lărgimii
benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La temperaturi scăzute,
semiconductorii se comportă deci ca un izolator, nedispunând de purtători de
sarcină electrică liberi, care să formeze un curent electric sub acţiunea unui câmp
electric exterior.
Tabel 12.1 – Lărgimea benzii interzise a unor semiconductori

Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si 1,1 CdS 2,4
Se 0,8 PbS 0,41
Ge 0,67 PbSe 0,23
Te 0,34 PbTe 0,6
Sn 0,1 GaP 2,24
InSb 0,32 GaAs 1,35
InAs 0,39 SiC 2,8
InP 1,25 HgSe 0,6
InSb 0,18 Al2O3 2,5
AlSb 1,5 Cu2O 1,5
CdSe 1,8 ZnO 3,2
144
Crescând însă temperatura, are loc aşa-numitul proces de generare termică

intrinsecă a purtătorilor de sarcină electrică liberi, ca urmare a faptului că un
anumit număr de electroni din banda de valenţă vor căpăta suficientă energie (prin
intensificarea agitaţiei termice) pentru a rupe legăturile covalente la formarea
cărora participă şi a deveni liberi în interiorul cristalului. Din punct de vedere
energetic, acest lucru înseamnă trecerea acestor electroni din banda de valenţă în
banda de conducţie, energia minimă necesară fiind egală cu lărgimea benzii
interzise, Eg. Este evident că, spre deosebire de metale, concentraţia electronilor de
conducţie la semiconductori depinde de temperatură, având în vedere că tocmai
aceasta este cauza apariţiei acestor electroni.
Legăturile covalente corespunzătoare electronilor trecuţi în banda de
conducţie rămân nesatisfăcute, echivalând cu o regiune de sarcină electrică
pozitivă, numită gol care, la rândul său, participă la conducţie, ca urmare a
deplasării sale în sensul câmpului electric exterior. Acest proces are loc prin saltul
pe care îl poate face un electron „legat” (situat energetic în banda de valenţă) de la
un atom vecin. Acest electron ocupă golul (situat, de asemenea, în banda de
valenţă), refăcând legătura covalentă ruptă şi lăsând în locul său un alt gol.
Înlocuirea deplasării reale a electronilor din banda de valenţă cu deplasarea în sens
invers a golurilor lăsate de aceştia permite simplificarea studierii fenomenului de
conducţie electrică la semiconductori. Cu alte cuvinte, sarcina electrică pozitivă a
golului se deplasează în semiconductor sub acţiunea unui câmp electric, ca şi cum
ea ar fi purtată de o particulă reală.
Deci generarea termică intrinsecă constă în apariţia electronilor de
conducţie (prin excitarea acestora din banda de valenţă în cea de conducţie)
concomitent cu formarea golurilor în banda de valenţă pe seama energiei termice.
Fiecărui electron din banda de conducţie îi corespunde un gol în banda de valenţă
ceea ce înseamnă că şi concentraţia electronilor de conducţie este egală cu cea a
golurilor, fapt caracteristic semiconductorilor puri (intrinseci), a căror conducţie
electrică este numită conducţie intrinsecă.
Procesul de generare este dublat de un proces invers, de recombinare
electron-gol, astfel încât, la o temperatură constantă cele două procese se
echilibrează, concentraţia (egală) de electroni de conducţie şi de goluri, ni, numită
concentraţie intrinsecă, rămânând constantă.
Pentru determinarea concentraţiei intrinseci se procedează ca în cazul
metalelor cu precizarea că energia golurilor se măsoară în sens invers ca cea
electronilor de conducţie.
Conform figurii 12.8, energia cinetică a electronilor, Wkn şi cea a golurilor,
Wkg, au expresiile: Wkn = w – WC, respectiv Wkg = WV – w, unde WC este limita
inferioară a benzii de conducţie, iar Wv este limita superioară a benzii de valenţă.
Atunci, densităţile stărilor energetice pentru electroni şi goluri sunt date de
expresiile:
4
Nn(w) = 3 2m n 2 w  WC  2  C n w  WC  2
3 1 1
145
4
2m p 2 WV  w 2  C p WV  w 2
3 1 1
3
Np(w) =
h
Probabilitatea de ocupare a unei stări este dată tot de funcţia Fermi-Dirac.
Pentru electronii din banda de conducţie, expresia este cea dată de relaţia 12.5,
care, la temperaturi obişnuite, întrucât f(w) << 1, se poate aproxima sub forma:
EF  w
f  w   e kT . Aceasta arată că, în aceste condiţii, funcţia de distribuţie se reduce
la una de tip clasic (Maxwell-Boltzamnn). Concentraţia de electroni este:
w  EF
  
n =  Nn  w   f  w   dw  Cn  w  WC  e kT
 dw
WC WC
3 E F  WC E F  WC
2
3 
n= 2m n kT  2  e kT
 NC  e kT
(12.39)
h
– BC
Wkn
Wc
BI
Wv
Wkg BV
+
Figura 12.8 – Energia cinetică a electronilor şi golurilor
Analog, pentru goluri,

N p w   f w   dw , unde f’(w) = 1 – f(w),
WV
p =

ceea ce derivă din faptul că o stare energetică poate fi ocupată fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilităţilor de ocupare a acelei stări de un electron,
w EF
respectiv de un gol este egală cu unitatea. Evident, cum f(w) << 1, f’(w)  e . kT
Atunci,
3 WV  EF WV  E F
p = 3  2m p kT  2  e kT  N V  e kT
2
(12.40)
h
Întrucât la un semiconductor extrinsec, n = p = ni,
E F  WC 3 WV  E F
  mp  2  e
3
 mn  2  e kT kT
, de unde rezultă:
WV  WC 3 mp Eg 3 mp
EF =  kT  ln  WV   kT  ln (12.41)
2 4 mn 2 4 mn
146
unde Eg = WC – WV este lărgimea benzii interzise.

Din relaţia de mai sus, se vede că, dacă mn = mp sau T = 0 K, nivelul Fermi
este situat chiar la mijlocul benzii interzise; dacă mn < mp, nivelul Fermi este mai
aproape de banda de conducţie, în timp ce, dacă mn > mp, el este mai aproape de
banda de valenţă.
Calculând np = n i2 , rezultă concentraţia intrinsecă:
Eg

ni = N C N V  e 2 kT
(12.42)
12.4.2. Semiconductori extrinseci

Introducerea unor impurităţi în proporţie foarte redusă într-un
semiconductor se numeşte dopare. Folosind drept impurităţi elemente
pentavalente, cum sunt Sb, As, P, Bi, numite impurităţi donoare, se obţine un
semiconductor extrinsec de tip n în timp ce, folosind drept impurităţi elemente
trivalente, ca B, Al, Ga, In, numite impurităţi acceptoare, se obţine un
semiconductor extrinsec de tip p.
Aceste impurităţi fiind într-o concentraţie foarte redusă (1014 – 1018
atomi/cm3) nu modifică structura cristalină a semiconductorului, comportându-se
ca impurităţi substituţionale, adică substituind în reţea atomii de semiconductor şi
fiind deci obligate să se comporte ca aceştia (să formeze patru legături covalente cu
cei patru atomi de semiconductor vecini).
Atomii de impurităţi donoare dispun astfel de un electron în plus faţă de
numărul necesar realizării configuraţiei electronice complete pe stratul de valenţă,
electron care este foarte slab legat (energia de legătură fiind de ordinul a 10–2 eV).
Prezenţa impurităţilor donoare determină apariţia unor stări locale însoţite de un
nivel energetic discret situat în banda interzisă, în imediata apropiere a benzii de
conducţie, numit nivel energetic donor, căruia îi corespunde energia WD. La 0 K,
acest nivel este complet ocupat cu câte un electron provenit de la fiecare atom de
impuritate donoare. Chiar şi la temperaturi scăzute, unii din electronii aflaţi pe
nivelul donor pot trece în banda de conducţie, întrucât energia de care au nevoie
pentru aceasta, numită energie de activare, este foarte mică, în comparaţie cu
energia necesară procesului de generare intrinsecă. Evident, aflaţi în banda de
conducţie, electronii respectivi sunt electroni de conducţie, însă locul gol, lăsat de
aceştia pe nivelul donor nu este un gol care să poată participa la conducţia electrică.
Acest proces, de apariţie a electronilor de conducţie prin excitarea electronilor de
pe nivelul donor în banda de conducţie (proces neînsoţit de apariţia, corespunzător
fiecărui electron de conducţie, a unui gol în banda de valenţă, ca la conducţia
intrinsecă) se numeşte generare termică extrinsecă a electronilor de conducţie.
Fizic, procesul constă în ruperea electronului slab legat de atomul căruia îi aparţine,
el devenind astfel liber în cristal. Concomitent cu acest proces, are loc şi procesul
invers, de trecere a electronilor de conducţie pe nivelul donor, astfel încât, la o
temperatură constantă, concentraţia electronilor de conducţie generaţi extrinsec se
menţine constantă, ca urmare a stabilirii unui echilibru dinamic în cristal.
147
În cazul impurificării semiconductorului cu impurităţi acceptoare, acestea

au o legătură nesatisfăcută, ca urmare a faptului că nu dispun decât de trei electroni
de valenţă, care, împreună cu cei patru puşi în comun de cei patru atomi vecini, nu
pot asigura configuraţia electronică completă, de octet. Această legătură
nesatisfăcută creează o stare locală, caracterizată de un nivel energetic discret,
situat în banda interzisă, în imediata apropiere a benzii de valenţă, nivel care la 0 K
este complet liber. Legătura poate fi saturată prin acceptarea unui electron legat, de
la un atom vecin, acesta rămânând legat de atomul de impuritate, deci nedevenind
electron liber. Locul lăsat liber de acest electron la atomul căruia i-a aparţinut este
însă un gol care poate participa la conducţie, prin procesele arătate anterior.
Energetic, procesul constă în excitarea unui electron din banda de valenţă pe
nivelul donor şi apariţia unui gol în banda de valenţă, proces care se poate petrece
chiar şi la temperaturi mai scăzute, întrucât energia de care este nevoie pentru
aceasta este foarte mică, în comparaţie cu energia necesară procesului de generare
intrinsecă.
Acest proces, de apariţie a golurilor în banda de valenţă prin excitarea unor
electroni din banda de valenţă pe nivelul acceptor (proces neînsoţit de apariţia,
corespunzător fiecărui gol, a unui electron în banda de conducţie, ca la conducţia
intrinsecă) se numeşte generare termică extrinsecă a golurilor. Concomitent cu
acest proces, are loc şi procesul invers, de trecere a electronilor de pe nivelul donor
în banda de valenţă, astfel încât, la o temperatură constantă, concentraţia golurilor
generate extrinsec se menţine constantă, ca urmare a stabilirii unui echilibru
dinamic în cristal.
În ambele situaţii, peste procesele descrise, se suprapune şi cel de generare
termică intrinsecă şi, ca urmare, oricând, în semiconductorii impurificaţi vor exista
ambele tipuri de purtători de sarcină electrică liberi, electroni de conducţie şi goluri
dar concentraţiile lor nu mai sunt egale, ca la conducţia intrinsecă. Semiconductorii
impurificaţi cu impurităţi donoare (semiconductori extrinseci de tip n) vor avea o
concentraţie mai mare de electroni de conducţie decât de goluri (motiv pentru care
electronii de conducţie sunt purtători majoritari iar golurile purtători
minoritari), conducţia electrică realizată în acest caz numindu-se conducţie
extrinsecă de tip n iar cei impurificaţi cu impurităţi acceptoare (semiconductori
extrinseci de tip p) vor avea o concentraţie mai mare de goluri decât cea a
electronilor de conducţie (în acest caz golurile sunt majoritare şi electronii
minoritari). Procesele descrise mai sus sunt reprezentate în figura 12.9.
Să considerăm acum un semiconductor extrinsec de tip n. Întrucât, la 0 K,
nivelul donor este complet ocupat, rezultă că nivelul Fermi este situat între acest
nivel şi limita inferioară a benzii de conducţie: WC > EF > WD.
La o temperatură oarecare, în banda de conducţie se găsesc electroni
proveniţi atât prin generare intrinsecă dar şi prin generare extrinsecă, în
concentraţie n = nD + ni, unde ni este concentraţia de purtători generaţi prin procese
intrinseci iar nD este concentraţia de electroni generaţi prin procese extrinseci.
La temperaturi mici, generarea intrinsecă este neglijabilă, ni  0 şi n  nD.
Concentraţia electronilor de conducţie generaţi extrinsec este egală cu concentraţia
148
de atomi donori ionizaţi şi care, printr-un calcul analog celor anterioare, se arată că
are expresia:
WD  E F
nD = ND e kT
(12.43)
unde ND este concentraţia de atomi donori.
– –
BC
Wc
+ Nivel
WD
donor
WA – Nivel
acceptor
Wv
+ + BV
Figura 12.9 – Diagrama energetică a proceselor de generare extrinsecă a purtătorilor
Pe de altă parte, în paragraful anterior s-a dedus relaţia 12.16, care exprimă
concentraţia de electroni din banda de conducţie şi care este valabilă indiferent de
E F  WC
modul de apariţie a acestora: n = NC e . Ţinând cont că n  nD, înmulţind cele

kT
două relaţii şi extrăgând rădăcina pătrată, se obţine:

WC  WD

n = NCND e 2 kT
Un calcul mai exact dă valoarea:

N C N D  WC2kTWD
n= e (12.44)
2
La temperaturi de ordinul a 102 K, practic toţi atomii donori sunt ionizaţi şi,
întrucât încă ni  0, n  ND, deci concentraţia electronilor de conducţie rămâne
practic constantă. Temperatura la care practic toţi donorii sunt ionizaţi se numeşte
temperatură de epuizare, TE.
La temperaturi şi mai mari, peste o valoare Ti,* generarea termică intrinsecă
începe să se manifeste în mod evident şi, cum concentraţia atomilor de
semiconductor este mult mai mare decât cea a atomilor de impurităţi, şi
concentraţia electronilor de conducţie proveniţi din generarea intrinsecă va fi mult
*
De fapt, nu există o temperatură exactă la care putem spune că toţi donorii sunt complet ionizaţi,
sau la care generarea intrinsecă devine evidentă, deci T E şi Ti nu sunt în realitate valori exacte ci,
mai degrabă, domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod însă să le considerăm
drept valori exacte.
149
mai mare decât cea a electronilor de conducţie proveniţi prin generarea extrinsecă,
astfel încât ni >> ND şi, deci, n  ni.
În graficul din figura 12.10 este reprezentată cu linie continuă variaţia cu
temperatura a concentraţiei electronilor de conducţie într-un semiconductor
extrinsec de tip n, de unde se poate constata că există un domeniu de temperaturi
destul de larg (în domeniul de temperaturi ale mediului ambiant) în care aceasta
este constantă, fapt pe care se bazează şi majoritatea aplicaţiilor materialelor
semiconductoare extrinseci. Pentru comparaţie, s-a reprezentat cu linie întreruptă
variaţia cu temperatura a concentraţiei de electroni de conducţie într-un
semiconductor intrinsec. Zona I, la temperaturi sub temperatura de epuizare, este
zona de conducţie extrinsecă, în care concentraţia creşte exponenţial cu
temperatura, exponentul fiind însă mic. Zona a II-a, la temperaturi cuprinse între TE
şi Ti, este zona de epuizare, în care concentraţia de purtători rămâne constantă.
Zona a III-a, la temperaturi peste Ti, este zona de conducţie intrinsecă, unde
concentraţia purtătorilor creşte din nou exponenţial însă mult mai rapid, exponentul
fiind mult mai mare. Mai exact, în această zonă concentraţia este dată practic de
relaţia 12.16, unde exponentul este proporţional cu Eg = WC – WV (Eg ~ 1 eV), în
timp ce, în prima zonă, concentraţia este dată de relaţia 12.18, în care exponentul
este proporţional cu WC – WD (WC – WD ~ 10–2 eV).
I II III
T
TE Ti
Figura 12.10 – Variaţia concentraţiei electronilor de conducţie într-un semiconductor de tip

n, cu temperatura
În mod analog se produc şi procesele într-un semiconductor extrinsec de tip

p, în care însă purtătorii majoritari sunt golurile, provenite din generarea termică
intrinsecă şi din generarea termică extrinsecă (în acest caz electronii provin numai
din generarea termică intrinsecă).
La temperaturi mici, concentraţia golurilor într-un semiconductor extrinsec
de tip p este dată de relaţia:
150
WC  WD

p = 2 N V N A  e 2 kT (12.45)
unde NA este concentraţia de impurităţi acceptoare.
Un grafic asemănător celui din figura 12.10 se poate trasa şi pentru
concentraţia de goluri dintr-un semiconductor extrinsec de tip p.
În tabelele 12.2 şi 12.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu şi
siliciu dopaţi cu diferite impurităţi.
Tabel 12.2 – Valoarea energiei de activare la semiconductori dopaţi cu impurităţi

donoare
Impuritate donoare Sb P As
WC – WD semiconductor Si 43 45 53
–3 Ge 10 12 13
(10 eV)
Tabel 12.3 – Valoarea energiei de activare la semiconductori dopaţi cu impurităţi

acceptoare
Impuritate acceptoare B Al Ga In
WA – WV semiconductor Si 44 68 72 155
(10–3eV) Ge 10,4 10,2 10,8 11,2
12.5. Conducţia electrică la semiconductori

Consideraţiile expuse în paragraful 12.3 sunt valabile şi în cazul
semiconductorilor, numai că aici trebuie să ţinem seama că există două tipuri de
purtători: electronii (cu sarcină negativă) şi golurile (cu sarcină pozitivă). Aceştia
se vor deplasa sub acţiunea unui câmp electric exterior cu viteza de drift*:
et cm et
vn  E   n E ; v p  cm E   p E (12.46)
2mn 2mp
Se constată că viteza de drift a golurilor este orientată în sensul câmpului
electric, în timp ce viteza de drift a electronilor este în sens invers acestuia. Fiecare
tip de purtător va crea un curent electric cu densitatea:
     
jn = enn E = n E ; jp = enp E = p E (12.47)
Sensul celor doi curenţi, determinaţi de cele două tipuri de purtători, este
acelaşi cu sensul câmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:
     
j  jn  jp = e(nn + pp) E = (n + p) E =  E (12.48)
Mărimea
 = e(nn + pp) (12.49)
în continuare, pentru electroni vom folosi indicele n şi pentru goluri indicele p

*
151
reprezintă conductivitatea electrică a semiconductorului, relaţia 1.23 fiind

cunoscută sub denumirea de formula conductivităţii unui semiconductor cu
impurităţi.
12.6. Curenţi de difuzie în semiconductori
Am văzut că într-un cristal (metal sau semiconductor), în prezenţa unui
câmp electric exterior, apare un curent electric, numit curent de câmp sau de
drift. Câmpul electric exterior nu este însă singura cauză care poate produce o
deplasare dirijată a purtătorilor de sarcină electrică liberi. Aceasta poate fi produsă
şi de existenţa unui gradient de concentraţie a purtătorilor, datorată fie unui
gradient de temperatură, fie injecţiei într-o anumită zonă a unor noi purtători, fie
acţiunii unor radiaţii care produc generarea de noi purtători etc. Acest gradient de
concentraţie dă naştere unui curent de difuzie, analog cu procesul de difuzie a
gazelor.
Să considerăm un semiconductor în care există un gradient de concentraţie
de electroni de conducţie. Acesta dă naştere unei difuzii a electronilor din zona de
concentraţie mai mare spre cea de concentraţie mai mică, ce tinde spre
uniformizarea concentraţiei în toată masa cristalului. Deplasarea dirijată a
purtătorilor ca urmare a gradientului de concentraţie reprezintă un curent de
difuzie, a cărui densitate este dată de relaţia:
 
jn = eDn nr  (12.50)
unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, o constantă ce depinde de
material.
Dar, cum np = ni2, înseamnă că, paralel cu gradientul de electroni, există şi
un gradient de goluri, ce determină, la rândul său, un curent de difuzie de
densitate*:
 
jp = eDp pr  (12.51)
Ca urmare a difuziei, în regiunile părăsite de electroni, respectiv goluri,
rămân sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este sărăcită în sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Această distribuţie de sarcină electrică determină apariţia unui câmp

electric intern în cristal, E int †, care determină, la rândul său, apariţia unui curent
electric de drift, atât pentru electroni cât şi pentru goluri. Conform relaţiei 12.21.
aceştia au expresiile:
*
aşa cum sunt scrise cele două relaţii, 1.24 şi 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui gradn (care
are, la rândul său, sensul de la zona de concentraţie de electroni mai mică spre cea de concentraţie
mai mare) deci şi jn şi jp au sens pozitiv; gradp are sens negativ.
†
sensul câmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a rămas un surplus
de sarcină electrică pozitivă imobilă) spre cea în care au difuzat aceştia; cum difuzia are loc din
zona de concentraţie mai mare spre cea de concentraţie mai mică, sensul câmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentraţiei de electroni (care este de la zona de concentraţie mai
mică spre cea de concentraţie mai mare) deci, conform convenţiei, negativ.
152
   
jnd  en n E int ; jpd  ep p E int
Se observă că cei doi curenţi de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curenţilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, întrucât efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentraţie şi curentul de difuzie). Echilibrul se stabileşte când cei doi curenţi, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali în modul, deci când curentul total este nul.
Densităţile totale de curent de electroni şi respectiv de goluri sunt date de relaţiile:
  
 

J n  jn  jnd  e D n n  n n E int (12.52)
 
 
 
J p  jp  jpd  e D p p  p p E int (12.53)
 
Un semiconductor izolat ajunge deci la echilibru când J n şi J p sunt egali cu
zero. Considerând, pentru simplificare, un gradient unidimensional, condiţia de mai
sus pentru curentul de electroni se scrie:
dn
nnEint = Dn (12.54)
dx
Concentraţia electronilor de conducţie este dată de relaţia 12.13: n0 =
WF  WC
NC e kT . Dacă însă există şi un câmp electric (câmpul electric intern, în cazul de
faţă), la energia WC trebuie adăugat un termen suplimentar, eU, care provine din
faptul că energia minimă a electronilor de conducţie este mai mare ca urmare a
accelerării lor în diferenţa de potenţial, U, creată de câmpul electric respectiv.
Concentraţia electronilor de conducţie este, în acest caz:
WF  WC eU eU

n = NC e kT = n0 e kT (12.55)
dU
Cum Eint =  , se poate scrie:
dx
eU
dn   e  dU en
 n 0 e kT     E int (12.56)
dx  kT  dx kT
Înlocuind relaţia 12.56 în 12.54, rezultă:
kT
Dn = n (12.57)
e
Printr-un calcul analog, se obţine şi:
kT
Dp = p (12.58)
e
Aşa cum s-a arătat anterior, la echilibru termic, concentraţia purtătorilor în
orice punct din semiconductor este constantă în timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabileşte între cele două procese inverse: generarea termică şi
recombinarea purtătorilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind numărul de purtători generaţi, respectiv recombinaţi în unitatea de volum şi în
unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R = G.
153
De asemenea. se defineşte timpul de viaţă mediu al purtătorilor, n şip,

ca intervalul de timp mediu între momentul generării şi cel al recombinării.
Este evident că viteza de recombinare depinde, pe lângă alţi factori, direct
proporţional de concentraţiile celor două tipuri de purtători care se recombină.
Astfel, putem scrie: R ~ np, relaţie care, în cazul unor semiconductori extrinseci, la
temperaturi medii capătă forma:
 R ~ NDp0 pentru semiconductori de tip n
 R ~ NAn0 pentru semiconductori de tip p
unde ND şi NA sunt concentraţiile (constante) de impurităţi donoare, respectiv
acceptoare.
Ţinând cont şi de definiţia vitezei de recombinare, putem scrie expresiile
vitezei de recombinare a purtătorilor minoritari:
 R = p0/p pentru semiconductori de tip n
 R = n0/n pentru semiconductori de tip p
Să considerăm acum un semiconductor de tip n, în care, la echilibru,
concentraţia de purtători minoritari (goluri) este pno. Dacă, printr-un mijloc
oarecare, concentraţia creşte la valoarea pno + p0, se produce o stare de
neechilibru, la încetarea cauzei care a produs surplusul de purtători, concentraţia
acestora scăzând spre valoarea iniţială, pno (p  0). Valoarea pn = pno + p
reprezintă concentraţia purtătorilor de neechilibru, p fiind concentraţia
purtătorilor în exces. Ecuaţia ce descrie acest proces este:
dpn p  pn 0
GR   n ; prin integrare, rezultă:
dt p
t

p
pn(t) = pn0 + p0 e (12.59)
unde pn(t) este concentraţia purtătorilor de neechilibru la momentul t după
încetarea cauzei care a produs dezechilibrul iarp0 este concentraţia iniţială a
purtătorilor în exces.
Într-un mod asemănător, se poate scrie şi o relaţie care să exprime
concentraţia purtătorilor de neechilibru într-un semiconductor de tip p:
t

n
np(t) = np0 + n0 e (12.60)
Să considerăm acum o porţiune paralelipipedică, de arie transversală A şi
lungime dx (figura 12.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purtători minoritari, de densitate j.
Dacă în acest volum se produce generarea de noi purtători, cu viteza de
generare G = p0/p, într-o regiune infinit mică în interiorul volumului respectiv vom
avea o concentraţie p, de purtători minoritari, proveniţi, pe de o parte din generare,
pe de altă parte prin transport de către curentul j, concentraţie mai mare decât p0 şi
dependentă de poziţie. Recombinarea purtătorilor are loc cu viteza R = p/p şi este
154
evident că, urmare a faptului că R > G, densitatea de curent la ieşirea din volumul
considerat va fi diminuată cu o valoare dj.
Figura 12.11 – O porţiune dintr-un semiconductor
Din conservarea sarcinii electrice în volumul respectiv, putem scrie:

dp p p
edxA = – edxA + edxA 0 – djA
dt p p
dp
Dar Adj = – AeDp + AeppE (a se vedea relaţia 12.53) şi, deci:
dx
p n pn  pn0  2 pn p n E 
  Dp  p (12.61)
t p x 2
x
Relaţia de mai sus reprezintă ecuaţia de transport Boltzmann.
p n  2 pn pn  pn0
Dacă E = 0 şi = 0, relaţia de mai sus devine:  , cu soluţia:
t x 2 Dpp
x

Lp
pn(x) = pn0 + pn(0) e (12.62)
unde
Lp = D p  p (12.63)
se numeşte lungime de difuzie şi reprezintă distanţa medie străbătută de un gol
injectat până la recombinarea lui cu un electron.
Relaţia 12.62 exprimă scăderea concentraţiei de goluri (în general, de
purtători minoritari injectaţi într-o zonă din semiconductor) exponenţial cu distanţa
faţă de locul de injectare.
12.7. Materiale dielectrice
12.7.1. Noţiuni generale
Multe dintre aspectele fenomenelor care au loc la introducerea unei
substanţe dielectrice într-un câmp electric exterior sunt asemănătoare cu cele care
se petrec la introducerea substanţei în câmp magnetic, datorită faptului că structura
dielectricului este o structură polară (permanentă sau indusă).
155
Să reamintim că un dipol electric este un sistem alcătuit din două sarcini

electrice egale ca mărime dar de semn opus, +q şi – q, situate la o distanţă ℓ. Se
defineşte momentul electric dipolar ca fiind:
 
pe  q (12.64)

unde  este vectorul de modul ℓ, orientat pe direcţia ce uneşte cele două sarcini,
cu sensul de la sarcina negativă spre cea pozitivă.
În general, momentele electrice dintr-un dielectric sunt orientate haotic, ca
urmare a agitaţiei termice dar, într-un câmp electric exterior ele tind să se orienteze
  
de-a lungul acestuia, sub acţiunea momentului de rotaţie, M  p  E , ce tinde să
rotească dipolii astfel ca aceştia să se alinieze pe direcţia câmpului electric exterior.
Ca urmare a acestui fapt, în dielectric apare o redistribuire a sarcinii electrice şi,
deşi pe ansamblu el este neutru din punct de vedere electric, la suprafaţa lui apar
sarcini electrice necompensate, numite sarcini de polarizare, care creează în

dielectric un câmp electric de polarizare E p , ce se suprapune peste cel exterior,

E 0 , astfel încât câmpul electric total este dat de suma vectorială a celor două:
  
