POPE8CU LZETA POPE8CU LZETA POPE8CU LZETA POPE8CU LZETA

MATERALE
ELECTROTEHNCE
















Editura "ALMA MATER"
8ibiu 2008
1
INTRODUCERE
Cursul de Materiale Electrotehnice se adreseaz att studenilor seciei de
Inginerie Electric, ct i studenilor celorlalte specializri i inginerilor care
doresc s utilizeze corect materialele folosite n industria electrotehnic.
Prin forma accesibil de prezentare i prin includerea ntrebrilor de
testare la sfritul fiecrui capitol, cursul este destinat mai ales studenilor de la
nvmntul la distan.
Lucrarea trateaz fenomenele i procesele ce au loc n materialele electro-
tehnice supuse aciunii cmpului electromagnetic. Pe lng abordarea teoretic a
problemelor de interaciune dintre materialele utilizate industrial i solicitrile
electrice, n lucrare sunt prezentate numeroase elemente aplicative i referiri la
standardele interne i europene, foarte utile n activitatea de proiectare i
exploatare a instalaiilor i echipamentelor electrice.
Lucrarea cupride cinci pri: materiale electroizolante, materiale
semiconductoare, materiale conductoare, materiale magnetice i fibre optice.
Importana mai mare acordat materialelor electroizolante se datoreaz rolului
decisiv pe care acestea o au n fiabilitatea i durata de funcionare a mainilor,
aparatelor, echipamentelor i a instalaiilor electrice.
Pentru a uura asimilarea de ctre studeni a cunotiinelor din curs la
sfritul fiecrui capitol se afl cte un set de ntrebri care sintetizeaz
cunotiinele minimale pe care un student trebuie s le dein la sfritul
capitolului.
Autorul mulumete colaboratorilor i ateapt sugestii ale cititorilor
pentru mbuntirea coninutului cursului.
Autorul
2
3
CUPRINS
1. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ........................................................................................ 5
1.1. Conducia electric ........................................................................................................ 5
1.1.1. Expresia general a conductivitii electrice. ................................................. 5
1.1.2. Modelul cuantic al conduciei electrice. .......................................................... 9
1.2. Proprietile electrice ale materialelor electroizolante. ................................................ 14
1.2.1 Conductivitatea materialelor electroizolante. ................................................. 18
1.2.1.1. Conductivitatea gazelor electroizolante. ......................................... 19
1.2.1.2. Conductivitatea lichidelor electroizolante. ..................................... 21
1.2.1.3. Conductivitatea materialelor electroizolante solide........................ 22
1.2.2. Polarizarea dielectricilor. ............................................................................... 24
1.2.2.1. Polarizarea electronica. ................................................................... 27
1.2.2.2. Polarizarea ionic............................................................................ 29
1.2.2.3. Poarizarea dipolic.......................................................................... 31
1.2.2.4. Polarizarea de relaxare.................................................................... 38
1.2.3. Pierderi de putere activ n dielectrici. .......................................................... 40
1.2.3.1. Schemele electrice echivalente ale dielectricilor. ........................... 46
1.2.3.2. Pierderi prin incluziuni de gaze. ..................................................... 55
1.2.3.3. mbtrnirea dielectricilor............................................................... 58
1.2.4. Strpungerea dielectricilor............................................................................. 58
1.2.4.1. Strpungerea gazelor....................................................................... 61
1.2.4.2. Strapungerea dielectricilor lichizi. .................................................. 66
1.2.4.3. Strpungerea dielectricilor solizi. ................................................... 69
1.3. Proprieti neelectrice ale dielectricilor........................................................................ 72
1.3.1. Proprietati mecanice. ..................................................................................... 72
1.3.2. Proprieti fizice. ........................................................................................... 73
1.3.3. Proprieti chimice......................................................................................... 76
1.3.4. Proprietati termice. ........................................................................................ 77
1.4. Clasificarea dielectricilor.............................................................................................. 79
1.4.1. Clasele de izolaie. ......................................................................................... 79
1.4.2. Materiale electroizolante organice................................................................. 81
1.4.2.1. Gaze electroizolante........................................................................ 81
1.4.2.2. Materiale electroizolante organice lichide...................................... 82
1.4.2.3. Materiale electroizolante organice solide. ...................................... 84
1.4.3. Materiale electroizolante anorganice. ............................................................ 88
1.4.4. Materiale electroizolante siliconice. .............................................................. 92
2. MATERIALE SEMICONDUCTOARE................................................................................... 101
2.1. Semiconductori intrinseci ........................................................................................... 102
2.2. Semiconductori extrinseci ......................................................................................... 106
2.3. Jonciunea mos. .......................................................................................................... 113
2.4. Jonciunea n-p............................................................................................................. 118
4
3. MATERIALE CONDUCTOARE............................................................................................. 127
3.1. Conductivitatea metalelor........................................................................................... 127
3.1.1. Factori care influeneaz rezistivitatea. ....................................................... 130
3.1.2. Materiale supraconductoare......................................................................... 132
3.2. Proprieti termoelectrice ale conductoarelor............................................................. 141
3.3. Materiale de mare conductivitate ............................................................................... 146
3.3.2. Aluminiul..................................................................................................... 146
3.3.3. Alte materiale conductoare. ......................................................................... 149
3.4. Materiale conductoare de mare rezistivitate............................................................... 151
3.5. Materiale pentru contacte electrice............................................................................. 152
4. MATERIALE MAGNETICE ................................................................................................... 157
4.1. Magnetizarea corpurilor. ............................................................................................ 157
4.2. Clasificarea materialelor magnetice. .......................................................................... 160
4.3. Materiale feromagnetice. ............................................................................................ 163
4.3.1. Materiale feromagnetice moi. ...................................................................... 167
4.3.2. Tabla electrotehnic..................................................................................... 179
4.3.3. Materiale feromagnetice dure. ..................................................................... 182
4.4. Materiale ferimagnetice.............................................................................................. 183
5. FIBRE OPTICE ......... .......................................................................................................... 189
5.1. Popagarea undelor electromagnetice. ......................................................................... 189
5.2. Moduri ale fibrelor optice........................................................................................... 193
5.3. Parametrii fibrei optice. .............................................................................................. 197
5.4. Tehnologia de fasbricaie a fibrelor optice. ................................................................ 200
5.5. Cabluri de fibre optice. ............................................................................................... 206
BIBLIOGRAFIE. ................................................................................................................... 219
5
1. MATERIALE ELECTROIZOLANTE
Materialele utilizate n electrotehnic sunt grupate n categorii, cu
proprieti specifice, dup diferite criterii: natura chimic; starea de
agregare; originea; stabilitatea termic, . a.
n egal msur exist i posibilitatea clasificrii dup valorile
constantelor de material (conductivitatea electric, rigiditate dielectric,
permitivitate, factor de pierderi). Criteriul de clasificare dup valoarea
conductivitii electrice a dus la gruparea materialelor n categoriile:
conductoare; neconductoare sau electroizolante; semiconductoare.
La rndul lor solidele, conductoare i semiconductoare, se pot constitui n
categorii de materiale magnetice, dup susceptibilitatea magnetic. Clasifi-
carea dup conductivitatea electric este cea mai utilizat.
1.1. CONDUCIA ELECTRIC
Proprietatea corpurilor de a manifesta existena materiei prin
transportul de sarcini electrice, sub aciunea unui gradient de potenial, se
constituie ca fenomen de conductibilitate electric. Conductibilitatea
electric, fiind proprietatea a corpurilor, o numim conducie electric n
momentul n care se manifest. Msura conductibilitii electrice o
constituie conductivitatea electric , care, n condiiile date, reprezint o
constant de material.
1.1.1. EXPRESIA GENERAL A CONDUCTIVITII
ELECTRICE.
n condiiile unor ipoteze simplificatoare se poate determina relaia
de legtur ntre densitatea curentului electric i intensitatea cmpului
electric, care se realizeaz prin intermediul conductivitii electrice,
folosind fie teoria clasic a electronului, fie teoria cuantic. n ambele
cazuri se face uz de modele fizice capabile s asigure redarea fenomenelor
din materiale. Totui nu s-a ajuns nc la modele care s reprezinte n mod
absolut realitatea proceselor fizice din corpurile materiale. Ca urmare sim-
plificrile fcute afecteaz rigoarea redrii fenomenelor.
6
Cu teoria clasic a electronului, n cadrul creia electronii liberi sunt
asemuii cu un gaz electronic, (identic cu gazul perfect), se obin relaii
simplificate uor de utilizat n aplicaii, dar care nu explic toate
fenomenele fizice din material. Teoria cuantic, de asemenea n condiiile
unor simplificri grosiere, conduce la relaii a cror valabilitate este deplin
confirmat de experiene, dar care conin un grad mare de dificultate n
utilizarea lor practic.
Obinerea unor expresii generale a conductivitii electrice, n
ipotezele simplificatoare ale teoriei clasice, este util pentru unele
raionamente ce intervin n studiul proprietilor materialelor.
Dac se consider un purttor liber, de sarcin q, ce se deplaseaz
cu viteza v ntr-un corp de volum v, sub aciunea unui cmp electric E ,
contribuia sa la densitatea de curent este:
v
v
q
j = (1.1)
Considernd c n volumul dat exist i purttori de sarcin, avnd fiecare
aceeai sarcin medie q i viteza i v , densitatea total de curent este:
i
i
v
v
q
j

=
) (
(1.2)
unde viteza v
i
a particulei libere, ncrcate cu sarcina q se consider n
raport cu corpul. Mrimile din relaiile (1.1) i (1.2) exprim densitatea de
curent la nivelul macroscopic i deci ele trebuie s fie considerate ca valori
medii ale mrimilor similare microscopice.
Viteza cu care se deplaseaz purttorul de sarcin are o component
ordonat io v , imprimat de cmpul E prin fora E q i o component
dezordonat id v datorat agitaiei termice. Astfel, ntr-un solid de exemplu
pe lng ciocnirea purttorilor de sarcin ntre ei, mai au loc ciocniri ale
acestora cu atomii din nodurile reelei cristaline.
Datorit agitaiei termice, rezult c micorarea ordonat a
purttorilor de sarcin este stnjenit cu att mai mult cu ct temperatura
corpului este mai ridicat (cnd i vibraia atomilor reelei este mai mare).
n consecin componenta vitezei purttorului de sarcin, dup direcia
cmpului electric, dei componenta ordonat este mai mic, respectiv i
densitatea de curent
( )
( ) id io
i
v v
v
q
j + =

(1.3)
datorit rezultantei nule a componentelor vitezei dezordonate, se reduce la
forma:
( )
io
i
v
v
q
j

= (1.4)
7
Efectuarea sumei se simplific dac se consider c fiecare purttor
de sarcin are aceeai vitez medie i c n volumul dat exist N purttori
de sarcin:
( )

=
i
io
om
N
v
v (1.5)
i respectiv:
om v q
v
N
j = (1.6)
Timpul n care purttorul de sarcin parcurge spaiul ntre dou
ciocniri succesive se numete timp de relaxare, i se definete n raport cu
viteza medie total ( m v ) i cu valoarea medie a drumului liber parcurs (l
m
)
adic:
( )
dm om
m
m
m
r
v v
l
v
l
t
+
= = (1.7)
unde v
om
este viteza ordonat medie, iar v
dm
viteza dezordonat medie.
Componenta ordonat a vitezei este neglijabil n raport cu componenta
dezordonat (de ex. la metale v
om
10
-2
[m/s] i v
dm
10
6
[m/s]), nct t
r
poate fi aproximat:
dm
m
r
v
l
t (1.8)
i are n cazul metalelor ordinul de mrime de 10
14
[s].
Dat fiind c viteza dezordonat depinde numai de temperatura T, ci
nu i de intensitate E a cmpului electric (n schimb viteza ordonat
depinde de E ), rezult c nici timpul de relaxare, sau durata de relaxare nu
depinde de cmpul electric, cnd este ndeplinit condiia
dm om
v v << .
Determinarea vitezei medii ordonate, necesar pentru a continua
calculele cu relaia (1.5), se poate face n regim staionar. n acest caz se
admite c la ciocnirea purttorului cu atomul din nodul reelei, el cedeaz
toat energia sa cinetic, viteza medie total devenind nul. n timpul de
relaxare n care purttorul de sarcin se deplaseaz pe drumul mediu liber
parcurs, el este accelerat de ctre cmpul electric, nct n momentul
urmtoarei ciocniri, cu un atom din nodul reelei, viteza sa ordonat devine
maxim. Dup ciocnire, viteza devenind nul, poate ncepe o nou micare
accelerat, urmat de o nou ciocnire, n momentul creia atinge o nou
valoare maxim .a.m.d.
Ecuaia micrii purttorului de sarcin este:
E q
dt
v d
m
o
= (1.9)
8
unde: m este masa n repaus a purttorului de sarcin. Integrnd ecuaia
(1.9) ntre limitele t = 0 cnd v
o
= 0 i t = t
r
cnd v
o
= v
oM
(viteza ordonat
maxim) se obine:

= =
r
t
0
r
oM E
m
qt
dt E
m
q
v (1.10)
sau cum viteza iniial s-a considerat nul, rezult viteza ordonat medie:
E
m 2
qt
v
r
om = (1.11)
nlocuind (1.11) n (1.6) se obine pentru densitatea de curent expresia
general a legii lui Ohm:
E E
m 2
t q
v
N
j
2
2
= = (1.12)
unde constituie conductivitatea electric. Se observ c nu conine
dect mrimi constante i independente de E . n schimb depinde de
temperatur prin intermediul timpului de relaxare, aa cum s-a artat
anterior.
n relaia (1.12) se pot face notaiile:
[ ]
3
m
V
N
n

= concentraia purttorilor de sarcin.

= =
0
2
r cm
v
m
m 2
qt
E
v
M mobilitatea purttorilor de sarcin,
nct expresia general a conductivitii:
m 2
t q
V
N
r
2
= (1.13)
poate fi scris sub form simplificat:
= n q M (1.14)
n care o regsim n cele mai multe cazuri din literatura de specialitate.
innd seam de (1.8), expresia general a conductivitii electrice (1.13)
se mai poate scrie i sub forma:
dm
m
2
mv
l q
n
2
1
= (1.15)
dac se admite pentru timpul de relaxare relaia specificat (1.8) n locul
celei exacte (1.7).
T
. const
= (1.16)
unde, exceptnd temperatura T, toi factorii sunt constani.
9
Se tie c la temperaturi apropiate de 300 [K], viteza dezordonat
nu depinde sensibil de temperatur. De exemplu Cu are concentraia
electronilor liberi n = 8, 5 10
28
[m
3
].
Din (1.16) rezult c la metale scade cu creterea temperaturii.
Inversul conductivitii constituie rezistivitatea = 1/ . Deci la metale
crete proporional cu temperatura. La temperaturi joase, n domeniul
temperaturilor criogenice (sub 120 C, respectiv 153 K) valabilitatea
relaiei (1.16) se restrnge nct la cteva grade absolute sau zeci de grade,
ea se anuleaz, deoarece drumul mediu liber parcurs, ca i timpul de
relaxare, are valoare mult mai mare dect ar rezulta din formula clasic . n
acest domeniu de temperaturi rezistivitatea scade cu (T
5
) conform relaiei
empirice a lui Bloch:
5
T
. const
= (1.17)
Din (1.17) rezult c n apropiere de 0 [K] (se va nota n continuare
cu 0K), scderea rezistivitii metalelor cu temperatura este foarte intens.
Rezistivitatea fiind valoarea invers a conductivitii constituie, de
asemenea, constat de material, n condiii date.
Modelul fizic al gazului electronic nu ofer posibilitatea s se explice
n mod curent toate procesele ce au loc n corpul solid. Aa de pild
calculul cldurii specifice duce la valori mai mari dect cele determinate
experimental; raportul ntre conductivitatea termic i cea electric
(ambele determinate cu acest model fizic) nu corespunde cu datele obinute
experimental. n fine, nu este posibil explicarea apariiei
supraconductibilitii metalelor pure sau aliajelor supraconductoare la
temperaturi apropiate de 0K.
Cu toate deficienele amintite, rezultatele obinute cu teoria clasic a
electronului sunt utile pentru aplicaiile practice ca i pentru reprezentri
intuitive ale unor procese fizice.
1. 1. 2. MODELUL CUANTIC AL CONDUCIEI ELECTRICE.
Un model fizic mai adecvat studierii proceselor fizice din materiale,
care ofer posibilitatea obinerii unor rezultate ce reflect mai exact
realitatea, are la baz conceptele teoriei cuantice.
10
Proprietile corpurilor constituie o reflectare la nivel macroscopic a
proceselor i fenomenelor ce au loc la nivel microscopic, adic la nivelul
microparticulelor (atomi, ioni, sisteme de atomi diferii, molecule etc.).
Prin urmare stabilirea unei legturi ntre cele dou aspecte ale strii unui
corp este esenial pentru cunoaterea proprietilor acestuia.
Dup conceptele teoriei cuantice, un sistem de microparticule, n
anumite condiii, se poate comporta, n virtutea dualitii undcorpuscul,
att ca un sistem de unde electromagnetice cu o repartiie spaial
continu ct i ca un sistem de corpusculi avnd o repartiie spaial
discontinu. Spre deosebire de aceasta, fizica clasic consider cele dou
stri ca specii distincte de sisteme fizice: cmpurile electromagnetice cu
repartiie continu n spaiu i corpurile cu repartiie discontinu. Din
aceast cauz sistemele de microparticule nu pot fi descrise cu aceleai legi
cu care fizica clasic descrie sistemele de corpuri macroscopice. Din fizic
se tie c aplicarea legilor mecanicii clasice la studiul sistemelor de
microparticule, nu a dobndit precizia dorit n explicarea proceselor fizice
din corpul solid, ci doar cunoaterea parial a unor fenomene, fcnd uz
de modele mai intuitive.
n procesul de conductibilitate, purttorul de sarcin trebuie
considerat n interaciunea sa cu ceilali purttori de sarcin, ca i cu atomii
sistemului care constituie corpul, dar innd seama i de interaciunea
dintre aceti atomi. Studiul conductibilitii cu considerarea simultan a
tuturor acestor condiii nu este, n prezent, cu putin i de aceea se adopt
modele fizice i matematice simplificate, dar care s nu modifice calitative
fenomenal. n acest sens starea unui microparticule sau a unui sistem de
microparticule, la un moment dat, ntr-un punct din corp, trebuie exprimat
prin funcii de variabile independente timp i spaiu, care s descrie ct mai
fidel aceast stare. O astfel de funcie este utilizat n mecanica cuantic
sub form complex ( r , t), numit funcie de und (s-a notat cu r
vectorul de poziie al punctului de coordonate x, y, z i cu t timpul).
Determinarea strii unei microparticule, deci a funciei de und
corespunztoare, este posibil numai n cazul celui mai simplu sistem, cum
este atomul de hidrogen.
Funcia de und trebuie s conin mrimi care s redea manifestarea
ondulatorie a sistemelor de microparticule, ca i cea corpuscular.
Corpusculului material i sunt caracteristice energia total W i impulsul
v m p = , iar undei pulsaia = 2 i vectorul de und K al crui modul
este = / 2 K .
11
Energia W conine energia cinetic W
c
= mv
2
/2 i energia potenial
U a corpusculului; m este masa n repaus a corpusculului ; v viteza
acestuia; este frecvena undei asociate corpusculului, iar este
lungimea de und.
n fenomenul conductibilitii electronice, corpusculul, sau
microparticula, la care ne referim, este electronul. Acesta ns nu poate fi
tratat ca un corp izolat de restul sistemului de microparticule, ci doar n
interaciune cu acesta, nct el trebuie considerat ca un obiect complex,
mprtiat n spaiu. Prin urmare interaciunea electronului cu sistemul de
microparticule din care face parte, adic localizarea lui, nu poate fi fcut
ntr-un punct de coordonate (x, y, z) ci doar ntr-un volum elementar.
Cnd microparticula se afl ntr-o stare nestaionar, adic energia sa
potenial nu este constant, funcia de und asociat ei devine mult mai
complex i se obine prin integrarea ecuaiei difereniale a lui
Schrdinger.
Pe da alt parte funcia de und este determinat, prin intermediul
energiei, de patru numere numite cuantice:
n = (1, 2, 3, . . . n) numrul cuantic principal, care determin
valorile energiei electronului
' L = (0, 1, 2 . . . n1) numrul cuantic cinetic care determin
valorile momentului cinetic orbital (cu relaia ( ) + = 2 h 1 L L L / ' ' )
m = ( . . . 1, 0, +1, . . . ) numrul cuantic magnetic care
determin valoarea proieciei momentului magnetic orbital (corespunztor
momentului cinetic orbital) dup o direcie preferenial, cum este cea a
unui cmp magnetic exterior.
2
1
s = numrul cuantic de spin care determin valoarea
proieciei momentului magnetic de spin dup aceeai direcie preferenial
ca i n cazul lui m.
Primele trei numere cuantice determin o stare orbital a electronului
n atom, respectiv toate cele patru numere definesc o stare cuantic.
Conform principiului excluziunii a lui Pauli ns, numai un singur electron
poate avea starea determinat de toate cele patru numere cuantice i nu
poate exista simultan nc un electron n aceeai stare, adic avnd toate
cele patru numere cuantice identice. Sau altfel spus, pe un nivel de energie
nu pot exista mai mult de doi electroni, avnd ns spini de sens opus.
Valorile succesive ale energiei, pe care le pot avea electronii ntr-un atom,
formeaz zone permise de energie, care alterneaz cu zona de energii pe
care electronii nu le pot dobndi, numite zone interzise.

12
Existena zonelor de energie permis i interzis constituie o baz
real pentru explicarea proprietilor corpurilor. Lrgimea zonelor de
energie (permis i interzis) constituie o particularitate pentru fiecare fel
de cristal. Lrgimea zonelor de energie nu depinde de numrul atomilor din
corpul solid, ci numai de natura atomilor i distana dintre acetia.
Din teoria zonelor de energie i cu considerarea relaiilor rezult c
proprietile corpului solid ce eman din micorarea electronilor n reeaua
cristalin nu pot fi studiate n mod corect dect cu ajutorul mecanicii
cuantice. Modelul gazului electronic de care s-a fcut uz nu reflect
realitatea proceselor fizice dect cu o aproximaie grosier, deoarece gazul
electronilor liberi din reea nu se identific cu un gaz clasic perfect.
La conducia electronic particip electronii din vecintatea nivelului
Fermi, ceea ce revine la a considera toi au aceeai energie, egal n medie
cu W
F
(fig. 1.1). Acesta este cazul metalelor care la T = 0 i cu att mai
mult la temperaturi mai mari posed electroni n ultima zon permis ce nu
ocup toate nivelele zonei.
n concluzie rezult c dup structura zonelor de energie i dup
modul cum sunt ocupate de electroni zonele permise, corpurile solide se
pot clasifica n: a) electroizolante, b) conductoare i c) semiconductoare.
n structura zonelor de energie la T = 0 [K] ultima zon permis i
ocupat de electroni constituie zona de valen A, iar prima zon permis
i neocupat de electroni este zona de conducie C.
Figura. 1. 1 Structura zonelor de energie.
Structurile zonelor de energie pentru cele trei categorii de materiale
sunt reprezentate n figura 1.1. ntre zona de valen (A) i zona de
conducie (C) se interpune zona interzis (B).

13
n cazul materialelor electroizolante, zona interzis (B) este de lime
relativ mare, de ordinul unitilor sau zecilor de [eV], iar nivelul Fermi se
afl la mijlocul acestei zone (fig. 1.1 a). Materialele conductoare pot
prezenta fie o zon permis n care se afl i nivelul limit Fermi, dup
care urmeaz zona de conducie, fie o suprapunere a zonei de conducie cu
cea de valen (fig. 1.1 b). n fine, semiconductorii intrinseci au structura
zonelor de energie asemntoare cu a electroizolanilor, ns zona interzis
este suficient de mic pentru ca la temperatura camerei, s se obin o
conducie electric neglijabil sub aciunea unui cmp electric exterior.
Un caz aparte l constituie semiconductorii extrinseci, obinui prin
impurificarea celor intrinseci. n funcie de natura elementului
impurificator, apar nivele de energie suplimentare, n zona interzis,
numite donoare (C
n
) i conducia este electronic, sau acceptoare (C
p
) cnd
conducia se realizeaz prin goluri.
14
1.2. PROPIETILE ELECTRICE ALE MATERIALELOR
ELECTROIZOLANTE.
Materialele electroizolante, n ansamblul unui produs electrotehnic,
constituie elementele de izolare a circuitelor electrice alimentate la tensiuni
diferite, a circuitelor electrice fa de cele magnetice i a prilor electrice
i magnetice fa de carcase.
n timpul funcionrii mainilor, aparatelor, instrumentelor i
instalaiilor electrice n general, materialele electroizolante sunt supuse
celor mai diverse solicitri (electrice, termice, mecanice, chimice, fizice
etc.) care, n anumite limite, sunt urmate de nrutirea proprietilor.
Efectele solicitrilor fiind cumulative, rezult c durata de funcionare (de
via) a materialelor electrotehnice este limitat. Rezult c implicit este
limitat durata de funcionare a mainilor i aparatelor electrotehnice. Prin
urmare materialele electroizolante determin andurana, sau fiabilitatea
oricrui produs electro-tehnic. Prin nivelul proprietilor pe care le posed,
aceste materiale determin i performanele produselor electrotehnice,
reprezentnd prin urmare un factor de importan tehnic i economic cu
att mai mare cu ct vin n considerare agregate electrotehnice de mare
putere, sau produse cu o foarte larg rspndire. Datorit acestor cauze,
condiiile ce se impun, ntr-o situaie dat, materialelor electroizolante, sunt
ndeplinite, n general de puine dintre ele. Astfel materialele de natur
organic prezint bune proprieti electroizolante ns nu suport corespun-
ztor solicitri termice i mecanice. Cele de natur anorganic au o
comportare invers. O mbinare a proprietilor celor dou categorii de
materiale, se realizeaz prin combinaiile organice ale siliciului (siliconi),
frecvent utilizate n prezent.
Alegerea materialelor electroizolante, pentru un produs electrotehnic,
este deci o problem cu largi implicaii tehnice i economice. Aceasta
impune o cunoatere temeinic a tuturor proprietilor materialelor
electroizolante ca i a compatibilitii reuniunii lor ntr-un sistem de
izolaie la un produs dat.
Datorit fenomenului de polarizare pe care l prezint materialele
electrotehnice, aflate ntr-un cmp electric, ele se mai numesc i dielectrici.
Cum sunt ns i materiale semiconductoare (ca feritele) care prezint
polarizare, n cele ce urmeaz numai la materialele electroizolante.
Dup natura lor, proprietile (se nominalizeaz n continuare
mrimile care constituie masuri a proprietilor) dielectricilor se grupeaz
astfel:
15
1) proprieti electrice, care se refer la: conductivitatea electric
[S/m] i respectiv inversul acesteia, rezistivitatea de volum
v
[m], i
cea de suprafa
B
[]; permitivitatea dielectric absolut [F/m], sau
relativ
X
; rigiditatea dielectric E
B
[kV/cm] i factorul de pierderi
tg
2) proprietile neelectrice, care cuprind:
proprietile termice: conductivitatea termic [W/m C];
cldura masic c [kcal/Kg C] sau [We/g C]; transmisivitatea termic
[W/m
2
C]. Se includ uneori aici i coeficienii de temperatur ai
diverselor mrimi, cum ar fi coeficientul de temperatur al rezistivitii

B
() [C]
1
, sau coeficientul de dilataie liniar
B
( ' L ) [C]
1
;
temperaturile specifice.
proprietile mecanice: rezistena de rupere
X
[daN/cm
2
];
alungirea relativ [%]; modul de elasticitate E [daN/cm
2
]; reziliena
S
[daNm/cm
2
]; duritatea Brinell H
B
[daN/cm
2
].
proprietile fizice: porozitatea; absorbia; adsobia;
densitatea.
proprietile chimice: solubilitatea; aciditatea; rezistena de
coroziune; compatibilitatea n contact cu alte materiale etc.
proprieti tehnologice: ductilitate, maleabilitate, prelucrabilitate
prin achiere, tratamente termice, acoperiri metalice.
proprieti economice: pre, accesibilitate.
proprieti ergonomice: aspect, tueu, toxicitate,
biodegradabilitate.
Dei toate proprietile sunt importante n egal msur, este util
cercetarea cu precdere a proprietilor electrice datorit efectelor violente
pe care, uneori, le au solicitrile electrice asupra dielectricilor, ct i
datorit faptului c celelalte solicitri devin duntoare ca o urmare a
primelor.
Principalele procese i fenomene ce vin n considerare pentru a
caracteriza un dielectric din punct de vedere al proprietilor electrice sunt
urmtoarele:
1) Conductibilitatea electric; 2) Polarizarea electric; 3)
Strpungerea dielectric; 4) Pierderile de energie activ n dielectrici.
Toate aceste fenomene se pun n eviden experimental i sunt
msurate cantitativ prin intermediul unor mrimi fizice constante de
material care se definesc i se determin practic conform normelor CEI sau
standardelor naionale.
1). Conductibilitatea a crei msur o constituie conductivitatea
electric [S/m], sau inversul acesteia, rezistivitatea .
16
La dielectrici se deosebesc dou feluri de rezistiviti, dup cele dou
ci pe care este posibil trecerea curentului electric printr-un dielectric
aezat ntre armturile metalice ale unui condensator. Astfel se definete
rezistivitatea de volum
V
[m], ca fiind rezistena electric a unei probe
sub form de cub, cu latura de 1 cm, aezat ntre plcile condensatorului,
determinat n curent continuu la o tensiune de 1000 V. Rezult c
rezistivitatea de volum
V
[cm] este egal numeric cu rezistena de volum
R
V
determinat. Similar se definete rezistivitatea de suprafa
S
[], ca
fiind rezistena electric determinat n curent continuu la tensiunea de
1000 V, ntre doi electroni de contact, aezai paralel pe suprafaa
dielectricului la distana de 10 cm, avnd fiecare lungimea de 100 mm i
admindu-se convenional adncimea de ptrundere a curentului ca fiind
egal cu unitatea. Rezistivitatea rezult n acest caz ca fiind rezistena
electric determinat nmulit cu 10 (adic
S
= 10 R
S
).
Deoarece ambele rezistene trebuie s fie determinate numai funcie
de curentul electric de conducie, evitndu-se curenii de polarizare, se
recomand ca citirea curentului s nu se fac mai devreme de 3 minute de
la aplicarea tensiunii.
Rezistivitatea de volum i de suprafa se va determina deci
rezistena electric msur i innd seama de geometria electroliilor
utilizai. Pentru cazuri deosebite cum sunt masele bituminoase, se
utilizeaz celule nu electrozi de construcie special.
n condiiile date pentru determinarea rezistivitilor de volum i de
suprafa, acestea constituie constante de material i au valori de ordinul
(10
8
10
18
) [].
2). Polarizarea electric, avnd ca msur permitivitatea [P/m],
sau valoarea relativ a acesteia
r
, este fenomenul de apariie n dielectric,
sub aciunea unui cmp electric exterior, a unui moment electric indus
temporar. Permitivitatea relativ
r
se determin experimental cu puni de
joas sau nalt tensiune, ca raportul ntre capacitatea C a unui condensator
avnd ntre plcile sale dielectricul studiat i respectiv capacitatea Co a
aceluiai condensator, avnd ntre plci vid (sau aer), adic:

r
Co
C
= (1.18.)
sau considernd relaia ce definete capacitatea condensatorului:

r =
/
0
(1.19)
unde:
o
= 1/4 9 10
9
[F/m] = 8,85410
12
[F/m] constituie permitivitatea
vidului (sau constanta dielectric a vidului). Rezult c n condiii date i
permitivitatea dielectricului constituie o constant de material.
17
Permitivitatea relativ are valori ncepnd de la aproximativ
r
= 1
pentru gaze, pn la cteva uniti pentru solide, zeci de uniti pentru
unele lichide i sute sau mii pentru materiale feroelectrice.
3). Strpungerea dielectricilor, care const n trecerea direct a
curentului electric prin corpul dielectricului aezat ntre plcile unui
condensator, la o anumit valoare a intensitii cmpului electric exterior.
Se definete ca rigiditate dielectric intensitatea E
S
a cmpului electric
uniform la care se produce strpungerea i constituie o msur a acestui
fenomen. Rigiditatea dielectric se determin ca raportul ntre tensiunea
electric U aplicat condensatorului care conine dielectricul i distana d
dintre armturile sale, adic

=
cm
efectiv kV
d
U
E
s
(1.20.)
Determinat n condiii date, rigiditatea dielectric constituie de
asemenea o constant de material i este cuprins ca valoare ntre cteva
zeci de [kV/cm] pentru gaze pn la sute de [kV/cm] pentru lichide i
solide sau chiar mii de [kV/cm] pentru unele solide impregnate.
4). Pierderile de energie activ n dielectrici care sunt datorate
curenilor de conducie la cmpuri electrice invariabile n timp i respectiv
curenilor de conducie i celor de polarizaie electric la cmpuri electrice
alternative. Ca urmare, n cmp alternativ, curentul total prin dielectric ne
mai fiind pur alternativ, unghiul de defazaj ntre curent (I) i tensiune (U)
este < /2, Diferena /2 = se numete unghi de pierderi dielectrice,
iar tg se numete factor de pierderi i servete ca msur a fenomenului
de pierderi. Factorul de pierderi are valori cuprinse ntre (10
1
) i (10
4
)
pentru majoritatea dielectricilor. Determinarea experimental a factorului
de pierderi se face cu puni RC de joas sau nalt tensiune. Pentru condiii
date la determinarea experimentului factorul de pierderi constituie o
constant de material. Dei pierderile de energie activ n dielectrici pot fi
determinate prin mrimi specifice n [W/m
3
] prin raportarea lor la volum,
sau n [W/kg] prin raportare la mas, se folosete totui factorul de pierderi
deoarece permite stabilirea de relaii analitice cu alte mrimi care
influeneaz pierderile.
Cele patru fenomene de baz ce caracterizeaz comportarea
dielectricului n cmp electric vor fi analizate n continuare, cu scopul de a
stabili condiiile pe care ele le impun la alegerea sau utilizarea dielectricilor
n aplicaii practice.
18
1.2.1 CONDUCTIVITATEA MATERIALELOR
ELECTROIZOLANTE.
n concluziile la teoria zonelor de energie s-a stabilit c la corpurile
electroizolante zona de valen este complet ocupat de electroni (fig. 1.1.)
iar zona interzis este suficient de mare pentru ca la temperaturi cu
cmpuri electrice normale s nu fie posibil trecerea electronilor n zona de
conducie i respectiv apariia curentului electric n dielectric. n aceste
condiii conductibilitatea dielectricilor nu este de natur electronic ci de
natur ionic. Totui la cmpuri electrice intense (peste 10
2
[kV/cm]), n
dielectricii solizi apare i o conductibilitate de natur electronic.
Dac se reprezint deci conductivitatea electric n funcie de
intensitatea cmpului electric E (fig. 1.2.) se constant c valoarea total a
conductivitii nu depinde de E pn la intensiti de aproximativ
(10 kV/cm) ca i n cazul legii lui Ohm.
Peste (10 10
2
kV/cm) conductivitatea crete foarte repede cu E,
datorit componentei electronice a conduciei, dup care se ajunge la
strpungere (la aproximativ 10
3
kV/cm). Domeniul n care depinde de E,
este explicat prin relaia lui Poole:
E B
A

= (1.21.)
unde A i B sunt constante de material.

Figura 1.2. Variaia conductivitii electrice cu intensitatea cmpului
electric
19
Pe de alt parte n cmp electric invariabil dup punerea sub tensiune
a dielectricului, curentul variaz n timp ca n fig. 1.3. datorit curenilor de
polarizare i
p
, care se atenueaz dup un interval de timp de cteva secunde
sau minute, dup felul polarizrii, prin dielectric continund s treac
numai curentul de conducie (i
c
).
Figura 1.3. Variaia n timp a curentului total
Ca urmare la determinarea rezistivitilor dielectricilor, curentul se
citete dup aplicarea tensiunii, la 1 3 minute pentru a se obine numai
componenta de conducie. Prin urmare dielectricii nu prezint rezistiviti
infinite. Ordinul de mrime al rezistivitilor depinde de starea de agregare
a dieletricilor i se modific n timp datorit unor condiii de mediu, ca
umiditatea, temperatura, presiunea, forma i valoarea tensiunii aplicate etc.
Din aceast cauz pentru sistemele de izolaie ale agregatelor
electrotehnice de mare importan sunt prevzute verificrii periodice ale
strii izolaiei.
n funcie de starea de agregare a dielectricilor se pun n eviden
unele particulariti ale procesului de conducie.
1.2.1.1. CONDUCTIVITATEA GAZELOR ELECTROIZOLANTE.
Un gaz nu este n mod obinuit un amestec numai de molecule neutre
ci i de molecule ionizate. Starea de ionizare a gazului, n absena unui
cmp electric exterior, este ntreinut de diveri ionizatori externi, cum
sunt radiaiile cosmice, razele X, radiaiile elementelor radioactive terestre,
sau chiar unde electromagnetice de frecven nalt.
20
Ca urmare ntr-un cm
3
de gaz n timp de o secund se produc 510
perechi de ioni 15. Aceste ionizri se numesc neautonome sau ntreinute.
n acelai timp ionii, parial, se recombin. Unele molecule sunt ionizate i
de ctre molecule neutre sau de ctre ionii din gaz, datorit agitaiei
termice. Ca urmare printr-un gaz, considerat nchis ntr-un tub prevzut cu
doi electrozi plani paraleli se stabilete un curent electric dac la electrozi
se aplic o tensiune orict de mic.
Curentul prin gaz variaz cu tensiunea aplicat ca n fig. 1.4. Pn la
tensiunea U
0
curentul variaz corespunztor legii lui Ohm. ntre U
0
i
tensiunea critic U
c
curentul se menine la valoarea de saturaie I
S
deoarece
ionii accelerai de cmpul electric nu posed energii egale cu energia de
ionizare a gazului. La tensiuni mai mari dect tensiunea U
c
, energiile
ionilor accelerai de cmpul electric devin mai mari dect energia de
ionizare a gazului i are loc descrcarea n avalan, autonom, care duce
la strpungerea gazului.
La valori mici ale intensitii cmpului electric aceasta nu
influeneaz generarea de purttori de sarcin. La fiecare valoare a
intensitii cmpului electric se stabilete, n regim staionar, un echilibru
ntre procesul de ionizare i cel de recombinare i conducie. Cu creterea
cmpului componena conduciei crete fa de cea a recombinrii.
Figura 1.4. Variaia curentului printr-un gaz electroizolant
La tensiuni mai mari dect valoarea critic U
c
datorit ionizrilor
produse de ionii accelerai de cmpul electric, ct i de electronii emii de
electronii metalici n urma bombardrii lor de ctre ioni, se obine
descrcarea independent de ionizatorii externi, care are loc n avalan,
nct creterea nelimitat a curentului prin gaz, realizeaz strpungerea.
21
Cum n cazul aerului, pentru d =1 cm se obine, U
s
= 10 [kV], iar
J = 10
-19
[/cm
2
], rezult c la cmpuri mici gazele sunt electroizolante
corespunztoare dac nu sunt ionizate.
n utilajele electrotehnice pentru industria minier, se utilizeaz gaze
electronegative, care au proprietatea de a capta electronii dintr-o descrcare
electric, eliminnd astfel apariia exploziilor gazelor de min, la
deschiderea circuitelor din instalaii. Rigiditatea dielectric a acestor gaze
este mai mare dect a aerului.
1.2.1.2. CONDUCTIVITATEA LICHIDELOR
ELECTROIZOLANTE.
Pentru dielectrici lichizi, procentul conduciei electrice nc nu este
elucidat sub aspectul comportrii purttorilor de sarcin. O parte din
purttorii de sarcin apar datorit ionizatorilor externi. Datorit ns
faptului c energia de disociere a moleculelor lichidului este mai mic
dect energia de ionizare a gazului, n lichide apar mai muli purttori de
sarcin dect n gaz, sub aciunea aceluiai ionizator. Pe de alt parte, n
lichidele polare, cmpul electric al dipolilor nlesnete procesul de
disociere. De asemenea n lichid i energia de ionizare este mai mic dect
n gaze. Ca urmare, sub aciunea ionizatorilor externi, n lichide apar
aproximativ 200 [perechi de ioni / cm
3
s].
La cmpuri mici i mijlocii conductibilitatea este de natur ionic.
Din aceast cauz n electrotehnic se folosesc dielectricii lichizi nepolari
sau foarte slabi polari. n lichide, cea mai mare probabilitate de disociere o
prezint impuritile, sau particulele coloidale ale acestora , care mresc
astfel foarte mult conductivitatea. Sub aciunea cmpului electric,
impuritile disociaz i se ionizeaz i mai uor. Mobilitatea purttorilor
de sarcin, la temperatura camerei este de numai 10
1
10
4
[cm
2
/V s].
Din cauza drumului mediu liber parcurs, foarte scurt, seciunea ionizat a
electronilor este neglijabil, la cmpuri mici. Electronii se asociaz
moleculelor formnd ioni negativi, cu mai mare probabilitate chiar dect
apariia electronilor liberi.
La cmpuri electrice intense intervine n mod predominant micarea
electronilor i aciunea lor ionizat n raport cu cea a ionilor.
Conducia se studiaz n absena cmpului electric exterior cnd are
loc numai difuzia (micorarea dezordonat) a ionilor, respectiv sub
aciunea cmpului electric exterior cnd are loc i o micare ordonat dup
direcia acestui cmp.

22
n absena cmpului electric difuzia ionilor n lichid e afl n
echilibru dinamic, nct nu rezult un transport de sarcin dup o direcie
preferenial, deci curentul electric este nul. Cauzele difuziei sunt att de
natur termic ct i electric.
Rezult c dielectricii lichizi i mresc conductivitatea cu creterea
temperaturii. La cmp electric exterior nenul, energia de activare a
moleculei (U) (necesar pentru a trece dintr-o poziie n alta vecin) este
micorat corespunztor energiei poteniale a cmpului (ceea ce se va arta
n cazul dielectricilor solizi).
Datorit contribuiei eseniale a impuritilor i moleculelor polare la
creterea conductivitii, se impune pstrarea n exploatare a dielectricilor
lichizi (uleiurilor) n cea mai bun stare de puritate.
Rezistivitatea de volum a dielectricilor lichizi se determin cu puni
de msur a rezistenelor, folosindu-se fie un sistem de electrozi cilindrici
concentrici, care cuprind ntre pereii lor un strat de lichid cu grosimea de
1 [cm], generatoarea cilindrului fiind de 100 [mm], fie un sistem de sond
cilindric de sticl, deschis la baza inferioar, n interiorul creia se afl
doi electrozi metalici de form ptrat cu latura de 1 [cm], aezai paralel la
distana de 1 [cm].
1.2.1.3. CONDUCTIVITATEA MATERIALELOR
ELECTROIZOLANTE SOLIDE.
Conductibilitatea dielectricilor solizi depinde de structura lor.
Dielectricii solizi cu structur amorf au conductibilitate de natur ionic i
cum pot fi considerai ca nite lichide suprarcite, rezult c expresia
conductivitii este aceeai (1.14) ca i n cazul lichidelor cu observaia c
difer frecvena de oscilaie termic i timpul de relaxare , fa de cazul
lichidelor. De exemplu dac la lichide = 10
11
10
12
[s], la solidele
amorfe este de ordinul zecilor sau sutelor de ani.
n cazul dielectricilor solizi cu structur cristalin, conductibilitatea
este de natur ionic la cmpuri mici i mijlocii i temperaturi uzuale, iar la
cmpuri foarte intense, aa cum s-a artat anterior (fig. 1.2.) apare i o
conductibilitate de natur electronic care se suprapune peste prima,
efectul cumulativ putnd s duc la strpungere.
Conductibilitatea ionic este cauzat de ioni care primesc n decursul
timpului o energie suficient, generat de vibraiile reelei, nct prsesc
nodul reelei i migreaz fie ntr-un interstiiu, fie ntr-un alt nod vacant.
23
Ali purttori de sarcin provin din ionii impuritilor care formeaz
de asemenea defecte de reea de interstiiu. Ionii care formeaz defecte
fiind mai slab legai de reea contribuie la conducia electric.
Lund n considerare toate sursele de purttori de sarcin, inclusiv
electronii ce pot fi promovai la cmpuri foarte intense n banda de
conducie, ct i golurile rmase n urma lor n banda de valen, expresia
general a conductivitii dielectricilor solizi este:

=
i
kT
W
ci
i
e (1.22.)
n care energia W
i
este constituit din energia corespunztoare barierei de
potenial i din energia necesar formrii defectelor. Energia barierei de
potenial se mai numete i energie de activare.
Din (1.22.) se deduce c la dielectricii solizi, conductivitatea
crete sensibil cu temperatura. Relaiile stabilite pentru conductivitate sunt
valabile pn la limita temperaturii care nu schimb structura i calitile
electroizolante ale corpului. Dac se reprezint grafic (1.22.) ca n figura
1.5., se poate constata c n domeniul temperaturilor uzuale conductivitatea
este predominant ionic, datorit defectelor de reea, iar la temperaturi mai
mari, apare i conductivitatea electronic. De asemenea, din (1.22.) rezult
c nu depinde de intensitatea cmpului electric, n domeniul cmpurilor
mici i mijlocii. La cmpuri ns ce depesc (10
6
V/m), cum s-a artat n
figura 1.2. conductivitatea depinde de intensitatea cmpului electric E
conform legii lui Poole (1.21.).
Figura 1.5. Dependena de temperatur a conductivitii.
Rezistivitatea de suprafa este datorat depunerii pe suprafaa
dielectricilor solizi a vaporilor din atmosfer n amestec cu diverse
impuriti.
24
Se formeaz n acest fel o pelicul la suprafaa dielectricului care
prezint conductivitate, n general, mai mare dect conductivitatea
volumetric. n stare uscat i curat, suprafaa dielectricului poate avea
rezistivitatea superioar, ca ordin de mrime, rezistivitii de volum.
Aceasta este ns o situaie ideal, care n practic nu se poate realiza.
Starea suprafeei dielectricului, din punct de vedere al conduciei electrice
se caracterizeaz prin rezistivitate de suprafa ce se determin
experimental aa cum s-a artat anterior.
Pentru a avea mrimi de referin univoc determinate msurrile se
efectueaz pe suprafeele necontaminate ale dielectricului. Pe suprafeele
dielectricilor n exploatare ntre elementele de contaminare predomin
scamele care fiind foarte higroscopice absorb din atmosfer vapori de ap,
uleiuri, acizi etc. Ceea ce mrete considerabil conductivitatea. Pe de alt
parte impuritile ionizate din atmosfer pot fi antrenate la suprafaa
dielectricilor i de cmpurile electrice ale mainilor i aparatelor electrice.
La mainile i aparatele electrice deschise conducia stratului de conta-
minare este influenat i de umiditatea i temperatura atmosferic.
Pentru a evita scurgerile de cureni pe suprafaa dielectricului se
impune pstrarea suprafeei acestuia n stare ct mai curat i folosirea
unor lacuri de acoperire la care s nu adere impuritile i umezeala.
Consecinele grave ale nerespectrii acestei condiii (sau a folosirii unor
materiale neadecvate) se ntlnesc la plcile de borne ale mainilor
electrice; la bateriile uscate; la indusul mainii electrice cu colector, unde
datorit depunerii n particula de pe suprafaa izolaiei a pulberii de grafit
rezultate din uzura periilor, apar scurtcircuite ntre lamele i, n final,
explozia colectorului. Avaria este grav mai ales la motoarele de traciune,
la generatoarele locomotivelor Diesel electrice i a excitatoarelor din
centralele electrice etc.
Meninerea la valori ridicate a rezistivitilor de volum i de
suprafa, este determinant pentru longevitatea oricrui sistem de izolaie
i implicit a produselor electrotehnice.
1.2.2. POLARIZAREA DIELECTRICILOR.
Fenomenul de polarizare electric const n redistribuirea sarcinilor
electrice de semn opus din masa dielectricului, sub aciunea unui cmp
electric exterior, prin micri limitate, uneori elastice, pe distane
microscopice, avnd ca rezultat apariia de momente electrice induse
temporar, a cror rezultant este, dup direcia cmpului electric E ,
vectorul de polarizaie P .
25
Exist corpuri care prezint polarizaie permanent n absena unui
cmp electric exterior, cum sunt corpurile care conin molecule polare
(dipoli), caracterizate prin vectorul de polarizaie permanent p P , sau altele
nepolare, care nu se polarizeaz dect sub aciunea cmpului electric i a
cror stare de polarizare dispare odat cu anularea cmpului aplicat, ca
fiind caracterizat prin vectorul de polarizaie temporar. Timpul n care se
realizeaz polarizarea, din momentul aplicrii cmpului electric, constituie
durata de relaxare t
r
, aceasta avnd o valoare caracteristic pentru fiecare
fel de polarizare. n continuare se vor lua n considerare corpurile care nu
prezint momente electrice permanente, deci corpurile nepolare.
Fenomenul de polarizare constatat la nivel microscopic se caracterizeaz
prin mrimi specifice, determinate experimental cum este susceptivitatea
electric
e
, respectiv permitivitatea relativ
r
. Aceste fenomen este ns
efectul macroscopic al unor procese ce au loc la nivel macroscopic, adic
la nivelul atomilor, ionilor, moleculelor, dipolilor etc., care de asemenea se
caracterizeaz prin mrimi specifice, care de asemenea se caracterizeaz
prin mrimi specifice, cum sunt: n concentraia moleculelor (particulelor)
polarizabile i polarizabilitatea (sau capacitatea de polarizare). Pentru
utilizarea n practic a dielectricilor prezint importan stabilirea unor
relaii de legtur ntre cele dou specii de mrimi, urmrindu-se pe de o
parte s se obin cu ajutorul mrimilor determinrile experimental) date
despre mrimile care caracterizeaz procesele microscopice i despre
factorii ce le influeneaz, iar pe de alt parte s se stabileasc posibilitile
optime de utilizare a dielectricului.
Din punct de vedere macroscopic, starea electric de polarizare
exprimat prin vectorul de polarizaie P , se afl n interdependen cu
vectorul inducie electric D i cu intensitatea cmpului electric E , prin
legea legturii n cmp electric:
P E D
0
+ = (1.23)
Cum s-a convenit anterior s se considere numai corpurile nepolare, rezult
c 0 Pp = vectorul total de polarizaie p t P P P + = , iar (1.23), SIU, devine:
t
0
P E D + = (1.24)
Polarizaia temporar pentru corpurile izotrope, nepolare, avnd
temperatura constant n toat masa lor, se exprim sub forma:
E P
e 0
t = (1.25)
unde
e
este susceptivitatea electric, iar celelalte mrimi cu semnificaii
cunoscut.
nlocuind (1.25) n (1.24) rezult:
E e E E E D
0 e 0 0
= = + =

(1.26)
26
unde =
0

r
constituie pemitivitatea absolut, iar
r
= (1 +
e
)
permitivitatea relativ.
innd seam de
r
rezult:
1
r e
= (1.27)
iar (1.25) devine:
( )E 1 P
r 0
t = (1.28)
adic vectorul de polarizaie este exprimat numai prin mrimi specifice
efectului macroscopic al polarizrii, determinabil experimental.
La nivel microscopic, dac notm cu P momentul electric indus temporar al
particulei (moleculei) polarizabile, vectorul de polarizaie se constituie ca
sum a acestor vectori de polarizaie, la limita unui volum elementar V:
V
p n
lim P
i
i i
0 V
t

(1.29)
Pentru un volum V considerat egal cu unitatea, n care exist n particule
polarizabile avnd fiecare o valoare medie P a vectorului elementar de
polarizaie, (1.29) devine:
p n Pt = (1.30)
Pentru majoritatea corpurilor nepolare, vectorul elementar de polarizaie este
proporional cu intensitatea cmpului electric E , prin polarizabilitatea ,
adic: E p = (1.31)
nct (1.30) devine:
E n Pt = (1.32)
Egalnd (1.32) cu (1.28) se obine:
1
n
0
r
+

= (1.33)
respectiv cu (1.27):
0
e
n

= (1.34)
adic o relaie de legtur ntre mrimile specifice procesului microscopic
i cele specifice efectului macroscopic. Din (1.34) rezult c determinnd
pe cale experimental

, respectiv
e
i admind n = N
Av
=
6.02 10
23
[mol
1
], se obine, cu aproximaie polarizabilitatea n cazul
fiecrei specii de polarizare.
Dup natura lor se deosebesc urmtoarele specii de polarizare
electric:
polarizarea electronic (este de deformare, sau dielectric);
polarizarea ionic;
polarizarea dipolic (sau de orientare, sau paraelectric);
polarizarea de relaxare (specific materialelor neomogene).
27
1.2.2.1. POLARIZAREA ELECTRONICA.
Aceast specie de polarizare are loc la nivelul atomului i const n
deplasarea centrului de greutate a electronilor fa de centrul nucleului
atomic, sub aciunea unui cmp electric exterior (fig. 1.6). Polarizarea
electronic este caracteristic pentru gaze monoatomice, cum este
hidrogenul n toate strile de agregare (coninnd un singur fel de atomi),
sau pentru unele solide cum este parafina, sulful, polistirenul etc. n ge-
neral toi dielectricii prezint i aceast polarizare chiar dac ponderea
revine altor specii de polarizri. Dac de exemplu, pentru un gaz
monoatomic se presupune c sarcina electronilor Q = z e (unde z este
numrul electronilor) este repartizat uniform n jurul nucleului, ntr-o
sfer de raz R, ca n fig. 1.6, centrul acestora coincide cu centrul atomului
cnd E = 0.
Figura 1.6. Polarizarea electronic

Dac ns se aplic un cmp exterior E 0, (fig. 1.6.b), centrul
sarcinilor negative se deplaseaz cu o distan x, fa de centrul atomului.
Ca urmare apare un moment electric indus temporar, orientat n sensul
cmpului E
x e n p
e
= (1.35)
Din fig. 1.6 b. se deduce c asupra nucleului se exercit fora F datorat
cmpului electric E :
E e z F = (1.36)
i fora F
1
datorat cmpului 1 E , adic fora exercitat de sarcinile negative
cuprinse n sfera de raz x. Sarcinile negative din sfera de raz x pot fi
considerate echivalente cu o sarcin egal concentrat n centrul acestei
sfere de raz R.
28
Rezult
P
e
= n
e
E (1.37)
Pn aici s-a admis c valoarea macroscopic a cmpului electric E este
egal cu valoarea local E
0
a cmpului n dielectric. n realitate ns,
valoarea local E
0
a cmpului sau valoarea efectiv care realizeaz de fapt
aciuni ponderomotoare asupra microparticulelor din corp, este:
P E E
0
0

+ = (1.38)
n care = 1/3 pentru sistemele de microparticule cu simetrie sferic (de
ex. sistemul cubic de cristalizare) i = 0 n cazul sistemelor fr simetrie
sferic, de exemplu n cazul gazelor. n (1.38) se va admite conform
conveniei (1.24) cu P reprezint numai polarizaie temporar. Dac n
locul valorii macroscopice a cmpului E din (1.37) scriem valoarea local
E
c
din (1.38) n care notm P
e
(polarizaie electronic, temporar) n loc
de P , se obine:

+ = c
0
e e
e P E n P (1.39)
de unde:
E
n 1
n
P
e e
0
e e
e

= (1.40)
este vectorul de polarizare electronic exprimat n mrimi microscopice
sau egalnd (1.40) cu (1.28), se obine expresia susceptivitii:
1
n 1
/ n
r
e e
0
0 e e
ee
=

= (1.41)
din care rezult aceleai concluzii ca i din (1.34). De exemplu dac se
admit mrimile caracteristice pentru un material nepolar, la valorile:

e
= 10
40
[Fm
2
], n
e
= 5 10
28
[m
3
] i = 1/3, rezult
ee
= 0,75 i

= 1,75, adic valori foarte apropiate de cele determinate experimental.

