LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS

MODULUL MCM4/EV

CAPITOLUL 3.1
PREZENTAREA TRANZISTORULUI MOS

3.1.1 OBIECTIVE

 Structura tranzistorului MOS;

 Simbolul tranzistorului MOS.

3.1.2 ASPECTE TEORETICE

Tranzistorul MOS diferă de tranzistorul bipolar atât prin structură cât şi ca

mod de operare. Denumirea de tranzistor MOS vine de la structura acestuia:
Metal-Oxid-Semiconductor (MOS).
Ca ]i la tranzistorul TEC-J, la tranzistorul MOS curentul de dren` este
datorat unui singur tip de purtători spre deosebire de tranzistorul bipolar unde
conducţia este asigurată de ambele tipuri de purtători. Din acest punct de vedere
tranzistorul MOS este un dispozitiv unipolar.
Structura unui tranzistor MOS este detaliată în fig. 3.1. Pe suprafa\a unui
semiconductor (substrat) ce are un tip de conductivitate se cre]te printr-un
procedeu de mascare un oxid de poart` ([n cazul siliciului se folose]te de regul`
SiO 2 ) – fig. 3.1.

Fig. 3.1 Structura unui tanzistor MOS cu canal n.

2 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
Acest oxid se acoper` cu un metal ob\in@ndu-se astfel poarta (G-gate)
tranzistorului MOS ]i structura Metal-Oxid-Semiconductor (MOS). {n acela]i
procedeu tehnologic de o parte ]i de alta a por\ii se realizeaz` dou`
difuzii/implanturi care prin contactare formeaz` sursa (S - source) ]i drena
(D – Drain). Prin metalizarea fe\ei opuse se ob\ine conctatul de substrat (B- bulk).
Se ob\ine [n acest mod un dispozitiv electronic cu patru terminale. Dou`
dintre acestea (G ]i B) vor fi utilizate pentru comanda curentului de dren` iar
celelalte dou` pentru intrarea/ie]irea curentului de dren` (S ]i D).
Datele geometrice ale tranzistorului MOS sunt:
 L – lungimea canalului;
 W- l`\imea canalului;
 t ox - grosimea oxidului de poart`.
Tranzistorul MOS este un dispozitiv simetric [n raport cu pozi\ia sursei ]i
a drenei. Drena se define]te ca fiind acel cap`t al canalului care are un poten\ial
mai mare dec@t a celuilalt cap`t, care devine astfel surs`.
O deosebire esenţială între tranzistorul bipolar şi tranzistorul cu efect de
câmp este că la tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizează
cu un curent de bază, pe când la tranzistorul cu efect de câmp controlul curentului
de drenă se realizează cu o tensiune aplicată între poartă şi sursă (curentul de
poart` este practic zero deoarece oxidul de poart` este un izolator).
Pentru determin`ri experimentale se va folosi tranzistorul MOS cu canal
indus cu un singur electrod de comand` (substratul este legat la surs`).
Simbolurile ce vor fi utilizate pentru tranzistorul MOS cu canal indus cu unul ]i
dou` terminale de comand` sunt prezentate în fig. 3.2.

MOS MOS cu 2 por\i

Canal n

Canal p

Fig. 3.2 Simbolurile pentru tranzistorul MOS cu canal n şi p.

Apari\ia curentului prin tranzistor este legat` de existen\a canalului. Sunt

tranzistoare MOS care la care canalul exist` f`r` a fi aplicat` o tensiune pe poart` -
tranzistoare MOS cu canal ini\ial. La aceste tranzistoare trebuie aplicat` o
tensiune de comand` (pe poart`) care s` duc` la dispari\ia canalului [n acest fel
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 3
realiz@ndu-se comanda curentului de dren`. Aceste tranzistoare sunt utilizate
foarte pu\in [n ultima vreme iar existen\a lor a fost impus` mai mult de procesul
tehnologic greu controlabil de la [nceputurile fabric`rii tranzistorului MOS pe
scar` larg`.
Actual, cea mai mare parte a tranzistoarelor MOS folosite sunt cu canal
indus, acest fapt [nsemn@nd c` la polarizare nul` a por\ii nu exist` canal ]i c` este
necesar` o tensiune pe poart` care s` determine apari\ia canalului.
4 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator

CAPITOLUL 3.2
FUNCŢIONAREA TRANZISTORULUI MOS

3.2.1 OBIECTIVE

 Caracteristicile tranzistorului MOS;

 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă;
 Amplificarea tranzistorului MOS.

