S.D.

Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

TRANZISTORUL BIPOLAR
William Shockley fizician american, laureat al premiului Nobel n 1956
mpreun cu J. Bardeen i W.H Brattain. Au pus la punct tehnologia
tranzistorului.

3.1 Structura i caracteristicile statice

Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci
(pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat
schematic n fig.3.1a i ceva mai aproape de structura real n fig.3.1b.
Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei
terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile
sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone:
emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz
sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la
colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare,
respectiv colectoare.
B

baza

p
E

emitor

colector

(n)

(p)

(n)

jonctiune
emitoare

jonctiune
colectoare

Fig.3.1
O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia
electric particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni,
cu contribuii diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de
ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile
lor sunt prezentate n fig.3.2.
E

pnp

E
npn

Fig.3.2
45

Tranzistorul bipolar

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou

particulariti:
emitorul este mult mai puternic dopat dect baza
lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de
difuzie a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m)
Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea
emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens
invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este
prezentat n fig.3.3a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur
surs de alimentare.
C

IC
RC

IE

ICBo
IC

EC

IB

IB

EE

IE

RE

IE
a

Fig.3.3
n fig.3.3b se poate observa modul n care purttorii de sarcin din
semiconductor contribuie la formarea curenilor exteriori msurabili:
curentul de emitor - IE, curentul de colector IC i curentul de baz IB.
Trebuie s subliniem nc odat faptul c la curentul prin tranzistor particip
purttori de ambele polariti, n timp ce la curenii exteriori particip
exclusiv electronii de conducie din metal.
Golurile, care sunt purttorii majoritari n emitor, sunt accelerate n
cmpul de polarizare direct a jonciunii emitoare i, n marea lor majoritate,
vor traversa baza i vor fi preluate de cmpul electric de polarizare invers a
jonciunii colectoare. Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notat cu . se numete factor de
curent i valorile lui sunt foarte apropiate de 1: 0,97 0,99 . Datorit
slabei dopri a bazei i a lrgimii ei foarte mici, doar o mic parte din
46

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

golurile care pleac din emitor se vor recombina cu electronii din baz.
Curentul IE mpreun cu curentul de purttori minoritari, ICBo, care
traverseaz jonciunea colectoare polarizat invers, vor forma curentul de
colector, IC. Astfel, pot fi scrise urmtoarele relaii ntre curenii msurabili:
I E = IC + I B

(3.1)

I C = I E + I CBo

(3.2)

nlocuind expresia curentului de emitor (3.1) n relaia (3.2) i

exprimnd curentul de colector, se obine:
IC =

I B + CBo
1
1

(3.3)

Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu i

se numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a
curentului continuu) i este supraunitar:

(3.4)

Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate

fi exprimat sub forma:
I C = I B + (1 + )I CBo

(3.5)

Relaia (3.5) indic dependena intensitii curentului de colector de

intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul
bipolar este un element activ comandat n curent. Deoarece curentul de
purttori minoritari ICBo este foarte mic (sub 1A), n practic se poate folosi
cu bun aproximaie relaia I C I B .
Ecuaiile (3.1), (3.2) i (3.4) descriu funcionarea tranzistorului n
curent continuu (regimul static) i, mpreun cu legile lui Kirchhoff, permit
calcularea valorilor rezistenelor din circuitul exterior de polarizare, precum
i a punctului static de funcionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo,
UCEo i ICo.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre
terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de
ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul
(masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului
ntr-un circuit:
conexiunea emitor comun fig.3.4a
47

Tranzistorul bipolar
conexiunea baz comun fig.3.4b
conexiunea colector comun fig.3.4c

Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer
diferii. Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de
aceea n continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n
regim static ct i n regim dinamic.
IC
IB

UCE

U BE

Fig.3.5
Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate n Fig.3.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre
o singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de
familii de caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mrimile de control, cu ajutorul
crora le modificm pe celelalte, sunt curentul de baz, IB, i tensiunea
dintre colector i emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre baz i emitor, UBE, i curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
ntr-o reprezentare calitativ, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt artate n fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt urmtoarele:

48

U BE = f (I B ) U

CE = const .

