Microscopul electronic prin efect tunel

MICROSCOPUL ELECTRONIC PRIN

EFECT TUNEL

Mrgineanu Damiana (Costin)
An I, seria A, grua !
1
Microscopul electronic prin efect tunel
Intro"u#ere
Microscopul electronic cu efect tunel (STM - Scanning Tunneling
Microscope) a fost fondat n 1981 de ctre Gerg Binnig i Heinric !"rer#
a$%ii cercettori la &BM 'uric !esearc (a%orator) !*scli+on# ,l-e.ia/
0cest reali1are de e2cep ie# care a re-olu ionat tiin a i ingineria
$icroscopiei# le-a adus celor doi n anul 1983 pre$iul 4o%el pentru 5i1ic/ STM
per$ite oa$enilor de tiin. -i1uali1area regiunilor cu densitate electronic
ridicat i deter$inarea po1i.iei indi-iduale a fiecrui ato$/ 0stfel# s-au reali1at
progrese n -ederea cunoa terii lu$ii ato$ilor separa i n orice su%stan fr a
o distruge/ Microscopul are o re1olu.ie $ai $are dec6t $icroscopul %a1at pe
for. ato$ic (05M 7 0to$ic 5orce Microscope)# in-entat ulterior# 89:/
Microscopia electronic cu efect tunel se %a1ea1 pe c6te-a principii
i$portante; unul dintre acestea este efectul cuantic de tunelare care ne per$ite
s <vedem= suprafa a> alt principiu este efectul pie1olectric- ce ne per$ite
scanarea la ni-elul angstro$ilor/
Prin#iiu "e $un#tionare a STM%u&ui
STM este un $icroscop care are la %a1 a a-nu$itul efect de tunel# un
efect cuantico-$ecanic ce per$ite o tran1i ie# care deo%icei este $piedicat de
$ecanica clasica/ ?e e2e$plu# o particul nu poate dep i un o%stacol (%arier)#
n ca1ul n care acesta nu are energia necesar pentru a face acest lucru/
Mecanica cuantica pre-ede c o particul are totusi o ans $ini$a de a
tra-ersa# spontan# printr-o %arier de nl i$e nedefinit/ 0cela i ra iona$ent
poate fi aplicat i la electronii de solide; pro%a%ilitatea ca unul sau $ai $ul i
electroni s poat dep i# la un anu$it $o$ent %ariera de potential a suprafe ei
solide este aproape nula/ 8@:/
STM-ul este dotat cu un -6rf (de di$ensiunea unui ato$) ce este $icat
deasupra suprafe.ei unui $aterial n studiu# i se aplic o tensiune ntre pro% i
-6rf/ An func.ie de aceast tensiune# electronii -or BtunelaC# adic -or sri de pe
-6rf pe suprafa. (sau in-ers# n func.ie de polaritate)# ceea ce deter$in un
curent de o intensitate $ic/ Mri$ea sa depinde e2ponen.ial de distan.a dintre
pro% i -6rf/ ,-ident# pentru a se crea un curent# su%stratul scanat tre%uie s fie
conductor de electricitate (deci nu i1olator)# 83:/
Donfor$ fi1icii clasice# daca nu e2ista contact intre -6rf si suprafa a#
atunci nu e2ista curent intre acestea/ Efectul de tunelare a fost raportat pentru
pri$a data n anul 19EF/ Gractic# o particula - precu$ un electron# descris print-o
func ie de unda# are o pro%a%ilitate diferita de 1ero de a penetra %ariera#
E
Microscopul electronic prin efect tunel
respecti- spa.iul dintre -6rf i suprafa. 7 feno$en inter1is in fi1ica clasica 7
figura 1/ 8F:/
5ig/ 1/ Sce$ de ansa$%lu a STM 7 ului
Dand doi conductori sunt ae1a.i foarte aproape unul de altul fara sa se
ating atunci curentul electric poate trece prin spa.iul dintre ei (tunelare)/ 0cest
feno$en este nu$it tunelare si este un efect cuantic/ &n tunelare
doi factori sunt foarte i$portan.i;
- distanta dintre conductori>
- propriet.ile $aterialelor electro1ilor/
,cua.ia care gu-ernea1 feno$enul de tunelare este ecua.ia lui Scroedinger 7
relatia 1# 8F:/
H(2) I J(2) H(2) K, H(2) (1)
,lectronul este repre1entat de catre functia de unda H(2)/ Gri$ul ter$en
repre1inta energia cinetica# al doilea energia potentiala/ Gro%a%ilitatea de a gasi
un electron intre po1itiile 2 si 2Id2 este data de H(2) si H(2) dx /
L
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/ E/ Tunelarea unui electron printr-o %ariera dreptungiular
?aca presupune$ ca electronul se $isca initial pe directia I2# atunci
solutia functiei de unda pentru regiunea & (2MN) este# 83:;
H(2)=Ae
ikx
+Be
-ikx
(+KEOPQ) (E)/
unde; - 0e
i+2
este unda incidenta>
- Be
-i+2
este unda reflectata de%ariera/
Solutia ecuatie 1 pentru regiunea &&& (2RN) este;
H(2)=Ee
ikx
(L)
&n regiunea de %ariera (&&)# unde N S x T d # solutia nu este o unda plana ci
una e2ponentiala;
H(2)=Ce
kx
+De
Ukx
(9)
Se poate defini para$etrii;
!
