Efectele negative ale

semiconductorilor asupra organismelor

Introducere
Conductivitatea electric (numit i conductibilitatea electric specific) este mrimea
fizic prin care se caracterizeaz capacitatea unui material de a permite transportul sarcinilor
electrice atunci cnd este plasat ntr-un cmp electric. Simbolul folosit pentru aceast mrime
este de obicei (litera greceasc sigma), iar unitatea de msur este siemens pe metru (S
m1). Mrimea invers conductivitii este rezistivitatea electric, cu simbolul (litera
greceasc ro) i unitatea de msur ohm metru (m).
Corpul sau materialul care conduce curentul electric se numete conductor electric;
metalele sunt buni conductori electrici, iar dintre acestea conductivitatea cea mai mare o are
argintul (63,0106 Sm1), urmat la mic distan de cupru (59,6106 Sm1). De asemenea
plasma (gaz ionizat) este n general un bun sau foarte bun conductor electric -- n multe cazuri
conductivitatea plasmei se poate considera infinit. Tot n clasa conductorilor intr i unele
lichide care conin muli ioni, de exemplu apa srat conduce curentul electric cu att mai bine
cu ct concentraia de sare este mai mare. Un corp sau material care nu permite n mod
semnificativ trecerea sarcinilor electrice se numete izolator (de exemplu sticla, vidul, apa
deionizat etc.). O valoare a conductivitii electrice ntre cea a conductorilor i cea a
izolatorilor o au semiconductorii.
Materialele semiconductoare sunt izolatoare la temperatura zero absolut dar conduc
electricitatea, ntr-o anumit msur, la temperatura camerei. Proprietatea definitorie a
materialului semiconductor este aceea c poate fi dopat cu impuriti care i altereaz, ntr-un
mod controlabil, proprietile electronice. [1]
Cel mai interesant fenomen l reprezint modificarea spectaculoas a rezistivitii
electrice a semiconductorilor prin impurificare. Astfel, dac din 105 atomi de Siliciu unul este
nlocuit cu un atom de Bor, rezistivitatea siliciului scade, la temperatura camerei, de 1000 de
ori. La temperatura camerei, o concentraie foarte mic de impuriti de bor n Si (0,001%)
determin o cretere a conductibilitii de 100 de ori fa de cea corespunztoare strii pure.
Impurificarea reprezint o problem specific i fundamental a fizicii i tehnologiei
semiconductorilor. [2]
Din punct de vedere electric materialele semiconductoare au rezistivitatea electric
cuprins ntre 10-2 pn la 109 *m, intermediar ntre conductori (10-6 *m) i izolatori (1014
pn la 1022 *m). Rezistivitatea electric a semiconductorilor scade exponenial cu
temperatura. La T = 0 un semiconductor este izolator din cauza faptului c banda de conducie
este complet goal.
Semiconductorul este un material a crui rezistivitate este cuprins ntre cea a
conductoarelor i izolatoarelor. Rezistivitatea electric a semiconductorilor scade exponenial
cu temperatura. Un cmp electric poate schimba rezistivitatea semiconductorilor.
Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt baza electronicii moderne, fiind
pri componente n computere, telefoane, senzori, radiouri i multe altele. Dispozitivele
semiconductoare sunt: tranzistorul, celulele solare, mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda
luminiscent i circuite integrate. Fotovoltaicele sunt dispozitive semiconductoare care

transform energia luminii n energie electric. ntr-un conductor metalic, curentul este
reprezentat de fluxul de electronii. ntr-un semiconductor curentul este reprezentat fie de
fluxul de electroni fie de fluxul de "goluri" din structura electronic a materialului. [3]
Tehnologia semiconductorilor
Chimia a fcut posibil transformarea siliciului i a germaniului n semiconductori
care alimenteaz calculatoarele, aparatele electrocasnice i dispozitivele de comunicare de
astzi. Semiconductorii, n raport cu metalele, sunt o clas de materiale care i mresc
conductivitatea la temperaturi ridicate. Aceti semiconductori sunt tratai suplimentar pentru a
crea un exces sau un deficit de electroni. Cipurile i circuitele integrate pentru calculatoare
sunt realizate din materiale semiconductoare. Semiconductorii permit realizarea de
componente electronice mai rapide, mai eficiente din punct de vedere energetic i de
dimensiuni mai reduse. Chimitii din industria semiconductorilor asigur controlul calitii
componentelor, optimizarea proceselor, remedierea defeciunilor i continua evoluie a
dispozitivelor microelectronice.
Crearea ulterioar a cipurilor de siliciu, a circuitelor integrate i a microprocesoarelor a
permis apariia calculatoarelor de mare vitez, foarte eficiente, din zilele noastre. Cipurile de
siliciu (1961) sunt formate din tranzistori, rezistori, condensatori i cipuri de memorie, toi
ncorporai n straturi pe microplcue de siliciu, care sunt apoi supuse unui tratament chimic
cu mai multe etape.