E  E0  Ep .
Se defineşte vectorul polarizare a dielectricului ca fiind momentul electric
dipolar al unităţii de volum:
 1 
P   p ei (12.65)
V i
Experimental se constată că, pentru o gamă largă de dielectrici (medii
liniare), este valabilă relaţia:
 
P  e 0 E (12.66)
unde e este susceptibilitatea dielectrică a substanţei.
Comportarea dielectricului poate fi descrisă prin intermediul vectorului

inducţie electrică, D , dat de:
    
D   0 E  P   0 1   e E   0  r E (12.67)
unde r este permitivitatea electrică relativă a dielectricului. Această relaţie este
valabilă numai pentru medii izotrope, în cazul anizotropiei, evident, permitivitatea
se defineşte ca un tensor.
Valoarea permitivităţii electrice relative a diferitelor materiale izolatoare
utilizate în practică este prezentată în tabelul 12.4.
Starea de polarizare a unui dielectric poate fi:
A. polarizare temporară, dacă aceasta depinde de câmpuri electrice exterioare
Polarizarea temporară poate fi, la rândul ei, de două feluri:
 de deplasare
Polarizarea de deplasare poate fi:
- polarizare de deplasare electronică, dată de deplasarea limitată şi elastică,
sub acţiunea câmpurilor electrice exterioare, a învelişurilor electronice ale
atomilor
156
- polarizare de deplasare ionică, dată de deplasarea limitată şi elastică, sub

acţiunea câmpurilor electrice exterioare a ionilor reţelei (specifică
cristalelor ionice).
 de orientare dipolară.
Polarizarea de orientare dipolară reprezintă orientarea preponderentă pe
direcţia câmpului electric exterior a dipolilor existenţi în cristal şi care, în absenţa
acestui câmp sunt orientaţi haotic, aleatoriu, ca urmare a agitaţiei termice (este
caracteristică cristalelor polare).
B. polarizare permanentă, dacă ea nu depinde de câmpuri electrice exterioare.
Polarizarea permanentă poate fi polarizare spontană, atunci când
ordonarea apare pe domenii de temperaturi, în cristale cu axă polară, ca urmare a
condiţiei de minimizare a energiei libere a sistemului. Întrucât acest tip de
polarizare este dependentă de temperatură, ea se mai numeşte şi polarizare
piroelectrică. Cristalele feroelectrice sunt cele mai cunoscute cristale cu polarizare
de acest fel.
La structurile cristaline fără un centru de simetrie, sub acţiunea unor factori
mecanici, poate apărea un alt tip de polarizare permanentă, polarizarea
piezoelectrică.
Pot fi create, sub acţiunea unor radiaţii, sau prin tratament termic în câmp
electric exterior, stări de polarizare cvasipermanentă.
În majoritatea cazurilor, dielectricii prezintă concomitent două sau mai
multe tipuri de polarizare, din cele descrise mai sus.
Tabel 12.4 – Permitivitatea electrică relativă a claselor de materiale izolante

Clase de materiale εr
Materiale gazoase ~1
Materiale nepolare 1÷3
Materiale polare solide 3 ÷ 15
Materiale polare lichide ~ 10
Materiale feroelectrice ~ 102 ÷ 103
12.7.2. Piroelectricitatea
La cristalele ionice se poate observa o polarizare spontană piroelectrică.
Pentru a explica apariţia acesteia, să considerăm o reţea unidimensională ionică, cu
două tipuri de ioni având masele M1 şi M2 şi sarcina electrică q1 = + e, q 2 = – e.
Câmpul electric cristalin local Ec = E0eit determină oscilaţii ale ionilor reţelei,
conform:

M1 u n 1 = (un – un – 1) – (un – 1 – un – 2) + eEc (12.68)

M2 u n = (un+1 – un) – (un – un – 1) + eEc (12.68’)
Cum interesează numai deplasarea relativă faţă de poziţia de echilibru a
ionilor pozitivi, respectiv negativi, relaţiile de mai sus se pot scrie sub forma:
157

M1 u = – (u – v) + eEc (12.69)

M2 v = – 2(v – u) – eEc (12.69’)
unde u şi v sunt deplasările din poziţia de echilibru ale ionilor pozitivi, respectiv
negativi, considerate identice la ioni de acelaşi semn apropiaţi.
Din relaţiile de mai sus, se obţine:
e
u – v = 2 M 2 EC (12.70)
0  
M1  M 2 2
unde M = şi 0 = .
M1  M 2 M
Atunci, polarizarea este:
Ne 2
Ps = eN(u – v) = 2 M 2 EC (12.71)
0  
unde N este numărul celulelor elementare din unitatea de volum (egal cu
concentraţia ionilor pozitivi sau negativi).
Evident, deplasarea relativă a ionilor pozitivi şi negativi este dependentă de
temperatură, de unde rezultă că şi polarizarea spontană, dată de relaţia (12.71) este
dependentă de temperatură. Acesta este efectul piroelectric, care constă în variaţia
polarizării spontane în funcţie de temperatură. Pentru caracterizarea acestui efect,
se defineşte coeficientul piroelectric, dat de relaţia:
dP
C= s (12.72)
dT
Dacă un cristal piroelectric este supus unei variaţii de temperatură, ca
urmare a variaţiei polarizării spontane, apare un curent piroelectric, prin
măsurarea căruia se pot obţine informaţii cu privire la proprietăţile dielectrice ale
cristalului.
Cele mai cunoscute substanţe piroelectrice sunt turmalina, cuarţitul, sulfatul
de litiu.
12.7.3. Piezoelectricitatea
Dacă asupra unui cristal dielectric acţionează o forţă de deformare
(comprimare sau întindere) mecanică, este posibil ca între feţele perpendiculare pe
direcţia deformării să apară o diferenţă de potenţial, cristalul fiind în acest caz un
cristal piezoelectric Sensul tensiunii electrice se schimbă la schimbarea sensului
forţei deformatoare. Fenomenul, cunoscut sub numele de efect piezoelectric, a fost
descoperit în 1880 de fraţii Pierre şi Jacques Curie. El poate fi descris de ecuaţiile:
P = eE – KF (12.73)
x = KE –  F
–1
(12.74)
158
unde P este polarizarea, E intensitatea câmpului electric aplicat, F forţa aplicată, 

constanta elastică (determinată în câmp electric constant), e susceptibilitatea
dielectrică, x deformarea elastică şi K coeficientul piezoelectric.
În cazul substanţelor anizotrope, relaţiile de mai sus se scriu tensorial. Se
constată că efectul este de ordinul I (E este proporţională cu deformarea).
Relaţiile (12.73) şi (12.74) arată şi posibilitatea producerii efectului
piezoelectric invers*, care constă în apariţia unei deformări mecanice la
introducerea cristalului într-un câmp electric exterior şi care este folosit la
producerea ultrasunetelor. Şi efectul piezoelectric direct are aplicaţii importante, în
construcţia dozelor piezoelectrice, a microfoanelor şi difuzoarelor piezoelectrice şi
a cristalelor utilizate la obţinerea unor oscilaţii electromagnetice de frecvenţă foarte
precisă şi stabilă.
Toate substanţele piroelectrice sunt piezoelectrice dar mai sunt şi alte
substanţe care prezintă acest efect. Cele mai cunoscute materiale care prezintă
efectul piezoelectric sunt cuarţul, fosfatul hidrogenat de potasiu (KH2PO4), titanatul
de bariu (BaTiO3), sarea Seignette (Rochelle) (NaKC4H4O64H2O), fosfatul de
potasiu şi hidrogen (KH2PO4), colemanita (CaB3O4[OH]3H2O), sulfatul de amoniu
([NH4]2SO4), fluorberilitul de amoniu ([NH4]2BeF4), sulfatul de metilamoniu şi
aluminiu (NH4Al[SO4]212H2O), -nitratul de potasiu, (KNO3), selenatul de
triglicină, fluoritul de triglicină, sulfatul de triglicină etc. Marea majoritate a
acestora au fost studiate şi analizate abia începând cu deceniul al şaselea al
secolului al XX-lea, multe proprietăţi fiind încă în studiu.
12.7.4. Feroelectricitatea
Există o categorie de solide dielectrice a căror comportare în câmp electric
exterior este foarte asemănătoare cu cea a feromagneticilor în câmp magnetic
exterior (a se vedea capitolul următor). Acesta a şi fost motivul pentru care ele au
fost numite substanţe feroelectrice. Ele sunt substanţe care, sub o anumită
temperatură, numită temperatură Curie feroelectrică, prezintă o polarizare
spontană, care se distruge peste această temperatură. Aceste materiale respectă
peste temperatura Curie o lege de tipul legii Curie-Weiss. Există şi substanţe care
prezintă proprietăţi feroelectrice numai într-un domeniu de temperaturi, având
astfel două temperaturi de tranziţie (de exemplu, sarea Seignette, care este
feroelectrică numai între – 18C şi + 23C).
De asemenea, materialele feromagnetice prezintă şi ele un fenomen de
histerezis, la introducerea într-un câmp electric exterior variabil, ciclul de histerezis
electric producându-se la fel ca producerea ciclului de histerezis magnetic la
materiale feromagnetice. Explicaţia poate fi dată tot pe baza existenţei unei
*
Deşi, în multe lucrări, efectul piezoelectric invers este numit şi efect electrostrictiv, trebuie
subliniat că această denumire este greşită, ea desemnând un alt fenomen, mai general, prezent la
toate materialele şi constând în modificarea dimensiunilor la introducerea în câmp electric. Această
variaţie a dimensiunilor este proporţională cu pătratul intensităţii câmpului electric (şi nu cu puterea
I a câmpului electric, cum se întâmplă la efectul piezoelectric invers) şi este foarte mică.
159
structuri de domenii; în fiecare domeniu, polarizarea are o direcţie unică dar

această direcţie diferă de la un domeniu la altul, astfel încât, pe ansamblu,
materialul nu prezintă o polarizare măsurabilă.
Cristalele feroelectrice sunt, toate, piezoelectrice, dar reciproca nu este
adevărată.
La unele cristale, a fost observată şi o stare antiferoelectrică, care constă
în aranjarea antiparalelă a dipolilor electrici şi care poate fi detectată printr-o
variaţie bruscă a susceptibilităţii dielectrice la temperatura de tranziţie. Cele mai
cunoscute materiale de acest fel sunt WO3, NH4H2PO4, PbZrO3, NaNbO3 etc.
12.7.5. Electreţi
Electreţii sunt substanţe având o polarizare spontană observabilă la scară
macroscopică şi care se menţine un timp îndelungat, de ordinul anilor. Primul
electret a fost obţinut în anul 1925 de către japonezul M. Eguchi (pe baza unei
previziuni a lui O. Heaviside, făcute încă din 1896, prin analogie cu existenţa
magneţilor permanenţi), dintr-un amestec de răşină de palmier, colofoniu şi ceară
de albine.
În anul 1953 s-au obţinut electreţi din polimeri cum sunt metacrilatul de
polimetil (plexiglas), nailon etc., apoi s-au realizat electreţi din naftalină, sulf,
ebonită şi, în anul 1956 au fost obţinuţi primii electreţi din materiale ceramice
anorganice (TiO3, MgTiO3).
Pentru obţinerea electreţilor este necesară, în cele mai multe cazuri,
acţiunea combinată a doi factori externi, dintre care unul este un câmp electric
intens, dar sub valoarea de străpungere a dielectricului.
Dacă al doilea factor este temperatura ridicată, se obţine un termoelectret,
a cărui polarizare creşte cu temperatura la care a fost încălzit materialul. Se
constată că se obţine o saturaţie la o temperatură TP, numită temperatură de
polarizare, şi care este o constantă caracteristică materialului, întotdeauna mai
mică decât temperatura de topire a sa.
Dacă intensitatea câmpului electric extern depăşeşte o anumită valoare (~
106 V/m), polarizarea electretului are loc în acelaşi sens cu sensul câmpului extern,
în caz contrar polarizarea fiind în sens invers.
Cele mai cunoscute substanţe care pot deveni termoelectreţi sunt unele
materiale ceramice, răşinile (inclusiv cele sintetice), unele materiale plastice
(plexiglas), titanaţii (de bariu, de zinc, de magneziu) etc.
Dacă al doilea factor este radiaţia vizibilă sau din alte domenii spectrale, se
obţine un fotoelectret, substanţa cea mai cunoscută din această categorie fiind
sulful.
Unele substanţe pot deveni magnetoelectreţi, sub acţiunea combinată a
unui câmp magnetic şi a unei temperaturi ridicate. Altele (feroelectrice) pot deveni
electroelectreţi sub acţiunea doar a unui câmp electric intens, iar altele pot deveni
triboelectreţi, prin frecare (de exemplu, plexiglasul). Se pot obţine electreţi şi sub
acţiunea radiaţiilor nucleare.
160
În prezent fenomenul este studiat intens, pe de o parte pentru că

mecanismele de polarizare nu sunt pe deplin elucidate şi, pe de altă parte, pentru
aplicaţiile electreţilor. Astfel, aceştia sunt utilizaţi la construirea unor instrumente
de măsură, asemănătoare celor magnetoelectrice (voltmetre, electrometre),
generatoare şi motoare de curent continuu sau alternativ, traductoare (microfoane,
barometre, dozimetre etc.), filtre de purificare a unor gaze, lentile electrostatice,
relee de comutaţie, memorii etc.
12.8. Proprietăţi electrice ale materialelor
12.8.1. Proprietăţi electrice ale dielectricilor
Structura benzilor de energie a materialelor electroizolante, reprezentată în
fig.12.2, este caracterizată de o lărgime benzii interzise de valori mari, peste 3 eV.
Din această cauză, în condiţii obişnuite de temperatură şi câmp electric, foarte
puţini electroni pot efectua tranziţia din banda de valenţă în banda de conducţie şi,
deci, curentul electric determinat de aceştia este foarte slab.
Dacă cristalul izolator conţine impurităţi ce formează niveluri discrete
(acceptoare, donoare) în banda interzisă, se produce şi o conducţie prin electroni şi
goluri ca la semiconductorii extrinseci. Într-un dielectric bun, impurităţile au însă o
concentraţie extrem de mică şi, deci, conducţia electrică corespunzătoare este, de
asemenea, nesemnificativă.
În câmpurile electrice obişnuite, conducţia electrică la izolatori se realizează
mai ales prin deplasarea ionilor proprii (pentru cristale ionice) sau de impuritate. Se
deosebesc deci, în materialele dielectrice, două tipuri de conducţie electrică:
conducţia prin ioni, sau ionică şi conducţia prin electroni, sau electronică. În
câmpurile electrice uzuale, când E < 105 ÷ 106 V/m, conducţia electronică este
foarte slabă şi predomină conducţia prin ioni. Cristalele suficient de pure cu alt tip
de legătură decât cea ionică au conductivitatea electrică extrem de mică în câmpuri
electrice obişnuite, deoarece ea se realizează, practic, numai prin electroni. În acest
domeniu de valori ale intensităţii câmpului electric, conductivitatea, ca şi la
conductori, nu depinde practic de E (domeniul ohmic).
În câmpurile electrice intense, pentru care 105 ÷ 106 V/m < E < 108 V/m,
conductivitatea electronică creşte rapid cu E, tinzând către infinit în momentul
străpungerii materialului, la valori ale câmpului de ordinul 108 V/m. În acest
domeniu de valori ale intensităţii câmpului electric, numit domeniu Pool,
conductivitatea electronică depinde sensibil de E.
Conductivitatea ionică nu depinde practic de intensitatea câmpului electric
în nici un domeniu.
Conducţia electrică în lichide este realizată prin convecţia ionilor pozitivi
sau/şi negativi care provin fie de la impurităţi, ale căror molecule se disociază la
pătrunderea în lichid, fie de la moleculele proprii, dacă lichidul are molecule
polare. Impurităţile pot fi solubile sau insolubile în materialul lichid; dacă sunt
solubile, o parte din ele se disociază şi din acest proces rezultă purtători de sarcină
electrică mobili. Conductivitatea electrică a unui lichid izolator are aceeaşi formă
161
ca aceea a unui dielectric solid cristalin. Ea creşte exponenţial cu temperatura şi

proporţional cu concentraţia ionilor proprii sau de impuritate. În lichidele nepolare
(cu molecule nepolare) conductivitatea corespunde numai curentului de drift al
ionilor de impuritate şi are valori foarte mici, astfel că dielectricii lichizi nepolari
puri au bune calităţi izolante. Uleiul de transformator, de exemplu, care este
nepolar, pur are o rezistivitate foarte mare, aşa cum se poate vedea în tabelul 12.4.
Solidele amorfe au comportări asemănătoare cu cele ale lichidelor, ele putând fi
considerate ca lichide suprarăcite.
Conducţia electrică a gazelor se datorează deplasării purtătorilor de sarcină
electrică obţinuţi ca urmare a ionizării (prin ciocniri, iradiere cu radiaţii ionizante
etc.) a moleculelor gazului, care, în mod obişnuit sunt neutre. Purtătorii de sarcină
pot fi şi electronii emişi de electrozi metalici. Electronii, la rândul lor, se pot asocia
cu moleculele, formând ioni negativi moleculari. O parte dintre purtătorii pozitivi
se recombină cu cei negativi. Acest proces, împreună cu procesul de formare a
curentului de drift, conduce la scăderea concentraţiei purtătorilor de sarcină. Când
se atinge echilibrul dinamic, în regim staţionar, numărul purtătorilor generaţi prin
ionizări într-o regiune din spaţiu este egal cu al acelora care se recombină sau sunt
antrenaţi în curentul electric din acea regiune.
În câmpuri electrice slabe şi la temperaturi nu prea mari, ciocnirile dintre
particule sunt rare, astfel încât cauza apariţiei purtătorilor de sarcină este, în
principal, existenţa unor agenţi de ionizare externi; încetarea acţiunii acestora
conduce la recombinarea purtătorilor de sarcină şi, deci, la dispariţia curentului
electric.
În câmpuri electrice intense, purtătorii de sarcină sunt puternic antrenaţi în
curentul electric şi recombinarea lor este neglijabilă. Ca urmare, se atinge o valoare
de saturaţie, practic independentă de intensitatea câmpului electric, a densităţii de
curent, când practic toţi purtătorii de sarcină electrică liberi sunt antrenaţi în
curentul electric.
În câmpuri electrice foarte intense, purtătorii de sarcină capătă prin
accelerare energii suficient de mari pentru ca, prin ciocniri, să ionizeze moleculele
gazului şi să determine formarea în avalanşă a unor noi purtători de sarcină
electrică liberi, ceea ce duce la apariţia unei descărcări electrice prin gaz. Procesul
de ionizare prin ciocniri este, în acest caz, mult mai important decât cel determinat
de agenţii exteriori, care poate fi neglijat; descărcarea electrică prin gaz este
autonomă (neîntreţinută), deoarece se produce fără aport de energie din exterior.
Apariţia descărcării în avalanşă conduce la o creştere rapidă a densităţii de curent,
dependentă de intensitatea câmpului electric.
In continuare sunt prezentate principalele proprietăţi şi mărimi fizice
caracteristice materialelor electronice şi electrotehnice.
 conductivitatea electrică, σ constituie factorul principal în caracterizarea
anumitor clase de materiale electronice şi electrotehnice; ea este strâns legată de
structura, puritatea şi condiţiile de utilizare a materialelor.
 rezistivitatea electrică,  = 1/ este mărimea inversă conductivităţii şi poate fi
utilizată în locul acesteia.
162
Rezistivitatea dielectricilor este o caracteristică importantă a acestora, care

este dependentă de numeroşi factori, dintre care cei mai importanţi sunt structura,
conţinutul de impurităţi, temperatura, umiditatea, câmpul electric aplicat din
exterior.
În dielectricii cu structură ionică, conducţia se realizează prin deplasarea
ionilor care se separă în reţea, datorită agitaţiei termice; mobilitatea acestora
depinde de dimensiunea razelor ionice, de numărul vecinilor de ordinul I, de modul
de legare a ionilor în reţea, de valenţa ionilor (conducţia este mai intensă în cazul
cristalelor cu ioni monovalenţi) şi de simetria cristalului (rezistivitatea
dielectricului poate prezenta o anizotropie). În dielectricii cu structură moleculară
(polietilenă, parafină etc.), rezistivitatea electrică este foarte mare, ea fiind
determinată doar de conţinutul de impurităţi. Şi corpurile amorfe prezintă o
rezistivitate electrică foarte mare, determinată de compoziţia chimică, conţinutul de
impurităţi, gradul de polimerizare, gradul de vulcanizare etc.
Impurităţile determină conductivitatea dielectricului conform relaţiei:
n
 b 
   0i exp   i  (12.75)
i 1  T
unde constantele σ0i şi bi sunt caracteristice diferitelor tipuri de purtători de sarcină.
La creşterea temperaturii, se intensifică mişcarea de agitaţie termică a
ionilor din reţeaua cristalină şi un număr mai mare dintre ei au o energie suficientă
pentru a deveni liberi, crescând astfel concentraţia purtătorilor de sarcină electrică,
ceea ce duce la scăderea rezistivităţii dielectricului.
Umiditatea determină apariţia unor noi specii de purtători de sarcină (ioni
rezultaţi prin disocierea impurităţilor conţinute în apă sau a impurităţilor solubile
conţinute în materiale, ioni de hidrogen şi oxigen rezultaţi din disocierea apei,
grupe de molecule de apă electrizate etc.), ceea ce duce la scăderea rezistivităţii de
volum a materialului (mai ales dacă acesta are o structură poroasă), chiar cu câteva
ordine de mărime.
Influenţa câmpului electric asupra rezistivităţii are loc prin procesul de
formare de sarcini electrice spaţiale în dielectrici, prin favorizarea proceselor de
emisie a electrozilor şi de pătrundere a umidităţii, prin reducerea barierei de
potenţial corespunzător contactului metal-izolator etc. Aceste fenomene devin
foarte importante în cazul câmpurilor electrice intense (E > 105 ÷ 108 V/m), când
devine preponderentă conducţia electronică.
 rezistivitatea superficială, ρs se defineşte convenţional, pentru materialele
solide, ca fiind numeric egală cu rezistenţa, măsurată în curent continuu, a unui
dreptunghi delimitat la suprafaţa materialului prin doi electrozi paraleli, în
formă de cuţit; dacă ℓ reprezintă lungimea electrozilor şi d distanţa între ei,
rezistenţa peliculei de pe suprafaţa materialului prin care trece curentul I este:
d
Rs = s , din care, pentru d = ℓ, se obţine s = Rs; valoarea rezistivităţii
superficiale depinde de compoziţia chimică şi structura materialului, de
conţinutul de impurităţi solubile din material, de starea de prelucrare a
163
suprafeţei, de temperatură, de puritatea, umiditatea şi presiunea mediului

ambiant etc.
 permitivitatea electrică relativă, εr caracterizează starea de polarizare
electrică a corpurilor şi se determină valoric cu relaţia εr = Cd/C0, unde Cd
reprezintă capacitatea condensatorului (de obicei plan) care are ca dielectric
materialul studiat, iar C0 capacitatea aceluiaşi condensator având ca dielectric
aerul; are valori cuprinse între 1 (pentru gaze) şi 103 (pentru materiale
feroelectrice).
Permitivitatea electrică depinde de parametrii tensiunii aplicate, de
solicitările mecanice ale corpului, de starea de umiditate, de temperatură, de
presiune, de umiditate etc.
 rigiditatea dielectrică, Estr reprezintă valoarea minimă a intensităţii câmpului
electric pentru care materialul se străpunge; se calculează ca raport dintre
tensiunea Ustr, la care are loc străpungerea corpului (în câmp uniform) şi
distanţa d dintre electrozii între care se află corpul: Estr = Ustr/d.
Străpungerea unui dielectric este în general un fenomen nedorit, care face
materialul inapt pentru o folosire ulterioară. Rigiditatea dielectrică determinată
experimental se numeşte rigiditate dielectrică practică şi depinde de
caracteristicile experimentale.
Tabel 12.4 – Proprietăţi electrice ale unor materiale

Material  (m) (Ur = 0%) r Estr (MV/m)
Parafină tehnică 10 
14
1,9 ÷ 2,2
Polietilenă, polistiren, 10 ÷ 10
15 16
2,5 ÷ 2,8 90 ÷ 120
Plexiglas 1013 3,4 90 ÷ 120
Hârtie 10 ÷ 10
14 15
7
Mică 1014 ÷ 1015 7,5 100
Sticlă 10 ÷ 10
10 13
4 ÷ 14 100 ÷ 300
Ulei de transformator 10 16
2,2 20 ÷ 30
Ulei siliconic 1012 5 15 ÷ 20
Apă 10 5
81
Aer 1016 1 3,2
Cupru electrolitic –8
17210
Nichelină 3610–8
Constantan 5010–8
Aluminiu 2,7510–8
Fier 10–7
Platină 10–7
Wolfram 5,510–8
Câmpul de străpungere depinde de starea de agregare a materialului

dielectric, temperatură, grosimea probei, gradul de puritate şi omogenitate, forma
electrozilor, natura şi caracteristicile mediului înconjurător etc. Restabilirea
164
proprietăţilor materialului după străpungeri accidentale poate fi parţială, în cazul