V
- pentru co$ponenta reflectata
T
V
K - pentru co$ponenta trans$isa
T
E
W e2p(UEXd)# (@)
9
Microscopul electronic prin efect tunel
unde = (3)
5ig/ L/ Sce$a efectului de tunelare
?ensitatea de curent poate a-ea ur$atoarea e2presie;
j (x)K # (F)
Gentru 2Rd# densitatea curentului de tunelare este proportional cu YTY
E
/
Du$ YTY
E
descreste e2ponential cu d# curentul de tunelare -a descreste tot
e2ponential cu grosi$ea %arierei - d/ 0sa se e2plica de ce STM-ul are o
re1olutie -erticala e2tre$ de %una/ &n ca1ul STM-ului# energia electronului este
de cele $ai $ulte ori $ai $ica decat 1eJ/ 0ceasta energie corespunde unei
lungi$i de unda de 1eci pana la sute de 0ngstro$/
STM-ul foloseste un ac conducti- foarte ascutit fa%ricat din Zolfra$
(folosit pentru i$agistica in -id) sau platina (folosit pentru i$agistica in aer)/
,ste foarte i$portant ca -6rful sa nu se o2ide1e deoarece o2idul -a i1ola -arful
iar $surtorile -or de-eni dificile/ &ntre ac si pro%a este aplicat un curent/ Dand
distanta dintre -6rf si suprafa a pro%ei este de apro2i$ati- 1N0 atunci electronii
de pe pro%a ncep procesul de tunelare in ur$a cruia re1ulta un curent de
tunelare ce -aria1 in func ie de distanta dintre -6rf si pro%a# acest se$nal fiind
folosit pentru crearea i$aginilor STM/
Gentru ca tunelarea sa ai% loc# at6t pro%a cat si acul tre%uie sa fie
conductoare sau se$iconductoare/ Spre deose%ire de 05M# cu a[utorul STM-
ului nu se pot o%tine i$agini ale probelor neconductive/
Durentul de tunelare creste e2ponen ial cu distanta;
W ! e2p(UE"d ) (8)
unde ; " - -ectorul de unda asociat particulelor din %ariera de tunelare (in
@
Microscopul electronic prin efect tunel
acest ca1# -idul dintre -6rf si pro%a)/
5ig/9/ &nteractiunea ac 7 pro%a STM
?aca spa iul dintre ac si pro%a se sci$%a cu 1N\ (de ordinul 1])#
curentul de tunelare -aria1 cu un ordin de $ri$e/ 0ceasta dependenta
e2ponen iala confer STM-ului o sensi%ilitate re$arca%ila/
STM-ul este folosit in doua $oduri/ 8F:;
- nl i$e constanta
- curent constant/
&n $odul inaltime con#tanta# acul scanea1a in plan ori1ontal la o distanta
constanta fata de pro%a/ Durentul de tunelare -aria1a in functie de topografia sau
de proprietatiile electrice ale pro%ei 7 figura @# 8F:/
&n $odul de lucru curent con#tant# STM-ul foloseste circuitul de feed%ac+
pentru a $entine curentul de tunelare constant prin a[ustarea inalti$ea scanner-
ului in fiecare punct al $asuratorii 7 figura 3/
5ig/@/ Mod de lucru inaltime con#tanta
3
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/3/ Mod de lucru curent con#tant
0$%ele $oduri au at6t a-anta[e cat si de1a-anta[e/ Modul inaltime
con#tanta este $ai rapid pentru ca nu tre%uie sa -arie1e inalti$ea scanner-ului
nsa poate da infor$a ii dec6t despre pro%e cu suprafe e foarte netede/ Modul
curent con#tant poate $sura neregularitati ale suprafe elor cu $are preci1ie
nsa $asuratoarea durea1a $ai $ult/
Microscopul STM se %a1ea1 pe doi factori i$portan i# 8@: ;
- apropierea controlata a -6rfului $etalic# cu a[utorul unui tu%
pie1oelectric>
- siste$ anti-i%ra.ii perfor$ant/
Gentru tensiuni de ordinul 1$J-9J s-au o% inut curen i de ordinul N/1n0-
1Nn0/
