11.2.

Efecte termoelectrice
11.2.1 Consideraţii generale.

Efectele termoelectrice care se produc în semiconductori sunt determinate de existenţa simultană,

în interiorul acestora, a unui gradient de temperatură şi a unui câmp electric. Există trei efecte
termoelectrice importante: efectul Seebeck (efectul termoelectric sau efectul termoelectric direct), efectul
Peltier (efectul electrotermic) şi efectul Thomson.
Efectul Seebeck consă în apariţia unei tensiuni electromotoare într-un eşantion semiconductor în
care există un gradient de temperatură sau într-un circuit format din (cel puţin) două materiale diferite
(conductoare şi/sau semiconductoare), ale căror joncţiuni (puncte de contact, suduri) sunt menţinute la
temperaturi diferite.
Efectul Peltier constă în degajarea sau absorbţia unei cantităţi de căldură la contactul (joncţiunea)
a două materiale semiconductoare când acest contact este parcurs de un curent electric continuu.
În sfârşit, efectul Thomson constă în absorbţia sau degajarea unei cantităţi de căldură
(suplimentară faţă de aceea degajată prin efect Joule) într-un semiconductor omogen, în care se realizează
un gradient de temperatură şi prin care circulă un curent electric.
Efectul Seebeck a fost descoprit în anul 1821, iar efectul Peltier în anul 1834. Se menţionează
faptul că nici unul dintre cei doi fizicieni nu au dat o interpretare corectă efectului pe care l-a descoperit
[292]. Imediat după descoperirea efectului, alcătuind circuitul clasic cu cele două materiale şi două suduri
menţinute la temperaturi diferite (Fig. 11.2), Seebeck atrage atenţia asupra deviaţiei unui ac magnetic
adus în apropierea circuitului şi trage concluzia că ar avea loc o „magnetizare” a celor două materiale la
apariţia unui gradient de temperatură. Mai mult, el face şi o „generalizare” a rezultatului obţinut,
menţionând că „magnetismul terestru s-ar datora diferenţei de temperatură dintre ecuator şi poli”.
Pe de altă parte, Peltier interpretează rezultatele obţinute considerând că legea lui Joule
(degajarea unei cantităţi de căldură la trecerea unui curent electric printr-un conductor) este valabilă
numai pentru curenţi cu intensitate mare.
O teorie unitară a celor două efecte a fost elaborată în 1854 de către Thomson, pe baze
termodinamice, acesta prezicând că trebuie să mai existe un efect care să se refere la degajarea sau
absorbţia de căldură într-un conductor în care există un gradient de temperatură şi prin care circulă un
curent electric în direcţia acestui gradient.
Aşa cum am arătat în paragrafele precedente, într-un semiconductor, purtătorii de sarcină
electrică transportă de asemenea şi energie. Dacă într-un semiconductor există şi un gradient de
temperatură după direcţia Ox, va avea loc un transport de energie, luând naştere un flux termic după
această direcţie. Dacă se aplică şi un câmp electric în direcţia gradientului de temperatură, viteza medie a
purtătorilor de sarcină se va modifica. Acesta este denumit câmp termoelectric.
Vom deduce în continuare legile de bază ale efectelor termoelectrice şi relaţiile dintre parametrii
caracteristici ai efectelor respective.

11.2.2. Efectul Seebeck

În general, efectul Seebeck1) constă în apariţia unei tensiuni electromotoare într-un circuit alcătuit
prin contactul (joncţiunea) a două materiale de natură diferită, aceste contacte fiind menţinute la
temperaturi diferite. Efectul se poate manifesta şi într-un eşantion semiconducor (cu dimensiuni finite),
dacă în acesta există un gradient de temperatură. Existenţa unei diferenţe de potenţial între două regiuni

1
Thomas Johan SEEBECK (1770 – 1831), medic şi fizician german. A descoperit în 1821 efectul termoelectric care îi poartă
numele. A studiat teoria culorilor (împreună cu Goethe, la Jena). A folosit în unele măsurători experimentale termocuplul, care
are la baza funcţionării efectul Seebeck.
8Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice.

ale unui semiconductor care se găsesc la temperaturi diferite, T1 şi respectiv T2, se poate explica uşor din
punct de vedere fizic. Spre exemplu, dacă materialul respectiv este un semiconductor de tip n, regiunea cu
temperatură mai mare are o concentraţie mai mare a purtătorilor de sarcină, ceea ce determină deplasarea
(prin difuzie) a purtătorilor respectivi spre regiunea cu temperatură mai mică (unde concentraţia este mai
mică) (Fig. 11.2 a). Dacă purtătorii de sarcină sunt electronii, deplasarea lor în regiunea cu temperatură
mai mică face ca această regiune să se încarce negativ, iar regiunea din care au „plecat” aceşti electroni să
rămână încărcată cu sarcină pozitivă (datorită prezenţei ionilor donori pozitivi formaţi prin plecarea
electronilor). „Separarea” sarcinilor electrice are ca rezultat apariţia unui câmp electric (cu sensul de la
sarcina pozitivă către cea negativă) care acţionează cu o forţă asupra electronilor, determinându-i să se
deplaseze din domeniul cu concentraţia mai mică spre cel cu concentraţia mai mare, opunându-se astfel
creşterii „nelimitate” a concentraţiei în regiunea cu temperatură mai joasă. În final se stabileşte un regim
staţionar. Tensiunea electromotoare staţionară care apare ca urmare a apariţiei câmpului electric se
numeşte tensiune termoelectromotoare a materialului.
La metale, concentraţia purtătorilor de sarcină nu variază cu temperatura, însă în regiunile cu
temperaturi diferite, electronii au energii diferite (energiile electronilor sunt mai mari în regiunile cu
temperaturi mai mari). Are loc o difuzie a electronilor cu energii mai mari spre regiuni cu temperaturi mai
mici. Astfel, şi în cazul metalelor, ia naştere un câmp electric care se opune deplasării electronilor prin
difuzie (determinată de energie) şi deci, în final, se stabileşte un regim staţionar. Însă, la metale efectul
este mult mai slab (tensiunea termoelectrică este mult mai mică în comparaţie cu semiconductorii)
deoarece concentraţia purtătorilor depinde foarte slab de temperatură.
Experimental, efectul Seebeck se pune de obicei în evidenţă şi prin apariţia unei tensiuni
electromotoare într-un circuit format din două materiale diferite (conductoare şi/sau semiconductoare), A
şi B, a căror joncţiuni (puncte de contact, suduri) sunt menţinute la temperaturi diferite, T1 şi T2.
„Întrerupând” unul dintre materiale, de exemplu pe B, şi introducând un instrument de măsură se poate
evidenţia, fie tensiunea, fie intensitatea curentului prin circuit (Fig. 11.2 b). Explicaţia este simplă şi în
cazul circuitului considerat. Astfel, în fiecare porţiune din semiconductorii A şi B (Fig. 11.2 b), apare un
gradient de temperatură întrucât cele două capete a fiecărei porţiuni se găsesc la temperaturi diferite, T1 şi
T2. Acest lucru duce la apariţia în fiecare material semiconductor a unui gradient de concentraţie şi, în
final, la capetele fiecărui material apare o diferenţă de potenţial, aşa cum s-a explicat mai sus.
T2

T1 T2 <T1 B

A V

V B

T1
(a)
(b)

Fig. 11.2. Efectul Seebeck într-un eşantion semiconductor (a) şi într-un circuit format
din două materiale diferite, A şi B, ale căror contacte
sunt menţinute la temperaturi diferite, T1 şi T2 (b).
Se presupune că aparatul de măsură este conectat prin fire de aceeaşi natură,
iar bornele sale se află ala aceeaşi temperatură.

Se constată experimental că diferenţa de potenţial (numită şi tensiune termoelectromotoare sau

tensiune Seebeck) care ia naştere, VAB, este proporţională cu diferenţa de temperatură, T  T2  T1 , dintre
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice. 9

contacte şi depinde de natura celor două materiale, adică

VAB   AB T , (11.77)
coeficientul de proporţionalitate, AB, numindu-se coeficient Seebeck diferenţial al perechii de materiale
A şi B (forţă (tensiune) termoelectromotoare diferenţială). Doarece, după cum vom arăta, în
semiconductori, AB poate să depindă puternic de temperatură, relaţia de mai sus este valabilă doar pentru
intervale mici de temperatură, T  dT, în interiorul cărora AB se poate considera constant. În acest caz,
vom putea scrie
dVAB   AB dT , (11.78)
tensiunea termoelectromotoare totală fiind integrala expresiei (11.78) pentru întreg circuitul, adică
T2
VAB    AB dT . (11.79)
T1

Aşa cum am menţionat, coeficientul Seebeck diferenţial depinde de natura celor două materiale
aflate în contact. Din acest motiv, din punct de vedere experimental, este greu de stabilit „rolul”
individual al fecărui material, mai ales că numărul perechilor de materiale semiconductoare este foarte
mare. Pe de altă parte, dacă s-ar şti cu certitudine că „aportul” unuia dintre materiale la valoarea tensiunii
electromotoare este foarte mic (sau nul), atunci, cu o bună aproximaţie, coeficientul Seebeck diferenţial ar
caracteriza în mod „absolut” celălalt material semiconductor (metal) cu care alcătuieşte joncţiunea.
Materiale care au o putere termoelectromotoare nulă sunt supraconductorii. Întrucât în practică, la
temperaturi uzuale, este destul de dificil de alcătuit joncţiuni semiconductor-supraconductor, se preferă ca
aceste joncţiuni, care să permită determinarea coeficientului Seebeck absolut, să se realizeze cu metale, a
căror forţă termoelectromotoare este aşa cum am spus foarte mică. Un astfel de metal este plumbul care
are coeficientul Seebeck foarte mic. Dacă în unele tabele sunt date valorile coeficientului Seebeck absolut
pentru diferite materiale, fără să se indice care este cel de al doilea material, se poate subînţelege că acesta
a fost plumbul. În practică, când se determină coeficientul Seebeck pentru un semiconductor se poate lua
ca un al doilea material un metal oarecare deoarece, aşa cum am precizat, acestea din urmă au coeficienţi
Seebeck foarte mici în comparaţie cu cei ai semiconductorilor.
Calculele şi determinările experimentale au arătat că între coeficientul Seebeck diferenţial al unei
perechi de materiale A şi B, AB şi tensiunile termoelectromotoare absolute (coeficienţii Seebeck absoluţi)
ale acestor materiale, A şi B, există următoarea relaţie:
 AB   A   B , (11.80)
unde A şi B pot fi negativi sau pozitivi, în funcţie de tipul de conducţie (n sau p) al celor două materiale.
Din (11.79) şi (11.80) se poate constata că tensiunea Seebeck este nulă dacă circuitul este alcătuit
din materiale identice (A = B) sau dacă contactele se găsesc la aceeaşi temperatură.
Coeficientul Seebeck al unui material sau a unei perechi de materiale este definită ca tensiunea
electromotoare care ia naştere pentru o diferenţă de temperatură de 1 K şi se măsoară în V/K (se foloseşte
de obicei unitatea V/K).
Cea mai importantă aplicaţie a efectului Seebeck este termocuplul, utilizat cu succes în diferite
domenii din tehnică şi din cercetarea ştiinţifică [267, 312, 248]. Termocuplul se confecţionează de obicei
din metale şi aliaje ale acestora. Semiconductorii, deşi au o sensibilitate termoelectrică mai ridicată, se
folosesc mai rar deoarece pot avea o variaţie prea mare (şi uneori complicată) a coeficientului Seebeck cu
temperatura. Metalele şi aliajele se folosesc datorită dependenţei mai slabe a coeficientului Seebeck de
temperatură, a influenţei mai mici a impurităţilor, stabilităţii termice şi chimice mai mari etc.
Termocuplurile cu semiconductori se folosesc în domeniul temperaturilor joase şi în cazuri speciale.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice.
10

1/T

Fig. 11.3. Aspectul teoretic al dependenţei de temperatură a coeficientului

Seebeck pentru semiconductori extrinseci.

Termocuplul măsoară temperatura uneia dintre suduri (joncţiuni), cealaltă fiind menţinută la o
temperatură de referinţă (cunoscută) [67, 127, 173, 248, 292].
O altă aplicaţie a efectului Seebeck îl constituie termoelementele (generatoare termoelectrice),
care sunt dispozitive ce transformă energia termică în energie electrică [249]. Dispozitivul este
confecţionat din doi semiconductori de natură diferită, A şi B, unul de tip n, iar altul de tip p, în contact cu
două plăci metalice, M1 şi M2 care au şi rolul de electrozi de contact (Fig. 11.4). Plăcile metalice sunt
menţinute la temperaturile T1 şi T2. Astfel, dacă A este un semiconductor de tip p şi T1 > T2, atunci apare o
sarcină pozitivă în partea superioară a ramurii A şi o sarcină negativă în partea inferioară a acesteia. În
ramura B, care este un semiconductor de tip n, în partea superioară apare o sarcină electrică negativă, iar
în partea inferioară o sarcină pozitivă. În acest fel, între plăcile metalice M 1 apare o tensiune electrică (v.
Fig. 11.4). Dimensiunile termoelementelor sunt mici, din acest motiv putându-se conecta mai multe
asemenea termoelemente pentru a forma „baterii de termoelemente” care pot asigura suficientă energie
pentru alimentarea unor aparate digitale, staţii de emisie ş.a.
T2 < T1
M2
+ –

A B
ti
p
p n
– ti
p +
(–) p (+)
M1 p M1
T1 T1

Fig. 11.4. Termoelement. A, B – materiale semiconductoare de tip p şi n;

Dacă plăcile metalice M1 şi M2 sunt menţinute la temperaturi diferite,
între terminale apare o diferenţă de potenţial.

