Curs 20microsenzori

MICROSENZORI
Note de Curs

Electronica si Tc.

Dr. ing. Carmen Moldovan
Cap. I Clasificarea senzorilor

Cap.1. INTRODUCERE

Microsenzorii element esential al proceselor de masura si control in
aplicatii, cum ar fi: monitorizare industriala, fabrici automatizate, industria de
automobile, transporturi, telecomunicatii, roboti, computere, monitorizarea
mediului, sanatate si agricultura =>in toate sferele vietii economice si sociale.
Odata cu dezvoltarea microprocesoarelor si a circuitelor integrate specifice,
procesarea semnalelor a devenit ieftina, de o mare acuratete si conduce la cresterea
gradului de inteligenta al echipamentelor electronice.
Stimularea cercetarii in aria senzorilor conduce la dezvoltarea tehnologiei
senzorilor si microsistemelor si la realizarea de noi tipuri de senzori.
Cele 5 tipuri majore de senzori (viteza, temperatura, acceleratie, pozitie si
presiune) domina si vor domina inca piata si estimarile arata o crestere continua si
liniara a pietii senzorilor pana in anul 2010.
Cercetarile care conduc la dezvoltarea si imbunatatirea tehnologiilor
specifice de realizare a senzorilor si microsistemelor sunt extrem de importante, cu
aplicatii importante si de durata.
Senzorii sunt dispozitive care ofera o interfata intre echipamente si lumea
fizica. Ei ajuta electronica sa vada, sa auda, sa miroasa, sa guste si sa atinga.
In interfata lor cu lumea reala, senzorii tipic convertesc marimi fizice sau
chimice neelectrice in semnale electrice.
Diagrama bloc a unui sistem de traductoare:

Diafragma bloc a unui sistem de traductoare

Rolul traductoarelor de intrare este de a culege informatia din lumea reala,
care este de tip marime fizica sau chimica, cu alte cuvinte de a simti lumea;
traductorii de intrare sunt uzual numiti senzori.
Rolul traductoarelor de iesire este de a converti un semnal electric intr-o
forma acceptabila simturilor noastre si sa initieze unele actiuni, spre ex.
deschiderea si inchiderea unei valve. Traductoarele de iesire sunt uzual numite
actuatori.
Traductoarele de intrare-iesire sunt uzual realizate prin microprelucrarea
siliciului.
Pag. I. 1


In fabricarea senzorilor si actuatorilor siliciul este cel mai uzual material
(90% component cu alte materiale semiconductoare sau nu).
Cateva caracteristici ale siliciului, care il fac atat de utilizat:
- modulul Young este apropiat de al otelului;
- densitatea apropiata de aluminiu si o treime din densitatea otelului;
- nu se deformeaza plastic - cristalul de siliciu este elastic, el nu prezinta
histerezis mecanic;
- duritatea siliciului este apropiata de cea a quart-ului si mai mare decat cea a
tungsten-ului, Al =>Si excelent ca material mecanic.
- este piezorezistiv:

Clasificarea senzorilor semiconductori:
Tipuri de senzori
O caracteristica a unui senzor este conversia energiei dintr-o forma in alta.
Este de aceea util sa consideram variate forme de energie. Din punct de vedere
fizic putem distinge 10 forme de energie:
- energie electrica se refera la campuri electrice, curent, tensiune;
- energie magnetica distribuita cu campul magnetic;
- energia masei descrisa de legea lui Einstein E =mc
2
;
- energia nucleara este data de energia de legatura intre nuclee;
- energie radianta este asociata undelor radio electromagnetice,
microundelor, luminii vizibile, undelor infrarosii, ultraviolete, X-ray, gama ray;
- energia termnica asociata energiei cinetice a atomilor si
moleculelor;
- energie atomica este asociata fortei dintre nuclei si electroni;
- energie moleculara este energia de legatura in molecule;
- energie gravitationala asociata atractiei gravitationale dintre masa
si pamant;
- energie mecanica se refera la miscare, deplasare, forta; -

Pentru masuratorile propuse avem 6 tipuri de marimi:
- marimi chimice semnalele provin de la cantitati ale materiei, cum ar fi:
concentratie, compozitie, rate reactiei;
- marimi electrice semnale de tip tensiune, curent si sarcina;
- marimi magnetice intensitate, camp magnetic, densitate de flux;
- marimi termice temperatura, caldura, flux de caldura;
- marimi mecanice forta, presiune, viteza, acceleratie, pozitie;
- marimi radiante caracterizeaza undele magnetice: intensitate, legatura de unda,
polarizare, faza.

Pag. I. 2


Clasificarea senzorilor semiconductori:
1. Acustic
- amplitudinea undei, faza, polarizare
- viteza undei
2. Biologic
- Biomasa (identitati, concentratii)
3. Chimici
- componente (concentratii, stari)
4. Electrici
- sarcina, curent
- potential, diferenta de potential
- camp electric (amplitudine, faza, polarizare)
- conductivitate
- permitivitate
5. Magnetici
- camp magnetic
- flux magnetic
- permeabilitate
6.Mecanici
- pozitie, viteza, acceleratie, forta, stres, presiune, masa, densitate
- viteza fluxului
- vascozitate
- cristalinitate, integritate structurala
7. Optici
- amplitudinea undei, faza, polarizare, spectru
8. Radiatie
- energie, radiatie
9. Termici
- temperatura, flux, caldura specifice, conductivitate termica
Prelucrare semnal
Schema marimilor de intrare (de masurat) si a celor de iesire

Pag. I. 3

Cap. II Tehnici de microprelucrare

Cap.2. TEHNICI DE MICROPRELUCRARE

Tehnologiile de microprelucrare pot fi clasificate n:
- microprelucrare de volum
- microprelucrare de suprafa

Microprelucrarea de volum
Microprelucrarea de volum se bazeaz pe corodarea siliciului
monocristalin i structurile micromecanice dezvoltate cu aceast tehnologie
sunt realizate din siliciu microcristalin sau depus sau prin creterea de structuri
pe siliciu.
n microprelucrarea de volum pot fi utilizate dou tehnici: corodarea de
pe faa plachetei i corodarea de pe spatele plachetei.
Structurile micromecanice realizate prin tehnologii de microprelucrare
pot fi mprite n trei categorii:
- microstructuri statice structuri 3-D statice caviti, orificii circulare,
conectoare electrice miniaturizate
- microstructuri dinamice, diafragme i membrane, puni, borne
Aceste structuri necesit un control al deplasrii pentru a realiza funcia
dorit.
- microstructuri cinetice - micromotoare, arcuri cu utilizri n microrobotic
i microchirurgie

Microprelucrarea de suprafa
Utilizeaz straturi depuse sau crescute pe substrat pentru a fabrica
dispozitive micromecanice.
Astfel, procesele de microprelucrare de suprafa necesit un strat de
sacrificiu care este nlturat ntr-o etap ulterioar pentru a elibera structura
mecanic.

Exist combinarea celor dou tehnici, pe care am avut-o n vedere,
studiind materiale de mascare pentru oxizi, polisiliciu, metale, corodani
organici i anorganici ai siliciului cu protejarea celorlalte elemente ale
dispozitivelor existente pe chip, ct i tehnici de sudare plachete.
Proiectarea de design, de tehnologii i de procese trebuie s in cont de
toate aceste elemente cat i de forele specifice microlumii (forele
electrostatice i forele de forfecare care sunt mari i deformeaz puternic
sistemele micromecanice, n timp ce ineria i greutatea nu au importan),
s-i asimileze legile i s ncerce s creeze tehnologii i procese mbuntite
care s respecte aceste legi, dar care s ofere performane acceptabile din punct
de vedere al productorilor de senzori i microsisteme.

Pag. II. 1


Corodarea umed anizotrop
Corodarea umed anizotrop este un proces de corodare preferenial
dup anumite direcii a unui material, utiliznd corodani din surs lichid.
Siliciul monocristalin este compus din atomi aranjai ntr-o structur de
diamant cu simetrie cubic.
Corodanii anizotropi pentru siliciul uzual folosit sunt: hidrazin-ap,
EDP (ethylendiamin-pirocatechol-ap), KOH (hidroxid de potasiu-ap),
TMAH (hidroxid de tetrametilamoniu), C
S
OH (hidroxid de cesiu-ap).
Corodanii sunt compui dintr-un component primar (hidrazin, etilendiamin,
hidroxid de potasiu, etc.), un agent complexant (alcool izopropilic, catechol) i
un diluant (ap).

Dependena ratei de corodare de orientarea cristalografic este o
trstur de baz a corodanilor anizotropi. Mai exact, suprafeele <111> se
corodeaz cu o rat mai lent dect alte plane cristalografice.
Aceasta indic c rata de dizolvare este o funcie de orientarea
cristalului de siliciu.
Calitativ, corodarea anizotrop este funcie de densitatea atomilor de
siliciu pe centimetru ptrat (unitatea de arie).
Ca o consecin a anizotropiei este posibil s dezvoltm structuri unice,
care nu ar putea fi construite astfel.

Spre exemplu, considerm o plachet de orientare <100> cu o fereastr
ntr-un strat de SiO
2
care acoper suprafaa. Expus la un corodant anizotrop
apare o form de trunchi de piramid ca n figura de mai jos.
Fig.2.1.

Trunchiul este mrginit de planele <111> care au o rat de corodare
foarte mic. Pe <111> au o nclinare de 54,7
o
C. Dependena de orientare a
ratei de corodare cu EDP pe <100> este artat de fig.2.2.
Rata de corodare variaz i ca funcie de tipul corodantului i de condiiile
locale de corodare.

Pag. II. 2


Fig.3.2 Rata de corodare functie de directia cristalografica
(siliciu <100> corodat in EDP)

Configurarea structurilor.
Pentru a obine o structur dorit muchiile ferestrei trebuie s fie corect
orientate. Spre exemplu, pentru a obine un trunchi piramidal ca n fig. 2.3. ,
muchiile ferestrei trebuie s fie aliniate n direcia <110> ca in fig. 2.4. Fig.2.3.
Profilul corodarii intr-o placheta <100> folosind o fereastra patrata ca masca.
Fig.2.3. Profilul
corodarii in Si
<100>
Pag. II. 3


Fig.2.4. Alinierea ferestrei de corodare pe o placheta <100> pentru a obtine
profilul din fig.2.3.

Dac geometric este dezaliniat colurile concave i muchiile vor fi tiate prin
corodare (Fig.2.4)

Fig.2.4. Aspectul unei ferestre dezaliniate corodate anizotrop
Pag. II. 4


O fereastra ptrata pe Si <100> da un trunchi de piramid ca in fig.2.3.