3.2.2 ASPECTE TEORETICE

3.2.2.1 Caracteristicile statice

Se consideră un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structura
simplificată, simbolul şi mărimile asociate din fig. 3.3 care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` VG  VT .

Fig. 3.3 Structura unui tranzistor MOS cu canal n indus care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` VG  VT .

Ca urmare a aplic`rii pe poart` a unei tensiuni pozitive, [n cazul unui

tranzistor cu canal n, electronii din substrat sunt atra]i c`tre suprafa\a
semiconductorului. Pentru VG  VT la suprafa\a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se [ntinde de la surs` la dren`.
Drena, canalul ]i sursa sunt izolate fa\` de substrat prin regiunea golit` ce
apare sub acestea. {n aceste condi\ii, curentul de dren` ( I D ) va circula de la surs`
la dren` numai prin canal.
 Tensiunea de prag (V T ) este parametrul MOS ce marcheaz` limita
[ntre blocare ]i conduc\ie. La tranzistorul MOS cu dou` por\i tensiunea de prag
este controlat` de tensiunea aplicat` pe substrat:
VT  VT 0   (   VBS   ) (3.1)
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 5
unde, V T0 este tensiunea de prag [n absen\a polariz`rii substratului (V BS =0),  este
poten\ialul la suprafa\a semiconductorului [n inversie puternic` iar  este factorul
de substrat (cu valori pozitve la n-MOS,  n  0 ]i negative la p-MOS,  p  0 ).
C@nd tranzistorul are substratul legat la surs`, evident VT  VT 0 . V T0 depinde de  ,
de oxidul de poart` ]i de natura metalului ce constituie electrodul G.
Tabelul 3.1 prezint` domeniul de varia\ie al tensiunii de poart` (V GS )
pentru func\ionarea [n conduc\ie a tranzistorului MOS cu canal indus.

Tabelul 3.1
n -MOS p-MOS
VGS  VT  0 VGS  VT  0

{n fig. 3.3, pentru simplitate, sursa s-a considerat legat` la substrat

( VS  0 ) ceea ce implic` VD  VDS . {n func\ie de valoarea tensiunii VDS se disting
pe caracteristicile de ie]ire prezentate [n fig. 3.4 dou` zone:
 Zona cvasiliniar` (sau de triod`), caracteristic` tensiunilor VDS mici
(p@n` la sute de mV) unde canalul poate fi considerat echipoten\ial ]i
caracteristica I D ( VDS ) poate fi considarat` liniar` ( V DS  VGS  VT ).
Regimul este caracterizat de o rezisten\` a canalului (R ch ) controlat`
prin tensiunea de poart` ( VGS  VG ). Cre]terea tensiunii VGS duce la o
[mbog`\ire a concentra\iei de electroni din canal ]i, deci, la o sc`dere a
rezisten\ei canalului (vezi fig. 3.4).
 Zona de satura\ie (sau activ`), caracteristic` tensiunilor VDS mari
unde dependen\a curentului de dren` de tensiunea VDS este
aproximativ constant` ( V DS  V DS ,sat  VGS  VT ). Aici, curentul
depinde numai de tensiunea VGS .
{n func\ie de regimul de lucru, curentul de dren` este dat de expresiile din
tabelul 3.2. {n fig. 3.5, sunt precizate, [n planul V DS – V GS , domeniile pentru
blocare ]i conduc\ie, [n zona de satura\ie, respectiv cvasiliniar` pentru tranzistorul
MOS cu canal n.

