LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS

MODULUL MCM4/EV
CAPITOLUL 3.1
PREZENTAREA TRANZISTORULUI MOS
3.1.1 OBIECTIVE
Structura tranzistorului MOS;
Simbolul tranzistorului MOS.

3.1.2 ASPECTE TEORETICE

Tranzistorul MOS difer de tranzistorul bipolar att prin structur ct i ca
mod de operare. Denumirea de tranzistor MOS vine de la structura acestuia:
Metal-Oxid-Semiconductor (MOS).
Ca ]i la tranzistorul TEC-J, la tranzistorul MOS curentul de dren` este
datorat unui singur tip de purttori spre deosebire de tranzistorul bipolar unde
conducia este asigurat de ambele tipuri de purttori. Din acest punct de vedere
tranzistorul MOS este un dispozitiv unipolar.
Structura unui tranzistor MOS este detaliat n fig. 3.1. Pe suprafa\a unui
semiconductor (substrat) ce are un tip de conductivitate se cre]te printr-un
procedeu de mascare un oxid de poart` ([n cazul siliciului se folose]te de regul`
SiO 2 ) fig. 3.1.

Fig. 3.1 Structura unui tanzistor MOS cu canal n.

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Acest oxid se acoper` cu un metal ob\in@ndu-se astfel poarta (G-gate)

tranzistorului MOS ]i structura Metal-Oxid-Semiconductor (MOS). {n acela]i
procedeu tehnologic de o parte ]i de alta a por\ii se realizeaz` dou`
difuzii/implanturi care prin contactare formeaz` sursa (S - source) ]i drena
(D Drain). Prin metalizarea fe\ei opuse se ob\ine conctatul de substrat (B- bulk).
Se ob\ine [n acest mod un dispozitiv electronic cu patru terminale. Dou`
dintre acestea (G ]i B) vor fi utilizate pentru comanda curentului de dren` iar
celelalte dou` pentru intrarea/ie]irea curentului de dren` (S ]i D).
Datele geometrice ale tranzistorului MOS sunt:
L lungimea canalului;
W- l`\imea canalului;
t ox - grosimea oxidului de poart`.
Tranzistorul MOS este un dispozitiv simetric [n raport cu pozi\ia sursei ]i
a drenei. Drena se define]te ca fiind acel cap`t al canalului care are un poten\ial
mai mare dec@t a celuilalt cap`t, care devine astfel surs`.
O deosebire esenial ntre tranzistorul bipolar i tranzistorul cu efect de
cmp este c la tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizeaz
cu un curent de baz, pe cnd la tranzistorul cu efect de cmp controlul curentului
de dren se realizeaz cu o tensiune aplicat ntre poart i surs (curentul de
poart` este practic zero deoarece oxidul de poart` este un izolator).
Pentru determin`ri experimentale se va folosi tranzistorul MOS cu canal
indus cu un singur electrod de comand` (substratul este legat la surs`).
Simbolurile ce vor fi utilizate pentru tranzistorul MOS cu canal indus cu unul ]i
dou` terminale de comand` sunt prezentate n fig. 3.2.
MOS

MOS cu 2 por\i

Canal n

Canal p

Fig. 3.2 Simbolurile pentru tranzistorul MOS cu canal n i p.

Apari\ia curentului prin tranzistor este legat` de existen\a canalului. Sunt
tranzistoare MOS care la care canalul exist` f`r` a fi aplicat` o tensiune pe poart` tranzistoare MOS cu canal ini\ial. La aceste tranzistoare trebuie aplicat` o
tensiune de comand` (pe poart`) care s` duc` la dispari\ia canalului [n acest fel

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

realiz@ndu-se comanda curentului de dren`. Aceste tranzistoare sunt utilizate

foarte pu\in [n ultima vreme iar existen\a lor a fost impus` mai mult de procesul
tehnologic greu controlabil de la [nceputurile fabric`rii tranzistorului MOS pe
scar` larg`.
Actual, cea mai mare parte a tranzistoarelor MOS folosite sunt cu canal
indus, acest fapt [nsemn@nd c` la polarizare nul` a por\ii nu exist` canal ]i c` este
necesar` o tensiune pe poart` care s` determine apari\ia canalului.