11.2.4. Efectul Peltier (efectul electrotermic)

Când prin contactul (joncţiunea) dintre două materiale semiconductoare de natură diferită circulă
un curent electric (în absenţa unui gradient de temperatură), la contact are loc fie o degajare, fie o
absorbţie de căldură, în funcţie de sensul curentului electric prin contactul respectiv. Acest fenomen
poartă denumirea de efect Peltier1) (efect electrotermic) şi apare independent de efectul Joule.
Experimental, se constată că modificând sensul curentului prin contact (menţinând nemodificată
intensitatea acestuia), se modifică şi „sensul” efectului, adică dacă într-un sens al curentului, la contact se
degajă o cantitate de căldură, când curentul circulă în sens invers, la acelaşi contact se absoarbe aceeaşi

1
Jean Charles Athanase PELTIER (1785 – 1845), fizician francez. Descoperă în 1834 efectul (fenomenul) termoelectric care îi
poartă numele.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice. 11

cantitate de căldură. De asemenea, cantitatea de căldură absorbită sau degajată la contact depinde de
natura materialelor care îl formează, de intensitatea curentului, I şi de timpul cât trece curentul, dt, adică
această cantitate de căldură se poate scrie sub forma
dQAB   AB Idt , (11.123)
unde AB este coeficientul Peltier. dQAB (şi AB) îndică faptul că trecerea curentului se face de la
materialul A la materialul B. Similar, notaţiile dQBA (şi BA) se referă la cazul în care curentul circulă în
sens invers, de la materialul B la materialul A. Este evident că,
dQBA   BAIdt  dQAB   AB Idt . (11.124)
Dacă cantitatea de căldură este degajată, aceasta se consideră pozitivă. Astfel, i j indică o
degajare de căldură în cazul în care curentul circulă de la materialul i la materialul j.
Efectul Peltier se poate pune în evidenţă şi la trecerea curentului printr-un material neomogen (de
exemplu, un semiconductor dopat neuniform) [267].
În principiu, efectul Peltier poate fi explicat dacă se ţine seama că la contactul dintre cele două
materiale ia naştere un câmp electric de contact (şi implicit, o barieră de potenţial 1). La trecerea prin
contact a unui curent electric, câmpul electric de contact fie favorizează trecerea curentului, fie se opune
trecerii curentului respectiv. Dacă curentul circulă în sens invers câmpului electric care ia naştere în
regiunea de contact, atunci sursa de tensiune exterioară, care determină apariţia curentului electric, trebuie
să furnizeze o energie suplimentară care se „distribuie” (degajă) în contact, având ca efect încălzirea
acestuia. Însă dacă curentul are acelaşi sens cu câmpul electric de contact, atunci el poate fi „întreţinut” de
acest câmp, care efectuează un lucru mecanic pentru transferul sarcinii prin contact. Energia necesară
pentru aceasta este absorbită de la materiale în zona de contact, ceea ce duce la răcirea acesteia.
Experimental, efectul poate fi pus în evidenţă cu ajutorul unui circuit similar cu acela prezentat în
Fig. 11.5 a. Pentru a crea un curent electric se conectează în circuit o sursă de tensiune.
În condiţii staţionare cele două contacte, C1 şi C2, absorb şi degajă cantităţi egale de căldură
(pentru întreg circuitul, variaţia temperaturii este egală cu zero, T = 0).
Pentru o explicaţie fenomenologică a fenomenului, se poate folosi diagrama energetică a
contactului. Să considerăm că acest contact este format dintr-un metal şi un semiconductor de tip n (Fig.
11.5 b). Se poate observa că electronii, care trec din metal în banda de conducţie a semiconductorului sub
acţiunea curentului electric, au de escaladat o barieră de potenţial şi, pentru a efectua această escaladare,
ei au nevoie de o energie suplimentară pe care o absorb de la reţeaua cristalină din vecinătatea
contactului, care astfel se răceşte. Dimpotrivă, dacă electronii sunt antrenaţi de câmpul extern să se
deplaseze de la semiconductor spre metal, aceştia vor ceda o cantitate de energie reţelei din vecinătatea
contactului şi astfel contactul respectiv se încălzeşte.
Pentru a explica efectul în cazul unui semiconductor neomogen, vom considera un astfel de
semiconductor în care distanţa dintre poziţia nivelului Fermi şi marginea inferioară a benzii de conducţie
variază ca urmare a variaţiei concentraţiei impurităţilor (v. § 8.4 şi Fig. 8.18) determinată, de exemplu, de
doparea neuniformă a semiconductorului respectiv.

1
Cititorul va înţelege mai bine aceste fenomene după parcurgerea Capitolului XV, referitor la fenomenele de suprafaţă din
semiconductori, în special a § 15.9, referitor la contactul metal-semiconductor.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice.
12

semiconductor
metal r
C2
BC
B EC
E
1 F
1
A
EV
BV 1

C1
(b)
(a)

Fig. 11.5. Efectul Peltier. (a) – circuitul format din cele două materiale
şi sursa de tensiune. La contactele C1 şi C2 se absorb şi se degajă
cantităţi egale de căldură; (b) – diagrama energetică a contactului
dintre un semicondictor de tip n şi un metal.

În funcţie de sensul curentului, electronii pot fi antrenaţi spre domenii cu energii mai mari, ceea
ce duce la răcirea cristalului datorită absorbţiei de energie de la reţeaua cristalină sau dimpotrivă, în cazul
în care electronii sunt antrenaţi spre domenii cu energii mai mici, are loc o încălzire a cristalului în
domeniul respectiv, întrucât electronii cedează energie reţelei.
Pe baza efectului Peltier au fost confecţionaţi generatorii de căldură sau refrigeratorii
(microfigidere) cu semiconductori, având o construcţie similară cu cea a termogeneratoarelor, prezentată
în Fig. 11.4 [249].

11.2.5. Efectul Thomson1)

Efectul Thomson2) constă în absorbţia sau degajarea unei cantităţi de căldură într-un
semiconductor omogen în care se realizează un gradient de temperatură longitudinal şi prin care circulă
un curent electric în direcţia acestui gradient.
Thomson „descoperă” acest efect pe baza unor considerente termodinamice, corelându-l cu
celelealte două efecte termoelectrice (Seebeck şi Peltier), descrise în paragrafele anterioare.
Pentru a explica fenomenologic acest efect, vom presupune că într-un semiconductor de tip n,
prin care circulă un curent electric continuu (staţionar), este realizat şi un gradient de temperatură
longitudinal, printr-o încălzire neuniformă (Fig. 11.6).
A B

I
jex

T TB > TA

dT/dx
TA

Fig. 11.6. Punerea în evidenţă a efectului Thomson în cazul unui semiconductor de tip n

1
William THOMSON (lord Kelvin) (1824 – 1907), fizician englez. Are numeroase lucrări în termodinamică, propunând în 1854,
scara temperaturilor absolute (Scara Kelvin). A studiat fenomenele electromagnetice şi are contribuţii importante în domeniul
hidrodinamicii şi a elasticităţii. Împreună cu Joule descoperă o posibilitate de răcire a gazelor (efectul Joule-Thomson). A
descoperit efectul termoelectric, care îi poartă numele, în 1856.
2
W. THOMSON, Mat. Phys. Papers (Cambridge), 1 (1882) 233, 266; 2 (1882) 192.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice. 13

Dacă diferenţa de temperatură la capetele A şi B ale eşantionului este constantă (TB > TA),
electronii de la capătul B al eşantionului au o energie termică mai mare decât cei de la capătul A.
În cazul în care sensul curentului electric este invers sensului de creştere a temperaturii, electronii
care se deplasează de la capătul A spre capătul B (electronii se deplasează în sens invers sensului
convenţional al curentului electric) vor trebui să primească un surplus de energie, încât să ajungă la
capătul B cu o energie corespunzătoare temperaturii TB. Însă, sursa de tensiune exterioară, care generază
curentul electric prin eşantion, asigură electronilor doar energia necesară pentru ca aceştia să-şi menţină
constantă viteza de drift, nemodificând şi energia termică a acestora. Din acest motiv, pentru a ajunge în
capătul B cu o energie termică mai mare, electronii trebuie să preia o cantitate (surplus) de energie de la
reţeaua cristalină, determinând astfel o răcire a eşantionului.
Dacă se inversează sensul curentului electric, electronii deplasându-se acum în sensul scăderii
temperaturii vor trebui să elibereze (cedeze) reţelei cristaline surplusul de energie termică pentru a ajunge
la capătul A cu o energie mai mică. Ca rezultat, conductorul se încălzeşte.
Experimental se constată că, cantitatea de căldură degajată sau absorbită în unitatea de volum,
numită căldură Thomson, este proporţioală cu gradientul de temperatură, cu densitatea de curent electric
şi cu timpul cât circulă curentul prin eşantion, adică se poate scrie sub forma [236, 255, 267]:
dT
dQ  T  jex  dt , (11.125)
dx
dT
în care T se numeşte coeficient Thomson, iar este gradientul de temperatură. Coeficientul Thomson
dx
se consideră pozitiv dacă sensul gradientului de temperatură şi cel al curentului coincid şi negativ în caz
contrar.
Cantitatea de căldură, dQ , se adaugă (sau se scade dacă T < 0) la căldura degajată prin efect
Joule. De remarcat însă că spre deosebire de căldura degajată prin efect Joule, care este proporţională cu
pătratul densităţii de curent, căldura Thomson depinde de puterea întâi a acestei densităţi de curent.
Aşa cum am precizat, Thomson a elaborat o teorie unitară a celor trei efecte termoelectrice
prezentate, care sunt strâns legate unele de altele. În cadrul acestei teorii s-a stabilit şi legătura între
coeficienţii care le caracterizează prin aşa numitele ecuaţii Thomson (numite şi relaţiile Kelvin) [267,
236]:
=T (11.134)
d
T T , (11.135)
dT
,  şi T fiind respectiv coeficienţii Seebeck, Peltier şi Thomson. Aceste relaţii sunt foarte importante
deoarece pe baza lor se pot calcula coeficienţii Peltier şi Thomson care sunt mai dificil de determinat
experimental (v. Anexa XI.3). Îniţial, aceste relaţii au fost deduse din considerente termodinamice, iar
ulterior au fost fundamentate riguros pe baza termodinamicii proceselor ireversibile [13, 88, 155, 216,
267].

11.3. Efecte termomagnetice

11.3.1. Consideraţii generale

Efectele termomagnetice iau naştere în materialele semiconductoare, fiind determinate de

acţiunea simultană asupra acestora a unui câmp electric, a unui câmp magnetic şi a unui gradient de
temperatură [13, 267, 294].
Astfel, dacă fluxul purtătorilor de sarcină într-un semiconductor este determinat de existenţa unui
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice.
14

gradient de temperatură (şi implicit, de concentraţie), la aplicarea unui câmp magnetic perpendicular pe
direcţia fluxului respectiv, traiectoriile purtătorilor de sarcină vor fi modificate asemănător cu modificarea
acestora în cazul efectului Hall (§ 10.1). Fenomenele termomagnetice pot determina şi apariţia unor
gradienţi de temperatură transversali şi a unor câmpuri electrice longitudinale şi/sau tranversale faţă de
direcţia fluxului iniţial de purtători de sarcină.
Sunt trei efecte termomagnetice care sunt studiate mai intens, întrucât datele experimentale
obţinute ne pot furniza informaţii referitoare la valorile unor parametri caracteristici ai materialelor
semiconductoare (tipul purtătorilor de sarcină, natura mecanismelor de împrăştiere care predomină,
mobilitatea purtătorilor ş.a.). Aceste efecte sunt: efectul Ettingshausen, efectul Nernst şi efectul Righi-
Leduc. Vom explica pe scurt caracteristicile acestor efecte. În acest sens, vom studia mişcarea purtătorilor
de sarcină sub acţiunea câmpurilor menţionate, într-un sistem de coordonate în care, vom considera că
inducţia magnetică, B , este orientată după axa Oz, iar intensitatea câmpului electric şi/sau a gradientului
de temperatură sunt orientate în direcţia Ox. În aceste condiţii se pot observa o serie de efecte dintre care,
cele numite transversale se referă la apariţia unor gradienţi de temperatură sau a unor tensiuni
electromotoare după o direcţie normală la fluxurile care sunt orientate iniţial după axa Ox, respectiv, după
direcţia Oy.
La studiul efectului Hall (§ 10.8), nu am luat în considerare posibilitatea apariţiei unui gradient de
temperatură transversal (în direcţia axei Oy, respectiv în direcţia câmpului electric Hall), adică am
presupus că dT/dy = 0 şi deci, s-a presupus existenţa unor condiţii izoterme. Acest tip de efect Hall se
numeşte efectul Hall izoterm. În general, în studiul fenomenelor termomagnetice, efectele izoterme sunt
definite prin condiţia dT/dy = 0, proba aflându-se în permanent contact cu un termostat, menţinându-i-se
temperatura constantă.
Însă, în condiţii de adiabaticitate (efectul Hall adiabatic), poate apare un gradient de temperatură
nenul în direcţia axei Oy (dT/dy  0) şi, la tensiunea Hall (câmpul electric Hall) determinată pentru cazul
în care se consideră dT/dy = 0, trebuie să mai adăugăm o tensiune termoelectromotoare, care ia naştere ca
urmare a existenţei gradientului de temperatură (v. § 11.2.3) şi care este o măsură a adiabaticităţii
efectului Hall.
În studiul efectului Hall, aceste tensiuni termoelectromotoare sunt considerate ca fiind „parazite”
şi se pot „exclude” efectuând mai multe măsurători în care se inversează sensul curentului electric prin
circuit sau/şi sensul inducţiei magnetice sau folosind anumite scheme de compensare [155, 236, 267,
294].

11.3.2. Efectul Ettingshausen1)

Efectul Ettingshausen2) constă în apariţia unui gradient de temperatură transversal (în direcţia
câmpului electric Hall (v. § 10.1)) într-un eşantion semiconductor, prin care circulă un curent electric şi
care se găseşte într-un câmp magnetic. În condiţii utilizate frecvent pentru măsurarea coeficientului Hall,
în majoritatea materialelor semiconductoare, aproximativ 1% din valoarea tensiunii Hall măsurată, este
datorată efectului Ettingshausen (v. Anexa XI.3). Însă, utilizând un curent electric alternativ, cu o
frecvenţă de circa 50 Hz, gradientul de temperatură transversal nu „reuşeşte” să se stabilească (transportul
de căldură este un proces relativ lent) şi, din această cauză, măsurătorile indică direct tensiunea Hall
izotermă.