Tabelul 3.2
Regiunea  Cvasiliniar` (Triod`) Activ` (Satura\ie)
Tranzistorul  V DS  VGS  VT V DS  VGS  VT
  k
VGS  VT 2 1   V DS 
2
V DS ID 
TEC-MOS I D  k VGS  VT  V DS   2
 2 

Parametrii statici ai tranzistorului MOS sunt V T , k ]i  . Parametrul k la

MOS depinde de mobilitatea purt`torilor majoritari din canal (  ) ]i dimensiunile
canalului. De exemplu, pentru k este valabil` rela\ia:
6 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
W W
k  k'     Cox (3.2)
L L
unde, W ]i L sunt l`\imea respectiv lungimea canalului, iar C ox capacitatea (pe
W
unitatea de arie) a oxidului de poart` (fig. 3.1). Raportul este factorul de
L
geometrie al tranzistorului MOS.

(a)

(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile MOS: (a) de ieşire; (b) de transfer iD ( vGS ) .

Fig. 3.5 Domeniile pentru blocare ]i conduc\ie pentru tranzistorul n-MOS.

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 7
Parametrul  modeleaz` efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de
dren` [n satura\ie (efectul Early pentru MOS).
 Punctul static de func\ionare este definit de m`rimile I D , V GS , V DS ]i
eventual V BS (dac` substratul este activ – nu este legat la surs`).

3.2.2.2 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă

Modelul dinamic la semnal mic, frecvenţe joase, al MOS polarizat în
saturaţie, este descris de circuitul din fig. 3.6. În acest circuit avem:
i i D I
gm  D   d (3.4)
vGS I vGS v V ,i  I V gs
D DS DS D D vds 0

1 i i D Id
 D   (3.5)
rds v DS ID
v DS vGS VGS ,iD  I D
Vds vds 0

Id , v gs , v ds sunt valori efective. Expresia analitică pentru gm

(transconductanţa sau conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3.2)
sau a uneia din relaţiile (3.3), (3.4) sau (3.5) în funcţie de regimul static al MOS.

Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea
în saturaţie.

1
Expresia analitică pentru conductanţa canalului g d  rezultă prin
rds
derivarea relaţiei (3.1) sau (3.2). În regim de saturaţie, prin derivarea relaţiilor
(3.4), (3.5) rezultă g d  0 . În realitate însă, conductanţa canalului este nenulă în
orice condiţii.
Dacă se analizează structura reală a unui MOSse remarcă prezenţa între
extremităţile canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D, a unor porţiuni de
siliciu n (sau p pentru MOScu canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în
considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat. Astfel, modelul se
completează cu rezistenţele Rd şi Rs şi este prezentat în fig. 3.7.
Rezistenţele Rd şi Rs depind de tensiunile aplicate tranzistorului.
Valorile măsurate pentru g m şi g d pot diferi de cele care rezultă din formulele
teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe.
8 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator

Fig. 3.7 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul
rezistenţelor serie din zona de sursă respectiv drenă.

3.2.2.3 Circuit de amplificare cu MOS

Pentru a fi utilizat ca amplificator MOS-ul se utilizează polarizat în regim
de saturaţie. În acest regim există, la semnal mic, o dependenţă liniară între
tensiunea de comandă v gs şi curentul de drenă i d , ca în fig. 3.8.
id  g m  v gs (3.6)

Fig. 3.8 Zona optimă de lucru pentru MOS ca amplificator de semnal mic.

Ca şi tranzistorul bipolar sau MOS, MOS-ul poate lucra ca amplificator

într-una din cele patru conexiuni: sursă comună (SC), grilă comună (GC), drenă
comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină distribuită (SD).
În fig. 3.9 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul
lucrează în conexiunea SC.
Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin
intermediul condensatorului de decuplare C 1 . Rezistoarele R G1 ]i R G2 formeaz` un
divizor de tensiune care este utilizat pentru polarizarea por\ii tranzistorului. Pentru
a nu „strica” reziste\a de intrarea a etajului valorile acestora se aleg foarte mari
(MΩ). Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului R S .
Condensatorul C S este utilizat ca şi condensator de decuplare în circuitul sursei.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 9
Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita R S în curent alternativ, în
banda de lucru, punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună).

Fig. 3.9 Etaj sursă comună (SC) realizat cu tranzistor MOS.

Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din R D , rezistor ce

are rol şi pentru polarizarea în curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia:
vo
AV    g m  RD (3.7)
vi
Semnul minus din relaţia (3.7) semnifică faptul că la ieşire semnalul este
defazat cu 1800 faţă de semnalul de intrare.
Rezistenţele de intrare/ieşire în/din etaj sunt:
vi
Ri   RG1 RG 2 (3.8)
ii
vo
Ro   RD (3.9)
io
Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă r ds
infinite pentru MOS.
10 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator

CAPITOLUL 3.3
MĂSURAREA CARACTERISTICILOR STATICE ŞI
DINAMICE ALE TRANZISTORULUI MOS. ETAJE CU
TRANZISTOR MOS

3.3.1 OBIECTIVE

 Măsurarea caracteristicilor statice ale MOS;

 Funcţionarea ca generator de curent constant;
 Măsurarea caracteristicilor dinamice ale MOS;
 Etaje de amplificare cu MOS.

3.3.2 APARATE NECESARE

 Sursă de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, unitate de control

individual SIS1/SIS2/SIS3 (opţional);
 Modulul poate lucra în mod independent. La utilizarea unităţii de
management extern cele 4 comutatoarele trebuie să fie pe poziţia
închis iar cele 8 comutatoare trebuie să fie pe poziţia deschis;
 Modulul MCM4/EV;
 Multimetru;
 Osciloscop;
 Generator de semnal.

3.3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

3.3.3.1 Pregătire preliminară

MCM-4 Deconectaţi toate şunturile
Montaţi SIS1 Setaţi toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introduceţi cod lecţie: B14

Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga jos cu schema

electrică pentru măsurători pe MOS prezentată în fig. 3.10. Tehnica de polarizare
aleasă este cu două surse:
 Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea
V GS ;
 Sursă variabilă 1,2V-24V (V CC ) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea
drenă-sursă.
! Valorile tensiunilor şi curenţilor alternativi sunt date în valoare RMS.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 11

Fig. 3.10 Schema electrică de măsurare a tranzistorului MOS modulului MCM-4.

3.3.3.2 Măsurarea caracteristicilor de curent continuu

Caracteristica de transfer
 Se realizează circuitul din fig. 3.11 prin conectarea şunturilor J18, J37,
J41. Pentru măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau
osciloscopul.

Fig. 3.11 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii de transfer.

12 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
 Se conecteaz` R J22 =100kΩ pe pozi\ia lui J22;
 Se variaz` tensiunea V CC astfel [nc@t tensiunea V GS a tranzistorului s` ia
valorile din tabelul 3.3 şi se măsoară curentul de drenă I D indirect, prin
măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul R 12 .
 Pentru curen\i mari de dren` rezistorul R J22 se [nlocuie]te cu J22;
 Curentul I D se calculează cu relaţia:
VCC  V DS
ID 
R12
 Se trasează graficul I D = f(V GS ) şi Graficul rezultat va fi de forma celui
din fig. 3.12.

Tabelul 3.3
V GS [V] 0 1,3 1,5 1,8 2 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
V GS,m`surat [V]
V CC
R D =R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
(V GS –V T )2/2 [V2]

Fig. 3.12 Forma caracteristicii de transfer.

M`surarea tensiunii de prag a tranzistorului MOS ]i a parametrului k

Pe circuitul prezentat [n fig. 3.11 se monteaz` [n locul lui J22 un rezistor
R J22 =100kΩ. Se regleaz` sursa de alimentare (V CC ) astfel [nc@t curentul de dren`
s` fie de 10μA (V CC -V DS =1V). Curentul de dren` se m`soar` ca ]i c`dere de
tensiune pe R J22 conect@nd voltmetrul [ntre punctele 24 (-) ]i 23 (+) de pe montaj.
Tensiunea V GS m`surat` pentru un curent de dren` de 10μA, va fi
tensiunea de prag a tranzistorului. Aceast` valoare va fi utilizat` ]i [n calculele
teoretice.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 13

VGS I D 10 A
 VT  ......
Se completeaz` tab. 3.3. Se traseaz` caracteristica I D = f [(V GS -V T )2/2]
elimin@ndu-se din reprezentare punctele cu VGS  VT . Din panta acesteia se va
deduce, experimental, parametrul k n ce va fi utilizat [n calculele teoretice (rela\ia
de calcul a fost dat` [n ecua\ia 3.2 ]i poate fi aplicat` atunci c@nd se cunosc W, L,
μ, C ox ).
k n  ......