tiai c?
1833 - Se nregistreaz pentru prima dat efectul semiconductorilor: Michael Faraday
descrie cazul extraordinar al descoperirii sale privind conductibilitatea electric care crete
o dat cu temperatura n cazul cristalelor de sulfur de argint. Acesta este fenomenul invers
celui observat n cazul cuprului i al altor metale
n 1947, cercettorii John Bardeen, William Shockley i Walter Brattain au demonstrat
c fluxul de electricitate ce trece prin siliciu putea fi controlat n mod selectiv. [4][5]
Elementele din care se fabric semiconductoarele: In, Ga, Sb, Se, As, Tl, Ge, Cd, Zn, Pb etc

Si
Ge
InSb
InAs
InP
GaP

Cei mai cunoscui semiconductori

GaAs
GaSb
SiC
PbS
PbSe
PbTe

CdS
CdSe
CdTe
ZnO
ZnS
TiO2
[6]

Industria fabricrii semiconductorilor este o industie modern ce utilizeaz produi

chimici n care muncitorii sunt expui pericolelor toxice generate de metalele din grupele III,
IV i V incluznd galiul (Ga), indiul (In,) stibiul (Sb) i arsenul (As). Aceste metale sau
metaloizi sunt cunoscute ca fiind toxice i cancerigene att n rndul oamenilor ct i al
animalelor. Simptomele otrvirii acute (ncluznd disconfort gastrointestinal, vom, com i
uneori decesul) apar uzual dup 30 de minute de la ingestia GaAs i InAs, n timp ce
consecinele otrvirii cronice (ncluznd anemia, leucopenia, cancerul de piele i alte cancere
interne) sunt mult mai insidioase. O singur doz de 100 mg / kg de GaAs i InAs duc la o
inflamaie pulmonar acut dup 14 zile. Expunerea cronica (2 ani de zile) la doze mici (<1
mg/kg) produce toxicitate sistematic si provoac leziuni pulmonare. n plus a fost observat
o cretere semnificativ a toxicittii la nivel testicular asupra oarecilor injectai cu GaAs i
InAs, intraperitoneal. Au fost, de asemenea, descoperite toxicitti asupra sistemului renal. [7]
Producia i asamblarea de echipamente de nalt tehnologie electronice necesit
stocarea, utilizarea, precum i eliminarea unei game largi de substane periculoase. Solveni,
acizi, substane alcaline, metale, gaze, materiale plastice, rini, i fibr de sticl sunt folosite
n cantiti semnificative. Accidente, echipamente defecte, i proceduri i procese inadecvate
poate duce la expuneri periculoase lucrtorilor. Studiile tiinifice efectuate n SUA i Europa
au identificat condiii periculoase i ratele ridicate rezultate de boli profesionale n industria
semiconductorilor.

STIBIU
Expunerea la stibiu a fost asociat cu intoxicaie cu plumb, cu simptome incluznd
durerile de cap, durerile abdominale, constipaie, colici, antipatie pentru alimente, pierderea
poftei de mncare, ulcere, ameeli, pierdere de greutate, albuminurie i glicozurie.
Expunerea la concentraii de antimoniu de 9 mg/m 3 de aer va duce la iritaii ale
ochilor, pielii i iritaii pulmonare. Expunerea pe termen lung la stibiu n instalaiile de topire
poate duce la o form de pneumoconioz. Expunerea cronic va potena boli pulmonare,
cardiace, i gastro-intestinale.
Expunerea cronic la stibiu poate fi asociat cu consecine mutagene: deteriorarea
cromozomilor i tulburri ale aparatului genital; fiind un potenial oncogen trebuie evitat n
timpul sarcinii i la pacienii cu insuficien hepatic, renal sau boli cardiovasculare.
Stibiu n combinaie cu alte metale poate modifica biologic mecanismele de aparare
celular, contribuind astfel la carcinogenez.
Tratamentul pentru otravirea cu stibiu const n ingurgitarea amestecului: o linguri
de boabe de mutar mcinate sau o linguri de alaun sub form de pulbere n ap cald
(vomitiv) n mod repetat, n scopul de a induce starea de vom pn ce con inutul stomacului
a fostgolit. Laptele sau albumina ar putea fi administrate n cazul n care otrava a avut efecte
iritante. Acestea fiind urmate de un ceai concentrat, de coaj de stejar, sau o infuzie de tanin.
[8]