Rata de corodare respecta legea lui Boltzman.
)
KT
Ec
exp( Ro Re = : Ro factor preexponenial
Ec en. de activare
K constanta Boltzman= 86,1 x 10
-6
eV/K
T temp n K
Selectivitate
Corodanii anizotropi pot fi puternic selectivi la materialele de mascare
(SiO
2
, Si
3
N
4
, SiON, Au)
EDP - nu atac Au, Ag, Ta
- atac Al
- rata de atac a Si
3
N
4,
SiO
2
este aproape nula
KOH rat mare de corodare la oxizi, deci selectivitate scazuta
TMAH selectivitate la SiO
2
, Si
3
N
4

Tehnici de stop-corodare pentru corodarea anizotrop

1. Stop corodarea la regiunile puternic dopate n bor

Fig.2.5. Rata de corodare in EDP a siliciului dopat cu bor functie de
concentratia de bor

Pag. II. 5


Rate de corodare funcie de concentratia de bor
La conc. de bor > 2,5 x 10
19
cm
-3
, corodarea este independent de
coninutul de bor.
Peste aceast conc. critic, corodarea depinde de conc.de bor i rata
scade n 3 ordine de mrime.
4
B
C
1
Rc
Explicaia degenerarea siliciului

Fig. 2.6. Stop corodare la jonctiunea p-n

2. Stop corodarea electrochimic
Corodani anizotropi alcalini pot fi utilizai pentru ndeprtarea chimic
a siliciului (Si) nedorit i astfel sunt pstrate regiunile pasivate electrochimic.
Ambele tipuri de plachete de Si(n) i Si(p) pot fi pasivate.
Procesul (ECE) corodare anizotrop controlat electrochimic are un avantaj
fa de doparea puternic cu bor (3x10
19
cm
-3
) datorit tensionrii puternice a
Si prin tratamentul termic necesar n cazul doprii cu bor.
Oricare din prile jonciunii p sau n poate fi protejat la corodare prin
legarea sa la anod, att timp ct potenialul anodic nu este suficient de mare
pentru a crete polaritatea jonciunii p-n, cnd partea p este protejat.
Corodarea se oprete cnd partea expus corodrii n soluie a jonciunii
p-n este complet corodat.
Fenomenul de pasivitate electrochimic este datorat formrii unui strat
pasivant de bioxid de siliciu prin oxidare anodic, cnd reactantul ajunge la
jonciune.
De fapt, ideea de baz este realizarea unei membrane de siliciu de tip
n, de obicei, un strat epitaxial obinuit, depus pe substratul de siliciu de tip
p care va fi corodat selectiv pn la siliciul epitaxial de tip n.
Pag. II. 6


Aceast corodare selectiv se realizeaz prin aplicarea potenialelor
electrochimice diferite la cele dou tipuri de siliciu de pe placheta imersat n
soluia de corodare anizotrop.
Realizarea jonciunii p-n pe o plachet de tip p se efectueaz prin
depunerea epitaxial a unui strat epitaxial de tip n cu o anumit rezistivitate
pe substratul de tip p al plachetei, caracterizat i acesta de o anumit
rezistivitate.
Pentru realizarea corodrii pn la jonciunea p-n se aplic o tensiune
pozitiv direct pe siliciul de tip n printr-un contact ohmic, n timp ce
contactul electric pe siliciul p este fcut prin soluia b de corodare cu un
electrod adecvat utilizat pentru msurtori.
Sub o polarizare anodic suficient, siliciul se pasiveaz ca urmare a
formrii oxidului anodic i corodarea se oprete.
Fig. 2.7.a. Instalatie de corodare electrochimica

2.7.b. Definire microstructuri prin stop corodare electrochimic.
Pag. II. 7


3. Stop corodarea la timp de corodare
n cazul timpului stop-corodare s-au avut n vedere :
- viteza de corodare pentru toi reactanii este influenat considerabil
de transportul substanelor n soluie spre plachet i de transportul produilor
rezultai prin corodarea suprafeei plachetei.
- se va lucra in solutii bine controlate ca temperatura, concentratie,
agitare ai. conditiile sa fie perfect reproductibile dupa stabilirea experimentala
a ratei de corodare

Corodarea anizotrop chimic
Corodarea anizotrop a siliciului monocristalin s-a studiat n soluii
alcaline n funcie de:
- orientarea planelor siliciului monocristalin
- pasivarea siliciului monocristalin cu un strat de oxid sau nitrur
- doparea cu bor la concentraii ridicate a siliciului monocristalin
Viteza de corodare a fost determinat n funcie de:
- temperatur
- compoziia reactantului
- orientarea planelor cristalului de siliciu
- pasivarea siliciului
- doparea puternica cu bor
Corodanii lichizi anizotropi ai siliciului monocristalin:
- cu component anorganic KOH, NaOH, LiOHH
2
O, CsOH
- cu component organic etilendiamina, hidroxid de tetrametil
amoniu, hidrazina, hidroxizi de amoniu cuaternari).
Agentul complexant pentru a efectua dizolvarea const de obicei din
alcool izopropilic, n-propanol, izobutanol, pirazin sau colin pentru sistemul
organic.
Pasivitatea siliciului este realizat cu:
- oxid de siliciu termic, CVD, PSG, BPSG
- nitrur de siliciu
- oxinitrur de siliciu
Corodanii anizotropi ai siliciului monocristalin manifest o reducere
puternic a vitezei lor de corodare la concentraii de bor ridicate, depind
aproximativ 2x10
19
cm
-3
.
Corodarea chimic selectiv s-a folosit n cazul depunerilor de siliciu
epitaxial pe substraturi izolante i n procesele de izolare dielectric ale
circuitelor integrate.
Pentru soluii foarte concentrate s-a observat o descretere a ratei de
corodare cu putere a patra a diluiei, n mod similar s-a constatat i n cazul
suliciului dopat cu bor.
Pag. II. 8


Reducerea vitezei de corodare a fost gsit a fi invers proporional cu
puterea a patra a concentraiei de bor pentru o soluie alcalin diluat, fiind mai
puin eficace pentru o soluie alcalin concentrat.
3.1 Corodarea anizotrop chimic a siliciului monocristalin n soluie
alcalin anorganic
Hidroxidul de potasiu cea mai frecvent folosit soluie anorganic.
Observaii:
1. viteza de corodare maxim a fost obinut la o concentraie de 10-
15%KOH fr adaos de alcool izopropilic i n jur de 30% KOH cu
alcool izopropilic.
2. n cazul plachetelor de Si<100> energia de activare a fost gsit a fi
ntre 0.52 i 0.60 eV
3. raportul vitezelor de corodare pentru planele cristalelor
Si<100>/Si<111> este de 35:1.
Specia principal de reacie a fost determinat ca fiind HO
-
.
SiO
2
(OH)
2
--
se considera a fi produsul de corodare primar, cu
polimerizare ulterioar.
Si + 2H
2
O + 2HO
-
Si(OH)
2
O
2
--
+ 2H
2
Raley a presupus c 4e
-
sunt injectai n banda de conducie prin reacia de
oxidare iniial care sunt mai trziu consumai n etapa de reducere:
Si + 2HO
-
Si(OH)
2
++
+ 4e
-

Si(OH)
2
++
+ 4e
-
+ 4H
2
O Si(OH)
6
--
+ 2H
2

Pag. II. 9


Fig. 2.8.Profilul de corodare pentru siliciul <100> corodat anizotrop

Figura 2.9. Profilul de corodare pentru siliciul <110> corodat anizotrop

Pag. II. 10


Proprietile de cristalografie ale siliciului

Structura cristalin a siliciului este de tip diamant cu o constant de reea =
5,43 . Structura este de tip fee cubice centrate. De mare importan pentru
corodarea anizotrop sunt orientarea planelor relevante ale cristalului. Acestea
sunt: - planele {111} plane care se corodeaz cel mai lent i - planele {100},
{110} care se corodeaz repede.

Figura 2.10. Planele de interes in cristalul de siliciu

Pentru micromecanic, dou direcii sunt importante <100> i <110>.
Plachetele <111> nu pot fi microprelucrate utiliznd corodani cunoscui.
Planele cristalului sunt caracterizate de un set de 3 indici numii indici
Miller. Ei descriu vectorii normali (perp.) la planele cristaline n discuie.
Ex: ntr-o reea cubic simpl se gsesc atomi n lungul direciilor x, y
sau z, la o distan care este un numr ntreg al constantei reelei.
Vectorii a
x
, a
y
genereaz un plan pe care vectorul a
z
este normal. Acest
plan este <001>.

Mecanismul general la corodarea anizotrop

Si Si OH

Si : + 2OH
-
Si + 2e
-
cond

Si Si OH

Pag. II. 11


La corodarea siliciului n KOH =>
Si + H
2
O + 2KOH K
2
SiO
3
+ 2H
2
Si + 2OH
-
Si(OH)
2
++
+ 4e
-
4H
2
O + 4e
-
4OH
-
+ 2H
2
Si(OH
-
)
2
++
+ 4OH
-
SiO
2
(OH)
2
--
+ 2H
2
O
________________________________
ntreaga reacie este nsumat astfel:
Si + 2OH
-
+ 2H
2
O SiO
2
((OH)
2
--
+ 2H
2

La corodarea unui V-Groove
= 54,7.

2
h
a
tg
h
a
a
h
tg = = => =
=> = = h 2
2
h
2 2a limea unui V-Groove = 2 x nlimea
La corodarea unei membrane:
h 2 W a + =

Lipirea structurilor micromecanice la substrat

- lipirea structurilor la substrat dup supracorodare n ageni chimici
umezi apare in cazul structurilor eliberate prin corodare de sacrificiu
Mecanismul i natura forelor care atrag straturile subiri la substrat sunt
controversate. Dou mecanisme joac un rol important:
a) fora care trage structura n jurul suprafeei pasive probabil
determinata de tensiunile de suprafa dintre lichidul n care plachetele sunt
curatite si suprafata plachetelor.
Sunt fore Van der Vools, electrostatice, legturi de H
2
i reacii chimice
care intr n joc, rezultnd o legtur permanent a structurii la substrat.
Metode de evitare:
- prevenirea contactului ntre structur i substrat n timpul fabricaiei
corodare uscat.
Pag. II. 12


- reducerea forelor de aderen
Utilizarea suprafeelor hidrofobe sau creterea rugozitii suprafeei.

Pag. II. 13

Capitolul 2 Senzori de siliciu integrati si tehnici de microprelucrare
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2. 2. MICROPRELUCRAREA DE SUPRAFATA A SENZORILOR

Avantajele tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei constau `n capacitatea
de a produce senzori mai mici precum [i din faptul c\ prezint\ multe aspecte comune
cu tehnologia circuitelor integrate. Ca urmare al progresului, far\ precedent `n acest
domeniu din ultimii ani, ne-am concentrat asupra microprelucrarii suprafe]ei
polisiliciului. Studiul polisiliciului pentru aplica]iile de microprelucrare a suprafe]ei
include: depunerea, doparea, annealing, straturile de sacrificiu [i corodarea de
sacrificiu precum [i caracterizarea filmelor de polisiliciu.

Conceptul de baza al tehnologiei de microprelucrare a suprafetei
Microprelucrarea suprafe]ei este o tehnica pentru fabricarea structurilor multi
strat 3D micromecanice [i configurarea filmelor sub]iri. Conceptul de baza al
tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei a fost demonstrat ini]ial pin depuneri de
filme metalice de catre Nathanson in 1960. Interesul a sporit `n aceasta direc]ie dupa
anul 1987, cand a `nceput dezvoltarea acestei tehnologii [i continua cu un succes
deosebit [i astazi.

