Comutarea tranzistorului bipolar

P a g i n a | 11

LUCRAREA NR. 2 COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Scopul lucrrii: se studiaz regimul de comutare al tranzistorului bipolar, se msoar timpii de comutare direct i invers, precum i influena diferitelor elemente ale schemei asupra acestora; se studiaz eficiena unor scheme de accelerare a comutrii i de evitare a intrrii n saturaie a tranzistorului. 1. Regimurile de funcionare ale tranzistorului Regimul de comutare al unui tranzistor bipolar const n trecerea lui din starea de blocare n starea de conducie - n regiunea activ normal sau n saturaie - i invers. n starea de blocare, ambele jonciuni ale tranzistoarelor sunt polarizate invers. Prin tranzistor circul curenii Ib0 i Ic0 (n conexiunea EC), care de obicei sunt neglijabili pentru tranzistoarele din siliciu. Astfel, tensiunile la bornele tranzistoarelor blocate sunt determinate numai de elementele circuitului exterior acestora. n starea de conducie, tranzistorul are jonciunea baz-emitor polarizat direct iar jonciunea colector-baz este fie blocat (n cazul funcionrii n regiunea activ normal) fie polarizat direct (n cazul n care tranzistorul funcioneaz la saturaie). Funcionarea tranzistorului n saturaie, n circuitele de comutaie, prezint avantaje precum: realizarea unui coeficient bun de utilizare a tensiunii de alimentare, putere disipat mic pe tranzistor i stabilitate a tensiunii de ieire. ns exist i dezavantajul unui timp de comutare invers mai mare datorit sarcinilor stocate suplimentar n baz. Condiia de funcionare n saturaie a unui tranzistor bipolar este ca, pe lng jonciunea bazemitor, i jonciunea colector-baz a tranzistorului s fie polarizat direct, ceea ce, pentru circuitul din figura 2.1, devine: 1 > =

(2.1)

unde IBS este curentul de baz la saturaie incipient, iar IB1 este curentul direct prin baza tranzistorului.

Fig. 2.1 Tranzistorul bipolar la comutarea ntre conducie i blocare

12 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

n saturaie, tranzistorul este caracterizat prin tensiunea baz-emitor, VBE, de circa 0,7 - 0,9 V (n funcie de curentul de emitor) i prin tensiunea de colector de saturaie, VCE sat, de circa 0,1 - 0,3 V (n funcie de curentul de colector), care este neglijabil. Tensiunile pe jonciuni pentru un tranzistor bipolar saturat fiind foarte mici sau cunoscute, curenii prin el sunt determinai de elementele circuitului exterior. Se adaug i relaia: IE = IB + I C n regiunea de saturaie, tranzistorul este caracterizat i prin gradul de saturaie: = 2. ntrzierea la comutare ntrzierea la comutarea dintr-o stare n alta a tranzistorului este determinat att de fenomenele de acumulare a sarcinii de purttori n baza tranzistorului, caracterizate prin constantele de timp n (constanta de timp de via a electronilor minoritari n exces n baz) i s (constanta de timp de stocare) ct i de capacitile de barier ale jonciunilor tranzistorului, Cbe, care conteaz cnd tranzistorul este blocat, respectiv Cbc ,care conteaz i cnd tranzistorul este deschis, n regiunea activ normal (n special, la rezistene de colector cu valoare mare). Pentru tranzistoarele de comutaie se iau msuri tehnologice pentru micorarea constantelor de timp n i s (crearea unor centri de recombinare suplimentari prin dopare cu atomi de aur, concentraii mari de impuriti) i a capacitilor de barier (suprafee mici ale jonciunilor). Astfel, rezult cureni reziduali ai jonciunilor de valoare mic i, deci, tensiuni directe pe jonciuni deschise de valori mai mari (circa 0,7 - 0,9 V); de asemenea, factorul de curent al tranzistorului, 0 , va avea valori relativ mici, de circa 30 50. 3. Regimul de comutare al tranzistorului bipolar se poate studia pe circuitul echivalent din figura 2.1, unde rezistena RC limiteaz curentul de colector al tranzistorului, ceea ce permite i obinerea regimului de saturaie. Curenii IB1 (direct) i IB2 (invers) depind de configuraia circuitului exterior i de tensiunea baz-emitor, VBE, a tranzistorului, la fel ca i curentul de colector al tranzistorului, IC = IC sat. Formele de und ale curenilor de baz i de colector sunt reprezentate n figura 2.2.
1

(2.2)

iB IB1 t -IB2 IC sat 0,9IC sat iC tci

t tcr ts tc

Fig. 2.2 Formele de und ale curenilor de baz i de colector

Comutarea tranzistorului bipolar

P a g i n a | 13

Aa cum se observ, la comutarea invers, prin baza tranzistorului, se stabilete un curent invers (-IB2) care exist att timp ct mai exist sarcin de purttori minoritari stocat n baza tranzistorului. Pentru circuitul testat, din figura 2.6, se scriu curenii: 1 =
1 +

