Sunteți pe pagina 1din 41

Cursul 7

DIAGRAME DE ECHILIBRU
TERMIC FAZAL

LEGEA FAZELOR
Faza F:
O faz este o parte omogen a unui sistem, fizic delimitat de
restul sistemului, i separat de acesta prin suprafee bine
definite.
Numrul de componeni C:
Fiecare faz conine un numr de elemente chimice bine definit.
Numrul de componeni este definit de numrul de specii minus
numrul de relaii chimice dintre ele.
Variana V:
Atunci cnd numrul de componeni ai unui sistem i
componenii fiecrei faze sunt definii, pentru a caracteriza starea
de echilibru a sistemului trebuie definit numrul de factori care o
influeneaz.
Variana este astfel definit ca numrul de grade de libertate ale
sistemului.

LEGEA FAZELOR

Factorii care pot varia sunt temperatura i presiunea (2):


F+V=C+2
Atunci cnd faza gazoas nu este prezent, presiunea nu
influeneaz echilibrul sistemului, deoarece solidele i lichidele
sunt considerate incompresibile. Legea fazelor devine:
F+V=C+1

DIAGRAME DE ECHILIBRU
TERMIC FAZAL
SISTEME UNARE

TOPIREA
Legea fazelor: F + V = C + 1
S:

1+V=1+1V=1

T variaz

S + L: 2 + V = 1 + 1 V = 0

T rmne constant pn cnd


numrul de faze se diminueaz

L:

T variaz

1+V=1+1V=1
Temperatur

S+L

Tf

Timp

DIAGRAME DE ECHILIBRU
TERMIC FAZAL
SISTEME BINARE

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Generaliti

TA

A, B: componenii
sistemului binar
TA: Temperatura de topire
a compusului A
TB

TB: Temperatura de topire


a compusului B
Te: Temperatura
eutectic

Te

e: amestecul binar cu
cea mai joas temperatur
de topire

B
xB

xA

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Generaliti

TA
II
I

Liq

TB
III

A+liq
e
IV

TATeeTeTB: drepte solidus;


Dreptele solidus i curbele
liquidus delimiteaz patru
zone ale sistemului, dpdv al
compoziiei fazale:

B+liq
Te

TAe, TBe: curbe liquidus


indic punctele de coordonate
T-x, la care apare pentru
prima dat faza solid la
rcire, sau se termin topirea,
la nclzire;

9 I: F=2 A+liq

A+B

9 II: F=1 Liq


A

9 III: F=2 B+liq


9 IV: F=2 A+B

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Trasee de topire / cristalizare

TA
Tx
T1
T2

lx

Cristalizare Mx
l1

Liq

l2

T > Tx: liq Mx


Tx:
TB

l3

T3
A+liq
Te

Tx Te:
A + liq (lx- le)
Te:

B+liq

A + liq lx

A + B + liq le
3+V = 2+1 =>V=0

(sistem invariant)
T < Te: A + B

A+B

Mx

L1 L2

L3

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Trasee de topire / cristalizare

TA
Liq

Topire My
T < Te: A+B
TB Te:

ly

A+liq

3+V = 2+1 =>V=0

Ty

(sistem invariant)

B+liq
Te

A + B + liq le

Te Ty:

B + liq (le - ly)


Ty:

A+B

B + liq ly

T > Ty: liq My


A

My

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Trasee de topire / cristalizare

TA
Liq

Te:
punct invariant al sistemului

A+liq
B+liq
Te

TB temperatura la care se
ncheie procesul de
cristalizare, sau ncepe
procesul de topire pentru
orice mas din sistem

A+B

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Relaii cantitative

G = cantitatea amestecului M

TA

S = cantitatea de faz solid


(cristale A) la TX

Tx

L = cantitatea de faz lichid

lx
TB

Legea conservrii masei:

S
G

L
Te

(topitura lx) la TX

M
Liq. lx

P
A

G=S+L

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Relaii cantitative

innd cont de compoziia amestecului M i a topiturii Lx, se poate scrie:


cantitatea de B n amestecul iniial: G
cantitatea de B n topitura Lx: L

AM
100

ALx
100

Dar ntreaga cantitate de B din amestecul iniial se afl n topitur la


temperatura tx, deci:

G
Deci:

AL
AM
= L x
100
100

S =G L=G G

Prin urmare:

S =G

Se poate scrie c:

L = G

iar

AM
ALx

=G

AM
AL x

ALx AM
AL x

MLx
AL x
S
=
L

G
G

MLx
AL x
AM
AL x

ML x
AM

ml x
=
am

=G

MLx
ALx

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Relaii cantitative

ml
cantitate _ cristale _ A
= x
cantitate _ topitur _( Lx ) am

lx
TB

Regula prghiei:

L
G

Te

%A =

ml x
*100
al x

%liql x =

M
Liq. lx

P
A

am
*100
al x

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Relaii cantitative

Regula prghiei poate fi utilizat pentru determinarea cantitilor de faze aflate n


echilibru, la o anumit temperatur, pentru o mas cu o anumit compoziie.
vectorul G, aplicat pe prghia al x n punctul m, se descompune n componentele S i
L (L = G S), aplicate la extremitile prghiei conform raportului braelor.
Pentru a evita msurarea segmentelor

am i ml x , respectiv pentru a obine raportul

fazelor direct n procente, acestea se transpun pe abscisa

AB

a diagramei, care este

mprit n 100 pri.


Transpunerea se realizeaz prin unirea extremitilor segmentelor al x i

AB .

Prelungind dreptele Aa i respectiv Blx, acestea se intersecteaz n punctul O.


Din acest punct se duce apoi o dreapt prin punctul m pn la intersecia cu abscisa
AB n punctul P.

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Relaii cantitative
Pe baza asemnrii
triunghiurilor:
amO ~ APO i
mlxO ~ PBO,

se poate scrie:

lx
TB

Deci, la temperatura Tx

L
G

Te

exist:
% faz lichid (topitur)
% faz solid (cristale A)

M
Liq. lx

P
A

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR

Liq.

Efecte termice

T2

TA
B+liq.

T1

T1

c1

A+liq.

M1

Te

b2

M2

Te

a1
b

a2

b1 b

A+B

b1

a2

A+ B

Te

a1

A+B

B+l

iq.

c2

B+liq
.

Liq.

Liq.

Liq.

T2

M1

M2

b2 b

TB
Liq.

TB

Timp

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Efecte termice

Amestecul eutectic binar e: prezint la temperatura Te un palier ab foarte pronunat,


datorat efectul endotermic de topire a ntregii mase la Te.
Amestecul M1 prezinta la Te un palier a1b1 mai mic, care evideniaz un efect termic
cantitativ mai slab, deoarece cantitatea de mas ce intr n topire este mai mic dect
pentru amestecul e.
- Dac viteza de ncalzire a cuptorului este constant, se observ c de la te la t1 curba
de nclzire a masei, b1c1, are o inflexiune. Aceasta arat c ntre te i t1 cristalele de B,
topindu-se treptat, odat cu creterea temperaturii, dezvolt un efect endotermic
constant n acest interval.
- La T1 apare o alt inflexiune, c1, curba de nclzire urcnd cu viteza mai mare, ceea
ce arat o schimbare a cineticii procesului endotermic.
- Efectul termic total este suma celor dou efecte: ab = a1b1 + b1b.
Comparnd mrimea efectului termic total dat de amestecul M1, cu cel dat de amestecul
eutectic e, se constat egalitatea lor, dac cei doi compusi A i B au cldurile de topire
egale. n cazul n care acetia au cldurile de topire diferite, atunci, trebuie luat n
considerare media ponderat a cldurilor lor.
Amestecul B prezint o curb pentru care efectul termic la Te este zero.
- La Tb apare, n locul inflexiunii (c) un palier cd, care marcheaz efectul termic de
topire a compusului B.

I.

SISTEMUL BINAR ELEMENTAR


Efecte termice

TB

Liq.

T2

B+liq.

T1

A+liq.
e
b

a1
b1

M1

a2

Te

b2

M2

Efectul termic la punctul invariant Te:


- este maxim pentru amestecul eutectic;
- este nul pentru amestecurile unare A i B.
Variaia efectului termic la Te este figurat n
sistemul AB prin triunghiul cu varfurile Te b Te.