1
Baronul Andreas von ETTINGSHAUSEN (1796 - 1887), matematician şi fizician german. În 1887, la 91 de ani, descoperă
efectul, numit de el, termomagnetic. Mai târziu a primit denumirea de efect Ettingshausen sau efect Ettingshausen-Nernst.
Ettingshausen arăta că acest efect constă în următoarele: “Dacă printr-un conductor omogen circulă un curent electric, iar
conductorul este sub acţiunea unui câmp magnetic transversal, se produce o scădere de temperatură care poate fi folosită la
răcire.”
2
A. ETTINGSHAUSEN, W. NERNST, Wiener Ber., 94 (1886) 560; Zs. f. Elektrotechn., 4 (1886) 549.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice. 15

Se poate explica, prin raţionamente fizice simple, modul de apariţie a efectului Ettingshausen. Să
considerăm o plachetă paralelipipedică, de tipul celei utilizate la studiul efectului Hall, confecţionată
dintr-un semiconductor de tip n. S-a explicat la studiul efectului Hall (§ 10.1) că în condiţii staţionare, ia
naştere un câmp electric EH, numit câmp electric Hall. Am arătat că, asupra electronilor care se
deplasează cu viteza de drift, ve, sub acţiunea câmpului Ex acţionează două forţe după aceeaşi direcţie, dar
având sensuri contrare: forţa Lorentz, FLe  eve B şi forţa datorată câmpului electric Hall, FEe  eE H .
La echilibru cele două forţe sunt egale şi, după simplificări, putem scrie că
E H  vem B , (11.136)
relaţia fiind satisfăcută numai pentru valori medii ale vitezei de drift, vem (pe care o considerăm aceeaşi
pentru toţi electronii).
În realitate, datorită distribuţiei după viteze, electronii se mişcă cu viteze de drift diferite. Pentru
electronii mai rapizi (numiţi „electroni firbinţi”), care au viteze mai mari decât viteza medie, determinată
din (11.136) (ve1 > vem), forţa Lorentz (care este proporţională cu viteza) va fi mai mare decât forţa
datorată câmpului electric Hall (forţa cu care EH acţionează asupra acestora nu depinde de viteză) şi
aceştia vor fi deviaţi în sensul forţei Lorentz, adică spre marginea inferioară, M 1, a eşantionului (Fig.
11.6). Electronii care au viteze mai mici decât vem (numiţi „electronii reci”) (ve2 < vem) vor fi deviaţi în
sensul forţei datorate câmpului Hall. Aceşti electroni se acumulează pe marginea superioară, M 2, a
eşantionului. Dacă temperatura iniţială a plachetei, înainte de aplicarea câmpului magnetic este T, fiind
considerată constantă în întreg eşantionul, atunci în urma aplicării câmpului magnetic, electronii cu viteze
mai mari (deviaţi spre marginea M1) cedează surplusul lor de energie reţelei cristaline şi, ca rezultat, în
regiunea respectivă temperatura creşte, devenind T1 > T. La marginea M2 a eşantionului, unde sunt deviaţi
electronii cu viteze mai mici, aceştia, pentru a ajunge în echilibru termic cu reţeaua, aflată la temperatura
T, vor absorbi o cantitate de energie de la reţea şi, în consecinţă, temperatura eşantionului în acest
domeniu scade, devenind T2 < T.

y electroni cu ve = vem
x M2 T2 < T
electroni “reci”
+ + + + + + + +
z FEe electroni “fierbinţi”
FEe
v e  v em v e 2  v em
FLe FLe
Ex v e1  v em FEe
jex
EH
FLe
– – – – – – – –
M1 T1 > T
B

Fig. 11.6. Efectul Ettingshausen într-un eşantion semiconductor de tip n.

Apariţia unui gradient de temperatură transversal dT/dy  0.
Electronii „firbinţi”, cu viteze ve1 > vem, sunt deviaţi în sensul forţei Lorentz, iar cei „reci”, cu viteze ve2 < vem, sunt deviaţi în
sensul forţei determinată de câmpul electric Hall.
Cu „+” şi „–” sunt figurate sarcinile acumulate deja la marginile eşantionului ca urmare a efectului Hall.

În acest mod, ia naştere un gradient de temperatură transversal, dT/dy  0, care dă naştere unor
fluxuri de energie a putătorilor de sarcină din regiunea cu temperatură mai mare, T1 în regiunea cu
temperatură mai mică, T2. În final, se stabileşte un regim staţionar între devierea purtătorilor în sensuri
diferite în funcţie de vitezele lor şi tendinţa de egalizare a diferenţei de temperatură apărută ca urmare a
transportului de căldură (energie) de la regiunea cu temperatură mai mare la cea cu temperatură mai mică.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice.
16

Pentru semiconductorul de tip n considerat de noi, în regiunea în care, ca rezultat a efectului Hall,
se acumulează electronii, formând o sarcină negativă, sunt deviaţi şi electronii mai fierbinţi ducând la
creşterea temperaturii. Creşterea temperaturii la marginea M1 a eşantionului determină o creştere a
concentraţiei electronilor care devine mai mare decât concentraţia electronilor de la marginea M 2 (unde
temperatura este T2 < T). Deci, în regiunea cu temperatură mai mare este acumulată o sarcină negativă
suplimentară. Din acest motiv, semnul tensiunii termoelectromotoare într-un semiconductor de tip n este
negativ (adică acelaşi cu semnul coeficientului Hall) şi deci, această tensiune determinată de efectul
Ettingshausen se compune (adună) cu tensiunea Hall.
În mod analog se explică efectul Ettingshausen în semiconductorii de tip p.

11.3.3. Efectul Nernst 1)

Efectul Nernst2) (descoperit în 1886) constă în apariţia într-un eşantion semiconductor, în care
există un gradient de temperatură longitudinal şi care se află într-un câmp magnetic transversal la direcţia
acestui gradient, a unui câmp electric orientat normal atât la direcţia câmpului magnetic cât şi a
gradientului de temperatură.
Acest efect se manifestă atât la semiconductori cât şi, într-o măsură mai mică, la metale.
Pentru a explica apariţia efectului la semiconductori vom folosi tot o plachetă paralelipipedică de
tipul celei utilizate pentru explicarea efectului Hall sau a efectului Ettingshausen (Fig. 11.7). Se poate da
următoarea interpretare fizică simplă efectului Nernst. Considerăm că eşantionul este confecţionat dintr-
un semiconductor de tip n, în acesta realizându-se un gradient de temperatură în direcţia axei Ox.
Aşa cum am mai arătat, în prezenţa gradientului de temperatură, concentraţia purtătorilor de
sarcină (a electronilor, în cazul considerat) va fi mai mare în regiunea cu temperatură mai mare (marginea
L2, în Fig. 11.7) decât în cea cu temperatură mai mică (marginea L1 în Fig. 11.7). Ca urmare, apare un
fenomen de difuzie a purtătorilor de sarcină din regiunea cu temperatură mai mare spre cea cu
temperatură mai mică. În momentul aplicării unui câmp magnetic perpendicular pe direcţia gradientului
de temperatură, purtătorii de sarcină aflaţi în mişcare vor fi deviaţi ca şi în cazul efectului Hall spre
marginea M1 a eşantionului. Ca rezultat, va apare pe direcţia axei Ox un câmp electric tranversal, Ey.

Fig. 11.7. Efectul Nernst. Apariţia unei diferenţe de potenţial în

y
x
M2
z + + + + + + + +

L1 L2

Ey
– – – – – – –
–
T1 < T M1 T2 > T
B
direcţie transversală, ca urmare a existenţei unui gradient de temperatură
longitudinal într-un eşantion aflat în câmp magnetic. Au fost figuraţi simbolic
doar purtătorii „suplimentari” care apar în regiunea mai caldă faţă de cea rece.

1
Walther Hermann NERNST (1864 – 1941), matematician şi fizician german. A formulat principiul al III-lea al termodinamicii
(care îi poartă numele) şi a efectuat o serie de lucrări de electrochimie: teoria difuziei electrolitice, teoria osmotică a pilelor
electrice etc. A dezvoltat tehnica măsurării căldurilor specifice la temperaturi joase. În 1920 i se conferă premiul Nobel pentru
chimie.
2
W. NERNST, Wied. Ann., 31 (1887) 760.
Capitolul XI – Conducţia termică. Efecte termoelectrice şi termomagnetice. 17

Cu alte cuvinte, efectul Nernst este similar cu efectul Hall, cu deosebirea că „factorul” care
determină mişcarea purtătorilor este datorat difuziei acestora sub influenţa gradientului de temperatură (şi
implicit, de concentraţie) şi nu câmpului electric longitudinal, ca în cazul efectului Hall.

11.3.4. Efectul Righi-Leduc transversal

Efectul Righi-Leduc constă în apariţia unui gradient de temperatură transversal la acţiunea unui
câmp magnetic asupra unui semiconductor în care există un gradient de temperatură longitudinal.
Şi acest efect îl vom studia tot în cazul unui eşantion de formă paralelipipedică (Fig. 11.8). Să
considerăm tot un semiconductor de tip n în care este realizat un gradient de temperatură (menţinând
marginile L1 şi L2 la temperaturi diferite T1 şi T2 (T2 > T1)). Aşa cum am mai menţionat, va apare un
fenomen de difuzie determinat de deplasarea electronilor din regiunea cu temperatură mai mare spre
regiunea cu temperatură mai mică.

y
x M2 T4
electroni “reci”
z electroni “fierbinţi”
dT
T1 T2 > T1
dy
L1 dT L2
dx

M1 T3 > T4
B

Fig. 11.8. Efectul Righi-Leduc într-un semiconductor de tip n.

Electronii „reci” şi cei „firbinţi”, care se deplasează de la marginea caldă, L2,
spre cea rece, L1, sunt deviaţi spre feţe opuse ale eşantionului,
M1 şi M2, care se vor încălzi şi respectiv răci.

Similar cu cazul efectului Ettingshausen, câmpul magnetic orientat normal la planul plachetei
(Fig. 11.8) deviază electronii „fierbinţi” (cu energii mai mari decât cea medie) spre marginea inferioară a
eşentionului şi electronii „reci” (cu energii mai mici decât cea medie) spre marginea superioară. Electronii
cu energii mai mari cedează o parte din energie reţelei şi, în regiunea respectivă temperatura creşte, iar
electronii cu energii mici absorb o cantitate de energie de la reţea şi temperatura reţelei în regiunea
respectivă scade. Fie T3 şi T4 temperaturile la care se găsesc marginile M1 şi M2 ale eşantionului (evident,
dT
conform cu cele discutate, T3 < T4). Ia naştere un gradient de temperatură transversal,  0 , care
dy
dT
depinde de gradientul de temperatură longitudinal, şi de inducţia magnetică, B, prin relaţia [155, 236,
dx
255]
dT dT
 SB , (11.155)
dy dx
în care S este coeficientul Righi-Leduc.
 Fizica semiconductorilor
1. De ce?
miniaturizare; lucrul la frecvenţe Concentraţia Mobilitatea
ridicate; functionarea in condiţii impurităţilor electronilor
variate etc. (cm-3) (cm2/Vsec)
1014 1500
Ge: 1015 1500
Eg = 0.7 eV  60 – 80 oC;  mare 1016 1400
Si: (7 nm ~ 14 atomi Si) 1017 1200
1018 800
1019 200
Eg = 1.1 eV  200 – 210 oC;  mic 1020 90

puritate: max 10-14 % (7 nm ~ 14 atomi Si)

Numărul materialelor semiconductoare de ordinul

sutelor  Clasificare cantitativă şi calitativă

cantitativ:
Conductoare: 104 – 106 -1cm-1
Semiconductori: 10-10 – 104 -1cm-1
Izolatoare: 10-20 – 10-10 -1cm-1

calitativ:
metale: (T) = 0(1+T); >0
semiconductori: (T) = 0exp(b/T); fotoconductia!!!
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2. Structuri cristaline tipice pentru materiale semiconductoare
1

1. Structura cristalină a diamantului.

Se observă caracterul tetraedric al
2 legăturilor

3 5

 1 1 1
Cl–  
2 2 2

2. Structura cristalină de tip

+ = NaCl

Na+ (000)
 3. ZnS: structura de tip würtzit (a)
şi blendă (b).

4. Structura cristalină a Se şi Te

3. Tipuri de materiale semiconductoare

3.1. Elemente semiconductoare (semiconductori elementali/atomici)

Grupa III IV V VI VII VIII

Perioada
II 5B 6C N O F Ne
III Al 14Si 15P 16S Cl Ar
IV Ga 32Ge 33As 34Se Br Kr
V In 50Sn 51Sb 52Te 53I Xe
VI Tl Pb 83Bi Po At Rn

2
3.1.a. Grupa a III-a
Bor (poate avea unele proprietăţi semiconductoare)
 numărul atomilor din celula elementară: între 12 şi 1708
 mai cunoscute: B-12, B-50, B-78, B-84, B-90, B-100, B-105, B-108, B-134,
B-192, B-700, B-1482 şi B-1708 (numărul de atomi din celula elementară)
1

– atom de bor
„Fragment” din structura cristalină a borului B-12 >>>>>>>>>>>>>
 „Fragment” din structura
(tetragonală) a borului 50
<<<<<<<<<<<<<<

3.1.b – Grupa a IV-a: carbon (diamant şi grafit), siliciu, germaniu şi staniu.

structură de tip diamant, legătură chimică covalentă formată după hibridizarea sp3
Siliciu:
- 27,6% din masa scoarţei Pământului. Sub formă de bioxid de siliciu, silicaţi etc.)
- Punct de topire: 1423oC
Germaniu: punct de topire: 959oC

3.1.c – Grupa a V-a: fosfor, arsen, stibiu, bismut

(fără aplicaţii dar componente a unui număr mare de compuşi
semiconductori binari)

Fosfor – trei modificaţii alotropice importante: „alb”, „roşu” „negru”

Structura cristalină stratificată a fosforului „negru” >>>>>>>>>>>>>>>

Arsen - mai multe modificaţii alotropice

<< Structura cristalină a arseniului „gri” (-As). Structură similară au Sb şi Bi

Stibiu (antimoniu): două faze amorfe („galben” şi „negru”)

Bismut – reţea romboedrică

3.1.d – Grupa a VI-a: sulf, seleniu şi telur

Acestea şi compuşii binari ai acestora se numesc calcogenuri

Sulf – număr mare de modificaţii cristaline şi amorfe: structură rombică sau monoclinică

<<<<<< Structura cristalină a sulfului romboedric (-sulf).

Se observă prezenţa unor „inele” formate din câte şase atomi de
sulf

Seleniu: punct de topire: 217oC Telur: punct de topire: 449,8OC

3.2. Compuşi semiconductori
două componente (binari), trei componente (ternari), patru componente (cuaternari)
Legătura cristalină este mixtă: ionică şi covalentă!!!

