TECp MN

Niculae Ion MARINESCU Daniel GHICULESCU
Liliana POPA Elena LACATUS

Alexandra BANU Sergiu NANU
Niculae Ion MARINESCU Daniel GHICULESCU
Elena LACATUS
Alexandra BANU Sergiu NANU
Liliana POPA
Editura PRINTECH
2008
Prof.dr.ing. Niculae Ion MARINEASCU Conf.dr.ing. Daniel GHICULESCU
Conf.dr.ing. Liliana POPA Conf.dr.ing. Elena LACATUS
Prof.dr.ing. Alexandra BANU Ing. Sergiu NANU
Coordonator: Prof.univ.dr.ing. Niculae Ion MARINESCU
Editura PRINTECH
2008
5
TEHNOLOGII CU ENERGII CONCENTRATE PENTRU MICRO SI NANOSTRATURI
EDITAT CU SPRIJINUL CONSILIULUI NAIONAL AL CERCETRII

TIINIFICE DIN NVMNTUL SUPERIOR
- GRANT 49GR/2007-2008; cod CNCSIS 128 -
Refereni tiinifici:
Prof.univ.dr.ing. Gheorghe OBACIU
Universitatea TRANSILVANIA din Braov
Prof.univ.dr.ing. Dan NANU

Universitatea LUCIAN BLAGA din Sibiu
Tehnoredactare computerizat i coperta:

Ing. Sergiu NANU
ISBN 978 606 521 104 9
Tipar:
Editura PRINTECH
Str. Tunari nr.11, sector 2, BUCURETI
Tel/Fax:..
2
PREFA
Tehnologiile cu energii concentrate care privesc prelucrarea sau
obinerea straturilor subiri (micro sau nanometrice) sunt caracterizate prin
mecanisme de prelevare a materialului deosebit de complicate, insuficient
elucidate.
Prelevarea sau depunerea de material se face la nivel atomic
(nanometric) vezi ECM,LBM sau micronic EDM, ECM, US, LBM i
EDM+US, LBM+US n condiiile n care se realizeaz un control
computerizat riguros, adaptiv i n timp real al parametrilor de lucru.
Pentru clarificarea fenomenelor de natur electric, termic, chimic,
hidraulic etc. i a efectului lor sinergetic, este necesar o abordare
multidisciplinar, care include activiti de studiere a fenomenelor specifice i
modelarea computerizat cu ajutorul metodei elementelor finite, care are i
scopul optimizrii performanelor tehnologice. Aceste obiective generale reies
i din analiza literaturii de specialitate din ultimii ani.
n aceste condiii, principalele aspecte abordate de colectivul de autori
se refer la:
nanocompozite i materiale nanostructurate;
utilizarea microundelor n tehnicile aplicabile micro i nanostraturilor;
utilizarea fasciculului de electroni n tehnicile aplicabile micro i
nanostraturilor;
tehnologii de prelucrare cu fascicul de ioni a micro i nanostraturilor;
depunerea prin pulverizare termic a straturilor subiri;
prelucrarea microstraturilor prin electroeroziune asistat cu
ultrasunete;
tehnologii de prelucrare/obinere cu laser a micro i nanostraturilor;
obinerea electrochimic de micro i nanostraturi din materiale
compozite;
tehnici de depunere a straturilor subiri cu fascicule de clustere
ionizate.
Lucrarea prezint elemente importante de originalitate prin modelri
ale proceselor de obinere i prelucrare cu energii concentrate aplicate
diverselor tipuri de materiale compozite cu matrice metalic, modelri care nu
au fost abordate n literatura de specialitate.
Un exemplu relevant l constituie procesul de superfinisare EDM+US
caracterizat prin mecanisme complicate de prelevare a materialului la care
cavitaia indus ultrasonic n lichidul dielectric are o contribuie esenial.
3
Experiena echipei n utilizarea metodei elementelor finite (MEF) a

permis elaborarea unor modelri consistente pentru mecanismele de prelevare
a straturilor subiri.
Realizarea modelelor experimentale i a bazelor de date privind
utilizarea energiilor concentrate la prelucrarea materialelor compozite cu
matrice metalic se constituie n elemente de originalitate pe plan naional i
chiar pe plan mondial i pot conduce la dezvoltarea ulterioar a cercetrilor
privind obinerea i prelucrarea altor materiale similare.
De asemenea un alt element de originalitate al lucrrii l constituie
stabilirea mecanismelor de codepunere a materialelor nanometrice ceramice n
matrice de nichel, a parametrilor de lucru precum i caracterizarea din punct
de vedere structural a materialelor obinute.
Lucrarea prezint n primul rnd rodul activitii proprii de
cercetare realizat de autori, reuindu-se totodat i o sintetizare a principalelor
realizri att ale cercetrii i industriei romneti , ct i a celor din rile
avansate n acest domeniu.
Mulimim Consiliului Naional al Cercetrii tiinifice din nvmntul
Superior pentru sprijinul acordat n vederea apariiei acestei lucrri elaborat n
cadrul proiectului cu titlul Cercetri privind obinerea i prelucrarea cu energii
concentrate a micro i nanostraturilor din materiale compozite.
Mulumim, de asemenea, tuturor celor care prin intervenii directe,
sugestii i informaii, vor aduce completri prezentei lucrri.
Prof.univ.dr.ing. Niculae Ion MARINESCU
4
INTRODUCERE
Studiul prelucrrii micro i nanostraturilor din materiale
compozite cu ajutorul fasciculelor concentrate nu poate fi abordat
fr o ierarhizare a noiunilor de baz i fr o prezentare a
contextului n care au aprut noiunile care ar putea s guverneze
tiina secolului XXI - nanotehnologie, nanomateriale etc.
Dezvoltarea uluitoare a tiinei i tehnologiei din finalul
secolului XX a fost marcat de confluena a trei tiine majore:
- fizica, tiina care prin prisma mecanicii cuantice a permis
nelegerea structurii atomilor;
- biologia, prin subramurile sale (biofizica, biochimia i
genetica) care a reuit s pun n valoare structura celulei i
mecanismele vietii;
- informatica, prin care s-au dezvoltat mijloacele de
comunicare i de calcul.
Modul n care se vor mbina aceste cunotine depinde, cu
precdere, de provocrile la care este supus omul la nceput de
veac: apariia de noi materiale, necesitatea unor noi tehnologii,
epuizarea unor resurse energetice, apariia polurii sub toate
aspectele posibile, schimbrile de clim, apariia unor noi ageni
patogeni, ameninarea terorismului cu forme tot mai subtile etc.
Cutarea unor modaliti de rezolvare a acestor probleme
conduce n mod univoc la anumite limitri fizice care pot fi depite
numai prin nlturarea granielor care exist ntre nivelul de
cunoatere macro i micro, sau dintre micro i nano, dar i ntre
domeniile de cercetare. Odat ptruni n acest nou univers cad
barierele nevzute care limitau anumite domenii de cercetare (cu
precdere cele din domeniul tehnic) i apare o nou dimensiune de
cunoatere, dimensiune filosofica, fr de care nu ar fi posibil
schimbarea de paradigma, (vezi figura I.1).
Ptrunderea n nanouniversul materiei nu poate conduce la
rezultate materiale notabile fr dezvoltarea conceptelor metafizice
deoarece, n lipsa acestei abordri exist dou drumuri pe care
cercettorul se poate rtci:
- primul se refer la posibilitatea investigrii unor aspecte
care, n final, s nu conduc la un progres remarcabil, sau aa cum
exist o expresie cunoscut din inelepciunea popular, s nu vezi
pdurea din cauza copacilor;
5
- al doilea, mult mai periculos, este acela n care se poate

ajunge la rezultate mpotriva umanitii.
UNIVERSUL FIZIC
INFORMATICA
BIOLOGIA
FIZICA
NANOUNIVERS
Figura I.1 Evoluia cunoaterii (Dinamica dezvoltarii)
De asemenea, abordarea sistemic a problematicii

presupune explicarea i integrarea noiunilor de baz:
nanotehnologie, nanomateriale, nanoprelucrare, nanomsurare etc.
Conform cu definitia oferit de dicionare, nanotehnologia
este prezentat ca fiind arta manipulrii unor dispozitive minuscule,
de dimensiuni moleculare. Eforturile materiale i umane fcute la
nivel mondial pentru dezvoltarea acestui domeniu au ca scop
transformarea artei ntr-o tiin.
6
Conceptul primar a fost introdus, n anul 1974 de ctre Norio

Taniguchi, ntr-o lucrare prezentat la deschiderea Conferinei
Internaionale de Ingineria Produciei (ICPE International
Conference on Production Engineering) n scopul de a furniza o int
concret acurateei proceselor de fabricaie care implic finisri de
ultraprecizie a suprafeelor, cum ar fi: tieri ultrafine, diverse tipuri de
prelucrare (procesare) cu fascicule cu energii concentrate, utiliznd
fascicule de fotoni, electroni sau ioni, evaporarea n strat subire,
corodri superficiale ultrafine etc.
Evoluia nanotehnologiei, privit prin prisma sistemelor
integrate de procesare i control a fost ierarhizat n patru generaii:
- prima generaie (ncepnd cu anul 2000) etapa
aplicaiilor pasive ale nanostructurilor (etapa rigid) , reprezentat
prin nanostraturi, nanoparticule, nanoconductori i materiale
nanostructurate;
- a doua generaie (ncepnd cu anul 2005) etapa
aplicaiilor active ale nanostructurilor (etapa evoluat) , ilustrat prin
tranzistori, amplificatori, senzori i actuatori, structuri adaptive etc.;
- a treia generaie (ncepnd cu anul 2010), corespunztoare
nanosistemelor tridimensionale, nanosisteme biologice, roboi la
nanoscar etc.;
- a patra generaie (ncepnd cu anul 2015) creia i sunt
specifice nanosistemele moleculare heterogene n care fiecare
molecul are structura i rolul ei specific. Moleculele vor fi folosite ca
dispozitive cu funcii fundamental noi, rezultate din concepia i
arhitectura lor.
Din definiie i din ierarhizarea prezentat anterior, rezult c
acest concept (nanotehnologia) apare din predicia faptului c
precizia cerut de procesarea materialelor va atinge n ultim
instan nivelul extrem al ordinului de mrime de 1 nm (0,001 m),
att timp ct distana de 0,3 nm dintre atomii reelei cristaline
reprezint limita de rezoluie a lungimii msurabile sau confirmabile
la materialele solide. O astfel de procesare de tip atom cu atom
nseamn c acurateea i rezoluia poziionrii i msurrii trebuie
s fie cel puin de ordin submicrometric. De aceea, nanotehnologia
are n vedere sistemele integrate de procesare, cu tehnologii de
msurare, control al poziiei i procesare n domeniul
subnanometric.
Sunt identificate trei motive principale pentru interesul actual
n nanotehnologie:
7
- nanotiina ne ajut s umplem o lacun major n

cunoaterea fundamental a materiei. ntre captul mic i cel mare
al scrii, la nanoscar intermediar, care este pragul natural unde
toate sistemele vii i artificiale funcioneaz, tim mult mai puine
lucruri. Proprietile i funciile de baz ale structurilor i sistemelor
materiale sunt definite aici i chiar mai important, pot fi schimbate n
funcie de organizarea materiei via interaciunilor moleculare "slabe"
(cum ar fi legaturile hidrogenului, dipolul electrostatic, forele Van der
Waals, fore de suprafa, fore electrofluidice etc.).
- fenomenele la scar nanometric promit aplicaii radical noi.
Se estimeaz c nanotehnologia are potenialul de a crea 7 milioane
de locuri de munc (pn n anul 2015) pe piaa mondial;
-nceputul prototipizarii industriale i a comercializrii i faptul
c guvernele n lume stimuleaz dezvoltarea nanotehnologiei ct se
poate de rapid.
Nanotehnologia devine o "competen" naional cheie,
ajutnd industria existent s devin mai competitiv, genernd
progrese n domeniul cuntinelor i educaiei, sprijinind tehnologiile
emergente i dezvoltnd produse i proceduri medicale fr
precedent, ce nu ar putea fi realizate cu ajutorul cunotinelor i
instrumentelor actuale.
Nanotehnologia are potenialul pe termen lung de a aduce
schimbri revoluionare n societate i de a armoniza eforturile
internaionale spre un el mai mult dect dezvoltarea unui singur
domeniu al tiintei i tehnologiei sau a unei singure regiuni
geografice. Se preconizeaz o strategie globala ghidat de obiective
globale de interes reciproc ale societii.
8
Capitolul 1
ENERGII CONCENTRATE, MICRO I NANOSTRATURI
Domenii relativ noi ale cercetrii teoretice i aplicate, att
micro ct i nanotehnologiile au cunoscut o dezvoltare semnificativ
n ultimele trei decenii. Tendina ctre miniaturizare a fost
determinat de dezvoltarea rapid a microtehnicii care a avut impact
direct asupra industriei mainilor-unelte i a ingineriei produciei. A
aprut astfel o ramur nou a ingineriei, microingineria, avnd ca
obiect activiti de fabricare, asamblare i utilizare a componentelor
foarte mici care pot intra n construcia dispozitivelor
microelectronice sau opto-microelectronice pentru definirea unor
sisteme complete.
Subdomeniul 4 (Nanotehnologii pentru suprafee i tiina
materialelor) din raportul dat publicitii de Comisia de Cercetari a
Uniunii Europene n colaborare cu Grupul de Experi n
Nanotehnologie de la Eurotech cuprinde o tematic variat, iar
lucrrile tiinifice publicate pn n prezent arat c ne aflm n
pragul unei adevrate revoluii conceptuale la nivelul
tehnologiilor.
Fr a-i impune o delimitare strict a activitilor doar n
domeniile micro i nanotehnologiilor, instituii de cercetare i
ntreprinderi din Romnia au nregistrat unele rezultate n cercetarea
i aplicarea acestora. Menionnd doar temele de cercetare propuse
pentru anul 2007 de diverse colective de cercettori din ar, se
poate observa o mare diversitate tematic n domeniul micro i
nanotehnologiilor care ilustreaz pregtirea specialitilor i
cercettorilor n aceste domenii: matrice de siliciu nanostructurat
pentru aplicatii n biologie i n eliberarea controlat a substanelor
medicamentoase; obinerea unor straturi feroelectrice PZT puternic
texturate cu aplicaii pentru memorii de computer nevolatile
(NVFRAM), senzori i detectori; aliaje nano-icosaedrale i
nanocristaline pe baz de aluminiu; msurtori de zgomot electronic
n nanomateriale: o nou metod de investigare; nanostructuri
perovskitice La(1-x)Ca(x)MnO3 cu magnetorezisten colosal:
caracterizarea structural, magnetic i a dinamicii de spin;
nanocompozite bifazice (NdPr) Fe cu purificare magnetic prin
interacii de schimb pentru magnei permaneni; pulberi nanometrice
carbonice i metalice pentru aplicaii speciale; obinerea i
caracterizarea unor materiale micro i nanostructurate pe baz de
9
polipirol i compozite polipirolice cu proprieti controlate; sisteme

nanoporoase funcionalizate prin folosirea lor ca gaze pentru
nanoparticule; miocrostructuri magnetice realizate pe siliciu
nanocristalin pentru aplicaii de senzori magnetici; biocip-uri pentru
detecia activitii electrochimice a bacteriilor de interes clinic;
platforme biomimetice microtexturate pentru cretere i proliferare
celular etc..
Analiza cercetrilor i rezultatele obinute n domeniul micro i
nanotehnologiilor evideniaz necesitatea utilizrii energiilor
concentrate, n special n domeniul straturilor subiri. Obinerea i
prelucrarea micro i nanostraturilor din compozite nu se poate
realiza fr tehnologii specifice laserului (LBM), fasciculelor de
electroni (EBM) i ioni (IBM), plasmei (PM), ultrasunetelor (USM)
etc.
Principalele aplicaii, concrete, ale nanotehnologiilor n
acest domeniu sunt prezentate n figura 1.1.
Figura 1.1 Aplicatii ale nanotehnologiilor
Astfel, microprelucrarea cu laser este o metod de fabricaie din

ce n ce mai important n domenii ca electronic, telecomunicaii,
industria dispozitivelor medicale, industria aerospaial i altele.
Figura 1.2 Aplicaii ale laserului in microprelucrri
O mare varietate de tipuri de laseri sunt folosii n

microprelucrri i microablaii fiind mecanismul dominant de
10
ndeprtare a materialelor, n special n tehnica straturilor subiri

(figura 1.2). n micro i nanotehnologii, cele mai folosite tipuri de
laseri sunt cele de tip excimer, Nd solid i CVL (laser cu vapori de
cupru).
n figura 1.3, este prezentat un microcircuit, format din canale
de 25 m lime, prelucrate ntr-un strat de nichel de 5 m, pe un
suport ceramic. Prelucrarea cu ajutorul laserului a modelelor de
microcircuite este folosit atunci cnd dimensiunile canalelor sunt
dincolo de posibilitile de prelucrare chimic sau dac materialul ce
trebuie prelucrat nu poate fi uor ndeprtat pe cale chimic.
Canalele ce pot fi observate n figura 1.4, sunt folosite pentru
ndeprtarea cldurii din apropierea diodei laser, iar marginile tiate
cu ajutorul laserului CVL sunt folosite pentru alinierea fibrei optice la
diod.
Figura 1.3 Microcircuit realizat cu Figura 1.4 Intersectaia a patru

laserul CVL diode laser pentru disiparea cldurii
n cazul unor operaii de tiere (crestare) a microstraturilor,

calitatea i precizia tieturii (limea, zona influenat termic etc.)
depind, n primul rnd, de viteza de tiere.
Figura 1.5 Calitatea i precizia tieturii laser
11
Astfel, la viteze mici apar arderi de material (figura1.5,a), la

viteze alese corespunztor, suprafaa este curat (figura 1.5,b), iar
la viteze prea mari, apar striaii deformate pe suprafaa tieturii
(figura 1.5,c).
La ora actual, laserii cu CO2 se utilizeaz cu rezultate
deosebit de favorabile la tierea celor mai diverse materiale
metalice: oeluri inoxidabile, oeluri aliate cu molibden i vanadiu,
oeluri aliate cu crom, titan, zinc, duraluminiu, etc., dar i nemetalice,
ca de exemplu: sticla, azbestul, hrtia, materiale ceramice, textile,
mase plastice, materiale compozite, pietre preioase naturale sau
sintetice, roci minerale, materiale dielectrice pe baz de sticl,
carbon i bor, plexigas, cauciuc, folii de mic etc..
Folosirea laserului n procesarea selectiv a anumitor zone,
fr afectarea ntregului bloc de material, este o dezvoltare cu
potenial de a optimiza prelucrarea exclusiv a suprafeelor.
Modificarea cu laser a microstraturilor suprafeelor
mbuntete rezistena la uzur i rezistena la coroziune la
temperaturi nalte, n diferite aliaje feroase i neferoase.
Figura 1.6 Diagrama de procesare pentru alierea la suprafaa cu laser
Figurile 1.6 si 1.7 detaliaz procesarea cu laser pentru

diverse regimuri de prelucrare a aliajelor, att n alierea la suprafa
ct i n placarea la suprafa.
12
Figura 1.7 Diagrama de procesare pentru placarea la suprafa cu laser
Ulterior, straturile tratate prin alte tehnici de prelucrare, cum

ar fi pulverizarea cu plasm sau galvanoplastia, pot fi modificate cu
fascicul laser.
La prelucrarea cu laser a microstraturilor din materiale
compozite, s-a investigat canelarea cu laser sau trasarea pentru
carbon / teflon, sticl / teflon i sticl / poliester. Principala problem
n procesul de trasare cu laser a compozitelor este natura
anizotropica a materialului. Adncimea canelurii, forma ei i zona
afectat de cldur va depinde de direcia fascicului laser relativ la
orientarea fibrei.
Una din principalele teme de cercetare n obinerea
materialelor i prelucrarea lor este combinarea proprietilor
acestora (de exemplu, rezistena la temperaturi nalte i duritatea
structural) n acelai component. Materialele fabricate, cum ar fi
compozitele brute i materialele gradate funcional (FGM), au fost
dezvoltate pentru a mbina aceste caliti dorite ntr-un singur
component. O diagram schematic ce descrie seciunea
transversal i vederea de sus a materialelor compozite i a FGM se
observ n figura 1.8.
Materialele compozite, care sunt n principal folosite n
aplicaiile structurale, sunt de obicei compuse din ceramici, metale
sau matrici polimerice cu o faz secundar dispersat. Pentru a
obine structuri compozite n profunzime, faza de ranforsare trebuie
13
s fie uniform dispersat i trebuie s posede compatibiliti

chimice, termice i interfaciale cu matricea. n FGM, compoziia
chimic variaz n mod continuu sau discontinuu de-a lungul grosimii
astfel nct proprietile pot s fie alternate gradual.
La ora actual se dezvolt o nou clas de materiale fabricate,
numite suprafee compozite n care tensiunea datorat diferenelor
dintre dou materiale este gradat linear lng regiunile de
suprafa (vezi figura 1.8).
Compozit brut FGM Compozit de suprafa
Figura 1.8 Diagrama schematic cu seciunea transversal i

vederea de sus a diferitelor materiale
O morfologie tipic a structurilor LIMS este descris n figura

1.9 care prezint o suprafa de aluminiu modificat prin tehnica
laserului cu impulsuri, urmat de depunere cu vapori chimici a unui
film ntr-un inveli foarte subire (grosime mai mic de 1 m).
Figurile 1.10.a i 1.10.b prezint morfologia iniial a suprafeei
compozite W / Mo fabricat prin aceast tehnic. Cu ajutorul unui
laser cu excimer, suprafaa modificat prezint o rugozitate de ~5
m cu o periodicitate medie de ~ 15 m.
De asemenea, prin aceasta metod au fost obinute, suprafee
compozite cu substraturi cum ar fi: carbura de siliciu, nitratul de
siliciu i carbura de wolfram.
Una din cele mai importante aplicaii ale suprafeelor
compozite este i formarea nveliurilor aderente n sisteme
neomogene termic, cum ar fi oel acoperit cu diamant, aplicaie la
care cercetrile sunt nc la nceput.
14
a b
Figura 1.9 Figura 1.10
Micrografie SEM a micro- Micrografie SEM artnd (a) suprafaa
rugozitii suprafeei create modificat a molibdenului i (b) formaia
la un substrat de aluminiu suprafeei compozite wolfram -
ranforsat. molibden
O alt tehnologie de prelucrare/obinere cu energii concentrate

a micro i nanostraturilor are la baz utilizarea fasciculului de
electroni. La ora actual, se manifest pregnant dezvoltarea
tehnologiei alierii suprafeelor nanocristaline cu proprieti
controlabile. Filmele de aliaje metal i de metal dielectric granulat
nanostructural cu diferite compoziii i tipuri de conductiviti au fost
realizate ntr-o gam larg de concentraii. S-a folosit metoda de
evaporare controlat cu fascicul de elecroni n vacuum ale
componentelor aliajelor pe diferite tipuri de substraturi.
Filmele nanostructural granulate sunt caracterizate de bune
proprieti magnetice, de rezistivitate, rezonan, optice i magneto-
optice cauzate de nanomrimea granulelor. n filmele granulare
magnetice (Co-Al2O3,Co-Ag,FeNi-Ag,Co-Cu) coninnd granule de
material magnetic (FeNi, Co) de diametrul 15 nm dispersate n
reeaua nanomagnetic (Al2O3, Ag, Cu) este observat efectul unei
foarte mari magnetorezistene.
Filmele nanocristaline de Co-Si sunt caracterizate de o valoare
mare a coeficientului de fotoconvecie. Fenomenul de electro i
fotoluminiscen este observat la filmele Si-Al2O3 cu nanocristale de
Si cu mrimea de 1...3 nm n matricea dielectric Al2O3. Filmele
granulare Ag- Al2O3 (cu mrimea granulelor de Ag de 10...20 nm)
sunt absorbante de radiaii optice.
Utilizarea fasciculului de ioni se constituie ntr-o alt variant
de obinere i/sau prelucrare cu energii concentrate a micro i
nanostraturilor, n special prin implantare. n acest caz, n funcie
de energia ionilor, de doza lor i rata lor de implantare, ct i de
15
absena sau prezenta straturilor de atomi ai metalelor strine i de

numrul de unde folosite, procesul de implantare poate fi divizat n
patru grupe (figura 1.11).
Figura 1.11 Diagrama pentru diferite tipuri de implantare
Implantarea de ioni duce la apariia unor structuri specifice

materialelor compozite, influennd direct proprietile mecanice,
chimice i electromagnetice ale materialului de baz.
Un domeniu distinct al prelucrrii straturilor micro i
nanometrice l constituie domeniul superfinisrii suprafeelor
(Ra<0,2m), caracterizat la ora actual, prin perfomane extrem de
ridicate att sub aspectul preciziei (nivelul nanometric) ct i al
rugozitii suprafeelor prelucrate (Ra nivelul subnanometric).
Tehnologiile cu energii concentrate (neconvenionale) au
atributul suplimentar n raport cu tehnologiile convenionale, c
permit obinerea unor suprafee cu grad de complexitate ridicat
(tendina existent pe plan mondial fiind de cretere continu a
complexitii suprafee cu caracter sculptural).
Dintre tehnologiile cu energii concentrate, care rspund
exigenelor menionate, fac parte:
Prelucrarea electroeroziv (electrodischarge machining
EDM) cu anumite particulariti:
- EDM cu impulsuri de relaxare, tensiuni ridicate (circa 300 V)
i valori extrem de reduse ale timpilor de impuls (la nivel de
0,01 s). Pentru a limita adncimea de prelucrare la nivelul
16
straturilor subiri, cu grosimi submicronice, este necesar

scderea energiei descrcrii prin reducerea extrem de
mare a timpilor de impuls pn la 0,01 s.
-Tehnologie fuzzy cu analiza parametrilor descrcrii n timp
real (la fiecare impuls). Date fiind caracteristicile puternic
neliniare ale sistemelor EDM i dificultile de modelare
clasic a acestora, adoptarea logicii fuzzy este extrem de
oportun, mai ales n cazul proceselor EDM de
superfinisare, extrem de instabile.
Prelucrarea ultrasonica (USM) n mediu abraziv cu
inversarea caracteristicilor de prelucrabilitate US ale cuplului
de materiale scul-semifabricat. Utilizarea sculelor din
materiale caracterizate prin prelucrabilitate ridicat ultrasonic
de tip: grafit, cuar, sticl etc. permite prelucrarea straturilor
subiri de material cu grosimi submicronice. Domeniul de
aplicare al acestui procedeu US este extrem de larg, putnd fi
prelucrate aproape toate categoriile de materiale (cu excepia
materialelor care sufer deformaii plastice nainte de rupere),
ncepnd cu materiale relativ moi de tipul compozite pe baz
de polimeri, superaliaje, carburi metalice, pn la materiale
ceramice de diverse tipuri, structuri de tip sandwich cu straturi
de carburi metalice, oxizi de aluminiu, nitrur cubic de bor
etc.
Asistarea cu ultrasunete a prelucrrilor neconvenionale
cu rezultate spectaculoase n cazul electroeroziunii asistate
de ultrasunete (EDM+US) i a prelucrrilor cu laser
(LBM+US);
Superfinisarea EDM+US. n cadrul mecanismului de
prelevare al superfinisrii EDM+US, cavitaia indus
ultrasonic n lichidul dielectric are un rol esenial. La sfritul
fiecrei perioade de oscilaie a sculei cu frecven US,
datorit imploziei colective a bulelor de gaz aflate n interstiiul
de prelucrare frontal sunt generate microjeturi cumulative,
caracterizate de presiuni foarte mari de ordinul sutelor de
MPa i care sunt orientate paralel cu suprafata de prelucrat.
Asistarea cu ultrasunete a prelucrarii cu laser a permis
creteri importante de productivitate de 30-40% prin
producerea fenomenelor de cavitaie n volumul topit de
radiaia laser, care au favorizat creterea volumului de
material prelevat. Pentru aplicarea procedeului n cazul
17
straturilor subiri submicronice, este necesar reducerea

intensitii radiaiei.
Finisarea magnetoabraziv (Magneto Abrasive Finishing)
utilizeaz scule (Magneto Abrasive Tool MAT)cu flexibilitate
extrem de mare create n mediu magnetic din particule
feromagneticeobinute prin sinterizare sau atomizare.
Procedeul MAF este aplicabil practic tuturor categoriilor de
materiale ca urmare a fenomenului de eliminare din cadrul
sculei a particulelor prelevate care nu au caracter
feromagnetic i poate fi implementat inclusiv pe mainile
convenionale comandate numeric, ceea ce permite obinerea
unor suprafee cu grad de complexitate ridicat.
Analiza datelor din literatura de specialitate pune n eviden
faptul c cercetrile au fost efectuate i prezentate preponderent
punctual, fr s fie definite aspecte privind modelarea, conducerea
computerizat a experimentelor, existena unor bnci de date etc.
18
Capitolul 2
NANOCOMPOZITE I MATERIALE
NANOSTRUCTURATE
2.1 Consideraii generale
Nanocompozitele - o nou clas de materiale aflat n studiu

n ntreaga lume, constau dintr-o baz polimeric obinuit armat
(rigidizat) cu particule de dimensiuni nanometrice dispersate n
ntreaga mas figura 2.1.
Figura 2.1 Reprezentarea schematic a materialelor

polimerice armate cu nanoparticule
Aceste materiale polimerice armate cu nanoparticule pot fi

varianta economic de nlocuire a metalelor i aliajelor. Teoretic,
aceste nanocompozite pot fi extrudate sau turnate cu uurin,
atingnd forme i dimensiuni cu precizii apropiate de cea final,
prezentnd duritate i rezisten apropiate de cele ale metalelor i
reducnd considerabil masa reperelor executate. Rezistente la
coroziune, atenund zgomotul, mrind rezistena mecanic a
reperelor i asigurnd reciclarea integral a elementelor la epuizarea
ciclului de via al produsului, nanocompozitele par alternativa ideal
a reperelor metalice n ansamblurile n care reducerea masei este
unul dintre obiectivele proiectrii structurale (i chiar
nanostructurale). Dei termenul nanotehnologie este relativ nou n
limbajul ingineriei, perfecionarea nanocompozitelor a fost o tem
19
important de discuie de mai mult de un deceniu printre cercettorii

din domeniul materialelor, care analizau posibilitile de extindere a
proprietilor polimerilor. Definiia materialelor nanocompozite s-a
extins semnificativ pentru a putea cuprinde o varietate de sisteme,
cum ar fi sistemul unidimensional, bidimensional, tridimensional
(figura 2.2) i materiale amorfe, alctuite din componente distincte
combinate la scar nanometric.
Categoria general de materiale
compozite organice/anorganice este
un domeniu de cercetare ce se
extinde rapid. Au fost depuse eforturi
semnificative concentrate pentru
obinerea controlului structurilor nano
prin abordri sintetice inovative.
Proprietile nanocompozitelor
depind nu numai de proprietile
Figura 2.2 Structur 3D a componentelor, ci i de morfologia i
materialelor nanocompozite de proprietile de interfa pe care
acestea trebuie s le aib.
Acest domeniu, aflat ntr-o continu dezvoltare, genereaz
materiale surprinztoare cu proprieti inedite, rezultate din
combinarea proprietilor componentelor primare ntr-un singur
material. Exist, desigur i posibilitatea existenei altor proprieti,
dar care rmn deocamdat necunoscute pentru componentele
primare ale materialelor nanocompozite.
Cercetrile experimentale au demonstrat c, teoretic, toate
tipurile i clasele de materiale nanocompozite conduc la proprieti
mbuntite, prin comparaie cu replicile lor macrocompozite, iar
acestea pot fi sintetizate utiliznd tehnici surprinztor de simple i
necostisitoare. Din aceste motive, nanocompozitele promit noi
aplicaii n foarte multe sectoare: componente cu mas redus i
proprieti mecanice mbunatite, optica non-linear, baterii
catodice i ionice, nano- cabluri, senzori i alte sisteme.
2.2 Materiale nanocompozite
a. Nanocompozitele polimerice
Nanotehnologiile reprezint astzi una dintre cele mai
promitoare oportuniti de dezvoltare tehnologic a secolului XXI.
Pentru domeniul cercetrii materialelor, dezvoltarea
nanocompozitelor polimerice devine rapid o activitate
20
multidisciplinar ale crei rezultate pot lrgi aria de aplicare a

polimerilor, cu beneficii pentru foarte multe sectoare industriale.
Nanocompozitele polimerice (NCP) sunt polimeri
(termoplastice, termorigide sau elastomeri) consolidai / armai cu
mici cantiti de nano-particule (mai puin de 5% din greutate)
figura 2.3.
Nanocompozitul este un sistem
polimeric care, n mod obinuit, conine
o particul anorganic avnd o
dimensiune n raza nanometric (o
milionime de metru). Formele
particulelor folosite n nanocompozite
pot fi sferice, fibrilare sau plate. Formele
plate sau fibrilare confer materialului
maximum de rezisten.
Nanocompozitele polimerice au fost
Figura 2.3 Nanoparticule dezvoltate spre sfritul anilor `80, att
nglobate in structura unui
n organizaiile private de cercetare ct
nanocompozit polimeric
i n laboratoarele academice.
Prima companie care a comercializat acest tip de material
compozit armat cu nanoparticule a fost Toyota, care a introdus piese
auto din nanocompozit ntr-unul din modelele sale populare timp de
civa ani. Ulterior, urmnd iniiativa Toyota, i alte companii au
nceput s cerceteze nanocompozitele, cele mai multe interese
comerciale concentrndu-se pe compozitele termoplastice.
Termoplasticele combinate cu materiale nanometrice au
proprieti diferite fa de termoplasticele combinate cu materiale
convenionale.
Unele proprieti ale nanocompozitelor, cum ar fi rezistena
crescut la ntindere, pot fi obinute folosind o cantitate mai mare de
umplutur convenional, cu riscul creterii masei i diminurii
luciului. Alte proprieti ale nanocompozitelor, cum ar fi claritatea sau
proprietile mbuntite de barier nu pot fi limitate cu umplutura
de rin, indiferent de cantitate.
n prezent este produs o cantitate semnificativ de
nanocompozite, peste 20 de milioane de tone, avndu-se n vedere
gama larg de avantaje pe care le prezint aceste noi tipuri de
materiale (tabelul 2.1).
Fizica i chimia sistemelor nanoscalare au avansat rapid n
ultimii ani i perspectiva de a transforma aceste descoperiri tiintifice
21
n produse de nalt tehnologie se mbuntete zi de zi. Din

moment ce nanotehnologia este un domeniu generic, ea poate avea
impact asupra unui spectru larg de domenii de activitate, de la
chimicale pn la electronice, de la senzori pn la materiale
avansate. Nanocompozitele, structuri polimerice ranforsate (armate)
cu nanoparticule, prezint avantajul major al costurilor reduse, sunt
materiale cu rezisten mecanic i termic ridicat, i pot
revoluiona tehnologia fabricrii reperelor din diverse domenii
(autoturisme, aeronave, produse din industria bunurilor de larg
consum).
Tabel 2.1 Caracteristici i aplicaii ale nanocompozitelor
Avantajele Proprietatile Domenii de
nanocompozitelor nanocompozitelor aplicare
Proprieti mecanice Barier pentru gaze; Construciile de maini
mbuntite, de ex.: rezistena, Barier pentru oxigen; (rezervoare, bare
stabilitate dimensional etc. ; Protecia alimentelor; protective, interior i
Permeabiliate sczut la gaze, Protejarea mediului; exterior)
ap i hidrocarburi; Ignifugare. Construcii
Stabilitate termic i rezisten la Aerospaiu (echipamente
distorsionare terminc; ignifuge i componenete
Rezisten la aprindere i emisie de nalt performan)
redus de fum; Electrice i electronice
Rezisten chimic; Amabalaje alimentare
Conductivitate electric; (containere i folie de
Claritate optic prin comparaie mpachetat)
cu polimerii cu umplutur Textile cu performane
convenional. nalte (medicale, de
protecie, sportive,
mbrcminte obinuit).
Fr a exista nc o taxonomie a domeniului, fiecare arie de

aplicaii dezvoltat pe baza nanoparticulelor sau a nanotehnologiilor
i stabilete propriile definiii ale domeniului.
De exemplu, materialele cu structur nanocristalin,
materialele cu inserii submicronice, compozitele integrate n
structurile nanotuburilor de carbon, compozitele pe baz de argile cu
structur armat, barele polimerice rigide i compozitele moleculare
ocup acelai segment din aria aplicaiilor, concurnd la definirea
acestora i n educarea potenialilor consmatori.
b. Materialele nanocristaline - de tipul TiO2, a carburilor cu
nanoinserii , a materialelor fero-magnetice , a materialelor extradure
22
i a altor materiale nanoceramice figura 2.4,a,b sunt teoretic

fundamentate att prin caracteristicile cunoscute (fizice, chimice
etc.) ale substanelor constitutive ct i prin efectele dimensionale,
relatia Hall-Petch oferind informatii despre legatura existenta ntre
dimensiunile nanoparticulelor i limita de curgere a materialului:
(2.1)
unde: ky este o constant de material (parametru de acomodare),
o este valoarea strii iniiale de tensiune, d este diametrul
caracteristic al grunilor nanostructurii, iar y este tensiunea
(limita) de curgere a compozitului nanostructural. Relaia arat c
pe msur ce scade dimensiunea caracteristic a nanostructurii,
crete valoarea tensiunii limit de curgere a materialului
nanostructurat. Aplicaiile poteniale sunt limitate n prezent de
costurile ridicate ale procedeurilor de fabricare a nanocristalelor i
de lipsa de stabilitate a nanostructurilor obinute.
a b
Co-WC-C60 compozit de tip Cermet (Fe 83C60) gruni de 5 nm
Figura 2.4 Materiale nanocristaline
c. Materialele cu inserii submicronice

Pentru realizarea unor astfel de compozite nanostructurate se
utilizeaz fibre ceramice (whiskers) de dimensiuni submicronice,
pulberi nanometrice de carbon i compozite cu matrice ceramic. n
cazul tehnologiilor de obinere a compozitelor cu inserii
submicronice trebuie s se gseasc soluii adecvate pentru:
evitarea formrii anizotropiei macrostructurii ca urmare a
23
orientrii nanoparticulelor/ nanofibrelor n matricea

structural;
eliminarea formrii aglomerrilor de nanoparticule (tip clustere
3D) i , n acelai timp, evitarea dispersiei excesive a
materialului inserat n matricea structural;
protejarea mediului i a operatorilor de efectele potenial
toxice ale nanomaterialelor manipulate i a precursorilor
acestora.
d. Compozitele pe baz de argile cu structur armat cunosc o
dezvoltare deosebit a aplicaiilor, pornindu-se de la costul sczut al
argilelor utilizate, pentru a cror mbuntire se folosesc diveri
polimeri capabili s sporeasc rigiditatea macrostructurii.
Cercetrile efectuate n ultimii ani au fost focalizate n special
pe:
determinarea modului de amestecare i dispersie a argilelor
nanostructurate;
stabilirea relaiei existente ntre rigiditatea i rezistena
argilelor cu inserii nanostructurate
e. Nanoargilele au modulul de elasticitate Young de la 20 la 45 GPa
i sunt ieftine, prezentnd proprieti refractare excelente i mrind
semnificativ rezistena la impact a materialelor n compoziia crora
sunt incluse.
f. Fulerene i nanotuburi
Legturile carbonului n diferite substane au fascinat
generaii de cercettori, cu att mai mult cu ct echipamentele de
observare-msurare-manipulare au evoluat de-a lungul timpului.
C60 a fost obinut n laboratoare n 1985, iar definirea
nanotuburilor de carbon (1991) avea s conduc la obinerea unui
Premiu Nobel n Chimie (1996). Pornind de la cristalul ce carbon
(CFC) s-a ajuns la o structur cu totul diferit (figura 2.5) de cea a
formelor cunoscute din compuii carbonului (diamant, grafit).
Nanocompozitele pe baz de carbon au cteva proprieti
remarcabile: diametrul 10-9 m , aria sectiunii 10-18 m2 ; volumul 10-27
m3; numrul de particule din unitatea de volum: de 1015-1018 mai
ridicat dect pentru materialele obinuite. Modurile de prezentare ale
nanocompozitelor pe baz de carbon sunt dintre cele mai diverse:
nanofilme, nanotuburi, nanoparticule, nanodiscuri, nanofibre scurte,
nanoparticule goale in interior , nanofibre etc.
24
Nanotuburile de carbon se pot prezenta sub diverse forme

de mpachetare n funcie de numrul de particule din unitatea de
suprafa i de presiunea i temperatura exercitate pe parcursul
procesului tehnologic (figura 2.6 )
Din punctul de vedere al proiectanilor de aplicaii,
nanotuburile reprezit materia prim ideal, putnd acoperi o gam
larg de domenii, innd seama de caracteristicile acestora (tabelul
2.2).
a. Cristal -CFC b. Diamant c.Grafit
d. C60 e. C60- Endohedral f. C70
g. Nanotub de carbon
Figura 2.5 Forme naturale i de sintez ale legrii carbonului
25
a.Nanotub b. Nanopunct c. Nanotuburi

singular (nanosfer) concentrice
Figura 2.6 Forme de mpachetare a nanocompozitelor

pe baz de carbon
Tabelul 2.2 Caracteristicile nancompozitelor pe baz de carbon
Fulerene(C60) Tuburi de carbon cu un singur perete
Dimensiuni: 1nm (dia.), 0.3 100 mm

(lungime);
Densitate: 0.89g/cm3;
Rezistena la traciune: ~50Gpa;
Modulul de rupere ~1Tpa;
Conductibilitate
Elongaia la rupere ~5%;
termic sczut (0,4
Conductivitatea electric ~1800-2000
W/mK);
ohms-1 (caracterstici semiconductoare ca
Difuzia punctual (~
ale Cu) ;
1 nm particule
Conductibilitate termic (C60) sczut pe
sferice);
direcie transversal i ridicat (ca a
Limita ntre gruni i
diamantului) pe direcia axei tubului
efectele de interfa.
(~2500 W/mK);
Defecte de mprtiere la nanoscar
- Tuburi intacte sau ndeprtate pe loc
(nanogoluri);
Legturi prin fore van der Waals sau
legturi funcionale.
26
g. Interfee n compozitele cu nanotuburi
Nanotuburile pot fi privite n definirea aplicaiilor fie ca

poteniale puni n formarea carburilor fie ca vectori ai unor noi
legturi. Aria interfeei nanotuburilor este de patru ordine de mrime
mai mare dect ce a compozitelor armate cu fibre de dimensiuni
micronice (3000 cm2/cm3), astfel nct interfaa se poate comporta
ca substrat pentru nucleaia polimerilor; ca urmare poate influena
dinamica procesului de cristalizare a structurii i proprietile matricei
polimerice. Mai mult, datorit dimensiunii nanotuburilor , spaiul
rmas ntre acestea este de asemenea foarte redus (adesea de
ordinul nm), ceea ce va determina o configuraie caracteristic a
nanocompozitului polimeric format. Tensiunea la forfecare la
interfaa nanotuburilor/matricei este de 500 MPa (tensiunea de
forfecare a unui cablu uzual este de 6 MPa), iar presiunea normal
pe interfa este de 23 MPa.
Fibrele de carbon crescute n faz de vapori (VGCF), avnd
unele proprieti prezentate n tabelul 2.3, i nanotuburile cu perei
multipli (MWNT) pot fi definite funcional i pornindu-se de la
eventuale defecte structurale dezvotndu-se astfel potenial o gam
extins de aplicaii. n ceea ce privete ns funcionalizarea
nanotuburilor de carbon cu perei singulari, legturile de carbon din
componena lor sunt mult mai stabile i mai puin permisive.
O abordare tehnologic cu multiple perspective funcionale
este acoperirea nanotuburilor cu diverse alte nanostraturi.
Tabelul 2.3 Proprietile VGCG-H ( fibre de carbon crescute
n faz de vapori)
Diametrul fibrei nm 150
Lungimea fibrei m 10~20
3
Densitatea real g/cm 2.0
Densitatea pe unitatea de 3
g/cm 0.04
volum de substan
2
Aria suprafeei specifice m /g 13
-4
Rezistivitatea electric cm 1 x 10
Conductibilitatea termic W/m/k 1,200
Cenu % 0.1
Caracteristica reelei (C0) nm 0.679
27
De exemplu, VGCF-H este o substan tip nanocompozit cu

fibre de carbon crescute n stare de vapori, proiectat anume pentru
a realiza materiale cu proprieti termice i electrice deosebite i
pentru a mbunti dispersia i omogenitatea fibrelor n unitatea de
volum (figura 2.7 i 2.8).
Figura 2.7 Element de volum n Figura 2.8 Fibr de carbon

nanocompozitul VGCF-H crescut n VGCF-H
h. Nanocompozite cu matrice epoxidic
Explorarea posibilitilor de a mbunti proprietile

mecanice ale compozitelor polimerice prin adaosul de componente
nanometrice este n prezent un punct central pe agenda
cercettorilor i a proiectanilor de materiale structurale.
Astfel, dup o experien de cteva decenii n realizarea de
compozite cu adaosuri de dimensiuni micrometrice s-a trecut
aproape firesc la experimentarea polimerilor cu inserii
nanodimensionale, obinndu-se materiale cu proprieti mecanice
deosebite (duritate i rezisten sporite, coeficient de dilatare termic
sczut, capacitate de deformare crescut etc.).
S-a descoperit, ca urmare, c pentru obinerea efectelor
maxime optimul concentraiei de particule n unitatea de volum, n
cazul nanoparticulelor, este de 1-5 vol %, fa de 20-40 vol% pentru
microparticule. Totodat s-a observat experimental c nano-
adaosurile structurale pot mbunti n acelai timp rigiditatea i
rezistena, o combinaie deosebit de proprieti, foarte dificil de
realizat i care nu s-a obinut n cazul compozitelor cu adaosuri
microdimensionale. Pentru a obine aceste proprieti remarcabile
este necesar o dispersie corespunztoare a componentelor
nanometrice n matricea polimeric.
Soluiile au aprut abia dup ce au existat i mijloacele
suficient de performante pentru observarea i caracterizarea
28
nanostructurilor compozite disperse (SEM-microscopia prin scanare

cu electroni figura 2.9 ,respectiv TEM-microscopia cu transmisie
de electroni figura 2.10 ).

Imaginea SEM a matricei epoxidice Imaginea TEM a nanoparticulelor
armate cu incluziuni de de CuO dispersate ntr-o matrice
nanoparticule de CuO (punctele epoxidic
strlucitoare)
2.3 Sinteza i asamblarea nanocompozitelor
Pentru a defini nanocompozitele n concordan cu

multitudinea cerinelor impuse de aplicaiile practice s-a dezvoltat o
ramur nou a ingineriei materialelor ingineria materialelor cu
proprietai noi obinute prin sintez i asamblare la scar
nanometric.
Pentru a se crea un nou tip de material nanocompozit este
necesar, n primul rnd determinarea dimensiunilor critice care
definesc structura i organizarea acestuia, dimensiuni aflate n
general n domeniul nanometric i al cror rol este determinant n
definirea proprietilor macroscopice ale materialului nanocompozit.
Cercetarea compozitelor nanostructurate este motivat de
observaiile experimentale i de studiile teoretice care arat c prin
controlul riguros al morfologiei blocurilor constitutive sau a
nanostructurii materialelor se pot obine proprietai noi la scar
macroscopic, cum ar fi: creterea duritii, a ductilitii, a cuplajului
inductiv, sporirea efectului catalitic, intensificarea absorbiei selective
i a eficacitii electronice sau mbuntirea proprietilor optice.
29
Tehnologiile de sintez i asamblare pornesc de la precursori

n faz solid, lichid sau gazoas. Se produc depuneri fizice sau
chimice pe substraturi bi- sau tridimensionale, iar prin reacii chimice
sau de compactare fizic se integreaz blocurile nanostructurale n
structura final a materialului. n figura 2.11 sunt prezentate
schematic aceste tehnici.
Formaiuni de blocuri constitutive Prelucrat din semifabricat

- pulberi / aerosol compactare - abraziune mecanic (mcinare)
- sintez chimic - litografiere / gravare
Figura 2.11 Variant schematic a procesului de sintez i asamblare
a unui tip de compozit nanostructurat
Prin tehnica de jos-n-sus se creaz n primul rnd blocurile

nanostructurate i apoi acestea se asambleaz n materialul final.
Un exemplu n acest sens este formarea componentelor
pulberilor utilizndu-se tehnica aerosolilor i apoi compactarea
componentelor (particulelor dispersate n aer) n materialul final.
Acest procedeu este des folosit n crearea nanocompozitelor
structurate.
Prin tehnica de sus-n-jos se ncepe cu alegerea materialului
cu proprietile dorite i apoi se realizeaz prin sculptare
nanostructura sau secvena de nanostructuri dorit. Aceast
tehnologie este asemntoare celei utilizate n industria
semiconductoarelor pentru a se crea dispozitive din substraturi
electronice (de exemplu din siliciu), utiliznd un model de formare
(ca n cazul litografierii cu fascilul de electroni) i un model de
transfer (ca n cazul gravrii ionice) asigurndu-se astfel rezoluia
spaial necesar crerii structurilor nanodimensionale.
O alt tehnologie specific abordrii de sus-n-jos a definirii
nanostructurii compozitului este mcinarea definirea blocurilor
constitutive ale nanostructurii prin mcinarea mecanic controlat a
semifabricatului. Nano-blocurile constitutive obinute sunt apoi
asamblate ntr-un nou tip de semifabricat, compozit nanostructurat.
30
n general, cele mai multe strategii de sintez a materialelor

includ att sinteza ct i asamblarea ntr-un singur proces. Nivelul
de control necesar pentru verificarea dimensiunilor componentelor
nanostructurale , natura distribuiei lor i legturile din noul material
obinut , variaz mult i depind de parametrii procesului, dar n
special de caracteristicile ultimelor materiale incluse n structur.
Asigurndu-se absorbia optic selectiv n material (de
exemplu prin blocarea dispersiei UV) se poate realiza o ntreag
gam dimensional a nanoparticulelor componente ale blocurilor
constitutive, n timp ce dimpotriv, pentru laserele cu puncte
cuantice sau pentru tranzistorii cu un singur electron este necesar
o distribuie mult mai fin i mai riguroas a compuilor
nanostructurii.
Metodele de compactare pot asigura o aderen excelent a
materialelor nanocompozite, care s conduc la mbuntiri ale
calitilor structurale (de exemplu, ductilitatea) dar asemenea
interfee vor fi cu totul nesatisfctoare pentru proprietile
electronice ale materialelor.
A. Elemente critice pentru sinteza i asamblarea

compozitelor nanostructurate
n domeniul larg al sintezei, punctele critice de control se

mpart n dou categorii:
1. controlul mrimii i compoziiei componentelor nanoclusterelor,
chiar dac sunt particule de aerosol, pulberi, puncte cuantice
semiconductoare sau alte nanocomponente;
2. controlul interfeelor i a distribuiei nanocomponentelor n
materialul obinut.
Aceste dou aspecte ale formrii nanostructurii sunt strns
legate; cu toate acestea este important de neles cum se poate
controla separat procesul de nucleaie al nanostructurii n vederea
formrii blocurilor constitutive i cel de cretere al componentelor de-
a lungul procesului de sintez i de asamblare (minimiznd de
exemplu coagularea sau aglomerarea). Acest ultim proces este
determinant pentru:
stabilitatea chimic, termic i temporal a nanostructurilor
obinute;
capacitatea de a dezvolta - pentru producia pe scar larg a
compozitelor nanostructurate - strategii de sintez i
31
asamblare cu costuri reduse, meninnd n acelai timp

controlul asupra dimensiunilor critice i a calitii interfeelor.
B. Tehnologii de obinere a nanocompozitelor structurate
Progrese tehnologice s-au remarcat permanent n toate

domeniile sintezei i asamblrii compozitelor nanostructurate,
datorate n special progresului fcut n ultimul deceniu n domeniul
echipamentelor i a instalaiilor complexe de msurare,
caracterizare i manipulare. Aa cum microscopia cu transmisie
electronic i tehnica difraciei cu raze X au ajutat n perioadele
anterioare la studiul aliajelor de aluminiu pentru determinarea
nanostructurii lor, astzi tehnologiile avansate de caracterizare a
materialelor aduc noi perspective n stabilirea proprietilor
nanoscopice. Prin caracterizarea nanostructurilor i nelegerea
relaiei dintre nanostructuri i proprietile macroscopice ale
materialului, prin controlul dimensional al nanostructurilor i al
modului lor de dispunere s-a mrit gradul de repetabilitate al
experimentelor de laborator (iniiate de cele mai multe ori de
consorii industriale interesate n dezvoltarea i exploatarea
produselor) i s-au definit unele dintre componentele critice ale
acestui nou domeniu tehnologic.
O alt etap important este posibilitatea scanrii probelor cu
rezoluie ridicat prin microscopia de for atomic (AFM) sau cea
de efect tunel (STM).
Puterea acestor tehnologii const n capacitatea de a
ptrunde i analiza la scar atomic probe obinute prin tehnici de
microfabricare. Dezvoltarea acestor tehnologii de scanare a
influenat i procesul de sintez i asamblare n sine: tehnologia
scanrii probei a fost folosit nc de la nceput pentru modelarea i
procesarea materialelor la scar nanometric, find astfel oferite
informaii despre proprietile mecanice i termice ale
nanomaterialelor.
Tehnici mult mai sofisticate au demonstratat puterea de
nelegere i control a sintezei nanostructurilor, n special a celor
formate n medii vidate. Epitaxia cu fascicule moleculare (MBE) este
un procedeu de depunere fizic prin care controlul procesului se
poate realiza la dimensiuni mai mici dect dimensiunea stratului
depus, fie n planul de depunere (2D), fie pentru arhitecturi spaiale
(3D).
32
mbuntirile aduse de aceste tehnici avansate de control au

fost substaniale, dar poate, de importan mai mare pentru acest
domeniu al tiinei i tehnologiei nanostructurilor a fost dezvoltarea
strategiilor i tehnologiilor care s-au format din disciplinele
anterioare.
Controlul dimensiunilor i amplasarea nanostructurilor,
mpreun cu posibilitatea mririi produciei a impus creterea
dinamicii cercetrilor privind sinteza i strategiile de asamblare. n
aceste cercetri, este simplu de neles c sinteza i asamblarea
materialelor biologice pot oferi noi posibiliti de nelegere pornind
de la modele a cror fiabilitate a fost verificat printr-o multitudine de
experimente.
C. Stategiile de sintez a nanoparticulelor
Direciile n care s-au concentrat studiile i experimentele n

sinteza nanoparticulelor pot fi grupate n dou domenii: sinteza din
faz gazoas i tehnologiile de tip Sol-Gel.
Nanoparticulele cu diametre cuprinse ntre 1 i 10 nm, cu
structur cristalin bine definit, cu suprafa derivativ (raz de
aciune derivativ bine determinat) i cu un grad ridicat de
monodispersie au fost obinute att prin tehnicile din faz gazoas
ct i prin cele Sol-Gel. Variaiile dimensionale nregistrate au fost
de aproximativ 20%, iar pentru msurarea la nivel cuantic acestea
trebuie reduse la mai putin de 5%.
Dezvoltarea iniial a noilor materiale cristaline s-a bazat pe
nanoparticule generate prin evaporare sau condensare n medii cu
atmosfer inert. Diferite tehnici utiliznd pocesarea aerosolului au
mbuntit posibilitile de obinere a nanoparticulelor, incluznd
sinteze prin arderea cu flacr, plasm, pulverizarea laser,
condensarea chimic din faz de valori, piroliza substanelor
pulverizate, electropulverizarea i pulverizarea n plasm.
Tehnologia Sol-Gel este un proces de sintez chimic
umed care poate genera particule prin gelatinizare, precipitare i
tratament hidrotermic. Distribuia dimensiunilor nanoparticulelor de
semiconductori, metale i oxizi de metale poate fi controlat fie prin
introducerea de material dopant, fie prin tratament termic.
Un control mai riguros al dimensiunilor i stabilitii n
domeniul cuantic pentru nanoparticulele semiconductoare poate fi
realizat prin utilizarea arhitecturilor cu matrice polimeric bazate pe
33
blocuri de copolimeri, sticle poroase sau alte particule cu capaciti

de retenie.
Tehnicile adiionale de sintez a nanoparticulelor includ:
prelucrarea acusto-chimic, procesul de cavitaie, procesul de micro-
emulsificare i procesul de mcinare cu energi ultranalte. n cazul
aplicaiilor acusto-chimice printr-un proces de cavitaie acustic se
poate genera temporar o zon cu diferene mari de temperatur i
presiune. La aceste schimbri mari de temperatur i presiune se
produce distrugerea acusto-chimic (efect mecanic datorat undelor
acustice care faciliteaz procesele chimice zonale) a precursorului
(de exemplu: soluie organo-metalic) i formarea de nanoparticule.
Procedeul poate fi folosit pentru a produce un volum mare de
material pentru aplicaii industriale.
Prin astfel de procese s-au folosit microemulsiile pentru
sinteza nanoparticulelor din metale, semiconductoare, oxid de siliciu,
sulfat de bariu, materiale magnetice i materiale superconductoare.
-3
Prin controlarea tensiunii la interfa (~10 mN/m), prin
adugarea de co-surfactani (de exemplu un alcool pentru a realiza
o legtur intermediar) aceste micro-emulsii se produc spontan
fr s fie necesar agitaia mecanic suplimentar. Tehnica este
utilizat pentru producerea la scar larg a nanoparticulelor folosind
echipamente relativ simple i ieftine.
n sfrit, mcinarea cu energii ultranalte, o abordare de
tip desus-njos a sintezei nanoparticulelor, se folosete pentru
obinerea nanoparticulelor magnetice, catalitice i structurale.
Tehnica este deja o tehnologie comercial, dar a fost
considerat murdar din cauza problemelor de contaminare ce
nsoesc procesul. Oricum, disponibilitatea componentelor de
carbur de tungsten i folosirea atmosferei inerte i/sau a vidului
nalt au redus semnificativ impuritile, ajungndu-se la niveluri
acceptabile pentru multe aplicaii industriale. Marele dezavantaje
includ: suprafaa sczut de reacie, polidispersia dimensional i
starea parial amorf a pulberilor.
D. Metode de asigurare a monodispersiei
Una dintre cele mai semnificative probleme n sinteza

nanocompozitelor este controlul procesului de generare a
nanoparticulelor astfel nct s se asigure uniformitatea
dimensional, iar precipitarea prin centrifugare sau orice alt proces
34
mecanic de selectare s nu fie necesar. Dintre toate tehnicile de

sintez prezentate mai sus, sinteza din faz gazoas este una
dintre cele mai bune tehnologii, respectnd monodispersia - n
general obinut folosind combinaii stricte ntre creterea prin
nuclearizare i condensare i evitarea coagulrii prin difuzie i
turbulene - dar i din punct de vedere al colectrii efective a
nanoparticulelor i manipularea lor ulterioar.
Stabilitatea pudrelor de nanoparticule colectate mpotriva
aglomerrii i schimbrii compoziiei poate fi asigurat prin
colectarea nanoparticulelor n suspensii lichide. Pentru particulele
semiconductoare, stabilitatea n suspensii de lichid a fost demostrat
prin adugarea unui solvent polar; moleculele surfactant au fost
utilizate pentru a stabiliza nanoparticulele metalice din suspensiile
de lichid.
Alternativ, ncapsularea nanoparticulelor de oxid de siliciu
inert prin reacii n faza gazoas sau prin oxidare n soluii coloidale
a fost utilizat efectiv pentru nanoparticulele metalice.
Noile abordri tehnologice ale obinerii nanoparticulelor
monodisperse, care nu necesit folosirea procedurii de clasificare
dup dimensiuni, au n vedere nanoparticulele monodisperse
coloidale cu diametre de aproximativ 1nm care se pot obine prin
reducerea srii metalice prin iradiere cu UV n prezena
dendrimerilor. Poli(amino) dendrimerii au structuri sferice 3D care
pot avea un efect protectiv pe pacursul generrii nanoparticulelor.
E. Perspective de dezvoltare
Producerea pe scar larg este de mare interes pentru

sinteza nanoparticulelor. Mcinarea cu enegii ultranalte este deja un
proces comercial de volum mare, fiind folosit pentru generarea
nanoparticulelor pentru materiale magnetice, structurale i catalitice.
Se produc n acest fel pudre amorfe polidisperse care
necesit un proces selectiv de recristalizare nainte ca pudra s fie
consolidat n materialul nanostructural. Chiar dac sinteza n faz
gazoas este n general un proces cu un randament sczut (100
mg/ or) n laboratoarele de cercetare s-au obtinut totui i valori
mai mari (20g/or) n ngstrm Laboratory la Uppsala University
(Suedia). Valori mult mai mari (aproape 1 kg/or) sunt realizate
acum comercial. Pentru soluia tehnologic Sol-Gel nu exist nc o
abordare eficient la scar industrial pentru obinerea
35
nanoparticulelor, dar selectivitatea procesului ncurajeaz investiiile

n cercetrile din domeniu.
F. Strategii biogenice
Cercetarea cu mijloace adecvate a complexitii elegante i

echilibrate a materialelor biologice a condus la descoperirea ordinii
structurale pe mai multe niveluri, cu o structur complet dezvoltat,
din care modelul autoasamblrii organice a materialelor poate fi
folosit i pentru componentele anorganice.
Acestor elemente de structurare a materialului pe mai multe
niveluri, cu interaciuni strnse ntre niveluri i cu interpretarea
perfeciunii i imperfeciunii formelor finale ale materialului, mpreun
cu caracteristicile scrilor de lungime, le sunt caracteristici timpii de
relaxare a materialului aducnd n prim planul cercetrilor
stabilitatea temporar a structurii materialului.
Este interesant de observat numai n ultimul deceniu cte
domenii de dezvoltare ale sintezei i asamblrii au explorat i
adaptat cele dou idei eseniale a fabricaiei biogenice: aceea a
autoasamblrii i cea a folosirii modelelor naturale la scar
nanometric.
G. Autoasamblarea ca strategie deliberat
Autoasamblarea este un termen des folosit n experimentele

din domeniul materialelor nanostructurale i al fabricaiei la scar
nanometric. Termenul implica o varietate de inelesuri implicite sau
explicite, iar o posibil definiie este:
Autoasamblarea este un proces n care organizarea
supermolecular ierarhic este stabilit de un sistem complex de
componente angrenate.
Mecanismele care produc organizarea ierarhic determin
interaciuni moleculare , rezultnd n particular separarea de
microfaze sau segregarea suprafeei de componentele materialului.
Totui, folosirea ierarhiei legturilor puternice i/sau a specificitii
chimice poate produce o ierarhie a lungimilor i n final materialul
nanostructurat.
Un exemplu al acestui mod de asamblare i autoasamblare a
materialelor este amestecarea precursorilor de siliciu i a
surfactanilor care sunt auto-ordonai pentru a forma diferite cristale
de surfactant-ap (faz lichid), producnd diferite structuri din
36
siliciul amorf, organizat ntr-un aranjament repetitiv de pori cu

dimensiuni de pn la 100. Un ir de astfel de structuri este
prezentat n figura 2.12.
a b c
Figura 2.12 Imagini obinute pin microscopie cu transmisie de electroni
(TEM):
a. morfologie lamelar;
b. faza cubic cu simetrie de-a lungul axei (111);
c. faza hexahonal de-a lungul axei (001) pentru interfa
siliciu/surfactant al unui compozit nanostructurat generat prin co-
asamblare (nanobare cu d=30nm)
n dispunerea natural a nanostructurilor anorganice prin

adugarea de molecule organice se poate influena puternic
structura rezultat din componente anorganice. Aceste strategii au
fost adoptate n dispunerea sintetica a nanostructurilor cum ar fi
dispunerea de reele de clustere de aur. Clusterele de aur cu
diametrul de 3.7 nm obinute din faz gazoas sunt ncapsulate n
reactani organici formnd suspensii coloidale. Reactanii mpiedic
formarea aglomerrilor de clustere de aur. Adugarea de cantiti
mici de precipitai de dietiol produce o reea de clustere 3D, care
poate fi depozitat pe alt substrat solid (figura 2.13).
37
Figura 2.13 Imaginea TEM a unei reele de clustere de Au

cu dimensiunea caracteristic de 3,7nm,
ncapsulate n dodecatenetiol
Metodologia autoasamblrii a fost extins i pentru procese

de depunere fizic de vapori (PVD) unde este mai greu de controlat
nuclearizarea i creterea nanostructurilor tridimensionale.
Utiliznd tehnici de deformare a substratului la creterea
epitaxial a materialelor cu reele cristaline diferite i introducnd
tensiuni suplimentare la tranziia de la configurarea stratului (2D) la
configurarea reelei (3D)- sub o atent monitorizare a procesului de
cretere prin analize RHEED (Reflection High Energy Electron
Difraction)- s-au obinut reele semiconductoare de puncte cuantice,
cu diametre cuprinse ntre ~ 200-300 i o variaie dimensional
cuprins ntre 7%.
Realizarea unor reele cu cteva
miliarde de puncte cuantice cu astfel
de dimensiuni, cu specificaii chimice
poate oferi cel mai bun neles al
procesului de asigurare a controlului
i mrimii blocurilor nanostructurate,
precum i o perspectiv asupra
tendinelor celor mai recente
cercetri n sinteza i asamblarea
punctelor cuantice obinute din
precursori chimici. Aceste puncte
Figura 2.14 Reea structural cuantice au un domeniu mai strns al
de puncte cuantice de InAs variaiei dimensiunilor (5%) dect
crescute pe substrat de GaAs
cel al punctelor autoasamblate prin
deformri induse, prezentat anterior.
38
Dependena de dimensiune i proprietile optice de absorbie

selectiv a energiei sunt prezentate n figura 2.14.
H. Modele naturale sau Structuri
Sistemele biogenice folosesc modele naturale sau structurale

n construirea materialelor la scar nanometric, modelele permind
setarea dimensiunilor critice corecte capabile s caracterizeze
compozitul nanostructurat obinut. Aceste modele pot fi decupate
prin utilizarea tehnicii litografierii prin care se definesc tipare pentru
materialul substratului cu scopul de a se realiza nuclearizarea
selectiv i creterea materialului nanostructurat. Exist ns i o
structur gazd a modelelor structurale naturale de care pot dispune
cercettorii.
Zeoliii* au fost vreme ndelungat utilizai ca baz pentru
materialele cu aria seciunii mare, care s faciliteze procesul de
cataliz. Studii recente au folosit acest tip structural de colivie
natural pentru a defini structuri noi cu goluri mai mari sau cu goluri
de dimensiuni variabile. Cnd golurile din zeolii sunt ncrcate cu
diferite tipuri de materiale, presiunea exercitat de structura
matriceal a acestora asupra substanei de adaos poate duce la
definirea unor materiale cu proprieti magnetice active sau cu
proprieti optice neliniare, aa numitele materiale structurale.
Mai mult, acest tip de materiale pot servi ca precursori n
sinteza altor materiale nanostructurate, astfel de reele putnd fi
dopate i umplute cu diverse materiale. De exemplu, s-au obinut de
curnd nanobare de GaN prin reacii pe suprafaa nanotuburilor de
carbon (CNs).
*
Zeolii aluminosilicai ai metalelor alcaline sau alcalino-pmntoase care conin
cristale de ap. Formula lor general este AmXpO2p . nH2O, unde A poate fi: Ca, Na,
K, Ba i Sr; X put\nd fi Al i Si. Zeoliii constau din reele 3D de AlO4 i SiO4 cu
legturi tetraedrice care leag toi atomii de oxigen. Reelele de aluminosilicai ai
zeoliilor prezint deschideri largi i conin canale i goluri care se ntreptrund,
acestea fiind parial umplute cu molecule de ap. Golurile intercristaline formeaz
20-50% din volumul ntregului cristal la majoritatea zeoliilor. Cnd zeoliii sunt
nclzii moleculele de ap se desorb, putndu-se ntoarce n aer sau n ap, fr
a afecta structura zeolitului.
39
Capitolul 3
UTILIZAREA MICROUNDELOR (MW) N TEHNICILE
APLICABILE MICRO I NANOSTRATURILOR
Este cunoscut faptul c spectrul electromagnetic se ntinde de

la cteva cicluri pe secund - pentru undele radio - pn la sute de
cicluri pe secund, pentru undele gamma. n acest spectru
microundele ocup zona cuprins ntre 300 MHz i 300 GHz.
Frecvenele specifice pentru prelucrare sunt de 915 MHz, 2.45 GHz,
5.8 GHz i 24,12 GHz. n figura 3.1 este ilustrat spectrul
electromagnetic i domeniul de frecvene al microundelor.
Figura 3.1 Spectrul electomagnetic plaja de

frecvene a microundelor
Propagarea microundelor n aer sau printr-un material
oarecare depinde de proprietile dielectrice i magnetice ale
mediului respectiv. Proprietile electromagnetice ale mediului sunt
caracterizate de permitivitatea complex () i de permeabilitatea
complex ():
= 'i" (3.1)
respectiv,
= 'i" (3.2)
40
Componenta real a permitivitii complexe, , este denumit

n mod obinuit constanta dielectric. Dar cum aceasta nu este o
constant, ba chiar variaz semnificativ cu temperatura, este
denumit simplu permitivitate. Componenta imaginar a permitivitii
complexe este denumit factor de pierdere dielectric. n mod
similar, factorii permeabilitii complexe sunt permeabilitatea i
factorul de pierdere magnetic.
n propagarea undelor, dac z este direcia de propagare i t
este timpul, amplitudinea cmpului electric i a cmpului magnetic
variaz sinusoidal att n lungul lui z ct i a lui t. Numrul de cicluri
complete ntr-o secund reprezint frecvena, iar distana parcurs
ntr-un ciclu reprezint lungimea de und. Astfel, lungimea de und
i frecvena descriu comportamentul unei unde n timp i spaiu.
Aceste caracteristici ale microundei sunt ilustrate n figura 3.2.
Figura 3.2 Propagarea undei plane
Frontul undei plane este un plan normal la z. Unda are o

component electric Ex n direcia x i una magnetic Hy n direcia
y. Pentru simplificare se presupune c = i =, de vreme ce
partea real a celor dou este mult mai mare dect partea imaginar
a acestora. Aproximarea este mult mai simpl dac cele dou pri
imaginare sunt considerate ca fiind perturbaii.
Ecuaiile undei pentru cmpul electric i cel magnetic, pornind
de la ecuaiile Maxwell, sunt:
Ex
= 200' ' Ex (3.3)
t
H y
= 200' ' Hy (3.4)
t
41
unde 0 i 0 sunt, respectiv, permitivitatea absolut a vidului i

permeabilitatea absolut a vidului. Pentru aceste ecuaii soluiile
sunt:
i2z
it
Ex = Exe e g
(3.5)
i2z
it
Hy = H y e e g
(3.6)
3.2 Aplicaii industriale ale microundelor