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

CAPITOLUL 3.2
FUNCIONAREA TRANZISTORULUI MOS
3.2.1 OBIECTIVE
Caracteristicile tranzistorului MOS;
Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven;
Amplificarea tranzistorului MOS.

3.2.2 ASPECTE TEORETICE

3.2.2.1 Caracteristicile statice
Se consider un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structura
simplificat, simbolul i mrimile asociate din fig. 3.3 care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` VG VT .

Fig. 3.3 Structura unui tranzistor MOS cu canal n indus care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` VG VT .
Ca urmare a aplic`rii pe poart` a unei tensiuni pozitive, [n cazul unui
tranzistor cu canal n, electronii din substrat sunt atra]i c`tre suprafa\a
semiconductorului. Pentru VG VT la suprafa\a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se [ntinde de la surs` la dren`.
Drena, canalul ]i sursa sunt izolate fa\` de substrat prin regiunea golit` ce
apare sub acestea. {n aceste condi\ii, curentul de dren` ( I D ) va circula de la surs`
la dren` numai prin canal.
Tensiunea de prag (V T ) este parametrul MOS ce marcheaz` limita
[ntre blocare ]i conduc\ie. La tranzistorul MOS cu dou` por\i tensiunea de prag
este controlat` de tensiunea aplicat` pe substrat:
VT VT 0 ( VBS )
(3.1)

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

unde, V T0 este tensiunea de prag [n absen\a polariz`rii substratului (V BS =0), este

poten\ialul la suprafa\a semiconductorului [n inversie puternic` iar este factorul
de substrat (cu valori pozitve la n-MOS, n 0 ]i negative la p-MOS, p 0 ).
C@nd tranzistorul are substratul legat la surs`, evident VT VT 0 . V T0 depinde de ,
de oxidul de poart` ]i de natura metalului ce constituie electrodul G.
Tabelul 3.1 prezint` domeniul de varia\ie al tensiunii de poart` (V GS )
pentru func\ionarea [n conduc\ie a tranzistorului MOS cu canal indus.
Tabelul 3.1
n -MOS

p-MOS

VGS VT 0

VGS VT 0

{n fig. 3.3, pentru simplitate, sursa s-a considerat legat` la substrat

( VS 0 ) ceea ce implic` VD VDS . {n func\ie de valoarea tensiunii VDS se disting
pe caracteristicile de ie]ire prezentate [n fig. 3.4 dou` zone:
Zona cvasiliniar` (sau de triod`), caracteristic` tensiunilor VDS mici
(p@n` la sute de mV) unde canalul poate fi considerat echipoten\ial ]i
caracteristica I D ( VDS ) poate fi considarat` liniar` ( V DS VGS VT ).
Regimul este caracterizat de o rezisten\` a canalului (R ch ) controlat`
prin tensiunea de poart` ( VGS VG ). Cre]terea tensiunii VGS duce la o
[mbog`\ire a concentra\iei de electroni din canal ]i, deci, la o sc`dere a
rezisten\ei canalului (vezi fig. 3.4).
Zona de satura\ie (sau activ`), caracteristic` tensiunilor VDS mari
unde dependen\a curentului de dren` de tensiunea VDS este
aproximativ constant` ( V DS V DS ,sat VGS VT ). Aici, curentul
depinde numai de tensiunea VGS .
{n func\ie de regimul de lucru, curentul de dren` este dat de expresiile din
tabelul 3.2. {n fig. 3.5, sunt precizate, [n planul V DS V GS , domeniile pentru
blocare ]i conduc\ie, [n zona de satura\ie, respectiv cvasiliniar` pentru tranzistorul
MOS cu canal n.
Tabelul 3.2
Regiunea
Tranzistorul
TEC-MOS

Activ` (Satura\ie)

Cvasiliniar` (Triod`)
V DS VGS VT

V DS VGS VT

I D k VGS VT V DS

2
V DS

ID

k
VGS VT 2 1 V DS
2

Parametrii statici ai tranzistorului MOS sunt V T , k ]i . Parametrul k la

MOS depinde de mobilitatea purt`torilor majoritari din canal ( ) ]i dimensiunile
canalului. De exemplu, pentru k este valabil` rela\ia:

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

k

W
W
k' Cox
L
L

(3.2)

unde, W ]i L sunt l`\imea respectiv lungimea canalului, iar C ox capacitatea (pe

unitatea de arie) a oxidului de poart` (fig. 3.1). Raportul

W
este factorul de
L

geometrie al tranzistorului MOS.

