Biomateriale

Curs 4

Ş.l.dr.univ. MARIA-MAGDALENA DICU

Departamentul de Fabricaţie şi Managemet Industrial
Facultatea Mecanică şi Tehnologie
Master Stiinta si Tehnologia Materialelor
Metode de caracterizare a suprafetelor
biomaterialelor
 Difracție de Raze X (XRD)

Generalități

• Difractia de raze X (XRD) este unul din cele mai importante

instrumente nedistructive pentru analizarea diferitelor tipuri de
substante — de la lichide, la pudre si cristale.

• XRD este o metoda indispensabila pentru caracterizarea

materialelor si controlul calitatii in cercetare, in productie si in
inginerie.

• Difracţia de raze X este utilizată atât la identificarea fazelor

cristaline ale unui material, cât şi la estimarea proprietăţilor
structurale şi microstructurale ale acestor faze, cum ar fi
dimensiunea cristalitelor, orientarea preferenţială, defectele
structurale, microtensiuni ale celulei elementare etc.
• In cazul filmelor subţiri, această tehnică permite
determinarea stresului sau tensiunii, precum şi a grosimii
filmelor.
• Proporţia cu care fazele componente participă la amestec se
poate determina cu aproximaţie din intensităţile relative ale
liniilor de difracţie corespunzătoare.
• Difracţia razelor X are loc când acestea trec printr-o
substantă cristalină. Difracţia apare ca urmare a reflexiei
regulate a razelor X de către atomii din reţeua cristalină,
dispuşi pe diferite planuri reticulare.
 Tipuri de metode de analiză în XRD

Există două tipuri de metode analitice de analiză în XRD :

• Metoda pe monocristal
In metoda pe monocristal proba este expusă la un fascicul
policromatic de raze X şi nu este rotită în faţa fasciculului. Cu alte
cuvinte unghiul θ este constant.
Deşi există o mulţime de lungimi de undă în radiaţia
policromatică de raze X, interferenţa constructivă apare doar
pentru anumite lungimi de undă caracteristice. Astfel tipul şi
structura cristalină a substanţei poate fi determinată.
• Metoda pe policristal
In metoda pe policristal proba este rotită în faţa unui fascicul
monocromatic. Astfel unghiul de incidenţă θ este variabil şi
lungimea de undă este constantă.
Intereferenţa constructivă este îndeplinită numai pentru
anumite unghiuri. In acest fel structura cristalină poate fi
identificată.
 Instrumentatia in XRD

Sursă Suport Detector Amplificator

Monocromator
primară de probă de raze X
(filtru)
raze X (tub
de raze X)

Sistem
de citire
Tipuri de spectrometre de difracţie
1. Difractometre cu dispersie automate
2. Difractometre cu filmare pe detector
cu emulsie
 Analiza calitativă în XRD

• In analiza calitativă se determină structura substanţelor

cristaline. Analiza se efectuează pe baza poziţiei liniilor în
spectru prin unghiurile θ sau 2θ şi intensităţii relative a
liniilor.
• Unghiurile de difracţie 2θ sunt determinate de distanţele
interplanare pe cele trei direcţii, în timp ce intensitatea
relativă depinde de natura atomilor şi modul de legare în
reţeaua cristalină.
• Identificarea este empirică. Se determină unghiurile 2θ
sau poziţia liniilor din spectru. Se calculează distanţele
interplanare din ecuaţia lui Bragg, cunoscând lungimea
de undă.

mλ
d =
n 2 sin θ
n
 Analiza cantitativă în XRD
• In analiza cantitativă se determină concentraţia speciilor
cristaline din probă. Se foloseşte relaţia de dependenţă
dintre intensitatea liniei de difracţie şi concentraţia speciei
căreia îi aparţine linia.

ki f i
I id =
µ
• Unde fi este fracţia volumetrică a componentei cristaline,
µ – coeficientul de absorbţie a razelor X prin matricea
probei.

• Semnalul de difracţie depinde atât de concentraţia

substanţei cristaline, cât şi de compoziţia matricii.
 Difractograme XRD

Difractograme XRD realizate pe suprafata de Ti tratata,

prin tehnica PEO la 350 V: a) 3 min b) 5 min c) 10 min d) 7 min
 Microscopie electronică cu baleiaj (SEM)

Generalități

• Este o tehnica speciala care permite observarea si

caracterizarea la scara micro si nanometrica a materialelor
solide anorganice sau organice.