, caracteristica de intrare

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

I C = f (U CE ) I

B = const .

I C = f (I B ) U

U BE = f (U CE ) I

CE = const .

, caracteristica de ieire

, caracteristica de transfer n curent

B = const .

, caracteristica de transfer invers n

tensiune
IC

IB
ICBo

IB = 0

IB

UCE

UCE

IB

UBE

Fig.3.6
O alt caracteristic important a tranzistorului bipolar este
caracteristica de transfer n tensiune, pe baza creia se definesc i
regimurile posibile de funcionare ale lui. n fig.3.7a este prezentat o
schem posibil pentru trasarea acestei caracteristici iar n fig.3.7b este
artat aspectul ei.
EC = +5V
UCE [V]

Rc
1 k

10 k

zona
activa

IC

Rb
Uin
0 - +5V

blocat

5
UCE = Uies

UBE

UCEsat

saturat

0,1 - 0,2V

0,65

U BE [V]

Fig.3.7

49

Tranzistorul bipolar
Discuia asupra comportrii tranzistorului se poate face dac
considerm comportamentul celor dou
jonciuni
asemntor
comportamentului unor diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare
drept dioda emitor, DE, iar jonciunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei
emitor, ntre emitor i colector nu poate circula nici un curent, cderea de
tensiune pe rezistena Rc este nul i UCE = Ec. n acest interval de tensiuni
de intrare tranzistorul este blocat, ntre colector i emitor el acionnd ca un
ntreruptor deschis. Odat cu creterea tensiunii de intrare, dioda emitor se
va deschide i va permite curgerea electronilor ntre emitor i colector
peste dioda colector polarizat invers. Tensiunea UCE va ncepe s scad
foarte rapid, deoarece crete cderea de tensiune pe Rc, n condiiile n care
tensiunea de alimentare, Ec, este pstrat constant (Ec = IcRc + UCE).
Curentul de colector va crete i tensiunea UCE se va micora pn cnd se
ajunge n regimul de saturaie (cantitatea de sarcin disponibil nu este
nelimitat) n care ambele diode, emitor i colector, sunt n stare de
conducie. Acest regim de lucru se numete saturat. n regimul saturat
tensiunea ntre colector i emitor este foarte mic, U CE 0,1 0,2V . Ea se
numete tensiune colector-emitor de saturaie, UCEsat. Zona de tranziie
dintre regimurile blocat i saturat se numete zona activ. n zona activ
curentul de colector i tensiunea de ieire pot fi controlate de ctre tensiunea
de intrare i implicit de ctre curentul de baz.
Putem sintetiza regimurile de funcionare ale tranzistorului
bipolar n felul urmtor:

regimul blocat

regimul n zona activ

regimul saturat:

DE i DC - blocate,

IC = 0, UCE = Ec
DE conducie, DC blocat,
I C 0, U CE = 5 0,2V
DE i DC conducie,
I C 0, U CE = 0,1 0,2V = U CEsat

Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd

tranzistorul se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare
sau generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte
rapid prin zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i
invers, se spune despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele
digitale, de exemplu).
50

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate
i pe graficul reprezentnd familia de caracteristici IC = IC(UCE), aa cum se
poate observa n fig.3.8.
IC UCE = Pmax

SATURATIE

IC

P > Pmax

IB
ZONA ACTIVA

IB = 0
BLOCARE

UCE

Fig.3.8
Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se afl i puterea
maxim pe care el o poate disipa fr a atinge temperaturi la care s-ar
distruge. Produsul ICUCE nu poate depi aceast valoare care este diferit n
funcie de tipul de tranzistor. Zona n care puterea disipat pe tranzistor ar fi
mai mare dect puterea maxim admis este i ea vizualizat pe
reprezentarea grafic din fig.3.8.