Structuri multi strat
Conceptul de baz\ al tehnologiei de microprelucrare a suprafe]ei este descris in
fig.2.14. Mai `ntai, un strat izolator este depus pe un substrat de siliciu pentru izolarea
electrica, numit [i strat protector. Apoi, un strat de sacrificiu este depus deasupra
stratului izolator [i configurat. Urmatoarea etap\ const\ `n depunerea stratului de
polisiliciu, peste stratul de sacrificiu, urmat de configurarea sa. ~n final, stratul de
sacrificiu este [i el corodat, folosind corodarea selectiv\ a acestuia. Deci, se ob]ine o
structur\ micromecanic\ liber\.
Abordarea microprelucrarii de suprafa]\ este atractiv\ deoarece structurile mai
mici pot fi ob]inute cu un control dimensional mult mai bun `n compara]ie cu
microprelucrarea de volum. Alte diferen]e `ntre microprelucrarea de volum [i de
suprafa]\ sunt subliniate in tabelul 2.11. Microprelucrarea de suprafa]\ confera
posibilitati pentru utilizarea de combina]ii variate de filme sub]iri. Stratul de
polisiliciu poate fi `nlocuit cu: nitrura de siliciu, dioxid de siliciu, poliimida, tungsten,
1
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
molibden, carbura de siliciu amorfa, aliaj TiNi, permaloi Ni-Fe sau filme composite ca
polisiliciu-ZnO sau polisiliciu-nitrur\ de siliciu - polisiliciu. Compozi]ia stratului de
sacrificiu depinde de stratul materialului din care va fi format\ structura
micromecanic\ .
Tabelul 2.12 prevede un rezumat al combina]ilor diferite de strat de sacrificiu
[i de stratul materialului din care va fi format\ structura micromecanic\, descrise in
literatura/L. Ristic, Sensor Technology and Devices, 1994 Artech House, Boston,
pp.95-150/. Aceasta este o ilustra]ie de eventual\ tehnologie de microprelucrare de
suprafa]\. Fara `ndoial\, tehnologia de microprelucrare de suprafa]\ reprezint\
cercetarea de viitor `n ceea ce prive[te posibilit\]ile utiliz\rii de noi materiale, care la
randul lor ofer\ o varietate de alte solu]ii tehnologice.

Strat de izolare
Substrat
Strat de izolare
Strat de sacrificiu
Polisiliciu
Substrat
Strat activ
Strat de sacrificiu
Strat de izolare
Substrat
Fig.2.14. Suprafata microprelucrata: (a) stratul de sacrificiu configurat; (b) stratul activ
configurat; (c) bara suspendata dupa corodarea de sacrificiu.

2
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tabel 2.11. Compararea microprelucrarii de volum cu cea de suprafa]\

Tr\s\turi caracteristice Microprelucrarea de volum Microprelucrarea de suprafa]\
Stratul materialului din care va
fi formata structura
micromecanica
Siliciu Polisiliciu
Stratul de sacrificiu PSG, SiO
2
M\rimea Mare (dimensiunile cavit\]ii
tipice sunt de ordinul a sute de
m)
Mic\ (precizie `nalt\ controlat\
prin grosimea filmului depus;
dimensiunile tipice sunt mai mari
de ca]iva m)

Factorii de procesare a)Procesarea pe o fa]\ sau pe
ambele fe]e(fa]\ [i spate)
b)Selectivitatea materialului la
corodare
c)Corodarea: anizotrop\
(depinde de orientarea
cristalului)
d)Stop corodare
e)Configurarea
a)Procesarea pe o fa]\ (pe fa]\)
b)Selectivitatea materialului la
corodare
c)Corodarea: izotrop\
d)Stres rezidual `n filme (depinde
de: depunere, dopaj, annealing)

Tabel 2.12 Combinarea stratului materialului din care va fi format\ structura
micromecanic\ [i a stratului de sacrificiu pentru microprelucrarea de suprafa]\

Stratul materialului din care va fi formata
structura micromecanica
Stratul de sacrificiu

Material
Grosimea tipic\ (m) Material Grosimea
tipic\ (m)
Polisiliciu 1 - 4 PSG, SiO
2
1- 7
Si
3
N
4
0.2 - 2 PSG, SiO
2
2
SiO
2
1 - 3 Polisiliciu 1- 3
Poliimid\ 10 Al 1.5 - 3
W 2.5 - 4 SiO
2
8
Mo 0.5 Al 0.7
SiC 1.5 SiO
2
1.5
TiNi 8 Poliimid\ sau
Au
3
2
NiFe 2.5 Al sau
Cu
7
7
PoliSi-ZnO 2 0.95 PSG 0.6
PoliSi-
Si
3
N
4
-
PoliSi
1- 0.2 -1 PSG 2

3
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Straturi de sacrificiu si corodarea de sacrificiu
Straturile de sacrificiu depuse sub form\ de film pot fi utilizate ca un material de
e[afodaj `n realizarea structurilor tridimensionale. Aceste straturi, deasemenea, pot
servi drept surs\ de dopare. Utilizarea oxidului dopat cu fosfor ca strat de sacrificiu
este solu]ia cea mai des `ntalnit\. Rata de corodare [i propriet\]ile de curgere pot fi
stabilite controland `ncorporarea dopantului. Mai mult, selectivitatea corod\rii
oxidului de siliciu `n solu]ia de acid fluorhidric diluat (HF) este `n general bun\ [i
atunci cand acesta este depus peste alte materiale ca polisiliciul [i nitrura de siliciu. ~n
general, se depune sticl\ fosfosilicat (PSG) pentru aplica]ile microprelucrarii de
suprafa]\ care `n mod obi[nuit este ob]inut\ termic LPCVD (depunere chimic\ `n stare
de vapori la presiune joas\) utilizand silan SiH
4
, oxigen O
2
[i fosfin\ PH
3
. De[i ratele
de corodare ale acestor filme sunt importante, `n multe aplica]ii de microprelucrare de
suprafa]\, procesul de corodare al PSG-ului de sacrificiu este un proces complex,
astfel corodarea poate s\ se implice [i pe sub strat cu o vitez\ decorodare limitat\. ~n
fig.2.15 se arat\ o schem\ reprezentativ\ cu [apte etape distinctive identificate a
secven]ei corod\rii de sacrificiu. S-a stabilit c\ limit\rile de transfer de substan]\
extern\ sunt nesemnificative [i procesul de corodare s-a modelat ca un sistem
constant cu parametru localizat al reac]iei de difuzie. Fluxul de difuzie (
dif
), sau
viteza de transport a reactantului la interfa]a fluidsolid, se calculeaz\ cu ecua]ia:

dif
= D
HF

s b
C C

~n mod analog se stabile[te [i pentru fluxul de reac]ie (
rec
), ecua]ia:

rec
= k
ef
(C
s
)
n

~n ecua]ia stabilit\ pentru fluxul de reac]ie (
rec
), constantele de vitez\ ale
adsorb]iei, reac]iei de suprafa]\ [i desorb]iei sunt reprezentate de k
ef
, iar n este ordinul
de reac]ie. C
b
[i C
s
sunt concentra]iile de volum [i respectiv de suprafa]\ ale
reactantului. D
HF
reprezint\ difuzia HF `n ap\ [i lungimea de difuzie. Astfel,
rezultatele experimentale pentru solu]iile concentrate de HF (49%) corelate cu
modelul de anticipare arat\ c\ numai dup\ 10min. `n solu]ia de corodare, difuzia
reactantului are vitez\ determinant\.
4
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

4
3
Desorbtia produsului
Reactie la suprafata
Absorbtie
2
1

Fig.2.15.Reprezentarea schematica a mecanismului corodarii de sacrificiu a PSG

1Transportul reactantului extern
2Difuzia reactantului
3Difuzia produsului
4Transfer de mas\ al produsilor de reactie spre exterior
De asemenea, se arat\ c\ geometria canalului de corodat afecteaz\ timpul de
corodare `n func]ie de distan]a corodat\ `ntr-un canal rectangular crescand cu l\]imea
canalului. Cand reactantul este `n faz\ lichid\ difuzeaz\ direct propor]ional cu
temperatura, timpul de corodare pentru PSG poate fi mic[orat prin cre[terea
temperaturii solu]iei de corodare.Vitezele reac]iei de corodare depind exponen]ial cu
temperatura [i `n acela[i timp [i selectivit\]ile celorlalte materiale din solu]ie (de
exemplu, nitrura de siliciu, metale) pot fi serios afectate. ~n cazul unei aplica]ii
particulare, condi]iile corod\rii de sacrificiu vor varia [i pot fi optimizate pentru
fiecare situa]ie `n parte.
Crescand concentra]ia de fosfor atat cat este necesar pentru cresterea vitezei de
corodare al stratului de PSG, poate constitui o decizie hazardata, cu urm\ri `n special
asupra lungimilor de difuzie, care pot fi mici [i de asemenea cu urm\ri asupra
selectivit\]ii `n corodare care deja constituie o grij\ major\. Mai mult, m\rind
expunerea polisiliciului `n solu]ia de HF se pot degrada propriet\]ile mecanice, de
5
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
aceea se urm\re[te pentru corodarea de sacrificiu ca timpul s\ fie cat mai scurt.
Con]inutul mai mare de PSG poate totu[i determina o curgere mai neuniform\ sau o
deformare a aderen]ei stratului de material din care va fi format\ structura pe perioada
ciclurilor de relaxare a stresului de la temperatura ridicat\. Aceast\ problem\ poate fi
`mpiedicat\ prin folosirea unui film de sacrificiu combinat. Filmele de oxid de
sacrificiu combinate sunt descrise `n fig.2.16 [i au fost utilizate pentru acele
experimente care au necesitat grosimi totale de 2m (filmele dopate [i nedopate).
Etapa de acoperire cu filme de sacrificiu devine o problem\ mai important\ cu
cat complexitatea microstructurii cre[te, dimensiunile critice descresc [i straturile
multiple din materialul din care va fi format\ structura devin obi[nuite.
Straturile tipice pentru aplicatiile de microprelucrare de suprafata sunt mai
groase de cativa micrometri, cu distan]area dintre structurile vecine de acela[i ordin.
Aceasta poate avea drept rezultat dificultatea de a planariza suprafete care au capatat
topografii nedorite aparute in timpul proceselor de depunere a diferitelor straturi.