• SEM constituie o metoda de investigatie, care poate oferi

informatii in legatura cu structura şi starea suprafeţelor
materialelor.

• Microscopia electronică cu baleiaj se utilizează pentru obţinerea

informaţiei despre componenţa calitativă şi cantitativă a
substanţei, despre proprietăţile fizice, fizico – chimice şi
cristalochimice ale acesteia.
Principiul de funcționare
• In interiorul SEM-ului, aria ce urmeaza a fi analizata sunt iradiate
cu un fascicul de electroni fin focalizat si scanat intr-un rastru pe
suprafata.

• Interactiunea fasciculului de electroni cu materialul iradiat produce

o varietate de semnale: electroni secundari, electroni
retroamprastiati, raze X, lumina, etc., semnale a caror analiza
ofera un mare volum de informatii despre topografia si compozitia
chimica a probei.

• Coloana microscopului unde se realizeaza bombardarea

preparatului cu faciculul primar de electroni, preparatul produce
electroni secundari, care sunt captați de un detector. Curentul
astfel format este antrenat si amplificat intr-un tub catodic, unde
se formeaza imaginea. Tensiunea de accelerare a electronilor
este de 1000-60.000 V.

• In partea superioara a coloanei electronice se afla amplasat tunul

electronic care produce un fascicul de electroni cu energii cuprinse
in gama 0,1-30 keV.
• Detectorii radiatiilor emise in urma interatiunii dintre electroni si
materialul analizat determina prin intermediul amplificatorului
video luminozitatea si contrastul imaginii achizitionate.

• Microscopul mai contine:

- Sistemul de vid (2 pompe)
- Sistemul de operare și afisaj.

Tipuri de analiza

• Determinări morfostructurale: formă și dimensiuni de

particule, nanofire și nanotuburi, morfologia suprafețelor.

• Determinări compoziționale: analiză chimică elementală

prin tehnica EDS, trasarea de hărți de compoziție prin
cartografie EDS.
 Imagini SEM

Micrografii SEM realizate pe suprafata de Ti tratata,

prin tehnica PEO la 370 V
 Microscopie electronică prin transmisie (TEM)

Generalități

• Este o metoda performanta de investigatie caracterizata, in primul

rand prin, prin puterea de marire (peste 1.000.000x).

• TEM investighează structura internă a solidelor şi oferă posibilitatea

obţinerii unor detalii structurale sau ultrastructurale inaccesibile cu
microscopia optică.

• Microscopia electronică prin transmisie de înaltă rezoluţie (HRTEM)

permite obţinerea de imagini ale structurii cristaline (la nivel de
atomic), permitand obtinerea unor detalii, care nu pot fi distinse
prin microscopie optica sau SEM.

• Datele obţinute cu ajutorul acestei metode sunt de un deosebit

interes în ştiinţa materialelor, cu deosebire a nanomaterialelor,
permitand stabilirea legăturilor dintre structura la nivel atomic şi
proprietăţile materialului inclusiv identificarea defectelor de retea
de tipul dislocatiilor, limitelor de graunti.
 Principiul de funcționare

• Foloseste un fascicul de electroni accelerati (la energii de 40-400

keV) si focalizat de o serie de lentile magnetice, care este transmis
prin specimen.

• La iesirea din acesta, fasciculul de electroni care contine informatii

legate de materialul analizat este magnificat de lentila obiectiv si
este proiectat pe un ecran fluorescent.

• Imaginea formata poate fi direct inregistrata pe un film fotografic

sau poate fi captata printr-un sistem optic de catre o camera
digitala si transmisa mai departe pe ecranul unui computer.

• Rezolutia TEM-ului are o limita fundamentala data de aberatiile de

sfericitate, dar in noile generatii de microscoape aceasta aproape a
fost eliminata.
 Tipuri de analiza

• Determinări morfologice: formă și dimensiuni de

particule,nanofire și nanotuburi, straturi subțiri.

• Determinări microstructurale: identificarea fazelor

cristaline, prin difracție de electroni și microscopie
electronică de înaltă rezoluție, distribuția fazelor cristaline
în probe eterogene (straturi subțiri, aliaje).