Microundele ofer posibilitatea utilizrii unei scule noi,
pentru prelucrarea unor materiale greu prelucrabile prin tehnologii
clasice, sau chiar pentru mbuntirea proprietilor unor materiale
obinuite.
Microundele au o serie de proprieti care le confer avantaje
ce nu pot fi ntlnite la procesele de prelucrare clasice a materialelor.
Cteva dintre principalele caracteristici ale interaciunii microundelor
cu materialele sunt:
- radiaie penetrant;
- distribuii de cmp controlabile;
- posibilitatea nclzirii selective (absorbie diferenial);
- nclzire rapid.
Aceste caracteristici, considerate cte una, sau luate
mpreun, reprezint oportuniti i beneficii net favorabile fa de
metodele clasice, dar i unele dezavantaje - tabelul 3.1.
3.3 Sisteme de generare aplicare a microundelor

Microundele sunt obinute n instalaii principial simple,
alctuite din generatoare, aplicatoare i sisteme de control al
temperaturii.
Generatoarele
Primele contribuii majore n ceea ce privete generarea i
generatoarele de microunde au fost realizate n anii 40, odat cu
realizarea kylstronului i a magnetronului.
Punctul de plecare n realizarea generatoarelor de microunde
a fost n 1907 cnd a fost conceput primul tub de amplificare
electronic de ctre DeForest, dezvoltarea ulterioar a unui alt tip de
generator fiind strns legat de existena celor anterioare fig.3.3.
42
Tabelul 3.1 Caracteristici avantaje, beneficii i dezavantaje ale utilizrii

microundelor la prelucrarea materialelor noi
Caracteristica Avantaj Beneficiu Dezavantaj
Radiaie - nclzirea - posibilitatea - dificil de prelucrat
penetrant materialului nclzirii materiale
n interior; uniforme a unor transparente la MW;
- gradieni suprafee largi; - gradieni de
termici - eliminarea temperatur foarte
inveri; gazelor i mari la materiale cu
- temperatur impuritilor. conductivitate
la suprafa termic joas i
mic. nclzire neuniform.
Distribuia - concentrare - control precis - controlul
cmpului mare de asupra temperaturii interne;
poate fi energie; procesului; - echipamente mai
controlat - optimizare - flexibilitatea complexe i mai
nivel putere- procesului. costisitoare;
timp. - necesit
echipamente
speciale.
Cupluri de - nclzire - posibilitatea - reacii nedorite cu
materiale difereniat a prelucrrii impuriti;
diferite fazelor, difereniate a - contaminare cu ali
aditivilor sau cuplurilor de constitueni.
constituenilor materiale;
- prelucrarea
unor materiale
transparente la
MW prin ali
constitueni,
aditivi, faze.
Autolimitare - nclzire - sub - dificil de meninut
difereniat temperatura temperatura;
dispare dup o critic, - decuplri nedorite la
anumit procesele sunt nclzirea anumitor
perioad autoreglate. produse.
43
Figura 3.3 Dezvoltarea tuburilor de microunde

n figura 3.4 sunt prezentate curbele frecven-putere
corespunztoare mai multor tipuri de generatoare utilizate n diverse
aplicaii.
Este important c, nu numai frecvena i puterea sunt factori
decisivi n performanele unui generator ci, i linearitatea, zgomotele,
stabilitatea amplitudinii, coerena, dimensiunile i nu n ultimul rnd
costul.
Cele mai utilizate generatoare n aplicaiile industriale n ziua
de azi sunt magnetronul, kylstronul i gyrotronul.
Un magnetron are o structur simpl i se bazeaz pe
fenomenele aprute la micarea electronilor n cmpuri electrice i
magnetice perpendiculare unul pe cellalt - figura 3.5.
Aceast construcie este constituit dintr-un emitor de
electroni, catodul, nconjurat de o structur cilindric, anodul. Paralel
cu axa sunt poziionai magnei care s genereze un cmp magnetic
perpendicular pe cmpul electric.
Interaciunile electronilor care traverseaz aceste cmpuri
perpendiculare precum i cmpul de microunde generat de anod
determin un transfer mare de energie de la sursa de tensiune la
cmpul de microunde. Magnetronul este cel mai eficient generator
de microunde, cu randamente de pn la 90% - figura 3.6.
44
Figura 3.4 Limitele frecven-putere ale generatoarelor
Figura 3.5 Schema de principiu a magnetronului
45
Figura 3.6 Magnetron industrial producie English Electric Valve
Aplicatoarele de microunde
Aplicatoarele de microunde sunt dispozitive astfel proiectate

nct s nclzeasc materialul prin expunerea acestuia la un cmp
de microunde ntr-un mediu controlat.
Obiectivul este de a se crea o interaciune controlat ntre
energia microundelor i material, n condiii de siguran, eficiente,
repetabile i economice.
Aplicatoarele sunt de dou feluri: aplicatoare n mod singular
i aplicatoare multi-mod. Ambele pot fi controlate de un transportator
sau ncrctor sau, n cazul sistemelor indexabile, o combinaie a
acestora. Energia microundelor poate fi combinat n interiorul
aplicatoarelor cu alte forme de energie cum ar fi: aer fierbinte,
radiaii infraroii sau abur pentru a se obine rezultate speciale.
Aplicatoarele pot fi proiectate de asemenea pentru a permite
interaciunea controlat ntr-o varietate de condiii de mediu, de la
vid pn la presiuni nalte i umiditate.
46
o aplicatoare mod singular
a) b)
Figura 3.7 Aplicator mod singular
Aceste aplicatoare pot fi cu seciune rectangular figura
3.7.a sau circular figura 3.7.b, iar din punct de vedere al direciei
de propagare a undelor pot fi cu propagare transversal sau cu
propagare longitudinal.
o aplicatoare multi-mod figura 3.8

Acestea sunt utilizate pentru prelucrarea unor suprafee de
dimensiuni, drept pentru care trebuie s asigure:
- uniformitatea nclzirii;
- putere la nivelul cerute;
- dimensiuni potrivite;
- suprimarea pierderilor.
Figura 3.8 Aplicator multi-mod
47
3.4 Interaciunea microundelor cu materialele
n cazul microundelor, la interaciunea cu un metal, acestea

vor fi reflectate complet i, de aceea, nu sunt eficiente n nclzirea
materialelor metalice.
Microundele pot penetra chiar i la adncimi de metri prin
materiale izolante din punct de vedere electric ca: ceramicele,
polimerii i anumite materiale compozite. Adncimea penetraiei
depinde de civa factori, care includ i lungimea de und a radiaiei,
precum i proprietile dielectrice i magnetice ale materialului. n
timpul expunerii materialului la microunde, o parte din energia
acestora se disipeaz n masa materialului i este ireversibil
pierdut. Aceast energie disipat duce la o nclzire a materialului
n interior, aceast zon fiind mai fierbinte dect la suprafa, care
pierde cldur la interfaa cu mediul exterior mai rece.
Acesta poate fi considerat fenomenul invers al nclzirii
convenionale, la care cldura de la o sursa exterioar este adus
de la suprafa n interior spre zonele mai reci. Astfel, gradientul
termic invers al prelucrrii cu microunde aduce beneficii unice cum
ar fi: nclzirea volumetric rapid fr supranclzirea suprafeei n
special la materiale cu conductivitate termic redus, degradarea
redus a suprafeelor n timpul nclzirii, ndeprtarea gazelor din
interiorul materialelor poroase fr fracturri.
Atta vreme ct nclzirea este instantanee la introducerea
radiaiei, temperatura materialului va putea fi controlat precis
controlnd nivelul radiaiei.
La prelucrarea cu microunde este foarte important gsirea
acelui material care este polarizabil i ai crui dipoli s se
reorienteze rapid la aciunea cmpului electric.
Dac aceste materiale posed o conductivitate termic
redus cldura nu se disipeaz rapid n vecintatea zonei de
prelucrare la aplicarea microundelor.
n tabelul 3.2 sunt prezentate caracteristicile de nclzire
pentru cteva materiale.
3.5 Tipuri de prelucrri cu microunde

Microundele pot fi folosite la aplicaii diverse, de la simpla
gurire la procesele de sinterizare sau prelucrare a pulberilor,
realizarea de micro i nanostraturi etc..
48
Avantajele utilizrii prelucrrilor cu microunde n locul celor

convenionale includ timpul de prelucrare mai redus, uniformitatea
caracteristicilor prelucrrii, microstructuri mbuntite sau complet
noi precum i posibilitatea sintetizrii de materiale noi.
Tabelul 3.2 Caracteristici termice pentru diverse materiale
Caracteristica termic (oC/min)

temperatura la care ajunge
Material Rezistivitate
materialul dup o anumit perioad
(m)
de timp, la 1 kW i 2,45 GHz
-8 -6
Pulberi metalice 10 10 nclzire moderat
Al 577/6
Co 697/3
Fe 768/7
Mo 660/4
Semiconductori 10-5 10-3 nclzire uoar
FeS2 1019/6,75
PbS 956/7
CuFeS2 920/1
Oxizi cu valene 10-4 10-2 nclzire uoar
mixte
Fe3O4 1258/2,75
CuO 1012/6,25
NiO 1305/6,25
Carbon i grafit ~ 10 nclzire uoar
Halogenuri 4 14
10 10 nclzire foarte sczut
alcaline
KCl 31/1
LiCl 35/0,5
Microundele pot fi utilizate pentru prelucrarea oricror

materiale cu conductibilitate termic sczut, principiul de baz al
utilizrii acestor procedee fiind nclzirea rapid a materialului, lucru
imposibil dac materialul supus radiaiei prezint conductibilitate
termic ridicat. Utilizarea microundelor este eficient astfel n cazul
prelucrrii materialelor noi, care prezint conductibilitate termic
mic n cele mai multe cazuri, dar i alte caracteristici care necesit
energii de prelucrare mari.
Dintre materialele prelucrate cu ajutorul microundelor pot fi
enumerate: ceramicele, compozitele cu matrice polimeric,
49
compozitele ceramice, superaliajele, dar i pietre preioase i

semipreioase, precum i alte minerale.
n tabelul 3.3 sunt prezentate unele tipuri de prelucrri
aplicate la diverse materiale.
Tabelul 3.3 Tipuri de prelucrri cu microunde
Turnare special
Prelucrri
Tragere (fibre)
Clincherizare
Sinterizare
Recoacere
pulberilor
Calcinare
mbinare
Gurire
Sinteza
Uscare
Topire
Materiale
Ceramice
x x x x x x
avansate
Cemeni x
Compozite x x x
Feroelectrice x x x
Ferite x
Sticle x x x x
Minerale x x x x
Refractare x x x x x
Superconduc
x x x x x
-toare
Gurirea
Materialele noi, n general cele ceramice i compozitele cu

matrice ceramic, n special, necesit scule speciale pentru gurire
deoarece prezint proprieti diferite de materialele clasice (n cazul
ceramicelor sau compozitelor cu matrice ceramic: fragilitate
ridicat, alturi de duriti mari).
O alt problem la gurirea materialelor noi este degajarea
de diverse substane sub form de pulberi ce pot fi de multe ori
toxice.
Gurirea cu microunde este o nou metod de gurire n
materiale dure, neconductive din punct de vedere electric, ce are la
baz concentrarea energiei microundelor n locul prelucrrii.
La nceputul procesului se nregistreaz o nclzire general
a materialului n dreptul antenei (a ghidajului de und).
50
Echipamentul cu microunde utilizat la acest tip de prelucrare

este prevzut cu un sistem de rcire controlat a suprafeei
materialului. Datorit acestei rciri controlate cldura tinde s se
acumuleze n imediata zon de sub suprafa, determinnd astfel o
zon sferic fierbinte.
Datorit faptului c microundele se propag mai rapid prin
materiale fierbini, aceast zon devine incandescent i n curnd
poate fi strpuns cu uurin de electrod care are o micare simpl
de naintare.
Astfel, materialul este gurit fr a se utiliza scule n
construcii foarte speciale, fr a fi eliminat praf i fr zgomot.
n figura 3.9 este prezentat un echipament de gurire cu
microunde ce const dintr-un generator de microunde de tip
magnetron cu frecvena de 2.45 GHz i cu o putere de 1 kW, dou
tuburi de ghidare a microundelor (unul rectangular, altul cilindric), o
oglind reglabil i un electrod de gurire din tungsten. Electrodul
poate rezista la gurirea unor materiale cu temperatur de topire de
pn la 1500oC. Pentru a putea face fa i la temperaturi mai
ridicate, tija este acoperit cu un strat de alumin.
Aceast metod este aplicabil pentru o gam larg de
materiale, fiind deosebit de eficient atunci cnd materialul prelucrat
are un coeficient de pierdere dielectric care crete odat cu
temperatura, rezultnd astfel un efect de nclzire la temperatura de
topire n zona de aciune a microundelor.
ns, aceast proprietate a materialelor prezint i anumite
dezavantaje din punctul de vedere al prelucrrii, i anume c, n
situaiile n care temperatura nu este controlat n mod corect poate
aprea efectul de instabilitate termic, lucru nedorit deoarece
nclzirea nu mai este eficient, energia disipndu-se n ntreaga
mas a materialului, ceea ce duce la efecte negative.
Materiale care prezint aceast proprietate sunt: ceramicele
pe baz de silicai, alumina, plasticele i materialele pe baz de
celuloz.
n figura 3.10 este prezentat prelucrarea de gurire cu
microunde a unei plci de sticl organic.
Un alt exemplu de prelucrare este cel al aluminei de puritate
joas, ilustrat n figura 3.11, caz n care bavurile cu aspect specific
rezultate n urma prelucrrii nu au fost ndeprtate pentru a ilustra
faptul c la prelucrare materialul a fost topit.
51
pies
Figura 3.9 Schema de principiu a unei instalaii

de gurit cu microunde
Figura 3.10 Punctul incandescent la prelucrarea sticlei prin gurire

cu microunde
Datorit faptului c metalele prezint prelucrabilitate nul la

gurirea cu microunde, efect datorat proprietilor de conductivitate
electric i termic ridicate (lucru ce face ca metalele practic s
52
reflecte radiaia), prelucrarea cu

microunde poate fi deosebit de
eficient n cazul guririi sau
prelucrrii de canale n micro sau
nanostraturile nemetalice aplicate
pe suprafaa diverselor piese
metalice.
Figura 3.11 Gurire n alumin

de puritate joas
Modelul matematic al guririi cu microunde.
Analiza guririi cu microunde ine cont att de undele

electromagnetice ct i de efectul termic. Dependena de cldur a
proprietilor dielectrice ale materialului este un element cheie n
aceast analiz. Unda electromagnetic emis de concentrator
precum i puterea absorbit de material n regiunea de prelucrare
sunt aproximate de ecuaiile lui Maxwell:
H 1 Ez 1 Er
= (3.7)
t 0 r 0 z
Er 1 H
= d Er (3.8)
t 0' z 0'
Ez 1 1 r
= rH d Ez (3.9)
t 0' r z 0'
unde Er i Ez sunt componentele radiale i longitudinale ale cmpului

electric, respectiv H este componenta azimutal a cmpului
magnetic iar d este conductivitatea dielectric. n domeniul
frecvenelor d reprezint pierderea dielectric: d = 0 unde
0 = ' i " este constanta dielectric n forma complex. n
condiiile unei singure frecvene stabile, puterea disipat este dat
de formula:
Pd = d E
2
(3.10)
53
Ecuaia folosit pentru a afla variaia de temperatur local

este:
T 1 T 2T
mc m = kt r + + Pd (3.11)
t r r r z2
unde m, cm i kt sunt densitatea, cldura specific i conductivitatea

termic ale mediului i T este temperatura local. Efectele radiaiei
corpului negru sunt incluse i ele n analiz.
Modelul matematic prezentat are ca finalitate stabilirea a
dou soluii numerice: una pentru ecuaiile radiaiei electromagnetice
i una pentru verificarea ecuaiei termice. Se gsete soluia care
verific ecuaia componentei magnetice, aceasta este nlocuit n
ecuaia componentei electrice a cmpului i apoi se poate determina
energia disipat n mediul dielectric. Constanta dielectric este
stabilit la fiecare ciclu de calcul innd cont de temperatura local n
momentul respectiv.
Soluia numeric este obinut prin metoda diferenei finite:
1 1
"
' 1
1 t 0 ri,j + r
1 1 2' 2
Ezn+1i,j + = Ezn i,j +
+

2 21 + "
t 1 +
"
t (3.12)
2' 2'

1 1 n +
1
1 1 1 1 n +
1
1 1
ri + ,j + H 2 i + ,j + ri ,j H 2 i ,j
2 2 2 2 2 2 2 2
unde t i n sunt diferena de timp i indicele, iar i i j sunt indicii radial i

axial.
Sinterizarea
Microundele au fost tratate ca o potenial surs de nclzire

la prelucrarea prin sinterizare a ceramicelor nc din anii 70.
n 1976 Berteaud i Badot au investigat posibilitatea
sinterizrii aluminei i zirconiei (oxizi ai aluminiului i zirconiului) n
caviti radiante mod singular. S-au sesizat principalele avantaje ale
utilizrii microundelor cum sunt: nclzirea rapid, uniformitatea
54
nclzirii precum i micorarea dimensiunilor gruntelui.

De atunci microundele au fost utilizate ca surs energetic la
sinterizarea mai multor oxizi sau nanoxizi ceramici ca Al2O3, SiC,
TiB2 sau B4C.
Datorit timpului redus de sinterizare se nregistreaz o
micorare a dimensiunilor gruntelui la o densitate dat, lucru care
duce la mbuntirea caracteristicilor mecanice. La sinterizarea
aluminei s-a reuit scderea temperaturii de proces cu aproximativ
400oC odat cu scderea dramatic a energiei de activare. Aceste
rezultate au fost obinute ntr-o instalaie de tip cavitate cu generator
de microunde de 28 GHz -figura 3.12.
Figura 3.12 Instalaie de sinterizare de 2.45 GHz
Acest procedeu a fost testat i n cazul sinterizrii nanoxizilor

ca B4C sau TiB2.
Un alt exemplu de utilizare a microundelor la prelucrarea
ceramicelor este sinterizarea aluminei transparente. n general,
sticlele sunt izotrope din punctul de vedere al proprietilor optice i
nu au granie de grune, de unde rezult o transparen deosebit.
Cele mai multe dintre ceramice sunt anizotrope din punct de
vedere optic i policristaline, graniele grunilor fcnd ca lumina s
nu poat traversa structura.
Dac se ajunge ca dimensiunea grunilor s fie mai mic
55
dect lungimea de und a radiaiei luminoase, lumina va putea fi

transmis prin materialul ceramic. De asemenea anumite ceramice
pot fi fcute transparente (chiar dac dimensiunea grunilor nu este
mai mic dect lungimea de und) prin reducerea granielor de
grunte i prin eliminarea impuritilor - figura 3.13.
Figura 3.13 Disc de alumin transparent
Prelucrarea pulberilor
Aplicaiile microundelor la sinteza pulberilor ceramice (oxizi i
nanoxizi) sunt realizri recente i ofer beneficii deosebite, mai ales
n ceea ce privete producerea particulelor submicrometrice cu
compoziie controlat. Acest procedeu ofer o deosebit flexibilitate
prin faptul c se obin condiii de nclzire volumetric, rapid i
selectiv, lucru imposibil de realizat n tehnologiile convenionale.
Una dintre aplicaiile legate de prelucrarea pulberilor este
Descompunerea Solgel-ului. n acest sens, o soluie de acetat de
titan i bariu a fost descompus pentru a se obine un gel uscat care
a fost supus ulterior procesului de piroliz pentru ca n final s fie
obinut o prob de BaTiO3 incolor.
Au fost sintetizate prin acest procedeu i pulberi de SiC prin
reducerea carbotermal a siliciului. De asemenea au fost obinute
carburi ca NbC, TaC sau SiC n timpi foarte scuri (aprox. 20
minute), dup ce nclzirea pulberilor a fost realizat pn la 1400
grade Celsius ntr-un interval de 13 minute.
Un alt procedeu este piroliza precursorilor ceramici.
O mare varietate de pulberi ceramice au fost obinute prin
nclzirea cu microunde a precursorilor ceramici sau a unor
amestecuri ale precursorilor, fr a fi adugai solveni de nici un fel,
56
ceea ce a dus la lipsa procesului ulterior de nlturare a solvenilor

ca n procesele convenionale.
Au fost obinute prin acest procedeu pulberi compozite,
nglobnd particule inerte de Al2O3, BN, sau SiC ntr-un strat de
precursor (oxid de zirconiu).
Prelucrarea polimerilor
n cercetrile asupra aplicaiilor microundelor efectuate n
ultimii treizeci de ani s-a demonstrat c exist un potenial deosebit
n ceea ce privete prelucrarea microstraturilor polimerice. Este de
remarcat faptul c, nu este vorba numai de prelucrarea polimerilor ci
i de posibilitatea obinerii de materiale noi.
Principiul de baz n absorbia microundelor de ctre polimeri
este reorientarea dipolilor n cmpul electric impus. Astfel,
materialele cu cea mai mare mobilitate a dipolilor n cmpul electric
vor prezenta cel mai mare potenial de prelucrare cu microunde.
Polimerii conin grupri care formeaz dipoli foarte puternici
(epoxi, hidroxil, amino, cianai etc.).
De asemenea, microundele pot fi utilizate att pentru
prelucrarea termoplasticelor ct i pentru prelucrarea polimerilor
termorigizi.
Iniial polimerii termorigizi sunt lichide de vscozitate joas ce
sunt injectai n matrie printre fibre de ranforsare. Procesul de baz
const din trei etape:
1. prenclzirea componentelor;
2. reacia exoterm;
3. rcirea materialelor.
Aceti polimeri prezint o bun absorbie a microundelor, care
crete odat cu nclzirea rinilor. La aplicarea microundelor se
nregistreaz o cretere substanial a cinematicii reaciilor
exoterme.
La polimerii termorigizi procesele sunt problematice din cauz
c temperatura trebuie s fie deosebit de bine controlat deoarece,
dac temperaturile critice sunt depite, apar fenomene nedorite de
fracturare i oxidare. La aplicarea microundelor se nregistreaz un
timp de prelucrare mai scurt, dar trebuie s se realizeze un control
ct mai precis al temperaturii deoarece, aceasta trebuie s fie ct
mai uniform.
57
Alte tipuri de prelucrri
Cercettorii i-au ndreptat atenia i asupra altor procedee de

prelucrare a materialelor noi cu ajutorul microundelor. Principalul
fenomen utilizat este nclzirea deosebit de rapid a materialelor
prelucrate la aplicarea microundelor. Astfel principalul beneficiu este
reducerea considerabil a timpului de prelucrare.
Tratarea n autoclav
La acest tip de prelucrare se apeleaz pentru tratarea
compozitelor polimerice cu seciune mare precum i pentru aplicarea
sub form de nanostraturi a compozitelor polimerice pe alte
materiale figura 3.14.
n acest caz nclzirea este
posibil datorit interaciunii
materialului cu cmpul de
microunde, rezultnd o nclzire n
toat masa materialului foarte
rapid. Datorit acestui aspect se
nregistreaz o uniformizare a
tratamentului n paralel cu proprieti
Figura 3.14 Semifabricat fizice i mecanice mai bune dect n
compozit tratat n autoclav cazul prelucrrii clasice.
Tragerea
n industria materialelor noi (polimeri, compozite) un procedeu
foarte des utilizat este tragerea. Acest procedeu este folosit pentru
obinerea fibrelor polimerice i const n tragerea materialului
printr-o matri aflat la temperaturi nalte, realizndu-se astfel i
tratarea materialului.
Dac aceast matri este nclzit cu ajutorul microundelor,
se nregistreaz o cretere a raportului de tragere de la 20:1 la 35:1
i o cretere corespunztoare a modulului de la 35-40 GPa la 55-60
GPa, n cazul polyoximethilen-ei. Aceast mbuntire a
proprietilor se datoreaz orientrii mai apropiate a lanului
polimeric de direcia fibrelor.
Prelucrare cu plasma generat de microunde
La trecerea microundelor printr-un mediu gazos cu presiune
58
foarte sczut poate aprea plasma. Acest tip de plasm este folosit
n diverse aplicaii din microlectronic, la modificarea compoziiei
suprafeelor i, n stadiu experimental, la sinterizarea ceramicelor.
n cazul plasmei exist dou modaliti de interaciune cu
suprafaa prelucrat: nclzirea obinuit a suprafeei, dar i
interaciunea atomilor i ionilor din plasm cu substratul cu
elementele cruia pot intra n combinaie.
Una dintre aplicaiile plasmei generate de microunde este
tratarea suprafeelor. Acest procedeu se folosete la tratarea
fibrelor de poliamid. Tratarea poate fi cu sau fr elemente chimice
active n plasm. Rezultatul acestui procedeu este mbuntirea
considerabil a legturii dintre fir i matricea compozitului.
Prelucrarea combinat cu plasm generat cu ajutorul

laserului
O alt direcie n care pot fi folosite microundele este
combinarea plasmei produse cu ajutorul laserului cu cea produs
cu ajutorul microundelor. Aceast combinaie apare datorit faptului
c plasma produs cu microunde este mai ieftin dect cea produs
de laser, dar nu poate fi orientat i focalizat la fel de precis. De
aceea se opteaz pentru o prenclzire a materialului de prelucrat cu
plasma de microunde i apoi prelucrarea propriu-zis cu plasma
produs de laser, cu meniunea, c n acest caz, laserul utilizat va fi
unul de putere mai mic, aprnd astfel economii deosebite din
punctul de vedere al costurilor. Aceast aplicaie se utilizeaz la
prelucrarea ceramicelor i a oelurilor acoperite din industria
automobilelor.
59
Capitolul 4
UTILIZAREA FASCICULULUI DE ELECTRONI N
TEHNICILE APLICABILE MICRO I
NANOSTRATURILOR
Electronii mpreun cu protonii i neutronii, sunt constitueni

de baz ai atomilor, pot fi eliberai din atomi i lsai ca particule
libere prin dou metode:
1. alimentndu-i cu energie foarte nalt, prin nclzirea sau
iluminarea corpului.
2. cobornd semnificativ bariera de potenial, i supunnd corpul
aciunii unui cmp electric puternic.
n funcie de modalitatea de eliberare a electronilor din solid,
pentru a se produce emisie de electroni, distingem urmtoarele
metode:
- emisia termoelectronic, realizat sub influena cldurii;
- emisia fotoelectronic realizat sub influena radiaiilor uoare
absorbite de atomi;
- emisia de cmp (autoelectronic) realizat sub influena unui
cmp electric puternic, generat la suprafaa corpului;
- emisia secundar , realizat ca rezultat al bombardrii
corpului cu electroni sau ioni.
Echipamentele cu fascicule de electroni folosite pentru tratarea
suprafeelor utilizeaz emisia termoelectronic primar i emisia
secundar de electroni, i n unele cazuri ionizarea gazelor.
4.2 Fenomene fizice la prelucrarea cu

fascicule de electroni
Elementul primar care st la baza fenomenelor fizice ce au

loc la prelucrarea cu fasciule de electroni, este particula elementar
cu sarcin negativ - electronul - caracterizat prin sarcina : e = 1,602
10-19 C; masa me = 9,109 10-31 kg; raza re = 2,82 10-5m; sarcina
specific e/me=1,759 1011 C/kg.
Numrul electronilor dintr-un atom depinde de elementul
respectiv i este egal cu numrul atomic din tabelul periodic al lui
Mendeleev.
Electronii liberi se pot obine prin nclzirea suprafeei unui
60
metal cu o anumit cantitate de energie, care se transfer

electronilor, i acetia prsesc suprafaa metalului, avnd loc aa
numita emisie termoelectronic.
Densitatea medie de curent realizat - qe depinde de
caracteristicile termofizice ale emitorului respectiv (catod),
temperatura de nclzire, proprietile suprafeei catodului i se
poate determina cu ajutorul relaiei lui Richardson - Dashman:
q e = ATe e o / kT [A/cm2] (4.1)
unde: A este constanta de emisie, care depinde de natura substanei

emitoare i are, n general, valori de A = 40...70 A/cm2T2 pentru
metalele pure; T - temperatura absolut a emitorului [K]; e0 -
energia specific a emitorului [J]; k - constanta lui Boltzmann (k =
1,3810-23 J/K).
Dei densitatea curentului electric se impune a fi de valori ct
mai ridicate, totui, datorit interdependenei dintre mrimea
acesteia i temperatura de nclzire a emitorului, este necesar
limitarea acestor valori, ntruct supranclzirea emitorului poate
duce la o evaporare accentuat a metalului de baz i, implicit, la
scderea duratei de funcionare a acestuia.
Pentru a realiza prelucrarea unei piese cu ajutorul electronilor
emii, se impune gruparea acestora ntr-un fascicul dirijat ctre
pies i accelerarea acestora n spaiul dintre catodul emitor i anod
(care poate fi chiar piesa de prelucrat).
Figura 4.1 Accelerarea electronilor cu ajutorul cmpului electric
61
Aceast prelucrare se poate realiza pe dou ci, i anume:

prin aplicarea unui cmp electric sau prin aplicarea unui cmp
magnetic:
a) accelerarea electronilor cu ajutorul cmpului electric-
fenomenul se realizeaz astfel: aplicndu-se un cmp electric
uniform, de intensitate E (figura 4.1), fora cu care acesta acioneaz
asupra electronului este de sens invers celui al vectorului E i este
dat de relaia:
F = -eE (4.2)
n funcie de diferena de potenial U (tensiunea de

accelerare), electronilor le este imprimat o vitez ridicat, energia
cinetic pe care o au fiind dat de relaia:
Ec = me (v12 v02 ) / 2 [J] (4.3)
unde: v0 i v1 sunt vitezele electronului la momentele: iniial

caracterizat prin tensiunea U0 i v0 i final, caracterizat prin
tensiunea U1 i v1.
Aceast energie cinetic fiind egal cu lucrul mecanic
necesar transportului electronului de pe nivelul 0 pe nivelul 1,
rezult relaia:
me (v12 v02 ) / 2 = eU (4.4)
Considerndu-se c, n momentul iniial, electronul este

staionar (v0=0), din relaia (4.4) rezult c viteza electronului, n
momentul final, se calculeaz cu relaia:
2e
v 2 = v1 = U 600 U [km/s] (4.5)
me
n aceste condiii, conform relaiei (4.5), pentru tensiuni de

accelerare U = 5...150 kV, electronii se pot deplasa cu viteze de
v = 3104...12104 km/s.
Prin controlul cmpului electric de accelerare att ca mrime
a intensitii, ct i ca direcie, fasciculul de electroni se poate dirija
n direcia dorit, cu parametrii caracteristici la valorile impuse de
62
tipul i natura prelucrrii ce urmeaz a fi executat.

b) accelerarea electronilor cu ajutorul cmpului magnetic-
se realizeaz astfel: aplicndu-se un cmp magnetic, caracterizat
prin inducie magnetic B (figura 4.2), fora cu care se acioneaz
asupra unui electron este dat de relaia:
F = B v sin (4.6)
unde: este unghiul format de direcia curentului electronic cu

direcia liniilor de for ale cmpului magnetic.
Aceast for, cu care cmpul magnetic acioneaz asupra
electronului, are valoarea minim: Fmin = 0, pentru = 0, caz n
care electronul se va deplasa, n continuare, cu viteza iniial i
valoarea maxim Fmax = B.v, pentru = 90,direcia de aciune a
forei F putnd fi determinat cu regula minii drepte (tiind c
direcia acesteia este n permanen perpendicular pe direcia de
deplasare a electronilor i pe direcia liniilor de for ale cmpului
magnetic). n cazul, n care fora de accelerare este maxim,
electronul va descrie o traiectorie circular (figura 4.2,a). n condiiile
n care unghiul are o valoare oarecare din intervalul ( 0...90 ),
traiectoria electronului va fi rezultanta compunerii celor dou
componente - normal i tangenial - fiind de form spiral (figura
4.2,b).
Figura 4.2 Accelerarea electronilor n cmp magnetic
63
Avnd n vedere intervenia cmpului magnetic asupra formei

i direciei traiectoriei electronilor, aciunea acestuia este ndreptat,
n special, spre focalizarea fasciculului electronic.
n momentul impactului electronilor accelerai cu suprafaa
piesei, energia cinetic a acestora este transferat atomilor de metal
supui bombardamentului electronic. Acest transfer de energie duce
la creterea temperaturii materialului supus aciunii fasciculului de
electroni, fapt ce are ca rezultat nclzirea i topirea rapid, urmat
de vaporizarea materialului (figura 4.3, a).
Acest fenomen de nclzire, vaporizare are loc n trei faze
succesive (figura 4.3, b), astfel:
- n prima faz, la impactul cu piesa, fasciculul electronic ptrunde
n stratul superficial pn la o adncime , care poate fi calculat, n
cazul utilizrii unor tensiuni de accelarare de 10 - 82 kV, cu ajutorul
relaiei:
= 2,6 10 11U 2 / [mm] (4.7)
unde: U este tensiunea de accelerare [V], iar - densitatea

materialului [g/cm3].
Figura 4.3 Fenomene care apar la impactul electronilor accelerai

cu suprafaa piesei
64
- n faza a doua, circa 60...95% din energia cinetic a electronilor

este cedat sub form de cldur, ducnd la o nclzire prin inducie
a materialului metalic n zona respectiv. nclzirea materialului
metalic se poate analiza, cu ajutorul ecuaiei difereniale a
conductivitii termice, dat de relaia:
T ( x, t ) a 2T ( x, t ) C 0 e k1T (4.8)
= +
t x 2 c
unde: T este temperatura mediului ambiant; x - distana msurat
de la suprafaa piesei; t - timpul; a - coeficientul conductivitii
termice; c - cldura specific a metalului prelucrat; k1 - coeficient al
absorbiei energiei; C0 - constant a procesului.
n general, pentru a se realiza topirea metalului, sunt
necesare densiti de putere de ordinul 105...108 W/cm2, care
asigur - prin focalizarea spotului fasciculului de electroni - obinerea
unor temperaturi de 5000...6000C.
Pentru creterea vitezei unui electron emis termic de la un
catod sau extras din luminiscena zonei descrcrii, este necesar
s i se furnizeze o anumit cantitate de energie, de regul (aa
cum s-a artat) printr-un cmp electric; energia electronului este
dependent de tensiunea de accelerare.
Asupra electronului nu acioneaz numai fore electrice, mai
pot aciona i forele adiionale, generate de cmpurile electrice
adiionale i cu o orientare spaial diferit de cea a cmpului iniial .
Ca rezultat al aciunii acestora, electronul se va mica de-a
lungul traiectoriei rezultate n urma aciunii comune a tuturor forelor
generate de cmpurile electrice, n toate punctele acestei traiectorii.
Fasciculul de electroni poate fi concentrat sau neconcentrat,
nclinat, accelerat sau n impulsuri.
n afar de cmpurile electrice, asupra electronului
acioneaz i un cmp magnetic prin sisteme sub form de lentile
magnetice folosite pentru a concentra, controla i direciona
fasciculul.
Cmpul magnetic i cu o simetrie rotitoare generat n axa
fascicului permite,teoretic, concentrarea electronilor n punctul de
focalizare.
Schimbnd locaia punctului de-a lungul liniei perpendiculare
pe suprafaa tratat, concentrnd fasciculul deasupra sau sub
suprafaa tratat (figura 4.4) este posibil s se varieze concentraia
energiei sau densitatea puterii furnizate materialului tratat.
65
Figura 4.4 Metode de focalizare a fasciculului de electroni:

a) focalizare sub suprafaa materialului
b) focalizare pe suprafaa materialului
c) focalizare deasupra suprafeei materialului
1 fascicul de electroni ; 2 punct de focalizare al fasciculului ; 3 pata
electronic ; 4 suprafaa materialului tratat
Aa numiii electroni primari (emii de catod) de penetrare n

material ntlnesc n calea lor electroni ce aparin materialului.
Electronii ntlnii pot fi electroni liberi sau electroni legai n reeaua
cristalin. Electronii penetrani, cu energie mare, pot intra n
coliziune cu electronii ce aparin materialului i drept rezultat, civa
electroni, secundari pot fi expulzai din material (figura 4.5). Acest
efect se numete emisie secundar. Unii electroni, n timpul
coliziunilor, pot fi mutai n atom. Acetia pot trece peste orbite
dincolo de nuclee, iar la ntoarcerea spre orbite, aproape de nuclee,
electronii emit (printre altele) radiaii electromagnetice (raze X).
nclzirea materialului se realizeaz ca rezultat al absorbiei
energiei fasciculului de electroni n timpul coliziunilor elastice ale
electronilor i reeaua cristalin a materialului. Zona de schimb a
energiei n timpul acestei absorbii este situat la suprafa i
imediat sub suprafaa materialului bombardat.
Mrimea acestei zone depinde de condiiile dispersiei
electronilor n materiale. Energia iniial mare a electronilor este
redus ca rezultat al coliziunilor.
n partea iniial a zonei de penetrare dispersia fasciculului
este mic.
66
Figura 4.5 Schema interaciunii fasciculului cu materialul

1 fascicul de electroni ; 2 electroni secundari ; 3 emisia secundar de
electroni ; 4 electroni ricoai ; 5 nucleu; 6 nveliul electronic
; 7 excitaie termic ; 8 difuzia electronilori
Aceast dispersie crete foarte puin ajungnd la valori

maxime la adncimea zd. Cea mai mare parte a electronilor este
absorbit la adncimea ze sub suprafaa materialului (figura 4.6).
n cazul fasciculului cu pata focal apropiindu-se de un punct,
electronii fasciculului i pierd total surplusul de energie relativ cu
electronii materialului din zona diametrului zr - figura 4.6.a. Aceast
suprafa ia o form puin diferit n cazul fasciculului de electroni
cu dimensiuni finite i o pat focal relativ mare figura 4.6.b.
Dac se dorete accelerarea unui electron obinut ca rezultat
al unei emisii termice sau descrcri luminoase , este necesar s i
se asigure o traiectorie liber maxim; cu ct este mai lung
traiectoria liber , cu att energia electronului e mai mare. Vacuumul
este un element esenial al echipamentului de electroni.
Vacuumul minim (presiune maxim) n echipamentul de
electroni este de civa Pa. Vacuumul uor (minim 133 Pa), mai
uor de obinut i meninut are un efect nedorit asupra vieii
echipamentului i poate duce la deteriorarea stratului dintre
electrozi, ducnd la ionizarea gazelor reziduale . Numai un fascicul
excepional de puternic concentrat, cu putere mare, poate fi lsat din
camera de vacuum n atmosfer pentru a ndeplini cerinele
tehnologice. Traiectoria unui fascicul de electroni n aer de obicei
nu ajunge la 20 mm.
67
Figura 4.6 Modele de zone de interaciune ale fasciculului cu materialul

a)model cu pat electronic foarte mic
b)model cu pat electronic mare
1 fascicul de electroni ; 2 electroni ricoai ; 3 zona de dispersie a
electronilor n unghiuri mici ; 4 zona de dispersie a electronilor n
unghiuri mari ; 5 zona de difuziune ; zc dispersia maxim a fasciculului
de electroni ; zf cea mai mare adncime de penetrare a fasciculului ;
zd adncimea corespunztoare celei mai mari pierderi de energie ;
Sd suprafaa de dispersie maxim a electronilor i coordonatele
acestora zd i xd
Pentru c fasciculul de electroni este sursa unei energii foarte

mari , concentrarea acestuia pe o suprafa mic asigur obinerea
unor viteze de nclzire de ordinul 103-105 K/s i permite nu numai
nclzirea imediat dar i topirea stratului suprafeei i rcirea
imediat .
Aria suprafeei nclzite are de obicei un diametru de civa
milimetri dar diametrele minime ale petei de electroni pot fi de
ordinul 0,5 mm.
Rcirea ncrcturii se face fr ageni adiionali de rcire
utilizndu-se masa ncrcturii. Datorit foarte bunei conductiviti
termice a materialului, energia cldurii este condus foarte repede
departe de zonele fierbini n zonele situate mai adnc. Aa numita
autorcire sau rcire prin masa ncrcturii face posibil atingerea
unei viteze de rcire comparabil cu cea de nclzire cu condiia ca
volumul materialului rece s fie 5-8 ori mai mare dect cel al zonei
nclzite. Acesta red practic posibilitatea nclzirii unor straturi
foarte subiri cu grosimi de cel puin 4 ori mai mari dect adncimea
zonei fierbini.
68
Procesul nclzirii i rcirii rapide a materialelor este nsoit de

multe fenomene fizice care sunt caracteristice nu numai nclzirii cu
fascicul de electroni dar i nclzirii cu laser i permind modificri
ale proprietilor stratului suprafeei, dificil sau imposibil de obinut
prin alte mijloace .
Tipul efectului obinut depinde n principal de densitatea
puterii fasciculului i de timpul de acionare asupra materialului.
Distribuia densitii puterii fasciculului n seciune nu este
constant, admite cel puin un maxim i, de obicei, este similar cu
curba normal a lui Gauss; densitatea de putere a fasciculului
incident poate fi controlat variind distana petei focale de pe
suprafaa materialului (figura 4.7).
Figura 4.7 Distribuia densitii de putere ntr-un fascicul de electroni

,depinznd de metoda de focalizare:
2,4,6,8 fascicul perpendicular pe suprafaa tratat;
1.3.5.7 fascicul deflectat; Is distana de focalizare;
Is > 0 focalizare deasupra suprafeei ;
Is < 0 focalizare sub suprafaa tratat;
69
4.3 Instalaii de prelucrare cu fascicule de electroni
Pentru generarea unui fascicul de electroni este nevoie de

dou surse de energie electric. Prima surs servete emisiei de
electroni din emitor, n timp ce a doua surs accelereaz electronii.
Amndou funciile sunt realizate de sisteme numite global
tunuri de electroni.
Aceste instalaii sunt alctuite, n general, din patru
subansamble i anume:
a) dispozitivul de producere i dirijare a fasciculului de electroni
(tunul electronic);
b) instalaia electric pentru producerea tensiunilor de
accelerare;
c) instalaia electric de comand i reglare;
d) instalaia de realizare a vidului.
Aceste echipamente trebuie s asigure realizarea i
corelarea tuturor funciunilor specifice acestor instalaii, i anume:
- producerea curentului de emisie a catodului (Ie > 0,1A);
- existena tensiunilor de accelerare, care s conduc la energii ale
fasciculului i/sau impulsuri corespunztor procesului de prelucrare;
- obinerea unor presiuni joase n incinta tunului electronic
(10-4...10-6 torr);
- producerea unui curent de intensitate reglabil (1...4 A) de mare
stabilitate, care s acioneze asupra sistemului de deflexie, n
vederea:
focalizrii fasciculului electronic corespunztor diametrului
fasciculului;
realizrii celor trei stadii de focalizare (puternic, subfocalizare i
suprafocalizare), n corelaie cu distana de tir;
realizrii deflexiei longitudinale, transversale sau circulare;
uniformizrii densitii electronilor (luminozitate uniform a
fasciculului pe suprafaa piesei).
- desfurarea procesului n regim continuu sau n impulsuri;
- autoreglarea parametrilor de lucru;
- deplasarea, pe cale mecanic, a tunului electronic sau a piesei,
corespunztor celor trei axe de coordonate.
Depinznd de tipul emitorului , se disting dou tipuri de
baz ale tunurilor de electroni:
- cu emisie termic cu termo-catod metalic sau nemetalic;
- cu emisie cu catod plasm sau catod din metal rece.
70
Tunuri cu emisie termic
Acestea sunt cele mai vechi i mai des folosite i conin n

principiu urmtoarele elemente: catod cu emisie termic (termo-
catod), electrod de control i anod (figura 4.8,a). Sursa electronilor
(emitor) este termo-catodul aflat n vacuum i construit dintr-un
material cu emisie mare de electroni i punct de topire nalt.
Pentru construcia catozilor termoemisivi, se pot utiliza diferite
materiale refractare, care trebuie s ndeplineasc urmtoarele
condiii: capacitate ridicat de emisie electronic; s nu reacioneze
chimic cu vaporii rezultai n urma topirii n punctul de impact; s
aib o durabilitate ridicat etc. Alegerea materialului termoemisiv se
face n funcie de presiunea la care lucreaz tunul electronic i de
mrimea lucrului mecanic de ieire a electronilor, principalele astfel
de materiale fiind prezentate n tabelul 4.1.
Tabel 4.1 Materiale utilizate la confecionarea catozilor termoemisivi
Materialul Densitatea Temperatura Lucrul Presiunea

curentului de lucru mecanic de maxim
de emisie ieire al de lucru
electronilor
[A/cm2 ] [oC ] [eV ] [torr]
Wolfram 0,6 2200 4,55 10-4
Wolfram
1...3 1750 2,60 5*10-6
throiat
Tantal 0,5 2000 4,10 10-5
Renius 0,2 2200 4,80 10-4
Catod acoperit 0,5...10 960...1130 1,5...2,0 5*10-6
Catod cu
0,5 830 1,20 10-6
inveli oxid
n ultimul timp, la confecionarea catozilor termoemisivi, se

folosete cu deosebit succes, hexabromura de lantan, caracterizat
prin urmtoarele proprieti: temperatura de lucru =1400...1650oC;
lucrul mecanic de ieire a electronilor =2,7eV ; presiunea de lucru
=10-5 torr ; durata de via = 250...300h ; suprafaa de emisie
= 3...4,75 mm2.
Prin tensiunea aplicat ntre catod i anod (30-150 Kv),
electronii emii de termocatod au iniial 2/3 din viteza luminii.
71
Figura 4.8 Reprezentarea schematic a tunurilor cu fascicul de electroni

cu diferite tipuri de emitori:
a) tun termoemisiv ; b) tun plasmo-emisiv cu catod plasm ; c) tun plasmo-
emisiv cu catod rece ;
1 catod ; 2 anod ; 3 electrod de control ; 4 electrod de
extracie ; 5 lentile magnetice ; 6 piesa tratat ; 7 plasm ; 8
fascicul de electroni
n continuare, electronii sunt trecui printr-o deschiztur n

anod i n sistemul electro-optic, coninnd una sau dou lentile
magnetice i, n final, sunt strni ntr-un fascicul cu unghiul de
divergen de 10-3-10-1 rad. Cu ajutorul sistemelor adiionale
fasciculul poate fi deflectat n orice direcie sau pe dou direcii
perpendiculare. Termo-catozii pot fi de diferite forme i design dar
toi pot funciona n condiii de vacuum nalt. Valorile mijlocii ale
puterii termo-catozilor sunt cuprinse ntre 10 i 100KW. Durata
nclzirii este foarte mic (de ordinul microsecundelor), iar durata de
via a termo-catozilor este de 500h.
Catodul (cilindrul Wehnelt), din configuraia tunului are, n
principal rolul de a determina numrul electronilor care-l strbat
nspre anodul de accelerare cu potenial pozitiv. Datorit diferenei
de potenial ntre catod i anod (tensiuni de accelerare: 10...175 kV),
la trecerea prin anod, electronii au viteze de 150.103...200.103 km/s.
Oglinzile (lentilele) magnetice de focalizare au, inerent, rolul
de a focaliza fasciculul de electroni accelerai, n vederea obinerii
maximului de efect magnetic.
72
Tunuri cu emisie cu plasm
Aceste instalaii funcioneaz la temperaturi mai mici dect

cele cu termoemisie i n condiii de vacuum mai uor ; sunt mai
rezistente la efectul de atmosfer al procesului tehnologic i
caracterizate de o durat de via mai mare(pn la 550h), fidelitate
i repetabilitatea parametrilor fasciculului.
n tunurile cu catod plasm, emitorul direct este plasma
generat de o descrcare luminoas n azot, argon, heliu, hidrogen
sau metan. Extracia electronului este facilitat de dioda emitoare.
n continuare, electronii se formeaz ntr-un fascicul, ntr-un
mod similar cu cel din cazul tunurilor cu termo-emisie. Tunurile cu
catod de plasm sunt folosite n aplicaii care nu cer un tratament cu
o precizie ridicat, care se poate obine cnd se folosesc tunurile cu
termo-emisie.
La tunurile cu catod rece, plasma la 0,1-10 Pa este emitorul
indirect al electronilor i sursa ionilor pozitivi, n timp ce emisia
secundar a electronilor de la catodul de metal rece are loc ca
rezultat al bombardrii acestuia cu ioni i particule neutre, cu vitez
mare, create n urma coliziunii ionilor cu particulele de gaz.
n cele mai multe cazuri, catodul rece este confecionat din
aluminiu (din cauza coeficientului mare al emisiei secundare al
acestui material). Gazul folosit este de obicei aerul.
Tunurile cu catozi reci sunt utilizate n special pentru catozi
plai i se folosesc n procese care nu necesit precizii nalte.
Toate instalaiile de prelucrare cu fascicule de electroni au
urmtoarele sisteme funcionale de baz: de generare a fasciculului
(tun de electroni); de formarea a fasciculului ( focalizare-accelerare);
de control al fasciculului (deflexia fasciculului) i de utilizare (mas
rotativ sau n coordonate).
4.4 Tipuri de fascicule i tipare
Fasciculul de electroni poate fi generat i adus la materialul
tratat fie continuu, fie sub forma de impulsuri scurte de durat variat
(de obicei durata unei pulsaii este de 10-9...10-4 s).
Depinznd de geometria sau, n sensul cel mai strict, de
geometria tiparului lsat de forma lateral a fasciculului pe
suprafaa nclzit, fasciculele de electroni pot fi clasificate n:
- punctiforme : diametrul minim pe care fasciculul este focalizat
(pata focal) poate ajunge la 0.5nm; fasciculele punctiforme
73
pot fi continue sau pulsatorii.