3.2.1. Compuşi semiconductori binari (legătura cristalină este mixtă: ionică şi covalentă)
- substituţii transversale (înlocuiri în direcţii perpendiculare pe „şirul” elementelor grupei a IV-a)
Exemple: Ge → GaAs → ZnSe ; Sn → InSb → CdTe
SAU
- substituţii longitudinale (înlocuind un anumit element cu altul din aceeaşi grupă)
Exemple: GaN → GaP → GaAs → GaSb sau AlP → GaP → InP.
Grupa, din sistemul periodic, din care
face parte componentul respectiv

modul de notare >>>>>

AIIBVI AIIIBV A2IIIB3VI Numărul de atomi din
Alte II-VI III-V element în compus
notaţii 2-6 3-5
CdS AlSb In2Se3
ZnS InSb In2Te3
Exemple CdSe GaSb Ga2Se3
ZnSe GaAs Ga2Te3

Compuşi AIIIBV Compuşi AIIBVI

Temperatura Temperatura de
Formula Tipul Simbol Denumirea compusului
de topire topire (OC)
chimică reţelei
(oC)
GaN würtzit  1300 ZnS sulfură de zinc 1380
GaP blendă 1550 ZnSe seleniură de zinc 1515
GaAs blendă 1237 CdS sulfură de cadmiu 1750
GaSb blendă 703 CdSe seleniură de cadmiu 1258
InP blendă 1058 ZnTe telurură de zinc 1295
InAs blendă 943 CdTe telurură de cadmiu 1098
InSb blendă 525 HgS sulfură de mercur 1450
HgSe seleniură de mercur 800
Compuşi de tipul AIVBVI HgTe telurură de mercur 670

Formula Parametrii Temperatura

Denumirea compusului Tipul reţelei
chimică reţelei (Ǻ) de topire (oC)
PbS Sulfură de plumb NaCl a = 5,936 1119
PbSe Seleniură de plumb NaCl a = 6,15 1076
PbTe Telurură de plumb NaCl a = 6,46 917

Alte exemple: Compuşi de tip A2III B3VI , A 2V B3VI , A 2V B3VI , AII3B2V , AIIB2V şi AIIB4V , AII2BIV , ETC.......

3.2.2. Compuşi semiconductori ternari şi cuaternari:

4 ş.a.
AIBVIIICVI, AIBIIIC2VI , AIBV C2VI , AIIBIV C2V , AIIBIII2 C4VI , AIIBIVC3VI , AI2BIIC3VI , AI2BIIC4VII , AII2BIVC4VI , AIIIBVCIV

3.3. Semiconductori oxidici

Semiconductori oxidici binari (Cu2O, ZnO, TiO2, SnO2, In2O3 etc)
Oxidul de cupru (Cu2O (oxid cupros) şi CuO (oxid cupric))
 Oxidul de zinc (ZnO)
Bioxidul de titan (TiO2)
Bioxidul de siliciu (SiO2) (se topeşte la 1728 oC)

Oxizi conductori transparenţi (TCO) (ITO, SnO2, In2O3, ZnO, CdO, Ga2O3)

3.4. Aliaje semiconductoare

Def. materiale semiconductoare caracterizate prin compoziţii variabile, într-un interval larg
de concentraţii.
Clasificare:
Soluţii solide amestec la scară atomică  în celula elementară se găsesc atomii ambilor componenţi
1. Soluţii solide de substituţie – înlocuirea în reţea a unor atomi ai componentului de bază (solvent) cu atomi ai
componetului de aliere (dizolvat).
2. Soluţii solide interstiţiale (pătrunderea atomilor dizolvatului în interstiţiile reţelei dizolvantului)
3. Soluţii solide lacunare (atomii unui element ocupă poziţii normale în reţea, iar unele poziţii pe care ar trebui să le
ocupe atomii celui de al doilea component rămân vacante)

Amestecuri de faze –atomii elementelor nu se interpătrund până la scară atomică (amestec de grăunţi)
Exemple:
 aliaje dintre semiconductori elementari (Ex: Si-B, C-Si, Si-Ge etc)
 aliaje dintre semiconductori elementari şi compuşi semiconductori (Ex: Se-ZnS, Te-ZnSe)
 aliaje dintre compuşi semiconductori (MgS-MgSe, ZnS-ZnSe, ZnSe-ZnTe )

3.5. Semiconductori organici (monomeri, complecşi cu transfer de sarcină, polimeri, copolimeri ş.a.):
Structura triclinică sau romboedrică

3.6. Semiconductori feromagnetici (ferite semiconductoare → Mex Fe3y+Oz2− )

stucturi cristaline: spinel (MgAl2O4), perowxit (CaTiO3), granat, magnetoplumbit) (v. Cap. II!!!)
EXEMPLU: Perovskitul (formula generală ABO3).
A = Ca , Sr2+, Ba2+, Pb2+, Cd2+, La2+, Gd3+, ş.a.
2+ ioni de tip A
B = Al3+, Fe3+, Mn3+, Cr3+, Ti4+, Mn4+
ion de tip B

Celula elementară a structurii de tip perovskit >>>>>>> Oxigen

<<<< 3.7. Semiconductori necristalini (amorfi) ......

3.8. Semiconductori lichizi !!???!!

3.9, 3.10 ETC. (feroelectrici, sticloşi, ceramici,
zeoliţi*, clusteri**, fullerene** ....)
(a) (b) * – alumino-silicaţi macromoleculari tridimensionali:
Mm/z [mAl2O3.nSiO2].qH2O
** – sisteme cu dimensionalitate redusă:
 Spectrul de energie al electronilor in semiconductori

A. Teoria electronică a metalelor (clasică) (Drude (1900), Lorentz (1904))

MODEL:
 metal = ioni pozitivi în nodurile reţelei + electroni de eZ

conducţie mobili (nelocalizaţi). e(Za-Z)

eZa
 electronii nelocalizaţi apar la formarea reţelei
 electronii = gaz ideal („gaz electronic”)

NU EXPLICĂ: proprietăţile în concordanţă cu structura

internă (conductoare vs. izolatoare)

B. Teoria benzilor de energie

B.1. abordare „fenomenologică”
Metalele  benzi energetice permise a căror nivele Eg
Eg
energetice sunt complet ocupate, urmate de o
bandă cu nivele permise parţial ocupate.

Semiconductori şi izolatori  benzi energetice

permise complet ocupate, urmate de o bandă (a) (b) (c)

energetică complet liberă (neocupată cu electroni) Benzi energetice pentru metale (a),
semiconductori (b) izolatori (c).

DEFINIŢIE: bandă de energie = un număr foarte mare de nivele energetice (permise/interzise) foarte
apropiate între ele (din punct de vedere energetic!). Fiecare bandă este caracterizată printr-o valoare minimă
şi o valoare maximă a energiei  marginile benzii: marginea superioară şi marginea inferioară

B.2.0. Abordare „teoretică”

Problemă: explicarea proprietăţilor macroscopice ale solidelor pe baza teoriei cuantice

Rezolvare: compoziţia  caracteristici + comportare sub influenţa factorilor exteriori......

Ecuaţia Schrödinger: H  = E  
 - funcţia de undăi:    r1, r2 ,...ri ,...; R1, R2 ,...RI ,... 
E – energia totală a cristalului; H – hamiltonianul (electroni şi nuclee)

Dificultate: 3(Z + 1)N variabile siliciu (Z = 14), V= 1 cm3  9,0•1023 coordonate (variabile independente).
METODE („APROXIMAŢII”/„MODELE”):
Prima categorie: formarea hamiltonianului
aproximaţia adiabatică (Born – Oppenheimer)
PRESUPUNERE: viteza de mişcare a nucleelor este mult mai mică decât cea a electronilor 
„CONSECINŢE”:
 pentru electroni: importantă poziţia momentană a nucleelor
 pentru nuclee: are influenţă mişcarea „mediată” a electronilor (nu poziţiile lor momentane) 
  cristalul = sistem format din două subsisteme de particule independente 
  mişcările pot fi studiate separat
 ......
 unielectronică (Hartree-Fock)  câmp selfconsistent...

A doua categorie: forma funcţiilor de undă

trebuie să ţină seama de distribuţia periodică a potenţialului din cristal
Heitler-London (electroni strâns legaţi) vs. Bloch (electroni liberi )

A treia categorie: se simplifică forma potenţialului de interacţiune

constant în tot corpul solid (Sommerfeld)
variază periodic (modelul Kronig-Penney
etc.

E
B.2.1. Electron(i) în vid

Modelul „gazului de electroni” liberi >>>>

neglijează:
- interacţiunea dintre electroni
  22
Variaţie continuă a energiei: E  Ek    k
 2m  k
Introducem acest gaz în cristal (cutie de potenţial):

B.2.2. Aproximaţia (modelul) electronilor liberi (Sommerfeld, 1928)

NEGLIJEAZĂ:
- interacţiunea dintre electroni
- faptul că în cristal potenţialul este periodic
IPOTEZE: L

1 – Electronii liberi se mişcă independent unul faţă de celălalt într-un câmp (a)
efectiv generat de ioni şi de ceilalţi electroni. U
2 – Potenţialul în cristal se mediază şi se consideră că electronii se mişcă
într-o groapă de potenţial de mărime finită, limitată de feţele cristalului –e
>>>>>> (b)
2m
3 – Pentru fiecare electron se poate scrie 2   r   2
 E U   r   0
0 L x
4 – Distribuţia electronilor după energii este dată de statistica Fermi-
Dirac..?????
5 – La echilibru termodinamic, cristalul satisface condiţia de
neutralitate electrică !!!!!....... * - Energia este exprimată
2 2
 
-------------------------------------------------------------------------- în unităţi  
2m  L 

d 2  2m
Cazul 1D:  2 E  0 şi condiţiile la limite 15
d x2
 2 2
  x     0  0 ;   x     L   0  E  Ek    k unde
Energia*

10
 2m 

 
2
k 2    n2  nivele energetice permise discrete!!!!!
L 5

intervalul depinde de L
--------------------------------------------------------------------- 0
1 2 3 4 k**

** - Vectorul de undă este exprimat în unităţi
L
B.2.2.a. Condiţii la limită vs. condiţii de ciclicitate
Cristalele au dimensiuni finite  comportări specifice suprafeţei !
2 2 2
kx  nx , k y  ny , kz  nz (nx, ny, nz = 0,  1,  2, ...)  nu toţi vectorii de undă sunt permişi!!!!
L1 L2 L3

B.2.2.b. Spaţiul vectorilor de undă (spaţiul k ) kx

„spaţiul 1D”: fiecărei stări permise  un punct/segment >>>>>>>>

2/L

„spaţiul 2D”: fiecărei stări permise  un punct/celulă ky

2 2
de arie x >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>
L1 L2
k2
spaţiul 3D: fiecărei stări permise  un punct/paralelipiped
 2 2 2   2 
3
k1
având „volumul”     ,
 L1 L2 L3  V k3 kx
2/L2

B.2.2.c. Densitatea de stări: (numărul valorilor permise ale lui k în

2/L1

unitatea de volum din spaţiul k (Vk = 1)): N k    V

 2  3

V
8 3
şi ky
C2
C1

pentru unitatea de volum a cristalului (V =1): N k    1


1
 2  3
8 3

B.2.2.d. Sferă, suprafaţă si energie FERMI

kx
la 0 K  starea energetică fundamentală (C1)
la temperaturi mai mari  (C2)
în 3D  suprafaţa Fermi/sfera Fermi
raza Fermi ( k F ); impuls, energie, viteza şi temperatura Fermi
Sex Sint
-----------------------------------------------------------------------------------------
 U
B.2.3. ... + Potenţial periodic
nivelul de vid
0
3s
aproximaţia electronilor de valenţă

Energia (eV)
–10

electronii din cristal pot fi împărţiţi în: –20

 electroni de valenţă (slab legaţi)

–30

2p
 electronii miezului ionic (puternic legaţi) –40

2s

1s

c c x
---------------------------------------------- x

Ipoteză: potenţial periodic  periodicitatea comportării electronului (undei electronice)

Considerăm un potenţial, U(r), determinat de reţeaua cristalină  trebuie să aibă periodicitatea reţelei:

 
U r  U r  Rn  , R n – vector de translaţie!!??
Rezolvarea ec. Schrödinger  soluţii   r  (trebuie să satisfacă condiţiile la limită periodice!!)
Teorema Bloch:

Indiferent de potenţialul periodic ales, orice soluţie trebuie să satisfacă condiţia   r   u  r  eik r  Funcţie Bloch

k = orice vector permis pentru electron folosind un potenţial constant  undă plană
u(r) = funcţii (oarecare??) cu periodicitatea reţelei: u  r  Rn   u  r 
OBSERVAŢII:
  r  Rn     r  eik Rn  între poziţii echivalente din reţea, orice soluţie diferă doar printr-un factor de fază
    r   eik Rn   r 
 Înlocuind k '  k  K g , funcţia de undă rămâne aceeaşi:  r  Rn  e   i k 'Rn

  stările descrise de k şi k '  k  K g sunt echivalente

 acestea permit limitarea domeniului pentru k la prima zonă Brillouin!!!