Tre%uie re$arcat faptul ca in $odul de lucru constant# o cur% de feed-
%ac+ $en.ine curentul constant prin a[ustarea distan.ei dintre -6rf i suprafa./
0ceast a[ustare este reali1at prin crearea unei tensiuni ntre doi electro1i
pie1oelectrici/ Trec6nd cu -6rful pe deasupra pro%ei# scan6nd suprafa.a i
$sur6nd nl.i$ea# se poate reconstrui suprafa.a structurii $aterialului n lucru/
STM-urile de nalt calitate pot atinge o re1olu.ie suficient pentru a o%ser-a
ato$i/
0stfel# prin controlul opti$ al celor doi para$etri i$portan.i; ascu.i$ea
-6rfului i planeitatea pro%ei se pot o%.ine i$agini de o re1olu.ie $are/
Gregtirea pro%elor de-ine# astfel# o opera.ie strict necesar n -ederea sporirii
calit.ii i$aginilor/ Daracteristicile celor $ai $ulte su%straturi pentru studiile
STM sunt discutate i$preuna cu retelele inalte de preparare a fil$elor $etalice
ultra aplati1ate/ 0u fost de1-oltate si utili1ate diferite tenici de pasi-are a
su%straturilor de $etale no%ile cu $onostraturi organice si de depunere a unor
particole $ici $etalice pe acestea/
Deilalti factori ce li$itea1a re1olutia nu depind neaparat de -arf si de
pregatirea epru-etei si corespund ni-elului de proiectare STM/ Grintre acestia se
includ includ; 1go$otul electric# gradientii ter$ici si cuplarea 1go$otului
-i%rational in STM/
F
Microscopul electronic prin efect tunel
?aca este folosit modul #pectro#copic# tensiunea dintre -arf si suprafata
este -ariata# astfel se pot face anali1e legate de structura electronica a
suprafetelor/ &n conditii speciale# STM-ul per$ite $anipularea o%iectelor
indi-iduale/
Su'straturi $o&osite entru STM
Grafitul pirolitic nalt orientat (H^GG 7 Higl) ^riented G)rol)tic
Grapite) este unul dintre cele $ai studiate suprafe.e n $icroscopia cu efect
tunel# deoarece este relati- si$plu de preparat i de preluat i$agini ale laticei de
car%on de la suprafa./ H^GG este un $aterial dispus pe $ai $ulte straturi# are
o suprafa. inert fa. de aer i poate fi preparat uor prin Bdeco[ireaC pri$ului
strat/ !e1ultatul const ntr-o suprafa. proaspt# care are proprietatea c
anu$ite sectoare de apro2i$ati- 1NN_1NN n$
E
sunt perfect plane# la ni-el
ato$ic/ Mai $ult dec6t at6t# H^GG pre1int $ari cute ato$ice# care face
accesi%il preluarea i$aginilor structurilor ato$ice de ctre cele $ai $ulte tipuri
de $icroscoape electronice cu efect tunel# 81:/
`n alt $aterial stratificat des folosit n i$agistica o%.inut cu acest
$icroscop este $ica# deoarece la ni-elul ei pot fi o%.inute suprafe.e perfect
plane la ni-el ato$ic/ 4u poate fi folosit direct deoarece este un $aterial
i1olator/ 0ceast pro%le$ poate fi e-itat prin acoperirea acestei suprafe.e cu
un fil$ su%.ire de $etal no%il (platin sau aur) cu $en.inerea planeit.ii perfecte
a acestei suprafe.e/ Grocedeul poate fi pus n aplicare i in ca1ul n care $ica
este nlocuit de suprafe.e de SiPSi^
2
i cuar.# acestea pre1ent6nd i a-anta[ul
unui punct de topire ridicat/ 0cesta deter$in o %un re1isten. la te$peraturile
ridicate ce sunt necesare e-aporrii iPsau clirii fil$elor $etalice/
Sura$e(e a#oerite #u aur
Ma[oritatea pro%elor preparate pe su%strat de cuar. sunt acoperite cu un
fil$ foarte su%.ire de aur/ An figura F se pot o%ser-a suprafe.e plane de