29
Figura 1.7. Dependena de temperatur a permitivitii relative
Dei polarizarea electronic nu este dependent de temperatur,
totui dac se atinge limita acesteia la care se produc modificri de
structur, apar i modificri ale polarizrii. De exemplu la parafin, fig.
1.7, n apropierea temperaturii de topire, permitivitatea scade, deci
polarizarea, este influenat de temperatur, la aceast limit.
1.2.2.2. POLARIZAREA IONIC.
Aceast specie de polarizare este caracteristic pentru gazele
poliatomice i pentru corpurile cu structur ionic, cum este clorura de
sodiu, mica. Polarizarea ionic const n schimbarea poziiei de echilibru a
ionilor vecini de semne opuse, sub aciunea unui cmp electric exterior E .
Acesta are ca urmare apariia unui moment electric, indus, temporar, diferit
de zero dup direcia cmpului. Astfel, considernd trei ioni vecini (1, 2 i
3 n fig. 1.8 a), n absena unui cmp electric exterior ( E = 0) i se afl la
egal distan unul fa de altul i momentele electrice 21 P

i 23 P

sunt
egale, deci rezultanta lor este nul. Sub aciunea unui cmp electrici
exterior, ionii pozitivi sufer o deplasare limitat n sensul cmpului
electric iar ionii negativi n sens invers, ca n fig. 1.8 b.
Prin urmare momentul electric al ionilor 2 i 3 este mai mare dect
cel al ionilor 2 i 1, adic:
21 23 P P > (1.42)
i respectiv exist un moment electric indus, temporar, diferit de zero:
E P P P
i
21 23 i = + = (1.43)
care constituie vectorul elementar de polarizaie ionic.
30
Figura 1.8 Polarizarea ionic
Vectorul de polarizaie ionic rezultant, pentru un volum unitar, n
care exist n
i
ioni, similar cu (1.30 i (1.32), este:
E n P
i i
i = (1.44)
unde:
i
este polarizabilitatea ionic.
Considernd valoarea local a cmpului electric (1.38) n (1.44) i egalnd
cu (1.28), se obine:
1
n 1
/ n
i i
0
0 i i
ei
=

=

(1.45)
Din (1.45) rezult c i polarizarea ionic este independent de
intensitatea cmpului electric, de temperatur i de frecven. Polarizarea
ionic poate fi considerat elastic, deci pentru polarizare nu se consum
energie. Timpul de relaxare este ceva mai mare dect n cazul polarizrii
electronice, fiind cuprins, de obicei, ntre (10
11
) i (10
12
) [s]. Duratele de
relaxare diferite ntre polarizarea electronic i cea ionic, permite
separarea acestora prin determinri experimentale la frecvene diferite.
Corpurile care prezint polarizare ionic, sunt supuse simultan i unei
polarizri electronice. Dac ns se determin
e
(respectiv
r
) la frecvena
pentru care durata unei semiperioade este mai mic dect durata de
relaxare la polarizarea ionic, rezult c aceasta din urm nu se mai poate
realiza i respectiv se manifest numai polarizarea electronic. Prin urmare
este posibil ca pe cale experimental s se determine valoarea global a
susceptivitii electrice (1.45) i s se separe polarizarea electronic de cea
ionic. Considernd prezena ambelor specii de polarizare, din (1.35) i
(1.28), avnd n
e
= n
i
= n, se obine:
( )E n P P P
i e
i e + = + = (1.46)
31
sau egalnd cu (1.28) rezult:
( )
( )
1
n 1
/ n
i e
0
0 i 0
ei
=
+

+
=

(1.47)
Determinnd experimental susceptivitatea electric (1.47), la frecven nul,
cnd se obine permitivitatea relativ static (
rs
), iar apoi la frecven
optic, la care polarizaia ionic nu se mai realizeaz, deci permitivitatea
(
r
) definete susceptivitatea cu relaia (1.37) i admind c n = N
Av
(numrul lui Avogadro), se gsete
e
i
i
prin diferena celor dou
rezultate. La frecvene optice,
r
se determin prin msurarea indicelui de
refracie a crui ptrat este egal aproximativ cu permitivitatea relativ (n
cazul gazelor i a lichidelor neutre i slab polare).
Din (1.47) se deduce c pentru gaze (cum = 0), rezult:
( )
1
n
0
i 0
ei
=

+
=

(1.48)
iar dac polarizarea este predominant de natur ionic, susceptibilitatea se
reduce la forma:
1
n
0
i i
ei
=

=

(1.49)
La corpurile cu polarizare ionic P
i
este de 23 ori mai mare dect e P , n
schimb la cele cu polarizare electronic, i P este practic neglijabil. i n
cazul polarizrii ionice, la temperaturi ce influeneaz structura corpului,
apar modificri ale polarizaiei iar susceptivitatea electric nu mai rmne
independent de temperatur.
1.2.2.3. POARIZAREA DIPOLIC
Polarizarea dipolic este specific corpurilor cu molecule polare cum sunt
lichidele polare, unele gaze sau solidele care conin dipoli. Ea se mai
numete polarizare paraelectric sau de orientare. Corpurile polare prezint
un moment electric propriu permanent, la nivelul moleculelor polare i n
absena unui cmp electric exterior. Polarizarea dipolic const n
orientarea dipolic sub aciunea unui cmp exterior E.
n corpurile cu structur polar, sub aciunea cmpului electric exterior E,
se realizeaz pe lng polarizarea dipolic i o polarizare ionic, deoarece
are loc o alungire a dipolilor. La nivelul atomilor se produce, bineneles,
i o polarizare electronic.
32
Deci polarizaia total rezult din compunerea celor trei specii de
polarizare, chiar dac polarizarea dipolic fiind mult mai mare n practic
se neglijeaz polarizrile ionic i dipolic. Rezult:
o i e P P P P + + = (1.50)
unde prin c P s-a notat vectorul polarizaiei de orientare (dipolic).
Considernd concentraiile i respectiv polarizabilitile, pentru un cmp
exterior E , (1.50) se poate scrie:
( ) o
i i e e
P E n n P + + = (1.51)
Vectorul polarizaiei de orientare o P reprezint rezultanta vectorilor de
polarizaie permanent p P pentru unitatea de volum la un cmp exterior E
dat. n absena cmpului electric exterior (E = 0), dipolii au orientare
haotic i rezultanta lor ( o P ) fiind nul, corpul apare neutru, nepolarizat
electric (fig. 1.9).
Figura 1.9 Polarizarea dipolic
La cmpuri mici orientarea dipolilor este numai parial. Pe msur
ce cmpul aplicat devine mai intens orientarea dipolilor se amplific, nct
la o anumit valoare a cmpului, se ajunge la saturaie, adic toi dipolii au
aceeai orientare ca i cmpul electric aplicat (fig. 1.9). Datorit faptului c
prin procesul de polarizare de orientare are loc micarea n spaiu a
moleculelor polare, rotirea momentelor electrice n direcia cmpului
aplicat, rezult c procesul se realizeaz cu un consum de energie pe seama
cmpului electric. Pe de alt parte consumul de energie este cu att mai
redus cu ct dipolii sunt mai ndeprtai ntre ei, deci cu ct influena lor
reciproc este mai mic, cum este cazul gazelor (la presiunea mic) sau cel
al lichidelor (mai ales slab polare). ntr-un solid ns unde forele de
coeziune sunt mari, polarizarea de orientare se face cu consum mare de
energie i este n general mai mic dect la gaze sau lichide.
33
Rezult c dac se determin experimental

(respectiv primul
membru) i se reprezint n funcie de (1/T) ca n fig. 1.10), pentru dou
valori diferite ale temperaturii, la intersecia dreptei cu axa ordonatelor se
obine primul termen al membrului al doilea. Din panta dreptei (n
0
p
2
p
/3k)
se determin momentul electric permanent p
p
.
Figura 1.10. Separarea polarizaiilor
Pentru separarea polarizabilitilor
0
i
i
se efectueaz dou
determinri experimentale la o temperatur suficient de mare i frecven
nul, respectiv optic.
Rezult:
( ) ( )
ekT
p
n n 1
2
p
o i e r 0
+ + = (1.52)
La temperaturi suficient de mare relaia (1.52) devine:
( ) ( )
i e 0
n 1 + =

(1.53)
De unde:
( )
1
n
0
i e
+

+
=

(1.54)
care este valabil pentru frecvene foarte joase (f 0) la care se manifest
att polarizarea electronic ct i cea ionic, iar permitivitatea relativ este
egal cu valoarea sa static (
r
=
rs
) astfel c din (1.54) se obine:
( )
n
1
re 0
i e

= + (1.55)
34
Efectund o msurare la frecvene nalte (f ) pentru care durata
semiperioadei cmpului electric exterior este mai mic dect timpul de
relaxare al polarizrii ionice, polarizabilitatea acesteia (
i
) devine
neglijabil, iar permitivitatea relativ corespunde frecvenelor optice
(
r
=
r
), adic:
1
n
0
e
r
+

=

(1.56)
de unde:
( )
n
1
0
e

=

(1.57)
iar innd seama de (1.56) rezult i o polarizabilitatea ionic:
( )
n
0 0
i


= (1.58)
Cu relaiile anterioare se obin date asupra contribuiei fiecrei specii de
polarizare i respectiv asupra factorilor ce influeneaz polarizarea
dielectricilor polari n ansamblu. n consecin se obin datele necesare
asupra mrimilor microscopice prin intermediul celor macroscopice. Deci
este util s se urmreasc influena cmpului electric, temperaturii i
frecvenei asupra polarizrii dipolice a gazelor i lichidelor.
Influena temperaturii, n cazul gazelor, rezult din (1.52) sub forma:
T
C
T
1
ek
P
0
2
p
0
= = (1.59)
se obine:
E
T
C n
E n P
0 0
0 0
0 = = (1.60)
adic polarizaia dipolic scade hiperbolic cu temperatura.
Dac n (1.60) se nlocuiete E cu valoare local (1.38), se obine:
1
T
C n
1
T / C n
n 1
/ n
r
0 0
0
0 0 0
0 0
0
0 0 0
0 e
=

= (1.61)
care n cazul gazelor ( = 0) devine:
T
C n
o
0 0
0 e

= (1.62)
rezultnd deci variaia hiperbolic a susceptivitii electrice cu temperatura
reprezentat n fig. 1.11.
35
Figura 1.11. Variaia susceptivitii dipolice a gazelor cu temperatura
n cazul lichidelor ns trebuie luat n considerare i vscozitatea.
Dac temperatura lichidului rmne mai mare dect o valoare critic
(T > T
c
), este valabil relaia (1.61). Dac ns temperatura scade (T < T
c
)
sub valoarea critic, vscozitatea crete, iar orientarea dipolilor la aceeai
intensitate a cmpului electric este mai redus. Timpul de relaxare al
polarizrii crete cu scderea temperaturii conform relaiei stabilite de ctre
Debye:

kT
b 4
t
3
rc

= (1.63)
unde: b este raza nucleului; vscozitatea. Deci la lichide variaia
susceptivitii cu temperatura prezint un maxim pentru T = T
c
ca n fig.
1.12.
Figura 1.12. Variaia susceptivitii dipolice a lichidelor cu temperatura
Pentru exemplificare se prezint n fig. 1.13 rezultatele experimentale
pentru uleiul sintetic sovol (foarte polar).
36
Figura 1.13. Variaia permitivitii relative dipolice a uleiului sintetic sovol
cu temperatura
Influena frecvenei, dac se consider dielectricul n cmp
alternativ, innd seama de (1.63), se manifest printr-o scdere a
polarizrii la o valoare critic a frecvenei. Frecvena critic se obine n
cazul n care timpul de relaxare a polarizrii dipolice (t
r0
) devine egal cu
durata unei semiperioade a tensiunii aplicate dielectricului. Deci pentru
(T
0
= 2 t
c
) unde T
0
este durata unei perioade a tensiunii aplicate, se obine
din f = 1/T
0
=

2
i (1.63), valoarea critic a frecvenei:

= =

3
0
c
b 8
kT
t 2
1
f [Hz] (1.64)
care depinde de natura materialului prin mrimea (b) i de starea acestuia
prin vscozitatea (). n fig. 1.14 s-a reprezentat variaia susceptivitii
dipolice la lichide i gaze.
Figura 1.14. Variaia susceptivitii dipolice cu frecvena
37
Ct timp f < f
0
, durata unei semiperioade a tensiunii aplicate fiind
mai mare dect timpul unei semiperioade a tensiunii aplicate fiind mai
mare dect timpul de relaxare, dipolii se orienteaz i polarizarea dipolic
se menine ridicat. Cnd f > f
0
, n timpul unei semiperioade avnd
(T
0
/ 2 < t
r0
) dipoli nu se mai orienteaz i respectiv permitivitatea se
reduce la valoarea (
r
) pe care materialul o prezint numai datorit
polarizrii electronice i eventual ionice.
n domeniul critic, nvecinat frecvenei f
c
, polarizarea dipolic este
numai parial, adic dipolii oscileaz n jurul unei poziii de echilibru,
corespunztoare frecvenei. Amplitudinea de oscilaie scade cu ct frec-
vena crete, anulndu-se la f > f
0
. n domeniul frecvenelor mici,
permitivitatea este egal cu valoarea sa static (
re
).
Dependena polarizrii dipolice de intensitatea cmpului de
temperatur i de frecven, denot c ea nu este elastic, deci se face cu
consum de energie.
Ca urmare n cmpuri alternative aceti dielectrici se nclzesc
suplimentar fa de cazul cmpului invariabil n timp, deoarece pe lng
pierderile de energie datorate conduciei electrice, mai apar i cele datorate
polarizrii dipolice.
Dac se consider cazul dielectricilor care prezint toate cele trei
tipuri de polarizri, fr ca cea electronic i ionic s fie neglijate,
vectorul total de polarizare, considernd valoarea local (1.38) a cmpului
electric, devine:
( )
( )
E
n n n 1
n n n
P
0 0 i i e e
0
0 0 i i e e

+ +

+ +
= (1.65)
innd seama de (1.59) i egalnd (1.65) cu (1.28) se obine
susceptivitatea total:
( )
( )
1
T / n n n 1
T / n n n
1
0 0 i i e e
0
0 0 i i e e
0
e
=
+ +

+ +

=

(1.66)
Pentru gaze (cu = 0), susceptivitatea (1.66) se reduce la forma:
( ) T / n n n
0 0 i i e e
0
e
+ +

= (1.67)
care pstreaz variaia hiperbolic cu temperatura a termenului corespun-
ztor polarizaiei dipolice.

38
n cazul dielectricilor solizi, polarizarea dipolic depinde n mod
determinant de temperatur. La temperaturi foarte joase orientarea dipolilor
fiind mpiedicat de forele mari de coeziune ntre molecule, susceptivita-
tea electric este de asemenea foarte mic. la temperaturi mai mari, agitaia
termic reduce forele de coeziune i orientarea dipolilor este favorizat.
Cu creterea temperaturii ns, au loc schimbri de stare ale corpului.
La limita acestor temperaturi au loc salturi ale susceptivitii, ca n fig.
1.13, pentru temperaturile critice T'
0
i T"
0
.
Figura 1.15. Variaia permitivitii relative cu strile de agregare
Temperatura foarte joas la care agitaia termic scade att de mult
nct moleculele polare i pierd mobilitatea se numete temperatur de
transformare de faz de ordinul II (T
f
)
1.2.2.4. POLARIZAREA DE RELAXARE.
La nceputul paragrafului privind polarizarea electric s-a menionat
ca o specie distinct i polarizarea de relaxare (interfacial). De fapt nu
vine n considerare o nou specie de polarizare ci o consecin comun fie
n cazul unui dielectric stratificat, fie n cazul unui amestec de dielectrici de
naturi diferite.
Prin urmare polarizarea de relaxare este echivalent, sau fictiv, n
raport cu speciile propriu zise de polarizare, ns prin rezultatele studiului
teoretic se stabilesc condiii de importan cu totul deosebit pentru
practic. Polarizaia de relaxare se realizeaz ca o consecin a timpilor de
relaxare diferii de la un dielectric la altul, cnd acetia sunt pui n contact.
De aceea polarizarea se mai numete i interfacial.
39
Prin urmare un dielectric stratificat de exemplu, format din doi sau
mai muli dielectrici omogeni, de natur diferite, va prezenta pe lng cele
trei specii posibile de polarizri nc una suplimentar, cea de relaxare.

Figura 1.16. Variaia cu frecvena a permitivitii relative totale
Dac se consider dielectricul unui condensator format prin
suprapunerea a doi dielectrici omogeni diferii avnd permitivitile
absolute
1
i
2
, iar conductivitile electrice
1
, respectiv
2
, condiia de
apariie a polarizaiei de relaxare este
1 2 2 1
(1.68)
Din studiul polarizrii dielectricilor rezult c la permitivitatea
acestuia contribuie toate tipurile de polarizri posibile a se realiza la masa
sa. Efectele polarizrilor fiind aditive, rezult c sub aciunea unui cmp
alternativ, la anumite valori ale frecvenei unele specii de polarizare dispar.
Aa de exemplu dac se consider un dielectric la care se presupune c
exist toate tipurile de polarizri i se reprezint variaia permitivitii cu
frecvena ca n fig. 1.16, se constat c peste valoarea optic a frecvenei
nu mai rmne dect polarizarea electronic.
n infrarou apare un maxim datorit rezonanei de oscilaie termic a
moleculei, iar la frecvene optice datorit rezonanei de oscilaie a
electronilor.
40
1.2.3. PIERDERI DE PUTERE ACTIV N DIELECTRICI.
Cmpul electric alternativ determin o nclzire suplimentar a
dielectricului n raport cu cmpul invariabil n timp datorit pierderilor de
energie prin polarizare electric, pe lng pierderile prin conducie
electric.
Aceste dou aspecte ale comportrii dielectricului n cmp electric
alternativ se pun n eviden printr-o mrime numit permitivitate
complex care se determin cu considerarea pe de o parte a pierderilor de
energie cauzate de diferitele specii de polarizare, iar pe de alt parte a
pierderilor prin cureni de conducie (n cmp electric invariabil n timp au
loc pierderi de energie numai prin efectul Joule-Lenz a curenilor de
conducie).
Pentru caracterizarea att a fenomenului de polarizare ct i a
pierderilor de putere activ n dielectrici s-a introdus o mrime numit
permitivitate complex ( ). Spre deosebire de permitivitatea relativ care
constituie o msur a fenomenului de polarizare, permitivitatea complex
mai conine un termen (" numit coeficient de pierderi) care constituie o
msur a pierderilor de energie activ att prin curenii de polarizare ct i
prin curenii de conducie. Deci permitivitatea complex caracterizeaz
dielectric att sub aspectul polarizrii ct i sub cel al pierderilor de energie
prin polarizare i prin conducie.
inem cont de pierderile prin polarizare electric pentru fiecare
specie de polarizare ce se caracterizeaz prin timpul de relaxare propriu
(t
r
), care la rndul su depinde de mrimile specifice particulei polarizabile
(raz, sarcin, concentraie, polarizabilitate etc.)
n cmp electric alternativ, ca urmare a timpului de relaxare diferit de
zero, polarizarea nu este niciodat perfect elastic, ci este nsoit de un
consum (orict de mic) de energie. Polarizarea dipolic, dup cum s-a
vzut, se realizeaz cu un consum mare de energie i chiar se obinuiete
s i se spun polarizaie de absorie (de energie). Ca urmare, conform legii
de legtur n cmp elastic (1.24) inducia electric ( D) este defazat n
urma cmpului electric ( E ) cu un unghi () numit unghi de pierderi.
Acest defazaj se numete post efect electric sau vscozitate electric.
41
Figura 1.17. Post efect electric
Admind defazajul , nseamn c dac unui dielectric i se aplic un
cmp electric alternativ
t j
me E E

= , polarizaia i respectiv i respectiv
inducia electric, vor fi decalate n urm (fig. 1.17) cu unghiul (), adic
vor obine valoarea respectiv corespunztoare lui E (de ex. cea maxim,
sau cea minim) mai trziu (corespunztor unghiului ).
Prin urmare inducia electric defazat n urma cmpului electric cu
unghiul (), va avea forma
( )
=
t j
me D D . Din (1.27) rezult c
permitivitatea relativ este:
( )
( )

sin j cos
E
D
e E
e D
E
D
m 0
m
t j
m 0
t j
n
0
(1.69)
care este de forma unei permitiviti complexe:
= j (1.70)
Identificnd termenii reali, respectiv imaginari din (1.69) i (1.70) rezult
c:

= cos cos
E
D
0
m
m 0
m
r
(1.71)

= sin sin
E
D
0
m
m 0
m
r
(1.72)
sau renunnd la indicele (r) fr a neglija c (1.71) i (1.72) sunt valori
relative, se mai poate scrie:
h
tg tg =

= (1.73)
numit factor de pierderi (de energie n dielectric), n care indicele (b) s-a
introdus pentru a sugera c la dielectricii feroelectrici pierderile de energie
sunt determinate de suprafaa ciclului de histerezis electric, iar aceasta este
proporional cu factorul de pierderi (tg ).
42
Prin urmare dielectricul n cmp electric alternativ prezint pierderi
datorate proceselor de polarizare, prin faptul c polarizaia nu variaz n
faz cu cmpul electric aplicat, deci componenta ( ) care msoar aceste
pierderi nu este nul.
Considerarea pierderilor prin conducie electric se face pentru
deducia permitivitii complexe ( ). n acest caz se consider dou
situaii extreme ale unui condensator alimentat cu o tensiune alternativ
(U = U
m
sin t).
Condensatorul ideal se realizeaz avnd ca dielectric ntre
armturi vid, adic condensatorul este fr pierderi, deci curentul prin
circuit posed numai componena capacitiv:
0
0 C jU I I = = (1.74)
unde C
0
=
0
.A/d este capacitatea condensatorului ideal (din fig. 1.18)
avnd aria armturii (a), distana ntre armturi (d), iar
0
= 8,854 10

12
[P/m] constanta dielectric a vidului. n diagrama fazorial curentul fiind
pur capacitiv este decalat cu /2 naintea tensiunii, deci n modul, curentul
capacitiv este I
c
= UC
0
.
Figura 1.18. Condensatoarele: (a) ideal i (b) cu pierderi
Condensatorul cu pierderi (real) se obine introducnd ntre plcile
aceluiai condensator un dielectric tehnic oarecare, cruia i se aplic
aceeai tensiune alternativ U.
43
Spre deosebire de cazul ideal, apar dou elemente noi: pe de o
parte capacitatea condensatorului crete la valoarea C = /d sau raportnd
la C
0
se obine
C = C
0
/
0
=

C
0
= 'C
0
(1.75)
iar componenta capacitiv a curentului, deodat cu /2 naintea tensiunii,
este:
0
c C ' jU C jU I = = (1.76)
pe de alt parte condensatorul absoarbe de la reea o putere activ
UIa cos UI P = = (1.77)
unde este defazajul ntre curentul total I i tensiunea aplicat, U.
Curentul prezint deci o component activ, n faz cu tensiunea:
UG
R
U
I
a
= = (1.78)
unde s-a notat cu R = d/ rezistena chimic a dielectricului, respectiv cu
G conductana acestuia. Curentul total din circuit este deci (fig. 1.18)
U G U C ' j I I I
0
a 0 + = + = (1.79)
sau

+ =
0
0
0
0
C
G
j ' U C j
C j
G
' U C j I (1.80)
n care notnd: G/C
0
= " rezult:
( ) = = U C j " j ' U C j I
0 0
(1.81)
unde ( ) reprezint permitivitatea complex, avnd componenta real
(' =
r
) permitivitatea relativ (deci o msur a fenomenului de polarizare),
iar componenta imaginar:
. const
C d
A
C R
1
C
G
"
0 0 0 0
=

=


=

= (1.82)
adic o msur a conductivitii () a dielectricului.
Prin urmare permitivitatea complex caracterizeaz dielectricului att
sub aspectul polarizrii ct i al conduciei electrice. Reprezentnd (1.79) i
permitivitatea complex, n diagrama fazorial (fig. 1.19), se constat c la
frecvena constant, dac dintr-un motiv oarecare (nclzire, cmp electric
foarte intens etc.) conductivitatea () se mrete, (") crete, iar locul
geometric al extremitii fazorului permitivitii complexe devine dreapta
(
1
).
44
Figura 1.19. Diagrama fazorial a permitivitii complexe
Corespunztor crete componenta activ (I
a
) a curentului (dreapta

2
), deci i unghiul de pierderi (). Din diagrama fazorial rezult c:

= tg
' '
"
tg
0
(1.83)
adic factorul de pierderi reprezint n mod real o msur a pierderilor de
energie n dielectric deoarece (') fiind constant, tg

crete proporional
cu (") deci cu componenta activ a curentului. n consecin este corect s
se apreciaz calitatea dielectricului dup valoarea componentei imaginare:
= tg ' " (1.84)
numit coeficient de pierderi. Aa de exemplu dac un dielectric se
caracterizeaz prin
1
' = 10 i tg
1
= 0,02 iar altul prin
2
' = 2 i
tg
2
= 0,04, cel de al doilea este mai avantajos n exploatare deoarece are
coeficient de pierderi (
2
'' = 0,08) mai mic dect primul (
1
'' = 0,20).
Din relaia (1.81) se deduce expresia general a admitanei echivalente a
dielectricului real:
0 0
C ' j C " y + = (1.85)
care sugereaz echivalarea dielectricului cu o schem electric cu
parametri concentrai.
Att
r
ct i tg se determin experimental cu puni Schering de
nalt tensiune la frecven de 50 Hz sau cu puni de joas tensiune la
frecven nalt. Din (1.72) rezult c unghiul de pierderi corespunde
pierderilor prin histerezis dielectric, deci prin polarizare electric, care au
loc n dielectricii cu polarizare liniar (vezi relaia 1.25) ct i n dielectricii
feroelectrici. n acetia din urm pierderile prin polarizare sunt echivalente
cu aria ciclului de histerezis.
45
Pe de alt parte din (1.82) se constat unghiul de pierderi
corespunztor conduciei electrice () care nu este nul pentru nici un
dielectric. Deci unghiul de pierderi () are o component (
h
) core-
spunztoare histerezisului i o component (

) corespunztoare conduciei
electrice. Unghiul total de pierderi () caracterizeaz pierderile totale i
respectiv factorul de pierderi se poate exprima:
tg = tg
h
+ tg

(1.86)
unde innd seama de (1.82) i (1.83):

'
tg
0
(1.87)
La dielectricii nepolari pierderile prin histerezis sunt neglijabile, n
schimb la cei polari, sau cei neomogeni (ca i la feroelectrici) acestea sunt
importante.
Dac n (1.81) se consider (") din (1.73) corespunznd pierderilor
prin histerezis, se obine puterea aparent a conductorului real:
0
2
0
2
h
C " U C ' jU S + = (1.88)
sau
h
2 2
h
tg C U C jU S + = (1.89)
unde
U
2
C = Q
h
(1.90)
constituie puterea reactiv, iar componenta real
U
2
C tg
h
= P
h
(1.91)
puterea datorat histerezisului transformat n cldur. Se deduce (din
1.89) c:
h
h
h
Q
P
tg = (1.92)
Puterea total absorbit de la reea, ce se transform n cldur rezult
adugnd la P
h
puterea activ corespunztoare efectului Joule-Lenz:
2
0
2 2
j
U
'
C
U
d
A
R / U P


= = = (1.93)
unde s-a nlocuit A/d = C/
0
'.
Rezult puterea activ total:
'
C
U tg C U P P P
0
2
h
2
j h


+ = + = (1.94)
sau:
46

+ =
'
C U tg C U P
0
2
h
2
(1.95)
unde nlocuind (1.87) se obine puterea activ total:
( )

+ = tg tg C U P
h
2
(1.96)
sau considernd i (1.86):
= tg C U P
2
(1.97)
din care se deduce c la tensiune i frecven constant (tg ) reprezint o
msur a pierderilor n dielectric. n continuare convenim s nelegem prin
(tg ) factorul total de pierderi n dielectric.
1.2.3.1. SCHEMELE ELECTRICE ECHIVALENTE ALE
DIELECTRICILOR.
Din (1.79) rezult c dielectricul este echivalent cu un circuit cu
parametrii concentrai, avnd o capacitate C = 'C
0
fr pierderi ( c I fiind
decalat cu /2 naintea tensiunii) de valoare corespunztoare componenei
capacitive a curentului, conectat n paralel cu o rezisten chimic R astfel
aleas ca valoarea sa s determine pierderi de energie egale cu cele ce au
loc n dielectric. Dac parametrii circuitului sunt corespunztori ca valoare
i conexiunea lor potrivit aleas (serie, derivaie sau mixt) se pot obine
scheme electrice echivalente dielectricului cu ajutorul crora s se determi-
ne pe cale teoretic caracteristici apropiate sau chiar identice cu cele
experimentale. De asemenea se pot determina tendinele de modificare ale
caracteristicilor cnd au loc schimbri ale parametrilor dielectricului sub
aciunea solicitrilor (electrice, termice etc.) din exploatare. Pentru orice
dielectric odat stabilit schema electric echivalent, se determin
admiterea acesteia i prin egalarea prii reale i celei imaginare cu
termenii respectivi din (1.85) se obin relaii de dependen ale mrimilor
', " i tg de frecvena. Prin aceste modaliti este mult nlesnit studiul
comportrii dielectricilor n cmp electric alternativ (sinusoidal).
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente,
necesit determinarea att a parametrilor corespunztori ct i a modului de
conexiune a acestora. n acest sens, pentru unii dielectrici sunt potrivite
schemele echivalente derivaia, pentru alii cele de tip serie, iar pentru alte
categorii se recurge la scheme cu conexiune mixt (de ex. pentru
dielectricii neomogeni).
47
Schema echivalent derivaia este cea mai utilizat. Dielectricul
este echivalent cu un condensator fr pierderi de capacitate C
p
conectat n
paralel cu o rezisten R
p
n care se dezvolt pierderi de energie egale cu
cele din dielectric, cnd acesta se afl ntr-un cmp electric alternativ de
pulsaie = 2 W f. Schema echivalent i diagrama fazorial sunt
prezentate n fig. 1.20.
Puterea absorbit de la reea este
P = UI cos (1.98)
iar curentul total din circuit este:
0 e I I I + = (1.99)
sau, cu notaiile din fig. 1.20, avem:
U C j
R
U
I
p
p
+ = (1.100)
Figura 1.20. Schema echivalent derivaie

Admitana echivalent a circuitului derivaie este:
p
p
p
C j
R
1
y + = (1.101)
Egalnd (1.101) cu termenii respectivi din expresia (1.85) a admitanei
dielectricului real (neideal), rezult:
p
0
R
1
" C = (1.102)
unde:
p 0
R C
1
"= (1.103)
reprezint coeficientul de pierderi corespunztor schemei echivalente
derivaie, respectiv
48
p 0
C j ' C j = (1.104)
unde:
0
p
C
C
' = (1.105)
reprezint permisivitatea relativ a dielectricului. nlocuind (1.103) i
(1.105) n (1.83) rezult factorul de pierderi (total):
p p p
p
1
C R
1
'
"
tg

=

= (1.106)
unde s-a notat cu
p
= R
p
C
p
constanta de timp a circuitului.
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea, innd seama de
(1.106) este: = = = = tg C U
R
U
UI cos UI P
p
2
p
2
p p
(1.107)
n care s-a introdus (R
p
) din relaia (1.106).
Din (1.107) rezult c la tensiune i frecven constant pierderile de
energie n dielectric sunt determinate de factorul de pierderi tg
p
. Schema
echivalent derivaie corespunde foarte bine pentru reprezentarea
dielectricilor nepolari la care componenta pierderilor de energie activ prin
conducie este mai mare dect cea corespunztoare histerezisului dielectric.
Coeficientul de pierderi ("), permitivitatea (') i factorul de pierderi.
tg
(p)
variaz cu frecvena ca n (fig. 1.21) dup cum rezult din (1.13),
(1.105) i (1.106). n consecin dac prin determinri experimentale se
obin pentru un dielectric caracteristici similare celor din (fig. 1.21) rezult
c poate fi reprezentat prin schem electric echivalent derivaie.
Figura 1.21. Variaia cu frecvena a parametrilor schemei echivalente
paralel
49
Cum rezult c (' =
r
) nu depinde de frecven (1.105) dielectricul
se prezint ca fiind nepolar.
Schema electric echivalent serie se folosete n cazul cnd
pierderile de putere activ din dielectric sunt proporionale cu factorul de
pierderi. Se consider c dielectricul este echivalat cu un circuit serie,
avnd o capacitate C
S
fr pierderi, conectat n serie cu o rezisten
ohmic R
o
n care se dezvolt aceleai pierderi de energie activ ca i n
dielectric. Schema echivalent i diagrama fazorial sunt reprezentat n
fig. 1.22.
Figura 1.22. Schema echivalent serie.
La tensiunea sinusoidal de alimentare U = U
m
sin t curentul n
circuit este:
Z
U
I = (1.108)
de unde, cderile de tensiune (efective) U
R
= IR
S
i U
C
= I/C
S
. Din
diagrama fazorial rezult factorul de pierderi:
s S
C
R
s
C R
U
U
tg = = (1.109)
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea este:
S
2
2 2
S
R
Z
U
cos
Z
U
cos UI P = = = (1.110)
unde, conform fig. 1.22, s-a nlocuit cos = U
R
/U = R
S
/Z. innd seama
de (1.109) i nlocuind n (1.110) pe (Z
2
) cu valoarea sa
2
S
2
2
2
S
2
2
S
2
C
1 tg
C
1
R Z

+
=

+ = (1.111)
se obine:
50
+

=
2
S
2
S
tg 1
tg C U
P (1.112)
Din (1.112) se constat c i n cazul schemei echivalente serie, la tensiune
i frecven constant, pierderile de energie activ n dielectric sunt
determinate de factorul de pierderi tg
S
. Acesta corespunde cazului real
din exploatarea sistemelor de izolaie a mainilor i aparatelor electrice dat
fiind c tensiunea i frecvena reelei sunt totdeauna constante.
innd seama de (1.108) admitana echivalent a circuitului
( )
2
S
2 2
S
S S S
S
S
C R 1
j C R C
C
1
j R
1
Z
1
y
+
+
=

= = (1.113)
sau
2
S
2 2
S
S
2
S
2 2
S
2
S
2
S
C R 1
C
j
C R 1
C R
y
+

+
+

= (1.114)
Egalnd termenii din (1.114) respectiv cu cei din (1.85) ai admitanei echivalente a dielectricului real se ob
2
S
2 2
S
2
S
2
S
0
C R 1
C R
" C
+

= (1.115)
de unde:
2
S
2 2
S
S S r
S S 2
S
2 2
S
0 S
C R 1
C R
C R
C R 1
C / C
"
+

=
+
= (1.116)
i respectiv:
2
S
2 2
S
S
0
C R 1
C
j ' C j
+

= (1.117)
de unde:
2
S
2 2
S
r
2
S
2 2
S
C S
C R 1 C R 1
C / C
'
+

=
+
= (1.118)
Sau innd seama de (1.83), cu (1.116) i (1.118) se obine:
S S S
C R
'
"
tg =

= (1.119)
identic cu (1.116). Dac n relaiile (1.116), (1.118) i (1.119) se noteaz
cu
S
constanta n timp a circuitului
S
= R
S
C
S
se obine respectiv:
2
S
2
S r
1
"
+

= (1.120)
i
51
2
S
2
r
1
'
+

= (1.121)
de unde:
S S S S
C R tg = = (1.122)
Reprezentnd grafic pe ", ' i tg n funcie de frecvena tensiunii de
alimentare, se obin caracteristicile din fig. 1.23.
Figura 1.23. Variaia cu frecvena a parametrilor schemei echivalente serie
Pentru " se constat c la = 0 i = rezult " = 0, deci
coeficientul de pierderi trebuie s admit un maxim. Din (1.116) rezult c
" este maxim dac numitorul (1 +
2

S
2
) este minim, ceea ce se realizeaz
dac cei doi termeni sunt egali (produsul lor fiind constant i egal cu 1),
adic pentru ( = 1/
S
). Pentru ( = 1/
S
) se deduce din (1.120) i (1.122)
c " = '.
Pe de alt parte, cum ' (1.122) este dependent de frecven,
pierderile de energie activ revenind n mai mare msur proceselor de
polarizare, rezult c schema echivalent serie se preteaz pentru
caracterizarea i studiul dielectricilor care prezint pe lng polarizarea
electronic i ionic i o polarizare dipolic, cum ar fi materialele slab
polare.
n general cele dou scheme echivalente pot fi utilizate pentru
caracterizarea majoritii dielectricilor omogeni cu condiia ca una s fie
echivalent celeilalte. Aceast condiie impune ca la aceeai frecven s
rezulte aceleai pierderi de energie activ cu fiecare dintre scheme.
Consecinele ce decurg din aceast condiie se constat dac se neglijeaz
pierderile de energie activ P
p
cu P
S
i respectiv factorii de pierderi tg
p
cu
tg
S
. Astfel egalnd (1.107) cu (1.112) rezult:
52
+ =
2
p
S
tg 1
C
C
(1.123)
iar egalnd (1.106) cu (1.109) rezult:

+ =
2
S p
tg
1
1 R R (1.124)
Prin urmare numai pentru valori mici ale unghiului de pierderi
schemele sunt echivalente referitor la pierderi i capacitii, deoarece
avnd (tg 0) rezult P
p
= P
S
i C
S
= C
p
, dar echivalena nu mai este
valabil i pentru rezistene, deoarece din (1.124) rezult c R
p
R
S
. De
aceste concluzii se ine seama la determinri experimentale cu punile
Schering care permite conexiuni diferite pentru dielectrici cu
conductibilitate mai mare sau mai mic.
Scheme echivalente mixte. Pentru studiul dielectricilor neomogeni,
sau a dielectricilor polari se utilizeaz scheme cu parametri R i C n
conexiune mixt.
Figura 1.24. Schema echivalent mixt a unui dielectric polar omogen.
Figura 1.25 Variaia cu frecvena a parametrilor schemei echivalente mixte
a unui dielectric polar omogen
53
Pentru dielectrici polari omogeni, cum sunt de exemplu, lichidele
polare se utilizeaz o schem echivalent format dintr-un circuit RC serie,
conectat n paralel cu un condensator. Considernd n acest caz, schema
echivalent se prezint ca n fig. 1.24.
Admitana echivalent a circuitului este:
2 1
y y y + = (1.125)
unde:
1 1
C j y = (1.126)
i
( )
2
2
2
2
2
2 2 2
2
2
2
C R 1
j C B C
C
1
R
1
y
+
+
=

= (1.127)
sunt admitanele circuitelor componente.
Constanta de timp este aproximativ egal cu timpul de relaxare al
polaritii dipolice (10
9
10
6
s). Deci la frecvene mici (
2
C
2
2
<< 1) i
respectiv (' =
S
'). La frecvene nalte ( ) rezult (' =

'), (" = 0) i
(tg = 0). Experimental se determin (
S
') i (

'), iar (C
2
) rezult din
(' =

') i la fel (R
2
) din (z
2
) deci ('), (") i (tg ) sunt determinabile.
Cum (tg = 0) pentru ( = 0) i ( = ), rezult c prezint un maxim.
Pentru dielectricii neomogeni se adopt scheme echivalente mixte,
provenite din scheme serie sub forme de circuit serie RC multiplu, sau
circuite RC derivaie nseriate, sau un circuit RC serie, nseriat cu un
circuit RC derivaie, circuit RC derivaie nseriat cu o capacitate C sau cu o
rezisten (R). Dielectricul neomogen, n cazul cel mai general poate fi
reprezentat prin schemele din fig. 1.26, din care prin combinaii se obin
scheme derivate.
Figura 1.26. Schem echivalent mixt pentru dielectrici neomogeni.
54
Dac se consider schema echivalent din fig. 1.26, n care se
noteaz pentru simplificare parametrii (R) i (C) fr indicele p,
constante de timp a circuitului echivalent rezult sub forma:
( )
2 1
2 1
2 1
C C
R R
R R
+
+
= (1.128)
n cazul dielectricului neomogen, sau stratificat, (tg ) rezult ca o
sum care scade hiperbolic cu creterea frecvenei ca n fig. 1.27.
Dielectricul stratificat, prezint la frecvene sczute pierderi mari
datorate mai ales conductivitii iar la frecvene mari, pierderi datorate
polarizrii. Frecvena la care pierderile sunt minime este cea potrivit
pentru explorarea dielectricului. La aceast frecven nclzirea
dielectricului este minim, iar durata sa de via este maxim.
Pe lng schemele echivalente prezentate, pentru dielectrici
neomogeni sau stratificai, se pot obine i alte combinaii ale conexiunii
parametrilor n funcie de specificul dielectricului.

Figura 1.27. Variaia cu frecvena a parametrilor schemei echivalente mixte
pentru dielectrici neomogeni
Pentru fiecare dielectric este necesar s se adopte schema echivalent
cu care s se poat obine prin calcul aceeai variaie cu frecvena a
parametrilor, a factorului de pierderi i a permitivitii ca i la
determinrile experimentale.
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente
sporesc eficiena i corectitudinea alegerii i utilizrii lor n proiectarea i
construcia mainilor i aparatelor electrice, dat fiind posibilitatea
introducerii n programul de calcul a parametrilor schemei de izolaie.
55
1.2.3.2. PIERDERI PRIN INCLUZIUNI DE GAZE.
Pierderile de energie n dielectrici nu sunt datorate numai conduciei
electrice i pierderilor ci i descrcrilor ce au loc n incluziunile gazoase.
Pe de alt parte pierderile de energie, variaz nu numai cu frecvena ci i cu
temperatura. n general dielectricii nepolari i cei slab polari prezint
pierderi mai ales prin conducie, deoarece polaritatea electronic i ionic
se realizeaz fr pierderi, iar la cea dipolic, n acest caz, nu au loc frecri
ntre moleculele polare. Pentru dielectricii nepolari schema echivalent
derivaie este cea mai potrivit.
Din relaia (1.106) rezult variaia hiperbolic a factorului de
pierderi cu frecvena, aa cum este reprezentat n fig. 1.21

Figura 1.28. Variaia cu temperatura a factorului de pierderi.
Dac ns se nlocuiete rezistena cu mrimile care o determin
(arie, lungime i conductivitate) i se ine seama de expresia conductivitii
(1.22) rezult:
kT
e . const
1
A
d
R

= (1.129)
care nlocuit n (1.106) conduce la o variaie a factorului de pierderi cu
temperatura de forma:
kT
e . const
C R
1
tg

= (1.130)
Deci i pierderile cresc exponenial cu creterea temperaturii, ca n
fig. 1.28.
56
Pierderile prin incluziuni de gaze pot fi luate n considerare la
materialele la care prezena acestora se constat i experimental, aa cum
se va vedea. n incluziunile gazoase, datorit ionizrii gazului au loc
bombardri repetate ale pereilor cavitii, urmate pe de o parte de
eroziunea pereilor, iar pe de alt parte de nclziri locale excesive.
Gradienii de temperatur ce apar n dielectric, ntre diferite puncte, deter-
min formarea unor ci mai calde dect nclzirea medie, care prezint
conductivitate electric mai mare, ceea ce favorizeaz strpungerea
dielectricului. Apariia nclzirii suplimentare datorit ionizrii gazului din
incluziuni, reprezint pierderi de energie care pot fi exprimate, empiric sub
forma:
( )
2
c 1 i
U U f B P = (1.131)
unde:
B
1
este o constant de material
f frecvena tensiunii aplicate U
U
0
tensiunea de ionizare.
Factorul de pierderi corespunztor pierderilor prin ionizare se obine
egalnd (1.131) cu pierderile determinate n cazul schemei echivalente
derivaie (1.107) cu condiia ca n aceast relaie s se introduc tensiunea
U
0
n loc de U. Se obine astfel:
( ) tg C U U U f B
2
0
2
0 1
= (1.132)
de unde:
( )
2
0 2
U U B tg = (1.133)
unde s-a notat cu B
2
factorul constant. Din (1.133) rezult c pierderile n
dielectric variaz cu tensiunea aplicat (U), datorit conduciei i
polarizrii la (U < U
0
).
Figura 1.29. Variaia cu tensiunea a factorului de pierderi la dielectricii cu
incluziuni de gaze
57
La tensiuni mai mari dect (U
0
), pierderile cresc parabolic datorit
ionizrii gazului din incluziuni, ca n fig. 1.29. Rezult c la studiul
experimental al dielectricului, dac n curba tg = f(U) se constat un cot
ca n punctul (a) din fig. 1.29, dielectricul conine incluziuni de gaze, ceea
ce limiteaz stilizarea acestuia.
n cazul dielectricilor polari, s-a demonstrat (relaia 1.53) c energia
necesar orientrii dipolului este funcie de unghiul () dintre acesta i
direcia cmpului electric ( E ).
Factorul de pierderi variaz ca n fig. 1.29. Puterea absorbit de
dielectricul polar de la reea crete proporional cu frecvena pn la
valoarea critic a acestuia. La frecvene mai mari dect cea critic se atinge
o limit, practic de invariaie, deoarece dipolii avnd timp de relaxare mai
mare dect durata unei semiperioade a tensiunii aplicate nu se mai
orienteaz complet (n fiecare semiperioad), ci oscileaz n jurul unei
poziii de echilibru (deci frecvena fiind mai mare, pierderile rmn ridicate
dar nu mai cresc). Aceasta se explic prin faptul c la frecvene mai mici
dect cea critic, pierderile cresc mai repede dect frecvena (deoarece sunt
cauzate nu numai de polarizare ci i de temperatur) ca n fig. 1.30
Figura 1.30 Variaia cu frecvena a factorului de putere i a pierderilor de
putere activ pentru dielectricii cu incluziuni de gaze
Rezult:
C U
P cu al proportion
I
I
tg
c
a

= = (1.134)
58
Factorul de pierderi prezint un maxim pn la frecvena critic,
dup care scade, ca n fig. 1.30. Prin urmare pierderile prin polarizare
dipolic pot fi reprezentate corespunztor prin relaii deduse din schema
echivalent mixt de forma celei din fig. 1.24.
1.2.3.3. MBTRNIREA DIELECTRICILOR.
Evident c pierderile de energie n dielectrici au un dublu efect. Pe
de o parte pierderile de energie se nregistreaz ca risip, iar pe de alt
parte ele cauzeaz creterea temperaturii materialelor care atrage dup sine
o i mai pronunat cretere a pierderilor (cel puin prin conducie). Nivelul
pierderilor limiteaz durata de funcionare, durata de via a dielectricului.
Aceast durat se determin pentru fiecare material n parte prin ncercri
experimentale forate, ncercri de mbtrnire. Pe baza unor astfel de
tehnici s-a stabilit o relaie a duratei de via a dielectricului n funcie de
temperatur, de forma:
( )
] ani [ e A
273 T 0086 , 0
= (1.135)
unde A este o constant de material, iar T temperatura absolut. Relaia
(1.135) este mai ales valabil pentru materiale cu stabilitate termic redus
(din clasele inferioare de izolaie). Astfel pentru 95 [C] cu (1.135) se
obine o durat de funcionare de 20 [ani], iar la o temperatur de 110 [C]
se obine o durat de numai 5 [ani]. Rezult c temperatura are o influen
determinant asupra duratei de funcionare a dielectricului deoarece
efectele sale sunt cumulative. Diminuarea proprietilor electroizolante este
cu att mai mare cu ct aplicarea unui cmp intens sau funcionarea la o
temperatur mai mare dect cea prescris, dureaz mai mult. Din aceast
cauz se impune controlul periodic al strii izolaiei mai ales la agregatele
electrotehnice de mare importan tehnic sau economic. Cu astfel de
ocazii, prin date experimentale i teoretice se poate aprecia durata de
funcionare a dielectricului la solicitri date i se pot evita neajunsurile
aferente.
1.2.4. STRPUNGEREA DIELECTRICILOR
Strpungerea dielectricilor este fenomenul prin care se realizeaz
distrugerea reelei materialelor solide, descompunerea prin ionizare a
lichidelor, sau ionizare n avalan a gazelor, avnd ca urmare trecerea
direct a curentului de la un electrod la altul prin masa dielectricului.
59
Att procesul n sine al strpungerii ct i factorii care l influeneaz
depind deci de starea de agregare a dielectricului. n general ns, pentru
orice dielectric aezat ntre dou armturi metalice (fig. 1.31) se constat c
prin mrirea tensiunii aplicate (U), curentul crete proporional pn la o
valoare critic (U
C
) a acesteia, dup care la valoarea (U
S
) tinde spre infinit.
Figura 1.31. Strpungerea materialelor electroizolante
Unghiul format de tangenta la curba [I = f(U)], crete ntre (U
C
) i
(U
S
) nct la (U = U
S
) se obine (tg = ). Cum tangenta la curb este:
= = = . const
H
1
U
I
tg (1.136)
rezult c (R = 0), adic conductana dielectricului este nelimitat.
Curentul n circuitul dielectricului este limitat numai de parametrii sursei
de alimentare. Tensiunea (U
S
) se numete tensiune de strpungere.
Raportul ntre tensiunea de strpungere U
S
[kV efectiv] i grosimea (d) a
dielectricului (sau distana dintr electrozi n cazul gazelor i lichidelor
constituie rigiditatea dielectric:
d
U
E
S
= [kV/m], [kV/cm], [kV/mm] (1.137)
care poate reprezenta o constant de material dac este determinat n
condiii experimentale reproductibile. n acest sens se caut o apropiere
ct mai mare de condiiile ideale n care s-ar determina o rigiditate
dielectric intrinsec. Aceste condiii sunt:
cmp electric uniform
frecvena de 50 Hz
temperatura constant
60
grosimea dielectricului i suprafaa sa s fie suficient de mari
pentru a se obine suficieni purttori de sarcin, astfel ca determinarea s
conduc totdeauna la aceleai rezultate.
n practic ns nu pot fi respectate condiiile ideale i de aceea se
accept abateri n anumite limite, iar mrimea determinat se numete
rigiditate dielectric tehnic (E
S
).
Imposibilitatea ndeplinirii condiiilor ideale la determinarea
rigiditii dielectrice este datorat mai multor factori ce influeneaz
strpungerea dielectricului.
Cei mai importani dintre acetia factori sunt:
frecvena, forma i durata de aplicare a tensiunii.
omogenitatea, umiditatea i grosimea probei.
coninutul de incluziuni de gaze.
presiunea, temperatura i umiditatea mediului ambiant.
dimensiunile i conductivitatea termic a electrozilor.
prezena elementelor de contaminare a dielectricului.
Referitor la forma tensiunii aplicate dielectricului la ncercarea de
strpungere, sunt stabilite norme pentru diferitele categorii de produse
electromagnetice. Astfel ncercarea izolaiei mainilor electrice i
transformatoarelor se obinuiete a se face cu impulsuri de tensiune de
form impus, cum ar fi de exemplu cel din fig. 1.32.