Fig.2.16. Sectiune transversala printr-o structura multistrat de sacrificiu si polisiliciu
Oxid nedopat 1
Oxid nedopat 2
Si
3
N
4
Polisiliciu
PSG
Siliciu

6
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1. L. Ristic, Sensor Technology and Devices, Artech House, Boston, London, Cap. 3,
Cap.4, pag. 49-150
2. H. Seidel, L. Csergi, A. Heuberger, H. Baumgartel, Anisotropic Etching of
Crystalline Silicon in Alkaline Solutions, J. Electrochem. Soc., Vol.137, No.11,
(1990), pp.3612-3633.
3. Miko Elwenspoek, Etching Technology, UETP-MEMS Course, Chapter I, II, III,
IV, V
4. S.M.Sze, Semiconductor Sensors, Wiley & Sons, 1994, 17-96, 97-143, 153-194,
473-523
4. S. Tan, M.L.reed, H. Han, R. Boudreau, Mechanisms of Etch Hillock Formation, J.
of Micro. Sys., vol. 5., no. 1, March 1996, pp.66-71.
5. E. Peeters, B. Puers and W. Sansen, A Two Wire, Digital Output Multichannel
Microprobe for Recording Single-unit Neural Activity, Sensors and Actuators B, 4
(1991) 217-223.
6. S. Wang, V. McNeil and M. Schmidt, Selective etchimg of n-type silicon using
pulsed potential anidozation, 1991 IEEE, pp.819-822.
7. M.C. Jeong, C.H.Pyun, I.H. Yeo, Voltammetric Studies on the Palladium Oxides in
Alkaline Media, J. Electrochem. Soc., Vol.140, No.7, (1993), pp.1986-1988.
9. C. Moldovan, R. Iosub, D. Dascalu, Gh. Nechifor, Anisotropic Etching of Silicon in
a Complexant Redox Alkaline System, Eurosensors XII, Southampton, pp. 1009-1012
14. M. Elwenspoek, On the Mechanism of Anisotropic Etching of Silicon, JES,
Vol.140, No7. July 1993, pp2075-2080
15. C. D. Gutsche, B. Dhawan, K. Hyum No, R. Mathukrishnan, Calixarenes. 4. The
Synthesis, Characterization, and Properties of the Calixarenes from p-tert-
Butylphenol, J. Am. Chem Soc., 103 (1981), 3782-3792
16. S. Shinkai, K. Araki, J. Shibata, D. Tsungawa, O. Manabe, Autoaccelerative Diazo
Coupling with Calix[4] arene: Substituent Effects on the Unusual Co-operativity of
the OH Groups, J. Chem. Soc. Perkin Trans.1 (1990), 3333-3337
17. Linus Pauling, General Chemistry, W.H. Freeman and Company, San Francisco,
1970, translated in Bucharest 1972, pp. 461-462
18. K. Sato, M. Shikida, Y. Matsushima, T. Yamashiro, K. Asaumi, Y. Iriye, M.
Tamamoto, Characterization of orientation-dependent etching properties of single-
crystal silicon: effects of KOH concentration, Sensors and Actuators A, 64 (1998) 87-
93
19. P. M. M. C. Bressers, J. J. Kelly, J. G. E. Gardeniers and M. Elwenspoek, Surface
Morphology of p-Type (100) Silicon Etched in Aqueous Alkaline Solution, Journal of
the Electrochemical Society, 143 (1996), 1744-1750
20. M. Elwenspoek, Stationary Hillocks on Etching Silicon, Proceedings, The Ninth
Micromechanics Europe Workshop MME'98, Ulvik in Hardanger, Norway, June 3-5,
1991, pp 70-73
21. H. Schrder, E. Obermeier, A. Steckenborn, Formation, prevention and removal of
micropyramids on KOH etched <100> silicon, Proceedings, The Ninth
Micromechanics Europe Workshop MME'98, Ulvik in Hardanger, Norway, June 3-5,
1991, pp 28-31
22. T. Abe, A Contamination-Free Microstructure in a Humid Environment by Means
of a Combination of Hydrophilic and Hydrophobic Surfaces, Journal of
Microelectromechanical Systems, 7 (1998), 94-101

7
Cap. III Tehnici de excitatie - detectie

Cap. 3. TEHNICI DE EXCITATIE DETECTIE

Toti senzorii mecanici se bazeaza pe principii fizice pentru a transforma
semnalul mecanic intr-un semnal electric.
Tehnicile de citire (read-out) pot fi clasificate:
a. Metode statice:
1. detectia stresului- piezorezistiv (stres normal)
- tensiunea transversala (stres de forfecare) senzorii Hall
- efectul de piezojonctiune
2. detectia deformarii - capacitate, interferenta optica
b. Metode rezonatoare
Pentru senzori rezonatori, frecventa de rezonanta este elementul utilizat
in detectia marimilor de intrare.
Ex: Pentru un senzor de presiune, frecventa de rezonanta a unei
membrane de Si depinde de presiunea aplicata. Citirea poate fi piezorezistiva,
electrica sau optica.
Piezorezistivitatea este o proprietate de material care se refera la faptul
ca pentru anumite materiale rezistivitatea in volum este influentata de stresul
mecanic aplicat materialului.

Senzorii rezonatori
Un senzor rezonator este un dispozitiv cu un element vibrator la
rezonanta care-si schimba frecventa de iesire (frecventa de rezonanta
mecanica), functie de un parametru fizic sau chimic de intrare.
Senzorii rezonatori din siliciu reactioneaza la schimbarile de stres prin
schimbarea frecventei de rezonanta, fiind de 100 de ori mai sensibili ca
traductoarele piezorezistive analogice standard.
Materialul rezonatorului
La primele tipuri de rezonatoare elementul rezonator era realizat din
metal (diferite metale), dar cum calitatea rezonatorului este strans legata de
proprietatile mecanice ale materialului rezonator, alte materiale au fost
investigate si utilizate.
Materialele monocristaline Si si cuartul au foarte bune proprietati
rezonatoare, un Q intrinsec foarte mare.
Acestea sunt considerate cele mai bune candidate pentru realizarea
elementelor rezonatoare.
Factorul de calitate Q este o masura a pierderii de energie a
rezonatorului, sau in alte cuvinte, o masura a atenuarii mecanice. Factorul Q
este definit ca:
Q = 2 maximul de energie stocata intr-o perioada/energia disipata pe
perioada
- Siliciul este foarte elastic, anizotrop.
Proprietatile mecanice ale siliciului monocristalin si marele numar al
diferitelor procese de fabricatie comuna in tehnicile de microprelucrare fac
Pag. III. 1


posibila realizarea de senzori rezonatori performanti, cu rezolutie inalta,
acuratete si repetabilitate.
-Siliciul policristalin are un Q intrinsec < Q
Si
monocristalin, dar are cateva
caracteristici bune:
- utilizeaza procesele de depunere standard, optimizate pentru
eliminarea stresului,
- este suficient de elastic si se preteaza foarte bine la microprelucrarea
de suprafata.
- Cuartul are avantajul ca este un material piezoelectric care poate fi utilizat
pentru excitatia si detectia vibratiei.
Principiile excitatiei si detectiei rezonatorilor
Un senzor complet consta din: rezonator, unitate de excitatie, unitate de
detectie si circuitul de feedback (fig.3.1)
Fig.3.1. Schema bloc a senzorului rezonator

Circuitele de pe bucla de reactie asigura rezonatorul sa fie mentinut pe
modul dorit de rezonanta, atunci cand frecventa de rezonanta este schimbata ca
rezultat al schimbarii in cantitate masurata.
Exista sase tipuri principale de excitatie-detectie:

1) Excitatie electrostatica si detectie capacitiva.
Fig. 3.2
Pag. III. 2


Sunt 2 electrozi intr-o vecinatate, unul dintre electrozi este o parte a structurii
vibratoare
Si, n
Fig. 3.3. Sectiune transversala a unui senzor rezonator cu un electrod punte din
polisiliciu, realizat prin microprelucrare de suprafata

In puntea cu rol de electrod se prevad gauri pentru reducerea efectului de
pompare a aerului.

2) Detectie si excitatie piezoelectrica

Un material piezoelectric va fi deformat daca este supus unei tensiuni
mecanice externe.
Siliciul nu este piezoelectric. Se depune ZnO.
Fig.3.4.

Un astfel de material isi schimba caracteristicile electrice daca este
supus stresului de deformare.
Aceasta proprietate este utilizata in detectarea vibratiei utilizand aceeasi
structura pentru excitatie.

3) Excitatie si detectie dielectrica

Aceasta tehnica utilizeaza o structura sandwich formata dintr-un strat
dielectric intre doi electrozi, asezate pe o bara vibratoare ca in fig3.5.
Pag. III. 3


Fig.3.5.

- o tensiune aplicata creaza forte de atractie intre cei doi electrozi care vor
deforma stratul dielectric. Deformarea acestuia va crea un stres lateral
rezultand un moment de indoire a structurii multistrat,
- structura multistrat poate fi utilizata pentru detectia vibratiei.
Modificarea grosimii stratului dielectric introduce modificari in
capacitatea dintre cei doi electrozi.

4) Excitatie prin incalzire rezistiva si detectie piezorezistiva

Este posibil sa generam o vibratie daca o anumita arie a rezonatorului
este supusa unor pulsuri de caldura.
Caldura creaza o expansiune laterala a materialului rezultand o deflexie
a elementului rezonator.
Incalzirea termica se poate realiza printr-un rezistor difuzat integrat sau
printr-un rezistor de poli.
Fig.3.6.

- Senzorii integrati sunt utilizati pentru detectia vibratiei, caci siliciul
este un material piezorezistiv.
- Un rezistor supus la stres isi modifica rezistenta detectia.

5. Excitatie optica si detectie optica
Pag. III. 4


- Lumina absorbita de la un laser focalizat pe un rezonator este utilizata
pentru a genera un stres termic necesar vibratiei.
- Un aranjament optic poate fi utilizat pentru detectia vibratiei
Fig.3.7

- Principalul avantaj al utilizarii tehnicii de detectie optice este aceea ca
ea nu poate sa interfere si sa degradeze vibratia si ca nu este dorit un
aranjament integrat de detectie.

6. Excitatie si detectie magnetica

Fig.3.8.

Forta rezultanta din interactiunile intre curentul electric prin structura si
campul magnetic este utilizata pentru excitarea rezonatorului.
Operatia inversa excitatiei magnetice, unde vibratia unui conductor intr-
un camp magnetic creaza o tensiune indusa, poate fi utilizata pentru a detecta
vibratia.

Pag. III. 5


MODELUL MATEMATIC PENTRU DETERMINAREA FRECVEN}EI
DE REZONAN}| {I A SENSIBILIT|}II UNEI MICROPUN}I DIN
POLISILICIU

Frecven]a unui rezonator mecanic este o prob\ important\ de sensibilitate
pentru parametrii care `[i modific\ poten]ialul sau energia cinetic\.. Parametrii fizici
sau chimici pot fi sesiza]i prin `nc\rcarea asociat\ rezonatorului sau prin acoperirea
lui cu straturi sensibile (ex: polimeri).
Rezonan]a mecanic\ poate fi atinsa prin excitarea structurii `n mai multe
moduri. De asemenea vibra]ia rezultat\ poate fi detectat\ `n diverse moduri.
Vom analiza cazul important al excit\rii electrostatice [i detec]iei
capacitive. Pentru acest caz vom utiliza un model liniar pentru a analiza r\spunsul
rezonatorilor la parametrii variabili `n timp
Fig. 1 ilustreaz\ un rezonator punte care vibreaz\ `n modul fundamental.
Pentru un rezonator punte care vibreaz\ `n modul fundamental, deflexia
vertical\ este:

w(u,t) = W
1
(u) e
jt
(1)

unde W
1
(u) este amplitudinea fundamentalei.
La mijlocul micropun]ii deci `n punctul de amplitudine maxim\, energia
poten]ial\ E
p
este egal\ cu energia total\ a vibra]iei. Segmentele diferen]iale ale
pun]ii sunt supuse unui moment de `ndoire [i unei `nc\rc\ri axiale, ambele
contribuind la energia poten]ial\ E
p
:

E
P
= + = E I/2 1 2
0
/ M du
L
F z u du
L
(
0
)
d W u
du
du
L 2
1
2
0
2
( )
+
F dW u
du
du
L
2
0
1
2
( )
(2)

~n rela]ia (2),
E = Modulul lui Young
I = hs
3
/12 = momentul de iner]ie al pun]ii de grosime s [i l\]ime h
= unghiul format de segmentele diferen]iale supuse unui moment de `ndoire
z = segmentul diferen]ial al pun]ii
Energia cinetic\ maxim\ Ec, se ob]ine un sfert de ciclu mai tarziu, cand
fiecare segment trece prin linia central\ cu o vitez\
v
w
(u) =
1
W
1
(u) :
E
C
=
1
2
E
C
*
=
m v
2
w
(u) /2 =
1
2
/2 (3) hs W u du
L
1
2
0
( )
= densitatea
Prin legea conserv\rii energiei, prima frecven]\ de rezonan]\ este dat\ de
rela]ia:

2
1
= E
P
/ E
C
*
(4 )

Rezult\:

Pag. III. 6


1
2
=
EI d W u
du
du
F dW u
du
du
hsW u du
L L
L
2 2
1
2
2
1
2
2
1
2
0 0
1
2
0
( ) ( )
( )

(5)

O aproximare foarte bun\ se ob]ine pentru frecven]a de rezonan]\ cu rela]ia
(5), `n condi]iile unor presupuneri corecte asupra formei modului de vibra]ie.
Frecven]a de rezonan]\ este important\ pentru realizarea design-ului
senzorilor rezonan]i.