- liniare : grosimea minim a liniei poate fi similar cu diametrul
fasciculului punctiform; lungimea fasciculului poate ajunge la
civa milimetri. De obicei fasciculele liniare sunt continue. Un
fascicul pseudo-liniar poate fi obinut cu ajutorul unui fascicul
punctiform foarte rapid deflectat (frecvena defleciei 103-
106Hz).
- inelare : diametrul i grosimea inelului depind de procesul
tehnologic. De obicei fasciculele inelare sunt pulsatorii.
- de suprafa: sub form de cerc sau rectangular cu
dimensiuni de pn la 10 mm sau mai mult. Aceste fascicule
sunt de obicei pulsatorii, cu durata pulsaiei de ordinul
nanosecundelor.
Pentru scopuri practice este folosit aciunea combinat a
micrii i declanriii fasciculului sau rotaia obiectelor tratate.
Aceast micare combinat formeaz aa numitele tipare, care sunt
reprezentarea urmei fasciculului de electroni pe suprafaa tratat sau
o hart a zonelor nclzite.
Cinci tipuri de tipare (figura 4.9) se disting n mod deosebit,
acestea depinznd de metoda de nclzire sau scanare:
1. scanare cu fascicul de electroni: un fascicul punctiform continuu
sau pulsatoriu, scaneaz suprafaa tratat cu o frecven dat (n
cele mai multe cazuri mai mare de (1kHz) ntr-o direcie
transversal alimentrii sau rotaiei; amplitudinea de scanare este
constant (figura 4.9.a) sau variabil .
2. n emisie continu a fasciculului: un fascicul liniar continuu cu o
grosime constant sau controlat , dirijat ctre un obiect care este
n micare ntr-o direcie transversal fasciculului nclzete zona
sub form de striaii a suprafeei (figura 4.9,a i figura 4.9,b). Un
tipar pseudostriat poate fi obinut deflectnd fasciculul punctiform
ca n cazul tiparului cu scanare cu fascicul de electroni, cu o
densitate foarte mare a urmelor de scanare.
3. cu fascicul de electroni pulsatoriu: un fascicul punctiform
pulsatoriu cu diametrul petei focale constant sau variabil,
nclzete punctele succesive ale suprafeei, schimbndu-i
poziia prin pai i rmnd fixat la fiecare punct succesiv pentru o
durata de 20 s (figura 4.9,c). Distana dintre punctele succesive
poate fi controlat pe o raza de zeci de mm. Cnd se cere
tratamentul unei suprafee ce depete civa cm2 se aplic
micrii adiionale obiectului.
74
4. insulare (suprafee insulare): un fascicul pulsatoriu cu suprafa

sau inelar, cu dimensiuni ale petei focale fixe sau variabile de la
civa mm la civa zeci de mm , nclzete fie succesiv zonele
ncrcrii (cazul cel mai puin frecvent) sau simultan toat
suprafaa fixat figura 4.9,d.
5. n form de uzur: un fascicul punctiform continuu sau pulsatoriu
scaneaz suprafaa obiectului conform programului, dependent de
mrimea i parametrii fasciculului, ca i de cerintele procesului
tehnologic , conform celor prezentate n figura 4.9,e,f.
Figura 4.9 Tipare de scanare

1 fascicul de electroni ; 2 piesa tratat ; 3 urma fasciculului
(traiectoria).
75
Figura 4.10 Tipare de scanare: a)striate ; b) insulare

zonele nnegrite dubla sau tripla nclzire
Figura 4.11 Tipare de tratare liber:

a) ptrate sau rectangulare pe suprafee plate;
b) densiti de putere diferite pe suprafee plate i cilindrice;
c) spirale pe suprafee plate.
Combinarea acestor tipuri de tipare permite obinerea unor
diferite hri de atac a suprafeei pieselor, fie pentru prelevarea fie
pentru depunerea sau tratamentarea termic de micro i
nanostraturi figura 4.10 i figura 4.11.
4.5 Tratarea micro i nanostraturilor cu

fascicule de electroni
Combinaia parametrilor- densitate de putere i timpul de
expunere- face posibil nclzirea, topirea, aducerea n punctul de
fierbere i vaporizare a materialului. Combinaia acestor parametrii
este specific pentru efectul tehnologic al nclzirii cu fascicul de
electroni figura 4.12, interaciunea acestuia cu materialul fiind
76
ilustrat n figura 4.13.

n figura 4.14 este prezentat clasificarea tehnicilor cu
fascicule de electroni din punct de vedere al transformrilor
provocate n materialul nclzit.
Figura 4.12 Densitatea de putere vs.timpul de aciune al fasciculului
Figura 4.13 Reprezentarea schematic a tehnicilor cu fascicule de

electroni:
a)durificare; b)retopire; c)aliere; d)acoperire;
0-stratul in care are loc transformarea energiei cinetice a fasciculului n
energie termic a materialului; 1-nvelis; 2-strat durificat; 3-strat retopit; 4-
strat aliat; 5-suprafaa retopit a stratului; 6- ZIT.
77
Figura 4.14 Clasificarea tehnicilor cu fascicul de electroni n funcie de

transformrile din materialul tratat
4.5.1 Tehnici de transformare

Regenerarea i revenirea
Figura 4.15 Profilul distribuiei temperaturii pe axa perpendicular pe

suprafaa materialului regenerat cu fascicul de electroni
Regenerarea i revenirea constau din nclzirea la o

tempertur dat figura 4.15, nmuierea la acea temperatur i
78
rcirea la o vitez ce permite obinerea unei structuri mai apropiate

de cea de echilibru dect de cea iniial. Regenerarea este folosit
n procesul tehnologic de fabricaie al pieselor cu striaii pentru a
omogeniza i mbunti structura acestora, pentru a nltura
tensiunile reziduale i a degaza materialul.
Printrele avantajele tehnicii cu fascicul de electroni pentru
regenerarea striaiilor sunt: buna degazare a materialului striat i
absena oxidrii suprafeei.
Revenirea cu fascicul de electroni este folosit cel mai
adesea dup durificarea cu fascicul de electroni ca i dup sudarea
cu fascicul de electroni.
Fasciculul de electroni este folosit i la prenclzirea zonei de
mbinare anterioar sudrii .
Durificarea prin retopire liber
Transformarea de durificare este, cronologic, prima metod

de durificare cu fascicul de electroni a stratului suprafeei i const
n nclziri de scurt durat (aproximativ 1ms pn la 1s).
Datorit rcirii rapide este obinut o structur foarte fin, mai
mare cu cteva uniti HRC dect cea obinut prin metode
convenionale.
Pentru c nu are loc retopirea materialului tratat, rugozitatea
suprafeei rmne neschimbat cu limitele grunilor clare i un relief
al suprafeei cu o structur tipic martensitic .
Cea mai frecvent este durificarea unui singur strat, un
proces n care o singur scanare cu fascicul de electroni este
realizat n zona dat. Rezultatul este un profil durificat cu maximul
la sau aproape de suprafaa obiectului.
Mai puin frecvent este durificarea multistrat, sau durificarea
sandwich , care se realizeaz prin scanri multiple cu fascicul de
electroni ale aceleiai zone. Prima dat se durific prile interioare
cu duriti mici i apoi zonele exterioare cu o duritate mai mare.
Durificarea cu fascicul de electroni poate fi aplicat singur
(simpl) sau complex (combinat cu alte tehnici). Tehnicile posibile
de durificare cu fasciculul de electroni prin topire liber n combinaie
cu alte metode folosite n nclzirile convenionale, tratamente
termochimice i termomecanice sunt prezentate in figura 4.16.
79
Figura 4.16 Compararea microduritii

(a) cu rezisten la oboseal (b) a diferitelor oeluri, tratate termic prin
metode traditionale i cu fascicul de electroni;
N-normalizare; H-durificare; T-revenirea; A-regenerarea;
E-durificare cu fascicul de electroni.
Rezultatele obinute depind de tratamentul anterior aplicat

suprafeei.
Aceast metod poate fi folosit la structuri cu coninut mic
de carbon, alije, oeluri pentru scule, font alb i gri.
Aceast metod face posibil durificarea unor micro i
nanocomponente finale fr schimbri dimensionale.
4.5.2 Tehnici de retopire
Retopirea suprafeei
Retopirea este o dezvoltare a durificrii suprafeei i se
realizeaz prin aplicarea unor densiti de putere mai mari dect
cele folosite la durificare; const n topirea rapid a unui strat foarte
subire a suprafeei substratului materialului sau al nveliului
depozitat pe acesta , i o recristalizare ulterioar la fel de rapid.
Retopirea este divizat n 4 grupe : retopirea de durificare ,
glazurarea , densificarea i rafinarea.
80
Retopirea de durificare se poate realiza folosind diferii

parametri ai energiei fasciculului de electroni,deosebindu-se
urmtoarele metode:
- topirea suprafeei - conduce la deformri ale structurii
tridimensionale a stratului suprafeei format anterior, cu granie bine
definite ale grunilor si cu relief tipic structurii martensitice.
Suprafaa topit poate s prezinte numeroase cratere mici care
sunt vrfurile granielor grunilor dendritici, cristalizate din stratul
topit al suprafeei metalului.
- retopirea - conduce la o structur schimbat a suprafeei cu
granie bine definite ale dendritrelor formate n timpul cristalizrii
stratului sub suprafaa metalului topit mai adnc dect in cazul
retopirii.
- retopirea intensiv - conduce la o structur tridimensional
deteriorat a suprafeei , n principal datorit traseelor formaiunilor
materialului retopit.
- retopirea foarte intensiv - conduce la o deteriorare foarte
clar a structurii suprafeei cu traiectorii ale electronilor vizibile. Este
de asemenea posibil s se obin stri ale suprafeei care sunt
intermediare retopirii i retopirii intensive.
n urma utilizrii acestor metode se remarc o cretere a
duritii sau microduritii de 10 sau mai multe zeci de procente i o
distribuie uniform a tensiunilor reziduale n microstrat. Structurile
obinute sunt de obicei rezistente la coroziune.
Glazurarea (vitrificarea, amorfizarea) este o modificare a
retopirii suprafeei. n cazul retopirii unui strat micrometric al unui
aliaj sau a unui nveli similar i rcirii la fel de rapide (107 K/s ) este
posibil s se obin structuri amorfe glazuri metalice. Acestea au
aceeai compoziie chimic ca cea a stratului iniial al suprafeei sau
inveliului, dar un set de noi proprieti, inclusiv electrice , magnetice
(pierderi magnetice mici ), mecanice (duritate nalt , rezisten mare
la uzur), sau chimice (rezisten la coroziune). Din acest motiv
glazurarea este identificat cu retopirea, lucru greit. Grosimile
straturilor obinute sunt de 10 - 40 m , n cazuri mai rare putnd
depi 100 m.
Densificarea materialelor poroase fie a microstratului
suprafeei sau al nveliului, const n retopirea acestuia la o
anumit adncime sau n retopirea total sau parial a nveliului
pentru a se realiza o bun izolare i ai mri densitatea.
Retopirea suprafeei cu fascicul de electroni determin
81
ntotdeauna izolarea substratului poros sau nvelirea , dar adesea

are i efecte secundare: poate face posibil ndeprtarea defectelor
i omogenizarea structurii materialului tratat anterior, rezultnd
creterea rezistenei la oboseal. n cazul unor nveliuri (titan i
pulberi sinterizate) este posibil s se obin o mbuntire a
structurii acestora i s creasc aderena lor la substrat.
Rafinarea i ndeprtarea defectelor const n meninerea o
scurt perioad a suprafeei metalului sau aliajului n stare lichid
pentru a se degaza n vacuum, pentru eliminarea incluziunilor
nemetalice, mbuntind unele proprieti mecanice i fizice cum ar
fi: fragilitatea,densitatea,conductivitatea termic.
De asemenea, este posibil ca, n acelai timp, prin retopire s
se ndeprteze defectele mecanice i altele cum ar fi defectele de
turnare, zgrieturi,fisuri i bule. Productivitatea procesului de retopire
este estimat la aproximativ 250 cm2/min.
Alierea
Alierea const n saturarea straturilor suprafeei prin alierea
constituenilor care sunt total solubili n substratul materialului.
Prin aplicarea unor constitueni de aliere apropiai este posibil
s se obin mbuntiri semnificative ale rezistenei la coroziune i
ale proprietilor tribologice .
Se deosebesc dou tipuri de aliere: de retopire i de fuziune.
Primul tip de aliere const att n topirea nveliului ct i a
stratului suprafeei pn la o anumit adncime.
nveliul poate fi depus prin orice mijloc (prin electroliz sau
pulverizare termic) pe substrat, fie ca izolaie sau poros (sub
form de past sau pudr). Cu retopirea ambelor staturi, se
realizeaz amestecul lor i materialul aliajului se dizolv parial sau
total n substratul materialului. Dup resolidificarea amestecului este
obinut o structur i compoziie chimic diferit fa de cea a
substratului, acesta fiind acum un aliaj al ambelor materiale.
Metoda este folosit pentru alierea aliajelor de aluminiu la o
adncime de civa milimetri cu Ni, Cr, Fe,Ti i Si sau a carbonului i
permite alierea oelurilor cu molibden, crom, vanadiu, tungsten i
titan.
n cazul alierii Al i Fe duritatea obinut este mai mare relativ
la materialul iniial, n timp ce alierea cu Ni provoac o cretere mai
mic a duritii.
Creterea proprietilor anticorozive i n special a
82
proprietilor tribologice este obinut prin alierea oelului cu Ni i Cr

ca i cu carbur de bor B4C i carbur de siliciu SiC.
Al doilea tip de aliere const n injectarea de particule solide
sau suflarea de particule de gaz ale metalului de aliere n bazinul
topiturii substratului materialului. Similar cu retopirea , dizolvarea
parial sau total a materialului de aliere n substrat are loc n
acelai timp cu amestecarea celor dou materiale. Particulele solide
de aliere pot fi carburi sau ali compui n timp ce gazul de aliere
poate fi azotul, monoxidul de carbon sau acetilena.
Acoperirea
Acoperirea (durificarea superficial) const n retopirea
nveliului depozitat pe substrat sau n injecia n pata fasciculului
de electroni de particule ale materialului de acoperire care sunt
insolubile n substrat (particule de ceramic).
Durificarea superficial este un proces similar cu pulverizarea
topiturii cu diferena c n locul flcrii de sudare sau a tunului de
metalizare sursa cldurii este fasciculul de electroni, iar materialul
care acoper nu se dizolv n substrat .
Obinerea straturilor subiri

Realizarea straturilor subiri cu proprieti diferite de cele
ale stratului suport se poate face att prin operaii de acoperire ct
i prin operaii de alierea la suprafa cu ajutorul fasciculului de
electroni.
Principiul care st la baza acestui tip de prelucrare este cel al
condensrii controlate n vid a vaporilor de metal topit. Schema de
principiu a unei astfel de instalaii pentru depuneri de acoperire este
prezentat n figura 4.17 i are n componen urmtoarele elemente
constructive principale: tunurile electronice 1 i 2, care, mpreun cu
deflectoarele 3 i 4, sunt situate n incintele A i B, fiind protejate
astfel de aciunea vaporilor de metal topit i eventualele depuneri de
metal pe electrozi. Fasciculele electronice 5 i 6 acioneaz supra
bii de metal topit 7, situat n creuzetul 8, care este rcit continuu
cu ap 9.
Vaporii degajai 10, provenii din metalul topit, condenseaz
pe suportul de depunere 11, formnd un strat foarte subire de metal
12, care constituie depunerea de acoperire.
83
Trebuie menionat c,
dei rcirea continu cu ap
a creuzetului micoreaz
randamentul energetic,
totui, n aceste condiii, se
asigur o stabilitate sporit
fa de cea a instalaiilor fr
creuzet.
Propietile stratului
depus depind de calitatea
Figura 4.17 Instalaie pentru suprafeei suportului, care
depunerea straturilor subiri trebuie s fie perfect
curat de orice impuriti,
operaie care se execut n vid, la temperatura de 500...800oC, cu
ajutorul fasciculului de ioni.
Procedeul de acoperire a suprafeelor cu ajutorul fasciculului
de electroni are o larg aplicabilitate, n special n industria
electronic n tehnica circuitelor integrate (cablaje).
Se pot realiza, astfel, suprafee cu dimensiuni de 1...20 m2,
ntr-un timp foarte scurt de 10-5...10-2 s, densitatea de putere a
fasciculului utilizat fiind de 106...108 W/cm2.
Aa cum s-a artat, prin topirea cu fascicul de electroni, n
straturile superficiale se pot realiza durificri ca urmare a combinrii
materialului de baz cu cele de aliere (aflate n stare topit i
resolidificate rapid). Aceste alieri la nivelul unor straturi cu grosimi
de 10...50 m au ca urmare o cretere important a rezistenei la
uzur.
De asemenea, straturile superficiale, sub aciunea fasciculului
de electroni, pot fi nnobilate prin retopire, fapt ce are ca rezultat o
cretere a rezistenei la uzur ale acestora (cu peste 50%).
Alte aplicaii ale fasciculului de electroni

Datorit posibilitilor de prelucrare a unor suprafee cu
dimensiuni extrem de reduse, fasciculul electronic poate fi utilizat, n
condiiile realizrii unor indici tehnico-economici ridicai, la
executarea unor operaii de debitare a metalelor pure, de frezare a
unor canale i fante cu dimensiuni de ordinul 10...20 m, de
prelevare a unor pelicule subiri de materiale metalice depuse pe
diferii supori (metalici, ceramici etc.), precum i la scrierea i
inscripionarea cu densiti mari de caractere pe unitatea de
84
suprafa. De asemenea, cu ajutorul fasciculului electronic, pot fi

decupate diverse profile simple sau complexe n pelicule sau plcue
de grosime foarte mic, aplicaie larg rspndit n tehnica
prelucrrii elementelor semiconductoare, a rezistenelor de precizie
etc.
De exemplu, deflectarea fasciculului de electroni dup o
anumit matrice st la baza unor procese de litografiere prin scriere
direct: cazul fabricaiei unor mti utilizate la litografierea optic a
circuitelor integrate sau realizarea prin gravare i marcare a
circuitelor electronice hibride, a straturilor de circuite pentru industria
de calculatoare etc. n aceleai condiii se realizeaz i litografierea
cu proiecie optic n domeniul cip-urilor pentru calculatoare,
procedeul permind realizarea de dimensiuni micrometrice i
submicrometrice. De menionat c, aceste procedee impun utilizarea
unor instalaii specializate, care s permit focalizarea spotului la
aceste dimensiuni.
Fasciculul de electroni este utilizat i n tehnica de dopare
(implantare de ioni) n vid, prin topirea materialului de dopare i a
substratului de material de baz, procedeu utilizat n special , la
realizarea jonciunilor de tip N-P din construcia semiconductorilor.
De asemenea, fasciculul de electroni poate fi folosit cu succes n
tehnologiile de recondiionare realizndu-se, prin durificri de
suprafa sau alieri prin retopire la suprafa, creterea cu circa
35...40 % a timpului de exploatare. Totodat, o importan deosebit
o prezint fasciculul de electroni n construcia microscoapelor
electronice cu puteri de mrire de peste 106 ori, n spectroscopia de
analiz a diferitelor materiale etc.
4.6 Utilizarea fasciculului de electroni n

tehnica materialelor nanostructurate
4.6.1 Materiale nanocristaline i acoperiri realizate prin

evaporarea cu fascicul de electroni cu condensare
ulterioar a fazei vaporilor n vacuum
Atomizarea substanelor folosind evaporarea cu fascicul de

electroni n vacuum i condensarea ulterioar a curgerii vaporilor pe
substrat (metoda EB - PVD) ar trebui privit ca una din variantele
moderne ale nanotehnologiei pentru producerea materialelor
anorganice cu nanostructuri controlabile i proprieti fizico-chimice
apropiate.
85
Compoziia vaporilor, temperatura de condensare a suprafeei

i viteza de curgere a vaporilor sunt principalii parametrii ce
determin structura i proprietile acestor materiale.
Figura 4.18 Zone specifice substraturilor anorganice condensate
In figura 4.18 se prezint 3 zone structurale caracteristice

substanelor anorganice condensate (oxizi, carburi) depinznd de
temperatura de condensare (temperatura substratului).
Cele trei zone structurale corespund la trei mecanisme
activate termic care controleaz ordinea atomilor absorbii pe
suprafaa de condensare. n zona de temperatur mic, cu o limit
de temperatur de 0,2...0,3 din temperatura de topire a materialului
condensat, dislocaia activat termic a atomilor este limitat de
cteva salturi ntre poziiile de echilibru adiacent atomilor pe
suprafa i formarea nanoaglomeraiilor cu succesiune apropiat;
se realizeaz astfel nanostructura.
Temperatura limit T1 de exemplu pentru Ni, Ti, W este egal
(cu o precizie de 2oK) cu 543, 643, i respectiv 1133oK , iar pentru
Al2O3-623oK i pentru ZrO2 de 648oK.
n a doua zon structural T1-T2 cu temperatura limit
T2=(0.45...0.5)TM a materialului condensat, forma structurii este
controlat de difuzia atomilor suprafeei. Se formeaz o structur
columnar cu o textur de cretere corespunztoare. n zona cu
temperatur mare Ts>T2 difuzia volumic controleaz procesul
formrii structurii condensate.
Depozitarea vaporilor pe substratele cu Ts<T2 este principala
condiie de producere a nanostructurii condensate.
Viteza de evaporare cu fascicul de electroni i de condensare
ulterioar a substanelor anorganice pe substrat poate varia pe un
86
interval de 1...50 m/min. Condensrile pot produce acoperiri fine i

subiri de (0.05...0.5 m), folii acoperitoare separate de substrat.
O tehnic mai avansat pentru acoperiri este PVD cu fascicul
de electroni bazat pe ceramice i metale cu condiii ale parametrilor
nanostructurii diferite. Condiiile sunt stabilite de proprietile,
acestora cum ar fi: duritatea ridicat, superplasticitate i amortizare
imens. n figura 4.19 sunt prezentate maximele rezistenei electrice
a unui film subire de ZrO2 i capacitii de amortizare a unui nveli
metalo-ceramic bazat pe Sn-Cr-MgO (figura4.20) n stare
nanostructural.
Figura 4.19 Variaia Figura 4.20 Variaia capacitii de

rezistenei electrice amortizare a unui nanostrat
a unui nanostrat Zr-O2 de compozit Sn-Cr-MgO
4.6.2 Dezvoltarea tehnologiei alierii suprafeelor nanocristaline

cu proprieti controlabile
n tehnica alierii suprafeelor nanocristaline, o importan

deosebit o prezint:
Metodele pregtirii realizrii structurilor nanocristaline i
omogene de film subire format din nanocristalele unui singur
material i nanostructurilor granulate heterogen cu
nanogranulele unui material dispersat n volumul altuia;
Metodele controlrii proprietilor unor asemenea nano-
structuri n timpul schimbrii formei nanoparticulelor i a
mrimii i distribuiei spaiale.
Filmele de aliaje metal i de metal-dielectric granulat
nanostructural cu diferite compoziii i tipuri de conductiviti au fost
87
realizate ntr-o gama larg de concentraii. S-a folosit metoda de

evaporare controlat cu fascicul de elecroni n vacuuum ale
componentelor aliajelor pe diferite tipuri de substraturi figura 4.21.
Substrat
Gradientul compoziiei
Fascicule de
electroni
Figura 4.21 Evaporarea controlat n vid
Filmele nanostructural granulate sunt caracterizate de bune

proprietati magnetice, de rezistivitate, rezonan, optice i magneto-
optice cauzate de nanomrimea granulelor. n filmele granulare
magnetice (Co-AlO3,Co-Ag,FeNi-Ag,Co-Cu) coninnd granule de
material magnetic (FeNi , Co) de diametrul 1-5 nm dispersate n
reeaua nanomagnetic (AlO3 , Ag, Cu) este observat efectul unei
imense magnetorezistene ce atinge 30% n cmpul magnetic de
8kOe pentru Co30Ag70. Filmele nanocristaline de Co-Si sunt
caracterizate de o valoare mare a coeficientului de fotoconvecie.
Fenomenul de electro i fotoluminiscen este observat la filmele Si-
Al2O3 cu nanocristale de Si cu mrimea de 1...3 nm n matricea
dielectric Al2O3. Filmele granulare Ag- Al2O3 (cu mrimea
granulelor de Ag de 10...20 nm) sunt absorbante de radiaii optice.
88
Capitolul 5
TEHNOLOGII DE PRELUCRARE CU FASCICULE
DE IONI A MICRO I NANOSTRATURILOR
Posibilitatea de utilizare a electronilor i ionilor dirijai la

realizarea anumitor tipuri de prelucrri (prelevri sau depuneri de
anumite materiale) a fost semnalat nc din secolul al XIX-lea, de
ctre Grove, care a pus n eviden faptul c la descrcarea
electric n vid ntre doi electrozi, apare o pierdere de mas la catod.
Explicaia fenomenelor care au loc n timpul
bombardamentului ionic a fost emis la nceputul secolului al XX-lea,
cnd s-a pus, de altfel, problema utilizrii fasciculului ionic la aplicaii
practice industriale.
Densitile mari de putere, obinute prin focalizarea
fasciculului ionic permit, astzi, folosirea cu succes a acestuia la
executarea unor operaii de gurire, frezare, sudare, depuneri de
acoperire, prelevri de straturi subiri etc.
5.2 Fenomene fizico chimice specifice
Similar cu prelucrarea cu fascicul de electroni, prelucrarea

cu fascicul de ioni are la baz emisia, de ctre catod, a electronilor
care ionizeaz moleculele de gaz ( argon, xenon etc.) ulterior, ionii
astfel obinui fiind puternic accelerai de ctre un cmp electric.
Succesiunea fenomenelor, care definesc formarea
fasciculului de ioni, poate fi analizat cu ajutorul modelului lui
Keywell. Conform acestui model (figura 5.1), care descrie parcursul
unui ion accelerat, acesta, sosind cu vitez ridicat la suprafaa
piesei, ptrunde n adncime pn cnd ciocnete un atom.
Dac energia ionului accelerat este nc suficient de mare, n
urma ciocnirii cu atomul (din materialul piesei), l proiecteaz pe
acesta n interiorul materialului.
Atomul deplasat ciocnete, la rndul su, atomii situai pe
traiectoria lui i are loc o succesiune n lan de astfel de aciuni,
pn cnd se ajunge la nivelul suprafeei piesei supuse
bombardamentului.
Dac atomii deplasai au, nc, o energie corespunztoare,
acetia ciocnesc atomii din stratul superficial i i proiecteaz n.
89
afara piesei, sub form de atomi

de material evaporat, avnd
astfel loc prelevarea unei
anumite cantiti de material din
pies. n acelai timp, ionul
incident accelerat parcurge o
nou distan n pies i au loc
noi ciocniri primare, pn cnd
energia ionului scade, astfel
nct nu mai poate determina
Figura 5.1 Succesiunea deplasri ale atomilor ciocnii
fenomenelor care definesc Trebuie menionat faptul c, n
formarea fasciculului de ioni funcie de energia ionilor
incideni, interaciunile dintre
acetia i atomii materialului supus bombardamentului pot fi de trei
tipuri, i anume:
- n cazul cnd ionii accelerai au energii mai mari de 106 eV,
este anihilat efectul forelor de respingere Coulomb i se
produc distrugeri puternice ale materialului piesei;
- n cazul cnd ionii accelerai au energii medii (104...105 eV),
acetia, mpreun cu electronii care nconjoar atomii,
formeaz un ecran n jurul nucleului;
- n cazul cnd ionii accelerai au o energie relativ redus (103 ...
104 eV), ciocnirile dintre acetia i electroni sunt similare cu
ciocnirile dintre dou sfere dure, satisfcnd astfel cerinele
impuse de bombardamentul ionic.
Efectele bombardamentului ionic pot fi de natur fizic sau
chimic, funcie de mrimea energiei de accelerare, ct i de natura
cuplului ioni - metal (material) de prelucrat.
Astfel, pentru energii de accelerare cu valori de 5 103 eV, la
care ionii de argon ptrund, de exemplu, n aluminiu, la o adncime
de cca. 20 , o mic parte este transferat atomilor ciocnii, ducnd
la excitarea acestora i nclzirea piesei supuse bombardamentului.
Efectul fizic al bombardamentului ionic se determin prin
randamentul de pulverizare, exprimat ca raportul dintre numrul de
atomi ejectai din pies i numrul de ioni incideni i care se
determin cu ajutorul relaiei:
p = 26,6 m/(AIt) [nr.atomi/nr.ioni] (5.1)
90
unde: m este pierderea de mas din piesa supus

bombardamentului ionic [g]; I intensitatea curentului ionic [A];
A - masa atomic a atomilor materialului supus prelucrrii [g]; t -
timpul ct piesa este supus bombardamentului ionic [ore].
n general, randamentul de pulverizare depinde de trei
categorii de parametrii ce caracterizeaz toate elementele instalaiei
(tunul ionic) i materialul piesei de prelucrat, care pot fi grupai astfel:
- caracteristicile fasciculului ionic: energia i densitatea ionilor,
natura ciclului ionic;
- caracteristicile materialului piesei: structura i orientarea
cristalin, starea i temperatura suprafeei;
- caracteristicile funcionale ale tunului ionic: unghiul de
inciden al fasciculului, presiunea din camera de
bombardament.
Valoarea randamentului de pulverizare depinde de energia
ionilor, conform unei variaii de tipul celei prezentate n figura 5.2.
Aa cum se observ, pentru a
realiza ndeprtarea de material din
piesa supus prelucrrii, se impune ca
energia ionilor s fie mai mare ca
valoarea energiei de prag, Ep,
caracteristic materialului respectiv.
Creterea, n continuare, a
Figura 5.2 Variaia energiei ionilor pn la valoarea
randamentului de pulverizare maxim, Emax , implic creterea
rapid a randamentului de pulverizare
(1 p 50), dup care creterea n continuare a energiei de
accelerare a ionilor (E>Emax) implic o scdere lent a
randamentului de pulverizare. Acest fenomen se explic prin faptul
c, la valori mari ale energiei de accelerare, ionii ptrund mult n
adncimea materialului i se reduce probabilitatea de ciocnire a
atomilor din stratul superficial, care s fie ejectai.
Mrimea randamentului de pulverizare depinde nemijlocit de
unghiul de inciden al fasciculului ionic, , definit ca fiind unghiul
format de axa fasciculului ionic cu normala la suprafaa de
prelucrare n punctul de impact.
De exemplu, la bombardarea unei suprafe\e din cupru cu
fascicul ionic de argon i xenon, cu diferite energii, se observ c
valoarea maxim a randamentului de pulverizare se obine pentru
unghiuri de inciden de = 10...50, dup care se remarc o
91
scdere pronunat, odat

cu creterea mrimii
unghiului de inciden
figura 5.3 ( valorile unghiului
sunt reprezentate n scar
logaritmic).
Acest fenomen se
explic prin faptul c, la
valori mari ale unghiului de
inciden, o bun parte din
ionii accelerai sunt reflectai
Figura 5.3 Variaia randamentului de de suprafaa piesei i nu
pulverizare n funcie de unghiul de mai particip la procesul de
inciden al fasciculului excitare a atomilor din
material.
Efectele chimice ale bombardamentului ionic apar n
condiiile interaciei chimice dintre materialul supus prelucrrii i ionii
fasciculului. Aceste fenomene se manifest, de regul, prin apariia
unor oxizi pe suprafaa bombardat ionic.
5.3 Instalaii de prelucrare cu fascicul de ioni (tunurile ionice)
Acestea sunt alctuite, n principiu, din urmtoarele elemente

componente (figura 5.4): un tub de sticl Pyrex 1, n care este
nglobat camera de ionizare 2, anodul 3 i catodul 4, cuplai la
tensiunea de accelerare, i care, constructiv, formeaz camera de
accelerare 5.
Fasciculul ionic 6 trece prin
camera de bombardare 7, n care
presiunea are valori de 10-6...10-7
torri, i acioneaz asupra piesei
de prelucrat 8.
Existena vidului naintat n
camera de bombardare se impune
pentru anihilarea fenomenelor
secundare, care rezult prin
prezena ionilor de oxigen sau
Figura 5.4 Schema de principiu a
instalaiei deprelucrare cu fascicul azot. n condiiile, n care
de ioni prelucrarea cu fascicul de ioni se
92
face n atmosfer neutr sau n vid, se pot utiliza echipamente n

construcia celui prezentat n figura 5.5, n care principalele
elemente componente sunt: anodul 1, catodul 2, care accelereaz
fasciculul de ioni 3 ce trece prin grila 4 i bombardeaz piesa 5,
montat pe suportul 6.
Toate aceste elemente

sunt incluse ntr-un cilindru de
sticl Pyrex 7, incinta fiind
nchis de suporii 8 i 9.
ntregul montaj, prevzut cu
garnituri de etanare, este
poziionat pe placa de baz 10.
De menionat c, celelalte
sisteme de acionare din
construcia instalaiilor de
prelucrare cu fascicule de ioni
Figura 5.5 Instalaie de prelucrare cu sunt similare celor prezentate la
fascicul de instalaiile de prelucrare cu
ioni n atmosfer neutr fascicule de electroni (sisteme
de focalizare, deflexie etc.).
De regul, toate instalaiile de prelucrare cu fascicule de ioni
sunt construite n concordan cu tipul de prelucrare, care urmeaz
a fi executat.
5.4 Aplicaii tehnologice ale fasciculului de ioni
n domeniul micro i nanostraturilor
Procedeul s-a dovedit a fi deosebit de eficient la prelucrarea
materialelor dure i extradure, cum sunt: carburile metalice dar i
pentru materialele compozite.
Condiiile de desfurare a acestor tipuri de prelucrri sunt
similare cu cele prezentate la utilizarea fasciculului de electroni.
5.4.1 Depunerea de straturi subiri
Un domeniu, n care fasciculul de ioni i-a gsit o larg
aplicabilitate, este cel al depunerilor de micro i nanostraturi,
placarea ionic - proces fizic de depunere prin vaporizare. n acest
caz, stratul pe care se face depunerea este supus unui
bombardament cu fascicul de ioni cu energie mare, inta i sursa de
evaporare fiind catodul i, respectiv, anodul. Catodul se afl la
93
tensiune nalt, iar anodul este legat la pmnt.Bombardamentul

ionic al suprafeei implic dou procese: pulverizare i implantare.
Prin pulverizare se obin suprafee curate, lipsite de oxizi i alte
impuriti, determinndu-se un contact direct ntre atomii stratului i
cei ai filmului depus, fapt ce duce la o mai bun aderare a filmului pe
suportul de depunere.
Implantarea creeaz straturi cu o compoziie i structur
gradat , chiar din substane care, fiind insolubile, nu pot fi n mod
normal amestecate.
n procesul de placare, prima operaie este cea de curire a
suprafeei substratului, prin bombardarea cu ioni ai unui gaz inert (de
regul brom). Dup un anumit timp, se ncepe evaporarea termic,
prin introducerea unui curent de ordinul sutelor de amperi n circuitul
anodului. Atomii emii prin evaporare sunt injectai n plasm. O
parte dintre aceti atomi sunt ionizai i accelerai spre catod,
energia lor cinetic fiind de peste 100 ori mai mare dect energia
cinetic a atomilor pulverizai.
Deoarece fenomenul de pulverizare continu i n timpul
depunerii filmului, trebuie ca rata de depunere s fie superioar ratei
de pulverizare ionic, pentru a fi posibil creterea n grosime a
filmului de depunere.
La placarea ionic nu mai sunt necesare tratamente
complexe ale suprafeei substratului (ca n cazul depunerii prin
pulverizare). Un alt avantaj al placrii ionice l constituie faptul c nu
apar restricii privind natura materialelor ce pot fi depuse. n general,
metoda poate fi aplicat doar materialelor care pot fi evaporate fr
s se descompun din punct de vedere chimic.
n procesul de placare ionic, atomii metalului evaporat sunt
injectai n descrcarea de gaz inert, o parte din ei fiind ionizai
printr-un mecanism de ciocnire electron - atom i accelerai spre
substrat. Jetul de depunere are dou componente: gazul inert i
vaporii de metal. Atomii de metal avnd poteniale de ionizare mai
mici dect gazele inerte, gradul de ionizare al vaporilor de metal este
mai mare dect al gazului inert.
Un alt efect caracteristic placrii ionice este rentoarcerea
atomilor pulverizai pe suprafaa probei. Astfel, la o presiune de 10-6
torri, atomii de metal pulverizai se rentorc n proporie de 90%,
datorit ionizrii lor prin ciocniri cu atomii de gaz nestabili. Aceast
redepozitare a atomilor pulverizai depinde de parametrii plasmei i
de debitul gazului din incint.
94
Bombardamentul ionic i redepozitarea atomilor pulverizai au

un rol major n faza de formare a interferenei, cnd rata de
depunere este mai mic dect rata de pulverizare. Ionii de metal, cu
energii cinetice relativ mari (3...5 keV), ptrund n reeaua
substratului (pe o adncime de 50 /keV), iar la suprafa, atomii ce
se depun se amestec cu fraciunea pulverizat i redepozitat,
formnd o regiune gradat n concentraie i compoziie, numit
zon de trecere substrat - film sau interfa. Tensiunile mecanice,
care apar n timpul depunerii filmului, sunt micorate prin acest
gradient, obinndu-se astfel o foarte bun adezivitate pe substrat.
n urma ciocnirilor cu suprafaa catodului, atomii neutri de gaz
inert pot fi ncorporai n film; acest efect depinde de presiune i
temperatur i afecteaz, n special, eficiena de pulverizare i
adezivitatea filmului. Aceti atomi pot fi eliminai prin nclzirea
substratului n timpul sau dup realizarea depunerii.
nainte de a atinge substratul, atomii evaporai sufer cteva
ciocniri cu moleculele de gaz deoarece, n condiii date, drumul liber
mijlociu este mai mic dect distana surs - substrat. Muli dintre
atomi sunt astfel antrenai i mprii, nct ei pot atinge toate
regiunile substratului, obinndu-se o acoperire relativ uniform,
indiferent de complexitatea geometriei suprafeei.
Proccesele de nucleaie i de cretere a filmelor pe substrat
sunt puternic influenate de prezena descrcrii n gaz inert.
Bombardamentul ionic i energia cinetic mare a atomilor de
metal ce se depun, mresc densitatea de centre de nucleaie i
micoreaz dimensiunile cristalelor, mbuntind calitatea filmelor
depuse.
n general, operaia de placare ionic are urmtoarele etape:
- se videaz sistemul la presiunea limit necesar ( < 10-4
torr);
- se introduce argon pn la o presiune de 10-2...510-2 torr) i
se amorseaz descrcarea n gaz la o tensiune de 2...5 kV
i o densitate de curent catodic de 0,3...0,6 mA/cm2. Proba
este curat prin bombardament ionic o perioad de timp,
care depinde de natura i starea suprafeei substratului;
- se ridic ncet temperatura sursei de vapori la temperatura
de evaporare a materialului;obturatorul dintre surs i
substrat este nlturat, permind depunerea materialului
evaporat pe suprafaa substratului;
95
- se formeaz interfaa prin stabilirea unui echilibru ntre rata

de pulverizare i rata de depunere;
- se continu procesul de depunere pentru obinerea grosimii
dorite.
Parametrii principali ai procesului de placare ionic, care
trebuie controlai n vederea obinerii de depuneri reproductibile i cu
proprietile dorite, sunt: presiunea gazelor reziduale (vidul limit);
presiunea argonului; rata de depunere; distana surs - substrat;
potenialul electronic al substratului; densitatea curentului catodic;
durata de curire prin pulverizare.
O variant a acestui procedeu este placarea ionic reactiv.
Aceast placare const n introducerea n camera de
descrcare a unui gaz reactiv ( oxigen, hidrogen, hidrocarburi etc.) la
presiune joas, ceea ce permite depozitarea unor compui ai
metalului evaporat cu gazul respectiv.
n principiu, o astfel de instalaie de depunere (figura 5.6) este
alctuit din: sursa de ioni 1, electrodul de accelerare 2, sistemul de
focalizare 3 (incluse n incinta A a instalaiei), deflectorul 4, piesa 5
supus bombardamentului ionic i care este montat pe suportul 6.
Fasciculul de ioni 7, care acioneaz asupra piesei 5,
confecionat din material de depunere, provoac smulgerea de
atomi, care, sub form de vapori 8, se depun pe piesa 9, ce trebuie
acoperit, i care este montat pe suportul 10.
Figura 5.6 Instalaie pentru placarea ionic reactiv
Tot n incinta B de prelucrare (bombardare) a instalaiei se

gsete i sistemul de concentrare 11 a fasciculului de ioni.
96
Tensiunea de accelerare a ionilor n cazul acestui tip de

prelucrare este de 5 - 10 kV, asigurndu-se n aceste condiii
egalizarea vitezelor de evaporare ale diferiilor constituieni.
Utilizarea tunurilor cu fascicul de ioni a permis evaporarea cu
rate mari a unor materiale cu puncte de topire nalte, ca: molibden,
titan, wolfram, cobalt etc. Datorit adezivitii deosebite a filmelor
depuse i posibilitii de a acoperi suprafee complexe, placarea
ionic s-a dovedit util n aproape toate domeniile de aplicare a
proceselor de depunere: protecia suprafeelor metalice mpotriva
coroziunii, oxidrii etc; realizarea de contacte electrice cu proprieti
superioare; lubrificaie solid, acoperiri cu plumb, staniu etc; placri
iniiale pentru acoperiri prin electroliz; obinerea de suprafee
reflectante (depuneri de argint pe oel); mbuntirea coeficientului
de uzur; durificarea suprafeelor.Ca urmare, procedeul permite
realizarea, n bune condiii, a depunerilor din construcia circuitelor
integrate, a rezistenelor din componena microcircuitelor etc.
5.4.2 Prelucrarea straturilor subiri

Fasciculul ionic poate fi utilizat n cazul cnd se impune
prelevarea unor pelicule subiri de pe diferite piese sau curarea
acestora de oxizi sau anumite impuriti. n cazul acestor tipuri de
prelucrri, se pot utiliza tensiuni de accelerare de 2...30 kV i
presiuni joase de ordinul 10-5 torri. De asemenea, pentru a se
preveni fenomenele chimice secundare de oxidare, se impune
utilizarea unor perei reci n apropierea piesei, n scopul reducerii
energiei termice a oxigenului rezidual i, implicit, a afinitii acestuia
la suprafaa piesei de prelucrat.
5.4.3 Implantarea ionic
Una dintre aplicaiile tehnologice a fasciculului de ioni este

implantarea ionic. Implantarea de ioni aparine grupului de
tehnologii pentru modificarea micro i nanostraturilor.
Ionii pot fi implantai ntr-un solid n mod continuu (utilizare de
durat i bine ntreinut) i n puls (n faza de cercetare de laborator
i insuficient ntreinut).
Implantarea cu und de ioni continu implic introducerea n
mod constant (implantarea) de atomi ai unui element selectat, sub
forma unei ionizri simple sau multiple ntr-un strat superficial.
97
Aceasta este afectat de energia cinetic nalt la care ajung

ionii n vid (6 10-5 Pa), ntr-un cmp electric care accelereaz ionii
grupndu-i ntr-o und. Ca rezultat al implantrii cu ioni, un numr
specific de atomi sunt introdui n zona de sub suprafa, crend
astfel un strat implantat de grosime 0,01 pn la 1 m i proprietile
fizico-chimice diferite de cele ale substratului figura 5.7.
Distana penetrrii ionilor implantai, care ar putea fi numit
adncimea de penetrare (implantare) i distribuia ionilor implantai
n materialul gazd depinde de energia lor cinetic, numrul atomic,
unghiul de inciden i de proprietile materialului gazd, cum ar fi;
numrul atomic i masa de atomi care-l formeaz, microstructura
etc. Adncimea de penetrare crete rapid odat cu mrirea energiei
ionilor (la aproximativ 1 MeV nu depete 0,1 m).
Figura 5.7 Schem pentru procesul de implantare
n ceea ce privete implantarea ionilor cu puls de und, pe

seama caracterului nonstaionar al interaciei pulsului undei cu
materialul, datorit pulsului de ioni suficient de scurt (ns, s) de
energie foarte mare, unda provoac topirea stratului subire de
suprafa a solidului (care nu este observat n timpul aplicrii undei
continue) i introducerea unei componente strine (ionii undei) n
lichidul topit.
Participarea relativ a acestor procese depinde de parametrii
undei de ioni, energie sczut i proprietile termice ale materialului
supus implantrii.
Pentru a desfura implantarea cu und de ioni sunt folosite
acceleratoare speciale de ioni - implantoare cu und de ioni.
Implantoarele cu und de ioni, n general pot fi divizate n
dou grupe:
98
cu und continu(implantoare de ioni) figura 5.8;

cu und de ioni n impulsuri (ionotroni) figura 5.9.
Figura 5.8 Implantor de ioni cu und de ioni deviat

1 catod luminiscent; 2 anod; 3 introducerea mediului ionizat; 4
magnei; 5 surs de ioni; 6 camer de extragere; 7 separator de ioni;
8 tub de accelerare; 9 sistem de deviere; 10 materialul implantat; 11
pies suport; 12 camera de lucru; 13 surs de curent; 14 ecran
protector; 15 zon de nalt tensiune; 16 consol de control; 17 ecran
de vizualizare; 18 sistem de vidare
Figura 5.9 Ionotronul
Avantajul fundamental al tehnologiei implantrii de ioni, este

posibilitatea implantrii oricrui material, metalic sau nu, cu orice
componente alese ioni de gaze sau solide. n plus, materialul
99
implantat poate fi nenvelit, ca n majoritatea cazurilor, sau prenvelit,

de obicei de un strat de metal, mai puin de o combinaie de straturi
sau nvelit n timpul implantrii de atomi sau ioni, n majoritatea
cazurilor, de ctre elemente metalice. Acest ultim caz, pn acum,
are cele mai puine aplicaii, dar pare s fie foarte promitor.
Utilizarea implantrii de ioni pentru modificarea proprietilor
diferitelor materiale compozite a fost posibil datorit dezvoltrii
implantoarelor eficiente de curent nalt, care depesc 1 mA.
Implantarea permite introducerea selectiv a unuia sau mai
multor elemente n stratul de suprafa a materialului (fie nenvelit
sau nvelit de un strat de metal diferit) fr a ine cont de echilibrul
termodinamic. Aceasta produce obinerea de structuri non
echilibrate, structuri amorfe, soluii supersaturate i compui i faze
metastabile.
Bombardamentul cu ioni de energie mare poate duce la
fragmentarea incluziilor i precipitaiilor prezente n materialul
implantat i la un rafinament precum i omogenizare a structurii
materialului..
Tabelul 5.1 prezint efectul implantrii ionilor n raport cu
diferite proprieti ale materialelor.
Schimbrile corespunztoare ale proprietilor straturilor de
suprafa din materiale compozite sunt obinute prin selecia tipului
sau tipurilor elementelor implantate, dozele i energiile lor,
temperaturilor suprafeei implantate. Pentru fiecare din elementele
de implantat, exist o doz optim, valoare care variaz n funcie de
proprietile dorite (de exemplu, tribologice, oboseal, coroziune).
Pentru a mbunti proprietile tribologice prin implantarea
azotului, doza optim este 21017 ioni/cm2; aceeai doz n
implantarea ionilor de carbon este 11017 ioni/cm2, n timp ce pentru
ionii de argon este de aproximativ 61016 ioni/cm2.
Tabelul 5.1 Efectele implantrii de ioni asupra proprietilor materialelor
Mecanice Chimice Electromagnetice

Uzur Coroziune Superconductibilitate
Frecare Oxidare Fotoconductibilitate
Duritate Cataliz Rezisten
Oboseal Electrochimice Proprieti magnetice
Plasticitate Reflexie
Ductilitate Proprieti dielectrice
Adeziune
100
mbuntirea rezistenei la uzur este de obicei legat de

urmtorii factori:
o cretere n duritate apare datorit introducerii ionilor de
elemente strine (de obicei ioni de elemente uoare, ca de
exemplu: azot, carbon, boron, sau gaze nobile) precum i
datorit formrii de tensiuni compresive, blocri sau deplasri
de dislocri sau formarea de incluziuni dure (cele mai comune
sunt azotrile, carbonrile sau borrile) sub form de dispersii
fine.
o ductilitate mai mare a suprafeelor metalice prin implantarea
ionilor de metale grele (de exemplu: Sn, Mo), care provoac
netezirea suprafeei de frecare fr achiere, ca i formarea
de straturi lubrificante solide prin implantarea acestor ioni
care cresc proprietile de lubrificare (de exemplu: Sn, Mo, S,
Mo+S, N+Ca, N+Mo) sau chiar formarea unui strat de
lubrificant n procesul uzrii (de exemplu: Cr); o alt
posibilitate este formarea de straturi fine de oxizi moi de titan
sau ytriu la suprafa, care scad forele de frecare i
protejeaz straturile mai adnci mpotriva uzurii rapide.
Rezistena la coroziune a materialelor metalice este
mbuntit prin implantare de ioni ai urmtoarelor elemente: N, Cr,
Al, Ta, Y, Sn (tabelul 5.2.), dar i de Ar, He, Xe, Cu, Ni, Mo.
Majoritatea investigaiilor efectuate pn astzi, sunt dedicate
efectului implantrii pentru coroziunea atmosferic.
Tabelul 5.2 Ioni implantai care mbuntesc rezistena la coroziune
Materiale implantate Ioni

Aliaje de Al Mo
Aliaje de Cu Cr; Al
Aliaje de Zr Cr; Sn
Oeluri puternic aliate Cr; Ta; Y
Oeluri slab aliate Cr; Ta
Superaliaje N; C; Y; Ce
Cupru N
Implantarea ionilor n majoritatea materialelor metalice,

ceramice i compozite cu N, P, Co, Y, Cr, Ti, Mo, Zr, Nb i Ta
provoac o cretere a duritii stratului metalic implantat (tabelul
5.3.) i a nveliului depus pe substrat nainte de sau n timpul
procesului de implantare.
101
Implantarea provoac o cretere a microduritii, datorit

formrii de tensiuni compresive puternice i microincluzii dure de
nitrate, carbide i boride ntr-o manier care depinde de tipul de ioni
i doza lor, ct i de temperatura materialului implantat.
Tabelul 5.3 Ionii implantai care cresc duritatea
Material implantat Ioni

Aliaje de Al N
Aliaje de Be B
Aliaje de Ti N; C; B
Aliaje de Zr C; N
Aliaje de Cu B; C; N; P
Oeluri puternic aliate Ti+C
Oeluri slab aliate N
Oeluri rapide N; B
Cobalt nvelit cu carbid tungsten N; Co
Ceramic calcaros Y; N; Zr; Cr
Avantajele implantrii ionilor sunt urmtoarele:

posibilitatea potenial de implantare de orice element al
oricrui material ntr-un timp scurt (de ordinul 10 la 100s / cm2
de suprafa) i la orice temperatur (fr a depi 600oC);
posibilitatea introducerii de combinaii de aditive aliate;
posibilitatea obinerii de concentraii de aditive aliate care
depesc solubilitatea lor n materialul aliat (de obicei,
aproximativ 20% pn la peste maxim 50%);
uurina controlului procesului electric, ca i posibilitatea
controlului precis al concentraiei i distribuiei de aditive
aliate prin programarea dozei i energiei ionilor, cu
posibilitatea monitorizrii;
posibilitatea derulrii procesului de aliere la temperaturi mici
(de obicei sub 200oC), aplicaiile lui independent de
tratamentele clasice de nclzire al componentelor finisate,
fiind fr schimbri de form i dimensiuni; aceast tehnic
permite meninerea cmpului de toleran dimensional la
civa nm, fr ajutorul unor operaii ulterioare;
grosimile mici de structuri tratate (de la civa nm la 1m;
independea tehnicii de efectul de adeziune;
consum mic de electricitate;
curenia procesului (vid) i nepoluarea mediului
economie de material.
102
Tabelul 3.4 Exemple de aplicaii ale implantrii de ioni
Unelte sau componente implantate Factor

de
Material de
cretere
implantare
Tip scul Material scul al
(ioni)
durabili-
tii
1 2 3 4 5
Filier de trefilare
pentru fire de WC-Co Carbon 5
Scule de
cupru
formare
Foarfece WC-Co Azot 5

Foarfece pentru 90%Mn 8%V;
Azot 2-4
plastice diamant
Matrie i stane Oel, WC, WC-Co Azot 2-5
achietoare
Scule
Burghie de metale WC-Co Azot 2-3
Unele aplicaii ale implantrii cu ioni sunt prezentate n

special pentru materiale compozite de tip carburi metalice din care
sunt confecionate diverse scule n tabelul 3.4.
103
Capitolul 6
TEHNICI DE DEPUNERE A STRATURILOR SUBIRI
CU FASCICULE DE CLUSTERE IONIZATE ICB
Depunerea cu fascicule de clustere ionizate (Ionized Cluster

Beam ICB) este o tehnologie de depunere a straturilor subiri,
asistat de ioni, prin care se formeaz straturi subiri metalice,
dielectrice i semiconductoare de nalt calitate. n procesul de
depunere ICB materialul de depus este evaporat din creuzete de
mici dimensiuni n condiii la care rezult formarea agregatelor de
atomi (clustere). Clusterele astfel formate sunt ionizate n urma
impactului cu electronii i ca urmare a acestui impact sunt accelerate
la tensiuni ridicate. Prin selectarea parametrilor de proces este
posibil controlul energiei medii de depozitare a particulelor ionizate
peste nivelul de 200eV/atom, ceea ce face posibil controlul depunerii
straturilor cristaline i a celor epitaxiale.
n cazul depunerilor ICB caracteristicile stratului subire sunt
determinate mai ales de proprietile structurale ale clusterelor i de
efectul de ionizare i de accelerare al acestora.
Aspecte particulare ale acestei tehnici de depunere a
straturilor subiri apar la depunerea reactiv cu fascicule ionizante i
n cazul depunerii simultane, utiliznd fascicule ionizante i surse
ionice activate cu microunde, caz n care sarcina ionilor devine
comparabil cu cea nregistrat la depunerea n plasm.
Tehnologia de depunere a clusterelor ionizate are cteva
caracteristici specifice:
a. Formaiuni mari de agregate atomice (clustere) coninnd 100-
200 atomi sunt generate prin expansiunea vaporilor puri, ceea ce
este dificil de obinut prin alte procedee tehnologice din substane
solide la temperatura camerei.
b. Clusterele, ai cror atomi constitueni nu sunt fixai puternic, sunt
ionizate i transportate ctre suprafaa substratului odat cu
clusterele neutre. n acest fel se stabilete o tehnic de transport
a ionilor care poate produce fascicule ionice de energie foarte
joas, de la civa eV pn la cteva sute de eV, dar de
intensitate nalt, ceea ce este deosebit de util depunerii
straturilor subiri.
104
c. Cnd clusterele bombardeaz suprafae de depunere, migraia

atomilor poate fi mbuntit de creterea tensiunii de
accelerare, cea ce este deosebit de util la formarea straturilor
subiri de bun calitate la temperaturi joase ale substratului.
d. Noua tehnologie de formare a straturilor subiri i de cretere a
cristalelor (ICB) utilizeaz interaciunea substratului cu clusterele
ionizate i neutre incidente la suprafa i efectele ionilor n
formarea straturilor subiri. Efectul sarcinii ionice a clusterului este
suficient pentru a influena procesul de formare a stratului, chiar i
n cazul n care numrul purttorilor de sarcin din fluxul total este
foarte sczut.
Deoarece tehnologia ICB este caracterizat de o valoare
sczut a raportului dintre sarcin i mas, depunerea
semiconductorilor i a izolatorilor devine posibil, fr obinuitele
probleme de ncrcare electric.
Prin experimentele de bombardare cu fascicule de clustere
ionizate s-a demonstrat fr echivoc faptul c energia cinetic a
atomilor individuali din clusterele accelerate este mult mai mic
dect cea a ionilor singulari.
Sarcina electric a ionilor are un efect deosebit de important
n facilitarea procesului de formare a filmului (stratului subire) i n
desfurarea reaciilor chimice, chiar i fr o accelerare
semnificativ a ionilor sau cu activarea doar a unei pri din numrul
acestora.
6.2 Procesul de formare a clusterelor
Din punctul de vedere al tiinei materialelor, agregatele

atomice (clusterele) pot fi clasificate n funcie de numrul de atomi,
ca in figura 6.1. O zon cuprinde clusterele de mici dimensiuni, care
numr pn la cteva zeci de atomi; o alta cuprinde n schimb
particulele extrafine, care au n compoziie 104 sau mai muli
atomi.n prima zon se utilizeaz cu precdere metode chimice
pentru investigarea proprietilor clusterelor formate, n timp ce n
zona particulelor extrafine prevaleaz metodele fizice.
Specificitatea tehnologiei ICB const n faptul c sursa de
material se gsete n stare solid la tempeatura camerei, iar
clusterele sunt generate prin ejectarea materialului vaporizat dintr-o
incint de tip creuzet ntr-o zon cu vid nalt printr-un ejector sub
form de fascicule.
105
Teoria clasic a nucleaiei (teoria micilor picturi lichide)

opereaz cu clustere asemntoare micilor picturi i determin
energia liber Gibbs (G) a clusterului de raz r n funcie de
tensiunea superficial , conform relaiei:
(6.1)
unde: V este volumul molecular n cluster; S- saturaia, exprimat ca

raport al presiunilor , P0 find valoarea de echilibru a presiunii
vaporilor; k- constanta lui Boltzmann (1,3805410-23J/K); T-
temperatura (K)
Figura 6.1 Clasificarea clusterelor
Presupunnd existena strii de echilibru termic, viteza de

nucleaie a clusterelor (J) este exprimat de relaia:
(6.2)
unde: K este un coeficient care este mult mai puin influenat de

variaia presiunii i a temperaturii dect termenul exponenial al
relaiei 6.2.
Ecuaiile (6.1) i (6.2) arat c nivelul barierei energetice care
trebuie traversat pentru formarea clusterelor este puternic influenat
de tensiunea de la suprafaa clusterului. Tensiunea superficial a
106
unui cluster poate diferi substanial de cea a unei suprafee plane de

referin, deoarece poriuni considerabile ale atomilor din cluster
sunt situate pe suprafaa acestuia, iar proprietile fizice ale
clusterului sunt puternic influenate de suprafaa atomilor.
6.2.1 Simularea procesului de formare a clusterelor
Utiliznd teoria clasic a nucleaiei s-a simulat procesul de

formare a straturilor subiri de Al i Ar, ecuaiile de dinamica gazelor
pentru conservarea masei, momentului i energiei fiind:
(6.3)
(6.4)
(6.5)
unde: reprezint densitatea vaporilor; A seciunea transversal a

jetului direcionat spre substrat; raportul de mas dintre
materialul n stare condensat i cel aflat n stare de vapori; hfg-
coeficient de nclzire lent la condensare.
S-a constatat pe parcursul experimentelor c geometria
fluxului de vapori care prsete creuzetul ndreptndu-se ctre
suprafaa suportului (figura 6.2) variaz odat cu distana x de la
suprafaa sursei, conform relaiei:
(6.6)
unde: A reprezint aria seciunii transversale a jetului direcionat

spre substrat; D diametrul ajustajului duzei (2mm); unghiul
conului de deschidere la vrful duzei (de obicei, 300).
107
Figura 6.2 Geometria fasciculului de vapori emergeni

n teoria cinetic drumul liber mediu al unei particule, de
exemplu al unei molecule, este distana medie pe care o strbat
particulele pn la ciocnirea cu alte particule. Acesta este dat de
relaia:
(6.7)
unde: R este constanta universal a gazelor (Boltzmann), T

temperatura, NA numarul lui Avogadro, P presiunea i d-
diametrul particulelor n stare gazoas.
n tabelul 6.1 sunt prezentate cateva valori ale drumului liber
mediu al particulelor pentru diferite valori ale presiunii.
Cu ajutorul acestor date i relaii s-au realizat experimente i
simulri ale procesului, pe parcursul crora s-au modificat valorile
parametrilor de proces obinndu-se att curbe teoretice ct i
validarea experimental a modelelor propuse, care au fost
comparate cu datele din baza de date cuprinznd parametrii de
proces ai tehnologiilor de depunere a straturilor subiri (tabelul 6.1).
Astfel , figura 6.3 ilustreaz variaia raportului G/kT n funcie
de raza clusterelor pentru cteva materiale, la presiunea P=100 torr
i coeficientul de saturare S=100 , n timp ce n figura 6.4 este
reprezentat viteza de nucleaie a clustrelor pentru cteva materiale
n funcie de coeficientul de saturare, la presiunea constant P=10
torr.
108
Tabelul 6.1 Drumul liber mediu al particulelor
Pesiunea Molecule/ Drumul liber

Nivel de vid
[mbar] cm3 mediu
Presiune normal 1013 2,7.1019 68 nm
Vid scazut 300...1 1019...1016 0.1 ...100 m
Vid mediu 1...10-3 1016...1013 0.1 ...100 mm
Vid inalt 10-3...10-7 1013...109 10 cm ...1 km
Vid ultra-inalt 10-7...10-12 109...104 1 km ...105 km
Vid extrem <10-12 <104 >105 km

Variaia raportului G/kT Variaia vitezei de nucleaie
109
6.2.2 Structura clusterelor

n ceea ce privete structura clusterelor din metale
vaporizate, fasciculele de clustere au fost studiate cu ajutorul
difraciei de electroni.
O surs de clustere de metal vaporizat a fost instalat n
camera de difracie a unui microscop electronic, iar fasciculul de
clustere a fost traversat de un fascicul de electroni cu 45 eV.
Modelul de difracie obinut pentru un fascicul de clustere de
Sb este prezentat n figura 6.5 (curba B), acesta find raportat la
coeficientul de mprtiere s calculat cu relaia:
(6.8)
unde: este lungimea de und

a electronilor i este unghiul
de mprtiere. Un model de
difracie a stratului de Sb
policristalin este ilustrat prin
evoluia curbei C (figura 6.5), n
timp ce curba A urmrete
modelul de difracie al
clusterelor de Sb generate la
expansiunea Ar (utilizat ca
purttor) la presiunea de 1 torr.
Diferenele care apar ntre
curbele A,B i C din figura 6.5
subliniaz particularitile
straturilor subiri depuse cu
Figura 6.5
Modelul de difracie pentru ajutorul fasciculelor de clustere
clustere de Sb ionizate:
clusterele generate n purttorii gazoi se rcesc treptat, mult mai
eficient dect cele provenite din expansiunea pur, deoarece
purttorii gazoi acioneaz ca un mediu absorbant de cldur
ndeprtnd energia din clustere prin ciocnirile intermoleculare;
clusterele microcristaline i modific parametrii reelei de
cristalizare reducnd astfel dimensiunile clusterelor. Mai mult, n
unele cazuri sistemul de cristalizare se modific atunci cnd
clusterul scade sub 5 nm;
110
clusterele din metal vaporizat formate prin expansiune pur sunt

formate din 1000 de atomi , n medie, avnd o structur mult
diferit de cea a clusterelor cristaline i de cea a policristalului
semifabricat.
Echipamentul utilizat la depunerea straturilor subiri prin
tehnologia ICB (fascicule de clustere ionizate) conine cteva
elemente de baz care sunt prezentate n figura 6.6.
Figura 6.6 Echipament pentru ICB
6.3 Mecanismul formrii stratului subire

la depunerea ICB
La depunerea straturilor subiri i a nanostructurilor prin
tehnologia fasciculelor de clustere ionizate apar cteva procese
specifice care particularizez acest procedeu. Atunci cnd clusterele
bombardeaz suprafaa substratului, att clusterele ionizate (figura
6.7) ct i cele neutre (figura 6.8, 6.9) sunt descompuse n atomi
care se mprtie, cu energie ridicat, pe suprafaa substratului. Un
atom ajuns pe suprafaa substratului este atras fizic de atomii
superficiali ai acestuia, dar se poate mica liber pe suprafa
(migraia atomilor) datorit valorii ridicate a momentului ce faciliteaz
111
deplasarea pe o direcie paralel cu suprafaa, ca urmare a

transformrilor energetice aprute n urma impactului cu substratul.
Adatomii (atomi n echilibru termodinamic instabil) fie
interacioneaz, fie formeaz mpreun cu atomii stratului superficial
al substratului centre stabile de nucleaie, pentru ca, n final, s-i
nceteze deplasarea pe suprafa i s devin i chimic atomi
adsorbii.
Astfel, facilitnd migraia
atomilor, se obine o cretere a
vitezei de nucleaie i o vitez
sporit de cretere a formaiunilor
elementare de acoperire a
substratului (insule, provenite din
coalescena centrelor de nucleaie,
a dubleilor i a altor formaiuni
tranzitorii ce apar ca urmare a
deplasrii , ciocnirii i aglomerrii
Figura 6.7 Clustere ionizate atomilor).
Adatomii care nu au ntlnit ali adatomi sau zone de
nucleaie vor prsi suprafaa substratului mai rapid, reevaporndu-
se.
Figura 6.8 Clustere neutre
Efectele energiei cinetice, specifice tehnologiei ICB de formare a

straturilor subiri, pot fi cuantificate prin msurarea masei depuse pe
substrat ca funcie de temperatura substratului.
112
Figura 6.9 Formarea straturilor subiri cu clustere ionizate
Ct vreme ad > d
,curba evoluiei masei
stratului subire va avea o
pant ascendent fa de
reciproca temperaturii (figura
6.10). n aceai figur este
reprezentat i starea
cristalin a straturilor depuse
la diferite tensiuni de
accelerare (Va).
Figura 6.10 Variaia masei stratului

funcie de temperatur
Pentru clusterele neionizate, corespunznd metodelor
convenionale de depunere, masa depus crete odat cu
descreterea temperaturii substratului.
La o temperatur dat a substratului masa depus descrete
odat cu creterea tensiunii de accelerare, datorit pulverizrii i
113
reevaporrii, iar panta se modific n funcie de tensiunea de

accelerare.
Aceasta este o caracteristic deosebit de important a
depuneri ICB care difereniaz aceast tehnologie de depunerea
convenional cu utilizarea atomilor, particulelor neutre sau ionizate,
n cursul crora energia este constant.
Migraia particulelor i curarea suprafeei substratului sunt
efecte ce apar la utilizarea acestei tehnolgii, iar calitatea efectelor
este comparabil cu cea nregistrat la creterea siliciului epitaxial n
vid ultranalt (UHV).
Prin intermediul tehnologiei de depunere cu fascicule de
clustere ionizate s-au realizat att depuneri de straturi subiri ct i
creteri de nanostructuri din cele mai diverse materiale: metale,
semiconductoare, materiale izolatoare i materiale organice.
Pe parcursul experimentelor s-au relevat importante
caracteristici care apar pe parcursul metalizrii termic stabile a
semiconductorilor cu monostraturi epitaxiale, a acoperirilor cu
straturi subiri multiple prin interdifuzie la presiune i temperatur
ridicat sau a definirii dispozitivelor izolatoare, semiconductoare sau
nano-electro-organice.
De asemenea, s-a realizat prin tehnologia ICB nu numai
creterea straturilor subiri dintr-un singur element sau accelerarea
creterii celor compuse, dar s-a obinut i creterea filmelor de
hidruri, oxizi i nitruri printr-un mecanism care permite controlul
riguros al cristalinitii, iar depunerile se fac la temperaturi mai joase
dect n cazul altor metode de obinere a straturilor subiri.
6.4 Instalaii specifice tehnicilor ICB

O serie de echipamente i instalaii fac parte din dotarea de
baz a oricrui laborator n care se desfoar cercetri sau aplicaii
ale tehnologiilor de obinere a straturilor subiri, printre acestea
numrndu-se: instalaiile de evaporare termic , cele de tip
magnetron , pulverizare (magnetron sputtering), pulverizare n RF
sau tunuri de ioni. Sunt ns i echipamente specializate pentru
formarea clusterelor sau a fasciculelor de clustere, precum i
instalaii de tip light puls (impuls de lumin), laser puls (impuls laser)
sau FEL puls (Free Electron Laser puls) care asigur nivelul i
densitatea de energie pe parcursul desfurrii proceselor fizice i
chimice din timpul generrii straturilor i nanostructurilor prin aceste
tehnologii specializate.
114
Astfel de instalaii cu aplicaii mai generale sunt:

Instalaia de evaporare termic BALZERS BA 510 (figura 6.11)
Prezint urmtoarele caracteristici tehnice:
putere maxim absorbit de la reea: 4kVA;
tensiune de alimentare: 3380/220 V;
rcire cu ap, debit 400 l/h;
volumul camerei de reacie: 150 l;
presiunea maxim obinut n camera de reacie: ~10-6 torr;
sistem de evaporare clasic prin nclzirea direct a unor
cuptorae speciale din Mo, W, Ta, grafit sau ceramic.
Aceast instalaie de evaporare termic este dedicat

pregtirii materialelor suport de tip Ge, GaAs, Si, Cu, Mo sau alte
tipuri de materiale dielectrice precum i materiale compozite.De
asemenea, instalaia prepar o serie de depuneri de straturi subiri
de grosimi submicronice specializate pentru domeniul infrarou(n
special la 10,6 m).
Figura 6.11 Instalaia BALZERS BA 510
115
Instalaia Magnetron sputtering de radio-frecven (RF)

Aceast instalaie este construit special pentru monitorizarea
in situ i execuia de componente, dispozitive i elemente
complexe pentru:
optica laser de mare putere;
optoelectronic;
filtrajul i detecia radiaiei cu aplicaii speciale n domeniul
infrarou al spectrului electromagnetic (I.R);
tratamente superficiale cu fascicule de ioni i trimerizri
controlate de straturi subiri;
procesri de structuri nanometrice monostrat i multistrat;
procesri de nanomateriale i materiale compozite;
cercetri avansate de straturi subiri de carburi de Si i a
nanotuburilor de carbon.
Instalaia VARIAN ER 3119- figura 6.12 magnetron sputtering
de RF, completat cu o instalaie de evaporare n vid tip BALZERS
BA 510, permite desfurarea unor etape intermediare care intervin
in mod obiectiv n fluxul tehnologic de pregtire a probelor n
vederea depunerii straturilor subiri sau a creterii / formrii
nanostructurilor.
Figura 6.12 Instalaia VARIAN ER 3119
116
Principalele caracteristici tehnice ale acestei instalaii sunt

urmtoarele:
- putere activ: 1Kw 5Kw;
- curent de descrcare: 1A 3A;
- presiune de lucru n camera de reacie: 5 10-7torr 5 10-2torr.
iar parametrii de lucru sunt urmtorii:
o gaz de asistare standard: Argon 99,99%;
o control activ al debitului volumului s.c.cm =105 100 10;
o presiune de operare i depunere: 510-4 torr 210-2 torr;
o viteze de evaporare uzuale: 0,1 /s 10 /s;
o acurateea de control a stratului subire: 1 nm ( 10 );
o materiale specifice: Ge, GaAs, Si, Mo, Cu, Al, // ZnS, ZnSe, BaF2,
ThF4 //, C, Ni, Ti, inte din aliaje ternare metal-metal i metal-
semiconductor, inte din materiale magnetice Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Cu-
Co-Ni / cu materiale nemagnetice Ag, Au, Cu, sau cuple W-Fe /
Mo-pentru straturi cu magnetorezisten gigant.
Acurateea n proiectarea unei surse de clustere depinde n

mare parte de respectarea unei proceduri normalizate care ine cont
de complexitatea proceselor fizice i chimice ce apar la formarea
clusterelor, dar i de pecizia de prelucrare, parametrii funcionali i
calitatea suprafeelor, deoarece orice abatere a preciziei geometrice
sau a strii suprafeei unei surse poate conduce la modificri
semnificative n starea sistemului.
Construcia unei astfel de surse de condensare a clusterelor
gazoase, utilizat pentru depunerea clusterelor de dimensiuni
selectate, este ilustrat n figura 6.13. Funcionarea acesteia se
realizeaz conform unei succesiuni de etape pe parcursul crora
fasciculul de clustere este generat, colimat i focalizat ctre suprfaa
substratului:
a. Heliul ptrunde n camera de condensare rcit cu ap (1)
exact deasupra creuzetului (3) prin intermediul unui tub subire (2);
b. Metalul vaporizat n creuzet este rcit de He i condenseaz

formnd clustere care sunt aspirate ctre duz (5);
c. Amestecul de He i vapori de metal sufer o expansiune la

vitez supersonic ntr-o regiune meninut la presiune constant
(10-4 mbar) ce ctre o pomp de difuzie (6) cu debitul de 3000 l/s
(Varian VH S-6);
117
118
Figura 6.13 Construcia unei instalaii pentru depunerea clusterelor
1- Camera de condensare 7- Surs de ioni 12- Lentile de accelerare 20-Valv deschiere
2- Admisie tub He 8- Separator 13- Deflector X-Y 21- Support prob
3- Creuzet 9- Linie de degro are (?) 14- Tub protec ie fascicule 22- Linie de msur
4- Sistem rcire cu H2O 10- Manometru cu limitator 15- Lentile 23- Ghidaj
5- Duz 11- Pompa de difuzie cu deflector (N2, 16- Filtru de viteza Wien
6- Pompa de difuzie (He, 3000 l/s) 700 l/s) 17- Plac deflectoare Y
18- Tub de curgere
19- Diafragm selector mas

d. Fasciculul este ionizat pe msur ce nainteaz n vid, prin

intermediul unui catod fierbinte (surs de ioni din arc de plasm sau
alte soluii tehnologice, n funcie de procedeul ales de ionizare a
clusterelor)(7) i apoi trece printr-un separator (8) n zona de vid
nalt asigurat de o pomp cu azot (11) avnd debitul de 700 l/s
(Edwards , 160/700M Diffstak);
e. Fasciculul este accelerat, focalizat (12) i apoi aliniat printr-un

deflector (13). O alt serie de lentile (15) focalizeaz fasciculul ctre
deschiderea selectorului de mas (19) localizat dincolo de filtrul de
vitez Wien (16) care mprtie fasciculul n funcie de raportul dintre
masa i sarcina particulelor;
f. Particulele neutre sunt ndeprtate din fascicul sub un unghi

de deviere de 2o, introdus prin filtrul de mas;
g. Un alt set de plci de deviere Y (17) poate fi utilizat pentru a

dirija fasciculul ctre centrul deschiderii selectorului de mas (19) de
la captul tubului de curgere (18);
h. Suportul probei (21) este montat pe un ghidaj (23) n spatele

ieirii valvei (20). Pentru a ncepe depunerea se deschide valva i
proba este deplasat n fa, ntr-o poziie aflat n spatele
deschiderii orificiului selectorului de mas. Aici se afl montat i un
electrod, exact sub deschiderea selectorului de mas, care poate fi
utilizat pentru reglarea fasciculului atunci cnd valva este nchis.
n acest scop fasciculul este deviat de la ax cu ajutorul deflectorului
Y (17).
La un astfel de echipament, ionizarea (din etapa d) se poate

face i prin introducerea unei surse light pulse (impulsuri de lumin)
sau FEL pulse (impulsuri de la o surs laser cu electroni liberi)
(figura 6.14 a i b), obinndu-se nu numai fascicule de clustere
ionizate, dar i elemente de mare acuratee pentru modelarea i
simularea formei, dinamicii i calitii fluxului de clustere la suprafaa
substratului (figura 6.15 a,b i c).
Impulsul de lumin (light pulse) surprins n imaginea din figura
6.14,a , are o durat de 2,5x10-15 s, fiind cel mai scurt puls de
fotografiat pn n prezent .
119
Pentru surprinderea acestei imagini s-a folosit un puls cu

durata i mai scurt, un flash de doar 80 atosecunde (80x10-18 s),
acesta find cel mai scurt impuls de
lumin generat pn n prezent.
Speciali tii de la Institutul Max Plank
pentru Optic Cuantic lucreaz ns
deja la un proiect menit s permit
generarea impulsurilor luminoase de
doar 24.10-18 s, acesta fiind intervalul
de timp de care are nevoie un electron
pentru a traversa atomul de hidrogen,
interval cunoscut ca unitatea atomic
a) de timp.
b)
Figura 6.14 Ionizarea n sisteme Light pulse sau FEL pulse
Pornind de la aceeai schem de principiu (fig.6.13) a

instalaiei de producere a clusterelor ionizate sau neutre s-au
dezvoltat o serie de alte aplicaii, pe parcursul crora s-a
perfecionat i partea de achiziie, prelucrare, stocare i modelare a
datelor culese din procesele desfurate.
120
Figura 6.15 Elemente de definire a fasciculului de clustere
121
6.5 Tehnici de msur i control utilizate n

tehnologia micro i nanostraturilor
Pentru verificarea calitatii straturilor depuse se pot utiliza
diverse tipuri de microscoape cu for atomic (figura 6.16,a i b) ,
cu rezoluii dimensionale ntre domeniile nano i pico.
a) b)
Figura 6.16 Microscoape cu for atomic
Imaginile ce pot fi obinute n urma analizei prin microscopia
cu for atomic cuprind diverse arii de aplicaii ale micro i
nanostructurilor sau ale straturilor subiri i ale filmelor organice sau
anorganice.
De exemplu, imaginea topografic a unei foi de mic gravate
cu ajutorul vrfului AFM este ilustrat n figura 6.17, n timp ce in
figura 6.18 este reprezentat imaginea AFM a unei suprafee de Si
curate cu aceton
Figura 6.17 Gravare cu AFM Figura 6.18 Imagine AFM
122
Tehnica de curare i pregtire a probelor de examinat

poate influna foarte mult rezultatele msurtorii i chiar geometria
nanostructurilor superficiale.
Astfel, n urma ndeprtrii SiO2 de pe suprafa cu florur de
amoniu, s-a obinut o topografie tip terase a suprafeei probei de
examinat (figura 6.19)
Figura 6.20 Asamblri de