II. SISTEMUL BINAR CU COMPUS BINAR CONGRUENT


Trasee de topire / cristalizare
I

AmBn=AB

II

TA
Liq

Liq
TA

TB
Sistemul este mprit n
dou subsisteme:

mBn

A+liq
Te

I: A-AB e1

Am Bn+
1

e1

liq

B+liq
e2

A+AmBn

II: AB-B e2
Te

AmBn+B
A

AmBn

II. SISTEMUL BINAR CU COMPUS BINAR CONGRUENT


Trasee de topire / cristalizare
I

II

TA
Liq

Cristalizare Mx

Liq
TA

TB T > T : liq M
x
x
Tx:

mBn

A+liq
Te

Am Bn+
1

e1

Tx Te:

Te:

B+liq
e2

Te

AmBn Mx

AB + B + liq le
3+V = 2+1 =>V=0

(sistem invariant)
T < Te: AB + B

AmBn+B
A

AB + liq (lx- le)

Tx

liq

A+AmBn

AB + liq lx

II. SISTEMUL BINAR CU COMPUS BINAR CONGRUENT


Trasee de topire / cristalizare
I

II

TA
Liq

Liq
TA

TB

mBn

Fiecare dintre subsistemele


formate ascult de propriul
eutectic;

A+liq
Te

Am Bn+
1

e1

liq

B+liq
e2

A+AmBn

Te

AmBn+B
A

AmBn

Regulile de paragenez:

La solidificarea de echilibru
a unei mase dintr-un
subsistem se formeaz
compuii de margine ai
subsistemului respectiv;
Relaiile cantitative se
definesc analog sistemului
binar simplu pentru fiecare
subsistem.

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE

Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbie


I

II

TB

Sistemul este mprit n


dou subsisteme:
I: A-AB e1

TA
Liq

II: AB-B g2
B+liq
g2

A+

Tg

liq
AmBn+liq
Te

e1

Tg: temperatura de
descompunere a compusului
incongruent n topitur i
unul dintre componenii
sistemului

AmBn+B

g2

AmBn B + liq g2
g: punct invariant peritectic

A+AmBn

Tg2

AmBn

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE

FR

Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbie

II

TB

Tg2

AmBn B + liq g2

TA
Liq
B+liq
g2

A+

Tg

M1

liq

TM1

AmBn+liq
Te

e1

AmBn+B
A+AmBn

M1

g2

Cristalele de AmBn apar la


solidificare prin interacia
lui B cu liq. g, la
temperatura Tg.
Procesul se numete
resorbia lui B n topitura g
cu formare de AmBn.

AmBn

M1 - FR
T>TM1: liq(M1)
TM Te : AB + liq (lM1-le1)
1
Te : AB + A + liq le1
1
V=0
T < Te : AB + A
1

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE

Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbie


FR
RT(B)
I

II

TB

Resorbia
decurge
la
temperatur constant pn cnd
B dispare total resorbie total.

TA
Liq
M

B+liq

g2

A+

TM
b
Tg

liq

M2 RT(B)
T>TM2: liq(M2)

TM Tg2: B + liq (M g2)


2
2
Tg2: B + AB + liq g2
Tg2

AmBn+liq
Te

e1

AB B + liq g2

AmBn+B
A+AmBn

M2

AmBn

V = 0 (resorbia total a lui B )


Tg Te1: AB + liq (g2 e1)
2
Te1: AB + A + liq e1
V=0
T < Te : AB + A
1

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE

Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbie


FR
RT(B)
RP(B)
I

II
M3

TA

TB
TM

Liq

Resorbia
decurge
la
temperatur constant, B nu
dispare total resorbie parial.