apro2i$ati- EN n$ n dia$etru# alturi de por.iuni rugoase/ !ugo1itatea este de
apro2i$ati- 1 n$ ntre -6rfuri# 8E:/ ?atorit faptului c o -ast por.iune a pro%ei
are o rugo1itate considera%il# este foarte dificil preluarea de i$agini ale
su%stan.elor coloidale cu acest tip de $icroscop/
8
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/ F/ Suprafete plane -i1uali1ate la STM
Gentru re1ol-area acestui nea[uns s-a de1-oltat o nou tenic n -ederea
$%unt.irii planeit.ii suprafe.ei fil$ului de aur prin clirea sa ntr-o flacr
Bunsen/ 0stfel# prin utili1area unei flcri cu idrogen pentru ncl1irea fil$ului
la apro2i$ati- 11NNaD ti$p de LN p6n la 3N de secunde i lsarea n aer li%er
pentru rcire# apoi preluarea i$aginii se o%.ine ce-a ase$ntor cu figura 8/ An
conclu1ie# clirea n flacr de idrogen duce la for$area unor structuri
granulare ato$ice plane# orientate n direc.ia celei $ai $ici energii li%ere#
separate prin an.uri de apro2i$ati- EN n$ ad6nci$e# 8E:/
?up clire# pro%ele sunt tiate n frag$ente $ici care s poat ptrunde
n suportul pentru pro%e (de apro2i$ati- L_L $$
E
)/ Su%stratul de cuar. tre%uie
s fie relati- su%.ire (apro2i$ati- N#@ $$) pentru a putea fi uor tiat/ ban.urile
$en.ionate pot $piedica for$area unei distri%u.ii o$ogene a pacetelor din
pro%# din $o$ent ce particulele pot fi captate cu uurin. la $arginile
for$a.iunilor sau pot fi $pinse acolo de -6rful $icroscopului/
9
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/ 8/ &$agine prelucrata ter$ic
^ alt $etod de preparare a suprafe.elor plane din aur const n
e-aporarea aurului pe suprafa.a proaspt Bdeco[itC de $ic i apoi desprinderea
fil$ului de aur folosind tetraidrofuranul (TH5 7 D
9
H
8
^)/ Suprafa.a aflat n
contact cu $ica -a fi perfect plat# co$para%il cu suprafa.a de $ic proaspt
deco[it/
Pasi)area monostraturi&or
Studiul efectelor electronice asupra pacetelor din pro% necesit pre1en.a
unei %ariere de poten.ial ntre particule i su%stratul $etalic de su% acestea# n
ca1 contrar# neo%ser-6ndu-se efectele de ncrcare/ ^ cale si$pl de a produce o
ase$enea %arier este prin pasi-area suprafe.elor cu un strat dielectric/ `n
ase$enea strat poate fi capa%il s cree1e o legtur ntre suprafa.a de $etal# pe
de o parte# i pacetele de pro%# pe de alt parte/ Mai $ult dec6t at6t# tre%uie s
fie at6t de su%.ire# nc6t -6rful $icroscopului s plane1e pe deasupra n ti$pul
$surrii topografiei $etalului de dedesu%t/ Stratul tre%uie s fie i o$ogen i
e-entual s ai% un spa.iu $are pentru transportul electronic# n aa fel nc6t s
nu adauge caracteristici false spectroscopiei/ Toate aceste propriet.i pot fi
ntrunite# de e2e$plu de $onostraturi autoansa$%late (M0S) de $olecule
organice/
M0S-urile sunt aran[a$ente spontane ale $oleculelor pe o suprafa./
^rdonarea poate fi un re1ultat al suprapunerii $ai $ultor tipuri de for.e ci$ice;
printre altele# se pot nu$ra for.ele de atrac.ie care leag capetele $oleculelor
de su%strat (e2e$plu; grupul tiol de su%stratul de aur) i de interac.iile -an der
caals ntre $olecule adiacente ale stratului (for. ce e $ai puternic pentru
$olecule $ai lungi)/ ^ proprietate interesant a M0S-urilor este c
specificitatea ci$ic poate fi $odificat prin sci$%area capetelor $oleculelor