lichidelor, sau totală, în cazul gazelor. În cazul solidelor, de obicei se creează
canale de străpungere în material care nu mai permit restabilirea proprietăţilor
dielectrice.
Străpungerea gazelor are loc prin generarea în avalanşă a unor purtători de
sarcină (electroni, ioni), care se deplasează de la un electrod spre celălalt. Iniţierea
avalanşei este determinată de un număr redus de electroni, existenţi în gaze, sau
emişi de catod care, acceleraţi în câmpul electric exterior, acumulează o energie
suficient de mare pentru a ioniza o moleculă a gazului şi a genera încă un electron.
Cei doi electroni vor ioniza în continuare alte două molecule (după acumularea
energiei necesare) şi aşa mai departe. Rigiditatea dielectrică a gazelor creşte cu
creşterea distanţei dintre electrozi, cu creşterea presiunii şi cu scăderea
temperaturii.
Tensiunea de străpungere a aerului este dată de relaţia:
pU 0
U str  2,89 103 (12.76)
T
unde p şi T reprezintă presiunea (N/m2), respectiv temperatura aerului (K), iar U0
tensiunea de străpungere (V), determinată în condiţii normale (p0 = 105 N/m2, T0 =
293 K).
În cazul aplicării unor impulsuri de tensiune, străpungerea se produce la
tensiuni mult mai ridicate decât în cazul aplicării unei tensiunii continue.
În stare foarte pură, dielectricii lichizi au rigiditate dielectrică considerabilă,
putând atinge 100 MV/m. Mecanismul ionizării prin ciocnire se produce şi în acest
caz, dar drumul liber mediu este mult mai mic. Dielectricii lichizi de puritate
tehnologică (conţinând diverse particule mecanice, apă, bule de gaze etc.) au o
rigiditate mai mică, de regulă nedepăşind 20 25 MV/m.
Rigiditatea dielectrică a dielectricilor lichizi este influenţată de impurităţi,
temperatură, presiune (creşte cu creşterea presiunii), natura electrozilor, starea de
prelucrare şi puritatea suprafeţelor acestora, distanţa dintre electrozi, frecvenţa şi
forma de variaţie a tensiunii de străpungere.
Există un mare număr de mecanisme de străpungere a dielectricilor solizi.
În cazul dielectricilor neomogeni din punct de vedere macroscopic, străpungerile
prin ionizare în incluziunile gazoase constituie mecanismul dominant. Străpungerea
în incluziunile gazoase favorizează străpungerea dielectricului solid în continuare,
dar mecanismul poate fi diferit de la un material la altul. În cazul dielectricilor
solizi anorganici străpungerea în incluziunile gazoase conduce la creşteri locale de
temperatură care facilitează străpungerea termică sau fisurarea materialului.
Străpungerile din incluziunile gazoase în dielectricii solizi organici favorizează în
general străpungerea ulterioară a solidului prin următoarele mecanisme:
bombardament cu electroni şi ioni rezultaţi din ionizarea gazului, temperaturi
ridicate local, acţiunea chimică mai îndelungată a unor produse ca oxizii de azot,
ozonul, care produc oxidări.
Străpungerea termică are loc astfel: curentul de conducţie (datorat unor
sarcini electrice libere), ca şi fenomenele de relaxare în dielectrici (în curent
165
alternativ) încălzesc materialul, căldura generată local fiind mai mare decât cea
disipată prin conducţie termică; prin creşterea temperaturii dielectricului, are loc o
creştere a ratei de generare termică a sarcinilor libere; se produce astfel o topire
parţială, locală a dielectricului, însoţită şi de o descompunere chimică parţială. De
regulă apar crăpături neregulate largi, spre deosebire de străpungerea intrinsecă şi
în avalanşă ce provoacă apariţia de canale fine (de ordinul a 10 ). Străpungerea
termică are o durată de declanşare de ordinul secundelor, minutelor, mergând până
la câteva ore.
Străpungerea electrochimică este legată de existenţa unui curent ionic în
dielectricul supus un timp îndelungat unui câmp electric continuu. Procesul este de
lungă durată, de sute şi mii de ore, fiind favorizat de temperaturile ridicate, care
măresc conducţia şi accelerează reacţiile chimice distructive.
Străpungerea intrinsecă are loc în intervale de timp foarte scurte, de ordinul
zecilor de nanosecunde şi este legată de existenţa electronilor liberi proveniţi de pe
nivelurile donoare ale impurităţilor, polarizarea interfacială în materialele
policristaline, dislocaţii, tunelarea bandă-bandă etc. Acest fenomen este
caracteristic unor sticle, polimeri solizi, mică electrotehnică etc. şi are loc de regulă
sub temperatura camerei, mergând în unele cazuri până la 100 - 150C. Acest tip de
străpungere nu depinde de forma sau durata pulsului electric, ci numai de
intensitatea lui. De asemenea, nu depinde de natura şi geometria electrozilor sau de
forma şi dimensiunea probelor. Toate aceste caracteristici ale străpungerii susţin
natura electronică a fenomenului, motiv pentru care fenomenul este denumit uneori
şi străpungere electronică.
Rigiditatea dielectricilor solizi depinde de:
 structura fizică şi compoziţia chimică a dielectricului; astfel, corpurile cu
structură compactă (mica, sticla) au rigiditatea dielectrică mult mai mare
decât cele cu structură poroasă (hârtie, azbest), la care străpungerea are loc
atât în materialul propriu-zis cât şi în aerul conţinut în porii materialului.
 geometria şi natura electrozilor; dacă electrozii au muchii ascuţite, în aceste
zone câmpul electric este foarte intens şi favorizează apariţia şi dezvoltarea
procesului de străpungere la o valoare mai mică a tensiunii aplicate;
creşterea ariei suprafeţelor electrozilor determină o reducere a rigidităţii
dielectrice, întrucât creşte numărul de defecte din materialul de încercat şi
deci şi probabilitatea de iniţiere a unui proces de străpungere a materialului;
de asemenea, rigiditatea dielectrică depinde şi de natura electrozilor,
deoarece valorile lucrului mecanic de extracţie a electronilor diferă de la un
metal la altul.
 geometria dielectricului; tensiunea de străpungere depinde direct
proporţional de grosimea materialului dielectric
 mediul ambiant
 temperatură
 forma şi durata de aplicare a tensiunii de străpungere şi frecvenţa acesteia
 factorul de pierderi, tg  caracterizează pierderile totale de energie în
dielectrici, datorită polarizării, conducţiei şi descărcărilor electrice; unghiul de
166
pierderi dielectrice,  reprezintă complementul unghiului de defazare dintre

tensiunea u aplicată şi curentul total, i care străbate dielectricul aflat între
armăturile unui condensator.
Factorul de pierderi depinde de frecvenţa tensiunii, de temperatură şi de
umiditate.
Sub acţiunea prelungită a influenţelor exteriore de diferite naturi (mecanice,
electrice, termice, radiaţii etc.), în materialele dielectrice au loc procese fizico-
chimice ireversibile, care duc la o degradare continuă a proprietăţilor lor, astfel
încât, după un anumit timp, ele nu mai îndeplinesc condiţiile pentru care au fost
alese.
Procesele care intervin în degradarea dielectricilor sunt variate şi
numeroase. Astfel, toate materialele izolante suferă un proces lent de oxidare, în
urma căruia apare un efect de reticulare, ceea ce duce la scăderea elasticităţii şi
plasticităţii lor. Au loc, de asemenea, reacţii de depolimerizare care contribuie la
scăderea rezistenţei mecanice a materialelor, la apariţia unor cavităţi în care se
dezvoltă descărcări electrice etc. La degradarea dielectricilor mai contribuie şi
procesele de hidroliză, incompatibilitatea chimică între constituenţi, prezenţa
solvenţilor (incomplet evacuaţi) etc.
Îmbătrânirea materialelor izolante, adică înrăutăţirea proprietăţilor fizico-
chimice este direct legată de viteza de desfăşurare a acestor reacţii chimice. Se
poate defini o durată de viaţă D a dielectricului (referitoare la o anumită
proprietate) ca fiind intervalul de timp de la începerea procesului de degradare
până când acesta a ajuns la stadiul considerat.
12.8.2. Tipuri de materiale dielectrice; aplicaţii

Materialele electroizolante sunt în număr foarte mare şi, ca urmare a
dezvoltării rapide a producţiei unor materiale cu proprietăţi şi utilizări tot mai
diverse, o clasificare exhaustivă este extrem de dificilă. Se pot face diferite
clasificări, utilizând diferite criterii.
O primă clasificare este cea în funcţie de starea de agregare, aşa cum se
poate vedea în continuarea acestui paragraf. O altă clasificare se poate face în
funcţie de stabilitatea termică, în şapte clase de izolaţie. Ea ţine seama doar de
comportarea materialelor la acţiunea temperaturii:
 Clasa de izolaţie Y 90C
Cuprinde materiale textile (bumbac, mătase naturală, fibre de celuloză, acetat de
celuloză şi poliamidice), hârtii şi cartoane electroizolante, lemn, polietilenă,
polistiren, poliacrilaţi, policlorură de vinil, cauciuc natural vulcanizat etc.
 Clasa de izolaţie A 105C
Cuprinde materiale textile, ţesături şi tuburi (bumbac, mătase naturală, celuloză,
poliamide) lemn, hârtii, cartoane, emailuri şi răşini poliamidice, folii de triacetat de
celuloză, poliamidice şi materiale combinate de tipul carton-folie, cauciucuri pe
bază de butadienă cu acrilnitruri şi pe bază de clorbutadienă, azbociment impregnat
cu substanţe organice.
 Clasa de izolaţie E 120C
167
Cuprinde pelicule de email sau lacuri polivinil acetalice, poliuretanice sau

epoxidice, răşini epoxidice, poliesterice şi poliuretanice, folii şi fibre de tereftalat
de polietilenă, compounduri termorigide pe bază de esteri acrilici cu umplutură
anorganică, ţesături din tereftalat de polietilenă.
 Clasa de izolaţie B 130C
Cuprinde materiale pe bază de mică sau hârtie sau ţesături organice, fibre şi ţesături
de sticlă şi azbest impregnate, mase plastice de formare cu umplutură anorganică şi
materiale stratificate pe bază de sticlă şi azbest, pelicule izolante de email sau lacuri
tereftalice, compounduri pe bază de răşini sintetice termoreactive.
 Clasa de izolaţie F 155C
Cuprinde materiale pe bază de mică sau hârtie, fibre de sticlă sau azbest, ţesături şi
tuburi flexibile din sticlă impregnată, răşini alchidice, epoxidice, poliesterice, răşini
siliconice modificate.
 Clasa de izolaţie H 180C
Cuprinde materiale pe bază de mică, fire şi ţesături de azbest şi sticlă impregnate,
mase plastice de formare cu umplutură anorganică, elastomeri siliconici, răşini şi
lacuri siliconice
 Clasa de izolaţie C > 180C
Mică, sticlă, produse din fibre de sticlă, ceramici, cuarţ, ardezie, micalex,
politetrafluoretilenă, compuşi anorganici şi răşini siliconice cu stabilitate termică
peste 225C.
O altă clasificare se poate face după compoziţia chimică, în materiale
organice, intermediare (cu proprietăţi între cele ale materialelor organice şi cele
anorganice) şi anorganice.
Materialele electroizolante se mai pot clasifica în funcţie de componenta
principală a materialului finit (mică, răşini sintetice, lac etc.), de domeniul de
utilizare (izolaţie de crestătură, între straturi, materiale de impregnare, de acoperire
etc.), după comportarea la solicitări termice (termoplastice şi termorigide) etc.
1. Materiale dielectrice gazoase
În general, gazele sunt materiale izolatoare. Tabelul 12.5 prezintă
permitivitatea electrică relativă a unor gaze.
Tabel 12.5 – Permitivitatea electrică relativă a unor gaze

Gaz Permitivitate relativă r la 293 K şi 1 atm
Heliu 1,000072
Hidrogen 1,00027
Oxigen 1,00055
Argon 1,00056
Azot 1,00060
Dioxid de carbon 1,00098
Etilenă 1,00138
168
Ca izolant. sau impuritate, aerul se află în toate schemele de izolaţie ale

instalaţiilor electrice. Proprietăţile sale dielectrice sunt satisfăcătoare pentru
câmpuri electrice mai puţin intense. Rigiditatea dielectrică a aerului e depinde de
umiditate, temperatură şi presiunea la care se află şi ia valori foarte mari în cazul
presiunilor înalte sau foarte reduse. Această caracteristică determină utilizarea
aerului în construcţia condensatoarelor, a întrerupătoarelor de înaltă tensiune (cu
vid sau cu aer comprimat) etc.
2. Materiale dielectrice lichide
Materialele dielectrice lichide se împart în două categorii: lichide
electroizolante naturale (uleiul mineral, uleiul de ricin etc.) şi lichide
electroizolante sintetice (clorurate, fluorurate, sau siliconice).
Uleiul mineral este un amestec de hidrocarburi naftenice (> 60%, foarte
stabile şi cu un punct de congelare scăzut), aromatice (<30%, care conţin un număr
mare de atomi de carbon ce se eliberează sub acţiunea arcului electric, reducând
proprietăţile uleiului) şi parafinice (<30%, cu punct de congelare ridicat,
determinând o creştere a viscozităţii), proprietăţile sale depinzând de compoziţia
chimică, cât şi de condiţiile de exploatare.
După distilarea fracţiunilor mai uşoare (benzine, petrol) din reziduurile
rămase (păcura) se separă fracţiuni uleioase, urmând o rafinare prin tratare cu acid
sulfuric. Din primele astfel de fracţiuni se obţine uleiul de condensator cu
viscozitate mică, pierderi mici (tg  ~ 10–4 ÷ 10–3) şi rezistivitate ridicată (~ 1011
m). Acest ulei este folosit în construcţia condensatoarelor de capacităţi mari, la
impregnarea hârtiei, în amestec cu 10% colofoniu.
Prin distilarea în continuare a reziduurilor se obţine uleiul de transformator
cu un conţinut mai mare de impurităţi şi apă, pierderi mai mari, rigiditate
dielectrică mai scăzută. Fiind nepolar, are permitivitatea relativă redusă (2,1 ÷ 2,4)
şi slab variabilă cu temperatura şi frecvenţa (este practic independentă de frecvenţă
la valorile uzuale în electrotehnică). Acest ulei este utilizat ca lichid electroizolant
şi mediu de răcire în transformatoarele de mare putere şi mediu de stingere a
arcului electric la întrerupătoarele de înaltă tensiune. Utilizarea lui este limitată la
temperaturi ridicate de temperatura de aprindere de aproximativ 133°C, iar la
temperaturi scăzute de creşterea viscozităţii.
Uleiurile sintetice tind să înlocuiască uleiurile minerale care, deşi au
proprietăţi dielectrice foarte bune, prezintă deficienţe importante în exploatare:
inflamabilitate şi pericol de explozie, tendinţă de oxidare, îmbătrânire rapidă etc.
După natura chimică, uleiurile sintetice se grupează în uleiuri clorurate, fluorurate
şi siliconice.
Dielectricii lichizi sintetici conferă deplină securitate împotriva incendiilor şi
permit funcţionarea dispozitivelor în limite largi de temperatură. Sunt în schimb
mai costisitoare decât uleiurile minerale. Hidrocarburile aromatice clorurate sunt
cele mai utilizate, fiind neinflamabile şi având o mare stabilitate chimică.
Hidrocarburile fluorurate (esteri sau derivaţi vinilici fluoruraţi) au proprietăţi
dielectrice mai bune, nu ard şi nu prezintă pericol de explozie, nu produc gaze
toxice şi nu atacă izolaţiile cu care vin în contact, dar sunt mai costisitoare.
169
Uleiurile siliconice sunt materiale nepolare (dimetilxiloxani) cu temperaturi

de aprindere ridicate (400ºC), permitivitatea 2,5 ÷ 3 şi factorul de pierderi sub 10–3.
Se utilizează în construcţia unor transformatoare speciale şi la ungerea matriţelor
pentru turnarea răşinilor sintetice sau a mecanismelor confecţionate din mase
plastice.
3. Materiale dielectrice solide organice
Printre primele materiale solide organice utilizate ca izolatori electrici, au
fost materialele din categoria substanţelor ceroase şi cea a bitumurilor şi
asfalturilor.
Cerurile sunt materiale amorfe cu proprietăţi dielectrice bune,
higroscopicitate mică, dar cu rezistentă mecanică, temperatură de topire şi
conductivitate termică reduse (tabelul 9.19). Au contracţie la răcire mare şi sunt
solubile în uleiuri minerale şi clorurate. Cerurile naturale sunt puţin folosite
în prezent, datorită proprietăţilor lor mecanice şi termice slabe, mai des utilizate
fiind substanţele ceroase, atât cele nepolare (parafina, cerezina), cu proprietăţi
dielectrice foarte bune, cât şi cele polare (uleiul de ricin hidrogenat, naftalina
clorurată), cu caracteristici dielectrice mai slabe şi dependente de temperatură.
Se utilizează la fabricarea maselor de impregnare pentru conductoare şi
condensatoare, a maselor de umplere a manşoanelor cablurilor şi cutiilor
terminale etc.
Bitumurile sunt amestecuri amorfe de hidrocarburi, care conţin în cantităţi
reduse oxigen şi sulf. Cele sintetice se obţin prin distilarea produselor
petroliere, iar cele naturale, asfalturile, însoţesc zăcămintele de petrol.
Bitumurile au contracţie mare la răcire, sunt fragile la temperatura camerei,
insolubile în apă şi alcooli şi solubile în hidrocarburi aromatice, uleiuri şi
benzină. Temperatura de înmuiere variază între 50 şi 150°C şi creşte cu conţinutul
de sulf. Se utilizează la fabricarea lacurilor de impregnare, a compoundurilor, ca
mase de umplere etc.
Tabel 12.6 – Proprietăţi ale unor materiale dielectrice ceroase şi bituminoase

Material Densitate Temperatură Rezistivitate Permiti- Factor Rigiditate Natura
(kg/m3) de topire de volum vitate de dielectrică moleculei
(C) (m) relativă, r pierderi Estr
tg  [MV/m]
Parafină 890 – 920 55 1012 – 1015 2,3 10–4 – 10 – 25 nepolară
10–3
Cerezină 900 – 950 50 – 60 1011 2,2 10–3 10 – 15 nepolară
Ulei de 980 80 – 90 1011 – 1013 10 – 30 0,1 25 – 40 polară
ricin
hidrogenat
Bitum 1000 - 170 – 200 1012 2,4 – 3,3 10–3 – 10 – 40 polară
1100 10–2
Cele mai importante materiale dielectrice solide organice sunt însă solidele
macromoleculare (polimeri liniari cu monomer cu două legături de valenţă, sau
spaţiali cu monomer cu mai mult de două legături de valenţă). Pot fi naturali
170
(celuloză, cauciuc, colofoniu, răşini fosile), obţinuţi prin prelucrarea industrială a

unora naturali (esteri ai celulozei), sau sintetici.
Polimerii liniari sunt materiale termoplastice cu lanţuri foarte lungi, un grup
reprezentativ al acestora, foarte utilizaţi în electrotehnică si electronică, fiind
compuşii vinilici. Ei sunt polimeri formaţi din compuşi asemănători etilenei
(C2H4), cu formula generică C2H3R, unde radicalul R poate fi clorul, rezultând
policlorura de vinil, gruparea CH3, rezultând propilena, gruparea acetat –
CH3COO, rezultând poliacetatul de vinil, gruparea benzen – C6H5, rezultând
polivinilbenzenul (polistirenul), gruparea CN, rezultând poliacrilonitrilul etc.
Polimerii spaţiali sunt materiale sintetice termorigide, cu structură spaţială
distribuită în toate direcţiile.
Polietilena (PE) este obţinută prin polimerizarea etilenei din stare gazoasă la
presiuni ridicate (1000 ÷ 2000 atm) şi temperaturi de aproximativ 200ºC, rezultând
polietilenă de mică densitate - LDPE, instabilă în timp, uşor oxidabilă, care se
întăreşte şi devine casantă, sau la temperatură şi presiune mult mai scăzute (~ 1
atm), dar în prezenţa unui catalizator, rezultând polietilenă de densitate ridicată -
HDPE, cu proprietăţi mecanice mai bune şi temperatura de înmuiere mai ridicată.
Gradul de cristalinitate este de aproximativ 60% pentru LDPE, ajungând până la
90%, pentru HDPE.
Polietilena este inertă chimic, având o bună stabilitate la acizi şi baze, dar
este atacată de solvenţi organici. Este practic nehigroscopică şi are proprietăţi
dielectrice foarte bune, practic independente de frecvenţă. Se poate trage în folii de
25 ÷ 30 μm grosime. Se utilizează la izolarea cablurilor de telecomunicaţii în
mediu acvatic şi a conductorilor obişnuiţi, sau pentru izolaţii de înaltă frecvenţă
(radiolocaţie, televiziune); foliile de polietilenă se folosesc la fabricarea
condensatoarelor.
Polipropilena (PP) este un termoplastic neutru, obţinut prin polimerizarea
propilenei în prezenţa unui catalizator, având un grad ridicat de cristalinitate,
proprietăţi mecanice bune şi temperatură de utilizare mai ridicată ca a polietilenei,
de până la 160ºC. Devine casantă la – 10ºC. Este utilizată ca material electroizolant
pe un domeniu larg de frecvenţe (cabluri de radiofrecvenţă)
Polistirenul (PS), cunoscut şi sub numele de stiroflex, este un termoplastic
nepolar, cu proprietăţi dielectrice foarte bune (ρv > 1016 Ωm) şi independente de
frecvenţă. Se utilizează sub formă de benzi, tuburi, fire, lacuri etc., îndeosebi în
înaltă frecvenţă, la fabricarea unor piese electronice (socluri, carcase de bobine
etc.) prin turnare sub presiune, extrudare sau prelucrare mecanică. Sub formă de
pelicule cu grosimea de 10 ÷ 20 μm este utilizat ca dielectric pentru condensatoare
peliculare şi la izolaţia cablurilor de înaltă frecvenţă. Domeniul temperaturilor de
utilizare este între – 50°C şi + 80°C. Piesele confecţionate din polistiren se pot lipi
uşor, materialul fiind solubil în benzen.
Politetrafluoretilena (PTFE), cunoscută şi sub numele de teflon, se obţine
prin polimerizarea tetrafluoretilenei (– CF2 – CF2 –)n în emulsie în apă şi are o
structură asemănătoare cu cea a polietilenei. Energia de formare a legăturii C–F este
mult mai mare decât a legăturii C–H şi conferă polimerului o stabilitate foarte
171
ridicată. Este nepolară, are bune proprietăţi dielectrice şi nu arde. Faza cristalină, de
80 ÷ 90%, conferă proprietăţi mecanice bune până la +250°C. La 327°C trece în
fază amorfă, devenind elastică până la + 415°C, când se descompune punând în
libertate fluorul, gaz toxic şi foarte activ chimic. La temperaturi joase este
utilizabilă până la – 90°C unde îşi pierde elasticitatea datorită prezenţei fazei
amorfe. Teflonul are stabilitate chimică excepţională, ce depăşeşte pe cea a aurului
şi platinei. Este nehigroscopic şi nu este atacat de baze sau acizi.
Se utilizează la fabricarea condensatoarelor peliculare şi izolarea firelor în
cabluri, pentru realizarea unor izolaţii în medii umede sau în atmosfere puternic
corozive, a carcaselor pentru acumulatoare, pentru bobine etc. Este unul dintre
cei mai buni dielectrici la frecvenţe înalte şi ultraînalte. Din PTFE se pot sinteriza
piese în cele mai diverse forme din pulberi presate la temperaturi de 360 ÷ 380°C.
Policlorura de vinil (PVC) este obţinută prin polimerizarea clorurii de vinil
din faza gazoasă, sub forma de PVC tare, fără plastifianţi, sau PVC moale, cu
plastifianţi (esteri ai acidului ftalic, fosforic, citric etc.) fiind un material stabil la
acţiunea acizilor şi bazelor diluate, a benzinei şi alcoolului, dar cu stabilitate
termică redusă. Fiind un material polar, are caracteristici dielectrice mai slabe
decât polietilena sau polistirenul, ele variind foarte mult cu frecvenţa şi
temperatura. La peste 80C proprietăţile mecanice scad, iar sub – 5C PVC-ul
devine fragil. Se utilizează de regulă la frecvenţe joase, industriale. În curent
continuu îmbătrâneşte foarte repede, datorită electrolizei sărurilor din materialele de
adaos, iar la frecvenţe înalte prezintă pierderi dielectrice mari (tg  = 0,015 ÷ 0,3),
acestea crescând rapid cu frecvenţa. Se foloseşte pentru izolarea conductorilor de
conexiune, sau a celor din cablurile de înaltă tensiune (l ÷ 20 kV), ca izolaţie în
manta pentru cablurile ce nu sunt supuse la eforturi mecanice, la confecţionarea
unor piese izolatoare, tuburi de protecţie pentru instalaţiile electrice, pentru
acoperirea unor piese etc.
Polietilentereftalatul, cunoscut şi sub numele de milar, se obţine prin
policondensarea etilenglicolului cu acidul tereftalic (poliester). Are un grad de
cristalinitate de aproximativ 75%, ceea ce îi conferă rezistenţă mecanică şi
temperatură de topire ridicate (260°C). Are permitivitatea şi tangenta unghiului de
pierderi mari. Domeniul de temperaturi de utilizare este între – 60°C şi + 125°C.
Se utilizează sub formă de pelicule pentru condensatoare miniatură (peliculele sunt
foarte subţiri), destinate a lucra condiţii deosebite de umiditate şi temperatură
ridicate.
Polimetacrilatul de metil (polimetilmetacrilat - PMMA), cunoscut şi sub
numele de plexiglas, sau sticlă organică, este cel mai important membru al familiei
poliesterilor acrilici, având bune proprietăţi mecanice şi fiind transparent în
domeniul vizibil.
Fenoplastele, descoperite în 1907 de către Bakeland sunt cunoscute şi sub
numele de bachelite. Se obţin prin policondensarea unui mol de fenol C6H5–OH cu
un mol de formaldehidă CH2–O, în apă la temperatură ridicată şi în prezenţa unui
catalizator bazic (amoniac, hidroxid de sodiu etc.), sau acid (clorhidric, fosforic
etc.). Reacţia decurge în trei etape, importante din punct de vedere al aplicaţiilor
172
practice. Bachelita A, sau rezolul, care apare în primul stadiu al reacţiei (cu
eliminare de apă), se înmoaie la 60-80°C, este solubilă în acetonă şi alcooli şi se
utilizează ca lac de impregnare. Prin încălzire suplimentară, se obţine bachelita B,
sau rezitolul (cu eliminare de apă şi polimerizare), material termoplastic, mai puţin
solubil, utilizat ca masă de formare. În stadiul final, bachelita C, sau rezitul are
structură tipică termorigidă, în care moleculele formează o reţea spaţială de
legături. Bachelita C are rezistenţă mecanică şi nu este solubilă în solvenţi sau
acizi.
Bachelitele sunt răşini polare, higroscopice, cu caracteristici dielectrice
reduse. Nu sunt stabile la descărcări electrice superficiale, formând trasee (canale)
conductoare şi producând gaze inflamabile şi apă. Nu întreţin arderea şi pot fi
utilizate la temperaturi ridicate, până la 150 ÷ 200°C. În industria electrotehnică se
utilizează la temperaturi şi frecvenţe industriale, sub formă de lacuri bachelitice şi
oleobachelitice pentru impregnarea înfăşurărilor sau stratificatelor şi pentru
fabricarea unor piese electroizolante: fişe, prize, carcase pentru diverse aparate.
Tehnologia de fabricare a pieselor este prin presarea pulberii de bachelită în stadiul
A la temperaturi de 110 ÷ 140°C, cu polimerizare la stadiul C în timpul procesului
tehnologic.
Răşinile epoxidice sunt polimeri termorigizi, care au în principiu o structură
liniară, cu o grupare epoxi la fiecare capăt al moleculei. Au un aspect de lichid
viscos, care se solidifică uşor sub acţiunea unor solidificatori, fără eliberarea unor
produse suplimentare. Alegerea solidificatorului influenţează proprietăţile
mecanice şi electrice. Sunt materiale dielectrice polare, cu bune proprietăţi electrice
şi tehnologice. Datorită formării radicalilor –OH în timpul polimerizării răşinile
epoxidice au o bună aderenţă pe corpurile metalice şi nemetalice: sticlă, porţelan
etc. Se utilizează în special ca răşini de turnare, de impregnare, de lipire, sau
emailare, sub formă de compounduri pentru impregnarea şi umplerea diverselor
piese si componente electronice şi electrotehnice: condensatoare, transformatoare,
mufe pentru cabluri, dispozitive semiconductoare. Sunt neinflamabile, stabile
termic şi chimic.
Celuloza este un polimer natural cu n = 1000 ÷ 3500, la care moleculele
liniare formează micele (mănunchiuri) cu grosimi de ordinul 20 ÷ 60 Å, care, la
rândul lor, formează tuburi subţiri (fibrili) cu diametrul de până la 0,5 μm, care se
unesc, formând fibre cu diametre de ~ 50 μm şi lungimi de 10–3 ÷ 10–2 m. Între
fibrili şi, mai ales între fibre, există pori care reprezintă aproximativ 50% din
volumul substanţei. Ţinând cont şi de prezenţa grupărilor hidroxil în moleculă, aşa
se explică higroscopicitatea mare a materialelor celulozice, care înrăutăţeşte
proprietăţile dielectrice ale lor (reduce şi rigiditatea dielectrică).
Se degradează termic la circa 250°C prin ruperea lanţurilor moleculare
(micşorarea gradului de polimerizare). În prezenţa umidităţii, la aproximativ 150°C
se produce hidroliza şi ruperea lanţurilor moleculare. Oxigenul din aer la 60-70°C
oxidează celuloza formând radicali aldehidici sau carboxilici, iar la temperaturi mai
ridicate produce distrugerea completă, cu formarea de CO2 sau CO.
173
Materiale electrotehnice pe bază de celuloză sunt hârtia, cartonul (preşpanul),