Figura 1.32. Presiunea de ncercare a mainilor i transformatoarelor
electrice.
Cablurile se ncearc la tensiune continu, iar aparatajul de nalt
tensiune la tensiune alternativ cu frecvena de 50 Hz.
61
Att tensiunea continu ct i cea alternativ pot fi aplicate
dielectricului prin creterea continu cu o vitez prestabilit, sau n trepte
de tensiuni cu o anumit durat de pstrare a dielectricului sub tensiune sub
tensiune dup fiecare treapt.
Cnd durata de aplicare a tensiunii este scurt (impuls sau reglare
continu) se determin rigiditatea dielectric prin strpungerea la scurt
durat care este n general o strpungere pur electric, deoarece
dielectricul nu se nclzete sub aciunea cmpului electric aplicat. Dac
aplicarea tensiunii este de durat mai lung (tensiune aplicat n trepte),
din cauza nclzirii dielectricului, apare pe lng strpungerea electric i o
strpungere termic, care fiind cumulative determin o tensiune de
strpungere mai mic dect n primul caz. Sub aciunea cmpului electric
pot avea loc i efecte chimice n masa dielectricului care s duc la crete-
rea numrului de purttori de sarcin, astfel c strpungerea se produsese i
n acest caz la tensiune mai mic dect la cea pur electric.
n general strpungerea poate avea un caracter mixt datorndu-se
unor cauze multiple.
Dup natura proceselor care determin strpungerea dielectricilor,
criteriul care impune n studiul rigiditii dielectrice, l constituie starea de
agregare.
1.2.4.1. STRPUNGEREA GAZELOR
Prezena purttorilor de sarcin datorai ionizatorilor externi
determin conducia electric dependent de intensitatea cmpului electric
aplicat numai la valori mici i mijlocii ale acestuia. La valori ale intensitii
cmpului electric ce depesc 10
5
10
6
[V/m], are loc descrcarea
independent (autonom) urmat de strpungerea gazului.
Datorit complexitii fenomenului, tratarea matematic a procesului
de strpungere a fost posibil numai prin adoptarea unor simplificri i
ipoteze. Dei prin aceasta se comite o ndeprtare fa de situaia real se
pot obine rezultate teoretice suficient de apropiate de cele experimentale.
Astfel de rezultate au fost obinute de ctre Townsend a crui teorie are la
baz urmtoarele ipoteze:
ionizrile sub aciunea cmpului electric exterior sunt produse
numai de ctre electroni i numai dac energia (W) a electronului este mai
mare dect energia de ionizare (W
i
) a moleculei gazului. Dei nu se ia n
considerare ionizarea n trepte i nici probabilitatea de ionizare (Electronul
nu cedeaz energie la ciocnirea neionizat cnd W < W
i
).
la fiecare ciocnire ionizat electronul i cedeaz ntreaga sa
energie, viteza devenind nul.
62
electronul de deplaseaz rectiliniu n lungul liniilor de cmp
electric (acesta fiind considerat uniform).
Tensiunea de strpungere (U
S
) la care are loc descrcarea autonom
obinut de Townsend este de forma:
(
(
(
(

|
.
|

\
|

+


=
1
1 ln
d p A
ln
d p B
U
S
(1.138)
unde s-a notat cu () numrul de electroni eliberai ntr-o secund de pe
1 [cm
2
] din suprafaa electrodului metalic negativ (catod). Din (1.138)
rezult c tensiunea de strpungere a gazelor este funcie de produsul dintre
presiune i distana dintre electroni, cum de fapt se constat i
experimental.
n afar de ionizrile produse prin ciocnirea moleculelor de ctre
electroni mai exist i ionizri datorate fotonilor, deci fotoionizare. Un
atom (sau molecul) care n urma ciocnirii a rmas neionizat, se afl n
stare excitat, adic are un electron cu o energie mai mic dect cea de
ionizare, dar mai mare dect cea corespunztoare strii sale fundamentale.
Cnd electronul sufer tranziia invers, n starea fundamental, atomul
emite diferena de energie sub form de fotoni. Fotonii pot produce ionizri
suplimentare (fa de ciocniri).
Se formeaz astfel, ntre electronii metalici, ci ramificate n spaiu,
cu mare conductivitate electric, numite strimeri care preced strpungerea.
Prin teoria strimerilor se obine variaia tensiunii de strpungere cu produ-
sul (p d) foarte apropiat de cea obinut experimental. Curba
[U
S
= f(p d)] nregistreaz un minim, ca n fig. 1.35, datorat mai ales
valorii presiunii. n general la valori (p d) > 200 [torr d] nu se mai obine
coinciden ntre curba teoretic i cea experimental, deoarece relaia
(1.138) este afectat de erori din cauza simplificrilor i ipotezelor care n
afara acestui domeniu i pierd valabilitatea. Dac se consider separat
influena factorilor din (1.138) asupra tensiunii de strpungere se obin
concluzii importante pentru practic.
Lund ca exemplu aerul se va urmri influena acestor factori asupra
rigiditii dielectrice, subliniind de pe acum importana concluziilor dac se
reamintete c n majoritatea dielectricilor sunt posibile incluziuni de gaze.
La presiune normal i distan ntre electrozi variat, rigiditatea
dielectric a aerului se prezint ca n fig. 1.34.
63
Scderea rigiditii cu creterea distanei se explic prin aceea c al
distane mici ntre electrozi, dac drumul mediu dintre dou ciocniri
ionizante (a) este mai mare dect distana (d) dintre electrozi.
n cazul distanei constante ntre electrozi, cu variaia presiunii,
rigiditatea aerului variaz ca n fig. 1.35. la presiuni mici concentraia
moleculelor fiind mic i probabilitatea de ciocnire i ionizare este mic,
deci sunt necesare intensiti de cmp mai mari la strpungere. La presiuni
mari, cum (a) este mai mic, de asemenea trebuie ca intensitatea cmpului
electric s fie mare pentru a se produse ionizarea i respectiv strpungerea.
Figura 1.33. Strpungerea gazelor validarea experimental
Figura 1.34. Rigiditatea dielectric a aerului la presiune normal.
Un minim al rigiditii se obine la aer pentru presiunea apropiat de
1 atm. Creterea rigiditii cu presiunea conduce n practic la utilizarea
gazelor electroizolante sub o anumit presiune n agregatele electrotehnice.
64
Figura 1.35. Rigiditatea dielectric a aerului la distana dintre electrozi
constant.
De asemenea din izolaie n aer trebuie s se fac innd seama i de
presiunea acestuia, dar i de temperatur.
Timpul n care se realizeaz efectiv strpungerea gazului, rezult de
ordinul a 10
5
[s] dup teoria Townsend i de 10
7
10
9
[s] dup
determinri experimentale. Timpul de dezvoltare a strpungerii scade cu
creterea intensitii cmpului electric ca n fig. 1.36. n consecin durata
de aplicare a tensiunii influeneaz strpungerea.
Figura 1.36. Durata de anclanare a strpungerii
Aceasta se constat experimental dac se studiaz variaia cu
frecvena a raportului ntre tensiunea de strpungere U
f
(la diferite
frecvene) i tensiunea de strpungere n curent continuu (U
0
). Pentru aer
se obine [U
f
/ U
0
= f(f)] ca n fig. 1.37.
65
Pn la frecvene de 10
7
[Hz], ntre electroni apar sarcini spaiale
care determin micarea tensiunii de strpungere. la frecvene mari ns
durata semiperioadei devine mai mic dect timpul necesar dezvoltrii
strpungerii i respectiv tensiunea de strpungere este proporional mai
mare.
Spre deosebire de strpungerea aerului n cmp electric uniform, n
practic se ntlnesc adesea descrcri n cmp electric neuniform care n
unele cazuri reprezint pierderi suplimentare de energie, iar altele
mpiedic efectuarea corect a unor determinri experimental.
Figura 1.37. Variaia tensiunii de strpungere cu frecvena
Aa este efectul corona, o descrcare autonom incomplet ce se
manifest n jurul conductorilor rotunzi (linii de transport de energie) aflai
la tensiuni nalte. Descrcarea este luminiscent i situat n apropierea
armturii metalice cu raz mic de curbur unde intensitatea cmpului este
mai mare.
O descrcare similar apare la ncercarea unui dielectric solid cnd
suprafaa sa nu este suficient de mare n raport cu cea a electrozilor de
prob, ca n fig. 1.38, iar grosimea este suficient pentru a nu se produse
strpungerea la o tensiune mai mic dect cea corespunztoare
potenialului de ionizare a aerului. n consecin are loc ionizarea aerului la
suprafaa dielectricului, urmat de o descrcare luminiscent, iar apoi de
una disruptiv, trecerea curentului avnd loc direct de la un electrod la altul
prin aer. Dielectricul nu s-a strpuns. Descrcarea disruptiv se numete
conturare.
66
Figura 1.38. Conturnarea materialelor electroizolante solide.
Dac simultan ar avea loc i strpungerea dielectricului, aceasta nu
poate fi luat n considerare ca o ncercare reproductibil. n asemenea
situaie strpungerea dielectricului se obine introducnd ansamblul de
electroni i proba ntr-un lichid dielectric (de ex. ulei de transformator)
care s nu modifice proprietile cuprului.
n cazul celor mai muli dielectrici neomogeni sau stratificai, pot fi
ntlnite fenomene de strpungere n gaze, dac acetia conin incluziuni
gazoase.
1.2.4.2. STRAPUNGEREA DIELECTRICILOR LICHIZI.
Pn n prezent nu exist o teorie unitar a strpungerii dielectricilor
lichizi. Pe baza cercetrilor experimentale s-au formulat teorii pentru
explicarea rezultatelor, ns acestea au o valabilitate restrns numai la
anumite aspecte ale fenomenului. Strpungerea lichidelor se constituie
ntr-un proces mult mai complex dect cel al gazelor sau solidelor. Dintre
teoriile elaborate pentru explicare strpungerii lichidelor, sunt mai
apropiate de realitate urmtoarele:
1) Teoria ionizrii similar celei din cazul gazelor, opereaz ca un
drum liber ionizant (a) mult mai mic datorit densitii mari a lichidului. n
consecin pentru a se obine ionizare, conform relaiei este necesar o
intensitate de cmp electric mult mai mare dect la gaze. Rigiditatea
lichidelor este de zeci, sute sau mii de [kV/cm] n timp ce a gazelor nu
depete cteva zeci de [kV/cm]. Ionizarea moleculelor lichidului are o
mai mare extindere n masa acestuia cnd sunt prezente impuritile,
scamele sau moleculele de ap.
67
Att moleculele ionizate ct i impuritile se dispun dup direcia
liniilor cmpului electric aplicat i formeaz ntre electronii metalici puni
de legtur cu mare conductivitate. Urmarea este creterea temperaturii
dielectricului i n final strpungerea sa.
2) Teoria strpungerii termice, are la baz ipoteza formrii n
lichid a unor incluziuni gazoase n urma conduciei polarizrilor. Aceste
bule gazoase se dispun dup direciile liniilor cmpului electric ntre
electrozii metalici, fiind n plus afectate de ionizrile gazului din incluziuni
care au loc la intensiti de cmp mult mai mici dect ionizarea
moleculelor lichidului, nct punile formate prezint conductivitate
electric suficient de mare pentru a se ajunge la strpungere. Bulele de
gaze pot fi provenite i din stratul limit de aer absorbit la suprafaa
electrozilor metalici nainte de introducerea lor n lichid, dar i din
descompunerea unor molecule sau aciunea cmpului electric.
3) Teoria strpungerii pur electrice are la baz ipoteza c
electronii care produc ionizarea urmat de descrcarea autonom i
strpungerea lichidului sunt smuli de ctre cmpul electric din electrozii
metalici ntre care se afl dielectricul. innd seama de faptul c energia de
extracie a electronului difer de al un metal la altul s-a cutat n acest sens
confirmarea experimental a acestei teorii fr s se obin rezultate
concludente.
Deoarece teoriile strpungerii lichidelor sunt nc incomplete, studiul
acestor dielectrici i a factorilor ce i influeneaz trebuie efectuat pe cale
experimental. Dintre factorii ce influeneaz rigiditatea dielectric a
lichidelor cei mai importani sunt: impuritile; temperatura;
neuniformitatea cmpului electric; coninutul de ap. De fapt n
exploatare, factorii menionai sunt cei ce accelereaz mbtrnirea
dielectricului. Extinznd raionamentele ce explic influena unor factori
asupra rigiditii din cazul dielectricilor gazoi n cazul lichidelor se
deduce c distana ntre electrozi i presiunea au efecte similare gazelor.
De asemenea se poate pune n eviden influena conductivitii termice a
electronilor, diferind de la un metal la altul.
n fig. 1.39. este ilustrat influena coninutului de ap asupra tensiunii de
strpungere a uleiului de condensator. Se constat c un procent foarte mic
de ap reduce la jumtate rigiditatea dielectric. n exploatare, asemenea
situaii pot cauza grave avarii i distrugeri de bunuri materiale.
68
Figura 1.39. Influena coninutului de ap asupra tensiunii de strpungere.
Coninutul de ap n ulei atrage dup sine influena mai pronunat a
temperaturii asupra tensiunii de strpungere, cum rezult din fig. 1.40.
Uleiul deshidratat nu este afectat de creterea temperaturii pn la 90
95 [C] aceasta fiind i limita maxim de nclzire admisibil a uleiului.
La ncercarea de strpungere a uleiului mineral cu tensiune
alternativ se constat c peste anumite valori ale frecvenei (cteva sute de
Hz) tensiunea de strpungere scade din cauza creterii nclzirii i deci a
efectului de strpungere termic.
Figura 1.40. Influena coninutului de ap asupra variaiei cu temperatura a
rigiditii dielectrice.
ncepnd ns de la valori mici ale frecvenei pn la aceast limit
critic, tensiunea de strpungere crete cu frecvena datorit micorrii
duratei semiperioadei tensiunii aplicate n raport cu timpul necesar
dezvoltrii strpungerii.
69
n practica exploatrii dielectricilor lichizi trebuie s fie luate n
considerare toate concluziile ce rezult din influena diferiilor factori
asupra comportrii lor n cmp electric. Aceasta impune controlul periodic
al strii dielectricilor lichizi.
1.2.4.3. STRPUNGEREA DIELECTRICILOR SOLIZI.
n paragrafele anterioare s-a dedus c dielectricii solizi, la intensiti
mari ale cmpului electric (peste 10
4
[v/m]) prezint pe lng
conductibilitatea ionic i una electronic, nct conductivitatea () este
funcie i de intensitatea cmpului electric conform legii lui Poole. Peste
valori de 10
5
10
7
[v/m] se realizeaz strpungerea dielectricului fie pe
cale pur electric fie pe cale electric i termic. Prin strpungere se
produce distrugerea reelei atomice a solidului i formarea unui canal liber
de la o armtur metalic la alta. Dac dielectricul este considerat ntre
dou armturi metalice ca n fig. 1.29 (n practic totdeauna dielectricul
separ pri metalice aflate la diferene de potenial foarte mari), cnd n
masa sa se constituie ci, de la o armtur la alta, cu conductivitate mai
mare dect cea normal se produc nclziri locale excesive i strpungerea
devine iminent. n funcie de puterea sursei de alimentare strpungerea are
loc sub form de scnteie sau arc electric.
Este convenabil, pentru nelegerea procesului strpungerii, ca cele
dou feluri de strpungere pur electric i termic s fie considerate i
studiate separat.
Strpungerea pur electric se realizeaz, la ncercri de scurt
durat cnd dielectricul nu-i modific temperatura sub aciunea cmpului
electric exterior.
Distrugerea reelei atomice i realizarea strpungerii poate avea loc
numai sub aciunea forelor, datorate cmpului electric, capabile s
echilibreze i s desvreasc fora de coeziune dintre ionii reelei.
Strpungerea termic apare i se suprapune peste cea pur electric
dac dielectricul se nclzete sub aciunea cmpului electric (aa cum este
totdeauna n exploatare). Ca urmare tensiunea de strpungere termic este
mai mic dect cea pur electric. De aceea n aplicaiile practice i n
proiectare trebuie s fie luat n considerare tensiunea de strpungere i nu
cea pur electric.
Pentru deducerea tensiunii de strpungere termic s-au adoptat
diferite ci pe baza unor ipoteze mai mult sau mai puin ndreptite. Ca
urmare au fost obinute rezultate parial confirmate de experien, sau
alteori chiar n contracie cu aceasta.
70
Factorii care influeneaz rigiditatea dielectricilor solizi se
determin experimental i se explic pe baza studiilor teoretice similar
cazurilor precedente. Experimental s-a observat c la grosimi mici
(poriunea rectilinie a curbei), rigiditatea nu variaz cu grosimea
dielectricului (U
S
/d = const.). La grosimi mari ns rigiditatea scade cu
creterea grosimii (d) deoarece (U
S
= const.).
Frecvena nu duce la scderea tensiunii de strpungere termic n
raport cu ( ), ci aa cum rezult din practic reducerea este mai mic
dect creterea frecvenei. Pentru frecvenele de 50 Hz i 10
6
Hz, raportul
lor fiind (1/140), tensiunea de strpungere termic nu scade n acest raport
ci de (1020) de ori mai puin (dect indic raportul) conform datelor
experimentale.
Dependena de temperatur a rigiditii dielectrice rezult din
dependena tensiunii de strpungere termic de temperatur i frecven,
iar n curent alternativ totdeauna rigiditatea scade cu creterea temperaturii.
n curent alternativ, cu creterea frecvenei se constat c trecerea de
la strpungerea electric la cea termic are loc la temperaturi tot mai
sczute, aa cum se arat n fig. 1.41 pentru sticla cu grosimea de
(0,04 mm). Aceasta este datorit creterii pierderilor n dielectric cu
frecvena, ceea ce contribuie la dezvoltarea strpungerii termice n mai
mare msur dect a celei pur electrice.
Figura 1.41. Influena frecvenei asupra temperaturii de trecere de la
strpungerea electric la strpungerea termic.
Pentru unele materiale solide se constat influena a neuniformitii
cmpului electric asupra rigiditii.
71
Pentru dielectricii omogeni rigiditatea se reduce de cteva ori la
cmp electric neuniform n raport cu strpungerea n cmp uniform.
Rigiditatea dielectric ca o constant de material este indicat, pentru
condiii date, pentru fiecare dielectric ca n exemplele din tabelul urmtor
sunt cuprinse rezultatele obinute n curent alternativ la frecven de 50 Hz
i temperatura de 20 [C].
Se remarc dou cazuri deosebite, la acelai material, n urma
efecturii unei operaii de mbuntire a caracteristicilor dielectricului.
Astfel hrtia de cablu prin impregnare i mrete rigiditatea de la (70~100)
la (1000~1500) [kV/cm], iar uleiul transformator prin purificare, i
mrete rigiditatea de la (40~50) la (200~300) kV/cm.
Materialele poroase, cum este hrtia, dei prezint strpungere prin
ionizarea aerului prin pori, rigiditatea sa n stare neimpregnat este mai
mare dect cea a aerului. Acesta se atribuie faptului c seciunea arcului la
descrcare n timpul strpungerii necesit intensitatea de cmp cu att mai
mare cu ct ea este mai mic.
n materialele poroase seciunea canalului de arc este uneori mult
mai mic dect 1 [mm
2
] care corespunde descrcrii n aer n condiii
normale i prin urmare strpungerea se realizeaz la o tensiune mai mare,
deci rigiditatea este mai mare dect n cazul aerului.

Tabelul 1.1. Rigiditatea dielectric a unor materiale electroizolante.
Materialul
E
S
[kV/cm]
Sticla subire 10003000
Mica subire 10001200
Hrtia de cablu neimpregnat 70100
Hrtia impregnat 10003000
Folii sintetice (polistiren) 9001200
Ceramica 100300
Rini fenolice cu umplutur 100150
Marmur 4050
Ceramic termic 1525
Ulei de trafo nepurificat 4040
Ulei de trafo purificat 200300
Ulei sintetic (ascareli) 140200
Uleiuri siliconice 150200
72
Avantajul materialelor poroase l constituie ns posibilitatea lor de
impregnare cu rini sub form de lacuri, eliminndu-se astfel porozitile,
ceea ce confer materialului o rigiditate dielectric de cteva ori (sau de
zeci de ori) mai mare
1.3. PROPRIETI NEELECTRICE ALE DIELECTRICILOR.
Din paragrafele precedente se poate deduce importana proprietilor
electrice pentru utilizarea dielectricilor n electronic. Exist ns i unele
proprieti neelectrice care n anumite condiii pot determina distrugerea
neelectric a izolaiei, urmat inevitabil de strpungere i respectiv de
ieirea din funciune a instalaiilor, mainilor sau aparatelor electrice. Iat
de ce se impune luarea n considerare a tuturor proprietilor dielectricului
la utilizarea sa n practic.
Proprietile neelectrice caracterizeaz materialele din punct de
vedere mecanic; fizic; chimic i termic. n cadrul fiecrui grup de
proprieti se definesc mai multe mrimi care constituie msuri ale
proprietilor respective din grup. n domeniul utilizrii dielectricilor nu
toate aceste mrimi prezint importan n egal msur i de aceea sunt
studiate mai ales cele care influeneaz n mod frecvent comportarea
materialului i care sunt specifice domeniului sau locului de aplicaie.
Dat fiind c definirea i modul de determinare a celor mai multe
mrimi neelectrice se efectueaz n cadrul altor discipline, se va restrnge
aria acestor aspecte n cele ce urmeaz. Pentru mrimile care n cazul
dielectricilor se determin experimental n mod diferit dect la alte
materiale, este util cunoaterea metodei chiar i numai n principiu.
1.3.1. PROPRIETATI MECANICE.
Acestea cuprind: rezistena la traciune (
r
); rezistena la ncovoiere
(
i
); rezistena le compresiune (
c
); rezistena la sarcini aplicate
dinamic; reziliena (
rez
); alungirea specific (l/l); duritatea Brinell
(H
B
); modulul de elasticitate (E); rezistena la abraziune, etc.
73
Figura 1.42. Pendul pentru msurarea duritii lacurilor.
Pentru dielectricii solizi determinarea mrimilor mecanice se
efectueaz ca i n cazul metalelor, cu excepia duritii lacurilor. Pentru
determinarea duritii lacului se aeaz pe suprafaa peliculei lama unui
pendul format dintr-un cadru de srm ca n fig. 1.42.
Pendulul scos din echilibru este lsat s oscileze pn cnd elongaia
scade la o anumit diviziune i se msoar timpul ct dureaz aceast
amortizare (t
0
). Se repet experiena cu un material a crui duritate (H
1
)
este cunoscut i timpul msurat este t
1
). Din raportul timpilor i al
duritilor rezult duritatea necunoscut a locului
H
0
= H
1
t
0
/ t
1
(1.139)
Pe lng duritate (deci rezisten la abraziune) cnd lacul se
utilizeaz ca email pentru conductoare trebuie s aib, elasticitate
corespunztoare, iar alungirea specific i coeficientul de dilataie liniar
ct mai apropiate de ale metalului pentru a se evita desprinderea de pe
conductor.
1.3.2. PROPRIETI FIZICE.
Acestea se refer la: densitate (masa specific m
S
); porozitate;
higroscopicitate i adsorbie. n cazul dielectricilor poroi, densitatea se
determin ca raportul ntre mas i volumul total mai puin volumul
porilor. Dac se noteaz masa corpului cu (m) n [kg], volumul total cu (V)
n [m
3
], iar volumul porilor cu (V
p
), rezult densitatea materialului poros:
p
p
V V
m

= [kg/m
3
] (1.140)
74
Figura 1.43. Tipuri de pori.
Porozitatea, reprezint raportul ntre volumul porilor (V
p
) i
volumul total (V):
100
V
V
p
) p (
= [%] (1.141)
i poate atinge pn la 50% la materiale cu porozitate mare cum sunt
hrtiile i esturile. Se deosebesc, dup form, trei feluri de pori:
deschii; seminchii i nchii ca n fig. 1.43.
Primele dou forme de pori prezint avantajul c pot fi umplute ca
lacuri electroizolante prin impregnarea dielectricului (eventual dup o
prealabil vidare). Ca urmare calitile dielectricului poros se pot
mbunti corespunztor lacului de impregnare.
Higroscopicitatea ca proprietate a corpurilor de a absorbi lichide i
respectiv vaporii din atmosfer, este cauzat de existena porozitii.
Materialele poroase absorb lichidele, n cazul cel mai frecvent vaporii din
mediul nconjurtor i i mresc corespunztor umiditatea. n general
absorbia poate fi msurat prin coninutul de ap din material, care se
exprim prin umiditatea relativ:
G
G G
0
r

= [%] (1.142)
unde: G
0
este greutatea materialului uscat, iar G este greutatea
materialului umed.
75
Figura 1.44. Variaia n timp a umiditii materialelor higroscopice i
nehigroscopice.
Dielectrici higroscopici tind totdeauna spre o umiditate de echilibru
atunci cnd sunt introdui ntr-un mediu care are umiditatea relativ
r
, ca
n fig. 1.44. Materialele a cror umiditate variaz n timp dup curbele (1)
i (1') nu sunt corespunztoare pentru insolaii. Dielectricii de bun calitate
nu absorb umezeala dect n foarte mic msur sau deloc, corespunztor
curbelor (2) i (2').
Dielectricii nehigroscopici (impenetrabili) se umezesc n atmosfer
prin adsorbie. Adsorbia const n condensarea vaporilor la suprafaa
dielectricului sub form de straturi moleculare de ap (sticl, mic, unele
rini sintetice). Att adsorbia ct i absorbia (ptrunderea umezelii n
masa corpului) se determin prin msurarea unghiului marginal () pe care
l formeaz suprafaa corpului cu suprafaa unei picturi de ap cu vrful
pe linia de contur a ariei de contact ca n fig. 1.45.
Figura 1.45. Mrimea unghiului marginal la materiale adsorbante i
absorbante.
76
Dac unghiul marginal < 90 ca n fig. 1.45 a, materialul se ud fie
prin adsorbie (la sticl i mic este practic nul). Dac < 90, ca n fig .
1.45 b, dielectricul nu se ud (parafin, folii sintetice, siliconi). Adsorbiile
materialelor impermeabile este foarte pronunat la umiditi relative ale
atmosferei ce depesc umiditatea normal (
r n
= 65%) ca n fig. 1.46 i
prezint neajunsul c reduc n foarte mare msur rezistivitatea de
suprafa a dielectricului.
Figura 1.46. Adsorbia materialelor impermeabile.
1.3.3. PROPRIETI CHIMICE.
Dintre toate proprietile chimice ale materialelor, n cazul
dielectricilor prezint interes deosebit rezistena la aciunea acizilor i
bazelor, solubilitatea, compatibilitatea la contactul cu alte materiale,
stabilitatea chimic, aciditatea n cazul lichidelor, toxicitatea (emanaii
toxice), oxidarea etc.
Aciunea agenilor nocivi din atmosfer se manifest n prezena
oxigenului i a umezelii care se depune la suprafaa dielectricului sub
form de pelicule coninnd dizolvate diverse elemente din mediul
ambiant. Peliculele acide sau bazice au efect coroziv asupra izolaiilor i
deteriorarea este n general intensiv.
Solubilitatea prezint interes pentru prepararea lacurilor
electroizolante i depunerea lor pe izolaii. n general o substan solid se
dizolv uor ntr-una lichid care conine grupri similare de atomi sau
molecule n structura sa (de ex. parafinahidrocarbur saturat solid se
dizolv uor n benzen, ambele avnd grupri de atomi CH(. Solidele
termorigide au solubilitate redus sau deloc. Aceasta deoarece solubilitate
scade cnd gradul de polimerizare sau policondensare crete.
77
n izolaiile mainilor i aparatelor electrice intervine de regul
diferii dielectrici. Ca urmare se impune compatibilitatea lor, adic s se
formeze reacii chimice ntre elementele component a doi dielectrici aflai
n contact.
Stabilitatea chimic prezint un interes major pentru toate felurile de
dielectrici, dar mai cu seam pentru cei ce sunt supui la aciunea arcelor
electrice, a radiaiilor ultraviolete, a radiaiilor solare, a aciunii
microorganismelor, a ocurilor de temperatur etc.
Dielectricii lichizi cum sunt uleiurile utilizate n contact cu izolaiile
nfurrilor electrice trebuie s nu aib aciditate deoarece aciunea acizilor
se resimte asupra majoritii materialelor.
Indicele de aciditate a uleiului se determin prin cantitatea de
hidroxid pe potasiu (n mg) ce este necesar pentru neutralizarea 1 [g] din
substana acid (adic mg KOH/g).
n general cu referire la toxicitate trebuie avut n vedere c
materialele care au stabilitate chimic redus i care eman vapori toxici
(cum sunt cele ce conin clor) se folosesc numai cu msurile de precauie
cuvenite. Aa de exemplu uleiurile clorurate nu se folosesc n
ntreruptoare cu ulei sau dac se introduc n condensatoare acestea se
execut n construcie special. materialele toxice sunt nsoite de
recomandri de folosire pentru evitarea accidentelor.
1.3.4. PROPRIETATI TERMICE.
Aceste proprieti influeneaz nu numai asupra proprietilor
electrice cum s-a artat n paragrafele anterioare i asupra structurii
dielectricilor, deci asupra tuturor proprietilor n general. Dielectricilor li
se impun cerine contradictorii, deoarece trebuie s aib pe de o parte mare
rezistivitate de volum, dar s prezinte, pe de alt parte, conductivitate
termic ct mai mare pentru a permite disiparea pierderilor de energie din
conductoare ca i pierderile proprii.
Din ansamblul proprietilor termice, la utilizarea dielectricilor
prezint importan mai ales: conductivitatea termic [kcal/m C m],
sau [W/cm C]; cldura masic c [kcal/kg C] sau [Ws/g C];
transmisivitatea termic [kcal/m
2
h C] sau [W/m
2
C]. Toate mrimile
trebuie s fie cunoscute pentru dielectricul ce urmeaz a fi utilizat n
construcie pentru dielectricul ce urmeaz a fi utilizat n construcie unui
produs electrotehnic i ele sunt indicate n standarde i prospecte.
78
nclzirea dielectricilor influeneaz toate proprietile astfel c
temperatura a fost adoptat i ca o msur a limitei pn la care
proprietile se pstreaz corespunztoare. n acest sens se definete
stabilitatea termic a materialelor electroizolante.
Stabilitatea termic, constituie temperatura maxim la care poate
funciona un dielectric, timp ndelungat (ani; zeci de ani) fr ca
proprietile sale s se deterioreze i msurile lor s scad sub o limit
inferioar admisibil. Pentru dielectricii solizi sau termoplastici se
utilizeaz ca msur a stabilitii termice temperatura la care corpul i
modific forma, ceea ce corespunde unor schimbri de structur i implic
modificarea i a celorlalte proprieti.
Pentru materialele termoplaste stabilitatea termic se determin
prin metoda inelbil (pentru ceruri, bitumuri etc.).
La materiale solide stabilitatea termic se determin prin metoda
Martens. Mostra de material (lungime 120 mm, seciunea 10 20 mm
2
) se
aeaz ntre dou bacuri (1) i (2) ca n fig. 1.47. Pe tija solidar cu bacul
(2) se afl greutatea (G). La captul tijei indexul (i) se poate deplasa n faa
scalei (S). Momentul de ncovoiere produs de greutatea (G) se alege
conform normelor. Se nclzete incinta cu o variaie prestabilit a
temperaturii pe unitatea de timp, pn cnd, proba (M) se deformeaz sub
aciunea momentului ncovoietor astfel ca indexul (i) se coboare cu (n)
diviziuni n faa scalei (S). Se citete temperatura la care (n) corespunde
normei stabilite pentru materialul dat. Aceast temperatur reprezint
stabilitatea termic.
Figura 1.47. Dispozitivul Martens de determinare a stabilitii termice.
79
Dei stabilitatea termic reprezint un mijloc de apreciere a limitei
pn la care dielectricul poate fi solicitat pot duce la scoaterea din funcie a
izolaiei nainte de a se ajunge la temperatura de stabilitate termic cum
sunt agenii nocivi din atmosfer, vibraiile mecanice, pierderea elasticitii
etc.
Stabilitatea termic a lichidelor constituie temperatura de
inflamabilitate (aprindere a vaporilor) sau temperatura de aprindere (a
lichidului propriu-zis).
Pentru gaze stabilitatea termic constituie de asemenea temperatura
de inflamabilitate.
1.4. CLASIFICAREA DIELECTRICILOR
Oricare dintre proprietile dielectricilor poate servi drept criteriu de
clasificare a acestora. S-au impus totui criteriile cu caracter general cum
sunt: stabilitatea termic; natura chimic; starea de agregare; forma
i caracteristica esenial a materialelor componente (criteriu enciclopedic)
la care se mai adaug eventual, starea final i transformrile necesare
pentru obinerea produsului finit.
1.4.1. CLASELE DE IZOLAIE.
Folosind drept criteriu de clasificare stabilitatea termic, materialele
electroizolante se mpart n clase de izolaie i au caracteristica comun
temperatura maxim la care pot fi utilizate timp ndelungat. Pentru
determinarea stabilitii termice, pe lng temperatur, se pot utiliza i
mrimi electrice (constante de material) ca de exemplu scderea rigiditii
dielectrice cu creterea temperaturii (vezi STAS 10242/175 i STAS
10514/170), mrimi fizice sau mrimi mecanice.
O clas de izolaie cuprinde materialele care au o stabilitate termic
comparabil, la o temperatur de serviciu dat.
Clasele de izolaie i cteva exemple reprezentative de materiale
cuprinse n fiecare clas, sunt indicate n tabelul de mai jos conform STAS
624760 (cu completarea 1 din 29.04.77) i Publicaia CEI nr. 85.
80
Tabelul 1.2. Clasele de izolaie
Denumirea
clasei de
izolaie
Materiale electroizolante
Y (90C) Materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane neimpregnate. Polietilen, polistiren,
PVC, cauciuc natural vulcanizat etc.
A
(105C)
materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane, impregnate cu lacuri uleioase,
oleorinoase i oleobituminoase, precum i lichide
electroizolante. Folii poliamidice, de triacetat de celuloz,
materiale combinate, folie prespan, leteroid. Cauciuc pe
baz de butadien cu acrilnitril i cauciuc pe baz de clorbu-
tadien etc.
E (120C) Emailuri polivinilacetolice, poliuretanice sau epoxidice
pentru conductoare. Mase plastice fenolice cu umplutur
organic, stratificate pe baz de hrtie (de tip pertinax) i de
estur (de tip textolit). Rini epoxidice, poliesterice,
poliuretanice.
B
(130C)
Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic fr suport sau
cu suport din hrtie sau estur organic, precum i pe baz
de fire de sticl i azbest impregnate cu lacuri
oleobituminoase, bachelitice epoxidice, poliuretanice,
gliptalice. mase plastice cu umplutur anorganic.
Stratificate pe baz de fire de sticl i azbest. Emailuri
teraftalice pentru conductoare.
F (155C) Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic fr suport sau
cu suport anorganic, precum i pe baz de fire de sticl i
azbest impregnate cu rini alchidice, epoxidice,
poliesterice, sau cu rini siliconice modificate etc.
H (180C) Materiale pe baz de mic sau suport, sau cu suport
anorganic, sau pe baz de fire de sticl sau azbest
impregnate cu lacuri siliconice. Mase plastice cu umplutur
anorganic. Cauciucuri siliconice.
C >
(180C)
Materiale anorganice (mica, sticla, ceramica, marmura,
azbestul etc.). materiale pe baz de mic, samica, fr suport
sau cu suport din fire de sticl impregnate cu compui
anorganici sau rini siliconice cu stabilitate termic peste
220 C. Politetrafuoretilena (Teflon), etc.
81
Clasificarea materialelor n clase de izolaie este n prezent
nesatisfctoare deoarece se refer la grupe de materiale ce pot intra n
constituia unui sistem de izolaie, dar nu ofer posibilitatea alegerii unui
material pentru condiiile impuse de un anumit scop sau loc de utilizare. Ca
urmare este cutat un alt criteriu de clasificare a materialelor, propus de
ctre Comitetul Electrotehnic Elveian i adoptat de CEI (Comisia
Electrotehnic Internaional). Aceast clasificare cuprinde n fiecare
grup materiale de aceeai form i stare final, care necesit pentru
utilizare acelai mod de prelucrare.
1.4.2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE.
Clasificarea materialelor electroizolante dup natura lor chimic are
ca criteriu de subdiviziune starea de agregare i este unanim utilizat mai
ales n domeniul didactic al cunoaterii dielectricului. Importana practic
acestei clasificri const n necesitatea gruprii dup natura chimic a
materialelor destinate unui domeniu dat de temperaturi de utilizare, deci
unei clase date de izolaie. Astfel materialele organice prezentate n
primele clase de izolaie nu pot fi asociate materialelor din clasele (H) i
(C), sau invers.
Materialele electroizolante organice, dup starea de agregare se
mpart n: A) gazoase; B) lichide i C) solide ultimele dou, fiind
subclasate n funcie de origine.
1.4.2.1. GAZE ELECTROIZOLANTE.
Cel mai utilizat dintre dielectricii gazoi este aerul deoarece
constituie elementul izolant ntre prile active i carcas n toate
construciile electrotehnice uscate. Aerul prezint neajunsul c favorizeaz
oxidarea i coroziunea metalelor din componena mainilor, aparatelor i
instalaiilor electrice. Remediul se realizeaz prin utilizarea azotului ca
mediu dielectric, iar dac este impus acestuia i funcia de agent de rcire
se utilizeaz hidrogenul.
Dei hidrogenul are rigiditatea dielectric de aproximativ 15 ori mai
mic dect aerul, se utilizeaz ca dielectric i agent de rcire mai ales n
mainile electrice de puteri mari, deoarece are densitatea de asemenea mai
mic (de aproximativ 15 ori) dect aerul deci pierderile prin fiecare sunt
corespunztor mai mici.
82
Pe de alt parte cldura masic, conductivitatea termic i
transmisivitatea (solidgaz) este mai mare dect a aerului. Hidrogenul
prezint ns neajunsul c n amestec cu oxigenul, n anumite condiii,
devine exploziv.
Gazele electronegative, constituie o categorie important de
dielectrici gazoi ndeosebi pentru utilajele antideflagrante din industria
extractiv. Aceste gaze au mare afinitate pentru electroni datorit uurinei
cu care clorul i fluorul din compoziia lor formeaz ioni negativi.
n consecin prezena lor mpiedic formarea arcului electric sau a
scnteilor evitnd astfel pericolul exploziei gazelor de min. Cele mai
utilizate gaze electronegative sunt: hexafluorura de sulf (SF
6
) i
perfluorcarbonii.
1.4.2.2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE LICHIDE
Dielectricii lichizi sunt reprezentai mai ales de ctre uleiurile de
diferite naturi care n timpul exploatrii i pstreaz starea lichid.
Dup natura lor uleiurile se clasific i se subclasific astfel:
1) Uleiuri naturale: 1.1. vegetale (uleiul de ricin) 1.2. minerale
(uleiul de transformator, uleiul de condensator, uleiul de cablu).
2) Uleiuri sintetice: 2.1. clorurate de tip askareli (pentaclordifeni,
pentaclordifenil + triclorbenzen) avnd denumiri comerciale ca: clophen,
permitol, sovol, sovtol etc. Aceste uleiuri sunt neinflamabile, neoxidabile,
cu bun stabilitate chimic i electric.
Alte lichide electroizolante ca benzolul, toluenul li diferii esteri
organici nu se utilizeaz de obicei ca atare i mai ales ca solveni pentru
prepararea lacurilor electrotehnice. n tabelul urmtor sunt prezentate
cteva lichide electroizolante.
La conductivitatea gazelor s-a scos n eviden c le sunt dielectrice
ct timp li se aplic un cmp electric mai mic dect cel de ionizare. n
criogenie se ntlnesc adesea cazuri n care gazele lichefiate nu att solul
de egeni criogenic ct i cel de dielectric. Gazele n stare lichid (ca heliul,
azotul, neonul, hidrogenul etc.) prezint proprieti dielectrice comparabile
sau uneori chiar mai bune dect uleiurile electrotehnice.
Proprietile dielectrice ale lichidelor criogene ca i ale dielectricilor
ce sunt lichizi la temperatura ambiant, nu diminueaz sensibil n prezena
impuritilor. Ca urmare meninerea acurateei dielectricilor lichizi este o
necesitate parial.
83
Tabelul 1.3. Proprietile unor dielectrici lichizi.
Lichidul Polaritatea la 20 C i 50 Hz

r

V
[cm] tg E
S
[kV/cm]
Ulei mineral neutru 2,12,4 10
12
10
18
10
3
10
4
350300 (pur)
4050 (impur)
Ulei de ricin polar 4,5 10
12
120180
Askarel polar 4,56 10
10
10
14
10
2
10
3
140200
Ulei
siliconic
slab polar 2,53 10
14
10
4
150200
Uleiurile minerale sunt obinute prin distilarea fracionat a ieiului.
Ele constituie amestecuri n hidrocarburi parafinice (C
n
H
2n+2
), naftenice
(C
n
H
2n
) i aromatice (C
n
H
2n6
), care determin prin proporia lor
caracteristicile uleiului. Att rafinarea ct i recondiionarea unui ulei vechi
comport tratarea cu acid sulfuric pentru ndeprtarea impuritilor, apoi
neutralizare cu hidroxid de sodiu, splare cu ap, decantare i centrifugare,
urmate de uscare i filtrare astfel ca s fie eliminate orice urme de ap i
impuriti n suspensie. ntr-un ulei de bun calitate hidrocarburile
parafinice nu trebuie s depeasc 30% i nici cele aromatice s nu ating
aceast proporie, deoarece primele mresc vscozitatea i ritmul de
mbtrnire, iar celelalte se descompun sub aciunea arcului sau
descrcrilor degajnd o cantitate de carbon (semiconductor). n schimb
hidrocarburile naftenice trebuie s fie cel puin n proporie de 60%.
Uleiurile minerale se utilizeaz n transformatoare i cabluri ca dielectric
avnd rigiditate mare i tg bun i n ntreruptoare ca izolant i mediu de
stingere a arcului.
n exploatare calitile uleiurilor se alterneaz sub aciunea cmpului
electric, temperaturii, oxigenului i contactului cu alte corpuri (metale i
dielectrici solizi). Ca urmare proprietile uleiului variaz cu temperatura i
frecvena, ceea ce a impus elaborarea unor norme de verificare periodic a
uleiurilor din transformatoarele i agregatele de mare importan tehnic i
economic. Proprietile uleiurilor se determin pe baza normelor din
standarde, cum sunt: STAS 28679, STAS 679978, STAS 679873,
STAS 890876, iar n afara acestora pe baza normelor interne ale fabricilor
productoare.
Uleiurile sintetice se utilizeaz mai ales n construcia
condensatoarelor deoarece prezint permitivitate mai mare dect cele
minerale ceea ce permite reducerea volumului, la aceeai capacitate, cu
3040.
84
Din cauza coninutului de clor care se degaj sub aciunea arcului
electric i formeaz i acidul clorhidric n combinaie cu hidrogenul, aceste
uleiuri prezint pericolul de toxicitate i de coroziune a conductorilor i a
dielectricilor. De aceea se evit folosirea lor n transformatoare i
ntreruptoare fr msuri speciale de precauie. Unele materiale organice
solide sunt solubile n uleiurile clorurate sau fluorurate. Din aceast caut
se evit punerea n contact a difenililor cu fenolii sau masele plastice care
conin fenoli. Uleiurile sintetice fluorurate nu prezint dezavantajele
askarelilor i pot fi utilizate i pentru transformatoare ns i unele i altele
sunt mai scumpe dect cele minerale.
1.4.2.3. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE SOLIDE.
Dup natura, originea i structura lor dielectricii solizi se clasific n
moduri diferite. Dac se ia n considerare n primul rnd faptul c
substanele organice sunt combinaii multiple ale carbonului care datorit
sistemului tetraedric de cristalizare are posibilitatea s realizeze prin
valene rotative cele mai diverse configuraii de reele spaiale, iar n al
doilea rnd c fiecrui atom de carbon (tetravalent) i se pot anexa radicali
organici, rezult ct de vast poate fi mulimea combinaiilor carbonului
(combinaii organice sunt aproximativ 600.000 n timp ce anorganice nu
sunt dect aproximativ 40.000). Materialele organice solide sintetice
posed un numr mare de atomi de carbon pe molecul i se pot forma prin
diferite procese chimice prin gruparea monomerilor n polimeri (sau
macromolecule) cu mii de atomi de carbon pe molecul. Procesele de
formare a macromoleculelor: polimerizarea; policondensarea i
poliadiia, imprim i anumite proprieti specifice materialului format.
Din punct de vedere a structurii moleculare materialele solide se pot
grupa n:
1) Micromoleculare (ceruri i substane ceroase)
2) Macromoleculare (rini)
Proprietatea esenial pe care structura o confer corpului const n
comportarea acestuia la solicitri termice. Corpurile micromoleculare
au structur cristalin, cu un numr mic de atomi de carbon pe molecul i
ca urmare temperatura lor de topire este redus la 3060 C. Au avantajul
c prezint pierderi mici de energie (tg 10
4
) i practic independent de
frecven. Cerurile (animal: de albine; vegetal: de carbon; mineral:
ceara montan), se utilizeaz n prezent tot mai puin.
85
n schimb substanele ceroase nepolare ( parafina; ceresina i
vaselina) sunt nc frecvent utilizate datorit pierderilor foarte mici de
energie pe care la prezint n cmp alternativ chiar i la frecvene foarte
nalte. Aceasta datorit faptului c polarizarea predominat este cea
electronic.
Substanele ceroase polare se obin prin hidrogenarea uleiului de
ricin sau prin clorurarea naftalinei i prezint ca proprietate esenial
permitivitatea foarte mare ceea ce le face foarte utile pentru realizarea
condensatoarelor de capacitate mare la volum mic.
Materialele macromoleculare dup natura lor pot fi: 1) naturale (
animale: ellacul; vegetale: colofoniul i fosile copalul (chihlimbarul),
2) sintetice ( de polimerizare: polistiren, polivinilcarbazol, polietilen,
poliizobutilen, policlorur de vinil, politetrafluoretilen (sau teflon); de
poliadiie: poliuretani; epoxidice; de policondensare: poliamide,
poliesteri, carbamidice, fenolice, melaminice etc.).
Rinile naturale sunt n prezent utilizate numai la prepararea unor
lacuri i componduri, deoarece proprietile lor sunt sub nivelul celor de
natur sintetic.
Polistirenul se preteaz n toate strile i formele sale ca dielectric n
circuite de nalt frecven datorit pierderilor foarte mici (similar
parafinei) n cmp alternativ.
Din polistiren se fabric benzi flexibile (stiroflex) pentru izolarea
cablurilor de nalt frecven ca i materiale poroase (stiporor) utilizate
pentru izolaii electrice, termice i fonice, sau pentru ambalarea
instrumentelor de msur.
Polietilena are utilizri similare sub form de plci, tuburi, folii,
piese turnate, izolaii de cabluri i conductoare. De asemenea se utilizeaz
PCV n stare vscoas pentru lipiri i acoperiri cu pelicul izolant. PTFE
(teflon) este cea mai bun rin sintetic, cu stabilitate termic peste
250 C, pstrndu-i proprietile i n domeniul temperaturilor criogene
pn n apropiere de 0 [K]. PTFE se utilizeaz n condiii de solicitri
intense termice i de umiditate, pentru maini i aparate electrice izolate n
clasele H i C. Se fabric sub form de plci, bare, tuburi, carcase i folii
(0,051,6 mm).
La noi n ar se produce PTFE la Combinatul chimic din Victoria.
Dintre rinile sintetice de polimerizare se utilizeaz frecvent n
electrotehnic i polimerii acidului acrilic, fie ca rini tari (pexiglas) fie ca
rini de lipire (plexigum).
Rinile de policondensare i de poliadiie sunt utilizate la fel, fie
n stare solid, fie n stare vscoas ca materiale de lipire sau ca baz a
lacurilor.
86
Cteva dintre aceste rini sunt surprinse n tabelul urmtor, n care
sunt prezentate i rinile siliconice dei acestea, ca i uleiurile siliconice
constituie o categorie de trecere ntre materiale organice i cele anorganice.
Tabelul 1.4. cuprinde numai valori maxime, iar pentru tg valori
minime.
Tabelul 1.4. Proprietile unor rini.
Poliamide Caracteristici Fe-
nol-
form-
alde-
hidice
Car-
ba-
midi-
ce
Mela-
mino-
formal-
dehidi-
ce
Ny-
lon
Perlon
U
Sili-
coni-
ce
Epo-
xi-
dice
Poli-
esteri
nesa-
turai
Densitatea
[kg/dm
3
]
1,30 1,55 1,55 1,13 1,21 1,09 1,25 1,26
Rezistena la
traciune
[daN/cm
2
]
600 900 900 950 600 800 700
Rezistena la
ncovoiere
[daN/cm
2
]
1200 1100 1100 1000 700 1200 1200
Rezistena la com-
presiune [daN/cm
2
]
2100 2100 2600 1000 900 1300 1800
Conductivitatea
termic [W/m C]
0,25 0,30 0,24 0,32 0,18 0,21 0,15
Rezistivitatea de
volum [cm]
10
12
10
13
10
13
10
9
10
13
10
17
10
17
10
15
Rigiditatea
dielectric
[kV/mm]
16 16 16 25 20 70 35 26
Permitivitatea
r
la
20 [C] i 50 [Hz]
6,5 7,4 9,5 7 3,7 3,5 4,2 4,9
tg (20 C i
50 Hz)
0,06 0,03 0,45 0,02 0,014 510
4
710