care for$ea1 $onostratul/ An continuare# -a fi descris prepararea diferitelor
$onostraturi care pot lega su%stratele $etalice de pacetele din pro%/
P&atina *i #isteamina
`n pri$ procedeu const n depo1itarea unor particule de aur de EN de n$
pe un fil$ plat de platin pasi-at cu un $onostrat organic/ 5il$ul de platin este
1N
Microscopul electronic prin efect tunel
preparat prin spra)-ere i pre1int o rugo1itate ntre -6rfuri de 1 n$ pe ntreaga
suprafa. de scanare (apro2i$ati- 1 d$
E
)/ `n $onostrat autoasa$%lat (M0S)
este folosit pentru a asigura %ariera de poten.ial i a fi2a pacetele de pro% prin
legturi ci$ice/ Gentru aceasta# se scufund su%stratul (o capsul de SiPSi^
2
acoperit cu un strat de @N n$ de platin spra)-at) ntr-o solu.ie de N#1 $M de
cistea$in n raport 1;1 cu etanol i e2an ti$p de 1E p6n la E9 de ore# 8L:/
Monostratul de cistea$in leag paetele de pro% de su%strat# for$6nd
%ariera de poten.ial ntre pro% i fil$ul de platin (figura L)/ Molecula de
cistea$in (H
E
4-DH
E
-DH
E
-SH# denu$it i E-a$ino-etantiol) este co$pus
dintr-un lan. scurt de ato$i de car%on ce se ter$in la cele dou capete cu ato$i
de 4# respecti- S/ An consecin.# e2ist dou orientri posi%ile ale acestei
$olecule pe su%strat; pri$a# ca n figura 9 cu captul S ataat de su%stratul de
platin# iar a doua cu captul 4 ataat de su%strat/ `lti$a are loc n pre1en.a
o2idului de suprafa.# o%.in6ndu-se n acest ca1 o puternic legtur 4-^/
^ricu$# nu se poate distinge din topografia cu $icroscopul ntre cele dou
orientri posi%ile ale $oleculei de cistea$in/
5ig/ 9/^rientari ale $oleculelor pe su%strat
?up preparare# pro%a este cercetat cu $icroscopul la te$peratura
ca$erei pentru a -erifica; concentra.ia pro%ei la suprafa.# dac particulele sunt
separate una de alta# dac pro%a este %ine fi2at pe suprafa. n ti$pul
$surtorilor/
Monostraturi "e a&#an%tio& *i %"itio&
Metoda pre1entat $ai sus nu s-a putut aplica pro%elor cu particule $ai
$ici# de apro2i$ati- @ n$# deoarece rugo1itatea fil$ului de platin spra)-at nu a
per$is o i$agistic satisfctoare/ Grin ur$are# s-a folosit o tenic special de
11
0u colloid
4
S
4
S
4
S
4
S
4
S
4
S
4
S
4
S
4
S
D)stea$ine
Monola)er
Gt su%strate
Microscopul electronic prin efect tunel
pasi-are a fil$ului de aur cu un strat dielectric/ 0cesta tre%uia sa ai% cel pu.in o
grupare sulfuric la capt pentru a se putea lega de suprafa.a de aur i s fie
capa%il s for$e1e un $onostrat autoasa$%lat la suprafa./ 0se$enea $olecule
pot fi repre1entate de n-alcantioli; sunt constitui.i dintr-un lan. scurt de ato$i de
car%on (a cror nu$r este indicat de n)/ 0to$ul de sulf se -a ataa de suprafa.a
de aur# independent de -aloarea lui n# 8L:/
,2peri$ental ns# s-a do-edit c $oleculele scurte (nM3) nu for$ea1 un
$onostrat ordonat/ 0cest feno$en poate fi e2plicat printr-un nu$r insuficient
de for.e -an der caals ce se sta%ilesc ntre $olecule# acest lucru $piedic6nd
$oleculele s se aran[e1e ntr-un strat ordonat/ D6nd nT3# n-alcantiolii pot for$a
spontan un $onostrat autoasa$%lat pe suprafa.a $etalelor no%ile/ ?e ase$enea#
eergueris i cola%oratorii au calculat decala[ul pentru conducerea electronic i
au gsit o -aloare foarte $are de 1N eJ/ 5igura 1N arat sce$a aran[a$entului