Figura 6.19 Topografie tip terase
micro i nanocircuite
Prin aceeai tehnic de microscopie cu for atomic se pot

analiza detaliile asamblrilor din micro i nanocircuite (figura 6.20),
pentru ca, ulterior, cu datele culese s se modeleze noile soluii
constructive.
Depind performanele AFM, dar pornind de la acelai
principiu funcional, microscopia cu for magnetic (MFM)
permite investigarea i mai precis la nivel nanodimensional.
a. b.
Figura 6.21 Imagini ale suprafeei unui disc magnetic
123
Astfel, dac prin tehnica AFM se poate obine doar imaginea

din figura 6.21,a a suprafeei unui disc magnetic, imaginea MFM
figura 6.21,b ofer detalii topografice n domeniul 0-940 nm, indicnd
detaliile nregistrrii pe bii.
n ceea ce privete avantajul major al tehnicii microscopice
AFM, datorit posibilitii investigrii materialelor organice fr
deteriorarea calitii i funciilor acestora, s-au investigat att
nanostructuri de grafit crescute pe substrat de Si (avnd nlimi
cuprinse ntre 0,7-47 nm - figura 6.22) ct i fragmente de ADN
care au fost activate cu particule de Au i depuse pe substrat de Au,
nivelul topografic al acestora fiind cuprins ntre 032 nm (figura
6.23,a i b).
a) b)
Figura 6.22
Figura 6.23 Fragmente de ADN
Nanonostructuri de grafit
Echipamentul de microscopie AFM doteaz n prezent

majoritatea laboratoarelor i centrelor de cercetare din lume, iar
convergena studiilor nano i biostructurilor conduce la stabilirea
unor proceduri aproape identice n colectarea datelor , interpretarea
rezultatelor i configurarea modelelor pentru studiile ulterioare.
Figura 6.24 Utilizarea AFM n studiul proteinelor
124
Figura 6.25 Imagine Figura 6.26 Nanogeometrie a

topografic a polimerilor clusterelor metalice
Astfel, folosind acelai tip de echipament AFM se poate

studia comportamentul individual sau interaciunea proteinelor
(figura 6.24,a,b,c), se poate identifica imaginea topografic a
polimerilor (figura 6.25), dar i nanogeometria clusterelor metalice
pe diferite tipuri de substraturi (figura 6.26).
125
Capitolul 7
DEPUNEREA PRIN PULVERIZARE TERMIC
A STRATURILOR SUBIRI
Pulverizarea termic a materialelor este o metoda cunoscut

n industrie nc din anul 1910 cnd dr. Schoop (Elveia) a introdus
invenia sa, care consta din proiectarea unui jet de particule topite
ale unui material asupra unei suprafee, att n scopul realizrii unor
straturi rezistente la uzare, ct i n scopuri din cele mai diverse,
cum ar fi: acoperirile decorative, acoperirile pentru protecie
magnetic, obinerea de pulberi metalice, obinerea de modele i
matrie etc. Pulverizarea termica nu a cunoscut pn n ultimele trei
decenii evoluia i adoptarea aproape revoluionar ale acesteia,
dei necesit tehnologii i echipamente relativ simple. Fenomenul
s-a datorat unor eecuri obinute la tratarea unor piese solicitate
mecanic.
Astzi, n condiiile competiiei generate de un progres
tehnologic rapid, cuvintele cheie sunt eficien i costuri reduse. In
ceea ce privete materialele, acestea trebuie s rspund cerinelor
privind stabilitatea la viteze mari, la solicitri variabile, la presiuni
mari etc., s fie uor i economic de fabricat.
Straturile depuse i modificrile suprafeei permit inginerilor
s dezvolte performanele materialului.
Tipurile de straturi depuse depind de mai muli factori cum ar
fi: cerinele funcionale, mrimea i forma, nivelul de aderen dorit,
costul echipamentelor etc. De aemenea, stratul depus trebuie s fie
compatibil cu substratul. Avnd n vedere toate acestea, tehnicile de
depunere a straturilor subiri pot fi clasificate aa cu se prezint n
figura 7.1.
Depunerile dure servesc la realizarea unor straturi cu
rezisten deosebit pe suprafaa unor piese. Pulverizarea termic,
sudura i acoperirea de protecie reprezint metode de realizarea a
straturilor dure. n acoperirile de protecie, un strat metalic este legat
metalurgic de substrat, rezultnd un material compozit. La sudur,
un strat de material este topit pe substrat cu ajutorul unui arc
electric, de plasm sau laser.
126
Figura 7.1 Clasificarea tehnicilor de depunere a straturilor
Un loc aparte l ocup depunerea de straturi prin pulverizare

termic. Aceasta metod face parte dintr-o familie n care se
utilizeaz energia termic generat de procese chimice (combustie)
sau electrice (arcul de plasm) pentru a topi materialul, al accelera
n scopul depunerii pe substrat. Ulterior impactului cu substratul, un
depozit de structuri lamelare plate se formeaz pe substrat, avnd o
vitez de rcire foarte mare (aprox. 106 K/s)- figura 7.2.
Figura 7.2 Schema general a depunerilor de straturi

prin pulverizare termic
Avantajele depunerilor prin pulverizare termic (TSC-Thermal

Spray Coating) sunt:
- posibilitatea utilizrii unei game largi de materiale de
depunere: metale, aliaje, pulberi ceramice, materiale compozite,
carburi metalice etc.;
127
- grosimea straturilor se poate realiza cu rate mari de

depunere;
- se pot depune straturi din materiale incompatibile cu
substratul;
- tratamentul termic al suprafeei de depunere nainte sau
dup depunere nu este ntotdeauna necesar, ceea ce reduce , n
principal, deformaiile termice;
- se pot reabilita piese la costuri mult mai mici dect cele
presupuse de nlocuirea integral a piesei;
- procesul de depunere se poate automatiza destul de simplu.
7.2. Materiale pentru depunerea straturilor
prin pulverizare termic
Materialele care pot fi utilizate la depunerea prin pulverizare
termic trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii: s poat fi
aduse n stare plastic sau lichid i s aib stabilitate termic
ridicat (s nu oxideze sau s se descompun).
Principalele tipuri de astfel de materiale sunt:
- materialele monofazice;
- materialele compozite;
- materiale stratificate etc.
Materialele monofazice sunt de tipul metalelor, aliajelor,
materialelor ceramice sau polimerilor. Exemple ar putea fi:
tungstenul, molibdenul, reniul, aliaje NiCr, NiCo. Aliajele prezint
avantajul unei rezistene ridicate la coroziune, oxidare etc.
Materialele ceramice utilizate pentru creterea rezistenei la
uzare i la coroziune sunt oxizii metalici, utilizai n stare pur sau n
amestec cu diferii oxizi n vederea optimizrii proprietilor de
exploatare. La realizarea depunerilor ceramice sunt utilizate, pentru
pulverizare, produse naturale sau amestecuri ceramice care s se
topeasc i s nu se disocieze n produse gazoase la temperaturi
nalte i care s formeze prin topire picturi fine, nu fire.
Materialele ceramice mai cunoscute pentru pulverizare sunt:
a. oxizi (de aluminiu, de crom, de titan, de zirconiu, de toriu i de
cobalt);
b. silicai, aluminai i carburi (silicat de zirconiu, aluminat de
zirconiu, titanat de bariu, zirconat de calciu);
c. amestecuri ceramice i metalo-ceramice denumite cermei.
128
Cei mai folosii sunt oxizii ceramici: oxidul de zirconiu, oxidul

de aluminiu, oxizii de titan i crom. Pe msura perfecionrii
procedeelor de elaborare a pulberilor s-au amestecat diferii oxizi
ceramici n proporii bine determinate pentru a obine straturi cu
anumite proprieti fizico-mecanice.
Oxizii de aluminiu sunt oxizii ceramici cei mai utilizai att
pentru protecia mpotriva uzurii, ct si mpotriva coroziunii, fr
ocuri mecanice sau termice. Un adaos de ali oxizi ceramici la
pulberile cu baza Al2O3, mrete ductilitatea i capacitatea de
preluare a ocurilor termice. Temperaturile maxime de exploatare
ale acestor amestecuri de pulberi ceramice oxidice variaz n funcie
de tipul i proporia de elemente de adaos, ntre 5040C pentru
amestecurile Al2O3+TiO2 i 12000C pentru amestecurile Al2O3+ZrO2.
Duritatea acestor ceramice este foarte ridicat (55-72 HR
15N), iar coninutul de TiO2, cu toate c reduce uor duritatea
straturilor depuse, mrete tenacitatea i ductilitatea depunerilor prin
formarea unui eutectic mai ductil i cu temperatur de topire mai
redus.
Oxidul de aluminiu are o palet larg de utilizri: de la
protecia discurilor fixe (harddisk) destinate tehnicii de calcul pn la
straturi dielectrice (n amestec cu 3-13% TiO2).
Dioxidul de titan i amestecurile sale cu oxizii de crom au
duriti mai reduse dect amestecurile ce au la baz oxidul de
aluminiu. Astfel, amestecurile TiO2+Cr2O3 se utilizeaz la realizarea
straturilor depuse prin pulverizare n jet de plasm, obinndu-se
straturi cu o rezisten mai redus la uzare i la coroziune n diveri
ageni corosivi (solubile n H2SO4 i n baze), dar cu o rezisten la
oboseal mai ridicat.
Oxizii ce crom prezint o rezisten la coroziune i o
stabilitate termic mai redus dect amestecurile pe baz de oxid de
aluminiu, dar rezistena la uzare este deosebit de mare i prezint i
o capacitate mrit de preluare a ocurilor termice. Temperatura
maxim de exploatare a amestecurilor TiO2+Cr2O3, este circa
5500C. Datorit densitii ridicate a depunerilor, se pot obine straturi
omogene cu o comportare bun n medii puternic abrazive sau
straturi protectoare la cavitaie. Depunerile realizate cu amestecurile
Cr2O3 cu ali oxizi ceramici nu sunt solubile n acizi si baze, iar
duritatea lor este ridicat (peste 60 HRC). Datorit acestei duriti
ridicate, oxizii de crom se utilizeaz la realizarea straturilor antiuzur
din industria tipografic, textil i chimic.
129
Oxidul de zirconiu este inert n majoritatea mediilor agresive,

dar prezint o conductivitate termic mai redus dect a oxizilor de
crom. De asemenea, oxidul de zirconiu prezint o duritate ridicat,
putnd fi utilizat pentru protecia mpotriva uzurii abrazive.
Temperatura maxim de exploatare a straturilor de ZrO2
depuse prin pulverizare n jet de plasm este foarte ridicat 2400-
25000C. Oxidul de zirconiu stabilizat prezint o bun rezisten la
ageni corosivi bazici i este un izolator electric bun.
Straturile ceramice folosite n mod curent au grosimi de 0,1
1 mm i se depun cu scopul de a realiza urmtoarele proprieti:
rezisten la abraziune, izolare termic, rezisten la coroziune,
rezisten i rezistivitate electric etc.
Dup cum este cunoscut, materialele compozite sunt definite
ca materiale formate din doi constitueni (matricea i elementele de
ranforsare), care, dei rmn distincte, la nivel macroscopic
formeaz un singur component.
Materialele stratificate structural sunt materiale compozite a
cror compoziie variaz aa cum se poate observa n figura 7.3.
Figura 7.3 Microstructura materialelor stratificate

Materialele de tipul celui prezentat anterior se realizeaz
pentru destinaii deosebite n domeniul astronauticii sau al medicinei.
130
7.3 Caracteristici generale ale plasmei termice

Formarea i acoperirea prin pulverizare termic cu plasm a
fost folosit timp de muli ani ca o metod practic i economic
pentru realizarea aliajelor intermetalice dificil de obinut, ceramice i
materialele composite.
Metodele de pulverizare cu plasm pot fi metode cu plasm
convenional; metode ce utilizeaz plasma vacuumat i metode ce
utilizeaza plasma reactiv.
Plasma convenional
Schema general a pulverizrii termice convenionale cu
plasm cuprinde generatorul de plasm (plasmatronul), cu
meniunea c la generatoarele de plasm alimentate n curent
continuu amorsarea arcului electric se face n dou moduri:
- arcul electric se produce ntre electrodul negativ al sursei de
curent (electrod confecionat de regul din wolfram) i duza (ajutajul)
din cupru, legat la polul pozitiv al sursei. In acest caz, arcul electric
format poart numele de arc pilot, iar generatorul de plasm este cu
arc nchis sau netransferat (generator cu jet de plasm dup
terminologia IIS);
- arcul electric se produce ntre electrod i piesa asupra creia
trebuie s acioneze jetul de plasm (anod). In acest caz,
generatorul de plasm este cu arc deschis sau transferat
(generator cu arc de plasm dup terminologia IIS).
La generatorul cu arc de plasm (transferat), lungimile i
puterea arcului sufer o cretere datorat contraciei arcului n ajutaj
i a debitului mare de gaz care micoreaz seciunea acestuia.
Densitatea ridicat a curentului de lucru asigur un flux termic intens
la nivelul pieselor procesate cu ajutorul plasmei termice.
Tensiunea arcului, intensitatea cmpului electric axial n
coloana unui arc contractat, sunt influenate pe de o parte de
caracteristicile geometrice ale generatorului i pe de alt parte de
tipul i debitul gazului plasmagen.
S-a constatat c, prin scderea diametrului ajutajului, crete
intensitatea cmpului electric axial, cretere care dac depete
anumite limite are ca efect strpungerea stratului de gaz rece
neionizat aflat ntre coloana arcului i ajutaj. Acest fenomen denumit
arc electric secundar, conduce la deteriorarea ajutajului, transformat
n catod secundar.
131
La generatoarele cu arc netransferat , jetul de plasm se

datoreaz amorsrii procesului cu ajutorul unui arc pilot.
Asemenea arztoare utilizeaz ca materie prim pulberi
metalice i nemetalice cu diametre n limitele a 40 - 100 m.
Pulverizarea cu ajutorul arztoarelor cu plasm - jet pentru
obinerea unor materiale noi prezint urmtoarele particulariti:
permite realizarea de straturi din materiale refractare, datorit
temperaturii ridicate a plasmei;
permite modificarea temperaturii jetului n limite foarte largi prin
alegerea corespunztoare a diametrului ajutajului i regimului de
pulverizare; se creeaz n acest fel posibilitatea pulverizrii unei
game foarte largi de materiale metalice, materiale ceramice,
materiale organice etc.;
pot fi adaptate pentru utilizarea gazelor inerte atunci cnd este
cazul.
Pentru ambele tipuri de generatoare, proprietile plasmei,
respectiv, calitatea prelucrrilor ce utilizeaz plasma, depind n mare
msur de gazul folosit pentru ionizare. Proprietile fizico - chimice
ale acestora trebuie s corespund unei distribuii ct mai raionale a
energiei n spaiul descrcrii, s protejeze electrodul incandescent,
uzual realizat din wolfram, mpotriva oxidrii i s fie neutru fa de
materialul de prelucrat. Aceste condiii sunt ndeplinite n mare parte
de gazele inerte, monoatomice - argon i heliu. Argonul i heliul
prezint, ns, dezavantajul c au un cost ridicat, iar capacitatea lor
de cedare a cldurii obinute n timpul descrcrii este insuficient.
Deficiena enunat nu mai apare la gazele biatomice (azot,
hidrogen), la care trecerea prin ajutaj este nsoit de o important
absorbie de cldur. Cldura de disociere este cedat materialului
prelucrat n timpul procesului de recombinare, asigurnd astfel o
nclzire sau o topire mai intens a acestuia.
Dac gazele poliatomice sunt nclzite la temperaturi mai
mari de 10000 K are loc un proces de distrugere a legturii
moleculare, gazul trecnd n stare atomic.
Temperatura la care se produce disocierea molecular este
determinat de tipul gazului i de presiune. n cazul azotului,
transformrile ce au loc pot fi transcrise astfel:
N2 + Ud 2 N (7.1)
unde: Ud este energia de disociere (pentru N2 = 9,76 eV).
La o cretere ulterioar a temperaturii devine posibil iniierea
procesului de ionizare. La presiune atmosferic i temperaturi de
132
ordinul 10000 K, gaze ca O2, N2 se afla n stare puternic ionizat:

N + Ui N++ e- (7.2)
unde Ui este energia de ionizare.
Gazul n care mare parte din atomi sau molecule sunt n stare
ionizat, iar concentraia electronilor i ionilor negativi este egal cu
cea a ionilor pozitivi se numete plasm. Aceasta se caracterizeaz
printr-o valoare ridicat a conductivitii electrice, necesit puteri
cuprinse ntre 20-200 KW, iar temperaturile dezvoltate sunt mai mari
dect 11000C (mult deasupra temperaturii de vaporizare a oricrui
material).
Plasma vacuumat
Plasma vacuumat este cunoscut, n general, sub

denumirea de plasm de joas presiune (0,1-0,5 atm). Jetul de
plasm are un diametru i lungime mare dar, la trecerea prin duza
plasmatronului, se pot obine parametri ai jetului favorabili aplicaiilor
din domeniul depunerii de straturi prin pulverizare.
Avantajele plasmei de joas presiune aplicat n depuneri de
straturi se refer la: densitatea ridicat a materialului depus,
aderen bun pe substrat, posibilitatea de a controla grosimea
depunerii, eficien mare a depunerii.
Plasma reactiv
Recent pulverizarea cu plasm n atmosfer controlat,

modificat pentru plasm reactiv, a fost dezvoltat pentru a putea
combina fenomenele de disociere controlat cu cele de reacii
chimice produse n jetul de plasm n scopul creerii unor materiale
noi (insitu) sau producerea de faze noi n materialele depozitate.
Prin aceast mbuntire, formarea prin pulverizare cu
plasm reactiv apare ca o metod viabil pentru producerea
universal de materiale avansate.
Procedeul este o modificare a pulverizrii convenionale cu
plasm n sensul c se adug elemente reactive care reacioneaz
cu particula topit (materialul de adaos). Elementele reactive pot fi:
lichide, gaze sau amestecuri de reactani solizi injectai n jetul de
plasm, care n contact cu jetul de plasm avnd o temperatur
ridicat, se descompun sau disociaz pentru a forma reactivi
133
puternici n stare ionizat. Aceti reactivi se pot apoi combina cu

materialul de adaos nclzit i topit din jetul plasm, formnd
compui noi. n figura 7.4 se prezint principial procesul de formare
a materialelor noi prin pulverizarea cu plasm reactiv.
Figura 7.4 Procesul de formare a materialelor noi prin pulverizare cu

plasm reactiv
7.4 Utilizarea plasmei la depunerea

straturilor prin pulverizare
Noiunile generale prezentate anterior se aplic i n acest
caz concret, dar este necesar s se prezinte unele particulariti.
Astfel, confinarea i poziionarea axial a jetului de plasm se
realizez prin dou elemente: apa de rcire i gazul suplimentar
introdus n zona de lucru (interiorul duzei) - figura 7.5.
n acest caz, jetul de plasm funcioneaz la o putere de 100
kW. Viteza jetului este invers proporional cu seciunea de ieire a
duzei plasmatronului. Viteza jetului se estimeaz a fi de 100 ms-1, iar
a particulelor de pulbere de 60 ms-1, timpul de parcurgere a drumului
prin plasmatron fiind de ordinul milisecundelor.
O alt variant de instalaie de pulverizare este cea cu
admisie radial a pulberii, figura 7.6.La acest tip de echipament,
viteza gazului este de 600-2300 ms-1
134
Figura 7.5 Plasmatron cu injecie axial
Figura 7.6 Plasmatron cu injecie radial
135
7.5 Caracterizarea structural, mecanic i la coroziune a

straturilor metalice depuse prin pulverizare termic
Acoperirile prin pulverizare termic sunt mai mult sau mai
puin heterogene, anizotrope, microporoase i conin microfisuri
indiferent de metoda de pulverizare i materialele folosite deoarece
nu se obine o legare complet prin difuzie ntre materialului
pulverizat i cel de baz.
Literatura de specialitate menioneaz c aderarea
particulelor pulverizate are loc, n general, printr-o legare mecanic,
concomitent cu fixarea particulelor pe msura rcirii i contractrii
lor, precum i prin procese de aderen fizic. Legarea prin topire
sau prin difuzie poate fi obinut cu un aliaj de autofuziune sau cu o
acoperire prin pulverizare n vid, atta timp ct se aplic n timpul,
sau dup procesul de pulverizare, un proces de topire sau un
tratament pentru difuzie prin nclzire.
O particularitate comun tuturor acoperirilor realizate prin
pulverizare termic este structura lor granular sau lamelar
rezultat din solidificarea rapid a micilor particule aplatizate prin
ciocnirea cu viteze mari de suprafaa rece a substratului.
n figura 7.7 se prezint structura schematic a unei acoperiri
metalice.
Figura 7.7 Structura stratului depus prin pulverizare termic
136
Mecanismele de fixare la interfaa acoperire/substrat i ntre

particulele care formeaz acoperirea prin pulverizare termic
constituie un domeniu care este nc supus cercetrilor.
n general, se consider acceptabil afirmaia c au loc mai
multe tipuri de mecanisme de legare, cele mai cunoscute fiind:
legarea mecanic;
legarea prin difuzie sau metalurgic, ce are loc ntr-un interval
foarte limitat al grosimilor (maxim 0,5 m cu o zon afectat
termic de 25 m);
alte mecanisme de legare fizic, chimic, adeziv de tipul
filme oxidice, fore Van der Waals etc.
Acoperirile prin fuziune sunt diferite; n cazul acestora
particulele sunt retopite i fixate metalurgic, att pe substrat, ct i
ntre ele.
Calitatea acoperirilor pulverizate este caracterizat prin
structura acoperirii, distribuia i mrimea fazelor, porilor, oxizilor,
incluziunilor de diferite materiale, segregrilor, fisurilor. Acestea sunt
evaluate n micrografii transversale. Aceste variabile sunt greu de
msurat cantitativ, evaluarea realizndu-se prin comparaie cu
diferite serii de acoperiri metalice de referin.
Lotul caracteristicilor externe este format n principal din
neuniformiti, rugozitatea sau textura suprafeei, diferene de
coloraie i aspect. Proprietile acoperirii sunt semnificativ
influenate de prezena fisurilor, exfolierilor, decojirii i a grosimii.
O serie de factori care afecteaz legarea i formarea stratului
depus trebuie avui n vedere la realizarea materialelor noi prin
pulverizare termic:
gradul de curare a suprafeei;
aria suprafeei;
topografia sau profilul suprafeei;
temperatura (energia termic) n timpul procesului - molibdenul i
alte metale refractare au temperaturi de topire foarte ridicate, de
aceea interaciunea dintre particulele de pulbere i substrat va fi
mrit datorit temperaturilor mai nalte implicate i ciclurilor de
rcire mai lungi; de asemenea oxidul de molibden se volatilizeaz;
aluminiul/materiale compozite produce valori ridicate ale reaciei
exotermice datorit reaciilor aluminiului cu metale ca nichel i n
prezena oxigenului rezult oxid de aluminiu; o cretere a aciunii
termice produce creterea gradului de fixare prin difuzie (o
temperatur de prenclzire a substratului mai mare determin
137
creterea activitii de fixare prin difuzie, dar va determina i

creterea condiiilor favorizante pentru oxidarea substratului);
vitezele de reacie i vitezele de rcire (vitezele individuale de
rcire ale particulelor la impact) pot fi de ordinul a 106 0C/s;
interaciunea termic este foarte limitat n timpul pulverizrii
termice, ceea ce este important pentru fixarea prin difuzie,
mecanism dependent de temperatur i timp;
viteza de propulsare (energia cinetic) a particulelor incidente - o
cretere a energiei cinetice i termice creeaz condiii favorabile
mecanismului pentru fixarea metalurgic (trebuie avut n vedere un
ansamblu de factori fizici i termodinamici dintre care se
menioneaz: temperatura, viteza, entalpia, masa, densitatea,
cldura specific); o cretere a energiei cinetice a procesului de
pulverizare termic produce rezisten de fixare mrit datorit
energiei eliberate la impactul cu vitez mare.
proprietile fizice i chimice ale componenilor sistemului - unele
materialele utilizate n tehnologia de pulverizare termic (Mo, W,
Al/metale compozite) produc un proces definit ca autofixare a
acoperirilor; aceste materiale au o aderen mare i se pot fixa pe
substraturi curate i bine lustruite.
Caracteristici ale acoperirilor metalice
Factorii tehnologici determin caracteristicile i calitatea
acoperirilor a cror cunoatere i cuantificare sunt deosebit de
importante pentru executantul i utilizatorul procesului de pulverizare
termic, n vederea stabilirii utilizrii optime a noului material rezultat
n urma acoperirii termice.
Metoda de pulverizare i microstructura acoperirii
influeneaz nivelul de tensiune la formarea stratului depus.
Pulverizarea cu pulbere de combustie are limitri ale grosimii
mai mari dect pulverizarea n plasm. Acoperirile dense sunt mai
tensionate dect cele poroase, iar acoperirile subiri sunt mai
durabile dect cele cu grosime mai mare.
Sistemele care folosesc energie cinetic foarte mare i
energie termic joas pot produce acoperiri cu tensiuni relativ mici
(inexistente) pentru c sunt extrem de dense. Acest fapt se
datoreaz tensiunilor de compresiune n deformaia mecanic n
timpul impactului particulelor, care contracareaz forele de
contracie /de traciune cauzate de solidificare i rcire.
Principalele caracteristici structurale depind de metoda de
prelucrare, de parametrii de pulverizare i se evalueaz prin metode
138
metalografice.
Rezistena la oc termic reprezint rezistena acoperirii la o
variaie rapid a temperaturii ce acioneaz asupra ntregului sistem;
aceasta este prezent cnd acoperirea rezist la un numr definit de
cicluri termice fr producerea de deteriorri semnificative.
n general, acoperirile sunt folosite pentru a conferi unei
suprafee diferite proprieti: rezisten la uzur, rezisten la
coroziune, rezisten la ocuri termice, conductivitate i rezistivitate
electric, proprieti catalitice.
Datorit cantitilor mici de material necesare tehnologiilor de
acoperire metalic, se poate utiliza cu eficien economic un numr
tot mai mare de materiale avansate; proprietile unor asemenea
acoperiri nu pot fi obinute prin nici o alt metod.
La realizarea materialelor noi prin pulverizare termic trebuie
s fie luate n considerare proprietile acoperirilor i nu cele ale
materialului original, deoarece pot fi foarte diferite din punct de
vedere fizic i chimic.
Densitatea unei acoperiri prin pulverizare termic depinde de
structura acesteia, n particular de tipul, mrirea, procentul de pori,
oxizi, de densitatea materialului pulverizat.
Principalele caracteristici ale acoperirilor care influeneaz i
determin aplicaiile specifice sunt: porozitatea, oxidarea, structura
i textura suprafeei, aderena, duritatea.
Porozitatea
Porozitatea este o caracteristic a acoperirilor pulverizate. De
regul, se consider c o porozitate de 1-25% este normal, dar
valoarea sa poate fi mult modificat schimbnd procedeul de
acoperire i materialele.
Porozitatea acoperirilor depuse prin pulverizare termic este
cauzat de:
o valoare sczut a energiei de impact n timpul procesului de
pulverizare, manifestat prin particule netopite sau cu vitez
mic;
prezena efectelor de umbrire generate de particule netopite
i de unghiul de pulverizare;
efecte datorate contraciei i traciunii.
Porozitatea poate avea efecte negative n ceea ce privete
comportarea la coroziune a acoperirii , dar are un caracter benefic n
urmtoarele cazuri:
139
lubrifiere - porii acioneaz ca rezervor pentru lubrifiani;

barier termic;
abraziune;
aplicaii n dispozitive pentru proteze biocompatibile etc.
Oxidarea
Majoritatea procedelor de pulverizare termic se desfoar
n aer sau folosesc aerul pentru atomizare, n timpul pulverizrii
producndu-se interaciuni chimice, de exemplu oxidarea.
Particulele metalice se oxideaz la suprafa formnd un strat de
oxid, fapt evideniat n microstructura acoperirii ca incluziuni oxidice.
Unele materiale, ca titanul, interacioneaz sau absorb alte gaze
cum ar fi hidrogenul sau azotul. Deoarece oxizii sunt mult mai duri
dect metalul, acoperirile cu coninut ridicat de oxizi sunt mai dure i
mai rezistente la uzur.
Prezena oxizilor n acoperiri poate afecta negativ
prelucrabilitatea acestora.
Structura i textura suprafeei
Vitezele de rcire mari ale particulelor (106 0C/s) pot genera
formarea de faze amorfe (metale sticloase) microcristaline i
metastabile.
n general, suprafaa pulverizat este texturat i rugoas;
acoperirile realizate prin pulverizare termic nu prezint suprafee
lucioase i cu grad ridicat de finisare ca cele realizate prin depunere
electrolitic.
Aderena
Rcirea i solidificarea materialelor metalice este nsoit de o
contracie. Aceasta genereaz o solicitare la traciune ntre particule
i o solicitare la contracie n suprafaa substratului. Pe msur ce
crete grosimea stratul depus, crete i solicitarea la traciune.
Grosimea stratului depus influeneaz aderena prin sumarea
forelor de contracie. Astfel, cu ct stratul este mai subire, cu att
aderena este mai bun pentru suprafee plane.
Metoda de pulverizare i microstructura acoperirii
influeneaz nivelul de tensiune la realizarea stratului depus.
Acoperirile dense sunt, n general, mai tensionate dect cele
poroase. Acoperirile au un aspect lamelar al grunilor aplatizai,
140
aezai pe o direcie paralel cu substratul. Structura este

anizotrop.
Duritatea
Duritatea acoperirilor pulverizate poate fi diferit de cea a
materialelor solide sau omogene cu aceeai compoziie chimic; ea
este folosit ca o msur a evalurii calitii.
n figura 7.8 este redat modul de plasare a amprentelor de
duritate (Vickers) n stratul depus prin pulverizare termic i n
substrat.
Figura 7.8 Dispunerea amprentelor la studiul duritii

Caracteristicile microscopice ale straturilor de acoperire
metalice realizate prin pulverizare termic evideniaz structuri
lamelare poroase cu incluziuni nemetalice, att la acoperirea
realizat cu pulberea tip METCO 451 (Ni-Cr-Al) figura 7.9, ct i la
acoperirea tip METCO 81VF (carburi de Cr, Ni-Cr) figura 7.10.
Figura 7.9 Structura depunerii cu pulbere de tip METCO 451
141
Figura 7.10 Structura depunerii cu pulbere de tip METCO 81 FV
Pe fondul structural nu s-au decelat microfisuri, fapt ce atest

o calitate corespunztoare a acoperirii piesei metalice realizat cu o
tehnologie nou de pulverizare termic.
Grosimea stratului depus prin pulverizare termic are valori
diferite i anume:
ntre 150 i 320 m pentru METCO 451;
ntre 10 i 25 m pentru METCO 81VF.
Duritile zonelor piesei metalice (MB i MA) au valorile
maxime i minime prezentate n tabelul 7.1. De asemenea, n acest
tabel s-au inserat i valorile estimatorului de durificare structural
local D HVa sau D HRCa calculat pe zona de acoperire cu relaia:
HVMAX (HRCMAX ) HVMIN (HRCMIN )

HVa ( HRCa ) = % (7.1)
HVMIN (HRCMIN )
n care: HVmax sau HRCmax este duritatea maxim HV sau HRC pe

zona de acoperire, HVmin sau HRCmin este duritatea minim HV sau
HRC pe aceeai zon de acoperire investigat.
Se observ o durificare local mare de 69% la acoperirea cu
pulberi metalice tip METCO 451.
7.6 Modelul analitic pentru simularea fluxului de caldur
la pulverizarea cu plasm
Numeroase modele au fost dezvoltate pentru simularea
fluxului de cldur care trece prin variate tipuri de materiale
compozite sau alte materiale poroase. Atenia este focalizat pe cele
dou faze ale sistemului, n cea de a doua faza formndu-se
142
structura poroas. Fiecare model al sistemului trebuie s in seama

de distribuia aleatoare a porilor, de rezistena de contact i de
structurile stabile.
Tabelul 7.1 Valori ale duritii la acoperirea cu pulberi metalice
Duritatea HV (HRC)
Metal de baz Metal de acoperire

(MB) (MA) D HVa
(D
Tipul mbinrii HRCa)
[%]
Valoare Valoare Valoare Valoare
maxim minim maxim minim
Pies metalic
acoperit cu pulbere 195 165 1324 781 69
metalic tip METCO
451
Pies metalic
acoperit cu pulbere 197 165
(43) (39) (12)
metalic tip METCO (20) (16)
81VF
Multe modele au fost dezvoltate pentru pulverizarea cu

plasm a straturilor sau a altor sisteme de straturi care se consider
a fi formate dintr-o matrice de lamele solide care au contacte foarte
mici ntre ele. Literatura de specialitate consider c dou fluxuri
independente de cldur pot s apar ntr-un asemenea sistem:
unul ctre zonele de contact care introduc o rezisten termic, iar
cellalt ctre pori.
Rezistena termic a lamelelor i oxidarea zonelor de contact
a fost luat n considerare n multe modele, n timp ce fluxul termic
prin pori a fost ignorat.
n continuare se va prezenta un model analitic simplu destinat
determinrii conductivitii termice a straturilor cu o structur n dou
faze, care se consider a fi reprezentativ pentru pentru depunerea
prin pulverizare termic cu plasm, cu i fr contribuii radiante.
143
7.6.1 Modelarea transferului cldurii

Geometria porilor
Deoarece microstructurile TBC (Thermal barrier coating)
obinute prin pulverizare cu plasm sunt n principal formate din
picturi care apar cu frecven mare, cu un contact relativ scazut
ntre picturi (bule) - figura 7.11, a fost realizat un model care
contine o structur ordonat de lamele, separate de pori, cu puni
ntre ele.
Pentru a explora influena parametrilor geometrici
determinani, porii din straturile succesive s-au presupus a avea o
structur ordonat, fie o distribuie n trepte - figura 7.12.
Lamelele n sine pot ncorpora diferite incluziuni
heterogene, precum porii echiaxiali sau crpturi verticale, precum i
zonele de la limitele structurii. Acestea ar afecta conductibilitatea
termic medie a lamelelor, care astfel ar fi diferit de cea a
materialelor solide de baz.
Figura 7.11 Structura straturilor de zirconiu cu 7% yttria depuse prin

pulverizare cu plasm (a) i (b) dup un tratament termic (15 h la 1300C)
Figura 7.12 Model de structuri periodice lamelare, artnd

configuraii ale porilor aliniate (a) i in trepte (b).
144
Au fost explorate dou tipuri de structuri, corespunzatoare

distribuiilor de porozitate deschise sau nchise (figura 7.13).
Figura 7.13 Model de unitate celular, pentru porozitate deschis

(deasupra - puni izolate) i porozitate nchis (dedesubt), prezentnd
vedere n perspectiv (a) si seciuni verticale (b).
Suprafeele de deasupra i de dedesubt ale unitii celulare

sunt luate ca plan de simetrie al particulelor nvecinate , iar porii de
mijloc ai unitii celulare reprezint zonele interparticule.
Ambele cazuri sunt caracterizate de ase parametri (patru
geometrici i doi fizici). Parametrii geometrici sunt nlimea (Lv) i
grosimea (Lh) a unitii celulei, grosimea porului (dv), i distana
interpunte (sau interpor) (d).
Sunt doua conductibilitati, k0, a materialului lamelar i kp, a
porului. Aceste conductibiliti nu sunt doar ale materialului care
ocupa regiunile vizate, ci ar putea ncorpora contribuii radiative ale
gazului din pori. n aceast ipotez, efectul dimensiunii porilor
influenaz conductibilitatea termic dac mediul de liber trecere
molecular este asemntor ca mrime cu acetia sau este mai
mare.
Conductibilitatea termic normalizat a materialului ca
ntreg (keff/k0) este o funcie de numai trei parametri geometrici
145
(zona normalizat a punii [1-d/Lh]; distana normalizat interpunte

Lh/ Lv; i nlimea normalizat a punii dv / Lv i un parametru fizic -
conductibilitatea termic normalizat a porului kp/k0.
n scopul unei mai fluente prezentri a modelului matematic
se va prezenta, n continuare, semnificaia mrimilor fizice i
geometrice care apar n relaiile de calcul tabelul 7.2.
Tabelul 7.2 Semnificaia mrimilor fizice i gometrice
Simbol Unitatea de Semnificaia
msur
m-1 coeficient de extincie
m-1 coeficient de difuzie
m-1 coeficient de absorbie
m drumul liber al moleculelor de gaz
m adncimea de penetrare
SB Wm-2 K-4 constanta lui Boltzmann
B PamK-1 constant
c Jm-3 K-1 volumul specific de cldur
dv m grosimea porilor
d m ungimea porilor ntre puni
fp volumul porozitilor dintre picturile
depuse
k Wm-1 K-1 conductivitatea termic local ntr-o
unitate de studiu
k0 Wm-1 K-1 conductivitatea total a lamelelor
k1, k2 Wm-1 K-1 conductivitate a dou zone din
modelul TFR
kbr Wm-1 K-1 conductivitatea efectiv a punilor
kp Wm-1 K-1 conductivitatea total a porilor
krad Wm-1 K-1 conductivitatea radiant
Kg Wm-1 K-1 conductivitatea la coliziune a gazului
din pori (cu dimesiunea <-)
k 0g Wm-1 K-1 conductivitatea gazului la coliziune
keff Wm-1 K-1 conductivitatea efectiv a
materialului
Lv m nlimea unei celule de studiu
Lh m limea unei celule de studiu
n indice de refracie
P Pa presiunea gazului
146
S m2 aria de contact n modelul TFR

Sbr m2 aria seciunii prin punte
Stot m2 aria total transversal a unei celule
T K temperatura
Tu K temperature prii superioare a
celulei
Td K temperature prii inferioare a celulei
x, y, z m coordonate locale
Ipoteze fizice
Fluxul de caldur din fiecare constituent poate fi mprit n
dou pri: conductivitatea convenional a a fononului printr-un solid
policristalin (sau conductivitatea de ciocnire n gaz) i transferul
cldurii radiative printr-un material translucid. Nu exist electroni
liberi n constitueni care s fie luai n considerare.
Conductivitatea fononului n constituent solid
Conductivitatea termic a zirconului dens yttria-stabilizat a
fost msurat la temperaturi nalte , ca o funcie a structurii cristalului
i a concentraiei dopanilor stabilizatori.
Efectul nivelului dopant al conductivitii este destul de
puternic. Studiul se refer la zirconiul cu structur tetragonal,
stabilizat parial de 8% yttria. Pentru acest material, conductivitatea
termica depinde puin de temperatur peste nivelul de interes i are
o valoare de aproximativ 2.25 W m K .
Conductivitatea molecular de coliziune prin gazul din
pori.
Gazul din pori poate, de asemenea, s conduc cldura.
Deoarece grosimea porului, dv, este comparabila cu drumul
mediu de liber trecere al moleculelor ntr-un gaz tipic la presiune
atmosferic ( ~ 100 nm), convecia poate fi neglijat, i
conductivitatea termic a gazului, kg, poate fi estimat folosind o
expresie analitic simpl :
k 0g
kg = (7.2)
1 + B T / (dv P)
147
unde semnificaia simbolurilor este cea prezentat n tabelul 7.2, iar

valoarea constantei B este de 2.5 10 5 Pa m K pentru aer.
Exist expresii analitice disponibile pentru kg ca funcie a
temperaturii dar, n practic, variaiile semnificative sunt comune i
datele experimentale ar trebui folosite.
De exemplu, figura 7.4,a prezint valorile msurate pentru kg
al aerului mpreun cu valorile calculate ale kg pentru diferite grosimi
ale porilor i presiuni ale gazului. Se observa c i grosimea porilor
i presiunea gazului au efecte semnificative asupra conductivitii
porilor ca i temperatura.
Uzual, experimentele referitoare la determinarea
conductivitii termice au loc de obicei fie la 1,013 kPa sau sub
aceast presiune, caz n care, conductibilitatea porilor va fi
apreciabil mai mic. Mai mult, msurtorile sunt fcute la
temperatura mediului ambiant , care are ca efect reducerea
conductivitii porilor. De exemplu, la T=300K si p=1,013 kPa
conductivitatea aerului este 8 10 5 W m K . Aceasta valoare a
fost folosit pentru modelul cazurilor de temperatura scazuta (fr
contribuie radiativ).
Transferul termic radiativ
n funcie de temperatur, transferul termic radiativ poate fi
semnificativ la gaze i mai puin in solide. Dac adncimea radiaiei
de penetrare este mult mai mare decat grosimea lamelar, atunci
porii devin centri activi de dispersare precum i limite de granulaie.
Abordarea convenional a simulrii contribuiei radiative la
transferul termic n asemenea materiale este s introduc o
conductibilitate radiativ care este aditiv celei efective conform
expresiei:
16 n2
k rad SB T 3 (7,3)
3
unde: SB este constanta Stefan- Boltzamann i n este indicele de

refracie.
Parametrul =+ este un coeficient de extincie format din
coeficienii de dispersie () i absorbie ().
Dispersia tinde s domine n materialele TBC tipice (zirconiul
i alumina) , astfel nct .
148
Figura 7.14 Influena temperaturii asupra conductivitii termice

a porilor la diferite grosimi i presiuni
Utiliznd aceast formulare, dispersia radiativ uniforma este

asumat i orice dependena de lungimea de und sau efectele de
grani sunt neglijate. Este o exprimare comun a comportamentului
149
n funcie de adncimea penetraiei, dat de:

1
= (7.4)

care este o distan caracteristic de descompunere, sub care
intensitatea radiaiei va scade cu un factor 1/e. Cu toate acestea,
trebuie menionat c, pot fi numeroase evenimente de dispersie,
astfel inct mare parte din radiaia dispersat va penetra, de fapt,
mai adnc n material: Este de remarcat faptul ca relaia 7.3 poate fi
folosit pentru contribuii radiative n constituentul solid i n pori.
Adncimea de penetrare a TBC-urilor este de ateptat s fie
mai joas dect cea pentru bioxid de zirconiu sinterizat, care a fost
stabilit la aproximativ 50 m. Valorile adecvate ale pentru
acoperirea de protecie prin pulverizare cu plasm a bioxidului de
zirconiu sunt de ordinul a 10 m. Folosind aceste cifre, contribuiile
conductive i radiative ale conductibilitatii efective a porilor, ca o
funcie a temperaturii, sunt prezentate n figura 7.14,b pentru o
grosime a porilor de 0,1 m i o presiune a gazului de 0,101 MPa.
Se poate observa c, contribuiile radiative la conductibilitatea porilor
ncep s devin eseniale pentru temperaturi de peste 1000K.
Pentru o temperatur reprezentativ ridicat de 1500 K, valoarea lui
k rad este de aproximativ 0.05 W m K . Acesta ar putea crete cu
un factor de 5 dac adncimea de penetrare ar creste de la 10 la 50
m, iar contribuia conductivitii ar crete cu un factor de ~2 dac
presiunea gazului ar crete la 4,053MPa. Dac grosimea porilor s-ar
dubla, contribuia conductivitii ar crete cu aproximativ 10 pn la
20%. Deoarece este puin probabil ca n s varieze foarte mult,
sensibilitatea la acest parametru nu este de un interes ridicat.
7.6.2 Modelul numeric tridimensional
Alctuirea structurii i aproximarea diferenelor finite

Modelul de baz se compune dintr-o structur aliniat, iar
aranjamentul elementelor celulelor este de tip paralelipiped. Volumul
de materie coninut n modelul de studiu ncorporeaz n structura lui
principalele carcateristici ale microstructurii. Dimensiunile
aproximative ale formei sunt: grosimea-2m, iar puntea de legtur
ntre componente este 4-8 m. S-a considerat o form
tridimensional de tip cartezian cu spaii uniforme n interior, iar
150
modelul cuprinde cte 100 de asemene elemente pe fiecare direcie,

ajungndu-se la totalul de 106. Distribuia unei temperaturi constante
s-a reuit prin realizarea unui transfer de cldur conform relaiei:
T
c = div(kgradT) (7.5)
t
Influena temperaturii asupra conductivitii termice, k a
fost neglijat, excepie fcnd valorile corespunztoare celei mai
sczute temperaturi (~300 K) i celei mai ridicate temperaturi
(~1500 K). S-a considerat important influena factorilor geometrici
i a microstructurii.
Condiii iniiale
S-au considerat temperaturi la limita superioar a modulului
de lucru T(x, y, 0) = Tu i la cea inferioar T(x, y, Lv) = Td, n ipoteza
c nu exist posibilitatea unui schimb de cldur ntre celule i nici
n jurul lor:
T T
= =0 (7.6)
x lateral y lateral
Iniial, a fost distribuit aceeai temperatur asupra

elementelor modulului de lucru, ea fiind egal cu 0,5(Tu + Td).
Principalii parametri geometrici care configureaz dispunerea
elementelor modulului de lucru sunt: grosimea zonelor plate (Lv-dv),
raportul dintre suprafaa punii i suprafaa total a elementului plat
( Sbr/Stot), grosimea zonei dintre pori (dv), volumul porilor (fp), care
determin fracionarea punilor (Lh).
Elementele specifice pentru modelul prezentat sunt:
materialul bioxid de zirconiu pulverizat cu plasm, grosimea
stratului depus: 2 m, grosimea zonelor dintre pori a fost
determinat prin metode microscopice la 0,2 m, volumul
(procentual) porilor 3%, iar relaia care pune n legtur toate
aceste elemente este:
Sbr L f
= 1 v p (7.7)
Stot dv
n practic, suprafaa punilor de legtur i spaiile din
151
interiorul acestor suprafee pot varia n limite foarte largi, ca o

consecin a efectelor de sinterizare care apar ulterior. innd
seama de aceste elemente practice, se poate considera c
parametrii iniiali au variaii cuprinse ntre 10-30% sau, concret, ntre
5 i 10 m.
Efecte presupuse i geometria porilor
Comparaia ntre conductivitatea unei structuri cu puni izolate
(cu porozitate nchis) i cea caracterizat prin pori izolai (cu
porozitate deschis) la o valoare dat a ariei de contact este
prezentat n figura 7.15,a, n condiiile unei energii radiante
neglijabile (T~300 K).
Se observ o uoar descretere a conductivitii n cazul
porozitii nchise, la o valoare a raportului ariilor de 0,4, dup care
valorile sumt sensibil egale. In aceste condiii, atenia se ndreapt
ctre determinrile corespunztoare porozitii deschise care se
presupune c modeleaz cel mai bine structura straturilor depuse
prin pulverizare cu plasm.
n figura 7.15,b, este prezintat efectul energiei radiante care
se poate lua n considerare de la temperaturi T~1500 K. Aceasta
acioneaz n sensul creterii conductivitii, astfel c la o valoare a
raportului ariilor de 0,2-0,3 se obine o cretere a conductivitii cu
20-30%.
Influena microstructurii este prezentat n figura 7.16,
evideniindu-se avantajele unei structuri aliniate fa de una decalat
i faptul c introducerea unei componente radiante conduce la valori
mai sczute ale conductivitii generale.
Figura 7.15 Determinarea conductivitii termice efective n funcie

de geometria porilor (a) i de prezena energiei radiante (b)
152
Figura 7.16 Variaia conductivitii termice efective n funcie

de distana dintre puni i de orientarea acestora
7.6.3 Modelul analitic al zonelor cu doua fluxuri (TFR)

Formularea modelului
Pentru formularea modelului s-a considerat c ansamblul de
baz este divizat n dou zone, aa cum se poate observa din
figura7.17.
n prima zon, care include puntea de legtur, transferul de
cldur este de ateptat s se fac doar prin materialul solid. Astfel,
n aceast zon, valoarea conductivitii depinde numai de aria S. A
doua zon cuprinde dou straturi de material solid avnd ntre ele un
strat de pori. Se menioneaz c nu se cunosc dinainte dimensiunile
acestor zone, ele putnd fi deduse prin maximizarea conductanei
ansamblului studiat. Se presupune c fluxurile din cele dou regiuni
sunt independente i relaionate cu conductivitatea efectiv conform
relaiei 7.8:
S S S
. k eff (S) = k1(S) + tot k2 (7.8)
S tot S tot
unde: k1(S) i k2 reprezint conductivitile celor dou zone.

Condiia cerut poate fi exprimat astfel:
k eff = max k eff (S) (7.9)
S{Sbr ,Stot }
153
Pentru a putea calcula valoarea efectiv a conductivitii, keff,

trebuie determinat valoarea k1 ca o funcie de mrime a zonei S, iar
k2 se determin independent de zona S, conform relaiei:
1
d 1 d 1
k 2 = 1 v + v (7.10)

Lv k0 Lv kp
Conductivitatea total a zonei de contact k1 conine doi
termeni, dintre care primul reprezint conductivitatea efectiv a
punii (relaia 7.11), iar cel de al doilea reprezint conductivitatea
efectiv a zonei care fie primete fluxul de la punte sau emite un flux
ctre aceasta. Acesta este definit de obicei prin rezistena de contact
a unei puni cu grosime foarte mic, ceea ce presupune d~Lh , iar
modelul matematic este dat de relaia 7.12.
S
k br = br k 0
S (7.11)
1
L2h
k res = k0 1 + (7,12)
2(L d)L
h v
Figura 7.17 Configuraia modelului TFR
n cazul unei zone de contact de dimensiuni mari (d<<Lh),

relaia devine:
1
d3/2 ( 2Lh d)
3/2
k res = k 0 1 + 3/2 (7.13)

2 (Lh d) LhL v

154
Interpolarea relaiilor (7.12) i (7.13) conduce la expresia

rezistenei de contact ca funcie de suprafaa zonei i cea a punii:
1
3/2
S Sbr S
k res (S) = k 0 1 + (7.14)
2 1 + 2S / S S L v S1/2
br br

Rezult n continuare:
1
d 1 dv S
k1(S) = 1 v + (7.15)

L v k res (S) L v Sbr k 0
n aceste condiii, ecuaia (7.9) poate fi rezolvat, maximul
obinndu-se fie la o valoare parial a ariei punii sau la valoarea
total a acesteia (Sbr=Stot), condiii prezentate i n figura 7.18.
Figura 7.18 Conductivitatea efectiv n funcie de raportul S/Stot
Studiu comparativ cu datele din alte modele

Rezultatele experimentale prezentate sintetic n figura 7.19 se
refer la aplicarea modelului numeric, la aplicarea modelului cu dou
zone de flux (TFR) i la alte dou modele preluate din literatura de
specialitate i care nu iau n calcul energia radiant: I T.J.Lu, J.W.
Hutchinson, Thermal Conductivity and Expansion of Cross-Ply
Composites with Matrix Cracks, J.Mech.Phys;Solids, vol.43, 1995, p.
1175-1198; II R.McPherson, A Review of Microstructure and
155
Properties of Plasma Sprayed Ceramics Coatings, Surf.Coat.

Technol., Vol. 39/40, 1989, p. 173-181; III D.M. Zhu and R.A.
Miller, Sintering and Creep Behavior of Plasma-Sprayed Zirconia
and Hafnia- Based Thermal Barrier Coatings, Surf. Coat. Technol.,
Vol.109, 1998, p.114-120).
Din analiza datelor prezentate n figura 7.19, se poate
observa c ambele modele cel numeric i cel cu dou fluxuri dau
valori apropiate la aceleai condiii experimente, n timp ce, fa de
alte modele luate n considerare, datorit particularizrilor i
aproximrilor, diferenele sunt mari.
Fig.7.19 Studiul conductivitii efective dup diferite modele
156
Modelele de tip analitic i numeric au fost utilizate pentru

simularea propagrii fluxului de cldur prin interiorul structurilor cu
dou componente: straturi solide separate de puni subiri n care se
gsesc incluziuni de gaz. n aceste fluxuri de cldur, din
interaciunea fonomilor cu electronii rezult variaii ale conductivitii
termice.
Modelul analitic TFR reprezint un instrument preios pentru
determinarea caracteristicilor stratului pulverizat, acoperind o gam
larg de condiii de lucru, dar i innd seama de microstructura
specific.
Contribuia transferului de cldur asupra conductivitii
stratului s-a constatat c devine important pentru valori ale
temperaturii mai mari de 1300 - 1500K i depinde de ariile punilor.
Presiunea ridicat a gazului n pori reuete s creasc
valoarea conductivitii n pori, n mod particular la temperaturi
nalte. n opoziie, conductivitatea termic este sczut la presiuni
sczute ale gazului n pori.
7.7 Controlul condiiilor de pulverizare cu plasm

Analiza acestui proces constituie o provocare deoarece, orice
studiu referitor la procesarea cu plasm este foarte dificil datorit
multitudinii de variabile implicate, cum ar fi: temperaturile i gradienii
de temperatur extrem de mari dezvoltai de plasm, instabilitatea
debitului de plasm, variaia vitezei i a temperaturii particulelor
pulverizate (n special la impactul cu materialul de baz). De
asemenea, calitatea stratului depus depinde nu numai de
temperatura particulelor i de viteza acestora, dar i de poziia i
geometria electrodului i de geometria plasmatronului.
Controlul tuturor acestor parametri presupune existena unor
noi posibiliti de diagnoz, n special pentru analiza particulelor n
timpul pulverizrii.
7.7.1 Monitorizarea particulelor n timpul pulverizrii
Un studiu complet i propune pentru nceput, s analizeze
evoluia unei singure particule n zbor, asociind instabilitatea
acesteia cu fluctuaiile plasmei la la micarea ciclic a arcului de
baz pe suprafaa anodului. S-a dovedit c instabilitatea particulelor
afecteaz structura i eficiena depunerii stratului.
157
Pentru aceste programe de cercetare, s-au utilizat dispozitive

optice speciale, capabile s detecteze un numr ct mai mare de
caracteristici ale particulei.
n acest sens, s-au conceput dou tipuri de senzori,
amndou capabile s analizeze radiaia termic emis de
particulele din jet.
Primul dintre senzori, cunoscut sub numele de DPV-2000,
poate detecta fiecare particul cu temperatura, viteza i diametrul ei
- figura 7.20.
Cap de msurare Particul
Fibr optic
Msurarea volumului
Lentile
Fantele mtii optice
Figura 7.20 Schema bloc a capului de msurare DPV-2000 utilizat

pentru determinarea temperaturii, vitezei i
diametrului particulelor pulverizate cu plasm
Radiaia termic captat de capul de msurare este

transmis instalaiei de msurare prin intermediul fibrei optice. Capul
de msurare are posibilitatea deplasrii dup dou direcii, x i y,
putnd astfel s baleieze dup dou direcii jetul pulverizat.
Cnd o particul traverseaz cmpul vizual al senzorului,
imaginea sa apare pe fanta dubl montat pe duza fibrei optice.
Radiaia este sesizat de doi fotodetectori (D1 i D2) i este
separat n dou lungimi de und distincte. Dou maxime sunt
nregistrate n fiecare detector atunci cnd o particul se afl n zona
de msurare.
Temperatura particulei este calculat ca raport al
158
semnalelor detectate la cele dou lungimi de und, presupunnd o

comportare de corp gri.
Distana dintre cele dou fante ale mtii optice i
grosismentul lentilei fiind cunoscute, viteza particulei se determin
prin nregistrarea timpului n care o particul parcurge spaiul dintre
cele dou fante.
Diametrul relativ al particulei analizate este calculat pornind
de la valoarea maxim a lungimii de und detectate la msurarea
temperaturii particulei. Acest sistem este utilizat pentru optimizarea
straturilor depuse.
In ultima vreme, sistemul a fost utilizat pentru investigarea
influenei variaiei parametrilor plasmei asupra unei particule aflate n
jet. Fluctuaiile plasmei rezult din micarea arcului de baz pe
suprafaa anodului, micare dirijat de forele hidrodinamice i
electromagnetice care acioneaz asupra arcului. Astfel, aa
numitele reaprinderi ale arcului permit o destul de mare deplasare
longitudinal a bazei arcului, conducnd la la importante fluctuaii de
tensiune, n condiiile n care intensitatea curentului este constant.
n figura 7.21 este prezentat variaia tensiunii cnd arcul de
plasm lucreaz n regim de reaprindere (intensitatea de lucru 550A
i un debit de hidrogen de 10 l/min). Semnalul este cvasi periodic cu
o frecven fundamental de 4,4 KHz (o perioad de aproximativ
225 s).
Pentru a avea timpul necesar de msurare a caracteristicilor
particulei, s-a utilizat o reglare n timp a semnalului achiziionat de
DPV-2000. Cnd tensiunea crete la un anumit nivel (nivelul de
declanare), un circuit special genereaz un puls dup un anumit
timp de ntrziere. Acest puls este utilizat pentru a sincroniza
semnalul achiziionat de DPV-2000. Zona de captare a semnalului
este de 20 s. Astfel, sistemul de analiz este pregtit s primeasc
semnalul i, dac o particul se gsete n zona de lucru a
senzorului, n intervalul de 20 s, atunci i se determin temperatura,
viteza i diametrul.
Achiziia de date continu pn ce s-au analizat aproximativ
300 de particule. Apoi, timpul de ntrziere se schimb pentru a
achiziiona un nou set de date.
n cazul n care se studiaz particule de alumin cu
dimensiuni aproximativ uniforme ( 30 5 m) la 50 mm fa de
suprafaa frontal a plasmatronului, se obin rezultatele prezentate n
figura 7.22,a i b.
159
Tensiune
Figura 7.21 Variaia tensiunii nregistrat la arcul de plasm
Fluctuaiile parametrilor plasmei determin nu numai variaii

ale temperaturii i vitezei acestora, dar i ale numrului de particule
care se afl n zona de lucru la un anume moment dat, ceea ce se
poate observa n figura 7.23. Aceasta indic faptul c o parte din
particulele injectate n jetul de plasm, n anumite momente, nu
sunt
accelerate corespunztor pentru a avea parametrii necesari
depunerii pe materialul suport. Pentru a putea nregistra particulele
calde de cele reci, se utilizeaz o diod laser care va ilumina
particulele din zona de lucru. n aceast situaie, un fotodetector D1
va nregistra lungimile de und de 830 nm, iar detectorul D2 pe cele
de 995 nm. n acest mod este posibil s se deosebeasc particulele
calde de cele reci.
160
temperatura particulei
a)
Viteza particulei
b)
Figura 7.22 Dependena temperaturii (a) i a vitezei (b)
de timpul de ntrziere
161
Debitul de particule
Timpul de ntrziere
Figura 7.23 Dependena debitului de particule
de timpul de ntrziere
ntr-adevr, particula rece va genera dou maxime numai n

detectorul D1, iar radiaia termic (nedetectabil) va fi captat de
detectorul D2. n opoziie, radiaia termic emis de o particul
cald va produce semnal n ambii detectori. Avnd acest montaj,
viteza i procentul de particule reci vor putea fi msurate cnd dioda
laser funcioneaz, iar cnd aceasta nu funcioneaz se msoar toi
parametrii particulelor calde.
viteza
Figura 7.24 Variaia vitezei particulelor calde i reci la

pulverizarea aluminei
162
n figura 7.24 se poate vedea variaia vitezei pentru ambele

tipuri de particule existente n zona pulverizat. Apar diferene att n
ceea ce privete numrul de particule aflate n zona de lucru, dar i
n ceea ce privete viteza.
Aa cum era de ateptat, viteza particulelor reci este mai
sczut dect a celor calde. Explicaia acestui fenomen se
regsete n faptul c trecerea particulelor reci n jetul de plasm
se face cnd entalpia i viteza gazului de lucru este minim, astfel i
transferul de cldur ctre particulele ce tranziteaz zona este
minim.
Dac la acest prim senzor prezentat (DPV-2000) msurarea
parametrilor se face pentru fiecare particul, mai exist o metod
care permite aprecierea global a parametrilor materialului pulverizat
(senzorul Accuraspray).
Uzura electrodului, corelat cu timpul de lucru poate conduce
la modificri majore ale temperaturii i vitezei particulelor cu urmri
asupra structurii i a eficienei depunerii stratului.
Astzi, nu este posibil s se stabileasc cu acuratee influena
uzurii electrodului asupra particulelor din jetul pulverizat, astfel nct
operatorul s poat stabili cnd este necesar s se schimbe
electrodul.
n acest context, utilizarea de senzori n zona de pulverizare ,
permite operatorului s regleze caracteristicile jetului pulverizat
astfel nct s se menin aceeai temperatur i vitez a
particulelor, sau s ia decizia de schimbare a electrodului.
n aceste condiii, utilizarea unor senzori in zona materialului
pulverizat este de importan deosebit pentru a face procesul ct
mai riguros. Astfel de senzori sunt uor de utilizat, relativ ieftini i
ofer suficiente informaii pentru a putea regla parametrii jetului
pulverizat, realizndu-se astfel o bucl feedback.
Un sistem care rspunde acestor cerine este cel denumit
Accuraspray i este compus din calculator, camera CCD, o unitate
de procesare cu semnal analogic i un sistem optic de detecie
format din lentile, dou filtre optice, filtre i fotodetectori, figura 7.25.
Radiaia termic emis de particulele din jet este focalizat pe
dou fibre optice al cror diametru este de 40 mm. Volumul de
msurare pentru fiecare fibr optic este de 3x3x20 mm3
(grosismentul lentilei fiind de 7,5 ) i este situat n mijlocul jetului de
particule. n condiii normale, densitatea particulelor n jet este de la
5 la 50 particule/cm3 la distan normal. Aceste condiii conduc la
163
vizualizarea dela 1 la 10 particule simultan pentru fiecare fibr. n

figura 7.26,a este prezentat un exemplu de semnal detectat de
fiecare detector. Trecerea unei singure particule prin cmpul vizual
al unei fibre optice d natere n cadrul unei caracteristici lumin-
puls a unor maxime care se pot observa n figur.
Figura 7.25 Schema sistemului de msurare a temperaturii i

vitezei particulelor din jet
Msurarea temperaturii medii a particulelor se obine prin

intermediul a dou pirometre, dup ce s-a luat n calcul intensitatea
fluctuaiilor trecerii particulelor pentru fiecare detector.
Msurarea vitezei se obine evalund timpul mediu de
trecere a particulelor din cmpul vizual al detectorului D2 n cel al
detectorului D1. Aa cum se vede n figura 7a, multe particule sunt
detectate nti de D2 i ulterior de D1.
Figura 7.26,b prezint factorul de corelaie n funcie de timpul
de ntrziere () calculat cu ajutorul semnalelor din figura 7.26,a.
Corelarea este maxim cnd timpul de ntrziere () corespunde
timpului mediu de tranzit al particulelor. Viteza medie a particulelor
jetului este calculat tiind distana dintre fibre i grosismentul
lentilei.
Orientarea particulelor n raport cu axa jetului de plasm
precum i limea i intensitate sunt evaluate prin intermediul
camerei CCD. Cele dou camere de supraveghere i sistemul optic
164
sunt montate rigid ntr-o singur unitate de detectare.