Energia specifică, Ek, asociată cu   r  este de asemenea periodică: E k  K g  E  k   

E
<<<<<<<<< schema extinsă E


Exemplul de la B.2.1.
(electron în vid)
E = const.

k
Kg1 Kg2 Kg3 schema redusă >>>>>>>>> k

U
B.2.4. Exemplu: Modelul Krönig – Penney
CONCLUZII: ia în considerare câmpul periodic al reţelei cristaline
1/ 2
 2m 
f  a   cos  ka  unde    2 E 
  x

 spectrul constă în benzi de energie permise, separate de benzi de energie interzise

 lărgimea benzilor permise creşte cu creşterea energiei  a 
 lărgimea benzilor interzise se micşorează cu creşterea energiei
B.2.5. Exemplu: Metoda electronilor strâns legaţi E

Exemplu 1D:
şir reticular, parametrul a
Energia electronului în cristal: bandă permisă

E  k   E0    2 cos ka
bandă interzisă
Concluzii:
 variaţie periodică cu k (cosinusoidală) bandă permisă
 dezvoltând în serie cos(ka) în jurul valorii k = 0:
E  k   E0    2  2 ak 2 (electron „complet liber”) bandă interzisă

 la marginile zonelor Brillouin  pe „feţele zonei” bandă permisă

k
3 2  0  2 3
  
a a a a a a

III II I I II III
C. Structuri de benzi energetice în materiale
semiconductoare E

PROBLEMĂ: stabilirea formei dependenţei E  E k  

REZOLVĂRI: (v. FSS!!)
 metoda electronilor strâns legaţi, metoda electronilor slab legaţi – benzi
interzise
domenii de valabilitate diferite
 alte metode: dificil de aplicat  E  E k   cunoscută doar pentru
câteva materiale semiconductoare şi anumite direcţii
OBSERVAŢII: k

 reprezentarea redusă nu este univocă >>>>>>>>>>>>>>> 0
a

 se ocupă mai întâi nivelele cu energie minimă  stări energetice libere

 
E
cunoaşterea E k în centrul zonei Brillouin marginea inferioară a benzii de
conducţie

CLASIFICARE:
semiconductori cu benzi aliniate (cu bandă
interzisă directă) (extreme la kx = 0) 
0 kx
exemple: GaAs, GaSb, InAs, InP, InSb, CdS Eg marginea superioară a benzii de
valenţă (BV)
Concluzii:
 curbele de dispersie (marginile VB & CB) constau în puncte (stări
energetic permise) foarte apropiate;
 BV: stările premise vor fi întotdeauna ocupate  stările libere apar
întotdeauna în partea superioară; stările libere pot apare doar
 BC: la tranziţia BCBV vor participa întotdeauna electronii de la aici (goluri!!!)
marginea inferioară. Stările rămase libere se ocupă instantaneu
-13
(10 s!!!!);
E
 este importantă cunoaşterea E(k) în zona extremelor
(centrul zonei Brillouin!!)??

semiconductori cu benzi nealiniate (cu

benzi indirecte) (kmin  kmax) BC are minime –/a 0 Eg /a kx
în alte puncte ale ZB 
exemple: Ge, Si, AlSb, AlAs, GaP, AlP ş.a.
DEFINIŢIE: Lărgimea benzii interzise, Eg (E): ...
Cazul 3D  periodicitate diferită pentru diferite direcţii din cristal  calculul - doar pentru direcţii de înaltă simetrie

CONVENŢIE:
 punctele şi direcţiile de simetrie din interiorul zonei
kz [001]
Brillouin se notează cu litere greceşti

 punctele de pe suprafaţa zonei se notează cu litere latine

Puncte şi direcţii de simetrie pentru zona Brillouin a reţelei CFC 
 
Zona are şase feţe pătrate, tangente la feţele cubului în care a fost înscrisă
şi opt feţe de formă hexagonală  L <111>
 
 – centrul zonei Brillouin 
ky [010]
L – centrul feţelor hexagonale (8)
 – direcţiile <111> – unesc centrul zonei cu L (8) kx [100]

X – centrul feţelor pătrate (6)

 – direcţiile <100> – unesc centrul zonei X (6)
ETC.

Exemple:
Si şi Ge >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> Si
Ge 300
 structură de benzi indirectă (benzi nealiniate) 300 K
K
 Si: marginea inferioară absolută a BC în direcţiile 
(direcţiile <100>)  şase minime echivalente;
 Ge: marginea inferioară absolută a BC are opt minime
echivalente în punctele L (în direcţiile );
Energia (eV)

 În apropierea minimelor BC suprafeţele izoenergetice

Eg = 1,08 eV
au forma unor elipsoizi de rotaţie; Eg = 0,66 eV

 BV este degenerată în k  0 .

GaAs
300 K

vectorul de undă

GaAs
Energia (eV)

<<<<<<<<<<<<<<<<
Eg = 1,42 eV
 BC mai are un minim suplimentar
 banda de valenţă – degenerare în centrul ZB
----------------------------------------------------------------------------------------
D. Suprafeţe izoenergetice
E
 în apropierea extremelor
k
 
 0  E k x , k y , k z se descompune în serie:

 
E k x , k y , k z  E0  Ak x2  Bk y2  Ck z2 + termeni de ordin superior 
vectorul de undă
Suprafaţa izoenergetică – elipsoid (b, c) (benzi elipsoidale)
 ky
ky

kx
(a)
Dacă A = B = C  0 kx

Suprafaţa izoenergetică – sferică (a, d) ky – /a1 (b /a1

(benzi sferice) )
/a2

„Suprafeţe” izoenergetice în jurul

minimelor absolute ale BC >>>>>
(a) – suprafeţe sferice în centrul ZB;
(b) – suprafeţe elipsoidale la marginea ZB;
(c) – suprafeţe elipsoidale echivalente în
interiorul ZB; 0
ky
(d) – suprafeţe sferice echivalente la marginea (d
ZB – /a1 /a1 /a2
)

(c)

kx
– /a1 0 /a1 kx
– /a2

Exemple 3D:        
– /a2

0 kx

Ge Si GaAs goluri uşoare

goluri grele
degenerare BV în centrul ZB >>>>>>>>>>>>>>>>>>

E.1. Stări localizate în semiconductori

 Cristale ideale  benzi permise/interzise  semiconductori intrinseci
 Cristale reale  defecte de strucură, impurităţi etc.  stări localizate (stări/nivele locale)  semiconductori extrinseci
DEFINIŢIE: domenii în care funcţia de undă are valori
mult mai mari decât în domeniile învecinate
bandă permisă
Rezultat: apariţia în benzile permise/interzise a unor
stări energetice permise adiţionale
Energia

bandă interzisă nivele locale

Explicaţie: >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>

 „desprinderea” unui nivel extrem al benzilor permise

bandă permisă
 „trecerea” acestuia în banda interzisă prin
 „coborâre” sau prin „urcare”
(a) (b)
Caz particular:  concentraţie mare a
imperfecţiunilor  bandă permisă în BI
 I II III IV
Exemplu: impurităţi  nivele de impurităţi
energia

banda de conducţie
I – atomi izolaţi (nivele de energie discrete);
nivele
energetice bandă II – cristal fără impurităţi (benzi permise şi interzise);
discrete interzisă benzi de impuritate III –concentraţie mică a impurităţilor (nivele discrete de impurităţi);
IV –concentraţie mare a impurităţilor (benzi de impuritate)
banda de valenţă

densitatea atomică

E.2. Modelul centrelor de impurităţi (Mott-Gurney)

SCOP: stabilirea poziţiei nivelelor energetice introduse de impurităţi în BI

Aplicabilitate: impurităţi monovalente introduse substituţional în concentraţii mici
Exemplu: Sb (V) introdus în Ge  electron„ excedentar” (în exces)
2
1  Ze2  m 2 1 1
 Modelul Bohr pentru un atom hidrogenoid: En     2 2  En   Z 2 EH 2 unde
2  4 0 r  n r n

me4
EH  – energia de ionizare a H (Z = 1, r = 1, n = 1)
8h 2 02
 atenţie!! Z – diferenţa dintre valenţa impurităţii şi valenţa atomului de bază a cristalului!!
 OBSERVAŢII: natura atomului de impuritate nu influenţează poziţia nivelelor energetice????!!!!
E
forma generală: En  2I  banda de conducţie
n
nivel fundamental (n = 1)+ nivele excitate (n = 2, 3, ...) >>
E1/9
Exemple: E1/4
Sb introdus substituţional în cristalul de Ge:
1
m = 0,03 m0 ; r = 16; Z = 1  En  0, 01 2 (eV), rn  80n2 (Å)
n E1
 starea fundamentală E1 = – 0,01 eV şi r1 = 80 Å comparat cu banda de valenţă
kT  0,026 eV (la T = 300 K) şi aGe = 5,66 Å

Info: (0,01 eV corespunde la 100 K  sub această temperatură pot exista şi atomi de impuritate neionizaţi!!!)
1
elemente pentavalente în Si: En  0,048 2 Banda de conducţie
n
impurităţi multivalente  nivele multiple 0
Bi+(0,0093) + Au3–(0,04)
Te (0,10) Ag3–(0,09)
0,1 Sb+(0,0096) Se+(0,14) S+(0,18)
 Se (VI) în Ge (IV)  impuritate bivalentă  P+(0,0120)
0,2 Au2–(0,24)
Se+ şi Se2+  două nivele energetice
Energia (eV)

As+(0,0127) Cu3–(0,26)
2–
Ni (0,30) Ag2–(0,29)
 Cu (Cu –, Cu 2–, Cu3–) în Ge (IV)  nivele 0,3
Mn2–(0,37)
adânci care nu sunt independente
0,3 Cu2–(0,33)
Definiţii/clasificări: –
In (0,0112)
Eimp < 0,05 eV  nivele puţin adânci Ni–(0,22)
0,2 Ga–(0,0108) –
Cd2+(0,16) Mn2+ (0,16) Ag–(0,13) Au–(0,16)
Eimp > 0,05 eV  nivele adânci 0,1 B–(0,0104) Zn (0,09)
Al–(0,0102) Cd+(0,05) – +
compuşi binari: poate fi înlocuit oricare 0 Zn+(0,03) Cu (0,04) Au (0,05)

component al compusului  Banda de valenţă

impurităţi amfoterice
 Generarea şi recombinarea
E
purtătorilor de sarcină Ge Ge Ge
T=0K T>0K

banda de conductie
Ge Ge Ge EC
1. semiconductori intrinseci >>>>>>>>>>
Eg
Ge Ge Ge

Definiţii: .........
(generare, recombinare, bandă-bandă, energie de (a)
EV
banda de valentă
activare, ...)

2. semiconductori extrinseci  Ge Ge Ge (c)

Definiţii: ......... Ge Ge Ge – Electron legat care satisface legatura

covalentă cu un atom vecin
(generare, recombinare, bandă-nivel local, – Electron legat care satisface legatura cu un
atom vecin, nereprezentat in figură
Ge Ge Ge
nivel donor/acceptor, energie de activare/ionizare, – Electron liber (de conducţie)
– Gol liber
tip n/p, ...)
(b)

(a) (a)

Ge Ge Ge Ge Ge Ge

Ge In Ge Ge Sb Ge

Ge Ge Ge
Ge Ge Ge

(b)
(b)
Ge Ge Ge
Ge Ge Ge

Ge In– Ge
Ge Sb+ Ge

Ge Ge Ge
Ge Ge Ge

E
T=0K T>0K E
banda de conductie T=0K T>0K

EC banda de conductie
EC

Eg Ea Ed

Ea Eg Ed

EV
banda de valentă EV
banda de valentă
 STATISTICA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ÎN SEMICONDUCTORI

SCOP: Modul în care N electroni sunt distribuiţi pe nivele de energie permise (inclusiv pe nivelele de impurităţi)
N – foarte mare (N  1023)  fizica statistică

Presupuneri:
1. electronii sunt indiscernabili
2. fiecare nivel energetic din benzile permise poate fi ocupat de maxim 2 electroni (Pauli)
3. vom considera (simplificare) doar impurităţi simplu ionizate

A. Concentraţia purtătorilor de sarcină în semiconductori intrinseci

Generare/recombinare: proces bandă-bandă  n = p = ni
A.1. Electroni liberi în BC: dn  gNC  E  Pe  E  dE
 g – gradul de degenerare: g = 2s + 1 = 2
ky
 NC(E) – densitatea de stări în BC:
k + dk
2 2
k h2k 2
se știe că E   2 (@)
2me 8 me dk
electronii cu energii cuprinse între E şi E + dE vor avea vectori de k
undă între k şi k + dk >>>>>>>>>>>>>> E + dE kx
E
volumul păturii sferice: d  4 k dk 2
dE
volumul ocupat de o singură stare: 1/83 (v. Tema 2, B.2.2.c)
4 k 2 dk
densitatea de stări: N  E  dE  SAU (conform (@))
8 3
2
 
3/ 2
 NC  E   3
2me* E1/ 2 (me* - masa efectivă !!!)
h
 Pe (E) – probabilitatea de ocupare a unui nivel
energetic (funcţia de distribuţie):
1
Pe  E   f  E  
 E  EF 
1  exp  
 kT 
E  EF 
 la T  Tcameră : exp   1
 kT 
EF E
 E  EF  
Pe  E  exp    e kT e kT
 kT 
(statistica Maxwell – Boltzmann (sistem nedegenerat))

EF E
2
 
3/ 2 
 se găseşte: dn  2 3 2me* 1/ 2 kT
E e e dE kT
h
EF  E
2
  1/ 2  kT
3/ 2
  concentraţia electronilor în BC: n  2 3 2me*
h
e 
kT E e dE
0

 E  3/ 2 
 E dE  kTdx
1/ 2 1/ 2  I    kT  x e  kT  dx   kT 
1/ 2 1/ 2  x 1/ 2  x
Calculul I   E 1/ 2
e kT dE : notăm  x   1/ 2 x e dx
0
kT  E   kT  x
0 0

de tipul   a    x a 1e x dx (Euler)
3 3/ 2 
 I   kT       kT 
3/ 2
0
1 2 2
     ;   a  1  a  a 
2
 3/ 2 3/ 2
 2 me*kT  EF EF
 2 me*kT 
 în final: n  2   e kT  Nc e kT unde: NC  2   – densitatea efectivă de stări în BC
 h2  h2
   

A.2. Goluri libere în BV: dp  2 NV  E  Pg  E  dE

2
   
3/ 2
 NV(E) – densitatea de stări în banda de valenţă: NV  E  
1/ 2
3
2m*g  Eg  E
h
 Pg (E) – probabilitatea de ocupare de către un gol a unui nivel energetic din BV:
1 1
Pg  E   1  Pe  E   1  
 E  EF   EF  E 
1  exp   1  exp  
 kT   kT 
EF E
 E E  E  EF   kT kT
la T  Tcameră : exp  F  1  Pg  E  exp  e e
 kT   kT 

EF E
2
   E 
1/ 2 
3/ 2
 se găseşte: dp  2 3 2m*g g E e kT kT
e dE
h
E  Eg E
2
 
3/ 2  F
  E  E 
1/ 2 kT
  numărul total de goluri din unitatea de volum: p  2 3 2m*g e kT e dE
h 

E E
 Eg  E dE  kTdx

   Eg  E 
1/ 2
Calculul I  e dE :
kT notăm  x   E    x  
 E  Eg  x  0

kT 
Eg 3/ 2 Eg 
0
1/ 2 1/ 2  x  kT 
I    kT  x e e  kT  dx   kT  e kT x1/ 2e  x dx

 0

de tipul   a    x a 1e x dx (Euler) Eg Eg
3/ 2  kT 3 3/ 2  
0  I   kT  e      kT  e kT
1 2 2
     ;   a  1  a  a 
2