~n general, un parametru p poate s\ perturbe energia cinetic\ sau poten]ial\ a
structurii.
Sensibilitatea S este definit\ ca schimbarea frac]ional\ a frecven]ei de
rezonan]\
o
, datorat\ schimb\rii incrementale a parametrilor,
S =
o
-1
(d
o
/dp )
Substituind expresia frecven]ei de rezonan]\ (16) ob]inem pentru S:

S = -(1/2)(1/E
co
*
)(dE
c
*
/dp)
p=o
(1/2)(1/E
po
) (dE
p
/dp)
p=o
(6)

Consider\m o micropunte de polisiliciu de grosime 1,35 m, acoperit\ cu un
strat polimer de b=150nm cu proprietatea de a absorbi vaporii organici chimic
compatibili, pe care o excit\m pe modul fundamental. Introdus\ `ntr-un mediu
chimic activ, rezult\ o cre[tere a masei care perturb\ energia cinetic\. ~n rela]ia (6)
considerand concentra]ia de vapori c, sensibilitatea devine:
S = -(1/4E
CO
*
) (d
f
/dc) (7) ( ) h bW u du
f
L
1
2
0
b = grosimea stratului polimer

= l\]imea stratului polimer h
f

f
= densitatea stratului polimer

Expresia (7) indic\ c\ S poate fi crescut\ prin cre[terea grosimii stratului
polimer b, relativ la grosimea stratului de polisiliciu, care contribuie la E
co
*
. ~n
plus, stratul polimer trebuie concentrat `n centrul pun]ii, unde W
1
(u) este maxim.
Microrezonatorul punte este sensibil la perturba]iile energiei cinetice. Dac\
forma modului de vibra]ie nu este alterat\ prin aplicarea for]ei F [i nu exist\ o
`nc\rcare static\ ini]ial\, vom ob]ine pentru sensibilitate:

S =
1
2
1
2
0
2
1
2
2
0
dW u
du
du
EI
d W u
du
du
L
L
( )
( )
(8)
Sensibilitatea unei pun]i `nc\rcat\ axial este independent\ de `nc\rcarea
aplicat\ [i propor]ional\ cu raportul energiilor poten]iale de `ntindere [i de `ndoire.
Pag. III. 7


EXEMPLU DE DETERMINARE A FRECVENTEI DE REZONANTA
SI A SENSIBILITATII

Vom alege pentru func]ia W
1
(u), expresia,
W
1
(u) = A sin ( u/ L), A = amplitudinea oscila]iei
L = lungimea micropun]ii
Am ales aceast\ form\ a modului de vibra]ie, ]inand cont de condi]iile la
limit\ (puntea este prins\ la ambele capete), deci sin (0) = 0, pentru
u=0
sin () =0, pentru u=L
Inlocuind `n rela]ia (5) func]ia W
1
, se obtine :

1
2
=
EI
L
u
L
du
F
L
u
L
du
hs
u
L
du
L L
L

4 2 2
0 0
2
0
2
1
2
sin cos
sin
2
(9) sau

1
2
=
EI
L L F L
hs
L L

4 2
256 2
1
2 2 16 2
1
2
1
2 2
1
2
+ +
sin sin
sin
L
(10)

Micropuntea a fost realizata din polisiliciu.Valorile elementelor care intervin
sunt:
-grosimea pun]ii s =1.0 -2.0m;
-lungimea pun]ii L = 100 500 m
-la]imea pun]ii h = 10 50 m.
-densitatea polisiliciului = 2100 kg/m
3
;
-modulul de elasticitate E = 1.5 10
11
N/m
2
;
-momentul de iner]ie al barei I = hs
3
/12

Din graficul ob]inut (Fig.2) `n care am determinat frecven]a de rezonan]\
func]ie de lungimea L [i l\]imea micropun]ii h, se constat\ c\ frecven]a de rezonan]\
este de ordinul sutelor de KHz. Restul m\rimilor din rela]ia (9) sunt constante.
Varia]ia l\]imii micropuntii are o contribu]ie nesemnificativ\ asupra
frecven]ei de rezonan]\ comparativ cu influen]a introdus\ de varia]ia lungimii
acesteia. Frecven]a de rezonan]\ scade cu cre[terea lungimii micropun]ii. Valorile
ob]inute sunt acceptabile ca ordin de m\rime din punctul de vedere al proiect\rii
circuitelor de detec]ie [i sunt `n conformitate cu modelul teoretic folosit .
Simularea am f\cut-o utilizand programul MATLAB.
Pag. III. 8


Pornind de la constatarea c\ l\]imea are o contribu]ie ne`nsemnat\ `n varia]ia
frecven]ei de rezonan]\, am simulat frecven]a de rezonan]\ utilizand rela]ia (9),
func]ie de varia]ia lungimii L [i a for]ei axiale aplicate F.
Graficul rezultat (Fig.2) ne indic\ c\ la aceea[i lungime frecven]a de
rezonan]\ cre[te cu cre[terea for]ei aplicate, iar la accea[i for]\ aplicat\ frecven]a de
rezonan]\ descre[te cu cre[terea lungimii pun]ii.

~nlocuind func]ia W
1
(u) `n rela]ia (8), se ob]ine varia]ia sensibilit\]ii `n func]ie
de lungimea micropun]ii:

S =
1
2
2
0
2 2
0
EI
u
L
du
L
u
L
du
L
L
cos
sin

(11) sau

S =
8
2
2
2
2
2
EI
L
L
L
L
sin
sin
(12)

Din graficul ob]inut (fig.3) se constat\ cre[terea sensibilit\]ii cu lungimea
micropun]ii. Lungimea micropun]ii a fost aleas\ `ntre 100-500 m. Se constat\ o
sc\dere a sensibilit\]ii cu cre[terea l\]imii pun]ii.
Sensibilitatea este independent\ de for]a axial\, dar depinde de momentul de
`ndoire. Se constat\ o bun\ sensibilitate la lungimi relativ mari (0.5 mm).
Rezultatele ob]inute constituie o referin]\ important\, care au fost luate `n
considerare, `n proiectarea structurii rezonatoare.

Fig.1. Rezonator punte care vibreaza pe modul fundamental

Pag. III. 9


Fig.2. Frecventa de rezonan]a a unei pun]i din polisiliciu, functie de lungime
si latime
.
Fig.3. Sensibilitatea unei pun]i din polisiliciu func]ie de dimensiuni
(lungime, latime)

Pag. III. 10

Cap. IV Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Microsenzori pentru marimi mecanice bazati pe piezorezistivitate

Piezorezistivitatea este o proprietate de material exprimata prin aceea ca rezistivitatea n
volum este influentata de stresul mecanic aplicat materialului.
Mai multe materiale prezinta dependenta de stres prin mobilitate sau numar de purtatori de
sarcina ca functie de volumul materialului.
- Schimbarea volumului afecteaza diferenta de energie ntre banda de conductie si cea de
valenta. Deci, numarul de purtatori si astfel rezistivitatea se schimba.
- Siliciul monocristalin are o piezorezistivitate ridicata combinata cu proprietati mecanice
excelente, care l fac dorit pentru conversia deformarii mecanice ntr-un semnal electric.
- Siliciul este adesea utilizat ca material de baza pentru senzori piezorezistivi de presiune,
debit, forta, acceleratie.

Avantajele folosirii siliciului ca material piezorezistiv:
- siliciul este un material foarte robust;
- rezistoarele sunt limitate la suprafata siliciului unde stresul este maxim
- fabricatia de serie poate profita de tehnologiile compatibile C.I.
- este posibila integrarea circuitelor electronice direct pe cipul senzorului pentru amplificarea
semnalului si compensarea temperaturii.

Descrierea matematica a piezorezistivitatii
Vom da o descriere matematica a piezorezistivitatii fara a considera natura sa fizica. Ea
ncepe cu o relatie generala tridimensionala ntre curent si campul electric. Este introdusa o
metoda pentru a descrie influenta stresului n aceasta relatie.
- simetria retelei cristaline ne ajuta sa simplificam modelul matematic destul de complex
altfel
Pentru un cristal anizotrop tri-dimensional, vectorul camp electric () este legat de
curentul (i) printr-un tensor de rezistivitate ( 3 x 3).

3
2
1
3 4 5
4 2 6
5 6 1
3
2
1
i
i
i

(1)

Piezorezistivitatea ntr-un sistem de coordonate aliniat cu axele cristalului
Siliciul si germaniul au o structura de cristal cubica. Daca axele carteziene sunt aliniate cu
axele <100> ale cristalului, atunci
1
,
2
si
3
definesc dependenta campului electric n lungul
uneia din axele <100> ale cristalului de curentul n aceeasi directie.
4
,
5
si
6
sunt rezistivitatile
legate de campul electric din lungul unei axe de curentul din directia perpendiculara.
- pentru un conductor izotrop, spre exemplu, siliciul nestresat,
1
=
2
=
3
= si
4
=
5
=
6
= 0
- ntr-un material piezorezistiv aceste 6 componente depind de stresul n material care poate sa
fie descompus n sase componente: trei componente ale stresului normal
1
,
2
,
3
n lungul
axelor cristalului cubic si trei componente ale stresului de forfecare
1
,
2
,
3
definite n
figura.