spa.ial al legturii tiol-0u; $oleculele suntan aran[ate paralel ntre ele i cu un
ungi de 3Na/
5ig/ 1N/ 0ran[a$ent spatial al legaturiitiol-0l
Grepararea pro%ei cu tiol ncepe cu cur.area su%stratului cu etanol# apoi
introducerea lui ntr-o solu.ie etanolic de alcantioli de concentra.ie 1 $M ti$p
de 1E p6n la E9 de ore/ Gentru a pre-eni o2idarea# toate solu.iile sunt preparate
i depo1itate n cutii cu a1ot/ ?up depo1itare# pro%ele sunt cltite de c6te-a ori
n $etanol i uscate cu a1ot/
(a final# se poate pune coloidul $etalic pe suprafa. - figura 11/
1E
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/ 11/ Gro%e pasi-i1ate i$potri-a o2idarii
Monostratu& "e +%aminotio$eno& (ATP)
`n alt $aterial ce se ncadrea1 n lista de M0S-uri este i 9-
a$inotiofenolul (0TG)/ 0ceast $olecul este constituit dintr-un inel aro$atic
cu grupri ce con.in ato$i de sluf respecti- de a1ot la capete opuse/ 0TG
for$ea1 un $onostrat autoasa$%lat pe un su%strat de aur cu captul S ataat de
fil$ i captul 4 ndreptat spre e2terior/
Grepararea 0TG-ului este si$ilar celei pentru $oleculele de alcantiol;
su%stratul este pri$a oar cur.at i apoi scufundat ntr-o solu.ie etanolic de
0TG de concentra.ie 1 $M ti$p de 1E p6n la E9 de ore n at$osfer de a1ot/
0poi se cltete cu $etanol# se usuc cu a1ot pentru a eli$ina e2cesul de 0TG/
Anainte de utili1are este depo1itat n -id sau n at$osfer de a1ot# pentru a
pre-eni o2idarea# 8L:/
An figura 1E se poate -edea o i$agine luat la te$peratur [oas cu
$icroscopul; su%stratul este perfect plat# iar pacetele din pro% sunt clar
-i1i%ile i i1olate unul de altul/
1L
Microscopul electronic prin efect tunel
5ig/ 1E/ &$agine prele-ata la te$peratura [oasa
STM este# de ase$enea# un instru$ent pentru $odificarea suprafe.elor
prin -ariate $etode cu$ ar fi crestarea -6rfului sau $odificarea su%stratului de
electroni e$ii de -6rf/ (a te$peraturi [oase (de regul# 9e) este ciar posi%il
$icarea ato$ilor cu $are acurate.e# B$ping6ndu-iC sau Btrg6ndu-iC cu -6rful
unui STM/ 0stfel# din $o$entul n care STM-ul a fost folosit i ca instru$ent i
ca $icroscop la scal nano$etric a de-enit -ital apari.iei nanotiin.elor/
19
Microscopul electronic prin efect tunel
,I,LIO-RAFIE
1/ `ll$an# 0/ 7 $ltrat%in or&anic film## 0cade$ic Gress# &nc/; San ?iego#1991
E/ eergueris# D/# Bourgoln# f/G/# Galacin# S/ 7 ,2peri$ental in-estigations of te
electrical transport properties of dodecanetiol and g# h %istioltertiopene $olecules
e$%edded in $etal-$olecule-$etal [unctions# 'anotec%nolo&( )*# 1999>
L/ !osin+# f/f/c/M/# BlauZ# M/0/# Geerligs# (/f/# -an der ?rift# ,/# !ousseuZ B/0/D/#
!adelaar S/ 7 GroZt and caracterisation of organic $ultila)ers on gold groZn %) organic
$olecular %ea$ deposition# +ptical material# ,# 1998
9/ iii ttp;PPZZZ/no%elpri1e/org
@/iiittp;PPZZZ/treccani/itPenciclopediaPst$j(,nciclopedia-della-Scien1a-e-della-
Tecnica)P
3/ iii ttp;PPen/Zi+ipedia/org
F/iii/ttp;PPser-erE/p)s/uniro$a1/itPgrPlotusPMarianijcarloPdidatticaPNjN@j
4anostrutture j MarianijSTM-STMj05M/pdf
8/ iii ttp;PPZZZ/fi1ica/uni%uc/roPfi1icaPstudentiPcursuriPdocP!usujcurs # pag EL 7 E9 /
9/ iii ttp;PPinfoscience/epfl/cPrecordP18@999PfilesP,G5(jTH@FEF/pdf
1@