Caracteristicile de ieşire
 Se realizează circuitul din fig. 3.13 prin conectarea şunturilor J18, J22,
J30 ]i J37.
 Pe circuitul din fig. 3.13 cu ajutorul potenţiometrului R V8 se reglează
tensiunea V GS la valorile date în tabelul 3.4. Se variază tensiunea V DS la
valorile impuse în tabel prin variaţia V DD şi se măsoară curentul de
drenă.
 În cazul curenţilor de drenă mici, căderea de tensiune pe rezistenţa R 12
va fi mică fapt ce se traduce într-o diferenţă mică între tensiunea V DD şi
tensiunea V DS . Pentru a maximiza căderea de tensiune scoate şuntul
J22 şi se conectează în locul acestuia un rezistorul R J22 =100kΩ.
 Se reprezintă grafic familia de curbe parametrice I D = f 1 (V GS , V DS ). Se
vor obţine caracteristici de forma celei din fig. 3.14. Se va delimita pe
grafic zona de saturaţie de zona liniară.

Fig. 3.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristicilor de ie]ire.

Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine:

di D i D
g d ,lin  
dv DS V 0 v DS V 0
DS DS

Rezultatele se trec în tabelul 3.5.

14 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
Tabelul 3.4
V DS [V] 0 1 2 3 3,5 4 6 8 10
V DS,m`s. [V]

V GS = 0 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 1,5 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,1 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,2 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,3 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
V DS,m`s. [V]

V GS = 2,4 V DD [V]
[V] R 12 +R J22 [kΩ]
I D [mA]
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 15

Fig. 3.14 Forma caracteristicii de ieşire.

Tabelul 3.5
VGS [ V ] 0 1,5 2 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
g d ,lin1 [ mA / V ]

Montaţi SIS1 Setaţi comutatorul S4 pe poziţia închis

SIS2 Apăsaţi “INS”

I1 Ce se întâmplă în circuit?
a) o rezistenţă în serie cu R 12 a fost deconectată;
b) tranzistorul este scurtcircuitat între drenă şi sursă;
c) tranzistorul este întrerupt între drenă şi sursă;
d) circuitul porţii a fost deconectat;
e) tensiunea de alimentare a fost redusă.

Montaţi SIS1 Setaţi comutatorul S4 pe poziţia deschis

3.3.3.3 Funcţionarea MOS ca generator de curent constant

Regimul în care MOS poate funcţiona ca generator de curent constant este
saturaţia ( 0V  VT  VGS şi VDS  VGS  VT ). Dacă se neglijează efectul scurtării
canalului în saturaţie şi se utilizează ecuaţia ce descrie funcţionarea MOS pentru
acest regim,
k
ID   VGS  VT 2
2
rezultă că pentru VGS  VT ]i VGS  ct . se obţine I D  ct .
Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.
3.15.
16 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
 Se conectează şunturile J18, J22, J30, J33. {n locul jumper-ului J32 se
introduce dioda Zener (D z ) de 6,2V cu catodul c`tre grila tranzistorului
T 6 . Se pozi\ioneaz` cursorul poten\iometrului R V8 la pinul dinspre R 16 ;
 Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V;
 Se m`soar` tensiunea pe dioda Zener (D z ) ]i se trece [n tabel; Aceasta
trebuie s` fie [n jurul valorii de 6,2V;
 Se fixeaz` pentru V D valorile din tabelul 3.6. Se măsoară indirect
curentul în circuit. Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme
tranzistorul rămâne în saturaţie.
VS ,masurat
ID 
R18
 Se completeaz` tabelul 3.6 ]i se trasează graficul I D = f (V DS );
 Se determin` tensiunea V CC,minim pentru care circuitul men\ine curentul
constant.