Pag. IV.1

Figura 1
Daca ne referim la rezistivitatile ntr-un camp izotrop nestresat, atunci putem scrie cele
sase componente ale rezistivitatii:
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
0
0
0
(2)

Efectul de piezorezistenta poate fi descris prin raportarea fiecaruia din cele sase schimbari de
rezistenta fractionale,
i
/ la fiecare din cele sase componente ale stresului. Matematic,
acestea conduc la o matrice de 36 coeficienti. Prin definitie, elementele acestei matrice sunt
numite coeficienti de piezorezistenta
ij
. Pentru a defini matricea, ar trebui sa facem 36 de
masuratori independente. Considerand un material cristalin, aceasta sarcina este mult
simplificata.
- conditiile de simetrie conduc la anumite relatii ntre diferite componente ale matricii, care
reduc numarul de componente independente la mai putin de 36.
- pentru un cristal cubic al siliciului si germaniului mimam trei coeficienti diferiti si matricea
devine:
3
2
1
3
2
1
44
44
44
11 12 12
12 11 12
12 12 11
6
5
4
3
2
1
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0
0 0 0
0 0 0
0 0 0
1
(3)

Combinand ecuatiile (1) (2) si (3) rezulta expresia campului electric ntr-un cristal cubic
sub stres.
Pag. IV.2

1
= i
1
+
11
1
i
1
+
12
(
2
+
3
)i
1
+
44
(i
2
3
+ i
3
2
)
2
= i
2
+
11
2
i
2
+
12
(
1
+
3
)i
2
+
44
(i
1
3
+ i
3
1
) (4)
3
= i
3
+
11
3
i
3
+
12
(
1
+
2
)i
3
+
44
(i
1
2
+ i
2
1
)

Contributia Efectul de Reflecta o comportare
conductiei piezorezistenta piezorezistiva complicata
constante

Acesti coeficienti sunt proprietati de material si variaza de la un material la altul.
Coeficientii de piezorezistivitate pot fi pozitivi sau negativi si variaza cu concursul dopajului si a
temperaturii.

Dependenta de concentratia dopajului
Pentru un siliciu slab dopat, probele de siliciu au un dopaj 10
15
cm
-3
.
Se observa o independenta a rezistivitatii de stresul zero n directia longitudinala de
masurare si se concluzioneaza ca coeficientul de piezorezistenta sunt independenti de
concentratia de impuritati.
Pentru concentratii de impuritati ridicate la siliciu (>10
16
cm
-3
) s-a observat o descrestere
a coeficientilor de piezorezistenta.

Figura 2
Pentru motive practice, este clar ca conc. de dopare nu trebuie aleasa prea ridicata pentru
a pastra coeficientul de piezorezistenta sufieint de mari.

Dependenta de temperatura
Calculul matematic prevede o scadere a piezorezitivitatii cu cresterea temperaturii ca n
figura 3
Figura 3

Pag. IV.3

La temperaturi joase n jurul lui OK, relatia este lineara cu pante 1. Altfel spus, coeficientii
de piezorezistenta cresc liniar cu inversa temperaturii.
S-a aratat ca pentru siliciu de tip n, linearitatea este urmata de un domeniu larg de
temperatura 200
0
80
0
C. Pentru Si de tip p, relatia este valabila n domeniu 100
0
80
0
C.
n general orice coeficient de piezorezistenta poate fi exprimat printr-o valoare la dopaj
scazut, la Tamb, un
0
, multiplicat de un factor functie de N si T

(N,T) =
0
P(N,T)
Factorul piezorezistentei P(N,T) bazat pe calcule matematice pentru siliciu de tip p, este
aratat n figura 4.

pt.
Figura 4. Coeficientul de piezorezistenta P(N,T)
functie de conc. de impuritati si temperatura

Senzori piezorezistivi
Senzori tip membrana constau n:
- membrana din siliciu monocristalin suspendata pe un suport de siliciu;
- piezorezistori integrati pe membrana.

Figura 5

Daca se aplica o presiune, membrana se ndoaie n sens sus sau jos, inducand tractiunea
sau compresia rezistorului. Rezistenta se schimba datorita acestui stres si poate fi usor masurata.

Senzori de tip bara
Configuratia unui accelerometru tip bara este aratata n figura 6
Figura 6
Stresul cauzat prin deflectia masei initiale sub actiunea acceleratiei este concentrat pe
suprafata barei. Piezorezistoarele sunt plasate pe bara aproape de suport, unde stresul este
maxim. Tehnologia de fabricatie este similara cu cea pentru membrane.
Pag. IV.4

Procesarea barei este mai complicata deoarece placheta de siliciu este complet corodata
la un capat al barei, n timp ce pentru senzori membrana suprafata plachetei care contine
piezorezistori poate fi mai usor protejata de solutia de corodare.

Senzori capacitivi
Senzorii capacitivi convertesc o schimbare a marimii de masurat ntr-o schimbare de
capacitate.
Un capacitor consta n 2 electrozi separati printr-un dielectric, schimbarea de capacitate
avand loc prin miscarea unuia dintre electrozi fata de celalalt, sau prin schimbarea dielectricului
ntre 2 electrozi fixi. n general, primul principiu este aplicat.
Teoria despre senzorii capacitivi este simpla. Capacitatea este definita ca:

d
s
C = = permitivitatea
s = suprafata
d = distanta ntre electrozi
Cand un electrod este deplasat cu o distanta mica d, capacitatea se schimba prin C.
Daca d << d, sensibilitatea la un astfel de eveniment este data de:

2
d
s
d
C
=

Astfel, pentru a proiecta senzori capacitivi cu o sensibilitate ridicata, ar trebui sa facem
aria armaturilor mai mare si distanta dintre ele mai mica. n realitate exista factori tehnologici
care limiteaza ambele aceste valori. Acesti factori includ: dimensiunile senzorului, acuratetea
fabricatiei, reproductibilitatea si amortizarea miscarii electrodului, daca senzorul este introdus n
gaz sau lichid.
- Daca miscarea electrodului nu este paralela sau daca schimbarea de capacitate cauzata de
deflexia unei parti a electrodului, atunci schimbarea de capacitate ar trebui calculata prin
integrare peste ntregul spatiu al dielectricului deformat.

= dxdy
y) W(x, d

C C
0

unde functia W(x,y) da deplasarea de la pozitia originala a fiecarui punct (x,y) la armatura
capacitorului.
- Pentru senzorii semiconductori, electrodul care se misca este adesea o membrana de siliciu
subtire care deflecta, spre exemplu, prin aplicarea unei presiuni uniforme aplicate pe ea,
schematic reprezentata n figura 7. n acest caz functia deflexie W(x,y) nu poate fi usor
calculata.

Figura 7. Sectiune transversala a senzorului capacitiv de presiune

Un alt senzor capacitiv relativ uzual este de tip electrod mobil din siliciu suspendat prin
bare mobile, asa cum se arata n figura 8.

Pag. IV.5

Figura 8. Sectiune transversala a unui accelerometru capacitiv

Presupunand o rotatie n jurul unei axe paralele la unul din capetele electrodului din
siliciu, capacitatea C poate fi calculata functie ca o functie de
+
=
lO 2d
lO 2d
ln
lO
s
C(O)

l = lungimea masei initiale
d = distanta de la centrul masei nclinate la armatura
fixa a capacitorului

Pag. IV.6
Cap. V Senzori acustici

Senzori acustici

Senzorii acustici sunt dispozitive care utilizeaz\ modele elastice la frecven]e `n
domeniul MHz c]iva GHz pentru a m\sura cantit\]i fizice, chimice sau biologice.
Sensibilitatea foarte mare face ace[ti senzori atractivi pentru detec]ia vaporilor
chimici sau a gazelor.
~n multe cazuri ie[irea acestor senzori este `n frecven]\ care poate fi m\surat\
simplu sau cu un num\r\tor electronic.
Primul senzor ultrasonic utiliza vibra]ia unui cristal de cuar] plat fabricat pentru a
utiliza frecven]a `n determinarea elementelor unui oscilator electronic.
Dispozitivul este cunoscut ca QCM (Quartz Crystal Microbalance) este apropiat
de senzorul (TSM) modul forfecare `n grosimea stratului (Thickness Shear Mode).
Ad\ugarea unui strat de acoperire pentru a absorbi vaporii de ap\ sau moleculele
de gaz formeaz\ un senzor a c\rui frecven]\ de rezonan]\ depinde de nr. de molecule
absorbite.

Recent, au ap\rut dispozitive SAW (Surface Acoustic Waves) utilizand unde
acustice de suprafata, FPW (Flexural plate Waves) `ntr-o membran\ foarte sub]ire si
APM (Acoustic Plate Mode), aranjament `n care undele sar la un unghi `ntre planele
`nvecinate ale pl\cii.

To]i senzorii pe care `i discut\m se bazeaz\ pe mi[carea elastic\ a undelor `n
partea solid\ a senzorului.
Undele elastice `ntr-un solid sunt produse cnd atomii solidului sunt for]a]i `ntr-o
mi[care de vibra]ie `n jurul pozi]iei lor de echilibru.
Asupra atomilor deplasa]i ac]ioneaz\ o for]\ de restaurare care tinde s\ aduc\
atomii `napoi `n pozi]iile lor originare. Ace[ti senzori sunt proiecta]i astfel `nct
propagarea caracteristicilor acestor unde viteza de faz\, coeficientul de atenuare este
afectat\ de m\rimile de interes. Astfel:
- `n unele dispozitive, for]ele mecanice induse printr-o presiune aplicat\ sau o
accelera]ie cresc viteza undei.
Pag. V. 1

- `n alte dispozitive, efectele gravimetrice (absorb]ia moleculelor, atacul bacteriilor,
etc.) determin\ o sc\dere a vitezei undei.
Prin contactul senzorului cu un lichid, unda este atenuat\.

Materiale acustice

Materialele piezoelectrice sunt utilizate ca substrat al senzorului. Straturi sub]iri ca
ZnO, AlN, PZT (titanat zirconat de paladiu), niobat de litiu sunt utilizate ca materiale
pentru senzori.
Aplica]ii: senzori de presiune, accelerometre, senzori de vapori.

Unde acustice `n solide

Propagarea undelor acustice `n solide este utilizat\ `n senzori acustici, actuatori,
instrumente medicale [i biologice, oscilatori acustici `n volum, linii de `ntrziere.
Dispozitivele IDT (Interdigital Transducers) se bazeaz\ pe propagarea SAW.
Cele mai uzuale propriet\]i ale undelor acustice:
- viteza joas\ comparativ cu cea a undelor electromagnetice
- viteza tipic\ `n solide: 1,5x10
5
cm/s 12x10
5
cm/s.
Viteza SAW: 3,8x10
5
cm/s 4,2x10
5
cm/s.

Dispozitivele SAW pot fi realizate s\ lucreze pe frecven]a fundamentalei de
5GHz, au o arie mic\, pot fi integrate cu electronica.

Mi[c\rile undei elastice

Undele elastice se pot propaga `n solide ca `n figur\. ~ntr-un solid nem\rginit
numai undele longitudinale [i transversale se pot propaga.
Pag. V. 2

~n cazul undei longitudinale de volum a) particulele solidului se mi[c\ paralel cu
direc]ia de propagare indirect\ (s\geata). O und\ SAW c) poate se propaga `n lungul
suprafe]ei unui solid semiinfinit care are o singur\ margine.
Viteza SAW `n mediu omogen este independent\ de frecven]\, ca [i `n cazul
undelor `n volum.
Mi[carea particulelor unei SAW este aproape de suprafa]\ [i descre[te aprox. La
zero la o adncime de o lungime de und\ .