(a)

(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile MOS: (a) de ieire; (b) de transfer iD ( vGS ) .

Fig. 3.5 Domeniile pentru blocare ]i conduc\ie pentru tranzistorul n-MOS.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

Parametrul modeleaz` efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de

dren` [n satura\ie (efectul Early pentru MOS).
Punctul static de func\ionare este definit de m`rimile I D , V GS , V DS ]i
eventual V BS (dac` substratul este activ nu este legat la surs`).
3.2.2.2 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven
Modelul dinamic la semnal mic, frecvene joase, al MOS polarizat n
saturaie, este descris de circuitul din fig. 3.6. n acest circuit avem:
I
i
i D
gm D

d
(3.4)
vGS I
vGS v V ,i I
V gs
D

i
1
D
rds v DS
Id ,

v gs ,

DS

ID

v ds

i D
v DS

DS D

vds 0

vGS VGS ,iD I D

Id
Vds

(3.5)
vds 0

sunt valori efective. Expresia analitic pentru

gm

(transconductana sau conductana mutual) se obine prin derivarea relaiei (3.2)

sau a uneia din relaiile (3.3), (3.4) sau (3.5) n funcie de regimul static al MOS.

Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven pentru funcionarea
n saturaie.
Expresia analitic pentru conductana canalului g d

1
rds

rezult prin

derivarea relaiei (3.1) sau (3.2). n regim de saturaie, prin derivarea relaiilor
(3.4), (3.5) rezult g d 0 . n realitate ns, conductana canalului este nenul n
orice condiii.
Dac se analizeaz structura real a unui MOSse remarc prezena ntre
extremitile canalului propriu-zis i contactele metalice S i D, a unor poriuni de
siliciu n (sau p pentru MOScu canal p) a cror rezisten trebuie luat n
considerare n construirea unui model dinamic mai rafinat. Astfel, modelul se
completeaz cu rezistenele Rd i Rs i este prezentat n fig. 3.7.
Rezistenele Rd i Rs depind de tensiunile aplicate tranzistorului.
Valorile msurate pentru g m i g d pot diferi de cele care rezult din formulele
teoretice datorit prezenei acestor rezistene.

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Fig. 3.7 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven ce include efectul
rezistenelor serie din zona de surs respectiv dren.
3.2.2.3 Circuit de amplificare cu MOS
Pentru a fi utilizat ca amplificator MOS-ul se utilizeaz polarizat n regim
de saturaie. n acest regim exist, la semnal mic, o dependen liniar ntre
tensiunea de comand v gs i curentul de dren i d , ca n fig. 3.8.
(3.6)
id g m v gs

Fig. 3.8 Zona optim de lucru pentru MOS ca amplificator de semnal mic.
Ca i tranzistorul bipolar sau MOS, MOS-ul poate lucra ca amplificator
ntr-una din cele patru conexiuni: surs comun (SC), gril comun (GC), dren
comun (DC) sau repetor pe surs i sarcin distribuit (SD).
n fig. 3.9 este prezentat un circuit de amplificare n care tranzistorul
lucreaz n conexiunea SC.
Tranzistorul este atacat pe gril cu un generator de semnal prin
intermediul condensatorului de decuplare C 1 . Rezistoarele R G1 ]i R G2 formeaz` un
divizor de tensiune care este utilizat pentru polarizarea por\ii tranzistorului. Pentru
a nu strica reziste\a de intrarea a etajului valorile acestora se aleg foarte mari
(M). Curentul prin tranzistor se fixeaz cu ajutorul rezistorului R S .
Condensatorul C S este utilizat ca i condensator de decuplare n circuitul sursei.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

Pentru o valoare bine aleas acesta va scurtcircuita R S n curent alternativ, n

banda de lucru, punnd tranzistorul cu sursa la mas (surs comun).

Fig. 3.9 Etaj surs comun (SC) realizat cu tranzistor MOS.