INDIU
Indiul este o component major a numeroase dispozitive electronice, inclusiv
semiconductori de mare vitez III-V cum ar fi arseniura de indiu (InAs)
Se estimeaz c peste 30.000 de persoane au fost angajate n 2007 ntre 350 firme de
fabricare a semiconductorilor din Taiwan. n 2004, n Statele Unite, au fost estima i 255.000
de muncitori implicai n fabricarea i asamblarea cipurilor semiconductoare, incluznd i
expunerea la compui anorganici cu indiu.
Unele dintre noile tehnologii duc la produse cu durat de via util, scurt (ex: 3-5 ani
pentru afiajul cu cristale lichide); astfel expunerea la indiu poate aprea n timpul eliminrii
sau reciclrii materialelor componente.
Fosfura de indiu (InP) provoac diverse tipuri de cancere: pulmonar, pancreatic, de
rinichi melanoame ale pielii i ale snilor la femei. Produce modificri pulmonare intersti iale
semnificative i reduceri ale funciei pulmonare. [9]

ARSENUL (Arsen anorganic)

Efecte acute
Expunerea acut prin niveluri ridicate de inhalare a prafului de arsen sau fum a dus la
efecte gastro-intestinale (grea, diaree, dureri abdominale), n timp ce expunerile la arsen
anorganic au condus la tulburri ale sistemului nervos central i periferic.
Expunerea oral acut a oamenilor la arsen anorganic, n doze de aproximativ 600 de
micrograme /kilogram greutate corporal pe zi (g / kg / zi) a dus la deces. Expunerea oral la
niveluri mai mici de arsen anorganic a dus la efecte toxice asupra tractului gastro-intestinal
(grea, vrsturi), sistemului nervos central (SNC) (dureri de cap, slbiciune, delir),
sistemului cardiovascular (hipotensiune arterial, oc), ficat, rinichi i snge (anemie,
leucopenie).
Arsina
Expunerea acut a oamenilor prin inhalarea de arsin a dus la moarte; s-a raportat c o
expunere de jumtate de or la 25 - 50 pri pe milion (ppm) poate fi letal. Efectele majore
ale expunerii acute la om includ dureri de cap, vrsturi, dureri abdominale, anemie
hemolitica, hemoglobinuria, i icter; aceste efecte pot duce la insuficienta renala.
Efecte cronice (necancerigene):

Expunerea prin inhalare cronic la niveluri ridicate de arsen anorganic la om este

asociat cu iritaii ale pielii i mucoaselor (dermatit, conjunctivit, faringit i rinit).
Expunerea cronic oral la niveluri ridicate a dus la efecte gastro-intestinale, anemie,
neuropatie periferic, leziuni ale pielii, hiperpigmentare, gangrena extremitatilor, leziuni
vasculare i daune hepatice sau renale.
Arsenul anorganic ingerat poate traversa placenta la om, expunnd ftul la substana
chimic.
Studiile de inhalare au raportat expunerea la arsen anorganic fiind puternic asociat cu cancer
pulmonar. Ingestia de arsenic anorganic la om a fost asociat cu un risc crescut de melanom
cutanat i, cu un risc crescut de cancer al vezicii urinare, ficatului, i pulmonar. [10]
SELENIU
Avnd n vedere c seleniul este un element esenial, acesta devine toxic n doze mai
mari. Depirea nivelului superior tolerabil de 400 de micrograme pe zi poate duce la
selenoz. Exist dovezi c administrarea seleniului exercit un efect general favorabil la o
varietate de tumori induse chimic. Toxicitatea seleniului la animale pare a avea loc la
concentraii mai mari n diet i pare s implice mai multe sisteme de organe. Semne i
simptome ale selenozei includ un miros de usturoi al respiraiei, tulburri gastro-intestinale,
cderea prului, descuamarea unghiilor, oboseal, iritabilitate, i daune neurologice. Cazurile
extreme de selenoz pot duce la ciroza ficatului, edem pulmonar, i deces. [11]
GERMANIU
Studiile utiliznd ageni antitumorali pe baz de germaniu au artat c acest element
este capabil s inhibe acidul dezoxiribonucleic (ADN), acidul ribonucleic (ARN), producnd
insuficiena sintezei proteinelor ca rezultat al replicrii celulare i uciderea celulelor.
Problemele de sntate ale muncitorilor din industria semiconductorilor
n 2010, un grup de foti angajai ai companiei Motorola care au lucrat pentru
companie ntre anii 1965 i 2007, au intentat un proces ntemeiat pe expunerea la substan e
chimice toxice n timpul fabricrii semiconductorilor. Expunerea cauznd malforma ii
congenitale asupra proprilor copii (cel puin 30 de copii). Procesul a implicat 71 de reclama ii
care susin c firma tia despre pericolele de lucru cu materialele semiconductoare, dar nu a
reuit s pun n aplicare msuri de precauie adecvate pentru a proteja lucrtorii si. Copii
reclamanilor au avut o serie de malformaii congenitale, inclusiv: autism, paralizie cerebral,
orbire, sterilitate, epilepsie, malformaii cerebrale, deformri fizice sau osoase, defecte
congenitale al coloanei vertebrale
Ca dovad a faptului c Motorola a tiut sau ar fi trebuit s tie despre aceste
riscuri, procesul a citat un studiu din 1986 al IBM i Universitatea Johns Hopkins a
demonstrat c expunerea la substanele utilizate de Motorola ar putea duce la probleme de
reproducere. [12]