firele sau ţesăturile, care sunt materiale relativ ieftine şi uşor prelucrabile, dar cu
proprietăţi variabile în timp şi higroscopice. Hârtia de cablu are densitate mică
(putând fi impregnată), rezistenţă la tracţiune şi sfâşiere mare, factor de pierderi
redus şi rigiditate dielectrică mare. Se utilizează la izolarea cablurilor de transport
electric, a straturilor de conductoare de bobinaj etc. Hârtia de condensator,
impregnată este omogenă, densă, subţire, cu bune proprietăţi dielectrice, fiind
utilizată la fabricarea condensatoarelor. Cartonul electrotehnic, sau preşpanul este
obţinut prin presarea în stare umedă a straturilor de hârtie foarte fină. Este rezistent
la acţiunea uleiului, cu bună rezistenţă mecanică, fiind utilizat la izolarea straturilor
de bobinaj la transformatoare, sau ca izolaţie de crestătură în construcţia motoarelor
electrice. Firele şi ţesăturile din bumbac sau mătase (naturală sau artificială) se
folosesc pentru izolarea conductoarelor, a bobinelor pentru maşini, a aparatelor
electrice etc.
Cauciucurile sunt materiale cu elasticitate mare care, sub acţiunea unor forţe
mecanice exterioare se deformează, dar îşi recapătă dimensiunile iniţiale odată cu
anularea acestor solicitări. In stare tensionată ele prezintă tendinţă de cristalizare.
Cauciucul natural (produs de arborele de cauciuc), polimer natural al
izoprenului, cu grad de polimerizare cuprins între 2000 şi 4000, este un lichid
viscos în stare naturală, care, vulcanizat cu sulf la numai câteva procente (4% în
greutate), formează cauciucul elastic, prin stabilirea unor punţi care leagă lanţurile
de polimeri, permiţându-le însă să-şi schimbe configuraţiile întâmplătoare (să se
întindă). Creşterea procentului de sulf (la 45%) conduce la formarea unei reţele
spaţiale rigide, ebonita. Materialul este atacat de oxigen şi ozon. Are proprietăţi
dielectrice foarte bune, dar caracteristici termice şi mecanice reduse. Introducerea
sulfului, a negrului de fum şi a antioxidanţilor (fenoli, amine, fosfaţi aromatici etc.)
îmbunătăţeşte proprietăţile mecanice şi termice (devine elastic şi scade tendinţa de
cristalizare), dar, în acelaşi timp, scade proprietăţile dielectrice (scade ε, creşte tg δ,
scad rigiditatea şi rezistivitatea volumică). Cauciucul se utilizează la izolarea
conductorilor electrici flexibili şi a cablurilor pentru instalaţii interioare, la tensiuni
mici şi în medii care nu conţin ulei mineral sau solvenţi halogenaţi.
Cauciucurile sintetice au în general proprietăţi dielectrice mai slabe dar
proprietăţi mecanice şi termice superioare şi, în plus, sunt rezistente la solvenţi,
uleiuri etc.
4. Materiale dielectrice solide anorganice
Mica este un produs natural cu structură cristalină, pe bază de Al2O3 şi SiO2,
care mai conţine ca impurităţi grupări hidroxil, compuşi ai Fe, Ca, Gr, Ti.
Se utilizează sub formă de plăci despicate manual (din minereul purificat), cu
grosimi până la 5 μm, ştanţate la forma şi dimensiunile cerute, în condensatoare sau
ca izolant în montaje electronice, aparate de măsură etc.
Produsele pe bază de mică se utilizează în sistemul de izolaţii al aparatelor şi
maşinilor electrice cu regimuri dure de exploatare (puteri mari şi tensiuni ridicate),
deoarece au durată de viaţă mare şi sunt rezistente la acţiunea descărcărilor parţiale,
la izolarea lamelelor de colector şi a bobinelor electromagneţilor.
174
Ca o concluzie a celor discutate, iată în continuare o enumerare a principalelor

utilizări în electrotehnică şi electronică a materialelor dielectrice, cu precizarea
mărimilor fizice importante pentru aplicaţiile respective:
 dielectrici pentru condensatoare; mărimile fizice importante sunt permitivitatea
electrică, dependenţa ei de temperatură şi frecvenţă, precum rigiditatea
dielectrică şi, în anumite cazuri, rezistenţa mecanică, conductivitatea termică,
higroscopicitatea etc.
 materiale pentru piese electroizolante utilizate în electrotehnică şi electronică:
cabluri, casete, socluri, comutatoare, clape; sunt importante rezistenţa volumică
şi superficială, rigiditatea dielectrică, higroscopicitatea
 materiale pentru suporturi dielectrice în tehnologia circuitelor imprimate şi în
microelectronica peliculară; sunt importante proprietăţile dielectrice şi
mecanice precum şi cele de higroscopicitate şi conductivitate termică ridicată.
 materiale electroizolante lichide sau solide de umplere şi impregnare, sau de
protecţie a componentelor electronice: lacuri de acoperire şi compounduri,
răşini epoxidice etc.
 materiale dielectrice pentru dispozitive numerice, elemente de memorie: cristale
feroelectrice BaTiO3 sau compuşi cu ciclu de histerezis electric rectangular.
 materiale pentru traductori piezoelectrici pe bază de ceramici din seria titano-
zirconatelor de Ba şi Pb (cu formula generică PbZrTiO3), sau monocristale de
sare Rochelle etc., folosite pentru producerea ultrasunetelor, sau pentru efectul
invers, de transformare a energiei mecanice în energie electrică (doze,
microfoane cu cristal piezoelectric, generatoare de tensiune înaltă pentru
aprindere prin scânteie etc.).
 materiale pentru transformatoare şi filtre piezoelectrice cu undă elastică de
volum sau de suprafaţă, linii de întârziere, codificatoare şi decodificatoare
pentru semnale modulate în fază, amplificatoare dielectrice etc.
 materiale pentru modulatoare laser pe baza efectului electrooptic sau
obturatoare electrooptice de tip „Q-switch”.
 materiale pentru optica neliniară: generarea de armonici, mixarea, înregistrarea
hologramelor în volum.
 ceramici electrooptice cu formula generică Pb(ZrTi)O3 şi structură perovskit, cu
tehnologie de fabricaţie mai simplă decât monocristalele având şi efect de
memorie electrooptică.
 materiale pentru traductori piroelectrici în infraroşu, pentru formarea
imaginilor termice sau măsurarea temperaturii la distanţă.
 materiale pentru modulaţie şi realizarea ecranelor TV cu dimensiuni de ordinul
3-5 m.
 materiale feroelectrice a căror permitivitate reală poate fi modificată controlat
cu câmpuri electrice continue sau alternative, utilizate pentru realizarea unor
circuite neliniare şi parametrice (modulatoare dielectrice în amplitudine sau
fază, amplificatoare dielectrice sau stabilizatoare de curent sau tensiune etc.).
175
12.8.3. Materiale conductoare; aplicaţii

Cele mai des utilizate metale în industria electrotehnică sunt: Cu, Al, Fe,
Ag, Hg, Mo, Ni, Pt, W etc. Conductorii electrici se confecţionează aproape
întotdeauna din Cu sau Al şi numai în cazuri speciale din Au, Ag, sau alte
materiale.
Tabel 12.7 – Proprietăţi electrice ale unor metale utilizate în electrotehnică

Metal
Parametru Cu Al Ag Au Fe Ni Pt W Hg
 (10–9 m) 17 26 16 23 87 87 108 70 960
coeficient de variaţie a
rezistivităţii cu 3,9 4,2 3,6 3,8 5,5 6 3 4 9
temperatura (10–3 K–1)
Ttopire (C) 1083 660 960 1063 1530 1452 1773 3380 38,9
În funcţie de temperatura de topire, metalele se împart în trei categorii:

a) metale uşor fuzibile, cu temperatura de topire sub 1000C, cum sunt Ag, Pb,
Sn, Zn;
b) metale greu fuzibile, cu temperatura de topire între 1000C şi 2000C, cum
sunt Cu, Cr, Co;
c) metale refractare, cu temperatura de topire peste 2000C, cum sunt W, Mo.
Cuprul este unul dintre cele mai utilizate metale în electrotehnică, datorită
calităţilor sale foarte bune în ceea ce priveşte conductivitatea electrică, dublate de
proprietăţi mecanice corespunzătoare utilizării acestuia, în special pentru
confecţionarea conductorilor electrici. În natură, cuprul se întâlneşte în minereuri,
sau chiar în stare nativă. În minereuri, cuprul se găseşte sub formă de pirite
cuprifere (pirită 60 ÷ 90%, Cu 1 ÷ 3%, restul steril), ale căror componente
principale sunt calcopirita (CuFeS), calcozina (Cu2S) şi covelina (CuS), sau în
minereuri oxidice, cu 3 ÷ 5% Cu.
Cuprul metalic pur are culoare roşcată şi luciu metalic, densitatea 8,92103
kg/m3, temperatura de topire 1083C şi este diamagnetic. De asemenea, este
maleabil şi ductil, putându-se trage în sârme subţiri, cu diametrul până la 5 m, dar
are rezistenţă mecanică inferioară oţelului carbon. Are sudabilitate scăzută, dar se
poate prelucra uşor prin aşchiere. Este atacat chimic de acidul sulfuric şi cel azotic,
mai puţin de acidul clorhidric. Nu este foarte rezistent la coroziune în general, dar
este destul de rezistent în apa de mare. Vaporii de apă, în prezenţa CO2, atacă
cuprul, formând la suprafaţa acestuia un strat de hidrocarbonat de cupru, de culoare
verde, care pasivează metalul, fiind un strat protector. În aer uscat, formează la
suprafaţă o peliculă de Cu2O, care pasivează metalul.
În electrotehnică se utilizează pentru conductoare numai cupru electrolitic
cu puritate de minimum 99,9%Cu.
Aliajul cuprului cu zincul se numeşte alamă. Ea este rezistentă la
coroziune, are conductivitate electrică mai mică decât a cuprului, dar rezistenţă
mecanică şi elasticitate crescute.
176
Aliajul cuprului cu staniul se numeşte bronz. Denumirea s-a extins şi

pentru aliajele care au alt elemente de aliere: Al, Be, Pb, Si, P, Cd, Ti, Ag, Cr, Zr
etc. Ele au o duritate mare, sunt rezistente la coroziune şi au rezistivitate electrică
mai mare decât a Cu electrolitic cu aproximativ un ordin de mărime.
Aluminiul este în prezent cel mai folosit material conductor, fiind cel mai
răspândit metal în natură (aproximativ 8% în scoarţa terestră), sub formă de
combinaţii în mai toate rocile: bazalt, granit, argilă, sub formă de oxizi (Al2O3 -
corindon), silicaţi, hidroxizi, bauxită etc. El este un metal de culoare alb-argintie,
cu densitatea 2,7103 kg/m3 şi temperatura de topire 660C. Conductivitatea
electrică şi cea termică sunt cu aproximativ 40% mai mici decât cele ale cuprului.
Aluminiul este maleabil şi foarte ductil, putându-se trefila şi lamina în foiţe subţiri
de până la 5 m. Sudabilitatea aluminiului este scăzută în aer, oxidându-se repede,
motiv pentru care el se sudează în argon. În aer, aluminiul se acoperă cu un strat
aderent, foarte subţire de Al2O3 care îl pasivează. Nu este atacat de acidul sulfuric
şi cel azotic diluat, de acizii organici, de hidrocarburi, benzine, uleiuri, dar este
atacat de acidul clorhidric diluat sau concentrat, sodă etc.
Aluminiul se utilizează la confecţionarea armăturilor condensatoarelor cu
hârtie, stiroflex şi a celor electrolitici, a bobinajelor de maşini electrice şi a
transformatoarelor, a liniilor de transport al energiei electrice etc.
Fierul, deşi are rezistivitatea electrică mare, de ordinul 10–7 m, are
rezistenţa mecanică bună şi cost scăzut, fiind utilizat sub forma aliată, de oţel,
pentru conductoare cu diametre de maxim 2,5 mm. Se foloseşte, de asemenea, la
fabricarea conductoarelor electrice solicitate mecanic (trolee, conductoare
bimetalice etc.).
Argintul are rezistivitatea cu puţin mai mică decât cea a cuprului şi se
oxidează numai la temperaturi ridicate, dar este mai scump. Este utilizat pentru
confecţionarea contactelor releelor de mică putere, a contactelor dispozitivelor
microelectronice etc.
Platina (Pt) şi metalele platinice (Ru, Os, Ir, Pd), au temperaturi de topire
foarte ridicate (1500 ÷ 3000C) şi sunt rezistente la acţiunea agenţilor chimici şi la
coroziune. Sunt utilizate pentru confecţionarea termocuplelor, a creuzetelor, iar sub
formă de aliaje la fabricarea contactelor electrice, a încălzitoarelor cuptoarelor
electrice, a electrozilor de bujii etc.
Wolframul are temperatura de topire foarte ridicată (3380C) şi, de aceea,
este folosit la confecţionarea filamentelor lămpilor cu incandescenţă şi tuburilor
electronice, a contactelor electrice de mare putere, a anticatozilor tuburilor de raze
X şi ca element de aliere în cantităţi mici în oţeluri speciale. Proprietăţi
asemănătoare şi, deci, utilizări similare au şi molibdenul, tantalul şi niobiul.
Zincul are temperatura de topire Tt = 420C şi este foarte rezistent la
coroziune, motiv pentru care este utilizat la acoperirea (galvanizarea) tablelor,
ţevilor şi sârmelor de oţel. Se foloseşte de asemenea ca element de aliere în alame
(Cu-Zn), bronzuri (Cu-Sn-Zn) şi alpaca (Cu-Zn-Ni).
Staniul este un element mai rar întâlnit în natură, având cea mai mică
temperatură de topire, Tt = 232C, dintre metalele uzuale. El prezintă două stări
177
alotrope: -Sn, sau staniul cenuşiu, are structura de tip diamant (ca şi Ge şi Si), este
semiconductor şi are densitatea de 5,76103 kg/m3; -Sn, de culoare alb metalic, are
structura tetragonală cu feţe centrate, este metal şi are densitatea de 7,3103 kg/m3.
Plumbul este de asemenea puţin răspândit în natură; are temperatura de
topire Tt = 327C, structura CFC, densitatea egală cu 11,3103 kg/m3 şi
rezistivitatea mai mare,  = 20610–9 m. Este un metal foarte rezistent la
coroziune. Se foloseşte la fabricarea acumulatorilor cu Pb, dar în ultimul timp
utilizarea sa s-a redus mult datorită faptului că este un material toxic.
Nichelul are structură CFC, temperatura de topire Tt = 1455C,
rezistivitatea de 9510–9 m şi, la fel ca plumbul, este foarte rezistent la coroziune.
Cromul este un metal alb strălucitor, antiferomagnetic, cu structură CVC,
temperatura de topire Tt = 1875C. Este folosit pentru ecrane termice, teci de
termocuple, acoperiri anticorozive şi decorative, oglinzi etc.
Vanadiul este un metal moale, de culoare cenuşiu deschis, cu structură
CVC şi temperatura de topire Tt = 1890C. Este utilizat ca element de aliere a
oţelurilor sau a unor aliaje de metale neferoase şi ca material de acoperire pentru
combustibilii nucleari şi în construcţia reactorilor nucleari cu neutroni rapizi.
În afara metalelor pure, în industria electrotehnică şi în cea electronică se
folosesc şi numeroase aliaje. Unele aspecte generale au fost prezentate în
paragraful 8.2. În continuare sunt prezentate şi alte aspecte privitoare în special la
aplicaţiile acestora.
Nichelina este un aliaj Cu-Ni, care se formează în orice proporţie. Aliajul
32% Ni-60% Cu şi adaus de alte elemente este utilizat în electrotermie (rezistenţe
electrice). Rezistivitatea electrică este maximă când cuprul este în proporţie de
50%.
Constantanul (40% Ni, 60% Cu) este utilizat în fabricarea termocuplurilor
şi a reostatelor. Aliaje Cu-Ni se folosesc şi pentru turnarea monedelor, datorită
faptului că sunt inoxidabile şi rezistente la uzură.
Aliaje Ni-Fe: permalloy (38,5% Fe, restul Ni) şi perminvar (45% Ni, 30%
Fe, 25% Co), cu proprietăţi magnetice speciale, utilizate în electronică şi
automatizări, invar (36% Ni, 0,3%C, restul Fe), cu proprietăţi termice speciale,
utilizat la instrumente de măsură, sau elinvar (aliaj de Ni, Cr, W, Mn, Si şi C), cu
proprietăţi elastice speciale (modulul de elasticitate constant în domeniul de
temperaturi 0 ÷ 40C).
Aliaje Ni-Cr şi Ni-Cr-Fe: cromel (80% Ni, 20% Cr), nicrom (60% Ni,
16% Cr, 24% Fe), iconel (76% Ni, 15% Cr, 8% Fe, 1% Mn) sunt aliaje refractare
folosite pentru fabricarea rezistenţelor electrice.
Manganina (Cu-Mn-Ni) este un aliaj cu rezistivitate electrică mare
(constantă în timp) şi coeficient termic al rezistivităţii redus.
178
13. Proprietăţi magnetice ale materialelor

13.1. Noţiuni generale
Proprietăţile magnetice ale solidelor sunt determinate de existenţa la nivel
microscopic a unor momente magnetice elementare (orbitale şi de spin). Pentru
caracterizarea comportării magnetice a solidelor, vom reaminti aici câteva noţiuni
de magnetism, absolut necesare în ceea ce urmează.
Dacă o particulă încărcată cu sarcina electrică q se mişcă pe o curbă închisă
(în particular, pe un cerc), mişcarea ei reprezintă un mic curent electric, care
produce un câmp magnetic. Astfel, particula echivalează cu un mic magnet, care,

dacă se află într-un câmp magnetic exterior de intensitate H , tinde să se alinieze
paralel cu acesta.
Câmpul magnetic propriu al particulei este caracterizat de mărimea numită
moment magnetic, definită prin relaţia:
 
p m  ISn (13.1)
unde I este intensitatea curentului determinat de deplasarea particulei (dacă acesta
q
parcurge traiectoria circulară în perioada T, I = = q = 2q), S este aria
 T
suprafeţei închise de traiectorie şi n este versorul normal la suprafaţa S, cu sensul
dat de regula burghiului.

Pentru un sistem de mai multe particule se defineşte magnetizarea, M , ca
fiind momentul magnetic al unităţii de volum:
 1 
M   pm (13.2)
V i
Când o astfel de substanţă este introdusă într-un câmp magnetic extern de

intensitate H , alinierea momentelor magnetice proprii particulelor constituente ale
substanţei cu câmpul exterior face ca în interiorul acesteia, câmpul magnetic să se

modifice, mărimea caracteristică a acestuia în substanţă, inducţia magnetică, B ,
fiind legată de intensitatea câmpului magnetic şi de magnetizare prin relaţia:

 B 
H M (13.3)
0
sau:
 
  
B  0 H  M (13.4)
 
unde 0 este permeabilitatea magnetică absolută a vidului. Între M şi H se
stabileşte de obicei relaţia (valabilă pentru medii liniare):
 
M  mH (13.5)
unde m este susceptibilitatea magnetică, o mărime caracteristică materialului
(dacă acesta este anizotrop, ea se defineşte ca un tensor).
179

  
 1   m H sau B   0 r H , rezultă:
B
Scriind
0
r = 1 + m (13.6)
relaţie care defineşte permeabilitatea magnetică relativă a materialului.
Proprietăţile magnetice ale substanţelor pot fi analizate prin intermediul
susceptibilităţii magnetice sau al permeabilităţii magnetice relative. Astfel, într-o
primă clasificare, substanţele se împart în:
 diamagnetice, pentru care r < 1 (m < 0); aceste substanţe sunt formate din
atomi care nu posedă un moment magnetic propriu permanent; magnetizarea
este în sens invers câmpului magnetic exterior şi nu depinde de temperatură.
 paramagnetice, pentru care r > 1 (m > 0); atomii acestor substanţe posedă un
moment magnetic permanent; magnetizarea are loc în sensul câmpului
magnetic exterior şi este puternic dependentă de temperatură.
În ambele cazuri, diferenţa permeabilităţii magnetice relative faţă de unitate
(a susceptibilităţii magnetice faţă de zero) este foarte mică, proprietăţile acestor
substanţe manifestându-se foarte slab.
Tabel 13.1 – Valori ale susceptibilităţii magnetice

Materiale diamagnetice Materiale paramagnetice
Material  = r – 1 Material  = r – 1
–6
Cu – 710 Al 2110–6
Au – 3510–6 Cr 3310–5
Ag – 2510–6 Mn 10–3
Zn – 1210–6 Na 810–6
–6
Bi – 1810 K 610–6
Pb – 1510–6 Ca 2110–6
Hg – 310–5 Pt 2510–5
Ge – 810–6 O2 (p = 1 atm) 210–6
Si – 310–6 Fe2O3 1410–4
Diamant – 2110–6 FeCl2 3710–4
Al2O3 – 510–6 CrCl3 1510–4
NaCl – 1210–6 Cr2O3 1710–4
13.2. Diamagnetismul
Diamagnetismul este caracteristic tuturor atomilor şi ionilor dar, cu excepţia
unor situaţii speciale (cum este supraconductivitatea), nu influenţează proprietăţile
solidelor. El este datorat inducţiei electromagnetice care se produce la scară
atomică (inducerea unor curenţi elementari în învelişul electronic al atomilor,
curenţi care, prin câmpul magnetic pe care îl creează, se opun câmpului magnetic
exterior).
180
Să considerăm un electron în mişcarea sa în jurul nucleului. Acest lucru

echivalează cu un mic curent electric, ce creează un mic câmp magnetic.
Interacţiunea acestuia cu un câmp magnetic exterior determină o mişcare de
precesie (numită precesie Larmor, datorată tendinţei de aliniere a momentului
magnetic orbital, corespunzător mişcării electronului în jurul nucleului, cu direcţia
câmpului magnetic exterior), constând în rotaţia momentului magnetic orbital în
jurul unei axe având direcţia câmpului magnetic exterior.
Această mişcare are loc cu pulsaţia:
eB
L = (13.7)
2m
unde e este sarcina electrică elementară, m masa electronului şi B inducţia
magnetică a câmpului exterior.
Pentru un atom cu Z electroni, precesia Larmor echivalează cu un curent
electric (indus de câmpul magnetic exterior) de intensitate:
 Ze 2 B
I = – Ze L   (13.8)
2 4m
căruia îi corespunde un moment magnetic:
Ze 2 B 2
pm = IS = I‹2› = – ‹ › (13.9)
4m
în care ‹2› este aria proiecţiei orbitei electronului pe un plan perpendicular pe
direcţia câmpului magnetic exterior, ‹2› fiind media pătratului razei acestei
proiecţii (figura 13.1).
Figura 13.1 – Precesia Larmor a momentului magnetic
Cum ‹2› = ‹x2› + ‹y2›, ‹r2› = ‹x2› + ‹y2› + ‹z2›, iar la o distribuţie cu simetrie
2
sferică avem relaţia: ‹x2› = ‹y2› = ‹z2›, rezultă că ‹2› = ‹r2›, unde ‹r2› este media
3
181
pătratului razei orbitei electronice. Dacă substanţa conţine n atomi în unitatea de

M  np
volum, magnetizarea este M = npm şi m =  0 m , de unde:
H B
 nZe 2
m =  0 ‹r2› (13.10)
6m
Aceasta este formula Langevin, care explică în cadrul clasic
diamagnetismul (se observă valoarea negativă a susceptibilităţii magnetice). Teoria
cuantică confirmă rezultatele obţinute de către Langevin dar, în plus, ea arată că
există şi un diamagnetism al electronilor liberi (datorat momentului magnetic de
spin al electronilor liberi), numit diamagnetism Landau, susceptibilitatea
magnetică fiind dată în acest caz de o relaţie de forma:
e2k F
m =  (13.11)
12 2 m
13.3. Paramagnetismul
În paragraful precedent am văzut că fiecărei mişcări a unui electron în jurul
nucleului îi corespunde un moment magnetic orbital, a cărui precesie dă naştere
diamagnetismului. Se poate pune întrebarea: de ce nu am luat în discuţie
contribuţia acestor momente la susceptibilitatea magnetică ci numai a celor asociate
mişcării de precesie? Pentru a răspunde la această întrebare, trebuie să ţinem seama
de modul în care momentele magnetice şi de spin ale electronilor dintr-un atom
interacţionează şi se combină.
Vom face o scurtă trecere în revistă a problemelor legate de aceste aspecte
ale structurii electronice, la un nivel minim analizei pe care ne-o propunem.
După cum s-a arătat anterior, electronii din păturile electronice ale atomilor
sunt caracterizaţi de patru numere cuantice: numărul cuantic principal, n, numărul
cuantic orbital, ℓ, numărul cuantic magnetic, m şi numărul cuantic de spin, s.
Într-un atom, electronii vor ocupa stări în ordinea crescătoare a energiei şi
respectând principiul de excluziune al lui Pauli (într-un atom, nu pot exista doi
electroni cu aceleaşi valori ale celor patru numere cuantice).
Dacă, pentru un n şi un ℓ daţi, toate stările în atom sunt ocupate cu electroni,
momentul magnetic de spin total este nul, deoarece există electroni cu spin + ½ în
număr egal cu electronii cu spin – 1/2 . De asemenea, momentul magnetic orbital
total este nul, deoarece fiecărui electron într-o stare + m, îi corespunde un electron
într-o stare – m. Astfel de sisteme de electroni formează o aşa-numită pătură
completă. Singurii electroni care pot contribui la momentul magnetic total al
atomului sunt cei de pe păturile incomplete.
Alinierea spinilor electronilor în atom şi între atomi vecini este determinată
de interacţia dintre aceştia, numită interacţie de schimb şi care face ca, într-o
pătură incompletă, energia să fie minimă când electronii se aliniază cu spinii
paraleli (evident, cu respectarea principiului de excluziune al lui Pauli), ceea ce
face ca momentul magnetic de spin al unui astfel de ansamblu de electroni dint-o
pătură incompletă să fie diferit de zero.
182
La cristalele ionice nu se observă totuşi apariţia efectelor paramagnetice,

deoarece electronii de pe stratul incomplet al unui tip de atomi sunt transferaţi
celuilalt tip de atomi, astfel încât toţi ionii rezultaţi au pături complete. Acelaşi
lucru se întâmplă la cristalele cu legături covalente, deoarece energia interacţiei de
schimb între electroni ai atomilor vecini este minimă când momentele totale de
spin ale acestor atomi vecini se orientează antiparalel.
Rezultă, deci, că paramagnetismul nu poate apărea decât la solide la care
atomii au pături incomplete, altele decât cea ocupată de electronii de valenţă.
Sunt cinci astfel de categorii de substanţe:
 grupa fierului, cu stratul 3d incomplet;
 grupa paladiului, cu stratul 4d incomplet;
 grupa lantanidelor, cu stratul 4f incomplet;
 grupa platinei, cu stratul 5d incomplet;
 grupa actinidelor, cu stratul 5f incomplet.
Aceste lucruri fiind stabilite, să vedem cum putem calcula momentul
magnetic total al unui atom dintr-o substanţă paramagnetică.
Momentul cinetic total al unui atom rezultă din însumarea vectorială a
tuturor momentelor cinetice orbitale şi de spin ale electronilor săi. Acest lucru se
poate face în două feluri, în funcţie de interacţiunea dintre aceste momente:
 în majoritatea atomilor şi în special la cei uşori se realizează cuplajul spin-
orbită (Russell-Saunders, L-S), când interacţia dintre momentele individuale
 
orbitale ale electronilor,  , unele cu altele şi cea dintre momentele de spin, s ,
unele cu altele sunt mai puternice decât interacţia dintre momentul orbital şi cel
de spin al fiecărui electron. Momentele orbitale se compun, dând un moment
 
cinetic orbital rezultant, L    i , acelaşi lucru întâmplându-se şi cu momentele
i
 
cinetice de spin, rezultând S   si . Momentul cinetic total al atomului este
i
  
J  L  S . Electronii vor fi caracterizaţi în acest caz de numărul cuantic intern,
J, care poate lua valori variind între L – S şi L + S în trepte egale cu unitatea.
 în cazul stărilor excitate ale atomilor grei se produce cuplajul j–j, când interacţia
dintre momentul cinetic orbital şi cel de spin ale fiecărui electron este mai
puternică decât interacţia dintre diferitele momente cinetice orbitale ale
electronilor şi, respectiv diferitele momente cinetice de spin ale acestora. În acest
    
caz, se compun i  si  ji , după care J   ji .
i
Acest al doilea tip de cuplaj fiind mai rar întâlnit, nu îl vom discuta,
referindu-ne numai la cuplajul L–S.
Completarea păturilor cu electroni se face respectând anumite reguli care
rezultă din consideraţii cuantice pe care nu le vom aminti aici, limitându-ne la
precizarea acestor reguli, cunoscute sub numele de regulile lui Hund:
- într-un strat electronic (n şi ℓ daţi), electronii se aranjează astfel încât un număr
cât mai mare dintre ei să aibă spinii paraleli.
183
- electronii aranjaţi după regula anterioară au valori ale numărului cuantic

magnetic, m, astfel încât m este maxim.
- starea fundamentală, pentru un strat electronic completat cu mai puţin de
jumătatea din electroni, corespunde unui număr cuantic intern cu valoarea J =
L – S, respectiv, pentru un strat completat cu mai mult de jumătate din
electroni, corespunde unui număr cuantic intern J = L + S.
De exemplu, Fe, care are 6 electroni pe stratul 3d, va avea aceşti electroni
aranjaţi astfel:
Atunci, S = s = 2 şi L = m. Cum pe straturile de tip d numărul maxim de

electroni este 10, în acest caz stratul este umplut mai mult de jumătate şi deci starea
fundamentală este dată de J = L + S = 4.
Momentul magnetic total al atomului poate fi calculat după relaţia:
mJ = – gB JJ  1 (13.12)
unde B este magnetonul Bohr-Procopiu.
eh
B = (13.13)
4m e
şi g este factorul giromagnetic (factorul de despicare Landé), a cărui expresie
este:
3 SS  1  LL  1
g=  (13.14)
2 2JJ  1

Dacă atomul este introdus într-un câmp magnetic exterior de inducţie B ,
momentul magnetic al atomului tinde să se alinieze cu câmpul exterior şi, ca

urmare a acestei tendinţe, el execută o mişcare de precesie în jurul direcţiei lui B .
Interacţiunea dintre momentul magnetic al atomului şi câmpul magnetic exterior
este caracterizată de energia de interacţiune:
 
Wm =  m j  B (13.15)
Cum momentul magnetic total al atomului nu se poate orienta decât într-un
număr limitat, discret, de direcţii faţă de o direcţie exterioară, egal cu 2J + 1,
componenta paralelă cu câmpul exterior, a momentului magnetic (conform relaţiei
13.11) nu poate lua decât valorile: mi = gBi, unde i = – J, – (J – 1),..., (J – 1), J,
ceea ce înseamnă că energia de interacţiune a momentului magnetic atomic cu
câmpul exterior este şi ea cuantificată şi poate lua doar valorile:
Wm = gBJB, gB(J – 1)B, ... , – gB(J – 1)B, – gBJB (13.16)
La echilibru termodinamic, numărul atomilor cu momentul magnetic de o
anumită orientare şi având o anumită energie de interacţie cu câmpul magnetic
184
Wm

exterior este dat de distribuţia Maxwell-Boltzmann: N = N0 e kT . La temperaturi
mari, numărul atomilor din diferite stări tinde să devină egal, ceea ce înseamnă că
vor exista atomi cu momentul magnetic orientat într-un anumit sens, în număr
aproximativ egal cu atomii cu momentul magnetic orientat în sens invers, motiv
pentru care magnetizarea (şi susceptibilitatea magnetică) a substanţei este foarte
mică. La scăderea temperaturii, însă, un număr din ce în ce mai mare de atomi vor
avea momentul magnetic orientat paralel sau cât mai aproape de paralel cu câmpul
magnetic exterior, ceea ce va duce la creşterea magnetizării şi a susceptibilităţii
magnetice, aceasta fiind comportarea tipică a materialelor paramagnetice. Să
subliniem încă o dată că acest lucru este posibil numai la materialele ai căror atomi
posedă un moment magnetic permanent.
Magnetizarea unei astfel de substanţe se calculează astfel (presupunând că
momentele magnetice ale fiecărui atom sunt independente, neinteracţionând unul
cu altul):
J g BiB

N  g Bie kT
J
M= J g BiB
(13.17)

e J
kT
unde N este concentraţia atomilor.