3/ 2  EF  Eg  EF  Eg 3/ 2
 2 m*g kT   2 m*g kT 
 în final: p  2   e kT  NV e kT cu: NV  2   densitatea efectivă de stări în BV
 h2   h2 
   
 NC(E), NV(E)
NC(E)

(a)
NV(E)

E E

P(E) P(E)

1
(b)
0,5

0
E E

n(E), p(E) p(E)

n(E) (c)

EV EF EC E EV EF EC E

T=0K T>0K

Reprezentare schematică a modului de ocupare cu purtători a nivelelor energetice din benzile permise.
(a) – dependenţele de energie a densităţilor de stări; (b) – probabilitatea de ocupare a nivelelor de energie la T = 0 K şi T > 0 K;
(c) – distribuţia purtătorilor pe nivele energetice (domeniile haşurate).
E
*
3 mg Eg
A.3. Calculul poziţiei nivelului Fermi (EF): n = p  EF    kT ln *
2 4 me Banda de conductie

EC
A.4. Calculul concentraţiei putătorilor în semiconductori intrinseci: mg > me
Eg
Eg EF
 mg = me
ni  NC NV e 2 kT ŞI np = ni2….
mg < me
EV
Banda de valenta

B. Concentraţia purtătorilor de sarcină în semiconductori extrinseci

Generare/recombinare: proces bandă-nivel local (de impurităţi)  n  p  0 T (K)

B. 1. Ecuaţia de neutralitate
E

Et electron liber
banda de conductie
Nd – concentraţia atomilor dodori
EC gol liber
Ed
Ed
Na – concentraţia atomilor acceptori Nd nd N d
donor neutru

acceptor neutru
Na N a pa
Ea donor ionizat
Ea
EV acceptor ionizat
banda de valentă
Eb

T=0K T>0K
 Sarcini negative: Sarcini pozitive:
Electronii din banda de conducţie: n Golurile din banda de valenţă: p
Impurităţi acceptoare ionizate  ioni negativi Impurităţi donoare ionizate  ioni pozitivi
+
N a  N a  pa  na N d  N d  nd  pd
pa – nr. atomilor acceptori neionizaţi nd – nr. atomilor donori neionizaţi
__________________________________________


 n  nd    p  pa   N d  N a
n  na  p  pd ETC.

B. 2. Funcţiile de distribuţie ale purtătorilor pe nivelele de impurităţi

1 1
fn  fp  unde i = d, a (donor, acceptor);
 E  EF  1  EF  Ei 
1  g exp  i  1  exp  kT 
 kT  g  
g = 1/2 pt. impurităţi donoare monovalente ; g = 2 pt. impurităţi acceptorare monovalente
EXEMPLU: concentraţia electronilor pe nivelele donoare (semnificaţia probabilistică a funcţiei de distribuţie)

nr. atomilor donori neionizati nd Nd

f n  Ed     nd 
 EF
nr. total de atomi donori Nd 1  E 
exp  d  1
2  kT 

Nd Na Na
N D  ; pa  ; N A 
 E  Ed  1  E  Ea   E  EF 
1  2exp  F  1  exp  F  1  2exp  a 
 kT  2  kT   kT 

ln n
B.2.1. Exemplu: semiconductor de tip n >>>>>>

E
NC Nd  2kTd
Temperaturi mici: n  e Epuizare Extrinsec
2
Intrinsec

Temperaturi medii: ..n=Nd......

Temperaturi mari: ....n ni.....

B.3. POZIŢIA NIVELULUI FERMI

În cazul general, se poate determina din 1/T

   
 E  EF   E  EV 
 NC exp   C     NV exp   F 
ND NA
      ND  N A
  kT  1  1 exp  Ed  EF     kT  1  1 exp  EF  Ea  
      kT  
 2  kT    2  
 E
E

banda de conductie banda de conductie

EC EC
EF Ed EF Ed
Ed Ed
1 3
EFi 2
EFi
Eg
Eg
EV
banda de valentă
EV
banda de valentă

0 Td Te Ttr T (K)
0 T
Dependenţa de temperatură a poziţiei nivelului Fermi, EF, în
semiconductori cu impurităţi donoare: Dependenţa de temperatură a poziţiei nivelului Fermi
EFi – energia nivelului Fermi în semiconductorul intrinsec; la concentraţii diferite ale donorilor
Td – temperatura corespunzătoare maximului poziţiei lui EF; ND1, ND2, ND3 (ND1 < ND2 < ND3 )
Ttr – temperatura la care EF = EFi.

Concluzii: ......
 FENOMENE DE TRANSPORT

1. GENERALITĂŢI
Definiţii (vezi si FSS!!!!): (transport, echilibru vs. neechilibru, timp de relaxare, mobilitate, masă efectivă …..)

   
Neechilibru  f 0 k  f k , r , t . Restabilirea echilibrului se realizează prin ciocniri/imprăştieri 

 df   f   f  f  f 
     
 dt total  t dif , câmp  t  impr .
(*)  1
E
 
F k E  v r f   
 t impr
(**) (ecuaţia Boltzmann)

f f  f0   f  f0  f  f0
Caz particular: dacă abaterea (f – f0) este mică:    sau 
 t impr.  t 

cu soluţia  f  f0    f  f0 t 0 et / unde  - timp de relaxare (după care (f – f0) se micşorează de e ori)

OBS: rezolvarea (**) se face în cazuri concrete  je  e  f  k  vN  k  dk    (densitatea de curent generalizată)

f  f 
Exemplu: câmp electric şi magnetic: F  eE  ev  B şi (**) e 1
E
 
E  v  B k E  v r f   
 t impr

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2. CONDUCŢIA ELECTRICĂ
Pentru câmpuri electrice puţin intense este valabilă (vectorial!!!!): E
A B
j   E (*) (Ohm)
Densitatea de curent (sarcina electrică care trece în unitatea de timp v v
S
printr-o suprafaţă de arie unitate situată normal la direcţia curentului),
L  v  t
 - conductivitate electrică:
t=0 t = t
je   ne vex , unde vex – viteza medie de drift a electronilor

vex
Rezultă:1 tip de purtători de sarcină:  e  nee unde e  (def. + u.m.) şi  g  pe g
E

2 tipuri de purtători de sarcină (conducţie mixtă)   total   e   g

e e e
Observaţie: teoria fenomenelor de transport: vex   E  e  *  e   tensor (v. (*)!!), iar
me me

 e depinde de mecanismele de împrăştiere:

banda de conducţie banda de conducţie

- pe vibraţiile reţelei (fononi)

4 - pe impurităţile ionizate (recombinare ??)
1 2 3 4’ 5 - pe atomii neutri
1 2 3 5
- superficială
- pe defectele de structură, etc.
banda de valenţă banda de valenţă
<<<< Fig. 1. Comportarea unui nivel energetic din banda interzisă
ca centru de recombinare (a) şi ca centru de alipire (b)
(a) (b)
 n  n T  

2.1. Dependenţa de temperatură a conductivităţii:      T 
   T 
Domeniul temperaturilor mici – oscilaţii termice reduse  împrăştierea 

pe impurităţi ionizate:   AT
3/ 2

Domeniul temperaturilor mari – atomii de impuritate sunt ionizaţi   T3/2  T– 3/2

3/ 2
împrăştierea pe vibraţiile reţelei:   BT

2.1.1. SEMICONDUCTORI INTRINSECI

Nu există impurităţi:

Eg  T

ni  NC NV e 2 kT  Eg Eg
Maximul se deplasează spre temperaturi mari
   cu creşterea concentraţiei impurităţilor

   i  e NC NV Bn  Bg T 
3 / 2 2 kT
e   0 e 2kT
3 / 2 
  BT 

unde 0 nu depinde de temperatură

2.1.2. SEMICONDUCTORI EXTRINSECI (exemplu pentru un semiconductor de tip n)

1. Temperaturi joase:
E
NC N d  2 kTd  ln 
n e 
2  E E A
 NC N d  d  d
    e AT 3/ 2 2 kT
e   0 e 2 kT C1 – vibraţiile reţelei
 2 C2 – impurităţi ionizate
  AT 3/ 2


0 depinde puţin de temperatură !!! C1
D
B
2. Temperaturi intermediare: C2
E
n  N D  const.  dependenţa    T  este dată de
   T  >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> 1/T

3. Temperaturi mari:  domeniul intrinsec (v. 2.1.1. !!!!)

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3. EFECTUL HALL y
x L
3.1. Conducţie electronică 0
FEe M1
z D+
U CD I x Bz + + + + + + +
ve b
pp. că nu există o distribuţie a purtătorilor după viteze ! A
FLe Ex B
Forţa Lorentz: FLe  eve  Bz je e
Ey
Ex  Ey
Forţa electrostatică: FEe  eE y – – – – – – – – d
C
La echilibru, E y  E H  FL  Fe  E H  ve Bz M2
B
Dar j x   neve 
1
câmp electric Hall: EH   jx Bz
ne
 1 1
coeficient Hall: Re   ; Rg   ;  R  m3 / C : Metal: 10–10 – 10–11 m3/C; Semiconductor:  10–1 – 10–4 m3/C
ne pe

r r
OBS. Rezolvarea ecuaţiei de transport Boltzmann + dependenţa   aE  s  Re   şi Rg   , unde
ne pe

5  5
2    2s    
    2  ( – funcţie/integrală Euler (v. Tema 3!!))
2
r – parametru (factor Hall): r  2 2
  5 
  2  s  
  
Exemple: împrăştiere pe vibraţiile reţelei (fononi): s = 1/2; r = 3/8  1,18
împrăştiere pe impurităţi ionizate: s = – 3/2; r = 315/512  1,93
r r
mobilitate Hall: Re   şi   ne  Re    r   Re   se defineşte  H  r  -
ne 
Ey
unghi Hall (v. figura!!)  tg  Temă: să se deducă expresia tg   H B
Ex
 H B  1 : regim de câmp slab;  H B  1 : regim de câmp puternic (intens)

DETERMINAREA Ed:
E E
NC Nd  2kTd E
 
d
r
Re   şi n  e  Re  CT 3/ 4 2kT
e ; C  C T   ln ReT 3/ 4  C ' d  .....!!!!
ne 2 2kT

3.2. Conducţie mixtă FEe

electron
 E y  Rmixt Bjx ; Rmixt  ? (0) + – + – +– + D + – + – + – +
– E gy
gol
 pp. regimul de câmp slab  v e
FLe
F Eg

A g E B
x
 E yg e
  tg g   g   g B j
vg
Ex E ey
E (1) FLg
y
 ye  tg e   e  e B –+ –+ – + – C– + – + – +
 E x x
–
jy   Ey  jy z
   Ey  (2) B
  nee  pe g  nee  pe g

jg   g E yg  pe g E yg
 j y  jg  je (3) în care , si (4)
je   e E ye  nee E ye

 
 (3), (4) şi (1)  j y  p g g  nee eEx iar apoi, j y  p g 2  ne 2 BeEx  

 (2) devine E y 
 p 2
g  ne2  BE sau, cu Ex 
jx

jx 1
,
 n e  p  p  x
  n e  p  g  e

p  g2  ne2 1 p g2  ne2 1 e p  nb 2 1
 Ey  Bj  R  sau, introducând b  ,  R 
g  p  nb 2 e
 
mixt
 
2 x mixt 2
p  g  n e e p  g  ne e

1 1 b
CAZ particular: semiconductori intrinseci: n = p =ni  Ri  !!!
ni e 1  b
DETERMINAREA Eg: …….
 p  b2n  b2  g B 2  p  n  1
În cazul regimului de câmp intens R !!!
 p  bn 2  b2  g2 B 2  p  n 2 e

4. EFECTE TERMOELECTRICE
T2
4.1. Efectul Seebeck (1821)
T1 T2 <T1 B
 Def. ...   
 explicaţii pentru (a) şi (b) .....
A V
 VAB   AB T
 AB – coeficient Seebeck diferenţial
al perechii de materiale A şi B V B
 Semiconductori: AB .= AB (T)  T1
T2
(a)
VAB    AB dT !!! (b)
T1

  AB   A   B T2 < T1
(A şi B pot fi negativi sau pozitivi (n sau p)) M2
 aplicaţii: termogeneratoare + –

A B
4.2. Efectul Peltier (efectul electrotermic) (1834)  ti
p
p n
– ti
p +
(–) p (+)
semiconductor M1 p M1
metal T1 T1
C2 Def. ...
BC
B EC  explicaţii .....
1EF
1  dQAB   AB Idt
A
BV
EV
 AB - coeficient Peltier
1

B  dQBA   BAIdt  dQAB   AB Idt

  =  T (*)
C1 (b)
(a)
 aplicaţii: microfrigidere (elemente Peltier)

4.3. Efectul Thomson

 Absorbţia/degajarea unei cantităţi de căldură într-un semiconductor în care se realizează un gradient de
temperatură longitudinal şi prin care circulă un curent electric în direcţia acestui gradient
dT 
 QT  T I t unde T =   (**)    (*), (**) – ecuaţiile Thomson
dx T

5. EFECTE TERMOMAGNETICE
Efectul Ettingshausen y electroni cu ve = vem
x M2 T2 < T
electroni “reci”
 E H  vem B satisfăcută numai z
+ + + + + + + +
electroni “fierbinţi”
FEe FEe
pentru valori medii ale vitezei de v e  v em v e 2  v em
FLe FLe
drift, vem Ex v e1  v em FEe
j ex
 Definiţie ..... EH
FLe
dT – – – – – – –
  PBz I x  Radiab = Rizo–P –
dy M1 T1 > T
B
 P – coeficient Ettingshausen
 dT dT dT
Efectul Nernst: E y  QBz  Efectul Righi-Leduc:  SBz 
dx dy dx

y
y
x x M2 T4
M2 electroni “reci”
z
+ + + + + + + + z electroni “fierbinţi”
dT
T1 T2 > T1
dy
L1 dT L2
L1 L2 dx

Ey
– – – – – – – M1 T3 > T4
– B
T1 < T M1 T2 > T
B

----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
 ABSORBŢIA RADIAŢIEI ÎN SEMICONDUCTORI

0 R
R T
R şi T
0 0
(x) coeficienţii de reflexie şi transmisie
0
I
dx  x   I e x  0 1  R  e x
(x + dx)
x=d (legea Lambert-Bouguer)
 - coeficient de absorbţie
x 1
T L 
- lungime de absorbţie

 = () (sau  = (h)) – spectru de absorbţie
Tipuri de absorbţie:
1. Intrinsecă (fundamentală) E E
 Apare dacă h  Eg.  tranziţii Marginea benzii
bandă-bandă (generare bipolară) de conducţie Ef
 Pentru h = Eg, are loc o creştere Ef
bruscă a lui   marginea absorbţiei stări energetice ocupate la
Eg 1 temperaturi mari Eg
2
1.a. Benzi aliniate >>>>>> Marginea benzii
Ei de valenţă Ei
  h  A  h  Eg 
1/ 2

kmin = kmax = 0 k k

 h  2
 0 ,  Eg opt E E

1.b. Benzi nealiniate >>>>>>

Eefon (2)
  1
2
 a  B h  Eg  E fon

exp h fon kT  1  Ef = EC
Eafon Eg + Eefon (1)
Eg
(3)
 pentru absorbţie/emisie de fononi! Eg – Eafon
Ei = EV

2. Extrinsecă (impurităţi) (4)

Tranziţii posibile în absorbţia extrinsecă: q fon
1 – nivel donor-bandă de conducţie;
2 – bandă de valenţă-nivel acceptor; kmax = 0 kmin k kmax = 0 kmin k
3 – bandă de valenţă-nivel donor;
4 – nivel acceptor-bandă de conducţie;
(a) (b)
5 – nivel acceptor-nivel donor.