Utilizarea acestui tip de senzor este mult mai eficient
(raportat la senzorul DPV-2000) deoarece timpul de rspuns este
mult mai mic. Aceasta datorit faptului c, simultan, sunt analizate
sute de particule, iar n cazul unui debit ridicat de material pulverizat,
analiza unei singure particule nu este necesar.
Monitorizarea fenomenelor este util pentru a pune n
eviden neconcordanele i pentru a ajusta parametrii de proces.
Amplitudine (V)
timp
Factor de corelare
timp
Figura 7.26 Exemple de semnale colectate de cei doi detectori
165
7.7.2 Studiul particulelor la impactul cu substratul
Fenomenul de solidificare a materialului pulverizat pe un

substrat este un fenomen complex, dificil de studiat deoarece durata
impactului este de ordinul a 1 s, iar viteza de rcire a particulelor
variaz ntre 106 i 108 K/s. Metodele de simulare numerice care s-
au dezvoltat au ca scop o mai bun nelegere a acestui fernomen
tranzitoriu. De exemplu, modelul dezvoltat de Madejski se refer la
raportul de netezire ( raportul dintre diametrul final al particulei d i
diametrul inial al picturii) n funcie de numrul lui Reynold (Re),
dependent la rndul su de viteza v, densitatea i vscozitatea a
particulelor activate.
Cele mai recente studii se refer la influena temperaturii
substratului asupra fenomenului de netezire i solidificare. S-a artat
c, la temperauri nalte ale substratului ( 300-400C), particulele
aflate n jetul pulverizat tind s formeze discuri cu profil concav
care, la temperatura de referin a stratului de baz tind s se
sparg n numeroase particule de form neregulat.
n figura 7.27 este prezentat un model experimental destinat
monitorizrii particulelor de impact pe substraturi transparente sau
opace. Pe lng componentele tradiionale prezentate n literatura
de specialitate, modelul are, n plus, un detector D4 plasat n spatele
substratului, n scopul de a detecta radiaiile termice emise la
impactul particulelor cu aceeai lungime de und ca i cele
nregistrate la detectorul D2. Un senzor constituit din lentile
acromatice, fibr optic i o masc optic plasat n vrful fibrei
optice colecteaz radiaiile de pe suprafaa frontal a substratului.
Unghiul dintre axa optic a senzorului i suprafaa substratului este
de 30. Radiaiile colectate sunt direcionate ctre o zon de
comand unde se afl trei detectori care separ trei lungimi de und
diferite. Detectorii D1 i D2, filtreaz de la 1000 i 790 nm, respectiv
radiaiile emise la impactul particulelor. Temperatura particulelor
este determinat de raportul intensitilor nregistrate la detectorii D1
i D2 (pirometru cu dou culori). Al treilea detector D3 filtreaz
lungimile de und de 830 nm cu o diod laser utilizat la iluminarea
zonei de impact. O masc optic ataat la captul fibrei optice,
format din trei diafragme transparente, nregistreaz radiaiile
rezultate la impactul particulelor n micare cu materialul de baz i
este prezentat n figura 7.28.
166
Un al doilea senzor, compus din lentile i fibre optice,

colecteaz radiaiile termice emise de particule la impactul cu partea
Figura 7.27 Schema montajului experimental destinat monitorizrii

particulelor la impactul cu un substrat transparent
din spate a substratului (numai n cazul materialelor de baz

transparente). Unghiul dintre axa optic a acestui senzor i
suprafaa substratului este de 60. Radiaiile receptate sunt
transmise unui al patrulea detector D4, care filtreaz radiaii cu
aceeai lungime de und ca i detectorul D2 ( 790 nm).
Figura7.28 Detaliu al senzorului utilizat la msurarea

volumului particulelor
167
Pentru a monitoriza impactul particulelor, jetul de plasm

baleiaz suprafaa din faa modelului experimental. Un foarte mic
procent din pulbere se ntmpl s nu elibereze nici o particul n
zona de lucru (sau una singur) la o trecere a jetului.
Figura 7.29 ilustreaz cmpul vizual al senzorului aflat n
zona frontala substratului. O particul, nainte de a ajunge pe
substrat, este nregistrat de trei ori nainte de impactul cu
substratul. Aceasta este nregistrat la trecerea prin cele dou fante
n poziiile b i c.
De asemenea, temperatura particulei, viteza i diametrul
acesteia pot fi detectate i cu sistemul DPV-2000 descris anterior.
Cnd particula ajunge n poziia f, se aplatizeaz, iar
cantitatea de radiaii crete pe msur ce suprafaa acestora crete
(prin aplatizare). Evoluia termic a suprafeei particulelor (gradul de
rcire) este obinut din raportul intensitii radiaiilor nregistrate la
detectorii D1 i D2.
Figura 7.29 Traseul particulelor n cmpul vizual al sistemului optic
Fasciculul laser lumineaz complet zona observat prin cea

de treia fant a mtii optice. Cnd nu exist nici o particul n zon,
intensitatea nregistrat de D3 este maxim. Evoluia dimensional a
particulelor este obinut din atenuarea n timp a semnalului la D3.
168
Dac particulele se aplatizeaz, suprafaa lor crete i

recepteaz un flux luminos mai puternic, ceea ce duce la atenuarea
semnalului D3.
Informaii referitoare la evoluia formei la impactul particulelor
sunt obinute din raportul semnalelor la D2 i D4. ntr-adevr, dac
doi detectori filtreaz aceeai lungime de und (790 nm) i vd
acceai particul din diferite unghuri ( 30 i 60 pentru D2 i
respectiv D4) , raportul D2/D4 depinde numai de actuala form a
particulei. Cnd particula se afl naintea impactului (n aer),
detectorii D2 i D4 o observ simultan (poziia e din figura 7.29). n
acest moment, particula are o form sferic, deci aria particulei este
aceeai la ambii detectori. n momentul urmtor, particula ia forma
unui disc, iar raportul D2/D4 descrete cu un factor egal cu 0,58
(sin30/ sin60).
Gradientul de temperatur din ntreaga mas de particule
influeneaz, de asemenea, raportul D2/D4 deoarece intensitatea
radiaiei termice depinde de temperatura suprafeei emitente.
7.7.3 Optimizarea nanostraturilor pulverizate
Studiul straturilor din materiale nanostructurate depuse prin

pulverizare este o provocare. Temperatura maxim a plasmei poate
ajunge la 20000 C. Din cauza temperaturii nalte, asociat cu
pulverizarea cu plasm, procesul este utilizat n ntreaga lume
pentru pulverizarea materialelor ceramice care au, de regul, puncte
de topire nalte. Pentru materialele nanostructurate este foarte
important s i menin o parte din nanostructura preexistent a
materiei prime pentru a produce straturi nanostructurate. Particulele
nanostructurate sunt n ntregime topite n timpul pulverizrii, iar
structura lor este distrus, astfel nct stratul depus va avea
caracteristicile unui material convenional. Cu toate acestea, datorit
lipsei de plasticitate a materialelor ceramice, este necesar existena
ctorva procente de material topit capabil s creeze condiiile fizice
pentru coeziunea particulelor din stratul depus. n consecin,
controlnd procentul particulelor integral topite sau semitopite
ncorporate n microstructura stratului este posibil s se realizeze un
strat nanostructurat cu noi proprieti termice.
Datorit caracteristicilor descrise anterior, diagnosticarea unei
particule aflate n jetul pulverizat permite monitorizarea temperaturii,
a vitezei i a diametrului particulelor din jetul de plasm.
169
O astfel de abordare este utilizat pentru producia de straturi

nanostructurate din titan prin pulverizare cu plasm.
Un strat nanostructurat din titan a fost depus pe baza
diagnosticrii cu DPV-2000 i au fost selectate dou seturi de
parametri corespunztoare temperaturii celei mai nalte i,
respectiv, celei mai joase.
n figura 7.30 este prezentat structura unui asemenea strat
n seciune transversal.
Figura 7.30 Morfologia unei materii prime

nanostructurate pe baz de titan
Un numr redus de particule nu au putut fi depuse prin

pulverizare termic datorit masei lor sczute, ceea ce conduce la o
inerie sczut. Acestea nu au nivelul necesar de inerie pentru a se
menine n zona activ a jetului, sunt trimise ctre periferia acestuia
(jetului) i nu se vor depune pe substrat. Pentru a depi acest
170
inconvenient, particulele microscopice sunt, de obicei, realizate sub

forma unor aglomerri uscate de paricule de dimensiuni nanometrice
(vezi figura 7.30,a i b).
Pulverizarea cu plasm la amestecuri nanometrice utiliznd
fie temperaturile nalte, fie pe cele joase conduce la formarea (n
raporturi diferite) a unor amestecuri topite sau semitopite. Astfel, o
fraciune din particule vor fi depozitate pe substrat pentru a produce
acoperirea dorit, iar particulele cu alt grad de topire vor fi regsite
n microstructura stratului. Dac se ia ca referin punctul de topire
al titanului (1855 C), se pot considera particulele care au
temperatura aproape de aceast valoare ca fiind parial topite, iar
cele care au temperatura peste aceast valoare ca integral topite.
La analiza a 3000 de particule dintr-un jet aflat la distana de
10 cm de stratul de baz, media vitezei particulelor pentru joas i
nalt temperatur este de 24543 m/s i respectiv 327143 m/s, iar
media temperaturii a fost de 2065270 C, respectiv 2551308 C.
Deoarece controlul temperaturii particulelor este foarte
important la pulverizarea cu plasm, s-a realizat distribuia
temperaturilor globale n cele dou situaii: temperaturi sczute
figura 7.31, respectiv ridicate figura 7.32.
Temperatura medie
2065270C
Temperatura particulei
Temperatura de
topire a TiO2
(1855C)
Diametrul particulei
Figura 7.31 Dependena temperaturii particulei de diametru,

pentru temperaturi sczute
171
Aa cum s-a menionat deja, particulele aflate n zona

punctului de topire sunt parial topite.
Dac se dorete o estimare mai reprezentativ s-a apreciat
procentul particulelor cu diverse temperaturi n raport cu volumul
total de material pulverizat. n consecin, se remarc faptul c, la
temperaturi ridicate, procentul de particule topite este de 87%, n
timp ce procentul celor semitopite este de 46%.
Pentru a studia duritatea stratului s-a utilizat ncercarea
Vickers cu 5,5 daN timp de 15 secunde. Amprenta a fost poziionat
la mijlocul grosimii stratului, cu o diagonal a penetratorului paralel
cu suprafaa substratului. n figurile 7.33,a i b se prezint forma
amprentei i fisurile cu direciile lor de propagare ( fisura orizontal
este paralel cu suprafaa substratului).
Temperatura medie
2551308C
Temperatura particulei
Temperatura de
topire a TiO2
(1855C)
Diametrul particulei
Figura 7.32 Dependena temperaturii particulei de diametru,

pentru temperaturi ridicate
Valoarea medie a fisurilor paralele cu suprafaa substratului

(la temperaturi sczute, respectiv nalte) este 21918 m i 67831
m. Prin urmare, stratul nanostructurat de titan, depus prin
pulverizare cu plasm la temperaturi joase, care are cel mai sczut
procentaj (n volum) de particule cu temperaturi mai mari ca punctul
172
de topire al titanului (46%), dovedesc o rezisten mult mai mare la

exfoliere dup ncercare.
b
Figura 7.33 Studiul duritii Vickers la straturile nanostructurate de titan,
pentru temperaturi joase (a) i pentru temperaturi ridicate (b)
Este interesant de observat c microstructura stratificat a

depunerii este mai uor de observat la straturile depuse la
temperaturi ridicate (figura 7.34,a), fa de cele aferente
temperaturilor joase (figura 7.34,b) .
Eficiena depunerii este n concordan cu rezultatele
prezentate n figurile 7.31 i 7.32 sau cu cele din figura 7.34. Astfel
la temperaturi joase, randamentul este de 40%, n timp ce pentru
temperaturi ridicate este de 67%.
173
Figura 7.34 Structura stratului nanostructurat de titan depus la

temperaturi joase (a) cu evidenierea structurii iniiale (b)
n figura 7.34 este posibil de asemenea s se observe i o

parte din nanostructura original care s-a pstrat i n microstructura
stratului depus.
174
Capitolul 8
PRELUCRAREA MICROSTRATURILOR PRIN
ELECTROEROZIUNE ASISTAT CU ULTRASUNETE
Asistarea procedeului de prelucrare prin electroeroziune

(Electrodischarge Machining EDM) cu vibraiile de frecven
ultrasonic (US) ale electrodului-scul (EDM+US), normale pe
suprafaa prelucrat are aplicabilitate la prelucrarea microstraturilor,
prin prelevarea vrfurilor microgeometriei i reducerea astfel, a
rugozitii suprafeei prelucrate. EDM+US asigur de asemenea,
reducerea uzurii volumetrice relative - implicit, creterea preciziei
prelucrrii, esenial la prelucrrile finale ale proceselor tehnologice -
dar i creterea spectaculoas a productivitii prelucrrii.
n condiiile de instabilitate a procesului de prelevare a
materialului microstraturilor (microprelucrri, superfinisare) datorit
interstiiului de prelucrare foarte redus, s-a urmrit creterea
productivitii prin mbuntirea evacurii produselor rezultate din
procesul EDM apelndu-se la: creterea presiunii de injecie,
aspiraia lichidului dielectric, rotirea electrozilor i pieselor, fiecare
dintre aceste metode avnd anumite dezavantaje. n unele cazuri,
tehnologiile menionate au condus la mbuntirea calitii
suprafeei prelucrate, ns productivitatea prelucrrii nu a nregistrat
o cretere semnificativ.
Asistarea cu ultrasunete a prelucrrii microstraturilor prin
EDM - caracterizat prin instabilitate - este justificabil, prin aceea
c se pot obine creteri spectaculoase de productivitate i reduceri
substaniale ale uzurii volumetrice relative i rugozitii suprafeei
prelucrate. La degroare, procesul are o bun stabilitate, iar efectul
microjeturilor cumulative produs de cavitaia indus ultrasonic este
mai puin evident n interiorul unui interstiiu de prelucrare de mrime
mai mare.
175
8.2 Fenomene specifice la prelucrarea prin electroeroziune

asistat de ultrasunete a microstraturilor
8.2.1 Fenomene gazo-hidrodinamice i influena lor

asupra mecanismului de prelevare
Procesul de prelevare a materialului la prelucrarea prin

electroeroziune are un caracter predominant termic. Cu toate
acestea, el este influenat de fenomene gazo-hidro-dinamice a cror
analiz este fundamental pentru clarificarea mecanismului de
prelevare la finisarea EDM+US.
Presiunea n interiorul bulei de gaz (pib), care se dezvolt n
jurul canalului de plasm produs n timpul descrcrii electroerozive,
este parametrul care influeneaz n mod decisiv fenomenele
termice de topire, evaporare i fierbere ale materialului de prelucrat.
Dezvoltarea bulei de gaz cuprinde patru faze (figura 8.1):
(a) faza de iniializare, caracterizat de presiuni (pib) foarte
mari datorit forelor mari de inerie ale lichidului dielectric, care se
opun dezvoltrii bulei;
(b) faza de dezvoltare a bulei n care pib scade treptat ca
urmare a creterii volumului bulei;
(c) faza intermediar de scdere brusc a pib datorat
ncheierii descrcrii EDM;
(d) faza final de implozie n care are loc o cretere mare a pib
ca rezultat al comprimrii adiabatice a gazului i destinderii elastice
a acestuia.
Valorile pib raportate de diveri cercettori au o oarecare
variaie n funcie de condiiile experimentale specifice. Astfel, n faza
(a), pib este de circa 5 MPa, conform Kremer sau pib=4,5 MPa, dup
Isuzugawa. n acest moment, presiunea dinamic a plasmei crete
pn 100 MPa (conform Eckman i Williams, 1960, Eubank s. a.,
1989) datorit vecintii cu lichidul dielectric care mpiedic
dezvoltarea canalului de plasm. Datorit valorilor foarte mari ale pib,
temperatura de evaporare crete foarte mult, confirmndu-se
ipoteza lansat de Williams i Zolotych care arat c la timpi mai
mici de 1s, prelevarea materialului este rezultatul aciunii forelor
electrostatice.
Dup ncheierea timpului de impuls (ti), masa de metal
supranclzit n timpul descrcrii la o temperatur cu 200300o C,
176
mai mare dect cea de fierbere, fierbe instantaneu datorit scderii

brute a pib, acest mod de prelevare fiind cel preponderent la EDM
clasic, conform Van Dijck i Snoeys.
8
7
d
6
a
5
pib [MPa]
4
b
3
1
c
timp [s]
0
0,1 5 10 1000
Figura 8.1 Variaia presiunii n interiorul bulei de gaz

pentru un timp de impuls de 10 s
O alt caracteristic a procesului EDM clasic este faptul c

durata de via a bulei (tb) este de ordinul ms fa de aceea a
descrcrii electroerozive propriu-zise (ti) de numai zeci de s -
dup Kremer, Van Dijck, Snoeys, Mitskevitch i Fujita - datele
experimentale cele mai recente fiind obinute cu camere de filmare
rapid cu frecven de cel puin 6x104 cadre/s.
Acest fenomen determin resolidificarea materialului topit n
timpul descrcrii astfel c forele hidraulice care intervin dup
implozia bulei nu mai realizeaz prelevarea. Din acest motiv, numai
circa 10% din cantitatea de material topit este ndeprtat n
procesul EDM conform Van Dijck i Snoeys. Aa cum se va arta n
continuare, randamentul EDM se poate mbunti spectaculos cu
ajutorul vibraiilor ultrasonice longitudinale ale electrodului prin
prelevarea unei mari cantiti suplimentare de material topit.
Descrcrile EDM au caracter migratoriu i sunt localizate la
distane relativ mici n zonele n care interstiiul frontal (sF) sau cel
lateral (sL) are valoare optim pentru scnteiere sau pe o suprafa
geometric elementar n cazul n care suprafaa frontal a
electrodului este alctuit din suprafee diferite de acest tip, conform
Kojima. Avnd n vedere c timpul de impuls (ti) << timpul de
177
dezvoltare a bulei (tb), exist o probabilitate mare ca o descrcare s

aib loc n cavitatea gazoas produs de descrcarea precedent.
Astfel, studiul descrcrilor EDM n mediu gazos devine
deosebit de important privind clarificarea mecanismului de prelevare
(mai ales n semiperioada de ntindere n care bulele de gaz se
dezvolt datorit presiunii negative din interstiiul de prelucrare).
Dezvoltarea canalului de plasm n interiorul bulei de gaz se
produce deosebit de rapid (forele de inerie fiind mult mai reduse
dect cele hidraulice), determinnd prelucrarea cu densiti mici de
curent n canalul de plasm cu influen pozitiv asupra procesului
EDM de finisare.
Contactul nemijlocit dintre plasm i lichidul dielectric produce
alte bule de gaz conform lui Mitskevitch (particulele prelevate n
timpul descrcrii genereaz bule elipsoidale, dup Fujita) care au o
dezvoltare similar celei rezultate n urma unei descrcri EDM n
lichid.
n faza (d), se dezvolt presiunile cele mai mari, pib=7 MPa
conform lui Isuzugawa sau chiar 10 MPa, dup I. Anton. Avnd n
vedere c suprafaa ocupat de bul pe suprafaa frontal a
electrodului este de ordinul mm2, rezult c valorile maxime ale
presiunii n fazele (a) i (d) produc fore de ordinul zecilor de N.
Valorile menionate mai sus sunt caracteristice unor regimuri de
degroare i sunt n concordan cu cele determinate experimental.
Evoluia bulei are un caracter ciclic cu observaia c vrfurile
de presiune se amortizeaz n timp.
Caracterul puternic tranzitoriu al fenomenelor gazo-hidraulice
cu o dinamic foarte mare reprezint o alt caracteristic important
a procesului EDM. Viteza de deplasare a peretelui cavitii gazoase
format n jurul canalului de plasm este de pn la 1500 m/s
potrivit lui Isuzugawa (superioar vitezei de propagare a sunetului n
mediul respectiv), provocnd o und de oc la nceputul descrcrii
i n faza de implozie. ntre cele dou faze menionate, viteza este
subsonic ceea ce face ca presiunea din interiorul bulei s nu fie
echilibrat de presiunea exterioar acesteia (peb). Valoarea peb
influeneaz ns puternic evoluia bulei determinnd dezvoltarea
acesteia dac peb < pib sau implozia acesteia dac peb > pib.
178
8.2.2 Fenomene electroerozive n condiiile

asistrii cu ultrasunete
Oscilaia ultrasonic a electrodului-scul la prelucrarea

electroeroziv are anumite restricii legate de valoarea amplitudinii
oscilaiei. Dac se consider un sistem de referin fix toy (legat de
maina EDM) - figura 8.2 atunci, n vederea evitrii fenomenelor de
scurt-circuit n timpul procesului EDM, se impune condiia de
stabilitate a procesului.
Figura 8.2 Fenomene specifice la finisarea electroeroziv

asistat de ultrasunete
Totui condiia ca prelucrarea electroeroziv asistat de

ultrasunete s posede avantajele scontate legate de eficien i
calitate a suprafeei prelucrate este ca n interstiiul de prelucrare s
fie indus cavitaia ultrasonic, fenomen care este strns legat de
presiunea acustic creat (pac), care se calculeaz conform lui
Kavtaradze, cu relaia:
pac = 2 fUS A cs [Pa] (8.1)
unde: fUS este frecvena oscilaiei ultrasonice a electrodului pe

direcia y (figura 8.2.) [Hz]; - densitatea lichidului de lucru [kg/m3];
cs - viteza sunetului n lichidul de lucru [m/s].
S-a demonstrat experimental c, i la valori reduse ale
amplitudinii A (de ordinul m), n cazul lichidelor dielectrice utilizate
la EDM, presiunea acustic creat depete presiunea critic (pcav)
179
necesar producerii fenomenului de cavitaie.

Modelarea procesului EDM asistat de vibraia longitudinal
ultrasonor a electrodului pune n eviden fenomene specifice
corespunztoare valorilor elongaiei y (vezi figura 8.2). Perioada
de oscilaie (TUS) este mprit n dou semiperioade n care se
manifest fenomene de capilaritate: o prima perioad n care are loc
compresiunea lichidului i o a doua n care se produce ntinderea
acestuia.
Micorarea interstiiului frontal sf din prima semiperioad
favorizeaz producerea descrcrilor inter-electrozi. Acestea pot fi
mprite n dou categorii i anume cele care se produc n primul
sfert de perioad 0-1 i cele care se produc n al doilea sfert 1-2.
Cele din intervalul 0-1 se produc n condiiile n care exist nc bule
de gaz n interstiiul de prelucrare provenite din descrcrile i
fenomenele hidraulice produse n perioada anterioar (TUS), bule
care se dizolv progresiv pe msura compresiunii lichidului din
primul sfert de perioad (fenomen remarcat de Kavtaradze i
Lipceanski). Existena bulelor n interstiiu contribuie la micorarea
forelor de inerie din cadrul lichidului, dup cum s-a artat n
subcapitolul precedent. Aceasta are un efect pozitiv asupra
rugozitii obinute, energia descrcrii repartizndu-se pe o
suprafa mai mare datorit dezvoltrii rapide a canalului de plasm
i rezultnd astfel, cratere mai puin adnci (plate).
Reducerea rezistenei electrice (scderea tensiunii din
interstiiu) n intervalul 0-1 sub valoarea de referin poate determina
producerea unor comenzi de retragere a capului de lucru pentru a
restabili valoarea interstiiului optim (sopt) dac acest moment
coincide cu unul de testare a tensiunii din interstiiu sau a timpului de
ntrziere la amorsare. Frecvenele ultrasonice cele mai utilizate sunt
cele de 20 kHz i 40 kHz ca urmare a utilizrii transductorilor piezo-
ceramici (PZT), cu aceste frecvene proprii (f0). Rezult deci c
valorile TUS/4 pot fi: 6,25 i 12,5 s. n general, mainile de
electroeroziune posed un timp de rspuns al sistemului de avans t
(definit ca ntrzierea dintre comanda i execuia acesteia) de
ordinul ms, ceea ce face ca reacia sistemului tehnologic s nu se
produc n timp util n cadrul unui sfert de perioad sau chiar unei
perioade. De aceea, valoarea interstiiului frontal (sf) n timpul
procesului de prelucrare este determinat n general, numai de
valoarea elongaiei y.
Descrcrile produse n al doilea sfert al perioadei 1-2 au loc
180
n condiiile unui mediu de lucru de omogenitate maxim datorit

dizolvrii bulelor de gaz aflate n interstiiu, caz n care forele de
inerie ale lichidului au valori mari, ceea ce determin densiti mari
de curent datorit dezvoltrii mai dificile a seciunii canalului de
plasm.
A doua semiperioad a oscilaiei, de ntindere a lichidului din
interstiiu se caracterizeaz prin creterea ponderii fenomenelor
cavitaionale n cadrul procesului EDM+US.
Bulele de gaz din jurul germenilor cavitaionali, avnd iniial,
raze Ro, se dezvolt ncepnd cu punctul 3 (figura 8.2) odat cu
scderea presiunii care devine negativ datorit elongaiei negative
(y) i ca urmare a fenomenelor de capilaritate. Dezvoltarea bulelor
de gaz pe durata tb este un proces tranzitoriu cu dinamic foarte
mare i are loc att timp ct presiunea exterioar (peb), din lichidul
nconjurtor nu depete presiunea din interiorul bulelor (pib).
n prima parte a procesului de dezvoltare (tlm), au loc i
fenomene secundare de luminiscen dup depirea punctului 4 de
elongaie minim y, acestea ating o raz maxim (Rmax)
corespunztoare punctului 5, urmat de implozie datorit creterii
presiunii. Zona 6-8 este denumit zona microjeturilor cumulative
datorit efectului cumulat produs de implozia bulelor din interstiiu. n
acest interval, ca urmare a valorilor foarte mari ale presiunii i vitezei
create de microjeturi, se elimin toate produsele de eroziune din
interstiiul de prelucrare.
Pe parcursul semiperioadei de ntindere, comportarea celor
dou tipuri de impulsuri, comandate i de relaxare poate fi diferit.
n cazul impulsurilor comandate, tensiunea de amorsare (ui)
este constant i are valoare mai mare dect n cazul impulsurilor de
relaxare. Pe unele sisteme tehnologice, s-a determinat experimental
o tensiune de mers n gol de circa 20 V la impulsurile de relaxare
fa de 60, 80V sau peste 100 V, la impulsurile comandate.
Rezistena electric (R) a spaiului interelectrozi se modific
datorit creterii interstiiului (sF), care acioneaz n sensul creterii
lui R. Totodat ea scade odat cu creterea gradului de contaminare
a mediului de lucru ca urmare a producerii descrcrilor electrice.
ntruct valoarea interstiiului maxim (smax):
smax = sopt + A [m] (8.2)
sufer o modificare de ordinul m, egal cu valoarea amplitudinii (A)
181
fa de valoarea optim (sopt), descrcrile pot avea loc cu o

oarecare ntrziere (crete timpul de ntrziere la amorsare, td)
numai dac gradul de contaminare al interstiiului nu determin
reducerea rezistenei R.
n cazul impulsurilor de relaxare, tensiunea de strpungere
este dat de relaia:
u (t) = E (1 - e-t / (RC)) [V] (8.3)
unde: E este tensiunea sursei de putere [V]; t timpul [s]; R -

rezistena din cadrul circuitului []; C - capacitatea condensatorului
[F].
Se observ c la selectarea unei capaciti C de valoare
redus este posibil ca u s aib o valoare inferioar celei necesare
pentru strpungerea mediului dielectric inter-electrozi. n consecin,
anumite intervale de timp din cadrul semiperioadei vor constitui timpi
de pauz (t0) datorit creterii interstiiului, fenomen care poate
determina scderea productivitii comparativ cu aceea obinut cu
impulsuri comandate.
Descrcrile produse n intervalul 2-5 se produc n condiiile
unei contaminri a interstiiului de prelucrare. Bulele de gaz cresc
rapid, atingnd dimensiuni de ordinul mm. n aceste condiii, exist o
probabilitate mare ca descrcrile electroerozive s fie amorsate n
mediu gazos. Astfel, procesul EDM se desfoar cu densiti mici
de curent n canalul de plasm, acesta dezvoltndu-se rapid n
cavitile gazoase preexistente ca urmare a faptului c forele care
se opun dezvoltrii sunt mult mai reduse dect n lichid. Dei n
aceast semiperioad, interstiiul sF este mai mare, timpul de
ntrziere la amorsare a descrcrilor (td) se poate reduce datorit
conductivitii crescute a mediului format din vapori de dielectric i
metal prelevat. Aceasta determin prelucrarea cu energii de
descrcare mici n cazul folosirii impulsurilor de relaxare. Factorii
menionai contribuie la mbuntirea procesului de finisare
electroeroziv.
ntruct semiperioada (perioada) este de ordinul s, este
posibil prelucrarea fr splare n interstiiu deoarece la sfritul
fiecrui ciclu de oscilaie, se elimin complet produsele de eroziune
de ctre microjeturile cumulative. Astfel, sunt evitate problemele
tehnologice legate de orificiul de injecie (n pies sau electrod), care
creeaz imposibilitatea prelucrrii n aceast zon.
182
mbuntiri ale procesului legate de productivitate i calitate

superioar au fost raportate att de Smon (Charmilles) ct i de
firma Sodick n condiiile prelucrrii cu densiti mici de curent n
canalul de plasm ca urmare a producerii contaminrii interstiiului.
Sodick utilizeaz chiar suspensie conductiv n lichidul dielectric cu
rolul de a produce descrcri cu energie sczut ntre particulele
conductive i suprafaa de prelucrat precum i pentru a scdea
rezistena dielectricului, mbuntind astfel, rugozitatea.
Acest tip de proces contribuie i la creterea suprafeelor care
pot fi superfinisate prin diminuarea efectului de condensator, care se
manifest la utilizarea impulsurilor de relaxare precum i prin
creterea interstiiului ca urmare a scderii rezistenei electrice a
mediului de lucru.
Prelucrarea cu timp de impuls (ti) de valoare mic este
impus nu numai de scderea nivelului energetic al descrcrii ci i
de valoarea redus a perioadei de oscilaie ultrasonore a
electrodului (TUS), de 25 s i 50 s n cazul utilizrii frecvenelor de
40 kHz i respectiv 20kHz.
n scopul eficientizrii procesului EDM+US, dup cum va fi
prezentat ulterior, este necesar ca numrul descrcrilor s fie
maxim n perioada TUS.
La prelucrrile de finisare cu timp de impuls mai mare de 1s,
se poate aplica modelul propus de Van Dijck i Snoeys, conform
cruia ponderea prelevrii materialului este rezultatul fierberii
metalului topit n timpul descrcrii, care este nclzit cu 200...300
o
C peste temperatura de fierbere la presiunea ambiental. Aceast
fierbere se produce numai la sfritul impulsului ndat ce presiunea
din bula de gaz scade instantaneu. Numai cel mult 10% din masa de
metal topit se ndeprteaz deoarece bula de gaz format n jurul
canalului de plasm colapseaz dup un timp relativ mare de la
terminarea impulsului cnd metalul topit din crater este resolidificat,
fr ca forele hidraulice s poat preleva materialul. La un timp de
impuls ti = 10 s i o presiune peb = 0,1 MPa, bula colapseaz dup
circa 180 s. Timpul de implozie () este mai mic de 1 s, efectul
eroziv al imploziei fiind echivalent cu o descrcare de finisare
(superfinisare).
Productivitatea mai mare a prelucrrii de finisare EDM+US
comparativ cu aceea nregistrat la EDM clasic poate fi pus pe
seama faptului c datorit fenomenelor de cavitaie ultrasonice
determinate de creterea presiunii n faza 5-6 (figura 8.2), bulele de
183
gaz formate n cea de a doua semiperioad colapseaz la cel mult

15...20 s de la ncheierea impulsului, iar cele rezultate n urma
descrcrilor din prima semiperioad, la un timp dublu de ordinul
zecilor de s. Acest fenomen creeaz posibilitatea ca la apariia
microjeturilor cumulative din faza 6-8, metalul topit n urma
descrcrii s se mai afle nc n stare lichid ceea ce permite
prelevarea lui ca urmare a presiunilor mari hidraulice declanate de
fenomenele cavitaionale. n aceste condiii, stratul de material
resolidificat se reduce foarte mult, crescnd rezistena la oboseal a
pieselor astfel prelucrate de circa 26 ori, conform Kremer. Mai
mult, datorit interstiiului redus, microjeturile sunt orientate paralel
cu suprafaa prelucrat i ca urmare, se preleveaz microvrfurile
care au rezisten la forfecare mai mic, realizndu-se totodat
reducerea rugozitii suprafeei prelucrate.
Modelarea asistat de calculator a procesului cu ajutorul
metodei elementelor finite pe diverse microgeometrii de suprafee
prelucrate a evideniat faptul c izoterma de topire la o descrcare
singular (corespunztoare procesului EDM+US) determin un
volum de circa 45 ori mai mare comparativ cu izoterma de fierbere
(aferent procesului EDM clasic).
Rezultatele obinute sunt n acord cu datele experimentale
referitoare la creterile de productivitate datorate asistrii cu
ultrasunete a procesului de finisare EDM dup cum va fi prezentat n
continuare.
8.2.3 Fenomene cavitaionale induse ultrasonic
Anterior, a fost prezentat un model al producerii fenomenelor

electroerozive la finisarea EDM+US n funcie de anumite valori ale
elongaiei y (figura 8.2). S-a artat, fr s se insiste asupra
fenomenelor cavitaionale specifice, c prelevarea ultrasonic a
particulelor din interstiiu i din craterul n care se afl material n
stare lichid, topit n urma descrcrilor din perioada TUS, se
realizeaz la finalul perioadei de oscilaie n faza microjeturilor
cumulative 6-8.
n acest ultim interval de timp, are loc implozia bulelor
dezvoltndu-se presiuni i viteze foarte mari datorit efectului
cumulat al surprii numrului mare de bule, de ordinul milioanelor
(conform Frederick) din interstiiul de prelucrare.
184
Desigur, fenomenul de cavitaie se poate produce i n urma

unei descrcri EDM clasice, dar bula de gaz astfel format
colapseaz dup un timp relativ mare de la ncheierea impulsului de
curent (cnd cantitatea de metal n stare lichid era maxim), ceea
ce are drept consecin resolidificarea cantitii de metal topit, forele
hidraulice dezvoltate nereuind astfel s preleveze materialul.
Condiii pentru producerea cavitaiei la asistarea cu

ultrasunete a electroeroziunii
Procesul generrii fenomenului cavitaional indus utrasonic

(CIUS), respectiv formarea bulelor cavitaionale, al dezvoltrii i
surprii acestora, difer fundamental de alte fenomene cavitaionale
care se produc n echipamentele hidromecanice i de aceea, este
dificil stabilirea unor relaii de similitudine cu acestea (conform I.
Anton). n vederea producerii CIUS, este necesar ndeplinirea unei
serii de condiii care vor fi analizate n continuare.
n cazul existenei unor nuclee de cavitaie pentru
producerea bulelor cavitaionale, respectiv vaporizarea lichidului n
jurul nucleului, este suficient ca presiunea s scad sub presiunea
de vaporizare (pv) spre deosebire de cazul lichidelor cu puritate
nalt, care pot prelua eforturi de ntindere foarte mari. De exemplu
n cazul apei la 15 oC, presiunea pv, este de 1,738 xl0-3 MPa , iar n
cazul apei pure, efortul admisibil la ntindere este de aproximativ 1,4
MPa (dup D. Ionescu).
Este foarte dificil de stabilit limita presiunii acustice de la care
se produce fenomenul de cavitaie, pragul de cavitaie (pcav)
deoarece acesta depinde de condiiile concrete legate de mrimea
presiunii hidrostatice, natura, vscozitatea, densitatea i temperatura
lichidului, dar mai ales de puritatea acestuia, respectiv de existena
germenilor de cavitaie. De aceea, datele experimentale obinute de
diveri autori variaz foarte mult. Esche a gsit c la 20 kHz
presiunea acustic trebuie s fie mai mare de 0,02... 0,316 MPa
(domeniu critic).
n cadrul cercetrilor experimentale efectuate de autori, s-a
obinut cavitaie utiliznd oscilaii ultrasonore longitudinale ale
electrodului-scul EDM cu frecvena de 20 kHz, la o amplitudine de
1...2 m, n ulei neemulsionabil P3 (lichidul dielectric autohton cel
mai frecvent utilizat) cu densitate =840 Kg/m3 i presiune
hidrostatic 0,1 MPa (1 atm). Presiunea acustic maxim (pac)
185
creat n aceste condiii a fost de 0,15...0,3MPa, calculat conform

relaiei (8.1).
-2.5
-2
-1.5 ntinderea
lichidului
-1
peb [MPa]
y [m]
-0.5 0 10 20 30 40 50
timp
0 microjeturi
compresiunea cumulative [s]
0.5 lichidului
1
y
1.5
peb
2
Figura 8.3 Fenomene cavitaionale induse ultrasonic
Formarea i dezvoltarea cavitilor are loc n a doua

semiperioad (figura 8.3) n care presiunea acustic creat (pac) are
valoare negativ ca i presiunea hidrostatic total (pht).
Presiunea pht este egal cu presiunea din exteriorul bulei
(peb) i se calculeaz conform relaiei:
peb= pac sin t + ph [MPa] (8.4)
unde:
= 2fUS [s-1] (8.5)
i ph este presiunea hidrostatic n interstiiul de prelucrare [MPa].

n condiiile experimentale menionate mai sus, variaiile
elongaiei (y) i presiunii peb, calculat cu relaia (8.4) n timpul unei
perioade de oscilaie TUS= 50 s sunt prezentate n figura 8.3.
Lichidul din interstiiul inter-electrozi de dimensiuni mai mici
de 0,01 mm este supus unor eforturi de ntindere datorit
fenomenelor de capilaritate. La aceste valori ale interstiiului de
prelucrare, bulele de gaz coninute n lichid (germeni de cavitaie) au
dimensiuni de ordinul m. Holl, Keller, Gupta i Van Den Meulen
consider c nucleele de cavitaie i au originea n principal n
aceste bule de dimensiuni foarte mici denumite i nuclee de curent
186
(dup Holl), spre a le diferenia de nucleele de suprafa ce provin

din volumele mici de gaze captate n microfisuri.
Dezvoltarea acestora i producerea CIUS are un pronunat
caracter statistic depinznd de frecvena oscilaiilor ultraacustice (fus)
i de raza iniial (R0) a bulelor. Bulele de dimensiuni mici au o rat
de cretere ridicat ceea ce permite atingerea unei dimensiuni
relativ mari (raportul Rm / R0, este mare , Rm fiind raza maxim)
ntr-un timp scurt, respectiv n cadrul unei semiperioade Tus/2. Ele
ajung la o stare de instabilitate atunci cnd presiunea n lichidul
nconjurtor ncepe s creasc, producndu-se astfel implozia.
Dac dimpotriv, raza iniiala (R0) a bulei este mai mare,
atunci rata ei de cretere este lent. Dimensiunile mari ale bulei
sunt determinate de o presiune intern mai mare (cantitate mai mare
de gaze) aceasta putnd fi superioar sau apropiat de presiunea
extern creat, limitnd raza final la surpare. n acest caz, gazele
din interiorul bulei se comport ca un amortizor al oculul creat n
momentul colapsului (conform Anton i Frederick).
Se poate stabili frecvena proprie a bulei (f0) n funcie de raza
acesteia conform formulei lui Minnaet:
1 3 2
f0 = ( ph + )
2R0 R0 R0
[Hz] (8.6)
unde: este raportul cldurilor specifice la presiune i volum
constant (exponent adiabatic) al gazului coninut; - densitatea
lichidului nconjurator [kg/m3]; ph - presiunea hidrostatic [Pa]; -
tensiunea superficial a lichidului [N/m].
Frecvenele fUS situate sub frecvena proprie (f0) a bulei de
raz Ro conduc la cavitaie, n timp ce frecvenele superioare lui fo
determin o tendin de cretere a volumului bulei nsoit de o
micare oscilatorie. Nucleele cu raze mai mici de 10-2 mm (cazul
interstiiului de prelucrare EDM) au frecvene proprii superioare celor
mai utilizate frecvene ultrasonice de 20 kHz i 40 kHz (conform
Frederick), deci pot constitui nuclee de cavitaie.
Inducerea cavitaiei se poate produce i prin introducerea
radiaiilor ionizante, care formeaz nuclee de cavitaie ( conform
Sette i Seitz). Descrcrile produse n semiperioada 2-5 (figura
8.2) cnd presiunea a sczut sub limita de vaporizare pv, pot
transfera energia lor termic unor molecule nvecinate din lichidul de
lucru, care, aglomerndu-se, formeaz microcaviti gazoase, care
187
constituie germeni de cavitaie. ntruct presiunea creat n faza

microjeturilor cumulative crete odat cu numrul de nuclee, rezult
c n cazul n care, n semiperioada 2-7 (figura 8.2), se produc
descrcri electroerozive frecvente dependente datorit creterii
conductivitii mediului de lucru (cresc gradul de contaminare al
interstiiului i probabilitatea producerii descrcrilor n mediu
gazos), intensitatea fenomenului cavitaional crete i implicit
productivitatea prelucrrii. Acest fenomen este amplificat de
scderea temperaturii de vaporizare (fierbere) a materialului de
prelucrat la reducerea presiunii peb din interstiiu n semiperioada de
ntindere (figura 8.3).
Legat de condiiile necesare producerii cavitaiei, este
necesar analiza influenei altor doi parametri fizici ai lichidului de
lucru: densitatea i vscozitatea acestuia.
Densitatea () se manifest sub forma forelor de inerie
(proporionale cu ), care se opun dezvoltrii bulei de gaz n
intervalul 2-5 (figura 8.2). Valoarea mare a densitii
compenseaz ns acest fenomen prin efectul puternic produs la
momentul imploziei. Acesta este proporional i cu valoarea tensiunii
superficiale (). Totui tendina general este de a utiliza lichide cu o
densitate mai mic.
Vscozitatea () ridicat mpiedic dezvoltarea bulelor nainte
de implozie prin rezistena opus bulelor de gaz de a se deplasa n
procesul de colectare a altor bule difuzate n lichid. Frederick indic
pentru un lichid cu vscozitate 2,2...3x10-6 m2/s (cazul dielectricului
P3) la temperatur de lucru de 40 oC, un prag de cavitaie pcav 0,27
MPa. Aa cum am menionat i mai sus, uleiul neemulsionabil P3,
folosit pe scar larg la prelucrrile EDM, ndeplinete condiiile
pentru producerea CIUS i prin prisma celor doi parametri i .
Cavitaia nu se produce n semiperioada 0-2 (figura 8.2),
datorit valorii ridicate a presiunii n interstiiu. Aceasta este pozitiv
ca urmare a comprimrii lichidului n faza elongaiei y pozitive (figura
8.3). n semiperioada 0-2, bulele de gaz existente se dizolv pe
msura creterii presiunii, micorndu-se astfel treptat numrul
nucleelor de cavitaie.
Dezvoltarea bulelor cavitaionale
Timpul de dezvoltare (tb) a bulei este dat n cazul CIUS de
frecvena oscilaiilor longitudinale ale electrodului-scul (fus),
respectiv de mrimea semiperioadei de oscilaie: Tus/2= 1/ (2 fus).
188
La frecvene joase (fus = 20 kHz), se obin creteri mai mari

ale volumului bulei n raport cu frecvenele mai mari (fus = 40 kHz),
deoarece n semiperioada (Tus/2), acestea au un timp mai mare s
se dezvolte pn cnd presiunea din interiorul bulei pib este
inferioar celei exterioare peb corespunztoare punctului 5 (figura
8.2). De aceea, atunci cnd se urmrete obinerea unor presiuni
mai mari n momentul imploziei se utilizeaz frecvene ultrasonice fus
mai reduse. Aa cum a fost menionat anterior, mrimea presiunii
produse n urma surprii depinde de raportul Rm /Ro.
n prima parte a intervalului de timp (tb), la tl = 1/5 tb, dup
Negiski, cnd pereii bulei sunt apropiai la cca. 1 m, (intervalul 3 -
3', fig. 1.2), datorit cmpurilor electrice puternice, 500... 600 V/cm,
create de sarcinile de semn contrar de pe pereii opui, se produc
descrcri electrice, ce pot ioniza local mediul de lucru (conform
Elipner). Condiia de apariie a acestor descrcri este ca
presiunea n mediul gazos din bul s fie redus (1/500 MPa), care
se realizeaz n faza incipient de dezvoltare a bulei. Radiaia de
lumin se extinde i n ultraviolet favoriznd reaciile fotochimice
precum i electrochimice conform teoriei lui Frenkel.
De asemenea, sarcinile electrice aflate pe pereii bulei pot
favoriza descrcri electroerozive false ntre acestea i suprafeele
electrozilor micornd astfel energia de descrcare (potenialul
inter-electrozi) i contribuind la mbuntirea calitii obinute la
finisarea EDM+US.
Faza microjeturilor cumulative
Timpul de implozie () este mult mai mic dect cel de
dezvoltare al bulei i depinde de raportul razelor nainte i dup
implozie (), densitatea lichidului (), tensiunea superficial () i
presiunea hidrostatic (ph), conform relaiei:
3
3 2
1
= Rm
2 ph 1 + 3
d [s] (8.7)
(1 )[ + ( + 1)
2
]
p h Rm
unde:
=Rf / Rm (8.8)
189
Iar Rm este raza maxim [m]; Rf - raza final dup contractare [m].
Particulariznd n cazul nchiderii totale a bulei (=0), Rayleigh
a stabilit relaia:

= 0,915Rm [s] (8.9)
ph
n cazul utilizrii uleiului neemulsionabil P3, la un interstiiu

maxim de finisare EDM, sF = 0,01 mm i presiune de 0,1 MPa , se
obine = 0,84 s.
ntruct este foarte mic n raport cu perioada Tus de oscilaie
a electrodului scul (25 sau 50 s pentru frecvenele cele mai
utilizate n cazul transductoarelor PZT), el nu influeneaz
descrcrile electroerozive. La valori comparabile cu Tus/2, (cazul
interstiiilor mari), dezvoltarea canalului de plasm este mpiedicat
de presiunile foarte mari dezvoltate n zona 6-8 a microjeturilor
cumulative (figura 8.2), cu consecine negative asupra uzurii sculei
(la prelucrare cu polaritate pozitiv) i rugozitii datorate densitii
mari de curent din timpul descrcrii. Acesta constituie un motiv
suplimentar pentru care nu se recomand asistarea ultrasonic a
prelucrrilor EDM de degroare.
Dinamica imploziei bulei cavitaionale se explic prin
comprimarea adiabatic i apoi destinderea elastic a gazului din
interiorul ei ntr-un lichid compresibil dnd natere eroziunii
cavitaionale, care se manifest prin dou mecanisme (dup Anton):
a) prin unde de oc;
b) prin microjeturi.
n diverse situaii, unul sau altul din aceste mecanisme este
dominant, dar efectul lor este cumulativ.
n cazul finisrii EDM+US, fenomenele CIUS au particulariti
specifice pentru c se petrec ntre doi perei solizi (suprafeele
frontale ale celor doi electrozi), distana dintre acetia (interstiiul de
prelucrare, sF) avnd valori foarte mici, comparabile cu dimensiunile
bulei. De aceea, rezultatele obinute nu pot constitui extrapolri ale
celor de la fenomenele cavitaionale produse n alte condiii (un
singur perete, doi perei situai la distane mari etc.)
Shima . a. au determinat experimental presiunile care se
creeaz n urma descrcrilor ntre un electrod i o suprafa solid
190
separai de o distan L, constatnd c valorile depind de parametrul

adimensional L / Rm. De asemenea, Deshkunov i Kuvshinov au
ajuns la aceeai concluzie, dar privind viteza de surpare a bulelor i
orientarea microjeturilor. Daca distana L este mare, atunci
microjeturile sunt orientate perpendicular pe perei. n schimb,
dac raportul L/ (2.Rm)=1, atunci interfaa lichid vapori are viteza
maxim ntr-un plan paralel cu pereii solizi. Bula se scindeaz n
dou i apare un microcurent cu viteza de ordinul zecilor de m/s.
S-au fcut numeroase msurtori de ctre diferii cercettori
privind presiunea i viteza generate prin cavitaie, datele avnd o
variaie foarte mare n funcie de condiiile concrete n care au avut
loc experimentrile. n general, presiunile n condiii apropiate de
finisarea EDM+US, au avut valori mai mari de 10 MPa, iar viteza
microjeturilor de peste 80m/s. Presiunile de stagnare create sunt de
ordinul zecilor de MPa i acestea dureaz aproximativ 1 s.
Dup implozie, presiunea se propag concomitent cu unda de
compresie, cu viteza sunetului cs n mediul lichid respectiv,
atenundu-se invers proporional cu distana (conform Anton i
Frederick).
n afar de prelevarea materialului aflat nc n stare lichid,
la apariia microjeturilor cumulative 6-8 (figura 8.2), se preleveaz
material n stare solid.
Undele de oc contribuie la eroziunea suprafeei piesei de
prelucrat atunci cnd presiunea dezvoltat, la contactul cu peretele
solid depete limita de curgere a grunilor individuali.
Microcurenii avnd orientarea favorabil mai sus menionat
asigur pe lng evacuarea particulelor prelevate din interstiiu,
generarea unor fore tangeniale, care pot disloca asperitile
superficiale, o parte dintre ele aflate deja n stare plastic n urma
descrcrilor electroerozive, altele n stare solid. Solicitrile
menionate sunt considerate de oboseal (conform Anton).
Aceste dou tipuri de prelevare contribuie nu numai la
creterea productivitii finisarii EDM+US n raport cu EDM clasic
prin cumularea efectelor electroerozive i cavitaionale specifice,
dar i la o mbuntire a calitii suprafeelor prelucrate prin
prelevarea microasperitilor, care au rezisten la forfecare mai
mic.
La colapsul bulelor de gaz, se dezvolt temperaturi de 10.000
o
C (conform Bdru). Apar deci, stri locale de plasm cu ionizri
ale mediului, dar datorit capacitii deionizante a lichidului dielectric
191
P3, starea iniial neconductiv se reface. innd cont c aciunea

acestor implozii dureaz un timp scurt () de pn la 1 s, ea este
echivalent cu descrcrile electrice produse la o finisare EDM,
contribuind astfel printr-un mecanism suplimentar la prelevarea
materialului de pe suprafaa piesei asigurnd totodat i o rugozitate
sczut datorit timpului scurt.
De altfel, Hammit a constatat c n general, diametrul
microcraterelor rezultate n urma temperaturilor locale foarte mari,
coroborate cu presiunile foarte ridicate sunt mai mici de 5 m, cu un
maxim al frecvenei apariiei lor n jurul valorii de 2 m indiferent
dac materialul piesei a fost cadmiu, oel carbon, oel inox;
comparativ craterele obinute la finisarea EDM se nscriu ntr-un
domeniu aproximativ de 5 - 30 m. Astfel, suprafaa electrodului-
scul nu este afectat de eroziunea cavitaional n aa msur
nct s genereze prin copiere o rugozitate mai mare dect aceea
obinut prin EDM.
De asemenea, Hammit i Okada au observat c eroziunea
cavitaional este direct proporional cu amplitudinea (A) oscilaiilor.
n relaia (8.1), presiunea acustic pac depinde de A, aceasta
afectnd diametrul maxim al bulei i implicit, intensitatea undei de
oc. Conform Hobbs i Hammitt, volumul de material erodat este
direct proporional cu diametrul probei. Aceasta s-ar putea explica
prin creterea numrului de nuclee de cavitaie la creterea
suprafeei, numr care determin o cretere a presiunii dezvoltate n
momentul imploziei. De aici, rezult un avantaj n plus al finisrii
EDM+US n cazul aplicrii ei pe suprafee mari, care se finiseaz
dificil prin EDM clasic.
Garcia precum i ali cercettori au demonstrat experimental c
exist un maxim al eroziunii cavitaionale pentru o anumit
temperatur critic (tcr). n cazul apei, aceasta este temperatura
medie ntre aceea de fierbere i cea de topire. Scderea eroziunii
odat cu reducerea temperaturii se explic prin creterea
coninutului de aer dizolvat n lichid, care acioneaz ca un amortizor
n momentul imploziei. n acelai timp la temperaturi mari, lichidele
au presiuni de vaporizare ridicate ceea ce nseamn c bula va avea
un coninut mai mare de vapori, care de asemenea, amortizeaz
efectul imploziei. Temperatura medie a lichidului de lucru la EDM
(40 oC) se apropie de temperatura tcr pentru maximum de eroziune
cavitaional n cazul apei.
192
Avnd n vedere temperaturile nalte generate de implozie, n

mediul de lucru, au loc reacii chimice diverse care depind de natura
lichidului n care sunt induse ultrasunetele dar i de natura gazelor
coninute n lichid.
n cazul uleiului neemulsionabil P3 sau a altor lichide
dielectrice pe baz de hidrocarburi, se intensific reaciile chimice de
cracare a hidrocarburilor componente asemntoare celor produse
la prelucrrile EDM pe trepte mai mari de curent sau la timpi de
impuls mai mari. Este de ateptat s creasc coninutul de gaze
degajate de tip: metan, etan, etena, propan, propen, butan, buten
precum i a altora cu numr mai mare de atomi de carbon.
Crescnd temperatura, difuzia de carbon provenit din lichidul
dielectric pe suprafaa electrodului este mai intens ceea ce
determin scderea uzurii acestuia. Rezultatele experimentale au
confirmat scderea uzurii volumetrice relative la unele regimuri de
finisare EDM+US.
Un alt fenomen secundar care se manifest n momentul
imploziei este sonoluminiscena care dureaz un timp foarte scurt de
0,01 s. Fenomenul scade liniar n intensitate pe msura creterii
temperaturii; n uleiul P3, acesta este mai slab dect n ap. n
aceste condiii, sonoluminiscena nu afecteaz practic procesul de
finisare EDM+US, exceptnd poluarea fonic produs de
subarmonicile celor mai utilizate frecvene care se situeaz n
domeniul audio.
Forele tehnologice (Ft) care se dezvolt n procesul EDM
clasic au fost determinate de Enache s. a., ele fiind n concordan
cu valorile determinate din calcul de autori, pe baza presiunilor
generate la implozia bulelor de gaz. La finisarea EDM clasic a unor
suprafee sub 5 cm2, Ft au valori mai mici de 5N. n faza
microjeturilor cumulative, implozia bulelor din interstiiu este de
ateptat s exercite asupra electrodului fore de ordinul zecilor de N,
aceasta impunnd msuri de rigidizare a capului de lucru EDM.
8.2.4 Fenomene specifice la prelucrarea electroeroziv asistat

de ultrasunete a compozitelor cu matrice metalic
Compozitele cu matrice metalic (MMCs) se definesc ca
materiale inginereti de tip structural, compuse dintr-o matrice cu
faz metalic, ranforsat cu elemente dispuse aleator sau sub form
de structuri preformate. MMCs, respectiv produsele din MMCs sunt
caracterizate prin proprieti de nalt performan ca tenacitate i
193
rezisten mecanic mari la densitate masic mic, modul de

elasticitate ridicat, limit de elasticitate i rezisten la deformare n
timp sub sarcin constant, ambele superioare n comparaie cu
aliajul metalic neranforsat.
Datorit acestor proprieti, MMCs cu elemente de ranforsare
particule i matrice aliaj de aluminiu de tipul compozitelor Al / SiCp,
Al / Al2O3p sunt utilizate mai recent n industria aerospaial, a
transporturilor, militar dar i la fabricaia elementelor active ale
matrielor de injecie.
Diferena dintre coeficienii de deformare termic () a
elementelor componente ale MMCs (Al>Al2O3p sau Al>SiCp)
conduce la stri de tensiune mecanic n timpul schimbrilor mari de
temperatur i la creterea densitii dislocaiilor cu o rezisten
mic la oc termic.
La prelucrarea prin electroeroziune a compozitelor cu matrice
metalic (EDM-MMCs), ocul termic este mare avnd n vedere c
materialul se rcete de la temperatura maxim a spotului produs de
descrcare, mai mare cu 200300oC fa de temperatura de
fierbere a matricei metalice pn la temperatura lichidului dielectric.
Este necesar meniunea c descrcarea se amorseaz ntre
suprafaa electrodului i zonele conductive electric, respectiv
matricea metalic. Aceasta creeaz tensiuni interne maxime dup
direcia gradientului termic, caracterizate prin solicitri la
compresiune i traciune care pot conduce la rupere prin oc termic.
Atunci cnd forele de compresiune datorate nclzirii depesc
rezistena la compresiune a materialului, are loc ruperea prin oc
termic. n timpul rcirii brute, are loc procesul invers, ruperea prin
oc termic producndu-se dac forele de traciune sunt mai mari
dect rezistena la traciune.
Prelevarea de material la EDM-MMCs poate avea loc prin
urmtoarele mecanisme:
(a) topirea, vaporizarea, fierberea i expulzarea materialului
matricei de aliaj de Al ca urmare a descrcrii electroerozive dintre
electrod i materialul conductiv al matricei;
(b) expulzarea materialului elementului de ranforsare Al2O3p
ca urmare a difuziei termice a descrcrii EDM de la punctul (a);
(c) ruperea sau fragmentarea structurii compozite ca urmare
a ruperii interfeei matrice-element de ranforsare n timpul ocului
termic rezultat la punctul (a).
194
Asistarea cu ultrasunete a prelucrrii electroerozive

(EDM+US-MMCs) contribuie cu mecanisme suplimentare la
prelevarea materialului n principal prin:
(a) implozia bulelor de gaz din interstiiu dup un timp relativ
scurt de la ncheierea timpului de impuls, la sfritul perioadei de
oscilaie TUS. Aceasta crete volumul de material prelevat n stare
lichid din matricea metalic, topit de descrcarea EDM. ntruct
elementele de ranforsare au temperatura de topire mai mare dect
temperatura spotului, (ttopAl2O3=3686oC, ttopSiC=2873oC, ele pot fi
prelevate dac materialul matricei metalice adiacent se afl n stare
lichid;
(b) presiunile mari dezvoltate de microjeturile cumulative,
orientate paralel cu suprafaa de prelucrat se adaug tensiunilor
interne rezultate din ocul termic. Se preleveaz astfel material aflat
n stare solid sau plastic n special la nivelul microvrfurilor, care
au rezisten la forfecare mai mic, reducndu-se rugozitatea
suprafeei prelucrate comparativ cu EDM-MMCs. Se pot astfel
preleva i particule de ranforsare prin ruperea interfeei matrice-
element de ranforsare;
(c) timpul scurt al imploziei bulelor (< 1s) i temperatura
dezvoltat de 10.000oC pot fi asimilate cu efectul produs de un
impuls EDM de superfinisare, contribuind de asemenea, la
realizarea unei rugoziti reduse a suprafeei prelucrate.
Datorit acestor fenomene complexe se impune un studiu
tehnologic detailat dublat de modelarea computerizat pentru a
pune n eviden factorii predominani i controlul lor n scopul
obinerii cerinelor impuse de funcionarea normal a pieselor
prelucrate.
8.2.5 Optimizarea finisrii electroerozive asistate de ultrasunete
n urma numeroaselor cercetri experimentale i pe baza

ipotezelor rezultate din modelarea procesului, confirmate practic, s-a
ajuns la concluzia c pentru mbuntirea tuturor parametrilor
tehnologici de ieire la finisarea EDM+US, comparativ cu finisarea
EDM clasic, avnd totui ca principal obiectiv, rugozitatea
suprafeei prelucrate i apoi n ordine, precizia (uzura volumetric
relativ) i productivitatea este necesar ca parametrii tehnologici
de intrare s satisfac cele apte condiii de optimizare care vor fi
analizate n cele ce urmeaz:
195
(1) condiia de stabilitate a procesului EDM:
Ay < sF [m] (8.10)
unde: Ay este amplitudinea maxim a oscilaiilor longitudinale cu

frecven ultrasonic ale sculei [m] (figura 8.2); sF este mrimea
interstiiului frontal [m].
Aceast condiie este n strns legtur cu parametrul de
dinamic a sistemului de avans electroeroziv. n cazul n care, acest
parametru exprimat prin timpul de rspuns al sistemului are valori
adecvate pentru interstiiul procesului de finisare EDM, cu valori de
ordinul 0,001 mm, atunci este respectat condiia (1). n caz contrar,
se produc fenomene de scurt-circuit n timpul procesului EDM,
deteriorndu-se calitatea suprafeei, crescnd uzura volumetric
relativ i scznd productivitatea prelucrrii ca urmare a micrilor
de retragere i apropiere ale capului de lucru ca reacie a sistemului
de avans electroeroziv la scurt-circuit.
Dac se folosesc electrozi cu dimensiunea seciunii
transversale mai mare de /4 ( fiind lungimea de und ultrasonic),
se modific modul de oscilaie prin apariia vibraiilor transversale a
cror amplitudine li se impune o condiie asemntoare celei de mai
sus:
At < sL [m] (8.11)
unde: At este elongaia maxim a oscilaiilor transversale [m]; sL -

mrimea interstiiului lateral [m] (figura 8.2).
(2) condiia de maximizare a mrimii interstiiului (smax):

n funcie de tipul sistemului de avans, aceast condiie se
poate realiza n mai multe modaliti. Dac sistemul de avans al
mainii este de tip hidraulic, mrimea interstiiului se poate regla cu
ajutorul parametrului "servovalv" (Sv), care determin poziia
capului de lucru n timpul procesului de prelucrare. Acest parametru
este invers proporional cu tensiunea de referin (ur), care este o
mrime analogic cu ajutorul creia se verific mrimea interstiiului.
Parametrul "servovalv" se regleaz la valori reduse (55...65%) n
vederea asigurrii unui interstiiu maxim (timp de ntrziere la
196
amorsare (td) maxim) i implicit a stabilitii prelucrrii cu scopul

micorrii riscului producerii fenomenelor de scurt-circuit.
Un alt parametru caracteristic sistemelor de avans hidraulice,
implicat n realizarea condiiei (2) este "sensibilitatea servovalvei"
(Ss). Acesta trebuie s aib valori reduse (de exemplu, valoarea 2
pe o scar cresctoare 1-4), ceea ce asigur un debit relativ mic prin
servovalv. Astfel, viteza de reacie se micoreaz, obinndu-se
valori relativ reduse ale vitezelor de retragere (v1) i avans (v2), din
aceleai motive menionate mai sus, asigurarea unei stabiliti EDM
ct mai bune prin minimizarea numrului fenomenelor de scurt-
circuit n timpul prelucrrii prin coroborare cu valoarea parametrului
Sv.
Se mai menioneaz c parametrii servo Sv i Ss trebuie s
aib valori suficient de mari pentru a rezulta o valoare acceptabil a
vitezei de avans tehnologice i implicit a productivitii prelucrrii
(Vw).
(3) condiia de cavitaie:

Puterea consumat de acionare a lanului ultrasonic (PcUS)
trebuie s aib valori suficient de mari pentru a crea presiunea
acustic (pac ) necesar pentru a depi pragul de cavitaie n lichidul
dielectric utilizat. ntruct la finisarea EDM, obiectivul principal l
constituie minimizarea rugozitii suprafeei prelucrate, trebuie avut
n vedere i condiia de optimizare (7) - minimizarea presiunii puterii
de acionare a lanului acustic. Aceasta este n contradicie cu
condiia (3). La creterea puterii de acionare a lanului acustic i
implicit a presiunii acustice, crete rugozitatea suprafeei prelucrate.
Pentru exprimarea condiiei de cavitaie, se mai poate utiliza
i puterea activ (PaUS) pe lanul acustic. S-a constatat c, n cazul
n care oscilaiile ultrasonice ale electrodului sunt longitudinale,
valorile parametrului PaUS pentru a depi pragul de cavitaie sunt de
cteva ori mai mici dect n cazul n care intervin i oscilaii
transversale ale electrodului.
(4) condiia de rezonan:

Aceast condiie presupune ca frecvena proprie a lanului
acustic (f0) s se situeze n timpul funcionrii echipamentului, n
interiorul domeniului de frecvene ultrasonice (fUS) furnizate de
generatorul US. De asemenea, pentru obinerea acestei condiii este
197
necesar ca frecvena proprie a traductorului s fie egal cu aceea a

restului lanului acustic, pentru aceasta, parcurgndu-se mai multe
etape. Dup un calcul teoretic preliminar a dimensiunilor
componentelor lanului acustic, se procedeaz la ajustarea iterativ
a lungimii lanului n vederea realizrii condiiei (4).
Se mai menioneaz faptul c n timpul prelucrrilor EDM+US
datorit uzrii electrodului (tl, vezi figura 8.2), se modific lungimea
lanului acustic ns cu valori foarte mici, fr ca frecvena proprie a
subansamblului acustic s se situeze n afara domeniului de
rezonan.
(5) condiia de maximizare a numrului de impulsuri

comandate (nic) ntr-o perioad de oscilaie (Tus):
La sfritul unei perioade de oscilaie ultrasonic, apare faza
microjeturilor cumulative, produs de implozia simultan a bulelor de
gaz formate n interstiiul de prelucrare EDM ca urmare a
compresiunii lichidului de lucru. n aceast faz, se dezvolt presiuni
foarte mari, fiecare implozie a unei bule genernd aproximativ 10
MPa, direcia microjeturilor fiind orientat paralel cu suprafaa
frontal prelucrat. Ca urmare, toate produsele rezultate din
procesul EDM sunt evacuate din interstiiu i de asemenea, este
prelevat o mare cantitate de material aflat nc n stare lichid,
produs de descrcrile EDM n timpul perioadei de oscilaie
ultrasonice dar i material aflat n stare plastic sau solid. innd
cont de cele de mai sus, se urmrete respectarea relaiei:
nic = max (INT( TUS / (ti+t0)) (8.12)
unde: ti este timpul de impuls [s]; t0 - timpul de pauz [s]; TUS -

perioada de oscilaie ultrasonic [s].
Dac obiectivul principal ar fi fost maximizarea productivitii
(Vw), condiie specific regimurilor de degroare, s-ar fi luat n
considerare condiia:
(5) maximizarea cantitii de metal topit la sfritul unei

perioade de oscilaie ultrasonic (TUS):
Aceasta este echivalent cu faptul ca la momentul producerii
fazei microjeturilor cumulative, este necesar s existe o cantitate
maxim de metal n stare lichid, care s poat fi prelevat dup
198
implozia bulei de gaz, de forele hidraulice dezvoltate de lichidul

dielectric din jurul canalului de plasm. Spre comparaie, se
menioneaz c la prelucrarea EDM clasic, implozia bulei de gaz
are loc dup un timp relativ mare de la terminarea impulsului, atunci
cnd cea mai mare parte a cantitii de metal topit n timpul
descrcrii EDM este deja resolidificat i deci nu mai poate fi
ndeprtat de lichidul dielectric.
Funcia de productivitate VW = VW (ti ) are un maxim
pentru 1 s < ti < 50 s dac frecvena de oscilaie ultrasonic a
electrodului este fUS = 20 kHz sau respectiv, 1 s < ti < 25 s dac
frecvena este fUS = 40 kHz. Ea depinde att de mrimea impulsului
dar i de momentul n care se produce descrcarea EDM. Dac
impulsul se produce n semiperioada cnd are loc ntinderea (figura
8.3), lichidului dielectric din interstiiu (se produc fenomene de
capilaritate), cantitatea de material prelevat este mai mare datorit
faptului c prin scderea presiunii, care devine negativ, scade i
temperatura de topire a materialului de prelucrat. Aceast condiie
(5) este n contradicie cu condiia (f) de mai jos.
(6) condiia de minimizare a energiei descrcrii:

n cazul regimurilor de finisare EDM, se impune prelucrarea
cu valori minime ale energiei impulsului (We) i de aceea, se
minimizeaz termenii care intr n expresia energiei. Prin urmare, se
utilizeaz valori reduse ale parametrilor tehnologici de intrare:
trepte (valori) de curent (I) minime ale generatorului de
impulsuri;
timpii de impuls trebuie s aib valori inferioare perioadei
de oscilaie TUS = 50 s pentru frecvena fUS=20 kHz i TUS = 25 s
pentru fUS = 40 kHz. Valorile superioare nu prezint interes la
finisarea EDM+US. n acest caz, valorile acestora corelate cu cele
ale timpilor de pauz, care n general, sunt mai mici cu o treapt,
creeaz posibilitatea ca n anumite perioade TUS, s nu se mai
produc descrcri EDM. Astfel, efectul pozitiv al microjeturilor
cumulative se anuleaz. De asemenea, minimizarea rugozitii
impune utilizarea valorilor reduse ale parametrului ti.
timpii de pauz (t0). sunt mai mici cu o treapt dect cei de
impuls ti, cu scopul de a favoriza dezvoltarea canalului de plasm i
de a menine un anumit grad de contaminare a interstiiului cu rol
benefic n uzinarea cu densiti mici de curent n canalul de plasm.
Prin aceasta, s-a obinut micorarea uzurii i a rugozitii datorit
199
reducerii energiei descrcrii ca urmare a producerii descrcrilor

false. Pe de alt parte, timpi de pauz mai mari de 25 s ar conduce
la posibilitatea ca n anumite perioade TUS, s nu se mai produc
descrcri EDM;
treapta (valoarea) minim a tensiunii de amorsare a
generatorului( ui);
valori minime ale treptelor de capacitate (C) i ale
curentului de alimentare (Ia) dac se utilizeaz generatoare de
relaxare.
(7) condiia de minimizare a puterii de acionare a lanului
acustic:
Aceast condiie este n contradicie cu condiia (3).
Presiunea dezvoltat de microjeturile cumulative orientate paralel cu
suprafaa prelucrat este proporional cu puterea de acionare a
lanului acustic, care la rndul ei, este direct proporional cu
amplitudinea (A) oscilaiilor sculei.
Pentru reducerea rugozitii suprafeei prelucrate trebuie s
se urmreasc minimizarea presiunii microjeturilor cumulative i
implicit a presiunii acustice (pac), simultan cu obinerea condiiei de
cavitaie. n caz contrar, se produce deteriorarea calitii suprafeei.
La EDM cu impulsuri de relaxare se lucreaz cu valori PUS
mai mici cu circa 30% dect n cazul impulsurilor comandate.
aciunea microjeturilor cumulative asupra marginilor craterelor
a. microgeometria la impulsuri b. microgeometria la impulsuri

comandate de relaxare
Figura 8.4. Influena profilului craterelor asupra puterii

de alimentare a lanului ultrasonic
Aceasta se datoreaz formei diferite a craterelor n cele dou

cazuri, n cazul impulsurilor comandate fiind necesare presiuni mai
mari pentru prelevarea marginilor craterelor care sunt supranlate
(figura 8.4, a), n timp ce marginile rezultate la impulsuri de relaxare
200
(figura 8.4, b) sunt mai sensibile la aciunea microjeturilor, nefiind

supranlate.
8.3 Modelarea cu metoda elementelor finite

a mecanismelor de prelucrare a microstraturilor prin
electroeroziune asistat cu ultrasunete
8.3.1 Date de intrare, condiii la limit, ipoteze

simplificatoare, discretizare
Avnd n vedere complexitatea procesului de prelevare a

materialului la electroeroziunea asistat de ultrasunete (EDM+US),
s-a apelat n cadrul primei etape de modelare a structurii supuse
prelucrrii, care include introducerea datelor de intrare, a condiiilor
la limit pe baza ipotezelor simplificatoare, la pachete de programe
care folosesc metoda elementelor finite (MEF), care sunt integrate n
sisteme CAD / CAM / CAE sau CIM, cum ar fi CATIA, respectiv
ANSYS. Acestea posed module specializate de calcul termic,
fenomenele termice fiind preponderente n procesul de prelevare a
materialului la prelucrrile electroerozive asistate de ultrasunete, aa
cum a fost artat n capitolul anterior.
La modelarea microprelucrrii aliajelor pe baz de Fe, s-au
folosit ca date de intrare, caracteristicile termofizice ale
constituenilor principali , ferita i cementita, atunci cnd s-a realizat
modelarea prelucrrii microstraturilor din aceste materiale, respectiv
cldura specific, densitatea, conductivitatea termic i temperatura
de topire, prezentate n tabelul 8.1.
Tabelul 8.1. Date de intrare la modelarea cu MEF a prelucrrii

microstraturilor din aliaje pe baz de Fe
Constituen Cldura Conductivitatea Temperatura
Densitatea
t specific termic de topire
[J / kg oC] [kg/m3] [J / m s oC] [oC]
Fe 449,3 7870 75,24 1538
Fe3C 501,6 7200 50,16 1227
Condiiile la limit au fost de tipul:
(a) suprafa cu temperatur constant;
(b) flux termic de ieire constant.
201
S-a introdus ipoteza simplificatoare prin care valorile

caracteristicilor termofizice ale materialelor nu variaz cu presiunea
i temperatura n timpul procesului EDM+US.
Pentru introducerea condiiei (a), s-a fcut ipoteza
simplificatoare c pe suprafaa spotului catodic (anodic) temperatura
este constant. Avnd n vedere msurtorile lui Utsumi referitoare
la temperatura n spot, ipoteza lansat de Conn privind ngustarea
canalului de plasm n zona catodic i determinrile dimensiunilor
craterelor prezentate n subcapitolul referitor la verificarea
adecvanei modelrii s-a considerat:
pentru finisrile cu impulsuri de relaxare, la care
polaritatea este negativ (electrodul este catodul), temperatura n
spotul anodic, tspot =2500 oC i raza acestuia, Rsa=10 m;
pentru finisrile cu impulsuri comandate, la care
polaritatea este pozitiv (electrodul este anodul), temperatura n
spotul catodic, tspot =2550 oC i raza acestuia, Rsc=2,5 m.
Pentru condiia (b), s-a considerat un flux termic de ieire
constant, = 0,1 W/mm2.
Avnd n vedere caracteristicile procesului EDM, s-a fcut
apel la modulele de calcul termic cu caracter tranzitoriu, ale
pachetelor CATIA i ANSYS. Aceste dou pachete de programe,
concepute astfel nct s prezinte o bun compatibilitate, au fost
folosite n diversele faze ale rezolvrii problemei, innd cont de
avantajele pe care le ofer fiecare dintre ele.
Astfel, pachetul CATIA a fost utilizat la discretizarea structurii
innd cont de capacitatea mare de calcul a acestuia n ceea ce
privete modelarea geometric, dublat de interfaarea eficient cu
utilizatorul.
S-a realizat ntr-o prim etap, o mesh-are n 2D, pe
suprafaa frontal a piesei de prelucrat, folosind patrulatere curbilinii.
Discretizarea a fost mai fin n zona de interes adiacent spotului
catodic, respectiv anodic, unde razele patrulaterelor curbilinii au avut
valori de: R1= 2,5 m; R2= 5 m; R3= 10 m; R4= 15 m; R5= 20 m;
R6= 25 m; R7= 50 m etc., urmnd ca spre exteriorul piesei, fineea
discretizrii s scad foarte mult, ajungndu-se la raze de ordinul
mm.
n a doua etap, mesh-area a fost extins n 3D prin
generarea de patrulatere curbilinii identice cu cele de pe suprafaa
frontal n plane paralele orizontale, echidistante la distana d=2,5
m.
202
Modelul de calcul a fost conceput parametric, cu solide

termice 3D avnd 20 de noduri i 3 grade de libertate pe nod
(SOLID 70). Elementul utilizat are opiuni pentru schimbri de faz,
poate lua n considerare transportul de mas i permite ca soluia
termic standard s fie interpretat analog mrimilor de ieire
furnizate la curgerea fluidelor.
S-a urmrit influena macrogemetriei suprafeei asupra
mecanismului de prelevare la EDM+US. n acest scop, s-a realizat o
discretizare pe diverse macrogeometrii convexe prezentat n figura
8.5.
1 Suprafa prismatic lungime 200 m; Suprafa tronconic raza mare 200 m;

raza mic 10 m; nime 100 m.
ELEMENTS 1
lime 100 m; nalime 100 m.

JUN 23 2001 ELEMENTS
12:39:04 JUN 23 2001
10:14:13
Z
Y Z
X
Y
X
1
Suprafa convex lungime 200 m; Suprafa semisferic
raz 100 m. raz 200 m.
ELEMENTS
JUN 24 2001 1
09:15:07 ELEMENTS
JUN 24 2001
10:50:27
Z
Y X
Z
Y
X
Figura 8.5 Discretizri pe macrogeometrii convexe
Pe baza principiilor de mesh-are prezentare anterior, s-a

obinut discretizarea din figura 8.6 pe diverse macrogeometrii
concave.
203
1
Cavitate prismatic lungime 200 m;
ELEMENTS
JUN 27 2001
1
Cavitate tronconic raza mare 200 m;
ELEMENTS
JUN 25 2001
lime 100 m; nalime 100 m. raza mic 10 m; nime 100 m;

07:40:23 15:23:36
Z
X Y
X Y
1
Cavitate convex lungime 200 m;
ELEMENTS
JUN 26 2001
Cavitate semisferic
raz 100 m; raz 200 m;
17:25:26
X Y
Figura 8.6 Discretizri pe macrogeometrii concave
n vederea studierii influenei microgeometriei suprafeelor

obinute cu ajutorul diverselor tipuri de procedee de prelucrare
convenionale sau neconvenionale, au fost modelate mai multe
tipuri de microtopografii prezentate n figura 8.7.
Discretizrile pe microgeometriile prezentate pot fi asimilate
ca find rezultate n urma unor procedee de prelucrare de tip: frezare
plan, rectificare, electroeroziune de degroare etc. Ele sunt
parametrizate cu scopul de a evidenia influena dispunerii diverselor
tipuri de suprafee elementare asupra distribuiei de temperatur
produse la finisarea prin EDM+US.
Avnd n vedere capacitatea mai mare de calcul a pachetului
ANSYS n domeniul MEF, comparativ cu aceea a modulului
specializat FAN al pachetului CATIA, s-a apelat la solver-ul ANSYS
pentru rezolvarea problemei propriu-zise prin transferul bazei de
date create cu FAN.
204
1
Proeminen prismatic lime 10 m; Proeminen conic
nalime 10 m. raza 5 m; nime 10 m.
ELEMENTS
JUN 30 2001
09:35:37 1
ELEMENTS
JUN 30 2001
17:29:05
Z
Y
X
X Y
1
ELEMENTS
Microcratere 1
ELEMENTS
Proeminen semisferic
raz 10 m; adncime 5 m. raz 5 m.
JUL 1 2001 JUN 30 2001
08:47:07 16:05:23
Z
Y X Z
X Y
Figura 8.7 Discretizri pe diverse microgeometrii

La modelarea prelucrrii microstraturilor din materiale
compozite de tip MMCs, s-au folosit urmtoarele date de intrare,
sintetizate n tabelul 8.2.
Tabelul 8.2. Date de intrare la modelarea cu MEF a prelucrrii
microstraturilor din MMCs
Constituen Cldura Conductivitatea Temperatura

Densitatea
t specific termic de topire
[J / kg oC] [kg/m3] [J / m s oC] [oC]
Al2O3 880 3890 35 3686
SiC 750 3100 120 2873
Al 900 2700 237 660
A fost simulat o descrcare electric singular situat n
205
intervalul de timp 5-6 (figura 8.2) pentru a evidenia contribuia

microjeturilor cumulative n procesul de prelevare a MMCs. Modelul
de calcul a fost conceput parametric cu ajutorul pachetului ANSYS
folosindu-se elementul SOLID 70, condiiile la limit (a), (b) i
ipotezele simplificatoare prezentate anterior.
Parametrizarea s-a referit la dimensiunile modelului, diametrul
spotului termic, caracteristicile de material, precum i la distribuia
procentual a materialului de ranforsare.
Figura 8.8 Discretizarea structurii Al/Al2O3p cu 32 % Al2O3
n figura 8.8, este reprezentat discretizarea structurii

Al/Al2O3p cu 32 % Al2O3, unde particulele de ranforsare sunt
reprezentate cu verde, iar matricea metalic cu rou. Dimensiunile
elementelor care modeleaz particulele de ranforsare sunt n
domeniul 0,0630,2 mm. La stabilirea temperaturii spotului termic,
s-a inut cont c temperatura de fierbere a matricei metalice este de
aproximativ 1800oC. ncrcarea structurii s-a realizat printr-un spot
termic avnd diametrul de 10 m, temperatura de 2000C i ti = 6
s, fiind aplicat numai pe particulele conductive din punct de vedere
electric.
Rezultatele obinute cu ajutorul MEF privind distribuia de
temperatur la prelucrarea microstraturilor prin electroeroziune
asistat i neasistat de ultrasunete sunt prezentate n continuare.
206
8.3.2 Distribuia de temperatur comparativ la prelucrarea

microstraturilor prin electroeroziune
asistat i neasistat de ultrasunete
Pentru evidenierea rolului asistrii cu ultrasunete la finisarea

electroeroziv, descrcarea EDM a fost simulat n intervalul de timp
adiacent celui corespunztor fazei microjeturilor cumulative de la
sfritul perioadei de oscilaie ultrasonice.
Analiza cu ajutorul MEF arat c microjeturile cumulative
preleveaz un volum de circa 45 ori mai mare la finisarea EDM
fa de volumul de material prelevat la finisarea EDM clasic. Aceste
rezultate confirm creterile de productivitate maxime, nregistrate n
cadrul cercetrilor experimentale raportate de diveri cercettori.
material: ferit
tip impuls: comandat
polaritate: pozitiv
raza spotului catodic: 2,5 m
Figura 8.9 Distribuia de temperatur la sfritul unui impuls comandat de

4 s pe suprafa conic
Spre exemplificare n figura 8.9, este prezentat distribuia de
temperatur n seciune transversal i pe suprafaa frontal a unei
macrogeometrii conice la sfritul unui impuls comandat cu ti =4 s.
Discretizarea structurilor utilizate a fost prezentat anterior.
Volumul de material prelevat prin electroeroziune clasic este
delimitat de izoterma de fierbere de culoare roie. Prin comparaie,
volumul de material ndeprtat prin EDM+US este mrginit de
izoterma de culoare verde.
Rezultatele obinute la modelarea computerizat a finisrii
EDM+US demonstreaz c undele de oc generate de implozia
bulelor din interstiiu i direcionate paralel cu suprafaa prelucrat
preleveaz i marginile craterelor, zone cu temperatur inferioar
207
celei de topire confirmndu-se faptul c prelevarea materialului se

realizeaz n stare plastic sau chiar solid la nivelul microvrfurilor.
Dimensiunile craterelor EDM, obinute pe baza aplicrii MEF
asistate de calculator, care au confirmat datele experimentale au
rezultat cu un diametru al spotului catodic de circa 4 ori mai mic
dect cel anodic, ceea ce confirm ipoteza privind ngustarea
sensibil a canalului de plasm n zona catodic.
n figura 8.10, este prezentat distribuia de temperatur
obinut n cazul unui impuls de relaxare la care diametrul spotului
este de patru ori mai mare dect n cazul unui impuls comandat.
1
NODAL SOLUTION
material: ferit
tip impuls: relaxare
J UL 1 20 01
STEP=1 10 :15: 28
SUB =1
polaritate: negativ
TIME=1
TEMP (AVG)
SMN =40
raza spotului anodic: 10 m

SMX =2500
MX
XZ
Y
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500
Figura 8.10 Distribuia de temperatur la sfritul unui impuls

de relaxare de 0,5 s pe suprafa conic
Din analiza comparativ a izotermelor de temperatur

furnizate de MEF la descrcrile electroerozive singulare pe diferii
constitueni metalografici, rezult influena important a proprietilor
termofizice ale constituenilor asupra microgeometriei.
n figura 8.11 i respectiv 8.12, sunt prezentate comparativ
distribuiile de temperatur obinute cu acelai tip de impuls i
macrogeometrie pe ferit i cementit. n cazul feritei adncimea
izotermei de topire este de 7,2 m, iar n cazul cementitei, de 11,2
m.
Datele furnizate de MEF, foarte apropiate de cele obinute
experimental, confirm faptul c la finisarea EDM este de preferat o
structur ct mai omogen cu un coninut predominant feritic i unul
ct mai redus de cementit.
208
material: ferit
1
NODAL SOLUTION
JUL 1 2001
STEP=1

10:18:26
SUB =1 TEMP=2500
TIME=1
polaritate: pozitiv
TEMP (AVG)
SMN =40 MX TEMP=2055
SMX =2500
TEMP=1786
7.2m
TEMP=1501
TEMP=1152
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500

comandat de 4 s pe constituent feritic i suprafa conic
1
NODAL SOLUTION material: cementit
JUL 1 2001

STEP=1 10:28:31
SUB =1
TIME=1
TEMP
SMN =40
SMX =2500
(AVG)
polaritate: pozitiv
TEMP=2500
MX
TEMP=1786
11.2m
TEMP=1152
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500

comandat de 4 s pe constituent feritic i suprafa conic
n cele ce urmeaz, sunt prezentate rezultatele modelrii cu
MEF a fenomenelor termice, predominante la EDM+US-MMCs
(ponderea materialului conductiv n structura compozitului studiat
este mai mare de 50%) precum i contribuia asistrii cu US n
procesul de prelevare a microstraturilor. Dei materialele de tip
MMCs fac parte din familia compozitelor, modelarea prin elemente
finite specifice bibliotecilor MEF nu este adecvat, ceea ce a
necesitat realizarea unui model dedicat Al2O3p / Al.
Modelarea cu MEF a fenomenelor termice produse la
prelucrarea prin EDM+US a microstraturilor din materiale compozite
209
cu matrice metalic pune n eviden creterile spectaculoase de

productivitate generate de asistarea cu ultrasunete a prelucrrii,
comparativ cu finisarea EDM clasic. Este semnalat forma
neregulat a craterelor obinute ca urmare a repartizrii aleatoare a
particulelor de ranforsare n masa materialului compozit.
n acest context, a fost determinat distribuia de temperatur
i gradientul termic, mrimi care caracterizeaz starea termic n
structur dup un impuls comandat de 6 s (figura 8.13).
Figura 8.13 Distribuia de temperatur la EDM+US-MMCs la sfritul

unui impuls comandat de 6 s
Studiul dinamicii transferului termic pe modelul prezentat mai

sus a constat ntr-o analiz termic n regim staionar. S-a observat
c propagarea temperaturii n microstructura compozitului prezint o
asimetrie fiind influenat de poziia particulelor de ranforsare (mai
puin conductive termic). Astfel, la EDM-MMCs, acestea se
nclzesc mai puin, neputnd fi prelevate prin vaporizare, spre
deosebire de cele ale matricei metalice care ajung la o temperatur
maxim apropiat de cea de fierbere. Este de ateptat ca forma
craterelor rezultate s fie neregulat n funcie de distribuia
particulelor de ranforsare. Asimetria semnalat mai sus este
reflectat i de gradientul termic (figura 8.14), care are valorile cele
mai mari n zonele n care se gsesc particulele de ranforsare.
Prin comparaie, la EDM+US-MMCs, se preleveaz un volum
de material de cteva ori mai mare fa de EDM-MMCs, aa cum
rezult i din figura 8.14. Se observ c n urma descrcrii
singulare simulate, microjeturile cumulative pot ndeprta ntreg
210
volumul colorat cu bleu aflat n stare lichid (temperatur

aproximativ egal cu temperatura de topire a matricei metalice,
600oC), n timp ce la finisarea electroeroziv clasic, se preleveaz
numai zona colorat cu rou care atinge temperatura de fierbere a
matricei metalice dup ncheierea timpului de impuls.
ntruct durata de via a bulei de gaz la EDM clasic este de
ordinul ms, volumul de material aflat n stare lichid dup
descrcare este deja solidificat la implozia bulei de gaz i nu mai
poate fi prelevat de forele hidraulice (lichidul dielectric).
Figura 8.14 Gradientul termic rezultant pe axa Z
Influena dimensiunilor de gabarit ale piesei la modelarea cu

MEF, respectiv ale sistemului tehnologic n cazurile reale asupra
distribuiei de temperatur rezultat n urma descrcrilor EDM este
neglijabil aa cum se poate sesiza din figurile referitoare la
distribuiile de temperatur prezentate. Se observ c zonele
colorate n albastru a cror temperatur este de 40o C, egal cu
temperatura ambiant a lichidului dielectric n care se desfoar
procesul de prelucrare sunt mult mai mari dect zonele influenate
termic de descrcarea EDM care sunt colorate diferit de albastru
(figura 8.15).
Din analiza distribuiei de temperatur la sfritul unui impuls
comandat cu ti=4s, corespunztoare unui suprafee plane frontale
pe care se aplic spotul catodic, rezult dimensiunile cele mai
reduse ale craterului EDM. n figura 8.16, adncimea izotermei de
topire este de 3 m. n cazul macrogeometriilor convexe pe care
211
este localizat spotul catodic, atacul termic al descrcrii EDM este

mai intens, rezultnd cratere cu dimensiuni ceva mai mari.
1
NODAL SOLUTION material: ferit
JUN 27 2001
SUB =1
TIME=1
TEMP (AVG)
07:31:05
SMN =40
SMX =2550 polaritate: pozitiv
Y
cavitate: lungime 200 m; lime
X
Z
100 m; nalime 100 m.

MX
40 597.778 1156 1713 2271

318.889 876.667 1434 1992 2550
Figura 8.15 Distribuia de temperatur pe suprafaa frontal i

n seciune a unei piese dup un impuls comandat de 4 s
Influena macrogeometriei exterioare a microstraturilor asupra

mecanismului de prelevare a materialului n procesul de prelucrare
la EDM+US este sintetizat n consideraiile prezentate n
continuare.
1
NODAL SOLUTION
material: cementit
JUN 26 2001
STEP=1 08:50:37
SUB =1
polaritate: pozitiv
TIME=1
TEMP (AVG)
SMN =33.355

SMX =2550
MX
Z
X Y
33.355 592.61 1152 1711 2270
312.982 872.237 1431 1991 2550
ANALYSIS1
Figura 8.16 Distribuia de temperatur n seciune dup

un impuls comandat de 4 s pe suprafaa plan
Aceste rezultate confirm influena macrogeometriei analizate

cu dimensiuni de ordinul 0,1 mm asupra mecanismului prelevrii
212
materialului. Prin urmare, atunci cnd se dorete prelevarea prin

EDM sau EDM+US a unor microstraturi cu detalii fine, este necesar
reducerea la minimum a nivelului energetic al descrcrii. n caz
contrar, este posibil denaturarea caracteristicilor macrogeometrice
ale suprafeei prelucrate n raport cu ale suprafeei prescrise datorit
unor cratere cu dimensiuni inadecvate n raport cu formele care se
doresc a fi prelucrate.
Pe baza analizei distribuiei de temperatur, se constat c n
cazul proeminenelor conice, se obin craterele cu dimensiunile cele
mai mari, datorit faptului c atacul termic n acest caz se
repartizeaz pe volumul cel mai redus. n figura 8.17 i 8.18, se
prezint comparativ distribuiile de temperatur obinute pe
macrogeometrii de tip suprafa semicilindric i prismatic.
Ca urmare, la prelevarea prin EDM+US a unor
microstraturilor cu detalii fine, se impun msuri speciale de reducere
a energiei descrcrii i mai mult, de diminuare a puterii de
acionare a lanului ultrasonic, avnd n vedere mecanismele
suplimentare de prelevare a materialului de natur ultrasonic
analizate n cadrul lucrrii.
1
NODAL SOLUTION
material: ferit
STEP=1 tipJULimpuls:
12:33:19 relaxare
1 2001
polaritate: negativ
SUB =1
TIME=1 MX
TEMP (AVG)
TEMP=2500
SMN =40
SMX =2500
proeminen: lungime 200 m;

TEMP=1983
TEMP=1138
TEMP=1465
TEMP=735.886raz 100 m.
TEMP=916.882
TEMP=1049
adncimea izotermei de topire:
5,6 m.
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500
Figura 8.17 Distribuia de temperatur dup un impuls de relaxare

de 0,5 s pe proeminen semicilindric
213
material: ferit
tip impuls: relaxare
polaritate: negativ
proeminen: lungime 200
m; lime 100 m;
nalime 100 m.
adncimea izotermei de
topire: 6,6 m.

de 0,5 s pe proeminen prismatic
Analiznd distribuia de temperatur produs la ncheierea

unui impuls comandat i comparnd cu rezultatele obinute n cazul
unei suprafee concave, de form opus, se constat c
dimensiunile craterului sunt mult reduse, ca urmare a faptului c
energia descrcrii se repartizeaz pe un volum mai mare de
material adiacent spotului catodic EDM.
n figura 8.19, este prezentat distribuia de temperatur
produs de o descrcare singular pe supafaa frontal i n
seciunea unei caviti de form prismatic.
Spre comparaie, volumul de material prelevat de o
descrcare singular n cazul unei cavitai de form tronconic este
mai mic fiind delimitat de izoterma de topire de culoare verde
deschis (vezi figura 8.20).
Avnd n vedere reducerea semnalat a dimensiunilor
craterului n cazul suprafeelor de acest tip, la finisarea EDM+US,
este posibil utilizarea unor puteri de acionarea a lanului
ultraacustic mai mari dect n cazurile precedente cu form convex.
Aceast msur cu caracter tehnologic este avantajoas n acest
caz datorit interstiiului de prelucrare format din suprafee frontale
profilate ale electrodului i piesei care conduce la reduceri
semnificative ale presiunii dielectricului, care atrage dup sine
214
dificulti de evacuare ale produselor rezultate din procesul de

prelucrare.
material: ferit
polaritate: pozitiv
cavitate prismatic: lungime
200 m; lime 100 m;
nalime 100 m
topire: 2 m.
Figura 8.19 Distribuia de temperatur dup un impuls comandat

de 4 s pe cavitate prismatic
De asemenea, n cazul suprafeelor active de acest tip, se

recomand creterea nivelului energetic al descrcrii EDM n
vederea creterea productivitii prelucrrii.
material: ferit
polaritate: pozitiv
cavitate tronconic raza
mare 200 m; raza mic 10
m; nime 100 m;
topire: 1,2 m.

de 4 s pe cavitate tronconic
215
n toate situaiile similare semnalate mai sus, la prelucrarea

suprafeelor concave, n care rezult creteri ale dimensiunilor
craterelor, la finisarea EDM+US, se impune reducerea nivelului
energetic al descrcrii electroerozive i a puterii de acionare a
lanului acustic. n caz contrar, datorit volumului mare de material
prelevat nu se mai pot obine suprafee active de tip caviti cu
detalii fine.
Comparnd dimensiunile craterului obinut pe suprafaa plan
cu constituentul cementit cu rezultatele pe acelai tip de suprafa,
dar pe cellalt constituent, ferita, se observ o cretere a
dimensiunilor cu 14,5 % n cazul diametrului i cu 5,6% n cazul
adncimii (figura 8.16 i figura 8.21).
1
NODAL SOLUTION
material: ferit
STEP=1
SUB =1
JUN 26 2001
08:50:37
TIME=1
TEMP (AVG) polaritate: pozitiv
SMN =33.355
SMX =2550
MX
Z
X Y
33.355 592.61 1152 1711 2270
312.982 872.237 1431 1991 2550
ANALYSIS1
Figura. 8.21 Distribuia de temperatur n seciune dup un impuls

comandat de 4 s pe suprafaa plan
Aceste rezultate confirm ipotezele prezentate anterior i

anume c n cazul prelucrrilor electroerozive a microstraturilor este
de preferat o structur feritic ct mai omogen. Mai mult, n cazul
EDM+US, volumul de material prelevat la o descrcare singular
simulat n zona adiacent fazei microjeturilor cumulative este mult
mai mare dect n cazul feritei, fiind delimitat de izoterma de topire,
corespunztoare temperaturii de 1227 oC, fa de numai 1538 oC n
cazul feritei. La EDM+US, n cazul cementitei pentru spotul catodic
localizat pe suprafa plan, creterea adncimii craterului este de
22%.
216
Influena microgeometriei suprafeei prelucrate asupra

mecanismului de prelevare poate fi ilustrat prin aspectele
prezentate n continuare.
O prim observaie care rezult din analiza distribuiei de
temperatur dup ncheierea descrcrii EDM n condiiile de
simulare prezentate este c i n cazul impulsurilor de relaxare,
caracterizate printr-o energie sczut, se preleveaz la finisarea
EDM clasic, ntreaga proeminen care materializeaz
microgeometria local pe care este localizat spotul anodic. Prin
asistarea cu ultrasunete, volumul prelevat crete de 45 ori
comparativ cu volumul prelevat la finisarea clasic (figura 8.22).
1
NODAL SOLUTION
material: ferit
tip impuls:10:14:14
relaxare
JUN 29 2001
STEP=1
SUB =1 TEMP=2500
polaritate: negativ
MX
TIME=1
TEMP (AVG)

SMN =40
SMX =2500
Z
proeminen conic: raza 3,2
TEMP=2414
Y
X
m, nlimea 3,2 m.
TEMP=2219
TEMP=2212 adncimea izotermei de topire:

10,2 m.
TEMP=1469
TEMP=1532
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500

de 0,5 s pe microgeometrie conic
n cazul localizrii spotului catodic (polaritate pozitiv) pe

proeminenele care definesc microgeometria specific studiat, s-a
constatat c n condiiile limit impuse, menionate mai sus, prin
finisarea EDM clasic nu se preleveaz ntregul volum de material al
microvrfului. n schimb, la finisarea EDM+US, volumul de material
prelevat fiind delimitat de izoterma de topire caracteristic
constituentului analizat, se preleveaz ntreaga proeminen,
mecanismul de prelevare al materialului conducnd la o
productivitate ridicat (figura 8.23).
Comparnd datele privind dimensiunile craterelor rezultate
din analiza cu MEF cu valorile obinute experimental, se constat c
217
modelarea mecanismului de prelevare care ine cont de dispunerea

i dimensiunile microgeoemetriei prelucrate este esenial pentru
nelegerea procesului de finisare EDM i EDM+US.
1
NODAL SOLUTION material:JUNferit
30 2001
STEP=1
SUB =1 tip impuls: 17:24:18
comandat
TIME=1
SMN =40
SMX =2550
proeminen conic: raza 3,2 m,

nlimea 3,2 m.
Z
MX adncimea izotermei de topire: 3,8 m.
X
Y
40 597.778 1156 1713 2271

318.889 876.667 1434 1992 2550

de 4 s pe microgeometrie conic
1
NODAL SOLUTION material:
JUN 29 2001
ferit
STEP=1
SUB =1 tip18:26:37
impuls: relaxare
TIME=1
TEMP (AVG) polaritate: negativ
SMN =40
SMX =2500
proeminen prismatic: lime

Y
TEMP=2500
Z 3,2 m; nalime 3,2 m.
adncimea izotermei de topire:
X TEMP=1587
MX
TEMP=1733
8,2 m.
TEMP=1944
TEMP=1443
TEMP=732.027
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500

de 0,5 s pe microgeometrie prismatic
218
Urmele longitudinale specifice rectificrii care se gsesc pe

suprafaa supus finisrii EDM conduc la dimensiuni ale craterelor
ceva mai reduse dect n cazul reliefului accidental, cu proeminene
izolate, fenomen explicat ca i n cazurile prezentate la analiza
influenei macrogeometrice asupra mecanismului de prelevare, prin
creterea volumului de material pe care se repartizeaz atacul
termic al descrcrii singulare simulate (figura 8.24).
La analiza distribuiei de temperatur n cazul n care ntreaga
suprafa a microstratului a fost acoperit de cratere EDM, se
constat c zona de influen termic produs de descrcarea
singular localizat n centrul geometric al unei figuri care cuprinde
patru asemenea cratere nu afecteaz ntreaga suprafa a craterelor
considerate, astfel nct cea mai mare parte a marginilor acestora se
afl la temperatura de o40 C a mediului dielectric ambiant (figura
8.25).
1
NODAL SOLUTION material: ferit
JUL 1 2001
STEP=1
SUB =1
08:40:52
TIME=1
SMN =40
SMX =2550 raza spotului catodic: 2,5 m
MX
Z
Y
X
40 597.778 1156 1713 2271

318.889 876.667 1434 1992 2550
Figura 8.25 Distribuia de temperatur dup un impuls

comandat de 4 s pe suprafaa frontal i n seciune
a microgeometriei rezultate prin EDM din ferit
n cazul cementitei, aceeai microgeometrie sufer influen

termic mai mare produs de acelai tip de descrcare singular,
relevnd nc o dat importana microstructurilor realizate din
materiale cu capacitate de absorie termic redus atunci cnd se
219
dorete obinerea unei caliti ridicate a suprafeei (figura 8.26).

Dac centrele celor patru cratere din cazul mirogeometriei
specifice EDM, menionate mai sus, sunt relativ apropiate, rezultnd
un grad mai mare de suprapunere, caz frecvent ntlnit n realitate
(mai ales la microgeometria specific impulsurilor de relaxare),
atunci adncimea craterului rezultat n urma descrcrii simulate
este mult mai mare fiind comparabil cu acela obinut n cazul
microgemetriei cu proeminen conic.
1
NODAL SOLUTION material: cementit
JUL 1 2001
STEP=1 08:55:23
SUB =1
TIME=1
TEMP (AVG)
polaritate: pozitiv
SMN =40
SMX =2550 raza spotului catodic:
2,5 m
MX
Z
Y
X
40 597.778 1156 1713 2271

318.889 876.667 1434 1992 2550
Figura 8.26 Distribuia de temperatur dup un impuls

comandat de 4 s pe suprafaa frontal i n seciune
a microgeometriei rezultate prin EDM din cementit
Analiza distribuiei de temperatur obinut cu MEF conduce

la ipoteza ca ponderea prelevrii prin vaporizare a materialului lichid
n timpul impulsului este mai mare dect aceea acordat de modelul
Van Dijck i Snoeys.
De altfel, o filmare cu o camer rapid n timpul procesului
arat c se preleveaz importante cantiti de material prin formarea
unor bule de cu vapori ai materialului prelevat care se dezvolt n
continuare n vecintatea canalului de plasm. Prin acest mecanism,
se preleveaz material n special din zona fundului craterului,
contribuind astfel la adncirea acestuia.
220
8.3.3 Verificarea experimental a adecvanei modelrii

electroeroziunii asistate de ultrasunete
Forma microgeometriei suprafeei prelucrate prin EDM+US a

fost comparat cu aceea de la EDM clasic, n condiii
experimentale identice, analizndu-se influena principalilor
parametri de lucru asupra acesteia n cazul ambelor tipuri de
impulsuri electroerozive, comandate i de relaxare. S-a urmrit
astfel, concordana dintre rezultatelor modelrii prin MEF cu datele
experimentale.
Schema unui echipament necesar realizrii prelucrrii
EDM+US este prezentat n figura 8.27 unde: 1 este buc
reflectant; 2 - transductor piezo-ceramic PZT; 3 - flan nodal; 4 -
buc radiant; 5 - concentrator; 6 - electrod; 7- cuva mainii EDM;
8 - dispozitiv tip caset de orientare i fixare a piesei; 9 - ventilator
de rcire a PZT; 10 - plac-suport a lanului acustic; 11 - pies.
Generator
Cap de
US lucru
PcUS= 400 W
Generator
EDM
Figura 8.27 Schema echipamentului pentru finisarea

electroeroziv asistat de ultrasunete
Dup prelucrare, rugozitatea (Ra) suprafeei a fost

determinat cu ajutorul unui rugozimetru, Surtronic Rank Taylor
221
Hobson.
Pe baza relaiei de corelaie dintre parametrii de rugozitate:
Rmax ~ 4.5 Ra0.97 (8.13)
i cunoscnd valoarea Ra pentru fiecare suprafa prelucrat, a fost

determinat adncimea medie (aproximativ Rmax) a microcraterelor
rezultate prin EDM.
Microgeometria rezultat a fost fotografiat cu ajutorului unui
sistem integrat camer-microscop, Neophot 2 - Zeiss, obinnd
imagini mrite la 500:1. Pe baza diametrelor medii stabilite cu
ajutorul fotografiilor menionate i valorile Rmax, au fost determinate
formele microcraterelor n seciune transversal pentru valori diferite
ale parametrilor de lucru.
Analiza formelor microcraterelor rezultate la EDM cu impulsuri
de relaxare i polaritate negativ indiferent dac prelucrarea a fost
sau nu asistat ultrasonic a evideniat urmtoarele aspecte
comparativ cu EDM cu impulsurile comandate i polaritate pozitiv:
(a) forma craterelor a fost mai rotund;
(b) marginile nu au fost supranlate;
(c) cratere mai plate n seciune transversal;
(d) variaie mai mare a diametrelor craterelor;
(e) grad mai mare de suprapunere.
Raportul dintre valorile medii ale adncimii i diametrele
craterelor a variat ntre 10 i 37% la impulsurile de relaxare, spre
deosebire de cazul impulsurilor comandate, la care s-a situat ntre
22 i 53%. Aceasta nseamn c la impulsurile de relaxare,
adncimea izotermei de topire (fierbere) este mai mic datorit
efectului produs de bombardamentul electronic a crui pondere n
mecanismul de prelevare a materialului este mai mare dect aceea
a curentului ionic. Acesta este cazul specific de prelucrare cu
polaritate negativ i timpi de impuls (ti) cu valoare redus.
Din aceast cauz, procesul de ndeprtare a materialului din
craterele plate decurge mai uor, iar metalul nu se resolidific pe
marginea craterului (b) ca la impulsurile comandate.
Spre deosebire de generatorul isoenergetic care produce
impulsuri comandate, caracteristica (d) la generatorul dependent
(relaxare) reflect variaia energiei repartizate pe fiecare descrcare,
care depinde de condiiile din interstiiul de prelucrare (ca funcie de
timpul de ntrziere la amorsare td).
222
Referitor la dimensiunile craterelor, se poate observa c

diametrele craterelor la impulsurile de relaxare aparin domeniului
1030 m fa de impulsurile comandate, la care se situeaz ntre
510 m (figura 8.28). Prin urmare, diametrele mai mari la
impulsurile de relaxare comparativ cu acelea de la impulsurile
comandate produc suprapunerea craterelor (e).
2 m
Legenda: EDM+US, impulsuri comandate EDM+US, impulsuri de relaxare

EDM, impulsuri comandate EDM, impulsuri de relaxare
Figura 8.28 Dimensiunile craterelor n seciune transversal
Influena ultrasunetelor este esenial n cadrul mecanismului

de prelevare la EDM+US.
La prelucrarea cu putere consumat ridicat de acionare a
lanului ultraacustic (PcUS=300 W), rugozitatea (Ra) este mai mare
dect aceea rezultat fr US (figura 8.29) i proporional
dimensiunile craterelor sunt mai mari (figura 8.30).
De aceea, avnd n vedere obiectivul principal al finisrii EDM
minimizarea rugozitii suprafeei prelucrate la care se aplic n
special asistarea cu ultrasunete, este necesar reducerea
parametrului PcUS pentru a se obine mbuntirea calitii
suprafeei. Reducerea PcUS este n contradicie cu condiia de
cavitaie, care depinde de pragul de cavitaie.
S-a observat de asemenea, c marginile craterelor devin mai
regulate odat cu reducerea PcUS. Aa cum rezult din figura 8.30, la
EDM cu impulsuri de relaxare i PcUS=300 W, forma marginilor a fost
foarte neregulat, iar apoi la PcUS=100 W (figura 8.31), marginile au
devenit ovale (cu axa principal orientat ctre direcii diferite) i n
final, reducnd puterea la PcUS =70 W (figura 8.32), marginile au fost
aproape rotunde.
Analiza microgeometriei arat c la nceputul prelucrrii,
descrcrile sunt localizate pe microvrfurile opuse apropiate
aparinnd electrodului i suprafeei prelucrate prin procedee
anterioare EDM. Dup un timp, straturile de la prelucrrile anterioare
223
au fost ndeprtate i splarea de la terminarea impulsului, cu rol n

prelevarea materialul este influenat de microtopografia produs de
finisarea EDM curent.
Figura 8.29 Microtopografia EDM Figura 8.30 Microtopografia

(x500); I=1; C=1; Ra=0.7m EDM +US (x500); I=1;
C=1;PcUS=300 W; Ra=1.3m
Figura 8.31 Microtopografia Figura 8.32 Microtopografia

EDM+US (x500) ; I=3; C=5; PcUS EDM +US; (x500); I=1; C=1; PcUS
=100 W; Ra=2m =70 W; Ra=0,6m
Legend: I=treapta curentului de alimentare a condensatorului
C=treapta de capacitate Charmilles
Forma plat a craterelor la impulsurile de relaxare

influeneaz mult mai puin efectul undelor de presiune n faza
microjeturilor cumulative, spre deosebire de forma produs de
impulsurile comandate, la care craterele sunt mai adnci. Astfel,
aciunea ultrasunetelor la finisarea EDM cu impulsuri de relaxare
este mai puternic la nivelul microvrfurilor, acesta fiind motivul
reducerii PcUS pn la limita pragului de cavitaie, cu scopul
mbuntirii calitii suprafeei.
Mai mult, marginile craterelor produse de impulsurile de
relaxare sunt mai sensibile la aciunea ultrasunetelor (undelor de
presiune) i implicit rugozitatea suprafeei prelucrate comparativ cu
224
microgeometria rezultat la prelucrarea cu impulsuri comandate.

Marginilor craterelor la impulsurile comandate sunt
supranlate ca rezultat al acumulrii materialului pe margini
datorit dificultii prelevrii materialului topit dintr-un crater relativ
adnc. Acest fenomen confer acestor microvrfuri o rezisten la
forfecare mai mare n raport cu acelea obinute la impulsurile de
relaxare.
Analiza microgeometriei trateaz n final unele aspecte de
detaliu care nu trebuie ignorate. Unul dintre ele este legat de aa
numitele curbe de nivel, similare cu acelea din topografia clasic,
care se aseamn cu nite valuri localizate pe suprafaa craterelor.
Acest fenomen ilustreaz rapida solidificare a metalului topit dup un
impuls EDM, sub aciunea efectului de rcire produs de curgerea
dielectricului dup colapsul bulei.
Curbele de nivel sunt dispuse numai pe suprafaa a ctorva
cratere la finisarea EDM clasic cu impulsuri de relaxare, iar
suprafaa acoperit cu astfel de valuri se mrete odat cu
creterea energiei descrcrii. La finisarea EDM cu impulsuri
comandate, suprafeele craterelor sunt acoperite aproape n
ntregime cu astfel de valuri. Aceasta arat c probabilitatea ca
dielectricul s gseasc materialul n stare lichid este proporional
cu cantitatea de metal topit datorat descrcrii EDM. Pe de alt
parte, majoritatea suprafeelor craterelor obinute prin asistare cu US
sunt caracterizate prin acestor ondulaii, ca rezultat al aciunii
microjeturilor cumulative, care ntlnesc spotul descrcrii de pe
suprafaa prelucrat nc n stare lichid.
Suprafeele craterelor prezint adesea o topografie foarte
accidentat cu microvrfuri i microdepresiuni cu diametre variind
ntre 1 i 2 m. Prelevarea materialului sub form de stropi din
timpul impulsului poate fi responsabil de acest fenomen, iar n
cazul EDM+US aceasta ar putea fi aciunea imploziei bulelor pe
suprafeele solidificate ca rezultat al cavitaiei la sfritul unei
perioade de oscilaie ultrasonic. Acest tip de microtopografie nu
afecteaz rugozitatea (Ra) msurat cu SMI (Surface Measurement
Instruments).
Studierea microtopografiei elucideaz unele caracteristici ale
mecanismului deosebit de complex de prelevare a materialului la
asistarea cu ultrasunete a finisrii electrorozive, care demonstreaz
adecvana modelrii computerizate a procesului de prelucrare
EDM+US prezentate anterior.
225
8.3.4 Sinteza funciilor de proces
Pe baza rezultatelor experimentale, au fost stabilite expresiile

funciilor parametrilor tehnologici de ieire principali productivitate
(VW), uzur volumetric relativ () i rugozitate (Ra) - pentru cele
dou tipuri de impulsuri EDM, apelndu-se la o analiz de regresie a
datelor, asistat de calculator, prin metoda celor mai mici ptrate:
pentru finisrile cu impulsuri comandate,
Ra = Ra (ti); = (ti); VW = VW (ti) (8.14)
unde: ti este timpul de impuls;
pentru finisrile cu impulsuri de relaxare,
Ra = Ra (C), = (C), VW = VW (C) (8.15)
unde C este capacitatea bateriei de condensatori a generatorului de
relaxare.
Pentru aceasta, s-a apelat la o analiz de regresie a datelor,
asistat de calculator, utiliznd metoda celor mai mici ptrate. Pe
baza valorile funciilor din relaiile 8.14 i 8.15, au fost determinate
liniile de tendin regresive folosind fiecare din funciile: liniar,
polinomial, logaritmic, exponenial i putere. Pentru evaluarea
corectitudinii liniilor de tendin, a fost determinat valoarea R2
pentru fiecare dintre cele cinci funcii menionate mai sus, n final
alegndu-se aceea pentru care valoarea R2 a fost minim.
Relaia de calcul utilizat pentru R2 este:
R2 = 1- (SSE / SST) (8.16)
unde:
SSE = ( Yi - yi)2 (8.17)
i:
SST= ( Yi )2 - (( Yi )2 / n) (8.18)
unde: Yi sunt valorile funciilor din relaiile 8.14 i 8.15; yi sunt

valorile aparinnd curbei de aproximare; n este numrul valorilor.
Spre exemplificare, n figurile 8.33, 8.34 i 8.35 este
prezentat variaia funciilor din relaiile (8.14):
226
PaUS=50W, I=0,8 A EDM: y = 0,0845Ln(x) + 0,9624

2
1.4
R = 0,9451
1.2
1
EDM
Ra [ m]
0.8
0.6 EDM+US: y = 0.1275Ln(x) + 0.5217 EDM+US

0.4 R2 = 0.9914
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 ti [s]
Figura 8.33 Variaia rugozitii suprafeei prelucrate
PaUS=50W, I=0,8A
40
35 EDM: y = 38.25x-0.0983
30 R2 = 0.9969
25
[%]
20 EDM
15 EDM+US
10 EDM+US: y = 30.819x-0.2012
5 R2 = 0.9514
0
0 10 20 30 40 50 60 ti [s]
Figura 8.34 Variaia uzurii volumetrice relative
PaUS=50W, I=0,8 A
0.1
0.09
EDM+US: y = 0,024Ln(x) - 0,0089
2
0.08 R = 0,9777
V W [m m /m in]
0.07
0.06 EDM
3
0.05
0.04 EDM: y = 0,0041x
0,434 EDM+US
2
0.03 R = 0,936
0.02
0.01
0
0 10 20 30 40 50 60 ti [s]
Figura 8.35 Variaia productivitii
227
n figurile 8.33 8.35 PaUS este puterea activ de acionare a

lanului ultrasonic, iar I treapa de curent a generatorului EDM.
Pe baza condiiilor de optimizare prezentate anterior,
tehnologia de prelucrare a microstraturilor prin finisare EDM+US
permite creteri de productivitate de pn la 500%, reduceri ale
uzurii volumetrice relative i ale rugozitii suprafeelor prelucrate de
pn la 50% n raport cu valorile obinute la finisarea EDM clasic,
n aceleai condiii de prelucrare.
228
Capitolul 9
TEHNOLOGII DE PRELUCRARE/OBINERE CU LASER
A MICRO I NANOSTRATURILOR
Prelucrarea cu laser const n ndeprtarea materialelor

printr-un proces coroziv produs la incidena unui fascicul laser
concentrat cu piesa de prelucrat. Energia fasciculului laser este
absorbit de material i transformat la nivelul particulelor n energie
mecanic i termic. Utilizarea laserului la prelucrarea materialelor
se datoreaz caracteristicilor fasciculului de a putea fi concentrat pe
suprafee foarte mici precis definite geometric i dimensional. n
acest fel, se pot realiza local intensiti mari de radiaie, care
depesc pragul necesar declanrii i ntreinerii proceselor de
eroziune. De asemenea, puterea i regimul de funcionare ale
oscilatoarelor laser pot fi dirijate.
Principalele caracteristici ale prelucrrii cu fascicul laser sunt
prezentate in tabelul 9.1:
Tabelul 9.1 Caracteristici ale prelucrrii laser
CARACTERISTICA REZULTATELE
Materiale prelucrate Orice material
Puterea specific [kW/cm2] 1015
Mediul de lucru Specific
Productivitatea [mm3/min] 0,1
Suprafaa minim a spotului [cm2] 10-7
Densitatea maxim de putere 5 10 6
[W/cm2]
Efectele induse de radiaia laser n materialul piesei depind de

proprieti optice, termice i mecanice ale materialului de prelucrat,
intensitatea sau energia radiaiei, lungimea de und a radiaiei,
structura radiaiei i regimul de funcionare a oscilatorului. Absorbia
energiei radiante de ctre materialul piesei depinde de natura i
temperatura materialului, rugozitatea i gradul de purificare al
suprafeei piesei etc.
Materialele metalice absorb foarte bine radiaia laser cu
lungimea de und mai mic de 4 m , iar cele nemetalice pe cea cu
229
lungimea de und mai mare de 4 m . Adncimea de ptrundere a

radiaiei laser n metale depinde de natura lor:
- la cele opace (metale) adncimea este cuprins ntre 550 mm;
ca urmare, masa termic (energia radiaiei) are caracter
superficial;
- la materialele parial transparente (unele materiale ceramice i
macromoleculare) absorbia are caracter volumic, deoarece
radiaia ptrunde n adncime.
Avantajele prelucrrii cu laser:
- suprafeele realizate prin prelucrare cu laser au o rezisten
bun la uzur, frecare i coroziune;
- se poate realiza o gam larg de operaii (gurire, sudare,
debitare etc.);
- se utilizeaz la executarea unor tratamente termice locale
sau n zone greu accesibile, precum i la obinerea
materialelor pure.
Dezavantajele folosirii laserului:
- n cazul alegerii necorespunzatoare a sistemului pies-
dispozitiv de lucru pot apare defecte de form, dimensiuni
i suprafee greu de remediat;
- folosirea prelucrrii cu laser prezint limitri datorate
costului destul de ridicat al instalaiilor, iar multitudinea
parametrilor electrotehnologici care influeneaz
prelucrarea face dificil optimizarea proceselor.
Principalele aplicaii ale utilizrii laserului sunt prezentate n
figura 9.1.
9.2 Utilizarea laserului n microtehnologii
n ultimii ani au fost dezvoltate o serie de tehnologii speciale
ca: circuite de nalt frecven, semiconductoare de putere i
sisteme de afiare, toate fcnd parte din domeniul electronicii dar,
n acelai timp, accentund rolul funcional al microelectronicii
clasice.
Micromecanica, optica integrat, electro-optica, senzorii
chimici, biosenzorii, senzorii polimerici, ingineria senzorilor n
tehnologia straturilor subiri i/sau straturilor groase, senzorii cu
unde acustice de suprafa (SAW) deschid dimensiuni complet noi
ale ingineriei microsistemelor. Pn acum, aceste tehnologii au fost
tratate separat i se bazau pe diferite alte materiale: GaAs, ceramica
sticla sau monocristale precum cuarul sau niobatul de litiu.
230
n prezent, microsistemele sunt construite frecvent ntr-o

manier hibrid din diferite componente, folosind tehnologii variate
n scopul miniaturizrii rentabile i pentru sporirea functionalitii.
Domeniile importante de aplicatie pentru microtehnologii sunt
prezentate in figura 9.2.
Figura 9.1 Aplicaii ale laserului

Principalele aplicaii ale laserului n microprelucrri sunt
prezentate in figura 9.3.
Microprelucrarea cu laser este o metod din ce n ce mai
utilizat n domenii ca: electronica, telecomunicaiile, industria
dispozitivelor medicale, industria aerospaial i altele.
231
Figura 9.2 Domenii de aplicaii pentru microtehnologii
Figura 9.3 Aplicaii ale laserului n microprelucrri

O mare varietate de tipuri de laser sunt folosii n
microprelucrri i microablaii fiind mecanismul dominant n
ndeprtarea materialelor.
232
Este clar c tipul laserului trebuie ales n concordan cu

destinaia sa i, se tie c, nici un laser nu poate fi utilizat optim
pentru toate aplicaiile. Cele mai folosite tipuri de laseri sunt cele de
tip excimer, Nd solid i CVL (laser cu vapori de cupru). n ultimii ani
s-a pus accent pe microprelucrrile realizate cu pulsuri ultrascurte a
laserilor de titan cu safir. n general se accept c pulsurile scurte
(<100ns) produc mai puine retopiri i zone afectate de cldur mai
reduse (HAZ-heat affected zones) dect laserii cu pulsuri lungi
(>100ms). Este, de asemenea, evident c proprietile intrinseci ale
caracteristicilor prelucrrii cu pulsuri ultrascurte sunt diferite
comparativ cu cele cu pulsuri scurte.
n continuare vor fi prezentate unele microprelucrri efectuate
n diferite materiale i pentru diferite aplicaii, realizate cu laserul
CVL (Copper Vapour Laser).
Calitatea fasciculului, pulsurile scurte, punctul maxim de
putere i frecvena ridicat a repetabilitii pulsurilor nalte reprezint
o combinaie ideal pentru o microablaie precis. Unul dintre
avantajele acestui tip de laser l reprezint abilitatea acestei instalaii
de a produce un fascicul de calitate la puteri medii nalte.
Acest tip de laser este uor de folosit, este fiabil i economic,
principalele aplicaii fiind microperforrile i tierile de mare precizie.
Toate microprelucrrile prezentate n continuare sunt
realizate cu ajutorul instalaiei prezentate n figura 9.4.
Figura 9.4 Sistem pentru microprelucrri MP 100X
233
Aceasta instalaie are urmatoarele caracteristici tehnice:

- caracteristici tehnice generale:
lungimi de und ntre 511 si 578 nm ( cu opiunea ajustrii
ei la lungimi de und ntre 255 i 271 nm);
rata de repetare: ntre 10 i 20 kHz;
durata impulsului este de 20 ns FWHM;
puterea: 25 W;
divergena fasciculului: 0.075 mrad;
- caracteristici tehnice ale sistemului de poziionare:
lungimea cursei pe X i Y: 250 mm, cu o rezoluie
de 0.1 mm;
lungimea cursei pe Z: 100 mm, cu o rezoluie
de 0.5 mm;
- opiuni ale sistemului de microprelucrare:
modul pentru lungime de und ultraviolet;
control automat al diametrului fasciculului;
semnalizare a erorii n 2-D cu abateri de 1m fa de
poziia real;
software CAD/CAM;
software pentru un terminal virtual pentru monitorizarea
comenzilor;
faciliti pentru achiziia datelor.
- alte particulariti:
platform anti-vibraii;
staie de lucru complet izolat de mediul nconjurator;
interfa de lucru accesibil pentru utilizator;
monitorizare automat a laserului activat.
Microguriri realizate n ceramice
A. Microguriri
In figura 9.5, este prezentat un rnd de orificii cu diametru de
130 m, lrgite la un capt la 200 m, realizate ntr-o plac ceramic
din alumin de 600 m grosime.
Componenta prezentat n imagine este terminaia unei
bande de fibre auto-aliniate pentru un sistem modulator folosit n
interconectarea optic din fizica energiilor nalte. Datorit
dimensiunilor semiconductorului component i limitrilor n accesul
optic la acest dispozitiv, lumina va fi deviat semnificativ dac
alinierea fibrei are o deviaie mai mare de 1o.
234
n figura 9.6, sunt prezentate, n vedere, orificiile descrise n

figura 9.5. ntreaga plac conine 625 de orificii, pe o suprafa de
625 mm2. Orificiile sunt total lipsite de topituri i microfisuri.
Microguriri realizate n ceramice
Figura 9.5 Microgurire n material ceramic,

pentru interconectarea fibrelor optice
Figura 9.6 Microgurire n material ceramic

Reele dese de orificii n alumin
235
Tehnicile convenionale sau alte tehnici de prelucrare cu laser

care pot fi folosite nu permit realizarea unei astfel de reele, din mai
multe motive: cldura degajat de prelucrarea propriu-zis va
ncrca cu energie mult prea mare substratul prelucrat, ducnd la
formarea de microfisuri i straturi vitrificate, sau prelucrarea va fi
mult prea lent pentru a fi economic.
Prelucrarea ofer posibilitatea realizrii de orificii cu abateri
foarte mici de la cilindricitate, cu o foarte bun precizie dimensional
i cu o finisare curat.
B. Microguriri realizate n siliciu

In figura 9.7 este prezentat
o reea de orificii cu diametrul de
150 m, realizate ntr-un suport
de siliciu de grosime 250 m.
Tot n aceeai imagine este
prezentat, mrit, un orificiu,
pentru evidenierea calitii
marginilor lui i a strii suprafeei
prelucrate .
La prelucrarea siliciului, in
general, lumina verde este
puternic absorbit de material
ntr-un m, 66% din puterea
incident a fascicolului laser va fi
absorbit.
n contrast, numai 1% din
puterea unui laser YAG cu
lungimea de und de 1064 nm va
Figura 9.7 Microguriri n siliciu fi absorbit la aceeai grosime
C. Microguriri realizate n metale

In figura 9.8, este prezentat un orificiu de diametru 150 m,
realizat n oel inoxidabil cu o grosime de 1 mm. Se poate observa
c partea de ieire a orificiului este perfect rotund. Partea de intrare
a fasciculului laser n material are foarte puine cruste (ce pot fi
ulterior ndeprtate prin lustruire uoar), pe cnd partea de ieire
este perfect curat, lipsit de cruste.
Aceast textur a suprafeei demonstreaz faptul c zona
236
prelucrat este afectat minim de cldura fasciculului.
Figura 9.8 Microguriri ultraprecise realizate n metale
D. Microguriri realizate n polimeri

n figura 9.9. sunt
prezentate orificii cu profil ptrat
sau circular cu dimensiuni
cuprinse intre 40 i 50 m,
realizate intr-un polimer
(polyamid) de grosime 50 m,
cu un timp mediu de realizare a
unui orificiu de 50 ms.
Acest tip de prelucrare s-a
realizat cu ajutorul unui laser UV,
acesta reprezentnd o opiune a
instalaiei din figura 9.4 .
Figura 9.9 Microguriri realizate

n polimeri
237
Prelucrarea microcanalelor-microfrezare
Laserul CVL este folosit pentru ablaia precis a materialului

de pe suprafa, i cu ajutorul calculatorului i comenzii numerice se
pot realiza modele complexe.
In figura 9.10 este prezentat
un microcircuit, format din canale de
25m lime, prelucrate ntr-un strat
de nichel de 5m, pe un suport
ceramic. Viteza de trasare este
cuprins ntre 50 i 250 mm/s.
Prelucrarea cu ajutorul
laserului a modelelor de
microcircuite este folosit atunci cnd
dimensiunile canalelor sunt dincolo
Figura 9.10 Microcircuit de posibilitatile de prelucrare
realizat cu laserul CVL chimic sau dac materialul ce
trebuie prelucrat nu poate fi uor ndeprtat pe cale chimic.
Laserii au, de asemenea, avantajul prelurii de pe calculator a
parametrilor de regim i a modelului ce trebuie prelucrat, reducnd
astfel timpii de setare i costurile.
Figura 9.11 Modelarea unei suprafee la dimensiuni sub-micronice
Modelul prezentat n figura 9.11 este realizat pe suprafaa

unei piese din oel. Modelul are un tipar cu dimensiuni extrem de
reduse: ptratele obinute prin ablaie au laturile de 2 m, iar razele
de racordare au 0.25 m.
Fiecare prism prezentat n figura 9.12 are urmtoarele
dimensiuni: 80m80m250m , iar distana dintre ele este de
20m. ntreaga reea conine cteva mii de prisme de acest fel.
238
Figura 9.12 Modelarea unui traductor ultrasonic
Microcurarea suprafeelor cu laser excimer
Acest proces de microcurare a suprafeelor se bazeaz mai

degrab pe principiile fizicii cuantice dect pe chimie.
Lumina laser, provenit
de obicei de la un laser excimer
figura 9.13 UV, este trimis
pe suprafaa de curat
simultan cu un gaz inert.
Atracia, sau legtura, ce reine
impuritile pe suprafaa int
este rupt de fotonii din lumina
laser. Impuritile se ridic
ulterior n cmpul de radiaie al
laserului. Acesta este un efect
cuantic cunoscut de ctre
fizicieni dar, nu pe deplin
neles nc. n timp ce
impuritile se ridic de pe
suprafaa int, ele sunt
ndeprtate de un gaz, ca
argonul sau azotul, ce circul
de-a lungul suprafeei
respective. Gazul este ulterior
Figura 9.13 Instalatia de filtrat pentru a reine
curare cu laser excimer impuritile. Prin acest proces
au fost ndeprtate particule
avnd dimensiuni de la 80nm pn la 0,1 m.
A fost, de asemenea, demonstrat utilizarea acestei metode
de curare ca o alternativ la ndeprtarea reziduurilor rmase n
urma lustruirii chimice sau mecanice. Aceast metod a fost utilizat
239
la curarea fotomtilor din siliciu, cuar, metal, hard-disk-urilor,

plasticelor n general a tuturor materialelor folosite n fabricarea
computerelor i microprocesoarelor.
Eficiena currii este direct dependent de lungimea de
und a laserului, a energiei pe fiecare puls, rata de repetiie, durata
pulsului i profilul fasciculului. De asemenea, o influen deosebit o
are i tipul gazului folosit, viteza sa de curgere, precum i tipul de
impuriti ce trebuie ndeprtate.
9.3 Finisarea cu laser a suprafeelor

la nivel submicrometric
Procesul de finisare cu laser la nivel submicronic este la prima

vedere, relativ simplu, dar dificil de inut sub control la parametrii de
calitate a suprafeei cerui, datorit fenomenelor de complexitate
ridicat, care se produc n timpul prelucrrii superificiale a suprafeei.
Procesul se bazeaz pe topirea supeficial a materialului
respectiv a microvrfurilor profilului la nivel microgeometric
utiliznd energia radiaiei laser, n scopul umplerii microdepresiunilor
prin curgerea materialului aparinnd microvrfurilor sub efectul
gravitaiei.
a) nainte de finisarea cu laser
b) dup finisarea cu laser
Figura 9.14 Profilul suprafeei
Prin urmare, dac iniial suprafaa era caracterizat prin

rugozitate ridicat (figura 9.14,a), prin topirea superficial a
240
materialului, poate fi realizat netezirea suprafeei la nivel

microgeometric (figura 9.14,b).
n esen, n timpul procesului de finisare cu laser a
suprafeelor, energia termic trebuie s afecteze numai zona
superficial a piesei de pelucrat, respectiv, microvrfurile profilului
suprafeei, deoarece nu se intenioneaz modificarea
macrogeometriei piesei.
Realizarea acestui obiectiv presupune c numai o cantitate
redus a energiei trebuie s fie concentrat n zona prelucrrii cu
scopul de a evita producerea distorsiunilor formei piesei, mai ales n
cazul n care, se prelucreaz repere cu perei subiri, frecvent
ntlnite n tehnologia actual.
La polul opus, densitatea de energie extrem de ridicat,
apropiat de aceea folosit n cazul proceselor de tiere sau sudare
cu laser ar afecta materialul prelucrat pe o adncime mai mare (prin
topire i vaporizare) dect este necesar la procesul de finisare la
nivel submicronic.
n scopul obinerii gradului de finisare a suprafeei cerut,
parametrul major care trebuie s fie meninut sub control este
cantitatea de energie care este adus pe suprafaa piesei de
prelucrat.
Cantitatea de energie caracterisitc finisrii cu radiaie laser
depinde n mod esenial de urmtorii parametri tehnologici:
viteza de avans a radiaiei laser pe suprafaa piesei la o
vitez de avans ridicat, radiaia laser acoper o arie mai mare a
piesei, iar suprafaa primete o cantitate mai redus de energie, fiind
mai puin nclzit;
densitatea de putere, care la rndul ei depinde n principal,
de ali doi parametri:
puterea total concentrat n interiorul radiaiei laser,
care poate fi ajustat prin modificarea aperturii generatorului cuantic;
dimensiunea spotului produs de radiaia laser pe suprafaa
piesei, care depinde n special de tipul de laser i distana focal;
distribuia de energie este determinat de regimul de prelucrare,
care la rndul lui, este dependent de tipul generatorului.
9.3.1 Mecanisme specifice ale procesului de de finisare

submicrometric cu laser
n principal, exist dou mecanisme majore dup care se
produce finisarea submicrometric cu laser:
241
Topirea superficial a suprafeei (Surface Shallow Melting -