Rezistena de sarcin a etajului este constituit numai din R D , rezistor ce
are rol i pentru polarizarea n curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dat de relaia:
AV

vo
g m RD
vi

(3.7)

Semnul minus din relaia (3.7) semnific faptul c la ieire semnalul este
defazat cu 1800 fa de semnalul de intrare.
Rezistenele de intrare/ieire n/din etaj sunt:
Ri

vi
RG1 RG 2
ii

(3.8)

Ro

vo
RD
io

(3.9)

Calculul acestora au presupus o rezisten de intrare i o rezisten r ds

infinite pentru MOS.

10

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

CAPITOLUL 3.3
MSURAREA CARACTERISTICILOR STATICE I
DINAMICE ALE TRANZISTORULUI MOS. ETAJE CU
TRANZISTOR MOS
3.3.1 OBIECTIVE

Msurarea caracteristicilor statice ale MOS;

Funcionarea ca generator de curent constant;
Msurarea caracteristicilor dinamice ale MOS;
Etaje de amplificare cu MOS.

3.3.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control
individual SIS1/SIS2/SIS3 (opional);
Modulul poate lucra n mod independent. La utilizarea unitii de
management extern cele 4 comutatoarele trebuie s fie pe poziia
nchis iar cele 8 comutatoare trebuie s fie pe poziia deschis;
Modulul MCM4/EV;
Multimetru;
Osciloscop;
Generator de semnal.

3.3.3 DESFURAREA LUCRRII

3.3.3.1 Pregtire preliminar
MCM-4
Deconectai toate unturile
Montai SIS1
Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2
Introducei cod lecie: B14
Se pornete de la modulul aflat pe placa MCM-4 stnga jos cu schema
electric pentru msurtori pe MOS prezentat n fig. 3.10. Tehnica de polarizare
aleas este cu dou surse:
Sursa fix de 12V/-12V i un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea
V GS ;
Surs variabil 1,2V-24V (V CC ) i o rezisten serie pentru polarizarea
dren-surs.

! Valorile tensiunilor i curenilor alternativi sunt date n valoare RMS.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

11

Fig. 3.10 Schema electric de msurare a tranzistorului MOS modulului MCM-4.

3.3.3.2 Msurarea caracteristicilor de curent continuu
Caracteristica de transfer
Se realizeaz circuitul din fig. 3.11 prin conectarea unturilor J18, J37,
J41. Pentru msurarea tensiunilor se utilizeaz voltmetrul sau
osciloscopul.

Fig. 3.11 Circuitul pentru msurarea caracteristicii de transfer.

12

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Se conecteaz` R J22 =100k pe pozi\ia lui J22;
Se variaz` tensiunea V CC astfel [nc@t tensiunea V GS a tranzistorului s` ia
valorile din tabelul 3.3 i se msoar curentul de dren I D indirect, prin
msurarea cderii de tensiune pe rezistorul R 12 .
Pentru curen\i mari de dren` rezistorul R J22 se [nlocuie]te cu J22;
Curentul I D se calculeaz cu relaia:
ID

VCC V DS
R12

Se traseaz graficul I D = f(V GS ) i Graficul rezultat va fi de forma celui

din fig. 3.12.
Tabelul 3.3
V GS [V]

1,3

1,5

1,8

2,1

2,2

2,3

2,4

2,5

V GS,m`surat [V]
V CC
R D =R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
(V GS V T )2/2 [V2]

Fig. 3.12 Forma caracteristicii de transfer.

M`surarea tensiunii de prag a tranzistorului MOS ]i a parametrului k
Pe circuitul prezentat [n fig. 3.11 se monteaz` [n locul lui J22 un rezistor
R J22 =100k. Se regleaz` sursa de alimentare (V CC ) astfel [nc@t curentul de dren`
s` fie de 10A (V CC -V DS =1V). Curentul de dren` se m`soar` ca ]i c`dere de
tensiune pe R J22 conect@nd voltmetrul [ntre punctele 24 (-) ]i 23 (+) de pe montaj.
Tensiunea V GS m`surat` pentru un curent de dren` de 10A, va fi
tensiunea de prag a tranzistorului. Aceast` valoare va fi utilizat` ]i [n calculele
teoretice.

