Curs 2-Diagrame PDF

Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti
Facultatea de Inginerie Medicală
ŞTIINŢA MATERIALELOR
BIOCERAMICE
Curs 2
Diagrame de
echilibru termic fazal
LEGEA FAZELOR
 Faza F:
 O fază este o parte omogenă a unui sistem, fizic delimitată de
restul sistemului, şi separată de acesta prin suprafeţe bine
definite.
 Numărul de componenţi C:
 Fiecare fază conţine un număr de elemente chimice bine definit.
 Numărul de componenţi este definit de numărul de specii minus
numărul de relaţii chimice dintre ele.
 Varianţa V:
 Atunci când numărul de componenţi ai unui sistem şi
componenţii fiecărei faze sunt definiţi, pentru a caracteriza starea
de echilibru a sistemului trebuie definit numărul de factori care o
influenţează.
 Varianţa este astfel definită ca numărul de grade de libertate ale
sistemului.
LEGEA FAZELOR
 Factorii care pot varia sunt temperatura şi presiunea (2):
F+V=C+2
 Atunci când faza gazoasă nu este prezentă, presiunea nu

influenţează echilibrul sistemului, deoarece solidele şi lichidele
sunt considerate incompresibile  Legea fazelor devine:
F+V=C+1
DIAGRAME DE ECHILIBRU
TERMIC FAZAL
A. Sistemul unar
TOPIREA
Legea fazelor: F + V = C + 1
 S: 1+V=1+1V=1 T variază
 S + L: 2 + V = 1 + 1  V = 0 T rămâne constantă până când
numărul de faze se diminuează
 L: 1+V=1+1V=1 T variază
Temperatură
L
S+L
Tt
Timp
TERMIC FAZAL
B. Sistemul binar
B.1. SISTEMUL BINAR SIMPLU
Generalităţi
TA • A, B: componenţii
sistemului binar
•TA: Temperatura de topire
a compusului A
•TB: Temperatura de topire
TB
a compusului B
• Te: Temperatura
eutectică
Te
e • e: amestecul binar cu
cea mai joasă temperatură
de topire
T
A B
xB xA
Generalităţi
TA • TAe, TBe: curbe liquidus –
indică punctele de coordonate
II T-x, la care apare pentru
prima dată faza solidă la
I răcire, sau se termină topirea,
Liq la încălzire;
TB
• TATeeTeTB: drepte solidus;
A+liq III
B+liq • Dreptele solidus şi curbele
liquidus delimitează patru
Te
e zone ale sistemului, dpdv al
compoziţiei fazale:
IV  I: F=2: A+liq
A+B
 II: F=1: Liq
A B  III: F=2: B+liq

 IV: F=2: A+B
Trasee de topire / cristalizare
Cristalizare Mx
TA
Tx lx • T > Tx: liq Mx
T1 l1 Liq
l2 • Tx: A + liq lx
T2
• Tx – Te:
TB A + liq (lx- le)

T3 l3
- Etapă de cristalizare
primară (A cristalizează
A+liq B+liq singur)
Te
e • Te: A + B + liq le
3+V = 2+1 =>V=0
A+B
(sistem invariant)
- Etapă de cristalizare
A Mx L1 L2 L3 B secundară (A şi B
cristalizează simultan)
• T < Te: A + B
TA
Liq Topire My
• T < Te: A+B
• Te: A + B + liq le
TB
A+liq ly 3+V = 2+1 =>V=0
Ty
(sistem invariant)
B+liq
Te • Te – Ty:
e
B + liq (le - ly)
• Ty: B + liq ly
A+B
•T > Ty: liq My
 Orice masă din sistem
A My B cristalizează, respectiv se
topeşte, într-un interval de
temperatură.
TA
Liq Te:
• punct invariant al
sistemului;
TB
A+liq • temperatura la care se
încheie procesul de
B+liq cristalizare sau începe
Te procesul de topire pentru
e orice masă din sistem;
• este singura masă din
A+B sistem, care, deşi nu este
un compus chimic definit,
se topeşte la o temperatură
A B definită.
Relaţii cantitative
• G = cantitatea de amestec M
TA • S = cantitatea de fază solidă
(cristale A) la TX
• L = cantitatea de fază lichidă
(topitura lx) la TX
a m
x
Tx
TB
S L • Legea conservării masei:

G
Te G=S+L
e
ml x
%A  *100
alx
am
A
M Lx P
B %liql x  *100
alx
%Liq. lx
Relaţii cantitative
O
cantitate _ cristale _ A ml
TA  x
cantitate _ topitură _(Lx ) am
a m
x
Tx
TB
S L Regula pârghiei:
G
Te
ml x
e %A  *100
alx
am
%liql x  *100
alx
A B
M L P
% Liq. lx %A
B.2. COMPUS BINAR CONGRUENT
AmBn=AB
I II
TA
Liq Liq TB
TA B
Sistemul este împărţit în
m n
două subsisteme:
A+liq
I: A-AB  e1
Am Bn+
Te II: AB-B  e2
1
e1 liq B+liq
Te
2
e2
A+AmBn
AmBn+B
A AmBn B
I II
TA
Cristalizare Mx
Liq Liq TB • T > T : liq M
x x
TA B • Tx: AB + liq lx
m n
A+liq • Tx – Te2:
ℓx
Am Bn+ Tx AB + liq (lx- le2)
Te
1
e1 liq B+liq • Te2: AB + B + liq le2
3+V = 2+1 =>V=0
Te
2
e2 (sistem invariant)
A+AmBn
• T < Te2: AB + B
AmBn+B
A AmBn Mx B
I II
TA
Liq Liq TB
Regulile de parageneză:
TA B
m n • Fiecare dintre subsistemele
A+liq formate ascultă de propriul
eutectic;
Am Bn+
Te • La solidificarea de echilibru
1
e1 liq B+liq a unei mase dintr-un
Te subsistem se formează
e2 2 compuşii de margine ai
A+AmBn subsistemului respectiv;
AmBn+B • Relaţiile cantitative se
definesc analog sistemului
binar simplu pentru fiecare
A AmBn B subsistem.
B.3. COMPUS BINAR INCONGRUENT ÎN PREZENŢA FAZEI LICHIDE
Trasee de topire / cristalizare. Zone cu resorbţie
I II Sistemul este împărţit în

TB două subsisteme:
TA I: A-AB  e1
Liq II: AB-B  g2
B+liq
Tg2
A+ g2 AmBn  B + liq g2
Tg
2
liq
AmBn+liq g: punct invariant peritectic
Te Tg: temperatura de
1 e1 AmBn+B
descompunere a compusului
incongruent în topitură şi
A+AmBn unul dintre componenţii
sistemului
A g2 AmBn B
I II
TB Tg2
AmBn  B + liq g2
TA
Liq • Cristalele de AmBn apar la
solidificare prin interacţia
B+liq lui B cu liq. g2, la
temperatura Tg2.
A+ g2
Tg
2
• Procesul se numeşte
liq resorbţia lui B în topitura
AmBn+liq g2, cu formare de AmBn.
Te Parţială
1 e1 AmBn+B
Totală
A+AmBn
A g2 AmBn B
FR
I II
TB Tg2
AmBn  B + liq g2
TA
Liq
B+liq
A+ g2
Tg
2
liq ℓM1
AmBn+liq TM1
Te M1 - FR
1 e1 AmBn+B
• T>TM1: liq(M1)
A+AmBn •TM – Te1 : AB + liq (lM1-le1)
1
•Te : AB + A + liq le1
1
V=0
•T < Te : AB + A
A M1 g2 AmBn B 1
FR RT(B)
I II
TB
• Resorbţia decurge la
TA temperatură constantă până când
Liq B dispare total – resorbţie totală.
ℓM
2 B+liq
TM M2 – RT(B)
2
g2 T>TM2: liq(M2)
A+ b
Tg TM – Tg2: B + liq (ℓM → g2)
2 2
liq 2
Tg2: B + AB + liq g2
AmBn+liq Tg2
Te AB  B + liq g2
1 e1 AmBn+B
V = 0 (resorbţia totală a lui B )
A+AmBn Tg – Te1: AB + liq (g2 → e1)
2
Te1: AB + A + liq e1
V=0
T < Te : AB + A
A M2 AmBn B 1
FR RT(B) RP(B)
I II
TB
ℓM3
TM
3
TA
Liq
• Resorbţia decurge la
B+liq temperatură constantă Tg2, B nu
dispare total – resorbţie parţială.
A+ g2 b
Tg
liq 2
M3 – RP(B)
AmBn+liq T>TM3: liq(M3)
Te TM – Tg : B + liq (ℓM → g2)
3 2 3
1 e1 AmBn+B Tg : B + AB + liq g2
2
Tg2
A+AmBn AB  B + liq g2
(resorbţia parţială a lui B)