Pentru simplificare, vom considera că gBiB << kBT, lucru valabil la
temperaturi nu foarte mici, întrucât energia de interacţiune a momentelor magnetice
cu câmpul magnetic exterior este foarte mică. Atunci, înlocuind gk BTiB = z, rezultă:
B
J
Ng B  izi  1
Ng B zJ J  12J  1
M= J

J
32J  1
 izi  1
J
adică:
Ng 2 2B BJ  J  1
M= (13.18)
3kT
 M
Cum m = 0 , rezultă:
B
 Ng  B J  J  1 C
2 2
m = 0  (13.19)
3kT T
Aceasta este legea Curie, descoperită de P. Curie în 1896. C se numeşte
constanta Curie. La această lege, se poate ajunge şi pe cale clasică şi este în bună
concordanţă cu rezultatele experimentale, inclusiv în ceea ce priveşte valoarea
constantei Curie. Trebuie să subliniem însă că pentru grupa de tranziţie a fierului,
constanta Curie nu este cea din relaţia (13.18), datorită faptului că aceste materiale
au momentul magnetic orbital al atomilor nul, caz în care, în formula respectivă
185
numărul cuantic intern, J, trebuie înlocuit cu numărul cuantic de spin şi g are

valoarea 2.
Susceptibilitatea paramagnetică a reţelei la temperatura camerei, dată de
legea Curie, este de ordinul a 10–3 adică o valoare cu două ordine de mărime mai
mare decât susceptibilitatea diamagnetică, ceea ce permite neglijarea
susceptibilităţii diamagnetice în substanţele paramagnetice.
În cazul metalelor se poate constata şi un paramagnetism al electronilor
liberi (paramagnetism Pauli), asociat momentelor magnetice de spin ale acestora,
care sunt orientate complet aleatoriu dar, când substanţa este introdusă într-un
câmp magnetic exterior, se vor orienta fie în sensul câmpului, fie în sens invers.
Să considerăm toţi electronii liberi aflaţi în aceeaşi stare energetică şi care
pot avea spin  ½. Aflaţi într-un câmp magnetic exterior, energia lor este egală cu
energia cinetică, la care se adaugă energia de interacţiune cu acest câmp:
 =   wm =   BB (13.20)
Numărul electronilor cu spin pozitiv, respectiv negativ va fi dat de două
distribuţii Fermi-Dirac distincte, care arată ca în figura 13.2.
B=0 B0
n+ n+
 
n– n–
Figura 13.2 – Distribuţia electronilor cu spin pozitiv şi respectiv negativ
În lipsa câmpului magnetic exterior, concentraţiile de electroni cu spin

pozitiv, respectiv negativ, sunt egale n+ = n– (n+ reprezintă concentraţia electronilor
cu spin negativ). Când sistemul este introdus în câmpul magnetic exterior, nivelul
energetic de energie  se despică în două subniveluri, conform relaţiei (13.19),
acestea fiind deplasate unul faţă de altul cu valoarea energetică 2BB. Cum tendinţa
oricărui sistem este de a trece într-o stare de energie minimă şi în acest caz sistemul
îşi va reduce energia prin trecerea unora din electronii cu spin negativ (şi energie +
=  + BB) în starea de energie – =  – BB, prin schimbarea semnului spinului.
Acest lucru înseamnă creşterea concentraţiei electronilor cu spin pozitiv şi scăderea
concentraţiei celorlalţi. Pe ansamblu, apare o magnetizare dată de relaţia:

1
M = B(n– – n+) = B  [f0(–) – f0(+)]N()d =
0
2
186

 f 0 
=  2B B   N   d   2B  B  N F  (13.21)
0
 
Această relaţie ne arată existenţa paramagnetismului electronilor liberi.
Factorul ½ apare în calculul de mai sus datorită faptului că distribuţia a fost
divizată în două subdistribuţii.
Susceptibilitatea paramagnetică a electronilor liberi va avea valoarea:
e2k F
m = (13.22)
4 2 m e
Se poate observa că un ansamblu de electroni liberi are o susceptibilitate
pozitivă, deci se comportă paramagnetic, întrucât susceptibilitatea diamagnetică
Landau este mai mică decât susceptibilitatea paramagnetică Pauli şi:
e2k F
 = m +  L = >0 (13.23)
6 2 m e
13.4. Feromagnetismul
Experimental, se constată existenţa unor substanţe la care magnetizarea este
diferită de zero, chiar atunci când câmpul exterior este nul. Dacă se reprezintă
grafic variaţia magnetizării în funcţie de temperatură, din datele experimentale se
obţine o variaţie de felul celei din figura 13.3, în care se vede că, la temperaturi
peste TC, numită temperatura Curie, magnetizarea spontană dispare şi materialul
se comportă ca un paramagnet.
Aceste substanţe sunt substanţele feromagnetice, comportarea lor fiind
datorată unei ordonări spontane a momentelor magnetice ale atomilor, ordonare
datorată, la rândul ei, interacţiunii dintre aceste momente magnetice (interacţiune
pe care am neglijat-o când am discutat despre paramagnetism). Dependenţa de
temperatură apare şi ea firească, atât timp cât agitaţia termică se constituie într-un
factor de dezordine cu atât mai puternic, cu cât temperatura este mai mare.
M0
T
TC
Figura 13.3 – Variaţia magnetizării în funcţie de temperatură
Pentru astfel de substanţe nu se poate aplica legea Curie, întrucât, ca să se

obţină o valoare foarte mare a susceptibilităţii, conform acestei legi, temperatura ar
187
trebui să fie sub 1 K ceea ce este contrazis de experienţă, care arată că, de exemplu,
fierul se comportă feromagnetic până la temperaturi de aproximativ 1000 K.
O primă explicaţie a feromagnetismului a fost dată, sub o formă clasică, de
către fizicianul P. Weiss, care a presupus existenţa unui câmp intern (molecular,
Weiss), care acţionează asupra momentelor magnetice atomice, orientându-le pe o
direcţie preferenţială, chiar în lipsa unui câmp magnetic exterior. Expresia acestui
câmp este:
  
B  N p m  M (13.24)
unde  este o constantă dependentă de material.
Cum peste temperatura Curie substanţa devine paramagnetică, în acest caz
îi putem aplica legea Curie cu corecţia de a adăuga câmpului magnetic exterior

    B
câmpul Weiss, deci Btot  B  BW . Din relaţia (13.4) avem M   m ; înlocuind
0
  C C B  M CB
B cu B tot şi m = , rezultă: M =  M= , de unde se
T T 0 T 0  C
0C
obţine m = , adică:
 0 T  C
C
m = (13.25)
T  TC
unde
C
TC = (13.26)
0
Relaţia (13.25) este legea Curie-Weiss iar valoarea dată de relaţia (13.26)
pentru temperatura Curie este în bună concordanţă cu cea obţinută experimental.
Tabel 13.2 - Valori ale temperaturii Curie ale unor materiale feromagnetice
Material Fe Co Ni
TC [K] 1043 1404 631
După cum rezultă din legea Curie-Weiss, în timp ce câmpul molecular tinde
să alinieze momentele magnetice ale atomilor din substanţă, agitaţia termică tinde
să distrugă această ordonare, ceea ce se întâmplă când ea este destul de puternică,
adică peste o temperatură TC, care separă faza ordonată, feromagnetică (la T < TC)
de faza dezordonată, paramagnetică (la T > TC).
Ceea ce nu explică teoria lui Weiss este natura acestui câmp molecular, care
este cauza comportării feromagnetice a unor substanţe, dintre care cele mai
cunoscute sunt fierul, cobaltul, nichelul şi unele din aliajele acestora.
Problema care se pune este aceea de a explica tendinţa spinilor electronilor
de a se alinia paralel unii cu ceilalţi. Pentru aceasta, trebuie găsită interacţia care
face ca această aliniere să fie avantajoasă din punctul de vedere al energiei totale
minime a sistemului, care asigură stabilitatea acestuia. Mecanica cuantică arată că
188
interacţia responsabilă de alinierea spinilor, caracteristică feromagneticilor, este

aşa-numita interacţie de schimb, care este o consecinţă a naturii cuantice a
sistemului. Electronii se supun statisticii Fermi-Dirac şi, ca atare, pentru a avea
spini paraleli, trebuie să aibă cel puţin un alt număr cuantic diferit, ceea ce
înseamnă că ei nu pot fi atât de apropiaţi ca atunci când au spinii antiparaleli şi
când pot aparţine aceleiaşi stări energetice. În consecinţă, energia de interacţiune
coulombiană este mai mică atunci când spinii electronilor sunt paraleli, decât
atunci când ei sunt antiparaleli. Diferenţa dintre energia de interacţie a electronilor
cu spini paraleli, respectiv antiparaleli se numeşte energia interacţiei de schimb şi
este dată de o expresie de forma:

Wsch = – 2Isch S1S 2 (13.27)
 
unde Isch este aşa-numita integrală de schimb iar S1 şi S 2 sunt momentele cinetice
de spin ale electronilor care interacţionează.
Situaţia de mai sus nu asigură însă automat alinierea paralelă a spinilor,
întrucât scăderea energiei de interacţiune coulombiană este însoţită de creşterea, în
mai mare măsură, în majoritatea cazurilor, a energiei cinetice. Numai în anumite
cazuri energia totală se reduce la orientarea paralelă, faţă de cea de la orientarea
antiparalelă. Acest lucru se întâmplă când integrala de schimb este pozitivă.
Dacă electronii aparţin aceluiaşi atom, energia este minimă când spinii lor
sunt paraleli (aşa cum stabileşte şi una din regulile lui Hund), I > 0, dar dacă
electronii aparţin unor atomi diferiţi, energia minimă este, în majoritatea cazurilor,
cea în care spinii sunt antiparaleli (J < 0). Numai la substanţele feromagnetice
energia de interacţie este minimă când spinii sunt paraleli, în acest fel putându-se
explica feromagnetismul. Mărimea integralei de schimb depinde de gradul de
suprapunere a funcţiilor de undă electronice ceea ce determină dificultăţi destul de
mari în calculul propriu-zis al integralei de schimb, în ale cărui detalii nu vom
intra.
Într-un sistem de spini ordonaţi, ca cel din substanţele feromagnetice,
perturbaţiile dinamice se pot propaga din aproape în aproape, prin intermediul
acestei interacţiuni de schimb, sub forma undelor de spin. Acestea constau în
precesia spinilor în jurul direcţiei unui câmp magnetic extern. Analog cu fononii, se
asociază acestor unde o particulă fictivă, numită magnon, cu masă de repaus nulă
şi cu spin întreg (este deci un boson).
În practică se constată că, totuşi, cu excepţia magneţilor naturali,
magnetizarea spontană sub temperatura Curie nu este prezentă la majoritatea
feromagneţilor, aceştia trebuind să fie „magnetizaţi” prin plasarea într-un câmp
magnetic extern pentru a avea o magnetizare proprie, care poate fi distrusă sub
acţiunea unor factori mecanici (şocuri), sau termici.
Această comportare a fost explicată de către Weiss pe baza existenţei
domeniilor de magnetizare spontană, care sunt regiuni macroscopice, prezentând
o magnetizare spontană, având orientarea diferită, de la un domeniu la altul.
Formarea lor este datorată faptului că energia unui astfel de sistem, împărţit în mai
multe domenii, este mai mică decât dacă sistemul ar prezenta un singur domeniu.
189
Pentru a înţelege de ce se petrece acest lucru, să privim figura 13.4. Dacă ar exista
un singur domeniu, energia sistemului ar fi mai mare, ca urmare a înmagazinării
unei energii în spaţiul exterior magnetului (figura 13.4.a). Dacă se formează două
domenii cu magnetizare în sens opus, (figura 13.4.b), energia magnetică se
înjumătăţeşte (în general, la divizarea în n domenii, energia scade de n ori).
Reducerea practic la zero a energiei magnetice înmagazinate în spaţiul exterior al
probei se face prin apariţia unor domenii de închidere (figura 13.4.d şi e).
Trecerea de la un domeniu la altul nu se face printr-un salt brusc în orientarea
momentelor magnetice ci printr-o zonă de trecere, în care are loc schimbarea
treptată a direcţiilor acestor momente, numită perete Bloch. Dimensiunea acestora
se întinde pe câteva distanţe interatomice, după cum se poate vedea în figura 13.5.
Figura 13.4 – Formarea domeniilor magnetice
Existenţa pereţilor Bloch între domenii limitează numărul acestora, întrucât

formarea lor necesită efectuarea unui lucru mecanic împotriva forţelor de schimb,
ceea ce înseamnă că, dacă, pe de o parte energia sistemului scade odată cu formarea
mai multor domenii, pe de altă parte se cheltuieşte mai multă energie pentru
formarea pereţilor Bloch. Se ajunge astfel la un anumit număr limitat de domenii,
când sistemul are energia minimă.
Figura 13.5 – Perete Bloch
Numărul de domenii este limitat şi de alte două cauze. Prima este existenţa
la un cristal a unei direcţii de magnetizare uşoară, care este o direcţie în cristal
de-a lungul căreia este mai uşor ca materialul să fie magnetizat. Pentru Fe, aceasta
este direcţia [1 0 0], pentru Ni [1 1 1], iar pentru cobalt [0 0 1]. Asta înseamnă că,
190
pentru a magnetiza cristalul pe direcţia de magnetizare uşoară cu o anumită

magnetizare, este necesară o energie mai mică decât cea necesară pentru a
magnetiza cristalul cu aceeaşi magnetizare, pe oricare altă direcţie. Din această
cauză, domeniile care au magnetizarea pe alte direcţii decât direcţia de magnetizare
uşoară vor necesita un surplus de energie la formarea lor (acest surplus pe unitatea
de volum se numeşte energie de anizotropie cristalină) ceea ce limitează numărul
domeniilor.
O altă cauză a limitării numărului de domenii este fenomenul de
magnetostricţiune*, care constă în mica modificare (mărire sau micşorare) a
volumului unui cristal atunci când el este magnetizat. Cum efectul magnetostrictiv
(variaţia dimensiunii) este mai puternic pe direcţia magnetizării, este evident că
aceste variaţii dimensionale ale domeniilor nu sunt egale, ceea ce duce la apariţia
unor tensiuni mecanice şi, deci, la creşterea energiei cristalului, acest fapt făcând ca
numărul de domenii să fie limitat şi de acest factor.
Existenţa domeniilor de magnetizare spontană poate fi pusă în evidenţă prin
intermediul microscopiei optice sau electronice (când este posibilă şi evidenţierea
pereţilor Bloch). Un fenomen simplu care permite punerea în evidenţă a deplasării
pereţilor Bloch la magnetizarea unui feromagnet este efectul Barkhausen, datorat
creşterii magnetizării feromagnetului în salturi atunci când câmpul magnetic
exterior creşte continuu şi uniform, ca urmare a orientării bruşte a domeniilor de
magnetizare spontană pe direcţia de magnetizare uşoară. Acest efect poate observat
foarte uşor dacă primarului unui transformator cu miez feromagnetic i se aplică un
curent electric crescător continuu. În secundarul acestuia se obţine un curent cu
variaţii în salturi bruşte, care poate fi observat fie direct pe un osciloscop, fie
amplificat şi aplicat unui difuzor.
Dacă se plasează un feromagnet într-un câmp magnetic crescător de la zero
până la o valoare maximă, se produce fenomenul de histerezis magnetic, pe care îl
putem descrie şi analiza pe baza curbei de histerezis din figura 13.6.
Crescând intensitatea câmpului magnetic exterior, se observă şi creşterea
magnetizării şi, dacă H creşte suficient de mult, magnetizarea atinge o valoare
maximă MS, numită magnetizare de saturaţie. Procesul cuprinde mai multe etape,
astfel: la aplicarea unui câmp cu valori mici, pereţii Bloch încep să se deplaseze
astfel încât să crească volumul domeniilor orientate favorabil (având o magnetizare
cu direcţia cât mai apropiată de direcţia de magnetizare uşoară), pe seama scăderii
volumului domeniilor orientate defavorabil. Acest proces este reversibil. La
creşterea în continuare a intensităţii câmpului exterior, ca urmare a faptului că, în
deplasarea lor, pereţii Bloch trec peste diverse obstacole (defecte de structură) care
sunt însoţite de prezenţa, în acea zonă a unor bariere de potenţial, procesul devine
ireversibil şi are drept urmare eliminarea tuturor domeniilor orientate defavorabil,
*
fenomenul este folosit la producerea şi recepţia ultrasunetelor; există şi fenomenul magnetostrictiv
invers (efectul Villari), care constă în magnetizarea cristalului când este supus unor deformări
mecanice.
191
astfel încât rămân numai domeniile a căror magnetizare are direcţia de magnetizare
uşoară.
O ultimă etapă are loc la creşterea şi mai pronunţată a intensităţii câmpului
exterior, când se produce o rotaţie a direcţiei de magnetizare a domeniilor, astfel
încât ea să fie cât mai apropiată de direcţia câmpului exterior.
Figura 13.6 – Ciclul de histerezis magnetic
Evident, cele trei etape nu sunt clar delimitate, existând domenii unde unele
din cele trei procese descrise se suprapun. Saturaţia se obţine când toate momentele
magnetice elementare ale feromagnetului s-au aliniat dea lungul direcţiei câmpului
exterior şi orice creştere a acestuia nu mai produce nici o schimbare în material.
Curba rezultată, reprezentând creşterea magnetizării (sau a lui B) în funcţie de
creşterea intensităţii câmpului magnetic exterior se numeşte curba de magnetizare
iniţială.
Dacă acum intensitatea câmpului exterior începe să scadă până la zero, se
observă că magnetizarea scade după o altă curbă decât cea de magnetizare iniţială,
astfel încât, când H devine nulă, magnetizarea are încă o valoare pozitivă, M r,
numită magnetizare remanentă. Pentru a reduce magnetizarea la zero, trebuie
aplicat un câmp de orientare inversă decât cea iniţială, având intensitatea egală cu o
valoare HC, numit câmp coercitiv.
Crescând în continuare intensitatea cu valori negative peste cea a câmpului
coercitiv, are loc magnetizarea substanţei până la saturaţie, în sens invers
magnetizării iniţiale, şi aşa mai departe. La un ciclu complet de variaţie a
intensităţii câmpului magnetic exterior de la zero la Hmax, apoi din nou la zero şi
până la – Hmax şi din nou la zero şi apoi la Hmax, se obţine ciclul variaţiei
magnetizării, numit ciclul de histerezis magnetic.
Energia disipată pe un ciclu este dată de relaţia:
192
   
Wh =  B  dH     H  dH (13.28)
şi este egală cu aria ciclului.
Analiza curbei de histerezis are o mare importanţă din punctul de vedere al
aplicaţiilor practice. Astfel, pentru construirea magneţilor permanenţi, trebuie
utilizate materiale care au o magnetizare remanentă mare, apropiată de cea de
saturaţie. Pentru fabricarea tolelor de transformator trebuie să se utilizeze materiale
feromagnetice al căror ciclu de histerezis să aibă o formă foarte alungită de-a
lungul axei magnetizării, ceea ce asigură un câmp coercitiv mic şi aria ciclului
mică, astfel ca pierderile energetice în transformator să fie minime.
Pentru construirea memoriilor magnetice se folosesc materiale al căror ciclu
de histerezis are o formă cât mai apropiată de cea dreptunghiulară, pentru a avea o
delimitare clară între cele două stări de magnetizare (magnetizare pozitivă -
magnetizare negativă), corespunzătoare celor două stări logice, 1 şi 0 logic.
În sfârşit, să amintim aici aplicaţiile feromagneţilor în construirea benzilor
şi discurilor magnetice, materialele utilizate în acest caz trebuind să aibă o
magnetizare remanentă ridicată şi stabilă în timp iar variaţia magnetizării în funcţie
de intensitatea câmpului magnetic exterior să fie cât mai apropiată de o variaţie
liniară.
13.5. Antiferomagnetismul şi ferimagnetismul
Dacă integrala de schimb este negativă (J < 0), cum se întâmplă de obicei,
interacţia de schimb determină într-un sistem de momente magnetice o orientare
antiparalelă a acestora, ca în figura 9.7, rezultând o ordonare antiferomagnetică
sau ferimagnetică.
Figura 13.7 – Ordonare antiferomagnetică
Un astfel de sistem poate fi considerat ca fiind alcătuit din două subreţele,

fiecare având o ordonare feromagnetică a momentelor magnetice. Dacă momentele
magnetice ale acestor subreţele sunt egale, avem de-a face cu un antiferomagnet,
momentul magnetic total al sistemului fiind nul.
Comportarea substanţelor antiferomagnetice poate fi descrisă într-un mod
asemănător cu descrierea comportării celor feromagnetice. Astfel, aranjarea
ordonată este datorată tot unui câmp intern (molecular), doar că acesta are expresia:
 
B  M (13.29)
semnul negativ apărând datorită valorii negative a integralei de schimb.
193
Refăcând calculele în maniera de la paragraful precedent, rezultă că

susceptibilitatea magnetică a unui antiferomagnet variază cu temperatura după
legea:
C
m = (13.30)
T  TN
care, se vede că este chiar legea Curie-Weiss, doar că în locul temperaturii Curie
apare, cu valoare pozitivă, temperatura Néel, dată de:
C
TN = (13.31)
2 0
Acest lucru înseamnă că, la temperaturi peste temperatura Néel,
antiferomagnetul respectă legea Curie-Weiss.
Sub această temperatură, susceptibilitatea sa creşte odată cu creşterea
temperaturii (figura 13.8), materialul comportându-se puternic anizotrop
(susceptibilitatea pe diferite direcţii este diferită).
Figura 13.8 – Variaţia cu temperatura a susceptibilităţii magnetice a unui antiferomagnet
Deci, la temperaturi mici, antiferomagnetul are o aranjare ordonată a

momentelor magnetice elementare, aranjare care, odată cu creşterea temperaturii,
se strică, astfel încât, la aplicarea unui câmp magnetic exterior, apare o magnetizare
diferită de zero, ca urmare a tendinţei de aliniere a momentelor magnetice pe
direcţia acestuia.
Materialele antiferomagnetice standard sunt Cr, cu TN = 475 K şi -Mn, cu
TN = 100 K. Alte materiale cu comportare antiferomagnetică sunt lantanidele;
astfel, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm şi Eu sunt antiferomagneţi cu temperaturi Néel sub 100
K, Gd este un feromagnet, în timp ce Tb, Dy, Ho, Er şi Tm au o comportare
complexă, fiind feromagneţi la temperaturi mari şi antiferomagneţi la temperaturi
scăzute. De altfel, aproape toate substanţele paramagnetice devin antiferomagnetice
la temperaturi foarte scăzute.
Tabel 13.3 - Valori ale temperaturii Néel ale unor materiale antiferomagnetice
Material MnFe2 MnO2 MnO MnS FeO NiF2 CoO
TN [K] 72 84 122 165 198 73 292
194
Dacă momentele magnetice ale celor două subreţele sunt diferite, avem de-a
face cu un ferimagnet; momentele magnetice necompensându-se total, rezultanta
lor determină un moment magnetic total spontan, ordonat pe domenii Weiss.
Magnetizarea se realizează în acest caz în câmp magnetic exterior ca la substanţele
feromagnetice, prin deplasarea pereţilor Bloch. Cel mai cunoscut material de acest
tip este magnetitul (Fe3 O4). Ca urmare a faptului că substanţele ferimagnetice sunt
izolatori, combinat cu permeabilitatea magnetică mare a acestora, ele au o mare
importanţă practică, utilizându-se ca miezuri la bobinele care lucrează la frecvenţe
mari şi în construcţia memoriilor magnetice. Materialele utilizate în acest mod în
practică sunt cunoscute sub numele de ferite.
13.6. Proprietăţi magnetice ale materialelor electronice şi
electrotehnice
 câmpul coercitiv, Hc reprezintă valoarea intensităţii câmpului magnetic
pentru care inducţia magnetică a unui corp magnetizat în prealabil se anulează
(figura 13.6); valoarea sa ( între 0,1 A/m şi 30 MA/m) depinde de structura,
compoziţia chimică, anizotropia şi dimensiunile particulelor constituente ale
corpului, de solicitările mecanice şi termice la care acesta a fost supus etc.
 inducţia de saturaţie, Bs reprezintă valoarea pe care o are inducţia magnetică
atunci când magnetizarea corpului, M atinge valoarea de saturaţie, Ms (figura
13.6); ia valori între 0,2 şi 2,5 T şi scade cu temperatura, conţinutul de
impurităţi şi starea de tensionare a corpului.
 inducţia remanentă, Br reprezintă valoarea inducţiei magnetice care persistă
în corpul magnetizat în prealabil la saturaţie, după anularea câmpului de
magnetizare; depinde de aceiaşi parametri ca şi câmpul coercitiv şi poate
ajunge până la 95% din valoarea inducţiei de saturaţie.
 indicele de calitate, (BH)max se defineşte ca fiind valoarea maximă a
produsului dintre inducţia magnetică şi intensitatea câmpului magnetic şi este
proporţional cu densitatea de energie magnetică înmagazinată de corp în cursul
procesului de magnetizare; materialele cu valori mari pentru (BH)max (până la
300 kJ/m3) se utilizează la fabricarea magneţilor permanenţi.
 permeabilitatea magnetică relativă statică, (totală) μr reprezintă raportul
dintre inducţia magnetică B şi intensitatea câmpului magnetic H multiplicată cu
permeabilitatea magnetică a vidului, 0: r = B/0H.
 permeabilitatea magnetică relativă reversibilă, μr,rev se defineşte prin relaţia:
1 B 1 dB
r, rev = lim  (13.32)
 0 H 0 H  0 dH
Transformarea reversibilă prezintă o importanţă deosebită în cazul
magnetizării corpurilor în câmpuri alternative.
După cum îşi păstrează sau nu într-o măsură suficientă starea de
magnetizare (la anularea câmpului magnetizant) materialele magnetice se împart
în:
195
 materiale magnetice moi, care au ciclul de histerezis îngust, câmp coercitiv