• Determinări compoziționale: analiză chimică elementală

prin tehnica EDS, trasarea de hărți de compoziție prin
cartografie EDS în mod STEM.
Imagini TEM

Imagine TEM și diagrama SAED a unui strat subțire de ZnO dopat

cu Mn, pe substrat de safir.
Imagine HRTEM la interfața ZnO-Al2O3. Spectru EDS la interfața
ZnO-Al2O3
 MICROSCOPIA DE SCANARE CU EFECT TUNEL
(Scanning Tunneling Microsopy STM)

Generalități

• Principiul tunelizării electronilor a fost propus de Giaever:

dacă o diferenţă de potenţial este aplicată pe două metale,
separate de un strat izolator foarte fin, se va genera un
curent, produs de abilitatea electronilor de a penetra bariera
izolatoare.

• Vidul oferă condiţii ideale pentru fenomenul de tunelizare.

• Pentru a se putea măsura un curent de tunelizare, cele două

metale trebuie să se afle la o distanţă mai mică de 10 nm.
 Părți componente

Nanoscopul STM e compus din trei părţi principale:

• Capul de scanare, care conţine:

- Tubul piezoelectric de scanare – controlează mişcarea 3D a

vârfului;
- Circuitul de preamplificare (amplificatorul de intrare FET),
montat deasupra capului, care generează curentul necesar
determinării;
- Consolele (suporturile) STM, cu vârfuri ascuţite, sunt de
obicei fabricate din:
- fire metalice din tugsten (W);
- platină-iridiu (Pt-Ir);
- aur (Au).
 Consolele STM sunt ascuţite prin:
- șlefuire;
- tăiere (cu cutter sau o lamă foarte ascuţită);
- emisie\evaporare în câmp;
- laminare în flux de ioni;
- rupere;
- gravare\polizare electrochimică.

• Baza de montare a probei;

• Suportul, care susţine baza şi capul.

Principiul de funcționare
Un vârf ascuţit metalic (un electrod al joncţiunii
tunelare) este adus în apropierea suprafeţei (la 0,3 – 1 nm)
de investigat (al doilea electrod).
 • La un voltaj convenabil (10 mV –1 V), curentul de tunelare
variază de la 0,2 la 10 nA, ceea ce reprezintă o valoare suficentă
de mare pentru a putea fi măsurată.

• Vârful baleiază suprafaţa de examinat la o distanţă de 0,3–1 nm,

și în acest timp este măsurat curentul tunelar dintre el şi
suprafaţă.

Principiul de obținere a imaginii

STM poate fi operat în regim de:

• Curent constant;
- o reţea de feedback permite modificarea înălţimii z, astfel încât curentul
z, să rămână constant;
- deplasarea vârfului, dată de curentul aplicat, creează o hartă topografică
a suprafeţei.
• Înălţime constantă.
- vârful metalic poate baleia suprafaţa la înălţime şi voltaj aproape
constante, în timp ce curentul este monitorizat;
- regimul este de obicei folosit pentru obţinerea de imagini la nivel atomic;
- nu este aplicabil suprafeţelor rugoase.
 Imagini STM

Imagini STM ale unor domenii oxidice monodisperse,

pe un alt oxid

Triunghiurile întunecate evidenţiază centrul trioxidului

trimeric de tungsten, în timp ce partea luminoasă arată atomul de
tungsten cu nivel energetic înalt.
 MICROSCOPIA DE FORȚĂ ATOMICĂ
(Atomic Force Microsopy AFM)

Generalități
• Microscopia de fortă atomica permite analiza 3D în
domeniul nano și micrometric a topografiei suprafețelor și
determinarea unor proprietăți fizice locale cum ar fi:
rezistența electrică, curenți de scurgere, răspunsul
piezoelectric, magnetizarea, elasticitatea;
• De asemenea se poate studia morfologia și evaluarea gradului
de rugozitate a straturilor subțiri din materiale organice și
anorganice, depuse prin diverse metode.

• AFM măsoară forţe foarte mici (mai puţin de 1nN) prezente

între suprafaţa vârfului AFM şi cea a probei de examinat;
• În timpul unei măsurători AFM, de obicei este mişcată proba,
şi nu vârful de scanare ca în cazul STM AFM măsoară
deplasarea relativă dintre suprafaţa consolei flexibile şi cea de
referinţă, şi orice mişcare a suportului ar adăuga vibraţii.
• Pentru măsuratorile pe probe mari există AFM-uri la care
vârful baleiază iar proba este staţionară.
• La AFM se detectează forţele care se stabilesc între probă şi
vârf, nu curentul tunelar, ca în cazul STM.
• Evaluarea acestor forțe permite poziționarea vârfului de
scanare față de probă.