V=0
A AmBn M3 B T < Tg : B + AmBn
2
Tratamente termice
FR RT(B) RP(B)
I II
TB
Pentru masa M3
TA 1. Răcire bruscă, de la Tg2, cu
Liq întreruperea integrală a
echilibrului;
B+liq
• Masa solidificată este formată din
A+ g2 b cristale primare de B şi sticlă de
Tg compozitie g2;
liq 2
• Resorbţia este împiedicată.
AmBn+liq
Te
1 e1 AmBn+B
A+AmBn
A AmBn M3 B
Tratamente termice
2. Tratament de răcire moderată: topitura g2, îngheţată la Tg2, se poate comporta ca un

amestec din sistemul I (A - AmBn), cu cristalizare independentă  echilibrul este
întrerupt parţial;
• Cantitatea de B formată în etapa de cristalizare primară rămâne nemodificată

(segmentul Ap);
• Cantitatea de topitura g2-pB cristalizează independent, cu formare de A şi AB, la

temperatura Te1;
1. Tratament de răcire lentă: solidificarea are loc la echilibru complet, conform traseului
de topire / cristalizare.
• Se obţin compuşii de margine ai subsistemului: AB + B.

B.4. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE
• Soluţii solide interstiţiale:
- atomii speciei solubilizate A se plasează în interstiţii, în spaţiile

disponibile în reţeaua cristalină a speciei gazdă B;
- se pot forma dacă diametrul speciei A este mult inferior
diametrului spaţiilor libere din reţeaua lui B;
- în general speciile de tip A au un diametru mult mai mic decât
speciile reţelei gazdă.
+ 
B A
B.4. SISTEME BINARE CU IZOMORFIE
• Soluţii solide de substituţie:
- particulele de A substituie particulele de B, situându-se astfel

în nodurile reţelei cristaline gazdă.
+ 
B A
B.4.1. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE CONTINUĂ
 Izomorfia este proprietatea care atestă cel mai înalt grad