Grupuri de muncitori din Coreea de Sud raporteaz o inciden neobinuit de mare la

tipuri de cancer i alte boli grave printre angajaii de la semiconductoare i alte componenete
electronice Samsung. n timp ce compania neag orice legtur, tipul bolilor este ngrijortor
de similar cu cele observate la muncitorii instalaiilor pentru fabricarea materiale
semiconductoare n SUA i Europa.
n martie 2011, Ocuparea forelor de munc Coreene i activitii n sntate au
numrat 120 de cazuri de boli grave i 46 decese n rndul lucrtorilor Samsung. Sus intorii
Sntii i Drepturilor Omului din industria de semiconductori au descoperit 74 de persoane
care au lucrat la fabricarea semiconductoarelor Samsung i au devenit grav bolnave; 26 dintre
ele au murit. Suplimentar, 15 muncitori care au lucrat la fabricarea LCD-urilor sau mbolnvit
grav, i 5 dintre ei au murit. [13]

CONCLUZII
Producia i asamblarea de echipamente de nalt tehnologie electronice ce au n
componen semiconductori, necesit stocarea, utilizarea, precum i eliminarea unei game
largi de substane periculoase.
Concentraiile mai multor metale i metaloizi toxici au crescut n mare parte ca urmare
a activitilor umane. Ele pot perturba procese biochimice importante, care constituie o
ameninare important pentru sntatea plantelor i animalelor. Plantele i animalele absorb
aceste elemente din soluri, sedimente i ap prin contactul lor cu mediul, prin ingestie i prin
inhalarea din aer a metalelor vaporizate. Pentru meninerea sntii, sunt luare msuri de
prevenire prin care s se evite ingerarea de ioni metalici toxici. De la monitorizarea nivelului
endogen al ionilor metalici n produsele alimentare i buturi la contaminri detectare n
timpul preparrii alimentelor, rile europene cheltuie resurse semnificative pentru a evita
contaminarea
Pn n prezent rate ridicate de mbolnvire sunt semnalate printre angajaii din
producia semiconductorilor; nu exist cazuri demonstrate nc de boli grave n rndul
utilizatorilor
Pe lng factorii toxici existeni, prin dezvoltarea i utilizarea tehnologiei, apar i noi
probleme de sntate necontinetizate nc.

Bibliografie

[1]

https://laurmb12b-2011.wikispaces.com/semestrul+II

[2]

http://blogosfera.md/view-post-v-111902-0-romana.html

[3]

http://ro.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

[4]

http://www.chemgeneration.com/ro/milestones/tehnologia-semiconductorilor.html

[5]

http://www.chemgeneration.com/ro/marie-curie/cipurile-de-siliciu-%C5%9Fi-circuiteleintegrate.html

[6]

http://www.msl.utcluj.ro/down/Cursul%20Nr11.pdf

[7]

http://www.researchgate.net/publication/6453172
_Exposure_and_health_risk_of_gallium_indium_and_arsenic_from_semiconductor_m
anufacturing_industry_workers

[8]

http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2822166/

[9]

http://monographs.iarc.fr/ENG/Publications/techrep42/TR42-2.pdf

[10]

http://www.epa.gov/ttnatw01/hlthef/arsenic.html

[11]

http://en.wikipedia.org/wiki/Selenium#Toxicity

[12]

http://www.yourlawyer.com/topics/overview/toxic-exposures-birth-defects-lawsuits

[13]

http://e360.yale.edu/feature/toxics_in_the_clean_rooms
_are_samsung_workers_at_risk/2414/