Materiale piezoelectrice

Piezoelectricitatea determin\ distribu]ia polariz\rii electrice [i demonstreaz\ cum
un cmp piezoelectric reac]ioneaz\ la un stres electric emi]nd unde depolarizate.
Cnd o for]\ ac]ioneaz\ asupra unui material piezoelectric:
- dac\ for]a extern\ este o tensiune aplicat\, va avea loc o deplasare,
- dac\ for]a extern\ este o deplasare mecanic\ se va produce un cmp
electric.
Acest fenomen se nume[te piezoelectricitate.

Material: ZnO, AlN, LiNbO
3
, Pb(ZrTi)O
2
(zirconat titanat de plumb).

Pag. V. 3

Aplica]ii ale senzorilor acustici

Senzori SAW:
Dezvoltarea recent\ a senzorilor SAW reprezint\ o mare `mbun\t\]ire `n aplica]iile
senzorilor acustici `n naviga]ie [i procesarea semnalelor de comunica]ii. Un PZT, ZnO,
AlN, permite ca SAW [i circuitele electronice s\ fie fabricate pe acela[i substrat
monolitic. Pentru traductoarele SAW monolitice substratul este `n general un
semiconductor ca Si sau GaAs.
Dispozitivele SAW se bazeaz\ pe efectul piezoelectric pentru a transforma un
semnal electric `n semnal mecanic sau acustic. Substratul SAW este tradi]ional, un
monocristal cu dublu rol: regenereaz\ unde SAW [i ofer\ un mediu pentru propagarea
acestora. Dac\ substratul este la fel de sub]ire ca SAW, [i energia acustic\ este limitat\
`n interior la cteva lungimi de und\ ale suprafe]ei, substratul poate fi aproximat cu un
solid semi-infinit constnd `ntr-un semicristal.
Solu]ia utiliz\rii unei bare ca substrat este simpl\ dar baza nu poate fi utilizat\ mai
departe. Este necesar\ formarea unui strat piezoelectric, ca ZnO pe Si sau AlN pe GaAs
pentru a genera unde acustice, rezultnd o structur\ dubl\ constnd `n dou\ materiale
diferite ca propriet\]i, iar viteza SAW [i coeficientul de cuplare piezoelectric\ vor fi
dispersate.
Stratul piezoelectric poate fi depus prin CVD (depunere chimica din faza de
vapori) sau sputtering (imprastiere). Elementele senzorilor SAW [i coprocesoarele pot fi
integrate pe acela[i chip ceea ce fac ca dispozitivul sa fie extrem de atractiv.

Accelerometru piezoelectric bar\ `ncastrat\:
Una din aplica]iile senzorilor acustici este accelerometrul integrat utilizat la
m\surarea accelera]iei unui vehicul `n mi[care. Datele accelera]iei cu informa]ia valorilor
ini]iale fac accelerometrul dorit pentru un estimator de pozi]ie [i vitez\ cum ar fi sistemul
de pozi]ionare global (GPS).
Accelerometrul este un beam `ncastrat fabricat ca un circuit integrat. Elementul de
detec]ie este un capacitor ZnO care este construit pe beam [i genereaz\ un semnal
propor]ional cu accelera]ia. Acest semnal, procesat pe circuitul electronic al cipului este
semnalul de ie[ire al accelerometrului. Accelera]ia, ac]ionnd asupra beam-ului,
determin\ constrngeri (for]e) `n capacitorul piezoelectric, rezultnd o tensiune de ie[ire
propor]ional\ cu accelera]ia de intrare.
Pe cip este integrat un capacitor de compensare a temperaturii [i un amplificator
de izolare. Semnalul este apoi convertit `ntr-un format digital printr-un convertor
tensiune-frecven]\ care poate fi integrat [i `n afara cipului (hybrid).
Dac\ sensibilitatea cerut\ este mai mic\, se poate fabrica beam-ul cu o singur\ fa]\
corodat\. Beam-ul se poate realiza din SiO
2
prin procesare planar\.
Dac\ nivelul accelera]iei este ridicat, se fabric\ beam-ul dubl\ fa]\ corodat\, Si
fiind parte a structurii.
Pag. V. 4

Pag. V. 5
Cap. VI Senzori chimici

Senzori chimici

Senzorii chimici sunt senzitivi la stimulii produsi datorita unor componente sau
elemente chimice. O proprietate importanta a senzorilor chimici este semnalul electric de
iesire foarte mic.
Senzorii chimici sunt destinati recunoasterii prezentei substantelor chimice si a
concentratiei lor. Senzorii sunt divizati in senzori de gaz si senzori de lichid.
Biosenzorii sunt o clasa speciala a senzorilor chimici. Diferenta majora intre bio si
chemo este ca biosenzorii au o mai mare selectivitate si sensibilitate. Elementul de
bio-recunoastere este uzual un bioreactor pe varful unui senzor astfel ca raspunsul
biosenzorului va fi determinat prin difuzia analitului, produsilor de reactie, co-reactanti
sau specii care interfera, si cinetica procesului, de recunoastere.
Urmatoarele elemente biologice pot fi detectate calitativ si cantitativ de
biosenzori, organisme, tesuturi, celule, membrane, enzime, anticorpi.
~n fabricatia unui biosenzor una din cheile succesului este imobilizarea analitilor
pe traductoare fizice.
Selectivitatea poate fi definita ca abilitatea senzorului de a raspunde in primul rand
la doar un element chimic sau componenta in prezenta altor specii.
Clasificare:
- Senzori enzimatici enzime (glucoza, penicilina, uree)
- Senzori electrochimici
- Senzori termici

Senzori termici
Principiul un element termic este acoperit cu un strat senzitiv senzitiv selectiv.
Introducand senzorul in mediul de masurat, acesta masoara caldura disipata in timpul
reactiei intre proba si stratul senzitiv. Cresterea de temperatura ca rezultat al reactiei
chimice este proportionala cu schimbarea incrementala in entalpia dH:
dT = - dH/Cp, Cp capacitatea calorica

Senzori electrochimici
Sunt cei mai versatili si cei mai dezvoltati dintre toti senzorii chimici. Se impart
in:
- senzori potentiometrici masoara tensiunea
- senzori ampermetrici masoara curentul
- senzori conductometrici masoara conductivitatea sau rezistivitatea.
Toate aceste metode utilizeaza electrozi speciali.
Regula: necesita intotdeauna un circuit inchis astfel incat un curent electric
(continuu sau alternativ) sa fie posibil a fi masurat. Daca circuitul electric necesita o
bucla inchisa, senzorul necesita cel putin 2 electrozi, unul numit de obicei electrod de
referinta.

Pag. VI. 1

Senzori potentiometrici
Utilizeaza efectul concentratiei la echilibru a unei reactii redox care are loc la
interfata electrod-electrolit intr-o celula electrochimica. Un potential electric poate aparea
la interfata datorita reactiilor redox.
d Re e Z Ox = +

Ec. Nernst:
*
R
*
0
0
C
C
ln
nF
RT
E E + = , unde
n = nr. Electronilor transferati,
F = constanta lui Faraday,
R = constanta gazelor,
E
0
= potentialul electrodului in cazul standard.

O membrana ion selectiva esre componenta cheie a tuturor senzorilor
potentiometrici.
Se stabileste referinta fata de care senzorul raspunde la ioni de interes in prezenta
variatelor componente din proba. O membrana ion selectiva formeaza o interfata
nepolarizata cu solutia.

Senzori CHEMFET
Senzorii chimici potentiometrici utilizand tranzistoarele FET se numesc
CHEMFET. Au dimensiuni mici si putere scazuta. Se utilizeaza in biologie, medicina,
etc.
Efectul de camp este un mecanism dorit pentru generarea potentialului care ofera o
mare selectivitate si sensibilitate chimica.
CHEMFET este un tranzistor cu efect de camp, cu poarta largita, cu potential
electrochimic inserat intre suprafata portii tranzistorului (nemetalica) si electrodul de
referinta.
~n general sunt 4 tipuri de CHEMFET:
- ion selectiv,
- gaz selectiv,
- enzima selectiv,
- imuno-selectiv.

Pag. VI. 2
Fig. 1

Daca concentratia ionica variaza, densitatea de sarcina pe poarta CHEMFET se
schimba de asemenea. Selectivitatea ionica este determinata de complexarea suprafetei pe
poarta izolatorului. Selectivitatea senzorului poate fi obtinuta prin varierea compozitiei
portii materialului.
~n plus, membranele ion selective pot fi depuse deasupra portii pentru a oferi o
larga selectie a diferitilor senzori chimici.
O schimbare in densitatea de sarcina la suprafata afecteaza conductanta in canalul
CHEMFET care poate fi masurata ca o variatie in curentul de drena. Astfel, daca o
tensiune de intrare E este aplicata intre sursa si drena CHEMFET-ului, curentul rezultat,
controlat prin potentialul electrochimic, este de fapt o functie de concentratia a diferiti
electroliti in solutie.
Variatia curentilor de drena ca raspuns la concentratia electrolitilor poate fi tratata
ca o tensiune de iesire conventionala V
OUT
, deci CHEMFET-ul devine un device cu 3
terminale: S, D si electrodul de referinta.

Senzori de concentratie
Senzori gravimetrici
Masurarea unei cantitati microscopice a masei poate fi realizata cu senzori
gravimetrici.
Ex: Un oscilator piezoelectric de cuart cu o frecventa de rezonanta proprie, functie
de masa si forma cristalului.
m S
f
f
m
0
=
, unde
m masa adaugata,
Sm sensibilitatea.

Pag. VI. 3
Lithographic Process

I. INTRODUCTION

Speaking about Silicon Technology we think at two important fields:
A. silicon, the most important semiconductor for the electronics industry;
B. silicon, the most important material for sensors and actuators.

A. At the present, silicon-based devices constitute over 95% of all semiconductor devices
sold worldwide. Silicon (Si) has been well studied and many of its physical properties have
been measured.
Another semiconductor proved insuitable in certain applications because of its propensity
to exhibit high junction leakage currents, is germanium (Ge). These currents result from
germaniums relatively narrow bandgap (0.66eV). For this reason, silicon (1.1eV) became a
practical substitute and has almost fully supplanted germanium as a material for solid-state
device fabrication.
Silicon devices can operate up to 150C versus 100C germanium. Other reasons for
silicon utilization:
planar processing technology;
thermally grown silicon dioxide;
success properties of economic consideration (cheaper compared to Ge or GaAs).
Advances in VLSI will have a profound effect on the world economy because VLSI is the
key technologies for the Information Age (now, in Europe, Japan and USA, information
workers constitute 50% of the work force. VLSI technology is synonymous with silicon VLSI
technology and from this results the importance of silicon technology.