de înrudire cristalografică, care permite substituirea totală
sau parţială a speciilor atomice sau ionice alcătuitoare.
 Izomorfia este posibilă doar în anumite condiţii, stabilite
experimental:
 dimensiunile speciilor atomice sau ionice sunt
apropiate: diferenţa maximă tolerabilă este de ± 15 % ;
 cei doi compuşi A şi B au acelaşi sistem de
cristalizare;
 speciile A şi B au aceaşi sarcină electrică;
 A şi B au grupări coordinative identice;
 A şi B prezintă proprietatea de sincristalizare (din
topitură se formează o fază unică – soluţia solidă sau
cristalul mixt).
Trasee de cristalizare / topire
TA lm
TM sx Liq
s1 l1
T1
T2 s2 l2
sm lz
Tz
ss+liq M - cristalizarea
•T > TM: liq(M)
•TM – Tz: ssAB(sx→sM)+liq (ℓM – ℓz)
TB  traseul de solidificare se
deplasează pe curbe:
- solidus pentru cristalele mixte
- liquidus pentru topitură
ss
•T < Tz: ssAB (M)
 verticala din M intersectează:
curba liquidus ↔ temperatura
de început de cristalizare;
curba solidus ↔ temperatura de
A Sx M Lz B sfârşit de cristalizare.
O Relaţii cantitative
liq
TB
ℓM
TM ℓ
m s s1
ℓz
Tz
TA sM
La TM: masa M va fi
constituită din
anumite procente de
cristale mixte şi fază
liq.
ssAB s – compoziţie
cristale mixte
l – compoziţia
lichidului
A P L M S B
ssAB(s) liq(ℓ)
B.4.2. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARŢIALĂ CU EUTECTIC
TA
Liq
TB
ssA+ ssB+liq • Izomofie parţială :
asemănarea între reţelele A
liq
şi B este mai scăzută.
sA sB Te - SSA : în reţeaua lui A se
e dizolvă parţial B;
- SSB : în reţeaua lui B se
ssB
ssA ssA+ssB dizolvă parţial A.
• SA, SB : cristale mixte de
compoziţie limită la Te.
• Limita de solubilitate scade
cu temperatura, astfel încât la
temperatura ambiantă devine
A a b B a, respectiv b.
B.4.2. SISTEM BINAR CU IZOMORFIE PARŢIALĂ CU EUTECTIC
Trasee de cristalizare / topire
TA
Tx lM Liq
1
1 sx
1 • M1- în interiorul limitei de
sm lz TB izomorfie: mecanismul de
Tz 1
1 ssA+ lx ssB+liq
cristalizare este analog
2 sistemului cu izomorfie
liq sx Tx continuă.
2 2
sA sB Te • M : în afara limitei de
e 2
izomorfie
T > TX2 : liq (M2)
ssA ssA+ssB TX2: SSB (sx2) + liq (lM2)
ssB
V = 1  traseul se deplasează
pe curbe
TX2 – Te: ssB (sx2 →sB) + liq (lx2 →
e)
Te : SSB (SB)+ SSA (SA) + liq e
V = 0  la Te = ct până când
A M1 a M2 b B dispare topitura
T < Te : ssA + ssB
TERMIC FAZAL
C. Sistemul ternar
C.1. SISTEM TERNAR ELEMENTAR
Reprezentare în coordonate T-x
TC
TA
e
3
TB
e1 e2
TE
E
e3
A C
E e2
e1
B
• ST → 3 sisteme binare (SB)

AC: e1
BC: e3
AB: e2
• Pentru fiecare sistem binar avem un plan perpendicular pe planul ∆ABC cu e1, e2
şi e3;
• Curbe liquidus binare

TAe1, TCe1
TCe3, TBe3
TBe2, TAe2
• Curbe liquidus ternare: e1E, e2E, e3E
• Suprafaţa liquidus ternară: constituită din trei porţiuni, fiecare pornind dintr-un
maxim şi desfăcându-se către eutecticele SB care conţin componenţii respectivi:
TAe1e2E
TBe2e3E
TCe1e3E
 se unesc în E (punct de minim) – punctul invariant ternar
 se unesc două câte două după curbele liquidus ternare: TAe1e2E TBe1e2E =
e1E

Traseu de cristalizare / topire
TC
TA
L
TM M
e
3
Tr L
r
TB
e1 e2
TE
E
e3
A r C
M
E e2
e1
B
Traseu de cristalizare / topire
 M - cristalizarea (aparţine câmpului de cristalizare primară a componentului A)
T>TM: liq (M)