SSM);
Supratopirea suprafeei (Surface Over Melting - SOM).
Acestora le corespund fenomene specifice care modific
suprafaa baleiat cu laser n timpul procesului de prelucrare.
Fenomenologia fiecrui mecanism este determinat de
niveluri diferite ale puterii i vitezei de avans utilizate.
Rugozitatea (Ra) iniial a suprafeei, naintea de finisarea cu
laser are un rol important n cadrul mecansmului de prelucrare
respectiv.
Topirea superficial a suprafeei (SSM)

Profilul suprafaei piesei vizualizat cu ajutorul microscopului
cu scanare electronic (Scanning Electron Microscope - SEM)
cuprinde microvrfuri i microdepresiuni. Atunci cnd radiaia laser
cu energie suficient atac suprafaa, microvrfurile ating n mod
rapid temperatura de topire.
La prelucrarea cu o vitez de avans relativ mare, are loc
topirea materialului la nivel superficial. Materialul topit curge ctre
microdepresiuni datorit gradientului tensiunii superficiale i forei
gravitaionale i astfel, se produce reducerea nlimii profilului
microgeometriei.
Mecanismul SSM are o desfurare specific n cazul
prelucrrii suprafeei unei piese realizate din material compozit cu
structur micrometric sau nanometric, a crui utilizare este din ce
n ce mai frecvent la ora actual.
t1 t2
t3 t4
(t1< t2< t3< t4<
Figura 9.15 Devoltarea mecanismului de topire superficial la finisarea

cu laser a materialelor compozite cu structur micro i nanometric,
obinute prin sinterizare
242
Structura materialului compozit poate fi considerat o

agregare a unor sfere cu diametre egale cu diametrul mediu al
particulelor care au alctuit pulberea iniial. Un microvrf
corespunde prii superioare a unei sfere, iar o microdepresiune
este format n spaiul creat de trei sfere tangente.
n timpul procesului de finisare cu laser, radiaia atac
suprafaa piesei, iar suprafeele sferelor acoperite de spotul laser,
care ajunge pe suprafaa piesei, ating extrem de rapid temperatura
de topire.
Odat cu desfurarea procesului de topire a materialui, se
produce curgerea lichidului din partea superioar a unei sfere ctre
microdepresiuni, netezind profilul suprafaei exterioare a piesei
prelucrate, dac timpul curent (ti) de curgere a materialului este mai
mic dect timpul de soldificare (ts), dup cum este prezentat n figura
9.15.
Supratopirea suprafeei (SOM)

n cazul n care viteza de avans este redus, se produce o
supranclzire a suprafeei baleiate cu laser. Din aceast cauz, are
loc topirea complet a suprafeei de contact cu radiaia laser.
Rezult astfel, creterea rugozitii iniiale a suprafeei piesei,
aceasta constituind esena mecanismului de tip SOM.
Prin comparaie, SSM produce reducerea rugozitii
suprafeei prin creterea vitezei de avans pn la o valoare limit de
lucru. n cazul opus, atunci cnd viteza de avans se reduce,
interaciunea dintre radiaia laser i suprafaa piesei se intensific,
aceasta conducnd la producerea mecanismului SOM i creterea
rugozitii suprafeei.
Mecanismul SOM este prezentat n figura 9.16.
Figura 9.16 Dezvoltarea frontului de solidificare a suprafeei baleiate cu

laser la mecanismul de supratopire (SOM)
243
Deplasarea spotului radiaiei laser pe suprafaa piesei

determin curgerea materialului pe direcia gradientului tensiunii
superficiale pn la frontul de solidificare. Se produce astfel, n
apropierea zonei de trecere de la starea lichid la starea solid a
materialului, o ondulaie puternic a suprafaei piesei prelucrate.
n cazul unui material compozit obinut prin prototipare rapid,
de tip LaserFormST-100, mecanismele de finisare cu laser au o
specificitate aparte.
Structura LaserFormST-100 include un strat superficial de
cupru de 10-30 m, particule de bronz i oel inox n adncime.
Acestea se caracterizeaz prin capaciti diferite de absorbie a
radiaiei termice, respectiv ridicat i sczut.
Compoziia acestui tip de material este de aproximativ, 40%
bronz i 60% oel inox. Materialul compozit LaserFormST-100 are
proprieti similare oelului P20, care are urmtoarea compoziie,
specific oelurilor aliate de mbuntire (C 0,35%, Si 0,4%, Cr
1,2%, Mo 0,35%).
n figura 9.17, este prezentat influena radiaiei laser n
funcie de adncimea ei de ptrundere (h) n structura materialului.
Se pot distinge patru faze ale mecanismului de topire generat de
baleierea cu radiaie laser a suprafaei piesei din material compozit:
Faza 1 Faza 2 Faza 3 Faza 4 Faza 5

SSM SOM 1 SOM 2 SOM 4 SOM 4
profilul strat oel bronz
adncime suprafeei cupru
ptrundere h
Figura 9.17 Fazele mecanismului de topire n cazul unei din piese din
material compozit obinut prin prototipare rapid
Faza 1 dac adncimea de ptrundere h este mai mic

dect nivelul microdepresiunilor (rugozitatea Rz), se produce
mecanismul SSM, determinat de valori reduse ale vitezei de avans,
realizndu-se astfel reducerea rugozitii;
Faza 2 dac adncimea de ptrundere h este mai mare
dect rugozitatea Rz se produce primul tip de mecanism SOM;
Faza 3 - dac adncimea de ptrundere h este considerabil
244
mai mare dect n fazele anterioare, are loc topirea particulelor de

bronz;
Faza 4 - dac adncimea de ptrundere h este mai mare de
30 m, se produce topirea particulelor de oel inox i se amestec
cu materialul topit din particulele de bronz;
Faza 5 adncimea de ptrundere h este n continu
cretere i determin producerea unui maxim de oxidare a Fe de la
suprafa; rugozitatea Ra crete continuu.
Alte fenomene superficiale
Dac finisarea cu laser se realizeaz n prezena unui gaz

auxiliar oxigenul (a crui alimentare se face cu o anumit
presiune), materialul topit are suficient timp s reacioneze cu gazul,
formnd oxizi stabili.
n timpul solidificrii, este posibil s apar fenomenul de
segregare a acestor oxizi de restul materialului n zona adiacent
frontului de solidificare.
Astfel, este afectat suprafaa prelucrat datorit densitii
reduse a acestor compui chimici. Se formeaz nite plci de
dimensiuni mari n interiorul matricii metalului de baz.
Oxizii datorit entropiei de formare, se dezvolt astfel nct,
ulterior prezint o suprafaa mai neted dect matricea materialului
compozit. Prin urmare, formarea oxizilor contribuie la reducerea
suprafeei finisate cu laser.
Avnd n vedere viteza ridicat de nclzire i topire produs
de radiaia laser, se produce un fenomen de durificare superficial,
specific tuturor tehnologiilor neconvenionale de natur termic.
9.3.2 Parametrii tehnologici principali la finisarea

Finisarea suprafeelor cu radiaie laser are parametrii

tehnologici principali de intrare similari cu alte prelucrri cu laser
dup cum este prezentat n continuare:
Viteza de avans (va) reprezint viteza cu care se execut
micarea de avans a capului de lucru n raport cu piesa, exprimat
n uniti de msur ale vitezei liniare, n general, n mm/min. Acest
parametru este o msur a productivitii i determin timpul de
interaciune dintre sursa de cldur i piesa de prelucrat. La vitez
245
de avans redus, grosimea stratului influenat termic este mai mare;

la vitez mai mare, efectul este superficial.
Puterea (P) reprezint relaia dintre energia radiaiei laser i
timp. Prin urmare, densitatea de putere (qP) este exprimant ca fiind
concentrarea puterii pe spotul produs de raza laser pe suprafaa
piesei prelucrate, respectiv pe unitatea de suprafa; [qP]=[W/cm2].
Densitatea de energie (qE). Variabilele implicate n calculul
densitii de energie sunt viteza de avans (va), puterea (P) i
diametrul rezei laser (d), conform urmtoarelor relaii:
[va]=[mm/s]
[P]=[W]=[J/s] (9,1)
[d]=[mm]
Rezult c densitatea de energie (qE) se calculeaz cu

relaia:
[ P] [ J / s] [J ]
qE = = = (9.2)
[ d ] [v a ] [mm] [mm / s ] [mm 2 ]
Poziia punctului focal (x) reprezint distana [mm] de la

suprafaa piesei pn la punctul n care fasciculul laser este
convergent. Acest parametru determin densitatea de energie care
ajunge pe suprafaa materialului de prelucrat.
cap de lucru
punct focal
distana standoff
piesa
diametrul
spotului
Figura 9.18 Variaia distanei dintre capul de lucru i suprafaa
piesei pentru reglarea diametrului spotului
246
Dac se iau n considerare seciunile longitudiale prin

fasciculul laser, se poate observa c densitatea maxim de energie
este localizat n interiorul zonelor aflate n imediata vecintate a
punctului focal.
Variind distana dintre suprafaa piesei de prelucrat i capul
de lucru (distana standoff), se poate controla diametrul spotului de
pe suprafaa piesei, rezultnd astfel diametre ale spotului mai mari
de 2 mm (figura 9.18).
Astfel, suprafaa prelucrat la fiecare trecere a radiaiei laser
are lime mai mare dect aceea rezultat la tiere spre exemplu.
La finisarea submicrometric cu laser, este important ca
energia s fie uniform distribuit pe suprafaa spotului produs pe
suprafaa piesei prelucrate.
n aceste condiii, finisarea cu laser cu CO2 nu prezint gradul
dorit de uniformitate datorit distribuiei inegale a energiei, care este
determinat de curba lui Gauss. Din acest motiv, este mult mai
avantajoas utilizarea laserului cu semiconductori (dioda laser), la
care distribuia energetic este mult mai uniform.
Energia necesar aplicat pe suprafaa prelucrat pentru a
realiza finisarea la nivel submicrometric depinde de capacitatea de
absorbie a materialului i rugozitatea iniial a suprafeei.
Pentru diferite tipuri de prelucrri, punctul focal poate fi situat
n trei poziii distincte, dup cum se prezint n figura 9.19):
a) focalizat - chiar pe suprafaa de prelucrat;
b) defocalizat - deasupra suprafeei de prelucrat (cea mai
utilizat variant);
c) prefocalizat - sub suprafaa de prelucrat.
n cazul a) n care fasciculul laser este focalizat chiar pe

suprafaa de prelucrat, densitatea de energie aplicat pe suprafaa
piesei are valoare maxim, iar aria afectat termic este minim.
n cazul b), densitatea de energie de pe suprafaa prelucrat

este redus prin reglarea distanei dintre capul de lucru i suprafaa
piesei.
Cazul c) este de evitat deoarece se pot produce deteriorri n

interiorul materialului de prelucrat datorit concentrrii energiei n
structura acestuia.
247
b
a
c
lentile de
focalizar
Suprafaa
x=0 x
piesei
x
Fig. 9.19 Poziii ale punctului focal la prelucrarea cu laser
Gazul auxiliar (p). La fiecare proces de prelucrare cu laser,

se utilizeaz diferite tipuri de gaze auxiliare, cu roluri diferite n
cadrul mecanismelor de prelucrare.
Gazul auxiliar sau gazul de proces curge coliniar cu direcia
razei laser. n funcie de procesul de prelucrare sau materialul de
prelucrat, gazul poate fi activ, cum este cazul oxigenului, sau inert,
cazul argonului sau heliului.
Oxigenul, datorit reaciei exoterme, faciliteaz topirea
materialului. n acest context, presiunea gazului influeneaz
evacuarea metalului topit.
n alte cazuri, se poate folosi un gaz inert n scopul realizrii
separrii dintre materialul topit i mediul extern, n acest mod,
condiiile de prelucrare fiind meninute sub control. Acesta este cazul
finisrii submicrometrice cu laser a materialului compozit, LaserForm
ST-100, la care se utilizeaz argon.
n scopul evitrii prelevrii unui strat de material de adncime
prea mare, densitatea de energie distribuit pe suprafaa prelucrat
este necesar s fie diminuat. Prin urmare, viteza de avans este
maximizat cu prioritate, ceea ce conduce i la reducerea timpului
de prelucrare (creterea productivitii).
La stabilirea regimului de prelucrare pot fi avute n vedere
dou posibiliti: reducerea puterii sau creterea diametrului spotului.
Aceste dou opiuni pot conduce la producerea aceluiai efect -
scderea densitii de energie; trebuie ns avute n vedere de
asemenea, i aspectele de natur practic ale prelucrrii.
248
Fig. 9.20 Finisarea cu laser folosind diferite diametre ale spotului
Prin creterea diametrului spotului, poate fi finisat prin

baleiere o arie de lime mai mare la o singur trecere a razei laser
pe suprafaa prelucrat. Este necesar i o suprapunere a
suprafeelor prelucrate prin mai multe treceri pentru baleierea
complet a suprafeei prelucrate.
De asemenea, cu ct diametrul spotului este mai mare, cu
att scade numrul de treceri a razei laser pe suprafaa piesei
finisate, dup cum este prezentat prin comparaie n figura 9.30.
Este necesar meanionarea faptului c la prelucrarea cu
diametru mic al spotului, tendina de producere a mecanismului de
supratopire de tip SOM este evident.
9.3.3 Rezultate experimentale obinute la finisarea

Determinrile experimetale au fost realizate pe o instalaie
Robotiker care include un laser cu CO2, ROFIN DC 025, cu o putere
249
nominal de 2500 W.
Instalaia prezint un cap de lucru Weidmller 5 KN/MG cu
lentile convexe de focalizare din ZnSe, care asigur o distan focal
de 200 mm, obinnd un diametru al spotului de minimum 0,4 mm.
Rugozitatea obinut pe piese de tip mostr a fost msurat
cu ajutorul unui rugozimetru electronic i apoi procesat, asistat de
calculator, n vederea obinerii profilului microgeometriei suprafeei
prelucrate i microtopografiei tridimensionale.
n vederea realizrii programului experimental s-a utilizat
metoda Taguchi asistat de calculator, elaborndu-se un program
de calcul cu ajutorul cruia se stabilete cea mai mic matrice de
experiene compatibil cu numrul total de grade de libertate cerute.
Organigrama programului este prezentat n figura 9.21
Numrul de
factori (Nfi) ,
Numrul de
interaciuni (Ninti)
Determinarea gradelor de libertate Gl (Fi , Nj)

asociate factorilor (Fi) i
nivelurilor de experimentare (Nj)
Determinarea gradelor de libertate Gl (Fi , Intk)

asociate factorilor (Fi) i
interaciunilor dinte acetia (Intk)
Nu Determinarea dimensiunilor matricei de

experiene standard
Furnizarea
matricei de
experiene
standard
Figura 9.21 Organigrama programului experimental
250
Unul dintre materialele finisate cu laser a fost Orvar Supreme,

un material compozit fabricat de Uddeholm, destinat realizrii
sculelor utilizate pentru temperaturi i presiuni ridicate.
Acest material este caracterizat prin: rezisten ridicat la oc
termic i solicitare la oboseal termic, efort unitar mare la
temperatur mare, excelent tenacitate i ductilitate pe toate
direciile, bun prelucrabilitate n special la finisare, excelente
proprieti la durificare termic (ca de exemplu, stabilitate
dimensional). Aceste caracteristici prezint interes pentru diverse
utilizri ale acestui material n cele mai variate domenii.
Principalele elemente din compoziia chimic a materialului
sunt: C 0,39%; Si 1,0%; Mn 0,4%; Cr 5,2%; Mo 1,4%;
V 0,9%.
Prin nclzirea de la 20 la 700 oC, densitatea materialului
scade de la 7800 la 7600 kg/m3, iar conductivitatea termic a
acestuia crete de la 25 la 30 W/m oC.
Analiznd aceste proprieti fizice, se poate observa c acest
material are o relativ bun capacitate de absorbie a energiei termice
a radiaiei laser n principal, datorit coninutului de carburi metalice
i rugozitii iniiale a suprafeei de prelucrat.
n scopul evidenierii efectului produs de radiaia laser la
finisarea suprafeei, comparativ cu starea iniial a acesteia,
rezultat din prelucrrile anterioare, mostra a fost prelucrat numai
prin frezare pe suprafeele sale laterale i prin finisare cu laser, n
zona central dup frezare. n acest sens, n figura 9.22 i figura
9.23, sunt prezentate cele mai semnificative rezultate.
Este necesar a fi menionat c msurarea rugozitii obinute
s-a realizat pe direcie perpendicul n raport cu urmele produse de
trecerile spotului laser pe suprafaa mostrelor.
Figura 9.22 Comparaie ntre profilul microgeometriei

n cazul mostrelor de Orvar
251
Figura 9.23 Microgeometria 3D n cazul mostrelor de Orvar
Tabelul 9.2 Selecie a rezultatelor experimentale obinute

la finisarea cu laser a oelului Orvar
Supra- Putere Distana

Ra iniial Ra final
poziionare laser standoff
[m] [m]
[mm] [W] [mm]
0,1 800 22 0,756 0,356
0,2 1000 27 0,932 0,372

0,4 1200 27 1,299 0,583
n tabelul 9.2, sunt prezentate valorile medii obinute dup
trecerile liniare ale spotului laser pe suprafaa mostrei, orientate
perpendicular pe urmele prelucrrii anterioare (figura 9.24). Limea
urmei produse de fiecare trecere este cuprins ntre 0,8 i 2,2 mm.
Figura 9.24 Fotografie a suprafeei oelului Orvar

dup mai multe treceri de finisare cu laser
252
n continuare, trecerile au fost suprapoziionate pentru

finisarea complet a ntregii suprafee a piesei. Dup cum se poate
observa, rugozitatea final dup finisarea cu laser depinde n mare
msur de rugozitatea iniial a mostrei. Se poate concluziona c n
cazul acestui material, procedeul de finisare cu laser are capacitatea
s reduc rugozitatea iniial cu mai mult de 50%.
Comparativ, a fost finisat cu laser un al doilea material, oelul
aliat F114 (AISI 1045 dup normele internaionale), utilizabil n cazul
pieselor supuse unor solicitri mecanice moderate.
Compoziia chimic a acestui material este urmtoarea: C
0,18; Mn - 0,75; Si 0,3; P max 0,04; S max 0,05 [%].
Principalele proprieti fizice legate de capacitatea de
absorbie a energiei termice produse de radiaia laser sunt:
densitatea 7850 [kg/m3] i conductivitatea termic 49,8 [W/mC].
n comparaie cu materialul anterior, F114 posed o
capacitate de absorbie mai redus, datorat n special, coninutului
mai mare al constituentului Fe.
Similar cazului precedent, mostra a fost prelucrat prin
electroeroziune (Electrodischarge Machining - EDM) sau frezat pe
suprafeele laterale i finisat cu laser n zona central dup
prelucrrile anterioare prin EDM sau frezare.
Rezultatele corespunztoare referitoare la profilul
microgeometriei i microtopografiei tridimensionale sunt prezentate
selectiv n figurile 9.25. 9.26, 9.27 i tabelul 9.3.

n cazul mostrelor de F114
253
Figura 9.26 Microgeometria 3D n cazul mostrelor de F114
Tabelul 9.2 Selecia rezultatelor experimentale obinute

la finisarea cu laser a materialului F114
Prelucrri Putere laser Distana standoff Ra iniial Ra final

anterioare [W] [mm] [m] [m]
Frezare 1500 40 0,802 0,436
EDM 1700 40 0,933 0,288
Figura 9.27 Microfotografie a mostrei din material F114 finisat

cu laser n zona central
n acest stadiu al cercetrilor experimentale, rezult c

finisarea cu laser asigur reducerea rugozitii iniiale cu pn la
70%. Mai trebuie precizat c finisarea submicrometric prin LBM
este mai eficient, respectiv mbuntete mai mult rugozitatea
iniial cu ct aceasta are valoare mai mare.
n particular, eficiena procesului a fost mai vizibil n cazul
suprafeelor prelucrate iniial prin electroeroziune (care au prezentat
rugozitate mai mare) comparativ cu suprafeele frezate anterior.
Experimentrile s-au desfurat n condiii de lucru adecvate,
urmrindu-se optimizarea parametrilor tehnologici.
254
Astfel, n cazul suprafeelor anterior frezate, s-au utilizat valori

ale puterii laserului cuprinse ntre 200 i 1875 W i distane standoff
n intervalul 40 70 mm. Prin comparaie, la finisarea cu laser a
suprafeelor prelucrate prin electroeroziune, valorile puterii laserului
au fost mai ridicate (1500 - 1900 W), iar distanele standoff, mai
reduse (20 40 mm).
Prin urmare, la finisarea cu laser a suprafeelor frezate
anterior, densitatea de energie a fost mai redus prin diminuarea
puterii efective i defocalizarea fasciculului laser.
Un alt material prelucrat prin finisare cu laser a fost
LaserForm ST-100 obinut prin sinterizare selectiv cu laser
(Selective Laser Sintering - SLS) care are n structura iniial un
amestec de pulberi de oel inox i bronz. Acest tip de fabricare
primar este considerat mai rapid dect prototiparea rapid.
Problema care o ridic acest material compozit la finisarea cu
laser rezult din diferena major dintre temperaturile de topire ale
celor dou componente, bronzul i oelul inox.
Caracteristicile termo-fizice ale acestui material conduc la
declanarea mecanismului de supratopire de tip SOM n cazul
particulelor de bronz, datorit temperaturii sale de topire mai
sczute. Particulele din oel inox sunt mult mai puin afectate de
energia termic a fasciculului laser.
Principalele proprieti fizice care influeneaz mecanismul de
prelevare termic produs de laser sunt: densitatea 7700 kg/m3
(la 23 oC), conductivitatea termic 49 W/mC (la 100 oC) i 56
W/mC (la 200 oC).
Avnd n vedere proprietile menionate ale LaserForm ST-
100, alegerea valorilor parametrilor de lucru devine dificil.
Suplimentar, este necesar utilizarea unui gaz inert (argon) care
asist procesul de prelucrare.
Prelucrnd cu o valoare a puterii laserului de 1200 W,
distana standoff de 22 mm i o vitez de avans cuprins n
intervalul 1000-1400 mm/s, s-au obinut valori ale rugozitii (Ra)
cuprinse ntre 0,501 i 1,191 m. Rugozitatea iniial a materialului
obinut prin sinterizare selectiv cu laser a fost Ra=7,51 m.
Rezultatele obinute la finisarea cu laser a materialului
compozit LaserForm ST-100 sunt prezentate selectiv n figurile 9.28
i 9,29.
255

n cazul mostrelor de LaserForm ST-100
Figura 9.29 Microgeometria 3D n cazul mostrelor

de LaserForm ST-100
Comparativ, densitatea de energie utilizat n cazul acestui tip

de material compozit a fost mai ridicat dect n cazurile prezentate
anterior. Aceasta induce tendina de producere a mecanismului de
tip SOM, n volumele din structura materialului cu puncte de topire
mai sczute.
n figura 9.30, este prezentat suprafaa unei piese din Laser
Form ST-100, pe care sunt evideniate trecerile spotului laser, care
au condus la finisare submicronic.
n concluzie, se poate afirma c aceste cercetri, care au nc
un caracter preliminar, demonstreaz o mbuntire evident a
calitii suprafeei dup finisarea cu laser pn la o rugozitate cu
valori submicrometrice. Cele mai bune rezultate s-au obinut la
prelucrarea materialelor omogene cu capacitate redus de absorbie
a energiei termice. Aceasta constituie o baz pentru dezvoltarea
256
ulterioar a acestui tip de prelucrare avansat i aplicarea sa pe

scar larg.
Figura 9.30 Suprafaa unei mostre din LaserForm ST-100

prelucrat prin finisare submicronic cu laser
Rezultatele prezentate deschid perspectiva controlului

procesului de prelucrare cu ajutorul calculatorului, existnd
posibilitatea reducerii rugozitii suprafeei prelucrate la nivel
nanometric dup mai multe treceri ale spotului laser pe suprafaa
piesei.
Desigur, este important ca rugozitatea iniial, obinut prin
prelucrri anterioare, s aib o valoare apropiat de aceea final. n
primele etape, prin scanarea microgeometriei suprafeei, energia
fasciculului poate fi concentrat numai pe microvrfurile suprafeei
cu ajutorul comenzii numerice a instalaiei laser. Se realizeaz
astfel, o netezire gradual a suprafeei.
Densitatea de energie termic produs de fasciculul laser
este una dintre cele mai mari cunoscute. De aceea, poate fi utilizat
la finisarea oricrui tip de material cum sunt compozitele pe baz de
ceramic, ceea ce lrgete considerabil spectrul utilizrilor
poteniale.
9.4 Depunerea de mico i nanostraturi din materiale

compozite cu ajutorul laserului
Acoperirea cu laser reprezint una din tehnicile utilizate

pentru mbuntirea proprietilor suprafeelor, alturi de
pulverizarea cu plasm. Stratul depus pe materialul de baz trebuie
s i mbunteasc acestuia sau s i confere proprieti crescute
257
anticorozive sau de fiabilitate.

Procesarea suprafeelor cu ajutorul laserul prezint avantaje
deosebite, cum ar fi:
- energia eliberat poate fi foarte bine controlat;
- fasciculul laser poate fi foarte bine focalizat;
- energia termic se transfer punctual, astfel nct i
deformaiile termice sunt minime;
- vitezele de nclzire i de rcire sunt mari, rezultnd
structuri fine;
- procesarea se face fr contact, deci fr aplicarea unor
fore din exterior;
- procesul este bine cunoscut sub toate aspectele sale.
Schema general a depunerii de straturi pin pulverizare cu
laser este prezentat n figura 9.31.
Caracteristicile pe care trebuie s le aib straturile depuse
sunt prezentate n tabelul 9.4.
Tabelul 9.4 Caracteristici ale straturilor depuse

Caracteristici - dimensiunea
geometrice - rugozitatea
Caracteristici - duritate
mecanice - rezistena la oboseal
- rezistenala uzur
- rezistena la traciune
Caracteristici - microstructur
metalurgice - diluie
- mrime de grunte
- omogenitate
- rezisten la coroziune
Caracteristici calitative - porozitate
- fisurare
n practic, este dificil s se realizeze straturi n care s

regseasc toate caracteristicile menionate anterior la valori
optime, astfel nct se caut condiiile n care s fie ndeplinite ct
mai multe dintre cerine.
Acoperirile realizate cu ajutorul fasciculului laser au o
aderen foarte bun n raport cu materialul substratului, datorit
topirii pariale a acestuia n timpul depunerii. Este de menionat ns
c, grosimea substratului topit este att de mic, nct compoziia
258
stratului depus nu este afectat de compoziia materialului de baz.
Figura 9.31 Schema general de depunere a staturilor subiri

cu ajutorul laserului
Diluia materialului stratului depus cu elemente din materialul

substratului caracterizeaz, n final, calitatea stratului depus, ceea
ce a condus la determinarea unor metode de control adecvate.
Exist dou metode pentru aceasta. Prima metod folosete
geometria stratului de acoperire. Diluia este definit astfel ca
procent al adncimii stratului n substrat (dc), raportat la nlimea
total a stratului (tc), n seciune transversal, figura 9.32.
A doua metod este bazat pe analiza compoziiei
materialului stratului (chimic sau volumetric). Comparaia se face
ntre compoziia materialului iniial al stratului i compoziia stratului
de baz. Aceast metod permite determinarea diluiei n
adncimea stratului i este de preferat metodei geometrice.
Porozitatea stratului depus poate fi generat de existena
bulelor de gaz care rmn n compoziia stratului n timpul
solidificrii. Acest fenomen poate fi nlturat prin vibrarea piesei pe
259
care se face depunerea, remarcndu-se c acest proces reduce

tendina de fisurare i oboseal intern.
Figura 9.32 Elementele geometrice ale stratului depus
O a doua cauz a apariiei porilor este procesul de solidificare

ce se realizeaz pe direcii aleatorii care pot nchide ntre ele zone
de material topit. n cadrul acestor zone apar contracii, cresc
tensiunile interne i pot s apar incluziuni gazoase n materialul
stratului.
O alt categorie de pori apar la interfaa dintre substrat i
depunere datorit prezenei unor defecte de supafa ale
substratului, iar ultima categorie de defecte apare datorit excesului
de pulbere figura 9.33.
Figura 9.33 Apariia defectelor ngropate
Analiza proceselor complexe care apar la depunerea

straturilor cu fascicul laser conduc la concluzia c, se pot obine
rezultate bune n procesul de depunere dac se cunosc toate
variabilele procesului i interaciunile dintre ele.
Ansamblul acestor variabile este prezentat n figura 9.34.
260
Figura 9.34 Variabilele procesului de depunere cu laser
De asemenea, variaia unora dintre aceti parametri poate

conduce la variaia proprietilor stratului depus, dup cum se poate
observa n tabelul 9.5.
Tabelul 9.5 Efectul variaiei parametrilor asupra
caracteristicilor stratului depus
Printre cele mai des ntlnite metode de depunere a micro i

nanostraturilor din materiale compozite cu ajutorul laserului sunt
urmtoarele:
Depunerea de micro i nanostraturi cu laseri pulsai (PLD)

n tabelul 9.6 sunt prezentate caracteristicile unor regimuri de
261
lucru utilizate la depunerea de diferite materiale pe substraturi n

special din safir i siliciu .
Analiza suprafeei filmelor depuse s-a fcut prin AFM
microscopia de for atomic , aparinnd metodei SPM (Scanning
Probe Microscopy ) .
De exemplu pentru o suprafa de 10x10 m, n figura 9.35,a
este prezentat imaginea stratului depus iar n figura 9.35,b
rugozitatea (RMS) acestei suprafee n cazul depunerii de ZnO pe
substrat de safir ; n figura 9.36,a i figurs 9.36,b sunt prezentate
aceleai elemente n cazul depunerii de ZnO pe substrat de siliciu .
S-a constatat c depunerea realizat pe siliciu are o
rugozitate mult mai bun i o structur mult mai compact.
a b
Figura 9.35 Depunere de ZnO pe safir
a b
Figura 9.36 Depunere de ZnO pe siliciu
Obinerea straturilor de acoperire prin metoda depunerii prin

vapori puri
n timpul evaporrii pure a materialului de acoperire cu
ajutorul unui fascicul laser i depunerea prin vapori a materialului de
262
substrat n forma sa pur sau ntr-o form de amestec obinut prin

sinteza materialului cu gazul reactiv, straturile de acoperire obinute
sunt identice cu cele obinute prin metoda tipic PVD . n cazul
evaporrii laser pot aprea depuneri de material topit . Din acest
motiv pentru fiecare tip de material evaporat trebuie selectat tipul de
laser cel mai indicat.
n general regula se aplic pentru depunerea metalelor prin
vapori , cele mai bune rezultate fiind obinute prin utilizarea laserelor
Nd-YAG , n timp ce pentru materialele nemetalice se recomand
laserul CO2 .
Tabelul 9.6 Depuneri de micro i nanostraturi cu laseri pulsai

Caracteristici emisie laser
Material
Material Lungimea Arie
de Frecvena Energie
substrat de und spot
depunere [Hz] [mJ]
[nm] [mm2]
oel Al-Ni 355 10 50 0,5
safir ZnO 355 10 40 1
siliciu ZnO 266 10 30 1
Safir/safir
Al2O3/Zn 266 10 40 1
+ Al2O3
Caracteristici emisie laser

Distana
Presiune
int Temperatura Numr nclzire Rcire
oxigen
substrat [oC] pulsuri [oC/min] [oC/min]
[mbar]
[mm]
3x10-4 4 27 40.000 - -
0,005 4 200 60.000 20 20
0,005 4 200 80.000 20 20
10.000/
0,005 4 200 20 20
30.000
Formarea straturilor de acoperire prin metode chimice

(LCVD)
Diferena dintre aceast metod i cea descris anterior este
aceea c laserul descompune elementele n gaze de reacie
chimic ( dar nu n legtur cu materialul substratului ) . Un amestec
de gaze reactive NH3 i SiH4 introdus n camera de vacuum este
descompus n azot,hidrogen i siliciu iar azotul reacioneaz cu
263
siliciul formnd nitratul de siliciu n timp ce hidrogenul este evacuat

din camera . Stratul de acoperire este de culoare gri nchis i este
compus din particule de Si3N4 de 0,1 pn la 0,4 m .
9.5 Elemente privind ablaia cu laser a

materialelor compozite polimerice
Unul dintre scopurile nanotehnologiilor este i acela de a
lucra la nivel molecular pentru a se crea structuri cu o organizare
molecular total nou i cu proprieti mbuntite sau noi.
Polimerii au fost des folosii n industria de aprare i n
aplicaii comerciale. Produsele realizate din polimeri sunt, ns,
deficitare din punct de vedere al rezistenei mecanice.
Scopul tehnicilor compozite este de a mbunti proprietile
mecanice, termice i electrice ale polimerilor prin inserarea n
matricea polimerului a unui alt material. Nanoparticulele (zero
dimensional), nanofibrele (uni-dimensionale) i nanostraturile (bi-
dimensionale) au fost dispersate corespunztor n matricea
polimerului crend o suprafa mult mai mare pentru interaciunea
polimer/nanocomponent dect la compozitele convenionale
Dei tehnicile de micromodelare i microtiprire au fost
folosite pentru a se realiza suprafee cu structura n relief pe
substraturi de polimer, aplicabilitatea acestor tehnici este deseori
limitat de efectul pe care l au anumii compui chimici ce apar n
proces (solveni) i de anumite solicitri.
Microprelucrarea cu laser a fost folosita pentru a nltura
aceste disfuncii.
Dispozitivele laser cele mai des utilizate sunt cele cu UV, la
care, lungimile de und mici permit interaciuni puternice ale
fasciculului cu o serie de materiale. Microprelucrarea cu fascicul
laser are efecte termice puternice cnd materialele sunt nclzite
rapid, dincolo de nivelul corespunztor declanrii descompunerii
pirolitice, rezultnd o reacie de depolimerizare n lan.
Laserele UV pot procesa materiale prin ablaie direct, prin
vaporizare. Cu toate acestea, energia fotonilor trebuie s fie destul
de mare ca s poat distruge barierele chimice ale materialului vizat.
Materialul este apoi divizat n componentale sale chimice i nici o
faz lichid, de tranziie, nu apare n timpul acestui proces.
Cercetrile existente ofer informaii referitoare la
microprelucrarea cu laser a polimerilor i semiconductorilor, dar se
264
raporteaz mai puin la prelucrrile prin ablaie cu laser a

nanocompuilor polimerici.
Dei un polimer convenional poate avea o absorbie sczut
a energiei laser, ncorpornd o cantitate redus de nanoparticule
metalice (de ex. nanoparticule de aur) n matricea polimerului, se
poate spori absorbia laser cu toate efectele ce decurg din aceasta.
n continuare, se va prezenta ablaia laser a unui
nanocompus din polietilen cu densitate mare, cu inserii de
nanofibre de carbon HDPE.
Pentru ablaia nanocompuilor au fost folosite ambele
lungimi de und armonice a 2-a i a 3-a (532 nm i 355 nm) a unui
laser Nd:YAG. Dei HDPE (High-Density Polyethylene) este
transparent pentru lungimile de und vizibile i UV, absorbia
radiaiei a fost realizat de nanofibrele de carbon din matricea
polimerului.
Pentru studiul fenomenelor s-a utilizat microscopia de
scanare a electronului (SEM - Scanning Electron Microscopy) i
spectroscopia energiei dispersive (EDS Energy Dispersive
Spectroscopy), n vederea caracterizrii morfologiei i chimiei
suprafeei.
Pregtirea HDPE armat cu fibre de carbon obinut prin
evaporare (VGCF Vapor-Grown Carbon Fibres) a urmrit evitarea
aglomerrilor de nanofibre.
Dup amestecare, materialul a fost modelat prin comprimare
la o temperatur de 170-200 C pentru a forma folii foarte subiri.
Nanofibrele de carbon au fost produse printr-un proces
catalitic de hidrocarburi n stare de vapori. VGCF-urile au o seciune
circular cu diametru de la 20 la 200 nm i o cavitate interioar
central, (de obicei numit filament) cu diametre de zeci de
nanometri.
Configurarea sistemului pentru ablaia laser este
reprezentat n figura 9.37 i are urmtoarele componente: un
sistem laser, un sistem optic i un sistem de monitorizare on line.
Frecvena de repetare a fost de 2 Hz i energia concentrat a
variat de la 0,8 J/cm pn la 3 J/cm. Distana de focusare a
lentilelor a fost de 50 mm aducnd un spot laser de aproximativ
40m pe suprafaa eantionului.
Pentru a se msura transmisivitatea monocromatic a
nanocompuilor HDPE primari la lungimi de und de 532 nm i 355
nm s-a msurat energia laser nainte i dup procesare, folosind un
265
detector de energie piroelectric.

O serie de caviti au fost
ablate de deasupra suprafeei i
de la marginea probei din
materialul compozit. Numrul de
pulsaii laser a variat de la una
singur la 5, 20, i 50 pulsaii
pentru a putea s se determine
dependena dintre numrul
pulsaiilor i adncimea ablaiei.
A fost aplicat o foi
subire de aur pe suprafaa
compusului pentru a crete Figura 9.37 Montajul experimental
conductibilitatea eantionului. pentru ablaie cu laser
a) 0,8 J/cm b) 1,3 J/cm
c) 1,8 J/cm d) 2,5 J/cm

Figura 9.38 Imagini ale zonelor de ablaie la diferite
energii laser (=355nm)
Figura 9.38 prezint imagini SEM ale unor serii de orificii

ablate dintr-un compus HDPE-VGCF sub aciunea diferitelor energii
laser.
266
La nivelul energetic situat chiar deasupra pragului ablaiei

laser, care este 0.8 J/cm pentru 355 nm (figura 9.38,a), a fost
observat expansiunea volumetric, pop-up. Diametrul i
adncimea orificiilor ablate au crescut odat cu energia.
Analiza elementelor EDS a artat aceeai compoziie chimic
n zona de pop-up ca i n zona vecin neiradiat. Inspectnd cu
atenie suprafaa, s-a observat c ablaia a fost iniiat n masa
compusului n loc s aib loc la suprafa. Acest fapt a indicat
efectul tipic volumetric care are loc n ablaia fototermal laser. Cu
alte cuvinte, absorbia luminii laser incidentale i acumularea cldurii
au necesitat un anumit volum al probei.
Monomerul sau oligomerul rezultat a fost n stare gazoas
producnd o presiune mare care a indus expansiunea volumetric n
masa compusului.
Odat cu creterea energiei laser, orificiile ablate i-au
mrit diametrul figura 9.38,b.c.d.
Rezultate similare figura 9.39 au fost obinute i pentru
cazul utilizrii lungimii de und de 532 nm.
a) 1.6 J/cm b) 2.3 J/cm
c) 3.2 J/cm d) 3.8 J/cm
Figura 9.39 Imagini ale zonelor de ablaie la diferite

energii laser (=532nm)
267
Pragul ablaiei n acest caz a fost de ~ 1.6 J/cm (figura

9.39,a), efectul expansiunii volumetrice putnd fi vzut clar.
Rezultatele nregistrate folosind ambele lungimi de und (532
i 355 nm) sugereaz c procesul ablaiei laser a depins mai puin
de lungimea de und. Aadar, o varietate mare de lasere, de la UV
la vizibile pot fi folosite pentru microprelucrarea nanocompuilor.
S-au efectuat experimente i cu un numr diferit de pulsaii.
Adncimea ablaiei a crescut linear odat cu numrul
pulsaiilor laser asa cum se observ n figura 9.40. Ablaia n form
de fulg (plume) s-a disipat total nainte s blocheze urmtoarea
pulsaie laser i cldura nu s-a acumulat pe suprafaa ablat ntre
intervalele dintre pulsaii.
adancimea ablatiei (m)
Figura 9.40 Adncimea ablaiei funcie de numrul de pulsaii

(=355nm, E=1,8L/cm2)
Pulsaiile laser au fost, de asemenea, trimise i pe marginea

probei de nanocompui, prelucrarea facndu-se numai pe jumtatea
spotului. Aceasta a permis s se analizeze ndeaproape
configuraia n seciune a orificiilor ablate - figura 9.41.
O vedere n detaliu a peretelui exterior al orificiului este
prezentat n figura 9.42.
S-a observat c nanocompusul s-a topit la locul ablaiei cu un
flux lichid resolidificat i materialele ablate depozitate. Acest rezultat
indic clar efectul fototermal din timpul procesului de ablaie.
268
Figura 9.41 Imagini SEM ale seciunii orificiilor ablate (=355nm,

E=1,8L/cm2, numr de pulsuri, succesiv 1, 5, 20 )
Figura 9.42 Detaliu al peretelui zonei ablate cu un laser cu =355nm
Msurarea coeficientului de absorbie al HDPE iniial a fost de

0,42 mm -1 la 355 nm i 0,33 mm-1 la 532 nm.
Prin adaugarea unei cantiti mici de nanofibre de carbon n
matricea HDPE s-au obinut coeficieni de absorbie de 5,71 mm
cu 355 nm i 8,98 mm cu 532 nm.
269
n analiza elementelor unui EDS, Nb i Pb (componentele

catalizatorilor metalici), au fost n concentraie mai mare pe
suprafaele ablate dect pe suprafaa original. Din moment ce
catalizatorii metalici au coexistat cu nanofibra de carbon, mai multe
nanofibre de carbon au aprut pe suprafeele ablate dect pe
suprafaa original, ceea ce conduce la idea c nanofibrele de
carbon sunt mai stabile termic dect HDPE la temperatur mare.
Pentru a se nelege efectul fototermic care induce procesul
ablaiei, a fost efectuat un simplu studiu numeric folosind modelul
conductibilitii cldurii al lui Fourier, modelul fiind valabil pentru
procesele de nclzire cu laserul nanosecund.
Modelul conine dou elemente: nanofibra de carbon care
absoarbe radiaia laser i matricea polimerului care nconjoar
nanofibra. Cele dou pri sunt legate de conductibilitatea cldurii
prin interfa. Toate proprietile materialelor cu excepia cldurii
specifice a nanofibrei au fost cele indicate de productor.
Cldura specific a nanofibrei a fost aproximat cu cea a
grafitului datorit lipsei altor informaii. Dei conductibilitatea termic
a unei nanofibre de carbon izolat a fost estimat la 1900 W/mK,
conductibilitatea termic efectiv a compusului este mult mai mic
dect se atepta, datorit rezistenei conductibilitii de interfa.
S-a remarcat c rezistena termic de interfa introduce erori
considerabile n modelul iniial al conductibilitii pentru materialele
nanocompuse.
Rezultatele simulrii dinamicii moleculare au artat c energia
transferului dintre nanofibra de carbon i polimer poate fi
caracterizat printr-o vibraie de fonon de joas frecven. Fononii
din modulul de nalt frecven rezultai din efectul fototermic trebuie
s se transfere ntr-un mod de joas frecven i, prin urmare,
transferul de energie este mpiedicat n mod semnificativ. O
conductibilitate de interfa de 5 MW/mK a fost incorporat n model
pentru a rspunde de efectul conductibilitii de interfa a cldurii.
Din aceast simulare s-a dovedit c nanofibra a atins
temperaturi de pn la ~1800oK n timp ce temperatura materialului
de baz (HDPE) a fost mult mai scazut n timpul procesului.
Figura 9.43 prezint variaia temperaturii unei nanofibre de
120 nm n diametru i n matrice HDPE la un puls laser de 0.8
J/cm.
S-a demonstrat c, la ablaia laser direct a unui nanocompus
HDPE folosind un laser cu pulsaii cu lungimi de und UV i vizibile,
270
ndepartarea materialelor a fost indus prin efectul fototermic.
Figura 9.43 Evoluia temperaturilor n nanofibra de

carbon i n matricea polimerului
Nanofibrele de carbon au crescut considerabil absorbia

luminii incidente n matricea polimerului i au transformat energia
fotonului n caldur, ceea ce a dus la descompunerea matricei
polimerului n molecule mici. Procesul ablaiei nu a depins n mod
semnificativ de lungimea de und, ceea ce a permis o alegere
flexibil a laserilor.
271
Capitolul 10
OBINEREA ELECTROCHIMIC DE
MICRO I NANOSTRATURI
DIN MATERIALE COMPOZITE
Dup cum este tiut acoperirile compozite pot fi

obinute printr-o diversitate de metode, corespunztor figurii 10.1.
Figura 10.1 Metode de obinere a acoperirilor compozite
272
Metodele diferite de preparare conduc la acoperiri cu

proprieti diferite . De cele mai multe ori acelai procedeu poate
produce rezultate distincte, dac se realizeaz n diverse
laboratoare, datorit parametrilor, compoziiei soluiei sau chiar
suportului.
Dezvoltarea proceselor electrocatalitice i necesitatea
recondiionrii diferitelor piese, a stimulat efectuarea de cercetri
pentru obinerea straturilor compozite pe suport din material
necostisitor (oel sau oel inoxidabil). Se ncearc, astfel, nlocuirea
materialelor nobile foarte costisitoare (aur, platin), cu oeluri cu
diferite straturi compozite.
O metod pentru fabricarea acestor acoperiri compozite
(care a nceput s fie investigat din anul 1962) este i electroliza
unei suspensii. Aceast metod utilizeaz n general un electrolit
standard n care particulele disperse sunt uniform meninute n
soluie prntr-o agitare adecvat. n cele mai multe cazuri
codepunerea particulelor disperse cu metale necesit elaborarea
unor electrolii noi, cu compoziii diferite fa de electrodepunerea
metalului pur.
Noua metod de obinere a acoperirilor compozite, (AC),
realizeaz un principiu cunoscut n natur care, n esen const n
faptul c aciunea cumulat a materialelor diverse, d un efect
echivalent creerii unui nou material, ale crui proprieti difer de
proprietile fiecruia dintre materialele componente.
Pe plan mondial, acoperirile compozite (AC) au fost
dezvoltate n primul rnd pentru proprietile lor fizice i chimice,
interesul industrial fiind axat n mod special, pe cinci tipuri de
aplicaii:
(1) straturi rezistente la uzur i abraziune;
(2) straturi cu proprieti de autrolubrifiere;
(3) acoperiri disperse cu duritate ridicat;
(4) finisri ale suprafeelor pentru mbuntirea rezistenei
la abraziune i oxidare;
(5) straturi active pentru electrocataliz.
De asemenea, un interes deosebit l reprezint obinerea
acoperirilor din aliaje rezistente la uzur, prin electrodepunerea
constituenilor i difuzia ulterioar prin tratamente termice .
Dezvoltarea acestor procese de electrodepunere a generat o
cretere substanial a informaiilor empirice nu numai asupra
proceselor de electrodepunere din suspensii de electrolii, dar i
273
asupra condiiilor necesare pentru a obine o acoperire compozit

satisfctoare, cu compoziie controlat.
Deoarece este foarte important ca stratul compozit s fie
uniform, un mare numr de sisteme de agitare s-au dezvoltat i
propus pentru meninerea n suspensie a particulelor n baia de
electrodepunere.
Aderena straturilor compozite poate fi mbuntit prin
electrodepunerea unui strat de metal pur pe substrat peste care se
electrodepune compozitul respectiv - figura 10.2.
Literatura de specialitate privind caracterizarea acoperirilor
compozite conine, n general, date privind proprietile mecanice,
proprietile chimice sau electrochimice inclusiv rezistena la
coroziune; sunt nc limitate i foarte greu de generalizat, deoarece
depind att de mrimea i tipul fazei disperse, ct i de matricea
metalic.
Codepunerea electrochimic (ACE) este una dntre cele mai
importante metode pentru producerea compozitelor cu constitueni
metalici sau nemetalici ca faz a-II-a, n matrice metalic (ACEM)
sau nemetalic (ACEP). Aceast metod este superioar metodei
metalurgice de obinere prin presare i sinterizare.
Lucrarea de faa are ca obiectiv studiul obinerii i
caracterizrii acoperirilor compozite (ACEM).
Figura 10.2 Schema unei acoperiri compozite cu substrat intermediar
Electrodepunerea straturilor compozite ofer posibilitatea

obinerii de noi materiale, prin ncorporarea particulelor disperse
diferite n matricea metalic, concomitent cu reducerea metalului, n
274
procesul de electroliz a srurilor acestuia.

n obinerea straturilor compozite n matrice metalic prin
procedeul electrochimic (ACEM) se disting dou metode de baz:
1.Electrodepunerea normal cu anozi i catozi verticali i
agitarea electrolitului prin metode diferite, pentru meninerea n
suspensie omogen a particulelor disperse. nglobarea particulelor
n stratul compozit este, n acest caz, condiionat att de tipul
particulelor ct i de tipul metalului, compoziia electrolitului i
parametrii de lucru. Stabilirea i controlul mecanismului codepunerii
compozite este, astfel, foarte important, pentru obinerea unor
acoperiri cu proprieti dorite.
2.Electrodepunerea prin sedimentare, care utilizeaz catozi
orizontali (suprafaa pe care se depune stratul compozit), cu agitarea
electolitului pentru meninerea omogen a suspensiei. Codepunerea
particulelor este forat de sedimentarea lor pe suprafaa catodului.
n acest caz, nglobarea particulelor n stratul compozit este n primul
rnd, dependent de caracteristicile particulelor (mrimea
particulelor, greutatea specifica a particulelor). Prin aceast metod
se pot codepune mai multe particule n matricea metalic,
necontrolate de mecanismul codepunerii, dar exist riscul pierderii
coeziunii matricei metalice.
Domenii de aplicaii ale materialelor
compozite metalo-ceramice
Prezena particulelor fine de oxizi, carburi, sulfuri, grafit etc.,
dispersate ntr-o matrice metalic mbuntesc proprietile
mecanice i chimice, extinznd astfel domeniul de aplicaie al
acoperirilor metalice.
Dei mult mai scumpe dect acoperirile clasice, acoperirile
compozite au performane caracteristice care depesc costul lor.
Trei domenii majore de aplicaii se pot distinge n cazul
materialelor compozite metalo ceramice: durificarea acoperirilor,
rezistena la uzura si/sau la coroziune a compozitelor.
n tabelul 10.1 sunt prezentate cteva aplicaii ale acoperirilor
compozite metalo ceramice n diferite domenii.
Cuprul este unul dintre cele mai utilizate metale datorit
excelentei conductiviti electrice i termice, ductilitii i rezistentei
superioare la coroziune i oxidare. Totui, rezistena mecanic mic
a cuprului, n special la temperaturi ridicate, i slaba rezisten la
uzur limiteaz aplicaiile sale.
275
Compozitele cu SiC, Al2O3, i pulbere de grafit mbuntesc

aceste proprieti.
Tabel 10.1 Domenii de utilizare a materialelor
compozite metalo-ceramice
Caracteristici speciale Sistemul compozit Aplicaii
Ni-Al2O3; scule achietoare;
Al-SiC; pistoane;
Duritate i rezisten
Al-SiO2 ; discuri de frn;
Ni-SiC. . cuzinei.
Ni-Co-SiC;
Co-Ni-Cr3C2;
componente pentru
Co-Cr2O3
Rezisten la uzur autovehicule;
Al-Al2O3;
componente pentru avioane.
Co-Cr3C2;
Ni-diamant.
Zn-Al2O3;
Rezisten la coroziune Zn-SiO2. Industria automobilelor
Aceast exemplificare a aplicaiilor compozitelor

electrochimice este pe departe de a fi complet.
Keddam, Anani s.a. raporteaz utilizarea compozitelor n
electrocataliz. Se obin electrozi prin codepunerea unor particule
electroactive cu o matrice metalic. Comportarea acestor electrozi
este controlat de particulele incluse n material.
Combinnd proprietile fazei disperse i ale matricei metalice
se obin acoperiri compozite cu proprieti catalitice pentru reaciile
de oxidare i reducere.
Acoperirile compozite pot fi utilizate ca electrozi pentru
oxidarea combinaiilor organice, de exemplu metanol, acid formic
sau clorofenol.
Polipirolul, polianilina i politiofenul pot fi utilizai ca matrice,
prin depunerea lor din soluii apoase sau din medii aprotice. n
aceste cazuri, faza dispers este un metal nobil n special platina
sau paladiu dar i diferite metale tranziionale.
10.2 Influena parametrilor experimentali

10.2.1 Concentraia particulelor, tipul, forma i dimensiunea lor
Concentraia particulelor depuse depinde de parametrii
276
depunerii electrochimice.
n diferite lucrari de specialitate s-a artat c volumul
particulelor codepuse depinde de concentraia acestora n electrolit.
n condiiile unei viteze constante de agitare i a unei curgeri
staionare a electrolitului n jurul catodului, codepunerea depinde de
numrul coliziunilor particulelor cu suprafaa catodului, deci de
concentraia particulelor n baia de electrodepunere.
S-a constatat c, volumul particulelor incluse n depunere
crete odat cu creterea concentraiei lor n electrolit pn la o
anumit valoare. Dac concentraia particulelor n electrolit
depete aceast valoare, volumul ocupat de acestea n depunere
rmne constant. Aceast comportare a fost confirmat de mai muli
cercettori pentru diferite tipuri de sisteme compozite (metal-
particule).
Valoarea absolut a concentraiei particulelor n depunere
poate varia n funcie de sistemul compozit. De exemplu, Velerst s.a.
a observat c particulele de alumina incluse ntr-o matrice de nichel
nu depesc 5% procente de volum, n timp ce particulele de Cr2O3
pot fi incluse pn la o concentraie de 23% procente de volum.
Celis a artat c exist diferene majore n cantitatea de -
alumina i -alumina inclus ntr-o matrice de cupru.
Nici o influena asupra formei particulelor nu a fost artata
pn n prezent. Totui, forma particulelor influeneaz adsorbia lor
pe catod, adsorbia ionilor pe suprafaa particulelor i stabillitatea
suspensiei factori ce influeneaz codepunerea.
n ceea ce privete influena dimensiunii particulelor
codepuse, diferite rezultate au fost prezentate n literatura de
pecialitate.
Studiindu-se influena dimensiunii particulelor s-a gsit c
exist un maxim al transferului de mas cnd diametrul particulelor
este egal cu grosimea stratului de difuzie i, nu exist particule cu
anumite dimensiuni care se codepun preferenial. Aceast afirmaie
este n contradicie cu observaiile altor cercettori care au studiat
influena dimensiunii pulberilor incorporate ntr-o matrice metalica.
O cauz poate fi utilizarea unui domeniu prea ngust de
dimensiuni de particule folosite pentru codepunere i, de aceea, nu
a fost observat nici o diferen n codepunere.
n consecin o fraciune din particule, care depinde de
condiiile de depunere, nu se codepun.
277
10.2.2 Compoziia bii, ageni de luciu i complexani
Influena tipului bii asupra codepunerii particulelor este

evident.
Pentru diferite bi viteza de codepunere este diferit cnd
sunt utilizate acelai tip de particule. De exemplu, cantitatea de
Al2O3 codepus cu cromul a fost mai mare dect cu o matrice de
nichel chiar daca concentraia de Al2O3 n electrolit a fost aceeai.
De asemenea, s-a observat c particulele de Al2O3 nu se pot
codepune dintr-un electrolit clasic de cromare.
Puterea de ptrundere a electroliilor n electrodepunere se
refer la distribuia metalului pe suprafaa electrodului care prezint
microasperiti. De aceea, pentru a se realiza o bun distribuie a
depunerii pe suprafaa electrodului, diferii ageni de nivelare i de
luciu sunt adugai n electrolit. Conform teoriei adsorbie-difuzie
acetia acioneaz ca inhibitori ai vitezei de electrodepunere,
inhibnd depunerea pe anumite zone ale electrodului i favoriznd
depunerea n zonele cu microprofile n forma de V, obinndu-se
astfel depuneri uniforme i lucioase.
Adesea, agenii de luciu sau de nivelare adugai n electrolii
au diferite efecte n bile compozite; n general ei favorizeaz
codepunerea particulelor.
Agenii tensioactivi, cationii monovaleni i aminele alifatice
adsorbite pe suprafaa particulelor favorizeaz codepunerea i
mbuntesc stabilitatea dispersiei.
Astfel, conform lui Tomaszewski s.a. cantiti mici de ioni
monovaleni ca Tl+, Ce+, Rb+ i NH4+ sau amine ca TEPA (tetra-
etilen pentamina), alanine i EDTA (acid etilen diamino tetra acetic)
favorizeaz codepunerea particulelor.
Sulfatul de bariu nu se poate codepune dintr-o soluie de
nichelare cu coninut ridicat n cloruri chiar dac se utilizeaz
sistemul cu anod orizontal. Totui, adiia de EDTA la soluie va ajuta
codepunerea. Analizele efectuate arata ca efectul EDTA-ului este de
a favoriza adsorbia unui numr mare de ioni de nichel pe sulfatul de
bariu.
Complexarea cuprului cu EDTA conduce la creterea fazei
disperse n stratul compozit Cu-ZrO2.
n studiile efectuate asupra codepunerii aluminei ntr-o
matrice de cupru, dintr-o baie de sulfat, s-a presupus i confirmat c,
ionul de thaliu acioneaz ca un catalizator pentru reducerea ionilor
278
de cupru adsorbii pe suprafaa aluminei, iar codepunerea

particulelor este facilitat de reducerea ionilor metalici adsorbii pe
suprafa.
Chiar i anionii prezeni n soluie pot influena codepunerea
particulelor.
Astfel clorul, care are un efect inhibant asupra depunerii
nichelului favorizeaz ns codepunerea particulelor.
Efectul anionului SO42- prezent n electrolitul de zincare, ca
sulfat de zinc sau de aluminiu, determin scderea fazei disperse de
oxid de aluminiu n matricea de zinc.
Aceste rezultate arat c adugarea diferiilor ageni n bile
de galvanizare favorizeaz codepunerea particulelor n cazul
sistemelor dificile, prin creterea numrului de ioni metalici
adsorbii pe suprafaa particulelor, conducnd astfel la obinerea
acoperirilor compozite.
Totui, conform altor studii s-a constatat c aditivii organici
cauzeaz spumarea iar particulele pot fi supuse flotaiei, ceea ce
afecteaz mecanismul dispersiei.
10.2.3 Temperatura, pH-ul i densitatea de curent

Efectul temperaturii depinde de sistemul compozit.
Studiind codepunerea pulberei de SiC ntr-o matrice de Ni-Sn
i investignd influena temperaturii n domeniul de operare al bii
(50-700C) de Ni-Sn, s-a observat un mic efect asupra nivelului de
incorporare.
Pentru sistemul Ni-Al2O3 nu a fost gsit nici un efect al
temperaturii asupra procentului de particule incluse.
Codepunerea particulelor de grafit cu crom scade odat cu
creterea temperaturii la 500C.
Uniformitatea filmelor depuse depinde de pH-ul electrolitului,
care influeneaz i structura lor.
Valoarea pH-ului nu are nici o influen asupra concentraiei
de Al2O3 incluse n depunerea de nichel la un pH cuprins ntre 2,0 i
5,0. La un pH mai mic de 2 s-a observat o scdere brusca a
concentraiei. Aceeai comportare a fost observat i n cazul
electrolitului de sulfat de cupru coninnd SiC i Al2O3.
Viteza de depunere dintr-un electrolit Cr-Ni-Al2O3 a fost
practic constanta la pH=13. La pH >3 s-a observat formarea unui
precipitat, n timp ce la pH<1 viteza scade. La pH = 0,50,7, i 100
g/l Al2O3 n electrolit, numai particulele fine au fost codepuse, n timp
279
ce la pH > 1, coninutul de particule grosiere n stratul depus a

crescut.
Densitatea curentului catodic este un parametru important n
procesul de electrocristalizare, aceasta condiionnd viteza de
depunere, repartiia i structura depunerii; n cazul acoperirilor
compozite cantitatea de particule codepuse este ntr-o relaie direct
cu densitatea de curent aplicat.
Conform ipotezei lui Kariaper i Foster, densitatea de curent
la care un numr mare de particule pot fi incluse n depunere, este
aceea pentru care viteza de reducere a ionilor metalici este
superioar celei de adsorbie a particulelor pe suprafaa electrodului.
Numeroi autori au verificat aceasta observaie.
Concentraia particulelor i densitatea de curent sunt cei mai
investigai parametri experimentali.
Din datele prezentate n literatura de specialitate s-au
observat dou tipuri de influene ale densitii de curent:
-densitatea de curent nu influeneaz (sau influeneaz foarte
puin) cantitatea de particule codepuse;
-densitatea de curent prezint unul sau mai multe maxime n
funcie de concentraia fazei disperse din stratul compozit.
La obinerea acoperirilor compozite Sn-SiC s-a observat c
volumul de SiC n depunere crete odat cu creterea densitii de
curent, atingnd un maxim dup care scade.
Aceeai comportare a fost observat i pentru acoperirea
Cu-Al2O3, sugerndu-se ca interfaa electrod-particule a fost probabil
influenata de adsorbia ionilor metalici pe suprafaa particulelor.
Este evident c, la densiti de curent sczute influena adsorbiei
fizice predomin, iar la valori ale densitii de curent mai mari de
2 A/dm2 forele electrochimice sunt predominante.
Pentru compozitele Ni-SiC, s-a observat aceeai influen a
densitii de curent asupra concentraiei fazei disperse din strat ca
i n cazul sistemelor anterior prezentate (Sn-SiC, Cu-Al2O3).
O curb parabolic este relaia dintre densitatea de curent i
concentraia particulelor incluse n depunere n cazul sistemului Cr-
Ni-Al2O3.
Civa autori au determinat curbele catodice de polarizaie
pentru electrolii cu i fr particule. Muli dntre ei au gsit pentru
acelai potenial catodic o densitate de curent mai mare n prezena
particulelor inerte n electrolit, particulele avnd un efect depolarizant
asupra catodului. Conform acestor cercettori, la polarizaie mica
280
particulele de lng catod micoreaz viteza de reducere a ionilor

metalici. La polarizaii mari, transportul ionilor metalici la catod
devine un factor important. Este cunoscut c particulele inerte din
electrolit intensific procesul de transfer de mas, i conduc la
depolarizarea catodului.
nglobarea particulelor n depunere are loc atunci cnd
polarizaia catodica permite reducerea cationilor metalici pe
particule.
Aceste rezultate indic o relaie ntre codepunerea particulelor
i cinetic procesului de electrocristalizare a matricei metalice.
10.2.4 Agitare i surfactani
Rolul principal al agitrii electrolitului const n omogenizarea

concentraiei speciilor ionice n stratul de difuzie i n masa soluiei.
n cazul sistemelor compozite, agitarea soluiei mpreun cu
surfactani ajut la meninerea particulelor n suspensie, mpiedicnd
fenomenul de sedimentare n timpul electrolizei.
Pentru a putea fi incluse n depunere particulele trebuie s
ajung la suprafaa catodului.
Cel puin ase metode de agitare (prezentate n tabelul 10.2),
au fost identificate n cazul compozitelor electrochimice.
Plate pumping i agitarea cu aer sunt metode folosite n
industrie. Un studiu sistematic folosind aceste metode de agitare nu
conduce la obinerea unor date reproductibile.
Agitarea cu aer prezint unele dezavantaje datorate prezentei
bulelor n soluia de electrolit, ele reprezentnd faze neconductive,
crescnd rezistenta aparent a soluiei de electrolit. De asemenea,
bulele ader puternic la suprafaa pieselor procesate, fiind posibil o
complet acoperire ale acestora cu bule de gaz, ceea ce cauzeaz o
cretere brusc a potenialului i o scdere a curentului, deci o
proast calitate a depunerii. Este evident din condiiile de operare
ale procesului de electrodepunere - ca acest dezavantaj al agitrii cu
aer este mpiedicat prin combinarea cu micarea catodului.
Utilizarea agitrii cu aer n procesele de electrodepunere
poate cauza oxidarea substanelor din electrolit; ntr-un litru de ap,
la 20oC i presiune normal, se dizolv 24,6 mg aer, din care 9,1 mg
oxigen i aproximativ 0,5 mg dioxid de carbon. Oxigenul dizolvat
accelereaz dizolvarea cianurilor n electrolii cianurici. Dioxidul de
281
carbon dizolvat formeaz acid carbonic care, pune n libertate acidul

cianhidric, mai slab, din srurile sale, carbonatnd electrolitul.
n electroliii acizi de cuprare, la agitarea cu aer, concentraia
cuprului i consumul de acid sulfuric cresc din cauza vitezei de
coroziune sporite a anozilor de cupru n prezenta oxigenului.
Agitarea cu aer trebuie evitat atunci cnd electroliii conin
substane tensioactive spumante.
Agitarea vibraional favorizeaz creterea numrului de
particule meninute n suspensie fr a crea o mare turbulen, dei
natura transferului vibraional este important.
Pentru acest tip de agitare un perete perforat este plasat la
baza celulei i vibreaz cu o frecvena ntre 20 i 50 Hz.
n timp ce White i Foster au artat c, incorporarea
particulelor scade cu creterea energiei vibraionale, lucrri mai
recente sugereaz c, la energii sau amplitudini sczute are loc o
cretere a concentraiei fazei disperse din strat atingnd un maxim,
dup care scade aproape de zero la energii vibraionale mari.
Tabel 10.2 Metode de agitare pentru electrodepuneri compozite
Metoda de agitare Referina
Plate pumper Kedward s.a

Celis, Roos 1977
(perete vibrator)
Transportul soluiei cu
Kariapper, Foster
ajutorul unei pompe
Celis, Roos 1978
White, Foster 1978
Agitaie vibraional
Johal s.a.
Kalantary ].a.
Electrod disc rotativ Roos, Celis s.a
Bazzard, Boden
Electrod cilindru rotativ
Masuko, Mushiake
Sadowska-Mazur s.a.
Agitare magnetic
Johal s.a.
Agitare n tamburi Foster s.a. 1965
Sistemul electrod disc rotativ a fost folosit de Roos, Celis

s.a. n special pentru examinarea tranziiei regimurilor de curgere
laminar/turbulent. Rezultatele obinute arat c, n condiiile curgerii
laminare o concentraie constant de particule se codepun odat cu
282
matricea metalic, n timp ce n regimul turbulent are loc o scdere a

concentraiei particulelor din strat.
Aceti autori sugereaz c, aglomerarea particulelor are loc
n regiunea curgerii nelaminare, dei nu este oferit nici o dovad.
Dimpotriv, este intuitiv de presupus c aglomerarea
particulelor n suspensie are loc n regiunea nelaminar unde are loc
procesul de sedimentare a particulelor.
Sistemul electrod cilindru rotativ este utilizat n primul rnd
pentru curgerea turbulent.
Studiile fcute de Bazzard i Boden arat o puternic scdere
a concentraiei particulelor de crom incluse n catodul de nichel
rotativ odat cu creterea vitezei de rotaie. Masuko i Mushiake
demonstreaz c:
- la viteze mici de rotaie concentraia fazei secunde n
depunere este constant (particulele sunt meninute n dispersie cu
ajutorul unui agitator magnetic);
- concentraia particulelor din stratul depus scade cu
creterea vitezei de rotaie a electrodului;
- ntre concentraia particulelor codepuse i viteza de rotaie
a electrodului cilindric exista o relaie logaritmic.
Agitarea magnetic este un mod de agitare care inevitabil
conduce la efecte turbionale. Johal s.a. au artat ca, efectele sunt
diferite de cele ale vibraiei; este o tehnic utilizat numai pentru
studiul sistematic.
Agitarea magnetic este tehnica cea mai des utilizat pentru
meninerea particulelor n suspensie n studiile de laborator (la
volume mici).
De asemenea, agitarea n tamburi este o tehnic esenial i
aplicat cu succes acoperirii componentelor mici, dar nu poate fi
folosit pentru studii sistematice de agitare.
In practic, plate pumping este metoda cea mai
convenabil, dei nu exist date experimentale publicate.
Din prezentarea fcut mai sus se poate vedea c, nici o
tehnic nu a devenit pe deplin acceptat ca mod de agitare pentru
compozitele electrochimice.
Particulele aflate - n suspensie - n electrolit sunt prezente
att ca particule singulare ct i ca agregate.
Stabilitatea suspensiei este determinat de rezistena
suspensiei la formarea agregatelor. n cazul compozitelor
electrochimice stabilitatea suspensiei afecteaz codepunerea
283
particulelor.
n practica industriala, aglomerarea particulelor este nedorit,
deoarece aceasta poate conduce la sedimentarea particulelor.
ncrcarea electric a suprafeei particulelor coloidale este un
factor important pentru comportarea acestora n soluie. Semnul i
amplitudinea sarcinii suprafeei sunt rspunztoare de stabilitatea
coloizilor i influeneaz profund caracteristicile de adsorbie ale
particulelor. Ionii adsorbii la suprafa pot nu numai modifica sarcina
suprafeei, dar pot afecta de asemenea interacia particulei prin
efecte structurale.
Alte efecte, neglijate n general la ionii anorganici, dar
importante pentru cei organici, apar n procesul adsorbiei
surfactanilor. Acestea sunt: efectele formei, dimensiuni i flexibilitii
moleculelor organice.
Surfactanii sunt frecvent utilizai la controlul stabilitii
coloidale i/sau udabilitii particulelor. Pot fi utilizai surfactani
anionici, cationici, amfoteri i neionici. Interaciile dntre particule i
surfactanii anionici i cationici sunt de natura electrostatica, n timp
ce interactiile dintre particule i surfactanii neionici sunt de natur
steric.
Adsorbia poate fi afectat de hidrofobicitatea particulelor.
Cantiti mici de surfactant se adsorb pe particule hidrofobe, i
cantiti mari pe cele hidrofile.
n cazul suprafeelor hidrofobe, cum ar fi particulele de
polimeri, adugarea de cationi soluiei conduce la formarea sarcinilor
pozitive pe suprafaa polimerilor. Aceasta ajut la mbuntirea
codepunerii particulelor polimere.
Utilizarea surfactanilor fluorurai face posibil ncrcarea cu
sarcini pozitive a suprafeei particulelor mpiedicnd astfel flocularea
i sedimentarea particulelor.
Helle a artat, de asemenea, c surfactanii fluorocarbonai
produc o mare cretere (de pn la 50% procente de greutate) a
coninutului de particule anorganice n depunere, cum ar fi SiC i
diamant.
Este necesar sa aib loc o adsorbie izoterm a surfactanilor
astfel nct cantitatea de surfactant liber n soluia de electrolit s
fie minim. Chiar i o cantitate minim de surfactant liber n soluie
modific proprietile matricei metalice, scznd aderena i
rezistena la coroziune a depunerii.
Concentraia liber a surfactantului n electrolit poate fi
284
meninut la o valoare sczuta prin prezena surfactantului neionic.