Lucrarea III: MOS

VGS

I D 10 A

Modulul MCM4/EV

13

VT ......

Se completeaz` tab. 3.3. Se traseaz` caracteristica I D = f [(V GS -V T )2/2]

elimin@ndu-se din reprezentare punctele cu VGS VT . Din panta acesteia se va
deduce, experimental, parametrul k n ce va fi utilizat [n calculele teoretice (rela\ia
de calcul a fost dat` [n ecua\ia 3.2 ]i poate fi aplicat` atunci c@nd se cunosc W, L,
, C ox ).
k n ......

Caracteristicile de ieire
Se realizeaz circuitul din fig. 3.13 prin conectarea unturilor J18, J22,
J30 ]i J37.
Pe circuitul din fig. 3.13 cu ajutorul poteniometrului R V8 se regleaz
tensiunea V GS la valorile date n tabelul 3.4. Se variaz tensiunea V DS la
valorile impuse n tabel prin variaia V DD i se msoar curentul de
dren.
n cazul curenilor de dren mici, cderea de tensiune pe rezistena R 12
va fi mic fapt ce se traduce ntr-o diferen mic ntre tensiunea V DD i
tensiunea V DS . Pentru a maximiza cderea de tensiune scoate untul
J22 i se conecteaz n locul acestuia un rezistorul R J22 =100k.
Se reprezint grafic familia de curbe parametrice I D = f 1 (V GS , V DS ). Se
vor obine caracteristici de forma celei din fig. 3.14. Se va delimita pe
grafic zona de saturaie de zona liniar.

Fig. 3.13 Circuitul pentru msurarea caracteristicilor de ie]ire.

Pentru fiecare curb se va determina grafic tangenta n origine:
di D
i D
g d ,lin

dv DS V 0 v DS V 0
DS

DS

Rezultatele se trec n tabelul 3.5.

14

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Tabelul 3.4
V DS [V]
V DS,m`s. [V]
V GS = 0
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 1,5
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,1
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,2
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,3
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,4
[V]

V DD [V]
R 12 +R J22 [k]
I D [mA]

3,5

10

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

15

Fig. 3.14 Forma caracteristicii de ieire.

Tabelul 3.5
VGS [ V ]

1,5

2,1

2,2

2,3

2,4

2,5

g d ,lin1 [ mA / V ]

Montai SIS1
SIS2

Setai comutatorul S4 pe poziia nchis

Apsai INS

I1 Ce se ntmpl n circuit?
a) o rezisten n serie cu R 12 a fost deconectat;
b) tranzistorul este scurtcircuitat ntre dren i surs;
c) tranzistorul este ntrerupt ntre dren i surs;
d) circuitul porii a fost deconectat;
e) tensiunea de alimentare a fost redus.
Montai SIS1

Setai comutatorul S4 pe poziia deschis

3.3.3.3 Funcionarea MOS ca generator de curent constant

Regimul n care MOS poate funciona ca generator de curent constant este
saturaia ( 0V VT VGS i VDS VGS VT ). Dac se neglijeaz efectul scurtrii
canalului n saturaie i se utilizeaz ecuaia ce descrie funcionarea MOS pentru
acest regim,
k
VGS VT 2
2
rezult c pentru VGS VT ]i VGS ct . se obine I D ct .
ID

Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.

3.15.

16

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Se conecteaz unturile J18, J22, J30, J33. {n locul jumper-ului J32 se
introduce dioda Zener (D z ) de 6,2V cu catodul c`tre grila tranzistorului
T 6 . Se pozi\ioneaz` cursorul poten\iometrului R V8 la pinul dinspre R 16 ;
Se regleaz sursa de tensiune la valoarea de +24V;
Se m`soar` tensiunea pe dioda Zener (D z ) ]i se trece [n tabel; Aceasta
trebuie s` fie [n jurul valorii de 6,2V;
Se fixeaz` pentru V D valorile din tabelul 3.6. Se msoar indirect
curentul n circuit. Acesta trebuie s rmn constant ct vreme
tranzistorul rmne n saturaie.
ID

VS ,masurat
R18

Se completeaz` tabelul 3.6 ]i se traseaz graficul I D = f (V DS );

