LUCRAREA NR.

7
STUDIUL TRANZISTORULUI CU EFECT DE CMP
(TEC), CARACTERISTICI STATICE, PARAMETRI.
1. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ)
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ) este un
dispozitiv electronic unipolar (conducia se face printr-un singur tip de
purttori fie electroni, fie goluri). Este format dintr-un cristal
semiconductor n care se realizeaz un canal conductor prevzut la
capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii de alimentare i un
electrod de comand a curentului din canal. Contactele de la capete
sunt denumite: surs - electrodul prin care purttorii ptrund n canal,
i dren electrodul prin care purttorii sunt evacuai din canal. Tipul
n sau p al materialului semiconductor din care este fcut canalul,
determin tipul purttorilor mobili de sarcin: electroni i respectiv
goluri i mprirea tranzistoarelor cu efect de cmp n TECJ cu canal
n i TECJ cu canal p.
Schimbarea conductanei canalului se obine prin cmpul creat de
o tensiune care se aplic celui de-al treilea electrod numit poart sau
gril.
La tranzistorul TECJ seciunea efectiv a canalului este
modificat prin comanda lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni
pn. n fig.1a, este prezentat structura simplificat a unui astfel de
tranzistor realizat ntr-un cristal semiconductor tip n unde au fost
obinute dou jonciuni pn care las ntre ele un canal conductor. Cele
dou jonciuni sunt polarizate invers, iar mrimea tensiunii de
polarizare comand lrgimea regiunilor de trecere i deci seciunea
efectiv a canalului.
n fig.1b, este artat o variant de realizare a unui TECJ n
tehnologie planar epitaxial. Canalul este realizat din regiunea n
crescut pe substratul p+. Jonciunile gril-canal i substrat-canal,
delimiteaz clar canalul conductor. Realizarea contactelor ohmice se
face pe regiuni dopate n+. n unele cazuri substratul este utilizabil ca
87

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

electrod de comand similar grilei iar uneori se conecteaz mpreun

cu grila.
Curenii de gril , datorit polarizrii inverse a jonciunii pn sunt
foarte redui: 1pA10nA astfel rezultnd o rezisten de intrare de
10101013.
Atenie!: Trebuie evitat regimul accidental de polarizare direct a
jonciunii poart-canal care conduce la o disipaie termic n regiunea
de trecere putnd deteriora tranzistorul.
D

D
CONTACT METALIC

CANAL

n+

IZOLATOR

n+

n
p

CANAL

G
p+

+
n n
+
p

n+
SUBSTRAT

Fig. 1 a) Schema simplificat a unui tranzistor TECJ ;

b) structura unui tranzistor TECJ planar epitaxial cu canal n.
n cele ce urmeaz se va studia un tranzistor TECJ cu canal n.
2. Caracteristici statice ale TECJ
1) Caracteristici de ieire (de dren)

I D f VDS V
GS ct.

(1)

n cazul tensiunilor de dren mici, ntre ID i VD exist o relaie

liniar, caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte i au panta
dependent de tensiunea aplicat pe poart. Experimental se constat

88

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp

caracteristici statice,parametri

c prin canal trece curent i n cazul aplicrii unei tensiuni negative pe

dren.
Cu creterea tensiunii pozitive pe dren , dup atingerea unei
anumite valori VDS curentul se satureaz, caracteristicile fiind drepte,
paralele cu abscisa. n montaje de amplificare, TECJ lucreaz n
regiunea de saturaie unde curentul ID este efectiv comandat de
tensiunea VGS.
2). Caracteristici de transfer.

I D f VGS V
DS ct.

(2)

Aceast familie de caracteristici se traseaz de obicei pentru

regimul de saturaie cnd curentul ID este slab influenat de tensiunea
VDS. Se constat c aceste caracteristici sunt foarte apropiate ntre ele
fiind suficient s se traseze doar una, corespunztoare unei tensiuni de
dren superioar celei de saturaie.
Pentru tensiuni de gril mici, caracteristica de transfer poate fi
considerat liniar. Spre tensiuni negative apropiate de Vp (tensiunea
de prag la care tranzistorul se blocheaz), caracteristica de transfer
prezint o pant variabil.

Fig. 2 Caracteristicile tipice pentru un tranzistor TECJ, cu canal

n; (a) caracteristici de ieire, (b) caracteristici de transfer

89

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Observaie. La tranzistorul TECJ caracteristicile de intrare

nu prezint interes datorit rezistenei foarte
I G f(V GS ) V
DS ct.
mari a circuitului de intrare ce conduce la cureni foarte mici, fapt care
se constituie ntr-un parametru de performan al acestui tip de
tranzistor.
3). Parametrii tranzistorului TECJ
a) Transconductana (conductana mutual, panta), gm, se
definete ca:
gm

I D
VGS

dI D

dVGS VDS ct.