+ 2

(2.3) (2.4) (2.5)

2 = + +
1

+ 2

S-au neglijat cderile de tensiune de pe rezistenele rb i rc (din figura figura 26) folosite pentru msurarea curenilor respectivi. 4. Comutarea direct Comutarea direct este caracterizat, pe de o parte, printr-un timp de ntrziere, t, determinat de ncrcarea capacitii parazite de intrare a tranzistorului bipolar, i, pe de alt parte, prin timpul de cretere, care, dedus din ecuaiile metodei sarcinii pentru regim tranzitoriu, se calculeaz cu relaiile: - pentru comutarea n regiunea activ normal: = 2,3 - pentru comutarea n regiunea de saturaie: =
1
0,9 1 1

(2.6)

(2.7)

Se remarc dependena timpului de comutare direct ( = + ) de gradul de saturaie al tranzistorului. 5. Comutarea invers Comutarea invers a tranzistorului din regiunea de saturaie este caracterizat prin timpul de stocare, care se poate calcula cu relaia: = 1 + 2
2

(2.8)

i prin timpul de cdere, dat de relaia: = 1 + Observaie: dac n s , atunci se obine: = + = 1 + 1

2

(2.9)

(2.10)

relaie care, fiind independent de IBS , arat c timpul de comutare invers depinde de cantitatea de sarcin total stocat n baza tranzistorului (proporional cu IB1 ) i de curentul de baz invers ( IB2), care elimin sarcina din baz. 6.Pentru micorarea timpilor de comutare ai unui tranzistor bipolar se poate folosi o schem de accelerare a comutrii ca n figura 2.3.

14 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

Fig. 2.3 Schema pentru accelerarea comutrii

La aplicarea saltului pozitiv al tensiunii de intrare, se obine un curent de baz de valoare mare (capacitatea se comport ca un scurt circuit pe frontul impulsului): 1 0 =
unde 0 =
1 +2 + 0

+ 2

(2.11)

asigur un timp de cretere foarte mic, dar care scade n timp, astfel nct
1 +

valoarea de regim staionar: 1 =

+ 2

(2.12)

s asigure saturarea tranzistorului cu un grad de saturaie ct mai mic (1 2), aproape de saturaie incipient. La aplicarea saltului negativ al tensiunii de intrare se obine un curent, IB2 (0), de valoare foarte mare: 2 0 = cu
0 = ( ) 1 +
+0 1

+ 2

(2.13)

(2.14)

care asigur timpi de stocare i de cdere de valori mici. Dup aplicarea saltului de tensiune la intrare, capacitatea de accelerare ncepe s se ncarce (descarce), ceea ce duce la micorarea curenilor de baz (n valoare absolut) aa cum se vede i n figura 2.4.

iB
IB1 (0) IB1 () IBS

t
-IB2 () -IB2 (0)

Fig. 2.4 Comutarea accelerat

Comutarea tranzistorului bipolar

P a g i n a | 15

7. Eliminarea timpului de stocare, care reprezint o ntrziere net ntre impulsul de comand i rspunsul circuitului, se face prin utilizarea unor circuite de evitare a intrrii n saturaie, care au i proprietatea de a menine la ieire o tensiune mic, fix, independent de parametrii tranzistorului. n figura 2.5 sunt reprezentate circuite care folosesc metoda sarcinii neliniare (figura 2.5.a), ineficient, din cauza curentului mare care circul prin tranzistor i diod i metoda reaciei negative neliniare prin care, prin diod, se deviaz surplusul de curent de intrare de comand (figura 2.5.b). Idealiznd caracteristicile diodelor n conducie direct, caracteristica dinamic n planul (iC , uCE) al caracteristicilor statice ale tranzistorului va fi ca n figura 2.5.c. Presupunnd c VD = VBE, pentru cazul n care dispozitivele respective sunt deschise, se obin valorile: V0 = VD + E pentru figura 2.5.a; V0 = E VD + VBE = E pentru figura 2.5.b.

Fig. 2.5 a) Metoda sarcinii neliniare iC

Fig. 2.5 b) Metoda reaciei negative neliniare

iB

vo

Fig. 2.5 c) Caracteristica dinamic n planul caracteristicilor de ieire

16 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

DESFURAREA LUCRRII

Se identific montajul din figura 2.6.