O atenie deosebit trebuie acordat alegerii agenilor de
umectare. Particulele pot fi nu numai incluse n strat, dar pot forma
de asemenea un strat aderent pe metal n timpul depunerii.
Natura agenilor complexani prezeni n electrolit pot afecta
gradul de adsorbie sau absorbie pe particule i deci gradul de
izolare al particulelor.
Agenii de luciu acioneaz de asemenea ca surfactani, ceea
ce explic efectul lor asupra codepunerii. Dac ei acioneaz ca
surfactani cationici vor favoriza codepunerea. Corespunztor,
anumii ageni de luciu i de complexare vor reduce codepunerea
acionnd ca surfactani anionici, conferind o sarcin negativ
particulelor.
Similar interaciilor electrostatice, interactiile magnetice pot fi
utilizate pentru a favoriza codepunerea particulelor.
Tacken s.a. descriu o metod, prin care particulele de nichel
sunt ncrcate magnetic nainte de a fi introduse ntr-un electrolit de
zincare.
Magnetizarea remanent a particulelor de nichel le atrage la
catodul de oel, unde se codepun cu zincul. Aproximativ de trei ori
mai multe particule ncrcate magnetic se codepun comparativ cu
cele nencrcate.
10.2.5 Sarcina electric a suprafeei particulelor

Potenialul electrocinetic, spre deosebire de potenialul
termodinamic , nu ia natere dect la deplasarea reciproca a fazei
lichide i solide. Potenialul electrocinetic nu depete 0,1V.
Unii cercettori au sugerat c potenialul electrocinetic, , este
o msur cantitativ pentru sarcina suprafeei particulelor.
Muli dintre parametrii prezentai anterior influeneaz sarcina
suprafeei particulelor. Este evident c, o sarcin pozitiv a
particulelor va ajuta codepunerea lor, deoarece ele sunt atrase
electrostatic de catod. Tomaszewski s.a a constatat c particulele
de silice ncrcate negativ se mic mult mai greu spre catod dect
particulele pozitive de Al2O3.
n general, modificri semnificative ale potenialului vor fi
cauzate de:
- surfactani (anionici, cationici, neionici i amfoteri);
- dispersani cu diferite sarcini;
- emulgatori adugai n electrolit.
285
Selectarea acestor ageni trebuie fcut astfel nct

codepunerea particulelor s nu afecteze cinetica mecanismului de
electrocristalizare.
S-a observat c. surfactanii anionici modific potenialul zeta
cu cel puin 15 V, n timp ce, cei cationici modific potenialul cu cel
puin10 mV i cel mult cu 70 mV. Surfactanii neionici modific
potenialul cu cel mult 5mV.
Adiia de sulfat de thaliu sistemului alumin/sulfat de cupru
conduce la creterea potenialului electrocinetic, la fel ca i adiia de
sulfat de rubidiu la electrolitul acid de cuprare.
Studiile de adsorbie pentru sistemul alumina/sulfat de thaliu
indic c ionii de Tl+ sunt adsorbii pe suprafaa aluminei. n acest
sensTomaszewski i Brown au artat c, pentru formarea unui
monostrat complet de ioni de Tl+ adsorbii pe suprafaa aluminei,
este necesar o cantitate mic de sulfat de thaliu. Adugnd
promotori ai codepunerii, ioni de Tl+ i tetraetilen pentamin (TEPA),
n electrolitul de cuprare cu particule de alumin, potenialul zeta
crete semnificativ n domeniul valorilor pozitive, confirmnd
adsorbia ionilor metalici.
Similar, adiia unei cantiti mici de ioni Cl- conduce la
scderea potenialului electrocinetic al Al2O3 la valori negative,
explicnd efectul lor inhibitor.
10.3 Micro i nanostraturi obinute din electrocompozite

10.3.1 Depuneri compozite Ni ZrO2
S-au realizat 10 probe de depuneri electrochimice pe suport
de cupru n matrice de nichel cu particule de ZrO2, considerate
acoperiri (depuneri) compozite .
Probele suport de cupru au fost pregtite pentru depunere
utiliznd soluii pentru degresarea, decaparea i activarea
suprafeei.
a. Soluia de degresare
S-au preparat 400 mL soluie de degresare cu urmtoarea
compoziie:
KOH 80-100g/L (32 g /400 mL);
Na2HPO4*12H2O 30-40g/L (12g /400 mL);
Na2CO3 anhidru 30-40g/L (12 g/ 400 mL);
Temperatura de lucru pentru degresare a fost 80-90oC.
286
b. Soluia de decapare: HNO3 20%

Soluia de HNO3 20% a fost pregtit din soluia de HNO3
65%.
Pentru a prepara 100 mL soluie de HNO3 20% sunt necesari
30 mL soluie de HNO3 65% i 70 mL ap distilat. Soluia se
prepar ntr-un vas prin adugarea acidului n ap prin agitare
continu i rcire.
c. Soluia de activare: H2SO4 50%
Soluia de H2SO4 50% a fost pregtita din soluia de H2SO4
98%.
Pentru a prepara 100 mL soluie de H2SO4 50% sunt
necesari 50 mL soluie de H2SO4 98% i 50 mL ap distilat. Soluia
se prepar ntr-un vas prin adugarea acidului n ap prin agitare
continu i rcire.
d. Soluia de electrolit:
NiSO46H2O, 0,90 M
NiCl26H2O, 0,20 M
H3BO3, 0,28 M
dodecilsulfat de sodiu [CH3(CH2)11OSO3Na] 0,4g/L
Valoarea pH-ul soluiei a fost meninut la 4,2-4,5 iar
corectarea s-a realizat cu soluie acid.
Particule ZrO2 (6-10 m) n concentraie 10 g/L.
Suportul de cupru iniial a fost degresat utiliznd soluia de
degresare a. Proba este meninut 15 minute n soluia de
degresare.
Iniial cele 10 probe din cupru au fost bine lefuite pentru a se
ndeprta stratul de oxizi de pe prob. n contact cu aerul i apa
cuprul se acoper cu un film de oxid de cupru foarte subire
(0,02 - 0,04 m) i neuniform, care nu asigur protecia mpotriva
coroziunii n anumite medii corozive. Probele au fost splate cu
mult ap distilat i degresate organic cu alcool etilic. Probele de
cupru bine uscate au fost cntrite la balana analitic. Masele
iniiale ale probelor de cupru sunt prezentate n tabelul 10.3.
Aria suprafeei probei supus depunerii a fost stabilit la
2
4 cm , iar depunerea s-a realizat pe o singur parte, cealalt parte
fiind acoperit cu silicon pentru a face imposibil depunerea i pe
aceast parte. Dup realizarea depunerilor, stratul de silicon a fost
ndeprtat.
287
Tabelul 10.3 Masa probelor iniiale

Masa
Numr prob
(g)
1 26,1225
2 28,2161
3 26,2934
4 27,1959
5 26,3405
6 25,5972
7 26,6044
8 26,2105
9 27,0817
10 26,8464
Suportul de cupru se degreseaz timp de 15-20 minute ntr-o

soluie de degresare i se tamponeaz cu hrtie de filtru. Proba este
introdus apoi n soluia de decapare (HNO3 20%) i se cltete
bine cu ap distilat. Se observ c suprafaa prezint luciu i, la
splare cu ap distilat este un film de curgere uniform.
Se introduce apoi proba ntr-o soluie de activare (H2SO4
50%) i se spal iari cu apa distilat. Se introduce rapid n baia de
electroliz cu soluia de electrolit pregtit.
Catodul este proba de lucru.Anodul este nichel pur cu aceiai
suprafa ca i proba.
Depunerile s-au realizat la o temperatur optim de 50oC i o
intensitate a curentului de 0,2A (depinde de mrimea suprafeei ce
trebuie acoperit), timp de 1 or i 30 minute (90 minute; 5400 s),
pentru a realiza o depunere de 2A/dm2 Dup 90 minute se ntrerupe
curentul electric i se scot electrozii din baie. Proba cu depunerea
compozit obinut se spal cu mult ap distilat.
Pentru a se calcula randamentul depunerii s-au realizat trei
depuneri de nichel pur (tabel 10.4).
Tabelul 10.4 Rezultate pentru depuneri de nichel pur

Masa
Nr Masa iniial Masa final Depunere
depus
prob (g) (g) (g/dm2)
(g)
11. 26,5784 26,8909 0,3125 7,8125
12. 26,7426 27,0563 0,3137 7,8425
13. 26,3947 26,7074 0,3127 7,8175
288
Teoretic ar fi trebuit s se depun 8,21g/dm2 dar experimental

s-au depus 7,8241g/dm2.
Masa medie de nichel pur depus pe prob este: mexperimental
= 0,3129 g.
Masa teoretic care ar trebui s se depune pe fiecare prob
este:
1 A
mteoretic = x x I x t (g) (10.1)
96500 n
unde: ANi = 58,693, n = 2, I = 0,2 A, t = 5400 s.
nlocuind valorile rezult c mteoretic = 0,3284 g
Cunoscnd mteoretic i mexperimental se poate calcula
randamentul:
= (mexperimental / mteoretic) * 100 (10.2)
nlocuind valorile cunoscute, randamentul este: = 95,30 %
Dup cum se observ din tabel se obine un randament de
depunere optim de peste 95%, tipic pentru depuneri de nichel din
bile electrolitice sulfat-clorur, un randament de 97,5 % (baie
Watts).
Pentru probele de depuneri compozite rezultatele sunt
prezentate n tabelul 10.5.
Tabelul 10.5 Rezultate pentru depuneri de nichel cu ZrO2
Nunmr Masa iniial Masa final Masa depus Depunere
prob (g) (g) (g) (g/dm2)
6. 25,5972 25,8730 0,2758 6,895
7. 26,6044 26,8914 0,2870 7,175
8. 26,2105 26,4971 0,2866 7,165
9. 27,0817 27,3693 0,2876 7,19
10. 26,8464 27,1206 0,2642 6,855
Masa medie de nichel cu ZrO2 depus pe prob este:

mexperimental = 0,2822 g.
Cunoscnd mteoretic i mexperimental se poate calcula
randamentul (vezi relaia 10.2); nlocuind valorile cunoscute,
randamentul este: = 85,94 %.
Rezultatele sunt prezentate sintetic n figura 10.3 i tabelul
10.6 .
Depunerile de nichel pur au loc cu un randament de peste
95%. n cazul experimentelor realizate a fost obinut un randament
de 85,94% datorit faptului c s-au utilizat i particule de ZrO2.
289
Masa depusa
0,35 Tabeul 10.6 Randamentul

0,3 acoperirilor compozite
0,25 Ni - ZrO2
Masa 0,2
depusa (g) 0,15 mteoretic mexperimental
0,1 (g) (g) (%)
0,05
0,3284 0,28224 85,94
0
1 2 3 4 5 6
Probe
Figura 10.3 Masa depunerii compozite
Ni - ZrO2
10.3.2 Studiul electrochimic al depunerilor Ni ZrO2

S-au efectuat studii electrochimice pentru probele de
acoperiri compozite de Ni + ZrO2.
Pe parcursul realizrii acestui studiu electrochimic s-a
urmrit comportarea acoperirilor obinute (Ni+ZrO2) n trei tipuri de
solveni diferii: NaCl 3%, Na2SO4 0,1M i H2SO4 0,1N. Rezultatele
au fost comparate cu depunerile de nichel metalurgic.
Soluia de Na2SO4 0,1 M este un electrolit care prezint
avantajul c este inert fa de majoritatea materialelor testate, iar
concentraia de 0,1 M asigur conductivitatea necesar executrii
testelor pentru cele trei studii electrochimice alese: Voltametria
Ciclic (Curba de polarizare), Impedana Spectroscopic - EIS i
Impedana Spectroscopic - Mott Schottky.
Pregtirea probelor
Probele de acoperiri compozite au fost degresate n alcool
etilic timp de 4 minute cu ajutorul ultrasunetelor. S-au folosit
ultrasunete deoarece se realizeaz astfel curarea prafului i a
celorlalte impuriti care se gsesc depuse pe prob.
Probele degresate au fost uscate cu hrtie de filtru i cu
argon.
Dup uscarea total s-a realizat izolarea suprafeei
nesupus analizei electrochimice cu teflon. Din aria total a stratului
depus (Ni+ZrO2) de 4 cm2 este pstrat o suprafaa de 0,5 1 cm2.
290
Prepararea soluiilor
Sistemul de electrozi din celul vor fi introdui n anumite
soluii. Pentru acest studiu s-au folosit ca soluii de lucru: NaCl 3%,
Na2SO4 0,1M i H2SO4 0,1N, ntr-un volum de 500 mL. Soluiile au
fost preparate folosind calculul concentraiei procentuale, molare i
normale.
Celula electrochimic
Celula electrochimic folosit pentru studiul electrochimic
const dintr-un vas de sticl cu capac. Capacul are mai multe orificii
prin care se introduc soluia de analizat, electrodul de lucru,
electrodul auxiliar i electrodul de referin.
Sistemul electrochimic utilizat pentru determinri
electrochimice, conine trei electrozi:
- electrodul de lucru - electrodul la care are loc
procesul electrochimic studiat: proba de Ni+ZrO2;
- electrodul auxiliar - electrodul care nchide circuitul
electric, prin care circul curentul la electrodul de lucru (intensitile
curenilor care circul prin electrodul de lucru i prin electrodul
auxiliar sunt egale): electrod confecionat dntr-o srm de platin
spiralat,
- electrodul de referin - electrodul cu potenial
constant, fa de care se msoar potenialul electrodului indicator;
intensitatea curentului care circul prin electrodul indicator i cel de
referin este egal cu zero: electrod de calomel.
Pentru agitarea soluiei, n celul se introduce un magnet,
acoperit cu un strat de teflon sau de sticl i care este pus n
micare de un agitator magnetic.
Electrodul de lucru este proba care a fost obinut pe
suport de cupru. Stratul de nichel cu particule de oxid de zirconiu
(Ni+ZrO2) va fi studiat electrochimic.
n celulele electrochimice sunt studiate numai procesele
care au loc pe electrodul de lucru i nu cele care au loc pe
electrodul auxiliar, iar msurarea potenialului electrodului de lucru
se face fa de electrodul de referin, datorit cderii de potenial
determinat de rezistenta ohmic a celulei (dat de produsul I*R,
unde I este intensitatea curentului care circul prin celul, iar R este
rezistena celulei).
291
Sistem experimental - Voltametria Ciclic

(Curba de polarizare)
Acest circuit este format din:
electrod de referin: calomel;
electrod auxiliar: platin,
electrod de lucru: prob.
Circuitul realizat este conectat la calculator pentru a
nregistra toate datele.
Pentru a se realiza Curba de polarizare i = f(E) s-au pus
urmtoarele condiii:
Potenial 0: -500 mV
Potenial 1: 500 mV
Potenial 2: 1000 mV
Rate v = 150 mV/min
Number of cycles: 1
Minimal Current: -50 mA
Maximal Current: +50 mA
Pe parcursul realizrii acestui studiu electrochimic s-a
urmrit comportarea acoperirilor obinute (Ni+ZrO2) n trei tipuri de
solveni diferii: NaCl 3%, Na2SO4 0,1M i H2SO4 0,1N. Rezultatele
au fost comparate cu depunerile de nichel metalurgic. Curbele
obinute sunt prezentate n figurile 10.4 10.6.
n figura 10.4 sunt vizualizate suprapunerea a dou curbe
de polarizare: Ni+ZrO2 n soluie Na2SO4 0,1 M i Ni+ZrO2 n soluie
NaCl 3%. Cele dou curbe se intersecteaz la:
un potenial E (-300 mV, -200 mV),
o viteza de coroziune icorr = 0 A/cm2.
Rezultatele obinute n urma acestei metode electrochimice
(voltametria ciclic) sunt sintetizate n tabelul 10.7.
Din alura curbelor i determinarea parametrilor de
coroziune se constat c potenialul este deplasat spre valori mai
pozitive pentru acoperiri compozite Ni+ZrO2 (-232,2 mV pentru
soluia de NaCl 3%; -131,3 mV pentru soluia de Na2SO4 0,1M) fa
de nichel metalurgic (-237,1 mV pentru soluia de NaCl 3%; -321,1
mV pentru soluia de Na2SO4 0,1M) i fa de potenialul iniial
500 mV. n soluia de H2SO4 0,1N se constant c potenialul este
acelai (-257,9 mV).
Potenialul cel mai pozitiv s-a obinut pentru acoperirile
compozite nichel - oxid de zirconiu n soluie de Na2SO4 0,1M (-
131,3 mV).
292
Tabelul 10.7 - Date experimentale: Curba de polarizare
Ni+ZrO2 Ni Ni+ZrO2 Ni Ni+ZrO2

Ni
n sol n sol n sol n sol n sol
n sol
NaCl Na2SO4 Na2SO4 H2SO4 H2SO4
NaCl 3%
3% 0,1 M 0,1 M 0,1 N 0,1 N
E (i=0)
(mV)
-237,1 -232,2 -321,1 -131,3 -257,9 -257,9
Rp
(Kohm*c 7,85 20,98 16,41 104,54 126,63 126,63
m2)
icorr
(A/cm2)
1,299 0,229 0,9583 0,0693 0.0909 0,0909
Ba
(mV)
77,5 29,5 154,5 40,4 72,1 72,1
Bc
(mV)
-67,7 -30,3 -105,6 -42,1 -121,2 -121,2
vcorr
(mm/an)
0,018 0,003 0,013 0,001 1,243 1,243
Legend: E potenial; Rp rezisten de polarizare; icorr intensitate

de coroziune; vcorr vitez de coroziune; Ba pant anodic; Bc
pant catodic.
Figura 10.4 Curbe de polarizare Suprapunere:

Ni+ZrO2 n soluie Na2SO4 0,1 M - Ni+ZrO2 n soluie NaCl 3%
Curba de polarizare pentru proba de nichel n soluie H2SO4
0,1 N are un maxim la :
un potenial de E (7mV, 14 mV),
o vitez de coroziune icorr (2,150 A/cm2, 2,154 A/cm2);
293
iar curba de polarizare a probei Ni+ZrO2 n soluie H2SO4 0,1 N are

dou maxime la:
- un potenial de E1 (-65 mV, -55 mV), o vitez de coroziune
icorr 1 (4 A/cm2, 4,2 A/cm2);
- un potenial de E2 (80 mV, 100 mV), o vitez de coroziune
icorr 2 (2,3 A/cm2, 2,5 A/cm2).
n figura 10.5 sunt vizualizate cele dou curbe de polarizare
suprapuse: Ni+ZrO2 n soluie H2SO4 0,1 N (Rou) i Ni n soluie
H2SO4 0,1 N (Albastru).
Cele dou curbe se intersecteaz n figura 10.6 la:
- un potenial de E = -255 mV;
- o vitez de coroziune icorr (-0,024 A/cm2, 0,023 A/cm2).
Pentru acoperirile compozite nichel - oxid de zirconiu,
comparativ cu acoperirile de nichel, curbele de polarizare au
aproape aceiai alur, dar deplasat spre un potenial cu valori mai
pozitive, ceea ce constituie o dovad c aceste acoperiri compozite
au proprieti superioare la coroziune.
Prezena particulelor de ZrO2 n matrice de nichel este
responsabil de protecia coroziv. Prezena particulelor n
suprafaa metalului creeaz o barier pentru reducerea oxigenului.
n soluii compozitele nu sunt stabile. Este posibil o
dizolvare selectiv a matricei metalice sau a fazei disperse ori a
ambelor (matrice-faz dispers).
Figura 10.5 Curbe de polarizare Suprapunere:

Ni+ZrO2 n soluie H2SO4 0,1 N (Rou) - Ni n soluie H2SO4 0,1 N (Albastru)
294
Figura 10.6 Curbe de polarizare Detaliere - Suprapunere:

Ni+ZrO2 n soluie H2SO4 0,1 N (Rou) - Ni n soluie H2SO4 0,1 N (Albastru)
Sistem experimental Spectroscopie

de Impedan Electrochimic
Procesele de coroziune sunt n esen procese de natur
electrochimic i parametrii potenial i curent pot fi msurai rapid
cu echipamente moderne.
Pentru studiul coroziunii se pot evalua rezistentele de
polarizare din datele de impedan spectroelectrochimic (EIS) ntr-
un domeniu larg de frecven (105 10-3 Hz). O schimbare a
potenialului indic o schimbare corespunztoare a concentraiei
speciilor intermediare.
S-au realizat msurtori experimentale de impedan
spectroscopic pentru acoperirile compozite nichel-oxid de zirconiu.
Determinrile s-au efectuat folosind un circuitul de
experimentare care are dou componente: circuitul principal i
circuitul secundar.
Circuitul principal este format din:
electrod de referin: calomel;
electrod auxiliar: platin;
electrod de lucru: prob.
Cei trei electrozi sunt conectai la circuit prin culori distincte:
electrod de referin: calomel - la culoare alba;
electrod auxiliar: platin - la culorile rou i portocaliu;
electrod de lucru: prob - la culorile verde i albastru.
295
Circuitul secundar este realizat cu ajutorul unei puni de

sare care conecteaz electrodul de referina la electrodul de lucru.
Puntea de sare, previne contaminarea soluiei saturate de clorur de
potasiu din electrod, cu impuriti din soluia de analizat. Calomelul
se pstreaz n clorura de potasiu atunci cnd nu se fac analize.
Pentru a se msura tensiunea la electrodul de calomel n
circuit a fost introdus un voltmetru care are o born la electrodul de
referin i una la cel de lucru.
Odat realizat circuitul este conectat la calculator pentru a
nregistra toate datele studiilor electrochimice care urmeaz a fi
efectuate.
O prob de acoperiri compozite, nichel cu particule de oxid
de zirconiu (Ni+ZrO2) a fost supus impedanei spectroscopice.
Proba a fost introdus n soluie de Na2SO4 0,1 M drept electrod de
lucru n celula electrochimic.
Msurtorile de impedan spectroscopic s-au realizat la
un anumit interval de timp iar valoarea potenialului msurat cu
voltmetrul pe tot parcursul analizei electrochimice sunt redate n
tabelul 10.8 iar graficul E = f(t) este redat n figura 10.7.
Din msurtorile de impedan spectroscopic o evaluare
se poate face prin compararea diferenelor dintre valorile
potenialului de msurare n funcie de timp prezentate n tabelul
10.8. Aceste poteniale pot da o informaie despre rezistena
acoperirilor.
S-a urmrit, prin aplicarea aceastei metode comportarea
stratului depus n soluie i n timp. Aceast comportare este
vizualizat n figurile 10.8 10.9 unde sunt explicitate att
reprezentrile Bode ct i reprezentrile Nyquist. Diagramele Bode
ct i cele Nyquist sunt difereniate ntre ele n funcie de timp.
E = f(t)
0.2
Potential E (V)
0.15
0.1
0.05
0
10
45
60
70
85
90
70
35
90
20
0
0
0
0
0
40
12
14
18
20
24
14
26
27
27
28
Timp t (minute)
Figura 10.7 Variaia potenialului n funcie de timp
296
Tabelul10.8 Date experimentale la studiul

de Impedana Spectroscopic
Numr Timp, t Potenial E
determinare (minute) (V)
1 10 0,18
2 45 0,15
3 60 0,15
4 70 0,15
5 85 0,14
6 90 0,13
7 120 0,11
8 140 0,1
9 180 0,09
10 200 0,09
11 240 0,08
12 1440 0,09
13 2670 0,1
14 2735 0,09
15 2790 0,02
16 2820 0
Figura 10.8 Diagrama BODE pentru reprezentarea impedanei a

sistemului experimental Ni+ZrO2 n soluie de Na2SO4 0,1 M
la momentul de timp t = 1 h
297
Figura 10.9 Diagrama NYQUIST pentru reprezentarea impedanei a

sistemului experimental Ni+ZrO2 n soluie de Na2SO4 0,1 M
la momentul de timp t = 1 h
O alt prob cu depunere de nichel cu particule de oxid de

zirconiu a fost supus metodei Mott Schottky, care este o metod
particular a Impedanei Spectroscopice.
n aceasta metod s-a urmrit comportamentul rezistenei i
capacitii n funcie de frecven.
Datele obinute sunt prezentate n figura 10.10. Se observ
c, n apropierea frecvenei de 0 Hz rezistena prezint un maxim iar
capacitatea un minim. Capacitatea scade n intervalul: E (-500 mV,
0 mV) i apoi crete n intervalul E (0 mV, 500 mV).
Figura 10.10 Rezisten (Albastru), Capacitate (Verde)
298
Aceast metod aplic o frecven pe toat lungimea de

potenial. Curba de polarizare are un traseu paralel cu rezistena i
cu capacitatea.
Rezult c acoperirile compozite au o rezisten i o
capacitate foarte bun la coroziune- figura 10.10.
O protecie coroziv se obine cnd straturile au o
capacitate mic. Stratul este mai puin activ, deci mai rezistent la
coroziune.
Studiile electrochimice pentru acoperirile compozite nichel-
oxid de zirconiu comparativ cu acoperirile de nichel metalurgic au
evideniat urmtoarele :
Procesele electrochimice ofer o alternativ de obinere a
acoperirilor compozite ce au proprieti unice, superioare
materialelor componente;
Obinerea acoperirilor compozite se realizeaz cu o tehnologie
accesibil ce permite un control riguros pentru parametrii de
lucru;
Proprietile fizice i chimice ale acoperirilor compozite (duritate,
rezistena la uzur, stabilitatea, rezistena chimic etc.) sunt
superioare materialelor obinute prin procedee convenionale i
fac posibil nlocuirea lor n electronic, aviaie i protecie
anticoroziv;
O serie de factori sunt determinai de obinerea unor acoperiri
compozite cu compoziie dirijat, dntre care cei mai importani
sunt natura componenilor i condiiile de electroliz.
Comportarea la coroziune reprezint o prioritate pentru
proprietile materialelor noi.
Metodele moderne prin curbele de polarizare poteniostatic i
studiile de impedan electrochimic ofer informaii deosebit de
utile despre cinetica reaciilor chimice la electrod;
Electrodepunerile de nichel prezint interes stiintific i tehnic
datorit proprietilor magnetice i corozive, iar compozite de tipul
nichel-zirconia au o rezisten superioar fa de acoperirile de
nichel;
Oxidul de zirconiu este un compus cu proprieti electrice i
magnetice specifice, cu duritate ridicat cu rol important n
tehnologiile avansate;
Comportarea acoperirilor compozite nichel-oxid de zirconiu n
cele trei soluii este diferit funcie de electrolitul folosit i de
prezena ionilor n reaciile chimice la electrod;
299
Potenialul de coroziune are valori mai pozitive pentru acoperirile

compozite nichel-oxid de zirconiu n soluie de Na2SO4 0,1M;
Codepunerea de oxid de zirconiu n matrice metalic de nichel
mbuntete protecia coroziv a straturilor. Rezultatele obinute
sunt ncurajatoare i sugereaz c acoperirile cu particule de oxid
de zirconiu pot fi o alternativ atractiv folosit pentru protecia
suprafeelor prin introducerea unei bariere ntre mediul agresiv i
substratul metalic;
Aceste cercetri sunt relativ noi i modul de aciune, felul cum
oxidul de zirconiu mbuntete rezistena la coroziune nu este
pe deplin cunoscut;
Se impun studii ample pentru elucidarea fenomenelor i reaciilor
cinetice, pentru nelegerea mecanismului i a cauzelor care
concur la protecia coroziv a depunerilor compozite nichel-oxid
de zirconiu;
300
BIBLIOGRAFIE
[1] Alpert Y., Jerby E., Coupled thermal-electromagnetic model for
microwave heating of temperature-dependent dielectric media, IEEE
Trans. Plasma Science, Vol. 27, pp. 555-562,1999.
[2] Anger C., Marinescu N.I., Ghiculescu D.- Experimental research of
laser polishing of Orvar Supreme Steel. In Procedeengs of the 7th
International Conference on Technology and Quality for Sustained
Development, Academy of Technical Sciences of Romania, ISBN,
Bucureti, 2006.
[3] Armani K., Liu C., Journal Micromechanics and Microengineering 10,
2000
[4] Bates J.B, Dudney N.J., Solid State Ionics, 135, (2000) 33.
[5] Bendavid A., Martin P.J., Handbook: Thin Solid Films, Takikawa
Editing House, Singapore, 2003
[6] Boccadoro, M, Dauw, D.F. About the Application of Fuzzy Controllers
in High-Performance Die-Sinking EDM Machines, Annals of the
CIRP, Vol. 44/1, p.147-150, 1995.
[7] Bohuslav Dobias; Coagulation and floculation, Surfactant Science
series 47.Marcel Dekker.Inc, New York, 1993.
[8] Chen H. Y. , Fredrickson G. H., ABC Morphologies triblock copolymer
thin films. J. Chem. Phys. 137146, 2002
[9] Cogun, C. A Technique and Its Application for Evaluation of Material
Removal Contributions of Pulses in Electric Discharge Machining
(EDM), Int. J. Mach. Tools Manufact. Vol. 30, No.1, , 1990.
[10] Evans N.G., M.G. Hamlyn, Microwave firing at 915MHz . efficiency
and implications, Mat. Res. Soc. Symp.Proc.,Vol. 430,pp. 9-13,1996.
[11] Fauchais P., Understanding Plasma Spraying, Journal of Physics D,
Applied Physics, 2004.
[12] Fratzl P., Landis W., Wang R., Silver F.H., Structure and Mechanical
Behavior of Bio-Inspired Materials, MRS Symposium Proceedings
Volume 874, 2005.
[13] Ghiculescu D., Marinescu N.I.- Secondary cavitational phenomena
favorizing finishing process at electrodischarge machining aided by
ultrasonics.n Revista de Tehnologii Neconvenionale nr.1/2002,
pg.32-35, ISSN 1454-3087
[14] Ghiculescu D., Marinescu N.I., Lctu E.- Modeling Of Removal
Mechanism at Ultrasonic Aided EDM Finising Using Finite Elements
Method. A X-a Conferin Internaional de Tehnologii
Neconvenionale- CITN 2001, Timioara 2001. Revista de Tehnologii
Neconvenionale nr.3/2001, pg.7-10, ISSN 1454-3087
301
[15] Ghiculescu D., Marinescu N.I., Marinescu R.D.- Performances of

advanced superfinishing technologies. In Proceedings of the 4th
International Conference on Advanced Manufacturing Technologies,
ICAMaT 2005, pg. 49-56, Editura Academiei Romne, Bucureti,
2005
[16] Ghiculescu D., Marinescu N.I., Marinescu R.D.- Researches
Concerning Material Removal Mechanism of EDM+US Finishing at
Microgeometric Level. A XI-a Conferina Internaional de Tehnologii
Neconventionale- CITN XI, Sibiu 2003. n Revista de Tehnologii
Neconvenionale nr.1/2003, pg.39-43, ISSN 1454-3087. n vol.
Actualiti, tendine i perspective ale tehnologiilor
neconventionale.Ed. ARTPRESS, Timioara, 2003, ISBN 973-7911-
19-9
[17] Ghiculescu D., Marinescu N.I., Popa L.- Specific Aspects of Surface
Microgeometry at Classic EDM Finishing and Aided by Ultrasonics. A
XI-a Conferinta Internationala de Tehnologii Neconventionale- CITN
XI, Sibiu 2003. In Revista de Tehnologii Neconventionale nr.1/2003,
pg.10-14, ISSN 1454-3087. In vol. Actualiti, tendinte i perspective
ale tehnologiilor neconvenionale.Ed. ARTPRESS, Timioara, 2003,
ISBN 973-7911-19-9
[18] Ghiculescu, D. Marinescu, N. I. Jitianu, G., Seritan, G. Precision
Increasing at Ultrasonics Aided Electrodischarge Machining,
Proceedings of 6th International DAAAM Baltic Conference
"INDUSTRIAL ENGINEERING" Tallinn, Estonia, 2008.
[19] Ghiculescu, D. Marinescu, N. I. Jitianu, G., Seritan, G. Solutions for
precision improvement at ultrasonics aided electrodischarge
machining, Estonian Journal of Engineering, 2008.
[20] Ghiculescu, D., Marinescu, N. I. - FEM Simulation of Material
Removal Mechanism at Ultrasonic Aided Electrodischarge Machining
Finishing, Proceedings of The 19th International DAAAM Symposium,
2008.
[21] Ghiculescu, D., Marinescu, N. I., Nanu, S. Influence of macro and
microgeometry machined surface on ultrasonic aided
electrodischarge machining, Proceedings of 11th International
ESAFORM Conference on Material Forming, Lyon, France, 2008,
publicat i n International Journal of Material Forming, Springer
Paris, ISSN, 1960-6206 (Print) 1960-6214 (Online)
[22] Goldstein, Ed. A., Handbook of Nanophase Materials, Maecel
Dekker, Inc. New York, 2001
[23] Golosnoy I.,O., Tsipas S., A., Clyne T.,W., An Analytical Model for
Simulation of Heat Flow in Plasma-Sprayed Thermal Barrier Coatings
in Journal of Thermal Spray Technology, Vol.14(2), June, 2005.
[24] Grosglik U., FDTD simulation of the microwave drill, M. Sc. thesis,
Faculty of Engineering, Tel Aviv University, 2002.
302
[25] H.G.Bryce; Industrial aspects of fluorine chemistry, Erik Kissa, 1993.

[26] Hutcheon R.M., Mouris J., C.A. Pickles, Measurements of the
complex dielectric constants of goethite and limonite minerals and
nickel rich laterite ores at temperature up to 1150K in Air for
frequencies 912 MHz and 2.46GHz, Microwave Properties North,
Deep River, Ontario Canada, 1999.
[27] Jerby E. , Dikhtyar V., Drilling into hard non-conducting materials by
a localized microwave radiation, 8th Ampere Microwave Heating
Conference, Sept. 2001 Bayreuth, Germany.
[28] Jerby E. , Dikhtyar V., Method and device for drilling, cutting, nailing
and joining solid non-conductive materials using microwave
radiation, US Patent 6.114.676, Sept. 2000.
[29] Kajiura H., Tsutsui S., Kadono K., Appl. Phys. Lett. 82, (2003) 1105
[30] Kajiura H., Tsutsui S., Kadono K., Appl. Phys. Lett. 82, (2003) 1105
[31] Kremer, D., Lhiaubet, C. A Study of the Effect of Synchronizing
Ultrasonic Vibrations with Pulses in EDM, 1991, Annals of the CIRP
Vol.40/1/1991.
[32] Kruth, J. P., Stevens, L., Froyen, L., Lauwers, B. Study of the White
Layer of a Surface Machined by Die-Sinking Electro-Discharge
Machining, Annals of the CIRP Vol. 44/1, p.169-172, 1995.
[33] L.Benea; Electrodepuneri compozite n teorie i practic, Ed.Porto-
Franco, Galai, 1998.
[34 Lacatu E., Marinescu N.I.- CAN (Computer Aided
Nanodesign)Principles Used for Complex Nanostructures.The 12th
International Conference of Nonconventional Technologies- ICNcT
2005, in Nonconventional Technologies Review nr.3/2005, pg.43-50,
ISSN- 1454-3087, Ed. BREN, Bucureti, 2005
[35] Lctu E., Marinescu N.I., Popa L., Ghiculescu D.- Some
Relationships Between Microstructure and Density of Energy as a
Selection Criteria in Machining Process Through HEEF (High Energy
Effect Field). A X-a Conferin Internaional de Tehnologii
Neconvenionale- CITN 2001, Timisoara 2001. Revista de Tehnologii
Neconvenionale nr.3/2001, pg.32-38, ISSN 1454-3087
[36] Lapostolle F., Billard A., Surface Coating Technologies Handbook,
A.Opt.El, Press, New York, 2004
[37] Lu T.,J., Hutchinson J.,W., Thermal Conductivity and Expansion of
Cross-Ply Composites with Matrix Cracks, J.Mech.Phys;Solids,
vol.43, 1995.
[38] M.Ruimi; Galvano-Organo Traitements de Surface, 1995.
[39] Ma L., Paul D.L., Experimental validation of combined
electromagnetic and thermal FDTD model of microwave heating
process, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. Vol. 43, pp.
2565-2570, 1995.
303
[40] Mao S., Mao X., Greif R., Russo R.,E., Influence of performed shock
wave on the development of picosecond laser ablation plasma, in
Journal of Applied Physics, Vol.89, 2001.
[41] Marinescu N.I. (coordonator)- Tratat de tehnologii neconventionale,
Vol.8- Prelucrarea prin eroziune cu unde ultrasonice., ISBN 973-648-
385-1, Ed. BREN, Bucureti, 2004.
[42] Marinescu N.I.- Tehnologii de prelucrare cu fascicule i oscilaii.,
ISBN 973-648-128-9, Ed. BREN, Bucureti, 2003.
[43] Marinescu N.I., Gavrila I., Vian A., Marinescu R.D., Prelucrri
neconvenionale n construcia de maini, Vol.2, Editura Tehnic,
Bucureti, 1993;
[44] Marinescu N.I., Ghiculescu D., Marinescu R.D., Lctu E.- Some
aspects regarding composite materials micro and nanolayers
obtaining and machining concentrated energies. In Proceedings of
the 4th International Conference on Advanced Manufacturing
Technologies, ICAMaT 2005, pg. 61-68, Editura Academiei Romne,
Bucureti, 2005
[45] Marinescu N.I., Lazarof Z., Marinescu C.- General Aspects
Concerning the Piercing (Drilling) with Microwaves of Advanced
Materials. n Revista RECENT nr.3/2003, pg 34-36, ISSN 1562-0246,
Braov
[46] Marinescu N.I., Marinescu R.D., Ghiculescu D., Dnlache F.
Technical and economic aspects regarding the using of microwaves
at advanced materials processing and microtechnologies. In
Proceedings of the 4th International Conference on Advanced
Manufacturing Technologies, ICAMaT 2005, pg. 369-376, Editura
Academiei Romne, Bucureti, 2005
[47] Marinescu N.I.,Ghiculescu D., Bardac D.- Technology of EDM
Finishing Aided by ultrasonics for Extended Surfaces. In Buletinul
Universitatii Tehnice de Stat Donetk, vol.23, pg./ 215-219, Ucraina,
2002, ISBN 966-7907-07-4.
[48] Marinescu, N. I. Ghiculescu, D. Jitianu, G. Seritan, G. Improvement of
Technological Parameters at Surface Finishing through Laser Beam
Machining, Proceedings of 6th International DAAAM Baltic
Conference "INDUSTRIAL ENGINEERING" Tallinn, Estonia, 2008.
[49] Marinescu, N. I., Ghiculescu, D. - Modelling and Experimental
Results at Laser Beam Machining Finishing of Laser Form ST-100
Composite Material, Proceedings of The 19th International DAAAM
Symposium, 2008.
[50] Marinescu, N. I., Ghiculescu, D., Anger C. Some results
concerning laser surface finishing, Proceedings of 6th European
Space Agency Round Table on Micro & Nano Technologies- for
Space Applications, The Netherlands, 2007.
304
[51] Marinescu, N. I.,Ghiculescu, D., Anger, C. Correlation between laser

finishing technological parameters and materials absorption capacity,
Proceedings of 11th International ESAFORM Conference on Material
Forming, Lyon, France, 2008., publicat i n International Journal of
Material Forming, Springer Paris, ISSN, 1960-6206 (Print) 1960-6214
(Online).
[52] Mason, F. Fuzzy-Logic steers EDM with Finesse, American
Machinist, June, p. 31-34, 1993.
[53] McPherson R., A Review of Microstructure and Properties of Plasma
Sprayed Ceramics Coatings, Surf.Coat. Technol., Vol. 39/40, 1989.
[54] Metaxas A. C., Foundations of electroheat, a unified approach,
Wiley, Chichester, 1996.
[55] Mohri, N., Suzuki, M., Furuya, M., Saito, N. Electrode Wear in
Electrical Discharge Machining, Annals of the CIRP, Vol. 44/1, 1995.
[56] Moreau C., Bisson J.-F., Lima R., S., Marple B., R., Diagnostics for
advanced materials processing by plasma spraying, Pure
Appl.Chem., vol.77, No.2, 2005.
[57] Morris, D., Mechanical Behaviour of Nanostructured Materials ,Trans
Tech Publications Ltd., Switzerland, 2002.
[58] Popa L., Marinescu N.I., Ghiculescu D.-Some Aspects Concerning
Thermal Fields Analysis at Machining Aided by Plasma Jet. A XI-a
Conferinta Internationala de Tehnologii Neconventionale- CITN XI,
Sibiu 2003. In Revista de Tehnologii Neconventionale nr.1/2003,
pg.103-104, ISSN 1454-3087. In vol. Actualiti, tendine i
perspective ale tehnologiilor neconvenionale.Ed. ARTPRESS,
Timioara, 2003, ISBN 973-7911-19-9
[59] Popa L., Marinescu N.I., Lctu E., Ghiculescu D., - Some Aspects
Regarding Mechanical Processing Aided By Plasma. A X-a
Conferinta Internationala de Tehnologii Neconventionale- CITN 2001,
Timioara 2001. Revista de Tehnologii Neconventionale nr.3/2001,
pg.47-51, ISSN 1454-3087
[60] Ramchandran K., Selvarajan V., Sreekumar K.,P., Microstructure,
adhesion, microhardness, abrasive wear resistance and electrical
conductivity of plasma sprayed alumina and alumina-titania coatings,
in Journal: Thin Solid Films, 1997.
[61] Ramesh Bapu G.N.K., Plating and Surface Finishing, 1995.
[62] Ramos I.A., Bourell D.A., Beaman I.I., Surface over-melt during laser
polishing of indirect SLS metal parts, Materials Research Society
Simposium Proceedings, vol.758, pg.53-64, 2003
[63] Roco M.,C., Nanoscale science and engineering: Unifying and
transforming tools, Am. Inst. Chem. Eng. J. 50 (5), 2004.
[64] Sennett M., Welsh E., Wright J., Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
76, 111 (2003).
305
[65] Siegel, R., Industrial Polymers Handbook: Products, Processes,

Applications, NY, 2001
[66] Suzuki, M., Mohri, N., Saito, N. Ozaki, Y. Thermal
Machinability and Electrode Wear Material in EDM, Proceedings of
the 2nd International Conference on Die & Mould Technology, 1992.
[67] Takagi H., Hatori H., Soneda Y., Mater. Sci. Eng. B,108, (2004) 143
[68] Thuery J., Microwave: industrial, scientific, and medical
applications, Artech House, Boston, 1992.
[69] Torres F. , Jecko B., Complete FDTD analysis of microwave heating
process in frequency dependent and temperature dependent media,
IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 45,
[70] Vriezinga C.A., Thermal runaway in microwave heated isothermal
slabs, cylinders, and spheres,J.Appl.Phys.,Vol.83, pp.438-442, 1998.
[71] Wang Z. L., Liu Y. , Nanophase and Nanostructured Materials,
Tsinghua Press, Beijing. 2001
[72] Xia C., Keimel H., Ge Z.,Yu W., Micro and nanostructured materials
,Appl. Phys. Lett.83, 4417 (2003).
[73] Yi Lu, Dongbing Shao, Shaochen Chen, Nanoparticle-Enhanced
Laser Micromachining of Polymeric Nanocomposites, in Transactions
of NAMRI/SME, vol.33, 2005.
[74] Zacharia R., Kim K. Y., s.a, Chem. Phys. Lett. 412, (2005) 369
[75] Zhu D.,M., Miller R.,A., Sintering and Creep Behavior of Plasma-
Sprayed Zirconia and Hafnia- Based Thermal Barrier Coatings, Surf.
Coat. Technol., Vol.109, 1998.
[76] Zoubir A., Technology Developments Towards the Practical Use of
Femtosecond Laser, Micromachining Processing, 2005
[77] ***, Nanosciences et nanotechnologies, Un plan daction pour
LEurope 2005-2009, Communauts europennes, 2005
[78] ***www.drexel.edu/coe/conferences/NATOASI2003/manuscripts/
5.1.1%20cingolani.pdf
[79] ***www.leti.cea.fr/uk/acti-uk/acti-uk-silicium/acti-uk-silicium03.pdf
[80] ***www.motorola.com
[81] ***www.nanoforum.org/events/workshop/orals/
Morjan1NewTrends.pdf
[82] ***www.opticsexpress.org
[83] ***www.oxfordlasers.com
[84] ***www.oxfordlasers.demon.co.uk/movies/ddi_drilling_close.mov
[85] ***www.resonetics.com
[86] ***www.resonetics.com/Animation
[87] ***www.resonetics.com/PDF/CLSG.pdf
306
307
CUPRINS
Prefa..........................................................................................
3
INTRODUCERE...........................................................................
5
Capitolul 1
ENERGII CONCENTRATE, MICRO I NANOSTRATURI ..........
9
Capitolul 2
NANOCOMPOZITE I MATERIALE NANOSTRUCTURATE...... 19
2.1 Consideraii generale......................................................... 19
2.2 Materiale nanocompozite.................................................. 20
2.3 Sinteza i asamblarea nanocompozitelor.......................... 29
Capitolul 3
UTILIZAREA MICROUNDELOR (MW) N TEHNICILE
APLICABILE MICRO I NANOSTRATURILOR........................... 40
3.2 Aplicaii industriale ale microundelor.................................. 42
3.3 Sisteme de generare aplicare a microundelor................ 42
3.4 Interaciunea microundelor cu materialele......................... 48
3.5 Tipuri de prelucrri cu microunde...................................... 48
Capitolul 4
UTILIZAREA FASCICULULUI DE ELECTRONI N TEHNICILE
APLICABILE MICRO I NANOSTRATURILOR........................... 60
4.2 Fenomene fizice la prelucrarea cu
fascicule de electroni.................................................................... 60
4.3 Instalaii de prelucrare cu fascicule de electroni................ 70
4.4 Tipuri de fascicule i tipare................................................ 73
4.5 Tratarea micro i nanostraturilor cu fascicule de
electroni................................................................................... 76
4.5.1 Tehnici de transformare............................................. 78
4.5.2 Tehnici de retopire..................................................... 80
4.6 Utilizarea fasciculului de electroni n tehnica
materialelor nanostructurate.................................................... 85
4.6.1 Materiale nanocristaline i acoperiri realizate prin
evaporarea cu fascicul de electroni cu condensare
ulterioar a fazei vaporilor n vacuum..................................... 85
307
4.6.2 Dezvoltarea tehnologiei alierii suprafeelor

nanocristaline cu proprieti controlabile............................. 87
Capitolul 5
TEHNOLOGII DE PRELUCRARE CU FASCICULE DE IONI
A MICRO I NANOSTRATURILOR............................................. 89
5.2 Fenomene fizico - chimice specifice.................................. 89
5.3 Instalaii de prelucrare cu fascicul
de ioni (tunurile ionice)............................................................ 92
5.4 Aplicaii tehnologice ale fasciculului de ioni
n domeniul micro i nanostraturilor........................................ 93
5.4.1 Depunerea de straturi subiri.................................... 93
5.4.2 Prelucrarea straturilor subiri..................................... 97
5.4.3 Implantarea ionic..................................................... 97
Capitolul 6
TEHNICI DE DEPUNERE A STRATURILOR SUBIRI CU
FASCICULE DE CLUSTERE IONIZATE ICB............................ 104
6.2 Procesul de formare a clusterelor...................................... 105
6.2.1 Simularea procesului de formare a clusterelor.......... 107
6.2.2 Structura clusterelor.................................................. 110
6.3 Mecanismul formrii stratului subire
la depunerea ICB............................................................... 111
6.4 Instalaii specifice tehnicilor ICB........................................ 114
6.5 Tehnici de msur i control utilizate n
tehnologia micro i nanostraturilor........................................... 122
Capitolul 7
DEPUNEREA PRIN PULVERIZARE TERMIC
A STRATURILOR SUBIRI.......................................................... 126
7.2.Materiale pentru depunerea straturilor
prin pulverizare termic........................................................... 128
7.3 Caracteristici generale ale plasmei termice....................... 131
7.4 Utilizarea plasmei la depunerea straturilor
prin pulverizare........................................................................ 134
7.5 Caracterizarea structural, mecanic i la coroziune a
straturilor metalice depuse prin pulverizare termic................ 136
308
7.6 Modelul analitic pentru simularea fluxului de caldur la

pulverizarea cu plasm............................................................ 142
7.6.1 Modelarea transferului cldurii.................................. 144
7.6.2 Modelul numeric tridimensional................................. 150
7.6.3 Modelul analitic al zonelor cu doua fluxuri (TFR)....... 153
7.7 Controlul condiiilor de pulverizare cu plasm................... 157
7.7.1 Monitorizarea particulelor n timpul pulverizrii.......... 157
7.7.2 Studiul particulelor la impactul cu substratul.............. 166
7.7.3 Optimizarea nanostraturilor pulverizate..................... 169
Capitolul 8
PRELUCRAREA MICROSTRATURILOR PRIN
ELECTROEROZIUNE ASISTAT CU ULTRASUNETE............... 175
8.2 Fenomene specifice la prelucrarea prin electroeroziune
asistat de ultrasunete a microstraturilor................................. 176
8.2.1 Fenomene gazo-hidrodinamice i influena lor
asupra mecanismului de prelevare..................................... 176
8.2.2 Fenomene electroerozive n condiiile
asistrii cu ultrasunete........................................................ 179
8.2.3 Fenomene cavitaionale induse ultrasonic................. 184
8.2.4 Fenomene specifice la prelucrarea electroeroziv
asistat de ultrasunete a compozitelor cu matrice
metalic.............................................................................. 193
8.2.5 Optimizarea finisrii electroerozive asistate de
ultrasunete ............................................................................... 195
8.3 Modelarea cu metoda elementelor finite a mecanismelor
de prelucrare a microstraturilor prin electroeroziune asistat
cu ultrasunete................................................................................ 201
8.3.1 Date de intrare, condiii la limit, ipoteze
simplificatoare, discretizare................................................. 201
8.3.2 Distribuia de temperatur comparativ la
prelucrarea microstraturilor prin electroeroziune
asistat i neasistat de ultrasunete................................... 207
8.3.3 Verificarea experimental a adecvanei modelrii
electroeroziunii asistate de ultrasunete................................. 221
8.3.4 Sinteza funciilor de proces......................................... 226
Capitolul 9
TEHNOLOGII DE PRELUCRARE/OBINERE CU LASER
A MICRO I NANOSTRATURILOR ............................................ 229
309

9.2 Utilizarea laserului n microtehnologii................................ 230
9.3 Finisarea cu laser a suprafeelor
la nivel submicrometric............................................................ 240
9.3.1 Mecanisme specifice ale procesului de de finisare
submicrometric cu laser................................................... 241
9.3.2 Parametrii tehnologici principali la finisarea
submicrometric cu laser................................................... 245
9.3.3 Rezultate experimentale obinute la finisarea
submicrometric cu laser.................................................... 249
9.4 Depunerea de mico i nanostraturi din materiale
compozite cu ajutorul laserului................................................ 257
9.5 Elemente privind ablaia cu laser a
materialelor compozite polimerice........................................... 264
Capitolul 10
OBINEREA ELECTROCHIMIC DE MICRO I
NANOSTRATURI DIN MATERIALE COMPOZITE..................... 272
10.1 Consideraii generale...................................................... 272
10.2 Influena parametrilor experimentali................................ 276
10.2.1 Concentraia particulelor, tipul, forma i
dimensiunea lor.................................................................. 276
10.2.2 Compoziia bii, ageni de luciu i complexani..... 278
10.2.3 Temperatura, pH-ul i densitatea de curent.......... 279
10.2.4 Agitare i surfactani.............................................. 281
10.2.5 Sarcina electric a suprafeei particulelor............... 285
10.3 Micro i nanostraturi obinute din electrocompozite........ 286
10.3.1 Depuneri compozite Ni ZrO2................................ 286
10.3.2 Studiul electrochimic al depunerilor Ni ZrO2........ 290
BIBLIOGRAFIE............................................................................ 301
CUPRINS...................................................................................... 307
310
1
NODAL SOLUTION 1
JUL 1 2001 N ODAL SOLUTIO N
J UN 2 9 2001
STEP=1 08:40:52 S TEP= 1 10 :14:14
SUB =1 S UB = 1 TEMP=2500
MX
TIME=1 T IME= 1
TEMP (AVG) T EMP (AVG )
S MN = 40
SMN =40 S MX = 2500
SMX =2550 Z
TEMP=2414
Y
X
TEMP=2219
TEMP=2212
MX
Z
Y
X TEMP=1469
TEMP=1532
40 586.667 1133 1680 2227

313.333 860 1407 1953 2500
40 597.778 1156 1713 2271

318.889 876.667 1434 1992 2550

TECp MN

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

TECp MN

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Niculae Ion MARINESCU Daniel GHICULESCU

Liliana POPA Elena LACATUS

Coordonator: Prof.univ.dr.ing. Niculae Ion MARINESCU

EDITAT CU SPRIJINUL CONSILIULUI NAIONAL AL CERCETRII

- GRANT 49GR/2007-2008; cod CNCSIS 128 -

Prof.univ.dr.ing. Dan NANU

Tehnoredactare computerizat i coperta:

ISBN 978 606 521 104 9

Experiena echipei n utilizarea metodei elementelor finite (MEF) a

Prof.univ.dr.ing. Niculae Ion MARINESCU

- al doilea, mult mai periculos, este acela n care se poate

Figura I.1 Evoluia cunoaterii (Dinamica dezvoltarii)

De asemenea, abordarea sistemic a problematicii

Conceptul primar a fost introdus, n anul 1974 de ctre Norio

- nanotiina ne ajut s umplem o lacun major n

polipirol i compozite polipirolice cu proprieti controlate; sisteme

Figura 1.1 Aplicatii ale nanotehnologiilor

Astfel, microprelucrarea cu laser este o metod de fabricaie din

Figura 1.2 Aplicaii ale laserului in microprelucrri

O mare varietate de tipuri de laseri sunt folosii n

ndeprtare a materialelor, n special n tehnica straturilor subiri

Figura 1.3 Microcircuit realizat cu Figura 1.4 Intersectaia a patru

n cazul unor operaii de tiere (crestare) a microstraturilor,

Figura 1.5 Calitatea i precizia tieturii laser

Astfel, la viteze mici apar arderi de material (figura1.5,a), la

Figura 1.6 Diagrama de procesare pentru alierea la suprafaa cu laser

Figurile 1.6 si 1.7 detaliaz procesarea cu laser pentru

Figura 1.7 Diagrama de procesare pentru placarea la suprafa cu laser

Ulterior, straturile tratate prin alte tehnici de prelucrare, cum

s fie uniform dispersat i trebuie s posede compatibiliti

Figura 1.8 Diagrama schematic cu seciunea transversal i

O morfologie tipic a structurilor LIMS este descris n figura

O alt tehnologie de prelucrare/obinere cu energii concentrate

absena sau prezenta straturilor de atomi ai metalelor strine i de

Figura 1.11 Diagrama pentru diferite tipuri de implantare

Implantarea de ioni duce la apariia unor structuri specifice

straturilor subiri, cu grosimi submicronice, este necesar

straturilor subiri submicronice, este necesar reducerea

Nanocompozitele - o nou clas de materiale aflat n studiu

Figura 2.1 Reprezentarea schematic a materialelor

Aceste materiale polimerice armate cu nanoparticule pot fi

important de discuie de mai mult de un deceniu printre cercettorii

multidisciplinar ale crei rezultate pot lrgi aria de aplicare a

n produse de nalt tehnologie se mbuntete zi de zi. Din

Fr a exista nc o taxonomie a domeniului, fiecare arie de

i a altor materiale nanoceramice figura 2.4,a,b sunt teoretic

Figura 2.4 Materiale nanocristaline

c. Materialele cu inserii submicronice

orientrii nanoparticulelor/ nanofibrelor n matricea

Nanotuburile de carbon se pot prezenta sub diverse forme

a. Cristal -CFC b. Diamant c.Grafit

d. C60 e. C60- Endohedral f. C70

Figura 2.5 Forme naturale i de sintez ale legrii carbonului

a.Nanotub b. Nanopunct c. Nanotuburi

Figura 2.6 Forme de mpachetare a nanocompozitelor

Tabelul 2.2 Caracteristicile nancompozitelor pe baz de carbon

Fulerene(C60) Tuburi de carbon cu un singur perete

Dimensiuni: 1nm (dia.), 0.3 100 mm

g. Interfee n compozitele cu nanotuburi

Nanotuburile pot fi privite n definirea aplicaiilor fie ca

De exemplu, VGCF-H este o substan tip nanocompozit cu

Figura 2.7 Element de volum n Figura 2.8 Fibr de carbon

h. Nanocompozite cu matrice epoxidic