• Temperatura TM este dată de intersecţia perpendicularei în punctul M cu suprafaţa liquidus  este temperatura la care apare un
prim cristal, în cazul masei M, de component A.
TM - Tr: A + liq (lM – lr) V=2, cristalizare primară

• Topitura sărăceşte în A, compoziţia ei evoluând de-a lungul suprafeţei liquidus ternare.
Tr – TE: A + C + liq (lr – lE) V=1, cristalizare secundară

• Cristalizează concomitent A şi C, iar compoziţia topiturii evoluează de-a lungul curbei liquidus ternare e3E.
TE : A + C + B + liq E V=O, cristalizare terţiară
T< TE: A+B+C

Reprezentare în coordonate de compoziţie
Câmpuri de cristaliyare primară şi linii de cea mai
mare pantă
Linii de cea mai mare

pantă
e3 e2
Câmp de
cristalizare B
primară
A B
e1
Izoterme
110
0
1000
900
C
800
e3 700 e2
600
A B
e1
• Curbele izoterme se obţin la intersecţia triunghiurilor izoterme cu

suprafeţele liquidus ternare şi se proiectează în plan în conformitate
cu reprezentarea din figură.
Determinarea compoziţiei unui amestec ternar
100 0
80 20
%C
40 %B
%A 60
%C
40 60
M
20 80
0 100
A B
100 80 60 40 20 0
%B %C %A
%B
%A
e3 e2
r1
A
M1
r2
M3
B
M2
A e1 B
● M1 – cristalizare ● M2 – topire ● M3 – cristalizare
T > TM liq (M1) T < TE A+B+C T > TM3 liq (M3)
1
TM – Tr A+liq(M1 → r1) TE A+B+C+liq E V=0 TM – TE A+liq(M3 → E)
1 1 3 3
Tr – TE A+C+liq(r1 → E) TE – Tr A+B+liq(E → r2) TE A+B+C+liq E
1 2
TE A+B+C+liq E Tr – TM A+liq(r2 → M2) V=0
2 2
T < TE A+B+C T > TM liq (M2) T < TE A+B+C
2
e3 M5 e2
r4
M4
B
A e1 B
M4 Topirea M5 Cristalizarea
• T< TE: A+B+C • T> TM5: liq(M5)
• TE –Tr4: B+C+liq (E –lr4) • TM5 -TE: C +A+liq (lr5 – E)
• Tr4--TM4: B+liq (lr4 – lM4) • TE: C+A+B+liq E
• T> TM4: liq(M4) • TTE: C+A+B
 În vederea reprezentării traseelor de topire / cristalizare în proiecţie plană:

– se fixează punctul reprezentând amestecul pe diagramă;
– se uneşte punctul ales cu vârful triunghiului corespunzător componentului în al cărui câmp de cristalizare
primară este situat amestecul;
– dreapta astfel obţinută intersectează curba liquidus ternară într-un punct r;
– cristalizarea primară începe la temperatura care se citeşte pe izoterma în dreptul punctului corespunzător
amestecului şi se termină în punctul r;
– traseul de cristalizare evoluează de-a lungul curbei liquidus ternare, până în punctul E.
C.2. COMPUS BINAR CONGRUENT
Diagrama de echilibru
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
AmBn
Linii de cea mai mare pantă
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
AmBn
Izoterme
e4
e5
e3
E1 E2
A
B
AmBn
A e1 e2 B
AmBn
Trasee de topire - cristalizare
e4 r
e5
e3
E1 E2
A M
B
AmBn
A e1 e2 B
AmBn
C.3. COMPUS BINAR INCONGRUENT
În sistemul binar şi în sistemul ternar
Linii de cea mai mare pantă
C
e3
e4 E2
G1
AmBn B
A AmBn g1 e2 B
C
● M1 – cristalizare FR
T > TM liq (M )
1 1
TM – Tr AB+liq(M1 – r1)
1 1
Tr – TE AB+B+liq(r1 – E2)
1 2
TE AB+B+C+liq E2
2
T< TE2 AB+B+C
C e3
M3 ● M2 – topire
T < TG A+AB+C
e4 E2 1
r2 TG A+AB+C+liq G1
1
G1 V=0 AB ⇋ A+liq G1 RP(A)
r3
TG – Tr A+C+liq(G1 – r2)
1 2
r1 Tr – TM A+liq(r2 – M2)
2 2
T > TM liq (M2)
2
M M1
2
● M3 – cristalizare FR
A AmBn
T > TM liq (M3)
B 3
TM – Tr C+liq(M3 – r3)
3 3
Tr – TE C+AB+liq(r3 – E2)
3 2
A AmBn g1 e2 B TE AB+C+B+liq (E2)