3
810
4
Stabilitatea termic
Martens (C)
150 100 160 200 150 175
Rinile fenoplaste (sau bachelitice) se utilizeaz pn la
temperaturi de 150 C pentru piese electroizolante, ca baz a lacurilor sau
ca liant la fabricarea stratificatelor (pertinax, textolit etc.). Policondensarea
se poate opri i apoi continua dup necesiti.
87
Cu catalizator bazic se obine n timpul reaciei ntre 100 i 160 C,
bachelita A (Rezol) termoplast, aproape vscoas, bachelita B (Rezitol)
termoplast, nerigid; i bachelita C (Rezit) termorigid, durp insolubil.
Combinaii ntre fenoplaste i carbomidice, sau melaminice pot fi realizate
pentru mbuntirea unora dintre proprieti sau pentru diversificarea
posibilitilor de utilizare.
Rinile poliamide se disting ca baz a emailurilor cu mare aderen
n special la conductorii de aluminiu sub denumirea de izoperlon, izorelon.
Poliesterii sub form de fibre, hrtie, esturi, filme sau folii transparente
(nylon, bostarphan) se utilizeaz n construcia transformatoarelor uscate i
a bobinelor pentru electromagnei. De asemenea se utilizeaz pentru
materiale combinate (nuvolit, poliflex) sau ca suport pentru produse pe
baz de mic (H
2
Msi).
Rinile epoxidice prezint ca o caracteristic esenial aderen
foarte bun la suprafaa corpurilor i se utilizeaz att ca baz a lacurilor de
impregnare mai ales pentru izolanii n clasa F. Prezint de asemenea mare
rezisten la aciunea arcului electric, mare rezistivitate de suprafa, foarte
bune proprieti mecanice i lips de incluziuni gazoase. Rinile epoxidice
se utilizeaz n amestec cu un catalizator (durifivator), fr a necesita
solveni, ca rini de turnare, de presare, de impregnare sau de lipire, ca i
pentru fabricarea stratificatelor cu esturi de sticl (sticlotextolit) sau a
materialelor combinate pe baz de mic i esturi de sticl.
Rinile sintetice cu mare aderen cum sunt cele fenolice i
epoxidice se utilizeaz pentru fabricarea maselor plastice stratificate ca:
pertinax (umplutur din hrtie de cablu preimpregnate, suprapuse i presate
la cald); textolitul (cu umplutur din esuturi textile); sticlotextolitul (
cu umplutur din estur de sticl).
Din grupa materialelor electroizolante organice face parte i
celuloza, esterii i eterii celulozei, fibra vulcan i ali derivai ai celulozei.
Produsele din celuloz au cea mai mare utilizare n electrotehnic sub
form de: hrtii (de condensator, telefonic, de cablu, hrtia suport
pentru produse de mic); cartoane (prespanuri); fibra vulcan
(leteroidul) este celuloz tratat cu clorur de zinc; filme (triacetat de
celuloz); esturi (de bumbac, in, mtase natural, mtase artificial);
tuburi linoxinice (sterling sau varnish). Produsele de hrtie, esturi sau
fibre se utilizeaz de obicei impregnate ca lacuri cleioase, rinoase,
oleobituminoase, n general organice.
88
1.4.3.MATERIALE ELECTROIZOLANTE ANORGANICE.
Materialele electroizolante anorganice cuprind cteva gaze, cteva
roci naturale, cuarul, azbestul i mica.
Ca materiale electroizolante gazoase, n izolaia electric se folosesc:
aerul, azotul, bioxidul de carbon i hidrogenul precum i gazele nobile:
heliu, neonul, argonul, kriptonul, xenonul.
Aerul conine n proporie de 78% (volum) azot i 21 % (volum)
oxigen, precum i cantiti mici de alte gaze ca: argon, bioxid de carbon,
neon.
Gazele nobile se obin prin distilarea fracionat a aerului lichid i
sunt neutre din punct de vedere chimic. Gazele naturale se utilizeaz n
izolarea unor cabluri, n condensatoarele cu gaz, n becurile electrice sau ca
agent frigorific.
n domeniul rocilor naturale, numai marmura i istul au unele
utilizri restrnse n electrotehnic.
Marmura este o roca metamorf care se obine n blocuri mari i se
poate prelucra mecanic la dimensiunile dorite. A fost utilizat pentru
tablourile de comand, dar a fost nlocuit n zilele noastre aproape
complet cu materiale electroizolante moderne.
istul se folosete n special cel argilos care este o roc dens sub
form de plci care const n principal n bioxid de siliciu. E adecvat
pentru plcile de baz ale demaratoarelor i pentru alte aparate
asemntoare cu n clase de execuie grea. Servete de asemenea ca
material de umplutur n compoziia unor mase de presare.
Cuarul din punct de vedere chimic este un bioxid de siliciu (SiO
2
).
Cuarul cristalizeaz sub form trigonal trapezoidal. Cuarul este unul
dintre materialele cele mai rspndite pe pmnt. n forma cea mai pur
exist n cristalul de stnc. Mai frecvent, cuarul apare sub forma mai
puin pur de cuarit ca parte component a nisipurilor. n stare natural,
cuarul se prelucreaz n electrotehnic mai ales ca nisip cuaros folosit
pentru stingerea arcului electric n siguranele fuzibile. Din materialul
cuaros se produc n forme rotative de centrifugare mai ales corpuri cu
simetrie de rotaie. Cuarul i sticla de cuar pot fi produse astzi i sintetic.
Cristalul de stanc datorit preului mare aproape c nu se
folosete, dac se face abstracie de utilizrile piezo-electrice ale cuarului.
Fina de cuar se folosete ca material de umplutur n rinile de turnare.
Din sticla de cuar se produc lamele de acoperire pentru celulele solare i
baloane mici de sticl la becurile cu halogeni. Din materialul cuaros se
obin izolatoare de susinere pentru instalaiile de desprfuire electrostatic,
nclzitoare de imersie.
89
Asbestul este cel mai important pentru electrotehnic este crisolitul
(hidroxilicat de magneziu), n structur fibroas cu fire relativ lungi.
Formula structurii cristalului este Mg3 [(OH)4/Si2O5]; se cristalizeaz
monochinal.
Exploatarea azbestului se face la suprafa sau n subteran. Bucile
de azbest cu fibra lung se scot din roca dinamitat, se cur grosier, se
sorteaz dup lungimea fibrelor n diferite clase de calitate. Restul de roc
cu coninut de azbest se introduce n mori speciale, de unde se colecteaz
aa numita fibr de moar, un fel de vat moale.
Gradul de valorificare al azbestului brut e mic n raport cu masa de
stanc care se prelucreaz, el depete rareori 5%, i din aceast cauz,
partea care poate fi prelucrat n fibre de filare nsumeaz de la 5 pn la
20%.
Din fibrele lungi prin operaia de filare se obin fire care se
prelucreaz i sub form de esturi, nururi i benzi.
Fibrele scurte prin flotare n ap i adugarea unei cantiti reduse de
liant se transform n hrtie respectiv mucava.
Azbestul sub form de fibre de lungimi diferite i scame se utilizeaz
ca material de consolidare i umplutur n diferite formule de mase de
presare, respectiv piese presate. Firele de azbest se folosesc, de asemenea,
la izolaia unor conductoare.
Produsele de azbociment constau n proporie de 80% din fibre de
azbest mcinate i 20% din ciment Portland. Azbocimentul se obine prin
amestecarea fibrelor de azbest cu ciment i ap, dup ce se preseaz sub
form de plci sau direct ca piese. Dup ntrire materialul prezint
rezisten mecanic ridicat.
Azbocimentul se caracterizeaz prin rezistena la arcul electric i
rezisten termic ridicat .Este rezistent la flacr i la radiaii termice
mari i poate fi expus la n regim de durat la temperaturi de pn la
350C. Plcile i piesele de azbociment se folosesc pentru camere de
stingere i plci suport solicitate termic. Fibrele de azbest se pot prelucra n
fire, nururi, esturi, benzi, hrtie i carton. Azbestul nu este un material
electroizolant bun, dar este higroscopic iar coninutul de ap are mare
importan asupra proprietilor sale electrice. Azbestul e rezistent la arcul
electric si descrcri luminiscente. Azbestul pur (cu un coninut de 95 99
% ) suport temperaturi de 400C. Azbestul poate fi folosit numai la
solicitri electrice modeste, ns acolo unde sunt temperaturi mari sau con-
diii chimice dure el este indispensabil i astzi. Pentru instalaiile de nalt
frecvent nu este utilizabil.
90
Mica apare n natur n diferite tipuri, dintre care pentru electro-
tehnic dou prezint mare importan:
muscovitul sau mica potasic ;
flogopitul sau mica magnezian.
Mica muscovit a fost mult timp cea mai utilizat datorit
proprietilor electrice excelente. Mica flogopit a fost mai mult folosit
aplicatiile unde stabilitatea la temperaturi nalte avea o nsemntate
deosebit.
Muscovitul e un silicat de potasiu aluminiu de forma KAl
2
(OH)
2
/AlSi
3
O
10
iar flagopitul un hidrosilicat de potasiu-magneziu
aluminiu.
Mica se extrage din mai multe pri ale globului, n blocuri
neregulate, prin exploatare la zi i uneori n subteran. Mica este nglobat,
de cele mai multe ori n filoane de ferospat i cuar care sunt incluse n
roca primitiv ( adesea granit).
Mica muscovit, denumit i rubimica este larg rspndit n lume
dar sursele principale de exploatare sunt India, Brazilia i SUA.
Mica flogopit denumit i ambermica este de asemenea larg
rspndit dar principalele surse sunt: Madagascar, Canada, SUA i Rusia.
n Romnia exist zcminte limitate de mic muscovit. Proprietile micei
depind n mare msur de puritatea i structura ei cristalin.
Mica perfect e transparent ca sticla dar de cele mai multe ori ea
este puin colorat. La muscovit predomin nuanele deschise: verzui, gl-
bui, roiatec i gri. Flogopitul este mai nchis la culoare i prezint culori
mai expresive ca: galben de chihlimbar, rou i brun. Culorile rou brun
indic coninutul de fluor, cele brune pn la negru coninutul de fier,
magneziu i mangan.
Mica se poate cliva uor n foie subiri, absolut uniforme, ca o
consecin a rezistenei mici a legturii Van-der-Waals. Aceste foie sunt
flexibile i elastice. Mica este rezistent la conturnare. Ceea ce
caracterizeaz de asemenea mica este rezistena mare la strpungere
electric i o mare rezistivitate de volum. Factorul de pierderi dielectrice
depinde puin de temperatur i frecven. Mica e rezistent la arcul elec-
tric i la descrcri luminescente. O foi transparent de mic de 25 m
grosime las s treac 90% din lumina vizibil.
Mica are o mare rezisten la temperaturi ridicate care sunt limitate
de temperatura de calcinare. Aceasta e temperatura la care se degradeaz
grupele hidroxilice. Mica devine la aceast temperatur tulbure i i pierde
rezistena. Aceast temperatur se situeaz la muscovit ntre 600 i 800 C,
iar la flogopit ntre 700 i 900 C. Mica este sensibil de asemenea la
variaiile brute de temperatur.
91
Mica sintetic fluorflogopit (Si
3
, AlO
10,
F
2
Mg
3
) posed multe din
caracteristicile naturale, i n cteva privine este un material superior
pentru aplicaiile electrice, ns preul foarte ridicat i dificultile de
fabricaie i restrng utilizrile.
Din mic se realizeaz urmtoarele semifabricate:
Plci rigide:
mica asamblat sub presiune cu sau fr cldur exterioar, sub
form de plci rigide cu urmtoarele subcategorii:
micanit de colector material rigid pe baz de mic, utilizat la
separatoare izolante ntre lamele de colector.
termomicanita cu rezisten la temperatura specificat
micanita de formare poate fi format la cald pentru scopuri
generale
micanita dur
Materiale flexibile:
mica asamblat, suficient de flexibil pentru a putea fi aplicat prin
bobinare sau nfurare, cu sau fr nclzire se mparte n urmtoarele
subcategorii:
micanite i micabenzi flexibile mica asamblat sub forma de
coli, foi i benzi
micanite si micabenzi flexibile
micabenzi poroase
Sticla este materialul cel mai reprezentativ din grupa materialelor
electroizolante anorganice produse sintetic .
Din punct de vedere fizic, sticla e un lichid subrcit cu o structur
amorf.
Aceasta este o consecin a faptului c vscozitatea crete aa repede
la ntrire nct nu se pot forma nici un fel de cristale .Moleculele rmn
astfel n distribuie neordonat.
Sticla se obine din amestecul mai multor oxizi din care cel mai
important e bioxidul de siliciu care, de regul, exist ca nisip cuaros. Ali
oxizi sunt: trioxidul de bor, trioxidul de aluminiu, oxidul de calciu.
Materialele folosite la fabricarea sticlei sunt: nisip feldspat, argil,
ecolin.
Procedeul de obinere a semifabricatului de sticl const n: turnare,
trefilare, laminare, suflare, presare i centrifugare.
Din sticl se realizeaz izolatori de trecere, esturi impregnate sau
nu i suporturi pentru produse pe baz de mic.
92
1.4.4. MATERIALE ELECTROIZOLANTE SILICONICE.
Acestea formeaz o categorie aparte de dielectrici deoarece fac
trecerea de la materiale organice la cele anorganice, reunind proprietile
acestora. Ele sunt combinaii organice ale siliciului, avnd la baz gruparea
siloxan (succesiune de atomi de siliciuoxigen). polisioxanii (sau siliconii)
pot avea macromolecule liniare sau arborescente (spaiale), deci se pot
prezenta fie n stare lichid, fie n stare solid. Dup starea n care se afl
siliconii sunt: 1) lichizi (uleiurile siliconice), 2) vscoi (unsori), 3)
elastomeri (cauciucuri siliconice) i 4) solizi (rini). Datorit gruprii
siloxanice stabilitatea termic a siliconilor este de peste 200C, chiar
250C i i pstreaz proprietile pn la (60C). Rigiditatea uleiurilor
siliconice este apropiat de 200 [kV/cm] iar factorul de pierderi este foarte
mic.
Uleiurile siliconice se utilizeaz n transformatoare i ntreruptoare
speciale (antiexplozive), iar unsorile pentru protecia contactelor electrice
sau la ungerea matrielor n care se toarn rini epoxidice (pentru a
mpiedica lipirea). Rinile se utilizeaz ca baz a lacurilor siliconice prin
dizolvare n toluen sau xilen (5060% rin).
Lacurile siliconice au la baz rinile siliconice i servesc pentru
impregnarea esturilor de sticl (banda glasil); pentru materiale combinate
pe baz de mic de tipul (S
2
MSi), (H
2
MSi) etc.; pentru fabricarea
sticlotextolitului i a micanitelor pe baz de samica sau romica; pentru
impregnarea sistemelor de izolaie ale mainilor electrice de mare i foarte
mare putere (sistemul izotemax). Lacurile siliconice sunt nehigroscopice,
neinflamabile, rezistente la cureni superficiali de scurgere i au mare ade-
ren la suprafaa corpurilor (ceramice, sticle, metal etc.).
Cauciucurile siliconice se utilizeaz uneori cu inserie de sticl fie
sub form de benzi, fie ca izolaie pentru cabluri i prezint proprieti
asemntoare rinilor i uleiurilor, remarcndu-se prin proprietile
mecanice excelente, iar din punct de vedere electric prin: permitivitatea
relativ la 10
6
Hz, = 2,88; factorul de pierderi la 10
6
Hz, tg = 10
3
;
rezistivitatea de volum
V
= 10
17
[cm]; rezistivitatea de suprafa

S
= 10
13
[]; rigiditatea dielectric E
S
= 120290 kV/cm. Cauciucurile
siliconice cu proprieti superioare celorlalte tipuri de cauciucuri utilizate
n electrotehnic.
Interesul tehnicii s-a concentrat n ntregime asupra polimerilor
lichizi, rinoi sau cauciucoi. Din punct de vedere tehnic, produsele
siliconice se mpart n acest sens n uleiuri siliconice, rini siliconice i
cauciucuri siliconice.
93
Rinile metilsiliconice sunt n general prea rigide pentru utilizrile
practice adugarea grupelor de fenol nu mbuntete numai comportarea
elastic ci i rezistena termic.
Astfel, la rinile siliconice sunt combinai aproape ntotdeauna
metilsiloxani i respectiv fenilsiloxani.
Rinile de impregnare pentru izolaii dup procedeul de impregnare
sub vid i presiune, pentru nalt i joas tensiune, n special pentru
motoarele de traciune de clas H, sunt realizate pe baz de
fenilmetilvinilhidrogen-polixiloxani cu catalizator ncorporat de platin.

Tabelul 1.5. Proprietile unor rinii siliconice pure.
Proprieti Unitatea de msur Valori
densitatea grame/cm
3
1,05
rezistena la cureni de scurgere - KA 3
rigiditatea dielectric KV/mm 15
restivitatea de volum x cm 10
14
permeabilitatea relativ la 1MHz - 3,2
factorul de pierderi dielectrice 1
MHz
- 10
-3
stabilitatea termic
o
C 170
Rinile siliconice sunt rezistente la conturnare, insensibile la efectul
Corona i la arcul electric. Rezistena la iradiere este de 2MGJ/Kg.
Rina siliconic este incombustibil, n foc se produce bioxid de
siliciu. Este n mare msur rezistent la oxigen i ozon i prin aceasta
rezist la mbtrnire.
Rinile siliconice sunt folosite la impregnarea nfurrilor
mainilor electrice foarte solicitate i sub form de rini de turnare fr
solveni.
Cauciucul siliconic are rezistena mecanic mai mic dect a altor
elastomeri; ea este comparativ mai bun n domeniul temperaturilor
coborte i mari. Cauciucul siliconic este n general, rezistent la conturnare
i descrcri luminiscente i poate fi expus n funcie de durat, unei doze
de radiaie de 10-100 KJ/Kg. Cteva sorturi sunt apte de ntrebuinare pn
la -60
o
C; temperatura de nghe se situeaz ntotdeauna sub -50
o
C, n
formulri speciale chiar -100
o
C.
Cauciucul siliconic poate fi considerat ca fiind neinflamabil; la
flacr se produce un schelet silicic care nc mai asigur o izolaie.
Vaporii de ap sunt cei care acioneaz nefavorabil asupra cauciucului sili-
conic.
94
Tabelul 1.6. Proprietile unor cauciucuri siliconice.
Cauciuc siliconic Reticulat La cald Reticulat La rece
Proprieti U.M. Conso-
lidat
Necon-
solidat
Conso-
lidat
Necon-
solidat
Rezistena la cureni de
scurgere
KA 3C KA 3C KA 3C KA 3C
Rigiditatea dielectric KV/mm 20 20 20 20
Rezistivitatea de volum x cm 10
15
10
14
10
14
10
13
Permitivitatea relativ
1Mhz
2,8 2,9-6 3,0 2,9-3,5
Factorul de pierdere
1Mhz
5 x 10
-3
10
-2
10
-2
10
-2
Conductivitate termic W/Km 0,27 0,3 0,3
Chimic cauciucul siliconic nu este afectat de acizii slabi, alcalii,
solveni polari sau soluii de sruri corozive. Este rezistent la sulf i
compui de sulf sub aciunea crora sorturile de cauciuc cunoscute se
ntresc.
n contact cu benzina, hidrocarburile alifatice clorurate i solvenii
aromatici, cauciucul se umfl pierznd rezistena mecanic, iar cu acizii
concentrai l distrug.
Rezistena la ulei depinde de felul cauciucului siliconic. Acesta este
sensibil la ozon, insensibil i rezistent la intemperii, este inodor i insipid i
inofensiv din punct de vedere fiziologic. n mare msur este rezistent la
ciuperci si bacterii. Principalele proprietile electrice ale acestuia sunt
prezentate n tabelul urmtor.
Cu cauciucul vulcanizabil la cald se produc plci i tuburi flexibile,
se izoleaz conductoare i cabluri. Plcile de cauciuc se utilizeaz ca
straturi interne pentru izolaia de faz; tuburile flexibile izolate pentru
conductele de conexiuni ale motoarelor foarte solicitate.
Conductele de alimentare izolate asemntor se utilizeaz pentru cu-
ptoare i termoelemente, pentru bobinele de curs invers a bobinajului pe
orizontal a aparatelor TV i alte aparate solicitate termic.
De asemenea izolatoarele de trecere etane, la lichid pentru unele
condensatoare se produc din cauciuc siliconic.
Cablurile de aprindere izolate cu cauciuc siliconic au dat rezultate la
motoarele cu ardere intern.
Cablurile grele sunt n stare de funcionare chiar n cazul unui
incendiu mai mult vreme pentru c nu se formeaz nici o punte de carbon
conductoare.
95
Tipurile de cauciuc siliconic vulcanizabile la rece, cu vscoziti
diferite, corespund pentru fixarea prin turnare a pieselor electronice i
pentru ncapsularea unor circuite ntregi i aparate.
Este de menionat de asemenea folosirea pentru nfurarea statoric
a cauciucului siliconic la unele motoare de curent trifazat.
Cauciucul siliconic posed de acestea o excelent capacitate de
izolare n cazul impurificrilor pronunate.
Uleiuri siliconice sunt lichide transparente, clare, inodore si
insipide. Proprietile lor sunt n mare msur determinate de gradul de
condensare.
Uleiurile siliconice sunt lichide izolante foarte valoroase.
Permitivitate relativ scade cu temperatura de la 2,8 , pentru a atinge la
200C valoarea 2,3. Factorul de pierderi variaz n gama de temperaturi de
la 0 la 200 C i n gama de frecvene de la 10
2
pn la 10
7
Hz ntre 1 i 2 x
10
-4
. Sub influena radiaiilor de mare energie, moleculele uleiurilor
siliconice, parial se reticuleaz, parial se degradeaz.
Pentru utilizarea n electrotehnic este important faptul c n cazul
unui incendiu se produce ca rezid principal de ardere bioxid de siliciu, care
spre deosebire de carbon nu este bun conductor. Uleiurile siliconice sunt
rezistente la ap, oxigen i o serie de substane chimice i sunt atacate de
acizi i unele de alcalii.
Ele sunt solubile n benzin, benzen, toluen, tetraclorur de carbon,
esteri i n carbon cu greutatea molecular mai mare. Uleiul siliconic poate
fi ntrebuinat ca lichid izolant i ca lichid de impregnare pentru cablu,
condensatoare i transformatoare, ntr-o gam larg de temperaturi, dar din
cauza preului ridicat are o utilizare limitat.
Datorit comportrii hidrofuge este folosit adesea pentru acoperirea
n strat subire a izolatoarelor expuse unei atmosfere umede. Corpurile
strine ader pe pelicula siliconic mai greu dect pe glazura de porelan,
astfel izolatoarele tratate cu silicon sunt aprate de efectul corona mrindu-
se substanial i tensiunea de conturnare la ploaie.

Asemntor acioneaz pastele produse din ulei siliconic i ageni de
ngroare (de exemplu acid silicic pirogen), care n atmosfera impurificat
mpiedic curenii de conturnare i strpungerile pe izolatoare. Particulele
strine sunt nvelite i prin aceasta se izoleaz una de alta i de umiditatea
de pe suprafaa izolatoarelor.
Eforturile depuse n aceast direcie au condus n cele din urm la
materiale izolante care au fcut posibil stabilirea claselor termice F
(155C) i H (180 C). Ambele clase sunt astzi internaional recunoscute.
Conform normelor clasa termic F se poate satisface cu rini siliconice
modificate organic sau rini echivalente, iar clasa H cu siliconi.
96
Tabelul 1.7. Principalele caracteristici ale uleiului siliconic.
Caracteristici electrice U.M. Specificaii Metode de ncer-
care CEI-836
Tensiunea de strpungere,
minim
KV 40 19
Factor de pierderi dielectrice
la 90
o
C i 50 Hz, max.
0,001 20
Permitivitatea relativ la
90
o
C
2,55 0,005 20
Rezistivitatea n c.c., min.
G x
m
100 20

Totui, de exemplu rinile metil-siliconice superior reticulate nu
corespund cerinelor ce li s-ar pretinde pentru a intra n clasa H. Rinile
siliconice au durata de via care n comparaie cu cele ale rinilor
organice este cel puin egal celor cunoscute din practica ndelungat
pentru clasele de cldur A i B ale rinilor organice.
De un interes deosebit pentru utilizarea siliconilor ca materiale
electroizolante, este faptul c se pot obine tipuri de rini siliconice
corespunztoare Normelor pentru materiale electrice antigrizutoase i
antiexplozive n ceea ce privete stabilitatea fa de amestecuri de
dizolvani i abur din diferite grupe de inflamabilitate.
97
Pentru verificarea cunotinelor din acest capitol rspundei n mod
concis la urmtoarele ntrebri:
1. Ce este conducia electric?
2. n ce grupe se clasific materialele conductoare din punctul de vedere
al conductivitii electrice?
3. Care este expresia general a conductivitii electrice?
4. Ce este mobilitatea unui purttor de sarcin?
5. Ce este drumul liber parcurs al unui purttor de sarcin?
6. Ce este timpul de relaxare al deplasrii purttorilor de sarcin?
7. Ce este nivelul Fermi?
8. Ce numere cuantice cunoatei?
9. Ce rol au materialele electroizolante ntr-o instalaie electric?
10.Ce proprieti electrice ale materialelor electroizolante cunoatei?
11.Ce proprieti neelectrice ale materialelor electroizolante au
importan tehnic?
12.n ce se msoar conductivitatea electric?
13.Ce tipuri de rezistiviti electrice cunoatei?
14.Ce este conturnarea unui material electroizolant?
15.n ce se msoar rezistivitatea de suprafa?
16.De ce natur este conducia materialelor electroizolante?
17.De ce ordin de mrime este conductivitatea materialelor
electroizolante?
18.Cum depinde de temperatur conductivitatea unui material
electroizolant?
19.Ce este un material dielectric?
20.Ce este polarizaia electric?
21.Care este legea legturii dintre D,E i P ?
22.Care este legtura dintre susceptivitatea electric i permitivitatea
electric?
23.Ct este permitivitatea absolut a vidului?
24.n ce se msoar permitivitatea electric?
25.Ce tipuri de polarizare cunoatei?
26.La ce materiale apare polarizarea electronic?
27.n ce const polarizarea electronic?
28.La ce materiale apare polarizarea ionic?
29.n ce const polarizarea ionic?
30.La ce materiale apare polarizarea dipolic?
31.n ce const polarizarea dipolic?
32.Cum se mai numete polarizarea dipolic?
33.Care sunt polarizrile energofage?
98
34.Ce este polarizabilitatea electric?
35.n ce se msoar polarizaia electric?
36.Ce materiale au polarizaie permanent?
37.Care este expresia general a susceptivitii electrice dac inem cont
de cmpul electric intern?
38.Ce este polarizarea de relaxare?
39.La ce materiale apare polarizarea de relaxare?
40.Care este condiia ca ntre dou materiale s apar polarizare de
relaxare?
41.Care este expresia permitivitii relative complexe?
42.Ce pierderi apar ntr-un dielectric intr-un cmp electric alternativ?
43.Ce este factorul de pierderi?
44.Ce este coeficientul de pierderi?
45.Ce este unghiul de pierderi?
46.Ce scheme electrice echivalente ale dielectricilor cunoatei?
47.La ce dielectrici se folosete schema electric echivalent paralel?
48.La ce dielectrici se folosete schema electric echivalent paralel?
49.La ce dielectrici se folosete schema electric echivalent serie?
50.La ce dielectrici se folosesc scheme electrice echivalente mixte?
51.Ct este constanta electric de timp a schemei electrice echivalente
paralel?
52.Ce factori influeneaz pierderile de putere activ dintr-un dielectric?
53.Care este expresia pierderilor de putere activ prin incluziuni de
gaze?
54.Cum se poate evidenia experimental existena incluziunilor de gaze?
55.Ce restricii exist n privina folosirii materialelor ce conin
incluziuni de gaze?
56.Ce tipuri de rigiditi dielectrice cunoatei?
57.Definii rigiditatea dielectric intrinsec.
58.Definii rigiditatea dielectric tehnic.
59.n ce se msoar rigiditatea dielectric?
60.n ce const strpungerea unui gaz?
61.n ce const strpungerea unui lichid electroizolant?
62.n ce const strpungerea unui material electroizolant solid?
63.Din punct de vedere fenomenologic, ce tipuri de strpungeri
cunoatei?
64.La ce tip de tensiuni se ncearc izolaiile mainilor i
transformatoarelor electrice?
65.La ce tip de tensiuni se ncearc cablurile electrice?
66.Ce factori interni influeneaz rigiditatea dielectric a unui material
electroizolant?
99
67.Ce factori externi influeneaz rigiditatea dielectric a unui material
electroizolant?
68.Ce proprieti mecanice ale materialelor electroizolante cunoatei?
69.Ce proprieti fizice ale materialelor electroizolante cunoatei?
70.Definii porozivitatea materialelor electroizolante?
71.Ce este un material absorbant?
72.Ce este un material adsorbant?
73.Ce este un material higroscopic?
74.Ce tipuri de pori pot avea materialele poroase?
75.Ce materiale se pot impregna i n ca scop?
76.Ce proprieti termice ale materialelor electroizolante cunoatei?
77.Ce proprieti chimice ale materialelor electroizolante cunoatei?
78.n ce se msoar aciditatea unui lichid?
79.Ce proprieti tehnologice ale materialelor electroizolante cunoatei?
80.Ce proprieti ergonomice ale materialelor electroizolante cunoatei?
81.Ce proprieti economice ale materialelor electroizolante cunoatei?
82.Definii stabilitatea termic a unui material electroizolant?
83.Ce clase de izolaie cunoatei i ce temperaturi la corespund?
84.Dai trei exemple de materiale din clasa de izolaie Y.
85.Dai trei exemple de materiale din clasa de izolaie B.
86.Dai trei exemple de materiale din clasa de izolaie H.
87.Ce uleiuri electroizolante naturale cunoatei?
88.Ce uleiuri electroizolante sintetice cunoatei?
89.Ce gaze electroizolante cunoatei?
90.Ce este un gaz electronegativ?
91.Care este cel mai utilizat gaz electronegativ i la ce se folosete el?
92.Ce tipuri de rini cunoatei?
93.Ce materiale electroizolante anorganice cunoatei?
94.Ce este un material siliconic?
95.Ce semifabricate din materiale siliconice se folosesc n
electrotehnic?
96.Ce materiale celulozice se folosesc n electrotehnic?
97.Ce tipuri de mic cunoatei?
98.Care este cea mai bun folie pentru izolaii de cresttur la mainile
electrice?
99. Ce este un material neomogen?
100. Ce este un material izotrop?
100
101
2. MATERIALE SEMICONDUCTOARE
Semiconductoarele au rezistivitatea cuprins ntre10
-5
i 10
8
m,
adic ntre cea a conductorilor i cea a materialelor electroizolante. Se
deosebesc de conductori i izolai i prin structura benzilor de
energie:nivelurile limit Fermi sunt situate n benzi interzise,dar de lrgimi
mult mai reduse dect cele corespunztoare izolanilor. Au coeficientul de
variaie cu temperatura al rezistivitii negativ,rezistivitatea variaz
neliniar cu temperatura;natura purttorilor de sarcin depinde de natura
impuritilor iar prin suprafaa de separare ntre doi semiconductori sau un
metal i oxidul su semiconductor apare conducia unilateral (efectul de
diod). Materialele semiconductoare i modific proprietile sub aciunea
luminii, temperaturii, cmpului electric i magnetic, a solicitrilor
mecanice etc.
Tabelul 2.1 Proprietile unor materiale semiconductoare
Materialul i
w g

i
T

semiconductor
] [eV ] / [
2
s V m ] / [
2
s V m

] [ C
o
C 5.2 0.18 0.12 5.7 3500
SiC 2.8 0.01 0.002 6.7 2700
Si 1.12 0.135 0.048 11.7 1420
Ge 0.68 0.39 0.19 16 937
Se 0.8 - - - 220
Te 0.34 0.15 0.12 - -
GaP 2.25 0.03 0.01 8.4 1465
GaAs 1.4 0.86 0.025 11.1 1240
GaSb 0.7 0.5 0.085 14 700
InP 1.25 0.63 0.065 10.8 1070
InAs 0.33 3.3 0.028 11.7 936
InSb 0.18 8.5 0.7 16 523
SPb 0.6 0.06 0.04 17 1110
SCd 2.4 0.03 0.001 5.4 1750
TePb 0.6 0.21 0.08 - 917
TeCd 1.5 0.06 0.005 11 1098
AlSb 1.5 0.12 0.2 10.1 1060
Cu2O 1.5 - 0.007 8.75 1232
102
Semiconductorii pot fi extrinseci sau intrinseci,dup cum n banda
interzis se gsesc sau nu niveluri adiionale produse prin doparea cu
impuriti selectate a semiconductorilor.
2.1. SEMICONDUCTORI INTRINSECI
Conducia electric a unui semiconductor intrinsec se poate realiza
prin promovarea unor electroni din banda de conducie n urma cruia, n
banda de valen rmn niveluri incomplete ocupate i electronii ei pot
contribui la stabilirea curentului electric, alturi de electronii care au ajuns
n banda de conducie (incomplet). Este convenabil ca n banda de valen
conducia electric s fie atribuit conveciei golurilor pe care le las
electronii, cnd se deplaseaz n cristal, n punctele pe care le prsesc i
care pot fi considerate ca purttori fictivi de sarcin electric pozitiv. n
realitate, golurile nu sunt numai simple absene de electroni;ele au, de
exemplu, masa efectiv mg* diferit de a electronilor i negativ. ntr-un
semiconductor intrinsec se spune, deci,c procesul conduciei se realizeaz
prin electronii din banda de conducie i prin golurile din banda de valen
; conducia astfel realizat, se numete conducie intrinsec.
n tehnic se utilizeaz, n prezent, numai semiconductori extrinseci.
Totui conducia intrinsec are importan teoretic, deoarece apare i la
semiconductoarele extrinseci.
Figura 2.1. Conducia intrinsec
n figura 2.1 sunt prezentate, n principal, benzile de valen i de
conducie ale unui semiconductor.
103
La semiconductorii uzuali (Ge, Si, etc), banda interzis este larg si
de aceea, numai la temperaturi destul de ridicate se pot efectua suficient de
numeroase tranziii ale electronilor din banda de valen n banda de
conducie (sgeata 1'), pentru a se obine o conductivitate intrinsec
sesizabil. Limea benzii interzise pentru cele mai des utilizate materiale
semiconductoare este prezentat n tabelul 2.2.
Putem stabilii mai nti numrul electronilor din banda de conducie
i al golurilor din banda de valen, n funcie de temperatur, fr s
facem, deocamdat, nici o presupunere relativ la proveniena lor. n acest
scop notm cu w

nivelul de energie superior al benzii de valen i cu w

c
nivelul inferior al benzii de conducie, care satisfac, evident, relaia w
c
-
w

=w.
Tabelul 2.2. Limea benzii interzise
Materiale Ge Si Sn Cu
2
O InSb InAs GaSb GaAs
] [eV w
i
0,65 - 0,72 1,1 - 1,2 0,08 2,1 0,18 0,33 0,8 1,45
Densitatea strilor orbitale din banda de conducie, pentru unitatea de
volum a cristalului este :

2 / 1
c
2 / 3
*
0
3 2
) w w ( ) 2 ( ] 4 / 1 [ ) w ( g
m h
=

(2.1)
cu ajutorul relaiei (2.1.) se obine expresia numrului de electroni din
unitatea de volum care au energia cuprins n intervalul (w, w+dw) n lipsa
unor cmpuri electrice exterioare:
dw ) w ( 2 ) w ( g ) w ( dN
0 0
= (2.2)
Numrul de goluri din banda de conducie i din unitatea de volum,
considernd c nivelul superior al benzii se gsete la infinit, rezult atunci
din relaia
) w ( d ) w ( ) w ( g 2 N
0
0 0
=

. (2.3)
Integrala poate fi efectuat relativ simplu la temperaturile uzuale,
cnd kT w w
F
>> si cnd
] kT / ) w w ( exp[ ] 1 ] kT / ) w w /[exp[( 1 ) w (
F F 0
+ = ]. Se obtine:
] kT / ) w w ( exp[ )
h 2
kT
( 2 N
F c
2 / 3
2
*
0
o
m

= (2.4)
104
Numrul de goluri din banda de valen, provenite din tranziii
oarecare ale electronilor acestei benzi, se calculeaz analog, cu deosebirea
c densitatea de repartiie a golurilor nu este o(w) ci [1- o(w)],
deoarece prezena unui gol presupune absena unui electron. Se obine, n
acest caz, pentru numrul Ng de goluri din unitatea de volum, n banda de
valen, expresia:
] kT / ) w w exp[( )
h 2
kT m
( 2 N
F V
2 / 3
2
g
g

= (2.5)

n care mg* reprezint masa efectiv a unui gol. n tabelul 2.3. se indic
valorile masei echivalente ale unui electron, respectiv ale unui gol,
raportat la masa m
o
a electronului, pentru Ge si Si.
Plaja ntins a valorilor indicate n tabel, pentru fiecare raport
0
*
0
m / m sau
0
*
g
m / m se datoreaz faptului c masa efectiv depinde
sensibil de direcia de micare a purttorilor de sarcin n cristal. Spre
deosebire de metalele monovalente pentru care masa efectiv a
electronului este apropiat de m
o
la semiconductori, n care purttorii de
sarcin, de conducie, se gsesc la marginile benzilor permise (electronii n
vecintatea nivelului w
c,
iar golurile n vecintatea nivelului w

), masele
efective se deosebesc mult de m
o
.
Tabelul 2.3.
.
Dac se efectueaz produsul No* Ng se obine expresia:

] kT / w exp[ ) m m ( )
h 2
kT
( 4 N N
i
2 / 3 *
g 0
3
2
g 0

= (2.6)
din care rezult c produsul este independent de poziia nivelului limita
Fermi n banda interzis. Acest produs nu depinde nici de modul n care au
fost promovai electronii, respectiv golurile n banda de conducie,
respectiv de valen aa cum am subliniat i mai sus, adic este
independent de proveniena purttorilor de sarcin. n particular n cazul
conduciei intrinseci cnd: N
o
=N
g
(deoarece electronii din banda de
conducie provin din banda de valen), rezult:
0
*
0
/ m m
0
*
/ m m
g
Ge 0.08 - 1.60 0.04 - 0.34
Si 0.19 - 0.98 0.16 - 0.52
105
] kT 2 / w exp[ ) m m ( )
h 2
kT
( 2 N N N N
i
4 \ 3 *
g
*
0
2 / 3
2
g 0 g 0

= = = (2.7)
Cu aceast expresie, rezult,,la temperatura camerei, pentru:
Ge ] m [ 10 4 , 2 N N
3 19
g o

= , iar pentru
Si ] m [ 10 5 . 6 N N
3 16
g o

= .
Din egalitatea N
o
= N
g
se mai obine, expresia:
)
m
m
ln( kT
4
3
2
w w
w
*
0
*
g
c
F
+
+
=

(2.8)
La temperaturile uzuale, al doilea termen din membrul drept este
neglijabil fa de primul i de aceea

2
w w
w
c
F

+
(2.9)
adic nivelul limit Fermi se gsete, n cazul semiconductorilor intrinseci,
la mijlocul benzii interzise Fermi.
Pentru calculul conductiviti intrinseci se poate folosii expresia:
)
m m
( q N
m
q N
m
q N
*
g
0
*
0
2
0 0
*
g
g
2
0 0
*
o
2
0 0
i

+ = (2.10)
n care
g
este durata de relaxare a golurilor i n care am inut seama c N
o
= N
g
.
Dac se utilizeaz mobilitile M
e
ale electronilor, i M
g
ale
golurilor, se mai poate scrie:
) ( q N
g e 0 0 i
+ = (2.11)
Deoarece funciunea
2 / 3
T variaz cu T mult mai lent se mai poate
scrie i formula:
] kT 2 / w [ exp C N
i N 0
= (2.12)
Cu factorul practic constant:

4 / 3 *
g
*
0
2 / 3 2
N
) m m ( ) h 2 / kT ( 2 C = (2.13)
In acest caz (2.12) are forma:
] kT 2 / w exp[ C
i i i
= (2.14)
n care:
) ( q C )
m m
( q C C
g e 0 N
*
g
g
*
0
2
0 N i
+ =

= (2.15)
i, deci ca i C
N
factorul C
i
este practic independent de temperatur, la
temperaturile uzuale. Conductivitatea intrinsec crete deci cu temperatura
i poate avea valori importante la temperaturi nalte.
106
In tabelul 2.4 se indic valorile mobilitilor electronilor i
golurilor, la temperatura camerei, n germaniul intrinsec i n siliciul
intrinsec.
Tabelul 2.4
M
e
[cm/Vs] M
g
[cm/Vs]
Ge 3900100 1900100
Si 1350100 48015
2.2. SEMICONDUCTORI EXTRINSECI
Dac se adaug impuriti unui semiconductor, acestea pot determina
apariia unor niveluri de energie suplimentare, numite niveluri adiionale n
banda interzis a semiconductorului.Ca exemplu, presupunem c ntr-un
cristal pur de Ge (sau Si), care este un element tetravalent, se adaug atomi
trivaleni (de bor ) n acest caz, electronul de valen al unui atom de Ge
vecin cu cel de B rmne neparticipant la legturile chimice din cristal,
deoarece atomul de B are numai 3 electroni de valen (figura 2.2a).
Legtura chimic reprezentat prin linie ntrerupt n figura 2.2a este
nesatisfcut i pentru a o satisface, un electron al unei legaturi vecine se
desprinde, la un moment dat, datorit agitaiei termice din aceast legtur
i trece n nveliul electronic al B-ului, ionizndu-l (sgeata ); electronul
amintit efectueaz o tranziie din banda de valen a cristalului de Ge pe un
nivel energetic notat cu a n figura 2.3 i de energie w
p
. Nivelul p, numit
nivel acceptor este neocupat, n stare normal (fundamental), de electroni
i este situat deasupra benzii de valen, tranziia efectundu-se, deci, n ur-
ma absorbirii, de ctre electron, a unei cantiti de energie de agitaie
termic. Intereseaz cazul acelor impuriti trivalente care formeaz
niveluri acceptoare imediat deasupra benzii de valen, pentru ca tranziiile
s se efectueze i la temperaturile uzuale. Pentru Ge i Si sunt, astfel
folosite n special elementele trivalente: Bor, Al, Galiu, Indiu. Sgeata 1
din figura 2.3 indic tranziia unui electron din banda de valen pe un
nivel acceptor. Tranziiei i corespunde tranziia unui gol (cu sarcina
electric +q
o
) de pe nivelul acceptor n banda de valen.
Electronul promovat pe nivelul p este ns captat de acesta, deoarece
nivelul acceptor e strict localizat n jurul atomului de impuritate i, din
aceast cauz nu poate participa la conducia electric. n schimb, golurile
produse n banda de valen pot stabilii cureni electrici n cristal (de fapt
acetia sunt stabilii de electronii din banda de valen rmas, datorit
tranziiilor, incomplete).Se spune c se efectueaz o conducie prin goluri,
iar semiconductorii care o prezint se numesc semiconductori de tip p
(de la numele pozitiv a sarcinii golului).
107
Figura 2.2 Reeaua cristalin a Ge dopat cu impuriti:
a acceptoare, b donoare
Figura 2.3 Tranziia electronilor i a golurilor din zona de valen
Dac Ge sau Si se dopeaz cu un element pentavalent (Fosfor, Arsen,
Stibiu), unul dintre electronii de valen ai acestuia, situat pe un nivel notat
cu d de energie w
n
(figura 2.3), nu particip la legturile chimice i prin
absorbie de energie de agitaie termic, poate trece n banda de conducie a
Ge (Si) adic poate devenii electron liber (cvasiliber) a corpului. Nivelurile
n, numite niveluri donoare, sunt ocupate n stare normal, de electroni.
Prezint importan n tehnic impuritile pentavalente care produc
niveluri donoare apropiate de banda de conducie pentru ca tranziia
w
d
w
c
s se efectueze i la temperatura camerei. Conducia electric se
efectueaz n acest caz prin electronii promovai n banda de conducie de
pe nivelurile donoare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori de tip n (de la numele negativ al sarcinii
electronului). n tabelul 2.5 sunt indicate valorile w
e
=w
c
-w
d
pentru
principalele impuriti donoare din Ge si Si.
108
Spre deosebire de metale, n cazul temperaturilor uzuale,
rezistivitatea semiconductoarelor scade pe msur ce temperatura crete
(figura 2.4). Pe baza acestei proprieti se realizeaz termistoarele,
termoelementele, straturile termoemisive, etc.
Tabelul 2.5. Limea zonei interzise
Impuritate n germaniu n siliciu Efectul
Fosfor, P 0.012 0.044
Arsen, As
= == = ] [eV w
e 0.0127 0.049 donor
Stibiu, Sb 0.0096 0.039
Bor, B 0.0104 0.045
Aluminiu, Al
= == = ] [eV w
g 0.0102 0.057 acceptor
Galiu, Ga 0.0108 0.065
Indiu, In 0.0112 0.16
Creterea gradului de impurificare voit (dopare) sau accidental
(impuriti necontrolate) determin o cretere a conductivitii
semiconductoarelor. Astfel, la temperatura normal, Ge pur are
rezistivitatea de 0.47m, dar impurificat cu atomi de Sb n raportul 1 :
8
10
prezint o rezistivitate de numai 0.04 m. Dac ns concentraia
impuritilor depete o anumit valoare mobilitatea purttorilor de
sarcin i deci conductivitatea semiconductorilor prezint o tendin de
scdere.
Figura 2.4. Influena impuritilor asupra conductivitii i rezistivitii.
109
Doparea semiconductoarelor se realizeaz, practic, prin metoda
tragerii sau a topirii zonare.
Figura 2.5. Dependena conductivitii de temperatur prin efect intrinsec
i extrinsec.
Dei pentru cei mai muli semiconductori dependena direct de
temperatur a conductivitii este valabil pentru ntreg domeniul de
temperaturi n care sunt utilizai tehnic, pentru unii semiconductori pn la
temperatura T
1
predomin efectul de cretere a concentraiei purttorilor
(efect intrinsec) iar peste aceast temperatur predomin efectul de frnare
prin agitaie termic. Ali semiconductori la temperaturi sub valoarea T
2
creterea conductivitii este lent datorit agitaiei termice iar apoi
creterea este rapid prin efect intrinsec. Rezult c trebuiesc respectate
riguros limitele de temperatur prescrise pentru asigurarea unei exploatri
optime i cu durat de via maxim a semiconductorului.
Cantitatea de impuritii necesar m pentru obinerea prin metoda
tragerii - a unui semiconductor cu o anumit rezistivitate i o concentraie
uniform se determin cu relaia:
] Kg [ N
kAd
M
m = (2.16)
unde M reprezint masa semiconductorului care se impurific (Kg), d
densitatea sa (Kg/m); A concentraia masic a atomilor de impuritate
(Kg
1
); N concentraia volumic a impuritilor din prima poriune a
cristalului semiconductor (m
3
); k un coeficient de repartiie a impuritii
utilizate. Gradul de impurificare al unui semiconductor (concentraia
impuritilor) se poate determina prin msurarea rezistivitii sale, iar n
cazul unei dopri neuniforme prin msurarea variaiei rezistivitii n lun-
gul cristalului.
110
n funcie de natura i coninutul impuritilor se realizeaz o mare
varietate de dispozitive semiconductoare : diode, tranzistoare, etc.
Cu creterea intensitii cmpului electric, crete probabilitatea de
tranziie a electronilor de pe nivelurile donoare (sau din banda de valen)
n banda de conducie.n felul acesta, crete concentraia purttorilor de
sarcin din banda de conducie i deci conductivitatea corpului. Anumite
cristale (sulfuri de zinc) prezint, sub aciunea cmpului electric,
fenomenul de luminescen. n cazul existenei unei jonciuni lrgirea
stratului de blocare i deci rezistena electric a acestuia depind att de
intensitatea cmpului electric ct i de sensul cmpului electric stabilit prin
corp. Aceast proprietate este utilizat ndeosebi la fabricarea diodelor
redresoare, tranzistoarelor, fotoelementelor etc.
Aciunea cmpurilor magnetice exterioare asupra materialelor
semiconductoare se manifest prin fenomenul de magnetizare, efectul Hall
i efectul magnetostrictiv.
Efectul magnetostrictiv direct const n modificarea dimensiunilor
unui corp sub aciunea unui cmp magnetic. Semiconductoarele se
utilizeaz ca materiale magnetostrictive datorit valorilor mari ale
rezistivitii lor.
Efectul Hall const n apariia unei tensiuni electrice Un ntre feele
laterale ale unei plci semiconductoare de grosime d parcurs de curentul I
i situat ntr-un cmp magnetic de inducie B, perpendicular pe ea:
U
H
= R
H
BI/d (2.17)
Mrimea R
H
, numit constanta Hall, variaz mult mai puin dect n
cazul metalelor, motiv pentru care semiconductoarele se utilizeaz la
fabricarea generatoarelor Hall cu aplicaii n msurarea cmpului magnetic,
a intensitii cmpului electric, a puterii, n amplificare, n telecomenzi etc.
Aciunea luminii sau a altor radiaii se manifest asupra
semiconductoarelor prin efectele fotoelectrice :fotoconductiv, fotovoltaic i
de luminescen. n cazul efectului fotoelectric, energia radiaiei este
utilizat pentru smulgerea electronilor din materiale, adic pentru obinerea
fotocatozilor. Efectul fotoconductiv, adic mrirea conductivitii
materialului sub aciunea radiaiilor luminoase st la baza realizrii
celulelor fotoconductive sau fotorezistente. Efectul fotovoltaic const n
apariia, sub aciunea radiaiilor, a unei tensiuni electromotoare la
jonciunea p-n dintre doua semiconductoare (tensiune datorat purttorilor
de sarcin eliberai prin iradiere care traverseaz jonciunea i se
acumuleaz n cei doi semiconductori electroni n n i goluri n p).St la
baza realizrii celulelor fotovoltaice.
111
Efectul de luminiscen se utilizeaz ndeosebi pentru construirea
dispozitivelor sensibile la radiaii ultraviolete sau Roentgen.
Sub aciunea solicitrilor mecanice se distruge reeaua cristalin i
deci se modific rezistivitatea corpului. Acest fenomen este utilizat n
realizarea traductoarelor mecano-electrice : microfoane cu crbune,
accelerometre etc.
De asemenea, se produce un fenomen magnetostrictiv invers :prin
modificarea dimensiunilor semiconductorului se produce o variaie a
cmpului magnetic n care se afl acesta. Efectul piezoelectric nsoit de
apariia unor sarcini electrice pozitive i negative pe feele opuse ale unei
plci semiconductoare supuse, unor solicitri mecanice este utilizat n
fabricarea traductoarelor de presiune, a forelor, accelerailor, a
generatoarelor de ultrasunete etc. Este prezent doar n cazul semiconduc-
torilor piezoelectric.
Germaniul este un element puin rspndit n scoara pmntului
(0.07%), minereurile cu coninutul cel mai bogat n Ge fiind renierita
(sulfura de Cu, Fe, As i Ge), germaniul ( FeGeS Cu
6
) i argiroditul
(
2 2
SGeS Ag 4 ).Face parte din grupa a-IV-a sistemului periodic al
elementelor i cristalizeaz n sistemul cubic cu fee centrate. Se oxideaz
la
o
700 C, nu reacioneaz cu apa i se dizolv n acid sulfuric, n
amestecuri de acizi, baze etc. Reacioneaz cu halogenii, formnd compui
de tipul
4
GeCl ,
4
GeI etc. Cu metale alcaline sau alcalino-pmntoase se
formeaz compui semiconductori.
Proprietile semiconductoarelor depind de starea de puritate a
cristalului, de temperatur etc.
Fazele tehnologice de obinere a germaniului sunt :
- Extragerea oxidului de germaniu brut.
- Purificarea chimic a oxidului brut.
- Reducerea bioxidului de germaniu
Spre deosebire de germaniu, siliciul este unul dintre cele mai
rspndite elemente din natur. Se gsete n scoara pmntului n procent
de 27% sub form de bioxid de siliciu sau silicai.
Siliciul tehnic, cu o puritate de 98%, se obine relativ uor prin
reducerea bioxidului de siliciu cu cocs n cuptorul electric.
Purificarea ulterioar a siliciului prezint dificulti determinate de:
temperaturile nalte ce intervin n procesele de prelucrare, reactivitatea
chimic ridicat a siliciului n stare topit, ineficacitatea procesului de
purificare zonal pentru eliminarea unor impuriti (ca: bor, fosfor i
arsen). Purificarea naintat a siliciului se efectueaz aproape exclusiv pe
cale chimic. Principalele procedee de purificare se bazeaz pe distilarea
naintat i reducerea sau descompunerea termic a unor compui ai Si.
112
Pentru obinerea siliciului cu o rezistivitate de ordinul sutelor de
cm se utilizeaz reducerea tetraclorurii de siliciu, iar pentru obinerea
siliciului cu o rezistivitate mai mare de 1000 cm se folosete reducerea
triclorsilanului.
Deoarece pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare este
necesar o puritate foarte ridicat a materialului semiconductor, iar pe cale
chimic aceasta puritate nu poate fi atins practic, se recurge la purificarea
pe cale fizica (dup purificarea pe cale chimic concentraia de impuriti
n materialele semiconductoare nu poate fi redus la mai puin de 10
atomi/cm).
Tabelul 2.6. Caracteristicile principale ale germaniului si siliciului
Caracteristici Ge Si
Densitatea [Kg/dm] 5.33 2.3283
Duritatea Mosh (scara diamant) 6.25 7
Concentraia atomic [m]
Constanta reelei [nm] 0.543072 0.565754
Coeficientul de dilataie liniar [K]
Conductivitatea termic [W/mK] 16.6 60
Temperatura de topire [C] 9370.6 14174
Temperatura de fierbere [C] 2700 2600
Cldura specific [J/KgK] 756 309
Permitivitatea relativ 16.030.2 11.070.2
Rezistivitatea intrinsec la 300K [m] 0.47
Lrgimea benzii interzise la 0K [eV] 0.756 1.21
Lrgimea benzii interzise la 300K [eV] 0.756 1.105
Mobilitatea electronilor la 300K [m/Vs 0.39 0.145
Mobilitatea golurilor la 300K [m/Vs 0.1 0.048
Constanta de difuzie a electronilor [m/s] 0.01 0.0035
Constanta de difuzie a golurilor [m/s] 0.0049 0.0012
Lucrul mecanic de extracie [eV] 4.80.1 5.050.2
Purificarea pe cale fizic a germanului se face prin eliminarea direct
a impuritilor i prin topirea zonal, iar purificarea fizic a siliciului se
realizeaz prin metoda topirii zonale.
28
10 45 . 4
6
10 1 . 6


28
10 5
6
10 33 . 2


3
10 ) 3 5 . 2 (
113
2.3. JONCIUNEA MOS.
Dac se consider un metal i un oxid semiconductor de tip donor,
ninte de punerea lor n contact, zonele de energie se prezint ca n fig. 2.6.
Electronii liberi n semiconductor au energii mai mari dect n metale
datorit energiilor mari de legtur, respectiv a energiei corespunztoare
zonei interzise.
Figura 2.6. Metalul i semiconductorul naintea punerii n contact.
Dup punerea n contact a metalului cu semiconductorul se produc
procese de difuzie care ns nu sunt complet elucidate. Conform teoriei lui
Bardeen, n semiconductorul de tip n are loc o difuzie a electronilor spre
suprafaa de separaie (fr a depi jonciunea) pn la o adncime ( n
interiorul acestuia, aa cum este sugerat n figura 2.7. n urma difuziei n
semiconductorul n se constituie o sarcin spaial pozitiv iar la frontiera
cu metalul (pe partea dinspre semiconductor a jonciunii o sarcin spaial
negativ. Potenialul sarcinii spaiale se numete potenial de difuzie (V
0
)
iar gradientul acestuia determin un cmp electric de difuzie (E
D
) orientat
dinspre centrul sarcinii spaiale pozitive spre jonciune. Acest cmp
realizeaz la un moment dat echilibrul difuziei, un echilibru dinamic, dat
fiind c n unitatea de timp vor trece de la jonciune spre parte neutr a
semiconductorului tot atia electroni ci au trecut i invers. Astfel
diferena de potenial se menine constant corespunztoare unei
temperaturi date. Echilibrul termodinamic se realizeaz n momentul n
care nivelul Fermi din metal (F
M
) coincide cu nivelul Fermi din
semiconductor (F
n
) ca n figura 2.7.