Principiul de funcționare

AFM poate fi folosit:

în regim static;
• se mai numește mod de respingere sau mod de contact;
• vârful ascuţit de scanare, montat la capătul unui suport
(consolă) flexibil este adus în contact cu suprafaţa probei;
• în timpul contactului iniţial, atomii vârfului sunt supuşi unei
forţe foarte slabe de respingere, datorată suprapunerii
orbitalilor atomilor vârfului cu cei ai atomilor de pe suprafaţa
de examinat;
• Forţa ce acţionează la vârf produce o deviere a suportului
flexibil care este măsurată cu ajutorilor unor detectori de tip:
- efect tunel;
- capacitiv;
- optic;
• Devierea poate fi măsurată până la valori de 0,02 nm.

în regim dinamic;
• se numeste şi imagistică prin forţă de atracţie sau imagistică
non-contact;
• vârful este adus în proximitate (la câţiva nm), nu în contact
cu proba.
• Suportul flexibil este vibrat intenţionat:
- modulat în amplitudine (AM);
- modulat în frecvenţă (FM);
• Gradientul de forţă este obţinut prin vibraţia suportului flexibil
şi măsurarea modificării frecvenţei de rezonanţă a acestuia.
• Forţe van der Waals foarte slabe sunt prezente la interfaţa
vârf-probă;
• Deși această tehnică este mai performantă, pentru că nu se
aplică presiune pe suprafaţă, deci nu există deformare, ea
prezintă dezavantaje:
- durată mare a determinării;
- greu de utilizat.

folosită aproape exclusiv în cercetare.

Modul in care contrastul unei imagini este realizat,

poate fi obţinut in mai multe modalitati. In AFM avem trei
tipuri de interactie intre vârful cantileverului si proba :

- modul contact continuu;

- modul contact intermitent;
- modul non-contact.
 Mod CONTACT
• Interacțiunea dintre atomii individuali ai varfului cantileverului
(tip) și cei ai suprafeței.
• Teoria este foarte complexa (forte coulombiene și/sau cele
induse de polarizare).
• Forțele de interactiune tip - suprafață au intensitate
considerabilă, care pot afecta starea fizică a suprafeței.
• Servește pentru caracterizarea morfologica a
suprafeței.

Mod NON-CONTACT
• Distanta vârf-suprafață este menținută constantă (2-30 nm).
• Teorie - simplă, fiind implicate doar forțe „individuale“ de
interactiune intre UN ATOM din varful tip-ului (cel mai
apropiat de suprafață) si eșantion, ca întreg.
• Forțe coulombiene, magnetostatice, van der Waals (cu 2 - 4
ordine de marime mai mici decat in cazul tehnicii CM).
 Mod REZONANT (TAPPING)
• O combinație a celor două moduri precedente.
• Se bazeaza pe amortizarea oscilatiilor și pe modificarea
frecvenței proprii de rezonanță a lamelei cantileverului, în
condițiile apropierii vârfului de suprafață.
• Se evita apariția efectelor de forfecare in timpul zgârierii
probei.

Imagini AFM

Rms = 59.8 nm

Imagini AFM 2D and 3D pe suprafata de Ti tratata,

prin tehnica PEO la 250V
 Avantaje prezentate de microscopia cu forte atomice :

• Microscopul cu forte atomice face posibila vizualizarea

imaginilor cu un contrast topografic extraordinar, pot fi
făcute măsurători precise de nivel pe suprafaţa probelor
investigate (nu este necesara tratarea probelor).

• Imaginile tridimensionale sunt obţinute fara o preparare

costisitoare a probelor ce urmează a fi studiate si oferă
informaţii mult mai complete, decât profilele
bidiminesionale obţinute din probele tăiate transversal.

• AFM-ul permite măsurarea precisa a pragurilor de inaltime

de pe suprafaţa unei probe, măsurare absolut independenta
de reflectivitatea materialelor studiate.
INTREBARI

1. Cum definiti difractia de raze X?

2. Care sunt tipurile de metode analitice in XRD?
3. Cate tipuri de analiza se poate realiza cu tehnica XRD?
4. Cum definiti microscopia electronica de baleiaj?
5. Cate tipuri de analiza se poate realiza cu tehnica SEM?
6. Care este principiul tunelizării electronilor?
7. Ce se poate determina cu ajutorul tehnicii AFM?
8. Enumerati cateva avantaje prezentate de AFM?