<gm>SI=AV-1

(3)

b) Conductana de dren (conductana de ieire) gD

gD

I D

VDS

dI D
dVDS

VG ct.

(4)

c) Factorul de amplificare static n tensiune, T

T

VDS
VGS

dVDS
dVGS I D ct.

(5)

Parametrii gm, gD i T sunt legai prin relaia:

T

gm
gd

(6)

3. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor la

TECJ
n fig.3 se prezint schema utilizat pentru analiza tranzistorului
TECJ cu canal n. Va fi studiat tranzistorul tip BF 245 ale crui
caracteristici principale sunt prezentate n fia tehnic care urmeaz.

90

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp

caracteristici statice,parametri

mA
D
G

VG

VD

VE
S

Fig.3 Montaj pentru trasarea

tranzistorul TECJ cu canal n.

caracteristicilor

statice

la

Dup ridicarea caracteristicilor statice se va proceda la calculele

parametrilor tranzistorului studiat conform relaiilor (3), (4) i
(5).
Atenie la meninerea tranzistorului n parametrii de fucionare
admii !
Pentru protecia tranzistorului la depirea tensiunilor normale de
lucru s-au prevzut diode zener de protecie gril-surs i dren-surs
care limiteaz valorile acestora.
FIA TEHNIC
Tranzistor TECJ BFW10 i BF245
Capsule utilizate:

TO72
M
G

TO92
S
D

BFW10

DSG

BF245

VEDERE DINSPRE TERMINALE

91

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Caracteristici electrice principale (TA=300K)

VDS
tensiune drena-surs
VGS
tensiune poart-surs
ID
curent de dren
PD
putere disipat
VP
tensiune de prag poart-surs
IDS
curent de dren cu grila scurtcircuitat la
surs
CRS
capacitate de reacie n SC cu intrarea n
scurtcircuit
Y21
admitana de transfer direct cu ieirea n
scurtcircuit

BFW10
30
-30
8...20
300
-8
8...20

BF245
30
-30
25
300
-15
2...25

UM
V
V
mA
mW
V
mA

0,6

1,1

pF

3,2

6,5

mA/V

4. Trasarea caracteristicilor statice la un tranzisor cu efect de

cmp cu poart metal-oxid-semiconductor (TECMOS) cu canal
indus de tip p n conexiune surs-comun
n cele mai multe cazuri n dispozitivele fabricate din siliciu
izolatorul este realizat dintr-un strat de oxizi, obinndu-se o structur
MOS (Metal-Oxid-Semiconductor). Tranzistoarele astfel construite se
numesc TECMOS (sau n englez MOSFET; Metal-OxidSemiconductor Field Effect Tranzistor). Particularitatea cea mai
important o reprezint rezistena de intrare foarte mare care atinge
1015.

Fig.4 Structura fizic a unui tranzistor TECMOS cu canal indus

Se consider tranzistorul MOS din fig.4 unde pe gril este aplicat
o tensiune VG suficient pentru a forma un strat de inversiune puternic
ntre surs i dren n timp ce tensiunea pe dren este mic V DVG.
Prin canal va circula un curent, n lungul acestuia existnd o cdere de
92

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp

caracteristici statice,parametri

tensiune. Fiecare seciune a canalului este caracterizat de tensiunea

VC(y). Tensiunea efectiv dintre poart i canal VGC, mrime care
determin intensitatea cmpului electric transversal n izolator este
variabil cu distana. Lrgimea canalului scade de la surs spre dren.
n cazul TECMOS intereseaz caracteristicile de ieire i cele de
transfer. n fig.5 (a) sunt prezentate caracteristicile de ieire la un
astfel de tranzistor :

I D f VD VG ct

(7)

La tensiuni de dren foarte mici ID depinde liniar de VD ; urmeaz

apoi poriunea neliniar a caracteristicilor, iar dup aceasta regiunea
de saturaie n care canalul se nchide. Valorile curentului n cele trei
cazuri sunt descrise de expresiile analitice gsite n seciunea
precedent. Pstrnd constant rata de cretere a tensiunii de
poart,VG , caracteristicile de ieire nu sunt echidistante deoarece ntre
ID i VG exist o dependen ptratic. n majoritatea calculelor care se
fac pentru utilizarea TECMOS n montaje de amplificare se consider
c n regiunea saturat caracteristicile sunt paralele.

(a)
(b)
Fig.5. Caracteristici statice tipice pentru un tranzistor TECMOS
cu canal indus: (a) caracteristici de ieire , (b) caracteristici de
transfer.