114
Limea (
0
) se comport ca un strat de baraj care limiteaz difuzia
electronilor din semiconductor, iar dup atingerea echilibrului termodinamic
difuzia rmne neschimbat. n aspectul zonelor de energie
corespunztoare atomilor aflai la diferite deprttori de jonciune, n
semiconductor, apar modificri i distorsiuni ale nivelelor de energie
(fig.2.7).
Figura 2.7. Jonciunea MOS.
Dup limea (
0
), unde n sfrit sarcina spaial pozitiv, zonele
de energie se identific din nou cu aspectul lor din fig. 2.6. Din fig. 2.7.
rezult c ntre partea neutr a semiconductorului i jonciune, se interpune
o barier de potenial de nlime (eV
D
) corespunztoare potenialului de
difuzie i de lime (
0
). Pentru trecerea unui electron peste bariera de
potenial, acesta trebuie s posede o energie cel puin egal sau mai mare
dect (eV
D
), adic trebuie s fie satisfcut condiia:
( )
D
2
eV mv
2
1
(2.18)
Aceast condiie nu se realizeaz nici chiar la temperatura camerei, dect
n foarte mic msur. Desigur, trecerea de electroni poate avea loc i prin
efect tunel ns aceasta, n general, numai dac limea bare nu depete
(3040 ).
Din fig. 2.7. se poate observa c n apropierea jonciunii nivelului
limit Fermi se afl deasupra ultimului nivel al zonei de valen ca i la
semiconductorii acceptori iar la o deprtare mai mare ca (
0
) el se afl ntre
nivelul donor (C
n
) i primul nivel al zonei de conducie (la temperaturi la
care semiconductorul este degenerat), ca i la semiconductorii donori.
115
Prin urmare pe domeniul barierei de potenial are loc inversarea
naturii conductibilitii de la conducie prin goluri (de tip p) la conducia
prin electroni (de tip n). De aceea stratul de baraj se mai numete i
strat de inversie. Limea (
0
) a stratului de inversie depinde de natura
semiconductorului, ca i potenialul de difuzie (V
D
). De exemplu pentru
germaniu
0
= 10
4
[cm] i V
D
= 0,72 (V).
n absena unui cmp electric exterior, deci la (E = 0), curentul de
difuzie determinat de trecerea electronilor dinspre metal spre
semiconductor, sau invers, poate fi exprimat 5 printr-o relaie
corespunztoare curentului de emisie termonuclear (care are loc de la un
metal incandescent n vid), adic
( )
kT
eV
0
2
3
1
D
e kT
n
e m 4
i

= (2.19)
unde: s-a notat cu (e
C
) baza logaritmilor neperieni pentru a nu se confunda
cu sarcina electronului (e), iar semnificaia celorlalte notaii este cunoscut.
Dac aplic jonciunii un cmp electric exterior, deci la (E 0)
comportarea acesteia depinde de sensul cmpului aplicat n raport cu
cmpul de difuzie (E
D
), punndu-se n eviden conducia unilateral a
jonciunii.
Cnd cmpul exterior este aplicat n sens invers cmpului de
difuzie (E
D
), semiconductorului i revine polaritatea negativ (V), dac cu
(V) se noteaz potenialul din care deriv cmpul exterior (E). Ca urmare
nlimea barierei de potenial se reduce la valoarea (eV, eV), iar
distorsiunea nivelelor energetice se reduce corespunztor, ca n figura. 2.8.
Figura 2.8. Jonciunea MOS n cmp direct
116
Pentru trecerea electronului dinspre semiconductor spre metal este
necesar o energie corespunztoare mai mic, adic:
( ) V V e mv
2
1
D
2
(2.20)
care poate fi furnizat de cmpul exterior la temperatura camerei, chiar la
intensiti de cmp foarte mici.
Prin urmare jonciunea are conductivitate mare i se spune c este
alimentat n sens direct. Curentul electric prin jonciune devine
( )
( )
kT
V V e
0
2
3
2
D
e kT
h
e m 4
i

= (2.21)
Din (2.21) rezult c valoarea curentului prin jonciune se mrete
odat cu creterea intensitii cmpului electric aplicat. Concomitent cu
reducerea nlimii barierei de potenial are loc i reducerea limea
acesteia (
0
) i respectiv se accentueaz i efectul tunel.
Dac ns cmpul exterior (E) este aplicat n sensul cmpul de
difuzie (E
D
), semiconductorului revenindu-i polaritatea pozitiv (+V), se
mrete corespunztor nlimea barierei de potenial la (eV
D
+eV), ceea ce
determin distorsionarea accentuat a nivelelor de energie, reprezentat n
fig. 2.9. n consecin energia necesar trecerii electronului peste bariera de
potenial, similar relaiei (2.21), este corespunztor mai mare. Aceast
energie nu poate fi transmis electronului de ctre cmpul electric exterior
fr ca jonciunea s nu se strpung.
Figura 2.9. Jonciunea MOS n cmp invers.
117
Corespunztor creterii nlimii barierei de potenial se mrete i
limea sa (
0
) nct efectul tunel devine practic nul. Curentul electric prin
jonciune este
( )
( )
kT
V V e
0
2
30
2
D
e kT
h
Wme 4
i
+

= (2.22)
ceea ce, la temperatura camerei i la o intensitate a cmpului exterior ce nu
produce strpungerea, reprezint valoare practic, nul. Deci jonciunea se
comport ca un electroizolant. Se spune c jonciunea este alimentat n
sens invers.
Dac la alimentarea n sens direct sau n sens invers se ia in
considerare i curentul datorat difuziei (3.41), rezult curentul total prin
jonciune:
( )

= =

1 e e kT
h
Wme 4
i i i
kT
eV
0
kT
eV
0
2
3
1 2
D
m
(2.23)
unde (i1) apare cu semnul minus deoarece la alimentarea n sens direct
curentul de difuzie este de sens opus celui de cmp, iar la alimentarea n
sens invers curentul de cmp (i
2
) este practic nul.
Figura 2.10. Efectul de diod.
Cum temperatura (T) dat i pentru un semiconductor dat, factorii
parantezei pot fi inclui ntr-o constant (c), curentul prin jonciune, n
funcie numai de sensul cmpului exterior, devine:
118

= 1 e c i
kT
eV
0
m
(2.24)
Conducia jonciunii MOS este deci unilateral i se realizeaz numai
la alimentarea n sens direct a acesteia.
Aceast proprietate a jonciunii este numit efect de diod, deoarece
la alimentarea n cmp electric se obine redresarea tensiunii i curentului.
Reprezentnd grafic (2.24) se obine caracteristicile de redresare, ca n fig.
2.10, pentru diferite temperaturi, unde cu indicele (d) sunt notate mrimile
corespunztoare alimentrii n sens direct, iar cu (i) cele n sens invers.
Efectul de diod al jonciunii MOS se regsete la jonciunile
formate de semiconductorii dopai cu impuriti de valen diferit,cum ar
fi un donor cu un acceptor. Acest efect a condus la aplicaii de extrem
importan n tehnic i tiin a acestei categorii de materiale.
2.4. JONCIUNEA n-p
Jonciunea de tip np se realizeaz prin impurificarea unui cristal de
Ge sau Si cu impuriti donoare la un capt i acceptoare la cellalt,
folosind procedee tehnologice astfel ca cele dou zone n i p s fie
nvecinate.
Figura 2.11. Nivelele energetice ale semiconductorilor de tip n i p
119
Dac se consider separat fiecare din cele dou zone ale jonciunii n
p, zonele de energie corespunztoare se reprezint ca n fig. 2.11. n fig.
2.11 este sugerat, prin figurarea sgeilor, faptul c la temperatura norm n
semiconductorul donor, atomii donori sunt ionizai (pozitiv) i c electronii
de pe nivele donoare se afl n zona de conducie. La fel este sugerat
efectul intrinsec, prin saltul electronilor n zona de conducie direct din
zona de valen lsnd n urma lor goluri (echivalente cu sarcini pozitive).
Rezult c purttorii majoritari sunt electronii iar minoritari golurile.
O reprezentare similar s-a fcut pentru semiconductorul acceptor n
care electronii sunt minoritari iar golurile majoritare. nainte de a considera
cele dou pri puse n contact, se admite c partea acceptoare este legat la
pmnt i deci potenialul ei nu se modific. Dac se consider c cele
dou pri n i p ale conductorului se pun n contact, datorit
concentraiei mari de electroni n n zona de conducie i respectiv de
golurile p n zona de valen, are loc difuzia electronilor din n n p
ntr-o regiune ce elimin jonciunea. n partea jonciunii dinspre
semiconductorul n se formeaz o sarcin spaial pozitiv, iar n partea
dinspre semiconductorului p una negativ (deoarece aici s-a localizat un
numr excedentar de electroni) aa cum se reprezint n fig.2.12. Prin
punct plin s-a figurat electronul excedentar al atomului donor, iar prin
cercuri mici golurile atomilor acceptori

Figura 2.12. Jonciunea n-p
120
n urma difuziei, n regiunea de lime (
0
) electronii din n
compenseaz golurile din p. Atomii donori se ionizeaz deci pozitiv iar
cei acceptori negativ. Pe msur ce electronii excedentari ai impuritilor
donoare difuzeaz n reeaua impuritilor acceptoare are loc micorarea
valorii nivelului limit Fermi donor, la o anumit valoare a cmpului de
difuzie (E
D
), cnd se stabilete echilibrul termodinamic, nivelul Fermi (F
n
)
a semiconductorului n coincide cu (F
p
) al semiconductorului p.
Aceasta determin distorsiunea nivelelor de energie, ca n fig.2.12, i
apariia barierei de potenial de nlime (eV
D
). Rezult c trecerea pur-
ttorilor de sarcin dintr-o parte a jonciunii n cealalt nu este posibil
numai dac energia acestora este egal sau mai mare dect bariera de
potenial.
Figura 2.13. Jonciunea n-p n cmp direct.
Conducia unilateral a jonciunii rezult i n acest caz dac se
consider alimentarea acesteia cu tensiune continu, de polaritate dat.
Dac cmpul electric exterior (E) este aplicat n sens invers
cmpului electric de difuzie (E
D
), similar jonciunii MOS, polaritatea
negativ (V) revenind semiconductorului n, bariera de potenial se
reduce (eV
D
eV) ca n fig.2.13 i la temperatura camerei, purttorii de
sarcin att n ct i p o pot escalada chiar i la instalaii foarte mici ale
cmpului electric exterior. Deci jonciunea este alimentat n sens direct
i prezint conductivitate foarte mare (vezi relaia 2.21).
121
Dac se aplic cmpul electric exterior n sensul cmpului de
difuzie (E
D
); bariera de potenial crete la valoarea (eV
D
+eV) i
distorsiunea nivelelor de energie se accentueaz ca n fig.2.14. Purttorii de
sarcin nu mai pot traversa jonciunea deoarece nu el poate fi transmis
energia necesar fr ca aceasta s nu se distrug.
Jonciunea este practic electroizolant, iar curentul ce o strbate este
neglijabil (relaia 1.22). Deci jonciunea este alimentat n sens invers.
Dac se aplic jonciunii np o tensiune alternativ, datorit conduciei
unilaterale, se obine redresarea curentului, deci efectul de diod. n
practic jonciunile np au aplicaii multiple att n domeniul curenilor
slabi ct i n tehnica curenilor tari.
Figura 2.14. Jonciunea n-p n cmp invers
n prezent se utilizeaz diode semiconductoare de Si sau Ge pentru
curent direct de ordinul sutelor de amperi i tensiunea invers de valoare
foarte mare (1,5~3 kV). Se utilizeaz de asemenea jonciuni duble de tipul
(npn) n care conducia revine n principal electronilor, sau de tipul (p
np) cu conducie predominant prin goluri, ambele funcionnd cu
tiristoare.
Doparea precis a elementelor semiconductoare n vederea
obinerii jonciunilor a permis realizarea diodelor semiconductoare,
transistoarelor, tiristoarelor, varistoarelor, elementelor electroluminiscente
etc.
Diode semiconductoare sunt dispozitive cu o singur jonciune p
n. Se realizeaz n mai multe variante : diode redresoare, varicap, pentru
frecvene ultranalte etc.
122
Diodele redresoare se obin din Ge, Si, GaAs, Se etc. Diodele cu Si
de mic putere (obinute prin difuzie) se utilizeaz in instalaii cu cureni
slabi (receptoarele de televiziune), iar cele de mare putere obinute printr-
o tehnologie planar n instalaii de redresare pentru cureni inteni.
Diodele cu contact punctiform se realizeaz dintr-o pastil de Ge
dopat cu Sb (cu rezistivitatea de 0.010.05 m) i un fir de wolfram
sau aur.
Diodele de frecven ultranalt sunt diode punctiforme realizate din
Ge sau Si de rezistivitate redus i cu fir de aur de circa 3 m diametru.
Diodele tunel se obin din materiale semiconductoare cu concentraie
de impuriti
3 25
10

> m N (cazuri n care nivelul limit Fermi se afl ntr-o
band permis i rezistivitatea m = 30 ...... 10 .
Diodele Zener se realizeaz din Si, cu jonciune de suprafa.
Tranzistoarele sunt constituite dintr-un strat p sau n puternic dopat
numit emitor E -, un strat dopat mediu i ct mai subire posibil baza B
i un strat p sau n de concentraie mai redus numit colector C.
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) prezint impedana mare la
intrare i zgomot foarte redus, se realizeaz cu grila jonciune sau cu grila
izolat.
Tiristoarele sunt dispozitive cu trei jonciuni pnpn, obinute prin
difuzie unilateral sau bilateral n cristal de tip p sau n a unor impuriti
acceptoare sau donoare. Tiristoarele de putere se construiesc, de obicei,
prin difuzie bilateral a unor impuriti acceptoare ntr-un semiconductor
de tip n urmat de alierea sau difuzia unei noi impuriti donoare. Se
utilizeaz n circuitele de comutaie, la celulele de redresare cu electrod de
comand etc.
Elemente electroluminiscente. Se caracterizeaz prin apariia la
introducerea lor ntr-un cmp electric a unor radiaii luminoase. Se obin
din: sulfura de zinc sau de cadmiu, activate cu Cu, Ag, Mn sau cu unul
dintre constituenii aflai n exces. Se realizeaz panouri
electroluminescente, ecrane pentru osciloscoape, televizoare etc.
Varistoarele. Sunt dispozitive puternic neliniare, realizate pe baz
de carbur de Si (CSi).Pulberea de CSi n amestec cu o substan ceramic
sau o rin termorigid (ellac, epoxidic) este presat i ars. Deoarece
rezistena varistoarelor scade foarte mult cu creterea tensiunii, ele se
utilizeaz n construcia descrctoarelor cu rezistena variabil de nalt i
joas tensiune pentru protecia mainilor i transformatoarelor electrice, a
instalaiilor de telecomunicaie etc.
Semiconductoarele cu sensibilitate mare la aciunea temperaturii se
utilizeaz la fabricarea termistoarelor, termoelementelor, a elementelor
termoemisive etc.
123
Termistoare. Sunt rezistoare neliniare realizate din amestecuri de
oxizi de: Mn, Ni, Co, Fe etc. i caracterizate printr-un coeficient de variaie
al rezistivitii cu temperatura foarte mare i negativ.
Termistoarele se realizeaz sub form de bare, discuri sau perle, n
funcie de domeniul de utilizare:
Rezistenta la rece a barelor si discurilor este de ordinul sutelor sau
miilor de ohmi i scade, la cald, sub 1.Din acest motiv sunt utilizate ca
stabilizatoare ale punctelor statice de funcionare ale transistoarelor. Perlele
introduse n tuburi de sticl, se utilizeaz pentru msurarea temperaturii,
sau ca relee de timp. Perlele nconjurate de o rezistena parcurs de curent
electric i introduse ntr-un balon de sticl vidat, se utilizeaz ca
dispozitive de reglaj.
Termoelemente. Sunt combinaii de dou semiconductoare sau de
un semiconductor i un metal, lipite ntre ele la cele dou capete i dispuse
la temperaturi diferite. Se realizeaz din
3 2 3 2 3 2 3
Te Sb , Se Bi , Te Bi , PbTe , PbSe , PbSb , SnSb , CoSb etc.
Straturi termoemisive. Se obin din oxizi ai metalelor alcalino-
pmntoase i constituie catozii tuburilor electronice cu emisie la cald,
lucrul mecanic de extracie a electronilor fiind mai redus dect n cazul
catozilor (metalici) cu emisie la rece.
Generatoarele Hall i dispozitivele pe baz de ferite reprezint
aplicaiile cele mai importante ale semiconductoarelor sensibile la aciunea
cmpului magnetic. Se utilizeaz HgSe, HgTe, InAs, InSb, etc.
Generatoarele Hall se utilizeaz pentru msurarea induciei magnetice, a
curentului continuu de intensitate mare, a cuplului motoarelor electrice, a
puterii n c.c. etc.
Aceste materiale se utilizeaz la fabricarea tuburilor fotoelectrice, a
celulelor fotoconductoare i fotovoltaice, a fototranzistoarelor, a
elementelor luminiscente i fosforescente etc.
Tuburi fotoelectrice. Construcia lor se bazeaz pe efectul
fotoelectric interior :iluminate, ele i modific conductivitatea electric i
determin, astfel, variaii ale curenilor electrici care le parcurg. Se
confecioneaz prin depunerea pe un grtar metalic a unui strat
semiconductor de Se, TeS, CdS, CdSe, PbS, PbSe etc. Se utilizeaz n
instalaii de semnalizare, protecie, comand etc.
Celule fotovoltaice. Aceste dispozitive cuprind fotoelementele, foto-
diodele i fototranzistoarele. Fotoelementele se deosebesc de toate tipurile
de dispozitive fotoelectrice prin faptul c nu conin surse de alimentare cu
tensiune electric. Astfel un fotoelement de dimensiuni relativ reduse poate
genera sub aciunea radiaiilor luminoase, o tensiune electromotoare de
0.5V (respectiv o putere de 22.5mW n circuitul de sarcin).
124
Ca materiale semiconductoare se utilizeaz: AgS , O Cu , Se
2
.
Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot obine baterii solare cu
puteri pn la
2
m / W 200 (cu un randament al transformrii energiei
luminoase n energie electric de 11%)
Fotodiodele au zone sensibile la radiaii luminoase situate n
interiorul materialului semiconductor. Se obin, prin aliere, tragere etc., din
Ge, Si.
Fototranzistoarele avnd una din jonciunile p n expuse radiaiilor
luminoase se realizeaz din aceleai materiale ca i fotodiodele.
Luminoforii i fosfurii se utilizeaz la fabricarea dispozitivelor cu
fluorescen sau fosforescen, a ecranelor tuburilor catodice, a lmpilor
fluorescente, a panourilor luminoase. Luminoforii utilizai n tehnic se
obin din sulfuri, selenari, silicai, wolframai, borai etc. activai cu Cu,
bismut, mangan etc.
Traductoarele piezoelectrice se realizeaz din materiale
semiconductoare a cror structur nu prezint un centru de simetrie al
sarcinilor punctuale, de exemplu GaAs, InSb etc. n practic sunt des
ntlnite traductoare piezoelectrice realizate din cuar sau turmalin,
materiale care, dup cum se tie, fac parte din clasa izolanilor. Se
utilizeaz pentru msurarea presiunii, a forelor i accelerailor n
tensometrie, defectoscopie etc.
Traductoarele de presiune rezistena electric se realizeaz din
granule (microfoane) sau discuri subiri (traductoare industriale) din
crbune, plasate ntre dou plci conductoare i care i modific rezistena
electric sub aciunea solicitrilor mecanice (statice sau dinamice).
Asemenea dispozitive se utilizeaz n construcia accelerometrelor, n
telefonie, pentru nregistrarea informaiei etc.
n afara aplicaiilor prezentate, materialele semiconductoare se
utilizeaz la fabricarea circuitelor integrate (monocristale care conin
rezistoare, diode, transistoare), a laserilor i maserilor, a instalaiilor
frigorifice, a termoelementelor, a modelatoarelor de radiaii infraroii, a
celulelor fotoelectromagnetice, n msurarea distanelor submicroscopice
etc.
125
Pentru verificarea cunotinelor din acest capitol rspundei n mod
concis la urmtoarele ntrebri:
1. Ce este un material semiconductor?
2. n ce domeniu variaz conductivitatea unui material semiconductor?
3. Care sunt proprietile fundamentale ale unui material
semiconductor?
4. Cum se clasific materialele semiconductoare?
5. Ce este un material semiconductor intrinsec?
6. Ce este un material semiconductor extrinsec?
7. Ce este un material semiconductor de tip donor?
8. Ce este un material semiconductor de tip acceptor?
9. Care sunt purttorii de sarcin majoritari ntr-un material
semiconductor donor?
10.Care sunt purttorii de sarcin minoritari ntr-un material
semiconductor acceptor?
11.Unde este situat nivelul energetic Wn?
12.Unde este situat nivelul energetic Wp?
13.Ce este o jonciune MOS?
14.Ce este o jonciune n-p?
15.Ce este efectul de diod?
16.Cum este orientat cmpul electric exterior (fa de cel interior) ntr-o
jonciune polarizat direct?
17.Ce este un varistor?
18.La ce sunt folosite varistoarele?
19.Din ce materiale se realizeaz varistoarele?
20.Ce este un termistor?
21.La ce se folosesc termistoarele?
22.Ce dispozitive semiconductoare cu jonciuni cunoatei?
23.Ce aplicaii neelectrice ale materialelor semiconductoare cunoatei?
24.Cristalele cror elemente se folosesc la realizarea jonciunilor
semiconductoare?
126
127
3. MATERIALE CONDUCTOARE
Aceast categorie de materiale se caracterizeaz prin valoarea foarte
mare a conductibilitii electrice. Rezistivitatea conductoarelor nu depete
10
5
~ 10
3
[cm].
Dup efectul curentului electric asupra conductorului, ca i dup natura
conductibilitii electrice, materiale conductoare se grupeaz n:
1) materiale conductoare de ordinul I
2) materiale conductoare de ordinul II
Materiale conductoare de ordinul I nu sufer modificri de structur sub
aciunea curentului, i mresc rezistivitatea cu creterea temperaturii, iar con-
ductibilitatea lor este de neutr electronic. Din aceast grup fac parte
metalele n stare solid i lichid.
Materialele conductoare de ordinul II sufer transformri chimice sub
aciunea curentului electric, conductivitatea lor crete cu creterea
temperaturii (deci rezistivitatea scade), iar conductibilitatea n stare solid sau
lichid, soluiile de sruri (deci electroliii).
Materialele conductoare de ordinul I, dup valoarea conductivitii lor
se pot subdivide n: 1) materiale conductoare de mare conductivitatea (cum
sunt: Ag, Cu, Al, Fe, Zn, Sn, Pb, etc.) i 2) materiale conductoare de mare
rezistivitate care sunt formate, de obicei din aliaje i se utilizeaz pentru
rezistene electrice, instrumente de msur, elemente de nclzire electric
etc.
Ca i n cazurile precedente, se urmrete cu precdere proprietile
electrice ale materialelor conductoare i factorii care le influeneaz, deoarece
celelalte proprieti sunt cunoscute din cadrul disciplinelor specifice lor.
3.1. CONDUCTIVITATEA METALELOR.
n capitolul 1.1. s-a urmrit procesul conduciei electronice n corpul
solid, pe baza modelului zonelor de energie, corespunztor electronilor
cvasiliberi cum este cazul la reeaua cristalin a metalelor. S-a dedus c n
atomii metalului la T = 0 [K] nivelele de energie permise sunt ocupate pn
la o valoare maxim a energiei corespunztoare nivelului limit Fermi (W
F
).
La metale nivelul limit Fermi este totdeauna cuprins ntr-o zon
permis, sau la limita de suprapunere a dou zone permise, la T = 0 [K].
128
Sub aciunea cmpului electric exterior (E
r
), cu relaiile stabilite se
demonstreaz c densitatea de curent este:

r r
*
0
r
2
x
E E
m
t q n
J =

= (3.1)
similar relaiei clasice (1.12), de unde conductivitatea electric rezult:

*
0
r
2
m
t e n
=

(3.2)
care difer de (1.13) prin faptul c (m) i (t
r
) se determin pe baza teoriei
cuantice i c n loc de masa n repaus a electronului intervine masa efectiv.
Conform teoriei clasice, din capitolul (1.1.1), innd seama c n metale
purttorii de sarcin sunt electronii liberi i deci (q = e), relaia (1.13) devine:

m 2
t e n
r
2
0

= (3.3)
n care (n), (t
r
) i (m) au fost precizate n capitolul (1.1.1).
Se constat din (3.2.) c pe baza teoriei cuantice conductivitatea rezult
ca o constant de material deoarece depinde de (n) i (n
0
). n practic ns se
opereaz mai mult rezistivitatea electric ( = 1/) ca fiind evident tot
constant de material.
S-a dedus anterior c odat cu creterea temperaturii are loc scderea
conductivitii electrice (relaia 1.16) a metalelor respectiv c rezistivitatea
acestora crete proporional cu temperatura.
Dac coeficientul de temperatur al rezistivitii este:

( )

d
d 1

(3.4.)
pentru variaia liniar a rezistivitii cu temperatura, ca n fig. 3.1. se poate
determina rezistivitatea (

) la o temperatur oarecare () cnd este cunoscut

valoarea sa (
0
) la o temperatur (
0
).
Din figura 3.1. se poate scrie:

= =

d
d
tg
0
0
(3.5.)
de unde:

( )

+ =
0
0
0
d
d 1
1 (3.6.)
sau nlocuind coeficientul de temperatur al rezistivitii
0
(R), rezult:

( )( ) [ ]
0 0 0
1 + =

(3.7.)
129
Figura 3.1. Variaia rezistivitii cu temperatura.

La fel se poate calcula i rezistena electric folosind n expresia
acesteia tot
0
() care este constant de material, i nu
0
(R). De fapt
rezistivitatea metalelor variaz liniar cu temperatura numai peste anumite
valori ale acesteia numite: temperaturi Debye (T
D
), cum sunt cele prezentate
n tabelul 3.1. pentru cteva elemente.
Tabelul 3.1. Temperaturi Debye
Metal Ag Al Cu Au Fe Pb
T
D
K 215 398 315 180 420 88
Sub limitele temperaturilor Debye variaia rezistivitii cu temperatura
este neliniar. S-au fcut ncercri de exprimare analitic a acestor variaii
ns fr a se obine rezultate satisfctoare. Totui pentru unele aplicaii se
poate utiliza expresia de forma:

( ) ... c b a 1
3 2
0
+ + + + =

(3.8.)
unde coeficienii se determin pe cale experimental pentru fiecare material
n parte. Dac din (3.8.) se rein numai primii doi termeni se poate deduce o
relaie ntre coeficienii de temperatur ai rezistivitii la temperaturi diferite
de forma:

( )
( )
( )
0
0
1
1
+

=

(3.9.)
care se utilizeaz fie pentru verificarea coeficientului de temperatur fie
pentru determinarea sa la temperatura () cnd este dat la temperatura (
0
).
130
La temperaturi nalte care schimb starea de agregare a metalului, are
loc variaia brusc a rezistivitii.
n apropierea temperaturii de topire, pentru cupru se obine un salt ca
cel din fig.3.2., care difer n funcie de puritate (grad de aliere).
Figura 3.2. Variaia rezistivitii la schimbarea strii de agregare.
Ca urmare n siderurgia neferoaselor pentru electrotehnic, variaia
rezistivitii cu temperatura servete pentru ajustarea componentelor
corespunztor caracteristicilor dorite.
3.1.1. FACTORI CARE INFLUENEAZ REZISTIVITATEA.
Din studiul conductibilitii metalelor a rezultat c orice nesimetrie a
reelei atomice mrete probabilitatea de ciocnire a electronilor cu nodurile
reelei, la aceeai valoare a temperaturii.
Prezena impuritilor n reeaua cristalin determin micarea
timpului de relaxare, deci a drumului mediu liber parcurs i prin urmare
rezistivitatea metalului impur este totdeauna mai mare dect dac puritatea ar
fi total. n particular, aliajele prezint rezistiviti mai mari dect
componentele pure din care sunt constituite. n funcie de natura compusului
(amestec mecanic, soluie solid, combinaie intermetalic) rezistivitatea
variaz diferit cu proporiile n care se afl componentele.
Generaliznd constatarea experimental potrivit creia curbele de
variaie cu temperatura a rezistivitiilor a dou (sau mai multor) eantioane
ale aceluiai metal avnd o impuritate n proporii diferite, sunt echidistante.
131
Matthiessen a atribuit rezistivitii metalelor dou componente: una
rezidual (
r
) care nu depinde de temperatur, ci numai de concentraia
impuritilor; a doua ideal (
T
) care nu variaz dect cu temperatura.
Rezistivitatea total a metalului cu impuriti se exprim prin relaia lui
Matthiessen:

r T
+ = (3.10)
n figura. 3.3 este prezentat variaia cu temperatura a cuprului aliat n
diferite proporii cu Nichelul, de unde se deduce confirmarea relaiei (3.10).
Prin urmare impuritile i agitaia termic afecteaz micarea electronilor n
metal cu timpi diferii de relaxare (t
rr
) i respectiv (t
rT
). Dac se consider c
reeaua cristalin prezint nesimetrii datorate i altor cauze, care determin
timpii de relaxare rezistivitatea metalului impur, innd seama de (3.10) i de
(3.2.) se poate exprima sub forma:

=

=
n
1 i
ri rT
2
*
0
t
1
t
1
e n
m

(3.11)
Din (3.10) i (3.11) rezult c dac prin procedee tehnologice se
realizeaz purificarea metalului i deci (
r
= 0), rezistivitatea variaz cu
scderea temperaturii dup curba (2) din fig. 3.3, nct la (T = T
c
) metalul
sufer tranziia n starea (s.c.). La temperaturi foarte joase (corespunztor
ramurii 2) innd seama de (3.10) i (1.19) rezistivitatea este determinat de
relaia:

r
5
T . const + =

(3.12)
Dac metalul este impur, la temperaturi foarte joase, rezistivitatea
variaz dup ramura (1) din fig. 3.3 nct la (T = 0) din(3.12) rezult =
r
.

Figura 3.3.Variaia rezistivitii la temperaturi criogenice.
132
Din relaia (3.12) rezult necesitatea purificrii la maxim a metalelor
(nealiate) care se utilizeaz la temperaturi foarte sczute.
Influena tratamentelor mecanice i termice asupra rezistivitii
asupra rezistiviztii are importan tehnic deoarece n timpul uzinrii
materialelor conductoare acestea i pot modifica rezistivitatea.
Prin tratamente mecanice (laminare, forjare, trefilare etc.) cu creterea
gradului de ecruisaj se realizeaz o deformare mai accentuat a reelei
cristaline. Deci un metal ecruisat (n starea tare) prezint o rezistivitate
mrit deoarece probabilitatea de ciocnire a electronilor cu nodurile reelei
este mai mare, funcia de und asociat electronului fiind perturbat n
propagarea sa n raport cu o reea cristalin nedeformat. De obicei creterea
de rezisten este de (36)%.
Dac ns metalul ecruisat este supus unui tratament termic, deci este
readus n starea moale, fr tensiuni interne, se obine o reducere a gradului
de deformare a reelei cristaline i rezistivitatea sa se micoreaz. Observaii
de aceast natur pot fi fcute la mainile electrice bobinate cu bare sau srme
puternic ecruisate, netratate termic, care dup anumit numr de nclziri i
rciri n timpul funcionrii, prezint rezistivitate mai redus dect n starea
nou dei temperaturile realizate nu ating limitele de recoacere.
3.1.2. MATERIALE SUPRACONDUCTOARE
Proprietatea metalelor de a-i pierde rezistena electric la valori
sczute ale temperaturii (sub 20 K) a fost descoperit de ctre Kamerlingh-
Onues n anul 1911, n laboratorul de fizic al universitii din Leiden
(Olanda) cu ocazia experienelor efectuate de el asupra mercurului
constatndu-se c n jurul temperaturii de 4 K rezistena electric a acestuia
devine aproape nul (de circa 10
-5
).
Fenomenul supraconductibilitii poate fii neles imaginndu-ne un
conductor metalic n care electronii liberi, sub forma unui gaz electronic se
deplaseaz prin reeaua cristalin a conductorului metalic, n sens opus
cmpului electric aplicat. Imperfeciunile reelei perturb micarea
electronilor genernd rezistena electric a conductorului. n plus, ca orice
fluid, gazul electronic este supus agitaiei termice. La temperatura camerei
componenta termic a rezistenei e mult mai mare dect componenta
provocat de imperfeciunile reelei cristaline.
Introducnd un conductor metalic ntr-un gaz lichefiat (n Heliu lichid)
la temperatura acestuia ( 4,2 K ) rezistena electric a conductorului scade
brusc.
133
Concomitent are loc o considerabila micorare a rezistivitii electrice
care ajunge pn la valori de ordinul 10
-12
*m. Conductorul metalic trece
astfel n stare de supraconductibilitate, iar temperatura de tranziie n aceast
stare denumit temperatur critic (Tc) difer de la metal la metal.
Pentru metalele supraconductoare pure, temperatura critic oscileaz
ntre 0,012 K (wolfram) i 9,22 K (niobiu) iar pentru aliaje intermetalice
temperatura critic ajunge la 22,3 K (Nb
3
Ge).
Tabelul 3.2. Temperatura critic i inducia critic a unor metale supraconductoare.
Metalul Tc(K) Bc(t)
Zinc(Zn) 0,875 0,0053
Galiu(Ga) 1,091 0,0051
Zirconiu(Zr) 0,546 0,0047
Niobiu(Nb) 9,20 0,1980
Molibden(Mo) 0,92 0,0095
Cadmiu(Cd) 0,56 0,030
Staniu(Sn) 3,722 0,0309
Uraniu(U) 0,68 0,02
Plumb(Pb) 7,193 0,0803
Mercur(Hg) 4,153 0,0412
Wolfram(W) 0,012 0,000107
Titan(Ti) 0,39 0,01
Cea mai mare parte a supraconductorilor e format de aliaje metalice;
n anul 1985 se cunoteau peste 1000 de asemenea materiale. Aliajele
metalice sunt avantajate, n aplicaiile tiinifice i tehnice deoarece posed
temperaturi critice ridicate.
Tabelul 3.3. Temperatura critic i inducia critic a unor compui supraconductori
Compusul Tc(K) Bc(t)
Bi
3
Ba 5,69 0,074
BiPb 8,7 12,7
SiSn 3,48 0,013
CdSn 3,65 0,026
Nb
3
Sn 18,3 22,5
NbTi 8-10 9-12
Nb
3
Al 18,7 20,5
Nb3(Al
0,93
Ge
0,2
) 20,7 41,0

134
Structura reelei materialelor supraconductoare nu se modific la
trecerea lor din starea normal n starea supraconductoare. La trecerea unui
metal n starea de supraconductibilitate are loc ns o schimbare n salt, a
strii gazului electronic cuantic, iar micarea electronilor n metalul
supraconductor este corelat n alt mod dect n metalul normal ntruct la
trecerea unui metal n stare supraconductoare ansamblul electronilor de
conducie trece simultan ntr-o stare nou i ntre toi electronii de conducie
apare o corelare puternic, exist o cauz fizic a acestei corelri i anume
interaciunea dintre electroni.
Conform teoriei cuantice a cmpului electric interaciunea dintre
particulele ncrcate se realizeaz n urma schimbului dintre ele de ctre
fotoni: unul dintre electroni emite un foton, iar cellalt l absoarbe.
Figura 3.4. Sistemul dinamic al schimbului de fotoni ntre cei doi electroni
ntre impulsurile electronilor ce particip la schimbul de fotoni,
interaciunea dintre cei doi electroni (e
1
i e
2
), mediat de fotoni, are un
caracter atractiv. Doi astfel de electroni, atrgndu-se, formeaz o stare
specific legat, numit "pereche Cooper". Evident, ntre electronii de
conducie acioneaz i fore coulombiene de respingere. Deci formarea
perechii Cooper poate avea loc numai n cazul n care atracia dintre cei doi
electroni,mediat de fotoni, e mai puternic dect respingerea dintre ei.
Pentru c perechea Cooper s fie ct mai stabil, energia de atracie trebuie s
fie ct mai mare n valoare absolut n comparaie cu energia de respingere,
fapt ce se realizeaz dac electronii ce formeaz perechile Cooper schimb
ntre ei fotoni ct mai des.
Se spune c starea electronilor n perechile Cooper este corelat
puternic dup impulsuri. Aceasta nseamn c impulsurile electronilor ce
formeaz o pereche Cooper nu sunt independente. Ele trebuie s fie egale n
valoare i opuse ca orientare. Dimensiunea unei perechi Cooper este cu mult
mai mare dect distana medie dintre electronii de conducie ( de ordinul 10
-
8
m) ceea ce nseamn c ntre electronii ce formeaz o pereche Cooper se
gsesc foarte muli ali electroni.
135
Pentru a desface o pereche Cooper trebuie consumat energie, pentru a
nvinge forele de atracie dintre electronii perechi. n principiu exist o
probabilitate diferit de zero pentru c n procesele de interaciune a perechii
cu fotonii, aceasta s primeasc energia necesar ruperii perechii Cooper.
Figura 3.5. Banda de energie interzisa formata in jurul nivelului energetic
Fermi
S-ar prea deci c oscilaiile termice existente la temperatura T<Tc, ar
distruge rapid perechile. Totui perechile Cooper rezist cu succes acestei
tendine, pentru c la temperatura T<Tc e implicat nu o pereche Cooper
localizat, nici un sistem de perechi Cooper care nu interacioneaz ntre ele,
ci un colectiv de perechi Cooper care interacioneaz ntre ele. n procesele de
schimb electronii dintr-o pereche Cooper i schimb impulsurile astfel nct
ei caut noi parteneri, cu impulsul potrivit, pentru a forma o pereche Cooper
cu impulsul total nul (P=0). Deci, n perechea Cooper partenerii se schimb
continuu, perechile apar i dispar ntr-o constituie nou. Din acest motiv toi
electronii din sistem sunt legai unul cu altul astfel nct atunci cnd scoatem
din sistem un electron dintr-o pereche Cooper, acesta trebuie rupt nu din
perechea lui ci din ansamblul sistemului de perechi n plin interaciune, ceea
ce e mult mai dificil.

136
n concluzie, n urma interaciunilor electron-foton, la temperatura
T<Tc are loc o restructurare a strilor i nivelelor de energie ale electronilor
din metal, n urma creia se formeaz starea de supraconductibilitate ce se
caracterizeaz printr-o stare energetic excitat, n care un electron este liber
i rupt de perechea lui.
Supraconductibilitatea se afl deasupra strii fundamentale a
colectivului de perechi Cooper n interaciune i e separat de aceasta printr-
un interval finit de energie (band de energie interzis) n care nu exist
nivele energetice.
Existena benzii de energie interzise explic dispariia total a
rezistenei electrice a metalelor aflate n stare de supraconductibilitate.
n lipsa cmpului electric toate perechile Cooper au impulsul nul, adic
curentul electric este nul. Aplicnd un cmp electric E, cei doi electroni care
formeaz perechea Cooper primesc un impuls suplimentar q<>0 ceea ce face
ca impulsurile electronilor din pereche s nu se compenseze reciproc,
impulsul total al perechii fiind :
(p+q)+(-p+q)=2q 0 (3.13)
n aceste condiii fiecare pereche se afl n micare adic ntreg
colectivul de perechi (de bosoni) se deplaseaz n spaiu ca un ntreg, ceea ce
reprezint un curent electric.
Rezistena electric apare datorit mprtierii napoi a electronilor de
ctre oscilaiile reelei. Electronii legai n perechi Cooper, nu sunt mprtiai
pe defectele reelei sau pe fotoni. ntreg colectivul de perechi Cooper, n
interaciune, se mic n metalul supraconductor fr ca acesta s-i opun
rezisten. Deci rezistena electric a supraconductorului e nul.
Odat cu dispariia benzii interzise dispare starea de supraconduc-
tibilitate i repare starea normal.
Studiul fenomenului supraconductibilitii n conformitate cu cele
prezentate mai sus, are la baz teoria supraconductivitii elaborate n anul
1957 de ctre John Boredeen, Leon Cooper i Robert Schrieffer, valabil
numai pentru materiale supraconductoare (supraconductori de tipul I).
Trecerea supraconductorilor din stare normal n stare de
supraconductoare este reversibil i nsoit de modificri ale proprietilor
mecanice, termice i magnetice ale acestora.
Transformrile mecanice i termice sunt nsoite de transformri
magnetice, deoarece n interiorul supraconductorului se localizeaz o anumit
cantitate de energie mecanic :

=
a
B
0
a
m
B d M W (3.14)

137
M - vectorul magnetizaie ;
B
c
vectorul induciei magnetice aplicate din interiorul conductorului
considerat
Cmpul magnetic este "expulzat" din interiorul supraconductorului,
prin efect Meissener n mod diferit n diverse materiale.
Cmpul magnetic de tipul I (moi) sunt metale supraconductoare pure,
caracterizate printr-o anumit intensitate critic a cmpului magnetic (Hc) la
care, n condiii adecvate de temperatur cmpul magnetic din interiorul lor
dispare brusc, iar ele devin diamagnetice.
Figura 3.6. Efectul Meissner la supraconductoare moi
Mai exact n timp ce inducia magnetic B scade la zero n interiorul
supraconductoarelor pure, curentul se concentreaz ntr-un strat subire la
periferia acestora nemaiputndu-se vorbi de o densitate de curent n sensul
clasic al cuvntului. Din acest motiv i pentru-c intensitatea critic de cmp
magnetic e relativ mic (H
c
) supraconductorii de tipul I au aplicaii foarte
reduse.
Cu totul alta e situaia la supraconductoarele de tipul II sau duri care
sunt aliaje metalice binare sau ternare, caracterizate din punct de vedere
magnetic prin dou intensiti critice de cmp magnetic (Hc
1
i Hc
2
). La
intensiti mici de cmp magnetic, sub valoarea Hc
1
tranziia n stare
supraconductoare e similar cu cea a supraconductorilor de tipul I.
Dac intensitatea cmpului magnetic crete, diamagnetismul se
reduce progresiv, iar la intensiti de cmp magnetic H=Hc
2,
efectul Meissner
este complet. Aceast stare eterogen, care apare ntre valorile cmpurilor
magnetice critice Hc
1
i Hc
2,
se explic prin existena unor domenii
supraconductoare alternnd cu domenii avnd conductivitatea normal.
138
Valorile intensitii cmpului magnetic Hc
2
sunt ridicate ceea ce e
important n aplicaii deoarece prin aceasta se pot obine densiti mari de
curent n supraconductorii de tipul II. n plus temperaturile critice sunt mai
ridicate la supraconductorii de tipul II i sunt cuprinse ntre 10 K i 21 K.
Figura 3.7. Efectul Meissner supraconductoare dure
Supraconductorii de tip II posed pierderi importante n curent
alternativ n special datorate pierderilor prin histerezis. Un alt dezavantaj este
efectul de degradare adic intensitatea curentului critic e ntotdeauna mai
mic la bobinele supraconductoare (din supraconductoare lungi) dect la
supraconductori scuri.
Defectul de degradare poate fi redus prin cuplarea supraconduc-torului
cu un hiperconductor, hiperconductorul fiind un bun conductor de
electricitate (Cu, Ag) nu prezint fenomenul de supraconductibilitate.
Rezistena hiperconductorului scade cu temperatura, dar rmne
considerabil mai ridicat dect a unui supraconductor veritabil.
Aliajele supraconductoare pe baz de niobiu se obin prin procedee
metalurgice. Au fost realizate aliaje pe baz de niobiu cu (22-33) % Zr sau cu
(55-80) % Ti. De asemenea au fost realizate supraconductoare ternare de tipul
Nb-Ti-Zr, Nb-Ta-Ti.
Dificultile tehnologice cele mai mari au constat mai ales n alegerea
unei tehnologii optime de laminare i trefilare. n acest sens s-a aplicat o
placare prealabil cu Cu a suprafeei supraconductorilor, urmat apoi de
laminare i trefilare.
139
Pe lng aceasta au fost aplicate i alte procedee pentru mbuntirea
tehnologiilor de prelucrare :
- folosirea unor tipuri noi de filiere cu protecie de Cu-Ni, care s
permit o finisare superioar a suprafeei.
- mbuntirea regimului termic de recoacere al aliajelor
supraconductoare n procesul de trefilare aplicat concomitent pe maini de
trefilare cu recoacere continu
- obinerea supraconductorilor compui: V
3
Si i V
3
Si
x
C
1-x
cu structur
A
15
sub form de straturi subiri, topite n arc, n atmosfer de argon i cu
fascicul de electroni, n vid, la presiunea de 10
-6
torri
- realizarea aliajelor de tip NB
3
Sn di faz de vapori, aplicnd
evaporarea n vid cu fascicul de electroni prin nclzirea substratului din
monocristalul de safir la 750-760 C la presiunea de 2,7 . 10
-6
torri.
O tendin actual n realizarea unor noi tipuri de aliaje
supraconductoare o constituie posibilitatea de funcionare a supraconduc-
torilor la inducii magnetice mari de 8,5 T i temperaturi de 4,2 K pn la
inducii magnetice de 10 T la temperatura de 2,17 K. n cmpuri magnetice
de inducie 5 T densitatea critic de curent este de ordinul a 1,5 . 10
9
A/m
2
.
Pe aceast baz s-au realizat aliaje de Nb
3
Sn, aplicabile n cmpuri
magnetice de inducie 10 T la care aliajele Nb-Ti nu pot funciona.
S-au obinut de asemenea aliaje de V3Ga cu o mare densitate critic de
curent, care dei au temperatur critic T
c
=15 K mai mic dect a Nb
3
Sn care
e de 18 K, totui pot funciona n cmpuri magnetice de inducie 12-16 T.
ntruct realizarea V
3
Ga se face la 700 C iar a Nb
3
Sn la 900-1000 C
obinerea V
3
Ga se face cu un grad mai mare de omogenizare.
Aplicaiile supraconductibilitii n transportul feroviar, n construcia
garniturilor de cale ferat cu pern magnetic permit nu numai mrirea vitezei
comerciale a trenurilor dar i reducerea substanial a consumurilor
energetice n comparaie cu transportul feroviar convenional.
Traciunea feroviar pe pern magnetic se face prin aciunea forelor
magnetice Lorentz create n sistemul criomagnetic al echipamentului rulant i
n calea de rulare.
Mrimea acestor fore se determin cu relaia :

m
N
B i F
L
=
(3.15)
unde, I=intensitatea curentului continuu care circul n nfurarea magnetic
a criomagneilor ; B=inducia magnetic.
Deplasarea unui tren echipat cu criomagnei supraconductori, n
condiii optime, impune ca interstiiul dintre criomagnei i calea de rulare s
nu depeasc 1 cm.