Se determin` tensiunea V CC,minim pentru care circuitul men\ine curentul
constant.
Tabelul 3.6
V D [V]

13

14

15

16

17

18

19

V D,m`surat [V]
V S,m`surat [V]
V CC [V]
V DS [V]
V GS [V]
V Z = .... [V]

I D [mA]

Fig. 3.15 Circuitul pentru msurarea caracteristicii curent-tensiune a sursei de

curent constant realizate cu MOS.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

17

3.3.3.4 Verificarea modelului dinamic

Estimarea r d n saturaie
Se realizeaz configuraia din fig. 3.16. Se conecteaz unturile J18,
J30 i J37.
1
Se conecteaz rezistena R J22
1,3k i condensatorul C J20 (10F) se
fixeaz VGS 2 ,1V i V DS 5V . Generatorul de semnal este conectat i
pornit, dar reglat la vS 0V . Poteniometrul semireglabil R V5 se
regleaz cu cursorul la mas.
Se regleaz amplitudinea semnalului de la generator astfel nct s se
obin V gs 10 mV i se msoar Vds . Rezultatele se trec n tabelul 3.7.
2
10k .
Se repet msurtorile pentru RJ22
Se calculeaz:

rd ,sat

1
g d ,sat

RD2 RD1
RD2 vds1
1
RD1 vds 2

Tabelul 3.7
RD R12 RJ 22 [ k ]

1,98

10 ,68

Vds [ mV ]

Fig. 3.16 Circuitul pentru msurare a rezistenei dinamice (r d ) i a g m,sat n

saturaie.

18

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

Msurarea conductanei mutuale n saturaie - g m,sat
n configuraia din fig. 3.16 se adaug J22.
Se regleaz succesiv VGS la valorile din tabelul 3.8 meninndu-se de
fiecare dat VDS 5V , V gs 10 mV i msurndu-se Vds .
Se calculeaz conductana mutual msurat, g m ,sat 1 ,
g m ,sat 1

vds
R12 vds

VDS 5V

iar valorile se trec n tabelul 3.8.

Tabelul 3.8
VGS [ V ]

2,1

2,2

2,3

2,4

Vds [ mV ]

g m ,sat 1 [ mA / V ]
g m ,sat 2 [ mA / V ]

Cu ajutorul valorilor k n i VT determinate anterior se calculeaz

conductana mutual teoretic g m ,sat 2 , iar valorile se trec n tabelul 3.8.
g m ,sat 2 k n ( VGS VT ) 2 k n I D

Cu datele din tabelul 3.8 se traseaz pe aceleai grafic, curbele:

C1: g m ,sat 1 f VGS , pentru VDS 5V

C2: g m ,sat 2 f VGS

Cum explicai diferenele care rezult ntre g m ,sat 1 (transconductana

msurat) i g m ,sat 2 (transconductana calculat)? Care este panta optim` pentru
ob\inerea unei amplific`ri maxime?
Msurarea conductanei canalului n regiunea liniar g d,lin
Se realizeaz configuraia din fig. 3.17 conectndu-se unturile J30,
J37 i RJ22 10k .
Se regleaz poteniometru R V5 cu cursorul n mas.
Se ajusteaz succesiv VGS la valorile din tabelul 3.9.
Se modific de fiecare dat amplitudinea generatorului astfel nct s
se obin Vds 20 mV ;
Se msoar Vdd i se trece n tabelul 3.9.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

19

Fig. 3.17 Circuitul pentru msurarea conductanei canalului n regiunea liniar g d,lin .
Tabelul 3.9
VGS [ V ]

2,1

2,2

Vdd [ mV ]

g d ,lin1 [ mA / V ]
g d ,lin 2 [ mA / V ]

Utiliznd datele din tabelul 3.9 se calculeaz pentru fiecare valoare a lui
VGS , parametrul
g d ,lin1

Vdd
1
Vds

RJ 22 R12
VDS 0V

i cu ajutorul lui k n i VT parametrul

g d ,lin 2 k n ( VGS VT ) V

DS 0

2 kn I D

VDS 0

Rezultatele se trec n tabelul 3.8. Cu datele din tabelul 3.8 se traseaz

grafic curbele:
C3: g d ,lin1 f VGS , pentru VDS 0V
C4: g d ,lin 2 f VGS , pentru VDS 0V
C5: g d ,lin 3 f VGS , pentru VDS 0V
Cum explicai diferenele care rezult ntre conductanele dren-surs
msurate prin diferite metode g d ,lin1 i g d ,lin 2 i conductana g d ,lin 3 calculat cu
relaia?