Tabelul 3.6
V D [V] 13 14 15 16 17 18 19
V D,m`surat [V]
V S,m`surat [V]
V CC [V]
V DS [V]
V GS [V]
V Z = .... [V] I D [mA]

Fig. 3.15 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii curent-tensiune a sursei de

curent constant realizate cu MOS.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 17

3.3.3.4 Verificarea modelului dinamic

Estimarea r d în saturaţie
 Se realizează configuraţia din fig. 3.16. Se conectează şunturile J18,
J30 şi J37.
1
 Se conectează rezistenţa R J22  1,3k şi condensatorul C J20 (10μF) se
fixează VGS  2 ,1V şi V DS  5V . Generatorul de semnal este conectat şi
pornit, dar reglat la vS  0V . Potenţiometrul semireglabil R V5 se
reglează cu cursorul la masă.
 Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se
obţină V gs  10 mV şi se măsoară Vds . Rezultatele se trec în tabelul 3.7.
2
 Se repetă măsurătorile pentru RJ22  10k .
Se calculează:
1 RD2  RD1
rd ,sat  
g d ,sat RD2  vds1
1
RD1  vds 2

Tabelul 3.7
RD  R12  RJ 22 [ k ] 1,98 10 ,68
Vds [ mV ]

Fig. 3.16 Circuitul pentru măsurare a rezistenţei dinamice (r d ) şi a g m,sat în

saturaţie.
18 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator

Măsurarea conductanţei mutuale în saturaţie - g m,sat

 În configuraţia din fig. 3.16 se adaugă J22.
 Se reglează succesiv VGS la valorile din tabelul 3.8 menţinându-se de
fiecare dată VDS  5V , V gs  10 mV şi măsurându-se Vds .
 Se calculează conductanţa mutuală măsurată, g m ,sat 1 ,
vds
g m ,sat 1 
R12  vds VDS 5V
iar valorile se trec în tabelul 3.8.

Tabelul 3.8
VGS [ V ] 2 2,1 2,2 2,3 2,4
Vds [ mV ]
g m ,sat 1 [ mA / V ]
g m ,sat 2 [ mA / V ]

Cu ajutorul valorilor k n şi VT determinate anterior se calculează

conductanţa mutuală teoretică g m ,sat 2 , iar valorile se trec în tabelul 3.8.
g m ,sat 2  k n  ( VGS  VT )  2  k n  I D
Cu datele din tabelul 3.8 se trasează pe aceleaşi grafic, curbele:
C1: g m ,sat 1  f VGS  , pentru VDS  5V
C2: g m ,sat 2  f VGS 

Cum explicaţi diferenţele care rezultă între g m ,sat 1 (transconductanţa

măsurată) şi g m ,sat 2 (transconductanţa calculată)? Care este panta optim` pentru
ob\inerea unei amplific`ri maxime?

Măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară – g d,lin

 Se realizează configuraţia din fig. 3.17 conectându-se şunturile J30,
J37 şi RJ22  10k .
 Se reglează potenţiometru R V5 cu cursorul în masă.
 Se ajustează succesiv VGS la valorile din tabelul 3.9.
 Se modifică de fiecare dată amplitudinea generatorului astfel încât să
se obţină Vds  20 mV ;
 Se măsoară Vdd şi se trece în tabelul 3.9.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 19

Fig. 3.17 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară -

g d,lin .

Tabelul 3.9
VGS [ V ] 2 2,1 2,2
Vdd [ mV ]
g d ,lin1 [ mA / V ]
g d ,lin 2 [ mA / V ]

Utilizând datele din tabelul 3.9 se calculează pentru fiecare valoare a lui
VGS , parametrul
Vdd
1
Vds
g d ,lin1 
RJ 22  R12
VDS 0V

şi cu ajutorul lui k n şi VT parametrul

g d ,lin 2  k n  ( VGS  VT ) V  2  kn  I D
DS 0 VDS 0

Rezultatele se trec în tabelul 3.8. Cu datele din tabelul 3.8 se trasează

grafic curbele:
C3: g d ,lin1  f VGS  , pentru VDS  0V
C4: g d ,lin 2  f VGS  , pentru VDS  0V
C5: g d ,lin 3  f VGS  , pentru VDS  0V

Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă

măsurate prin diferite metode g d ,lin1 şi g d ,lin 2 şi conductanţa g d ,lin 3 calculată cu
relaţia?
20 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator
3.3.3.5 Amplificator de semnal mic cu MOS
Conexiunea utilizată pentru experimentarea amplificării MOS-ului este
sursa comună (SC) – fig. 3.18. Circuitul din fig. 3.18 se realizează în următoarele
etape:
 Se conectează şunturile J18, J22, J27, J30, J37;
 Se reglează Vcc la valoarea de 24V;
 Se conectează cele două canale ale osciloscopului ca în fig. 3.18;
 Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil R V8 astfel [nc@t
V DS =8V;
 Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil R V6 [n mas`;
 Se conectează generatorul de semnal pe poziţia şuntului J29;
 Se reglează semnalul pe grila tranzistorului T 6 la o amplitudine de
5-10 mV rms /1kHz;
 Se măsoară tensiunea rms la ieşire în absenţa distorsiunilor şi se
calculează amplificarea cu relaţia:
vo ,rms
Av 
vi ,rms
 Se verifică dacă defazajul între intrare şi ieşire este de 180o.

Fig. 3.18 Amplificator sursă comună cu MOS.

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 21

CAPITOLUL 3.4
{NTREBĂRI ŞI EXERCIŢII

3.4.1 OBIECTIVE

 Aprofundarea cunoştinţelor obţinute

3.4.2 ÎNTREBĂRI

I2. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice

prin menţinerea prea îndelungată a MOS-ului într-un regim de putere disipată
relativ mare (I D şi V DS mari)?

a) caracteristicile nu se modifică;
b) caracteristica de transfer nu se modifică dar cea de ieşire se modifică;
c) caracteristica de transfer se modifică dar cea de ieşire nu se modifică;
d) ambele caracteristici se modifică;
e) nici una din cele de mai sus.

I3. Ce se înţelege prin canalul MOS-ului?

a) regiunea dintre poartă şi drenă;

b) regiunea dintre poartă şi sursă;
c) regiunea de suprafa\` dintre drenă şi sursă [n care s-a realizat inversia;
d) conexiunea dintre două regiuni de poartă;
e) conexiunea de intrare a MOS.

I4. Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, I D =0 când:

a) V DS = 0V;
b) V GS < VT;
c) V GS > VT;
d) V GS = VT;
e) V DS = V GS .

I5. În regiunea liniară MOS-ul se comportă:

a) ca o rezistenţă comandată în tensiune;

b) ca o diodă;
c) ca o sursă de curent constant;
d) ca un etaj de amplificare;
e) ca un comutator deschis.
22 Dispozitive Electronice-Îndrumar de Laborator

3.4.3 EXERCIŢII

E.1 Se d` cicuitul din fig. 3.19. S` se calculeze psf-ul dispozitivelor din

circuit. Se cunosc: T (V T =2V, k n =1mA/V2), D Z (V Z =6,2V, I Z,min =1mA), R 1 =10kΩ,
R 2 =1kΩ, R L =1kΩ. Cu ce poate fi echivalat tranzistorul T?

Fig. 3.19

E.2 S` se estimeze valorile extreme pe care le poate avea rezistorul R L

(R L,min , R L,max ).

E.3 Se consideră etajul de amplificare cu tranzistor n-MOS din fig. 3.9.

Parametrii tranzistorului sunt: T (V T =2V, k n =1mA/V2, r o =100kΩ). Celelalte
componente au valorile: R G1 =6MΩ , R G2 =2MΩ, R S =1kΩ, R D =5kΩ, C 1 = C 2 =
C 3 =∞, iar V CC =24V. S` se calculeze punctul static de func\ionare, amplificarea
[n tensiune ]i rezisten\ele de intrare/ie]ire din etaj.
Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 23

Fig. 3.20 Schema electronică a modulului MCM4/EV.