140
Cercetrile n domeniul aplicrii fenomenului supraconduciei n
construcia mainilor electrice de curent continuu i curent alternativ
efectuate n SUA, Rusia, Anglia, Germania i Frana au fost orientate ctre
realizarea unor tipuri de maini electrice de curent continuu heteropolare i
homopolare i de maini sincrone utilizate n construcia de turbogeneratoare.
A fost realizat o gam larg de maini electrice de curent continuu
heteropolare pentru puteri de 1-10.000 KV n Anglia (firma International
Research and Development - IRD) i Germania (firma Siemens).
Cercetarea tiinific n acest domeniu e orientat ctre realizarea de
turbogeneratoare cu mari puteri aparente de peste 10.000 MVA, precum i a
unor tipuri specifice de maini sincrone cu nfurri supraconductoare pentru
tehnici de vrf (tehnica spaial i energetica nuclear).
n electronic, telecomunicaii i tehnic de calcul cercetarea tiinific
a obinut rezultate importante prin realizarea i aplicarea jonciunilor
Josephson care i-au gsit un larg cmp de aplicaii n realizarea de
magnetometre pentru msurtori n biomagnetism i geomagnetism;
msurarea susceptibilitii magnetice; msurtori de precizie a tensiunilor
electrice de ordinul a 10
-15
V; msurtori tensometrice, efectuate la
temperaturi foarte joase de ordinul a 10
-2
-10 K ; producerea de circuite
integrate pentru calculatoare electronice cu timp de rspuns de 10
-12
s i puteri
consumate foarte mici de ordinul a 10
-6
-10
-9
N ; msurtori de frecvene n
domeniul microundelor de ordinul THz n cazul oscilatorilor i detectorilor ;
robotic i automatizri industriale.
Utilizarea fenomenelor de supraconducie, n aplicaiile tehnice,
asociat cu criza actual de energie i materii prime a impulsionat
intensificarea cercetrilor fundamentale i aplictive n acest domeniu. S-au
efectuat i se desfoar n continuare ample cercetri pentru aplicarea
supraconductorilor n construcia marilor sisteme electroenergetice pentru
transmiterea fr pierderi sau cu pierderi minime a puterilor electrice la valori
de peste 700 MVA, pn la 3.000 4.000 MVA i de la tensiuni depind
tensiunea de 400 KV pentru atingerea unor nivele de 3.000 KV, sisteme rcite
cu heliu lichid (cabluri electrice, accesorii de cabluri, transformatoare i
maini electrice).
n diferite ri se fac cercetri privind utilizarea magneilor
supraconductori n: biologie (la creterea plantelor, psrilor i animalelor);
chimie (pentru conducerea reaciilor chimice i catalitice) ; medicin (pentru
vindecarea anevrismelor fr intervenii operatorii); fizica Corpului solid,
microscopia electronic i studiul cercetrii metalelor, producerea energiei n
energetica termonuclear i n instalaiile magnetohidrodinamice cu magnei
supraconductori.
141
Alte domenii de cercetare sunt: tratarea apelor reziduale, ecranarea i
formarea cmpurilor magnetice cu ajutorul foliilor supraconductoare; n fizica
energiilor nalte; accelerarea particulelor elementare prin magnei dipolari i
cvadripolari, n cmpuri magnetice cu inducia de ordinul a T si cu energii
de circa 800 MJ.
Deci se poate spune c supraconductibilitatea are un rol esenial n
dezvoltarea gradului de tehnologizare, deschiznd o nou er n acest
domeniu, i merit toat atenia de care se bucur din partea celor mai mari
laboratoare i cercettori ai lumii.
3.2. PROPRIETI TERMOELECTRICE ALE
CONDUCTOARELOR.
Fenomenele ce au loc la punerea n contact a semiconductorilor se
regsesc, n parte pe aceleai baze fizice, i n cazul metalelor i aliajelor de
naturi diferite, avnd drept consecin apariia unei diferene de potenial ntre
corpurile respective.
Elementele metalice au fost aranjate ( de ctre Volta) ntr-o succesiune,
numit seria lui Volta: Al, Zn, Sn, Cd, Pb, Sb, Bi, Hg, Fe, Cu, Ag, Au, Pt, Pd,
astfel c la punerea n contact a dou (sau mai multora) dintre ele, cel ce se
afl mai n fa obine potenialul mai electropozitiv. Apariia diferenei de
potenial ntre piesele metalice aflate n contact, la o temperatur dat (T) este
determinat de energiile de extracie a electronilor, diferite de la un metal la
altul i de diferena ntre concentraiile de electroni liberi. Diferena de
potenial variaz cu temperatura.
Dac se consider dou metale (sau aliaje) diferite (A) i (B) nainte de
punerea lor n contact, zonele de conducie i respectiv nivelele Fermi
diferite, se vor situat pe scara energiilor ca n fig. 3.8, n care s-a notat cu
(
A
= respectiv (
B
) energia de extracie a electronului din atomul metalului
respectiv. S-a considerat c (
B
<
A
).
Dup punerea n contact a celor dou metale admind c modificrilor
energiei i potenialului sunt reprezentate numai de ctre metalul (B), cum
(
B
<
A
), va avea loc difuzia de electroni dinspre (B) spre (A).
142
Figura 3.8. Nivelele energetice ale metalelor naintea punerii n contact
Difuzia se continu pn cnd se stinge echilibrul termodinamic, cnd
nivelele Fermi (F
A
) i (F
B
) coincid. Diferenei energiilor de extracie, care
apare i corespunde o diferen de potenial, astfel c se poate scrie:

( )
AB B A B A
' eU ' V ' V e = = =

(3.16)
unde s-a notat cu ( )
A B AB
' V ' V ' U = .
n fig. 3.9. este reprezentat diagrama nivelelor de energie corespunz-
toare metalelor (A) i (B) dup punerea lor n contact.
Figura 3.9. Nivele energetice ale metalelor n contact
143
Dac se consider i concentraiile de electroni (n
A
) i (n
B
) ale celor
dou metale ca fiind diferite, de exemplu n
B
> n
A
, rezult c aceasta constituie
o nou cauz a difuziei de electroni din (A) spre (B) ceea ce determin
apariia a nc unei diferene de potenial (U"
AB
). n ipotezele admise pentru
energiile de extracie i pentru concentraiile de electroni rezult c metalul
(B) pierde electroni, rmnnd cu un exces de sarcin pozitiv (deci ca
potenial pozitiv), iar metalul (B) primind electroni va obine un potenial
negativ. Cmpul electric de difuzie care apare stabilete echilibrul ntre
cmpul de difuzie i concentraiile electronilor se poate stabili mai operativ
apelnd la teoria clasic, deci asimilnd electroni liberi cu gazul perfect.
Din teoria cinetic a gazelor se deduce c pentru un gaz cu n
molecule pe unitatea de volum, avnd fiecare energia medie (W), presiunea
pe care gazul o exercit asupra unitii de suprafa (de exemplu considernd
incinta ca fiind un cub cu aria forei egal cu unitatea), innd seama de cele
trei grade de libertate ale moleculei, ca fiind:

nW
3
2
p = (3.17)
sau cum energia medie a moleculei, la temperatura (T), este:

kT
2
3
W =

(3.18)
rezult c (3.17) devine:

nkT p =

(3.19)
Dac se consider un tub elementar de lungime (dx) i seciunea (sD)
plasat n zona de frontier dintre metalul (A) i metalul (B) astfel ca baza (a)
a acestuia s se afle n (A) iar baza (b) n (B), rezult c dac n (a)
concentraia este (n) iar presiunea (p), n (b) concentraia va fi (n+dn) iar
presiunea (p+dp), nct pe baza relaiei (4.36) rezult:

( ) dn n kT dp p + = +

(3.20)
sau:

dn kT dp =

(3.21)
Fora care deplaseaz surplusul de molecule (respectiv electroni) din (b)
spre (a) este de natur mecanic i rezult din:

dS dn kT D d dn =

(3.22)
Pe de alt parte apariia, n urma difuziei, a diferenei de potenial i a
cmpului electric de difuzie (F = dV/dx), asupra electronilor va aciona fora
de natur electric

E e dS dx n qE =

(3.23)

144
Cum cele dou fore (4.39) i (4.40) la echilibru sunt egale i opuse,
rezult c:

n
dn
e
kT
dV =

(3.24)
Integrnd (4.41) ntre (V"
A
) i (V"
B
) respectiv (n
A
) i (n
B
) se obin
diferena de potenial:

B
A
AB
n
n
ln
e
kT
" U =

(3.25)
Diferena de potenial rezultant, innd seama de (3.16) i (3.25) este:

AB AB AB
" U ' U U + =

(3.26)
Figura 3.10. Principiul termocuplului
Datorit faptului c (U"
AB
) este funcie de temperatura (T) a suprafeei
de contact dintre metale, rezult c se poate constitui o msur a temperaturii.
Deci contactul ntre dou metale sau aliaje diferite poate constitui un
traductor pentru msurarea temperaturii pe cale electric.
Tensiunea (U
AB
) dependent de temperatur se mai numete i tensiune
termoelectromotoare de contact (prescurtat: t.t.e.m.c.).
Traductorul de temperatur a crui funcionare are la baz relaia (3.26)
se numete traductor termoelectric sau termocuplu i poate fi utilizat pentru
msurri de temperaturi de la (1015) K pn la cteva mii de grade.
n principiu utilizarea relaiei (3.26) pentru etalonarea termocuplului
deriv din considerarea acestuia pentru cazul unui circuit nchis, format de
cele dou metale (A) i (B), ca n fig. 3.10. Se consider c temperatura (T
1
)
este mai mare dect (T
2
). n punctul cald (1), cum i se spune suprafeei de
contact (1), tensiunea termoelectromotoare de contact este:

B
A 1
AB 1 AB AB 1 AB
n
n
ln
e
kT
' U " U ' U U + = + =

(3.27)
iar n punctul rece (2) este:
145

B
A 2
AB 2 AB
n
n
ln
e
kT
' U U + =

(3.28)
La ambele suprafee de contact (U'
AB
) fiind aceeai rezult c
(t.t.e.m.c.) ca sum geometric ntre (U
AB1
) i (U
AB2
) este:

( )
B
A
2 1 2 AB 1 AB
n
n
ln
e
k
T T U U U = =

(3.29)
n care:
k este constanta lui Boltzmann;
e este sarcina electronului.
Notnd factorii parantezei cu o constant (A
0
) rezult c (3.29) devine:

( )
2 1 0
T T A U =

(3.30)
sau dac se realizeaz (T
2
= 0) rezult c U msoar numai temperatura
punctului cald (1) i:

( )
1
T f U =

(3.31)
Termocupla se obine n principiu, prin deschiderea circuitului din fig.
3.10 n punctul (2) i conectarea capetelor libere la un milivoltmetru, care
dup etalonare este gradat direct n uniti de temperatur. Reprezentarea
convenional a termocuplului se face n fig. 3.11. La utilizarea n practic a
termocuplului se menine constant temperatura (T
2
) sau chiar nul, nct
tensiunea msurat s fie funcie numai de temperatura punctului cald (1)
introdus n incinta a crei temperatur se msoar.
innd seama de (3.30) este necesar ca pentru termocuplele s se
utilizeze metode i aliaje care s asigure liniaritatea acestei dependene i s
determine o sensibilitate ct mai mare. Ca metale se utilizeaz: Fe, Cu, Ag,
Ni, Ir, W, Cr, Pt etc. De asemenea se utilizeaz aliaje, n special n practic se
remarc: 1. Constantanul (40% Ni + 60% Cu), 2. Copelul (44% Ni + 2%
Mn+Cu); 3. Alumelul (95% Ni+Al, Si, Mg); 4. Cromelul (90% Ni + 10% Cr),
sau aliajul pe baz de platin rhodiat (90% Pt + 10% Rh). Perechile de aliaje
alese n practic depind de valoarea temperaturii ce urmeaz a fi msurate. Ca
exemple se consider: 1) Fe Constantan; 2) Ag Copel; 3) Cromel Copel,
toate pentru 600 [C]; 4) Cromel Alumel 1000 [C]; 5) PtRh Pt
1600 [C]; WWM
0
1800 C i 7) I
r
I
r
R
t
2300 C.
Pentru temperaturi criogene se folosete Cu Constantan pn la (
257 [C] sau elemente din aliaje nobile pn la (255 C) avnd ns o
sensibilizare mai mare dect primele. De obicei primul element al perechii
este cel care obine potenialul mai electropozitiv i este reprezentat n fig.
3.11 cu linie mai groas.
146
Figura 3.11. Msura temperaturii cu termocuplul

3.3. MATERIALE DE MARE CONDUCTIVITATE
Dup valoarea conductivitii electrice, materialele conductoare de
ordinul I se mpart n dou grupe: 1. conductoare, de mare conductivitate i
2. conductoare de mare rezistivitate.
Conductoarele de mare conductivitate, cum este cuprul i aluminiul, se
utilizeaz pentru bobinele mainilor, transformatoarelor i aparatelor
electrice. n alte situaii se utilizeaz materialele de mare conductivitate cu
destinaie condiionat, cum sunt: argintul, fierul, zincul, staniul, volframul,
molibdenul, platina, aurul, nichelul, cromul, etc.
3.3.1. CUPRUL.
Cel mai utilizat dintre metalele de mare conductivitate este cuprul,
datorit att proprietilor electrice ct i mecanice, foarte potrivite pentru
scopurile urmrite n electrotehnic. Astfel se remarc rezistivitatea mic,
rezistena mecanic corespunztoare, rezistena la coroziune i oxidare bun,
maleabilitatea i ductibilitatea foarte bun etc.
Extragerea cuprului se face din minereuri sulfuroase cum sunt
calcopirita, calcozina; bornita i tetraedrita, sau din minereuri oxidice,
cum sunt: cuprita; malachita i azurita.
Pe o adncime de 3 [km] din scoara terestr, s-a determinat c nu
exist mai mult de 0,01% Cu, ceea ce l face att de deficitar.
147
Extragerea cuprului se face prin rafinri repetate, n atmosfere
reductoare, pentru a se elimina impuritile, mai ales O, Bi, Pb, P, Sb i As,
care au repercusiuni foarte nefavorabile asupra proprietilor cuprului. n
electrotehnic se utilizeaz cuprul obinut pe cale electrolitic a crui puritate
poate ajunge, n faza industrial, pn la 99,993% Cu (STAS 27062), ceea
ce corespunde scopurilor practice.
Se constat c pentru cuprul tras la rece, proprietile mecanice sunt
substanial mbuntite. Totui pentru unele utilizri n electrotehnic
proprietile mecanice ale cuprului nu sunt corespunztoare, cum ar fi de
exemplu liniile de transport de energie electric, liniile de contact n
traciunea electric, contactele de rupere de mare putere, colectoarele
mainilor electrice etc.
Pentru asemenea scopuri se realizeaz aliaje ale cuprului urmrindu-se
mbuntirea proprietilor mecanice fr a se afecta necorespunztor cele
electrice.
Tabelul 3.4. Caracteristicile cuprului
Caracteristici U.M. Cu moale
(recopt)
Cu tare (tras la
rece)
Masa specific (densitatea) kg/dm
3
8,95 8,95
Temperatura de topire C 1083 1083
Rezistena la rupere
(ntindere)
kgf/mm
2
2025 4049
Alungirea relativ (la
rupere)
% 5030 42
Duritatea Brinell kgf/mm
2
4050 80120
Modulul de elasticitate kgf/mm
2
1170012600 1220013000
Temperatura de recoacere C 400600 400600
Temperatura de cristalizare C 250300 250300
Coeficientul de dilataie
termic (24300) C
1/C 17,710
6
17,710
6
Conductivitatea termic cal/cmc.s. 0,941 la 20 C
0,9 la 100 C
0,941 la 20 C
0,9 la 100 C
Cldura specific cal/g C 0,092 0,092

Pentru cteva sorturi de cupru, n raport cu cel electrolitic se prezint n
tabelul 3.5. principalele proprieti electrice.
148
Tabelul 3.5. Proprietile electrice ale principalelor sorturi de cupru.
Caracteristici U.M. Cupru
electrolitic
Cupru
dezoxidat
99,94% Cu
0,02% P
Cupru
foarte pur
99,993%
Cu
Cupru
tehnic
99,92% Cu
0,04% O
Conductivitatea
relativ al 20 C
% 100 84,93 103,06 97,16
Conductivitatea
standard la 20 C
2
mm
m

58 49,26 59,77 56,35

Rezistivitatea la
20 C
m
mm
2

0,01724 0,0203 0,01673 0,01774

Coeficieni de
temperatur al
rezistivitii
1/C 3,39 10
3
20 C
3 10
3
(20
300) C
3,9 10
3
(20
300) C
Principalele aliaje ale cuprului, numite i bronzuri, care se utilizeaz
n electrotehnic sunt realizate cu Cr, Sn, Cd, Be, sau alamele cu Zn. Bronzul
de Cd are mare rezisten mecanic mult mai mare dect Cu, iar bronzul de
Be mult mai mare. Rezistivitatea bronzului de Cd nu depete cu mult pe cea
a cuprului i de aceea este preferat fa de cel de Be.
n tabelul 3.6. sunt prezentate proprietile principale ale ctorva
bronzuri mai frecvente utilizate n practic.
Datorit costului ridicat, dar mai ales rspndirii sale deficitare, s-a
trecut la nlocuirea cuprului cu aluminiu pe scar tot mai larg, n ultimele trei
decenii. n practic este uneori dificil utilizarea cuprului mai ales n prezena
elementelor care l atac (sulful, azotul, acidul azotic i sulfuric, clorul i
srurile de clor). Din cauza sulfului din cauciucul vulcanizat, de exemplu,
conductoarele de cupru se protejeaz prin cositorire sau cu mpletitur de
bumbac de a fi cauciucate.
La punerea n contact cu alte metale, dat fiind c potenialul cuprului
devine pozitiv el este protejat de majoritatea metalelor. n schimb aluminiul,
n contact cu cuprul, obinnd potenial negativ este distrus prin coroziunea
electrochimic.
Protecia cuprului mpotriva coroziunii se realizeaz cu lacuri, mase
plastice, acoperirii metalice sau vopsele pe baz de ulei. Agentul coroziv care
distruge n cel mai scurt timp cuprul este clorul, deoarece produsul coroziunii
este volatil i metalul rmne descoperit.
149
Tabelul 3.6. Caracteristicile principalelor sorturi de bronz.
Caracteris-
tici
U.M. Bronz
fosforos
99,75% Cu
1.25% Sn
Bronz
94% Cu
6% Sn
Bronz
2.5% Be
Bronz
2% Be
0,25%
Co
Bronz
0,9% Cd
Masa specif kg/dm
3
8,89 8,80 8,20 8,23
Rezistena
la rupere
kgf/mm
2

1) recopt 2832 3850 49,5
2) tare 3545 6090 90 49 31
3) tria
resort
4655 35110 120 75140 73
Conductivi-
tatea
termic
cal/cm
c.s.
0,49 0,12 0,20 0,25
Coef. de di-
latare liniar
10
7
/C 178 175 166
Rezistivita-
tea
m
mm
2

0,036 0,15
0,17
0,075 0,068
0,098
0,0181
0,0207
Ulilizri Resoarte,
contacte,
arcuri pen-
tru ntreru-
ptoare
Conductori ae-
rieni, fire tro-
ley, electrozi de
sudur, lamele
de colector,
contacte
Conductori de
mare rezisten
mecanic, arcuri
conductoare, con-
tacte glisante, e-
lectrozi de sudur
Condensatori
aerieni, fire
troley, lamele
de colector,
contacte
3.3.2. ALUMINIUL.
Al doilea metal dup cupru, ca rspndire i utilizare n electrotehnic,
este aluminiul. Dei din unele puncte de vedere este cu mult inferior cuprului,
aluminiul prezint avantajul economic net, c se afl n scoara terestr n
proporie de peste 7,5%.
Aria sa de utilizare este mai restrns ca element conductor, ns n general n
industrie ocup un loc prioritar. Se utilizeaz n electrotehnic pentru
nfurri n transformatoare, maini de inducie, linii de transport i
distribuie a energiei electrice, pentru turnarea coliviei rotorice la mainile de
inducie, iar n ultimii ani chiar i pentru bobinarea generatoarelor sincrone.
150
Extragerea aluminiului se face prin rafinri n atmosfere reductoare, din
dou feluri de minereuri: 1. bauxita (trioxidul de Al) i 2. Criolita (dubl
fluorur de Al i Na). n ara noastr se prepar alumina (Al
2
O
3
) la Oradea,
din minereurile extrase din zona Bihorului i se prelucreaz n combinatul de
la Slatina, ca aluminiu pentru electrotehnic i industrie. Impuritile care
duneaz aluminiului, sunt cele menionate pentru cupru, dar n general
rafinarea sa electrolitic este mai pretenioas.
Principalele proprieti ale aluminiului sunt cuprinse n tabelul 3.7., de
unde se poate observa c spre deosebire de cupru caracteristicile mecanice
sunt mult inferioare iar conductivitatea electric este redus pn la 62% din
cea a cuprului electrolitic standard. Rezistivitatea aluminiului este foarte
intens influenat de unele elemente de aliere cum sunt: Va, Mg, Si, Mn, Fe,
Ti, Ag etc. Din aceast cauz la turnarea coliviilor rotorice pentru maini
electrice de inducie trebuie evitat impurificarea accidental deoarece
aceasta are repercusiuni asupra caracteristicilor funcionale i n special
asupra caracteristicii mecanice a mainii.
Pentru aplicaii n care prezint importan nivelul proprietilor mecanice
cum este cazul nfurrilor pentru maini electrice mari, sau linii de transport
de energie electric, sau chiar i liniile de distribuie a energiei electrice, se
realizeaz aliaje ale aluminiului urmrindu-se ns nealterarea proprietilor
electrice.
Tabelul 3.7.
Caracteristici Unit. de
msur
Al moale Al tare (tras la
rece)
Al
turnat
Masa specific kg/dm
3
2,7 2,7 2,56
Temperatura de topire C 658,7 659,8 660,2
Rezistena de rupere kgf/mm
2
711 1528 912
Alungirea relativ % 3045 28 1325
Duritatea Brinell kgf/cm
2
1525 3570 2432
Modul elasticitate kgf/cm
2
5800
6600
7200
Coef. de dilataie (20
100) C
1/C 200450
Conductivitatea termic cal/cm
C
0,52 la 20 C
0,475 la
200 C
Cldura specific cal/g C 0,214 0,2259
Rezistivitatea 20 C
m
mm
2

0,028
(0,02655)
pentru Al pur

() la 20 C 1/C 4,83 10
3
151
Prin alierea aluminiului cu unele elemente (Fe, Si, Mg) se poate dubla
rezistena la rupere fa de Al pur.
Cel mai utilizat aliaj al aluminiului este aldrey-ul care conine: (0,3
0,5)% Mg, (0,40,7)% Si i (0,20,31%) Fe fiind n general destinat liniilor
de transport de energie electric. Cum conductivitatea electric specifice a
aluminiului pur este de 38 [m/mm
2
], prin aliere cu elementele specifice
aldrey-ului ea scade la (3033) [m/mm
2
] ceea ce corespunde pentru multe
aplicaii n electrotehnic
Un aliaj similar aldrey-ului, denumit condil a fost utilizat cu succes la
construcia unui generator sincron de 200 [MVA], 20 [kV] i 3600 [rpm], n
SUA, dovedindu-se compatibilitatea acestui metal cu cerinele mainilor
electrice de puteri mari. n paragraful (4.1.2.1.1.) au fost prezentate avantajele
utilizrii aluminiului la temperaturi criogene la care proprietile sale att
electrice ct i mecanice se mbuntesc substanial.
Din punct de vedere economic rezult avantajele nlocuirii cuprului cu
aluminiul, fcnd comparaia aciunilor i a greutilor a dou linii de aceeai
lungime i aceeai rezisten electric total. Se gsete c seciunea liniei de
aluminiu este cu 62% mai mare dect a cuprului (iar diametrul firului rotund
cu 30% mai mare) n schimb greutatea acesteia este numai 50% din cea a
cuprului. Creterea diametrului la linii de transport conduce la reducerea
pierderilor prin efect corona, iar micorarea greutii ieftinete construcia
liniei, necesitnd stlpi mai supli i mai distani. De asemenea dac se
compar conductivitatea electric ctre masa specific determinat separat
pentru Cu i Al, rezult avantajul nlocuirii cuprului cu aluminiu. Pentru
transformatoare de putere mijlocie i maini electrice de curent alternativ,
nlocuire Cu cu Al se poate realiza fr nrutirea caracteristicilor, iar la
aceasta se adaug avantajul reducerii greutii construciei.
3.3.3. ALTE MATERIALE CONDUCTOARE.
Pe lng Cu i Al se utilizeaz n electrotehnic n special Fe pentru
linii de telecomunicaii sau pentru asigurarea rezistenei mecanice necesare
liniilor de transport de energie confecionate din aluminiu. Liniile de
telecomunicaii se realizeaz din fier zincat pentru al proteja mpotriva
coroziunii. Fierul are rezisten mecanic foarte bun, ns n curent alternativ
prezint efect pelicular pronunat.
152
Ca urmare nu este posibil compensarea valorii mari a rezistivitii
( = 0,1~0,13 mm
2
/m) prin majorarea seciunii, cu intenia de a reduce
rezistena total a liniei deoarece se obin efecte inverse. n telecomunicaii la
frecvene n domeniul de (2000~8000) Hz se utilizeaz firele de Fe acoperite
cu un strat de Cu care asigur conductivitatea ridicat.
Metalul cu cea mai mare conductivitate este Ag care poate asigura att
protecia mpotriva coroziunii ct i a rezistivitate redus n construciile de
cureni slabi destinate comutrii circuitelor cum sunt releele i microreleele,
microntreruptoarele, sau chiar contactele fixe din circuitele de cureni tari.
n tabelul 3.8. sunt prezentate cteva caracteristici ale diferitelor metale
utilizate n electrotehnic, pe lng Cu i Al.
Tabelul 3.8. Proprietile unor materiale conductoare
Metalul Densitatea
kg/dm
3
20 C
mm
2/m
Cldura
specific
cal/g C
Conductivitatea
termic
cal/cm cs
Ag 10,5 0,0162 0,0575 1,01
Au 19,3 0,023 0,031 0,07
Fe 7,86 0,105 0,111 0,174
Pb 11,3 0,21 0,0309 0,085
Mg 1,74 0,046 0,25 0,338
Hg 13,55 0,96 0,0332 0,021
Ni 8,9 0,09 0,109 0,215
W 19,3 0,06 0,35
3.4. MATERIALE CONDUCTOARE DE MARE REZISTIVITATE.
Pentru unele aplicaii n electrotehnic sunt necesare conductoare care
s prezinte rezisten electric mare la un volum relativ reduc. n aceste
cazuri trebuie s se utilizeze materiale cu rezistivitate mult mai mare dect a
conductoarelor obinuite, ceea ce se realizeaz prin elaborarea de aliaje
special destinate acestor scopuri.
Dup domeniile crora le sunt destinate aliajele de mare rezistivitate se
grupeaz astfel:
153
1) aliaje pentru rezistene etalon, rezistene de precizie, unturi i
rezistene adiionale pentru instrumente electrice
2) aliaje pentru reostate
3) aliaje pentru elemente de nclzire electric.
Condiiile ce se impun acestor materiale depind de domeniul de
utilizare. Pentru metalele din grupa (1) este necesar s prezinte (t.t.e.m.c.) fa
de cupru ct mai mic pentru a influena mrimile msurate, mai ales cnd
acestea sunt foarte mici. Totodat trebuie sp aib coeficient de temperatur al
rezistivitii ct mai mic, orice aliaj destinat celor trei grupe, pentru a se
asigura meninerea constant a temperaturii la variaia temperaturii. n plus
materialele pentru grupa (2) trebuie s suporte nclzire pn la 250 [C] fr
a deveni casante la rcire, iar cele din grupa (3) s-i menin aceste caliti
pn la 1500 [C].
n prima grup se utilizeaz manganinele (Cu 80% + Mn + Ni sau Al)
a cror rezistivitate ajunge la 0,43 [mm
2
/m] iar (t.t.e.m.c.) fa de cupru
U = 2 [V/C], sau aliaje pe baz de Ag + (10% Mn + 8% Sn) care are
rezistivitatea = 0.55 mm
2
/m.
Pentru grupa a doua se utilizeaz materiale de tipul constantanului, cum
sunt:: 1) Neusilber (Cu+Zn+Ni), nicheli (Cu, Zn, Ni) sau 2) Nichelina
(Cu+Ni+Mn), aceasta din urm fiind superioar celorlalte deoarece nu
conine Zn (care determin casana dup rcire).
Pentru grupa a treia se folosesc materiale pe baz de Ni i Cr cum sunt
Nicromul i Feronicromul; sau aliaje pe baz de fier care conin pe lng ni
sau Cr i Al sau Si elemente ce asigur creterea substanial a rezistivitii n
combinaie cu Fe. Aliajele e baz de de Ni au rezistivitatea cuprins n
limitele (1.051,1) [mm
2
/m] iar cele pe baz de Fe ntre (0,9
2,2) [mm
2
/m]. Dintre aliajele pe baz de Fe cele mai utilizate sunt
Feronichel (Fe, Ni, Cr), Fecral (Fe, Cr 15%, Al 5%), Kantal (Fe, Cr 21%, Al
5%), Cromal (Fe, Cr 30%, Al 4,5%), aliajul Kornilov nr. 4 (Fe, Al, Cr peste
69%) care are temperatura de regim de 1500 [C] i rezistivitatea de
2,2 [mm
2
/m]. Aliajele din grupa treia se utilizeaz pentru aparte
electromecanice etuve i cuptoare de laborator, cuptoare industriale etc.
3.5. MATERIALE PENTRU CONTACTE ELECTRICE.
Materialele destinate contactelor electrice glisante, sau celor de rupere
de mic putere sau de mare putere trebuie s aib mare rezisten la eroziune
electric (sub aciunea aerului) duritate mare, conductivitate electric i
termic mare, deci s ndeplineasc condiii uneori contradictorii.
154
Pentru contacte de rupere de mic putere se utilizeaz metale nobile
(ag, Au, Pt, Os, Ir) care au neajunsul c sunt scumpe, iar Ag i Au prezint
tendina de a forma puni de legtur foarte subiri (sub aciunea fitingurilor A
i B) care sudeaz contactele.
n cazul contactelor de rupere de mare putere se utilizeaz plcue
din materiale sinterizate, sau impregnate (o component greu fuzibil de
exemplu W, Or, Cd, cu una de mare conductivitate cu Ag, Cu, Ni, sau
bronzuri de be i de Cd. La contactele electrice de rupere de mare putere
apare necesitatea ruperii curenilor inteni (pn la 30004000 A) sau a unor
cureni mai mici dar sub tensiuni nalte (61000 kV). Ca urmare materialele
pentru aceste contacte trebuie s prezinte proprieti corespunztoare. Astfel,
combinaiile WCu cu rezistivitate redus, duritate i temperatur de topire
mari, suport presiuni mari de contact i sunt recomandate a funciona n ulei.
155
Pentru verificarea cunotinelor din acest capitol rspundei n mod
concis la urmtoarele ntrebri:
1. Ce este un material conductor?
2. n ce domeniu variaz conductivitatea unui material conductor?
3. Definii coeficientul de variaie cu temperatura a rezistivitii?
4. Ce este un material conductor de ordinul I?
5. Cine sunt purttorii de sarcin ntr-un material conductor de ordinul I?
6. Ce este un material conductor de ordinul II?
7. Cine sunt purttorii de sarcin ntr-un material conductor de ordinul II?
8. Dai exemple de materiale conductoare de ordinul I.
9. Dai exemple de materiale conductoare de ordinul II.
10.Ce este un material supraconductor?
11.Ce este un material hiperconductor?
12.La ce temperaturi apar proprietile supraconductoare ale materialelor?
13.Ce proprieti magnetice au materialele supraconductoare?
14.Ce este scara lui Volta?
15.Ce componente intr n tensiunea termoelectromotoare de contact?
16.Ce este un termocuplu?
17.Ce materiale se folosesc la realizarea termocuplelor?
18.Care sunt cele mai utilizate materiale conductoare?
19.Ce aliaje ale Cuprului cunoatei?
20.Ce aliaje ale Aluminiului cunoatei?
21.Ce materiale se folosesc la realizarea contactelor electrice de for?
22.Ce materiale se folosesc la realizarea contactelor electrice de mic
putere?.
23.Definii un material conductor de mare rezistivitate.
24.Clasificai materialele conductoare de mare rezistivitate
25.Ce proprieti au materialele folosite la realizarea rezistenelor etalon?
26.Ce materiale se folosesc la realizarea rezistenelor etalon?
27.Ce proprieti au materialele folosite la realizarea rezistoarelor
industriale?
28.Ce materiale se folosesc la realizarea rezistoarelor industriale?
29.Ce proprieti au materialele folosite la realizarea elementelor de
nclzit electrice?
30.Ce materiale se folosesc la realizarea elementelor de nclzire electrice?
156
157
4. MATERIALE MAGNETICE
Materialele magnetice prezint proprietatea de a modifica cmpul
magnetic exterior n care sunt introduse, concentrnd liniile de cmp n
interiorul corpului. Materialele magnetice, permeabile cmpului magnetic
i datoreaz aceast proprietate modificrii propriei lor stri de
magnetizare sub aciunea unui cmp magnetic exterior.
Starea de magnetizare este datorat micrilor microparticulelor din
constituia corpurilor, adic a electronilor i nucleelor atomice.
4.1. MAGNETIZAREA CORPURILOR
Micrii orbitale a electronului, ntr-un corp solid metalic, n jurul
nucleului i respectiv momentului cinetic orbital i corespunde un moment
magnetic orbital determinat de relaia:
co mo M
m 2
e
M = (4.1)
unde: e este sarcina electronului; m masa acestuia iar M
co
momentul
cinetic orbital.
De asemenea micrii spin a electronului, deci momentului cinetic de
spin (M
cs
) i corespunde un moment magnetic de spin:
cs ms M
m
e
M = (4.2)
Dup relaia (4.2), rezult c momentul magnetic de spin al electro-
nului este mai mare dect momentul magnetic orbital (4.1).
Similar electronului se stabilete momentul magnetic de spin al
nucleului atomic, ns cum masa acestuia este de aproximativ (10
3
) ori mai
mare dect cea a electronului, rezult innd seama de (4.2) c momentul
su magnetic de spin este neglijabil.
Dac se ia n considerare faptul c micarea orbital a electronilor
este puternic influenat de atomii vecini din reeaua cristalin, rezult c
orientarea momentelor cinetice orbitale ale electronilor dup un cmp
magnetic exterior, este extrem de redus, nct contribuia acestor
momente la magnetizarea atomului este neglijabil.
158
Prin urmare magnetizarea atomului este datorat cu precdere mo-
mentelor magnetice de spin ale electronilor.
Cum starea energetic a electronului este cuantificat i momentele
magnetice de spin sunt cuantificate.
Momentul cinetic de spin al electronului conform teoriei cuantice,
poate avea numai dou direcii de orientare n raport cu direcia unui cmp
magnetic exterior i anume:

=
2
h
2
1
Mcs (4.3)
unde: h este cuanta de energie (adic constanta lui Plank).
nlocuind (4.3) n (4.2) rezult c momentul magnetic de spin al
electronului poate avea valorile cuantificate:

1
2

2
1
=

=
m
e h
M ms (4.4)
unde valoarea momentului magnetic de spin s-a considerat drept unitate de
msur i se numete magneton ProcopiuBohr, dup numele fizicianului
romn tefan Procopiu (care a stabilit n 1913 momentul magnetic orbital
al electronului) i fizicianul N. Bohr. Din (4.4) rezult c valoarea unui
magneton ProcopiuBohr este 1 = 9,27 10
24
[Am
2
].
Momentul magnetic propriu al atomului ( ) p M rezult ca sum cuan-
tic a momentelor magnetice ale electronilor i nucleului.
n consecin elementele ale cror electroni i compenseaz reciproc
momentele magnetice de spin, ca i cele orbitale, cum sunt atomii care au
straturile electronice complet ocupate, prezint moment magnetic al
atomului nul. Elementele de tranziie ns, cum sunt Fe, Co i Ni posed
straturi electronice incomplete, astfel c atomii acestora prezint momente
magnetice ale electronilor necompensate. Fierul de exemplu, posed pe
stratul (3d) cinci electroni de spin pozitiv (+5) i un electron de spin
negativ (1) deci un moment magnetic propriu avnd valoarea (4). La fel
pentru Co exist trei electroni necompensai, iar Ni are doi electroni
necompensai.
Deci condiia ca un atom s posede moment magnetic propriu ( ) p m
rezid n existena electronilor cu spini necompensai, n structuri
electronice incomplete.
Vectorul de magnetizare ( ) M al corpului, n funcie de mrimile
microscopice (adic specifice microparticulelor din atom) rezult ca sum
a momentelor magnetice proprii ale atomilor din unitatea de volum.
p m M = (4.5)
159
La nivelul mrimilor macroscopice, starea de magnetizare a unui
corp izotrop, omogen i cu temperatura constant n toat masa sa, lipsit de
polarizaie magnetic proprie, cnd este introdus ntr-un cmp magnetic
exterior de intensitate ( ) H este determinat n fiecare punct al corpului de
vectorul inducie magnetic ( ) B conform legii de legtur n cmp
magnetic:
M H B
0 0
+ = (4.6)
unde:
0
= 4 10
7
[H/m] este permeabilitatea magnetic a vidului;
= 1 n S.I.U. i cu (4) n sistemele neraionalizate, constituie o
constant de proporionalitate. Pentru corpurile cu polarizaie magnetic
temporar liniar vectorul de magnetizaie este de forma:
H M
m
= (4.7)
unde:
m
constituie susceptivitatea magnetic a corpului. nlocuind (4.7)
n (4.6) pentru ( = 1) rezult
( )H 1 B
m 0
+ = (4.8)
sau notnd:
m r
1 + = (4.9)
care constituie permeabilitatea magnetic relativ, (4.8) devine:
H H B
r 0
= = (4.10)
unde: este permeabilitatea magnetic absolut a materialului. Din (4.7)
i (4.9) se obine vectorul de magnetizaie sub forma:
( ) H M
r
= 1 (4.11)
dependent de mrimile macroscopice determinabile pe cale experimental,
sau legtura ntre acestea i mrimile microscopice:
( ) p
r
m H 1 = (4.12)
pentru concentraia (n
0
) dat a atomilor suma din (4.12) poate fi
determinat, considernd valoarea medie a proieciei ( ) p m dup direcia
cmpului magnetic exterior.
Magnetizaia ( ) M poate avea o component temporar ( ) t M care este
diferit de zero numai dac (H 0) corespunztor relaiei (4.7) pentru
medii liniare, sau o component permanent ( ) p M diferit de zero i n
absena cmpului magnetic exterior.
160
4.2. CLASIFICAREA MATERIALELOR MAGNETICE
Dup orientarea momentelor magnetice proprii ale atomilor,
respectiv dup valoarea susceptibilitii magnetice (sau a permeabilitii
magnetice relative) corpurile solide se clasific n 1. diamagnetice,
2. paramagnetice, 3. feromagnetice, 4. antiferomagnetice i
5. ferimagnetice. n tabelul 4.1.este prezentat ansamblul general al acestei
clasificri.
Din tabelul 4.1 se observ c pentru materialele diamagnetice i
paramagnetice, cum (
r
1) i (
m
0) n (4.10) se poate considera =
0
,
adic ( ) B depinde liniar de ( ) H .
Tabelul 4.1. Clasificarea materialelor magnetice
Felul
materialului
Momentul
magnetic
propriu m
p
al atomului
Orientarea momentelor
magnetice ale atomilor

m

r
Exemple
1.Diamag-
netice
0 mp =
10
5
1 H, C, Ne,
Ag, Cu, Hg
2.Paramag-
netice
0 mp
haotic +10
3
1 Al, Pt, C
r
oxizi
3.Feromag-
netice
0 mp
homopolarele pe dome-
nii
foarte
mare
Fe, Ni, CO
4.Antifero-
magnetice
0 mp
Antiparalele pentru dou
sisteme de atomi diferii
m
p
= 0
1 Oxizi de Mn,
Fe, Co, fluor
5.Ferimag-
netice
0 mp
Idem dar m
p
0
mare amestecuri de
oxizi metalici
n cazul materialelor feromagnetice care constituie mpreun cu cele
feromagnetice categoriile cele mai importante pentru practic, legea
polarizaiei magnetice (4.10) prezint o variaie neliniar.
Diamagnetismul este caracterizat printr-o susceptibilitate magnetic
mai mic dect zero ( m <0), respectiv o permeabilitate mai mic dect
unitatea ( <1). Susceptibilitatea acestor substane este de ordinul
6
10

.
Ele au un coeficient de magnetizare negativ. Substanele diamagnetice
introduse ntr-un cmp magnetic sunt slab respinse de acesta. Repulsia este
proporional cu intensitatea cmpului magnetic. Magnetizaia substanelor
diamagnetice este independent de temperatur.
161
Din grupa substanelor diamagnetice fac parte: Ag, Au, Hg, Si, Ge,
Sn, Pb, B, Be, Cu, As, Sb, Bi, S, Se i altele.
Substanele paramagnetice au o susceptibilitate magnetic mai mare
dect zero ( >0) i o permeabilitate puin mai mare dect unitatea ( >1).
Susceptibilitatea lor este de ordinul 10
-3
10
-6
i variaz cu temperatura n
general dup legea lui Curie.
T
C
m
= (4.13)
n care: C este o constant iar T temperatura absolut.
Substanele paramagnetice introduse ntr-un cmp magnetic sunt slab
atrase. Fora de atracie este proporional cu intensitatea cmpului
magnetic. Din aceste substane fac parte: Al, Ba, Li, Na, Mg, Ca, Ti, Zr, V,
Ta, W, Pt, Re, Cr i altele.
Feromagnetismul este un caz special al paramagnetismului
caracterizat prin susceptibilitate i permeabilitate mare. Apariia
feromagnetismului este condiionat de electroni necompensai i de
distan interatomic limitat.
Susceptibilitatea acestor substane variaz puternic cu temperatura.
Fierul, cobaltul, nichelul, gadoliniul, precum i o serie de aliaje ale acestor
elemente sunt feromagnetice. Fierul are 4, cobaltul 3 i nichelul 2 electroni
necompensai pe stratul trei.
Manganul dei are 5 electroni necompensai nu este feromagnetic.
Datorit neliniaritii, caracterizarea materialului se poate face cu
ajutorul mai multor clase de permeabilitate relativ i numai n jurul unei
stri date, corespunztoare unei perechi date de valori B i H. Se definesc
conform figurii 4.1:
a) permeabilitatea relativ static:

H
B 1
0
r

= (4.14)
b) permeabilitatea relativ diferenial:

H
B
lim
1
0 H
0
rdif

=

(4.15)
Dac punctul n care se definete coincide cu originea O, ea se
numete permeabilitatea relativ iniial.
c) permeabilitatea relativ reversibil:
H
B
lim
1
0 H
0
rrev

=

(4.15)
162
Dac se revine cu H n punctul P iniial (din care s-a efectuat variaia
H<0) se obine un mic ciclu de histerezis
h
care se poate asimila cu o
dreapt; panta acestei drepte este proporional cu
r rev
. Valoarea maxim a
lui
r rev
este notat obinuit cu
r max
. n origine
r dif
=
r rev
=
r iniial
.
Susceptibilitatea substanelor antiferomagnetice este de ordinul 10
-3
i variaz cu temperatura; ea crete pn la o temperatur critic i apoi
scade brusc. Temperatura la care dispare antiferomagnetismul se numete
temperatura Nel. Substane antiferomagnetice sunt: Mn, MnO, NiO, CoO,
CaO, NiCl
2
, CuCl
2
, etc.
Figura 4.1. Permeabiliti magnetice
Ferimagnetismul apare atunci cnd momentele magnetice paralele i
de sens opus au valori diferite. n cazul unui antiparalelism total al spinilor
i compensarea momentelor magnetice avem cazul antiferomagnetismului;
ferimagnetismul poate fi privit ca un antiferomagnetism necompensat.
Ionii metalici ai feritelor sunt situai n reelele i subreelele cristaline A i
B fiind nconjurai de 4 6 ioni de oxigen. Trei feluri de interaciuni pot
aprea, i anume: A-A, B-B i A-B. Se consider c interaciunile A-A i
B-B sunt pozitive i slabe, iar interaciunea A-B este negativ i puternic.
n acest caz spinii necompensai sunt antiparaleli cu spinii B. n cazul cnd
momentele au valori diferite, rezult un moment magnetic proporional cu
diferena lor.
Feritele sunt compui de forma
+ + 2
3
2
2
2 2
O Fe O M n care
+ 2
M este un
ion al unui metal bivalent ca Ni, Mn, Co, Cd, etc. pentru ferite moi i Ba,
Sr, Pb pentru ferite dure.
163
Feritele sunt materiale cu proprieti semiconductoare. Ele au, deci,
rezistiviti mult mai mari dect corpurile feromagnetice, care sunt metale,
i, din aceast cauz, prezint pierderi prin cureni turbionari mult mai mici
dect acestea din urm, calitate deosebit pentru aplicaiile practice, feritele
putnd fi folosite pentru construcia miezurilor magnetice care sunt
strbtute de fluxuri magnetice rapid variabile n timp (frecvene nalte, de
exemplu). Ele se folosesc pe scar larg ca materiale magnetice moi i
dure.
4.3. MATERIALE FEROMAGNETICE
Proprietatea fundamental a corpurilor feromagnetice este aceea c
au magnetizaie spontan, adic magnetizaie nenul chiar i n cazul
absenei cmpurilor magnetice exterioare.
Pentru explicarea magnetizaiei spontane, adic magnetizaie nenul
chiar i n cazul absenei cmpurilor magnetice exterioare, n teoria lui
Weiss se admite c materialele feromagnetice sunt formate din pri
submacroscopice, avnd dimensiunile liniare de ordinul sutimilor de
milimetru, numite domenii magnetice sau domeniile lui Weiss (fig.4.2.);
ele sunt, fiecare, la T=0 K, magnetizate la saturaie i prezint
magnetizaie spontan. Deci n fiecare domeniu Weiss atomii
(moleculele, ionii) au momente magnetice
p
m homoparalele, la T=0 K.
Problema fundamental a unui domeniu Weiss se refer la interaciunile
dintre atomii polari care determin starea de saturaie magnetic spontan a
domeniului, ea se reduce la problema interaciunii dintre spinii electronilor
care confer atomilor calitatea de a avea momente magnetice permanente.
Figura 4.2. Domenii Weiss
164
Sub anumite temperaturi, caracteristice, materialele feromagnetice
prezint magnetizaie spontan (nenul chiar n lipsa cmpurilor magnetice
exterioare). Prezentm o teorie simplificat a acestei magnetizaii,
incluznd ns i magnetizaia pe care o prezint feromagneticele peste
temperatura critic, la care magnetizaia spontan se anuleaz.
n fig.4.3. este reprezentat celula elementar, cubic centrat, a Fe la
temperatura T=0 K, n care momentele magnetice spontane
P
m ale
atomilor sunt orientate homoparalel. Energia cristalului este minim atunci
cnd vectorii P m sunt paraleli cu muchiile cubului; din aceast cauz
magnetizarea corpului poate fi realizat cu aport mic de energie, din
exterior, dac intensitatea cmpului magnetic are direcia uneia dintre
muchii.
Direciile muchiilor spunem c sunt de uoar magnetizare. Folosind
indicii cristalografici ai lui Miller, direcia, este de uoar magnetizare.
Direciile diagonalelor principale, ca, sunt de grea magnetizare, iar cele ale
feelor, ca, de medie dificultate de magnetizare.
Figura. 4.3. Magnetizarea dup axele cristalografice.
Anizotropia de magnetizare a cristalelor rezult din interaciunea
mediat prin intermediul momentelor magnetice orbitale, a momentelor de
spin ale electronilor din atomii vecini.
mprirea corpurilor n mai multe domenii Weiss, neconstituirea sa
ntr-unul singur, se poate explica: dac el ar fi format dintr-un singur
domeniu ca n fig. 2.4.a. n care magnetizaia M este antiparalel cu
cmpul magnetic demagnetizat H
d
, energia sa magnetostatic ar fi maxim
i configuraia sa ar fi dezavantajoas.
165
Cum mrimea H
d
corespunde sarcinilor magnetice repartizate pe
suprafeele S
1
i S
2
cu densitile
ms
, rezult c H
d
poate fi anulat dac
materialul are o configuraie n care
ms
=0, ca aceea din fig. 2.4.b. unde
corpul este format din mai multe domenii Weiss. n schimb, energia
corespunztoare forelor cuantice de schimb se mrete la mprirea n
domenii; forma i numrul domeniilor corespund deci minimului sumei
celor 2 energii. Cnd corpul este demagnetizat, domeniile sunt orientate
aleatoriu, astfel nct suma magnetizaiilor lor este nul.
Menionm c procesul de formare a unui domeniu Weiss, descris
mai sus pentru un monocristal, se produce n fiecare cristalit al unui corp
policristalin; domeniile Weiss nu se confund deci cu cristalitele.
La aplicarea unui cmp magnetic aceste substane se magnetizeaz
puternic i pstreaz n oarecare msur magnetismul la ncetarea
cmpului magnetic exterior. Magnetizarea lor nu variaz liniar n funcie
de intensitatea cmpului exterior aplicat. Substanele feromagnetice sunt n
numr foarte mic i cele practic folosite sunt fierul, cobaltul i nichelul.