B+liq
g2

A+

b
Tg

liq

T>TM3: liq(M3)

AmBn+liq
Te

e1

M3 RP(B)
TM Tg : B + liq (M g2)
3
2
3
Tg : B + AB + liq g2

AmBn+B

AB B + liq g2

A+AmBn

Tg2

AmBn

M3

(resorbia parial a lui B)


V=0
T < Tg : B + AmBn
2

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE

Tratamente termice
RT(B)
RP(B)

FR
I

II

TB

TA
Liq
B+liq
g2

A+

b
Tg

liq

AmBn+liq
Te

e1

AmBn+B
A+AmBn

AmBn

1. Rcire brusc, de la Tg cu
ntreruperea integral a
echilibrului;
2. Rcire moderat, cu
ntreruperea echilibrului
termodinamic la rciri mai
avansate, topitura g ngheat la
Tg se poate comporta ca un
amestec din sistemul I (A AmBn), cu cristalizare
independent;
3. Rcire lent la echilibru
termodinamic.

III. SISTEM BINAR CU COMPUS BINAR INCONGRUENT N PREZENA FAZEI LICHIDE


Tratamente termice

Liq

g2

TA
Te

A+
liq

Rcire rapid
Rcire moderat
Rcire de echilibru

p
B
B

B+Liq

M1

m1

AmBn+liq

e1

TB

A+AmBn

m1

g2

liq g2

AmBn

M1
AmBn

M
b T
Tg 1
2

AmBn

B+AmBn

B
A
A

IV. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE


Soluii

solide interstiiale:

- atomii speciei solubilizate A se plaseaz n interstiii, n spaiile


disponibile n reeaua cristalin a speciei gazd B;
- se pot forma dac diametrul speciei A este mult inferior
diametrului spaiilor libere din reeaua lui B;
- n general speciile de tip A au un diametru mult mai mic dect
speciile reelei gazd.

IV. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE

Soluii solide de substituie:


- particulele de A substituie particulele de B, situndu-se astfel
n nodurile reelei cristaline gazd.

IV.1. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE CONTINU

Izomorfia este proprietatea care atest cel mai nalt grad


de nrudire cristalografic, ce permite substituirea total
sau parial a speciilor atomice sau ionice alctuitoare.
Izomorfia este posibila doar n anumite condiii, stabilite
experimental:
dimensiunile speciilor atomice sau ionice sunt
apropiate: diferena maxim tolerabil este de 15 % ;
cei doi compui A i B au acelai sistem de
cristalizare;
speciile A i B au aceai sarcin electric;
A i B au grupri coordinative identice;
A i B prezint proprietatea de sincristalizare (din
topitur se formeaz o faz unic soluia solid sau
cristalul mixt).

IV.1. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE CONTINU


Trasee de cristalizare / topire
TA
TM
T1
T2

sx

lm
s1

Liq

l1

l2

s2

lz

sm

Tz

M - cristalizarea

ss+liq

T > TM: liq(M)


TM Tz: ssAB(s1sM)+liq (M z)
TB D traseul de solidificare se
deplaseaz pe curbe:
- solidus pentru cristalele mixte
- liquidus pentru topitur

ss

A Sx

Lz

T < Tz: ssAB (M)


D verticala din M intersecteaz:
9curba liquidus temperatura
de nceput de cristalizare;
9curba solidus temperatura de
sfrit de cristalizare.

IV. 1. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE CONTINU


Relaii cantitative

liq
TM
Tz
TA

ss A B + l

iq
s s1

sM

La TM: masa M va fi
constituit din
anumite procente de
cristale mixte i faz
liq.
s compoziie
cristale mixte
l compoziia
lichidului

ssAB

ssAB(s)

liq()

TB

IV.2. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU EUTECTIC

TA
Liq
TB
ssA+

ssB+liq

liq
sA
ssA

e
ssA+ssB

sB

Te
ssB

Izomofie parial :
asemnarea ntre reelele A
i B este mai sczut.
- SSA : n reeaua lui A se
dizolv parial B;
- SSB : n reeaua lui B se
dizolv parial A.
SA, SB : cristale mixte de
compoziie limit la Te.
Limita de solubilitate scade
cu temperatura, astfel nct la
temperatura ambiant devine
a, respectiv b.