3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar

3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune n baz
Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de amplificare
de exemplu, jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n curent
continuu astfel nct jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar
jonciunea colectoare s fie polarizat invers. Polarizarea se face de la o
singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme folosite n acest
scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent continuu
este cea cu divizor de tensiune n baza tranzistorului, schem prezentat n
fig.3.9.
Practic, problema se pune n felul urmtor: cunoatem tipul de
tranzistor folosit i dorim polarizarea jonciunilor sale astfel nct el s
lucreze ntr-un anumit punct static de funcionare. Evident, se cunoate i
tensiunea de alimentare folosit. Pentru calcularea valorilor rezistenelor din
circuitul de polarizare se folosesc pe de o parte ecuaiile de legtur dintre
curenii care intr i ies din tranzistor, n care se poate neglija influena
curentului ICBo mult mai mic dect ceilali cureni:
51

Tranzistorul bipolar
+EC
Rc

R1`
I1
I2

IC
IB

UCE

UBE

IE

R2

RE

Fig.3.9

I C I B

(3.6)

I E = IC + I B

(3.7)

IC I E

(3.8)

i pe de alt parte, ecuaiile pe care le scriem pe baza aplicrii legilor lui

Kirchhoff n circuitul de polarizare:

E c = I C RC + U CE + I E RE

(3.9)

E c = I 1 R1 + I 2 R2

(3.10)

I1 = I 2 + I B

(3.11)

I 2 R2 = U BE + I E R E

(3.12)

Desigur, pare destul de complicat rezolvarea unui sistem de apte

ecuaii n care s-ar putea s avem mai mult dect apte necunoscute. Practic
ns lucrurile se pot simplifica dac tim cam n ce domenii de valori trebuie
s se ncadreze valorile rezistenelor din circuitul de polarizare. Iat care
sunt acestea:
R1, zeci sute de k
R2, k zeci de k
Rc < 10k
52

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

1 Ec
, sute de - k
10 I C
Valorile rezistenelor R1 i R2 sunt mai mari dect ale celorlalte
pentru a consuma ct mai puin curent de la sursa de alimentare, dar totodat
ele trebuie s asigure polarizarea bazei astfel nct jonciunea emitor s fie
n stare de conducie (uzual 0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenei RE trebuie s fie ct mai mic posibil pentru a
consuma ct mai puin. Teoretic ea poate s lipseasc i emitorul s fie
conectat direct la mas. Practic ns ea este necesar pentru stabilizarea
termic a punctului static de funcionare. Vom vedea acest lucru peste
cteva paragrafe.
Valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezint i
sarcina tranzistorului atunci cnd acesta lucreaz ca element activ n
circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maxim este
limitat de condiia de conducie a tranzistorului. Pentru o valoare prea
mare, cderea de tensiune pe ea poate fi att de mare la un curent de colector
mic nct s nu permit trecerea tranzistorului n stare de conducie.
De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaii al
circuitului de polarizare vom fi nevoii ca valoarea uneia dintre rezistene s
o alegem pe baza observaiilor de mai sus.

RE

S aplicm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenelor dintr-un

circuit de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar pe un
exemplu concret. Presupunem c avem un tranzistor cu = 100, pe care
dorim s-l polarizm n curent continuu astfel nct el s lucreze n zona
activ avnd IC = 2mA, UCE = 5V i UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare
este EC = 10V.
Neglijnd curentul rezidual prin jonciunea baz-colector, din
ecuaia (3.6) putem calcula curentul de baz:
I C 2 10 3
IB =
=
= 2 10 5 A = 20A
100

Cunoscnd curentul de baz, din ecuaia (3.7) calculm curentul de emitor:

I E = I C + I B = (2 10 3 + 0,02 10 3 )A = 2,02mA
Rezistena de emitor o putem calcula din relaia recomandat anterior:
RE

