ARGUMENT

Dispozitivele multijonctiune sunt dispozitive semiconductoare cu mai mult de doua

jonctiuni.
Tehnologia actuala permite realizarea unor dispozitive compuse avnd mai multe
jonctiuni (spre exemplu tranzistori Darlington, sau tranzistori cu efect de cmp cuplati cu
tranzistori bipolari sau cu tiristori, s.a.).
Dioda PNPN este formata din patru zone semiconductoare, ca n figura .1a - zonele de
conectare a electrozilor fiind mai puternic dopate cu impuritati. Accesul la dispozitiv se face prin
electrozii A - anod si K - catod.
Tiristorul este realizat ca dioda PNPN, dar n apropierea catodului, pe zona
semiconductoare de tip P este montat un terminal (electrod) cu functia de comanda numit grila
sau poarta.
Triacul este un dispozitiv semiconductor realizat ca sa ndeplineasca functia a doi tiristori
conectati antiparalel.
Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor)Este o structura formata din doi tranzistori
care modeleaza un tiristor, la care se adauga un tranzistor MOS care sa realizeze blocarea
structurii. Schema de principiu a dispozitivului este prezentata n figura 3.12. Tranzitorii bipolari
complementari Q1, Q2 modeleaza tiristorul.
Tiristorul cu blocare pe poarta GTO este o structura multijonctiune similara cu cea a
tiristorului conventional SCR (Silicon controlled rectifiers), prezentata n figura 12a, dar factorul
de amplificare n curent al tranzistorului NPN din structura este mult mai mare dect al
tranzistorului PNP.