Figura 4.4. Cicluri de histerezis.
166
Materialele magnetice cuprind materiale feromagnetice i ferimag-
netice. Materialele feromagnetice se clasific n:
materiale feromagnetic dure;
materiale feromagnetic moi.
Dup forma ciclului histerezis, materialele magnetice se deosebesc
ca n figura 4.4. n moi i dure.
Creterea temperaturii intensific micarea de agitaie termic a
particulelor i ngreunnd orientarea momentelor magnetice rezultante
ale domeniilor Weiss provoac o reducere a magnetizaiei corpului.
Pentru valori ale temperaturii superioare temperaturii Curie materialele i
pierd proprietile feromagnetice i trec n stare paramagnetic.
n cazul materialelor magnetice moi apare o reducere a
permeabilitii magnetice i a induciei magnetice de saturaie; la
materialele magnetic dure, creterea temperaturii determin o reducere a
energiei magnetice nmagazinate i a induciei remanente B
r
.
Impuritile deformeaz reeaua cristalin a corpurilor producnd
tensiuni mecanice interne. Aceste eforturi mpreun cu aciunea de fixare a
pereilor Bloch de ctre impuriti ngreuneaz deplasarea pereilor Bloch
i, deci, magnetizarea materialului i mpiedic revenirea pereilor Bloch n
poziia iniial, contribuind astfel la mrirea induciei remanente i a
cmpului coercitiv. Impuritile care formeaz cu materialele
feromagnetice soluii suprasaturate ies, cu timpul, din soluii. Se modific
astfel tensiunile interne i se distrug, local, reelele cristaline, ceea ce
determin variaii ale proprietilor magnetice ale corpurilor.
Permeabilitatea magnetic este mai redus n cazul materialelor cu
structur format din cristalite mici.
n funcie de natura, procesul tehnologic i destinaia materialelor
magnetice, impuritile existente pot fi considerate favorabile sau
duntoare. Astfel, n cazul materialelor magnetic moi, sulful, fosforul,
manganul, azotul, hidrogenul, oxigenul, carbonul, etc., determin o
reducere a proprietilor magnetice, constituind impuriti duntoare, pe
cnd Ni, Co, Si, Al, Cr, Mo, etc. constituie impuriti favorabile.
n cazul materialelor magnetic dure, o serie de elemente considerate
ca duntoare pentru o grup de aliaje sunt favorabile pentru altele. De
exemplu: Mn, S, Si, Se, etc., sunt duntoare aliajelor Alni, Alnico, dar
favorabile aliajelor cu structur columnar. ntotdeauna carbonul este
considerat ca element nefavorabil, aliajele cu un coninut mare de carbon
avnd inducie remanent, cmp coercitiv i indice de calitate redus.
Sub aciunea forelor mecanice are loc rearanjarea momentelor
magnetice ale corpului i apariia unor tensiuni mecanice locale care
frneaz deplasarea pereilor Bloch.
167
Se produc deci variaii ale proprietilor magnetice, importana lor
depinznd att de natura i structura materialului, ct i de mrimea i
direcia forei perturbatoare fa de direciile de cristalizare ale corpului.
Corpurile a cror permeabilitate magnetic variaz sub aciunea unor
solicitri mecanice i modific i dimensiunile dac sunt introduse ntr-un
cmp magnetic. Acest fenomen numit magnetostriciune este utilizat
pentru producerea ultrasunetelor.
n urma operaiilor tehnologice de tanare, tiere, ndoire, gurire,
etc., reeaua cristalin a corpului sufer deformaii importante. Apar astfel
tensiuni mecanice interne care nrutesc caracteristicile magnetice,
efectul fiind cu att mai important, cu ct materialul are proprieti mai
bune i dimensiuni mai reduse. Pentru nlturarea acestor efecte materialele
magnetice se supun unor tratamente termice ale cror caracteristici depind
att de tipul, dimensiunile i structura materialului, ct i de specificul
circuitului magnetic n care acesta urmeaz a fi folosit.
n urma acestor tratamente se elimin tensiunile interne din corp, se
reface structura cristalin i scade cmpul coercitiv, rezistivitatea electric
i pierderile prin histerezis. n cazul magneilor permaneni obinui prin
turnare se efectueaz mai nti un tratament termic de omogenizare (ex:
11001300 C pentru Alni i Alnico) i unul de revenire (600 C pentru
Alni).
Tratamentul de clire durific materialul devenind material magnetic
dur. n urma tratamentului de recoacere, materialul devine magnetic moale.
Cmpurile magnetice exterioare determin o reducere a
magnetizaiei corpurilor (mai ales a magneilor permaneni), efectul
demagnetizant al acestora depinznd att de mrimea intensitii lor, ct i
de caracteristicile punctelor de funcionare ale magneilor.
Radiaiile nu modific caracteristicile magnetice, dar magneii supui
unor asemenea solicitri pot deveni radioactivi.
4.3.1. MATERIALE FEROMAGNETICE MOI
Materialele magnetice moi sunt caracterizate prin ciclul histerezis
ngust; ele au permeabilitate magnetic mare, cmp coercitiv mic, se
magnetizeaz puternic n cmpuri magnetice de intensitate mic i ii pierd
magnetismul la ncetarea aciunii cmpului exterior.
Dac materialul magnetic moale este supus unui cmp magnetic
exterior H care variaz de la H la +H inducia magnetic variaz dup
ciclul de histerezis din figura 4.5.
168
Materialul iniial nemagnetizat parcurge curba de magnetizare
iniial de la 0 la H
max
, B
max
dup care scznd cmpul H pn la 0 inducia
scade pn la valoarea B
r
(inducie remanent). Scznd n continuare
cmpul inducia dispare la valoarea H
c
(cmp magnetic coercitiv) dup
care parcurge n continuare ciclul de histerezis pn la valoarea H
max
, B
max
.
Ciclul de histerezis este o curb neunivoc i neliniar a crui arie
este proporional cu pierderile de putere activ (teorema lui Warburg).
Locul geometric al vrfurilor ciclurilor de histerezis se numete curb de
magnetizare i se aproximeaz n practic cu curba de prim magnetizare.
Materialele magnetice moi sunt folosite att n domeniul curenilor
slabi, n curent continuu i n curent alternativ, de frecvene industriale,
pn la frecvene nalte i foarte nalte.
Figura 4.5. Ciclul de histerezis al unui material magnetic moale.
Acestor materiale li se cere,dup scop, inducie de saturaie mare,
permeabilitate iniial sau maxim mare, permeabilitate constant sau
variabil cu temperatura, ciclul histerezis normal sau dreptunghiular i n
orice caz pierderi minime.
n cmpuri alternative, materialele magnetice moi trebuie s asigure
pierderi minime de energie. Aceste pierderi se compun din:
pierderi prin histerezis
pierderi prin cureni turbionari,
pierderi reziduale.
Pierderile prin histerezis se datoreaz deformrilor reelei cristaline
cauzate de incluziunile nemagnetice (corpuri strine).
169
Pierderile prin cureni turbionari pot fi deduse din legea induciei.
Reducerea lor se obine prin micorarea grosimii materialului sau prin
mrirea rezistivitii lui prin aliere cu elemente corespunztoare scopului.
Pierderile reziduale apar la variaia temporar a induciei i sunt
proporionale cu frecvena i intensitatea curentului. Aceste pierderi se
datoreaz, ca i pierderile histerezis, deformrilor reelei cristaline prin
incluziuni nemagnetice; migrrile atomilor de carbon n soluie i prezena
azotului sunt factori importani pentru apariia pierderilor reziduale. Cu
descreterea impuritilor scad pierderile reziduale i la un material pur ele
sunt practic inexistente.
n corpurile feromagnetice se dezvolt cldur dac n ele variaz, n
timp, cmpurile magnetice exterioare. Se produc deci pierderi de putere
activ. Acestea sunt de 2 feluri:
Pierderile prin histerezis magnetic sunt proporionale cu frecvena
i cu aria ciclului de histerezis. Ele pot fi calculate cu expresia lui
Steinmetz.

n
max n
B f p = (4.16)
p
n
cldura dezvoltat (pierderile) n unitatea de timp i n unitatea
de volum a materialului
f frecvena
o constant de material numit constanta lui Steinmetz
B
max
inducia magnetic maxim
n exponentul lui Steinmetz (1,6 < n > 2)
Materialele magnetic dure (arie mare a ciclului de histerezis) prezint
pierderi mari prin histerezis.
Materialele magnetic moi (arie mic i valori mici ale lui H
c
) au
pierderi cu att mai mici cu ct ciclul de histerezis este mai ngust.
Pierderile prin cureni turbionari se datoreaz efectului Joule-Lenz
care nsoete inducerea de cureni electrici n corpurile feromagnetice de
ctre fluxurile magnetice variabile n timp. ntr-o tol cu arie mare, de
grosime i de rezistivitate electric , se dezvolt, n unitatea de timp i
de volum, cldura:

2
max
2 2
f
B f
k
p

= (4.17)
Pierderile totale n fier au deci expresia:

2 2
max
2 2 n
max f n Fe
f b f a B f
k
B f p p p + =

+ = + = (4.18)
Constantele a, b se pot determina experimental.
170
n practic, pierderile n fier se raporteaz la unitatea de mas a
materialului, exprimndu-se n W/kg.
Materialele magnetice moi se clasific n mod raional dup compoziie,
lundu-se ca baz elementul principal de aliere, care impune caracteristicile
specifice ale materialului, de exemplu tabl silicioas slab sau bogat aliat.
Materialele magnetice moi sunt: diferite sorturi de fier, fonta i otelul, aliaje fier-
siliciu, aliaje fier-siliciu texturate, aliaje fier-siliciu sinterizate, aliaje fier-siliciu-
aluminiu (Alsifer), aliaje fier-aluminiu (Alfenol), aliaje nichel-fier (Permalloy),
aliaje cu permeabilitate mare, aliaje cu permeabilitate constant, aliaje cu ciclu
histerezis dreptunghiular, aliaje cu inducie de saturaie mare, aliaje termocom-
pensatoare, aliaje magnetostrictive, pelicule metalice magnetice, materiale
nemagne-tice.
Impuritile din materialele feromagnetice moi sunt:
Carbonul este elementul cel mai duntor pentru materialele
magnetice moi. El se dizolv n fierul topit i rmne fie sub forma de
soluie solid, fie sub form de pulbere grafitic; el mrete cmpul
coercitiv, micoreaz permeabilitatea i produce mbtrnirea materialului.
Oxigenul se dizolv n fier i i influeneaz n msur mai mic
proprietile magnetice dect carbonul: el influeneaz plasticitatea
materialului.
Hidrogenul influeneaz proprietile magnetice n msur mai mic
dect oxigenul; el se elimina la temperaturi de peste 650 C. Hidrogenul
poate servi, n anumite mprejurri, ca dezoxidant, devenind astfel un
element util.
Azotul are o influent asemntoare carbonului, ns n msur mai
mic; el favorizeaz mbtrnirea magnetic.
Sulful mrete cmpul coercitiv i pierderile prin histerezis.
Fosforul mrete pierderile prin histerezis i influeneaz mai puin
cmpul coercitiv.
Manganul favorizeaz formarea cementitei n fier; influena lui ca
element duntor este mai slab dect a fosforului i sulfului.
Siliciul ca soluie solid, n fierul pur, produce scderea induciei de
saturaie.
Dintre adausurile cu efecte favorabile amintim:
Nichelul influeneaz favorabil permeabilitatea magnetic i reduce
cmpul coercitiv.
Cobaltul este singurul element care mrete inducia de saturaie.
Siliciul mrete rezistivitatea materialului, deci micoreaz pierderile
prin cureni turbionari, favorizeaz mrirea granulelor mrind astfel
permeabilitatea; micoreaz precipitarea carbonului n grafit i contribuie
astfel la reducerea cmpului coercitiv i a pierderilor prin histerezis.
171
Aluminiul micoreaz energia cristalin n fier; un adaos de 0,1-
0,2% n fier previne mbtrnirea; n procente mai mari pn la 16%
(Alfenol) imprima caracteristici magnetice foarte bune, n special
permeabilitate maxim i cmp coercitiv comparabil cu cele ale
permalloyului. Materialul este ductil i poate fi laminat la dimensiuni
foarte reduse, de ordinul micronilor.
Cromul, molibdenul i cuprul sunt elemente forabile de aliere n
anumite aliaje fier-nichel, imprimnd materialului caracteristici speciale.
Prelucrrile mecanice ca: tierea, tanarea, presarea, ndoirea,
gurirea etc., i n general solicitrile mecanice, nrutesc calitile
magnetice Cu ct solicitrile mecanice sunt mai pronunate, cu att mai
mult se nrutesc calitile magnetice. Materialele cu permeabilitate
foarte mare i cmp coercitiv foarte mic devin, la eforturi mecanice
pronunate, uneori complet inutilizabile. Materialele care au suportat
eforturi mecanice trebuie tratate termic la un regim corespunztor aliajului.
Anumite prelucrri mecanice degrori pronunate, deformri plastice
avansate) imprim materialelor magnetice caracteristici speciale prin
texturare; materialele astfel prelucrate devin anizotrope n direcia
efortului.
Tratamentele termice constituie un factor hotrtor pentru
obinerea unor caracteristici magnetice i mecanice, att dup elaborarea
materialului ct i dup prelucrri mecanice. Prin tratamente termice se pot
restabili total sau parial caracteristicile magnetice care au fost micorate
prin eforturile mecanice suportate de piese.
Scopul tratamentelor termice, aplicate la materialele magnetice moi,
este n primul rnd de a reduce tensiunile interne care iau natere la
eforturile mecanice; prin tratamente termice se obine i mrirea
granulelor.
Prin reducerea tensiunilor interne i mrirea granulelor scade cmpul
magnetic coercitiv. Este important ca tratamentele termice s fie corect
conduse, cu respectarea strict a temperaturilor de tratare, dup specificul
materialului de tratat.
Unele materiale magnetice moi, tratate n cmp magnetic, capt
caracteristici magnetice optime; permeabilitatea materialelor tratate se
mrete, iar cmpul coercitiv descrete i de asemenea scad pierderile.
Denumirea de fier i nu de oel, este meninut pentru fierul cu
coninut sczut de carbon; este cel mai ieftin material feromagnetic folosit
curent n electrotehnic cnd nu i se cere puritate prea mare. El este folosit
n special n curent continuu, n diferitele circuite magnetice; este relativ
uor de produs i se livreaz sub diferite forme i dimensiuni ca bar sau
tabl, eav etc.
172
Fierul chimic pur are caracteristici magnetice foarte bune, fiind ns
un material scump, nu prezint interes din punct de vedere practic.
Fierul tehnic pur se obine prin nclzirea fierului pn aproape de
punctul de topire, n atmosfer de hidrogen, eliminnd prin difuziune
impuritile. El nu prezint interes pentru producie.
Fierul electrolitic se obine prin electroliz i poate s ating un grad
de puritate mare. Elaborarea lui nu ntmpin dificulti de ordin tehnic.
Fierul carbonil se obine sub form de pulbere fin din
pentacarbonilul de fier lichid care introdus ntr-un vas sub presiune,
formeaz monoxid de carbon i fier; gazul se pompeaz, iar fierul rmne
la fundul vasului,de unde se scoate. Particulele au forma sferic, ceea ce
prezint un avantaj la izolare, ntruct nu strpung izolaia. Tehnologia de
fabricaie este complicat i costisitoare, elaborarea nu renteaz dect
pentru cantiti mari.
Fierul carbonil are pierderi prin cureni turbionari reduse i pierderi
prin histerezis de asemenea mici; coninutul de carbon este uneori destul de
mare i se reduce prin tratare n hidrogen; la tratarea termic pierderile
magnetice nu scad,crete ns permeabilitatea magnetic. Pentru pupinizare
i bobine de radiofrecven fierul carbonil s-a folosit pe scar larg; el este
nlocuit astzi cu materiale superioare din punct de vedere magnetic.
Fierul carbonil este folosit pe scar larg la producerea magneilor
sinterizai din aliajele Alni i Alnico.
Fierul Armco, fierul suedez i fierul srac n carbon.
Aceste sorturi de fier se deosebesc prin procentul de impuriti i sub
denumirea de fier Armco se nelege deseori fierul cu coninut srac n
carbon, de unde i vine i numele.
Fierul suedez se obine din font extrapur i are coninut de carbon
redus (~0,03%); de asemenea, celelalte impuriti sunt n cantiti reduse
(P~0,04%, S~0,005%, Si~0,07%).
Fierul Armco de calitate se elaboreaz de preferin din fier suedez
cu insuflare de oxigen. Caracteristicile magnetice se mbuntesc odat cu
reducerea impuritilor. Fierul Armco are o zon critic de prelucrare
cuprins ntre 815-1050 C, de aceea se evit prelucrrile n aceast zon.
Forjarea i laminarea se fac la o temperatur de 1200 C. Acest material
devine fragil n intervalul de temperatur cuprins ntre 260-430 grade C
de care trebuie inut seama.
Fierul srac n carbon, denumit i fier moale sau fier moale srac n
carbon, este mai puin pur dect fierul Armco.
Caracteristicile magnetice ale diferitelor sorturi de fier sunt:
fier chimic pur monocristale: permeabilitate iniial 14000,
permeabilitate maxim 1450000, cmp coercitiv 0,025
173
fier tehnic pur: permeabilitate iniial 4000, permeabilitate maxim
180000, cmp coercitiv 0,025
fier elaborat n vid cu coninut de carbon 0,01%: permeabilitate
iniial 600-1000, permeabilitate maxim 20000, cmp coercitiv 0,2-0,1,
intensitatea de magnetizare la saturaie 21500
fier Armco: permeabilitate iniial 500-1000, permeabilitate
maxim 7000-20000, cmp coercitiv 0,1, intensitatea de magnetizare la
saturaie 22000
fier electrolitic: permeabilitate iniial 250, permeabilitate maxim 15000,
cmp coercitiv 0,4
fier suedez: permeabilitate iniial 250-500, permeabilitate maxim
2500, cmp coercitiv 1,0, intensitatea de magnetizare la saturaie 22000.
fier carbonil: permeabilitate iniial 2000-4000, permeabilitate
maxim 20000, cmp coercitiv 0,08, intensitatea de magnetizare la
saturaie 22000.
fier srac n carbon: cmp coercitiv 1-2, intensitatea de
magnetizare la saturaie 2100
Diferitele sorturi de fier moale se folosesc la construcia pieselor
polare, la juguri pentru electromagnei, la miezuri pentru bobine, la relee,
la blindaje, la frne i cupluri electromagnetice, la platouri
electromagnetice, la armturi la difuzoare cu magnei permaneni, la
aparatele de msurat etc.
Materialul se livreaz laminat la cald sau la rece; el poate fi uor
ndoit sau tanat i piesele avnd suprafaa neted pot fi nichelate.
Aliajele fier-siliciu cu coninut mai mare de 5% siliciu, sunt casante
i nu pot fi prelucrate; ele nu sunt folosite n practic. Caracteristicile
magnetice se mbuntesc la mrirea procentului de siliciu. Piesele din
aceste aliaje se pot produce prin sinterizare, folosind tehnologia
metalurgiei pulberilor. Piesele produse sunt de dimensiuni reduse.
Aliajul denumit Alsifer are caracteristici magnetice foarte bune, ns
prezint dezavantajul c este casant i practic nu poate fi prelucrat, dect cu
greu, prin rectificare cu pietre abrazive. Caracteristicile magnetice optime
se obin la un aliaj cu 9,5 % siliciu i 5,5 % aluminiu, restul fier. Piesele
din Alsifer au un coeficient negativ de temperatur al permeabilitii,
permind obinerea unor compensaii utile la diferite combinaii.
La aliajul cu un coninut de aproximativ 16 % aluminiu i restul fier,
denumit Alfenol, materialul capt caracteristici magnetice optime:
permeabilitate iniial 4000 Gs/Oe,
permeabilitate maxim 100000 Gs/Oe,
cmp coercitiv 0,024 Oe,
inducie de saturaie 8000 Gs.
174
Pierderile prin histerezis sunt foarte mici, aproximativ 0,1 W/ kg la
50 Hz i 5000 Gs. Alfenolul este folosit i la transformatoare de medie
frecven i la transformatoare de impuls. Alfenolul poate fi lipit prin
cositorire.
n domeniul materialelor magnetice moi un loc de frunte ocup
aliajele pe baz de nichel-fier (Permalloy), deseori cu anumite adaosuri,
care imprim aliajelor caracteristici speciale. Aliajele nichel-fier pot fi
mprite n cteva categorii i anume:
aliaje bogat aliate cu nichel, cu 70-80 % nichel, care, de obicei,
conin adaosuri ca crom, molibden, cupru sau siliciu. Aceste aliaje au cele
mai bune performane magnetice dintre materialele magnetice moi; cmpul
lor coercitiv este foarte mic, n schimb inducia de saturaie i rezistivitatea
au valori reduse, ceea ce constituie un dezavantaj;
aliaje cu coninut de nichel ntre 45-50%. Acestea au
permeabilitate mai sczut dect aliajele cu obinut de nichel cuprinse ntre
70-80%, n schimb inducia lor de saturaie este mai mare.
aliaje cu coninut de nichel de 36%. Sunt caracterizate prin
permeabilitate mai mic dect aliajele menionate, n schimb
permeabilitatea lor este mai puin sensibil la variaia cmpului. Ele au i o
rezistivitate mare ceea ce micoreaz pierderile prin cureni turbionari.
Tratamentele termice au un rol important asupra caracteristicilor
magnetice ale aliajelor de tip Permalloy. Aceste tratamentele termice se fac
la temperaturi de 1100-1300 C, n atmosfer de hidrogen pur sau n vid,
urmate de o revenire la temperaturi pn la 600 C.
La unele aliaje de acest tip, tratamentele termice n cmp magnetic
aduc mbuntiri sensibile ale caracteristicilor magnetice.
Aliajele cu permeabilitate mare sunt bogat aliate cu nichel, 70-80%
i conin deseori, pe lng nichel i fier, i adaosuri care aduc anumite
avantaje. Aceste aliaje i cele cu coninut mai redus sunt deseori denumite
Permalloy sau au diferite alte denumiri comerciale.
Tratamentul termic joac un rol important n ce privete
caracteristicile magnetice ale aliajului. Pentru recristalizare se face un
tratament la o temperatur ridicat, peste 1000 C, n hidrogen sau
atmosfer neutr. Tratamentul final const n rcirea materialului de la
temperatura de 600 C. n timpul tratamentului se produce un strat subire
de oxid, care servete la izolarea tablei i reduce astfel pierderile.
Permalloyurile sunt foarte sensibile la solicitri mecanice, de aceea se
recomand folosirea pieselor n dimensiunile lor finale, gata tratate, fr
folosirea eforturilor mecanice pronunate. Permalloyul se produce i prin
metalurgia pulberilor, folosind pulberile obinute prin reducerea oxizilor
amestecai de nichel i fier sau prin sfrmarea aliajului.
175
Supermalloy Compoziia acestui aliaj este de 79% Ni, 5% Mo, 0,5%
Mn i Si, restul fier.
Pentru eliminarea impuritilor rmase din turnare, materialul este
supus unui tratament termic la o temperatur nalt,1300 grade C, i n
atmosfer de hidrogen pur.
Figura 4.6. Ciclul de histerezis a materialelor Permalloy
Supermalloyul este materialul care are valorile cele mai ridicate ale
permeabilitii iniiale i maxime dintre aliajele practic folosite astzi; de
asemenea, are cele mai sczute pierderi histerezis. Caracteristicile
magnetice sunt:
permeabilitatea iniial 80000-120000 Gs/Oe;
permeabilitate maxim 800000-1000000 Gs/Oe
cmp coercitiv 0,003-0,009 Oe;
inducie remanent 4000-5500 Gs;
raportul induciilor 0,05-0,8
pierderi histerezis 5 erg/cm-5000 Gs.
Supermalloyul se produce prin laminare la rece la dimensiuni foarte
reduse i este folosit la transformatoare pentru telecomunicaii, pentru
amplificatoare magnetice i diferite dispozitive unde se cer pierderi
minime i permeabiliti mari.
Aliaje cu permeabilitate constant. Anumite condiii impun
folosirea unor materiale cu permeabilitate constant, la diferite aparate
acustice, la bobine Pupin, etc. Exist o gam larg de aliaje cu
permeabilitate constant, din care unele au permeabilitate constant numai
n cmpuri slabe, iar altele i n cmpuri mai intense.

176
Aliajele cu permeabilitate constant sunt cunoscute sub denumirea de
Perminvar, permeabilitate invariabil, sau Isoperm.
Permeabilitatea constant se obine prin laminare la rece urmat de
revenire i apoi din nou laminare la rece.
Coninutul de nichel pentru aceste aliaje este n general mai redus;
dar poate fi i mai mare la aliere cu cobaltul. Aliajele n a cror compoziie
intr cobalt i molibden au constan i n cmpuri relativ mai intense.
Trebuie menionat c la aliajele cu permeabilitate constant nu trebuie
depit cmpul maxim prescris, altfel materialul se degradeaz i trebuie
retratat. Toate aliajele cu permeabilitate constant sunt forjabile i
laminabile la dimensiuni foarte reduse. Acestor materiale li se cer pierderi
prin histerezis reduse; pierderile cresc cu mrirea cmpului.
Figura 4.7. Ciclul de histerezis a materialului Permivar
Materialele cu ciclul histerezis dreptunghiular se folosesc n anumite
dispozitive ca maini de calculat electronice, amplificatoare magnetice,
bobine de oc cu acionare rapid, etc. Ciclul histerezis dreptunghiular
apare la unele aliaje prin texturare cristalografic cum este cazul tablei
silicioase cu 3% Si, laminat la rece sau la aliaje cu 50 % Ni i restul fier,
de asemenea cu textura cubic.
La aproximativ 480 C se obine o permeabilitate mare i cmp
coercitiv. n intervalul 430450 C permeabilitatea este mult mai mic i
cmpul coercitiv ceva mai mare. Pentru obinerea ciclului dreptunghiular
este necesar meninerea materialului la o temperatur de revenire, timp
mai ndelungat dect este necesar pentru obinerea unei permeabiliti mai
ridicate.

177
Aliajele fier-nichel au o sensibilitate mare i cu alte adaosuri n
funcie de tratamentele termice n special n domeniul critic de la 300600
C.
Temperaturile optime sunt n funcie de aliajul respectiv i trebuie
respectate cu precizie, micile variaii putnd duce la reducerea sensibil a
valorilor optime.
Dinamax Acest material face parte de asemenea din familia
permalloyului, conine ns elemente favorabile de aliere, avnd
compoziia: 65% Ni, 2% Mo, 0,3% Mn, rest Fe.
Aliajul se elaboreaz n cuptor cu inducie, n vid, din materii prime
extrapure. Adaosul de mangan servete la uurarea laminrii, care se face
la cald sau la rece.
Tablele obinute prin laminare sunt supuse unui tratament termic de
recristalizare ntre 700-900 C de durat scurt, apoi nclzite timp de 4 ore
la 1100-1200C n atmosfera de hidrogen i supuse unui cmp magnetic de
10-12 Oe, rcindu-le lent de la 650 C sub influena cmpului, cu o vitez
de 150 grade C/h.
Caracteristicile obinute sunt:
permeabilitate maxim 1530000-1780000 Gs/Oe
cmp coercitiv 0,005 Oe
inducie remanent 11950 Gs.
Curba histerezis are o form dreptunghiular.
n anumite cazuri se cere o inducie de saturaie mare de exemplu la
piesele polare unui electromagnet, la tole pentru rotorul sau statorul unei maini
cu randament mare, la generatoare ultrasonore, juguri pentru accelerarea
particulelor, membrane telefonice, n optica electronic, la transformare de
impuls pentru pri ale releelor care trebuie s asigure putere mare de atracie i
reinere la excitaii mici, amplificatoare magnetice, transformatoare mici etc.
Materialul cu inducie de saturaie maxim este pe baz de cobalt-fier, cobaltul
fiind singurul element care mrete inducia. Aliajul cu 50% cobalt, restul fier
este cunoscut sub denumirea de Permendur, dar este foarte dur i casant i nu
poate fi practic prelucrat. Prin aliere cu 2% vanadiu, se obine un aliaj cu 49%
cobalt, 49% fier i 2% vanadiu, care are caracteristici magnetice foarte apropiate
de cel cu 50% cobalt, n schimb nu mai este casant i poate fi prelucrat. Acelai
aliaj, elaborat n condiii speciale i tratat n cmp magnetic are caracteristici
magnetice mult superioare n ceea ce privete cmpul coercitiv i permeabili-
tatea maxim.
Acest material, cu caracteristici superioare, este cunoscut sub denumirea
de Supermendur. Elaborarea se face n atmosfer de hidrogen pur, n cuptor cu
inducie avnd grij ca purificarea s se fac n timpul topirii, pentru a obine un
material, practic lipsit de impuriti.
178
Caracteristicile magnetice optime obinute sunt:
inducia de saturaie 24000 Gs
inducia remanent 22150 Gs
cmp coercitiv 0,20 Oe
permeabilitate maxim 92000 Gs/Oe.
Aliajele termocompensatoare sunt caracterizate prin permeabilitate
variabil cu temperatura, saturaie magnetic pronunat n funcie de
temperatur i punct Curie sczut. Cu scderea temperaturii,
permeabilitatea acestor aliaje crete, ceea ce permite ca materialele s fie
folosite pentru compensarea erorilor de temperatur a magneilor
permaneni.
Aliajele termocompensatoare sunt pe baz de nichel-fier; nichel-
crom-fier; nichel-cupru; nichel-siliciu-fier.
Permeabilitatea depinde de intensitatea cmpului magnetic
Aliajele termocompensatoare sunt cunoscute sub diferite denumiri
comerciale ca: Termalloy, Carmalloy, Thermoflux, Thermoperm,
Kompentherm.
Prin magnetosticiune se nelege variaia dimensiunilor fizice a unui
material feromagnetic sub aciunea cmpului magnetic.
Magnetostriciunea se noteaz cu i este definit ca fiind raportul
variaiei lungimii fa de lungimea iniial.
Magnetostriciunea depinde i de tratamentul termic suportat de
material, dar nu depinde de sensul cmpului aplicat.
Frecvena de rezonan mecanic se determin prin dimensiunile
geometrice ale probei i datele elastice. Aceste frecvene sunt cuprinse n
limitele de la 5100 kHz. Randamentul oscilatorului, raportul ntre energia
acustic i energia electric absorbit este cuprins ntre 3060%. Uneori
randamentul se raporteaz la energia mecanic n funcie de energia
magnetic.
Energia acustic maxim este de aproximativ 10 W/ cm
2
.
Materialele pronunat magnetostictive sunt cobaltul, cu
magnetostriciune pozitiv i nichelul, cu magnetostriciune negativ,
precum i o seri de alte aliaje a acestor elemente. Nichelul ca material
magnetostrictiv are avantajul c nu este supus coroziunii.
Supermendurul este un material magnetostrictiv, care nu conine
elemente deficitare, este aliajul de tipul Alfenolului, ns cu un coninut de
13% aluminiu, cu magnetostriciunea destul de pronunat.
Aliajele magnetostrictive se folosesc la generatoare sonore i
ultrasonore. Materialul este folosit sub form de tole care se lipesc ntre
ele, grosimea acestora depinznd de frecvena generatorului.

179
Materialele magnetostrictive se folosesc sub diferite forme. Pentru
evitarea pierderilor mari prin cureni turbionari, este indicat folosirea
acestor materiale sub form de tabl subire. Tolele sunt izolate ntre ele de
obicei prin oxidare, avnd grij ca stratul de oxid s adere bine, dar s nu
ptrund n adncime, pentru c ar duce la degradarea materialului.
4.3.2. TABLA ELECTROTEHNIC

Tabla electrotehnic (tabla silicioas) este o tabl subire de oel cu
coninut mare de siliciu (pn la maximum 4,5%) caracterizat prin
pierderi magnetice mici.
Tabla electrotehnic este cel mai utilizat material magnetic pentru
construcia miezurilor magnetice pentru rotoarele mainilor electrice i a
transformatoarelor electrice.
Tabla electrotehnic laminat la cald este ntrebuinat pentru
construcia miezurilor magnetice care funcioneaz la frecven industrial;
este de fapt un oel cu siliciu, deoarece conine, din fabricaie, i un mic
procent de carbon.
Pentru scderea pierderilor prin cureni turbionari, avnd n vedere
valoarea coeficientului din expresia acestor pierderi, pe de o parte se
micoreaz grosimea a tablelor la 0,5 sau 0,35 mm, iar pe de alt parte se
mrete rezistivitatea a materialului prin adugarea unui procent de
siliciu care ntre 0,4 i 4 %. Se obin astfel table electrotehnice slab, mediu
i supraaliate, nsemnate cu E I, E II, E III i E IV, crora le corespund
anumite valori ale pierderilor P10 i P15 (adic la 1 respectiv 1,5 Tesla) la
50Hz, n W/kg.
Standardele impun de asemenea anumite valori maxime ale acestor
pierderi dup mbtrnirea materialului (executat tot conform
Standardelor de stat), precum i cteva puncte din curba de magnetizare,
pentru diferitele categorii de table. Sunt impuse i anumite condiii
mecanice, termice etc., care trebuie ndeplinite de tabla electrotehnic.
Procentul de siliciu este limitat la 4%, i anume pentru tabla de
transformatoare, deoarece o dat cu creterea acestui procent scade mult
plasticitatea materialului, precum i inducia la saturaie (figura 4.8.).
180
Figura 4.8. Variaia induciei de saturaie cu coninutul de Si.
n afar de siliciu, introdus deci pentru mrirea rezistivitii, tabla
electrotehnic mai conine, din procesul de fabricaie, i alte impuriti. n
afar de carbon, a crui influen e bine cunoscut, mai pot exista n
proporii foarte mici: oxigen, sulf, mangan i fosfor; toate nrutesc
proprietile electromagnetice ale tablei.
Hidrogenul. dac este prezent, se nltur uor prin nclzirea tablei
la 500-700C.
Ca pentru toate materialele magnetice moi, proprietile tablei depind
de mrimea grunelor i de orientarea axelor acestora fa de direcia
cmpului magnetizant.
Tabla electrotehnic obinuit poate fi laminat la cald sau la rece.
Tabla texturat, laminat la rece, n condiii speciale, permite o
dirijare ct mai complet a uneia din axele monocristalelor de fier, care
constituie agregatul policristalin, n direcia laminrii, rezultnd o structur
ca cea reprezentat n figura 4.9 a. Dac se aplic cmpul magnetizant n
direcia laminrii, adic n direcia unei axe de simetrie a cubului elementar
a reelei fierului, care este direcia de magnetizare uoar, pierderile n
material vor fi cele mai mici. S-a ajuns n prezent la cifra P
10
0,6 W/kg,
fa de P
10
= 1 W/kg ct prevede standardul pentru tabla E IV de cea mai
bun calitate.
De observat c tabla texturat conine ceva mai puin siliciu dect
maximum admisibil pentru tabla supraaliat, prima avnd din aceast
cauz o inducie la saturaie mai mare dect ultima. Dac s-ar ntrebuina
ns tabla texturat astfel ca direcia laminrii s nu coincid cu direcia
cmpului magnetizant, s-ar obine pierderi chiar mai mari dect pentru
tabla supraaliat laminat la cald.
181
Tabla texturat se poate fabrica foarte subire de circa 0,03mm
grosime (hipersil), pentru utilizare n frecvene nalte
a) Tabl simplu texturat b) Tabl dublu texturat
Figura 4.9. Tabl silicioas laminat la rece.
Tabla texturat nu trebuie deci utilizat n mainile rotative unde
fluxul i schimb mereu direcia. Totui, aceasta va deveni posibil,
ntrebuinnd o tabl texturat cu structur de cuburi, reprezentat n figura
4.9 b, care va reprezenta pierderi reduse att n direcia laminrii ct i n
direcia perpendicular pe aceasta. n orice caz, pentru a obine pierderi ct
mai reduse n orice tabl electrotehnic, este recomandabil s fie recoapt
dup tanare, operaie n urma creia se nas tensiuni interne n material,
tensiuni care trebuie anulate prin recoacere.
Izolarea tablelor ntre ele poate fi realizat prin oxidare, prin lcuire,
cu ajutorul unei hrtii speciale foarte subiri sau, n special la tablele
texturate, cu izolaii de tip ceramic (carlit) sau pe baz de fosfai.
Izolarea prin oxidarea forat a tablelor este satisfctoare n cazul
cnd nu se lucreaz la inducii prea mari (sub 1,82 T), deoarece oxidul
nclzindu-se din cauza pierderilor dielectrice ar deveni semiconductor.
Izolarea cu hrtie, lipit pe o parte a tablei, a dezavantajul unui
coeficient de umplere redus i nu se utilizeaz dect n cazuri speciale.
Izolarea cu lac este cea mai obinuit pentru tabla laminat la cald,
dar soluia cea mai bun este desigur utilizarea noilor procedee menionate,
singurele aplicate pentru tabla texturat i care formeaz la suprafaa tablei
o ptur izolant subire, uniform, aderent i de rezistivitate mare, care
asigur o bun izolaie a tablelor ntre ele.
182
4.3.3. MATERIALE FEROMAGNETICE DURE
Materialele magnetic dure sunt caracterizate prin ciclu histerezis de
form lat, avnd un cmp coercitiv mare. Nu exista nici o norma pentru
valoarea cmpului coercitiv minim de la care un material este considerat
magnetic dur. Principala utilizare a acestor materiale este aceea de magnei
permaneni. Ele sunt folosite pe larg n cele mai diferite domenii ale
tehnicii i, n special, n construcia de aparate: instrumente de msur
electrice, difuzoare, aparate pentru nregistrarea sunetului, telefoane, gene-
ratoare electrice, lentile magnetice pentru microscopie electric, osci-
lografe catodice, busole magnetice etc.
Calitatea unui material care urmeaz sa fie folosit ca magnet
permanent este caracterizat cel mai bine de curba energiei magnetice BH
=f(B) asociat curbei de demagnetizare a materialului respectiv.
Din curba energiei magnetice trasate n figura 4.10 se vede c
condiiile de lucru sunt optime atunci cnd punctul n care dreapta de
deplasare intersecteaz curba B(H) este n acelai timp i punctul n care
produsul energetic BH are valoarea maxima (BH)
max
.
Magneii sunt folosii, de obicei, pentru a crea cmp magnetic n
ntrefierul dintre piesele polare.
Figura 4.10. Punctul optim de funcionare a unui magnet permanent.
Materialele magnetice dure pot fi mprite, convenional, n 7 grupe:
1) Oteluri magnetice care pot fi clite la martensita (oteluri-carbon
aliate);
183
2) Aliaje magnetice dure care se durific prin difuzie: aliaje care se
ordoneaz (n structuri mixte cu parametrii cristalini foarte apropiai),
derivate din sistemul ternar Fe-Ni-Al prin impurificarea cu adaosuri mici
de Co, Cu, Ti, Nb i altele. Din aceast grup se remarc n mod deosebit o
subgrup a aliajelor anizotrope, cu proprieti magnetice mbuntite prin
tratament termomagnetic.
3) Aliaje magnetice dure care se durifica prin precipitare: aliaje n
special din sistemele Fe-Co-Mo, Fe-Ni-Cu i Fe-Co-V, care pot fi uzinate
prin prelucrarea mecanic la cald sau la rece;
4) Materiale magnetice compactizate prin presare i sinterizare din
pulberi de aliaje metaloceramice i de alte aliaje i compui (Fe-Co, CrO
2
,
-Fe
2
O
3
, MnAl etc.);
5) Aliaje magnetice dure cu componeni metale nobile, de tipul Co-
Pt, Fe-Pt, Ag-Mn-Al, MnBi;
6) Ferite cu fora coercitiv mare (ferite de cobalt, de bariu, de
stroniu);
7) Aliaje cu fora coercitiv mare constituite din metale de exemplu,
aliajul Co
5
Re.
Materialele magnetice folosite n tehnica modern sunt extrem de
variate i cu proprieti fizice dintre cele mai diferite. Acest fapt este ct
firesc, fiindc i problemele pe care tehnica le rezolv cu ajutorul
materialelor magnetice sunt extrem de diverse.
Gama forelor coercitive ale materialelor magnetice deja folosite n
tehnic se ntinde de la 10
-3
Oe pn la 10
4
Oe, iar cel al permeabilitilor
maxime, de la 1 Gs/Oe pn la 510
6
Gs/Oe.
4.4. MATERIALE FERIMAGNETICE
Ferimagnetismul este proprietatea unor substane de a prezenta o
orientare antiparalel a momentelor magnetice vecine, dar la care valorile
acestor momente sunt neegale. Diferena ntre valorile momentelor
magnetice provine fie din faptul ca atomii din subreelele substanei
respective au naturi diferite, fie din aceea ca numrul atomilor din
subreele este diferit. Ca urmare apare un moment magnetic total nenul al
substanei ca ntreg ceea ce conduce la existena unei magnetizri aparente
a cristalului.
Un astfel de antiferomagnetism necompensat se numete ferimag-
netism iar substanele respective se numesc ferite.
184
O ferit se comport n exterior exact ca i un feromagnet, dar
datorit deosebirii ntre structurile lor interne dependena de temperatur a
intensitilor de magnetizare poate fi complet diferit.
n unele cazuri particulare, la ferite intensitatea de magnetizare poate
descrete nemonoton cu creterea temperaturii, trecnd prin zero nc
nainte de atingerea punctului Curie.
Efectul de magnetostriciune apare diferit la diverse ferite. Astfel la
feritele cu temperatura Courie sczut apare un efect de magnetostriciune
mai puin pronunat.
Dup proprietile i aplicaiile lor, feritele pot fi mprite n
urmtoarele grupe:
ferite magnetice moi;
ferite cu ciclu de histerezis dreptunghiular;
ferite magnetic dure.
Forma ciclului histerezis caracterizeaz cele dou categorii
importante de magnetice i anume: cele magnetice dure (avnd ciclu
histerezis lat) i cele magnetic moi (cu ciclului histerezis ngust).
Denumirea de ferite dure i moi referindu-se la caracteristicile lor mag-
netice, nu la cele fizice.
Forma curbei histerezis a feritelor variaz de la material la altul n
funcie de caracteristicile magnetice, care la rndul lor depind de o serie de
factori i pot fi influenate prin:
compoziia chimic a aliajului;
modul de elaborare;
tratamente termice;
prelucrri mecanice.
Prin metodele artate se pot varia:
magnetizarea;
energia cristalin;
anizotropiile;
magnetostriciunea;
textura, forma i mrimile particulelor.
Stabilirea unor relaii care s permit determinarea influenei exacte
a factorilor enumerai asupra formei curbei de histerezis este complicat
deoarecepot interveni mai muli factori i nu se cunoate exact ponderea
fiecruia i efectul aciunii comune.
Feritele folosite n tehnic se mai numesc i oxiferi, subliniind prin
aceasta faptul c ele reprezint substane feromagnetice combinate cu oxizi
metalici. O alt denumire a feritelor este i aceea de ferroexcub, care
subliniaz structura cubic a reelei acestor materiale.
185
Tehnologia de fabricaie a feritelor are o mare influen asupra
proprietilor finale ale produselor finite.
Principalele etape ale acestuia sunt: prepararea prafului de ferit
format din oxizii metalelor mcinai mrunt i bine amestecai. La acesta se
mai adaug un plastifiant, (de obicei o soluie de alcool polivinilic) i din
masa obinut se preseaz sub presiune mare piese avnd forma necesar.
Apoi piesele sunt supuse sintetizrii la temperatura de 1100-1400C. Astfel
se produce coacerea lor i formarea soluiilor solide de ferite. Sintetizarea
trebuie s se fac obligatoriu n mediu oxidant (de obicei n aer).
Existena chiar a unei cantiti mici de hidrogen n spaiul de
funcionare al cuptorului poate duce la restabilirea parial a oxizilor, ceea
ce duce la creterea brusc a pierderilor n aliajul magnetic. Contracia
feritelor la sintetizare este foarte mare (pn la 20%).
Feritele sunt materiale dure i fragile care nu suport prelucrri prin
achiere, ele pot fi numai lefuite i lustruite.
Efectul de magnetostriciune apare diferit la diverse ferite. Astfel,
feritele cu temperatura Curie sczut au un efect de magnetostriciune mai
puin pronunat.

Tabelul 4.2. Principalele proprieti fizice ale feritelor.
Proprieti Unitate de
masur
Valoare numeric
Densitate g/cm
3
3-5
Capacitatea termic specific Cal/ggrad 0,17
Conductibiliti termice specifice Cal/cmsgrad
10
-2
Coeficientul termic de dilatare
liniar
Grad
-1
10
-5
Rezistena electric specific
cm
10-10
-7
Variaia permeabilitii magnetice a feritelor n funcie de tempera-
tur este prezentat n figura 4.11. Dup cum se vede din curbele date
a
crete o dat cu creterea temperaturii pn la punctul Curie i apoi scade
brusc. n acest caz cu ct este mai mare valoarea permeabilitii iniiale, cu
att scade punctul Curie al acestei ferite. Cu ct este mai mare valoarea
iniial a permeabilitii magnetice, cu att este mai mic frecvena la care
se constat scderea sa. Feritele cu valoare mare a lui
ef
au i o valoare
mare a tg , care arat o cretere mai rapid cu mrirea frecvenei.
Feritele au o permeabilitate dielectric relativ mare depinznd de
frecven i de compoziie. O dat cu creterea frecvenei, permeabilitatea
dielectric a feritelor scade.
186
Figura 4.11. Variaia permeabilitii magnetice efective n funcie
temperatur
1-oxifer 2000; 2-oxifer 1000; 3-oxifer 400;
4-oxifer 200; 5-aliaj de Fe-Ni 50NXC -0,1mm
Astfel, de exemplu ferita de Ni-Zn cu permeabilitate iniial
a
=200
la frecvena de 1kHz are =400, iar la frecvena de 10MHz permeabilita-
tea lui dielectric este =15. Valorile mari ale lui corespund feritelor de
Mn-Zn i Li-Zn.

f [Hz]
Figura 4.12. Schema orientativ a utilizrii feritelor la diferite frecvene
Aceste ferite se folosesc n diferite game de frecven, care sunt
determinate orientativ de valorile permeabilitii magnetice i de pierderi
(figura 4.12.)
Feritele magnetice moi si-au gsit aplicaii la fabricarea bobinelor din
circuite, a bobinelor de filtraj i a ecranelor magnetice.
187
Pentru verificarea cunotinelor din acest capitol rspundei n mod
concis la urmtoarele ntrebri:
1. Ce este un material magnetic?
2. Care micare a particulelor atomice determin proprietile
magnetice ale materialelor?
3. Ce este un magneton i ce valoare are?
4. Clasificai materialele magnetice.
5. Definii un material diamagnetic..
6. Dai exemple de materiale diamagnetice.
7. Definii un material paramagnetic.
8. Dai exemple de materiale paramagnetice.
9. Definii un material feromagnetic.
10. Dai exemple de materiale feromagnetice.
11. Definii un material antiferomagnetic.
12. Dai exemple de materiale antiferomagnetice.
13. Definii un material ferimagnetic.
14. Dai exemple de materiale ferimagnetice.
15. Care sunt unitile de msur pentru B,H. i M?
16. Care este legea legturii dintre B,H i M?
17. Care este teorema lui Warburg?
18. Ce este cmpul magnetic coercitiv?
19. Ce este inducia magnetic remanent?
20. Definii permeabilitatea magnetic diferenial.
21. Ct este permeabilitatea magnetic a vidului?
22. Ce este un material magnetic moale?
23. Dai exemple de materiale magnetice moi?
24. La ce se folosesc materialele magnetice moi?
25. Ce este un material magnetic dur?
26. Dai exemple de materiale magnetice dure?
27. La ce se folosesc materialele magnetice dure?
28. Clasificai materialele ferimagnetice?
29. La ce se folosesc materialele ferimagnetice moi?
30. La ce se folosesc materialele ferimagnetice dure?
31. Ce tipuri de tabl silicioas cunoatei?
32. Ce sunt curenii turbionari (Foucault)?
33. Cum se modeleaz matematic pierderile prin cureni turbionari?
34. Cum se modeleaz matematic pierderile prin histerezis?
35. Ce aliaje feromagnetice speciale cunoatei?
36. Ce relaie exist ntre susceptivitatea magnetic i permeabilit.
magnetic?
188
189
5. FIBRE OPTICE
De peste o sut de ani, undele electromagnetice i-au demonstrat
utilitatea pentru transmitere informaiilor. Aceasta reiese din faptul c ele
nu au neaprat nevoie de un conductor metalic pentru a se propaga ci se
pot propaga cu viteze ridicate n vid sau n medii dielectrice.
Fibra optic este un mediu de propagare a radiaiei luminoase,
realizat din sticl sau mase plastice, n care ghidarea radiaiei este asigurat
de profilul indicelui de refracie n seciune. Fibrele optice sunt formate,
de regul, dintr-un miez pe care este ghidat radiaia luminoas i un
nveli al crui indice de refracie este mai mic dect al
miezului.Comunicaiile prin fibr optic utilizeaz lungimi de und n
infrarou (lungimi de und de la 800 pn la 1600 nm), de preferin
lungimile de und de 850, 1300 i 1550 nm.
Undele electromagnetice se propag n vid cu viteza luminii:
c
0
=299792,456 km/s (valoarea rotunjit de 300000 km/s =3 x 10
8
m/s) este
suficient de exact pentru a descrie propagarea luminii n aer).
ntr-un mediu fr pierderi i de dimensiune infinit, unda
electromagnetic este, ca i lumina, o und transversal. Cmpul electric i
magnetic al undei transversale oscileaz perpendicular pe direcia de
propagare .
Dac cmpul electric i magnetic oscileaz ntr-un plan, atunci
sgeata vectorului cmpului de intensitate electric/magnetic descrie o
dreapt (und de polarizare liniar).
5.1. PROPAGAREA UNDELOR ELECTROMAGNETICE
Considerm o und ca fiind propagarea unei stri sau a unei excitaii
ntr-un mediu, fr ca masa sau materia acestui mediu s fie transportate.
n cazul undei electromagnetice starea este cmpul electromagnetic care se
propag ntr-un mediu transparent optic. O funcie sinusoidal descrie
forma cea mai simpl a propagrii n timp i spaiu a undei plane, care se
propag n direcia z: ( )

= =

z
T
t
A kz t A a 2 sin sin
(5.1)
unde : a deviaia undei plane,
190
A amplitudinea,
frecvena unghiular,
t timpul,
k numrul de und,
z lungimea n direcia z,
T perioada de oscilaie.
La baza funcionrii fibrei optice st fenomenul de reflexie total a
undelor electromagnetice. Reflexia total apare cnd o raz luminoas se
propag sub unghiuri de inciden crescnde, dintr-un mediu mai dens (cu
indice de refracie n
1
) ntr-un mediu mai puin dens (cu indice de refracie
n
2
). Se ajunge ca pentru un unghi de inciden
0
(figura 5.1.), unghiul de
refracie s fie
0
= 90
0
. n acest caz, raza luminoas se propag n paralel
cu suprafaa de separare dintre cele dou medii, iar unghiul de inciden
este numit unghi limit
0
.
Pentru unghiul limit
0
este valabil relaia:
1
2
0
sin
n
n
= (5.2)
Raze incidente Axe de inciden
2 3
1
0
1
Mediul 1 n
1

Mediul 2 n
2
n
1

0
3

Figura 5.1. Reflexia total
Rezult c unghiul limit depinde de raportul indicilor de refracie ai
celor dou medii. Pentru toate razele luminoase avnd unghiul de inciden
mai mare ca unghiul limit
0
, nu mai exist raze refractate n mediul mai
puin dens. La suprafaa de separare dintre cele dou medii aceste raze
luminoase se rsfrng n mediul mai puin dens (fenomenul de reflexie
total). Reflexia total poate avea loc doar n cazul trecerii unei raze
luminoase dintr-un mediu mai dens ntr-un mediu mai puin dens, invers nu
este posibil.
191
ntr-o fibr optic se folosete fenomenul reflexiei totale pentru a
ghida raza luminoas. Acest ghidaj se obine instalnd un miez de sticl
sau mas plastic (indice de refracie n
1
) ntr-un nveli de sticl sau mas
plastic (indice de refracie n
2
), n
1
fiind ales mai mare ca n
2
. Condiia de
funcionare este ca n
1
>n
2
(n
1
=1,48 i n
2
=1,46).
Analiznd expresia (5.2) putem concluziona c toate razele
luminoase care nu deviaz mai mult de
0
fa de axa fibrei vor fi ghidate
prin sticla miezului.
Figura 5.2. Propagarea undei electromagnetice cu reflexie total
Injectnd din exterior o raz luminoas n miez, unghiul de injecie
dintre raza luminoas i axa fibrei poate fi determinat aplicnd legea
refraciei:
( )
0
1
0
0
90 sin
sin
n
n
=

(5.3)
aceasta implicnd c
0
2
1 0 1
sin 1 cos sin = = n n .
Condiia pentru unghiul limit (
1
2
0
sin
n
n
= ) ne conduce la expresia:
2
3
1
3
sin n n = (5.4)
Unghiul de injecie maximal
max
este numit unghiul de acceptan al
fibrei optice, iar el depinde doar de indicii de refracie n
1
i n
2
. Sinusul
unghiului de acceptan este numit apertura numeric a fibrei optice:
A
N
= sin
max

(5.5)
Aceast valoare este de o caracteristic esenial pentru injecia
luminii prin fibr. Astfel dac un fascicul de und electromagnetic
intr ntr-o fibr optic la una din extremiti, o parte nsemnat din aceast
energie va fi captat n interiorul fibrei i va fi ghidat spre cellalt capt
al ei. Ghidarea se obine datorit fenomenului de reflexie intern total a
razelor pe pereii fibrei.
Reflexia total este o condiie esenial, deoarece n cazul unor
reflexii pariale repetate, energia iniial concentrat n miezul fibrei s-ar
mprtia n exterior.

n1
n2
192
Diametrele caracteristice miezurilor fibrelor optice sunt cuprinse
ntre 10100 m i care sunt mai mari dect lungimea de und a luminii
transportate, care este de 1m. Pentru transmisia prin fibre optice este
necesar s se gseasc o surs luminoas ct mai coerent. Undele
luminoase capabile s se propage ntr-o fibr optic sunt numite moduri
(unde naturale).
Aceste moduri pot fi determinate matematic prin ecuaiile lui
Maxwell. Acest sistem de ecuaii, de obicei utilizat pentru unde
electromagnetice, poate fi simplificat n mod considerabil n ceea ce
privete fibrele optice, dac nu inem seama dect de undele slab ghidate.
Este vorba de unde care se propag aproape de direcia axial a fibrei
optice. Ele apar dac indicii de refracie ai sticlei miezului n
1
i sticlei
nveliului n
2
difer prea puin.
Msura acestei diferene n refracie este diferena relativ de indice
, definit astfel:
1
2 1
1
2
2
2
1
2
2 n
n n
n
n n

= (5.6)
Propagarea modurilor n fibra optic depinde de forma profilului
indicelui de refracie. Variaia indicelui de refracie urmeaz o lege de
forma:
( )
(
(

|
.
|

\
|
=
g
a
r
n r n 2 1 1
2 2
(5.7)
pentru r < a n miez i n
2
(r) = n
2
2
= constant pentru r a n nveli, unde:
n
1
indice de refracie pe axa fibrei,
diferena relativ de indice,
r distana radial de la axa fibrei, n m,
a raza miezului fibrei, n m,
g exponentul profilului,
n
2
indice de refracie al undei nveliului.
Diferena relativ de indice depinde de apertura numeric i de
indicii de refracie n
1
i n
2
:
1
2
2
2
1
2
1
2
2
2 2 n
n n
n
A N
= =
(5.8)
Se menioneaz urmtoarele cazuri excepionale: g =1 pentru profil
triunghiular; g = 2 pentru profil parabolic; g profil cu indice n
treapt.
193
5.2. MODURI ALE FIBRELOR OPTICE
Cele mai des utilizate tipuri constructive sunt: fibrele optice cu index
variabil n trepte i fibre cu index gradat. Fibrele cu index variabil n trepte
sunt formate dintr-un miez cilindric de sticla, silic sau plastic cu indicele
de refractie n
1
, acoperite cu un inveli subire cu indice de refracie mai
redus n
2
. Fibrele cu indice gradat au indicele de refracie variabil de la o
valoare ridicat n centru pn la o valoare redus la margine. Aceasta face
ca razele s se propage ca n figura 5.3.