1
10

Ec
1
10
=
= 495
I C 10 2,02 10 3
53

Tranzistorul bipolar
Din ecuaia (3.9) calculm valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului:
RC =

EC U CE I E R E 10 5 2,02 10 3 495
=
= 2000 = 2k
IC
2 10 3

Potenialul bazei fa de mas, VB = I2R2, putem s-l calculm din ecuaia

(3.12):
V B = U BE + I E R E = 0,65 + 2,02 10 3 495 = 1,65V
Alegnd pentru rezistena R2 valoarea:
R2 = 10k
se poate calcula valoarea curentului I2:
V
1,65
I2 = B =
A = 0,165mA
R2 10 10 3

n sfrit, din ecuaiile (3.10) i (3.11) poate fi calculat valoarea rezistenei

R1:
R1 =

E C I 2 R2 E C V B
10 1,65
= 0,0457 10 6 = 45,7k
=
=

6
I1
I2 + I B
(165 + 20) 10

Avnd n vedere valorile standardizate ale rezistenelor de uz general, vom

alege urmtoarele valori pentru cele patru rezistene de polarizare ale
tranzistorului: RC = 2k, RE = 500, R1 = 47k i R2 = 10k.
Ecuaia (3.9) poate fi rescris n modul urmtor:
IC =

U CE
Ec
+
Rc + RE Rc + RE

(3.13)

n care mrimile variabile sunt IC i UCE, celelalte fiind constante. Ea

reprezint ecuaia dreptei de sarcin n curent continuu i va determina
poziia punctului static de funcionare, aa dup cum se poate vedea n
fig.3.10. Din ea se poate observa c dac tensiunea de alimentare i valorile
rezistenelor de polarizare sunt constante, poziia punctului static de
funcionare poate fi schimbat modificnd mrimea curentului de baz.
Aadar, punctul static de funcionare al tranzistorului se mai poate defini ca
fiind intersecia dintre dreapta de sarcin n curent continuu i
caracteristica de ieire corespunztoare unui curent de baz prestabilit.
54

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

IC
Ec
Rc +RE

alte puncte statice de

dreapta de
sarcina in c.c. functionare posibile

punct static de functionare

Ico
0

IBo (dat)
UCEo

Ec

UCE

Fig.3.10
3.2.2 Stabilizarea termic a punctului static de funcionare
Conductibilitatea electric a materialelor semiconductoare este puternic
dependent de temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de
temperatur determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de
purttori minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari.
De aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va
determina o cretere relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de
purttori minoritari) prin jonciunea baz colector, ICBo. Conform relaiei
(3.2) aceasta va determina creterea curentului de colector care, la rndul ei
va determina o cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care
fenomenul se repet ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare
termic. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:

ICBo

IC

ICBo

......

Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul

nceteaz. Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea
punctului static de funcionare, care este definit i de curentul de colector,
I C.
Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena
rezistenelor RE i R2 n circuitul de polarizare a tranzistorului este
obligatorie. Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei
simplificate prezentate n fig.3.11.
Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un
potenial relativ constant al bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele
fiind mult mai puin sensibile la variaiile de temperatur dect
semiconductorii. Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea IC = IE.
Aceasta nsemn c o cretere a curentului de colector, datorat creterii
temperaturii, va determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i
implicit o cretere a cderii de tensiune pe rezistena RE. Deoarece
potenialul bazei fa de mas este constant, tensiunea pe jonciunea emitor
55

Tranzistorul bipolar
va trebui s scad. Scderea lui UBE va determina scderea curentului de
emitor, deci i a celui de colector i fenomenul se atenueaz. Procesul poate
fi sintetizat n urmtoarea diagram:

ICBo

IC

IERE

UBE

IC

IC
VB = const.
IE

U BE
R2

RE

Fig.3.11
De fapt, prezena rezistenei RE n circuitul de polarizare determin
o reacie negativ n curent continuu. Ce este reacia n general i reacia
negativ n particular vom vedea ceva mai trziu.
3.2.3 Polarizarea prin curentul de baz
Polarizarea jonciunilor tranzistorului se poate realiza i fr divizor de
tensiune n baz, folosindu-ne de existena curentului de baz. O astfel de
schem de polarizare este prezentat n fig.3.12
+EC
Rc

R1`

IC

IB

UCE
UBE

IE
RE

Fig.3.12
Din sistemul de ecuaii (3.6) (3.12), ecuaiile (3.10) i (3.12) vor fi
nlocuite cu ecuaia:
E c = I B R1 + U BE + I E RE

56

(3.14)

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

Deoarece curentul de baz este foarte mic (A sau zeci de A),
valoarea rezistenei R1 trebuie sa fie de cteva sute de k sau chiar 1 M,
pentru a avea pe ea o cdere de tensiune care s asigure un potenial pe baz
capabil s deschid jonciunea baz-emitor. Avantajul acestei modaliti de
polarizare este acela c, n absena rezistenei R2, impedana de intrare este
mai mare (n regim de variaii rezistenele R1 i R2 apar conectate n paralel
la mas ne vom convinge de acest adevr ceva mai trziu). Dezavantajul
este o stabilitate mai mic la variaiile de temperatur datorit absenei
rezistenei R2.
3.2.4 Importana curentului de baz
n ecuaiile (3.9) (3.12), scrise pentru schema de polarizare din fig.3.9, am
neglijat curentul de baz, IB, n raport cu cel de colector i cel de emitor. n
multe situaii practice erorile provocate de aceast aproximaie sunt
neglijabile. Dac ns tranzistorul se afl n conducie puternic, intensitatea
curentului de baz ajunge la cteva zeci de A i influena sa asupra
punctului static de funcionare nu mai poate fi neglijat. Aceast afirmaie
poate demonstrat pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de
tensiune n baz prezentat n fig.3.13.
+EC = 12V
R1` 39k

Rc
2,4k

IB
I

VB

R2 10k

RE

600

Fig.3.13
Dac IB = 0, atunci potenialul fa de mas al bazei este:
VB = Ec

R2
= 2,45V
R1 + R2

Dac IB = 5 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:

V B = I B R1 = 0,195V
57

Tranzistorul bipolar
o valoare care n prim aproximaie poate fi neglijat.
Dac IB = 50 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu:
V B = I B R1 = 1,95V

o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijat.

Rmne deci la latitudinea proiectantului cnd poate neglija
influena curentului de baz asupra punctului static de funcionare i cnd
nu.

3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5
pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i
un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu
ntr-un punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se
vor suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de
semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de
funcionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi
ns simplificat dac facem urmtoarele presupuneri:
pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul
de funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de
transfer corespunztoare zonei active de funcionare (fig.3.7b).
pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar.
n fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.
ICo
ib
ube

IBo

UCEo

ic
uce

UBEo

Fig.3.14
Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct
static de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo,
UCEo i ICo. Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la
un moment dat o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului,
58

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

ube, datorat semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca la

momentul considerat potenialul variabil al bazei este mai mare dect cel al
emitorului. Creterea de potenial se adaug potenialului static al bazei,
ceea ce determin o cretere a curentului de baz cu valoarea ib. Creterea
curentului de baz va determina creterea curentului de colector cu valoarea
ic i variaia corespunztoare, uce, a tensiunii colector-emitor.
Vom considera, ca i n cazul definirii parametrilor statici, drept
variabile independente curentul de baz i tensiunea colector-emitor, astfel
nct vom avea funciile:
u be = u be (ib , u ce )

(3.15)

ic = ic (ib , u ce )

(3.16)

Difereniind cele dou funcii obinem:

u be =
i c =

u be
u
ib + be u ce
ib
u ce

ic
i
ib + c u ce
ib
u ce

(3.17)
(3.18)