2
T < TE AB+B+C
2
C
I II
e3
e4 E2
G1
w4
v4 AmBn B
M4 r4
A AmBn g1 e2 B
Zonele de resorbţie
C
RP(A) – resorbţie parţială a

compusului A
RT(A) – resorbţie totală a
C compusului A
e3
e4 E2
G1
RP(A)
AmBn
A B
RT(A)
A AmBn g1 e2 B
C.4. SISTEM TERNAR CU TRANSFORMĂRI
POLIMORFE
În prezenţa fazei lichide
1100
1000
e3 900 e2
80
T 0
E
A B
A
A t e1 B
C.4. SISTEM TERNAR CU TRANSFORMĂRI
POLIMORFE
În prezenţa fazei lichide
Trasee de topire/cristalizare
e3 e2
T
E
A
A
r1
t1
B
M1
A t e1 B
TERMIC FAZAL
APLICATE
D. Diagrame aplicate
Sistemul binar CaO – P2O5
Sistemul binar ZrO2 – Y2O3
Diagrama lui Hench
SiO2
IB= IB=
8 10
+ P2O5
IB= IB=
2 IB= 5
[MgO] 0 [K2O]
CaO Na2O
Sistemul ternar SiO2 – K2O – Al2O3

Curs 2-Diagrame PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs 2-Diagrame PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Facultatea de Inginerie Medicală

 Factorii care pot varia sunt temperatura şi presiunea (2):

 Atunci când faza gazoasă nu este prezentă, presiunea nu

A B  III: F=2: B+liq

TB A + liq (lx- le)

S L • Legea conservării masei:

I II Sistemul este împărţit în

(resorbţia parţială a lui B)

2. Tratament de răcire moderată: topitura g2, îngheţată la Tg2, se poate comporta ca un

• Cantitatea de B formată în etapa de cristalizare primară rămâne nemodificată

• Cantitatea de topitura g2-pB cristalizează independent, cu formare de A şi AB, la

• Se obţin compuşii de margine ai subsistemului: AB + B.

• Soluţii solide interstiţiale:

- atomii speciei solubilizate A se plasează în interstiţii, în spaţiile

• Soluţii solide de substituţie:

- particulele de A substituie particulele de B, situându-se astfel

 Izomorfia este proprietatea care atestă cel mai înalt grad

• ST → 3 sisteme binare (SB)

• Curbe liquidus binare

• Curbe liquidus ternare: e1E, e2E, e3E

 se unesc în E (punct de minim) – punctul invariant ternar

 M - cristalizarea (aparţine câmpului de cristalizare primară a componentului A)

T>TM: liq (M)

TM - Tr: A + liq (lM – lr) V=2, cristalizare primară

Tr – TE: A + C + liq (lr – lE) V=1, cristalizare secundară

TE : A + C + B + liq E V=O, cristalizare terţiară

T< TE: A+B+C

Linii de cea mai mare

• Curbele izoterme se obţin la intersecţia triunghiurilor izoterme cu

 În vederea reprezentării traseelor de topire / cristalizare în proiecţie plană:

A AmBn g1 e2 B TE AB+C+B+liq (E2)

RP(A) – resorbţie parţială a

S-ar putea să vă placă și