Hc mic şi inducţie de saturaţie Bs şi permeabilitate magnetică mari.
Utilizările materialelor magnetice moi sunt legate de caracteristicile ciclului
de histerezis. Astfel, materialele cu ciclul de histerezis înclinat şi k = Br/Bs < 0,5
(cu permeabilitate magnetică mică şi constantă în raport cu H) se utilizează la
confecţionarea miezurilor bobinelor de inductanţă constantă. Materialele cu ciclul
de histerezis mai înclinat şi k = 0,5 ÷ 0,8 (cu permeabilitate magnetică mare şi
dependentă de H) se utilizează la fabricarea miezurilor de transformatoare,
electromagneţi etc. Materialele cu ciclul dreptunghiular (pentru care k > 0,8) se
utilizează la fabricarea miezurilor de memorii magnetice, circuite de comutaţie etc.
Dintre materialele magnetice moi, cele mai utilizate sunt fierul pur şi fierul
electrolitic, oţelul, fonta, aliajele fier-siliciu, aliajele fier-aluminiu, aliajele nichel-
fier (permalloy), aliajele Fe-Co, aliajele Fe-Co-Ni etc.
 materiale magnetice dure, care au ciclul de histerezis lat, inducţie remanentă
Br şi câmp coercitiv mari.
Utilizările materialelor magnetice dure sunt legate de mărimea lui k: cele
pentru care k < 0,4 se utilizează pentru înregistrarea magnetică a informaţiei, iar
cele pentru care k > 0,4 se utilizează la fabricarea magneţilor permanenţi.
Dintre materialele magnetice dure, cele mai utilizate sunt oţelurile aliate
(Alni – Fe2NiAl, şi Alnico), aliaje cu metale pretenţioase (Pt-Co), ferite, alte aliaje
(oţel-Cr-Ni, Cu-Ni-Fe, Co-Ni).
13.7. Substanţe şi materiale magnetice
Aşa cum s-a arătat, din punct de vedere al comportării magnetice,
substanţele se împart în două mari categorii:
1. substanţe diamagnetice, formate din atomi care nu posedă moment magnetic
propriu permanent şi având permeabilitatea magnetică relativă subunitară şi
susceptibilitatea magnetică negativă (r < 1,  < 0); introduse într-un câmp
magnetic exterior, ele prezintă o slabă magnetizare în sens invers sensului
acestui câmp, magnetizare ce nu depinde de temperatură.
Figura 13.9 – Dependenţa de temperatură a susceptibilităţii magnetice a diferitelor

substanţe: paramagnetice (a), feromagnetice (b), antiferomagnetice (c)
196
2. substanţe paramagnetice, formate din atomi care au un moment magnetic

propriu permanent şi având permeabilitatea magnetică relativă supraunitară şi
susceptibilitatea magnetică pozitivă (r > 1,  > 0); introduse într-un câmp
magnetic exterior, ele prezintă o slabă magnetizare în acelaşi sens cu sensul
acestui câmp, magnetizare puternic dependentă de temperatură (legea Curie,
figura 13.9.a).
Există însă şi alte substanţe, care se deosebesc de cele de mai sus, prin
faptul că atomii lor au un moment magnetic propriu permanent care prezintă
aranjamente ordonate (orientare pe direcţii preferenţiale) chiar în lipsa unui câmp
magnetic exterior. Posibilele aranjamente sunt prezentate schematic în figura
13.10. Astfel, cazul reprezentat în figura 13.10.a este cel al substanţelor
feromagnetice, atomii acestora fiind identici. Substanţele feromagnetice prezintă o
magnetizare permanentă şi de valori mari. Cazurile din figura 13.10.b şi 13.10.c
corespund situaţiei când substanţa este alcătuită din două subreţele cu orientare
antiparalelă a momentelor magnetice. Dacă momentele magnetice ale celor două
subreţele sunt egale în modul, ele se compensează reciproc, momentul magnetic
total este nul, substanţa fiind în acest caz un antiferomagnetic; dacă momentele nu
sunt egale în modul, compensarea nu se produce total, substanţa fiind în acest caz
un ferimagnetic, ce prezintă, ca şi feromagneticii, un moment magnetic total nenul
permanent. Ultimul caz, cel prezentat în figura 13.10.d, este cel al substanţelor
helimagnetice, la care momentul magnetic al atomilor prezintă o orientare variabilă
elicoidal.
a) b)

c) d)
Figura 13.10 – Aranjarea momentelor magnetice atomice la substanţele feromagnetice (a),

antiferomagnetice (b), ferimagnetice (c) şi helimagnetice (d)
Aşa cum s-a precizat mai sus, în afara stării diamagnetice, care este
neinfluenţată de temperatură, celelalte stări prezintă o puternică dependenţă de
temperatură. Astfel, susceptibilitatea magnetică a paramagneticilor depinde de
temperatură conform legii Curie (relaţia 13.19).
La fero şi ferimagnetici, aranjamentul ordonat spontan dispare la o
temperatură caracteristică substanţei, numită temperatură Curie, TC, substanţa
comportându-se peste această temperatură ca un paramagnetic obişnuit (figura
197
13.9.b). În acest caz, legea dependenţei susceptibilităţii magnetice de temperatură

este ea legea Curie-Weiss pentru feromagnetici (relaţia 13.25).
În cazul antiferomagneticilor, aranjamentul ordonat al momentelor
magnetice atomice dispare la o temperatură caracteristică substanţei (temperatura
Néel, TN) (figura 13.9.c). Peste această temperatură, susceptibilitatea magnetică are
expresia din relaţia (13.30).
Materialele cu proprietăţi magnetice cu posibile aplicaţii practice sunt
numeroase, putând fi clasificate după diferite criterii.
Astfel, din punct de vedere al compoziţiei chimice, putem deosebi
următoarele categorii de substanţe magnetice:
1. Materiale magnetice naturale
Cele mai cunoscute materiale din această categorie sunt magnetita (Fe3O4),
cunoscută încă din antichitate şi pirotina (Fe2S3). Aceste substanţe sunt
ferimagnetice, aşa cum a arătat Néel, în 1947, dar ele nu sunt utilizate în aplicaţii
practice.
2. Elemente chimice feromagnetice; Fe, Co, Ni
Principalele caracteristici ale acestor elemente sunt prezentate în tabelul
13.4. Analizând acest tabel, se constată că structura Fe este la temperatură ambiantă
CVC, iar cea a Ni CFC. Cobaltul are structură HC, dar peste 500C structura sa
trece în CFC. Acest element are şi un punct Curie foarte ridicat (cea mai mare
valoare cunoscută a TC). Prin adăugarea Co la alte substanţe feromagnetice, punctul
Curie al amestecului creşte.
Tabel 13.4 – Caracteristici ale materialelor feromagnetice

Element Structură Nr. vecini TC  (B) ge Electroni
de ord. I  3d + 4s
( C) 2mc
Fe CVC 8 770 2,218 1,04 6+2
Co HC 12 1130 1,71 1,08 7+2
CFC 12 1,74
Ni CFC 12 360 0,616 1,09 8+2
Magnetizarea are cea mai mare valoare la Fe ( este momentul magnetic

atomic, exprimat ca multiplu al magnetonului Bohr, B).
ge
Expresia este aşa-numitul raport giromagnetic, adică raportul dintre
2mc
modulul momentului magnetic şi modulul momentului cinetic al atomului (g este
factorul Landé). Din valoarea acestuia se poate evalua contribuţia momentului de
spin, respectiv a momentului orbital la momentul magnetic total al atomului.
Valoarea determinată experimental pentru cele trei elemente arată că principala
contribuţie este datorată spinului electronilor din păturile incomplete, momentele
orbitale ale acestora contribuind doar cu un procent sub 10 %.
3. Aliaje ale elementelor chimice feromagnetice între ele sau cu alte
elemente
198
În graficul din figura 13.11 este reprezentată variaţia momentului magnetic

atomic, , (exprimat în funcţie de magnetonul Bohr, B), în funcţie de concentraţia
celui de-al doilea component (Co sau Ni) al aliajelor Co-Ni, Fe-Ni şi Fe-Co. Pentru
aliajul Co-Ni, se observă o scădere practic liniară a lui de la 1,6B la 0,6B
odată cu creşterea concentraţiei de Ni de la 0 la 100.
2,5
2 Co-Ni
(B)
Fe-Ni
1,5
Fe-Co
1
0,5
0 50 100
(%)
Figura 13.11 – Dependenţa momentului magnetic atomic, , (exprimat în funcţie de magnetonul

Bohr, B), în funcţie de concentraţia celui de-al doilea component (Co sau Ni) al aliajelor Co-Ni,
Fe-Ni şi Fe-Co
O comportare asemănătoare are şi aliajul Fe-Ni. Aliajul Fe-Co are o variaţie

a lui  care prezintă un maxim (mai mare decât valoarea lui  corespunzătoare
fiecărui component) pentru o concentraţie în jurul a 30 % Co. Acest tip de aliaj este
utilizat la construirea pieselor polare ale electromagneţilor.
Un aliaj cu proprietăţi foarte interesante este Co-Pt. În graficul din figura
13.12 sunt reprezentate dependenţele de concentraţia în Pt ale momentului
magnetic atomic (exprimat tot în funcţie de magnetonul Bohr) şi, respectiv
temperaturii Curie.
Figura 13.12 – Variaţia momentului magnetic atomic (exprimat tot în funcţie de magnetonul Bohr)
şi a temperaturii Curie în funcţie de concentraţia în Pt a aliajului Co-Pt
Se poate constata că, odată cu creşterea concentraţiei de platină, momentul

magnetic atomic mediu şi temperatura Curie scad practic liniar. Prin extrapolare, se
199
poate determina momentul magnetic atomic al platinei pure ca fiind egal cu

aproximativ 0,5B, apropiat de cel al nichelului, care este de 0,6B. Platina şi
nichelul au acelaşi număr de electroni pe stratul incomplet d, egal cu 6. Deşi platina
pură nu este feromagnetică, ea se comportă în acest fel atunci când este aliată cu
nichelul.
O caracteristică importantă a acestor aliaje este faptul că, în ciuda simetriei
structurii lor, de tip CVC, ele prezintă o energie de anizotropie foarte mare, ceea ce
înseamnă că ele pot fi folosite pentru obţinerea unor magneţi permanenţi cu câmp
coercitiv foarte mare.
Pentru obţinerea magneţilor permanenţi se folosesc şi alte aliaje, ale căror
proprietăţi sunt prezentate în tabelul 13.5, unde Br reprezintă inducţia remanentă,
HC – câmpul coercitiv iar produsul BHmax reprezintă produsul energetic, ce
caracterizează energia magnetică disipată pe ciclul de histerezis.
Tabel 13.5 – Proprietăţi ale aliajelor folosite pentru magneţi permanenţi

Aliaj Compoziţie (restul, până la 100 % este Br (T) HC BHm
Fe) (103A/m) -8
(10 TA/m)
Alnico II 12% Al, 18% Ni, 13% Co, 6% Cu 0,73 44,6 1,3
Alnico V 14% Ni, 8% Al, 24% Co, 3% Cu 1,27 51,7 4,4
Ticonal XX 15% Ni, 7% Al, 34% Co, 4% Cu, 5% Ti 1,18 104,7 8,8
Pt-Fe 40% Pt 0,6 151,3 2,6
Platinax 50% Pt, 50% Co 0,64 382,2 7,3
Oţel 1% Mn, 0,9% C 1 4 0,16
Oţel cu tungsten 0,3% Mn, 0,7% C, 5% W 1,05 5,2 0,24
Oţel cu crom 0,4% Mn, 1% C, 3,5% Cr 0,95 5,2 0,24
Oţel cu cobalt 36% Co, 0,9% C, 3,5% Cr, 7% W 1 18,3 0,8
În ce priveşte aliajele Fe-Ni, acestea pot fi utilizate pentru obţinerea unei

magnetizări mari sub acţiunea unui câmp slab (acestea prezintă o permeabilitate
magnetică foarte mare). Proprietăţile acestor aliaje sunt puternic sensibile la
tratamentul termic, pentru obţinerea unor calităţi deosebite fiind necesar de obicei
un dublu tratament termic, constând într-o încălzire bruscă, urmată de o răcire
lentă. Aliajul Fe-Ni compus din trei părţi Ni şi una Fe, cunoscut sub numele de
permalloy, este utilizat pentru confecţionarea ecranelor magnetice şi a miezurilor
de transformator. Prin adăugarea la aliaje Fe-Ni a unor mici cantităţi de alte metale
se obţine materialul cunoscut sub numele de supermalloy, a cărui permeabilitate
magnetică de aproximativ 5 ori mai mare decât cea a permaloy-ului, care este
utilizat totuşi destul de mult, ca urmare a unei insensibilităţi la tensiuni şi deformări
mecanice foarte bune.
4. Compuşi de forma M-N, unde M este unul din elementele Fe, Mn, Cr iar
N un element fero-, feri- sau helimagnetic
Cei mai importanţi compuşi ai Fe cu proprietăţi magnetice sunt FeBe2,
Fe2B, FeB, Fe2C, Fe4N, Fe3P, Fe2P, Fe7S8 etc. Elementul cu care se compune Fe
este un diamagnetic, care se comportă ca un „diluant” al Fe, atomii acestuia
neavând un moment magnetic propriu. Rezultă astfel un compus care este
200
întotdeauna feromagnetic (cu excepţia Fe7S8, care este ferimagnetic), cu punctul

Curie şi momentul magnetic atomic mediu mai scăzute decât ale Fe.
Dintre compuşii Mn cu proprietăţi magnetice, se pot aminti: MnAu4, MnAs,
MnBi, MnSb, MnAlCu2, MnSnCu2 (feromagnetici), Mn4N, Mn2Sb (ferimagnetici),
MnP, MnAu2 (helimagnetici) etc. Aceştia prezintă un punct Curie (sau Néel)
destul de coborât, cu excepţia compuşilor conţinând Al, care au TC ~ 300 ÷ 400 C.
De asemenea, momentul magnetic atomic mediu este foarte mare, ceea ce face ca
aceste materiale să fie folosite în construcţia magneţilor permanenţi (în special
MnBi, care are şi o energie de anizotropie ridicată). MnBi este utilizat şi ca
material pentru memoriile magnetice. Astfel, acest material este depus într-un strat
subţire (~ 100 nm) astfel ca direcţia de magnetizare uşoară să fie perpendiculară pe
planul stratului. Sub acţiunea unei radiaţii luminoase, stratul premagnetizat se
încălzeşte local peste temperatura Curie şi magnetizarea spontană dispare. La
încetarea acţiunii luminoase, zona se răceşte şi capătă o magnetizare în sens opus
sub acţiunea câmpului demagnetizat al zonelor vecine. Suprafaţa unei astfel de
zone poate fi redusă astfel încât diametrul său să fie de aproximativ 2 m, ceea ce
face ca densitatea de date stocate pe o astfel de suprafaţă să fie de 107 ÷ 108
bit/cm2. Ştergerea se poate face prin încălzirea şi răcirea într-un câmp slab paralel
cu magnetizarea iniţială.
Compuşii Cr cu proprietăţi magnetice ce merită a fi amintiţi sunt CrTe şi
CrO2, amândoi feromagnetici. CrO2 este utilizat la fabricarea benzilor magnetice,
având performanţe superioare oxizilor de Fe.
5. Elemente din grupa pământurilor rare (lantanide): Gd (feromagnetic),
Dy etc.
Lantanidele au, toate, aceeaşi configuraţie electronică periferică, 5d1 6s2, în
timp ce stratul interior 4f se completează progresiv. Proprietăţile magnetice ale
lantanidelor sunt determinate tocmai de aceşti electroni 4f. Primele lantanide sunt
paramagnetice, cu susceptibilitatea crescătoare odată cu creşterea numărului de
electroni din stratul 4f. Această creştere este semnificativă pentru europiu,
următorul element, gadoliniul (Gd), fiind feromagnetic. Lantanidele următoare au o
comportare magnetică complexă, în principal helimagnetică, sau feromagnetică la
temperaturi scăzute.
Cei mai importanţi compuşi ai lantanidelor din punct de vedere al
comportării magnetice sunt cu Co, reprezentativ fiind SmCo5, cu remarcabile
proprietăţi de magnet permanent: câmp coercitiv de aproximativ 2106 A/m,
produsul energetic BHmax de aproximativ două ori mai mare decât al aliajului Co-
Pt şi TC ~ 700 C.
6. Compuşi de tipul L-M sau L-N, unde L este un element din grupa
pământurilor rare iar M şi N un au aceeaşi semnificaţie ca mai sus
7. Oxizi micşti ai Fe şi ai altui metal (ferite) sau ai Fe şi ai unui lantanid
(granate)
Feritele propriu-zise sunt oxizi micşti de Fe III şi de un metal bivalent, cu
formula (MeO, Fe2O3). Ionii O2– formează o reţea CFC cu 32 de atomi în celula
elementară; în această reţea, ionii metalici ocupă două tipuri de poziţii interstiţiale:
201
tipul A, în care au 4 ioni de oxigen vecini şi tipul B, în care au 6 ioni de oxigen

vecini. Nu toate poziţiile de tip B disponibile sunt ocupate. Într-o celulă elementară
sunt ocupate 8 poziţii de tip A şi 16 de tip B. Aceste două tipuri de poziţii definesc
două subreţele.
Din feritele simple se pot sintetiza ferite complexe, înlocuind o parte din
cele două tipuri de ioni metalici cu alte tipuri de ioni metalici, favorizând în acest
fel un comportament magnetic particular.
În general, feritele au temperaturi Curie ridicate, în jurul a 500C. La
temperatura ambiantă ele au o rezistivitate de ordinul 10÷105 m, dar ea scade
exponenţial.
Feritele sunt utilizate mai ales în domeniul de frecvenţe înalte, neavând
practic pierderi prin curenţi Foucault. Aplicaţia de bază este aceea de miez de
transformatoare care lucrează în domeniul frecvenţelor înalte (unde radio
ultrascurte şi chiar unde centimetrice).
Granatele sunt oxizi micşti de Fe şi de lantanide, de formulă chimică ½
(5Fe2O3, 3L2O3) sau L3Fe5O12 (L reprezintă elementul lantanid), neconţinând decât
ioni metalici trivalenţi. Aceste cristale cu structură cubică sunt ferimagnetici, cu un
comportament analog celui al feritelor şi având temperatura Curie de aproximativ
290C. Ca şi feritele, sunt semiconductori cu proprietăţi deosebite la frecvenţe
înalte şi, tot ca şi la ferite, proprietăţile magnetice pot fi modelate prin substituirea
unor ioni metalici cu alţii.
8. Materiale magnetice transparente
Multe materiale semiconductoare cu structură de ferită sau granat sunt
transparente în anumite domenii spectrale, în general fiind vorba de mici ferestre
optice situate aproape întotdeauna în infraroşu. Astfel, granatul Y3Fe5O12 are
temperatura Curie de 287C, o magnetizare convenabilă şi este transparent în
domeniul infraroşu în intervalul 1 ÷ 9 m. Acest domeniu de transparenţă este
suficient pentru utilizarea materialului pe baza unor efecte electrooptice, cum este
rotirea planului de polarizare sub acţiunea unui câmp magnetic aplicat.
S-au sintetizat şi materiale transparente în vizibil, cum sunt: RbNiF3, care
este ferimagnetic şi perfect transparent în vizibil (TC este însă doar – 134C), FeF3
şi FeBF3, care sunt antiferomagnetici prezentând efecte Faraday importante (TC
este 91C, respectiv 75C).
202
14. Alte materiale

14.1. Materiale compozite
Prin combinarea a două sau mai multe materiale diferite, se poate obţine un
nou material cu o combinaţie dorită de proprietăţi (de exemplu, densitate, rezistenţă
mecanică, rezistenţă la coroziune etc.), numit material compozit.
Materialele compozite se pot clasifica după mai multe criterii. Astfel, după
vechimea folosirii lor, ele se împart în două mari categorii:
 Materiale compozite clasice – cărămizi din lut amestecat cu paie (chirpici),
hârtie etc.
 Materiale compozite moderne – materiale de înaltă tehnologie, fabricate
pentru aplicaţii specifice
O altă clasificare a materialelor compozite, în funcţie de modul de obţinere,
le împarte în:
 Materiale compozite naturale (lemn: polimer-polimer), (oase: polimer-
ceramică).
 Materiale compozite artificiale
Materialele compozite obişnuite au în compoziţia lor două faze:
 Matricea, cu structură continuă
 Faza dispersă (particule, fibre)
Proprietăţile materialelor compozite depind de:
 proprietăţile fazelor
 geometria fazei disperse (dimensiunea particulelor, distribuţia şi
orientarea acestora etc.)
 raportul maselor fazelor
După structura lor, materialele compozite sunt de trei feluri:
 Materiale compozite ranforsate cu particule (particule de dimensiuni
relative mari, dispersate în matrice)
 Materiale compozite ranforsate cu fibre (fibre dispuse continuu sau
fibre scurte, aliniate sau dispuse aleator)
 Materiale compozite structurale (laminate şi panouri sandwich)
14.1.1. Materiale compozite ranforsate cu particule

Acestea sunt cele mai ieftine şi cele mai utilizate, fiind de două categorii, în
funcţie de dimensiunea particulelor:
 Materiale compozite ranforsate cu particule de dimensiuni mari, care
acţionează prin limitarea mişcărilor matricei.
Proprietăţile acestor compozite sunt o combinaţie a proprietăţilor
componentelor. Regula amestecurilor arată că limita superioară a modulului de
elasticitate al compozitului este dată, în funcţie de modulele de elasticitate al
matricei, Em şi respectiv al particulelor, Ep, de relaţia:
Ec = EmVm + EpVp (14. 1)
unde Vm şi Vp sunt fracţiile volumice ale celor două faze.
203
Cel mai cunoscut şi utilizat exemplu de astfel de material compozit este

betonul, alcătuit dintr-o matrice de ciment, care leagă particule de diferite mărimi
(pietriş şi nisip).
La rândul său, cimentul, în forma sa generală, este un amestec fin de var,
alumină, silice şi apă. Cimentul Portland este o pudră fină de minerale conţinând
calcar, argilă şi var, calcinate la 1500oC. Acesta formează, atunci când este dizolvat
în apă, o pastă ce se solidifică în câteva minute şi se întăreşte lent (câteva luni, până
la întărirea completă). Proprietăţile depind de cât de bine este realizat amestecul şi
de cantitatea de apă. Prea puţină apă determină o legare incompletă, prea multă, o
porozitate excesivă.
Avantajul cimentului este acela că poate fi turnat pe loc, se întăreşte la
temperatura camerei şi chiar sub apă şi este foarte ieftin. Dezavantajele sunt: o
rezistenţă slabă, este casant, iar apa din pori poate produce fisuri, când îngheaţă.
Betonul este un ciment ranforsat prin adăugarea de particule. Utilizarea
unor particule de dimensiuni diferite (pietriş, nisip) asigură un factor de
împachetare mai bun decât la utilizarea unor particule de dimensiune fixă.
Betonul poate căpăta proprietăţi mai bune prin asigurarea unor pori cât mai
mici (prin utilizarea unei pudre mai fine, prin adăugarea unor lubrifianţi polimerici
şi prin aplicarea unei presiuni în timpul întăririi.
Betonul armat este obţinut prin adăugarea în beton de bare, fire, sau plasă
de oţel. Oţelul are un coeficient de dilatare similar cu cel al betonului, ceea ce
asigură un risc redus de formare a unor fisuri, ca urmare a tensiunilor termice.
Cermetul este un material compozit alcătuit din particule ceramice (dure,
casante), dispersate într-o matrice metalică (moale, ductilă), ceea ce creşte
rezistenţa materialului. De exemplu, carbura de tungsten sau titan, dispersată în Co
sau Ni, asigură o duritate foarte mare a materialului compozit obţinut, acesta fiind
folosit pentru confecţionarea sculelor aşchietoare utilizate în prelucrarea oţelurilor
dure.
 Materiale compozite ranforsate cu particule fine, de dimensiuni de ordinul
10÷100 nm.
În acest caz, matricea suportă cea mai mare parte a sarcinii aplicate şi micile
particule împiedică deplasarea dislocaţiilor, limitând deformarea plastică. Se
utilizează mici particule foarte dure, pentru a asigura o duritate mare a unor metale
şi aliaje metalice.
Cauciucul armat este obţinut prin dispersarea în cauciuc a unor particule
de carbon, cu dimensiunea de 20÷50 nm.
14.1.2. Materiale compozite ranforsate cu fibre

În multe aplicaţii, ca de exemplu în industria aeronautică, unde este nevoie
de o rezistenţă pe unitatea de masă (rezistenţă specifică) mare, rezultate foarte bune
se pot obţine cu materiale compozite ce constau dintr-o matrice uşoară, de mică
densitate, ranforsată cu fibre dure. Rezistenţa depinde de lungimea fibrelor şi
orientarea acestora în raport cu direcţia tensiunii.
204
În mod normal, matricea are un modul de elasticitate mult mai mic decât cel
al fibrei, astfel că aceasta se deformează mai mult, la distanţe mari faţă de fibră. În
imediata apropiere a acesteia, deformarea este limitată de către fibră. Astfel, pentru
un material compozit supus unei tensiuni, apare o tensiune de forfecare în matrice,
care acţionează dinspre fibră, uniform pe toată suprafaţa acesteia. Pentru a obţine o
rigiditate şi rezistenţă suficiente, fibrele trebuie să fie mai lungi decât o lungime
critică, ℓc, definită ca lungimea minimă la care centrul fibrei capătă rezistenta de
rupere la tracţiune f, când matricea capătă rezistenta la forfecare maximă, m:
ℓc = fd/2m (14. 2)
Materialul compozit are rezistenţa maximă pe direcţia de orientare a fibrelor
şi minimă pe direcţie perpendiculară pe fibre. Pentru fibre dispuse discontinuu,
aleator, proprietăţile sunt izotropice.
Dintre materiale compozite ranforsate cu fibre, cele mai cunoscute sunt:
 Compozite cu matrice polimerică
Acestea reprezintă cele mai numeroase şi mai utilizate materiale compozite,
datorită simplităţii în fabricaţie, costului redus şi bunelor proprietăţi.
 Compozite ranforsate cu fibre de sticlă
Sunt dure, rezistente la coroziune şi cu densitate mică, dar nu foarte rigide şi
nu pot fi utilizate la temperaturi ridicate.
 Compozite ranforsate cu fibre de carbon
Acestea utilizează fibre de carbon, care au cel mai ridicat modul de
elasticitate. Ele sunt dure, inerte şi permit utilizarea la temperaturi ridicate.
 Lemn
Lemnul este unul dintre cele mai vechi şi mai utilizate materiale structurale.
El este un material compozit alcătuit din fibre de celuloză dure şi flexibile (polimer
liniar), înconjurate şi menţinute împreună de o matrice de lignină şi alţi polimeri.
Proprietăţile sunt anizotrope şi variază larg, în funcţie de varietatea de lemn.
Lemnul este de zece ori mai rezistent pe direcţia axială, decât pe cea radială, sau
cea tangenţială.
 Compozite cu matrice metalică
 Compozite cu matrice ceramică
 Compozite Carbon-Carbon
 Compozite hibride
14.1.3. Materiale compozite structurale