Pe baza ecuaiilor (3.17) i (3.18) se definesc parametrii h, sau

parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
h11 =

h12 =

h21 =

h22 =

u be
ib
u be
u ce
ic
ib

(3.19)
uce =0

(3.20)
ib =0

(3.21)
uce = 0

ic
u ce

(3.22)
ib = 0

Folosind aceti parametrii, ecuaiile (3.17) i (3.18) devin:

u be = h11ib + h12 u ce

(3.23)

ic = h21ib + h22 u ce

(3.24)
59

Tranzistorul bipolar
Ecuaia (3.23) are semnificaia unei sume algebrice de tensiuni iar
ecuaia (3.24) a unei sume algebrice de cureni. Cele dou ecuaii reprezint
aplicarea legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieirea cuadrupolului
tranzistor. Pornind de la ele poate fi construit schema electric
echivalent din fig.3.15.
ib

ube

ic

h11

h12uce

h21ib

h-122

uce

Fig.3.15
Analiznd acest schem i cunoscnd relaiile de definiie (3.19)
(3.22) a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaiile fizice ale acestora.
Le menionm n continuare, mpreun cu ordinele lor de mrime:
h11 impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit, sute - k
h12 factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol, 10-3

10-4
h21 factorul de amplificare dinamic n curent cu ieirea n scurt, 101
102
1
h22 admitana de ieire cu intrarea n gol, h22
105

Pentru a nu rmne cu impresia c tot ce am vzut pn acum este

doar o teorie frumoas, trebuie s menionm faptul c parametrii h sunt
mrimi caracteristice fiecrui tip de tranzistor i c ei sunt precizai n
cataloage de ctre firmele productoare. Cunoscnd valorile lor concrete,
pentru analizarea regimului dinamic al unui circuit care conine un tranzistor
noi l putem nlocui cu schema din fig.3.15 rezultnd o schem echivalent a
ntregului circuit. Aceast schem va conine doar elemente de circuit
simple (surse de curent i tensiune, rezistene, condensatori, bobine) a cror
comportare o cunoatem i putem face analiza teoretic a comportrii
circuitului.

3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari

3.4.1 Tiristorul (SCR Silicon Controlled Rectifier)
Tiristorul este un dispozitiv multijonciune cu structura prezentat schematic
n fig.3.16a. Simbolul folosit n scheme este prezentat n fig.3.16b. Structura
60

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri
complementare de tip tranzistor, suprapuse astfel nct jonciunile
colectoare s fie comune. El are trei terminale numite anod, catod i poart.
Poarta este elementul de control al funcionrii tiristorului. Ea poate fi
polarizat sau nu.
jonctiuni
emitoare

A
anod

C
catod

A
G

jonctiune
colectoare

poarta

Fig.3.16
Dac anodul este polarizat pozitiv fa de catod iar poarta este
nepolarizat, jonciunile emitoare sunt polarizate direct iar jonciunea
colectoare este polarizat invers. Fiind polarizat invers, jonciunea
colectoare va prezenta o rezisten mare trecerii purttorilor de sarcin,
astfel nct pentru valori mici ale tensiunii dintre anod i catod, UAC,
curentul prin structura semiconductoare va fi foarte mic. Pe msur ce
crete tensiunea de polarizare UAC, crete i tensiunea invers pe jonciunea
colectoare i, la o anumit valoare a acesteia, ncepe multiplicarea n
avalan a purttorilor de sarcin. Aceasta are drept consecine:
scderea rezistenei jonciunii colectoare
creterea brusc a curentului ntre anod i catod
Pentru ca aceast cretere s nu fie necontrolat i s duc la
distrugerea structurii, n circuitul de polarizare a tiristorului trebuie
conectat o rezisten de limitare a curentului.
Tensiunea la care ncepe multiplicarea n avalan a purttorilor de
sarcin se numete tensiune de strpungere, Ust. Caracteristica voltamperic a tiristorului fr polarizarea porii este prezentat n fig.3.17,
curba continu. Dac pe poart se aplic un potenial pozitiv fa de catod
cu scopul generrii unui curent de poart, tiristorul ncepe s conduc la
tensiuni cu att mai mici cu ct potenialul pozitiv al porii este mai mare.
Caracteristicile volta-mperice vor urma traseele punctate din fig.3.17.
Curentul de poart este mult mai mic dect curentul dintre anod i catod,
astfel nct cu un curent mic poate fi controlat apariia unui curent mare. Se
poate deci concluziona c tiristorul este un dispozitiv comandat n
curent.
61