B. Sensors are devices that provide an interface between electronic equipment and the
physical world. They help electronics to see, to hear, to smell, to taste and to touch.
In their interface with the real world, sensors typically convert nonelectrical, physical or
chemical quantities into electric signals.
Microsensors have become an essential element of process, control and analytical
measurement systems, finding countless applications in: industrial monitoring, factory
automation, automotive industry, transportation, telecommunications, computers and robotics,
environmental monitoring, health care and agriculture.
A simple block diagram of a sensing system is shown in the following figure:

INPUT
TRANSDUCER
OUTPUT
TRANSDUCER
SIGNAL
PROCESSING

Fig.1 Simple block diagram of the sensing system

The term transducer is used for both the input and the output blocks of the sensing
system. The role of the input transducer is to get information from the real world about a
physical or chemical quantity, to sense the world. For this reason the input transducers are
commonly called sensors.
Often the electrical signals generated by sensors are weak and have to be amplified or
processed in the same way. The signal-processing block of the sensing system does this.
The role of the output transducer is to convert an electrical signal into a form acceptable
for our sensor or to initiate some action (for example, opening or closing a valve). For this
reason the output transducers are often called actuators.

II. MOS ICs FABRICATION

The scheme of the metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuits (ICs) fabrication
steps is presented in fig.1.

MOS-ICs are complex devices (with millions of individual components) that are
manufactured on a single silicon crystal and interconnected (routed) by thin wires that are
microns wide. The process of forming these devices out of a single piece of silicon crystal
will be described summary.
Integrated circuits consist of layers (substrates) of insulated semiconducting and
conducting regions. These layers are assembled in such a way as to form transistors that are
interconnected to produce a certain desired electrical function. The individual transistor
comes in a variety of types and each type of transistor will also have different needs when it
comes to processing.
The major ICs technologies that are used today are:
n-channel metal-oxide-semiconductor (NMOS);
complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS);
bipolar;
integrated-injection-logic bipolar (I
2
L).
Table-1 shows the relative attributes of each of the ICs technologies from the point of
view of the circuit characteristics.

An IC is realized by a lot of deposited or growth layers (oxides, metals, Si
3
N
4
,
polysilicon), the configuration of these layers and the controlled impurification. The
technological processes, which make possible the ICs fabrication, are:
epitaxy;
oxidation;
lithography;
reactive plasma etching;
dielectric and polysilicon film deposition;
diffusion;
ion implementation;
metallization.
The designer task is to create (design) the geometrical configuration for every layer. The
assembly of geometrical configuration of a circuit is called layout. Every layer configuration
is realized with a physical support of glass covered with chrome (Cr), emulsion or Fe
2
O
3
,
called mask, which transfers layout to the silicon wafers. 5, 7, 8, 12 or more masks form the
assembly of masks used to define an IC.
Many iteration of logical, functional and topological design are necessary to obtain the
final lay-out which is transferred in specific file types (CIF, TDB, GDSII, PS) for pattern
generator (PG) or photoplotter => post-processing step (which also must consider the type of
resist covering the mask positive or negative). The final masks obtained are used in wafer
fabrication in the technological laboratories or silicon foundries. To protect the master
(original) masks, some copies are realized.
The designer must also realize the test chip on the mask, containing the test structures and
the assembly plan necessary for ICs encapsulation.
Mask fabrication. On a mask there are circuit chip and test chip. The circuit chip contain
the alignment and control geometry, the test geometry (n-channel and p-channel test
transistor),


The final dimensions of the layout (compensations included) must be transferred exactly
on the mask and this depends on the PG resolution and the mask fabrication process
parameters: exposure energy, developer, etching (time, temperature). The best PG from
Romania has 1 m resolution and the transfer of data is accepted with dimensional and
alignment errors of + 0.1 m.
Wafer fabrication. A 3" wafer contains about 100 : 1000 circuits. 8" wafers are used.
Usually, in an oxidation process, about 100 : 150 wafers are processed. Advantages: this
simultaneously processing goes to a lower price of the circuits and reproducibility of the
parameters. Disadvantages: if the process parameters are not correct, then all the wafers can
be damaged; a small yield goes to a higher price; the processes must be very well controlled.
Very important are the alignment geometries, the photolithographic control geometries
and the test transistors with independent pads that can be electrical tested on every chip.
Lithographic process. The steps of this process are presented in fig.

Resist
Film
Substrate

Resist
Film
Substrate
Film
Substrate
Mask
Exposure + Developer

Etching + Stripper

y
x

Fig.6

The transfer of geometries from the mask into the resist is called lithography. The
transfer from resist in the film is called etching (engraving).
Relations between the circuit design and the technology of fabrication: the transfer of
geometries from layout in the film is not very precisely because process errors occur; these
errors must be minimized and controlled. The designers of the circuits must know the
technological steps and adjust the layout with the predictable errors. Ex.: A lithographic
predictable error is the dimensional variations of the geometries due to the underetching. How
can we correct this?
A film can be isotropic or anisotropic etched. The etching from the fig.6 is perfectly
anisotropic; that means the etching rate on y-direction (r
y
) is great and on x-direction (r
x
) is
"0". It is the ideal case. But in reality, r
x
/ 0 and can be equal with r
y
. This is the isotropic
case.


Fig.7
Resist
Film
Substrate
Substrate
Film
l
y
l
x
L
Resist
l
x
= l
y
( isotropic case )

l
x
is the underetching
l
y
is the thickness of the film

The wet etching of oxides and metals is isotropic. Practical, the underetching is
determined by precise measurements of the dimensions. Ex.: We measure the channel of the
test transistor on the same 9 chips of every wafer from 25 wafers after developer and etching.
Statistically we can determine the underetching of a thermal oxide of 6000 , etched in BHF
10:1 at 35C.
If A is the anisotropic degree, then:
A
def
1 -
y
x
r
r
, where r
x
is the horizontal etching rate and r
y
is the vertical etching rate.
r
x
= r
y
=> A = 0 => isotropic process

r
x
= 0 => A = 1 => ideal anisotropy

A high degree of anisotropy can be obtained by dry etching (plasma etching). The degree
of anisotropy depends on the plasma machine and of the process parameters.
The underetching must be considered from the layout design step. Dimensional
compensations are introduced in every mask layout considering the underetching of the
specific layers.

l
d
x
Ox
= 6000 t
c
= 6'30" => d = 0.6
l
f
= 7 l
d
= 8.2 = l
f
+ 2d
l
d
= dimension on the layout
l
f
= the final line need
l = line
d = underetching
Ex.:

The layout dimensions = the real need dimension + the dimension due to the
underetching + the tolerance of mask realization.

The compensations affect the density of integration. For the small dimensions these are
very critical, so the configuration of small geometries need a high degree of anisotropy.
Selectivity. We supposed, in the discussion before, that the substrate and the resist mask
are not etched. Practical, the resist and the substrate have a finite etch rate.

The selectivity of the etching process =
film another of rate etch the
film the of rate etch the

To consider the etching of a "h" thickness film:

h
= difference % ( 0 <
h
< 1 )

- the maximum thickness: h(1+
h
)

- the minimum thickness: h(1-
h
)

We assume the etch rate U has the variations:

U(1-
) , U(1+
) , ( 0 <
< 1 )

The etching time:
( )
( )
h
c
1 U
1 h
t
+
=
( )
( )
(
c
D 1
1 U
1 h
t
h
Ctotal
+
+
= ) (*) to be sure the film is etched

D
c
= a fraction of the etching time resulting an overetch.

During the film etching, the resist mask is etched too:

After
etching
Layer
Before
etching

y
x

If the maximum etch rates of the resist layer on y and x are and , the resist mask
is narrower (smaller) at every edge by the value:
y
r
U
x
r
U

( )
c
t r r
t U U
x y
r
ctg
2
W
+ =
= angle which specifies the profile of the resist edge.

Considering the following expression results:

( )

+ +
+
=
y
x
h
y
r
r
r
r
U
U
U
ctg D 1
1
1
h
U
2 W
c
(**)

If = U
y
r
U
r
(1+
r
) , where: is the vertical etch rate of the resist, U
y
r
U
r
is the average
etch rate of the resist and
r
is an uniformity factor, then the selectivity of the film etching
compared with the resist mask is:

y
r
r
U
U
S = and
r
r
r
A 1
U
U
y
x
= (***) ,
where A
r
is the anisotropy of the resist etching.

From (**) (***) => ( [ ]
r r
r
r
A 1 ctg F
W
2h
S + = ) , where

( )(
r
h
r
1 D 1
1
1
F
c
+ +
+
= ) is the uniformity factor that describes the most defavorable
case of coincidence of different non-uniformities.

0
10
20
30
40
50
0 2 4 6 8
h/DWr
S
r
S
r
r
W
h
10

If the thickness of the layer would be perfectly uniform and the etching rate also,
(
h
=
= 0), and no etching over time (D

c
= 0), then the selectivity compared with the
substrate is not important. But this case is not possible.

Substrate
H
h
Material left on
the step edge
Substrate

Before etching After etching

For a step of H height and a perfectly anisotropic etching (A=1), the etching must be
increased with a fraction D
c
=H/h after the removing of the layer from the plane (flat) regions.
This H/h ratio must constitute de minimum value of the uniformity factor F
r
.

Silicon Technology CMOS Technology

III. CMOS TECHNOLOGY

CMOS technology employs both NMOS and PMOS transistors to form the logic
elements. The advantage of this technology is that the particular logic elements only draw
significant current during the transition from one state to another, but draw very little current
between transitions, allowing power consumption to be minimized.
The circuit diagram of a CMOS inverter is illustrated in fig.a. The cross section of the
inverter structure fig.b shown the n-channel transistor formed in a p-region called tub or
well. The p-channel transistor is formed in the n-substrate.

n
V
i
p
+
n
+
p-well
n
+
p
+
n
+
p
+
n-channel p-channel
G G
S S D D
V
O
V
DD

V
SS

The gates of the transistors are connected to form the input.

Fabrication process sequence. For ex. The CMOS-Al gate technology is chosen. The
overview and the cross-section of the CMOS standard Al-gate device are presented in
fig.(8.25).
Summary of the process:

1. wafers: n-type , 57 cm , 810
14
cm
-2
(impurity concentration)
threshold voltages: 1.5 V for p-channel transistors
+1.5 V for n-channel transistors
1000 MOS oxide
810
14
cm
-2
(impurity concentration for p)
510
15
cm
-2
(impurity concentration for n)
2. Oxidation (8000 )
3. p-well configuration (mask M
1
)
4. Implantation (B
+
) and Diffusion (810 junction): 2.310
13
cm
-2
at 100 KeV
5. Source-Drain n-transistor configuration (mask M
2
)
6. Implantation (P
-
) and Diffusion
7. Source-Drain p-transistor configuration (mask M
3
) and protection rings
8. Boron deposition and Diffusion
9. Photolithography (mask M
4
) depth junction of n-transistors
and protection rings for p-transistors
10. Phosphorus deposition
Silicon Technology CMOS Technology

11. CVD oxide deposition
12. CVD oxide configuration (mask M
5
)
13. MOS oxide growth
14. Photolithography (mask M
6
) contacts
15. Aluminum deposition
16. Aluminum configuration (mask M
7
)
17. PSG deposition and pads configuration (mask M
8
)

The protection rings are necessary to capture the minor carriers and to reduce the
sensibility at the thyristor parasitic effect.
The disadvantage of the stop diffusion is the increase of the area and the decrease of the
integration density.
The design rules consider all these protection geometries.

Curs 20microsenzori

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs 20microsenzori

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

MICROSENZORI

b = grosimea stratului polimer

= 0), and no etching over time (D

S-ar putea să vă placă și