Compozitele laminare sunt alcătuite din folii, sau plăci cu orientare diferită
a direcţiilor de rezistenţă mare, stratificate şi lipite.
Plăcile sandwich sunt alcătuite din plăci dure, rigide, legate de o structură
nucleu uşoară, de exemplu de tip fagure.
14.2. Cristale lichide
Anumite substanţe nu prezintă obişnuita tranziţie solid-lichid, astfel încât,
într-un domeniu de temperatură determinat se observă existenţa unor faze
mezomorfe, intermediare între starea solidă şi cea lichidă. Aceste stări mezomorfe
205
ale substanţei sunt stări particulare, pe care le prezintă unele corpuri, semnalate
încă din 1889 de către Lehman şi cunoscute sub numele de cristale lichide.
Caracteristica principală a acestor materiale nu este starea lor mai mult sau
mai puţin fluidă ci structurile lor foarte particulare. Domeniile de existenţă ale
cristalelor lichide sunt separate de domeniile de existenţă ale fazelor solide prin
discontinuităţi ale majorităţii proprietăţilor fizice ale acestora. Se disting trei mari
categorii de cristale lichide:
1. cristale nematice (de la grecescul nema = fir)
2. cristale smectice (de la grecescul smegma = săpun)
3. cristale colesterice
Pentru a înţelege caracterul specific al acestor faze, este necesară
clarificarea caracteristicilor profund distincte ale stării solide, respectiv lichide.
Solidul cristalin, a cărui structură prezintă o periodicitate tridimensională,
este caracterizat de proprietăţi vectoriale cu caracter discontinuu. Particulele
constituente ocupă locuri conform unei ordini de poziţie şi orientare în raport cu
referenţialul celulei cristalografice.
Contrar solidelor cristaline, într-un lichid, particulele constituente
(moleculele) sunt libere să se deplaseze aleator, lichidul fiind caracterizat tocmai de
dezordinea în poziţia şi orientarea acestor molecule. Faza lichidă este omogenă şi
izotropă deoarece toate direcţiile din spaţiu sunt echivalente. Domeniul de
stabilitate al fazei lichide corespunde întotdeauna unor temperaturi mai mari decât
acelea corespunzătoare fazei cristaline.
Domeniul de existenţă al fazelor mezomorfe este întotdeauna cuprins între
cele două situaţii extreme, relative la starea cristalină, respectiv lichidă.
Cristalele lichide (cum sunt numite uzual stările mezomorfe) sunt
caracterizate, ca şi cristalele, de o anizotropie a proprietăţilor lor, oricare ar fi
condiţiile de formare. Această anizotropie este, de exemplu, revelată printr-o
puternică birefringenţă a acestor medii, traducând orientarea ordonată a
moleculelor. Totuşi, moleculele nu sunt caracterizate de o orientare ordonată
tridimensională, ca cea dintr-un solid cristalin.
Aici se observă foarte clar poziţia intermediară a cristalelor lichide. Astfel,
dacă solidul cristalin este caracterizat de o ordonare a particulelor constituente atât
ca poziţie cât şi ca orientare, iar lichidul prezintă o dezordine atât de poziţie cât şi
de orientare, cristalele lichide prezintă o ordine de orientare concomitent cu o
dezordine de poziţie a particulelor constituente.
1. Cristale nematice
În faza nematică, moleculele constituente au una din axa lor paralelă cu o
direcţie dată (aranjare de tip „mănunchi de nuiele”). Totuşi, moleculele sunt
repartizate statistic aleator, ca într-un lichid ordinar. Ele se pot deplasa liber în toate
sensurile, cu condiţia să păstreze axa paralelă cu direcţia de orientare dată. Acest
fapt explică marea fluiditate a cristalelor nematice.
2. Cristale smectice
La cristalele smectice, ordinea de poziţie se păstrează numai pe o singură
direcţie. Sistemul poate fi asimilat cu un ansamblu de straturi lichide
206
bidimensionale stivuite unele peste altele la distanţe bine definite. Exemplul cel
mai vechi din această categorie îl constituie săpunurile, dar sunt şi alte substanţe cu
această structură, la care moleculele, de formă alungită, sunt aranjate în straturi
paralele, de grosime de ordinul de mărime al dimensiunii moleculei (200 ÷ 300
nm). În interiorul fiecărui strat, orientarea axei moleculei este paralelă cu o direcţie
dată. Dacă această direcţie este cea a stivuirii, avem de-a face cu un cristal smectic
A, pe când, dacă ea este înclinată faţă de direcţia de stivuire cu un unghi  variabil
cu temperatura, avem de-a face cu un cristal smectic C. La cristalele smectice B se
constată o periodicitate în interiorul fiecărui strat, ele prezentând rigiditatea unui
solid cu două dimensiuni.
3. Cristale colesterice
Acest tip de cristal lichid este analog celui de tip nematic, structura
colesterică putând fi obţinută prin supunerea unui cristal cu structură nematică unei
torsiuni în jurul unei axe perpendiculare pe direcţia de aliniere generală a
moleculelor. Se obţine în acest fel o structură elicoidală.
14.2.1. Natura chimică a cristalelor lichide

Din punct de vedere al structurii chimice, se pot deosebi două categorii de
astfel de substanţe:
a) Materiale termotrope
Din această categorie, materialele smectice şi nematice au molecule de unul
din cele trei tipuri de mai jos:
R A B R’
bifenil dihidrofenantren
Radicalii R şi R’ pot fi: CnH2n+1 ; OCnH2n+1 ; CO ; Br ; – C  N etc. iar

gruparea A – B:
– CH = N – (benziliden amină);
– N = N – (azobenzen);
– C  C – (tolan) etc.
Dintre cristalele colesterice termotrope, cele mai cunoscute sunt esterii de
colesterol.
În general, structura moleculară a materialelor termotropice este constituită
numai din mici molecule organice. Schimbările de fază sunt induse de variaţia
temperaturii (solid  smectic  nematic  lichid).
b) Materiale liotrope
Structurile liotrope sunt în general constituite din molecule destul de lungi
(lipide, fosfolipide, proteine, macromolecule) în soluţie într-un substrat lichid (de
obicei apă).
207
Tranziţiile de fază pot fi induse prin variaţii de concentraţie a moleculelor

în substrat. Aceste materiale sunt foarte sensibile la variaţiile de temperatură, care
pot determina distrugerea structurii.
De obicei, într-un sens mai restrâns, când se vorbeşte de cristale lichide, se
face referinţă numai la structurile termotrope.
Dintre materialele termotrope cel mai studiate, se pot aminti:
1. Paraazoxianisol (PAA)
Este un material nematic cunoscut pentru proprietăţile sale şi studiat încă
din al doilea deceniu al secolului al XX-lea, faza nematică fiind situată într-un
domeniu de temperaturi destul de ridicate, fapt ce a determinat neutilizarea sa în
aplicaţii practice.
2. p-metoxibenziliden p butilanilină (MBBA)
Acesta a fost primul material sintetizat (1969) cu proprietăţi nematice la
temperatura mediului ambiant. Totuşi, în ciuda remarcabilelor proprietăţi, MBBA
prezintă o relativă instabilitate chimică (oxidare, hidroliză), motiv pentru care în
aplicaţiile practice a fost înlocuit de alte materiale: benzoaţi, bifenili, tolani.
3. Tereftal-bis-(p-butilanilină) (TBBA)
Acest material prezintă mai multe faze smectice, în funcţie de temperatură.
Conform regulii generale, prima fază smectică obţinută plecând de la faza solidă
este de tip B.
În ultimul timp, gama materialelor mezomorfe s-a diversificat foarte mult,
fiecare producător industrial dezvoltând numeroase tipuri, în funcţie de aplicaţiile
practice.
Proprietăţile remarcabile ale cristalelor lichide fac ca acestea să fie utilizate
atât în cercetarea fundamentală cât şi în aplicaţii industriale.
Astfel, ele au proprietăţi optice cu totul speciale: cristalele nematice şi cele
smectice sunt medii birefringente uniaxe. Cristalele colesterice, datorită structurii
periodice a lor, determină reflexii Bragg în domeniul lungimilor de undă din
vizibil. Ca urmare a acestor fapte, materialele respective pot fi utilizate ca detectori
optici foarte sensibili.
Studiul mediilor parţial ordonate este posibil prin utilizarea cristalelor
lichide. Starea lichidă şi fazele condensate, în particular cele întâlnite în biologie,
pot fi mai bine cunoscute prin studierea interacţiilor moleculare pe distanţă scurtă
şi lungă.
Studiul perturbaţiilor suferite de o fază mezomorfă sub acţiunea câmpului
electric şi magnetic (efectul electrooptic şi efectul magnetooptic) face apel la
utilizarea cristalelor lichide.
Cu o birefringenţă neegalată de alte substanţe birefringente (n ~ 0,2),
comod de modulat ca urmare a fluidităţii, cristalele lichide sunt utilizate şi în
studiul proprietăţilor optice ale mediilor uniaxe şi biaxe.
Aceste materiale sunt utilizate şi în studierea unor probleme de
hidrodinamică şi electrodinamică, în studiul tranziţiilor de fază, în simularea unor
procese elementare din membranele biologice etc.
208
Puternica anizotropie a cristalelor lichide determină şi o puternică

reactivitate a acestora sub acţiunea câmpurilor electrice sau magnetice, cu
numeroase aplicaţii practice.
O proprietate deosebită pe care o au cristalele lichide este aceea de orientare
preferenţială a moleculelor constituente sub acţiunea unui câmp electric sau
magnetic exterior, care are loc într-un mod specific fiecărui material. Astfel, sub
acţiunea unui câmp electric exterior, moleculele MBBA (cristal negativ) se
orientează cu axa perpendiculară pe liniile de câmp, în timp ce moleculele de
Nematel 105 (cristal pozitiv) se orientează cu axa paralelă cu liniile de câmp; sub
acţiunea unui câmp magnetic, ambele materiale îşi orientează moleculele cu axa
paralelă cu liniile de câmp magnetic.
14.2.2. Aplicaţii industriale ale cristalelor lichide

Principalele aplicaţii industriale ale cristalelor lichide se bazează pe
modificarea proprietăţilor lor optice sub acţiunea fie a unui câmp electric (efect
electrooptic), fie a căldurii (efect termooptic). Modificarea proprietăţilor optice este
la rândul ei datorată modificărilor structurale induse de acţiunea cauzei respective.
Dispozitivul ce funcţionează pe baza efectului electrooptic se numeşte
celulă cu cristale lichide, a cărei construcţie este prezentată în figura 14.1. Din
această figură se poate observa construcţia celulei: stratul de cristal lichid (1), cu
grosimea de 5 ÷ 100 m, este plasat între două lamele de sticlă transparentă (3), cu
grosimea de aproximativ ½ mm. Pe partea interioară a acestor lamele este depus un
strat metalic foarte subţire (2), care constituie electrozii pe care se aplică tensiunea
electrică pentru crearea câmpului electric exterior. Aceşti electrozi, aflaţi în contact
cu suprafeţele stratului de cristal lichid, au suprafaţa de o anumită formă, în funcţie
de scopul în care este construită celula. Distanţierii (4) asigură etanşeitatea celulei
şi rigiditatea acesteia.
3
4
1
2
Figura 14.1 – Celulă cu cristale lichide
Aşa cum s-a precizat anterior, sub acţiunea unui câmp electric exterior,
moleculele cristalului lichid se orientează perpendicular sau paralel cu liniile de
câmp. Să considerăm montajul din figura 14.2, în care o celulă ca cea descrisă mai
sus, umplută cu un lichid nematic cu orientare perpendiculară pe liniile de câmp
electric, se găseşte între un polarizor şi un analizor cu axele optice paralele. Dacă se
trimite un fascicul de lumină pe direcţia axei sistemului, în lipsa unei tensiuni
209
electrice aplicate pe celulă, acesta va trece prin sistem şi un observator aflat de

partea cealaltă a acestuia va observa câmpul optic luminat.
P A
Figura 14.2 – Montaj pentru studiul orientării preferenţiale a moleculelor cristalului lichid
Aplicarea unei tensiuni pe electrozii celulei determină orientarea

preferenţială a moleculelor cristalului lichid perpendicular pe direcţia câmpului şi
comportarea optic activă a acestuia, fapt constatat prin întunecarea câmpului optic.
Astfel, o rază de lumină polarizată ce traversează celula îşi roteşte planul de
polarizare cu un unghi , dat de relaţia:
 = Cdn = Cd(no – ne) (14. 3)
unde C este o constantă caracteristică celulei, d – distanţa dintre electrozi (grosimea
stratului nematic),  - lungimea de undă a luminii şi n – birefringenţa celulei,
care, la rândul ei, depinde de ordinea creată de orientarea impusă de câmpul
electric, adică de tensiunea electrică aplicată pe celulă.
Un astfel de dispozitiv utilizat în lumină albă este un filtru optic (care poate
fi, de exemplu, utilizat la afişajul în culori), iar dacă el este utilizat în lumină
monocromatică poate constitui un modulator de lumină.
Un dispozitiv asemănător celui din figura 14.2, dar în care analizorul şi
polarizorul sunt plasaţi la extincţie iar celula foloseşte un lichid nematic cu
orientarea moleculelor paralel cu liniile de câmp electric aplicat poate fi folosit în
aceleaşi scopuri. Trebuie precizat că, în ambele cazuri, lichidul nematic utilizat
trebuie să aibă o rezistivitate mare.
Dacă cristalul lichid din celulă are o rezistivitate relativ scăzută, se poate
obţine un efect de difuzie dinamică. Astfel, oscilaţiile moleculelor sub acţiunea
unui câmp electric alternativ creează în mediu efecte turbionare, transformându-l
într-un mediu difuzor de lumină.
Dacă cristalul lichid este nematic, timpul de orientare (intervalul de timp
dintre momentul aplicării câmpului şi cel al stabilirii orientării finale a moleculelor)
ca şi cel de revenire (intervalul de timp dintre momentul încetării aplicării
câmpului şi cel al restructurării iniţiale a moleculelor) sunt comparabile şi de valori
de ordinul a 1 ÷ 100 ms. În acest caz, sistemul poate fi folosit la afişarea dinamică.
Dacă se foloseşte un lichid colesteric, timpul de revenire este mult mai mare
decât cel de orientare (putând ajunge până la câteva zile), în acest caz dispozitivul
putând fi folosit ca dispozitiv de memorare.
Un dispozitiv deja comun este afişorul cu 7 segmente, care, cuplat cu
circuite logice, permite afişajul digital (numeric). Acesta este alcătuit din 7
210
segmente (în fapt, 7 celule integrate într-un bloc unic) care formează cifra 8. Prin
“aprinderea” numai a unora din aceste segmente se pot forma toate cifrele, de la 0
la 9 (figura 14.3).
Figura 14.3 – Afişarea cifrelor prin sistemul cu 7 segmente
În general, dispozitivele de afişare cu cristale lichide pot fi utilizate pentru

afişarea prin transmisie (mai rar) sau prin reflexie.
Utilizarea cristalelor lichide în sistemele de afişare s-a răspândit foarte mult,
în special în afişajul digital, ca urmare a consumului redus de energie electrică, a
dimensiunilor mici şi a fiabilităţii mari a acestor dispozitive. În afişajul dinamic
(imagini în mişcare, cum este cazul ecranelor de televiziune sau al monitoarelor
calculatoarelor) alb-negru sau color, dispozitivele cu cristalele lichide au o utilizare
din ce în ce mai largă, datorită costului, iniţial ridicat, dar care s-a apropiat de cel al
dispozitivelor clasice, dublat de consumul mic de energie, ceea ce le face utile în
aparatura portabilă.
În afara aplicaţiilor bazate pe efectele electrooptice, cristalele lichide se
regăsesc şi în dispozitive a căror funcţionare se bazează pe efecte termooptice.
Astfel, modificarea pasului elicei cristalelor colesterice sub acţiunea modificărilor
de temperatură şi-a găsit aplicaţii importante. Aşa cum s-a arătat, un cristal
colesteric iluminat în lumină albă reflectă lumină colorată, întrucât numai radiaţiile
de lungime de undă dată de relaţia: psin = k(unde p este pasul elicei) vor fi
reflectate în fază.
Cum p depinde de temperatură, culoarea stratului colesteric este şi ea
dependentă de temperatură. Temperatura la care pasul elicei este de ordinul
lungimii de undă se numeşte temperatură sensibilă.
În funcţie de natura cristalelor lichide sau a amestecurilor, s-au obţinut
domenii de temperatură sensibilă de mai multe zeci de grade şi cu sensibilităţi care
permit decelarea schimbărilor de culoare datorate unor variaţii de temperatură de
ordinul unei miimi de grad.
211
Pe baza unor astfel de dispozitive, s-au dezvoltat aplicaţii în diferite

domenii, cum sunt: măsurarea temperaturii cutanate şi detectarea tumorilor,
transformarea imaginilor din infraroşu în imagine vizibilă colorată, practic
instantaneu, controlul, reglajul şi stabilizarea temperaturilor în incinte, detectarea
defectelor în metale prin detectarea viciilor de conductivitate termică etc.
14.3. Materiale supraconductoare
14.3.1. Noţiuni generale
Fenomenele legate de starea supraconductoare au început să fie studiate
odată cu descoperirea fenomenului, de către fizicianul olandez Kamerlingh Onnes,
în 1911, prin care, la temperaturi în jurul a 1 K, rezistenţa electrică a unor metale
scade practic la zero (< 10–18 m).
Ca urmare a scăderii drastice a rezistenţei electrice, curentul indus într-un
circuit supraconductor se păstrează un timp foarte lung (~ 10 5 ani) după încetarea
acţiunii cauzei care l-a produs. Se constată că fluxul magnetic creat de un astfel de
curent este cuantificat, conform relaţiei:
 = n0 ; n = 1, 2, 3, ... (14. 4)
unde 0 este cuanta de flux magnetic, dată de:
hc
0 = = 610– 7 Wb (14. 5)
2e
S-a observat că această stare cu proprietăţi deosebite se obţine numai sub o
anumită temperatură, TC, numită temperatură critică, dependentă de natura
materialului. În tabelul 14.1 sunt prezentate valorile temperaturii critice pentru
câteva materiale.
Tabel 14.1 – Temperatura critică pentru câteva materiale

material TC(K) material TC(K) material TC(K)
Al 1,17 Cd 0,56 Nb3Sn 18,05
Zn 0,88 In 3,39 Pb - Bi 8
Ti 0,40 Sn 3,70 Mo - Tc 14
V 5,30 Ta 4,48 V3Si 17
Ga 1,10 Os 0,71 Ta - Nb 6,30
Zr 0,75 Ir 0,14 Nb3Al 17,50
Nb 9,20 Hg 4,15 V3Ga 16,50
Mo 0,95 Tl 1,37 V3Co 17,10
Tc 11,20 Pb 7,20 La3In 10,40
Ru 0,47 La 5,80 NbN 14,70
Rh 1,70 Th 1,40
În prezenţa unui câmp magnetic exterior, starea supraconductoare se poate

distruge dacă valoarea acestuia este suficient de mare, peste o valoare dependentă
de natura materialului, numită câmp critic. Dependenţa câmpului critic de
212
temperatură este dată de legea empirică:

  T 2 
Hc(T) = Hc0 1     (14. 6)
  Tc  
În figura 14.4 este reprezentată grafic această dependenţă. Din această
figură, se vede că curba HC = HC(T) desparte în diagrama de stări (H, T), stările
supraconductoare, situate sub ea, de cele de cristal conductor normal, situate
deasupra.
Figura 14.4 – Dependenţa câmpului critic de temperatură
Starea supraconductoare se poate distruge brusc, într-un câmp de intensitate

mai mare decât cea critică, caz în care supraconductorul este un supraconductor
de tip I, sau treptat, între o valoare HCi, numită câmp critic inferior şi o alta, HCs,
numită câmp critic superior (HCs > HCi). Aceştia sunt supraconductorii de tip II,
care, între câmpul critic inferior şi cel superior prezintă proprietăţi
supraconductoare care se manifestă incomplet.
De asemenea, se observă experimental că şi căldura specifică electronică
suferă un salt la temperatura critică.
În prezenţa unui câmp magnetic inferior celui critic (critic inferior, pentru
supraconductorii de tip II), în interiorul supraconductorului câmpul magnetic este

nul ( B ), acesta comportându-se ca un diamagnet perfect. Fenomenul este cunoscut
sub numele de efect Meissner (descoperit de Meissner şi Ochsenfeld, în 1933), o
imagine sugestivă a producerii acestuia fiind cea din figura 14.5.
Ca urmare a faptului că în interiorul supraconductorului câmpul magnetic
este nul, la suprafaţa acestuia, componenta normală a câmpului magnetic este, de
 
asemenea, nulă. Pe de altă parte, cum   H  j , rezultă că. în interiorul
supraconductorului densitatea de curent trebuie să fie, de asemenea, peste tot, nulă,
ceea ce înseamnă că orice curent care circulă în supraconductor este un curent
superficial. Mai mult decât atât, curenţii circulând la suprafaţa supraconductorului
pot duce la apariţia unui curent total nenul (de exemplu când supraconductorul are
213
forma unui tor) staţionar, chiar în absenţa unui câmp electric. Cum acest lucru
înseamnă că nu are loc o disipare de energie, faptul poate fi interpretat ca o absenţă
totală a rezistenţei electrice. Acest lucru înseamnă, mai departe, că rezistivitatea
foarte mică a supraconductorilor nu este decât o consecinţă a proprietăţilor
magnetice deosebite ale acestora, care reprezintă aspectul esenţial al
supraconductivităţii.
Figura 14.5 – Efectul Meissner
14.3.2. Ecuaţia London

Într-un conductor normal, conducţia electrică este descrisă de legea lui
Ohm, care însă, pentru un supraconductor nu mai este valabilă. Fizicianul London a
postulat că densitatea de curent este proporţională cu potenţialul vector al câmpului
magnetic local:
 1 
j A (14. 7)
0 L
2
Aceasta este ecuaţia London.

Dacă se aplică de două ori operatorul rotor relaţiei (14.7) şi se înmulţeşte cu
 
 0, ţinând cont că   B   0 j , se obţine:
 1 
2B  2 B (14. 8)
L
Relaţia (14.8) arată că, într-un supraconductor, nu poate exista un câmp
magnetic uniform, decât dacă acesta este nul. Ea admite o soluţie de forma:
z
  
L
B  B0  e (14. 9)

unde B0 este câmpul la suprafaţa supraconductorului şi z este adâncimea în acesta.
Se vede că, în interiorul supraconductorului, câmpul magnetic scade rapid
(exponenţial) spre zero. Tot din această relaţie rezultă şi semnificaţia fizică a
constantei L, numită adâncime de pătrundere: ea reprezintă adâncimea în
supraconductor la care câmpul magnetic se reduce de e ori faţă de cea de la
suprafaţa lui şi are o valoare de ordinul a 510 -8 m.
Se poate spune, deci, că relaţia (14.9) este expresia matematică a efectului
214
Meissner.

Impulsul unui electron în câmp magnetic de potenţial vector A este:
p  mv  eA (14. 10)
de unde:
p e
v  A (14.10’)
m m
Cum j  nev , rezultă:
ne ne2
j p A (14. 11)
m m 
Comparând relaţia (14.11) cu ecuaţia London, rezultă că p = 0 şi
ne 2
j A (14. 12)
m
şi:
m
 2L  (14. 13)
 0 ne 2
Teoria London se dovedeşte în multe aspecte ale sale conformă cu
rezultatele experimentale dar nu poate explica de ce, în starea fundamentală,
impulsul electronilor este nul. De asemenea, valoarea adâncimii de pătrundere este
prea mică, ceea ce duce la dificultăţi teoretice mari şi, în plus, cauza producerii
fenomenului rămâne neexplicată.
Aceste probleme pot fi lămurite doar în cadrul teoriei cuantice, unde se
arată că fenomenul provine din existenţa unei mici forţe de atracţie între oricare doi
electroni din reţea având energiile de valori foarte apropiate. Deşi este, deja, banal
să spunem că doi electroni se resping, având sarcini de acelaşi semn, totuşi, în
reţea, lucrurile sunt un pic diferite. Astfel, un electron din reţea atrage spre el ionii
pozitiv din jur şi, ca urmare, în zona respectivă reţeaua va fi cu puţin mai densă în
ioni pozitivi decât în mod normal. Dacă un alt electron ajunge în vecinătate, el va fi
atras spre această regiune de densitate ionică mai mare, ca şi cum ar fi atras de
către electronul ce a creat starea respectivă în zonă.
Figura 14.6 – Interacţiunea electronilor în reţea
Modul cel mai simplu de a descrie şi calcula această forţă de atracţie este
215
acela de a descrie interacţiunea ca o emisie a unui fonon „virtual” de către un

electron şi absorbţia acestuia de către un alt electron (figura 14.6)
 
Conform figurii 14.6, un electron în starea k emite fononul de impuls g şi
  
trece în starea k  g ; un alt electron, absoarbe acest fonon, trecând din starea k  în
 
starea k   g . Calculele se fac în teoria perturbaţiilor de ordinul II şi se obţine o
energie de interacţiune între cei doi electroni, care se suprapune peste cea
coulombiană. Pentru a avea o stare supraconductoare este necesar ca suma acestor
două energii să fie negativă: A fost dezvoltată o întreagă teorie * a acestor
interacţiuni (în care, evident, nu vom intra), perechile de electroni care
interacţionează în felul descris mai sus şi care duc la apariţia stării
supraconductoare numindu-se perechi Cooper. În cadrul acestei teorii, se arată că
la supraconductori apare o stare fundamentală separată de stările excitate printr-o
bandă interzisă de lărgime 2, de ordinul a 10–3 eV. Acest fapt are consecinţe
importante, din care vom aminti aici doar pe aceea referitoare la transparenţa
supraconductorului la fluxuri de fotoni de energie mai mică decât lărgimea acestei
benzi interzise.
Aşa cum spuneam mai înainte, adâncimea de pătrundere calculată în teoria
London este foarte mică, ea însemnând o tranziţie foarte bruscă de la starea
conductoare la cea supraconductoare. Pentru că acest lucru duce la dificultăţi
teoretice foarte mari, un alt fizician, Pippard, a elaborat o altă teorie în cadrul căreia
se consideră că tranziţia are loc pe o adâncime mai mare,  ~ 10–6 m, numită
lungime de coerenţă. Astfel, în teoria lui Pippard, formula (14.12) se scrie sub o
formă mai generală:
  
jg  Mg   A g (14. 14)

Formula este scrisă în spaţiul reciproc, în care Mg  este o funcţie bine-

definită de g , corespunzător câmpului magnetic aplicat. În figura 14.7 este
reprezentată această funcţie, comparativ cu teoria London.
Pentru câmpuri variabile lent, formula London (relaţia 14.12) este corectă.
Odată cu creşterea valorii numărului de undă corespunzător câmpului magnetic

aplicat, pentru care potenţialul vector are forma din relaţia 14.15, Mg  tinde spre
zero.
  
A  r   A g  e ig  r

(14. 15)
Trecerea de la „regimul London” la „regimul Pippard” are loc când g este
destul de mare pentru a crea o excitare, adică atunci când depăşeşte valoarea gC,
pentru care:
ћvFgc ~  (14. 16)
1
Valoarea  este tocmai lungimea de coerenţă.
gc
Acest rezultat, stabilit fenomenologic de către Pippard şi dezvoltat teoretic
Este vorba de teoria BCS, dezvoltată în 1957 de către Bardeen, Cooper şi Schreiffer.
*
216
în cadrul mecanicii cuantice prin lucrările lui Bogoliubov, are o mare importanţă în
analiza detaliată a proprietăţilor stării supraconductoare, cum ar fi efectul pelicular
anormal şi penetrarea câmpurilor magnetice.
Figura 14.7 – Reprezentarea grafică a funcţiei M
De fapt, lungimea de coerenţă reprezintă dimensiunea perechilor Cooper,

adică distanţa peste care trebuie să existe o corelaţie a fazelor perechilor de
electroni. Ea poate fi calculată considerând că este de ordinul de mărime al
drumului liber mediu al electronilor care participă la supraconducţie. Aceştia au
energii cuprinse într-un domeniu de grosime kBTC în jurul valorii F şi
impulsul cuprins în intervalul p, în jurul valorii pF:
k T
p ~ pF B C (14. 17)
F
Cum principiul de nedeterminare al lui Heisenberg impune ca px  ћ,
 F
x  ~ 10– 6 m (14. 18)
p F k B TC
14.3.3. Aplicaţii ale supraconductibilităţii

Obţinerea practică a supraconductorilor s-a perfecţionat continuu, în prezent
fiind cunoscute materiale cu temperatura critică mai ridicată şi care suportă
densităţi de curent mai mari.
S-a constatat că supraconductibilitatea apare mai uşor la materiale cu
rezistivitate mai mare* în stare normală. De asemenea, s-a constatat că dacă metalul
sau aliajul are un număr mediu de electroni de conducţie pe atom egal sau apropiat
de 3 sau 4,7 sau 6,8 (de exemplu, Nb, Re, cu 5, respectiv 7 electroni) temperatura
critică a materialului este mai ridicată, pe când, dacă acest număr este egal sau
apropiat de 2 sau 4 sau 5,6 (de exemplu, Zr şi Mo, cu 4, respectiv 6 electroni)
*
Fapt evident, întrucât la aceste materiale interacţiunea electroni - fononi este mai puternică ceea ce
face mai probabilă apariţia perechilor Cooper.
217
materialul respectiv nu prezintă starea de supraconductibilitate.