Tranzistorul bipolar

IA

Ust - tensiune de strapungere

Ug2 > Ug1

Ug1 > Ugo

Ugo=

Ust2 Ust1

Usto

UAC

Fig.3.17
Strpungerea spaiului dintre anod i catod se mai numete
aprindere sau amorsare, prin similitudine cu ceea ce se ntmpl ntr-un
tub de descrcare cu gaz. Dup strpungere, potenialul porii nu mai are
nici un efect asupra curentului prin tiristor iar poarta i pierde rolul de
electrod de comand. De aceea, pentru amorsare este suficient ca pe poart
s se aplice impulsuri scurte de tensiune. Stingerea tiristorului se poate
face numai prin micorarea tensiunii de polarizare UAC sau prin inversarea
polaritii ei.

Fig.3.18
62

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

Una dintre aplicaiile cele mai frecvente ale tiristorului este
redresarea comandat. n fig.3.18a este prezentat o schem simpl pentru
aceast aplicaie. La intrarea circuitului se aplic o tensiune alternativ
periodic, u, a crei amplitudine este mai mic dect tensiunea de
strpungere. Pe poart se aplic impulsuri pozitive, uc, cu aceeai perioad
ca i a semnalului comandat. Dac n momentele aplicrii impulsurilor
exist corelaia corespunztoare ntre mrimea tensiunii comandate i
amplitudinea impulsului de comand, tiristorul se va deschide i prin circuit
va ncepe s circule curentul i care urmrete forma tensiunii u (admitem
faptul ca nu avem elemente reactive care s produc defazaj). La schimbarea
polaritii tensiunii de intrare curentul se va stinge. Apoi, procesul se
repet periodic. Formele de und ale celor trei semnale sunt prezentate n
fig.3.18b. Curentul prin circuit va avea forma unui semnal redresat
monoalterna cu un factor de umplere sub 50%. Mrimea factorului de
umplere poate fi modificat att prin modificarea defazajului dintre
semnalul de comand i semnalul redresat ct i a amplitudinii sale, astfel
nct n momentul aplicrii unui impuls de aprindere s fie ndeplinit
condiia de amorsare.
O structur semiconductoare similar cu a tiristorului dar fr
electrodul de comand (poart) se numete dinistor sau diod de comutaie
(Shockley). Dioda de comutaie intr n stare de conducie numai sub
aciunea semnalului aplicat ntre anod i catod. Trecerea ei din stare de
blocare n stare de conducie i invers se face foarte rapid.
3.4.2 Triacul
n multe aplicaii este nevoie de comanda bilateral a unui semnal alternativ,
att n alternana pozitiv ct i n alternana negativ. Pentru aceasta este
nevoie de un dispozitiv asemntor tiristorului dar care s poat intra n
conducie n ambele sensuri. Acesta poate fi realizat din dou structuri
antiparalele de tip tiristor. Un astfel de dispozitiv se numete triac.
I

poarta

terminal 1

U
terminal 2

Fig.3.19
63

Tranzistorul bipolar

Simbolul unui triac i caracteristica sa volt-amperic sunt prezentate

n fig.3.19. Datorit simetriei dispozitivului comanda se poate face cu orice
fel de polaritate a impulsurilor aplicate pe poart. Curentul injectat n poart
modific caracteristica volt-amperic la fel ca la tiristor.
O structur de tip triac fr poart se numete diac. Intrarea sa n
stare de conducie ntr-un sens sau altul este determinat doar de nivelul i
polaritatea tensiunii aplicate ntre cele dou terminale ale sale. Diacul poate
fi folosit la comanda aprinderii triacurilor. Una din schemele folosite n
acest scop este prezentat n fig.3.20.
R