Figura 5.3. Principalele tipuri constructive de fibre optice
Seciunile prin cele dou tipuri constructive de fibre optice sunt
prezentate n figura 5.4.
Figura 5.4. Variaia indicelui de refracie n fibrele optice
Doar n ultimul caz pentru profilul cu indice n treapt, indicele de
refracie este constant n miez. Pentru toate celelalte profile cu indice de
refracie n miez n(r), crete proporional de la valoarea n
2
n nveli.
Din acest motiv, aceste profile sunt denumite profile cu indice
gradat. Aceast denumire a fost special adoptat pentru profilul parabolic
deoarece aceste fibre optice au proprieti tehnice bune n ghidarea luminii.
Fibr optic cu index treapt
Fibr optic cu index gradat
Distant
Indice de
refractie
Miez
Cmas
Fibr optic cu index treapt
Distant
Indice de
refractie
Miez
Cmas
Fibr optic cu index gradat
194
O alt valoare important care descrie fibra optic este parametrul V,
numit frecven normal de tiere. Ea depinde de raza a, de apertura
numeric A
N
a fibrei i de lungimea de und sau de numrul de und K.
Parametrul V este adimensional:
N N
KaA A
a
V = =

2 (5.9)
unde : a raza miezului,
lungimea de und,
A
N
apertura numeric,
K numrul de und.
Numrul N de moduri de ghidare prin miez depinde de acest
parametru, pentru un profil de indice la o putere oarecare cu un exponent
de profil g avem, aproximativ urmtoarea relaie:
2 2
2
+

g
g V
N (5.10)
Pentru profilul cu indice n treapt (g ) numrul de moduri
ghidate este aproximativ:
2
2
V
N . Pentru profilul cu indice gradat, numrul
modurilor este aproximativ:
4
2
V
N
O astfel de fibr optic care ghideaz mai multe moduri este numit
fibr optic multimod. Dac vrem s reducem numrul de moduri, adic s
reducem parametrul V, trebuie fie s diminum diametrul miezului 2a, fie
s micorm apertura numeric sau s mrim lungimea de und. Cantitatea
de lumin care poate fi injectat n fibr depinde n mod substanial de
apertura numeric .
Dac pentru o fibr optic cu indice n treapt (g ) parametrul V
devine mai mare dect constanta V
c
= 2,405, atunci un singur mod se poate
propaga. Numim o astfel de fibr optic fibr optic monomod .
Lungimea de und calculat, creia i aparine valoarea limit V
c
este numit lungime de und de tiere
c
.
N
c
c
A
V
a 2
= (5.11)
Pentru toate lungimile de und
c
, doar un singur mod este n stare
s se propage n miezul unei fibre considerate. Aceast fibr este o fibr
optic monomod pentru lungimile de und superioare lui
c
.
Pentru ca lumina s fie ghidat n sticla miezului unei fibre optice cu
indice n treapt, trebuie ca la interfaa miez-nveli indicele de refracie n
1
al miezului s fie uor superior indicelui de refracie al nveliului n
2
.
Dac indicele de refracie n
1
al sticlei miezului este constant pe toat
seciunea transversal a miezului, vorbim de profil cu indice n treapt,
195
cci indicele de refracie crete la interfaa nveli-miez n form de treapt
i rmne apoi constant.
O astfel de fibr optic este numit fibr optic cu indice n treapt.
Aceasta poate fi fabricat simplu. Dimensiunile tipice ale unei fibre optice
multimod cu indice n treapt:
- diametrul miezului 2a = 100 m,
- diametrul nveliului D = 140 m,
- indicele de refracie al miezului n
1
= 1,48,
- indicele de refracie al nveliului n
2
= 1,46.
Distorsiunea care produce diferenele de timp n modurile
individuale este numit dispersie modal. Fibra optic monomod este fibra
optic cu indice n treapt i cu pierderi mici. Dimensiunile tipice pentru
fibrele optice monomod:
- diametrul cmpului de mod 2D
0
= 10 m,
- diametrul nveliului D = 125 m,
- indicele de refracie al miezului n
1
= 1,46,
- diferena relativ de indice = 3%.
Apertura numeric A
N
a unei fibre optice monomod este dat de:
0
1
5 , 6 113 , 0 sin
113 , 0 2 46 , 1 2
=
=

N
N
A
n A
(5.12)
unde este unghi de acceptan.
Trebuie notat c ntr-o fibr monomo, nu numai diametrul miezului
dar i apertura numeric i deci unghiul de acceptan, sunt substanial mai
mici, comparate cu o fibr optic multimod. Din acest motiv injecia de
lumin devine relativ dificil.
Razele care oscileaz n jurul axei fibrei optice au ntotdeauna, de
parcurs traiectorii mai lungi dect raza care se propag n lungul axei dar,
ca urmare a diminurii indicelui de refracie dincolo de ax ele se propag
cu viteze mai ridicate i exist n acest fel o compensare. De fapt timpii de
ntrziere dispar aproape complet.
Dac forma parabolic i profilului este fabricat cu suficient
precizie, nu se mai observ, pe o distan de 1 km i deci pentru un timp de
propagare al luminii de 5 s, dect timpii de ntrziere n jur de 0,1 ns.
Acest timp de ntrziere, minim pentru fibrele cu indice gradat, este
datorat nu numai dispersiei materialului dar, de asemenea, i dispersiei
profilului. Aceasta i gsete explicaia n faptul c indicii de refracie
ntre miez i nveli variaz n diferite feluri n funcie de lungimea de und
i prin urmare, att diferena relativ de indice , ct i exponentul de
profil g, sunt funcie de lungimea de und.
196
( ) ( )
N N
A
a
r
A n r n r

= =
2
2
2
1
2
1 sin (5.13)
Dispersia ntr-o fibr monomod este o combinaie a dou tipuri de
dispersie. Este vorba de dispersia materialului care rezult dintr-o
dependen a indicelui de refracie de lungime de und n= n() i astfel de
viteza lumini c = c() i pe de alt parte de dispersia ghidului de und, care
rezult din dependena repartiiei luminii pe sticla miezului i nveliului
(diferena relativ de indice =()).
Profilul indicelui de refracie al unei fibre monomod obinuit este
un profil cu indice n treapt cu o diferen relativ cu indice . Pentru
acest profil simplu, suma dintre dispersia materialului i dispersia ghidului
de und este egal cu zero pentru o lungime de und n jur de 1300 nm.
Dac vrem s deplasm acest punct de zero al dispersiei ctre alte
lungimi de und, trebuie schimbat dispersia ghidului de und i n
consecin trebuie schimbat structura profilului. Aceasta ne conduce la
profile segmentate sau cu multiple trepte de indice. Cu ajutorul acestor
profiluri este posibil s se fabrice fibre optice n care dispersia nul s fie
decalat spre 1550 nm (fibre optice cu dispersie decalat) sau care au
valorile de dispersie foarte slabe n gama de unde de 1300 i 1550 nm
(numite fibre optice cu dispersie compensat sau aplatizat).
Dispersia cromatic n funcie de lungimea de und determin
diverse profiluri:
a) fr decalaj de dispersie:
- profil cu indice n treapt simpl,
- profil cu indice de refracie redus n nveli.
b) cu decalaj al dispersiei:
- profil segmentat cu miez triunghiular,
- profil triunghiular,
- profil segmentat cu indice n treapt dubl n nveli.
5.3. PARAMETRII FIBREI OPTICE
n fibrele optice exist dou tipuri de dispersie, ce limiteaz limea
de band a semnalului: dispersia de material si dispersia modal.
Dispersia de material este datorat propagrii undelor de diferite
lungimi de unda cu viteze diferite, chiar in acelai mediu de propagare. In
consecin unde cu lungimi de und diferite emise de sursa nu vor ajunge
la receptor simultan si vor avea o dispersie in timp datorit propagrii in
durate de timp diferite. Acesta fenomen este redus folosind un emitor cu
spectru ingust de emisie, de genul unui laser.
197
Dispersia modal este produs de diferena de drum de propagare
dintre modurile de ordin redus si cele de ordin inalt. Modurile de ordin
nalt au o durat de propagare mai ridicat dect cele de ordin redus si
simultan razele de lumin sufer o dispersie la recepie. La fibrele cu index
variabil n trepte dispersia modal poate fi redus prin scderea aperturii
numerice pentru a permite numai modurilor de ordin redus s se propage.
La fibrele cu index gradat efectul este redus deoarece modurile de ordin
nalt se propag cu viteza mai mare prin regiunile de index mai redus,
astfel ca diferena de timp dintre modurile de ordin nalt i cele de ordin
redus nu este att de mare ca la fibrele cu index variabil n trepte.
Fiecare surs luminoas pentru o fibr optic, emite lumina sa nu
numai pe o lungime de und unic, ci ntr-un spectru distribuit n jurul
acestei lungimi de und.
Dispersia este datorat diferenei relative de indice care depinde de
lungimea de und = ().
Dispersia materialului este o msur a variaiei indicelui de grup n
g
pe diferite lungimi de und:
d
dn
c
M
g
=
1
0

(5.14)
Dispersia ghidului de und este important pentru fibra optic
monomod. Aceasta se datoreaz faptului c distribuia luminii n sticla
miezului i a nveliului este o funcie de lungimea de und M
1
.
Dispersia cromatic reprezint suma dintre dispersia materialului i
dispersia ghidului de und: M = M
0
+ M
1
Dispersia este n general o problem numai la distane mari de
comunicaie i consecin pentru aceste aplicaii se folosesc fibre cu index
gradat mpreun cu emitoare laser, dei preul acestor fibre este mai mare
dect al celor cu index variabil n trepte.
La distane scurte (< 500m) sunt preferate fibrele cu index
variabil n trepte, cu band mai redus, datorit costului sensibil mai
redus i a metodelor de cuplare mai simple.
Exist patru cauze principale de pierderi n fibrele optice:
absorbia n material,
mprtierea n material,
neregulariti la interfaa miez/nveli,
curbur.
Absorbia n material este datorat impuritilor moleculare din
miezul fibrei, care absorb anumite lungimi de und. Procesele de purificare
avansate aplicate n faza de elaborare a materialului reduc semnificativ
aceste fenomene, dar sunt costisitoare. O alt soluie este utilizarea unui
198
emitor care s aib vrfurile spectrului de emisie n domeniul spectral cu
transmisie maxim a materialului.
Spre exemplu, fibrele din plastic au absorbie minim ntre 630 i
670 nm i sunt de aceea recomandate a fi utilizate cu emitori n lumina
roie (spectrul vizibil).
mprtierea n material este produs de impuriti sub forma de
particule i de fluctuaii n temperatur i compozitie (mprtierea
Rayleigh) care ntrerup traiectoria razelor de lumin. O comportare
similar poate fi produs i neregularitilor la interfaa miez/nveli ce
conduc la transmisie n nveli i la piedere de energie datorit reflexiei
pariale.
Curbura fibrei poate fi deasemenea o cauz de pierderi. Dac
curbura este prea mare unele raze vor atinge suprafaa de separare
miez/nveli la unghiuri mai mici dect unghiul limit de reflexie i vor fi
absorbite n nveli, conducnd la o pierdere de reflexie. Cauzele de
pierderi menionate contribuie la atenuarea global, evaluat n dB/km.
Calitatea unui cablu cu fibr optic, se verific cu metode de msur
standardi-zate. n acest scop devine indispensabil pentru parametrii fibrei
o standardizare.
Lumina care se propag ntr-o fibr optic, sufer o atenuare, adic
are loc o pierdere de energie. Aceste pierderi trebuie s rmn mici,
pentru a putea parcurge mari distane. Atenuarea fibrei optice este un
parametru important pentru proiectarea instalrii cablurilor optice. Ea se
datoreaz, n principal, fenomenelor de absorie i difuzie. Importana
acestor pierderi depinde de lungimea de und a luminii injectate.
Msurarea atenurii fibrei optice se face n funcie de luingimea de
und.
Datorit faptului c difuzia rezult din fluctuaiile densitii (lipsa de
omogenitate) n fibra optic i cum aceasta are dimensiuni mai mici dect
lungimea de und a luminii, putem apela la relaia empiric de difuzie a lui
Rayleigh. Aceasta spune c dac lungimea de und crete, pierderile prin
difuze scad:
1/
4

(5.15)
Dac se compar de exemplu pierderile prin difuzie n lungimile de
und cele mai utilizate n comunicaii (850, 1300, 1550 nm) se poate
observa c la 1300 nm pierderile nu ating dect 18% din valoare pe care o
aveam la 850 nm (iar la 1550 nm au n jur de 9%). Rezult c este
avantajos s se utilizeze cablurile cu fibr optic la aceste lungimi de und.
199
Dac se observ propagarea luminii ntr-o fibr optic se poate
constata c puterea luminii P descrete exponenial cu lungimea L a fibrei
optice:
( ) ( )
10
10 0
L
P L P

= (5.17)
unde: -P(0) este puterea luminii injectate n fibra optic,
-P(L) este puterea luminii care se calculeaz la lungimea L,
- este coeficientul de atenuare.
Al doilea parametru important pentru definirea proprietilor de
transmisie ale unei fibre optice este banda de trecere B .
Banda de trecere reprezint o msur a fenomenului de dispersie.
Odat cu creterea frecvenei de modulaie (f
m
) se diminueaz amplitudinea
undei luminoase n fibr pn la dispariia total. Fibra las s treac
semnale de frecven joas i le atenueaz pe cele de frecven nalt (filtru
trece jos).
Modulul funciei de transfer este dat de relaia:
( )
( )
( )
m
m
m
f P
f P
f H
1
2
=
(5.18)
Deci pentru fiecare frecven de modulaie (f
m
), amplitudinile puterii
la intrarea P
1
i ieirea P
2
a fibrei optice, este o funcie de frecven de
modulaie f
m
.
Banda de trecere este intervalul de frecven n care amplitudinea
(puterii optice) comparat cu valoarea sa la frecvena 0, a sczut cu 50%
(adic 3 dB).
( )
( )
5 , 0
0
=
=
H
B f H
m
(5.19)
Impulsurile luminoase se propag n fibra optic cu o vitez de grup:
g
g
n
c
c = (5.20)
Unde n
g
este indicele de refracie de grup al sticlei miezului care depinde
de lungimea L.
Banda de trecere a fibrelor cu indice gradat este limitat prin
dispersia modal i prin dispersia materialului. Dispersia materialului
predomin dac se utilizeaz diode electroluminiscente cu mare lrgime
spectral pentru lungimea de und = 850 nm.
Dispersia modal predomin dac se utilizeaza diode laser de o
lrgime spectral n mod sensibil mai mic pentru lungimea de und de
funcionare = 1300 nm.
Atenuarea i banda de trecere a fibrei optice utilizate, ca i valorile
de atenuare ale joncionrilor sunt parametrii cei mai importani de luat n
200
consideraie din punct de vedere al transmisiunii n timpul proiectrii
reelelor pe cabluri optice.
Calculul atenurii pentru fibre optice monomod sau multimod se face
cu relaia:
a
c
= L
fib
+ na
j
(5.21)
unde : a
c
atenuarea unei legturi pe cablu,
L lungimea cablului,

fib
coeficient de atenuare,
n numr de joncionri,
a
j
atenuarea de joncionare.
Datorit faptului c instalaia de cabluri optice sunt concepute pentru
durate lungi de utilizare trebuie ca n cursul proiectrii s se prevad
rezerve pentru joncionri de reparaie. Aceast rezerv este cuprins ntre
0,1 0,6 dB/km.
Lungimea de und de tiere desemneaz cea mai joas lungime de
und de funcionare. Sub lungimea de und de tiere
c
, fibra optic este
multimodal iar pentru lungimi de und >
c
monomodal.
Distribuia luminoas ntr-o fibr monomod, are un rol important n
evaluarea pierderilor de injecie, de curbur sau datorate mbinrilor.
5.4. TEHNOLOGIA DE FABRICAIE A FIBRELOR OPTICE
Prin fibr optic nelegem un mediu optic transparent, de mare
lungime, ]nconjurat de un alt material cu indicele de refracie mai mic,
pentru ca la suprafaa de separare s se poat produce fenomenul de
reflexie total (intern) a luminii.
Dei preocupri de obinere a fibrelor optice au existat mai
demult, abia dup 1950 s-au putut obine fibre optice cu aplicabilitate
practic. In prezent exist o mare varietate de fibre optice cu
numeroase domenii de utilizare.
Ca materiale de fabricare a fibrelor se folosesc diferite sortimente de
sticle, sticle de cuar cu coninut de siliciu, cuar topit, ca atare sau dopat cu
diverse elemente. n prezent se foloseasc tot mai mult pentru realizarea
fibrelor optice materialele plastice.
In domeniul fibrelor optice, eforturile de cercetare sunt ndreptate n
dou direcii principale: gsirea unor materiale cu caracteristici superioare
i punerea la punct a unor tehnologii i instalaii ct mai performante,
capabile s asigure calitatea dorit, la costuri ct mai accesibile.
Indiferent de compoziia aleas, materialul utilizat pentru obinerea
fibrelor optice trebuie s rspund urmtoarelor cerine generale:
201
s aib tranparen ct mai bun la lungimea de und a semnalului
luminos folosit,
s posede stabilitate chimic ct mai bun n timp,
s fie uor prelucrabil n toate fazele procesului tehnologic.
Pe baza experienei productorilor de fibr optic, materialele cu cea
mai larg utilizare se pot grupa n trei categorii :
bioxid de siliciu pur i amestecuri ale acestuia cu ali oxizi n
cantiti mici, denumii si dopani,
sticle multicompozite,
materiale plastice.
Cu toate c utilizarea materialelor plastice nu numai pentru nveliul
optic este avantajoas din punct de vedere economic, caracteristicile optice
net inferioare n raport cu cele ale sticlei le recomand numai pentru
transmisii la distane mici, unde atenuarea semnalului optic de-a lungul
fibrei are doar o importan secundar.
Este evident superioritatea primelor dou tipuri de materiale (anume
sticlele pe baz de siliciu si cele multicompozite), care au aceeai
component de baz - bioxidul de siliciu. Deosebirile dintre cele dou
grupe de materiale apar cnd se pune problema alegerii tehnologiei de
prelucrare pentru obinerea fibrei optice.
Performanele produsului final - fibra optic - depind n mod direct
de materialul ntrebuinat, dar i de tehnologia utilizat. Exist ns i
restricii prin care materialul condiioneaz tehnologia de prelucrare, astfel
nct s rezulte fibra optic cu parametrii dorii.
Dat fiind evantaiul larg de compoziii pornind de la bioxidul de
siliciu pur, pn la sticlele multicompozite, grania dintre cele dou grupe
de materiale este greu de precizat, compoziiile cele mai utilizate situndu-
se ns la capetele intervalului.
Att bioxidul de siliciu pur, ct i sticla multicompozit au o
structur amorf, sunt anizotrope i sunt ductile (se trag n fire), din stare
lichid la temperaturi nalte. Rcirea rapid a materialului topit duce la
formarea unei sticle stabile i omogene, n pofida tranziiei printr-un
domeniu termic n care este posibil apariia (nedorit) a cristalelor.
Dintre toate tehnologiile actuale depunerea chimic din faza de
vapori este cea care permite obinerea unei game largi de compoziii
chimice, de la bioxidul de siliciu pur pn la sticla multicompozit
rezultat prin adugarea n concentraii considerabile a unor substante de
aditivare cu scopul modificrii sensibile a indicelui de refracie.
Dat fiind variaia continu i previzibil a proprietilor fibrei optice
n funcie de compoziia chimic, parametrul care deosebete net sticla cu
202
coninut nalt de SiO
2
de cea multicompozit este temperatura de topire i
implicit, de tragere a fibrei.
n timp ce temperatura de topire a sticlei multicompozite se situeaz
n intervalul 500-1200C, bioxidul de siliciu se topete la circa 2000C.
Fibrele optice din sticle multicompozite se pot realiza utiliznd o
gam larg de materiale, cu condiia de a se asigura proprietile optice
necesare i prelucrabilitatea cerut de procesul de fabricaie.
n literatura de specialitate se menioneaz utilizarea materialelor pe
baz de bioxid de siliciu n amestec cu oxizi de Al, Ge, sau a materialelor
alcaline, foarte rspndit fiind sistemul SiO
2
-B
2
O
3
-Na
2
O.
Dintre tehnologiile de fabricaie, n prezent, metoda cu dublu
creuzet este utilizat din ce n ce mai puin ntruct fibrele optice
multimod din sticl multicompo-zit astfel obinute au parametrii tehnico-
calitativi inferiori celor ai fibrelor optice pe baz de bioxid de siliciu cu
aplicaii n sistemele de telecomunicaii la distane mari.
Materialele cu indice de refracie diferit pentru miezul i respectiv
nveliul optic al fibrei se introduc n cele dou creuzete dispuse
concentric, unul n interiorul celuilalt, prevzute la partea inferioar cu cte
o duz circular prin care are loc curgerea sticlei, Centrele celor dou
orificii fiind situate pe axa de tragere a fibrei optice.
n general, faza de tragere este precedat de prepararea sticlei cu
compoziia dorit n alt creuzet la temperatura de 800C, ntr-un cuptor
obinuit. n acest creuzet confecionat de obicei din cuar se realizeaz
topirea substanelor componente i tratarea topiturii astfel nct materialul
rezultat s aib compoziie omogen, fr incluziuni i bule de gaz.
Prin procedeul acesta a fost posibil fabricarea de fibre optice cu
atenuarea de circa 5 dB/km pentru lungimea de und = 0.83 m a luminii
transmise. Fibrele cu indice trept de refracie produse astfel pot avea
apertura numeric de maxim 0,3.
Tehnologia tij n tub de obinere a fibrelor optice const n
introducerea unei tije din sticl cu indice de refracie mare, ntr-un tub din
sticl cu indice de refracie mai mic. Ansamblul astfel format constituind
semifabricatul din care, n interiorul unui cuptor, se trage fibra optic.
Dac tija i tubul se consum n timpul tragerii cu aceeai vitez
liniar, fibra rezultat reproduce prin raportul dintre diametrul miezului i
cel al nveliului optic raportul dintre dimensiunile respective ale tijei i
tubului utilizate.
Metoda prezentat, n pofida avantajelor conferite de simplitate i de
absena contaminrii sticlei care se produc n celelalte cazuri prin contactul
cu dublul creuzet, prezint riscul ca la interfaa dintre miez i nveliul
203
optic s apar bule de gaz sau alte incluziuni. Cuptorul n care are loc
tragerea poate fi nlocuit de laseri, arztoare cu gaz sau de nclzire prin
cureni de nalt frecven.
Tehnologia cu separare de faz const n prepararea, pentru nceput,
a unei sticle cu puritate medie urmat de o purificare pe cale termic i
chimic. Sticla astfel separat este tratat cu o soluie acid care dizolv
faza ionic i elimin impuritile.
Cu ajutorul acestei metode rezult baghete de sticl poroas care sunt
consolidate ulterior pentru a se obine preforma pezentnd pierderi foarte
reduse datorate absorbiei. Variaia indicelui de refracie poate fi
determinat prin introducerea unui dopant, fie n sticla de baz, fie n
bagheta poroas. Aceast metod permite relizarea fibrelor optice cu indice
trept sau gradat de refracie.
Figura 5.5. Tehnologia de tragere a fibrelor optice
n figura 5.5. este prezentat schematic tehnologia de tragere a
fibrelor optice, care conine echipamentele:
1- sistem de alimentare (de avans al preformei ;
2- surs de cldur;
3- pirometru;
4- regulator de temperatur;
5- echipament de msur a diametrului fibrei;
6- sistem de reglare a vitezei de tragere n funcie de diametrul fibrei;
7- sistem de realizare a nveliului protector al fibrei;
204
8- cuptor tubular pentru uscarea materialului nveliului protector al
fibrei;
9- tambur de tragere si nfurare a fibrei.
Fabricarea pe scar tot mai larg a fibrelor optice a impus
perfecionarea surselor de cldur pentru temperaturi peste 2000C. Pentru
nclzirea preformei se pot utiliza mai multe tipuri surse de cldur:
- arztoare cu oxigen i hidrogen,
- cuptoare electrice cu rezisten,
- cuptoare electrice cu inducie.
- laser cu bioxid de carbon.
Din punctul de vedere al utilizatorului, sunt foarte importante att
calitatea fibrei optice n conformitate cu cerinele impuse de aplicaia
considerat ct, mai ales, constana n timp a valorilor parametrilor optici i
mecanici ce caracterizeaz fibra. n acest scop suprafaa ei se protejeaz
mpotriva deteriorrii ce pot aprea ca urmare a unei solicitri mecanice
sau a unor ageni corozivi aflai n mediul de lucru.
Substana de protecie se aplic ntr-un strat subire i poate fi din
clasa rinilor sintetice sau un material plastic. Caracteristicile tehnice ale
acesteia sunt:
-filmul depus trebuie s aib grosime uniform n seciunea
transversal, deci s fie concentric cu fibr optic pentru a prentimpina
apariia n momentul solidificrii a unor tensiuni interne care ar putea duce
la curbarea fibrei;
-nveliul de protecie trebuie s aib rezisten bun la abraziune i
stabilitate chimic n timp;
-coeficientul de dilatare al substanei utilizate trebuie s fie ct mai
aproiat de cel al sticlei pentru a prentmpina tensionarea i ruperea fibrei
ca urmare a variaiei temperaturii mediului de lucru;
-n vederea operaiilor de corectare a fibrelor, materialul respectiv
trebuie, de asemenea, s fie uor dizolvabil cu ajutorul unui solvent.
Pe plan mondial au fost experimente mai multe metode de realizare a
acoperirii de protecie, dintre care cel mai rspndit procedeu const n
trecerea fibrei printr-un creuzet care conine n stare lichid materialul de
acoperire.
Acoperirea este corect dac se respect pe parcursul ntregului
proces o anumit relaie ntre viteza de deplasare a fibrei i vscozitetea
soluiei.
Operaia final a procesului de acoperire de protecie a fibrei este
uscarea rinii imediat dup aplicare. n general aceast operaie se
realizeaz ntr-un cuptor cilindric.
205
Temperatura de lucru nu trebuie s depeasc valoarea de la care
are loc fierberea solventului, pentru a se prentmpina apariia bulelor de
vapori.
Fibrele optice trase din preform au o rezisten mecanic destul de
ridicat, dar exist totui destui factori externi care slbesc aceast
rezisten. Dintre aceti factori putem meniona torsionrile puternice, cu
raze de curbur mici, frecrile dintre fibr i mediul materialului
ncojurtor sau dintre ele, atacul coroziv al unor ageni chimici.
Diminuarea rezistenei mecanice a fibrei optice este nsoit de
regul de modificri ireversibile ale structurii i geometriei acesteia,
microfisuri i microde-formri, variaii locale ale diametrului, modificri
care influeneaz negativ transmisia radiaiei prin fibr.
ntr-o fibr optic supus unor fore de deformare solicitrile
mecanice se concentrez n defectele de turnare, n microfisurile de tragere,
astfel nct vrful fisurii crete de cteva ori, fora de coeziune a
materialului este depit iar peste un anumit prag fibra se rupe. Aplicarea
unui nveli de protecie din material plastic la sfritul procesului de
tragere a fibrei menine rezistena mecanic a acesteia i n plus, reduce
pierderile de radiaie n afara fibrei.
5.5. CABLURI DE FIBRE OPTICE
Un cablu optic este format dintr-un numr relativ mare de fibre
optice i alte componente care asigur o protecie bun fibrelor optice i
caracteristici tehnice adecvate.
Fibrele optice n sistemele de comunicaii pot fi cablate unifilar sau
multifilar. Sistemele actuale folosesc cabluri cu fibre n mnunchiuri de
cteva sute de fibre, cu cmi de plastic.
Figura 5.6. Structura unui cablu de fibre optice
206

Cele mai importante cerine impuse cablurilor optice sunt:
dimensionarea corespunztoare pentru micorarea pierderilor optice
introduse de ocurile mecanice;
rezisten mare la ntindere;
rezisten la ptrunderea vaporilor de ap;
stabilitate termic n gama temperaturilor de lucru;
flexibilitate la ncovoiere la rece;
rezisten la ageni chimici i casare;
usurin la interconectare i instalare;
pre sczut i ntreinere ieftin.
Dei fibra optic simpl are o mare flexibilitate, datorit faptului c
energia si cantitatea de informaie transmise prin fibr sunt limitate, n
transmisiile de date se folosesc cabluri alctuite din mai multe fibre optice
simple.
Cablurile de fibre optice sunt de dou feluri:
a) cabluri necoerente sau ghiduri de lumin, care se folosesc atunci
cnd semnalul transmis de o fibr optic simpl a cablului nu este corelat
cu semnalele transmise se celelalte fibre simple ale cablului. n astfel de
cabluri nu este important poziia relativ a diferitelor fibre simple care
alctuiesc cablul.
b) cabluri coerente, folosite n special pentru transmiterea
imaginilor. La asemenea cabluri poziia relativ a diferitelor fibre simple
care intr n componena acestora este de o importan vital.
Cablurile necoerente au funcia de a transmite lumina dintr-un loc
n altul. Avantajele lor fa de alte dispozitive optice care pot ndeplini
acelai rol sunt flexibilitatea, eficiena ridicat, compactitatea i
posibilitatea de modelare a seciunii transversale a fasciculului luminos.
Flexibilitatea permite ghidarea luminii dup drumuri complicate far s fie
necesar folosirea oglinzilor sau a prismelor.
Eficiena ridicat poate avea valori mai mari dect unul. Cu ajutorul
cablurilor optice se poate modifica att forma seciunii transversale a unui
fascicul luminos ct i numrul de fascicule transmise.
Un singur fascicul de lumin poate fi divizat n mai multe fascicule
de lumin separate, sau mai multe fascicule de lumin pot fi combinate
ntr-un singur fascicul de lumin.
Structura de aranjare a fibrelor optice simple ntr-un cablu poate fi
sau hexagonal sau ptratic.
ntr-un montaj hexagonal fibrele optice ocup o fraciune egal cu
/2 3 =0,9069 din suprafaa unui element de reea, dac nu se ia n
consideraie grosimea stratului protector de material, i ocup o fraciune
207
egal cu o,9069 R
0
/R
1
dac se consider i grosimea stratului protector (R
1
fiind raza seciunii transversale corespunzatoare stratului protector). ntr-un
aranjament ptratic fraciunea este de /4=0,785, ceea ce determin c
transmitana acestor cabluri s fie mai mic dect cea a cablurilor cu
aranjament hexagonal de 2/ 3 =1,115 ori.
Diametrul fibrelor optice de sticl folosite pentru alctuirea
cablurilor poate ajunge pn la 0,15 mm fr ca flexibilitatea cablului s se
reduc prea mult. Dac se folosesc fibre optice de material plastic,
diametrul maxim poate fi de cca 1,5 mm.
Prin curbarea (ndoirea) cablurilor, cele mai solicitate sunt fibrele
optice exterioare. Astfel de solicitri duc la micorarea transmitanei
cablului. In cazul cablurilor de sticl transmitana se stabilizeaz la o
valoare cu cca 1% sau 2% mai mic dect cea iniial dup aproximativ
100 de solicitri, pe cnd la cablurile din fibre de material plastic
transmitana continu s se reduc cu creterea numrului de solicitri.
Temperatura pn la care se folosesc cablurile de sticl depinde de
materialul stratului protector i de materialul folosit pentru unirea fibrelor
i poate fi de pn la 400C, iar temperatura maxim la care se mai pot
folosi cablurile de plastic este impus de materialul plastic folosit pentru
obinerea fibrelor.
Deoarece fiecare fibr optic simpl, componenta cablului, poate
transporta o anumit cantitate de energie, corespunztoare unui anumit
element de suprafa a obiectului, independent i fr influena fibrelor
vecine, cablurile coerente servesc pentru transmiterea imaginilor dintr-un
loc n altul.
Fibra optic este extras din furnal pe un tambur, avnd ns grij de
a poziiona spirele succesive ale elicoidului unele lng altele fr s se
suprapun. Dup ce s-a obinut ltimea dorit, se depune un nou strat prin
inversarea sensului de spiralare a fibrei, numrul straturilor depinznd de
numrul de fibre care trebuie s alctuiasc cablul. Dup ce s-a realizat
numrul dorit de straturi, fibrele de pe tambur se taie paralel cu axa
tamburului. Procedeul nu permite obinerea unor fibre mai subiri de cca 20
m, motiv pentru care se procedeaz la reinclzirea cablului i ntinderea
sa obinndu-se fibre cu diametre de cca 5 m.
Datorit grosimii finite a materialului nveliului protector, o anumit
cantitate de energie se pierde. Ambele fenomene contribuie la trecerea
luminii dintr-o fibr n alta. n cazul cablurilor nocoerente aceasta duce, n
cel mai ru caz, la micorarea fluxului luminos.
n cazul cablurilor coerente ns trecerea luminii dintr-o fibr n alta
este nsoit de micorarea contrastului din imaginea final, motiv pentru
208
care fibrele se acoper cu un strat metalic protector sau cu un strat opac de
sticl.
n general, cele dou tipuri de cabluri optice, coerente si necoerente,
au proprieti optice similare, dei din anumite puncte de vedere pot aprea
deosebiri. De exemplu, folosirea izolaiei pentru prevenirea trecerii luminii
dintr-o fibr optic n alta face ca apertura numeric a cablurilor optice
coerente s fie mai mic din cauza creterii atenurii razelor de lumin mai
nclinate fa de ax. n plus, de interes deosebit devine funcia de
propagare efectiv.
Izolaia dintre fibre nu este perfect i ntre fibre poate aprea lumina
parazit. Cnd iluminarea suprafeei de intrare a cablului se menine n
conul de lumin cu semiunghiul la vrf i < i
max,
lumina parazit se poate
datora uneia din urmatoarele cauze:
- ptrunderea luminii prin materialul dintre miezul fibrei;
- abaterea de la reflexia intern total;
- mprtierea luminii n fibr sau la suprafaa ei;
- curbarea cablului.
Orice defect constructiv al fibrelor optice poate duce la
distorsionarea imaginilor. Aceste distorsiuni includ punctele ntunecoase
datorate fibrelor rupte sau sparte i deformrile imaginilor datorate alinierii
incorecte a fibrelor n cablu. De cele mai multe ori abaterile de la alinierea
axial determin o deplasare lateral a imaginii.
Fibrele optice pot fi folosite doar pentru realizarea de conexiuni
punct la punct. Pentru realizarea acestor conexiuni sunt necesare
dispozitive opto-electronice: emitoare si receptoare. Atenuarea
semnalului luminos depinde de lungimea de und a acestuia.
Pentru comunicaiile optice se folosesc lungimi de und din afara
spectrului vizibil, i anume n gama 750-1600 nm.
Pentru reelele locale sunt folosite urmtoarele categorii de cabluri cu
fibra optic:
cablul "tight" - utilizat pentru cablarea interioar a cldirilor;
miezurile sunt protejate de mantale rezistente la foc i cu degajare
redus de gaze toxice; n centrul cablului se afl un material
dielectric;
cablul "loose" - folosit pentru cablri n exteriorul cldirilor; trebuie
protejat mpotriva umiditii;
cablul "slotted core" - folosit tot pentru cablri n exteriorul
cldirilor, rezistent la umiditate.
La realizarea conectrii fibrei optice se folosesc dou tipuri de
interfee:
209
Fibr optic
0.5
1.4
2.5
Cmasa extern a cablului
Gel protector
Interfa pasiv este realizat cu ajutorul a dou conectoare
baionet, nfipte n conductor; unul conine un LED pentru
transmiterea datelor, iar cellalt conine o fotodiod pentru
recepionarea acestora;
Interfaa activ (sau repetor activ) cuprinde trei aa-numite
etaje:
1) etajul care recepioneaz semnalul optic i l transform n semnal
electric;
2) etajul care amplific semnalul electric;
3)etajul care transform semnalul electric amplificat n semnal optic i l
trans- mite pe fibr.
n cazul interfeelor active, cderea unei componente nu va afecta
transmiterea datelor pe tronson, ci doar va intrerupe conectarea acesteia la
tronson. Datorit caracteristicilor enumerate, transmisiile prin fibr optic
cunosc aplicaii din cele mai variate, cum ar fi: transmisii de date n reele de
comunicaie de medie i mic ntindere, aplicaii medicale (dispozitive de
investigare n lumina vizibil), iluminare microscoape sau aplicaii industriale
(dispozitive de investigare), etc.
n figura 5.7. este prezentat un cablu multifilar, de rezisten mic, de tip
LD (Light Duty) folosit n transmisile de date. El poate conine 719 fibre optice
cu nveli de plastic sau cu nveli din siliciu. Fibrele optice sunt nfurate ntre
ele n timpul cablrii. Cablul optic nu conine nici un element de rezisten,
fibrele optice fiind ncapsulate ntr-o cma din poliuretan.
n figura 5.8 este prezentat un cablu unifilar consolidat, de diametrul
mic, tip S1, folosit n interiorul cldirilor i n conducte subterane etc. Fibra
optic este nconjurat de ctre 6 elemente de rezisten, ntreg ansamblul fiind
ncorporat ntr-o cmaa din material plastic. Greutatea specific a cablului este
de numai 6 kg / km, raza minim de curbur de numai 2,5 cm, iar diametrul su
exterior de 2,5 mm.
Figura 5.7. Cablu multifilar de tip LD (Light Duty)
210
Figura 5.8 Cablu unifilar consolidat S1
Figura 5.9. Cabluri multifilar consolidat
Avantajele acestor cabluri multifilare cu apertur numeric mare
este randa-mentul ridicat de cuplaj cu sursa i fotodetectorul, uurina
interconectrilor i redundana fibrelor. Deficienele lor sunt atenuarea
Fibr optic
Cmas intrn
Element de rezistent
Cmas extern
0.5
2.5
Cmasa extern a cablului
Cmasa fibrei optice
Fibra optic
Gel protector
Element de rezistent
Fibr optic
0.5
1.4
2.5
Cmasa extern a cablului
211
extrem de mare i banda de trecere ngust din care motiv legturile optice
se fceau pe distane scurte.
Firete c utilizarea cablurilor optice se va face impreun cu
conectorii menii a realiza legturile fie ntre un sistem optic i altul, fie
pentru cuplare la circuitul receptor sau emitor. Aceastea aduc un mare
avantaj, deoarece se elimin munca destul de dificil a montrii
conectorilor, lucru ce necesit scule speciale, i deasemenea se garanteaz
calitatea conexiunii, diminund la maxim pierderile la conectare.
n prezent se folosesc diferite tehnici de mbinare prin lipirea cu un
adeziv transparent care acioneaz n acelai timp i ca egalizator de indici
de refracie sau prin topirea celor dou capete cu ajutorul unor dispozitive
de nclzire cu arc electric, dar aceste conexiuni au pierderi de
0.14dB/conexiune pn la 0.29 dB/conexiune.
Astfel performanele legturilor prin cablu optic pe distane mici pot
fi maximizate, cablurile cu conectori deja montai avnd caracteristici
garantate. Nu vor putea fi prezentate n acest referat toate tipurile de
cabluri cu conectori montai, deoarece sunt foarte multe posibiliti,
acoperind practic necesarul oricaror aplicaii.
Alegerea va depinde de tipul de cablu dorit, lungimea sa (exist
lungimi ntre 2 i 100 m), i perechea de conectori ce se doresc la capetele
cablului.
Cele mai utilizate cabluri optice sunt:
A. Cablu optic LSF Simplex care sunt cabluri optice multimodale,
de nalt calitate, utilizabile pentru aplicaii de LAN. Suport o serie
intreag de protocoale de comunicaie precum Ethernet i Token Ring,
precum i servicii de transmisie imagine i sunet.
LSF Simplex are o singur fibr optic, este de tip "tight" LSF/0H
(Low Smoke and Fume, Zero Halogen Sheath - protejat de o manta
rezistent la foc i cu degajare redus de gaze toxice) Se recomand
utilizarea pentru cablarea interioar a cldirilor. Fibra este nconjurat cu
fire de Kevlar pentru sporirea proteciei i rezistenei.
B. Cablu optic LSF Duplex este similar cu cel anterior, numai c
este vorba de dou fibre optice pentru conexiunea duplex.
C. Cablu optic Intern/Extern LSF este un cablu cu 8 fibre optice
(62 5/125mm), nemetalic, protejeazaz fibrele mpotriva umiditaii, i este
realizat din material cu emisie redus de fum. Aceste caracteristici l fac
util i pentru cablare n mediul exterior.
D. Cablu optic LSF Light Duty este tot un cablu de nalt calitate
potrivit pentru aplicaii de tip LAN. Conine 4 fibre i este realizat cu
scopul de a oferi flexibilitate, rezisten i diametrul exterior mic. Acestea
permit cablurilor s fie instalate n tuburi foarte subiri sau canale de cablu
212
din PVC, montate aparent pe perete. Fibrele din interiorul cablului sunt
protejate individual de mantale colorate de 900mm inconjurate cu fire de
aramid. Cablurile sunt de emisie slab de fum (Low Smoke and Fume/Zero
Halogen). Fibrele sunt deasemenea protejate cu fire de Kevlar pentru a
aduga protecie i rezisten.
E. Cablu optic universal LSZH este pentru aplicaii de LAN. Cele
4 fibre optice sunt protejate de mantale primare colorate (250mm),
protejate la rndul lor de un material de tip gel polyester aflat ntr-un tub
central. Acesta este nconjurat de fire de Aramid ce ofer rezisten,
invelite ntr-o manta neagr LSF/OH. Rezistent la ap i la UV.
F. Cablu optic simplu/dublu din polimer este un cablu, produs de
Fibre Data, reprezint o fibr din polimer simpl sau dubl (pentru aplicaii
duplex). Atenuarea este tipic 200 dB/km la 665 nm (atenuarea crete peste
aceast valoare, la 820 nm, ajungnd la 1500 dB/km).
Caracteristicile de transmisie pentru acest cablu optic sunt astfel
gndite nct cel mai bine se lucreaz n lumina vizibil.
Fibra este nvelit n polietilen neagr pentru protecie. Temperatura
de lucru este:-30C la +85C.
Cu ajutorul acestor cabluri optice se pot dezvolta sisteme n lumin
vizibil roie, ieftine, pentru legturi de date de lungime mic, sisteme de
laborator pentru mediul educaional, sisteme de iluminare la microscoape,
iluminare zone greu accesibile etc.
n cazul transmisiilor de date se realizeaz viteze de 10 Mbits/s la
distane de sub 20 m.
Cnd se folosesc n tehnica iluminatului, fibrele optice prezint mai
multe avantaje fa de sistemele clasice cum ar fi:
a) Fibrele optice permit separarea sursei de lumin de suprafaa ce
trebuie iluminat, fapt de o importan esenial n special n aparatele
optice medicale introduse n organism pentru inspecia vizual a diferitelor
organe interne. Metodele clasice de observare bazate pe folosirea lmpii cu
incandescen complic mult sistemul optic, nu permit obinerea unor
iluminri suficiente i prezint riscuri din punctul de vedere al conexiunilor
electrice. Toate aceste dificulti se nlatur dac iluminarea se va face cu o
fibr optic subire.
b) Cablurile optice permit miniaturizarea, o problema crucial n
aplicaiile care implic folosirea mai multor surse de lumin.
c) Fibrele optice se pot folosi pentru iluminarea instrumentelor de
msura i control. De exemplu, un sistem optic poate ncorpora mai multe
instrumente care, din punct de vedere clasic, se ilumineaz separat folosind
becurile cu incandescen. Folosirea unui cablu optic de fibre optice
iluminat de o singur surs de lumina poate diviza fasciculul de lumin n
213
mai multe fascicule, fiecare dintre acestea folosindu-se pentru iluminarea
unui instrument.
d) Metoda de cuplare sau decuplare a diferitelor conexiuni electrice,
bazat pe folosirea fibrelor optice, asigur o protecie ridicat i capt o
extindere tot mai mare.
e) Controlul surselor de lumin localizate n locuri greu accesibile
deschide un cmp larg de aplicaii pentru cablurile optice.
f) Se tie c sursele de lumin ntinse prezint o eficien mic de
iluminare a unor suprafee mici, n special cnd acestea sunt fantele
dreptunghiulare ale aparatelor optice. Folosirea unor cabluri optice a cror
sectiune transversal variaz continuu de la forma circular la forma
alungit prezint un avantaj potenial.
g) Fibrele optice pot fi folosite pentru obinerea unor corelatori
multicanal, fasciculele provenite din diferite locuri putnd fi nsumate sub
forma unui singur semnal.
Cnd se folosesc n tehnica sistemelor de comunicaii, fibrele optice
ofer avantaje multiple fa de sistemele clasice. Asfel de aplicaii trebuie
ns s ia n consideraie nu numai posibilitile de distorsionare a
semnalelor transmise ci i posibilitile de distrugere n timp a cablurilor de
fibre optice, n special datorit fragilitii fibrelor de sticl.
Protecia cablurilor optice trebuie asigurat fa de abraziune si
contaminare, fa de tensiunea la ntindere, i fa de tensiunea datorat
ndoirii.
Straturile protectoare, folosite pentru asigurarea condiiilor impuse
de folosirea n condiii de securitate a cablurilor optice, pot ocupa o parte
important din intregul volum al cablului. Intruct funcia unui sistem de
comunicaii este aceea de a transmite informaii, asemenea sisteme trebuie
apreciate i comparate n raport cu capacitatea de informare a unui canal.
Din acest punct de vedere, mrimea capacitii de informare este legat de
micorarea imprtierii impulsului, datorat att dispersiei de material ct
i dispersiei modale, i de cresterea puterii de transmisie sub un raport
semnal/zgomot convenabil.
Ct privete posibilitatea de a folosi cablurile optice coerente pentru
a transmite imaginile dintr-un loc n altul, trebuie pornit de la faptul c este
imposibil s se aeze fibra optic n contact cu obiectul. Procedeul este de a
forma imaginea obiectului pe faa de intrare a cablului folosind mijloace
clasice. Adesea este necesar ca imaginea format pe faa de ieire a
cablului s fie marit, folosind tot mijloace clasice.
Combinaia obiectiv-cablu coerent de fibre optice-ocular este
cunoscut sub denumirea de fibroscop.
214
Fibroscoapele au deja multiple aplicaii att n medicin ct i n
industrie, n special pentru controlul suprafeelor interne la care accesul
prin mijloace clasice nu este posibil.
Exist nc multe aplicaii ale fibrelor optice pentru obinerea
imaginilor n mrime natural, pentru realizarea tuburilor convertor cu
fascicul baleiat sau n fotografia ultrarapid. Progresele din domeniul
fibrelor optice deschid calea dezvoltrii unui nou domeniu de vrf al
opticii, optica integrat.
Fa de transmiterea datelor prin cabluri din materiale conductoare,
cablurile cu fibre optice prezint urmtoarele avantaje i dezavantaje:
Principalul avantaj fa de cablul de cupru este c transmiterea
informaiei ntre dou puncte pe cablul clasic se face pe distane de pn la
2 km, fa de 70 km n cazul fibrelor optice, iar cantitatea de informaie
este net inferioar n cazul cablului clasic.
Se pot acoperi distane foarte mari ntre beneficiari, fr a fi nevoie
s se regene-reze semnalul. O fibr optic obinuit are o atenuare de
aproximativ 0.25 dB/km la o lungime de und de 1550 nm.
Capacitatea de transmisie este practic nelimitat, singura limitare
este aceea a sistemelor electronice.
Greutate proprie foarte mic. Dintr-un singur kilogram de material
proform se confectioneaz circa 38 km de fibr optic. Aceste fibre sunt
grupate ntr-un cablu, iar greutatea cablului optic este mult mai mic dect
a unui cablu echivalent din cupru.
Fibrele optice fiind construite din materiale non-metalice sunt imune
la interfe-rene de natur electromagnetic.
Soluiile cu fibr optic sunt mult mai ieftine, iar securitatea
comunicaiei este asigurat odat prin forma digital a semnalului, iar pe
de alt parte prin faptul c n interiorul cablului nu se poate conecta n
derivaie dect n cazuri speciale, i cu ntreruperea traficului pe durata
lucrrii
Dintre dezavantajele transmisiilor de date cu fibre optice amintim:
Fibra optic nu permite transportul de energie.
Instalaiile trebuie s protejeze ochii: cantitatea de energie optic
emis din sursa de lumin i n final prin extremitatea fibrei sunt suficiente
pentru a afecta retina nainte ca victima s observe.
Este indispensabil purtarea ochelarilor de protecie infrarou pentru
a lucra deasupra unui dispozitiv aflat n funciune
Performanele n domeniul cerecetrilor fibrei optice sunt numeroase
i eu consider c aceste cercetri se vor extinde i se vor obine rezultate
net superioare celor existente
215
Pentru verificarea cunotinelor din acest capitol rspundei n mod
concis la urmtoarele ntrebri:
1. Ce este o fibr optic?
2. Ce fenomen st la baza transmiterii informaiei prin fibre optice?
3. Care este ecuaia de propagare a undei plane?
4. Care este viteza undei electromagnetice n vid?
5. Care este expresia unghiului limit?
6. Cnd apare reflexia total?
7. Definii unghiul de acceptan.
8. Definii apertura fibrei optice.
9. Definii un mod optic.
10. Ce diametre au fibrele optice?
11. Definii indicele de refracie al unei fibre optice.
12. Cum se obine o fibr optic cu index gradat?
13. Cum se obine o fibr optic cu index treapt?
14. Definii frecvena normal de tiere.
15. Definii o fibr optic multimod.
16. Definii o fibr optic monomod.
17. Care este expresia lungimii de und de tiere
c
.
18. Ce tipuri de dispersii apar n fibrele optice?
19. Definii o fibr optic cu dispersie compensat.
20. Definii dispersia de material.
21. Definii dispersia modal.
22. Definii dispersia cromatic.
23. Ce fenomene duc la pierderi n fibrele optice?
24. Definii atenuarea fibrei optice.
25. Care sunt cele mai utilizate lungimi de und pentru fibrele optice.
26. Ce reprezint banda de trecere?
27. Definii Lungimea de und de tiere.
28. Ce materiale se folosesc la fabricarea fibrelor optice?
29. Care sunt cerinele generale impuse materialelor utilizate la
fabricarea fibrelor optice?
30. Ce influeneaz calitatea fibrelor optice?
31. Ce tehnologii de fabricare a fibrelor optice cunoatei?
32. Ce rol are substana de protecie a fibrei optice?
33. Ce caracteristici tehnice are substana de protecie a fibrelor optice ?
34. Definii un cablu de fibr optic.
35. Care este structura unui cablu de fibr optic?
36. Ce caracteristici tehnice au cablurile de fibr optic?
216
37. Definii un cablu coerent de fibr optic.
38. Definii un cablu necoerent de fibr optic.
39. Ce aplicaii au cablurile coerente de fibr optic?
40. Ce aplicaii au cablurile necoerente de fibr optic?
41. Ce categorii de cabluri cu fibra optic se utilizeaz n reelele locale?
42. Ce interfee se folosesc la realizarea conectrii fibrei optice?
43. Care este structura unei interfee active?
44. Care este structura unui cablu multifilar de fibre optice?
45. Care este structura unui cablu unifilar consolidat?
46. Ce rol au conectorii cablurilor de fibre optice?
47. Dai 5 exemple de cabluri optice.
48. Ce aplicaii ale fibrelor optice cunoatei?
49. Ce aplicaii ale cablurilor de fibre optice cunoatei?
50. Ce dezavantaje au transmisiile prin cabluri de fibre optice?
217
BIBLIOGRAFIE
1. Agaston K., Materiale electrice i electronice, Editura Universitii
Petru Maior, 2001.
2. Bunget I.,"Fizica dielectricilor", Editura Tehnic, 1995.
3. Bunget I., Popescu I.," Introducere n electronica corpului solid"
Editura Academiei, 1992.
4. Burzo E.,Magnei permaneni, Editura Academiei, Bucureti,
1987.
5. Chioreanu V.,Materiale electrotehnice, Universitatea Politehnic
Timioara 1996.
6. Cruceanu M., Fibre optice, Ed. tiinific, 1987.
7. Cruceru C.,Supraconductibilitatea i aplicaiile ei, E.D.P.
Bucureti, 1985.
8. Doicaru V., Prvulescu M., Transmisii prin fibre optice, Editura
Militar, 1994
9. Htte, Manualul inginerului, Fundamente, Editura tehnic
Bucureti, 1995.
10. Ifrim A.,Materiale electroizolante, Editura Tehnic Bucureti,
1982.
11. Kittel Ch.,Introducere n fizica corpului solid, Editura Tehnic
Bucureti, 1982.
12. Lic V.,Materiale electroizolante, Editura Tehnic Bucureti,
1992.
13. Nicula Al.,"Fizica semiconductorilor", Editura Scrisul Romnesc,
1988.
14. Prvulescu M., Doicaru V., Transmisii prin fibre optice,Ed.
Militar, 1994.
15. Doicaru V., Transmisia prin fibre optice,Ed. militar, Bucureti
1996.
16. Popescu Ch.,Materiale electrotehnice, Editura tehnic, Bucureti,
1984.
17. Schlett Z., Hoffamn I., Cmpeanu A.,Semiconductoare i aplicaii,
Editura Facla, Timioara, 1981.
18. Rdulescu T., Telecomunicaii, Editura Teora, Bucureti, 1997.
19. Voiculescu E., Marita T.,Optoelectronica, Editura Albastra, Cluj
Napoca, 2001.
20. *** Cabluri cu fibre optice, ROMTELECOM, Centrul de instruire
i documentare, 1992