Al doilea tip de caracteristici de interes sunt cele de

transfer:

93

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

I D f VG VD ct

(8)

Regimul normal de funcionare al TECMOS fiind cel de

saturaie, ca urmare a influenei slabe a tensiunii V D asupra curentului
ID , caracteristicile de transfer (luate la diferite tensiuni de dren) sunt
foarte apropiate, n practic folosindu-se una singur ca n fig.5(b).
Pe caracteristica de transfer se poate observa i valoarea tensiunii de
prag, VP. De obicei sunt date curentul de dren maxim i tensiunea de
poart corespunztoare.
n cadrul prii experimentale se va studia tranzistorul ROS 01
pentru care vor fi trasate :
Caracteristicile de ieire ID = f (V) cu VG parametru.

Caracteristicile de transfer ID = f (VG) cu VD parametru.

Se va utiliza pentru trasare metoda punct cu punct pe baza
montajului din fig.6.Pentru a preveni distrugerea dispozitivului printro conectare greit n montaj, n paralel cu terminalele tranzistorului
sunt conectate diode zener de protecie.
IMPORTANT DE REINUT :
Precauii la manipularea tranzistoarelor TECMOS
Tranzistoarele TECMOS se pot distruge uor prin strpungere n
timpul montrii n circuitele electronice datorit impedanei foarte
mari de intrare care favorizeaz acumularea unei sarcini electrostatice
i provoac apariia unei diferene de potenial pe gril, conducnd la
strpungerea stratului de oxid. Capacitatea corpului uman depete
300 pF i n anumite condiii se poate ncrca electrostatic la peste 10
KV. Alte surse de tensiuni periculoase sunt casetele i distanierele
din polistiren, policlorur de vinil .a. De asemenea, tensiuni mari pot
genera echipamentele de testare i ciocanele de lipit.Este necesr s se
prevad o serie de msuri de protecie fa de pericolul generat de
aceste surse de tensiuni periculoase pentru dispozitiv:

94

LUCRAREA NR.7

Studiul tranzistorului cu efect de cmp

caracteristici statice,parametri

pentru anularea sarcinii statice tranzistoarele sunt inute n

cutii metalice sau cu terminalele scurtcircuitate printr-un inel
conductor;
toate echipamentele de manipulare i ciocanul de lipit se leag
la mas,
se recomand ventilarea cu aer ionizat a zonei de lucru;
operatorul va purta legat la ncheietura minii un conductor
conectat printr-un rezistor de 1M la masa general iar
planeta de lucru este de obicei dintr-un cauciuc conductor
conectat la mas;
nu trebuie depite tensiunile tranzitorii de vrf specificate n
foile de catalog;
nu se scot i nu se introduc tranzistoarele n circuite aflate n
stare de funcionare .
Pentru protecia direct la unele dispozitive TECMOS sunt
introduse n structur jonciuni Zener cuplate ntre gril i surs.
Dezavantajul acestei soluii de protecie este reducerea impedanei de
intrare a tranzistorului
mA
D
G

0-12V

S1

VE

0-20V

S2

Fig.6 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice la un

tranzistor TECMOS cu canal indus de tip p.

95

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

FISA TEHNIC
TRANZISTORUL ROS 01

Tranzistor TECMOS cu canal p de tip prin mbogire (canal

indus)
Rezisten ridicat n intrare RGS 1010
Rezisten cobort n conducie RDS min 50
Utilizat n comutaie, reglajul automat al amplificrii,
amplificare (RDS = 50...1M).
Poart protejat la sarcini electrostatice printr-o diod zener
conectat la substrat.

D
G

S
u
b S

S
u
b
S

D G

Capsula TO-72 Vedere de jos.Substratul este legat la capsul

Caracteristici principale la TA = 25 0C
VDM Tensiunea maxim dren-surs
VGM Teniunea maxim poart-surs
VGSubM Tensiunea maxim poart-substrat
IDM Curent maxim de dren
PD Putere disipat
TA Temperatur ambiant de funcionare
Tstg Temperatura de stocare
VP Tensiune de prag (VG = VD , ID = 1A)
IDSS Curent de pierdere dren-surs (VDS = -20V,VGS
=0)
IGSS Curent de pierdere al porii (VG S= -15V, VDS = 0)
gm Transconductana (f = 1KHz, VDS = - 10V, ID =
20mA)
CiS Capacitatea de intrare (VDS = -10V, ID = 10mA, f=
1MHz)
CrS Capacitate de reacie (VDS = -10V, ID = 10mA, f=
1MHz)

96

Valoarea
-30
-40...+0,6
-40...+0,3
30
200
0...+70
-55...+125
-3...-6
1...10

U.M.
V
V
V
mA
mW
0
C
0
C
V
nA

0,05...1
5...9

nA
mS

10

pF

3,2

pF