E 3. pe purtătorii liberi ... spectru continuu !!!

4. pe vibraţiile reţelei cristaline .... spectru complex
banda de conductie
5. excitonică .....
E
C nivel donor
1
4
5 Eg
3
2
nivel acceptor
EV
banda de valentă
 Purtători de sarcină de neechilibru
0. Purtători de echilibru vs. neechilibru (DEF.)
1. Generarea bipolară. Dependenţa de timp a concentraţiei.
PP că sunt generate perechi e-g uniform în volum
 Notăm:
n0, p0 – concentraţiile purtătorilor de echilibru
n, p – concentraţiile purtătorilor de neechilibru n  p
n  n0  n
n, p – concentraţiile totale:
p  p0  p

 trebuie determinată: n(t) = ???  bilanţ între

rata de generare de neechilibru: g
rata de generare de echilibru: G0
dn
rata de recombinare totală: R   np (recombinare bandă-bandă!!!!)   G0  g  R
dt
dn0 d  n 
 la echilibru termic: 0   G0  g  R
dt dt
d  n 
 în lipsa iluminării: g = 0;  0  G0 = R  R0 =  n0 p0 (R0 – rata de recombinare la echilibru!!)
dt
d  n  d  n  n 1
 Se obţine:  g    np  n0 p0  şi, cu n  p ,  g (oo) unde  
dt dt    n0  p0  n 
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1
1.1. Deviaţii mici de la echilibru (iluminare/injecţie slabă): n n0  p0     const.
  n0  p0 

 
la inceperea generării: n  g 1  et /  pt t   , n  g  nst  n  nst 1  et /  
n n după întreruperea generării:
nst nst
1 1 n  nst et / 

0,63
 - timp de relaxare
0,5 (a) 0,5 (b)
n
R

1 2 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8  recombinare liniară
t/ t/

1
1.2. Deviaţii mari de la echilibru (iluminare/injecţie puternică): n n0  p0     const.
 n

la inceperea generării: n 
g

tanh t g   ; după întreruperea generării: n 
g 1
 t g  1
n n
nst nst
1 1

(a) (b)

t t

n
   n   cazul recombinării pătratice
2
R

 2. Difuzia monopolară. Dependenţa de coordonate a
concentraţiei
PP o concentraţie mare in apropierea suprafeţei (ex. prin injecţie)
A  gradient de concentraţie  difuzie  current electric, jd. n
n0
B – în timpul difuziei apare probabilitatea de recombinare  jd = f(x)
n 0
n(x) = ???
e

Ipoteză n n0  p0
0 Le x

d  n  n
1. ştim că  (v. (oo) cu g = 0)
dt e
dj ed d  n  n
2.  e e (caz particular al ecuaţiei de continuitate: div j   d  dt )
dx dt e

d  n 
3. jed  eDe (conform legii Fick)
dx
d 2  n  n
4. Se obţine   0 cu soluţia
dx 2  e De

 x   x 
n  C1 exp  1x   C2 exp  2 x   C1 exp    C2 exp    ,
  D    D 
 e e   e e 
1 1
unde 1,2   – soluţiile  2  0
 e De  e De
5. Condiţii la limită: n x  C1  0 si n x0  C2   n 0 

 x   x 
n   n 0 exp    sau n   n 0 exp    , (*)
  D   Le 
 e e 

unde Le   e De – lungime de difuzie (v. figura!)

3. Difuzia bipolară
jed jhd
PP acum că n  n0  p0 (ex. injecţie/absorbţie medie)

Nu sunt posibile acumulări de sarcină  jd  jed  jgd  const. ,

  n  grad n grad p
unde jed  eDe (v. punctul2)
x jed ,jhd
Electronii şi golurile au o mişcare cuplată (asigurarea neutralităţii!!!)
jhd

 n 0  x 
Din (*)  jed  eDe exp    (electroni) şi jed
Le  Le 
0 x
 n 0   x 
jgd  eDe 1  exp     (goluri)
Le   Le  
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
4. Ecuaţii de continuitate. Cazul monopolar
4.1. Dacă sunt prezente fenomene de drift (ex. câmp electric) şi difuzie (ex. gradient de concentraţie) 
je  neeE  eDegradn
t=0
şi
jg  pe g E  eDg gradp
E E
 relaţii vectoriale 
t>0 jeE jeE
jed
Exemplu: 
jed
(a) (b)
4.2. Relaţiile Einstein
De kT Dg kT
 (electroni) şi  (goluri)
e e g e
4.3. Ecuaţiile de continuitate
Într-un volum din semiconductor pot avea loc următoarele procese: BC
g G0 R

1 – generarea putătorilor de echilibru

2 – generarea purtătorilor de neechilibru
3 – recombinare
4 –injecţie de purtători 4 2 1 3 4’
4’ –extracţie de purtători

„balanţa” acestor procese  ecuaţii de continuitate

BV


Expresia generală a ecuaţiei de continuitate:  div j  0 x
t
n 1 p 1
particularizată pentru electroni  div je şi goluri   div jg (atenţie la semne!!!).
t e t e
se includ termenii de generare şi recombinare (v. 1.):
n 1 p 1
 G0e  ge  Re  div je (electroni) şi  G0 g  g g  Rg  div jg (goluri)
t e t e
n n n 1 p p 1
Dar (v. 1.) re  Goe  Re  . Se obţine:  ge   div je şi  gg   div jg
 t e e t g e

Includem j din 4.1. >>>> div je  div neeE + eDe grad n   ee div  nE   eDe divgrad n

 
Folosind: div AB  A div B  B grad A  div je  ee  n div E  E grad n   eDe2n

Dacă nu există acumulări de sarcină spaţială, div E  0

expresiile generale ale ecuaţiilor de continuitate pentru purtătorii de neechilibru:

  n  n
 ge   eE grad  n   De  2  n  (Ce)
t e

  p  p
 gg    g E grad  p   Dg 2  p  (Cg)
t g

 Conţin 4 termeni (generare, recombinare, drift şi difuzie)

----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
 5. Lungime de atenuare
V Fig. de la p. 2. >>>>>>>>>>>>>>>>
n
Pp. n  n0  p0 (injecţie puternică!!) + câmp electric
n0
Se neglijează termenul de generare în (Ce) (g = 0):
n 0
  n  n   n   2
 n  e
  e E  De
t e x x 2
0 Le x
n   n    n 
2
În cazul staţionar,   eE  De  0 sau,
e x x 2

 2  n  e   n  n
cu  e De  Le şi relaţia Einstein,  E  2  0 (+)  n(x):
x 2 kT x LeE

LeE - lungime de difuzie în prezenţa câmpului!!!

  2  
1/ 2
 e  1 1  eLeE eL  
Ecuaţia caracteristică:  2   E    2  0 are soluţiile 1,2   E   eE E   4  (++)
 kT  2 LeE  kT   kT  
   
LeE
 

n  x   C1 exp  1x   C2 exp  2 x  (condiţii la limită C1 şi C2)

Cazuri particulare: n
(a)
n0
eL kT
a – câmp electric slab: eE E 1 sau E  în (++) E << Ecr
kT eLeE n 0
e
1/ 2
 
2 
eL eLeE
 E   4   4
1/ 2
eE
 2 şi  E  2  2 . În acest 0 LeE = Le x
 kT   kT
 
n (b)
 x  n0
şi n   n  x0 exp  
1 1
caz, 1,2   2    
2 LeE LeE  LeE 
E >> Ecr
Dependenţă identică cu p. 2.!! ( E  0 )  mişcarea electronilor
0 x
are doar caracter de difuzie (se poate neglija driftul) (Fig. (a))
kT n
Se defineşte Ecr  ---- intensitate critică E (c)
eLeE n0
E  Ecr
kT n 0 x
b – câmp electric puternic E Ecr   în (++)
eLeE e

2 0 ef  x
 eLeE  1  eLeE eL  LeE > Le
 E 4 şi 1,2   E  eE E   1  0 şi

 kT  2 LeE  kT kT  n
E (d)
n0
E 1  E x  E  Ecr
2   şi n   n  x0 exp   ef 
ef
 , unde LeE - n 0
Ecr LeE  E cr LeE 
e

lungime efectivă de difuzie în prezenţa câmpului (electric) 0 ef 

LeE < Le
Observaţii:
LefeE E
- se găseşte uşor că   este de E /Ecr ori mai mare decât
LeE Ecr
LeE
- în cazul E Ecr , Lef eE LeE  se poate considera că mişcarea are exclusiv caracter de drift (se neglijează caracterul de
difuzie!!!) (v. Fig. (b))

c – Dacă E  Ecr , nu se mai poate neglija „4” sub radicalul din (++)  2 soluţii diferite  trebuie luate în

considerare cele două orientări posibile ale câmpului şi gradientului de concentraţie şi natura purtătorilor de
sarcină (electroni sau goluri)!!!!!!!

Cele două soluţii sunt: (Fig. (c))

1/ 2
1 1  E  2  E 1
(1) 1  ef      4  , pentru E < 0
LeE 2 LeE  Ecr   Ecr 2 LeE
 
ef  ef 
(1) – orientare negativă a E (electroni!!)  electronii care difuzează vor fi acceleraţi  Lef
eE << LeE unde LeE - lungimea de
atenuare (difuzie) în sensul câmpului

şi (Fig. (d))
1/ 2
1 1  E  2  E 1
(2) 1  ef      4  , pentru E > 0
LeE 2 LeE  Ecr   Ecr 2 LeE
 

ef  ef 
(2) – orientare pozitivă a E  electronii care difuzează vor fi frânaţi  Lef
eE >> LeE unde LeE - lungimea de atenuare

(difuzie) în sens invers câmpului

SIMILAR PENTRU GOLURI!!
 FOTOCONDUCŢIA ÎN SEMICONDUCTORI 2.0
Ge
Definiţie: ...... 300 K
1.5

 În general, radiaţie din domeniul VIS (400 nm – 760 nm)

1.0
 De asemenea, IR ( 100 m) şi UV (10 nm )


experimental
 Se defineşte: eficienţă (randament) cuantic(ă): -------- teoretic
n nr. de purtatori aparuti 0.5
  teoretic vs. experimental !!!!
N Nr. de fotoni absorbiti
 Rata de generare de neechilibru: g    0.0
1 2 3 4 5 6

     0   h/Eg

0 – conductivitatea staţionară (la întuneric):  0  e  no n  p0  g  E


 – fotoconductivitatea:   e nn  p g !!!!!  banda de conductie
EC
 Cazul bipolar şi absorbţie slabă!! (v. 1.!!) nivel donor

  şi
Eg Ed
La iluminări slabe:    st 1  et /
nivel acceptor
t / 
   st e EV
banda de valentă
(ec. Relaxării fotoconducţiei) Ea

Fotoconducţia

Fotoconducţia

purtătorilor liberi
Fotoconducţia
  şi

extrinsecă
intrinsecă
La iluminări puternice:    st tanh t g

1
   st
t g  1
fotorăspunsul

ALTE EFECTE
determinate de absorbţia radiaţiei... 1 10 102 103 104
(m)

Efectul Dember Efectul fotomagnetic

y
grad p grad n M2

+ + + + d

h
grad n

0 ED d x L2 L1 grad p
l jgy jey
h
jedx
Ey
Generare bipolară  B
O
jgdx

– – – – x

 
jx  nee  pe g E x  eDe
dn
dx
 eDg
dp
dx
z
L
M1


.......

VD 

kT e   g  
 n  0   n  d 
VFM  DBl

e e   g n  L   n  0   
e n0 e  p0  g  0   FM

nu are aplicaţii
detectoare de IR
 FENOMENE LA SUPRAFAŢA SEMICONDUCTORILOR

VID
Atomii de la suprafaţa unui cristal se găsesc în
situaţii diferite faţă de cei din volum!!!
>>>>>>>>>>>>

(a) (b)

VID VID VID

db d <db

(a) (b) (c)

relaxarea suprafeţei reconstrucţia suprafeţei

Clasificarea suprafeţelor:
1. curată (intrinsecă) dacă în planul suprafeţei sunt conţine doar aceleaşi specii de atomi sau de molecule,
iar acestea sunt situate la aceleaşi distanţe ca şi când acest plan s-ar găsi în interiorul cristalului.
2. Suprafeţele reale (practice/ extrinseci)
3. Suprafeţele polare/nepolare

STRUCTURA CRISTALINĂ A SUPRAFEŢELOR

1. Suprafeţe curate

Def. reţeaua bidimensională a suprafeţei respective şi baza de atomi ataşată fiecărui nod al acestei reţele
EXEMPLE:

(b) a2

a1
a2
(a)
(a)
a1
a
a2 (b)
(c)
a1

1. CFC (100) a1  a2  a 2 2. CFC (111) a1  a2  a 3

Alte exemple:

(100) (110) (111)

CFC

N=8 N=7 N=9

CVC

N=4 N=6 N=3

suprafaţa CFC (10.8.7)

TEORETIC: un număr infinit de tipuri de suprafeţe
de interes: suprafeţe de indici (Miller) mici şi suprafeţe
vicinale >>>>>>>>

2. Suprafeţe practice/suprastucturi

Există diferite tipuri de situri de adsorbţie

(în funcţie de numărul de legături chimice
echivalente pe care specia adsorbită
(atomi/molecule) le poate realiza cu suprafaţa)

(a) (b) (c) (d)

Problemă: Trebuie descrisă structura cristalină a suprastructurii (overlayer!!)