IV.2. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU EUTECTIC


Trasee de cristalizare / topire

TA
Tx

sx

lM

sm

Tz

Liq

M1- n interiorul limitei de

TB izomorfie: mecanismul de

lz
1
ssA+

lx

ssB+liq

liq
sA
ssA

M1 a

sx

Tx

sB

e
ssA+ssB

Te M : n afara limitei de
2
ssB

M2

cristalizare este analog


sistemului cu izomorfie
continu.

izomorfie
T > TX2 : liq (M2)
TX2: SSB (sx2) + liq (lM2)
V = 1 D traseul se deplaseaz
pe curbe
TX2 Te: ssB (sx2 sB) + liq (lx2
e)
Te : SSB (SB)+ SSA (SA) + liq e
V = 0 D la Te = ct pn cnd
dispare topitura
T < Te : ssA + ssB

IV.3. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU RESORBIE

TB
TA < Te < TB
Liq

ssB+liq
SA

Tg

SB

ssA+liq

ssB

TA
ssA

Punctul invariant
al sistemului este
de tip peritectic.

ssA+ssB

Cristalizarea
anumitor
amestecuri din
sistem are loc cu
apariia
fenomenului de
resorbie.

IV.3. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU RESORBIE


Trasee de cristalizare / topire
FR

TB

Liq

ssB+liq

lM
Tx

SA

Sx

Tg

SB

ssA+liq

lz

Tz

Sm

TA
ssA

M1

ssA+ssB

M1 n interiorul limitei
de izomorfie
mecanismul
de
cristalizare este analog
sistemului cu izomorfie
continu;
solidificarea
decurge
fr resorbie.

IV.3. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU RESORBIE


Trasee de cristalizare / topire
FR

Liq

lM

ssB+liq

g
lz

Tz

ssA+liq

M2 - n interiorul zonei de
TB izomorfie
T > Tx2 : liq (M2)
Tx2: apar cristale mixte
ssB(sx2) + liq (lM2)
V = 1 traseul se
deplaseaz pe curbe
Tx2 Tg: ssB (sx2 SB) + liq
Tg (lM2 g)
Tg : ssB(SB) + ssA(SA) + lig g
V = 0 Tg = ct. pn cnd
dispare SB i rmne SA n
echilibru cu liq. g
SB + liqg SA
RT(B) (resorbie total de B)
V = 1 traseul se
deplaseaz pe curbe
Tg Tz2: liq (g lz2) + ssA
(SA sM2)
T < Tz2: SSA (SM2)

RT(SB)

SA

sx2

Tx

SB

sM2

TA
ssA

ssA+ssB

M2 a

IV.3. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARIAL CU RESORBIE


Trasee de cristalizare / topire
FR

RT(SB) RP(SB)

FR
TB

lM3
Liq

sx3

Tx

ssB+liq
SA

Tg

SB

ssA+liq

M3 - n afara limitei de
izomorfie

TA
ssA

ssA+ssB

M3

T > Tx3: liq (M3)


Tx3 Tg: ssB (sx3 SB) +
liq (lM3 g)
Tg : SSB(SB) + SSA(SA) + liqg
V = 0 Tg = ct. pn cnd
dispare topitura
SB + liqg SA
RP(SB) (resorbie parial de
B)
T < Tg : SSA + SSB

V. SISTEM BINAR ELEMENTAR CU TOPITURI NEMISCIBILE


Curba de echilibru de care ascult
nemiscibilitatea n faz lichid este
curba sub form de cupol cu vrful
n k.
Nemiscibilitatea apare la Th.
Cu creterea temperaturii
domeniul compoziional de
neomogenitate se restrnge, pn
se confund cu un punct.

TK
TB

2 liq.
TA

Liq.

Th

B+liq.

A+liq.
Te

e
A+B

V. SISTEM BINAR ELEMENTAR CU TOPITURI NEMISCIBILE


Trasee de cristalizare / topire
M1 - la Th1 apare o topitur format din
dou lichide de compoziie h1 i h1.
Th1 Th: cele dou lichide i modific
compoziia dup cupol
h1 h
h1 h
T < Th: topitura devine omogen
n continuare traseul de cristalizare
evolueaz analog SB simplu.

TA

Liq.

k
h1

h1

h2
h3

h2
2liq.

TB

Th1

h3

Th2
Th3

Th

B+liq.

A+liq.
Te

TK

Te

e
A+B

S-ar putea să vă placă și