diac

Rs
triac

Fig.3.20
Condensatorul C se poate ncrca prin rezistena R cu ambele
polariti. Cnd tensiunea pe el atinge valoarea necesar realizrii
strpungerii diacului, acesta va injecta curent n poarta triacului care va intra
la rndul su n stare de conducie.
3.4.3 Tranzistorul Schottky
+5V
1 k
UBC= 0,5V

+5V

VC= 0,2V

10 k
VB= 0,7V

Fig.3.21
La analiza regimurilor de funcionare ale tranzistorului bipolar (vezi i
fig.3.7) am constatat c dac el se afl n stare de saturaie atunci
U BE 0,7V iar U CE 0,2V . Aceast situaie este prezentat n fig.3.21 n
64

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

care sunt notate potenialele fa de emitor ale bazei i colectorului
tranzistorului. Se poate observa imediat c jonciunea baz-colector este
polarizat direct cu o tensiune cel puin egal cu 0,5V.
S ne amintim c n starea de blocare a tranzistorului, jonciunea
baz-colector este polarizat invers. Cnd tranzistorul lucreaz n regim de
comutaie el trebuie s treac ct mai rapid posibil dintr-o stare n alta
(blocat saturat blocat - ). La trecerea tranzistorului din starea de
saturaie n starea de blocare, electronii din baz, unde sunt purttori
minoritari, trebuie readui n colector, unde sunt majoritari, iar golurile din
colector trebuie readuse n baz. Procesul de redistribuire a sarcinilor n
vecintatea jonciunii nu se poate face instantaneu. Timpul necesar trecerii
dintr-o stare n alta se numete timp de comutaie i este de dorit ca el s
fie ct mai mic posibil. Cu ct tensiunea de polarizare direct a jonciunii
baz-colector n regim de saturaie este mai mic, cu att numrul de
purttori de sarcin care trebuie redistribuii este mai mic i timpul de
comutaie se va micora. Micorarea tensiunii de polarizare direct a
jonciunii baz-colector se poate face dac ntre baz i colector se
realizeaz o structur semiconductoare de tip diod Schottky.
Un tranzistor cu o astfel de structur este tranzistorul Schottky
(fig.3.22). Prezena diodei Schottky nu va permite creterea tensiunii de
polarizare direct a jonciunii baz-colector n regim de saturaie peste
0,35V, astfel nct timpul de comutaie din starea de saturaie n starea de
blocare se va micora considerabil iar viteza de comutaie va crete.

Fig.3.22
3.4.4 Fototranzistorul
Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul
fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor
sub aciunea unei radiaiei electromagnetice cu lungimea de und n
domeniul vizibil sau ultraviolet. Dac semiconductorul este supus unei
diferene de potenial, atunci el va fi parcurs de un curent a crui intensitate
65

Tranzistorul bipolar
va depinde de mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi
mrit prin utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica
curentul.
Fototranzistorul (fig.3.23a) este un tranzistor cu regiunea jonciunii
emitor-baz expus iluminrii, astfel nct rolul diferenei de potenial dintre
baz i emitor este jucat de fluxul luminos incident pe jonciunea emitoare.
Generarea de perechi electron-gol contribuie la micorarea barierei de
potenial a jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n funcie de
numrul de fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el
permite un control suplimentar al curentului de colector.
+EC

IC
Ec
Rc

Rc

dreapta de
sarcina

IC
UCE

=0

Ec

UCE

Fig.3.23
Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele
ale unui tranzistor obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului IB apare
iluminarea sau fluxul luminos (fig.3.23b).

66