20

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

3.3.3.5 Amplificator de semnal mic cu MOS

Conexiunea utilizat pentru experimentarea amplificrii MOS-ului este
sursa comun (SC) fig. 3.18. Circuitul din fig. 3.18 se realizeaz n urmtoarele
etape:
Se conecteaz unturile J18, J22, J27, J30, J37;
Se regleaz Vcc la valoarea de 24V;
Se conecteaz cele dou canale ale osciloscopului ca n fig. 3.18;
Se poziioneaz cursorul poteniometrului semireglabil R V8 astfel [nc@t
V DS =8V;
Se poziioneaz cursorul poteniometrului semireglabil R V6 [n mas`;
Se conecteaz generatorul de semnal pe poziia untului J29;
Se regleaz semnalul pe grila tranzistorului T 6 la o amplitudine de
5-10 mV rms /1kHz;
Se msoar tensiunea rms la ieire n absena distorsiunilor i se
calculeaz amplificarea cu relaia:
Av

vo ,rms
vi ,rms

Se verific dac defazajul ntre intrare i ieire este de 180o.

Fig. 3.18 Amplificator surs comun cu MOS.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

21

CAPITOLUL 3.4
{NTREBRI I EXERCIII
3.4.1 OBIECTIVE
Aprofundarea cunotinelor obinute

3.4.2 NTREBRI
I2. Ce erori se introduc n determinrile asupra caracteristicilor statice
prin meninerea prea ndelungat a MOS-ului ntr-un regim de putere disipat
relativ mare (I D i V DS mari)?
a)
b)
c)
d)
e)

caracteristicile nu se modific;
caracteristica de transfer nu se modific dar cea de ieire se modific;
caracteristica de transfer se modific dar cea de ieire nu se modific;
ambele caracteristici se modific;
nici una din cele de mai sus.

I3. Ce se nelege prin canalul MOS-ului?

a)
b)
c)
d)
e)

regiunea dintre poart i dren;

regiunea dintre poart i surs;
regiunea de suprafa\` dintre dren i surs [n care s-a realizat inversia;
conexiunea dintre dou regiuni de poart;
conexiunea de intrare a MOS.

I4. Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, I D =0 cnd:

a)
b)
c)
d)
e)

V DS
V GS
V GS
V GS
V DS

= 0V;
< VT;
> VT;
= VT;
= V GS .

I5. n regiunea liniar MOS-ul se comport:

a)
b)
c)
d)
e)

ca o rezisten comandat n tensiune;

ca o diod;
ca o surs de curent constant;
ca un etaj de amplificare;
ca un comutator deschis.

22

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator

3.4.3 EXERCIII
E.1 Se d` cicuitul din fig. 3.19. S` se calculeze psf-ul dispozitivelor din
circuit. Se cunosc: T (V T =2V, k n =1mA/V2), D Z (V Z =6,2V, I Z,min =1mA), R 1 =10k,
R 2 =1k, R L =1k. Cu ce poate fi echivalat tranzistorul T?

Fig. 3.19
E.2 S` se estimeze valorile extreme pe care le poate avea rezistorul R L
(R L,min , R L,max ).
E.3 Se consider etajul de amplificare cu tranzistor n-MOS din fig. 3.9.
Parametrii tranzistorului sunt: T (V T =2V, k n =1mA/V2, r o =100k). Celelalte
componente au valorile: R G1 =6M , R G2 =2M, R S =1k, R D =5k, C 1 = C 2 =
C 3 =, iar V CC =24V. S` se calculeze punctul static de func\ionare, amplificarea
[n tensiune ]i rezisten\ele de intrare/ie]ire din etaj.

Lucrarea III: MOS

Modulul MCM4/EV

Fig. 3.20 Schema electronic a modulului MCM4/EV.

23