Fig. 2.6 Montajul de laborator

Se alimenteaz cu VCC = 10 V (la borna 2) i cu VBB = 3 V (la borna 3) i se aplic la intrare (borna 4) impulsuri pozitive de amplitudine Vg = 5 V i cu durata i perioada suficient de mari (sec). Curentul de colector se vizualizeaz la bornele rezistenei rc (borna 5, fa de mas, pe intrarea de alternativ a osciloscopului). Curentul de baz se vizualizeaz pe rezistena rb (ntre bornele 7 i 8) cu un osciloscop cu intrarea diferenial. Tensiunea de ieire se vizualizeaz pe colector (borna 6), pe intrarea de curent continuu a osciloscopului. Tranzistorul folosit este de tipul BD327. 1. Se regleaz poteniometrul P astfel nct s se realizeze o comutare n regiunea activ normal. Se msoar timpul de cretere (pn la 0,9 din valoarea final a curentului de colector cu ajutorul osciloscopului se micoreaz scala timpului pn se pot numra divizunile frontului cresctor)
i se calculeaz constanta de timp de via a purttorilor minoritari n exces din baz: = 2,3.

Se msoar valoarea final a curentului de colector i valorile curenilor de baz; se msoar timpul de cdere (similar cu cel de cretere - pe front descresctor) i se verific cu valoarea calculat cu relaia (2.9) n care IBS se nlocuiete cu IB1 . 2. Se regleaz poteniometrul P astfel nct s se realizeze o comutare direct la limita de intrare n saturaie a tranzistorului (cnd s =0); msurnd IC sat i IB1 = IBS, rezult factorul de curent al

Comutarea tranzistorului bipolar

P a g i n a | 17

tranzistorului 0 (dac nu se poate msura curentul de baz, se va lua pentru 0 valoarea dat n anex pentru tranzistorul folosit). 3. Se trece poteniometrul P pe poziia minim (scurt circuitat). Se calculeaz curenii prin tranzistor cu relaiile (2.3), (2.4) i (2.5). Se studiaz influena amplitudinii impulsului de comand, Vg i a tensiunii de blocare, VBB, asupra timpilor de comutare ai tranzistorului, completnd un tabel. Timpii de comutare se calculeaz cu relaiile (2.6), (2.7), (2.8) i (2.9), lund s = n, iar msurtoarea lor se face pe curentul de colector. Se fixeaz, pentru msurtorile ulterioare, VBB = 3 V i Vg = 5 V.

VBB Vg tcr

V V s

metod 3 calculat msurat

0 5 3

3 5 3

6 5

ts

calculat msurat

tc

calculat msurat Tabel 2.1

4. Se vizualizeaz curenii de baz i de colector precum i tensiunea de ieire a circuitului; se deseneaz formele de und i se compar cu cele teoretice pentru o comutare n regiunea activ normal i pentru o comutare n regiunea de saturaie. 5. Se menine perioada constant i se micoreaz durata impulsului pozitiv de comand. Se noteaz valoarea la care timpul de stocare ncepe s se micoreze i apoi se va determina constanta de timp de stocare (aproximativ). 6. n condiiile nominale, se cupleaz capacitatea CS la ieirea tranzistorului i se vizualizeaz tensiunea de ieire i curentul prin rezistena rc (este diferit de curentul de colector al tranzistorului!). Se msoar timpii de comutaie, considernd ca mrime de ieire tensiunea din colectorul tranzistorului. 7. Se cupleaz circuitul de accelerare (se conecteaz bornele 10 i 4) i se vizualizeaz formele de und ale curenilor de baz i de colector i ale tensiunii de ieire. Pentru o poziie intermediar a poteniometrului P, se msoar timpii de comutare i se trec n tabel. Se constat, calitativ, efectul poteniometrului asupra timpilor de comutare. 8. Se realizeaz, pe rnd, cele dou circuite de evitare a intrrii n saturaie. Se constat ineficiena metodei cu sarcin neliniar. Pentru circuitul din figura 2.5.b, se aplic impulsuri de

18 | P a g i n a

ndrumar laborator Electronic Digital

comand i se vizualizeaz tensiunea de la ieire i curentul prin rezistena rc; se msoar timpii de comutare cu i fr diod i se compar rezultatele. Se va lua E = 2 V. Se calculeaz curenii prin tranzistor ( IC i IB ) pentru P = 0 cu i fr circuit de evitare a intrrii n saturaie a tranzistorului.

Cerine Referatul va conine:

Scopul lucrrii (1p); Schema circuitului pus la dispoziie n laborator (1p); Schema electronic aferent fiecrui punct, cu menionarea conexiunilor fcute pentru a face funcional fiecare schem (1p); Rezultatele msurtorilor aferente fiecrui punct, inclusiv forme de und (2p); Rezultatele calculelor teoretice aferente fiecrui punct (1p); Rezultatele simulrilor aferente fiecrui punct, inclusiv forme de und (1p); Comparaii ntre cele trei tipuri de rezultate; observaii; (1p) Concluzii (2p).

Anex

pentru BD237 ntre 30 i 50