Prin alierea materialelor cu proprietăţi supraconductoare, se pot obţine
materiale cu temperaturi critice mai mari decât ale oricăruia dintre componenţi.
Utilizând materiale supraconductoare pentru confecţionarea bobinelor, se
pot obţine câmpuri magnetice foarte puternice, întrucât supraconductorii suportă
densităţi de curent mult mai mari faţă de conductorii normali. Astfel, au fost
obţinute câmpuri magnetice de ordinul a 100 T, necesare la acceleratoarele de
particule, generatoarele magnetohidrodinamice, instalaţiile de rezonanţă magnetică
nucleară (RMN) şi la cele de cercetări pentru obţinerea reacţiei de fuziune
termonucleară controlată. De asemenea, se prevede ca astfel de câmpuri, obţinute
cu ajutorul supraconductorilor, să fie utilizate pentru realizarea unor ecrane
magnetice, a suspensiilor magnetice şi a lagărelor fără frecare (cu largă
aplicabilitate în transporturi).
În perspectivă, transportul energiei electrice cu pierderi minime (mult mai
mici decât cu tehnologia clasică) la distanţe mari se va putea realiza prin utilizarea
cablurilor electrice supraconductoare.
Dacă în cazurile prezentate mai sus realizările sunt, de obicei, la stadiul
cercetărilor de laborator, în domeniul aplicaţiilor în electronică ale
supraconductibilităţii, lucrurile sunt mai avansate. Astfel, s-au realizat generatoare
şi detectoare de ultraînaltă frecvenţă (UIF), pe baza joncţiunilor Josephson. O
joncţiune Josephson este alcătuită din două straturi de supraconductor izolate
printr-un dielectric de grosime mică. Aşa cum a prevăzut teoretic în 1964 fizicianul
englez B. D. Josephson, într-o joncţiune de acest fel se pot produce două fenomene,
care îi poartă numele:
 efectul Josephson staţionar constă în trecerea unui curent prin joncţiune fără
cădere de tensiune pe aceasta. Fenomenul este datorat tunelării perechilor
Cooper prin stratul dielectric.
 efectul Josephson nestaţionar constă în producerea unor oscilaţii
electromagnetice de ultraînaltă frecvenţă (~ 10 GHz) într-o joncţiune
Josephson la capetele căreia există o cădere de tensiune (de ordinul a 10 – 3 V).
Pulsaţia oscilaţiilor depinde de căderea de tensiune, V0, conform relaţiei:
2eV0
0 = (14. 19)

Pe lângă aplicaţiile în generarea şi detecţia undelor radio de ultraînaltă
frecvenţă, o astfel de joncţiune prezintă o mare importanţă prin faptul că poate
constitui un etalon de tensiune foarte precis, întrucât, aşa cum se vede în relaţia
(14.19), tensiunea V0 depinde numai de frecvenţa 0, care poate fi măsurată cu
precizie şi de două constante fundamentale: sarcina electrică elementară şi
constanta lui Planck.
Constructiv, o joncţiune Josephson se poate realiza foarte simplu prin
metoda depunerii în vid din stare de vapori. Se foloseşte un suport de sticlă (foarte
curată) pe care se depun 4 borne de argint, servind de contacte electrice, situate în
colţurile unui pătrat. Se depune apoi sub forma unei benzi înguste ce uneşte două
borne situate în colţuri opuse, un strat fin de staniu, se lasă apoi să se oxideze, ceea
218
ce determină apariţia unui strat izolant de grosimea dorită, după care se depune un
nou strat de staniu, sub forma unei benzi între celelalte două contacte de Ag.
Joncţiunea Josephson este constituită de regiunea de suprapunere a celor două
benzi de staniu supraconductor, separate de stratul subţire de oxid.
Dacă se aplică un câmp magnetic perpendicular pe joncţiune, acesta va
acţiona asupra funcţiei de undă a electronilor supraconductori prin intermediul
potenţialului său vector. Se demonstrează că are loc în consecinţă o variaţie spaţială
a fazei acestei unde în supraconductor.
Considerând că, în absenţa câmpului magnetic exterior, curentul prin
joncţiunea Josephson este I0, la o valoare B0/2 a inducţiei magnetice a câmpului
magnetic perpendicular pe suprafaţa joncţiunii, variaţia spaţială a fazei implică
faptul că intensitatea curentului nu mai are aceeaşi valoare în diferite puncte ale
joncţiunii. Curentul total este inferior lui I0. Pentru valoarea B0 a câmpului
magnetic, contribuţia totală a curentului este nulă. Trebuie deci să existe o variaţie
cuasiperiodică a intensităţii curentului în funcţie de câmpul magnetic, ceea ce a fost
verificat experimental, dovedindu-se în acest mod fundamentarea previziunilor lui
Josephson (figura 14.8).
Figura 14.8 – Variaţia cvasiperiodică a intensităţii curentului în funcţie de câmpul magnetic
Periodicitatea acestei variaţii a curentului prin joncţiune depinde de

geometria acesteia, ea variind de la 10 la 100 T pentru o joncţiune de 1 ÷ 0,1
mm. Trebuie notat că această periodicitate este asociată cuantificării fluxului
magnetic. Se ştie că într-un metal, fluxul magnetic nu poate pătrunde decât prin
cuante de h/2e, adică în jur de 210–15 Wb. Fiecărui minim al curentului îi
corespunde faptul că o nouă cuantă de flux a penetrat în joncţiune.
Un dispozitiv ingenios, care permite reducerea considerabilă a perioadei de
variaţie a curentului, constă în conectarea în paralel a două joncţiuni, astfel ca ele
să formeze o buclă supraconductoare. Suprafaţa care intervine şi care determină
periodicitatea este atunci aceea a buclei, astfel încât, cu suprafeţe de ordinul a 1
mm2 se obţin perioade de 10–7 ÷ 10–10 T.
219
Au fost observate chiar periodicităţi de 210–11 T cu o buclă de 1 cm2 care

permite decelarea variaţiilor de 10–13 ÷ 10–14 T, performanţe neegalate în
magnetometria clasică. Un astfel de dispozitiv a fost numit SQUID
(Superconductive Quantum Interference Device).
Tot în electronică, supraconductorii sunt folosiţi în construcţia unor
dispozitive ca: magnetometre, antene de mare sensibilitate, elemente de memorie,
elemente de comutare etc.
Astfel, încă din 1956, s-a propus utilizarea unui releu supraconductor,
criotronul. Benzi supraconductoare înguste, perpendiculare, sunt separate de un
strat subţire izolator. Ele sunt realizate din materiale diferite, astfel ca trecerea unui
curent suficient printr-una, numită control, să facă posibilă tranziţia celei de-a
doua, numită poartă, din starea supraconductoare în starea normală, prin
intermediul câmpului magnetic produs. Combinând mai multe criotroane între ele,
se pot realiza principalele funcţii logice necesare unui calculator electronic.
Interesul dispozitivelor cu criotroane este acela că se pot dispune un număr foarte
mare de elemente pe acelaşi suport, prin evaporări succesive în vid şi că disiparea
energiei este foarte slabă. Dificultăţile tehnologice de realizare şi reproductibilitate
au întârziat până în prezent exploatarea pe scară largă a unor astfel de dispozitive.
Totuşi, tehnologia actuală permite obţinerea unor plăci de 1 dm2 pe care se pot
dispune până la 150000 criotroane şi se speră obţinerea unor performanţe
superioare.
Viteza de comutare a unui circuit criotronic este limitată în principal de
rezistenţa şi inductanţa porţii, atunci când ea revine în stare normală. Este practic
dificil să se coboare sub câteva zeci de ns. Ca urmare, s-a propus o modificare ce ar
permite ameliorarea performanţelor din punctul de vedere al rapidităţii. Este
suficientă înlocuirea benzii poartă printr-o joncţiune Josephson. În absenţa
curentului în circuitul control, se face să circule prin joncţiune un curent inferior
curentului critic Ic. Faptul de a face să treacă un curent suficient prin control
creează un câmp magnetic ce are ca efect, dacă este ales corespunzător, diminuarea
puternică a curentului critic, astfel că joncţiunea devine rezistentă şi aceasta într-un
timp foarte scurt: câteva sutimi de ps.
Realizarea memoriilor calculatoarelor s-ar putea face în totalitate cu
ajutorul criotroanelor asociate corespunzător. S-au realizat deja în laboratoare
memorii supraconductoare cu strat continuu, al căror principiu de funcţionare se
aseamănă cu cel al torului de ferită. Este cunoscut că în memoriile cu ferită, un
element este constituit prin încrucişarea a trei fire (două de comandă – înscriere şi
ştergere, unul de citire) care traversează un inel de ferită, material feromagnetic cu
ciclu de histerezis rectangular. Memoria cu strat continuu este alcătuită dintr-o foiţă
subţire de staniu supraconductor. Pe una din feţe, se dispune o reţea cu ochiuri
pătrate din fire de comandă, din plumb. Pe cealaltă faţă, un fir de lectură trece pe
sub fiecare nod al reţelei. Toate aceste elemente sunt, bineînţeles, izolate unele faţă
de altele. Dacă simultan circulă în cele două fire de comandă un impuls de curent
electric suficient de intens, câmpul magnetic creat poate fi capabil să „spargă”
suprafaţa continuă supraconductoare, adică să creeze local o zonă de conducţie
220
normală. Această „buclă de flux” este persistentă, chiar după dispariţia curentului
în firele de comandă, ea fiind echivalentă unui tor de ferită. Odată stabilită această
stare, când se trece un impuls de curent printr-unul sau altul din firele de comandă,
sunt posibile două cazuri: fie sensul curentului este astfel încât câmpul magnetic se
opune celui creat de buclă şi atunci impulsul nu este comunicat liniei de citire, fie
sensul este acelaşi şi un impuls este atunci transmis liniei de citire. S-au realizat
astfel de structuri (memorii) conţinând zeci de mii de celule pe aceeaşi plachetă.
Criotroanele pot, de asemenea, să servească drept elemente active în
amplificatoare. Într-adevăr, tranziţia între starea supraconductoare şi cea normală
nu este niciodată perfect bruscă, în funcţie de curentul de control. Se poate deci
polariza criotronul în mijlocul acestui interval de tranziţie şi să se păstreze această
polarizare printr-un circuit de reacţie inversă cuprinzând un filtru trece-jos.
Rezistenţa circuitului poartă este atunci o funcţie de curentul de control pentru
frecvenţe superioare celei de tăiere a filtrului. În plus, cum se lucrează la
temperatură foarte scăzută, caracteristicile de zgomot sunt excelente. De exemplu,
pentru un amplificator lucrând la 100 Hz cu o lărgime de bandă de 10 Hz, se ajunge
să fie detectat un semnal de 1,310–18 V.
Printre aplicaţiile cele mai ambiţioase, trebuie citate şi cavităţile rezonante
de înaltă frecvenţă, care ar putea fi folosite pentru acceleratoarele liniare de
particule. La fel, se pot aminti filtrele de frecvenţă înaltă, circuitele triplacă ce pot
înlocui cablurile coaxiale, liniile de întârziere etc.
O ultimă aplicaţie ce trebuie amintită este cea a bolometrelor şi
magnetometrelor. Primele bolometre erau construite dintr-un strat subţire
supraconductor, depus pe un suport. Sub acţiunea radiaţiei de studiat, acest
ansamblu se încălzeşte uşor, ceea ce duce la tranziţia stratului supraconductor în
stare normală. Apariţia rezistenţei permite deci detecţia unei foarte slabe variaţii de
temperatură. Acest dispozitiv a putut fi ameliorat datorită utilizării efectului
Josephson, întrucât caracteristica curent-tensiune a acestuia este foarte sensibilă la
radiaţie. O putere de 510–13 W este astfel decelabilă pentru orice lungime de undă
mai mare de 300 m.
221
Bibliografie
1. Alexandru H. V., Ştiinţa şi tehnologia materialelor, Universitatea din
Bucureşti, 1990
2. Askeland, D.R., The Science and Engineeing of Materials, 3rd Ed., PWS Pub.
Co., Boston 1994
3. Bair H. E., Glass Transition Measurements by DSC, in Assignment of Glass
Transition, STP 1249, Seyler R. J. (Ed.), ASTM, Philadelphia, PA, 1994
4. Bardell P.R., Magnetic Materials in the Electrical Industry, MacDonald & Co.,
London, 1960
5. Barrett C.R., Nix W. D., Tetelman A. S., The Principles of Engineering
Materials, Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ., 1973
6. Billmeyer, F, Textbook of Polymer Science, 2nd ed., John Wiley and Sons,
Inc., NY, 1971
7. Bond W.L., Crystal Tehnology, Wiley, New York, 1996
8. Borg R.J., Dienes, G.J., An Introduction to Solid State Diffusion, Academic
Press, San Diego, 1988
9. Boyd R.H., Philips P.J., The Science of Polymer Molecules, London:
Cambridge University Press, 1993
10. Brice J.C., Atomic Diffusion in Semiconductors, Plenum, London, 5th ed., 1991
11. Brice J.C., The Growth of Crystals from the Melt, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1993
12. Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1995
13. Brice J.C., Crystal Growth and Materials, North-Holland, Amsterdam 3rd ed.,
1997
14. Bursuc I.D., Sulitanu N.D, Solidul. Fenomene. Teorii. Aplicaţii, Editura
Ştiintifică, Bucureşti, 1991
15. Callister W. D., Materials Science and Engineering: An Introduction, 6th
edition, John Wiley & Sons, Inc., 2003
16. Carter G.F., Paul, D.E., Material Science and Engineering, ASM International,
United States, 1991
17. Chandler, M., Ceramics in the Modern World, Double Day & Co. Inc., Garden
City, NY, 1967
18. Chirleşan G., Chirleşan D., Stănescu C., Fizica corpului solid. Note de curs,
Ed. Universităţii din Piteşti, 2005
19. Chung, D.D.L., Carbon Fiber Composites, Butterworth-Heinemann, Boston,
1994
20. Chung, D.D.L., Ed., Materials for Electronic Packaging, Butterworth-
Heinemann, Boston, 1995
21. Chung, D.D.L., Applied Materials Science, CRC Press, Boca Raton London
New York Washington, D.C., 2001
22. Ciobanu Gh., Constantinescu C., Fizica stării solide, Ed. Tehnică, Bucureşti,
1982
222
23. Crane, F.A.A., Charles, J.A., Selection and Use of Engineering Materials,
Butterworths, London, 1984
24. Davîdov A.S., Teoria corpului solid, Ed Ştiinţifică, Bucureşti, 1980
25. De Renzo D.J. ed., Corrosion Resistant Materials Handbook, 4th Ed., Noyes
Data Corporation, Mill Road, Park Ridge, New Jersey, 1985
26. Dieter, G.E., Engineering Design: A Materials and Processing Approach,
McGraw-Hill, New York, 1983
27. Drăgănescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1972
28. Elliot S.R., Physics of Amorphous Materials, Longman, London, New York,
1984
29. Irene E.A., Electronic Materials Science, John Wiley & Sons, Hoboken, New
Jersey, 2005
30. Fox M., Optical Properties of Solids, Oxford: Oxford University Press, 2001
31. Friedel J., Dislocations, Pergamon Press, 1964
32. Geru N, et al., Materiale metalice, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1985
33. Ghez R., Diffusion Phenomena, Kluwer Academic, Dordrecht, 2001
34. Hall C., Polymer Materials: An Introduction for Technologists and Scientists,
Second edition, Macmillan Education, 1989
35. Harper, C.A., Ed., Handbook of Plastics and Elastomers, McGraw-Hill, New
York, 1975
36. Hlavac, J., Tehnology of Glass and Ceramics, Elsevier Scientific Press,
Oxford, 1983
37. Hove, J.E., Riley,W.C., Modern Ceramics, John Wiley şi Sons, NY, 1965
38. Hull D., Introduction to Dislocations, Pergamon Press, New York, 1975
39. Ispas S., Materiale compozite, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1987
40. Jeludev I.S., Cristale Electrice, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1973
41. John V.B., Engineering Materials, MacMillan Education Ltd., London, 1990
42. Kalpakjian S., Manufacturing Engineering and Tehnology, 3rd Ed., Addison-
Wesley Publishing Co., 1995
43. Kingery, W.D., Bowen, H.K., Uhlmann, D.R., Introduction to Ceramics, John
Wiley and Sons, NY, 1976
44. Kittel Ch., Introducere în fizica corpului solid, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1972
45. Louthan, McIntyre R. Jr., Metals: A History, ASM International, 1987
46. Mallick, P.K., Fiber Reinforced Composites: Materials, Manufacturing and
Design,Marcel Dekker, New York, 1993
47. Mazumdar, S.K., Composite manufacturing: materials, product, and process
engineering, CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington, D.C.,
2002
48. McKelvey J. P., Solid State Fizica for Engineering and Materials Science,
Krieger, 1993
49. Meyers M. A., Chawla K. K., Mechanical Behaviour of Materials, Prentice-
Hall, 1999
50. Millett E.J., et al. Crystal Growth, Pergamon, Oxford, 1987
223
51. Mitoşeriu L., Ţura V., Fizica dielectricilor, Ed. Universităţii „Al. I. Cuza” Iaşi,
1999
52. Morrell, R., Handbook of Properties of Technical and Engineering Ceramics,
Part 1, Her Majesty’s Stationery Office, London, 1985
53. Moss T.S., Optical Properties of Semiconductors, Butterworth Publications,
London, 1995
54. Nicula Al., Puskas F., Dielectrici şi feroelectrici, Ed. Scrisul Românesc,
Craiova, 1982
55. Ohring, M., Engineering Materials Science, Academic Press, San Diego, 1995
56. Painter P. C., Coleman M., Fundamentals of Polymer Science: An Introductory
Text Second edition, Technomic Publishing, 1997
57. Quere Y., Physique des materiaux, Editions de l'Ecole polytechnique, 1994
58. Rabek J. F., Experimental Methods in Polymer Chemistry: Physical Principles
and Applications, Wiley, New York, 1994
59. Richerson, D.W., Modern Ceramic Engineering, Marcel Dekker, Inc., NY,
1982
60. Rosenborg H.M., The Solid State, Clarendon Press, Oxford, 1975
61. Rusu G.G., Baban C., Rusu M., Materiale şi dispozitive semiconductoare -
lucrări de laborator, Ed. Universităţii „Al. I. Cuza” Iaşi, 1998
62. Schaffer, J.P., et al., The Science and Design of Engineering Materials, 2nd
Ed., McGraw-Hill, Boston, 1995
63. Schwartz, M. M. (editor), Engineering Aplications of Ceramic Materials,
American Society for Metals, Metals Park, OH, 1985
64. Shackelford, J.F., Alexander W., Materials Science and Engineering
Handbook, 3rd Ed., CRC Press LLC N.W. Corporate Blvd., Boca Raton,
Florida, 2000
65. Shackelford, J.R., Introduction to Materials Science for Engineers, 3rd Ed.,
Macmillan, New York, 1992
66. Shewmon P. G., Diffusion in Solids, McGraw-Hill, New York, 1963
67. Simmons J.H., Potter K. S., Optical Materials, San Diego, CA: Academic
Press, 2000
68. Smith, W.F., Principles of Materials Science and Engineering, 3rd Ed.,
McGraw-Hill, New York, 1996
69. Smith,W.F., Foundations of Material Science and Engineering, McGraw Hill,
Inc., 1993
70. Smith E.V., Manual of Experiments in Applied Physics, London Butterworths,
1970
71. Smithells, C.J., Ed., Metals Reference Book,6 ed., Butterworths, London, 1984
72. Stănescu C., Chirleşan G., Chirleşan D., Aplicaţii în fizica solidului, Ed.
Universităţii din Piteşti, 2005
73. Strong A. B., Plastics: Materials and Processing, Second edition, Prentice-
Hall, 2000
74. Suzanne J., Gay J.M. in Handbook of surface science, vol 1 Ed W.N. Unertl,
North-Holland, 1996
224
75. Thornton P. A., Colangelo V. J., Fundamental of Engineering Materials,

Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ. 1985
76. Turi E. A. (Ed.), Thermal Caracterization of Polymeric Materials, vol. I, 2nd
ed, Academic Press, Inc., London, 1997
77. Vincenzini, P., Fundamentals of Ceramic Engineering, Elsevier Aplied
Science, NY, 1991
78. Voinea R., Voiculescu D., Simion F.P., Introducere în fizica solidului cu
aplicaţii în inginerie, Editura Academiei Române, Bucureşti, 1990
79. Wanniers G.H., Elements of Solid State Theory, Cambridge University Press,
1959
80. White, M.A., Properties of Materials, Oxford University Press, New York,
1999
81. Zet Gh., Ursu D., Fizica stării solide. Aplicaţii în inginerie, Ed. Tehnică,
Bucureşti, 1989
82. Ziman J.M., Principles of the Theory of Solids, Cambridge University Press,
1974
http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice
http://dmoz.org/Science/Physics/Crystallography/Software/
http://materials.usask.ca/M&D%20Web%20Resources/
http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Materials-Science-and-Engineering/
http://prelas.nuclear.missouri.edu/ne455/links.html
http://solidstate.physics.sunysb.edu/book/prob/
http://zig.onera.fr/lem/DisGallery/3D.html
http://www2.ncsu.edu/ncsu/pams/science_house/ctchem.html
http://www.ceramics.org
http://www.chem1.com/acad/webtext/chembond/
http://www.chm.bris.ac.uk
http://www.cmse.ed.ac.uk/MSE3/mse3.html
http://www.chem.vt.edu/chem-dept/marand/
http://www.ecma.ch
http://www.hkbu.edu.hk/~matsci/
http://www.lbl.gov/MicroWorlds/Kevlar/KevlarIntro.html
http://www.lexmark.com/ptc/book.html
http://www.martindalecenter.com/GradMaterial_2_CM.html
http://www.matsceng.ohio-state.edu/~flores/mse205/
http://www.matter.org.uk/universities.htm
http://www.mse.uiuc.edu/info/mse182
http://www.msm.cam.ac.uk/phase-trans
http://www.msm.cam.ac.uk/Teaching/PtIIAB/C9/
http://www.people.virginia.edu/~lz2n/mse305/
http://www.psigate.ac.uk/roads/cgi-bin
http://www.sciences.univ-
nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Cristallo/Index_Cristallo.html
225
http://www.soton.ac.uk/~pasr1/build.htm#page7
http://www.tms.org/Meetings/Specialty/Superalloys2000/SuperalloysHistory.html
http://www.uccs.edu/~tchriste/courses/PHYS549/549lectures/
http://www.umist.ac.uk/MatSci/research/intmic/schools/default.htm
http://www.umr.edu/~wlf/
http://www.virginia.edu/bohr/mse209/class.htm
http://www.webelements.com
http://www.wtec.org
226
View publication stats

Material e Electro Teh Nice New

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Material e Electro Teh Nice New

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.

Materiale pentru electronică şi electrotehnică

Book · January 2006

SciFUN: Making Learning Science FUN View project

Science as a Tool for Life: Conceptual Change [CONS-CIENCE] View project

The user has requested enhancement of the downloaded file.

6.2. MECANISME DE DEFORMARE PLASTICĂ .......................................................................... 74

12.8.2. Tipuri de materiale dielectrice; aplicaţii ............................................................ 167

Difracţia este o metodă intens utilizată în prezent pentru a determina structura

O înţelegere mai bună a relaţiei structură-compoziţie-proprietăţi a dus la un

Structura materialelor poate fi analizată la diferite niveluri dimensionale:

 materiale ceramice: atomii se comportă ca ioni pozitivi sau negativi şi sunt

 Compuşi III-V (de exemplu GaAs, InP)

2. Structura atomică şi moleculară a substanţelor

 Numărul cuantic magnetic, m, cuantifică proiecţia momentului magnetic al

Întotdeauna, pe stratul ultim ocupat cu electroni (stratul de valenţă) aceştia

2.2. Forţe şi energii de legătură

Din numeroase studii experimentale şi teoretice, a rezultat că U este dat de

aceştia se exercită interacţiuni coulombiene, forţa atractivă având expresia ,

Figura 2.3 – Realizarea legăturii ionice la NaCl

O imagine care să sugereze mai clar modul în care se realizează structura

Figura 2.4 – Structura reţelei ionice a NaCl

Potenţialul de ionizare pentru electronii din stratul de valenţă, la diferite

Tabel 2.3 – Potenţialul de ionizare al electronilor din stratul de valenţă, pentru

Tabelul 2.4 prezintă valorile afinităţii electronice pentru câteva elemente:

Tabel 2.4 – Afinitatea electronică a câtorva elemente

O teorie a legăturii covalente care să rezolve toate problemele apărute şi

Figura 2.5 – Forma funcţiilor de undă S şi S* şi a densităţilor de sarcină electrică

Pentru funcţia de undă s*, nu se produce ecranarea sarcinilor nucleelor,

(1, 2) = S(1) + S(2) (2. 10)

Întrucât un astfel de sistem reprezintă o punere în comun de electroni de

conducţia electrică în material, ceea ce asigură acestor materiale proprietăţi

Figura 2.6 – Formarea dipolului temporar

Dipolul reprezintă o distribuţie de sarcină asimetrică, în care cei doi poli

Doi dipoli interacţionează electric (polii de acelaşi semn se resping, cei de

Tabel 2.5 – Energia de legătură şi temperatura de topire pentru materiale cu diferite

Figura 3.1 – a) - structură monocristalină; b) structură policristalină

Cristalitele au de obicei dimensiuni de 100 nm ÷ 100 m. Policristalele cu

Figura 3.2 – Structura cristalină şi amorfă a SiO2

Starea solidă amorfă se caracterizează prin lipsa unei aranjări atomice

Figura 3.3 – Vectorii de bază ai reţelei cristaline

Originea sistemului de coordonate este într-unul oarecare din nodurile

Figura 3.4 – Celula elementară

Dreptele nodale formează familii de drepte paralele şi echidistante; planele

O celulă primitivă de un tip special este celula Wigner-Seitz, care se

Figura 3.5 – Determinarea indicilor Miller

Aceştia definesc, de fapt, o familie de plan paralele şi echidistante, pe care o

caracterizează, cum sunt: intensitatea câmpului electromagnetic în reţeaua formată

Vectorul b se determină din condiţia de periodicitate (3.5). Din această

Se poate arăta că volumul celulei elementare a reţelei reciproce este legat de

Figura 3.6 – Zone Brillouin într-o reţea pătratică

Dacă în reţeaua reciprocă se construieşte o celulă primitivă de tip Wigner-

3.5. Reţele Bravais

Tabel 3.1 – Singonii

INFERI - monoclinic a1a2a3

Dacă se grupează tipurile de reţele cristaline după simetriile pe care le au, se

Figura 3.7 – Transformarea reţelelor Bravais dintr-una în alta

În analiza structurii cristaline este comod să se considere atomii ca fiind

Figura 3.8 – Structura cubică simplă

Pentru a caracteriza eficienţa cu care este folosit spaţiul disponibil într-o

Figura 3.9 – Structura cubică cu volum centrat

Sferele rigide se ating (sunt tangente) de-a lungul diagonalei cubului, de

Figura 3.10 – Structură hexagonală plană

Dacă vrem să obţinem o structură spaţială prin suprapunerea mai multor