în raport cu cea a suprafeţei ( b1 şi b2 în funcţie de a1 şi a2 )  Notaţia Wood (2.1.) sau matriceală (2.2.)
2.1.
1. dacă este posibil, b1 şi b2 să fie paraleli cu a1 şi a2
2. se calculează modulul b1 şi b2 în funcţie de a1 şi a2

 b1 b2 
3. rezultatul se scrie   
 a1 a2 
 
 Exemple:
- atomi adsorbiţi on-top pe CVC VCC (100) >>>>>>>>>>>>

- b1  2 a1 şi b2  2 a2  structură (2×2) b2
b1
>>>>>>>
a2
<<<<<<<<<<< idem dar cu acoperire mai mare
a1
2 moduri posibile pentru celula elementară a
adsorbatului:
b2
-primitivă:  
2  2 R45
- centrată (notată cu c !!!) c  2  2 
b1

Concluzie: Notaţia Wood – folositoare pentru simetrii apropiate (alte exemple)

 b1   m11 m12  a1 
2.2. Se exprimă b1 şi b2 în funcţie de a1 şi a2 :    
 
 2   m21 m22  a2 
b

Exemplele de mai sus:

b1  2a1  0a2 b1  1a1  1a2
 2 0   1 1
 şi M    (structură (2×2)) SAU  şi M    (pentru c  2  2  )
  0 2   1 1
b2  0a1  2a2 b2  1a1  1a2

CONCLUZIE: la suprafaţă apar fenomene specifice:

0 1 n –1 n n+1
Vibraţii de suprafaţă: a a a
mediu exterior

Atomul de la suprafaţă poate avea fie o masă

diferită, fie o constantă de cuplaj diferită >>>>> x
u0 u1 un-1 un un+1

x=0

STĂRI ENERGETICE DE SUPRAFAŢĂ

U
U

a a

U
U1 0
a b
U0
U

x
0 a a

în volum vs. la suprafaţă

 d 2 1 2m d 2  2 2m
Ecuaţiile Schrödinger:   E  U o  1  0 pentru x < 0 (1) şi  2  E  U  x   2  0 pentru x > 0 (2)
d x2 2
d x2
U0 – lucrul de extracţie?; U  x  na   U  x  (potenţial periodic)

 în interiorul şirului  2  x   U k  x  eikx (Bloch)  k trebuie să fie real!!  benzi permise/interzise

2
 la suprafaţă pot fi permise valori complexe ( k  k1  ik2 )  E  k   U 0     k2 2 :
2m
- k real (k2 = 0)   benzi permise/interzise (v. modelul K-P!)
- k complex (k2  0)  O stare energetică adiţională localizată la suprafaţă
(funcţia de undă scade exponenţial în apropierea suprafeţei!!!)

Stări Tamm &/ Schokley:

Sir reticular limitat la un capăt  o stare de suprafaţă
Sir reticular limitat la ambele capete  două stări de suprafaţă
Cristal real  număr foarte mare de stări  bandă
E

Tipuri de stări energetice de suprafaţă: semiconductor

- intrinseci apar datorită întreruperii periodicităţii reţelei strat de “oxid”
cristaline la suprafaţa cristalului
- extrinseci determinate de perturbarea potenţialului
cristalin de către defectele cristaline din stratul banda de conducţie
superficial sau de speciile atomice sau moleculare
adsorbite pe suprafaţă
stări lente stări rapide
- stări interne/ stări externe .......
- rapide şi lente ....
- donoare/acceptoare .....
banda de valenţă
procesele datorate existenţei suprafeţei se manifestă într-
un strat subţire din apropierea acesteia  x=0

strat superficial/strat de suprafaţă  tehnici experimentale specifice: ......

 FORMAREA STRATURILOR DE SARCINĂ SUPERFICIALĂ

1. INTERFAŢA SEMICONDUCTOR-VID

E E banda de conducţie
banda de conducţie banda de conducţie

EF EF EFS EF
EFS
EFS

banda de valenţă banda de valenţă banda de valenţă

x=0 x=0
x=0
(a) (b) (c)

 câmp electric  diferenţă de potenţial  curbarea benzilor cu  eV:

EC  x   EC  eV  x  şi EV  x   EV   eV  x 

E
E

(a)
EC
EF

EV Modul de curbare a marginilor benzilor de

electroni
E E conducţie şi de valenţă la suprafaţa unui eşantion
semiconductor de tip n în prezenţa sarcinilor
EC goluri superficiale. Formarea straturilor de inversie (a), de
(b) EF
sărăcire (b), a benzilor plate (c)
sarcini pe şi a stratului de acumulare (d).
EV
suprafaţă
E negative

EC
EF sarcini pe
(c) suprafaţă
pozitive
EV

E E
EC
Pentru determinarea grosimii & tipului
EF
(d) stratului de sarcină superficială  rezolvarea
EV
ecuaţiei Poisson:
0 x d 2V  x  dE  x    x
  unde
dx 2 dx 

   
  x   e  p  x   N D  n  x   N A  (v. ecuatia de neutralitate !!!) şi

 EF E EF
ND NA
p  NV e kT ; N D  ; n  NC e kT ; N A 
 E  Ed   E  EF 
1  2exp  F  1  2exp  a 
 kT   kT 
 
ecuaţie generală dificil de rezolvat  cazuri particulare de interes practic
EXEMPLU:
d 2V  x  e 
EF
semiconductor tip n (n >> p, N A  0 ) în domeniul de epuizare ( N D  ND )     N D  NC e kT  (*)
dx 2  
 

EC  x   EC  eV  x   V  x    EC  x   EC   EC  x  atenție !! EC  0!!!

1 1
e e
 EC  EF
Notăm n0  NC e kT (concentraţia de echilibru a electronilor liberi în „adâncime”) 
 EC EC  x  EF EC  x  EC  x  
d 2  EC  x   
e2 
n  x   NC e kT  n0 e kT și atunci (*)   N  n e kT 
dx 2   D 0 
 
EC  x  
d 2  EC  x   
e2 N D 
dar, în domeniul de epuizare  n0 = ND   1  e kT  Încă dificil de rezolvat 
dx 2   
 
cazul cvasineutralităţii electrice  n  x  n0 (marginea benzii se curbează puţin  EC kT )  dezvoltare în

d 2  EC  x   e2 N D EC  x 
x

serie:  cu soluţia EC  x   EC  x  0  e LeD
unde
dx 2  kT
 kT
LeD   lungime Debye (lungime de ecranare)
e2 N D

E
Calculul grosimii stratului de sarcină
EC (x)
spaţială – S electroni
liberi
 cazul n  x 
EC
n0 şi n0  N D : EF
(a) goluri
  e n0  n  x   en0 libere
EV
 ecuaţia Poisson: sarcini pe
d 2V  x 
dE  x  1 V suprafaţă
   en0 VS negative
dx 2 dx  (b)
 Prima integrare:
0
dV  x  1  x
 E  x     en0 x  C1 
dx   E
0
1
 condiție la limită: E  x  ls   en0ls  C1  0 x
(c)

1 ES
 E  x    en0  ls  x  variaţia aproximativă

 A doua integrare: n
n0
en en
V  x    0 x 2  0 ls x  C2 ; V  x  ls   0 variaţia reală (d)
2 2
0
en
 V  x   0  ls  x 
2 x
ls
2
stratul de sarcină
 VS – valoarea potenţialului la suprafaţă  spaţială

2VS  s
ls  sau ls  
en0 en0
 CONCLUZII .....

2. INTERFAŢA METAL-SEMICONDUCTOR
2.1. DIAGRAMA BENZILOR DE ENERGIE

semiconductor
metal SM = M – Sn
tip n
E0 = 0

Sn Sn
M MS=M – Sn
EC
EC
EF
EFS
M – Sn
EFM

(b) EV
(a) EV
x=0

E0 = 0 MS = Sn – ’M – Sn

’M Sn Sn SM = 0
EC
EFM
EC EF
Sn – ’M
EFS

(c) (d)
EV

EV
x=0
(a) , (b): M > Sn  barieră (contact) Schottky
(c) , (d):’M < Sn  contact ohmic

EXEMPLU:
semiconductor: ND ~ 1018 cm–3 şi n0 = ND
metal: monovalent  n0  1022 cm–3
ls
S  M  102 (v. mai sus!!)  benzile de energie din metal nu se curbează (benzi plate)
lm

2.2. FENOMENE DE TRANSPORT IN STRUCTURA M – S

OBSERVAŢIE: posibilitatea „controlării” înălţimii barierei de potenţial de contact cu ajutorul
unui potenţial electric extern
 jMS jSM

SM = M – Sn
MS = M – Sn EC
(a)
EF echilbru
termodinamic 
jSM = jMS
EV

x=0

jMS j’SM jMS j’’SM

SM – eU
SM + eU
MS MS
E’FS
EFM + eU
EFM
– eU
E’’FS

metal semiconductor metal semiconductor

+ – – +

(b) (c)

Determinarea caracteristicii J – V
Două cazuri particulare:
1. pentru grosimi mici ale stratului de baraj ( l  ln )  număr mic de ciocniri  teoria emisiei
termoelectronice (Bethe)
2. pentru grosimi mari ale stratului de baraj ( l  ln )  număr mare de ciocniri  curent de difuzie 
teoria difuziei (Mott, Schottky)
Teorie generală (Crowell, Sze)

2.2.1. TEORIA EMISIEI TERMOELECTRONICE

 nu ia în considerare efectul forţelor imagine
 se neglijează ciocnirile din stratul de baraj  fluxurile de electroni sunt date de teoria emisiei termoelectronice
 e M 
(Richardson): j  AT exp  
2

 kT 

4 em0k 2
A – constanta emisiei termoelectronice în vid!!!: A   A  A* (efectivă (m0  m*))
h3

Exemplu: Ge <111>, A*/A = 1,4, Si <111>, A*/A = 2,2

    eU   e SM 
 la polarizare: j 'S  M  A * T 2 exp   SM  exp   şi jM S  A * T exp   kT 
2
 kT   kT   
      eU  
 curentul total: j  j 'S  M  jM  S   A * T 2 exp   SM   exp    1 sau
  kT     kT  
  eU     
j  js exp    1 , unde js  A * T 2 exp   SM 
  kT    kT 
CONCLUZIE: - polarizare directă: U > 0  j > 0 (cadranul I)
- polarizare inversă: U << 0  exp << 1  j   js = const. (curent de saturaţie)
VALABILITATE: semiconductori cu mobilităţi şi concentraţii mari (Si, GaAs, InSb etc.)

2.2.2. TEORIA DIFUZIEI

VALABILITATE: semiconductori cu mobilităţi şi concentraţii mici (Te, AlSb, Cu2O etc.)
 pentru lS < ln  electronii suferă ciocniri multiple  curentul depinde de câmpul local şi de gradientul de
concentraţie.
 dn  x   I
 Curentul total: j  x   e  n  x  eE  x   De 
2

 dx  1


.......

0
 eU 
U

j  js e  1 , unde js  en0nEs
 kT
 
 
c
curba 1: difuzie
curba 2: emisie termoelectronică
2.2.3. CROWELL & SZE
+ efectul forţelor imagine + fenomenele de tunelare prin bariera de potenţial + recombinarea pe stările de interfaţă +
 eU 
efectul de reflexie al electronilor la interfaţă  ... j  js  e kT  1 .
 
 

3. JONCŢIUNI CU SEMICONDUCTORI
 Pentru cristalul de Ge se cunosc:
e = 0,38 m2/V·s, g = 0,18 m2/V·s, me = 0,56m0; mp = 0,37m0 şi Eg = (0,72 – 4·10–4T) eV.

Concentraţia purtătorilor. Influenţa temperaturii.

1. La temperatura de 300 K, rezistivitatea unui cristal de germaniu intrinsec este 0,47 ·m. Să se determine
concentraţia purtătorilor de sarcină.
2. Să se calculeze apoi rezistivitatea acestui cristal la temperaturile de 200 K şi 100 K. Se poate lua în considerare
şi variaţia mobilităţii cu temperatura.
3. Să se calculeze produsul maselor efective ale electronilor şi golurilor în cristalul de germaniu.

Influenţa mobilităţii. Raportul concentraţiilor

1. Să se determine rezistivitatea unui cristal de germaniu de tip n aflat în regim de epuizare, dacă concentraţia
impurităţilor donoare este 3·1020m–3.
2. Să se compare cu rezistivitatea unui cristal de tip p cu aceeaşi concentraţie a acceptorilor.
3. Se aduce apoi cristalul de tip n la temperatura de 300 K. Care este în acest caz concentraţia electronilor şi
golurilor?

3/ 2
 2 m*g kT 
3/ 2
 2 me*kT  ni2 1037
 n  nd   p  N D ; p<<n n  ND
np  ni2 NC  2 
 h2  ; NV  2 
 h2


p 
    n 1020
3/ 2

Eg  2 m*m* kT  
Eg
 2 
e g
ni  NC NV e 2 kT e 2 kT
 h 2 
 

 
 E  EF  E  EV
 NC exp   C    NV exp   F 
ND
    ND
  kT  1  1 exp  Ed  EF    kT 
   
 2  kT  

Poziţia nivelului Fermi

Să se determine poziţia nivelului Fermi la 300 K şi 400 K pentru InSb. Se cunoaşte că lărgimea benzii interzise este
Eg = 0,2 eV, iar raportul maselor efective este 20.

3
EF 400  EF 300  8.62*105 100K  3  20*103  0.02eV
4

Într-un semiconductor studiat prin metoda efectului Hall se găseşte pentru concentraţia electronilor la 400 K valoarea
n400 = 1,3·1022 m–3, iar la 350 K, n350 = 6,2·1021 m–3. Să se găsească lărgimea benzii interzise (la 0K).
3/ 2
Eg  2 m*m* kT  Eg Eg Eg
1 1 b   
 2 
e g
Ri  ; ni  NC NV e 2 kT e 2 kT  Const * T 3/ 2
e 2 kT ; ln( RT 3/ 2
)  C 'e 2 kT
ni e 1  b  h2  i

 